KR102664316B1 - 플라즈마 프로세싱 시스템과 인터페이싱하는 엔드 이펙터들을 사용한 소모성 부품들의 자동화된 교체 - Google Patents
플라즈마 프로세싱 시스템과 인터페이싱하는 엔드 이펙터들을 사용한 소모성 부품들의 자동화된 교체 Download PDFInfo
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Abstract
클러스터 툴 어셈블리는 진공 이송 모듈, 진공 이송 모듈에 연결된 제 1 측면을 가진 프로세스 모듈을 포함한다. 격리 밸브는 제 1 측면 및 제 2 측면을 갖고, 격리 밸브의 제 1 측면은 프로세스 모듈의 제 2 측면에 커플링된다. 교체 스테이션은 격리 밸브의 제 2 측면에 커플링된다. 교체 스테이션은 교환 핸들러 및 부품 버퍼를 포함한다. 부품 버퍼는 새로운 소모성 부품 또는 사용된 소모성 부품을 홀딩하도록 복수의 격실들을 포함한다. 프로세스 모듈은 상승된 위치로의 프로세스 모듈 내에 설치된 소모성 부품의 배치를 가능하게 하도록 리프트 메커니즘을 포함한다. 상승된 위치는 프로세스 모듈로부터 소모성 부품의 제거 그리고 부품 버퍼의 격실 내의 저장을 가능하게 하도록 교환 핸들러에 대한 액세스를 제공한다. 교체 스테이션의 교환 핸들러는 부품 버퍼로부터 다시 프로세스 모듈로 소모성 부품에 대한 교체를 제공하도록 구성된다. 리프트 메커니즘은 교환 핸들러에 의한 교체를 위해 제공된 소모성 부품을 수용하고 그리고 소모성 부품을 설치된 위치로 하강시키도록 구성된다. 교환 핸들러 및 프로세스 모듈에 의한 교체는 프로세스 모듈 및 교체 스테이션이 진공 상태에서 유지되는 동안 실시된다.
Description
본 실시예들은 반도체 웨이퍼를 제작하는데 사용된 클러스터 툴 어셈블리에 관한 것이고, 보다 구체적으로, 클러스터 툴 어셈블리에 배치된 프로세스 모듈 내에서 소모성 부품들의 제거 및 교체를 인에이블하는 클러스터 툴 어셈블리에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼를 생성하기 위한 제작 프로세스에서 사용되는 통상적인 클러스터 툴 어셈블리는 하나 이상의 프로세스 모듈들을 포함하고, 프로세스 모듈 각각은 세정 동작, 증착, 에칭 동작, 린싱 동작, 건조 동작, 등과 같은 특정한 제작 동작을 수행하도록 사용된다. 이들 동작들을 수행하도록 사용된 화학물질들 및/또는 프로세싱 조건들은 프로세스 모듈 내에서 혹독한 조건들에 끊임없이 노출되는 프로세스 모듈의 하드웨어 컴포넌트들 (components) 중 일부에 손상을 유발한다. 이들 손상되거나 마모된 하드웨어 컴포넌트들은, 손상된 하드웨어 컴포넌트들이 프로세스 모듈 내의 다른 하드웨어 컴포넌트들을 혹독한 조건들에 노출시키지 않고, 그리고 반도체 웨이퍼의 품질이 저하되지 않는다는 것을 보장하도록 즉시 교체될 필요가 있다. 예를 들어, 프로세스 모듈 내에서 반도체 웨이퍼에 인접하게 배치된 에지 링은 에칭 동작에서 사용된 프로세스 모듈 내에서 생성된 플라즈마로부터의 이온 충격에 대한 연속적인 노출 및 에지 링의 위치에 기인하여 자주 손상될 수도 있다. 손상된 에지 링은 손상된 에지 링이 척과 같은 하부 하드웨어 컴포넌트들을 혹독한 프로세스 조건들에 노출시키지 않는 것을 보장하도록 즉시 교체될 필요가 있다. 교체될 수 있는 하드웨어 컴포넌트들은 본 명세서에서 소모성 부품들로서 지칭된다.
손상된 소모성 부품을 교체하는 현 프로세스는 숙달된 서비스 기술자로 하여금 일련의 단계들을 수행하는 것을 요구한다. 기술자는 클러스터 툴 어셈블리를 오프라인 상태에 놓고, 독성 잔류물들로의 노출을 피하도록 클러스터 툴 어셈블리를 펌핑/퍼지하고, 클러스터 툴을 개방하고, 손상된 소모성 부품을 제거하고 그리고 손상된 소모성 부품을 새로운 소모성 부품으로 교체할 필요가 있다. 손상된 부품이 교체된다면, 기술자는 이어서 클러스터 툴을 세정하고, 진공에 클러스터 툴 어셈블리를 펌핑하고 그리고 웨이퍼 프로세싱을 위해 클러스터 툴 어셈블리를 컨디셔닝해야 한다. 일부 예들에서, 컨디셔닝은 반도체 웨이퍼 상에서 테스트 프로세스를 실행함으로써 클러스터 툴 어셈블리를 인증하는 것, 반도체 웨이퍼의 단면들을 취하는 것 그리고 프로세스 동작의 품질을 보장하도록 단면들을 분석하는 것을 수반할 수도 있다. 손상된 소모성 부품을 교체하는 것은 클러스터 툴 어셈블리로 하여금 상당한 시간량 동안 오프라인 상태에 있을 것을 요구하고, 이로써 반도체 제작업자의 이윤에 영향을 주는 매우 복잡하고 시간 소모성인 프로세스이다.
본 발명의 실시예들은 이 맥락에서 발생한다.
본 발명의 실시예들은 진공을 파괴할 필요 없이 (즉, 클러스터 툴 어셈블리를 대기 상태에 노출) 클러스터 툴 어셈블리 내에 배치된 프로세스 모듈의 손상된 하드웨어 컴포넌트들을 제거 및 교체하도록 설계된 클러스터 툴 어셈블리 및 클러스터 툴 어셈블리 내에 제공된 엔드 이펙터 메커니즘을 규정한다. 교체될 수 있는 손상된 하드웨어 컴포넌트는 본 명세서에서 소모성 부품으로서 또한 지칭된다. 클러스터 툴 어셈블리는 하나 이상의 프로세스 모듈들을 포함하고, 프로세스 모듈 각각은 반도체 웨이퍼 프로세싱 동작을 수행하도록 구성된다. 프로세스 모듈 내의 소모성 부품이 화학물질들 및 프로세스 조건들에 노출될 때, 소모성 부품은 손상되고 시기 적절한 방식으로 교체될 필요가 있다. 손상된 소모성 부품은 교체 스테이션을 클러스터 툴 어셈블리에 장착함으로써 클러스터 툴 어셈블리를 개방하지 않고 교체될 수도 있다. 교체 스테이션은 새로운 소모성 부품들 및 사용된 소모성 부품들을 저장하도록 사용되는 칸들을 가진 부품 버퍼를 포함한다. 교체 스테이션 및 프로세스 모듈(들)은 소모성 부품의 교체를 허용하도록, 프로세스 모듈(들)이 진공 상태로 유지되는 동안 제어기로 하여금 교체 스테이션과 프로세스 모듈(들) 사이의 액세스를 조정하게 인에이블하도록 제어기에 커플링된다.
손상된 소모성 부품으로의 용이한 액세스를 제공하기 위해, 프로세스 모듈은 리프트 메커니즘을 포함하도록 설계될 수도 있다. 인게이지될 (engaged) 때, 리프트 메커니즘은, 클러스터 툴 어셈블리 내에서 사용 가능한 로봇이 상승된 소모성 부품에 액세스하고 프로세스 모듈로부터 상승된 소모성 부품을 회수하기 위해 사용될 수도 있도록 소모성 부품으로 하여금 상승된 위치로 이동되게 하도록 구성된다. 교체 소모성 부품은 프로세스 모듈에 제공되고 그리고 리프트 메커니즘은 소모성 부품을 수용하고 프로세스 모듈의 위치로 소모성 부품을 하강시키도록 사용된다.
소모성 부품에 액세스하도록 교체 스테이션을 제공함으로써, 손상된 소모성 부품에 액세스하기 위해 대기 상태들에 클러스터 툴 어셈블리를 개방할 필요가 없다. 교체 스테이션은 진공으로 유지되고, 일부 구현예들에서, 이로써 소모성 부품의 교체 동안 오염의 위험이 제거된다. 그 결과, 손상된 소모성 부품의 교체 후 프로세스 모듈을 실제 동작 상태로 바꾸도록 프로세스 모듈을 리컨디셔닝하는데 (recondition) 요구되는 시간이 상당히 감소된다. 또한, 로봇 및 리프트 메커니즘은 소모성 부품의 회수 및 교체 동안 프로세스 모듈의 어떠한 하드웨어 컴포넌트들에도 부주의하게 손상을 주는 위험 없이 소모성 부품의 교체를 허용한다.
본 개시의 실시예들은 클러스터 툴 어셈블리로 하여금 대기 상태들에 개방되는 것을 요구하지 않고 프로세스 모듈로부터 소모성 부품을 제거 및 교체하도록 사용될 수 있는 클러스터 툴 어셈블리를 제공한다. 클러스터 툴 어셈블리가 개방되지 않기 때문에, 클러스터 툴 어셈블리는 퍼지되거나 펌핑될 필요가 없다. 그 결과, 클러스터 툴 어셈블리를 컨디셔닝하고 인증하도록 요구되는 시간이 상당히 감소된다.
교체 스테이션은 3개의 상이한 위치들에 배치될 수도 있다. 일 위치에서, 롤-업 교체 스테이션은 진공으로 펌핑하고 프로세스 모듈로부터 직접 소모성 부품을 후퇴시키는 (retract) 능력을 갖고, 클러스터 툴 어셈블리 내에서 프로세스 모듈에 바로 일시적으로 장착된다. 새로운 소모성 부품은 교체 스테이션으로부터 회수되고 그리고 프로세스 모듈 내에 바로 배치된다. 이 위치에서, 교체 스테이션은 사용된 소모성 부품들 및 새로운 소모성 부품들을 홀딩하기 위한 로봇 및 부품 버퍼를 포함할 것이다. 격리 밸브는 프로세스 모듈 상에 남아 있을 것이다. 이 구성은 전체 클러스터 툴 어셈블리가 아닌 프로세스 모듈만이 이 유지보수 액티비티를 위해 오프라인 상태에 있을 것이기 때문에 바람직하다.
제 2 위치에서, 교체 스테이션은 진공 이송 모듈 (VTM: vacuum transfer module) 에 영구적으로 장착되고 그리고 VTM 내의 로봇은 프로세스 모듈로부터 소모성 부품을 제거 및 교체하도록 활용된다. 이 위치에서, 교체 스테이션은 전용 로봇을 요구하지 않지만, VTM 로봇의 엔드 이펙터는 반도체 웨이퍼들 및 소모성 부품들 양자를 이동하는 것을 핸들링할 것이다.
제 3 위치에서, 교체 스테이션은 대기 이송 모듈 (ATM: atmospheric transfer module) 및 ATM의 로봇에 일시적으로 또는 영구적으로 장착되고, 진공 이송 모듈 (VTM) 의 로봇은 프로세스 모듈로부터 소모성 부품을 제거 및 교체하도록 사용된다. 이 위치에서, 교체 스테이션은 전용 로봇 암을 요구하지 않을 것이지만, VTM 및 ATM 로봇 엔드 이펙터들, 뿐만 아니라 ATM과 VTM 사이에 배치된 로드록 챔버는 반도체 웨이퍼들 및 소모성 부품들 양자를 핸들링할 것이다.
프로세스 모듈은 소모성 부품 리프트 메커니즘을 포함한다. 소모성 부품은 보통 에지 링과 같은 링이다. 소모성 부품은 로봇이 소모성 부품에 쉽게 액세스하고 그리고 소모성 부품을 꺼내도록 리프팅되어야 할 것이다. 일 실시예에서, 리프트 메커니즘은 리프트 핀을 갖춘 진공-시일링된 액추에이터를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 액추에이터는 진공으로 유지된다. 정상적인 동작 하에서, 리프트는 후퇴된 상태에 있고 소모성 부품과 콘택트하지 않는다. 소모성 부품이 교체될 필요가 있을 때, 액추에이터는 리프트 핀을 연장하고 소모성 부품을 상승시킨다. 로봇은 엔드 이펙터 (예를 들어, 로봇에 부착된 주걱-형상의 부품 또는 핑거-형상의 부품) 가 소모성 부품 아래에서 슬라이딩하도록 프로세스 모듈 내로 엔드 이펙터를 연장한다. 이어서 액추에이터는 리프트 핀을 후퇴시키고, 엔드 이펙터 상에 소모성 부품을 배치한다. 소모성 부품은 교체 스테이션 내로 다시 당겨진다. 역 순서가 프로세스 모듈 내에 새로운 소모성 부품을 배치하도록 사용된다.
일 실시예에서, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘이 개시된다. 엔드 이펙터 메커니즘은 리스트 플레이트 (wrist plate), 장착 암세트 (armset), 핑거 어셈블리 및 복수의 콘택트 패드들을 포함한다. 장착 암세트는 리스트 플레이트에 연결된다. 장착 암세트는 상단 플레이트 및 하단 플레이트를 갖는다. 핑거 어셈블리는 장착 암세트의 상단 플레이트와 하단 플레이트 사이에 클램핑된다. 핑거 어셈블리는 장착 암세트로부터 외측으로 연장하는 한 쌍의 핑거들을 포함한다. 핑거 어셈블리는 장착 암세트에 인접하게 근위 단부 및 한 쌍의 핑거들의 팁들에서 원위 단부를 갖는다. 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍은 핑거 어셈블리의 상단 표면 상에 배치되고 그리고 핑거 어셈블리의 근위 단부에 위치된다. 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍은 핑거 어셈블리의 상단 표면 상에 배치되고 그리고 핑거 어셈블리의 원위 단부에 위치된다. 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍은 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍에 인접한 핑거 어셈블리의 상단 표면 상에 그리고 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍과 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍 사이에 배치된다. 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍은 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍에 인접한 핑거 어셈블리의 상단 표면 상에 그리고 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍과 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍 사이에 배치된다. 핑거 어셈블리는 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍 및 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍을 사용하여 소모성 부품, 그리고 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍 및 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍을 사용하여 기판을 수송하기 위해 구성된다.
또 다른 실시예에서, 기판을 프로세싱하기 위해 사용된 클러스터 툴 어셈블리 내에 배치된 로드록 챔버가 개시된다. 클러스터 툴 어셈블리는 대기 이송 모듈 (ATM), 진공 이송 모듈 (VTM), 및 프로세스 모듈을 포함한다. 로드록 챔버는 ATM과 VTM 사이에 배치되고 그리고 ATM과 VTM 사이에 인터페이스를 제공한다. 로드록 챔버는 복수의 핑거 어셈블리들을 가진 지지 메커니즘을 포함한다. 복수의 핑거 어셈블리들 중 핑거 어셈블리 각각은 상단 지지 핑거 및 하단 지지 핑거를 포함한다. 상단 및 하단 지지 핑거들은 제 1 단부 및 제 2 단부를 갖는다. 하단 지지 핑거의 상단 표면은 제 2 단부에 근접하고 그리고 제 1 단부와 제 2 단부 사이에 규정된 인덴트 (indent) 를 포함한다. 스페이서 블록은 제 1 단부에서 하단 지지 핑거와 상단 지지 핑거 사이에 배치된다. 제 2 스페이서 블록은 제 1 단부에서 하단 지지 핑거 아래에 배치된다. 기판 콘택트 패드는 상단 및 하단 지지 핑거들의 팁에 근접한 제 2 단부에서 상단 및 하단 지지 핑거들의 상단 표면 상에 배치된다. 소모성 콘택트 패드는 하단 지지 핑거의 제 1 단부와 하단 지지 핑거 내에 배치된 기판 콘택트 패드 사이에 그리고 인덴트 내에 배치된다. 복수의 핑거 어셈블리들은 소모성 콘택트 패드를 사용하여 소모성 부품 그리고 기판 콘택트 패드를 사용하여 기판 양자를 수송하도록 구성된다.
본 발명의 일 양태들은 본 발명의 원리들을 예에 의해 예시하는, 첨부 도면들과 함께 취해진, 다음의 상세한 기술로부터 명백해질 것이다.
본 발명은 첨부된 도면들과 함께 취해진 다음의 기술을 참조하여 가장 잘 이해될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에서, 반도체 웨이퍼의 프로세싱에 사용된 프로세스 모듈에 장착된 교체 스테이션을 포함한 클러스터 툴 어셈블리의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 2는 본 발명의 대안적인 실시예에서, 클러스터 툴의 진공 이송 모듈에 장착된 교체 스테이션을 포함한 클러스터 툴 어셈블리의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 3은 본 발명의 대안적인 실시예에서, 클러스터 툴의 대기 이송 모듈에 장착된 교체 스테이션을 포함한 클러스터 툴 어셈블리의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에서, 클러스터 툴 내에서 소모성 부품을 이동시키도록 사용되는 엔드 이펙터들을 가진 로봇들을 포함하는 클러스터 툴 어셈블리의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에서, 소모성 부품으로의 액세스를 제공하도록 사용된 예시적인 리프트 메커니즘을 포함한 클러스터 툴 어셈블리의 프로세스 모듈의 일부분의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에서, 소모성 부품을 이동시키기 위해 장착된 교체 스테이션을 갖는 프로세스 모듈의 간략화된 블록도를 예시하고, 여기서 리프트 메커니즘은 디스인게이지된 (disengaged) 모드에 있다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에서, 장착된 교체 스테이션을 갖는 프로세스 모듈의 간략화된 블록도를 예시하고, 여기서 리프트 메커니즘은 인게이지된 모드에 있다.
도 5c는 본 발명의 일 실시예에서, 프로세스 모듈 내에 소모성 부품을 교체하는데 사용된 프로세스 모듈 내의 리프트 메커니즘 및 진공 이송 모듈에 장착된 교체 스테이션을 갖는 프로세스 모듈의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 6a는 본 발명의 일부 실시예들에서, 기판을 수용하도록 구성되는 ATM 내에서 사용된 엔드 이펙터 메커니즘을 예시하고, 그리고 도 6b, 도 6ba 및 도 6c는 대기 이송 모듈 및/또는 진공 이송 모듈 내에 배치된 엔드 이펙터 메커니즘의 부감도 및 측면도를 예시한다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 엔드 이펙터 메커니즘을 사용하여 수용되는 소모성 부품의 가변하는 하단 표면 프로파일을 예시한다.
도 7e는 본 발명들의 일부 실시예들에 따른, VTM의 로봇 상의 예시적인 엔드 이펙터 메커니즘을 예시한다.
도 7fa, 도 7fb는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 상이한 하단 프로파일들을 가진 소모성 부품들을 지지하기 위한 VTM 및/또는 ATM의 로봇 상의 엔드 이펙터 메커니즘에서 사용되는 대안적인 콘택트 패드 개념을 예시한다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 기판 및 소모성 부품을 로드록 챔버 내로 전달하도록 사용된 예시적인 엔드 이펙터 메커니즘들을 예시한다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 소모성 부품을 로드록 챔버로 전달하도록 사용되는 링 캐리어를 가진 엔드 이펙터 메커니즘의 예시적인 측면도 및 평면도를 예시한다.
도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 소모성 부품을 수용하도록 구성되는 로드록 챔버 내에서 사용된 예시적인 핑거 어셈블리를 예시한다.
도 10e 및 도 10f는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 소모성 부품을 수용하도록 핑거 어셈블리들을 포함하는 재설계된 에어록 챔버 및 기존의 에어록 챔버의 도면을 예시한다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른, 소모성 부품 및 링 캐리어를 저장하기 위해 사용된 예시적인 교체 스테이션을 예시한다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에서, 소모성 부품 또는 웨이퍼가 프로세스 모듈 내외로 이동되는 프로세스 모듈 내의 슬롯의 예시적인 도면을 예시한다.
도 13은 일 실시예에 따른, 클러스터 툴의 다양한 양태들을 제어하기 위한 제어 모듈 (즉, 제어기) 을 예시한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에서, 반도체 웨이퍼의 프로세싱에 사용된 프로세스 모듈에 장착된 교체 스테이션을 포함한 클러스터 툴 어셈블리의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 2는 본 발명의 대안적인 실시예에서, 클러스터 툴의 진공 이송 모듈에 장착된 교체 스테이션을 포함한 클러스터 툴 어셈블리의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 3은 본 발명의 대안적인 실시예에서, 클러스터 툴의 대기 이송 모듈에 장착된 교체 스테이션을 포함한 클러스터 툴 어셈블리의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에서, 클러스터 툴 내에서 소모성 부품을 이동시키도록 사용되는 엔드 이펙터들을 가진 로봇들을 포함하는 클러스터 툴 어셈블리의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에서, 소모성 부품으로의 액세스를 제공하도록 사용된 예시적인 리프트 메커니즘을 포함한 클러스터 툴 어셈블리의 프로세스 모듈의 일부분의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에서, 소모성 부품을 이동시키기 위해 장착된 교체 스테이션을 갖는 프로세스 모듈의 간략화된 블록도를 예시하고, 여기서 리프트 메커니즘은 디스인게이지된 (disengaged) 모드에 있다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에서, 장착된 교체 스테이션을 갖는 프로세스 모듈의 간략화된 블록도를 예시하고, 여기서 리프트 메커니즘은 인게이지된 모드에 있다.
도 5c는 본 발명의 일 실시예에서, 프로세스 모듈 내에 소모성 부품을 교체하는데 사용된 프로세스 모듈 내의 리프트 메커니즘 및 진공 이송 모듈에 장착된 교체 스테이션을 갖는 프로세스 모듈의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 6a는 본 발명의 일부 실시예들에서, 기판을 수용하도록 구성되는 ATM 내에서 사용된 엔드 이펙터 메커니즘을 예시하고, 그리고 도 6b, 도 6ba 및 도 6c는 대기 이송 모듈 및/또는 진공 이송 모듈 내에 배치된 엔드 이펙터 메커니즘의 부감도 및 측면도를 예시한다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 엔드 이펙터 메커니즘을 사용하여 수용되는 소모성 부품의 가변하는 하단 표면 프로파일을 예시한다.
도 7e는 본 발명들의 일부 실시예들에 따른, VTM의 로봇 상의 예시적인 엔드 이펙터 메커니즘을 예시한다.
도 7fa, 도 7fb는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 상이한 하단 프로파일들을 가진 소모성 부품들을 지지하기 위한 VTM 및/또는 ATM의 로봇 상의 엔드 이펙터 메커니즘에서 사용되는 대안적인 콘택트 패드 개념을 예시한다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 기판 및 소모성 부품을 로드록 챔버 내로 전달하도록 사용된 예시적인 엔드 이펙터 메커니즘들을 예시한다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 소모성 부품을 로드록 챔버로 전달하도록 사용되는 링 캐리어를 가진 엔드 이펙터 메커니즘의 예시적인 측면도 및 평면도를 예시한다.
도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 소모성 부품을 수용하도록 구성되는 로드록 챔버 내에서 사용된 예시적인 핑거 어셈블리를 예시한다.
도 10e 및 도 10f는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 소모성 부품을 수용하도록 핑거 어셈블리들을 포함하는 재설계된 에어록 챔버 및 기존의 에어록 챔버의 도면을 예시한다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른, 소모성 부품 및 링 캐리어를 저장하기 위해 사용된 예시적인 교체 스테이션을 예시한다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에서, 소모성 부품 또는 웨이퍼가 프로세스 모듈 내외로 이동되는 프로세스 모듈 내의 슬롯의 예시적인 도면을 예시한다.
도 13은 일 실시예에 따른, 클러스터 툴의 다양한 양태들을 제어하기 위한 제어 모듈 (즉, 제어기) 을 예시한다.
본 개시의 실시예들은 반도체 웨이퍼를 프로세싱하도록 사용된 클러스터 툴 어셈블리를 규정한다. 클러스터 툴 어셈블리는 반도체 웨이퍼를 프로세싱하도록 사용된 프로세스 모듈을 포함한다. 교체 스테이션은 클러스터 툴 어셈블리에 장착된다. 교체 스테이션은 프로세스 모듈 또는 클러스터 툴 어셈블리를 오염시키는 위험 없이 소모성 부품의 교체를 위한 필수적인 프로세스 조건을 제공하도록 진공으로 유지된다. 교체 스테이션 내의 전용 로봇 또는 클러스터 툴 어셈블리 내에서 사용 가능한 로봇은 프로세스 모듈로부터 사용된 소모성 부품을 회수하고 그리고 새로운 소모성 부품으로 교체하도록 사용된다.
일부 실시예들에서, 교체 스테이션은 소모성 부품이 교체될 필요가 있는 클러스터 툴 어셈블리의 프로세스 모듈에 바로 장착된다. 이러한 실시예들에서, 교체 스테이션은 프로세스 모듈에 바로 커플링된다. 교체 스테이션에 형성된 로봇은 소모성 부품을 회수하고 대체하도록 사용된다.
일부 다른 실시예들에서, 교체 스테이션은 클러스터 툴 어셈블리 내에서 진공 이송 모듈 (VTM) 에 바로 장착될 수도 있다. 교체 스테이션은 클러스터 툴 어셈블리의 균일성 및 대칭을 유지하도록 장착된다. 프로세스 모듈들의 내외로 반도체 웨이퍼를 이동시키도록 사용된 VTM의 로봇은 또한 프로세스 모듈에 배치된 소모성 부품을 회수하고 교체하도록 사용된다.
일부 다른 실시예들에서, 교체 스테이션은 클러스터 툴 어셈블리의 대기 이송 모듈에 바로 장착될 수도 있다. 이러한 실시예들에서, 대기 이송 모듈의 로봇은 프로세스 모듈로부터의 소모성 부품에 액세스하고 프로세스 모듈로부터의 소모성 부품을 교체하도록 클러스터 툴 어셈블리의 진공 이송 모듈의 로봇과 함께 작동된다. 교체 스테이션은 클러스터 툴 어셈블리의 상이한 모듈들에 장착되고 그리고 클러스터 툴 어셈블리로 하여금 소모성 부품에 액세스하도록 대기 상태들에 개방될 필요 없이, 소모성 부품의 교체를 인에이블하도록 설계된다.
클러스터 툴 어셈블리의 종래의 설계는 클러스터 툴 어셈블리로 하여금 프로세스 모듈 내에서 소모성 부품에 액세스하고 소모성 부품을 교체하기 위해 개방되도록 요구했다. 클러스터 툴 어셈블리의 개방은 클러스터 툴 어셈블리를 오프라인 상태에 놓는 것 그리고 프로세스 모듈들로의 액세스를 허용하도록 대기 상태로 클러스터 툴 어셈블리를 퍼지하는 것을 요구했다. 클러스터 툴 어셈블리가 개방된다면, 숙달된 기술자는 프로세스 모듈로부터 소모성 부품을 수동으로 제거 및 교체할 것이다. 소모성 부품의 교체 시에, 클러스터 툴 어셈블리는 반도체 웨이퍼가 프로세싱될 수 있도록 컨디셔닝되어야 했다. 반도체 웨이퍼들은 값비싼 제품들이기 때문에, 극도의 관리가 클러스터 툴 어셈블리를 컨디셔닝할 때 취해져야 했다. 컨디셔닝은 클러스터 툴 어셈블리를 세정하는 것, 진공에 클러스터 툴 어셈블리를 펌핑하는 것, 클러스터 툴 어셈블리를 컨디셔닝하는 것 그리고 테스트 실행들을 사용하여 클러스터 툴 어셈블리를 인증하는 것을 요구할 것이다. 이들 단계들 각각은 상당한 시간과 노력을 요구한다. 클러스터 툴 어셈블리를 컨디셔닝하도록 매 단계에서 요구된 시간 외에, 문제들이 클러스터 툴 어셈블리의 컨디셔닝 동안 단계들 중 하나 이상에서 직면될 때 부가적인 지연을 겪을 수도 있다. 클러스터 툴 어셈블리의 컨디셔닝 동안 흔히 직면된 문제들 중 일부는, 교체 동안 소모성 부품의 오정렬, 손상된 소모성 부품 또는 사용된 소모성 부품을 교체할 때 새로운 소모성 부품에 대한 손상, 소모성 부품의 회수 또는 교체 동안 프로세스 모듈 내의 다른 하드웨어 컴포넌트들에 대한 손상, 펌핑 후 진공을 달성하지 않은 클러스터 툴 어셈블리, 프로세스 성능을 달성하지 않은 클러스터 툴 어셈블리, 등을 포함할 수도 있다. 문제 각각의 심각도에 기초하여, 부가적인 시간 및 노력이 소비되어야 할 수도 있고, 클러스터 툴 어셈블리를 온라인 상태에 놓는 지연에 다른 원인이 되고, 제작업자의 이윤에 직접적으로 영향을 준다.
클러스터 툴 어셈블리에 교체 스테이션을 장착하는 것 그리고 교체 스테이션을 통해 소모성 부품에 액세스하는 것은, 클러스터 툴 어셈블리를 유지하기 위해 요구되는 상당한 시간량과 노력을 절약한다. 소모성 부품, 프로세스 모듈 및/또는 클러스터 툴 어셈블리에 대한 손상의 위험은, 소모성 부품을 교체하기 위해 클러스터 툴 어셈블리 내에서 사용 가능한 로봇을 사용함으로써 최소화되고, 그리고 오염 위험은 교체 스테이션을 진공으로 유지함으로써, 따라서 외측 대기에 대한 클러스터 툴 어셈블리의 내부의 노출을 회피함으로써 최소화된다. 로봇을 사용하여, 프로세스 모듈의 다른 하드웨어 컴포넌트들에 대한 손상을 최소화하는 동안 프로세스 모듈 내의 소모성 부품의 보다 정확한 정렬을 달성할 수 있다. 그 결과, 클러스터 툴 어셈블리를 컨디셔닝하도록 요구된 시간은 크게 감소된다. 소모성 부품들의 시기 적절한 교체는 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 컴포넌트들의 품질 및 수율을 증가시킨다.
도 1은 일 실시예에서, 반도체 웨이퍼를 프로세싱하도록 사용된 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 간략화된 개략도를 예시한다. 클러스터 툴 어셈블리 (100) 는 반도체 웨이퍼로 하여금, 환경에 반도체 웨이퍼의 최소의 노출과 함께 제어된 환경에서 프로세싱되게 하도록 복수의 모듈들을 포함한다. 클러스터 툴 어셈블리 (100) 는 일 실시예에서, 대기 이송 모듈 (ATM) (102), 공동의 진공 이송 모듈 (VTM) (104) 및 하나 이상의 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 을 포함한다. ATM (102) 은 주변 (즉, 대기) 조건 하에서 동작되고 그리고 프로세싱을 위해, 그리고 프로세싱 후 반도체 웨이퍼를 복귀시키기 위해 통합된 클러스터 툴 어셈블리 (100) 내로 반도체 웨이퍼를 옮기도록 웨이퍼 로더 (미도시) 와 인터페이싱한다. ATM (102) 은 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 로더로부터 VTM (104) 으로 이동시키도록 로봇을 포함할 수도 있다. 로봇은 ATM (102) 이 대기 상태에 있기 때문에 건조 로봇의 부분일 수도 있다.
VTM (104) 은 반도체 웨이퍼가 일 프로세스 모듈로부터 또 다른 프로세스 모듈로 이동될 때 대기 공기에 대한 반도체 웨이퍼 표면의 노출을 최소화하도록 진공 하에서 동작된다. VTM (104) 이 진공 하에서 동작하고 ATM (102) 이 대기 상태에서 동작하기 때문에, 로드록 챔버 (110) 는 ATM (102) 과 VTM (104) 사이에 배치된다. 로드록 챔버 (110) 는 ATM (102) 으로부터 VTM (104) 으로의 반도체 웨이퍼의 이송을 허용하도록 제어된 인터페이스를 제공한다. 이 실시예에서, ATM (102) 내의 로봇은 반도체 웨이퍼를 로드록 챔버 (110) 내로 증착하도록 사용될 수도 있다. 별개의 로봇은 로드록 챔버 (110) 로부터 반도체 웨이퍼를 회수하고 그리고 프로세스 모듈 (112 내지 120) 의 내외로 반도체 웨이퍼를 이송하도록 VTM (104) 내에 제공될 수도 있다. 로드록 챔버의 위치에 기인하여, 일부 실시예들에서, 로드록 챔버는 "인터페이싱 챔버"로서 또한 지칭된다.
하나 이상의 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 은 VTM (104) 에 의해 유지된 제어된 환경에서 반도체 웨이퍼로 하여금 일 프로세스 모듈로부터 또 다른 프로세스 모듈로 이동하게 하도록 VTM (104) 과 통합된다. 일부 실시예들에서, 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 은 VTM (104) 주위에서 균일하게 분포될 수도 있고 그리고 별개의 프로세스 동작들을 수행하도록 사용된다. 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 을 사용하여 실시될 수 있는 프로세스 동작들 중 일부는 에칭 동작, 린싱, 세정, 건조 동작, 플라즈마 동작, 증착 동작, 도금 동작, 등을 포함한다. 예로서, 프로세스 모듈 (112) 은 증착 동작을 수행하도록 사용될 수도 있고, 프로세스 모듈 (114) 은 세정 동작을 수행하도록 사용될 수도 있고, 프로세스 모듈 (116) 은 제 2 증착 동작을 수행하도록 사용될 수도 있고, 프로세스 모듈 (118) 은 에칭 또는 제거 동작 등을 수행하도록 사용될 수도 있다. 제어된 환경을 가진 VTM (104) 은 반도체 웨이퍼로 하여금 오염 위험 없이 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 내외로 이송되게 하고 VTM (104) 내의 로봇은 VTM (104) 과 통합된 다양한 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 내외로 반도체 웨이퍼를 이송하는 것을 돕는다.
일 실시예에서, 교체 스테이션 (108) 은 클러스터 툴 어셈블리 (100) 내에서 프로세스 모듈 (예를 들어, 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 중 임의의 하나) 에 장착된다. 도 1에 예시된 예시적인 실시예에서, 교체 스테이션 (108) 은 프로세스 모듈 (118) 에 장착된다. 소모성 부품(들)이 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 각각에서 교체될 필요하게 되는대로, 교체 스테이션은 다른 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 중 임의의 하나에 장착되도록 구성될 수도 있다. 프로세스 모듈 (118) 은 예를 들어, 에칭 동작을 수행하도록 사용될 수도 있다. 교체 스테이션 (108) 은 프로세스 모듈 (118) 에서 사용된 소모성 부품을 회수 및 교체하도록 사용된다. 교체 스테이션 (108) 은 프로세스 모듈에 장착될 때, 진공으로 교체 스테이션 (108) 을 펌핑 및 유지하도록 펌프 메커니즘과 같은 메커니즘 (미도시) 을 포함한다.
일 실시예에서, 교체 스테이션 (108) 은 소모성 부품이 프로세스 모듈 (112 내지 120) 에서 교체될 필요가 있을 때, 격리 밸브를 통해 프로세스 모듈 (즉, 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 중 임의의 하나) 에 커플링될 수도 있고 그리고 소모성 부품이 성공적으로 교체되었을 때 프로세스 모듈 (112 내지 120) 로부터 디커플링될 수도 있다. 이 실시예에서, 교체 스테이션 (108) 은 요구된 동작 (예를 들어, 소모성 부품의 교체) 을 완료하도록 프로세스 모듈에 일시적으로 장착되고, 프로세스 모듈에서 요구된 동작이 완료된다면 장착 해제되고, 그리고 소모성 부품을 교체하는 요구된 동작이 수행되는 상이한 프로세스 모듈로 후퇴되거나 이동되도록 설계된 이동식 모듈식 유닛이다. 예를 들어, 격리 밸브는 교체 스테이션 (108) 으로 하여금 진공으로 유지되게 한다.
교체 스테이션 (108) 은 소모성 부품을 수용 및 홀딩하도록 부품 버퍼를 포함한다. 일부 실시예들에서, 부품 버퍼는 프로세스 모듈로부터 회수된 사용된 소모성 부품들 및 프로세스 모듈로 전달될 새로운 소모성 부품들을 수용하기 위한 복수의 칸들을 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 교체 스테이션이 격리 밸브에 장착되는 경우에, 교체 스테이션 (108) 내의 개구는 교체 스테이션 (108) 내외로의 소모성 부품의 이동을 허용하도록 사이징된다.
소모성 부품은 프로세스 모듈 내에서 프로세스 조건들에 대한 소모성 부품의 연속적인 노출에 기인하여 교체될 필요가 있는 프로세스 모듈 내의 하드웨어 부품이다. 반도체 웨이퍼의 프로세싱 동안 사용된 혹독한 프로세스 조건들에 대한 소모성 부품의 연속적인 노출의 결과로서, 소모성 부품은 소모성 부품이 즉시 교체될 수 있도록 손상이 허용 가능한 레벨을 초과한 때를 결정하기 위해 면밀히 모니터링될 필요가 있다. 예를 들어, 에칭 프로세스 모듈에서, 에지 링은 반도체 웨이퍼의 프로세스 구역을 연장하도록 척 어셈블리 상에 장착된 반도체 웨이퍼에 인접하게 배치된다. 에칭 동작 동안, 에지 링은 반도체 웨이퍼의 표면 상에 피처들을 형성하도록 사용된 플라즈마로부터의 이온 충격에 노출된다. 시간이 지남에 따라, 연속적인 노출의 결과로서, 에지 링은 손상될 수도 있다. 에지 링이 허용 가능한 레벨을 넘어 손상될 때, 에지 링은 에지 링의 손상이 다른 하부 컴포넌트들을 노출시키지 않도록 또는 그렇지 않으면 반도체 웨이퍼 프로세싱에 부정적으로 영향을 주지 않도록 교체될 필요가 있다.
통상적인 에칭 동작에서, 플라즈마로부터의 이온들은 프로세스 모듈에 수용될 때, 반도체 웨이퍼 위에 규정된 프로세스 구역 내에 형성된 플라즈마 시스에 직각인 각으로 반도체 웨이퍼 표면과 부딪친다. 에지 링의 층들이 이온 충격에 기인하여 마모되어 없어질 때, 반도체 웨이퍼의 에지는 노출되고 플라즈마 시스로 하여금 반도체 웨이퍼 에지의 윤곽을 따라 롤링되게 한다. 그 결과, 반도체 웨이퍼 표면과 부딪치는 이온들은 플라즈마 시스의 윤곽을 따르고 이로써 틸트 피처들로 하여금 반도체 웨이퍼 표면의 에지를 향하여 형성되게 한다. 이들 틸트 피처들은 반도체 웨이퍼 상에 형성된 반도체 컴포넌트들의 전체 수율에 영향을 줄 것이다. 또한, 에지 링의 층들이 마모되어 없어지기 때문에, 예를 들어, 척과 같은 하부 컴포넌트는 이온들에 노출될 수도 있고, 척 표면에 손상을 준다. 수율을 개선하고 임의의 하부 컴포넌트들에 대한 손상을 회피하도록, 에지 링 (즉, 소모성 부품) 은 주기적으로 교체될 필요가 있다.
프로세스 모듈 (118) 에 장착된 교체 스테이션 (108) 은 소모성 부품 (즉, 에지 링) 으로 하여금 프로세스 모듈에서 진공을 깨지 않고 용이하게 교체되게 할 것이다. 일 실시예에서, 교체 스테이션 (108) 은 교체될 필요가 있는 소모성 부품을 회수, 그리고 새로운 소모성 부품을 전달하기 위해 프로세스 모듈 (예를 들어, 프로세스 모듈 (118)) 내로 엔드 이펙터를 연장시키도록 구성된 전용 로봇을 포함한다. 프로세스 모듈 내의 리프트 메커니즘은 소모성 부품으로의 액세스를 제공한다. 교체 스테이션 (108) 의 로봇은 리프트 메커니즘의 리프트 핀 상에 새로운 소모성 부품을 배치하도록 작동할 수도 있고, 그리고 리프트 메커니즘은 프로세스 모듈 내의 그 위치에 새로운 소모성 부품을 설치할 것이다.
일 실시예에서, 소모성 부품을 교체하는 것을 돕기 위해서, 교체 스테이션은 제 1 격리 밸브를 통해 프로세스 모듈 (예를 들어, 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 중 임의의 하나 또는 각각) 에 장착된다. 교체 스테이션으로부터 로봇은 프로세스 모듈로부터 소모성 부품을 액세스 및 회수하고 그리고 교체 스테이션 내에 형성된 부품 버퍼 내로 이동하고 그리고 부품 버퍼로부터 교체 소모성 부품을 제공하도록 사용된다. 일 실시예에서, 제 1 격리 밸브는 프로세스 모듈에서 소모성 부품의 회수 및 교체를 조정하도록 제어기에 작동식으로 연결될 수도 있다.
프로세스 모듈에 교체 스테이션을 장착하도록 제 1 격리 밸브를 사용하는 것에 더하여, 프로세스 모듈은 제 2 격리 밸브를 사용하여 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 진공 이송 모듈 (VTM) 에 커플링될 수도 있다. 인게이지될 때, 제 2 격리 밸브는 프로세스 모듈 내의 소모성 부품의 교체가 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 다른 프로세스 모듈들의 동작에 영향을 주지 않고 용이하게 실시될 수 있도록 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 나머지로부터 프로세스 모듈 (112 내지 120) 을 격리시키도록 구성된다. 제 2 격리 밸브를 제공하는 것은 클러스터 툴 어셈블리 (100) 내의 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 의 나머지가 반도체 웨이퍼의 프로세싱을 계속하게 허용될 수도 있는 동안, 특정한 프로세스 모듈 (112 내지 120 중 임의의 하나) 로 하여금 전체 클러스터 툴 어셈블리 (100) 대신에 오프라인 상태를 취하게 한다. 또한, 특정한 프로세스 모듈 (예를 들어, 112 내지 120 중 임의의 하나) 만이 소모성 부품(들)을 교체하기 위해 오프라인 상태에 있기 때문에, 프로세스 모듈 (112 내지 120) 및 클러스터 툴 어셈블리 (100) 를 완전한 동작 상태로 복구하기 위해 상당히 보다 적은 시간이 걸릴 것이다. 그 결과, 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 동작을 컨디셔닝하고 인증하기 위해 걸리는 시간은 훨씬 더 짧다. VTM (104) 의 로봇은 반도체 웨이퍼 프로세싱 동안 프로세스 모듈 (112 내지 120) 내외로 반도체 웨이퍼를 이동시키도록 사용될 수도 있다.
교체 스테이션 (108) 의 로봇으로 하여금 프로세스 모듈 (112 내지 120) 로부터 소모성 부품을 회수하게 하도록, 소모성 부품은 용이하게 액세스 가능해야 한다. 프로세스 모듈 (112 내지 120) 은 일 실시예에서, 교체될 필요가 있는 소모성 부품으로의 액세스를 제공하는 리프트 메커니즘을 포함한다. 리프트 메커니즘은 일부 실시예들에서, 소모성 부품을 상승된 위치로 이동시키도록 연장될 수 있는 리프트 핀들을 포함할 수도 있다. 교체 스테이션 (108) 에서 로봇의 엔드 이펙터는 프로세스 모듈 (112 내지 120) 내로 연장되고 그리고 소모성 부품 아래에서 슬라이딩된다. 이어서 리프트 메커니즘은 소모성 부품을 로봇의 엔드 이펙터 상에 놓은 채로 리프트 핀을 후퇴시킨다. 이어서 소모성 부품과 함께 엔드 이펙터는 프로세스 모듈 (112 내지 120) 로부터 교체 스테이션 (108) 내로 후퇴된다. 새로운 소모성 부품은 로봇의 엔드 이펙터를 사용하여 프로세스 모듈 (112 내지 120) 로 이동되고 리프트 메커니즘의 리프트 핀들은 새로운 소모성 부품을 수용하도록 연장된다. 리프트 메커니즘의 리프트 핀들은 프로세스 모듈 (112 내지 120) 의 위치 내로 새로운 소모성 부품을 정렬하도록 함께 동작한다. 리프트 메커니즘을 사용하여 소모성 부품을 회수 및 교체하는 프로세스는 도 4를 참조하여 보다 상세히 논의될 것이다.
일부 실시예들에서, 전체 클러스터 툴 어셈블리 (100) 가 소모성 부품을 교체하도록 오프라인 상태에 있어야 할 수도 있다. 이것은 예를 들어, 2개 이상의 프로세스 모듈 (112 내지 120) 내에서 2개 이상의 소모성 부품이 교체될 필요가 있을 때 일어날 수도 있다. 심지어 이러한 실시예들에서, 클러스터 툴 어셈블리 (100) 를 오프라인 상태에 있게 하고, 프로세스 모듈(들) (112 내지 120) 에 교체 스테이션을 장착하고, 소모성 부품을 제거 및 교체하고, 클러스터 툴 어셈블리 (100) 를 컨디셔닝하고 인증하는 시간은, 교체 스테이션 및 프로세스 모듈(들)이 진공으로 유지되기 때문에 훨씬 보다 짧을 수도 있다. 그 결과, 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 프로세스 조건 (즉, 진공) 은 소모성 부품의 교체 동안 부정적으로 영향을 받지 않는다. 또한, 교체가 로봇을 사용하여 행해지기 때문에, 소모성 부품의 보다 정확한 회수 및 배치가 엔지니어링될 수도 있고, 이로써 소모성 부품 및/또는 프로세스 모듈 (112 내지 120) 에 대한 손상의 위험이 회피된다.
일부 구현예들에서, 교체 스테이션이 장착되는 프로세스 모듈의 측면에서의 개구는 소모성 부품이 개구를 통해 용이하게 피팅할 (fit) 수 있도록 사이징될 수도 있다. 또한, 프로세스 모듈 (112 내지 120) 내의 개구는 전체적으로 프로세스 모듈 (112 내지 120) 및 클러스터 툴 어셈블리 (100) 에서 일어날 수도 있는 모든 비대칭 이슈들을 최소화하도록 설계될 수도 있다.
도 1을 참조하여 논의된 다양한 실시예들 및 구현예들은 프로세스 모듈 (112 내지 120) 내의 소모성 부품이 교체될 필요가 있을 때 교체 스테이션 (108) 으로 하여금 프로세스 모듈 (112 내지 120) 에 일시적으로 장착되게 하고, 소모성 부품의 교체가 완료될 때 후퇴되게 한다. 교체 스테이션 (108) 은 사용된 소모성 부품들 및 새로운 소모성 부품들을 수용 및 홀딩하도록 2개의 별개의 홀딩 영역들을 가진 단일의 부품 버퍼를 포함할 수도 있거나 대안적으로 사용된 소모성 부품들 및 새로운 소모성 부품들을 홀딩하기 위한 상이한 부품 버퍼들을 별도로 가질 수도 있다. 부품 버퍼(들) 및 교체 스테이션 (108) 에 제공된 로봇은 프로세스 모듈 (112 내지 120) 내외로의 소모성 부품의 직접적인 전달 및 회수를 허용한다. 프로세스 모듈 (112 내지 120) 내의 격리 밸브들은 전체 클러스터 툴 어셈블리 (100) 대신에 프로세스 모듈 (112 내지 120) 만을 오프라인 상태에 있게 한다.
도 2는 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 대안적인 실시예를 예시하고, 교체 스테이션 (108) 은 프로세스 모듈 (112 내지 118) 대신에 클러스터 툴 어셈블리 (100) 에 배치된 진공 이송 모듈 (VTM) (104) 에 장착되도록 구성된다. VTM (104) 은 반도체 웨이퍼를 로드록 챔버 (110) 로부터 프로세스 모듈 (112 내지 118) 로, 그리고 VTM (104) 과 통합된 하나 이상의 프로세스 모듈들 (112 내지 118) 내외로 이동시키도록, 반도체 웨이퍼의 프로세싱 동안 사용된 로봇을 포함한다. 로봇은 상이한 프로세스 모듈들 사이에서 반도체 웨이퍼를 수용, 홀딩 그리고 이동시키도록 사용된 엔드 이펙터를 포함한다. 별개의 개구는 교체 스테이션 (108) 으로 하여금 교체 스테이션 (108) 이 VTM (104) 에 형성된 개구와 정렬하기 위해 장착되게 하도록 VTM (104) 에 형성된다. 대칭이 중요한 위치에, VTM (104) 내의 개구가 VTM (104) 의 균일성 및 대칭, 그리고 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 균일성 및 대칭을 보존하도록 형성된다. 예를 들어, 더미 도어를 갖는 더미 (dummy) 개구는 VTM (104) 에서 균일성 및 대칭을 유지하도록 개구에 반대되는 VTM (104) 에 형성될 수도 있다. 대안적으로, 더미 개구가 VTM (104) 에 이미 존재하고 개구가 소모성 부품을 이동시키도록 충분히 크다면, 교체 스테이션 (108) 은 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 균일성 및 대칭을 유지하는 것을 계속하도록 더미 개구에 장착될 수도 있다.
통상적으로, VTM (104) 내의 개구는 VTM (104) 내외로 반도체 웨이퍼를 이동시키도록 사용된 캐리어/로봇 및 반도체 웨이퍼에 피팅하도록 사이징된다. 그러나, 반도체 웨이퍼보다 보다 큰 소모성 부품은 피팅될 수도 없다. 예를 들어, 프로세스 모듈 (112 내지 118) 에 수용될 때 반도체 웨이퍼를 둘러싸도록 배치된 에지 링은, 반도체 웨이퍼보다 보다 넓다. 이러한 경우들에서, 에지 링은 개구를 리엔지니어링하지 (re-engineering) 않고, 반도체 웨이퍼를 이동시키도록 설계되었던 개구를 통해 피팅되지 않을 수도 있다. 일부 경우들에서, VTM (104) 의 개구를 리엔지니어링하는 것은 클러스터 툴 어셈블리의 대칭에 영향을 줄 수도 있기 때문에 실행가능한 옵션이 아닐 수도 있다. 그러므로, VTM (104) 의 개구를 리엔지니어링하는 것 그리고 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 비대칭을 유발하는 것 대신에, 세그먼트화된 소모성 부품은 세그먼트 각각이 개구를 통해 피팅될 수도 있도록 사용될 수도 있다. 예를 들어, 프로세스 모듈에서 반도체 웨이퍼를 둘러싸도록 사용된 에지 링은 2개 이상의 부품들로 이루어진 세그먼트화된 에지 링으로서 설계될 수도 있고, 부품 각각은 교체 스테이션 (108) 및 VTM (104) 의 개구를 통해 피팅되도록 설계된다. 이 예에서, 세그먼트화된 에지 링은 개별적으로 추출 및 교체될 수도 있다.
소모성 부품, 특히 멀티-부품 세그먼트화된 소모성 부품을 교체할 때, 소모성 부품의 세그먼트 각각은 어떠한 갭도 세그먼트들 사이에서 형성되지 않도록 프로세스 모듈 내에서 적절하게 정렬 및 설정되어야 한다. 고 종횡비 에칭 동작과 같은 프로세스 동작들에서, 에칭 프로세스 모듈의 임의의 컴포넌트들 사이에 존재하는 갭은 이온으로 하여금 임의의 하부 컴포넌트를 통해 흐르게 할 것이고 임의의 하부 컴포넌트에 손상을 줄 것임이 주의되어야 한다. 예를 들어, 고 종횡비 에칭 장비 모듈에서 에지 링 내의 갭은 고 에너지 이온으로 하여금 상부에 에지 링이 배치될 수도 있는 하부 척을 통해 흐르게 할 것이고, 척의 표면을 손상시킬 것이다. 갭이 형성되는 것을 방지하기 위해서, 세그먼트화된 소모성 부품은 세그먼트 각각이 프로세스 모듈에 설치될 때 다른 세그먼트와 단단히 피팅되는 것을 보장하도록 설계될 수도 있다. 따라서, 일부 구현예들에서, 세그먼트화된 또는 멀티-부품 소모성 부품은 인터로킹 (interlocking) 세그먼트들을 갖도록 설계될 수도 있다. 대안적으로, 소모성 부품은 이온 또는 프로세싱 가스/화학물질로 하여금 하부 컴포넌트로의 직접적인 플로우 경로를 찾는 것을 방지하기 위해 오버랩핑 세그먼트들을 갖도록 설계될 수도 있다. 예를 들어, 일부 구현예들에서, 소모성 부품은 VTM (104) 과 교체 스테이션 사이에 형성된 개구를 통해 전적으로 또는 단편적으로 피팅될 수 있는 내측 부품 및 외측 부품으로 이루어질 수도 있고, 그리고 프로세스 모듈에서 다른 부품 위에 하나의 부품이 오버랩핑하게 설치될 수도 있고, 이로써 갭이 형성되는 것을 방지한다. 소모성 부품의 설계의 다른 변동들은 소모성 부품으로 하여금, 클러스터 툴 어셈블리의 대칭을 유지하도록 설계된 개구를 리엔지니어링하지 않고 VTM (104) 내외로 이동되게 인에이블하도록 구현될 수도 있다.
일 실시예에서, 교체 스테이션 (108) 에서 전용 로봇을 사용하는 것 대신에, 프로세스 모듈 내외로 반도체 웨이퍼를 이동시키도록 VTM (104) 에서 사용된 로봇은, 또한 소모성 부품의 회수 및 교체에서 사용될 수도 있다. 일부 구현예들에서, 프로세스 모듈들 사이에서 반도체 웨이퍼를 이동시키도록 사용된 로봇의 엔드 이펙터는 또한 프로세스 모듈 (112 내지 118) 과 교체 스테이션 (108) 사이에 소모성 부품을 수용, 홀딩 그리고 이동시키도록 사용된다. 다른 구현예들에서, VTM (104) 의 로봇은 소모성 부품 및 반도체 웨이퍼를 이동시키기 위해 상이한 엔드 이펙터들을 갖도록 설계된다. 엔드 이펙터는 보통 반도체 웨이퍼 또는 소모성 부품과 같은 이동식 부품을 회수, 지지, 홀딩, 피킹, 리프팅, 이동, 또는 회전시키기 위해 로봇 내에 형성된 부품이다. 이동식 부품은 임의의 배향 면에 홀딩될 수도 있다. 별개의 엔드 이펙터들은 반도체 웨이퍼의 오염을 방지하도록 소모성 부품 및 반도체 웨이퍼를 별도로 이동시키도록 제공될 수도 있다.
대안적인 실시예에서, 교체 스테이션 (108) 내의 전용 로봇은 프로세스 모듈에서 소모성 부품을 추출 및 교체하도록 VTM (104) 의 로봇과 함께 동작할 수도 있다. 예를 들어, VTM (104) 의 로봇은 사용된 소모성 부품을 프로세스 모듈로부터 추출하고 그리고 사용된 소모성 부품을 VTM (104) 과 교체 스테이션 (108) 사이에 형성된 집결 영역으로 이동시키도록 사용될 수도 있다. 교체 스테이션 (108) 의 전용 로봇은 사용된 소모성 부품을 집결 영역으로부터 부품 버퍼 내로 이동시키도록 사용될 수도 있다. 유사하게, 교체 스테이션 (108) 의 전용 로봇은 새로운 소모성 부품을 교체 스테이션 (108) 의 부품 버퍼로부터 집결 영역 내로 이동시키도록 사용될 수도 있고 그리고 VTM (104) 의 로봇은 새로운 소모성 부품을 집결 영역으로부터 프로세스 모듈로 이동시키도록 사용될 수도 있다. 일 실시예에서, 집결 영역은 사용된 소모성 부품을 수용하기 위한 제 1 영역 및 새로운 소모성 부품을 수용하기 위한 제 2 영역을 가질 수도 있다. 프로세스 모듈 (112 내지 118) 에서 리프트 메커니즘은 프로세스 모듈 (112 내지 118) 에 새로운 소모성 부품을 설치하도록 사용된다.
도 2에 예시된 실시예의 교체 스테이션 (108) 의 설계는 도 1을 참조하여 논의된 교체 스테이션 (108) 의 설계와 유사하다. 예를 들어, 도 2의 교체 스테이션 (108) 은 교체 스테이션 (108) 이 VTM (104) 에 장착될 때 교체 스테이션 (108) 을 진공으로 유지하도록 펌프와 같은 메커니즘을 포함한다. VTM (104) 과 유사한 교체 스테이션 (108) 의 프로세스 조건을 (즉, 진공으로) 유지하는 것은, VTM (104) 내의 프로세스 조건이 소모성 부품의 교체 동안 부정적으로 영향을 받지 않는다는 것을 보장할 것이다. 하나 이상의 부품 버퍼들은 사용된 소모성 부품들 및 새로운 소모성 부품들을 수용 및 홀딩하도록 교체 스테이션 (108) 에 형성된다.
도 2에 예시된 프로세스 모듈 (118) 의 설계는 도 1에 규정된 프로세스 모듈 (118) 과 약간 상이하다. 즉, 도 2에 예시된 프로세스 모듈은 제 2 개구를 포함하지 않는다. 예를 들어, 교체 스테이션 (108) 이 VTM (104) 에 바로 장착되고 교체 스테이션 (108) 으로부터 프로세스 모듈 (118) 로의 액세스가 VTM (104) 을 통해 제공되기 때문에, 프로세스 모듈 (118) 은 교체 스테이션 (108) 을 장착하기 위한 제 2 개구가 필요하지 않다. 부가적으로, 단일의 격리 밸브는 소모성 부품의 교체 동안 VTM (104) 을 통해 프로세스 모듈 (118) 로의 액세스를 제공하도록 그리고 반도체 웨이퍼의 프로세싱 동안 프로세스 모듈을 격리시키기 위해 사용된다. 교체 스테이션 (108) 은 소모성 부품이 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 프로세스 조건에 부정적으로 영향을 주지 않고 용이하게 교체될 수도 있도록 진공으로 유지된다는 것을 주의해야 한다. 그 결과, 반도체 웨이퍼를 프로세싱하도록 클러스터 툴 어셈블리 (100) 를 컨디셔닝하고 인증하는 것은 퍼지/펌프 프로세스가 요구되지 않고 다른 인증 단계들이 보다 짧은 시간에 수행되기 때문에 보다 짧은 시간에 성취될 수도 있다. 일부 구현예들에서, 교체 스테이션 (108) 은 VTM (104) 에 영구적으로 장착될 수도 있다.
도 3은 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 또 다른 실시예를 예시하고, 교체 스테이션 (108) 은 대기 이송 모듈 (ATM) (102) 에 장착된다. 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 로더로부터 예를 들어, 로드록 챔버 (110) 로 이동시키도록 사용된 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 ATM (102) 내의 로봇은 또한 소모성 부품을 교체 스테이션 (108) 으로 그리고 교체 스테이션 (108) 으로부터 이동시키도록 사용된다. 이 실시예에서, ATM (102) 에 장착된 교체 스테이션 (108) 은 ATM (102) 과 동일한 대기 상태로 유지된다. 그 결과, 교체 스테이션 (108) 은 교체 스테이션 (108) 을 진공으로 유지하도록 펌프 또는 유사한 메커니즘이 필요하지 않다. 일부 구현예들에서, 교체 스테이션 (108) 은 ATM (102) 에 영구적으로 장착될 수도 있다.
ATM (102) 에 더하여, 도 3에 예시된 클러스터 툴 어셈블리 (100) 는 진공 이송 모듈 (VTM) (104) 및 VTM (104) 과 통합된 복수의 프로세스 모듈들 (112 내지 120) 을 포함한다. 로드록 챔버 (110) 는 ATM (102) 과 VTM (104) 의 프로세스 조건들을 보존하는 동안, ATM (102) 과 VTM (104) 사이에 형성되고 그리고 반도체 웨이퍼를 ATM (102) 으로부터 VTM (104) 으로 이동시키도록 인터페이스의 역할을 한다.
클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 로드록 챔버 (110) 는 반도체 웨이퍼 및 소모성 부품 양자를 핸들링하도록 설계된다. 칸들과 같은 별개의 집결 영역들은 반도체 웨이퍼를 오염시키는 것을 회피하도록 반도체 웨이퍼 및 소모성 부품을 수용하기 위해 로드록 챔버 (110) 에 제공될 수도 있다. 소모성 부품을 수용하기 위해 설계된 로드록 챔버 (110) 내의 집결 영역은 사용된 소모성 부품 및 새로운 소모성 부품을 수용하기 위한 집결 영역들의 분리를 제공하도록 더 구성될 수도 있다. 로드록 챔버 (110) 내에 형성된 개구는 소모성 부품 및 반도체 웨이퍼와 피팅하도록 설계된다. 대안적으로, 개구가 소모성 부품과 피팅하도록 설계되지 않을 때, 세그먼트화된 소모성 부품은 소모성 부품의 세그먼트 각각이 로드록 챔버 (110) 에 형성된 개구를 통해 피팅될 수도 있도록 사용될 수도 있다.
도 3에 예시된 실시예에서, 반도체 웨이퍼를 로드록 챔버 (110) 로부터 VTM (104) 에 통합된 프로세스 모듈 (112 내지 120) 로 또는 일 프로세스 모듈 (112 내지 120) 로부터 또 다른 프로세스 모듈로 이동시키도록 사용된 VTM (104) 내의 로봇은, 또한 소모성 부품을 로드록 챔버 (110) 와 프로세스 모듈 (112 내지 120) 사이로 이동시키도록 사용된다.
일부 구현예들에서, ATM (102) 및 VTM (104) 의 로봇들에 더하여, 교체 스테이션 (108) 은 소모성 부품을 교체 스테이션의 부품 버퍼와 ATM (102) 사이로 이동시키도록 구성된 전용 로봇을 포함할 수도 있다. 이러한 실시예들에서, ATM (102) 의 로봇은 소모성 부품 및 반도체 웨이퍼를 ATM (102) 과 로드록 챔버 (110) 사이로 이동시키도록 사용될 수도 있고, 그리고 VTM (104) 의 로봇은 소모성 부품 및 반도체 웨이퍼를 로드록 챔버 (110) 와 프로세스 모듈 (112 내지 120) 사이로 이동시키도록 사용될 수도 있다. 일 구현예에서, 단일의 엔드 이펙터는 반도체 웨이퍼 및 소모성 부품 양자를 이동시키도록 상이한 시간들에 인게이지될 수도 있는 ATM (102) 및 VTM (104) 의 로봇들에 제공될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 별개의 엔드 이펙터들이 ATM (102) 및 VTM (104) 의 로봇들에 제공될 수도 있고, 하나의 엔드 이펙터는 반도체 웨이퍼를 이동시키기 위한 것이고 또 다른 엔드 이펙터는 소모성 부품을 이동시키기 위한 것이다. 리프트 메커니즘이 프로세스 모듈 (112 내지 120) 내에서 적절한 위치에 새로운 소모성 부품을 적절하게 정렬 및 설치하도록 사용된다.
도 3a는 일 실시예에서, 도 3에서 예시된 것보다 부가적인 모듈을 포함하는 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 보다 상세한 버전을 예시한다. 도 3에서와 같이, 도 3a에 예시된 실시예는 ATM (102) 의 제 1 측면 (101a) 에 커플링된 교체 스테이션 (108) 을 나타내고 그리고 소모성 부품을 교체하기 위해 VTM (104) 과 ATM (102) 의 로봇들을 사용한다. 이 실시예에서, ATM (102) 의 제 1 측면 (101a) 에 장착되는 교체 스테이션 (108) 에 더하여, 하나 이상의 웨이퍼 로더들 (115) 이 대기 이송 모듈 (102) 의 제 1 측면 (101a) 에 장착된다. 웨이퍼 로더 (115) 는 표준 웨이퍼 로더, 예컨대, ATM (102) 에 커플링되도록 설계되는 FOUP (front opening unified pod) 또는 맞춤 제작된 웨이퍼 로더일 수도 있다. 교체 스테이션 (108) 및 웨이퍼 로더(들) (115) 는 ATM (102) 의 제 1 측면 (101a) 에 규정된 특정한 로드 포트들 (미도시) 을 통해 ATM (102) 에 일시적으로 또는 영구적으로 커플링되도록 구성된다. 교체 스테이션 (108) 및 웨이퍼 로더(들) (115) (표준 웨이퍼 로더 및 맞춤 제작된 웨이퍼 로더 양자) 에 대한 도어는 ATM (102) 의 제 1 측면 (101a) 상에 규정된 표준 로드 포트의 개구와 양립 가능하도록 설계된다. 웨이퍼 로더 (115) 는 프로세싱된 웨이퍼 또는 프로세싱되지 않은 웨이퍼를 수용하고 홀딩하기 위해 복수의 칸들을 포함하는 웨이퍼 버퍼를 포함한다. 웨이퍼들 및 기판들은 이 출원에서 서로 교환 가능하게 사용되고 그리고 집적 회로들과 같은 전자 디바이스들의 제조를 위해 사용된 반도체 재료의 얇은 슬라이스를 지칭하도록 사용된다는 것을 주의해야 한다. 일부 실시예들에서, 교체 스테이션 (108) 은 웨이퍼 로더 (115) (예를 들어, FOUP) 의 구조 및 설계와 유사하고, 그리고 새로운 그리고/또는 사용된 소모성 부품들 (208) 을 수용 및 저장하도록 구성되는 복수의 칸들 (207) 을 가진 부품 버퍼 (224) 를 포함한다.
교체 스테이션 (108) 및 웨이퍼 로더들 (115) 에 더하여, 하나 이상의 버퍼 스테이션들 (113) 이 ATM (102) 에 커플링될 수도 있다. 버퍼 스테이션들 (113) 은 ATM (102) 에 통신 가능하게 연결되는 컴퓨터에 정렬 입력들을 제공하도록 일반적으로 사용되는 동적 정렬기들을 포함할 수도 있다. 정렬 입력은 웨이퍼가 로드록 챔버 (110) 로 전달될 때 웨이퍼를 정렬시키도록 사용된다. 예를 들어, ATM (102) 내의 로봇 (103) 은 웨이퍼 로더들 (115) 중 일 웨이퍼 로더로부터 버퍼 스테이션 (113) 내의 동적 정렬기 내부에 배치된 척 상으로 웨이퍼를 이동시키도록 사용될 수도 있다. 척은 웨이퍼를 스피닝하도록 (spin) 구성된다. 동적 정렬기 내의 센서는 웨이퍼의 에지를 따라 제공된 하나 이상의 노치들, 중심에서 벗어난 노치를 검출하고 그리고 정렬 입력인 이 데이터를 컴퓨터에 제공하도록 사용된다. 컴퓨터는, 웨이퍼가 전달될 때 웨이퍼가 적절히 정렬되도록, 로봇이 웨이퍼를 동적 정렬기로부터 로드록 챔버 (110) 로 전달하기 위해서 정렬 입력을 사용할 수 있도록, 로봇에 정렬 입력을 제공할 수도 있다. 일부 구현예들에서, 하나 이상의 동적 정렬기들은, 소모성 부품이 로드록 챔버 (110) 로 전달될 때 소모성 부품이 적절히 정렬된다는 것을 보장하도록 소모성 부품에 대한 정렬 입력을 컴퓨터로 제공하도록 사용될 수도 있다. 웨이퍼를 정렬시키기 위한 정렬 입력은 소모성 부품을 정렬시키기 위한 정렬 입력과 상이할 수도 있다는 것이 주의되어야 한다. 다른 구현예들에서, 소모성 부품의 정렬은 교체 스테이션 내에서 행해질 수도 있다. 이러한 구현예들에서, 소모성 부품을 로드록 챔버 (110) 로 전달할 때 추가의 정렬을 수행할 필요가 없다.
일부 실시예들에서, 웨이퍼를 이동시키도록 설계되는 ATM (102) 내의 로봇 (103) 은 또한 소모성 부품 (208) 을 교체 스테이션 (108) 으로부터 로드록 챔버 (110) 로 이동시키도록 설계된다. 로봇 (103) 의 기존의 설계는 웨이퍼를 지지하도록 사용되는 "핑거들"을 가진 엔드 이펙터 메커니즘을 포함한다. 그러나, 소모성 부품은 웨이퍼보다 직경이 일반적으로 크기 때문에, 엔드 이펙터 메커니즘 상의 핑거들은 웨이퍼를 지지하도록 설계되고 따라서 짧고 그리고 소모성 부품에 콘택트 지지를 제공하도록 설계되지 않는다. 이 모순을 조정하도록, 일 실시예에서, ATM (102) 내의 로봇 (103) 의 엔드 이펙터 메커니즘의 핑거들은 핑거들로 하여금 소모성 부품 (208) 에 콘택트 지지를 제공하기에 충분한 길이로 연장된다. 연장되는 핑거들을 가진 엔드 이펙터 메커니즘이 ATM (102) 의 로봇 (103) 으로 구현되는 것으로서 기술되지만, 본 명세서에 기술된 엔드 이펙터 메커니즘은 또한 VTM (104) 의 로봇 (105) 으로 구현될 수도 있다는 것이 주의되어야 한다.
대안적인 실시예에서, ATM (102) 내의 로봇의 엔드 이펙터 메커니즘의 짧은 핑거들은 링 캐리어를 지지하도록 사용된다. 링 캐리어의 표면은 소모성 부품을 지지하도록 사용된다. 링 캐리어는 교체 스테이션 (108) 내의 하우징 내에 저장되고 그리고 소모성 부품이 로드록 챔버 (110) 로 수송될 필요가 있을 때 회수되는 캐리어 플레이트의 형태일 수도 있다. 이 실시예에서, 엔드 이펙터의 핑거들은, 엔드 이펙터의 기존의 핑거들이 캐리어 플레이트를 지지하도록 사용될 수 있기 때문에 재설계되어야 할 필요가 없다. ATM (102) 및/또는 VTM (104) 내에서 사용되는 엔드 이펙터 메커니즘의 상세들은 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 상세히 기술될 것이다. 소모성 부품을 지지하고 수송하는데 사용되는 캐리어 플레이트는 도 8a 및 도 8b, 도 9a 및 도 9b를 참조하여 기술될 것이다.
클러스터 툴 어셈블리 (100) 에 통합된 프로세스 모듈 (112) 에서 소모성 부품을 교체하는 것은 프로세스 모듈 (112) 로의 액세스 그리고 프로세스 모듈 (112) 내에서 소모성 부품 (208) 으로의 액세스를 요구한다. 프로세스 모듈 (112) 로의 액세스는 도 1 내지 도 3을 참조하여 논의되어 왔고, 교체 스테이션 (108) 은 프로세스 모듈 (112 내지 120) 에 바로 장착되거나, 액세스가 프로세스 모듈 (112 내지 118, 120) 에 제공되는 것을 통해 진공 이송 모듈 (104) 또는 대기 이송 모듈 (102) 에 장착된다. 프로세스 모듈 (112 내지 120) 이 액세스된다면, 소모성 부품으로의 액세스는 소모성 부품이 소모성 부품 또는 프로세스 모듈 (112 내지 120) 의 다른 하드웨어 컴포넌트들을 손상시키지 않고 안전하게 회수 및 교체될 수 있도록 제공될 필요가 있다.
도 4는 교체될 필요가 있는 소모성 부품 (208) 으로의 액세스를 제공하도록 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 프로세스 모듈 (112 내지 120) 내에 사용될 수도 있는 리프트 메커니즘의 예시적인 실시예를 예시한다. 일부 구현예들에서, 소모성 부품 (208) 은 하단 에지 링 (236) 위에, 그리고 커버 링 (232) 에 인접하게 배치된다. 하단 에지 링 (236) 은 베이스 링 (240) 위에 그리고 일부 구현예들에서, 슬리브 링 (238) 옆에 배치된다. 절연체 링 (234) 이 리프트 메커니즘과 챔버의 측벽 사이에 제공될 수도 있다. 리프트 메커니즘은 소모성 부품 (208) 이 액세스될 수 있도록 소모성 부품 (208) 을 상승된 위치로 이동시키기 위해 구성된다. 일부 구현예에서, 소모성 부품 (208) 은 프로세싱 동안 프로세스 모듈에 수용된 반도체 웨이퍼 (150) 에 인접하게 배치된 에지 링이다. 리프트 메커니즘은 복수의 액추에이터들 (204) 에 연결된 복수의 리프트 핀들 (202) 을 포함한다. 예를 들어, 리프트 핀들은 리프트 핀들로 하여금 상이한 지점들에서 소모성 부품과 콘택트하고 소모성 부품을 이동시키게 하도록 평면을 따라 분포될 수도 있다. 일부 구현예들에서, 평면에 분포된 리프트 핀들은 별개의 세트들로 그룹화될 수도 있고, 리프트 핀들의 세트 각각은 상이한 소모성 부품들에 액세스하고 상이한 소모성 부품들을 리프팅하도록 단독으로 동작된다. 일부 구현예들에서, 액추에이터들 (204) 은 복수의 리프트 핀들 (202) 을 갖춘 진공-시일링된 액추에이터들 (204) 이다.
액추에이터들 (204) 은 액추에이터 구동부 (206) 에 의해 구동된다. 디스인게이지된 모드에서, 리프트 핀들 (202) 은 리프트 메커니즘에 형성된 하우징 내부로 후퇴되고 그리고 소모성 부품 (208) 과 콘택트하지 않는다. 소모성 부품 (208) 이 교체될 필요가 있을 때, 액추에이터 (204) 는 액추에이터 구동부 (206) 를 통해 전력 공급된다. 전력 공급된 액추에이터 (204) 는 리프트 핀들 (202) 로 하여금 소모성 부품 (208) 과 콘택트하고 소모성 부품 (208) 을 상승된 위치로 이동시키도록 하우징의 외부로 연장하게 한다. 소모성 부품이 상승될 때, 프로세스 모듈 (예를 들어, 118) 이 진공 상태로 유지되기 때문에, 소모성 부품은 진공 공간 (210) 내로 상승된다. VTM (104) 또는 교체 스테이션 (108) 의 로봇은 엔드 이펙터를 프로세스 모듈 (118) 내로 연장시키고 그리고 엔드 이펙터로 하여금 상승된 소모성 부품 (208) 아래에서 슬라이딩하게 한다. 일부 실시예들에서, 로봇에 부착된 엔드 이펙터는 엔드 이펙터로 하여금 상승된 소모성 부품을 지지하게 하는 주걱 같은 형상이다. 엔드 이펙터가 특정 위치로 슬라이딩된다면, 액추에이터들 (204) 은 리프트 핀들 (202) 을 하우징 내로 후퇴시키고, 소모성 부품 (208) 으로 하여금 엔드 이펙터 상에 놓이게 한다. 이어서 로봇은 상부에서 어느 로봇이 소모성 부품 (208) 을 회수하도록 사용되는 지에 따라, VTM (104) 또는 교체 스테이션 (108) 내로 다시 엔드 이펙터를 당기도록 조작되고, 엔드 이펙터를 사용하여 소모성 부품 (208) 을 가져온다. 역 순서는 새로운 소모성 부품 (208) 이 프로세스 모듈 (예를 들어, 118) 에서 배치될 필요가 있을 때 발생한다. 프로세스 모듈 (예를 들어, 118) 의 리프트 메커니즘은 프로세스 모듈 (118) 및 클러스터 툴 어셈블리 (100) 가 동작 중이도록 프로세스 모듈 (118) 내의 적절한 위치에 소모성 부품을 적절하게 설치하도록 사용된다.
소모성 부품 (208) 을 상승시키기 위해 리프트 핀들을 동작하도록 액추에이터들에 전력을 제공하는 것에 더하여, 리프트 메커니즘의 액추에이터 구동부 (206) 에 연결된 전력 소스는, 일부 구현예들에서, 리프트 핀들을 통해 소모성 부품에 전력을 공급할 수도 있다. 이러한 구현예들에서, 액추에이터들 (204) 및 리프트 핀들 (202) 은 소모성 부품 (208) 에 전력을 공급하도록 전도성 재료로 이루어질 수도 있다. 일부 구현예들에서, 소모성 부품과 콘택트하는 리프트 핀의 표면 영역은 전기 콘택트의 역할을 할 수도 있고 그리고 전력 소스로부터 소모성 부품으로 전력을 공급하도록 사용될 수도 있다. 일부 구현예들에서, 전력 소스는 리프트 핀들 (202) 로 하여금 소모성 부품 (208) 에 RF (radio frequency) 전력을 공급하게 하는 RF 전력 소스이다. RF 전력 소스를 사용하여 소모성 부품에 전력 공급하는 부가적인 상세들은 전체가 참조로서 본 명세서에서 인용되는, 2015년 7월 13일에 출원되고 발명의 명칭이 "Extreme Edge Sheath and Wafer Profile Tuning Through Edge-Localized Ion Trajectory Control and Plasma Operation"인, 공동 소유이고 공동 계류 중인 미국 특허 가출원 제 62/191,817 호에 더 기술된다. 일부 구현예들에서, 리프트 핀들 (202) 은 스위칭될 수도 있다. 스위치는 소모성 부품 (208) 에 공급된 전력량을 제어하도록 사용될 수도 있다. 일부 구현예들에서, 스위치는 소모성 부품 (208) 에 상이한 전력을 공급하도록 사용될 수도 있다. 일부 구현예들에서, 소모성 부품 (208) 에 공급된 전력은 소모성 부품 (208) 을 가열하도록 사용될 수도 있다. 예를 들어, 소모성 부품 (208) 이 에지 링일 때, 전력 소스에 의해 공급된 전력은 온도 제어된 에지 링을 제공하도록 사용될 수도 있다. 일부 구현예들에서, 전력은 용량 결합을 통해서와 같이 다른 수단을 통해서 소모성 부품 (208) 에 제공될 수도 있다. 용량 결합과 같은 대안적인 수단을 사용하여, 에지 링과 같은 소모성 부품 (208) 에 전력을 제공하기 위한 부가적인 상세들은, 전체가 참조로서 본 명세서에서 인용된, 2015년 8월 15일에 출원되고 발명의 명칭이 "Edge Ring Assembly for Improving Feature Profile Tilting at Extreme Edge of Wafer"인 공동 소유이고 공동 계류중인 미국 특허 가출원 제 62/206,753 호에 기술된다. 본 명세서에서 논의된 소모성 부품 (208) 에 전력을 제공하기 위한 상이한 수단은 단지 예들에 불과하고 에지 링에 전력을 제공하는 다른 형태들이 또한 채용될 수도 있음을 주의해야 한다. 일부 구현예들에서, 소모성 부품 (208) (멀티-피스 소모성 부품의 단일의 피스 또는 상이한 피스들) 은 하나 이상의 자석들을 사용하여 프로세스 모듈 (예를 들어, 118) 에서 특정 위치에 정렬 및 설치될 수도 있다. 예를 들어, 프로세스 모듈 (예를 들어, 118) 에 제공된 리프트 메커니즘은 상부에서 소모성 부품 (208) 이 지지되는 표면을 포함할 수도 있다. 하나 이상의 자석들은 상부에서 소모성 부품 (208) 이 지지되는 리프트 메커니즘의 표면의 밑면 상에 배치될 수도 있다. 리프트 메커니즘에 배치된 자석들은 프로세스 모듈 (예를 들어, 118) 내에서 특정 위치에 소모성 부품을 정렬하도록 사용될 수도 있다.
일부 구현예들에서, 리프트 메커니즘은 리프트 메커니즘으로 하여금 공압식으로 동작되게 하도록 공기 압축기 또는 다른 압축된 압력 소스에 연결될 수도 있다. 일부 구현예들에서, 리프트 메커니즘은 프로세스 모듈 (예를 들어, 118) 내에서 특정 위치에 소모성 부품 (208) 을 클램핑하도록 정전 클램핑을 제공하기 위해 사용될 수도 있다. 이들 구현예들에서, 리프트 메커니즘은 리프트 핀들 (202) 로 하여금 프로세스 모듈 (예를 들어, 118) 내에서 특정 위치에 소모성 부품 (208) 을 클램핑하기 위해 DC 전력을 제공하게 하도록 직류 (DC) 전력 소스에 연결될 수도 있다.
도 5a는 일 실시예에서, 프로세스 모듈 (118) 내에서 소모성 부품을 교체하기 위해 사용된 다양한 컴포넌트들을 식별하는 예시적인 클러스터 툴 어셈블리를 예시한다. 프로세스 모듈 (118) 은 전도성 에칭을 수행하기 위해 TCP (transformer coupled plasma), 또는 유전체 에칭을 실시하기 위해 CCP (capacitively coupled plasma) 를 생성하도록 사용될 수 있거나, PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 또는 ALD (atomic layer deposition), 또는 반도체 웨이퍼 상의 임의의 다른 타입의 에칭을 수행하도록 사용될 수 있는 에칭 장비 모듈일 수도 있다. 대안적으로, 프로세스 모듈 (118) 은 반도체 웨이퍼 상에 상이한 피처들을 형성하기 위해 임의의 다른 프로세스 동작 (예를 들어, 증착, 도금, 등) 을 수행하도록 사용될 수도 있다.
교체 스테이션 (108) 은 부품 버퍼 (224) 를 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 부품 버퍼 (224) 는 프로세스 모듈로부터 회수된 사용된 소모성 부품 (208) 및 프로세스 모듈로 전달될 필요가 있는 새로운 소모성 부품 (208) 을 수용하도록 구성된 복수의 칸들 (207) 을 포함한다. 대안적으로, 별개의 부품 버퍼들 (224) 은 사용된 소모성 부품들 (208) 및 새로운 소모성 부품들 (208) 을 별도로 저장하도록 사용될 수도 있다. 교체 스테이션 (108) 내의 교환 핸들러 (214) 는 새로운 소모성 부품 (208) 을 부품 버퍼 (224) 의 칸 (207) 으로부터 프로세스 모듈 (118) 내로 이동시키고 그리고 사용된 소모성 부품 (208) 을 프로세스 모듈 (118) 로부터 회수하고 그리고 부품 버퍼 (224) 의 칸 (207) 에 저장하도록 사용될 수도 있다. 교환 핸들러 (214) 는 교환 핸들러 (214) 의 엔드 이펙터 (213) 로 하여금 부품 버퍼 (224) 및 프로세스 모듈 (118) 에서 소모성 부품 (208) 에 액세스하게 하도록 측면으로, 수직으로 그리고/또는 방사상으로 이동하도록 구성된 로봇 (215) 을 포함한다. 엔드 이펙터는 소모성 부품 (208) 을 부품 버퍼 (224) 또는 프로세스 모듈로 액세스, 회수 및 전달하도록 구성될 수도 있다. 일부 구현예들에서, 엔드 이펙터는 임의의 평면에서 소모성 부품을 회수, 피킹, 리프팅, 지지, 홀딩, 이동, 또는 회전시키도록 설계된 특수한 엔드 이펙터일 수도 있다. 교환 핸들러 (214) 의 엔드 이펙터는 소모성 부품이 프로세스 모듈로부터 회수될 수도 있고 부품 버퍼 (224) 에 저장될 수도 있기 위해서 동작 동안 연장 및 수축하도록 조작될 수도 있다. 일부 구현예들에서, 엔드 이펙터는 회수 동작 동안 보다 큰 신축성을 제공하기 위해서 방사상으로, 측면으로 그리고/또는 수직으로 이동하도록 구성될 수도 있다. 교환 핸들러 (214) 는 교환 핸들러 (214) 의 엔드 이펙터 (213) 및 로봇 (215) 의 이동을 제어하도록 제어기 (220) 에 연결된다.
교체 스테이션 (108) 은 또한 교체 스테이션 (108) 내의 프로세스 조건을 조작하도록 펌프 (233) 에 연결된 진공 제어 모듈 (231) 을 포함할 수도 있다. 일부 구현예들에서, 교체 스테이션 (108) 은 소모성 부품의 교체 동안 진공 제어 모듈 (231) 을 통해 펌프 (233) 의 조정 동작 또는 작용을 인에이블하도록 제어기 (220) 에 연결된다.
제 1 격리 밸브 (216) 는 교체 스테이션 (108) 으로 하여금 프로세스 모듈 (118) 에 장착되게 하도록 교체 스테이션 (108) 과 프로세스 모듈 (118) 사이에 제공된다. 일부 구현예에서, 제 1 격리 밸브 (216) 는 게이트 밸브일 수도 있다. 프로세스 모듈 (118) 은 제 1 측면 및 제 2 측면을 포함하고, 프로세스 모듈 (118) 의 제 1 측면은 진공 이송 모듈 (VTM) (104) 에 커플링되고, 그리고 프로세스 모듈 (118) 의 제 2 측면은 제 1 격리 밸브 (216) 의 제 1 측면에 커플링된다. 제 1 격리 밸브 (216) 의 제 2 측면은 교체 스테이션 (108) 에 커플링된다. 커플링은 예를 들어, 교체 스테이션 (108) 내의 로봇 (215) 으로 하여금 프로세스 모듈 (118) 에 액세스하게 하도록, 교체 스테이션 (108) 및 프로세스 모듈 (118) 각각에 형성된 도어들 (217, 219) 을 조작한다. 제 2 격리 밸브 (216') 의 제 1 측면은 VTM (104) 에 커플링되고 그리고 제 2 격리 밸브 (216') 의 제 2 측면은 프로세스 모듈 (118) 의 제 1 측면에 커플링된다. 커플링은 VTM (104) 내의 로봇으로 하여금 프로세싱 동안 프로세스 모듈 (118) 에 액세스하고 그리고 프로세스 모듈 (118) 내외로 반도체 웨이퍼를 이동시키게 하도록, 프로세스 모듈 (118) 및 VTM (104) 각각에 형성된 대응하는 개구들을 커버하는 도어들 (227, 229) 의 조작을 허용한다. 제 1 격리 밸브 (216) 및 제 2 격리 밸브 (216') 는 VTM (104) 및 교체 스테이션 (108) 에의 프로세스 모듈 (118) 의 커플링을 조정하도록 제어기 (220) 에 연결된다.
프로세스 모듈 (118) 은 프로세스 모듈 (118) 에 형성된 프로세스 구역에 프로세스 화학물질을 제공하도록 사용될 수도 있는 상부 전극 (218) 을 포함한다. 상부 전극 (218) 은 예를 들어, 플라즈마를 생성하기 위해서 프로세스 구역 내의 프로세스 화학물질에 전력을 제공하도록 전력 소스 (미도시) 에 연결될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 전력 소스는 매칭 네트워크 (미도시) 를 통해 상부 전극 (218) 에 연결된 RF 전력 소스일 수도 있다. 대안적으로, 상부 전극은 전기적으로 접지될 수도 있다.
프로세스 모듈 (118) 은 또한 하부 전극 (230) 을 포함한다. 일부 구현예들에서, 하부 전극 (230) 은 프로세싱 동안 반도체 웨이퍼 (150) 를 수용하도록 구성된다. 일부 구현예들에서, 하부 전극 (230) 은 정전 척이다. 하부 전극 (230) 은 프로세싱 동안 하부 전극 (230) 에 전력을 제공하도록 전력 소스 (미도시) 에 커플링될 수도 있다. 대안적으로, 하부 전극 (230) 은 전기적으로 접지될 수도 있다.
프로세스 모듈 (118) 은 소모성 부품 (208) 으로 하여금 상승된 위치로 이동되게 인에이블하기 위한 리프트 메커니즘 (221) 을 포함한다. 리프트 메커니즘 (221) 은 도 4를 참조하여 논의된 리프트 메커니즘과 유사하고 그리고 소모성 부품을 상승된 위치로 리프팅하기 위한 복수의 리프트 핀들 (202) 및 액추에이터들 (204), 그리고 액추에이터 (204) 를 구동시키도록 전력을 제공하기 위해 액추에이터들 (204) 에 연결된 액추에이터 구동부 (206) 를 포함한다. 액추에이터 구동부 (206) 는 소모성 부품의 교체 동안 리프트 메커니즘 (221) 의 동작을 제어하도록 제어기 (220) 에 커플링될 수도 있다.
제어기 (220) 는 제어기 (220) 에 연결된 다양한 컴포넌트들의 조정 동작을 용이하게 하도록 진공 상태 제어부 (223) 및 이송 로직부 (225) 를 포함한다. 일 구현예에서, 소모성 부품이 프로세스 모듈 (118) 에서 교체될 때, 교체 스테이션 (108) 은 제 1 격리 밸브 (216) 와 콘택트한다. 제 1 격리 밸브 (216) 에서 교체 스테이션 (108) 의 검출에 응답하여, 신호가 격리 밸브 (216) 로부터 제어기 (220) 로 전송된다. 이어서 제어기 (220) 는 프로세스 모듈 (118) 에 대한 교체 스테이션 (108) 의 커플링 및 교체 스테이션 (108) 에서의 진공 유지를 조정한다. 예를 들어, 제 1 격리 밸브 (216) 로부터 수신된 검출 신호에 응답하여, 제어기 (220) 의 진공 상태 제어부 (223) 는 프로세스 모듈 (118) 에 교체 스테이션 (108) 을 커플링하는 프로세스를 시작하도록 진공 제어부 (231) 로 신호를 전송할 수도 있다. 진공 상태 제어부 (223) 로부터 수신된 신호에 응답하여, 진공 제어부 (231) 는 펌프 (233) 로 하여금 교체 스테이션을 진공 상태에 놓이게 하도록 펌프 (233) 를 작동시킬 수도 있다. 교체 스테이션 (108) 이 진공 상태에 도달한다면, 신호는 진공 제어부 (231) 로부터 진공 상태 제어부 (223) 로 전송된다. 이어서 진공 상태 제어부 (223) 는 프로세스 모듈 (118) 에 교체 스테이션을 커플링하도록 제 1 격리 밸브 (216) 로 신호를 전송한다. 제 1 격리 밸브 (216) 는 이에 대응하여, 교체 스테이션 (108) 과 프로세스 모듈 (118) 사이의 제 1 격리 밸브 (216) 의 모든 중간 구역이 진공 상태로 유지되는 것을 보장한다. 보장 시에, 제 1 격리 밸브 (216) 는 제 1 격리 밸브 (216) 의 제 1 측면에 대한 프로세스 모듈 (118) 의 커플링 그리고 제 1 격리 밸브 (216) 의 제 2 측면에 대한 교체 스테이션 (108) 의 커플링을 수행한다. 추가의 테스트는 제 1 격리 밸브 (216) 의 중간 영역들 및 교체 스테이션 (108) 이, 프로세스 모듈 (118) 로의 액세스를 제공하도록 도어들 (217, 219) 을 조작하기 전에 진공에 있는 것을 보장하기 위해 행해질 수도 있다.
커플링 동작의 부품으로서, 진공 상태 제어부 (223) 는 프로세스 모듈 (118), 및 프로세스 모듈 (118) 이 통합, 폐쇄 그리고 시일링되는 VTM (104) 에 형성된 대응하는 개구들을 커버하는 도어들 (227, 229) 을 유지하도록 제 2 격리 밸브 (216') 의 동작을 조정할 수도 있다. 커플링 동안, 프로세스 모듈 (118) 내의 리프트 메커니즘 (221) 은 리프트 메커니즘의 설치 위치에 놓인 소모성 부품 (208) 및 리프트 메커니즘 (221) 의 하우징 내로 후퇴된 리프트 핀들 (202) 과 디스인게이지된 모드로 유지된다. 예를 들어, 소모성 부품 (208) 은 에지 링이다. 리프트 메커니즘의 설치 위치에서, 반도체 웨이퍼 (150) 가 프로세스 모듈 (118) 내에 존재할 때, 에지 링은 반도체 웨이퍼 (150) 에 인접하게 배치되고 그리고 반도체 웨이퍼 (150) 를 실질적으로 둘러싼다.
일단 커플링의 프로세스가 완료된다면, 신호는 제 1 격리 밸브 (216) 로부터 그리고 일부 실시예들에서, 제 2 격리 밸브 (216') 로부터 제어기 (220) 로 전송된다. 이에 대응하여, 제어기 (220) 는 이송 로직부 (225) 를 작동시킨다. 이송 로직부 (225) 는 엔드 이펙터 (213) 로 하여금 프로세스 모듈 (118) 로부터 소모성 부품을 회수하고 그리고 교체 스테이션 (108) 에 형성된 부품 버퍼 (224) 내의 칸으로 이동하고 그리고 설치를 위해 부품 버퍼 (224) 의 칸 (207) 으로부터 다시 프로세스 모듈 (118) 로 소모성 부품의 교체부를 이동시키게 하도록, 로봇 (215), 교체 스테이션 (108) 내의 교환 핸들러 (214) 의 엔드 이펙터 (213) 및 프로세스 모듈 (118) 내의 리프트 메커니즘 (221) 의 액추에이터 구동부 (206) 의 움직임을 조정하도록 구성된다. 리프트 메커니즘 (221) 은 프로세스 모듈 (118) 내의 적절한 위치 내로 교체 소모성 부품을 설치하도록 조작된다.
도 5b는 일 실시예에서, 프로세스 모듈 (118) 로부터 소모성 부품 (208) 을 회수하기 위한 프로세스를 예시한다. 소모성 부품 (208) 은 보통 반도체 웨이퍼가 프로세싱을 위해 프로세스 모듈 (118) 에 수용되기 전에 교체된다. 이 실시예에 따라, 교체 스테이션 (108) 이 제 1 격리 밸브 (216) 를 통해 프로세스 모듈 (118) 에 커플링되고 그리고 제 2 격리 밸브 (216') 가 VTM (104) 에 대한 도어들 (227, 229) 을 시일링한다면, 제어기 (220) 의 이송 로직부 (225) 는 소모성 부품을 프로세스 모듈로부터 회수하고 그리고 새로운 소모성 부품으로 교체하기 위해서 신호들을 교환 핸들러 (214) 로 그리고 액추에이터 구동부 (206) 로 전송하도록 사용된다. 이송 로직부 (225) 는 엔드 이펙터 (213) 로 하여금 소모성 부품을 회수하기 위해서 프로세스 모듈 (118) 내로 연장되게 하도록 로봇 (215) 및 엔드 이펙터 (213) 를 조작하기 위해 신호들을 전송한다. 동시에, 이송 로직부 (225) 는 액추에이터들 (204) 로 하여금 리프트 메커니즘 (221) 에 형성된 하우징 외부로 리프트 핀들 (202) 을 이동시키게 하도록 액추에이터 구동부 (206) 를 조작하고, 이로써 도 5b에 예시된 바와 같이, 소모성 부품 (208) 을 설치 위치로부터 상승된 위치로 이동시킨다. 엔드 이펙터 (213) 는 엔드 이펙터가 실질적으로 지지하는 상승된 소모성 부품 (208) 아래로 슬라이딩한다. 이어서 액추에이터 구동부 (206) 는 액추에이터들 (204) 이, 상승된 소모성 부품 (208) 으로 하여금 교환 핸들러 (214) 의 엔드 이펙터 (213) 상에 놓이게 하는 리프트 메커니즘 (221) 내의 하우징 내로 리프트 핀들 (202) 을 후퇴하게 하도록 조작된다. 이어서 교환 핸들러 (214) 의 엔드 이펙터 (213) 는 엔드 이펙터 (213) 를 사용하여 소모성 부품 (208) 을 가지고 오는 교체 스테이션 (108) 내로 후퇴하도록 조작된다. 이어서 엔드 이펙터 (213) 는 회수된 소모성 부품 (208) 을 부품 버퍼 (224) 의 칸 (207) 으로 이동시키도록 조작된다.
새로운 소모성 부품 (208) 은 부품 버퍼 (224) 의 상이한 칸 (207) 으로부터 프로세스 모듈 (118) 로 유사한 방식으로 이동된다. 새로운 소모성 부품 (208) 이 프로세스 모듈 (118) 내로 이동될 때, 액추에이터 구동부 (206) 는 액추에이터들 (204) 로 하여금 새로운 소모성 부품 (208) 을 수용하기 위해서 하우징 외부로 리프트 핀들 (202) 을 연장하게 하도록 조작된다. 액추에이터들 (204) 은 소모성 부품 (208) 이 프로세스 모듈 (118) 내의 설치 위치에 세팅되도록 리프트 핀들 (202) 로 하여금 하강되게 한다. 소모성 부품의 교체 동안, 진공 상태 제어부 (223) 는 펌프 (233) 가 프로세스 모듈 (118) 내에 유지된 진공 상태와 매칭하도록 교체 스테이션을 진공 상태로 계속 유지하는 것을 보장하기 위해서 진공 제어부 (231) 와 계속해서 상호작용한다.
소모성 부품 (208) 이 교체되었다면, 제어기 (220) 는 프로세스 모듈 (118) 로부터 교체 스테이션 (108) 의 철수를 조정하도록 사용된다. 이것에 따라, 제어기 (220) 는 프로세스 모듈 (118) 과 교체 스테이션 (108) 사이의 도어들 (217, 219) 을 폐쇄하도록 제 1 격리 밸브 (216) 로 신호를 전송하고, 그리고 VTM (104) 으로 하여금 프로세스 모듈 (118) 에 액세스하기 위해서 도어들 (227, 229) 을 열도록 제 2 격리 밸브 (216') 로 신호를 전송한다.
일부 구현예들에서, 프로세스 모듈 (118) 은 프로세스 모듈을 실제 동작으로 복귀시키기 전에 컨디셔닝될 수도 있다. 컨디셔닝 동작은 소모성 부품의 교체가 진공에서 실시되었고 그리고 프로세스 모듈 (118) 만이 컨디셔닝될 필요가 있기 때문에 보다 짧은 시간이 걸릴 수도 있다. 이어서 신호는 펌프 (233) 로 하여금 교체 스테이션 (108) 을 퍼지하게 하도록 진공 상태 제어부 (223) 로부터 진공 제어부 (231) 로 전송될 수도 있다. 이어서 교체 스테이션 (108) 은 프로세스 모듈 (118) 로부터 장착 해제될 수도 있다.
도 5c는 도 2에 예시된 클러스터 툴 어셈블리의 실시예에서 소모성 부품을 교체하기 위한 프로세스를 예시하고, 교체 스테이션 (108) 은 프로세스 모듈 (118) 대신에 VTM (104) 에 장착된다. 이 실시예에서, 교체 스테이션 (108) 은 제 1 격리 밸브 (216) 의 제 1 측면이 VTM (104) 의 제 1 측면에 커플링되도록, 제 1 격리 밸브 (216) 를 통해 진공 이송 모듈 (VTM) (104) 에 장착된다. 교체 스테이션 (108) 은 제 1 격리 밸브 (216) 의 제 2 측면에 커플링된다. 제 2 격리 밸브 (216') 는 제 2 격리 밸브 (216') 의 제 1 측면이 프로세스 모듈 (118) 에 커플링되고 그리고 제 2 격리 밸브 (216') 의 제 2 측면이 VTM (104) 의 제 2 측면에 커플링되도록 배치된다. VTM (104) 내의 로봇으로 하여금 교체 스테이션 (108) 내의 부품 버퍼 (224) 내의 칸 (207) 과 프로세스 모듈 (118) 사이에서 소모성 부품을 액세스, 회수 그리고 이동시키게 하도록, 제 1 격리 밸브 (216) 는 교체 스테이션 (108) 과 VTM (104) 각각에 형성된 대응하는 개구들을 커버하는 도어들 (237, 239) 을 조작하도록 구성되고, 그리고 제 2 격리 밸브 (216') 는 VTM (104) 과 프로세스 모듈 (118) 각각에 형성된 대응하는 개구들을 커버하는 도어들 (227, 229) 을 조작하도록 구성된다. 도 5c에 예시된 교체 스테이션 (108) 은 로봇 (215) 및 엔드 이펙터 (213) 를 갖는 전용 교환 핸들러 (214) 를 포함하지 않는다. 로봇 (235) 은 제어기로 하여금 로봇 (235) 의 동작을 조정하게 하도록 제어기 (220) 에 작동식으로 커플링된다. 또한, 교체 스테이션, 제 1 격리 밸브 (216), VTM (104), 제 2 격리 밸브 (216') 및 프로세스 모듈 (118) 은, 프로세스 모듈 (118), VTM (104) 및 교체 스테이션 (108) 이 진공 상태로 유지되면서 소모성 부품의 교체 동안 교체 스테이션과 프로세스 모듈 사이의 액세스를 동기화하도록 제어기 (220) 에 커플링된다.
VTM (104) 에 교체 스테이션 (108) 을 장착하는 프로세스는 교체 스테이션 (108) 이 프로세스 모듈 (118) 대신에 VTM (104) 에 장착되는 것을 제외하고 도 5a를 참조하여 논의된 실시예와 유사하다. 소모성 부품 (208) 을 교체하는 프로세스는 도 5a에서 논의된 교체 스테이션 (108) 의 엔드 이펙터 (213), 로봇 (215) 을 사용하여 조정하는 것 대신에 제어기 (220) 가 VTM (104) 의 로봇 (235) 을 사용하여 조정한다는 것을 제외하고 도 5a를 참조하여 논의된 실시예와 유사하다.
대안적인 실시예에서, 교체 스테이션 (108) 은 로봇 (215) 및 엔드 이펙터 (213) 를 가진 교환 핸들러 (214) (미도시) 를 포함할 수도 있고, 교환 핸들러 (214) 는 제어기 (220) 에 작동식으로 연결된다. 제어기 (220) 는 소모성 부품의 교체 동안 로봇 (215), 엔드 이펙터 (213), 및 로봇 (235) 의 조정을 제어하도록 사용된다. 이 실시예에서, 로봇 (215) 및 엔드 이펙터 (213) 는 부품 버퍼 (224) 와 VTM (104) 사이에서 소모성 부품을 회수 및 이동시키도록 사용될 수도 있고, 그리고 VTM (104) 의 로봇 (235) 은 VTM (104) 과 프로세스 모듈 (118) 사이에서 소모성 부품을 이동시키도록 사용될 수도 있다.
도 5c에 예시된 실시예에서, 제 2 격리 밸브 (216') 는 소모성 부품의 교체 동안 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 나머지로부터 프로세스 모듈 (118) 을 격리시키도록 사용되지 않는다는 것이 주의되어야 한다. 이것은 이 실시예에서, 프로세스 모듈로의 액세스가 VTM (104) 을 통해 제공된다는 사실 때문이다. 그 결과, 제 2 격리 밸브 (216') 는 반도체 웨이퍼의 프로세싱 동안 프로세스 모듈 (118) 의 선택적인 격리를 인에이블하면서, 소모성 부품이 교체될 필요가 있을 때 액세스를 제공하도록 구성된다. 이 실시예에서, 소모성 부품의 교체 후 클러스터 툴 어셈블리 (100) 의 컨디셔닝은, 교체 스테이션, VTM (104) 및 프로세스 모듈 (118) 모두가 소모성 부품의 교체 동안 진공 상태로 유지되기 때문에 보다 짧은 시간이 걸릴 것이다.
도 6a는 웨이퍼를 웨이퍼 로더 (115) 와 로드록 챔버 (110) 사이에서 이송하도록 ATM (102) 의 로봇 (103) 에서 사용되는 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 을 예시한다. 도 6a에 예시된 바와 같이, 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 은 일 측면에서 ATM (102) 내의 로봇 (103) 과 같은 로봇에 그리고 다른 측면에서 장착 암세트에 연결 가능한 리스트 플레이트 (701) 를 포함한다. 일부 실시예들에서, 장착 암세트는 스테인리스 강 재료의 단일의 플레이트로 이루어진다. 핑거 어셈블리 (705) 는 장착 암세트의 제 2 측면에 장착된다. 일부 실시예들에서, 핑거 어셈블리 (705) 는 핑거 어셈블리 (705) 의 평탄화 (leveling) 조정의 방식을 제공하도록 스프링 로딩된 장착을 사용하여 장착 암세트에 장착된다. 핑거 어셈블리 (705) 는 도 6a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼를 지지하는데 충분하지만 소모성 부품 (208) 을 지지하는데 충분하지 않은 길이로 연장하는 한 쌍의 핑거들 (707) 을 포함한다. 일부 실시예들에서, 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 의 핑거 어셈블리 (705) 및 리스트 플레이트 (701) 는 알루미늄 재료로 이루어진다. 일부 실시예들에서, 핑거 어셈블리 (705) 의 길이 (L1-a) 는 약 280 ㎜이고, 그리고 핑거들 (707) 의 길이 (L1-b) 는 약 103 ㎜이다.
핑거 어셈블리 (705) 의 핑거들 (707) 은 소모성 부품 (208) 을 수용하도록 연장될 수도 있다. 그러나, 핑거 어셈블리 (705) 의 핑거들 (707) 이 연장된다면, 도 6a의 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 에서 사용된 스테인리스 강 재료는 여분의 재료에 의해 유발된 페이로드 (payload) 의 증가에 기인하여 웨이퍼 이송 플레인으로부터 핑거들 (707) 의 편향을 유발할 것이다. 편향의 양은 이 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 으로 하여금 이송 플레인의 정밀성이 목표되는, 클러스터 툴 어셈블리 내의 공간과 같은, 타이트한 공간에서 사용되기에 덜 바람직하게 할 것이다. 그래서, 핑거들 (707) 을 연장하도록 핑거 어셈블리 (705) 를 재설계하는 것 대신에, 핑거 어셈블리 (705) 의 원래의 설계가 유지된다. 핑거 어셈블리 (705) 의 원래의 설계는 핑거 어셈블리 (705) 로 하여금 링 캐리어를 지지하게 함으로써 소모성 부품을 수송하도록 사용된다. 결국, 링 캐리어는 소모성 부품 (208) 을 지지하도록 사용된다. 링 캐리어의 상세들은 도 8a 및 도 8b를 참조하여 기술될 것이다.
도 6b, 도 6ba, 및 도 6c는 일부 실시예들에서, 클러스터 툴 어셈블리 (100) 내의 로봇에서 사용되는 예시적인 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 을 예시한다. 도 6b는 평면도를 예시하고, 도 6ba는 측면도를 예시하고, 그리고 도 6c는 소모성 부품을 수용하고 수송하도록 사용되는 예시적인 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 의 측면으로 비스듬한 도면 (side-angled view) 을 예시한다. 도 6b, 도 6ba, 및 도 6c에 예시된 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 은 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 으로 하여금 웨이퍼를 수송하는 것에 더하여 소모성 부품을 수송할 수 있게 하도록 재설계된다. 도 6b, 도 6ba, 도 6c에 예시된 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 은 VTM (104) 내의 로봇 (105) 및/또는 ATM (102) 내의 로봇 (103) 으로 구현될 수도 있다는 것이 주의되어야 한다. 재설계된 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 은 일 단부에서 로봇에 그리고 반대편의 단부에서 장착 암세트 (704) 에 장착 가능한 리스트 플레이트 (702) 를 포함한다. 장착 암세트 (704) 는 도 6ba에 예시된 바와 같이, 상단 플레이트 (704a) 및 하단 플레이트 (704b) 에 의해 규정된다. 일부 실시예들에서, 장착 암세트 (704) 의 상단 플레이트 (704a) 는 스테인리스 강 재료로 이루어지고 그리고 장착 암세트 (704) 의 하단 플레이트 (704b) 는 알루미늄으로 이루어진다. 상단 플레이트 및 하단 플레이트를 위해 사용된 재료의 변동들은, 장착 암세트의 기능이 유지되는 한, 구현될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 스프링 로딩된 장착은 상단 플레이트 (704a) 와 리스트 플레이트 (702) 사이에서 이루어질 (effectuated) 수도 있다.
한 쌍의 핑거들 (706) 을 가진 핑거 어셈블리 (710) 는 장착 암세트 (704) 로부터 외측으로 연장하는 한 쌍의 핑거들 (706) 을 사용하여 장착 암세트 (704) 의 상단 플레이트 (704a) 와 하단 플레이트 (704b) 사이에 클램핑된다. 일부 실시예들에서, 엔드 이펙터 메커니즘 (704) 의 핑거 어셈블리 (710) 는 세라믹 재료로 이루어진다. 세라믹 재료는 핑거들 (706) 및 핑거 어셈블리 (710) 에 강성도를 제공하고, 이에 따라 특히 웨이퍼 및/또는 소모성 부품을 지지할 때, 링 이송 플레인으로부터 편향을 감소시킨다. 또한, 세라믹은 중량이 보다 가볍고, 이에 따라 핑거 어셈블리 (710) 상에 감소된 페이로드를 발생시킨다. 클램핑은 클램핑이 세라믹 핑거 어셈블리 (710) 에서 어떠한 응력 크랙킹도 유발하지 않는다는 것을 보장하는 동안 핑거 어셈블리 (710) 의 안정한 장착을 제공한다. 또한, 가벼운 중량의 세라믹 재료는, 소모성 부품이 로드록 챔버 (110) 내외로 순조롭게 이송될 수 있도록 핑거 어셈블리 (710) 로 하여금 링 이송 플레인에 실질적으로 평행하게 정렬되게 한다. 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍 (708a) 은 핑거 어셈블리 (710) 의 근위 단부에 규정되고 그리고 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍 (708b) 은 핑거 어셈블리 (710) 의 핑거들 (706) 의 팁들에 근접한 핑거 어셈블리 (710) 의 원위 단부에 규정된다. 소모성 콘택트 패드들 (708a, 708b) 사이의 길이 (L3-a) 는 약 301 ㎜이도록 규정된다. 유사하게, 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍 (708c) 은 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍 (708a) 에 근접하게 배치되고 그리고 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍 (708d) 은 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍 (708b) 에 근접하게 배치된다. 제 3 및 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍들은 제 1 및 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍들 내부에 있도록 배치된다. 기판 콘택트 패드들 (708c, 708d) 사이의 길이 (L3-b) 는 약 133 ㎜이도록 규정된다.
이제 도 6b를 참조하면, 핑거 어셈블리 (710) 는 장착 암세트 (704) 에 인접하게 규정되는 근위 단부 (710a) 및 한 쌍의 핑거들 (706) 의 팁들에서 규정되는 원위 단부를 갖는다. 일부 실시예들에서, 길이 (L2-a) 는 수용될 때 소모성 부품으로 하여금 지지되게 하도록, 적어도 소모성 부품 (208) 의 직경을 커버하도록 규정된다. 예를 들어, 핑거 어셈블리 (701) 의 길이 (L2-a) 는 적어도 약 360 ㎜이도록 규정되고, 그리고 한 쌍의 핑거들 (706) 의 길이 (L2-b) 는 적어도 182 ㎜이도록 규정된다. 핑거 어셈블리 (710) 는 소모성 부품 (208) 및 웨이퍼 (즉, 기판) 양자를 수용하고 수송하도록 사용된다. 예를 들어, 핑거 어셈블리 (710) 는 300 ㎜ 웨이퍼뿐만 아니라 300 ㎜ 웨이퍼를 둘러싸는 에지 링과 같은 소모성 부품을 수송하도록 구성된다. 다른 실시예들에서, 핑거 어셈블리 (710) 는 200 ㎜ 웨이퍼, 또는 450 ㎜ 웨이퍼, 또는 임의의 다른 치수의 웨이퍼, 뿐만 아니라 각각의 사이징된 웨이퍼를 둘러싸는 에지 링과 같은 소모성 부품을 수송하도록 구성된다. 이들 실시예들에서, 핑거 어셈블리 (710) 는 알맞게 사이징된 웨이퍼 및 소모성 부품을 지지하도록 사이징된다.
소모성 부품 (208) 및 웨이퍼의 수송을 돕기 위해서, 복수의 콘택트 패드들은 소모성 부품 및 웨이퍼를 수용할 때, 소모성 부품 및 웨이퍼를 지지하도록 가변하는 거리들로 핑거 어셈블리 (710) 의 상단 표면 상에 제공된다. 일부 실시예들에서, 콘택트 패드들의 별개의 세트들은 소모성 부품 및 웨이퍼로 하여금 핑거 어셈블리 (710) 상에 별개의 콘택트 표면들을 갖게 하도록 제공된다. 이 배열은 소모성 부품을 이송시키도록 사용되는 동일한 핑거 어셈블리를 사용하여 웨이퍼의 오염을 감소시키기에 바람직할 수도 있다. 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍 (708a) 은 핑거 어셈블리 (710) 의 상단 표면 상에 배치될 수도 있고 그리고 장착 암세트 (704) 에 가까운 근위 단부 (710a) 에 또는 근위 단부 (710a) 근방에 위치된다. 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍 (708b) 은 핑거 어셈블리 (710) 의 상단 표면 상에 배치되고 그리고 한 쌍의 핑거들 (706) 의 팁들 (706a) 에 가까운 원위 단부 (710b) 에 또는 원위 단부 (710b) 근방에 위치된다. 제 1 (708a) 및 제 2 (708b) 소모성 콘택트 패드들의 쌍들은 소모성 부품을 이송하기 위해 사용된다. 유사하게, 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍 (708c) 은 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍에 인접한 핑거 어셈블리 (710) 의 상단 표면 상에 그리고 제 1 및 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍들 (708a, 708b) 사이에 배치된다. 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍 (708d) 은 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍에 인접한 핑거 어셈블리 (710) 의 상단 표면 상에 그리고 제 1 및 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍들 (708a, 708b) 사이에 배치된다. 제 3 및 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍들 (708c, 708d) 은 웨이퍼를 수송하도록 사용된다. 소모성 콘택트 패드들 (708a, 708b) 은 웨이퍼의 직경 외부에 배치되고 그리고 기판 콘택트 패드들 (708c, 708d) 은 웨이퍼의 직경 내부에 배치된다. 이 설계는 웨이퍼의 오염을 최소화하도록 핑거 어셈블리 (710) 상의 소모성 부품 (208) 과 웨이퍼의 수용 표면의 분리를 허용한다.
일부 실시예들에서, 콘택트 패드들은 탄성중합체 재료와 같은 미끄럼 방지 (non-skid) 재료로 이루어진다. 핑거들 (706) 의 상단 표면 상의 소모성 콘택트 패드들 (708a, 708b) 의 위치는, 로봇의 엔드 이펙터 메커니즘 (710) 이 소모성 부품 (208) 을 리프팅할 때, 콘택트 패드가 소모성 부품 (208) 의 하단 표면에 신뢰할 수 있는 콘택트 지지를 제공하도록 하는 위치이다. 일부 실시예들에서, 소모성 콘택트 패드들 (708a, 708b) 의 2 이상의 세트는, 소모성 콘택트 패드들 (708a, 708b) 의 2 이상의 세트가 신뢰할 수 있는 콘택트 지지를 제공할 수 있도록, 핑거 어셈블리 (710) 의 근위 단부 (710a) 및 원위 단부 (710b) 에 제공될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 부가적인 소모성 콘택트 패드들 (708) 은 2 이상의 콘택트 지점을 요구할 수도 있는 별개의 하단 표면 프로파일을 가진 소모성 부품 (208) 의 하단 표면에 콘택트 지지를 제공하도록 배치될 수도 있다.
도 7a 내지 도 7d는 상이한 하단 표면 프로파일들을 가진 소모성 부품들 (208) 을 지지하기 위한 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 에서 사용된 핑거 어셈블리 (710) 의 특정한 실시예들을 예시한다. 일부 실시예들에서, 소모성 부품 (208) 은 예를 들어, 웨이퍼가 프로세스 모듈 (112) 내에 수용될 때, 웨이퍼에 인접하게 배치되는 에지 링일 수도 있다. 에지 링은 하단 표면에서 상이한 단면 프로파일들을 가질 수도 있고 그리고 소모성 콘택트 패드들 (708) 은 소모성 부품 (208) 의 상이한 표면 프로파일들을 수용하도록 핑거 어셈블리 (710) 의 상단 표면 상에 배치된다.
도 7a는 소모성 부품 (208) 의 하단 표면 에지의 단면이 실질적으로 직사각형인 실시예를 예시한다. 이 실시예에서, 핑거 어셈블리 (710) 의 상단 표면에 배치된 소모성 콘택트 패드들 (708) 은, 소모성 부품 (208) 이 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 의 핑거 어셈블리 (710) 상에 적절히 정렬되고 수용될 때 충분한 콘택트 표면을 제공한다. 일부 구현예들에서, 소모성 콘택트 패드들 (708a, 708b) 은 소모성 부품의 직경과 적어도 동일한 거리만큼 이격된다. 도 7a에 예시된 실시예에서, 소모성 콘택트 패드 (708) 는 소모성 콘택트 패드 (708) 가 중간 너비 (mid span) 에서 소모성 부품 (208) 의 하단 표면과 콘택트하도록 배치된다.
도 7b는 일 실시예에서, 소모성 부품 (208) 의 하단 표면의 대안적인 단면 프로파일을 예시한다. 소모성 부품 (208) 은 소모성 부품 (208) 의 외경에서 하단 표면의 컷 (cut) 을 포함한다. 핑거 어셈블리 (710) 의 상단 표면 상에 배치된 소모성 콘택트 패드 (708) 의 위치는, 핑거들 (706) 상의 소모성 부품 (208) 의 정렬이 미리 규정된 위치 에러 제한들 내에 있는 한, 소모성 콘택트 패드가 콘택트 지지를 소모성 부품 (208) 에 계속 제공하고 그리고 소모성 부품 (208) 의 하단 표면을 놓치지 (miss) 않는다는 것을 보장한다.
도 7ca는 일 실시예에서, 소모성 부품 (208) 의 하단 표면의 제 2 대안적인 단면 프로파일을 예시한다. 소모성 부품 (208) 은 하단 표면의 중간에서 컷 아웃 (cut out) 을 포함한다. 도 7a 및 도 7b에 예시된 거리에 배치된 소모성 콘택트 패드 (708) 가 사용된다면, 콘택트 패드 (708) 는 도 7ca에 예시된 바와 같이, 소모성 부품 (208) 의 하단 표면과의 충분한 콘택트를 제공하지 않을 것이다. 이것은 소모성 부품으로 하여금 소모성 콘택트 패드 (708) 의 표면 대신에 핑거들 (706) 의 상단 표면 상에 수용되게 할 것이다. 한 쌍의 핑거들 (706) 이 미세한 끝 부분을 갖는 세라믹 재료로 이루어지기 때문에, 한 쌍의 핑거들 (706) 상에 수용된 소모성 부품 (208) 이 소모성 부품 (208) 의 수송 동안 오정렬될 수도 있다는 높은 가능성 - 매우 바람직하지 않은 결과가 있다. 이러한 오정렬이 발생하는 것을 방지하도록, 부가적인 소모성 콘택트 패드들은, 컷-아웃을 가진 소모성 부품 (208) 의 하단 표면이, 핑거 어셈블리 (710) 상에 수용될 때, 한 쌍의 핑거들 (706) 상에 배치된 하나 이상의 소모성 콘택트 패드들 (708) 과 충분히 콘택트한다는 것을 보장하도록 상이한 거리들에서 핑거 어셈블리 (710) 상에 제공될 수도 있다. 소모성 콘택트 패드들은 예상된 위치 에러의 범위를 통해 예상된 단면의 소모성 부품 (208) 을 지지하도록 핑거 어셈블리 (710) 상에 규정되지만, 또한 웨이퍼가 수용될 때, 웨이퍼가 소모성 콘택트 패드들을 절대 터치하지 않도록 웨이퍼 오프셋의 예상된 범위 밖에 머문다. 도 7cb는 2 개의 소모성 콘택트 패드들의 세트가 소모성 부품 (208) 의 하단에서 신뢰할 수 있는 콘택트 지지를 제공하도록 상이한 거리들로 핑거 어셈블리 (710) 상에 제공되는 일 이러한 예를 예시한다. 2 개의 소모성 콘택트 패드들 (708) 사이의 거리는 컷 아웃의 폭에 따라 구성될 수도 있다.
도 7d는 일 실시예에서, 소모성 부품 (208) 의 하단 표면의 제 3 대안적인 단면 프로파일을 예시한다. 이 실시예에서, 소모성 부품 (208) 은 웨이퍼가 프로세스 모듈 내에 수용될 때, 웨이퍼로 하여금 소모성 부품의 립 위에 수용되게 하도록 보다 작은 내경 립을 포함한다. 이 실시예에서, 소모성 부품 (208) 의 하단 표면은 도 7a 내지 도 7c에 예시된 표면적들보다 큰 표면적을 포함한다. 그 결과, 핑거 어셈블리 (710) 상에 배치된 소모성 콘택트 패드 (708) 는 수송 동안 충분한 콘택트 지지를 소모성 부품 (208) 에 제공할 것이다. 일부 실시예들은 도 7a 내지 도 7d에 도시된 것과 상이한 타입의 콘택트 패드 개념을 사용할 수도 있다.
도 7e는 VTM (102) 내의 로봇 (105) 에 도시된 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 을 예시하고 그리고 도 7fa, 도 7fb는 가변하는 하단 프로파일들의 소모성 부품의 수용을 인에이블하도록, 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 에서 사용되는 대안적인 콘택트 패드 개념의 상세들을 도시한다. 도 7e에 예시된 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 의 다양한 컴포넌트들은 도 6a에 도시된 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 을 참조하여 논의되었던 것과 유사하다.
도 7fa 및 도 7fb는 일부 실시예들에서, 소모성 부품을 수용하기 위한 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 에서 사용된 대안적인 콘택트 패드 개념을 예시한다. 도 7fb는 핑거 어셈블리 (710) 내의 핑거 (706) 의 부분 (A-1) 의 확대도를 도시하고, 여기서 대안적인 콘택트 패드 개념이 규정된다. 이러한 실시예들에서, 링 형상의 콘택트 구조체 (709) 는 소모성 콘택트 패드들 (708) 대신에 사용될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 링 형상의 콘택트 구조체 (709) 는 탄성 중합체 재료로 이루어진 o-링의 형태일 수도 있다. o-링 또는 링 형상의 콘택트 구조체 (709) 를 사용하는 것은 소모성 부품 반경의 보다 큰 범위에 걸치는 링 형상의 라인 콘택트를 허용한다. 그것은 또한 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 기술되는 소모성 부품의 하단 프로파일 변동 이슈들을 처리하고 그리고 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 상의 위치 에러의 보다 큰 허용오차를 제공한다. 일부 실시예들에서, 소모성 콘택트 패드들 또는 링 형상의 콘택트 구조체 및 웨이퍼 콘택트 패드들은 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 의 영구적인 부품이도록 규정된다. 이러한 실시예들에서, 콘택트 패드들 (소모성, 웨이퍼 콘택트 패드들) 및/또는 콘택트 구조체는 세라믹 재료 또는 ATM (102) 또는 VTM (104) 내에 규정된 환경에 적합한 임의의 다른 금속으로 이루어질 수도 있다. 다른 실시예들에서, 소모성, 웨이퍼 콘택트 패드들 또는 콘택트 구조체는 탄성중합체 또는 다른 유사한 타입의 재료와 같은, 교체 가능한, 소모성 재료로 이루어질 수도 있다.
다시 도 6b 내지 도 6c를 참조하면, 도 6b 내지 도 6c에 예시된 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 은 진공 이송 모듈 (104) 내의 로봇 (105) 에 의해, 그리고 또한 일부 실시예들에서 ATM (102) 내의 로봇 (103) 에 채용될 수도 있다. 대안적인 실시예들에서, 도 6b 내지 도 6c의 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 이 VTM (104) 의 로봇 (105) 에 의해 채용될 수도 있지만, 도 6a에 예시된 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 또는 재설계된 엔드 이펙터 메커니즘 (70 또는 700) 의 구성이 ATM (102) 의 로봇 (103) 에서 구현될 수도 있다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일부 실시예들에서, ATM (102) 및 VTM (104) 내의 로봇들에서 사용되는 상이한 엔드 이펙터 메커니즘들의 평면도들을 예시한다. 앞서 언급된 바와 같이, ATM (102) 내의 로봇 (103) 은 짧은 핑거들 및 캐리어 플레이트를 가진 기존의 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 또는 웨이퍼뿐만 아니라 소모성 부품을 이동시키도록 연장된 핑거들을 가진 수정된 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 을 사용할 수도 있다. 도 8a는 웨이퍼를 로드록 챔버 (110) 로 전달하도록 통상적으로 사용되는 ATM (102) 의 로봇 (103) 에 통합된 기존의 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 의 평면도를 예시한다. 기존의 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 은 또한 소모성 부품을 로드록 챔버 (110) 로 전달하도록 사용될 수도 있다. 도 8a에서 알 수 있는 바와 같이, 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 내에 규정된 한 쌍의 핑거들 (707) 은 콘택트 지지를 웨이퍼 (미도시) 에 제공하도록 설계되고 그리고 콘택트 지지를 웨이퍼보다 큰 반경을 가진 소모성 부품 (208) 에 제공하도록 설계되지 않는다. 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 으로 하여금 소모성 부품을 지지하고 이송하기 위해 사용되게 하도록, 링 캐리어 픽스처가 사용된다.
도 8b는 링 캐리어 픽스처가 소모성 부품 (208) 을 교체 스테이션 (108) 과 로드록 챔버 (110) 사이에서 수송하도록, ATM (102) 의 로봇 (103) 내의 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 과 함께 사용되는 예시적인 실시예를 예시한다. 링 캐리어 픽스처는 캐리어 플레이트 (1104) 의 형태일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 캐리어 플레이트 (1104) 는 탄소 섬유 재료로 이루어진다. 탄소 섬유는 중량이 가볍고 그리고 탄소 섬유가 핑거 어셈블리 (705) 상의 페이로드의 증가를 최소화하기 때문에 이상적이다. 탄소 섬유는 또한 편향을 최소화하도록 충분한 강성도를 제공한다.
일부 실시예들에서, 캐리어 플레이트 (1104) 는 삼각형 형상이도록 구성되고 그리고 캐리어 플레이트 (1104) 의 중심 1104m로부터 정점들 (1104a, 1104b, 1104c) 의 거리가 소모성 부품 (208) 의 반경과 적어도 동일하도록 사이징된다. 캐리어 플레이트의 삼각형 형상 설계는 많은 이점들을 갖는다. 예를 들어, 캐리어 플레이트의 삼각형 형상은 상부에 수용된 소모성 부품 (208) 을 가진 캐리어 플레이트 (1104) 로 하여금, 로드록 챔버 (110) 내에 규정된 임의의 컴포넌트들을 간섭하지 않고 로드록 챔버 (110) 내외로 쉽게 이동되게 한다. 이것은 정점들 (1104a 내지 1104c) 이 캐리어 플레이트 (1104) 로 하여금 예를 들어, 충분한 간격을 유지하면서 로드록 챔버 (110) 내에 규정된, 핑거 어셈블리들 (902) 사이에서 쉽게 이동하게 인에이블하기 때문에 가능하다. 또한, 정점들 (1104a 내지 1104c) 이 삼각형 형상의 캐리어 플레이트 (1104) 의 중심에 규정된 중력 중심 1104m로부터 등거리에 분포되기 때문에, 소모성 부품 (208) 은 임의의 일 측면 상에 과도한 응력을 제공하지 않고 정점들에서 적절히 지지될 수 있다.
일 실시예에서, 캐리어 플레이트 (1104) 는 교체 스테이션 (108) 내에 저장되고 그리고 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 을 사용하여 ATM (102) 의 로봇 (103) 에 의해 회수된다. 일부 실시예들에서, ATM (102) 의 로봇 (103) 내에 제공된 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 은 캐리어 플레이트 (1104) 가 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 상에 안전하게 수용되고 운반될 수 있도록 캐리어 플레이트 (1104) 를 픽킹할 때 충분한 흡입력을 제공하도록 구성될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 상이한 캐리어 플레이트들 (1104) 은 사용된 소모성 부품들 및 새로운 소모성 부품들을 별도로 수송하도록 사용될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 캐리어 플레이트는 사용된 소모성 부품을 수송하도록 사용될 수도 있고 그리고 제 2 캐리어 플레이트는 새로운 소모성 부품을 수송하도록 사용될 수도 있다.
링 캐리어 (캐리어 플레이트 (1104) 의 형태임) 를 가진 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 을 사용하는 것은 이점들을 갖는다. 예를 들어, 기존의 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 이 사용될 수도 있고 그리고 기존의 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 을 재설계할 필요가 없다. 링을 지지하기 위한 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 의 재설계는 다양한 웨이퍼 핸드-오프 (hand-off) 위치들에서 웨이퍼 지지부들 또는 다른 하드웨어를 간섭할 수도 있는 형상 변화를 요구할 수도 있다. 이러한 간격 이슈들은 ATM 내의 로봇의 로봇 암 궤적들을 변화시킴으로써 처리될 수도 있지만, 궤적 변화들은 시스템 쓰루풋을 감소시키는 웨이퍼 이송 시간들을 증가시킬 수도 있다. 링 캐리어의 대안적인 사용은 웨이퍼 쓰루풋에 대한 임의의 변화들 없이 웨이퍼 이송을 위해 현재 궤적들의 사용을 허용한다. 필요에 따라, 링 이송의 특정한 궤적들은 웨이퍼 이송 궤적들을 변화시키지 않은 채로 규정될 수 있다. 또한, 그것은 기존의 펌웨어에 영향을 덜 준다. 일부 실시예들에서, 링 캐리어 (캐리어 플레이트 (1104) 의 형태임) 는 링 이송 플레인으로부터의 편향에 기여할 수도 있는 페이로드를 증가시킬 수도 있다. 그러나, 링 캐리어에 대해, 탄소 섬유와 같은 적절한 가벼운 중량의 재료를 사용함으로써, 페이로드의 임의의 증가 및 결과로 발생하는 편향이 실질적으로 최소화될 수도 있다.
도 9a 및 도 9b는 일부 실시예들에서, 소모성 부품 (208) 을 로드록 챔버 (110) 내로 이송하기 위해 링 캐리어 (1104) 와 함께 사용되는 예시적인 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 의 측면도 및 평면도를 예시한다. 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 은 일 단부에서 로봇 (103) 에 그리고 반대편의 단부에서 장착 암세트 (703) 에 부착 가능한 리스트 플레이트 (701) 를 포함한다. 핑거 어셈블리 (705) 는 장착 암세트 (703) 의 제 2 단부에 부착된다. 핑거 어셈블리의 한 쌍의 핑거들 (707) 은 장착 암세트 (703) 로부터 외측으로 연장한다. 핑거 어셈블리 (705) 는 장착 암세트 (703) 에 근접한 근위 단부 (705a) 를 갖는다. 핑거 어셈블리 (705) 의 원위 단부 (705b) 는 한 쌍의 핑거들 (707) 의 핑거 팁들 (707a) 에서 규정된다. 제 1 캐리어 콘택트 패드 (721a) 는 핑거들 (707) 의 베이스에 형성되는 포크 (723) 의 중심에 근접한 핑거 어셈블리 (705) 의 상단 표면 상에 배치된다. 제 2 캐리어 콘택트 패드들의 쌍 (721b) 은 핑거 어셈블리 (70) 의 상단 표면 상에 배치되고 그리고 핑거 어셈블리 (705) 의 원위 단부 (705b) 에 근접하게 위치된다. 캐리어 플레이트 (1104) 는 제 1 캐리어 콘택트 패드의 쌍 (721a) 및 제 2 캐리어 콘택트 패드의 쌍 (721b) 을 사용하여 핑거 어셈블리 (705) 상에 지지된다. 핑거 어셈블리 (705) 는 또한 기판 또는 웨이퍼를 수송하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 링 캐리어 (캐리어 플레이트 (1104) 의 형태임) 를 가진 기존의 엔드 이펙터 메커니즘 (70) 은, 교체 스테이션 (108) 으로부터 캐리어 플레이트 (1104) 를 저장하고 회수하는 것이 편리하고 그리고 캐리어 플레이트 (1104) 를 저장하기 위해 임의의 다른 모듈들을 리엔지니어링할 (re-engineer) 필요가 없기 때문에, ATM (102) 의 로봇을 사용하여서만 사용될 수도 있다는 것이 주의되어야 한다. 캐리어 플레이트 (1104) 는 기판의 반경 외부에 있는 캐리어 플레이트 (1104) 의 중심으로부터 거리에서 정점들 (1104a 내지 1104c) 각각에 배치된 소모성 콘택트 패드 (708) 를 포함한다. 일부 실시예들에서, 캐리어 플레이트 (1104) 의 중심으로부터 소모성 콘택트 패드들 (708) 의 거리는, 캐리어 플레이트 (1104) 의 정점들 상에 소모성 부품을 수용할 때, 소모성 부품에 미끄럼 방지 콘택트 표면을 제공하도록, 적어도 소모성 부품 (208) 의 반경 길이이다. 도 7a 내지 도 7d에 예시된 실시예들을 참조하여 논의되는 바와 같이, 소모성 콘택트 패드들 (708) 은 캐리어 플레이트 (1104) 의 정점들로부터 상이한 거리에 제공될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 정점 각각은 정점들 (1104a 내지 1104c) 각각으로부터 등거리에 배치된 한 소모성 콘택트 패드들의 쌍 (708) 을 포함할 수도 있다. 대안적인 실시예들에서, 복수의 소모성 콘택트 패드들 (708) 은 콘택트 패드들로 하여금 상이한 하단 표면 프로파일들을 가진 소모성 부품 (208) 에 대한 신뢰할 수 있는 콘택트 표면을 제공하게 하도록 정점들 (1104a 내지 1104c) 각각으로부터 상이한 거리들에 규정될 수도 있다.
ATM (102) 및/또는 VTM (104) 의 로봇 내에 수정된 엔드 이펙터 메커니즘 (700) 을 포함하는 것에 더하여, 부가적인 수정들은 소모성 부품으로 하여금 교체 동작 동안 내부에 수용되게 하도록 로드록 챔버 (110) 에 제공될 수도 있다.
도 10a 내지 도 10f는 일부 실시예들에서 소모성 부품을 수용하고 지지하기 위해 로드록 챔버 (110) 내에 인게이지된 지지 메커니즘의 다양한 도면들 및 상세들을 제공한다. 도 10a는 일 실시예에서, 소모성 부품 (208) 이 교체될 필요가 있는 클러스터 툴 어셈블리 (100) 내 ATM (102) 과 VTM (104) 사이에 인터페이싱된 간략화된 로드록 챔버 (110) 의 조감도를 예시한다. 로드록 챔버 (110) 는 소모성 부품 (208) 을 수용하기 위한 지지 메커니즘 (901) 을 포함한다. 지지 메커니즘 (901) 은 상부에 소모성 부품이 수용되는 콘택트 표면을 제공하는 복수의 핑거 어셈블리들 (902) 을 포함한다. 핑거 어셈블리들 (902) 은 로드록 챔버 (110) 내에서 고정된 위치들에 배치된다. 일부 실시예들에서, 이하의 문단들에서 기술될 바와 같이, 핑거 어셈블리들 (902) 은 웨이퍼들 및 소모성 부품들을 수용하기 위한 상호 배타적인 콘택트 지점들을 갖도록 구성된다. 콘택트 지점들은 예측된 웨이퍼 또는 소모성 부품 위치 에러 내 배타적인 분리를 달성하기 위해 상이한 높이들 또는 방사상 거리들에 있을 수도 있다는 것을 주의해야 한다.
도 10b는 웨이퍼를 수용하기 위해 설계된 로드록 챔버 (110) 내 기존의 핑거 어셈블리 (903) 를 예시한다. 핑거 어셈블리 (903) 각각은 상단 지지 핑거 (903a) 및 하단 지지 핑거 (903b)를 포함한다. 도시된 바와 같이, 상단 지지 핑거 (903a) 및 하단 지지 핑거 (903b) 양자의 상단 표면은 하향으로 기울어진 부분 (911) 을 포함하도록 설계된다. 웨이퍼가 수용될 때, 웨이퍼에 대한 미끄럼 방지 콘택트 표면을 제공하도록, 콘택트 패드 (912) 는 상단 지지 핑거 (903a) 및 하단 지지 핑거 (903b) 의 팁에 근접하게 형성된다. 상단 지지 핑거 (903a) 및 하단 지지 핑거 (903b) 를 지지하도록 스페이서 블록이 형성된다. 스페이서 블록의 두께는 웨이퍼를 수용하기에 충분한 간격 (clearance) 을 제공하도록 설계된다. 그러나, 도 10b의 스페이서 블록에 의해 제공된 간격은 웨이퍼보다 큰 반경을 갖는 소모성 부품을 수용하기에는 충분하지 않다. 소모성 부품을 수용하기 위해, 소모성 부품을 수용할 때 로드록 챔버의 컴포넌트들과의 간섭을 방지하도록 로드록 챔버 내 핑거 어셈블리는 재설계된다.
도 10c는 본 발명의 일 실시예에서, 상부에 소모성 부품이 수용되게 하도록 로드록 챔버 (110) 내에 사용된 지지 메커니즘 (901) 의 예시적인 재설계된 핑거 어셈블리 (902) 를 예시한다. 지지 메커니즘 (901) 은 복수의 핑거 어셈블리들 (902) 을 포함한다. 도 10a에 예시된 일 실시예에서, 지지 메커니즘은 원의 원주를 따라 서로로부터 등거리에 분포된 3 개의 핑거 어셈블리들을 포함한다. 복수의 핑거 어셈블리들 (902) 각각은 상단 지지 핑거 (902a) 및 하단 지지 핑거 (902b) 를 포함한다. 일 실시예에서, 하단 지지 핑거의 상단 표면은 하단 지지 핑거 (902b) 의 제 2 단부에 근접한 인덴트 (908) 를 포함하도록 설계되는 한편, 스페이서 블록은 제 1 단부에서 상단 지지 핑거 (902a) 와 하단 지지 핑거 (902b) 사이에 배치된다. 소모성 부품을 완전히 수용하기 위해, 스페이서 블록 (905) 은 소모성 부품 (208) 으로 하여금 핑거 어셈블리 (902) 상에 완전히 수용되게 하도록 충분한 간격을 제공하기 위해 재설계된다. 도 10c에 예시된 실시예에서, 소모성 부품의 이송 경로와 간섭하지 않도록, 스페이서 블록 (905) 은 로드록 챔버 (110) 의 중심으로부터 보다 멀리, 로드록 챔버 (110) 의 측벽에 보다 가깝게 이동되는 것으로 도시된다. 제 2 스페이서 블록 (905") 이 제 1 단부에서 하단 지지 핑거 (902b) 아래에 배치될 수도 있고, 재설계된 스페이서 블록 (905) 와 동일한 사이즈이거나, 보다 두껍거나 보다 얇을 수도 있다. 일 실시예에서, 스페이서 블록 (905) 을 제공하는 대신, 핑거 어셈블리는 하단 지지 핑거와 상단 지지 핑거 사이에 갭을 제공하는 동안 상단 지지 핑거와 하단 지지 핑거를 지지하기 위한 핑거 지지부를 포함한다. 부가적으로, 도 10c에 예시된 일 실시예에서, 로드록 챔버 (110) 내 핑거 어셈블리 (902) 각각 내의 하단 지지 핑거 (902b) 는 적어도 소모성 부품의 반경과 같은 거리에 상단 표면 상에 인덴트 (908) 를 포함하도록 재설계된다. 일 실시예에서, 인덴트 (908) 의 사이즈는 적어도 소모성 부품의 폭으로 설계된다. 웨이퍼 및 소모성 부품이 수용될 때, 웨이퍼 뿐만 아니라 소모성 부품 (208) 에 대한 미끄럼 방지 콘택트 지지 표면을 제공하도록 하나 이상의 콘택트 패드들이 핑거 어셈블리들 (902) 의 표면 상에 형성된다. 예를 들어, 기판 콘택트 패드 (904) 는 상단 지지 핑거 (902a) 및 하단 지지 핑거 (902b) 의 팁에 근접한 핑거 어셈블리의 제 2 단부에서 상단 지지 핑거 (902a) 및 하단 지지 핑거 (902b) 의 상단 표면에 배치된다. 일부 실시예에서, 웨이퍼가 수용될 때, 웨이퍼에 대한 콘택트 지지 표면을 제공하도록, 웨이퍼의 반경과 같은 지지 메커니즘의 중심으로부터의 거리에 기판 콘택트 패드들 (904) 이 형성된다. 또한, 소모성 부품 (208) 에 대한 콘택트 지지를 제공하도록 하단 지지 핑거 (902b) 의 인덴트 (908) 내에 소모성 콘택트 패드들 (906) 이 형성된다. 소모성 부품의 하단 표면 프로파일에 기초하여, 부가적인 소모성 콘택트 패드들 (906) 이 인덴트 (908) 내에 형성될 수도 있다.
일부 실시예들에서, 상단 지지 핑거 (902a) 에서 기판 콘택트 패드들 (904) 이 웨이퍼를 수용하도록 사용될 수도 있는 한편, 인덴트 내 소모성 콘택트 패드가 소모성 부품을 수용하도록 사용될 수도 있다. 대안적인 실시예들에서, 상단 지지 핑거 (902a) 는 소모성 부품 (208) 을 수용하기 위한 소모성 콘택트 패드 (906) 를 갖는 인덴트 (908) 를 포함할 수도 있는 한편, 하단 지지 핑거 (902b) 의 표면 상 기판 콘택트 패드 (904) 는 웨이퍼를 수용하도록 사용될 수도 있다. 대안적인 실시예에서, 인덴트 (908) 는 상단 지지 핑거 (902a) 및 하단 지지 핑거 (902b) 양자에 제공될 수도 있다. 이 실시예에서, 상단 지지 핑거 (902a) 및 하단 지지 핑거 (902b) 양자는 소모성 부품 (208) 및 웨이퍼를 수용하도록 구성된다. 소모성 부품 (208) 및 웨이퍼는 동시에 핑거 어셈블리 상에 수용되지 않는다는 것을 주의해야 한다. 일부 구현예들에서, 그러나 웨이퍼를 수용하기 위해 상단 지지 핑거들 (902a) 을 사용하는 동안 소모성 부품으로 하여금 하단 지지 핑거들 (902b) 에 수용되게 또는 반대로 함으로써 소모성 부품 및 웨이퍼를 동시에 수용하는 것이 가능할 수도 있다. 이러한 실시예들에서, 웨이퍼 콘택트 패드들 및 소모성 콘택트 패드들의 위치들은 소모성 부품 (208) 을 수용하기 위한 콘택트 표면이 교차 오염을 방지하기 위해 웨이퍼를 수용하기 위해 사용되는 콘택트 표면으로부터 분리되어 유지되도록 설계된다. 허용된 위치 에러의 극단에 수용된 웨이퍼는 소모성 콘택트 패드들과 콘택트하지 않도록 웨이퍼 콘택트 패드 위치들이 규정된다는 것을 주의해야 한다. 유사하게, 허용된 위치 에러의 극단에 수용된 소모성 부품은 웨이퍼 콘택트 패드들과 콘택트하지 않아야 한다. 콘택트 수용 표면들의 분리는 웨이퍼가 핑거 어셈블리 상에 수용될 때 웨이퍼의 교차 오염을 방지하기 위한 것이다. 일부 실시예들에서, 구별된 콘택트 패드들을 사용하는 대신, 링 형상의 콘택트 구조체가 하단 지지 핑거들 (902b) 및/또는 상단 지지 핑거들 (902a) 내에 형성된 인덴트 (908) 내에 배치될 수도 있다. 링 형상의 콘택트 구조체는 탄성체 재료로 이루어질 수도 있고, o-링일 수 있다. 링 형상의 콘택트 구조체에 의해 제공된 콘택트 표면은 보다 큰 범위의 소모성 부품 반경에 걸친다 (span).
프로세스 모듈 내에서 웨이퍼에 가깝게 배치된 에지 링과 같은, 소모성 부품은 프로세스 모듈 내에서 웨이퍼가 노출되는 혹독한 프로세싱 조건들에 노출된다. 그 결과, 프로세싱 화학물질들의 일부는 오염물질과 같이 소모성 부품의 표면 상에 가라 앉을 수도 있다 (settle). 소모성 부품이 프로세스 모듈 내에서 교체될 때, 오염물질들을 갖는 사용된 소모성 부품은 프로세스 모듈로부터 제거되고, 로드록 챔버 (110) 내로 수용되고, 새로운 소모성 부품이 로드록 챔버 (110) 로부터 프로세스 모듈로 이동된다. 로드록 챔버 (110) 가 프로세스 모듈들 내외로 소모성 부품 및 웨이퍼 양자를 이동시키도록 사용됨에 따라, 콘택트 지지 표면이 소모성 부품 및 웨이퍼 양자를 수용하는데 공통된다면, 사용된 소모성 부품으로부터 오염물질들이 웨이퍼의 표면을 오염시킬 수도 있는 가능성이 높다. 이러한 오염물질이 발생하는 것을 방지하기 위해, 일 해결책은 웨이퍼와 소모성 부품을 개별적으로 이동시키기 위해 별도의 로드록 챔버들 (110) 을 사용하는 것이다. 이 방식이 실행가능할 수도 있지만, 2 개의 로드록 챔버들 (110) 중 하나만이 웨이퍼를 이동시키는데 이용가능할 것이기 때문에 웨이퍼 쓰루풋에 격심하게 영향을 줄 수도 있다.
웨이퍼 쓰루풋을 유지하고 잠재적인 웨이퍼 오염을 방지하기 위해, 대안적인 해결책은 일 실시예에서, 클러스터 툴 어셈블리 (100) 내 이용 가능한 로드록 챔버들 (110) 로 하여금 새로운 소모성 부품들 및 사용된 소모성 부품들 (208) 뿐만 아니라 프로세싱 전 웨이퍼들 및 프로세싱된 웨이퍼들을 이동시키는데 사용되게 하는 것이다. 예를 들어, 일 실시예에서, 상단 지지 핑거 (902a) 및 하단 지지 핑거 (902b) 는 소모성 부품 및 웨이퍼에 대한 분리된 수용 영역들을 제공할 수도 있다. 이러한 실시예에서, 핑거 어셈블리들에 제공된 복수의 콘택트 패드들은 웨이퍼의 콘택트 표면으로 하여금 소모성 부품의 콘택트 표면으로부터 분리된 높이로 유지되게 한다. 링 (즉, 에지 링) 형태인 소모성 부품의 경우에서, 웨이퍼 콘택트 표면과 상이한 높이에 링의 콘택트 표면을 유지함으로써, 웨이퍼 표면 오염이 방지되거나 최소화될 수 있다.
도 10d는 일 실시예에서, 웨이퍼 및 소모성 부품 양자를 지지하도록 사용되는 로드록 챔버 (110) 내 일 핑거 어셈블리 (902) 의 확대도를 예시한다. 인덴트 (908) 는 하단 지지 핑거 (902b) 의 상단 표면 상에 형성된다. 하나 이상의 소모성 콘택트 패드들 (906) 은 소모성 부품 (208) 을 수용하기 위해 인덴트 (908) 내에 배치되고, 하나 이상의 기판 콘택트 패드들 (904) 은 웨이퍼를 수용하기 위해 지지 핑거들 (902a, 902b) 의 팁 근방에 배치된다. 하단 지지 핑거 (902b) 상에서, 일 실시예에서, 소모성 부품을 수용하기 위한 소모성 콘택트 패드들 (906) 은 지지 메커니즘의 중심으로부터 적어도 소모성 부품 (208) 의 반경과 같은 거리에 배치되고, 웨이퍼를 수용하기 위한 기판 콘택트 패드들 (904) 은 지지 메커니즘의 중심으로부터 적어도 웨이퍼의 반경과 같은 거리에 배치된다. 복수의 핑거 어셈블리들 (902) 의 인덴트 (908) 내에 배치된 소모성 콘택트 패드들 (906) 은 소모성 부품 (208) 을 수용하기 위한 링 수용 평면 (911) 을 형성하고, 핑거 어셈블리들 (902) 상에 배치된 기판 콘택트 패드들 (904) 은 웨이퍼를 수용하기 위한 웨이퍼 수용 평면 (913) 을 형성한다. 인덴트 (908) 는 링 수용 평면 (911) 으로 하여금 웨이퍼 수용 평면 (913) 과 상이한 높이에 배치되게 하고, 소모성 부품의 콘택트 지지 표면으로부터 웨이퍼용 콘택트 지지 표면을 분리한다. 콘택트 지지 표면의 이러한 분리는 소모성 부품을 수용하기 위해 사용된 콘택트 지지 표면의 임의의 부분과 웨이퍼가 콘택트하게 되는 것을 방지함으로써 오염으로부터 웨이퍼의 표면을 보호하도록 설계된다. 일 실시예에서, 링 수용 평면 (911) 은 웨이퍼 수용 평면 (913) (h2) 보다 낮은 높이 (h1) 에 있다 (즉, 높이 h1 < h2). 일 실시예에서, h2와 h1 간의 차는 적어도 소모성 부품 (208) 의 높이보다 크다. 또 다른 실시예에서, 소모성 부품 수용 표면으로부터 웨이퍼 수용 표면을 분리하는 동안 보다 낮은 높이에 웨이퍼가 수용되고, 보다 높은 높이에 소모성 부품이 수용되도록 높이는 h1 > h2이다.
물론, 도 10c 및 도 10d에 예시된 핑거 어셈블리 설계는 웨이퍼 및 소모성 부품의 콘택트 표면을 분리되게 유지하는 일 예이다. 높이가 h1 > h2인 핑거 어셈블리 설계를 포함하는 다른 설계들이 채용될 수도 있다. 이 설계에서, 지지 핑거들 (902a, 902b) 의 상단 표면 상의 팁들에 컷-아웃들이 형성될 수도 있다. 컷-아웃에 의해 형성된 표면은 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 콘택트 패드들 (904) 을 수용하도록 사용될 수도 있는 한편, 소모성 부품이 하단 지지 핑거 (902b) 의 상단 표면에서 인덴트 (908) 내에 형성된 소모성 콘택트 패드들 (906) 상에 수용될 수도 있다. 일 실시예에서, 적어도 웨이퍼의 반경과 같은 지지 메커니즘 (901) 의 중심으로부터의 거리에 있는 웨이퍼를 수용하기 위한 웨이퍼 수용 표면을 규정하고, 기판 콘택트 패드들 (904) 이 웨이퍼를 위한 신뢰할 수 있는 콘택트 지지 표면을 제공하기 위해 상부에 제공될 수도 있도록 컷-아웃이 상단 지지 핑거 및/또는 하단 지지 핑거 (902a, 902b) 상에 형성될 수도 있다. 유사하게, 지지 핑거들 (902a, 902b) 의 상단 표면 내에 형성된 인덴트 (908) 내에 제공된 소모성 콘택트 패드들은 소모성 부품을 위한 콘택트 지지 표면을 제공한다.
도 10e 및 도 10f는 일부 실시예들에서, 지지 메커니즘 (901) 의 재설계 전후 예시적인 에어록 챔버들을 예시한다. 지지 메커니즘 (901) 은 소모성 부품뿐만 아니라 웨이퍼의 수송을 수용하도록 재설계된 복수의 핑거 어셈블리들을 포함한다. 재설계된 핑거 어셈블리들은 소모성 부품 (208) 으로 하여금 로드록 챔버 (110) 를 완전히 재설계할 필요없이, 로드록 챔버 (110) 내에 수용되게 하기 때문에 단순하고, 쉽고 비용 효율적인 해결책을 제공한다. 도 10e에 예시된 바와 같이, 지지 메커니즘 (901) 내 핑거 어셈블리의 하단 지지 핑거 (902b) 상에 소모성 부품 (208) 을 완전히 수용하기 위해, 스페이서 블록 (905') 은 소모성 부품의 이송 경로로부터 이동되도록 재설계되어야 한다. 도 10e에 도시된 기존의 설계는 하단 지지 핑거 (902b) 상에 소모성 부품을 수용할 때 간섭하는 스페이서 블록 (905') 을 도시한다. 도 10f는 재설계된 스페이서 블록 (905) 이 인게이지되는 예시적인 실시예를 예시한다. 재설계된 스페이서 블록 (905) 은 에어록 중심으로부터 보다 멀리, 측벽에 보다 가깝게 이동되는 것으로 도시된다. 앞서 언급된 바와 같이, 상단 지지 핑거 및 하단 지지 핑거는 재설계된 스페이서 블록 (905) 에 의해 또는 대안적으로 소모성 부품으로 하여금 하단 지지 핑거에 완전히 수용되기 충분한 간격을 제공하는 핑거 지지부 (미도시) 에 의해 지지되고 분리될 수도 있다.
상단 지지 핑거 (902a) 상에 소모성 부품 (208) 을 완전히 수용하기 위해, 로드록 챔버 (110) 의 내측 에지 반경에 의해 유발된 간섭을 방지하도록 충분한 수직 간격이 있어야 하고, 이러한 간섭은 소모성 부품이 로드록 챔버 (110) 내외로 이동할 때 경험될 수도 있다. 핑거 어셈블리들은 소모성 부품의 "배제 구역"과 로드록 챔버의 상부 슬록 코너 및 하부 슬롯 코너 사이에 적어도 최소 간격을 제공함으로써 이러한 제한을 고려하여 설계된다. 본 명세서에서 사용될 때, 배제 구역은 가장 큰 소모성 부품 설계 (예를 들어, 외경 및 높이) 의 단면 및 허용오차들의 스택업을 나타내는 주변 오프셋을 지칭한다. 허용오차 스택업은 평탄화, 엔드 이펙터 편향, 로봇 암 궤적, 로봇 교육 및 다른 허용오차 요인들로 인한 위치 에러 효과들을 포함한다. 상부 슬롯 코너 및 하부 슬롯 코너는 소모성 부품이 수용되는 로드록 챔버 내 지지 메커니즘의 상단 지지 핑거 및 하단 지지 핑거의 에지 위의 각각의 영역들로 규정된다. 일부 실시예들에서, 배제 구역과 슬롯 모서리 사이에 규정된 최소 간격은 약 0.01" 내지 약 0.03"이다. 다른 실시예들에서, 최소 간격은 약 0.025"이다.
핑거 어셈블리들 (902) 은 핑거 어셈블리들 상에 수용된 소모성 부품과 로드록 챔버 (110) 측벽 (110a) 사이에 적어도 최소 명목상 간격이 있도록 설계된다. 일부 실시예들에서, 최소 명목상 간격은 약 5 ㎜ 내지 약 6 ㎜이도록 설계된다. 다른 실시예들에서, 최소 간격은 약 5.4 ㎜이다. 일부 실시예들에서, 로드록 챔버 (110) 의 측면들에 대한 최소 명목상 간격은 동적 정렬 입력을 사용하여 VTM 로봇에 의해 정정될 수 있는 위치 오프셋 또는 소모성 부품 오배치 (misplacement) 를 고려하도록 규정된다.
또한, 어떠한 간섭도 없이 하단 지지 핑거 (902b) 상에 수용된 소모성 부품으로 하여금 로드록 챔버 (110) 내외로 이동하게 하도록 핑거 어셈블리들 (902) 내 스페이서 블록 (905) 의 높이는 상단 지지 핑거 (902a) 와 하단 지지 핑거 (902b) 사이에 충분한 수직 간격을 제공하기 위해 규정되어야 한다. 일부 실시예들에서, 소모성 부품이 따라서 이동하기 위한 링 이송 평면을 형성하기 위해 핑거 어셈블리들 (902) 내 스페이서 블록들 (905) 은 하단 지지 핑거 (902b) 상에 수용된 소모성 부품의 상단 표면과 상단 지지 핑거 (902a) 의 하단 표면 사이에 최소 갭을 제공하도록 설계된다. 일부 실시예들에서, 최소 갭은 약 4 ㎜ 내지 5 ㎜이다. 일부 실시예들에서, 갭에 의해 규정된 수직 간격은 약 4.6 ㎜이다. 일부 실시예들에서, 상단 지지 핑거와 하단 지지 핑거 사이의 수직 간격은 로드록 챔버 (110) 내외로 이송될 때 소모성 부품 위아래로 적어도 약 2 ㎜ 내지 약 3 ㎜의 최소 간격을 제공하도록 설계된다. 또 다른 실시예에서, 상단 지지 핑거와 하단 지지 핑거 사이의 수직 간격은 이송을 인에이블하기 위해 소모성 부품 위아래로 적어도 약 2.3 ㎜로 설계된다. 일부 실시예들에서, 수직 간격은 이송 동안 엔드 이펙터 메커니즘에 존재하는 모든 페이로드 편향을 고려하도록 규정된다.
일 실시예에서, 클러스터 툴 어셈블리 (100) 내 소모성 부품을 교체하기 위한 고레벨 동작이 이제 논의될 것이다. 도 3 및 도 3a를 참조하여 기술된 바와 같이, 클러스터 툴 어셈블리 (100) 는 웨이퍼 로더 (115) 또는 교체 스테이션 (108) 이 영구적으로 또는 일시적으로 장착되는 하나 이상의 로드 포트들, 소모성 부품 및 웨이퍼를 이동시키기 위한 제 1 로봇을 갖는 ATM, 로드록 챔버, 제 2 로봇을 갖는 VTM 및 하나 이상의 프로세스 모듈들을 포함한다. 소모성 부품은 프로세스 모듈 내에 배치되고, 웨이퍼 프로세싱을 효과적으로 발생시킬 수 있도록 주기적으로 교체되어야 할 수도 있다.
일 실시예에서, 소모성 부품이 프로세스 모듈 내에서 교체되어야 할 때, VTM과 통합된 모든 프로세스 모듈들이 유휴 상태가 된다. 이는 폐쇄된 웨이퍼 로더가 인게이지된 곳을 제외하고 클러스터 툴 어셈블리 내에 웨이퍼가 없다는 것을 의미한다. 교체 스테이션이 일시적으로 장착된다면, ATM에서 적어도 하나의 로드 포트가 교체 스테이션 (108) 을 수용하지 않고 유지된다 (keep free). 이 실시예에서, 클러스터 툴 어셈블리 (100) 는 웨이퍼 프로세싱 및 소모성 부품의 교체의 동시 핸들링을 위해 설정되지 않는다. 대안적인 실시예에서, 클러스터 툴 어셈블리는 소모성 부품의 교체 및 웨이퍼 프로세싱 양자를 동시에 핸들링하기 위해 구성될 수도 있다. 이러한 실시예에서, 소모성 부품 및 웨이퍼의 효과적인 이동을 허용하도록 다양한 모듈들로의 액세스가 조정된다.
일 실시예에서, 교체 소모성 부품을 갖는 교체 스테이션 (108) 은 클러스터 툴 어셈블리 (100) 내 빈 (free) 로드 포트에 장착된다. 일 실시예에서, 이 장착은 수동으로 이루어진다. 대안적인 실시예에서, 이 장착은 로봇을 사용하여 이루어진다. 도 3a에 예시된 실시예에서, FOUP 타입 교체 스테이션은 OHT (Overhead Hoist Transfer) 또는 AMHS (Automated Material Handling System) 의 일부일 수도 있는 AGV (Automatic Guided Vehicle) 를 사용하여 자동화된 방식으로 전달될 수도 있다. 일 실시예에서, AMHS는 호스트 제조 설비 내에 설치된다. 일부 실시예들에서, AMHS는 FOUP 타입 교체 스테이션 및/또는 웨이퍼 로더가 저장되는 자동화된 스토커 (stocker) 를 포함할 수도 있다. 적절한 교체 스테이션 또는 웨이퍼 로더가 스토커로부터 회수되고 클러스터 툴 어셈블리 내 빈 로드 포트에 장착될 수도 있도록, AMHS는 적절한 교체 스테이션 또는 웨이퍼 로더로 OHT 또는 AGV를 안내하기 위해 (guide) 추적 소프트웨어를 포함할 수도 있다. 일부 실시예들에서, AMHS의 스토커 내 교체 스테이션 또는 웨이퍼 로더의 위치를 정확히 지적하기 위해 (pinpoint), OHT 또는 AGV는 RFID (radio frequency identifier) 태그 판독기들 또는 바코드 판독기들을 구비할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 스토커는 교체 스테이션들 및/또는 웨이퍼 로더들의 행들을 포함할 수도 있다. 이러한 실시예들에서, 소프트웨어는 적절한 행으로 OHT 또는 AGV를 안내할 수도 있고, 행으로부터 회수하기 위해 특정한 교체 스테이션 또는 웨이퍼 로더를 식별하도록 바코드 판독기들 또는 RFID 태그 판독기들이 사용될 수도 있다. 일 예에서, 따라서 OHT 또는 AGV는 교체 스테이션을 회수하고, 이를 클러스터 툴 어셈블리의 ATM의 제 1 측면에 규정된 빈 로드 포트에 자동으로 장착할 수도 있다.
교체 스테이션 (108) 장착 시, 클러스터 툴 어셈블리에 통신 가능하게 연결된 컴퓨터의 사용자 인터페이스 상에서 이송 시퀀스가 개시된다. 이송 시퀀스는 교체 스테이션 (108) 으로 하여금 클러스터 툴 어셈블리로 로딩되게 한다. 일부 실시예에서, 교체 스테이션 로딩 시, ATM 로봇 (103) 에 의해 소모성 부품 맵핑이 이루어진다. 맵핑은 소모성 부품이 로드록 챔버 내로 이동될 때 정렬될 수 있도록 동적 정렬 입력을 제공하도록 이루어질 수도 있다.
동시에 또는 순차적으로, VTM 로봇 (105) 은 클러스터 툴 어셈블리 (100) 내 프로세스 모듈 (112) 로부터 사용된 소모성 부품을 제거하고 사용된 소모성 부품 (208) 을 로드록 챔버 (110) 내로 이송한다. VTM 로봇 (105) 은 프로세스 모듈 (112) 내에서 리프트 핀 모션을 조정함으로써 평면 이송을 사용하여 소모성 부품 (208) 을 이동시킨다. 프로세스 모듈로부터 소모성 부품을 제거하기 위한 리프트 핀 메커니즘에 대한 보다 많은 정보는 도 4를 참조하여 논의되었다. VTM 로봇 (105) 은 핑거 어셈블리들 (902) 의 하단 지지 핑거 (902b) 내에 사용된 소모성 부품 (208) 을 배치한다. 일부 실시예들에서, 상단 지지 핑거 (902a) 및 하단 지지 핑거 (902b) 양자는 사용되거나 새로운 소모성 부품 (208) 을 수송하도록 사용될 수도 있다. 일 실시예에서, 하단 지지 핑거 (902b) 는 사용된 소모성 부품 (208) 을 수용만 하도록 사용될 수도 있고, 상단 지지 핑거 (902a) 는 새로운 소모성 부품 (208) 을 수용만 하도록 사용될 수도 있고, 또는 반대도 된다. 다른 실시예들에서, 사용된 소모성 부품들 및 새로운 소모성 부품들의 수용은 지지 핑거들 중 특정한 지지 핑거로 제한되지 않지만, 상단 지지 핑거 또는 하단 지지 핑거 (902a, 902b) 중 어느 하나에 수용될 수도 있다. 동적 정렬은 소모성 부품 (208) 의 교체 동안 로드록 챔버 (110) 내에서 활성이다.
일단 사용된 소모성 부품 (208) 이 로드록 챔버 (110) 의 지지 메커니즘 (901) 내에 배치되면, 에어록들은 로드록 챔버 (110) 를 환경 조건이 되도록 벤팅된다. 이어서 ATM 로봇 (103) 은 로드록 챔버 (110) 로부터 소모성 부품 (208) 을 제거하고 소모성 부품을 교체 스테이션 (108) 으로 이송하도록 작동된다 (activated). 일 실시예에서, 이는 ATM 로봇 (103) 이 교체 스테이션 (108) 으로부터 링 캐리어 (즉, 캐리어 플레이트 (1104)) 를 회수하고, 로드록 챔버 (110) 로부터 사용된 소모성 부품을 회수하기 위해 링 캐리어를 사용하는 것을 포함할 수도 있다. 이어서 ATM 로봇 (103) 은 교체 스테이션 (108) 으로부터 새로운 소모성 부품 (208) 을 픽킹 (pick) 하고 로드록 챔버 (110) 로 이송한다. 새로운 소모성 부품 (208) 을 수용한 후, 로드록 챔버 (110) 는 진공으로 펌핑된다. 로드록 챔버 (110) 를 진공으로 펌핑하기 위해, 일 실시예에서, 로드록 챔버 (110) 는 제어기와 인터페이싱하는 진공 제어 모듈 (미도시) 을 통해 펌핑하도록 커플링된다. 새로운 소모성 부품 (208) 이 VTM (104) 을 통해 프로세스 모듈 (112) 내로 이동될 때 로드록 챔버 (110) 로 하여금 진공으로 펌핑되게 하도록 펌프의 동작을 조정하도록 제어기가 사용된다. 일단 로드록 챔버 (110) 가 진공 상태로 설정되면, VTM 로봇 (105) 은 로드록 챔버 (110) 로부터 소모성 부품 (208) 을 픽킹하고 이를 프로세스 모듈 (112) 로 수송하도록 작동된다. 일 실시예에서, 로드록 챔버 (110) 로의 액세스는 VTM (104) 과 로드록 챔버 (110) 사이를 인터페이싱하는 게이트 밸브를 통해 제어된다. 유사하게, VTM (104) 을 통한 프로세스 모듈 (112) 로의 액세스는 도 5c를 참조하여 논의된 바와 같이, 격리 밸브와 같은 제 2 게이트 밸브를 통해 제어될 수도 있다. 제 2 게이트 밸브는 센서 메커니즘을 사용하여 동작될 수도 있다. 소모성 부품 (208) 의 교체 동안 동적 정렬이 활성이기 때문에, VTM 로봇 (105) 이 로드록 챔버 (110) 로부터 소모성 부품 (208) 을 픽킹할 때, 로봇은 동적 정렬 보정을 사용하여 소모성 부품 (208) 을 픽킹하고 소모성 부품을 프로세스 모듈 (112) 내에 배치한다. 프로세스 모듈 (112) 내 리프트 핀 메커니즘은 소모성 부품 (208) 을 수용하기 위해 리프트 핀들을 연장하고, 소모성 부품 (208) 을 설치된 상태에 포지셔닝하고, 이어서 리프트 핀들을 하우징 (예를 들어, 리프트 핀 하우징) 내부로 후퇴시킨다 (retract). 일 실시예에서, 2 개 이상의 프로세스 모듈 (112 내지 120) (대안적으로 "프로세스 챔버"라고 함) 내에서의 소모성 부품들 (208) 의 교체는 이 프로세스를 사용하여 한 번에 하나씩 순차적으로 핸들링될 수도 있다.
도 11은 일 실시예에서, 새로운 소모성 부품들 및 사용된 소모성 부품들 (208) 을 저장하도록 사용되는 예시적인 교체 스테이션 (108) 을 예시한다. 일 실시예에서, 교체 스테이션 (108) 은 웨이퍼 로더의 구조와 유사할 수도 있고 그리고 소모성 부품 (208) 을 저장하도록 복수의 칸들 (207) 을 가진 부품 버퍼 (224) 를 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 부품 버퍼는 새로운 소모성 부품들 (208) 을 수용하고 저장하기 위한 "깨끗한" 또는 "새로운" 소모성 부품 섹션 (1206), 및 사용되고 마모된, 가능하게는 오염된 소모성 부품 (208) 을 수용하고 저장하기 위한 "더러운" 또는 "마모된" 소모성 부품 섹션 (1208) 을 포함한다. 분리기 플레이트 (1202) 는 깨끗한 소모성 부품 섹션 (1206) 과 더러운 소모성 부품 섹션 (1208) 을 분리하도록 교체 스테이션 (108) 에 제공될 수도 있다. 일 실시예에서, 캐리어 플레이트 (1104) 의 형태인 링 캐리어는 교체 스테이션 내에 제공된 하우징 내에 저장될 수도 있다. 일 실시예에서, 캐리어 플레이트 (1104) 를 위한 하우징은 깨끗한 또는 새로운 소모성 부품 섹션 (1206) 내에 제공될 수도 있다. 캐리어 플레이트 (1104) 를 위한 하우징은 하단에, 상단에 또는 깨끗한 또는 새로운 소모성 부품 섹션 (1206) 의 하단과 상단 사이의 어딘가에 제공될 수도 있다. 대안적인 실시예에서, 캐리어 플레이트 (1104) 는 더러운 또는 마모된 소모성 부품 섹션 (1208) 내에 하우징될 수도 있다. 캐리어 플레이트 (1104) 를 위한 하우징은 하단에, 상단에 또는 더러운 또는 마모된 소모성 부품 섹션 (1208) 의 하단과 상단 사이의 어딘가에 제공될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 교체 스테이션 (108) 은, 새로운 소모성 부품들 및 사용된 소모성 부품들이 교체 스테이션과 로드록 챔버 (110) 사이에서 별도로 이송될 수도 있도록, 2 개의 캐리어 플레이트들 (1104) - 깨끗한 또는 새로운 소모성 부품 섹션 (1206) 내의 캐리어 플레이트 및 더러운 또는 마모된 소모성 부품 섹션 (1208) 내의 다른 캐리어 플레이트 - 을 하우징할 수도 있다. 대안적인 실시예들에서, 교체 스테이션 (108) 대신에 또는 교체 스테이션 (108) 에 더하여, 하나 이상의 섹션들은 사용된 소모성 부품들 및 새로운 소모성 부품들을 저장하도록 ATM (102) 내에 규정될 수도 있다. 이러한 실시예들에서, 소모성 부품들은 ATM (102) 내의 로봇 및 교체 스테이션 (108) 을 사용하여 또는 전달 및 제거의 다른 수단을 사용하여 ATM (102) 으로부터 전달되고 제거될 수도 있다.
도 12는 일 실시예에서, 소모성 부품이 수용되는 프로세스 모듈 내로의 예시적인 슬롯 뷰를 예시한다. 소모성 부품은 예를 들어, 프로세스 모듈 (112) 내에서 챔버 인터페이스 핀들 (1308) 의 세트 위에 위치되는 RTP (ring transfer plane) (1301) 을 따라 수용된다. 일부 실시예들에서, RTP (1301) 는 CIP들 (chamber interface pins) (1308) 위에 있도록 규정된다. 특정한 실시예들에서, 프로세스 모듈 (112) 내에 배치되는 ESC (electrostatic chuck) 의 상단 표면 위의 소모성 부품의 높이는 소모성 부품이 임의의 간섭 없이 프로세스 모듈 (112) 내외로 이동하게 충분한 간격을 허용하도록 규정된다. 이러한 실시예들에서, 간격은 소모성 부품, 암세트를 가진 엔드 이펙터 메커니즘이 프로세스 모듈 (112) 의 슬롯 개구를 통해 피팅될 수 있다는 것을 보장한다. 슬롯 개구가 웨이퍼 이송들을 위해 설계되기 때문에, 소모성 부품 사이즈는 슬롯 사이즈에 의해 제한될 수도 있다. 보다 넓은 소모성 부품이 이송될 때, 슬롯 개구를 재설계하는 대신에 프로세스 모듈 (112) 의 기존의 슬롯 개구 내로 세그먼트화된 소모성 부품이 피팅되도록 사용될 수도 있다. 특정한 예들에서, ESC의 상대적인 높이는 슬롯의 상단을 향하여 소모성 부품을 바이어싱한다 (bias). 슬롯 코너 반경의 특정한 사이즈 때문에, 소모성 부품 높이와 직경 사이에 트레이드-오프 (trade-off) 가 있을 수도 있다. 충분한 간격들이 도처에서 발견된다는 것을 보장하도록, 허용오차 구역은 이송 동안 결합된 체적을 나타내도록 소모성 부품 및 로봇 주위에 규정될 수도 있다. 허용오차 구역은 로드 편향 효과들, 로봇 암 궤적 에러, 평탄화 에러 효과들, 및 다른 요인들을 고려해야할 것이다. 일부 실시예들에서, 공칭 링 이송 경로의 측면들 위, 아래 그리고 공칭 링 이송 경로의 측면들에 대한 간격들은 수 밀리미터 이하만큼 작을 수 있다.
일부 실시예들에서, RTP는 WTP (wafer transfer plane) 와 상이하다. 이러한 실시예들에서, WTP는 웨이퍼가 프로세스 모듈 (112) 내외로 이송될 때, CIP들 (1308) 및 RTP 위에 있도록 규정된다. 일부 실시예들에서, 최소 간격은 웨이퍼 및 소모성 부품이 수송되는 프로세스 모듈 (112) 내로의 개구의 내측 코너 반경 (1306) 과 소모성 부품 (208) 의 배제 구역 (1304) 사이에 규정된다. 일부 실시예들에서, 최소 간격은 치수가 수 밀리미터일 수도 있다. 이 최소 간격은 소모성 부품으로 하여금, 프로세스 모듈 (112) 의 어떤 부품도 소모성 부품의 이송을 간섭하지 않고, 프로세스 모듈 (112) 내외로 이동되게 한다.
소모성 부품을 또한 수송하기 위해서 웨이퍼를 수송하도록 사용되는 ATM (102) 및 VTM (104) 의 로봇들 내에 채용된 엔드 이펙터 메커니즘을 규정하는 다양한 실시예들이 기술된다. 일부 실시예들에서, 엔드 이펙터 메커니즘은 소모성 부품의 지지를 허용하기 위해서 핑거 어셈블리가 웨이퍼의 에지를 넘어 연장하도록 재설계된다. 대안적인 실시예들에서, 기존의 엔드 이펙터 메커니즘은 소모성 부품을 수송하도록 사용된다. 이러한 실시예들에서, 링 캐리어의 형상의 중간의 픽스처는, 기존의 엔드 이펙터 메커니즘이 소모성 부품을 지지하도록 설계되지 않기 때문에, 소모성 부품을 지지하도록 소모성 부품 이송 동안 일시적으로 사용된다. 로드록 챔버 내의 핑거 어셈블리들은 소모성 부품을 지지하도록 재설계된다. 재설계된 엔드 이펙터 메커니즘 및 핑거 어셈블리는 교차 오염을 방지하기 위해서 소모성 부품들 및 웨이퍼들에 대한 상호 배타적인 콘택트 지점들을 규정하도록 복수의 콘택트 패드들을 갖는다. 콘택트 패드들 (소모성 콘택트 패드들, 웨이퍼 콘택트 패드들) 은 예상된 웨이퍼 또는 소모성 부품 위치 에러 내에서 배타적인 분리를 달성하기 위해서 상이한 높이들 또는 방사상 거리들에서 콘택트 지점들을 제공하도록 설계될 수도 있다.
소모성 부품은 종종 웨이퍼의 직경, 두께, 및 중량을 초과할 수도 있다. 그러므로, 이러한 이송을 위해 처음에 설계되지 않은 툴들로의 소모성 부품 이송의 추가는 기존의 하드웨어 내의 간격들에 의해 제한된다. 부가적인 페이로드 유도된 편향은 간격들을 더 감소시킨다. 그래서, 페이로드의 증가를 수용하고 그리고 편향을 감소시키도록, 엔드 이펙터 메커니즘은, 재설계된 엔드 이펙터 메커니즘을 사용하여 로봇 상의 총 페이로드를 감소시키는 동안, 편향 또는 두께의 증가를 제한하도록, 세라믹들과 같은 보다 고 강성도 재료들로 이루어질 수도 있다. 다양한 콘택트 패드들 (웨이퍼, 소모성 콘택트 패드들) 은 예상된 위치 에러 범위들 내에서 그리고 가능하게는 가변된 하단 표면 프로파일들을 가진 소모성 부품을 지지하도록 엔드 이펙터 메커니즘 내의 핑거 어셈블리의 표면 상에 규정된다. 웨이퍼들을 중심에 위치시키기 위해 사용된 동일한 정렬 입력들은 또한 소모성 부품을 위치시키고 그리고 소모성 부품을 중심에 위치시키도록 사용될 수도 있다. 소모성 부품들은 ATM 내에 규정된 표준 웨이퍼 FOUP 로드 포트를 통해 클러스터 툴 어셈블리로 전달되고 그리고 클러스터 툴 어셈블리로부터 제거된다. 소모성 부품을 전달하고 제거하기 위해 사용되는 교체 스테이션은 웨이퍼들을 전달하기 위해 사용된 FOUP 설계와 유사하도록 설계된다. 교체 스테이션은 수동으로 또는 오버헤드 트랙 FOUP 전달 시스템과 같은 자동화된 시스템에 의해 ATM의 로드 포트에 일시적으로 장착될 수 있다. 이 일시적인 장착은 다른 웨이퍼 저장부 또는 ATM 상의 프로세싱 하드웨어 (즉, 웨이퍼 버퍼들, 냉각 스테이션들, 통합된 계측, 등) 를 대체하거나 (displace) 소비하지 않고 소모성 부품의 교체를 허용한다. 대안적인 실시예들에서, 소모성 부품들은 교체 스테이션을 통해 ATM 내로 수용될 수도 있고, 로드 포트로부터 분리된 ATM 내에 일시적으로 저장될 수도 있고 그리고 소모성 부품이 교체될 필요가 있을 때 회수될 수도 있다. 본 명세서에 기술된 다양한 실시예들은 진공 시일을 파괴하지 않고 클러스터 툴 어셈블리 내에서 소모성 부품을 교체하는 효율적인, 비용 효율적인 방식을 제공하고, 이에 따라 클러스터 툴 어셈블리로 하여금 보다 짧은 정지시간을 갖게 한다. 클러스터 툴 어셈블리의 감소된 정지시간은 개선된 웨이퍼 쓰루풋을 발생시킬 것이다.
도 13은 상기에 기술된 클러스터 툴 어셈블리를 제어하기 위한 제어 모듈 (또한 "제어기"로서 지칭됨) (220) 을 도시한다. 일 실시예에서, 제어기 (220) 는 프로세서, 메모리 및 하나 이상의 인터페이스들과 같은 일부 예시적인 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 제어기 (220) 는 부분적으로 센싱된 (sense) 값들에 기초하여 클러스터 툴 어셈블리 (100) 내의 디바이스들을 제어하도록 채용될 수도 있다. 단지 예를 들면, 제어기 (220) 는 센싱된 값들 및 다른 제어 파라미터들에 기초하여 밸브들 (602) (도 5a, 도 5b, 도 5c의 격리 밸브들 (216, 216') 포함), 필터 히터들 (604), 펌프들 (606) (펌프 (233) 포함), 및 다른 디바이스들 (608) 중 하나 이상을 제어할 수도 있다. 제어기 (220) 는 단지 예를 들면, 압력 마노미터들 (610), 유량계들 (612), 온도 센서들 (614), 및/또는 다른 센서들 (616) 로부터 센싱된 값들을 수신한다. 제어기 (220) 는 또한 전구체 전달 및 막의 증착 동안 프로세스 조건들을 제어하도록 채용될 수도 있다. 제어기 (220) 는 통상적으로 하나 이상의 메모리 디바이스들 및 하나 이상의 프로세서들을 포함할 것이다.
제어기 (220) 는 전구체 전달 시스템 및 증착 장치의 액티비티들을 제어할 수도 있다. 제어기 (220) 는 프로세스 타이밍, 전달 시스템 온도, 필터들에 걸친 압력차들, 밸브 위치들, 로봇들 및 엔드 이펙터들, 가스들의 혼합물, 챔버 압력, 챔버 온도, 웨이퍼 온도, RF 전력 레벨들, 웨이퍼 척 또는 페데스탈 위치, 및 특정한 프로세스의 다른 파라미터들을 제어하기 위한 인스트럭션들의 세트들을 포함하는 컴퓨터 프로그램들을 실행한다. 제어기 (220) 는 또한 압력차를 모니터링할 수도 있고 증기 전구체 전달을 하나 이상의 경로들로부터 하나 이상의 다른 경로들로 자동으로 스위칭할 수도 있다. 제어기 (220) 와 연관된 메모리 디바이스들 상에 저장된 다른 컴퓨터 프로그램들은 일부 실시예들에서 채용될 수도 있다.
통상적으로 제어기 (220) 와 연관된 사용자 인터페이스가 있을 것이다. 사용자 인터페이스는 디스플레이 (618) (예를 들어 장치 및/또는 프로세스 조건들의 디스플레이 스크린 및/또는 그래픽 소프트웨어 디스플레이들) 및 포인팅 디바이스들, 키보드들, 터치 스크린들, 마이크로폰들, 등과 같은 사용자 입력 디바이스들 (620) 을 포함할 수도 있다.
프로세스 시퀀스에서 전구체의 전달, 증착 및 다른 프로세스들을 제어하기 위한 컴퓨터 프로그램들은 예를 들어, 어셈블리 언어, C, C++, 파스칼, 포트란, 또는 다른 것들과 같은 임의의 종래의 컴퓨터 판독 가능한 프로그래밍 언어로 작성될 수 있다. 컴파일링된 객체 코드 또는 스크립트가 프로그램 내에서 식별된 태스크들을 수행하도록 프로세서에 의해 실행된다.
제어 모듈 (즉, 제어기) 파라미터들은 예를 들어, 필터 압력차들, 프로세스 가스 조성 및 플로우 레이트들, 온도, 압력, RF 전력 레벨들과 저주파수 RF 주파수와 같은 플라즈마 조건들, 냉각 가스 압력, 및 챔버 벽 온도와 같은 프로세스 조건들에 관한 것이다.
시스템 소프트웨어는 많은 상이한 방식들로 설계 또는 구성될 수도 있다. 예를 들어, 다양한 챔버 컴포넌트 서브루틴들 또는 제어 객체들이 본 발명의 증착 프로세스들을 수행하기 위해 필요한 챔버 또는 프로세스 모듈 컴포넌트들의 동작을 제어하도록 작성될 수도 있다. 이러한 목적을 위한 프로그램들 또는 프로그램들의 섹션들의 예들은 기판 포지셔닝 (positioning) 코드, 프로세스 가스 제어 코드, 압력 제어 코드, 히터 제어 코드, 플라즈마 제어 코드, 리프트 메커니즘 제어 코드, 로봇 위치 코드, 엔드 이펙터 위치 코드 및 밸브 위치 제어 코드를 포함한다.
기판 포지셔닝 프로그램은 페데스탈 또는 척 상으로 기판을 로딩하고, 그리고 가스 유입부 및/또는 타깃과 같은 챔버의 다른 부분들과 기판 사이의 간격을 제어하도록 사용되는 챔버 컴포넌트들을 제어하기 위한 프로그램 코드를 포함할 수도 있다. 프로세스 가스 제어 프로그램은 가스 조성 및 플로우 레이트들을 제어하기 위한, 그리고 챔버 내의 압력을 안정화하기 위해 증착 이전에 챔버 내로 가스를 선택 가능하게 흘리기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 필터 모니터링 프로그램은 측정된 차이(들)와 미리 결정된 값(들)을 비교하는 코드 및/또는 경로들을 스위칭하기 위한 코드를 포함한다. 압력 제어 프로그램은, 예를 들어, 챔버의 배기 시스템 내의 쓰로틀 밸브를 조절함으로써 챔버 내의 압력을 제어하기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 히터 제어 프로그램은 전구체 전달 시스템 내의 컴포넌트들, 기판 및/또는 시스템의 다른 부분들을 가열하기 위해 가열 유닛들에 대한 전류를 제어하기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 대안적으로, 히터 제어 프로그램은 웨이퍼 척으로의, 헬륨 같은 열 전달 가스의 전달을 제어할 수도 있다. 밸브 위치 제어 코드는 예를 들어, 프로세스 모듈 또는 클러스터 툴로의 액세스를 제공하는 격리 밸브들을 제어함으로써 프로세스 모듈 또는 클러스터 툴 어셈블리로의 액세스를 제어하기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 리프트 메커니즘 제어 코드는 예를 들어, 액추에이터들로 하여금 리프트 핀들을 이동시키게 하도록 액추에이터 구동부를 작동시키기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 로봇 위치 코드는 예를 들어, 측면, 수직, 또는 방사상 축을 따라 이동하도록 로봇의 조작을 포함한 로봇(들)의 위치를 조작하기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 엔드 이펙터 위치 코드는 예를 들어, 측면, 수직, 또는 방사상 축을 따라 연장, 수축, 또는 이동하도록 로봇의 조작을 포함한 엔드 이펙터의 위치를 조작하기 위한 코드를 포함할 수도 있다.
증착 동안 모니터링될 수도 있는 센서들의 예들은, 이로 제한되지 않지만, 질량 유량 제어 모듈들, 압력 마노미터들 (610) 과 같은 압력 센서들, 및 전달 시스템 내에 위치된 써모커플들, 페데스탈 또는 척 (예를 들어 온도 센서들 (614)) 을 포함한다. 적절하게 프로그래밍된 피드백 및 제어 알고리즘들이 목표된 프로세스 조건들을 유지하기 위해 이러한 센서들로부터의 데이터와 함께 사용될 수도 있다. 전술한 것은 단일 또는 멀티-챔버 반도체 프로세싱 툴에서의 본 발명의 실시예들의 구현예를 기술한다.
본 명세서에 기술된 다양한 실시예들은 소모성 부품들로 하여금 대기 상태들에 클러스터 툴 어셈블리를 개방하지 않고 신속하고 효율적인 방식으로 교체되게 한다. 그 결과, 소모성 부품들을 교체하는 시간, 뿐만 아니라 소모성 부품들의 교체 동안 챔버를 오염시키는 임의의 위험이 크게 감소되고, 이로써 클러스터 툴 어셈블리로 하여금 보다 신속하게 온라인 상태에 있게 한다. 또한, 프로세스 모듈, 소모성 부품에 대한 그리고 프로세스 모듈 내의 다른 하드웨어 컴포넌트들에 대한 의도하지 않은 손상의 위험이 크게 감소된다.
실시예들의 전술한 기술은 예시 및 기술의 목적들을 위해 제공된다. 이는 총망라하거나 (exhaustive) 본 발명을 제한하도록 의도되지 않는다. 특정한 실시예의 개별 엘리먼트들 또는 피처들은 일반적으로 특정한 실시예로 제한되지 않지만, 적용 가능한 경우에, 특별히 도시되거나 기술되지 않을지라도, 선택된 실시예에서 교체 가능하거나 사용될 수 있다. 동일한 것이 또한 많은 방식들로 가변될 수도 있다. 이러한 변동들은 본 발명으로부터의 일탈로서 간주되지 않고, 모든 이러한 수정들은 본 발명의 범위 내에 포함되도록 의도된다.
전술한 실시예들이 이해의 명료성의 목적들을 위해 일부 상세히 기술될지라도, 특정한 변화들 및 수정들이 첨부된 청구항들의 범위 내에서 실시될 수 있다는 것이 분명할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 제한적인 것이 아닌 예시적인 것으로서 고려되고, 본 실시예들은 본 명세서에 주어진 상세들로 제한되지 않지만, 청구항들의 범위 및 등가물들 내에서 수정될 수도 있다.
Claims (26)
- 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘에 있어서,
리스트 플레이트 (wrist plate);
상기 리스트 플레이트에 연결된 장착 암세트 (armset) 로서, 상단 플레이트 및 하단 플레이트를 가진, 상기 장착 암세트;
상기 장착 암세트의 상기 상단 플레이트와 상기 하단 플레이트 사이에 클램핑된 핑거 어셈블리로서, 상기 핑거 어셈블리는 상기 장착 암세트로부터 외측으로 연장하는 한 쌍의 핑거들을 포함하고, 상기 핑거 어셈블리는 상기 장착 암세트에 인접한 근위 단부 및 상기 한 쌍의 핑거들의 팁들에서 원위 단부를 갖고, 상기 핑거 어셈블리는 상기 근위 단부, 상기 원위 단부, 및 상기 한 쌍의 핑거들에 의해 규정되고 동일 평면인 상단 표면을 갖는, 상기 핑거 어셈블리;
상기 핑거 어셈블리의 상기 상단 표면 상에 배치되고 그리고 상기 핑거 어셈블리의 상기 근위 단부에 위치된 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍;
상기 핑거 어셈블리의 상기 상단 표면 상에 배치되고 그리고 상기 핑거 어셈블리의 상기 원위 단부에 위치된 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍;
상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍에 인접한 상기 핑거 어셈블리의 상기 상단 표면 상에 그리고 상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍과 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍 사이에 배치된 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍; 및
상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍에 인접한 상기 핑거 어셈블리의 상기 상단 표면 상에 그리고 상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍과 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍 사이에 배치된 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍을 포함하고,
상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍은 소모성 부품을 위한 콘택트 표면들을 제공하고, 상기 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍은 기판을 위한 콘택트 표면들을 제공하고,
상기 핑거 어셈블리는 상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍을 사용하여 상기 소모성 부품 그리고 상기 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍을 사용하여 상기 기판 양자를 수송하기 위해 구성되는, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍은 상기 기판의 직경 외부에 배치되는, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍은 상기 기판의 직경 내부에 배치되는, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
상기 핑거 어셈블리는 세라믹 재료로 형성되는, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 200 ㎜ 기판, 300 ㎜ 기판 또는 450 ㎜ 기판 중 하나인, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
상기 소모성 부품은 프로세스 챔버 내에서 사용 가능한 에지 링이고, 상기 에지 링은 상기 기판보다 큰 직경을 갖는, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
상기 장착 암세트의 상기 상단 플레이트는 스테인리스 강 재료로 이루어지는, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
상기 장착 암세트의 상기 하단 플레이트는 알루미늄 재료로 이루어지는, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
상기 엔드 이펙터 메커니즘을 가진 상기 로봇은 대기 이송 모듈에서 사용되는, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
상기 엔드 이펙터 메커니즘을 가진 상기 로봇은 진공 이송 모듈에서 사용되는, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍과 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍, 및 상기 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍과 상기 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍은 탄성 중합체 재료로 이루어지는, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
상기 엔드 이펙터 메커니즘은 대기 이송 모듈 내에서 사용되는, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
상기 엔드 이펙터 메커니즘은 진공 이송 모듈 내에서 사용되는, 로봇에 연결 가능한 엔드 이펙터 메커니즘. - 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈에 있어서,
상기 대기 이송 모듈은 교체 스테이션이 상기 대기 이송 모듈의 제 1 측면에 인터페이싱되고 그리고 로드록 챔버가 상기 대기 이송 모듈의 제 2 측면에 인터페이싱되도록, 상기 교체 스테이션과 상기 로드록 챔버 사이에 배치되고,
상기 대기 이송 모듈은,
엔드 이펙터 메커니즘을 가진 로봇을 포함하고, 상기 엔드 이펙터 메커니즘은,
리스트 플레이트;
상기 리스트 플레이트에 연결된 장착 암세트로서, 상단 플레이트 및 하단 플레이트를 가진, 상기 장착 암세트;
상기 장착 암세트의 상기 상단 플레이트와 상기 하단 플레이트 사이에 클램핑된 핑거 어셈블리로서, 상기 핑거 어셈블리는 상기 장착 암세트로부터 외측으로 연장하는 한 쌍의 핑거들을 포함하고, 상기 핑거 어셈블리는 상기 장착 암세트에 근접한 근위 단부 및 상기 한 쌍의 핑거들의 팁들에서 원위 단부를 갖고, 상기 핑거 어셈블리는 상기 근위 단부, 상기 원위 단부, 및 상기 한 쌍의 핑거들에 의해 규정되고 동일 평면인 상단 표면을 갖는, 상기 핑거 어셈블리;
상기 핑거 어셈블리의 상기 상단 표면 상에 배치되고 그리고 상기 핑거 어셈블리의 상기 근위 단부에 위치된 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍;
상기 핑거 어셈블리의 상기 상단 표면 상에 배치되고 그리고 상기 핑거 어셈블리의 상기 원위 단부에 위치된 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍;
상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍에 인접한 상기 핑거 어셈블리의 상기 상단 표면 상에 그리고 상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍과 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍 사이에 배치된 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍; 및
상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍에 인접한 상기 핑거 어셈블리의 상기 상단 표면 상에 그리고 상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍과 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍 사이에 배치된 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍을 포함하고,
상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍은 소모성 부품을 위한 콘택트 표면들을 제공하고, 상기 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍은 기판을 위한 콘택트 표면들을 제공하고,
상기 핑거 어셈블리는 상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍을 사용하여 상기 소모성 부품 그리고 상기 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍을 사용하여 상기 기판 양자를 수송하도록 구성되고,
상기 교체 스테이션은 새로운 소모성 부품들 및 사용된 소모성 부품들을 저장하도록 복수의 칸들을 가진 부품 버퍼를 포함하는, 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈. - 제 16 항에 있어서,
하나 이상의 로드 포트들을 더 포함하고,
상기 교체 스테이션은 상기 대기 이송 모듈 내에서 상기 로드 포트에 커플링되는, 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈. - 제 16 항에 있어서,
상기 대기 이송 모듈의 상기 제 1 측면과 인터페이싱된 하나 이상의 웨이퍼 로더들을 더 포함하고, 상기 웨이퍼 로더 각각은 새로운 기판들 또는 사용된 기판들을 저장하도록 복수의 칸들을 가진 부품 버퍼를 포함하고, 상기 하나 이상의 웨이퍼 로더들은 상기 대기 이송 모듈의 상기 제 1 측면 상에 규정된 하나 이상의 로드 포트들에 커플링되는, 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈. - 제 16 항에 있어서,
상기 핑거 어셈블리의 상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍은 상기 기판의 직경 외부에 배치되고, 그리고
상기 핑거 어셈블리의 상기 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍은 상기 기판의 직경 내부에 배치되는, 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈. - 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈에 있어서,
상기 대기 이송 모듈은 교체 스테이션이 상기 대기 이송 모듈의 제 1 측면에 인터페이싱되고 그리고 로드록 챔버의 제 1 측면이 상기 대기 이송 모듈의 제 2 측면에 인터페이싱되도록, 상기 교체 스테이션과 상기 로드록 챔버 사이에 배치되고,
상기 대기 이송 모듈은,
제 1 엔드 이펙터 메커니즘을 가진 제 1 로봇을 포함하고, 상기 제 1 로봇의 상기 제 1 엔드 이펙터 메커니즘은,
리스트 플레이트;
상기 리스트 플레이트에 연결된 장착 암세트;
상기 장착 암세트에 장착된 핑거 어셈블리로서, 상기 핑거 어셈블리는 상기 장착 암세트로부터 외측으로 연장하는 한 쌍의 핑거들을 포함하고, 상기 핑거 어셈블리는 상기 장착 암세트에 근접한 근위 단부 및 상기 한 쌍의 핑거들의 팁들에서 규정된 원위 단부를 갖는, 상기 핑거 어셈블리;
상기 한 쌍의 핑거들에 의해 규정된 포크의 중심에 근접한 상기 핑거 어셈블리의 상단 표면 상에 배치된 제 1 캐리어 콘택트 패드; 및
상기 핑거 어셈블리의 상기 상단 표면 상에 배치되고 그리고 상기 핑거 어셈블리의 상기 원위 단부에 근접하게 위치된 제 2 캐리어 콘택트 패드들의 쌍을 포함하고,
상기 핑거 어셈블리는 상기 제 1 캐리어 콘택트 패드 및 상기 제 2 캐리어 콘택트 패드들의 쌍을 사용하여 캐리어 플레이트를 지지하고 그리고 기판을 수송하도록 구성되고, 상기 캐리어 플레이트는 소모성 부품을 지지하도록 구성되는, 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈. - 제 20 항에 있어서,
상기 캐리어 플레이트는 삼각형 형상이고, 상기 캐리어 플레이트는 상기 캐리어 플레이트의 중심으로부터 정점 각각에 배치된 소모성 콘택트 패드의 거리가 상기 기판의 반경 외부에 있도록 상기 캐리어 플레이트의 정점 각각에 배치되는 상기 소모성 콘택트 패드를 포함하는, 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈. - 제 20 항에 있어서,
상기 교체 스테이션은 상기 캐리어 플레이트를 저장하기 위한 하우징을 포함하는, 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈. - 제 20 항에 있어서,
상기 교체 스테이션은 새로운 소모성 부품들을 저장하는 복수의 칸들 중 선택된 칸들을, 사용된 소모성 부품들을 저장하는 상기 복수의 칸들 중 다른 칸들로부터 분리하기 위한 분리기 플레이트를 포함하고, 상기 교체 스테이션은 상기 캐리어 플레이트를 저장하도록 상기 분리기 플레이트 위에 규정된 하우징을 포함하는, 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈. - 제 23 항에 있어서,
상기 교체 스테이션은 제 2 캐리어 플레이트를 저장하기 위한 제 2 하우징을 포함하고, 상기 제 2 하우징은 상기 분리기 플레이트 아래에 규정되고, 상기 분리기 플레이트 아래의 상기 칸들은 상기 사용된 소모성 부품들을 저장하도록 사용되는, 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈. - 제 20 항에 있어서,
상기 클러스터 툴 어셈블리는, 진공 이송 모듈의 제 1 측면이 상기 로드록 챔버의 제 2 측면과 인터페이싱되고 그리고 상기 진공 이송 모듈의 제 2 측면이 프로세스 모듈의 제 1 측면과 인터페이싱되도록, 상기 로드록 챔버와 상기 프로세스 모듈 사이에 배치된 상기 진공 이송 모듈을 더 포함하고, 상기 진공 이송 모듈은,
엔드 이펙터 메커니즘을 가진 로봇을 포함하고,
상기 엔드 이펙터 메커니즘은,
리스트 플레이트;
상기 리스트 플레이트에 연결된 장착 암세트로서, 상단 플레이트 및 하단 플레이트를 가진, 상기 장착 암세트;
상기 장착 암세트의 상기 상단 플레이트와 상기 하단 플레이트 사이에 클램핑된 핑거 어셈블리로서, 상기 핑거 어셈블리는 상기 장착 암세트로부터 외측으로 연장하는 한 쌍의 핑거들을 포함하고, 상기 핑거 어셈블리는 상기 장착 암세트에 근접한 근위 단부 및 상기 한 쌍의 핑거들의 팁들에서 원위 단부를 갖는, 상기 핑거 어셈블리;
상기 핑거 어셈블리의 상단 표면 상에 배치되고 그리고 상기 핑거 어셈블리의 상기 근위 단부에 위치된 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍;
상기 핑거 어셈블리의 상기 상단 표면 상에 배치되고 그리고 상기 핑거 어셈블리의 상기 원위 단부에 위치된 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍;
상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍에 인접한 상기 핑거 어셈블리의 상기 상단 표면 상에 그리고 상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍과 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍 사이에 배치된 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍; 및
상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍에 인접한 상기 핑거 어셈블리의 상기 상단 표면 상에 그리고 상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍과 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍 사이에 배치된 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍을 포함하고,
상기 핑거 어셈블리는 상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍을 사용하여 소모성 부품 그리고 상기 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍을 사용하여 기판 양자를 수송하도록 구성되는, 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈. - 제 25 항에 있어서,
상기 핑거 어셈블리의 상기 제 1 소모성 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 2 소모성 콘택트 패드들의 쌍은 상기 기판의 직경 외부에 배치되고, 그리고
상기 핑거 어셈블리의 상기 제 3 기판 콘택트 패드들의 쌍 및 상기 제 4 기판 콘택트 패드들의 쌍은 상기 기판의 직경 내부에 배치되는, 클러스터 툴 어셈블리 내의 대기 이송 모듈.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
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US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
US10124492B2 (en) | 2015-10-22 | 2018-11-13 | Lam Research Corporation | Automated replacement of consumable parts using end effectors interfacing with plasma processing system |
US10062599B2 (en) * | 2015-10-22 | 2018-08-28 | Lam Research Corporation | Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers |
US20170115657A1 (en) | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Lam Research Corporation | Systems for Removing and Replacing Consumable Parts from a Semiconductor Process Module in Situ |
US9881820B2 (en) | 2015-10-22 | 2018-01-30 | Lam Research Corporation | Front opening ring pod |
US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
US10685862B2 (en) | 2016-01-22 | 2020-06-16 | Applied Materials, Inc. | Controlling the RF amplitude of an edge ring of a capacitively coupled plasma process device |
CN108369922B (zh) | 2016-01-26 | 2023-03-21 | 应用材料公司 | 晶片边缘环升降解决方案 |
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US10204795B2 (en) | 2016-02-04 | 2019-02-12 | Applied Materials, Inc. | Flow distribution plate for surface fluorine reduction |
US9947517B1 (en) | 2016-12-16 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Adjustable extended electrode for edge uniformity control |
US10553404B2 (en) | 2017-02-01 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Adjustable extended electrode for edge uniformity control |
US10763081B2 (en) | 2017-07-10 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for manipulating radio frequency power at an edge ring in plasma process device |
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
US10811296B2 (en) | 2017-09-20 | 2020-10-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with dual embedded electrodes |
US10714372B2 (en) | 2017-09-20 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | System for coupling a voltage to portions of a substrate |
US10510575B2 (en) | 2017-09-20 | 2019-12-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with multiple embedded electrodes |
US10904996B2 (en) | 2017-09-20 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrically floating power supply |
US10763150B2 (en) | 2017-09-20 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | System for coupling a voltage to spatially segmented portions of the wafer with variable voltage |
US11075105B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | In-situ apparatus for semiconductor process module |
US11043400B2 (en) | 2017-12-21 | 2021-06-22 | Applied Materials, Inc. | Movable and removable process kit |
US10727075B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Uniform EUV photoresist patterning utilizing pulsed plasma process |
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
US11201037B2 (en) | 2018-05-28 | 2021-12-14 | Applied Materials, Inc. | Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control |
US10347500B1 (en) | 2018-06-04 | 2019-07-09 | Applied Materials, Inc. | Device fabrication via pulsed plasma |
US11935773B2 (en) | 2018-06-14 | 2024-03-19 | Applied Materials, Inc. | Calibration jig and calibration method |
KR102433436B1 (ko) * | 2018-07-04 | 2022-08-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템에서의 에지 링 정렬 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 원반형 비젼 센서 |
CN112654655A (zh) | 2018-09-04 | 2021-04-13 | 应用材料公司 | 先进抛光垫配方 |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
US11289310B2 (en) | 2018-11-21 | 2022-03-29 | Applied Materials, Inc. | Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device |
CN118315254A (zh) | 2019-01-22 | 2024-07-09 | 应用材料公司 | 用于控制脉冲电压波形的反馈回路 |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
US10784089B2 (en) | 2019-02-01 | 2020-09-22 | Applied Materials, Inc. | Temperature and bias control of edge ring |
US11279032B2 (en) | 2019-04-11 | 2022-03-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, systems, and methods for improved joint coordinate teaching accuracy of robots |
US11101115B2 (en) | 2019-04-19 | 2021-08-24 | Applied Materials, Inc. | Ring removal from processing chamber |
US12009236B2 (en) | 2019-04-22 | 2024-06-11 | Applied Materials, Inc. | Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor |
TWM593655U (zh) * | 2019-05-10 | 2020-04-11 | 美商蘭姆研究公司 | 半導體製程模組的中環 |
CN114743854A (zh) | 2019-05-14 | 2022-07-12 | 玛特森技术公司 | 末端执行器和用于处理工件的系统 |
US10964584B2 (en) | 2019-05-20 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Process kit ring adaptor |
US20200373190A1 (en) * | 2019-05-20 | 2020-11-26 | Applied Materials, Inc. | Process kit enclosure system |
US11626305B2 (en) * | 2019-06-25 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Sensor-based correction of robot-held object |
KR102090278B1 (ko) | 2019-06-27 | 2020-03-17 | 에이피티씨 주식회사 | 반도체용 부품의 교환을 위한 부품 교환 장치 및 이에 의한 부품의 교환 방법 |
US11211269B2 (en) | 2019-07-19 | 2021-12-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-object capable loadlock system |
US11370114B2 (en) | 2019-12-09 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Autoteach enclosure system |
JP7378318B2 (ja) * | 2020-02-28 | 2023-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 部品交換方法 |
US12027397B2 (en) | 2020-03-23 | 2024-07-02 | Applied Materials, Inc | Enclosure system shelf including alignment features |
US20210335651A1 (en) | 2020-04-23 | 2021-10-28 | Adaptive Plasma Technology Corp. | Apparatus for exchanging an article of a semi-conductor process and a method for exchanging the article using the same |
USD980176S1 (en) | 2020-06-02 | 2023-03-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing system carrier |
USD954769S1 (en) | 2020-06-02 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Enclosure system shelf |
US11462388B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing assembly using pulsed-voltage and radio-frequency power |
TW202232624A (zh) * | 2020-10-26 | 2022-08-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 處理系統及搬運方法 |
TWI759960B (zh) * | 2020-11-12 | 2022-04-01 | 南韓商自適應等離子體技術公司 | 半導體部件的更換監控裝置以及其部件更換監控方法 |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
CN114628298A (zh) * | 2020-12-10 | 2022-06-14 | 自适应等离子体技术公司 | 半导体部件的更换监控装置以及其部件更换监控方法 |
US11538702B2 (en) | 2021-01-04 | 2022-12-27 | Adaptive Plasma Technology Corp. | Apparatus for monitoring an exchanging process of a semiconductor part and a method for the same |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
KR20220156138A (ko) * | 2021-05-17 | 2022-11-25 | 세메스 주식회사 | 링 캐리어 및 기판 처리 시스템 |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US20220399185A1 (en) | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
US11794314B2 (en) | 2021-08-30 | 2023-10-24 | Kla Corporation | Quick swap chuck with vacuum holding interchangeable top plate |
US12106938B2 (en) | 2021-09-14 | 2024-10-01 | Applied Materials, Inc. | Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber |
CN114000192B (zh) * | 2021-10-29 | 2023-10-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备以及晶圆位置状态的监测方法 |
US11817724B2 (en) | 2022-03-02 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Enclosure system with charging assembly |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US12111341B2 (en) | 2022-10-05 | 2024-10-08 | Applied Materials, Inc. | In-situ electric field detection method and apparatus |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100239254B1 (ko) * | 1995-12-07 | 2000-03-02 | 가네꼬 히사시 | 반도체 장치 제조기 및 동일한 제조기를 사용함으로써 반도체 장치를 제조하는 방법 |
JP2012216614A (ja) | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
US20140273505A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport |
JP5650935B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2015-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5623838A (en) * | 1979-08-01 | 1981-03-06 | Shichifuku Shokuhin Kk | Sealed and packaged food and its preparation |
US4930634A (en) | 1987-09-29 | 1990-06-05 | Fluoroware, Inc. | Carrier for flat panel displays |
JPH04346247A (ja) * | 1991-05-23 | 1992-12-02 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置及びウェハ搬送アーム及びウェハ載置台 |
JPH06151550A (ja) * | 1992-11-05 | 1994-05-31 | Toshiba Corp | ウェハーフォーク |
US5788082A (en) | 1996-07-12 | 1998-08-04 | Fluoroware, Inc. | Wafer carrier |
US6776289B1 (en) | 1996-07-12 | 2004-08-17 | Entegris, Inc. | Wafer container with minimal contact |
US6010008A (en) | 1997-07-11 | 2000-01-04 | Fluoroware, Inc. | Transport module |
US6267245B1 (en) | 1998-07-10 | 2001-07-31 | Fluoroware, Inc. | Cushioned wafer container |
US6092981A (en) | 1999-03-11 | 2000-07-25 | Applied Materials, Inc. | Modular substrate cassette |
JP2001179672A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | ロボットハンド |
KR20030003779A (ko) * | 2001-07-02 | 2003-01-14 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치 제조용 로봇 블레이드 |
US7121414B2 (en) | 2001-12-28 | 2006-10-17 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor cassette reducer |
KR20040000600A (ko) * | 2002-06-21 | 2004-01-07 | 동부전자 주식회사 | 패드를 갖는 로봇 블레이드 구조 |
JP2004288727A (ja) | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Seiko Epson Corp | Cmp装置、cmp研磨方法、半導体装置及びその製造方法 |
US7654596B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-02-02 | Mattson Technology, Inc. | Endeffectors for handling semiconductor wafers |
EP1644959B1 (de) | 2003-07-11 | 2013-09-11 | Tec-Sem AG | Vorrichtung zum lagern und/oder transportieren von plattenförmigen substraten in der fertigung von elektronischen bauteilen |
US20050205209A1 (en) | 2004-03-18 | 2005-09-22 | Aelan Mosden | Replacing chamber components in a vacuum environment |
TWI310974B (en) * | 2005-07-15 | 2009-06-11 | Fabworx Solutions Inc | An end effecter |
JP4884801B2 (ja) * | 2005-10-06 | 2012-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
US20070119393A1 (en) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Ashizawa Kengo | Vacuum processing system |
JP2007186757A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置及び真空処理方法 |
US8419341B2 (en) * | 2006-09-19 | 2013-04-16 | Brooks Automation, Inc. | Linear vacuum robot with Z motion and articulated arm |
US7717481B2 (en) * | 2007-01-11 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | High temperature robot end effector |
US20080276867A1 (en) * | 2007-05-09 | 2008-11-13 | Jason Schaller | Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks |
KR20150038360A (ko) * | 2007-05-18 | 2015-04-08 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 빠른 교환 로봇을 가진 컴팩트 기판 운송 시스템 |
US9002514B2 (en) | 2007-11-30 | 2015-04-07 | Novellus Systems, Inc. | Wafer position correction with a dual, side-by-side wafer transfer robot |
WO2009089552A2 (en) | 2008-01-13 | 2009-07-16 | Entegris, Inc. | Methods and apparatuses for large diameter wafer handling |
US8652260B2 (en) | 2008-08-08 | 2014-02-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for holding semiconductor wafers |
JP2010153585A (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Ebara Corp | 基板保持具および基板保持方法 |
TWI346638B (en) | 2008-12-26 | 2011-08-11 | Gudeng Prec Industral Co Ltd | A purging valve and a wafer container having the purging valve |
JP5548163B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2014-07-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板搬送機構、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US8840754B2 (en) | 2010-09-17 | 2014-09-23 | Lam Research Corporation | Polar regions for electrostatic de-chucking with lift pins |
TWI614831B (zh) * | 2011-03-11 | 2018-02-11 | 布魯克斯自動機械公司 | 基板處理裝置 |
TWI494174B (zh) | 2012-05-16 | 2015-08-01 | Kern Energy Entpr Co Ltd | 基板表面處理設備 |
KR20130128854A (ko) * | 2012-05-18 | 2013-11-27 | 심해수 | 웨이퍼 이송용 로봇아암 |
US10062599B2 (en) * | 2015-10-22 | 2018-08-28 | Lam Research Corporation | Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers |
US10124492B2 (en) | 2015-10-22 | 2018-11-13 | Lam Research Corporation | Automated replacement of consumable parts using end effectors interfacing with plasma processing system |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100239254B1 (ko) * | 1995-12-07 | 2000-03-02 | 가네꼬 히사시 | 반도체 장치 제조기 및 동일한 제조기를 사용함으로써 반도체 장치를 제조하는 방법 |
JP5650935B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2015-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法 |
JP2012216614A (ja) | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
US20140273505A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport |
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