KR102661987B1 - Display device - Google Patents
Display device Download PDFInfo
- Publication number
- KR102661987B1 KR102661987B1 KR1020230002114A KR20230002114A KR102661987B1 KR 102661987 B1 KR102661987 B1 KR 102661987B1 KR 1020230002114 A KR1020230002114 A KR 1020230002114A KR 20230002114 A KR20230002114 A KR 20230002114A KR 102661987 B1 KR102661987 B1 KR 102661987B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- display area
- power terminal
- common power
- wire
- data
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 78
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 148
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- KJNGJIPPQOFCSK-UHFFFAOYSA-N [H][Sr][H] Chemical compound [H][Sr][H] KJNGJIPPQOFCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- OFVIRRZRPPRVFE-UHFFFAOYSA-N ethenyl-bis[[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy]-methylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C)C=C OFVIRRZRPPRVFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Geometry (AREA)
Abstract
본 명세서는 표시패널을 개시한다. 본 명세서의 다양한 실시예에 따른 표시패널은 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외곽부에 위치한 비표시 영역을 갖는 기판; 상기 표시 영역에 있는 게이트 배선; 상기 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선; 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차하여 구성되는 다수의 화소 회로; 상기 데이터 배선과 나란하게 배치되는 전원 배선; 상기 화소 회로에 포함되는 스위칭 박막 트랜지스터; 상기 화소 회로에 포함되는 구동 박막 트랜지스터; 제1 방향으로 배열되어 상기 표시 영역을 둘러싸는 외측 중 상측 비표시 영역에 배치되는 전원 인입부; 상기 데이터 배선의 끝단과 연결된 데이터 링크 배선; 상기 데이터 링크 배선의 끝단과 연결되는 데이터 패드전극이 구비된 패드부; 및 상기 비표시 영역에 배치되고, 상기 패드부로부터 연장되어 상기 표시 영역을 둘러싸는 그라운드 배선을 포함하며,상기 전원 배선은 표시 영역에서 상기 비표시 영역으로 연장되어 상기 제1 방향으로 배열된다.This specification discloses a display panel. A display panel according to various embodiments of the present specification includes a substrate having a display area and a non-display area located on the outside of the display area; gate wiring in the display area; a data line crossing the gate line; a plurality of pixel circuits configured by crossing the gate wire and the data wire; a power wire arranged in parallel with the data wire; A switching thin film transistor included in the pixel circuit; A driving thin film transistor included in the pixel circuit; a power inlet arranged in a first direction and disposed in an upper non-display area outside surrounding the display area; a data link wire connected to an end of the data wire; a pad portion provided with a data pad electrode connected to an end of the data link wire; and a ground wire disposed in the non-display area, extending from the pad portion and surrounding the display area, wherein the power wire extends from the display area to the non-display area and is arranged in the first direction.
Description
본 명세서는 표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 전원 배선의 전압 격차를 최소화해 전원 배선 간 균일한 전원 공급을 이룰 수 있는 표시장치에 관한 것이다.This specification relates to a display device, and more specifically, to a display device that can achieve uniform power supply between power wirings by minimizing the voltage gap between power wirings.
정보화 시대로의 도래는 영상을 표시하는 표시장치의 발전과 함께했다. 최근에 이르러, 표시장치의 발전은 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마 표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display)와 같은 다양한 형태로 이어졌다. 특히 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 장점에서 액정 디스플레이 장치와 발광 디스플레이 장치가 각광을 받고 있다.The advent of the information age was accompanied by the development of display devices that display images. In recent years, the development of display devices has led to various forms such as liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), and organic light emitting displays (OLEDs). In particular, liquid crystal display devices and light-emitting display devices are attracting attention due to their advantages of mass production technology, ease of driving means, and high-definition implementation.
표시 장치는 복수의 화소를 구동하기 위한 전원 전압을 제공하는 구동 IC(Driver Integrated Circuit)를 포함한다. 구동 IC는 표시 장치에 배치된 전원 배선을 통해 각각의 화소 회로로 전원 전압을 제공한다.The display device includes a driver integrated circuit (IC) that provides a power supply voltage to drive a plurality of pixels. The driver IC provides power voltage to each pixel circuit through power wiring disposed in the display device.
이 때, 구동 IC는 표시 영역의 외곽부인 비표시 영역 상에서 전원 인입부를 통해 공통 전원 터미널로 전원 전압을 인가시키고, 상기 공통 전원 터미널은 상기 전원 인입부로부터 인가 받은 전원 전압을 다수의 전원 배선에 병렬적으로 인가시킨다.At this time, the driver IC applies the power voltage to the common power terminal through the power inlet on the non-display area outside the display area, and the common power terminal applies the power voltage applied from the power inlet to a plurality of power wirings in parallel. authorize it as an enemy.
종래 기술에 따른 표시 장치는, 표시 영역 상 화소 회로와 연결되어 상기 비표시 영역의 제1 방향과 나란하게 연장된 복수의 상기 전원 배선 및 상기 복수의 전원 배선과 전기적으로 연결된 상기 공통 전원 터미널을 형성할 수 있다. 이 때, 공통 전원 터미널은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열될 수 있고, 상기 전원 배선은 상기 공통 전원 터미널의 일 측을 통해 상기 공통 전원 터미널과 연결될 수 있다.A display device according to the prior art forms a plurality of power wires connected to a pixel circuit on a display area and extending parallel to a first direction of the non-display area, and the common power terminal electrically connected to the plurality of power wires. can do. At this time, the common power terminal may be arranged in a second direction crossing the first direction, and the power wiring may be connected to the common power terminal through one side of the common power terminal.
또한, 상기 제1 방향과 나란한 방향으로 상기 전원 인입부가 배치되어, 상기 공통 전원 터미널의 상기 일 측의 반대 측인 타 측을 통해 상기 공통 전원 터미널과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전원 인입부는 복수 개로서 상기 공통 전원 터미널과 전기적으로 연결될 수 있고, 이러한 구조로 인해, 상기 공통 전원 터미널에 인가되는 전원 전압은 상기 다수의 전원 인입부를 통해 유입될 수 있다.Additionally, the power inlet may be disposed in a direction parallel to the first direction, and may be electrically connected to the common power terminal through the other side of the common power terminal, which is opposite to the one side of the common power terminal. A plurality of power inlets may be electrically connected to the common power terminal, and due to this structure, the power voltage applied to the common power terminal may flow through the plurality of power inlets.
그러나 비표시 영역의 최소화를 통해 베젤리스 디스플레이를 구현하려는 요구가 높아졌고, 상기 다수의 전원 인입부를 단일화하여 비표시 영역을 최소화하는 표시장치가 구상되었다.However, the demand for implementing a bezel-less display by minimizing the non-display area has increased, and a display device that minimizes the non-display area by unifying the multiple power inlets has been designed.
이러한 표시 장치에서는 공통 전원 터미널로의 전원 전압 유입이 단일한 전원 인입부에 기인하기에, 상기 공통 전원 터미널로부터 다수의 전원 배선으로의 전원 전압 배분에 있어서, 상기 전원 인입부와 상대적으로 먼 거리에 배치된 전원 배선은 상기 전원 인입부와 상대적으로 가까운 거리에 배치된 전원 배선과 비교해 전압 강하가 발생할 수 있다.In this display device, since the power supply voltage inflow into the common power terminal is due to a single power inlet, in distributing the power voltage from the common power terminal to multiple power wirings, the power supply voltage is distributed at a relatively long distance from the power inlet. The power wiring disposed may have a voltage drop compared to the power wiring disposed relatively close to the power inlet.
이에 따라 각각의 화소 회로로 제공되는 전원 전압이 일정하지 않아 표시 장치의 휘도 균일성이 떨어질 수 있고, 표시 장치의 복수의 화소 회로로 일정한 전원 전압을 제공하기 위한 방법이 요구된다. Accordingly, the power voltage provided to each pixel circuit is not constant, which may reduce the luminance uniformity of the display device, and a method for providing a constant power voltage to a plurality of pixel circuits of the display device is required.
본 발명의 목적은 표시장치의 휘도 균일도를 향상시키는 것을 목적으로 한다.The purpose of the present invention is to improve the luminance uniformity of a display device.
본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of this specification are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 표시 영역의 외곽부에 위치한 비표시 영역을 갖는 기판; 상기 기판 상 비표시 영역에 있는 공통 전원 터미널; 상기 공통 전원 터미널을 덮는 제1 저항 감소층 및 제2 저항 감소층을 포함할 수 있다.In order to achieve the above-described object, the present invention provides a substrate having a non-display area located on the outside of the display area; a common power terminal in a non-display area on the substrate; It may include a first resistance reduction layer and a second resistance reduction layer covering the common power terminal.
상기 제1 저항 감소층 및 제2 저항 감소층은 상기 공통 전원 터미널 상에서 다양한 형상을 지닐 수 있다.The first resistance reduction layer and the second resistance reduction layer may have various shapes on the common power terminal.
구체적으로, 상기 제1 저항 감소층 및 제2 저항 감소층은 평면도 상, 측면에서 중앙으로 또한 상기 공통 전원 터미널 상에서, 상기 제1 저항 감소층 및 제2 저항 감소층 사이에 배치된 저항 증가 패턴을 더 포함할 수 있다.Specifically, the first resistance reduction layer and the second resistance reduction layer have a resistance increasing pattern disposed between the first resistance reduction layer and the second resistance reduction layer in a plan view, from the side to the center, and on the common power terminal. More may be included.
본 발명의 실시예에 따른 표시패널은, 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외곽부에 위치한 비표시 영역을 갖는 기판; 상기 표시 영역에 있는 게이트 배선; 상기 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선; 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차하여 구성되는 다수의 화소 회로; 상기 데이터 배선과 나란하게 배치되는 전원 배선; 상기 화소 회로에 포함되는 스위칭 박막 트랜지스터; 상기 화소 회로에 포함되는 구동 박막 트랜지스터; 제1 방향으로 배열되어 상기 표시 영역을 둘러싸는 외측 중 상측 비표시 영역에 배치되는 전원 인입부; 상기 데이터 배선의 끝단과 연결된 데이터 링크 배선; 상기 데이터 링크 배선의 끝단과 연결되는 데이터 패드전극이 구비된 패드부; 및 상기 비표시 영역에 배치되고, 상기 패드부로부터 연장되어 상기 표시 영역을 둘러싸는 그라운드 배선을 포함할 수 있으며, 상기 전원 배선은 표시 영역에서 상기 비표시 영역으로 연장되어 상기 제1 방향으로 배열될 수 있다.A display panel according to an embodiment of the present invention includes a substrate having a display area and a non-display area located on the outside of the display area; gate wiring in the display area; a data line crossing the gate line; a plurality of pixel circuits configured by crossing the gate wire and the data wire; a power wire arranged in parallel with the data wire; A switching thin film transistor included in the pixel circuit; A driving thin film transistor included in the pixel circuit; a power inlet arranged in a first direction and disposed in an upper non-display area outside surrounding the display area; a data link wire connected to an end of the data wire; a pad portion provided with a data pad electrode connected to an end of the data link wire; and a ground wire disposed in the non-display area, extending from the pad portion and surrounding the display area, wherein the power wire extends from the display area to the non-display area and is arranged in the first direction. You can.
본 발명의 실시예에 따른 표시패널은, 상기 전원 인입부에 접속되어 외부 회로로부터 전원 전압을 상기 전원 인입부를 통해 공급받는 공통 전원 터미널; 및 상기 공통 전원 터미널 상에 배치되며, 일변의 중앙에서 일 측면으로 갈수록 폭이 넓어지는 제1 저항 감소층, 및 상기 일변의 중앙에서 타 측면으로 갈수록 폭이 넓어지는 제2 저항 감소층을 더 포함할 수 있다. A display panel according to an embodiment of the present invention includes a common power terminal connected to the power inlet and receiving a power voltage from an external circuit through the power inlet; and a first resistance reduction layer disposed on the common power terminal, the width of which increases from the center of one side to one side, and a second resistance reduction layer whose width increases from the center of one side to the other side. can do.
또한, 표시패널은 상기 제1 저항 감소층 및 상기 제2 저항 감소층 사이에서 상기 공통 전원 터미널 상에 배치된 저항 증가 패턴을 더 포함할 수 있다.Additionally, the display panel may further include a resistance increase pattern disposed on the common power terminal between the first resistance reduction layer and the second resistance reduction layer.
또한, 상기 공통 전원 터미널은 상기 표시 영역의 상측 외곽부에 위치한 비표시 영역 및 상기 표시 영역의 하측 외곽부에 위치한 비표시 영역에 배치될 수 ㅇ있다.Additionally, the common power terminal may be disposed in a non-display area located on the upper outer edge of the display area and a non-display area located on the lower outer edge of the display area.
또한, 상기 화소 회로는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하고, 상기 표시패널은, 상기 제1 전극의 테두리에 적어도 일부 중첩하는 뱅크; 및 상기 제2 전극 상의 봉지막을 더 포함할 수 있다. Additionally, the pixel circuit further includes a first electrode and a second electrode, and the display panel includes a bank that at least partially overlaps an edge of the first electrode; And it may further include an encapsulation film on the second electrode.
또한, 표시패널은 상기 봉지막 상에 배치되는 컬러필터를 더 포함할 수 있다.Additionally, the display panel may further include a color filter disposed on the encapsulation film.
또한, 상기 제1 저항 감소층 및 상기 제2 저항 감소층은 상기 제1 전극과 동일한 금속으로 구성될 수 있다.Additionally, the first resistance reduction layer and the second resistance reduction layer may be made of the same metal as the first electrode.
또한, 상기 패드부는 구동 집적 회로가 실장되는 영역과 플렉서블 회로 보드가 실장되는 영역을 포함할 수 있다.Additionally, the pad portion may include an area where a driving integrated circuit is mounted and an area where a flexible circuit board is mounted.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 표시패널은, 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치에 적용될 수 있다. Additionally, the display panel according to an embodiment of the present invention can be applied to a light emitting display device and an organic light emitting display device.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 명세서의 실시예들은, 휘도 불균일이 개선된 화소(P) 회로을 포함하는 표시장치를 제공할 수 있다. 더 나아가, 본 명세서의 실시예들은, 화소(P) 회로의 전광특성 확보에 유리한 표시장치를 제공할 수 있다.Embodiments of the present specification can provide a display device including a pixel (P) circuit with improved luminance unevenness. Furthermore, embodiments of the present specification can provide a display device that is advantageous in securing electro-optical characteristics of a pixel (P) circuit.
본 명세서의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present specification are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the content of the invention described in the problem to be solved, the means for solving the problem, and the effect described above do not specify the essential features of the claim, the scope of the claim is not limited by the matters described in the content of the invention.
도 1은 본 명세서의 실시예들이 적용되는 표시장치에 관한 개략적인 구성도이다.
도 2은 도 1의 박막 트랜지스터 영역의 적층 구조를 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 명세서의 실시예들이 적용되는 표시장치에 관한 개략적인 구성도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3의 비표시 영역의 전원 인입부, 공통 전원 터미널 및 전원 배선의 일부를 포함하는 영역을 확대 표현한 평면도이다.
도 5는 도 4a에서 I-I'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 도 3의 비표시 영역의 전원 인입부, 공통 전원 터미널 및 전원 배선의 일부를 포함하는 영역을 확대 표현한 평면도이다.
도 7은 도 6a에서 II-II'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 8a 내지 도 8d는 도 3의 비표시 영역의 전원 인입부, 공통 전원 터미널 및 전원 배선의 일부를 포함하는 영역을 확대 표현한 평면도이다.1 is a schematic configuration diagram of a display device to which embodiments of the present specification are applied.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the stacked structure of the thin film transistor region of FIG. 1.
Figure 3 is a schematic configuration diagram of a display device to which embodiments of the present specification are applied.
FIGS. 4A and 4B are enlarged plan views of the area including the power inlet, common power terminal, and part of the power wiring in the non-display area of FIG. 3.
Figure 5 is a diagram showing a cross section taken along line II' in Figure 4a.
FIGS. 6A and 6B are enlarged plan views of the area including the power inlet, common power terminal, and part of the power wiring in the non-display area of FIG. 3.
Figure 7 is a cross-sectional view taken along line II-II' in Figure 6a.
FIGS. 8A to 8D are enlarged plan views of the area including the power inlet, common power terminal, and part of the power wiring in the non-display area of FIG. 3.
본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.The advantages and features of the present specification and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms. The present embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete and that common knowledge in the technical field to which the present invention pertains is not limited. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.
본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shape, size, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present specification are illustrative, and the present specification is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적으로 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if a temporal relationship is described as '~after', 'after', '~next', 'before', etc., 'immediately' or 'directly' Non-consecutive cases may also be included unless ' is used.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.
본 명세서의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제2 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. When describing the components of this specification, terms such as first and second may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the components are not limited by the term. When a component is described as being “connected,” “coupled,” or “connected” to another component, that component may be directly connected or connected to that other component, but there are no other components between each component. It should be understood that may be “interposed” or that each component may be “connected,” “combined,” or “connected” through other components.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be combined or combined with each other partially or entirely, and various technical interconnections and operations are possible, and each embodiment can be implemented independently of each other or together in a related relationship. It may be possible.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The size and thickness of each component shown in the drawings are shown for convenience of explanation, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
본 명세서에서, 다양한 실시예들은 유기발광 표시장치를 바탕으로 도시 및 설명되었지만, 본 발명에 따른 표시장치(100)는 이에 제한되지 않음에 유의하여야 한다.In this specification, various embodiments are shown and described based on an organic light emitting display device, but it should be noted that the display device 100 according to the present invention is not limited thereto.
도 1은 본 발명의 실시예들이 적용되는 표시장치(100)에 관한 개략적인 시스템 구성도이다.Figure 1 is a schematic system configuration diagram of a display device 100 to which embodiments of the present invention are applied.
도 1을 참조하면, 표시장치(100)는 m개의 데이터 라인(DL1, ... , DLm, m: 자연수) 및 n개의 게이트 라인(GL1, ... , GLn, n: 자연수)이 형성된 표시패널(140), 상기 m개의 데이터 라인(DL1, ... , DLm)을 구동하는 데이터 구동부(120), 상기 n개의 게이트 라인(GL1, ... , GLn)을 순차적으로 구동하는 게이트 구동부(130), 상기 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(110) 등을 포함한다.Referring to FIG. 1, the display device 100 has m data lines (DL1, ..., DLm, m: natural numbers) and n gate lines (GL1, ..., GLn, n: natural numbers). A panel 140, a data driver 120 that drives the m data lines (DL1, ..., DLm), and a gate driver (120) that sequentially drives the n gate lines (GL1, ..., GLn) 130), and a timing controller 110 that controls the data driver 120 and the gate driver 130.
우선, 상기 타이밍 컨트롤러(110)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 수직/수평 동기신호(Vsync, Hsync)와 영상데이터(data), 클럭신호(CLK) 등의 외부 타이밍 신호에 기초하여 상기 데이터 구동부(120)를 제어하기 위한 데이터 제어신호(Data Control Signal, DCS)와 상기 게이트 구동부(130)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(Gate Control Signal, GCS)를 출력한다. 또한, 상기 타이밍 컨트롤러(110)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 영상데이터(data)를 상기 데이터 구동부(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식으로 변환하고 변환된 영상데이터(data')를 상기 데이터 구동부(120)로 공급할 수 있다.First, the timing controller 110 operates the data driver 120 based on external timing signals such as vertical/horizontal synchronization signals (Vsync, Hsync), image data (data), and clock signal (CLK) input from the host system. A data control signal (DCS) for controlling and a gate control signal (GCS) for controlling the gate driver 130 are output. In addition, the timing controller 110 converts image data (data) input from the host system into a data signal format used by the data driver 120 and sends the converted image data (data') to the data driver 120. can be supplied.
상기 데이터 구동부(120)는 상기 타이밍 컨트롤러(110)로부터 입력되는 데이터 제어신호(DCS) 및 변환된 영상데이터(data')에 응답하여, 영상데이터(data')를 계조 값에 대응하는 전압 값인 데이터신호(아날로그 화소신호 혹은 데이터 전압)로 변환하여 상기 데이터라인(D1~Dm)에 공급한다.The data driver 120 responds to the data control signal (DCS) and the converted image data (data') input from the timing controller 110, and converts the image data (data') into data that is a voltage value corresponding to a grayscale value. It is converted into a signal (analog pixel signal or data voltage) and supplied to the data lines (D1 to Dm).
다시 말해서, 상기 데이터 구동부(120)는, 상기 타이밍 컨트롤러(110)의 제어에 따라, 입력된 영상 데이터(Data)를 메모리에 저장해두고, 특정 게이트 라인이 열리면, 해당 영상 데이터(Data)를 아날로그 형태의 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 상기 m개의 데이터 라인(DL1, ... , DLm)에 공급함으로써, 상기 m개의 데이터라인(DL1, ... , DLm)을 구동한다.In other words, the data driver 120 stores the input image data in memory under the control of the timing controller 110, and when a specific gate line is opened, the data driver 120 stores the image data in analog form. is converted into a data voltage (Vdata) and supplied to the m data lines (DL1, ..., DLm), thereby driving the m data lines (DL1, ..., DLm).
상기 데이터 구동부(120)는 다수의 데이터 구동 집적회로(Data Driver IC, 소스 구동집적회로)를 포함할 수 있는데, 이러한 다수의 데이터 구동 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(140)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 칩 온 필름(COF) 타입의 구동 칩 패키지(Driving Chip package)를 필름 온 글래스(FOG) 방식으로 연결하거나, 표시패널(140)에 직접 형성될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(140)에 집적화되어 형성될 수도 있다.The data driver 120 may include a plurality of data driving integrated circuits (Data Driver IC, source driving integrated circuit), and these plurality of data driving integrated circuits use a tape automated bonding (TAB) method. Alternatively, it is connected to the bonding pad of the display panel 140 using the chip-on-glass (COG) method, or a chip-on-film (COF) type driving chip package is connected to the film-on-glass (FOG) method. It may be connected, may be formed directly on the display panel 140, or, depending on the case, may be formed by being integrated into the display panel 140.
이러한 표시장치(100)의 표시패널(140)의 비표시 영역에는, 기판(151)의 표시 영역(AA)에 배열된 다수의 신호라인(GL, DL)과 연결되는 패드구조가 형성된다. 여기서 패드구조는, 복수의 금속층과, 각 금속층의 사이마다 위치하고, 복수의 금속층 중에서 인접한 두 금속층을 연결해주는 하나 이상의 컨택홀이 위치하는 절연막을 포함할 수 있다.In the non-display area of the display panel 140 of the display device 100, a pad structure is formed that is connected to a plurality of signal lines GL and DL arranged in the display area AA of the substrate 151. Here, the pad structure may include a plurality of metal layers and an insulating film located between each metal layer and having one or more contact holes connecting two adjacent metal layers among the plurality of metal layers.
한편, 상기 게이트 구동부(130)는 상기 타이밍 컨트롤러(110)로부터 입력되는 게이트 제어신호(GCS)에 응답하여 상기 게이트라인(G1~Gn)에 스캔신호(게이트 펄스 또는 스캔펄스, 게이트 온신호)를 순차적으로 공급한다.Meanwhile, the gate driver 130 sends a scan signal (gate pulse or scan pulse, gate on signal) to the gate lines (G1 to Gn) in response to the gate control signal (GCS) input from the timing controller 110. Supplied sequentially.
상기 게이트 구동부(130)는, 구동 방식에 따라서 도 1에서와 같이 표시패널(140)의 한 측에만 위치할 수도 있고, 2개로 나누어져 표시패널(140)의 양측에 위치할 수도 있다.Depending on the driving method, the gate driver 130 may be located on only one side of the display panel 140 as shown in FIG. 1, or may be divided into two and located on both sides of the display panel 140.
또한, 상기 게이트 구동부(130)는, 다수의 게이트 구동 집적회로(Gate Driver IC)를 포함할 수 있는데, 이러한 다수의 게이트 구동 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(140)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 게이트 인 패널(Gate In Panel, GIP) 타입으로 구현되어 표시패널(140)에 직접 형성될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(140)에 집적화되어 형성될 수도 있다.In addition, the gate driver 130 may include a plurality of gate driver integrated circuits (Gate Driver ICs), which use a tape automated bonding (TAB) method or a chip. It may be connected to the bonding pad of the display panel 140 using an on-glass (COG) method, or may be implemented as a gate in panel (GIP) type and formed directly on the display panel 140. Accordingly, it may be formed by being integrated into the display panel 140.
본 명세서에서, 상기 게이트 구동부(130)는 표시패널(140)의 한 측에만 위치한 경우로 도시되었지만, 본 발명에 따른 표시장치(100)는 이에 제한되지 않음에 유의하여야 한다.In this specification, the gate driver 130 is shown as being located only on one side of the display panel 140, but it should be noted that the display device 100 according to the present invention is not limited to this.
한편 상기 표시패널(140) 상의 각 화소(P)는, 상기 데이터라인들(D1~Dm)과 게이트라인들(G1~Gn)에 의해 정의된 영역에 형성되어 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시패널(140)이 유기발광 표시패널인 경우, 애노드 전극(anode), 캐소드 전극(cathode), 유기층 등을 포함하는 유기발광 다이오드, 둘 이상의 박막 트랜지스터(TFT) 및 하나 이상의 캐패시터 등의 회로 소자가 형성될 수 있다.Meanwhile, each pixel P on the display panel 140 may be formed in an area defined by the data lines D1 to Dm and the gate lines G1 to Gn and arranged in a matrix form. For example, when the display panel 140 is an organic light emitting display panel, an organic light emitting diode including an anode, a cathode, an organic layer, two or more thin film transistors (TFTs), one or more capacitors, etc. circuit elements can be formed.
도 2는 본 발명의 실시예들이 적용되는 표시장치(100)의 단면 구조를 나타내는 도면이다. 구체적으로 도 2는 도 1의 화소(P) 회로에 배치된 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 영역을 나타낸다.FIG. 2 is a diagram showing a cross-sectional structure of a display device 100 to which embodiments of the present invention are applied. Specifically, FIG. 2 shows an area including a thin film transistor (TFT) disposed in the pixel (P) circuit of FIG. 1.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(100) 에 있어서, 상기 기판(151) 상에 배치된 보조 기판(152), 상기 보조 기판(152) 상에 배치된 버퍼층(153) 및 각 화소(P) 영역에 대응한 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하고 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(161), 반도체층(162), 소스 전극(163) 및 드레인 전극(164)을 포함한다.Referring to FIG. 2, in the display device 100 according to an embodiment of the present invention, an auxiliary substrate 152 disposed on the substrate 151, and a buffer layer 153 disposed on the auxiliary substrate 152. ) and a thin film transistor (TFT) corresponding to each pixel (P) area, wherein the thin film transistor (TFT) includes a gate electrode 161, a semiconductor layer 162, a source electrode 163, and a drain electrode 164. Includes.
상기 기판(151)은 유리 필름 기판 일 수 있다. 유리 필름 기판으로는, 소다석회 유리, 바륨/스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노 규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등으로 형성된 기판이 예시될 수 있다.The substrate 151 may be a glass film substrate. Examples of the glass film substrate include substrates made of soda-lime glass, barium/strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, or quartz.
상기 기판(151) 상에는 상기 보조 기판(152)이 배치될 수 있다. 상기 보조 기판(152)은 상기 기판(151)과 동일한 소재로 제작될 수 있으며, 나아가 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리에테르이미드(polyetherimide, PEI) 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyeleneterepthalate, PET) 소재로 제조될 수 있다. 이러한 플라스틱 소재를 채택하여 플렉서블(flexible) 기판으로 응용될 수 있다.The auxiliary substrate 152 may be disposed on the substrate 151. The auxiliary substrate 152 may be made of the same material as the substrate 151, and may also be made of polyimide, polyethersulfone, polyetherimide (PEI), and polyethylene terephthalate. It can be manufactured from PET) material. These plastic materials can be used as flexible substrates.
상기 보조 기판(152) 상에는 상기 버퍼층(153)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(153)을 형성하는 소재는, 효율적인 형성이 가능하고, 층간 밀착성이나 평탄도를 적절하게 확보할 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, Al 등의 금속, SiOx, SiOxNv, SiNx, AlOx, ZnSnOx, ITO, ZnO, IZO, ZnS, MgO 또는 SnOx등의 무기 소재, 폴리이미드, 플루오렌 고리를 가지는 카도계 수지(caldo resin), 우레탄, 에폭시드, 폴리에스테르, 폴리아믹산, 폴리이미드, 폴리에틸렌이민, 폴리비닐알코올, 폴리아미드, 폴리티올, 폴리((메타)아크릴레이트) 또는 V3D3(trivinyltrimethylcyclotrisiloxane), HVDSO(hexamethyldisiloxane) 또는 TVTSO(1,3,5-trivinyl-1,1,3,5,5-pentamethyltrisiloxane) 등의 소재로부터 형성되는 유기 실리콘 등과 같은 유기 소재 등을 사용하여 형성할 수 있다.The buffer layer 153 may be disposed on the auxiliary substrate 152. The material forming the buffer layer 153 is not particularly limited as long as it can be formed efficiently and can appropriately secure interlayer adhesion and flatness. For example, metals such as Al, inorganic materials such as SiOx, SiOxNv, SiNx, AlOx, ZnSnOx, ITO, ZnO, IZO, ZnS, MgO or SnOx, polyimide, and caldo resin having a fluorene ring. , urethane, epoxide, polyester, polyamic acid, polyimide, polyethyleneimine, polyvinyl alcohol, polyamide, polythiol, poly((meth)acrylate) or V3D3 (trivinyltrimethylcyclotrisiloxane), HVDSO (hexamethyldisiloxane) or TVTSO (1 , 3,5-trivinyl-1,1,3,5,5-pentamethyltrisiloxane) can be formed using organic materials such as organic silicon.
상기 게이트 전극(161)은 게이트 라인(GL)과 함께 상기 버퍼층(153) 상에 형성된다. 그리고, 상기 게이트 전극(161)은 상기 게이트 라인(GL)으로부터 분기된 형태로 이루어져서 상기 게이트 라인(GL)과 연결된다.The gate electrode 161 is formed on the buffer layer 153 along with the gate line GL. Additionally, the gate electrode 161 is branched from the gate line GL and is connected to the gate line GL.
상기 반도체층(162)은 상기 게이트 절연막(154) 상에 상기 게이트 전극(161)의 적어도 일부와 중첩하도록 형성된다. 여기서, 상기 반도체층(162)은 산화물 반도체(Oxide Semiconductor), 폴리 실리콘(poly Silicon: 결정질 실리콘) 및 아모퍼스 실리콘(amorphous Silicon: a-Si: 비결정질 실리콘) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.The semiconductor layer 162 is formed on the gate insulating film 154 to overlap at least a portion of the gate electrode 161. Here, the semiconductor layer 162 may be formed of any one of oxide semiconductor, poly silicon (crystalline silicon), and amorphous silicon (a-Si: amorphous silicon).
상기 게이트 절연막(154) 상에는 층간 절연층(미도시, ILD : inter layer dielectric)이 위치할 수 있다. 상기 층간 절연막(ILD)은 SiO2(silicon dioxide), SiNx(silicon nitride), SiON(silicon oxynitride) 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.An interlayer insulating layer (not shown, ILD: inter layer dielectric) may be located on the gate insulating film 154. The interlayer dielectric (ILD) may be made of silicon dioxide (SiO2), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), or a multilayer thereof, but is not necessarily limited thereto.
또한 상기 층간 절연층 상에는 패시베이션층(미도시)이 위치할 수 있다. 패시베이션층은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 마련된다. 상기 패시베이션층은 상기 박막 트랜지스터(TFT) 및 전원배선(PL)을 보호하는 기능을 한다. 예를 들어, 상기 패시베이션층은 SiO2(silicon dioxide), SiNx(silicon nitride), SiON(silicon oxynitride) 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Additionally, a passivation layer (not shown) may be located on the interlayer insulating layer. The passivation layer is provided on a thin film transistor (TFT). The passivation layer functions to protect the thin film transistor (TFT) and power wiring (PL). For example, the passivation layer may be silicon dioxide (SiO2), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiON), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.
상기 소스 전극(163) 및 드레인 전극(164)은 상기 데이터 라인(DL)과 마찬가지로, 상기 게이트 절연막(154) 상에 상호 이격하도록 형성된다. 그리고, 상기 소스 전극(163) 및 드레인 전극(164)은 상기 반도체층(162)의 양측 상에 중첩되도록 배치된다.Like the data line DL, the source electrode 163 and the drain electrode 164 are formed on the gate insulating film 154 to be spaced apart from each other. Additionally, the source electrode 163 and the drain electrode 164 are disposed to overlap on both sides of the semiconductor layer 162.
여기서, 상기 소스 전극(163) 및 드레인 전극(164) 중 어느 하나는 상기 데이터 라인(DL)으로부터 분기된 형태로 이루어져서, 상기 데이터 라인(DL)과 연결된다. 그리고, 상기 소스 전극(163) 및 드레인 전극(164) 중 상기 데이터 라인(DL)과 연결되지 않는 다른 하나는 상기 평탄화층(155)을 관통하는 메인 컨택홀을 통해 적어도 일부 노출되어 제1 전극(171)과 연결된다.Here, one of the source electrode 163 and the drain electrode 164 is branched from the data line DL and is connected to the data line DL. In addition, the other one of the source electrode 163 and the drain electrode 164, which is not connected to the data line DL, is at least partially exposed through the main contact hole penetrating the planarization layer 155 and forms the first electrode ( 171).
또한, 상기 반도체층(162)이 산화물 반도체로 형성되는 경우, 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 반도체층(162) 상에 형성되는 에치 스토퍼층(미도시)을 더 포함할 수 있고, 여기서, 상기 소스 전극(163) 및 드레인 전극(164)은 상기 에치 스토퍼(미도시)의 양측 상에 중첩한다.Additionally, when the semiconductor layer 162 is formed of an oxide semiconductor, the thin film transistor (TFT) may further include an etch stopper layer (not shown) formed on the semiconductor layer 162, where the source Electrode 163 and drain electrode 164 overlap on both sides of the etch stopper (not shown).
상기 제1 전극(171)은 적어도 각 화소(P) 영역의 발광 영역에 대응하고, 상기 평탄화층(155) 상에 형성된다. 그리고, 상기 제1 전극(171)은 상기 평탄화층(155)을 관통하는 메인 컨택홀을 통해, 상기 소스 전극(163) 및 드레인 전극(164) 중 상기 데이터 라인(DL)에 연결되지 않은 다른 하나와 연결된다. 상기 제1 전극(171)은 애노드 전극(anode)으로서 역할을 수행한다. 이에 따라, 상기 제1 전극(171)은 일 함수가 비교적 큰 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어서, 투명 도전성 물질은 산화 인듐 주석(Indium Tin Oxide: ITO) 또는 산화 인듐 아연(Indium Zinc Oxide: IZO)을 포함할 수 있다.The first electrode 171 corresponds to at least a light emitting area of each pixel (P) area and is formed on the planarization layer 155 . In addition, the first electrode 171 is connected to the other one of the source electrode 163 and the drain electrode 164 that is not connected to the data line DL through the main contact hole penetrating the planarization layer 155. is connected to The first electrode 171 serves as an anode. Accordingly, the first electrode 171 may be made of a transparent conductive material with a relatively high work function. For example, the transparent conductive material may be indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (Indium Zinc Oxide). : IZO) may be included.
그리고, 반사 효율을 향상시키기 위해서, 상기 제1 전극(171)은 하부에 반사 효율이 높은 금속 물질로 이루어진 반사막을 더 포함할 수 있고, 예를 들어, 금속 물질은 은(Ag), 알루미늄(Al) 및 이들의 화합물을 포함할 수 있다.In order to improve reflection efficiency, the first electrode 171 may further include a reflective film at the bottom made of a metal material with high reflection efficiency. For example, the metal material may be silver (Ag) or aluminum (Al). ) and their compounds.
뱅크(172)는 각 화소(P) 회로의 발광 영역 외곽에 대응하고, 상기 평탄화층(155) 상에 형성된다. 상기 뱅크(132)는 표시 장치(100)의 발광 영역을 정의하며, 비발광 영역의 빛샘을 방지할 수 있다.The bank 172 corresponds to the outside of the light emitting area of each pixel (P) circuit and is formed on the planarization layer 155. The bank 132 defines an emission area of the display device 100 and can prevent light leakage from a non-emission area.
또한 상기 뱅크(172)는 상기 제1 전극(171)의 테두리에 적어도 일부 중첩하며, 이러한 상기 뱅크(172)에 의해 상기 제1 전극(171)의 단차 영역이 가려져서, 상기 제1 전극(171)의 단차에 집중되는 전류 흐름에 의해 유기층(173)이 열화되는 것을 감소시킬 수 있다.In addition, the bank 172 overlaps at least a portion of the edge of the first electrode 171, and the step area of the first electrode 171 is obscured by the bank 172, so that the first electrode 171 Deterioration of the organic layer 173 due to current flow concentrated in the step can be reduced.
상기 유기층(173)은 표시 영역(AA) 전면, 즉 복수 개의 화소(P) 회로 전체에 대응하여, 상기 평탄화층(155) 상의 전면에 형성될 수 있다. 이에, 상기 유기층(173)은 상기 제1 전극(171) 및 뱅크(172)를 덮도록 형성될 수 있다.The organic layer 173 may be formed on the entire surface of the display area AA, that is, on the entire surface of the planarization layer 155, corresponding to the entire plurality of pixel (P) circuits. Accordingly, the organic layer 173 may be formed to cover the first electrode 171 and the bank 172.
상기 유기층(173)은 상기 제1 전극(171)과 제2 전극(174)의 사이에 형성될 수 있다. 상기 유기층(173)은 상기 제1 전극(171)으로부터 공급되는 정공과 상기 제2 전극(174)으로부터 공급되는 전자의 결합에 의해 발광할 수 있다.The organic layer 173 may be formed between the first electrode 171 and the second electrode 174. The organic layer 173 may emit light by combining holes supplied from the first electrode 171 and electrons supplied from the second electrode 174.
상기 유기층(173)은 표시 영역(AA)에 대응하는 영역에 형성될 수 있으며, 상기 유기층(173)은 서로 다른 성분 또는 조성을 갖는 유기 물질로 이루어진 다중층 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 상기 유기층(173)은 정공 주입층(미도시, hole injection layer: HIL), 정공 수송층(미도시, hole transporting layer: HTL), 발광층(미도시, emission layer: EML), 전자 수송층(미도시, electron transporting layer: ETL) 및 전자 주입층(미도시, electron injection layer: EIL)을 포함하여 구성될 수 있다.The organic layer 173 may be formed in an area corresponding to the display area AA, and the organic layer 173 may have a multi-layer structure made of organic materials having different components or compositions. For example, the organic layer 173 includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL, not shown), an emission layer (EML, not shown), and an electron transport layer. It may include an electron transporting layer (ETL) (not shown) and an electron injection layer (EIL).
상기 정공 주입층(HIL)은 상기 제1 전극(171) 상에 위치할 수 있다. 상기 정공 주입층(HIL)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, HATCN 및 CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The hole injection layer (HIL) may be located on the first electrode 171. The hole injection layer (HIL) may serve to facilitate hole injection, and may include HATCN and CuPc (cupper phthalocyanine), PEDOT (poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI (polyaniline), and NPD (N, It may be composed of one or more selected from the group consisting of N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), but is not limited thereto.
상기 정공 수송층(HTL)은 상기 정공 주입층(HIL) 상에 위치한다. 상기 정공 수송층(HTL)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The hole transport layer (HTL) is located on the hole injection layer (HIL). The hole transport layer (HTL) serves to facilitate the transport of holes, and includes NPD (N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD (N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N ,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD, and MTDATA (4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine). It may consist of one or more, but is not limited to this.
상기 발광층(EML)은 상기 정공 수송층(HTL) 상에 위치하며, 상기 정공 수송층(HTL)과 상기 전자 수송층(ETL) 사이에 형성되어 상기 제1 전극(171)으로부터 공급되는 정공과 상기 제2 전극(174)으로부터 공급되는 전자의 결합에 의해 백색 광을 방출한다.The light-emitting layer (EML) is located on the hole transport layer (HTL) and is formed between the hole transport layer (HTL) and the electron transport layer (ETL) to connect holes supplied from the first electrode 171 and the second electrode. White light is emitted by combining electrons supplied from (174).
상기 전자 수송층(ETL)은 상기 발광층(EML) 상에 위치한다. 상기 전자 수송층(ETL)의 두께는 전자 수송 특성을 고려하여 조절될 수 있다. 상기 전자 수송층(ETL)은 전자 수송 및 주입의 역할을 할 수 있으며, 상기 전자 주입층(EIL)은 별도로 상기 전자 수송층(ETL) 상에 형성될 수 있다.The electron transport layer (ETL) is located on the light emitting layer (EML). The thickness of the electron transport layer (ETL) can be adjusted considering electron transport characteristics. The electron transport layer (ETL) may play a role in transporting and injecting electrons, and the electron injection layer (EIL) may be formed separately on the electron transport layer (ETL).
상기 전자 수송층(ETL)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, Liq(lithium quinolate), BMB-3T, PF-6P, TPBI, COT 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The electron transport layer (ETL) serves to facilitate the transport of electrons, and includes Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, Liq (lithium quinolate), BMB-3T, and PF. -6P, TPBI, COT, and SAlq may be composed of any one or more selected from the group consisting of, but is not limited to this.
상기 전자 주입층(EIL)은 Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The electron injection layer (EIL) may use Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, or SAlq, but is not limited thereto.
여기서, 본 발명의 실시예에 따라 그 구조가 한정되는 것은 아니며, 상기 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 어느 하나는 생략될 수도 있다.Here, the structure is not limited according to the embodiment of the present invention, and at least one of the hole injection layer (HIL), hole transport layer (HTL), electron transport layer (ETL), and electron injection layer (EIL) may be omitted. It may be possible.
또한, 상기 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 두 개 이상의 층으로 구성하는 것도 가능하다.Additionally, it is possible to configure the hole injection layer (HIL), hole transport layer (HTL), electron transport layer (ETL), and electron injection layer (EIL) with two or more layers.
상기 제2 전극(174)은 상기 유기층(173) 상의 전면에 형성되어, 상기 발광층(EML)에 전자를 제공하며 캐소드 전극(cathode)으로서 역할을 수행할 수 있다. 상기 제2 전극(174)은 투명 도전성 물질로 이루어지고, 예를 들어, 투명 도전성 물질은 ITO 또는 IZO를 포함할 수 있다.The second electrode 174 is formed on the entire surface of the organic layer 173, provides electrons to the light emitting layer (EML), and may serve as a cathode. The second electrode 174 is made of a transparent conductive material. For example, the transparent conductive material may include ITO or IZO.
또한 상기 제2 전극(174)은 상기 유기층(173)과 접하는 쪽에 일함수가 낮은 금속 물질로 이루어진 얇은 금속막을 더 포함할 수 있고, 예를 들어, 금속 물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag) 및 이들의 화합물을 포함할 수 있다.In addition, the second electrode 174 may further include a thin metal film made of a metal material with a low work function on the side in contact with the organic layer 173. For example, the metal material may be magnesium (Mg) or silver (Ag). and their compounds.
또한 상부 발광 방식의 유기 발광 표시 장치인 표시 장치(100)의 경우, 상기 제2 전극(174)은 일 함수가 낮고 반투과성을 만족해야 하기 때문에 얇게 형성되어야 한다.Additionally, in the case of the display device 100, which is a top-emission organic light emitting display device, the second electrode 174 must be formed to be thin because it must have a low work function and satisfy translucency.
이로써, 각 화소(P) 영역의 발광 영역에는, 상호 대향하는 상기 제1 전극(171) 및 제2 전극(174), 그리고 상기 제1 전극(171)과 제2 전극(174) 사이에 위치하는 상기 유기층(173)을 포함하는 유기 발광 소자(ED)가 형성된다.Accordingly, in the light emitting area of each pixel (P) area, the first electrode 171 and the second electrode 174 face each other, and the first electrode 171 and the second electrode 174 are located between the first electrode 171 and the second electrode 174. An organic light emitting device (ED) including the organic layer 173 is formed.
상기 제2 전극(174) 상에는 봉지막(175)이 형성될 수 있다. 상기 봉지막(175)은 상기 유기 발광 소자(ED) 내에 수분과 산소가 침투하는 것을 방지한다. 상기 봉지막(175)은 산화 알루미늄(AlOx), 산질화 실리콘(SiON), 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiO2) 등과 같은 무기 절연 물질 또는 벤조싸이클로부텐(benzocyclobutene), 포토 아크릴(photo acryl) 등과 같은 유기 절연 물질의 단일층으로 형성되거나, 무기 절연 물질과 유기 절연 물질이 적층된 구조로 형성될 수 있다.An encapsulation film 175 may be formed on the second electrode 174. The encapsulation film 175 prevents moisture and oxygen from penetrating into the organic light emitting device (ED). The encapsulation film 175 is made of an inorganic insulating material such as aluminum oxide (AlOx), silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiO2), or benzocyclobutene or photo acryl. It may be formed as a single layer of an organic insulating material such as a laminated structure of an inorganic insulating material and an organic insulating material.
밀봉층(156)은 상기 봉지막(175)에 상에 형성된다. 이러한 상기 밀봉층(156)은 복수 개의 유기 발광 소자(ED)를 외부로부터 격리하여, 복수 개의 유기 발광 소자(ED)에 수분 또는 산소가 침투하는 것을 차폐함으로써, 수분 또는 산소에 의한 복수 개의 유기 발광 소자(ED)의 열화를 지연시키는 역할을 한다.A sealing layer 156 is formed on the sealing film 175. The sealing layer 156 isolates the plurality of organic light emitting elements (ED) from the outside and blocks moisture or oxygen from penetrating into the plurality of organic light emitting elements (ED), thereby causing the plurality of organic light emitting elements (ED) to emit light due to moisture or oxygen. It plays a role in delaying the deterioration of the element (ED).
상기 밀봉층(156) 상에는 컬러 필터(미도시, CF)가 형성될 수 있다. 컬러 필터(CF)는 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소영역, 청색 서브 화소 영역 각각에 적색, 녹색 및 청색 안료를 증착하고 이를 패터닝하여 형성되며, 블랙 매트릭스(black matrix: BM)를 포함할 수 있다. 또한 백색 서브 화소 영역을 포함하는 경우, 백색 서브 화소 영역에는 별도의 컬러 필터가 형성되지 않을 수 있다.A color filter (CF, not shown) may be formed on the sealing layer 156. The color filter (CF) is formed by depositing red, green, and blue pigments in each of the red sub-pixel region, green sub-pixel region, and blue sub-pixel region and patterning them, and may include a black matrix (BM). . Additionally, when a white sub-pixel area is included, a separate color filter may not be formed in the white sub-pixel area.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)의 개략적인 평면도를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a schematic plan view of the display device 100 according to embodiments of the present invention.
도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)는 화상을 표시하는 표시 영역(AA)과 이를 둘러싸는 비표시 영역(NA)이 구비된다.As shown, the display device 100 according to embodiments of the present invention is provided with a display area (AA) that displays an image and a non-display area (NA) surrounding the display area (AA).
상기 표시 영역(AA)에는 상기 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)이 교차하여 다수의 화소(P) 회로를 정의하며 구성되며, 각 화소(P) 회로에는 스위칭을 위한 스위칭 박막 트랜지스터(switching TFT)와, 유기 발광 소자(ED)의 구동을 위한 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)가 구비되며, 상기 데이터 배선(DL)과 나란하게 전원배선(PL)이 구비된다.In the display area (AA), the gate wire (GL) and the data wire (DL) intersect to define a plurality of pixel (P) circuits, and each pixel (P) circuit includes a switching thin film transistor for switching. TFT) and a driving thin film transistor (driving TFT) for driving the organic light emitting element (ED) are provided, and a power line (PL) is provided parallel to the data line (DL).
또한, 상기 비표시 영역(NA)에는 유기 발광 소자(ED)의 구동을 위해 그라운드 배선(GND)과, 레퍼런스 전원 배선(미도시), 레퍼런스 전원 터미널(187), 전원 배선(PL), 공통 전원 터미널(186) 및 전원 인입부(185)가 구비된다.In addition, the non-display area (NA) includes a ground wire (GND), a reference power wire (not shown), a reference power supply terminal 187, a power wire (PL), and a common power supply for driving the organic light emitting device (ED). A terminal 186 and a power inlet 185 are provided.
상기 레퍼런스 전원 배선 및 전원 배선(PL)은 표시 영역(AA)에서 비표시 영역(NA)으로 연장되어 제1 방향으로 배열될 수 있으며, 도 3 상에서 상기 제1 방향은 종방향으로 나타난다.The reference power line and the power line PL may extend from the display area AA to the non-display area NA and be arranged in a first direction, and in FIG. 3, the first direction appears as a vertical direction.
상기 레퍼런스 전원 터미널(187) 및 공통 전원 터미널(186)은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배열되어 상기 표시 영역(AA)을 둘러싸는 외측 중 상측 비표시 영역(NA)과 하측 비표시 영역(NA) 두 곳에 배치될 수 있다. 도 3 상에서 상기 제2 방향은 횡방향으로 나타난다. 상기 레퍼런스 전원 터미널(187) 및 공통 전원 터미널(186)은 상기 제2 방향이 아닌 다른 방향으로 배열될 수 있으며 다른 구성 요소와 다양한 각도로 연결될 수 있다.The reference power terminal 187 and the common power terminal 186 are arranged in a second direction crossing the first direction to form an upper non-display area (NA) and a lower non-display area (NA) on the outer side surrounding the display area (AA). It can be placed in two areas (NA). In Figure 3, the second direction appears as the horizontal direction. The reference power terminal 187 and the common power terminal 186 may be arranged in a direction other than the second direction and may be connected to other components at various angles.
또한, 상기 레퍼런스 전원 터미널(187) 및 공통 전원 터미널(186)은 일 측을 통해 각각 상기 레퍼런스 전원 배선 및 전원 배선(PL)의 끝단과 전기적으로 연결된다. 상기 레퍼런스 전원 터미널(187) 및 공통 전원 터미널(186)은 이러한 연결을 통해 외부로부터 각각 상기 레퍼런스 전원 배선 및 전원 배선(PL)으로 전압을 인가할 수 있다.In addition, the reference power terminal 187 and the common power terminal 186 are electrically connected to the ends of the reference power wire and the power wire PL, respectively, through one side. The reference power terminal 187 and the common power terminal 186 can apply voltage from the outside to the reference power wire and the power wire PL, respectively, through this connection.
전원 인입부(185)는 상기 제1 방향으로 배열되어 상기 표시 영역(AA)을 둘러싸는 외측 중 상측 비표시 영역(NA)에 배치될 수 있다. 또한 전원 인입부(185)의 끝단은 공통 전원 터미널(186)의 상기 일 측의 반대 측인 타 측과 전기적으로 연결된다. 상기 전원 인입부(185)는 이러한 연결을 통해 외부 회로로부터 전원 전압을 인가받아 상기 공통 전원 터미널(186)에 전압을 인가할 수 있다. 상기 전원 인입부(185)는 상기 제1 방향이 아닌 다른 방향으로 배열될 수 있으며, 상기 공통 전원 터미널(186)의 상기 타 측과 다양한 각도로 연결될 수 있다.The power inlet 185 may be arranged in the first direction and disposed in the outer upper non-display area NA surrounding the display area AA. Additionally, the end of the power inlet 185 is electrically connected to the other side of the common power terminal 186, which is opposite to the one side. The power inlet 185 can receive a power voltage from an external circuit through this connection and apply the voltage to the common power terminal 186. The power inlet 185 may be arranged in a direction other than the first direction, and may be connected to the other side of the common power terminal 186 at various angles.
또한, 상기 비표시 영역(NA)에는 상기 표시 영역(AA)에 구성된 게이트 및 데이터 배선(GL, DL)의 끝단과 연결된 게이트 링크 배선 및 데이터 링크 배선(DLL)과, 이들 게이트 링크 배선 및 데이터 링크 배선(DLL)의 끝단과 연결되며 게이트 및 데이터 패드전극(미도시)이 구비된 패드부(미도시)가 구성된다. 이때, 상기 패드부에는 구동IC가 실장되는 영역(ICA)과 외부 구동회로기판과 전기적 연결을 위해 FPCB(Flexible printed circuit board)가 실장되는 영역(FPCBA)이 구비된다.In addition, the non-display area (NA) includes a gate link wire and a data link wire (DLL) connected to the ends of the gate and data wires (GL, DL) configured in the display area (AA), and these gate link wires and data link wires. It is connected to the end of the wiring (DLL) and consists of a pad portion (not shown) equipped with a gate and data pad electrode (not shown). At this time, the pad portion is provided with an area (ICA) where a driving IC is mounted and an area (FPCBA) where a flexible printed circuit board (FPCB) is mounted for electrical connection to an external driving circuit board.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예들에 따른, 도 3의 표시 영역(AA)을 둘러싸는 외측 중 상측 비표시 영역(NA)에 배치된 전원 인입부(185), 공통 전원 터미널(186) 및 전원 배선(PL)의 일부를 포함하는 영역을 확대 표현한 평면도이다. 또한 도 5는 도 4a에서 I-I'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면으로, 이러한 단면도는 도 4a 뿐 아니라 도 4b에서도 동일하게 적용될 수 있고 따라서 도 4b의 단면도를 설명하는 도면이 될 수 있다. 도 4a, 도 4b 및 도 5의 구성요소 중 도 1 내지 도 3에 나타난 구성요소와 동일한 내용의 경우, 이하에서는 이들에 대한 설명을 생략하기로 한다.FIGS. 4A and 4B show a power inlet 185 and a common power terminal 186 disposed in the outer upper non-display area (NA) surrounding the display area (AA) of FIG. 3 according to embodiments of the present invention. ) and a part of the power wiring (PL). In addition, FIG. 5 is a diagram showing a cross-section taken along line II' in FIG. 4A. This cross-sectional view can be applied equally to FIG. 4A as well as FIG. 4B, and can therefore be a diagram explaining the cross-section of FIG. 4B. . If the components of FIGS. 4A, 4B, and 5 have the same content as the components shown in FIGS. 1 to 3, their description will be omitted below.
도 4a, 도 4b 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치(100)에 있어서, 기판(151), 상기 기판(151) 상에 배치된 보조 기판(152), 상기 보조 기판(152) 상에 배치된 버퍼층(153), 상기 버퍼층(153) 상에 배치된 게이트 절연막(154), 상기 게이트 절연막(154) 상에 배치된 공통 전원 터미널(186), 상기 공통 전원 터미널(186)의 일부를 덮는 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182), 상기 공통 전원 터미널(186) 상에 배치된 평탄화층(155) 및 상기 제1 저항 감소층(181), 제2 저항 감소층(182) 및 상기 평탄화층(155) 상에 배치된 밀봉층(156)을 포함한다.4A, 4B, and 5, in the display device 100 according to embodiments of the present invention, a substrate 151, an auxiliary substrate 152 disposed on the substrate 151, and the auxiliary substrate 152 are provided. A buffer layer 153 disposed on the substrate 152, a gate insulating layer 154 disposed on the buffer layer 153, a common power terminal 186 disposed on the gate insulating layer 154, and the common power terminal ( 186), a first resistance reduction layer 181 and a second resistance reduction layer 182, a planarization layer 155 and the first resistance reduction layer 181 disposed on the common power terminal 186. , a second resistance reduction layer 182, and a sealing layer 156 disposed on the planarization layer 155.
도시한 바와 같이, 상측 비표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)의 화소(P) 영역에 연결되어 비표시 영역(NA)으로 연장된 전원 배선(PL), 상기 전원 배선(PL)의 끝단과 전기적으로 연결된 공통 전원 터미널(186), 상기 공통 전원 터미널(186)과 전기적으로 연결된 전원 인입부(185)를 포함한다.As shown, in the upper non-display area (NA), a power line (PL) is connected to the pixel (P) area of the display area (AA) and extends into the non-display area (NA), and an end of the power line (PL) It includes a common power terminal 186 electrically connected to and a power inlet 185 electrically connected to the common power terminal 186.
상기 전원 배선(PL)은 적어도 하나 이상 배치되어 제1 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제1 방향은 도면 상 종방향으로 나타난다.At least one power line PL may be disposed and extend in a first direction. The first direction appears as a longitudinal direction in the drawing.
상기 공통 전원 터미널(186)은 상기 제1 방향과 교차하는, 즉 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 배열되며, 적어도 하나 이상의 상기 전원 배선(PL)과 상기 공통 전원 터미널(186)의 일 측을 통해 전기적으로 연결된다. 상기 일 측은 도 4a 상 상기 공통 전원 터미널(186)의 하측으로 나타나나, 본 발명의 다양한 실시예에 따르면 이에 국한되지 않는다.The common power terminal 186 is arranged in a second direction crossing the first direction, that is, perpendicular to the first direction, and is connected to at least one of the power wiring PL and one of the common power terminals 186. It is electrically connected through the side. The one side appears below the common power terminal 186 in FIG. 4A, but according to various embodiments of the present invention, the present invention is not limited thereto.
상기 전원 인입부(185)는 상기 제1 방향으로 연장되어 끝단을 통해 상기 공통 전원 터미널(186)의 타 측과 전기적으로 연결된다. 상기 타 측은 상기 공통 전원 터미널(186) 상 상기 일 측의 반대측이며, 도 4a 상 상기 공통 전원 터미널(186)의 상측으로 나타나나, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 이에 국한되지 않는다.The power inlet 185 extends in the first direction and is electrically connected to the other side of the common power terminal 186 through an end. The other side is opposite to the one side on the common power terminal 186 and is shown above the common power terminal 186 in FIG. 4A, but the present invention is not limited to this according to various embodiments of the present invention.
*상기 전원 배선(PL), 공통 전원 터미널(186) 및 전원 인입부(185)는 상기 제1 방향 및 제2 방향이 아닌 다양한 방향으로 배열될 수 있으며, 각각은 다른 구성요소와 다양한 각도를 통해 연결될 수 있다.*The power wiring (PL), common power terminal 186, and power inlet 185 may be arranged in various directions other than the first direction and the second direction, and each may be arranged at various angles with other components. can be connected
또한 상기 전원 인입부(185)는 상기 공통 전원 터미널(186)과 연결되지 않은 나머지 끝단을 통해 구동 IC(미도시, driver integrated circuit)와 전기적으로 연결된다. 이에 따라, 표시장치(100)의 전원 전압은 상기 구동 IC, 전원 인입부(185), 공통 전원 터미널(186) 및 전원 배선(PL)을 차례로 거쳐 표시 영역(AA)의 화소(P) 회로에 공급된다. Additionally, the power inlet 185 is electrically connected to a driver IC (not shown) through the remaining end not connected to the common power terminal 186. Accordingly, the power voltage of the display device 100 is supplied to the pixel (P) circuit of the display area (AA) via the driving IC, power inlet 185, common power terminal 186, and power wiring (PL) in that order. supplied.
상기 전원 인입부(185)는 비표시 영역(NA)의 축소와 더불어 그 위치와 개수의 변경이 발생할 수 있다. 도면 상 상기 전원 인입부(185)는 단일 배선으로서, 상기 공통 전원 터미널(186)의 상기 타 측 중앙부를 통해 상기 공통 전원 터미널(186)과 전기적으로 연결되나, 이에 국한되지 않으며 단일 배선이 아닌 복수의 배선으로 연결될 수 있고 또한 상기 공통 전원 터미널(186)의 상기 타 측 중앙부가 아닌 상기 타 측 어느 위치에서라도 연결될 수 있다.The location and number of the power inlets 185 may change along with the reduction of the non-display area (NA). In the drawing, the power inlet 185 is a single wire, and is electrically connected to the common power terminal 186 through the central part of the other side of the common power terminal 186, but is not limited to this and is not limited to a single wire, but multiple wires. It can be connected by wiring and can be connected at any location on the other side of the common power terminal 186 other than the central portion of the other side.
상기 공통 전원 터미널(186) 상에는 상기 공통 전원 터미널(186)을 덮는 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)이 배치될 수 있다. 상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)은 일 함수가 비교적 큰 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어서, 투명 도전성 물질은 산화 인듐 주석(Indium Tin Oxide: ITO) 또는 산화 인듐 아연(Indium Zinc Oxide: IZO)을 포함할 수 있다.A first resistance reduction layer 181 and a second resistance reduction layer 182 covering the common power terminal 186 may be disposed on the common power terminal 186. The first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182 may be made of a transparent conductive material with a relatively high work function. For example, the transparent conductive material is Indium Tin Oxide (ITO). Alternatively, it may include indium zinc oxide (IZO).
상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)은 평면도 상 표시 영역(AA)을 둘러싸는 외측 중 상측 비표시 영역(NA)에 배치된 상기 공통 전원 터미널(186)이 구비된 영역에 배치되나, 이에 국한되지 않으며 평면도 상 표시 영역(AA)을 둘러싸는 외측 중 하측 비표시 영역(NA)에 배치된 상기 공통 전원 터미널(186)이 구비된 영역에 배치될 수 있다.The first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182 are provided with the common power terminal 186 disposed in the upper non-display area (NA) outside surrounding the display area (AA) in the plan view. It is placed in an area, but is not limited to this, and may be placed in an area where the common power terminal 186 is located in the lower non-display area (NA) on the outer side surrounding the display area (AA) in the plan view.
도 4a를 참조하면, 상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)은 평면도 상 상기 공통 전원 터미널(186)을 덮으며 직각삼각형의 형상을 가질 수 있다. 이러한 직각삼각형은 빗변이 상기 전원 인입부(185)를 향하게 배치될 수 있으며, 따라서 밑변이 상기 전원 배선(PL)이 연결된 상기 공통 전원 터미널(186)의 상기 일 측에 배치되고, 또 다른 밑변은 상기 공통 전원 터미널(186)의 좌/우측에 배치될 수 있다. 도면 상 직각삼각형의 밑변은 상기 공통 전원 터미널(186)의 상기 일 측 및 좌/우측으로부터 이격거리를 가지고 배치되나, 이격거리없이 상기 공통 전원 터미널(186)의 상기 일 측 및 좌/우측에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 4A, the first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182 cover the common power terminal 186 in a plan view and may have the shape of a right triangle. This right-angled triangle may be arranged with its hypotenuse facing the power inlet 185, so its base is disposed on one side of the common power terminal 186 to which the power wiring PL is connected, and the other base is It may be placed on the left/right side of the common power terminal 186. In the drawing, the base of the right triangle is disposed with a separation distance from one side and the left and right sides of the common power terminal 186, but is disposed on one side and the left and right sides of the common power terminal 186 without a separation distance. It can be.
도 4a 내지 도 4b를 참조하면, 상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)은 평면도 상 상기 공통 전원 터미널(186)을 덮으며 측면에서 중앙으로 갈수록 너비가 감소하는 형상을 가질 수 있다. 상기 너비는 상기 공통 전원 터미널(186)의 상기 일 측과 상기 타 측 사이의 길이로 정의될 수 있다. 도면 상 상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)은 상기 공통 전원 터미널(186)의 상기 일 측 및 좌/우측으로부터 이격거리를 가지고 배치되나, 이격거리없이 상기 공통 전원 터미널(186)의 상기 일 측 및 좌/우측에 배치될 수 있다. 그러나 상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182) 의 형상은 이에 국한되지 않으며 다양한 형상을 가질 수 있다.Referring to FIGS. 4A and 4B , the first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182 cover the common power terminal 186 in a plan view and have a shape whose width decreases from the side to the center. You can have The width may be defined as the length between the one side and the other side of the common power terminal 186. In the drawing, the first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182 are arranged at a distance from one side and the left/right sides of the common power terminal 186, but the common power supply terminal 186 has no separation distance. It may be placed on one side and on the left/right side of the terminal 186. However, the shapes of the first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182 are not limited to this and may have various shapes.
상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)은 상기 공통 전원 터미널(186)을 덮으며 상기 전원 인입부(185)의 좌우에 이격되어 배치될 수 있다. 상기 전원 인입부(185)는 상기 공통 전원 터미널(186)의 상기 타 측에 전기적으로 연결되는데, 이러한 연결 위치는 상기 공통 전원 터미널(186)의 상기 타 측 중앙부뿐 아니라 상기 타 측의 다른 위치에서도 가능하다.The first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182 cover the common power terminal 186 and may be arranged to be spaced apart on the left and right sides of the power inlet 185. The power inlet 185 is electrically connected to the other side of the common power terminal 186, and this connection location is not only at the center of the other side of the common power terminal 186 but also at other locations on the other side. possible.
상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)은 표시 영역(AA)에 배치된 상기 제1 전극(171)과 동일한 물질로 구성될 수 있다. 또한 상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)은 상기 제1 전극(171)을 형성하는 공정과 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.The first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182 may be made of the same material as the first electrode 171 disposed in the display area AA. Additionally, the first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182 may be formed through the same process as the process of forming the first electrode 171.
도 6a, 도 6b 및 도 7을 참조하면, 비표시 영역(NA)의 상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182) 상에는 각각 제3 저항 감소층(183) 및 제4 저항 감소층(184)이 배치될 수 있다. 상기 제3 저항 감소층(183) 및 제4 저항 감소층(184)은 각각 상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)의 적어도 일부를 덮을 수 있다.Referring to FIGS. 6A, 6B, and 7, a third resistance reduction layer 183 and a fourth resistance reduction layer 183 are formed on the first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182 in the non-display area NA, respectively. A resistance reduction layer 184 may be disposed. The third resistance reduction layer 183 and the fourth resistance reduction layer 184 may cover at least a portion of the first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182, respectively.
상기 제3 저항 감소층(183) 및 제4 저항 감소층(184)은 상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)과 동일한 특징의 형상으로 배치될 수 있다. 즉, 상기 제3 저항 감소층(183) 및 제4 저항 감소층(184)은 각각 상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)의 적어도 일부를덮으며, 상기 제1 영역 및 제3 영역에 대응하여 배치될 수 있다.The third resistance reduction layer 183 and the fourth resistance reduction layer 184 may be arranged in a shape with the same characteristics as the first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182. That is, the third resistance reduced layer 183 and the fourth resistance reduced layer 184 cover at least a portion of the first resistance reduced layer 181 and the second resistance reduced layer 182, respectively, and the first resistance reduced layer 184 It may be arranged corresponding to the area and the third area.
상기 제3 저항 감소층(183) 및 제4 저항 감소층(184)은 상기 공통 전원 터미널(186) 상에 배치된 상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182)을 덮으며 상기 전원 인입부(185)의 좌우에 이격되어 배치될 수 있다.The third resistance reduction layer 183 and the fourth resistance reduction layer 184 cover the first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182 disposed on the common power terminal 186. and can be arranged to be spaced apart on the left and right sides of the power inlet 185.
상기 제3 저항 감소층(183) 및 제4 저항 감소층(184)은 일 함수가 비교적 큰 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어서, 투명 도전성 물질은 산화 인듐 주석(Indium Tin Oxide: ITO) 또는 산화 인듐 아연(Indium Zinc Oxide: IZO)을 포함할 수 있다. 또한 상기 제3 저항 감소층(183) 및 제4 저항 감소층(184)은 표시 영역(AA)에 배치된 상기 제2 전극(174)과 동일한 물질로 구성될 수 있다. 또한 상기 제3 저항 감소층(183) 및 제4 저항 감소층(184)은 상기 제2 전극(174)을 형성하는 공정과 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.The third resistance reduction layer 183 and the fourth resistance reduction layer 184 may be made of a transparent conductive material with a relatively high work function. For example, the transparent conductive material is Indium Tin Oxide (ITO). Alternatively, it may include indium zinc oxide (IZO). Additionally, the third resistance reduction layer 183 and the fourth resistance reduction layer 184 may be made of the same material as the second electrode 174 disposed in the display area AA. Additionally, the third resistance reduction layer 183 and the fourth resistance reduction layer 184 may be formed through the same process as the process of forming the second electrode 174.
도 8a 내지 8d를 참조하면, 비표시 영역(NA)의 상기 공통 전원 터미널(186) 상에는 저항 증가 패턴(190)이 배치될 수 있다. 상기 저항 증가 패턴(190)은 상기 공통 전원 터미널(186) 상에 있고, 상기 제1 저항 감소층(181) 및 제2 저항 감소층(182) 사이에 배치되어 상기 전원 배선(PL) 간의 전압 편차를 감소시킬 수 있다. 상기 저항 증가 패턴(190)은 상기 공통 전원 터미널(186) 상 음각의 형태로 배치될 수 있고, 이러한 음각은 상기 공통 전원 터미널(186)의 일부를 파낸 형태이거나 상기 공통 전원 터미널(186)을 관통한 형태일 수 있다. 상기 저항 증가 패턴(190)의 이러한 형태는 상기 공통 전원 터미널(186)의 두께 감소 및 저항 증가를 야기하고, 상기 저항 증가 패턴(190)이 형성된 영역을 지나는 상기 전원 전압의 전압 하락을 발생시킨다. 이때, 상기 저항 증가 패턴(190)은 상기 전원 인입부(185)로부터 상대적으로 가까운 상기 공통 전원 터미널(186) 상에 배치되고, 상기 전원 인입부(185)로부터 상대적으로 먼 상기 공통 전원 터미널(186) 상에서 발생하는 전압 강하에 대응하여, 상기 공통 전원 터미널(186) 내부의 전압 편차를 감소시키고, 따라서 상기 전원 배선(PL)으로 공급되는 전원 전압의 전압 편차를 감소키실 수 있다.Referring to FIGS. 8A to 8D , a resistance increase pattern 190 may be disposed on the common power terminal 186 in the non-display area (NA). The resistance increase pattern 190 is on the common power terminal 186 and is disposed between the first resistance reduction layer 181 and the second resistance reduction layer 182 to ensure a voltage difference between the power lines PL. can be reduced. The resistance increase pattern 190 may be arranged in the form of an engraving on the common power terminal 186, and this engraving may be in the form of a portion of the common power terminal 186 being carved out or penetrating the common power terminal 186. It may be in one form. This form of the resistance increasing pattern 190 causes a decrease in the thickness and an increase in resistance of the common power terminal 186, and causes a voltage drop in the power voltage passing through the area where the resistance increasing pattern 190 is formed. At this time, the resistance increase pattern 190 is disposed on the common power terminal 186 relatively close to the power inlet 185, and the common power terminal 186 is relatively far from the power inlet 185. ), the voltage deviation inside the common power terminal 186 can be reduced, and thus the voltage deviation of the power voltage supplied to the power wiring PL can be reduced.
상기 저항 증가 패턴(190)은 원형 혹은 타원형 등 다양한 형상을 가질 수 있고, 다양한 크기로 배치될 수 있다.The resistance increasing pattern 190 may have various shapes, such as circular or oval, and may be arranged in various sizes.
또한 상기 저항 증가 패턴(190)은 다수 개로 상기 공통 전원 터미널(186) 상에 배치될 수 있다. 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 상기 저항 증가 패턴(190)은 상기 공통 전원 터미널(186)의 횡방향으로 다수 개 배치될 수 있다. 또한 상기 저항 증가 패턴(190)은 각기 다른 크기로 배치될 수 있는데, 평면도 상 상기 공통 전원 터미널(186)의 외곽부에서 중앙부로 갈수록 크기가 커지도록 배치될 수 있다. 도 8a 및 도 8b에 따르면, 상기 저항 증가 패턴(190)은 일렬로 배치되었으나 이에 국한되지 않는다.Additionally, a plurality of resistance increase patterns 190 may be disposed on the common power terminal 186. Referring to FIGS. 8A and 8B , a plurality of resistance increase patterns 190 may be arranged in the horizontal direction of the common power terminal 186. Additionally, the resistance increase pattern 190 may be arranged in different sizes, and may be arranged to increase in size from the outer part to the center of the common power terminal 186 in a plan view. According to FIGS. 8A and 8B, the resistance increase patterns 190 are arranged in a line, but the present invention is not limited thereto.
도 8c 및 도 8d를 참조하면, 상기 저항 증가 패턴(190)은 상기 공통 전원 터미널(186)에 다수의 열로서 배치될 수 있다. 상기 저항 증가 패턴(190)은 일정한 또는 일정하지 않은 간격으로 복수 개 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 8C and 8D, the resistance increase pattern 190 may be arranged as a plurality of rows on the common power terminal 186. A plurality of resistance increase patterns 190 may be arranged at regular or irregular intervals.
상기 공통 전원 터미널(186)은 표시 영역(AA)의 하측 외곽부 비표시 영역(NA)에 배치될 수 있다. 상기 공통 전원 터미널(186)이 표시 영역(AA)의 상측 외곽부 비표시 영역(NA)에 배치되는 것과 달리, 하측 외곽부 비표시 영역(NA)에 배치되면 상기 전원 배선(PL)은 상기 공통 전원 터미널(186)의 표시 영역(AA)과 인접한 일 측에서 상기 공통 전원 터미널(186)과 전기적으로 연결된다.The common power terminal 186 may be disposed in the non-display area (NA) at the lower outer portion of the display area (AA). Unlike when the common power terminal 186 is disposed in the upper outer non-display area (NA) of the display area (AA), when the common power terminal 186 is disposed in the lower outer non-display area (NA), the power wire (PL) is connected to the common power line (PL). One side adjacent to the display area (AA) of the power terminal 186 is electrically connected to the common power terminal 186.
제1 내지 4 저항 감소층(181-184)은 표시 영역(AA)의 하측 외곽부 비표시 영역(NA)에 배치된 상기 공통 전원 터미널(186) 상에 배치될 수 있으며, 앞서 서술한 제1 내지 4 저항 감소층(181-184)의 형상으로 배치될 수 있다. 표시 영역(AA)의 하측 외곽부 비표시 영역(NA)에 배치된 상기 공통 전원 터미널(186)은 전원 배선(PL)이 상기 공통 전원 터미널(186)의 표시 영역(AA)과 인접한 일 측으로 연결되므로, 표시 영역(AA)의 상측 외곽부 비표시 영역(NA)에 배치된 상기 제1 내지 4 저항 감소층(181-184)의 형상과 비교했을 시, 상하가 반전된 형상으로 배치된다.The first to fourth resistance reduction layers 181-184 may be disposed on the common power terminal 186 disposed in the non-display area (NA) at the lower outer portion of the display area (AA), It may be arranged in the shape of four to four resistance reduction layers (181-184). The common power terminal 186 disposed in the non-display area (NA) at the lower outer portion of the display area (AA) has a power wire (PL) connected to one side adjacent to the display area (AA) of the common power terminal 186. Therefore, compared to the shape of the first to fourth resistance reduction layers 181 to 184 disposed in the non-display area NA on the upper outer portion of the display area AA, the shapes are arranged upside down.
상기 제1 내지 4 저항 감소층(181-184) 및 저항 증가 패턴(190)은 상기 공통 전원 터미널(186)과 전기적으로 연결되어 상기 공통 전원 터미널(186)의 전압 흐름에 영향을 끼친다. 상기 공통 전원 터미널(186)은 상기 전원 인입부(185)로부터 인가된 전원 전압을 상기 전원 배선(PL)으로 배분시켜주는 터미널 역할을 수행하고, 상기 전원 배선(PL)으로 인가된 전압은 표시 영역(AA)에 배치된 화소(P) 영역 상 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)에 유입된다. 이 때, 상기 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)로 유입된 전압은 게이트-소스간 전압에 영향을 줘 화소(P)의 휘도를 조절하는데, 상기 전원 배선(PL)간 전압의 차이가 발생하면 표시 장치(100) 내의 화소(P)간 휘도 차이가 발생한다. 상기 제1 내지 4 저항 감소층(181-184) 및 저항 증가 패턴(190)은 본 발명에 나타난 다양한 형상을 통해 상기 공통 전원 터미널(186) 상에 배치되고, 상기 전원 배선(PL) 간의 전압 편차를 감소시키도록 배치될 수 있다. 궁극적으로 상기 제1 내지 4 저항 감소층(181-184) 및 저항 증가 패턴(190)은 본 발명에 나타난 다양한 형상을 통해 표시 장치(100) 내의 화소(P)간 휘도 차이를 최소화할 수 있다.The first to fourth resistance reduction layers 181 - 184 and the resistance increase pattern 190 are electrically connected to the common power terminal 186 and affect the voltage flow of the common power terminal 186. The common power terminal 186 serves as a terminal for distributing the power voltage applied from the power inlet 185 to the power wiring PL, and the voltage applied to the power wiring PL is applied to the display area. It flows into the driving thin film transistor (driving TFT) on the pixel (P) area located at (AA). At this time, the voltage flowing into the driving thin film transistor (driving TFT) affects the gate-source voltage to adjust the luminance of the pixel (P). When a difference in voltage between the power lines (PL) occurs, the display device A difference in luminance occurs between pixels (P) within (100). The first to fourth resistance reduction layers 181-184 and the resistance increase pattern 190 are disposed on the common power terminal 186 through various shapes shown in the present invention, and the voltage difference between the power lines PL can be arranged to reduce . Ultimately, the first to fourth resistance reduction layers 181 - 184 and the resistance increase pattern 190 can minimize the difference in luminance between pixels P in the display device 100 through various shapes shown in the present invention.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 그 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 당업자에 의해 기술적으로 다양하게 연동 및 구동될 수 있으며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시되거나 연관 관계로 함께 실시될 수도 있다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present specification have been described in detail with reference to the attached drawings, the present specification is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit thereof. Accordingly, the embodiments disclosed in this specification are not intended to limit the technical idea of the present invention, but rather to explain it, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or entirely combined or combined with each other, and can be technically linked and driven in various ways by those skilled in the art, and each embodiment can be performed independently of each other or together in a related relationship. It may be implemented. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be construed as being included in the scope of rights of the present invention.
100 : 표시장치
181 : 제1 저항 감소층
182 : 제2 저항 감소층
183 : 제3 저항 감소층
184 : 제4 저항 감소층
185 : 전원 인입부
186 : 공통 전원 터미널
PL : 전원 배선
190 : 저항 증가 패턴100: display device
181: first resistance reduction layer
182: second resistance reduction layer
183: Third resistance reduction layer
184: Fourth resistance reduction layer
185: Power inlet
186: Common power terminal
PL: power wiring
190: Resistance increase pattern
Claims (10)
상기 표시 영역에서 복수의 게이트 배선과 복수의 데이터 배선이 교차하여 구성되고 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 다수의 화소;
상기 제1 전극의 테두리와 적어도 일부가 중첩하는 뱅크;
상기 제2 전극 상의 봉지막;
상기 표시 영역에서 상기 데이터 배선과 나란하게 배치되는 전원 배선;
상기 표시 영역을 둘러싸는 외측 비표시 영역에서 상기 데이터 배선의 배열 방향과 나란한 제1 방향으로 연장되어 외부 회로로부터의 전원 전압을 공급받는 전원 인입부;
상기 전원 인입부에 접속되어 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되며, 상기 전원 전압을 상기 전원 배선에 공급하는 공통 전원 터미널;
상기 공통 전원 터미널과 상기 표시 영역 사이의 상기 비표시 영역에서 상기 공통 전원 터미널과 나란하게 배치된 레퍼런스 전원 터미널;
상기 데이터 배선의 끝단과 연결된 데이터 링크 배선;
상기 비표시 영역에서 상기 데이터 링크 배선의 끝단과 연결되는 데이터 패드 전극이 구비된 패드부; 및
상기 비표시 영역에 배치되고, 상기 패드부로부터 연장되어 상기 표시 영역을 둘러싸는 그라운드 배선을 포함하며,
상기 전원 배선은 상기 표시 영역에서 상기 비표시 영역으로 연장되어 상기 제1 방향으로 배열되는, 유기 발광 표시장치.A substrate having a display area and a non-display area located outside the display area;
a plurality of pixels configured by crossing a plurality of gate wires and a plurality of data wires in the display area and including a first electrode and a second electrode;
a bank that at least partially overlaps an edge of the first electrode;
an encapsulation film on the second electrode;
a power wire arranged in parallel with the data wire in the display area;
a power inlet extending in a first direction parallel to the arrangement direction of the data wires in an outer non-display area surrounding the display area and receiving a power voltage from an external circuit;
a common power terminal connected to the power inlet, extending in a second direction intersecting the first direction, and supplying the power voltage to the power wiring;
a reference power terminal disposed in parallel with the common power terminal in the non-display area between the common power terminal and the display area;
a data link wire connected to an end of the data wire;
a pad portion provided with a data pad electrode connected to an end of the data link wire in the non-display area; and
a ground wire disposed in the non-display area and extending from the pad portion to surround the display area;
The power wiring extends from the display area to the non-display area and is arranged in the first direction.
상기 공통 전원 터미널 상에 배치되며, 일변의 중앙에서 일 측면으로 갈수록 폭이 넓어지는 제1 저항 감소층, 및 상기 일변의 중앙에서 타 측면으로 갈수록 폭이 넓어지는 제2 저항 감소층을 더 포함하는, 유기 발광 표시장치.According to claim 1,
It is disposed on the common power terminal, and further includes a first resistance reduction layer whose width becomes wider as it goes from the center of one side to one side, and a second resistance reduction layer whose width becomes wider as it goes from the center of one side to the other side. , organic light emitting display device.
상기 제1 저항 감소층 및 상기 제2 저항 감소층 사이에서 상기 공통 전원 터미널 상에 배치된 저항 증가 패턴을 더 포함하는, 유기 발광 표시장치.According to clause 2,
The organic light emitting display device further includes a resistance increase pattern disposed on the common power terminal between the first resistance reduction layer and the second resistance reduction layer.
상기 공통 전원 터미널은 상기 표시 영역의 상측 외곽부에 위치한 비표시 영역에 배치된 제1 공통 전원 터미널 및 상기 표시 영역의 하측 외곽부에 위치한 비표시 영역에 배치된 제2 공통 전원 터미널을 포함하는, 유기 발광 표시장치.According to clause 2,
The common power terminal includes a first common power terminal disposed in a non-display area located on the upper outer edge of the display area and a second common power terminal disposed in a non-display area located on the lower outer edge of the display area. Organic light emitting display device.
상기 봉지막 상에 배치되는 컬러필터를 더 포함하는, 유기 발광 표시장치.According to claim 1,
An organic light emitting display device further comprising a color filter disposed on the encapsulation film.
상기 제1 저항 감소층 및 상기 제2 저항 감소층은 상기 제1 전극과 동일한 금속으로 구성된, 유기 발광 표시장치.According to clause 2,
The first resistance reduced layer and the second resistance reduced layer are made of the same metal as the first electrode.
상기 패드부는 구동 집적 회로가 실장되는 영역과 플렉서블 회로 보드가 실장되는 영역을 포함하는, 유기 발광 표시장치.According to claim 1,
The pad portion includes an area on which a driving integrated circuit is mounted and an area on which a flexible circuit board is mounted.
상기 게이트 배선의 끝단과 연결된 게이트 링크 배선을 더 포함하고,
상기 패드부는 상기 게이트 링크 배선의 끝단과 연결되는 게이트 패드 전극과, 상기 게이트 패드 전극과 데이터 패드 전극 사이에 배치되는 절연막을 더 포함하는, 유기 발광 표시장치.According to claim 1,
Further comprising a gate link wire connected to an end of the gate wire,
The pad portion further includes a gate pad electrode connected to an end of the gate link wire, and an insulating film disposed between the gate pad electrode and the data pad electrode.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020230002114A KR102661987B1 (en) | 2017-12-28 | 2023-01-06 | Display device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170182649A KR102487370B1 (en) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | Display device |
KR1020230002114A KR102661987B1 (en) | 2017-12-28 | 2023-01-06 | Display device |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170182649A Division KR102487370B1 (en) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | Display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230010792A KR20230010792A (en) | 2023-01-19 |
KR102661987B1 true KR102661987B1 (en) | 2024-05-07 |
Family
ID=67256257
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170182649A KR102487370B1 (en) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | Display device |
KR1020230002114A KR102661987B1 (en) | 2017-12-28 | 2023-01-06 | Display device |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170182649A KR102487370B1 (en) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | Display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (2) | KR102487370B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024181762A1 (en) * | 2023-02-27 | 2024-09-06 | 삼성전자 주식회사 | Display module and electronic device comprising same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6806938B2 (en) * | 2001-08-30 | 2004-10-19 | Kyocera Corporation | Liquid crystal display device with particular on substrate wiring, portable terminal and display equipment provided with the liquid crystal display device |
KR100553745B1 (en) * | 2003-08-06 | 2006-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Flat panel display |
KR20060066326A (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-16 | 삼성전자주식회사 | Liquid crystal display device |
JP4770237B2 (en) | 2005-03-31 | 2011-09-14 | カシオ計算機株式会社 | Terminal junction structure and display device |
KR101433109B1 (en) * | 2007-10-16 | 2014-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | An Array Substrate of Liquid Crystal Display Device and the method for fabricating thereof |
KR102042149B1 (en) * | 2013-07-31 | 2019-11-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Flexible display device and method of manufacturing the same |
KR102427399B1 (en) * | 2014-12-09 | 2022-08-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Diode Display Having Static Electricity Shielding Structure |
-
2017
- 2017-12-28 KR KR1020170182649A patent/KR102487370B1/en active IP Right Grant
-
2023
- 2023-01-06 KR KR1020230002114A patent/KR102661987B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102487370B1 (en) | 2023-01-11 |
KR20190080281A (en) | 2019-07-08 |
KR20230010792A (en) | 2023-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102578423B1 (en) | Multi-panel organic light emitting display device | |
US10355063B2 (en) | Organic light emitting display panel and organic light emitting diode display device including the same | |
US20190341432A1 (en) | Display device | |
CN105742323A (en) | Organic Light Emitting Diode Display Having Multi-Layer Stack Structure | |
KR102396377B1 (en) | Organic light emitting display device | |
KR20200031738A (en) | Display device | |
US11716893B2 (en) | Display device | |
KR20210130331A (en) | Display device | |
KR102406992B1 (en) | Organic light emitting display device | |
CN111668260A (en) | Display panel | |
US10424629B2 (en) | Display device | |
KR102661987B1 (en) | Display device | |
KR102597309B1 (en) | Flexible display device | |
JP2023033150A (en) | Display device | |
US11563072B2 (en) | Display device with connection line in display area connecting data lines to pad area | |
KR20220095400A (en) | Display panel and display apparatus including the same | |
KR20240119768A (en) | Display apparatus | |
JP2023099469A (en) | Display device and display panel | |
KR100739649B1 (en) | Organic light emitting diode display device and method for fabricating thereof | |
KR20230006692A (en) | Display apparatus | |
KR102491261B1 (en) | Organic light emitting diode display device | |
KR102584965B1 (en) | Electroluminescent Display Device | |
US20240324286A1 (en) | Display apparatus | |
US20240339081A1 (en) | Display device | |
US20240196676A1 (en) | Display apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |