KR102659225B1 - 멀티칩 레이저 본딩 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저를 관통시키는 상부 투과창 및 상부 가압 급기구를 구비하는 챔버 하우징과, 챔버 하우징의 내부에서 상부 투과창의 하부에 이격되어 위치하며, 멀티칩이 안착되는 기판을 지지하는 지지 본체를 포함하는 기판 지지대와, 버 하우징의 외부에서 상부 투과창을 통하여 상기 멀티칩의 상부로 레이저를 조사하는 레이저 조사 수단 및 레이저를 투과시키며, 멀티칩의 상면에서 상부로 이격되어 위치하여 상기 멀티칩의 상면에 압력을 인가하는 가압 필름을 포함하는 멀티칩 레이저 본딩 장치를 개시한다.

Description

멀티칩 레이저 본딩 장치{Laser Bonding Apparatus For MultiChip}
본 발명은 레이저를 이용하여 멀티칩을 기판에 본딩하는 멀티칩 레이저 본딩 장치에 관한 것이다.
복수의 반도체 칩으로 구성되는 멀티칩을 본딩하는 방법으로 와이어를 이용하는 와이어 본딩 방법과 솔더 범프를 이용하는 리플로우 방법이 있다. 최근에는 반도체 칩의 소형화 추세에 따라 솔더 범프를 이용한 리플로우 방법이 많이 사용되고 있다. 상기 리플로우 방법은 솔더 범프와 반도체 칩을 기판 위에 배치한 상태에서 고온으로 가열하는 가열 리플로우 방식과, 솔더 범프와 반도체 칩을 기판 위에 배치한 상태에서 반도체 칩의 상부로 레이저 빔을 조사하는 레이저 본딩 방식이 있다.
최근에는 상기 레이저 본딩 방식은 공정의 효율성이 높아 많이 적용되고 있다. 다만, 상기 레이저 본딩 방식은 멀티칩이 안착되는 기판의 상면에서 전체적으로 레이저 빔을 조사하므로, 멀티칩과 기판이 함께 가열되면서 변형될 가능성이 있다. 또한, 상기 멀티칩과 기판의 두께가 얇아지는 추세이므로, 레이저 본딩 과정에서 반도체 칩과 기판이 변형될 가능성이 증가될 수 있다. 특히, 상기 본딩 과정에서 멀티칩이 가압되는 경우에 멀티집을 전체적으로 균일하게 가압하는 것이 필요하다. 또한, 상기 레이저 본딩 방식은 본딩 과정에서 발생되는 본딩 흄이 레이저 발광 모듈을 오염시킴으로써 레이저 빔의 조사 효율을 감소시킬 수 있다.
본 발명은 레이저 본딩 과정에서 멀티칩을 균일하게 가압할 수 있는 멀티칩 레이저 본딩 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 레이저를 조사하는 레이저 조사 수단이 본딩 흄에 의하여 오염되는 것을 감소시킬 수 있는 멀티칩 레이저 본딩 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 멀티칩 레이저 본딩 장치는 멀티칩이 안착되는 기판을 챔버 하우징의 내부에 상기 멀티칩의 상면이 모두 노출되도록 안착시키고, 상기 멀티칩의 레이저 본딩 과정에서 상기 멀티칩의 상면에서 상부로 이격되어 상기 챔버 하우징을 수평 방향으로 공간 분할하는 가압 필름을 이용하여 상기 멀티칩의 상면에 압력을 인가하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 멀티칩 레이저 본딩 장치는 레이저를 관통시키는 상부 투과창 및 상부 가압 급기구를 구비하는 챔버 하우징과, 상기 챔버 하우징의 내부에서 상기 상부 투과창의 하부에 이격되어 위치하며, 멀티칩이 안착되는 기판을 지지하는 지지 본체를 포함하는 기판 지지대와, 상기 챔버 하우징의 외부에서 상기 상부 투과창을 통하여 상기 멀티칩의 상부로 레이저를 조사하는 레이저 조사 수단 및 상기 레이저를 투과시키며, 상기 멀티칩의 상면에서 상부로 이격되어 위치하여 상기 멀티칩의 상면에 압력을 인가하는 가압 필름을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 상부 가압 급기구는 상기 챔버 하우징의 상부에 위치하며, 상기 가압 필름은 상기 챔버 하우징의 내부 공간을 상기 멀티칩이 위치하는 하부 공간과 상기 상부 가압 급기구가 위치하는 상부 공간으로 분리할 수 있다.
또한, 상기 가압 필름은 상기 상부 가압 급기구를 통하여 상기 상부 공간으로 주입되는 가스에 의하여 상기 멀티칩의 상면과 접촉하면서 상기 멀티칩의 상면에 압력을 인가할 수 있다.
또한, 상기 가압 필름은 상기 상부 투과창의 폭과 길이보다 큰 폭과 길이로 형성되고 상기 기판의 폭과 길이보다 큰 폭과 길이로 형성될 수 있다.
또한, 상기 가압 필름은 상기 상부 투과창의 폭 및 상기 기판의 폭보다 큰 폭으로 형성되어 롤투롤 방식으로 공급되며, 상기 멀티칩 레이저 본딩 장치는 상기 가압 필름의 장력을 조절하는 텐셔너를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 가압 필름은 상기 레이저를 투과시키는 투명 재질로 형성될 수 있다.
또한, 상기 레이저 조사 수단은 상기 기판의 면적보다 큰 면적으로 배열되는 복수개의 VCSEL 소자를 포함할 수 있다.
또한, 상기 챔버 하우징은 상기 하부 공간을 진공 배기하는 하부 진공 배기구를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 멀티칩 레이저 본딩 장치는 레이저 본딩 과정에서 본딩 압력과 솔더 용융 온도로 유지되고, 흄 배기 과정에서 상기 챔버 하우징의 하부 공간의 내부가 진공 배기되면서 배기 압력과 흄 발생 온도로 유지될 수 있다.
또한, 상기 챔버 하우징은 상기 하부 공간의 배기흄을 희석시키기 위한 희석 가스를 공급하는 하부 가스 공급구를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 챔버 하우징은 상기 하부 공간의 흄을 배기하는 과정에서 상기 가압 필름의 변형을 방지하기 위하여 상기 상부 공간을 진공으로 유지하기 위한 상부 진공 배기구를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 멀티칩 레이저 본딩 장치는 상기 가압 필름의 오염도를 측정하는 오염도 센서를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판 지지대는 상기 기판을 가열하기 위한 기판 히터를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 멀티칩 레이저 본딩 장치는 상기 가압 필름에 의하여 상기 기판에 인가되는 압력을 측정하는 기판 압력 측정 수단 및 상기 기판 압력 측정 수단과 상기 지지 본체 사이에 위치하는 기판 단열재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 챔버 하우징은 상부가 개방되는 챔버 본체와 상기 챔버 본체와 분리 가능하게 형성되어 상기 챔버 본체의 상부를 밀폐하는 챔버 상부 커버를 포함할 수 있다.
또한, 상기 멀티칩 레이저 본딩 장치는 상기 상부 공간의 압력을 측정하는 상부 압력 측정 수단 및 상기 하부 공간의 압력을 측정하는 하부 압력 측정 수단을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 가압 필름은 상기 멀티칩의 상면과 5mm~20mm의 거리로 이격될수 있다.
또한, 상기 멀티칩 레이저 본딩 장치는 상기 지지 본체를 상하로 이동시키는 기판 승강 수단을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 레이저 본딩 장치는 레이저 본딩 과정에서 가압 필름을 이용하여 멀티칩을 가압하므로 멀티칩을 균일하게 가압할 수 있다.
또한, 본 발명의 레이저 본딩 장치는 레이저 본딩 과정에서 발생되는 본딩 흄을 가압 필름을 이용하여 차단하여 레이저 조사 수단과 상부 투과창이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티칩 레이저 본딩 장치의 수직 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 지지대에 대응되는 다른 실시예의 기판 지지대의 수직 단면도이다.
도 3은 도 1의 레이저 조사 수단에 대한 사시도이다.
도 4는 도 3의 레이저 조사 수단의 분해 사시도이다.
도 5는 도 3의 레이저 조사 수단을 구성하는 냉각 블록의 수직 단면도이다.
도 6은 도 5에 대응되는 다른 실시예에 따른 냉각 블록의 수직 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티칩 레이저 본딩 장치의 수직 단면도이다.
도 8은 도 1의 멀티칩 레이저 본딩 장치의 작용을 나타내는 수직 단면도이다.
이하에서 실시예와 첨부된 도면을 통하여 본 발명의 멀티칩 레이저 본딩 장치에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티칩 레이저 본딩 장치의 수직 단면도이다. 도 2는 도 1의 기판 지지대에 대응되는 다른 실시예의 기판 지지대의 수직 단면도이다. 도 3은 도 1의 레이저 조사 수단에 대한 사시도이다. 도 4는 도 3의 레이저 조사 수단의 분해 사시도이다. 도 5는 도 3의 레이저 조사 수단을 구성하는 냉각 블록의 수직 단면도이다. 도 6은 도 5에 대응되는 다른 실시예에 따른 냉각 블록의 수직 단면도이다. 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티집 레이저 본딩 장치의 수직 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 멀티칩 레이저 본딩 장치(10)는, 도 1 내지 7을 참조하면, 챔버 하우징(100)과 기판 지지대(200)와 레이저 조사 수단(300) 및 가압 필름(400)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 멀티칩 레이저 본딩 장치(10)는 챔버 압력 측정 수단(500)을 더 포함할 수 있다.
상기 멀티칩 레이저 본딩 장치(10)는 챔버 하우징(100)의 내부에서 기판(20)과 멀티칩(30)의 상면에 레이저를 조사하여 기판(20)의 상면에 레이저 본딩할 수 있다. 상기 멀티칩 레이저 본딩 장치(10)는 가압 가스로 가압 필름(400)을 가압하면서 멀티칩(30)의 상면에 접촉하도록 하여 멀티칩(30)의 상면을 균일하게 가압할 수 있다. 따라서, 상기 멀티칩 레이저 본딩 장치(10)는 균일한 압력으로 멀티칩(30)을 가압하면서 기판(20)에 레이저 본딩할 수 있다.
상기 멀티칩 레이저 본딩 장치(10)는 멀티칩(30)의 본딩 과정에서 멀티칩(30)의 상면에서 상부로 이격되어 챔버 하우징(100)을 수평 방향으로 공간 분할하는 가압 필름(400)을 이용하여 멀티칩(30)의 상면에 압력을 인가할 수 있다.
상기 멀티칩 레이저 본딩 장치(10)는 대면적 레이저 조사 수단(300)을 이용하여 멀티칩(30)을 레이저 본딩하므로 멀티칩(30)에 대한 택 타입(tact time)을 단축시키고 멀티칩(30)의 본딩을 신속하고 효율적으로 진행할 수 있다.
상기 멀티칩 레이저 본딩 장치(10)는 레이저 본딩 과정에서 본딩 압력과 솔더 용융 온도로 유지되고, 흄 배기 과정에서 챔버 하우징(100)의 내부가 진공 배기되면서 배기 압력과 흄 발생 온도로 유지될 수 있다. 상기 솔더 용융 온도는 230 ~ 270℃의 온도일 수 있다. 상기 흄 발생 온도는 180 ~ 220℃의 온도일 수 있다.
상기 챔버 하우징(100)은 상부 투과창(110)과 상부 가압 급기구(120)와 하부 진공 배기구(130)와 하부 가스 공급구(140) 및 상부 진공 배기구(150)를 포함할 수 있다.
상기 챔버 하우징(100)은 내부가 중고인 박스 형상으로 형성될 수 있다. 상기 챔버 하우징(100)은 상부가 개방되는 챔버 본체(100a) 및 챔버 본체(100a)에 분리 가능하게 결합되는 챔버 본체(100a)의 상부를 밀폐하는 챔버 상부 커버(100b)로 형성될 수 있다. 상기 챔버 하우징(100)은 내부에 대한 유지 보수가 필요한 경우에 챔버 상부 커버(100b)를 분리할 수 있다.
상기 챔버 하우징(100)은 내부에 기판 지지대(200)와 가압 필름(400)이 수용되는 공간을 제공할 수 있다. 또한, 상기 챔버 하우징(100)은 기판 지지대(200)의 상면에 레이저 본딩되는 기판(20)과 멀티칩(30)이 안착되도록 할 수 있다.
또한, 상기 챔버 하우징(100)은 내부 공간이 가압 필름(400)에 의하여 상부 공간(100c)과 하부 공간(100d)으로 분리될 수 있다. 상기 상부 공간(100c)은 가압 필름(400)을 가압하는 가압 가스가 유입되는 공간이다. 상기 하부 공간(100d)은 기판 지지대(200)와 기판(20) 및 멀티칩(30)이 위치하는 공간이다.
상기 챔버 하우징(100)은 레이저 본딩 과정에서 본딩 압력과 솔더 용융 온도로 유지되고, 퓸 배기 과정에서 하부 공간(100d)의 내부가 진공 배기되면서 배기 압력과 퓸 발생 온도로 유지될 수 있다.
상기 상부 투과창(110)은 평판 형상으로 형성되며, 챔버 하우징(100)의 상부에 결합될 수 있다. 상기 상부 투과창(110)은 챔버 하우징(100)의 상면에서 하면으로 관통되도록 결합될 수 있다. 상기 상부 투과창(110)은 레이저 본딩되는 기판(20)의 평면 형상에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 상부 투과창(110)은 기판(20)의 면적보다 큰 면적으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 상부 투과창(110)은 레이저 조사 수단(300)의 평면 면적에 대응되는 면적으로 형성될 수 있다. 상기 상부 투과창(110)은 챔버 상부 커버(100b)의 두께보다 작은 두께로 형성될 수 있다.
상기 상부 투과창(110)은 상부에 위치하는 레이저 조사 수단(300)에서 조사되는 레이저를 챔버 하우징(100)의 내부로 투과시킬 수 있다. 따라서, 상기 상부 투과창(110)은 레이저 조사 수단(300)에서 조사되는 레이저에 대한 투과율이 90% 이상인 재질로 형성될 수 있다. 상기 상부 투과창(110)은 쿼쯔 재질로 형성될 수 있다.
상기 상부 가압 급기구(120)는 챔버 하우징(100)의 측벽 상부에 외부에서 내부로 관통되는 홀 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 상부 가압 급기구(120)는 챔버 본체(100a)의 상부에 형성될 수 있다. 상기 상부 가압 급기구(120)는 챔버 하우징(100)의 면적에 따라 1개 또는 복수 개로 형성될 수 있다.
상기 상부 가압 급기구(120)는 레이저 본딩 과정에서 챔버 하우징(100)의 상부 공간(100c)으로 공급되는 가압 가스가 유입되는 경로를 제공할 수 있다. 상기 상부 가압 급기구(120)로 공급되는 가압 가스는 질소, 알곤과 같은 불활성 가스일 수 있다. 상기 상부 가압 급기구(120)는 외부의 가스 공급 수단과 연결될 수 있다.
상기 하부 진공 배기구(130)는 챔버 하우징(100)의 측벽 하부에 외부에서 내부로 관통되는 홀 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 하부 진공 배기구(130)는 챔버 본체(100a)의 하부에 형성될 수 있다. 상기 하부 진공 배기구(130)는 챔버 하우징(100)의 면적에 따라 1개 또는 복수 개로 형성될 수 있다.
상기 하부 진공 배기구(130)는 챔버 하우징(100)의 하부 공간(100d)을 진공 배기할 수 있다. 따라서, 상기 하부 진공 배기구(130)는 레이저 본딩후에 레이저 본딩 과정에서 발생되는 본딩 흄을 외부로 배출하는 경로를 제공할 수 있다. 상기 본딩 흄은 레이저 본딩을 위한 솔더 범프와 혼합되는 플럭스등이 연소되면서 발생되는 가스 성분들을 포함할 수 있다. 상기 하부 진공 배기구(130)는 별도의 진공 펌프와 연결될 수 있다. 상기 진공 펌프가 작동되면 상기 하부 진공 배기구(130)는 레이저 본딩 과정에서 발생된 본딩 흄을 외부로 배출할 수 있다.
상기 하부 가스 공급구(140)는 챔버 하우징(100)의 측벽 하부에 외부에서 내부로 관통되는 홀 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 하부 가스 공급구(140)는 챔버 본체(100a)의 하부에 형성될 수 있다. 상기 하부 가스 공급구(140)는 챔버 하우징(100)의 면적에 따라 1개 또는 복수 개로 형성될 수 있다. 상기 하부 가스 공급구(140)는 바람직하게는 하부 진공 배기구(130)와 반대측에 형성될 수 있다.
상기 하부 가스 공급구(140)는 레이저 본딩 과정에서 또는 레이저 본딩후에 멀티칩(30)과 기판(20)이 위치하는 하부 공간(100d)에 희석 가스가 공급되는 경로를 제공할 수 있다. 상기 희석 가스는 레이저 본딩 과정에서 발생되는 본딩 흄을 희석하여 챔버 하우징(100)의 내부가 오염되는 것을 감소시킬 수 있다. 상기 하부 가스 공급구(140)로 공급되는 희석 가스는 질소, 알곤과 같은 불활성 가스일 수 있다. 상기 하부 가스 공급구(140)는 외부의 가스 공급 수단과 연결될 수 있다.
상기 상부 진공 배기구(150)는 챔버 하우징(100)의 측벽 상부에 외부에서 내부로 관통되는 홀 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 상부 진공 배기구(150)는 챔버 본체(100a)의 상부에 형성될 수 있다. 상기 상부 진공 배기구(150)는 챔버 하우징(100)의 면적에 따라 1개 또는 복수 개로 형성될 수 있다.
상기 상부 진공 배기구(150)는 상부 공간(100c)의 진공을 유지하기 위한 배기 경로를 제공할 수 있다. 상기 하부 공간(100d)을 진공으로 만들면서 본딩 흄을 배출할 때, 상부 공간(100c)을 동일 또는 유사한 정도의 진공을 유지할 필요가 있다. 만약, 상기 상부 공간(100c)을 진공으로 만들지 않으면 가압 필름(400)은 하부 방향으로 과도하게 변형될 수 있다. 상기 상부 진공 배기구(150)는 별도의 진공 펌프와 연결될 수 있다. 상기 진공 펌프가 작동되면 상부 진공 배기구(150)는 상부 공간(100c)을 진공으로 만들기 위하여 배기할 수 있다.
상기 기판 지지대(200)는 지지 본체(210) 및 지지 기둥(220)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 기판 지지대(200)는 기판 히터(230)를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 기판 지지대(200)는 기판 압력 측정 수단(240) 및 기판 단열재(250)를 더 포함할 수 있다. 상기 기판 지지대(200)는 기판 승강 수단(260)을 더 포함할 수 있다.
상기 기판 지지대(200)는 챔버 하우징(100)의 내부에서 상부 투과창(110)의 하부에 이격되어 위치하며, 멀티칩(30)이 안착되는 기판(20)을 지지할 수 있다.
상기 지지 본체(210)는 소정 두께를 갖는 판상으로 형성될 수 있다. 상기 지지 본체(210)는 강도와 내열성을 가지는 재료로 형성될 수 있다. 상기 지지 본체(210)는 스테인레스 스틸과 같은 금속 재질 또는 알루미나, 실리콘과 같은 세라믹 재질로 형성될 수 있다.
상기 지지 본체(210)는 레이저 본딩되는 기판(20)보다 큰 면적으로 형성될 수 있다. 상기 지지 본체(210)는 상면에 기판(20)을 안착시켜 지지할 수 있다. 또한, 상기 지지 본체(210)는 레이저 본딩 과정에서 기판(20)에 인가되는 압력에 의하여 변형되지 않고 기판(20)을 지지할 수 있다.
상기 지지 기둥(220)은 상단이 지지 본체(210)의 하면에 결합되고, 하단이 챔버 하우징(100)의 하부로 연장될 수 있다. 상기 지지 기둥(220)은 챔버 하우징(100)의 하측 외부로 연장될 수 있다. 상기 지지 기둥(220)은 레이저 본딩 과정에서 지지 본체(210)에 인가되는 압력에 의하여 변형되지 않도록 소정의 강도를 갖도록 형성될 수 있다
상기 기판 히터(230)는 지지 본체(210)의 내부에 형성될 수 있다. 상기 기판 히터(230)는 지지 본체(210)의 내부에서 지그재그로 연장되는 열선 히터 또는 일 방향으로 연장되고 일 방향에 수직인 방향으로 이격되는 복수 개의 바 형태의 히터로 형성될 수 있다. 상기 기판 히터(230)는 레이저 본딩 과정 또는 본딩 흄 배기 과정에서 지지 본체(210) 또는 기판(20)을 가열할 수 있다.
상기 기판 압력 측정 수단(240)은, 도 2를 참조하면, 지지 본체(210)의 하부에 위치할 수 있다. 상기 기판 압력 측정 수단(240)은 복수개의 압력 센서가 서로 이격되어 위치할 수 있다. 상기 기판 압력 측정 수단(240)은 가압 필름(400)에 의하여 멀티칩(30) 또는 기판(20)으로 인가되는 압력을 측정할 수 있다. 상기 기판 압력 측정 수단(240)의 압력 센서는 로드셀과 같은 센서로 형성될 수 있다.
상기 기판 단열재(250)는 판상으로 형성되며, 지지 본체(210)의 하면과 기판 압력 측정 수단(240) 사이에 위치할 수 있다. 상기 기판 단열재(250)는 단열 세라믹으로 형성될 수 있다. 상기 기판 단열재(250)는 지지 본체(210)에서 기판 압력 측정 수단(240)으로 전달되는 열을 차단할 수 있다. 따라서, 상기 기판 압력 측정 수단(240)은 지지 본체(210)의 열에 영향받지 않고 압력을 측정할 수 있다.
상기 기판 승강 수단(260)은 지지 기둥(220)의 하부에 결합되며 지지 기둥(220)과 지지 본체(210)를 상하로 이송시킬 수 있다. 따라서, 상기 기판 승강 수단(260)은 기판과 멀티칩을 상하로 이송시킬 수 있다. 상기 기판 승강 수단(260)은 반도체 공정 장비에서 기판 지지대(200)를 승강시키는 일반적인 수단으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판 승강 수단(260)은 모터와 볼 스크류와 같은 수단 또는 공압 실린더와 같은 수단으로 형성될 수 있다.
상기 레이저 조사 수단(300)은 챔버 하우징(100)의 상부 외측에 위치하여 멀티칩(30)의 상부로 레이저를 조사할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 레이저 조사 수단(300)은 상부 투과창(110)의 상부에 위치하여 상부 투과창(110)을 통하여 레이저를 조사할 수 있다. 상기 레이저 조사 수단(300)은 멀티칩(30)의 전체에 대하여 전체적으로 균일하게 동시에 레이저를 조사할 수 있다.
상기 레이저 조사 수단(300)은 발광 소자 기판(310)과 기판 지지 블록(320)과 열전도판(330) 및 냉각 블록(340)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 레이저 조사 수단(300)은 상부 결합 나사(350) 및 하부 결합 나사(360)를 더 포함할 수 있다.
상기 레이저 조사 수단(300)은 복수 개의 레이저 발광 유닛이 폭 방향으로 배열되어 소정 면적으로 레이저를 조사할 수 있다. 상기 레이저 조사 수단(300)은 레이저 본딩에 필요한 레이저 빔을 발광하여 전측으로 조사할 수 있다. 상기 레이저 발광 유닛은 복수개의 레이저 발광 소자를 구비할 수 있다. 상기 레이저 발광 소자는 면 발광 레이저 소자, 에지 발광 레이저 소자 또는 VCSEL 소자로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 레이저 조사 수단(300)은 기판(20)의 면적보다 큰 면적으로 배열되는 복수 개의 VCSEL 소자를 포함할 수 있다.
상기 VCSEL 소자는 레이저 빔을 조사하는 일반적인 VCSEL 소자로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 VCSEL 소자는 면발광 레이저를 발진하는 소자일 수 있다. 상기 VCSEL 소자는 평면이 사각 형상으로 이루어지며, 바람직하게는 정사각형 또는 폭과 길이의 비가 1:2를 초과하지 않는 직사각형 형상으로 형성될 수 있다. 상기 VCSEL 소자는 육면체 형상의 칩으로 제조되며, 일면에서 고출력의 레이저 빔을 발진할 수 있다. 상기 VCSEL 소자는 복수 개가 발광 소자 기판(310)의 상면에 격자 형상으로 배열될 수 있다. 상기 VCSEL 소자는 소자 영역(300a)의 면적과 필요로 하는 레이저 빔의 에너지 량에 따라 적정한 개수가 적정한 간격으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 VCSEL 소자는 발광되는 레이저 빔이 인접하는 VCSEL 소자의 레이저 빔과 오버랩될 때 균일한 에너지를 조사할 수 있는 간격으로 위치할 수 있다.
이하에서, 길이 방향은 상대적으로 길이가 긴 방향이며, 폭 방향은 상대적으로 길이가 짧은 방향을 의미할 수 있다.
상기 발광 소자 기판(310)은 소정 폭과 길이를 갖는 기판으로 형성되며, 길이가 상대적으로 길어 길이 방향으로 연장되는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 발광 소자 기판(310)은 상부에 복수 개의 레이저 발광 소자(311)가 격자 형상으로 배열될 수 있다. 상기 발광 소자 기판(310)은 복수개가 폭 방향으로 배열될 수 있다. 예를 들면, 도 3에서 보는 바와 같이 4개가 폭 방향으로 배열될 수 있다. 상기 발광 소자 기판(310)은 복수개로 분할되어 형성되므로 어느 하나의 레이저 발광 소자(311)가 고장 나는 경우에 해당 발광 소자 기판(310)만을 분리하여 교체할 수 있다.
상기 발광 소자 기판(310)은 양측에 기판 관통홀(312)을 구비할 수 있다. 상기 기판 관통홀(312)은 발광 소자 기판(310)의 상면에서 하면으로 관통되어 형성될 수 있다. 상기 기판 관통홀(312)은 발광 소자 기판(310)에서 레이저 발광 소자(311)가 형성되지 않는 양측 영역에 형성될 수 있다. 상기 기판 관통홀(312)은 상부 결합 나사(350)가 관통하는 통로를 제공할 수 있다.
상기 기판 지지 블록(320)은 발광 소자 기판(310)의 평면 형상에 대응되는 판상으로 형성될 수 있다. 상기 기판 지지 블록(320)은 발광 소자 기판(310)의 하면에 결합되어 발광 소자 기판(310)을 지지할 수 있다. 상기 기판 지지 블록(320)은 구리 또는 알루미늄과 같이 열전도성이 좋은 금속으로 형성될 수 있다.
상기 기판 지지 블록(320)은 양측에 지지 블록 관통홀(321)을 구비할 수 있다. 상기 지지 블록 관통홀(321)은 기판 지지 블록(320)의 상면에서 하면으로 관통되어 형성될 수 있다. 상기 지지 블록 관통홀(321)은 기판 관통홀(312)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 상기 지지 블록 관통홀(321)은 상부 결합 나사(350)가 관통하는 통로를 제공할 수 있다.
또한, 상기 기판 지지 블록(320)은 내측에 지지 블록 결합홈(322)을 구비할 수 있다. 상기 지지 블록 결합홈(322)은 기판 지지 블록(320)의 면에서 상부로 소정 깊이로 형성될 수 있다. 상기 지지 블록 결합홈(322)은 하부 결합 나사(360)가 나사 결합되는 통로를 제공할 수 있다.
상기 열전도판(330)은 기판 지지 블록(320)의 평면 형상에 대응되는 판상으로 형성될 수 있다. 상기 열전도판(330)은 기판 지지 블록(320)의 하면에 전체적으로 접촉되도록 형성될 수 있다. 상기 열전도판(330)은 접촉되면서 변형될 수 있는 탄성이 있는 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 열전도판(330)은 열전도성이 우수한 재질로 형성될 수 있다. 상기 열전도판(330)은 그라파이트 시트, BN 시트 또는 구리 시트로 형성될 수 있다. 상기 열전도판(330)은 상부에 위치하는 기판 지지 블록(320)과 하부에 위치하는 냉각 블록(340)과 접촉하면서 기판 지지 블록(320)의 열이 냉각 블록(340)으로 용이하게 전도되도록 할 수 있다.
상기 열전도판(330)은 양측에 전도판 관통홀(331)을 구비할 수 있다. 상기 전도판 관통홀(331)은 열전도판(330)의 상면에서 하면으로 관통되어 형성될 수 있다. 상기 전도판 관통홀(331)은 지지 블록 관통홀(321)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 상기 전도판 관통홀(331)은 상부 결합 나사(350)가 관통하는 통로를 제공할 수 있다.
상기 열전도판(330)은 내측에 전도판 결합홀(332)을 구비할 수 있다. 상기 전도판 결합홀(332)은 열전도판(330)의 상면에서 하면으로 관통되어 형성될 수 있다. 상기 전도판 결합홀(332)은 지지 블록 결합홈(322)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 상기 전도판 결합홀(332)은 하부 결합 나사(360)가 관통하는 통로를 제공할 수 있다.
상기 냉각 블록(340)은 레이저 발광 유닛을 구성하는 발광 소자 기판(310)의 평면 형상에 대응되는 판상으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 냉각 블록(340)은 도 3에서 보는 바와 같이 4개의 발광 소자 기판(310)의 평면 면적에 대응되는 면적을 갖는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 냉각 블록(340)은 열전도판(330)의 하면에 전체적으로 접촉되어 열전도판(330)에서 전달되는 열을 냉각시킨다. 따라서, 상기 냉각 블록(340)은 내부에 냉각수가 흐른다. 상기 냉각 블록(340)은 구리 또는 알루미늄과 같이 열전도성이 좋은 금속으로 형성될 수 있다.
상기 냉각 블록(340)은 양측에 냉각 블록 관통홀(341)을 구비할 수 있다. 상기 냉각 블록 관통홀(341)은 냉각 블록(340)의 상면에서 하면으로 관통되어 형성될 수 있다. 상기 냉각 블록 관통홀(341)은 기판 관통홀(312)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 상기 냉각 블록 관통홀(341)은 상부 결합 나사(350)가 나사 결합되는 통로를 제공할 수 있다.
상기 냉각 블록(340)은 내측에 냉각 블록 결합홀(342)을 구비할 수 있다. 상기 냉각 블록 결합홀(342)은 냉각 블록(340)의 상면에서 하면으로 관통되어 형성될 수 있다. 상기 냉각 블록 결합홀(342)은 전도판 결합홀(332)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 상기 냉각 블록 결합홀(342)은 하부 결합 나사(360)가 상부로 관통하는 통로를 제공할 수 있다.
상기 냉각 블록(340)은 하면에서 냉각 블록(340)의 내측으로 연장된 후에 다시 하면으로 개방되는 냉각 유로(343)를 더 구비할 수 있다. 상기 냉각 유로(343)는 하면에서 형성되는 냉각수 유입구(343a)와 냉각수 유출구(343b)를 구비하며 냉각 블록(340)의 내부에 냉각수가 흐르는 냉각수 통로(343c)가 형성될 수 있다. 상기 냉각 유로(343)는 외부에서 공급되는 냉각수를 냉각 블록(340)의 내부에서 순환시킨 후에 외부로 유출시키면서 냉각 블록(340)을 냉각시킬 수 있다.
또한, 상기 냉각 블록(340)은 냉각 유로(343)의 내부에 냉각수의 흐름을 지그재그로 흐르도록 유도하는 냉각 유도 블록(344)을 더 구비할 수 있다. 상기 냉각 유도 블록(344)은 냉각수 통로에 위치하여 내부를 흐르는 냉각수가 상하 방향 또는 수평 방향으로 지그재그로 흐르도록 하여 냉각수와 냉각 블록(340)의 접촉 시간과 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 상기 냉각 유도 블록(344)은 보다 효율적으로 냉각 블록(340)이 냉각수에 의하여 냉각되도록 할 수 있다. 상기 냉각 블록(340)은 판상으로 형성되며 상면에서 하면으로 관통되는 유도 관통홀(345a)이 형성된 냉각 블록판(345)이 적층되어 냉각 유도 블록(344)을 형성할 수 있다.
상기 상부 결합 나사(350)는 기판 관통홀(312)로부터 전도판 관통홀(331)을 통과하여 냉각 블록 관통홀(341)에 나사 결합될 수 있다. 상기 상부 결합 나사(350)는 발광 소자 기판(310)과 기판 지지 블록(320) 및 열전도판(330)을 냉각 블록(340)에 고정할 수 있다. 상기 상부 결합 나사(350)는 바람직하게는 각각의 발광 소자 기판(310)의 양측에서 발광 소자 기판(310)의 기판 관통홀(312)을 통과하여 냉각 블록 관통홀(341)에 결합될 수 있다. 따라서, 상기 발광 소자 기판(310)의 어느 하나를 분리하는 경우에, 해당 상부 결합 나사(350)만을 풀어서 해당 발광 소자 기판(310)을 냉각 블록(340)으로부터 분리할 수 있다.
상기 하부 결합 나사(360)는 냉각 블록 결합홀(342)로부터 전도판 결합홀(332)을 관통하여 지지 블록 결합홈(322)에 나사 결합될 수 있다. 상기 하부 결합 나사(360)는 기판 지지 블록(320) 및 열전도판(330)의 내측을 냉각 블록(340)에 고정할 수 있다. 따라서, 상기 하부 결합 나사(360)는 상대적으로 길게 형성되는 기판 지지 블록(320)과 열전도판(330)을 냉각 블록(340)에 보다 견고하게 밀착시켜 기나 지지 블록의 열이 열전도판(330)을 통하여 냉각 블록으로 전도되도록 할 수 있다. 상기 하부 결합 나사(360)는 바람직하게는 각각의 기판 지지 블록(320)에 대하여 독립적으로 냉각 블록에 결합되도록 한다. 따라서, 상기 발광 소자 기판(310)의 어느 하나를 분리하는 경우에, 해당 발광 소자 기판(310)을 지지하는 기판 지지 블록(320)만을 냉각 블록으로부터 분리할 수 있다.
상기 가압 필름(400)은 가압 가스의 압력에 의하여 변형되는 적어도 한장의 필름으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 가압 필름(400)은 레이저를 투과시키는 투명 재질로 형성될 수 있다. 상기 가압 필름(400)은 챔버 하우징(100)의 수평 면적에 대응되는 면적 또는 큰 면적으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 가압 필름(400)은 상부 투과창(110)보다 큰 폭과 길이로 형성될 수 있다. 또한, 상기 가압 필름(400)은 기판(20)보다 큰 폭과 길이로 형성될 수 있다. 상기 가압 필름(400)은 멀티칩(30)의 상면으로부터 상부로 이격되어 챔버 하우징(100)의 내부에 수평하게 결합될 수 있다. 또한, 상기 가압 필름(400)은 멀티칩(30)의 상면과 5 ~ 20mm의 거리로 이격될 수 있다. 상기 가압 필름(400)과 멀티칩(30)의 거리가 너무 작으면 기판(20)과 멀티칩(30)을 챔버 하우징(100)의 내부로 이송하는 과정에서 멀티칩(30)과 가압 필름(400)이 접촉할 수 있다. 또한, 상기 가압 필름(400)과 멀티칩(30)의 거리가 너무 크면, 가압 과정에서 가압 필름(400)의 변형이 크게 되어 가압 필름(400)의 손상을 초래할 수 있다.
상기 가압 필름(400)은 4개 모서리가 모두 챔버 하우징(100)의 4개 모서리에 결합될 수 있다. 상기 가압 필름(400)은 챔버 하우징(100)의 내부 공간을 수평 방향으로 상부 공간(100c)과 하부 공간(100d)으로 분할할 수 있다.
상기 상부 공간(100c)은 상부 가압 급기구(120)와 상부 진공 배기구(150)가 연결될 수 있다. 상기 상부 공간(100c)은 상부 가압 급기구(120)에서 공급되는 가압 가스가 유입되는 공간이다. 따라서, 상기 가압 필름(400)은 상부 가압 급기구(120)에서 상부 공간(100c)으로 유입되는 가압 가스에 의하여 변형되면서 멀티칩(30)의 상면에 접촉하면서 멀티칩(30)의 상면에 압력을 인가할 수 있다. 또한, 상기 상부 공간(100c)은 흄 배기 과정에서 상부 진공 배기구(150)에 의하여 진공으로 유지될 수 있다. 상기 상부 공간(100c)은 하부 공간(100d)과 동일 또는 유사한 진공도를 유지할 수 있다.
또한, 상기 하부 공간(100d)은 기판(20)과 멀티칩(30)이 위치하며 하부 진공 배기구(130)와 하부 가스 공급구(140)가 연결될 수 있다. 상기 하부 공간(100d)은 흄 배기 과정에서 하부 진공 배기구(130)에 의하여 진공으로 유지될 수 있다. 또한, 상기 하부 공간(100d)은 하부 가스 공급구(140)에서 유입되는 희석 가스에 의하여 흄 배기 과정에서 발생되는 본딩 흄이 희석되도록 할 수 있다.
상기 가압 필름(400)은 판상의 필름으로 형성되므로 레이저 본딩 과정에서 본딩 흄에 의하여 하면이 오염될 수 있다. 따라서, 상기 가압 필름(400)은 레이저의 투과율이 떨어지는 경우에 교체될 수 있다.
상기 가압 필름(400)은 오염도 센서(410)를 포함할 수 있다. 상기 오염도 센서(410)는 광을 발광하는 발광 유닛(410a)과 광을 수광하는 수광 유닛(410b)을 포함할 수 있다. 상기 오염도 센서(410)의 발광 유닛(410a)은 가압 필름(400)의 상부 또는 하부에 위치하며, 수광 유닛(410b)은 가압 필름(400)의 하부 또는 상부에 위치할 수 있다. 상기 발광 유닛(410a)이 가압 필름(400)으로 광을 조사하며, 수광 유닛(410b)이 가압 필름(400)을 통과하는 광을 수광하여 가압 필름(400)의 오염도를 측정할 수 있다.
또한, 상기 오염도 센서(410)는 레이저를 수광하는 수광 유닛(410b)만으로 형성될 수 있다. 이러한 경우에. 상기 오염도 센서(410)는 가압 필름(400)의 하면에서 하부로 이격되는 위치에 형성될 수 있다. 상기 오염도 센서(410)는 레이저 조사 수단(300)에서 조사되어 가압 필름(400)을 투과하는 레이저를 수광할 수 있다. 상기 오염도 센서(410)는 수광되는 레이저의 양이 소정 기준보다 낮아지는 경우에 가압 필름(400)이 오염되어 교체가 필요한 것으로 결정할 수 있다.
한편, 상기 가압 필름(400)은, 도 7에서 보는 바와 같이, 롤투롤 방식으로 공급될 수 있다. 예를 들면, 상기 가압 필름(400)은 챔버 하우징(100)의 외부 양측에 위치하는 공급롤(420) 및 권취롤(430)에 의하여 공급될 수 있다.
상기 가압 필름(400)은 초기에 공급롤(420)에 감겨져 있으며, 레이저 본딩에 사용된 후에 권취롤(430)에 감져질 수 있다. 이러한 경우에 상기 가압 필름(400)은 폭이 챔버 하우징(100)의 폭보다 큰 폭으로 형성될 수 있다. 상기 가압 필름(400)은 오염도가 증가되어 교체가 필요한 경우에 일측 방향으로 상부 투과창(110)의 길이에 대응되는 길이만큼 감겨지면서 교체될 수 있다. 상기 가압 필름(400)은 별도의 고정 수단에 의하여 챔버 하우징(100)의 4개의 측벽에 고정될 수 있다. 따라서, 상기 가압 필름(400)은 챔버 하우징(100)의 내부 공간을 상부 공간(100c)과 하부 공간(100d)으로 분리할 수 있다. 또한, 상기 가압 필름(400)은 교체되어야 하는 경우에 고정 수단으로부터 분리될 수 있다. 따라서, 상기 가입 필름은 공급롤(420)에서 공급되고 권취롤(430)에서 감겨지면서 새로운 가압 필름(400)이 멀티 칩의 상부에 위치할 수 있다.
또한, 상기 가압 필름(400)은 텐셔너(440)를 더 포함할 수 있다. 상기 텐셔너(440)는 가압 필름(400)이 사용될 때 가압 필름(400)의 장력을 조절할 수 있다. 상기 텐셔너(440)는 필름의 장력을 조절할 때 사용되는 일반적인 텐셔너(440)로 사용될 수 있다. 상기 텐셔너(440)는 챔버 하우징(100)의 외부에 위치하며, 가압 필름(400)과 접촉하여 텐션을 조절할 수 있다.
상기 챔버 압력 측정 수단(500)은 상부 압력 측정 수단(510) 및 하부 압력 측정 수단(520)을 포함할 수 있다.
상기 상부 압력 측정 수단(510)은 챔버 하우징(100)의 상부 공간(100c)의 압력을 측정할 수 있다. 상기 상부 압력 측정 수단(510)은 가스의 압력을 측정하는 일반적인 센서로 형성될 수 있다. 상기 상부 압력 측정 수단(510)은 챔버 하우징(100)의 측벽 상부에서 상부 공간(100c)으로 연결되도록 결합될 수 있다.
상기 하부 압력 측정 수단(520)은 챔버 하우징(100)의 하부 공간(100d)의 압력을 측정할 수 있다. 상기 하부 압력 측정 수단(520)은 가스의 압력을 측정하는 일반적인 센서로 형성될 수 있다. 상기 하부 압력 측정 수단(520)은 챔버 하우징(100)의 측벽 하부에서 하부 공간(100d)으로 연결되도록 결합될 수 있다.
다음은 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티칩 레이저 본딩 장치의 작용에 대하여 설명한다.
도 8는 도 1의 멀티칩 레이저 본딩 장치의 작용을 나타내는 수직 단면도이다.
먼저, 상기 기판 지지대(200)의 상면에 기판(20)과 멀티칩(30)이 안착될 수 있다. 상기 상부 가압 급기구(120)를 통하여 상부 공간(100c)으로 가압 가스가 공급되면, 가압 필름(400)은 하부 방향으로 변형되면서 하면이 멀티칩(30)의 상면과 접촉할 수 있다. 상기 가압 가스는 상부 공간(100c)이 정해진 압력으로 상승할 때까지 지속적으로 공급될 수 있다. 상기 가압 필름(400)은 멀티칩(30)의 상면과 접촉하면서 멀티칩(30)을 가압할 수 있다. 상기 멀티칩(30) 레이저 본딩 장치(10)는 정해진 조건에서 레이저 본딩 과정을 진행할 수 있다. 상기 멀티칩(30)에 인가되는 본딩 압력은 압력 측정 수단에 의하여 측정될 수 있다. 상기 챔버 하우징(100)은 내부가 솔더 용융 온도로 유지되며, 불활성 분위기로 유지될 수 있다.
상기 멀티칩(30) 레이저 본딩 장치(10)는 레이저 본딩 과정이 완료된 후에 흄 배기 과정을 진행할 수 있다. 상기 상부 가압 급기구(120)는 더 이상 가압 가스를 상부 공간(100c)으로 공급하지 않는다. 상기 하부 진공 배기구(130)는 하부 공간(100d)에서 진공을 흡입하여 레이저 본딩 과정에서 발생한 본딩 흄을 배기할 수 있다. 또한, 상기 하부 가스 공급구(140)는 희석 가스를 하부 공간(100d)으로 공급하여 본딩 흄을 희석시킬 수 있다. 또한, 상기 상부 진공 배기구(150)는 상부 공간(100c)에 대하여 진공을 흡입하여 가압 필름(400)이 과도하게 변형되는 것을 방지할 수 있다. 상기 흄 배기 과정이 종료되면, 레이저 본딩된 기판(20)과 멀티칩(30)은 외부로 반출될 수 있다.
상기 멀티칩 레이저 본딩 장치(10)는 레이저 본딩 과정과 흄 배기 과정을 순차적으로 진행할 수 있다. 따라서, 상기 챔버 하우징(100)의 하부 공간(100d)은 레이저 본딩 과정에서 본딩 압력과 솔더 용융 온도로 유지되고, 흄 배기 과정에서 배기 압력과 흄 발생 온도로 유지될 수 있다. 상기 솔더 용융 온도는 흄 발생 온도보다 높을 수 있다. 또한, 본딩 압력은 배기 압력보다 높을 수 있다.
본 명세서에 개시된 실시예는 여러 가지 실시 가능한 예중에서 당업자의 이해를 돕기 위하여 가장 바람직한 실시예를 선정하여 제시한 것일 뿐, 이 발명의 기술적 사상이 반드시 이 실시예에만 의해서 한정되거나 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 부가 및 변경이 가능함 물론, 균등한 다른 실시예의 구현이 가능하다.
10: 멀티칩 레이저 본딩 장치
20: 기판 30: 멀티칩
100: 챔버 하우징 110: 상부 투과창
120: 상부 가압 급기구 130: 하부 진공 배기구
140: 하부 가스 공급구 150: 상부 진공 배기구
200: 기판 지지대 210: 지지 본체
220: 지지 기둥 230: 기판 히터
240: 기판 압력 측정 수단 250: 기판 단열재
260: 지지대 승강 장치
300: 레이저 조사 수단
310: 발광 소자 기판 320: 기판 지지 블록
330: 열전도판 340: 냉각 블록
350: 상부 결합 나사 360: 하부 결합 나사
400: 가압 필름 410: 오염도 센서
410a: 발광 유닛 410b: 수광 유닛
420: 공급롤 430: 권취롤
440: 텐셔너
500: 챔버 압력 측정 수단
510: 상부 압력 측정 수단 520: 하부 압력 측정 수단

Claims (19)

  1. 삭제
  2. 레이저를 관통시키는 상부 투과창 및 상부 가압 급기구를 구비하는 챔버 하우징과,
    상기 챔버 하우징의 내부에서 상기 상부 투과창의 하부에 이격되어 위치하며, 멀티칩이 안착되는 기판을 지지하는 지지 본체를 포함하는 기판 지지대와,
    상기 챔버 하우징의 외부에서 상기 상부 투과창을 통하여 상기 멀티칩의 상부로 레이저를 조사하는 레이저 조사 수단 및
    상기 레이저를 투과시키며, 상기 멀티칩의 상면에서 상부로 이격되어 위치하여 상기 멀티칩의 상면에 압력을 인가하는 가압 필름을 포함하며,
    상기 상부 가압 급기구는 상기 챔버 하우징의 상부에 위치하며,
    상기 가압 필름은 상기 챔버 하우징의 내부 공간을 상기 멀티칩이 위치하는 하부 공간과 상기 상부 가압 급기구가 위치하는 상부 공간으로 분리하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  3. 삭제
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 가압 필름은 상기 상부 가압 급기구를 통하여 상기 상부 공간으로 주입되는 가스에 의하여 상기 멀티칩의 상면과 접촉하면서 상기 멀티칩의 상면에 압력을 인가하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 가압 필름은 상기 상부 투과창의 폭과 길이보다 큰 폭과 길이로 형성되고 상기 기판의 폭과 길이보다 큰 폭과 길이로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 가압 필름은 상기 상부 투과창의 폭 및 상기 기판의 폭보다 큰 폭으로 형성되어 롤투롤 방식으로 공급되며,
    상기 멀티칩 레이저 본딩 장치는 상기 가압 필름의 장력을 조절하는 텐셔너를더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 가압 필름은 상기 레이저를 투과시키는 투명 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 레이저 조사 수단은 상기 기판의 면적보다 큰 면적으로 배열되는 복수개의 VCSEL 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 챔버 하우징은 상기 하부 공간을 진공 배기하는 하부 진공 배기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 멀티칩 레이저 본딩 장치는 본딩 과정에서 본딩 압력과 솔더 용융 온도로 유지되고, 흄 배기 과정에서 상기 챔버 하우징의 하부 공간의 내부가 진공 배기되면서 배기 압력과 흄 발생 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 챔버 하우징은 상기 하부 공간의 배기흄을 희석시키기 위한 희석 가스를 공급하는 하부 가스 공급구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  12. 제 2 항에 있어서,
    상기 챔버 하우징은 상기 하부 공간의 흄을 배기하는 과정에서 상기 가압 필름의 변형을 방지하기 위하여 상기 상부 공간을 진공으로 유지하기 위한 상부 진공 배기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  13. 제 2 항에 있어서,
    상기 가압 필름의 오염도를 측정하는 오염도 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  14. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 지지대는 상기 기판을 가열하기 위한 기판 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  15. 제 2 항에 있어서,
    상기 가압 필름에 의하여 상기 기판에 인가되는 압력을 측정하는 기판 압력 측정 수단 및
    상기 기판 압력 측정 수단과 상기 지지 본체 사이에 위치하는 기판 단열재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  16. 제 2 항에 있어서,
    상기 챔버 하우징은 상부가 개방되는 챔버 본체와 상기 챔버 본체와 분리 가능하게 형성되어 상기 챔버 본체의 상부를 밀폐하는 챔버 상부 커버를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  17. 제 2 항에 있어서,
    상기 상부 공간의 압력을 측정하는 상부 압력 측정 수단 및
    상기 하부 공간의 압력을 측정하는 하부 압력 측정 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  18. 제 2 항에 있어서,
    상기 가압 필름은 상기 멀티칩의 상면과 5mm~20mm의 거리로 이격되는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
  19. 제 2 항에 있어서,
    상기 지지 본체를 상하로 이동시키는 기판 승강 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티칩 레이저 본딩 장치.
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