KR20140064400A - 리플로우 장치 - Google Patents

리플로우 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140064400A
KR20140064400A KR1020120131694A KR20120131694A KR20140064400A KR 20140064400 A KR20140064400 A KR 20140064400A KR 1020120131694 A KR1020120131694 A KR 1020120131694A KR 20120131694 A KR20120131694 A KR 20120131694A KR 20140064400 A KR20140064400 A KR 20140064400A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber housing
gas
reflow
product
temperature
Prior art date
Application number
KR1020120131694A
Other languages
English (en)
Inventor
조준형
이석호
박성근
우동순
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020120131694A priority Critical patent/KR20140064400A/ko
Publication of KR20140064400A publication Critical patent/KR20140064400A/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/008Soldering within a furnace
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/012Soldering with the use of hot gas
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/08Auxiliary devices therefor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494Heating methods for reflowing of solder
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

본 발명의 실시 예에 따른 리플로우 장치는 내부에 캐비티가 형성된 챔버 하우징, 챔버 하우징의 적어도 일측에 형성되어 개폐가 가능하며, 제품이 챔버 하우징에 투입 또는 배출되는 입출부, 챔버 하우징 내부에 형성되며, 제품이 안착되는 제품 안착부, 챔버 하우징 내부에 형성되어, 챔버 하우징 내부의 온도를 조절하는 온도 조절부, 챔버 하우징의 상부에 다수개가 형성되며, 챔버 하우징 내부로 리플로우 가스를 유입시키는 가스 유입부 및 챔버 하우징의 적어도 일측에 다수개 형성되며, 챔버 하우징 내부의 리플로우 가스를 외부로 배출시키는 가스 배출부를 포함할 수 있다.

Description

리플로우 장치{REFLOW DEVICE}
본 발명은 리플로우 장치에 관한 것이다.
리플로우 장치는 기판상에 도포된 솔더(Solder)를 용융시켜 기판상에 탑재된 전자부품을 기판에 솔더링(Soldering)하는 장치이다. 리플로우 장치는 기판상에 도포된 솔더를 그 용융점 이상의 온도까지 가열한 다음 냉각시킴으로써, 납땜을 수행한다.(미국 등록 특허 제6015966호) 그러나 종래의 리플로우 장치는 내부로 리플로우 시, 사용되는 가스가 하나의 유입구를 통해서 내부로 주입된다. 또한, 리플로우에 사용된 가스를 제거할 때, 하나의 배출구를 통해서 외부로 배출된다. 이와 같은 종래의 리플로우 장치에서는 내부 위치에 따라 가스의 농도가 달라질 수 있다. 예를 들어, 유입구가 리플로우 장치 상단 중앙에 위치하면, 기판의 중앙 부분에는 가스의 농도가 높고, 기판의 끝단과 같은 유입구와 거리가 먼 곳에는 가스의 농도가 낮을 수 있다. 따라서 위치에 따른 가스의 농도 차이에 의해서 기판과 전자부품 간의 솔더링의 신뢰성이 낮아져 결국 제품의 품질 편차가 생길 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 챔버 하우징의 내부 전체에 균일한 대기압 상태 또는 진공 상태를 유도할 수 있는 리플로우 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 챔버 하우징의 내부로 유입되거나 외부로 배출되는 리플로우 가스의 속도 또는 양을 제어할 수 있는 리플로우 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 내부에 캐비티가 형성된 챔버 하우징, 상기 챔버 하우징의 적어도 일측에 형성되어 개폐가 가능하며, 제품이 상기 챔버 하우징에 투입 또는 배출되는 입출부, 상기 챔버 하우징 내부에 형성되며, 상기 제품이 안착되는 제품 안착부, 상기 챔버 하우징 내부에 형성되어, 상기 챔버 하우징 내부의 온도를 조절하는 온도 조절부, 상기 챔버 하우징의 상부에 다수개가 형성되며, 상기 챔버 하우징 내부로 리플로우 가스를 유입시키는 가스 유입부 및 상기 챔버 하우징의 적어도 일측에 다수개 형성되며, 상기 챔버 하우징 내부의 상기 리플로우 가스를 외부로 배출시키는 가스 배출부를 포함하는 리플로우 장치가 제공된다.
상기 다수개의 가스 유입부는 상호 동일한 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.
상기 가스 유입부의 개폐 정도를 조절하여 상기 챔버 하우징으로 유입되는 리플로우 가스량을 조절하는 가스 유입 밸브를 더 포함할 수 있다.
상기 가스 배출부는 상기 챔버 하우징의 양측면에 다수개가 형성될 수 있다.
상기 가스 배출부는 상호 동일한 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.
상기 가스 배출부의 개폐 정도를 조절하는 가스 배출 밸브를 더 포함할 수 있다.
상기 가스 배출부는 상기 챔버 하우징 내부의 리플로우 가스를 외부로 배출하여 상기 챔버 하우징 내부를 진공 상태가 되도록 할 수 있다.
상기 입출부는 상기 챔버 하우징 일측에 형성되며, 제품이 외부로부터 상기 챔버 하우징 내부로 투입되는 투입부 및 상기 챔버 하우징의 타측에 형성되며, 상기 챔버 하우징 내부의 제품이 외부로 배출되는 배출부를 포함할 수 있다.
상기 온도 조절부는 상기 챔버 하우징 내부를 상기 제품이 리플로우가 수행될 수 있는 온도로 조절할 수 있다.
상기 리플로우 가스는 H2 및 N2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 안되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 리플로우 장치는 챔버 하우징의 내부 전체가 균일하게 대기압 상태 또는 진공 상태가 되도록 할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 리플로우 장치는 챔버 하우징의 내부로 유입되거나 외부로 배출되는 리플로우 가스의 속도 또는 양을 제어할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 리플로우 장치는 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 리플로우 장치를 나타낸 예시도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 리플로우 장치를 나타낸 예시도이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시 예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, "제1", "제2", "일면", "타면" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다. 이하, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지 기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 리플로우 장치를 나타낸 예시도이다.
도 1을 참조하면, 리플로우 장치(100)는 챔버 하우징(110), 입출부(120), 제품 안착부(130), 온도 조절부(140), 가스 유입부(150) 및 가스 배출부(160)를 포함할 수 있다.
리플로우 장치(100)는 제품(200)의 솔더링(Soldering)을 위한 리플로우(Reflow)를 수행하는 장치이다. 예를 들어, 제품(200)은 전자 부품과 같은 칩(Chip)이 실장된 기판이 될 수 있다.
챔버 하우징(110)은 내부에 캐비티(111)가 형성될 수 있다. 캐비티(111)에는 제품(200), 제품 안착부(130) 및 온도 조절부(140)와 같이 리플로우를 위한 구성부가 위치할 수 있다. 즉, 챔버 하우징(110) 내부에서 제품(200)의 리플로우가 수행될 수 있다. 챔버 하우징(110)은 내부의 온도를 유지하기 위해서 내벽이 단열재를 포함하여 형성될 수 있다.
입출부(120)는 챔버 하우징(110)의 적어도 일측에 형성될 수 있다. 입출부(120)를 통해서 외부의 제품(200)이 챔버 하우징(110) 내부로 투입될 수 있다. 또한, 입출부(120)를 통해서 챔버 하우징(110) 내부의 제품이 외부로 배출될 수 있다. 입출부(120)는 개폐가 가능할 수 있다. 예를 들어, 입출부(120)는 제품(200)이 통과할 때만 열리고, 그 이외에는 닫혀있을 수 있다. 입출부(120)가 닫히면 챔버 하우징(110)의 캐비티(111)는 외부로부터 폐쇄될 수 있다. 본 발명의 실시 예에서 입출부(120)가 챔버 하우징(110)의 적어도 일측에 형성됨을 도시하여 설명하였지만, 입출부(120)의 위치 및 구조는 이에 한정되지 않는다. 입출부(120)는 제품(200)이 통과하며, 폐쇄되었을 때 챔버 하우징(110)의 내부가 밀폐된 공간이 되면 위치 및 구조는 당업자가 용이하게 변경하여 적용할 수 있다.
제품 안착부(130)는 제품(200)이 안착될 수 있다. 또한, 제품 안착부(130)는 안착된 제품(200)이 움직이지 않도록 고정시킬 수 있다. 예를 들어, 진공 흡입 등을 이용하여, 제품(200)을 제품 안착부(130)에 고정될 수 있다. 제품 안착부(130)는 제품(200)의 고정을 위해서 진공 흡입뿐만 아니라 제품(200)을 고정시킬 수 있는 공지된 어느 방법도 적용될 수 있다.
온도 조절부(140)는 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 조절할 수 있다. 온도 조절부(140)는 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 제품(200)의 리플로우가 수행될 수 있는 온도로 조절할 수 있다. 즉, 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 제품(200)에 도포된 솔더의 용융점 이상이 되도록 할 수 있다. 예를 들어 온도 조절부(140)는 히터 또는 열풍 분사 장치가 될 수 있다. 그러나 온도 조절부(140)는 종류는 이에 한정되지 않으며, 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 제품(200)의 솔더링을 수행할 수 있는 리플로우 온도로 조절할 수 있는 어느 장치도 가능할 수 있다.
본 발명의 실시 예에서 온도 조절부(140)가 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 리플로우 온도로 조절함을 예시하였지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 온도 조절부(140)는 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 상온 이하로 조절할 수 있다. 온도 조절부(140)는 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 상온 이하로 조절하여 제품(200)의 용융된 솔더가 냉각되도록 할 수 있다.
가스 유입부(150)는 챔버 하우징(110) 내부로 리플로우 가스를 유입할 수 있다. 가스 유입부(150)는 챔버 하우징(110) 상부에 다수개가 형성될 수 있다. 또한, 다수개의 가스 유입부(150)는 상호 일정한 간격으로 이격되도록 형성될 수 있다. 이와 같이 다수개의 가스 유입부(150)가 일정 간격 이격되도록 형성됨으로써, 챔버 하우징(110)의 내부 전체에 균일하게 리플로우 가스 공급이 이루어질 수 있다. 즉, 일정 간격 이격되도록 형성된 다수개의 가스 유입부(150)에 의해서 챔버 하우징(110)의 내부 전체가 균일한 대기압 상태가 되도록 할 수 있다. 또한, 가스 유입부(150)가 다수개 형성됨으로써, 리플로우 가스를 챔버 하우징(110)의 내부로 균일하게 빠른 속도로 주입할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 리플로우 가스는 H2 또는 N2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
가스 배출부(160)는 챔버 하우징(110) 내부의 리플로우 가스를 외부로 배출할 수 있다. 가스 배출부(160)는 챔버 하우징(110)의 적어도 일측에 다수개가 형성될 수 있다. 예를 들어, 가스 배출부(160)는 챔버 하우징(110)의 양측에 각각 다수개가 형성될 수 있다. 또한, 다수개의 가스 배출부(160)는 상호 일정한 간격으로 이격되도록 형성될 수 있다. 이와 같이 형성된 가스 배출부(160)에 의해서 리플로우 가스가 외부로 배출될 때 챔버 하우징(110)의 내부 전체가 균일한 리플로우 가스 농도를 유지하도록 할 수 있다. 즉, 다수개의 가스 배출부(160)에 의해서 챔버 하우징(110)의 내부가 진공상태가 될 때까지 챔버 하우징(110)의 내부 전체 공간은 균일한 기압을 유지할 수 있다. 또한, 가스 배출부(160)가 다수개 형성됨으로써, 챔버 하우징(110)의 내부에 존재하는 리플로우 가스를 외부로 균일하게 빠른 속도로 배출시킬 수 있다. 챔버 하우징(110)의 내부는 리플로우를 수행 시, 밀폐되어 있기 때문에 가스 배출부(160)에 의해서 리플로우 가스를 모두 배출하면, 진공상태가 될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 리플로우 장치에 따르면, 일정한 간격으로 이격되도록 형성되며, 다수개가 형성된 가스 유입부 및 가스 배출부를 포함할 수 있다. 이와 같은 가수 유입부 및 가스 배출부에 의해서 챔버 하우징 내부의 전 공간에 걸쳐 대기압 상태 또는 진공 상태가 균일하게 진행 되도록 할 수 있다. 이에 따라서, 챔버 하우징 내의 위치에 따른 기압 상태 차이에 의해서 제품의 위치에 따른 품질 편차가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 리플로우 장치를 나타낸 예시도이다.
도 2를 참조하면, 리플로우 장치(100)는 챔버 하우징(110), 입출부(120), 제품 안착부(130), 온도 조절부(140), 가스 유입부(150), 가스 유입 밸브(170), 가스 배출부(160) 및 가스 배출 밸브(180)를 포함할 수 있다.
챔버 하우징(110)은 내부에 캐비티(111)가 형성될 수 있다. 캐비티(111)에는 제품(200), 제품 안착부(130) 및 온도 조절부(140)와 같이 리플로우를 위한 구성부가 위치할 수 있다. 챔버 하우징(110)은 내부의 온도를 유지하기 위해서 내벽이 단열재를 포함하여 형성될 수 있다.
입출부(120)는 챔버 하우징(110)의 적어도 일측에 형성될 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 입출부(120)는 투입부(121) 및 배출부(122)를 포함할 수 있다. 투입부(121)는 챔버 하우징(110)의 일측에 형성될 수 있다. 투입부(121)를 통해서 외부의 제품(200)이 챔버 하우징(110) 내부로 투입될 수 있다. 배출부(122)는 챔버 하우징(110)의 타측에 형성될 수 있다. 배출부(122)를 통해서 챔버 하우징(110) 내부의 제품이 외부로 배출될 수 있다. 투입부(121) 및 배출부(122)는 개폐가 가능할 수 있다. 예를 들어, 투입부(121) 및 배출부(122)는 제품(200)이 통과할 때만 열리고, 그 이외에는 닫혀있을 수 있다. 투입부(121) 및 배출부(122)가 닫히면 챔버 하우징(110)의 캐비티(111)는 외부로부터 폐쇄될 수 있다. 본 발명의 실시 예에서 입출부(120)가 챔버 하우징(110)의 양측에 형성됨을 도시하여 설명하였지만, 입출부(120)의 위치 및 구조는 이에 한정되지 않는다. 입출부(120)는 제품(200)이 통과하며, 폐쇄되었을 때 챔버 하우징(110)의 내부가 밀폐된 공간이 되면 위치 및 구조는 당업자가 용이하게 변경하여 적용할 수 있다.
제품 안착부(130)는 제품(200)이 안착될 수 있다. 또한, 제품 안착부(130)는 안착된 제품(200)이 움직이지 않도록 고정시킬 수 있다. 예를 들어, 진공 흡입 등을 이용하여, 제품(200)을 제품 안착부(130)에 고정될 수 있다. 제품 안착부(130)는 제품(200)의 고정을 위해서 진공 흡입뿐만 아니라 제품(200)을 고정시킬 수 있는 공지된 어느 방법도 적용될 수 있다.
온도 조절부(140)는 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 조절할 수 있다. 온도 조절부(140)는 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 제품(200)의 리플로우가 수행될 수 있는 온도로 조절할 수 있다. 즉, 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 제품(200)에 도포된 솔더의 용융점 이상이 되도록 할 수 있다. 예를 들어 온도 조절부(140)는 히터 또는 열풍 분사 장치가 될 수 있다. 그러나 온도 조절부(140)는 종류는 이에 한정되지 않으며, 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 제품(200)의 솔더링을 수행할 수 있는 리플로우 온도로 조절할 수 있는 어느 장치도 가능할 수 있다.
본 발명의 실시 예에서 온도 조절부(140)가 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 리플로우 온도로 조절함을 예시하였지만, 이에 한정되지 않는다. 즉, 온도 조절부(140)는 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 상온 이하로 조절할 수 있다. 온도 조절부(140)는 챔버 하우징(110)의 내부 온도를 상온 이하로 조절하여 제품(200)의 용융된 솔더가 냉각되도록 할 수 있다.
가스 유입부(150)는 챔버 하우징(110) 내부로 리플로우 가스를 유입할 수 있다. 가스 유입부(150)는 챔버 하우징(110) 상부에 다수개가 형성될 수 있다. 또한, 다수개의 가스 유입부(150)는 상호 일정한 간격으로 이격되도록 형성될 수 있다. 이와 같이 다수개의 가스 유입부(150)가 일정 간격 이격되도록 형성됨으로써, 챔버 하우징(110)의 내부 전체에 균일하게 리플로우 가스 공급이 이루어질 수 있다. 즉, 일정 간격 이격되도록 형성된 다수개의 가스 유입부(150)에 의해서 챔버 하우징(110)의 내부 전체가 균일한 대기압 상태가 되도록 할 수 있다. 또한, 가스 유입부(150)가 다수개 형성됨으로써, 리플로우 가스를 챔버 하우징(110)의 내부로 균일하게 빠른 속도로 주입할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 리플로우 가스는 H2 또는 N2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
가스 유입 밸브(170)는 챔버 하우징(110)의 외부에 위치한 가스 유입부(150)에 형성될 수 있다. 가스 유입 밸브(170)는 가스 유입부(150)의 개폐 정도를 조절할 수 있다. 즉 가스 유입 밸브(170)를 가스 유입부(150)를 통해서 챔버 하우징(110)의 내부로 유입되는 리플로우 가스량을 조절할 수 있다. 가스 유입 밸브(170)는 다수개의 가스 유입부(150)에 개별적으로 각각 형성될 수 있다.
가스 배출부(160)는 챔버 하우징(110) 내부의 리플로우 가스를 외부로 배출할 수 있다. 가스 배출부(160)는 챔버 하우징(110)의 적어도 일측에 다수개가 형성될 수 있다. 예를 들어, 가스 배출부(160)는 챔버 하우징(110)의 양측에 각각 다수개가 형성될 수 있다. 또한, 다수개의 가스 배출부(160)는 상호 일정한 간격으로 이격되도록 형성될 수 있다. 이와 같이 형성된 가스 배출부(160)에 의해서 리플로우 가스가 외부로 배출될 때 챔버 하우징(110)의 내부 전체가 균일한 리플로우 가스 농도를 유지하도록 할 수 있다. 즉, 다수개의 가스 배출부(160)에 의해서 챔버 하우징(110)의 내부가 진공상태가 될 때까지 챔버 하우징(110)의 내부 전체 공간은 균일한 기압을 유지할 수 있다. 또한, 가스 배출부(160)가 다수개 형성됨으로써, 챔버 하우징(110)의 내부에 존재하는 리플로우 가스를 균일하게 빠른 속도로 제거할 수 있다. 챔버 하우징(110)의 내부는 리플로우를 수행 시, 밀폐되어 있기 때문에 가스 배출부(160)에 의해서 리플로우 가스를 모두 배출하면, 진공상태가 될 수 있다.
가스 배출 밸브(180)는 챔버 하우징(110)의 외부에 위치한 가스 배출부(160)에 형성될 수 있다. 가스 배출 밸브(180)는 가스 배출부(160)의 개폐 정도를 조절할 수 있다. 즉, 가스 배출 밸브(180)는 가스 배출부(160)를 통해서 챔버 하우징(110)의 외부로 배출되는 리플로우 가스량을 조절할 수 있다. 가스 배출 밸브(180)는 다수개의 가스 배출부(160)에 개별적으로 각각 형성될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 리플로우 장치에 따르면, 일정 간격으로 이격 형성된 다수개의 가스 유입부 및 가스 배출부에 의해서 챔버 하우징의 내부 공간이 균일한 진공 상태 및 대기압 상태가 될 수 있다. 또한, 가스 유입 밸브에 의해서 가스 유입부의 개폐 정도를 조절함으로써, 챔버 하우징의 내부로 유입되는 리플로우 가스의 속도 또는 양을 제어할 수 있다. 또한, 가스 배출 밸브에 의해서 가스 배출부의 개폐 정도를 조절함으로써, 챔버 하우징의 외부로 배출되는 리플로우 가스의 속도 또는 양을 제어할 수 있다. 이와 같이 가스 유입 밸브 및 가스 배출 밸브를 통해서 챔버 하우징 내부의 리플로우 가스의 양을 조절함으로써, 제품의 크기에 따른 솔더링(Soldering)의 조건을 최적화할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 리플로우 장치는 챔버 하우징 내부의 압력을 정밀하게 조절할 수 있으므로, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시 예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
100: 리플로우 장치
110: 챔버 하우징
111: 캐비티
120: 입출부
121: 투입부
122: 배출부
130: 제품 안착부
140: 온도 조절부
150: 가스 유입부
160: 가스 배출부
170: 가스 유입 밸브
180: 가스 배출 밸브
200: 제품

Claims (10)

  1. 내부에 캐비티가 형성된 챔버 하우징;
    상기 챔버 하우징의 적어도 일측에 형성되어 개폐가 가능하며, 제품이 상기 챔버 하우징에 투입 또는 배출되는 입출부;
    상기 챔버 하우징 내부에 형성되며, 상기 제품이 안착되는 제품 안착부;
    상기 챔버 하우징 내부에 형성되어, 상기 챔버 하우징 내부의 온도를 조절하는 온도 조절부;
    상기 챔버 하우징의 상부에 다수개가 형성되며, 상기 챔버 하우징 내부로 리플로우 가스를 유입시키는 가스 유입부; 및
    상기 챔버 하우징의 적어도 일측에 다수개 형성되며, 상기 챔버 하우징 내부의 상기 리플로우 가스를 외부로 배출시키는 가스 배출부;
    를 포함하는 리플로우 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 다수개의 가스 유입부는 상호 동일한 간격으로 이격되어 형성되는 리플로우 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스 유입부의 개폐 정도를 조절하여 상기 챔버 하우징으로 유입되는 리플로우 가스량을 조절하는 가스 유입 밸브를 더 포함하는 리플로우 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스 배출부는 상기 챔버 하우징의 양측면에 다수개가 형성되는 리플로우 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스 배출부는 상호 동일한 간격으로 이격되어 형성되는 리플로우 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스 배출부의 개폐 정도를 조절하는 가스 배출 밸브를 더 포함하는 리플로우 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스 배출부는 상기 챔버 하우징 내부의 리플로우 가스를 외부로 배출하여 상기 챔버 하우징 내부를 진공 상태가 되도록 하는 리플로우 장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 입출부는
    상기 챔버 하우징 일측에 형성되며, 제품이 외부로부터 상기 챔버 하우징 내부로 투입되는 투입부; 및
    및 상기 챔버 하우징의 타측에 형성되며, 상기 챔버 하우징 내부의 제품이 외부로 배출되는 배출부;
    를 포함하는 리플로우 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도 조절부는 상기 챔버 하우징 내부를 상기 제품이 리플로우가 수행될 수 있는 온도로 조절하는 리플로우 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 리플로우 가스는 H2 및 N2 중 적어도 하나를 포함하는 리플로우 장치.
KR1020120131694A 2012-11-20 2012-11-20 리플로우 장치 KR20140064400A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120131694A KR20140064400A (ko) 2012-11-20 2012-11-20 리플로우 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120131694A KR20140064400A (ko) 2012-11-20 2012-11-20 리플로우 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140064400A true KR20140064400A (ko) 2014-05-28

Family

ID=50891844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120131694A KR20140064400A (ko) 2012-11-20 2012-11-20 리플로우 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140064400A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200012117A (ko) * 2018-07-26 2020-02-05 주식회사 좋은에너지기술 합지장치를 이용한 기판 합지방법
KR20230092296A (ko) * 2021-12-17 2023-06-26 주식회사 비아트론 멀티칩 레이저 본딩 장치
KR20230092290A (ko) * 2021-12-17 2023-06-26 주식회사 비아트론 멀티칩 레이저 본딩 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200012117A (ko) * 2018-07-26 2020-02-05 주식회사 좋은에너지기술 합지장치를 이용한 기판 합지방법
KR20230092296A (ko) * 2021-12-17 2023-06-26 주식회사 비아트론 멀티칩 레이저 본딩 장치
KR20230092290A (ko) * 2021-12-17 2023-06-26 주식회사 비아트론 멀티칩 레이저 본딩 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10415136B2 (en) Substrate processing apparatus including heating and cooling device, and ceiling part included in the same
JP6239384B2 (ja) 圧力容器と圧力容器を冷却するための方法
KR101560612B1 (ko) 단열 구조체 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6789314B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN109494172B (zh) 冷却单元、绝热结构体、基板处理装置、以及半导体装置的制造方法
US20130228323A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and method of changing substrate temperature setting region
JP2006500545A (ja) 対流型加熱炉の温度分布の改良
US10252364B2 (en) Soldering apparatus and vacuum-soldering method
JP6752291B2 (ja) 基板処理装置、クーリングユニット及び断熱構造体並びに半導体装置の製造方法
KR102451755B1 (ko) 반도체 공정설비용 브라인 공급 온도 제어 시스템
US10307849B2 (en) Vacuum-processing device and control method therefor, and vacuum soldering device and control method therefor
TWI781096B (zh) 熱處理裝置
KR20140064400A (ko) 리플로우 장치
CN113161250A (zh) 共晶焊接设备及其加热系统
TW201908249A (zh) 玻璃物品的製造方法
KR102120837B1 (ko) 테스트핸들러
CN109468449B (zh) 一种控速冷却的热处理炉
US20220119951A1 (en) Substrate processing apparatus, method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device and recording medium
KR20180086139A (ko) 기판 처리 장치 및 기판의 냉각 방법
KR101325603B1 (ko) 리플로우 납땜기용 덕트
KR20210078093A (ko) 기판 처리 장치
KR20160074091A (ko) 가습조, 유체 공급 장치 및 기판 처리 시스템
KR19990040094U (ko) 반도체 웨이퍼 온도제어장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application