KR102659161B1 - Imaging device and image sensor including the imaging device - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 136
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 286
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 98
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- -1 p-Si Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007475 ZnGeP2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B9/00—Optical objectives characterised both by the number of the components and their arrangements according to their sign, i.e. + or -
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/001—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
- G02B13/0015—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras characterised by the lens design
- G02B13/002—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras characterised by the lens design having at least one aspherical surface
- G02B13/0035—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras characterised by the lens design having at least one aspherical surface having three lenses
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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- G02B5/20—Filters
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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Abstract
촬상 장치 및 촬상 장치를 포함하는 이미지 센서가 개시된다. 개시된 촬상 장치는 제1 내지 제3 광학 소자를 포함한다. 상기 제1 내지 제3 광학 소자 중 적어도 하나는 나노 구조를 포함하는 박형 렌즈이다.An imaging device and an image sensor including an imaging device are disclosed. The disclosed imaging device includes first to third optical elements. At least one of the first to third optical elements is a thin lens including a nanostructure.
Description
본 개시는, 촬상 장치 및 상기 촬상 장치를 포함하는 이미지 센서에 관한 것이다.The present disclosure relates to an imaging device and an image sensor including the imaging device.
반도체 기반 센서 배열을 이용하는 광학 센서들은 모바일 기기 및 웨어러블 기기 사물 인터넷 등에 점점 더 많이 사용되고 있다. 이들 기기 들의 소형화가 요구되고 있지만, 기기들에 포함되는 촬상 장치의 두께를 줄이는데 어려움이 있다.Optical sensors using semiconductor-based sensor arrays are increasingly being used in mobile devices, wearable devices, and the Internet of Things. Although miniaturization of these devices is required, it is difficult to reduce the thickness of the imaging device included in the devices.
종래 광학 렌즈를 이용한 촬상 광학계는 색수차와 기하 수차 제거 및 충분한 F 수(F number) 확보를 위해 많은 수의 광학 렌즈가 요구된다. 그리고 이들 광학 렌즈가 각각 고유의 역할 수행을 위해 소정의 형상을 가져야 하는바 촬상 장치의 두께를 얇게 하는데 제한이 있다.Conventional imaging optical systems using optical lenses require a large number of optical lenses to eliminate chromatic and geometric aberrations and secure a sufficient F number. Additionally, since each of these optical lenses must have a predetermined shape to perform its unique role, there are limitations in reducing the thickness of the imaging device.
본 개시는 소형 설계에 적합한 구조의 촬상 장치 및 촬상 장치를 포함하는 이미지 센서를 제공한다.The present disclosure provides an imaging device with a structure suitable for compact design and an image sensor including the imaging device.
일 측면에 있어서,In terms of work,
입사광의 입사각도에 따라 상기 입사광을 다른 위치로 집광하는 제1 광학 소자;a first optical element that condenses the incident light to different positions according to the incident angle of the incident light;
상기 제1 광학 소자를 통과한 광이 입사되는 것으로 위치에 따라 다른 초점거리로 상기 제1 광학 소자를 통과한 광을 집광하는 제2 광학 소자; 및a second optical element that condenses the light passing through the first optical element to a different focal length depending on the position of the incident light passing through the first optical element; and
상기 제2 광학 소자를 통과한 광이 입사되는 것으로 상기 제2 광학 소자를 통과한 광이 소정의 촬상면 상에 집광점을 형성하도록 하는 제3 광학소자;를 포함하며,It includes a third optical element that causes the light passing through the second optical element to form a condensing point on a predetermined imaging surface when the light passing through the second optical element is incident,
상기 제1 내지 제3 광학 소자 중 적어도 하나는 표면에 복수의 나노 구조체를 포함하는 박형 렌즈로 구현되는 촬상 장치가 제공된다.An imaging device is provided in which at least one of the first to third optical elements is implemented as a thin lens including a plurality of nanostructures on a surface.
상기 제2 광학소자는 광축으로부터 바깥쪽으로 갈수록 더 긴 초점거리를 가지도록 구성될 수 있다.The second optical element may be configured to have a longer focal length as it moves outward from the optical axis.
상기 제3 광학 소자는 광축으로부터 바깥쪽으로 갈수록 더 짧은 초점거리를 가지도록 구성될 수 있다.The third optical element may be configured to have a shorter focal length as it moves outward from the optical axis.
상기 제1 광학계는 양의 굴절력을 가지고, 상기 제2 광학계는 음의 굴절력을 가지고, 상기 제3 광학계는 양의 굴절력을 가질 수 있다.The first optical system may have positive refractive power, the second optical system may have negative refractive power, and the third optical system may have positive refractive power.
상기 제3 광학 소자는 상기 촬상면 상에 상기 광이 수직으로 입사되어 집광점을 형성하도록 상기 광의 방향을 변화시킬 수 있다.The third optical element may change the direction of the light so that the light is incident perpendicularly on the imaging surface to form a condensing point.
상기 제1 광학 소자는 기존 굴절률 방식의 광학렌즈로 구성되고, 상기 제2 및 제3 광학 소자는 상기 박형 렌즈로 구성될 수 있다.The first optical element may be composed of a conventional refractive index type optical lens, and the second and third optical elements may be composed of the thin lens.
상기 제2 광학 소자의 나노 구조체들과 상기 제3 광학 소자의 나노 구조체들은 서로 색수차를 상쇄 시키는 구조 및 배열을 가질 수 있다.The nanostructures of the second optical element and the nanostructures of the third optical element may have a structure and arrangement that cancel out chromatic aberration.
상기 제1 광학 소자는 상기 제2 및 제3 광학 소자에서 발생하는 기하수차 및 색수차 중 적어도 하나를 상쇄 시키는 구조를 가질 수 있다.The first optical element may have a structure that cancels out at least one of geometric aberration and chromatic aberration occurring in the second and third optical elements.
상기 제1 광학 소자는 상기 박형렌즈로 구성되고, 상기 제2 및 제3 광학 소자는 굴절률 방식의 광학렌즈로 구성될 수 있다.The first optical element may be composed of the thin lens, and the second and third optical elements may be composed of a refractive index type optical lens.
상기 제1 광학 소자에 포함된 나노 구조체들은 상기 제2 및 제3 광학 소자에서 발생하는 색수차 및 기하 수차 중 적어도 하나를 상쇄 시키는 구조 및 배열을 가질 수 있다.The nanostructures included in the first optical element may have a structure and arrangement that cancel out at least one of chromatic aberration and geometric aberration occurring in the second and third optical elements.
상기 제1 광학 소자는 상기 제2 광학 소자의 표면에 마련될 수 있다.The first optical element may be provided on the surface of the second optical element.
상기 박형 렌즈는 상기 나노 구조체들이 배열되는 기판을 포함할 수 있다.The thin lens may include a substrate on which the nanostructures are arranged.
상기 나노 구조체들은 상기 기판보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.The nanostructures may have a higher refractive index than the substrate.
상기 기판은 glass (fused silica, BK7, 등), Quartz, polymer(PMMA(Polymethyl methacrylate), SU-8 등) 및 플라스틱(plastic)) 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 나노 구조체들은 c-Si, p-Si, a-Si, 및 III-V 화합물 반도체(GaP, GaN, GaAs 등), SiC, TiO2, SiN, 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The substrate includes at least one of glass (fused silica, BK7, etc.), quartz, polymer (PMMA (polymethyl methacrylate), SU-8, etc.), and plastic), and the nanostructures include c-Si, p It may include at least one of -Si, a-Si, and III-V compound semiconductors (GaP, GaN, GaAs, etc.), SiC, TiO 2 , and SiN.
상기 나노 구조체들은 원기둥, 타원 기둥, 다면체 기둥 중 적어도 어느 한 형상을 가질 수 있다.The nanostructures may have at least one shape among a cylinder, an elliptical pillar, and a polyhedral pillar.
상기 제1 내지 제3 광학 소자는 상기 입사광 가운데 소정의 파장 영역에 대해서만 상기 촬상면에 집광점이 형성되도록 할 수 있다.The first to third optical elements may form a condensing point on the imaging surface only for a predetermined wavelength range among the incident light.
상기 촬상장치는, 상기 소정의 파장 영역 밖의 파장 성분을 차단하는 광 필터;를 더 포함할 수 있다.The imaging device may further include an optical filter that blocks wavelength components outside the predetermined wavelength range.
다른 측면에 있어서,On the other side,
입사광의 입사각도에 따라 상기 입사광을 다른 위치로 집광하는 제1 광학 소자와, 상기 제1 광학 소자를 통과한 광이 입사되는 것으로 위치에 따라 다른 초점거리로 상기 제1 광학 소자를 통과한 광을 집광하는 제2 광학 소자 및 상기 제2 광학 소자를 통과한 광이 입사되는 것으로 상기 제2 광학 소자를 통과한 광이 소정의 촬상면 상에 집광점을 형성하도록 하는 제3 광학소자를 포함하며,를 포함하는 적어도 하나의 촬상 장치; 및A first optical element that focuses the incident light to different positions depending on the angle of incidence of the incident light, and the light that has passed through the first optical element is incident, and the light that has passed through the first optical element has a different focal length depending on the position. It includes a second optical element that converges light and a third optical element that causes the light passing through the second optical element to form a condensing point on a predetermined imaging surface by incident on the light passing through the second optical element, At least one imaging device comprising: and
상기 촬상 장치에 대응되게 마련되며 상기 촬상 장치의 촬상면에 입사된 광을 측정하는 광 측정부;를 포함하며It includes a light measuring unit provided to correspond to the imaging device and measuring light incident on the imaging surface of the imaging device.
상기 제1 내지 제3 광학 소자 중 적어도 하나는 표면에 복수의 나노 구조체를 포함하는 박형 렌즈로 구현되는 이미지 센서가 제공된다.An image sensor is provided in which at least one of the first to third optical elements is implemented as a thin lens including a plurality of nanostructures on a surface.
상기 촬상 장치 및 상기 광 측정부는 복수 개로 마련되며,The imaging device and the light measuring unit are provided in plural pieces,
상기 복수의 촬상 장치 중 적어도 둘 이상은 서로 다른 파장 영역의 광에 대해서 상기 촬상면에 집광점이 형성되도록 구성될 수 있다.At least two of the plurality of imaging devices may be configured to form a condensing point on the imaging surface for light of different wavelength ranges.
상술한 촬상 장치 및 이미지 센서는 나노 구조체를 이용한 박형 렌즈를 포함하는 바, 소형 제작이 용이하다.The above-described imaging device and image sensor include a thin lens using nanostructures, so they are easy to manufacture in a small size.
또한, 박형 렌즈의 나노 구조체의 형상, 물질, 배열모양을 조절함으로써 촬상 장치의 색수차, 기하수차를 보정할 수 있다.Additionally, chromatic aberration and geometric aberration of the imaging device can be corrected by adjusting the shape, material, and arrangement of the nanostructure of the thin lens.
도 1은 굴절률 방식의 광학 렌즈들을 이용한 촬상 광학계를 나타낸 도면이다.
도 2는 예시적인 실시예에 따른 촬상 광학계를 나타낸 도면이다.
도 3은 입사광이 제1 광학 소자를 통과하는 것을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 광이 제2 광학 소자를 통과하는 것을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 광이 제3 광학 소자를 통과하는 것을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 도 2 내지 도 5에서 나타낸 촬상 광학계(100)에서 전체 광 경로를 나타낸 도면이다.
도 7은 예시적인 실시예에 따른 촬상 광학계를 나타낸 도면이다.
도 8은 예시적인 실시예에 따른 촬상 광학계를 나타낸 도면이다.
도 9는 예시적인 실시예에 따른 촬상 광학계를 나타낸 도면이다.
도 10은 이상에서 설명한 박형 렌즈를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 10에서 나타낸 제1 광학 소자의 표면 중 일부를 나타낸 도면이다.
도 12는 도 10에서 나타낸 제1 광학 소자의 표면의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 예시적인 실시예에 따른 촬상 광학계를 나타낸 도면이다.
도 14는 예시적인 실시예에 따른 이미지 센서를 나타낸 도면이다.
도 15는 예시적인 실시예에 따른 이미지 센서를 나타낸 도면이다.Figure 1 is a diagram showing an imaging optical system using refractive index optical lenses.
Figure 2 is a diagram showing an imaging optical system according to an exemplary embodiment.
Figure 3 is a diagram illustrating incident light passing through a first optical element.
Figure 4 is a diagram illustrating light passing through a second optical element.
Figure 5 is a diagram illustrating light passing through a third optical element.
FIG. 6 is a diagram showing the entire optical path in the imaging
Figure 7 is a diagram showing an imaging optical system according to an exemplary embodiment.
Figure 8 is a diagram showing an imaging optical system according to an exemplary embodiment.
Figure 9 is a diagram showing an imaging optical system according to an exemplary embodiment.
Figure 10 is a diagram showing the thin lens described above.
FIG. 11 is a diagram showing a portion of the surface of the first optical element shown in FIG. 10.
FIG. 12 is a diagram showing another example of the surface of the first optical element shown in FIG. 10.
Figure 13 is a diagram showing an imaging optical system according to an exemplary embodiment.
Figure 14 is a diagram showing an image sensor according to an exemplary embodiment.
Figure 15 is a diagram showing an image sensor according to an exemplary embodiment.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. 한편, 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. In the following drawings, the same reference numerals refer to the same components, and the size of each component in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation. Meanwhile, the embodiments described below are merely illustrative, and various modifications are possible from these embodiments. Hereinafter, the term “above” or “above” may include not only what is directly above in contact but also what is above without contact.
도 1은 굴절률 방식의 광학 렌즈들(10, 20, 30, 40)을 이용한 촬상 장치를 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a diagram showing an imaging device using refractive index
도 1을 참조하면, 일반적인 촬상 장치는 복수의 광학 렌즈를(10, 20, 30, 40)을 포함할 수 있다. 광학 렌즈들(10, 20, 30, 40)은 렌즈 밖 매질과 다른 굴절률의 물질로 구성될 수 있다. 광학 렌즈들(10, 20, 30, 40)의 굴절률, 표면의 곡률을 다르게 함으로써 광학 렌즈들(10, 20, 30, 40)을 통과하는 빛의 경로를 조절할 수 있다. 또한, 광학 렌즈들(10, 20, 30, 40)의 모양과 광학 렌즈들(10, 20, 30, 40) 사이의 간격을 적절히 조절함으로써 촬상 장치를 통과한 광이 촬상면(S1)에 집광점을 형성하도록 할 수 있다. Referring to FIG. 1, a general imaging device may include a plurality of
그런데, 굴절률 방식의 광학 렌즈는 광의 파장에 따라 굴절률이 다르기 때문에 색수차(chromatic aberration)를 발생시킬 수 있다. 또한, 광학 렌즈를 통과한 광들이 형성하는 집광점들은 이미징되는 빛의 초점이 맺히는 형태가 왜곡되는 기하수차를 가질 수 있다. 예를 들어, 초점이 맺히는 면이 평면이 아닌 곡면을 형성하는 기하수차가 field of curvature 발생할 수 있다.However, refractive index type optical lenses may generate chromatic aberration because the refractive index varies depending on the wavelength of light. Additionally, condensing points formed by light passing through an optical lens may have geometric aberration that distorts the shape in which the imaged light is focused. For example, a geometric aberration may occur where the surface in focus forms a curved surface rather than a flat surface.
색수차와 기하수차를 제어하기 위해, 여러 형태의 렌즈들을 복합해서 촬상 장치를 설계할 수 있다. 하지만, 이 경우 복잡한 모양의 광학 렌즈들이 촬상 장치에 포함되면서 촬상 장치의 두께가 커질 수 있다. 또한, 촬상 장치의 전체 두께를 줄이려고 하면, 각 렌즈들의 직경 대비 두께가 커지는 (즉, F 수(f-number)가 줄어드는) 문제점이 있을 수 있다. 여기서 F 수는 렌즈의 초점거리를 렌즈직경으로 나눈 수로써 렌즈의 밝기를 나타낼 수 있다. 따라서, 개별 렌즈들의 두께 증가로 인해 촬상 장치의 전체 두께를 줄이는데는 제약이 있게 된다.To control chromatic and geometric aberrations, an imaging device can be designed by combining various types of lenses. However, in this case, the thickness of the imaging device may increase as optical lenses of complex shapes are included in the imaging device. Additionally, if an attempt is made to reduce the overall thickness of the imaging device, there may be a problem in that the thickness of each lens increases compared to the diameter (i.e., the F-number decreases). Here, the F number is the focal length of the lens divided by the lens diameter, which can represent the brightness of the lens. Therefore, there are limitations in reducing the overall thickness of the imaging device due to an increase in the thickness of individual lenses.
촬영장치의 소형화를 위해, 촬상 장치의 두께를 줄이면서 이를 구성하는 개별 렌즈의 F 수를 일정 크기 이하로 낮춰야 한다. 이는 기존 굴절률 방식의 렌즈로는 한계가 있기에, 새로운 박형 렌즈를 도입하여 해결 할 수 있다. In order to miniaturize the imaging device, the thickness of the imaging device must be reduced while the F number of the individual lenses that make up the imaging device must be lowered below a certain size. This problem can be solved by introducing a new thin lens, as there are limitations with existing refractive index lenses.
도 2는 예시적인 실시예에 따른 촬상 장치를 나타낸 도면이다.Figure 2 is a diagram showing an imaging device according to an exemplary embodiment.
도 2를 참조하면, 예시적인 실시예에 따른 촬상 장치(100)는 입사광의 입사각도에 따라 상기 입사광을 다른 위치로 집광하는 제1 광학 소자(110)와, 제1 광학 소자(110)를 통과한 광이 입사되는 것으로 위치에 따라 다른 초점거리로 상기 제1 광학 소자(110)를 통과한 광을 집광하는 제2 광학 소자(120) 및 제2 광학소자(120)를 통과한 광이 입사되는 것으로 상기 제2 광학 소자(120)를 통과한 광이 소정의 촬상면(S1) 상에 집광점을 형성하도록 하는 제3 광학소자(130)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, the
제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130) 중 적어도 하나는 표면에 복수의 나노 구조체(112, 122, 132)를 포함하는 박형 렌즈일 수 있다. 여기서 박형 렌즈란 기존의 광학 렌즈와 같이 렌즈의 구조에 의해 렌즈를 통과한 광의 경로가 결정되는 것이 아닌 박형 렌즈 표면에 마련된 나노 구조체들(112, 122, 132)별로 생기는 고유의 투과 빛의 위상 지연 및 그 분포를 조절하여 광의 경로를 변경하는 방식의 광학 소자를 의미한다. 따라서, 박형 렌즈는 광학 렌즈와 달리 두께에 대한 제한이 적을 수 있으며 얇게 설계될 수 있다.At least one of the first to third
주변 대비 굴절률이 충분히 높은 나노 구조체들(112, 122, 132)은 각기 그 모양과 구성 물질에 따라 소정의 투과율 및 투과 위상을 가질 수 있다. 나노 구조체에 입사하는 빛은 나노구조체의 하나 이상의 도파로 모드들로 커플링(coupling)되면서 나노구조체 안에서 공진하게 된다. 이러한 도파모드들로 구성된 공진 특성이 상호 간섭하여, 나노구조체에서 투과 혹은 반사하여 나오는 빛들의 세기 및 위상을 디자인 할 수 있다. 원하는 광학 소자(박형 렌즈)를 만들고자 할 경우에는, 해당 소자가 가져야 하는 투과 위상 및 세기 분포(예를 들어, 수렴 혹은 발산하는 파면 형태)에 맞게 이러한 나노구조체들의 형태를 변화시키면서 배열시키면 된다. The
도 2에서는 광학 소자들(110, 120, 130)에서 촬상면(S1)과 마주보는 면에 나노 구조체(112, 122, 132)들이 마련된 예를 나타냈지만 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 나노 구조체들은 광학 소자들(110, 120, 130)에서 광이 입사하는 면에 마련될 수도 있다. 다른 예로, 나노 구조체들(112, 122, 132)은 광학 소자들(110, 120, 130)의 양면에 모두 마련되어 있을 수도 있다.Although FIG. 2 shows an example in which
또한, 도 2에서는 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)가 모두 박형 렌즈인 예를 나타냈지만 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130) 가운데 하나 또는 둘만 박형 렌즈로 설계되고 나머지는 광학 렌즈로 설계될 수도 있다.In addition, FIG. 2 shows an example in which the first to third
제1 광학 소자(110)에는 물체(미도시)로부터 반사된 광이 입사광으로서 입사될 수 있다. 도 3은 입사광이 제1 광학 소자(110)를 통과하는 것을 예시적으로 나타낸 도면이다.Light reflected from an object (not shown) may be incident on the first
도 3을 참조하면, 제1 광학 소자(110)는 입사광의 입사 각도에 따라 입사광을 서로 다른 위치로 집광할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)의 배열방향에 평행하게 입사한 제2 입사광(L21)은 제2 광학 소자(120)의 중심을 향해 집광될 수 있다. 반면, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)의 배열방향에 비스듬하게 입사한 제1 입사광(L11)은 제2 광학 소자(120)의 가장자리를 향해 집광될 수 있다. 제1 광학 소자(110)는 입사광의 진행방향을 변경하기 위해, 표면에 복수의 나노 구조체(112)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, the first
나노 구조체들(112)은 제1 광학 소자(110)의 촬상면(S1)과 마주보는 면에 마련될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예로 나노 구조체들(112)은 물체로부터 반사된 입사광이 입사하는 면에 마련될 수도 있다. 또한, 나노 구조체들(112)은 제1 광학 소자(110)의 양면 모두에 마련될 수도 있다.The
제1 광학 소자(110)의 표면에 마련된 나노 구조체들(112)은 제1 광학 소자(110)가 양(+)의 굴절력을 가지는 렌즈와 같은 기능을 수행하도록 설계될 수 있다. 나노 구조체들(112)의 모양과 높이, 간격 등을 조절함으로써, 제1 광학 소자(110)가 양(+)의 굴절력을 가지는 렌즈와 같이 광의 경로를 변경하도록 할 수 있다. 제1 광학 소자(110)가 양(+)의 굴절력을 가짐으로써, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)의 배열방향에 비스듬하게 입사한 제2 입사광(L21)은 제2 광학 소자(120)의 가장자리로 집광될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)의 배열방향에 평행하게 입사한 제1 입사광(L11)은 제2 광학 소자(120)의 중심을 향해 집광될 수 있다.The
제1 광학 소자(110)를 통과한 광은 제2 광학 소자(120)에 입사될 수 있다. 제2 광학 소자(120)는 광이 입사되는 위치에 따라 다른 초점 거리로 광을 집광할 수 있다. Light passing through the first
도 4는 광이 제2 광학 소자(120)를 통과하는 것을 예시적으로 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a diagram illustrating light passing through the second
도 4를 참조하면, 제2 광학 소자(120)는 광의 입사 위치에 따라 광을 다른 초점거리로 집광할 수 있다. 예를 들어, 제2 광학 소자(120)의 중심을 향해 입사된 제2 광(L22)은 비교적 짧은 초점거리로 집광될 수 있다. 반면, 제2 광학 소자(120)의 가장자리를 향해 입사된 제1 광(L12)은 비교적 긴 초점거리로 집광될 수 있다. 제2 광학 소자(120)가 가장자리에 입사된 광을 더 긴 초점 거리로 집광함으로써, 입사각에 따른 광 경로 차이를 보상해줄 수 있다. 제2 광학 소자(120)는 입사광의 진행방향을 변경하기 위해, 표면에 복수의 나노 구조체(122)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, the second
나노 구조체들(122)은 제2 광학 소자(120)의 촬상면(S1)과 마주보는 면에 마련될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예로 나노 구조체들(122)은 제2 광학 소자(120)에서 광이 입사하는 면에 마련될 수도 있다. 또한, 나노 구조체들(122)은 제2 광학 소자(120)의 양면 모두에 마련될 수도 있다.The
제2 광학 소자(120)의 표면에 마련된 나노 구조체들(122)은 제2 광학 소자(120)가 음(-)의 굴절력을 가지는 렌즈와 같은 기능을 수행하도록 설계될 수 있다. 나노 구조체들(122)의 모양과 높이, 간격 등을 조절함으로써, 제2 광학 소자(120)가 음(-)의 굴절력을 가지는 렌즈와 같이 광의 경로를 변경하도록 할 수 있다. 제2 광학 소자(120)가 음(-)의 굴절력을 가짐으로써, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)의 배열방향에 비스듬하게 입사한 제1 입사광(L12)은 비교적 긴 초점거리로 집광될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)의 배열방향에 평행하게 입사한 제2 입사광(L22)은 비교적 짧은 초점거리로 집광될 수 있다.The
제2 광학 소자(120)를 통과한 광은 제3 광학 소자(130)에 입사될 수 있다. 제3 광학 소자(130)는 제2 광학 소자(120)를 통과한 광의 경로를 변경하여 소정의 촬상면(S1) 상에 집광점이 형성되도록 할 수 있다. 이때 촬상면(S1)은 제3 광학 소자(130)와 소정의 간격을 두고 떨어진 임의의 면일 수 있다. 촬상면(S1)의 모양은 평면일 수 있지만 이에 한정되지 않으며 임의의 곡면일 수도 있다.Light passing through the second
도 5는 광이 제3 광학 소자(130)를 통과하는 것을 예시적으로 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating light passing through the third
도 5를 참조하면, 제3 광학 소자(120)는 제3 광학 소자(130)에 입사된 광들이 촬상면(S1)에 집광점을 형성하도록 할 수 있다. 이때, 예시적으로 제3 광학 소자(120)는 제3 광학 소자(130)를 통과한 광 들이 촬상면(S1)에 수직으로 입사되도록 광의 경로를 변경할 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예로 제3 광학 소자(130)의 위치 별로 통과한 광들이 촬상면(S1)에 입사하는 각도가 달라질 수도 있다.Referring to FIG. 5 , the third
예시적으로, 제3 광학 소자(130)는 가장자리로 갈수록 초점거리가 짧은 투과 위상 분포를 가지게 만들어질 수 있다. 즉, 제3 광학 소자(130)의 가장 자리에 입사된 제1 광(L13)는 비교적 짧은 초점거리의 투과 위상분포를 이용하여 집광이 될 수 있다. 반면 제3 광학 소자(130)의 중심에 입사된 제2 광(L23)은 비교적 긴 초점거리의 투과 위상분포로 집광될 수 있다. 제3 광학 소자(130)가 위치 별로 다른 초점거리로 광을 집광함으로써, 제3 광학 소자(130)를 통과한 광들이 촬상면(S1) 상에 집광점을 형성할 수 있다. 제3 광학 소자(130)는 입사광의 진행방향을 변경하기 위해, 표면에 복수의 나노 구조체(132)를 포함할 수 있다. As an example, the third
나노 구조체들(132)은 제3 광학 소자(130)의 촬상면(S1)과 마주보는 면에 마련될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예로 나노 구조체들(132)은 제3 광학 소자(130)에서 광이 입사하는 면에 마련될 수도 있다. 또한, 나노 구조체들(132)은 제3 광학 소자(130)의 양면 모두에 마련될 수도 있다.The
제3 광학 소자(130)의 표면에 마련된 나노 구조체들(132)은 제3 광학 소자(120)가 양(+)의 굴절력을 가지는 렌즈와 같은 기능을 수행하도록 설계될 수 있다. 나노 구조체들(132)의 모양과 높이, 간격 등을 조절함으로써, 제3 광학 소자(130)가 양(+)의 굴절력을 가지는 렌즈와 같이 광의 경로를 변경하도록 할 수 있다. 제3 광학 소자(130)가 양(+)의 굴절력을 가짐으로써, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)의 배열방향에 비스듬하게 입사한 제1 입사광(L13)은 비교적 짧은 초점거리로 집광될 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)의 배열방향에 평행하게 입사한 제2 입사광(L23)은 비교적 긴 초점거리로 집광될 수 있다.The
도 6은 도 2 내지 도 5에서 나타낸 촬상 장치(100)에서 전체 광 경로를 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a diagram showing the entire optical path in the
도 6을 참조하면, 입사광의 입사 각도에 관계없이, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)를 거치면서 광들의 집광점이 촬상면(S1)에 형성될 수 있다. 또한, 입사광의 입사각도에 따라 촬상면(S1)에서 집광점을 형성하는 위치가 달라질 수 있다. 따라서, 촬상면(S1)에서 각 위치 좌표별로 복수의 수광 유닛을 구비하면, 수광 유닛 각각이 픽셀로 구현될 수 있다.Referring to FIG. 6 , regardless of the incident angle of the incident light, a convergence point of light may be formed on the imaging surface S1 while passing through the first to third
제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)는 광의 경로를 변경함에 있어서, 상호간 색수차와 기하수차를 상쇄시켜주도록 설계될 수 있다. 이를 위해, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)에 포함된 나노 구조체들(112, 122, 132)의 모양과 단면적, 높이, 물질구성, 간격 등이 적절히 조절될 수 있다. The first to third
도 2 내지 도 6에서는 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)가 모두 나노 구조체(112, 122, 132)를 포함하는 박형 렌즈인 경우를 나타냈다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130) 가운데 어느 둘만 박형 렌즈로 구현되고 나머지 하나는 굴절률 방식의 광학 렌즈로 구현될 수도 있다. 다른 예로, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130) 가운데 어느 하나만 박형 렌즈로 구현되고 나머지 둘이 굴절률 방식의 광학 렌즈로 구현될 수도 있다.2 to 6 illustrate the case where the first to third
도 7은 예시적인 실시예에 따른 촬상 장치(100)를 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating an
도 7을 참조하면, 제1 광학 소자(110')는 굴절률 방식의 광학 렌즈로 구현되고 제2 및 제3 광학 소자(120, 130)는 나노 구조체들(122, 132)을 포함하는 박형 렌즈로 구현될 수 있다. 제2 및 제3 광학 소자(120, 130)의 나노 구조체들(122, 132)은 제2 및 제3 광학 소자(120, 130)에서 발생하는 색수차를 최소화 시키도록 설계될 수 있다. 이를 위해, 제2 및 제3 광학 소자(120, 130)에 포함된 나노 구조체들(122, 132)의 모양과 단면적, 높이, 물질구성, 간격 등이 적절히 조절될 수 있다.Referring to FIG. 7, the first optical element 110' is implemented as a refractive index optical lens, and the second and third
제1 광학 소자(110)는 제2 및 제3 광학 소자(120, 130)에서 보정되지 못한 색수차 및 기하수차 중 적어도 하나를 보정하도록 설계될 수 있다. 이를 위해, 제1 광학 소자(110)에 포함된 물질이 변경함으로써 제1 광학 소자(110)의 굴절률을 조절할 수 있다. 또한, 제1 광학 소자(110)의 표면 모양과 두께를 변경함으로써 제1 광학 소자(110)의 렌즈 특성이 조절될 수 있다.The first
도 8은 예시적인 실시예에 따른 촬상 장치(100)를 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a diagram illustrating an
도 8을 참조하면, 제1 광학 소자(110)는 나노 구조체들(112)을 포함하는 박형 렌즈로 구현되고, 제2 및 제3 광학 소자(120, 130)는 굴절률 방식의 광학 렌즈로 구현될 수 있다. 제1 광학 소자(110)의 나노 구조체들(112)은 제2 및 제3 광학 소자(120, 130)에서 발생하는 색수차 및 기하수차 중 적어도 하나를 상쇄시키도록 설계될 수 있다. 이를 위해, 제1 광학 소자(110)에 포함된 나노 구조체들(112)의 모양과 단면적, 높이, 물질구성, 간격 등이 적절히 조절될 수 있다.Referring to FIG. 8, the first
도 8에서는 제1 광학 소자(110)가 제2 광학 소자(120)와 분리되어 있는 예를 나타냈다. 하지만, 제1 광학 소자(110)는 박형 렌즈로 구현되어 표면 모양에 제한이 없으므로 제2 광학 소자(120)와 일체형으로 마련될 수도 있다.Figure 8 shows an example in which the first
도 9는 예시적인 실시예에 따른 촬상 장치(100)를 나타낸 도면이다.FIG. 9 is a diagram illustrating an
도 9를 참조하면, 박형 렌즈로 구현된 제1 광학 소자(110)는 제2 광학 소자(120)의 표면에 마련될 수도 있다. 도 9에서는 제1 광학 소자(110)가 제2 광학 소자(120)에서 광이 입사되는 표면에 마련된 예를 나타냈지만 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 광학 소자(110)는 제2 광학 소자(120)에서 촬상면(S1)과 마주보는 면에 마련될 수도 있다. Referring to FIG. 9, the first
도 9에서와 같이, 제1 광학 소자(110)를 제2 광학 소자(120)의 표면에 배치하면, 제1 광학 소자(110)와 제2 광학 소자(120) 사이의 간격이 사라지므로 촬상 장치(100)의 크기를 줄일 수 있다.As shown in FIG. 9, when the first
도 10은 이상에서 설명한 박형 렌즈를 나타낸 도면이다.Figure 10 is a diagram showing the thin lens described above.
도 10에서는 예시적으로 도 2 내지 도 6에서 나타낸 제1 광학 소자(110)를 예로 들어 설명한다.In FIG. 10 , the first
도 10을 참조하면, 박형 렌즈로 구현된 제1 광학 소자(110)는 복수의 나노 구조체(112)와 나노 구조체들(112)이 배열되는 기판(114)을 포함할 수 있다. 기판(114)은 나노 구조체들(112)의 형성을 위한 지지부가 될 수 있다. 또한 나노 구조체들을 둘러싸는 물질층을 추가할 수 도 있다. 도 10은 나노 구조체들(112)을 개념적으로 나타낸 것에 불과하며, 실제 나노 구조체들(112)의 크기 및 숫자는 도면에 나타낸 것과 다를 수 있다. Referring to FIG. 10 , the first
도 10에서 S2 표면을 확대하여 나타낸 것을 참조하면, 나노 구조체들(112)의 형상, 물질, 배열 모양 등은 제1 광학 소자(110)의 위치 별로 달라질 수 있다. 제1 광학 소자(110) 에서 위치 별로 나노 구조체들(112)의 형상, 물질, 배열 모양 등이 달라짐에 따라, 제1 광학 소자(110)의 위치 별로 광의 투과 위상 분포를 조절하여 투과 빛의 진행방향을 다르게 조절할 수 있다.Referring to the enlarged view of the surface S2 in FIG. 10, the shape, material, arrangement, etc. of the
도 11은 도 10에서 나타낸 제1 광학 소자(110)의 표면 중 일부를 나타낸 도면이다.FIG. 11 is a diagram showing a portion of the surface of the first
도 11을 참조하면, 기판(114) 상에 원기둥 형상의 나노 구조체들(112)이 배열되어 있을 수 있다. 도 11에서는 예시적으로, 나노 구조체들(112)이 원기둥 형상을 가지는 예를 나타냈지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 나노 구조체들(112)은 다면체 기둥, 원기둥, 타원 기둥 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한 나노 구조체들(112)은 단면이 'L'모양인 기둥 형상을 가질 수도 있다.Referring to FIG. 11,
나노 구조체들(112)의 형상은 특정방향으로 대칭성이 없을 수도 있다. 예를 들어, 나노 구조체들(112)의 단면은 타원과 같이 수평방향으로 대칭성이 없는 모양일 수 있다. 또한, 나노 구조체들(112)의 단면이 높이에 따라 달라짐으로써, 나노 구조체들(112)의 형상이 높이에 대해 대칭성을 가지지 않을 수도 있다.The shape of the
나노 구조체들(112)에 포함된 물질의 굴절률은 기판(114) 및 그 주변부의 물질의 굴절률 보다 높을 수 있다 (예를 들어 굴절률이 1.5 이상 더 큼). 따라서, 기판(114)은 상대적으로 저 굴절률 물질을 포함하고 나노 구조체들(112)은 상대적으로 고 굴절률 물질을 포함할 수 있다. The refractive index of the material included in the
예를 들어, 나노 구조체들(112)은 결정질 실리콘(Crystalline silicon; c-Si), 다결정 실리콘(Poly Si), 비정질 실리콘(Amorphous Si), Si3N4, GaP, TiO2, AlSb, AlAs, AlGaAs, AlGaInP, BP, ZnGeP2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 예시적으로 기판(114)은 PMMA와 같은 폴리머, 플라스틱, SiO2 (glass 혹은 Quartz) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.For example, the
제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130)는 입사광의 파장에 따라 광의 방향을 다르게 변경할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 촬상 장치(100)는 소정의 파장 영역을 가지는 입사광에 대해서만 촬상면(S1)에 집광점이 형성되도록 할 수 있다. 입사광의 파장영역 가운데 촬상 장치(100)가 촬상면(S1)에 집광점을 형성하는 파장을 작동파장 이라고 한다. 상기 작동파장은 예시적으로 적색광(red light)의 파장(대략 650nm), 청색광(blue light)의 파장(대략 475nm), 녹색광의 파장(대략 510nm)을 포함할 수 있다. 또한, 작동파장은 적외선 영역의 파장(대략 800nm 내지 900nm)를 포함할 수도 있다. 상기 수치들은 예시적인 것에 불과하며 촬상 장치(100)의 작동 파장은 다르게 설정될 수도 있다.The first to third
작동파장이 정해지면, 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130) 또한 상기 작동파장에 대응하여 설계될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제 3 광학 소자(110, 120, 130)에 포함될 수 있는 나노 구조들(112, 122, 132)의 세부 형상(배열 간격, 단면 모양, 높이 등), 물질 등이 상기 작동 파장에 대응되도록 결정될 수 있다.Once the operating wavelength is determined, the first to third
다시 도 11을 참조하면, 나노 구조체들(112) 사이의 간격(T)은 찰상 광학계(100)의 작동파장 보다 작을 수 있다. 예를 들어, 나노 구조체들(112) 사이의 간격(T)는 촬상 장치(100)의 작동파장보다 3/4 또는 2/3 이하일 수 있고 또는 작동파장의 절반 이하일 수 있다. 또한, 나노 구조체들(112)의 높이(h)도 작동파장 보다 작을 수 있다. 예를 들어, 나노 구조체들(112)의 높이(h)는 작동파장의 2/3 이하일 수 있다.Referring again to FIG. 11 , the spacing (T) between the
도 12는 도 10에서 나타낸 제1 광학 소자(110)의 표면의 다른 예를 나타낸 도면이다.FIG. 12 is a diagram showing another example of the surface of the first
도 12를 참조하면, 기판(114) 상에 직육면체 형상의 나노 구조체들(112)이 배열되어 있을 수 있다. 도 12에서는 예시적으로, 나노 구조체들(112)이 직육면체 형상을 가지는 예를 나타냈지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 나노 구조체들(112)은 다면체 기둥, 원기둥, 타원 기둥 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한 나노 구조체들(112)은 단면이 'L'모양인 기둥 형상을 가질 수도 있다.Referring to FIG. 12, rectangular parallelepiped-shaped
나노 구조체들(112)의 높이, 간격 등은 촬상 장치(100)의 작동 파장에 따라 달라질 수 있다. 나노 구조체들(112) 사이의 간격(T)은 찰상 광학계(100)의 작동파장 보다 작을 수 있다. 예를 들어, 나노 구조체들(112) 사이의 간격(T)는 촬상 장치(100)의 작동파장보다 3/4 또는 2/3 이하일 수 있고 또는 작동파장의 절반 이하일 수 있다. 또한, 나노 구조체들(112)의 높이(h)도 작동파장 보다 작을 수 있다. 예를 들어, 나노 구조체들(112)의 높이(h)는 작동파장의 2/3 이하일 수 있다.The height, spacing, etc. of the
이상에서 도 11 및 도 12를 참조하여 설명한 기판(114) 및 나노 구조체들(112)에 관한 실시예들은 제2 및 제3 광학 소자(120, 130)에도 적용될 수 있다. 즉, 제2 및 제3 광학 소자(120, 130)가 박형 렌즈로 설계되는 경우, 도 11 및 도 12를 참조하여 설명한 나노 구조체들(112)의 실시예가 제2 및 제3 광학 소자(120, 130)에 포함된 나노 구조체들(122, 132)에 적용될 수 있다.Embodiments regarding the substrate 114 and
도 13은 예시적인 실시예에 따른 촬상 장치(100)를 나타낸 도면이다.FIG. 13 is a diagram illustrating an
도 13의 실시예를 설명함에 있어서, 전술한 내용과 중복되는 내용은 생략하기로 한다.In describing the embodiment of FIG. 13, content that overlaps with the above-described content will be omitted.
도 13을 참조하면, 실시예에 따른 촬상 장치(100)는 작동파장 외의 다른 파장 성분 광이 촬상면(S1)에 입사하는 것을 차단하는 광 필터(140)를 더 포함할 수 있다. 도 13에서는 예시적으로 광 필터(140)가 제3 광학 소자(130)와 촬상면(S1) 사이에 마련되는 예를 나타냈지만, 광 필터(140)의 위치가 이에 제한되는 것은 아니다. 광 필터(140)는 제2 광학 소자(120)와 제3 광학 소자 사이 또는 제1 광학 소자(110)와 제2 광학 소자(120) 사이에 마련될 수도 있다. 다른 예로, 광 필터(140)는 제1 광학 소자(110)의 입사면 앞에 마련되어 입사광에서 작동파장 성분의 광만 제1 광학 소자(110)로 입사되도록 할 수도 잇다.Referring to FIG. 13 , the
광 필터(140)는 광 필터(140)에 입사되는 광 가운데 촬상 장치(100)의 동작 파장을 제외한 나머지 파장 성분들을 흡수하거나 반사시킬 수 있다. 광 필터(140)를 이용하여, 촬상면(S1)에 작동파장 성분 외에 다른 파장 성분이 노이즈로 입사되는 것을 방지할 수 있다.The optical filter 140 may absorb or reflect wavelength components other than the operating wavelength of the
도 14는 예시적인 실시예에 따른 이미지 센서(1000)를 나타낸 도면이다. FIG. 14 is a diagram illustrating an image sensor 1000 according to an exemplary embodiment.
도 14를 참조하면, 예시적인 실시예에 따른 이미지 센서(1000)는 촬상 장치(100)와 촬상 장치(100)에 대응하여 마련된 광 측정부(200)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 14 , the image sensor 1000 according to an exemplary embodiment may include an
도 14에서 나타낸 촬상 장치(100)에는 도 2 내지 도 13을 참조하여 설명한 실시예들이 모두 적용될 수 있다. 광 측정부(200)는 촬상 장치(100)의 촬상면(S1)에 마련되어 있을 수 있다. 광 측정부(200)는 촬상 장치(100)에 의해 집광된 광을 측정할 수 있다. 광 측정부(200)는 복수의 광 센서를 포함할 수 있다. 광 측정부(200)에 포함된 광 센서의 개수가 많을수록 광 측정부(200)를 통해 출력되는 이미지의 해상도가 높아질 수 있다. 광 센서는 CCD 또는 CMOS 등을 이용한 CIS(CMOS Image Sensor)의 pixel array일 수 있다. 혹은 포토다이오드(photodiode) 센서일 수도 있다.All embodiments described with reference to FIGS. 2 to 13 may be applied to the
도 15는 예시적인 실시예에 따른 이미지 센서(1000)를 나타낸 도면이다.FIG. 15 is a diagram illustrating an image sensor 1000 according to an exemplary embodiment.
도 15를 참조하면, 예시적인 실시예에 따른 이미지 센서(1000)는 복수의 촬상 장치(100a, 100b, 100c)를 포함할 수 있다. 복수의 촬상 장치(100a, 100b, 100c)중 적어도 둘 이상은 서로 다른 작동파장을 가질 수 있다. 즉, 복수의 촬상 장치(100a, 100b, 100c)중 적어도 둘 이상은 서로 다른 파장의 광을 촬상면(S1)에 집광할 수 있다. 또한, 복수의 촬상 장치(100a, 100b, 100c) 각각은 입사광에서 작동파장을 제외한 나머지 파장성분을 필터링 하는 광 필터를 포함하고 있을 수 있다.Referring to FIG. 15 , the image sensor 1000 according to an example embodiment may include a plurality of imaging devices 100a, 100b, and 100c. At least two of the plurality of imaging devices 100a, 100b, and 100c may have different operating wavelengths. That is, at least two of the plurality of imaging devices 100a, 100b, and 100c can focus light of different wavelengths onto the imaging surface S1. In addition, each of the plurality of imaging devices 100a, 100b, and 100c may include an optical filter that filters the remaining wavelength components of the incident light excluding the operating wavelength.
예를 들어, 제1 촬상 장치(100a)는 적색광을 집광하고, 제2 촬상 장치(100b)는 청색광을 집광하고, 제3 찰상 장치(100c)는 녹색광을 집광할 수 있다. 하지만, 이는 예시적인 것에 불과하며 촬상 장치들(100a, 100b, 100c)의 작동파장은 다르게 설정될 수도 있다. 또한, 복수의 촬상 장치(100a, 100b, 100c)가 모두 서로 다른 작동파장을 가질 수도 있지만, 복수의 촬상 장치(100a, 100b, 100c) 중 일부는 같은 작동파장을 가질 수도 있다.For example, the first imaging device 100a may collect red light, the second imaging device 100b may collect blue light, and the third imaging device 100c may collect green light. However, this is only an example, and the operating wavelengths of the imaging devices 100a, 100b, and 100c may be set differently. Additionally, the plurality of imaging devices 100a, 100b, and 100c may all have different operating wavelengths, but some of the plurality of imaging devices 100a, 100b, and 100c may have the same operating wavelength.
이미지 센서(1000)는 복수의 촬상 장치(100a, 100b, 100c)에 대응하여 마련된 복수의 광 측정부(200a, 200b, 200c)를 포함할 수 있다. 광 측정부들(200a, 200b, 200c)은 복수의 촬상 장치(100a, 100b, 100c)의 촬상면(S1)에 마련되어 촬상 장치들(100a, 100b, 100c)에 의해 집광된 광을 측정함으로써 물체(OBJ)의 이미지를 생성할 수 있다.The image sensor 1000 may include a plurality of light measurement units 200a, 200b, and 200c provided to correspond to the plurality of imaging devices 100a, 100b, and 100c. The light measuring units 200a, 200b, and 200c are provided on the imaging surface S1 of the plurality of imaging devices 100a, 100b, and 100c to measure the light collected by the imaging devices 100a, 100b, and 100c to measure the object OBJ. ) images can be created.
이상 도 1 내지 도 15를 참조하여 예시적인 실시예에 따른 촬상 장치(100) 및 촬상 장치(100)를 포함하는 이미지 센서(1000)에 관하여 설명하였다. 이상의 설명에 따르면, 촬상 장치(100)의 제1 내지 제3 광학 소자(110, 120, 130) 중 적어도 하나를 나노 구조체(112, 122, 132)를 포함하는 박형 렌즈로 구현함으로써 촬상 장치(100)의 두께를 줄일 수 있다. 또한, 촬상 장치(100)의 전체 색수차와 기하수차를 줄일 수 있다.The
실시예에 따른 촬상 장치(100) 및 이미지 센서(1000)는 소형화 제작이 용이한 바, 소형 픽셀 및 고해상도가 요구되는 카메라에 적용될 수 있다. 또한, The
셀이 작아지고, 고해상도가 되는 효과를 통해 많은 픽셀정보가 필요한, light field 3D camera용 color image sensor pixel array에 사용될 수 있다. 또한, hyperspectral imaging용 sensor array에도 사용될 수 있다. 이 외에도 분광기를 이용한 심박 센서, 혈압 센서 등의 광학 생체 센서에도 실시예에 따른 촬상 장치(100)와 이미지 센서(1000)가 포함될 수 있다.It can be used in color image sensor pixel arrays for light field 3D cameras that require a lot of pixel information through smaller cells and higher resolution. It can also be used in sensor arrays for hyperspectral imaging. In addition, optical biometric sensors such as a heart rate sensor and blood pressure sensor using a spectroscope may also include the
지금까지, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 예시적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 설명에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.So far, exemplary embodiments have been described and illustrated in the accompanying drawings to aid understanding of the present invention. However, it should be understood that these examples are merely illustrative of the invention and do not limit it. And it should be understood that the present invention is not limited to the description shown and illustrated. This is because various other modifications may occur to those skilled in the art.
100 : 촬상 장치
110 : 제1 광학 소자
120 : 제2 광학 소자
130 : 제3 광학 소자
S1 : 촬상면
140 : 광 필터
1000 : 이미지 센서100: imaging device
110: first optical element
120: second optical element
130: third optical element
S1: imaging surface
140: optical filter
1000: Image sensor
Claims (19)
상기 제1 광학 소자를 통과한 광이 입사되는 것으로 위치에 따라 다른 초점거리로 상기 제1 광학 소자를 통과한 광을 집광하는 제2 광학 소자; 및
상기 제2 광학 소자를 통과한 광이 입사되는 것으로 상기 제2 광학 소자를 통과한 광이 소정의 촬상면 상에 집광점을 형성하도록 하는 제3 광학소자;를 포함하며,
상기 제1 내지 제3 광학 소자 중 적어도 하나는 표면에 복수의 나노 구조체를 포함하는 박형 렌즈로 구현되고,
상기 제1 광학 소자는 굴절률 방식의 광학렌즈로 구성되고, 상기 제2 및 제3 광학 소자는 상기 박형 렌즈로 구성되고,
상기 제2 광학 소자의 나노 구조체들과 상기 제3 광학 소자의 나노 구조체들은 서로 색수차를 상쇄 시키는 구조 및 배열을 가지는 촬상 장치.a first optical element that condenses the incident light to different positions according to the incident angle of the incident light;
a second optical element that condenses the light passing through the first optical element to a different focal length depending on the position of the incident light passing through the first optical element; and
It includes a third optical element that causes the light passing through the second optical element to form a condensing point on a predetermined imaging surface when the light passing through the second optical element is incident,
At least one of the first to third optical elements is implemented as a thin lens including a plurality of nanostructures on the surface,
The first optical element is composed of a refractive index optical lens, and the second and third optical elements are composed of the thin lens,
An imaging device wherein the nanostructures of the second optical element and the nanostructures of the third optical element have a structure and arrangement that cancel out chromatic aberration.
상기 제2 광학소자는 광축으로부터 바깥쪽으로 갈수록 더 긴 초점거리를 가지도록 구성되는 촬상 장치.According to claim 1,
The second optical element is configured to have a longer focal length as it goes outward from the optical axis.
상기 제3 광학 소자는 광축으로부터 바깥쪽으로 갈수록 더 짧은 초점거리를 가지도록 구성되는 촬상 장치.According to claim 1,
The third optical element is configured to have a shorter focal length as it moves outward from the optical axis.
상기 제1 광학 소자는 양의 굴절력을 가지고, 상기 제2 광학 소자는 음의 굴절력을 가지고, 상기 제3 광학 소자는 양의 굴절력을 가지는 촬상 장치.According to claim 1,
An imaging device wherein the first optical element has positive refractive power, the second optical element has negative refractive power, and the third optical element has positive refractive power.
상기 제3 광학 소자는 상기 촬상면 상에 상기 광이 수직으로 입사되어 집광점을 형성하도록 상기 광의 방향을 변화시키는 촬상 장치.According to claim 1,
The third optical element is an imaging device that changes the direction of the light so that the light is incident perpendicularly on the imaging surface to form a condensing point.
상기 제1 광학 소자는 상기 제2 및 제3 광학 소자에서 발생하는 기하수차 및 색수차 중 적어도 하나를 상쇄 시키는 구조를 가지는 촬상 장치.According to claim 1,
The first optical element is an imaging device having a structure that cancels out at least one of geometric aberration and chromatic aberration occurring in the second and third optical elements.
상기 제1 광학 소자를 통과한 광이 입사되는 것으로 위치에 따라 다른 초점거리로 상기 제1 광학 소자를 통과한 광을 집광하는 제2 광학 소자; 및
상기 제2 광학 소자를 통과한 광이 입사되는 것으로 상기 제2 광학 소자를 통과한 광이 소정의 촬상면 상에 집광점을 형성하도록 하는 제3 광학소자;를 포함하며,
상기 제1 내지 제3 광학 소자 중 적어도 하나는 표면에 복수의 나노 구조체를 포함하는 박형 렌즈로 구현되고,
상기 제1 광학 소자는 상기 박형렌즈로 구성되고, 상기 제2 및 제3 광학 소자는 굴절률 방식의 광학렌즈로 구성되는 촬상 장치.a first optical element that condenses the incident light to different positions according to the incident angle of the incident light;
a second optical element that condenses the light passing through the first optical element to a different focal length depending on the position of the incident light passing through the first optical element; and
It includes a third optical element that causes the light passing through the second optical element to form a condensing point on a predetermined imaging surface when the light passing through the second optical element is incident,
At least one of the first to third optical elements is implemented as a thin lens including a plurality of nanostructures on the surface,
The first optical element is comprised of the thin lens, and the second and third optical elements are comprised of refractive index type optical lenses.
상기 제1 광학 소자에 포함된 나노 구조체들은 상기 제2 및 제3 광학 소자에서 발생하는 색수차 및 기하 수차 중 적어도 하나를 상쇄 시키는 구조 및 배열을 가지는 촬상 장치.According to clause 9,
The nanostructures included in the first optical element have a structure and arrangement that cancel out at least one of chromatic aberration and geometric aberration occurring in the second and third optical elements.
상기 제1 광학 소자는 상기 제2 광학 소자의 표면에 마련되는 촬상 장치.According to clause 9,
An imaging device wherein the first optical element is provided on a surface of the second optical element.
상기 박형 렌즈는 상기 나노 구조체들이 배열되는 기판을 포함하는 촬상 장치.According to claim 1,
The thin lens is an imaging device including a substrate on which the nanostructures are arranged.
상기 나노 구조체들은 상기 기판보다 큰 굴절률을 가지는 촬상 장치.According to claim 12,
An imaging device wherein the nanostructures have a greater refractive index than the substrate.
상기 기판은 SiO2, 플라스틱, PMMA(Poly methyl methacrylate) 적어도 하나를 포함하며, 상기 나노 구조체들은 c-Si, p-Si, a-Si, III-V 화합물 반도체, SiC, TiO2, 및 SiN 중 적어도 하나를 포함하는 촬상 장치.According to claim 12,
The substrate includes at least one of SiO 2 , plastic, and poly methyl methacrylate (PMMA), and the nanostructures include c-Si, p-Si, a-Si, III-V compound semiconductor, SiC, TiO 2 , and SiN. An imaging device comprising at least one.
상기 나노 구조체들은 원기둥, 타원 기둥, 다면체 기둥 중 적어도 어느 한 형상을 가지는 촬상 장치.According to claim 1,
An imaging device wherein the nanostructures have at least one shape among a cylinder, an elliptical pillar, and a polyhedral pillar.
상기 제1 내지 제3 광학 소자는 상기 입사광 가운데 소정의 파장 영역에 대해서만 상기 촬상면에 집광점이 형성되도록 하는 촬상 장치.According to claim 1,
An imaging device wherein the first to third optical elements form a converging point on the imaging surface only for a predetermined wavelength range among the incident light.
상기 소정의 파장 영역 밖의 파장 성분을 차단하는 광 필터;를 더 포함하는 촬상 장치.According to claim 16,
An imaging device further comprising an optical filter that blocks wavelength components outside the predetermined wavelength range.
상기 촬상 장치에 대응되게 마련되며 상기 촬상 장치의 촬상면에 입사된 광을 측정하는 광 측정부;를 포함하며
상기 제1 내지 제3 광학 소자 중 적어도 하나는 표면에 복수의 나노 구조체를 포함하는 박형 렌즈로 구현되고,
상기 제1 광학 소자는 굴절률 방식의 광학렌즈로 구성되고, 상기 제2 및 제3 광학 소자는 상기 박형 렌즈로 구성되고,
상기 제2 광학 소자의 나노 구조체들과 상기 제3 광학 소자의 나노 구조체들은 서로 색수차를 상쇄 시키는 구조 및 배열을 가지는 이미지 센서.A first optical element that focuses the incident light to different positions depending on the angle of incidence of the incident light, and the light that has passed through the first optical element is incident, and the light that has passed through the first optical element has a different focal length depending on the position. An imaging device comprising a second optical element that converges light and a third optical element that causes light passing through the second optical element to form a condensing point on a predetermined imaging surface when light passing through the second optical element is incident. ; and
It includes a light measuring unit provided to correspond to the imaging device and measuring light incident on the imaging surface of the imaging device.
At least one of the first to third optical elements is implemented as a thin lens including a plurality of nanostructures on the surface,
The first optical element is composed of a refractive index type optical lens, and the second and third optical elements are composed of the thin lens,
An image sensor wherein the nanostructures of the second optical element and the nanostructures of the third optical element have a structure and arrangement that cancel out chromatic aberration.
상기 촬상 장치 및 상기 광 측정부는 복수 개로 마련되며,
상기 복수의 촬상 장치 중 적어도 둘 이상은 서로 다른 파장 영역의 광에 대해서 상기 촬상면에 집광점이 형성되도록 구성되는 이미지 센서.According to claim 18,
The imaging device and the light measuring unit are provided in plural pieces,
An image sensor wherein at least two of the plurality of imaging devices are configured to form condensing points on the imaging surface for light in different wavelength ranges.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/134,885 US9946051B2 (en) | 2015-04-22 | 2016-04-21 | Imaging apparatus and image sensor including the same |
US15/923,554 US10942333B2 (en) | 2015-04-22 | 2018-03-16 | Optical system |
US16/800,468 US11698510B2 (en) | 2015-04-22 | 2020-02-25 | Imaging apparatus and image sensor including the same |
US17/167,849 US20210318516A1 (en) | 2015-04-22 | 2021-02-04 | Optical system |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562151108P | 2015-04-22 | 2015-04-22 | |
US62/151,108 | 2015-04-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160125875A KR20160125875A (en) | 2016-11-01 |
KR102659161B1 true KR102659161B1 (en) | 2024-04-19 |
Family
ID=
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140263982A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Raytheon Company | Sensor including dielectric metamaterial microarray |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20140263982A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Raytheon Company | Sensor including dielectric metamaterial microarray |
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