KR102650692B1 - Thin film transistor, thin film transistor array panel including the same and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 산화물 반도체, 상기 산화물 반도체를 중심으로 양쪽에 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 상기 산화물 반도체 사이에 위치하는 저도전 영역, 상기 산화물 반도체 및 상기 저도전 영역 위에 위치하는 절연층, 그리고 상기 절연층 위에 위치하는 게이트 전극을 포함하고, 상기 절연층은 상기 산화물 반도체 및 상기 저도전 영역을 함께 덮고, 상기 저도전 영역의 캐리어 농도는 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극의 캐리어 농도보다 낮다.The present invention relates to a thin film transistor, a thin film transistor display panel including the same, and a method of manufacturing the same. A thin film transistor according to an embodiment of the present invention includes an oxide semiconductor, a source electrode and a drain electrode facing each other around the oxide semiconductor, a low-conductivity region located between the source electrode or the drain electrode and the oxide semiconductor, It includes an oxide semiconductor, an insulating layer positioned on the low-conductivity region, and a gate electrode positioned on the insulating layer, wherein the insulating layer covers the oxide semiconductor and the low-conductivity region together, and the carrier concentration in the low-conductivity region is lower than the carrier concentration of the source electrode or the drain electrode.

Description

박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법{THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL INCLUDING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Thin film transistor, thin film transistor display panel including the same, and method of manufacturing the same {THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL INCLUDING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor, a thin film transistor display panel including the same, and a method of manufacturing the same.

박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)는 평판 표시 장치 등 다양한 전자 장치에 사용되고 있다. 예를 들어, 박막 트랜지스터는 액정 표시 장치(liquid crystal display; LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display; OLED Display), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등의 평판 표시 장치에서 스위칭 소자 또는 구동 소자로서 이용되고 있다.Thin film transistors (TFTs) are used in various electronic devices such as flat panel displays. For example, thin film transistors are used as switching elements or in flat panel displays such as liquid crystal displays (LCD), organic light emitting diode displays (OLED Display), and electrophoretic displays. It is used as a driving element.

박막 트랜지스터는 주사 신호를 전달하는 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극, 화소 전극에 인가될 신호를 전달하는 데이터선에 연결되어 있는 소스 전극, 소스 전극과 마주하는 드레인 전극, 그리고 소스 전극 및 드레인 전극에 전기적으로 연결되어 있는 반도체를 포함한다.A thin film transistor has a gate electrode connected to a gate line that transmits a scan signal, a source electrode connected to a data line that transmits a signal to be applied to a pixel electrode, a drain electrode facing the source electrode, and a source electrode and a drain electrode. Includes semiconductors that are electrically connected.

이 중 반도체는 박막 트랜지스터의 특성을 결정하는 중요한 요소이다. 이러한 반도체로는 규소(Si)가 가장 많이 사용되고 있다. 규소는 결정 형태에 따라 비정질 규소 및 다결정 규소로 나누어지는데, 비정질 규소는 제조 공정이 단순한 반면 전하 이동도가 낮아 고성능 박막 트랜지스터를 제조하는데 한계가 있고 다결정 규소는 전하 이동도가 높은 반면 규소를 결정화하는 단계가 요구되어 제조 비용 및 공정이 복잡하다.Among these, semiconductors are an important element that determines the characteristics of thin film transistors. Silicon (Si) is the most widely used semiconductor. Silicon is divided into amorphous silicon and polycrystalline silicon depending on the crystal form. Amorphous silicon has a simple manufacturing process, but has low charge mobility, which limits the manufacture of high-performance thin film transistors. Polycrystalline silicon has high charge mobility, but crystallizes silicon. Manufacturing costs and processes are complicated because steps are required.

이러한 비정질 규소와 다결정 규소를 보완하기 위하여 비정질 실리콘보다 전자 이동도가 높고 ON/OFF 비율이 높으며 다결정 실리콘보다 원가가 저렴하고 균일도가 높은 산화물 반도체(oxide semiconductor)를 이용하는 박막 트랜지스터에 대한 연구가 진행되고 있다.To complement amorphous silicon and polycrystalline silicon, research is being conducted on thin film transistors using oxide semiconductors, which have higher electron mobility than amorphous silicon, a higher ON/OFF ratio, are cheaper than polycrystalline silicon, and have higher uniformity. there is.

한편, 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 소스 전극 또는 드레인 전극과 기생 용량을 형성할 경우, 이러한 기생 용량에 의해 박막 트랜지스터의 스위칭 소자로서의 특성이 저하될 수 있다.Meanwhile, when the gate electrode of the thin film transistor forms parasitic capacitance with the source electrode or drain electrode, the characteristics of the thin film transistor as a switching element may be deteriorated due to this parasitic capacitance.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터의 특성을 향상시키는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to improve the characteristics of a thin film transistor containing an oxide semiconductor.

본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 산화물 반도체, 상기 산화물 반도체를 중심으로 양쪽에 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 상기 산화물 반도체 사이에 위치하는 저도전 영역, 상기 산화물 반도체 및 상기 저도전 영역 위에 위치하는 절연층, 그리고 상기 절연층 위에 위치하는 게이트 전극을 포함하고, 상기 절연층은 상기 산화물 반도체 및 상기 저도전 영역을 함께 덮고, 상기 저도전 영역의 캐리어 농도는 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극의 캐리어 농도보다 낮다.A thin film transistor according to an embodiment of the present invention includes an oxide semiconductor, a source electrode and a drain electrode facing each other around the oxide semiconductor, a low-conductivity region located between the source electrode or the drain electrode and the oxide semiconductor, It includes an oxide semiconductor, an insulating layer positioned on the low-conductivity region, and a gate electrode positioned on the insulating layer, wherein the insulating layer covers the oxide semiconductor and the low-conductivity region together, and the carrier concentration in the low-conductivity region is lower than the carrier concentration of the source electrode or the drain electrode.

본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 위치하는 산화물 반도체, 상기 산화물 반도체를 중심으로 양쪽에 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 상기 산화물 반도체 사이에 위치하는 저도전 영역, 상기 산화물 반도체 및 상기 저도전 영역 위에 위치하는 절연층, 그리고 상기 절연층 위에 위치하는 게이트 전극을 포함하고, 상기 절연층은 상기 산화물 반도체 및 상기 저도전 영역을 함께 덮고, 상기 저도전 영역의 캐리어 농도는 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극의 캐리어 농도보다 낮다.A thin film transistor display panel according to an embodiment of the present invention includes an insulating substrate, an oxide semiconductor positioned on the insulating substrate, a source electrode and a drain electrode facing each other on both sides around the oxide semiconductor, the source electrode or the drain electrode, and the oxide. A low-conductivity region positioned between the semiconductors, an insulating layer positioned on the oxide semiconductor and the low-conductivity region, and a gate electrode positioned on the insulating layer, wherein the insulating layer connects the oxide semiconductor and the low-conductivity region together. Covering, the carrier concentration of the low-conductivity region is lower than that of the source electrode or the drain electrode.

상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 산화물 반도체를 이루는 물질을 환원한 물질을 포함할 수 있다.The source electrode and the drain electrode may include a material obtained by reducing a material forming the oxide semiconductor.

상기 게이트 전극의 가장자리 경계는 상기 절연층의 가장자리 경계 안쪽에 위치할 수 있다.The edge boundary of the gate electrode may be located inside the edge boundary of the insulating layer.

상기 저도전 영역에서 상기 캐리어 농도는 점진적으로 변할 수 있다.The carrier concentration in the low-conductivity region may gradually change.

상기 절연층의 가장자리 경계는 상기 저도전 영역과 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극 사이의 경계와 실질적으로 정렬되어 있을 수 있다.An edge boundary of the insulating layer may be substantially aligned with a boundary between the low-conductivity region and the source electrode or the drain electrode.

상기 게이트 전극의 가장자리 경계와 상기 산화물 반도체의 가장자리 경계는 실질적으로 정렬되어 있을 수 있다.The edge boundary of the gate electrode and the edge boundary of the oxide semiconductor may be substantially aligned.

상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 산화물 반도체를 이루는 물질을 환원한 물질을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.The source electrode and the drain electrode include a material obtained by reducing a material forming the oxide semiconductor.

상기 절연 기판과 상기 산화물 반도체 사이에 위치하는 버퍼층을 더 포함할 수 있다.It may further include a buffer layer positioned between the insulating substrate and the oxide semiconductor.

상기 버퍼층 및 상기 절연층 즉 적어도 하나는 절연성 산화물을 포함할 수 있다.At least one of the buffer layer and the insulating layer may include an insulating oxide.

본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 산화물 반도체 물질을 포함하는 반도체 패턴을 형성하는 단계, 상기 반도체 패턴의 가운데 부분을 가로지르며 중첩하는 절연층 및 게이트 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 절연층 및 상기 게이트 전극에 의해 덮이지 않고 드러난 상기 반도체 패턴을 환원 처리하여 반도체 및 저도전 영역, 그리고 상기 반도체를 중심으로 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 저도전 영역은 상기 반도체와 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극 사이에 위치하고, 상기 절연층은 상기 산화물 반도체 및 상기 저도전 영역을 함께 덮고, 상기 저도전 영역의 캐리어 농도는 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극의 캐리어 농도보다 낮다.A method of manufacturing a thin film transistor display panel according to an embodiment of the present invention includes forming a semiconductor pattern including an oxide semiconductor material, forming an insulating layer and a gate electrode that overlap across the center of the semiconductor pattern, and Reducing the semiconductor pattern exposed and not covered by the insulating layer and the gate electrode to form a semiconductor and a low-conductivity region, and a source electrode and a drain electrode facing the semiconductor, A region is located between the semiconductor and the source electrode or the drain electrode, the insulating layer covers the oxide semiconductor and the low-conductivity region together, and the carrier concentration of the low-conductivity region is the carrier concentration of the source electrode or the drain electrode. lower than

상기 절연층 및 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는 상기 반도체 패턴 위에 절연 물질층을 형성하는 단계, 상기 절연 물질층 위에 도전성 물질을 포함하는 게이트층을 형성하는 단계, 상기 게이트층 위에 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 게이트층을 패터닝하여 상기 게이트 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 절연 물질층을 패터닝하여 상기 절연층을 형성하고 상기 반도체 패턴의 일부를 드러내는 단계를 포함할 수 있다.Forming the insulating layer and the gate electrode includes forming an insulating material layer on the semiconductor pattern, forming a gate layer including a conductive material on the insulating material layer, and forming a photosensitive film pattern on the gate layer. forming the gate electrode by patterning the gate layer using the photoresist pattern as an etch mask, and patterning the insulating material layer using the photoresist pattern as an etch mask to form the insulating layer and forming the semiconductor pattern. It may include a step of revealing a part.

상기 반도체 패턴을 형성하는 단계 및 상기 절연층 및 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는 상기 산화물 반도체 물질을 포함하는 반도체층, 절연 물질을 포함하는 절연 물질층, 그리고 도전성 물질을 포함하는 게이트층을 차례대로 적층하는 단계, 상기 게이트층 위에 두께가 서로 다른 부분을 포함하는 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 감광막 패턴을 이용하여 상기 게이트층, 상기 절연 물질층, 그리고 상기 반도체층을 차례대로 식각하여 상기 반도체 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 감광막 패턴의 일부를 제거하여 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제2 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 게이트층을 패터닝하여 상기 게이트 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 제2 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 절연 물질층을 패터닝하여 상기 절연층을 형성하고 상기 반도체 패턴의 일부를 드러내는 단계를 포함할 수 있다.Forming the semiconductor pattern and forming the insulating layer and the gate electrode include sequentially forming a semiconductor layer including the oxide semiconductor material, an insulating material layer including an insulating material, and a gate layer including a conductive material. stacking, forming a first photoresist pattern including portions of different thicknesses on the gate layer, sequentially etching the gate layer, the insulating material layer, and the semiconductor layer using the first photoresist pattern. forming the semiconductor pattern, removing a portion of the first photoresist pattern to form a second photoresist pattern, and patterning the gate layer using the second photoresist pattern as an etch mask to form the gate electrode. and patterning the insulating material layer using the second photoresist pattern as an etch mask to form the insulating layer and expose a portion of the semiconductor pattern.

상기 게이트 전극의 가장자리 경계는 상기 절연층의 가장자리 경계 안쪽에 위치할 수 있다.The edge boundary of the gate electrode may be located inside the edge boundary of the insulating layer.

상기 저도전 영역에서 상기 캐리어 농도는 점진적으로 변할 수 있다.The carrier concentration in the low-conductivity region may gradually change.

상기 반도체, 상기 저도전 영역, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계에서, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 저도전 영역 중 적어도 하나의 일부 표면에는 상기 산화물 반도체 물질의 금속 성분이 석출될 수 있다.In forming the semiconductor, the low-conductivity region, the source electrode, and the drain electrode, a metal component of the oxide semiconductor material may be precipitated on a partial surface of at least one of the source electrode, the drain electrode, and the low-conductivity region. You can.

상기 반도체, 상기 저도전 영역, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계는 플라즈마를 이용한 환원 처리 방법을 이용할 수 있다.The step of forming the semiconductor, the low-conductivity region, the source electrode, and the drain electrode may use a reduction treatment method using plasma.

본 발명의 실시예에 따르면 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 또는 드레인 전극 사이의 기생 용량을 줄일 수 있다. 또한 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터의 특성이 향상된다.According to an embodiment of the present invention, the parasitic capacitance between the gate electrode and the source electrode or drain electrode of the thin film transistor can be reduced. Additionally, the characteristics of thin film transistors containing oxide semiconductors are improved.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 단면도(a) 및 평면도(b)이고,
도 2 내지 도 11은 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법을 차례대로 나타낸 단면도이고,
도 12 내지 도 15는 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터의 단면을 보여주는 사진이고,
도 16은 도 15에 도시한 박막 트랜지스터의 일부의 확대도이고,
도 17 및 도 18은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 온 전류 특성을 나타낸 그래프이고,
도 19는 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 단면도이고,
도 20 내지 도 27은 도 19에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법을 차례대로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view (a) and a top view (b) of a thin film transistor display panel including a thin film transistor according to an embodiment of the present invention;
2 to 11 are cross-sectional views sequentially showing a method of manufacturing the thin film transistor display panel shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention;
12 to 15 are photographs showing a cross section of a thin film transistor including a thin film transistor according to an embodiment of the present invention, respectively;
Figure 16 is an enlarged view of a portion of the thin film transistor shown in Figure 15;
17 and 18 are graphs showing on-current characteristics according to gate voltage of a thin film transistor according to an embodiment of the present invention, respectively;
19 is a cross-sectional view of a thin film transistor display panel including a thin film transistor according to an embodiment of the present invention;
FIGS. 20 to 27 are cross-sectional views sequentially showing a method of manufacturing the thin film transistor display panel shown in FIG. 19 according to an embodiment of the present invention.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Then, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawing, the thickness is enlarged to clearly express various layers and regions. Throughout the specification, similar parts are given the same reference numerals. When a part of a layer, membrane, region, plate, etc. is said to be “on” another part, this includes not only cases where it is “directly above” the other part, but also cases where there is another part in between. Conversely, when a part is said to be “right on top” of another part, it means that there is no other part in between.

먼저, 도 1을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 설명한다.First, a thin film transistor and a thin film transistor display panel according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 단면도(a) 및 평면도(b)이다.1 is a cross-sectional view (a) and a top view (b) of a thin film transistor display panel including a thin film transistor according to an embodiment of the present invention.

도 1(a)를 참조하면, 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어질 수 있는 절연 기판(110) 위에 광 차단막(70)이 위치할 수 있다. 광 차단막(70)은 후에 적층될 산화물 반도체에 빛이 도달하는 것을 막아 산화물 반도체가 반도체로서의 성질을 잃는 것을 막을 수 있다. 따라서 광 차단막(70)은 산화물 반도체에 도달하지 않도록 차단할 파장대의 광을 투과시키지 않는 재료로 만들어지는 것이 바람직하다. 광 차단막(70)은 유기 절연 물질, 무기 절연 물질, 금속 등의 도전성 물질 등으로 만들어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 만들어질 수 있다.Referring to FIG. 1(a), a light blocking film 70 may be positioned on an insulating substrate 110 that may be made of glass or plastic. The light blocking film 70 can prevent light from reaching the oxide semiconductor to be stacked later and prevent the oxide semiconductor from losing its properties as a semiconductor. Therefore, the light blocking film 70 is preferably made of a material that does not transmit light in the wavelength band to be blocked so as not to reach the oxide semiconductor. The light blocking film 70 may be made of an organic insulating material, an inorganic insulating material, or a conductive material such as metal, and may be made of a single layer or a multilayer.

그러나, 광 차단막(70)은 조건에 따라 생략될 수도 있다. 구체적으로, 절연 기판(110)의 아래쪽에서 빛이 조사되지 않는 경우, 예를 들어 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터가 유기 발광 표시 장치 등에 사용될 경우, 광 차단막(70)은 생략될 수도 있다.However, the light blocking film 70 may be omitted depending on conditions. Specifically, when light is not irradiated from below the insulating substrate 110, for example, when the thin film transistor according to an embodiment of the present invention is used in an organic light emitting display device, etc., the light blocking film 70 may be omitted. .

광 차단막(70) 위에는 버퍼층(120)이 위치한다. 버퍼층(120)은 산화 실리콘(SiOx), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 하프늄(HfO3), 산화 이트륨(Y2O3) 등의 절연성 산화물을 포함할 수 있다. 버퍼층(120)은 후에 적층될 반도체에 절연 기판(110)으로부터의 불순물이 유입되는 것을 막아 반도체를 보호하고 반도체의 계면 특성을 향상시킬 수 있다. 버퍼층(120)의 두께는 500Å 이상 1㎛ 이하일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.A buffer layer 120 is located on the light blocking film 70. The buffer layer 120 may include an insulating oxide such as silicon oxide (SiOx), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), hafnium oxide (HfO 3 ), and yttrium oxide (Y 2 O 3 ). The buffer layer 120 protects the semiconductor by preventing impurities from the insulating substrate 110 from flowing into the semiconductor to be stacked later, and can improve the interface characteristics of the semiconductor. The thickness of the buffer layer 120 may be 500Å or more and 1㎛ or less, but is not limited thereto.

버퍼층(120) 위에는 반도체(134), 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)이 위치한다.A semiconductor 134, a source electrode 133, and a drain electrode 135 are located on the buffer layer 120.

반도체(134)는 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 산화물 반도체 물질은 금속 산화물 반도체로서, 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti) 등의 금속의 산화물 또는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti) 등의 금속과 이들의 산화물의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체 물질은 산화 아연(ZnO), 아연-주석 산화물(ZTO), 아연-인듐 산화물(ZIO), 인듐 산화물(InO), 티타늄 산화물(TiO), 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 인듐-아연-주석 산화물(IZTO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The semiconductor 134 may include an oxide semiconductor material. Oxide semiconductor materials are metal oxide semiconductors, which are oxides of metals such as zinc (Zn), indium (In), gallium (Ga), tin (Sn), and titanium (Ti), or zinc (Zn), indium (In), and gallium. It may be made of a combination of metals such as (Ga), tin (Sn), and titanium (Ti) and their oxides. For example, oxide semiconductor materials include zinc oxide (ZnO), zinc-tin oxide (ZTO), zinc-indium oxide (ZIO), indium oxide (InO), titanium oxide (TiO), and indium-gallium-zinc oxide (IGZO). ), and indium-zinc-tin oxide (IZTO).

광 차단막(70)이 존재할 경우 반도체(134)는 광 차단막(70)으로 가려질 수 있다.If the light blocking film 70 is present, the semiconductor 134 may be covered by the light blocking film 70.

도 1(a) 및 도 1(b)를 참조하면, 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)은 반도체(134)를 중심으로 양쪽에 각각 위치하며 서로 분리되어 있다.Referring to FIGS. 1(a) and 1(b), the source electrode 133 and the drain electrode 135 are located on both sides of the semiconductor 134 and are separated from each other.

소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)은 도전성을 가지며 반도체(134)를 이루는 반도체 물질과 동일한 물질 및 환원된 반도체 물질을 포함할 수 있다. 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)의 표면에는 반도체 물질에 포함된 인듐(In) 등의 금속이 석출되어 있을 수 있다.The source electrode 133 and the drain electrode 135 have conductivity and may include the same material as the semiconductor material forming the semiconductor 134 or a reduced semiconductor material. Metals such as indium (In) included in semiconductor materials may be deposited on the surfaces of the source electrode 133 and the drain electrode 135.

반도체(134)와 소스 전극(133) 사이, 그리고 반도체(134)와 드레인 전극(135) 사이에는 각각 저도전 영역(low conductive region)(136)이 위치한다. 반도체(134)와 소스 전극(133) 사이에 위치하는 저도전 영역(136)은 반도체(134) 및 소스 전극(133)과 접촉하며 연결되어 있고, 반도체(134)와 드레인 전극(135) 사이에 위치하는 저도전 영역(136)은 반도체(134) 및 드레인 전극(135)과 접촉하며 연결되어 있다.A low conductive region 136 is located between the semiconductor 134 and the source electrode 133, and between the semiconductor 134 and the drain electrode 135, respectively. The low-conductivity region 136 located between the semiconductor 134 and the source electrode 133 is in contact with and connected to the semiconductor 134 and the source electrode 133, and is located between the semiconductor 134 and the drain electrode 135. The low-conductivity region 136 located is in contact with and connected to the semiconductor 134 and the drain electrode 135.

저도전 영역(136)의 캐리어 농도는 반도체134)보다 높으나 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)의 캐리어 농도보다 낮고, 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)보다 낮은 도전성을 가질 수 있다. 저도전 영역(136)의 캐리어 농도는 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)으로부터 반도체(134) 쪽으로 갈수록 점차 감소할 수 있다.The carrier concentration of the low-conductivity region 136 is higher than that of the semiconductor 134, but is lower than that of the source electrode 133 and the drain electrode 135, and may have lower conductivity than the source electrode 133 and the drain electrode 135. . The carrier concentration in the low-conductivity region 136 may gradually decrease from the source electrode 133 and the drain electrode 135 toward the semiconductor 134.

저도전 영역(136)의 표면에는 반도체 물질에 포함된 인듐(In) 등의 금속이 석출되어 있을 수 있다Metals such as indium (In) contained in semiconductor materials may be precipitated on the surface of the low-conductivity region 136.

반도체(134) 위에는 절연층(142)이 위치한다. 절연층(142)은 반도체(134) 및 저도전 영역(136)을 덮는다. 절연층(142)은 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135)과 실질적으로 중첩하지 않을 수 있다.An insulating layer 142 is located on the semiconductor 134. The insulating layer 142 covers the semiconductor 134 and the low-conductivity region 136. The insulating layer 142 may not substantially overlap the source electrode 133 or the drain electrode 135.

절연층(142)은 단일막 또는 이중막 이상의 다중막일 수 있다.The insulating layer 142 may be a single layer, a double layer or a multilayer.

절연층(142)이 단일막인 경우, 절연층(142)은 산화 실리콘(SiOx), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 하프늄(HfO3), 산화 이트륨(Y2O3) 등의 절연성 산화물을 포함할 수 있다. 절연층(142)은 반도체(134)의 계면 특성을 향상시키고 반도체(134)에 불순물이 침투하는 것을 막을 수 있다.When the insulating layer 142 is a single film, the insulating layer 142 is made of insulating material such as silicon oxide (SiOx), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), hafnium oxide (HfO 3 ), and yttrium oxide (Y 2 O 3 ). It may contain oxides. The insulating layer 142 can improve the interface characteristics of the semiconductor 134 and prevent impurities from penetrating into the semiconductor 134.

절연층(142)이 다중막일 경우, 절연층(142)은 도 1(a)에 도시한 바와 같이 하부막(142a) 및 상부막(142b)을 포함할 수 있다. 하부막(142a)은 산화 실리콘(SiOx), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 하프늄(HfO3), 산화 이트륨(Y2O3) 등의 절연성 산화물을 포함하여 반도체(134)의 계면 특성을 향상시키고 반도체(134)에 불순물이 침투하는 것을 막을 수 있다. 상부막(142b)은 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx) 등의 다양한 절연 물질로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 절연층(142)은 산화 알루미늄(AlOx)의 하부막과 산화 실리콘(SiOx)의 상부막을 포함할 수 있고, 이때 하부막의 두께는 500Å 이하일 수 있고 상부막의 두께는 500Å 이상 1500Å 이하일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또 다른 예로서, 절연층(142)은 산화 실리콘(SiOx)의 하부막과 질화 실리콘(SiNx)의 상부막을 포함할 수 있고, 이때 하부막의 두께는 대략 2000Å이고 상부막의 두께는 대략 1000Å일 수 있으나 역시 이에 한정되는 것은 아니다.When the insulating layer 142 is a multilayer, the insulating layer 142 may include a lower layer 142a and an upper layer 142b as shown in FIG. 1(a). The lower film 142a includes an insulating oxide such as silicon oxide (SiOx), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), hafnium oxide (HfO 3 ), and yttrium oxide (Y 2 O 3 ), thereby maintaining the interface characteristics of the semiconductor 134. and can prevent impurities from penetrating into the semiconductor 134. The upper film 142b may be made of various insulating materials such as silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx). For example, the insulating layer 142 may include a lower film of aluminum oxide (AlOx) and an upper film of silicon oxide (SiOx), where the thickness of the lower film may be 500 Å or less and the thickness of the upper film may be 500 Å or more and 1500 Å or less. However, it is not limited to this. As another example, the insulating layer 142 may include a lower film of silicon oxide (SiOx) and an upper film of silicon nitride (SiNx), where the thickness of the lower film is approximately 2000 Å and the thickness of the upper film is approximately 1000 Å. It is also not limited to this.

절연층(142)의 두께는 1000Å 이상 5000Å 이하일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 절연층(142)의 전체 두께는 박막 트랜지스터의 특성이 극대화되도록 적절히 조절될 수 있다.The thickness of the insulating layer 142 may be 1000 Å or more and 5000 Å or less, but is not limited thereto. The overall thickness of the insulating layer 142 can be appropriately adjusted to maximize the characteristics of the thin film transistor.

절연층(142) 위에는 게이트 전극(154)이 위치한다. 게이트 전극(154)의 가장자리 경계는 절연층(142)의 가장자리 경계의 안쪽에 위치한다. 따라서 절연층(142)은 게이트 전극(154)에 덮이지 않은 외곽부(outer boundary portion)(144)를 포함한다. 외곽부(144)는 저도전 영역(136)과 중첩하며, 저도전 영역(136)은 외곽부(144)에 의해 덮여 있다. 외곽부(144)의 가장자리 경계와 저도전 영역(136)의 가장자리 경계는 실질적으로 일치하여 정렬되어 있을 수 있다.A gate electrode 154 is located on the insulating layer 142. The edge boundary of the gate electrode 154 is located inside the edge boundary of the insulating layer 142. Accordingly, the insulating layer 142 includes an outer boundary portion 144 that is not covered by the gate electrode 154. The outer portion 144 overlaps the low-conductivity region 136, and the low-conductivity region 136 is covered by the outer portion 144. The edge boundary of the outer portion 144 and the edge boundary of the low-conductivity region 136 may be substantially aligned and aligned.

외곽부(144) 하단의 폭(d1)은 0보다 크며 저도전 영역(136)의 필요한 길이에 따라 조절될 수 있다.The width d1 of the bottom of the outer portion 144 is greater than 0 and can be adjusted according to the required length of the low-conductivity region 136.

절연층(142) 하단의 채널 길이 방향의 폭(d3)은 게이트 전극(154) 하단의 채널 길이 방향의 폭(d2)보다 크고, 게이트 전극(154) 하단의 채널 길이 방향의 폭(d2)의 3배보다 작을 수 있다.The width d3 in the channel longitudinal direction at the bottom of the insulating layer 142 is larger than the width d2 in the longitudinal direction of the channel at the bottom of the gate electrode 154, and is greater than the width d2 in the longitudinal direction of the channel at the bottom of the gate electrode 154. It can be less than 3 times.

도 1(a) 및 도1(b)를 참조하면, 게이트 전극(154)은 반도체(134)와 중첩하며, 반도체(134)는 게이트 전극(154)에 의해 덮여 있다. 게이트 전극(154)을 중심으로 반도체(134)의 양쪽에는 저도전 영역(136)이 위치하고, 저도전 영역(136)의 바깥쪽에 각각 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)이 위치한다. 반도체(134) 양쪽의 저도전 영역(136), 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)은 게이트 전극(154)과 실질적으로 중첩하지 않을 수 있다. 따라서 게이트 전극(154)과 소스 전극(133) 사이의 기생 용량 또는 게이트 전극(154)과 드레인 전극(135) 사이의 기생 용량이 작아질 수 있다.1(a) and 1(b), the gate electrode 154 overlaps the semiconductor 134, and the semiconductor 134 is covered by the gate electrode 154. A low-conductivity region 136 is located on both sides of the semiconductor 134 around the gate electrode 154, and a source electrode 133 and a drain electrode 135 are located outside the low-conductivity region 136, respectively. The low-conductivity region 136, the source electrode 133, and the drain electrode 135 on both sides of the semiconductor 134 may not substantially overlap the gate electrode 154. Accordingly, the parasitic capacitance between the gate electrode 154 and the source electrode 133 or the parasitic capacitance between the gate electrode 154 and the drain electrode 135 may be reduced.

게이트 전극(154)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속 또는 이들의 합금 등으로 만들어질 수 있다. 게이트 전극(154)은 단일막 또는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막의 예로는 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), ITO 등의 하부막과 구리(Cu) 등의 상부막의 이중막, 몰리브덴(Mo)-알루미늄(Al)-몰리브덴(Mo)의 삼중막 등을 들 수 있다. 그러나 게이트 전극(154)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The gate electrode 154 is made of metal such as aluminum (Al), silver (Ag), copper (Cu), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum (Ta), titanium (Ti), or an alloy thereof. You can lose. The gate electrode 154 may have a single-layer or multi-layer structure. Examples of multilayers include a double layer of a lower layer of titanium (Ti), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), ITO, etc. and an upper layer of copper (Cu), molybdenum (Mo)-aluminum (Al)-molybdenum (Mo). A triple layer, etc. can be mentioned. However, the gate electrode 154 may be made of various other metals or conductors.

본 발명의 실시예에 따르면, 저도전 영역(136)과 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135) 사이의 경계는 절연층(142)의 가장자리 경계와 실질적으로 정렬되어 일치할 수 있고, 게이트 전극(154)의 가장자리 경계는 반도체(134)와 저도전 영역(136) 사이의 경계와 실질적으로 정렬되어 일치할 수 있고, According to an embodiment of the present invention, the boundary between the low-conductivity region 136 and the source electrode 133 or the drain electrode 135 may be substantially aligned with the edge boundary of the insulating layer 142, and the gate electrode The edge boundary of 154 may be substantially aligned and coincident with the boundary between semiconductor 134 and low-conductivity region 136,

게이트 전극(154), 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)은 반도체(134)와 함께 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(Q)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 반도체(134)에 형성된다.The gate electrode 154, source electrode 133, and drain electrode 135 together with the semiconductor 134 form a thin film transistor (TFT) (Q), and the channel of the thin film transistor is the semiconductor (134). ) is formed in

본 발명의 한 실시예에 따르면, 저도전 영역(136)은 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135)으로부터 반도체(134)로 들어가는 전류가 느끼는 저항을 서서히 증가시키는 역할을 할 수 있다. 즉, 저도전 영역(136)은 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(metal oxide silicon field effect transistor, MOSFET)의 저도핑 드레인(lightly doped drain, LDD) 영역에 대응하는 기능을 할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the low-conductivity region 136 may serve to gradually increase the resistance felt by the current entering the semiconductor 134 from the source electrode 133 or the drain electrode 135. That is, the low-conductivity region 136 may function to correspond to the lightly doped drain (LDD) region of a metal oxide silicon field effect transistor (MOSFET).

특히 박막 트랜지스터의 사이즈가 점점 작아져 채널 길이도 짧아지는 경우, 소스 전극(133)과 드레인 전극(135) 사이의 전기장이 상대적으로 커져 이에 의해 캐리어의 이동성이 지나치게 커져 핫 캐리어(hot carrier)가 발생할 수 있다. 핫 캐리어는 절연층(142)을 뚫고 나가기도 하고 절연층(142)에 축적되어 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 저하시킨다.In particular, when the size of the thin film transistor becomes smaller and the channel length becomes shorter, the electric field between the source electrode 133 and the drain electrode 135 becomes relatively large, which causes the mobility of carriers to become excessively large and hot carriers to occur. You can. Hot carriers may penetrate the insulating layer 142 or accumulate in the insulating layer 142 to deteriorate the electrical characteristics of the thin film transistor.

그러나 본 발명의 한 실시예와 같이 절연층(142)의 외곽부(144)를 형성하여 저도전 영역(136)을 형성하면 반도체(134)와 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135) 사이의 캐리어 농도를 점차적으로 변화시켜 핫 캐리어의 발생을 억제할 수 있고 반도체(134)의 채널 길이가 짧아지는 것을 막을 수 있다. 따라서 반도체(134)로의 전류의 급증을 방지할 수 있으며 박막 트랜지스터의 특성을 안정시키고 향상시킬 수 있다.However, when the low-conductivity region 136 is formed by forming the outer portion 144 of the insulating layer 142 as in one embodiment of the present invention, the space between the semiconductor 134 and the source electrode 133 or the drain electrode 135 is formed. By gradually changing the carrier concentration, the generation of hot carriers can be suppressed and the channel length of the semiconductor 134 can be prevented from being shortened. Therefore, a surge in current to the semiconductor 134 can be prevented and the characteristics of the thin film transistor can be stabilized and improved.

또한 절연층(142)의 외곽부(144)에 의해 게이트 전극(154)과 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135) 사이의 거리가 멀어질 수 있으므로 게이트 전극(154)과 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135) 사이의 누설 경로(leakage path)를 길게 할 수 있고, 게이트 전극(154)과 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135) 사이의 단락(short circuit)을 방지할 수 있다. 이에 따라 절연층(142)의 두께를 더 감소시킬 수 있는 여유가 생기므로 박막 트랜지스터(Q)의 온 전류를 증가시킬 수 있다.In addition, the distance between the gate electrode 154 and the source electrode 133 or the drain electrode 135 may increase due to the outer portion 144 of the insulating layer 142, so that the gate electrode 154 and the source electrode 133 Alternatively, the leakage path between the drain electrodes 135 can be lengthened, and a short circuit between the gate electrode 154 and the source electrode 133 or the drain electrode 135 can be prevented. Accordingly, there is room to further reduce the thickness of the insulating layer 142, thereby increasing the on-state current of the thin film transistor Q.

게이트 전극(154), 소스 전극(133), 드레인 전극(135), 그리고 버퍼층(120) 위에는 보호막(passivation layer)(160)이 위치한다. 보호막(160)은 질화 실리콘 또는 산화 실리콘 등의 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질 등으로 이루어질 수 있다. 보호막(160)은 소스 전극(133)을 드러내는 접촉 구멍(163) 및 드레인 전극(135)을 드러내는 접촉 구멍(165)을 포함할 수 있다.A passivation layer 160 is located on the gate electrode 154, the source electrode 133, the drain electrode 135, and the buffer layer 120. The protective film 160 may be made of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide, or an organic insulating material. The protective film 160 may include a contact hole 163 exposing the source electrode 133 and a contact hole 165 exposing the drain electrode 135.

보호막(160) 위에는 데이터 입력 전극(173) 및 데이터 출력 전극(175)이 위치할 수 있다. 데이터 입력 전극(173)은 보호막(160)의 접촉 구멍(163)을 통해 박막 트랜지스터(Q)의 소스 전극(133)과 전기적으로 연결되고, 데이터 출력 전극(175)은 보호막(160)의 접촉 구멍(165)을 통해 박막 트랜지스터(Q)의 드레인 전극(135)과 전기적으로 연결될 수 있다.A data input electrode 173 and a data output electrode 175 may be positioned on the protective film 160. The data input electrode 173 is electrically connected to the source electrode 133 of the thin film transistor Q through the contact hole 163 of the protective film 160, and the data output electrode 175 is electrically connected to the contact hole 163 of the protective film 160. It can be electrically connected to the drain electrode 135 of the thin film transistor (Q) through (165).

이와 달리 보호막(160) 위에 색필터(도시하지 않음) 또는 유기 물질로 이루어진 유기막(도시하지 않음)이 더 위치하고, 그 위에 데이터 입력 전극(173) 및 데이터 출력 전극(175)이 위치할 수도 있다.In contrast, a color filter (not shown) or an organic film (not shown) made of an organic material may be further positioned on the protective film 160, and the data input electrode 173 and the data output electrode 175 may be positioned thereon. .

그러면 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 본 발명의 한 실시예에 따른 제조 방법에 대해 앞에서 설명한 도 1과 함께 도 2 내지 도 16을 참조하여 설명한다.Then, a manufacturing method of the thin film transistor display panel shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 16 along with FIG. 1 described above.

도 2 내지 도 11은 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법을 차례대로 나타낸 단면도이다.2 to 11 are cross-sectional views sequentially showing a method of manufacturing the thin film transistor display panel shown in FIG. 1 according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 2를 참조하면, 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어질 수 있는 절연 기판(110) 위에 유기 절연 물질, 무기 절연 물질, 금속 등의 도전성 물질 등으로 이루어진 광 차단막(70)을 형성한다. 광 차단막(70)의 형성 단계는 조건에 따라 생략될 수 있다.First, referring to FIG. 2, a light blocking film 70 made of a conductive material such as an organic insulating material, an inorganic insulating material, or a metal is formed on an insulating substrate 110 that can be made of glass or plastic. The step of forming the light blocking film 70 may be omitted depending on conditions.

다음 도 3을 참조하면, 광 차단막(70) 위에 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등의 방법으로 산화 실리콘(SiOx), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 하프늄(HfO3), 산화 이트륨(Y2O3) 등의 산화물을 포함하는 절연 물질로 이루어진 버퍼층(120)을 형성한다. 버퍼층(120)의 두께는 500Å 이상 1㎛ 이하일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 3, silicon oxide (SiOx), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), hafnium oxide (HfO 3 ), and oxidation are deposited on the light blocking film 70 by a method such as chemical vapor deposition (CVD). A buffer layer 120 is formed of an insulating material containing oxide such as yttrium (Y 2 O 3 ). The thickness of the buffer layer 120 may be 500Å or more and 1㎛ or less, but is not limited thereto.

다음 도 4를 참조하면, 버퍼층(120) 위에 산화 아연(ZnO), 아연-주석 산화물(ZTO), 아연-인듐 산화물(ZIO), 인듐 산화물(InO), 티타늄 산화물(TiO), 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 인듐-아연-주석 산화물(IZTO) 등의 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있는 반도체층(130)을 도포한다.Next, referring to FIG. 4, zinc oxide (ZnO), zinc-tin oxide (ZTO), zinc-indium oxide (ZIO), indium oxide (InO), titanium oxide (TiO), indium-gallium- A semiconductor layer 130, which may be made of an oxide semiconductor material such as zinc oxide (IGZO) or indium-zinc-tin oxide (IZTO), is applied.

다음, 반도체층(130) 위에 감광막을 도포하고 노광하여 감광막 패턴(50)을 형성한다. 감광막 패턴(50)은 광 차단막(70)의 적어도 일부와 중첩할 수 있다.Next, a photosensitive film is applied on the semiconductor layer 130 and exposed to form a photosensitive film pattern 50. The photosensitive film pattern 50 may overlap at least a portion of the light blocking film 70 .

다음 도 5를 참조하면, 감광막 패턴(50)을 마스크로 반도체층(130)을 식각하여 반도체 패턴(132)을 형성한다.Next, referring to FIG. 5, the semiconductor layer 130 is etched using the photoresist pattern 50 as a mask to form the semiconductor pattern 132.

이어서 반도체 패턴(132) 및 버퍼층(120) 위에 절연 물질층(140)을 형성한다. 절연 물질층(140)은 산화 실리콘(SiOx) 등의 절연성 산화물을 포함하는 단일층으로 형성할 수도 있고, 도 5에 도시한 바와 같이 산화 실리콘(SiOx) 등의 절연성 산화물을 포함하는 하부막(140a)과 절연 물질을 포함하는 상부막(140b)을 포함하는 다중막으로 형성할 수도 있다. 절연 물질층(140)의 두께는 1000Å 이상 5000Å 이하일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Next, an insulating material layer 140 is formed on the semiconductor pattern 132 and the buffer layer 120. The insulating material layer 140 may be formed as a single layer containing an insulating oxide such as silicon oxide (SiOx), and as shown in FIG. 5, the lower film 140a containing an insulating oxide such as silicon oxide (SiOx) ) and an upper film 140b containing an insulating material. The thickness of the insulating material layer 140 may be 1000 Å or more and 5000 Å or less, but is not limited thereto.

다음 도 6을 참조하면, 절연 물질층(140) 위에 금속 등의 도전성 물질을 적층하여 게이트층(150)을 형성한다. 이어서, 게이트층(150) 위에 감광막을 도포하고 노광하여 감광막 패턴(50)을 형성한다. 감광막 패턴(50)은 반도체 패턴(132)의 일부와 중첩한다.Next, referring to FIG. 6, a gate layer 150 is formed by stacking a conductive material such as metal on the insulating material layer 140. Next, a photosensitive film is applied on the gate layer 150 and exposed to form a photosensitive film pattern 50. The photoresist pattern 50 overlaps a portion of the semiconductor pattern 132 .

다음 도 7을 참조하면, 감광막 패턴(50)을 마스크로 하여 게이트층(150)을 식각하여 게이트 전극(154)을 형성한다. 이때 습식 식각 방법을 이용할 수 있으며, 식각 정도를 조절하여 게이트 전극(154)의 가장자리 경계가 감광막 패턴(50)의 가장자리 경계의 안쪽에 위치하도록 한다. 게이트 전극(154)은 반도체 패턴(132)의 가운데 부분을 가로지르며 통과하도록 형성하여, 게이트 전극(154)과 반도체 패턴(132)의 중첩 부분의 양쪽에 위치하는 반도체 패턴(132)의 두 부분이 게이트 전극(154)에 의해 덮이지 않도록 한다.Next, referring to FIG. 7, the gate layer 150 is etched using the photoresist pattern 50 as a mask to form the gate electrode 154. At this time, a wet etching method can be used, and the degree of etching is adjusted so that the edge boundary of the gate electrode 154 is located inside the edge boundary of the photoresist pattern 50. The gate electrode 154 is formed to pass across the middle portion of the semiconductor pattern 132, so that two parts of the semiconductor pattern 132 located on both sides of the overlapping portion of the gate electrode 154 and the semiconductor pattern 132 are formed. Make sure it is not covered by the gate electrode 154.

다음 도 8을 참조하면, 감광막 패턴(50)을 마스크로 절연 물질층(140)을 패터닝하여 졀연층(142)을 형성한다. 이때 건식 식각 방법을 이용할 수 있다. 절연층(142)의 가장자리 경계는 게이트 전극(154)의 가장자리 경계보다 바깥쪽에 형성된다. 또한 식각 기체 및 식각 시간을 조절하여 버퍼층(120)은 식각되지 않도록 할 수 있다.Next, referring to FIG. 8, the insulating material layer 140 is patterned using the photoresist pattern 50 as a mask to form the insulating layer 142. At this time, a dry etching method can be used. The edge boundary of the insulating layer 142 is formed outside the edge boundary of the gate electrode 154. Additionally, the buffer layer 120 can be prevented from being etched by controlling the etching gas and etching time.

절연층(142)과 반도체 패턴(132)의 중첩 부분의 양쪽에는 절연층(142)에 의해 덮이지 않는 반도체 패턴(132)의 두 부분이 위치한다.Two parts of the semiconductor pattern 132 that are not covered by the insulating layer 142 are located on both sides of the overlapping portion of the insulating layer 142 and the semiconductor pattern 132.

절연층(142)은 단일막으로 이루어질 수도 있고, 절연성 산화물을 포함하는 하부막(142a)과 절연 물질을 포함하는 상부막(142b)으로 이루어질 수도 있다.The insulating layer 142 may be made of a single film, or may be made of a lower film 142a containing an insulating oxide and an upper film 142b containing an insulating material.

다음 도 9를 참조하면, 감광막 패턴(50)을 제거한다. 감광막 패턴(50)의 제거 전에 산소 기체를 이용한 애싱(ashing)을 진행할 수도 있다.Next, referring to FIG. 9, the photoresist pattern 50 is removed. Before removing the photosensitive film pattern 50, ashing using oxygen gas may be performed.

다음 도 10을 참조하면, 드러난 반도체 패턴(132)의 노출된 부분을 환원 처리하여 도전성을 가지는 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)을 형성한다. 게이트 전극(154)과 중첩하지 않으면서 절연층(142)과만 중첩하고 있는 반도체 패턴(132)의 영역, 즉 절연층(142)의 외곽부(144)와 중첩하는 반도체 패턴(132)의 영역은 반도체 패턴(132)의 내부로 갈수록 약하게 환원 처리되어 저도전 영역(136)이 된다. 게이트 전극(154)과 중첩하는 반도체 패턴(132)은 반도체(134)가 된다.Next, referring to FIG. 10, the exposed portion of the exposed semiconductor pattern 132 is reduced to form a conductive source electrode 133 and a drain electrode 135. The area of the semiconductor pattern 132 that does not overlap the gate electrode 154 but only overlaps the insulating layer 142, that is, the area of the semiconductor pattern 132 that overlaps the outer portion 144 of the insulating layer 142. As the inside of the semiconductor pattern 132 progresses, the reduction process becomes weaker, forming a low-conductivity region 136. The semiconductor pattern 132 overlapping the gate electrode 154 becomes the semiconductor 134.

노출된 반도체 패턴(132)의 환원 처리 방법으로 환원 분위기에서의 열처리 방법을 이용할 수도 있고, 수소(H2), 헬륨(He), 포스핀(PH3), 암모니아(NH3), 실란(SiH4), 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 디보란(B2H6), 이산화탄소(CO2), 저메인(GeH4), 셀렌화수소(H2Se), 황화수소(H2S), 아르곤(Ar), 질소(N2), 산화 질소(N2O), 불소계 기체(예를 들어 F2, NF3, CF4, SF6, CHF3) 등 기체 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리도 이용할 수 있다.As a reduction treatment method for the exposed semiconductor pattern 132, a heat treatment method in a reducing atmosphere may be used, and hydrogen (H 2 ), helium (He), phosphine (PH3), ammonia (NH3), silane (SiH4), Methane (CH4), acetylene (C2H2), diborane (B2H6), carbon dioxide (CO2), germane (GeH4), hydrogen selenide (H2Se), hydrogen sulfide (H2S), argon (Ar), nitrogen (N 2 ), nitrogen oxide Plasma treatment using gas plasma such as (N 2 O) or fluorine-based gas (eg, F2, NF3, CF4, SF6, CHF 3 ) can also be used.

환원 처리된 노출된 반도체 패턴(132)을 구성하는 반도체 물질의 적어도 일부는 환원되어 금속 결합만이 남을 수 있다. 따라서 환원 처리된 반도체 패턴(132)은 도전성을 가지게 되어 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)을 형성한다.At least a portion of the semiconductor material constituting the exposed semiconductor pattern 132 that has undergone reduction treatment may be reduced and only metal bonds may remain. Accordingly, the reduced semiconductor pattern 132 becomes conductive and forms the source electrode 133 and the drain electrode 135.

절연층(142)의 외곽부(144)와 중첩하는 반도체 패턴(132)은 환원 처리 과정에서 수소 등의 기체가 침투하여 어느 정도 환원되며, 기체가 침투하는 정도에 따라 캐리어 농도가 서서히 감소되는 저도전 영역(136)을 형성한다.The semiconductor pattern 132 overlapping the outer portion 144 of the insulating layer 142 is reduced to some extent by penetration of gas such as hydrogen during the reduction process, and the carrier concentration is gradually reduced depending on the degree of penetration of the gas. It forms the entire area 136.

반도체 패턴(132)의 환원 처리시에 반도체 패턴(132)의 상부에는 반도체 물질의 금속 성분, 예를 들어 인듐(In) 등이 표면으로 석출될 수 있다. 석출된 금속층의 두께는 200nm 이하일 수 있다.When the semiconductor pattern 132 is reduced, metal components of the semiconductor material, such as indium (In), may be deposited on the surface of the semiconductor pattern 132. The thickness of the precipitated metal layer may be 200 nm or less.

도 12 및 도 13은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 단면을 보여주는 사진이다.12 and 13 are photographs showing a cross section of a thin film transistor according to an embodiment of the present invention, respectively.

도 12를 참조하면, 반도체 물질이 인듐(In)을 포함하는 경우 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)의 표면에 인듐(In) 입자가 석출되어 있는 모습을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 12, when the semiconductor material includes indium (In), it can be seen that indium (In) particles are precipitated on the surfaces of the source electrode 133 and the drain electrode 135.

도 13을 참조하면, 절연층(142)의 외곽부(144)와 저도전 영역(136) 사이에도 인듐이 석출되는 것을 확인할 수 있다Referring to FIG. 13, it can be seen that indium is also precipitated between the outer portion 144 of the insulating layer 142 and the low-conductivity region 136.

게이트 전극(154), 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)은 반도체(134)와 함께 박막 트랜지스터(Q)를 이룬다.The gate electrode 154, source electrode 133, and drain electrode 135 together with the semiconductor 134 form a thin film transistor (Q).

*다음 도 11을 참조하면, 게이트 전극(154), 소스 전극(133), 드레인 전극(135), 그리고 버퍼층(120) 위에 절연 물질을 도포하여 보호막(160)을 형성한다. 이어서, 보호막(160)을 패터닝하여 소스 전극(133)을 드러내는 접촉 구멍(163) 및 드레인 전극(135)을 드러내는 접촉 구멍(165)을 형성한다.*Next, referring to FIG. 11, an insulating material is applied on the gate electrode 154, the source electrode 133, the drain electrode 135, and the buffer layer 120 to form a protective film 160. Next, the protective film 160 is patterned to form a contact hole 163 exposing the source electrode 133 and a contact hole 165 exposing the drain electrode 135.

다음 앞에서 설명한 도 1에 도시한 바와 같이, 보호막(160) 위에 데이터 입력 전극(173) 및 데이터 출력 전극(175)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 1 described above, the data input electrode 173 and the data output electrode 175 may be formed on the protective film 160.

본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터(Q)에서 게이트 전극(154)과 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135)이 실질적으로 중첩하지 않으므로 게이트 전극(154)과 소스 전극(133) 사이의 기생 용량 또는 게이트 전극(154)과 드레인 전극(135) 사이의 기생 용량이 매우 작아질 수 있다. 따라서 박막 트랜지스터(Q)의 스위칭 소자로서의 on/off 특성이 향상될 수 있다.In the thin film transistor (Q) according to an embodiment of the present invention, the gate electrode 154 and the source electrode 133 or the drain electrode 135 do not substantially overlap, so there is a gap between the gate electrode 154 and the source electrode 133. The parasitic capacitance or the parasitic capacitance between the gate electrode 154 and the drain electrode 135 may become very small. Therefore, the on/off characteristics of the thin film transistor (Q) as a switching element can be improved.

또한 게이트 전극(154) 형성을 위한 감광막 패턴(50)을 이용해 절연층(142)도 패터닝하여 게이트 전극(154)보다 폭이 넓은 절연층(142)을 형성하고, 반도체 패턴(132)을 환원 처리함으로써 절연층(142)이 외곽부(144) 아래의 저도전 영역(136)을 형성할 수 있다. 이로써 박막 트랜지스터 반도체(134)의 채널 길이가 짧아지는 것을 막을 수 있고, 핫 캐리어의 발생을 억제할 수 있으며, 반도체(134)로의 전류의 급증을 방지할 수 있고, 박막 트랜지스터(Q)의 특성을 안정시키고 향상시킬 수 있다.In addition, the insulating layer 142 is patterned using the photosensitive film pattern 50 to form the gate electrode 154 to form an insulating layer 142 wider than the gate electrode 154, and the semiconductor pattern 132 is reduced. By doing so, the insulating layer 142 can form a low-conductivity region 136 below the outer portion 144. This can prevent the channel length of the thin film transistor semiconductor 134 from being shortened, suppress the generation of hot carriers, prevent a surge in current to the semiconductor 134, and improve the characteristics of the thin film transistor Q. It can be stabilized and improved.

또한 절연층(142)의 외곽부(144)에 의해 게이트 전극(154)과 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135) 사이의 거리가 멀어질 수 있으므로 게이트 전극(154)과 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135) 사이의 누설 경로를 길게 할 수 있고, 게이트 전극(154)과 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135) 사이의 단락을 방지할 수 있다. 이에 따라 절연층(142)의 두께를 더 감소시킬 수 있다.In addition, the distance between the gate electrode 154 and the source electrode 133 or the drain electrode 135 may increase due to the outer portion 144 of the insulating layer 142, so that the gate electrode 154 and the source electrode 133 Alternatively, the leakage path between the drain electrodes 135 can be lengthened, and a short circuit between the gate electrode 154 and the source electrode 133 or the drain electrode 135 can be prevented. Accordingly, the thickness of the insulating layer 142 can be further reduced.

도 14 및 도 15는 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 단면을 보여주는 사진이고, 도 16은 도 15에 도시한 박막 트랜지스터의 일부의 확대도이다.FIGS. 14 and 15 are photographs showing a cross section of a thin film transistor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 16 is an enlarged view of a portion of the thin film transistor shown in FIG. 15.

앞에서 설명한 박막 트랜지스터의 제조 방법에서, 게이트 전극(154)을 형성한 후 감광막 패턴(50)을 제거하기 전에 산소 기체를 이용하여 애싱 공정을 진행하는 경우 게이트 전극(154)의 금속 성분이 절연층(142)의 표면에 달라붙을 수 있다. 도 14는 절연층(142)이 외곽부(144)를 포함하지 않는 경우, 즉 게이트 전극(154)과 절연층(142)의 가장자리 경계가 실질적으로 일치하는 경우에 애싱 과정에서 게이트 전극(154)의 금속 성분, 예를 들어 구리(Cu)가 절연층(142)의 측면에 달라붙어 있는 모습을 보여준다. 이 경우, 게이트 전극(154)과 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135) 사이에 단락이 생길 수 있는 문제점이 있다.In the thin film transistor manufacturing method described above, when an ashing process is performed using oxygen gas after forming the gate electrode 154 and before removing the photosensitive film pattern 50, the metal component of the gate electrode 154 is removed from the insulating layer ( 142) can stick to the surface. FIG. 14 shows the case where the insulating layer 142 does not include the outer portion 144, that is, when the edge boundary of the gate electrode 154 and the insulating layer 142 substantially coincide, the gate electrode 154 during the ashing process. It shows that a metal component, for example, copper (Cu), is attached to the side of the insulating layer 142. In this case, there is a problem that a short circuit may occur between the gate electrode 154 and the source electrode 133 or the drain electrode 135.

그러나 도 15 및 도 16을 참조하면, 본 발명의 한 실시예와 같이 절연층(142)의 외곽부(144)를 형성하면 애싱 공정에서 게이트 전극(154)의 금속 성분, 예를 들어 구리(Cu)가 나온다 해도 외곽부(144)의 상면에 주로 달라붙을 수 있다. 따라서 게이트 전극(154)과 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135) 사이에 단락이 생기기 힘들며, 절연층(142)의 외곽부(144)에 의해 게이트 전극(154)과 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135) 사이의 거리가 멀어지므로 이러한 단락의 가능성도 낮아진다.However, referring to FIGS. 15 and 16, when the outer portion 144 of the insulating layer 142 is formed as in one embodiment of the present invention, the metal component of the gate electrode 154, for example, copper (Cu), is removed during the ashing process. ), it may mainly stick to the upper surface of the outer portion 144. Therefore, it is difficult for a short circuit to occur between the gate electrode 154 and the source electrode 133 or the drain electrode 135, and the outer portion 144 of the insulating layer 142 allows the gate electrode 154 and the source electrode 133 or As the distance between the drain electrodes 135 increases, the possibility of such a short circuit also decreases.

도 17 및 도 18은 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 게이트 전극 전압에 따른 온 전류 특성을 나타낸 그래프이다. 특히 도 17은 소스-드레인 전압(Vds)이 대략 10V인 경우, 도 18은 소스-드레인 전압(Vds)이 대략 0.1V인 경우의 소스-드레인 전류(Ids)를 나타낸다.17 and 18 are graphs showing on-current characteristics according to gate electrode voltage of a thin film transistor according to an embodiment of the present invention, respectively. In particular, Figure 17 shows the source-drain current (Ids) when the source-drain voltage (Vds) is approximately 10V, and Figure 18 shows the source-drain current (Ids) when the source-drain voltage (Vds) is approximately 0.1V.

도 17 및 도 18을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터(Q)의 게이트 전극 전압(Vg)에 따른 소스-드레인 전류(Ids)의 on/off가 문턱 전압을 기준으로 명확히 구분되고, on 전류가 높아 박막 트랜지스터(Q)의 스위칭 소자로서의 특성이 향상됨을 알 수 있다. 또한 소스-드레인 전압(Vds)의 변화에 따른 문턱 전압의 변화가 거의 없어 균일한 스위칭 소자의 특성을 유지할 수 있다.17 and 18, the on/off of the source-drain current (Ids) according to the gate electrode voltage (Vg) of the thin film transistor (Q) according to an embodiment of the present invention is clearly distinguished based on the threshold voltage. , it can be seen that the characteristics of the thin film transistor (Q) as a switching element are improved due to the high on current. In addition, there is almost no change in threshold voltage due to changes in source-drain voltage (Vds), so uniform switching device characteristics can be maintained.

그러면, 도 19를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 설명한다. 앞에서 설명한 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고, 동일한 설명은 생략하며 차이점을 중심으로 설명한다.Next, a thin film transistor and a thin film transistor display panel according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 19. The same reference numerals are assigned to the same components as the previously described embodiments, the same description is omitted, and the description focuses on the differences.

도 19는 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 단면도이다.Figure 19 is a cross-sectional view of a thin film transistor display panel including a thin film transistor according to an embodiment of the present invention.

도 19를 참조하면, 절연 기판(110) 위에 광 차단막(70)이 위치할 수 있다.Referring to FIG. 19 , a light blocking film 70 may be positioned on the insulating substrate 110 .

절연 기판(110) 위에는 데이터 신호를 전달하는 데이터선(115)이 더 위치할 수 있다. 데이터선(115)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속 또는 이들의 합금 등의 도전성 물질로 만들어질 수 있다.A data line 115 that transmits data signals may be further positioned on the insulating substrate 110. The data line 115 is made of a conductive metal such as aluminum (Al), silver (Ag), copper (Cu), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tantalum (Ta), titanium (Ti), or an alloy thereof. It can be made of materials.

광 차단막(70) 및 데이터선(115) 위에는 버퍼층(120)이 위치한다. 버퍼층(120)에 대한 설명은 앞에서 설명한 실시예와 동일하므로 생략한다.A buffer layer 120 is located on the light blocking film 70 and the data line 115. The description of the buffer layer 120 is omitted since it is the same as the previously described embodiment.

버퍼층(120) 위에는 반도체(134), 저도전 영역(136), 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)이 위치한다.A semiconductor 134, a low-conductivity region 136, a source electrode 133, and a drain electrode 135 are located on the buffer layer 120.

반도체(134)는 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 광 차단막(70)이 존재할 경우 반도체(134)는 광 차단막(70)으로 가려질 수 있다.The semiconductor 134 may include an oxide semiconductor material. If the light blocking film 70 is present, the semiconductor 134 may be covered by the light blocking film 70.

소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)은 반도체(134)를 중심으로 양쪽에 각각 마주하며 위치하고, 서로 분리되어 있다. 반도체(134)와 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135) 사이에 저도전 영역(136)이 위치한다. 저도전 영역(136)은 도전성을 띠나 그 캐리어 농도는 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135)의 캐리어 농도보다 작다. 또한 저도전 영역(136)의 캐리어 농도는 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135)으로부터 반도체(134) 쪽으로 갈수록 낮아질 수 있다.The source electrode 133 and the drain electrode 135 are located facing each other on both sides of the semiconductor 134 and are separated from each other. A low-conductivity region 136 is located between the semiconductor 134 and the source electrode 133 or the drain electrode 135. The low-conductivity region 136 is conductive, but its carrier concentration is lower than that of the source electrode 133 or the drain electrode 135. Additionally, the carrier concentration in the low-conductivity region 136 may decrease as it moves from the source electrode 133 or the drain electrode 135 toward the semiconductor 134.

반도체(134) 및 저도전 영역(136) 위에는 절연층(142)이 위치한다. 절연층(142)은 반도체(134) 및 저도전 영역(136)을 덮을 수 있다. 또한 절연층(142)은 소스 전극(133) 또는 드레인 전극(135)과 거의 중첩하지 않을 수 있다. 절연층(142)은 앞에서 설명한 실시예와 같이 단일막 또는 다중막일 수 있다. 예를 들어, 절연층(142)은 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 단일막으로 이루어질 수도 있고, 산화 알루미늄(Al2O3)의 하부막과 산화 실리콘(SiOx)의 상부막으로 이루어질 수도 있다. 이 밖에 앞에서 설명한 실시예에서의 절연층(142)의 특징이 본 실시예에도 적용될 수 있다.An insulating layer 142 is located on the semiconductor 134 and the low-conductivity region 136. The insulating layer 142 may cover the semiconductor 134 and the low-conductivity region 136. Additionally, the insulating layer 142 may barely overlap the source electrode 133 or the drain electrode 135. The insulating layer 142 may be a single layer or a multilayer as in the previously described embodiment. For example, the insulating layer 142 may be made of a single layer of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), or may include a lower layer of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and an upper layer of silicon oxide (SiOx). It may be done as follows. In addition, the characteristics of the insulating layer 142 in the previously described embodiment may also be applied to the present embodiment.

절연층(142) 위에는 게이트 전극(154)이 위치한다. 게이트 전극(154)의 가장자리 경계는 절연층(142)의 가장자리 경계의 안쪽에 위치하며, 게이트 전극(154)에 의해 덮이지 않은 절연층(142)은 외곽부(144)를 형성한다.A gate electrode 154 is located on the insulating layer 142. The edge boundary of the gate electrode 154 is located inside the edge boundary of the insulating layer 142, and the insulating layer 142 not covered by the gate electrode 154 forms the outer portion 144.

게이트 전극(154)은 반도체(134)와 중첩하는 부분을 포함하며, 반도체(134)는 게이트 전극(154)에 의해 덮여 있다. 절연층(142)의 외곽부는 저도전 영역(136)과 중첩한다.The gate electrode 154 includes a portion that overlaps the semiconductor 134, and the semiconductor 134 is covered by the gate electrode 154. The outer portion of the insulating layer 142 overlaps the low-conductivity region 136.

게이트 전극(154)을 중심으로 반도체(134)의 양쪽에는 저도전 영역(136), 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)이 위치하며, 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)은 게이트 전극(154)과 실질적으로 중첩하지 않을 수 있다.A low-conductivity region 136, a source electrode 133, and a drain electrode 135 are located on both sides of the semiconductor 134 centering on the gate electrode 154, and the source electrode 133 and the drain electrode 135 are the gate electrodes. It may not substantially overlap with the electrode 154.

게이트 전극(154), 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)은 반도체(134)와 함께 박막 트랜지스터(Q)를 이룬다.The gate electrode 154, source electrode 133, and drain electrode 135 together with the semiconductor 134 form a thin film transistor (Q).

게이트 전극(154), 소스 전극(133), 드레인 전극(135), 그리고 버퍼층(120) 위에는 보호막(160)이 위치한다. 보호막(160)은 소스 전극(133)을 드러내는 접촉 구멍(163) 및 드레인 전극(135)을 드러내는 접촉 구멍(165)을 포함할 수 있다. 또한 버퍼층(120) 및 보호막(160)은 데이터선(115)을 드러내는 접촉 구멍(161)을 포함할 수 있다.A protective film 160 is positioned on the gate electrode 154, the source electrode 133, the drain electrode 135, and the buffer layer 120. The protective film 160 may include a contact hole 163 exposing the source electrode 133 and a contact hole 165 exposing the drain electrode 135. Additionally, the buffer layer 120 and the protective film 160 may include a contact hole 161 exposing the data line 115.

보호막(160) 위에는 유기막(180)이 더 위치할 수 있다. 유기막(180)은 유기 절연 물질 또는 색필터 물질을 포함할 수 있다. 유기막(180)의 표면은 평탄할 수 있다. 유기막(180)은 보호막(160)의 접촉 구멍(163)에 대응하여 소스 전극(133)을 드러내는 접촉 구멍(183), 보호막(160)의 접촉 구멍(165)에 대응하여 드레인 전극(135)을 드러내는 접촉 구멍(185), 그리고 보호막(160) 및 버퍼층(120)의 접촉 구멍(161)에 대응하여 데이터선(115)을 드러내는 접촉 구멍(181)을 포함할 수 있다. 도 19에서는 유기막(180)의 접촉 구멍(183, 185, 181)의 가장자리와 보호막(160)의 접촉 구멍(163, 165, 161)의 가장자리가 각각 일치하는 것으로 도시되어 있으나, 이와 달리 보호막(160)의 접촉 구멍(163, 165, 161)이 유기막(180)의 접촉 구멍(183, 185, 181)의 내부에 위치할 수도 있다. 즉, 보호막(160)의 접촉 구멍(163, 165, 161)이 유기막(180)의 접촉 구멍(183, 185, 181)의 가장자리 내부에 위치할 수도 있다.An organic layer 180 may be further positioned on the protective layer 160. The organic layer 180 may include an organic insulating material or a color filter material. The surface of the organic layer 180 may be flat. The organic film 180 has a contact hole 183 exposing the source electrode 133 corresponding to the contact hole 163 of the protective film 160, and a drain electrode 135 corresponding to the contact hole 165 of the protective film 160. It may include a contact hole 185 exposing the data line 115 and a contact hole 181 corresponding to the contact hole 161 of the protective film 160 and the buffer layer 120. In FIG. 19, the edges of the contact holes 183, 185, and 181 of the organic film 180 and the edges of the contact holes 163, 165, and 161 of the protective film 160 are shown to coincide, but unlike this, the protective film ( The contact holes 163 , 165 , and 161 of the organic layer 160 may be located inside the contact holes 183 , 185 , and 181 of the organic layer 180 . That is, the contact holes 163, 165, and 161 of the protective layer 160 may be located inside the edges of the contact holes 183, 185, and 181 of the organic layer 180.

유기막(180) 위에는 데이터 입력 전극(173) 및 데이터 출력 전극(175)이 위치할 수 있다. 데이터 입력 전극(173)은 보호막(160)의 접촉 구멍(163) 및 유기막(180)의 접촉 구멍(183)을 통해 박막 트랜지스터(Q)의 소스 전극(133)과 전기적으로 연결되고, 데이터 출력 전극(175)은 보호막(160)의 접촉 구멍(165) 및 유기막(180)의 접촉 구멍(185)을 통해 박막 트랜지스터(Q)의 드레인 전극(135)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한 데이터 입력 전극(173)은 보호막(160)의 접촉 구멍(161) 및 유기막(180)의 접촉 구멍(181)을 통해 데이터선(115)과 연결될 수 있다. 따라서 소스 전극(133)은 데이터선(115)으로부터 데이터 신호를 입력받을 수 있다. 한편, 데이터 출력 전극(175)은 그 자체가 화소 전극을 이루어 영상 표시를 제어할 수도 있고, 별도의 화소 전극(도시하지 않음)과 연결되어 있을 수도 있다.A data input electrode 173 and a data output electrode 175 may be positioned on the organic layer 180. The data input electrode 173 is electrically connected to the source electrode 133 of the thin film transistor Q through the contact hole 163 of the protective film 160 and the contact hole 183 of the organic film 180, and outputs data. The electrode 175 may be electrically connected to the drain electrode 135 of the thin film transistor Q through the contact hole 165 of the protective layer 160 and the contact hole 185 of the organic layer 180. Additionally, the data input electrode 173 may be connected to the data line 115 through the contact hole 161 of the protective layer 160 and the contact hole 181 of the organic layer 180. Therefore, the source electrode 133 can receive a data signal from the data line 115. Meanwhile, the data output electrode 175 itself may form a pixel electrode to control image display, or may be connected to a separate pixel electrode (not shown).

그러면 도 19에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 본 발명의 한 실시예에 따른 제조 방법에 대해 앞에서 설명한 도 19와 함께 도 20 내지 도 27을 참조하여 설명한다.Then, a manufacturing method of the thin film transistor display panel shown in FIG. 19 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 20 to 27 along with FIG. 19 described above.

도 20 내지 도 27은 도 19에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법을 차례대로 나타낸 단면도이다.FIGS. 20 to 27 are cross-sectional views sequentially showing a method of manufacturing the thin film transistor display panel shown in FIG. 19 according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 20을 참조하면, 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(110) 위에 유기 절연 물질, 무기 절연 물질, 금속 등의 도전성 물질 등으로 이루어진 광 차단막(70)을 형성한다. 광 차단막(70)의 형성 단계는 조건에 따라 생략될 수 있다.First, referring to FIG. 20, a light blocking film 70 made of a conductive material such as an organic insulating material, an inorganic insulating material, or a metal is formed on an insulating substrate 110 made of glass or plastic. The step of forming the light blocking film 70 may be omitted depending on conditions.

이어서, 절연 기판(110) 위에 금속 등을 적층하고 패터닝하여 데이터선(115)을 형성한다. 광 차단막(70) 및 데이터선(115)의 형성 순서는 바뀔 수 있다.Next, metal, etc. is stacked on the insulating substrate 110 and patterned to form the data line 115. The formation order of the light blocking film 70 and the data line 115 may be changed.

다음 도 21을 참조하면, 광 차단막(70) 및 데이터선(115) 위에 버퍼층(120), 반도체층(130), 절연 물질층(140), 그리고 게이트층(150)을 차례대로 적층한다.Next, referring to FIG. 21, a buffer layer 120, a semiconductor layer 130, an insulating material layer 140, and a gate layer 150 are sequentially stacked on the light blocking film 70 and the data line 115.

버퍼층(120)은 산화 실리콘(SiOx), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 하프늄(HfO3), 산화 이트륨(Y2O3) 등의 절연성 산화물을 포함하는 절연 물질을 적층하여 형성할 수 있고, 그 두께는 500Å 이상 1㎛ 이하일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The buffer layer 120 can be formed by stacking insulating materials containing insulating oxides such as silicon oxide (SiOx), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), hafnium oxide (HfO 3 ), and yttrium oxide (Y 2 O 3 ). and the thickness may be 500Å or more and 1㎛ or less, but is not limited thereto.

반도체층(130)은 산화 아연(ZnO), 아연-주석 산화물(ZTO), 아연-인듐 산화물(ZIO), 인듐 산화물(InO), 티타늄 산화물(TiO), 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 인듐-아연-주석 산화물(IZTO) 등의 산화물 반도체 물질을 적층하여 형성할 수 있다.The semiconductor layer 130 is made of zinc oxide (ZnO), zinc-tin oxide (ZTO), zinc-indium oxide (ZIO), indium oxide (InO), titanium oxide (TiO), indium-gallium-zinc oxide (IGZO), It can be formed by stacking oxide semiconductor materials such as indium-zinc-tin oxide (IZTO).

절연 물질층(140)은 산화 실리콘(SiOx) 등의 절연성 산화물을 포함하는 절연 물질로 형성할 수 있다. 절연 물질층(140)은 단일막 또는 산화 실리콘(SiOx) 등의 산화물을 포함하는 하부막(140a)과 절연 물질을 포함하는 상부막(140b)을 포함하는 다중막으로 형성할 수도 있다. 절연 물질층(140)의 두께는 1000Å 이상 5000Å 이하일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The insulating material layer 140 may be formed of an insulating material containing an insulating oxide such as silicon oxide (SiOx). The insulating material layer 140 may be formed as a single layer or as a multilayer including a lower layer 140a containing an oxide such as silicon oxide (SiOx) and an upper layer 140b containing an insulating material. The thickness of the insulating material layer 140 may be 1000 Å or more and 5000 Å or less, but is not limited thereto.

게이트층(150)은 알루미늄(Al) 등의 도전성 물질을 적층하여 형성할 수 있다.The gate layer 150 can be formed by stacking conductive materials such as aluminum (Al).

다음 도 22를 참조하면, 게이트층(150) 위에 포토레지스트 등의 감광막을 도포하고 노광하여 감광막 패턴(50)을 형성한다. 감광막 패턴(50)은 도 14에 도시한 바와 같이 두께가 상대적 두꺼운 제1 부분(52)과 두께가 상대적으로 얇은 제2 부분(54)을 포함한다. 감광막 패턴(50)의 제1 부분(52)은 광 차단막(70)과 중첩하는 곳에 위치할 수 있다. 또한 감광막 패턴(50)의 제1 부분(52)의 양쪽에는 제1 부분(52)을 중심으로 분리되어 마주하고 있는 한 쌍의 제2 부분(54)이 연결되어 있다.Next, referring to FIG. 22, a photosensitive film such as photoresist is applied on the gate layer 150 and exposed to form a photosensitive film pattern 50. As shown in FIG. 14, the photosensitive film pattern 50 includes a first portion 52 that is relatively thick and a second portion 54 that is relatively thin. The first portion 52 of the photosensitive film pattern 50 may be located where it overlaps the light blocking film 70 . Additionally, on both sides of the first part 52 of the photoresist pattern 50, a pair of second parts 54 facing each other and separated around the first part 52 are connected.

이러한 감광막 패턴(50)은 반투과 영역을 포함하는 광 마스크(도시하지 않음)를 통해 노광하여 형성할 수 있다. 구체적으로, 감광막 패턴(50) 형성을 위한 광 마스크는 빛이 투과하는 투과 영역, 빛이 투과하지 않는 차광 영역, 그리고 빛이 일부만 투과하는 반투과 영역을 포함할 수 있다. 반투과 영역은 슬릿, 반투명막 등을 이용하여 형성할 수 있다.This photoresist pattern 50 can be formed by exposure through a light mask (not shown) including a semi-transmissive area. Specifically, the optical mask for forming the photoresist pattern 50 may include a transmissive area through which light transmits, a light blocking area through which light does not transmit, and a semi-transmissive area through which only a portion of light transmits. The semi-transparent area can be formed using a slit, a semi-transparent film, etc.

이러한 반투과 영역을 포함하는 광 마스크를 이용하여 노광하면, 음성의 감광막을 이용하는 경우, 광 마스크의 투과 영역에 대응하는 부분은 빛이 조사되어 감광막이 남아 두께가 상대적으로 두꺼운 제1 부분(52)이 형성되고, 광 마스크의 차광 영역에 대응하는 부분은 빛이 조사되지 않아 감광막이 제거되며, 광 마스크의 반투과 영역에 대응하는 부분은 빛이 일부 조사되어 상대적으로 두께가 얇은 제2 부분(54)이 형성된다. 양성의 감광막을 이용하는 경우는 위의 경우와 반대가 되나, 광 마스크의 반투과 영역에 대응하는 부분은 여전히 빛의 일부가 조사되어 감광막 패턴(50)의 제2 부분(54)이 형성된다.When exposed using a photomask including such a semi-transmissive area, when using a negative photoresist film, the portion corresponding to the transmissive area of the photomask is irradiated with light and the photoresist film remains, forming a first portion 52 with a relatively thick thickness. is formed, the part corresponding to the light-shielding area of the light mask is not irradiated with light and the photosensitive film is removed, and the part corresponding to the semi-transmissive area of the light mask is partially irradiated with light and a relatively thin second part 54 ) is formed. The case of using a positive photoresist film is the opposite of the above case, but a portion of light is still irradiated to the portion corresponding to the semi-transmissive area of the light mask to form the second portion 54 of the photoresist pattern 50.

다음 도 23을 참조하면, 감광막 패턴(50)을 식각 마스크로 하여 게이트층(150)과 절연 물질층(140)을 차례대로 식각한다. 이때 게이트층(150)은 습식 식각 방법을 이용하여 식각할 수 있고, 절연 물질층(140)은 건식 식각 방법을 이용하여 식각할 수 있다. 이에 따라 감광막 패턴(50)의 하부에 동일한 평면 모양을 가지는 게이트 패턴(152) 및 절연 패턴(141)이 형성될 수 있다. 감광막 패턴(50)에 의해 덮이지 않은 반도체층(130)은 드러날 수 있다.Next, referring to FIG. 23, the gate layer 150 and the insulating material layer 140 are sequentially etched using the photoresist pattern 50 as an etch mask. At this time, the gate layer 150 can be etched using a wet etching method, and the insulating material layer 140 can be etched using a dry etching method. Accordingly, the gate pattern 152 and the insulating pattern 141 having the same planar shape may be formed under the photoresist pattern 50. The semiconductor layer 130 that is not covered by the photosensitive film pattern 50 may be exposed.

다음 도 24를 참조하면, 게이트 패턴(152) 및 절연 패턴(141)을 식각 마스크로 하여 드러난 반도체층(130)을 제거하여 반도체 패턴(132)을 형성한다. 반도체 패턴(132)은 게이트 패턴(152) 및 절연 패턴(141)과 동일한 평면 모양을 가질 수 있다.Next, referring to FIG. 24, the exposed semiconductor layer 130 is removed using the gate pattern 152 and the insulating pattern 141 as an etch mask to form the semiconductor pattern 132. The semiconductor pattern 132 may have the same planar shape as the gate pattern 152 and the insulating pattern 141.

다음 도 25를 참조하면, 감광막 패턴(50)을 산소 플라즈마를 이용한 애싱(ashing) 방법 따위로 전면 식각하여 두께를 줄임으로써 제2 부분(54)을 제거한다. 이로써 두께가 줄어든 제1 부분(52)을 남겨 감광막 패턴(50')을 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 25, the second portion 54 is removed by entirely etching the photoresist film pattern 50 to reduce its thickness, such as by ashing using oxygen plasma. As a result, the photosensitive film pattern 50' can be formed by leaving the first portion 52 with a reduced thickness.

이어서, 감광막 패턴(50')을 식각 마스크로 하여 게이트 패턴(152)을 식각하여 게이트 전극(154)을 형성한다. 이때 습식 식각 방법을 이용할 수 있으며, 식각 정도를 조절하여 게이트 전극(154)의 가장자리 경계가 감광막 패턴(50)의 가장자리 경계의 안쪽에 위치하도록 한다.Next, the gate pattern 152 is etched using the photoresist pattern 50' as an etch mask to form the gate electrode 154. At this time, a wet etching method can be used, and the degree of etching is adjusted so that the edge boundary of the gate electrode 154 is located inside the edge boundary of the photoresist pattern 50.

다음 도 26을 참조하면, 감광막 패턴(50')을 식각 마스크로 하여 절연 패턴(141)을 식각하여 외곽부(144)를 포함하는 절연층(142)을 형성한다. 이때 건식 식각 방법을 이용할 수 있다. 절연층(142)의 가장자리 경계는 게이트 전극(154)의 가장자리 경계보다 바깥쪽에 형성된다.Next, referring to FIG. 26, the insulating pattern 141 is etched using the photosensitive film pattern 50' as an etch mask to form the insulating layer 142 including the outer portion 144. At this time, a dry etching method can be used. The edge boundary of the insulating layer 142 is formed outside the edge boundary of the gate electrode 154.

이로써 절연층(142)에 의해 덮이지 않은 반도체 패턴(132)이 드러난다. 드러난 반도체 패턴(132)은 절연층(142)으로 덮인 반도체 패턴(132)을 중심으로 양쪽에 위치하며 서로 분리되어 있다.As a result, the semiconductor pattern 132 that is not covered by the insulating layer 142 is revealed. The exposed semiconductor patterns 132 are located on both sides of the semiconductor pattern 132 covered with the insulating layer 142 and are separated from each other.

다음 도 27을 참조하면, 드러난 반도체 패턴(132)을 환원 처리하여 도전성을 가지는 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135), 그리고 저도전 영역(136)을 형성한다.Next, referring to FIG. 27, the exposed semiconductor pattern 132 is reduced to form a conductive source electrode 133 and a drain electrode 135, and a low-conductivity region 136.

노출된 반도체 패턴(132)의 환원 처리 방법으로 환원 분위기에서의 열처리 방법을 이용할 수도 있고, 수소(H2), 아르곤(Ar), 질소(N2), 산화 질소(N2O), 플루오르포름(CHF3) 등 기체 플라즈마를 이용할 수 있다. 환원 처리된 노출된 반도체 패턴(132)을 구성하는 반도체 물질의 적어도 일부는 환원되어 금속 결합만이 남을 수 있다. 따라서 환원 처리된 반도체 패턴(132)은 도전성을 가지게 된다. 반도체 패턴(132)의 환원 처리시에 반도체 패턴(132)의 상부에는 반도체 물질의 금속 성분, 예를 들어 인듐(In) 등이 표면으로 석출될 수 있다. 석출된 금속층의 두께는 200nm 이하일 수 있다.As a reduction treatment method for the exposed semiconductor pattern 132, a heat treatment method in a reducing atmosphere may be used, or hydrogen (H 2 ), argon (Ar), nitrogen (N 2 ), nitrogen oxide (N 2 O), or fluoroform Gas plasma such as (CHF 3 ) can be used. At least a portion of the semiconductor material constituting the exposed semiconductor pattern 132 that has undergone reduction treatment may be reduced and only metal bonds may remain. Therefore, the reduced semiconductor pattern 132 becomes conductive. When the semiconductor pattern 132 is reduced, metal components of the semiconductor material, such as indium (In), may be deposited on the surface of the semiconductor pattern 132. The thickness of the precipitated metal layer may be 200 nm or less.

환원 처리시 수소 등의 플라즈마 기체가 절연층(142)의 외곽부(144)의 아래에 침투하며 그 침투 정도에 따라 캐리어 농도가 점차적으로 감소하는 저도전 영역(136)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(154)과 중첩하는 반도체 패턴(132)은 환원되지 않고 반도체(134)를 형성한다.During reduction treatment, plasma gas such as hydrogen penetrates under the outer portion 144 of the insulating layer 142, and a low-conductivity region 136 in which the carrier concentration gradually decreases depending on the degree of penetration may be formed. The semiconductor pattern 132 overlapping the gate electrode 154 is not reduced and forms the semiconductor 134.

게이트 전극(154), 소스 전극(133) 및 드레인 전극(135)은 반도체(134)와 함께 박막 트랜지스터(Q)를 이룬다.The gate electrode 154, source electrode 133, and drain electrode 135 together with the semiconductor 134 form a thin film transistor (Q).

다음 앞에서 설명한 도 19를 참조하면, 감광막 패턴(50')을 제거한 후 게이트 전극(154), 소스 전극(133), 드레인 전극(135), 그리고 버퍼층(120) 위에 절연 물질을 도포하여 보호막(160)을 형성한다. 이어서, 보호막(160) 위에 유기 절연 물질을 도포하여 유기막(180)을 추가로 형성할 수 있다.Referring to FIG. 19 described above, after removing the photosensitive film pattern 50', an insulating material is applied on the gate electrode 154, source electrode 133, drain electrode 135, and buffer layer 120 to form a protective film 160. ) is formed. Subsequently, an organic insulating material may be applied on the protective film 160 to further form the organic film 180.

이어서 보호막(160) 및 유기막(180)에 접촉 구멍(163, 165, 161, 183, 185, 181)을 형성하고, 유기막(180) 위에 데이터 입력 전극(173) 및 데이터 출력 전극(175)을 형성할 수 있다.Next, contact holes 163, 165, 161, 183, 185, and 181 are formed in the protective film 160 and the organic film 180, and a data input electrode 173 and a data output electrode 175 are formed on the organic film 180. can be formed.

보호막(160) 및 유기막(180)에 접촉 구멍(163, 165, 161, 183, 185, 181)을 형성할 때에는 하나의 마스크를 이용할 수도 있으나, 두 개의 마스크를 사용할 수도 있다. 예를 들어, 하나의 광 마스크를 이용하여 유기막(180)을 노광하여 유기막(180)의 접촉 구멍(183, 185, 181)을 형성한 후, 또 다른 광 마스크를 사용하여 유기막(180)의 접촉 구멍(183, 185, 181) 내부에 위치하는 보호막(160)의 접촉 구멍(163, 165, 161)을 형성할 수 있다. 이때 보호막(160)의 접촉 구멍(163, 165, 161)의 가장자리와 유기막(180)의 접촉 구멍(183, 185, 181)의 가장자리는 일치할 수도 있고, 보호막(160)의 접촉 구멍(163, 165, 161)이 유기막(180)의 접촉 구멍(183, 185, 181)의 가장자리 내부에 위치할 수도 있다.When forming the contact holes 163, 165, 161, 183, 185, and 181 in the protective film 160 and the organic film 180, one mask may be used, or two masks may be used. For example, after exposing the organic layer 180 using one photo mask to form contact holes 183, 185, and 181 of the organic layer 180, the organic layer 180 is exposed using another photo mask. ) can form the contact holes (163, 165, 161) of the protective film 160 located inside the contact holes (183, 185, 181). At this time, the edges of the contact holes 163, 165, and 161 of the protective film 160 and the edges of the contact holes 183, 185, and 181 of the organic film 180 may coincide, and the edges of the contact holes 163, 165, and 161 of the protective film 160 may coincide. , 165, and 161 may be located inside the edges of the contact holes 183, 185, and 181 of the organic layer 180.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements made by those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also possible. falls within the scope of rights.

50, 50': 감광막 패턴 70: 광 차단막
110: 절연 기판 120: 버퍼층
130: 반도체층 132: 반도체 패턴
133: 소스 전극 134: 반도체
135: 드레인 전극
136: 저도전 영역 140: 절연 물질층
141: 절연 패턴 142: 절연층
150: 게이트층 152: 게이트 패턴
154: 게이트 전극 160: 보호막
161, 163, 165: 접촉 구멍 173: 데이터 입력 전극
175: 데이터 출력 전극 180: 유기막50, 50': photosensitive film pattern 70: light blocking film
110: insulating substrate 120: buffer layer
130: semiconductor layer 132: semiconductor pattern
133: source electrode 134: semiconductor
135: drain electrode
136: low conductivity region 140: insulating material layer
141: Insulating pattern 142: Insulating layer
150: gate layer 152: gate pattern
154: gate electrode 160: protective film
161, 163, 165: contact hole 173: data input electrode
175: data output electrode 180: organic film

Claims (19)

광차단층,
산화물 반도체 물질을 포함하며 상기 광차단층 위에 위치하는 반도체층,
상기 반도체층 위에 위치하는 절연층,
상기 절연층 위에 위치하는 게이트 전극,
상기 게이트 전극 위치하는 보호막, 그리고
상기 보호막 위에 위치하는 데이터 입력 전극 및 데이터 출력 전극을 포함하고,
상기 반도체층은 채널 영역, 그리고 상기 채널 영역의 양쪽에 위치하는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하고,
상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 채널 영역과 동일한 층에 위치하고,
상기 게이트 전극은 상기 채널 영역을 사이에 두고 상기 광차단층과 중첩하고,
상기 데이터 입력 전극은 상기 소스 영역과 전기적으로 연결되어 있고, 상기 데이터 출력 전극은 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결되어 있고,
상기 보호막은 상기 절연층의 윗면 및 측면, 상기 게이트 전극의 측면, 그리고 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역의 윗면과 접촉하고,
상기 보호막은, 상기 절연층의 일측면과 접촉하는 제1경사부, 상기 게이트 전극의 일측면과 접촉하는 제2경사부, 상기 게이트 전극 위에 위치하며 상기 게이트 전극의 윗면에 평행하고 상기 제2경사부에 연결되어 있는 제1평행부, 상기 제1평행부에 평행하며 상기 제1경사부와 상기 제2경사부 사이에 위치하고 상기 제1경사부 및 상기 제2경사부에 연결되어 있는 제2평행부를 포함하는
표시 장치.light blocking layer,
A semiconductor layer comprising an oxide semiconductor material and located on the light blocking layer,
an insulating layer located on the semiconductor layer,
A gate electrode located on the insulating layer,
A protective film located on the gate electrode, and
It includes a data input electrode and a data output electrode located on the protective film,
The semiconductor layer includes a channel region, and a source region and a drain region located on both sides of the channel region,
The source region and the drain region are located on the same layer as the channel region,
The gate electrode overlaps the light blocking layer with the channel region interposed therebetween,
The data input electrode is electrically connected to the source region, and the data output electrode is electrically connected to the drain region,
The protective film contacts the top and side surfaces of the insulating layer, the side surfaces of the gate electrode, and the top surface of the source region or the drain region,
The protective film includes a first inclined portion in contact with one side of the insulating layer, a second inclined portion in contact with one side of the gate electrode, located on the gate electrode, parallel to the upper surface of the gate electrode, and the second inclined portion. A first parallel portion connected to the first parallel portion, a second parallel portion parallel to the first parallel portion, located between the first inclined portion and the second inclined portion, and connected to the first inclined portion and the second inclined portion. containing wealth
display device. 제1항에서,
상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역과 상기 채널 영역 사이에 위치하는 저도전 영역을 더 포함하고,
상기 절연층은 상기 채널 영역 및 상기 저도전 영역 위에 위치하고,
상기 저도전 영역의 캐리어 농도는 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역의 캐리어 농도보다 낮은
표시 장치.In paragraph 1:
Further comprising a low-conductivity region located between the source region or the drain region and the channel region,
The insulating layer is located on the channel region and the low-conductivity region,
The carrier concentration in the low-conductivity region is lower than the carrier concentration in the source region or the drain region.
display device. 제2항에서,
상기 절연층의 가장자리는 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역과 상기 저도전 영역 사이의 경계와 정렬되어 있는 표시 장치.In paragraph 2,
A display device wherein an edge of the insulating layer is aligned with a boundary between the source region or the drain region and the low-conductivity region. 제3항에서,
상기 게이트 전극의 가장자리는 상기 채널 영역의 가장자리와 정렬되어 있는 표시 장치.In paragraph 3,
A display device wherein an edge of the gate electrode is aligned with an edge of the channel region. 제1항에서,
상기 광차단층과 상기 반도체층 사이에 위치하는 버퍼층을 더 포함하는 표시 장치.In paragraph 1:
A display device further comprising a buffer layer positioned between the light blocking layer and the semiconductor layer. 제5항에서,
상기 버퍼층과 상기 절연층 중 적어도 하나는 절연성 산화물을 포함하는 표시 장치.In paragraph 5,
A display device wherein at least one of the buffer layer and the insulating layer includes an insulating oxide. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 광차단층,
상기 광차단층 위에 위치하는 산화물 반도체,
상기 산화물 반도체 위에 위치하는 절연층,
상기 절연층 위에 위치하며, 상기 산화물 반도체를 사이에 두고 상기 광차단층과 중첩하는 게이트 전극, 그리고
상기 게이트 전극 위치하는 보호막을 포함하고,
상기 산화물 반도체는 채널 영역, 그리고 상기 채널 영역의 양쪽에 위치하는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하고,
상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 채널 영역과 동일한 층에 위치하고,
상기 보호막은 상기 절연층의 윗면 및 측면, 상기 게이트 전극의 측면, 그리고 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역의 윗면과 접촉하고,
상기 보호막은, 상기 절연층의 일측면과 접촉하는 제1경사부, 상기 게이트 전극의 일측면과 접촉하는 제2경사부, 상기 게이트 전극 위에 위치하며 상기 게이트 전극의 윗면에 평행하고 상기 제2경사부에 연결되어 있는 제1평행부, 상기 제1평행부에 평행하며 상기 제1경사부와 상기 제2경사부 사이에 위치하고 상기 제1경사부 및 상기 제2경사부에 연결되어 있는 제2평행부를 포함하는
표시 장치.light blocking layer,
An oxide semiconductor located on the light blocking layer,
an insulating layer located on the oxide semiconductor,
A gate electrode located on the insulating layer and overlapping the light blocking layer with the oxide semiconductor interposed therebetween, and
It includes a protective film located at the gate electrode,
The oxide semiconductor includes a channel region, and a source region and a drain region located on both sides of the channel region,
The source region and the drain region are located on the same layer as the channel region,
The protective film contacts the top and side surfaces of the insulating layer, the side surfaces of the gate electrode, and the top surface of the source region or the drain region,
The protective film includes a first inclined portion in contact with one side of the insulating layer, a second inclined portion in contact with one side of the gate electrode, located on the gate electrode, parallel to the upper surface of the gate electrode, and the second inclined portion. a first parallel portion connected to the first parallel portion, a second parallel portion parallel to the first parallel portion, located between the first inclined portion and the second inclined portion, and connected to the first inclined portion and the second inclined portion. containing wealth
display device. 제14항에서,
상기 보호막 위에 위치하는 데이터 입력 전극 및 데이터 출력 전극을 더 포함하고,
상기 데이터 입력 전극은 상기 소스 영역과 전기적으로 연결되어 있고,
상기 데이터 출력 전극은 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결되어 있는
표시 장치.In paragraph 14:
Further comprising a data input electrode and a data output electrode located on the protective film,
The data input electrode is electrically connected to the source region,
The data output electrode is electrically connected to the drain region.
display device. 제14항에서,
상기 게이트 전극의 가장자리는 상기 채널 영역의 가장자리와 정렬되어 있는 표시 장치.In paragraph 14:
A display device wherein an edge of the gate electrode is aligned with an edge of the channel region. 삭제delete 제14항에서,
상기 광차단층과 상기 산화물 반도체 사이에 위치하는 버퍼층을 더 포함하고,
상기 버퍼층과 상기 절연층 중 적어도 하나는 절연성 산화물을 포함하는
표시 장치.In paragraph 14:
Further comprising a buffer layer located between the light blocking layer and the oxide semiconductor,
At least one of the buffer layer and the insulating layer includes an insulating oxide.
display device. 제14항에서,
상기 광차단층은 금속을 포함하고 상기 산화물 반도체 전체와 중첩하는 표시 장치.In paragraph 14:
A display device wherein the light blocking layer includes metal and overlaps the entire oxide semiconductor.
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