KR102650065B1 - 파장가변 광원 - Google Patents

파장가변 광원 Download PDF

Info

Publication number
KR102650065B1
KR102650065B1 KR1020180038879A KR20180038879A KR102650065B1 KR 102650065 B1 KR102650065 B1 KR 102650065B1 KR 1020180038879 A KR1020180038879 A KR 1020180038879A KR 20180038879 A KR20180038879 A KR 20180038879A KR 102650065 B1 KR102650065 B1 KR 102650065B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
diffraction grating
waveguide
gain
cladding layer
gratings
Prior art date
Application number
KR1020180038879A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190115778A (ko
Inventor
권오기
김기수
이철욱
오수환
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020180038879A priority Critical patent/KR102650065B1/ko
Publication of KR20190115778A publication Critical patent/KR20190115778A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102650065B1 publication Critical patent/KR102650065B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
    • G02B6/12009—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer comprising arrayed waveguide grating [AWG] devices, i.e. with a phased array of waveguides
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/02057—Optical fibres with cladding with or without a coating comprising gratings
    • G02B6/02076—Refractive index modulation gratings, e.g. Bragg gratings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 파장가변 광원은 외부 반사기, 상기 외부 반사기의 일측에 배치되고, 제1 방향을 따라 배열된 이득영역, 반사영역 및 변조영역을 포함하는 기판, 상기 이득영역, 상기 반사영역 및 상기 변조영역들의 기판 상에 연속적으로 배치된 광 도파로, 및 상기 반사영역의 기판 상에 상기 광 도파로와 인접하게 배치된 제1 회절격자 및 제2 회절격자를 포함하되, 상기 이득영역은 상기 외부 반사기 및 상기 반사영역의 사이에 배치되고, 상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자는 서로 다른 격자 주기를 가질 수 있다.

Description

파장가변 광원{wavelength-tunable light source}
본 발명은 파장가변 광원에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 외부 반사기를 포함하는 파장가변 광원에 관한 것이다.
반도체 기반의 광원은 성장 공정, 포토리소그라피 공정, 식각 공정 및/또는 증착 공정등의 반도체 공정들을 이용하여 제조될 수 있다. 반도체 공정들을 이용함으로써, 반도체 기반의 광 소자는 소형화, 낮은 제조 단가 및/또는 대량 생산등의 장점을 가질 수 있다. 이에 따라, 반도체 기반의 광 소자에 대한 많은 연구들이 진행되고 있다.
최근, 데이터 통신, 방송 융합 서비스 등에 대한 수요가 증가함에 따라 큰 통신용량을 서비스할 수 있는 광 전송망인 WDM-PON(Wavelength Division Multiplexing-Passive Optical Network)과 이 광 전송망에 사용될 광원의 개발이 중요해지고 있다. WDM-PON 광 전송망은 일정한 파장간격의 채널들을 파장가변 시키면서 고속 변조가 가능한 파장가변 레이저 모듈을 필요로 한다. 이러한 흐름 속에서, 연속적인 파장 가변이 가능하며, 광의 고속변조가 가능한 반도체 기반의 파장가변 광원에 대한 연구의 필요성이 대두되고 있다.
본원 발명이 해결하고자 하는 과제는 광의 연속적인 파장가변이 가능하며, 광의 고속변조가 가능한 파장가변 광원을 제공하는데 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 파장 가변 광원은 외부 반사기; 상기 외부 반사기의 일측에 배치되고, 제1 방향을 따라 배열된 이득영역, 반사영역 및 변조영역을 포함하는 기판; 상기 이득영역, 상기 반사영역 및 상기 변조영역들의 기판 상에 연속적으로 배치된 광 도파로; 및 상기 반사영역의 기판 상에 상기 광 도파로와 인접하게 배치된 제1 회절격자 및 제2 회절격자를 포함하되, 상기 이득영역은 상기 외부 반사기 및 상기 반사영역의 사이에 배치되고, 상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자는 서로 다른 격자 주기를 가질 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 광 도파로 및 상기 기판 사이에 배치된 하부 클래딩층; 및 상기 광 도파로 상에 배치된 상부 클래딩층을 더 포함하되, 상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자는 상기 하부 클래딩층 또는 상기 상부 클래딩층 내에 배치될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 하부 클래딩층은 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 화합물 반도체를 포함하고, 상기 상부 클래딩층은 제2 도전형의 도펀트로 도핑된 화합물 반도체를 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 광 도파로는 상기 이득영역 내의 이득 도파로, 상기 반사영역 내의 수동 도파로 및 상기 변조영역 내의 변조 도파로를 포함하고, 상기 수동 도파로는 상기 이득 도파로 및 상기 변조 도파로와 맞대기 결합된 형태로 제작될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 광 도파로와 상기 기판 사이에 배치되는 하부 전극, 상기 이득 도파로 상에 배치된 제1 상부 전극 및 상기 변조 도파로 상에 배치된 제2 상부전극을 더 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자는 상기 제1 방향을 따라 연속적으로 배치될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자 사이의 제3 회절격자를 더 포함하고, 상기 제3 회절격자의 격자 주기는 상기 제1 회절격자의 격자 주기보다 크고 상기 제2 회절격자의 격자 주기보다 작을 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 제3 회절격자의 격자 수는 상기 제1 회절격자의 격자 수 및 상기 제2 회절격자의 격자 수보다 작을 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자의 격자 수는 실질적으로 동일할 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 외부 반사기는 외부 회절격자를 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 외부 반사기는 외부 회절격자 및 상기 외부 회절격자를 지지하는 지지대를 포함하고, 상기 외부 회절격자는 상기 지지대에 회동 가능하게 결합될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 외부 반사기와 상기 이득영역의 사이에 배치되는 편향기 및 상기 편향기와 상기 이득영역 사이에 배치되는 렌즈를 더 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 광 도파로는 상기 이득영역 내의 이득 도파로 및 상기 반사영역의 내부로부터 상기 변조영역의 내부로 연장되는 수동 도파로를 포함하고, 상기 이득 도파로 및 상기 수동 도파로는 맞대기 결합된 형태로 제작될 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 수동 도파로는 상기 변조영역 내에서 복수의 도파로들로 분기되고, 상기 복수의 도파로들 중 적어도 어느 한 도파로 상에 배치되는 전극을 더 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 하부 클래딩층, 광도파로 및 상부 클래딩층은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 적층되고, 상기 외부 반사기는 상기 제2 방향을 따라 연장된 형상을 갖는 외부 회절격자를 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면, 상기 외부 회절격자는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 수직한 제3 방향을 따라 굴절률이 주기적으로 변화하는 브래그 격자를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 소자 내의 반사영역과 외부 반사기의 사이에 형성된 공동(cavity) 내에서 단일모드의 광이 발진될 수 있으며, 발진된 단일모드의 광은 반도체 소자 내에 모놀리식으로 직접된 변조기에 의해 변조되어 반도체 소자의 외부로 출력될 수 있다. 이에 따라, 처핑(chirping)이 감소되고, 연속적인 파장가변이 가능하며, 고속 변조가 가능한 파장가변 광원이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 파장가변 광원을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자의 평면도이다.
도 3은 도 2의 I~I' 선에 따른 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예들에 따른 회절격자를 설명하기 위한 도면으로, 도 1의 A 부분에 대응되는 확대도이다.
도 5는 회절격자들의 브래그 컨디션에 따른 반사율을 나타내는 그래프이다.
도 6은 도 1의 B부분에 따른 확대도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예들에 따른 외부 반사기를 설명하기 위한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 파장 가변 광원을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 9의 반도체소자의 변조영역을 설명하기 위한 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 ‘포함한다(comprises)’ 및/또는 ‘포함하는(comprising)’은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
이하 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 파장가변 광원에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 파장가변 광원을 설명하기 위한 도면이다. 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자의 평면도이다. 도 3은 도 2의 I~I' 선에 따른 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 파장가변 광원은 외부 반사기(100) 및 외부 반사기(100)의 일측에 배치된 반도체 소자(200)를 포함할 수 있다. 반도체 소자(200)는 제1 방향(D1)으로 배열된 이득영역(GR), 반사영역(RR) 및 변조영역(MR)을 포함할 수 있다. 외부 반사기(100)와 반도체 소자(200) 내의 반사영역(RR)은 광을 공진 시키기 위한 광 공동(OC, optical cavity)을 형성할 수 있다. 광 공동(OC)의 내부(즉, 외부 반사기(100)) 및 반사영역(RR)의 사이)에 배치된 이득영역(GR)은 광을 발진할 수 있다. 이득영역(GR)에서 발진된 광은 광 공동(OC) 내부에서 증폭되어 반도체 소자(200) 내에 모놀리식(monolithic)으로 집적된 변조영역(MR)으로 전달될 수 있다. 변조영역(MR)은 수신된 광을 변조하여 파장가변 광원의 외부로 출력할 수 있다.
구체적으로, 반도체 소자(200)는 기판(202), 광 도파로(210), 하부 클래딩층(222), 상부 클래딩층(224), 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)를 포함할 수 있다. 기판(202)은 이득영역(GR), 반사영역(RR) 및 변조영역(MR)을 포함할 수 있다. 반사영역(RR)은 이득영역(GR) 및 변조영역(MR) 사이에 배치될 수 있다.
광 도파로(210)가 기판(202) 상에 배치될 수 있다. 광 도파로(210)는 이득영역(GR), 반사영역(RR) 및 변조영역(MR)의 내에 배치될 수 있다. 다시 말해서, 광 도파로(210)는 이득영역(GR)으로부터 반사영역(RR)을 경유하여 변조영역(MR)으로 연장될 수 있다. 일 예에 따르면, 광 도파로(210)는 제1 방향(D1)으로 연장된 라인 형태(line shape)를 가질 수 있다. 광 도파로(210)의 구체적인 구조 및 동작은 후술한다.
하부 클래딩층(222, lower cladding layer)이 광 도파로(210) 및 기판(202) 사이에 배치될 수 있다. 상부 클래딩층(224)이 광 도파로(210) 상에 배치될 수 있다. 하부 클래딩층(222) 및 상부 클래딩층(224)은 이득영역(GR), 반사영역(RR) 및 변조영역(MR) 내에 배치될 수 있다. 다시 말해, 하부 클래딩층(222) 및 상부 클래딩층(224)은 이득영역(GR)으로부터 반사영역(RR)을 경유하여 변조영역(MR)으로 연장될 수 있다. 하부 클래딩층(222) 및 상부 클래딩층(224)의 각각은 제1 방향(D1)으로 연장된 하나의 연속된 층일 수 있다.
하부 클래딩층(222)은 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 제1 도전형 도펀트는, 예컨대, n형 또는 p형일 수 있다. 상부 클래딩층(224)의 적어도 제2 도전형의 도펀트로 도핑될 수 있다. 제2 도전형 도펀트는, 예컨대, n형 및 p형 중 제1 도전형과 다른 어느 하나일 수 있다. 하부 클래딩층(222) 및 상부 클래딩층(224)은 광 도파로(210) 보다 굴절률이 낮은 물질을 포함할 수 있따. 일 예에 따르면, 하부 클래딩층(222)은 n형 인듐인(InP)으로 형성될 수 있으며, 상부 클래딩층(225)은 p형 인듐인(InP)으로 형성될 수 있다. 이와는 반대로, 하부 클래딩층(222)이 p형 인듐인(InP)으로 형성될 수 있으며, 상부 클래딩층(225)이 n형 인듐인(InP)으로 형성될 수 있다. 이하 설명의 편의를 위하여 하부 클래딩층(222)이 n형 인듐인(InP)으로 형성되고 상부 클래딩층(225) 이 p형 인듐인(InP)으로 형성된 실시예에 대하여 설명한다.
제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)가 반사영역(RR)의 기판(202) 상에 배치될 수 있다. 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 광 도파로(210)와 인접하게 배치될 수 있다. 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 광 도파로(210)가 연장된 방향인 제1 방향(D1)을 따라 배열될 수 있다. 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 서로 인접할 수 있다. 일 예에 따르면, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 하부 클래딩층(222) 내에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)의 상부면은 하부 클래딩층(222)의 상부면 보다 낮은 레벨에 위치할 수 있다. 그러나 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 상부 클래딩층(224) 내에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 회절격자 및 제2 회절격자의 하부면은 상부 클래딩층(224)의 하부면 보다 높은 레벨에 위치할 수 있다.
제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 하부 클래딩층(222) 또는 상부 클래딩층(224)보다 굴절률이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 하부 클래딩층(222) 및 상부 클래딩층(224)이 인듐인(InP)을 포함하는 경우, 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 InGaAsP를 포함할 수 있다. 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 진성(Intrinsic) 상태이거나, 제1 도전형 도펀트 또는 제2 도전형 도펀트로 도핑될 수 있다.
제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 광 도파로(210) 내부를 일 방향으로 진행하는 광을 상기 일 방향의 반대 방향으로 반사시킬 수 있다. 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 서로 다른 격자 주기(grating period)를 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 서로 다른 파장 대역의 광을 반사시킬 수 있다. 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2) 격자 주기 및 격자 주기에 따른 반사 파장대역은 도 4a 및 도 4b를 참조하여 후술한다.
반도체 소자(200)는 기판(202) 및 하부 클래딩층(222) 사이의 하부 전극(232) 및 상부 클래딩층(224) 상의 상부 전극들(234a, 234b)을 포함할 수 있다
하부 전극(232)은 적어도 이득영역(GR) 및 변조영역(MR)의 내에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 하부 전극(232)은 이득영역(GR)으로부터 반사영역(RR)을 경유하여 변조영역(MR)으로 연장될 수 있다.
제1 상부전극(234a)이 이득영역(GR) 내의 상부 클래딩층(224) 상에 배치될 수 있다. 제1 상부전극(234a)은 이득영역(GR) 내의 상부 클래딩층(224)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 상부전극(234a)이 변조영역(MR) 내의 상부 클래딩층(224) 상에 배치될 수 있다. 제2 상부전극(234b)은 변조영역(MR) 내의 상부 클래딩층(224)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 오믹 콘택층(236a)이 제1 상부전극(234a) 및 이득영역(GR) 내의 상부 클래딩층(224) 사이에 배치될 수 있다. 제2 오믹 콘택층(236b)이 제2 상부전극(234b) 및 변조영역(MR) 내의 상부 클래딩층(224) 사이에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 오믹 콘택층(236a, 236b)은 제2 도전형의 InGaAs를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 오믹 콘택층(236a, 236b)은 급속 열처리(RTA: rapid-thermal annealing) 공정을 통해 형성된 것일 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 오믹 콘택층(236a)의 양 측면들은 제1 상부전극(234a)의 양 측면들과 정렬될 수 있다. 제2 오믹 콘택층(236b)의 양 측면들은 제2 상부전극(234b)의 양 측면들과 정렬될 수 있다.
분리 트렌치들(226)이 상부 클래딩층(224)에 형성될 수 있다. 분리 트렌치들(226)은 이득영역(GR)과 반사영역(RR) 사이의 및 반사영역(RR)과 변조영역(MR)의 사이에 형성될 수 있다. 분리 트렌치들(226)은 상부 클래딩층(224)의 상면으로부터 상부 클래딩층(224)의 하면을 향하여 연장될 수 있다. 즉, 분리 트렌치들(226)의 바닥면은 상부 클래딩층(224)의 상면 보다 낮을 수 있다. 분리 트렌치들(226)의 일 내측벽은 오믹 콘택층들(236a, 236b) 및 상부전극들(234a, 234b)의 일 측면과 정렬될 수 있다.
분리 트렌치(226)로 인하여 이득영역(GR), 반사영역(RR) 및 변조영역(MR)이 서로 독립적으로 동작될 수 있다. 다시 말해, 분리 트렌치(226)의 깊이는 기판(202) 상의 각 영역들(GR, RR, MR) 내의 전극들(232, 234a, 234b)이 다른 영역에 영향을 미치지 않기 위한 깊이로 형성될 수 있다. 예컨대, 분리 트렌치(226)의 깊이는 상부 클래딩층(224)의 두께의 10% 이상일 수 있다. 또한, 분리 트렌치(226)의 깊이는 광 도파로(210) 내로 진행하는 광이 분리 트렌치(226)에 커플링되는 것이 최소화되도록 하기 위한 깊이로 형성될 수 있다. 예컨대, 분리 트렌치(226)의 깊이는 상부 클래딩층(224)의 두께의 25% 이하일 수 있다.
코팅층들(240)이 반소체 소자(200)의 일측 및 일측과 제1 방향(D1)으로 대향하는 타측 상에 배치될 수 있다. 코팅층들(240)은 하부 클래딩층(222) 광 도파로(210) 및 상부 클래딩층(224)의 측면들을 덮을 수 있다. 코팅층들(240)은 무반사 코팅(AR coating; Anti-Reflection coating)일 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 광 도파로(210)는 이득영역(GR) 내의 이득 도파로(212), 반사영역(RR) 내의 수동 도파로(214) 및 변조영역(MR) 내의 변조 도파로(216)를 포함할 수 있다.
이득 도파로(212)는 이득매질(gain medium)을 포함하는 활성층(active layer)일 수 있다. 이득 도파로(212)는 진성(Intrinsic) 상태일 수 있다. 이득 도파로(212)는 예컨대, 인듐인(InP) 또는 InGaAsP를 포함할 수 있다. 이득 도파로(212)가 진성 상태를 가짐에 따라, 이득영역(GR) 내에는 P-i-N 접합 구조가 형성될 수 있다. 제1 상부전극(234a) 및 하부 전극(232)을 통하여 이득영역(GR)에 캐리어(예컨대, 정공 및 전자)가 주입될 수 있다. 캐리어는 진성 상태인 이득 도파로(212)에서 재결합(recombination) 하여 광을 발생시킬 수 있다.
수동 도파로(214)가 반사영역(RR) 내에 배치될 수 있다. 수동 도파로(214)는 이득 도파로(212)와 맞대기 결합(butt coupling)되어 제작될 수 있다. 수동 도파로(214)로는 이득 도파로(212)에서 발생된 광을 전달받을 수 있다. 수동 도파로(214)는 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)와 커플링될 수 있다. 이득 도파로(212)로부터 수동 도파로(214)로 전달된 광은 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)에 의해 반사되어 도 1을 참조하여 설명한 외부 반사기(100)를 향하여 출력될 수 있다.
수동 도파로(214)가 배치되는 반사영역(RR)은 외부 반사기(100)와 함께 광의 발진을 위한 광 공동(OC)을 형성할 수 있다. 이득 도파로(212) 내에서 발생하는 광은 광 공동(OC) 내에서 중첩되어 광 공동(OC)의 외부에 배치되는 변조영역(MR)으로 발진될 수 있다.
변조 도파로(216)가 변조영역(MR)이 내에 배치될 수 있다. 변조 도파로(216)는 광 공동(OC)의 내부에서 발진된 광을 수신할 수 있다. 변조 도파로(216)는 진성 상태일 수 있다. 변조 도파로(216)는 흡수 매질(Absorptive medium)을 포함할 수 있다. 변조영역(MR) 내에 순차적으로 적층된 하부 전극(232), 하부 클래딩층(222), 변조 도파로(216), 상부 클래딩층(224) 및 제2 상부전극(234b)은 변조 다이오드를 구성할 수 있다. 하부 전극(232) 및 제2 상부전극(234b)을 통하여 변조영역에 역바이어스를 인가할 수 있다. 이에 따라, 변조영역(MR) 내에는 전계흡수(electro absorption) 현상이 발생될 수 있다. 예컨대, 전계흡수 현상은 QCSE(quantum confined Stark effect), WS (Wannier-Stark localization), FK (Franz-Keldysh effect) 등을 포함할 수 있다. 전계흡수 현상에 의하여, 변조영역(MR) 내의 광이 변조될 수 있다. 변조영역(MR)이 광 공동(OC) 외부에 배치되며, 이득영역(GR) 및 반사영역(RR)과 모놀리식 집적(monolithic integration)됨에 따라, 고속변조가 가능하며 광의 처핑(chirping)이 감소되고 장거리 전송이 용이한 광을 발진할 수 있는 파장가변 광원이 제공될 수 있다. 변조영역(MR)의 광 변조속도는, 예컨대, 10Gbps 이상일 수 있다. 또한, 광 공동(OC)의 형성을 위한 외부 반사기(100)가 변조영역(MR)이 형성된 반도체 소자(200)의 외부에 배치되므로, 광원의 저 선폭 특성과, 연속적 파장가변이 가능한 이점이 유지될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예들에 따른 회절격자를 설명하기 위한 도면으로, 도 1의 A 부분에 대응되는 확대도이다. 도 5는 회절격자들의 브래그 컨디션에 따른 반사율을 나타내는 그래프이다. 도 4a 내지 도 5를 참조하여 상술한 회절격자 영역(A)에 대해 보다 상세히 설명한다.
도 1 및 도 4a를 참조하면, 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 서로 다른 격자 주기(grating period)를 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 광 도파로(210)가 연장되는 방향인 제1 방향(D1)을 따라 굴절률이 서로 다른 물질이 교번적으로 배열된 구조를 가질 수 있다. 격자 주기는 제1 방향(D1)을 따라 제1 회절격자(G1) 또는 제2 회절격자(G2)의 내부의 굴절률이 변화되는 주기를 의미할 수 있다.
좀 더 구체적으로, 제1 회절격자(G1)는 제1 격자요소(ge1)를 포함할 수 있다. 제1 격자요소(ge1)는 하부 클래딩층(222) 및 상부 클래딩층(224) 보다 굴절률이 큰 물질을 포함할 수 있다. 제1 격자요소(ge1)는, 예컨대, InGaAsP를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 제1 격자요소(ge1) 제3 방향(D3)으로 길쭉한 막대의 형상을 가질 수 있다. 제3 방향(D3)은 광 도파로(210)의 길이 방향인 제1 방향(D1)과 기판(202)의 두께 방향인 제2 방향(D2)과 모두 수직한 방향일 수 있다. 제1 격자요소(ge1)는 제1 회절격자(G1) 내에서 일정한 폭 및 간격을 갖고 제1 방향(D1)으로 배열될 수 있다.
제2 회절격자(G2)는 제2 격자요소(ge2)를 포함할 수 있다. 제2 격자요소(ge2)는 제1 회절격자(G1)와 폭 및 배열된 간격이 다를 뿐, 제1 회절격자(G1)와 동일/유사할 수 있다. 예컨대, 제1 회절격자(G1)의 격자 주기(P1)는 서로 인접한 제1 격자요소(ge1) 사이의 간격 및 제1 격자요소(ge1)의 폭의 합을 의미할 수 있다. 제2 회절격자(G2) 의 격자 주기(P2)는 서로 인접한 제2 격자요소(ge2) 사이의 간격 및 제2 격자요소(ge2)의 폭의 합을 의미할 수 있다.
제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 격자 주기에 따라 각각 다른 파장대역의 광을 반사시킬 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 각각의 브래그 조건을 만족시키는 파장 대역의 광을 반사시킬 수 있다. 브래그 조건은 mλ=2neqΛ (m: 회절차수 (=1), λ: 광의 파장, neq: 광 도파로의 유효굴절율, Λ: 격자 주기)로 정의될 수 있다.
일 예에 따르면, 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)는 제1 방향(D1)을 따라 순차적으로 배열될 수 있다. 제2 회절격자(G2)의 격자주기(P2)는 제1 회절격자(G1)의 격자 주기(P1)보다 클 수 있다. 이에 따라 제2 회절격자(G2)는 제1 회절격자(G1)보다 큰 파장 대역의 광을 반사시킬 수 있다. 그러나 이에 제한되는 것은 아니다. 도 4a에 도시된 것과 달리, 제1 회절격자(G1)의 격자주기(P1)가 제2 회절격자(G2)의 격자 주기(P2)보다 클 수도 있다. 따라서 제1 회절격자(G1)가 제2 회절격자(G2)보다 큰 파장 대역의 광을 반사시킬 수도 있다. 반사영역(RR) 내에 서로 다른 격자 주기를 갖는 복수의 회절격자가 배치됨에 따라 반사영역(RR)은 다중대역의 파장의 광에 대한 반사 특성을 가질 수 있다.
도 1, 도 4b 및 도 5를 참조하면, 반사영역(RR)의 회절격자 영역(A) 내에 제3 회절격자(G3)가 배치될 수 있다. 제3 회절격자(G3)는 제3 격자요소(ge3)를 포함할 수 있다. 제3 회절격자(G3)는 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)의 사이에 배치될 수 있다. 제3 회절격자(G3)의 격자주기(P3)는 제1 회절격자(G1)의 격자주기(P1)보다 크고 제2 회절격자(G2)의 격자주기(P2)보다 작을 수 있다. 제1 회절격자(G1) 및 제2 회절격자(G2)의 격자 수는 실질적으로 동일할 수 있다. 제3 회절격자(G3)의 격자 수는 제1 회절격자(G1)의 격자 수 및 제2 회절격자(G2)의 격자 수보다 작을 수 있다. 다시 말해, 제3 격자요소(ge3)의 수는 제1 격자요소(ge1)의 수 및 제2 격자요소(ge2)의 수보다 작을 수 있다. 이에 따라 반사영역(RR)의 길이가 짧아 질 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 반사영역(RR) 내에 서로 다른 격자 주기를 갖는 제1 내지 제3 회절격자(G1, G2, G3)가 배치됨에 따라, 반사영역(RR)은 광대역의 파장에 대한 반사특성을 가질 수 있다. 또한 제3 회절격자의 격자수가 제1 회절격자(G1)의 격자수 및 제2 회절격자(G2)의 격자 수보다 작음에 따라, 넓은 파장 대역에서 고른 반사 특성을 가질 수 있다.
도 6은 도 1의 B부분에 따른 확대도이다. 도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예들에 따른 외부 반사기를 설명하기 위한 평면도이다. 도 6 내지 도 7b를 참조하여, 외부 반사기(100)에 대해 보다 상세히 설명한다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 외부 반사기(100)는 지지대(102) 및 외부 회절격자(110)를 포함할 수 있다. 지지대(102)는 외부 회절격자(110)를 지지할 수 있다. 외부 회절격자(110)는 지지대(102)에 회동 가능하게 결합될 수 있다. 외부 회절격자(110)와 반도체 소자(200)가 이루는 각도(θ)에 따라, 외부 회절격자(110)가 반사하는 광의 파장대역이 달라질 수 있다. 외부 회절격자(110)가 반사하는 파장대역의 광이 광 공동(OC) 내에서 공진되고 및 증폭될 수 있다. 즉, 외부 회절격자(110)와 반도체 소자(200)가 이루르 각도(θ)에 따라, 파장가변 광원의 외부로 발진되는 광의 파장이 가변될 수 있다. 외부 회절격자(110)는 지지판(112) 및 지지판(112) 상의 돌기부들(114)을 포함할 수 있다. 외부 회절격자(110)의 격자 주기(P4)는 제1 내지 제3 회절격자들(G1, G2, G3) 각각의 격자주기(P1, P2, P3)보다 클 수 있다.
도1, 도7a 및 도 7b를 참조하면, 외부 회절격자(110)는 일 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 지지판(112)은 평판의 형상을 가질 수 있다. 돌기부들(114)은 일 방향으로 연장된 라인의 형태를 가질 수 있다.
일 예에 따르면, 도 7a에 도시된 바와 같이, 외부 회절격자(110)는 제3 방향(D3)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 다시 말해서, 외부 회절격자(110)는 하부 클래딩층(222), 광 도파로(210) 및 상부 클래딩층(224)이 적층된 방향과 수직한 방향으로 연장될 수 있다. 돌기부들(114)은 제3 방향(D3)으로 연장된 라인의 형상을 가질 수 있다. 즉, 외부 회절격자(110)는 제2 방향(D2)을 따라 굴절률이 주기적으로 변화하는 브래그 격자를 포함할 수 있다. 본 예에 따르면, 파장 가변 광원은 TM모드(transverse magnetic mode)로 동작할 수 있다.
다른 예에 따르면, 도 7b에 도시된 바와 같이, 외부 회절격자(110)는 제2 방향(D2)으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 다시 말해서, 외부 회절격자(110)는 하부 클래딩층(222), 광 도파로(210) 및 상부 클래딩층(224)이 적층된 방향과 동일한 방향으로 연장될 수 있다. 돌기부들(114)은 제2 방향(D2)으로 연장된 라인의 형상을 가질 수 있다. 즉, 외부 회절격자(110)는 제3 방향(D3)을 따라 굴절률이 주기적으로 변화하는 브래그 격자를 포함할 수 있다. 본 예에 따르면, 파장 가변 광원은 TE모드(transverse electric mode)로 동작할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 파장 가변 광원을 설명하기 위한 도면이다. 설명의 간소화를 위하여 중복된 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 파장 가변 광원은 외부 반사기(100) 및 반도체 소자(200)의 사이에 배치된 편향기(310) 및 렌즈(320)를 더 포함할 수 있다.
편향기(310)는 외부 반사기(100) 및 반도체 소자(200)의 사이에 형성된 광 공동(OC)의 내에 배치될 수 있다. 편향기(310)는 광 공동(OC) 내를 진행하는 광의 방향을 바꾸도록 구성될 수 있다. 편향기(310)는 소정의 굴절률을 갖는 제1 편향패턴 및 제2 편향패턴을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 편향패턴 및 제2 편향패턴은 제3 방향(D3)에 따라 폭이 변하는 테이퍼 형상을 가질 수 있다. 제1 편향기 전극이 제1 편향패턴에 연결될 수 있고, 제2 편향기 전극이 제2 편향패턴에 연결될 수 있다. 편향기(310)는 제1 편향기 전극 및 제2 편향기 전극에 인가하는 전류를 조절함으로써 편향기(310)를 통과하는 광의 진행 경로를 바꿀 수 있다. 본 예에 따르면, 외부 회절격자(110)는 지지대(102)의 소정의 각도(θ)로 고정될 수 있다. 외부 회절격자(110)로 입력되는 광의 각도는 편향기(310)에 의해 제어될 수 있다. 즉, 편향기(310)는 파장가변 광원의 외부로 발진되는 광의 파장이 가변될 수 있다.
렌즈(320)가 편향기(310) 및 반도체 소자(200)의 사이에 배치될 수 있다. 렌즈(320)는 광 공동(OC) 내부를 진행하는 광이 광 도파로(210)의 내부로 용이하게 입력될 수 있도록 광을 포커싱할 수 있다. 예컨대, 렌즈(320)는 콜리메이션 렌즈(collimation lens)일 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다. 도 10은 도 9의 반도체소자의 변조영역을 설명하기 위한 평면도이다. 설명의 간소화를 위하여 중복된 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 광 도파로(210)는 이득영역(GR) 내의 이득 도파로(212) 및 반사영역(RR)의 내부로부터 상기 변조영역(MR)의 내부로 연장되는 수동 도파로(214)를 포함할 수 있다.
수동 도파로(214)는 변조영역(MR)의 내부에서 제1 수동 도파로(214) 및 제2 수동 도파로(214)로 분기될 수 있다. 일 예에 따르면, 수동 도파로(214)는 변조영역(MR)의 전단부분에서 제1 수동 도파로(214) 및 제2 수동 도파로(214)로 분기될 수 있으며, 변조영역(MR)의 후단부분에서 다시 하나의 수동 도파로(214)로 합쳐질 수 있다.
제2 상부전극(234b) 제1 수동 도파로(214) 및 제2 수동 도파로(214) 중 어느 한 도파로 상에 배치될 수 있다. 제2 상부전극(234b)에 인가되는 전류에 따라, 제1 수동 도파로(214) 또는 제2 수동 도파로(214)를 통과하는 광의 위상이 변화될 수 있다. 예컨대, 변조영역(MR)은 마흐젠더 변조기(Mach-Zehnder modulator)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 소자 내의 반사영역과 외부 반사기의 사이에 형성된 공동(cavity) 내에서 단일모드의 광이 발진될 수 있으며, 발진된 단일모드의 광은 반도체 소자 내에 모놀리식으로 직접된 변조기에 의해 변조되어 반도체 소자의 외부로 출력될 수 있다. 이에 따라, 처핑(chirping)이 감소되고, 연속적인 파장가변이 가능하며, 고속 변조가 가능한 파장가변 광원이 제공될 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (16)

  1. 외부 반사기;
    상기 외부 반사기의 일측에 배치되고, 제1 방향을 따라 배열된 이득영역, 반사영역 및 변조영역을 포함하는 기판;
    상기 이득영역, 상기 반사영역 및 상기 변조영역들의 상기 기판 상에 제공되고 상기 제1 방향으로 연장하는 광 도파로; 및
    상기 반사영역의 상기 광 도파로 상에 제공되는 회절격자들을 포함하되,
    상기 회절격자들은:
    상기 이득영역에 인접하는 제1 회절격자들;
    상기 변조영역에 인접하고, 상기 제1 회절격자들의 격자 주기보다 큰 격자 주기를 갖고, 상기 제1 회절격자들의 격자 개수와 동일한 격자 개수를 갖는 제2 회절격자들; 및
    상기 제1 회절격자들 및 상기 제2 회절격자들 사이에 제공되고, 상기 제1 회절격자들의 상기 격자 주기보다 크며 상기 제2 회절격자들의 상기 격자 주기보다 작은 격자 주기를 갖고, 상기 제1 회절격자들의 상기 격자 개수 및 상기 제2 회절격자들의 상기 격자 개수보다 작은 격자 개수를 갖는 제3 회절격자들을 포함하는 파장 가변 광원.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 도파로 및 상기 기판 사이에 배치된 하부 클래딩층; 및
    상기 광 도파로 상에 배치된 상부 클래딩층을 더 포함하되,
    상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자는 상기 하부 클래딩층 또는 상기 상부 클래딩층 내에 배치되는 파장 가변 광원.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 하부 클래딩층은 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 화합물 반도체를 포함하고, 상기 상부 클래딩층은 제2 도전형의 도펀트로 도핑된 화합물 반도체를 포함하는 파장 가변 광원.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 도파로는 상기 이득영역 내의 이득 도파로, 상기 반사영역 내의 수동 도파로 및 상기 변조영역 내의 변조 도파로를 포함하고,
    상기 수동 도파로는 상기 이득 도파로 및 상기 변조 도파로와 맞대기 결합(buttcoupling)되는 파장 가변 광원.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 광 도파로와 상기 기판 사이에 배치되는 하부 전극, 상기 이득 도파로 상에 배치된 제1 상부 전극 및 상기 변조 도파로 상에 배치된 제2 상부전극을 더 포함하는 파장 가변 광원.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자는 상기 제1 방향을 따라 연속적으로 배치되는 파장 가변 광원.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 회절격자 및 상기 제2 회절격자의 격자 수는 실질적으로 동일한 파장 가변 광원.
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 외부 반사기는 외부 회절격자를 포함하는 파장 가변 광원.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 외부 반사기는 외부 회절격자 및 상기 외부 회절격자를 지지하는 지지대를 포함하고,
    상기 외부 회절격자는 상기 지지대에 회동 가능하게 결합되는 파장 가변 광원.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 외부 반사기와 상기 이득영역의 사이에 배치되는 편향기 및 상기 편향기와 상기 이득영역 사이에 배치되는 렌즈를 더 포함하는 파장 가변 광원.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 도파로는 상기 이득영역 내의 이득 도파로 및 상기 반사영역의 내부로부터 상기 변조영역의 내부로 연장되는 수동 도파로를 포함하고,
    상기 이득 도파로 및 상기 수동 도파로는 맞대기 결합되는 파장 가변 광원.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 수동 도파로는 상기 변조영역 내에서 복수의 도파로들로 분기되고,
    상기 복수의 도파로들 중 적어도 어느 한 도파로 상에 배치되는 전극을 더 포함하는 파장 가변 광원.
  15. 제 2 항에 있어서,
    상기 하부 클래딩층, 광도파로 및 상부 클래딩층은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 적층되고,
    상기 외부 반사기는 상기 제2 방향을 따라 연장된 형상을 갖는 외부 회절격자를 포함하는 파장 가변 광원.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 외부 회절격자는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 수직한 제3 방향을 따라 굴절률이 주기적으로 변화하는 브래그 격자를 포함하는 파장 가변 광원.
KR1020180038879A 2018-04-03 2018-04-03 파장가변 광원 KR102650065B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180038879A KR102650065B1 (ko) 2018-04-03 2018-04-03 파장가변 광원

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180038879A KR102650065B1 (ko) 2018-04-03 2018-04-03 파장가변 광원

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190115778A KR20190115778A (ko) 2019-10-14
KR102650065B1 true KR102650065B1 (ko) 2024-03-22

Family

ID=68171733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180038879A KR102650065B1 (ko) 2018-04-03 2018-04-03 파장가변 광원

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102650065B1 (ko)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100637928B1 (ko) * 2004-10-13 2006-10-24 한국전자통신연구원 파장 가변 광송신 모듈
KR100701006B1 (ko) * 2005-05-31 2007-03-29 한국전자통신연구원 포물선 도파로형 평행광 렌즈 및 이를 포함한 파장 가변외부 공진 레이저 다이오드
KR100749871B1 (ko) * 2005-12-30 2007-08-16 전자부품연구원 광도파로와 광변조 전극이 융합된 파장가변기
KR100987793B1 (ko) * 2008-10-10 2010-10-13 한국전자통신연구원 반사형 반도체 광 증폭기 및 이를 이용하는 광신호 처리방법
KR101756106B1 (ko) * 2010-12-09 2017-07-11 한국전자통신연구원 다중 분포 귀환 레이저 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190115778A (ko) 2019-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7577319B2 (en) Semiconductor optical device and manufacturing method thereof
US7809038B2 (en) Electro-absorption optical modulator integrated with a laser to produce high speed, uncooled, long distance, low power, 1550 nm optical communication device with optimized parameters
KR101797624B1 (ko) 수퍼루미네센트 다이오드 및 그의 제조방법과, 그를 구비한 파장가변 외부공진레이저
US9312663B2 (en) Laser device, light modulation device, and optical semiconductor device
US7136553B2 (en) Tunable demultiplexer and tunable laser with optical deflector
US20040105476A1 (en) Planar waveguide surface emitting laser and photonic integrated circuit
US8179931B2 (en) Wavelength tunable filter and wavelength tunable laser module
US9728938B2 (en) Optical semiconductor device, optical semiconductor device array, and optical transmitter module
JP2017219668A (ja) 波長可変光源
US8184671B2 (en) Semiconductor optical element, semiconductor laser using the semiconductor optical element, and optical transponder using the semiconductor laser
CN108603980B (zh) 具有介质结构的光子集成器件
JP5545847B2 (ja) 光半導体装置
US10554013B2 (en) Semiconductor laser apparatus
JP6588859B2 (ja) 半導体レーザ
JP2005183955A (ja) 光検出器がモノリシック集積された電界吸収型光変調モジュール及びその製造方法
CN101826699A (zh) 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法
JP2019054107A (ja) 半導体光素子
US7949020B2 (en) Semiconductor laser and optical integrated semiconductor device
JP2019008179A (ja) 半導体光素子
KR102650065B1 (ko) 파장가변 광원
US20170194766A1 (en) Optical device and optical module
US7852897B2 (en) Semiconductor laser optical integrated semiconductor device
US6363093B1 (en) Method and apparatus for a single-frequency laser
US10680409B2 (en) Laser device
EP3407122B1 (en) Method for manufacturing an electro-absorption modulator

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant