KR102637833B1 - Carrier head of chemical mechanical apparatus and membrane used therein - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인에 관한 것으로, 멤브레인 측면의 상단부로부터 측방향으로 연장된 제1고정플랩과, 멤브레인 측면의 상단부로부터 상부로 연장된 제2고정플랩을 구비하고, 제2고정플랩에 제1경사부분과 제2경사부분이 구비되며 제3연장부분이 베이스 저면에 밀착되게 형성된 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인을 제공한다.The present invention relates to a carrier head of a chemical mechanical polishing device and a membrane used therein, comprising a first fixing flap extending laterally from the upper end of the side of the membrane and a second fixing flap extending upward from the upper end of the side of the membrane. In addition, a membrane of a carrier head for a polishing device is provided, in which a first inclined portion and a second inclined portion are provided on the second fixing flap, and a third extended portion is formed in close contact with the bottom of the base.

Description

연마 장치용 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인{CARRIER HEAD OF CHEMICAL MECHANICAL APPARATUS AND MEMBRANE USED THEREIN}Carrier head for polishing device and membrane used therefor {CARRIER HEAD OF CHEMICAL MECHANICAL APPARATUS AND MEMBRANE USED THEREIN}

본 발명은 연마 장치용 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인에 관한 것으로, 상세하게는, 리테이너 링 등의 마모 상태가 변동하더라도 기판의 가장자리에 균일한 가압력을 인가하여 연마 품질을 유지하는 연마 장치용 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인에 관한 것이다.The present invention relates to a carrier head for a polishing device and a membrane used therein, and more specifically, to a carrier head for a polishing device that maintains polishing quality by applying a uniform pressing force to the edge of the substrate even when the wear state of the retainer ring etc. varies. and membranes used therefor.

화학기계적 연마(CMP) 장치는 반도체소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는데 사용되는 장치이다.The chemical mechanical polishing (CMP) device is used for wide-area planarization and circuit formation to eliminate the height difference between the cell area and the surrounding circuit area due to irregularities on the wafer surface generated while repeatedly performing masking, etching, and wiring processes during the semiconductor device manufacturing process. This is a device used to precisely polish the surface of a wafer to improve the wafer surface roughness due to contact/wiring film separation and high-integration deviceization.

이러한 CMP 장치에 있어서, 캐리어 헤드는 연마공정 전후에 웨이퍼의 연마 면이 연마 패드와 마주보게 한 상태로 상기 웨이퍼를 가압하여 연마 공정을 행하도록 하고, 동시에 연마 공정이 종료되면 웨이퍼를 직접 및 간접적으로 진공 흡착하여 파지한 상태로 그 다음 공정으로 이동한다. In this CMP device, the carrier head performs the polishing process by pressing the wafer with the polishing surface of the wafer facing the polishing pad before and after the polishing process, and at the same time, when the polishing process is completed, the wafer is directly and indirectly Move to the next process while holding it by vacuum adsorption.

도1a 및 도1b는 일반적인 연마 장치의 구성을 도시한 도면이다. 도면에 도시된 바와 같이, 연마 장치(9)는, 상면에 연마 패드(11)가 입혀진 상태로 자전(10r)하는 연마 정반(10)과, 연마 패드(11)에 기판의 연마면이 접촉한 상태로 하방 가압(Pc)하면서 자전(2r)하는 캐리어 헤드(2)와, 기판(W)의 화학적 연마를 위하여 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부(3)와, 기판의 연마 공정 중에 연마 패드(11)의 상태를 개질하는 컨디셔너(4)를 포함하여 구성된다. 1A and 1B are diagrams showing the configuration of a general polishing device. As shown in the figure, the polishing device 9 includes a polishing plate 10 that rotates (10r) with a polishing pad 11 applied to its upper surface, and a polishing surface of the substrate in contact with the polishing pad 11. A carrier head 2 that rotates (2r) while being pressed downward (Pc), a slurry supply unit (3) that supplies slurry for chemical polishing of the substrate (W), and a polishing pad (11) during the polishing process of the substrate. It is configured to include a conditioner (4) that improves the state of.

기판(W)의 연마면은 연마 패드(11)에 가압된 상태로 캐리어 헤드(2)에 의하여 자전(2r)하면서 연마 패드(11)와의 마찰에 의한 기계적 연마 공정이 행해지고, 동시에 기판(W)의 연마면은 슬러리 공급구(31)로부터 슬슬러리가 공급되면서 화학적 연마 공정이 동시에 행해진다. 본 발명은 기계적 연마 공정과 화학적 연마 공정이 함께 이루어지는 경우에 적용될 수도 있으며, 기계적 연마 공정만 행해지는 경우에도 적용될 수 있다. The polishing surface of the substrate W is rotated 2r by the carrier head 2 while being pressed against the polishing pad 11, and a mechanical polishing process is performed by friction with the polishing pad 11, and at the same time, the substrate W A chemical polishing process is simultaneously performed on the polished surface while slurry is supplied from the slurry supply port 31. The present invention can be applied when a mechanical polishing process and a chemical polishing process are performed together, and can also be applied when only a mechanical polishing process is performed.

기판의 연마 공정 중에, 컨디셔너(4)는 컨디셔닝 디스크를 아암(41)의 끝단에 위치시킨 상태로 컨디셔닝 디스크를 하방 가압하면서 자전(4r)시키고, 정해진 각도 범위에서 왕복 회전 운동(4d)을 하는 것에 의하여, 연마 패드(11)의 전체 면적에 걸친 개질 공정이 행해진다. During the polishing process of the substrate, the conditioner 4 places the conditioning disk at the end of the arm 41, rotates it (4r) while pressing it downward, and performs a reciprocating rotational movement (4d) in a predetermined angle range. As a result, a modification process is performed over the entire area of the polishing pad 11.

캐리어 헤드(2)는, 도2에 도시된 바와 같이, 외부로부터 회전 구동력이 전달되어 회전하는 본체(2x) 및 베이스(22)와, 베이스(22)에 고정된 멤브레인(21)과, 멤브레인 바닥판(211)의 둘레에 링 형태로 이격되게 배치되어 연마 공정 중에 저면이 연마 패드(11)에 밀착하여 기판의 이탈을 억제하는 리테이너 링(23)으로 이루어진다. 여기서, 본체(2x)와 베이스(22)는 일체 형태로 형성될 수도 있고, 서로 분리된 상태에서 연결 부재에 의해 연결된 형태로 형성될 수도 있다.As shown in Figure 2, the carrier head 2 includes a main body 2x and a base 22 that rotate by receiving a rotational driving force from the outside, a membrane 21 fixed to the base 22, and a membrane bottom. It consists of a retainer ring 23 that is spaced apart in a ring shape around the plate 211 and whose bottom adheres to the polishing pad 11 during the polishing process to prevent the substrate from being separated. Here, the main body 2x and the base 22 may be formed as one piece, or may be separated from each other and connected by a connecting member.

여기서, 멤브레인(21)은, 기판(W)의 형상대로 형성되어 기판의 비연마면에 밀착하는 멤브레인 바닥판(211)과, 멤브레인 바닥판(211)의 가장자리로부터 상측으로 연장된 멤브레인 측면(212)과, 멤브레인 바닥판(211)으로부터 연장되어 베이스(22)에 고정된 격벽 플랩(213)을 구비한다. 격벽 플랩(213)의 끝단은 결합 부재(22a)가 베이스(22)에 결합되는 사이 틈새에 끼여 고정되며, 이를 통해 격벽 플랩(213)이 베이스(22)에 고정된다. Here, the membrane 21 includes a membrane bottom plate 211 formed in the shape of the substrate W and in close contact with the non-polished surface of the substrate, and a membrane side plate 212 extending upward from the edge of the membrane bottom plate 211. ) and a partition flap 213 extending from the membrane bottom plate 211 and fixed to the base 22. The end of the partition flap 213 is fixed in the gap while the coupling member 22a is coupled to the base 22, and through this, the partition flap 213 is fixed to the base 22.

그리고, 제1고정플랩(2121)은 멤브레인 측면(212)의 상단부로부터 반경 내측으로 연장되어, 결합 부재(22a)가 베이스(22)에 고정되는 사이 틈새에 끼여 그 끝단이 고정되는 것에 의해 베이스(22)에 고정된다. 제2고정플랩(2122)은 멤브레인 상단부로부터 상방으로 연장되다가 절곡되어 반경 내측으로 연장 형성된다. 마찬가지로, 결합 부재(22a)가 베이스(22)에 고정되는 사이 틈새에 끼여 끝단이 고정되는 것에 의해, 제2고정플랩(2122)도 베이스(22)에 고정된다.In addition, the first fixing flap 2121 extends radially inward from the upper end of the membrane side 212, is inserted into the gap while the coupling member 22a is fixed to the base 22, and its end is fixed to the base ( 22). The second fixing flap 2122 extends upward from the upper end of the membrane and is then bent to extend radially inward. Likewise, the second fixing flap 2122 is also fixed to the base 22 by fixing the end thereof in the gap while the coupling member 22a is fixed to the base 22.

본 명세서에서는 전체에 걸쳐 베이스(22)에 결합되는 '결합 부재(22a)'를 베이스(22)의 일부로 포함되는 것으로 본다. In this specification, the 'coupling member 22a' coupled to the base 22 throughout is considered to be included as a part of the base 22.

이에 따라, 압력 제어부(25)로부터 공압이 공급되면, 멤브레인 바닥판(211)과 베이스(22)의 사이에는 격벽 플랩(213)에 의해 구획된 다수의 메인 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)가 팽창하면서, 메인 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)의 바닥면인 바닥판(211)을 가압하는 힘(P)이 챔버 별로 독립적으로 조절되면서 기판(W)을 영역별로 가압한다. 또한, 최외측 메인 압력 챔버(C5)의 상단부에는 제1고정플랩(2121)과 제2고정플랩(2122)과 베이스(22)에 의해 보조 압력 챔버(Cx)가 형성되고, 보조 압력 챔버(Cx)의 압력(Px)이 멤브레인 측면(212)을 통해 하방 전달되어, 기판(W)의 가장자리 부분을 가압한다. Accordingly, when pneumatic pressure is supplied from the pressure control unit 25, a plurality of main pressure chambers (C1, C2, C3, C4) partitioned by the partition flap 213 are formed between the membrane bottom plate 211 and the base 22. , C5) expands, the force (P) pressing the bottom plate 211, which is the bottom surface of the main pressure chamber (C1, C2, C3, C4, C5), is adjusted independently for each chamber, and the substrate (W) is moved to the area. Not very pressurized. In addition, an auxiliary pressure chamber (Cx) is formed at the upper end of the outermost main pressure chamber (C5) by the first fixing flap 2121, the second fixing flap 2122, and the base 22, and the auxiliary pressure chamber (Cx) ) pressure (Px) is transmitted downward through the membrane side 212 to pressurize the edge portion of the substrate (W).

그리고, 리테이너 링(23)은 멤브레인 바닥판(211)의 둘레를 감싸는 링 형태로 형성된다. 리테이너 링(23)은 그 상측에 별도의 공압 챔버가 구비되어 공압 챔버의 압력에 의해 상하 방향으로 이동 가능하게 구성될 수도 있고, 도면에 도시된 바와 같이 본체부(2x)와 일체 형태로 형성될 수도 있다. And, the retainer ring 23 is formed in a ring shape surrounding the periphery of the membrane bottom plate 211. The retainer ring 23 may be provided with a separate pneumatic chamber on its upper side and may be configured to move in the up and down direction by the pressure of the pneumatic chamber, and may be formed integrally with the main body 2x as shown in the drawing. It may be possible.

상기와 같이 구성된 캐리어 헤드(2)는 연마 공정 별로 기판(W)을 일정하게 가압해야 비로소 기판의 연마 품질을 균일하게 얻을 수 있다. The carrier head 2 configured as described above must uniformly pressurize the substrate W for each polishing process to achieve uniform polishing quality of the substrate.

그러나, 연마 공정이 반복되면, 리테이너 링(23)과 연마 패드(11)가 마모되므로, 이에 의해 멤브레인의 상하 위치가 변동한다. 즉, 리테이너 링(23)이 마모되는 것을 예로 들어 설명하면, 연마 공정 중에 멤브레인 바닥판(211)과 리테이너 링(23)의 저면까지의 거리는 기판의 두께(tw)만큼 일정하므로, 리테이너 링(23)의 마모량이 증가할수록 멤브레인은 상측으로 들리는 변위(99)가 발생된다. However, when the polishing process is repeated, the retainer ring 23 and the polishing pad 11 are worn, thereby causing the vertical position of the membrane to fluctuate. That is, if the retainer ring 23 is worn as an example, the distance between the membrane bottom plate 211 and the bottom of the retainer ring 23 during the polishing process is constant as the thickness (tw) of the substrate, so the retainer ring 23 ) As the amount of wear increases, the membrane is displaced upward (99).

편의상 도3a는 연마 공정 중에 멤브레인(21)이 예정된 형상인 상태를 멤브레인의 기준 위치로 예시한 것이고, 도3b는 리테이너 링(23)의 마모에 따라 멤브레인이 상측으로 들려 올라간 상태를 나타낸 것이다. 여기서, 멤브레인이 상측으로 들려 올라간 상태라는 것은, 연마 공정에 투입된 캐리어 헤드(2)에 기판(W)이 위치하지 않은 것으로 가정한 상태에서, 멤브레인 바닥판(211)과 연마 패드(11)까지의 바닥판 이격거리(y)가 줄어든 것을 의미한다. 이하에서는 간단히 '바닥판 이격거리(y)'를 기준으로 설명하기로 한다.For convenience, Figure 3a illustrates the state in which the membrane 21 is in a predetermined shape during the polishing process as the reference position of the membrane, and Figure 3b shows the state in which the membrane is lifted upward due to wear of the retainer ring 23. Here, the state in which the membrane is lifted upward means that the distance between the membrane bottom plate 211 and the polishing pad 11 is assumed to be that the substrate W is not positioned on the carrier head 2 introduced in the polishing process. This means that the floor plate separation distance (y) has been reduced. Hereinafter, the explanation will simply be based on the 'floor plate separation distance (y)'.

상기와 같이, 연마 패드나 리테이너 링(23)의 마모량에 따라 멤브레인(21)이 상하 이동하면, 멤브레인(21)의 상하 이동에 따라 멤브레인의 플랩 형상에 미묘한 차이가 생긴다. As described above, when the membrane 21 moves up and down depending on the amount of wear of the polishing pad or the retainer ring 23, a subtle difference occurs in the shape of the flap of the membrane depending on the up and down movement of the membrane 21.

이로 인하여, 멤브레인(21)의 플랩들이 정해진 형상으로 있는 상태에서 공압, 회전 속도 등의 연마 공정 변수를 적절히 조절하면, 도6의 Si로 표시된 연마 프로파일과 같이, 기판(W)의 중심에서 가장자리(edge)까지의 연마면 형상(연마 프로파일)이 전체적으로 균일하게 맞출수 있다. For this reason, if the polishing process variables such as pneumatic pressure and rotation speed are appropriately adjusted while the flaps of the membrane 21 are in a predetermined shape, as shown in the polishing profile indicated by Si in Figure 6, the edge ( The shape of the polishing surface (polishing profile) up to the edge can be uniformly adjusted throughout.

그러나, 리테이너 링(23)의 마모량이 증가할수록 멤브레인(21)이 상방으로 들려 이동하는 변위(99)가 더 커지고, 이에 따라 기판의 가장자리 영역에서는 기판을 가압하는 가압력이 변동된다. However, as the amount of wear of the retainer ring 23 increases, the displacement 99 by which the membrane 21 is lifted and moved upward increases, and accordingly, the pressing force pressing the substrate changes in the edge area of the substrate.

즉, 리테이너 링(23)의 마모량이 증가하여 바닥판 이격거리(y)가 감소하여 y'로 되면, 멤브레인(21)이 전체적으로 상측으로 들려 이동하게 되고, 상측으로 이동한 멤브레인 측면(212)의 상단부로부터 연장 형성된 'ㄱ'자 형태의 제2고정플랩(2122)은 상측 절곡부(Vx)가 베이스(22)의 저면에 막혀있으므로, 멤브레인 측면(212)이 상측으로 들리는 변위(99)에 의한 반력이 그대로 측면을 타고 하방 전달된다. 이에 따라, 멤브레인(21)이 기준 위치(도3a)에 있는 경우에 측면(212)을 따라 하방으로 전달되는 가압력(Fe)에 비하여, 멤브레인(21)이 상측으로 들려 이동한 위치(도3b)에 있는 경우에 측면(212)을 따라 하방으로 전달되는 가압력(Fe')이 더 커진다. That is, when the amount of wear of the retainer ring 23 increases and the floor plate separation distance (y) decreases to y', the membrane 21 as a whole is lifted upward and moves, and the membrane side 212 that moved upward is Since the upper bent portion (Vx) of the 'L' shaped second fixing flap 2122 extending from the upper end is blocked on the bottom of the base 22, the membrane side 212 is moved upward due to displacement 99. The reaction force is transmitted downward along the side. Accordingly, compared to the pressing force (Fe) transmitted downward along the side 212 when the membrane 21 is at the reference position (FIG. 3a), the position at which the membrane 21 is lifted upward and moves (FIG. 3b) In the case where the pressing force (Fe') transmitted downward along the side 212 becomes larger.

따라서, 도3a에 도시된 기준 위치에서 도6의 Si에 도시된 균일한 연마 프로파일을 얻어지도록 연마 공정 변수를 설정하였더라도, 리테이너 링(23)의 마모에 의해 멤브레인 측면(212)이 상측으로 들려 이동한 상태에서는 기판 가장자리 부분의 연마량이 더 커지므로 도6의 S1으로 표시된 연마 프로파일이 얻어진다는 것이 실험적으로 밝혀졌다. Therefore, even if the polishing process parameters are set to obtain the uniform polishing profile shown in Si in FIG. 6 at the reference position shown in FIG. 3A, the membrane side 212 is lifted upward and moves due to wear of the retainer ring 23. It was experimentally found that in one state, the amount of polishing at the edge of the substrate is greater, so that the polishing profile indicated by S1 in Figure 6 is obtained.

한편, 리테이너 링(23)의 마모량에 따라 보조 압력 챔버(Cx)의 압력을 낮추는 방법을 모색할 수도 있지만, 연마 공정 중에 리테이너 링(23)의 마모량 측정값에 따라 보조 압력 챔버(Cx)의 압력을 정확히 변동시키는 것이 매우 까다로우므로 바람직하지 않다.Meanwhile, a method may be sought to lower the pressure of the auxiliary pressure chamber (Cx) according to the wear amount of the retainer ring 23, but the pressure of the auxiliary pressure chamber (Cx) may be adjusted according to the wear amount measurement value of the retainer ring 23 during the polishing process. It is very difficult to accurately change , so it is not desirable.

한편, 도4에 도시된 다른 형태의 캐리어 헤드(2')의 멤브레인(21')은 보조 압력 챔버(Cx)를 구비하지 않은 형태로 구성될 수 있다. 이 멤브레인(21')의 구성은 멤브레인 측면(212')의 강성이 낮아 최외측 압력챔버에 압력이 높아질수록 가장자리 부분의 바닥판(21a)이 들뜨므로 기판 가장자리 부분에 충분한 가압력의 도입이 어려운 한계가 있다. 따라서, 도6에 도시된 멤브레인(21')으로는 연마 공정 변수를 적절히 제어하더라도 기판 가장자리 부분에서의 연마 품질이 낮아 도6의 Si로 표시된 연마 프로파일을 얻지 못하고, 도6의 S3로 표시된 연마 프로파일을 얻을 수 밖에 없으므로 바람직하지 않다. Meanwhile, the membrane 21' of another type of carrier head 2' shown in FIG. 4 may be configured without the auxiliary pressure chamber Cx. This configuration of the membrane 21' has a limitation in that the rigidity of the membrane side 212' is low, and as the pressure in the outermost pressure chamber increases, the bottom plate 21a at the edge is lifted, making it difficult to introduce sufficient pressing force to the edge of the substrate. There is. Therefore, even if the polishing process variables are appropriately controlled with the membrane 21' shown in FIG. 6, the polishing profile indicated by Si in FIG. 6 cannot be obtained due to low polishing quality at the edge of the substrate, and the polishing profile indicated by S3 in FIG. 6 is not obtained. It is undesirable because it is inevitable to obtain .

도4에 도시된 다른 형태의 캐리어 헤드(2')의 상측에 보조 압력 챔버(Cx)를 형성하더라도, 멤브레인 측면(212')의 강성이 낮으므로, 보조 압력 챔버(Cx)에서의 압력(Px)을 측면(212')을 따라 하방으로 전달하지 못하여, 도6의 Si로 표시된 연마 프로파일을 얻기 어려운 한계가 있다. Even if the auxiliary pressure chamber (Cx) is formed on the upper side of the other type of carrier head 2' shown in FIG. 4, the rigidity of the membrane side 212' is low, so the pressure (Px) in the auxiliary pressure chamber (Cx) ) cannot be transmitted downward along the side surface 212', making it difficult to obtain the polishing profile indicated by Si in FIG. 6.

한편, 도3b에 도시된 멤브레인(21)과 관련하여, 리테이너 링(23)의 마모량이 증가하여 멤브레인 측면(212)이 상방으로 들어 올려지는 변위(99)가 발생되면, 제2고정플랩(2122)의 상방 연장부분(Vx)의 선단부가 베이스(22)의 저면(Sb)과 접촉하면서 그 반력으로 멤브레인 측면(212)을 하방으로 밀어내는 힘이 더 커지는 문제가 있었다.Meanwhile, in relation to the membrane 21 shown in Figure 3b, when the amount of wear of the retainer ring 23 increases and a displacement 99 that causes the membrane side 212 to be lifted upward occurs, the second fixing flap 2122 ), there was a problem that as the tip of the upper extension part (Vx) contacted the bottom surface (Sb) of the base 22, the force pushing the membrane side 212 downward due to the reaction force became larger.

이와 같은 문제를 해결하는 방안으로 도5에 도시된 바와 같이 제2고정플랩(2122")에 주름부(88)를 포함하는 형태로 형성하는 방안을 모색해볼 수 있다. 제2고정플랩(2122")에 주름부(88)가 형성되면, 리테이너 링(23)의 마모량에 따라 멤브레인 측면(212)이 상방으로 들리더라도, 제2고정플랩(2122")의 주름부(88)가 멤브레인 측면(212)의 상방 변위량을 수용하므로, 멤브레인 측면(212)을 통해 기판 가장자리에 인가되는 가압력(Fe")의 크기가 커지는 문제를 방지할 수 있다.As a solution to this problem, it is possible to explore a method of forming the second fixing flap 2122" into a shape including a wrinkle portion 88, as shown in Figure 5. The second fixing flap 2122" ), when the wrinkles 88 are formed, even if the membrane side 212 is lifted upward depending on the amount of wear of the retainer ring 23, the wrinkles 88 of the second fixing flap 2122" are aligned with the membrane side 212. ), it is possible to prevent the problem of an increase in the size of the pressing force (Fe") applied to the edge of the substrate through the membrane side 212.

그러나, 제2고정플랩(2122")에 주름부(88)를 형성하고 그 끝단이 베이스(22)의 저면에 고정된 구조에서는, 캐리어 헤드(2")가 연마 공정 중에 자전함에 따라 발생되는 원심력에 의해, 주름부(88)로 인해 고정 끝단까지 길게 형성된 제2고정플랩(2122")에 의해 멤브레인의 가장자리 부분에 뒤틀림(twisting) 변형이 발생되는 문제가 있다. 이로 인하여, 멤브레인 측면의 요동이 심해지면서 기판 가장자리 부분을 가압하는 가압력에도 요동이 발생되어, 기판 가장자리 부분의 연마 품질을 저하시키는 문제가 야기된다. However, in the structure where the corrugated portion 88 is formed on the second fixing flap 2122" and the end thereof is fixed to the bottom of the base 22, the centrifugal force generated as the carrier head 2" rotates during the polishing process There is a problem in that twisting deformation occurs at the edge of the membrane due to the second fixing flap 2122", which is formed long to the fixed end due to the wrinkles 88. Due to this, the side of the membrane fluctuates. As it gets worse, fluctuations occur in the pressing force pressing the edge of the substrate, causing a problem that deteriorates the polishing quality of the edge of the substrate.

이 뿐만 아니라, 연마 공정 중의 고속 자전에 의한 원심력으로 인하여, 주름부(88)와 끝단 사이에서 수평 방향으로 연장된 상부 영역은 베이스(22)의 저면(Sb)으로부터 이격(c)된 상태가 된다. 이에 따라, 주름부(88)의 표면에 작용하는 힘이 상하 방향으로 서로 상쇄되더라도, 제2고정플랩의 상부 영역에는 상방으로 들어올리는 힘(Fd)이 작용하므로, 보조 압력 챔버(Cx)의 제2고정플랩(2122")은 멤브레인 측면(212)을 상방으로 들어올리는 힘(Fr)이 작용하는 원인이 되어, 리테이너 링(23)의 마모량 증가에 따라 상방으로 이동하는 멤브레인 측면(212)의 변위(99)를 보다 증폭시키는 원인이 된다. 이에 따라, 멤브레인이 기준 위치에 있을 때에 보조 압력 챔버(Cx)의 압력(Px)으로 멤브레인 측면(212)을 통해 기판 가장자리를 가압하는 가압력(Fe)에 비하여, 오히려 더 낮은 가압력(Fe")이 인가된다. In addition, due to the centrifugal force caused by high-speed rotation during the polishing process, the upper region extending in the horizontal direction between the wrinkles 88 and the end is spaced (c) from the bottom surface Sb of the base 22. . Accordingly, even if the forces acting on the surface of the wrinkles 88 cancel each other in the vertical direction, the upward lifting force Fd acts on the upper area of the second fixing flap, so that the upper part of the auxiliary pressure chamber Cx 2The fixing flap (2122") causes a force (Fr) to lift the membrane side 212 upward, causing the displacement of the membrane side 212 moving upward as the wear amount of the retainer ring 23 increases. (99). Accordingly, when the membrane is in the reference position, the pressing force (Fe) that presses the edge of the substrate through the membrane side 212 with the pressure (Px) of the auxiliary pressure chamber (Cx) In comparison, a rather lower pressing force (Fe") is applied.

따라서, 도5에 도시된 멤브레인(21")으로 도6의 Si의 연마 프로파일이 되게 연마 공정 변수를 설정하였더라도, 연마 공정이 반복되어 리테이너 링(23)의 저면 마모량이 증가할수록 기판의 가장자리 부분을 가압하는 가압력(Fe")이 점점 낮아져 도6의 S2로 표시된 연마 프로파일을 얻게 됨을 실험적으로 확인하였다. Therefore, even if the polishing process parameters are set to have the Si polishing profile of FIG. 6 with the membrane 21" shown in FIG. 5, as the polishing process is repeated and the amount of wear on the bottom of the retainer ring 23 increases, the edge portion of the substrate becomes more worn. It was experimentally confirmed that the pressing force (Fe") gradually decreased to obtain the polishing profile indicated by S2 in Figure 6.

이렇듯, 기판(W)의 연마 프로파일이 중심에서 가장자리부분까지 균일한 프로파일(Si)이 되도록 캐리어 헤드의 회전 속도, 메인 압력 챔버 및 보조 압력 챔버의 압력, 연마 정반의 회전 속도 등의 연마 공정 변수들을 셋팅하였더라도, 연마 공정의 진행에 따라 멤브레인 바닥판(211)과 연마 패드(11) 사이의 바닥판 이격거리(y)가 변동함에 따라 기판의 가장자리 부분의 연마 품질이 변동하는 문제가 발생된다. In this way, the polishing process variables such as the rotation speed of the carrier head, the pressure of the main pressure chamber and the auxiliary pressure chamber, and the rotation speed of the polishing platen are adjusted so that the polishing profile of the substrate (W) is a uniform profile (Si) from the center to the edge. Even if set, the polishing quality of the edge portion of the substrate varies as the bottom plate separation distance (y) between the membrane bottom plate 211 and the polishing pad 11 changes as the polishing process progresses.

이 뿐만 아니라, 캐리어 헤드(2)의 자전에 따른 원심력이 작용하면, 멤브레인 측면(212)과 제2고정플랩(2122")에는 뒤틀림 변형이 발생되면서, 기판의 가장자리 부분을 정확히 가압하지 못하여 연마 품질이 저하되는 문제가 발생된다.In addition, when centrifugal force due to the rotation of the carrier head 2 acts, distortion occurs on the membrane side 212 and the second fixing flap 2122", making it impossible to accurately press the edge of the substrate, thereby reducing the polishing quality. This problem of deterioration occurs.

따라서, 연마 공정 중에 또는 연마 공정 별로 연마 공정 변수들의 셋팅을 변경하지 않더라도, 기판의 가장자리 부분에서의 연마량을 균일하게 유지하여, 리테이너 링 및 연마 패드의 마모량에 무관하게 일정한 가압력을 기판 가장자리에 인가할 수 있는 멤브레인 구조의 필요성이 절실히 요구되고 있다.Therefore, even if the settings of the polishing process variables are not changed during the polishing process or for each polishing process, the amount of polishing at the edge of the substrate is maintained uniformly, and a constant pressing force is applied to the edge of the substrate regardless of the amount of wear of the retainer ring and polishing pad. There is an urgent need for a membrane structure that can

또한, 연마 공정 중에 멤브레인의 뒤틀림 변형으로 인하여 기판 가장자리 부분에 가압력이 충분히 인가되지 못하거나 인가되는 가압력에 요동이 발생되어 연마 품질이 저하되는 문제를 해소하는 방안의 필요성도 요청되고 있다.In addition, there is a need for a method to solve the problem that the pressing force is not sufficiently applied to the edge of the substrate due to distortion of the membrane during the polishing process or the polishing quality is degraded due to fluctuations in the applied pressing force.

상기와 같은 배경 기술은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 본 발명을 도출하는 과정에서 얻어진 다른 형태의 구성을 설명한 것으로서, 본 출원일 이전에 공지된 종래 기술을 의미하는 것은 아니다. The above background technology describes other forms of configuration obtained in the process of deriving the present invention to aid understanding of the present invention, and does not mean prior art known before the filing date of the present invention.

본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 창안된 것으로, 연마 장치의 변수들을 별도로 조절하지 않고서도, 리테이너 링이나 연마 패드의 마모량에 무관하게, 기판 가장자리에 인가하는 가압력을 균일하게 유지하는 구조의 멤브레인 및 이를 구비한 캐리어 헤드를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention was created under the above-described technical background, and provides a membrane with a structure that uniformly maintains the pressing force applied to the edge of the substrate, regardless of the amount of wear of the retainer ring or polishing pad, without separately adjusting the variables of the polishing device, and the same. The purpose is to provide a carrier head provided.

또한, 본 발명은, 연마 공정 중에 빠른 속도로 자전하는 캐리어 헤드의 원심력에도 멤브레인의 뒤틀림 변형을 최소화하고 기판의 가장자리에 일정한 가압력을 인가하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention aims to minimize distortion of the membrane and apply a constant pressing force to the edge of the substrate despite the centrifugal force of the carrier head rotating at high speed during the polishing process.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 멤브레인 측면의 상단부로부터 측방향으로 연장된 제1고정플랩과, 멤브레인 측면의 상단부로부터 상부로 연장된 제2고정플랩을 구비하고, 제2고정플랩에 제1경사부분과 제2경사부분이 구비되며 제3연장부분이 베이스 저면에 밀착되게 형성된 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is provided with a first fixing flap extending laterally from the upper end of the membrane side, and a second fixing flap extending upward from the upper end of the membrane side, and the second fixing flap has a second fixing flap. It provides a membrane of a carrier head for a polishing device, which is provided with a first inclined portion and a second inclined portion, and a third extended portion is formed to be in close contact with the bottom of the base.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 "외측" 또는 이와 유사한 용어는 멤브레인 바닥판의 중심으로부터 반경 바깥 방향(r)을 지칭하는 것으로 정의한다. 이와 유사하게, 본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 "내측" 또는 이와 유사한 용어는 멤브레인 바닥판의 중심으로부터 반경 안쪽 방향을 지칭하는 것으로 정의한다. As used herein and in the claims, “outer” or similar terms are defined to refer to a radial direction (r) outward from the center of the membrane bottom plate. Similarly, as used herein and in the claims, “inner” or similar terms are defined to refer to a radial inward direction from the center of the membrane sole.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 "상측" 또는 이와 유사한 "상방(上方)" 등의 용어는 멤브레인 바닥판으로부터 베이스를 향하여 멀어지는 방향(z)을 지칭하는 것으로 정의한다. Terms such as “top” or similar “upward” as used in the specification and claims are defined to refer to the direction (z) away from the membrane bottom plate toward the base.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 "수평 거리" 및 이와 유사한 용어는 멤브레인 바닥판과 평행한 방향으로의 이격 거리를 지칭하는 것으로 정의한다. As used herein and in the claims, “horizontal distance” and similar terms are defined to refer to the separation distance in a direction parallel to the membrane bottom plate.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 "수평면"이란 가상의 수평면을 지칭하며, 멤브레인 바닥판과 평행한 임의의 수평면을 지칭하는 것으로 정의한다.“Horizontal plane” as used in the specification and claims refers to a virtual horizontal plane and is defined to refer to any horizontal plane parallel to the membrane bottom plate.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 "최외측 메인챔버"는 멤브레인 바닥판의 중심을 기준으로 반경 바깥으로 가장 바깥에 위치한 메인 압력 챔버이면서, 멤브레인 바닥판의 일부를 기판을 가압하는 가압면으로 포함하는 메인 압력 챔버를 지칭하는 것으로 정의한다.The "outermost main chamber" described in the present specification and patent claims is the main pressure chamber located at the outermost radius based on the center of the membrane bottom plate, and includes a part of the membrane bottom plate as a pressure surface for pressing the substrate. Defined as referring to the main pressure chamber.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 "보조 압력 챔버"는 제1고정플랩을 경계로 하여 최외측 메인챔버의 상측에 위치한 링 형태의 압력 챔버를 지칭하는 것으로 정의한다. The “auxiliary pressure chamber” described in the present specification and claims is defined as referring to a ring-shaped pressure chamber located on the upper side of the outermost main chamber with the first fixing flap as a boundary.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 "바닥판 이격거리(y)"는, 연마 공정이 행해지는 위치에 캐리어 헤드(2)가 위치한 상태에서, 캐리어 헤드의 하측에 기판(W)이 위치하지 않은 것으로 가정하고, 일정 압력(P)이 캐리어 헤드의 압력 챔버에 공급된 것으로 가정한 상태에서, "멤브레인 바닥판의 저면과 연마 패드의 상면까지의 이격 거리"를 지칭하는 것으로 정의한다. The “bottom plate separation distance (y)” described in the specification and claims refers to the state in which the carrier head 2 is located at the position where the polishing process is performed, and the substrate W is not located below the carrier head. Assuming that a constant pressure (P) is supplied to the pressure chamber of the carrier head, it is defined to refer to “the separation distance between the bottom surface of the membrane bottom plate and the top surface of the polishing pad.”

이에 따라, 기판이 위치한 상태에서는, 리테이너 링이 캐리어 헤드에 고정된 상태에서 리테이너 링의 마모량이 커지면, 바닥판 이격거리가 작아져 멤브레인이 들리는 변위가 발생된다. 기판이 위치한 상태에서는, 리테이너 링이 캐리어 헤드에 상하 이동이 가능하고 연마 공정이 이루어지는 캐리어 헤드의 높이가 고정된 상태에서 연마패드의 마모량이 커지면, 바닥판의 이격거리가 커져 멤브레인이 하방으로 이동하는 변위가 발생된다. Accordingly, when the substrate is positioned and the retainer ring is fixed to the carrier head and the wear amount of the retainer ring increases, the distance between the bottom plates decreases and a displacement that lifts the membrane occurs. When the substrate is positioned, the retainer ring can move up and down on the carrier head, and the height of the carrier head where the polishing process is performed is fixed. If the amount of wear on the polishing pad increases, the separation distance between the bottom plates increases, causing the membrane to move downward. Displacement occurs.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 "기준 위치"는 "리테이너 링의 마모 이전 상태로서 마모 전후를 대비하기 위하여 임의로 정해지는 위치" 또는 "리테이너 링이 캐리어 헤드에 상하 이동이 가능하고 연마 공정이 이루어지는 캐리어 헤드의 높이가 고정된 상태에서, 연마 패드의 마모 이전의 상태로서 마모 전후를 대비하기 위하여 임의로 정해지는 위치"로 정의된다. The “reference position” described in this specification and patent claims is “a position arbitrarily determined to prepare for before and after wear of the retainer ring as a state before wear” or “a carrier in which the retainer ring can move up and down on the carrier head and where the polishing process is performed. It is defined as “a position arbitrarily determined to prepare for before and after wear of the polishing pad as it is the state before wear of the polishing pad while the height of the head is fixed.”

즉, 리테이너 링이나 연마 패드의 마모 이전 상태와 이후 상태를 상대적으로 비교하기 위한 것으로서, 리테이너 링이나 연마 패드의 마모 이전 상태를 '기준 위치'라고 정의한다. 따라서 '기준 위치'는 임의로 정해질 수 있으며, 설명의 편의를 위하여 본 발명의 실시예에서는 '멤브레인의 고정 플랩이 원래의 형상을 유지한 상태(도9a)'로 예로 들어 설명하였다. In other words, it is intended to relatively compare the state before and after wear of the retainer ring or polishing pad, and the state before wear of the retainer ring or polishing pad is defined as the 'reference position'. Therefore, the 'reference position' can be determined arbitrarily, and for convenience of explanation, in the embodiment of the present invention, 'the state in which the fixed flap of the membrane maintains its original shape (FIG. 9a)' is used as an example.

본 발명에 따르면, 연마 공정을 반복하면서 연마 패드나 리테이너 링의 마모가 진행되고, 이에 따라 멤브레인 측면이 상하 방향으로 이동하는 변위가 발생되더라도, 기판의 가장자리에 균일한 가압력을 인가하여 기판의 연마 프로파일을 일정하게 형성하는 연마 공정을 구현하는 유리한 효과가 있다. According to the present invention, even if wear of the polishing pad or retainer ring progresses while repeating the polishing process, resulting in displacement of the membrane side moving in the vertical direction, a uniform pressing force is applied to the edge of the substrate to maintain the polishing profile of the substrate. There is an advantageous effect of implementing a polishing process that uniformly forms.

즉, 본 발명은, 연마 공정 중에 연마 공정 변수를 변경하지 않고 멤브레인 형상만으로, 멤브레인 바닥판과 연마 패드 사이의 바닥판 이격거리(y)가 변동하더라도 기판 가장자리에 균일한 가압력을 인가하는 효과를 얻을 수 있다.In other words, the present invention achieves the effect of applying a uniform pressing force to the edge of the substrate even if the bottom plate separation distance (y) between the membrane bottom plate and the polishing pad changes only by the membrane shape without changing the polishing process variables during the polishing process. You can.

이를 통해 본 발명은 기판의 연마 품질을 신뢰성있게 유지하는 효과를 얻을 수 있다.Through this, the present invention can achieve the effect of reliably maintaining the polishing quality of the substrate.

도1a는 일반적인 기판 연마 장치의 구성을 도시한 정면도,
도1b는 도1a의 평면도,
도2는 도1a의 캐리어 헤드의 구성을 도시한 반단면도,
도3은 도2의 'A'부분의 확대도,
도4는 다른 형태의 캐리어 헤드의 가장자리 부분의 구성을 도시한 확대도,
도5는 다른 형태의 캐리어 헤드의 가장자리 부분의 구성을 도시한 확대도,
도6은 멤브레인 구조에 따른 기판의 연마 프로파일을 도시한 그래프,
도7은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인을 도시한 횡단면도,
도8은 도7의 'B'부분의 확대도,
도9a는 도2의 'A'부분에 대응하는 구성으로서, 도7의 멤브레인이 캐리어 헤드에 장착되어 연마 공정 중의 가압력 작용 상태를 도시한 도면,
도9b는 바닥판 이격거리가 감소하여 멤브레인 측면이 상방 이동한 상태에서, 도7의 멤브레인이 캐리어 헤드에 장착되어 연마 공정 중의 멤브레인 측면을 통하여 전달되는 가압력 작용 상태를 도시한 도면,
도9c는 바닥판 이격거리가 증가하여 멤브레인 측면이 하방 이동한 상태에서, 도7의 멤브레인이 캐리어 헤드에 장착되어 연마 공정 중의 멤브레인 측면을 통하여 전달되는 가압력 작용 상태를 도시한 도면,
도10은 도9b의 'C'부분의 확대도,
도11은 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인이 캐리어 헤드에 장착되어, 바닥판 이격거리가 감소한 상태에서 연마 공정 중의 멤브레인 측면을 통하여 전달되는 가압력 작용 상태를 도시한 도면,
도12는 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인이 캐리어 헤드에 장착되어, 바닥판 이격거리가 감소한 상태에서 연마 공정 중의 멤브레인 측면을 통하여 전달되는 가압력 작용 상태를 도시한 도면,
도13은 본 발명의 제4실시예에 따른 기판 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인이 캐리어 헤드에 장착되어, 바닥판 이격거리가 감소한 상태에서 연마 공정 중의 멤브레인 측면을 통하여 전달되는 가압력 작용 상태를 도시한 도면,
도14는 본 발명의 제5실시예에 따른 기판 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인의 가장자리 부분의 확대도이다.
1A is a front view showing the configuration of a general substrate polishing device;
Figure 1B is a plan view of Figure 1A,
Figure 2 is a half cross-sectional view showing the configuration of the carrier head of Figure 1A;
Figure 3 is an enlarged view of part 'A' of Figure 2,
Figure 4 is an enlarged view showing the configuration of the edge portion of another type of carrier head;
Figure 5 is an enlarged view showing the configuration of the edge portion of another type of carrier head;
Figure 6 is a graph showing the polishing profile of the substrate according to the membrane structure;
Figure 7 is a cross-sectional view showing the membrane of the carrier head of the substrate polishing apparatus according to the first embodiment of the present invention;
Figure 8 is an enlarged view of part 'B' of Figure 7,
Figure 9a is a configuration corresponding to part 'A' of Figure 2, and is a diagram showing the state of pressing force during the polishing process when the membrane of Figure 7 is mounted on the carrier head;
Figure 9b is a diagram showing the application of pressing force transmitted through the side of the membrane during the polishing process when the membrane of Figure 7 is mounted on the carrier head in a state where the bottom plate separation distance is reduced and the side of the membrane moves upward;
Figure 9c is a diagram illustrating the application of pressing force transmitted through the side of the membrane during the polishing process when the membrane of Figure 7 is mounted on the carrier head in a state in which the side of the membrane moves downward due to an increase in the separation distance from the bottom plate;
Figure 10 is an enlarged view of part 'C' of Figure 9b,
Figure 11 shows a state in which the membrane of the carrier head of the substrate polishing apparatus according to the second embodiment of the present invention is mounted on the carrier head and the pressing force transmitted through the side of the membrane during the polishing process is shown in a state in which the bottom plate separation distance is reduced. floor plan,
Figure 12 shows a state in which the membrane of the carrier head of the substrate polishing device according to the third embodiment of the present invention is mounted on the carrier head and the pressing force transmitted through the side of the membrane during the polishing process is shown in a state in which the bottom plate separation distance is reduced. floor plan,
Figure 13 shows a state in which the membrane of the carrier head of the substrate polishing device according to the fourth embodiment of the present invention is mounted on the carrier head and the pressing force transmitted through the side of the membrane during the polishing process is shown in a state in which the bottom plate separation distance is reduced. floor plan,
Figure 14 is an enlarged view of the edge portion of the membrane of the carrier head of the substrate polishing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, in this description, the same numbers refer to substantially the same elements, and under these rules, the description can be made by citing the content shown in other drawings, and content that is judged to be obvious to those skilled in the art or that is repeated can be omitted.

본 발명의 제1실시예에 따른 기판 연마 장치용 캐리어 헤드(201)는, 도2를 참조하여 설명한 캐리어 헤드(2)의 구성과 유사하게 형성된다. 즉, 캐리어 헤드(201)는 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 회전 구동되는 본체(2x)와, 본체(2x)와 연결되어 함께 회전하는 베이스(22)와, 본체(2x)와 베이스(22) 중 어느 하나 이상에 연결 고정되어 함께 회전하는 링 형태의 리테이너 링(23)과, 베이스(22)에 고정되어 베이스(22)와의 사이에 메인 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5) 및 보조 압력 챔버(Cx)를 형성하고 신축 변형과 휨 변형 중 어느 하나 이상이 쉽게 이루어지는 가요성 소재로 형성되는 멤브레인(101)과, 메인 압력 챔버(C1,...,C4, C5) 및 보조 압력 챔버(Cx)에 공압을 공급하여 압력을 조절하는 압력 제어부(25)로 구성된다. The carrier head 201 for a substrate polishing apparatus according to the first embodiment of the present invention is formed similarly to the configuration of the carrier head 2 described with reference to FIG. 2. That is, the carrier head 201 includes a main body 2x that is connected to a drive shaft (not shown) and driven to rotate, a base 22 that is connected to the main body 2x and rotates together, and the main body 2x and the base 22. ) A retainer ring 23 in the form of a ring that is connected and fixed to one or more of the two and rotates together, and a main pressure chamber (C1, C2, C3, C4, C5) fixed to the base 22 and between the base 22. and a membrane 101 that forms an auxiliary pressure chamber (Cx) and is made of a flexible material that easily undergoes at least one of stretching and bending deformation, the main pressure chambers (C1,...,C4, C5), and the auxiliary It consists of a pressure control unit 25 that supplies pneumatic pressure to the pressure chamber Cx to control the pressure.

도면에 전체 형상이 도시되지 않았지만, 도2에 도시된 반단면도에 도시된 바와 같은 형상을 360도만큼 회전시킨 구조로 형성된다. Although the overall shape is not shown in the drawing, it is formed by rotating the shape as shown in the half-sectional view shown in FIG. 2 by 360 degrees.

상기 베이스(22)는 본체(2x)와 일체로 형성되거나 연결 부재(미도시)로 연결되어, 외부로부터 전달되는 회전 구동력에 의해 함께 연마 공정 중에 회전한다. 이에 따라, 베이스(22)와 본체(2x) 중 어느 하나 이상에 고정된 멤브레인(101)과 리테이너 링(23)도 함께 회전한다. The base 22 is formed integrally with the main body 2x or is connected to a connecting member (not shown), and rotates together during the polishing process by a rotational driving force transmitted from the outside. Accordingly, the membrane 101 and the retainer ring 23 fixed to one or more of the base 22 and the main body 2x also rotate.

상기 리테이너 링(23)은 멤브레인(101)의 바닥판(110)의 둘레를 감싸는 링 형태로 형성된다. 리테이너 링(23)은 연마 공정 중에 연마 패드(11)에 밀착된 상태를 유지하여, 연마 공정 중에 멤브레인 바닥판(110)의 하측에 위치한 기판이 마찰력에도 불구하고 캐리어 헤드(201)의 바깥으로 이탈하는 것을 방지한다. The retainer ring 23 is formed in a ring shape surrounding the circumference of the bottom plate 110 of the membrane 101. The retainer ring 23 remains in close contact with the polishing pad 11 during the polishing process, so that the substrate located on the lower side of the membrane bottom plate 110 does not fall out of the carrier head 201 despite the frictional force. prevent it from happening.

리테이너 링(23)은 캐리어 헤드(201)의 본체(2x)에 일체로 형성되어, 캐리어 헤드(201)의 상하 이동이나 연마 정반(10)의 상하 이동에 의해 그 저면이 연마 패드(11)에 밀착된 상태를 유지하게 구성될 수 있다. 또는, 리테이너 링(23)의 상측에 별도의 공압 챔버가 형성되어, 공압 챔버에 정압이 공급되면 리테이너 링(23)이 하방으로 이동하여 그 저면이 연마 패드(11)의 상면에 밀착된 상태가 되도록 구성될 수도 있다. 이 경우에는, 리테이너 링(23)이 상하 방향으로 이동하여 연마 공정을 위해 연마 패드(11) 상에 밀착되는 구동 메커니즘을 구비하고 있으므로, 캐리어 헤드(201)는 통상적으로 연마 패드(11)에 대하여 정해진 높이에서 연마 공정을 행한다. The retainer ring 23 is formed integrally with the main body 2x of the carrier head 201, and its bottom surface is attached to the polishing pad 11 by the vertical movement of the carrier head 201 or the vertical movement of the polishing plate 10. It can be configured to remain in close contact. Alternatively, a separate pneumatic chamber is formed on the upper side of the retainer ring 23, and when positive pressure is supplied to the pneumatic chamber, the retainer ring 23 moves downward and its bottom surface is in close contact with the upper surface of the polishing pad 11. It may be configured as such. In this case, since the retainer ring 23 is provided with a drive mechanism that moves in the up and down direction and comes into close contact with the polishing pad 11 for the polishing process, the carrier head 201 typically moves relative to the polishing pad 11. The polishing process is performed at a specified height.

상기 멤브레인(101)은, 도7에 도시된 바와 같이, 연마 공정 중에 기판(W)을 저면에 밀착한 상태로 위치시키는 멤브레인 바닥판(110)과, 멤브레인 바닥판(110)의 가장자리 끝단으로부터 상향 연장된 멤브레인 측면(120)과, 멤브레인 바닥판(110)의 중심과 멤브레인 측면(120)의 사이에서 바닥판(110)으로부터 상향 연장되어 베이스(22)에 결합되는 링 형태의 다수의 격벽 플랩(131, 132, 133, 134; 130)과, 멤브레인 측면(120)의 상단부로부터 내측으로 연장 형성되어 그 끝단(121e)이 캐리어 헤드(201)의 베이스(22)에 고정되어 멤브레인 바닥판(110)과 멤브레인 측면(120)으로 일부가 둘러싸인 메인 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)를 형성하는 제1고정플랩(121)과, 멤브레인 측면(120)의 상단부와 제1고정플랩(121) 중 어느 하나로부터 연장 형성되고 제1고정플랩(121)과 함께 상기 메인 압력 챔버(C5)의 상측에 보조 압력 챔버(Cx)를 형성하고 보조 압력 챔버(Cx)에 정압이 인가된 상태에서 멤브레인 측면(120)의 상하 이동 변위(99, 99')에 대하여 보상력(Fr)을 작용하는 제2고정플랩(122)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 7, the membrane 101 includes a membrane bottom plate 110 that positions the substrate W in close contact with the bottom surface during the polishing process, and an edge edge of the membrane bottom plate 110 extending upward. Extended membrane side 120 and a plurality of ring-shaped partition flaps extending upward from the bottom plate 110 between the center of the membrane bottom plate 110 and the membrane side 120 and coupled to the base 22 ( 131, 132, 133, 134; 130, which extend inward from the upper end of the membrane side 120, and whose end 121e is fixed to the base 22 of the carrier head 201 to form a membrane bottom plate 110. and a first fixing flap 121 forming a main pressure chamber (C1, C2, C3, C4, C5) partially surrounded by the membrane side 120, the upper end of the membrane side 120 and the first fixing flap 121 ) and forms an auxiliary pressure chamber (Cx) on the upper side of the main pressure chamber (C5) with the first fixing flap 121, and the membrane is formed with a positive pressure applied to the auxiliary pressure chamber (Cx). It is configured to include a second fixing flap 122 that applies a compensation force (Fr) to the vertical displacements 99 and 99' of the side 120.

멤브레인 바닥판(110)의 상면으로부터 연장된 다수의 격벽 플랩(131, 132, 133, 134; 130)은 그 끝단이 베이스(22)와 결합 부재(22a)를 매개로 베이스(22)에 고정된다. 이에 따라, 메인 압력 챔버는 베이스(22)와 멤브레인 바닥판(110)의 사이에서 다수의 메인 압력 챔버(C1,..., C4, C5)로 분할 형성된다. 도7에 도시된 바와 같이 격벽 플랩(130)은 중심선을 기준으로 동심원을 이루는 링 형태로 바닥판(110)으로부터 다수 연장 형성될 수 있다.A plurality of partition flaps (131, 132, 133, 134; 130) extending from the upper surface of the membrane bottom plate 110 have their ends fixed to the base 22 via the base 22 and the coupling member 22a. . Accordingly, the main pressure chamber is divided into a plurality of main pressure chambers (C1,..., C4, C5) between the base 22 and the membrane bottom plate 110. As shown in Figure 7, the partition flap 130 may be formed to extend from the bottom plate 110 in a ring shape concentric with the center line.

그리고, 멤브레인 측면(120)의 상단부에는 제1고정플랩(121)이 내측으로 연장되어, 도9a에 도시된 바와 같이, 제1고정플랩(121)의 끝단(121e)이 결합 부재(22a, 22x)에 의해 베이스(22)에 고정되고, 멤브레인 측면(120)의 상단부에 제2고정플랩(122)이 상측으로 연장된다. And, at the upper end of the membrane side 120, a first fixing flap 121 extends inward, and as shown in Figure 9a, the end 121e of the first fixing flap 121 is connected to the coupling members 22a and 22x. ) is fixed to the base 22, and a second fixing flap 122 extends upward at the upper end of the membrane side 120.

멤브레인 바닥판(110)은 전체가 가요성 재질로 형성되어, 그 상측의 메인 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)의 압력에 따라 자유롭게 신장되거나 변형된다. 기판이 없는 상태에서는, 메인 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)에 정압이 인가되면 멤브레인 바닥판(110)은 전체적으로 하방 이동하고, 메인 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)에 부압이 인가되면 멤브레인 바닥판(110)은 전체적으로 상방 이동한다. The membrane bottom plate 110 is entirely made of a flexible material and is freely stretched or deformed depending on the pressure of the main pressure chambers C1, C2, C3, C4, and C5 above it. In the absence of a substrate, when positive pressure is applied to the main pressure chambers (C1, C2, C3, C4, C5), the membrane bottom plate 110 moves downward as a whole, and the main pressure chambers (C1, C2, C3, C4, C5) ) When negative pressure is applied, the membrane bottom plate 110 moves upward as a whole.

멤브레인 격벽 플랩(130)도 역시 가요성 재질로 형성되어, 압력 챔버(C1,...,C5)의 압력에 따라 자유롭게 신장되거나 휨 변형된다. 멤브레인 측면(120)은 링형 고정체(120i, 120o)를 제외하고 가요성 재질로 형성되어, 링형 고정체(120i, 120o)가 형성되지 아니한 부분은 최외측 압력 챔버(C5)와 그 상측에 위치한 보조 압력 챔버(Cx)의 압력에 따라 자유롭게 신장되거나 휨 변형된다. 여기서, 링형 고정체(120i, 120o)는 바닥판(110)이나 격벽(112) 등을 형성하는 가요성 재질에 비하여 보다 높은 강성(stiffness)을 갖는 재질로 형성되며, 예를 들어, 플라스틱, 수지, 금속 등의 재질 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The membrane partition flap 130 is also made of a flexible material and is freely stretched or bent depending on the pressure of the pressure chambers C1,...,C5. The membrane side 120 is formed of a flexible material except for the ring-shaped fixtures 120i and 120o, and the portion where the ring-shaped fixtures 120i and 120o are not formed is located at the outermost pressure chamber C5 and its upper side. It is freely stretched or bent depending on the pressure of the auxiliary pressure chamber (Cx). Here, the ring-shaped fixtures 120i and 120o are made of a material with higher stiffness than the flexible material forming the bottom plate 110 or the partition wall 112, for example, plastic or resin. , may be formed of one or more materials such as metal.

대체로 가요성 재질은 모두 동일한 재질로 일체 성형되지만, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 위치에 따라 서로 다른 2개 이상의 가요성 재질로 형성될 수도 있다. 여기서, 가요성 재질은 폴리우레탄 계열, 고무 계열 등 다양한 재질 중에 어느 하나로 선택될 수 있다.In general, all flexible materials are integrally molded from the same material, but the present invention is not limited thereto, and may be formed of two or more different flexible materials depending on the location. Here, the flexible material may be selected from a variety of materials such as polyurethane series and rubber series.

이와 같이, 링형 고정체(120i, 120o)가 멤브레인 측면(120)에 결합되면, 멤브레인 측면이 수평 방향으로 볼록해지는 휨 강성이 보강된다. 이에 따라, 링형 고정체(120i, 120o)가 결합된 측면 영역은 가요성 재질로만 형성된 영역에 비하여 강성이 높으므로, 최외측 압력챔버(C5) 및 상측 챔버(Cx)의 압력이 높아지더라도, 링형 고정체(120i, 120o)에 의해 휨 변형이 구속되므로, 가요성 재질로 이루어진 링형 고정체(120i, 120o) 주변 영역의 휨 변형을 보다 크게 유도하는 역할을 한다. In this way, when the ring-shaped fixtures 120i and 120o are coupled to the membrane side 120, the bending rigidity of the membrane side being convex in the horizontal direction is strengthened. Accordingly, the side area where the ring-shaped fixtures 120i and 120o are combined has higher rigidity than the area formed only of flexible material, so even if the pressure in the outermost pressure chamber C5 and the upper chamber Cx increases, the ring-shaped Since the bending deformation is restricted by the fixtures 120i and 120o, it serves to induce a larger bending deformation in the area around the ring-shaped fixtures 120i and 120o made of a flexible material.

도8 및 도9a에 도시된 바와 같이, 멤브레인 측면(120)의 상단부로부터 베이스(22)를 향하는 내측으로 가요성 재질의 제1고정플랩(121)이 연장되고, 멤브레인 측면(120)의 상단부로부터 경사부분(즉, 주름부)가 구비된 형태로 상방 연장된 가요성 재질의 제2고정플랩(122)이 연장 형성된다. 제1고정플랩(121)과 제2고정플랩(122)은 가요성 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 제1고정플랩(121)과 제2고정플랩(122)의 끝단(121e, 122e)는 각각 베이스(22)에 고정되어, 제1고정플랩(121)과 제2고정플랩(122)과 베이스(22)로 둘러싸인 공간은 보조 압력 챔버(Cx)를 형성한다. As shown in Figures 8 and 9a, the first fixing flap 121 made of flexible material extends from the upper end of the membrane side 120 inward toward the base 22, and extends from the upper end of the membrane side 120. A second fixing flap 122 made of a flexible material extends upward and has an inclined portion (i.e., a wrinkle portion). The first fixing flap 121 and the second fixing flap 122 are preferably made of a flexible material. And, the ends 121e and 122e of the first fixing flap 121 and the second fixing flap 122 are respectively fixed to the base 22, so that the first fixing flap 121 and the second fixing flap 122 The space surrounded by the base 22 forms an auxiliary pressure chamber Cx.

여기서, 제2고정플랩(122)은 멤브레인 바닥판(110)으로부터 상방으로 갈수록 반경 내측으로 경사지게 형성된 제1경사부분(A1)과 상방으로 갈수록 반경 외측으로 경사지게 형성된 제2경사부분(A2)과, 베이스(22)의 저면(Sb)에 고정될 수 있도록 제2경사부분(A2)과 연결되어 내측으로 연장된 제3연장부분(A3)을 포함한다. Here, the second fixing flap 122 includes a first inclined portion (A1) formed to be inclined radially inward as it goes upward from the membrane bottom plate 110, and a second inclined portion (A2) formed to be inclined outwardly as it goes upward, It includes a third extension part (A3) connected to the second inclined part (A2) and extending inward so that it can be fixed to the bottom surface (Sb) of the base 22.

제3연장부분(A3)은 베이스(22)의 외측면(Sa)에 비해 보다 내측에 고정 끝단(122e)이 고정된다. 예를 들어, 제3연장부분(A3)에 형성된 고정끝단(122e)은 베이스(22)의 저면에 고정된다. 이에 따라, 제1고정플랩(121)과 제2고정플랩(122)으로 둘러싸인 공간에는 보조 압력 챔버(Cx)가 형성되고, 보조 압력 챔버(Cx)는 최외측 메인 압력 챔버(C5)의 상측에 위치하게 된다.The third extension portion A3 has a fixed end 122e fixed more inward than the outer surface Sa of the base 22. For example, the fixed end 122e formed on the third extension portion A3 is fixed to the bottom of the base 22. Accordingly, an auxiliary pressure chamber (Cx) is formed in the space surrounded by the first fixing flap 121 and the second fixing flap 122, and the auxiliary pressure chamber (Cx) is located on the upper side of the outermost main pressure chamber (C5). It is located.

도면에 예시된 실시예에서는 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)이 직선 형태의 평면으로 형성된 구성이 예시되어 있지만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2) 중 어느 하나 이상은 평탄면, 곡면 중 어느 하나로 형성될 수도 있다. In the embodiment illustrated in the drawing, a configuration in which the first inclined portion A1 and the second inclined portion A2 are formed in a straight plane is illustrated, but according to another embodiment of the present invention, the first inclined portion A1 ) and the second inclined portion A2 may be formed as either a flat surface or a curved surface.

연마 공정 중에 압력 조절부는 보조 압력 챔버(Cx)에 정해진 압력(Px)을 공압으로 인가하도록 구성된다. 여기서, 정해진 압력(Px)은 어느 하나의 값으로 고정된 고정값일 수도 있고, 연마 공정 중에 미리 정해진 패턴으로 변동하는 변동값일 수도 있으며, 연마 공정 중에 측정값에 따라 제어되어 변동하는 값일 수도 있다. During the polishing process, the pressure regulator is configured to pneumatically apply a predetermined pressure (Px) to the auxiliary pressure chamber (Cx). Here, the predetermined pressure (Px) may be a fixed value fixed to one value, a variable value that changes in a predetermined pattern during the polishing process, or a value that is controlled and varied according to a measured value during the polishing process.

보조 압력 챔버(Cx)에 공압이 공급되면, 보조 압력 챔버(Cx)의 내벽 표면에 수직한 방향으로의 힘이 작용한다. 이에 따라, 도9a에 도시된 바와 같이, 제1경사부분(A1)에는 F1으로 표시된 힘이 상향 경사지게 작용하고, 제2경사부분(A2)에는 F2로 표시된 힘이 하향 경사지게 작용한다. 그리고, 멤브레인 측면(120)이 상하 방향으로 이동하면, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)의 회전 변위에 따라 그 표면에 작용하는 제1힘(F1)과 제2힘(F2)은 변동하게 되며, 제1힘(F1)과 제2힘(F2)의 변동분에 대한 수직 성분에 의해 보상력(Fr)이 상방 또는 하방으로 작용하게 된다.When pneumatic pressure is supplied to the auxiliary pressure chamber (Cx), a force in a direction perpendicular to the inner wall surface of the auxiliary pressure chamber (Cx) is applied. Accordingly, as shown in FIG. 9A, the force indicated by F1 acts in an upward slanting manner on the first inclined portion A1, and the force indicated by F2 acts in a downward slanting manner on the second inclined portion A2. And, when the membrane side 120 moves in the vertical direction, the first force (F1) and the second force (F1) acting on the surface according to the rotational displacement of the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2) ( F2) changes, and the compensation force (Fr) acts upward or downward due to the vertical component of the changes in the first force (F1) and the second force (F2).

다만, 기준 위치에서도 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)에 작용하는 제1힘(F1)과 제2힘(F2)에 의해 상방 또는 하방으로 작용하는 힘이 있을 수도 있지만, 본 명세서 및 청구범위에 기재된 보상력(Fr)은 기준 위치에서 작용하는 힘에 추가하여 상방 또는 하방으로 작용하는 힘을 지칭하는 것으로 정의한다. However, even at the reference position, there may be a force acting upward or downward due to the first force (F1) and second force (F2) acting on the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2). The compensating force (Fr) described in the specification and claims is defined to refer to a force acting upward or downward in addition to the force acting at the reference position.

예를 들어, 리테이너 링(23)이나 연마 패드(11)의 마모 이전 상태인 '기준 위치'에서 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)에 작용하는 힘(F1, F2)의 수직 방향의 성분은 '0'가 되게 정해질 수 있다. 이와 다르게, 보조 압력 챔버(Cx)의 압력(Px)에 의해 멤브레인 측면(120)을 통해 기판 가장자리에 전달되는 가압력(Fe)의 크기를 고려하여, 기준 위치에서 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)에 작용하는 힘(F1, F2)의 수직 방향의 성분은 '0' 이외의 값으로 정해질 수도 있다. For example, the forces (F1, F2) acting on the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2) at the 'reference position', which is the state before wear of the retainer ring (23) or the polishing pad (11) The vertical component can be set to '0'. Differently, considering the magnitude of the pressing force (Fe) transmitted to the edge of the substrate through the membrane side 120 by the pressure (Px) of the auxiliary pressure chamber (Cx), the first inclined portion (A1) and the first inclined portion (A1) at the reference position 2. The vertical component of the forces (F1, F2) acting on the inclined portion (A2) may be set to a value other than '0'.

리테이너 링(23)이나 연마 패드(11)의 '마모 이전 상태'는 최초로 리테이너 링이나 연마 패드를 장착한 상태로 한정되지 않으며, '마모 이후 상태'와 대비하기 위한 임의의 상태를 지칭한다. 편의상 도9a에 도시된 멤브레인(101)의 기준 위치는 제1고정플랩(121)이 수평으로 연장된 상태로 도시되어 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The 'state before wear' of the retainer ring 23 or the polishing pad 11 is not limited to the state in which the retainer ring or polishing pad is first installed, and refers to an arbitrary state to contrast with the 'state after wear'. For convenience, the reference position of the membrane 101 shown in FIG. 9A is shown with the first fixing flap 121 extended horizontally, but the present invention is not limited thereto.

이하에서는, 설명의 편의를 위하여 '기준 위치'에서 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)에 작용하는 힘(F1, F2)의 수직 방향의 성분이 '0'인 경우로 설명하기로 한다. Hereinafter, for convenience of explanation, the case where the vertical component of the forces (F1, F2) acting on the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2) at the 'reference position' is '0' will be described. I decided to do it.

무엇보다도 제3연장부분(A3)은 베이스(22)의 저면(Sb)에 밀착된 상태를 유지한다. 이를 위하여, 제3연장부분(A3)은 베이스(22)의 저면(Sb)에 밀착하는 형상으로 형성된다. 예를 들어, 베이스(22)의 저면(Sb)이 평탄면인 경우에는 제3연장부분(A3)은 베이스(22)의 저면 형상과 동일하게 평탄면으로 형성된다. 도면에 도시되지는 않았지만, 베이스(22)의 저면(Sb)이 곡면이거나 꺾인 면인 경우에는 제3연장부분(A3)도 베이스(22)의 저면 형상과 동일한 곡면이나 꺾인 면으로 형성된다. Above all, the third extension portion A3 remains in close contact with the bottom surface Sb of the base 22. For this purpose, the third extension portion A3 is formed in a shape that is in close contact with the bottom surface Sb of the base 22. For example, when the bottom Sb of the base 22 is a flat surface, the third extension portion A3 is formed as a flat surface identical to the shape of the bottom of the base 22. Although not shown in the drawing, when the bottom surface Sb of the base 22 is a curved or curved surface, the third extension portion A3 is also formed with the same curved or curved surface as the bottom shape of the base 22.

무엇보다도, 제3연장부분(A3)은 제2경사부분(A2)에 비하여 보다 충분히 높은 휨 강성을 갖게 형성된다. 즉, 제3연장부분(A3)은 제2경사부분(A2)에 비해 충분히 높은 휨 강성을 갖도록 형성됨에 따라, 멤브레인 측면(120)이 상하 방향으로 이동하더라도, 제3연장부분(A3)의 휨 변형이 억제되어 베이스(22)의 저면(Sb)에 밀착된 상태를 유지하며, 멤브레인 측면(120)의 상하 이동 변위를 제2경사부분(A2)의 변형에 의해 수용되도록 한다. Above all, the third extended portion A3 is formed to have sufficiently higher bending rigidity than the second inclined portion A2. That is, the third extension portion (A3) is formed to have sufficiently high bending rigidity compared to the second inclined portion (A2), so that even if the membrane side 120 moves in the vertical direction, the third extension portion (A3) bends. Deformation is suppressed to maintain close contact with the bottom surface (Sb) of the base 22, and the vertical displacement of the membrane side 120 is accommodated by deformation of the second inclined portion A2.

이를 위하여, 제3연장부분(A3)은 제2연장부분(A2)과 다른 재료로 형성되거나 강성이 보다 높은 재료를 포함하여 형성될 수 있다. 간단하게는, 도8 및 도9a에 도시된 바와 같이, 제3연장부분(A3)은 제2연장부분(A2)과 동일한 재료로 형성되면서 보다 두꺼운 재료로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 제3연장부분(A3)은 제2경사부분(A2)에 비하여 1.5배 내지 15배의 휨 강성을 갖는 재질로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 3배 내지 10배의 휨 강성을 갖는다. To this end, the third extension portion A3 may be formed of a different material from the second extension portion A2 or may be formed of a material with higher rigidity. Briefly, as shown in FIGS. 8 and 9A, the third extension portion A3 may be formed of the same material as the second extension portion A2, but may also be formed of a thicker material. For example, the third extended portion A3 may be formed of a material having a bending rigidity of 1.5 to 15 times that of the second inclined portion (A2), and preferably has a bending rigidity of 3 to 10 times that of the second inclined portion (A2). have

이와 같이, 제3연장부분(A3)이 높은 휨 강성을 갖고 베이스(20)의 저면에 밀착된 상태를 유지함에 따라, 캐리어 헤드(201)가 연마 공정 중에 고속으로 자전함에 따라 원심력이 발생되더라도, 도5에서 제2고정플랩(122)을 상측으로 밀어내도록 작용하는 힘(Fd)이 제거됨에 따라, 멤브레인 측면(120)과 제2고정플랩(122)은 캐리어 헤드(201)의 자전에 의한 비틀림 변형에 저항하는 강성이 높아져, 멤브레인(101)의 측면 부분의 뒤틀림 현상을 보다 줄일 수 있다. In this way, as the third extension portion A3 has high bending rigidity and remains in close contact with the bottom surface of the base 20, even if centrifugal force is generated as the carrier head 201 rotates at high speed during the polishing process, In Figure 5, as the force (Fd) acting to push the second fixing flap 122 upward is removed, the membrane side 120 and the second fixing flap 122 are twisted by the rotation of the carrier head 201. As the rigidity to resist deformation increases, distortion of the side portion of the membrane 101 can be further reduced.

따라서, 연마 공정 중에 멤브레인 측면(120)과 인접한 부분이 뒤틀림(twisting) 변형이 억제되면서, 측면 부분의 멤브레인 바닥판이 기판의 가장자리 부분과 불안정하게 접촉하는 문제를 해결할 수 있으며, 기판 가장자리 부분에 가압력(Fe)을 지속적으로 끊임없이 인가하여 기판 가장자리 부분의 연마 프로파일이 원주 방향으로의 산포가 균일해지는 효과를 얻을 수 있다Therefore, during the polishing process, the twisting deformation of the portion adjacent to the membrane side 120 is suppressed, and the problem of the membrane bottom plate of the side portion being in unstable contact with the edge portion of the substrate can be solved, and the pressing force ( By continuously applying Fe), the effect of uniform distribution of the polishing profile at the edge of the substrate in the circumferential direction can be obtained.

특히, 제3연장부분(A3)이 높은 휨 강성을 갖고 베이스(20)의 저면에 밀착된 상태를 유지함에 따라, 보조 압력 챔버(Cx)의 천장면을 형성하는 제3연장부분(A3)은, 멤브레인(101)이 전체적으로 상방으로 이동하는 변위(99')가 발생한 경우 뿐만 아니라, 멤브레인(101)이 전체적으로 하방 이동하는 변위(99)가 발생한 경우에도 대부분 베이스(22)의 저면(Sb)에 밀착한 상태를 유지한다. In particular, as the third extension portion A3 has high bending rigidity and remains in close contact with the bottom surface of the base 20, the third extension portion A3 forming the ceiling surface of the auxiliary pressure chamber Cx is , Not only when displacement 99' occurs in which the membrane 101 moves entirely upward, but also when displacement 99' occurs in which the membrane 101 moves entirely downward, most of the Maintain close contact.

따라서, 보조 압력 챔버(Cx)에 작용하는 압력(Px)이 챔버(Cx)의 내벽을 전체적으로 균일하게 가압하고, 이에 따라 천장면을 형성하는 제3연장부분(A3)을 상방으로 가압하더라도, 제3연장부분(A3)이 베이스(22)의 저면(Sb)에 밀착한 상태를 유지하여 그 힘의 전부 또는 대부분이 베이스(22)의 저면에 전달되게 함으로써, 제3연장부분(A3)에 의해 제2고정플랩(122)을 들어올리는 힘이 작용하지 않게 된다.Therefore, even if the pressure Px acting on the auxiliary pressure chamber Cx uniformly presses the inner wall of the chamber Cx as a whole and thus presses the third extension portion A3 forming the ceiling surface upward, the first 3 The extension part (A3) maintains a state in close contact with the bottom surface (Sb) of the base 22 so that all or most of the force is transmitted to the bottom surface of the base 22, so that the third extension part (A3) The force that lifts the second fixing flap 122 does not work.

이에 따라, 제2고정플랩(122)에 의해 멤브레인 측면(120)에 작용하는 보상력(Fr, Fr')은 대부분 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)에 작용하는 힘(F1, F2)에 의해 정해진다. Accordingly, the compensating forces (Fr, Fr') acting on the membrane side 120 by the second fixing flap 122 are mostly the forces ( It is determined by F1, F2).

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도9b를 참조하면, 리테이너 링(23)이 캐리어 헤드(201)에 일체로 고정되어 있는 경우에는, 리테이너 링(23)의 마모량이 증가함에 따라, 멤브레인 바닥판(110)과 연마 패드(11) 사이의 바닥판 이격 거리(y)는 도9a의 y에 비하여 y'값으로 감소한다. 따라서, 연마 공정을 위해 기판을 멤브레인 하측에 위치시킨 상태에서의 멤브레인(101)은 도9a의 기준 위치로부터 상방으로 이동하는 변위(99)가 발생된다(도9b). Referring to Figure 9b, when the retainer ring 23 is integrally fixed to the carrier head 201, as the amount of wear of the retainer ring 23 increases, the membrane bottom plate 110 and the polishing pad 11 The distance between the floor plates (y) decreases to the y' value compared to y in Figure 9a. Accordingly, when the substrate is placed below the membrane for the polishing process, a displacement 99 is generated in which the membrane 101 moves upward from the reference position in FIG. 9A (FIG. 9B).

한편, 리테이너 링이 상하 이동 가능하게 형성되고 캐리어 헤드가 정해진 높이에서 연마 공정을 행하는 경우에, 연마 패드(11)의 마모량이 증가함에 따라, 도9b에 도시된 바와 같이, 멤브레인 바닥판(110)과 연마 패드(11) 사이의 바닥판 이격 거리(y)는 도9a의 y에 비하여 y"값으로 증가한다. 따라서, 연마 공정을 위해 기판을 멤브레인 하측에 위치시킨 상태에서의 멤브레인(101)은 도9a의 기준 위치로부터 하방으로 이동하는 변위(99')가 발생된다(도9c). Meanwhile, when the retainer ring is formed to be movable up and down and the carrier head performs the polishing process at a predetermined height, as the amount of wear of the polishing pad 11 increases, the membrane bottom plate 110, as shown in FIG. 9B. The bottom plate separation distance (y) between the bottom plate and the polishing pad 11 increases with the y" value compared to y in Figure 9a. Accordingly, the membrane 101 with the substrate positioned below the membrane for the polishing process is A displacement 99' moving downward from the reference position in FIG. 9A is generated (FIG. 9C).

이와 같이, 리테이너 링이 캐리어 헤드에 일체로 고정된 경우에, 리테이너 링(23)의 마모가 진행될수록, 멤브레인 측면(120)을 포함하는 멤브레인(101)이 상방으로 이동하는 변위(99)가 점점 커지고, 이에 따라, 제2고정플랩(122)에 의해 발생된 보상력(Fr)은 바닥판(110)을 향하는 하방으로 점점 크게 작용한다. 그리고, 리테이너 링이 캐리어 헤드에 대해 상하 이동 가능하게 설치된 경우에, 연마 패드(11)의 마모가 진행될수록, 멤브레인 측면(120)을 포함하는 멤브레인(101)이 하방으로 이동하는 변위(99')가 점점 커지고, 이에 따라, 제2고정플랩(122)에 의해 발생된 보상력(Fr)은 바닥판(110)을 향하는 상방으로 점점 크게 작용한다. In this way, in the case where the retainer ring is integrally fixed to the carrier head, as the wear of the retainer ring 23 progresses, the upward displacement 99 of the membrane 101 including the membrane side 120 gradually increases. It increases, and accordingly, the compensation force (Fr) generated by the second fixing flap 122 gradually acts downward toward the bottom plate 110. In the case where the retainer ring is installed to be movable up and down with respect to the carrier head, as wear of the polishing pad 11 progresses, the membrane 101 including the membrane side 120 moves downward (displacement 99'). gradually increases, and accordingly, the compensation force (Fr) generated by the second fixing flap 122 acts increasingly upward toward the bottom plate 110.

이와 같이 멤브레인 측면(120)이 상방이나 하방으로 이동함에 따라, 제2고정플랩(122)의 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)에 작용하는 힘(F1, F2)의 변동량의 수직 성분의 합력에 의해 멤브레인 측면(120)에 작용하는 보상력(Fr)이 정해진다. As the membrane side 120 moves upward or downward, the amount of change in the forces F1 and F2 acting on the first inclined portion A1 and the second inclined portion A2 of the second fixing flap 122 The compensation force (Fr) acting on the membrane side 120 is determined by the resultant force of the vertical component of .

즉, 멤브레인 측면(120)이 상하 방향으로 이동하는 변위가 발생되면, 멤브레인 측면(120)의 이동 변위에 따라 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)의 자세가 변경되는 데, 이와 같은 자세 변경에 의한, 제1경사부분(A1)에 작용하는 제1힘(F1)의 수직 성분의 증가량과 제2경사부분(A2)에 작용하는 제2힘(F2)의 수직 성분의 증가량의 차이로 보상력(Fr)이 상방이나 하방으로 도입된다.That is, when displacement occurs in which the membrane side 120 moves in the up and down direction, the posture of the first inclined portion A1 and the second inclined portion A2 changes according to the moving displacement of the membrane side 120, Due to this change in posture, the increase in the vertical component of the first force (F1) acting on the first inclined portion (A1) and the increase in the vertical component of the second force (F2) acting on the second inclined portion (A2) Due to the difference, the compensation force (Fr) is introduced upward or downward.

바람직하게는, 멤브레인 측면(120)이 상방으로 이동하는 변위(99)가 발생되면 보상력(Fr)은 하방으로 작용하고, 멤브레인 측면(120)이 하방으로 이동하는 변위(99')가 발생되면 보상력(Fr)은 상방으로 작용한다. 그리고, 멤브레인 측면의 이동 변위(99, 99')의 크기가 커지면, 보상력(Fr)도 이에 따라 크게 작용하는 것이 바람직하다. Preferably, when a displacement 99 in which the membrane side 120 moves upward occurs, the compensating force Fr acts downward, and when a displacement 99' in which the membrane side 120 moves downward occurs, the compensation force Fr acts downward. Compensatory force (Fr) acts upward. In addition, as the size of the movement displacement 99, 99' on the side of the membrane increases, it is desirable that the compensation force Fr also increases accordingly.

이를 위하여, 멤브레인 측면(120)이 상하 방향으로 이동하는 변위가 발생되면, 제2고정플랩(122)의 제2경사부분(A2)은 제1경사부분(A1)에 비하여 보다 더 큰 회전 변위가 발생되도록 구성될 수 있다.To this end, when displacement occurs in which the membrane side 120 moves in the vertical direction, the second inclined portion A2 of the second fixing flap 122 has a larger rotational displacement than the first inclined portion A1. It can be configured to occur.

예를 들어, 제1경사부분(A1)에 비하여 제2경사부분(A2)이 보다 낮은 휨 강성을 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 멤브레인 측면(120)이 상하 이동하는 변위가 발생되면, 제2경사부분(A2)은 제1경사부분(A1)에 비하여 보다 더 큰 회전 변위가 크게 발생된다. 여기서, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)의 휨 강성의 차이는 서로 다른 재료로 형성되거나, 강성이 높은 재질이 제2경사부분(A2)에 함입되는 형태로 형성되거나, 서로 다른 두께로 형성되는 것에 의해 구현될 수 있다.For example, the second inclined portion A2 may be formed to have lower bending rigidity than the first inclined portion A1. Accordingly, when a displacement causing the membrane side 120 to move up and down occurs, a larger rotational displacement is generated in the second inclined portion A2 than in the first inclined portion A1. Here, the difference in bending rigidity between the first slanted portion A1 and the second slanted portion A2 is caused by the fact that they are made of different materials, or a material with high rigidity is formed into the second slanted portion A2, or This can be implemented by being formed in different thicknesses.

이와 같은 구성에서는, 리테이너 링(23)의 마모량의 증가에 따라 상방으로 이동하는 변위(99)가 멤브레인 측면(120)에 발생되면, 제2경사부분(A2)은 제1경사부분(A1)에 비하여 보다 수평면에 가까워지는 회전 변위 또는 처짐이 더 크게 발생된다. 이는, 제2경사부분(A2)의 수평면과 이루는 대략적인 각도(b)의 감소율이 제1경사부분(A1)이 수평면과 이루는 각도(a)의 감소율에 비해 더 크다고 표현할 수도 있다. In this configuration, when an upward displacement 99 occurs on the membrane side 120 due to an increase in the amount of wear of the retainer ring 23, the second inclined portion A2 is attached to the first inclined portion A1. Compared to this, greater rotational displacement or deflection occurs closer to the horizontal plane. This may be expressed as the reduction rate of the approximate angle (b) formed by the second inclined portion (A2) with the horizontal plane is greater than the decrease rate of the angle (a) formed by the first inclined portion (A1) with the horizontal plane.

이에 따라, 제2경사부분(A2)에 작용하는 제2힘(F2)의 증가량은 제1경사부분(A1)에 작용하는 제1힘(F1)의 증가량보다 더 커지므로, 제2고정플랩(122)은 멤브레인 측면(120)에 하방으로의 보상력(Fr)을 도입하게 된다. 이 때, 멤브레인 측면(120)의 상방 변위량에 따라 제2고정플랩(122)의 하방 보상력(Fr)의 크기가 연동되므로, 멤브레인 측면(120)이 상방으로 이동함에 따라 기판 가장자리를 가압하는 가압력(Fe')의 감소분은 제2고정플랩(122)의 하방으로의 보상력(Fr)에 의해 보상되어, 기판의 가장자리 부분에는 일정한 가압력이 도입된다. Accordingly, the increase in the second force (F2) acting on the second inclined portion (A2) is greater than the increase in the first force (F1) acting on the first inclined portion (A1), so the second fixing flap ( 122) introduces a downward compensation force (Fr) to the membrane side 120. At this time, since the size of the downward compensation force (Fr) of the second fixing flap 122 is linked to the amount of upward displacement of the membrane side 120, the pressing force that presses the edge of the substrate as the membrane side 120 moves upward The decrease in (Fe') is compensated by the downward compensation force (Fr) of the second fixing flap 122, and a constant pressing force is introduced to the edge portion of the substrate.

구체적으로는, 리테이너 링(23)의 마모량이 증가하는 등의 이유로 바닥판 이격거리(y)가 감소함에 따라 멤브레인 측면(120)이 상방으로 들리는 변위(99)가 발생되면, 제1경사부분(A1)이 수평면과 이루는 각도(a)는 대체로 그대로 유지되려는 데 반하여, 제2경사부분(A2)이 수평면과 이루는 각도(b)는 보다 더 작아지려고 변형된다. Specifically, when the displacement 99 in which the membrane side 120 is lifted upward occurs as the floor plate separation distance (y) decreases due to an increase in the amount of wear of the retainer ring 23, the first inclined portion ( While the angle (a) formed by A1) with the horizontal plane is generally maintained as is, the angle (b) formed by the second inclined portion (A2) with the horizontal plane is modified to become smaller.

즉, 도10에 도시된 바와 같이, 제1경사부분(A1)은 의 수평면에 대한 각도(a)는 ai로부터 ao로 거의 변동없이 그대로 유지되고, 제2경사부분(A2)의 수평면에 대한 각도(b)는 bi로부터 bo로 크게 작아진다. 도면 중 미설명 부호인 A1i는 기준 위치에서의 제1경사부분의 윤곽이고, 도면 중 미설명 부호인 A2i는 기준 위치에서의 제2경사부분의 윤곽을 나타낸 것이다. That is, as shown in Figure 10, the angle (a) with respect to the horizontal plane of the first inclined portion (A1) remains almost unchanged from ai to ao, and the angle of the second inclined portion (A2) with respect to the horizontal plane is maintained almost without change. (b) greatly decreases from bi to bo. A1i, an unexplained symbol in the drawing, represents the outline of the first inclined portion at the reference position, and A2i, an unexplained symbol in the drawing, represents the outline of the second inclined portion at the reference position.

그러면, 동일한 힘이 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)에 작용하더라도, 제2경사부분(A2)에 작용하는 힘(F2)의 수직 성분이 제1경사부분(A1)에 작용하는 힘(F1)의 수직성분에 비해 더 커지는 결과가 초래된다. 즉, 제2경사부분(A2)에 작용하는 힘(F2)의 수직 성분의 증가량이 제1경사부분(A1)에 작용하는 힘(F1)의 수직성분의 증가량에 비해 더 커진다. 따라서, 제2고정플랩(122)에서 작용하는 보상력(Fr)은 항상 하방으로 작용하게 되고, 보상력(Fr)의 크기는 멤브레인 측면(120)의 상방으로 이동 변위(99)가 커질수록 함께 증가하는 경향을 갖게 된다.Then, even if the same force acts on the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2), the vertical component of the force (F2) acting on the second inclined portion (A2) is applied to the first inclined portion (A1). This results in a greater increase compared to the vertical component of the acting force (F1). That is, the increase in the vertical component of the force F2 acting on the second inclined portion A2 is greater than the increase in the vertical component of the force F1 acting on the first inclined portion A1. Therefore, the compensation force (Fr) acting on the second fixing flap 122 always acts downward, and the size of the compensation force (Fr) increases as the upward movement displacement 99 of the membrane side 120 increases. has a tendency to increase.

따라서, 멤브레인이 기준 위치에 있는 마모 이전의 상태를 기준으로, 리테이너 링(23)의 마모량이 증가하여 멤브레인 측면(120)이 상방으로 들리는 변위(99)가 증가하면, 제2경사부분(A2)에서 하방으로 누르는 힘(F2의 수직성분)이 제1경사부분(A1)에서 상방으로 들어올리는 힘(F1의 수직성분)에 비해 점점 더 커짐에 따라, 제2고정플랩(122)의 하방으로의 보상력(Fr)이 멤브레인 측면(120)의 상방으로의 변위(99)에 비례하여 상쇄시키므로, 기판 가장자리 부분을 가압하는 가압력(Fe')은 멤브레인 측면(120)의 상방(上方) 변위(99)의 크기가 변동하더라도 일정하게 유지될 수 있게 된다.Therefore, based on the state before wear of the membrane in the reference position, if the amount of wear of the retainer ring 23 increases and the displacement 99 that causes the membrane side 120 to be lifted upward increases, the second inclined portion A2 As the downward pressing force (vertical component of F2) becomes greater than the upward lifting force (vertical component of F1) from the first inclined portion (A1), the downward force of the second fixing flap (122) increases. Since the compensation force (Fr) cancels out the upward displacement (99) of the membrane side 120 in proportion to the upward displacement (99) of the membrane side 120, the pressing force (Fe') pressing the edge portion of the substrate is offset by the upward displacement (99) of the membrane side 120. ) can remain constant even if the size changes.

이는, 멤브레인 측면(120)이 하방으로 이동하는 변위가 발생되는 경우에도 마찬가지로 적용된다. 리테이너 링(23)이 상하 이동이 가능하여 캐리어 헤드가 정해진 높이에서 연마 공정이 행해지는 경우에, 연마 패드(11)의 마모량 증가에 따라 하방으로 이동하는 변위(99')가 멤브레인 측면(120)에 발생된다. 이에 따라, 제2경사부분(A2)은 제1경사부분(A1)에 비하여 수평면으로부터 멀어지는 회전 변위 또는 처짐이 더 크게 발생된다. 이는, 제2경사부분(A2)의 수평면과 이루는 대략적인 각도(b)의 증가율이 제1경사부분(A1)이 수평면과 이루는 각도(a)의 증가율에 비해 더 크다고 표현할 수도 있다. This also applies when displacement occurs in which the membrane side 120 moves downward. When the retainer ring 23 can move up and down and the carrier head is polished at a predetermined height, the displacement 99' moving downward as the wear amount of the polishing pad 11 increases is the membrane side 120. It occurs in Accordingly, the second inclined portion A2 has a greater rotational displacement or deflection away from the horizontal plane than the first inclined portion A1. This may be expressed as an increase rate of the approximate angle (b) formed by the second inclined portion (A2) with the horizontal plane is greater than the increase rate of the angle (a) formed by the first inclined portion (A1) with the horizontal plane.

이에 따라, 제2경사부분(A2)에 작용하는 제2힘(F2)의 수직성분의 감소량은 제1경사부분(A1)에 작용하는 제1힘(F1)의 수직성분의 감소량보다 더 커지므로, 제2고정플랩(122)은 멤브레인 측면(120)에 상방으로의 보상력(Fr')을 도입하게 된다. 이 때, 멤브레인 측면(120)의 하방 변위량에 따라 제2고정플랩(122)의 상방 보상력(Fr')의 크기가 연동되므로, 멤브레인 측면(120)이 하방으로 이동함에 따라 기판 가장자리를 가압하는 가압력(Fe')의 증가분이 제2고정플랩(122)의 상방으로의 보상력(Fr')에 의해 보상되어, 기판의 가장자리 부분에는 일정한 가압력이 도입된다. Accordingly, the decrease in the vertical component of the second force (F2) acting on the second inclined portion (A2) is greater than the decrease in the vertical component of the first force (F1) acting on the first inclined portion (A1). , the second fixing flap 122 introduces an upward compensation force (Fr') to the membrane side 120. At this time, since the size of the upward compensation force (Fr') of the second fixing flap 122 is linked to the amount of downward displacement of the membrane side 120, as the membrane side 120 moves downward, the edge of the substrate is pressed. The increase in pressing force Fe' is compensated by the upward compensation force Fr' of the second fixing flap 122, and a constant pressing force is introduced to the edge portion of the substrate.

구체적으로는, 캐리어 헤드(201)가 정해진 높이에서 연마 공정을 행하고, 리테이너 링(23)이 리테이너 챔버에 의해 상하 방향으로 이동 가능하게 설치된 상태에서, 연마 패드(11)의 마모량이 증가할수록 바닥판 이격 거리(y)가 증가한다. 즉, 도9c에 도시된 바와 같이, 바닥판 이격 거리(y)가 증가(y")하면 멤브레인 측면(120)이 하방으로 눌리는 변위(99')가 발생된다. 이 경우에는, 절곡 연결부의 휨 강성이 제1연결부(122c)의 휨 강성에 비해 작으므로, 제1경사부분(A1)이 수평면과 이루는 각도(a)는 그대로 유지되려는 데 반하여, 제2경사부분(A2)이 수평면과 이루는 각도(b)는 보다 더 커지려고 변형된다. Specifically, in a state in which the carrier head 201 performs a polishing process at a predetermined height and the retainer ring 23 is installed to be movable in the vertical direction by the retainer chamber, as the amount of wear of the polishing pad 11 increases, the bottom plate decreases. The separation distance (y) increases. That is, as shown in Figure 9c, when the floor plate separation distance (y) increases (y"), a displacement (99') is generated in which the membrane side (120) is pressed downward. In this case, the bending of the bending connection portion Since the rigidity is smaller than the bending rigidity of the first connection portion (122c), the angle (a) formed by the first inclined portion (A1) with the horizontal plane is maintained as is, while the angle formed by the second inclined portion (A2) with the horizontal plane is maintained as is. (b) is transformed to become larger.

제1경사부분(A1)의 수평면에 대한 각도(a)가 그대로 유지되고, 제2경사부분(A2)의 수평면에 대한 각도(b)가 작아지면, 동일한 힘이 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)에 작용하더라도, 제2경사부분(A1)에 작용하는 힘(F1)의 수직 성분이 제1경사부분(A1)에 작용하는 힘(F2)의 수직 성분에 비해 더 작아지는 결과가 초래된다. 따라서, 제2고정플랩(122)에서 작용하는 보상력(Fr)은 상방으로 작용하게 되고, 보상력(Fr)의 크기는 멤브레인 측면(120)의 하방으로 이동 변위(99)가 커질수록 함께 증가하는 경향을 갖게 된다.If the angle (a) of the first inclined portion (A1) with respect to the horizontal plane remains the same and the angle (b) of the second inclined portion (A2) with respect to the horizontal plane decreases, the same force is applied to the first inclined portion (A1) and Even if it acts on the second inclined portion (A2), the vertical component of the force (F1) acting on the second inclined portion (A1) is smaller than the vertical component of the force (F2) acting on the first inclined portion (A1). It results in losing. Therefore, the compensation force (Fr) acting on the second fixing flap 122 acts upward, and the size of the compensation force (Fr) increases as the downward movement displacement 99 of the membrane side 120 increases. have a tendency to do so.

따라서, 리테이너 링이 별도의 챔버에 의해 상하 이동하고, 이에 따라 캐리어 헤드의 연마 공정 중의 위치가 정해진 위치에서 행해지는 경우에, 연마 패드의 마모량이 증가하여 멤브레인 측면(120)이 점점 하방으로 눌리는 변위(99')가 증가하면, 제2경사부분(A2)에서 하방으로 누르는 힘(F2)이 제1경사부분(A1)에서 상방으로 들어올리는 힘(F1)에 비해 점점 더 작아짐에 따라, 제2고정플랩(122)의 하방으로의 보상력(Fr)이 상방으로 작용하여, 멤브레인 측면(120)의 하방으로의 변위에 비례하여 상쇄시키므로, 기판 가장자리 부분을 가압하는 가압력을 멤브레인 측면(120)의 하방 변위에 무관하게 일정하게 유지될 수 있게 된다.Therefore, when the retainer ring moves up and down by a separate chamber and the position of the carrier head during the polishing process is performed at a fixed position, the amount of wear on the polishing pad increases and the membrane side 120 is gradually pressed downward. As (99') increases, the downward pressing force (F2) on the second inclined portion (A2) becomes smaller and smaller compared to the upward lifting force (F1) on the first inclined portion (A1), so that the second inclined portion (A2) increases. Since the downward compensation force (Fr) of the fixing flap 122 acts upward and offsets the downward displacement of the membrane side 120 in proportion to the downward displacement of the membrane side 120, the pressing force pressing the edge of the substrate is applied to the side of the membrane 120. It can be maintained constant regardless of downward displacement.

이렇듯, 멤브레인이 기준 위치에 있는 마모 이전의 상태를 기준으로, 리테이너 링(23)이나 연마 패드(11) 등의 마모량이 변동하여, 멤브레인 측면(120)이 상방으로 들려 이동하는 변위(99)가 증가하거나 멤브레인 측면(120)이 하방으로 이동하는 변위(99')가 증가하면, 제2경사부분(A2)에서 하방으로 누르는 힘(F2)의 수직 성분의 변동분이 제1경사부분(A1)에서 상방으로 들어올리는 힘(F1)의 수직 성분의 변동분에 비해 점점 더 커진다. In this way, based on the state before wear of the membrane in the reference position, the amount of wear of the retainer ring 23 or the polishing pad 11 changes, and the displacement 99 in which the membrane side 120 is lifted upward and moves is increased. As the displacement 99' increases or the membrane side 120 moves downward, the variation of the vertical component of the force F2 pressing downward at the second inclined portion A2 increases at the first inclined portion A1. It becomes increasingly larger compared to the variation in the vertical component of the upward lifting force (F1).

즉, 제2고정플랩(122)에 의한 보상력(Fr)은, 멤브레인 측면(120)의 이동 변위의 방향과 반대 방향으로 작용하고 멤브레인 측면(120)의 이동 변위의 크기에 비례하여 작용한다. 따라서, 멤브레인 측면(120)의 이동 변위에 의해 기판 가장자리 부분을 가압하는 가압력(Fe')의 변동분을 제2고정플랩(122)에 의한 보상력(Fr)으로 상쇄시킴에 따라, 멤브레인 측면(120)의 상하 이동 변위(99, 99')가 발생되더라도 기판 가장자리에 일정한 가압력을 인가하여 연마 품질을 향상시킬 수 있다.That is, the compensation force (Fr) generated by the second fixing flap 122 acts in a direction opposite to the direction of the moving displacement of the membrane side 120 and acts in proportion to the magnitude of the moving displacement of the membrane side 120. Therefore, as the variation in the pressing force (Fe') pressing the edge portion of the substrate due to the moving displacement of the membrane side 120 is offset by the compensation force (Fr) by the second fixing flap 122, the membrane side 120 Even if vertical displacement (99, 99') of ) occurs, polishing quality can be improved by applying a constant pressing force to the edge of the substrate.

이와 유사하게, 제2고정플랩(122)의 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)이 연결되는 절곡 연결부는 제1연결부(122c)에 비하여 휨 강성이 낮게 형성하는 것에 의해, 멤브레인 측면(120)이 상하 이동하는 변위가 발생되면, 제1경사부분(A1)은 제2경사부분(A2)에 비하여 보다 더 회전 변위가 크게 발생되게 구성할 수도 있다.Similarly, the bending connection portion where the first inclined portion A1 and the second inclined portion A2 of the second fixing flap 122 are connected is formed to have lower bending rigidity than the first connecting portion 122c, When a displacement causing the membrane side 120 to move up and down occurs, the first inclined portion A1 may be configured to generate a larger rotational displacement than the second inclined portion A2.

이를 통해, 멤브레인 측면(120)이 상방으로 이동하는 변위(99)가 발생되면, 제2고정플랩(122)에 의한 보상력(Fr)이 하방으로 작용하고, 멤브레인 측면(120)이 하방으로 이동하는 변위(99')가 발생되면, 제2고정플랩(122)에 의한 보상력(Fr')이 상방으로 작용하도록 할 수 있다.Through this, when displacement 99 occurs in which the membrane side 120 moves upward, the compensation force (Fr) by the second fixing flap 122 acts downward, and the membrane side 120 moves downward. When the displacement 99' occurs, the compensation force Fr' caused by the second fixing flap 122 can be allowed to act upward.

한편, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)의 휨 강성이 매우 낮은 경우에는, 보조 압력 챔버(Cx)에 정압이 인가된 상태에서 제2경사부분(A2)이 과도하게 하방으로 오목한 휨 변형이 발생될 수 있으며, 이로 인하여 의도한 보상력(Fr, Fr')의 크기가 왜곡될 가능성이 있다. 따라서, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)의 휨 강성이 매우 낮은 경우에는, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)의 절곡 연결부의 휨 강성을 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)의 평균 강성보다 높게 형성할 수도 있다. On the other hand, when the bending rigidity of the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2) is very low, the second inclined portion (A2) excessively moves downward while static pressure is applied to the auxiliary pressure chamber (Cx). This may cause concave bending deformation, and as a result, there is a possibility that the size of the intended compensation force (Fr, Fr') may be distorted. Therefore, when the bending rigidity of the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2) is very low, the bending rigidity of the bending connection portion of the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2) is set to 1. It may be formed to be higher than the average stiffness of the inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2).

한편, 도8에 도시된 바와 같이, 제2고정플랩(122)의 제1경사부분(A1)의 길이(L1)는 제2경사부분(A2)의 길이(L2)에 비하여 더 길게 형성되는 것이 바람직하다. Meanwhile, as shown in Figure 8, the length L1 of the first inclined portion A1 of the second fixing flap 122 is formed to be longer than the length L2 of the second inclined portion A2. desirable.

이를 통해, 기준 위치에서 보조 압력 챔버(Cx)에 작용하는 압력에 의해 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)이 상하 방향으로 작용하는 힘은 상하 방향으로는 서로 평형을 이루고 있더라도, 리테이너 링(23)의 마모량이 증가하여 기준 위치로부터 멤브레인 측면(120)의 상방으로의 이동 변위량이 증가하면, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)으로 이루어진 경사 부분에서 하방으로의 보상력(Fr)을 발생시킨다. Through this, even if the force acting on the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2) in the vertical direction due to the pressure acting on the auxiliary pressure chamber (Cx) at the reference position is balanced with each other in the vertical direction, , When the amount of wear of the retainer ring 23 increases and the upward displacement of the membrane side 120 from the reference position increases, the downward movement occurs in the inclined portion consisting of the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2). generates a compensation force (Fr).

보다 구체적으로는, 리테이너 링(23)의 마모량이 증가하여 기준 위치로부터 멤브레인 측면(120)의 상방으로의 이동 변위량이 증가하면, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)에서의 회전 변위가 동일한 경우이더라도, 제2경사부분(A2)의 길이(L2)가 제1경사부분(A21)이 더 길게 형성됨에 따라, 제2경사부분(A2)에 작용하는 힘(F2)의 수직 방향 성분의 증가량이 제1경사부분(A1)에 작용하는 힘(F1)의 수직 방향 성분의 증가량에 비하여 더 크게 된다.More specifically, when the wear amount of the retainer ring 23 increases and the amount of upward movement displacement of the membrane side 120 from the reference position increases, the amount of displacement at the first inclined portion A1 and the second inclined portion A2 increases. Even if the rotational displacement is the same, as the length L2 of the second inclined portion A2 is formed longer than that of the first inclined portion A21, the vertical force F2 acting on the second inclined portion A2 The amount of increase in the direction component is greater than the amount of increase in the vertical component of the force F1 acting on the first inclined portion A1.

이를 통해, 제2고정플랩(122)의 제2경사부분(A2)은 제1경사부분(A1)에 비하여 보다 더 큰 회전 변위를 발생시키는 것과 유사하게, 멤브레인 측면(120)의 이동 방향에 반대되는 방향의 보상력을 인가하는 효과를 얻을 수 있다.Through this, the second inclined portion A2 of the second fixing flap 122 opposes the moving direction of the membrane side 120, similar to generating a larger rotational displacement than the first inclined portion A1. The effect of applying compensation power in the desired direction can be achieved.

한편, 상기와 같은 작용 효과를 보다 높이기 위하여, 제2고정플랩(122)의 제1경사부분(A1)이 수평면(예를 들어, 수평으로 연장된 제1고정플랩)과 이루는 각도(a)에 비하여, 제2경사부분(A2)이 수평면과 이루는 각도(b)가 더 작게 형성되는 것이 바람직하다. Meanwhile, in order to further increase the effect as described above, the first inclined portion A1 of the second fixing flap 122 is at an angle a formed with the horizontal plane (for example, the horizontally extending first fixing flap). In comparison, it is preferable that the angle b between the second inclined portion A2 and the horizontal plane is formed to be smaller.

이를 통해, 기준 위치에서 보조 압력 챔버(Cx)에 작용하는 압력에 의해 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)이 상하 방향으로 작용하는 힘은 상하 방향으로는 서로 평형을 이루고 있더라도, 리테이너 링(23)의 마모량이 증가하여 기준 위치로부터 멤브레인 측면(120)의 상방으로의 이동 변위량이 증가하면, 제2경사부분(A2)의 수평면과 이루는 각도(b)와 제1경사부분(A1)의 수평면과 이루는 각도(a)가 동일한 양만큼 감소하더라도, 제2경사부분(A)에 작용하는 힘(F2)의 cos성분의 증가량이 더 커지므로, 주름 부분에서 하방으로의 힘(Fr)을 더 크게 발생시킬 수 있다. Through this, even if the force acting on the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2) in the vertical direction due to the pressure acting on the auxiliary pressure chamber (Cx) at the reference position is balanced with each other in the vertical direction, , When the amount of wear of the retainer ring 23 increases and the amount of upward movement displacement of the membrane side 120 from the reference position increases, the angle b formed with the horizontal plane of the second inclined portion A2 and the first inclined portion ( Even if the angle (a) formed with the horizontal plane of A1) decreases by the same amount, the increase in the cos component of the force (F2) acting on the second inclined portion (A) becomes larger, so the downward force (Fr) from the wrinkle portion ) can be generated larger.

한편, 제1경사부분(A1)과 멤브레인 측면(120)의 상단부가 연결되는 제1연결부(122c)는 제1경사부분(A1) 및 제2경사부분(A2) 중 어느 하나 이상의 평균 강성에 비하여 더 큰 강성을 갖는 형태로 형성될 수 있다. Meanwhile, the first connection portion 122c, where the first inclined portion A1 and the upper end of the membrane side 120 are connected, has an average stiffness of at least one of the first inclined portion A1 and the second inclined portion A2. It can be formed into a form with greater rigidity.

이를 통해, 제2고정플랩(122)에서 작용하는 힘(Fr)이 하방으로 작용하면, 멤브레인 측면(120)의 상단부와 제1경사부분(A1)의 제1연결부가 굽혀지는 대신에, 제1연결부(122c)의 형태를 유지하면서 멤브레인 측면(120)을 하방으로 밀어내는 힘으로 신뢰성있게 작용하게 된다. Through this, when the force Fr acting on the second fixing flap 122 acts downward, instead of bending the upper end of the membrane side 120 and the first connection portion of the first inclined portion A1, the first connection portion is bent. It acts reliably as a force to push the membrane side 120 downward while maintaining the shape of the connection portion 122c.

여기서, 제1연결부(122c)의 강성을 높이기 위하여, 도면에 도시된 바와 같이, 제1경사부분(A1) 및 제2경사부분(A2) 중 어느 하나 이상의 평균 두께에 비하여 더 두껍게 형성할 수도 있고, 도면에 도시되지 않았지만 제1연결부(122c)에 강성이 높은 재질을 함께 형성하는 것에 의해 강성을 높일 수도 있다. Here, in order to increase the rigidity of the first connection portion 122c, as shown in the drawing, it may be formed thicker than the average thickness of one or more of the first inclined portion A1 and the second inclined portion A2. , Although not shown in the drawing, rigidity may be increased by forming a material with high rigidity in the first connection portion 122c.

도면에는 제1경사부분(A1)이 상측으로 갈수록 내측 상방으로 경사지게 연장되고 제2경사부분(A2)이 상측으로 갈수록 외측 상방으로 경사지게 연장되는 제2고정플랩(122)의 구성을 예로 들었지만, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)의 연결 순서를 바꾸어 구성될 수도 있다. In the drawing, the configuration of the second fixing flap 122 is given as an example in which the first inclined portion (A1) extends obliquely upward and inward toward the upper side, and the second inclined portion (A2) extends obliquely upward and outward toward the upper portion. It may be configured by changing the connection order of the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2).

이하, 도11을 참조하여, 본 발명의 제2실시예에 따른 연마 장치의 캐리어 헤드(202) 및 이에 사용되는 멤브레인(102)을 상술한다. 다만, 전술한 제1실시예의 구성 및 작용과 동일하거나 유사한 구성 및 작용에 대해서는, 본 발명의 제2실시예의 요지를 명료하게 하기 위하여 이에 대한 설명을 생략하기로 한다. Hereinafter, with reference to Figure 11, the carrier head 202 and the membrane 102 used therein of the polishing device according to the second embodiment of the present invention will be described in detail. However, in order to clarify the gist of the second embodiment of the present invention, descriptions of the same or similar structures and operations as those of the above-described first embodiment will be omitted.

도11에 도시된 캐리어 헤드(202)의 멤브레인(102)은 제2고정플랩(222)이 멤브레인 측면(120)의 상단부로부터 연장 형성되는 대신에, 제1고정플랩(121)으로부터 연장 형성된다는 점에서 제1실시예의 구성과 차이가 있다. 마찬가지로, 제3연장부분(A3)에 형성된 고정끝단(222e)은 베이스(22)의 저면에 고정된다.The membrane 102 of the carrier head 202 shown in Figure 11 has a second fixing flap 222 extending from the first fixing flap 121 instead of extending from the upper end of the membrane side 120. There is a difference from the configuration of the first embodiment. Likewise, the fixed end 222e formed on the third extension portion A3 is fixed to the bottom of the base 22.

즉, 멤브레인 측면(120)의 상단부에는 제1고정플랩(121)이 내측으로 연장되어 그 끝단(121e)이 결합 부재(22a)에 의해 베이스(22)에 고정되고, 멤브레인 측면(120)의 상단부로부터 Le만큼 내측으로 이격된 제1고정플랩(121)으로부터 제2고정플랩(222)이 상측으로 연장된다. That is, the first fixing flap 121 extends inward at the upper end of the membrane side 120, and its end 121e is fixed to the base 22 by the coupling member 22a, and the upper end of the membrane side 120 The second fixing flap 222 extends upward from the first fixing flap 121 spaced inwardly by Le.

여기서, 제2고정플랩(222)은 멤브레인 바닥판(110)으로부터 상방으로 갈수록 반경 내측으로 경사지게 형성된 제1경사부분(A1)과 상방으로 갈수록 반경 외측으로 경사지게 형성된 제2경사부분(A2)과, 베이스(22)의 측면에 고정될 수 있도록 제2경사부분(A2)과 연결되어 베이스(22)의 평탄한 저면(Sb)에 밀착되게 수평 연장된 제3연장부분(A3)을 포함한다. Here, the second fixing flap 222 includes a first inclined portion (A1) formed to be inclined radially inward as it goes upward from the membrane bottom plate 110, and a second inclined portion (A2) formed to be inclined outwardly as it goes upward, It includes a third extension part (A3) connected to the second inclined part (A2) so that it can be fixed to the side of the base 22 and extending horizontally in close contact with the flat bottom surface (Sb) of the base 22.

제2고정플랩(222)이 제1고정플랩(121)으로부터 연장 형성됨에 따라, 제1경사부분(A1)은 제2경사부분(A2)에 비하여 더 짧은 길이로 형성된다. 그리고, 전술한 제1실시예의 구성과 마찬가지로, 제1경사부분(A1)이 수평면과 이루는 각도는 제2경사부분(A1)이 수평면과 이루는 각도에 비하여 더 크게 형성된다. 또한, 제1경사부분(A1)과 제1고정플랩(121)의 제1연결부(122c)는 제1고정플랩(121)의 평균 강성에 비하여 더 높은 강성을 갖게 형성된다.As the second fixing flap 222 extends from the first fixing flap 121, the first slanted portion A1 is formed to have a shorter length than the second slanted portion A2. And, similar to the configuration of the above-described first embodiment, the angle formed by the first inclined portion A1 with the horizontal plane is formed to be larger than the angle formed by the second inclined portion A1 with the horizontal plane. In addition, the first connection portion 122c between the first inclined portion A1 and the first fixing flap 121 is formed to have higher rigidity than the average rigidity of the first fixing flap 121.

전술한 제1실시예와 마찬가지로, 제1고정플랩(A1)은 제2고정플랩(A2)에 비하여, 멤브레인 측면(120)이 상하 방향으로 이동하는 변위가 발생되면, 제2고정플랩(222)의 제2경사부분(A2)은 제1경사부분(A1)에 비하여 보다 더 큰 회전 변위가 발생되도록 구성될 수 있다. 또한, 전술한 제1실시예와 마찬가지로, 제2고정플랩(222)의 제2경사부분(A2)의 길이는 제1경사부분(A1)의 길이에 비하여 더 길게 형성되게 구성될 수 있다.Similar to the above-described first embodiment, when a displacement occurs in which the membrane side 120 moves in the vertical direction compared to the second fixing flap A2, the first fixing flap A1 is moved to the second fixing flap 222. The second inclined portion A2 may be configured to generate a larger rotational displacement than the first inclined portion A1. In addition, similar to the above-described first embodiment, the length of the second inclined portion A2 of the second fixing flap 222 may be configured to be longer than the length of the first inclined portion A1.

제3연장부분(A3)에 형성된 고정 끝단(222e)은 베이스(22)의 저면(Sb)에 고정되고, 제3연장부분(A3)은 충분히 높은 휨 강성을 갖게 형성되어 베이스(22)의 저면(Sb)에 밀착된 상태를 유지하여, 제2고정플랩(222)에 의한 상하 방향의 보상력(Fr)에 영향을 미치지 않고, 캐리어 헤드(202)의 고속 회전에도 멤브레인의 비틀림 변형에 저항한다. The fixed end 222e formed on the third extension portion A3 is fixed to the bottom surface Sb of the base 22, and the third extension portion A3 is formed to have sufficiently high bending rigidity to be attached to the bottom surface of the base 22. By maintaining close contact with (Sb), it does not affect the compensation force (Fr) in the vertical direction by the second fixing flap 222 and resists torsional deformation of the membrane even when the carrier head 202 rotates at high speed. .

이에 따라, 기준 위치에서의 리테이너 링(23)의 마모 상태에 비하여 보다 리테이너 링(23)의 마모량이 증가하여 바닥판 이격거리(y')가 감소하면, 그리고 이에 따라 리테이너 링(23)의 마모량만큼 멤브레인 측면(120)이 상방으로 이동하는 변위(99)가 발생되면, 제1경사부분(A1)에 작용하는 힘(F1)의 수직 방향 성분의 증가량에 비하여 제2경사부분(A2)에 작용하는 힘(F2)의 수직 방향 성분의 증가량이 보다 더 커지므로, 제2고정플랩(222)에 의해 하방으로의 보상력(Fr)이 작용한다. Accordingly, when the wear amount of the retainer ring 23 increases compared to the wear state of the retainer ring 23 at the reference position and the bottom plate separation distance (y') decreases, and accordingly, the wear amount of the retainer ring 23 increases. When the displacement 99 that causes the membrane side 120 to move upward occurs, it acts on the second inclined portion A2 compared to the increase in the vertical component of the force F1 acting on the first inclined portion A1. Since the increase in the vertical component of the force F2 becomes larger, a downward compensating force Fr is applied by the second fixing flap 222.

마찬가지로, 도면에 도시되지 않았지만, 기준 위치에서의 연마 패드(11)의 마모 상태에 비하여 보다 연마 패드(11)의 마모량이 증가하여 바닥판 이격거리가 증가하면, 그리고 이에 따라 연마 패드(11)의 마모량만큼 멤브레인 측면(120)이 하방으로 이동하는 변위가 발생되면, 제1경사부분(A1)에 작용하는 힘(F1)의 수직 방향 성분의 감소량에 비하여 제2경사부분(A2)에 작용하는 힘(F2)의 수직 방향 성분의 감소량이 보다 더 커지므로, 제2고정플랩(222)에 의해 상방으로의 보상력이 작용한다. Likewise, although not shown in the drawing, if the wear amount of the polishing pad 11 increases compared to the wear state of the polishing pad 11 at the reference position and the bottom plate separation distance increases, and accordingly, the wear state of the polishing pad 11 increases. When a displacement occurs in which the membrane side 120 moves downward by the amount of wear, the force acting on the second inclined portion A2 is compared to the decrease in the vertical component of the force F1 acting on the first inclined portion A1. Since the amount of decrease in the vertical component of (F2) becomes larger, an upward compensating force is applied by the second fixing flap 222.

따라서, 연마 공정이 반복되면서 리테이너 링(23)이나 연마 패드(11)의 마모가 진행되어 멤브레인 측면(120)의 상방으로 들어올려지는 변위(99) 또는 하방으로 내려가는 변위가 발생되더라도, 기판의 가장자리 부분에 작용하는 가압력(Fe')은 제2고정플랩(222)에 의해 하방으로 작용하는 보상력(Fr)에 의해 보상되어 일정하게 유지된다. 이를 통해, 리테이너 링(23)의 마모 상태에 무관하게 기판의 가장자리의 연마 품질을 도6의 Si로 표시된 연마 프로파일로 유지하는 효과를 얻을 수 있다.Therefore, even if the wear of the retainer ring 23 or the polishing pad 11 progresses as the polishing process is repeated and displacement 99 that lifts the membrane side 120 upward or moves downward occurs, the edge of the substrate The pressing force Fe' acting on the portion is compensated by the compensation force Fr acting downward by the second fixing flap 222 and is kept constant. Through this, it is possible to achieve the effect of maintaining the polishing quality of the edge of the substrate at the polishing profile indicated by Si in FIG. 6 regardless of the wear state of the retainer ring 23.

이하, 도12을 참조하여, 본 발명의 제3실시예에 따른 연마 장치의 캐리어 헤드(203) 및 이에 사용되는 멤브레인(103)을 상술한다. 다만, 전술한 제1실시예의 구성 및 작용과 동일하거나 유사한 구성 및 작용에 대해서는, 본 발명의 제3실시예의 요지를 명료하게 하기 위하여 이에 대한 설명을 생략하기로 한다. Hereinafter, with reference to Figure 12, the carrier head 203 and the membrane 103 used therein of the polishing device according to the third embodiment of the present invention will be described in detail. However, in order to clarify the gist of the third embodiment of the present invention, descriptions of the same or similar structures and operations as those of the above-described first embodiment will be omitted.

도12에 도시된 캐리어 헤드(203)는 멤브레인(103)의 제2고정플랩(322)의 제3연장부분(A3)을 고정하는 결합 부재(22x')가 제3연장부분(A3)의 저면을 충분한 길이만큼 덮도록 형성되어 제3연장부분(A3)의 변위를 구속한다는 점에서 제1실시예의 구성과 차이가 있다. 마찬가지로, 제3연장부분(A3)에 형성된 고정끝단(322e)은 베이스(22)의 저면에 고정된다.The carrier head 203 shown in FIG. 12 has a coupling member 22x' that secures the third extension portion A3 of the second fixing flap 322 of the membrane 103 at the bottom of the third extension portion A3. It is different from the configuration of the first embodiment in that it is formed to cover a sufficient length and restrains the displacement of the third extension portion A3. Likewise, the fixed end 322e formed on the third extension portion A3 is fixed to the bottom of the base 22.

이에 따라, 멤브레인(103)의 제2고정플랩(A2)의 제3연장부분(A3)은, 제1실시예와 마찬가지로, 제2경사부분(A2)에 비하여 높은 휨 강성을 갖게 형성되어도 무방하지만, 제2경사부분(A2)과 동일하거나 더 낮은 휨 강성을 갖게 형성될 수 있다. 여기서, 제3연장부분(A3)의 휨 강성은 결합 부재(22x')가 제3연장부분(A3)을 덮는 길이가 길수록 작게 형성될 수 있다. Accordingly, the third extended portion (A3) of the second fixing flap (A2) of the membrane 103 may be formed to have higher bending rigidity than the second inclined portion (A2), as in the first embodiment. , It may be formed to have the same or lower bending rigidity as the second inclined portion (A2). Here, the bending rigidity of the third extension portion A3 may be reduced as the length over which the coupling member 22x' covers the third extension portion A3 increases.

바람직하게는, 제3연장부분(A3)의 강성이 제2경사부분(A2)과 동일한 휨 강성을 갖는 경우에, 제3연장부분(A3)을 덮는 결합 부재(22x')의 덮는 길이는 제3연장부분(A3)의 끝단으로부터 약 10mm 이하의 이격 거리(E2)까지 덮는 형태로 제3연장부분(A3)을 정해진다. 그리고, 여기서 이격 거리(E2)는 0으로 정해져, 제3연장부분(A3)의 전부가 결합 부재(22x')에 의해 덮혀져 변위가 구속되게 구성될 수도 있다.Preferably, when the rigidity of the third extension portion (A3) has the same bending rigidity as that of the second inclined portion (A2), the covering length of the engaging member (22x') covering the third extension portion (A3) is The third extension part (A3) is set in a form that covers the end of the third extension part (A3) up to a separation distance (E2) of about 10 mm or less. And, here, the separation distance E2 may be set to 0, so that the entire third extension portion A3 is covered by the coupling member 22x' so that the displacement is restricted.

이에 따라, 멤브레인 측면(120)이 하방으로 이동하는 경우에도, 보조 압력 챔버(Cx)의 천장면의 대부분이 결합 부재(22x')에 의해 덮혀져 있으므로, 제3연장부분(A3)에 작용하는 상방으로의 힘이 멤브레인 측면(120)의 이동 변위를 보상하는 보상력(Fr)에 거의 영향을 미치지 않는다. Accordingly, even when the membrane side 120 moves downward, most of the ceiling surface of the auxiliary pressure chamber Cx is covered by the coupling member 22x', so that the force acting on the third extension portion A3 The upward force has little effect on the compensation force (Fr) that compensates for the moving displacement of the membrane side 120.

제3연장부분(A3)을 덮는 결합 부재(22x')는 제3연장부분(A3)과 제2경사부분(A2)을 연결하는 제2연결부(ck)를 제외한 나머지 영역을 모두 덮도록 형성되어, 제3연장부분(A3)이 들떠 멤브레인 측면(120)의 이동 변위를 보상하는 보상력(Fr)에 미치는 영향을 완전히 배제할 수도 있다. The coupling member 22x' covering the third extension portion A3 is formed to cover all areas except the second connection portion ck connecting the third extension portion A3 and the second inclined portion A2. , the influence of the third extension portion (A3) on the compensation force (Fr) that compensates for the movement displacement of the membrane side 120 due to lifting may be completely excluded.

한편, 제3실시예의 캐리어 헤드(203)는 제3연장부분(A3)을 대부분 덮는 결합 부재(22x')을 구비함과 동시에, 제2실시예에서와 같이, 제2고정플랩이 멤브레인 측면(120)의 상단부로부터 Le만큼 내측으로 이격된 제1고정플랩(121)으로부터 연장 형성되게 구성될 수도 있다. Meanwhile, the carrier head 203 of the third embodiment has a coupling member 22x' that covers most of the third extension portion A3, and, as in the second embodiment, the second fixing flap is attached to the membrane side ( It may be configured to extend from the first fixing flap 121 spaced inward by Le from the upper end of 120).

전술한 실시예와 마찬가지로, 제2고정플랩(322)은 멤브레인 바닥판(110)으로부터 상방으로 갈수록 반경 내측으로 경사지게 형성된 제1경사부분(A1)과 상방으로 갈수록 반경 외측으로 경사지게 형성된 제2경사부분(A2)을 포함한다. Like the above-described embodiment, the second fixing flap 322 has a first inclined portion A1 formed to be inclined toward the inner radius as it goes upward from the membrane bottom plate 110, and a second inclined portion formed to be inclined outward than the radius as it goes upward from the membrane bottom plate 110. Includes (A2).

여기서, 제1경사부분(A1)과 제1고정플랩(121)의 제1연결부(122c)는 제1고정플랩(121)의 평균 강성에 비하여 더 높은 강성을 갖게 형성되고, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)의 절곡 연결부는 제1연결부(122c)에 비하여 더 작은 휨 강성을 갖도록 형성된다. Here, the first connection portion 122c of the first inclined portion A1 and the first fixing flap 121 is formed to have higher rigidity than the average rigidity of the first fixing flap 121, and the first inclined portion ( The bending connection portion of A1) and the second inclined portion A2 is formed to have lower bending rigidity than the first connection portion 122c.

전술한 제1실시예와 마찬가지로, 제1고정플랩(A1)은 제2고정플랩(A2)에 비하여, 멤브레인 측면(120)이 상하 방향으로 이동하는 변위가 발생되면, 제2고정플랩(622)의 제2경사부분(A2)은 제1경사부분(A1)에 비하여 보다 더 큰 회전 변위가 발생되도록 구성될 수 있다. 또한, 전술한 제1실시예와 마찬가지로, 제2고정플랩(622)의 제2경사부분(A2)의 길이는 제1경사부분(A1)의 길이에 비하여 더 길게 형성되게 구성될 수 있다.Similar to the above-described first embodiment, when a displacement occurs in which the membrane side 120 moves in the vertical direction compared to the second fixing flap A2, the first fixing flap A1 is moved to the second fixing flap 622. The second inclined portion A2 may be configured to generate a larger rotational displacement than the first inclined portion A1. In addition, similar to the above-described first embodiment, the length of the second inclined portion A2 of the second fixing flap 622 may be configured to be longer than the length of the first inclined portion A1.

또한, 제3연장부분(A3)이 결합 부재(22x')에 의해 구속되어 있으므로, 제2고정플랩(222)에 의한 상하 방향의 보상력(Fr)은 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)의 형상에 의해 정해지고, 캐리어 헤드(202)의 고속 회전에도 멤브레인의 비틀림 변형이 스스로 억제된다.In addition, since the third extension portion (A3) is restrained by the coupling member (22x'), the compensation force (Fr) in the vertical direction by the second fixing flap 222 is applied to the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A1). It is determined by the shape of the inclined portion A2, and torsional deformation of the membrane is suppressed even when the carrier head 202 rotates at high speed.

이에 따라, 기준 위치에서의 리테이너 링(23)의 마모 상태에 비하여 보다 리테이너 링(23)의 마모량이 증가하여 바닥판 이격거리(y')가 감소하면, 그리고 이에 따라 리테이너 링(23)의 마모량만큼 멤브레인 측면(120)이 상방으로 이동하는 변위(99)가 발생되고, 제1경사부분(A1)에 작용하는 힘(F1)의 수직 방향 성분의 증가량에 비하여 제2경사부분(A2)에 작용하는 힘(F2)의 수직 방향 성분의 증가량이 보다 더 커지므로, 제2고정플랩(322)에 의해 하방으로의 보상력(Fr)이 작용한다. Accordingly, when the wear amount of the retainer ring 23 increases compared to the wear state of the retainer ring 23 at the reference position and the bottom plate separation distance (y') decreases, and accordingly, the wear amount of the retainer ring 23 increases. Displacement 99 is generated by which the membrane side 120 moves upward, and acts on the second inclined portion A2 compared to the increase in the vertical component of the force F1 acting on the first inclined portion A1. Since the increase in the vertical component of the force F2 becomes larger, a downward compensatory force Fr is applied by the second fixing flap 322.

마찬가지로, 도면에 도시되지 않았지만, 기준 위치에서의 연마 패드(11)의 마모 상태에 비하여 보다 연마 패드(11)의 마모량이 증가하여 바닥판 이격거리가 증가하면, 그리고 이에 따라 연마 패드(11)의 마모량만큼 멤브레인 측면(120)이 하방으로 이동하는 변위가 발생되면, 제1경사부분(A1)에 작용하는 힘(F1)의 수직 방향 성분의 감소량에 비하여 제2경사부분(A2)에 작용하는 힘(F2)의 수직 방향 성분의 감소량이 보다 더 커지므로, 제2고정플랩(222)에 의해 상방으로의 보상력이 작용한다. Likewise, although not shown in the drawing, if the wear amount of the polishing pad 11 increases compared to the wear state of the polishing pad 11 at the reference position and the bottom plate separation distance increases, and accordingly, the wear state of the polishing pad 11 increases. When a displacement occurs in which the membrane side 120 moves downward by the amount of wear, the force acting on the second inclined portion A2 is compared to the decrease in the vertical component of the force F1 acting on the first inclined portion A1. Since the amount of decrease in the vertical component of (F2) becomes larger, an upward compensating force is applied by the second fixing flap 222.

따라서, 연마 공정이 반복되면서 리테이너 링(23)의 마모가 진행되어 멤브레인 측면(120)의 상방으로 들어올려지는 변위(99)가 발생되더라도, 기판의 가장자리 부분에 작용하는 가압력(Fe')은 제2고정플랩(322)에 의해 하방으로 작용하는 보상력(Fr)에 의해 보상되어 일정하게 유지된다. 이를 통해, 리테이너 링(23)의 마모 상태에 무관하게 기판의 가장자리의 연마 품질을 도6의 Si로 표시된 연마 프로파일로 유지하는 효과를 얻을 수 있다.Therefore, even if the wear of the retainer ring 23 progresses as the polishing process is repeated and the displacement 99 that lifts the membrane side 120 upward occurs, the pressing force (Fe') acting on the edge of the substrate remains constant. 2 It is compensated by the compensation force (Fr) acting downward by the fixing flap 322 and is kept constant. Through this, it is possible to achieve the effect of maintaining the polishing quality of the edge of the substrate at the polishing profile indicated by Si in FIG. 6 regardless of the wear state of the retainer ring 23.

이하, 도13을 참조하여, 본 발명의 제4실시예에 따른 연마 장치의 캐리어 헤드(204) 및 이에 사용되는 멤브레인(104)을 상술한다. 다만, 전술한 제1실시예 및 제3실시예의 구성 및 작용과 동일하거나 유사한 구성 및 작용에 대해서는, 본 발명의 제4실시예의 요지를 명료하게 하기 위하여 이에 대한 설명을 생략하기로 한다. Hereinafter, with reference to Figure 13, the carrier head 204 and the membrane 104 used therein of the polishing device according to the fourth embodiment of the present invention will be described in detail. However, in order to clarify the gist of the fourth embodiment of the present invention, descriptions of the same or similar structures and operations as those of the above-described first and third embodiments will be omitted.

도13에 도시된 캐리어 헤드(204)의 멤브레인(104)은 제2고정플랩(422)의 제2경사부분(A2)과 제3연장부분(A3)이 연결되는 제2연결부(ck)가 베이스(22)의 외측면(Sa)에 비하여 바깥으로 노출된다는 점에서 제3실시예의 구성과 차이가 있다. 마찬가지로, 제3연장부분(A3)에 형성된 고정끝단(422e)은 베이스(22)의 저면에 고정된다.The membrane 104 of the carrier head 204 shown in Figure 13 has a base with a second connection portion ck where the second inclined portion A2 and the third extension portion A3 of the second fixing flap 422 are connected. It is different from the configuration of the third embodiment in that it is exposed to the outside compared to the outer surface (Sa) of (22). Likewise, the fixed end 422e formed on the third extension portion A3 is fixed to the bottom of the base 22.

이와 같이, 제3연장부분(A3)이 베이스(22)의 외측면(Sa)의 바깥까지 연장되면, 베이스(22)의 외측면(Sa)의 바깥에 위치한 제3연장부분(A3)에 작용하는 상방으로의 힘이 보상력에 영향을 미칠 수 있지만, 제3연장부분(A3)이 연장된 길이만큼 제2연장부분(A2)의 길이(L2)가 더 길어지면서 제2연장부분(A2)에 작용하는 힘의 수직 성분이 제3연장부분(A3)의 연장길이에 따른 상방으로의 힘을 상쇄시킨다. 따라서, 결과적으로는 제3연장부분(A3)이 베이스(22)의 외측면(Sa)에 비해 외측으로 노출되더라도, 보상력(Fr)에 미치는 영향은 거의 없다. In this way, when the third extension part (A3) extends to the outside of the outer surface (Sa) of the base 22, it acts on the third extension part (A3) located outside the outer surface (Sa) of the base 22. Although the upward force exerted may affect the compensation force, the length (L2) of the second extension portion (A2) becomes longer by the length of the third extension portion (A3), and the second extension portion (A2) becomes longer. The vertical component of the force acting on cancels out the upward force according to the extension length of the third extension portion (A3). Therefore, even if the third extension portion A3 is exposed outward compared to the outer surface Sa of the base 22, it has little effect on the compensation force Fr.

따라서, 연마 공정이 반복되면서 리테이너 링(23)과 연마 패드(11)의 마모가 진행되어 멤브레인 측면(120)의 상방으로 들어올려지는 변위(99)나 멤브레인 측면(120)의 하방으로 내려가는 변위가 점점 커지더라도, 기판의 가장자리 부분에 작용하는 가압력(Fe')은 제2고정플랩(322)에 의해 하방으로 작용하는 보상력(Fr)이 점점 커지면서 보상력(Fr)에 의해 보상되어 일정하게 유지된다. 이를 통해, 리테이너 링(23)의 마모 상태에 무관하게 기판의 가장자리의 연마 품질을 도6의 Si로 표시된 연마 프로파일로 유지하는 효과를 얻을 수 있다.Therefore, as the polishing process is repeated, wear of the retainer ring 23 and the polishing pad 11 progresses, resulting in a displacement 99 that lifts the membrane side 120 upward or a displacement 99 that moves downward the membrane side 120. Even if it gradually increases, the pressing force (Fe') acting on the edge of the substrate remains constant by being compensated by the compensation force (Fr) as the compensation force (Fr) acting downward by the second fixing flap 322 gradually increases. do. Through this, it is possible to achieve the effect of maintaining the polishing quality of the edge of the substrate at the polishing profile indicated by Si in FIG. 6 regardless of the wear state of the retainer ring 23.

이하, 도14을 참조하여, 본 발명의 제5실시예에 따른 연마 장치의 캐리어 헤드(205) 및 이에 사용되는 멤브레인(105)을 상술한다. 다만, 전술한 제1실시예의 구성 및 작용과 동일하거나 유사한 구성 및 작용에 대해서는, 본 발명의 제5실시예의 요지를 명료하게 하기 위하여 이에 대한 설명을 생략하기로 한다. Hereinafter, with reference to Figure 14, the carrier head 205 and the membrane 105 used therein of the polishing device according to the fifth embodiment of the present invention will be described in detail. However, in order to clarify the gist of the fifth embodiment of the present invention, the description of the configuration and operation that is the same or similar to that of the above-described first embodiment will be omitted.

한편, 본 발명의 제5실시예는, 도14에 도시된 바와 같이, 캐리어 헤드의 멤브레인(105)은 제2고정플랩(522)의 제1경사부분(A1, A5)이 2개 이상으로 형성되고, 제2고정플랩(522)의 제2경사부분(A2, A6)이 2개 이상으로 형성되어 주름 형태로 된다는 점에서 그 특징이 있다. 마찬가지로, 제3연장부분(A3)에 형성된 고정끝단(522e)은 베이스(22)의 저면에 고정된다.Meanwhile, in the fifth embodiment of the present invention, as shown in Figure 14, the membrane 105 of the carrier head is formed with two or more first inclined portions A1 and A5 of the second fixing flap 522. It is characterized in that the second inclined portions A2 and A6 of the second fixing flap 522 are formed of two or more and have a wrinkle shape. Likewise, the fixed end 522e formed on the third extension portion A3 is fixed to the bottom of the base 22.

즉, 제2고정플랩(522)에는, 멤브레인 바닥판(110)으로부터 상방으로 갈수록 반경 내측으로 경사지게 형성된 제1경사부분(A1, A5)은 2군데에서 형성되고, 멤브레인 바닥판(110)으로부터 상방으로 갈수록 반경 외측으로 경사지게 형성된 제2경사부분(A2, A6)은 2군데에서 형성되므로, 제1힘(F1)은 2군데의 제1경사부분(A1, A5)에 작용하는 힘의 합력으로 정해지고, 제2힘(F2)은 2군데의 제2경사부분(A2, A6)에 작용하는 힘의 합력으로 정해진다. That is, in the second fixing flap 522, first inclined portions A1 and A5, which are inclined radially inward as they go upward from the membrane bottom plate 110, are formed in two places and extend upward from the membrane bottom plate 110. Since the second inclined portions (A2, A6), which are inclined outward toward the radius, are formed in two places, the first force (F1) is determined as the resultant force of the forces acting on the two first inclined portions (A1, A5). And, the second force (F2) is determined as the resultant force of the forces acting on the two second inclined parts (A2, A6).

여기서, 리테이너 링(23)이 캐리어 헤드의 본체(2x)에 일체로 고정된 상태에서, 리테이너 링(23)의 마모량이 증가하여 멤브레인 측면(120)의 상방으로의 변위(99)가 증가하면, 제1경사부분(A1)과 제5경사부분(A5)에 각각 작용하는 힘의 합력의 수직 성분의 증가량에 비하여, 제2경사부분(A2)과 제6경사부분(A6)에 각각 작용하는 힘의 합력의 수직 성분의 증가량이 보다 더 크게 제2고정플랩(522)의 형상이 정해진다. Here, in a state where the retainer ring 23 is integrally fixed to the main body 2x of the carrier head, if the amount of wear of the retainer ring 23 increases and the upward displacement 99 of the membrane side 120 increases, Compared to the increase in the vertical component of the resultant force of the forces acting on the first inclined portion (A1) and the fifth inclined portion (A5), the forces acting on the second inclined portion (A2) and the sixth inclined portion (A6) respectively The shape of the second fixed flap 522 is determined to be larger than the increase in the vertical component of the resultant force.

전술한 제1실시예와 마찬가지로, 제1고정플랩(A1, A5)은 제2고정플랩(A2, A6)에 비하여, 멤브레인 측면(120)이 상하 방향으로 이동하는 변위가 발생되면, 제2고정플랩(522)의 제2경사부분(A2)은 제1경사부분(A1)에 비하여 보다 더 큰 회전 변위가 발생되도록 구성될 수 있다.Similar to the above-described first embodiment, the first fixing flaps (A1, A5) are displaced when the membrane side 120 moves in the vertical direction compared to the second fixing flaps (A2, A6). The second inclined portion A2 of the flap 522 may be configured to generate a larger rotational displacement than the first inclined portion A1.

또한, 전술한 제1실시예와 마찬가지로, 제2고정플랩(522)의 제2경사부분(A2, A6)의 길이의 합은 제1경사부분(A1, A5)의 길이의 합보다 더 길게 형성되게 구성될 수 있다.In addition, like the first embodiment described above, the sum of the lengths of the second inclined portions (A2, A6) of the second fixing flap 522 is formed to be longer than the sum of the lengths of the first inclined portions (A1, A5) It can be configured as follows.

이를 통해, 기준 위치에서의 리테이너 링(23)의 마모 상태에 비하여 보다 리테이너 링(23)의 마모량이 증가하여, 리테이너 링(23)의 마모량만큼 멤브레인 측면(120)이 상방으로 이동하는 변위가 발생되면, 제1경사부분(A1, A5)의 표면에 작용하는 상방으로의 힘의 합력의 수직 방향 성분의 증가량에 비하여 제2경사부분(A2, A6)의 표면에 작용하는 하방으로의 힘의 합력의 수직 방향 성분의 증가량이 보다 더 커지므로, 제2고정플랩(122')에 의해 하방으로의 보상력(Fr)이 작용하게 된다. Through this, the wear amount of the retainer ring 23 increases compared to the wear state of the retainer ring 23 at the reference position, and a displacement occurs in which the membrane side 120 moves upward by the amount of wear of the retainer ring 23. If so, the resultant force of the downward force acting on the surface of the second inclined portion (A2, A6) is greater than the increase in the vertical component of the resultant force of the upward force acting on the surface of the first inclined portion (A1, A5). Since the increase in the vertical component becomes larger, a downward compensation force (Fr) is applied by the second fixing flap 122'.

마찬가지로, 기준 위치에서의 연마 패드(11) 등의 마모 상태에 비하여 보다 마모량이 증가하여, 멤브레인 측면(120)이 하방으로 이동하는 변위가 발생되면, 제1경사부분(A1, A5)의 표면에 작용하는 상방으로의 힘의 합력의 수직 방향 성분의 감소량에 비하여 제2경사부분(A2, A6)의 표면에 작용하는 하방으로의 힘의 합력의 수직 방향 성분의 감소량이 보다 더 작아지므로, 제2고정플랩(122')에 의해 상방으로의 보상력(Fr)이 작용하게 된다. Similarly, when the amount of wear increases compared to the wear state of the polishing pad 11 at the reference position, and displacement occurs in which the membrane side 120 moves downward, wear occurs on the surface of the first inclined portions A1 and A5. Since the amount of decrease in the vertical component of the resultant force of the downward force acting on the surfaces of the second inclined portions A2 and A6 is smaller than the amount of decrease in the vertical component of the resultant force of the upward force acting, the second An upward compensating force (Fr) is applied by the fixing flap 122'.

이를 통해, 반복되는 연마 공정을 거치면서 리테이너 링(23)이나 연마 패드(11) 등의 소모품의 마모 상태가 진전되고, 이에 따라 멤브레인 측면(120)이 점점 상측 또는 하측으로 이동하는 변위가 발생되더라도, 제2고정플랩(122')에 의한 보상력이 기판의 가장자리 부분에 작용하는 가압력을 보상하여, 기판의 가장자리 부분에 일정한 가압력이 인가되어 도6의 Si로 표시된 연마 프로파일로 기판 가장자리 부분을 연마하여 연마 품질을 높이는 효과를 얻을 수 있다.Through this, the wear condition of the consumables such as the retainer ring 23 and the polishing pad 11 progresses through repeated polishing processes, and as a result, even if the membrane side 120 is gradually moved upward or downward, the displacement occurs. , the compensation force provided by the second fixing flap 122' compensates for the pressing force acting on the edge of the substrate, so that a constant pressing force is applied to the edge of the substrate to polish the edge of the substrate with the polishing profile indicated by Si in Figure 6. This can achieve the effect of improving polishing quality.

한편, 도면에는 제2고정플랩(622)이 멤브레인 측면(120)의 상단부로부터 연장 형성되는 구성이 도시되어 있지만, 제2고정플랩(622)은 측면(120)으로부터 내측으로 이격된 위치에서 제1고정플랩(120)으로부터 연장 형성될 수도 있다.Meanwhile, although the drawing shows a configuration in which the second fixing flap 622 extends from the upper end of the membrane side 120, the second fixing flap 622 is positioned at a position spaced inward from the side 120. It may also be formed extending from the fixing flap 120.

한편, 도면에는 멤브레인 측면(120)의 내주면에만 바닥판(110)에 비하여 높은 강성을 갖는 링형 고정체(120i, 120o)가 결합된 구성이 예시되어 있지만, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 링형 고정체(120i, 120o)는 멤브레인 측면(120)의 외주면에만 결합될 수도 있고, 멤브레인 측면(120)의 내주면과 외주면에 모두 결합될 수도 있다. Meanwhile, the drawing illustrates a configuration in which ring-shaped fixtures 120i and 120o, which have higher rigidity than the bottom plate 110, are combined only on the inner peripheral surface of the membrane side 120, but the present invention is not limited thereto, and the present invention According to another embodiment, the ring-shaped fixtures 120i and 120o may be coupled only to the outer peripheral surface of the membrane side 120, or may be coupled to both the inner and outer peripheral surfaces of the membrane side 120.

도면에 도시되지 않았지만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 멤브레인은 전체가 가요성 재질로 형성되어, 압력 챔버(...,C5, Cx)의 압력에 따라 바닥판(110)과 측면(120) 및 격벽 플랩(130)이 자유롭게 변형되거나 팽창 수축하게 형성될 수도 있다. 다만, 멤브레인 측면(120)은 제1고정플랩(121)이나 제2고정플랩(122)에 비해 다른 재질을 포함하거나 두께를 더 두껍게 형성하는 것에 의해 보다 높은 강성을 갖도록 형성된다. Although not shown in the drawings, according to another embodiment of the present invention, the membrane is entirely formed of a flexible material, and the bottom plate 110 and the side plate 120 according to the pressure of the pressure chamber (..., C5, Cx). ) and the partition flap 130 may be freely deformed or formed to expand and contract. However, the membrane side 120 is formed to have higher rigidity by including a different material or forming a thicker thickness than the first fixing flap 121 or the second fixing flap 122.

도면에는 멤브레인 측면(120)의 상단부로부터 직접 제1경사부분(A1)이 연장 형성된 구성이 예시되어 있지만, 본 발명은 이에 국한되지 아니하며, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 멤브레인 측면(120)의 상단부와 제1경사부분(A1)을 잇는 별도의 연결 부분이 추가로 구비될 수 있다. 여기서, 연결 부분은 제1연결부(122c)에 준하는 정도로 충분히 높은 휨 강성을 갖는 것이 바람직하다.Although the drawing illustrates a configuration in which the first inclined portion A1 extends directly from the upper end of the membrane side 120, the present invention is not limited thereto, and according to another embodiment of the present invention, the membrane side 120 A separate connection part connecting the upper part and the first inclined part (A1) may be additionally provided. Here, the connection portion preferably has sufficiently high bending rigidity comparable to that of the first connection portion 122c.

도면에는 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)이 절곡 연결부(bk)에 의해 직접 연결된 구성이 예시되어 있지만, 본 발명은 이에 국한되지 아니하며, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)의 사이에 별도의 연결 부분이 추가로 구비될 수 있다. Although the drawing illustrates a configuration in which the first inclined portion A1 and the second inclined portion A2 are directly connected by a bending connection portion bk, the present invention is not limited thereto, and according to another embodiment of the present invention, A separate connection portion may be additionally provided between the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2).

도면에는 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)이 연속하는 하나의 경사도를 갖는 구성이 예시되어 있지만, 본 발명은 이에 국한되지 아니하며, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2) 중 어느 하나 이상은 일부 구간에서만 경사지게 형성될 수도 있고, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2) 중 어느 하나 이상은 서로 다른 경사도를 갖는 구간을 포함하여 형성될 수도 있다.Although the drawing illustrates a configuration in which the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2) have one continuous inclination degree, the present invention is not limited thereto, and according to another embodiment of the present invention, the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2) have a continuous slope. At least one of the inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2) may be formed to be inclined only in some sections, and at least one of the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2) may have different slopes. It may be formed including a section having .

도면에는 제1경사부분(A1)이 상측으로 갈수록 내측 상방으로 경사지게 연장되고 제2경사부분(A2)이 상측으로 갈수록 외측 상방으로 경사지게 연장되는 제2고정플랩(122)의 구성을 예로 들었지만, 제1경사부분(A1)과 제2경사부분(A2)의 연결 순서를 바꾸어 구성될 수도 있다. In the drawing, the configuration of the second fixing flap 122 is given as an example in which the first inclined portion (A1) extends obliquely upward and inward toward the upper side, and the second inclined portion (A2) extends obliquely upward and outward toward the upper portion. It may be configured by changing the connection order of the first inclined portion (A1) and the second inclined portion (A2).

이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다. Although the present invention has been illustratively described above through preferred embodiments, the present invention is not limited to these specific embodiments and can be used in various forms within the scope of the technical idea presented in the present invention, specifically the scope of the patent claims. It may be modified, changed, or improved.

W: 기판 Cx: 보조 압력 챔버
C5: 최외측 메인압력챔버
101, 102, 103, 104, 105: 멤브레인
110: 멤브레인 바닥판
120: 멤브레인 측면 121: 제1고정플랩
122, 222, 322: 제2고정플랩 A1: 제1경사영역
A2: 제2경사영역 A3: 제3연장영역
23: 리테이너 링 22: 베이스
W: Substrate Cx: Secondary pressure chamber
C5: Outermost main pressure chamber
101, 102, 103, 104, 105: Membrane
110: Membrane bottom plate
120: Membrane side 121: First fixing flap
122, 222, 322: 2nd fixed flap A1: 1st inclined area
A2: Second slope area A3: Third extension area
23: retainer ring 22: base

Claims (30)

연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인으로서,
가요성 재질로 형성되고 기판의 판면을 가압하는 바닥판과,
가요성 재질을 포함하여 형성되고, 상기 바닥판의 가장자리로부터 연장 형성된 측면과;
상기 측면의 상단부로부터 연장 형성되어 그 끝단이 상기 캐리어 헤드에 고정되어, 상기 측면과 함께 메인 압력 챔버의 일부를 형성하는 제1고정플랩과;
상기 측면과 상기 제1고정플랩 중 어느 하나로부터 연장 형성되어, 상기 제1고정플랩과 함께 상기 메인 압력 챔버의 상측에 위치한 보조 압력 챔버를 형성하고, 상기 바닥판으로부터 상방으로 갈수록 반경 내측으로 경사지게 형성된 제1경사부분과 상방으로 갈수록 반경 외측으로 경사지게 형성된 제2경사부분과, 고정끝단이 마련되어 상기 캐리어 헤드의 베이스의 외측면에 비해 보다 내측에 고정되고 상기 제1경사부분 및 상기 제2경사부분에 비하여 높은 휨 강성을 갖게 형성되고 상기 베이스의 저면에 밀착된 상태를 유지하는 제3연장부분을 포함하는 가요성 재질의 제2고정플랩을;
포함하여 구성되어, 상기 측면이 상하 방향으로 이동하더라도, 상기 제3연장부분의 휨 변형이 억제되어, 상기 측면의 상하 이동 변위를 상기 제2경사부분의 변형에 의해 수용되는 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.
A membrane of a carrier head for a polishing device, comprising:
a bottom plate formed of a flexible material and pressing the plate surface of the substrate;
a side formed of a flexible material and extending from an edge of the bottom plate;
a first fixed flap extending from an upper end of the side, the end of which is fixed to the carrier head, and forming a part of the main pressure chamber together with the side;
It extends from one of the side surface and the first fixing flap to form an auxiliary pressure chamber located above the main pressure chamber together with the first fixing flap, and is formed to be radially inclined inward as it moves upward from the bottom plate. A first inclined portion and a second inclined portion formed to be radially inclined outward as it goes upward, and a fixed end are provided and are fixed more inward than the outer surface of the base of the carrier head and are attached to the first inclined portion and the second inclined portion. a second fixed flap made of a flexible material that is formed to have higher bending rigidity and includes a third extension portion that is maintained in close contact with the bottom surface of the base;
A polishing device comprising: a polishing device, wherein even if the side moves in the vertical direction, bending deformation of the third extension portion is suppressed, and the vertical displacement of the side is accommodated by deformation of the second inclined portion. Membrane of the carrier head.
제 1항에 있어서,
상기 제3연장부분의 상기 고정끝단은 상기 베이스의 저면에 고정되는 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.
According to clause 1,
The membrane of the carrier head for a polishing device, wherein the fixed end of the third extension portion is fixed to the bottom of the base.
제 2항에 있어서,
상기 제3연장부분은 상기 베이스의 저면에 밀착하는 형상인 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.
According to clause 2,
The membrane of the carrier head for a polishing device, characterized in that the third extension part is in close contact with the bottom surface of the base.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 제3연장부분은 상기 제2경사부분에 비하여 보다 두꺼운 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.
According to clause 1,
The membrane of the carrier head for a polishing device, wherein the third extended portion is formed to have a greater thickness than the second inclined portion.
제 1항에 있어서,
상기 제3연장부분은 상기 제2경사부분에 비하여 1.5 배 내지 15배의 휨 강성을 갖게 형성된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.
According to clause 1,
The membrane of the carrier head for a polishing device, wherein the third extended portion is formed to have a bending rigidity of 1.5 to 15 times that of the second inclined portion.
제 1항에 있어서,
상기 제2경사부분은 일부 구간 이상에서 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.
According to clause 1,
A membrane of a carrier head for a polishing device, wherein the second inclined portion is formed to be inclined at least in some sections.
제 1항에 있어서,
상기 캐리어 헤드의 결합 부재가 상기 고정 끝단을 포함하는 상기 제3연장부분을 상기 베이스에 밀착시키는 접촉 길이는 상기 측면의 상하 이동 변위에도 상기 제3연장부분이 상기 베이스의 저면에 접촉한 상태를 유지하도록 정해지는 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.
According to clause 1,
The contact length by which the coupling member of the carrier head brings the third extension part including the fixed end into close contact with the base maintains the third extension part in contact with the bottom surface of the base even when the side moves up and down. A membrane of a carrier head for a polishing device, characterized in that it is designed to do so.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 또는 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 측면과 상기 제2고정플랩 중 어느 하나와 상기 제1고정플랩이 연결되는 제1연결부는 상기 제1경사부분과 상기 제2경사부분 중 어느 하나 이상의 평균 강성에 비하여 더 크게 형성된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.
According to any one of claims 1 to 3 or any one of claims 5 to 8,
The first connection portion where one of the side and the second fixing flap and the first fixing flap are connected is formed to be larger than the average stiffness of one or more of the first inclined portion and the second inclined portion. Membrane of the carrier head for polishing devices.
제 15항에 있어서,
상기 제1연결부는 상기 제1경사부분과 상기 제2경사부분 중 어느 하나의 평균 두께보다 더 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.
According to clause 15,
The membrane of the carrier head for a polishing device, wherein the first connection portion is formed to be thicker than the average thickness of any one of the first inclined portion and the second inclined portion.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 또는 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 측면이 상하 방향으로 이동하는 변위가 발생되면, 상기 제2경사부분은 상기 제1경사부분에 비하여 보다 더 큰 회전 변위가 발생되는 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.
According to any one of claims 1 to 3 or any one of claims 5 to 8,
A membrane of a carrier head for a polishing device, wherein when a displacement occurs in which the side moves in the vertical direction, a larger rotational displacement is generated in the second inclined portion than in the first inclined portion.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 또는 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1경사부분에 비하여 상기 제2경사부분의 두께가 더 얇은 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.
According to any one of claims 1 to 3 or any one of claims 5 to 8,
A membrane of a carrier head for a polishing device, characterized in that the thickness of the second inclined portion is thinner than the first inclined portion.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 또는 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2경사부분의 길이는 상기 제1경사부분의 길이에 비해 더 긴 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.
According to any one of claims 1 to 3 or any one of claims 5 to 8,
A membrane of a carrier head for a polishing device, characterized in that the length of the second inclined portion is longer than the length of the first inclined portion.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 또는 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2고정플랩은 상기 측면에 비하여 더 낮은 강성을 갖게 형성된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인.

According to any one of claims 1 to 3 or any one of claims 5 to 8,
A membrane of a carrier head for a polishing device, wherein the second fixing flap is formed to have lower rigidity than the side surface.

삭제delete 연마 장치용 캐리어 헤드로서,
연마 공정 중에 하측에 기판을 위치시킨 상태로 회전하는 베이스와;
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 또는 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 멤브레인과;
상기 바닥판과 이격되게 링 형태로 형성되여 연마 패드에 접촉된 상태로 유지되는 리테이너 링을;
포함하여 구성된 연마 장치용 캐리어 헤드.
A carrier head for a polishing device, comprising:
a base that rotates with the substrate placed on the lower side during the polishing process;
A membrane according to any one of claims 1 to 3 or any one of claims 5 to 8;
a retainer ring formed in a ring shape spaced apart from the bottom plate and maintained in contact with the polishing pad;
Carrier head for polishing devices comprising:
삭제delete 제 22항에 있어서,
상기 측면과 상기 제2고정플랩 중 어느 하나와 상기 제1고정플랩이 연결되는 제1연결부는 상기 제1경사부분과 상기 제2경사부분 중 어느 하나 이상의 평균 강성에 비하여 더 크게 형성된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드.
According to clause 22,
The first connection portion where one of the side and the second fixing flap and the first fixing flap are connected is formed to be larger than the average stiffness of one or more of the first inclined portion and the second inclined portion. Carrier head for polishing devices.
제 24항에 있어서,
상기 제1연결부는 상기 제1경사부분과 상기 제2경사부분 중 어느 하나의 평균 두께보다 더 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드.
According to clause 24,
A carrier head for a polishing device, wherein the first connection portion is formed to be thicker than the average thickness of any one of the first inclined portion and the second inclined portion.
제 24항에 있어서,
상기 측면이 상하 방향으로 이동하는 변위가 발생되면, 상기 제2경사부분은 상기 제1경사부분에 비하여 보다 더 큰 회전 변위가 발생되는 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드.
According to clause 24,
A carrier head for a polishing device, wherein when a displacement occurs in which the side moves in the vertical direction, a larger rotational displacement is generated in the second inclined portion than in the first inclined portion.
제 26항에 있어서,
상기 제1경사부분에 비하여 상기 제2경사부분의 두께가 더 얇은 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드.
According to clause 26,
A carrier head for a polishing device, wherein the second inclined portion has a thinner thickness than the first inclined portion.
삭제delete 제 22항에 있어서,
상기 제3연장부분은 결합 부재가 상기 베이스에 결합되는 것에 의해 상기 베이스에 결합되되, 상기 결합 부재는 상기 베이스의 외측면으로부터 10 mm까지 이격된 위치를 덮는 형태로 상기 제3연장부분을 고정시키는 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드.
According to clause 22,
The third extension part is coupled to the base by a coupling member being coupled to the base, wherein the coupling member fixes the third extension part in a form that covers a position spaced up to 10 mm from the outer surface of the base. A carrier head for a polishing device, characterized in that.
제 22항에 있어서,
상기 제3연장부분은 결합 부재가 상기 베이스에 결합되는 것에 의해 상기 베이스에 결합되되, 상기 결합 부재는 상기 제3연장부분과 상기 제2경사부분을 연결하는 제2연결부를 제외한 상기 제3연장부분의 나머지 영역을 모두 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 캐리어 헤드.

According to clause 22,
The third extension part is coupled to the base by a coupling member being coupled to the base, wherein the coupling member is a third extension part excluding the second connection part connecting the third extension part and the second inclined part. A carrier head for a polishing device, characterized in that it is formed to cover the entire remaining area.

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