KR102424495B1 - Carrier head of chemical mechanical apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학 기계적 연마 장치용 연마 헤드에 관한 것으로, 연마 공정 중에 웨이퍼의 판면을 연마 패드에 가압하는 가압면이 형성된 제1본체부와; 상기 연마 공정 중에 웨이퍼의 둘레의 일부 이상을 감싸는 형태로 상기 연마 패드에 저면이 접촉하는 리테이너 링이 설치되고, 상기 제1본체부에 대해 틸팅 회전하여 상기 제1본체부에 대한 자세가 변동되는 제2본체부를; 포함하여 구성되어, 리테이너 링의 저면이 회전 또는 이동하는 연마 패드의 표면과 마찰력이 작용하더라도, 리테이너 링이 연마 패드로부터 받는 마찰력에 따라 자유롭게 틸팅회전하면서 리테이너 링의 저면이 연마 패드의 표면에 밀착된 상태를 유지하여, 리테이너 링의 가압에 의하여 연마 패드의 리바운드 돌출 변형량을 줄이는 것에 의하여, 웨이퍼의 가장자리 영역에서 웨이퍼의 불균일한 과도한 연마가 발생되는 것을 억제하는 연마 헤드 및 이를 구비한 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.The present invention relates to a polishing head for a chemical mechanical polishing apparatus, comprising: a first main body formed with a pressing surface for pressing a plate surface of a wafer against a polishing pad during a polishing process; During the polishing process, a retainer ring having a bottom surface in contact with the polishing pad is installed in a form that surrounds at least a portion of the circumference of the wafer, and the posture with respect to the first body is changed by tilting and rotating with respect to the first body 2 main body; Even if the bottom surface of the retainer ring is subjected to frictional force with the rotating or moving surface of the polishing pad, the retainer ring is freely tilted and rotated according to the frictional force received from the polishing pad so that the bottom surface of the retainer ring is in close contact with the surface of the polishing pad. A polishing head and a chemical mechanical polishing apparatus having the same, which maintain the state and reduce the amount of rebound protrusion deformation of the polishing pad by pressing the retainer ring, thereby suppressing uneven excessive polishing of the wafer in the edge region of the wafer to provide.

Description

화학 기계적 연마 장치용 연마 헤드 {CARRIER HEAD OF CHEMICAL MECHANICAL APPARATUS}CARRIER HEAD OF CHEMICAL MECHANICAL APPARATUS

본 발명은 화학 기계적 연마 장치용 연마 헤드에 관한 것으로, 상세하게는 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼의 연마면이 리테이너 링에 의하여 악영향을 받는 것을 저감하는 화학 기계적 연마 장치용 연마 헤드에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to a polishing head for a chemical mechanical polishing apparatus, and more particularly, to a polishing head for a chemical mechanical polishing apparatus which reduces the adverse influence of a retainer ring on the polishing surface of a wafer during a chemical mechanical polishing process.

화학기계적 연마(CMP) 장치는 반도체소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는데 사용되는 장치이다.The chemical mechanical polishing (CMP) device is used for wide area planarization and circuit formation that removes the height difference between the cell area and the surrounding circuit area due to the unevenness of the wafer surface that is generated while repeatedly performing masking, etching, and wiring processes during the semiconductor device manufacturing process. It is a device used to precisely polish the surface of a wafer in order to improve the surface roughness of the wafer due to contact/wiring film separation and high-integration device.

이러한 CMP 장치에 있어서, 연마 헤드는 연마공정 전후에 웨이퍼의 연마 면이 연마 패드와 마주보게 한 상태로 상기 웨이퍼를 가압하여 연마 공정을 행하도록 하고, 동시에 연마 공정이 종료되면 웨이퍼를 직접 및 간접적으로 진공 흡착하여 파지한 상태로 그 다음 공정으로 이동한다. In such a CMP apparatus, the polishing head presses the wafer with the polishing surface facing the polishing pad before and after the polishing process to perform the polishing process, and at the same time, when the polishing process is completed, the wafer is directly and indirectly polished. It moves to the next process in the state of being held by vacuum adsorption.

도1은 화학 기계적 연마 장치(9)의 개략 평면도이다. 도1 및 도2에 도시된 바와 같이, 화학 기계적 연마 장치(9)는 웨이퍼(W)를 저면에 위치시킨 상태에서 웨이퍼(W)를 가압하며 자전하는 연마 헤드(1)와, 웨이퍼(W)의 연마면과 접촉하면서 회전(2d)하는 연마 패드(2)와, 연마 패드(2) 상에 슬러리를 공급하여 웨이퍼(W)에 도달한 슬러리에 의한 화학적 연마를 행하게 하는 슬러리 공급부(3)와, 연마 패드(2)의 표면을 개질하는 컨디셔너(4)로 이루어진다. 1 is a schematic plan view of a chemical mechanical polishing apparatus 9 . 1 and 2, the chemical mechanical polishing apparatus 9 includes a polishing head 1 that rotates while pressing the wafer W in a state where the wafer W is positioned on the bottom surface, and the wafer W a polishing pad 2 rotating (2d) while in contact with the polishing surface of , a conditioner (4) to modify the surface of the polishing pad (2).

상기 연마 헤드(1)는 도3에 도시된 바와 같이 외부의 구동부에 의하여 회전 구동되는 본체부(10, 20)와, 본체부(10, 20) 중 베이스(20)에 고정되어 베이스(20)와의 사이에 다수의 분할된 압력 챔버(C1, C2, C3)를 형성하는 멤브레인(30)과, 웨이퍼(W)의 둘레에 링 형태로 배치되어 화학 기계적 연마 공정 중에 저면이 연마 패드(2)를 가압하여 둘러싸고 있는 웨이퍼(W)의 이탈을 방지하는 리테이너 링(40)과, 압력 챔버(C1, C2, C3)에 공압 공급로(55)를 통해 공압을 인가하거나 배출시키는 압력 제어부(50)로 이루어진다. As shown in FIG. 3 , the polishing head 1 includes body parts 10 and 20 that are rotationally driven by an external driving unit, and a base 20 fixed to the base 20 among the body parts 10 and 20 . A membrane 30 forming a plurality of divided pressure chambers C1, C2, and C3 between the A retainer ring 40 that prevents separation of the surrounding wafer W by pressing, and a pressure control unit 50 that applies or discharges pneumatic pressure to the pressure chambers C1, C2, and C3 through the pneumatic supply path 55 is done

여기서, 멤브레인(30)은 웨이퍼(W)를 가압하는 바닥판과, 바닥판의 가장자리 끝단에 상측으로 연장된 측면과, 바닥판의 중심과 측면의 사이에 링 형태로 형성된 격벽(35)이 형성되며, 측면과 격벽(35)의 끝단(30a)이 베이스(20)에 고정되어, 멤브레인 바닥판과 베이스(20)의 사이에 다수의 분할된 압력 챔버(C1, C2, C3)를 형성한다. Here, the membrane 30 has a bottom plate for pressing the wafer W, a side surface extending upward from the edge end of the bottom plate, and a barrier rib 35 formed in a ring shape between the center and the side surface of the bottom plate. The side and the end 30a of the partition wall 35 are fixed to the base 20 to form a plurality of divided pressure chambers C1, C2, and C3 between the membrane bottom plate and the base 20.

그리고, 리테이너 링(40)은 구동부(M)에 의하여 상하로 이동(40d) 가능하게 설치된다. 구동부(M)는 전기를 구동원으로 사용하는 모터일 수도 있고, 공압이나 유압을 구동원으로 사용할 수도 있다. 리테이너 링(40)은 화학 기계적 연마 공정 중에 구동부(M)에 의하여 연마 패드(2) 상에서 소정의 힘(Pr)으로 가압된 상태로 유지된다. And, the retainer ring 40 is installed so as to be movable (40d) up and down by the driving unit (M). The driving unit M may be a motor using electricity as a driving source, or pneumatic or hydraulic pressure may be used as a driving source. The retainer ring 40 is kept pressed with a predetermined force Pr on the polishing pad 2 by the driving unit M during the chemical mechanical polishing process.

이에 따라, 화학 기계적 연마 공정은 압력 제어부(50)로부터 공압이 압력 챔버(C1, C2, C3)에 공급되어 압력 챔버(C1, C2, C3)가 팽창하면서 멤브레인 바닥판에 의하여 웨이퍼를 연마 패드에 눌린 상태가 된다. 이와 동시에, 구동부(M)에 의하여 리테이너 링(40)은 하방 이동하여 웨이퍼(W)의 둘레에서 연마 패드를 가압함으로써 웨이퍼(W)가 화학 기계적 연마 공정 중에 연마 헤드(1)의 바깥으로 이탈하는 것을 감지한다. Accordingly, in the chemical mechanical polishing process, pneumatic pressure is supplied from the pressure control unit 50 to the pressure chambers C1, C2, and C3, and the pressure chambers C1, C2, and C3 expand, and the wafer is applied to the polishing pad by the membrane bottom plate. becomes pressed. At the same time, the retainer ring 40 is moved downward by the driving unit M to press the polishing pad around the wafer W, thereby causing the wafer W to come out of the polishing head 1 during the chemical mechanical polishing process. sense that

그러나, 도4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 둘레에 배치된 리테이너 링(40)이 하방 이동(40d)하여 연마 패드(2)를 가압하면, 연마 패드(2)가 리테이너 링(40)의 저면(40a)에 의해 눌리는 영역(40x)에서 눌림 변형이 연마 패드(2)에 발생되고, 이로 인하여 눌림 변형이 생기는 주변이 되튀어오르는 리바운드 변형(99)이 발생된다. 그런데, 리테이너 링(40)과 웨이퍼(W)의 가장자리(e)는 서로 근접하게 배치되므로, 연마 패드(2)의 리바운드 변형(99)에 의하여 웨이퍼의 가장자리(e)는 되튀어오르는 연마 패드(2)의 돌출부에 보다 높은 가압력으로 밀착되므로, 웨이퍼(W)의 가장자리(e)에서의 연마량이 의도하지 않게 상승하는 문제가 있었다.However, as shown in Fig. 4, when the retainer ring 40 disposed on the periphery of the wafer W moves downwardly (40d) to press the polishing pad 2, the polishing pad 2 moves to the retainer ring 40. ), a pressing deformation is generated in the polishing pad 2 in the region 40x being pressed by the bottom surface 40a, thereby generating a rebound deformation 99 in which the periphery where the pressing deformation occurs is bounced back. By the way, since the retainer ring 40 and the edge e of the wafer W are disposed close to each other, the edge e of the wafer bounces back due to the rebound deformation 99 of the polishing pad 2 ( Since the protrusion of 2) is closely adhered with a higher pressing force, there has been a problem in that the amount of polishing at the edge e of the wafer W is unintentionally increased.

이에 따라, 도5에 도시된 바와 같이, 리테이너 링(40)의 저면은 반경 내측 부분(40i)과 반경 외측 부분(40o)의 마모량의 편차가 생기면서, 사용 시간이 경과할 수록 리테이너 링(40)이 연마 패드(2)와 접촉하는 접촉면적이 달라지면서, 웨이퍼의 가장자리에 미치는 영향도 변동하여 균일한 연마 품질을 확보하기 곤란한 문제도 야기되었다. 도면중 미설명 부호인 42는 웨이퍼의 연마 공정에서 생성된 슬러지가 외부로 배출되는 홈이다. Accordingly, as shown in FIG. 5 , the lower surface of the retainer ring 40 has a deviation in the wear amount of the radially inner portion 40i and the radially outer portion 40o, and as the use time elapses, the retainer ring 40 ), as the contact area in contact with the polishing pad 2 is changed, the effect on the edge of the wafer is also varied, which causes a problem in that it is difficult to ensure uniform polishing quality. In the drawings, unexplained reference numeral 42 denotes a groove through which sludge generated in the wafer polishing process is discharged to the outside.

무엇보다도, 리테이너 링(40)은 연마 헤드(1)의 구성 부품 중에서 자전하는 연마 패드(2)와 가장 먼저 접촉하므로, 연마 패드(2)와의 마찰에 의하여 리테이너 링(1)은 연마 패드(2) 표면에 대하여 틸팅 경사지려는 힘을 받게 된다. 이에 따라, 리테이너 링(40)이 연마 패드(2)의 표면을 가압하는 저면(40a)은 연마 패드(2)의 표면과 경사를 이루게 되면서, 리테이너 링(40)에 의하여 연마 패드(2)를 가압하는 힘은 국부적으로 보다 더 커지며, 이에 의하여 웨이퍼(W)의 가장자리(e)에 영향을 미치는 연마 패드(2)의 리바운드 돌출량이 더 커지는 문제가 생긴다. Above all, since the retainer ring 40 comes into contact with the rotating polishing pad 2 among the constituent parts of the polishing head 1 first, the retainer ring 1 contacts the polishing pad 2 by friction with the polishing pad 2 . ) is subjected to a force to tilt with respect to the surface. Accordingly, the bottom surface 40a of the retainer ring 40 pressing the surface of the polishing pad 2 is inclined with the surface of the polishing pad 2 , and the polishing pad 2 is held by the retainer ring 40 . The pressing force becomes larger locally, thereby causing a problem that the amount of rebound protrusion of the polishing pad 2 affecting the edge e of the wafer W becomes larger.

이 뿐만 아니라, 리테이너 링(40)의 저면(40a)이 연마 패드(2)의 표면과 경사진 상태를 이룸에 따라, 연마 패드(2)의 표면이 리테이너 링(40)의 저면(40a)과 접촉하면서 이동(회전)하면, 리테이너 링(40)에서 진동이 발생되는 문제가 생긴다. 이로 인하여, 리테이너 링(40)에서 발생된 진동이 연마 헤드(1)의 본체부(10, 20)를 통해 멤브레인(30)의 하측에 위치한 웨이퍼(W)로 전달되어, 웨이퍼(W)의 연마면의 연마 품질이 진동에 의한 영향으로 낮아지는 심각한 문제가 야기되었다.In addition, as the bottom surface 40a of the retainer ring 40 is inclined with the surface of the polishing pad 2 , the surface of the polishing pad 2 is aligned with the bottom surface 40a of the retainer ring 40 . If it moves (rotates) while in contact, there is a problem that vibration is generated in the retainer ring 40 . Due to this, the vibration generated in the retainer ring 40 is transmitted to the wafer W located below the membrane 30 through the main body portions 10 and 20 of the polishing head 1, and the wafer W is polished. A serious problem was caused in that the polishing quality of the surface was lowered due to the effect of vibration.

본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 창안된 것으로, 화학 기계적 연마 공정 중에 링이 리테이너 링이 연마 패드와 접촉하면서 발생되는 틸팅 변위를 억제하여 연마 패드의 리바운드 변형을 줄임으로써, 웨이퍼의 가장자리 영역에서 웨이퍼의 불균일한 과도한 연마가 발생되는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been devised under the technical background described above, and by reducing the rebound deformation of the polishing pad by suppressing the tilting displacement generated when the retainer ring comes into contact with the polishing pad during the chemical mechanical polishing process. It aims at suppressing the occurrence of non-uniform excessive grinding|polishing.

무엇보다도, 본 발명은 리테이너 링이 연마 패드와 접촉하면서 발생되는 진동이 웨이퍼로 전달되는 것을 차단하여, 웨이퍼의 우수한 연마 품질을 확보하는 것을 목적으로 한다. Above all, an object of the present invention is to secure excellent polishing quality of the wafer by preventing the vibration generated when the retainer ring is in contact with the polishing pad from being transmitted to the wafer.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 연마 공정 중에 웨이퍼의 판면을 연마 패드에 가압하는 가압면이 형성된 제1본체부와; 상기 연마 공정 중에 웨이퍼의 둘레의 일부 이상을 감싸는 형태로 상기 연마 패드에 저면이 접촉하는 리테이너 링이 설치되고, 상기 제1본체부에 대해 틸팅 회전하여 상기 제1본체부에 대한 자세가 변동되는 제2본체부를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 연마 헤드를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a first main body portion formed with a pressing surface for pressing the plate surface of the wafer to the polishing pad during the polishing process; During the polishing process, a retainer ring having a bottom surface in contact with the polishing pad is installed in a form that surrounds at least a portion of the circumference of the wafer, and the posture with respect to the first body is changed by tilting and rotating with respect to the first body 2 main body; It provides a polishing head for a polishing apparatus, characterized in that it comprises a.

이는, 리테이너 링이 설치된 제2본체부가 제1본체부에 대하여 틸팅 회전이 가능하게 설치됨에 따라, 리테이너 링의 저면이 회전 또는 이동하는 연마 패드의 표면과 마찰력이 작용하더라도, 리테이너 링이 연마 패드로부터 받는 마찰력에 따라 자유롭게 틸팅회전하면서 리테이너 링의 저면이 연마 패드의 표면에 밀착된 상태를 유지할 수 있도록 하기 위함이다.This is because, as the second body part on which the retainer ring is installed is installed to be rotatably tilted with respect to the first body part, even if a frictional force acts on the surface of the polishing pad that rotates or moves on the bottom surface of the retainer ring, the retainer ring moves away from the polishing pad. This is to keep the bottom surface of the retainer ring in close contact with the surface of the polishing pad while freely tilting and rotating according to the friction force received.

이를 통해, 본 발명은, 리테이너 링의 가압에 의하여 연마 패드의 리바운드 돌출 변형량을 줄일 수 있게 되어, 웨이퍼의 가장자리 영역에서 웨이퍼의 불균일한 과도한 연마가 발생되는 것을 억제할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.Through this, according to the present invention, it is possible to reduce the amount of rebound protrusion deformation of the polishing pad due to the pressing of the retainer ring, and thus, it is possible to obtain the effect of suppressing the occurrence of excessive non-uniform polishing of the wafer in the edge region of the wafer.

여기서, 상기 제2본체부는 상기 제1본체부에 대하여 외력에 의해 자유롭게 틸팅 회전하게 구성되는 것이 바람직하다. 이를 통해, 리테이너 링은 연마 패드와의 마찰에 따라 연마 패드에 접촉하는 상태를 유지하기 용이해진다.Here, it is preferable that the second body part is configured to freely tilt and rotate with respect to the first body part by an external force. This facilitates the retainer ring to maintain contact with the polishing pad according to friction with the polishing pad.

이 때, 웨이퍼를 가압하는 상기 가압면은 상기 제1본체부에 결합되어 상기 제1본체부와의 사이에 압력 챔버를 형성하는 가요성 재질의 멤브레인에 의해 형성될 수 있다. In this case, the pressing surface for pressing the wafer may be formed by a flexible membrane that is coupled to the first body and forms a pressure chamber therebetween.

이와 동시에, 상기 제1본체부와 상기 제2본체부는 원주 방향으로 간섭되어 제1본체부와 제2본체부 중 어느 하나가 외부로부터 수평 방향으로의 회전 구동력을 전달받으면, 제1본체부와 제2본체부는 서로에 대하여 틸팅 회전이 허용되면서도 함께 수평 회전 구동된다. At the same time, when the first body part and the second body part interfere in the circumferential direction and any one of the first body part and the second body part receives a rotational driving force in the horizontal direction from the outside, the first body part and the second body part The two body parts are driven horizontally rotationally while allowing tilting rotation with respect to each other.

그리고, 상기 리테이너 링은 다양한 방식에 의하여 연마 패드를 가압하여 연마 공정 중에 웨이퍼의 이탈을 방지할 수 있다. 예를 들어, 리테이너 링의 상측에 선택적으로 가압하는 리테이너 챔버가 구비되고, 리테이너 챔버의 압력이 조절되면서 상기 리테이너 링의 저면으로 연마 패드를 가압하는 가압력을 다양하게 도입할 수 있다.In addition, the retainer ring may press the polishing pad in various ways to prevent separation of the wafer during the polishing process. For example, a retainer chamber for selectively pressing the retainer ring may be provided on the upper side of the retainer ring, and various pressing forces for pressing the polishing pad to the lower surface of the retainer ring may be introduced while the pressure of the retainer chamber is adjusted.

한편, 상기 제1본체부와 상기 제2본체부의 틸팅 회전은 2개 이상의 다축(多軸)을 기준으로 하는 회전하게 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1본체부와 제2본체부의 연결부에는 구면 베어링(spherical bearing)에 의하여 상호 틸팅 회전이 허용되어, 다양한 방향으로 틸팅 회전될 수 있다.Meanwhile, the tilting rotation of the first body part and the second body part may be configured to rotate based on two or more multiple axes. For example, a mutual tilting rotation is allowed by a spherical bearing in the connection part of the first body part and the second body part, so that the tilting rotation can be performed in various directions.

한편, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 상기 제1본체부와 상기 제2본체부의 틸팅 회전은 1개의 제1축을 기준으로 하는 회전일 수도 있다. 이 경우에, 제1축은 연마 패드의 표면과 평행하면서 원주 방향과 접선을 이루는 축으로 정해져, 연마 패드의 표면과의 마찰에 따라 회전하는 축을 유지하면서 리테이너 링이 웨이퍼를 가압하는 가압면과 독립적으로 자유 회전하도록 하는 것이 바람직하다. Meanwhile, according to another embodiment of the present invention, the tilting rotation of the first body part and the second body part may be rotation based on one first axis. In this case, the first axis is defined as an axis that is parallel to the surface of the polishing pad and tangent to the circumferential direction, and is independent of the pressing surface on which the retainer ring presses the wafer while maintaining the axis that rotates according to friction with the surface of the polishing pad. It is desirable to allow free rotation.

무엇보다도, 본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 상기 제1본체부와 상기 제2본체부의 사이에는 제1회동부와 제2회동부를 포함하는 2개 이상의 회동부가 구비된다. 이에 의하여, 제2본체부의 리테이너 링이 연마 패드와 접촉하면서 발생되는 진동이, 리테이너 링으로부터 2개의 회동부를 순서대로 통과하면서 제2본체부의 진동이 제1본체부로 전달되는 것이 회전 변위에 의하여 소산되면서, 웨이퍼에서는 리테이너 링에서 발생되는 진동이 거의 전달되지 않게 됨에 따라, 웨이퍼의 우수한 연마 품질을 확보할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다. Above all, according to an embodiment of the present invention, two or more rotating parts including a first rotating part and a second rotating part are provided between the first body part and the second body part. Thereby, the vibration generated when the retainer ring of the second body part comes into contact with the polishing pad sequentially passes through the two rotating parts from the retainer ring while the vibration of the second body part is transmitted to the first body part is dissipated by rotational displacement. As a result, vibration generated from the retainer ring is hardly transmitted in the wafer, and thus, it is possible to obtain an advantageous effect of securing excellent polishing quality of the wafer.

이 때, 상기 제1회동부와 상기 제2회동부는 서로 동일한 높이에 2열로 배열될 수도 있고, 서로 다른 높이에 배열될 수도 있다. 그리고, 상기 제1회동부와 상기 제2회동부는 동축 상에 배치될 수도 있다. 어느 경우든지, 2개 이상의 회동부가 제1본체부와 제2본체부의 사이에 개재됨에 따라, 2개의 회동부를 통해 리테이너 링에서 발생되는 진동이 감쇄되면서 웨이퍼의 가압면에서는 진동 전달율을 크게 낮출 수 있다.In this case, the first rotating part and the second rotating part may be arranged in two rows at the same height or may be arranged at different heights. In addition, the first rotating part and the second rotating part may be disposed on the same axis. In any case, as two or more rotating parts are interposed between the first body part and the second body part, vibration generated in the retainer ring through the two rotating parts is attenuated, and the vibration transmission rate can be greatly reduced on the pressing surface of the wafer. have.

여기서, 상기 제1본체부와 상기 제2본체부의 사이에는 수직 방향으로 배치된 틸팅 지지 부재가 설치되고; 상기 제1회동부는 상기 틸팅 지지 부재의 외면에 형성된 오목한 제1곡면과 상기 제1본체부의 볼록한 곡면이 서로 맞닿아 상기 제1본체부의 상기 제2본체부에 대한 틸팅 회전을 허용하고, 상기 제2회동부는 상기 틸팅 지지 부재의 외면에 상기 제1곡면과 이격된 위치에 형성된 오목한 제2곡면과 상기 제1본체부의 볼록한 곡면이 서로 맞닿아 상기 제1본체부의 상기 제2본체부에 대한 틸팅 회전을 허용하게 구성될 수 있다.Here, a tilting support member disposed in a vertical direction is installed between the first body part and the second body part; The first rotating part allows the tilting rotation of the first body part with respect to the second body part by contacting the first concave curved surface formed on the outer surface of the tilting support member and the convex curved surface of the first body part, and the second The rotating part contacts the second concave curved surface formed at a position spaced apart from the first curved surface on the outer surface of the tilting support member and the convex curved surface of the first body part to perform tilting rotation of the first body part with respect to the second body part can be configured to allow.

여기서, 상기 틸팅 지지 부재는 외주면이 원형이어서 다양한 틸팅 회전을 허용할 수 있다. 그리고, 상기 틸팅 지지 부재는 중공 부재로 형성되어 리테이너 링으로부터 전달되는 진동을 감쇠시키는 효과를 높일 수 있다.Here, the tilting support member may have a circular outer circumferential surface to allow various tilting rotations. In addition, the tilting support member may be formed of a hollow member to increase the effect of damping vibration transmitted from the retainer ring.

한편, 상기 제1회동부와 상기 제2회동부는 서로 동일한 높이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1본체부의 수평 회전의 중심에 돌출부와 수용부 중 어느 하나가 형성되고, 상기 제2본체부의 수평 회전의 중심에 돌출부와 수용부 중 다른 하나가 형성되며; 상기 돌출부와 상기 수용부에는 볼록한 곡면과 오목한 곡면 중 어느 하나가 형성되고; 상기 돌출부와 상기 수용부의 사이에 곡면으로 맞닿게 형성된 링형 곡면 부재가 개재되어, 상기 링형 곡면 부재의 곡면이 상기 돌출부의 곡면과 맞닿아 상기 제1회동부를 구성하고, 상기 링형 곡면 부재의 또 다른 곡면이 상기 수용부의 곡면과 맞닿아 상기 제2회동부를 구성할 수 있다.Meanwhile, the first rotating part and the second rotating part may be disposed at the same height as each other. For example, one of the protrusion and the receiving portion is formed at the center of the horizontal rotation of the first body part, and the other of the protrusion and the receiving part is formed at the center of the horizontal rotation of the second body part; Any one of a convex curved surface and a concave curved surface is formed on the protrusion and the receiving portion; A ring-shaped curved member formed to be in contact with a curved surface is interposed between the protrusion and the receiving portion, and the curved surface of the ring-shaped curved member is in contact with the curved surface of the protruding portion to form the first rotating portion, and another of the ring-shaped curved member The curved surface may be in contact with the curved surface of the receiving part to configure the second rotational part.

여기서, 상기 제1회동부와 상기 제2회동부 중 어느 하나 이상은 구면 베어링에 의하여 다축(多軸)에 대한 틸팅 회전이 행해지게 구성될 수도 있고, 1개의 축에 대한 틸팅 회전이 행해지게 구성될 수도 있다.Here, at least one of the first rotational part and the second rotational part may be configured such that tilting rotation about multiple axes is performed by a spherical bearing, and tilting rotation about one axis is configured it might be

한편, 본 발명은, 회전 구동되는 연마 패드와; 상기 웨이퍼를 가압하면서 회전시키는 전술한 구성의 연마 헤드를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 장치를 제공한다.On the other hand, the present invention, a polishing pad that is driven by rotation; a polishing head of the above-described configuration for rotating while pressing the wafer; It provides a polishing apparatus for a wafer, characterized in that it comprises.

여기서, 상기 제1본체부와 상기 제2본체부의 틸팅 회전은 2개 이상의 다축(多軸)을 기준으로 하는 회전일 수도 있고, 1개의 제1축을 기준으로 하는 회전일 수도 있다. Here, the tilting rotation of the first body part and the second body part may be rotation based on two or more multiple axes or rotation based on one first axis.

그리고, 상기 제1본체부와 상기 제2본체부의 사이에는 제1회동부와 제2회동부를 포함하는 2개 이상의 회동부가 구비되어, 연마 공정 중에 연마 패드와 리테이너 링의 마찰에 의해 발생되는 진동이 연마 중인 웨이퍼로 전달되는 것을 차단할 수 있다. In addition, two or more rotating parts including a first rotating part and a second rotating part are provided between the first body part and the second body part, and vibration generated by friction between the polishing pad and the retainer ring during the polishing process. It can block transfer to the wafer being polished.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '수평 회전'이란 용어는 연마 패드의 표면과 대략 평행한 방향으로 회전(회전축이 연마 패드의 표면에 수직한 방향)으로 정의한다. 여기서, '대략 평행'이란 용어는 평행에 대하여 대략 -5도 내지 +5도 정도의 미세한 각도 차이를 둔 것을 포함하기 위함이다. As used herein and in the appended claims, the term 'horizontal rotation' is defined as rotation in a direction approximately parallel to the surface of the polishing pad (the axis of rotation is perpendicular to the surface of the polishing pad). Here, the term 'approximately parallel' is intended to include those having a minute angle difference of about -5 degrees to +5 degrees with respect to parallelism.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '틸팅 회전'이라는 용어는 연마 패드의 표면에 대략 평행한 회전축을 중심으로 하는 회전으로 정의한다. 다시 말하면, '틸팅 회전'은 리테이너 링의 저면이 연마 패드의 표면에 대하여 경사지는 형태로 기울어지는 것을 모두 포함한다. As used herein and in the claims, the term 'tilting rotation' is defined as rotation about an axis of rotation approximately parallel to the surface of the polishing pad. In other words, the 'tilting rotation' includes all cases in which the bottom surface of the retainer ring is inclined in a inclined manner with respect to the surface of the polishing pad.

본 발명에 따르면, 리테이너 링이 설치된 제2본체부가 웨이퍼의 가압면이 구비된 제1본체부에 대하여 틸팅 회전이 가능하게 설치됨에 따라, 리테이너 링의 저면이 회전 또는 이동하는 연마 패드의 표면과 마찰력이 작용하더라도, 리테이너 링이 연마 패드로부터 받는 마찰력에 따라 자유롭게 틸팅 회전하면서 리테이너 링의 저면이 연마 패드의 표면에 밀착된 상태를 유지하게 유도할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, as the second body part on which the retainer ring is installed is installed to be rotatably tilted with respect to the first body part provided with the pressing surface of the wafer, the bottom surface of the retainer ring rotates or moves with the surface of the polishing pad and frictional force. Even with this action, there is an effect that can induce the retainer ring to tilt and rotate freely according to the friction force received from the polishing pad, while maintaining the state in which the bottom surface of the retainer ring is in close contact with the surface of the polishing pad.

이를 통해, 본 발명은, 리테이너 링의 가압에 의하여 연마 패드의 리바운드 돌출 변형량을 줄이는 것에 의하여, 웨이퍼의 가장자리 영역에서 웨이퍼의 불균일한 과도한 연마가 발생되는 것을 줄이는 효과를 얻을 수 있다. Through this, according to the present invention, by reducing the amount of rebound protrusion deformation of the polishing pad due to the pressing of the retainer ring, it is possible to obtain an effect of reducing the occurrence of excessive non-uniform polishing of the wafer in the edge region of the wafer.

또한, 본 발명은, 리테이너 링이 설치된 제2본체부와 웨이퍼의 가압면이 구비된 제1본체부의 사이에 틸팅 방향 성분으로 회전을 허용하는 2개 이상의 회동부가 직렬로 형성되어, 제2본체부의 리테이너 링이 연마 패드와 접촉하면서 발생되는 진동이, 리테이너 링으로부터 2개의 회동부를 순서대로 통과하면서 제1본체부로 전달되기 이전에 주변으로 소산되도록 하여, 웨이퍼를 가압하는 가압면에 전달되는 진동의 양을 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, in the present invention, two or more rotating parts allowing rotation in the tilting direction component are formed in series between the second body part provided with the retainer ring and the first body part provided with the pressing surface of the wafer, the second body part The vibration generated when the retainer ring comes into contact with the polishing pad is dissipated to the surroundings before being transmitted to the first body part while passing through the two rotating parts sequentially from the retainer ring, so that the vibration transmitted to the pressing surface pressing the wafer is reduced. It has the effect of reducing the amount.

이를 통해, 본 발명은, 웨이퍼의 연마 공정 중에 무진동 상태 또는 진동이 매우 작은 상태로 유지되어, 웨이퍼의 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다. Through this, according to the present invention, a vibration-free state or a very small state of vibration is maintained during the polishing process of the wafer, thereby obtaining an advantageous effect of improving the polishing quality of the wafer.

도1은 일반적은 화학 기계적 연마 장치의 구성을 도시한 평면도,
도2는 도1의 정면도,
도3은 도1의 연마 헤드의 종단면을 도시한 개략도,
도4는 도3의 'A'부분의 확대도,
도5는 도3의 연마 헤드의 저면을 도시한 저면도,
도6은 본 발명의 제1실시예에 따른 연마 헤드의 구성을 도시한 종단면도,
도7a는 도6의 'B'부분의 횡단면도,
도7b는 도6의 'B'부분에 대응하는 다른 형태의 횡단면도,
도8은 도6의 'B'부분의 확대도,
도9는 본 발명의 제2실시예에 따른 연마 헤드의 구성을 도시한 종단면도,
도10은 도9의 'C'부분의 확대도,
도11은 본 발명의 제3실시예에 따른 연마 헤드의 구성을 도시한 종단면도이다.1 is a plan view showing the configuration of a general chemical mechanical polishing apparatus;
Figure 2 is a front view of Figure 1;
Fig. 3 is a schematic view showing a longitudinal section of the polishing head of Fig. 1;
4 is an enlarged view of part 'A' of FIG. 3;
Fig. 5 is a bottom view showing the bottom surface of the polishing head of Fig. 3;
6 is a longitudinal sectional view showing the configuration of a polishing head according to the first embodiment of the present invention;
Figure 7a is a cross-sectional view of part 'B' of Figure 6;
Figure 7b is a cross-sectional view of another form corresponding to the portion 'B' of Figure 6;
8 is an enlarged view of part 'B' of FIG. 6;
9 is a longitudinal sectional view showing the configuration of a polishing head according to a second embodiment of the present invention;
10 is an enlarged view of part 'C' of FIG. 9;
Fig. 11 is a longitudinal sectional view showing the configuration of a polishing head according to a third embodiment of the present invention.

본 발명의 제1실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치용 연마 헤드(100)를 상술한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서 전술한 종래 기술의 구성 및 작용과 유사한 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 명확하게 하기 위하여 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. The polishing head 100 for a chemical mechanical polishing apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described in detail. However, in the description of the present invention, in order to clarify the gist of the present invention, a description thereof will be omitted for a configuration similar to the configuration and operation of the prior art described above.

본 발명의 일 실시예에 따른 연마 헤드(100)는, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼(W)를 가압하는 가압면을 형성하는 멤브레인(30)이 설치되는 제1본체부(110)와, 화학 기계적 연마 공정 중에 저면(40a)이 연마 패드(2)에 접촉하는 리테이너 링(40)이 설치되고 제1본체부(110)에 대하여 틸팅 회전(120r)되어 제1본체부(110)에 대해 자세가 변동되는 제2본체부(120)와, 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5) 및 리테이너 챔버(Cp)에 공압을 공급하여 각 챔버의 압력을 독립적으로 조절하는 압력 제어부(150)를 포함하여 구성된다. The polishing head 100 according to an embodiment of the present invention includes a first main body 110 on which a membrane 30 forming a pressing surface for pressing a wafer W is installed during a chemical mechanical polishing process, and a chemical mechanical polishing process. During the polishing process, the retainer ring 40 with the bottom surface 40a in contact with the polishing pad 2 is installed and tilted and rotated 120r with respect to the first body part 110 to change the posture with respect to the first body part 110 . The variable second body part 120, the pressure chamber (C1, C2, C3, C4, C5) and the pressure control unit 150 for independently adjusting the pressure of each chamber by supplying pneumatic pressure to the retainer chamber (Cp) consists of including.

상기 제1본체부(110)는 멤브레인(30)을 고정하며, 연마 공정 중에 멤브레인(30)에 의해 형성된 가압면으로 웨이퍼(W)를 가압한다. The first body 110 fixes the membrane 30 and presses the wafer W against the pressing surface formed by the membrane 30 during the polishing process.

여기서, 멤브레인(30)은 연마 공정 중에 웨이퍼를 가압하는 가압면을 형성하는 멤브레인 바닥판과, 멤브레인 바닥판으로부터 연장된 격벽(35)으로 구성된다. 격벽(35)의 끝단이 결합 부재(112)에 의해 제1본체부(110)에 고정되어, 멤브레인(30)과 제1본체부(110)의 사이에는 다수의 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)가 형성된다. Here, the membrane 30 is composed of a membrane bottom plate that forms a pressing surface for pressing the wafer during the polishing process, and a partition wall 35 extending from the membrane bottom plate. The end of the partition wall 35 is fixed to the first body part 110 by a coupling member 112 , and a plurality of pressure chambers C1 , C2 , C3 are located between the membrane 30 and the first body part 110 . , C4, C5) are formed.

그리고, 멤브레인(30)의 바닥판과 격벽(35)은 가요성(flexible) 재질로 형성된다. 이에 따라, 압력 제어부(150)로부터 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)에 공급되는 공압이 높아지면, 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)가 팽창하면서 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)의 저면에 위치한 웨이퍼를 멤브레인 바닥판으로 가압하여, 웨이퍼의 연마층 연마 두께를 조절한다. 즉, 멤브레인 바닥판이 웨이퍼(W)를 가압하는 가압면을 형성한다. In addition, the bottom plate and the partition wall 35 of the membrane 30 are formed of a flexible material. Accordingly, when the air pressure supplied from the pressure control unit 150 to the pressure chambers C1, C2, C3, C4, and C5 increases, the pressure chambers C1, C2, C3, C4, and C5 expand while the pressure chamber C1 , C2, C3, C4, C5), the wafer located on the bottom surface is pressed with the membrane bottom plate to control the polishing thickness of the polishing layer of the wafer. That is, the membrane bottom plate forms a pressing surface for pressing the wafer (W).

도면에는 웨이퍼(W)에 직접 공압을 전달하는 공압 통로가 멤브레인 바닥판에 형성되지 않은 구성이 예시되어 있지만, 본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 멤브레인 바닥판에 웨이퍼에 직접 공압을 전달할 수 있는 공압 통로가 관통 형성될 수도 있다.Although the drawing illustrates a configuration in which a pneumatic passage for directly transmitting pneumatic pressure to the wafer W is not formed in the membrane bottom plate, according to another embodiment of the present invention, pneumatic pressure capable of directly delivering pneumatic pressure to the wafer to the membrane bottom plate A passage may be formed through.

각각의 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5)는 압력 제어부(150)로부터 공급되는 정압 또는 부압에 의해 독립적으로 압력이 조절되면서, 연마 공정 중에 웨이퍼(W)를 구간별로 가압력을 조절할 수 있다.Each of the pressure chambers (C1, C2, C3, C4, C5) is independently controlled by the positive or negative pressure supplied from the pressure control unit 150, while the pressure of the wafer W during the polishing process can be adjusted for each section. have.

상기 제2본체부(120)는 리테이너 링(40)을 고정하며, 연마 공정 중에 리테이너 링(40)의 저면(40a)이 연마 패드(2)에 접촉된 상태를 유지하게 하면서, 제1본체부(110)와의 사이에 회동부(200)에 의해 틸팅 회전(120r)이 가능하게 설치된다.The second body part 120 fixes the retainer ring 40 and keeps the bottom surface 40a of the retainer ring 40 in contact with the polishing pad 2 during the polishing process, while the first body part A tilting rotation (120r) is possible by the rotating part (200) between the (110) and installed.

여기서, 리테이너 링(40)은 웨이퍼(W)의 둘레에 하나의 링 형태이거나, 다수로 분할된 링 형태로 형성된다. 리테이너 링(40)의 상측에는 리테이너 챔버(Cp)가 형성되어, 리테이너 챔버(Cp)의 압력에 의하여 리테이너 링(40)에 도입되는 힘(Pr)이 조절된다. 즉, 압력 제어부(150)로부터 공압 공급관(155a)을 통해 리테이너 챔버(Cp)에 높은 정압이 도입되면, 리테이너 링(40)은 연마 패드(2)를 향하여 높은 힘(Pr)으로 밀착한 상태가 된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 연마 공정 중에 웨이퍼(W)가 리테이너 링(40)에 의하여 연마 헤드(100)의 바깥으로 이탈하는 것을 방지한다. Here, the retainer ring 40 is formed in the form of one ring around the wafer W, or in the form of a ring divided into a plurality. A retainer chamber Cp is formed above the retainer ring 40 , and the force Pr introduced into the retainer ring 40 is adjusted by the pressure of the retainer chamber Cp. That is, when a high static pressure is introduced into the retainer chamber Cp from the pressure control unit 150 through the pneumatic supply pipe 155a, the retainer ring 40 is in close contact with the polishing pad 2 with a high force Pr. do. Accordingly, during the polishing process of the wafer W, the wafer W is prevented from being separated from the polishing head 100 by the retainer ring 40 .

제2본체부(120)는, 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 구동 샤프트로부터 회전 구동력을 전달 받아, 연마 공정 중에 연마 패드(2)의 판면과 평행한 수평 회전이 행해진다. 그리고, 제1본체부(110)는 연결부(88)에 의하여 원주 방향으로 제2본체부(120)와 간섭되어 함께 회전 구동되지만, 제2본체부(120)와 상하 방향으로는 자유롭게 상하 이동을 할 수 있게 구성된다. 이에 따라, 연마 공정 중에는 제1본체부(110)와 제2본체부(120)가 함께 수평 회전하면서, 제1본체부(110)에 의하여 웨이퍼(w)를 회전시킨다. The second main body 120 is connected to a drive shaft (not shown) to receive rotational driving force from the drive shaft, and horizontal rotation parallel to the plate surface of the polishing pad 2 is performed during the polishing process. And, the first body part 110 is rotated with interference with the second body part 120 in the circumferential direction by the connection part 88, but freely moves up and down in the vertical direction with the second body part 120. configured to do so. Accordingly, during the polishing process, the wafer w is rotated by the first body 110 while horizontally rotating together with the first body 110 and the second body 120 .

상기 회동부(200)는 도8에 도시된 바와 같이, 제1본체부(110)와 제2본체부(120)의 수평 회전 중심에서 제1본체부(110)로부터 상향 돌출된 돌출부(115)와, 돌출부(115)를 수용하도록 제2본체부(120)에 요입 형성된 요입부(125)가 형성되고, 볼록 곡면체(210)와 오목 곡면체(220)가 각각 돌출부(115)와 요입부(125) 중 어느 하나씩 서로 맞닿게 배치된다. 도면에 도시되지 않았지만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 제1본체부(110)에 요입부가 형성되고 제2본체부(120)에 요입부에 삽입되는 돌출부가 형성될 수도 있다. As shown in FIG. 8 , the rotating part 200 has a protrusion 115 protruding upward from the first body part 110 at the horizontal rotation centers of the first body part 110 and the second body part 120 . And, the concave portion 125 is formed in the second body portion 120 to accommodate the protrusion 115, and the convex curved body 210 and the concave curved body 220 are respectively the projection 115 and the concave portion 125. ) are placed in contact with each other. Although not shown in the drawings, according to another embodiment of the present invention, a concave portion may be formed in the first body portion 110 and a protrusion to be inserted into the concave portion may be formed in the second body portion 120 .

이에 따라, 볼록 곡면체(210)와 오목 곡면체(220)의 곡면이 서로 맞닿은 상태에서 회전(110r, 120r)이 이루어지면서, 제1본체부(110)와 제2본체부(120)는 수평 회전 중심을 기준으로 상호 틸팅 회전(110r, 120r)이 가능해진다. Accordingly, while the rotations 110r and 120r are made in a state in which the curved surfaces of the convex curved body 210 and the concave curved body 220 are in contact with each other, the first body part 110 and the second body part 120 are horizontally rotated centers. Based on the mutual tilting rotation (110r, 120r) becomes possible.

여기서, 볼록 곡면체(210)와 오목 곡면체(220) 사이의 회전은 별도의 구동 수단에 의해 강제적으로 행해지도록 구성될 수도 있지만, 외력에 의해 스스로 행해지도록 구성되는 것이 바람직하다. Here, the rotation between the convex curved body 210 and the concave curved body 220 may be configured to be forcibly performed by a separate driving means, but is preferably configured to be performed by itself by an external force.

한편, 제1본체부(110)의 제2본체부(120)에 대한 틸팅 회전 방향은 다축(多軸)으로 형성될 수도 있고 2개 축으로 형성될 수도 있다. 도7a에 도시된 바와 같이, 제1본체부(110)로부터 상향 돌출된 돌출부(115)의 단면이 원형인 경우에는, 볼록 곡면체(210)와 오목 곡면체(220)의 맞물림이 돌출부(115)의 360도 둘레에 걸쳐 형성되는 구면 베어링(spherical bearing) 형태로 형성되므로, 제1축(X1)을 기준으로 하는 틸팅 회전 뿐만 아니라 여러 방향으로 틸팅 회전이 가능해진다. On the other hand, the tilting rotation direction of the first body part 110 with respect to the second body part 120 may be formed in multiple axes or may be formed in two axes. As shown in FIG. 7A , when the cross-section of the protrusion 115 protruding upward from the first body part 110 is circular, the engagement between the convex curved body 210 and the concave curved body 220 is the protrusion 115 . Since it is formed in the form of a spherical bearing formed over a circumference of 360 degrees, tilting rotation in various directions as well as tilting rotation based on the first axis X1 is possible.

한편, 도7b에 도시된 바와 같이, 제1본체부(110)로부터 상향 돌출된 돌출부(115)의 단면이 사각형 등 다각형인 경우에는, 볼록 곡면체(210)와 오목 곡면체(220)의 맞물림은 제1축(X1)을 기준으로 하는 1방향의 틸팅 회전에 한하여 허용된다. On the other hand, as shown in FIG. 7B , when the cross section of the protrusion 115 protruding upward from the first body part 110 is a polygon such as a quadrangle, the engagement of the convex curved body 210 and the concave curved body 220 is first Only tilting rotation in one direction based on one axis (X1) is allowed.

이와 같이, 리테이너 링(40)과 연마 패드(2)의 접촉에 따른 마찰력(F1)이 불규칙적으로 발생되는 경우에는, 제1본체부(110)가 제2본체부(120)에 대한 틸팅 회전이 2축 이상으로 허용되는 구성(도7a)이 적용될 수 있으며, 리테이너 링(40)과 연마 패드(2)의 접촉에 따른 마찰력(F1)이 규칙적으로 발생되는 경우에는 제1본체부(110)가 제2본체부(120)에 대한 틸팅 회전이 1축으로 허용되는 구성(도7a)이 적용될 수 있다. As such, when the friction force F1 according to the contact between the retainer ring 40 and the polishing pad 2 is irregularly generated, the tilting rotation of the first body part 110 with respect to the second body part 120 is performed. A configuration (FIG. 7a) that allows for two or more axes may be applied, and when the friction force F1 according to the contact between the retainer ring 40 and the polishing pad 2 is regularly generated, the first body part 110 is A configuration ( FIG. 7A ) in which a tilting rotation with respect to the second body part 120 is allowed as one axis may be applied.

이 때, 제1본체부(110)가 제2본체부(120)에 대한 틸팅 회전이 1축 으로 허용되는 구성(도7a)은 제1회전축이 연마 패드(2)의 회전 중심으로부터 반경 방향으로 뻗은 방향으로 제1축(X1)이 배열되어, 연마 패드(2)와의 마찰력(F1)이 작용하는 방향에 따라 리테이너 링(40)의 틸팅 회전 운동(120r)이 일어나도록 할 수 있다. At this time, in the configuration (FIG. 7a) in which the tilting rotation of the first body part 110 with respect to the second body part 120 is allowed as one axis (FIG. 7A), the first rotation axis is radially from the rotation center of the polishing pad 2 The first axis X1 may be arranged in the extending direction so that the tilting rotational motion 120r of the retainer ring 40 may occur according to the direction in which the frictional force F1 with the polishing pad 2 acts.

상기와 같이, 리테이너 링(40)이 설치된 제2본체부(120)가 웨이퍼(W)의 가압면이 구비된 제1본체부(110)에 대하여 틸팅 회전(120r)이 가능하게 설치됨에 따라, 리테이너 링(40)의 저면(40a)에 대해 연마 패드(2)로부터 마찰력(F1)이 작용하는 방향으로 틸팅 회전 변위가 허용되면서, 리테이너 링(40)의 저면(40a)이 연마 패드(2)의 표면에 밀착된 상태를 유지할 수 있게 된다. As described above, as the second body part 120 in which the retainer ring 40 is installed is installed such that the tilting rotation 120r is possible with respect to the first body part 110 provided with the pressing surface of the wafer W, While tilting rotational displacement is allowed in the direction in which the frictional force F1 acts from the polishing pad 2 with respect to the bottom surface 40a of the retainer ring 40, the bottom surface 40a of the retainer ring 40 moves to the polishing pad 2 It is possible to maintain a state in close contact with the surface of

이를 통해, 상기와 같이 구성된 연마 헤드(100)가 구비된 화학 기계적 연마 장치에서는, 리테이너 링(40)의 가압에 의해 리테이너 링(40)의 주변에 연마 패드(2)가 리바운드 돌출 변형되는 양을 줄일 수 있게 되므로, 웨이퍼의 가장자리 영역에서 웨이퍼의 불균일한 과도한 연마가 발생되는 것을 줄이는 효과를 얻을 수 있다. Through this, in the chemical mechanical polishing apparatus provided with the polishing head 100 configured as described above, the amount of rebound protrusion deformation of the polishing pad 2 around the retainer ring 40 by the pressure of the retainer ring 40 . Since it can be reduced, it is possible to obtain an effect of reducing occurrence of uneven excessive polishing of the wafer in the edge region of the wafer.

이하, 도9 및 도10을 참조하여 본 발명의 제2실시예에 따른 연마 헤드(100')를 상술한다. Hereinafter, a polishing head 100' according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 9 and 10 .

본 발명의 제2실시예에 따른 연마 헤드(100')는, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼(W)를 가압하는 가압면을 형성하는 멤브레인(30)이 설치되는 제1본체부(110)와, 화학 기계적 연마 공정 중에 저면(40a)이 연마 패드(2)에 접촉하는 리테이너 링(40)이 설치되고 제1본체부(110)에 대하여 회동부(300)에 의해 틸팅 회전되어 제1본체부(110)에 대해 자세가 변동되는 제2본체부(120)와, 압력 챔버(C1, C2, C3, C4, C5) 및 리테이너 챔버(Cp)에 공압을 공급하여 각 챔버의 압력을 독립적으로 조절하는 압력 제어부(150)를 포함하여 구성된다. The polishing head 100 ′ according to the second embodiment of the present invention includes a first main body 110 on which a membrane 30 forming a pressing surface for pressing a wafer W during a chemical mechanical polishing process is installed; During the chemical mechanical polishing process, the retainer ring 40 with the bottom surface 40a in contact with the polishing pad 2 is installed and tilted and rotated by the rotating part 300 with respect to the first body part 110 to rotate the first body part ( 110) by supplying pneumatic pressure to the second body part 120, the pressure chambers C1, C2, C3, C4, C5, and the retainer chamber Cp, whose posture is changed to independently control the pressure of each chamber It is configured to include a pressure control unit 150 .

즉, 본 발명의 제2실시예의 구성은 제1본체부(110)와 제2본체부(120)의 틸팅 회전(110r, 120r)을 허용하는 회동부(300)의 구성에 있어서 전술한 제1실시예의 구성과 차이가 있다.That is, in the configuration of the second embodiment of the present invention, in the configuration of the rotating part 300 allowing the tilting rotations 110r and 120r of the first body part 110 and the second body part 120, the first There is a difference from the configuration of the embodiment.

상기 회동부(300)는, 도10에 도시된 바와 같이, 제1본체부(110)와 제2본체부(120)의 수평 회전 중심에 틸팅 회전축(X1, X2)이 서로 다른 높이에 2개 이상 배치된 제1회동부(301) 및 제2회동부(302)로 구성된다. As shown in FIG. 10 , the rotating part 300 has two tilting rotation axes X1 and X2 at different heights at the horizontal rotation centers of the first body part 110 and the second body part 120 . It is composed of the first rotating part 301 and the second rotating part 302 arranged above.

이를 위하여, 제1본체부(110)와 제2본체부(120)에 각각 요입 형성된 수용부(115', 125)가 형성되고, 이 수용부(115' 125)에 외주면이 원형인 틸팅 지지 부재(310)가 수직 방향으로 배치된다. 그리고, 틸팅 지지 부재(310)의 외주면에는 상측과 하측에 각각 볼록 곡면체(321, 322)가 형성되고, 제1본체부(110) 및 제2본체부(120)의 수용부(115', 125)에는 볼록 곡면체(321, 322)와 맞닿는 오목 곡면체(311, 312)가 형성된다. To this end, accommodating portions 115 ′ and 125 , each recessed in the first body part 110 and the second body part 120 , are formed, and a tilting support member having a circular outer circumferential surface is formed in the receiving parts 115 ' 125 , respectively. 310 is disposed in the vertical direction. In addition, convex curved bodies 321 and 322 are respectively formed on the upper and lower sides of the outer circumferential surface of the tilting support member 310 , and receiving portions 115 ′ and 125 of the first body part 110 and the second body part 120 . ) is formed with concave curved bodies 311 and 312 in contact with the convex curved bodies 321 and 322 .

본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 틸팅 지지 부재(310)와 수용부(115', 125)의 곡면체는 볼록한 형성과 오목한 형상이 다양한 조합으로 설치될 수 있다. 그리고, 도10에 도시된 틸팅 지지 부재(310)는, 도7a에 도시된 돌출부(115)와 유사하게, 원형 단면으로 형성되어 곡면체(311, 321; 312, 322)의 맞닿는 면이 다양한 틸팅 축(X1, X2,...)을 중심으로 2축 이상의 방향으로 틸팅 회전되게 구성되지만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 틸팅 지지 부재(310)는 도7b의 돌출부(115)와 유사하게 다각형 단면으로 형성되어 곡면체의 맞닿는 면에 의해 이루어지는 틸팅 회전이 하나의 축 방향으로 틸팅 회전되게 구성될 수도 있다. According to another embodiment of the present invention, the curved body of the tilting support member 310 and the receiving portions 115 ′ and 125 may be installed in various combinations of convex and concave shapes. In addition, the tilting support member 310 shown in FIG. 10 is formed in a circular cross-section similarly to the protrusion 115 shown in FIG. Although configured to be tilted and rotated in two or more directions about (X1, X2, ...), according to another embodiment of the present invention, the tilting support member 310 has a polygonal shape similar to the protrusion 115 of FIG. 7B . It is formed in a cross section and the tilting rotation made by the abutting surface of the curved body may be configured to be tilted and rotated in one axial direction.

이를 통해, 리테이너 링(40)에서 발생되는 진동은, 제2본체부(120)와, 제1회동부(301), 틸팅 지지 부재(310), 제2회동부(302) 및 제1본체부(110)를 경유하여 웨이퍼(W)를 가압하는 멤브레인 바닥판까지 도달하게 된다. 더욱이, 2개 이상의 회동부(301, 302)가 제1본체부(110)와 제2본체부(120)의 사이에 개재됨에 따라, 리테이너 링(40)에서 발생되는 진동이 2개의 회동부(301, 302)를 경유하면서 틸팅 회전에 따른 에너지로 소산되면서, 웨이퍼(W)를 가압하는 가압면에 도달하는 진동의 크기를 크게 줄일 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Through this, the vibration generated in the retainer ring 40, the second body portion 120, the first rotation portion 301, the tilting support member 310, the second rotation portion 302, and the first body portion It is reached to the bottom plate of the membrane that presses the wafer (W) via (110). Furthermore, as the two or more rotating parts 301 and 302 are interposed between the first body part 110 and the second body part 120, the vibration generated in the retainer ring 40 is generated by the two rotating parts ( While passing through 301 and 302 , it is dissipated as energy according to the tilting rotation, and it is possible to obtain an advantageous effect of greatly reducing the magnitude of the vibration reaching the pressing surface pressing the wafer (W).

그리고, 도10에 도시된 바와 같이, 틸팅 지지 부재(310)가 중공 관 형태로 형성됨에 따라, 리테이너 링(40)으로부터 제1회동부(301)로 전달되는 진동이 틸팅 지지 부재(310)를 통해 제2회동부(302)로 전달되는 과정에서, 중공 관을 경유하면서 진동이 감쇠되는 효과도 얻을 수 있다. And, as shown in FIG. 10 , as the tilting support member 310 is formed in the form of a hollow tube, vibration transmitted from the retainer ring 40 to the first rotating part 301 causes the tilting support member 310 to In the process of being transmitted to the second rotating part 302 through the through, the effect of damping the vibration while passing through the hollow tube can also be obtained.

이 뿐만 아니라, 제1회동부(301)가 틸팅 회전하는 제1축(X1)과 제2회동부(302)가 틸팅 회전하는 제2축(X2)이 서로 상하 방향으로 이격 배치됨에 따라, 제1축(X1)을 중심으로 제1회동부(301)가 틸팅 회전하는 것과 제2축(X2)을 중심으로 제2회동부(302)가 틸팅 회전하는 것이 틸팅 지지 부재(310)를 사이에 두고 서로 이격 배치되어, 리테이너 링(40)에서 발생된 진동이 제1본체부(110)로 전달되는 것을 확실하게 차단할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다. In addition to this, as the first axis X1 on which the first rotation unit 301 tilts and rotates and the second axis X2 on which the second rotation unit 302 tilts rotates are disposed to be spaced apart from each other in the vertical direction, the first The tilting rotation of the first rotational part 301 about the first axis (X1) and the tilting rotation of the second rotational part 302 about the second axis (X2) are performed between the tilting support member 310. and spaced apart from each other, it is possible to obtain an advantageous effect of reliably blocking the vibration generated by the retainer ring 40 from being transmitted to the first body part 110 .

한편, 도11 및 도12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 연마 헤드(100")의 회동부(400)는 동일한 높이에 각각 제1회동부(401)와 제2회동부(402)의 틸팅축(X1)이 배치될 수도 있다. On the other hand, as shown in FIGS. 11 and 12, the rotating part 400 of the polishing head 100" according to the third embodiment of the present invention has the same height as the first rotating part 401 and the second rotating part, respectively. The tilting axis X1 of the eastern part 402 may be disposed.

보다 구체적으로는, 제1본체부(110)의 수평 회전의 중심에 돌출부(115)가 형성되고, 제2본체부(120)의 수평 회전의 중심에 돌출부(115)를 수용하는 수용부(125)가 형성된다. 그리고, 돌출부(115)의 외측면에는 볼록 곡면체(411)가 형성되고, 수용부(125)의 내측면에는 오목 곡면체(422)가 형성된다. 그리고, 볼록 곡면체(411)와 오목 곡면체(422)의 사이에는 이들 곡면과 맞닿는 곡면(451, 452)이 형성된 링형 곡면 부재(450)가 개재된다. More specifically, the protrusion 115 is formed at the center of the horizontal rotation of the first body part 110 , and the receiving part 125 for accommodating the protrusion 115 at the center of the horizontal rotation of the second body part 120 . ) is formed. In addition, a convex curved body 411 is formed on the outer surface of the protrusion 115 , and a concave curved body 422 is formed on the inner surface of the receiving part 125 . A ring-shaped curved member 450 having curved surfaces 451 and 452 in contact with the curved surfaces is interposed between the convex curved body 411 and the concave curved body 422 .

이에 따라, 제1본체부(110)와 제2본체부(120)의 사이에는 동일한 높이의 동축 상에, 링형 곡면 부재(450)의 오목 곡면(452)과 볼록 곡면체(411)로 이루어지는 제1회동부(401)와, 링형 곡면 부재(450)의 볼록 곡면(451)과 오목 곡면체(422)로 이루어지는 제2회동부(402)가 형성된다.Accordingly, between the first body part 110 and the second body part 120 coaxially of the same height, the first formed of the concave curved surface 452 and the convex curved body 411 of the ring-shaped curved surface member 450 . The rotating part 401 and the second rotating part 402 including the convex curved surface 451 and the concave curved body 422 of the ring-shaped curved member 450 are formed.

따라서, 전술한 제2실시예와 마찬가지로, 리테이너 링(40)에서 발생되는 진동은, 제2본체부(120)와, 제1회동부(401), 링형 곡면 부재(450), 제2회동부(402) 및 제1본체부(110)를 경유하여 웨이퍼(W)를 가압하는 멤브레인 바닥판까지 도달하므로, 2개 이상의 회동부(301, 302)가 제1본체부(110)와 제2본체부(120)의 사이에 개재되어, 리테이너 링(40)에서 발생되는 진동이 2개의 회동부(301, 302) 및 링형 곡면 부재(450)를 경유하면서 틸팅 회전에 따른 에너지로 소산되면서, 웨이퍼(W)를 가압하는 가압면에 도달하는 진동의 크기를 크게 줄일 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Accordingly, as in the above-described second embodiment, the vibration generated in the retainer ring 40 , the second body portion 120 , the first rotation portion 401 , the ring-shaped curved surface member 450 , and the second rotation portion Since it reaches the membrane bottom plate that presses the wafer W via the 402 and the first body part 110, two or more rotating parts 301 and 302 are connected to the first body part 110 and the second body part. Interposed between the parts 120, the vibration generated in the retainer ring 40 is dissipated as energy according to the tilting rotation while passing through the two rotating parts 301 and 302 and the ring-shaped curved member 450, the wafer ( It is possible to obtain an advantageous effect of greatly reducing the magnitude of the vibration reaching the pressing surface pressing W).

한편, 도10 및 도11에 도시된 돌출부(115)는 원형 단면으로 형성되어, 제1회동부(401) 및 제2회동부(402)에서 다양한 틸팅각(X1..)에 대하여 틸팅 회전이 허용될 수도 있고, 돌출부(115)가 다각형 단면으로 형성되어 제1회동부(401) 및 제2회동부(402)에서 하나의 제1축(X1)에 대해서만 틸팅 회전될 수도 있다. On the other hand, the protrusion 115 shown in FIGS. 10 and 11 is formed in a circular cross-section, so that the tilting rotation is performed for various tilting angles X1.. in the first rotating part 401 and the second rotating part 402 . It may be allowed, or the protrusion 115 may be formed in a polygonal cross-section to be rotated by tilting only about one first axis X1 in the first rotating part 401 and the second rotating part 402 .

상기와 같이 구성된, 본 발명에 따른 연마 헤드(100, 100', 100") 및 이를 구비한 화학 기계적 연마 장치는, 리테이너 링(40)이 설치된 제2본체부(120)와 웨이퍼(W)의 가압면이 구비된 제1본체부(110)의 사이에 틸팅 방향 성분으로 회전을 허용하는 2개 이상의 회동부(301, 302; 401, 402)가 형성되어, 리테이너 링(40)의 저면이 연마 패드(2)와 접촉하면서 마찰에 의해 발생되는 진동이, 리테이너 링(40)으로부터 2개의 회동부(300, 400)를 순서대로 통과하면서 제1본체부(110)로 전달되기 이전에 주변으로 소산되게 유도하여, 웨이퍼를 가압하는 가압면에 전달되는 진동의 양을 줄일 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼의 연마 공정 중에 무진동 상태 또는 진동이 매우 작은 상태로 유지되어, 웨이퍼의 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다. The polishing heads 100, 100', 100" and the chemical mechanical polishing apparatus having the same according to the present invention configured as described above include the second body portion 120 provided with the retainer ring 40 and the wafer W. Two or more rotating parts 301, 302; 401, 402 allowing rotation in a tilting direction component are formed between the first body part 110 having a pressing surface, and the bottom surface of the retainer ring 40 is polished The vibration generated by friction while in contact with the pad 2 is dissipated to the surroundings before being transmitted to the first body part 110 while passing through the two rotating parts 300 and 400 from the retainer ring 40 in order. It is possible to reduce the amount of vibration transmitted to the pressing surface that presses the wafer, and through this, the vibration-free state or the vibration is maintained in a very small state during the polishing process of the wafer, which has an advantageous effect of improving the polishing quality of the wafer can get

이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다. In the above, the present invention has been exemplarily described through preferred embodiments, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and various forms within the scope of the technical idea presented in the present invention, specifically, the claims. may be modified, changed, or improved.

예를 들어, 발명의 상세한 설명에서 예시된 구성은 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 연마 헤드(100, 100', 100")의 구성을 예로 들었지만, 슬러리를 이용하지 않는 연마 공정에서도 특허청구범위에 기재된 연마 헤드의 구성이 적용될 수 있다. For example, the configuration exemplified in the detailed description of the invention exemplifies the configuration of the polishing heads 100, 100', 100" used in the chemical mechanical polishing process of wafers, but also claims The configuration of the polishing head described in can be applied.

W: 웨이퍼 C1, C2, C3, C4, C5: 압력 챔버
2: 연마 패드 30: 멤브레인
40: 리테이너 링 100, 100', 100": 연마 헤드
112: 결합 부재 115: 돌출부
210, 321, 322: 볼록 곡면부 220, 311, 312: 오목 곡면부
200: 회동부 301: 제1회동부
302: 제2회동부 X1: 제1축
X2: 제2축W: wafer C1, C2, C3, C4, C5: pressure chamber
2: polishing pad 30: membrane
40: retainer ring 100, 100', 100": grinding head
112: coupling member 115: protrusion
210, 321, 322: convex curved part 220, 311, 312: concave curved part
200: rotating unit 301: first rotating unit
302: 2nd rotation part X1: 1st axis
X2: 2nd axis

Claims (20)

연마 공정 중에 웨이퍼의 판면을 연마 패드에 가압하는 가압면이 형성된 제1본체부와;
상기 연마 공정 중에 웨이퍼의 둘레의 일부 이상을 감싸는 형태로 상기 연마 패드에 저면이 접촉하는 리테이너 링이 설치되고, 상기 제1본체부에 대해 틸팅 회전하여 상기 제1본체부에 대한 자세가 변동되는 제2본체부를;
포함하고, 상기 제1본체부와 상기 제2본체부의 사이에는 제1회동부와 제2회동부를 포함하는 2개 이상의 회동부가 구비된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 연마 헤드.
a first body having a pressing surface for pressing the plate surface of the wafer to the polishing pad during the polishing process;
During the polishing process, a retainer ring having a bottom surface in contact with the polishing pad is installed in a form that surrounds at least a portion of the circumference of the wafer, and the posture with respect to the first body portion is changed by tilting rotation with respect to the first body portion 2 main body;
and two or more rotating parts including a first rotating part and a second rotating part are provided between the first body part and the second body part.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 제1회동부와 상기 제2회동부는 동축 상에 배치된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 연마 헤드.
The method of claim 1,
The polishing head for a polishing apparatus, characterized in that the first rotation portion and the second rotation portion are disposed on the same axis.
 제 1항에 있어서,
상기 제1회동부와 상기 제2회동부는 서로 다른 높이에 배치된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 연마 헤드.
The method of claim 1,
The polishing head for a polishing apparatus, characterized in that the first rotation portion and the second rotation portion are disposed at different heights.
 제 12항에 있어서,
상기 제1본체부와 상기 제2본체부의 사이에는 수직 방향으로 배치된 틸팅 지지 부재가 설치되고;
상기 제1회동부는 상기 틸팅 지지 부재의 외면에 형성된 오목한 제1곡면과 상기 제1본체부의 볼록한 곡면이 서로 맞닿아 상기 제1본체부의 상기 제2본체부에 대한 틸팅 회전을 허용하고,
상기 제2회동부는 상기 틸팅 지지 부재의 외면에 상기 제1곡면과 이격된 위치에 형성된 오목한 제2곡면과 상기 제1본체부의 볼록한 곡면이 서로 맞닿아 상기 제1본체부의 상기 제2본체부에 대한 틸팅 회전을 허용하는 것을 특징으로 하는 연마 장치용 연마 헤드.
13. The method of claim 12,
a tilting support member disposed in a vertical direction is installed between the first body part and the second body part;
The first rotating part allows a tilting rotation of the first body part with respect to the second body part by abutting a first concave curved surface formed on the outer surface of the tilting support member and a convex curved surface of the first body part,
The second rotating portion is a concave second curved surface formed at a position spaced apart from the first curved surface on the outer surface of the tilting support member and the convex curved surface of the first body portion is in contact with each other, so that the first body portion for the second body portion A polishing head for a polishing apparatus, characterized in that it allows tilting rotation.
 제 13항에 있어서,
상기 틸팅 지지 부재는 외주면이 원형인 것을 특징으로 하는 연마 장치용 연마 헤드.
14. The method of claim 13,
A polishing head for a polishing apparatus, characterized in that the tilting support member has a circular outer circumferential surface.
 제 13항에 있어서,
상기 틸팅 지지 부재는 중공 부재인 것을 특징으로 하는 연마 장치용 연마 헤드.
14. The method of claim 13,
The tilting support member is a polishing head for a polishing apparatus, characterized in that the hollow member.
 제 1항에 있어서,
상기 제1회동부와 상기 제2회동부는 서로 동일한 높이에 배치된 것을 특징으로 하는 연마 장치용 연마 헤드.
The method of claim 1,
The polishing head for a polishing apparatus, characterized in that the first rotation portion and the second rotation portion are disposed at the same height.
 제 16항에 있어서,
상기 제1본체부의 수평 회전의 중심에 돌출부와 수용부 중 어느 하나가 형성되고, 상기 제2본체부의 수평 회전의 중심에 돌출부와 수용부 중 다른 하나가 형성되며;
상기 돌출부와 상기 수용부에는 볼록한 곡면과 오목한 곡면 중 어느 하나가 형성되고;
상기 돌출부와 상기 수용부의 사이에 곡면으로 맞닿게 형성된 링형 곡면 부재가 개재되어, 상기 링형 곡면 부재의 곡면이 상기 돌출부의 곡면과 맞닿아 상기 제1회동부를 구성하고, 상기 링형 곡면 부재의 또 다른 곡면이 상기 수용부의 곡면과 맞닿아 상기 제2회동부를 구성하는 것을 특징으로 하는 연마 장치용 연마 헤드.
17. The method of claim 16,
one of a protrusion and a receiving part is formed at the center of horizontal rotation of the first body part, and the other of a protrusion and a receiving part is formed at the center of horizontal rotation of the second body part;
Any one of a convex curved surface and a concave curved surface is formed on the protrusion and the receiving portion;
A ring-shaped curved member formed to be in contact with a curved surface is interposed between the protrusion and the accommodating portion, and the curved surface of the ring-shaped curved member is in contact with the curved surface of the protruding portion to form the first rotational portion, and another of the ring-shaped curved member A polishing head for a polishing apparatus, characterized in that the curved surface is in contact with the curved surface of the accommodating portion to constitute the second rotating portion.
 제 1항에 있어서,
상기 제1회동부와 상기 제2회동부 중 어느 하나 이상은 구면 베어링에 의하여 다축(多軸)에 대한 틸팅 회전이 행해지는 것을 특징으로 하는 연마 장치용 연마 헤드.
The method of claim 1,
A polishing head for a polishing apparatus, characterized in that at least one of the first rotational part and the second rotational part is tilted with respect to multiple axes by a spherical bearing.
 회전 구동되는 연마 패드와;
상기 웨이퍼를 가압하면서 회전시키는 제1항 또는 제11항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 연마 헤드를;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 연마 장치.


a polishing pad that is rotationally driven;
19. A polishing head according to any one of claims 1 to 19, wherein the polishing head is rotated while pressing the wafer;
A polishing apparatus for a wafer, characterized in that it comprises a.


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