KR102317008B1 - Membrane of carrier head of chemical mechanical apparatus and membrane used therein - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인에 관한 것으로, 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인으로서, 웨이퍼의 판면을 가압하는 바닥판과; 상기 바닥판의 가장자리에서 상측으로 절곡 형성된 측면과; 상기 측면과 상기 바닥판의 중심의 사이에 링 형태로 상측으로 연장 형성되고, 상기 캐리어 헤드의 본체부에 결합되어 상기 바닥판과 상기 본체부 사이에 다수의 압력 챔버를 형성하되, 상기 바닥판과 인접한 부분에는 상기 바닥판의 판면에 비하여 보다 강성이 높게 형성된 다수의 고정 플랩을; 포함하여 구성되어, 화학 기계적 연마 공정 중에 인접한 압력 챔버와의 압력 편차에 의하여, 높은 압력으로 제어되는 압력 챔버로부터 낮은 압력으로 제어되는 압력 챔버로 가압력이 전달되면서, 낮은 압력으로 제어되는 압력 챔버에서 웨이퍼를 가압하는 가압력이 왜곡되는 것을 최소화하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인을 제공한다.The present invention relates to a membrane of a carrier head for a chemical mechanical polishing apparatus, comprising: a bottom plate for pressing a plate surface of a wafer; a side surface bent upward from the edge of the bottom plate; It is formed to extend upwardly in a ring shape between the side surface and the center of the bottom plate, and is coupled to the body part of the carrier head to form a plurality of pressure chambers between the bottom plate and the body part, the bottom plate and A plurality of fixing flaps formed to have higher rigidity than the plate surface of the bottom plate at the adjacent portion; The wafer in the pressure chamber controlled at low pressure is transferred from the pressure chamber controlled at high pressure to the pressure chamber controlled at low pressure by the pressure difference with the adjacent pressure chamber during the chemical mechanical polishing process. Provided is a membrane of a carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus that minimizes distortion of the pressing force that presses the .

Description

화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인 {MEMBRANE OF CARRIER HEAD OF CHEMICAL MECHANICAL APPARATUS AND MEMBRANE USED THEREIN}MEMBRANE OF CARRIER HEAD OF CHEMICAL MECHANICAL APPARATUS AND MEMBRANE USED THEREIN

본 발명은 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인에 관한 것으로, 상세하게는 화학 기계적 연마 공정 중에 인접한 압력 챔버와의 압력 편차에 의하여 웨이퍼를 가압하는 가압력이 왜곡되는 것을 억제하는 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인에 관한 것이다.
The present invention relates to a membrane for a carrier head for a chemical mechanical polishing apparatus, and more particularly, to a carrier for a chemical mechanical polishing apparatus that suppresses distortion of a pressing force for pressing a wafer due to a pressure difference with an adjacent pressure chamber during a chemical mechanical polishing process It relates to the membrane of the head.

화학기계적 연마(CMP) 장치는 반도체소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는데 사용되는 장치이다.The chemical mechanical polishing (CMP) device is used for wide area planarization and circuit formation that removes the height difference between the cell area and the surrounding circuit area due to the unevenness of the wafer surface that is generated while repeatedly performing masking, etching, and wiring processes during the semiconductor device manufacturing process. It is a device used to precisely polish the surface of a wafer in order to improve the surface roughness of the wafer according to contact/wiring film separation and high-integration device.

이러한 CMP 장치에 있어서, 캐리어 헤드는 연마공정 전후에 웨이퍼의 연마 면이 연마 패드와 마주보게 한 상태로 상기 웨이퍼를 가압하여 연마 공정을 행하도록 하고, 동시에 연마 공정이 종료되면 웨이퍼를 직접 및 간접적으로 진공 흡착하여 파지한 상태로 그 다음 공정으로 이동한다. In this CMP apparatus, the carrier head presses the wafer with the polishing surface facing the polishing pad before and after the polishing process to perform the polishing process, and at the same time, when the polishing process is finished, the wafer is directly and indirectly removed. It moves to the next process in the state of being held by vacuum adsorption.

도1은 캐리어 헤드(1)의 개략도이다. 도1에 도시된 바와 같이, 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드(1)는 외부로부터 회전 구동력을 전달받아 회전하는 본체부(20)와, 본체부(20)에 결합되어 본체부(20)와의 사이에 압력 챔버(C1, C2, C3, C0)를 형성하는 멤브레인(10)과, 압력 챔버(C1, C2, C3, C0)에 공압 공급관(55)을 통해 공압을 조절하는 압력 조절부(50)로 구성된다. 1 is a schematic view of a carrier head 1 . As shown in FIG. 1 , the carrier head 1 of the chemical mechanical polishing apparatus has a space between the main body 20 which rotates by receiving rotational driving force from the outside, and the main body 20 coupled to the main body 20 . Membrane 10 forming a pressure chamber (C1, C2, C3, C0) in the pressure chamber (C1, C2, C3, C0) through the pneumatic supply pipe 55 to the pressure control unit 50 for controlling the air pressure is composed of

여기서, 본체부(20)는 외부로부터 회전 구동력을 전달받는 본체부재(24)와, 본체부재(21)에 멤브레인(10)의 고정 플랩(12)을 위치 고정하는 것을 보조하는 결합 부재(22)로 이루어진다. Here, the main body 20 includes a main body member 24 that receives rotational driving force from the outside, and a coupling member 22 that assists in positioning and fixing the fixing flap 12 of the membrane 10 to the main body 21 . is made of

멤브레인(10)은 웨이퍼(W)를 하측에 위치시킨 상태로 연마 패드(88)를 향하여 가압하는 바닥판(11)과, 바닥판(11)으로부터 상측으로 연장 형성되어 본체부(20)에 결합되는 고정 플랩(12)으로 이루어져, 본체부(20)와 바닥판(11)의 사이에 다수의 압력 챔버(C0, C1, C2, C3)가 형성된다. 멤브레인(10)은 우레탄 등 탄성이 있는 가요성 재질로 형성된다. The membrane 10 includes a bottom plate 11 that presses the wafer W toward the polishing pad 88 with the wafer W positioned on the lower side, and is formed to extend upward from the bottom plate 11 and is coupled to the main body 20 . A plurality of pressure chambers (C0, C1, C2, C3) are formed between the main body portion 20 and the bottom plate 11 . The membrane 10 is formed of a flexible material having elasticity, such as urethane.

도면에는 멤브레인(10)의 중앙부에 관통공(99)이 형성되어, 이 관통공(99)이 화학 기계적 연마 공정 중에 압력 챔버(C0)의 역할을 하는 구성을 예로 들었지만, 관통공(99)이 없는 형태의 멤브레인(10)도 사용되고 있다.Although the figure shows a configuration in which a through hole 99 is formed in the central portion of the membrane 10 and the through hole 99 serves as a pressure chamber C0 during a chemical mechanical polishing process, the through hole 99 is A membrane 10 without a form is also used.

이에 따라, 압력 조절부(50)는 웨이퍼(W)의 연마면 상태에 따라 각각의 압력 챔버(C0, C1, C2, C3)의 압력을 조절하여, 바닥판(11)의 하측에 위치한 웨이퍼(W)를 영역별로 독립적으로 제어한다. Accordingly, the pressure adjusting unit 50 adjusts the pressure of each of the pressure chambers C0, C1, C2, and C3 according to the state of the polished surface of the wafer W, and the wafer ( W) is controlled independently for each area.

그러나, 도2에 도시된 바와 같이, 제2압력챔버(C2)의 하측에 위치한 웨이퍼(W)의 영역에서 단위 시간당 연마량을 증가시키기 위하여 보다 높은 제2가압력(P2)으로 가압하고, 나머지 압력 챔버(C0, C1, C2, C3)에서는 이보다 낮은 가압력(Po)으로 가압하면, 제2압력챔버(C2)와 인접한 제1압력챔버(C1) 및 제3압력챔버(C3)에도 높은 제2가압력(P2)이 고정 플랩(12)을 통해 영향을 미쳐, 의도하지 않게 제1압력챔버(C1)와 제3압력챔버(C3)의 일부 또는 전부의 영역(A1, A2)에서 도입된 가압력(Po)보다 높은 가압력이 실제로 작용하게 된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 연마층 두께를 제어하기 위한 가압력이 의도한 대로 웨이퍼(W)에 작용하지 않고 왜곡된 가압력이 웨이퍼(W)에 작용하므로, 웨이퍼(W)의 연마층 두께 제어가 정확하게 타겟 두께 분포에 도달하지 못하는 문제가 있었다. However, as shown in FIG. 2 , in order to increase the amount of polishing per unit time in the region of the wafer W located below the second pressure chamber C2, a higher second pressing force P2 is applied, and the remaining pressure In the chambers C0, C1, C2, and C3, when the pressure is lower than the pressure Po, the second pressure is also high in the first pressure chamber C1 and the third pressure chamber C3 adjacent to the second pressure chamber C2. (P2) affects through the fixing flap 12, so that the pressing force Po unintentionally introduced in the regions A1, A2 of some or all of the first pressure chamber C1 and the third pressure chamber C3 ), a higher pressing force is actually applied. Accordingly, since the pressing force for controlling the abrasive layer thickness of the wafer W does not act on the wafer W as intended, and a distorted pressing force acts on the wafer W, control of the abrasive layer thickness of the wafer W is There was a problem in that the target thickness distribution could not be accurately reached.

또한, 가압력의 편차가 있는 압력 챔버들의 사이에는 제2압력 챔버(C2)의 경계에서와 같이 바닥판에 저면에 불균일한 가압력의 불규칙한 변동 현상(88)이 발생되어, 멤브레인(10)의 고정 플랩(12)이 배치된 위치에서는 웨이퍼의 연마량의 제어가 어려운 문제도 있었다.
In addition, irregular fluctuations 88 of the non-uniform pressing force on the bottom surface of the bottom plate as in the boundary of the second pressure chamber C2 are generated between the pressure chambers with the deviation of the pressing force, so that the fixed flap of the membrane 10 is At the position where (12) is arranged, there is also a problem in that it is difficult to control the polishing amount of the wafer.

본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 창안된 것으로, 화학 기계적 연마 공정 중에 인접한 압력 챔버와의 압력 편차에 의하여 낮은 압력으로 웨이퍼를 가압하는 압력 챔버에서의 가압력이 왜곡되는 것을 최소화하는 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been devised under the technical background described above, and the carrier for a chemical mechanical polishing apparatus minimizes distortion of the pressing force in the pressure chamber that presses the wafer at a low pressure due to the pressure deviation from the adjacent pressure chamber during the chemical mechanical polishing process. It aims to provide a membrane for the head.

이를 통해, 본 발명은 웨이퍼의 연마층 두께분포를 타겟 두께 분포에 신속하게 맞출 수 있게 되는 것을 목적으로 한다.Through this, an object of the present invention is to be able to quickly match the abrasive layer thickness distribution of the wafer to the target thickness distribution.

이와 동시에, 본 발명은 화학 기계적 연마 공정 중에 인접한 압력 챔버와의 압력 편차가 발생된 경우에, 고정 플랩의 저면에서의 가압력의 불규칙한 변동을 최소화하는 것을 목적으로 한다.
At the same time, it is an object of the present invention to minimize irregular fluctuations in the pressing force at the bottom of the fixing flap when a pressure deviation with the adjacent pressure chamber occurs during the chemical mechanical polishing process.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인으로서, 웨이퍼의 판면을 가압하는 바닥판과; 상기 바닥판의 가장자리에서 상측으로 절곡 형성된 측면과; 상기 측면과 상기 바닥판의 중심의 사이에 링 형태로 상측으로 연장 형성되고, 상기 캐리어 헤드의 본체부에 결합되어 상기 바닥판과 상기 본체부 사이에 다수의 압력 챔버를 형성하되, 상기 바닥판과 연결되는 부분을 포함하는 일부 이상에서는 상기 바닥판의 판면에 비하여 보다 강성이 높게 형성된 다수의 고정 플랩을; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a membrane of a carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus, comprising: a bottom plate for pressing a plate surface of a wafer; a side surface bent upward from the edge of the bottom plate; It is formed to extend upwardly in a ring shape between the side surface and the center of the bottom plate, and is coupled to the body part of the carrier head to form a plurality of pressure chambers between the bottom plate and the body part, the bottom plate and A plurality of fixing flaps formed to have a higher rigidity than the plate surface of the bottom plate in more than a portion including the connected portion; It provides a membrane of the carrier head of the chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that it comprises a.

이는, 멤브레인 바닥판으로부터 상측으로 연장된 고정 플랩의 바닥판과 인접한 부분에 강성을 높게 형성함에 따라, 어느 하나의 압력 챔버에서의 압력이 인접한 압력 챔버에 비하여 보다 압력이 높게 형성되더라도, 높은 강성의 고정 플랩에 의하여 가압력이 횡방향으로 전달되는 것을 차단하기 위함이다. This is because high rigidity is formed in the portion adjacent to the bottom plate of the fixed flap extending upward from the membrane bottom plate, so that even if the pressure in one pressure chamber is higher than that of the adjacent pressure chamber, high rigidity is achieved. This is to block the lateral transmission of the pressing force by the fixing flap.

이를 통해, 화학 기계적 연마 공정 중에 인접한 압력 챔버와의 압력 편차에 의하여, 높은 압력으로 제어되는 압력 챔버로부터 낮은 압력으로 제어되는 압력 챔버로 가압력이 전달되면서, 낮은 압력으로 제어되는 압력 챔버에서 웨이퍼를 가압하는 가압력이 왜곡되는 것을 최소화할 수 있다.
Through this, the pressing force is transferred from the high pressure controlled pressure chamber to the low pressure controlled pressure chamber due to the pressure difference with the adjacent pressure chamber during the chemical mechanical polishing process, and the wafer is pressed in the low pressure controlled pressure chamber. The distortion of the applied pressing force can be minimized.

이 때, 상기 바닥판과 인접한 상기 고정 플랩에는 강성이 높은 보형물이 함께 형성되는 것에 의하여, 고정 플랩의 강성을 높일 수 있다. 보형물은 금속, 세라믹 및 이들의 결합물 등 다양한 재질의 보형물이 멤브레인의 고정플랩에 결합될 수 있다. At this time, the rigidity of the fixing flap can be increased by forming an implant with high rigidity on the fixing flap adjacent to the bottom plate. As for the implant, implants made of various materials, such as metal, ceramic, and combinations thereof, may be coupled to the fixing flap of the membrane.

여기서, 상기 보형물은 가요성 재질의 고정 플랩의 일면에 끼우거나 접착되는 것에 의해 결합될 수도 있고, 상기 보형물은 상기 멤브레인을 성형할 때에 일체 성형될 수도 있다. 보형물이 고정 플랩과 별개로 제작된 후 고정 플랩의 일면에 결합되는 경우에는 고정 플랩의 일면에 드러난 상태가 되고, 보형물이 고정 플랩과 일체 성형되는 경우에는 보형물이 고정 플랩의 일면에 드러나게도 할 수 있지만 고정 플랩의 중앙부에 배치되게 설치될 수도 있다. Here, the prosthesis may be coupled by inserting or adhering to one surface of the fixing flap made of a flexible material, and the prosthesis may be integrally molded when the membrane is molded. If the implant is manufactured separately from the fixed flap and then combined with one side of the fixed flap, it is exposed on one side of the fixed flap. However, it may be installed to be disposed in the central portion of the fixing flap.

한편, 상기 바닥판과 인접한 상기 고정 플랩은 상기 바닥판에 비하여 더 두껍게 형성되는 것에 의해서도 강성을 보다 높일 수 있다. 다만, 이 경우에는 보형물을 결합하는 것에 비하여 인접한 압력 챔버로 압력이 전달되는 것을 차단하는 효과가 작아진다.
Meanwhile, the rigidity of the fixing flap adjacent to the bottom plate may be further increased by being thicker than the bottom plate. However, in this case, the effect of blocking the pressure from being transmitted to the adjacent pressure chamber is reduced compared to coupling the implant.

무엇보다도, 상기 바닥판의 저면에는 상기 고정 플랩의 하측을 따라 상측으로 요입 형성된 홈이 형성된다. 예를 들어, 고정 플랩이 상기 바닥판의 중심으로부터 다수의 동심 링 형태로 형성된 경우에는, 바닥판의 저면에도 고정 플랩이 형성된 배치를 따라 상측으로 요입 형성된 홈이 형성된다. 이 때, 홈의 단면은 삼각형, 사각형, 반원형, 반타원형 등 다양한 형태로 형성될 수 있다.Above all, on the bottom surface of the bottom plate, a groove formed to be concave upward along the lower side of the fixing flap is formed. For example, when the fixing flaps are formed in the form of a plurality of concentric rings from the center of the bottom plate, grooves indented upward along the arrangement in which the fixing flaps are formed are also formed on the bottom surface of the bottom plate. In this case, the cross section of the groove may be formed in various shapes such as a triangle, a quadrangle, a semi-circle, and a semi-ellipse.

이에 의하여, 고정 플랩의 강성이 높아짐에 따라, 인접한 압력 챔버에 비하여 가압력이 보다 크게 작용하더라도, 가압력이 크게 작용하는 고정 플랩이 연마 패드를 향하여 하방 가압하는 힘을 완충시켜주므로, 인접한 압력 챔버에 비하여 높은 압력을 유지하는 압력 챔버의 경계를 형성하는 고정 플랩의 하측에서 발생되는 불규칙적인 가압력 변동 현상을 완화할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.As a result, as the rigidity of the fixing flap is increased, even if the pressing force is greater than that of the adjacent pressure chamber, the fixing flap, which has a large pressing force, cushions the downward pressure toward the polishing pad, so that compared to the adjacent pressure chamber It is possible to obtain an effect of mitigating irregular pressing force fluctuations occurring at the lower side of the fixed flap forming the boundary of the pressure chamber that maintains the high pressure.

이 때, 홈은 간헐적으로 형성되지 않고 고정 플랩의 저면을 따라 연속적인 링 형태로 형성되는 것이 바람직하다.
At this time, it is preferable that the groove is not formed intermittently but is formed in a continuous ring shape along the bottom surface of the fixing flap.

한편, 본 발명은, 외부로부터 회전 구동력을 인가받아 회전하는 본체부와; 상기 본체부에 위치 고정되어 상기 본체부와 함께 회전하고, 상기 본체부와의 사이에 압력 챔버가 형성되어 상기 압력 챔버의 압력 제어에 의해 화학 기계적 연마 공정 중에 저면에 위치한 웨이퍼를 하방으로 가압하는 전술한 구성의 멤브레인을; 포함하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드를 제공한다.
On the other hand, the present invention, the body portion rotates by receiving a rotational driving force from the outside; The tactic of pressing the wafer located on the bottom surface during the chemical mechanical polishing process by controlling the pressure of the pressure chamber by forming a pressure chamber between the main body part and the main body part and rotating it together with the main body part One component of the membrane; It provides a carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus comprising:

본 발명에 따르면, 멤브레인 바닥판으로부터 상측으로 연장된 고정 플랩의 바닥판과 인접한 부분에 보형물이 설치되는 것 등에 의하여 강성을 높게 형성함에 따라, 어느 하나의 압력 챔버에서의 압력이 인접한 압력 챔버에 비하여 보다 압력이 높게 형성되더라도, 높은 강성의 고정 플랩에 의하여 가압력이 횡방향으로 전달되는 것을 차단하여, 낮은 압력으로 제어되는 인접한 압력 챔버에서 웨이퍼를 가압하는 가압력이 왜곡되는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. According to the present invention, as the rigidity is increased by installing an implant in a portion adjacent to the bottom plate of the fixing flap extending upward from the membrane bottom plate, the pressure in one pressure chamber is higher than that in the adjacent pressure chamber. Even if a higher pressure is formed, it is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the distortion of the pressing force pressing the wafer in an adjacent pressure chamber controlled by a low pressure by blocking the lateral transmission of the pressing force by the high rigidity fixing flap. have.

또한, 본 발명은, 멤브레인의 바닥판의 저면에 고정 플랩의 하측을 따라 상측으로 요입 형성된 홈이 형성됨에 따라, 보형물 등에 의하여 고정 플랩의 강성이 높아져 하방으로 가압하는 성분의 가압력에 의하여 압력 챔버의 경계에서 불규칙적으로 변동하는 가압력을 줄임으로써, 압력 챔버의 경계에서 웨이퍼의 단위 시간당 연마량의 제어가 곤란해지는 문제점을 해소할 수 있는 잇점이 얻어진다.
In addition, according to the present invention, as a groove indented upward along the lower side of the fixing flap is formed on the bottom surface of the bottom plate of the membrane, the rigidity of the fixing flap is increased by an implant, etc. By reducing the irregularly fluctuating pressing force at the boundary, an advantage is obtained in that it is possible to solve the problem that it is difficult to control the polishing amount per unit time of the wafer at the boundary of the pressure chamber.

도1은 종래의 캐리어 헤드의 구성을 도시한 단면도,
도2는 도1의 캐리어 헤드의 제2압력챔버에 다른 압력 챔버에 비하여 높은 압력이 인가된 상태에서 측정된 가압력 분포를 도시한 그래프,
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드를 도시한 단면도,
도4는 도3의 'A'부분의 확대도,
도5는 도3의 캐리어 헤드의 제2압력챔버에 다른 압력 챔버에 비하여 높은 압력이 인가된 상태에서 측정된 가압력 분포를 도시한 그래프,
도6 및 도7은 도3의 캐리어 헤드에 적용 가능한 멤브레인의 구성을 도3의 'A'부분에 대응하여 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a conventional carrier head;
FIG. 2 is a graph showing a pressure distribution measured in a state in which a high pressure is applied to the second pressure chamber of the carrier head of FIG. 1 compared to other pressure chambers;
3 is a cross-sectional view illustrating a carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus according to an embodiment of the present invention;
4 is an enlarged view of part 'A' of FIG. 3;
FIG. 5 is a graph showing a pressure distribution measured in a state in which a higher pressure than that of other pressure chambers is applied to the second pressure chamber of the carrier head of FIG. 3;
6 and 7 are diagrams showing the configuration of a membrane applicable to the carrier head of FIG. 3 corresponding to part 'A' of FIG. 3 .

본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인(110)과 이를 구비한 캐리어 헤드(110)를 상술한다. 본 발명의 일 실시예는 도1에 도시된 종래의 구성(1)과 대비할 때 멤브레인(110)의 구성에 있어서 차이가 있다.(본 발명에 따른 캐리어 헤드 및 멤브레인은 도면에 도시된 단면도의 중심선을 기준으로 180도 회전시킨 형상이다.)The membrane 110 of the carrier head for a chemical mechanical polishing apparatus according to an embodiment of the present invention and the carrier head 110 having the same will be described in detail. One embodiment of the present invention is different in the configuration of the membrane 110 as compared with the conventional configuration 1 shown in FIG. The shape is rotated 180 degrees based on the

도3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 캐리어 헤드(100)는, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼(W)를 연마 패드(88)에 대해 가압하는 멤브레인(110)과, 멤브레인(110)의 바닥판(111)으로부터 상측으로 연장 형상된 고정 플랩(112)을 고정하여 멤브레인(110)과의 사이에 다수의 압력 챔버(C0, C1, C2, C3)를 형성하고 외부의 구동력에 의하여 회전 구동되는 본체부(120)와, 다수의 압력 챔버(C0, C1, C2, C3)에 압력 공급관(125)을 통해 공압을 공급하여 압력 챔버(C0, C1, C2, C3)에 의하여 웨이퍼(W)를 가압하는 가압력(..., P1, P2,...)을 조절하는 압력 조절부(150)로 구성된다.
As shown in FIG. 3 , the carrier head 100 according to an embodiment of the present invention includes a membrane 110 for pressing a wafer W against a polishing pad 88 during a chemical mechanical polishing process, and a membrane ( A plurality of pressure chambers C0, C1, C2, and C3 are formed between the membrane 110 and the membrane 110 by fixing the fixing flap 112 extending upwardly from the bottom plate 111 of the 110, and the external driving force is applied. By supplying pneumatic pressure through the pressure supply pipe 125 to the main body 120 rotationally driven by the It is composed of a pressure adjusting unit 150 for adjusting the pressing force (..., P1, P2, ...) to press (W).

상기 본체부(120)는 구동 샤프트에 연결되어 회전 구동력을 전달받아 회전 구동되는 본체부재(124)와, 본체부재(124)에 멤브레인(110)의 고정 플랩(112)을 위치 고정하는 것을 보조하는 결합 부재(122)로 이루어진다.
The body part 120 is connected to the drive shaft and receives a rotational driving force to rotate the body member 124 and to assist in fixing the fixing flap 112 of the membrane 110 to the body member 124 . Consists of a coupling member (122).

상기 멤브레인(100)은 웨이퍼(W)의 판면을 가압할 수 있도록 웨이퍼(W)의 판면에 대응하는 크기의 원판 형태로 형성된 바닥판(111)과, 바닥판(111)의 가장자리 끝단부로부터 상측으로 절곡되어 연장 형성되고 동시에 바닥판(111)의 중심으로부터 본체부의 베이스(124)에 결합되는 다수의 링형태의 고정 플랩(112)이 형성된다. The membrane 100 includes a bottom plate 111 formed in the form of a disk having a size corresponding to the plate surface of the wafer W so as to pressurize the plate surface of the wafer W, and an upper side from the edge end of the bottom plate 111 . A plurality of ring-shaped fixing flaps 112 are formed by being bent to extend and coupled to the base 124 of the main body from the center of the bottom plate 111 at the same time.

고정 플랩(112)에 결합되는 보형물(112c)을 제외하고는 주로 폴리우레탄과 같은 가요성 재료로 형성된다. 이에 따라, 압력 챔버(C0, C1, C2, C3)에 공압이 인가되면, 압력 챔버(C0, C1, C2, C3)가 팽창하면서, 바닥판(111)의 하측에 위치한 웨이퍼(W)를 가압하게 된다. Except for the implant 112c coupled to the fixing flap 112, it is mainly formed of a flexible material such as polyurethane. Accordingly, when pneumatic pressure is applied to the pressure chambers C0, C1, C2, and C3, the pressure chambers C0, C1, C2, and C3 expand and press the wafer W located below the bottom plate 111. will do

멤브레인(110)의 중심부에는 멤브레인 바닥판(111)의 빈 공간이 마련되고 고정 플랩이 결합 부재(122)에 의해 본체부(20)에 결합됨에 따라, 압력 조절부(150)와 웨이퍼(W)가 직접 연통하는 통로(99)가 형성된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 운반 시에는 통로(99)에 흡입압을 인가하여 직접 웨이퍼를 파지한 상태로 이동하고, 화학 기계적 연마 공정 시에는 통로(99)에 정압을 인가하여 웨이퍼(W)를 연마 패드(88)에 밀착시키는 가압력을 도입하는 제0압력챔버(C0)로 작용한다.An empty space of the membrane bottom plate 111 is provided in the center of the membrane 110 and the fixing flap is coupled to the body 20 by the coupling member 122 , so that the pressure control unit 150 and the wafer W are formed. A passage 99 through which the is directly communicated is formed. Accordingly, when the wafer W is transported, suction pressure is applied to the passage 99 to move in a state in which the wafer is directly gripped, and during the chemical mechanical polishing process, positive pressure is applied to the passage 99 to apply a positive pressure to the wafer W acts as a zero-th pressure chamber C0 for introducing a pressing force to adhere to the polishing pad 88 .

도면에는 멤브레인(110)의 바닥판(111) 중심에 통로(99)가 형성된 구성을 예로 들었지만, 바닥판(111)의 중심에 통로가 형성되지 않은 형태의 멤브레인에 대해서도 본 발명이 적용 가능하다는 것은 자명하다.
In the drawings, the configuration in which the passage 99 is formed in the center of the bottom plate 111 of the membrane 110 is exemplified, but it is clear that the present invention is applicable to a membrane in which the passage is not formed in the center of the bottom plate 111. self-evident

무엇보다도, 바닥판(111)과 연결되는 고정 플랩(112)의 일부분은 강도가 높은 보형물(112c)에 의하여 강도가 보강되어, 일측에 위치한 제2압력챔버(C2)의 압력(P2)이 인접한 제1압력챔버(C1) 및 제3압력챔버(C3)에 비하여 높더라도, 측방향(횡방향)으로 압력(P2)이 전달되는 것을 차단하는 역할을 한다. Above all, a portion of the fixing flap 112 connected to the bottom plate 111 is reinforced in strength by the high-strength prosthesis 112c, so that the pressure P2 of the second pressure chamber C2 located on one side is adjacent. Although it is higher than the first pressure chamber C1 and the third pressure chamber C3, it serves to block the transmission of the pressure P2 in the lateral direction (transverse direction).

즉, 멤브레인 바닥판(111)으로부터 상측으로 연장된 고정 플랩(112)의 바닥판(111)과 인접한 부분에 강성을 높임으로써, 어느 하나의 압력 챔버(C2)에서의 압력이 인접한 압력 챔버(C1, C3)에 비하여 보다 압력이 높게 형성되더라도, 도5에 도시된 바와 같이, 높은 강성의 고정 플랩(112)에 의하여 가압력이 횡방향으로 전달되는 것을 차단할 수 있게 되며, 이를 통해, 화학 기계적 연마 공정 중에 인접한 압력 챔버(C1, C3)와의 압력 편차에 의하여, 높은 압력(P2)으로 제어되는 제2압력 챔버(C2)로부터 낮은 압력(Po)으로 제어되는 제1압력 챔버(C1) 및 제3압력챔버(C3)로 측벽을 형성하는 고정 플랩(112c)을 통해 수평 방향 성분의 압력(P2x)이 전달되면서, 낮은 압력으로 제어되던 압력 챔버(C1, C3)에서 웨이퍼를 가압하는 가압력(Po)이 왜곡되는 것을 최소화할 수 있다.
That is, by increasing the rigidity in the portion adjacent to the bottom plate 111 of the fixing flap 112 extending upward from the membrane bottom plate 111 , the pressure in any one pressure chamber C2 is increased in the adjacent pressure chamber C1 . , even if the pressure is higher than that of C3), as shown in FIG. 5 , it is possible to block the transmission of the pressing force in the lateral direction by the high rigidity fixing flap 112 , and through this, the chemical mechanical polishing process The first pressure chamber C1 and the third pressure controlled from the second pressure chamber C2 controlled to the high pressure P2 to the low pressure Po by the pressure deviation from the adjacent pressure chambers C1 and C3 during the As the horizontal component pressure P2x is transmitted through the fixing flap 112c that forms the side wall to the chamber C3, the pressing force Po that presses the wafer in the pressure chambers C1 and C3, which was controlled to a low pressure, is distortion can be minimized.

여기서, 보형물(112c)은 휨 강성이 높은 금속 재료나 세라믹 재료로 형성될 수 있다. Here, the prosthesis 112c may be formed of a metal material or a ceramic material having high bending rigidity.

고정 플랩(112)은 멤브레인 바닥판(111)으로부터 상방으로 연장된 상방 연장부(112a)와, 상방 연장부(112a)로부터 좌우 방향으로 연장된 측방 연장부(112b)로 이루어지는데, 상기 보형물(112c)은 상방 연장부(112a)에만 형성된다. 이는, 측방 연장부(112b)의 강성이 높아지면, 바닥판(111)의 상하 이동이 원활하지 않아, 고정 플랩(112)이 배치된 압력 챔버들 사이의 경계에서 압력의 요동이 심해지는 현상이 나타나기 때문이다. The fixing flap 112 consists of an upper extension 112a extending upward from the membrane bottom plate 111 and a lateral extension 112b extending in the left and right directions from the upper extension 112a. 112c) is formed only in the upper extension portion 112a. This is because, when the rigidity of the lateral extension part 112b is increased, the vertical movement of the bottom plate 111 is not smooth, so that the fluctuation of the pressure at the boundary between the pressure chambers in which the fixing flap 112 is disposed becomes severe. because it appears

그리고, 고정 플랩(112)의 상방 연장부(112a)의 휨 강성을 높이는 높이(H1, 예를 들어, 보형물의 높이)는 상방 연장부(112a)의 높이(Ho)의 1/4보다 더 크게 형성되고 9/10보다는 더 작게 형성된다. 고강성 구간(H1)이 전체 상방 연장부(112a)의 높이에 비하여 1/4보다 더 작으면 인접한 압력 챔버로 전달되는 힘을 차단하는 효과가 낮으며, 고강성 구간(H1)이 전체 상방 연장부(112a)의 높이에 비하여 9/10보다 더 크면 상방 연장부(112a)와 측방 연장부(112b)의 절곡부의 휨이 원활히 이루어지지 않아, 압력 챔버(C1, C2, C3)에 공압이 인가될 때에 바닥판(111)의 상하 이동이 원활해지지 않기 때문이다. And, the height (H1, for example, the height of the prosthesis) for increasing the bending rigidity of the upper extension portion 112a of the fixing flap 112 is greater than 1/4 of the height Ho of the upper extension portion 112a. formed and formed smaller than 9/10. When the high rigidity section H1 is smaller than 1/4 compared to the height of the entire upper extension portion 112a, the effect of blocking the force transmitted to the adjacent pressure chamber is low, and the high rigidity section H1 extends the entire upward direction When the height of the portion 112a is greater than 9/10, the bending of the bent portions of the upper extension portion 112a and the side extension portion 112b is not smoothly made, so that pneumatic pressure is applied to the pressure chambers C1, C2, and C3. This is because the vertical movement of the bottom plate 111 is not smooth when it is done.

도4에 도시된 바와 같이, 보형물(112c)을 멤브레인 고정플랩(112)에 결합하기 위하여, 고정 플랩(112)의 상방 연장부(112a)에 미리 보형물(112c)을 끼우는 홈을 미리 마련해두고, 가요성 재질로 형성된 멤브레인에 보형물(112c)을 끼우거나 접착하는 것에 의하여, 보형물(112c)을 멤브레인(110)의 고정 플랩(112)에 결합시킬 수 있다. 4, in order to couple the implant 112c to the membrane fixing flap 112, a groove for inserting the implant 112c is provided in advance in the upper extension 112a of the fixing flap 112, By inserting or bonding the implant 112c to the membrane formed of a flexible material, the implant 112c may be coupled to the fixing flap 112 of the membrane 110 .

이 때, 보형물(112c)의 하단은 바닥판(111)의 상면보다 더 낮게 위치하도록 배치하는 것이, 압력 챔버(C1, C2, C3)들 사이에 횡방향으로 힘이 전달되는 것을 차단하는 효과를 높일 수 있다.
At this time, the lower end of the implant 112c is arranged to be lower than the upper surface of the bottom plate 111, the effect of blocking the transmission of force in the lateral direction between the pressure chambers (C1, C2, C3) can be raised

한편, 멤브레인(110)을 성형할 때에, 보형물(112c')을 미리 준비하여 가요성 재질로 이루어진 부분과 일체 성형할 수도 있다. 이 경우에는, 보형물(112c')이 상방 연장부(112a')의 일측면에 노출되게 결합될 수도 있지만, 도6에 도시된 바와 같이 가요성 재질의 상방 연장부(112a')의 내부에 보형물(112c')이 함입되게 성형하는 것도 가능하다. Meanwhile, when forming the membrane 110 , the implant 112c ′ may be prepared in advance and integrally formed with a portion made of a flexible material. In this case, the implant 112c' may be coupled to be exposed to one side of the upper extension 112a', but as shown in FIG. It is also possible to mold so that (112c') is impregnated.

따라서, 도6을 중심으로 보다 높은 압력 챔버(C1, C2, C3)가 좌측에 위치하거나 우측에 위치하는 것에 무관하게, 강성이 높은 보형물(112c')에 의하여 압력(P2)의 수평 방향의 분력(P2x)이 인접한 압력챔버(C1, C3)에 전달되는 것을 동일한 효율로 차단할 수 있다. Therefore, irrespective of whether the higher pressure chambers C1, C2, and C3 are located on the left side or the right side with reference to FIG. 6, the horizontal component of the pressure P2 due to the high rigidity implant 112c' It is possible to block (P2x) from being transmitted to the adjacent pressure chambers C1 and C3 with the same efficiency.

한편, 멤브레인 고정플랩(112)의 상방 연장부(112a)의 강성을 높이기 위하여 보형물(112c, 112c')을 결합하는 대신에, 도7에 도시된 바와 같이, 고정플랩(112)의 상방 연장부(112a)의 단면을 보다 더 두껍게 형성할 수도 있다. 이 때, 단면이 확대된 상방 연장부(112a")는 상측으로 갈수록 점점 단면이 작아지는 형태로 형성되어, 인접한 압력 챔버들 사이에 횡방향으로의 힘 전달의 차단 효율은 높이면서, 상방 연장부(112a")와 측방 연장부(112b)의 굽힘 변형이 원활히 이루어지게 한다. 또한, 단면 변화가 급격히 또는 불규칙적으로 발생되는 구간(예를 들어, 단차)을 배제하여, 인접한 압력 챔버들 사이에 횡방향으로의 힘이 고정 플랩에 국부적으로 집중되는 것을 방지할 수 있다.
On the other hand, instead of combining the implants 112c and 112c' in order to increase the rigidity of the upper extension part 112a of the membrane fixing flap 112, as shown in FIG. 7, the upper extension part of the fixing flap 112 The cross section of (112a) may be formed to be thicker. At this time, the upper extension part 112a" with an enlarged cross-section is formed in a shape in which the cross-section gradually becomes smaller toward the upper side, so that the blocking efficiency of the transverse force transmission between the adjacent pressure chambers is increased, while the upper extension part The bending deformation of the (112a") and the lateral extension part 112b is made smoothly. In addition, by excluding a section (eg, a step difference) in which a cross-sectional change occurs rapidly or irregularly, it is possible to prevent a lateral force between adjacent pressure chambers from being locally concentrated on the fixed flap.

무엇보다도, 상기 멤브레인(110)의 바닥판(111)의 저면에는 고정 플랩(112)의 하측을 따라 상측으로 요입 형성된 홈(111a, 111a)이 형성된다. 도면에 도시된 바와 같이, 고정 플랩(112)이 바닥판(111)의 중심으로부터 다수의 동심 링 형태로 형성된 경우에는, 바닥판(111)의 저면에도 고정 플랩(112)의 위치를 따라 상측으로 홈(111a)이 연속적으로 형성된다. 도면에는, 홈(111a)의 단면이 삼각형 형태인 것을 예로 들었지만, 사각형, 반원형, 반타원형 등 다양한 형태로 형성될 수 있다.Above all, on the bottom surface of the bottom plate 111 of the membrane 110 , grooves 111a and 111a dented upward along the lower side of the fixing flap 112 are formed. As shown in the figure, when the fixing flaps 112 are formed in the form of a plurality of concentric rings from the center of the bottom plate 111, the bottom surface of the bottom plate 111 also moves upward along the position of the fixing flaps 112. The grooves 111a are continuously formed. In the drawings, the cross section of the groove 111a is exemplified in a triangular shape, but may be formed in various shapes such as a square, a semicircle, and a semiellipse.

이를 통해, 고정 플랩(112)의 상방 연장부(112a, 112a', 112a")의 강성이 높아짐에 따라, 인접한 압력 챔버에 수평 방향의 분력을 전달하는 것을 차단하는 효과가 높아지는 대신에, 높은 강성을 갖는 상방 연장부(112a, 112a', 112a")를 따라 하방으로 전달되는 수직력(Fc)이 곧바로 웨이퍼(W)에 전달되지 않고, 수직력(Fc)에 비례하여 홈(111a, 111a')이 반경 방향으로 퍼지면서 주변으로 수직력(Fc)을 분산시킨 상태로 웨이퍼(W)에 전달하는 역할을 한다. Through this, as the rigidity of the upper extension portions 112a, 112a', 112a″ of the fixing flap 112 is increased, the effect of blocking the transmission of the horizontal component force to the adjacent pressure chamber increases, instead of high rigidity The vertical force Fc transmitted downward along the upper extension portions 112a, 112a', 112a" having While spreading in the radial direction, it serves to transmit the normal force Fc to the wafer W in a distributed state.

따라서, 높은 강성을 갖고 상하 방향으로의 힘(Fc)의 전달 경로가 되는 보형물(112c, 112c')의 중심에 홈(111a, 111a')의 중심이 위치하도록 배치되는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 도7에 도시된 바와 같이 고정 플랩(112)의 단면을 확대하여 강성이 커지는 경우에도, 고정 플랩(112)의 상방 연장부(112a")의 중심부에 홈(111a')이 배치되도록 한다.Accordingly, it is preferable that the centers of the grooves 111a and 111a' be positioned at the centers of the prostheses 112c and 112c' that have high rigidity and serve as a transmission path of the force Fc in the vertical direction. Similarly, even when the rigidity is increased by enlarging the cross section of the fixing flap 112 as shown in FIG. 7 , the groove 111a ′ is disposed in the center of the upper extension 112a ″ of the fixing flap 112 . .

이를 통해, 멤브레인의 고정 플랩(112)에 보형물(112c, 112c')을 결합하거나 단면을 확대하여 강성을 높이는 것에 의해 수평 방향으로의 힘의 전달율을 크게 낮출수 있으면서, 이에 따라 수반되는 상하 방향으로의 수직력(Fc)에 의하여, 압력 챔버(C1, C2, C3)의 경계에 위치한 웨이퍼(W)의 영역에 국부적으로 불규칙한 하중 변동이 집중되는 현상을 억제할 수 있다. Through this, by coupling the implants 112c and 112c' to the fixing flap 112 of the membrane or increasing the rigidity by enlarging the cross section, the transmission rate of the force in the horizontal direction can be greatly reduced, It is possible to suppress a phenomenon in which local irregular load fluctuations are concentrated in the region of the wafer W located at the boundary of the pressure chambers C1, C2, and C3 by the normal force Fc of

이와 같은 억제 효과는 홈(111a, 111a')이 연속적으로 형성된 경우에 고정 플랩(112)의 저면을 따라 연속적인 링 형태로 형성되는 것이 보다 효과적이다.
This suppression effect is more effective to form a continuous ring shape along the bottom surface of the fixing flap 112 when the grooves 111a and 111a' are continuously formed.

상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 캐리어 헤드의 멤브레인(110) 및 이를 구비한 캐리어 헤드(100)는, 멤브레인 바닥판(111)으로부터 상측으로 연장된 고정 플랩(112)에 보형물(112c)을 결합하거나 단면을 보다 크게 하는 것 중 어느 하나 이상을 채택하는 구성에 의하여, 공압이 높은 어느 하나의 압력 챔버(C2)에서의 공압이 낮은 인접한 압력 챔버(C1, C3)로 횡방향으로 전달되는 힘을 차단하여, 압력 챔버(C1, C2, C3)에 인가한 공압에 비례하여 웨이퍼(W)를 가압하는 가압력이 보다 신뢰성있게 작용함에 따라, 압력 챔버에 도입된 압력과 다른 가압력이 웨이퍼를 가압하는 왜곡 현상을 최소화할 수 있다. The membrane 110 of the carrier head according to the exemplary embodiment of the present invention configured as described above and the carrier head 100 having the same, the implant 112c is attached to the fixing flap 112 extending upward from the membrane bottom plate 111 . ), or by a configuration adopting any one or more of making the cross-section larger, transversely transfer from one pressure chamber (C2) where the pneumatic pressure is high to the adjacent pressure chamber (C1, C3) where the pneumatic pressure is low By blocking the applied force, the pressing force pressing the wafer W in proportion to the pneumatic pressure applied to the pressure chambers C1, C2, C3 acts more reliably, so that the pressing force different from the pressure introduced into the pressure chamber presses the wafer. It is possible to minimize the distortion phenomenon that is applied.

무엇보다도, 상기와 같은 구성에 의해 멤브레인 고정 플랩(112)의 상하 방향으로 작용하는 높은 수직력(Fc)을 멤브레인의 바닥판(111)의 저면에 고정 플랩(112)의 배치를 따라 연속하는 홈(111a)이 형성됨에 따라, 압력 챔버(C1, C2, C3)의 경계에서 웨이퍼의 판면에 불규칙적인 가압력의 변동 현상(89)을 도5에 도시된 바와 같이 크게 완화시킬 수 있었다.
Above all, by the configuration as described above, a high normal force Fc acting in the vertical direction of the membrane fixing flap 112 is applied to the bottom surface of the bottom plate 111 of the membrane, a continuous groove along the arrangement of the fixing flap 112 ( As 111a) is formed, as shown in FIG. 5 , a phenomenon 89 of irregular pressing force fluctuations on the plate surface of the wafer at the boundary between the pressure chambers C1, C2, and C3 can be greatly alleviated.

이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.
Although the present invention has been exemplarily described through preferred embodiments above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various forms within the scope of the technical idea presented in the present invention, specifically, the claims may be modified, changed, or improved.

W: 웨이퍼 C0, C1, C2, C3: 압력 챔버
100: 캐리어 헤드 110: 멤브레인
111: 바닥판 112: 고정 플랩
112a: 상방 연장부 112b: 측방 연장부
112c: 보형물 W: wafer C0, C1, C2, C3: pressure chamber
100: carrier head 110: membrane
111: bottom plate 112: fixed flap
112a: upper extension 112b: lateral extension
112c: implant

Claims (11)

화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인으로서,
웨이퍼의 판면을 가압하는 바닥판과;
상기 바닥판의 가장자리에서 상측으로 절곡 형성된 측면과;
상기 측면과 상기 바닥판의 중심의 사이에 링 형태로 상측으로 연장 형성되고, 상기 캐리어 헤드의 본체부에 결합되어 상기 바닥판과 상기 본체부 사이에 다수의 압력 챔버를 형성하되, 상기 바닥판과 연결되는 부분을 포함하는 일부 이상에서 상기 바닥판의 판면에 비하여 보다 강성이 높게 형성된 다수의 고정 플랩을;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인.
A membrane in a carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus, comprising:
a bottom plate for pressing the plate surface of the wafer;
a side surface bent upward from the edge of the bottom plate;
It is formed to extend upwardly in a ring shape between the side surface and the center of the bottom plate, and is coupled to the body part of the carrier head to form a plurality of pressure chambers between the bottom plate and the body part, the bottom plate and A plurality of fixing flaps formed to have higher rigidity than the plate surface of the bottom plate at least in part including the connected portion;
A membrane of a carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus, comprising:
 제 1항에 있어서,
상기 바닥판과 인접한 상기 고정 플랩에는 강성이 높은 보형물이 함께 형성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인.
The method of claim 1,
The membrane of the carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that an implant with high rigidity is formed on the fixing flap adjacent to the bottom plate.
 제 2항에 있어서,
상기 보형물은 금속, 세라믹 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인.
3. The method of claim 2,
The membrane of the carrier head of the chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that the implant is any one or more of metal and ceramic.
 제 2항에 있어서,
상기 보형물은 가요성 재질의 고정 플랩의 일면에 끼우거나 접착되는 것에 의해 상기 고정 플랩에 결합되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인.
3. The method of claim 2,
The membrane of the carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that the implant is coupled to the fixing flap by inserting or adhering to one surface of the fixing flap made of a flexible material.
 제 2항에 있어서,
상기 보형물은 상기 멤브레인을 성형할 때에 일체 성형되고, 상기 고정 플랩의 중앙부에 배치되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인.
3. The method of claim 2,
The membrane of the carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus, wherein the implant is integrally molded when the membrane is molded and is disposed in the central portion of the fixing flap.
 제 2항에 있어서,
상기 보형물의 하단은 상기 바닥판의 상면보다 더 낮게 위치하도록 상기 보형물이 배치되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인.
3. The method of claim 2,
The membrane of the carrier head of the chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that the implant is disposed so that the lower end of the implant is lower than the upper surface of the bottom plate.
 제 1항에 있어서,
상기 바닥판과 인접한 상기 고정 플랩은 상기 바닥판에 비하여 더 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인.
The method of claim 1,
and the fixing flap adjacent to the bottom plate is thicker than the bottom plate.
 제 1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 바닥판의 저면에는 상기 고정 플랩의 하측을 따라 상측으로 요입 형성된 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The membrane of the carrier head of the chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that a groove formed upwardly along the lower side of the fixing flap is formed on the bottom surface of the bottom plate.
 제 8항에 있어서,
상기 고정 플랩은 상기 바닥판의 중심으로부터 다수의 동심 링 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인.
9. The method of claim 8,
and the fixing flaps are formed in the form of a plurality of concentric rings from the center of the bottom plate.
 외부로부터 회전 구동력을 인가받아 회전하는 본체부와;
상기 본체부에 위치 고정되어 상기 본체부와 함께 회전하고, 상기 본체부와의 사이에 압력 챔버가 형성되어 상기 압력 챔버의 압력 제어에 의해 화학 기계적 연마 공정 중에 저면에 위치한 웨이퍼를 하방으로 가압하는 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 멤브레인을;
포함하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드.
a body portion rotating by receiving a rotational driving force from the outside;
The agent is fixed in position on the main body and rotates together with the main body, and a pressure chamber is formed between the main body and the lower surface of the wafer during the chemical mechanical polishing process by controlling the pressure of the pressure chamber. A membrane according to any one of claims 1 to 7;
A carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus comprising:
 제 10항에 있어서,
상기 바닥판의 저면에는 상기 고정 플랩의 하측을 따라 상측으로 요입 형성된 링 형태의 홈이 연속한 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 멤브레인을 포함하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드.


11. The method of claim 10,
The carrier head of a chemical mechanical polishing apparatus including a membrane, characterized in that a ring-shaped groove formed in a concave shape upward along the lower side of the fixing flap is formed in a continuous form on the bottom surface of the bottom plate.
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