KR102626371B1 - Method for manufacturing printed wiring board - Google Patents

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아지노모토 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 밀착성, 및 배선의 차폐성이 우수하며, 또한 비아 형상이 양호한 경화물을 형성 가능한 수지 시트 등의 제공.
[해결수단] (1) 지지체와, 당해 지지체 위에 설치된, 감광성 수지 조성물을 함유하는 감광성 수지 조성물층을 갖는 수지 시트를 준비하는 공정, (2) 기판 위에 수지 시트를 라미네이트하는 공정, (3) 감광성 수지 조성물층을 노광하는 공정, 및 (4) 현상에 의해 패턴 감광성 수지 조성물층을 형성하는 공정을 포함하고, 지지체의 헤이즈가 20% 이하이며, (4) 공정후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)이, 500㎚ 이상이며, 감광성 수지 조성물이, 소정의 조건 (I) 또는 (II)를 충족시키는, 프린트 배선판의 제조 방법.
[Problem] Provision of a resin sheet, etc. capable of forming a cured product that has excellent adhesion and wiring shielding properties and has a good via shape.
[Solutions] (1) a step of preparing a resin sheet having a support and a photosensitive resin composition layer provided on the support and containing the photosensitive resin composition, (2) a step of laminating the resin sheet on a substrate, (3) photosensitive A process of exposing the resin composition layer to light, and (4) forming a patterned photosensitive resin composition layer through development, wherein the haze of the support is 20% or less, and (4) the support side of the patterned photosensitive resin composition layer after the process. The absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface is 500 nm or more, and the photosensitive resin composition satisfies the predetermined condition (I) or (II).

Description

프린트 배선판의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD}Manufacturing method of printed wiring board {METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은 수지 시트, 이러한 수지 시트를 사용하는 프린트 배선판의 제조 방법 및 경화물에 관한 것이다. The present invention relates to a resin sheet, a method for manufacturing a printed wiring board using such a resin sheet, and a cured product.

프린트 배선판에서는, 땜납이 불필요한 부분에 땜납이 부착되는 것을 억제하는 동시에, 회로 기판이 부식되는 것을 억제하기 위한 영구 보호막으로서, 솔더레지스트를 설치한다. 솔더레지스트에는 봉지재나 언더필과의 밀착성이 요구되며, 예를 들면, 특허문헌 1에는, 지지 필름과, 당해 지지 필름 위에 설치되며, 감광성 수지 조성물로 형성되는 감광층을 구비하는 감광성 엘레멘트로서, 전기 지지 필름은, 감광층과 접하는 면의 표면 거칠기(Ra)가 200 내지 4000㎚인, 감광성 엘레멘트가 개시되어 있다. In printed wiring boards, solder resist is provided as a permanent protective film to prevent solder from adhering to unnecessary solder parts and to prevent corrosion of the circuit board. The solder resist is required to have adhesion to the encapsulant or underfill. For example, Patent Document 1 describes a photosensitive element provided with a support film and a photosensitive layer formed on the support film and formed of a photosensitive resin composition, and is provided with electrical support. The film is disclosed as a photosensitive element whose surface in contact with the photosensitive layer has a surface roughness (Ra) of 200 to 4000 nm.

국제공개 제2015/163455호International Publication No. 2015/163455

최근, 프린트 배선판의 고밀도화에 대응하여, 솔더레지스트에도 작업성이나 더욱 고성능화가 요구되고 있다. 프린트 배선판의 고밀도화에 따라, 다양한 반도체 칩을 실장후에 봉지재로 반도체 칩을 봉지할 때에, 봉지재와 솔더레지스트의 접촉면이 감소되기 때문에, 솔더레지스트는 봉지 성능을 높이기 위해 보다 높은 밀착력이 요구된다. 또한 프린트 배선판을 회로 디자인에 의해 고밀도화를 행할 때, 솔더레지스트에 의해 배선을 차폐하여, 디자인의 모방을 방지하는 것도 중요해지고 있다. In recent years, in response to the increase in density of printed wiring boards, improvements in workability and higher performance have also been required for solder resists. As the density of printed wiring boards increases, when sealing semiconductor chips with an encapsulant after mounting various semiconductor chips, the contact surface between the encapsulant and the solder resist is reduced, so the solder resist is required to have higher adhesion to improve encapsulation performance. Additionally, when increasing the density of a printed wiring board through circuit design, it has become important to prevent imitation of the design by shielding the wiring with solder resist.

솔더레지스트의 밀착력을 높이기 위해서는, 특허문헌 1과 같이, 표면 요철을 갖는 지지체를 사용하고, 감광성 수지 조성물층에 그 표면 요철을 전사하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 후술하는 바와 같이, 이 방법으로는 노광시의 광 산란에 의해, 비아 형상이 찌그러지는 등의 문제가 발생하는 경우가 있었다. In order to increase the adhesion of the solder resist, it is conceivable to use a support having surface irregularities, as in Patent Document 1, and to transfer the surface irregularities to the photosensitive resin composition layer. However, as will be described later, this method sometimes causes problems such as distortion of the via shape due to light scattering during exposure.

본 발명의 과제는, 밀착성, 및 배선의 차폐성이 우수하며, 또한 비아 형상이 양호한 경화물을 형성 가능한 수지 시트; 당해 수지 시트를 사용하는 프린트 배선판의 제조 방법; 및 경화물을 제공하는 것에 있다. The object of the present invention is to provide a resin sheet capable of forming a cured product that has excellent adhesion and shielding properties for wiring and has a good via shape; A method for manufacturing a printed wiring board using the resin sheet; and providing a cured product.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 하기 구성에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 밝혀내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. As a result of intensive studies to solve the above problem, the present inventors have found that the above problem can be solved by the following structure, and have completed the present invention.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다. That is, the present invention includes the following contents.

[1] (1) 지지체와, 당해 지지체 위에 설치된, 감광성 수지 조성물을 함유하는 감광성 수지 조성물층을 갖는 수지 시트를 준비하는 공정,[1] (1) A process of preparing a resin sheet having a support and a photosensitive resin composition layer provided on the support and containing a photosensitive resin composition,

(2) 기판 위에 수지 시트를 라미네이트하는 공정,(2) a process of laminating a resin sheet on a substrate,

(3) 감광성 수지 조성물층을 노광하는 공정, 및(3) a process of exposing the photosensitive resin composition layer, and

(4) 현상에 의해 패턴 감광성 수지 조성물층을 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법으로서,(4) A method for manufacturing a printed wiring board including the step of forming a patterned photosensitive resin composition layer by development,

지지체의 헤이즈가 20% 이하이며,The haze of the support is less than 20%,

(4) 공정후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)이, 500㎚ 이상이며,(4) The absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface on the support side of the patterned photosensitive resin composition layer after the process is 500 nm or more,

감광성 수지 조성물이, 이하의 조건 (I) 또는 (II)를 충족시키는, 프린트 배선판의 제조 방법. A method for producing a printed wiring board, wherein the photosensitive resin composition satisfies the following conditions (I) or (II).

(I) 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재를 함유하고, (a) 성분의 함유량이, 감광성 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상. (I) The photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, and the content of component (a) is 60% by mass or more when the nonvolatile component of the photosensitive resin composition is 100% by mass. .

(II) 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재, (b) 에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 수지, (c) 에폭시 수지, 및 (d) 광중합 개시제를 함유. (II) The photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, (b) a resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group, (c) an epoxy resin, and (d) a photopolymerization initiator.

[2] 추가로, (5) 패턴 감광성 수지 조성물층을 경화하는 공정을 포함하는, [1]에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법. [2] The method for producing a printed wiring board according to [1], further comprising the step of (5) curing the patterned photosensitive resin composition layer.

[3] 패턴 감광성 수지 조성물층의 경화물이, 솔더레지스트인, [2]에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법. [3] The method for producing a printed wiring board according to [2], wherein the cured product of the pattern photosensitive resin composition layer is a solder resist.

[4] 감광성 수지 조성물이, 네가티브형 감광성 수지 조성물인, [1] 내지 [3] 중의 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법. [4] The method for producing a printed wiring board according to any one of [1] to [3], wherein the photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition.

[5] (3) 공정후 (4) 공정전의 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)을 A1(㎚)로 하고, (4) 공정후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)을 A2(㎚)로 한 경우, 3<A2/A1<100의 관계를 충족시키는, [1] 내지 [4] 중의 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법. [5] (3) After the process (4) Before the process The absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface on the support side of the photosensitive resin composition layer is set to A1 (nm), and (4) The pattern photosensitive resin after the process When the absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface on the support side of the composition layer is set to A2 (nm), any of [1] to [4] satisfies the relationship of 3<A2/A1<100. A method of manufacturing a printed wiring board described in one.

[6] 추가로, (6) 지지체를 박리하는 공정을 포함하는, [1] 내지 [5] 중의 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법. [6] The method for manufacturing a printed wiring board according to any one of [1] to [5], further comprising the step of (6) peeling off the support.

[7] (6) 공정은, (2) 공정후 (3) 공정전에 행하는, [6]에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법. [7] The method for manufacturing a printed wiring board according to [6], wherein step (6) is performed after step (2) and before step (3).

[8] 지지체와, 당해 지지체 위에 설치된, 감광성 수지 조성물을 함유하는 감광성 수지 조성물층을 갖는 수지 시트로서,[8] A resin sheet having a support and a photosensitive resin composition layer provided on the support and containing a photosensitive resin composition,

지지체의 헤이즈가 20% 이하이며,The haze of the support is less than 20%,

현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)이, 500㎚ 이상이며,The absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface on the support side of the patterned photosensitive resin composition layer after development is 500 nm or more,

감광성 수지 조성물이, 이하의 조건 (I) 또는 (II)를 충족시키는, 수지 시트. A resin sheet in which the photosensitive resin composition satisfies the following conditions (I) or (II).

(I) 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재를 함유하고, (a) 성분의 함유량이, 감광성 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상. (I) The photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, and the content of component (a) is 60% by mass or more when the nonvolatile component of the photosensitive resin composition is 100% by mass. .

(II) 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재, (b) 에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 수지, (c) 에폭시 수지, 및 (d) 광중합 개시제를 함유. (II) The photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, (b) a resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group, (c) an epoxy resin, and (d) a photopolymerization initiator.

[9] (b) 성분이, 유리 전이 온도가 -20℃ 이하인 (메트)아크릴 중합체를 함유하는, [8]에 기재된 수지 시트. [9] The resin sheet according to [8], wherein the component (b) contains a (meth)acrylic polymer with a glass transition temperature of -20°C or lower.

[10] 감광성 수지 조성물층이, 솔더레지스트 형성용인, [8] 또는 [9]에 기재된 수지 시트. [10] The resin sheet according to [8] or [9], wherein the photosensitive resin composition layer is for forming a solder resist.

[11] 노광후 현상전의 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)을 A1(㎚)로 하고, 현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)을 A2(㎚)로 한 경우, 3<A2/A1<100의 관계를 충족시키는, [8] 내지 [10] 중의 어느 하나에 기재된 수지 시트. [11] The absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the support side surface of the photosensitive resin composition layer after exposure and before development is set to A1 (㎚), and the maximum valley depth of the support side surface of the patterned photosensitive resin composition layer after development is set to The resin sheet according to any one of [8] to [10], which satisfies the relationship of 3<A2/A1<100 when the absolute value (│Rv│) of the valley depth is set to A2 (nm).

[12] [8] 내지 [11] 중의 어느 하나에 기재된 수지 시트의 감광성 수지 조성물층을 경화시킨 경화물. [12] A cured product obtained by curing the photosensitive resin composition layer of the resin sheet according to any one of [8] to [11].

본 발명에 의하면, 밀착성, 및 배선의 차폐성이 우수하며, 또한 비아 형상이 양호한 경화물을 형성 가능한 수지 시트; 당해 수지 시트를 사용하는 프린트 배선판의 제조 방법; 및 경화물을 제공할 수 있다. According to the present invention, a resin sheet capable of forming a cured product that has excellent adhesion and shielding properties for wiring and has a good via shape; A method for manufacturing a printed wiring board using the resin sheet; And a cured product can be provided.

도 1은 본 발명의 수지 시트의 일례를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 수지 시트를 기판 위에 라미네이트하고, 노광했을 때의 모습의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명의 수지 시트를 사용하여 현상했을 때의 모습의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 4는 종래의 수지 시트를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 5는 종래의 수지 시트를 기판 위에 라미네이트하고, 노광했을 때의 모습을 도시하는 개략 단면도이다.
도 6은 종래의 수지 시트를 사용하여 현상했을 때의 모습을 도시하는 개략 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of the resin sheet of the present invention.
Figure 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the resin sheet of the present invention when laminated on a substrate and exposed to light.
Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of the resin sheet of the present invention when developed.
Figure 4 is a schematic cross-sectional view for explaining a conventional resin sheet.
Fig. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state when a conventional resin sheet is laminated on a substrate and exposed to light.
Figure 6 is a schematic cross-sectional view showing a state when developed using a conventional resin sheet.

도 4에 도시하는 바와 같이, 종래의 수지 시트(11)는, 지지체(111)와, 당해 지지체(111) 위에 설치된 감광성 수지 조성물층(112)을 가진다. 지지체(111)의 감광성 수지 조성물층(112)측의 면(111a)은, 표면 요철을 가지고 있으며, 그 면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 통상 200 내지 4000㎚이며, 지지체(111)의 헤이즈는 통상 60% 이상이다. 감광성 수지 조성물층(112)의 지지체(111)측의 면(112a)은, 상기의 면(111a)의 표면 요철이 전사되어 있으며, 당해 면(112a)의 산술 평균 거칠기(Ra)는 면(111a)과 같은 산술 평균 거칠기(Ra)를 가진다. As shown in FIG. 4, the conventional resin sheet 11 has a support body 111 and a photosensitive resin composition layer 112 provided on the support body 111. The surface 111a of the support 111 on the photosensitive resin composition layer 112 side has surface irregularities, and the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface is usually 200 to 4000 nm, and the haze of the support 111 is is usually more than 60%. The surface 112a of the photosensitive resin composition layer 112 on the support 111 side has the surface irregularities of the surface 111a transferred, and the arithmetic average roughness Ra of the surface 112a is the surface 111a. ) has the same arithmetic average roughness (Ra).

종래의 수지 시트(11)를 사용하여 프린트 배선판을 제조할 때에, 우선, 도 5에 도시하는 바와 같이, 종래의 수지 시트(11)를 기판(113) 위에 라미네이트한다. 라미네이트 후, 마스크 패턴(도시하지 않음)을 통해 감광성 수지 조성물층(112)의 소정 부분에 활성 광선(hν)을 조사하고, 감광성 수지 조성물층(112)의 조사부를 광 경화시키는, 즉 감광성 수지 조성물층(112)의 노광을 행한다. 감광성 수지 조성물층(112)의 노광후, 도 6에 도시하는 바와 같이, 지지체(111)를 박리한 후에 현상을 행한다. 그 후, 현상한 감광성 수지 조성물층(112b)을 경화시키고, 그 위에 도시하지 않는 도체층을 형성한다. 현상한 감광성 수지 조성물층(112b)의 기판(113)의 면과는 반대측의 면(112c)은, 지지체(111)에 기인한 표면 요철을 갖기 때문에, 도시하지 않는 도체층과의 밀착성이 향상된다. When manufacturing a printed wiring board using the conventional resin sheet 11, first, the conventional resin sheet 11 is laminated on the substrate 113, as shown in FIG. 5. After lamination, actinic light (hν) is irradiated to a predetermined portion of the photosensitive resin composition layer 112 through a mask pattern (not shown), and the irradiated portion of the photosensitive resin composition layer 112 is photocured, that is, the photosensitive resin composition. The layer 112 is exposed. After exposure of the photosensitive resin composition layer 112, as shown in FIG. 6, the support 111 is peeled off and development is performed. Thereafter, the developed photosensitive resin composition layer 112b is cured, and a conductor layer (not shown) is formed thereon. Since the surface 112c of the developed photosensitive resin composition layer 112b opposite to the surface of the substrate 113 has surface irregularities due to the support 111, adhesion to the conductor layer (not shown) is improved. .

본 발명자들은, 전술한 바와 같이 종래의 수지 시트(11)를 사용하여 노광을 행할 때, 면(111a), 및 면(112a)의 표면 요철에 의해 활성 광선(hν)이 산란되고, 그 결과, 비아 형상이 찌그러지는 것을 밝혀내었다. The present inventors have found that when performing exposure using the conventional resin sheet 11 as described above, the actinic light hν is scattered by the surface irregularities of the surface 111a and the surface 112a, and as a result, It was found that the via shape was distorted.

이것에 대해, 본 발명에 있어서는, 지지체와, 당해 지지체 위에 설치된, 감광성 수지 조성물을 함유하는 감광성 수지 조성물층을 갖는 수지 시트로서, 하기의 조건 (A) 및 (B)를 충족시키는 수지 시트를 사용하여 프린트 배선판을 제조한다. In contrast, in the present invention, a resin sheet that satisfies the following conditions (A) and (B) is used as a resin sheet having a support and a photosensitive resin composition layer provided on the support and containing the photosensitive resin composition. This produces a printed wiring board.

(A) 지지체의 헤이즈가 20% 이하.(A) The haze of the support is 20% or less.

(B) 현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)이, 500㎚ 이상. (B) The absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface on the support side of the patterned photosensitive resin composition layer after development is 500 nm or more.

본 발명자는, 프린트 배선판의 제조시에, 상기 특정한 조건 (A) 및 (B)를 충족시키는 수지 시트를 사용하여 절연층을 형성함으로써, 밀착성, 및 배선의 차폐성이 우수하며, 또한, 양호한 비아 형상을 갖는 비아홀을 형성할 수 있는데 이르렀다. 또한, 감광성 수지 조성물층의「지지체측의 면」이란, 지지체의 박리후에 있어서는, 감광성 수지 조성물층의 지지체에 대향하고 있던 면을 나타내고, 통상적으로는, 수지 시트와 라미네이트된 기판과는 반대측의 감광성 수지 조성물층의 면을 나타낸다. The present inventor, when manufacturing a printed wiring board, forms an insulating layer using a resin sheet that satisfies the above-mentioned specific conditions (A) and (B), thereby achieving excellent adhesion and shielding of wiring, and also providing a good via shape. It is possible to form a via hole with . In addition, the "surface on the support side" of the photosensitive resin composition layer refers to the surface of the photosensitive resin composition layer that faces the support after peeling of the support, and usually, the photosensitive surface on the opposite side from the substrate laminated with the resin sheet is used. The surface of the resin composition layer is shown.

<조건 (A)><Condition (A)>

조건 (A)는, 지지체의 헤이즈가 20% 이하인 것에 관한 것이다. 본 발명자는 노광 현상에 의해 절연층을 형성할 때, 지지체의 헤이즈가, 밀착성, 배선의 차폐성, 및 비아 형상에 크게 영향을 주는 것을 밝혀내었다. Condition (A) relates to the haze of the support being 20% or less. The present inventor found that when forming an insulating layer by exposure phenomenon, the haze of the support greatly affects the adhesion, the shielding properties of the wiring, and the via shape.

도 1에 일례를 도시하는 바와 같이, 본 발명의 수지 시트(10)는, 지지체(101)와, 당해 지지체(101) 위에 설치된, 감광성 수지 조성물을 함유하는 감광성 수지 조성물층(102)을 가지며, 지지체(101)의 헤이즈는 20% 이하이다. 헤이즈는, 통상, 지지체의 감광성 수지 조성물층(102)측의 면(101a)의 산술 평균 거칠기(Ra)와 상관성이 있으며, 헤이즈의 값을 낮게 하면 산술 평균 거칠기(Ra)의 값은 낮아진다. 지지체(101)의 헤이즈는 20% 이하이기 때문에, 종래의 수지 시트(11)에 있어서의 면(111a)과는 상이하며, 지지체의 감광성 수지 조성물층(102)측의 면(101a)의 표면 요철은 작고 평활면이다. 감광성 수지 조성물층(102)의 지지체(101)측의 면(102a)은, 면(101a)의 표면 요철이 전사되어 있기 때문에, 당해 면(102a)의 표면 형상도 면(101a)과 같이 표면 요철이 작고 평활면이다. As an example is shown in Figure 1, the resin sheet 10 of the present invention has a support body 101 and a photosensitive resin composition layer 102 containing a photosensitive resin composition provided on the support body 101, The haze of the support 101 is 20% or less. The haze is usually correlated with the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface 101a on the photosensitive resin composition layer 102 side of the support. When the haze value is lowered, the arithmetic mean roughness (Ra) value is lowered. Since the haze of the support 101 is 20% or less, it is different from the surface 111a of the conventional resin sheet 11, and the surface irregularities of the surface 101a on the photosensitive resin composition layer 102 side of the support are different. is small and has a smooth surface. Since the surface 102a of the photosensitive resin composition layer 102 on the support 101 side has the surface irregularities of the surface 101a transferred, the surface shape of the surface 102a is also irregular like that of the surface 101a. This is a small, smooth surface.

수지 시트(10)를 사용하여 프린트 배선판을 제조할 때에, 도 2에 일례를 도시하는 바와 같이, 수지 시트(10)를 기판(103) 위에 라미네이트한다. 라미네이트후, 노광을 행한다. 노광의 일 실시형태는, 마스크 패턴(도시하지 않음)을 통해 감광성 수지 조성물층(102)의 소정 부분에 활성 광선(hν)을 조사하고, 감광성 수지 조성물층(102)의 조사부를 광 경화시킨다. 면(101a) 및 면(102a)의 표면 요철은 모두 작으며, 평활면이기 때문에, 노광시에 활성 광선(hν)을 조사할 때, 활성 광선(hν)의 산란을 억제하는 것이 가능해진다. 그 결과, 비아 형상이 찌그러지는 것이 억제되고, 또한, 활성 광선(hν)의 산란을 억제할 수 있기 때문에 현상성을 향상시킬 수 있다. 또한, 지지체(101)를 박리한 후 노광을 행하는 경우라도, 면(102a)의 표면 요철은 면(101a)과 같이 작고 평활면이기 때문에, 지지체(101)를 박리하지 않고 노광을 행하는 경우와 같은 효과를 나타낼 수 있다. When manufacturing a printed wiring board using the resin sheet 10, the resin sheet 10 is laminated on the substrate 103, as an example is shown in FIG. 2. After lamination, exposure is performed. In one embodiment of exposure, actinic light (hν) is irradiated to a predetermined portion of the photosensitive resin composition layer 102 through a mask pattern (not shown), and the irradiated portion of the photosensitive resin composition layer 102 is photocured. The surface irregularities of the surface 101a and the surface 102a are both small, and since they are smooth surfaces, scattering of the actinic light hν can be suppressed when the actinic light hν is irradiated during exposure. As a result, distortion of the via shape is suppressed, and scattering of actinic light (hν) can be suppressed, thereby improving developability. Furthermore, even in the case where exposure is performed after peeling off the support 101, the surface irregularities of the surface 102a are small and smooth like the surface 101a, so it is the same as when exposure is performed without peeling off the support 101. It can show an effect.

지지체(101)의 헤이즈는, 비아 형상 및 현상성을 향상시키는 관점에서, 20% 이하이며, 바람직하게는 15% 이하, 보다 바람직하게는 10%이다. 하한은 예를 들면 0.1% 이상 등으로 할 수 있다. 지지체(101)의 헤이즈는, 예를 들면 스가시켄키사 제조의 헤이즈 미터(HZ-V3)를 사용하여 측정할 수 있다. The haze of the support 101 is 20% or less, preferably 15% or less, and more preferably 10% from the viewpoint of improving via shape and developability. The lower limit can be, for example, 0.1% or more. The haze of the support 101 can be measured using, for example, a haze meter (HZ-V3) manufactured by Suga Shikenki Co., Ltd.

지지체(101)의 면(101a)의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)은, 비아 형상 및 현상성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 500㎚ 미만, 보다 바람직하게는 400㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 300㎚ 이하이다. 하한은 예를 들면 0.1㎚ 이상 등으로 할 수 있다. 지지체의 최대 계곡 깊이의 절대값은, 예를 들면, 브루커에이엑스에스사 제조의 백색광 간섭형 현미경(Contoure GT-X 시리즈)을 사용하여 측정할 수 있다. The absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface 101a of the support 101 is preferably less than 500 nm, more preferably 400 nm or less, from the viewpoint of improving the via shape and developability. Preferably it is 300 nm or less. The lower limit can be, for example, 0.1 nm or more. The absolute value of the maximum valley depth of the support can be measured using, for example, a white light interference microscope (Contoure GT-X series) manufactured by Bruker AXS.

지지체(101)의 면(101a)의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 비아 형상 및 현상성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 150㎚ 미만, 보다 바람직하게는 100㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎚ 이하, 40㎚ 이하, 30㎚ 이하, 20㎚ 이하이다. 하한은 예를 들면 0.1㎚ 이상 등으로 할 수 있다. 산술 평균 거칠기(Ra)는, 예를 들면 AXS사 제조의 비접촉형 간섭 현미경(WYKO Bruker)을 사용하여 측정할 수 있다. The arithmetic mean roughness (Ra) of the surface 101a of the support 101 is preferably less than 150 nm, more preferably 100 nm or less, and still more preferably 50 nm, from the viewpoint of improving the via shape and developability. Hereinafter, it is 40 nm or less, 30 nm or less, and 20 nm or less. The lower limit can be, for example, 0.1 nm or more. Arithmetic average roughness (Ra) can be measured using, for example, a non-contact interference microscope (WYKO Bruker) manufactured by AXS.

지지체로서는, 수지 필름이 바람직하며, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리비닐알코올 필름, 트리아세틸아세테이트 필름 등을 들 수 있으며, 특히 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 바람직하다. As the support, a resin film is preferable, and examples include polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, polypropylene film, polyethylene film, polyvinyl alcohol film, triacetyl acetate film, etc., especially polyethylene terephthalate film. This is desirable.

시판 지지체로서는, 예를 들면, 오우시세이시사 제조의 제품명「알팬MA-410」,「E-200C」, 신에츠필름사 제조 등의 폴리프로필렌 필름; 유니치카사 제조의 제품명「S-25」, 테이진사 제조의 제품명「PS-25」등의 PS 시리즈 등의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름; 등을 들 수 있다. Commercially available supports include, for example, polypropylene films such as product names "AlpanMA-410" and "E-200C" manufactured by Oshi Seishi Corporation and manufactured by Shin-Etsu Film Corporation; Polyethylene terephthalate films such as the PS series, such as product name "S-25" manufactured by Unitika Corporation and "PS-25" manufactured by Teijin Corporation; etc. can be mentioned.

이들 지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 측의 표면에 매트 처리, 코로나 처리가 가해져 있어도 좋다. 또한, 지지체로서는, 감광성 수지 조성물층과 접합하는 측의 표면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제의 시판품으로서는, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제인, 린텍사 제조의「SK-1」,「AL-5」,「AL-7」등을 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는, 이형제를 지지체 위에 도포함으로써 형성해도 좋다. These supports may be subjected to mat treatment or corona treatment on the surface on the side bonded to the resin composition layer. Additionally, as the support, you may use a support with a release layer that has a release layer on the surface of the photosensitive resin composition layer and the side bonded to it. Examples of the release agent used in the release layer of the support with a release layer include one or more types of release agents selected from the group consisting of alkyd resins, olefin resins, urethane resins, and silicone resins. Examples of commercially available release agents include "SK-1", "AL-5", and "AL-7" manufactured by Lintec, which are alkyd resin-based release agents. The support with a release layer may be formed by applying a release agent onto the support.

지지체의 두께는, 5㎛ 내지 50㎛의 범위인 것이 바람직하며, 10㎛ 내지 25㎛의 범위인 것이 보다 바람직하다. 두께를 5㎛ 이상으로 함으로써, 지지체를 박리할 때에 지지체가 깨지는 것을 억제할 수 있으며, 두께를 50㎛ 이하로 함으로써, 지지체 위에서부터 노광할 때의 해상도를 향상시킬 수 있다. 또한, 낮은 피쉬아이의 지지체가 바람직하다. 여기서 피쉬아이란, 재료를 열용융하고, 혼련, 압출, 2축 연신, 캐스팅법 등에 의해 필름을 제조할 때에, 재료의 이물, 미용해물, 산화 열화물 등의 필름 중에 들어간 것이다. The thickness of the support is preferably in the range of 5 μm to 50 μm, and more preferably in the range of 10 μm to 25 μm. By setting the thickness to 5 μm or more, cracking of the support can be suppressed when peeling off the support, and by setting the thickness to 50 μm or less, resolution when exposing from above the support can be improved. Additionally, a low fisheye support is preferred. Here, the fish eye refers to foreign substances, undissolved substances, oxidation-deteriorated substances, etc. of the material that enter the film when the material is heat-melted and the film is manufactured by kneading, extrusion, biaxial stretching, casting, etc.

전술한 바와 같이, 감광성 수지 조성물층(102)의 면(102a)은, 지지체(101)의 면(101a)의 표면 요철이 전사되어 있기 때문에, 면(101a)의 표면과 같이 표면 요철은 작고, 평활면이다. As described above, since the surface irregularities of the surface 101a of the support 101 are transferred to the surface 102a of the photosensitive resin composition layer 102, the surface irregularities are small like the surface of the surface 101a, It is a smooth surface.

노광후 현상전(후술하는 (3) 공정후 (4) 공정전)의 감광성 수지 조성물층(102)의 면(102a)의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)은, 현상성을 향상시키고, 양호한 비아 형상으로 하는 관점에서, 바람직하게는 500㎚ 미만, 보다 바람직하게는 400㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 300㎚ 이하이다. 하한은 예를 들면 1㎚ 이상 등으로 할 수 있다. 최대 계곡 깊이는, 예를 들면, 브루커에이엑스에스사 제조의 백색광 간섭형 현미경(Contoure GT-X 시리즈)을 사용하여 측정할 수 있다. 또한, 이 최대 계곡 깊이의 절대값은, 감광성 수지 조성물이 네가티브형 감광성 수지 조성물인 경우, 활성 광선의 조사부의 감광성 수지 조성물층의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값이며, 감광성 수지 조성물이 포지티브형 감광성 수지 조성물인 경우, 활성 광선의 미조사부의 감광성 수지 조성물층의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값이다. The absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface 102a of the photosensitive resin composition layer 102 after exposure and before development (after the (3) process and before the (4) process described later) improves the developability and , from the viewpoint of forming a good via shape, it is preferably less than 500 nm, more preferably 400 nm or less, and even more preferably 300 nm or less. The lower limit can be, for example, 1 nm or more. The maximum valley depth can be measured using, for example, a white light interference microscope (Contoure GT-X series) manufactured by Bruker AXS. In addition, the absolute value of this maximum valley depth is the absolute value of the maximum valley depth of the surface of the photosensitive resin composition layer in the irradiated portion of actinic light when the photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition, and when the photosensitive resin composition is a positive type photosensitive resin composition In the case of a resin composition, it is the absolute value of the maximum valley depth of the surface of the photosensitive resin composition layer in the unirradiated area of actinic light.

노광후 현상전(후술하는 (3) 공정후 (4) 공정전)의 감광성 수지 조성물층(102)의 면(102a)의 산술 평균 거칠기(Ra)로서는, 현상성을 향상시키고, 양호한 비아 형상으로 하는 관점에서, 바람직하게는 100㎚ 이하, 보다 바람직하게는 80㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎚ 이하이다. 하한은 예를 들면 1㎚ 이상 등으로 할 수 있다. 산술 평균 거칠기(Ra)는, 예를 들면, AXS사 제조의 비접촉형 간섭 현미경(WYKO Bruker)을 사용하여 측정할 수 있다. 또한, 이 산술 평균 거칠기(Ra)는, 감광성 수지 조성물이 네가티브형 감광성 수지 조성물인 경우, 활성 광선의 조사부의 감광성 수지 조성물층의 면의 산술 평균 거칠기이며, 감광성 수지 조성물이 포지티브형 감광성 수지 조성물인 경우, 활성 광선의 미조사부의 감광성 수지 조성물층의 면의 산술 평균 거칠기이다. The arithmetic average roughness (Ra) of the surface 102a of the photosensitive resin composition layer 102 after exposure and before development (after the (3) process and before the (4) process described later) shows that the developability is improved and a good via shape is obtained. From this point of view, it is preferably 100 nm or less, more preferably 80 nm or less, and even more preferably 50 nm or less. The lower limit can be, for example, 1 nm or more. Arithmetic average roughness (Ra) can be measured, for example, using a non-contact interference microscope (WYKO Bruker) manufactured by AXS. In addition, this arithmetic average roughness (Ra) is the arithmetic average roughness of the surface of the photosensitive resin composition layer in the irradiated portion of actinic light when the photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition, and when the photosensitive resin composition is a positive type photosensitive resin composition. In this case, it is the arithmetic average roughness of the surface of the photosensitive resin composition layer in the unirradiated area of actinic light.

노광의 조건은, 종래의 노광의 조건에 의해 행해져도 좋고, 예를 들면, 후술하는 실시예에 기재한 바와 같이, 구체적으로는, 10mJ/㎠ 이상 1000mJ/㎠ 이하의 자외선을 조사하는 방법이다. Exposure conditions may be performed according to conventional exposure conditions, and, for example, as described in the Examples described later, specifically, a method of irradiating ultraviolet rays of 10 mJ/cm 2 or more and 1000 mJ/cm 2 or less is used.

<조건 (B)><Condition (B)>

조건 (B)는, 현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)이 500㎚ 이상인 것에 관한 것이다. 본 발명자는, 노광 및 현상을 행함으로써 절연층을 형성할 때, 현상후((4) 공정을 행한 후)의 패턴 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)이, 밀착성, 및 배선의 차폐성에 크게 영향을 주는 것을 밝혀내었다. 여기서, 현상의 조건은 종래의 현상의 조건에 의해 행해져도 좋고, 예를 들면, 후술하는 실시예에 기재한 바와 같으며, 구체적으로는, 30℃의 1질량% 탄산나트륨 수용액을 스프레이압 0.2MPa로 2분간 분무하는 스프레이 현상이다. Condition (B) relates to the absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface on the support side of the patterned photosensitive resin composition layer after development being 500 nm or more. The present inventor found that when forming an insulating layer by performing exposure and development, the absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface on the support side of the patterned photosensitive resin composition layer after development (after performing step (4)) ) was found to have a significant impact on the adhesion and shielding properties of the wiring. Here, the conditions of development may be performed according to the conditions of conventional development, for example, as described in the examples described later, and specifically, a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution at 30° C. is sprayed at a spray pressure of 0.2 MPa. It is a spray phenomenon that sprays for 2 minutes.

패턴 감광성 수지 조성물층이란, 감광성 수지 조성물층을 노광, 현상함으로써 패턴이 형성된 감광성 수지 조성물층을 말한다. The patterned photosensitive resin composition layer refers to a photosensitive resin composition layer in which a pattern is formed by exposing and developing the photosensitive resin composition layer.

도 3에 일례를 도시하는 바와 같이, 노광후 감광성 수지 조성물층(102)의 현상을 행한다. 현상의 일 실시형태는, 현상액을 사용하여, 감광성 수지 조성물층(102)의 미노광부를 제거하고, 현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층(102b)을 형성한다. 감광성 수지 조성물층(102)의 현상을 행하기 전의 지지체측의 면(기판(103)측의 면과는 반대측의 면)(102a)은, 표면 요철이 전술한 바와 같이 작고 평활면이지만, 현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층(102b)은, 현상에서 사용하는 현상액에 의해 감광성 수지 조성물의 표면 근방의 일부가 제거되어, 패턴 감광성 수지 조성물층(102b)의 지지체(101)측의 면(102c)의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)이 500㎚ 이상이 된다. 면(102c)은 소정의 최대 계곡 깊이를 갖기 때문에, 도시하지 않는 도체층과의 밀착성이 앵커 효과에 의해 향상된다. As an example is shown in FIG. 3, the photosensitive resin composition layer 102 is developed after exposure. In one embodiment of development, a developing solution is used to remove unexposed portions of the photosensitive resin composition layer 102 and form a patterned photosensitive resin composition layer 102b after development. The surface 102a on the support side (the surface on the opposite side to the surface on the substrate 103 side) before development of the photosensitive resin composition layer 102 is a smooth surface with small surface irregularities as described above, but after development, A part of the patterned photosensitive resin composition layer 102b near the surface of the photosensitive resin composition is removed by the developer used in development, so that the maximum surface 102c of the patterned photosensitive resin composition layer 102b on the support 101 side is removed. The absolute value (│Rv│) of the valley depth is 500㎚ or more. Since the surface 102c has a predetermined maximum valley depth, adhesion to a conductor layer (not shown) is improved by the anchor effect.

현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층(102b)의 지지체(101)측의 면(102c)의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)으로서는, 밀착성 및 배선의 차폐성을 향상시키는 관점에서, 500㎚ 이상이며, 바람직하게는 1000㎚ 이상, 보다 바람직하게는 1500㎚ 이상이며, 상한은 예를 들면 10000㎚ 이하 등으로 할 수 있다. 특히 최대 계곡 깊이(Rv)는, 산술 평균 거칠기(Ra)와는 달리 패턴 감광성 수지 조성물층의 표면의 밀착성 및 배선의 차폐성의 효과를 고려하기 위한 보다 바람직한 지표로 생각된다. The absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface 102c on the support 101 side of the patterned photosensitive resin composition layer 102b after development is 500 nm or more from the viewpoint of improving adhesion and shielding of wiring. , Preferably it is 1000 nm or more, more preferably 1500 nm or more, and the upper limit can be, for example, 10000 nm or less. In particular, the maximum valley depth (Rv), unlike the arithmetic mean roughness (Ra), is considered a more desirable index for considering the effects of surface adhesion of the patterned photosensitive resin composition layer and shielding of wiring.

현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층(102b)의 지지체(101)측의 면(102c)의 산술 평균 거칠기(Ra)로서는, 밀착성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 10㎚ 이상, 보다 바람직하게는 30㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 50㎚ 이상이다. 상한은 예를 들면 1000㎚ 이하 등으로 할 수 있다. The arithmetic mean roughness (Ra) of the surface 102c of the patterned photosensitive resin composition layer 102b after development on the support 101 side is preferably 10 nm or more, more preferably 30 nm, from the viewpoint of improving adhesion. or more, more preferably 50 nm or more. The upper limit can be, for example, 1000 nm or less.

노광후 현상전((3) 공정후 (4) 공정전)의 감광성 수지 조성물층(102)의 면(102a)의 최대 계곡 깊이의 절대값을 A1로 하고, 현상후((4) 공정후)의 패턴 감광성 수지 조성물층(102b)의 지지체(101)측의 면(102c)의 최대 계곡 깊이의 절대값을 A2로 했을 때, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, A2/A1은, 바람직하게는 3을 초과하고, 보다 바람직하게는 5 이상, 더욱 바람직하게는 10 이상이며, 바람직하게는 100 미만, 보다 바람직하게는 70 이하, 더욱 바람직하게는 40 이하이다. The absolute value of the maximum valley depth of the surface 102a of the photosensitive resin composition layer 102 after exposure and before development (after (3) process and (4) before process) is set to A1, and after development (after (4) process) When the absolute value of the maximum valley depth of the surface 102c of the pattern photosensitive resin composition layer 102b on the support 101 side is A2, from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention, A2/A1 is preferable. Preferably it exceeds 3, more preferably 5 or more, still more preferably 10 or more, preferably less than 100, more preferably 70 or less, even more preferably 40 or less.

수지 시트(10)는, 현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층(102b)의 지지체(101)측의 면(102c)의 최대 계곡 깊이의 절대값이 상기 범위를 충족시키는 것이 요구된다. 이로 인해, 감광성 수지 조성물층(102)을 형성하는 감광성 수지 조성물은, 현상((4) 공정)에서 사용하는 현상액에 의해, 감광성 수지 조성물에 함유되는 성분의 일부가 제거되는 것이 요구된다. 이러한 감광성 수지 조성물로서는, 하기 조건 (I) 또는 (II)를 충족시키는 것을 사용할 수 있다. The resin sheet 10 is required to have an absolute value of the maximum valley depth of the surface 102c on the support 101 side of the patterned photosensitive resin composition layer 102b after development that satisfies the above range. For this reason, the photosensitive resin composition forming the photosensitive resin composition layer 102 is required to have some of the components contained in the photosensitive resin composition removed by the developer used in development (step (4)). As such a photosensitive resin composition, one that satisfies the following conditions (I) or (II) can be used.

(I) 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재를 함유하고, 당해 무기 충전재의 함유량이, 감광성 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상. (I) The photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, and the content of the inorganic filler is 60% by mass or more when the nonvolatile component of the photosensitive resin composition is 100% by mass.

(II) 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재, (b) 에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 수지, (c) 에폭시 수지, 및 (d) 광중합 개시제를 함유. (II) The photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, (b) a resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group, (c) an epoxy resin, and (d) a photopolymerization initiator.

-조건 (I)--Condition (I)-

조건 (I)은, 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재를 함유하고, 당해 무기 충전재의 함유량이, 감광성 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상이다. 무기 충전재의 평균 입자 직경이 0.5㎛ 이상이면, 현상액에 의해 무기 충전재의 일부가 제거되기 쉬워져, 감광성 수지 조성물층의 표면의 최대 계곡 깊이의 절대값을 크게 할 수 있다. 또한, 이 무기 충전재의 함유량을, 감광성 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상으로 함으로써, 현상후의 면(102c) 전체에 균일하게 표면 요철을 형성하는 것이 가능해진다. 그 결과, 현상후의 면(102c) 전체의 최대 계곡 깊이의 절대값을 500㎚ 이상으로 하는 것이 가능해진다. Condition (I) is that the photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, and the content of the inorganic filler is 60% by mass when the nonvolatile component of the photosensitive resin composition is 100% by mass. It is more than %. If the average particle diameter of the inorganic filler is 0.5 μm or more, a part of the inorganic filler is easily removed by the developer, and the absolute value of the maximum valley depth on the surface of the photosensitive resin composition layer can be increased. Additionally, by setting the content of this inorganic filler to 60% by mass or more when the non-volatile component of the photosensitive resin composition is 100% by mass, it becomes possible to form surface irregularities uniformly on the entire surface 102c after development. As a result, it becomes possible to set the absolute value of the maximum valley depth of the entire surface 102c after development to 500 nm or more.

조건 (I)을 충족시키는 감광성 수지 조성물은, (a) 성분에 더하여 추가로 임의의 성분을 함유하고 있어도 좋다. 임의의 성분으로서는, 예를 들면, 조건 (II)의 필수 성분이다, (b) 에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 수지, (c) 에폭시 수지, (d) 광중합 개시제를 함유할 수 있다. 또한, 추가로 임의의 성분으로서는, 조건 (II)의 임의의 성분이다. (e) 반응 희석제, (f) 반응성 희석제, (g) 유기 용제, 및 (h) 기타 첨가제를 함유할 수 있다. 이들 각 성분에 관해서는 후술한다. The photosensitive resin composition that satisfies condition (I) may further contain an arbitrary component in addition to component (a). Optional components may include, for example, the essential components of condition (II), (b) a resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group, (c) an epoxy resin, and (d) a photopolymerization initiator. Additionally, the optional components include the optional components of condition (II). It may contain (e) a reactive diluent, (f) a reactive diluent, (g) an organic solvent, and (h) other additives. Each of these components will be described later.

((a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재)((a) Inorganic filler with an average particle diameter of 0.5㎛ or more)

무기 충전재의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 활석, 점토, 운모 분말, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 및 인산텅스텐산지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카가 특히 적합하다. 또한 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. 무기 충전재는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. The material of the inorganic filler is not particularly limited, but examples include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, Aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate. , barium zirconate titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Among these, silica is particularly suitable. Additionally, spherical silica is preferred as the silica. One type of inorganic filler may be used alone, or two or more types may be used in combination.

무기 충전재의 평균 입자 직경은, 현상성이 우수하며, 평균 선열 팽찰율이 낮은 경화물을 얻는 관점에서, 0.5㎛ 이상이며, 바람직하게는 0.8㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상이다. 당해 평균 입자 직경의 상한은, 우수한 해상성을 얻는 관점에서, 2.5㎛ 이하이며, 바람직하게는 2㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1.5㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1.3㎛ 이하이다. 이러한 평균 입자 직경을 갖는 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면, 아도마텍스사 제조「SC2050」,「SC4050」,「아도마파인」, 덴키가가쿠고교사 제조「SFP 시리즈」, 신닛테츠스미킨마테리알즈사 제조「SP(H) 시리즈」, 사카이가가쿠고교사 제조「Sciqas 시리즈」, 니혼쇼쿠바이사 제조「씨포스터 시리즈」, 신닛테츠스미킨마테리알즈사 제조의「AZ 시리즈」,「AX 시리즈」, 사카이가가쿠고교사 제조의「B 시리즈」,「BF 시리즈」등을 들 수 있다. The average particle diameter of the inorganic filler is 0.5 μm or more, preferably 0.8 μm or more, and more preferably 1 μm or more from the viewpoint of obtaining a cured product that is excellent in developability and has a low average linear thermal swelling ratio. The upper limit of the average particle diameter is 2.5 μm or less, preferably 2 μm or less, more preferably 1.5 μm or less, and further preferably 1.3 μm or less from the viewpoint of obtaining excellent resolution. Commercially available inorganic fillers having such an average particle diameter include, for example, "SC2050", "SC4050", and "Adoma Fine" manufactured by Adomatex Corporation, "SFP Series" manufactured by Denki Chemical, and Shin-Niptetsu Sumikin. “SP(H) Series” manufactured by Materials, “Sciqas Series” manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd., “Sea Poster Series” manufactured by Nippon Shokubai, “AZ Series” and “AX” manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd. series”, “B series” and “BF series” manufactured by Sakai Chemical Industries, etc.

무기 충전재의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자 평균 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재를 초음파에 의해 수중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 호리바세사쿠쇼사 제조「LA-500」, 시마즈세사쿠쇼사 제조「SALD-2200」등을 사용할 수 있다. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle average distribution of the inorganic filler can be created on a volume basis using a laser diffraction scattering type particle diameter distribution measuring device, and the median diameter can be measured as the average particle diameter. The measurement sample can preferably be one in which an inorganic filler is dispersed in water by ultrasonic waves. As a laser diffraction scattering type particle diameter distribution measuring device, "LA-500" manufactured by Horiba Chemical Industries, Ltd., "SALD-2200" manufactured by Shimadzu Chemical Company, etc. can be used.

무기 충전재의 비표면적은, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 2㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 5㎡/g 이상이다. 상한에 특별한 제한은 없지만, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 무기 충전재의 비표면적은, BET법에 의해 측정할 수 있다. The specific surface area of the inorganic filler is preferably 1 m2/g or more, more preferably 2 m2/g or more, and particularly preferably 5 m2/g or more from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention. There is no particular limitation on the upper limit, but it is preferably 60 m2/g or less, 50 m2/g or less, or 40 m2/g or less. The specific surface area of the inorganic filler can be measured by the BET method.

무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란 커플링제, 알콕시실란 화합물, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. The inorganic filler is preferably surface treated with a surface treatment agent from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. Examples of surface treatment agents include aminosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, silane coupling agents, alkoxysilane compounds, organosilazane compounds, and titanate coupling agents. .

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM22」(디메틸디메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM5783」(N-페닐-3-아미노옥틸트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠가가쿠고교사 제조「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란커플링제) 등을 들 수 있다. 표면 처리제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. Commercially available surface treatment agents include, for example, “KBM22” (dimethyldimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical. “KBM803” (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, “KBM903” (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, “KBM573” (N) manufactured by Shin-Etsu Chemical -phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), “KBM5783” (N-phenyl-3-aminooctyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, “SZ-31” (HEXA) manufactured by Shin-Etsu Chemical methyldisilazane), “KBM103” (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical, and “KBM-4803” (long-chain epoxy type silane coupling agent) manufactured by Shin-Etsu Chemical. Surface treatment agents may be used individually, or two or more types may be used in combination at any ratio.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, (a) 성분의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. (a) 성분의 단위 표면적당 카본량은, (a) 성분의 분산성 향상의 관점에서, 바람직하게는 0.02㎎/㎡ 이상, 보다 바람직하게는 0.1㎎/㎡ 이상, 특히 바람직하게는 0.2㎎/㎡ 이상이다. 한편, 감광성 수지 조성물의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 전기의 카본량은, 바람직하게는 1㎎/㎡ 이하, 보다 바람직하게는 0.8㎎/㎡ 이하, 특히 바람직하게는 0.5㎎/㎡ 이하이다. The degree of surface treatment by a surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of component (a). The amount of carbon per unit surface area of component (a) is preferably 0.02 mg/m2 or more, more preferably 0.1 mg/m2 or more, and particularly preferably 0.2 mg/m2, from the viewpoint of improving the dispersibility of component (a). It is more than ㎡. On the other hand, from the viewpoint of suppressing an increase in the melt viscosity of the photosensitive resin composition and the melt viscosity in sheet form, the carbon amount is preferably 1 mg/m2 or less, more preferably 0.8 mg/m2 or less, and particularly preferably Typically, it is less than 0.5 mg/㎡.

(a) 성분의 단위 표면적당 카본량은, 표면 처리후의 (a) 성분을 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(이하「MEK」라고 약칭하는 경우가 있다.))에 의해 세정 처리한 후에, 측정할 수 있다. 구체적으로는, 충분한 양의 메틸에틸케톤과, 표면 처리제로 표면 처리된 (a) 성분을 혼합하고, 25℃에서 5분간, 초음파 세정한다. 그 후, 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여, (a) 성분의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바세사쿠쇼사 제조「EMIA-320V」를 사용할 수 있다. The amount of carbon per unit surface area of component (a) is determined by washing the surface-treated component (a) with a solvent (e.g., methyl ethyl ketone (hereinafter sometimes abbreviated as “MEK”)). It can be measured. Specifically, a sufficient amount of methyl ethyl ketone and component (a) surface-treated with a surface treatment agent are mixed, and ultrasonic cleaning is performed at 25°C for 5 minutes. Thereafter, the supernatant is removed, the solid content is dried, and the amount of carbon per unit surface area of component (a) can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, “EMIA-320V” manufactured by Horiba Seksho Co., Ltd. can be used.

(a) 성분의 함유량은, 평균 선열 팽창률이 낮은 경화물을 얻는 관점에서, 감광성 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 60질량% 이상이며, 바람직하게는 65질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70질량% 이상이다. 상한은, 현상성을 높이는 관점에서, 바람직하게는 95질량% 이하이며, 보다 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 75질량% 이하이다. The content of component (a) is 60% by mass or more, preferably 65% by mass or more, when the non-volatile component in the photosensitive resin composition is 100% by mass, from the viewpoint of obtaining a cured product with a low average linear thermal expansion coefficient. Preferably it is 70% by mass or more. From the viewpoint of improving developability, the upper limit is preferably 95 mass% or less, more preferably 80 mass% or less, and even more preferably 75 mass% or less.

또한, 본 발명에 있어서, 감광성 수지 조성물 중의 각 성분의 함유량은, 별도 명시가 없는 한, 감광성 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때의 값이다. In addition, in this invention, unless otherwise specified, content of each component in the photosensitive resin composition is a value when the non-volatile component in the photosensitive resin composition is 100 mass %.

-조건 (II)--Condition (II)-

조건 (II)는, 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재, (b) 에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 수지, (c) 에폭시 수지, 및 (d) 광중합 개시제를 함유한다. (a) 내지 (d) 성분을 조합하여 함유함으로써, 감광성 수지 조성물 중의 각 성분의 일부가 현상액에 의해 제거되기 쉬워지며, 감광성 수지 조성물층 표면의 최대 계곡 깊이의 절대값을 크게 할 수 있다. Condition (II) is that the photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, (b) a resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group, (c) an epoxy resin, and (d) a photopolymerization initiator. Contains. By containing the components (a) to (d) in combination, a part of each component in the photosensitive resin composition becomes easy to be removed by the developer, and the absolute value of the maximum valley depth on the surface of the photosensitive resin composition layer can be increased.

조건 (II)를 충족시키는 감광성 수지 조성물은, (a) 내지 (d) 성분에 조합하여, 추가로 임의의 성분을 함유하고 있어도 좋다. 임의의 성분으로서는, 예를 들면, (e) 반응성 희석제, (f) 유기 용제, 및 (g) 기타 첨가제를 함유할 수 있다. 이하, 감광성 수지 조성물에 함유되는 각 성분에 관해서 상세하게 설명한다. The photosensitive resin composition that satisfies condition (II) may further contain arbitrary components in combination with components (a) to (d). Optional components may include, for example, (e) a reactive diluent, (f) an organic solvent, and (g) other additives. Hereinafter, each component contained in the photosensitive resin composition will be described in detail.

((a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재)((a) Inorganic filler with an average particle diameter of 0.5㎛ or more)

조건 (II)의 감광성 수지 조성물은, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재를 함유한다. (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재를 함유함으로써, 평균 선열 팽창률이 낮은 경화물을 얻을 수 있다. The photosensitive resin composition under condition (II) contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more. (a) By containing an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, a cured product with a low average coefficient of linear thermal expansion can be obtained.

조건 (II)에서 사용하는 (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재로서는, 예를 들면,「-조건 (I)-」에서 설명한 무기 충전재를 들 수 있다. Examples of the inorganic filler (a) with an average particle diameter of 0.5 μm or more used under condition (II) include the inorganic filler described under “-condition (I)-”.

무기 충전재의 평균 입자 직경은, 「-조건 (I)-」에 있어서 설명한 바와 같다. The average particle diameter of the inorganic filler is as described in “-Condition (I)-”.

조건 (II)에서 사용하는 (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재는, 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제의 종류 및 표면 처리의 정도는, 「-조건 (I)-」에 있어서 설명한 바와 같다. The inorganic filler (a) used under condition (II) with an average particle diameter of 0.5 μm or more is preferably treated with a surface treatment agent. The type of surface treatment agent and the degree of surface treatment are as described in “-Condition (I)-”.

조건 (II)에서 사용하는 (a) 성분의 함유량은, 평균 선열 팽창률이 낮은 경화물을 얻는 관점에서, 감광성 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 때, 10질량% 이상이며, 바람직하게는 20질량% 이상, 더욱 바람직하게는 30질량% 이상이다. 상한은, 현상성을 높이는 관점에서, 바람직하게는 60질량% 미만이며, 보다 바람직하게는 55질량% 이하, 보다 바람직하게는 50질량% 이하이다. The content of component (a) used in condition (II) is 10% by mass or more, preferably 10% by mass or more, when the nonvolatile component in the photosensitive resin composition is 100% by mass, from the viewpoint of obtaining a cured product with a low average linear thermal expansion coefficient. is 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more. From the viewpoint of improving developability, the upper limit is preferably less than 60 mass%, more preferably 55 mass% or less, and even more preferably 50 mass% or less.

((b) 에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 수지)((b) Resin containing ethylenically unsaturated group and carboxyl group)

조건 (II)를 충족시키는 감광성 수지 조성물은, (b) 에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 수지를 함유한다. The photosensitive resin composition that satisfies condition (II) contains (b) a resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group.

에틸렌성 불포화기로서는, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 프로파르길, 부테닐기, 에티닐기, 페닐에티닐기, 말레이미드기, 나디이미드기, (메트)아크릴로일기를 들 수 있으며, 광라디칼 중합의 반응성의 관점에서, (메트)아크릴로일기가 바람직하다. 「(메트)아크릴로일기」란, 메타크릴로일기 및 아크릴로일기를 가리킨다. Examples of ethylenically unsaturated groups include vinyl group, allyl group, propargyl group, butenyl group, ethynyl group, phenylethynyl group, maleimide group, nadiimide group, and (meth)acryloyl group, From the viewpoint of reactivity of radical photopolymerization, (meth)acryloyl group is preferable. “(meth)acryloyl group” refers to methacryloyl group and acryloyl group.

(b) 성분은, 에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 가지며, 광라디칼 중합을 가능하게 하는 동시에 알칼리 현상을 가능하게 하는 임의의 화합물을 사용할 수 있으며, 예를 들면, 1분자 중에 카르복실기와 2개 이상의 에틸렌성 불포화기를 함께 갖는 수지가 바람직하다. The component (b) can be any compound that has an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group and enables radical photopolymerization and alkaline development. For example, a carboxyl group and two or more ethylene molecules per molecule. A resin that also has a sexually unsaturated group is preferred.

에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 수지의 일 형태로서는, 에폭시 화합물에 불포화 카르복실산을 반응시키고, 또한 산무수물을 반응시킨, 산 변성 불포화 에폭시에스테르 수지 등을 들 수 있다. 상세하게는, 에폭시 화합물에 불포화 카르복실산을 반응시켜 불포화 에폭시에스테르 수지를 얻고, 불포화 에폭시에스테르 수지와 산무수물을 반응시킴으로써 산 변성 불포화 에폭시에스테르 수지를 얻을 수 있다. One form of the resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group includes an acid-modified unsaturated epoxy ester resin obtained by reacting an epoxy compound with an unsaturated carboxylic acid and further reacting with an acid anhydride. In detail, an unsaturated epoxy ester resin can be obtained by reacting an epoxy compound with an unsaturated carboxylic acid, and an acid-modified unsaturated epoxy ester resin can be obtained by reacting the unsaturated epoxy ester resin with an acid anhydride.

에폭시 화합물로서는, 분자 내에 에폭시기를 갖는 화합물이면 사용 가능하며, 예를 들면, 에폭시기 함유 공중합체, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수첨 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 수첨 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지에 에피클로로하이드린을 반응시켜 3관능 이상으로 변성한 변성 비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 비페놀형 에폭시 수지, 테트라메틸비페놀형 등의 비페놀형 에폭시 수지; 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 및 퍼플루오로알킬형 에폭시 수지 등의 불소 함유 에폭시 수지; 나프탈렌형 에폭시 수지, 디하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지, 폴리하이드록시비나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비나프톨형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 폴리하이드록시나프탈렌과 알데히드류의 축합 반응에 의해 얻어지는 나프탈렌형 에폭시 수지 등의 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지(나프탈렌 골격 함유 에폭시 수지); 비크실레놀형 에폭시 수지; 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지; 트리스페놀형 에폭시 수지; tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지; 안트라센형 에폭시 수지 등의 축합환 골격을 함유하는 에폭시 수지; 글리시딜아민형 에폭시 수지; 글리시딜에스테르형 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지; 선상 지방족 에폭시 수지; 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지; 지환식 에폭시 수지; 복소환식 에폭시 수지; 스피로환 함유 에폭시 수지; 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지; 트리메틸올형 에폭시 수지; 테트라페닐에탄형 에폭시 수지; 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트와 아크릴산에스테르의 공중합체 등의 글리시딜기 함유 아크릴 수지; 플루오렌형 에폭시 수지; 할로겐화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. As the epoxy compound, any compound having an epoxy group in the molecule can be used. For example, an epoxy group-containing copolymer, bisphenol A-type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, hydrogenated bisphenol F-type epoxy resin, Bisphenol-type epoxy resins such as bisphenol S-type epoxy resins and modified bisphenol F-type epoxy resins obtained by reacting epichlorohydrin with bisphenol F-type epoxy resins and modifying them to trifunctional or higher levels; Biphenol-type epoxy resins such as biphenol-type epoxy resins and tetramethylbiphenol-type; Novolak-type epoxy resins such as phenol novolak-type epoxy resin, cresol novolak-type epoxy resin, bisphenol A-type novolak-type epoxy resin, and alkylphenol novolak-type epoxy resin; Fluorine-containing epoxy resins such as bisphenol AF type epoxy resin and perfluoroalkyl type epoxy resin; Naphthalene type epoxy resin, dihydroxynaphthalene type epoxy resin, polyhydroxybinaphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, binaphthol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, polyhydroxy Epoxy resins having a naphthalene skeleton, such as a naphthalene-type epoxy resin obtained by a condensation reaction of naphthalene and an aldehyde (epoxy resin containing a naphthalene skeleton); Non-xylenol type epoxy resin; Dicyclopentadiene type epoxy resin; Trisphenol type epoxy resin; tert-butyl-catechol type epoxy resin; Epoxy resins containing a condensed ring skeleton such as anthracene type epoxy resin; Glycidylamine type epoxy resin; Glycidyl ester type epoxy resin; Biphenyl type epoxy resin; Linear aliphatic epoxy resin; Epoxy resin having a butadiene structure; Alicyclic epoxy resin; Heterocyclic epoxy resin; Spirocyclic-containing epoxy resin; Cyclohexanedimethanol type epoxy resin; Trimethylol type epoxy resin; Tetraphenylethane type epoxy resin; Acrylic resins containing glycidyl groups, such as polyglycidyl (meth)acrylate and copolymers of glycidyl methacrylate and acrylic acid ester; Fluorene type epoxy resin; Halogenated epoxy resin, etc. can be mentioned.

에폭시 화합물은, 평균 선열 팽창률을 저하시키는 관점에서, 에폭시기 함유 공중합체, 방향족 골격을 함유하는 에폭시 수지가 바람직하다. 여기서, 방향족 골격이란, 다환 방향족 및 방향족 복소환도 포함하는 개념이다. 에폭시 화합물은, 나프탈렌 골격 함유 에폭시 수지, 축합환 골격을 함유하는 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지가 바람직하다. From the viewpoint of reducing the average coefficient of linear thermal expansion, the epoxy compound is preferably an epoxy group-containing copolymer or an epoxy resin containing an aromatic skeleton. Here, the aromatic skeleton is a concept that also includes polycyclic aromatics and aromatic heterocycles. Epoxy compounds include epoxy resins containing a naphthalene skeleton, epoxy resins containing a condensed ring skeleton, biphenyl-type epoxy resins, bisphenol F-type epoxy resins, bisphenol A-type epoxy resins, cresol novolac-type epoxy resins, and glycidyl ester-type epoxy resins. Resin is preferred.

에폭시기 함유 공중합체는, 에폭시기 함유 단량체 및 필요에 따라 임의의 단량체를 중합시킴으로써 얻을 수 있다. 에폭시기 함유 단량체로서는, 예를 들면, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시부틸(메트)아크릴레이트, 2-메틸-3,4-에폭시사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등의 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트 단량체를 들 수 있으며, 글리시딜(메트)아크릴레이트가 바람직하다. 에폭시기 함유 단량체는, 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. An epoxy group-containing copolymer can be obtained by polymerizing an epoxy group-containing monomer and, if necessary, an optional monomer. Examples of epoxy group-containing monomers include glycidyl (meth)acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth)acrylate, 2-methyl-3,4-epoxycyclohexyl (meth)acrylate, and allyl glycylate. Examples include epoxy group-containing (meth)acrylate monomers such as dil ether, and glycidyl (meth)acrylate is preferred. The epoxy group-containing monomer may be used individually, or two or more types may be mixed.

임의의 단량체로서는, 예를 들면, 스티렌, (메트)아크릴산, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, n-펜틸(메트)아크릴레이트, n-헥실(메트)아크릴레이트, n-헵틸(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 트리데실(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 베헤닐(메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 4-tert-부틸사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디사이클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로니트릴, 3-(메트)아크릴로일프로필트리메톡시실란, N,N-디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 스티렌, α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-메톡시스티렌, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시-n-부틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-n-부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시-n-부틸(메트)아크릴레이트, 1,4-사이클로헥산디메탄올모노(메트)아크릴레이트, 글리세린모노(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸-2-하이드록시에틸프탈레이트, 말단에 수산기를 갖는 락톤 변성 (메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있으며, n-부틸(메트)아크릴레이트가 바람직하다. 임의의 단량체는, 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. Optional monomers include, for example, styrene, (meth)acrylic acid, methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, and n-butyl. (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate, t-butyl (meth)acrylate, n-pentyl (meth)acrylate, n-hexyl (meth)acrylate, n-heptyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate, tridecyl (meth)acrylate, cetyl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, behenyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, 4-tert-butylcyclohexyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate Latex, dicyclofentanyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, acrylamide, N, N-dimethyl (meth)acrylate, (meth)acrylonitrile, 3-(meth)acryloylpropyltrime Toxysilane, N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate, glycidyl (meth)acrylate, styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, 2-hydroxyethyl (meth) ) Acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxy-n-butyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-n-butyl (meth) ) Acrylate, 3-hydroxy-n-butyl (meth)acrylate, 1,4-cyclohexanedimethanol mono (meth) acrylate, glycerin mono (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, Polypropylene glycol mono(meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl(meth)acrylate, 2-(meth)acryloyloxyethyl-2-hydroxyethyl phthalate, lactone with a hydroxyl group at the terminal. Modified (meth)acrylate, 1-adamantyl (meth)acrylate, etc. are included, and n-butyl (meth)acrylate is preferable. Arbitrary monomers may be used individually, or two or more types may be mixed.

나프탈렌 골격 함유 에폭시 수지로서는, 디하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지, 폴리하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지, 폴리하이드록시나프탈렌과 알데히드류의 축합 반응에 의해 얻어지는 나프탈렌형 에폭시 수지가 바람직하다. 디하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지로서는, 예를 들면 1,3-디글리시딜옥시나프탈렌, 1,4-디글리시딜옥시나프탈렌, 1,5-디글리시딜옥시나프탈렌, 1,6-디글리시딜옥시나프탈렌, 2,3-디글리시딜옥시나프탈렌, 2,6-디글리시딜옥시나프탈렌, 2,7-디글리시딜옥시나프탈렌 등을 들 수 있다. 폴리하이드록시비나프탈렌형 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 1,1'-비-(2-글리시딜옥시)나프틸, 1-(2,7-디글리시딜옥시)-1'-(2'-글리시딜옥시)비나프틸, 1,1'-비-(2,7-디글리시딜옥시)나프틸 등을 들 수 있다. 폴리하이드록시나프탈렌과 알데히드류의 축합 반응에 의해 얻어지는 나프탈렌형 에폭시 수지로서는, 예를 들면 1,1'-비스(2,7-디글리시딜옥시나프틸)메탄, 1-(2,7-디글리시딜옥시나프틸)-1'-(2'-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,1'-비스(2-글리시딜옥시나프틸)메탄을 들 수 있다. As the naphthalene skeleton-containing epoxy resin, dihydroxynaphthalene type epoxy resin, polyhydroxynaphthalene type epoxy resin, and naphthalene type epoxy resin obtained by condensation reaction of polyhydroxynaphthalene and aldehydes are preferable. Examples of dihydroxynaphthalene-type epoxy resins include 1,3-diglycidyloxynaphthalene, 1,4-diglycidyloxynaphthalene, 1,5-diglycidyloxynaphthalene, and 1,6-diglycidyloxynaphthalene. Glycidyloxynaphthalene, 2,3-diglycidyloxynaphthalene, 2,6-diglycidyloxynaphthalene, 2,7-diglycidyloxynaphthalene, etc. are mentioned. Examples of the polyhydroxybinaphthalene type epoxy resin include 1,1'-bi-(2-glycidyloxy)naphthyl, 1-(2,7-diglycidyloxy)-1'-( 2'-glycidyloxy)binaphthyl, 1,1'-bi-(2,7-diglycidyloxy)naphthyl, etc. can be mentioned. Examples of naphthalene-type epoxy resins obtained by condensation reaction of polyhydroxynaphthalene and aldehydes include 1,1'-bis(2,7-diglycidyloxynaphthyl)methane, 1-(2,7- diglycidyloxynaphthyl)-1'-(2'-glycidyloxynaphthyl)methane and 1,1'-bis(2-glycidyloxynaphthyl)methane.

불포화 카르복실산으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 신남산, 크로톤산 등을 들 수 있으며, 이들은 1종을 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 좋다. 이 중에서도, 아크릴산, 메타크릴산이 감광성 수지 조성물의 광경화성을 향상시키는 관점에서 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 상기의 에폭시 화합물과 (메트)아크릴산의 반응물인 에폭시에스테르 수지를「에폭시(메트)아크릴레이트」라고 기재하는 경우가 있으며, 여기서 에폭시 화합물의 에폭시기는, (메트)아크릴산과의 반응에 의해 실질적으로 소멸되어 있다. 「(메트)아크릴레이트」란, 메타크릴레이트 및 아크릴레이트를 가리킨다. 아크릴산과 메타크릴산을 통합하여「(메트)아크릴산」이라고 하는 경우가 있다. Examples of unsaturated carboxylic acids include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, and crotonic acid, and these may be used individually or in combination of two or more types. Among these, acrylic acid and methacrylic acid are preferable from the viewpoint of improving the photocurability of the photosensitive resin composition. In addition, in this specification, the epoxy ester resin, which is a reaction product of the above-mentioned epoxy compound and (meth)acrylic acid, may be described as “epoxy (meth)acrylate”, where the epoxy group of the epoxy compound is (meth)acrylic acid and is practically destroyed by the reaction. “(Meth)acrylate” refers to methacrylate and acrylate. Acrylic acid and methacrylic acid are sometimes collectively referred to as “(meth)acrylic acid.”

산무수물로서는, 예를 들면, 무수 말레산, 무수 석신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 무수 테트라하이드로프탈산, 무수 헥사하이드로프탈산, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 2무수물 등을 들 수 있으며, 이들은 어느 1종을 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 병용해도 좋다. 이 중에서도, 무수 석신산, 무수 테트라하이드로프탈산이 경화물의 해상성 및 절연 신뢰성 향상의 점에서 바람직하다. Examples of acid anhydrides include maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic acid anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, and benzophenonetetracarboxylic acid 2. Anhydrides and the like can be mentioned, and any one of these may be used individually or two or more types may be used in combination. Among these, succinic anhydride and tetrahydrophthalic anhydride are preferable in terms of improving resolution and insulation reliability of the cured product.

산변성 불포화 에폭시에스테르 수지를 얻음에 있어서, 필요에 따라, 촉매, 용제, 및 중합 저해제 등을 사용해도 좋다. In obtaining the acid-modified unsaturated epoxy ester resin, catalysts, solvents, polymerization inhibitors, etc. may be used as needed.

산변성 불포화 에폭시에스테르 수지로서는, 산변성 에폭시(메트)아크릴레이트가 바람직하다. 산변성 불포화 에폭시에스테르 수지에 있어서의「에폭시」란, 상기한 에폭시 화합물 유래의 구조를 나타낸다. 예를 들면,「산변성 비스페놀형 에폭시(메트)아크릴레이트」란, 에폭시 화합물로서 비스페놀형 에폭시 수지를 사용하고, 불포화 카르복실산으로서 (메트)아크릴산을 사용하여 얻어지는 산변성 불포화 에폭시에스테르 수지를 가리킨다. As the acid-modified unsaturated epoxy ester resin, acid-modified epoxy (meth)acrylate is preferable. “Epoxy” in acid-modified unsaturated epoxy ester resin refers to a structure derived from the above-described epoxy compound. For example, “acid-modified bisphenol-type epoxy (meth)acrylate” refers to an acid-modified unsaturated epoxy ester resin obtained by using a bisphenol-type epoxy resin as an epoxy compound and (meth)acrylic acid as an unsaturated carboxylic acid. .

산변성 불포화 에폭시에스테르 수지는, 유리 전이 온도가 -20℃ 이하인 (메트)아크릴 중합체인 것이 바람직하다. 유리 전이 온도가 -20℃ 이하인 (메트)아크릴 중합체는, (a) 성분, (c) 내지 (d) 성분의 상용성이 다른 (b) 성분과 비교하여 특히 낮다. 따라서, 이 (메트)아크릴 중합체는, 감광성 수지 조성물 중에서 상분리되기 쉽다. 이로 인해, 감광성 수지 조성물층 중에는, 통상, 이 (메트)아크릴 중합체를 함유하는 도메인이 분산되어 형성된다. 이 (메트)아크릴 중합체를 함유하는 도메인은, 현상액으로 제거하기 쉽기 때문에, 현상후에는, (메트)아크릴 중합체가 제거된 개소에 요철이 발생하고, 현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층 표면의 최대 계곡 깊이의 절대값을 크게 할 수 있다. (메트)아크릴 중합체란, (메트)아크릴 단량체를 중합하여 형성되는 구조를 갖는 구조 단위를 포함하는 중합체이다. 이러한 (메트)아크릴 중합체로서는, (메트)아크릴 단량체를 중합하여 이루어지는 중합체, 또는 (메트)아크릴 단량체 및 당해 (메트)아크릴 단량체와 공중합할 수 있는 단량체를 공중합하여 이루어지는 중합체를 들 수 있다. The acid-modified unsaturated epoxy ester resin is preferably a (meth)acrylic polymer with a glass transition temperature of -20°C or lower. In the case of (meth)acrylic polymers with a glass transition temperature of -20°C or lower, the compatibility of component (a) and components (c) to (d) is particularly low compared to the other component (b). Therefore, this (meth)acrylic polymer is prone to phase separation in the photosensitive resin composition. For this reason, domains containing this (meth)acrylic polymer are usually dispersed and formed in the photosensitive resin composition layer. Since the domain containing this (meth)acrylic polymer is easy to remove with a developer, after development, irregularities occur at the locations where the (meth)acrylic polymer was removed, and the maximum valley depth on the surface of the patterned photosensitive resin composition layer after development is The absolute value of can be increased. A (meth)acrylic polymer is a polymer containing a structural unit having a structure formed by polymerizing (meth)acrylic monomers. Examples of such (meth)acrylic polymers include polymers obtained by polymerizing a (meth)acrylic monomer, or polymers obtained by copolymerizing a (meth)acrylic monomer and a monomer copolymerizable with the (meth)acrylic monomer.

유리 전이 온도가 -20℃ 이하인 (메트)아크릴 중합체로서는, 에폭시기 함유 공중합체에 (메트)아크릴산을 반응시키고, 추가로 산무수물을 반응시킨, 산변성 불포화 에폭시(메트)아크릴 공중합체 등을 들 수 있다. 상세하게는, 에폭시기 함유 공중합체에 (메트)아크릴산을 반응시켜 불포화 에폭시(메트)아크릴 공중합체를 얻고, 불포화 에폭시(메트)아크릴 공중합체와 산무수물을 반응시킴으로써 산변성 불포화 에폭시(메트)아크릴 공중합체를 얻을 수 있다. Examples of (meth)acrylic polymers with a glass transition temperature of -20°C or lower include acid-modified unsaturated epoxy (meth)acrylic copolymers obtained by reacting an epoxy group-containing copolymer with (meth)acrylic acid and further reacting with an acid anhydride. there is. In detail, an unsaturated epoxy (meth)acrylic copolymer is obtained by reacting (meth)acrylic acid with an epoxy group-containing copolymer, and an acid-modified unsaturated epoxy (meth)acrylic copolymer is obtained by reacting the unsaturated epoxy (meth)acrylic copolymer with an acid anhydride. synthesis can be obtained.

유리 전이 온도가 -20℃ 이하인 (메트)아크릴 중합체의 바람직한 형태로서는, 에폭시기 함유 단량체 및 임의의 단량체를 중합시킴으로써 얻은 에폭시기 함유 공중합체, (메트)아크릴산 및 산무수물을 반응시킨 화합물로서, 에폭시 함유 단량체가 글리시딜메타크릴레이트이며, 임의의 단량체가 부틸아크릴레이트이며, 산무수물이 무수 테트라하이드로프탈산인 화합물이다. Preferred forms of the (meth)acrylic polymer with a glass transition temperature of -20°C or lower include an epoxy group-containing copolymer obtained by polymerizing an epoxy group-containing monomer and an arbitrary monomer, and a compound obtained by reacting (meth)acrylic acid and an acid anhydride, wherein the epoxy group-containing monomer is is glycidyl methacrylate, the optional monomer is butylacrylate, and the acid anhydride is tetrahydrophthalic anhydride.

이러한 산변성 불포화 에폭시에스테르 수지는 시판품을 사용할 수 있으며, 구체예로서는, 니혼가야쿠사 제조의「ZAR-2000」(비스페놀 A형 에폭시 수지, 아크릴산, 및 무수 석신산의 반응물), 「ZFR-1491H」,「ZFR-1533H」(비스페놀 F형 에폭시 수지, 아크릴산, 및 무수 테트라하이드로프탈산의 반응물), 쇼와덴코사 제조의「PR-300CP」(크레졸노볼락형 에폭시 수지, 아크릴산, 및 산무수물의 반응물) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. These acid-modified unsaturated epoxy ester resins can be commercially available, and specific examples include "ZAR-2000" (a reaction product of bisphenol A type epoxy resin, acrylic acid, and succinic anhydride) manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd., "ZFR-1491H", “ZFR-1533H” (reactant of bisphenol F-type epoxy resin, acrylic acid, and tetrahydrophthalic anhydride), “PR-300CP” manufactured by Showa Denko (reactant of cresol novolak-type epoxy resin, acrylic acid, and acid anhydride) etc. can be mentioned. These may be used individually or in combination of two or more types.

에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 수지의 다른 형태로서는, (메트)아크릴산을 중합하여 얻어지는 구조 단위에 갖는 (메트)아크릴 수지에, 에틸렌성 불포화기 함유 에폭시 화합물을 반응시켜 에틸렌성 불포화기를 도입한 불포화 변성 (메트)아크릴 수지를 들 수 있다. 에틸렌성 불포화기 함유 에폭시 화합물은, 예를 들면, 글리시딜메타크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트글리시딜에테르, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 불포화기 도입시에 생성된 하이드록실기에 산무수물을 반응시키는 것도 가능하다. 산무수물로서는 상기한 산무수물과 같은 것을 사용할 수 있으며, 바람직한 범위도 같다. As another form of the resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group, an ethylenically unsaturated group is introduced by reacting an epoxy compound containing an ethylenically unsaturated group with a (meth)acrylic resin having a structural unit obtained by polymerizing (meth)acrylic acid. and unsaturated modified (meth)acrylic resin. Epoxy compounds containing ethylenically unsaturated groups include, for example, glycidyl methacrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate glycidyl ether, and 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth)acrylate. I can hear it. It is also possible to react an acid anhydride with the hydroxyl group generated upon introduction of an unsaturated group. As the acid anhydride, the same acid anhydride as the above-mentioned acid anhydride can be used, and the preferable range is also the same.

이러한 불포화 변성 (메트)아크릴 수지는 시판품을 사용할 수 있으며, 구체예로서는, 쇼와덴코사 제조의「SPC-1000」,「SPC-3000」, 다이셀·오르넥스사 제조「사이크로마 P(ACA)Z-250」,「사이크로마 P(ACA)Z-251」,「사이크로마 P(ACA)Z-254」,「사이크로마 P(ACA)Z-300」,「사이크로마 P(ACA)Z-320」등을 들 수 있다. These unsaturated modified (meth)acrylic resins can be commercially available, and specific examples include “SPC-1000” and “SPC-3000” manufactured by Showa Denko, and “Cychroma P (ACA)” manufactured by Daicel Ornex. Z-250”, “Cychroma P(ACA)Z-251”, “Cychroma P(ACA)Z-254”, “Cychroma P(ACA)Z-300”, “Cychroma P(ACA)Z- 320”, etc.

(b) 성분의 중량 평균 분자량으로서는, 제막성의 관점에서, 1000 이상인 것이 바람직하며, 1500 이상인 것이 보다 바람직하며, 2000 이상인 것이 더욱 바람직하다. 상한으로서는, 현상성의 관점에서, 10000 이하인 것이 바람직하며, 8000 이하인 것이 보다 바람직하며, 7500 이하인 것이 더욱 바람직하다. 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다. The weight average molecular weight of the component (b) is preferably 1000 or more, more preferably 1500 or more, and still more preferably 2000 or more from the viewpoint of film forming properties. The upper limit is preferably 10000 or less, more preferably 8000 or less, and even more preferably 7500 or less from the viewpoint of developability. The weight average molecular weight is the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

(b) 성분의 산가로서는, 감광성 수지 조성물의 알칼리 현상성을 향상시킨다는 관점에서, 산가가 0.1㎎KOH/g 이상인 것이 바람직하며, 0.5㎎KOH/g 이상인 것이 보다 바람직하며, 1㎎KOH/g 이상인 것이 더욱 바람직하다. 한편, 경화물의 미세 패턴이 현상에 의해 용출되는 것을 억제하고, 절연 신뢰성을 향상시킨다는 관점에서, 산가가 150㎎KOH/g 이하인 것이 바람직하며, 120㎎KOH/g 이하인 것이 보다 바람직하며, 100㎎KOH/g 이하인 것이 더욱 바람직하다. 여기서, 산가란, (b) 성분에 존재하는 카르복실기의 잔존 산가를 말하며, 산가는 이하의 방법에 의해 측정할 수 있다. 우선, 측정 수지 용액 약 1g을 정칭한 후, 그 수지 용액에 아세톤을 30g 첨가하고, 수지 용액을 균일하게 용해한다. 이어서, 지시약인 페놀프탈레인을 그 용액에 적량 첨가하여, 0.1N의 KOH 수용액을 사용하여 적정을 행한다. 그리고, 하기 식에 의해 산가를 산출한다. As the acid value of the component (b), from the viewpoint of improving the alkali developability of the photosensitive resin composition, the acid value is preferably 0.1 mgKOH/g or more, more preferably 0.5 mgKOH/g or more, and 1 mgKOH/g or more. It is more desirable. On the other hand, from the viewpoint of suppressing elution of the fine pattern of the cured product by development and improving insulation reliability, the acid value is preferably 150 mgKOH/g or less, more preferably 120 mgKOH/g or less, and 100 mgKOH It is more preferable that it is /g or less. Here, the acid value refers to the residual acid value of the carboxyl group present in component (b), and the acid value can be measured by the following method. First, after measuring approximately 1 g of the resin solution, 30 g of acetone is added to the resin solution to uniformly dissolve the resin solution. Next, an appropriate amount of phenolphthalein, an indicator, is added to the solution, and titration is performed using a 0.1N KOH aqueous solution. Then, the acid value is calculated by the following formula.

식: A(b)=10×Vf×56.1/(Wp×I)Formula: A(b)=10×Vf×56.1/(Wp×I)

또한, 상기 식 중, A(b)는 산가(㎎KOH/g)를 나타내며, Vf는 KOH의 적정량(mL)을 나타내고, Wp는 측정 수지 용액 질량(g)을 나타내고, I는 측정 수지 용액의 불휘발분의 비율(질량%)을 나타낸다. In addition, in the above formula, A(b) represents the acid value (mgKOH/g), Vf represents the appropriate amount of KOH (mL), Wp represents the mass of the measured resin solution (g), and I represents the measured resin solution. It represents the ratio (mass %) of non-volatile matter.

(b) 성분의 제조에서는, 보존 안정성 향상의 관점에서, 에폭시 수지의 에폭시기의 몰수와, 불포화 카르복실산과 산무수물의 합계의 카르복실기의 몰수의 비가, 1:0.8 내지 1.3의 범위인 것이 바람직하며, 1:0.9 내지 1.2의 범위인 것이 보다 바람직하다. In the production of component (b), from the viewpoint of improving storage stability, the ratio of the number of moles of the epoxy group of the epoxy resin to the number of moles of the carboxyl group of the sum of the unsaturated carboxylic acid and the acid anhydride is preferably in the range of 1:0.8 to 1.3, It is more preferable that it is in the range of 1:0.9 to 1.2.

(b) 성분의 유리 전이 온도(Tg)는, 유연성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 -300℃ 이상, 보다 바람직하게는 -200℃ 이상, 더욱 바람직하게는 -80℃ 이상이며, 바람직하게는 -20℃ 이하, 보다 바람직하게는 -23℃ 이하, 더욱 바람직하게는 -25℃ 이하이다. 여기서, (b) 성분의 유리 전이 온도란, (b) 성분의 주쇄의 이론상의 유리 전이 온도이며, 이 이론상의 유리 전이 온도는, 이하에 나타내는 FOX의 식에 의해 산출할 수 있다. FOX의 식에 의해 구해지는 유리 전이 온도는, 시차 주사 열량 측정(TMA, DSC, DTA)에 의해 측정한 유리 전이 온도와 거의 일치하기 때문에, 시차 주사 열량 측정에 의해 (b) 성분의 주쇄의 유리 전이 온도를 측정해도 좋다. The glass transition temperature (Tg) of the component (b) is preferably -300°C or higher, more preferably -200°C or higher, further preferably -80°C or higher from the viewpoint of improving flexibility, and preferably -20°C or lower, more preferably -23°C or lower, and even more preferably -25°C or lower. Here, the glass transition temperature of component (b) is the theoretical glass transition temperature of the main chain of component (b), and this theoretical glass transition temperature can be calculated using the FOX equation shown below. Since the glass transition temperature determined by FOX's equation is almost identical to the glass transition temperature measured by differential scanning calorimetry (TMA, DSC, DTA), the main chain of component (b) is released by differential scanning calorimetry. You may measure the transition temperature.

1/Tg=(W1/Tg1)+(W2/Tg2)+…+(Wm/Tgm)1/Tg=(W1/Tg1)+(W2/Tg2)+… +(Wm/Tgm)

W1+W2+…+Wm=1W1+W2+… +Wm=1

Wm은 (b) 성분을 구성하는 각 단량체의 함유량(질량%)을 나타내고, Tgm은, (b) 성분을 구성하는 각 단량체의 유리 전이 온도(K)를 나타낸다. Wm represents the content (mass %) of each monomer constituting component (b), and Tgm represents the glass transition temperature (K) of each monomer constituting component (b).

(b) 성분은, 알칼리 현상성 향상의 관점에서, 감광성 수지 조성물의 고형분 전체를 100질량%로 한 경우, 그 함유량을 20질량% 이상으로 하는 것이 바람직하며, 25질량% 이상으로 하는 것이 보다 바람직하며, 30질량% 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 상한은, 내열성이나 평균 선열 팽창률 향상의 관점에서, 45질량% 이하로 하는 것이 바람직하며, 40질량% 이하로 하는 것이 보다 바람직하며, 35질량% 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. From the viewpoint of improving alkali developability, the content of component (b) is preferably 20% by mass or more, and more preferably 25% by mass or more when the total solid content of the photosensitive resin composition is 100% by mass. And, it is more preferable to set it to 30% by mass or more. The upper limit is preferably 45% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and even more preferably 35% by mass or less from the viewpoint of improving heat resistance and average linear thermal expansion coefficient.

((c) 에폭시 수지)((c) epoxy resin)

조건 (II)를 충족시키는 감광성 수지 조성물은, (c) 에폭시 수지를 함유한다. (c) 성분을 함유시킴으로써, 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 단, 여기서 말하는 (c) 성분은, 에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 에폭시 수지는 함유하지 않는다. The photosensitive resin composition that satisfies condition (II) contains (c) epoxy resin. By containing the component (c), insulation reliability can be improved. However, component (c) herein does not contain an epoxy resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group.

(c) 성분으로서는, 예를 들면, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 및 파플루오로알킬형 에폭시 수지 등의 불소 함유 에폭시 수지; 비스페놀 A형 에폭시 수지; 비스페놀 F형 에폭시 수지; 비스페놀 S형 에폭시 수지; 비크실레놀형 에폭시 수지; 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지; 트리스페놀형 에폭시 수지; 나프톨노볼락형 에폭시 수지; 페놀노볼락형 에폭시 수지; tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지; 나프탈렌형 에폭시 수지; 나프톨형 에폭시 수지; 안트라센형 에폭시 수지; 글리시딜아민형 에폭시 수지; 글리시딜에스테르형 에폭시 수지; 크레졸노볼락형 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지; 비페닐아르알킬형 에폭시 수지; 선상 지방족 에폭시 수지; 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지; 지환식 에폭시 수지; 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지; 복소환식 에폭시 수지; 스피로환 함유 에폭시 수지; 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지; 나프틸렌에테르형 에폭시 수지; 트리메틸올형 에폭시 수지; 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 할로겐화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. (c) 성분은 절연 신뢰성 및 밀착성을 향상시키는 관점에서, 비페닐형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지가 바람직하다. (c) Examples of the component include fluorine-containing epoxy resins such as bisphenol AF type epoxy resin and pafluoroalkyl type epoxy resin; Bisphenol A type epoxy resin; Bisphenol F-type epoxy resin; Bisphenol S-type epoxy resin; Non-xylenol type epoxy resin; Dicyclopentadiene type epoxy resin; Trisphenol type epoxy resin; Naphthol novolac type epoxy resin; Phenol novolac type epoxy resin; tert-butyl-catechol type epoxy resin; Naphthalene type epoxy resin; Naphthol type epoxy resin; Anthracene type epoxy resin; Glycidylamine type epoxy resin; Glycidyl ester type epoxy resin; Cresol novolak-type epoxy resin; Biphenyl type epoxy resin; Biphenyl aralkyl type epoxy resin; Linear aliphatic epoxy resin; Epoxy resin having a butadiene structure; Alicyclic epoxy resin; Alicyclic epoxy resin having an ester skeleton; Heterocyclic epoxy resin; Spirocyclic-containing epoxy resin; Cyclohexanedimethanol type epoxy resin; Naphthylene ether type epoxy resin; Trimethylol type epoxy resin; Tetraphenylethane type epoxy resin, halogenated epoxy resin, etc. are mentioned. Epoxy resins may be used individually, or two or more types may be used in combination. The component (c) is preferably a biphenyl type epoxy resin or biphenyl aralkyl type epoxy resin from the viewpoint of improving insulation reliability and adhesion.

(c) 에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우에, 적어도 50질량% 이상은 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있다.)와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있다.)가 있다. 감광성 수지 조성물은, (c) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지만을 함유하고 있어도 좋고, 고체상 에폭시 수지만을 함유하고 있어도 좋지만, 얻어지는 경화물의 절연 신뢰성을 높이는 관점에서, 고체상 에폭시 수지가 바람직하다. (c) The epoxy resin preferably has two or more epoxy groups per molecule. When the non-volatile component of the epoxy resin is 100% by mass, it is preferable that at least 50% by mass or more is an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Epoxy resins include epoxy resins that are liquid at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resins”) and epoxy resins that are solid at a temperature of 20°C (sometimes referred to as “solid epoxy resins”). there is. The photosensitive resin composition may contain only a liquid epoxy resin or a solid epoxy resin as the (c) epoxy resin; however, from the viewpoint of increasing the insulation reliability of the resulting cured product, a solid epoxy resin is preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다. As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지 등을 들 수 있다. Liquid epoxy resins include bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol AF-type epoxy resin, naphthalene-type epoxy resin, glycidyl ester-type epoxy resin, glycidylamine-type epoxy resin, and phenol novolak-type epoxy resin. , alicyclic epoxy resins having an ester skeleton, cyclohexane-type epoxy resins, cyclohexanedimethanol-type epoxy resins, glycidylamine-type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의「HP4032」,「HP4032D」,「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「828US」,「jER828EL」,「825」,「에피코트828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「jER807」,「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「630」,「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지); 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세켐텍스사 제조의「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의「세록사이드2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「ZX1658」,「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Specific examples of the liquid epoxy resin include "HP4032", "HP4032D", and "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "828US", "jER828EL", "825", and "Epicoat 828EL" (bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “jER807” and “1750” (bisphenol F-type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “jER152” (phenol novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “630” and “630LSD” (glycidylamine type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "ZX1059" manufactured by Nippon Tetsu Sumiking Chemical Co., Ltd. (a mixture of bisphenol A-type epoxy resin and bisphenol F-type epoxy resin); “EX-721” (glycidyl ester type epoxy resin) manufactured by Nagase Chemtex Corporation; “Ceroxide 2021P” manufactured by Daicel (alicyclic epoxy resin with an ester skeleton); “PB-3600” manufactured by Daicel Corporation (epoxy resin with a butadiene structure); “ZX1658” and “ZX1658GS” (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin) manufactured by Nippon Tetsu Sumiking Chemicals, etc. are included. These may be used individually or in combination of two or more types.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하며, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다. As a solid epoxy resin, a solid epoxy resin having 3 or more epoxy groups per molecule is preferable, and an aromatic solid epoxy resin having 3 or more epoxy groups per molecule is more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하며, 비페닐형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. Examples of the solid epoxy resin include bixylenol-type epoxy resin, naphthalene-type epoxy resin, naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolac-type epoxy resin, dicyclopentadiene-type epoxy resin, trisphenol-type epoxy resin, naphthol-type epoxy resin, Phenyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin are preferred, and biphenyl type epoxy resin Epoxy resin and biphenyl aralkyl type epoxy resin are more preferable.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의「HP-4700」,「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의「HP-7200」,「HP-7200HH」,「HP-7200H」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의「EXA-7311」,「EXA-7311-G3」,「EXA-7311-G4」,「EXA-7311-G4S」,「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼가야쿠사 제조의「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 니혼가야쿠사 제조의「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 니혼가야쿠사 제조의「NC3000H」,「NC3000」,「NC3000L」,「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지(비페닐아르알킬형 에폭시 수지)); 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「ESN475V」(나프탈렌형 에폭시 수지); 신닛테츠스미킨가가쿠사 제조의「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「YX4000H」,「YX4000」,「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 오사카가스케미칼사 제조의「PG-100」,「CG-500」; 미쯔비시케미칼사 제조의「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지); 미쯔비시케미칼사 제조의「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다. Specific examples of the solid epoxy resin include "HP4032H" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; “HP-4700” and “HP-4710” (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; “N-690” (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; “N-695” (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; "HP-7200", "HP-7200HH", and "HP-7200H" (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation; “EXA-7311,” “EXA-7311-G3,” “EXA-7311-G4,” “EXA-7311-G4S,” and “HP6000” manufactured by DIC (naphthylene ether type epoxy resin); “EPPN-502H” manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd. (trisphenol type epoxy resin); "NC7000L" (naphthol novolac type epoxy resin) manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd.; "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", and "NC3100" (biphenyl type epoxy resin (biphenyl aralkyl type epoxy resin)) manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd.; "ESN475V" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by Nippon Tetsu Sumiking Chemical Co., Ltd.; “ESN485” (naphthol novolak type epoxy resin) manufactured by Nippon Tetsu Sumiking Chemicals; “YX4000H”, “YX4000”, and “YL6121” (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "YX4000HK" (bixylenol type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “YX8800” (anthracene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “PG-100” and “CG-500” manufactured by Osaka Gas Chemicals; “YL7760” (bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; “YL7800” (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "jER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; and “jER1031S” (tetraphenylethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. These may be used individually or in combination of two or more types.

(c) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 더욱 보다 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이 범위가 됨으로써, 감광성 수지 조성물의 경화물의 가교 밀도가 충분해져 표면 거칠기가 작은 절연층을 초래할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라 측정할 수 있으며, 1당량의 에폭시기를 함유하는 수지의 질량이다. (c) The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, further preferably 80 to 2000, and even more preferably 110 to 1000. By falling within this range, the crosslinking density of the cured product of the photosensitive resin composition becomes sufficient and an insulating layer with small surface roughness can be produced. In addition, the epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236 and is the mass of the resin containing 1 equivalent of an epoxy group.

(c) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 여기서, 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다. (c) The weight average molecular weight of the epoxy resin is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and still more preferably 400 to 1500. Here, the weight average molecular weight of the epoxy resin is the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

(c) 성분의 함유량은, 양호한 인장 파괴 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 얻는 관점에서, 감광성 수지 조성물의 고형분 전체를 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 10질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 본 발명의 효과가 나타는 한에 있어서 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 25질량% 이하, 보다 바람직하게는 20질량% 이하, 더욱 바람직하게는 15질량% 이하이다. The content of component (c) is preferably 1 mass% or more, more preferably 1 mass% or more, when the total solid content of the photosensitive resin composition is 100 mass%, from the viewpoint of obtaining an insulating layer showing good tensile fracture strength and insulation reliability. It is 5 mass% or more, more preferably 10 mass% or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is not particularly limited as long as the effect of the present invention is achieved, but is preferably 25 mass% or less, more preferably 20 mass% or less, and still more preferably 15 mass% or less.

((d) 광중합 개시제)((d) Photopolymerization initiator)

조건 (II)를 충족시키는 감광성 수지 조성물은, (d) 광중합 개시제를 함유한다. (d) 광중합 개시제를 함유시킴으로써, 감광성 수지 조성물을 효율적으로 광경화시킬 수 있다. The photosensitive resin composition that satisfies condition (II) contains (d) a photopolymerization initiator. (d) By containing a photopolymerization initiator, the photosensitive resin composition can be efficiently photocured.

(d) 광중합 개시제는, 임의의 화합물을 사용할 수 있으며, 예를 들면, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드), 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제; 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심), 에탄, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심에스테르계 광중합 개시제; 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부탄온, 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부탄온, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온 등의 α-아미노알킬페논계 광중합 개시제; 벤조페논, 메틸벤조페논, o-벤조일벤조산, 벤조일에틸에테르, 2,2-디에톡시아세트페논, 2,4-디에틸티옥산톤, 디페닐-(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀옥사이드, 에틸-(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스피네이트, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 1-하이드록시-사이클로헥실-페닐케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)-페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드; 설포늄염계 광중합 개시제 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. 이들 중에서도, 보다 효율적으로 감광성 수지 조성물을 광경화시키는 관점에서, 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제, 옥심에스테르계 광중합 개시제가 바람직하며, 옥심에스테르계 광중합 개시제가 보다 바람직하다. (d) Any compound can be used as the photopolymerization initiator, for example, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide), 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phos Acylphosphine oxide-based photopolymerization initiators such as pin oxide; 1,2-octanedione, 1-[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime), ethane, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazole-3 -1]-, 1-(O-acetyloxime), and other oxime ester photopolymerization initiators; 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-1-butanone, 2-(dimethylamino)-2-[(4-methylphenyl)methyl]-[4-(4-morph α-aminoalkylphenone-based photopolymerization initiators such as polynyl)phenyl]-1-butanone and 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one; Benzophenone, methylbenzophenone, o-benzoylbenzoic acid, benzoylethyl ether, 2,2-diethoxyacetphenone, 2,4-diethylthioxanthone, diphenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphine Oxide, ethyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphinate, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenylketone, 2,2-dimethoxy -1,2-diphenylethan-1-one, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, bis(2 ,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide; and sulfonium salt-based photopolymerization initiators. These may be used individually, or two or more types may be used together. Among these, from the viewpoint of photocuring the photosensitive resin composition more efficiently, an acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator and an oxime ester-based photopolymerization initiator are preferable, and an oxime ester-based photopolymerization initiator is more preferable.

(d) 광중합 개시제의 구체예로서는, IGM사 제조의「Omnirad907」,「Omnirad369」,「Omnirad379」,「Omnirad819」,「OmniradTPO」, BASF사 제조의「IrgacureOXE-01」,「IrgacureOXE-02」,「IrgacureTPO」,「Irgacure819」, ADEKA사 제조의「N-1919」등을 들 수 있다. (d) Specific examples of the photopolymerization initiator include "Omnirad907", "Omnirad369", "Omnirad379", "Omnirad819", and "OmniradTPO" manufactured by IGM, and "IrgacureOXE-01", "IrgacureOXE-02", and "IrgacureOXE-02" manufactured by BASF. Examples include "IrgacureTPO", "Irgacure819", and "N-1919" manufactured by ADEKA.

또한, 감광성 수지 조성물은, (d) 광중합 개시제와 조합하여, 광중합 개시 조제로서, N,N-디메틸아미노벤조산에틸에스테르, N,N-디메틸아미노벤조산이소아밀에스테르, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 트리에틸아민, 트리에탄올아민 등의 3급 아민류를 함유하고 있어도 좋고, 피라졸린류, 안트라센류, 쿠마린류, 크산톤류, 티옥산톤류 등과 같은 광증감제를 함유하고 있어도 좋다. 이들은 어느 1종을 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 좋다. In addition, the photosensitive resin composition is combined with (d) a photopolymerization initiator and, as a photopolymerization initiation aid, N,N-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, N,N-dimethylaminobenzoic acid isoamyl ester, and pentyl-4-dimethylaminobenzoate. It may contain tertiary amines such as ate, triethylamine, and triethanolamine, and may contain photosensitizers such as pyrazolines, anthracenes, coumarins, xanthones, and thioxanthones. Any one of these may be used individually or two or more types may be used together.

(d) 광중합 개시제의 함유량으로서는, 감광성 수지 조성물을 충분히 광경화시켜, 절연 신뢰성을 향상시킨다는 관점에서, 감광성 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.3질량% 이상이다. 한편, 감도 과다에 의한 해상성의 저하를 억제하는 관점에서, 상한은, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 3질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1.5질량% 이하이다. 또한, 감광성 수지 조성물이 광중합 개시 조제를 함유하는 경우에는, (d) 광중합 개시제와 광중합 개시 조제의 합계 함유량이 상기 범위내인 것이 바람직하다. (d) The content of the photopolymerization initiator is preferably 0.01% by mass or more when the non-volatile component of the photosensitive resin composition is 100% by mass from the viewpoint of sufficiently photocuring the photosensitive resin composition and improving insulation reliability. Preferably it is 0.1 mass% or more, more preferably 0.3 mass% or more. On the other hand, from the viewpoint of suppressing a decrease in resolution due to excessive sensitivity, the upper limit is preferably 5 mass% or less, more preferably 3 mass% or less, and even more preferably 1.5 mass% or less. In addition, when the photosensitive resin composition contains a photopolymerization initiation aid, it is preferable that the total content of (d) the photopolymerization initiator and the photopolymerization initiation aid is within the above range.

((e) 반응성 희석제)((e) Reactive diluent)

조건 (II)를 충족시키는 감광성 수지 조성물은, 추가로 (e) 반응성 희석제를 함유할 수 있다. (e) 성분을 함유시킴으로써, 광반응성을 향상시킬 수 있다. (e) 성분으로서는, 예를 들면, 1분자 중에 1개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 실온에서 액체, 고체 또는 반고형의 감광성 (메트)아크릴레이트 화합물을 사용할 수 있다. 실온이란, 25℃ 정도를 나타낸다. The photosensitive resin composition satisfying condition (II) may further contain (e) a reactive diluent. By containing the component (e), photoreactivity can be improved. As the component (e), for example, a photosensitive (meth)acrylate compound that is liquid, solid or semi-solid at room temperature and has one or more (meth)acryloyl groups per molecule can be used. Room temperature refers to approximately 25°C.

대표적인 감광성 (메트)아크릴레이트 화합물로서는, 예를 들면, 트리사이클로데칸디메탄올디아크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시부틸아크릴레이트 등의 하이드록시알킬아크릴레이트류; 에틸렌글리콜, 메톡시테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜의 모노 또는 디아크릴레이트류; N,N-디메틸아크릴아미드, N-메틸올아크릴아미드 등의 아크릴아미드류; N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트 등의 아미노알킬아크릴레이트류; 트리메틸올프로판, 펜타에리스리톨, 디펜타에리스리톨, 디펜타에리스리톨헥사(메트)아크릴레이트 등의 다가 알코올 또는 이들의 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드 또는 ε-카프로락톤의 부가물의 다가 아크릴레이트류; 페녹시아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트 등의 페놀류, 또는 그 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드 부가물 등의 아크릴레이트류; 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르 등의 글리시딜에테르로부터 유도되는 에폭시아크릴레이트류, 멜라민아크릴레이트류, 및/또는 상기의 아크릴레이트에 대응하는 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 다가 아크릴레이트류 또는 다가 메타크릴레이트류가 바람직하며, 예를 들면, 3가의 아크릴레이트류 또는 메타크릴레이트류로서는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 EO 부가 트리(메트)아크릴레이트, 글리세린 PO 부가 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메트)아크릴레이트, 테트라푸르푸릴알코올올리고(메트)아크릴레이트, 에틸카르비톨올리고(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올올리고(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올올리고(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판올리고(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨올리고(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메트)아크릴레이트, N,N,N',N'-테트라키스(β-하이드록시에틸)에틸디아민의 (메트)아크릴산에스테르 등을 들 수 있으며, 3가 이상의 아크릴레이트류 또는 메타크릴레이트류로서는, 트리(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 트리(2-(메트)아크릴로일옥시프로필)포스페이트, 트리(3-(메트)아크릴로일옥시프로필)포스페이트, 트리(3-(메트)아크릴로일-2-하이드록실옥시프로필)포스페이트, 디(3-(메트)아크릴로일-2-하이드록실옥시프로필)(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, (3-(메트)아크릴로일-2-하이드록실옥시프로필)디(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)포스페이트 등의 인산트리에스테르(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들 감광성 (메트)아크릴레이트 화합물은 어느 1종을 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 좋다. Representative photosensitive (meth)acrylate compounds include, for example, hydroxyalkyl acrylates such as tricyclodecane dimethanol diacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, and 2-hydroxybutyl acrylate; Mono or diacrylates of glycols such as ethylene glycol, methoxytetraethylene glycol, polyethylene glycol, and propylene glycol; Acrylamides such as N,N-dimethylacrylamide and N-methylolacrylamide; Aminoalkyl acrylates such as N,N-dimethylaminoethyl acrylate; polyhydric alcohols such as trimethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol, and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, or polyacrylates of these adducts with ethylene oxide, propylene oxide, or ε-caprolactone; phenols such as phenoxyacrylate and phenoxyethyl acrylate, or acrylates such as ethylene oxide or propylene oxide adducts thereof; Examples include epoxy acrylates derived from glycidyl ethers such as trimethylolpropane triglycidyl ether, melamine acrylates, and/or methacrylates corresponding to the above acrylates. Among these, polyhydric acrylates or polyhydric methacrylates are preferable. For example, trivalent acrylates or methacrylates include trimethylolpropane tri(meth)acrylate and pentaerythritol tri(meth)acrylate. Rate, trimethylolpropane EO addition tri(meth)acrylate, glycerin PO addition tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, tetrafurfuryl alcohol oligo(meth)acrylate, ethylcarbitol oligo(meth)acrylate ) Acrylate, 1,4-butanediol oligo(meth)acrylate, 1,6-hexanediol oligo(meth)acrylate, trimethylolpropan oligo(meth)acrylate, pentaerythritol oligo(meth)acrylate, tetramethyl Olmethane tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, (meth)acrylic acid ester of N,N,N',N'-tetrakis(β-hydroxyethyl)ethyldiamine, etc. Examples of trivalent or higher acrylates or methacrylates include tri(2-(meth)acryloyloxyethyl)phosphate, tri(2-(meth)acryloyloxypropyl)phosphate, and tri(3-( Meth)acryloyloxypropyl)phosphate, tri(3-(meth)acryloyl-2-hydroxyloxypropyl)phosphate, di(3-(meth)acryloyl-2-hydroxyloxypropyl)(2 -(meth)acryloyloxyethyl)phosphate, (3-(meth)acryloyl-2-hydroxyloxypropyl)di(2-(meth)acryloyloxyethyl)phosphate, etc. Phosphate triesters (meth) ) Acrylates can be mentioned. These photosensitive (meth)acrylate compounds may be used individually or in combination of two or more types.

(e) 반응성 희석제는 시판품을 사용할 수 있으며, 구체예로서는, 「DPHA」(디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 니혼가야쿠사 제조), 「DCA-P」(트리사이클로데칸디메탄올디아크릴레이트, 쿄에샤가가쿠사 제조) 등을 들 수 있다. (e) The reactive diluent can be a commercially available product, and specific examples include “DPHA” (dipentaerythritol hexaacrylate, manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd.) and “DCA-P” (tricyclodecane dimethanol diacrylate, manufactured by Kyoesha). (manufactured by Kagaku Corporation), etc. are mentioned.

감광성 수지 조성물이 (e) 반응성 희석제를 함유하는 경우, (e) 반응성 희석제의 함유량은, 광경화를 촉진시키고, 또한 감광성 수지 조성물을 경화물로 했을 때에 끈적임을 억제하는 관점에서, 감광성 수지 조성물의 고형분 전체를 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.5질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이며, 바람직하게는 25질량% 이하, 보다 바람직하게는 20질량% 이하, 더욱 바람직하게는 15질량% 이하이다. When the photosensitive resin composition contains (e) a reactive diluent, the content of the (e) reactive diluent is adjusted from the viewpoint of promoting photocuring and suppressing stickiness when the photosensitive resin composition is used as a cured product. When the total solid content is 100 mass%, it is preferably 0.5 mass% or more, more preferably 3 mass% or more, even more preferably 5 mass% or more, preferably 25 mass% or less, more preferably 20 mass% or more. It is % by mass or less, more preferably 15 mass% or less.

((f) 유기 용제)((f) organic solvent)

조건 (II)를 충족시키는 감광성 수지 조성물은, 추가로 (f) 유기 용제를 함유할 수 있다. (f) 유기 용제를 함유시킴으로써 바니쉬 점도를 조정할 수 있다. (f) 유기 용제로서는, 예를 들면, 에틸메틸케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류; 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸카르비톨, 부틸카르비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 부틸셀로솔브아세테이트, 카르비톨아세테이트, 에틸디글리콜아세테이트 등의 에스테르류; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소류; 석유 에테르, 석유 나프타, 수첨 석유 나프타, 솔벤트나프타 등의 석유계 용제 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다. 유기 용제를 사용하는 경우의 함유량은, 수지 조성물의 도포성의 관점에서 적절히 조정할 수 있다. The photosensitive resin composition that satisfies condition (II) may further contain (f) an organic solvent. (f) The varnish viscosity can be adjusted by containing an organic solvent. (f) Examples of the organic solvent include ketones such as ethylmethyl ketone and cyclohexanone; Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, and tetramethylbenzene; Glycol ethers such as methyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, and triethylene glycol monoethyl ether; esters such as ethyl acetate, butyl acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate, and ethyl diglycol acetate; Aliphatic hydrocarbons such as octane and decane; Petroleum-based solvents such as petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha, and solvent naphtha can be mentioned. These are used individually or in combination of two or more types. When using an organic solvent, the content can be adjusted appropriately from the viewpoint of the applicability of the resin composition.

((g) 기타 첨가제)((g) Other additives)

조건 (II)를 충족시키는 감광성 수지 조성물은, 본 발명의 목적을 저해하지 않을 정도로, (g) 기타 첨가제를 추가로 함유할 수 있다. (g) 기타 첨가제로서는, 예를 들면, 이온 포착제, 열가소성 수지, 유기 충전재, 멜라민, 유기 벤토나이트 등의 미립자, 프탈로시아닌 블루, 프탈로시아닌 그린, 아이오딘·그린, 디아조옐로, 크리스탈바이올렛, 산화티탄, NV-7-201(니혼피그멘트사 제조) 등의 카본블랙, 나프탈렌블랙 등의 착색제나 안료, 하이드로퀴논, 페노티아진, 메틸하이드로퀴논, 하이드로퀴노노모노메틸에테르, 카테콜, 피로가롤 등의 중합 금지제, 벤톤, 몬모릴로나이트 등의 증점제, 실리콘계, 불소계, 비닐 수지계의 소포제, 브롬화에폭시 화합물, 산변성 브롬화 에폭시 화합물, 안티몬 화합물, 방향족 축합 인산에스테르, 함할로겐 축합 인산에스테르 등의 난연제, 페놀계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제 등의 열경화 수지, 등의 각종 첨가제를 들 수 있다. The photosensitive resin composition that satisfies condition (II) may further contain (g) other additives to an extent that does not impair the purpose of the present invention. (g) Other additives include, for example, ion trapping agents, thermoplastic resins, organic fillers, melamine, fine particles such as organic bentonite, phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodine green, diazo yellow, crystal violet, titanium oxide, Colorants and pigments such as carbon black such as NV-7-201 (manufactured by Nihon Pigment Co., Ltd.) and naphthalene black, hydroquinone, phenothiazine, methylhydroquinone, hydroquinonomonomethyl ether, catechol, pyrogallol, etc. polymerization inhibitors, thickeners such as bentone and montmorillonite, silicone-based, fluorine-based, vinyl resin-based defoaming agents, brominated epoxy compounds, acid-modified brominated epoxy compounds, antimony compounds, aromatic condensed phosphoric acid esters, halogen-containing condensed phosphoric acid esters, and other flame retardants, phenol-based Various additives such as curing agents, thermosetting resins such as cyanate ester-based curing agents, etc. can be mentioned.

감광성 수지 조성물은, 네가티브형 감광성 수지 조성물, 및 포지티브형 감광성 수지 조성물 중 어느 것이라도 좋지만, 감광성 수지 조성물층의 물성 향상의 관점에서, 노광시의 조사부가 패턴 감광성 수지 조성물층이 되는 네가티브형 감광성 수지 조성물인 것이 바람직하다. The photosensitive resin composition may be either a negative photosensitive resin composition or a positive photosensitive resin composition. However, from the viewpoint of improving the physical properties of the photosensitive resin composition layer, the irradiated portion during exposure becomes the patterned photosensitive resin composition layer. It is preferable that it is a composition.

감광성 수지 조성물층의 두께는, 취급성을 향상시키고, 또한 감광성 수지 조성물층 내부의 감도 및 해상도가 저하되는 것을 억제하는 관점에서, 5㎛ 내지 500㎛의 범위로 하는 것이 바람직하며, 10㎛ 내지 200㎛의 범위로 하는 것이 보다 바람직하며, 15㎛ 내지 150㎛의 범위로 하는 것이 더욱 바람직하며, 20㎛ 내지 100㎛의 범위로 하는 것이 더욱 한층 바람직하며, 20㎛ 내지 60㎛의 범위로 하는 것이 특히 더 바람직하다. The thickness of the photosensitive resin composition layer is preferably in the range of 5 μm to 500 μm, and is preferably in the range of 10 μm to 200 μm from the viewpoint of improving handleability and suppressing a decrease in sensitivity and resolution inside the photosensitive resin composition layer. It is more preferable to set it in the range of ㎛, more preferably in the range of 15㎛ to 150㎛, even more preferably in the range of 20㎛ to 100㎛, especially in the range of 20㎛ to 60㎛. It is more desirable.

[수지 시트][Resin sheet]

본 발명의 수지 시트는, 지지체와, 당해 지지체 위에 설치된, 감광성 수지 조성물을 함유하는 감광성 수지 조성물층을 갖는 수지 시트로서, 지지체의 헤이즈가 20% 이하이며, 현상후의 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)이, 500㎚ 이상이며, 감광성 수지 조성물이, 이하의 조건 (I) 또는 (II)를 충족시킨다. The resin sheet of the present invention is a resin sheet having a support and a photosensitive resin composition layer provided on the support and containing a photosensitive resin composition, the haze of the support is 20% or less, and the support side of the photosensitive resin composition layer after development is The absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface is 500 nm or more, and the photosensitive resin composition satisfies the following conditions (I) or (II).

(I) 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상인 무기 충전재를 함유하고, (a) 성분의 함유량이, 감광성 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상.(I) The photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, and the content of component (a) is 60% by mass or more when the nonvolatile component of the photosensitive resin composition is 100% by mass. .

(II) 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상인 무기 충전재, (b) 에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 수지, (c) 에폭시 수지, 및 (d) 광중합 개시제를 함유.(II) The photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, (b) a resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group, (c) an epoxy resin, and (d) a photopolymerization initiator.

지지체, 지지체의 헤이즈, 감광성 수지 조성물층의 최대 계곡 깊이의 절대값, 및 감광성 수지 조성물이 충족시키는 조건 (I) 및 조건 (II)에 관해서는 전술한 바와 같다. The support, the haze of the support, the absolute value of the maximum valley depth of the photosensitive resin composition layer, and the conditions (I) and conditions (II) that the photosensitive resin composition satisfies are as described above.

조건 (I)의 경우, 감광성 수지 조성물은, 필수 성분으로서 상기 (a) 성분을 혼합하고, 임의 성분으로서 상기 (b) 내지 (g) 성분을 적절히 혼합하고, 또한, 필요에 따라 3개 롤, 볼 밀, 비드 밀, 샌드 밀 등의 혼련 수단, 또는 고속 회전 믹서, 슈퍼 믹서, 플라네터리 믹서 등의 교반 수단에 의해 혼련 또는 교반함으로써, 수지 바니쉬로서 제조할 수 있다. In the case of condition (I), the photosensitive resin composition is prepared by mixing the above-mentioned (a) component as an essential component, and appropriately mixing the above-mentioned (b) to (g) components as optional components, and, if necessary, three rolls, It can be manufactured as a resin varnish by kneading or stirring using a kneading means such as a ball mill, bead mill, or sand mill, or a stirring means such as a high-speed rotating mixer, super mixer, or planetary mixer.

또한, 조건 (II)의 경우, 감광성 수지 조성물은, (a) 내지 (d) 성분을 혼합하고, 임의 성분으로서 상기 (e) 내지 (g) 성분을 적절히 혼합하고, 또한 필요에 따라, 3개 롤, 볼 밀, 비드 밀, 샌드 밀 등의 혼련 수단, 또는 고속 회전 믹서, 슈퍼 믹서, 플라네터리 믹서 등의 교반 수단에 의해 혼련 또는 교반함으로써, 수지 바니쉬로서 제조할 수 있다. In addition, in the case of condition (II), the photosensitive resin composition is prepared by mixing components (a) to (d), and appropriately mixing the components (e) to (g) as optional components, and, if necessary, three components. It can be manufactured as a resin varnish by kneading or stirring using a kneading means such as a roll, ball mill, bead mill, or sand mill, or a stirring means such as a high-speed rotating mixer, super mixer, or planetary mixer.

감광성 수지 조성물층은 보호 필름으로 보호되어 있어도 좋다. 수지 시트의 감광성 수지 조성물층측을 보호 필름으로 보호함으로써, 감광성 수지 조성물층 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 보호 필름으로서는 상기의 지지체와 같은 재료에 의해 구성된 필름을 사용할 수 있다. 보호 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1㎛ 내지 40㎛의 범위인 것이 바람직하며, 5㎛ 내지 30㎛의 범위인 것이 보다 바람직하며, 10㎛ 내지 30㎛의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 보호 필름은, 감광성 수지 조성물층과 지지체의 접착력에 대해, 감광성 수지 조성물층과 보호 필름의 접착력 쪽이 작은 것이 바람직하다. The photosensitive resin composition layer may be protected with a protective film. By protecting the photosensitive resin composition layer side of the resin sheet with a protective film, adhesion of dust or the like to the surface of the photosensitive resin composition layer and scratches can be prevented. As a protective film, a film made of the same material as the above-mentioned support can be used. The thickness of the protective film is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 μm to 40 μm, more preferably in the range of 5 μm to 30 μm, and even more preferably in the range of 10 μm to 30 μm. In addition, it is preferable that the protective film has a smaller adhesive force between the photosensitive resin composition layer and the support than the adhesive force between the photosensitive resin composition layer and the support.

본 발명의 수지 시트는, 예를 들면, 감광성 수지 조성물을 유기 용제에 용해한 수지 바니쉬를 조제하고, 지지체 위에 이 수지 바니쉬를 도포하고, 가열 또는 열풍 분사 등에 의해 유기 용제를 건조시켜 감광성 수지 조성물층을 형성함으로써 제조할 수 있다. 구체적으로는, 우선, 진공 탈포법 등으로 수지 조성물 중의 거품을 완전히 제거한 후, 감광성 수지 조성물을 지지체 위에 도포하고, 열풍로 또는 원적외선로에 의해 용제를 제거하고, 건조시키고, 이어서 필요에 따라 얻어진 감광성 수지 조성물층 위에 보호 필름을 적층함으로써 수지 시트를 제조할 수 있다. 구체적인 건조 조건은, 감광성 수지 조성물의 경화성이나 수지 바니쉬 중의 유기 용제량에 따라서도 상이하지만, 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 함유하는 수지 바니쉬에 있어서는, 80℃ 내지 120℃에서 3분 내지 13분간 건조시킬 수 있다. 감광성 수지 조성물층 중의 잔존 유기 용제량은, 감광성 수지 조성물층의 총량에 대해 5질량% 이하로 하는 것이 바람직하며, 2질량% 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 당업자는, 간편한 실험에 의해 적절히, 적합한 건조 조건을 설정할 수 있다. The resin sheet of the present invention is prepared by, for example, preparing a resin varnish in which a photosensitive resin composition is dissolved in an organic solvent, applying this resin varnish on a support, drying the organic solvent by heating or spraying hot air, etc. to form a photosensitive resin composition layer. It can be manufactured by forming. Specifically, first, after completely removing the bubbles in the resin composition by a vacuum degassing method or the like, the photosensitive resin composition is applied onto the support, the solvent is removed using a hot stove or a far-infrared ray furnace, and the resulting photosensitive resin composition is dried, if necessary. A resin sheet can be manufactured by laminating a protective film on the resin composition layer. Specific drying conditions vary depending on the curability of the photosensitive resin composition and the amount of organic solvent in the resin varnish, but for resin varnishes containing 30% by mass to 60% by mass of organic solvent, 3 minutes at 80°C to 120°C. It can be dried for 13 minutes. The amount of the remaining organic solvent in the photosensitive resin composition layer is preferably 5% by mass or less, and more preferably 2% by mass or less, relative to the total amount of the photosensitive resin composition layer. A person skilled in the art can appropriately set suitable drying conditions through simple experimentation.

감광성 수지 조성물의 도포 방식으로서는, 예를 들면, 그라비아 코트 방식, 마이크로그라비아 코트 방식, 리버스 코트 방식, 키스리버스 코트 방식, 다이 코트 방식, 슬로다이 방식, 립 코트 방식, 콤마 코트 방식, 블레이드 코트 방식, 롤 코트 방식, 나이프 코트 방식, 커텐 코트 방식, 챔버그라비아 코트 방식, 슬롯오리피스 방식, 스프레이 코트 방식, 딥 코트 방식 등을 들 수 있다. Application methods of the photosensitive resin composition include, for example, gravure coat method, microgravure coat method, reverse coat method, kiss reverse coat method, die coat method, slow die method, lip coat method, comma coat method, blade coat method, Examples include roll coat method, knife coat method, curtain coat method, chamber gravure coat method, slot orifice method, spray coat method, and dip coat method.

감광성 수지 조성물은, 수회로 나누어 도포해도 좋고, 1회로 도포해도 좋고, 또한 상이한 방식을 복수 조합하여 도포해도 좋다. 이 중에서도, 균일 도포성이 우수한, 다이 코트 방식이 바람직하다. 또한, 이물 혼입 등을 피하기 위해, 클린룸 등의 이물 발생이 적은 환경에서 도포 공정을 실시하는 것이 바람직하다. The photosensitive resin composition may be applied several times, may be applied once, or may be applied by combining multiple different methods. Among these, the die coat method, which is excellent in uniform applicability, is preferable. Additionally, in order to avoid contamination of foreign substances, it is desirable to carry out the application process in an environment with low occurrence of foreign substances, such as a clean room.

수지 시트의 감광성 수지 조성물층의 용도는, 특별히 한정되지 않지만, 회로 기판(적층판 용도, 다층 프린트 배선판 용도 등), 솔더레지스트, 언더필재, 다이본딩재, 반도체 봉지재, 구멍 매립 수지, 부품 매립 수지 등 광범위하게 사용할 수 있다. 이 중에서도 솔더레지스트 형성용의 감광성 수지 조성물층(감광성 수지 조성물층의 경화물을 솔더레지스트로 한 프린트 배선판), 프린트 배선판의 절연층용 감광성 수지 조성물(감광성 수지 조성물층의 경화물을 절연층으로 한 프린트 배선판), 층간 절연층용 감광성 수지 조성물(감광성 수지 조성물층의 경화물을 층간 절연층으로 한 프린트 배선판), 및 도금 형성용 감광성 수지 조성물(감광성 수지 조성물층의 경화물 위에 도금이 형성된 프린트 배선판)로서 적합하게 사용할 수 있다. The use of the photosensitive resin composition layer of the resin sheet is not particularly limited, but can be used for circuit boards (laminated board applications, multilayer printed wiring board applications, etc.), solder resist, underfill material, die bonding material, semiconductor encapsulant, hole filling resin, and component filling resin. etc. can be used widely. Among these, the photosensitive resin composition layer for forming solder resist (printed wiring board using the cured product of the photosensitive resin composition layer as the solder resist), the photosensitive resin composition for the insulating layer of the printed wiring board (printer using the cured product of the photosensitive resin composition layer as the insulating layer) wiring board), a photosensitive resin composition for an interlayer insulating layer (a printed wiring board using the cured product of the photosensitive resin composition layer as an interlayer insulating layer), and a photosensitive resin composition for forming plating (a printed wiring board with plating formed on the cured product of the photosensitive resin composition layer). It can be used appropriately.

감광성 수지 조성물층을 형성하는 감광성 수지 조성물은 현상성이 우수하다. 따라서, 이 수지 조성물을 사용함으로써, 현상성이 우수한 절연층 및 솔더레지스트층을 얻을 수 있다. 예를 들면, 실시예에 기재된 방법에 의해, 평가용 적층체를 제작한다. 이 경우, 평가용 적층체의 노광부의 1㎝×2㎝의 사각형 부분을 육안으로 관찰하고, 이러한 노광부의 수지가 박리나 일부가 용해되어 있지 않다. The photosensitive resin composition forming the photosensitive resin composition layer has excellent developability. Therefore, by using this resin composition, an insulating layer and a solder resist layer excellent in developability can be obtained. For example, a laminate for evaluation is produced by the method described in the Examples. In this case, a 1 cm x 2 cm square portion of the exposed portion of the laminate for evaluation was observed with the naked eye, and the resin in this exposed portion was not peeled off or partially dissolved.

예를 들면, 실시예에 기재된 방법에 의해, 평가용 적층체를 제작한다. 이 경우, 평가용 적층체의 잔사가 없는 최소 개구 직경(최소 비아 직경)은, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 130㎛ 이하, 100㎛ 이하이다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 50㎛ 이상 등으로 할 수 있다. For example, a laminate for evaluation is produced by the method described in the Examples. In this case, the minimum opening diameter (minimum via diameter) without residue in the evaluation laminate is preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, further preferably 130 μm or less, and 100 μm or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 50 μm or more.

또한, 평가용 적층체를 실시예에 기재된 방법으로 외관을 평가하면, 통상, 어느 미노광부에도 수지 성분이 남아 있지 않으며, 또한, 비아(개구부)의 임의의 3점의 둥근 구멍 패턴을 관찰해도, 통상, 오버행이나 언더컷이 나타나는 경우는 없다. In addition, when the appearance of the evaluation laminate is evaluated by the method described in the Examples, generally, no resin component remains in any unexposed portion, and even if the round hole pattern of any three points of the via (opening portion) is observed, Normally, no overhang or undercut appears.

감광성 수지 조성물층은, 현상후, 높은 최대 계곡 깊이의 절대값을 갖는 면을 형성할 수 있기 때문에, 배선의 차폐성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 따라서, 차폐성이 우수한 절연층 및 솔더레지스트층을 얻을 수 있다. 예를 들면, 실시예에 기재된 방법에 의해, 평가용 적층체를 제작한다. 이 경우, 통상, 평가용 적층체에 있어서, 육안으로 패턴이 보이지 않는다. Since the photosensitive resin composition layer can form a surface with a high absolute value of maximum valley depth after development, a cured product excellent in shielding properties for wiring can be obtained. Therefore, an insulating layer and a solder resist layer with excellent shielding properties can be obtained. For example, a laminate for evaluation is produced by the method described in the Examples. In this case, usually, in the laminate for evaluation, the pattern is not visible to the naked eye.

감광성 수지 조성물층은, 현상후, 높은 최대 계곡 깊이의 절대값을 갖는 면을 형성할 수 있기 때문에, 밀착성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 따라서, 밀착성이 우수한 절연층 및 솔더레지스트층을 얻을 수 있다. 예를 들면, 실시예에 기재된 방법에 의해, 평가용 적층체 위에 시트를 적층하고, 실시예에 기재된 방법으로 밀착성을 평가하면, 통상, 모든 매스에 있어서 박리가 확인되는 경우는 없다. Since the photosensitive resin composition layer can form a surface with a high absolute value of maximum valley depth after development, a cured product with excellent adhesion can be obtained. Therefore, an insulating layer and a solder resist layer with excellent adhesion can be obtained. For example, when a sheet is laminated on a laminate for evaluation by the method described in the Example and the adhesion is evaluated by the method described in the Example, peeling is usually not confirmed in any of the masses.

[프린트 배선판의 제조 방법][Manufacturing method of printed wiring board]

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은, The method for manufacturing a printed wiring board of the present invention is:

(1) 지지체와, 당해 지지체 위에 설치된, 감광성 수지 조성물을 함유하는 감광성 수지 조성물층을 갖는 수지 시트를 준비하는 공정,(1) A process of preparing a resin sheet having a support and a photosensitive resin composition layer provided on the support and containing a photosensitive resin composition,

(2) 기판 위에 수지 시트를 라미네이트하는 공정,(2) a process of laminating a resin sheet on a substrate,

(3) 감광성 수지 조성물층을 노광하는 공정, 및(3) a process of exposing the photosensitive resin composition layer, and

(4) 현상에 의해 패턴 감광성 수지 조성물층을 형성하는 공정, 을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다. (4) A method for producing a printed wiring board including the step of forming a patterned photosensitive resin composition layer by development.

본 발명의 프린트 배선판은, 전기의 수지 시트를 사용하여 제조할 수 있다. 지지체, 지지체의 헤이즈, (4) 공정후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 최대 계곡 깊이의 절대값, 및 감광성 수지 조성물이 충족시키는 조건 (I) 및 조건 (II)에 관해서는 전술한 바와 같다. 이하, 감광성 수지 조성물층의 경화물이 솔더레지스트인 경우에 관해서 설명한다. The printed wiring board of the present invention can be manufactured using the above resin sheet. The support, the haze of the support, (4) the absolute value of the maximum valley depth of the patterned photosensitive resin composition layer after the process, and conditions (I) and conditions (II) that the photosensitive resin composition satisfies are as described above. Hereinafter, a case where the cured product of the photosensitive resin composition layer is solder resist will be described.

<(1) 공정><(1) Process>

(1) 공정은, 지지체와, 당해 지지체 위에 설치된, 감광성 수지 조성물을 함유하는 감광성 수지 조성물층을 갖는 수지 시트를 준비하는 공정이다. 지지체는, 헤이즈가 20% 이하이며, 감광성 수지 조성물은 상기한 조건 (I) 또는 (II)를 충족시킨다. 또한 감광성 수지 조성물은 조건 (I) 또는 (II)를 충족시키기 때문에, (4) 공정후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 기판측과 반대측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)이, 500㎚ 이상이 된다. (1) 공정에서 사용하는 수지 시트는, 전술한 바와 같다. The step (1) is a step of preparing a resin sheet having a support and a photosensitive resin composition layer provided on the support and containing the photosensitive resin composition. The support has a haze of 20% or less, and the photosensitive resin composition satisfies the above-mentioned conditions (I) or (II). In addition, since the photosensitive resin composition satisfies condition (I) or (II), (4) the absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth on the surface of the patterned photosensitive resin composition layer opposite to the substrate side after the process is 500 It becomes more than ㎚. (1) The resin sheet used in the process is as described above.

<(2) 공정><(2) Process>

(2) 공정은 기판 위에 수지 시트를 라미네이트하는 공정이다. (2) 공정에 있어서, 수지 시트가 보호 필름을 가지고 있는 경우에는 당해 보호 필름을 제거한 후, 필요에 따라 수지 시트 및 기판을 프레히트하고, 감광성 수지 조성물층을 가압 및 가열하면서 기판에 압착한다. 수지 시트에 있어서는, 진공 라미네이트법에 의해 감압하에서 기판에 라미네이트하는 방법이 적합하게 사용된다. (2) The process is a process of laminating a resin sheet on a substrate. In step (2), if the resin sheet has a protective film, the protective film is removed, and then the resin sheet and substrate are preheated as needed, and the photosensitive resin composition layer is pressed to the substrate while being pressed and heated. For the resin sheet, a method of laminating it to a substrate under reduced pressure by a vacuum lamination method is suitably used.

기판으로서는, 편면 또는 양면에 패턴 가공된 도체층(회로)이 형성된 회로 기판이 바람직하다. 회로 기판으로서는, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있다. 도체층과 절연층을 교대로 적층하여 이루어지는 다층 프린트 배선판에 있어서, 당해 다층 프린트 배선판의 최외층의 편면 또는 양면이 패턴 가공된 도체층(회로)으로 되어 있는 기판도, 여기서 말하는 회로 기판에 포함된다. 또한 도체층 표면에는, 흑화 처리, 구리 에칭 등에 의해 미리 조화 처리가 가해져 있어도 좋다. The substrate is preferably a circuit board having a conductor layer (circuit) patterned on one or both sides. Examples of circuit boards include glass epoxy substrates, metal substrates, polyester substrates, polyimide substrates, BT resin substrates, and thermosetting polyphenylene ether substrates. In a multilayer printed wiring board formed by alternately laminating conductor layers and insulating layers, a board in which one or both sides of the outermost layer of the multilayer printed wiring board is patterned with a conductor layer (circuit) is also included in the circuit board herein. . Additionally, the surface of the conductor layer may be previously roughened by blackening treatment, copper etching, etc.

(2) 공정의 조건은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 압착 온도(라미네이트 온도)를 바람직하게는 70℃ 내지 140℃로 하고, 압착 압력을 바람직하게는 1kgf/㎠ 내지 11kgf/㎠(9.8×104N/㎡ 내지 107.9×104N/㎡), 압착 시간을 바람직하게는 5초 내지 300초간으로 하고, 공기압을 20㎜Hg(26.7hPa) 이하로 하는 감압하에서 라미네이트하는 것이 바람직하다. 또한, 라미네이트 공정은, 뱃치식이라도 롤을 사용하는 연속식이라도 좋다. 진공 라미네이트법은, 시판 진공 라미네이터를 사용하여 행할 수 있다. 시판 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, 닛코·마테리알즈사 제조 배큠 어플리케이터, 메이키세사쿠쇼사 제조 진공 가압식 라미네이터, 히타치인더스트리즈사 제조 롤식 드라이 코터, 히타치에이아이씨사 제조 진공 라미네이터 등을 들 수 있다. 이와 같이 하여, 기판 위에 수지 시트가 라미네이트된다. (2) The conditions of the process are not particularly limited, but for example, the pressing temperature (lamination temperature) is preferably 70°C to 140°C, and the pressing pressure is preferably 1 kgf/cm2 to 11 kgf/cm2 ( 9.8×10 4 N/m2 to 107.9×10 4 N/m2), the pressing time is preferably 5 to 300 seconds, and it is preferable to laminate under reduced pressure with air pressure of 20 mmHg (26.7 hPa) or less. . Additionally, the lamination process may be a batch process or a continuous process using rolls. The vacuum lamination method can be performed using a commercially available vacuum laminator. Examples of commercially available vacuum laminators include a vacuum applicator manufactured by Nikko Materials, a vacuum pressurized laminator manufactured by Meiki Sesakusho, a roll-type dry coater manufactured by Hitachi Industries, and a vacuum laminator manufactured by Hitachi AIC. In this way, the resin sheet is laminated on the substrate.

<(3) 공정><(3) Process>

(3) 공정은, (2) 공정후의 감광성 수지 조성물층을 노광하는 공정이다. 상세하게는, 감광성 수지 조성물이 네가티브형 감광성 수지 조성물인 경우, (2) 공정에 의해, 기판 위에 수지 시트가 설치된 후, 마스크 패턴을 통해, 감광성 수지 조성물층의 소정 부분에 활성 광선을 조사하고, 조사부의 감광성 수지 조성물층을 광경화시킨다. The (3) process is a process of exposing the photosensitive resin composition layer after the (2) process. Specifically, when the photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition, in step (2), after the resin sheet is installed on the substrate, actinic light is irradiated to a predetermined portion of the photosensitive resin composition layer through a mask pattern, The photosensitive resin composition layer of the irradiated area Light cure.

활성 광선으로서는, 예를 들면, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 등을 들 수 있으며, 특히 자외선이 바람직하다. 자외선의 조사량은 대략 10mJ/㎠ 내지 1000mJ/㎠이다. 노광 방법에는 마스크 패턴을 프린트 배선판에 밀착시켜 행하는 접촉 노광법과, 밀착시키지 않고 평행 광선을 사용하여 노광하는 비접촉 노광법이 있는데, 어느 것을 사용해도 상관없다. Examples of actinic rays include ultraviolet rays, visible rays, electron beams, and X-rays, and ultraviolet rays are particularly preferable. The irradiation amount of ultraviolet rays is approximately 10mJ/cm2 to 1000mJ/cm2. The exposure method includes a contact exposure method in which the mask pattern is brought into close contact with the printed wiring board, and a non-contact exposure method in which exposure is performed using parallel light without bringing the mask pattern into close contact with the printed wiring board. Either method may be used.

솔더레지스트는, 전술한 감광성 수지 조성물을 사용하기 때문에, 현상성이 우수하다. 이로 인해, 마스크 패턴에 있어서의 노광 패턴으로서는, 예를 들면, 회로폭(라인; L)과 회로간의 폭(스페이스; S)의 비(L/S)가 100㎛/100㎛ 이하(즉, 배선 피치 200㎛ 이하), L/S=90㎛/90㎛ 이하(배선 피치 180㎛ 이하), L/S=80㎛/80㎛ 이하(배선 피치 160㎛ 이하), L/S=70㎛/70㎛ 이하(배선 피치 140㎛ 이하), L/S=60㎛/60㎛ 이하(배선 피치 120㎛ 이하), L/S=50㎛/50㎛ 이하(배선 피치 100㎛ 이하)의 패턴이 사용 가능하다. 또한, 노광 패턴으로서는, 예를 들면, 개구가 100㎛ 이하인 둥근 구멍, 90㎛ 이하인 둥근 구멍, 80㎛ 이하인 둥근 구멍, 70㎛ 이하인 둥근 구멍, 60㎛ 이하인 둥근 구멍, 50㎛ 이하인 둥근 구멍의 패턴이 사용 가능하다. 또한, 피치는 회로 기판 전체에 걸쳐 동일할 필요는 없다. Since the solder resist uses the photosensitive resin composition described above, it has excellent developability. For this reason, as an exposure pattern in a mask pattern, for example, the ratio (L/S) of the circuit width (line; L) to the width (space; S) between circuits is 100 μm/100 μm or less (i.e., wiring Pitch 200㎛ or less), L/S=90㎛/90㎛ or less (wiring pitch 180㎛ or less), L/S=80㎛/80㎛ or less (wiring pitch 160㎛ or less), L/S=70㎛/70 Patterns of ㎛ or less (wiring pitch 140㎛ or less), L/S=60㎛/60㎛ or less (wiring pitch 120㎛ or less), L/S=50㎛/50㎛ or less (wiring pitch 100㎛ or less) can be used. do. In addition, the exposure pattern includes, for example, a pattern of a round hole with an opening of 100 μm or less, a round hole of 90 μm or less, a round hole of 80 μm or less, a round hole of 70 μm or less, a round hole of 60 μm or less, and a round hole of 50 μm or less. Available. Additionally, the pitch need not be the same throughout the circuit board.

<(4) 공정><(4) Process>

(4) 공정은, 현상에 의해 패턴 감광성 수지 조성물층을 형성하는 공정이다. 상세하게는, 감광성 수지 조성물이 네가티브형 감광성 수지 조성물인 경우, (3) 공정후, 감광성 수지 조성물층의 표면 위를, 웨트 현상으로 광경화되어 있지 않은 부분(미노광부)을 제거하여 현상함으로써, 패턴 감광성 수지 조성물층을 형성할 수 있다. 또한, 패턴 감광성 수지 조성물층은, 전술한 요건을 충족시키기 때문에, 웨트 현상에 사용하는 현상액에 의해, (4) 공정후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 기판측과 반대측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)이, 500㎚ 이상이 된다. The (4) step is a step of forming a patterned photosensitive resin composition layer through development. Specifically, when the photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition, (3) after the process, the portion that has not been photocured (unexposed portion) is removed by wet development on the surface of the photosensitive resin composition layer and developed, A patterned photosensitive resin composition layer can be formed. In addition, since the patterned photosensitive resin composition layer satisfies the above-mentioned requirements, the developer used for wet development determines (4) the absolute value of the maximum valley depth of the surface of the patterned photosensitive resin composition layer after the process opposite to the substrate side. (│Rv│) becomes 500 nm or more.

(4) 공정후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 기판측과 반대측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값, 및 산술 평균 거칠기(Ra)는 전술한 바와 같으며, 바람직한 범위도 같다. (4) The absolute value of the maximum valley depth and the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the photosensitive resin composition layer opposite to the substrate side after the process are as described above, and the preferable ranges are also the same.

현상액으로서는, 알칼리성 수용액, 수계 현상액, 유기 용제 등의 안전하고 안정적이며 조작성이 양호한 현상액이 사용되며, 이 중에서도 알칼리 수용액에 의한 현상 공정이 바람직하다. 또한, 현상 방법으로서는, 스프레이, 요동 침지, 브러싱, 스크래핑 등의 공지의 방법이 적절하게 채용된다. As a developer, a developer that is safe, stable, and has good operability, such as an aqueous alkaline solution, an aqueous developer, or an organic solvent, is used, and among these, a development process using an aqueous alkaline solution is preferable. Additionally, as a developing method, known methods such as spraying, shaking immersion, brushing, and scraping are appropriately employed.

현상액으로서 사용되는 알칼리성 수용액으로서는, 예를 들면, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리금속 수산화물, 탄산나트륨, 중탄산나트륨 등의 탄산염 또는 중탄산염, 인산나트륨, 인산칼륨 등의 알칼리금속 인산염, 피롤린산나트륨, 피롤린산칼륨 등의 알칼리금속피롤린산염 등의 수용액이나 수산화테트라알킬암모늄 등의 금속 이온을 함유하지 않는 유기 염기의 수용액을 들 수 있으며, 금속 이온을 함유하지 않고, 반도체 칩에 영향을 주지 않는 점에서 수산화테트라메틸암모늄(TMAH)의 수용액이 바람직하다. Examples of the alkaline aqueous solution used as a developer include alkali metal hydroxides such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, and potassium hydroxide, carbonates or bicarbonates such as sodium carbonate and sodium bicarbonate, alkali metal phosphates such as sodium phosphate and potassium phosphate, and sodium pyrrolinate. , an aqueous solution of an alkali metal pyrrolate such as potassium pyrrolate, or an aqueous solution of an organic base containing no metal ions such as tetraalkylammonium hydroxide, which does not contain metal ions and does not affect the semiconductor chip. In this regard, an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is preferable.

이들 알칼리성 수용액에는, 현상 효과의 향상을 위해, 계면활성제, 소포제 등을 현상액에 첨가할 수 있다. 상기 알칼리성 수용액의 pH는, 예를 들면, 8 내지 12의 범위인 것이 바람직하며, 9 내지 11의 범위인 것이 보다 바람직하다. To these alkaline aqueous solutions, surfactants, antifoaming agents, etc. can be added to the developing solution to improve the developing effect. The pH of the alkaline aqueous solution is preferably, for example, in the range of 8 to 12, and more preferably in the range of 9 to 11.

또한, 상기 알칼리성 수용액의 염기 농도는, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이며, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 40질량% 이하, 더욱 바람직하게는 35질량% 이하이다. In addition, the base concentration of the alkaline aqueous solution is preferably 0.1 mass% or more, more preferably 1 mass% or more, further preferably 5 mass% or more, preferably 50 mass% or less, more preferably 40 mass% or more. It is % by mass or less, more preferably 35 mass% or less.

상기 알칼리성 수용액의 온도는, 수지 조성물층의 현상성에 맞추어 적절히 선택할 수 있지만, 바람직하게는 10℃ 이상, 보다 바람직하게는 15℃ 이상, 더욱 바람직하게는 20℃ 이상이며, 바람직하게는 50℃ 이하, 보다 바람직하게는 45℃ 이하, 더욱 바람직하게는 40℃ 이하이다. The temperature of the alkaline aqueous solution can be appropriately selected according to the developability of the resin composition layer, but is preferably 10°C or higher, more preferably 15°C or higher, further preferably 20°C or higher, and preferably 50°C or lower. More preferably, it is 45°C or lower, and even more preferably, it is 40°C or lower.

현상액으로서 사용되는 유기 용제는, 예를 들면, 아세톤, 아세트산에틸, 탄소원자수 1 내지 4의 알콕시기를 갖는 알콕시에탄올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, 부틸알코올, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르이다. Organic solvents used as a developer include, for example, acetone, ethyl acetate, alkoxyethanol having an alkoxy group of 1 to 4 carbon atoms, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, diethylene glycol monomethyl ether, and diethylene glycol mono. Ethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether.

이러한 유기 용제의 농도는, 현상액 전량에 대해 2질량% 내지 90질량%인 것이 바람직하다. 또한, 이러한 유기 용제의 온도는, 현상성에 맞추어 조절할 수 있다. 또한, 이러한 유기 용제는 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 단독으로 사용하는 유기 용제계 현상액으로서는, 예를 들면, 1,1,1-트리클로로에탄, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, 사이클로헥산온, 메틸이소부틸케톤, γ-부티로락톤을 들 수 있다. The concentration of this organic solvent is preferably 2% by mass to 90% by mass with respect to the total amount of the developer. Additionally, the temperature of this organic solvent can be adjusted according to developability. Additionally, these organic solvents can be used individually or in combination of two or more types. Examples of organic solvent-based developers used individually include 1,1,1-trichloroethane, N-methylpyrrolidone, N,N-dimethylformamide, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, and γ- Examples include butyrolactone.

패턴 형성에 있어서는, 필요에 따라, 상기한 2종류 이상의 현상 방법을 병용하여 사용해도 좋다. 현상의 방식에는, 딥 방식, 배틀 방식, 스프레이 방식, 고압 스프레이 방식, 브러싱, 스크래핑 등이 있으며, 고압 스프레이 방식이 해상도 향상을 위해서는 적합하다. 스프레이 방식을 채용하는 경우의 스프레이압으로서는, 바람직하게는 0.05MPa 이상, 보다 바람직하게는 0.1MPa 이상, 더욱 바람직하게는 0.15MPa 이상이며, 바람직하게는 0.5MPa 이하, 보다 바람직하게는 0.4MPa 이하, 더욱 바람직하게는 0.3MPa 이하이다. In pattern formation, if necessary, two or more of the above-described developing methods may be used in combination. Development methods include dip method, battle method, spray method, high pressure spray method, brushing, and scraping, and the high pressure spray method is suitable for improving resolution. The spray pressure when adopting the spray method is preferably 0.05 MPa or more, more preferably 0.1 MPa or more, further preferably 0.15 MPa or more, preferably 0.5 MPa or less, more preferably 0.4 MPa or less, More preferably, it is 0.3 MPa or less.

<(5) 공정><(5) Process>

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은, (1) 공정에서부터 (4) 공정에 더하여, 추가로 (5) 패턴 감광성 수지 조성물층을 경화하는 공정을 포함할 수 있다. (5) 공정을 행함으로써, 패턴 감광성 수지 조성물층을 열경화시켜, 솔더레지스트를 형성하는 것이 가능해진다. (5) 공정은 (4) 공정 종료후에 행하는 것이 바람직하다. The method for manufacturing a printed wiring board of the present invention may further include (5) a step of curing the patterned photosensitive resin composition layer in addition to the steps (1) to (4). (5) By performing the process, it becomes possible to heat-cure the patterned photosensitive resin composition layer and form a solder resist. It is desirable to carry out step (5) after completing step (4).

가열의 조건은, 수지 조성물 중의 수지 성분의 종류, 함유량 등에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 바람직하게는 150℃ 내지 220℃에서 20분 내지 180분간의 범위, 보다 바람직하게는 160℃ 내지 200℃에서 30분 내지 120분간의 범위에서 선택된다. 또한, 가열전에 고압 수은 램프에 의한 자외선 조사나 클린오븐을 사용한 가열 공정 등을 행해도 좋다. 자외선을 조사시키는 경우에는 필요에 따라 그 조사량을 조정할 수 있으며, 예를 들면 0.05J/㎠ 내지 10J/㎠ 정도의 조사량으로 조사를 행할 수 있다. Heating conditions can be appropriately selected depending on the type and content of the resin component in the resin composition, but are preferably in the range of 20 minutes to 180 minutes at 150°C to 220°C, more preferably 30 minutes at 160°C to 200°C. It is selected from the range of to 120 minutes. Additionally, before heating, ultraviolet ray irradiation using a high-pressure mercury lamp or a heating process using a clean oven may be performed. When irradiating ultraviolet rays, the irradiation amount can be adjusted as needed. For example, irradiation can be performed at an irradiation amount of about 0.05 J/cm2 to 10 J/cm2.

<(6) 공정><(6) Process>

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은, (1) 공정에서부터 (4) 공정에 더하여, 추가로 (6) 지지체를 박리하는 공정을 포함할 수 있다. 지지체를 박리하는 방법은, 공지의 방법에 의해 실시하면 좋다. The method for manufacturing a printed wiring board of the present invention may include, in addition to steps (1) to (4), an additional step (6) of peeling off the support. The method of peeling off the support may be performed by a known method.

(6) 공정을 행하는 타이밍은 특별히 제한은 없으며, 예를 들면, (3) 공정후 (4) 공정전에 행해도 좋다. (6) 공정은, 패턴 감광성 수지 조성물층의 기판과 반대측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)을 500㎚ 이상으로 하고, 밀착성을 향상시키는 관점에서, (2) 공정후 (3) 공정전에 행하는 것이 바람직하다. 즉, 지지체는 노광을 행하기 전에 박리하는 것이 바람직하다. (2) 공정후 (3) 공정전에 (6) 공정을 행함으로써, (3) 공정은, 감광성 수지 조성물층의 기판과 반대측 면 위에 산소가 존재하는 상황에서 행하게 된다. 특히 네가티브형 광중합 개시제를 사용하는 반응계에서는, 비라디칼 구조를 갖는 공기 중의 산소에 의해 광 조사에서 발생한 광중합 개시제의 라디칼이 실활된다. 특히 최표층에서 이 현상이 현저하며, 감광성 수지 조성물의 최표층은 광경화되어 있지 않은 상태가 되어, 표면 근방의 일부가 현상액에 의해 제거되기 쉬워진다. 그 결과, 패턴 감광성 수지 조성물층의 표면에 소정의 최대 계곡 깊이가 형성되어, 밀착성 및 차폐성을 향상시키는 것이 가능해질 것으로 생각된다. The timing of performing the (6) process is not particularly limited, and may be performed, for example, after the (3) process and before the (4) process. (6) In the process, the absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth on the surface opposite to the substrate of the patterned photosensitive resin composition layer is set to 500 nm or more, and from the viewpoint of improving adhesion, (2) after process (3) ) It is desirable to do this before the process. That is, it is preferable to peel the support before exposure. By performing step (6) after (2) after step (3) and before step (3), step (3) is performed in a situation where oxygen exists on the surface of the photosensitive resin composition layer opposite to the substrate. In particular, in a reaction system using a negative photopolymerization initiator, the radicals of the photopolymerization initiator generated by light irradiation are deactivated by oxygen in the air, which has a non-radical structure. This phenomenon is especially noticeable in the outermost layer, and the outermost layer of the photosensitive resin composition is in a non-photocured state, making it easy for a part near the surface to be removed by the developer. As a result, it is believed that a predetermined maximum valley depth is formed on the surface of the patterned photosensitive resin composition layer, making it possible to improve adhesion and shielding properties.

<기타 공정><Other processes>

프린트 배선판은, 솔더레지스트를 형성후, 추가로 천공 공정, 디스미어 공정을 포함해도 좋다. 이들 공정은, 프린트 배선판의 제조에 사용되는, 당업자에게 공지된 각종 방법에 따라 실시하면 좋다. The printed wiring board may further include a drilling process and a desmear process after forming the solder resist. These processes may be performed according to various methods known to those skilled in the art that are used in the manufacture of printed wiring boards.

솔더레지스트를 형성한 후, 원하는 바에 따라, 기판 위에 형성된 솔더레지스트에 천공 공정을 행하여 비아홀, 스루홀을 형성한다. 천공 공정은, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마 등의 공지의 방법에 의해, 또한 필요에 따라 이들 방법을 조합하여 행할 수 있지만, 탄산가스 레이저, YAG 레이저 등의 레이저에 의한 천공 공정이 바람직하다. After forming the solder resist, a perforation process is performed on the solder resist formed on the substrate to form via holes and through holes, as desired. The drilling process can be performed, for example, by known methods such as drill, laser, plasma, etc., or by combining these methods as needed, but the drilling process by laser such as carbon dioxide laser or YAG laser is preferable. .

디스미어 공정은 디스미어 처리하는 공정이다. 천공 공정에 있어서 형성된 개구부 내부에는, 일반적으로, 수지 잔사(스미어)가 부착되어 있다. 이러한 스미어는, 전기 접속 불량의 원인이 되기 때문에, 이 공정에 있어서 스미어를 제거하는 처리(디스미어 처리)를 실시한다. The desmear process is a desmear process. Resin residue (smear) generally adheres to the inside of the opening formed in the drilling process. Since such smears cause defective electrical connections, treatment to remove smears (desmear treatment) is performed in this process.

디스미어 처리는, 건식 디스미어 처리, 습식 디스미어 처리 또는 이들의 조합에 의해 실시하면 좋다. The desmear treatment may be performed by dry desmear treatment, wet desmear treatment, or a combination thereof.

건식 디스미어 처리로서는, 예를 들면, 플라즈마를 사용한 디스미어 처리 등을 들 수 있다. 플라즈마를 사용한 디스미어 처리는, 시판 플라즈마 디스미어 처리 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 시판 플라즈마 디스미어 처리 장치 중에서도, 프린트 배선판의 제조 용도에 적합한 예로서, 닛신사 제조의 마이크로파 플라즈마 장치, 세키스이가가쿠고교사 제조의 상압 플라즈마에칭 장치 등을 들 수 있다. Examples of dry desmear treatment include desmear treatment using plasma. Desmear processing using plasma can be performed using a commercially available plasma desmear processing device. Among commercially available plasma desmear processing devices, examples suitable for use in manufacturing printed wiring boards include a microwave plasma device manufactured by Nisshin Corporation and an atmospheric pressure plasma etching device manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.

습식 디스미어 처리로서는, 예를 들면, 산화제 용액을 사용한 디스미어 처리 등을 들 수 있다. 산화제 용액을 사용하여 디스미어 처리하는 경우, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제 용액에 의한 산화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순으로 행하는 것이 바람직하다. 팽윤액으로서는, 에를 들면, 아토텍재팬사 제조의「스웰링·딥·세큐리간스 P」,「스웰링·딥·세큐리간스 SBU」등을 들 수 있다. 팽윤 처리는, 비아홀 등이 형성된 기판을, 60℃ 내지 80℃로 가열한 팽윤액에 5분 내지 10분간 침지시킴으로써 행하는 것이 바람직하다. 산화제 용액으로서는, 알칼리성 과망간산 수용액이 바람직하며, 예를 들면, 수산화나트륨 수용액에 과망간산칼륨이나 과망간산나트륨을 용해한 용액을 들 수 있다. 산화제 용액에 의한 산화 처리는, 팽윤 처리후의 기판을, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 10분 내지 30분간 침지시킴으로써 행하는 것이 바람직하다. 알칼리성 과망간산 수용액의 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의「콘센트레이트·콤팩트 CP」,「도징솔류션·세큐리간스 P」등을 들 수 있다. 중화액에 의한 중화 처리는, 산화 처리후의 기판을, 30℃ 내지 50℃의 중화액에 3분 내지 10분간 침지시킴으로써 행하는 것이 바람직하다. 중화액으로서는, 산성의 수용액이 바람직하며, 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의「리덕션솔류션·세큐리간트 P」를 들 수 있다. Examples of wet desmear treatment include desmear treatment using an oxidizing agent solution. When performing desmear treatment using an oxidizing agent solution, it is preferable to perform swelling treatment with a swelling liquid, oxidation treatment with an oxidizing agent solution, and neutralization treatment with a neutralizing liquid in this order. Examples of the swelling liquid include “Swelling Deep Securiganth P” and “Swelling Deep Securiganth SBU” manufactured by Atotech Japan. The swelling treatment is preferably performed by immersing the substrate on which via holes or the like are formed in a swelling liquid heated to 60°C to 80°C for 5 to 10 minutes. As the oxidizing agent solution, an alkaline permanganate aqueous solution is preferable, for example, a solution obtained by dissolving potassium permanganate or sodium permanganate in an aqueous sodium hydroxide solution. The oxidation treatment using an oxidizing agent solution is preferably performed by immersing the substrate after the swelling treatment in an oxidizing agent solution heated to 60°C to 80°C for 10 to 30 minutes. Examples of commercially available alkaline aqueous permanganic acid solutions include “Concentrate Compact CP” and “Dosing Solution Securiganth P” manufactured by Atotech Japan. Neutralization treatment with a neutralizing liquid is preferably performed by immersing the oxidized substrate in a neutralizing liquid at 30°C to 50°C for 3 to 10 minutes. As the neutralizing liquid, an acidic aqueous solution is preferable, and commercially available products include, for example, “Reduction Solution Securigant P” manufactured by Atotech Japan.

건식 디스미어 처리와 습식 디스미어 처리를 조합하여 실시하는 경우, 건식 디스미어 처리를 먼저 실시해도 좋고, 습식 디스미어 처리를 먼저 실시해도 좋다. When performing a combination of dry desmear treatment and wet desmear treatment, the dry desmear treatment may be performed first, or the wet desmear treatment may be performed first.

절연층을 층간 절연층으로서 사용하는 경우에도, 솔더레지스트의 경우와 같이 행할 수 있으며, 필요에 따라 도금 공정을 행해도 좋다. Even when the insulating layer is used as an interlayer insulating layer, it can be performed in the same way as in the case of solder resist, and a plating process may be performed if necessary.

도금 공정은 절연층 위에 도체층을 형성하는 공정이다. 도체층은, 무전해 도금과 전해 도금을 조합하여 형성해도 좋고, 또한, 도체층과는 역패턴의 도금 레지스트를 형성하고, 무전해 도금만으로 도체층을 형성해도 좋다. 그 후의 패턴 형성의 방법으로서, 예를 들면, 당업자에게 공지된 서브트랙티브법, 세미어디티브법 등을 사용할 수 있다. The plating process is a process of forming a conductor layer on an insulating layer. The conductor layer may be formed by combining electroless plating and electrolytic plating, or a plating resist with a reverse pattern to that of the conductor layer may be formed, and the conductor layer may be formed only by electroless plating. As a subsequent pattern formation method, for example, a subtractive method, a semiadditive method, etc. known to those skilled in the art can be used.

[경화물][Hardened product]

본 발명의 경화물은, 본 발명의 수지 조성물 시트의 감광성 수지 조성물층을 경화시켜 얻어진다. 이 경화물은, 「[수지 시트]」의 항에서 설명한 바와 같이, 조건 (I) 또는 (II)를 충족시키는 감광성 수지 조성물을 경화시킨 것이기 때문에, 현상후, 그 표면은 특정한 최대 계곡 깊이를 가진다. The cured product of the present invention is obtained by curing the photosensitive resin composition layer of the resin composition sheet of the present invention. Since this cured product is obtained by curing a photosensitive resin composition that satisfies condition (I) or (II), as explained in the section “[Resin Sheet]”, after development, its surface has a specific maximum valley depth. .

감광성 수지 조성물층의 경화 조건은, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 통상 채용되는 조건을 사용하면 좋으며, 예를 들면, 전술한 (5) 공정의 조건을 사용해도 좋다. 또한, 수지 조성물을 열경화시키기 전에 예비 가열을 해도 좋고, 가열은 예비 가열을 포함하여 복수회 행해도 좋다. The curing conditions for the photosensitive resin composition layer may be those normally employed when forming the insulating layer of a printed wiring board. For example, the conditions of the above-mentioned process (5) may be used. Additionally, preheating may be performed before thermosetting the resin composition, and heating may be performed multiple times including preheating.

[실시예] [ Example ]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 이하의 기재에 있어서, 양을 나타내는「부」및「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각「질량부」및「질량%」를 의미한다. Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following description, “part” and “%” indicating quantity mean “part by mass” and “% by mass”, respectively, unless otherwise specified.

((b) 성분의 주쇄의 유리 전이 온도의 측정)((b) Measurement of the glass transition temperature of the main chain of the component)

(b) 성분의 주쇄의 유리 전이 온도는, 이하에 나타낸 FOX의 식에 의해 산출하였다. (b) The glass transition temperature of the main chain of component was calculated using the FOX formula shown below.

1/Tg=(W1/Tg1)+(W2/Tg2)+…+(Wm/Tgm)1/Tg=(W1/Tg1)+(W2/Tg2)+… +(Wm/Tgm)

W1+W2+…+Wm=1W1+W2+… +Wm=1

Wm은 (b) 성분을 구성하는 각 단량체의 함유량(질량%)을 나타내고, Tgm은, (b) 성분을 구성하는 각 단량체의 유리 전이 온도(K)를 나타낸다. Wm represents the content (mass %) of each monomer constituting component (b), and Tgm represents the glass transition temperature (K) of each monomer constituting component (b).

((b) 성분의 중량 평균 분자량(Mw)의 측정)((b) Measurement of weight average molecular weight (Mw) of component)

겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을, (b) 성분의 중량 평균 분자량으로 하였다. The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) was taken as the weight average molecular weight of component (b).

(합성예 1: (b) 성분의 합성)(Synthesis Example 1: Synthesis of component (b))

내용량이 2리터인 5구 반응 용기 내에, 메틸이소부틸케톤 350g, 글리시딜메타크릴레이트 71g, 부틸아크릴레이트 136g 및 아조비스이소부티로니트릴 16g을 가하고, 질소 가스를 불어 넣으면서 80℃에서 6시간 가열하였다. 다음에, 얻어진 반응 용액에, 아크릴산 36g, 메토퀴논 4㎎ 및 트리페닐포스핀 4㎎을 가하고, 공기를 불어 넣으면서 100℃에서 24시간 가열하였다. 얻어진 반응 혼합물에, 테트라하이드로프탈산 무수물 48g을 가하고, 70℃에서 10시간 가열하고, 용제를 가하여 중합체 용액을 얻었다(중합체의 이론 Tg값은 -28℃, 고형분 함량: 50질량%, Mw: 18000, 산가: 52㎎KOH/g이었다). In a 5-neck reaction vessel with an internal volume of 2 liters, 350 g of methyl isobutyl ketone, 71 g of glycidyl methacrylate, 136 g of butylacrylate, and 16 g of azobisisobutyronitrile were added, and the mixture was heated at 80°C for 6 hours while blowing nitrogen gas. Heated. Next, 36 g of acrylic acid, 4 mg of methoquinone, and 4 mg of triphenylphosphine were added to the obtained reaction solution, and the mixture was heated at 100°C for 24 hours while blowing air. To the obtained reaction mixture, 48 g of tetrahydrophthalic anhydride was added, heated at 70°C for 10 hours, and a solvent was added to obtain a polymer solution (the theoretical Tg value of the polymer was -28°C, solid content: 50% by mass, Mw: 18000, Acid value: 52 mgKOH/g).

<제조예 1 내지 3><Production Examples 1 to 3>

하기 표에 기재하는 배합 비율로 각 성분을 배합하고, 고속 회전 믹서를 사용하여 수지 바니쉬를 조정하였다. Each component was mixed in the mixing ratio shown in the table below, and the resin varnish was adjusted using a high-speed rotating mixer.

Figure 112019002179801-pat00001
Figure 112019002179801-pat00001

표 중의 약어 등은 이하와 같다. Abbreviations in the table are as follows.

·SC2050: 용융 실리카 슬러리(아도마텍스사 제조, 평균 입자 직경 0.5㎛, 비표면적 5.9㎡/g) 100질량부에 대해, 아미노실란(신에츠가가쿠사 제조,「KBM573」) 0.5질량부로 표면 처리하고, MEK를 가한 슬러리. 고형분 농도 70%.SC2050: Surface treatment with 0.5 parts by mass of aminosilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical, “KBM573”) for 100 parts by mass of fused silica slurry (manufactured by Adomatex, average particle diameter 0.5 ㎛, specific surface area 5.9 m2/g) and slurry to which MEK was added. Solids concentration 70%.

·ZAR-2000: 비스페놀 A형 에폭시아크릴레이트(니혼가야쿠사 제조, 산가 99㎎KOH/g, 고형분 농도 약 70%)·ZAR-2000: Bisphenol A type epoxy acrylate (manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd., acid value 99 mgKOH/g, solid concentration approximately 70%)

·NC3000H: 비페닐형 에폭시 수지(니혼가야쿠사 제조, 에폭시 당량 약 272)・NC3000H: Biphenyl type epoxy resin (manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent weight approximately 272)

·Irgacure OXE-02: 에탄온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심)](BASF 제조)Irgacure OXE-02: Ethanone, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-, 1-(O-acetyloxime)] (manufactured by BASF)

·합성예 1: 합성예 1에서 합성한 (b) 성분Synthesis Example 1: Component (b) synthesized in Synthesis Example 1

·DPHA: 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(니혼가야쿠사 제조, 아크릴 당량 약 96)DPHA: Dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Nihon Kayaku Co., Ltd., acrylic equivalent weight approximately 96)

·NV-7-201: 안료(카본블랙, 니혼피그멘트사 제조, 고형분 농도 20%)・NV-7-201: Pigment (carbon black, manufactured by Nihon Pigment Co., Ltd., solid concentration 20%)

(지지체의 최대 계곡 깊이의 절대값의 측정)(Measurement of the absolute value of the maximum valley depth of the support)

지지체의 최대 계곡 깊이(Rv)의 측정에서는, 백색광 간섭형 현미경(Contoure GT-X 시리즈, 브루커에이엑스에스사 제조)을 사용하였다. 대물 렌즈를 50배로 세트하고, 녹색광을 선택하고, 표면 형상의 측정 범위를 125㎛×100㎛으로 하였다. 그 후, 『Terms Removal(F-Operation)』에 의해 1차 기울기 보정을 행함으로써, 지지체 표면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)을 구하였다. In measuring the maximum valley depth (Rv) of the support, a white light interference microscope (Contoure GT-X series, manufactured by Bruker AXS) was used. The objective lens was set at 50x, green light was selected, and the measurement range of the surface shape was 125 ㎛ x 100 ㎛. After that, the absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the support surface was obtained by performing primary tilt correction using 『Terms Removal (F-Operation)』.

(지지체의 산술 평균 거칠기(Ra)의 측정)(Measurement of arithmetic mean roughness (Ra) of support)

지지체의 산술 평균 거칠기는, 비접촉형 간섭 현미경(WYKO Bruker AXS사 제조)을 사용하여 측정하였다. The arithmetic mean roughness of the support was measured using a non-contact interference microscope (manufactured by WYKO Bruker AXS).

(지지체의 헤이즈 측정)(Haze measurement of support)

지지체의 헤이즈는, 헤이즈 미터 HZ-V3(스가시켄키사 제조)을 사용하여 계측하였다. The haze of the support was measured using a haze meter HZ-V3 (manufactured by Sugashi Kenki Co., Ltd.).

<실시예 1><Example 1>

(지지체 1의 제작)(Production of Support 1)

이형제(린텍사 제조,「AL-5」)를, PET 필름(유니치카사 제조,「S-25」) 위에, 이형제의 두께가 1㎛이 되도록, 다이 코터로 균일하게 도포하고, 지지체 1을 제작하였다. 지지체 1의 헤이즈를 측정한 결과, 6%이었다. A release agent (“AL-5”, manufactured by Lintec) was uniformly applied onto the PET film (“S-25”, manufactured by Unichika) with a die coater so that the thickness of the release agent was 1 μm, and the support 1 was applied. Produced. The haze of support 1 was measured and found to be 6%.

((1) 공정: 수지 시트를 준비하는 공정)((1) Process: Process of preparing the resin sheet)

앞의 제조예 1의 수지 바니쉬를, 이러한 지지체 1의 이형제 위에 건조후의 감광성 수지 조성물층의 두께가 20㎛이 되도록, 다이 코터로 균일하게 도포하고, 80℃에서부터 110℃로 5분간 건조시킴으로써, 평활 PET 필름 위에 감광성 수지 조성물층을 갖는 수지 시트를 얻었다. The resin varnish of Production Example 1 above was uniformly applied with a die coater on the release agent of Support 1 so that the thickness of the photosensitive resin composition layer after drying was 20 ㎛, and dried from 80°C to 110°C for 5 minutes to smoothen. A resin sheet having a photosensitive resin composition layer on a PET film was obtained.

((2) 공정: 기판 위에 수지 시트를 라미네이트하는 공정)((2) Process: Process of laminating a resin sheet on a substrate)

다음에 두께 18㎛의 구리층(멕사 제조 CZ8100에 의한 처리로 조화)을 패터닝한 회로가 형성되어 있는 유리 에폭시 기판(동장 적층판)에 대해, 앞의 수지 시트의 감광성 수지 조성물층이 구리 회로 표면과 접하도록 배치하고, 진공 라미네이터(니치고마테리알즈사 제조, VP160)를 사용하여 적층하고, 전기 동장 적층판과, 전기 감광성 수지 조성물층과, 전기 지지체가 이 순서로 적층된 적층체를 형성하였다. 압착 조건은, 진공 배기 시간 30초간, 압착 온도 80℃, 압착 압력 0.7MPa, 가압 시간 30초간으로 하였다. Next, for a glass epoxy substrate (copper-clad laminate) on which a circuit patterned with an 18㎛ thick copper layer (processed using CZ8100 manufactured by Meksa) is formed, the photosensitive resin composition layer of the preceding resin sheet is aligned with the copper circuit surface. They were placed in contact with each other and laminated using a vacuum laminator (VP160, manufactured by Nichigo Materials Co., Ltd.) to form a laminate in which the electrical copper-clad laminate, the electrical photosensitive resin composition layer, and the electrical support were laminated in this order. The compression conditions were vacuum exhaust time of 30 seconds, compression temperature of 80°C, compression pressure of 0.7 MPa, and pressurization time of 30 seconds.

((3) 공정: 감광성 수지 조성물층을 노광하는 공정)((3) Process: Process of exposing the photosensitive resin composition layer)

당해 적층체를 실온 30분 이상 정치하고, 당해 적층체의 지지체 위에서부터, 둥근 구멍 패턴을 사용하여 패턴 형성 장치를 사용하여, 250mJ/㎠의 자외선 노광을 행하였다. (3) 공정은 지지체를 박리하지 않고 행하였다. 노광 패턴은 개구: 50㎛, 60㎛, 70㎛, 80㎛, 90㎛, 100㎛의 둥근 구멍, 120㎛의 둥근 구멍, 200㎛의 둥근 구멍, 250㎛의 둥근 구멍, 500㎛의 둥근 구멍, L/S(라인/스페이스): 50㎛/50㎛, 60㎛/60㎛, 70㎛/70㎛, 80㎛/80㎛, 90㎛/90㎛, 100㎛/100㎛의 라인 앤드 스페이스, 1㎝×2㎝의 사각형의 형상을 갖는 노광부와 미노광부를 묘획시키는 석영 유리 마스크를 사용하였다. 실온에서 10분간 정치한 후, 전기 적층체로부터 지지체를 떼어 내었다. The laminate was left to stand at room temperature for 30 minutes or more, and exposure to ultraviolet rays at 250 mJ/cm 2 was performed from above the support of the laminate using a pattern forming device using a round hole pattern. (3) The process was performed without peeling off the support. The exposure pattern has apertures: 50㎛, 60㎛, 70㎛, 80㎛, 90㎛, 100㎛ round hole, 120㎛ round hole, 200㎛ round hole, 250㎛ round hole, 500㎛ round hole, L/S (Line/Space): Line and space of 50㎛/50㎛, 60㎛/60㎛, 70㎛/70㎛, 80㎛/80㎛, 90㎛/90㎛, 100㎛/100㎛, 1 A quartz glass mask was used to draw exposed and unexposed areas having a square shape of cm x 2 cm. After standing at room temperature for 10 minutes, the support was removed from the electrical laminate.

((6) 공정: 지지체를 박리하는 공정)((6) Process: Process of peeling off the support)

(3) 공정후, 수동으로 지지체를 박리하였다. (3) After the process, the support was peeled off manually.

((현상전의 Rv 및 현상전의 Ra의 측정))((Measurement of Rv before development and Ra before development))

(3) 공정후 (4) 공정전의 감광성 수지 조성물층의 노광부의 표면 상태를, 백색광 간섭형 현미경(Contoure GT-X 시리즈, 브루커에이엑스에스사 제조)을 사용하여, 대물 렌즈를 50배로 세트하고, 녹색광을 선택하여, 표면 형상의 측정 범위를 125㎛×100㎛으로 하였다. 그 후,『Terms Removal(F-Operation)』에 의해 1차 기울기 보정을 행함으로써, 감광성 수지 조성물층 표면의 현상전의 Rv의 절대값(A1)의 값을 측정하였다. 또한, 현상전의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 비접촉형 간섭 현미경(WYKO Bruker AXS사 제조)을 사용하여 측정하였다. (3) After the process (4) Before the process, the surface condition of the exposed portion of the photosensitive resin composition layer was examined using a white light interference microscope (Contoure GT-X series, manufactured by Bruker AXS), with the objective lens set at 50x. Then, green light was selected, and the surface shape measurement range was set to 125㎛×100㎛. After that, the absolute value (A1) of Rv before development on the surface of the photosensitive resin composition layer was measured by performing primary tilt correction by “Terms Removal (F-Operation)”. In addition, the arithmetic mean roughness (Ra) before development was measured using a non-contact interference microscope (manufactured by WYKO Bruker AXS).

((4) 공정: 현상에 의해 패턴 감광성 수지 조성물층을 형성하는 공정)((4) Process: Process of forming a patterned photosensitive resin composition layer by development)

(6) 공정후, 적층판 위의 감광성 수지 조성물층 전면에, 현상액으로서 30℃의 1질량% 탄산나트륨 수용액을 스프레이압 0.2MPa로 2분간의 스프레이 현상을 행하여, 패턴 감광성 수지 조성물층을 형성하였다. (6) After the process, the entire surface of the photosensitive resin composition layer on the laminate was subjected to spray development for 2 minutes using a 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30°C as a developer at a spray pressure of 0.2 MPa to form a patterned photosensitive resin composition layer.

((현상후의 Rv 및 현상후의 Ra의 측정))((Measurement of Rv after development and Ra after development))

(4) 공정후, ((현상전의 Rv 및 현상전의 Ra의 측정))과 같은 방법으로 현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층 표면의 Rv의 절대값(A2) 및 현상후의 산술 평균 거칠기(Ra)를 측정하였다. 또한, 미리 측정한 현상전의 Rv의 절대값(A1)과 전기 A2의 비(A2/A1)도 산출하였다. (4) After the process, measure the absolute value of Rv (A2) and the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the patterned photosensitive resin composition layer after development in the same manner as ((Measurement of Rv before development and Ra before development)). did. In addition, the ratio (A2/A1) of the absolute value of Rv before development (A1) and the electrical A2 measured in advance was also calculated.

((5) 공정: 패턴 감광성 수지 조성물층을 경화하는 공정)((5) Process: Process of curing the patterned photosensitive resin composition layer)

(4) 공정후, 감광성 수지 조성물층 표면에 1J/㎠의 자외선 조사를 행하고, 또한 180℃, 30분간의 가열 처리를 행하여, 개구부를 갖는 절연층을 형성하였다. 이것을 평가용 적층체로 하였다. (4) After the process, the surface of the photosensitive resin composition layer was irradiated with ultraviolet rays at 1 J/cm2 and heat treated at 180°C for 30 minutes to form an insulating layer with openings. This was used as a laminate for evaluation.

<실시예 2><Example 2>

실시예 1에 있어서, (3) 공정후 (4) 공정전에 행한 (6) 공정을, (2) 공정후 (3) 공정전에 행하였다. 즉, 지지체를 박리한 후에 (3) 공정을 행하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여, 현상전의 Rv, 현상전의 Ra, 현상후의 Rv 및 현상후의 Ra를 측정하는 동시에 평가용 적층체를 제작하였다. In Example 1, step (6), which was performed after step (3) and before step (4), was performed after step (2) and before step (3). That is, step (3) was performed after peeling off the support. Except for the above, in the same manner as in Example 1, Rv before development, Ra before development, Rv after development, and Ra after development were measured, and a laminate for evaluation was produced.

<실시예 3><Example 3>

실시예 2에 있어서, 제조예 1의 수지 바니쉬를 제조예 2의 수지 바니쉬로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 2와 같이 하여, 현상전의 Rv, 현상전의 Ra, 현상후의 Rv 및 현상후의 Ra를 측정하는 동시에 평가용 적층체를 제작하였다. In Example 2, the resin varnish of Production Example 1 was changed to the resin varnish of Production Example 2. Except for the above, in the same manner as in Example 2, Rv before development, Ra before development, Rv after development, and Ra after development were measured, and a laminate for evaluation was produced.

<실시예 4><Example 4>

실시예 1에 있어서, 제조예 1의 수지 바니쉬를 제조예 3의 수지 바니쉬로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여, 현상전의 Rv, 현상전의 Ra, 현상후의 Rv 및 현상후의 Ra를 측정하는 동시에 평가용 적층체를 제작하였다. In Example 1, the resin varnish of Production Example 1 was changed to the resin varnish of Production Example 3. Except for the above, in the same manner as in Example 1, Rv before development, Ra before development, Rv after development, and Ra after development were measured, and a laminate for evaluation was produced.

<비교예 1><Comparative Example 1>

실시예 1에 있어서, 제조예 1의 수지 바니쉬를 제조예 2의 수지 바니쉬로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여, 현상전의 Rv, 현상전의 Ra, 현상후의 Rv 및 현상후의 Ra를 측정하는 동시에 평가용 적층체를 제작하였다. In Example 1, the resin varnish of Production Example 1 was changed to the resin varnish of Production Example 2. Except for the above, in the same manner as in Example 1, Rv before development, Ra before development, Rv after development, and Ra after development were measured, and a laminate for evaluation was produced.

<비교예 2><Comparative Example 2>

실시예 1에 있어서, In Example 1,

1) 제조예 1의 수지 바니쉬를 제조예 2의 수지 바니쉬로 변경하고,1) Change the resin varnish of Preparation Example 1 to the resin varnish of Preparation Example 2,

2) 지지체 1을, 지지체 2(충진재 이겨 넣은 PET 필름,「PTH-25」, 유니치카사 제조, 헤이즈값 25%)로 변경하였다. 이하의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여, 현상전의 Rv, 현상전의 Ra, 현상후의 Rv 및 현상후의 Ra를 측정하는 동시에 평가용 적층체를 제작하였다. 2) Support 1 was changed to Support 2 (PET film with filled filler, “PTH-25”, manufactured by Unitika Co., Ltd., haze value 25%). Except for the following, in the same manner as in Example 1, Rv before development, Ra before development, Rv after development, and Ra after development were measured, and a laminate for evaluation was produced.

<비교예 3><Comparative Example 3>

실시예 1에 있어서, In Example 1,

1) 제조예 1의 수지 바니쉬를 제조예 2의 수지 바니쉬로 변경하고,1) Change the resin varnish of Preparation Example 1 to the resin varnish of Preparation Example 2,

2) 지지체 1을, 지지체 3(샌드 블라스트 처리를 한 PET 필름,「T60」, 토레사 제조, 헤이즈값 70%)으로 변경하였다. 이하의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여, 현상전의 Rv, 현상전의 Ra, 현상후의 Rv 및 현상후의 Ra를 측정하는 동시에 평가용 적층체를 제작하였다. 2) Support 1 was changed to Support 3 (Sand blasted PET film, “T60”, manufactured by Torres, haze value 70%). Except for the following, in the same manner as in Example 1, Rv before development, Ra before development, Rv after development, and Ra after development were measured, and a laminate for evaluation was produced.

<비교예 4><Comparative Example 4>

실시예 1에 있어서, In Example 1,

1) 제조예 1의 수지 바니쉬를 제조예 2의 수지 바니쉬로 변경하고,1) Change the resin varnish of Preparation Example 1 to the resin varnish of Preparation Example 2,

2) 지지체 1을, 지지체 4(조화제를 코팅한 PET 필름, 헤이즈값 60%)로 변경하였다. 이하의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여, 현상전의 Rv, 현상전의 Ra, 현상후의 Rv 및 현상후의 Ra를 측정하는 동시에 평가용 적층체를 제작하였다. 2) Support 1 was changed to Support 4 (PET film coated with a roughening agent, haze value 60%). Except for the following, in the same manner as in Example 1, Rv before development, Ra before development, Rv after development, and Ra after development were measured, and a laminate for evaluation was produced.

<현상성의 평가><Evaluation of developability>

평가용 적층체의 노광부의 1㎝×2㎝의 사각형 부분을 육안으로 관찰하였다. 이러한 노광부의 수지가 박리나 일부가 용해되어 있지 않은 경우에는「○」로 하고, 노광부의 수지가 박리가 되고 있거나 일부가 용해되어 있는 경우나 미노광부에 수지 잔사가 존재하는 경우에는 「△」로 하고, 노광부와 미노광부에서 콘트라스트가 없는 경우는「×」 로 하였다. A 1 cm x 2 cm square portion of the exposed portion of the laminate for evaluation was observed with the naked eye. If the resin in the exposed area is not peeling or partially dissolved, it is marked as “○.” If the resin in the exposed area is peeling or partially dissolved, or if there is resin residue in the unexposed area, it is marked as “△.” And, in cases where there was no contrast in the exposed and unexposed areas, it was marked as “×”.

<비아 형상의 평가 및 최소 개구 직경의 측정><Evaluation of via shape and measurement of minimum opening diameter>

평가용 적층체에 형성한 각 둥근 구멍 패턴을 SEM(히타치하이테크놀로지사 제조, S-4800)으로 관찰하여(배율 1000배), 잔사가 없는 둥근 구멍 패턴의 최소 개구 직경(비아 최소 직경)을 측정하였다. 또한, 둥근 구멍 패턴의 비아 형상(개구 형상)에 관해서는 하기의 기준으로 평가하였다. Each round hole pattern formed on the evaluation laminate was observed with an SEM (S-4800, manufactured by Hitachi High-Technology Co., Ltd.) (1000x magnification), and the minimum opening diameter (minimum via diameter) of the round hole pattern without residue was measured. did. Additionally, the via shape (opening shape) of the round hole pattern was evaluated based on the following standards.

○: 임의의 3점의 둥근 구멍 패턴을 관찰하고, 오버행이나 언더컷이 나타나지 않는다. ○: A random three-point round hole pattern is observed, and no overhang or undercut appears.

×: 임의의 3점의 둥근 구멍 패턴을 관찰하고, 오버행이나 언더컷이 나타난다. ×: Observe a random three-point round hole pattern, and overhang or undercut appears.

<배선의 차폐성(시인성)의 평가><Evaluation of shielding (visibility) of wiring>

평가용 적층체에 있어서, 육안으로 패턴이 보이지 않는 것은「○」로 하고, 하지의 패턴 형상이 보이는 것은「×」로 하였다. In the laminate for evaluation, those in which the pattern was not visible to the naked eye were designated as “○”, and those in which the pattern shape of the underlying layer was visible were designated as “×”.

<밀착성의 평가><Evaluation of adhesion>

(봉지용 시트의 제작)(Production of bag sheets)

비스페놀형 액상 에폭시 수지(신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「ZX1059」, 에폭시 당량 약 169, 비스페놀 A형과 비스페놀 F형의 1:1 혼합품) 4부, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(DIC사 제조「EXA-7311-G4」, 에폭시 당량 약 213) 10부, 비크실레놀형 에폭시 수지(미쯔비케미칼사 제조「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 6부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼가야쿠사 제조「NC3000L」, 에폭시 당량 약 272) 10부, 및 난연제(오하치가가쿠고교사 제조「PX-200」) 4부를, 솔벤트 나프타 20부 및 사이클로헥산온 10부의 혼합 용매에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각시킨 후, 거기에, 트리아진 골격 함유 크레졸노볼락계 경화제(DIC사 제조「LA3018-50P」, 수산기 당량 약 151, 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 10부, 트리아진 골격 함유 페놀노볼락계 경화제(DIC사 제조「LA-7054」, 수산기 당량 약 125, 고형분 60%의 MEK 용액) 4부, 나프톨계 경화제(신닛테츠스미킨가가쿠사 제조「SN-495V」, 수산기 당량 약 231, 고형분 60%의 MEK 용액) 10부, 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP), 고형분 5질량%의 MEK 용액) 1부, 아미노실란계 커플링제(신에츠가가쿠고교사 제조「KBM573」)로 표면 처리된 SC4500(아도마텍스사 제조) 220부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산시킨 후에, 알키드 수지계 이형제(린텍사 제조「AL-5」)로 이형 처리한 PET 필름(토레사 제조「루미라 T6AM」, 두께 38㎛, 연화점 130℃, 「이형 PET」) 위에 수지 바니쉬를 건조후의 경화성 수지 조성물층의 두께가 25㎛가 되도록, 다이 코터로 균일하게 도포하고, 80℃에서부터 110℃로 4분간 건조시킴으로써, 이형 PET 위에 경화성 수지 조성물층을 갖는 봉지용 시트를 얻었다. 4 parts of bisphenol-type liquid epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Tetsu Sumiking Chemicals, epoxy equivalent of about 169, 1:1 mixture of bisphenol A and bisphenol F), naphthylene ether-type epoxy resin (manufactured by DIC) EXA-7311-G4”, epoxy equivalent weight approximately 213) 10 parts, bixylenol type epoxy resin (“YX4000HK” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent weight approximately 185) 6 parts, biphenyl type epoxy resin (“NC3000L” manufactured by Nippon Kayaku Corporation) ”, 10 parts of epoxy equivalent (approximately 272), and 4 parts of flame retardant (“PX-200” manufactured by Ohachi Chemical Co., Ltd.) were heated and dissolved with stirring in a mixed solvent of 20 parts of solvent naphtha and 10 parts of cyclohexanone. After cooling to room temperature, 10 parts of a cresol novolak-based curing agent containing a triazine skeleton (“LA3018-50P” manufactured by DIC, hydroxyl equivalent weight of approximately 151, 2-methoxypropanol solution with a solid content of 50%) was added thereto, and triazine. 4 parts of a skeleton-containing phenol novolak-based curing agent (“LA-7054” manufactured by DIC, hydroxyl equivalent of about 125, MEK solution with a solid content of 60%), 4 parts of a naphthol-based curing agent (“SN-495V” manufactured by Nippon-Steel Sumitkin Chemical, hydroxyl group) 10 parts of amine-based curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), MEK solution with 5% by mass of solids) 1 part, aminosilane-based coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 220 parts of SC4500 (manufactured by Adomatex) surface-treated with (manufactured by "KBM573") were mixed, uniformly dispersed with a high-speed rotating mixer, and then mold-release treated with an alkyd resin-based release agent ("AL-5" by Lintech) A resin varnish was uniformly applied onto the film (“Lumira T6AM” manufactured by Torres, thickness 38 μm, softening point 130°C, “release PET”) using a die coater so that the thickness of the curable resin composition layer after drying was 25 μm. By drying from 80°C to 110°C for 4 minutes, a sealing sheet having a curable resin composition layer on release PET was obtained.

얻어진 봉지용 시트를 각 평가용 적층체 위에 적층하였다. 그 후, 180℃의 오븐에서 90분간 가열하였다. 얻어진 경화성 수지 조성물층의 면에 있어서 1㎜ 간격으로 10매스×10매스 계 100매스의 노치를 넣고, 그 위에 셀로판테이프를 붙인 후 급격하게 180° 방향으로 박리하였다. 평가는 하기의 판단에 따랐다. The obtained sealing sheet was laminated on each laminate for evaluation. Afterwards, it was heated in an oven at 180°C for 90 minutes. On the surface of the obtained curable resin composition layer, 100 notches (10 units x 10 units) were inserted at 1 mm intervals, and a cellophane tape was attached thereto, followed by rapid peeling in a 180° direction. The evaluation was based on the following judgment.

○: 모든 매스에 있어서 박리가 확인되지 않는다.○: Peeling is not confirmed in all masses.

×: 1개라도 수지의 박리가 관찰된다. ×: Peeling of the resin is observed even in one piece.

Figure 112019002179801-pat00002
Figure 112019002179801-pat00002

상기 표로부터, 실시예 1 내지 4에 있어서는, 개구부의 개구 형상을 손상시키지 않고 표면을 조화하고, 패턴의 차폐성 향상이나 패턴 감광성 수지 조성물층 표면의 밀착성 향상이 가능한 것을 알 수 있었다. From the above table, it was seen that in Examples 1 to 4, it was possible to roughen the surface without damaging the opening shape of the opening, improve the shielding properties of the pattern, and improve the adhesion of the surface of the pattern photosensitive resin composition layer.

실시예 1 내지 3에 있어서, (e) 내지 (g) 성분 등을 함유하지 않는 경우라도, 정도에 차이는 있지만 상기 실시예와 같은 결과로 귀착되는 것을 확인하고 있다. 또한, 실시예 4에 있어서, (b) 내지 (g) 성분 등을 함유하지 않는 경우라도, 정도에 차이는 있지만 상기 실시예와 같은 결과로 귀착되는 것을 확인하고 있다. In Examples 1 to 3, it has been confirmed that even in the case where components (e) to (g), etc. are not contained, the same results as in the above Examples are obtained, although there is a difference in degree. In addition, in Example 4, it was confirmed that even in the case where components (b) to (g), etc. were not contained, the same results as in the above examples were obtained, although there was a difference in degree.

10 수지 시트
101 지지체
101a 감광성 수지 조성물층측의 면
102 감광성 수지 조성물층
102a 지지체와 접하는 면
102b 현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층
102c 기판측과는 반대측의 면
103 기판
11 종래의 수지 시트
111 지지체
111a 감광성 수지 조성물층측의 면
112 감광성 수지 조성물층
112a 지지체와 접하는 면
112b 현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층
112c 기판측과는 반대측의 면
113 기판
10 resin sheets
101 support
101a Surface of photosensitive resin composition layer side
102 Photosensitive resin composition layer
102a Surface in contact with support
102b Patterned photosensitive resin composition layer after development
102c The side opposite to the substrate side
103 substrate
11 Conventional resin sheet
111 support
111a Surface of photosensitive resin composition layer side
112 Photosensitive resin composition layer
112a Surface in contact with support
112b Patterned photosensitive resin composition layer after development
112c The side opposite to the board side
113 substrate

Claims (12)

(1) 지지체와, 당해 지지체 위에 설치된, 감광성 수지 조성물을 함유하는 감광성 수지 조성물층을 갖는 수지 시트를 준비하는 공정,
(2) 기판 위에 수지 시트를 라미네이트하는 공정,
(3) 감광성 수지 조성물층을 노광하는 공정, 및
(4) 현상에 의해 패턴 감광성 수지 조성물층을 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법으로서,
지지체의 헤이즈가 20% 이하이며,
(4) 공정후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)이, 500㎚ 이상이며,
감광성 수지 조성물이, 이하의 조건 (I) 또는 (II)를 충족시키는, 프린트 배선판의 제조 방법.
(I) 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재를 함유하고, (a) 성분의 함유량이, 감광성 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상.
(II) 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재, (b) 에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 수지, (c) 에폭시 수지, 및 (d) 광중합 개시제를 함유.
(1) A process of preparing a resin sheet having a support and a photosensitive resin composition layer provided on the support and containing a photosensitive resin composition,
(2) a process of laminating a resin sheet on a substrate,
(3) a process of exposing the photosensitive resin composition layer, and
(4) A method for manufacturing a printed wiring board including the step of forming a patterned photosensitive resin composition layer by development,
The haze of the support is less than 20%,
(4) The absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface on the support side of the patterned photosensitive resin composition layer after the process is 500 nm or more,
A method for producing a printed wiring board, wherein the photosensitive resin composition satisfies the following conditions (I) or (II).
(I) The photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, and the content of component (a) is 60% by mass or more when the nonvolatile component of the photosensitive resin composition is 100% by mass. .
(II) The photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, (b) a resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group, (c) an epoxy resin, and (d) a photopolymerization initiator.
제1항에 있어서, 추가로, (5) 패턴 감광성 수지 조성물층을 경화하는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, further comprising the step of (5) curing the patterned photosensitive resin composition layer. 제2항에 있어서, 패턴 감광성 수지 조성물층의 경화물이, 솔더레지스트인, 프린트 배선판의 제조 방법. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 2, wherein the cured product of the patterned photosensitive resin composition layer is solder resist. 제1항에 있어서, 감광성 수지 조성물이, 네가티브형 감광성 수지 조성물인, 프린트 배선판의 제조 방법. The method for producing a printed wiring board according to claim 1, wherein the photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition. 제1항에 있어서, (3) 공정후 (4) 공정전의 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)을 A1(㎚)로 하고, (4) 공정후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)을 A2(㎚)로 한 경우, 3<A2/A1<100의 관계를 충족시키는, 프린트 배선판의 제조 방법. The method according to claim 1, wherein the absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface on the support side of the photosensitive resin composition layer (3) after the process (4) before the process is set to A1 (㎚), and (4) after the process A method of manufacturing a printed wiring board that satisfies the relationship of 3<A2/A1<100 when the absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface on the support side of the patterned photosensitive resin composition layer is set to A2 (nm). 제1항에 있어서, 추가로, (6) 지지체를 박리하는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법. The method of manufacturing a printed wiring board according to claim 1, further comprising the step of (6) peeling off the support. 제6항에 있어서, (6) 공정은, (2) 공정후 (3) 공정전에 행하는, 프린트 배선판의 제조 방법. The method of manufacturing a printed wiring board according to claim 6, wherein step (6) is performed after step (2) and before step (3). 지지체와, 당해 지지체 위에 설치된, 감광성 수지 조성물을 함유하는 감광성 수지 조성물층을 갖는 수지 시트로서,
지지체의 헤이즈가 20% 이하이며,
현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)이, 500㎚ 이상이며,
감광성 수지 조성물이, 이하의 조건 (I) 또는 (II)를 충족시키는, 수지 시트.
(I) 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재를 함유하고, (a) 성분의 함유량이, 감광성 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상.
(II) 감광성 수지 조성물이, (a) 평균 입자 직경 0.5㎛ 이상의 무기 충전재, (b) 에틸렌성 불포화기 및 카르복실기를 함유하는 수지, (c) 에폭시 수지, 및 (d) 광중합 개시제를 함유.
A resin sheet having a support and a photosensitive resin composition layer provided on the support and containing a photosensitive resin composition,
The haze of the support is less than 20%,
The absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface on the support side of the patterned photosensitive resin composition layer after development is 500 nm or more,
A resin sheet in which the photosensitive resin composition satisfies the following conditions (I) or (II).
(I) The photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, and the content of component (a) is 60% by mass or more when the nonvolatile component of the photosensitive resin composition is 100% by mass. .
(II) The photosensitive resin composition contains (a) an inorganic filler with an average particle diameter of 0.5 μm or more, (b) a resin containing an ethylenically unsaturated group and a carboxyl group, (c) an epoxy resin, and (d) a photopolymerization initiator.
제8항에 있어서, (b) 성분이, 유리 전이 온도가 -20℃ 이하인 (메트)아크릴 중합체를 함유하는, 수지 시트. The resin sheet according to claim 8, wherein component (b) contains a (meth)acrylic polymer with a glass transition temperature of -20°C or lower. 제8항에 있어서, 감광성 수지 조성물층이, 솔더레지스트 형성용인, 수지 시트. The resin sheet according to claim 8, wherein the photosensitive resin composition layer is for forming solder resist. 제8항에 있어서, 노광후 현상전의 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)을 A1(㎚)로 하고, 현상후의 패턴 감광성 수지 조성물층의 지지체측의 면의 최대 계곡 깊이의 절대값(│Rv│)을 A2(㎚)로 한 경우, 3<A2/A1<100의 관계를 충족시키는, 수지 시트. The method according to claim 8, wherein the absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface on the support side of the photosensitive resin composition layer after exposure and before development is set to A1 (nm), and the absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth on the support side of the patterned photosensitive resin composition layer after development is set to A1 (㎚). A resin sheet that satisfies the relationship 3<A2/A1<100 when the absolute value (│Rv│) of the maximum valley depth of the surface is set to A2 (㎚). 제8항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 기재된 수지 시트의 감광성 수지 조성물층을 경화시킨 경화물.
A cured product obtained by curing the photosensitive resin composition layer of the resin sheet according to any one of claims 8 to 11.
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