KR102624403B1 - Positive-type Photosensitive Resin Composition for Production of Microlens Pattern - Google Patents

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Abstract

[과제]뛰어난 해상성 및 넓은 플로우 마진의 모두를 구비한 마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법 및 마이크로 렌즈의 제조 방법을 제공한다.
[해결 수단]본 발명에 관한 마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물은 산해리성 용해 억제기를 가지고, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(A)와, 적어도 2개의 비닐옥시기를 가지는 화합물(B)과, 광산발생제(C)를 함유하며, 상기 수지(A)는 히드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위(a1)와, 히드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위에서 적어도 1개의 수산기의 수소 원자가 산해리성 용해 억제기 함유기로 치환된 구성 단위(a2)를 가지는 수지(A1)를 포함한다.
[Problem] To provide a positive type photosensitive resin composition for manufacturing a micro lens pattern that has both excellent resolution and a wide flow margin, a method for manufacturing a micro lens pattern using the same, and a method for manufacturing a micro lens.
[Solution] The positive photosensitive resin composition for producing a microlens pattern according to the present invention includes a resin (A) having an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group and increasing solubility in alkali by the action of an acid, and at least two vinyloxy groups. It contains a compound (B) and a photoacid generator (C), wherein the resin (A) includes a structural unit (a1) derived from hydroxystyrene, and a hydrogen group of at least one hydroxyl group in the structural unit derived from hydroxystyrene. It includes a resin (A1) having a structural unit (a2) whose atoms are substituted with an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group-containing group.

Description

마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물{Positive-type Photosensitive Resin Composition for Production of Microlens Pattern}Positive-type Photosensitive Resin Composition for Production of Microlens Pattern}

본 발명은 마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법 및 마이크로 렌즈의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive resin composition for manufacturing micro lens patterns, a method for manufacturing micro lens patterns using the same, and a method for manufacturing micro lenses.

종래 카메라, 비디오 카메라 등에는 고체 촬상 소자가 이용되고 있다. 이 고체 촬상 소자에는 CCD(charge-coupled device) 이미지 센서나, CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 이미지 센서가 이용되고 있다. 이미지 센서에는 집광률의 향상을 목적으로 한 미세한 집광 렌즈(이하, 마이크로 렌즈라고 부름)가 마련되어 있다.Solid-state imaging devices are used in conventional cameras, video cameras, etc. For this solid-state imaging device, a CCD (charge-coupled device) image sensor or a CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor is used. The image sensor is equipped with a fine condensing lens (hereinafter referred to as a micro lens) for the purpose of improving light collection rate.

마이크로 렌즈는, 예를 들면 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용한 에칭법에 의해 형성된다. 구체적으로는 렌즈 재료층 위에 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용해 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 형성한 후, 이것을 선택적으로 노광한다. 그 다음에, 현상에 의해 노광 부분을 제거한 후, 열처리에 의해 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 유동화시켜 마이크로 렌즈 패턴을 가지는 마스크층을 형성한다. 그 후, 렌즈 재료층 및 마스크층을 드라이 에칭하고, 렌즈 재료층에 마이크로 렌즈 패턴의 형상을 전사함으로써 마이크로 렌즈가 얻어진다. 종래 상기 마스크층을 형성하기 위해서 이용되는 마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물로서는, 예를 들면 아크릴계 또는 노볼락계 포지티브형 레지스트 재료가 이용되고 있다(특허문헌 1).The microlens is formed, for example, by an etching method using a positive photosensitive resin composition. Specifically, a positive photosensitive resin composition layer is formed on the lens material layer using a positive photosensitive resin composition, and then this is selectively exposed. Next, after removing the exposed portion by development, the positive photosensitive resin composition layer is fluidized by heat treatment to form a mask layer having a micro lens pattern. Thereafter, the lens material layer and the mask layer are dry etched, and the shape of the micro lens pattern is transferred to the lens material layer, thereby obtaining a micro lens. Conventionally, as a positive type photosensitive resin composition for producing a micro lens pattern used to form the mask layer, for example, an acrylic or novolak type positive type resist material is used (Patent Document 1).

일본 특개 2013-117662호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2013-117662

상기와 같은 마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물에는 뛰어난 해상성 및 넓은 플로우 마진(양호한 마이크로 렌즈 패턴을 형성할 수 있는 온도 폭)이 요구되지만, 종래의 마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물은 이들 특성이 충분하지 않다.The positive photosensitive resin composition for producing micro lens patterns as described above requires excellent resolution and a wide flow margin (temperature range capable of forming a good micro lens pattern), but the conventional positive photosensitive resin composition for producing micro lens patterns has these characteristics. There are not enough characteristics.

본 발명은 이와 같은 종래의 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 뛰어난 해상성 및 넓은 플로우 마진의 모두를 구비한 마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법 및 마이크로 렌즈의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in consideration of such conventional circumstances, and provides a positive-type photosensitive resin composition for manufacturing a micro lens pattern having both excellent resolution and a wide flow margin, a method for manufacturing a micro lens pattern using the same, and a method for manufacturing a micro lens. The purpose is to provide.

본 발명자들은 산해리성 용해 억제기를 가지고, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 특정한 수지와, 적어도 2개의 비닐옥시기를 가지는 화합물을 조합함으로써, 상기 과제가 해결되는 것을 알아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는 본 발명은 이하의 것을 제공한다.The present inventors have found that the above-mentioned problem can be solved by combining a specific resin that has an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group and increases solubility in alkali by the action of an acid, and a compound having at least two vinyloxy groups, and completed the present invention. It came down to this. Specifically, the present invention provides the following.

본 발명의 제1 태양은 산해리성 용해 억제기를 가지고, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(A)와, 적어도 2개의 비닐옥시기를 가지는 화합물(B)과, 광산발생제(C)를 함유하는 마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물로서, 상기 수지(A)는 히드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위(a1)와, 히드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위에서 적어도 1개의 수산기의 수소 원자가 산해리성 용해 억제기 함유기로 치환된 구성 단위(a2)를 가지는 수지(A1)를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이다.The first aspect of the present invention includes a resin (A) having an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group and increasing solubility in alkali by the action of an acid, a compound (B) having at least two vinyloxy groups, and a photoacid generator (C). ), wherein the resin (A) contains a structural unit (a1) derived from hydroxystyrene, and a hydrogen atom of at least one hydroxyl group in the structural unit derived from hydroxystyrene. It is a positive type photosensitive resin composition containing a resin (A1) having a structural unit (a2) substituted with an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group-containing group.

본 발명의 제2 태양은 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용해 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 형성하는 포지티브형 감광성 수지 조성물층 형성 공정과, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 선택적으로 노광하는 노광 공정과, 노광된 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 현상하는 현상 공정과, 현상 후의 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 가열하는 가열 공정을 포함하는 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법이다.A second aspect of the present invention includes a positive photosensitive resin composition layer forming process of forming a positive photosensitive resin composition layer using the positive photosensitive resin composition, an exposure process of selectively exposing the positive photosensitive resin composition layer, A method for producing a micro lens pattern including a developing step of developing the exposed positive photosensitive resin composition layer and a heating step of heating the positive photosensitive resin composition layer after development.

본 발명의 제3 태양은 렌즈 재료층 위에 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용해 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 적층하는 포지티브형 감광성 수지 조성물층 적층 공정과, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 선택적으로 노광하는 노광 공정과, 노광된 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 현상하는 현상 공정과, 현상 후의 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 가열하여 마이크로 렌즈 패턴을 가지는 마스크층을 형성하는 마스크층 형성 공정과, 상기 렌즈 재료층 및 상기 마스크층을 드라이 에칭하고, 상기 렌즈 재료층에 상기 마이크로 렌즈 패턴의 형상을 전사하는 형상 전사 공정을 포함하는 마이크로 렌즈의 제조 방법이다.A third aspect of the present invention includes a positive photosensitive resin composition layer laminating process of laminating a positive photosensitive resin composition layer using the positive photosensitive resin composition on a lens material layer, and selectively exposing the positive photosensitive resin composition layer. An exposure process, a development process of developing the exposed positive photosensitive resin composition layer, a mask layer forming process of heating the developed positive photosensitive resin composition layer to form a mask layer having a micro lens pattern, and the lens. A method of manufacturing a micro lens including dry etching the material layer and the mask layer and transferring the shape of the micro lens pattern to the lens material layer.

본 발명에 의하면, 뛰어난 해상성 및 넓은 플로우 마진의 모두를 구비한 마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법 및 마이크로 렌즈의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a positive type photosensitive resin composition for manufacturing a micro lens pattern having both excellent resolution and a wide flow margin, a method for manufacturing a micro lens pattern using the same, and a method for manufacturing a micro lens.

<마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물> <Positive photosensitive resin composition for manufacturing micro lens patterns>

본 발명에 관한 마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물은 산해리성 용해 억제기를 가지고, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(A)와, 적어도 2개의 비닐옥시기를 가지는 화합물(B)과, 광산발생제(C)를 함유하며, 상기 수지(A)는 히드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위(a1)와, 히드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위에서 적어도 1개의 수산기의 수소 원자가 산해리성 용해 억제기 함유기로 치환된 구성 단위(a2)를 가지는 수지(A1)를 포함한다. 이 포지티브형 감광성 수지 조성물은 에칭법에 의한 마이크로 렌즈의 제조에서, 마이크로 렌즈 패턴을 가지는 마스크층의 형성에 적합하게 이용된다. 이하, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물에 함유되는 각 성분에 대해 상세하게 설명한다.The positive photosensitive resin composition for producing a micro lens pattern according to the present invention includes a resin (A) which has an acid dissociable dissolution inhibiting group and whose solubility in alkali increases by the action of an acid, and a compound (B) which has at least two vinyloxy groups. and a photoacid generator (C), wherein the resin (A) includes a structural unit (a1) derived from hydroxystyrene, and a hydrogen atom of at least one hydroxyl group in the structural unit derived from hydroxystyrene, which is acid-dissociatively dissolved. It includes a resin (A1) having a structural unit (a2) substituted with an inhibitor-containing group. This positive photosensitive resin composition is suitably used for forming a mask layer having a microlens pattern in the manufacture of microlenses by an etching method. Hereinafter, each component contained in the positive photosensitive resin composition will be described in detail.

[산해리성 용해 억제기를 가지고, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(A)] [Resin (A) which has an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group and whose solubility in alkali increases due to the action of acid]

산해리성 용해 억제기를 가지고, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(A)는 히드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위(a1)와, 히드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위에서 적어도 1개의 수산기의 수소 원자가 산해리성 용해 억제기 함유기로 치환된 구성 단위(a2)를 가지는 수지(A1)를 포함한다. 수지(A)는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.Resin (A), which has an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group and whose solubility in alkali increases by the action of an acid, contains a structural unit (a1) derived from hydroxystyrene, and at least one hydroxyl group in the structural unit derived from hydroxystyrene. It includes a resin (A1) having a structural unit (a2) in which hydrogen atoms of are substituted with an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group-containing group. Resin (A) can be used individually or in combination of two or more types.

수지(A)가 구성 단위(a1)와 구성 단위(a2)를 가지는 수지(A1)를 포함함으로써, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상성이 뛰어난 것이 되기 쉽고, 또 넓은 플로우 마진이 확보되기 쉽다.When the resin (A) contains the resin (A1) having the structural unit (a1) and the structural unit (a2), the resulting positive photosensitive resin composition is likely to have excellent resolution and a wide flow margin is likely to be secured.

구성 단위(a1)로서는, 예를 들면 하기 일반식(a1-1)로 나타내는 구성 단위를 예시할 수 있다. 또, 구성 단위(a2)로서는, 예를 들면 하기 일반식(a2-1)로 나타내는 구성 단위를 예시할 수 있다.As the structural unit (a1), for example, a structural unit represented by the following general formula (a1-1) can be exemplified. Moreover, as the structural unit (a2), for example, a structural unit represented by the following general formula (a2-1) can be exemplified.

[화 1][Tuesday 1]

(식 중, Ra1 및 Ra3은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 할로겐 원자, 또는 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 나타내고, Ra2 및 Ra5는 독립적으로 알킬기를 나타내며, Ra4는 산해리성 용해 억제기를 나타내고, p 및 r은 독립적으로 1~5의 정수를 나타내며, q, s, 및 t는 독립적으로 0~4의 정수를 나타내고, 단 p+q 및 r+s+t는 독립적으로 1~5의 정수이다)(In the formula, R a1 and R a3 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, or an alkyl group substituted with a halogen atom, R a2 and R a5 independently represent an alkyl group, and R a4 represents an acid dissociable, dissolution inhibiting group. , p and r independently represent integers from 1 to 5, q, s, and t independently represent integers from 0 to 4, provided that p+q and r+s+t independently represent integers from 1 to 5. am)

일반식(a1-1) 중, Ra1 및 Ra3은 수소 원자, 알킬기, 할로겐 원자, 또는 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 나타낸다. Ra1 및 Ra3의 알킬기는 탄소수 1~5의 알킬기이며, 직쇄 또는 분기상의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 공업적으로는 메틸기가 바람직하다. 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. 할로겐 원자로 치환된 알킬기는 상술한 탄소수 1~5의 알킬기의 일부 또는 전부의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 것이다. 본 발명에서는 수소 원자가 전부 할로겐화되어 있는 것이 바람직하다. 할로겐 원자로 치환된 알킬기로서는 할로겐 원자로 치환된 직쇄 또는 분기상의 알킬기가 바람직하고, 특히 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기, 노나플루오로부틸기 등의 불소화 알킬기가 보다 바람직하며, 트리플루오로메틸기(-CF3)가 가장 바람직하다. Ra1 및 Ra3으로서는 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하고, 수소 원자가 보다 바람직하다.In general formula (a1-1), R a1 and R a3 represent a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, or an alkyl group substituted with a halogen atom. The alkyl group for R a1 and R a3 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a straight-chain or branched alkyl group, and is methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, Pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. can be mentioned. Industrially, a methyl group is preferable. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc., and a fluorine atom is particularly preferable. An alkyl group substituted with a halogen atom is one in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms described above are substituted with halogen atoms. In the present invention, it is preferable that all hydrogen atoms are halogenated. The alkyl group substituted with a halogen atom is preferably a straight-chain or branched alkyl group substituted with a halogen atom, and in particular, fluorinated alkyl groups such as trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group, and nonafluorobutyl group are more preferable, Trifluoromethyl group (-CF 3 ) is most preferred. As R a1 and R a3 , a hydrogen atom or a methyl group is preferable, and a hydrogen atom is more preferable.

Ra2 및 Ra5의 탄소수 1~5의 알킬기로서는 Ra1 및 Ra3의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다. q, s, 및 t는 독립적으로 0~4의 정수이다. 이들 중, q, s, 및 t는 0 또는 1인 것이 바람직하고, 특히 공업상 0인 것이 바람직하다. Ra2의 치환 위치는 q가 1인 경우에는 o-위치, m-위치, p-위치 중 어느 하나여도 되고, 또한 q가 2~4의 정수인 경우에는 임의의 치환 위치를 조합할 수 있다. Ra5의 치환 위치는 t가 1인 경우에는 o-위치, m-위치, p-위치 중 어느 하나여도 되고, 또한 t가 1~4의 정수인 경우에는 임의의 치환 위치를 조합할 수 있다. p 및 r은 1~5의 정수를 나타내고, 바람직하게는 1~3의 정수이며, 바람직하게는 1이다. 수산기의 치환 위치는 p 및 s가 1인 경우, o-위치, m-위치, p-위치 중 어느 하나여도 되지만, 용이하게 입수 가능하고 저가격인 점에서 p-위치가 바람직하다. 또한, p가 2~5의 정수인 경우 및 s가 2~4의 정수인 경우에는 임의의 치환 위치를 조합할 수 있다.The alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms for R a2 and R a5 include the same alkyl groups as R a1 and R a3 . q, s, and t are independently integers from 0 to 4. Among these, q, s, and t are preferably 0 or 1, and are particularly preferably 0 for industrial purposes. When q is 1, the substitution position of R a2 may be any of the o-position, m-position, and p-position, and when q is an integer of 2 to 4, any substitution position can be combined. When t is 1, the substitution position of R a5 may be any of the o-position, m-position, and p-position, and when t is an integer of 1 to 4, any substitution position can be combined. p and r represent an integer of 1 to 5, preferably an integer of 1 to 3, and preferably 1. When p and s are 1, the substitution position of the hydroxyl group may be any of the o-position, m-position, and p-position, but the p-position is preferable because it is easily available and low price. Additionally, when p is an integer of 2 to 5 and s is an integer of 2 to 4, arbitrary substitution positions can be combined.

상기 Ra4로 나타내는 산해리성 용해 억제기로서는 하기 식(a2-1-1)로 나타내는 기, 하기 식(a2-1-2)로 나타내는 기, 탄소수 1~6의 직쇄상, 분기상, 혹은 환상의 알킬기, 비닐옥시에틸기, 테트라히드로피라닐기, 테트라푸라닐기, 또는 트리알킬실릴기를 들 수 있다.Examples of the acid dissociable, dissolution inhibiting group represented by R a4 include groups represented by the following formula (a2-1-1), groups represented by the following formula (a2-1-2), and linear, branched, or cyclic groups having 1 to 6 carbon atoms. alkyl group, vinyloxyethyl group, tetrahydropyranyl group, tetrafuranyl group, or trialkylsilyl group.

[화 2][Tuesday 2]

상기 식(a2-1-1) 및 (a2-1-2) 중, Ra6 및 Ra7은 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, Ra8 및 Ra10은 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내며, Ra9는 단결합 또는 알킬렌기를 나타내고, 단 Ra6, Ra7, 및 Ra8 중 적어도 2종은 서로 결합해 환을 형성해도 된다.In the above formulas (a2-1-1) and (a2-1-2), R a6 and R a7 independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, R a8 and R a10 independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group, and R a9 represents a single bond or an alkylene group, provided that at least two of R a6 , R a7 , and R a8 may combine with each other to form a ring.

Ra6 또는 Ra7로 나타내는 알킬기로서는 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기를 들 수 있다. Ra8로 나타내는 알킬기로서는, 예를 들면 탄소수 1~10의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기를 들 수 있고, Ra8로 나타내는 시클로알킬기로서는, 예를 들면 탄소수 3~10의 시클로알킬기를 들 수 있다. Ra9로 나타내는 알킬렌기로서는, 예를 들면 탄소수 1~3의 알킬렌기를 들 수 있다. Ra10으로 나타내는 알킬기로서는, 예를 들면 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기를 들 수 있고, Ra10으로 나타내는 시클로알킬기로서는, 예를 들면 탄소수 3~6의 시클로알킬기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group represented by R a6 or R a7 include linear or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms. Examples of the alkyl group represented by R a8 include a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and examples of the cycloalkyl group represented by R a8 include a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. Examples of the alkylene group represented by R a9 include an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. Examples of the alkyl group represented by R a10 include linear or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, and examples of the cycloalkyl group represented by R a10 include cycloalkyl groups having 3 to 6 carbon atoms.

상기 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 또, 상기 시클로알킬기로서는 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 메틸메틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, 및 에틸메틸렌기를 들 수 있다.Examples of the linear or branched alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. Moreover, examples of the cycloalkyl group include cyclopentyl group and cyclohexyl group. Examples of the alkylene group include methylene group, ethylene group, methylmethylene group, propylene group, isopropylene group, and ethylmethylene group.

여기서, 상기 식(a2-1-1)로 나타내는 산해리성 용해 억제기로서, 구체적으로는 메톡시에틸기, 에톡시에틸기, n-프로폭시에틸기, 이소프로폭시에틸기, n-부톡시에틸기, 이소부톡시에틸기, tert-부톡시에틸기, 시클로헥실옥시에틸기, 메톡시프로필기, 에톡시프로필기, 1-메톡시-1-메틸-에틸기, 1-에톡시-1-메틸에틸기 등을 들 수 있다. 또, 상기 식(a2-1-2)로 나타내는 산해리성 용해 억제기로서, 구체적으로는 tert-부톡시카르보닐기, tert-부톡시카르보닐메틸기 등을 들 수 있다. 또, 상기 트리알킬실릴기로서는 트리메틸실릴기, 트리-tert-부틸디메틸실릴기 등의 각 알킬기가 탄소수 1~6인 것을 들 수 있다.Here, the acid dissociable, dissolution inhibiting group represented by the above formula (a2-1-1) is specifically methoxyethyl group, ethoxyethyl group, n-propoxyethyl group, isopropoxyethyl group, n-butoxyethyl group, and isobutoxy group. Examples include ethyl group, tert-butoxyethyl group, cyclohexyloxyethyl group, methoxypropyl group, ethoxypropyl group, 1-methoxy-1-methyl-ethyl group, and 1-ethoxy-1-methylethyl group. Additionally, examples of the acid dissociable, dissolution inhibiting group represented by the above formula (a2-1-2) include tert-butoxycarbonyl group, tert-butoxycarbonylmethyl group, etc. In addition, examples of the trialkylsilyl group include alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, such as trimethylsilyl group and tri-tert-butyldimethylsilyl group.

구성 단위(a1) 및 (a2)의 각각은 1종 또는 2종 이상을 혼합해 이용할 수 있다.Each of structural units (a1) and (a2) can be used one type or in mixture of two or more types.

수지(A1) 중, 구성 단위(a1) 및 (a2)의 합계 비율은 수지(A1)를 구성하는 전체 구성 단위에 대해, 10~100몰%인 것이 바람직하고, 30~100몰%가 보다 바람직하며, 50~100몰%가 더욱 바람직하고, 70~100몰%가 특히 바람직하며, 100몰%가 가장 바람직하다. 상기 비율이 상기 범위 내이면, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상성이 보다 뛰어난 것이 되기 쉽고, 또 보다 넓은 플로우 마진이 확보되기 쉬우며, 아울러 다른 구성 단위와의 밸런스가 양호하다.In the resin (A1), the total ratio of the structural units (a1) and (a2) is preferably 10 to 100 mol%, and more preferably 30 to 100 mol%, relative to the total structural units constituting the resin (A1). 50 to 100 mol% is more preferable, 70 to 100 mol% is particularly preferable, and 100 mol% is most preferable. If the ratio is within the above range, the resulting positive photosensitive resin composition tends to have superior resolution, a wider flow margin can easily be secured, and the balance with other structural units is good.

구성 단위(a1) 및 (a2)의 합계 중, 구성 단위(a2)의 비율(즉, 히드록시스티렌의 보호율)은 10~60몰%인 것이 바람직하고, 20~40몰%가 보다 바람직하다. 히드록시스티렌의 보호율이 상기 범위 내이면, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상성이 보다 더 뛰어난 것이 되기 쉽고, 또 보다 더 넓은 플로우 마진이 확보되기 쉽다.Of the total of structural units (a1) and (a2), the proportion of structural unit (a2) (i.e., protection rate of hydroxystyrene) is preferably 10 to 60 mol%, and more preferably 20 to 40 mol%. . When the protection rate of hydroxystyrene is within the above range, the obtained positive photosensitive resin composition tends to have excellent resolution and a wider flow margin is likely to be secured.

(다른 구성 단위) (different building blocks)

수지(A1)는 구성 단위(a1) 및 (a2)에 더하여, 추가로 구성 단위(a1) 및 (a2) 이외의 다른 구성 단위를 함유해도 된다. 다른 구성 단위로서, 구체적으로는, 예를 들면 하기 구성 단위(a3) 및 (a4) 등을 들 수 있다.In addition to the structural units (a1) and (a2), the resin (A1) may further contain structural units other than the structural units (a1) and (a2). Specific examples of other structural units include the following structural units (a3) and (a4).

·구성 단위(a3)·Constitutive unit (a3)

구성 단위(a3)는 스티렌으로부터 유도되는 구성 단위이다. 구성 단위(a3)를 함유시키고, 그 함유량을 조정함으로써, 수지(A1)의 알칼리 현상액에 대한 용해성을 조정할 수 있는 경우가 있고, 그것에 따라 후막(厚膜) 레지스트막의 알칼리 용해성을 컨트롤할 수 있는 경우가 있으며, 형상을 더욱 향상시킬 수 있는 경우가 있다.The structural unit (a3) is a structural unit derived from styrene. By containing the structural unit (a3) and adjusting its content, there are cases where the solubility of the resin (A1) in an alkaline developer can be adjusted, and the alkali solubility of the thick resist film can be controlled accordingly. There are cases where the shape can be further improved.

여기서, 「스티렌」이란, 협의의 스티렌, 및 협의의 스티렌의 α위치의 수소 원자가 할로겐 원자, 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 및 그러한 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 「스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」란, 스티렌의 에틸렌성 이중 결합이 개열해 구성되는 구성 단위를 의미한다. 스티렌은 페닐기의 수소 원자가 저급 알킬기(예를 들면, 탄소수 1~5의 알킬기) 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다.Here, the term “styrene” includes styrene in the narrow sense, styrene in the narrow sense in which the hydrogen atom at the α position is replaced by another substituent such as a halogen atom, an alkyl group, or a halogenated alkyl group, and such derivatives. “Structural unit derived from styrene” means a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of styrene. In styrene, the hydrogen atom of the phenyl group may be substituted with a substituent such as a lower alkyl group (for example, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms).

구성 단위(a3)로서는 하기 일반식(a3-1)로 나타내는 구성 단위를 예시할 수 있다.As the structural unit (a3), a structural unit represented by the following general formula (a3-1) can be exemplified.

[화 3][Tuesday 3]

식 중, R은 수소 원자, 알킬기, 할로겐 원자, 또는 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 나타내고, R7은 탄소수 1~5의 알킬기를 나타내며, r은 0~3의 정수를 나타낸다.In the formula, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, or an alkyl group substituted with a halogen atom, R 7 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and r represents an integer of 0 to 3.

R로서는 상기 Ra1 및 Ra3에 대해 예시한 것과 동일한 기를 들 수 있다. R7로서는 상기 Ra2 및 Ra5에 대해 예시한 것과 동일한 기를 들 수 있다. Examples of R include the same groups as those exemplified for R a1 and R a3 above. Examples of R 7 include the same groups as those exemplified for R a2 and R a5 above.

r은 0~3의 정수이다. 이들 중, r은 0 또는 1인 것이 바람직하고, 특히 공업상 0인 것이 바람직하다.r is an integer from 0 to 3. Among these, r is preferably 0 or 1, and is particularly preferably 0 for industrial reasons.

R7의 치환 위치는 r이 1인 경우에는 o-위치, m-위치, p-위치 중 어느 하나여도 되고, r이 2 또는 3인 경우에는 임의의 치환 위치를 조합할 수 있다.When r is 1, the substitution position of R 7 may be any of the o-position, m-position, and p-position, and when r is 2 or 3, any substitution position can be combined.

구성 단위(a3)는 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.The structural unit (a3) may be used individually or in combination of two or more types.

수지(A1) 중, 구성 단위(a3)의 비율은 수지(A1)를 구성하는 전체 구성 단위에 대해, 0~90몰%인 것이 바람직하고, 0~70몰%가 보다 바람직하며, 0~50몰%가 더욱 바람직하고, 0~30몰%가 특히 바람직하며, 0몰%가 가장 바람직하다. 상기 비율이 상기 범위 내이면, 다른 구성 단위와의 밸런스가 양호하게 되기 쉽다. 상기 비율의 하한은 수지(A1)를 구성하는 전체 구성 단위에 대해, 1몰%가 바람직하고, 3몰%가 보다 바람직하며, 5몰%가 특히 바람직하다. 상기 하한이 상기의 값이면, 구성 단위(a3)를 가지는 것에 의한 효과가 높아지기 쉽다.In the resin (A1), the ratio of the structural unit (a3) is preferably 0 to 90 mol%, more preferably 0 to 70 mol%, and 0 to 50 mol% relative to all structural units constituting the resin (A1). Mol% is more preferable, 0 to 30 mol% is particularly preferable, and 0 mol% is most preferable. If the ratio is within the above range, the balance with other structural units is likely to be good. The lower limit of the ratio is preferably 1 mol%, more preferably 3 mol%, and particularly preferably 5 mol%, based on the total structural units constituting the resin (A1). If the lower limit is the above value, the effect of having the structural unit (a3) is likely to increase.

·구성 단위(a4)·Constitutive unit (a4)

구성 단위(a4)는 알코올성 수산기를 가지는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위이다. 이러한 구성 단위(a4)를 가짐으로써, 본 발명의 효과가 더욱 향상되는 경우가 있다.The structural unit (a4) is a structural unit derived from an acrylic acid ester having an alcoholic hydroxyl group. By having such a structural unit (a4), the effect of the present invention may be further improved.

바람직한 구성 단위(a4)로서는 알코올성 수산기를 가지는 쇄상 또는 환상 알킬기를 가지는 구성 단위를 예시할 수 있다. 즉, 구성 단위(a4)는 알코올성 수산기 함유 쇄상 또는 환상 알킬기를 가지는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위인 것이 바람직하다.As a preferable structural unit (a4), a structural unit having a chain-shaped or cyclic alkyl group having an alcoholic hydroxyl group can be exemplified. That is, the structural unit (a4) is preferably a structural unit derived from an acrylic acid ester having an alcoholic hydroxyl group-containing chain or cyclic alkyl group.

구성 단위(a4)가 알코올성 수산기 함유 환상 알킬기를 가지는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위(이하, 간단하게 「수산기 함유 환상 알킬기를 가지는 구성 단위」라고 하는 경우가 있음)를 가지면, 해상성이 높아지는 경우가 있는 것과 함께 에칭 내성도 향상되는 경우가 있다. If the structural unit (a4) has a structural unit derived from an acrylic acid ester having an alcoholic hydroxyl group-containing cyclic alkyl group (hereinafter sometimes simply referred to as a “structural unit having a hydroxyl group-containing cyclic alkyl group”), resolution may increase. In some cases, etching resistance also improves.

또, 구성 단위(a4)가 알코올성 수산기 함유 쇄상 알킬기를 가지는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위(이하, 간단하게 「수산기 함유 쇄상 알킬기를 가지는 구성 단위」라고 하는 경우가 있음)를 가지면, (A)성분 전체의 친수성이 높아지는 경우가 있고, 현상액과의 친화성이 높아지는 경우가 있음으로써, 해상성이 향상되는 경우가 있다.In addition, if the structural unit (a4) has a structural unit derived from an acrylic acid ester having an alcoholic hydroxyl group-containing chain alkyl group (hereinafter, it may simply be referred to as a “structural unit having a hydroxyl group-containing chain alkyl group”), (A) component In some cases, the overall hydrophilicity increases, and in some cases, the affinity with the developer increases, thereby improving resolution.

··수산기 함유 환상 알킬기를 가지는 구성 단위··Constitutive unit having a hydroxyl group-containing cyclic alkyl group

수산기 함유 환상 알킬기를 가지는 구성 단위로서는, 예를 들면 아크릴산에스테르의 에스테르기[-C(O)O-]에 수산기 함유 환상 알킬기가 결합하고 있는 구성 단위 등을 들 수 있다. 여기서, 「수산기 함유 환상 알킬기」란, 환상 알킬기에 수산기가 결합하고 있는 기이다.Examples of the structural unit having a hydroxyl group-containing cyclic alkyl group include a structural unit in which a hydroxyl group-containing cyclic alkyl group is bonded to the ester group [-C(O)O-] of acrylic acid ester. Here, “hydroxyl group-containing cyclic alkyl group” is a group in which a hydroxyl group is bonded to a cyclic alkyl group.

수산기는, 예를 들면 1~3개 결합하고 있는 것이 바람직하고, 1개 결합하고 있는 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that 1 to 3 hydroxyl groups are bonded, for example, and it is more preferable that 1 hydroxyl group is bonded.

환상 알킬기는 단환이어도 다환이어도 되지만, 다환식기인 것이 바람직하다. 또, 환상 알킬기의 탄소수는 5~15인 것이 바람직하다.The cyclic alkyl group may be monocyclic or polycyclic, but is preferably a polycyclic group. Moreover, it is preferable that the carbon number of a cyclic alkyl group is 5-15.

환상 알킬기의 구체예로서는 이하의 것을 들 수 있다.Specific examples of cyclic alkyl groups include the following.

단환식의 환상 알킬기로서는 시클로알칸으로부터 1개~4개의 수소 원자를 제외한 기 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는 단환식의 환상 알킬기로서는 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 시클로알칸으로부터 1개~4개의 수소 원자를 제외한 기를 들 수 있고, 이들 중에서도 시클로헥실기가 바람직하다.Examples of monocyclic cyclic alkyl groups include groups obtained by removing 1 to 4 hydrogen atoms from cycloalkane. More specifically, monocyclic cyclic alkyl groups include groups obtained by removing 1 to 4 hydrogen atoms from cycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and among these, cyclohexyl group is preferable.

다환식의 환상 알킬기로서는 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개~4개의 수소 원자를 제외한 기 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개~4개의 수소 원자를 제외한 기 등을 들 수 있다.Examples of polycyclic cyclic alkyl groups include groups obtained by removing 1 to 4 hydrogen atoms from polycycloalkanes such as bicycloalkanes, tricycloalkanes, and tetracycloalkanes. More specifically, groups obtained by removing 1 to 4 hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane can be mentioned.

또한, 이와 같은 환상 알킬기는, 예를 들면 ArF 엑시머 레이저 프로세스용의 포토레지스트 조성물용 수지에서, 산해리성 용해 억제기를 구성하는 것으로서 다수 제안되고 있는 것 중에서 적절히 선택해 이용할 수 있다. 이들 중에서도 시클로헥실기, 아다만틸기, 노르보르닐기, 및 테트라시클로도데카닐기가 공업상 입수하기 쉽고 바람직하다.In addition, such cyclic alkyl groups can be appropriately selected and used from among many proposed as constituting acid-dissociable, dissolution-inhibiting groups in, for example, resins for photoresist compositions for ArF excimer laser processes. Among these, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group, and tetracyclododecanyl group are industrially available and preferred.

이들 예시한 단환식기 및 다환식기 중에서도, 시클로헥실기 및 아다만틸기가 바람직하고, 특히 아다만틸기가 바람직하다.Among these exemplified monocyclic groups and polycyclic groups, cyclohexyl group and adamantyl group are preferable, and adamantyl group is especially preferable.

수산기 함유 환상 알킬기를 가지는 구성 단위의 구체예로서, 예를 들면 하기 일반식(a4-1)로 나타내는 구성 단위(a4-1)가 바람직하다.As a specific example of the structural unit having a hydroxyl-containing cyclic alkyl group, structural unit (a4-1) represented by the following general formula (a4-1) is preferable.

[화 4][Tuesday 4]

식 중, R은 수소 원자, 알킬기, 할로겐 원자, 또는 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 나타내고, s는 1~3의 정수이다.In the formula, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, or an alkyl group substituted with a halogen atom, and s is an integer of 1 to 3.

R로서는 상기 Ra1 및 Ra3에 대해 예시한 것과 동일한 기를 들 수 있다.Examples of R include the same groups as those exemplified for R a1 and R a3 above.

s는 1~3의 정수이며, 1이 가장 바람직하다.s is an integer from 1 to 3, and 1 is most preferable.

수산기의 결합 위치는 특별히 한정하지 않지만, 아다만틸기의 3위치의 위치에 수산기가 결합하고 있는 것이 바람직하다.The bonding position of the hydroxyl group is not particularly limited, but it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3rd position of the adamantyl group.

··수산기 함유 쇄상 알킬기를 가지는 구성 단위··Constitutive unit having a hydroxyl group-containing chain alkyl group

수산기 함유 쇄상 알킬기를 가지는 구성 단위로서는, 예를 들면 아크릴산에스테르의 에스테르기[-C(O)O-]에 쇄상의 히드록시알킬기가 결합하고 있는 구성 단위 등을 들 수 있다. 여기서, 「쇄상의 히드록시알킬기」란, 쇄상(직쇄 또는 분기상)의 알킬기에서의 수소 원자의 일부 또는 전부가 수산기로 치환되어 이루어지는 기를 의미한다.Examples of the structural unit having a hydroxyl-containing chain alkyl group include a structural unit in which a chain-shaped hydroxyalkyl group is bonded to the ester group [-C(O)O-] of acrylic acid ester. Here, “chain-shaped hydroxyalkyl group” means a group in which some or all of the hydrogen atoms in a chain-shaped (linear or branched) alkyl group are replaced with hydroxyl groups.

수산기 함유 쇄상 알킬기를 가지는 구성 단위로서는, 특히 하기 일반식(a4-2)로 나타내는 구성 단위(a4-2)가 바람직하다.As the structural unit having a hydroxyl-containing chain alkyl group, structural unit (a4-2) represented by the following general formula (a4-2) is particularly preferable.

[화 5][Tuesday 5]

식 중, R은 상기와 동일하며, R8은 쇄상의 히드록시알킬기이다.In the formula, R is the same as above, and R 8 is a chain-shaped hydroxyalkyl group.

R로서는 상기 Ra1 및 Ra3에 대해 예시한 것과 동일한 기를 들 수 있다.Examples of R include the same groups as those exemplified for R a1 and R a3 above.

R8의 히드록시알킬기는 바람직하게는 탄소수 1~10의 히드록시알킬기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 2~8의 히드록시알킬기이고, 더욱 바람직하게는 탄소수 2~4의 직쇄상의 히드록시알킬기이다. The hydroxyalkyl group for R 8 is preferably a hydroxyalkyl group with 1 to 10 carbon atoms, more preferably a hydroxyalkyl group with 2 to 8 carbon atoms, and even more preferably a linear hydroxyalkyl group with 2 to 4 carbon atoms. .

히드록시알킬기에서의 수산기의 수 및 결합 위치는 특별히 한정하는 것은 아니지만, 통상 수산기의 수는 1개이며, 또 결합 위치는 알킬기의 말단이 바람직하다.The number and bonding position of the hydroxyl group in the hydroxyalkyl group are not particularly limited, but the number of hydroxyl groups is usually one, and the bonding position is preferably at the terminal of the alkyl group.

구성 단위(a4)는 1종 또는 2종 이상을 혼합해 이용할 수 있다.The structural unit (a4) can be used alone or in a mixture of two or more types.

수지(A1) 중, 구성 단위(a4)의 비율은 수지(A1)를 구성하는 전체 구성 단위에 대해, 0~90몰%인 것이 바람직하고, 0~70몰%가 보다 바람직하며, 0~50몰%가 더욱 바람직하고, 0~30몰%가 특히 바람직하며, 0몰%가 가장 바람직하다. 상기 비율이 상기 범위 내이면, 다른 구성 단위와의 밸런스가 양호하게 되기 쉽다. 상기 비율의 하한은 수지(A1)를 구성하는 전체 구성 단위에 대해, 1몰%가 바람직하고, 3몰%가 보다 바람직하며, 5몰%가 특히 바람직하다. 상기 하한이 상기의 값이면, 구성 단위(a4)를 가지는 것에 의한 효과가 높아지기 쉽다.In the resin (A1), the ratio of the structural unit (a4) is preferably 0 to 90 mol%, more preferably 0 to 70 mol%, and 0 to 50 mol% relative to all structural units constituting the resin (A1). Mol% is more preferable, 0 to 30 mol% is particularly preferable, and 0 mol% is most preferable. If the ratio is within the above range, the balance with other structural units is likely to be good. The lower limit of the ratio is preferably 1 mol%, more preferably 3 mol%, and particularly preferably 5 mol%, based on the total structural units constituting the resin (A1). If the lower limit is the above value, the effect of having the structural unit (a4) is likely to increase.

수지(A1)는 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 상기 구성 단위(a1)~(a4) 이외의 다른 구성 단위(a5)를 포함하고 있어도 된다.Resin (A1) may contain structural units (a5) other than the structural units (a1) to (a4) as long as the effect of the present invention is not impaired.

구성 단위(a5)는 상술한 구성 단위(a1)~(a4)에 분류되지 않는 다른 구성 단위이면 특별히 한정하는 것이 아니고, ArF 엑시머 레이저용, KrF 포지티브 엑시머 레이저용(바람직하게는 KrF 엑시머 레이저용) 등의 레지스트용 수지에 이용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것이 사용 가능하다.The structural unit (a5) is not particularly limited as long as it is another structural unit that is not classified into the structural units (a1) to (a4) described above, and is used for ArF excimer lasers or KrF positive excimer lasers (preferably for KrF excimer lasers). Many of those conventionally known to be used in resist resins such as these can be used.

수지(A1)는 1종 단독으로 있어도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Resin (A1) may be used alone or in combination of two or more types.

(A)성분 중, 수지(A1)의 비율은 본 발명의 효과를 위해서는 바람직하게는 50~100중량%, 보다 바람직하게는 80~100중량%이며, 가장 바람직하게는 100중량%이다.Among the components (A), the proportion of resin (A1) is preferably 50 to 100% by weight, more preferably 80 to 100% by weight, and most preferably 100% by weight for the effect of the present invention.

수지(A1)는 하기 식(a1-1)로 나타내는 구성 단위와, 하기 식(a2-1)로 나타내는 구성 단위를 가지는 수지(A2)를 포함하는 것이 바람직하다.Resin (A1) preferably contains a structural unit represented by the following formula (a1-1) and a resin (A2) having a structural unit represented by the following formula (a2-1).

[화 6][Tuesday 6]

(식 중, Ra1~Ra5 및 p~t는 상기와 같다)(In the formula, R a1 to R a5 and p to t are the same as above)

수지(A1)가 수지(A2)를 포함함으로써, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상성이 보다 뛰어난 것이 되기 쉽고, 또 보다 넓은 플로우 마진이 확보되기 쉽다.When the resin (A1) contains the resin (A2), the resulting positive photosensitive resin composition is likely to have superior resolution and a wider flow margin is likely to be secured.

수지(A2)는 1종 단독으로 있어도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Resin (A2) may be used alone or in combination of two or more types.

수지(A1) 중, 수지(A2)의 비율은 본 발명의 효과를 위해서는 바람직하게는 50~100중량%, 보다 바람직하게는 80~100중량%이며, 가장 바람직하게는 100중량%이다.The proportion of resin (A2) in resin (A1) is preferably 50 to 100% by weight, more preferably 80 to 100% by weight, and most preferably 100% by weight for the effect of the present invention.

수지(A2)는 상기 식(a1-1)로 나타내는 구성 단위와, 하기 식(a2-2)로 나타내는 구성 단위 및/또는 하기 식(a2-3)로 나타내는 구성 단위를 가지는 수지(A3)를 포함하는 것이 바람직하다.Resin (A2) is a resin (A3) having a structural unit represented by the above formula (a1-1), a structural unit represented by the following formula (a2-2), and/or a structural unit represented by the following formula (a2-3). It is desirable to include it.

[화 7][Tuesday 7]

(식 중, Ra3, Ra5~Ra10, r, s, 및 t는 상기와 같다)(wherein R a3 , R a5 ~R a10 , r, s, and t are as above)

수지(A2)가 수지(A3)를 포함함으로써, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상성이 보다 더 뛰어난 것이 되기 쉽고, 또 보다 더 넓은 플로우 마진이 확보되기 쉽다.When the resin (A2) contains the resin (A3), the resulting positive photosensitive resin composition is likely to have superior resolution and a wider flow margin is likely to be secured.

수지(A3)는 1종 단독으로 있어도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Resin (A3) may be used individually or in combination of two or more types.

수지(A2) 중, 수지(A3)의 비율은 본 발명의 효과를 위해서는 바람직하게는 50~100중량%, 보다 바람직하게는 80~100중량%이며, 가장 바람직하게는 100중량%이다.The proportion of resin (A3) in resin (A2) is preferably 50 to 100% by weight, more preferably 80 to 100% by weight, and most preferably 100% by weight for the effect of the present invention.

수지(A3)는 상기 식(a1-1)로 나타내는 구성 단위와, 상기 식(a2-2)로 나타내는 구성 단위를 가지는 수지(A4) 및/또는 상기 식(a1-1)로 나타내는 구성 단위와, 상기 식(a2-3)로 나타내는 구성 단위를 가지는 수지(A5)를 포함하는 것이 바람직하다.Resin (A3) is a resin (A4) having a structural unit represented by the formula (a1-1), a structural unit represented by the formula (a2-2), and/or a structural unit represented by the formula (a1-1). , it is preferable to include a resin (A5) having a structural unit represented by the above formula (a2-3).

수지(A3)가 수지(A4) 및/또는 수지(A5)를 포함함으로써, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상성이 한층 보다 더 뛰어난 것이 되기 쉽고, 또 한층 보다 더 넓은 플로우 마진이 확보되기 쉽다. When the resin (A3) contains the resin (A4) and/or the resin (A5), the resulting positive photosensitive resin composition is likely to have much more excellent resolution and a wider flow margin is likely to be secured.

특히, 수지(A3)가 수지(A4) 및 수지(A5) 모두를 포함하는 경우에는 높은 해상성과 넓은 플로우 마진의 양립을 도모하기 쉬워 바람직하다.In particular, when the resin (A3) contains both the resin (A4) and the resin (A5), it is preferable because it is easy to achieve both high resolution and wide flow margin.

수지(A4) 및 수지(A5)의 각각은 1종 단독으로 있어도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Each of Resin (A4) and Resin (A5) may be used individually or in combination of two or more types.

수지(A3) 중, 수지(A4) 및 (A5)의 합계 비율은 본 발명의 효과를 위해서는 바람직하게는 50~100중량%, 보다 바람직하게는 80~100중량%이며, 가장 바람직하게는 100중량%이다.In the resin (A3), the total ratio of resins (A4) and (A5) is preferably 50 to 100% by weight, more preferably 80 to 100% by weight, and most preferably 100% by weight for the effect of the present invention. %am.

수지(A4)의 양은 수지(A4)와 수지(A5)의 합계에 대해, 60~90몰%인 것이 바람직하고, 70~80몰%인 것이 보다 바람직하다. 수지(A4)의 양이 상기 범위 내이면, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상성이 특별히 뛰어난 것이 되기 쉽고, 또 특히 넓은 플로우 마진이 확보되기 쉽다.The amount of Resin (A4) is preferably 60 to 90 mol%, and more preferably 70 to 80 mol%, relative to the total of Resin (A4) and Resin (A5). If the amount of resin (A4) is within the above range, the obtained positive photosensitive resin composition is likely to have particularly excellent resolution, and a particularly wide flow margin is likely to be secured.

수지(A1)의 중량 평균 분자량(Mw)은 5000~30000인 것이 바람직하다. 수지(A2) 및 (A3)의 중량 평균 분자량에 대해서도 동일하다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상성, 내열성, 및 플로우성이 양호해지기 쉽다. 또한, 본 명세서에서 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산된 것을 말한다.The weight average molecular weight (Mw) of the resin (A1) is preferably 5,000 to 30,000. The same applies to the weight average molecular weights of resins (A2) and (A3). If the weight average molecular weight is within the above range, the resulting positive photosensitive resin composition tends to have good resolution, heat resistance, and flow properties. In addition, in this specification, the weight average molecular weight refers to polystyrene conversion by gel permeation chromatography (GPC).

수지(A4)의 중량 평균 분자량은 15000~30000인 것이 바람직하고, 17000~25000인 것이 보다 바람직하다. 상기 중량 평균 분자량이 15000 이상이면, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 내열성이 향상되기 쉽고, 또 플로우성이 높아질 뿐이기 때문에 넓은 플로우 마진이 확보되기 쉽다. 한편, 상기 중량 평균 분자량이 30000 이하이면, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상성이 뛰어난 것이 되기 쉽다.The weight average molecular weight of the resin (A4) is preferably 15,000 to 30,000, and more preferably 17,000 to 25,000. If the weight average molecular weight is 15000 or more, the heat resistance of the resulting positive photosensitive resin composition is likely to be improved, and since the flow property is only increased, a wide flow margin is likely to be secured. On the other hand, if the weight average molecular weight is 30000 or less, the resulting positive photosensitive resin composition is likely to have excellent resolution.

수지(A5)의 중량 평균 분자량은 5000~15000인 것이 바람직하고, 7000~10000인 것이 보다 바람직하다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 내열성 및 플로우성이 양호해지기 쉽다.The weight average molecular weight of resin (A5) is preferably 5,000 to 15,000, and more preferably 7,000 to 10,000. If the weight average molecular weight is within the above range, the resulting positive photosensitive resin composition tends to have good heat resistance and flow properties.

본 발명에서는 (A)성분으로서 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 수지(A1)에 더하여 PHS계 수지, 아크릴계 수지 등의 일반적으로 화학 증폭형 포지티브형 레지스트용 수지로서 이용되고 있는 수지를 함유해도 된다.In the present invention, the component (A) may contain, in addition to the resin (A1), resins generally used as resins for chemically amplified positive resists, such as PHS resins and acrylic resins, to the extent that the effects of the present invention are not impaired. do.

수지(A)의 중량 평균 분자량(Mw)은 5000~30000인 것이 바람직하다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 범위 내이면, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상성, 내열성, 및 플로우성이 양호해지기 쉽다.The weight average molecular weight (Mw) of the resin (A) is preferably 5,000 to 30,000. If the weight average molecular weight is within the above range, the resulting positive photosensitive resin composition tends to have good resolution, heat resistance, and flow properties.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에서, (A)성분의 함유량은 형성하려고 하는 레지스트 막 두께에 따라 조정하면 된다.In the positive photosensitive resin composition of the present invention, the content of component (A) may be adjusted according to the resist film thickness to be formed.

[적어도 2개의 비닐옥시기를 가지는 화합물(B)] [Compound (B) having at least two vinyloxy groups]

적어도 2개의 비닐옥시기를 가지는 화합물(B)은 비닐옥시기(CH2=CH-O-)의 산소 원자가 탄소 원자에 결합한 비닐에테르기를 2개 이상 가지는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 이러한 화합물을 함유함으로써, 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상성이 뛰어난 것이 되기 쉽고, 또 넓은 플로우 마진이 확보되기 쉽다. (B)성분은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.The compound (B) having at least two vinyloxy groups is not particularly limited as long as it is a compound having two or more vinyl ether groups in which the oxygen atom of the vinyloxy group (CH 2 =CH-O-) is bonded to a carbon atom. By containing such a compound, the obtained positive photosensitive resin composition is likely to have excellent resolution and a wide flow margin is likely to be secured. (B) Component can be used individually or in combination of two or more types.

적어도 2개의 비닐옥시기를 가지는 화합물(B)은 (A)성분에 대해서 가교제로서 작용함으로써 상기 효과를 발휘한다고 추측된다. 즉, 적어도 2개의 비닐옥시기를 가지는 화합물(B)은 프리베이크시의 가열에 의해 (A)성분과의 가교 반응이 진행되어, 기판 전면(全面)에 알칼리 불용화 레지스트층을 형성한다. 그 후, 노광시에 (B)성분으로부터 발생한 산의 작용에 의해 상기 가교가 분해되어 노광부는 알칼리 가용성으로 변화하고, 미노광부는 알칼리 불용인 채 변화하지 않기 때문에, 용해 콘트라스트가 향상된다고 추측된다. 또, 포스트베이크시에 수지(A)와의 가교가 더욱 진행됨으로써, 플로우 마진이 향상된다고 추측된다.It is presumed that compound (B), which has at least two vinyloxy groups, exerts the above effect by acting as a crosslinking agent for component (A). That is, the compound (B) having at least two vinyloxy groups undergoes a crosslinking reaction with component (A) by heating during prebaking, forming an alkali-insolubilized resist layer over the entire substrate. Afterwards, the cross-linking is decomposed by the action of the acid generated from component (B) during exposure, and the exposed portion changes to alkali-soluble, while the unexposed portion remains alkali-insoluble, so it is assumed that the dissolution contrast is improved. Additionally, it is presumed that the flow margin improves as crosslinking with the resin (A) further progresses during post-baking.

적어도 2개의 비닐옥시기를 가지는 화합물(B)로서, 구체적으로는 일본 특개 평6-148889호 공보, 일본 특개 평6-230574호 공보 등에 다수 열거되고 있고, 이들 중에서 임의로 선택해 사용할 수 있다. 특히, 열가교성과 산에 의한 분해성에 기인하는 레지스트 프로파일 형상, 및 노광부와 미노광부의 콘트라스트의 특성을 고려하면, 하기 일반식(f-2)로 나타내는 알코올의 수산기의 일부 또는 전부를, 그 수소 원자를 비닐기로 치환함으로써, 에테르화한 화합물이 바람직하다.As the compound (B) having at least two vinyloxy groups, a number of compounds are specifically listed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-148889, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-230574, etc., and can be arbitrarily selected from among these for use. In particular, considering the resist profile shape due to thermal crosslinkability and decomposability by acid, and the characteristics of the contrast between exposed and unexposed areas, some or all of the hydroxyl groups of the alcohol represented by the general formula (f-2) below are used. Compounds etherified by substituting a hydrogen atom with a vinyl group are preferred.

Rb-(OH)b (f-2) Rb-(OH) b (f-2)

식 중, Rb는 직쇄상, 분기상, 또는 환상의 알칸으로부터 b개의 수소 원자를 제외한 기이며, 치환기를 가지고 있어도 된다. 또, 알칸 중에는 산소 결합(에테르 결합)이 존재하고 있어도 된다. b는 2, 3, 또는 4를 나타낸다.In the formula, Rb is a group in which b hydrogen atoms have been removed from a linear, branched, or cyclic alkane, and may have a substituent. Additionally, an oxygen bond (ether bond) may exist in the alkane. b represents 2, 3, or 4.

구체적으로는 에틸렌글리콜 디비닐에테르, 트리에틸렌글리콜 디비닐에테르, 1,3-부탄디올디비닐에테르, 테트라메틸렌글리콜 디비닐에테르, 네오펜틸글리콜 디비닐에테르, 트리메틸올프로판트리비닐에테르, 트리메틸올에탄트리비닐에테르, 헥산디올디비닐에테르, 1,4-시클로헥산디올디비닐에테르, 테트라에틸렌글리콜 디비닐에테르, 펜타에리트리톨디비닐에테르, 펜타에리트리톨트리비닐에테르, 시클로헥산디메탄올디비닐에테르 등을 들 수 있다.Specifically, ethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, 1,3-butanediol divinyl ether, tetramethylene glycol divinyl ether, neopentyl glycol divinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, trimethylol ethane tri. Vinyl ether, hexanediol divinyl ether, 1,4-cyclohexanediol divinyl ether, tetraethylene glycol divinyl ether, pentaerythritol divinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether, cyclohexanedimethanol divinyl ether, etc. I can hear it.

적어도 2개의 비닐옥시기를 가지는 화합물(B)로서는 하기 일반식(f-3)으로 나타내는 것도 바람직하다.As the compound (B) having at least two vinyloxy groups, one represented by the following general formula (f-3) is also preferable.

CH2=CH-O-R27-O-CH=CH2 (f-3) CH 2 =CH-OR 27 -O-CH=CH 2 (f-3)

식(f-3)에서, R27은 탄소수 1~10의 분기상 혹은 직쇄상의 알킬렌기 또는 하기 일반식(f-4)로 나타내는 기이다. R27은 치환기를 가지고 있어도 된다. 또, R27은 주쇄에 산소 결합(에테르 결합)을 포함하고 있어도 된다.In formula (f-3), R 27 is a branched or straight-chain alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a group represented by the following general formula (f-4). R 27 may have a substituent. Additionally, R 27 may contain an oxygen bond (ether bond) in the main chain.

[화 8][Tuesday 8]

일반식(f-4) 중, R28은 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1~10의 분기상 또는 직쇄상의 알킬렌기이며, 상기 알킬렌기는 주쇄에 산소 결합(에테르 결합)을 포함하고 있어도 된다. c는 각각 독립적으로 0 또는 1이다.In general formula (f-4), R 28 is each independently a branched or straight-chain alkylene group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, and the alkylene group contains an oxygen bond (ether bond) in the main chain. You can stay. c is each independently 0 or 1.

R27로서는 -C4H8-, -C2H4OC2H4-, -C2H4OC2H4OC2H4-, 일반식(f-4)로 나타내는 기 등이 바람직하고, 그 중에서도 일반식(f-4)로 나타내는 기가 바람직하며, 특히 R28이 탄소수 1의 알킬렌기(즉, 메틸렌기)이며, c가 1인 일반식(f-4)로 나타내는 기가 바람직하다. As R 27 , -C 4 H 8 -, -C 2 H 4 OC 2 H 4 -, -C 2 H 4 OC 2 H 4 OC 2 H 4 -, groups represented by general formula (f-4), etc. are preferable. , Among them, the group represented by the general formula (f-4) is preferable, and in particular, the group represented by the general formula (f-4) in which R 28 is an alkylene group (i.e., methylene group) having 1 carbon atom and c is 1 is preferable.

일반식(f-3)로 나타내는 화합물로서는 시클로헥산디메탄올디비닐에테르[이하, CHDVE와 약기함]이 바람직하다.The compound represented by general formula (f-3) is preferably cyclohexanedimethanol divinyl ether (hereinafter abbreviated as CHDVE).

본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물 중, (B)성분의 함유량은 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물의 해상성 및 플로우 마진이 향상되기 쉬운 점에서, (A)성분 100중량부에 대해서, 0.1~15중량부가 바람직하고, 1~8중량부가 보다 바람직하다.In the positive photosensitive resin composition according to the present invention, the content of component (B) is 0.1 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of component (A), since the resolution and flow margin of the resulting positive photosensitive resin composition are likely to be improved. Parts by weight are preferable, and 1 to 8 parts by weight are more preferable.

[광산발생제(C)] [Mine generator (C)]

본 발명에 이용되는 광산발생제(C)는 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. (C)성분은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.The photoacid generator (C) used in the present invention is not particularly limited as long as it is a compound that generates an acid upon irradiation of actinic light or radiation. (C) Component can be used individually or in combination of two or more types.

(C)성분으로서는 이하에 설명하는 제1~제5 태양의 광산발생제가 바람직하다. 이하, (C)성분 중 바람직한 것에 대해서, 제1 내지 제5 태양으로 하여 설명한다.(C) As the component, the photoacid generator of the first to fifth aspects described below is preferable. Hereinafter, preferred components (C) will be described as first to fifth aspects.

(C)성분에서의 제1 태양으로서는 하기 식(c1)로 나타내는 화합물을 들 수 있다.(C) As a 1st aspect in component, the compound represented by the following formula (c1) is mentioned.

[화 9][Tuesday 9]

상기 식(c1) 중, X1c는 원자가(原子價) g의 황 원자 또는 요오드 원자를 나타내고, g는 1 또는 2이다. h는 괄호 내의 구조의 반복 단위 수를 나타낸다. R1c는 X1c에 결합하고 있는 유기기이며, 탄소수 6~30의 아릴기, 탄소수 4~30의 복소환기, 탄소수 1~30의 알킬기, 탄소수 2~30의 알케닐기, 또는 탄소수 2~30의 알키닐기를 나타내고, R1c는 알킬, 히드록시, 알콕시, 알킬카르보닐, 아릴카르보닐, 알콕시카르보닐, 아릴옥시카르보닐, 아릴티오카르보닐, 아실옥시, 아릴티오, 알킬티오, 아릴, 복소환, 아릴옥시, 알킬설피닐, 아릴설피닐, 알킬설포닐, 아릴설포닐, 알킬렌옥시, 아미노, 시아노, 니트로의 각 기, 및 할로겐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 치환되어 있어도 된다. R1c의 개수는 g+h(g-1)+1이며, R1c는 각각 서로 동일해도 상이해도 된다. 또, 2개 이상의 R1c가 서로 직접, 또는 -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -NH-, -NR2c-, -CO-, -COO-, -CONH-, 탄소수 1~3의 알킬렌기, 혹은 페닐렌기를 통해서 결합해 X1c를 포함하는 환 구조를 형성해도 된다. R2c는 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 6~10의 아릴기이다.In the above formula (c1), X 1c represents a sulfur atom or an iodine atom with valence g, and g is 1 or 2. h represents the number of repeat units of the structure within the parentheses. R 1c is an organic group bonded to Represents an alkynyl group, and R 1c is alkyl, hydroxy, alkoxy, alkylcarbonyl, arylcarbonyl, alkoxycarbonyl, aryloxycarbonyl, arylthiocarbonyl, acyloxy, arylthio, alkylthio, aryl, heterocyclic ring. , aryloxy, alkylsulfinyl, arylsulfinyl, alkylsulfonyl, arylsulfonyl, alkyleneoxy, amino, cyano, nitro, and halogen. . The number of R 1c is g+h(g-1)+1, and R 1c may be the same or different from each other. In addition, two or more R 1c are directly connected to each other, or -O-, -S-, -SO-, -SO 2 -, -NH-, -NR 2c -, -CO-, -COO-, -CONH-, A ring structure containing X 1c may be formed by bonding through an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms or a phenylene group. R 2c is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.

X2c는 하기 식(c2)로 나타내는 구조이다.X 2c is a structure represented by the following formula (c2).

[화 10][Tuesday 10]

상기 식(c2) 중, X4c는 탄소수 1~8의 알킬렌기, 탄소수 6~20의 아릴렌기, 또는 탄소수 8~20의 복소환 화합물인 2가의 기를 나타내고, X4c는 탄소수 1~8의 알킬, 탄소수 1~8의 알콕시, 탄소수 6~10의 아릴, 히드록시, 시아노, 니트로의 각 기, 및 할로겐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 치환되어 있어도 된다. X5c는 -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -NH-, -NR2c-, -CO-, -COO-, -CONH-, 탄소수 1~3의 알킬렌기, 또는 페닐렌기를 나타낸다. h는 괄호 내의 구조의 반복 단위 수를 나타낸다. h+1개의 X4c 및 h개의 X5c는 각각 동일해도 상이해도 된다. R2c는 전술한 정의와 같다.In the above formula (c2 ) , , alkoxy having 1 to 8 carbon atoms, aryl, hydroxy, cyano, and nitro groups having 6 to 10 carbon atoms, and halogen. X 5C is -o-, -S-, -SO-, -SO 2- , -NH-, -NR 2C- , -co-, -COO-, -CONH- Represents a phenylene group. h represents the number of repeat units of the structure within the parentheses. h+1 X 4c and h X 5c may be the same or different. R 2c is as defined above.

X3c -는 오늄의 반대 이온이며, 하기 식(c17)로 나타내는 불소화 알킬플루오로인산 음이온 또는 하기 식(c18)로 나타내는 보레이트 음이온을 들 수 있다.X 3c - is a counter ion of onium, and examples include a fluorinated alkyl fluorophosphoric acid anion represented by the following formula (c17) or a borate anion represented by the following formula (c18).

[화 11][Tuesday 11]

상기 식(c17) 중, R3c은 수소 원자의 80몰% 이상이 불소 원자로 치환된 알킬기를 나타낸다. j는 그 개수를 나타내고, 1~5의 정수이다. j개의 R3c은 각각 동일해도 상이해도 된다.In the above formula (c17), R 3c represents an alkyl group in which 80 mol% or more of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. j represents the number and is an integer from 1 to 5. j R 3c may be the same or different.

[화 12][Tuesday 12]

상기 식(c18) 중, R4c~R7c는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 페닐기를 나타내고, 상기 페닐기의 수소 원자의 일부 또는 전부는 불소 원자 및 트리플루오로메틸기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 치환되어 있어도 된다.In the formula (c18), R 4c to R 7c each independently represent a fluorine atom or a phenyl group, and some or all of the hydrogen atoms of the phenyl group are at least one selected from the group consisting of a fluorine atom and a trifluoromethyl group. It may be substituted.

상기 식(c1)로 나타내는 화합물 중의 오늄 이온으로서는 트리페닐설포늄, 트리-p-톨릴설포늄, 4-(페닐티오)페닐디페닐설포늄, 비스[4-(디페닐설포니오)페닐]설피드, 비스[4-{비스[4-(2-히드록시에톡시)페닐]설포니오}페닐]설피드, 비스{4-[비스(4-플루오로페닐)설포니오]페닐}설피드, 4-(4-벤조일-2-클로로페닐티오)페닐비스(4-플루오로페닐)설포늄, 7-이소프로필-9-옥소-10-티아-9,10-디히드로안트라센-2-일디-p-톨릴설포늄, 7-이소프로필-9-옥소-10-티아-9,10-디히드로안트라센-2-일디페닐설포늄, 2-[(디페닐)설포니오]티옥산톤, 4-[4-(4-tert-부틸벤조일)페닐티오]페닐디-p-톨릴설포늄, 4-(4-벤조일페닐티오)페닐디페닐설포늄, 디페닐페나실설포늄, 4-히드록시페닐메틸벤질설포늄, 2-나프틸메틸(1-에톡시카르보닐)에틸설포늄, 4-히드록시페닐메틸페나실설포늄, 페닐[4-(4-비페닐티오)페닐]4-비페닐설포늄, 페닐[4-(4-비페닐티오)페닐]3-비페닐설포늄, [4-(4-아세토페닐티오)페닐]디페닐설포늄, 옥타데실메틸페나실설포늄, 디페닐요오도늄, 디-p-톨릴요오도늄, 비스(4-도데실페닐)요오도늄, 비스(4-메톡시페닐)요오도늄, (4-옥틸옥시페닐)페닐요오도늄, 비스(4-데실옥시)페닐요오도늄, 4-(2-히드록시테트라데실옥시)페닐페닐요오도늄, 4-이소프로필페닐(p-톨릴)요오도늄, 또는 4-이소부틸페닐(p-톨릴)요오도늄 등을 들 수 있다.Examples of the onium ion in the compound represented by the formula (c1) include triphenylsulfonium, tri-p-tolylsulfonium, 4-(phenylthio)phenyldiphenylsulfonium, and bis[4-(diphenylsulfonio)phenyl]. Sulfide, bis[4-{bis[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]sulfonio}phenyl]sulfide, bis{4-[bis(4-fluorophenyl)sulfonio]phenyl} Sulfide, 4-(4-benzoyl-2-chlorophenylthio)phenylbis(4-fluorophenyl)sulfonium, 7-isopropyl-9-oxo-10-thia-9,10-dihydroanthracene-2 -yldi-p-tolylsulfonium, 7-isopropyl-9-oxo-10-thia-9,10-dihydroanthracene-2-yldiphenylsulfonium, 2-[(diphenyl)sulfonio]thioxane ton, 4-[4-(4-tert-butylbenzoyl)phenylthio]phenyldi-p-tolylsulfonium, 4-(4-benzoylphenylthio)phenyldiphenylsulfonium, diphenylphenacilsulfonium, 4- Hydroxyphenylmethylbenzylsulfonium, 2-naphthylmethyl(1-ethoxycarbonyl)ethylsulfonium, 4-hydroxyphenylmethylphenacilsulfonium, phenyl[4-(4-biphenylthio)phenyl]4- Biphenylsulfonium, phenyl[4-(4-biphenylthio)phenyl]3-biphenylsulfonium, [4-(4-acetophenylthio)phenyl]diphenylsulfonium, octadecylmethylphenacilsulfonium, di Phenyliodonium, di-p-tolyliodonium, bis(4-dodecylphenyl)iodonium, bis(4-methoxyphenyl)iodonium, (4-octyloxyphenyl)phenyliodonium, Bis(4-decyloxy)phenyliodonium, 4-(2-hydroxytetradecyloxy)phenylphenyliodonium, 4-isopropylphenyl(p-tolyl)iodonium, or 4-isobutyl Phenyl (p-tolyl) iodonium, etc. can be mentioned.

상기 식(c1)로 나타내는 화합물 중의 오늄 이온 중, 바람직한 오늄 이온으로서는 하기 식(c19)로 나타내는 설포늄 이온을 들 수 있다.Among the onium ions in the compound represented by the formula (c1), a sulfonium ion represented by the formula (c19) below is a preferred onium ion.

[화 13][Tuesday 13]

상기 식(c19) 중, R8c는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬, 히드록시, 알콕시, 알킬카르보닐, 알킬카르보닐옥시, 알킬옥시카르보닐, 할로겐 원자, 치환기를 가져도 되는 아릴, 아릴카르보닐로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다. X2c는 상기 식(c1) 중의 X2c와 동일한 의미를 나타낸다.In the above formula (c19), R 8c is each independently hydrogen atom, alkyl, hydroxy, alkoxy, alkylcarbonyl, alkylcarbonyloxy, alkyloxycarbonyl, halogen atom, aryl, arylcarbonyl which may have a substituent. It represents a group selected from the group consisting of. X 2c has the same meaning as X 2c in the above formula (c1).

상기 식(c19)로 나타내는 설포늄 이온의 구체예로서는 4-(페닐티오)페닐디페닐설포늄, 4-(4-벤조일-2-클로로페닐티오)페닐비스(4-플루오로페닐)설포늄, 4-(4-벤조일페닐티오)페닐디페닐설포늄, 페닐[4-(4-비페닐티오)페닐]4-비페닐설포늄, 페닐[4-(4-비페닐티오)페닐]3-비페닐설포늄, [4-(4-아세토페닐티오)페닐]디페닐설포늄, 디페닐[4-(p-터페닐티오)페닐]디페닐설포늄을 들 수 있다.Specific examples of the sulfonium ion represented by the formula (c19) include 4-(phenylthio)phenyldiphenylsulfonium, 4-(4-benzoyl-2-chlorophenylthio)phenylbis(4-fluorophenyl)sulfonium, 4-(4-benzoylphenylthio)phenyldiphenylsulfonium, phenyl[4-(4-biphenylthio)phenyl]4-biphenylsulfonium, phenyl[4-(4-biphenylthio)phenyl]3- Examples include biphenylsulfonium, [4-(4-acetophenylthio)phenyl]diphenylsulfonium, and diphenyl[4-(p-terphenylthio)phenyl]diphenylsulfonium.

상기 식(c17)로 나타내는 불소화 알킬플루오로인산 음이온에서, R3c는 불소 원자로 치환된 알킬기를 나타내고, 바람직한 탄소수는 1~8, 더욱 바람직한 탄소수는 1~4이다. 알킬기의 구체예로서는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 옥틸 등의 직쇄 알킬기; 이소프로필, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸 등의 분기 알킬기; 또한 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실 등의 시클로알킬기 등을 들 수 있고, 알킬기의 수소 원자가 불소 원자에 치환된 비율은 통상 80몰% 이상, 바람직하게는 90몰% 이상, 더욱 바람직하게는 100몰%이다. 불소 원자의 치환율이 80몰% 미만인 경우에는 상기 식(c1)로 나타내는 오늄불소화 알킬플루오로인산염의 산 강도가 저하된다.In the fluorinated alkylfluorophosphoric acid anion represented by the above formula (c17), R 3c represents an alkyl group substituted with a fluorine atom, preferably has 1 to 8 carbon atoms, and more preferably has 1 to 4 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include straight-chain alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, and octyl; Branched alkyl groups such as isopropyl, isobutyl, sec-butyl, and tert-butyl; Also included are cycloalkyl groups such as cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, and cyclohexyl, and the ratio of hydrogen atoms in the alkyl group to fluorine atoms is usually 80 mol% or more, preferably 90 mol% or more, and more preferably 90 mol% or more. is 100 mol%. When the substitution ratio of fluorine atoms is less than 80 mol%, the acid strength of the onium fluorinated alkyl fluorophosphate represented by the above formula (c1) decreases.

특히 바람직한 R3c는 탄소수 1~4, 또한 불소 원자의 치환율이 100몰%의 직쇄상 또는 분기상의 퍼플루오로알킬기이며, 구체예로서는 CF3, CF3CF2, (CF3)2CF, CF3CF2CF2, CF3CF2CF2CF2, (CF3)2CFCF2, CF3CF2(CF3)CF, (CF3)3C를 들 수 있다. R3c의 개수 j는 1~5의 정수이며, 바람직하게는 2~4, 특히 바람직하게는 2 또는 3이다.Particularly preferred R 3c is a linear or branched perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms and a fluorine atom substitution rate of 100 mol%, and specific examples include CF 3 , CF 3 CF 2 , (CF 3 ) 2 CF, CF 3 CF 2 CF 2 , CF 3 CF 2 CF 2 CF 2 , (CF 3 ) 2 CFCF 2 , CF 3 CF 2 (CF 3 )CF, (CF 3 ) 3 C. The number j of R 3c is an integer of 1 to 5, preferably 2 to 4, and particularly preferably 2 or 3.

바람직한 불소화 알킬플루오로인산 음이온의 구체예로서는 [(CF3CF2)2PF4]-, [(CF3CF2)3PF3]-, [((CF3)2CF)2PF4]-, [((CF3)2CF)3PF3]-, [(CF3CF2CF2)2PF4]-, [(CF3CF2CF2)3PF3]-, [((CF3)2CFCF2)2PF4]-, [((CF3)2CFCF2)3PF3]-, [(CF3CF2CF2CF2)2PF4]-, 또는 [(CF3CF2CF2)3PF3]-를 들 수 있고, 이들 중 [(CF3CF2)3PF3]-, [(CF3CF2CF2)3PF3]-, [((CF3)2CF)3PF3]-, [((CF3)2CF)2PF4]-, [((CF3)2CFCF2)3PF3]-, 또는 [((CF3)2CFCF2)2PF4]-가 특히 바람직하다.Specific examples of preferred fluorinated alkylfluorophosphoric acid anions include [(CF 3 CF 2 ) 2 PF 4 ] - , [(CF 3 CF 2 ) 3 PF 3 ] - , [((CF 3 ) 2 CF) 2 PF 4 ] - , [((CF 3 ) 2 CF) 3 PF 3 ] - , [(CF 3 CF 2 CF 2 ) 2 PF 4 ] - , [(CF 3 CF 2 CF 2 ) 3 PF 3 ] - , [((CF 3 ) 2 CFCF 2 ) 2 PF 4 ] - , [((CF 3 ) 2 CFCF 2 ) 3 PF 3 ] - , [(CF 3 CF 2 CF 2 CF 2 ) 2 PF 4 ] - , or [(CF 3 CF 2 CF 2 ) 3 PF 3 ] - can be mentioned, and among these, [(CF 3 CF 2 ) 3 PF 3 ] - , [(CF 3 CF 2 CF 2 ) 3 PF 3 ] - , [((CF 3 ) 2 CF) 3 PF 3 ] - , [((CF 3 ) 2 CF) 2 PF 4 ] - , [((CF 3 ) 2 CFCF 2 ) 3 PF 3 ] - , or [((CF 3 ) 2 CFCF 2 ) 2 PF 4 ] - is particularly preferred.

상기 식(c18)로 나타내는 보레이트 음이온의 바람직한 구체예로서는 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트([B(C6F5)4]-), 테트라키스[(트리플루오로메틸)페닐]보레이트([B(C6H4CF3)4]-), 디플루오로비스(펜타플루오로페닐)보레이트([(C6F5)2BF2]-), 트리플루오로(펜타플루오로페닐)보레이트([(C6F5)BF3]-), 테트라키스(디플루오로페닐)보레이트([B(C6H3F2)4]-) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트([B(C6F5)4]-)가 특히 바람직하다.Preferred specific examples of the borate anion represented by the formula (c18) include tetrakis(pentafluorophenyl)borate ([B(C 6 F 5 ) 4 ] - ), tetrakis[(trifluoromethyl)phenyl]borate ([ B(C 6 H 4 CF 3 ) 4 ] - ), difluorobis(pentafluorophenyl)borate ([(C 6 F 5 ) 2 BF 2 ] - ), trifluoro(pentafluorophenyl)borate ([(C 6 F 5 )BF 3 ] - ), tetrakis(difluorophenyl)borate ([B(C 6 H 3 F 2 ) 4 ] - ), etc. Among these, tetrakis(pentafluorophenyl)borate ([B(C 6 F 5 ) 4 ] - ) is particularly preferable.

(C)성분에서의 제2 태양으로서는 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(2-푸릴)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(5-메틸-2-푸릴)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(5-에틸-2-푸릴)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(5-프로필-2-푸릴)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,5-디메톡시페닐)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,5-디에톡시페닐)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,5-디프로폭시페닐)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3-메톡시-5-에톡시페닐)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3-메톡시-5-프로폭시페닐)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,4-메틸렌디옥시페닐)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(3,4-메틸렌디옥시페닐)-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(2-푸릴)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(5-메틸-2-푸릴)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3,5-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(3,4-메틸렌디옥시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 트리스(1,3-디브로모프로필)-1,3,5-트리아진, 트리스(2,3-디브로모프로필)-1,3,5-트리아진 등의 할로겐 함유 트리아진 화합물, 및 트리스(2,3-디브로모프로필)이소시아누레이트 등의 하기 식(c3)로 나타내는 할로겐 함유 트리아진 화합물을 들 수 있다.(C) As a second aspect in component, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-piperonyl-1,3,5-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[ 2-(2-furyl)ethenyl]-s-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[2-(5-methyl-2-furyl)ethenyl]-s-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[2-(5-ethyl-2-furyl)ethenyl]-s-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[2- (5-propyl-2-furyl)ethenyl]-s-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[2-(3,5-dimethoxyphenyl)ethenyl]-s-tri Azine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[2-(3,5-diethoxyphenyl)ethenyl]-s-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[ 2-(3,5-dipropoxyphenyl)ethenyl]-s-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[2-(3-methoxy-5-ethoxyphenyl) thennyl]-s-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[2-(3-methoxy-5-propoxyphenyl)ethenyl]-s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl)-6-[2-(3,4-methylenedioxyphenyl)ethenyl]-s-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-(3,4-methylenedi Oxyphenyl)-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6-(3-bromo-4-methoxy)phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6 -(2-Bromo-4-methoxy)phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6-(2-bromo-4-methoxy)styrylphenyl-s-triazine , 2,4-bis-trichloromethyl-6-(3-bromo-4-methoxy)styrylphenyl-s-triazine, 2-(4-methoxyphenyl)-4,6-bis(trichlor Romethyl)-1,3,5-triazine, 2-(4-methoxynaphthyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, 2-[2-( 2-furyl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, 2-[2-(5-methyl-2-furyl)ethenyl]-4,6- Bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, 2-[2-(3,5-dimethoxyphenyl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5 -Triazine, 2-[2-(3,4-dimethoxyphenyl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, 2-(3,4-methylene Dioxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine, tris(1,3-dibromopropyl)-1,3,5-triazine, tris(2, Halogen-containing triazine compounds such as 3-dibromopropyl)-1,3,5-triazine, and halogens represented by the following formula (c3) such as tris(2,3-dibromopropyl)isocyanurate and triazine-containing compounds.

[화 14][Tuesday 14]

상기 식(c3) 중, R9c, R10c, R11c는 각각 독립적으로 할로겐화 알킬기를 나타낸다.In the formula (c3), R 9c , R 10c , and R 11c each independently represent a halogenated alkyl group.

또, (C)성분에서의 제3 태양으로서는 α-(p-톨루엔설포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(벤젠설포닐옥시이미노)-2,4-디클로로페닐아세토니트릴, α-(벤젠설포닐옥시이미노)-2,6-디클로로페닐아세토니트릴, α-(2-클로로벤젠설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐아세토니트릴, α-(에틸설포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, 및 옥심설포네이트기를 함유하는 하기 식(c4)로 나타내는 화합물을 들 수 있다.Moreover, as the third aspect in component (C), α-(p-toluenesulfonyloxyimino)-phenylacetonitrile, α-(benzenesulfonyloxyimino)-2,4-dichlorophenylacetonitrile, α-( Benzenesulfonyloxyimino)-2,6-dichlorophenylacetonitrile, α-(2-chlorobenzenesulfonyloxyimino)-4-methoxyphenylacetonitrile, α-(ethylsulfonyloxyimino)-1-cyclo Pentenylacetonitrile, and a compound represented by the following formula (c4) containing an oxime sulfonate group can be mentioned.

[화 15][Tuesday 15]

상기 식(c4) 중, R12c는 1가, 2가, 또는 3가의 유기기를 나타내고, R13c은 치환 혹은 미치환된 포화 탄화 수소기, 불포화 탄화수소기, 또는 방향족성 화합물기를 나타내고, n은 괄호 내의 구조의 반복 단위 수를 나타낸다.In the formula (c4), R 12c represents a monovalent, divalent, or trivalent organic group, R 13c represents a substituted or unsubstituted saturated hydrocarbon group, unsaturated hydrocarbon group, or aromatic compound group, and n is in parentheses. Indicates the number of repeating units of the structure within.

상기 식(c4) 중, 방향족성 화합물기란, 방향족 화합물에 특유한 물리적·화학적 성질을 나타내는 화합물의 기를 나타내고, 예를 들면 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기나, 푸릴기, 티에닐기 등의 헤테로아릴기를 들 수 있다. 이들은 환상에 적당한 치환기, 예를 들면 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기, 니트로기 등을 1개 이상 가지고 있어도 된다. 또, R13c는 탄소수 1~6의 알킬기가 특히 바람직하며, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기를 들 수 있다. 특히, R12c가 방향족성 화합물기이며, R13c가 탄소수 1~4의 알킬기인 화합물이 바람직하다.In the formula (c4), the aromatic compound group refers to a group of a compound that exhibits physical and chemical properties unique to aromatic compounds, and examples include aryl groups such as phenyl groups and naphthyl groups, and heteroaryl groups such as furyl groups and thienyl groups. You can. These may have one or more suitable cyclic substituents, such as a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, or a nitro group. Moreover, R 13c is particularly preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, and butyl group. In particular, compounds in which R 12c is an aromatic compound group and R 13c is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are preferable.

상기 식(c4)로 나타내는 산발생제로서는 n=1일 때, R12c가 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기 중 어느 하나로서, R13c가 메틸기의 화합물, 구체적으로는 α-(메틸설포닐옥시이미노)-1-페닐아세토니트릴, α-(메틸설포닐옥시이미노)-1-(p-메틸페닐)아세토니트릴, α-(메틸설포닐옥시이미노)-1-(p-메톡시페닐)아세토니트릴, [2-(프로필설포닐옥시이미노)-2,3-디히드록시티오펜-3-일리덴](o-톨릴)아세토니트릴 등을 들 수 있다. n=2일 때, 상기 식(c4)로 나타내는 광산발생제로서는 구체적으로는 하기 식으로 나타내는 광산발생제를 들 수 있다.The acid generator represented by the above formula (c4) is a compound where, when n=1, R 12c is any one of a phenyl group, methylphenyl group, and methoxyphenyl group, and R 13c is a methyl group, specifically, α-(methylsulfonyloxyi). Mino)-1-phenylacetonitrile, α-(methylsulfonyloxyimino)-1-(p-methylphenyl)acetonitrile, α-(methylsulfonyloxyimino)-1-(p-methoxyphenyl)acetonitrile , [2-(propylsulfonyloxyimino)-2,3-dihydroxythiophen-3-ylidene](o-tolyl)acetonitrile, etc. When n=2, the photo acid generator represented by the above formula (c4) specifically includes a photo acid generator represented by the following formula.

[화 16][Tuesday 16]

또, (C)성분에서의 제4 태양으로서는 양이온부에 나프탈렌환을 가지는 오늄염을 들 수 있다. 이 「나프탈렌환을 갖는다」란 나프탈렌으로부터 유래하는 구조를 가지는 것을 의미하고, 적어도 2개의 환의 구조와 그러한 방향족성이 유지되고 있는 것을 의미한다. 이 나프탈렌환은 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 수산기, 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알콕시기 등의 치환기를 가지고 있어도 된다. 나프탈렌환으로부터 유래하는 구조는 1가기(유리 원자가가 1개)이어도, 2가기(유리 원자가가 2개) 이상이어도 되지만, 1가기인 것이 바람직하다(다만, 이때 상기 치환기와 결합하는 부분을 제외하고 유리 원자가를 세는 것으로 한다). 나프탈렌환의 수는 1~3이 바람직하다.Moreover, as a fourth aspect in component (C), an onium salt having a naphthalene ring in the cation portion can be mentioned. “Having a naphthalene ring” means having a structure derived from naphthalene, and means maintaining the structure of at least two rings and such aromaticity. This naphthalene ring may have a substituent such as a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, or a straight-chain or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The structure derived from the naphthalene ring may be a monovalent group (one free valence) or a bivalent group (two free valences) or more, but it is preferable to be a monovalent group (however, excluding the part that bonds to the substituent above) (counting free valences). The number of naphthalene rings is preferably 1 to 3.

이와 같은 양이온부에 나프탈렌환을 가지는 오늄염의 양이온부로서는 하기 식(c5)로 나타내는 구조가 바람직하다.As the cation portion of the onium salt having a naphthalene ring in such a cation portion, the structure represented by the following formula (c5) is preferable.

[화 17][Tuesday 17]

상기 식(c5) 중, R14c, R15c, R16c 중 적어도 1개는 하기 식(c6)로 나타내는 기를 나타내고, 나머지는 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐기, 수산기, 또는 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알콕시기를 나타낸다. 혹은 R14c, R15c, R16c 중 하나가 하기 식(c6)로 나타내는 기이며, 나머지 2개는 각각 독립적으로 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬렌기이며, 이들 말단이 결합해 환상이 되어 있어도 된다.In the formula (c5), at least one of R 14c , R 15c , and R 16c represents a group represented by the formula (c6) below, and the remainder is a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group that may have a substituent. , a hydroxyl group, or a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. Alternatively, one of R 14c , R 15c , and R 16c is a group represented by the formula (c6) below, and the remaining two are each independently a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and these terminals are combined to form a ring. It can be done.

[화 18][Tuesday 18]

상기 식(c6) 중, R17c, R18c는 각각 독립적으로 수산기, 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알콕시기, 또는 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬기를 나타내고, R19c는 단결합 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기를 나타낸다. l 및 m은 각각 독립적으로 0~2의 정수를 나타내고, l+m은 3 이하이다. 다만, R17c가 복수 존재하는 경우, 이들은 서로 동일해도 상이해도 된다. 또, R18c가 복수 존재하는 경우, 이들은 서로 동일해도 상이해도 된다.In the above formula (c6), R 17c and R 18c each independently represent a hydroxyl group, a straight-chain or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 19c is simply It represents a linear or branched alkylene group with 1 to 6 carbon atoms that may have a bond or substituent. l and m each independently represent integers from 0 to 2, and l+m is 3 or less. However, when there are two or more R 17cs , they may be the same or different from each other. Moreover, when multiple R 18c exists, they may be the same or different from each other.

상기 R14c, R15c, R16c 중 상기 식(c6)로 나타내는 기의 수는 화합물의 안정성의 점에서 바람직하게는 1개이며, 나머지는 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬렌기이며, 이들 말단이 결합해 환상이 되어 있어도 된다. 이 경우, 상기 2개의 알킬렌기는 황 원자를 포함해 3~9원환을 구성한다. 환을 구성하는 원자(황 원자를 포함함)의 수는 바람직하게는 5~6이다.Among R 14c , R 15c , and R 16c , the number of groups represented by the formula (c6) is preferably one from the viewpoint of stability of the compound, and the remainder are linear or branched alkylene groups having 1 to 6 carbon atoms, These terminals may be combined to form a ring. In this case, the two alkylene groups constitute a 3- to 9-membered ring including a sulfur atom. The number of atoms (including sulfur atoms) constituting the ring is preferably 5 to 6.

또, 상기 알킬렌기가 가지고 있어도 되는 치환기로서는 산소 원자(이 경우, 알킬렌기를 구성하는 탄소 원자와 함께 카르보닐기를 형성함), 수산기 등을 들 수 있다.Additionally, substituents that the alkylene group may have include an oxygen atom (in this case, it forms a carbonyl group together with the carbon atom constituting the alkylene group), a hydroxyl group, and the like.

또, 페닐기가 가지고 있어도 되는 치환기로서는 수산기, 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알콕시기, 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기 등을 들 수 있다.Additionally, substituents that the phenyl group may have include a hydroxyl group, a straight-chain or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

이들 양이온부로서 바람직한 것으로서는 하기 식(c7), (c8)로 나타내는 것 등을 들 수 있고, 특히 하기 식(c8)로 나타내는 구조가 바람직하다.Preferred examples of these cationic moieties include those represented by the following formulas (c7) and (c8), and the structure represented by the following formula (c8) is particularly preferable.

[화 19][Tuesday 19]

이와 같은 양이온부로서는 요오도늄염이어도 설포늄염이어도 되지만, 산발생 효율 등의 점에서 설포늄염이 바람직하다.Such a cation moiety may be either an iodonium salt or a sulfonium salt, but a sulfonium salt is preferable in terms of acid generation efficiency and the like.

따라서, 양이온부에 나프탈렌환을 가지는 오늄염의 음이온부로서 바람직한 것으로서는 설포늄염을 형성 가능한 음이온이 바람직하다.Therefore, as the anion portion of the onium salt having a naphthalene ring in the cation portion, an anion capable of forming a sulfonium salt is preferable.

이와 같은 산발생제의 음이온부로서는 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소화된 플루오로알킬설폰산 이온 또는 아릴설폰산 이온이다.The anion portion of such an acid generator is a fluoroalkylsulfonic acid ion or arylsulfonic acid ion in which some or all of the hydrogen atoms are fluorinated.

플루오로알킬설폰산 이온에서의 알킬기는 탄소수 1~20의 직쇄상이어도 분기상이어도 환상이어도 되고, 발생하는 산의 부피가 큰 것과 그 확산 거리로부터, 탄소수 1~10인 것이 바람직하다. 특히, 분기상이나 환상인 것은 확산 거리가 짧기 때문에 바람직하다. 또, 염가로 합성 가능한 점에서, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 옥틸기 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.The alkyl group in the fluoroalkyl sulfonic acid ion may be linear, branched, or cyclic with 1 to 20 carbon atoms, and is preferably 1 to 10 carbon atoms in view of the large volume of the acid generated and its diffusion distance. In particular, branched or circular shapes are preferable because the diffusion distance is short. Moreover, in view of their ability to be synthesized at low cost, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, octyl group, etc. are mentioned as preferable ones.

아릴설폰산 이온에서의 아릴기는 탄소수 6~20의 아릴기로서, 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되고, 있지 않아도 되는 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다. 특히, 염가로 합성 가능한 점에서, 탄소수 6~10의 아릴기가 바람직하다. 바람직한 구체예로서 페닐기, 톨루엔설포닐기, 에틸페닐기, 나프틸기, 메틸나프틸기 등을 들 수 있다.The aryl group in the arylsulfonic acid ion is an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and examples include an alkyl group, a phenyl group, and a naphthyl group that may or may not be substituted with a halogen atom. In particular, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms is preferable because it can be synthesized at low cost. Preferred examples include phenyl group, toluenesulfonyl group, ethylphenyl group, naphthyl group, and methylnaphthyl group.

상기 플루오로알킬설폰산 이온 또는 아릴설폰산 이온에서, 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소화되어 있는 경우의 불소화율은 바람직하게는 10~100%, 보다 바람직하게는 50~100%이며, 특히 수소 원자를 모두 불소 원자로 치환한 것이 산의 강도가 강해지므로 바람직하다. 이와 같은 것으로서는 구체적으로는 트리플루오로메탄설포네이트, 퍼플루오로부탄설포네이트, 퍼플루오로옥탄설포네이트, 퍼플루오로벤젠설포네이트 등을 들 수 있다.In the above fluoroalkylsulfonic acid ion or arylsulfonic acid ion, when part or all of the hydrogen atoms are fluorinated, the fluorination rate is preferably 10 to 100%, more preferably 50 to 100%, and especially the hydrogen atom. It is preferable that all of are replaced with fluorine atoms because the strength of the acid becomes stronger. Specific examples of such include trifluoromethane sulfonate, perfluorobutane sulfonate, perfluorooctane sulfonate, and perfluorobenzene sulfonate.

이들 중에서도, 바람직한 음이온부로서 하기 식(c9)로 나타내는 것을 들 수 있다.Among these, preferred anion moieties include those represented by the following formula (c9).

R20cSO3 - (c9) R 20c SO 3 - (c9)

상기 식(c9)에서, R20c는 하기 식(c10), (c11)로 나타내는 기나, 하기 식(c12)로 나타내는 기이다.In the above formula (c9), R 20c is a group represented by the following formula (c10) or (c11), or a group represented by the following formula (c12).

[화 20][Tuesday 20]

상기 식(c10) 중, x는 1~4의 정수를 나타낸다. 또, 상기 식(c11) 중, R21c는 수소 원자, 수산기, 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬기, 또는 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알콕시기를 나타내고, y는 1~3의 정수를 나타낸다. 이들 중에서도, 안전성의 관점에서 트리플루오로메탄설포네이트, 퍼플루오로부탄설포네이트가 바람직하다.In the above formula (c10), x represents an integer of 1 to 4. Moreover, in the above formula (c11), R 21c represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, a straight-chain or branched alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, or a straight-chain or branched alkoxy group with 1 to 6 carbon atoms, and y represents 1 to 3 carbon atoms. Represents an integer. Among these, trifluoromethane sulfonate and perfluorobutane sulfonate are preferable from the viewpoint of safety.

또, 음이온부로서는 하기 식(c13), (c14)로 나타내는 질소를 함유하는 것을 이용할 수도 있다.Additionally, as the anion moiety, those containing nitrogen represented by the following formulas (c13) and (c14) can also be used.

[화 21][Tuesday 21]

상기 식(c13), (c14) 중, Xc는 적어도 1개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 직쇄상 또는 분기상의 알킬렌기를 나타내고, 상기 알킬렌기의 탄소수는 2~6이며, 바람직하게는 3~5, 가장 바람직하게는 탄소수 3이다. 또, Yc, Zc는 각각 독립적으로 적어도 1개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 직쇄상 또는 분기상의 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기의 탄소수는 1~10이며, 바람직하게는 1~7, 보다 바람직하게는 1~3이다.In the above formulas (c13) and (c14), , and most preferably has 3 carbon atoms. In addition, Y c and Z c each independently represent a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is replaced with a fluorine atom, and the carbon number of the alkyl group is 1 to 10, preferably 1 to 7, more preferably 1 to 7. It is 1 to 3.

Xc의 알킬렌기의 탄소수, 또는 Yc, Zc의 알킬기의 탄소수가 작을수록 유기용제에 대한 용해성도 양호하기 때문에 바람직하다.The smaller the carbon number of the alkylene group of

또, Xc의 알킬렌기 또는 Yc, Zc의 알킬기에서, 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록, 산의 강도가 강해지기 때문에 바람직하다. 상기 알킬렌기 또는 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은 바람직하게는 70~100%, 보다 바람직하게는 90~100%이며, 가장 바람직하게는 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬렌기 또는 퍼플루오로알킬기이다.Additionally, the greater the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms in the alkylene group of The proportion of fluorine atoms in the alkylene group or alkyl group, that is, the fluorination rate, is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably a perfluoroalkylene group in which all hydrogen atoms are replaced with fluorine atoms, or It is a perfluoroalkyl group.

이와 같은 양이온부에 나프탈렌환을 가지는 오늄염으로서 바람직한 것으로서는 하기 식(c15), (c16)로 나타내는 화합물을 들 수 있다.Preferred onium salts having a naphthalene ring in the cation portion include compounds represented by the following formulas (c15) and (c16).

[화 22][Tuesday 22]

또, (C)성분에서의 제5 태양으로서는 비스(p-톨루엔설포닐)디아조메탄, 비스(1,1-디메틸에틸설포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, 비스(2,4-디메틸페닐설포닐)디아조메탄 등의 비스설포닐디아조메탄류; p-톨루엔설폰산2-니트로벤질, p-톨루엔설폰산2,6-디니트로벤질, 니트로벤질토실레이트, 디니트로벤질토실레이트, 니트로벤질설포네이트, 니트로벤질카르보네이트, 디니트로벤질카르보네이트 등의 니트로벤질 유도체; 피로갈롤트리메실레이트, 피로갈롤트리토실레이트, 벤질토실레이트, 벤질설포네이트, N-메틸설포닐옥시숙신이미드, N-트리클로로메틸설포닐옥시숙신이미드, N-페닐설포닐옥시말레이미드, N-메틸설포닐옥시프탈이미드 등의 설폰산에스테르류; N-히드록시프탈이미드, N-히드록시나프탈이미드 등의 트리플루오로메탄설폰산에스테르류; 디페닐요오도늄헥사플루오로포스페이트, (4-메톡시페닐)페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 비스(p-tert-부틸페닐)요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄헥사플루오로포스페이트, (4-메톡시페닐)디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, (p-tert-부틸페닐)디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트 등의 오늄 염류; 벤조인토실레이트, α-메틸벤조인토실레이트 등의 벤조인토실레이트류; 그 밖의 디페닐요오도늄염, 트리페닐설포늄염, 페닐디아조늄염, 벤질카르보네이트 등을 들 수 있다.Moreover, as the fifth aspect in component (C), bis(p-toluenesulfonyl)diazomethane, bis(1,1-dimethylethylsulfonyl)diazomethane, bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethane, Bissulfonyldiazomethane such as bis(2,4-dimethylphenylsulfonyl)diazomethane; 2-nitrobenzyl p-toluenesulfonic acid, 2,6-dinitrobenzyl p-toluenesulfonic acid, nitrobenzyl tosylate, dinitrobenzyl tosylate, nitrobenzylsulfonate, nitrobenzyl carbonate, dinitrobenzylcarbohydrate Nitrobenzyl derivatives such as Nate; Pyrogallol trimesylate, pyrogallol tritosylate, benzyl tosylate, benzyl sulfonate, N-methylsulfonyloxysuccinimide, N-trichloromethylsulfonyloxysuccinimide, N-phenylsulfonyloxymaleimide , sulfonic acid esters such as N-methylsulfonyloxyphthalimide; Trifluoromethanesulfonic acid esters such as N-hydroxyphthalimide and N-hydroxynaphthalimide; Diphenyliodonium hexafluorophosphate, (4-methoxyphenyl)phenyliodonium trifluoromethanesulfonate, bis(p-tert-butylphenyl)iodonium trifluoromethanesulfonate, triphenyl sulfonate onium salts such as phonium hexafluorophosphate, (4-methoxyphenyl)diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, and (p-tert-butylphenyl)diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate; Benzoin tosylate, such as benzoin tosylate and α-methylbenzoin tosylate; Other examples include diphenyl iodonium salt, triphenyl sulfonium salt, phenyl diazonium salt, and benzyl carbonate.

본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물 중, (C)성분의 함유량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않고, (A)성분 100중량부에 대해서, 0.1~15중량부가 바람직하고, 1~10중량부가 보다 바람직하다.In the positive photosensitive resin composition according to the present invention, the content of component (C) is not particularly limited as long as it does not impair the purpose of the present invention, and is preferably 0.1 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of component (A). , 1 to 10 parts by weight is more preferable.

[제3급 지방족 아민을 함유하는 함질소 유기 화합물(D)] [Nitrogen-containing organic compound containing tertiary aliphatic amine (D)]

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 추가로 (D) 성분을 함유해도 된다. 이것에 의해, 레지스트 패턴 형상이 양호해지기 쉽고, 예를 들면 측벽의 수직성이 높으며, 구형성(矩形性)이 뛰어난 레지스트 패턴이 얻어지기 쉽다. 이러한 효과가 얻어지는 이유로서는 확실하지 않지만, 제3급 지방족 아민은 레지스트막 중에서 균일하게 분산해 (C)성분으로부터 발생한 산의 확산을 효과적으로 억제할 수 있기 때문이 아닌가 추측된다. 또, (D) 성분을 함유함으로써, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 대기 시간 경과 안정성 등도 향상되기 쉽다. (D) 성분은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.The positive photosensitive resin composition of the present invention may further contain component (D). As a result, the resist pattern shape can easily be improved, for example, the verticality of the side walls is high, and a resist pattern with excellent sphericality can easily be obtained. Although the reason for this effect is not clear, it is presumed that it is because the tertiary aliphatic amine is uniformly dispersed in the resist film and can effectively suppress the diffusion of acid generated from component (C). Moreover, by containing component (D), the stability of the positive photosensitive resin composition over waiting time is also likely to be improved. (D) Component can be used individually or in combination of two or more types.

제3급 지방족 아민으로서는 이미 다종 다양한 것이 제안되고 있으므로, 공지된 것에서 임의로 이용하면 되고, 예를 들면 암모니아 NH3의 3개의 수소 원자 모두가 탄소수 12 이하의 알킬기 또는 히드록시알킬기로 치환된 아민(트리알킬 아민 또는 트리(알킬알코올)아민)를 들 수 있다. Since a wide variety of tertiary aliphatic amines have already been proposed, known ones may be used arbitrarily, for example, amines (triamines) in which all three hydrogen atoms of ammonia NH 3 are substituted with alkyl groups or hydroxyalkyl groups having 12 or less carbon atoms. alkyl amine or tri(alkyl alcohol) amine).

트리알킬아민의 구체예로서는 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데카닐아민, 트리-n-도데실아민 등을 들 수 있다. Specific examples of trialkylamine include trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-heptylamine, tri- n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decanylamine, and tri-n-dodecylamine.

트리(알킬알코올)아민의 구체예로서는 트리에탄올아민, 트리이소프로판올아민, 트리-n-옥탄올아민 등을 들 수 있다.Specific examples of tri(alkyl alcohol)amine include triethanolamine, triisopropanolamine, and tri-n-octanolamine.

제3급 지방족 아민은 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.One type of tertiary aliphatic amine may be used individually, or two or more types may be used together.

(D)성분 중, 제3급 지방족 아민의 비율은 본 발명의 효과를 위해서는 바람직하게는 10~100중량%, 보다 바람직하게는 50~100중량%이며, 가장 바람직하게는 100중량%이다.In component (D), the proportion of tertiary aliphatic amine is preferably 10 to 100% by weight, more preferably 50 to 100% by weight, and most preferably 100% by weight for the effect of the present invention.

본 발명에서는 (D) 성분으로서 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 제3급 지방족 아민 이외의 함질소 유기 화합물을 함유해도 된다.In the present invention, as component (D), nitrogen-containing organic compounds other than tertiary aliphatic amines may be contained within a range that does not impair the effect of the present invention.

제3급 지방족 아민 이외의 함질소 유기 화합물로서는 특별히 제한은 없고, 공지된 것으로부터 임의로 이용하면 된다. 구체적으로는 환식 아민, 제3급 지방족 아민 이외의 지방족 아민 등을 들 수 있다.There is no particular limitation on nitrogen-containing organic compounds other than tertiary aliphatic amines, and known compounds may be used arbitrarily. Specific examples include aliphatic amines other than cyclic amines and tertiary aliphatic amines.

여기서, 본 발명에서, 「지방족 아민」이란, 암모니아 NH3의 3개의 수소 원자 중, 적어도 1개가 1가의 지방족기로 치환된 구조를 가지고, 또한 분자 내에 환 구조를 가지지 않는 쇄상의 아민을 의미한다. 상기 지방족기는 탄소수가 1~12인 것이 바람직하다.Here, in the present invention, “aliphatic amine” means a chain-shaped amine that has a structure in which at least one of the three hydrogen atoms of ammonia NH 3 is substituted with a monovalent aliphatic group and does not have a ring structure in the molecule. The aliphatic group preferably has 1 to 12 carbon atoms.

「환식 아민」은 분자 내에 환 구조를 가지는 아민을 의미하고, 환 구조는 지방족이어도 방향족이어도 되는 것으로 한다.“Cyclic amine” means an amine having a ring structure in the molecule, and the ring structure may be aliphatic or aromatic.

환식 아민으로서는, 예를 들면 헤테로 원자로서 질소 원자를 포함하는 복소환 화합물을 들 수 있다. 상기 복소환 화합물로서는 단환식인 것(지방족 단환식 아민)이어도 다환식인 것(지방족 다환식 아민)이어도 된다.Examples of cyclic amines include heterocyclic compounds containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).

지방족 단환식 아민으로서, 구체적으로는 피페리딘, 피페라진 등을 들 수 있다.Specific examples of aliphatic monocyclic amines include piperidine and piperazine.

지방족 다환식 아민으로서는 탄소수 6~10인 것이 바람직하고, 구체적으로는 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 헥사메틸렌테트라민, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등을 들 수 있다.The aliphatic polycyclic amine preferably has 6 to 10 carbon atoms, specifically 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-5-nonene, 1,8-diazabicyclo[5.4.0]-7-unde. Examples include sen, hexamethylenetetramine, and 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane.

제3급 지방족 아민 이외의 지방족 아민으로서는, 예를 들면 암모니아 NH3의 수소 원자의 하나를 탄소수 12 이하의 알킬기 또는 히드록시알킬기로 치환한 아민(모노알킬아민 또는 모노(알킬알코올)아민); 암모니아 NH3의 수소 원자의 2개를 탄소수 12 이하의 알킬기 또는 히드록시알킬기로 치환한 아민(디알킬아민 또는 디(알킬알코올)아민) 등을 들 수 있다. 모노알킬아민의 구체예로서는 n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등을 들 수 있다.Examples of aliphatic amines other than tertiary aliphatic amines include amines in which one hydrogen atom of ammonia NH 3 is replaced with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 12 or less carbon atoms (monoalkylamine or mono(alkylalcohol)amine); Examples include amines in which two hydrogen atoms of ammonia NH 3 are replaced with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 12 or less carbon atoms (dialkylamine or di(alkylalcohol)amine). Specific examples of monoalkylamine include n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, and n-decylamine.

디알킬아민의 구체예로서는 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디시클로헥실아민 등을 들 수 있다.Specific examples of dialkylamine include diethylamine, di-n-propylamine, di-n-heptylamine, di-n-octylamine, and dicyclohexylamine.

디(알킬알코올)아민의 구체예로서는 디에탄올아민, 디이소프로판올아민, 디-n-옥탄올아민 등을 들 수 있다.Specific examples of di(alkyl alcohol)amine include diethanolamine, diisopropanolamine, and di-n-octanolamine.

이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.These may be used individually, or two or more types may be used in combination.

본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물 중, (D) 성분의 함유량은 (D) 성분을 첨가하는 것에 의한 효과가 얻어지기 쉬운 점에서, (A)성분 100중량부에 대해서, 0.005~5.0중량부인 것이 바람직하고, 0.01~0.3중량부인 것이 보다 바람직하며, 0.015~0.2중량부가 보다 더 바람직하다.In the positive photosensitive resin composition according to the present invention, the content of component (D) is 0.005 to 5.0 parts by weight based on 100 parts by weight of component (A), since the effect of adding component (D) is easily obtained. It is preferable, 0.01 to 0.3 parts by weight is more preferable, and 0.015 to 0.2 parts by weight is even more preferable.

[유기용제(S)] [Organic solvent (S)]

본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물은 유기용제(S)를 함유해도 된다. 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물이 유기용제(S)를 함유함으로써, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물의 도포성이나, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용해 형성되는 포지티브형 감광성 수지 조성물층의 막 두께의 조정이 용이해지기 쉽다. (S) 성분은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.The positive photosensitive resin composition according to the present invention may contain an organic solvent (S). Since the positive photosensitive resin composition contains an organic solvent (S), it is easy to adjust the applicability of the positive photosensitive resin composition and the film thickness of the positive photosensitive resin composition layer formed using the positive photosensitive resin composition. It's easy to break down. (S) Components can be used individually or in combination of two or more.

(S)성분의 구체예로서는 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 메틸이소아밀케톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 모노아세테이트, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 모노아세테이트, 디프로필렌글리콜, 및 디프로필렌글리콜 모노아세테이트, 및 이들 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르, 또는 모노페닐에테르(예를 들면, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트) 등의 다가 알코올류 및 그 유도체; 디옥산 등의 환식 에테르류; 포름산에틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 피루브산에틸, 에톡시아세트산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸, 2-히드록시프로피온산메틸, 2-히드록시프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트 등의 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 등을 들 수 있다.(S) Specific examples of the component include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone, and 2-heptanone; Ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol, and dipropylene glycol monoacetate, and their monomethyl ether, monoethyl ether, and monopropyl ether. polyhydric alcohols and derivatives thereof such as monobutyl ether, monophenyl ether (for example, propylene glycol monomethyl ether acetate); Cyclic ethers such as dioxane; Ethyl formate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethyl pyruvate, ethyl ethoxyacetate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, 2-hydride. Methyl hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl esters such as acetate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; etc. can be mentioned.

본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물 중, 유기용제(S)의 함유량은 (A)성분 100중량부에 대해서, 50~3000중량부인 것이 바람직하고, 100~2000중량부인 것이 보다 바람직하다. 상기 함유량이 상기 범위 내이면, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물의 도포성이 향상되기 쉽고, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용해 형성되는 포지티브형 감광성 수지 조성물층의 막 두께의 조정이 용이해지기 쉽다.In the positive photosensitive resin composition according to the present invention, the content of the organic solvent (S) is preferably 50 to 3000 parts by weight, and more preferably 100 to 2000 parts by weight, based on 100 parts by weight of component (A). When the content is within the above range, the applicability of the positive photosensitive resin composition is likely to be improved, and the film thickness of the positive photosensitive resin composition layer formed using the positive photosensitive resin composition is easily adjusted.

[그 밖의 성분] [Other ingredients]

본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물은 형성되는 피막의 가역성을 향상시키기 위해, 추가로 폴리비닐 수지를 함유하고 있어도 된다. 폴리비닐 수지의 구체예로서는 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리히드록시스티렌, 폴리아세트산비닐, 폴리비닐벤조산, 폴리비닐메틸에테르, 폴리비닐에틸에테르, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐페놀, 및 이들 공중합체 등을 들 수 있다. 폴리비닐 수지는 유리 전이점이 낮은 점에서, 바람직하게는 폴리비닐메틸에테르이다.The positive photosensitive resin composition according to the present invention may further contain a polyvinyl resin in order to improve the reversibility of the formed film. Specific examples of polyvinyl resin include polyvinyl chloride, polystyrene, polyhydroxystyrene, polyvinyl acetate, polyvinyl benzoic acid, polyvinyl methyl ether, polyvinyl ethyl ether, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl phenol, and These copolymers, etc. can be mentioned. Since the polyvinyl resin has a low glass transition point, it is preferably polyvinylmethyl ether.

본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물은 지지체와의 접착성을 향상시키기 위해, 추가로 접착 조제를 함유하고 있어도 된다.The positive photosensitive resin composition according to the present invention may further contain an adhesion aid in order to improve adhesion to the support.

본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물은 도포성, 소포성, 레벨링성 등을 향상시키기 위해, 추가로 계면활성제를 함유하고 있어도 된다. 계면활성제의 구체예로서는 BM-1000, BM-1100(모두 BM케미사 제), 메가팩 F142D, 메가팩 F172, 메가팩 F173, 메가팩 F183(모두 다이니폰 잉크 화학공업사 제), 플루라드 FC-135, 플루라드 FC-170C, 플루라드 FC-430, 플루라드 FC-431(모두 스미토모 3M사 제), 설플론 S-112, 설플론 S-113, 설플론 S-131, 설플론 S-141, 설플론 S-145(모두 아사히 유리사 제), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428(모두 토오레 실리콘사 제) 등의 시판되는 불소계 계면활성제를 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.The positive photosensitive resin composition according to the present invention may further contain a surfactant in order to improve applicability, anti-foaming properties, leveling properties, etc. Specific examples of surfactants include BM-1000, BM-1100 (all manufactured by BM Chemistry Co., Ltd.), Megapack F142D, Megapack F172, Megapack F173, Megapack F183 (all manufactured by Dainippon Ink Chemicals Co., Ltd.), and Flurad FC-135. , Flurad FC-170C, Flurad FC-430, Flurad FC-431 (all manufactured by Sumitomo 3M), Sulfon S-112, Sulfon S-113, Sulfon S-131, Sulfon S-141, Commercially available fluorine-based surfactants such as Sulflon S-145 (all manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, and SF-8428 (all manufactured by Toray Silicone Co., Ltd.), etc. However, it is not limited to these.

본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물은 현상액에 대한 용해성을 미세 조정하기 위해서, 산 또는 산무수물을 추가로 함유하고 있어도 된다.The positive photosensitive resin composition according to the present invention may further contain an acid or acid anhydride in order to finely adjust the solubility in the developer.

산 및 산무수물의 구체예로서는 아세트산, 프로피온산, n-부티르산, 이소부티르산, n-발레르산, 이소발레르산, 벤조산, 신남산 등의 모노카르복시산류; 락트산, 2-히드록시부티르산, 3-히드록시부티르산, 살리실산, m-히드록시벤조산, p-히드록시벤조산, 2-히드록시신남산, 3-히드록시신남산, 4-히드록시신남산, 5-히드록시이소프탈산, 시린진산 등의 히드록시모노카르복시산류; 옥살산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 말레산, 이타콘산, 헥사히드로프탈산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 1,2-시클로헥산디카르복시산, 1,2,4-시클로헥산트리카르복시산, 부탄테트라카르복시산, 트리멜리트산, 피로멜리트산, 시클로펜탄테트라카르복시산, 부탄테트라카르복시산, 1,2,5,8-나프탈렌테트라카르복시산 등의 다가 카르복시산류; 무수 이타콘산, 무수 숙신산, 무수 시트라콘산, 무수 도데세닐숙신산, 무수 트리카바닐산, 무수 말레산, 무수 헥사히드로프탈산, 무수 메틸테트라히드로프탈산, 무수 하이믹산, 1,2,3,4-부탄테트라카르복시산 무수물, 시클로펜탄테트라카르복시산 2 무수물, 무수 프탈산, 무수 피로멜리트산, 무수 트리멜리트산, 무수 벤조페논테트라카르복시산, 에틸렌글리콜 비스 무수 트리멜리테이트, 글리세린트리스 무수 트리멜리테이트 등의 산무수물; 등을 들 수 있다.Specific examples of acids and acid anhydrides include monocarboxylic acids such as acetic acid, propionic acid, n-butyric acid, isobutyric acid, n-valeric acid, isovaleric acid, benzoic acid, and cinnamic acid; Lactic acid, 2-hydroxybutyric acid, 3-hydroxybutyric acid, salicylic acid, m-hydroxybenzoic acid, p-hydroxybenzoic acid, 2-hydroxycinnamic acid, 3-hydroxycinnamic acid, 4-hydroxycinnamic acid, 5 -Hydroxymonocarboxylic acids such as hydroxyisophthalic acid and syringic acid; Oxalic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, maleic acid, itaconic acid, hexahydrophthalic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2,4-cyclohexanetricarboxylic acid, butane. Polyhydric carboxylic acids such as tetracarboxylic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, butanetetracarboxylic acid, and 1,2,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid; Itaconic acid anhydride, succinic anhydride, citraconic acid anhydride, dodecenylsuccinic anhydride, tricarbanilic anhydride, maleic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, hymic acid anhydride, 1,2,3,4-butane. Acid anhydrides such as tetracarboxylic acid anhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, phthalic acid anhydride, pyromellitic anhydride, trimellitic acid anhydride, benzophenone tetracarboxylic acid anhydride, ethylene glycol bis trimellitate anhydride, and glycerin tris trimellitate anhydride; etc. can be mentioned.

<마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물의 제조 방법> <Method for producing positive photosensitive resin composition for producing micro lens pattern>

본 발명에 관한 마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 각 성분을 통상의 방법으로 혼합 및 교반함으로써 조제할 수 있고, 필요에 따라 디졸바, 호모게나이저, 3롤밀 등의 분산기를 이용해 분산 및 혼합을 실시해도 된다. 또, 혼합한 다음에 추가로 메쉬, 멤브레인 필터 등을 이용해 여과해도 된다.The positive photosensitive resin composition for producing a micro lens pattern according to the present invention can be prepared by mixing and stirring each of the above components in a conventional manner, and if necessary, dispersed and stirred using a disperser such as a dissolver, homogenizer, or 3-roll mill. Mixing may be performed. Additionally, after mixing, it may be additionally filtered using a mesh or membrane filter.

<마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법> <Method of manufacturing micro lens pattern>

본 발명에 관한 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법은 본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용해 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 형성하는 포지티브형 감광성 수지 조성물층 형성 공정과, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 선택적으로 노광하는 노광 공정과, 노광된 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 현상하는 현상 공정과, 현상 후의 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 가열하는 가열 공정을 포함하는 것이다.The method for manufacturing a micro lens pattern according to the present invention includes a positive photosensitive resin composition layer forming step of forming a positive photosensitive resin composition layer using the positive photosensitive resin composition according to the present invention, and selectively forming the positive photosensitive resin composition layer. It includes an exposure process of exposing to light, a development process of developing the exposed positive photosensitive resin composition layer, and a heating process of heating the positive photosensitive resin composition layer after development.

[포지티브형 감광성 수지 조성물층 형성 공정] [Positive photosensitive resin composition layer formation process]

포지티브형 감광성 수지 조성물층 형성 공정에서는 본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용해 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 형성한다. 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층은 바람직하게는 기재 위에 형성된다. 기재로서는, 예를 들면 후술하는 렌즈 재료층을 들 수 있다.In the positive photosensitive resin composition layer forming step, a positive photosensitive resin composition layer is formed using the positive photosensitive resin composition according to the present invention. The positive photosensitive resin composition layer is preferably formed on a substrate. Examples of the base material include a lens material layer described later.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 방법을 이용할 수 있다. 포지티브형 감광성 수지 조성물이 고체나 고점도의 겔인 경우, 예를 들면 소정량의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기재 위에 공급한 후, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 적절히 가열하면서, 프레스하는 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 형성할 수 있다. 포지티브형 감광성 수지 조성물이 액체인 경우(예를 들면, 포지티브형 감광성 수지 조성물이 유기용제(S)를 함유하는 경우), 예를 들면 롤 코터, 리버스 코터, 바 코터, 슬릿 코터 등의 접촉 전사형 도포 장치나, 스피너(회전식 도포 장치), 커텐 플로우 코터 등의 비접촉형 도포 장치를 이용하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기재 위에 원하는 막 두께가 되도록 도포해 도막을 형성하고, 적절히 가열 처리(프리베이크(포스트어플라이베이크(PAB)) 처리)해 도막 중의 유기용제를 제거함으로써, 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 형성할 수 있다.The method of forming the positive photosensitive resin composition layer is not particularly limited, and conventionally known methods can be used. When the positive photosensitive resin composition is a solid or a high-viscosity gel, for example, a predetermined amount of the positive photosensitive resin composition is supplied onto a substrate, and then the positive photosensitive resin composition is pressed while appropriately heating the positive photosensitive resin composition. Layers can be formed. When the positive photosensitive resin composition is a liquid (for example, when the positive photosensitive resin composition contains an organic solvent (S)), contact transfer type application using, for example, a roll coater, reverse coater, bar coater, or slit coater. Apply the positive photosensitive resin composition to the desired film thickness on the substrate using a non-contact coating device such as a spinner (rotary coating device) or curtain flow coater to form a coating film, followed by appropriate heat treatment (prebake (post)). By removing the organic solvent in the coating film through apply bake (PAB) treatment, a positive photosensitive resin composition layer can be formed.

상기 가열 처리의 조건은 조성물 중의 각 성분의 종류, 배합 비율, 도포 막 두께 등에 따라 상이하지만, 가열 온도는, 예를 들면 60~150℃(바람직하게는 70~140℃)에서, 가열 시간은, 예를 들면 0.5~60분간(바람직하게는 1~50분간) 정도이다.The conditions of the heat treatment vary depending on the type, mixing ratio, coating film thickness, etc. of each component in the composition, but the heating temperature is, for example, 60 to 150°C (preferably 70 to 140°C), and the heating time is, For example, about 0.5 to 60 minutes (preferably 1 to 50 minutes).

포지티브형 감광성 수지 조성물층의 막 두께는 바람직하게는 100nm~4.0㎛, 보다 바람직하게는 400nm~2.0㎛의 범위이다.The film thickness of the positive photosensitive resin composition layer is preferably in the range of 100 nm to 4.0 μm, more preferably in the range of 400 nm to 2.0 μm.

[노광 공정] [Exposure process]

노광 공정에서는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 선택적으로 노광한다. 선택적인 노광은, 예를 들면 원하는 마스크 패턴을 통해서 실시할 수 있다. 노광에 이용하는 파장은 특별히 한정되지 않는다. 노광은 KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저, EUV(극자외선), VUV(진공 자외선), EB(전자선), X선, 연X선 등의 방사선을 이용해 실시할 수 있다. 본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물은, 특히 KrF 엑시머 레이저에 대해서 유효하다.In the exposure process, the positive photosensitive resin composition layer is selectively exposed. Selective exposure can be performed, for example, through a desired mask pattern. The wavelength used for exposure is not particularly limited. Exposure can be performed using radiation such as KrF excimer laser, ArF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet ray), VUV (vacuum ultraviolet ray), EB (electron beam), X-ray, and soft X-ray. The positive photosensitive resin composition according to the present invention is particularly effective for KrF excimer laser.

노광 후에는 적절히 PEB 처리(노광 후 가열 처리)를 실시한다. PEB 처리의 조건은 조성물 중의 각 성분의 종류, 배합 비율, 도포 막 두께 등에 따라 상이하지만, 예를 들면 가열 온도는 60~150℃(바람직하게는 70~140℃)에서, 가열 시간은, 예를 들면 0.5~60분간(바람직하게는 1~50분간) 정도이다.After exposure, PEB treatment (post-exposure heat treatment) is appropriately performed. The conditions for PEB treatment vary depending on the type, mixing ratio, coating film thickness, etc. of each component in the composition, but for example, the heating temperature is 60 to 150°C (preferably 70 to 140°C), and the heating time is, for example, For example, it is about 0.5 to 60 minutes (preferably 1 to 50 minutes).

[현상 공정] [Development process]

현상 공정에서는 노광된 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 현상한다. 이것에 의해, 불필요한 부분을 용해 및 제거한다.In the development process, the exposed positive photosensitive resin composition layer is developed. This dissolves and removes unnecessary parts.

현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노난 등의 알칼리류의 수용액을 사용할 수 있다. 또, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기용매나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다. 현상액으로서는 0.1~10중량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액이 바람직하다.Examples of developing solutions include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, and methyldiethylamine. , dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo[5.4.0]-7-undecene, 1,5- An aqueous solution of an alkali such as diazabicyclo[4.3.0]-5-nonane can be used. Additionally, an aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant to the aqueous solution of the above-mentioned alkalis can also be used as a developing solution. As a developing solution, a 0.1 to 10% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide is preferable.

현상 시간은 본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물의 조성이나 포지티브형 감광성 수지 조성물층의 막 두께 등에 따라 상이하지만, 통상 1~30분간이다. 현상 방법은 액충전법, 디핑법, 패들법, 스프레이 현상법 등 중 어느 하나여도 된다.The development time varies depending on the composition of the positive photosensitive resin composition according to the present invention, the film thickness of the positive photosensitive resin composition layer, etc., but is usually 1 to 30 minutes. The development method may be any one of the liquid filling method, dipping method, paddle method, and spray development method.

현상 후에는 적절히 유수 세정을 30~90초간 실시하고, 에어 건이나 오븐 등을 이용해 건조시킨다.After development, properly wash under running water for 30 to 90 seconds and dry using an air gun or oven.

[가열 공정] [Heating process]

가열 공정에서는 현상 후의 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 가열한다. 이것에 의해, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층이 열변형함으로써, 마이크로 렌즈 패턴, 바람직하게는 철(凸)면상의 마이크로 렌즈 패턴이 형성된다.In the heating process, the positive photosensitive resin composition layer after development is heated. As a result, the positive photosensitive resin composition layer is thermally deformed, thereby forming a micro lens pattern, preferably a micro lens pattern on a convex surface.

가열의 조건은 조성물 중의 각 성분의 종류, 배합 비율, 도포 막 두께 등에 따라 상이하지만, 예를 들면 가열 온도는 130~170℃(바람직하게는 140~160℃)으로, 가열 시간은, 예를 들면 1~30분간(바람직하게는 3~10분간) 정도이다.The heating conditions vary depending on the type, mixing ratio, coating film thickness, etc. of each component in the composition, but for example, the heating temperature is 130 to 170°C (preferably 140 to 160°C), and the heating time is, for example, It lasts about 1 to 30 minutes (preferably 3 to 10 minutes).

<마이크로 렌즈의 제조 방법> <Method for manufacturing micro lenses>

본 발명에 관한 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법은 렌즈 재료층 위에 본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용해 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 적층하는 포지티브형 감광성 수지 조성물층 적층 공정과, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 선택적으로 노광하는 노광 공정과, 노광된 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 현상하는 현상 공정과, 현상 후의 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 가열하고, 마이크로 렌즈 패턴을 가지는 마스크층을 형성하는 마스크층 형성 공정과, 상기 렌즈 재료층 및 상기 마스크층을 드라이 에칭하고, 상기 렌즈 재료층에 상기 마이크로 렌즈 패턴의 형상을 전사하는 형상 전사 공정을 포함하는 것이다.The method for manufacturing a micro lens pattern according to the present invention includes a positive photosensitive resin composition layer laminating process of laminating a positive photosensitive resin composition layer using the positive photosensitive resin composition according to the present invention on a lens material layer, and the positive photosensitive resin composition An exposure process of selectively exposing the composition layer, a development process of developing the exposed positive photosensitive resin composition layer, and heating the positive photosensitive resin composition layer after development to form a mask layer having a micro lens pattern. It includes a mask layer forming step, a shape transfer step of dry etching the lens material layer and the mask layer, and transferring the shape of the micro lens pattern to the lens material layer.

[포지티브형 감광성 수지 조성물층 적층 공정] [Positive photosensitive resin composition layer lamination process]

포지티브형 감광성 수지 조성물층 적층 공정에서는 렌즈 재료층 위에 본 발명에 관한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용해 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 적층한다. 렌즈 재료층으로서는 종래 공지된 것을 이용할 수 있고, 예를 들면 화상 소자가 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판 위에 투명 평탄화막만 또는 반사 방지막 및 투명 평탄화막을 마련하고, 이 투명 평탄화막 위에 마련한 렌즈 재료층을 들 수 있다.In the positive photosensitive resin composition layer lamination process, a positive photosensitive resin composition layer is laminated on the lens material layer using the positive photosensitive resin composition according to the present invention. As the lens material layer, a conventionally known one can be used. For example, a transparent planarization film alone or an anti-reflection film and a transparent planarization film are provided on a substrate such as a silicon wafer on which an image element is formed, and a lens material layer provided on the transparent planarization film is included. You can.

포지티브형 감광성 수지 조성물층 적층 공정은 기재로서 렌즈 재료층을 이용하는 이외에는 상술한 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법에서의 포지티브형 감광성 수지 조성물층 형성 공정과 동일하다.The positive photosensitive resin composition layer lamination process is the same as the positive photosensitive resin composition layer forming process in the above-described micro lens pattern manufacturing method, except that a lens material layer is used as a base material.

[노광 공정] [Exposure process]

노광 공정에서는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 선택적으로 노광한다. 노광 공정은 상술한 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법에서의 노광 공정과 동일하다.In the exposure process, the positive photosensitive resin composition layer is selectively exposed. The exposure process is the same as the exposure process in the above-described micro lens pattern manufacturing method.

[현상 공정] [Development process]

현상 공정에서는 노광된 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 현상한다. 현상 공정은 상술한 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법에서의 현상 공정과 동일하다.In the development process, the exposed positive photosensitive resin composition layer is developed. The developing process is the same as the developing process in the above-described micro lens pattern manufacturing method.

[마스크층 형성 공정] [Mask layer formation process]

마스크층 형성 공정에서는 현상 후의 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 가열하고, 마이크로 렌즈 패턴을 가지는 마스크층을 형성한다. 마스크층 형성 공정에서, 현상 후의 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층의 가열은 상술한 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법에서의 가열 공정과 동일하게 실시할 수 있다. 마스크층 형성 공정에서 형성되는 마스크층이 가지는 마이크로 렌즈 패턴은 상술한 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법에 의해 얻어지는 마이크로 렌즈 패턴에 대응한다.In the mask layer forming process, the positive photosensitive resin composition layer after development is heated to form a mask layer having a micro lens pattern. In the mask layer forming process, heating of the positive photosensitive resin composition layer after development can be performed in the same manner as the heating process in the above-described micro lens pattern manufacturing method. The micro lens pattern of the mask layer formed in the mask layer forming process corresponds to the micro lens pattern obtained by the above-described micro lens pattern manufacturing method.

[형상 전사 공정] [Shape transfer process]

형상 전사 공정에서는 상기 렌즈 재료층 및 상기 마스크층을 드라이 에칭하고, 상기 렌즈 재료층에 상기 마이크로 렌즈 패턴의 형상을 전사한다. 이것에 의해, 상기 렌즈 재료층으로부터 마이크로 렌즈를 얻을 수 있다.In the shape transfer process, the lens material layer and the mask layer are dry-etched, and the shape of the micro lens pattern is transferred to the lens material layer. Thereby, a micro lens can be obtained from the lens material layer.

드라이 에칭으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 플라즈마(산소, 아르곤, CF4 등), 코로나 방전 등에 의한 드라이 에칭을 들 수 있다.Dry etching is not particularly limited, and examples include dry etching using plasma (oxygen, argon, CF 4 , etc.), corona discharge, etc.

[[ 실시예Example ]]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

[실시예 1~7 및 비교예 1~3] [Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3]

표 1에 나타내는 (A)~(D) 성분을 유기용제(S)에 균일하게 용해하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 조제했다. 표 1 중의 괄호 내의 수치는 각 성분의 배합량(단위: 중량부)를 나타낸다.Components (A) to (D) shown in Table 1 were uniformly dissolved in an organic solvent (S) to prepare a positive photosensitive resin composition. The numbers in parentheses in Table 1 indicate the compounding amount (unit: parts by weight) of each component.

하기 A-1~A-4를 나타내는 하기의 각 식에서, 각 반복 단위에 첨부된 첨자(x, y, 및 z)는 상기 수지에 포함되는 전체 반복 단위에 대한 각 반복 단위의 비율(몰%)이다.In each of the following formulas representing A-1 to A-4 below, the subscripts (x, y, and z) attached to each repeating unit are the ratio (mol%) of each repeating unit to the total repeating units included in the resin. am.

A-1: 하기 식으로 나타내는 수지(중량 평균 분자량 20000, x=70, y=30) A-1: Resin represented by the following formula (weight average molecular weight 20000, x=70, y=30)

A-1a: 하기 식으로 나타내는 수지(중량 평균 분자량 7000, x=70, y=30) A-1a: Resin represented by the formula below (weight average molecular weight 7000, x=70, y=30)

[화 23][Tuesday 23]

A-2: 하기 식으로 나타내는 수지(중량 평균 분자량 8000, x=75, y=25)A-2: Resin represented by the formula below (weight average molecular weight 8000, x=75, y=25)

[화 24][Tuesday 24]

A-3: 하기 식으로 나타내는 수지(중량 평균 분자량 20000, x=70, y=30) A-3: Resin expressed by the following formula (weight average molecular weight 20000, x=70, y=30)

[화 25][Tuesday 25]

A-4: 하기 식으로 나타내는 수지(비교예, 중량 평균 분자량 10000, x=65, y=25, z=10) A-4: Resin represented by the following formula (comparative example, weight average molecular weight 10000, x=65, y=25, z=10)

[화 26][Tuesday 26]

B-1: 하기 식으로 나타내는 화합물B-1: Compound represented by the formula below

[화 27][Tuesday 27]

C-1: 하기 식으로 나타내는 화합물 C-1: Compound represented by the formula below

[화 28][Tuesday 28]

C-2: 하기 식으로 나타내는 화합물 C-2: Compound represented by the formula below

[화 29][Tuesday 29]

D-1: 트리에틸아민 D-1: Triethylamine

D-2: 트리에탄올아민 D-2: Triethanolamine

S-1: 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트와 락트산에틸의 혼합 용제(중량비: 6/4) S-1: Mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate and ethyl lactate (weight ratio: 6/4)

<평가> <Evaluation>

[레지스트 패턴 형상(한계 해상력의 평가)] [Resist pattern shape (evaluation of limiting resolution)]

Si 기판에 반사 방지막 및 아크릴계의 투명 평탄화막을 형성한 기판 위에 스피너를 이용하여 실시예 또는 비교예에서 조제한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 도포해 도막을 형성했다. 상기 도막에 대해서, 핫 플레이트 위에서 100℃에서 90초 프리베이크 처리를 실시해 상기 도막을 건조시킴으로써 막 두께 800nm의 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 형성했다.The positive photosensitive resin composition prepared in Examples or Comparative Examples was applied using a spinner onto a Si substrate on which an antireflection film and an acrylic transparent planarization film were formed, thereby forming a coating film. The coating film was prebaked on a hot plate at 100°C for 90 seconds and dried to form a positive photosensitive resin composition layer with a thickness of 800 nm.

그 다음에, KrF 노광 장치 NSR-S203B(Nikon제, NA=0.68, S=0.75)를 이용하고, 마스크를 통하여 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층에 KrF 엑시머 레이저(248nm)를 선택적으로 조사했다.Next, using a KrF exposure device NSR-S203B (manufactured by Nikon, NA = 0.68, S = 0.75), the positive photosensitive resin composition layer was selectively irradiated with a KrF excimer laser (248 nm) through a mask.

그 후, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층에 대해서, 110℃에서 90초간 PEB 처리를 실시하고, 그 다음에, 23℃에서 2.38중량% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로 60초간 현상을 실시하고, 그 후 순수를 이용해 30초간 린스를 실시했다. 순수를 털어내고, 건조를 실시해서 레지스트 패턴을 얻었다.Thereafter, the positive photosensitive resin composition layer was subjected to PEB treatment at 110°C for 90 seconds, then developed with a 2.38% by weight tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23°C for 60 seconds, and then Afterwards, rinse was performed for 30 seconds using pure water. Pure water was shaken off and dried to obtain a resist pattern.

얻어진 레지스트 패턴의 단면을 SEM으로 관찰했다. 마스크 치수를 변화시킴으로써 한계 해상력을 구하고 이하의 기준으로 한계 해상력을 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.The cross section of the obtained resist pattern was observed with SEM. The limit resolution was obtained by changing the mask dimensions, and the limit resolution was evaluated based on the following criteria. The results are shown in Table 2.

◎ (매우 양호): 한계 해상력이 0.17㎛ 이하◎ (Very good): Limiting resolution is 0.17㎛ or less.

○ (양호): 한계 해상력이 0.17㎛ 초과 0.18㎛ 이하○ (Good): Limit resolution is greater than 0.17㎛ and less than 0.18㎛

△ (불량): 한계 해상력이 0.18㎛ 초과 0.19㎛ 이하 △ (defect): Limit resolution exceeds 0.18㎛ and is less than 0.19㎛

× (매우 불량): 한계 해상력이 0.19㎛ 초과 × (Very poor): Limit resolution exceeds 0.19㎛

[해상성의 평가(화이트 밴드의 폭)] [Evaluation of resolution (width of white band)]

상기와 동일하게 하여 얻은 레지스트 패턴에 대해서, 윗쪽에서 SEM으로 관찰했다. 각 레지스트 패턴의 주위에 나타나는 화이트 밴드의 폭을 측정하고, 이하의 기준으로 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다. 화이트 밴드는 레지스트 패턴의 상면 부분의 치수보다도 하면 부분의 치수의 쪽이 클 때에 확인되는 것이다. 화이트 밴드의 폭은 상면 부분과 하면 부분의 치수 차이이며, 테이퍼 형상의 정도를 나타낸다. 화이트 밴드의 폭이 작을수록 패턴의 수직성이 높고 양호하다.The resist pattern obtained in the same manner as above was observed with an SEM from above. The width of the white band appearing around each resist pattern was measured and evaluated based on the following criteria. The results are shown in Table 2. A white band is confirmed when the dimension of the bottom portion of the resist pattern is larger than the dimension of the upper portion. The width of the white band is the difference in dimensions between the upper and lower surfaces and indicates the degree of taper shape. The smaller the width of the white band, the higher and better the verticality of the pattern.

◎ (매우 양호): 화이트 밴드의 폭이 0.07㎛ 미만◎ (Very good): White band width is less than 0.07㎛

○ (양호): 화이트 밴드의 폭이 0.07㎛ 이상 0.075㎛ 미만○ (Good): The width of the white band is 0.07㎛ or more and less than 0.075㎛.

△ (불량): 화이트 밴드의 폭이 0.075㎛ 이상 0.08㎛ 미만 △ (defect): White band width is 0.075㎛ or more and less than 0.08㎛

×(매우 불량): 화이트 밴드의 폭이 0.08㎛ 이상 × (very poor): White band width is 0.08㎛ or more

[플로우성의 평가(플로우 마진)] [Evaluation of flow performance (flow margin)]

상기와 동일하게 하여 얻은 레지스트 패턴에 대해서, 130~170℃의 각 온도에서 300초간 포스트베이크 처리를 실시하고, 레지스트 패턴의 단면을 SEM으로 관찰했다. 상기의 포스트베이크 처리에 의해 마이크로 렌즈 패턴이 형성되는 최저 온도 T1과, 서로 이웃하는 마이크로 렌즈 패턴끼리의 아래 부분이 접촉하는 최저 온도 T2를 구했다. 차이 T2-T1을 플로우 마진으로 하여 이하의 기준으로 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.The resist pattern obtained in the same manner as above was post-baked at each temperature of 130 to 170°C for 300 seconds, and the cross section of the resist pattern was observed with an SEM. Through the above post-bake process, the minimum temperature T 1 at which a micro lens pattern is formed and the minimum temperature T 2 at which the lower portions of adjacent micro lens patterns contact each other were determined. The difference T 2 -T 1 was used as the flow margin and evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 2.

◎◎ (매우 양호): 플로우 마진이 10℃ 이상◎◎ (Very good): Flow margin is 10℃ or more.

◎ (양호): 플로우 마진이 7℃ 이상 10℃ 미만◎ (Good): Flow margin is above 7℃ and below 10℃

○ (약간 양호): 플로우 마진이 4℃ 이상 7℃ 미만 ○ (Slightly good): Flow margin is above 4℃ and below 7℃.

×(불량): 플로우 마진이 4℃ 미만 × (defect): Flow margin is less than 4℃

표 2로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 (A)성분 및 (B)성분을 함유하는 실시예 1~7의 조성물은 뛰어난 해상성 및 넓은 플로우 마진의 모두를 구비하고 있었다. 이에 비해서, 본 발명의 (A)성분 및/또는 (B)성분을 함유하지 않는 비교예 1~3의 조성물은 플로우 마진이 좁았다.As can be seen from Table 2, the compositions of Examples 1 to 7 containing component (A) and component (B) of the present invention had both excellent resolution and wide flow margin. In comparison, the compositions of Comparative Examples 1 to 3 that did not contain component (A) and/or component (B) of the present invention had narrow flow margins.

Claims (9)

산해리성 용해 억제기를 가지고, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(A)와, 적어도 2개의 비닐옥시기를 가지는 화합물(B)과, 광산발생제(C)를 함유하는 철(凸)면상의 마이크로 렌즈 패턴 제조용 포지티브형 감광성 수지 조성물로서,
상기 수지(A)는 히드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위(a1)와, 히드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위에서 적어도 1개의 수산기의 수소 원자가 산해리성 용해 억제기 함유기로 치환된 구성 단위(a2)를 가지는 수지(A1)를 포함하고,
상기 철면상의 마이크로 렌즈 패턴은,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용해 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 형성하는 포지티브형 감광성 수지 조성물층 형성 공정과,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 선택적으로 노광하는 노광 공정과,
노광된 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 현상하는 현상 공정과,
현상 후의 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 가열 변형함으로써 철면상의 마이크로 렌즈 패턴을 형성하는 가열 공정을 포함하는 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법에 의해 제조되는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
A resin (A) having an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group and increasing solubility in alkali by the action of an acid, a compound (B) having at least two vinyloxy groups, and iron containing a photoacid generator (C). ) A positive photosensitive resin composition for manufacturing a micro-lens pattern on a surface,
The resin (A) includes a structural unit (a1) derived from hydroxystyrene, and a structural unit (a2) in which the hydrogen atom of at least one hydroxyl group in the structural unit derived from hydroxystyrene is replaced with an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group-containing group. The branches contain resin (A1),
The micro-lens pattern on the convex surface is,
A positive photosensitive resin composition layer forming process of forming a positive photosensitive resin composition layer using the positive photosensitive resin composition;
an exposure process of selectively exposing the positive photosensitive resin composition layer;
A development process of developing the exposed positive photosensitive resin composition layer;
A positive photosensitive resin composition manufactured by a method for producing a micro lens pattern, comprising a heating step of forming a convex surface-like micro lens pattern by heating and deforming the positive photosensitive resin composition layer after development.
청구항 1에 있어서,
상기 수지(A1)의 중량 평균 분자량이 5000~30000인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
In claim 1,
A positive photosensitive resin composition wherein the resin (A1) has a weight average molecular weight of 5000 to 30000.
청구항 1에 있어서,
상기 수지(A1)는 하기 식(a1-1)로 나타내는 구성 단위와, 하기 식(a2-1)로 나타내는 구성 단위를 가지는 수지(A2)를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.

(식 중, Ra1 및 Ra3은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 할로겐 원자, 또는 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 나타내고, Ra2 및 Ra5는 독립적으로 알킬기를 나타내며, Ra4는 산해리성 용해 억제기를 나타내고, p 및 r은 독립적으로 1~5의 정수를 나타내며, q, s, 및 t는 독립적으로 0~4의 정수를 나타내고, 단 p+q 및 r+s+t는 독립적으로 1~5의 정수이다)
In claim 1,
The resin (A1) is a positive photosensitive resin composition containing a structural unit represented by the following formula (a1-1) and a resin (A2) having a structural unit represented by the following formula (a2-1).

(In the formula, R a1 and R a3 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a halogen atom, or an alkyl group substituted with a halogen atom, R a2 and R a5 independently represent an alkyl group, and R a4 represents an acid dissociable, dissolution inhibiting group. , p and r independently represent integers from 1 to 5, q, s, and t independently represent integers from 0 to 4, provided that p+q and r+s+t independently represent integers from 1 to 5. am)
청구항 3에 있어서,
상기 수지(A2)는 상기 식(a1-1)로 나타내는 구성 단위와, 하기 식(a2-2)로 나타내는 구성 단위 및/또는 하기 식(a2-3)로 나타내는 구성 단위를 가지는 수지(A3)를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.

(식 중, Ra3, Ra5, r, s, 및 t는 상기와 같고, Ra6 및 Ra7은 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, Ra8 및 Ra10은 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내며, Ra9는 단결합 또는 알킬렌기를 나타내고, 단 Ra6, Ra7, 및 Ra8 중 적어도 2종은 서로 결합해 환을 형성해도 된다)
In claim 3,
The resin (A2) is a resin (A3) having a structural unit represented by the formula (a1-1), a structural unit represented by the formula (a2-2), and/or a structural unit represented by the formula (a2-3). A positive photosensitive resin composition comprising a.

(Wherein, R a3 , R a5 , r, s, and t are the same as above, R a6 and R a7 independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, R a8 and R a10 independently represent an alkyl group or a cycloalkyl group, , R a9 represents a single bond or an alkylene group, provided that at least two of R a6 , R a7 , and R a8 may combine with each other to form a ring)
청구항 4에 있어서,
상기 수지(A3)는 상기 식(a1-1)로 나타내는 구성 단위와, 상기 식(a2-2)로 나타내는 구성 단위를 가지는 수지(A4) 및/또는 상기 식(a1-1)로 나타내는 구성 단위와, 상기 식(a2-3)로 나타내는 구성 단위를 가지는 수지(A5)를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
In claim 4,
The resin (A3) is a resin (A4) having a structural unit represented by the formula (a1-1), a structural unit represented by the formula (a2-2), and/or a structural unit represented by the formula (a1-1). A positive photosensitive resin composition containing a resin (A5) having a structural unit represented by the formula (a2-3).
청구항 5에 있어서,
상기 수지(A4)의 양이 상기 수지(A4)와 상기 수지(A5)의 합계에 대해 60~90몰%인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
In claim 5,
A positive type photosensitive resin composition wherein the amount of the resin (A4) is 60 to 90 mol% relative to the total of the resin (A4) and the resin (A5).
청구항 1에 있어서,
제3급 지방족 아민을 함유하는 함질소 유기 화합물(D)을 추가로 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
In claim 1,
A positive photosensitive resin composition further containing a nitrogen-containing organic compound (D) containing a tertiary aliphatic amine.
청구항 1 내지 청구항 7 중의 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용해 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 형성하는 포지티브형 감광성 수지 조성물층 형성 공정과,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 선택적으로 노광하는 노광 공정과,
노광된 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 현상하는 현상 공정과,
현상 후의 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 가열 변형함으로써 철면상의 마이크로 렌즈 패턴을 형성하는 가열 공정을 포함하는 마이크로 렌즈 패턴의 제조 방법.
A positive photosensitive resin composition layer forming step of forming a positive photosensitive resin composition layer using the positive photosensitive resin composition of any one of claims 1 to 7,
an exposure process of selectively exposing the positive photosensitive resin composition layer;
A development process of developing the exposed positive photosensitive resin composition layer;
A method for manufacturing a micro lens pattern, comprising a heating step of forming a convex-shaped micro lens pattern by heating and deforming the positive photosensitive resin composition layer after development.
렌즈 재료층 위에 청구항 1 내지 청구항 7 중의 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용해 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 적층하는 포지티브형 감광성 수지 조성물층 적층 공정과,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 선택적으로 노광하는 노광 공정과,
노광된 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 현상하는 현상 공정과,
현상 후의 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물층을 가열 변형함으로써 철면상의 마이크로 렌즈 패턴을 가지는 마스크층을 형성하는 마스크층 형성 공정과,
상기 렌즈 재료층 및 상기 마스크층을 드라이 에칭하고, 상기 렌즈 재료층에 상기 마이크로 렌즈 패턴의 형상을 전사하는 형상 전사 공정을 포함하는 마이크로 렌즈의 제조 방법.
A positive photosensitive resin composition layer laminating process of laminating a positive photosensitive resin composition layer using the positive photosensitive resin composition of any one of claims 1 to 7 on a lens material layer;
an exposure process of selectively exposing the positive photosensitive resin composition layer;
A development process of developing the exposed positive photosensitive resin composition layer;
A mask layer forming step of forming a mask layer having a convex microlens pattern by heating and deforming the developed positive photosensitive resin composition layer;
A method of manufacturing a micro lens including a shape transfer step of dry etching the lens material layer and the mask layer and transferring the shape of the micro lens pattern to the lens material layer.
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