JP2021076636A - Chemically amplified positive photosensitive resin composition, photosensitive dry film, production method of photosensitive dry film, production method of patterned resist film, method for manufacturing substrate with template and method for manufacturing plated molded article - Google Patents

Chemically amplified positive photosensitive resin composition, photosensitive dry film, production method of photosensitive dry film, production method of patterned resist film, method for manufacturing substrate with template and method for manufacturing plated molded article Download PDF

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Abstract

To provide a chemically amplified positive photosensitive resin composition applicable to exposure to h-line rays and excellent in plating solution resistance and crack resistance, a photosensitive dry film including a photosensitive resin layer formed of the chemically amplified positive photosensitive resin composition, a production method of the photosensitive dry film, a production method of a patterned resist film using the chemically amplified positive photosensitive resin composition, a method for manufacturing a substrate with a template using the chemically amplified positive photosensitive resin composition, and a method for manufacturing a plated molded article using the substrate with a template.SOLUTION: The chemically amplified positive photosensitive resin composition is to be used for making a template for forming a plated molded article on a substrate having a metal surface, and the composition comprises an acid generator (A) and a resin (B) the solubility of which with an alkali increases by an action of an acid. The acid generator (A) comprises an acid generator having a specific naphthalimide skeleton, and the proportion of an acrylic resin with respect to the total of the resin (B) and resin other than the resin (B) is 70 mass% or more.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を備える感光性ドライフィルム、当該感光性ドライフィルムの製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いる鋳型付き基板の製造方法と、当該鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法に関する。 The present invention comprises a chemically amplified positive photosensitive resin composition, a photosensitive dry film comprising a photosensitive resin layer composed of the chemically amplified positive photosensitive resin composition, and a method for producing the photosensitive dry film. A method for producing a patterned resist film using the above-mentioned chemically amplified positive photosensitive resin composition, a method for producing a molded substrate using the above-mentioned chemically amplified positive photosensitive resin composition, and a method for producing the molded substrate. The present invention relates to a method for manufacturing a plated model using a substrate.

現在、ホトファブリケーションが精密微細加工技術の主流となっている。ホトファブリケーションとは、ホトレジスト組成物を被加工物表面に塗布してホトレジスト層を形成し、ホトリソグラフィー技術によってホトレジスト層をパターニングし、パターニングされたホトレジスト層(ホトレジストパターン)をマスクとして化学エッチング、電解エッチング、又は電気めっきを主体とするエレクトロフォーミング等を行って、半導体パッケージ等の各種精密部品を製造する技術の総称である。 Currently, photofabrication is the mainstream of precision microfabrication technology. Photofabrication is a method of applying a photoresist composition to the surface of a work piece to form a photoresist layer, patterning the photoresist layer by photolithography technology, and chemically etching and electrolyzing the patterned photoresist layer (photoresist pattern) as a mask. It is a general term for technologies for manufacturing various precision parts such as semiconductor packages by performing etching or electroforming mainly by electroplating.

また、近年、電子機器のダウンサイジングに伴い、半導体パッケージの高密度実装技術が進み、パッケージの多ピン薄膜実装化、パッケージサイズの小型化、フリップチップ方式による2次元実装技術、3次元実装技術に基づいた実装密度の向上が図られている。このような高密度実装技術においては、接続端子として、例えば、パッケージ上に突出したバンプ等の突起電極(実装端子)や、ウェーハ上のペリフェラル端子から延びる再配線(RDL)と実装端子とを接続するメタルポスト等が基板上に高精度に配置される。 In recent years, along with the downsizing of electronic devices, high-density mounting technology for semiconductor packages has advanced, and the packaging has become multi-pin thin film mounting, package size miniaturization, two-dimensional mounting technology by flip chip method, and three-dimensional mounting technology. Based on this, the mounting density has been improved. In such a high-density mounting technology, as connection terminals, for example, a protruding electrode (mounting terminal) such as a bump protruding on a package, or a rewiring (RDL) extending from a peripheral terminal on a wafer and a mounting terminal are connected. Metal posts and the like are arranged on the substrate with high accuracy.

上記のようなホトファブリケーションにはホトレジスト組成物が使用されるが、そのようなホトレジスト組成物としては、酸発生剤を含む化学増幅型ホトレジスト組成物が知られている。化学増幅型ホトレジスト組成物は、放射線照射(露光)により酸発生剤から酸が発生し、加熱処理により酸の拡散が促進されて、組成物中のベース樹脂等に対し酸触媒反応を起こし、そのアルカリ溶解性が変化するというものである。 Photoresist compositions are used for photofabrication as described above, and as such photoresist compositions, chemically amplified photoresist compositions containing an acid generator are known. In the chemically amplified polyether composition, acid is generated from the acid generator by irradiation (exposure), the diffusion of the acid is promoted by the heat treatment, and an acid catalytic reaction is caused with the base resin or the like in the composition. The alkali solubility changes.

このような化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物は、基板をエッチングにより加工する時のエッチングマスクの作製にしばしば利用される(特許文献1及び2)。具体的には、化学増幅型ホトレジスト組成物を用いて基板上に所望の膜厚のホトレジスト層を形成し、次いで、所定のマスクパターンを介してホトレジスト層のエッチング対象箇所に該当する部分のみを露光した後、露光されたホトレジスト層を現像して、エッチングマスクとして使用されるホトレジストパターンが形成される。 Such a chemically amplified positive photoresist composition is often used for producing an etching mask when processing a substrate by etching (Patent Documents 1 and 2). Specifically, a photoresist layer having a desired thickness is formed on a substrate using a chemically amplified photoresist composition, and then only a portion corresponding to an etching target portion of the photoresist layer is exposed via a predetermined mask pattern. After that, the exposed photoresist layer is developed to form a photoresist pattern used as an etching mask.

また、化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物は、例えばバンプ、メタルポスト、及びCu再配線のようなめっき造形物の製造に用いられる鋳型の形成にも利用される。具体的には、化学増幅型ホトレジスト組成物を用いて、金属基板のような支持体上に所望の膜厚のホトレジスト層を形成し、所定のマスクパターンを介して露光し、現像して、めっき造形物を形成する部分が選択的に除去(剥離)された鋳型として使用されるホトレジストパターンを形成する。そして、この除去された部分(非レジスト部)に銅等の導体をめっきによって埋め込んだ後、その周囲のホトレジストパターンを除去することにより、バンプ、メタルポスト、及びCu再配線を形成することができる。 The chemically amplified positive photoresist composition is also used to form molds used in the production of plated shaped objects such as bumps, metal posts, and Cu rewiring. Specifically, a chemically amplified photoresist composition is used to form a photoresist layer of a desired film thickness on a support such as a metal substrate, exposed through a predetermined mask pattern, developed, and plated. A photoresist pattern is formed in which the portion forming the modeled object is selectively removed (peeled) and used as a mold. Then, by embedding a conductor such as copper in the removed portion (non-resist portion) by plating and then removing the photoresist pattern around the removed portion (non-resist portion), bumps, metal posts, and Cu rewiring can be formed. ..

特開2018−169543号公報JP-A-2018-169543 国際公開第2018/179641号International Publication No. 2018/179641 特表2017−535595号公報Special Table 2017-535595 特表2018−513113号公報Special Table 2018-513113 特表2018−523640号公報Special Table 2018-523640 特開2018−087970号公報JP-A-2018-0877970 特開2015−087759号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-08779 特開2017−107211号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-107211 特開2018−018087号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-018087

ウエハレベルよりも大面積のパネルレベルパッケージでは、露光光としてh線を用いることが考えられる。このため、ホトレジスト組成物はh線による露光に適用可能であることが望ましい。 In a panel level package having a larger area than the wafer level, it is conceivable to use h-rays as the exposure light. Therefore, it is desirable that the photoresist composition is applicable to exposure by h-line.

例えば、特許文献3〜5には、g線、h線及びi線の露光に用いられる化学増幅型のネガ型又はポジ型のホトレジスト組成物が開示されている。
しかしながら、特許文献3〜5に記載された感光性樹脂組成物を用いた場合、めっき液耐性が悪く、めっき処理によりレジストパターンの形状が変化してしまうという問題がある。
For example, Patent Documents 3 to 5 disclose chemically amplified negative or positive phosphate compositions used for exposure to g-line, h-line and i-line.
However, when the photosensitive resin compositions described in Patent Documents 3 to 5 are used, there is a problem that the resistance to the plating solution is poor and the shape of the resist pattern is changed by the plating treatment.

特許文献4〜9には、めっき造形物を形成するための鋳型を作製するために用いられる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物が開示されている。しかし、これらの文献に記載された化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を用いた場合、銅等の導体をめっきによって埋め込むめっき処理時に、めっき処理液に接触することでレジストパターンの形状が変化してしまうことがしばしばあり、所望の形状のバンプ、メタルポスト、及びCu再配線等のめっき造形物を形成することが困難である。 Patent Documents 4 to 9 disclose chemically amplified positive phosphate compositions used for producing a mold for forming a plated model. However, when the chemically amplified positive resist composition described in these documents is used, the shape of the resist pattern changes due to contact with the plating solution during the plating process of embedding a conductor such as copper by plating. It is often difficult to form plated objects such as bumps, metal posts, and Cu rewiring with the desired shape.

したがって、めっき造形物を形成するための鋳型を作製するために用いられる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物には、めっき処理によりレジストパターンの形状変化が抑制されること、すなわち、めっき液耐性に優れることが求められている。 Therefore, in the chemically amplified positive-type resist composition used for producing a mold for forming a plated molded product, the shape change of the resist pattern is suppressed by the plating treatment, that is, the plating solution resistance is excellent. Is required.

また、めっき造形物を形成するための鋳型となるレジストパターンにクラックが形成されていると、所望する形状のめっき造形物を形成し難い。したがって、めっき造形物を形成するための鋳型を作製するために用いられる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物には、クラックの発生が抑制されること、すなわち、クラック耐性に優れることも求められている。 Further, if cracks are formed in the resist pattern that serves as a mold for forming the plated model, it is difficult to form the plated model having a desired shape. Therefore, the chemically amplified positive photoresist composition used for producing a mold for forming a plated model is also required to suppress the occurrence of cracks, that is, to have excellent crack resistance. ..

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、h線による露光に適用可能で且つめっき液耐性及びクラック耐性に優れたレジストパターンが形成しやすい化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を備える感光性ドライフィルム、当該感光性ドライフィルムの製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いる鋳型付き基板の製造方法と、当該鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and is a chemically amplified positive photosensitive resin composition which can be applied to exposure by h-line and can easily form a resist pattern having excellent plating solution resistance and crack resistance. , A photosensitive dry film provided with a photosensitive resin layer composed of the chemically amplified positive photosensitive resin composition, a method for producing the photosensitive dry film, and a pattern using the above-mentioned chemically amplified positive photosensitive resin composition. An object of the present invention is to provide a method for producing a resist film, a method for producing a molded substrate using the above-mentioned chemically amplified positive photosensitive resin composition, and a method for producing a plated molded product using the molded substrate. And.

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)とを含む化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物において、酸発生剤(A)として、下記式(a1−i)又は下記式(a1−ii)で表される化合物、下記式(a2−i)又は下記式(a2−ii)で表される化合物、及び、下記式(a3−i)又は下記式(a3−ii)で表される化合物から選択される少なくとも1種を含有させ、(メタ)アクリル酸又は(メタ)アクリル酸誘導体に由来する構成単位であるアクリル構成単位を70モル%以上含む樹脂であるアクリル樹脂を、樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計に対して70質量%以上配合することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。 As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have made an acid generator (A) that generates an acid by irradiation with active light or radiation, and a resin whose solubility in an alkali is increased by the action of the acid. In the chemically amplified positive photosensitive resin composition containing (B), the compound represented by the following formula (a1-i) or the following formula (a1-ii) as the acid generator (A), the following formula ( It contains at least one selected from the compound represented by a2-i) or the following formula (a2-ii) and the compound represented by the following formula (a3-i) or the following formula (a3-ii). Acrylic resin, which is a resin containing 70 mol% or more of an acrylic constituent unit, which is a constituent unit derived from (meth) acrylic acid or a (meth) acrylic acid derivative, is a resin (B) and a resin other than the resin (B). It has been found that the above-mentioned problems can be solved by blending 70% by mass or more with respect to the total, and the present invention has been completed. Specifically, the present invention provides the following.

本発明の第1の態様は、金属表面を有する基板上に、めっき処理により金属を埋め込むことによりめっき造形物を形成するための鋳型を作製するために用いられ、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)とを含有する化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物であって、
酸発生剤(A)が、下記式(a1−i)又は下記式(a1−ii):

Figure 2021076636
(式(a1−i)及び式(a1−ii)中、X1aは酸素原子又は硫黄原子であり、
1aは、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;
−S−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基;
下記式(a11):
Figure 2021076636
で表される基;
下記式(a12):
Figure 2021076636
で表される基;並びに
下記式(a13):
Figure 2021076636
で表される基からなる群から選択され、
式(a11)中、R3aは、単結合、又は−O−、−S−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a−からなる群から選択される少なくとも1つの部分を含んでいてもよい、炭素原子数1以上20以下の脂肪族基であり、
Arは、ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい芳香族基であり、
式(a12)中、R4a、及びR5aは、それぞれ独立に、炭素原子数1以上5以下の脂肪族基であり、
1aは、酸素原子であり、
6aは、炭素原子数1以上10以下の脂肪族基であり、
7aは、−O−、−S−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含む、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基であり、
式(a13)中、R8aは、−O−、−S−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、及び−O−C(=O)−NR10a−からなる群から選択される少なくとも1つの部分を含んでいてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基であり、
2aは、酸素原子であり、
9aは、−O−、−S−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含む、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基であり、
10a及びR11aは、それぞれ、炭素原子数1以上10以下の脂肪族基であり、−C(=O)−NR10a11aにおいて、R10a及びR11aは、互いに同一であっても異なっていてもよく、且つ互いに結合して脂環式基を形成してもよく、
2aは、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;
−O−、−S−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=
O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数3以上18以下の脂肪族基;
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい、炭素原子数4以上18以下の芳香族基;並びに
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい、炭素原子数4以上18以下の芳香族基で置換されたアルキル基からなる群から選択される。)
で表される化合物:
下記式(a2−i)又は下記式(a2−ii):
Figure 2021076636
(式(a2−i)〜(a2−ii)中、R21aは、水素原子;
1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;又は
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含んでいてもよく、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基であり、
22aは、−CH、−CHF、−CHF、−CF、又は1つ以上のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数2以上18以下の脂肪族基;
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基;
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい炭素原子数4以上18以下の芳香族基;並びに
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい炭素原子数4以上18以下の芳香族基で置換されたアルキル基からなる群から選択され、
ただし、R22aが−CFである場合、R21aは水素原子;
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含んでいてもよく、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基;
−CHCH(CH、−CHCH=CHCH又は−CHCHCH=CH
下記式(a21):
Figure 2021076636
で表される基;並びに
下記式(a22):
Figure 2021076636
で表される基からなる群から選択される基であり、
10a及びR11aは、それぞれ、炭素原子数1以上10以下の脂肪族基であり、−C(=O)−NR10a11aにおいて、R10a及びR11aは、互いに同一であっても異なっていてもよく、且つ互いに結合して脂環式基を形成してもよく、
式(a21)中、R23aは炭素原子数4以上18以下の脂肪族基であり、
式(a22)中、R24aは水素原子、又は炭素原子数1以上10以下のアルキル基であり、naは1〜5の整数である。)
で表される化合物;並びに
下記式(a3−i)又は下記式(a3−ii):
Figure 2021076636
(式a3−i)〜(a3−ii)中、R31a、及びR32aは、それぞれ独立に、水素原子;
シアノ基;
1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−OC(=O)−O−、−CN、−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;並びに
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい炭素原子数4以上18以下の芳香族基からなる群から選択される基であり、
31a、及びR32aは、互いに同一であっても異なっていてもよく、且つ互いに結合して脂環式基又は複素環式基を形成してもよく、
33aは、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−C(=O)−O−、−CN、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;並びに
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい炭素原子数4以上18以下の芳香族基からなる群から選択され、
10a及びR11aは、それぞれ、炭素原子数1以上10以下の脂肪族基であり、−C(=O)−NR10a11aにおいて、R10a及びR11aは、互いに同一であっても異なっていてもよく、且つ互いに結合して脂環式基を形成してもよい。)
で表される化合物から選択される少なくとも1種を含み、
(メタ)アクリル酸又は(メタ)アクリル酸誘導体に由来する構成単位であるアクリル構成単位を70モル%以上含む樹脂であるアクリル樹脂を含有し、
樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計に対するアクリル樹脂の割合が、70質量%以上である、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物である。 The first aspect of the present invention is used to prepare a mold for forming a plated model by embedding a metal on a substrate having a metal surface by a plating process, and an acid is irradiated by irradiation with active light or radiation. A chemically amplified positive photosensitive resin composition containing an acid generator (A) for generating an acid and a resin (B) whose solubility in an alkali is increased by the action of an acid.
The acid generator (A) has the following formula (a1-i) or the following formula (a1-ii):
Figure 2021076636
(In the formula (a1-i) and the formula (a1-ii), X 1a is an oxygen atom or a sulfur atom.
R 1a is an aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted with one or more halogen atoms;
-S-, -C (= O) -S-, -O-S (= O) 2- , -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -C ( = O) -NR 10a -, and -C (= O) -NR 10a comprises at least one moiety selected from the group consisting of R 11a, which may be substituted by one or more halogen atoms, carbon atoms Aliphatic groups of number 2 or more and 18 or less;
The following formula (a11):
Figure 2021076636
Group represented by;
The following formula (a12):
Figure 2021076636
Group represented by; and the following formula (a13):
Figure 2021076636
Selected from the group consisting of the groups represented by
In formula (a11), R 3a is a single bond, or -O-, -S-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OS (= O). 2- , -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , and- It is an aliphatic group having 1 to 20 carbon atoms and may contain at least one moiety selected from the group consisting of C (= O) -NR 10a-.
Ar is a halogen atom, an aliphatic group, a haloalkyl group, an alkoxy group, a haloalkoxy group, an alkylthio group, a dialkylamino group, an acyloxy group, an acylthio group, an acylamino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonyl group, an alkylsulfinyl group and an aryl group. , An aromatic group which may have one or more substituents selected from the group consisting of an alkylaryl group, a cyano group, and a nitro group.
In the formula (a12), R 4a and R 5a are independently aliphatic groups having 1 or more and 5 or less carbon atoms.
Y 1a is an oxygen atom,
R 6a is an aliphatic group having 1 or more and 10 or less carbon atoms.
R 7a is -O-, -S-, -C (= O) -S-, -O-S (= O) 2- , -OC (= O) -O-, -C (= O). ) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -OC (= O) -NR 10a- , and -C (= O) -NR An aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms and containing at least one moiety selected from the group consisting of 10a R 11a.
In the formula (a13), R 8a is −O−, −S−, −C (= O) −S−, −OS (= O) 2- , −OC (= O) −O−. , -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , and -OC (= O) -NR 10a- An aliphatic group having 2 to 18 carbon atoms, which may contain at least one moiety selected from the above.
Y 2a is an oxygen atom
R 9a is −O−, −S−, −C (= O) −O−, −C (= O) −S−, −OS (= O) 2-, −OC (= O). ) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -O-C (= O) -NR 10a- , And -C (= O) -NR 10a R 11a , which is an aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms and containing at least one moiety selected from the group.
R 10a and R 11a are aliphatic groups having 1 or more and 10 or less carbon atoms, respectively, and in -C (= O) -NR 10a R 11a , R 10a and R 11a are different even if they are the same as each other. And may be bonded to each other to form an alicyclic group.
R 2a is an aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms;
-O-, -S-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -O-S (= O) 2- , -O-C (= O) -O- , -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (=
O) -NR 10a -, - O -C (= O) -NR 10a -, and -C (= O) comprising at least one moiety selected from the group consisting of -NR 10a R 11a, one or more Aliphatic groups with 3 to 18 carbon atoms, which may be substituted with halogen atoms;
Halogen atom, aliphatic group, haloalkyl group, alkoxy group, haloalkoxy group, alkylthio group, dialkylamino group, acyloxy group, acylthio group, acylamino group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl An aromatic group having 4 to 18 carbon atoms, which may have one or more substituents selected from the group consisting of groups, cyano groups, and nitro groups; as well as halogen atoms, aliphatic groups, haloalkyl groups, Consists of an alkoxy group, a haloalkoxy group, an alkylthio group, a dialkylamino group, an acyloxy group, an acylthio group, an acylamino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonyl group, an alkylsulfinyl group, an aryl group, an alkylaryl group, a cyano group, and a nitro group. Selected from the group Selected from the group consisting of alkyl groups substituted with aromatic groups having 4 or more and 18 or less carbon atoms, which may have one or more substituents. )
Compound represented by:
The following formula (a2-i) or the following formula (a2-ii):
Figure 2021076636
(In formulas (a2-i) to (a2-ii), R 21a is a hydrogen atom;
Aliphatic groups with 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms; or -O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O)- O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C ( = O) -NR 10a -, - O-C (= O) -NR 10a -, and -C (= O) may contain at least one moiety selected from the group consisting of -NR 10a R 11a An aliphatic group having 2 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms.
R 22a is an aliphatic group having 2 to 18 carbon atoms which may be substituted with -CH 3 , -CH 2 F, -CHF 2 , -CF 3, or one or more halogen atoms;
-O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -OC (= O) -NR 10a- , and -C (= O) ) -NR 10a R 11a contains at least one moiety selected from the group and may be substituted with one or more halogen atoms, an aliphatic group having 2 to 18 carbon atoms;
Halogen atom, aliphatic group, haloalkyl group, alkoxy group, haloalkoxy group, alkylthio group, dialkylamino group, acyloxy group, acylthio group, acylamino group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl An aromatic group having 4 to 18 carbon atoms which may have one or more substituents selected from the group consisting of a group, a cyano group, and a nitro group; as well as a halogen atom, an aliphatic group, a haloalkyl group, and an alkoxy. Group consisting of group, haloalkoxy group, alkylthio group, dialkylamino group, acyloxy group, acylthio group, acylamino group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl group, cyano group, and nitro group. Selected from the group consisting of alkyl groups substituted with aromatic groups having 4 or more and 18 or less carbon atoms which may have one or more substituents.
However, when R 22a is −CF 3 , R 21a is a hydrogen atom;
-O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -OC (= O) -NR 10a- , and -C (= O) ) -NR 10a An aliphatic group having 2 or more and 18 or less carbon atoms, which may contain at least one moiety selected from the group consisting of R 11a and may be substituted with one or more halogen atoms;
-CH 2 CH (CH 3 ) 2 , -CH 2 CH = CH CH 3 or -CH 2 CH 2 CH = CH 2 ;
The following formula (a21):
Figure 2021076636
Group represented by; and the following formula (a22):
Figure 2021076636
A group selected from the group consisting of the groups represented by
R 10a and R 11a are aliphatic groups having 1 or more and 10 or less carbon atoms, respectively, and in -C (= O) -NR 10a R 11a , R 10a and R 11a are different even if they are the same as each other. And may be bonded to each other to form an alicyclic group.
In the formula (a21), R 23a is an aliphatic group having 4 or more and 18 or less carbon atoms.
In the formula (a22), R 24a is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or more and 10 or less carbon atoms, and na is an integer of 1 to 5. )
The compound represented by; and the following formula (a3-i) or the following formula (a3-ii):
Figure 2021076636
In formulas a3-i to (a3-ii), R 31a and R 32a are independently hydrogen atoms;
Cyano group;
Aliphatic groups with 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms;
-O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -CN,- One or more including at least one portion selected from the group consisting of C (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , and -C (= O) -NR 10a R 11a. An aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom; and a halogen atom, an aliphatic group, a haloalkyl group, an alkoxy group, a haloalkoxy group, an alkylthio group, a dialkylamino group, an acyloxy group, A carbon having one or more substituents selected from the group consisting of an acylthio group, an acylamino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonyl group, an alkylsulfinyl group, an aryl group, an alkylaryl group, a cyano group, and a nitro group. A group selected from the group consisting of aromatic groups having 4 or more and 18 or less atoms.
R 31a and R 32a may be the same or different from each other, and may be bonded to each other to form an alicyclic group or a heterocyclic group.
R 33a is an aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms;
-O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -CN , -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -OC (= O) -NR 10a- , and -C An aliphatic group having at least one moiety selected from the group consisting of (= O) -NR 10a R 11a and optionally substituted with one or more halogen atoms; Halogen atom, aliphatic group, haloalkyl group, alkoxy group, haloalkoxy group, alkylthio group, dialkylamino group, acyloxy group, acylthio group, acylamino group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl Selected from the group consisting of groups consisting of groups, cyano groups, and nitro groups, selected from the group consisting of aromatic groups having 4 or more and 18 or less carbon atoms which may have one or more substituents.
R 10a and R 11a are aliphatic groups having 1 or more and 10 or less carbon atoms, respectively, and in -C (= O) -NR 10a R 11a , R 10a and R 11a are different even if they are the same as each other. They may be bonded to each other to form an alicyclic group. )
Containing at least one selected from the compounds represented by
Contains acrylic resin, which is a resin containing 70 mol% or more of acrylic constituent units, which are constituent units derived from (meth) acrylic acid or (meth) acrylic acid derivatives.
This is a chemically amplified positive photosensitive resin composition in which the ratio of the acrylic resin to the total of the resin (B) and the resin other than the resin (B) is 70% by mass or more.

本発明の第2の態様は基材フィルムと、基材フィルムの表面に形成された感光性樹脂層とを有し、感光性樹脂層が第1の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性ドライフィルムである。 The second aspect of the present invention has a base film and a photosensitive resin layer formed on the surface of the base film, and the photosensitive resin layer is a chemically amplified positive photosensitive resin according to the first aspect. It is a photosensitive dry film composed of a composition.

本発明の第3の態様は、基材フィルム上に、第1の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を塗布して感光性樹脂層を形成することを含む、感光性ドライフィルムの製造方法である。 A third aspect of the present invention comprises applying the chemically amplified positive photosensitive resin composition according to the first aspect on a base film to form a photosensitive resin layer. It is a manufacturing method of.

本発明の第4の態様は、
基板上に、第1の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像する現像工程と、を含む、パターン化されたレジスト膜の製造方法である。
A fourth aspect of the present invention is
A laminating step of laminating a photosensitive resin layer made of the chemically amplified positive photosensitive resin composition according to the first aspect on a substrate.
An exposure process in which the photosensitive resin layer is exposed by regioselectively irradiating active light rays or radiation,
A method for producing a patterned resist film, which comprises a developing step of developing a photosensitive resin layer after exposure.

本発明の第5の態様は、
金属表面を有する基板上に、第1の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像して、めっき造形物を形成するための鋳型を作製する現像工程と、を含む、鋳型付き基板の製造方法である。
A fifth aspect of the present invention is
A laminating step of laminating a photosensitive resin layer made of the chemically amplified positive photosensitive resin composition according to the first aspect on a substrate having a metal surface.
An exposure process in which the photosensitive resin layer is exposed by regioselectively irradiating active light rays or radiation,
It is a method for manufacturing a substrate with a mold, which includes a developing step of developing a photosensitive resin layer after exposure to prepare a mold for forming a plated molded product.

本発明の第6の態様は、第5の態様にかかる方法により製造される鋳型付き基板にめっきを施して、鋳型内にめっき造形物を形成する工程を含む、めっき造形物の製造方法である。 A sixth aspect of the present invention is a method for producing a plated model, which comprises a step of plating a molded substrate produced by the method according to the fifth aspect to form a plated model in the mold. ..

本発明によれば、h線による露光に適用可能で且つめっき液耐性及びクラック耐性に優れたレジストパターンが形成しやすい化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を備える感光性ドライフィルムと、当該感光性ドライフィルムの製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いる鋳型付き基板の製造方法と、当該鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法とを提供することができる。 According to the present invention, a chemically amplified positive photosensitive resin composition that is applicable to h-line exposure and easily forms a resist pattern having excellent plating solution resistance and crack resistance, and the chemically amplified positive photosensitive resin composition. A photosensitive dry film having a photosensitive resin layer made of a resin composition, a method for producing the photosensitive dry film, and a method for producing a patterned resist film using the above-mentioned chemically amplified positive photosensitive resin composition. A method for producing a molded substrate using the above-mentioned chemically amplified positive photosensitive resin composition and a method for producing a plated molded product using the molded substrate can be provided.

≪化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物≫
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物(以下、感光性樹脂組成物とも記す。)は、金属表面を有する基板上に、めっき処理により金属を埋め込むことによりめっき造形物を形成するための鋳型を作製するために用いられる。感光性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)(以下酸発生剤(A)とも記す。)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)(以下樹脂(B)とも記す。)とを含有する。そして、本発明においては、酸発生剤(A)は、下記式(a1−i)又は下記式(a1−ii)で表される化合物、下記式(a2−i)又は下記式(a2−ii)で表される化合物、及び、下記式(a3−i)又は下記式(a3−ii)で表される化合物から選択される少なくとも1種を含む。感光性樹脂組成物は、(メタ)アクリル酸又は(メタ)アクリル酸誘導体に由来する構成単位であるアクリル構成単位を70モル%以上含む樹脂であるアクリル樹脂を含有する。樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計に対するアクリル樹脂の割合は、70質量%以上である。
<< Chemically amplified positive photosensitive resin composition >>
The chemically amplified positive photosensitive resin composition (hereinafter, also referred to as a photosensitive resin composition) is a mold for forming a plated molded product by embedding a metal on a substrate having a metal surface by a plating treatment. Used to make. The photosensitive resin composition includes an acid generator (A) that generates an acid when irradiated with active light or radiation (hereinafter, also referred to as an acid generator (A)), and a resin whose solubility in alkali is increased by the action of the acid. (B) (hereinafter, also referred to as resin (B)) is contained. In the present invention, the acid generator (A) is a compound represented by the following formula (a1-i) or the following formula (a1-ii), the following formula (a2-i) or the following formula (a2-iii). ), And at least one selected from the compounds represented by the following formula (a3-i) or the following formula (a3-ii). The photosensitive resin composition contains an acrylic resin which is a resin containing 70 mol% or more of an acrylic constituent unit which is a constituent unit derived from (meth) acrylic acid or a (meth) acrylic acid derivative. The ratio of the acrylic resin to the total of the resin (B) and the resin other than the resin (B) is 70% by mass or more.

活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)とを含む感光性樹脂組成物において、特定の酸発生剤を含有させ、樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計に対するアクリル樹脂の含有量の割合を特定範囲にすることにより、後述する実施例に示すように、感光性樹脂組成物をh線による露光に適用可能であり、感光性樹脂組成物を用いてめっき液耐性及びクラック耐性に優れたレジストパターンを形成しやすい。 In a photosensitive resin composition containing an acid generator (A) that generates an acid by irradiation with active light or radiation and a resin (B) whose solubility in an alkali is increased by the action of the acid, a specific acid generator is used. By containing the acrylic resin in a specific range and setting the ratio of the content of the acrylic resin to the total of the resin (B) and the resin other than the resin (B) in a specific range, the photosensitive resin composition is h. It can be applied to line exposure, and it is easy to form a resist pattern with excellent plating solution resistance and crack resistance by using a photosensitive resin composition.

感光性樹脂組成物は、必要に応じて、フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)、アルカリ可溶性樹脂(D)、含硫黄化合物(E)、酸拡散抑制剤(F)及び有機溶剤(S)等の成分を含んでいてもよい。 The photosensitive resin composition contains, if necessary, a phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C), an alkali-soluble resin (D), a sulfur-containing compound (E), an acid diffusion inhibitor (F), and an organic solvent (S). Etc. may be contained.

以下、感光性樹脂組成物が含む、必須又は任意の成分と、感光性樹脂組成物の製造方法とについて説明する。 Hereinafter, essential or arbitrary components contained in the photosensitive resin composition and a method for producing the photosensitive resin composition will be described.

<酸発生剤(A)>
酸発生剤(A)は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であり、光により直接又は間接的に酸を発生する化合物である。酸発生剤(A)は、下記式(a1−i)又は下記式(a1−ii)で表される化合物、下記式(a2−i)又は下記式(a2−ii)で表される化合物、及び、下記式(a3−i)又は下記式(a3−ii)で表される化合物から選択される少なくとも1種を含む。
<Acid generator (A)>
The acid generator (A) is a compound that generates an acid by irradiation with active light or radiation, and is a compound that directly or indirectly generates an acid by light. The acid generator (A) is a compound represented by the following formula (a1-i) or the following formula (a1-ii), a compound represented by the following formula (a2-i) or the following formula (a2-ii), And at least one selected from the compounds represented by the following formula (a3-i) or the following formula (a3-ii).

Figure 2021076636
(式(a1−i)及び式(a1−ii)中、X1aは酸素原子又は硫黄原子であり、
1aは、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;
−S−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基;
下記式(a11):
Figure 2021076636
で表される基;
下記式(a12):
Figure 2021076636
で表される基;並びに
下記式(a13):
Figure 2021076636
で表される基からなる群から選択され、
式(a11)中、R3aは、単結合、又は−O−、−S−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a−からなる群から選択される少なくとも1つの部分を含んでいてもよい、炭素原子数1以上20以下の脂肪族基であり、
Arは、ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい芳香族基であり、
式(a12)中、R4a、及びR5aは、それぞれ独立に、炭素原子数1以上5以下の脂肪族基であり、
1aは、酸素原子であり、
6aは、炭素原子数1以上10以下の脂肪族基であり、
7aは、−O−、−S−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含む、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基であり、
式(a13)中、R8aは、−O−、−S−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、及び−O−C(=O)−NR10a−からなる群から選択される少なくとも1つの部分を含んでいてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基であり、
2aは、酸素原子であり、
9aは、−O−、−S−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含む、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基であり、
10a及びR11aは、それぞれ、炭素原子数1以上10以下の脂肪族基であり、−C(=O)−NR10a11aにおいて、R10a及びR11aは、互いに同一であっても異なっていてもよく、且つ互いに結合して脂環式基を形成してもよく、
2aは、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;
−O−、−S−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=
O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数3以上18以下の脂肪族基;
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい、炭素原子数4以上18以下の芳香族基;並びに
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい、炭素原子数4以上18以下の芳香族基で置換されたアルキル基からなる群から選択される。)
Figure 2021076636
(In the formula (a1-i) and the formula (a1-ii), X 1a is an oxygen atom or a sulfur atom.
R 1a is an aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted with one or more halogen atoms;
-S-, -C (= O) -S-, -O-S (= O) 2- , -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -C ( = O) -NR 10a -, and -C (= O) -NR 10a comprises at least one moiety selected from the group consisting of R 11a, which may be substituted by one or more halogen atoms, carbon atoms Aliphatic groups of number 2 or more and 18 or less;
The following formula (a11):
Figure 2021076636
Group represented by;
The following formula (a12):
Figure 2021076636
Group represented by; and the following formula (a13):
Figure 2021076636
Selected from the group consisting of the groups represented by
In formula (a11), R 3a is a single bond, or -O-, -S-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OS (= O). 2- , -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , and- It is an aliphatic group having 1 to 20 carbon atoms and may contain at least one moiety selected from the group consisting of C (= O) -NR 10a-.
Ar is a halogen atom, an aliphatic group, a haloalkyl group, an alkoxy group, a haloalkoxy group, an alkylthio group, a dialkylamino group, an acyloxy group, an acylthio group, an acylamino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonyl group, an alkylsulfinyl group and an aryl group. , An aromatic group which may have one or more substituents selected from the group consisting of an alkylaryl group, a cyano group, and a nitro group.
In the formula (a12), R 4a and R 5a are independently aliphatic groups having 1 or more and 5 or less carbon atoms.
Y 1a is an oxygen atom,
R 6a is an aliphatic group having 1 or more and 10 or less carbon atoms.
R 7a is -O-, -S-, -C (= O) -S-, -O-S (= O) 2- , -OC (= O) -O-, -C (= O). ) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -OC (= O) -NR 10a- , and -C (= O) -NR An aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms and containing at least one moiety selected from the group consisting of 10a R 11a.
In the formula (a13), R 8a is −O−, −S−, −C (= O) −S−, −OS (= O) 2- , −OC (= O) −O−. , -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , and -OC (= O) -NR 10a- An aliphatic group having 2 to 18 carbon atoms, which may contain at least one moiety selected from the above.
Y 2a is an oxygen atom
R 9a is −O−, −S−, −C (= O) −O−, −C (= O) −S−, −OS (= O) 2-, −OC (= O). ) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -O-C (= O) -NR 10a- , And -C (= O) -NR 10a R 11a , which is an aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms and containing at least one moiety selected from the group.
R 10a and R 11a are aliphatic groups having 1 or more and 10 or less carbon atoms, respectively, and in -C (= O) -NR 10a R 11a , R 10a and R 11a are different even if they are the same as each other. And may be bonded to each other to form an alicyclic group.
R 2a is an aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms;
-O-, -S-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -O-S (= O) 2- , -O-C (= O) -O- , -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (=
O) -NR 10a -, - O -C (= O) -NR 10a -, and -C (= O) comprising at least one moiety selected from the group consisting of -NR 10a R 11a, one or more Aliphatic groups with 3 to 18 carbon atoms, which may be substituted with halogen atoms;
Halogen atom, aliphatic group, haloalkyl group, alkoxy group, haloalkoxy group, alkylthio group, dialkylamino group, acyloxy group, acylthio group, acylamino group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl An aromatic group having 4 to 18 carbon atoms, which may have one or more substituents selected from the group consisting of groups, cyano groups, and nitro groups; as well as halogen atoms, aliphatic groups, haloalkyl groups, Consists of an alkoxy group, a haloalkoxy group, an alkylthio group, a dialkylamino group, an acyloxy group, an acylthio group, an acylamino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonyl group, an alkylsulfinyl group, an aryl group, an alkylaryl group, a cyano group, and a nitro group. Selected from the group Selected from the group consisting of alkyl groups substituted with aromatic groups having 4 or more and 18 or less carbon atoms, which may have one or more substituents. )

Figure 2021076636
(式(a2−i)〜(a2−ii)中、R21aは、水素原子;
1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;又は
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含んでいてもよく、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基であり、
22aは、−CH、−CHF、−CHF、−CF、又は1つ以上のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数2以上18以下の脂肪族基;
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基;
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい炭素原子数4以上18以下の芳香族基;並びに
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい炭素原子数4以上18以下の芳香族基で置換されたアルキル基からなる群から選択され、
ただし、R22aが−CFである場合、R21aは水素原子;
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含んでいてもよく、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基;
−CHCH(CH、−CHCH=CHCH又は−CHCHCH=CH
下記式(a21):
Figure 2021076636
で表される基;並びに
下記式(a22):
Figure 2021076636
で表される基からなる群から選択される基であり、
10a及びR11aは、それぞれ、炭素原子数1以上10以下の脂肪族基であり、−C(=O)−NR10a11aにおいて、R10a及びR11aは、互いに同一であっても異なっていてもよく、且つ互いに結合して脂環式基を形成してもよく、
式(a21)中、R23aは炭素原子数4以上18以下の脂肪族基であり、
式(a22)中、R24aは水素原子、又は炭素原子数1以上10以下のアルキル基であり、naは1〜5の整数である。)
Figure 2021076636
(In formulas (a2-i) to (a2-ii), R 21a is a hydrogen atom;
Aliphatic groups with 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms; or -O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O)- O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C ( = O) -NR 10a -, - O-C (= O) -NR 10a -, and -C (= O) may contain at least one moiety selected from the group consisting of -NR 10a R 11a An aliphatic group having 2 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms.
R 22a is an aliphatic group having 2 to 18 carbon atoms which may be substituted with -CH 3 , -CH 2 F, -CHF 2 , -CF 3, or one or more halogen atoms;
-O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -OC (= O) -NR 10a- , and -C (= O) ) -NR 10a R 11a contains at least one moiety selected from the group and may be substituted with one or more halogen atoms, an aliphatic group having 2 to 18 carbon atoms;
Halogen atom, aliphatic group, haloalkyl group, alkoxy group, haloalkoxy group, alkylthio group, dialkylamino group, acyloxy group, acylthio group, acylamino group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl An aromatic group having 4 to 18 carbon atoms which may have one or more substituents selected from the group consisting of a group, a cyano group, and a nitro group; as well as a halogen atom, an aliphatic group, a haloalkyl group, and an alkoxy. Group consisting of group, haloalkoxy group, alkylthio group, dialkylamino group, acyloxy group, acylthio group, acylamino group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl group, cyano group, and nitro group. Selected from the group consisting of alkyl groups substituted with aromatic groups having 4 or more and 18 or less carbon atoms which may have one or more substituents.
However, when R 22a is −CF 3 , R 21a is a hydrogen atom;
-O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -OC (= O) -NR 10a- , and -C (= O) ) -NR 10a An aliphatic group having 2 or more and 18 or less carbon atoms, which may contain at least one moiety selected from the group consisting of R 11a and may be substituted with one or more halogen atoms;
-CH 2 CH (CH 3 ) 2 , -CH 2 CH = CH CH 3 or -CH 2 CH 2 CH = CH 2 ;
The following formula (a21):
Figure 2021076636
Group represented by; and the following formula (a22):
Figure 2021076636
A group selected from the group consisting of the groups represented by
R 10a and R 11a are aliphatic groups having 1 or more and 10 or less carbon atoms, respectively, and in -C (= O) -NR 10a R 11a , R 10a and R 11a are different even if they are the same as each other. And may be bonded to each other to form an alicyclic group.
In the formula (a21), R 23a is an aliphatic group having 4 or more and 18 or less carbon atoms.
In the formula (a22), R 24a is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or more and 10 or less carbon atoms, and na is an integer of 1 to 5. )

Figure 2021076636
(式a3−i)〜(a3−ii)中、R31a、及びR32aは、それぞれ独立に、水素原子;
シアノ基;
1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−OC(=O)−O−、−CN、−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;並びに
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい炭素原子数4以上18以下の芳香族基からなる群から選択される基であり、
31a、及びR32aは、互いに同一であっても異なっていてもよく、且つ互いに結合して脂環式基又は複素環式基を形成してもよく、
33aは、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−C(=O)−O−、−CN、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;並びに
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい炭素原子数4以上18以下の芳香族基からなる群から選択され、
10a及びR11aは、それぞれ、炭素原子数1以上10以下の脂肪族基であり、−C(=O)−NR10a11aにおいて、R10a及びR11aは、互いに同一であっても異なっていてもよく、且つ互いに結合して脂環式基を形成してもよい。)
Figure 2021076636
In formulas a3-i to (a3-ii), R 31a and R 32a are independently hydrogen atoms;
Cyano group;
Aliphatic groups with 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms;
-O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -CN,- One or more including at least one portion selected from the group consisting of C (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , and -C (= O) -NR 10a R 11a. An aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom; and a halogen atom, an aliphatic group, a haloalkyl group, an alkoxy group, a haloalkoxy group, an alkylthio group, a dialkylamino group, an acyloxy group, A carbon having one or more substituents selected from the group consisting of an acylthio group, an acylamino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonyl group, an alkylsulfinyl group, an aryl group, an alkylaryl group, a cyano group, and a nitro group. A group selected from the group consisting of aromatic groups having 4 or more and 18 or less atoms.
R 31a and R 32a may be the same or different from each other, and may be bonded to each other to form an alicyclic group or a heterocyclic group.
R 33a is an aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms;
-O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -CN , -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -OC (= O) -NR 10a- , and -C An aliphatic group having at least one moiety selected from the group consisting of (= O) -NR 10a R 11a and optionally substituted with one or more halogen atoms; Halogen atom, aliphatic group, haloalkyl group, alkoxy group, haloalkoxy group, alkylthio group, dialkylamino group, acyloxy group, acylthio group, acylamino group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl Selected from the group consisting of groups consisting of groups, cyano groups, and nitro groups, selected from the group consisting of aromatic groups having 4 or more and 18 or less carbon atoms which may have one or more substituents.
R 10a and R 11a are aliphatic groups having 1 or more and 10 or less carbon atoms, respectively, and in -C (= O) -NR 10a R 11a , R 10a and R 11a are different even if they are the same as each other. They may be bonded to each other to form an alicyclic group. )

式(a1−i)、式(a1−ii)、式(a2−i)、式(a2−ii)、式(a3−i)、式(a3−ii)、式(a11)〜(a13)、式(a21)、式(a22)における脂肪族基は、それぞれ、鎖状であって、環状であっても、鎖状構造と環状構造とを含んでいてもよい。また脂肪族基は、ヘテロ原子を含んでいてもよく、窒素原子や硫黄原子等のヘテロ原子を含む鎖状の脂肪族基でも、複素環式の脂肪族基でもよい。
鎖状の脂肪族基は、直鎖状であっても、分岐状であってもよい。鎖状の脂肪族基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基が挙げられる。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基等の直鎖状のアルキル基や、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、イソヘキシル基、2−エチルヘキシル基、及び1,1,3,3−テトラメチルブチル基等の分岐状のアルキル基が挙げられる。アルケニル基としては、3−ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基等が挙げられる。アルキニル基としては、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、ノニニル基、デシニル基等が挙げられる。アルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基において、これらの基に結合する水素原子は、1以上の置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、オキソアルコキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、ニトロ基、アリール基、ハロゲン原子で置換されたアルキル基が挙げられる。
環状の脂肪族基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、アダマンチル基、ノルボリニル基、キュビル(cubyl)基、オクタヒドロ−インデニル基、デカヒドロ−ナフチル基、ビシクロ[3.2.1]オクチル基、ビシクロ[2.2.2]オクチル基、ビシクロ[3.3.1]ノニル基、ビシクロ[3.3.2]デシル基、ビシクロ[2.2.2]オクチル基、アザシクロアルキル基、((アミノカルボニル)シクロアルキル)シクロアルキル基等のシクロアルキル基が挙げられる。
Formula (a1-i), formula (a1-ii), formula (a2-i), formula (a2-ii), formula (a3-i), formula (a3-ii), formulas (a11) to (a13) , The aliphatic groups in the formulas (a21) and (a22) are chain-like and may be cyclic, or may include a chain-like structure and a cyclic structure, respectively. Further, the aliphatic group may contain a hetero atom, and may be a chain aliphatic group containing a hetero atom such as a nitrogen atom or a sulfur atom, or a heterocyclic aliphatic group.
The chain-like aliphatic group may be linear or branched. Examples of the chain aliphatic group include an alkyl group, an alkenyl group, and an alkynyl group. The alkyl group includes methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group and n-undecyl group. , N-Dodecyl group and other linear alkyl groups, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, isohexyl group, 2-ethylhexyl group, And branched alkyl groups such as 1,1,3,3-tetramethylbutyl group. Examples of the alkenyl group include a 3-butenyl group, a pentenyl group, a hexenyl group, a heptenyl group, an octenyl group, a nonenyl group, a decenyl group and the like. Examples of the alkynyl group include a pentynyl group, a hexynyl group, a heptynyl group, an octynyl group, a noninyl group, a decynyl group and the like. In the alkyl group, alkenyl group, and alkynyl group, the hydrogen atom bonded to these groups may be substituted with one or more substituents. Examples of the substituent include a halogen atom, a cyano group, an oxoalkoxy group, a hydroxy group, an amino group, a nitro group, an aryl group, and an alkyl group substituted with a halogen atom.
Cyclic aliphatic groups include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, adamantyl group, norbolinyl group, cubyl group, octahydro-indenyl group, decahydro-naphthyl group and bicyclo [3]. .2.1] Octyl group, bicyclo [2.2.2] octyl group, bicyclo [3.3.1] nonyl group, bicyclo [3.3.2] decyl group, bicyclo [2.2.2] octyl Examples thereof include a cycloalkyl group such as a group, an azacycloalkyl group, and a ((aminocarbonyl) cycloalkyl) cycloalkyl group.

上記式における芳香族基は、それぞれ、芳香族炭化水素基でも、窒素原子、酸素原子や硫黄原子等のヘテロ原子を含む芳香族複素環基でもよい。
芳香族炭化水素基としては、単環式の基(フェニル基等)、二環式の基(ナフチル基、ビフェニル基等)、三環式の基(フルオレニル基等)等のアリール基や、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基が挙げられる。
芳香族複素環基としては、フリル基、チエニル基等のヘテロアリール基が挙げられる。
これら芳香族炭化水素基や芳香族複素環基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。アルキル基については、上記と同様である。
The aromatic group in the above formula may be an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group containing a heteroatom such as a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, respectively.
Aromatic hydrocarbon groups include aryl groups such as monocyclic groups (phenyl groups, etc.), bicyclic groups (naphthyl groups, biphenyl groups, etc.), tricyclic groups (fluorenyl groups, etc.), and benzyls. Examples thereof include an aralkyl group such as a group and a phenethyl group.
Examples of the aromatic heterocyclic group include heteroaryl groups such as a frill group and a thienyl group.
These aromatic hydrocarbon groups and aromatic heterocyclic groups may have an alkyl group as a substituent. The same applies to the alkyl group as described above.

上記では、脂肪族基や芳香族基として、1価の基の場合を例示したが、2価の基の場合は上記1価の基から水素原子を1個除いた基である。 In the above, the case of a monovalent group is illustrated as an aliphatic group or an aromatic group, but in the case of a divalent group, it is a group obtained by removing one hydrogen atom from the above monovalent group.

上記式におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。 Examples of the halogen atom in the above formula include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like.

上記式における、アルコキシ基(アルキル基−O−)、アルキルチオ基(アルキル基−S−)、ジアルキルアミノ基((アルキル基)N−)、アシルオキシ基(アルキル基−カルボニル基−O−)、アシルチオ基(アルキル基−カルボニル基−S−)、アシルアミノ基(アルキル基−カルボニル基−NH−)、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基の、アルキル基やアリール基については、上記と同様である。
上記式におけるハロアルキル基は、1個以上置換最大可能数以下のハロゲン原子で置換されたアルキル基である。アルキル基やハロゲン原子については、上記と同様である。
上記式におけるハロアルコキシ基は、1個以上置換最大可能数以下のハロゲン原子で置換されたアルコキシ基である。アルキル基やハロゲン原子については、上記と同様である。
In the above formula, an alkoxy group (-O- alkyl group), an alkylthio group (the alkyl group -S-), dialkylamino group ((alkyl) 2 N-), an acyloxy group (an alkyl group - -O- group), Alkyl thio group (alkyl group-carbonyl group-S-), acyl amino group (alkyl group-carbonyl group-NH-), alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl group, alkyl group and aryl The group is the same as above.
The haloalkyl group in the above formula is an alkyl group substituted with one or more halogen atoms having a maximum possible number of substitutions or less. The same applies to the alkyl group and halogen atom.
The haloalkoxy group in the above formula is an alkoxy group substituted with one or more halogen atoms having a maximum possible number of substitutions or less. The same applies to the alkyl group and halogen atom.

式(a1−i)又は下記式(a1−ii)で表される化合物の具体例としては、例えば、下記構造が挙げられる。

Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Specific examples of the compound represented by the formula (a1-i) or the following formula (a1-ii) include the following structures.
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636

式(a1−i)又は式(a1−ii)で表される化合物は、X1aが硫黄原子であり、R1aが炭素原子数1以上3以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、R2aが1つ以上のフッ素原子によって置換されている炭素原子数1以上18以下の鎖状の脂肪族基であることが好ましい。 In the compound represented by the formula (a1-i) or the formula (a1-ii), X 1a is a sulfur atom and R 1a is a linear or branched alkyl group having 1 or more and 3 or less carbon atoms. , R 2a is preferably a chain aliphatic group having 1 or more and 18 or less carbon atoms substituted with one or more fluorine atoms.

式(a2−i)又は式(a2−ii)で表される化合物の具体例としては、例えば、下記構造が挙げられる。

Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Specific examples of the compound represented by the formula (a2-i) or the formula (a2-ii) include the following structures.
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636

式(a2−i)又は式(a2−ii)で表される化合物は、R21aが炭素原子数1以上18以下の鎖状の脂肪族基であり、R22aが1つ以上のフッ素原子によって置換されている炭素原子数1以上18以下の鎖状の脂肪族基であることが好ましい。 In the compound represented by the formula (a2-i) or the formula (a2-ii), R 21a is a chain aliphatic group having 1 or more carbon atoms and 18 or less carbon atoms, and R 22a is composed of one or more fluorine atoms. It is preferably a chain aliphatic group having 1 or more and 18 or less carbon atoms substituted.

式(a3−i)又は式(a3−ii)で表される化合物の具体例としては、例えば、下記構造が挙げられる。

Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Specific examples of the compound represented by the formula (a3-i) or the formula (a3-ii) include the following structures.
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636

式(a3−i)又は式(a3−ii)で表される化合物は、R31aが水素原子であり、R32aが炭素原子数1以上18以下の鎖状の脂肪族基であり、R33aが1つ以上のフッ素原子によって置換されている炭素原子数1以上18以下の鎖状の脂肪族基であることが好ましい。 In the compound represented by the formula (a3-i) or the formula (a3-ii), R 31a is a hydrogen atom, R 32a is a chain aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms, and R 33a. Is preferably a chain aliphatic group having 1 or more and 18 or less carbon atoms substituted with one or more fluorine atoms.

式(a1−i)又は式(a1−ii)で表される化合物、式(a2−i)又は式(a2−ii)で表される化合物や、式(a3−i)又は式(a3−ii)で表される化合物の製造方法は特に限定されず、例えば、特許文献3〜5に記載の製造方法で製造することができる。 A compound represented by the formula (a1-i) or the formula (a1-ii), a compound represented by the formula (a2-i) or the formula (a2-ii), or the formula (a3-i) or the formula (a3-i). The method for producing the compound represented by ii) is not particularly limited, and for example, it can be produced by the production method described in Patent Documents 3 to 5.

酸発生剤(A)は、上記式(a1−i)又は式(a1−ii)で表される化合物、式(a2−i)又は式(a2−ii)で表される化合物、及び、式(a3−i)又は式(a3−ii)で表される化合物以外のその他の酸発生剤(以下、その他の酸発生剤とも記す。)を含んでいてもよい。該その他の酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であり、光により直接又は間接的に酸を発生する化合物である。酸発生剤(A)が含んでいてもよいその他の酸発生剤としては、以下に説明する、第一〜第五の態様の酸発生剤が好ましい。 The acid generator (A) is a compound represented by the above formula (a1-i) or formula (a1-ii), a compound represented by the formula (a2-i) or formula (a2-ii), and a formula. It may contain other acid generators (hereinafter, also referred to as other acid generators) other than the compound represented by (a3-i) or the formula (a3-ii). The other acid generator is a compound that generates an acid by irradiation with active light or radiation, and is a compound that directly or indirectly generates an acid by light. As the other acid generator that may be contained in the acid generator (A), the acid generators of the first to fifth aspects described below are preferable.

酸発生剤(A)におけるその他の酸発生剤の第一の態様としては、下記式(a101)で表される化合物が挙げられる。 As a first aspect of the other acid generator in the acid generator (A), a compound represented by the following formula (a101) can be mentioned.

Figure 2021076636
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上記式(a101)中、X101aは、原子価gの硫黄原子又はヨウ素原子を表し、gは1又は2である。hは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。R101aは、X101aに結合している有機基であり、炭素原子数6以上30以下のアリール基、炭素原子数4以上30以下の複素環基、炭素原子数1以上30以下のアルキル基、炭素原子数2以上30以下のアルケニル基、又は炭素原子数2以上30以下のアルキニル基を表し、R101aは、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールチオカルボニル、アシロキシ、アリールチオ、アルキルチオ、アリール、複素環、アリールオキシ、アルキルスルフィニル、アリールスルフィニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アルキレンオキシ、アミノ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。R101aの個数はg+h(g−1)+1であり、R101aはそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよい。また、2個以上のR101aが互いに直接、又は−O−、−S−、−SO−、−SO−、−NH−、−NR102a−、−CO−、−COO−、−CONH−、炭素原子数1以上3以下のアルキレン基、若しくはフェニレン基を介して結合し、X101aを含む環構造を形成してもよい。R102aは炭素原子数1以下5以上のアルキル基又は炭素原子数6以下10以上のアリール基である。 In the above formula (a101), X 101a represents a sulfur atom or an iodine atom having a valence of g, and g is 1 or 2. h represents the number of repeating units of the structure in parentheses. R 101a is an organic group bonded to X 101a , and is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heterocyclic group having 4 to 30 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, and the like. Represents an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms or an alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms, and R 101a represents alkyl, hydroxy, alkoxy, alkylcarbonyl, arylcarbonyl, alkoxycarbonyl, aryloxycarbonyl, arylthio. At least one selected from the group consisting of carbonyl, acyloxy, arylthio, alkylthio, aryl, heterocycle, aryloxy, alkylsulfinyl, arylsulfinyl, alkylsulfonyl, arylsulfonyl, alkyleneoxy, amino, cyano, nitro groups, and halogens. It may be replaced with a seed. The number of R 101a is g + h (g-1) + 1, and the R 101a may be the same or different from each other. Also, directly with each other two or more R 101a, or -O -, - S -, - SO -, - SO 2 -, - NH -, - NR 102a -, - CO -, - COO -, - CONH- , An alkylene group having 1 or more and 3 or less carbon atoms or a phenylene group may be bonded to form a ring structure containing X 101a. R 102a is an alkyl group having 1 or less carbon atoms and 5 or more carbon atoms or an aryl group having 6 or less carbon atoms and 10 or more carbon atoms.

102aは下記式(a102)で表される構造である。 X 102a has a structure represented by the following formula (a102).

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(a102)中、X104aは炭素原子数1以上8以下のアルキレン基、炭素原子数6以上20以下のアリーレン基、又は炭素原子数8以上20以下の複素環化合物の2価の基を表し、X104aは炭素原子数1以上8以下のアルキル、炭素原子数1以上8以下のアルコキシ、炭素原子数6以上10以下のアリール、ヒドロキシ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。X105aは−O−、−S−、−SO−、−SO−、−NH−、−NR102a−、−CO−、−COO−、−CONH−、炭素原子数1以上3以下のアルキレン基、又はフェニレン基を表す。hは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。h+1個のX104a及びh個のX105aはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。R102aは前述の定義と同じである。 In the above formula (a102), X 104a contains an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a divalent group of a heterocyclic compound having 8 to 20 carbon atoms. Represented, X 104a is composed of a group consisting of an alkyl having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy having 1 to 8 carbon atoms, an aryl, hydroxy, cyano, and nitro groups having 6 to 10 carbon atoms, and a halogen. It may be replaced with at least one selected. X 105a is -O -, - S -, - SO -, - SO 2 -, - NH -, - NR 102a -, - CO -, - COO -, - CONH-, carbon atom number of 1 to 3 alkylene Represents a group or a phenylene group. h represents the number of repeating units of the structure in parentheses. The h + 1 X 104a and the h X 105a may be the same or different, respectively. R 102a is the same as the above definition.

103a−はオニウムの対イオンであり、下記式(a117)で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオン又は下記式(a118)で表されるボレートアニオンが挙げられる。 X 103a- is a counterion of onium, and examples thereof include a fluorinated alkylfluorophosphate anion represented by the following formula (a117) and a borate anion represented by the following formula (a118).

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(a117)中、R103aは水素原子の80%以上がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。jはその個数を示し、1以上5以下の整数である。j個のR103aはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。 In the above formula (a117), R 103a represents an alkyl group in which 80% or more of hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. j indicates the number thereof, and is an integer of 1 or more and 5 or less. The j R 103a may be the same or different.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(a118)中、R104a〜R107aは、それぞれ独立にフッ素原子又はフェニル基を表し、該フェニル基の水素原子の一部又は全部は、フッ素原子及びトリフルオロメチル基からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。 In the above formula (a118), R 104a to R 107a independently represent a fluorine atom or a phenyl group, and a part or all of the hydrogen atoms of the phenyl group are selected from the group consisting of a fluorine atom and a trifluoromethyl group. It may be replaced with at least one of these.

上記式(a101)で表される化合物中のオニウムイオンとしては、トリフェニルスルホニウム、トリ−p−トリルスルホニウム、4−(フェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、ビス[4−(ジフェニルスルホニオ)フェニル]スルフィド、ビス〔4−{ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]スルホニオ}フェニル〕スルフィド、ビス{4−[ビス(4−フルオロフェニル)スルホニオ]フェニル}スルフィド、4−(4−ベンゾイル−2−クロロフェニルチオ)フェニルビス(4−フルオロフェニル)スルホニウム、7−イソプロピル−9−オキソ−10−チア−9,10−ジヒドロアントラセン−2−イルジ−p−トリルスルホニウム、7−イソプロピル−9−オキソ−10−チア−9,10−ジヒドロアントラセン−2−イルジフェニルスルホニウム、2−[(ジフェニル)スルホニオ]チオキサントン、4−[4−(4−tert−ブチルベンゾイル)フェニルチオ]フェニルジ−p−トリルスルホニウム、4−(4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、ジフェニルフェナシルスルホニウム、4−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、2−ナフチルメチル(1−エトキシカルボニル)エチルスルホニウム、4−ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、フェニル[4−(4−ビフェニルチオ)フェニル]4−ビフェニルスルホニウム、フェニル[4−(4−ビフェニルチオ)フェニル]3−ビフェニルスルホニウム、[4−(4−アセトフェニルチオ)フェニル]ジフェニルスルホニウム、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウム、ジフェニルヨードニウム、ジ−p−トリルヨードニウム、ビス(4−ドデシルフェニル)ヨードニウム、ビス(4−メトキシフェニル)ヨードニウム、(4−オクチルオキシフェニル)フェニルヨードニウム、ビス(4−デシルオキシ)フェニルヨードニウム、4−(2−ヒドロキシテトラデシルオキシ)フェニルフェニルヨードニウム、4−イソプロピルフェニル(p−トリル)ヨードニウム、又は4−イソブチルフェニル(p−トリル)ヨードニウム、等が挙げられる。 Examples of the onium ion in the compound represented by the above formula (a101) include triphenylsulfonium, tri-p-tolylsulfonium, 4- (phenylthio) phenyldiphenylsulfonium, and bis [4- (diphenylsulfonio) phenyl] sulfide. Bis [4- {bis [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] sulfonio} phenyl] sulfide, bis {4- [bis (4-fluorophenyl) sulfonio] phenyl} sulfide, 4- (4-benzoyl-2-) Chlorophenylthio) phenylbis (4-fluorophenyl) sulfonium, 7-isopropyl-9-oxo-10-thia-9,10-dihydroanthracene-2-yldi-p-tolylsulfonium, 7-isopropyl-9-oxo-10 −Thia-9,10-dihydroanthracene-2-yldiphenylsulfonium, 2-[(diphenyl) sulfonio] thioxanthone, 4- [4- (4-tert-butylbenzoyl) phenylthio] phenyldi-p-tolylsulfonium, 4- (4-Benzoylphenylthio) phenyldiphenylsulfonium, diphenylphenylsulfonium, 4-hydroxyphenylmethylbenzylsulfonium, 2-naphthylmethyl (1-ethoxycarbonyl) ethylsulfonium, 4-hydroxyphenylmethylphenacylsulfonium, phenyl [4- (4-Biphenylthio) phenyl] 4-biphenylsulfonium, phenyl [4- (4-biphenylthio) phenyl] 3-biphenylsulfonium, [4- (4-acetophenylthio) phenyl] diphenylsulfonium, octadecylmethylphenacylsulfonium , Diphenyliodonium, di-p-tolyliodonium, bis (4-dodecylphenyl) iodonium, bis (4-methoxyphenyl) iodonium, (4-octyloxyphenyl) phenyliodonium, bis (4-decyloxy) phenyliodonium, 4- Examples thereof include (2-hydroxytetradecyloxy) phenylphenyl iodonium, 4-isopropylphenyl (p-tolyl) iodonium, 4-isobutylphenyl (p-tolyl) iodonium, and the like.

上記式(a101)で表される化合物中のオニウムイオンのうち、好ましいオニウムイオンとしては下記式(a119)で表されるスルホニウムイオンが挙げられる。 Among the onium ions in the compound represented by the above formula (a101), preferable onium ions include sulfonium ions represented by the following formula (a119).

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(a119)中、R108aはそれぞれ独立に水素原子、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルオキシカルボニル、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアリール、アリールカルボニル、からなる群より選ばれる基を表す。X102aは、上記式(a101)中のX102aと同じ意味を表す。 In the above formula (a119), R 108a is independently composed of a hydrogen atom, an alkyl, a hydroxy, an alkoxy, an alkylcarbonyl, an alkylcarbonyloxy, an alkyloxycarbonyl, a halogen atom, and an aryl, an arylcarbonyl, which may have a substituent. Represents a group selected from the group. X 102a represents the same meaning as X 102a in the formula (a101).

上記式(a119)で表されるスルホニウムイオンの具体例としては、4−(フェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、4−(4−ベンゾイル−2−クロロフェニルチオ)フェニルビス(4−フルオロフェニル)スルホニウム、4−(4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、フェニル[4−(4−ビフェニルチオ)フェニル]4−ビフェニルスルホニウム、フェニル[4−(4−ビフェニルチオ)フェニル]3−ビフェニルスルホニウム、[4−(4−アセトフェニルチオ)フェニル]ジフェニルスルホニウム、ジフェニル[4−(p−ターフェニルチオ)フェニル]ジフェニルスルホニウムが挙げられる。 Specific examples of the sulfonium ion represented by the above formula (a119) include 4- (phenylthio) phenyldiphenylsulfonium, 4- (4-benzoyl-2-chlorophenylthio) phenylbis (4-fluorophenyl) sulfonium, 4-. (4-Benzoylphenylthio) phenyldiphenylsulfonium, phenyl [4- (4-biphenylthio) phenyl] 4-biphenylsulfonium, phenyl [4- (4-biphenylthio) phenyl] 3-biphenylsulfonium, [4- (4) Examples thereof include −acetophenylthio) phenyl] diphenylsulfonium and diphenyl [4- (p-terphenylthio) phenyl] diphenylsulfonium.

上記式(a117)で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンにおいて、R103aはフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、好ましい炭素原子数は1以上8以下、さらに好ましい炭素原子数は1以上4以下である。アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、オクチル等の直鎖アルキル基;イソプロピル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル等の分岐アルキル基;さらにシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基等が挙げられ、アルキル基の水素原子がフッ素原子に置換された割合は、通常、80%以上、好ましくは90%以上、さらに好ましくは100%である。フッ素原子の置換率が80%未満である場合には、上記式(a101)で表されるオニウムフッ素化アルキルフルオロリン酸塩の酸強度が低下する。 In the fluorinated alkylfluorophosphate anion represented by the above formula (a117), R 103a represents an alkyl group substituted with a fluorine atom, and the preferable number of carbon atoms is 1 or more and 8 or less, and the more preferable number of carbon atoms is 1 or more. It is 4 or less. Specific examples of the alkyl group include linear alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl and octyl; branched alkyl groups such as isopropyl, isobutyl, sec-butyl and tert-butyl; and further cyclopropyl, cyclobutyl and cyclopentyl. , Cycloalkyl group such as cyclohexyl, and the like, and the ratio of hydrogen atom of alkyl group substituted with fluorine atom is usually 80% or more, preferably 90% or more, more preferably 100%. When the substitution rate of the fluorine atom is less than 80%, the acid strength of the onium fluorinated alkylfluorophosphate represented by the above formula (a101) decreases.

特に好ましいR103aは、炭素原子数が1以上4以下、且つフッ素原子の置換率が100%の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基であり、具体例としては、CF、CFCF、(CFCF、CFCFCF、CFCFCFCF、(CFCFCF、CFCF(CF)CF、(CFCが挙げられる。R103aの個数jは、1以上5以下の整数であり、好ましくは2以上4以下、特に好ましくは2又は3である。 Particularly preferable R 103a is a linear or branched perfluoroalkyl group having 1 or more and 4 or less carbon atoms and a fluorine atom substitution rate of 100%. Specific examples thereof include CF 3 and CF 3 CF. 2, (CF 3) 2 CF , CF 3 CF 2 CF 2, CF 3 CF 2 CF 2 CF 2, (CF 3) 2 CFCF 2, CF 3 CF 2 (CF 3) CF, is (CF 3) 3 C Can be mentioned. The number j of R 103a is an integer of 1 or more and 5 or less, preferably 2 or more and 4 or less, and particularly preferably 2 or 3.

好ましいフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンの具体例としては、[(CFCFPF、[(CFCFPF、[((CFCF)PF、[((CFCF)PF、[(CFCFCFPF、[(CFCFCFPF、[((CFCFCFPF、[((CFCFCFPF、[(CFCFCFCFPF、又は[(CFCFCFPFが挙げられ、これらのうち、[(CFCFPF、[(CFCFCFPF、[((CFCF)PF、[((CFCF)PF、[((CFCFCFPF、又は[((CFCFCFPFが特に好ましい。 Specific examples of preferred fluorinated alkylfluorophosphate anions include [(CF 3 CF 2 ) 2 PF 4 ] , [(CF 3 CF 2 ) 3 PF 3 ] , [((CF 3 ) 2 CF) 2 PF 4 ] - , [((CF 3 ) 2 CF) 3 PF 3 ] - , [(CF 3 CF 2 CF 2 ) 2 PF 4 ] - , [(CF 3 CF 2 CF 2 ) 3 PF 3 ] - , [((CF 3 ) 2 CFCF 2 ) 2 PF 4 ] , [((CF 3 ) 2 CFCF 2 ) 3 PF 3 ] , [(CF 3 CF 2 CF 2 CF 2 ) 2 PF 4 ] , or [(CF 3 CF 2 CF 2 ) 3 PF 3 ] - , among these, [(CF 3 CF 2 ) 3 PF 3 ] - , [(CF 3 CF 2 CF 2 ) 3 PF 3 ] - , [((CF 3 ) 2 CF) 3 PF 3 ] , [((CF 3 ) 2 CF) 2 PF 4 ] , [((CF 3 ) 2 CFCF 2 ) 3 PF 3 ] , or [((CF 3) 2 CF) CF 3 ) 2 CFCF 2 ) 2 PF 4 ] is particularly preferable.

上記式(a118)で表されるボレートアニオンの好ましい具体例としては、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート([B(C)、テトラキス[(トリフルオロメチル)フェニル]ボレート([B(CCF)、ジフルオロビス(ペンタフルオロフェニル)ボレート([(CBF)、トリフルオロ(ペンタフルオロフェニル)ボレート([(C)BF)、テトラキス(ジフルオロフェニル)ボレート([B(C)等が挙げられる。これらの中でも、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート([B(C)が特に好ましい。 Specific preferred examples of the borate anion represented by the above formula (A 118), tetrakis (pentafluorophenyl) borate ([B (C 6 F 5 ) 4] -), tetrakis [(trifluoromethyl) phenyl] borate ( [B (C 6 H 4 CF 3 ) 4 ] - ), difluorobis (pentafluorophenyl) borate ([(C 6 F 5 ) 2 BF 2 ] - ), trifluoro (pentafluorophenyl) borate ([(C) 6 F 5 ) BF 3 ] - ), tetrakis (difluorophenyl) borate ([B (C 6 H 3 F 2 ) 4 ] - ) and the like. Of these, tetrakis (pentafluorophenyl) borate ([B (C 6 F 5 ) 4 ] ) is particularly preferable.

酸発生剤(A)におけるその他の酸発生剤の第二の態様としては、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−ピペロニル−1,3,5−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(2−フリル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(5−メチル−2−フリル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(5−エチル−2−フリル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(5−プロピル−2−フリル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(3,5−ジメトキシフェニル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(3,5−ジエトキシフェニル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(3,5−ジプロポキシフェニル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(3−メトキシ−5−エトキシフェニル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(3−メトキシ−5−プロポキシフェニル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−(3,4−メチレンジオキシフェニル)−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−(2−フリル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−(5−メチル−2−フリル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−(3,5−ジメトキシフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−(3,4−ジメトキシフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、トリス(1,3−ジブロモプロピル)−1,3,5−トリアジン、トリス(2,3−ジブロモプロピル)−1,3,5−トリアジン等のハロゲン含有トリアジン化合物、並びにトリス(2,3−ジブロモプロピル)イソシアヌレート等の下記式(a103)で表されるハロゲン含有トリアジン化合物が挙げられる。 The second aspect of the other acid generator in the acid generator (A) is 2,4-bis (trichloromethyl) -6-piperonyl-1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl). ) -6- [2- (2-Frill) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (5-methyl-2-furyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (5-ethyl-2-furyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (5-propyl) -2-Frill) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (3,5-dimethoxyphenyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) ) -6- [2- (3,5-diethoxyphenyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (3,5-dipropoxyphenyl) ethenyl]- s-Triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (3-methoxy-5-ethoxyphenyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2 -(3-methoxy-5-propoxyphenyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (3,4-methylenedioxyphenyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- (3,4-methylenedioxyphenyl) -s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- (3-bromo-4-methoxy) phenyl-s -Triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- (2-bromo-4-methoxy) phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- (2-bromo-4-methoxy) styryl Phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- (3-bromo-4-methoxy) styrylphenyl-s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) )-1,3,5-Triazine, 2- (4-methoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (2-frill) ethenyl]- 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (5-methyl-2-furyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5 -Triazine, 2 -[2- (3,5-dimethoxyphenyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (3,4-dimethoxyphenyl) ethenyl] -4 , 6-Bis (Trichloromethyl) -1,3,5-Triazine, 2- (3,4-Methylenedioxyphenyl) -4,6-Bis (Trichloromethyl) -1,3,5-Triazine, Tris ( Halogen-containing triazine compounds such as 1,3-dibromopropyl) -1,3,5-triazine, tris (2,3-dibromopropyl) -1,3,5-triazine, and tris (2,3-dibromopropyl). Examples thereof include halogen-containing triazine compounds represented by the following formula (a103) such as isocyanurate.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(a103)中、R109a、R110a、R111aは、それぞれ独立にハロゲン化アルキル基を表す。 In the above formula (a103), R 109a , R 110a , and R 111a each independently represent an alkyl halide group.

また、酸発生剤(A)におけるその他の酸発生剤の第三の態様としては、α−(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,4−ジクロロフェニルアセトニトリル、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,6−ジクロロフェニルアセトニトリル、α−(2−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、並びにオキシムスルホネート基を含有する下記式(a104)で表される化合物が挙げられる。 In addition, as a third aspect of the other acid generator in the acid generator (A), α- (p-toluenesulfonyloxyimine) -phenylacetamite, α- (benzenesulfonyloxyimine) -2,4-dichlorophenyl Acetonitrile, α- (benzenesulfonyloxyimine) -2,6-dichlorophenylacetate, α- (2-chlorobenzenesulfonyloxyimine) -4-methoxyphenylacetamite, α- (ethylsulfonyloxyimine) -1-cyclopentenyl acetonitrile, In addition, a compound represented by the following formula (a104) containing an oxime sulfonate group can be mentioned.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(a104)中、R112aは、1価、2価、又は3価の有機基を表し、R113aは、置換若しくは未置換の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、又は芳香族基を表し、nは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。 In the above formula (a104), R 112a represents a monovalent, divalent or trivalent organic group, and R 113a is a substituted or unsubstituted saturated hydrocarbon group, unsaturated hydrocarbon group, or aromatic group. Represents, and n represents the number of repeating units of the structure in parentheses.

上記式(a104)中、芳香族基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等のアリール基や、フリル基、チエニル基等のヘテロアリール基が挙げられる。これらは環上に適当な置換基、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基等を1個以上有していてもよい。また、R113aは、炭素原子数1以上6以下のアルキル基が特に好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。特に、R112aが芳香族基であり、R113aが炭素原子数1以上4以下のアルキル基である化合物が好ましい。 In the above formula (a104), examples of the aromatic group include an aryl group such as a phenyl group and a naphthyl group, and a heteroaryl group such as a frill group and a thienyl group. These may have one or more suitable substituents such as a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, and a nitro group on the ring. Further, R 113a is particularly preferably an alkyl group having 1 or more carbon atoms and 6 or less carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group and a butyl group. In particular, a compound in which R 112a is an aromatic group and R 113a is an alkyl group having 1 or more and 4 or less carbon atoms is preferable.

上記式(a104)で表される酸発生剤としては、n=1のとき、R112aがフェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基のいずれかであって、R113aがメチル基の化合物、具体的にはα−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−(p−メチルフェニル)アセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−(p−メトキシフェニル)アセトニトリル、〔2−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−2,3−ジヒドロキシチオフェン−3−イリデン〕(o−トリル)アセトニトリル等が挙げられる。n=2のとき、上記式(a104)で表される酸発生剤としては、具体的には下記式で表される酸発生剤が挙げられる。 As the acid generator represented by the above formula (a104), when n = 1, R 112a is any of a phenyl group, a methylphenyl group, and a methoxyphenyl group, and R113a is a compound having a methyl group, specifically. Specifically, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-phenyl acetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1- (p-methylphenyl) acetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1- (p-) Examples thereof include methoxyphenyl) acetonitrile, [2- (propylsulfonyloxyimino) -2,3-dihydroxythiophene-3-iriden] (o-tolyl) acetonitrile and the like. When n = 2, the acid generator represented by the above formula (a104) specifically includes an acid generator represented by the following formula.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

また、酸発生剤(A)におけるその他の酸発生剤の第四の態様としては、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩が挙げられる。この「ナフタレン環を有する」とは、ナフタレンに由来する構造を有することを意味し、少なくとも2つの環の構造と、それらの芳香族性が維持されていることを意味する。このナフタレン環は炭素原子数1以上6以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基、水酸基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基等の置換基を有していてもよい。ナフタレン環に由来する構造は、1価基(遊離原子価が1つ)であっても、2価基(遊離原子価が2つ)以上であってもよいが、1価基であることが望ましい(ただし、このとき、上記置換基と結合する部分を除いて遊離原子価を数えるものとする)。ナフタレン環の数は1以上3以下が好ましい。 Further, as a fourth aspect of the other acid generator in the acid generator (A), an onium salt having a naphthalene ring in the cation portion can be mentioned. By "having a naphthalene ring", it means having a structure derived from naphthalene, and it means that the structure of at least two rings and their aromaticity are maintained. This naphthalene ring has substituents such as a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, and a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. May be good. The structure derived from the naphthalene ring may be a monovalent group (one free valence) or a divalent group (two free valences) or more, but it may be a monovalent group. Desirable (however, at this time, the free valence shall be counted except for the portion bonded to the above substituent). The number of naphthalene rings is preferably 1 or more and 3 or less.

このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のカチオン部としては、下記式(a105)で表される構造が好ましい。 As the cation portion of the onium salt having a naphthalene ring in such a cation portion, a structure represented by the following formula (a105) is preferable.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(a105)中、R114a、R115a、R116aのうち少なくとも1つは下記式(a106)で表される基を表し、残りは炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、水酸基、又は炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表す。あるいは、R114a、R115a、R116aのうちの1つが下記式(a106)で表される基であり、残りの2つはそれぞれ独立に炭素原子数1以上6以下の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。 In the above formula (a105), at least one of R 114a , R 115a , and R 116a represents a group represented by the following formula (a106), and the rest are linear or branched with 1 to 6 carbon atoms. Represents an alkyl group, a phenyl group which may have a substituent, a hydroxyl group, or a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. Alternatively, one of R 114a , R 115a , and R 116a is a group represented by the following formula (a106), and the remaining two are independently linear or branched with 1 to 6 carbon atoms. It is an alkylene group of, and these ends may be bonded to form a cyclic.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(a106)中、R117a、R118aは、それぞれ独立に水酸基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基、又は炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、R119aは、単結合又は置換基を有していてもよい炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。l及びmは、それぞれ独立に0以上2以下の整数を表し、l+mは3以下である。ただし、R117aが複数存在する場合、それらは互いに同じであっても異なっていてもよい。また、R118aが複数存在する場合、それらは互いに同じであっても異なっていてもよい。 In the above formula (a106), R 117a and R 118a are independently hydroxyl groups, linear or branched alkoxy groups having 1 to 6 carbon atoms, or linear or branched having 1 to 6 carbon atoms, respectively. Representing a branched alkyl group, R 119a represents a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms which may have a single bond or a substituent. l and m each independently represent an integer of 0 or more and 2 or less, and l + m is 3 or less. However, when there are a plurality of R 117a , they may be the same or different from each other. Further, when a plurality of R 118a exist, they may be the same or different from each other.

上記R114a、R115a、R116aのうち上記式(a106)で表される基の数は、化合物の安定性の点から好ましくは1つであり、残りは炭素原子数1以上6以下の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。この場合、上記2つのアルキレン基は、硫黄原子を含めて3〜9員環を構成する。環を構成する原子(硫黄原子を含む)の数は、好ましくは5以上6以下である。 Of the above R 114a , R 115a , and R 116a , the number of groups represented by the above formula (a106) is preferably one from the viewpoint of compound stability, and the rest is directly formed with 1 or more and 6 or less carbon atoms. It is a chain or branched alkylene group, and these ends may be bonded to form a cyclic group. In this case, the two alkylene groups form a 3- to 9-membered ring including a sulfur atom. The number of atoms (including sulfur atoms) constituting the ring is preferably 5 or more and 6 or less.

また、上記アルキレン基が有していてもよい置換基としては、酸素原子(この場合、アルキレン基を構成する炭素原子とともにカルボニル基を形成する)、水酸基等が挙げられる。 Examples of the substituent that the alkylene group may have include an oxygen atom (in this case, a carbonyl group is formed together with a carbon atom constituting the alkylene group), a hydroxyl group and the like.

また、フェニル基が有していてもよい置換基としては、水酸基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基等が挙げられる。 The substituents that the phenyl group may have include a hydroxyl group, a linear or branched alkoxy group having 1 or more and 6 or less carbon atoms, and a linear or branched alkoxy group having 1 or more and 6 or less carbon atoms. Alkoxy group and the like can be mentioned.

これらのカチオン部として好適なものとしては、下記式(a107)、(a108)で表されるもの等を挙げることができ、特に下記式(a108)で表される構造が好ましい。 Suitable examples of these cation portions include those represented by the following formulas (a107) and (a108), and a structure represented by the following formula (a108) is particularly preferable.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

このようなカチオン部としては、ヨードニウム塩であってもスルホニウム塩であってもよいが、酸発生効率等の点からスルホニウム塩が望ましい。 The cation portion may be an iodonium salt or a sulfonium salt, but a sulfonium salt is preferable from the viewpoint of acid generation efficiency and the like.

従って、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のアニオン部として好適なものとしては、スルホニウム塩を形成可能なアニオンが望ましい。 Therefore, as an anion portion of an onium salt having a naphthalene ring in the cation portion, an anion capable of forming a sulfonium salt is desirable.

このような酸発生剤のアニオン部としては、水素原子の一部又は全部がフッ素化されたフルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンである。 The anion portion of such an acid generator is a fluoroalkyl sulfonic acid ion or an aryl sulfonic acid ion in which a part or all of hydrogen atoms are fluorinated.

フルオロアルキルスルホン酸イオンにおけるアルキル基は、炭素原子数1以上20以下の直鎖状でも分岐状でも環状でもよく、発生する酸の嵩高さとその拡散距離から、炭素原子数1以上10以下であることが好ましい。特に、分岐状や環状のものは拡散距離が短いため好ましい。また、安価に合成可能なことから、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等を好ましいものとして挙げることができる。 The alkyl group in the fluoroalkyl sulfonic acid ion may be linear, branched or cyclic with 1 or more and 20 or less carbon atoms, and has 1 or more and 10 or less carbon atoms from the bulkiness of the generated acid and its diffusion distance. Is preferable. In particular, branched or annular ones are preferable because they have a short diffusion distance. Moreover, since it can be synthesized at low cost, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, an octyl group and the like can be mentioned as preferable ones.

アリールスルホン酸イオンにおけるアリール基は、炭素原子数6以上20以下のアリール基であって、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもされていなくてもよいフェニル基、ナフチル基が挙げられる。特に、安価に合成可能なことから、炭素原子数6以上10以下のアリール基が好ましい。好ましいものの具体例として、フェニル基、トルエンスルホニル基、エチルフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基等を挙げることができる。 Examples of the aryl group in the aryl sulfonic acid ion include an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkyl group, a phenyl group which may or may not be substituted with a halogen atom, and a naphthyl group. In particular, an aryl group having 6 or more and 10 or less carbon atoms is preferable because it can be synthesized at low cost. Specific examples of preferable ones include a phenyl group, a toluenesulfonyl group, an ethylphenyl group, a naphthyl group, a methylnaphthyl group and the like.

上記フルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンにおいて、水素原子の一部又は全部がフッ素化されている場合のフッ素化率は、好ましくは10%以上100%以下、より好ましくは50%以上100%以下であり、特に水素原子を全てフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。このようなものとしては、具体的には、トリフルオロメタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネート、パーフルオロオクタンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート等が挙げられる。 In the above fluoroalkyl sulfonic acid ion or aryl sulfonic acid ion, the fluorination rate when a part or all of hydrogen atoms is fluorinated is preferably 10% or more and 100% or less, more preferably 50% or more and 100%. The following is particularly preferable, in which all hydrogen atoms are replaced with fluorine atoms because the strength of the acid becomes stronger. Specific examples thereof include trifluoromethanesulfonate, perfluorobutane sulfonate, perfluorooctane sulfonate, and perfluorobenzene sulfonate.

これらの中でも、好ましいアニオン部として、下記式(a109)で表されるものが挙げられる。 Among these, preferred anion portions include those represented by the following formula (a109).

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(a109)において、R120aは、下記式(a110)、(a111)、及び(a112)で表される基である。 In the above formula (a109), R 120a is a group represented by the following formulas (a110), (a111), and (a112).

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(a110)中、xは1以上4以下の整数を表す。また、上記式(a111)中、R121aは、水素原子、水酸基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表し、yは1以上3以下の整数を表す。これらの中でも、安全性の観点からトリフルオロメタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネートが好ましい。 In the above equation (a110), x represents an integer of 1 or more and 4 or less. Further, in the above formula (a111), R 121a is a hydrogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 or more and 6 or less carbon atoms, or a linear or branched alkyl group having 1 or more and 6 or less carbon atoms. Represents an alkoxy group in the form, and y represents an integer of 1 or more and 3 or less. Among these, trifluoromethanesulfonate and perfluorobutane sulfonate are preferable from the viewpoint of safety.

また、アニオン部としては、下記式(a113)、(a114)で表される窒素を含有するものを用いることもできる。 Further, as the anion portion, those containing nitrogen represented by the following formulas (a113) and (a114) can also be used.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(a113)、(a114)中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表し、該アルキレン基の炭素原子数は2以上6以下であり、好ましくは3以上5以下、最も好ましくは炭素原子数3である。また、Y、Zは、それぞれ独立に少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、該アルキル基の炭素原子数は1以上10以下であり、好ましくは1以上7以下、より好ましくは1以上3以下である。 The formula (a113), (a114) in, X a represents a linear or branched alkylene group having at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, the number of carbon atoms of the alkylene group 2 to 6 It is preferably 3 or more and 5 or less, and most preferably the number of carbon atoms is 3. Further, Y a and Z a each independently represent a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the number of carbon atoms of the alkyl group is 1 or more and 10 or less. It is preferably 1 or more and 7 or less, and more preferably 1 or more and 3 or less.

のアルキレン基の炭素原子数、又はY、Zのアルキル基の炭素原子数が小さいほど有機溶剤への溶解性も良好であるため好ましい。 X a number of carbon atoms of the alkylene group, or Y a, soluble enough in organic solvents the number of carbon atoms in the alkyl group of Z a is less preferred because it is excellent.

また、Xのアルキレン基又はY、Zのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなるため好ましい。該アルキレン基又はアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70%以上100%以下、より好ましくは90%以上100%以下であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。 Further, in the alkylene group of X a or the alkyl group of Y a and Z a , the larger the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms, the stronger the acid strength, which is preferable. The ratio of fluorine atoms in the alkylene group or alkyl group, that is, the fluorination rate is preferably 70% or more and 100% or less, more preferably 90% or more and 100% or less, and most preferably all hydrogen atoms are fluorine. It is an atomically substituted perfluoroalkylene group or perfluoroalkyl group.

このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩として好ましいものとしては、下記式(a115)、(a116)で表される化合物が挙げられる。 Preferred as an onium salt having a naphthalene ring in such a cation portion include compounds represented by the following formulas (a115) and (a116).

Figure 2021076636
Figure 2021076636

また、酸発生剤(A)におけるその他の酸発生剤の第五の態様としては、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン類;p−トルエンスルホン酸2−ニトロベンジル、p−トルエンスルホン酸2,6−ジニトロベンジル、ニトロベンジルトシレート、ジニトロベンジルトシラート、ニトロベンジルスルホナート、ニトロベンジルカルボナート、ジニトロベンジルカルボナート等のニトロベンジル誘導体;ピロガロールトリメシラート、ピロガロールトリトシラート、ベンジルトシラート、ベンジルスルホナート、N−メチルスルホニルオキシスクシンイミド、N−トリクロロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N−フェニルスルホニルオキシマレイミド、N−メチルスルホニルオキシフタルイミド等のスルホン酸エステル類;N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−1,8−ナフタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−4−ブチル−1,8−ナフタルイミド等のトリフルオロメタンスルホン酸エステル類(ただし、式(a1−i)又は式(a1−ii)で表される化合物、式(a2−i)又は式(a2−ii)で表される化合物、及び、式(a3−i)又は式(a3−ii)で表される化合物に該当するものは除く。);ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート、(4−メトキシフェニル)フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスファート、(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、(p−tert−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート等のオニウム塩類;ベンゾイントシラート、α−メチルベンゾイントシラート等のベンゾイントシレート類;その他のジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、フェニルジアゾニウム塩、ベンジルカルボナート等が挙げられる。 Further, as a fifth aspect of the other acid generator in the acid generator (A), bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, Bissulfonyldiazomethanes such as bis (2,4-dimethylphenylsulfonyl) diazomethane; p-toluenesulfonic acid 2-nitrobenzyl, p-toluenesulfonic acid 2,6-dinitrobenzyl, nitrobenzyltosylate, dinitrobenzyltosylate, Nitrobenzyl derivatives such as nitrobenzylsulfonate, nitrobenzylcarbonate, dinitrobenzylcarbonate; pyrogalloltrimesylate, pyrogalloltritosylate, benzyltosylate, benzylsulfonate, N-methylsulfonyloxysuccinimide, N-trichloromethylsulfonyloxy Sulfonate esters such as succinimide, N-phenylsulfonyloxymaleimide, N-methylsulfonyloxyphthalimide; N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -1,8-naphthylimide, Trifluoromethanesulfonic acid esters such as N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -4-butyl-1,8-naphthalimide (where, compounds represented by the formula (a1-i) or the formula (a1-ii), Excludes compounds represented by the formula (a2-i) or the formula (a2-ii) and compounds represented by the formula (a3-i) or the formula (a3-ii)); diphenyliodonium. Hexafluorophosphate, (4-methoxyphenyl) phenyliodonium trifluoromethanesulfonate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium hexafluorophosphate, (4-methoxyphenyl) diphenylsulfonium trifluo Onium salts such as lomethanesulfonate, (p-tert-butylphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate; benzointosylates such as benzointosylate and α-methylbenzointosylate; other diphenyliodonium salts, triphenylsulfonium salts , Phenyldiazonium salt, benzyl carbonate and the like.

酸発生剤(A)の全体の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形分量に対し、0.01質量%以上10質量%以下が好ましく、0.03質量%以上8質量%以下がより好ましく、0.05質量%以上5質量%以下が特に好ましい。
また、上述の式(a1−i)又は式(a1−ii)で表される化合物、式(a2−i)又は式(a2−ii)で表される化合物、及び、式(a3−i)又は式(a3−ii)で表される化合物の合計は、感光性樹脂組成物の全固形分量に対し、0.01質量%以上10質量%以下が好ましく、0.03質量%以上8質量%以下がより好ましく、0.05質量%以上5質量%以下が特に好ましい。
酸発生剤(A)の使用量が上記の範囲であると、より良好な感度を備え、均一な溶液であって、保存安定性に優れる感光性樹脂組成物を調製しやすい。
The total content of the acid generator (A) is preferably 0.01% by mass or more and 10% by mass or less, more preferably 0.03% by mass or more and 8% by mass or less, based on the total solid content of the photosensitive resin composition. It is preferably 0.05% by mass or more and 5% by mass or less.
Further, the compound represented by the above-mentioned formula (a1-i) or formula (a1-ii), the compound represented by the formula (a2-i) or the formula (a2-ii), and the formula (a3-i). Alternatively, the total amount of the compounds represented by the formula (a3-ii) is preferably 0.01% by mass or more and 10% by mass or less, and 0.03% by mass or more and 8% by mass or less, based on the total solid content of the photosensitive resin composition. The following is more preferable, and 0.05% by mass or more and 5% by mass or less is particularly preferable.
When the amount of the acid generator (A) used is in the above range, it is easy to prepare a photosensitive resin composition having better sensitivity, a uniform solution, and excellent storage stability.

<樹脂(B)>
酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)は、特に限定されず、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する任意の樹脂を用いることができる。酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)としては、ノボラック樹脂(B1)、ポリヒドロキシスチレン樹脂(B2)、アクリル樹脂(B3)が挙げられる。
樹脂(B)は、アクリル樹脂(B3)を含むことが好ましい。樹脂(B)に対する樹脂(B)に含まれるアクリル樹脂の割合、すなわち、樹脂(B)に対するアクリル樹脂(B3)の割合が、70質量%以上であることが好ましい。
<Resin (B)>
The resin (B) whose solubility in alkali is increased by the action of acid is not particularly limited, and any resin whose solubility in alkali is increased by the action of acid can be used. Examples of the resin (B) whose solubility in alkali is increased by the action of an acid include a novolak resin (B1), a polyhydroxystyrene resin (B2), and an acrylic resin (B3).
The resin (B) preferably contains an acrylic resin (B3). The ratio of the acrylic resin contained in the resin (B) to the resin (B), that is, the ratio of the acrylic resin (B3) to the resin (B) is preferably 70% by mass or more.

[ノボラック樹脂(B1)]
ノボラック樹脂(B1)は、酸解離性溶解抑制基を有するノボラック樹脂である。
ノボラック樹脂(B1)としては、下記式(b1)で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。
[Novolak resin (B1)]
The novolak resin (B1) is a novolak resin having an acid dissociative dissolution inhibitory group.
As the novolak resin (B1), a resin containing a structural unit represented by the following formula (b1) can be used.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(b1)中、R1bは、酸解離性溶解抑制基を示し、R2b、R3bは、それぞれ独立に水素原子又は炭素原子数1以上6以下のアルキル基を表す。 In the above formula (b1), R 1b represents an acid dissociation dissolution inhibitor, and R 2b and R 3b independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or more and 6 or less carbon atoms.

上記R1bで表される酸解離性溶解抑制基としては、下記式(b2)、(b3)で表される基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状、分岐状、若しくは環状のアルキル基、ビニルオキシエチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、又はトリアルキルシリル基であることが好ましい。 Examples of the acid dissociative dissolution inhibitor group represented by R 1b include a group represented by the following formulas (b2) and (b3), a linear, branched or cyclic alkyl having 1 to 6 carbon atoms. It is preferably a group, a vinyloxyethyl group, a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, or a trialkylsilyl group.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(b2)、(b3)中、R4b、R5bは、それぞれ独立に水素原子、又は炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、R6bは、炭素原子数1以上10以下の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を表し、R7bは、炭素原子数1以上6以下の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を表し、oは0又は1を表す。 In the above formulas (b2) and (b3), R 4b and R 5b each independently represent a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 or more and 6 or less carbon atoms, and R 6b is carbon. Represents a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 or more and 10 or less atoms, and R 7b represents a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 or more and 6 or less carbon atoms. Represents 0 or 1.

上記直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。また、上記環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。 Examples of the linear or branched alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group and the like. .. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

ここで、上記式(b2)で表される酸解離性溶解抑制基として、具体的には、メトキシエチル基、エトキシエチル基、n−プロポキシエチル基、イソプロポキシエチル基、n−ブトキシエチル基、イソブトキシエチル基、tert−ブトキシエチル基、シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、1−メトキシ−1−メチル−エチル基、1−エトキシ−1−メチルエチル基等が挙げられる。また、上記式(b3)で表される酸解離性溶解抑制基として、具体的には、tert−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。また、上記トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリ−tert−ブチルジメチルシリル基等の各アルキル基の炭素原子数が1以上6以下の基が挙げられる。 Here, as the acid dissociative dissolution inhibitory group represented by the above formula (b2), specifically, a methoxyethyl group, an ethoxyethyl group, an n-propoxyethyl group, an isopropoxyethyl group, an n-butoxyethyl group, Examples thereof include isobutoxyethyl group, tert-butoxyethyl group, cyclohexyloxyethyl group, methoxypropyl group, ethoxypropyl group, 1-methoxy-1-methyl-ethyl group, 1-ethoxy-1-methylethyl group and the like. Specific examples of the acid dissociative dissolution inhibitory group represented by the above formula (b3) include a tert-butoxycarbonyl group and a tert-butoxycarbonylmethyl group. Examples of the trialkylsilyl group include groups having 1 or more and 6 or less carbon atoms in each alkyl group such as a trimethylsilyl group and a tri-tert-butyldimethylsilyl group.

[ポリヒドロキシスチレン樹脂(B2)]
ポリヒドロキシスチレン樹脂(B2)は、酸解離性溶解抑制基を有するポリヒドロキシスチレン樹脂である。
本明細書において、「ポリヒドロキシスチレン樹脂」とは、感光性樹脂組成物に関する技術分野において、ポリヒドロキシスチレン樹脂であると当業者に認識される樹脂であれば特に限定されない。典型的には、ポリヒドロキシスチレン樹脂は、ヒドロキシスチレン又はヒドロキシスチレン誘導体に由来する構成単位であるヒドロキシスチレン構成単位とスチレンに由来する構成単位との合計が70モル%以上であり、且つ、ヒドロキシスチレン構成単位の合計が50モル%以上である樹脂である。「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレンのヒドロキシ基の水素原子又はヒドロキシスチレンのα位の炭素原子に結合した水素原子が、酸素原子を有していてもよい炭化水素基で置換された化合物である。
酸解離性溶解抑制基としては、上記式(b2)、(b3)に例示したものと同様の酸解離性溶解抑制基が挙げられる。
[Polyhydroxystyrene resin (B2)]
The polyhydroxystyrene resin (B2) is a polyhydroxystyrene resin having an acid dissociative dissolution inhibitory group.
In the present specification, the "polyhydroxystyrene resin" is not particularly limited as long as it is a resin recognized by those skilled in the art as a polyhydroxystyrene resin in the technical field relating to the photosensitive resin composition. Typically, the polyhydroxystyrene resin has a total of 70 mol% or more of the hydroxystyrene structural unit, which is a structural unit derived from hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative, and the structural unit derived from styrene, and hydroxystyrene. It is a resin having a total of 50 mol% or more of the constituent units. The "hydroxystyrene derivative" is a compound in which a hydrogen atom bonded to a hydrogen atom of a hydroxy group of hydroxystyrene or a carbon atom at the α-position of hydroxystyrene is replaced with a hydrocarbon group which may have an oxygen atom. is there.
Examples of the acid dissociative dissolution inhibitory group include acid dissociative dissolution inhibitory groups similar to those exemplified in the above formulas (b2) and (b3).

ポリヒドロキシスチレン樹脂(B2)としては、下記式(b4)で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。 As the polyhydroxystyrene resin (B2), a resin containing a structural unit represented by the following formula (b4) can be used.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(b4)中、R8bは、水素原子又は炭素原子数1以上6以下のアルキル基を表し、R9bは、酸解離性溶解抑制基を表す。 In the above formula (b4), R 8b represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or more and 6 or less carbon atoms, and R 9b represents an acid dissociation dissolution inhibitory group.

上記炭素原子数1以上6以下のアルキル基は、例えば炭素原子数1以上6以下の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基である。直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。 The alkyl group having 1 or more and 6 or less carbon atoms is, for example, a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 or more and 6 or less carbon atoms. Examples of the linear or branched alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group and the like. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

上記R9bで表される酸解離性溶解抑制基としては、上記式(b2)、(b3)に例示したものと同様の酸解離性溶解抑制基を用いることができる。 As the acid dissociative dissolution inhibitor represented by R 9b , the same acid dissociative dissolution inhibitor as those exemplified in the above formulas (b2) and (b3) can be used.

さらに、ポリヒドロキシスチレン樹脂(B2)としての上記式(b4)で表される構成単位を含む樹脂は、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含むことができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。また、このような重合性化合物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類;マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類;2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸アルキルエステル類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類;フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸アリールエステル類;マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類;スチレン、α−メチルスチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等のビニル基含有芳香族化合物類;酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類;ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類;アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類;塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物;アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類;等を挙げることができる。
なお、ポリヒドロキシスチレン樹脂(B2)が、上記式(b4)で表される構成単位以外の他の重合性化合物を構成単位として含む場合は、該他の重合性化合物に由来する構成単位が酸解離性溶解抑制基を有していてもよい。
Further, the resin containing the structural unit represented by the above formula (b4) as the polyhydroxystyrene resin (B2) contains another polymerizable compound as a structural unit for the purpose of appropriately controlling the physical and chemical properties. be able to. Examples of such a polymerizable compound include known radical polymerizable compounds and anionic polymerizable compounds. Examples of such polymerizable compounds include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, and itaconic acid; 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-. Methacrylate derivatives having carboxy groups and ester bonds such as methacryloyloxyethyl maleic acid, 2-methacryloyloxyethylphthalic acid, 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid; methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (Meta) acrylic acid alkyl esters such as (meth) acrylate; (meth) acrylic acid hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate; phenyl (meth) acrylate, (Meta) acrylic acid aryl esters such as benzyl (meth) acrylate; Dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate and dibutyl fumarate; styrene, α-methylstyrene, chlorostyrene, chloromethylstyrene, vinyltoluene, hydroxystyrene, Vinyl group-containing aromatic compounds such as α-methylhydroxystyrene and α-ethylhydroxystyrene; Vinyl group-containing aliphatic compounds such as vinyl acetate; Conjugate diolefins such as butadiene and isoprene; Nitrile group-containing polymerizable compounds; chlorine-containing polymerizable compounds such as vinyl chloride and vinylidene chloride; amide bond-containing polymerizable compounds such as acrylamide and methacrylicamide; and the like can be mentioned.
When the polyhydroxystyrene resin (B2) contains a polymerizable compound other than the structural unit represented by the above formula (b4) as a structural unit, the structural unit derived from the other polymerizable compound is an acid. It may have a dissociative dissolution inhibitory group.

[アクリル樹脂(B3)]
アクリル樹脂(B3)は、酸解離性溶解抑制基を有するアクリル樹脂である。
アクリル樹脂(B3)としては、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するアクリル樹脂であって、従来から、種々の感光性樹脂組成物に配合されているものであれば、特に限定されない。
[Acrylic resin (B3)]
The acrylic resin (B3) is an acrylic resin having an acid dissociative dissolution inhibitory group.
The acrylic resin (B3) is not particularly limited as long as it is an acrylic resin whose solubility in an alkali is increased by the action of an acid and has been conventionally blended in various photosensitive resin compositions.

本明細書において、「アクリル樹脂」とは、(メタ)アクリル酸又は(メタ)アクリル酸誘導体に由来する構成単位であるアクリル構成単位を70モル%以上含む樹脂である。
また、本明細書において、「(メタ)アクリル酸誘導体」とは、(メタ)アクリル酸エステル、N置換体であってもよい(メタ)アクリルアミド、及び(メタ)アクリルニトリルである。
なお、本明細書において、「(メタ)アクリル」とは、「アクリル」及び「メタクリル」の両者を意味する。「(メタ)アクリルレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両者を意味する。
「アクリル樹脂」は、(メタ)アクリル樹脂は、(メタ)アクリル酸及び(メタ)アクリル酸誘導体以外の単量体に由来する構成単位を、30モル%以下含んでいてもよい。
As used herein, the term "acrylic resin" is a resin containing 70 mol% or more of an acrylic structural unit, which is a structural unit derived from (meth) acrylic acid or a (meth) acrylic acid derivative.
Further, in the present specification, the "(meth) acrylic acid derivative" is a (meth) acrylic acid ester, (meth) acrylamide which may be an N-substituted product, and (meth) acrylonitrile.
In addition, in this specification, "(meth) acrylic" means both "acrylic" and "methacryl". "(Meta) acrylic rate" means both "acrylate" and "methacrylate".
The "acrylic resin" may contain 30 mol% or less of a structural unit derived from a monomer other than the (meth) acrylic acid and the (meth) acrylic acid derivative in the (meth) acrylic resin.

アクリル樹脂(B3)は、例えば、−SO−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(b−3)を含有するのが好ましい。かかる場合、レジストパターンを形成する際に、好ましい断面形状を有するレジストパターンを形成しやすい。 Acrylic resin (B3) is, for example, -SO 2 - containing cyclic group, or preferably contains a structural unit (b-3) derived from an acrylate ester containing a lactone-containing cyclic group. In such a case, when forming a resist pattern, it is easy to form a resist pattern having a preferable cross-sectional shape.

(−SO−含有環式基)
ここで、「−SO−含有環式基」とは、その環骨格中に−SO−を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、−SO−における硫黄原子(S)が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に−SO−を含む環をひとつ目の環として数え、当該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。−SO−含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
(-SO 2 -containing cyclic group)
Here, "- SO 2 - containing cyclic group" means, -SO 2 - within the ring skeleton thereof shows a cyclic group containing a ring containing, in particular, -SO 2 - in the sulfur atom ( S) is a cyclic group forming a part of the cyclic skeleton of the cyclic group. A ring containing −SO 2 − in its ring skeleton is counted as the first ring, and if it is the ring alone, it is a monocyclic group, and if it has another ring structure, it is a polycyclic group regardless of its structure. It is called. The −SO 2 − containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.

−SO−含有環式基は、特に、その環骨格中に−O−SO−を含む環式基、すなわち−O−SO−中の−O−S−が環骨格の一部を形成するサルトン(sultone)環を含有する環式基であることが好ましい。 -SO 2 - containing cyclic group, in particular, -O-SO 2 - within the ring skeleton cyclic group containing, i.e. -O-SO 2 - -O-S- medium is a part of the ring skeleton It is preferably a cyclic group containing a sultone ring to be formed.

−SO−含有環式基の炭素原子数は、3以上30以下が好ましく、4以上20以下がより好ましく、4以上15以下がさらに好ましく、4以上12以下が特に好ましい。当該炭素原子数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素原子数を含まないものとする。 -SO 2 - carbon atoms containing cyclic group preferably has 3 to 30, more preferably 4 to 20, more preferably 4 to 15, particularly preferably 4 to 12. The number of carbon atoms is the number of carbon atoms constituting the ring skeleton, and does not include the number of carbon atoms in the substituent.

−SO−含有環式基は、−SO−含有脂肪族環式基であってもよく、−SO−含有芳香族環式基であってもよい。好ましくは−SO−含有脂肪族環式基である。 The −SO 2 -containing cyclic group may be a −SO 2 -containing aliphatic cyclic group or a −SO 2 -containing aromatic cyclic group. Preferably -SO 2 - containing aliphatic cyclic group.

−SO−含有脂肪族環式基としては、その環骨格を構成する炭素原子の一部が−SO−、又は−O−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基が挙げられる。より具体的には、その環骨格を構成する−CH−が−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基、その環を構成する−CH−CH−が−O−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基等が挙げられる。 As the −SO 2 − containing aliphatic cyclic group, a hydrogen atom is obtained from an aliphatic hydrocarbon ring in which a part of carbon atoms constituting the ring skeleton is substituted with −SO 2 − or −O−SO 2 −. Examples include groups excluding at least one. More specifically, a group in which at least one hydrogen atom is removed from the aliphatic hydrocarbon ring in which −CH 2 − constituting the ring skeleton is substituted with −SO 2 −, and the ring is composed of −CH 2 −. Examples thereof include a group obtained by removing at least one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which CH 2 − is substituted with −O−SO 2−.

当該脂環式炭化水素環の炭素原子数は、3以上20以下が好ましく、3以上12以下がより好ましい。当該脂環式炭化水素環は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、炭素原子数3以上6以下のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。当該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式の脂環式炭化水素環としては、炭素原子数7以上12以下のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、当該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。 The number of carbon atoms in the alicyclic hydrocarbon ring is preferably 3 or more and 20 or less, and more preferably 3 or more and 12 or less. The alicyclic hydrocarbon ring may be a polycyclic type or a monocyclic type. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane having 3 or more and 6 or less carbon atoms is preferable. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon ring is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane having 7 or more and 12 or less carbon atoms, and specifically, the polycycloalkane is adamantane or norbornane. , Isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

−SO−含有環式基は、置換基を有していてもよい。当該置換基としては、例えばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。 The −SO 2 − containing cyclic group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, an alkyl halide group, a hydroxyl group, an oxygen atom (= O), -COOR ", -OC (= O) R", a hydroxyalkyl group, a cyano group and the like. Can be mentioned.

当該置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数1以上6以下のアルキル基が好ましい。当該アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基等が挙げられる。これらの中では、メチル基、又はエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。 As the alkyl group as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable. The alkyl group is preferably linear or branched. Specific examples thereof include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, n-hexyl group and the like. Be done. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.

当該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数1以上6以下のアルコキシ基が好ましい。当該アルコキシ基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前述の置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基が酸素原子(−O−)に結合した基が挙げられる。 As the alkoxy group as the substituent, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms is preferable. The alkoxy group is preferably linear or branched. Specific examples thereof include a group in which an alkyl group mentioned as the above-mentioned alkyl group as a substituent is bonded to an oxygen atom (−O−).

当該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。 Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like, and a fluorine atom is preferable.

当該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前述のアルキル基の水素原子の一部又は全部が前述のハロゲン原子で置換された基が挙げられる。 Examples of the alkyl halide group of the substituent include a group in which a part or all of the hydrogen atom of the above-mentioned alkyl group is substituted with the above-mentioned halogen atom.

当該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前述の置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部又は全部が前述のハロゲン原子で置換された基が挙げられる。当該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。 Examples of the alkyl halide group as the substituent include a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the substituent are substituted with the above-mentioned halogen atom. As the alkyl halide group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.

前述の−COOR”、−OC(=O)R”におけるR”は、いずれも、水素原子又は炭素原子数1以上15以下の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基である。 The R "in the above-mentioned -COOR" and -OC (= O) R "is a hydrogen atom or a linear, branched-chain or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.

R”が直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基の場合、当該鎖状のアルキル基の炭素原子数は、1以上10以下が好ましく、1以上5以下がより好ましく、1又は2が特に好ましい。 When R "is a linear or branched alkyl group, the number of carbon atoms of the chain alkyl group is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 5 or less, and particularly preferably 1 or 2.

R”が環状のアルキル基の場合、当該環状のアルキル基の炭素原子数は3以上15以下が好ましく、4以上12以下がより好ましく、5以上10以下が特に好ましい。具体的には、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンや、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。 When R "is a cyclic alkyl group, the number of carbon atoms of the cyclic alkyl group is preferably 3 or more and 15 or less, more preferably 4 or more and 12 or less, and particularly preferably 5 or more and 10 or less. Specifically, a fluorine atom. , Or monocycloalkanes that may or may not be substituted with an alkyl fluorinated group, and polycycloalkanes such as bicycloalkanes, tricycloalkanes, tetracycloalkanes, etc., except for one or more hydrogen atoms. More specifically, one or more hydrogen atoms can be obtained from monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and polycycloalkanes such as adamantan, norbornan, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Excluded groups and the like can be mentioned.

当該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素原子数1以上6以下のヒドロキシアルキル基が好ましい。具体的には、前述の置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。 As the hydroxyalkyl group as the substituent, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable. Specifically, a group in which at least one hydrogen atom of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the above-mentioned substituent is substituted with a hydroxyl group can be mentioned.

−SO−含有環式基として、より具体的には、下記式(3−1)〜(3−4)で表される基が挙げられる。

Figure 2021076636
(式中、A’は酸素原子若しくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素原子数1以上5以下のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子であり、zは0以上2以下の整数であり、R10bはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基、又はシアノ基であり、R”は水素原子、又はアルキル基である。) -SO 2 - containing cyclic group, and more specifically, include groups represented by the following formula (3-1) to (3-4).
Figure 2021076636
(In the formula, A'is an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom having 1 or more and 5 or less carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, z is an integer of 0 or more and 2 or less, and R 10b. Is an alkyl group, an alkoxy group, an alkyl halide group, a hydroxyl group, -COOR ", -OC (= O) R", a hydroxyalkyl group, or a cyano group, and R "is a hydrogen atom or an alkyl group.)

上記式(3−1)〜(3−4)中、A’は、酸素原子(−O−)若しくは硫黄原子(−S−)を含んでいてもよい炭素原子数1以上5以下のアルキレン基、酸素原子、又は硫黄原子である。A’における炭素原子数1以上5以下のアルキレン基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。 In the above formulas (3-1) to (3-4), A'is an alkylene group having 1 or more and 5 or less carbon atoms which may contain an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom (-S-). , Oxygen atom, or sulfur atom. The alkylene group having 1 or more and 5 or less carbon atoms in A'preferably a linear or branched alkylene group, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, and an isopropylene group.

当該アルキレン基が酸素原子又は硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前述のアルキレン基の末端又は炭素原子間に−O−、又は−S−が介在する基が挙げられ、例えば−O−CH−、−CH−O−CH−、−S−CH−、−CH−S−CH−等が挙げられる。A’としては、炭素原子数1以上5以下のアルキレン基、又は−O−が好ましく、炭素原子数1以上5以下のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。 When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which -O- or -S- is interposed between the terminal or carbon atom of the above-mentioned alkylene group, for example, -O-. CH 2 -, - CH 2 -O -CH 2 -, - S-CH 2 -, - CH 2 -S-CH 2 - , and the like. As A', an alkylene group having 1 or more and 5 or less carbon atoms or —O— is preferable, an alkylene group having 1 or more and 5 or less carbon atoms is more preferable, and a methylene group is most preferable.

zは0、1、及び2のいずれであってもよく、0が最も好ましい。zが2である場合、複数のR10bはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。 z may be any of 0, 1, and 2, with 0 being most preferred. When z is 2, the plurality of R 10b may be the same or different.

10bにおけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、−SO−含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、及びヒドロキシアルキル基について、上記で説明したものと同様のものが挙げられる。 The alkyl group, alkoxy group, alkyl halide group, -COOR ", -OC (= O) R", and hydroxyalkyl group in R 10b may each have a -SO 2 -containing cyclic group. Examples of the alkyl group, alkoxy group, alkyl halide group, -COOR ", -OC (= O) R", and hydroxyalkyl group mentioned as substituents are the same as those described above.

以下に、前述の式(3−1)〜(3−4)で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中の「Ac」はアセチル基を示す。 Specific cyclic groups represented by the above formulas (3-1) to (3-4) will be illustrated below. In addition, "Ac" in the formula indicates an acetyl group.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

Figure 2021076636
Figure 2021076636

−SO−含有環式基としては、上記の中では、前述の式(3−1)で表される基が好ましく、前述の化学式(3−1−1)、(3−1−18)、(3−3−1)、及び(3−4−1)のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも1種がより好ましく、前述の化学式(3−1−1)で表される基が最も好ましい。 The -SO 2 - containing cyclic group, among the above, preferably a group represented by the formula (3-1) described above, the aforementioned chemical formula (3-1-1), (3-1-18) , (3-3-1), and (3-4-1), at least one selected from the group consisting of groups represented by any of (3-4-1) is more preferable, and the above-mentioned chemical formula (3-1-1) is used. The group represented is most preferred.

(ラクトン含有環式基)
「ラクトン含有環式基」とは、その環骨格中に−O−C(=O)−を含む環(ラクトン環)を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
(Lactone-containing cyclic group)
The “lactone-containing cyclic group” refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing −OC (= O) − in its cyclic skeleton. The lactone ring is counted as the first ring, and when it has only a lactone ring, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of its structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

構成単位(b−3)におけるラクトン環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、ラクトン含有単環式基としては、4〜6員環ラクトンから水素原子を1つ除いた基、例えばβ−プロピオノラクトンから水素原子を1つ除いた基、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基、δ−バレロラクトンから水素原子を1つ除いた基等が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子1つを除いた基が挙げられる。 As the lactone cyclic group in the structural unit (b-3), any one can be used without particular limitation. Specifically, the lactone-containing monocyclic group is a group obtained by removing one hydrogen atom from a 4- to 6-membered ring lactone, for example, a group obtained by removing one hydrogen atom from β-propionolactone, or γ-butyrolactone. Examples thereof include a group from which one hydrogen atom has been removed, a group from which one hydrogen atom has been removed from δ-valerolactone, and the like. Examples of the lactone-containing polycyclic group include a bicycloalkane having a lactone ring, a tricycloalkane, and a tetracycloalkane from which one hydrogen atom has been removed.

構成単位(b−3)としては、−SO−含有環式基、又はラクトン含有環式基を有するものであれば他の部分の構造は特に限定されないが、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−SO−含有環式基を含む構成単位(b−3−S)、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位(b−3−L)からなる群より選択される少なくとも1種の構成単位が好ましい。 As the structural unit (b-3), -SO 2 - containing cyclic group, or a lactone-containing cyclic structure other parts as long as it has a group is not particularly limited, and bonded to the α-position carbon atom -SO 2 a structural unit is a hydrogen atom are derived substituted from even an acrylate ester with a substituent - structural unit containing an containing cyclic group (b-3-S), and α-position carbon atom It is selected from the group consisting of a structural unit (b-3-L) derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to is optionally substituted with a substituent and containing a lactone-containing cyclic group. At least one structural unit is preferred.

〔構成単位(b−3−S)〕
構成単位(b−3−S)の例として、より具体的には、下記式(b−S1)で表される構成単位が挙げられる。
[Constituent unit (b-3-S)]
More specifically, as an example of the structural unit (b-3-S), a structural unit represented by the following formula (b-S1) can be mentioned.

Figure 2021076636
(式中、Rは水素原子、炭素原子数1以上5以下のアルキル基、又は炭素原子数1以上5以下のハロゲン化アルキル基であり、R11bは−SO−含有環式基であり、R12bは単結合、又は2価の連結基である。)
Figure 2021076636
(Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 11b represents a -SO 2 - containing cyclic group, R 12b is a single bond or a divalent linking group.)

式(b−S1)中、Rは前記と同様である。
11bは、前記で挙げた−SO−含有環式基と同様である。
12bは、単結合、2価の連結基のいずれであってもよい。
In the formula (b-S1), R is the same as described above.
R 11b is, -SO 2 mentioned above - is similar to the containing cyclic group.
R 12b may be either a single bond or a divalent linking group.

12bにおける2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。 The divalent linking group in R 12b is not particularly limited, but a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom and the like are preferable.

・置換基を有していてもよい2価の炭化水素基
2価の連結基としての炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。当該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよい。通常は飽和炭化水素基が好ましい。当該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
-Divalent hydrocarbon group which may have a substituent The hydrocarbon group as the divalent linking group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. Aliphatic hydrocarbon groups mean hydrocarbon groups that do not have aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated. Saturated hydrocarbon groups are usually preferred. More specifically, the aliphatic hydrocarbon group includes a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group having a ring in the structure, and the like.

前記直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、1以上10以下が好ましく、1以上8以下がより好ましく、1以上5以下がさらに好ましい。 The number of carbon atoms of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 8 or less, and further preferably 1 or more and 5 or less.

直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、メチレン基[−CH−]、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、ペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。 As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable. Specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [- (CH 2) 2 - ], a trimethylene group [- (CH 2) 3 - ], a tetramethylene group [- (CH 2) 4 - ] , Pentamethylene group [-(CH 2 ) 5- ] and the like.

分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基等のアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数1以上5以下の直鎖状のアルキル基が好ましい。 As the branched-chain aliphatic hydrocarbon group, a branched-chain alkylene group is preferable. Specifically, -CH (CH 3 )-, -CH (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , -C (CH 3 ) (CH 2 CH 3 )-, -C (CH) 3 ) (CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C (CH 2 CH 3 ) 2 -etc. Alkylmethylene groups; -CH (CH 3 ) CH 2- , -CH (CH 3 ) CH (CH 3 )- , -C (CH 3 ) 2 CH 2- , -CH (CH 2 CH 3 ) CH 2- , -C (CH 2 CH 3 ) 2- CH 2-, etc. Alkylethylene groups; -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 −, −CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 − and other alkyl methylene groups; −CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 CH 2 −, −CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 − Alkyl alkylene groups such as alkyl tetramethylene groups and the like can be mentioned. As the alkyl group in the alkylalkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.

上記の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基(水素原子以外の基又は原子)を有していてもよく、有していなくてもよい。当該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素原子数1以上5以下のフッ素化アルキル基、オキソ基(=O)等が挙げられる。 The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent (a group or atom other than a hydrogen atom) for substituting a hydrogen atom. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxo group (= O).

上記の構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、当該環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、当該環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基等が挙げられる。上記の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前述と同様のものが挙げられる。 As the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the above structure, a cyclic aliphatic hydrocarbon group which may contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure (two hydrogen atoms are removed from the aliphatic hydrocarbon ring). Group), a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is bonded to the terminal of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, or a cyclic aliphatic hydrocarbon group in a linear or branched chain. Examples thereof include a group intervening in the middle of the aliphatic hydrocarbon group. Examples of the above-mentioned linear or branched-chain aliphatic hydrocarbon group include the same as those described above.

環状の脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、3以上20以下が好ましく、3以上12以下がより好ましい。 The number of carbon atoms of the cyclic aliphatic hydrocarbon group is preferably 3 or more and 20 or less, and more preferably 3 or more and 12 or less.

環状の脂肪族炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。当該モノシクロアルカンの炭素原子数は、3以上6以下が好ましい。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。当該ポリシクロアルカンの炭素原子数は、7以上12以下が好ましい。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。 The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic type or a monocyclic type. As the monocyclic aliphatic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The number of carbon atoms of the monocycloalkane is preferably 3 or more and 6 or less. Specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic aliphatic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane is preferable. The number of carbon atoms of the polycycloalkane is preferably 7 or more and 12 or less. Specific examples thereof include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

環状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基(水素原子以外の基又は原子)を有していてもよいし、有していなくてもよい。当該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基(=O)等が挙げられる。 The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent (a group or atom other than a hydrogen atom) that substitutes for a hydrogen atom. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, an alkyl halide group, a hydroxyl group, an oxo group (= O) and the like.

上記の置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数1以上5以下のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、及びtert−ブチル基がより好ましい。 As the alkyl group as the substituent, an alkyl group having 1 or more carbon atoms and 5 or less carbon atoms is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group are more preferable.

上記の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数1以上5以下のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、及びtert−ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、及びエトキシ基が特に好ましい。 The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 or more and 5 or less carbon atoms, and is a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, and a tert-butoxy group. Is more preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are particularly preferable.

上記の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。 Examples of the halogen atom as the above-mentioned substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like, and a fluorine atom is preferable.

上記の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前述のアルキル基の水素原子の一部又は全部が上記のハロゲン原子で置換された基が挙げられる。 Examples of the alkyl halide group as the above-mentioned substituent include a group in which a part or all of the hydrogen atom of the above-mentioned alkyl group is substituted with the above-mentioned halogen atom.

環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部が−O−、又は−S−で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、−O−、−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−が好ましい。 The cyclic aliphatic hydrocarbon group may have a part of carbon atoms constituting its ring structure substituted with -O- or -S-. The substituent containing a hetero atom, -O -, - C (= O) -O -, - S -, - S (= O) 2 -, - S (= O) 2 -O- are preferred.

2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する2価の炭化水素基であり、置換基を有していてもよい。芳香環は、4n+2個のπ電子を持つ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は、5以上30以下が好ましく、5以上20以下がより好ましく、6以上15以下がさらに好ましく、6以上12以下が特に好ましい。ただし、当該炭素原子数には、置換基の炭素原子数を含まないものとする。 The aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group is a divalent hydrocarbon group having at least one aromatic ring, and may have a substituent. The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be a monocyclic type or a polycyclic type. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably 5 or more and 30 or less, more preferably 5 or more and 20 or less, further preferably 6 or more and 15 or less, and particularly preferably 6 or more and 12 or less. However, the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms of the substituent.

芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、及びフェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。 Specifically, the aromatic ring is an aromatic hydrocarbon ring such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; an aromatic heterocycle in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is replaced with a heteroatom; And so on. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom and the like. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.

2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基として具体的には、上記の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基、又はヘテロアリーレン基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(例えば、ビフェニル、フルオレン等)から水素原子を2つ除いた基;上記の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基、又はヘテロアリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基);等が挙げられる。 Specifically, as an aromatic hydrocarbon group as a divalent hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from the above aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (arylene group or heteroarylene group); A group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (for example, biphenyl, fluorene, etc.); a group obtained by removing one hydrogen atom from the above aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (for example, a group obtained by removing one hydrogen atom from the above aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle). A group in which one of the hydrogen atoms of an aryl group or heteroaryl group is substituted with an alkylene group (for example, a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, 2- A group obtained by removing one more hydrogen atom from an aryl group in an arylalkyl group such as a naphthylethyl group); and the like.

上記のアリール基、又はヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素原子数は、1以上4以下が好ましく、1以上2以下がより好ましく、1が特に好ましい。 The number of carbon atoms of the above aryl group or alkylene group bonded to the heteroaryl group is preferably 1 or more and 4 or less, more preferably 1 or more and 2 or less, and particularly preferably 1.

上記の芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。例えば、当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。当該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基(=O)等が挙げられる。 In the above aromatic hydrocarbon group, the hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. For example, the hydrogen atom bonded to the aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, an alkyl halide group, a hydroxyl group, an oxo group (= O) and the like.

上記の置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数1以上5以下のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、及びtert−ブチル基がより好ましい。 As the alkyl group as the substituent, an alkyl group having 1 or more carbon atoms and 5 or less carbon atoms is preferable, and a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group are more preferable.

上記の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数1以上5以下のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、及びtert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、及びエトキシ基がより好ましい。 As the alkoxy group as the above-mentioned substituent, an alkoxy group having 1 or more and 5 or less carbon atoms is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, and a tert-butoxy group. Is preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are more preferable.

上記の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。 Examples of the halogen atom as the above-mentioned substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like, and a fluorine atom is preferable.

上記の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前述のアルキル基の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。 Examples of the alkyl halide group as the above-mentioned substituent include a group in which a part or all of the hydrogen atom of the above-mentioned alkyl group is substituted with the above-mentioned halogen atom.

・ヘテロ原子を含む2価の連結基
ヘテロ原子を含む2価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子及び水素原子以外の原子であり、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、及びハロゲン原子等が挙げられる。
-Divalent linking group containing a hetero atom The hetero atom in the divalent linking group containing a hetero atom is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and is, for example, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and a halogen atom. And so on.

ヘテロ原子を含む2価の連結基として、具体的には、−O−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−O−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−、−NH−、−NH−C(=O)−、−NH−C(=NH)−、=N−等の非炭化水素系連結基、これらの非炭化水素系連結基の少なくとも1種と2価の炭化水素基との組み合わせ等が挙げられる。当該2価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい。 Specific examples of the divalent linking group containing a heteroatom include -O-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -OC (= O) -O-, -S -, - S (= O ) 2 -, - S (= O) 2 -O -, - NH -, - NH-C (= O) -, - NH-C (= NH) -, = N Examples thereof include a non-hydrocarbon-based linking group such as −, and a combination of at least one of these non-hydrocarbon-based linking groups and a divalent hydrocarbon group. Examples of the divalent hydrocarbon group include those similar to the divalent hydrocarbon group which may have the above-mentioned substituent, and a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable. ..

上記のうち、−C(=O)−NH−中の−NH−、−NH−、−NH−C(=NH)−中のHは、それぞれ、アルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。当該置換基の炭素原子数は、1以上10以下が好ましく、1以上8以下がより好ましく、1以上5以下が特に好ましい。 Of the above, H in -NH-, -NH-, and -NH-C (= NH)- in -C (= O) -NH- is substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group, respectively. It may have been done. The number of carbon atoms of the substituent is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 8 or less, and particularly preferably 1 or more and 5 or less.

12bにおける2価の連結基としては、特に、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、環状の脂肪族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。 As the divalent linking group in R 12b, a divalent linking group containing a linear or branched alkylene group, a cyclic aliphatic hydrocarbon group, or a heteroatom is particularly preferable.

12bにおける2価の連結基が直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基である場合、該アルキレン基の炭素原子数は、1以上10以下が好ましく、1以上6以下がより好ましく、1以上4以下が特に好ましく、1以上3以下が最も好ましい。具体的には、前述の2価の連結基としての「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」の説明中、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。 When the divalent linking group in R 12b is a linear or branched alkylene group, the number of carbon atoms of the alkylene group is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 6 or less, and 1 or more and 4 or less. Is particularly preferable, and 1 or more and 3 or less are most preferable. Specifically, in the description of the above-mentioned "divalent hydrocarbon group which may have a substituent" as the divalent linking group, it is mentioned as a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples thereof include a linear alkylene group and a branched alkylene group.

12bにおける2価の連結基が環状の脂肪族炭化水素基である場合、当該環状の脂肪族炭化水素基としては、前述の2価の連結基としての「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」の説明中、「構造中に環を含む脂肪族炭化水素基」として挙げた環状の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。 When the divalent linking group in R 12b is a cyclic aliphatic hydrocarbon group, the cyclic aliphatic hydrocarbon group may have a "substituent" as the above-mentioned divalent linking group. In the description of "divalent hydrocarbon group", the same group as the cyclic aliphatic hydrocarbon group mentioned as "aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure" can be mentioned.

当該環状の脂肪族炭化水素基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、イソボルナン、アダマンタン、トリシクロデカン、又はテトラシクロドデカンから水素原子が二個以上除かれた基が特に好ましい。 As the cyclic aliphatic hydrocarbon group, a group in which two or more hydrogen atoms are removed from cyclopentane, cyclohexane, norbornane, isobornane, adamantane, tricyclodecane, or tetracyclododecane is particularly preferable.

12bにおける2価の連結基が、ヘテロ原子を含む2価の連結基である場合、当該連結基として好ましいものとして、−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−、一般式−Y1b−O−Y2b−、−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−、又は−Y1b−O−C(=O)−Y2b−で表される基[式中、Y1b、及びY2bはそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0以上3以下の整数である。]等が挙げられる。 When the divalent linking group in R 12b is a divalent linking group containing a hetero atom, -O-, -C (= O) -O-, -C (= O) are preferable as the linking group. )-, -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -NH- (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group), -S-, -S (= O) 2- , -S (= O) 2- O-, general formula -Y 1b -O-Y 2b -,-[Y 1b- C (= O) -O] m ' Groups represented by −Y 2b − or −Y 1b −OC (= O) −Y 2b − [Even if Y 1b and Y 2b in the formula each have independent substituents. It is a good divalent hydrocarbon group, where O is an oxygen atom and m'is an integer greater than or equal to 0 and less than or equal to 3. ] Etc. can be mentioned.

12bにおける2価の連結基が−NH−の場合、−NH−中の水素原子はアルキル基、アシル等の置換基で置換されていてもよい。当該置換基(アルキル基、アシル基等)の炭素原子数は、1以上10以下が好ましく、1以上8以下がより好ましく、1以上5以下が特に好ましい。 When the divalent linking group in R 12b is -NH-, the hydrogen atom in -NH- may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group. The number of carbon atoms of the substituent (alkyl group, acyl group, etc.) is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 8 or less, and particularly preferably 1 or more and 5 or less.

式−Y1b−O−Y2b−、−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−、又は−Y1b−O−C(=O)−Y2b−中、Y1b、及びY2bは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。当該2価の炭化水素基としては、前記2価の連結基としての説明で挙げた「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」と同様のものが挙げられる。 Wherein -Y 1b -O-Y 2b -, - [Y 1b -C (= O) -O] m '-Y 2b -, or -Y 1b -O-C (= O ) -Y 2b - in, Y 1b and Y 2b are divalent hydrocarbon groups that may independently have substituents. Examples of the divalent hydrocarbon group include the same as the “divalent hydrocarbon group which may have a substituent” mentioned in the explanation as the divalent linking group.

1bとしては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数1以上5以下の直鎖状のアルキレン基がより好ましく、メチレン基、及びエチレン基が特に好ましい。 As Y 1b , a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 or more carbon atoms and 5 or less carbon atoms is more preferable, and a methylene group and ethylene are preferable. Groups are particularly preferred.

2bとしては、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基、及びアルキルメチレン基がより好ましい。当該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素原子数1以上5以下の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数1以上3以下の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。 As Y 2b , a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a methylene group, an ethylene group, and an alkylmethylene group are more preferable. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group.

式−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−で表される基において、m’は0以上3以下の整数であり、0以上2以下の整数が好ましく、0又は1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−で表される基としては、式−Y1b−C(=O)−O−Y2b−で表される基が特に好ましい。なかでも、式−(CHa’−C(=O)−O−(CHb’−で表される基が好ましい。当該式中、a’は、1以上10以下の整数であり、1以上8以下の整数が好ましく、1以上5以下の整数がより好ましく、1、又は2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1以上10以下の整数であり、1以上8以下の整数が好ましく、1以上5以下の整数がより好ましく、1又は2がさらに好ましく、1が最も好ましい。 Formula - [Y 1b -C (= O ) -O] m '-Y 2b - In the group represented by, m' is an integer of 0 to 3, preferably 0 to 2 integer 0 or 1 is more preferable, and 1 is particularly preferable. That is, the group represented by the formula − [Y 1b −C (= O) −O] m ′ −Y 2b − is represented by the formula −Y 1b −C (= O) −O−Y 2b−. Groups are particularly preferred. Among them, the formula - (CH 2) a '-C (= O) -O- (CH 2) b' - a group represented by are preferred. In the formula, a'is an integer of 1 or more and 10 or less, preferably an integer of 1 or more and 8 or less, more preferably an integer of 1 or more and 5 or less, still more preferably 1 or 2, and most preferably 1. b'is an integer of 1 or more and 10 or less, preferably an integer of 1 or more and 8 or less, more preferably an integer of 1 or more and 5 or less, still more preferably 1 or 2, and most preferably 1.

12bにおける2価の連結基について、ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、少なくとも1種の非炭化水素基と2価の炭化水素基との組み合わせからなる有機基が好ましい。なかでも、ヘテロ原子として酸素原子を有する直鎖状の基、例えばエーテル結合、又はエステル結合を含む基が好ましく、前述の式−Y1b−O−Y2b−、−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−、又は−Y1b−O−C(=O)−Y2b−で表される基がより好ましく、前述の式−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−、又は−Y1b−O−C(=O)−Y2b−で表される基が特に好ましい。 Regarding the divalent linking group in R 12b, as the divalent linking group containing a hetero atom, an organic group consisting of a combination of at least one non-hydrocarbon group and a divalent hydrocarbon group is preferable. Among them, a linear group having an oxygen atom as a hetero atom, for example, a group containing an ether bond or an ester bond is preferable, and the above-mentioned formulas −Y 1b −O−Y 2b− , − [Y 1b− C (=). O) -O] m '-Y 2b -, or -Y 1b -O-C (= O ) -Y 2b - more preferably a group represented by the previously described formula - [Y 1b -C (= O ) -O] m '-Y 2b -, or -Y 1b -O-C (= O ) -Y 2b - is particularly desirable.

12bにおける2価の連結基としては、アルキレン基、又はエステル結合(−C(=O)−O−)を含むものが好ましい。 As the divalent linking group in R 12b, those containing an alkylene group or an ester bond (-C (= O) -O-) are preferable.

当該アルキレン基は、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。当該直鎖状の脂肪族炭化水素基の好適な例としては、メチレン基[−CH−]、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、及びペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。当分岐鎖状のアルキレン基の好適な例としては、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基等のアルキルアルキレン基等が挙げられる。 The alkylene group is preferably a linear or branched alkylene group. Preferable examples of the linear aliphatic hydrocarbon group include methylene group [−CH 2 −], ethylene group [− (CH 2 ) 2 −], trimethylene group [− (CH 2 ) 3 −], a tetramethylene group [- (CH 2) 4 - ], and a pentamethylene group [- (CH 2) 5 - ] , and the like. Preferable examples of this branched alkylene group are -CH (CH 3 )-, -CH (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , -C (CH 3 ) (CH 2). Alkylene methylene groups such as CH 3 )-, -C (CH 3 ) (CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C (CH 2 CH 3 ) 2- ; -CH (CH 3 ) CH 2- , -CH ( CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl ethylene such as Group; -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 −, −CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 − and other alkyl methylene groups; −CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 CH 2 −, −CH 2 CH (CH 3 ) Examples thereof include alkylalkylene groups such as alkyltetramethylene groups such as CH 2 CH 2-.

エステル結合を含む2価の連結基としては、特に、式:−R13b−C(=O)−O−[式中、R13bは2価の連結基である。]で表される基が好ましい。すなわち、構成単位(b−3−S)は、下記式(b−S1−1)で表される構成単位であることが好ましい。 As the divalent linking group containing an ester bond, in particular, the formula: -R 13b- C (= O) -O- [in the formula, R 13b is a divalent linking group. ] Is preferred. That is, the structural unit (b-3-S) is preferably a structural unit represented by the following formula (b-S1-1).

Figure 2021076636
(式中、R、及びR11bはそれぞれ前記と同様であり、R13bは2価の連結基である。)
Figure 2021076636
(In the formula, R and R 11b are the same as described above, and R 13b is a divalent linking group.)

13bとしては、特に限定されず、例えば、前述のR12bにおける2価の連結基と同様のものが挙げられる。
13bの2価の連結基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はヘテロ原子として酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。
The R 13b is not particularly limited, and examples thereof include the same as the divalent linking group in R 12b described above.
As the divalent linking group of R 13b, a linear or branched alkylene group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a divalent linking group containing a hetero atom is preferable, and the divalent linking group is linear. Alternatively, a branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom as a hetero atom is preferable.

直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基、又はエチレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。分岐鎖状のアルキレン基としては、アルキルメチレン基、又はアルキルエチレン基が好ましく、−CH(CH)−、−C(CH−、又は−C(CHCH−が特に好ましい。 As the linear alkylene group, a methylene group or an ethylene group is preferable, and a methylene group is particularly preferable. As the branched alkylene group, an alkylmethylene group or an alkylethylene group is preferable, and -CH (CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , or -C (CH 3 ) 2 CH 2- is particularly preferable. preferable.

酸素原子を含む2価の連結基としては、エーテル結合、又はエステル結合を含む2価の連結基が好ましく、前述した、−Y1b−O−Y2b−、−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−、又は−Y1b−O−C(=O)−Y2b−がより好ましい。Y1b、及びY2bは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、m’は0以上3以下の整数である。なかでも、−Y1b−O−C(=O)−Y2b−が好ましく、−(CH−O−C(=O)−(CH−で表される基が特に好ましい。cは1以上5以下の整数であり、1又は2が好ましい。dは1以上5以下の整数であり、1又は2が好ましい。 As the divalent linking group containing an oxygen atom, an ether bond or a divalent linking group containing an ester bond is preferable, and the above-mentioned −Y 1b −O−Y 2b− , − [Y 1b− C (= O) ) -O] m '-Y 2b - , or -Y 1b -O-C (= O ) -Y 2b - is more preferable. Y 1b and Y 2b are divalent hydrocarbon groups that may independently have substituents, and m'is an integer of 0 or more and 3 or less. Of these, −Y 1b −OC (= O) −Y 2b − is preferable, and the group represented by − (CH 2 ) c −OC (= O) − (CH 2 ) d − is particularly preferable. .. c is an integer of 1 or more and 5 or less, preferably 1 or 2. d is an integer of 1 or more and 5 or less, preferably 1 or 2.

構成単位(b−3−S)としては、特に、下記式(b−S1−11)、又は(b−S1−12)で表される構成単位が好ましく、式(b−S1−12)で表される構成単位がより好ましい。 As the structural unit (b-3-S), a structural unit represented by the following formula (b-S1-11) or (b-S1-12) is particularly preferable, and the structural unit (b-S1-12) is used. The structural unit represented is more preferable.

Figure 2021076636
(式中、R、A’、R10b、z、及びR13bはそれぞれ前記と同じである。)
Figure 2021076636
(In the formula, R, A', R 10b , z, and R 13b are the same as described above, respectively.)

式(b−S1−11)中、A’はメチレン基、酸素原子(−O−)、又は硫黄原子(−S−)であることが好ましい。 In the formula (b-S1-11), A'preferably is a methylene group, an oxygen atom (-O-), or a sulfur atom (-S-).

13bとしては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又は酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。R13bにおける直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前述の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。 As R 13b , a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom is preferable. The linear or branched alkylene group and the divalent linking group containing an oxygen atom in R 13b include the above-mentioned linear or branched alkylene group and a divalent linking group containing an oxygen atom, respectively. The same can be mentioned.

式(b−S1−12)で表される構成単位としては、特に、下記式(b−S1−12a)、又は(b−S1−12b)で表される構成単位が好ましい。 As the structural unit represented by the formula (b-S1-12), the structural unit represented by the following formula (b-S1-12a) or (b-S1-12b) is particularly preferable.

Figure 2021076636
(式中、R、及びA’はそれぞれ前記と同じであり、c〜eはそれぞれ独立に1以上3以下の整数である。)
Figure 2021076636
(In the formula, R and A'are the same as above, and c to e are independently integers of 1 or more and 3 or less.)

〔構成単位(b−3−L)〕
構成単位(b−3−L)の例としては、例えば前述の式(b−S1)中のR11bをラクトン含有環式基で置換したものが挙げられ、より具体的には、下記式(b−L1)〜(b−L5)で表される構成単位が挙げられる。
[Constituent unit (b-3-L)]
Examples of the structural unit (b-3-L) include those in which R 11b in the above formula (b-S1) is replaced with a lactone-containing cyclic group, and more specifically, the following formula (b-S1) is used. Examples thereof include structural units represented by b-L1) to (b-L5).

Figure 2021076636
(式中、Rは水素原子、炭素原子数1以上5以下のアルキル基、又は炭素原子数1以上5以下のハロゲン化アルキル基であり;R’はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基、又はシアノ基であり、R”は水素原子、又はアルキル基であり;R12bは単結合、又は2価の連結基であり、s”は0以上2以下の整数であり;A”は酸素原子若しくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素原子数1以上5以下のアルキレン基、酸素原子、又は硫黄原子であり;rは0又は1である。)
Figure 2021076636
(In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or an alkyl halide group having 1 to 5 carbon atoms; R'is an independent hydrogen atom, alkyl group, and alkoxy group, respectively. , Alkyl halide group, hydroxyl group, -COOR ", -OC (= O) R", hydroxyalkyl group, or cyano group, where R "is a hydrogen atom or alkyl group; R 12b is a single bond or It is a divalent linking group, where s "is an integer of 0 or more and 2 or less; A" is an alkylene group, oxygen atom, or sulfur having 1 or more and 5 or less carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom. It is an atom; r is 0 or 1.)

式(b−L1)〜(b−L5)におけるRは、前述と同様である。
R’におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、−SO−含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基について前述したものと同様のものが挙げられる。
R in the formulas (b-L1) to (b-L5) is the same as described above.
The alkyl group in R ', alkoxy group, halogenated alkyl group, -COOR ", - OC (= O) R", The hydroxyalkyl group, respectively, -SO 2 - may have the containing cyclic group Examples of the substituents include an alkyl group, an alkoxy group, an alkyl halide group, -COOR ", -OC (= O) R", and a hydroxyalkyl group similar to those described above.

R’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。
R”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
R”が直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素原子数1以上10以下であることが好ましく、炭素原子数1以上5以下であることがさらに好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素原子数3以上15以下であることが好ましく、炭素原子数4以上12以下であることがさらに好ましく、炭素原子数5以上10以下が最も好ましい。具体的には、フッ素原子又はフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。
A”としては、前述の式(3−1)中のA’と同様のものが挙げられる。A”は、炭素原子数1以上5以下のアルキレン基、酸素原子(−O−)又は硫黄原子(−S−)であることが好ましく、炭素原子数1以上5以下のアルキレン基、又は−O−がより好ましい。炭素原子数1以上5以下のアルキレン基としては、メチレン基、又はジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
R'is preferably a hydrogen atom in consideration of industrial availability and the like.
The alkyl group in "R" may be linear, branched or cyclic.
When R "is a linear or branched alkyl group, the number of carbon atoms is preferably 1 or more and 10 or less, and more preferably 1 or more and 5 or less.
When R "is a cyclic alkyl group, the number of carbon atoms is preferably 3 or more and 15 or less, more preferably 4 or more and 12 or less, and most preferably 5 or more and 10 or less. Specifically, one or more polycycloalkanes such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorine atom or an alkyl fluorinated group. Examples thereof include groups excluding hydrogen atoms. Specifically, one or more monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and polycycloalkanes such as adamantan, norbornan, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Examples include groups excluding hydrogen atoms.
Examples of A ″ include those similar to A ′ in the above formula (3-1). A ″ is an alkylene group having 1 or more carbon atoms and 5 or less carbon atoms, an oxygen atom (−O−), or a sulfur atom. It is preferably (-S-), and more preferably an alkylene group having 1 or more and 5 or less carbon atoms, or -O-. As the alkylene group having 1 or more and 5 or less carbon atoms, a methylene group or a dimethylmethylene group is more preferable, and a methylene group is most preferable.

12bは、前述の式(b−S1)中のR12bと同様である。
式(b−L1)中、s”は1又は2であることが好ましい。
以下に、前述の式(b−L1)〜(b−L3)で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。
R 12b is the same as R 12b in the above-mentioned formula (b-S1).
In the formula (b-L1), s "is preferably 1 or 2.
Hereinafter, specific examples of the structural units represented by the above-mentioned formulas (b-L1) to (b-L3) will be illustrated. In each of the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

Figure 2021076636
Figure 2021076636

Figure 2021076636
Figure 2021076636

構成単位(b−3−L)としては、前述の式(b−L1)〜(b−L5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、式(b−L1)〜(b−L3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種がより好ましく、前述の式(b−L1)、又は(b−L3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が特に好ましい。
なかでも、前述の式(b−L1−1)、(b−L1−2)、(b−L2−1)、(b−L2−7)、(b−L2−12)、(b−L2−14)、(b−L3−1)、及び(b−L3−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。
As the structural unit (b-3-L), at least one selected from the group consisting of the structural units represented by the above-mentioned formulas (b-L1) to (b-L5) is preferable, and the structural unit (b-3-L) is preferably at least one type. ) To (b-L3), at least one selected from the group consisting of the structural units represented by the above formulas (b-L1) or (b-L3) is more preferable. At least one selected from the group is particularly preferred.
Among them, the above-mentioned formulas (b-L1-1), (b-L1-2), (b-L2-1), (b-L2-7), (b-L2-12), (b-L2). At least one selected from the group consisting of the structural units represented by -14), (b-L3-1), and (b-L3-5) is preferable.

また、構成単位(b−3−L)としては、下記式(b−L6)〜(b−L7)で表される構成単位も好ましい。

Figure 2021076636
式(b−L6)及び(b−L7)中、R及びR12bは前述と同様である。 Further, as the structural unit (b-3-L), the structural unit represented by the following formulas (b-L6) to (b-L7) is also preferable.
Figure 2021076636
In the formulas (b-L6) and (b-L7), R and R 12b are the same as described above.

また、アクリル樹脂(B3)は、酸の作用によりアクリル樹脂(B3)のアルカリに対する溶解性を高める構成単位として、酸解離性基を有する下記式(b5)〜(b7)で表される構成単位を含む。 Further, the acrylic resin (B3) is a structural unit represented by the following formulas (b5) to (b7) having an acid dissociative group as a structural unit that enhances the solubility of the acrylic resin (B3) in alkali by the action of an acid. including.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(b5)〜(b7)中、R14b、及びR18b〜R23bは、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、フッ素原子、又は炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基を表し、R15b〜R17bは、それぞれ独立に炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基、又は炭素原子数5以上20以下の脂肪族環式基を表し、それぞれ独立に炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基を表し、R16b及びR17bは互いに結合して、両者が結合している炭素原子とともに炭素原子数5以上20以下の炭化水素環を形成してもよく、Yは、置換基を有していてもよい脂肪族環式基又はアルキル基を表し、pは0以上4以下の整数を表し、qは0又は1を表す。 In the above formulas (b5) to (b7), R 14b and R 18b to R 23b are independently hydrogen atoms, linear or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, fluorine atoms, or fluorine atoms, respectively. Represents a linear or branched fluorinated alkyl group having 1 or more and 6 or less carbon atoms, and R 15b to R 17b are independently linear or branched alkyl groups having 1 or more and 6 or less carbon atoms. Represents a linear or branched fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aliphatic cyclic group having 5 to 20 carbon atoms, and each independently has a linear chain having 1 to 6 carbon atoms. Represents a linear or branched alkyl group or a linear or branched fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 16b and R 17b are bonded to each other, and both are bonded carbon atoms. May form a hydrocarbon ring having 5 or more and 20 or less carbon atoms, Y b represents an aliphatic cyclic group or an alkyl group which may have a substituent, and p is 0 or more and 4 or less. It represents an integer and q represents 0 or 1.

なお、上記直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。また、フッ素化アルキル基とは、上記アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換されたものである。
脂肪族環式基の具体例としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が挙げられる。特に、シクロヘキサン、アダマンタンから1個の水素原子を除いた基(さらに置換基を有していてもよい)が好ましい。
Examples of the linear or branched alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group and the like. Can be mentioned. The fluorinated alkyl group is one in which a part or all of the hydrogen atom of the alkyl group is replaced by a fluorine atom.
Specific examples of the aliphatic cyclic group include groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as monocycloalkanes, bicycloalkanes, tricycloalkanes, and tetracycloalkanes. Specifically, a group obtained by removing one hydrogen atom from monocycloalkanes such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane, and polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Can be mentioned. In particular, a group obtained by removing one hydrogen atom from cyclohexane or adamantane (which may further have a substituent) is preferable.

上記R16b及びR17bが互いに結合して炭化水素環を形成しない場合、上記R15b、R16b、及びR17bとしては、高コントラストで、解像度、焦点深度幅等が良好な点から、炭素原子数2以上4以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましい。上記R19b、R20b、R22b、R23bとしては、水素原子又はメチル基であることが好ましい。 When the R 16b and R 17b do not bond with each other to form a hydrocarbon ring, the R 15b , R 16b , and R 17b have high contrast and good resolution, depth of focus, and the like. It is preferably a linear or branched alkyl group having a number of 2 or more and 4 or less. The R 19b , R 20b , R 22b , and R 23b are preferably hydrogen atoms or methyl groups.

上記R16b及びR17bは、両者が結合している炭素原子とともに炭素原子数5以上20以下の脂肪族環式基を形成してもよい。このような脂肪族環式基の具体例としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。特に、シクロヘキサン、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基(さらに置換基を有していてもよい)が好ましい。 The R 16b and R 17b may form an aliphatic cyclic group having 5 or more and 20 or less carbon atoms together with the carbon atom to which both are bonded. Specific examples of such an aliphatic cyclic group include groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as monocycloalkanes, bicycloalkanes, tricycloalkanes, and tetracycloalkanes. Specifically, one or more hydrogen atoms were removed from monocycloalkanes such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane, and polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. The group is mentioned. In particular, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from cyclohexane or adamantane (which may further have a substituent) is preferable.

さらに、上記R16b及びR17bが形成する脂肪族環式基が、その環骨格上に置換基を有する場合、当該置換基の例としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子(=O)等の極性基や、炭素原子数1以上4以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。極性基としては特に酸素原子(=O)が好ましい。 Further, when the aliphatic cyclic group formed by R 16b and R 17b has a substituent on its ring skeleton, examples of the substituent include a hydroxyl group, a carboxy group, a cyano group, and an oxygen atom (= O). ), And linear or branched alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms. As the polar group, an oxygen atom (= O) is particularly preferable.

上記Yは、脂肪族環式基又はアルキル基であり、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。特に、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基(さらに置換基を有していてもよい)が好ましい。 The Y b is an aliphatic cyclic group or an alkyl group, and examples thereof include groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as monocycloalkanes, bicycloalkanes, tricycloalkanes, and tetracycloalkanes. .. Specifically, one or more hydrogen atoms were removed from monocycloalkanes such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane, and polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. The basis etc. can be mentioned. In particular, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane (which may further have a substituent) is preferable.

さらに、上記Yの脂肪族環式基が、その環骨格上に置換基を有する場合、当該置換基の例としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子(=O)等の極性基や、炭素原子数1以上4以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。極性基としては特に酸素原子(=O)が好ましい。 Further, when the aliphatic cyclic group of Y b has a substituent on its ring skeleton, examples of the substituent include polar groups such as a hydroxyl group, a carboxy group, a cyano group and an oxygen atom (= O). Examples thereof include a linear or branched alkyl group having 1 or more and 4 or less carbon atoms. As the polar group, an oxygen atom (= O) is particularly preferable.

また、Yがアルキル基である場合、炭素原子数1以上20以下、好ましくは6以上15以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましい。このようなアルキル基は、特にアルコキシアルキル基であることが好ましく、このようなアルコキシアルキル基としては、1−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−n−プロポキシエチル基、1−イソプロポキシエチル基、1−n−ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基、1−tert−ブトキシエチル基、1−メトキシプロピル基、1−エトキシプロピル基、1−メトキシ−1−メチル−エチル基、1−エトキシ−1−メチルエチル基等が挙げられる。 When Y b is an alkyl group, it is preferably a linear or branched alkyl group having 1 or more and 20 or less carbon atoms, preferably 6 or more and 15 or less. Such an alkyl group is particularly preferably an alkoxyalkyl group, and examples of such an alkoxyalkyl group include a 1-methoxyethyl group, a 1-ethoxyethyl group, a 1-n-propoxyethyl group, and a 1-isopropoxy. Ethyl group, 1-n-butoxyethyl group, 1-isobutoxyethyl group, 1-tert-butoxyethyl group, 1-methoxypropyl group, 1-ethoxypropyl group, 1-methoxy-1-methyl-ethyl group, 1 -Ethoxy-1-methylethyl group and the like can be mentioned.

上記式(b5)で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式(b5−1)〜(b5−33)で表されるものを挙げることができる。 As a preferable specific example of the structural unit represented by the above formula (b5), those represented by the following formulas (b5-1) to (b5-33) can be mentioned.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(b5−1)〜(b5−33)中、R24bは、水素原子又はメチル基を表す。 In the above formulas (b5-1) to (b5-33), R 24b represents a hydrogen atom or a methyl group.

上記式(b6)で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式(b6−1)〜(b6−26)で表されるものを挙げることができる。 As a preferable specific example of the structural unit represented by the above formula (b6), those represented by the following formulas (b6-1) to (b6-26) can be mentioned.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(b6−1)〜(b6−26)中、R24bは、水素原子又はメチル基を表す。 In the above formulas (b6-1) to (b6-26), R 24b represents a hydrogen atom or a methyl group.

上記式(b7)で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式(b7−1)〜(b7−15)で表されるものを挙げることができる。 As a preferable specific example of the structural unit represented by the above formula (b7), those represented by the following formulas (b7-1) to (b7-15) can be mentioned.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(b7−1)〜(b7−15)中、R24bは、水素原子又はメチル基を表す。 In the above formulas (b7-1) to (b7-15), R 24b represents a hydrogen atom or a methyl group.

以上説明した式(b5)〜(b7)で表される構成単位の中では、合成がしやすく且つ比較的高感度化しやすい点から、式(b6)で表される構成単位が好ましい。また、式(b6)で表される構成単位の中では、Yがアルキル基である構成単位が好ましく、R19b及びR20bの一方又は双方がアルキル基である構成単位が好ましい。 Among the structural units represented by the formulas (b5) to (b7) described above, the structural unit represented by the formula (b6) is preferable from the viewpoint of easy synthesis and relatively high sensitivity. Further, among the structural units represented by the formula (b6), a structural unit in which Y b is an alkyl group is preferable, and a structural unit in which one or both of R 19b and R 20b is an alkyl group is preferable.

さらに、アクリル樹脂(B3)は、上記式(b5)〜(b7)で表される構成単位とともに、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含む共重合体からなる樹脂であることが好ましい。 Further, the acrylic resin (B3) is a resin composed of a copolymer containing the structural units represented by the above formulas (b5) to (b7) and the structural units derived from the polymerizable compound having an ether bond. Is preferable.

上記エーテル結合を有する重合性化合物としては、エーテル結合及びエステル結合を有する(メタ)アクリル酸誘導体等のラジカル重合性化合物を例示することができ、具体例としては、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート、エチルカルビトール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート等が挙げられる。また、上記エーテル結合を有する重合性化合物は、好ましくは、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレートである。これらの重合性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the polymerizable compound having an ether bond include a radically polymerizable compound such as a (meth) acrylic acid derivative having an ether bond and an ester bond, and specific examples thereof include 2-methoxyethyl (meth) acrylate. , 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, ethylcarbitol (meth) acrylate, phenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) Examples thereof include acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, and tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate. The polymerizable compound having an ether bond is preferably 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, or methoxytriethylene glycol (meth) acrylate. These polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.

さらに、アクリル樹脂(B3)には、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含めることができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。 Further, the acrylic resin (B3) can contain other polymerizable compounds as a constituent unit for the purpose of appropriately controlling the physical and chemical properties. Examples of such a polymerizable compound include known radical polymerizable compounds and anionic polymerizable compounds.

このような重合性化合物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類;マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類;2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸アルキルエステル類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類;フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸アリールエステル類;マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類;スチレン、α−メチルスチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等のビニル基含有芳香族化合物類;酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類;ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類;アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類;塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物;アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類;等を挙げることができる。 Examples of such polymerizable compounds include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid and itaconic acid; 2-methacryloyloxyethyl succinic acid and 2-methacryloyloxy. Methacrylic acid derivatives having carboxy groups and ester bonds such as ethyl maleic acid, 2-methacryloyloxyethyl phthalic acid, 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid; methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) ) (Meta) acrylic acid alkyl esters such as acrylates and cyclohexyl (meth) acrylates; (meth) acrylic acid hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylates and 2-hydroxypropyl (meth) acrylates; phenyl ( (Meta) acrylic acid aryl esters such as meta) acrylates and benzyl (meth) acrylates; dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate and dibutyl fumarate; styrene, α-methylstyrene, chlorostyrene, chloromethylstyrene, vinyltoluene , Hydroxystyrene, α-methylhydroxystyrene, α-ethylhydroxystyrene and other vinyl group-containing aromatic compounds; vinyl acetate and other vinyl group-containing aliphatic compounds; butadiene, isoprene and other conjugated diolefins; Binitrile group-containing polymerizable compounds such as bnitrile; chlorine-containing polymerizable compounds such as vinyl chloride and vinylidene chloride; amide bond-containing polymerizable compounds such as acrylamide and methacrylicamide; and the like can be mentioned.

上記の通り、アクリル樹脂(B3)は、上記のモノカルボン酸類やジカルボン酸類のようなカルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を含んでいてもよい。しかし、断面形状が良好な矩形である非レジスト部を含むレジストパターンを形成しやすい点から、アクリル樹脂(B3)は、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を実質的に含まないのが好ましい。具体的には、アクリル樹脂(B3)中の、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位の比率は、20質量%以下が好ましく、15質量%以下がより好ましく、5質量%以下が特に好ましい。
アクリル樹脂(B3)において、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を比較的多量に含むアクリル樹脂は、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を少量しか含まないか、含まないアクリル樹脂と併用されるのが好ましい。
As described above, the acrylic resin (B3) may contain a structural unit derived from a polymerizable compound having a carboxy group, such as the above-mentioned monocarboxylic acids and dicarboxylic acids. However, the acrylic resin (B3) does not substantially contain a structural unit derived from a polymerizable compound having a carboxy group because it is easy to form a resist pattern including a non-resist portion having a rectangular shape having a good cross-sectional shape. Is preferable. Specifically, the ratio of the structural units derived from the polymerizable compound having a carboxy group in the acrylic resin (B3) is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and particularly preferably 5% by mass or less. preferable.
In the acrylic resin (B3), the acrylic resin containing a relatively large amount of the structural unit derived from the polymerizable compound having a carboxy group contains or does not contain a small amount of the structural unit derived from the polymerizable compound having a carboxy group. It is preferably used in combination with an acrylic resin.

また、重合性化合物としては、酸非解離性の脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリル酸エステル類、ビニル基含有芳香族化合物類等を挙げることができる。酸非解離性の脂肪族多環式基としては、特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基等が、工業上入手しやすい等の点で好ましい。これらの脂肪族多環式基は、炭素原子数1以上5以下の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。 Examples of the polymerizable compound include (meth) acrylic acid esters having an acid-non-dissociable aliphatic polycyclic group, vinyl group-containing aromatic compounds, and the like. As the acid non-dissociable aliphatic polycyclic group, a tricyclodecanyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecanyl group, an isobornyl group, a norbornyl group and the like are particularly preferable in terms of being easily available industrially. These aliphatic polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.

酸非解離性の脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリル酸エステル類としては、具体的には、下記式(b8−1)〜(b8−5)の構造のものを例示することができる。 Specific examples of the (meth) acrylic acid esters having an acid-non-dissociative aliphatic polycyclic group include those having the structures of the following formulas (b8-1) to (b8-5). it can.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

上記式(b8−1)〜(b8−5)中、R25bは、水素原子又はメチル基を表す。 In the above formulas (b8-1) to (b8-5), R 25b represents a hydrogen atom or a methyl group.

アクリル樹脂(B3)が、−SO−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含む構成単位(b−3)を含む場合、アクリル樹脂(B3)中の構成単位(b−3)の含有量は、5質量%以上が好ましく、10質量%以上がより好ましく、10質量%以上50質量%以下が特に好ましく、10質量%以上30質量%以下が最も好ましい。感光性樹脂組成物が、上記の範囲内の量の構成単位(b−3)を含む場合、良好な現像性と、良好なパターン形状とを両立しやすい。 Acrylic resin (B3) is, -SO 2 - containing cyclic group, or containing a structural unit containing a lactone-containing cyclic group (b-3), the structural units in the acrylic resin (B3) (b-3) The content is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, particularly preferably 10% by mass or more and 50% by mass or less, and most preferably 10% by mass or more and 30% by mass or less. When the photosensitive resin composition contains a structural unit (b-3) in an amount within the above range, it is easy to achieve both good developability and good pattern shape.

また、アクリル樹脂(B3)は、前述の式(b5)〜(b7)で表される構成単位を、5質量%以上含むのが好ましく、10質量%以上含むのがより好ましく、10質量%以上50質量%以下含むのが特に好ましい。 Further, the acrylic resin (B3) preferably contains 5% by mass or more of the structural units represented by the above formulas (b5) to (b7), more preferably 10% by mass or more, and 10% by mass or more. It is particularly preferable to contain 50% by mass or less.

アクリル樹脂(B3)は、上記のエーテル結合を有する重合性化合物に由来する構成単位を含むのが好ましい。アクリル樹脂(B3)中の、エーテル結合を有する重合性化合物に由来する構成単位の含有量は、0質量%以上50質量%以下が好ましく、5質量%以上30質量%以下がより好ましい。 The acrylic resin (B3) preferably contains a structural unit derived from the above-mentioned polymerizable compound having an ether bond. The content of the structural unit derived from the polymerizable compound having an ether bond in the acrylic resin (B3) is preferably 0% by mass or more and 50% by mass or less, and more preferably 5% by mass or more and 30% by mass or less.

アクリル樹脂(B3)は、上記の酸非解離性の脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリル酸エステル類に由来する構成単位を含むのが好ましい。アクリル樹脂(B3)中の、酸非解離性の脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリル酸エステル類に由来する構成単位の含有量は、0質量%以上50質量%以下が好ましく、5質量%以上30質量%以下がより好ましい。 The acrylic resin (B3) preferably contains a structural unit derived from the (meth) acrylic acid esters having the above-mentioned acid non-dissociative aliphatic polycyclic group. The content of the structural unit derived from the (meth) acrylic acid ester having an acid-non-dissociable aliphatic polycyclic group in the acrylic resin (B3) is preferably 0% by mass or more and 50% by mass or less. More preferably, it is by mass% or more and 30% by mass or less.

以上説明した樹脂(B)の、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算質量平均分子量(以下、「質量平均分子量」ともいう。)は、好ましくは10000以上600000以下であり、より好ましくは20000以上400000以下であり、さらに好ましくは30000以上300000以下、特に好ましくは40000以上300000以下である。このような質量平均分子量とすることにより、基板からの剥離性を低下させることなく感光性樹脂層の十分な強度を保持でき、さらにはめっき時のプロファイルの膨れや、クラックの発生を、より防ぐことができる。 The polystyrene-equivalent mass average molecular weight (hereinafter, also referred to as “mass average molecular weight”) of the resin (B) described above by GPC (gel permeation chromatography) is preferably 10,000 or more and 600,000 or less, more preferably 20,000. It is more than 400,000 or less, more preferably 30,000 or more and 300,000 or less, and particularly preferably 40,000 or more and 300,000 or less. By setting such a mass average molecular weight, it is possible to maintain sufficient strength of the photosensitive resin layer without lowering the peelability from the substrate, and further prevent profile swelling and cracks during plating. be able to.

また、樹脂(B)の分散度は1.05以上が好ましい。ここで、分散度とは、質量平均分子量を数平均分子量で除した値のことである。このような分散度とすることにより、所望とするめっきに対する応力耐性や、めっき処理により得られる金属層が膨らみやすくなるという問題を、より回避できる。 The dispersity of the resin (B) is preferably 1.05 or more. Here, the degree of dispersion is a value obtained by dividing the mass average molecular weight by the number average molecular weight. By setting such a dispersion degree, it is possible to further avoid the problems of stress resistance to the desired plating and the tendency of the metal layer obtained by the plating treatment to swell.

樹脂(B)の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形分量に対して5質量%以上98質量%以下とすることが好ましく、5質量%以上85質量%以下とすることがより好ましい。 The content of the resin (B) is preferably 5% by mass or more and 98% by mass or less, and more preferably 5% by mass or more and 85% by mass or less, based on the total solid content of the photosensitive resin composition.

<フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)>
感光性樹脂組成物は、フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)を含有することが好ましい。
フェノール性水酸基とは、ベンゼン環に直接結合している水酸基(OH)を意味する。フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)はフェノール性水酸基を有するため、アルカリ可溶性の化合物である。アルカリ可溶性の化合物とは、2.38質量%のTMAH水溶液に溶解するものをいう。
低分子化合物とは、重合物ではない化合物であり、例えば分子量1500以下の化合物である。
<Phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C)>
The photosensitive resin composition preferably contains a phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C).
The phenolic hydroxyl group means a hydroxyl group (OH) directly bonded to the benzene ring. Since the phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C) has a phenolic hydroxyl group, it is an alkali-soluble compound. The alkali-soluble compound means a compound that dissolves in a 2.38% by mass TMAH aqueous solution.
The low molecular weight compound is a compound that is not a polymer, for example, a compound having a molecular weight of 1500 or less.

フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)は、露光部の溶解速度を増加させ、感度を向上させることができる。 The phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C) can increase the dissolution rate of the exposed portion and improve the sensitivity.

フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)の種類は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)としては、2以上のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましい。フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)の具体例としては、下記化合物が挙げられる。

Figure 2021076636
The type of the phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C) is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. As the phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C), a compound having two or more phenolic hydroxyl groups is preferable. Specific examples of the phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C) include the following compounds.
Figure 2021076636

また、フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)として、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノン類;トリス(4−ヒドロシキフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、4,4’−[(3,4−ジヒドロキシフェニル)メチレン]ビス(2−シクロヘキシル−5−メチルフェノール)等のトリスフェノール型化合物;2,4−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−5−ヒドロキシフェノール、2,6−ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−メチルフェノール等のリニア型3核体フェノール化合物;1,1−ビス〔3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル〕イソプロパン、ビス[2,5−ジメチル−3−(4−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−ヒドロキシフェニル]メタン、ビス[2,5−ジメチル−3−(4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシフェニル]メタン、ビス[3−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル]メタン、ビス[3−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシ−5−エチルフェニル]メタン、ビス[3−(3,5−ジエチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル]メタン、ビス[3−(3,5−ジエチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシ−5−エチルフェニル]メタン、ビス[2−ヒドロキシ−3−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−5−メチルフェニル]メタン、ビス[2−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−5−メチルフェニル]メタン、ビス[4−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−5−メチルフェニル]メタン、ビス[2,5−ジメチル−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−ヒドロキシフェニル]メタン等のリニア型4核体フェノール化合物;2,4−ビス[2−ヒドロキシ−3−(4−ヒドロキシベンジル)−5−メチルベンジル]−6−シクロヘキシルフェノール、2,4−ビス[4−ヒドロキシ−3−(4−ヒドロキシベンジル)−5−メチルベンジル]−6−シクロヘキシルフェノール、2,6−ビス[2,5−ジメチル−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−ヒドロキシベンジル]−4−メチルフェノール等のリニア型5核体フェノール化合物等のリニア型ポリフェノール化合物;ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、2,3,4−トリヒドロキシフェニル−4’−ヒドロキシフェニルメタン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(2’,3’,4’−トリヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(2’,4’−ジヒドロキシフェニル)プロパン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)−2−(3’−フルオロ−4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシ−3’,5’−ジメチルフェニル)プロパン等のビスフェノール型化合物;1−[1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、等の多核枝分かれ型化合物;1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン等の縮合型フェノール化合物や、ビスフェノールA、ピロガロールモノメチルエテール、ピロガロール−1,3−ジメチルエーテル等が挙げられる。これらは単独又は2種以上組み合わせて用いることができる。 Further, as the phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C), polyhydroxybenzophenones such as 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone; tris (4-hydroshikiphenyl). ) Methan, bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,3,5-trimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3) , 5-Dimethylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -3-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -2-hydroxy Phenolmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -3-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2) , 5-Dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -3 , 4-Dihydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -2,4-dihydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxyphenyl) -3-methoxy-4-hydroxyphenylmethane, bis (5) -Cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) -3-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy) -2-Methylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (5-cyclohexyl-4-hydroxy-2-methylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, 4,4'-[(3,4-dihydroxyphenyl) ) Methylene] bis (2-cyclohexyl-5-methylphenol) and other trisphenol-type compounds; 2,4-bis (3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl) -5-hydroxyphenol, 2,6-bis ( Linear trinuclear phenolic compounds such as 2,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl) -4-methylphenol; 1,1-bis [3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -4-hydroxy-5 − Cycloxyphol Enyl] isopropane, bis [2,5-dimethyl-3- (4-hydroxy-5-methylbenzyl) -4-hydroxyphenyl] methane, bis [2,5-dimethyl-3- (4-hydroxybenzyl)- 4-Hydroxyphenyl] methane, bis [3- (3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl) -4-hydroxy-5-methylphenyl] methane, bis [3- (3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl) ) -4-Hydroxy-5-ethylphenyl] methane, bis [3- (3,5-diethyl-4-hydroxybenzyl) -4-hydroxy-5-methylphenyl] methane, bis [3- (3,5-) Diethyl-4-hydroxybenzyl) -4-hydroxy-5-ethylphenyl] methane, bis [2-hydroxy-3- (3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl) -5-methylphenyl] methane, bis [2 -Hydroxy-3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -5-methylphenyl] methane, bis [4-Hydroxy-3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -5-methylphenyl] methane, bis Linear tetranuclear phenolic compounds such as [2,5-dimethyl-3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -4-hydroxyphenyl] methane; 2,4-bis [2-hydroxy-3- (4) -Hydroxybenzyl) -5-methylbenzyl] -6-cyclohexylphenol, 2,4-bis [4-hydroxy-3- (4-hydroxybenzyl) -5-methylbenzyl] -6-cyclohexylphenol, 2,6-cyclohexyl Bis [2,5-dimethyl-3- (2-hydroxy-5-methylbenzyl) -4-hydroxybenzyl] -4-methylphenol and other linear pentanuclear phenol compounds and other linear polyphenol compounds; bis (2) , 3,4-Trihydroxyphenyl) methane, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, 2,3,4-trihydroxyphenyl-4'-hydroxyphenylmethane, 2- (2,3,4-trihydroxy) Phenyl) -2- (2', 3', 4'-trihydroxyphenyl) propane, 2- (2,4-dihydroxyphenyl) -2- (2', 4'-dihydroxyphenyl) propane, 2- (4) -Hydroxyphenyl) -2- (4'-hydroxyphenyl) propane, 2- (3-fluoro-4-hydroxyphenyl) -2- (3'-fluoro-4'-hydroxyphenyl) propane, 2- (2, 4-Benzyl Loxyphenyl) -2- (4'-hydroxyphenyl) propane, 2- (2,3,4-trihydroxyphenyl) -2- (4'-hydroxyphenyl) propane, 2- (2,3,4-tri) Bisphenol-type compounds such as hydroxyphenyl) -2- (4'-hydroxy-3', 5'-dimethylphenyl) propane; 1- [1- (3-methyl-4-hydroxyphenyl) isopropyl] -4- [1 , 1-bis (3-methyl-4-hydroxyphenyl) ethyl] benzene, etc., polynuclear branched compounds; condensed phenol compounds such as 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, bisphenol A, pyrogallol monomethyl Examples thereof include ether, pyrogallol-1,3-dimethylether and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

感光性樹脂組成物がフェノール性水酸基含有低分子化合物(C)を含む場合のフェノール性水酸基含有低分子化合物(C)の含有量は、感光性樹脂組成物に含まれる樹脂の合計を100質量部とした場合、1質量部以上20質量部以下が好ましく、3質量部以上15質量部以下がより好ましい。 When the photosensitive resin composition contains the phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C), the content of the phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C) is 100 parts by mass based on the total amount of the resins contained in the photosensitive resin composition. , 1 part by mass or more and 20 parts by mass or less is preferable, and 3 parts by mass or more and 15 parts by mass or less is more preferable.

<アルカリ可溶性樹脂(D)>
感光性樹脂組成物は、アルカリ可溶性を向上させるため、さらにアルカリ可溶性樹脂(D)を含有することが好ましい。ここで、アルカリ可溶性樹脂とは、樹脂濃度20質量%の樹脂溶液(溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)により、膜厚1μmの樹脂膜を基板上に形成し、2.38質量%のTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)水溶液に1分間浸漬した際、0.01μm以上溶解するものをいい、前述の(B)成分には該当しないものをいう(典型的には、酸の作用によってもアルカリ可溶性が実質的に変動しない樹脂を指す。)。アルカリ可溶性樹脂(D)としては、ノボラック樹脂(D1)、ポリヒドロキシスチレン樹脂(D2)、及びアクリル樹脂(D3)からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂であることが好ましい。
<Alkali-soluble resin (D)>
The photosensitive resin composition preferably further contains an alkali-soluble resin (D) in order to improve alkali solubility. Here, the alkali-soluble resin is a resin solution having a resin concentration of 20% by mass (solvent: propylene glycol monomethyl ether acetate) to form a resin film having a thickness of 1 μm on a substrate and 2.38% by mass of TMAH (water). (Tetramethylammonium oxide) means a solution that dissolves in 0.01 μm or more when immersed in an aqueous solution for 1 minute, and does not correspond to the above-mentioned component (B) (typically, alkali solubility is also achieved by the action of an acid). Refers to a resin that does not substantially fluctuate.) The alkali-soluble resin (D) is preferably at least one resin selected from the group consisting of novolak resin (D1), polyhydroxystyrene resin (D2), and acrylic resin (D3).

[ノボラック樹脂(D1)]
ノボラック樹脂は、例えばフェノール性水酸基を有する芳香族化合物(以下、単に「フェノール類」という。)とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得られる。
[Novolak resin (D1)]
The novolak resin is obtained, for example, by adding and condensing an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group (hereinafter, simply referred to as "phenols") and aldehydes under an acid catalyst.

上記フェノール類としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール、p−フェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールA、没食子酸、没食子酸エステル、α−ナフトール、β−ナフトール等が挙げられる。
上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒド等が挙げられる。
付加縮合反応時の触媒は、特に限定されるものではないが、例えば酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸等が使用される。
Examples of the phenols include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, o-butylphenol, m-butylphenol, p-butylphenol, 2 , 3-Xylenol, 2,4-Xylenol, 2,5-Xylenol, 2,6-Xylenol, 3,4-Xylenol, 3,5-Xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5- Examples thereof include trimethylphenol, p-phenylphenol, resorcinol, hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, pyrogallol, fluoroxylenol, hydroxydiphenyl, bisphenol A, gallic acid, gallic acid ester, α-naphthol, β-naphthol and the like.
Examples of the aldehydes include formaldehyde, furfural, benzaldehyde, nitrobenzaldehyde, acetaldehyde and the like.
The catalyst at the time of the addition condensation reaction is not particularly limited, but for example, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, acetic acid and the like are used as the acid catalyst.

なお、o−クレゾールを使用すること、樹脂中の水酸基の水素原子を他の置換基に置換すること、あるいは嵩高いアルデヒド類を使用することにより、ノボラック樹脂の柔軟性を一層向上させることが可能である。 The flexibility of the novolak resin can be further improved by using o-cresol, substituting the hydrogen atom of the hydroxyl group in the resin with another substituent, or using bulky aldehydes. Is.

ノボラック樹脂(D1)の質量平均分子量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、1500以上50000以下であることが好ましい。 The mass average molecular weight of the novolak resin (D1) is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention, but is preferably 1500 or more and 50,000 or less.

[ポリヒドロキシスチレン樹脂(D2)]
ポリヒドロキシスチレン樹脂(D2)を構成するヒドロキシスチレン系化合物(ヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン誘導体)としては、p−ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等が挙げられる。
さらに、ポリヒドロキシスチレン樹脂(D2)は、スチレン樹脂との共重合体とすることが好ましい。このようなスチレン樹脂を構成するスチレン系化合物としては、スチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン等が挙げられる。
[Polyhydroxystyrene resin (D2)]
Examples of the hydroxystyrene compound (hydroxystyrene, hydroxystyrene derivative) constituting the polyhydroxystyrene resin (D2) include p-hydroxystyrene, α-methylhydroxystyrene, α-ethylhydroxystyrene and the like.
Further, the polyhydroxystyrene resin (D2) is preferably a copolymer with the styrene resin. Examples of the styrene-based compound constituting such a styrene resin include styrene, chlorostyrene, chloromethylstyrene, vinyltoluene, α-methylstyrene and the like.

ポリヒドロキシスチレン樹脂(D2)の質量平均分子量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、1500以上50000以下であることが好ましい。 The mass average molecular weight of the polyhydroxystyrene resin (D2) is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention, but is preferably 1500 or more and 50,000 or less.

[アクリル樹脂(D3)]
アクリル樹脂(D3)としては、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位、及びカルボキシ基を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含むことが好ましい。
[Acrylic resin (D3)]
The acrylic resin (D3) preferably contains a structural unit derived from a polymerizable compound having an ether bond and a structural unit derived from a polymerizable compound having a carboxy group.

上記エーテル結合を有する重合性化合物としては、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート、エチルカルビトール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート等のエーテル結合及びエステル結合を有する(メタ)アクリル酸誘導体等を例示することができる。上記エーテル結合を有する重合性化合物は、好ましくは、2−メトキシエチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレートである。これらの重合性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the polymerizable compound having an ether bond include 2-methoxyethyl (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, ethylcarbitol (meth) acrylate, and phenoxypolyethylene glycol ( Examples thereof include (meth) acrylic acid derivatives having ether bonds and ester bonds such as meta) acrylates, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylates, and tetrahydrofurfuryl (meth) acrylates. The polymerizable compound having an ether bond is preferably 2-methoxyethyl acrylate or methoxytriethylene glycol acrylate. These polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.

上記カルボキシ基を有する重合性化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類;マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類;2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有する化合物;等を例示することができる。上記カルボキシ基を有する重合性化合物は、好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸である。これらの重合性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the polymerizable compound having a carboxy group include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid and itaconic acid; 2-methacryloyloxyethyl succinic acid and 2-methacryloyloxy. Examples of compounds having a carboxy group and an ester bond such as ethylmaleic acid, 2-methacryloyloxyethyl phthalic acid, 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid; and the like can be exemplified. The polymerizable compound having a carboxy group is preferably acrylic acid or methacrylic acid. These polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.

アクリル樹脂(D3)の質量平均分子量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、50000以上800000以下であることが好ましい。 The mass average molecular weight of the acrylic resin (D3) is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention, but is preferably 50,000 or more and 800,000 or less.

アルカリ可溶性樹脂(D)の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形分を100質量部とした場合、3質量部以上70質量部以下が好ましく、5質量部以上50質量部以下がより好ましい。アルカリ可溶性樹脂(D)の含有量を上記の範囲とすることによりアルカリ可溶性を向上させやすい。 The content of the alkali-soluble resin (D) is preferably 3 parts by mass or more and 70 parts by mass or less, and more preferably 5 parts by mass or more and 50 parts by mass or less, when the total solid content of the photosensitive resin composition is 100 parts by mass. .. By setting the content of the alkali-soluble resin (D) in the above range, the alkali solubility can be easily improved.

<含硫黄化合物(E)>
感光性樹脂組成物は金属基板上でのパターン形成に用いられるため、感光性樹脂組成物が、含硫黄化合物(E)を含むのが好ましい。含硫黄化合物(E)は、金属に対して配位し得る硫黄原子を含む化合物である。なお、2以上の互変異性体を生じ得る化合物に関して、少なくとも1つの互変異性体が金属基板の表面を構成する金属に対して配位する硫黄原子を含む場合、当該化合物は含硫黄化合物に該当する。
Cu等の金属からなる表面上に、めっき用の鋳型として用いられるレジストパターンを形成する場合、フッティング等の断面形状の不具合が生じやすい。しかし、感光性樹脂組成物が含硫黄化合物(E)を含む場合、基板における金属からなる表面上にレジストパターンを形成する場合でも、フッティング等の断面形状の不具合の発生を抑制しやすい。なお、「フッティング」とは、基板表面とレジストパターンの接触面付近においてレジスト部が非レジスト部側に張り出してしまうことによって、非レジスト部においてトップの幅よりもボトムの幅のほうが狭くなる現象である。
<Sulfur-containing compound (E)>
Since the photosensitive resin composition is used for pattern formation on a metal substrate, it is preferable that the photosensitive resin composition contains a sulfur-containing compound (E). The sulfur-containing compound (E) is a compound containing a sulfur atom that can coordinate with a metal. Regarding a compound capable of producing two or more tautomers, when at least one tautomer contains a sulfur atom that coordinates with the metal constituting the surface of the metal substrate, the compound is a sulfur-containing compound. Applicable.
When a resist pattern used as a plating mold is formed on a surface made of a metal such as Cu, defects in cross-sectional shape such as footing are likely to occur. However, when the photosensitive resin composition contains the sulfur-containing compound (E), it is easy to suppress the occurrence of cross-sectional shape defects such as footing even when a resist pattern is formed on the metal surface of the substrate. Note that "footing" is a phenomenon in which the width of the bottom is narrower than the width of the top in the non-resist portion because the resist portion projects toward the non-resist portion near the contact surface between the substrate surface and the resist pattern. Is.

金属に対して配位し得る硫黄原子は、例えば、メルカプト基(−SH)、チオカルボキシ基(−CO−SH)、ジチオカルボキシ基(−CS−SH)、及びチオカルボニル基(−CS−)等として含硫黄化合物に含まれる。
金属に対して配位しやすく、フッティングの抑制効果に優れることから、含硫黄化合物がメルカプト基を有するのが好ましい。
Sulfur atoms that can coordinate with a metal include, for example, a mercapto group (-SH), a thiocarboxy group (-CO-SH), a dithiocarboxy group (-CS-SH), and a thiocarbonyl group (-CS-). Etc. are included in sulfur-containing compounds.
It is preferable that the sulfur-containing compound has a mercapto group because it is easy to coordinate with a metal and has an excellent effect of suppressing footing.

メルカプト基を有する含硫黄化合物の好ましい例としては、下記式(e1)で表される化合物が挙げられる。

Figure 2021076636
(式中、Re1及びRe2は、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基を示し、Re3は単結合又はアルキレン基を示し、Re4は炭素以外の原子を含んでいてもよいu価の脂肪族基を示し、uは2以上4以下の整数を示す。) A preferable example of the sulfur-containing compound having a mercapto group is a compound represented by the following formula (e1).
Figure 2021076636
(In the formula, R e1 and R e2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, R e3 represents a single bond or an alkylene group, and R e4 is a u-valent fat which may contain an atom other than carbon. Indicates a family group, and u indicates an integer of 2 or more and 4 or less.)

e1及びRe2がアルキル基である場合、当該アルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、直鎖状であるのが好ましい。Re1及びRe2がアルキル基である場合、当該アルキル基の炭素原子数は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。当該アルキル基の炭素原子数としては、1以上4以下が好ましく、1又は2であるのが特に好ましく、1であるのが最も好ましい。Re1とRe2との組み合わせとしては、一方が水素原子であり他方がアルキル基であるのが好ましく、一方が水素原子であり他方がメチル基であるのが特に好ましい。 When R e1 and R e2 are alkyl groups, the alkyl group may be linear or branched chain, and is preferably linear. When R e1 and R e2 are alkyl groups, the number of carbon atoms of the alkyl group is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired. The number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 or more and 4 or less, particularly preferably 1 or 2, and most preferably 1. As a combination of R e1 and R e2 , one is preferably a hydrogen atom and the other is an alkyl group, and one is particularly preferably a hydrogen atom and the other is a methyl group.

e3がアルキレン基である場合、当該アルキレン基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、直鎖状であるのが好ましい。Re3がアルキレン基である場合、当該アルキレン基の炭素原子数は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。当該アルキレン基の炭素原子数としては、1以上10以下が好ましく、1以上5以下がより好ましく、1又は2であるのが特に好ましく、1であるのが最も好ましい。 When Re3 is an alkylene group, the alkylene group may be linear or branched, and is preferably linear. When Re3 is an alkylene group, the number of carbon atoms of the alkylene group is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. The number of carbon atoms of the alkylene group is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 5 or less, particularly preferably 1 or 2, and most preferably 1.

e4は炭素以外の原子を含んでいてもよい2価以上4価以下の脂肪族基である。Re4が含んでいてもよい炭素以外の原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。Re4である脂肪族基の構造は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよく、これらの構造を組み合わせた構造であってもよい。 Re4 is an aliphatic group having a divalent value or more and a tetravalence or less, which may contain an atom other than carbon. Examples of the atom other than carbon that Re4 may contain include a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Structure of the aliphatic group is an R e4 may be linear, may be branched, may be cyclic, may be a structure combining these structures.

式(e1)で表される化合物の中では、下記式(e2)で表される化合物がより好ましい。

Figure 2021076636
(式(e2)中、Re4及びuは、式(e1)と同意である。) Among the compounds represented by the formula (e1), the compound represented by the following formula (e2) is more preferable.
Figure 2021076636
(In equation (e2), Re4 and u agree with equation (e1).)

上記式(e2)で表される化合物の中では、下記の化合物が好ましい。

Figure 2021076636
Among the compounds represented by the above formula (e2), the following compounds are preferable.
Figure 2021076636

下記式(e3−L1)〜(e3−L7)で表される化合物も、メルカプト基を有する含硫黄化合物の好ましい例として挙げられる。

Figure 2021076636
(式(e3−L1)〜(e3−L7)中、R’、s”、A”、及びrは、アクリル樹脂(B3)について前述した、式(b−L1)〜(b−L7)と同様である。) Compounds represented by the following formulas (e3-L1) to (e3-L7) are also mentioned as preferable examples of sulfur-containing compounds having a mercapto group.
Figure 2021076636
(In the formulas (e3-L1) to (e3-L7), R', s", A ", and r are the same as the formulas (b-L1) to (b-L7) described above for the acrylic resin (B3). The same is true.)

上記式(e3−L1)〜(e3−L7)で表されるメルカプト化合物の好適な具体例としては、下記の化合物が挙げられる。

Figure 2021076636
Preferable specific examples of the mercapto compounds represented by the above formulas (e3-L1) to (e3-L7) include the following compounds.
Figure 2021076636

下記式(e3−1)〜(e3−4)で表される化合物も、メルカプト基を有する含硫黄化合物の好ましい例として挙げられる。

Figure 2021076636
(式(e3−1)〜(e3−4)中の略号の定義については、アクリル樹脂(B3)に関して前述した、式(3−1)〜(3−4)について前述した通りである。) Compounds represented by the following formulas (e3-1) to (e3-4) are also mentioned as preferable examples of sulfur-containing compounds having a mercapto group.
Figure 2021076636
(The definitions of the abbreviations in the formulas (e3-1) to (e3-4) are as described above for the acrylic resin (B3) and the formulas (3-1) to (3-4) described above.)

上記式(e3−1)〜(e3−4)で表されるメルカプト化合物の好適な具体例としては、下記の化合物が挙げられる。 Preferable specific examples of the mercapto compounds represented by the above formulas (e3-1) to (e3-4) include the following compounds.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

また、メルカプト基を有する化合物の好適な例として、下記式(e4)で表される化合物が挙げられる。

Figure 2021076636
(式(e4)において、Re5は、水酸基、炭素原子数1以上4以下のアルキル基、炭素原子数1以上4以下のアルコキシ基、炭素数1以上4以下のアルキルチオ基、炭素数1以上4以下のヒドロキシアルキル基、炭素数1以上4以下のメルカプトアルキル基、炭素数1以上4以下のハロゲン化アルキル基及びハロゲン原子からなる群より選択される基であり、n1は0以上3以下の整数であり、n0は0以上3以下の整数であり、n1が2又は3である場合、Re5は同一であっても異なっていてもよい。) Moreover, as a preferable example of the compound having a mercapto group, the compound represented by the following formula (e4) can be mentioned.
Figure 2021076636
(In the formula (e4), R e5 is a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 4 carbon atoms, and 1 to 4 carbon atoms. It is a group selected from the group consisting of the following hydroxyalkyl groups, mercaptoalkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, alkyl halide groups having 1 to 4 carbon atoms and halogen atoms, and n1 is an integer of 0 to 3 carbon atoms. When n0 is an integer of 0 or more and 3 or less and n1 is 2 or 3, Re5 may be the same or different.)

e5が炭素原子数1以上4以下の水酸基を有していてもよいアルキル基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、及びtert−ブチル基が挙げられる。これらのアルキル基の中では、メチル基、ヒドロキシメチル基、及びエチル基が好ましい。 Specific example of R e5 is an alkyl group which may have a hydroxyl group or less carbon atoms having 1 to 4 include a methyl group, an ethyl group, n- propyl group, an isopropyl group, n- butyl group, isobutyl Groups, sec-butyl groups, and tert-butyl groups can be mentioned. Among these alkyl groups, a methyl group, a hydroxymethyl group, and an ethyl group are preferable.

e5が炭素原子数1以上4以下のアルコキシ基である場合の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、sec−ブチルオキシ基、及びtert−ブチルオキシ基が挙げられる。これらのアルコキシ基の中では、メトキシ基、及びエトキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。 Specific examples of the case where Re5 is an alkoxy group having 1 or more carbon atoms and 4 or less carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propyloxy group, an isopropyloxy group, an n-butyloxy group, an isobutyloxy group and a sec-butyloxy group. Groups and tert-butyloxy groups can be mentioned. Among these alkoxy groups, a methoxy group and an ethoxy group are preferable, and a methoxy group is more preferable.

e5が炭素原子数1以上4以下のアルキルチオ基である場合の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、n−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、及びtert−ブチルチオ基が挙げられる。これらのアルキルチオ基の中では、メチルチオ基、及びエチルチオ基が好ましく、メチルチオ基がより好ましい。 Specific example of R e5 is an alkylthio group having 1 to 4 carbon atoms include methylthio group, ethylthio group, n- propylthio group, isopropylthio group, n- butylthio group, isobutylthio, sec- butylthio , And the tert-butylthio group. Among these alkylthio groups, a methylthio group and an ethylthio group are preferable, and a methylthio group is more preferable.

e5が炭素原子数1以上4以下のヒドロキシアルキル基である場合の具体例としては、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシ−n−プロピル基、及び4−ヒドロキシ−n−ブチル基等が挙げられる。これらのヒドロキシアルキル基の中では、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、及び1−ヒドロキシエチル基が好ましく、ヒドロキシメチル基がより好ましい。 Specific examples of the case where Re5 is a hydroxyalkyl group having 1 or more carbon atoms and 4 or less carbon atoms include a hydroxymethyl group, a 2-hydroxyethyl group, a 1-hydroxyethyl group, a 3-hydroxy-n-propyl group, and 4 -Hydroxy-n-butyl group and the like can be mentioned. Among these hydroxyalkyl groups, a hydroxymethyl group, a 2-hydroxyethyl group, and a 1-hydroxyethyl group are preferable, and a hydroxymethyl group is more preferable.

e5が炭素原子数1以上4以下のメルカプトアルキル基である場合の具体例としては、メルカプトメチル基、2−メルカプトエチル基、1−メルカプトエチル基、3−メルカプト−n−プロピル基、及び4−メルカプト−n−ブチル基等が挙げられる。これらのメルカプトアルキル基の中では、メルカプトメチル基、2−メルカプトエチル基、及び1−メルカプトエチル基が好ましく、メルカプトメチル基がより好ましい。 Specific examples of the case where Re5 is a mercaptoalkyl group having 1 or more carbon atoms and 4 or less carbon atoms include a mercaptomethyl group, a 2-mercaptoethyl group, a 1-mercaptoethyl group, a 3-mercapto-n-propyl group, and 4 -Mercapto-n-butyl group and the like can be mentioned. Among these mercaptoalkyl groups, a mercaptomethyl group, a 2-mercaptoethyl group, and a 1-mercaptoethyl group are preferable, and a mercaptomethyl group is more preferable.

e5が炭素原子数1以上4以下のハロゲン化アルキル基である場合、ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。Re5が炭素原子数1以上4以下のハロゲン化アルキル基である場合の具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基、フルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、ジフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリフルオロメチル基、2−クロロエチル基、2−ブロモエチル基、2−フルオロエチル基、1,2−ジクロロエチル基、2,2−ジフルオロエチル基、1−クロロ−2−フルオロエチル基、3−クロロ−n−プロピル基、3−ブロモ−n−プロピル基、3−フルオロ−n−プロピル基、及び4−クロロ−n−ブチル基等が挙げられる。これらのハロゲン化アルキル基の中では、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基、フルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、ジフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、及びトリフルオロメチル基が好ましく、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、及びトリフルオロメチル基がより好ましい。 When Re5 is an alkyl halide group having 1 or more and 4 or less carbon atoms, examples of the halogen atom contained in the alkyl halide group include fluorine, chlorine, bromine, and iodine. Specific example of R e5 is a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are chloromethyl group, bromomethyl group, iodomethyl group, fluoromethyl group, dichloromethyl group, dibromomethyl group, a difluoromethyl group, Trichloromethyl group, tribromomethyl group, trifluoromethyl group, 2-chloroethyl group, 2-bromoethyl group, 2-fluoroethyl group, 1,2-dichloroethyl group, 2,2-difluoroethyl group, 1-chloro- Examples thereof include 2-fluoroethyl group, 3-chloro-n-propyl group, 3-bromo-n-propyl group, 3-fluoro-n-propyl group, 4-chloro-n-butyl group and the like. Among these alkyl halide groups, chloromethyl group, bromomethyl group, iodomethyl group, fluoromethyl group, dichloromethyl group, dibromomethyl group, difluoromethyl group, trichloromethyl group, tribromomethyl group, and trifluoromethyl group Is preferable, and a chloromethyl group, a dichloromethyl group, a trichloromethyl group, and a trifluoromethyl group are more preferable.

e5がハロゲン原子である場合の具体例としては、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素が挙げられる。 Specific examples of the case where Re5 is a halogen atom include fluorine, chlorine, bromine, and iodine.

式(e4)において、n1は0以上3以下の整数であり、1がより好ましい。n1が2又は3である場合、複数のRe5は同一であっても異なっていてもよい。 In the formula (e4), n1 is an integer of 0 or more and 3 or less, and 1 is more preferable. When n1 is 2 or 3, the plurality of Re5s may be the same or different.

式(e4)で表される化合物において、ベンゼン環上のRe5の置換位置は特に限定されない。ベンゼン環上のRe5の置換位置は−(CHn0−SHの結合位置に対してメタ位又はパラ位であるのが好ましい。 In the compound represented by the formula (e4), the substitution position of Re5 on the benzene ring is not particularly limited. The substitution position of Re5 on the benzene ring is preferably the meta position or the para position with respect to the bond position of − (CH 2 ) n0 −SH.

式(e4)で表される化合物としては、Re5として、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、及びメルカプトアルキル基からなる群より選択される基を、少なくとも1つ有する化合物が好ましく、Re5として、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、及びメルカプトアルキル基からなる群より選択される基を1つ有する化合物がより好ましい。式(e4)で表される化合物が、Re5として、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、及びメルカプトアルキル基からなる群より選択される基を1つ有する場合、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、又はメルカプトアルキル基のベンゼン環上の置換位置は、−(CHn0−SHの結合位置に対してメタ位又はパラ位であるのが好ましく、パラ位であるのがより好ましい。 Examples of the compound represented by formula (e4), as R e5, alkyl group, hydroxyalkyl group, and a group selected from the group consisting of mercaptoalkyl group, a compound having at least one is preferable, as R e5, alkyl A compound having one group selected from the group consisting of a group, a hydroxyalkyl group, and a mercaptoalkyl group is more preferable. When the compound represented by the formula (e4) has one group selected from the group consisting of an alkyl group, a hydroxyalkyl group, and a mercaptoalkyl group as Re5, an alkyl group, a hydroxyalkyl group, or a mercaptoalkyl group is used. The substitution position of the group on the benzene ring is preferably in the meta position or the para position with respect to the bond position of − (CH 2 ) n0 −SH, and more preferably in the para position.

式(e4)において、n0は0以上3以下の整数である。化合物の調製や、入手が容易であることからn0は0又は1であるのが好ましく、0であるのがより好ましい。 In the formula (e4), n0 is an integer of 0 or more and 3 or less. Since the compound can be easily prepared and obtained, n0 is preferably 0 or 1, and more preferably 0.

式(e4)で表される化合物の具体例としては、p−メルカプトフェノール、p−チオクレゾール、m−チオクレゾール、4−(メチルチオ)ベンゼンチオール、4−メトキシベンゼンチオール、3−メトキシベンゼンチオール、4−エトキシベンゼンチオール、4−イソプロピルオキシベンゼンチオール、4−tert−ブトキシベンゼンチオール、3,4−ジメトキシベンゼンチオール、3,4,5−トリメトキシベンゼンチオール、4−エチルベンゼンチオール、4−イソプロピルベンゼンチオール、4−n−ブチルベンゼンチオール、4−tert−ブチルベンゼンチオール、3−エチルベンゼンチオール、3−イソプロピルベンゼンチオール、3−n−ブチルベンゼンチオール、3−tert−ブチルベンゼンチオール、3,5−ジメチルベンゼンチオール、3,4−ジメチルベンゼンチオール、3−tert−ブチル−4−メチルベンゼンチオール、3−tert−4−メチルベンゼンチオール、3−tert−ブチル−5−メチルベンゼンチオール、4−tert−ブチル−3−メチルベンゼンチオール、4−メルカプトベンジルアルコール、3−メルカプトベンジルアルコール、4−(メルカプトメチル)フェノール、3−(メルカプトメチル)フェノール、1,4−ジ(メルカプトメチル)フェノール、1,3−ジ(メルカプトメチル)フェノール、4−フルオロベンゼンチオール、3−フルオロベンゼンチオール、4−クロロベンゼンチオール、3−クロロベンゼンチオール、4−ブロモベンゼンチオール、4−ヨードベンゼンチオール、3−ブロモベンゼンチオール、3,4−ジクロロベンゼンチオール、3,5−ジクロロベンゼンチオール、3,4−ジフルオロベンゼンチオール、3,5−ジフルオロベンゼンチオール、4−メルカプトカテコール、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メルカプトフェノール、3,5−ジ−tert−ブチル−4−メトキシベンゼンチオール、4−ブロモ−3−メチルベンゼンチオール、4−(トリフルオロメチル)ベンゼンチオール、3−(トリフルオロメチル)ベンゼンチオール、3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンチオール、4−メチルチオベンゼンチオール、4−エチルチオベンゼンチオール、4−n−ブチルチオベンゼンチオール、及び4−tert−ブチルチオベンゼンチオール等が挙げられる。 Specific examples of the compound represented by the formula (e4) include p-mercaptophenol, p-thiocresol, m-thiocresol, 4- (methylthio) benzenethiol, 4-methoxybenzenethiol, 3-methoxybenzenethiol, and the like. 4-ethoxybenzene thiol, 4-isopropyloxybenzene thiol, 4-tert-butoxybenzene thiol, 3,4-dimethoxybenzene thiol, 3,4,5-trimethoxybenzene thiol, 4-ethylbenzene thiol, 4-isopropylbenzene thiol , 4-n-butylbenzene thiol, 4-tert-butylbenzene thiol, 3-ethylbenzene thiol, 3-isopropylbenzene thiol, 3-n-butylbenzene thiol, 3-tert-butylbenzene thiol, 3,5-dimethylbenzene Thiol, 3,4-dimethylbenzene thiol, 3-tert-butyl-4-methylbenzene thiol, 3-tert-4-methylbenzene thiol, 3-tert-butyl-5-methylbenzene thiol, 4-tert-butyl- 3-Methylbenzene thiol, 4-mercaptobenzyl alcohol, 3-mercaptobenzyl alcohol, 4- (mercaptomethyl) phenol, 3- (mercaptomethyl) phenol, 1,4-di (mercaptomethyl) phenol, 1,3-di (Mercaptomethyl) Phenol, 4-fluorobenzene thiol, 3-fluorobenzene thiol, 4-chlorobenzene thiol, 3-chlorobenzene thiol, 4-bromobenzene thiol, 4-iodobenzene thiol, 3-bromobenzene thiol, 3,4- Dichlorobenzene thiol, 3,5-dichlorobenzene thiol, 3,4-difluorobenzene thiol, 3,5-difluorobenzene thiol, 4-mercaptocatechol, 2,6-di-tert-butyl-4-mercaptophenol, 3, 5-Di-tert-butyl-4-methoxybenzenethiool, 4-bromo-3-methylbenzenethiool, 4- (trifluoromethyl) benzenethiool, 3- (trifluoromethyl) benzenethiool, 3,5-bis ( Examples thereof include trifluoromethyl) benzene thiol, 4-methyl thiobenzene thiol, 4-ethyl thiobenzene thiol, 4-n-butyl thiobenzene thiol, 4-tert-butyl thiobenzene thiol and the like.

またメルカプト基を有する含硫黄化合物としては、メルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物、及びメルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物の互変異性体が挙げられる。
含窒素芳香族複素環の好適な具体例としては、イミダゾール、ピラゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、1,2,3−トリアジン、1,2,4−トリアジン、1,3,5−トリアジン、インドール、インダゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、1H−ベンゾトリアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、及び1,8−ナフチリジンが挙げられる。
Examples of the sulfur-containing compound having a mercapto group include a tally mutant of a compound containing a nitrogen-containing aromatic heterocycle substituted with a mercapto group and a compound containing a nitrogen-containing aromatic heterocycle substituted with a mercapto group. Be done.
Suitable specific examples of the nitrogen-containing aromatic heterocycle include imidazole, pyrazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, oxazole, thiazole, pyridine, pyrimidine, pyridazine, pyrazine, 1,2, 3-triazine, 1,2,4-triazine, 1,3,5-triazine, indol, indazole, benzimidazole, benzoxazole, benzothiazole, 1H-benzotriazole, quinoline, isoquinolin, cinnoline, phthalazine, quinazoline, quinoxalin, And 1,8-naphthylidine.

含硫黄化合物として好適な含窒素複素環化合物、及び含窒素複素環化合物の互変異性体の好適な具体例としては、以下の化合物が挙げられる。

Figure 2021076636
Suitable specific examples of the nitrogen-containing heterocyclic compound suitable as the sulfur-containing compound and the tautomer of the nitrogen-containing heterocyclic compound include the following compounds.
Figure 2021076636

感光性樹脂組成物が含硫黄化合物(E)を含む場合、その使用量は、上記樹脂(B)及び前述のアルカリ可溶性樹脂(D)の合計質量100質量部に対して、0.01質量部以上5質量部以下が好ましく、0.02質量部以上3質量部以下がより好ましく、0.05質量部以上2質量部以下が特に好ましい。 When the photosensitive resin composition contains the sulfur-containing compound (E), the amount used is 0.01 part by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D). 5 parts by mass or more is preferable, 0.02 parts by mass or more and 3 parts by mass or less is more preferable, and 0.05 parts by mass or more and 2 parts by mass or less is particularly preferable.

<酸拡散抑制剤(F)>
感光性樹脂組成物は、鋳型として使用されるレジストパターンの形状や、感光性樹脂膜の引き置き安定性等の向上のため、さらに酸拡散抑制剤(F)を含有することが好ましい。酸拡散抑制剤(F)としては、含窒素化合物(F1)が好ましく、さらに必要に応じて、有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体(F2)を含有させることができる。
<Acid diffusion inhibitor (F)>
The photosensitive resin composition preferably further contains an acid diffusion inhibitor (F) in order to improve the shape of the resist pattern used as a template, the retention stability of the photosensitive resin film, and the like. As the acid diffusion inhibitor (F), a nitrogen-containing compound (F1) is preferable, and if necessary, an organic carboxylic acid, or an oxo acid of phosphorus or a derivative thereof (F2) can be contained.

[含窒素化合物(F1)]
含窒素化合物(F1)としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリベンジルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルアミン、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチルピロリドン、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3−テトラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、8−オキシキノリン、アクリジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、2,4,6−トリ(2−ピリジル)−S−トリアジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、ピペラジン、1,4−ジメチルピペラジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、ピリジン等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[Nitrogen-containing compound (F1)]
Examples of the nitrogen-containing compound (F1) include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, tri-n-pentylamine, tribenzylamine, diethanolamine, triethanolamine and n-hexylamine. , N-Heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, ethylenediamine, N, N, N', N'-tetramethylethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4 '-Diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylamine, formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, propion Amide, benzamide, pyrrolidone, N-methylpyrrolidone, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, imidazole, benzimidazole , 4-Methylimidazole, 8-oxyquinolin, aclysine, purine, pyrrolidine, piperidine, 2,4,6-tri (2-pyridyl) -S-triazine, morpholin, 4-methylmorpholin, piperazin, 1,4-dimethyl Piperazine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, pyridine and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

また、アデカスタブLA−52、アデカスタブLA−57、アデカスタブLA−63P、アデカスタブLA−68、アデカスタブLA−72、アデカスタブLA−77Y、アデカスタブLA−77G、アデカスタブLA−81、アデカスタブLA−82、及びアデカスタブLA−87(いずれも、ADEKA社製)や、4−ヒドロキシ−1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジン誘導体等の市販のヒンダードアミン化合物や、2,6−ジフェニルピリジン、及び2,6−ジ−tert−ブチルピリジン等の2,6−位を炭化水素基等の置換基で置換されたピリジンを含窒素化合物(F1)として用いることもできる。 In addition, Adekastab LA-52, Adekastab LA-57, Adekastab LA-63P, Adekastab LA-68, Adekastab LA-72, Adekastab LA-77Y, Adekastab LA-77G, Adekastab LA-81, Adekastab LA-82, and Adekastab LA. Commercially available hindered amine compounds such as -87 (all manufactured by ADEKA) and 4-hydroxy-1,2,2,6,6-pentamethylpiperidine derivatives, 2,6-diphenylpyridine, and 2,6- Pyridine in which the 2,6-positions such as di-tert-butylpyridine are substituted with a substituent such as a hydrocarbon group can also be used as the nitrogen-containing compound (F1).

含窒素化合物(F1)は、上記樹脂(B)及び上記アルカリ可溶性樹脂(D)の合計質量100質量部に対して、通常0質量部以上5質量部以下の範囲で用いられ、0質量部以上3質量部以下の範囲で用いられることが特に好ましい。 The nitrogen-containing compound (F1) is usually used in a range of 0 parts by mass or more and 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the total mass of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D), and is 0 parts by mass or more. It is particularly preferable to use it in the range of 3 parts by mass or less.

[有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体(F2)]
有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体(F2)のうち、有機カルボン酸としては、具体的には、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸等が好適であり、特にサリチル酸が好ましい。
[Organic carboxylic acid, or phosphorus oxo acid or derivative thereof (F2)]
Of the organic carboxylic acid, or the oxo acid of phosphorus or a derivative thereof (F2), the organic carboxylic acid is specifically malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid and the like. , Particularly salicylic acid is preferred.

リンのオキソ酸又はその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸及びそれらのエステルのような誘導体;ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体;ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体;等が挙げられる。これらの中でも、特にホスホン酸が好ましい。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Phosphonic oxo acids or derivatives thereof include phosphoric acids such as phosphoric acid, di-n-butyl ester of phosphoric acid, diphenyl ester of phosphoric acid and derivatives such as their esters; phosphonic acid, dimethyl phosphonic acid ester, phosphonic acid- Phosphonates such as di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, phosphonic acid dibenzyl ester and derivatives such as their esters; such as phosphinic acid such as phosphinic acid, phenylphosphinic acid and their esters. Derivatives; etc. Of these, phosphonic acid is particularly preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体(F2)は、上記樹脂(B)及び上記アルカリ可溶性樹脂(D)の合計質量100質量部に対して、通常0質量部以上5質量部以下の範囲で用いられ、0質量部以上3質量部以下の範囲で用いられることが特に好ましい。 The organic carboxylic acid, or the oxo acid of phosphorus or a derivative thereof (F2) is usually 0 parts by mass or more and 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the total mass of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D). It is used in a range, and it is particularly preferable to use it in a range of 0 parts by mass or more and 3 parts by mass or less.

また、塩を形成させて安定させるために、有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体(F2)は、上記含窒素化合物(F1)と同等量を用いることが好ましい。 Further, in order to form and stabilize the salt, it is preferable to use the same amount of the organic carboxylic acid, or the oxo acid of phosphorus or its derivative (F2) as that of the nitrogen-containing compound (F1).

<有機溶剤(S)>
感光性樹脂組成物は、有機溶剤(S)を含有することが好ましい。有機溶剤(S)の種類は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、従来よりポジ型の感光性樹脂組成物に使用されている有機溶剤から適宜選択して使用することができる。
<Organic solvent (S)>
The photosensitive resin composition preferably contains an organic solvent (S). The type of the organic solvent (S) is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention, and can be appropriately selected from the organic solvents conventionally used in positive photosensitive resin compositions. ..

有機溶剤(S)の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル、モノフェニルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体;ジオキサン等の環式エーテル類;蟻酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。 Specific examples of the organic solvent (S) include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone, and 2-heptanone; ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, and propylene glycol monoacetate. , Dipropylene glycol, monomethyl ether of dipropylene glycol monoacetate, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether, monophenyl ether and other polyvalent alcohols and derivatives thereof; cyclic ethers such as dioxane; ethyl acetate, lactic acid Methyl, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethyl pyruvate, ethyl ethoxyacetate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl 2-hydroxypropionate , Ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate and other esters; toluene , Aromatic hydrocarbons such as xylene; and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

有機溶剤(S)の含有量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。感光性樹脂組成物を、スピンコート法等により得られる感光性樹脂層の膜厚が5μm以上となるような厚膜用途で用いる場合、感光性樹脂組成物の固形分濃度が30質量%以上70質量%以下となる範囲で、有機溶剤(S)を用いるのが好ましい。 The content of the organic solvent (S) is not particularly limited as long as it does not impair the object of the present invention. When the photosensitive resin composition is used in a thick film application in which the thickness of the photosensitive resin layer obtained by a spin coating method or the like is 5 μm or more, the solid content concentration of the photosensitive resin composition is 30% by mass or more 70. It is preferable to use the organic solvent (S) in the range of mass% or less.

<その他の成分>
感光性樹脂組成物は、可塑性を向上させるため、さらにポリビニル樹脂を含有していてもよい。ポリビニル樹脂の具体例としては、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリヒドロキシスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニル安息香酸、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルフェノール、及びこれらの共重合体等が挙げられる。ポリビニル樹脂は、ガラス転移点の低さの点から、好ましくはポリビニルメチルエーテルである。
<Other ingredients>
The photosensitive resin composition may further contain a polyvinyl resin in order to improve the plasticity. Specific examples of the polyvinyl resin include polyvinyl chloride, polystyrene, polyhydroxystyrene, polyvinyl acetate, polyvinylbenzoic acid, polyvinylmethyl ether, polyvinyl ethyl ether, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, polyvinylphenol, and copolymers thereof. Can be mentioned. The polyvinyl resin is preferably polyvinyl methyl ether because of its low glass transition point.

また、感光性樹脂組成物は、感光性樹脂組成物を用いて形成される鋳型と金属基板との接着性を向上させるため、さらに接着助剤を含有していてもよい。 Further, the photosensitive resin composition may further contain an adhesion aid in order to improve the adhesiveness between the mold formed by using the photosensitive resin composition and the metal substrate.

また、感光性樹脂組成物は、塗布性、消泡性、レベリング性等を向上させるため、さらに界面活性剤を含有していてもよい。界面活性剤としては、例えば、フッ素系界面活性剤やシリコーン系界面活性剤が好ましく用いられる。
フッ素系界面活性剤の具体例としては、BM−1000、BM−1100(いずれもBMケミー社製)、メガファックF142D、メガファックF172、メガファックF173、メガファックF183(いずれも大日本インキ化学工業社製)、フロラードFC−135、フロラードFC−170C、フロラードFC−430、フロラードFC−431(いずれも住友スリーエム社製)、サーフロンS−112、サーフロンS−113、サーフロンS−131、サーフロンS−141、サーフロンS−145(いずれも旭硝子社製)、SH−28PA、SH−190、SH−193、SZ−6032、SF−8428(いずれも東レシリコーン社製)等の市販のフッ素系界面活性剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
シリコーン系界面活性剤としては、未変性シリコーン系界面活性剤、ポリエーテル変性シリコーン系界面活性剤、ポリエステル変性シリコーン系界面活性剤、アルキル変性シリコーン系界面活性剤、アラルキル変性シリコーン系界面活性剤、及び反応性シリコーン系界面活性剤等を好ましく用いることができる。
シリコーン系界面活性剤としては、市販のシリコーン系界面活性剤を用いることができる。市販のシリコーン系界面活性剤の具体例としては、ペインタッドM(東レ・ダウコーニング社製)、トピカK1000、トピカK2000、トピカK5000(いずれも高千穂産業社製)、XL−121(ポリエーテル変性シリコーン系界面活性剤、クラリアント社製)、BYK−310(ポリエステル変性シリコーン系界面活性剤、ビックケミー社製)等が挙げられる。
Further, the photosensitive resin composition may further contain a surfactant in order to improve coatability, defoaming property, leveling property and the like. As the surfactant, for example, a fluorine-based surfactant or a silicone-based surfactant is preferably used.
Specific examples of fluorine-based surfactants include BM-1000 and BM-1100 (all manufactured by BM Chemie), Megafuck F142D, Megafuck F172, Megafuck F173, and Megafuck F183 (all manufactured by Dainippon Ink and Chemicals). , Florard FC-135, Florard FC-170C, Florard FC-430, Florard FC-431 (all manufactured by Sumitomo 3M Ltd.), Surfron S-112, Surfron S-113, Surfron S-131, Surfron S- Commercially available fluorine-based surfactants such as 141, Surflon S-145 (all manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428 (all manufactured by Toray Silicone Co., Ltd.) However, the present invention is not limited to these.
Examples of silicone-based surfactants include unmodified silicone-based surfactants, polyether-modified silicone-based surfactants, polyester-modified silicone-based surfactants, alkyl-modified silicone-based surfactants, aralkyl-modified silicone-based surfactants, and aralkyl-based silicone-based surfactants. A reactive silicone-based surfactant or the like can be preferably used.
As the silicone-based surfactant, a commercially available silicone-based surfactant can be used. Specific examples of commercially available silicone-based surfactants include Painted M (manufactured by Toray Dow Corning), Topica K1000, Topica K2000, Topica K5000 (all manufactured by Takachiho Sangyo Co., Ltd.), XL-121 (polyester-modified silicone-based). Surfactants, manufactured by Clariant, BYK-310 (polyester-modified silicone-based surfactants, manufactured by Big Chemie) and the like.

また、感光性樹脂組成物は、現像液に対する溶解性の微調整を行うため、酸、酸無水物、又は高沸点溶媒をさらに含有していてもよい。 In addition, the photosensitive resin composition may further contain an acid, an acid anhydride, or a high boiling point solvent in order to finely adjust the solubility in a developing solution.

酸及び酸無水物の具体例としては、酢酸、プロピオン酸、n−酪酸、イソ酪酸、n−吉草酸、イソ吉草酸、安息香酸、桂皮酸等のモノカルボン酸類;乳酸、2−ヒドロキシ酪酸、3−ヒドロキシ酪酸、サリチル酸、m−ヒドロキシ安息香酸、p−ヒドロキシ安息香酸、2−ヒドロキシ桂皮酸、3−ヒドロキシ桂皮酸、4−ヒドロキシ桂皮酸、5−ヒドロキシイソフタル酸、シリンギン酸等のヒドロキシモノカルボン酸類;シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、イタコン酸、ヘキサヒドロフタル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸、1,2,4−シクロヘキサントリカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、1,2,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸等の多価カルボン酸類;無水イタコン酸、無水コハク酸、無水シトラコン酸、無水ドデセニルコハク酸、無水トリカルバニル酸、無水マレイン酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、無水ハイミック酸、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス無水トリメリタート、グリセリントリス無水トリメリタート等の酸無水物;等を挙げることができる。 Specific examples of acids and acid anhydrides include monocarboxylic acids such as acetic acid, propionic acid, n-butyric acid, isobutylic acid, n-valeric acid, isovaleric acid, benzoic acid and cinnamic acid; lactic acid, 2-hydroxybutyric acid, Hydroxymonocarboxylic acids such as 3-hydroxybutyric acid, salicylic acid, m-hydroxybenzoic acid, p-hydroxybenzoic acid, 2-hydroxycaterous acid, 3-hydroxycaterous acid, 4-hydroxycaterous acid, 5-hydroxyisophthalic acid, syringic acid, etc. Acids; oxalic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, maleic acid, itaconic acid, hexahydrophthalic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2,4-cyclohexanetricarboxylic acid Polyvalent carboxylic acids such as acids, butanetetracarboxylic acids, trimellitic acids, pyromellitic acids, cyclopentanetetracarboxylic acids, butanetetracarboxylic acids, 1,2,5,8-naphthalenetetracarboxylic acids; itaconic anhydride, anhydrous Succinic acid, citraconic acid anhydride, dodecenyl succinic acid anhydride, tricarbanyl anhydride, maleic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, hymic anhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid anhydride, Acid anhydrides such as cyclopentanetetracarboxylic acid dianhydride, phthalic acid anhydride, pyromellitic anhydride, trimellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, ethylene glycol bis anhydride trimellitate, glycerintris anhydride trimeritate; it can.

また、高沸点溶媒の具体例としては、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセタート等を挙げることができる。 Specific examples of the high boiling point solvent include N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, and benzyl. Ethyl ether, dihexyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, capricic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate , Propylene carbonate, phenylcellosolveacetate and the like.

また、感光性樹脂組成物は、感度を向上させるため、増感剤をさらに含有していてもよい。本明細書においては、増感剤は、フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)以外の化合物として定義される。 In addition, the photosensitive resin composition may further contain a sensitizer in order to improve the sensitivity. In the present specification, the sensitizer is defined as a compound other than the phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C).

感光性樹脂組成物は、樹脂として、樹脂(B)を必須成分として含み、必要に応じて、アルカリ可溶性樹脂(D)等の樹脂(B)以外の樹脂を含む。なお、本出願の明細書及び特許請求の範囲において、「樹脂」とは、1500超の質量平均分子量を有する高分子化合物であって、単量体化合物が重合した重合体である。質量平均分子量は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算の質量平均分子量である。
そして、感光性樹脂組成物においては、樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計に対するアクリル樹脂の割合が、70質量%以上である。樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計に対するアクリル樹脂の割合は、好ましくは80質量%以上であり、より好ましくは90質量%以上である。
アクリル樹脂は、樹脂(B)でも樹脂(B)以外の樹脂のいずれでもよいが、樹脂(B)がアクリル樹脂を含んでいることが好ましい。樹脂(B)に対する樹脂(B)に含まれるアクリル樹脂の割合は、70質量%以上であることが好ましい。
The photosensitive resin composition contains the resin (B) as an essential component as the resin, and if necessary, contains a resin other than the resin (B) such as the alkali-soluble resin (D). In the specification of the present application and claims, the "resin" is a polymer compound having a mass average molecular weight of more than 1500, which is a polymer obtained by polymerizing a monomer compound. The mass average molecular weight is a polystyrene-equivalent mass average molecular weight by GPC (gel permeation chromatography).
In the photosensitive resin composition, the ratio of the acrylic resin to the total of the resin (B) and the resin other than the resin (B) is 70% by mass or more. The ratio of the acrylic resin to the total of the resin (B) and the resin other than the resin (B) is preferably 80% by mass or more, and more preferably 90% by mass or more.
The acrylic resin may be either the resin (B) or a resin other than the resin (B), but it is preferable that the resin (B) contains an acrylic resin. The ratio of the acrylic resin contained in the resin (B) to the resin (B) is preferably 70% by mass or more.

「樹脂(B)以外の樹脂」は、感光性樹脂組成物に含まれる樹脂(B)以外の樹脂であり、例えば、前述のアルカリ可溶性樹脂(D)や、可塑剤としてのポリビニル樹脂等が、「樹脂(B)以外の樹脂」に該当する。
「樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計」とは、感光性樹脂組成物に含まれる樹脂の合計である。例えば、感光性樹脂組成物に含まれる樹脂が、樹脂(B)のみである場合は、「樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計」は、「樹脂(B)」のみである。また、感光性樹脂組成物に含まれる樹脂が、樹脂(B)と前述のアルカリ可溶性樹脂(D)である場合は、「樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計」は「樹脂(B)とアルカリ可溶性樹脂(D)の合計」である。また、感光性樹脂組成物に含まれる樹脂が、樹脂(B)、前述のアルカリ可溶性樹脂(D)、並びに、樹脂(B)及びアルカリ可溶性樹脂(D)以外の樹脂である場合は、「樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計」は、樹脂(B)と、アルカリ可溶性樹脂(D)と、樹脂(B)及びアルカリ可溶性樹脂(D)以外の樹脂との合計」である。
The "resin other than the resin (B)" is a resin other than the resin (B) contained in the photosensitive resin composition, and for example, the above-mentioned alkali-soluble resin (D), a polyvinyl resin as a plasticizer, and the like can be used. It corresponds to "resin other than resin (B)".
The "total of the resin (B) and the resin other than the resin (B)" is the total amount of the resins contained in the photosensitive resin composition. For example, when the resin contained in the photosensitive resin composition is only the resin (B), the "total of the resin (B) and the resin other than the resin (B)" is only the "resin (B)". is there. When the resin contained in the photosensitive resin composition is the resin (B) and the above-mentioned alkali-soluble resin (D), the "total of the resin (B) and the resin other than the resin (B)" is ". It is the total of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D). When the resin contained in the photosensitive resin composition is a resin other than the resin (B), the above-mentioned alkali-soluble resin (D), and the resin (B) and the alkali-soluble resin (D), "resin". "The total of (B) and the resin other than the resin (B)" is the total of the resin (B), the alkali-soluble resin (D), and the resin other than the resin (B) and the alkali-soluble resin (D). is there.

このように、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)とを含む化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物において、特定の酸発生剤を含み、樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計に対するアクリル樹脂の含有量を特定範囲にすることにより、後述する実施例に示すように、h線による露光に適用可能で且つめっき液耐性及びクラック耐性に優れたレジストパターンが形成しやすい化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物となる。また、レジストパターンの断面形状も良好である。
このようにh線による露光に適用可能で且つめっき液耐性及びクラック耐性に優れたレジストパターンが形成しやすい本発明の感光性樹脂組成物は、金属表面を有する基板上に、めっき処理により金属を埋め込むことによりめっき造形物を形成するための鋳型を作製するために用いられる。
As described above, a chemically amplified positive photosensitive resin composition containing an acid generator (A) that generates an acid by irradiation with active light or radiation and a resin (B) whose solubility in an alkali is increased by the action of the acid. By setting the content of the acrylic resin in the product to a specific range with respect to the total of the resin (B) and the resin other than the resin (B), which contains a specific acid generator, as shown in Examples described later, h It is a chemically amplified positive photosensitive resin composition that can be applied to linear exposure and can easily form a resist pattern having excellent plating solution resistance and crack resistance. Moreover, the cross-sectional shape of the resist pattern is also good.
As described above, the photosensitive resin composition of the present invention, which is applicable to h-line exposure and easily forms a resist pattern having excellent plating solution resistance and crack resistance, is obtained by plating a metal on a substrate having a metal surface. It is used to make a mold for forming a plated model by embedding.

感光性樹脂組成物は、前述の特定の組成であるため、h線による露光に適用可能である。したがって、感光性樹脂組成物は、例えばウエハよりも一般的に大面積であるパネルレベルの基板上にめっき造形物を形成するための鋳型の作製に好ましく適用することができる。
基板の面積が大きい場合、基板の面積が小さい場合と比較して、めっき条件が過酷になる場合がある。基板の面積が大きいと、基板、鋳型、めっき造形物等にかかる応力が増大する傾向がある。パネルレベルの基板について、感光性樹脂組成物が適用される主面の形状が矩形状であることも多い。パネルの形状が矩形状である場合、円形状である場合よりも、応力がばらつきやすい。したがって、面積が大きい基板や矩形状の基板を適用する場合、感光性樹脂組成物には、めっき液耐性及びクラック耐性がより一層求められる。
感光性樹脂組成物は、h線による露光に適用可能であり且つめっき液耐性及びクラック耐性に優れるため、面積が大きい基板や矩形状の基板であって、金属表面を有する基板上に、めっき処理により金属を埋め込むことによりめっき造形物を形成するための鋳型を作製するために用いられる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物として、特に好ましく用いることができる。
Since the photosensitive resin composition has the above-mentioned specific composition, it can be applied to exposure by h-line. Therefore, the photosensitive resin composition can be preferably applied, for example, to the production of a mold for forming a plated model on a panel-level substrate, which generally has a larger area than a wafer.
When the area of the substrate is large, the plating conditions may be harsher than when the area of the substrate is small. When the area of the substrate is large, the stress applied to the substrate, the mold, the plated object, and the like tends to increase. For panel-level substrates, the shape of the main surface to which the photosensitive resin composition is applied is often rectangular. When the shape of the panel is rectangular, the stress is more likely to vary than when it is circular. Therefore, when a substrate having a large area or a rectangular substrate is applied, the photosensitive resin composition is further required to have plating solution resistance and crack resistance.
Since the photosensitive resin composition is applicable to h-line exposure and has excellent plating solution resistance and crack resistance, it is a substrate having a large area or a rectangular substrate, and is plated on a substrate having a metal surface. It can be particularly preferably used as a chemically amplified positive photosensitive resin composition used for producing a mold for forming a plated molded product by embedding a metal.

<化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物の調製方法>
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物は、上記の各成分を通常の方法で混合、撹拌して調製される。上記の各成分を、混合、撹拌する際に使用できる装置としては、ディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミル等が挙げられる。上記の各成分を均一に混合した後に、得られた混合物を、さらにメッシュ、メンブランフィルタ等を用いて濾過してもよい。
<Method for preparing chemically amplified positive photosensitive resin composition>
The chemically amplified positive photosensitive resin composition is prepared by mixing and stirring each of the above components by a usual method. Examples of the device that can be used when mixing and stirring each of the above components include a dissolver, a homogenizer, and a three-roll mill. After uniformly mixing each of the above components, the obtained mixture may be further filtered using a mesh, a membrane filter or the like.

≪感光性ドライフィルム≫
感光性ドライフィルムは、基材フィルムと、該基材フィルムの表面に形成された感光性樹脂層とを有し、感光性樹脂層が前述の感光性樹脂組成物からなるものである。
≪Photosensitive dry film≫
The photosensitive dry film has a base film and a photosensitive resin layer formed on the surface of the base film, and the photosensitive resin layer is made of the above-mentioned photosensitive resin composition.

基材フィルムとしては、光透過性を有するものが好ましい。具体的には、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリプロピレン(PP)フィルム、ポリエチレン(PE)フィルム等が挙げられるが、光透過性及び破断強度のバランスに優れる点でポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムが好ましい。 As the base film, one having light transmittance is preferable. Specific examples thereof include polyethylene terephthalate (PET) film, polypropylene (PP) film, polyethylene (PE) film, etc., and polyethylene terephthalate (PET) film is preferable because it has an excellent balance between light transmission and breaking strength.

基材フィルム上に、前述の感光性樹脂組成物を塗布して感光性樹脂層を形成することにより、感光性ドライフィルムが製造される。
基材フィルム上に感光性樹脂層を形成するに際しては、アプリケーター、バーコーター、ワイヤーバーコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター等を用いて、基材フィルム上に乾燥後の膜厚が好ましくは0.5μm以上300μm以下、より好ましくは1μm以上300μm以下、特に好ましくは3μm以上100μm以下となるように感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥させる。
A photosensitive dry film is produced by applying the above-mentioned photosensitive resin composition on a base film to form a photosensitive resin layer.
When forming the photosensitive resin layer on the base film, an applicator, a bar coater, a wire bar coater, a roll coater, a curtain flow coater, or the like is used, and the film thickness after drying on the base film is preferably 0. The photosensitive resin composition is applied and dried so as to be 5 μm or more and 300 μm or less, more preferably 1 μm or more and 300 μm or less, and particularly preferably 3 μm or more and 100 μm or less.

感光性ドライフィルムは、感光性樹脂層の上にさらに保護フィルムを有していてもよい。この保護フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリプロピレン(PP)フィルム、ポリエチレン(PE)フィルム等が挙げられる。 The photosensitive dry film may further have a protective film on the photosensitive resin layer. Examples of this protective film include polyethylene terephthalate (PET) film, polypropylene (PP) film, polyethylene (PE) film and the like.

≪パターン化されたレジスト膜、及び鋳型付き基板の製造方法≫
上記説明した感光性樹脂組成物を用いて、基板上に、パターン化されたレジスト膜を形成する方法は特に限定されない。かかるパターン化されたレジスト膜は、めっき造形物を形成するための鋳型として用いられる。
好適な方法としては、
基板上に、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像する現像工程と、
を含む、パターン化されたレジスト膜の製造方法が挙げられる。
めっき造形物を形成するための鋳型を備える鋳型付基板の製造方法は、金属表面を有する基板の金属表面上に感光性樹脂層を積層する工程を有することと、現像工程において、現像によりめっき造形物を形成するための鋳型を作製することの他は、パターン化されたレジスト膜の製造方法と同様である。
<< Manufacturing method of patterned resist film and substrate with mold >>
The method for forming a patterned resist film on the substrate using the photosensitive resin composition described above is not particularly limited. Such a patterned resist film is used as a mold for forming a plated model.
The preferred method is
A laminating step of laminating a photosensitive resin layer made of a photosensitive resin composition on a substrate, and
An exposure process in which the photosensitive resin layer is exposed by regioselectively irradiating active light rays or radiation,
A developing process that develops the photosensitive resin layer after exposure,
Examples thereof include a method for producing a patterned resist film including.
The method for manufacturing a substrate with a mold provided with a mold for forming a plated object includes a step of laminating a photosensitive resin layer on the metal surface of a substrate having a metal surface, and in the developing step, plating molding by development. It is the same as the method for producing a patterned resist film, except that a mold for forming an object is produced.

感光性樹脂層を積層する基板としては、金属表面を有する基板が用いられる。金属表面を構成する金属種としては、銅、金、アルミニウムが好ましく、銅がより好ましい。 As the substrate on which the photosensitive resin layer is laminated, a substrate having a metal surface is used. As the metal species constituting the metal surface, copper, gold, and aluminum are preferable, and copper is more preferable.

感光性樹脂層は、例えば以下のようにして、基板上に積層される。すなわち、液状の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、加熱により溶媒を除去することによって所望の膜厚の感光性樹脂層を形成する。感光性樹脂層の厚さは、鋳型となるレジストパターンを所望の膜厚で形成できる限り特に限定されない。感光性樹脂層の膜厚は特に限定されないが、0.5μm以上が好ましく、0.5μm以上300μm以下がより好ましく、1μm以上150μm以下が特に好ましく、3μm以上100μm以下が最も好ましい。 The photosensitive resin layer is laminated on the substrate as follows, for example. That is, a liquid photosensitive resin composition is applied onto the substrate, and the solvent is removed by heating to form a photosensitive resin layer having a desired film thickness. The thickness of the photosensitive resin layer is not particularly limited as long as the resist pattern used as a mold can be formed with a desired film thickness. The film thickness of the photosensitive resin layer is not particularly limited, but is preferably 0.5 μm or more, more preferably 0.5 μm or more and 300 μm or less, particularly preferably 1 μm or more and 150 μm or less, and most preferably 3 μm or more and 100 μm or less.

基板上への感光性樹脂組成物の塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法等の方法を採用することができる。感光性樹脂層に対してはプレベークを行うのが好ましい。プレベーク条件は、感光性樹脂組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚等によって異なるが、通常は70℃以上200℃以下で、好ましくは80℃以上150℃以下で、2分以上120分以下程度である。 As a method for applying the photosensitive resin composition on the substrate, a spin coating method, a slit coating method, a roll coating method, a screen printing method, an applicator method, or the like can be adopted. It is preferable to prebake the photosensitive resin layer. The prebaking conditions vary depending on the type, blending ratio, coating film thickness, etc. of each component in the photosensitive resin composition, but are usually 70 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, preferably 80 ° C. or higher and 150 ° C. or lower, for 2 minutes or longer. It takes about 120 minutes or less.

上記のようにして形成された感光性樹脂層に対して、所定のパターンのマスクを介して、活性光線又は放射線、例えば波長が300nm以上500nm以下の紫外線又は可視光線が選択的に照射(露光)される。照射する活性光線又は放射線は、波長405nmの光(h線)を含むものが好ましく、例えば、h線を含む水銀灯のブロードバンド光、バンドパスしたh線単独光や、gh線が挙げられる。
酸発生剤(A)としての式(a1−i)又は式(a1−ii)で表される化合物、式(a2−i)又は式(a2−ii)で表される化合物、及び、式(a3−i)又は式(a3−ii)で表される化合物から選択される少なくとも1種と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)とを含み、樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計に対するアクリル樹脂の割合が70質量%以上である上記化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いることにより、大面積のパネルレベルパッケージに適用可能なh線を適用して、めっき液耐性及びクラック耐性に優れたレジストパターンを形成することができる。
The photosensitive resin layer formed as described above is selectively irradiated with active light or radiation, for example, ultraviolet rays having a wavelength of 300 nm or more and 500 nm or less or visible light through a mask having a predetermined pattern (exposure). Will be done. The active light beam or radiation to be irradiated is preferably one containing light (h line) having a wavelength of 405 nm, and examples thereof include broadband light of a mercury lamp including h line, bandpassed h line single light, and gh line.
The compound represented by the formula (a1-i) or the formula (a1-ii) as the acid generator (A), the compound represented by the formula (a2-i) or the formula (a2-ii), and the formula ( The resin (B) and the resin include at least one selected from the compounds represented by a3-i) or the formula (a3-ii) and the resin (B) whose solubility in an alkali is increased by the action of an acid. By using the chemically amplified positive photosensitive resin composition in which the ratio of the acrylic resin to the total of the resins other than (B) is 70% by mass or more, h-rays applicable to a large-area panel-level package can be obtained. When applied, a resist pattern having excellent plating solution resistance and crack resistance can be formed.

放射線の線源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレーザー等を用いることができる。また、放射線には、マイクロ波、赤外線、可視光線、紫外線、X線、γ線、電子線、陽子線、中性子線、イオン線等が含まれる。放射線照射量は、感光性樹脂組成物の組成や感光性樹脂層の膜厚等によっても異なるが、例えば超高圧水銀灯使用の場合、100mJ/cm以上10000mJ/cm以下である。また、放射線には、酸を発生させるために、酸発生剤(A)を活性化させる光線が含まれる。 As the radiation source, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an argon gas laser, or the like can be used. Further, the radiation includes microwaves, infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, X-rays, γ-rays, electron beams, proton beams, neutron beams, ion rays and the like. Dose of radiation varies depending on the film thickness and the like of the composition of the photosensitive resin composition and a photosensitive resin layer, for example, in the case of ultra-high pressure mercury lamp used is 100 mJ / cm 2 or more 10000 mJ / cm 2 or less. Further, the radiation includes a light beam that activates the acid generator (A) in order to generate an acid.

露光後は、公知の方法を用いて感光性樹脂層を加熱することにより酸の拡散を促進させて、感光性樹脂膜中の露光された部分において、感光性樹脂層のアルカリ溶解性を変化させる。 After the exposure, the photosensitive resin layer is heated by a known method to promote the diffusion of the acid, and the alkali solubility of the photosensitive resin layer is changed in the exposed portion of the photosensitive resin film. ..

次いで、露光された感光性樹脂層を、従来知られる方法に従って現像し、不要な部分を溶解、除去することにより、所定のレジストパターン、又はめっき造形物を形成するための鋳型が形成される。この際、現像液としては、アルカリ性水溶液が使用される。 Next, the exposed photosensitive resin layer is developed according to a conventionally known method, and unnecessary portions are dissolved and removed to form a predetermined resist pattern or a mold for forming a plated object. At this time, an alkaline aqueous solution is used as the developing solution.

現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(水酸化テトラメチルアンモニウム)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノナン等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。また、上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。 Examples of the developing solution include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methyldiethylamine, and the like. Dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (tetramethylammonium hydroxide), tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene, 1,5 An aqueous solution of an alkali such as −diazabicyclo [4,3,0] -5-nonane can be used. Further, an aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant to the above-mentioned aqueous solution of alkalis can also be used as a developing solution.

現像時間は、感光性樹脂組成物の組成や感光性樹脂層の膜厚等によっても異なるが、通常1分以上30分以下の間である。現像方法は、液盛り法、ディッピング法、パドル法、スプレー現像法等のいずれでもよい。 The developing time varies depending on the composition of the photosensitive resin composition, the film thickness of the photosensitive resin layer, and the like, but is usually between 1 minute and 30 minutes or less. The developing method may be any of a liquid filling method, a dipping method, a paddle method, a spray developing method and the like.

現像後は、流水洗浄を30秒以上90秒以下の間行い、エアーガンや、オーブン等を用いて乾燥させる。このようにして、金属表面を有する基板の金属表面上に、所望する形状にパターン化されたレジストパターンが形成される。また、このようにして、金属表面を有する基板の金属表面上に、鋳型となるレジストパターンを備える鋳型付き基板を製造できる。 After development, it is washed with running water for 30 seconds or more and 90 seconds or less, and dried using an air gun, an oven, or the like. In this way, a resist pattern patterned in a desired shape is formed on the metal surface of the substrate having the metal surface. Further, in this way, a substrate with a mold having a resist pattern serving as a mold can be manufactured on the metal surface of the substrate having a metal surface.

感光性樹脂組成物を用いて形成されるレジストパターン(パターン化されたレジスト膜)の膜厚は特に限定されず、厚膜でも薄膜にも適用することができる。感光性樹脂組成物は厚膜のレジストパターンの形成に好ましく使用される。感光性樹脂組成物を用いて形成されるレジストパターンの膜厚は、具体的には、0.5μm以上が好ましく、0.5μm以上300μm以下がより好ましく、0.5μm以上200μm以下がさらにより好ましく、0.5μm以上150μm以下が特に好ましい。
膜厚の上限値は、例えば、100μm以下であってもよい。膜厚の下限値は、例えば、1μm以上であってもよく、3μm以上であってもよい。
The film thickness of the resist pattern (patterned resist film) formed by using the photosensitive resin composition is not particularly limited, and can be applied to either a thick film or a thin film. The photosensitive resin composition is preferably used for forming a thick-film resist pattern. Specifically, the film thickness of the resist pattern formed by using the photosensitive resin composition is preferably 0.5 μm or more, more preferably 0.5 μm or more and 300 μm or less, and even more preferably 0.5 μm or more and 200 μm or less. , 0.5 μm or more and 150 μm or less is particularly preferable.
The upper limit of the film thickness may be, for example, 100 μm or less. The lower limit of the film thickness may be, for example, 1 μm or more, or 3 μm or more.

≪めっき造形物の製造方法≫
上記の方法により形成された鋳型付き基板の鋳型中の非レジスト部(現像液で除去された部分)に、めっきにより金属等の導体を埋め込むことにより、例えば、バンプ及びメタルポスト等の接続端子や、Cu再配線のようなめっき造形物を形成することができる。なお、めっき処理方法は特に制限されず、従来から公知の各種方法を採用することができる。めっき液としては、特にハンダめっき、銅めっき、金めっき、ニッケルめっき液が好適に用いられる。残っている鋳型は、最後に、常法に従って剥離液等を用いて除去される。上記の方法で得られたレジストパターンはめっき液耐性に優れるため、めっき処理の前後でのレジストパターンの形状の変化が抑制される。したがって、所望の形状のめっき造形物を得ることができる。
≪Manufacturing method of plated objects≫
By embedding a conductor such as metal by plating in the non-resist portion (the portion removed by the developer) in the mold of the substrate with a mold formed by the above method, for example, connection terminals such as bumps and metal posts can be formed. , Cu rewiring can be formed. The plating treatment method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be adopted. As the plating solution, solder plating, copper plating, gold plating, and nickel plating solution are particularly preferably used. Finally, the remaining mold is removed using a stripping solution or the like according to a conventional method. Since the resist pattern obtained by the above method has excellent resistance to the plating solution, changes in the shape of the resist pattern before and after the plating treatment are suppressed. Therefore, it is possible to obtain a plated model having a desired shape.

めっき造形物を製造する際、めっき造形物形成用の鋳型となるレジストパターンの非パターン部において露出された金属表面に対してアッシング処理を行うのが好ましい場合がある。
具体的には、例えば、含硫黄化合物(E)を含む感光性樹脂組成物を用いて形成されたパターンを鋳型として用いてめっき造形物を形成する場合である。この場合、めっき造形物の金属表面に対する密着性が損なわれやすい場合がある。この不具合は、前述の式(e1)で表される含硫黄化合物(E)や、式(e4)で表される含硫黄化合物(E)を用いる場合に顕著である。
しかし、上記のアッシング処理を行うと、含硫黄化合物(E)を含む感光性樹脂組成物を用いて形成されたパターンを鋳型として用いても、金属表面に良好に密着しためっき造形物を形成しやすい。
なお、メルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物を含硫黄化合物(E)として用いる場合については、めっき造形物の密着性に関する上記の問題は、ほとんどないか軽度である。このため、メルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物を含硫黄化合物(E)として用いる場合は、アッシング処理を行なわずとも金属表面に対する密着性が良好なめっき造形物を形成しやすい。
When manufacturing a plated model, it may be preferable to perform an ashing treatment on the exposed metal surface in the non-patterned portion of the resist pattern used as a mold for forming the plated model.
Specifically, for example, it is a case where a plated model is formed by using a pattern formed by using a photosensitive resin composition containing a sulfur-containing compound (E) as a template. In this case, the adhesion of the plated model to the metal surface may be easily impaired. This defect is remarkable when the sulfur-containing compound (E) represented by the above formula (e1) or the sulfur-containing compound (E) represented by the formula (e4) is used.
However, when the above ashing treatment is performed, even if the pattern formed by using the photosensitive resin composition containing the sulfur-containing compound (E) is used as a template, a plated molded product that adheres well to the metal surface is formed. Cheap.
When a compound containing a nitrogen-containing aromatic heterocycle substituted with a mercapto group is used as the sulfur-containing compound (E), the above-mentioned problem regarding the adhesion of the plated model is almost nonexistent or mild. Therefore, when a compound containing a nitrogen-containing aromatic heterocycle substituted with a mercapto group is used as the sulfur-containing compound (E), a plated model having good adhesion to the metal surface is formed without ashing. Cheap.

アッシング処理は、めっき造形物形成用の鋳型となるレジストパターンに、所望する形状のめっき造形物を形成できない程度のダメージを与えない方法であれば特に限定されない。
好ましいアッシング処理方法としては酸素プラズマを用いる方法が挙げられる。基板上の金属表面を、酸素プラズマを用いてアッシングするためには、公知の酸素プラズマ発生装置を用いて酸素プラズマを発生させ、当該酸素プラズマを基板上の金属表面に対して照射すればよい。
The ashing treatment is not particularly limited as long as it is a method that does not damage the resist pattern, which is a mold for forming a plated model, to the extent that a plated model having a desired shape cannot be formed.
A method using oxygen plasma can be mentioned as a preferable ashing treatment method. In order to ash the metal surface on the substrate with oxygen plasma, oxygen plasma may be generated using a known oxygen plasma generator, and the oxygen plasma may be irradiated to the metal surface on the substrate.

酸素プラズマの発生に用いられるガスには、本発明の目的を阻害しない範囲で、従来、酸素とともにプラズマ処理に用いられている種々のガスを混合することができる。かかるガスとしては、例えば、窒素ガス、水素ガス、及びCFガス等が挙げられる。
酸素プラズマを用いるアッシング条件は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、処理時間は、例えば10秒以上20分以下の範囲であり、好ましくは20秒以上18分以下の範囲であり、より好ましくは30秒以上15分以下の範囲である。
酸素プラズマによる処理時間を上記の範囲に設定することで、レジストパターンの形状の変化をもたらすことなく、めっき造形物の密着性改良の効果を奏しやすくなる。
As the gas used for generating oxygen plasma, various gases conventionally used for plasma treatment can be mixed with oxygen as long as the object of the present invention is not impaired. Examples of such a gas include nitrogen gas, hydrogen gas, CF 4 gas and the like.
The ashing condition using oxygen plasma is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, but the treatment time is, for example, in the range of 10 seconds or more and 20 minutes or less, preferably in the range of 20 seconds or more and 18 minutes or less. , More preferably in the range of 30 seconds or more and 15 minutes or less.
By setting the treatment time by oxygen plasma in the above range, it becomes easy to exert the effect of improving the adhesion of the plated model without causing a change in the shape of the resist pattern.

上記の方法によれば、大面積のパネルレベルパッケージに適用可能なh線を適用して、めっき液耐性及びクラック耐性に優れたレジストパターンを、めっき造形物形成用の鋳型として用いることができるため、ウエハレベルだけでなく大面積のパネルレベルでも、また、円形状だけでなく、円形状以外の形状、例えば矩形状の主面を有する基板を適用しても、所望の形状のめっき造形物を製造することができる。 According to the above method, the h-line applicable to a large-area panel level package can be applied, and a resist pattern having excellent plating solution resistance and crack resistance can be used as a mold for forming a plated model. , Not only at the wafer level but also at the large area panel level, and even if a substrate having a non-circular shape, for example, a rectangular main surface, is applied as well as a circular shape, a plated molded product having a desired shape can be obtained. Can be manufactured.

以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

〔調製例1〕
(メルカプト化合物E1の合成)
調製例1では、含硫黄化合物(E)として、下記構造のメルカプト化合物T2を合成した。

Figure 2021076636
[Preparation Example 1]
(Synthesis of mercapto compound E1)
In Preparation Example 1, a mercapto compound T2 having the following structure was synthesized as the sulfur-containing compound (E).
Figure 2021076636

フラスコ内に、7−オキサノルボルナ−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物15.00gと、テトラヒドロフラン150.00gを加えて撹拌した。次いで、フラスコ内に、チオ酢酸(AcSH)7.64gを加え、室温で3.5時間撹拌した。その後、反応液を濃縮して、5−アセチルチオ−7−オキサノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物22.11gを得た。
5−アセチルチオ−7−オキサノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物22.11gと、濃度10質量%の水酸化ナトリウム水溶液30.11gとをフラスコ内に加えた後、室温で、フラスコの内容物を2時間撹拌した。次いで、フラスコ内に、濃度20質量%の塩酸(80.00g)を加えて、反応液を酸性にした。その後、酢酸エチル200gによる抽出を4回行い、メルカプト化合物T2を含む抽出液を得た。抽出液を濃縮して回収された残渣に対して、テトラヒドロフラン(THF)25.11gを加えて溶解させた。得られたTHF溶液に、ヘプタンを滴下してメルカプト化合物T2を析出させ、析出したメルカプト化合物T2をろ過により回収した。メルカプト化合物T2のH−NMRの測定結果を以下に記す。
H−NMR(DMSO−d6):δ12.10(s,2H),4.72(d,1H),4.43(s,1H),3.10(t,1H),3.01(d,1H),2.85(d,1H),2.75(d,1H),2.10(t,1H),1.40(m,1H)

Figure 2021076636
15.00 g of 7-oxanorborna-5-ene-2,3-dicarboxylic acid anhydride and 150.00 g of tetrahydrofuran were added to the flask and stirred. Then, 7.64 g of thioacetic acid (AcSH) was added to the flask, and the mixture was stirred at room temperature for 3.5 hours. Then, the reaction solution was concentrated to obtain 22.11 g of 5-acetylthio-7-oxanorbornane-2,3-dicarboxylic acid anhydride.
After adding 22.11 g of 5-acetylthio-7-oxanorbornane-2,3-dicarboxylic acid anhydride and 30.11 g of an aqueous sodium hydroxide solution having a concentration of 10% by mass into the flask, the contents of the flask at room temperature. Was stirred for 2 hours. Next, hydrochloric acid (80.00 g) having a concentration of 20% by mass was added into the flask to acidify the reaction solution. Then, extraction with 200 g of ethyl acetate was carried out four times to obtain an extract containing the mercapto compound T2. To the residue recovered by concentrating the extract, 25.11 g of tetrahydrofuran (THF) was added and dissolved. Heptane was added dropwise to the obtained THF solution to precipitate the mercapto compound T2, and the precipitated mercapto compound T2 was recovered by filtration. The measurement results of 1 H-NMR of the mercapto compound T2 are described below.
1 1 H-NMR (DMSO-d6): δ12.10 (s, 2H), 4.72 (d, 1H), 4.43 (s, 1H), 3.10 (t, 1H), 3.01 ( d, 1H), 2.85 (d, 1H), 2.75 (d, 1H), 2.10 (t, 1H), 1.40 (m, 1H)
Figure 2021076636

〔実施例1〜19、及び比較例1〜5〕
実施例1〜19、及び比較例1〜5では、酸発生剤(A)として下記式の化合物PAG1及びPAG2を用いた。

Figure 2021076636
[Examples 1 to 19 and Comparative Examples 1 to 5]
In Examples 1 to 19 and Comparative Examples 1 to 5, the compounds PAG1 and PAG2 of the following formulas were used as the acid generator (A).
Figure 2021076636

実施例1〜19、及び比較例1〜5では、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(樹脂(B))として、以下のAcryl−1〜Acryl−11、PHS−1及びPHS−2を用いた。下記構造式における各構成単位中の括弧の右下の数字は、各樹脂中の構成単位の含有量(モル%)を表す。Acryl−1〜Acryl−11は、(メタ)アクリル酸又は(メタ)アクリル酸誘導体に由来する構成単位であるアクリル構成単位を70モル%以上含むため、アクリル樹脂(B3)である。また、PHS−1及びPHS−2は、ポリヒドロキシスチレン樹脂(B2)である。
Acryl−1〜Acryl−7の質量平均分子量Mwは40,000である。Resin−8〜Resin−11は、Resin−lと同じ構成単位及び組成比であるが質量平均分子量が異なる樹脂であり、Resin−8の質量平均分子量は10,000、Resin−9の質量平均分子量は20,000、Resin−10の質量平均分子量は80,000、Resin−11の質量平均分子量は120,000である。なお、Acryl−1〜Acryl−11の分散度(Mw/Mn)は、いずれも2.6であった。
また、PHS−1の質量平均分子量Mwは10,000であり、分散度(Mw/Mn)は2.1であった。PHS−2の質量平均分子量Mwは11,500であり、分散度(Mw/Mn)は1.08あった。

Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636
In Examples 1 to 19 and Comparative Examples 1 to 5, the following Acryl-1 to Acryl-11, PHS-1 and PHS- are used as resins (resins (B)) whose solubility in alkali is increased by the action of an acid. 2 was used. The number in the lower right of the parentheses in each structural unit in the following structural formula represents the content (mol%) of the structural unit in each resin. Acryl-1 to Acryl-11 are acrylic resins (B3) because they contain 70 mol% or more of acrylic constituent units, which are constituent units derived from (meth) acrylic acid or (meth) acrylic acid derivatives. Further, PHS-1 and PHS-2 are polyhydroxystyrene resins (B2).
The mass average molecular weight Mw of Acryl-1 to Acryl-7 is 40,000. Resin-8 to Resin-11 are resins having the same structural unit and composition ratio as Resin-l but different in mass average molecular weight. Resin-8 has a mass average molecular weight of 10,000 and Resin-9 has a mass average molecular weight. Is 20,000, the mass average molecular weight of Resin-10 is 80,000, and the mass average molecular weight of Resin-11 is 120,000. The dispersity (Mw / Mn) of Acryl-1 to Acryl-11 was 2.6.
The mass average molecular weight Mw of PHS-1 was 10,000, and the dispersity (Mw / Mn) was 2.1. The mass average molecular weight Mw of PHS-2 was 11,500, and the dispersity (Mw / Mn) was 1.08.
Figure 2021076636
Figure 2021076636
Figure 2021076636

フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)としては、以下の化合物C1を用いた。

Figure 2021076636
As the phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C), the following compound C1 was used.
Figure 2021076636

アルカリ可溶性樹脂(D)としては、以下のPHS−3(ポリヒドロキシスチレン樹脂)、Novolak−1(ノボラック樹脂(m−クレゾール単独縮合体))を用いた。下記構造式における各構成単位中の括弧の右下の数字は、各樹脂中の構成単位の含有量(モル%)を表す。PHS−3の質量平均分子量(Mw)は2500、分散度(Mw/Mn)は2.4である。Novolak−1の質量平均分子量(Mw)8000である。

Figure 2021076636
Figure 2021076636
As the alkali-soluble resin (D), the following PHS-3 (polyhydroxystyrene resin) and Novolac-1 (novolak resin (m-cresol monocondensate)) were used. The number in the lower right of the parentheses in each structural unit in the following structural formula represents the content (mol%) of the structural unit in each resin. The mass average molecular weight (Mw) of PHS-3 is 2500, and the dispersity (Mw / Mn) is 2.4. The mass average molecular weight (Mw) of Novolac-1 is 8000.
Figure 2021076636
Figure 2021076636

含硫黄化合物(E)として、以下の含硫黄化合物T1〜T3を用いた。

Figure 2021076636
The following sulfur-containing compounds T1 to T3 were used as the sulfur-containing compound (E).
Figure 2021076636

酸拡散抑制剤(F)として、以下のAmine−1〜Amine−3を用いた。
Amine−1:アデカスタブLA−63P(ADEKA社製)
Amine−2:ジフェニルピリジン
Amine−3:トリフェニルピリジン
The following Amine-1 to Amine-3 were used as the acid diffusion inhibitor (F).
Amine-1: ADEKA STAB LA-63P (manufactured by ADEKA)
Amine-2: Diphenylpyridine Amine-3: Triphenylpyridine

それぞれ表1及び表2に記載の種類及び量の、酸発生剤(A)と、樹脂(B)と、フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)と、アルカリ可溶性樹脂(D)と、含硫黄化合物(E)と、酸拡散抑制剤(F)と、界面活性剤(BYK310、ビックケミー社製)とを、3−メトキシブチルアセテート(MA)に溶解させて、各実施例及び比較例の感光性樹脂組成物を得た。なお、界面活性剤(BYK310、ビックケミー社製)は、樹脂(B)及びアルカリ可溶性樹脂(D)の合計量に対して0.05質量部になるように添加した。実施例1〜18及び比較例1〜5の感光性樹脂組成物は、固形分濃度が40質量%であるように調製した。また、実施例19の感光性樹脂組成物は、固形分濃度が53質量%であるように調製した。また、樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計に対するアクリル樹脂の割合を、表1及び表2の「アクリル樹脂の割合(%質量)」欄に記載した。 Acid generator (A), resin (B), phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C), alkali-soluble resin (D), and sulfur-containing, respectively, of the types and amounts shown in Tables 1 and 2, respectively. The compound (E), the acid diffusion inhibitor (F), and the surfactant (BYK310, manufactured by Big Chemie) are dissolved in 3-methoxybutyl acetate (MA) to make the photosensitivity of each Example and Comparative Example. A resin composition was obtained. The surfactant (BYK310, manufactured by Big Chemie) was added so as to be 0.05 parts by mass with respect to the total amount of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D). The photosensitive resin compositions of Examples 1 to 18 and Comparative Examples 1 to 5 were prepared so that the solid content concentration was 40% by mass. Further, the photosensitive resin composition of Example 19 was prepared so that the solid content concentration was 53% by mass. Further, the ratio of the acrylic resin to the total of the resin (B) and the resin other than the resin (B) is shown in the “Acrylic resin ratio (% mass)” column of Tables 1 and 2.

得られた感光性樹脂組成物を用いて、以下の方法に従って、レジストパターンを形成し、レジストパターンの形状及びクラック耐性、硫酸銅めっき液への漬け込み後の形状を評価した。なお、実施例1〜18及び比較例1〜5については、膜厚7μmでの評価を行った。他方、実施例19については、膜厚55μmでの評価を行った。これらの評価結果を表1及び2に記す。 Using the obtained photosensitive resin composition, a resist pattern was formed according to the following method, and the shape and crack resistance of the resist pattern and the shape after immersion in the copper sulfate plating solution were evaluated. Examples 1 to 18 and Comparative Examples 1 to 5 were evaluated at a film thickness of 7 μm. On the other hand, Example 19 was evaluated at a film thickness of 55 μm. The evaluation results are shown in Tables 1 and 2.

(膜厚7μmでの評価用レジストパターンの形成)
直径500mmのガラス基板の表面にスパッタリングによる銅層が設けられた基板を準備し、実施例1〜18、及び比較例1〜5の感光性樹脂組成物を、この基板の銅層上に塗布し、膜厚7μmの感光性樹脂層を形成した。次いで、感光性樹脂層を130℃で5分間プリベークした。プリベーク後、ライン幅2μmスペース幅2μmのラインアンドスペースパターンのマスクと、i線カットフィルターを装着した露光装置Prisma GHI5452(ウルトラテック社製)とを用いて、所定のサイズのパターンを形成可能な最低露光量の1.2倍の露光量にて、2.5μmのスペースが形成されるまで、gh線でパターン露光した。次いで、基板をホットプレート上に載置して90℃で1.5分間の露光後加熱(PEB)を行った。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38重量%水溶液(現像液、NMD−3、東京応化工業株式会社製)を露光された感光性樹脂層に滴下した後に23℃で30秒間静置する操作を、計2回繰り返して行った。その後、レジストパターン表面を流水洗浄(リンス)した後に、窒素ブローしてレジストパターンを得た。
(Formation of evaluation resist pattern with a film thickness of 7 μm)
A substrate provided with a copper layer by sputtering on the surface of a glass substrate having a diameter of 500 mm was prepared, and the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 18 and Comparative Examples 1 to 5 were applied onto the copper layer of this substrate. , A photosensitive resin layer having a film thickness of 7 μm was formed. The photosensitive resin layer was then prebaked at 130 ° C. for 5 minutes. After prebaking, a mask with a line-and-space pattern with a line width of 2 μm and a space width of 2 μm and an exposure device Prisma GHI5452 (manufactured by Ultratech) equipped with an i-line cut filter can be used to form a pattern of a predetermined size. At an exposure amount of 1.2 times the exposure amount, pattern exposure was performed with gh lines until a space of 2.5 μm was formed. The substrate was then placed on a hot plate and heated at 90 ° C. for 1.5 minutes after exposure (PEB). Then, a 2.38 wt% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (developing solution, NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is added dropwise to the exposed photosensitive resin layer, and then the mixture is allowed to stand at 23 ° C. for 30 seconds. Was repeated twice in total. Then, after washing (rinsing) the surface of the resist pattern with running water, nitrogen blow was performed to obtain a resist pattern.

(膜厚55μmでの評価用レジストパターンの形成)
直径500mmのガラス基板の表面にスパッタリングによる銅層が設けられた基板を準備し、実施例19の感光性樹脂組成物を、この基板の銅層上に塗布し、膜厚55μmの感光性樹脂層を形成した。次いで、感光性樹脂層を100℃で5分間プリベークした。プリベーク後、30μm×30μmの矩形の開口を形成できるスクェアパターンのマスクと、i線カットフィルターを装着した露光装置Prisma GHI5452(ウルトラテック社製)とを用いて、所定のサイズのパターンを形成可能な最低露光量の1.2倍の露光量にて、1辺が35μmの矩形の開口が形成されるまで、gh線でパターン露光した。次いで、基板をホットプレート上に載置して100℃で3分間の露光後加熱(PEB)を行った。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38重量%水溶液(現像液、NMD−3、東京応化工業株式会社製)を露光された感光性樹脂層に滴下した後に23℃で60秒間静置する操作を、計4回繰り返して行った。その後、レジストパターン表面を流水洗浄(リンス)した後に、窒素ブローしてレジストパターンを得た。
(Formation of evaluation resist pattern at film thickness 55 μm)
A substrate provided with a copper layer by sputtering on the surface of a glass substrate having a diameter of 500 mm is prepared, and the photosensitive resin composition of Example 19 is applied onto the copper layer of this substrate to obtain a photosensitive resin layer having a film thickness of 55 μm. Was formed. Then, the photosensitive resin layer was prebaked at 100 ° C. for 5 minutes. After prebaking, a pattern of a predetermined size can be formed by using a square pattern mask capable of forming a rectangular opening of 30 μm × 30 μm and an exposure device Prisma GHI5452 (manufactured by Ultratech) equipped with an i-line cut filter. At an exposure amount of 1.2 times the minimum exposure amount, pattern exposure was performed with gh lines until a rectangular opening having a side of 35 μm was formed. Then, the substrate was placed on a hot plate and heated (PEB) after exposure at 100 ° C. for 3 minutes. Then, a 2.38 wt% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (developing solution, NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is added dropwise to the exposed photosensitive resin layer, and then the mixture is allowed to stand at 23 ° C. for 60 seconds. Was repeated 4 times in total. Then, after washing (rinsing) the surface of the resist pattern with running water, nitrogen blow was performed to obtain a resist pattern.

[レジストパターンの形状の評価]
レジストパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡により観察して、パターンの断面形状を評価した。具体的には、レジストパターンの基板に接触する面とは反対の面(トップ)の幅をWtとし、レジストパターン断面の厚さ方向中間部分のパターン幅Wmとする場合に、Wmが、Wtの±10%以内である場合に○評価とし、Wmが、Wtの±10%の範囲外である場合を×評価とした。なお、全ての実施例において、レジストパターン断面の厚さ方向中間部分のパターン幅は、レジストパターン断面の基板に接触する面(ボトム)の幅とほぼ同じであった。
[Evaluation of resist pattern shape]
The cross-sectional shape of the resist pattern was observed with a scanning electron microscope to evaluate the cross-sectional shape of the pattern. Specifically, when the width of the surface (top) of the resist pattern opposite to the surface in contact with the substrate is Wt and the pattern width Wm of the intermediate portion in the thickness direction of the resist pattern cross section is set, Wm is Wt. When it was within ± 10%, it was evaluated as ◯, and when Wm was outside the range of ± 10% of Wt, it was evaluated as ×. In all the examples, the pattern width of the intermediate portion of the resist pattern cross section in the thickness direction was substantially the same as the width of the surface (bottom) of the resist pattern cross section in contact with the substrate.

[レジストパターンのクラック耐性の評価]
レジストパターンが形成された基板について、冷熱衝撃装置(Espec社TSA−103EL)にて60℃5分,−5℃5分を1サイクルとした冷熱衝撃試験を行い、レジストパターンを光学顕微鏡で倍率10倍で10か所観察し、1サイクル目でクラックが観察された場合を×評価とし、2サイクル目で初めてクラックが観察された場合を△評価とし、3サイクル目で初めてクラック観察された場合を○評価とし、4サイクル目までクラックが観察されなかった場合を◎評価とした。
[Evaluation of crack resistance of resist pattern]
The substrate on which the resist pattern was formed was subjected to a thermal shock test using a thermal shock device (TSA-103EL manufactured by Espec) at 60 ° C. for 5 minutes and -5 ° C. for 5 minutes as one cycle, and the resist pattern was subjected to a magnification of 10 with an optical microscope. Observing 10 places at double, the case where cracks are observed in the first cycle is evaluated as x, the case where cracks are observed for the first time in the second cycle is evaluated as Δ, and the case where cracks are observed for the first time in the third cycle ○ Evaluation was made when no cracks were observed until the 4th cycle.

[レジストパターンのメッキ液耐性の評価]
レジストパターンを基板ごと、28℃の硫酸銅メッキ液(石原ケミカル社製 UTB−W30)に浸漬させた。浸漬後レジストパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡により観察して、パターンの断面形状を評価した。
具体的には、30分間浸漬し浸漬前後でレジストパターンの形状変化が見られなかった場合を◎評価とし、15分間の浸漬ではレジストパターンの形状変化は見られなかったが30分間の浸漬ではレジストパターンがメッキ液に溶解した場合を○評価とし、15分間の浸漬でレジストパターンがメッキ液に溶解した場合を×評価とした。
[Evaluation of resist pattern plating solution resistance]
The resist pattern was immersed in a copper sulfate plating solution (UTB-W30 manufactured by Ishihara Chemical Co., Ltd.) at 28 ° C. together with the substrate. After immersion, the cross-sectional shape of the resist pattern was observed with a scanning electron microscope to evaluate the cross-sectional shape of the pattern.
Specifically, the case where the shape of the resist pattern did not change before and after the immersion for 30 minutes was evaluated as ◎, and the shape of the resist pattern did not change after the immersion for 15 minutes, but the resist was not observed after the immersion for 30 minutes. The case where the pattern was dissolved in the plating solution was evaluated as ◯, and the case where the resist pattern was dissolved in the plating solution after immersion for 15 minutes was evaluated as x.

Figure 2021076636
Figure 2021076636

Figure 2021076636
Figure 2021076636

実施例1〜19によれば、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)としての式(a1−i)又は式(a1−ii)で表される化合物、式(a2−i)又は式(a2−ii)で表される化合物、及び、式(a3−i)又は式(a3−ii)で表される化合物から選択される少なくとも1種と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)とを含み、樹脂(B)と樹脂(B)以外の樹脂との合計に対するアクリル樹脂の割合が70質量%以上であるポジ型の感光性樹脂組成物は、h線露光によるレジストパターンの形成が可能で、且つ形成されたレジストパターンはメッキ液耐性及びクラック耐性に優れていることが分かる。また、レジストパターンの断面形状が良好であることが分かる。 According to Examples 1 to 19, the compound represented by the formula (a1-i) or the formula (a1-ii) as the acid generator (A) that generates an acid by irradiation with active light or radiation, the formula (a2). -I) or at least one selected from the compound represented by the formula (a2-ii) and the compound represented by the formula (a3-i) or the formula (a3-ii), and an alkali due to the action of the acid. A positive photosensitive resin composition containing a resin (B) having increased solubility in a resin (B) and having an acrylic resin ratio of 70% by mass or more based on the total of the resin (B) and a resin other than the resin (B). It can be seen that the resist pattern can be formed by h-line exposure, and the formed resist pattern is excellent in plating solution resistance and crack resistance. Further, it can be seen that the cross-sectional shape of the resist pattern is good.

他方、比較例1〜5によれば、ポジ型の感光性樹脂組成物が、酸発生剤(A)として式(a1−i)又は式(a2−i)を含むが、アクリル樹脂の割合が70質量%未満である場合、レジストパターンのめっき液耐性及びクラック耐性が、実施例1〜19よりも劣るが分かる。 On the other hand, according to Comparative Examples 1 to 5, the positive photosensitive resin composition contains the formula (a1-i) or the formula (a2-i) as the acid generator (A), but the proportion of the acrylic resin is high. When it is less than 70% by mass, it can be seen that the plating solution resistance and crack resistance of the resist pattern are inferior to those of Examples 1 to 19.

Claims (21)

金属表面を有する基板上に、めっき処理により金属を埋め込むことによりめっき造形物を形成するための鋳型を作製するために用いられ、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)とを含有する化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物であって、
前記酸発生剤(A)が、下記式(a1−i)又は下記式(a1−ii):
Figure 2021076636
(式(a1−i)及び式(a1−ii)中、X1aは酸素原子又は硫黄原子であり、
1aは、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;
−S−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基;
下記式(a11):
Figure 2021076636
で表される基;
下記式(a12):
Figure 2021076636
で表される基;並びに
下記式(a13):
Figure 2021076636
で表される基からなる群から選択され、
前記式(a11)中、R3aは、単結合、又は−O−、−S−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a−からなる群から選択される少なくとも1つの部分を含んでいてもよい、炭素原子数1以上20以下の脂肪族基であり、
Arは、ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい芳香族基であり、
前記式(a12)中、R4a、及びR5aは、それぞれ独立に、炭素原子数1以上5以下の脂肪族基であり、
1aは、酸素原子であり、
6aは、炭素原子数1以上10以下の脂肪族基であり、
7aは、−O−、−S−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含む、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基であり、
前記式(a13)中、R8aは、−O−、−S−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、及び−O−C(=O)−NR10a−からなる群から選択される少なくとも1つの部分を含んでいてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基であり、
2aは、酸素原子であり、
9aは、−O−、−S−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含む、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基であり、
10a及びR11aは、それぞれ、炭素原子数1以上10以下の脂肪族基であり、−C(=O)−NR10a11aにおいて、R10a及びR11aは、互いに同一であっても異なっていてもよく、且つ互いに結合して脂環式基を形成してもよく、
2aは、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;
−O−、−S−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−S(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=
O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数3以上18以下の脂肪族基;
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい、炭素原子数4以上18以下の芳香族基;並びに
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい、炭素原子数4以上18以下の芳香族基で置換されたアルキル基からなる群から選択される。)
で表される化合物:
下記式(a2−i)又は下記式(a2−ii):
Figure 2021076636
(式(a2−i)〜(a2−ii)中、R21aは、水素原子;
1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;又は
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含んでいてもよく、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基であり、
22aは、−CH、−CHF、−CHF、−CF、又は1つ以上のハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数2以上18以下の脂肪族基;
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基;
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい炭素原子数4以上18以下の芳香族基;並びに
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい炭素原子数4以上18以下の芳香族基で置換されたアルキル基からなる群から選択され、
ただし、R22aが−CFである場合、R21aは水素原子;
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含んでいてもよく、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数2以上18以下の脂肪族基;
−CHCH(CH、−CHCH=CHCH又は−CHCHCH=CH
下記式(a21):
Figure 2021076636
で表される基;並びに
下記式(a22):
Figure 2021076636
で表される基からなる群から選択される基であり、
10a及びR11aは、それぞれ、炭素原子数1以上10以下の脂肪族基であり、−C(=O)−NR10a11aにおいて、R10a及びR11aは、互いに同一であっても異なっていてもよく、且つ互いに結合して脂環式基を形成してもよく、
前記式(a21)中、R23aは炭素原子数4以上18以下の脂肪族基であり、
前記式(a22)中、R24aは水素原子、又は炭素原子数1以上10以下のアルキル基であり、naは1〜5の整数である。)
で表される化合物;並びに
下記式(a3−i)又は下記式(a3−ii):
Figure 2021076636
(式a3−i)〜(a3−ii)中、R31a、及びR32aは、それぞれ独立に、水素原子;
シアノ基;
1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−OC(=O)−O−、−CN、−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;並びに
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい炭素原子数4以上18以下の芳香族基からなる群から選択される基であり、
31a、及びR32aは、互いに同一であっても異なっていてもよく、且つ互いに結合して脂環式基又は複素環式基を形成してもよく、
33aは、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;
−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−S−、−O−C(=O)−O−、−CN、−C(=O)−NH−、−O−C(=O)−NH−、−C(=O)−NR10a−、−O−C(=O)−NR10a−、及び−C(=O)−NR10a11aからなる群から選択される少なくとも1つの部分を含み、1つ以上のハロゲン原子によって置換されていてもよい、炭素原子数1以上18以下の脂肪族基;並びに
ハロゲン原子、脂肪族基、ハロアルキル基、アルコキシ基、ハロアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキルスルフィニル基、アリール基、アルキルアリール基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選択される1以上の置換基を有してもよい炭素原子数4以上18以下の芳香族基からなる群から選択され、
10a及びR11aは、それぞれ、炭素原子数1以上10以下の脂肪族基であり、−C(=O)−NR10a11aにおいて、R10a及びR11aは、互いに同一であっても異なっていてもよく、且つ互いに結合して脂環式基を形成してもよい。)
で表される化合物から選択される少なくとも1種を含み、
(メタ)アクリル酸又は(メタ)アクリル酸誘導体に由来する構成単位であるアクリル構成単位を70モル%以上含む樹脂であるアクリル樹脂を含有し、
前記樹脂(B)と前記樹脂(B)以外の樹脂との合計に対する前記アクリル樹脂の割合が、70質量%以上である、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。
Acid generator (A), which is used to prepare a mold for forming a plated model by embedding metal on a substrate having a metal surface by plating, and generates acid by irradiation with active light or radiation. A chemically amplified positive photosensitive resin composition containing a resin (B) whose solubility in an alkali is increased by the action of an acid.
The acid generator (A) has the following formula (a1-i) or the following formula (a1-ii):
Figure 2021076636
(In the formula (a1-i) and the formula (a1-ii), X 1a is an oxygen atom or a sulfur atom.
R 1a is an aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted with one or more halogen atoms;
-S-, -C (= O) -S-, -O-S (= O) 2- , -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -C ( = O) -NR 10a -, and -C (= O) -NR 10a comprises at least one moiety selected from the group consisting of R 11a, which may be substituted by one or more halogen atoms, carbon atoms Aliphatic groups of number 2 or more and 18 or less;
The following formula (a11):
Figure 2021076636
Group represented by;
The following formula (a12):
Figure 2021076636
Group represented by; and the following formula (a13):
Figure 2021076636
Selected from the group consisting of the groups represented by
In the formula (a11), R 3a is a single bond, or -O-, -S-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OS (= O). ) 2- , -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , and An aliphatic group having 1 to 20 carbon atoms and which may contain at least one moiety selected from the group consisting of −C (= O) −NR 10a−.
Ar is a halogen atom, an aliphatic group, a haloalkyl group, an alkoxy group, a haloalkoxy group, an alkylthio group, a dialkylamino group, an acyloxy group, an acylthio group, an acylamino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonyl group, an alkylsulfinyl group and an aryl group. , An aromatic group which may have one or more substituents selected from the group consisting of an alkylaryl group, a cyano group, and a nitro group.
In the formula (a12), R 4a and R 5a are independently aliphatic groups having 1 or more and 5 or less carbon atoms.
Y 1a is an oxygen atom,
R 6a is an aliphatic group having 1 or more and 10 or less carbon atoms.
R 7a is -O-, -S-, -C (= O) -S-, -O-S (= O) 2- , -OC (= O) -O-, -C (= O). ) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -OC (= O) -NR 10a- , and -C (= O) -NR An aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms and containing at least one moiety selected from the group consisting of 10a R 11a.
In the above formula (a13), R 8a is −O−, −S−, −C (= O) −S−, −OS (= O) 2- , −OC (= O) −O. -, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , and -OC (= O) -NR 10a- An aliphatic group having 2 to 18 carbon atoms, which may contain at least one moiety selected from the group.
Y 2a is an oxygen atom
R 9a is −O−, −S−, −C (= O) −O−, −C (= O) −S−, −OS (= O) 2-, −OC (= O). ) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -O-C (= O) -NR 10a- , And -C (= O) -NR 10a R 11a , which is an aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms and containing at least one moiety selected from the group.
R 10a and R 11a are aliphatic groups having 1 or more and 10 or less carbon atoms, respectively, and in -C (= O) -NR 10a R 11a , R 10a and R 11a are different even if they are the same as each other. And may be bonded to each other to form an alicyclic group.
R 2a is an aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms;
-O-, -S-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -O-S (= O) 2- , -O-C (= O) -O- , -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (=
O) -NR 10a -, - O -C (= O) -NR 10a -, and -C (= O) comprising at least one moiety selected from the group consisting of -NR 10a R 11a, one or more Aliphatic groups with 3 to 18 carbon atoms, which may be substituted with halogen atoms;
Halogen atom, aliphatic group, haloalkyl group, alkoxy group, haloalkoxy group, alkylthio group, dialkylamino group, acyloxy group, acylthio group, acylamino group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl An aromatic group having 4 to 18 carbon atoms, which may have one or more substituents selected from the group consisting of groups, cyano groups, and nitro groups; as well as halogen atoms, aliphatic groups, haloalkyl groups, Consists of an alkoxy group, a haloalkoxy group, an alkylthio group, a dialkylamino group, an acyloxy group, an acylthio group, an acylamino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonyl group, an alkylsulfinyl group, an aryl group, an alkylaryl group, a cyano group, and a nitro group. Selected from the group Selected from the group consisting of alkyl groups substituted with aromatic groups having 4 or more and 18 or less carbon atoms, which may have one or more substituents. )
Compound represented by:
The following formula (a2-i) or the following formula (a2-ii):
Figure 2021076636
(In formulas (a2-i) to (a2-ii), R 21a is a hydrogen atom;
Aliphatic groups with 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms; or -O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O)- O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C ( = O) -NR 10a -, - O-C (= O) -NR 10a -, and -C (= O) may contain at least one moiety selected from the group consisting of -NR 10a R 11a An aliphatic group having 2 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms.
R 22a is an aliphatic group having 2 to 18 carbon atoms which may be substituted with -CH 3 , -CH 2 F, -CHF 2 , -CF 3, or one or more halogen atoms;
-O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -OC (= O) -NR 10a- , and -C (= O) ) -NR 10a R 11a contains at least one moiety selected from the group and may be substituted with one or more halogen atoms, an aliphatic group having 2 to 18 carbon atoms;
Halogen atom, aliphatic group, haloalkyl group, alkoxy group, haloalkoxy group, alkylthio group, dialkylamino group, acyloxy group, acylthio group, acylamino group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl An aromatic group having 4 to 18 carbon atoms which may have one or more substituents selected from the group consisting of a group, a cyano group, and a nitro group; as well as a halogen atom, an aliphatic group, a haloalkyl group, and an alkoxy. Group consisting of group, haloalkoxy group, alkylthio group, dialkylamino group, acyloxy group, acylthio group, acylamino group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl group, cyano group, and nitro group. Selected from the group consisting of alkyl groups substituted with aromatic groups having 4 or more and 18 or less carbon atoms which may have one or more substituents.
However, when R 22a is −CF 3 , R 21a is a hydrogen atom;
-O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -OC (= O) -NR 10a- , and -C (= O) ) -NR 10a An aliphatic group having 2 or more and 18 or less carbon atoms, which may contain at least one moiety selected from the group consisting of R 11a and may be substituted with one or more halogen atoms;
-CH 2 CH (CH 3 ) 2 , -CH 2 CH = CH CH 3 or -CH 2 CH 2 CH = CH 2 ;
The following formula (a21):
Figure 2021076636
Group represented by; and the following formula (a22):
Figure 2021076636
A group selected from the group consisting of the groups represented by
R 10a and R 11a are aliphatic groups having 1 or more and 10 or less carbon atoms, respectively, and in -C (= O) -NR 10a R 11a , R 10a and R 11a are different even if they are the same as each other. And may be bonded to each other to form an alicyclic group.
In the formula (a21), R 23a is an aliphatic group having 4 or more and 18 or less carbon atoms.
In the formula (a22), R 24a is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or more and 10 or less carbon atoms, and na is an integer of 1 to 5. )
The compound represented by; and the following formula (a3-i) or the following formula (a3-ii):
Figure 2021076636
In formulas a3-i to (a3-ii), R 31a and R 32a are independently hydrogen atoms;
Cyano group;
Aliphatic groups with 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms;
-O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -CN,- One or more including at least one portion selected from the group consisting of C (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , and -C (= O) -NR 10a R 11a. An aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom; and a halogen atom, an aliphatic group, a haloalkyl group, an alkoxy group, a haloalkoxy group, an alkylthio group, a dialkylamino group, an acyloxy group, A carbon having one or more substituents selected from the group consisting of an acylthio group, an acylamino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylsulfonyl group, an alkylsulfinyl group, an aryl group, an alkylaryl group, a cyano group, and a nitro group. A group selected from the group consisting of aromatic groups having 4 or more and 18 or less atoms.
R 31a and R 32a may be the same or different from each other, and may be bonded to each other to form an alicyclic group or a heterocyclic group.
R 33a is an aliphatic group having 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with one or more halogen atoms;
-O-, -S-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -C (= O) -S-, -OC (= O) -O-, -CN , -C (= O) -NH-, -OC (= O) -NH-, -C (= O) -NR 10a- , -OC (= O) -NR 10a- , and -C An aliphatic group having at least one moiety selected from the group consisting of (= O) -NR 10a R 11a and optionally substituted with one or more halogen atoms; Halogen atom, aliphatic group, haloalkyl group, alkoxy group, haloalkoxy group, alkylthio group, dialkylamino group, acyloxy group, acylthio group, acylamino group, alkoxycarbonyl group, alkylsulfonyl group, alkylsulfinyl group, aryl group, alkylaryl Selected from the group consisting of groups consisting of groups, cyano groups, and nitro groups, selected from the group consisting of aromatic groups having 4 or more and 18 or less carbon atoms which may have one or more substituents.
R 10a and R 11a are aliphatic groups having 1 or more and 10 or less carbon atoms, respectively, and in -C (= O) -NR 10a R 11a , R 10a and R 11a are different even if they are the same as each other. They may be bonded to each other to form an alicyclic group. )
Containing at least one selected from the compounds represented by
Contains acrylic resin, which is a resin containing 70 mol% or more of acrylic constituent units, which are constituent units derived from (meth) acrylic acid or (meth) acrylic acid derivatives.
A chemically amplified positive photosensitive resin composition in which the ratio of the acrylic resin to the total of the resin (B) and a resin other than the resin (B) is 70% by mass or more.
前記酸発生剤(A)が、前記式(a1−i)、前記式(a1−ii)、前記式(a2−i)又は前記式(a2−ii)で表される化合物を含む、請求項1に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 The acid generator (A) comprises a compound represented by the formula (a1-i), the formula (a1-ii), the formula (a2-i) or the formula (a2-ii). The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to 1. 前記樹脂(B)が前記アクリル樹脂を含む、請求項1又は2に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the resin (B) contains the acrylic resin. 前記樹脂(B)に対する前記樹脂(B)に含まれる前記アクリル樹脂の割合が、70質量%以上である、請求項3に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to claim 3, wherein the ratio of the acrylic resin contained in the resin (B) to the resin (B) is 70% by mass or more. さらに、アルカリ可溶性樹脂(D)を含有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 4, further comprising an alkali-soluble resin (D). 前記アルカリ可溶性樹脂(D)が、ノボラック樹脂(D1)を含む、請求項5に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to claim 5, wherein the alkali-soluble resin (D) contains a novolak resin (D1). 前記アルカリ可溶性樹脂(D)が、ポリヒドロキシスチレン樹脂(D2)を含む、請求項5又は6に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to claim 5 or 6, wherein the alkali-soluble resin (D) contains a polyhydroxystyrene resin (D2). さらに、フェノール性水酸基含有低分子化合物(C)を含有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7, further comprising a phenolic hydroxyl group-containing low molecular weight compound (C). さらに、金属に対して配位し得る硫黄原子を含む、含硫黄化合物(E)を含有する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 8, further comprising a sulfur-containing compound (E) containing a sulfur atom that can coordinate with a metal. h線露光用である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 9, which is used for h-line exposure. 前記金属表面を有する基板の主面が矩形状である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 10, wherein the main surface of the substrate having the metal surface is rectangular. 基材フィルムと、前記基材フィルムの表面に形成された感光性樹脂層とを有し、前記感光性樹脂層が請求項1〜11のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性ドライフィルム。 The chemically amplified positive photosensitive according to any one of claims 1 to 11, which has a base film and a photosensitive resin layer formed on the surface of the base film. A photosensitive dry film made of a resin composition. 基材フィルム上に、請求項1〜11のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を塗布して感光性樹脂層を形成することを含む、感光性ドライフィルムの製造方法。 Production of a photosensitive dry film, which comprises applying the chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 11 on a base film to form a photosensitive resin layer. Method. 基板上に、請求項1〜11のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
前記感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の前記感光性樹脂層を現像する現像工程と、を含む、パターン化されたレジスト膜の製造方法。
A laminating step of laminating a photosensitive resin layer made of the chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 11 on a substrate.
An exposure step of exposing the photosensitive resin layer by irradiating the photosensitive resin layer with active rays or radiation in a regioselective manner.
A method for producing a patterned resist film, which comprises a developing step of developing the photosensitive resin layer after exposure.
前記活性光線又は前記放射線がh線である、請求項14に記載のパターン化されたレジスト膜の製造方法。 The method for producing a patterned resist film according to claim 14, wherein the active light beam or the radiation is h-ray. パターン化された前記レジスト膜の厚さが1μm以上である、請求項14又は15に記載のパターン化されたレジスト膜の製造方法。 The method for producing a patterned resist film according to claim 14 or 15, wherein the patterned resist film has a thickness of 1 μm or more. 金属表面を有する基板上に、請求項1〜11のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
前記感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の前記感光性樹脂層を現像して、めっき造形物を形成するための鋳型を作製する現像工程と、を含む、鋳型付き基板の製造方法。
A laminating step of laminating a photosensitive resin layer made of the chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 11 on a substrate having a metal surface.
An exposure step of exposing the photosensitive resin layer by irradiating the photosensitive resin layer with active rays or radiation in a regioselective manner.
A method for manufacturing a substrate with a mold, which comprises a developing step of developing the photosensitive resin layer after exposure to prepare a mold for forming a plated molded product.
前記活性光線又は前記放射線がh線である、請求項17に記載の鋳型付き基板の製造方法。 The method for manufacturing a substrate with a mold according to claim 17, wherein the active light beam or the radiation is h-ray. 前記鋳型の厚さが1μm以上である、請求項17又は18に記載の鋳型付き基板の製造方法。 The method for producing a substrate with a mold according to claim 17 or 18, wherein the thickness of the mold is 1 μm or more. 前記金属表面を有する基板の主面が矩形状である、請求項17〜19のいずれか1項に記載の鋳型付き基板の製造方法。 The method for manufacturing a substrate with a mold according to any one of claims 17 to 19, wherein the main surface of the substrate having a metal surface is rectangular. 請求項17〜20のいずれか1項に記載の鋳型付き基板の製造方法により製造される前記鋳型付き基板にめっきを施して、前記鋳型内にめっき造形物を形成するめっき工程を含む、めっき造形物の製造方法。 Plating molding including a plating step of plating the molded substrate manufactured by the method for manufacturing a molded substrate according to any one of claims 17 to 20 to form a plated molded product in the mold. Manufacturing method of things.
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