JP2020003622A - Chemically amplified positive photosensitive resin composition, photosensitive dry film, method for manufacturing photosensitive dry film, method for manufacturing patterned resist film, method for manufacturing substrate with template, method for manufacturing plated molded article, and nitrogen-containing heterocyclic compound - Google Patents

Chemically amplified positive photosensitive resin composition, photosensitive dry film, method for manufacturing photosensitive dry film, method for manufacturing patterned resist film, method for manufacturing substrate with template, method for manufacturing plated molded article, and nitrogen-containing heterocyclic compound Download PDF

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Abstract

To provide a chemically amplified positive photosensitive resin composition from which a resist pattern having a rectangular cross-sectional shape can be easily formed, a photosensitive dry film including a photosensitive resin layer formed of the chemically amplified positive photosensitive resin composition, a method for manufacturing the photosensitive dry film, a method for manufacturing a patterned resist film using the above chemically amplified positive photosensitive resin composition, a method for manufacturing a substrate with a template using the above chemically amplified positive photosensitive resin composition, a method for manufacturing a plated molded article using the above substrate with a template, and a new nitrogen-containing heterocyclic compound.SOLUTION: The chemically amplified positive photosensitive resin composition is a chemically amplified positive photosensitive resin composition comprising an acid generator (A) that generates an acid by irradiation with active rays or radiation and a resin (B) that increases the solubility with an alkali by an action of an acid, into which a nitrogen-containing heterocyclic compound (C) having a specific structure and a LogS value of -4.00 or lower is incorporated.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を備える感光性ドライフィルム、当該感光性ドライフィルムの製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いる鋳型付き基板の製造方法と、当該鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物に好ましく配合し得る含窒素複素環化合物に関する。   The present invention is a chemically amplified positive photosensitive resin composition, a photosensitive dry film including a photosensitive resin layer composed of the chemically amplified positive photosensitive resin composition, a method for producing the photosensitive dry film, A method for producing a patterned resist film using the aforementioned chemically amplified positive photosensitive resin composition, a method for producing a substrate with a mold using the aforementioned chemically amplified positive photosensitive resin composition, The present invention relates to a method for producing a plated molded article using a substrate, and a nitrogen-containing heterocyclic compound which can be preferably added to the above-mentioned chemically amplified positive photosensitive resin composition.

現在、ホトファブリケーションが精密微細加工技術の主流となっている。ホトファブリケーションとは、ホトレジスト組成物を被加工物表面に塗布してホトレジスト層を形成し、ホトリソグラフィー技術によってホトレジスト層をパターニングし、パターニングされたホトレジスト層(ホトレジストパターン)をマスクとして化学エッチング、電解エッチング、又は電気めっきを主体とするエレクトロフォーミング等を行って、半導体パッケージ等の各種精密部品を製造する技術の総称である。   At present, photofabrication is the mainstream of precision microfabrication technology. Photofabrication is a process in which a photoresist composition is applied to the surface of a workpiece to form a photoresist layer, the photoresist layer is patterned by a photolithography technique, and the patterned photoresist layer (photoresist pattern) is used as a mask for chemical etching and electrolysis. It is a general term for a technology for manufacturing various precision components such as semiconductor packages by performing etching or electroforming mainly based on electroplating.

また、近年、電子機器のダウンサイジングに伴い、半導体パッケージの高密度実装技術が進み、パッケージの多ピン薄膜実装化、パッケージサイズの小型化、フリップチップ方式による2次元実装技術、3次元実装技術に基づいた実装密度の向上が図られている。このような高密度実装技術においては、接続端子として、例えば、パッケージ上に突出したバンプ等の突起電極(実装端子)や、ウェーハ上のペリフェラル端子から延びる再配線と実装端子とを接続するメタルポスト等が基板上に高精度に配置される。   In recent years, with the downsizing of electronic devices, the high-density packaging technology of semiconductor packages has been advanced, and the use of multi-pin thin-film packaging, miniaturization of package size, flip-chip two-dimensional packaging technology, and three-dimensional packaging technology have been promoted. Based on this, the mounting density is improved. In such a high-density mounting technology, as a connection terminal, for example, a bump electrode (mounting terminal) such as a bump protruding on a package, or a metal post for connecting a rewiring extending from a peripheral terminal on a wafer to the mounting terminal. Are arranged on the substrate with high precision.

上記のようなホトファブリケーションにはホトレジスト組成物が使用されるが、そのようなホトレジスト組成物としては、酸発生剤を含む化学増幅型ホトレジスト組成物が知られている(特許文献1、2等を参照)。化学増幅型ホトレジスト組成物は、放射線照射(露光)により酸発生剤から酸が発生し、加熱処理により酸の拡散が促進されて、組成物中のベース樹脂等に対し酸触媒反応を起こし、そのアルカリ溶解性が変化するというものである。   A photoresist composition is used for the photofabrication as described above, and as such a photoresist composition, a chemically amplified photoresist composition containing an acid generator is known (Patent Documents 1, 2 and the like). See). In a chemically amplified photoresist composition, an acid is generated from an acid generator by irradiation (exposure), and the diffusion of the acid is promoted by heat treatment, thereby causing an acid-catalyzed reaction on a base resin and the like in the composition. The alkali solubility changes.

このような化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物は、例えばめっき工程によるバンプ、メタルポスト、及びCu再配線のようなめっき造形物の形成等に用いられている。具体的には、化学増幅型ホトレジスト組成物を用いて、金属基板のような支持体上に所望の膜厚のホトレジスト層を形成し、所定のマスクパターンを介して露光し、現像して、めっき造形物を形成する部分が選択的に除去(剥離)された鋳型として使用されるホトレジストパターンを形成する。そして、この除去された部分(非レジスト部)に銅等の導体をめっきによって埋め込んだ後、その周囲のホトレジストパターンを除去することにより、バンプ、メタルポスト、及びCu再配線を形成することができる。   Such a chemically amplified positive photoresist composition is used, for example, for forming a plated product such as a bump, a metal post, and a Cu rewiring by a plating process. Specifically, using a chemically amplified photoresist composition, a photoresist layer of a desired thickness is formed on a support such as a metal substrate, exposed through a predetermined mask pattern, developed, and plated. A photoresist pattern to be used as a mold from which a part forming a model is selectively removed (stripped) is formed. Then, after a conductor such as copper is buried in the removed portion (non-resist portion) by plating, a photoresist pattern around the conductor is removed, whereby a bump, a metal post, and a Cu rewiring can be formed. .

特開平9−176112号公報JP-A-9-176112 特開平11−52562号公報JP-A-11-52562

一般的に、レジストパターンを形成する場合には、その断面形状が矩形であることが望まれることが多い。特に、上記のめっき工程によるバンプやメタルポスト等の接続端子の形成や、Cu再配線の形成においては、鋳型となるレジストパターンの非レジスト部について、その断面形状が矩形であることが強く望まれる。
めっき造形物の形成プロセスにおいては、鋳型となるレジストパターンの非レジスト部の断面形状が矩形であることにより、バンプ及びメタルポスト等の接続端子や、Cu再配線の底面と、支持体との接触面積を十分に確保できる。そうすると、支持体との密着性が良好である接続端子やCu再配線を形成しやすい。また、鋳型となるレジストパターンの非レジスト部の断面形状が矩形であると、先端部が広くならず(丸くならず)フラット(平面状)である接続端子やCu再配線を形成できる。
Generally, when a resist pattern is formed, it is often desired that the cross-sectional shape be rectangular. In particular, in the formation of connection terminals such as bumps and metal posts and the formation of Cu rewiring by the above plating process, it is strongly desired that the non-resist part of the resist pattern serving as a mold has a rectangular cross-sectional shape. .
In the process of forming the plated object, the non-resist portion of the resist pattern serving as a mold has a rectangular cross-sectional shape, so that the connection terminals such as bumps and metal posts, the bottom surface of the Cu rewiring, and the contact between the support and the support. A sufficient area can be secured. Then, it is easy to form connection terminals and Cu rewiring having good adhesion to the support. Further, if the cross-sectional shape of the non-resist part of the resist pattern serving as a mold is rectangular, it is possible to form a flat (planar) connection terminal or Cu rewiring whose tip is not widened (not rounded).

しかし、特許文献1、2等に開示されるような、従来から知られる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する場合、断面形状が矩形であるレジストパターンを形成しにくいことがしばしばある。
このように、特許文献1、2等に開示されるような、従来から知られる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を用いる場合、望ましい断面形状を有するレジストパターンを形成することが困難である。
However, when a resist pattern is formed using a conventionally known chemically amplified positive photoresist composition as disclosed in Patent Documents 1 and 2, it is difficult to form a resist pattern having a rectangular cross-sectional shape. There are often.
As described above, when a conventionally known chemically amplified positive photoresist composition as disclosed in Patent Documents 1 and 2 is used, it is difficult to form a resist pattern having a desirable cross-sectional shape.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、断面形状が矩形であるレジストパターンを形成しやすい化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を備える感光性ドライフィルムと、当該感光性ドライフィルムの製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いる鋳型付き基板の製造方法と、当該鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物に好ましく配合し得る含窒素複素環化合物を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and a chemically amplified positive photosensitive resin composition which is easy to form a resist pattern having a rectangular cross-sectional shape, and the chemically amplified positive photosensitive resin composition A photosensitive dry film comprising a photosensitive resin layer consisting of, a method for producing the photosensitive dry film, a method for producing a patterned resist film using the aforementioned chemically amplified positive photosensitive resin composition, A method for manufacturing a substrate with a mold using the chemically amplified positive photosensitive resin composition of the present invention, a method for manufacturing a plated molded article using the substrate with the template, and preferably compounded with the aforementioned chemically amplified positive photosensitive resin composition It is an object of the present invention to provide a nitrogen-containing heterocyclic compound which can be used.

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)と、を含む化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物に、特定の構造を有しLogS値が−4.00以下である含窒素複素環化合物である含窒素複素環化合物(C)を含有させることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。   The present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, have found that an acid generator (A) that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation and a resin whose solubility in an alkali increases due to the action of an acid. (B) and a nitrogen-containing heterocyclic compound (C), which is a nitrogen-containing heterocyclic compound having a specific structure and a LogS value of -4.00 or less, in a chemically amplified positive photosensitive resin composition containing (C). It has been found that the above-mentioned problems can be solved by including the compound, and the present invention has been completed. Specifically, the present invention provides the following.

本発明の第1の態様は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)と、含窒素複素環化合物(C)とを含有し、
含窒素複素環化合物(C)が、下記式(c1):
−A−W−A−X (c1)
(式(c1)中、Zは下記式(c2):

Figure 2020003622
で表される含窒素複素環基であり、
及びAは、それぞれ独立に、単結合、又は、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCOO−、−NH−、−CONH−、−NHCO−、−NHCONH−、−S−、−SO−、及び−SO−からなる群より選択される2価の基であり、
は、単結合又は置換基を有してもよい2価の環式基であり、
は、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
式(c2)中、R、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
〜Yのうちのいずれか1つが下記式(c3)又は式(c4):
Figure 2020003622
で表される3価の基であり、当該3価の基が有する3つの結合手のうち一つの結合手がAに連結され、
式(c3)中、Rは、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
〜Yのうちの2つが、それぞれ独立に、−CR−、−NR−、−O−及び−S−からなる群より選択される2価の基であり、
、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。)
で表される化合物であり、
含窒素複素環化合物(C)の溶解度Sの常用対数値LogSが−4.00以下である、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 The first aspect of the present invention relates to an acid generator (A) that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, a resin (B) whose solubility in an alkali increases by the action of an acid, and a nitrogen-containing heterocyclic compound. (C) and
The nitrogen-containing heterocyclic compound (C) has the following formula (c1):
Z 1 -A 1 -W 1 -A 2 -X 1 (c1)
(In the formula (c1), Z 1 is the following formula (c2):
Figure 2020003622
Is a nitrogen-containing heterocyclic group represented by
A 1 and A 2 are each independently a single bond or —O—, —CO—, —COO—, —OCO—, —OCOO—, —NH—, —CONH—, —NHCO—, —NHCONH -, - S -, - SO- , and -SO 2 - is a divalent radical selected from the group consisting of,
W 1 is a single bond or a divalent cyclic group which may have a substituent,
X 1 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
In the formula (c2), R 1 , R 2 and R 4 are each independently an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, R 3 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
Any one of Y 1 to Y 3 is represented by the following formula (c3) or formula (c4):
Figure 2020003622
Wherein one of the three bonds possessed by the trivalent group is linked to A 1 ,
In the formula (c3), R 6 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
Two of Y 1 to Y 3 are each independently a divalent group selected from the group consisting of —CR 7 R 8 —, —NR 9 —, —O— and —S—,
R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. )
Is a compound represented by
A chemically amplified positive photosensitive resin composition having a common logarithm LogS of solubility S of the nitrogen-containing heterocyclic compound (C) of -4.00 or less.

本発明の第2の態様は、基材フィルムと、基材フィルムの表面に形成された感光性樹脂層とを有し、感光性樹脂層が第1の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性ドライフィルムである。   A second aspect of the present invention includes a base film and a photosensitive resin layer formed on the surface of the base film, wherein the photosensitive resin layer is a chemically amplified positive photosensitive layer according to the first embodiment. It is a photosensitive dry film made of a resin composition.

本発明の第3の態様は、基材フィルム上に、第1の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を塗布して感光性樹脂層を形成することを含む、感光性ドライフィルムの製造方法である。   A third aspect of the present invention is a photosensitive dry film, comprising applying a chemically amplified positive photosensitive resin composition according to the first aspect on a base film to form a photosensitive resin layer. Is a manufacturing method.

本発明の第4の態様は、
金属表面を有する基板上に、第1の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像する現像工程と、を含む、パターン化されたレジスト膜の製造方法である。
According to a fourth aspect of the present invention,
A laminating step of laminating a photosensitive resin layer composed of the chemically amplified positive photosensitive resin composition according to the first embodiment on a substrate having a metal surface;
An exposure step of irradiating the photosensitive resin layer with position-selective irradiation with actinic rays or radiation, and
And a developing step of developing the photosensitive resin layer after exposure.

本発明の第5の態様は、
金属表面を有する基板上に、第1の態様にかかる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像して、めっき造形物を形成するための鋳型を作成する現像工程と、を含む、鋳型付き基板の製造方法である。
According to a fifth aspect of the present invention,
A laminating step of laminating a photosensitive resin layer composed of the chemically amplified positive photosensitive resin composition according to the first embodiment on a substrate having a metal surface;
An exposure step of irradiating the photosensitive resin layer with position-selective irradiation with actinic rays or radiation, and
And a developing step of developing the photosensitive resin layer after exposure to form a mold for forming a plated molded article.

本発明の第6の態様は、第5の態様にかかる方法により製造される鋳型付き基板にめっきを施して、鋳型内にめっき造形物を形成する工程を含む、めっき造形物の製造方法である。   A sixth aspect of the present invention is a method for producing a plated molded article, comprising a step of plating a substrate with a mold produced by the method according to the fifth aspect to form a plated molded article in a mold. .

本発明の第7の態様は、
下記式(c1−a):
−A−W−A−X (c1−a)
(式(c1−a)中、Zは下記式(c2):

Figure 2020003622
で表される含窒素複素環基であり、
及びAは、それぞれ独立に、単結合、又は、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCOO−、−NH−、−CONH−、−NHCO−、−NHCONH−、−S−、−SO−、及び−SO−からなる群より選択される2価の基であり、
は、置換基を有してもよい2価の環式基であり、
は、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
式(c2)中、R、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
〜Yのうちのいずれか1つが下記式(c3)又は式(c4):
Figure 2020003622
で表される3価の基であり、当該3価の基が有する3つの結合手のうち一つの結合手がAに連結され、
式(c3)中、Rは、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
〜Yのうちの2つが、それぞれ独立に、−CR−、−NR−、−O−及び−S−からなる群より選択される2価の基であり、
、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。)
で表される、含窒素複素環化合物。 According to a seventh aspect of the present invention,
The following formula (c1-a):
Z 1 -A 1 -W 2 -A 2 -X 1 (c1-a)
(In the formula (c1-a), Z 1 is the following formula (c2):
Figure 2020003622
Is a nitrogen-containing heterocyclic group represented by
A 1 and A 2 are each independently a single bond or —O—, —CO—, —COO—, —OCO—, —OCOO—, —NH—, —CONH—, —NHCO—, —NHCONH -, - S -, - SO- , and -SO 2 - is a divalent radical selected from the group consisting of,
W 2 is a divalent cyclic group which may have a substituent,
X 1 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
In the formula (c2), R 1 , R 2 and R 4 are each independently an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, R 3 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
Any one of Y 1 to Y 3 is represented by the following formula (c3) or formula (c4):
Figure 2020003622
Wherein one of the three bonds possessed by the trivalent group is linked to A 1 ,
In the formula (c3), R 6 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
Two of Y 1 to Y 3 are each independently a divalent group selected from the group consisting of —CR 7 R 8 —, —NR 9 —, —O— and —S—,
R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. )
A nitrogen-containing heterocyclic compound represented by the formula:

本発明によれば、断面形状が矩形であるレジストパターンを形成しやすい化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を備える感光性ドライフィルムと、当該感光性ドライフィルムの製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いる鋳型付き基板の製造方法と、当該鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物に好ましく配合し得る含窒素複素環化合物を提供することができる。   According to the present invention, a chemically amplified positive photosensitive resin composition which is easy to form a resist pattern having a rectangular cross section, and a photosensitive resin comprising a photosensitive resin layer composed of the chemically amplified positive photosensitive resin composition Dry film, a method for producing the photosensitive dry film, a method for producing a patterned resist film using the aforementioned chemically amplified positive photosensitive resin composition, and a method for producing the aforementioned chemically amplified positive photosensitive resin Provided is a method for producing a substrate with a mold using the composition, a method for producing a plated molded article using the substrate with the mold, and a nitrogen-containing heterocyclic compound that can be preferably blended with the aforementioned chemically amplified positive photosensitive resin composition. can do.

≪化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物≫
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物(以下、感光性樹脂組成物とも記す。)は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)(以下酸発生剤(A)とも記す。)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)(以下樹脂(B)とも記す。)と、含窒素複素環化合物(C)と、を含有する。感光性樹脂組成物は、必要に応じて、アルカリ可溶性樹脂(D)、含硫黄化合物(E)、酸拡散抑制剤(F)、及び有機溶剤(S)等の成分を含んでいてもよい。
≪Chemically amplified positive photosensitive resin composition≫
A chemically amplified positive photosensitive resin composition (hereinafter also referred to as a photosensitive resin composition) is an acid generator (A) that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation (hereinafter also referred to as an acid generator (A)). ), A resin (B) whose solubility in an alkali increases by the action of an acid (hereinafter also referred to as a resin (B)), and a nitrogen-containing heterocyclic compound (C). The photosensitive resin composition may contain components such as an alkali-soluble resin (D), a sulfur-containing compound (E), an acid diffusion inhibitor (F), and an organic solvent (S), if necessary.

感光性樹脂組成物を用いて形成されるレジストパターンの膜厚は特に限定されない。感光性樹脂組成物は厚膜のレジストパターンの形成に好ましく使用される。感光性樹脂組成物を用いて形成されるレジストパターンの膜厚は、具体的には、0.5μm以上が好ましく、0.5μm以上300μm以下がより好ましく、0.5μm以上150μm以下がさらにより好ましく、0.5μm以上200μm以下が特に好ましい。
膜厚の上限値は、例えば、100μm以下であってもよい。膜厚の下限値は、例えば、1μm以上であってもよく、3μm以上であってもよい。
The thickness of the resist pattern formed using the photosensitive resin composition is not particularly limited. The photosensitive resin composition is preferably used for forming a thick resist pattern. The thickness of the resist pattern formed using the photosensitive resin composition is specifically, preferably 0.5 μm or more, more preferably 0.5 μm or more and 300 μm or less, and still more preferably 0.5 μm or more and 150 μm or less. , 0.5 μm or more and 200 μm or less.
The upper limit of the film thickness may be, for example, 100 μm or less. The lower limit of the film thickness may be, for example, 1 μm or more, or 3 μm or more.

以下、感光性樹脂組成物が含む、必須又は任意の成分と、感光性樹脂組成物の製造方法とについて説明する。   Hereinafter, essential or optional components contained in the photosensitive resin composition and a method for producing the photosensitive resin composition will be described.

<酸発生剤(A)>
酸発生剤(A)は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であり、光により直接又は間接的に酸を発生する化合物であれば特に限定されない。酸発生剤(A)としては、以下に説明する、第一〜第五の態様の酸発生剤が好ましい。以下、感光性樹脂組成物において好適に使用される酸発生剤(A)のうち好適なものについて、第一から第五の態様として説明する。
<Acid generator (A)>
The acid generator (A) is a compound that generates an acid by irradiation with actinic rays or radiation, and is not particularly limited as long as it is a compound that directly or indirectly generates an acid by light. As the acid generator (A), the acid generators of the first to fifth aspects described below are preferable. Hereinafter, preferred acid generators (A) suitably used in the photosensitive resin composition will be described as first to fifth embodiments.

酸発生剤(A)における第一の態様としては、下記式(a1)で表される化合物が挙げられる。   The first embodiment of the acid generator (A) includes a compound represented by the following formula (a1).

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(a1)中、X1aは、原子価gの硫黄原子又はヨウ素原子を表し、gは1又は2である。hは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。R1aは、X1aに結合している有機基であり、炭素原子数6以上30以下のアリール基、炭素原子数4以上30以下の複素環基、炭素原子数1以上30以下のアルキル基、炭素原子数2以上30以下のアルケニル基、又は炭素原子数2以上30以下のアルキニル基を表し、R1aは、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールチオカルボニル、アシロキシ、アリールチオ、アルキルチオ、アリール、複素環、アリールオキシ、アルキルスルフィニル、アリールスルフィニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アルキレンオキシ、アミノ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。R1aの個数はg+h(g−1)+1であり、R1aはそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよい。また、2個以上のR1aが互いに直接、又は−O−、−S−、−SO−、−SO−、−NH−、−NR2a−、−CO−、−COO−、−CONH−、炭素原子数1以上3以下のアルキレン基、若しくはフェニレン基を介して結合し、X1aを含む環構造を形成してもよい。R2aは炭素原子数1以下5以上のアルキル基又は炭素原子数6以下10以上のアリール基である。 In the formula (a1), X 1a represents a sulfur atom or an iodine atom having a valence of g, and g is 1 or 2. h represents the number of repeating units of the structure in parentheses. R 1a is an organic group bonded to X 1a , and is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, a heterocyclic group having 4 to 30 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, Represents an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms or an alkynyl group having 2 to 30 carbon atoms, and R 1a represents alkyl, hydroxy, alkoxy, alkylcarbonyl, arylcarbonyl, alkoxycarbonyl, aryloxycarbonyl, arylthio At least one selected from the group consisting of carbonyl, acyloxy, arylthio, alkylthio, aryl, heterocyclic, aryloxy, alkylsulfinyl, arylsulfinyl, alkylsulfonyl, arylsulfonyl, alkyleneoxy, amino, cyano, nitro, and halogen; Replaced by seed It may be. The number of R 1a is g + h (g−1) +1, and R 1a may be the same or different from each other. Also, directly with each other two or more R 1a, or -O -, - S -, - SO -, - SO 2 -, - NH -, - NR 2a -, - CO -, - COO -, - CONH- an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, or linked through a phenylene group, may form a ring structure containing X 1a. R 2a is an alkyl group having 1 or less and 5 or more carbon atoms or an aryl group having 6 or less and 10 or more carbon atoms.

2aは下記式(a2)で表される構造である。 X2a is a structure represented by the following formula (a2).

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(a2)中、X4aは炭素原子数1以上8以下のアルキレン基、炭素原子数6以上20以下のアリーレン基、又は炭素原子数8以上20以下の複素環化合物の2価の基を表し、X4aは炭素原子数1以上8以下のアルキル、炭素原子数1以上8以下のアルコキシ、炭素原子数6以上10以下のアリール、ヒドロキシ、シアノ、ニトロの各基、及びハロゲンからなる群より選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。X5aは−O−、−S−、−SO−、−SO−、−NH−、−NR2a−、−CO−、−COO−、−CONH−、炭素原子数1以上3以下のアルキレン基、又はフェニレン基を表す。hは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。h+1個のX4a及びh個のX5aはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。R2aは前述の定義と同じである。 In the formula (a2), X 4a represents an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a divalent group of a heterocyclic compound having 8 to 20 carbon atoms. X 4a represents a group consisting of alkyl having 1 to 8 carbon atoms, alkoxy having 1 to 8 carbon atoms, aryl having 6 to 10 carbon atoms, hydroxy, cyano, nitro, and halogen. It may be substituted with at least one selected from. X 5a is -O -, - S -, - SO -, - SO 2 -, - NH -, - NR 2a -, - CO -, - COO -, - CONH-, carbon atom number of 1 to 3 alkylene Represents a phenylene group or a phenylene group. h represents the number of repeating units of the structure in parentheses. h + 1 X 4a and h X 5a may be the same or different. R 2a is the same as defined above.

3a−はオニウムの対イオンであり、下記式(a17)で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオン又は下記式(a18)で表されるボレートアニオンが挙げられる。 X 3a− is a counter ion of onium, and includes a fluorinated alkylfluorophosphate anion represented by the following formula (a17) or a borate anion represented by the following formula (a18).

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(a17)中、R3aは水素原子の80%以上がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。jはその個数を示し、1以上5以下の整数である。j個のR3aはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。 In the formula (a17), R 3a represents an alkyl group in which 80% or more of the hydrogen atoms have been substituted with fluorine atoms. j indicates the number and is an integer of 1 or more and 5 or less. The j R 3a may be the same or different.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(a18)中、R4a〜R7aは、それぞれ独立にフッ素原子又はフェニル基を表し、該フェニル基の水素原子の一部又は全部は、フッ素原子及びトリフルオロメチル基からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。 In the formula (a18), R 4a to R 7a each independently represent a fluorine atom or a phenyl group, and part or all of the hydrogen atoms of the phenyl group are selected from the group consisting of a fluorine atom and a trifluoromethyl group. May be substituted with at least one of the above.

上記式(a1)で表される化合物中のオニウムイオンとしては、トリフェニルスルホニウム、トリ−p−トリルスルホニウム、4−(フェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、ビス[4−(ジフェニルスルホニオ)フェニル]スルフィド、ビス〔4−{ビス[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]スルホニオ}フェニル〕スルフィド、ビス{4−[ビス(4−フルオロフェニル)スルホニオ]フェニル}スルフィド、4−(4−ベンゾイル−2−クロロフェニルチオ)フェニルビス(4−フルオロフェニル)スルホニウム、7−イソプロピル−9−オキソ−10−チア−9,10−ジヒドロアントラセン−2−イルジ−p−トリルスルホニウム、7−イソプロピル−9−オキソ−10−チア−9,10−ジヒドロアントラセン−2−イルジフェニルスルホニウム、2−[(ジフェニル)スルホニオ]チオキサントン、4−[4−(4−tert−ブチルベンゾイル)フェニルチオ]フェニルジ−p−トリルスルホニウム、4−(4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、ジフェニルフェナシルスルホニウム、4−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、2−ナフチルメチル(1−エトキシカルボニル)エチルスルホニウム、4−ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、フェニル[4−(4−ビフェニルチオ)フェニル]4−ビフェニルスルホニウム、フェニル[4−(4−ビフェニルチオ)フェニル]3−ビフェニルスルホニウム、[4−(4−アセトフェニルチオ)フェニル]ジフェニルスルホニウム、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウム、ジフェニルヨードニウム、ジ−p−トリルヨードニウム、ビス(4−ドデシルフェニル)ヨードニウム、ビス(4−メトキシフェニル)ヨードニウム、(4−オクチルオキシフェニル)フェニルヨードニウム、ビス(4−デシルオキシ)フェニルヨードニウム、4−(2−ヒドロキシテトラデシルオキシ)フェニルフェニルヨードニウム、4−イソプロピルフェニル(p−トリル)ヨードニウム、又は4−イソブチルフェニル(p−トリル)ヨードニウム、等が挙げられる。   Examples of the onium ion in the compound represented by the formula (a1) include triphenylsulfonium, tri-p-tolylsulfonium, 4- (phenylthio) phenyldiphenylsulfonium, bis [4- (diphenylsulfonio) phenyl] sulfide, Bis [4- {bis [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] sulfonio} phenyl] sulfide, bis {4- [bis (4-fluorophenyl) sulfonio] phenyl} sulfide, 4- (4-benzoyl-2-) Chlorophenylthio) phenylbis (4-fluorophenyl) sulfonium, 7-isopropyl-9-oxo-10-thia-9,10-dihydroanthracen-2-yldi-p-tolylsulfonium, 7-isopropyl-9-oxo-10 -Thia-9,10-dihydroanthracene 2-yldiphenylsulfonium, 2-[(diphenyl) sulfonio] thioxanthone, 4- [4- (4-tert-butylbenzoyl) phenylthio] phenyldi-p-tolylsulfonium, 4- (4-benzoylphenylthio) phenyldiphenylsulfonium , Diphenylphenacylsulfonium, 4-hydroxyphenylmethylbenzylsulfonium, 2-naphthylmethyl (1-ethoxycarbonyl) ethylsulfonium, 4-hydroxyphenylmethylphenacylsulfonium, phenyl [4- (4-biphenylthio) phenyl] 4- Biphenylsulfonium, phenyl [4- (4-biphenylthio) phenyl] 3-biphenylsulfonium, [4- (4-acetophenylthio) phenyl] diphenylsulfonium, octadecy Methylphenacylsulfonium, diphenyliodonium, di-p-tolyliodonium, bis (4-dodecylphenyl) iodonium, bis (4-methoxyphenyl) iodonium, (4-octyloxyphenyl) phenyliodonium, bis (4-decyloxy) phenyl Examples include iodonium, 4- (2-hydroxytetradecyloxy) phenylphenyliodonium, 4-isopropylphenyl (p-tolyl) iodonium, and 4-isobutylphenyl (p-tolyl) iodonium.

上記式(a1)で表される化合物中のオニウムイオンのうち、好ましいオニウムイオンとしては下記式(a19)で表されるスルホニウムイオンが挙げられる。   Among the onium ions in the compound represented by the above formula (a1), a preferred onium ion is a sulfonium ion represented by the following formula (a19).

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(a19)中、R8aはそれぞれ独立に水素原子、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルオキシカルボニル、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアリール、アリールカルボニル、からなる群より選ばれる基を表す。X2aは、上記式(a1)中のX2aと同じ意味を表す。 In the formula (a19), R 8a independently represents a hydrogen atom, an alkyl, a hydroxy, an alkoxy, an alkylcarbonyl, an alkylcarbonyloxy, an alkyloxycarbonyl, a halogen atom, an optionally substituted aryl, an arylcarbonyl, Represents a group selected from the group consisting of: X 2a has the same meaning as X 2a in the formula (a1).

上記式(a19)で表されるスルホニウムイオンの具体例としては、4−(フェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、4−(4−ベンゾイル−2−クロロフェニルチオ)フェニルビス(4−フルオロフェニル)スルホニウム、4−(4−ベンゾイルフェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウム、フェニル[4−(4−ビフェニルチオ)フェニル]4−ビフェニルスルホニウム、フェニル[4−(4−ビフェニルチオ)フェニル]3−ビフェニルスルホニウム、[4−(4−アセトフェニルチオ)フェニル]ジフェニルスルホニウム、ジフェニル[4−(p−ターフェニルチオ)フェニル]ジフェニルスルホニウムが挙げられる。   Specific examples of the sulfonium ion represented by the above formula (a19) include 4- (phenylthio) phenyldiphenylsulfonium, 4- (4-benzoyl-2-chlorophenylthio) phenylbis (4-fluorophenyl) sulfonium, (4-benzoylphenylthio) phenyldiphenylsulfonium, phenyl [4- (4-biphenylthio) phenyl] 4-biphenylsulfonium, phenyl [4- (4-biphenylthio) phenyl] 3-biphenylsulfonium, [4- (4 -Acetophenylthio) phenyl] diphenylsulfonium and diphenyl [4- (p-terphenylthio) phenyl] diphenylsulfonium.

上記式(a17)で表されるフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンにおいて、R3aはフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、好ましい炭素原子数は1以上8以下、さらに好ましい炭素原子数は1以上4以下である。アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、オクチル等の直鎖アルキル基;イソプロピル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル等の分岐アルキル基;さらにシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基等が挙げられ、アルキル基の水素原子がフッ素原子に置換された割合は、通常、80%以上、好ましくは90%以上、さらに好ましくは100%である。フッ素原子の置換率が80%未満である場合には、上記式(a1)で表されるオニウムフッ素化アルキルフルオロリン酸塩の酸強度が低下する。 In the fluorinated alkylfluorophosphate anion represented by the above formula (a17), R 3a represents an alkyl group substituted with a fluorine atom, and the number of carbon atoms is preferably 1 or more and 8 or less, and more preferably 1 or more. 4 or less. Specific examples of the alkyl group include linear alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, and octyl; branched alkyl groups such as isopropyl, isobutyl, sec-butyl, and tert-butyl; and cyclopropyl, cyclobutyl, and cyclopentyl. , Cyclohexyl and the like, and the proportion of the hydrogen atom of the alkyl group substituted by a fluorine atom is usually 80% or more, preferably 90% or more, and more preferably 100%. When the substitution ratio of the fluorine atom is less than 80%, the acid strength of the onium fluorinated alkylfluorophosphate represented by the above formula (a1) decreases.

特に好ましいR3aは、炭素原子数が1以上4以下、且つフッ素原子の置換率が100%の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基であり、具体例としては、CF、CFCF、(CFCF、CFCFCF、CFCFCFCF、(CFCFCF、CFCF(CF)CF、(CFCが挙げられる。R3aの個数jは、1以上5以下の整数であり、好ましくは2以上4以下、特に好ましくは2又は3である。 Particularly preferred R 3a is a linear or branched perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms and a 100% fluorine atom substitution rate. Specific examples thereof include CF 3 , CF 3 CF 2 , (CF 3 ) 2 CF, CF 3 CF 2 CF 2 , CF 3 CF 2 CF 2 CF 2 , (CF 3 ) 2 CFCF 2 , CF 3 CF 2 (CF 3 ) CF, (CF 3 ) 3 C No. The number j of R 3a is an integer of 1 or more and 5 or less, preferably 2 or more and 4 or less, particularly preferably 2 or 3.

好ましいフッ素化アルキルフルオロリン酸アニオンの具体例としては、[(CFCFPF、[(CFCFPF、[((CFCF)PF、[((CFCF)PF、[(CFCFCFPF、[(CFCFCFPF、[((CFCFCFPF、[((CFCFCFPF、[(CFCFCFCFPF、又は[(CFCFCFPFが挙げられ、これらのうち、[(CFCFPF、[(CFCFCFPF、[((CFCF)PF、[((CFCF)PF、[((CFCFCFPF、又は[((CFCFCFPFが特に好ましい。 Specific examples of preferred fluorinated alkylfluorophosphate anions include [(CF 3 CF 2 ) 2 PF 4 ] , [(CF 3 CF 2 ) 3 PF 3 ] , [((CF 3 ) 2 CF) 2 PF 4 ] , [(CF 3 ) 2 CF) 3 PF 3 ] , [(CF 3 CF 2 CF 2 ) 2 PF 4 ] , [(CF 3 CF 2 CF 2 ) 3 PF 3 ] , [((CF 3 ) 2 CFCF 2 ) 2 PF 4 ] , [((CF 3 ) 2 CFCF 2 ) 3 PF 3 ] , [(CF 3 CF 2 CF 2 CF 2 ) 2 PF 4 ] , or [(CF 3 CF 2 CF 2 ) 3 PF 3 ] - , of which [(CF 3 CF 2 ) 3 PF 3 ] - , [(CF 3 CF 2 CF 2 ) 3 PF 3 ] - , [((CF 3) 2 CF ) 3 PF 3 -, [((CF 3) 2 CF) 2 PF 4] -, [((CF 3) 2 CFCF 2) 3 PF 3] -, or [((CF 3) 2 CFCF 2) 2 PF 4] - is Particularly preferred.

上記式(a18)で表されるボレートアニオンの好ましい具体例としては、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート([B(C)、テトラキス[(トリフルオロメチル)フェニル]ボレート([B(CCF)、ジフルオロビス(ペンタフルオロフェニル)ボレート([(CBF)、トリフルオロ(ペンタフルオロフェニル)ボレート([(C)BF)、テトラキス(ジフルオロフェニル)ボレート([B(C)等が挙げられる。これらの中でも、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート([B(C)が特に好ましい。 Preferred specific examples of the borate anion represented by the above formula (a18) include tetrakis (pentafluorophenyl) borate ([B (C 6 F 5 ) 4 ] ) and tetrakis [(trifluoromethyl) phenyl] borate ( [B (C 6 H 4 CF 3) 4] -), difluoro (pentafluorophenyl) borate ([(C 6 F 5) 2 BF 2] -), trifluoro (pentafluorophenyl) borate ([(C 6 F 5) BF 3] - ), tetrakis (difluorophenyl) borate ([B (C 6 H 3 F 2) 4] -) , and the like. Among these, tetrakis (pentafluorophenyl) borate ([B (C 6 F 5 ) 4 ] ) is particularly preferred.

酸発生剤(A)における第二の態様としては、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−ピペロニル−1,3,5−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(2−フリル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(5−メチル−2−フリル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(5−エチル−2−フリル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(5−プロピル−2−フリル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(3,5−ジメトキシフェニル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(3,5−ジエトキシフェニル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(3,5−ジプロポキシフェニル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(3−メトキシ−5−エトキシフェニル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(3−メトキシ−5−プロポキシフェニル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エテニル]−s−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−(3,4−メチレンジオキシフェニル)−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシナフチル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−(2−フリル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−(5−メチル−2−フリル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−(3,5−ジメトキシフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−[2−(3,4−ジメトキシフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、トリス(1,3−ジブロモプロピル)−1,3,5−トリアジン、トリス(2,3−ジブロモプロピル)−1,3,5−トリアジン等のハロゲン含有トリアジン化合物、並びにトリス(2,3−ジブロモプロピル)イソシアヌレート等の下記式(a3)で表されるハロゲン含有トリアジン化合物が挙げられる。   As the second embodiment of the acid generator (A), 2,4-bis (trichloromethyl) -6-piperonyl-1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2 -(2-furyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (5-methyl-2-furyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis ( Trichloromethyl) -6- [2- (5-ethyl-2-furyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (5-propyl-2-furyl) ethenyl ] -S-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (3,5-dimethoxyphenyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2 -(3,5-diethoxyf Nyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (3,5-dipropoxyphenyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl)- 6- [2- (3-methoxy-5-ethoxyphenyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (3-methoxy-5-propoxyphenyl) ethenyl]- s-Triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (3,4-methylenedioxyphenyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- (3 , 4-Methylenedioxyphenyl) -s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- (3-bromo-4-methoxy) phenyl-s-triazine, 2,4-bis- Lichloromethyl-6- (2-bromo-4-methoxy) phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- (2-bromo-4-methoxy) styrylphenyl-s-triazine, 2,4- Bis-trichloromethyl-6- (3-bromo-4-methoxy) styrylphenyl-s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxynaphthyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (2-furyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl)- 1,3,5-triazine, 2- [2- (5-methyl-2-furyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (3 , 5- Dimethoxyphenyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (3,4-dimethoxyphenyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl)- 1,3,5-triazine, 2- (3,4-methylenedioxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, tris (1,3-dibromopropyl) -1 , 3,5-Triazine, halogen-containing triazine compounds such as tris (2,3-dibromopropyl) -1,3,5-triazine and the following formula (a3) such as tris (2,3-dibromopropyl) isocyanurate And a halogen-containing triazine compound represented by the formula:

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(a3)中、R9a、R10a、R11aは、それぞれ独立にハロゲン化アルキル基を表す。 In the formula (a3), R 9a , R 10a and R 11a each independently represent a halogenated alkyl group.

また、酸発生剤(A)における第三の態様としては、α−(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,4−ジクロロフェニルアセトニトリル、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,6−ジクロロフェニルアセトニトリル、α−(2−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、並びにオキシムスルホネート基を含有する下記式(a4)で表される化合物が挙げられる。   Further, as the third embodiment of the acid generator (A), α- (p-toluenesulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (benzenesulfonyloxyimino) -2,4-dichlorophenylacetonitrile, α- (benzene Contains sulfonyloxyimino) -2,6-dichlorophenylacetonitrile, α- (2-chlorobenzenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, and an oxime sulfonate group A compound represented by the following formula (a4):

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(a4)中、R12aは、1価、2価、又は3価の有機基を表し、R13aは、置換若しくは未置換の飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、又は芳香族基を表し、nは括弧内の構造の繰り返し単位数を表す。 In the formula (a4), R 12a represents a monovalent, divalent, or trivalent organic group, and R 13a represents a substituted or unsubstituted saturated hydrocarbon group, unsaturated hydrocarbon group, or aromatic group. And n represents the number of repeating units of the structure in parentheses.

上記式(a4)中、芳香族基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等のアリール基や、フリル基、チエニル基等のヘテロアリール基が挙げられる。これらは環上に適当な置換基、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基等を1個以上有していてもよい。また、R13aは、炭素原子数1以上6以下のアルキル基が特に好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が挙げられる。特に、R12aが芳香族基であり、R13aが炭素原子数1以上4以下のアルキル基である化合物が好ましい。 In the formula (a4), examples of the aromatic group include an aryl group such as a phenyl group and a naphthyl group, and a heteroaryl group such as a furyl group and a thienyl group. These may have one or more suitable substituents on the ring, for example, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a nitro group and the like. R 13a is particularly preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group. Particularly, a compound in which R 12a is an aromatic group and R 13a is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.

上記式(a4)で表される酸発生剤としては、n=1のとき、R12aがフェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基のいずれかであって、R13aがメチル基の化合物、具体的にはα−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−(p−メチルフェニル)アセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−(p−メトキシフェニル)アセトニトリル、〔2−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−2,3−ジヒドロキシチオフェン−3−イリデン〕(o−トリル)アセトニトリル等が挙げられる。n=2のとき、上記式(a4)で表される酸発生剤としては、具体的には下記式で表される酸発生剤が挙げられる。 As the acid generator represented by the above formula (a4), when n = 1, a compound in which R 12a is any one of a phenyl group, a methylphenyl group, and a methoxyphenyl group, and R 13a is a methyl group, specifically Specifically, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-phenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1- (p-methylphenyl) acetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1- (p- Methoxyphenyl) acetonitrile, [2- (propylsulfonyloxyimino) -2,3-dihydroxythiophen-3-ylidene] (o-tolyl) acetonitrile and the like. When n = 2, the acid generator represented by the above formula (a4) specifically includes an acid generator represented by the following formula.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

また、酸発生剤(A)における第四の態様としては、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩が挙げられる。この「ナフタレン環を有する」とは、ナフタレンに由来する構造を有することを意味し、少なくとも2つの環の構造と、それらの芳香族性が維持されていることを意味する。このナフタレン環は炭素原子数1以上6以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基、水酸基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基等の置換基を有していてもよい。ナフタレン環に由来する構造は、1価基(遊離原子価が1つ)であっても、2価基(遊離原子価が2つ)以上であってもよいが、1価基であることが望ましい(ただし、このとき、上記置換基と結合する部分を除いて遊離原子価を数えるものとする)。ナフタレン環の数は1以上3以下が好ましい。   Further, as a fourth embodiment of the acid generator (A), an onium salt having a naphthalene ring in a cation portion can be mentioned. The expression "having a naphthalene ring" means having a structure derived from naphthalene, and means that at least two ring structures and their aromaticity are maintained. The naphthalene ring has a substituent such as a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, and a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. Is also good. The structure derived from the naphthalene ring may be a monovalent group (having one free valence) or a divalent group (having two free valences) or more. Desirable (however, at this time, the free valence is counted except for the portion bonded to the above substituent). The number of naphthalene rings is preferably from 1 to 3.

このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のカチオン部としては、下記式(a5)で表される構造が好ましい。   As the cation portion of the onium salt having a naphthalene ring in the cation portion, a structure represented by the following formula (a5) is preferable.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(a5)中、R14a、R15a、R16aのうち少なくとも1つは下記式(a6)で表される基を表し、残りは炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、水酸基、又は炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表す。あるいは、R14a、R15a、R16aのうちの1つが下記式(a6)で表される基であり、残りの2つはそれぞれ独立に炭素原子数1以上6以下の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。 In the formula (a5), at least one of R 14a , R 15a , and R 16a represents a group represented by the following formula (a6), and the rest is a linear or branched group having 1 to 6 carbon atoms. An alkyl group, a phenyl group which may have a substituent, a hydroxyl group, or a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. Alternatively, one of R 14a , R 15a , and R 16a is a group represented by the following formula (a6), and the other two are each independently a linear or branched group having 1 to 6 carbon atoms. And these terminals may be bonded to form a ring.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(a6)中、R17a、R18aは、それぞれ独立に水酸基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基、又は炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、R19aは、単結合又は置換基を有していてもよい炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。l及びmは、それぞれ独立に0以上2以下の整数を表し、l+mは3以下である。ただし、R17aが複数存在する場合、それらは互いに同じであっても異なっていてもよい。また、R18aが複数存在する場合、それらは互いに同じであっても異なっていてもよい。 In the formula (a6), R 17a and R 18a each independently represent a hydroxyl group, a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. It represents a branched alkyl group, and R 19a represents a single bond or a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent. l and m each independently represent an integer of 0 or more and 2 or less, and l + m is 3 or less. However, when a plurality of R 17a are present, they may be the same or different. When a plurality of R 18a are present, they may be the same or different.

上記R14a、R15a、R16aのうち上記式(a6)で表される基の数は、化合物の安定性の点から好ましくは1つであり、残りは炭素原子数1以上6以下の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、これらの末端が結合して環状になっていてもよい。この場合、上記2つのアルキレン基は、硫黄原子を含めて3〜9員環を構成する。環を構成する原子(硫黄原子を含む)の数は、好ましくは5以上6以下である。 The number of the groups represented by the above formula (a6) among the above R 14a , R 15a and R 16a is preferably one from the viewpoint of the stability of the compound, and the rest is a straight chain having 1 to 6 carbon atoms. It is a chain or branched alkylene group, and these terminals may be bonded to form a ring. In this case, the two alkylene groups constitute a 3- to 9-membered ring including the sulfur atom. The number of atoms (including sulfur atoms) constituting the ring is preferably 5 or more and 6 or less.

また、上記アルキレン基が有していてもよい置換基としては、酸素原子(この場合、アルキレン基を構成する炭素原子とともにカルボニル基を形成する)、水酸基等が挙げられる。   In addition, examples of the substituent which the alkylene group may have include an oxygen atom (in this case, a carbonyl group is formed together with a carbon atom constituting the alkylene group), a hydroxyl group, and the like.

また、フェニル基が有していてもよい置換基としては、水酸基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基等が挙げられる。   Examples of the substituent which the phenyl group may have include a hydroxyl group, a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. And the like.

これらのカチオン部として好適なものとしては、下記式(a7)、(a8)で表されるもの等を挙げることができ、特に下記式(a8)で表される構造が好ましい。   Examples of suitable cation moieties include those represented by the following formulas (a7) and (a8), and particularly preferred is a structure represented by the following formula (a8).

Figure 2020003622
Figure 2020003622

このようなカチオン部としては、ヨードニウム塩であってもスルホニウム塩であってもよいが、酸発生効率等の点からスルホニウム塩が望ましい。   Such a cation moiety may be an iodonium salt or a sulfonium salt, but a sulfonium salt is desirable from the viewpoint of acid generation efficiency and the like.

従って、カチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩のアニオン部として好適なものとしては、スルホニウム塩を形成可能なアニオンが望ましい。   Therefore, as an anion part of an onium salt having a naphthalene ring in the cation part, an anion capable of forming a sulfonium salt is preferable.

このような酸発生剤のアニオン部としては、水素原子の一部又は全部がフッ素化されたフルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンである。   The anion portion of such an acid generator is a fluoroalkylsulfonic acid ion or an arylsulfonic acid ion in which part or all of the hydrogen atoms have been fluorinated.

フルオロアルキルスルホン酸イオンにおけるアルキル基は、炭素原子数1以上20以下の直鎖状でも分岐状でも環状でもよく、発生する酸の嵩高さとその拡散距離から、炭素原子数1以上10以下であることが好ましい。特に、分岐状や環状のものは拡散距離が短いため好ましい。また、安価に合成可能なことから、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等を好ましいものとして挙げることができる。   The alkyl group in the fluoroalkyl sulfonate ion may be linear, branched or cyclic having 1 to 20 carbon atoms, and having 1 to 10 carbon atoms in view of the bulk of the generated acid and its diffusion distance. Is preferred. In particular, a branched or annular material is preferable because the diffusion distance is short. Further, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, an octyl group and the like can be mentioned as preferable ones because they can be synthesized at low cost.

アリールスルホン酸イオンにおけるアリール基は、炭素原子数6以上20以下のアリール基であって、アルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもされていなくてもよいフェニル基、ナフチル基が挙げられる。特に、安価に合成可能なことから、炭素原子数6以上10以下のアリール基が好ましい。好ましいものの具体例として、フェニル基、トルエンスルホニル基、エチルフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基等を挙げることができる。   The aryl group in the arylsulfonate ion is an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, such as an alkyl group, a phenyl group which may or may not be substituted with a halogen atom, and a naphthyl group. In particular, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms is preferable because it can be synthesized at low cost. Specific examples of preferred examples include a phenyl group, a toluenesulfonyl group, an ethylphenyl group, a naphthyl group, a methylnaphthyl group, and the like.

上記フルオロアルキルスルホン酸イオン又はアリールスルホン酸イオンにおいて、水素原子の一部又は全部がフッ素化されている場合のフッ素化率は、好ましくは10%以上100%以下、より好ましくは50%以上100%以下であり、特に水素原子を全てフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるので好ましい。このようなものとしては、具体的には、トリフルオロメタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネート、パーフルオロオクタンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート等が挙げられる。   In the above fluoroalkyl sulfonate ion or aryl sulfonate ion, when a part or all of the hydrogen atoms are fluorinated, the fluorination rate is preferably from 10% to 100%, more preferably from 50% to 100%. The following are preferred, particularly those in which all hydrogen atoms are replaced with fluorine atoms, since the strength of the acid is increased. Specific examples of such a material include trifluoromethanesulfonate, perfluorobutanesulfonate, perfluorooctanesulfonate, perfluorobenzenesulfonate and the like.

これらの中でも、好ましいアニオン部として、下記式(a9)で表されるものが挙げられる。   Among these, preferred anion moieties include those represented by the following formula (a9).

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(a9)において、R20aは、下記式(a10)、(a11)、及び(a12)で表される基である。 In the above formula (a9), R 20a is a group represented by the following formulas (a10), (a11), and (a12).

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(a10)中、xは1以上4以下の整数を表す。また、上記式(a11)中、R21aは、水素原子、水酸基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を表し、yは1以上3以下の整数を表す。これらの中でも、安全性の観点からトリフルオロメタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネートが好ましい。 In the above formula (a10), x represents an integer of 1 or more and 4 or less. In the formula (a11), R 21a represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. And y represents an integer of 1 or more and 3 or less. Among them, trifluoromethanesulfonate and perfluorobutanesulfonate are preferred from the viewpoint of safety.

また、アニオン部としては、下記式(a13)、(a14)で表される窒素を含有するものを用いることもできる。   Further, as the anion part, those containing nitrogen represented by the following formulas (a13) and (a14) can also be used.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(a13)、(a14)中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表し、該アルキレン基の炭素原子数は2以上6以下であり、好ましくは3以上5以下、最も好ましくは炭素原子数3である。また、Y、Zは、それぞれ独立に少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、該アルキル基の炭素原子数は1以上10以下であり、好ましくは1以上7以下、より好ましくは1以上3以下である。 The formula (a13), (a14) in, X a represents a linear or branched alkylene group having at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, the number of carbon atoms of the alkylene group 2 to 6 Or less, preferably 3 or more and 5 or less, and most preferably 3 carbon atoms. Y a and Z a each independently represent a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted by a fluorine atom, and the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. , Preferably 1 or more and 7 or less, more preferably 1 or more and 3 or less.

のアルキレン基の炭素原子数、又はY、Zのアルキル基の炭素原子数が小さいほど有機溶剤への溶解性も良好であるため好ましい。 X a number of carbon atoms of the alkylene group, or Y a, soluble enough in organic solvents the number of carbon atoms in the alkyl group of Z a is less preferred because it is excellent.

また、Xのアルキレン基又はY、Zのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなるため好ましい。該アルキレン基又はアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70%以上100%以下、より好ましくは90%以上100%以下であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。 Further, an alkylene group or Y a of X a, the alkyl groups of Z a, the larger the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms is large, preferred because the acid strength increases. The proportion of fluorine atoms in the alkylene group or alkyl group, that is, the fluorination rate, is preferably 70% or more and 100% or less, more preferably 90% or more and 100% or less, and most preferably all hydrogen atoms are fluorine. A perfluoroalkylene group or a perfluoroalkyl group substituted with an atom.

このようなカチオン部にナフタレン環を有するオニウム塩として好ましいものとしては、下記式(a15)、(a16)で表される化合物が挙げられる。   Preferred examples of the onium salt having a naphthalene ring in the cation portion include compounds represented by the following formulas (a15) and (a16).

Figure 2020003622
Figure 2020003622

また、酸発生剤(A)における第五の態様としては、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン類;p−トルエンスルホン酸2−ニトロベンジル、p−トルエンスルホン酸2,6−ジニトロベンジル、ニトロベンジルトシレート、ジニトロベンジルトシラート、ニトロベンジルスルホナート、ニトロベンジルカルボナート、ジニトロベンジルカルボナート等のニトロベンジル誘導体;ピロガロールトリメシラート、ピロガロールトリトシラート、ベンジルトシラート、ベンジルスルホナート、N−メチルスルホニルオキシスクシンイミド、N−トリクロロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N−フェニルスルホニルオキシマレイミド、N−メチルスルホニルオキシフタルイミド等のスルホン酸エステル類;N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−1,8−ナフタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−4−ブチル−1,8−ナフタルイミド等のトリフルオロメタンスルホン酸エステル類;ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート、(4−メトキシフェニル)フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスファート、(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、(p−tert−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート等のオニウム塩類;ベンゾイントシラート、α−メチルベンゾイントシラート等のベンゾイントシレート類;その他のジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、フェニルジアゾニウム塩、ベンジルカルボナート等が挙げられる。   In the fifth embodiment of the acid generator (A), bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4- Bissulfonyldiazomethanes such as dimethylphenylsulfonyl) diazomethane; 2-nitrobenzyl p-toluenesulfonate, 2,6-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate, nitrobenzyl tosylate, dinitrobenzyl tosylate, nitrobenzyl sulfonate, nitro Nitrobenzyl derivatives such as benzyl carbonate and dinitrobenzyl carbonate; pyrogallol trimesylate, pyrogallol tritosylate, benzyltosylate, benzylsulfonate, N-methylsulfonyloxysuccinine Sulfonic acid esters such as amide, N-trichloromethylsulfonyloxysuccinimide, N-phenylsulfonyloxymaleimide, N-methylsulfonyloxyphthalimide; N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) Trifluoromethanesulfonic acid esters such as -1,8-naphthalimide and N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -4-butyl-1,8-naphthalimide; diphenyliodonium hexafluorophosphate, (4-methoxyphenyl) Phenyliodonium trifluoromethanesulfonate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium hexafluorophosphate Onium salts such as (4-methoxyphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate and (p-tert-butylphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate; benzoin tosylate such as benzoin tosylate and α-methylbenzoin tosylate; and others Diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, phenyldiazonium salt, benzyl carbonate and the like.

この酸発生剤(A)は単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、酸発生剤(A)の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形分量に対し、0.1質量%以上10質量%以下とすることが好ましく、0.2質量%以上6質量%以下がとすることがより好ましく、0.5質量%以上3質量%以下とすることが特に好ましい。酸発生剤(A)の使用量を上記の範囲とすることにより、良好な感度を備え、均一な溶液であって、保存安定性に優れる感光性樹脂組成物を調製しやすい。   The acid generator (A) may be used alone or in combination of two or more. Further, the content of the acid generator (A) is preferably from 0.1% by mass to 10% by mass, and more preferably from 0.2% by mass to 6% by mass, based on the total solid content of the photosensitive resin composition. The following is more preferable, and it is particularly preferable that the content is 0.5% by mass or more and 3% by mass or less. By setting the amount of the acid generator (A) to be in the above range, it is easy to prepare a photosensitive resin composition having good sensitivity, a uniform solution, and excellent storage stability.

<樹脂(B)>
酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)としては、特に限定されず、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する任意の樹脂を用いることができる。その中でも、ノボラック樹脂(B1)、ポリヒドロキシスチレン樹脂(B2)、及びアクリル樹脂(B3)からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂を含有することが好ましい。
<Resin (B)>
The resin (B) whose solubility in an alkali increases by the action of an acid is not particularly limited, and any resin whose solubility in an alkali increases by the action of an acid can be used. Among them, it is preferable to contain at least one resin selected from the group consisting of a novolak resin (B1), a polyhydroxystyrene resin (B2), and an acrylic resin (B3).

[ノボラック樹脂(B1)]
ノボラック樹脂(B1)としては、下記式(b1)で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。
[Novolak resin (B1)]
As the novolak resin (B1), a resin containing a structural unit represented by the following formula (b1) can be used.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(b1)中、R1bは、酸解離性溶解抑制基を示し、R2b、R3bは、それぞれ独立に水素原子又は炭素原子数1以上6以下のアルキル基を表す。 In the formula (b1), R 1b represents an acid dissociable, dissolution inhibiting group, and R 2b and R 3b each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

上記R1bで表される酸解離性溶解抑制基としては、下記式(b2)、(b3)で表される基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状、分岐状、若しくは環状のアルキル基、ビニルオキシエチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、又はトリアルキルシリル基であることが好ましい。 Examples of the acid dissociable, dissolution inhibiting group represented by R 1b include groups represented by the following formulas (b2) and (b3), and linear, branched, or cyclic alkyl having 1 to 6 carbon atoms. It is preferably a group, a vinyloxyethyl group, a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, or a trialkylsilyl group.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(b2)、(b3)中、R4b、R5bは、それぞれ独立に水素原子、又は炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、R6bは、炭素原子数1以上10以下の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を表し、R7bは、炭素原子数1以上6以下の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基を表し、oは0又は1を表す。 In the formulas (b2) and (b3), R 4b and R 5b each independently represent a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 6b represents a carbon atom. Represents a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 atoms, R 7b represents a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; Represents 0 or 1.

上記直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。また、上記環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。   Examples of the linear or branched alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group. . Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

ここで、上記式(b2)で表される酸解離性溶解抑制基として、具体的には、メトキシエチル基、エトキシエチル基、n−プロポキシエチル基、イソプロポキシエチル基、n−ブトキシエチル基、イソブトキシエチル基、tert−ブトキシエチル基、シクロヘキシロキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、1−メトキシ−1−メチル−エチル基、1−エトキシ−1−メチルエチル基等が挙げられる。また、上記式(b3)で表される酸解離性溶解抑制基として、具体的には、tert−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。また、上記トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリ−tert−ブチルジメチルシリル基等の各アルキル基の炭素原子数が1以上6以下の基が挙げられる。   Here, as the acid dissociable, dissolution inhibiting group represented by the above formula (b2), specifically, a methoxyethyl group, an ethoxyethyl group, an n-propoxyethyl group, an isopropoxyethyl group, an n-butoxyethyl group, Examples thereof include an isobutoxyethyl group, a tert-butoxyethyl group, a cyclohexyloxyethyl group, a methoxypropyl group, an ethoxypropyl group, a 1-methoxy-1-methyl-ethyl group, and a 1-ethoxy-1-methylethyl group. Specific examples of the acid dissociable, dissolution inhibiting group represented by the above formula (b3) include a tert-butoxycarbonyl group and a tert-butoxycarbonylmethyl group. Examples of the trialkylsilyl group include groups having 1 to 6 carbon atoms in each alkyl group such as a trimethylsilyl group and a tri-tert-butyldimethylsilyl group.

[ポリヒドロキシスチレン樹脂(B2)]
ポリヒドロキシスチレン樹脂(B2)としては、下記式(b4)で表される構成単位を含む樹脂を使用することができる。
[Polyhydroxystyrene resin (B2)]
As the polyhydroxystyrene resin (B2), a resin containing a structural unit represented by the following formula (b4) can be used.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(b4)中、R8bは、水素原子又は炭素原子数1以上6以下のアルキル基を表し、R9bは、酸解離性溶解抑制基を表す。 In the formula (b4), R 8b represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 9b represents an acid dissociable, dissolution inhibiting group.

上記炭素原子数1以上6以下のアルキル基は、例えば炭素原子数1以上6以下の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基である。直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、環状のアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。   The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is, for example, a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of the linear or branched alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

上記R9bで表される酸解離性溶解抑制基としては、上記式(b2)、(b3)に例示したものと同様の酸解離性溶解抑制基を用いることができる。 As the acid dissociable, dissolution inhibiting group represented by R 9b , the same acid dissociable, dissolution inhibiting groups as those exemplified in Formulas (b2) and (b3) can be used.

さらに、ポリヒドロキシスチレン樹脂(B2)は、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含むことができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。また、このような重合性化合物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類;マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類;2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸アルキルエステル類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類;フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸アリールエステル類;マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類;スチレン、α−メチルスチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等のビニル基含有芳香族化合物類;酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類;ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類;アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類;塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物;アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類;等を挙げることができる。   Furthermore, the polyhydroxystyrene resin (B2) can contain another polymerizable compound as a structural unit for the purpose of appropriately controlling physical and chemical properties. Examples of such a polymerizable compound include known radically polymerizable compounds and anionic polymerizable compounds. Examples of such a polymerizable compound include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid and itaconic acid; 2-methacryloyloxyethyl succinic acid; Methacrylic acid derivatives having a carboxy group and an ester bond, such as methacryloyloxyethylmaleic acid, 2-methacryloyloxyethylphthalic acid, and 2-methacryloyloxyethylhexahydrophthalic acid; methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, and butyl Alkyl (meth) acrylates such as (meth) acrylate; hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate; phenyl (meth) Aryl (meth) acrylates such as acrylate and benzyl (meth) acrylate; dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate and dibutyl fumarate; styrene, α-methylstyrene, chlorostyrene, chloromethylstyrene, vinyltoluene, hydroxy Vinyl group-containing aromatic compounds such as styrene, α-methylhydroxystyrene and α-ethylhydroxystyrene; vinyl group-containing aliphatic compounds such as vinyl acetate; conjugated diolefins such as butadiene and isoprene; acrylonitrile and methacrylonitrile And the like. Chlorine-containing polymerizable compounds such as vinyl chloride and vinylidene chloride; and amide bond-containing polymerizable compounds such as acrylamide and methacrylamide.

[アクリル樹脂(B3)]
アクリル樹脂(B3)としては、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するアクリル樹脂であって、従来から、種々の感光性樹脂組成物に配合されているものであれば、特に限定されない。
アクリル樹脂(B3)は、例えば、−SO−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(b−3)を含有するのが好ましい。かかる場合、レジストパターンを形成する際に、好ましい断面形状を有するレジストパターンを形成しやすい。
[Acrylic resin (B3)]
The acrylic resin (B3) is not particularly limited as long as it is an acrylic resin whose solubility in alkali is increased by the action of an acid and has been conventionally compounded in various photosensitive resin compositions.
Acrylic resin (B3) is, for example, -SO 2 - containing cyclic group, or preferably contains a structural unit (b-3) derived from an acrylate ester containing a lactone-containing cyclic group. In such a case, when forming the resist pattern, it is easy to form a resist pattern having a preferable cross-sectional shape.

(−SO−含有環式基)
ここで、「−SO−含有環式基」とは、その環骨格中に−SO−を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、−SO−における硫黄原子(S)が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に−SO−を含む環をひとつ目の環として数え、当該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。−SO−含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
(-SO 2 - containing cyclic group)
Here, "- SO 2 - containing cyclic group" means, -SO 2 - within the ring skeleton thereof shows a cyclic group containing a ring containing, in particular, -SO 2 - in the sulfur atom ( S) is a cyclic group forming a part of the cyclic skeleton of the cyclic group. The ring containing —SO 2 — in the ring skeleton is counted as the first ring, and when the ring alone is a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is a polycyclic group regardless of the structure. Called. The —SO 2 —-containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.

−SO−含有環式基は、特に、その環骨格中に−O−SO−を含む環式基、すなわち−O−SO−中の−O−S−が環骨格の一部を形成するサルトン(sultone)環を含有する環式基であることが好ましい。 -SO 2 - containing cyclic group, in particular, -O-SO 2 - within the ring skeleton cyclic group containing, i.e. -O-SO 2 - -O-S- medium is a part of the ring skeleton It is preferably a cyclic group containing a sultone ring to be formed.

−SO−含有環式基の炭素原子数は、3以上30以下が好ましく、4以上20以下がより好ましく、4以上15以下がさらに好ましく、4以上12以下が特に好ましい。当該炭素原子数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素原子数を含まないものとする。 The number of carbon atoms of the —SO 2 —-containing cyclic group is preferably 3 or more and 30 or less, more preferably 4 or more and 20 or less, still more preferably 4 or more and 15 or less, particularly preferably 4 or more and 12 or less. The number of carbon atoms is the number of carbon atoms constituting the ring skeleton, and does not include the number of carbon atoms in the substituent.

−SO−含有環式基は、−SO−含有脂肪族環式基であってもよく、−SO−含有芳香族環式基であってもよい。好ましくは−SO−含有脂肪族環式基である。 -SO 2 - containing cyclic group, -SO 2 - may be a containing aliphatic cyclic group, -SO 2 - may be a containing aromatic cyclic group. Preferably -SO 2 - containing aliphatic cyclic group.

−SO−含有脂肪族環式基としては、その環骨格を構成する炭素原子の一部が−SO−、又は−O−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基が挙げられる。より具体的には、その環骨格を構成する−CH−が−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基、その環を構成する−CH−CH−が−O−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基等が挙げられる。 As the —SO 2 —-containing aliphatic cyclic group, a hydrogen atom is derived from an aliphatic hydrocarbon ring in which a part of carbon atoms constituting the ring skeleton is substituted with —SO 2 — or —O—SO 2 —. At least one group is excluded. More specifically, -CH 2 constituting the ring skeleton - -CH 2 constituting at least one group formed by removing a substituted hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring, the ring - is -SO 2 - A group in which at least one hydrogen atom has been removed from an aliphatic hydrocarbon ring in which CH 2 — has been substituted with —O—SO 2 —;

当該脂環式炭化水素環の炭素原子数は、3以上20以下が好ましく、3以上12以下がより好ましい。当該脂環式炭化水素環は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、炭素原子数3以上6以下のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。当該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式の脂環式炭化水素環としては、炭素原子数7以上12以下のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、当該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。   The number of carbon atoms of the alicyclic hydrocarbon ring is preferably 3 or more and 20 or less, more preferably 3 or more and 12 or less. The alicyclic hydrocarbon ring may be polycyclic or monocyclic. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms is preferable. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon ring, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable, and specific examples of the polycycloalkane include adamantane and norbornane. , Isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

−SO−含有環式基は、置換基を有していてもよい。当該置換基としては、例えばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。 The —SO 2 —-containing cyclic group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (= O), —COOR ″, —OC (= O) R ″, a hydroxyalkyl group, a cyano group, and the like. Is mentioned.

当該置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数1以上6以下のアルキル基が好ましい。当該アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基等が挙げられる。これらの中では、メチル基、又はエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。   As the alkyl group as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable. The alkyl group is preferably linear or branched. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and an n-hexyl group. Can be Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.

当該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数1以上6以下のアルコキシ基が好ましい。当該アルコキシ基は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前述の置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基が酸素原子(−O−)に結合した基が挙げられる。   As the alkoxy group as the substituent, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms is preferable. The alkoxy group is preferably linear or branched. Specifically, a group in which the above-mentioned alkyl group as the alkyl group as a substituent is bonded to an oxygen atom (—O—) is exemplified.

当該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。   Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

当該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前述のアルキル基の水素原子の一部又は全部が前述のハロゲン原子で置換された基が挙げられる。   Examples of the halogenated alkyl group for the substituent include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the aforementioned alkyl groups have been substituted with the aforementioned halogen atoms.

当該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前述の置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部又は全部が前述のハロゲン原子で置換された基が挙げられる。当該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。   Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the above-described alkyl group as the alkyl group as the substituent have been substituted with the aforementioned halogen atoms. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.

前述の−COOR”、−OC(=O)R”におけるR”は、いずれも、水素原子又は炭素原子数1以上15以下の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基である。   R ″ in —COOR ″ and —OC (= O) R ″ described above is a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.

R”が直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基の場合、当該鎖状のアルキル基の炭素原子数は、1以上10以下が好ましく、1以上5以下がより好ましく、1又は2が特に好ましい。   When R ″ is a linear or branched alkyl group, the number of carbon atoms of the linear alkyl group is preferably from 1 to 10, more preferably from 1 to 5, and particularly preferably 1 or 2.

R”が環状のアルキル基の場合、当該環状のアルキル基の炭素原子数は3以上15以下が好ましく、4以上12以下がより好ましく、5以上10以下が特に好ましい。具体的には、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンや、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。   When R ″ is a cyclic alkyl group, the cyclic alkyl group preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and particularly preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom Or one or more hydrogen atoms may be removed from monocycloalkanes that may or may not be substituted with a fluorinated alkyl group, or polycycloalkanes such as bicycloalkanes, tricycloalkanes, and tetracycloalkanes. More specifically, one or more hydrogen atoms can be obtained from monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane and polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Excluded groups and the like.

当該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素原子数1以上6以下のヒドロキシアルキル基が好ましい。具体的には、前述の置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。   As the hydroxyalkyl group as the substituent, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable. Specifically, a group in which at least one hydrogen atom of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the substituent described above is substituted with a hydroxyl group is exemplified.

−SO−含有環式基として、より具体的には、下記式(3−1)〜(3−4)で表される基が挙げられる。

Figure 2020003622
(式中、A’は酸素原子若しくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素原子数1以上5以下のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子であり、zは0以上2以下の整数であり、R10bはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基、又はシアノ基であり、R”は水素原子、又はアルキル基である。) More specifically, examples of the —SO 2 —-containing cyclic group include groups represented by the following formulas (3-1) to (3-4).
Figure 2020003622
(Wherein, A ′ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, z is an integer of 0 or more and 2 or less, and R 10b Is an alkyl group, an alkoxy group, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR ", -OC (= O) R", a hydroxyalkyl group, or a cyano group, and R "is a hydrogen atom or an alkyl group.)

上記式(3−1)〜(3−4)中、A’は、酸素原子(−O−)若しくは硫黄原子(−S−)を含んでいてもよい炭素原子数1以上5以下のアルキレン基、酸素原子、又は硫黄原子である。A’における炭素原子数1以上5以下のアルキレン基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。   In the above formulas (3-1) to (3-4), A 'is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom (-S-). , An oxygen atom, or a sulfur atom. As the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A ′, a linear or branched alkylene group is preferable, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, and an isopropylene group.

当該アルキレン基が酸素原子又は硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前述のアルキレン基の末端又は炭素原子間に−O−、又は−S−が介在する基が挙げられ、例えば−O−CH−、−CH−O−CH−、−S−CH−、−CH−S−CH−等が挙げられる。A’としては、炭素原子数1以上5以下のアルキレン基、又は−O−が好ましく、炭素原子数1以上5以下のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。 When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which -O- or -S- is interposed between the terminals or carbon atoms of the above-described alkylene group. CH 2 -, - CH 2 -O -CH 2 -, - S-CH 2 -, - CH 2 -S-CH 2 - , and the like. A ′ is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or —O—, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group.

zは0、1、及び2のいずれであってもよく、0が最も好ましい。zが2である場合、複数のR10bはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。 z may be any of 0, 1, and 2, with 0 being most preferred. When z is 2, a plurality of R 10b may be the same or different.

10bにおけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、−SO−含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、及びヒドロキシアルキル基について、上記で説明したものと同様のものが挙げられる。 As the alkyl group, the alkoxy group, the halogenated alkyl group, -COOR ", -OC (= O) R", and the hydroxyalkyl group for R 10b , each of the -SO 2 -containing cyclic groups may have. As the alkyl group, alkoxy group, halogenated alkyl group, -COOR ", -OC (= O) R", and hydroxyalkyl group mentioned as the substituent, the same as those described above can be mentioned.

以下に、前述の式(3−1)〜(3−4)で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中の「Ac」はアセチル基を示す。   Hereinafter, specific cyclic groups represented by the above formulas (3-1) to (3-4) will be exemplified. Note that “Ac” in the formula represents an acetyl group.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

Figure 2020003622
Figure 2020003622

−SO−含有環式基としては、上記の中では、前述の式(3−1)で表される基が好ましく、前述の化学式(3−1−1)、(3−1−18)、(3−3−1)、及び(3−4−1)のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも一種がより好ましく、前述の化学式(3−1−1)で表される基が最も好ましい。 As the —SO 2 —-containing cyclic group, among the above, a group represented by the above formula (3-1) is preferable, and the aforementioned chemical formulas (3-1-1) and (3-1-18) , (3-3-1) and (3-4-1) are more preferably at least one selected from the group consisting of groups represented by any of the groups represented by the aforementioned chemical formulas (3-1-1). Are most preferred.

(ラクトン含有環式基)
「ラクトン含有環式基」とは、その環骨格中に−O−C(=O)−を含む環(ラクトン環)を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
(Lactone-containing cyclic group)
The “lactone-containing cyclic group” refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing —OC (= O) — in the ring skeleton. The lactone ring is counted as the first ring. When only the lactone ring is used, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of its structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.

構成単位(b−3)におけるラクトン環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、ラクトン含有単環式基としては、4〜6員環ラクトンから水素原子を1つ除いた基、例えばβ−プロピオノラクトンから水素原子を1つ除いた基、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基、δ−バレロラクトンから水素原子を1つ除いた基等が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子1つを除いた基が挙げられる。   The lactone cyclic group in the structural unit (b-3) is not particularly limited, and any lactone cyclic group can be used. Specifically, as the lactone-containing monocyclic group, a group in which one hydrogen atom has been removed from a 4- to 6-membered lactone, for example, a group in which one hydrogen atom has been removed from β-propionolactone, γ-butyrolactone Examples thereof include a group in which one hydrogen atom has been removed, and a group in which one hydrogen atom has been removed from δ-valerolactone. Examples of the lactone-containing polycyclic group include groups obtained by removing one hydrogen atom from bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane having a lactone ring.

構成単位(b−3)としては、−SO−含有環式基、又はラクトン含有環式基を有するものであれば他の部分の構造は特に限定されないが、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−SO−含有環式基を含む構成単位(b−3−S)、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位(b−3−L)からなる群より選択される少なくとも1種の構成単位が好ましい。 The structural unit (b-3) is not particularly limited as long as it has a —SO 2 —-containing cyclic group or a lactone-containing cyclic group. -SO 2 a structural unit is a hydrogen atom are derived substituted from even an acrylate ester with a substituent - structural unit containing an containing cyclic group (b-3-S), and α-position carbon atom Is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a lactone may be substituted with a substituent, and is selected from the group consisting of structural units (b-3-L) containing a lactone-containing cyclic group. At least one structural unit is preferred.

〔構成単位(b−3−S)〕
構成単位(b−3−S)の例として、より具体的には、下記式(b−S1)で表される構成単位が挙げられる。
[Structural unit (b-3-S)]
More specifically, examples of the structural unit (b-3-S) include a structural unit represented by the following formula (b-S1).

Figure 2020003622
(式中、Rは水素原子、炭素原子数1以上5以下のアルキル基、又は炭素原子数1以上5以下のハロゲン化アルキル基であり、R11bは−SO−含有環式基であり、R12bは単結合、又は2価の連結基である。)
Figure 2020003622
(Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 11b is a —SO 2 -containing cyclic group, R 12b is a single bond or a divalent linking group.)

式(b−S1)中、Rは前記と同様である。
11bは、前記で挙げた−SO−含有環式基と同様である。
12bは、単結合、2価の連結基のいずれであってもよい。本発明の効果に優れることから、2価の連結基であることが好ましい。
In the formula (b-S1), R is the same as described above.
R 11b is the same as defined above for the —SO 2 —-containing cyclic group.
R 12b may be a single bond or a divalent linking group. A divalent linking group is preferred because the effects of the present invention are excellent.

12bにおける2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。 The divalent linking group for R 12b is not particularly limited, but preferred examples thereof include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent and a divalent linking group containing a hetero atom.

・置換基を有していてもよい2価の炭化水素基
2価の連結基としての炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。当該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよい。通常は飽和炭化水素基が好ましい。当該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
-Divalent hydrocarbon group which may have a substituent The hydrocarbon group as a divalent linking group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated. Usually, a saturated hydrocarbon group is preferred. Specific examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group and an aliphatic hydrocarbon group having a ring in the structure.

前記直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、1以上10以下が好ましく、1以上8以下がより好ましく、1以上5以下がさらに好ましい。   The number of carbon atoms of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 8 or less, and still more preferably 1 or more and 5 or less.

直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、メチレン基[−CH−]、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、ペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。 As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable. Specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [- (CH 2) 2 - ], a trimethylene group [- (CH 2) 3 - ], a tetramethylene group [- (CH 2) 4 - ] And a pentamethylene group [-(CH 2 ) 5- ].

分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基等のアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数1以上5以下の直鎖状のアルキル基が好ましい。 As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferable. Specifically, -CH (CH 3) -, - CH (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - C (CH 3) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - alkyl groups such as; -CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 3) CH (CH 3) - , -C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl groups such as; -CH (CH 3) CH Alkyl trimethylene groups such as 2 CH 2 — and —CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 —; —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 CH 2 — and —CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 — And alkylalkylene groups such as alkyltetramethylene groups. As the alkyl group in the alkylalkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.

上記の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基(水素原子以外の基又は原子)を有していてもよく、有していなくてもよい。当該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素原子数1以上5以下のフッ素化アルキル基、オキソ基(=O)等が挙げられる。   The above-mentioned linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent (a group or atom other than a hydrogen atom) for substituting a hydrogen atom. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and substituted with a fluorine atom, and an oxo group (= O).

上記の構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、当該環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、当該環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基等が挙げられる。上記の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前述と同様のものが挙げられる。   Examples of the aliphatic hydrocarbon group having a ring in the above structure include a cyclic aliphatic hydrocarbon group which may contain a substituent having a hetero atom in the ring structure (excluding two hydrogen atoms from the aliphatic hydrocarbon ring). Group), a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is bonded to the end of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is linear or branched. Examples include a group interposed in the middle of the aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include the same as those described above.

環状の脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、3以上20以下が好ましく、3以上12以下がより好ましい。   The number of carbon atoms of the cyclic aliphatic hydrocarbon group is preferably 3 or more and 20 or less, more preferably 3 or more and 12 or less.

環状の脂肪族炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。当該モノシクロアルカンの炭素原子数は、3以上6以下が好ましい。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。当該ポリシクロアルカンの炭素原子数は、7以上12以下が好ましい。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。   The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. As the monocyclic aliphatic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The number of carbon atoms of the monocycloalkane is preferably 3 or more and 6 or less. Specific examples include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic aliphatic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane is preferable. The polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms. Specific examples include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, and the like.

環状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基(水素原子以外の基又は原子)を有していてもよいし、有していなくてもよい。当該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基(=O)等が挙げられる。   The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent (a group or atom other than a hydrogen atom) that substitutes for a hydrogen atom. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxo group (= O).

上記の置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数1以上5以下のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、及びtert−ブチル基がより好ましい。   As the alkyl group as the substituent, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group are more preferable.

上記の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数1以上5以下のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、及びtert−ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、及びエトキシ基が特に好ましい。   As the alkoxy group as the substituent, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, and a tert-butoxy group are preferable. Are more preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are particularly preferable.

上記の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。   Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

上記の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前述のアルキル基の水素原子の一部又は全部が上記のハロゲン原子で置換された基が挙げられる。   Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the aforementioned alkyl groups have been substituted with the aforementioned halogen atoms.

環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部が−O−、又は−S−で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、−O−、−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−が好ましい。 In the cyclic aliphatic hydrocarbon group, some of the carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with -O- or -S-. The substituent containing a hetero atom, -O -, - C (= O) -O -, - S -, - S (= O) 2 -, - S (= O) 2 -O- are preferred.

2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する2価の炭化水素基であり、置換基を有していてもよい。芳香環は、4n+2個のπ電子を持つ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は、5以上30以下が好ましく、5以上20以下がより好ましく、6以上15以下がさらに好ましく、6以上12以下が特に好ましい。ただし、当該炭素原子数には、置換基の炭素原子数を含まないものとする。   The aromatic hydrocarbon group as a divalent hydrocarbon group is a divalent hydrocarbon group having at least one aromatic ring, and may have a substituent. The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably 5 or more and 30 or less, more preferably 5 or more and 20 or less, still more preferably 6 or more and 15 or less, and particularly preferably 6 or more and 12 or less. However, the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms of the substituent.

芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、及びフェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。   Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; an aromatic heterocyclic ring in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom; And the like. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom and the like. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.

2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基として具体的には、上記の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基、又はヘテロアリーレン基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(例えば、ビフェニル、フルオレン等)から水素原子を2つ除いた基;上記の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基、又はヘテロアリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基);等が挙げられる。   Specific examples of the aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group include groups in which two hydrogen atoms have been removed from the above aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring (arylene group or heteroarylene group); A group in which two hydrogen atoms have been removed from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (eg, biphenyl, fluorene, etc.); a group in which one hydrogen atom has been removed from the above aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring ( A group in which one hydrogen atom of an aryl group or a heteroaryl group is substituted with an alkylene group (for example, a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, A group in which one hydrogen atom has been further removed from an aryl group in an arylalkyl group such as a naphthylethyl group);

上記のアリール基、又はヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素原子数は、1以上4以下が好ましく、1以上2以下がより好ましく、1が特に好ましい。   The number of carbon atoms of the alkylene group bonded to the above-mentioned aryl group or heteroaryl group is preferably 1 or more, 4 or less, more preferably 1 or more and 2 or less, and particularly preferably 1.

上記の芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。例えば、当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。当該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基(=O)等が挙げられる。   In the above aromatic hydrocarbon group, a hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to an aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxo group (OO).

上記の置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数1以上5以下のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、及びtert−ブチル基がより好ましい。   As the alkyl group as the substituent, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group are more preferable.

上記の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数1以上5以下のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、及びtert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、及びエトキシ基がより好ましい。   As the alkoxy group as the substituent, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, and a tert-butoxy group are preferable. Are preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are more preferable.

上記の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。   Examples of the halogen atom as the above substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

上記の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前述のアルキル基の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。   Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the aforementioned alkyl groups have been substituted with the halogen atoms.

・ヘテロ原子を含む2価の連結基
ヘテロ原子を含む2価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子及び水素原子以外の原子であり、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、及びハロゲン原子等が挙げられる。
-Divalent linking group containing a hetero atom The hetero atom in the divalent linking group containing a hetero atom is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and is, for example, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and a halogen atom. And the like.

ヘテロ原子を含む2価の連結基として、具体的には、−O−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−O−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−、−NH−、−NH−C(=O)−、−NH−C(=NH)−、=N−等の非炭化水素系連結基、これらの非炭化水素系連結基の少なくとも1種と2価の炭化水素基との組み合わせ等が挙げられる。当該2価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい。 Specific examples of the divalent linking group containing a hetero atom include -O-, -C (= O)-, -C (= O) -O-, -OC (= O) -O-, -S -, - S (= O ) 2 -, - S (= O) 2 -O -, - NH -, - NH-C (= O) -, - NH-C (= NH) -, = N And a combination of at least one of these non-hydrocarbon connecting groups with a divalent hydrocarbon group. Examples of the divalent hydrocarbon group include the same as the above-mentioned divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable. .

上記のうち、−C(=O)−NH−中の−NH−、−NH−、−NH−C(=NH)−中のHは、それぞれ、アルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。当該置換基の炭素原子数は、1以上10以下が好ましく、1以上8以下がより好ましく、1以上5以下が特に好ましい。   Of the above, -NH- in -C (= O) -NH-, H in -NH-, -NH-C (= NH)-are each substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group. It may be. The number of carbon atoms of the substituent is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 8 or less, and particularly preferably 1 or more and 5 or less.

12bにおける2価の連結基としては、特に、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、環状の脂肪族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。 The divalent linking group for R 12b is particularly preferably a linear or branched alkylene group, a cyclic aliphatic hydrocarbon group, or a divalent linking group containing a hetero atom.

12bにおける2価の連結基が直鎖状又は分岐鎖状アルキレン基である場合、該アルキレン基の炭素原子数は、1以上10以下が好ましく、1以上6以下がより好ましく、1以上4以下が特に好ましく、1以上3以下が最も好ましい。具体的には、前述の2価の連結基としての「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」の説明中、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。 When the divalent linking group in R 12b is a linear or branched alkylene group, the number of carbon atoms of the alkylene group is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 6 or less, and 1 or more and 4 or less. Is particularly preferable, and 1 or more and 3 or less are most preferable. Specifically, in the description of the “divalent hydrocarbon group which may have a substituent” as the above-mentioned divalent linking group, it may be mentioned as a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. And the same as the above-mentioned linear alkylene group and branched alkylene group.

12bにおける2価の連結基が環状の脂肪族炭化水素基である場合、当該環状の脂肪族炭化水素基としては、前述の2価の連結基としての「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」の説明中、「構造中に環を含む脂肪族炭化水素基」として挙げた環状の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。 When the divalent linking group for R 12b is a cyclic aliphatic hydrocarbon group, the cyclic aliphatic hydrocarbon group may have a “substituent as the above-described divalent linking group. In the description of the “divalent hydrocarbon group”, the same as the cyclic aliphatic hydrocarbon group mentioned as the “aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure” can be mentioned.

当該環状の脂肪族炭化水素基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、イソボルナン、アダマンタン、トリシクロデカン、又はテトラシクロドデカンから水素原子が二個以上除かれた基が特に好ましい。   As the cyclic aliphatic hydrocarbon group, a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from cyclopentane, cyclohexane, norbornane, isobornane, adamantane, tricyclodecane, or tetracyclododecane is particularly preferable.

12bにおける2価の連結基が、ヘテロ原子を含む2価の連結基である場合、当該連結基として好ましいものとして、−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−、一般式−Y1b−O−Y2b−、−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−、又は−Y1b−O−C(=O)−Y2b−で表される基[式中、Y1b、及びY2bはそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0以上3以下の整数である。]等が挙げられる。 When the divalent linking group for R 12b is a divalent linking group containing a hetero atom, preferred examples of the linking group include -O-, -C (= O) -O-, -C (= O )-, -OC (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -NH- (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group), —S—, —S (= O) 2 —, —S (= O) 2 —O—, general formula —Y 1b —O—Y 2b —, — [Y 1b —C (= O) —O] m '-Y 2b -, or -Y 1b -O-C (= O ) -Y 2b - group represented by wherein, Y 1b, and Y 2b are have independently a substituent A good divalent hydrocarbon group, O is an oxygen atom, and m 'is an integer of 0 or more and 3 or less. And the like.

12bにおける2価の連結基が−NH−の場合、−NH−中の水素原子はアルキル基、アシル等の置換基で置換されていてもよい。当該置換基(アルキル基、アシル基等)の炭素原子数は、1以上10以下が好ましく、1以上8以下がより好ましく、1以上5以下が特に好ましい。 When the divalent linking group in R 12b is —NH—, the hydrogen atom in —NH— may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl. The number of carbon atoms of the substituent (such as an alkyl group or an acyl group) is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 8 or less, and particularly preferably 1 or more and 5 or less.

式−Y1b−O−Y2b−、−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−、又は−Y1b−O−C(=O)−Y2b−中、Y1b、及びY2bは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。当該2価の炭化水素基としては、前記2価の連結基としての説明で挙げた「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」と同様のものが挙げられる。 In the formulas -Y 1b -O-Y 2b -,-[Y 1b -C (= O) -O] m ' -Y 2b- , or -Y 1b -OC (= O) -Y 2b- , Y 1b and Y 2b are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the divalent hydrocarbon group include those similar to the “divalent hydrocarbon group which may have a substituent” described in the description of the divalent linking group.

1bとしては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数1以上5以下の直鎖状のアルキレン基がより好ましく、メチレン基、及びエチレン基が特に好ましい。 As Y 1b , a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and a methylene group and ethylene are preferable. Groups are particularly preferred.

2bとしては、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基、及びアルキルメチレン基がより好ましい。当該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素原子数1以上5以下の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数1以上3以下の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。 As Y 2b , a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a methylene group, an ethylene group, and an alkylmethylene group are more preferable. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group.

式−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−で表される基において、m’は0以上3以下の整数であり、0以上2以下の整数が好ましく、0又は1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−で表される基としては、式−Y1b−C(=O)−O−Y2b−で表される基が特に好ましい。なかでも、式−(CHa’−C(=O)−O−(CHb’−で表される基が好ましい。当該式中、a’は、1以上10以下の整数であり、1以上8以下の整数が好ましく、1以上5以下の整数がより好ましく、1、又は2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1以上10以下の整数であり、1以上8以下の整数が好ましく、1以上5以下の整数がより好ましく、1又は2がさらに好ましく、1が最も好ましい。 Formula - [Y 1b -C (= O ) -O] m '-Y 2b - In the group represented by, m' is an integer of 0 to 3, preferably 0 to 2 integer 0 or 1 is more preferred, and 1 is particularly preferred. That is, the group represented by the formula — [Y 1b —C (= O) —O] m ′ —Y 2b — is represented by the formula —Y 1b —C (= O) —O—Y 2b —. Groups are particularly preferred. Among them, the formula - (CH 2) a '-C (= O) -O- (CH 2) b' - a group represented by are preferred. In the formula, a ′ is an integer of 1 or more and 10 or less, preferably an integer of 1 or more and 8 or less, more preferably an integer of 1 or more and 5 or less, further preferably 1 or 2, and most preferably 1. b 'is an integer of 1 or more and 10 or less, preferably an integer of 1 or more and 8 or less, more preferably an integer of 1 or more and 5 or less, further preferably 1 or 2, and most preferably 1.

12bにおける2価の連結基について、ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、少なくとも1種の非炭化水素基と2価の炭化水素基との組み合わせからなる有機基が好ましい。なかでも、ヘテロ原子として酸素原子を有する直鎖状の基、例えばエーテル結合、又はエステル結合を含む基が好ましく、前述の式−Y1b−O−Y2b−、−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−、又は−Y1b−O−C(=O)−Y2b−で表される基がより好ましく、前述の式−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−、又は−Y1b−O−C(=O)−Y2b−で表される基が特に好ましい。 Regarding the divalent linking group represented by R 12b, an organic group including a combination of at least one non-hydrocarbon group and a divalent hydrocarbon group is preferable as the divalent linking group containing a hetero atom. Among them, a linear group having an oxygen atom as a hetero atom, for example, a group containing an ether bond or an ester bond is preferable, and the above-mentioned formulas -Y 1b -O-Y 2b -,-[Y 1b -C (= O) -O] m '-Y 2b -, or -Y 1b -O-C (= O ) -Y 2b - more preferably a group represented by the previously described formula - [Y 1b -C (= O ) —O] m ′ —Y 2b — or —Y 1b —OC (= O) —Y 2b —.

12bにおける2価の連結基としては、アルキレン基、又はエステル結合(−C(=O)−O−)を含むものが好ましい。 As the divalent linking group for R 12b , an alkylene group or a group containing an ester bond (—C (= O) —O—) is preferable.

当該アルキレン基は、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。当該直鎖状の脂肪族炭化水素基の好適な例としては、メチレン基[−CH−]、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、及びペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。当分岐鎖状のアルキレン基の好適な例としては、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基等のアルキルアルキレン基等が挙げられる。 The alkylene group is preferably a linear or branched alkylene group. Suitable examples of the linear aliphatic hydrocarbon group include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [- (CH 2) 2 - ], a trimethylene group [- (CH 2) 3 - ], a tetramethylene group [- (CH 2) 4 - ], and a pentamethylene group [- (CH 2) 5 - ] , and the like. Suitable examples of this branched chain alkylene group, -CH (CH 3) -, - CH (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - C (CH 3) (CH 2 CH 3) -, - C ( CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - alkyl groups such as; -CH (CH 3) CH 2 -, - CH ( Alkyl ethylene such as CH 3 ) CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 CH 2 —, —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 —, and —C (CH 2 CH 3 ) 2 —CH 2 group; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - alkyl, such as alkyl tetramethylene group such as Such as an alkylene group, and the like.

エステル結合を含む2価の連結基としては、特に、式:−R13b−C(=O)−O−[式中、R13bは2価の連結基である。]で表される基が好ましい。すなわち、構成単位(b−3−S)は、下記式(b−S1−1)で表される構成単位であることが好ましい。 As the divalent linking group containing an ester bond, in particular, the formula: —R 13b —C (= O) —O— [wherein, R 13b is a divalent linking group. ] Is preferable. That is, the structural unit (b-3-S) is preferably a structural unit represented by the following formula (b-S1-1).

Figure 2020003622
(式中、R、及びR11bはそれぞれ前記と同様であり、R13bは2価の連結基である。)
Figure 2020003622
(Wherein, R and R 11b are the same as described above, and R 13b is a divalent linking group.)

13bとしては、特に限定されず、例えば、前述のR12bにおける2価の連結基と同様のものが挙げられる。
13bの2価の連結基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はヘテロ原子として酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。
R 13b is not particularly limited, and includes, for example, those similar to the divalent linking group for R 12b described above.
The divalent linking group for R 13b is preferably a linear or branched alkylene group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a divalent linking group containing a hetero atom. Alternatively, a branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom as a hetero atom is preferable.

直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基、又はエチレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。分岐鎖状のアルキレン基としては、アルキルメチレン基、又はアルキルエチレン基が好ましく、−CH(CH)−、−C(CH−、又は−C(CHCH−が特に好ましい。 As the linear alkylene group, a methylene group or an ethylene group is preferable, and a methylene group is particularly preferable. As the branched alkylene group, an alkylmethylene group or an alkylethylene group is preferable, and —CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, or —C (CH 3 ) 2 CH 2 — is particularly preferable. preferable.

酸素原子を含む2価の連結基としては、エーテル結合、又はエステル結合を含む2価の連結基が好ましく、前述した、−Y1b−O−Y2b−、−[Y1b−C(=O)−O]m’−Y2b−、又は−Y1b−O−C(=O)−Y2b−がより好ましい。Y1b、及びY2bは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、m’は0以上3以下の整数である。なかでも、−Y1b−O−C(=O)−Y2b−が好ましく、−(CH−O−C(=O)−(CH−で表される基が特に好ましい。cは1以上5以下の整数であり、1又は2が好ましい。dは1以上5以下の整数であり、1又は2が好ましい。 As the divalent linking group containing an oxygen atom, a divalent linking group containing an ether bond or an ester bond is preferable, and the above-mentioned —Y 1b —O—Y 2b —, — [Y 1b —C (= O ) -O] m '-Y 2b - , or -Y 1b -O-C (= O ) -Y 2b - is more preferable. Y 1b and Y 2b are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and m ′ is an integer of 0 or more and 3 or less. Among them, -Y 1b -O-C (= O) -Y 2b - is preferably, - (CH 2) c -O -C (= O) - (CH 2) d - is particularly desirable . c is an integer of 1 or more and 5 or less, and 1 or 2 is preferable. d is an integer of 1 to 5, preferably 1 or 2.

構成単位(b−3−S)としては、特に、下記式(b−S1−11)、又は(b−S1−12)で表される構成単位が好ましく、式(b−S1−12)で表される構成単位がより好ましい。   As the structural unit (b-3-S), a structural unit represented by the following formula (b-S1-11) or (b-S1-12) is particularly preferable, and in the formula (b-S1-12) The constituent units represented are more preferred.

Figure 2020003622
(式中、R、A’、R10b、z、及びR13bはそれぞれ前記と同じである。)
Figure 2020003622
(In the formula, R, A ′, R 10b , z, and R 13b are the same as described above.)

式(b−S1−11)中、A’はメチレン基、酸素原子(−O−)、又は硫黄原子(−S−)であることが好ましい。   In the formula (b-S1-11), A 'is preferably a methylene group, an oxygen atom (-O-), or a sulfur atom (-S-).

13bとしては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又は酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。R13bにおける直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前述の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。 As R 13b , a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom is preferable. Examples of the linear or branched alkylene group and the oxygen-containing divalent linking group represented by R 13b include the above-described linear or branched alkylene group and the oxygen-containing divalent linking group, respectively. And the same.

式(b−S1−12)で表される構成単位としては、特に、下記式(b−S1−12a)、又は(b−S1−12b)で表される構成単位が好ましい。   As the structural unit represented by the formula (b-S1-12), a structural unit represented by the following formula (b-S1-12a) or (b-S1-12b) is particularly preferable.

Figure 2020003622
(式中、R、及びA’はそれぞれ前記と同じであり、c〜eはそれぞれ独立に1以上3以下の整数である。)
Figure 2020003622
(In the formula, R and A ′ are the same as described above, and c to e are each independently an integer of 1 or more and 3 or less.)

〔構成単位(b−3−L)〕
構成単位(b−3−L)の例としては、例えば前述の式(b−S1)中のR11bをラクトン含有環式基で置換したものが挙げられ、より具体的には、下記式(b−L1)〜(b−L5)で表される構成単位が挙げられる。
[Structural unit (b-3-L)]
Examples of the structural unit (b-3-L) include, for example, those in which R 11b in the above formula (b-S1) is substituted with a lactone-containing cyclic group, and more specifically, the following formula ( and structural units represented by (b-L1) to (b-L5).

Figure 2020003622
(式中、Rは水素原子、炭素原子数1以上5以下のアルキル基、又は炭素原子数1以上5以下のハロゲン化アルキル基であり;R’はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基、又はシアノ基であり、R”は水素原子、又はアルキル基であり;R12bは単結合、又は2価の連結基であり、s”は0以上2以下の整数であり;A”は酸素原子若しくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素原子数1以上5以下のアルキレン基、酸素原子、又は硫黄原子であり;rは0又は1である。)
Figure 2020003622
(Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; R ′ is each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group. R 12b is a single bond, or a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, —COOR ″, —OC (= O) R ″, a hydroxyalkyl group, or a cyano group; R ″ is a hydrogen atom or an alkyl group; A "is a divalent linking group, s" is an integer of 0 or more and 2 or less; A "is an alkylene group having 1 or more and 5 or less carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom, or sulfur Is an atom; r is 0 or 1.)

式(b−L1)〜(b−L5)におけるRは、前述と同様である。
R’におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、−SO−含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基について前述したものと同様のものが挙げられる。
R in the formulas (b-L1) to (b-L5) is the same as described above.
The alkyl group in R ', alkoxy group, halogenated alkyl group, -COOR ", - OC (= O) R", The hydroxyalkyl group, respectively, -SO 2 - may have the containing cyclic group The same alkyl groups, alkoxy groups, halogenated alkyl groups, -COOR ", -OC (= O) R", and hydroxyalkyl groups as those described above as the substituents can be used.

R’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。
R”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
R”が直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素原子数1以上10以下であることが好ましく、炭素原子数1以上5以下であることがさらに好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素原子数3以上15以下であることが好ましく、炭素原子数4以上12以下であることがさらに好ましく、炭素原子数5以上10以下が最も好ましい。具体的には、フッ素原子又はフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。
A”としては、前述の式(3−1)中のA’と同様のものが挙げられる。A”は、炭素原子数1以上5以下のアルキレン基、酸素原子(−O−)又は硫黄原子(−S−)であることが好ましく、炭素原子数1以上5以下のアルキレン基、又は−O−がより好ましい。炭素原子数1以上5以下のアルキレン基としては、メチレン基、又はジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
R ′ is preferably a hydrogen atom in view of industrial availability.
The alkyl group for R "may be linear, branched, or cyclic.
When R ″ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms.
When R ″ is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, it may be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, and may or may not be substituted with one or more polycycloalkanes such as monocycloalkanes, bicycloalkanes, tricycloalkanes, and tetracycloalkanes. Examples thereof include groups excluding hydrogen atoms, etc. Specifically, one or more of monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane are exemplified. Examples thereof include a group excluding a hydrogen atom.
A "is the same as A 'in the above formula (3-1). A" is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom. (-S-) is preferable, and an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or -O- is more preferable. As the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, a methylene group or a dimethylmethylene group is more preferable, and a methylene group is most preferable.

12bは、前述の式(b−S1)中のR12bと同様である。
式(b−L1)中、s”は1又は2であることが好ましい。
以下に、前述の式(b−L1)〜(b−L3)で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。
R 12b is the same as R 12b in the above-mentioned formula (b-S1).
In the formula (b-L1), s ″ is preferably 1 or 2.
Hereinafter, specific examples of the structural units represented by the above formulas (b-L1) to (b-L3) will be described. In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

Figure 2020003622
Figure 2020003622

Figure 2020003622
Figure 2020003622

構成単位(b−3−L)としては、前述の式(b−L1)〜(b−L5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、式(b−L1)〜(b−L3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種がより好ましく、前述の式(b−L1)、又は(b−L3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が特に好ましい。
なかでも、前述の式(b−L1−1)、(b−L1−2)、(b−L2−1)、(b−L2−7)、(b−L2−12)、(b−L2−14)、(b−L3−1)、及び(b−L3−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。
As the structural unit (b-3-L), at least one selected from the group consisting of the structural units represented by formulas (b-L1) to (b-L5) described above is preferable, and the formula (b-L1) ) To (b-L3), more preferably at least one selected from the group consisting of the structural units represented by formulas (b-L1) and (b-L3). At least one selected from the group is particularly preferred.
Among them, the aforementioned formulas (b-L1-1), (b-L1-2), (b-L2-1), (b-L2-7), (b-L2-12), (b-L2) -14), at least one selected from the group consisting of the structural units represented by (b-L3-1) and (b-L3-5) is preferable.

また、構成単位(b−3−L)としては、下記式(b−L6)〜(b−L7)で表される構成単位も好ましい。

Figure 2020003622
式(b−L6)及び(b−L7)中、R及びR12bは前述と同様である。 Further, as the structural unit (b-3-L), structural units represented by the following formulas (b-L6) to (b-L7) are also preferable.
Figure 2020003622
In the formulas (b-L6) and (b-L7), R and R 12b are the same as described above.

また、アクリル樹脂(B3)は、酸の作用によりアクリル樹脂(B3)のアルカリに対する溶解性を高める構成単位として、酸解離性基を有する下記式(b5)〜(b7)で表される構成単位を含む。   In addition, the acrylic resin (B3) is a structural unit having an acid-dissociable group and represented by the following formulas (b5) to (b7) as a structural unit that increases the solubility of the acrylic resin (B3) in alkali by the action of an acid. including.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(b5)〜(b7)中、R14b、及びR18b〜R23bは、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、フッ素原子、又は炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基を表し、R15b〜R17bは、それぞれ独立に炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基、又は炭素原子数5以上20以下の脂肪族環式基を表し、それぞれ独立に炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素原子数1以上6以下の直鎖状若しくは分岐状のフッ素化アルキル基を表し、R16b及びR17bは互いに結合して、両者が結合している炭素原子とともに炭素原子数5以上20以下の炭化水素環を形成してもよく、Yは、置換基を有していてもよい脂肪族環式基又はアルキル基を表し、pは0以上4以下の整数を表し、qは0又は1を表す。 In the formulas (b5) to (b7), R 14b and R 18b to R 23b each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a fluorine atom, or Represents a linear or branched fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 15b to R 17b each independently represent a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; Represents a linear or branched fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aliphatic cyclic group having 5 to 20 carbon atoms, each of which is independently a linear chain having 1 to 6 carbon atoms. A branched or branched alkyl group, or a linear or branched fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, wherein R 16b and R 17b are bonded to each other to form a carbon atom to which both are bonded. And Moni may form a 5 carbon atoms to 20 hydrocarbon ring, Y b represents an aliphatic cyclic group or an alkyl group which may have a substituent, p is 0 to 4 And q represents 0 or 1.

なお、上記直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。また、フッ素化アルキル基とは、上記アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換されたものである。
脂肪族環式基の具体例としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が挙げられる。特に、シクロヘキサン、アダマンタンから1個の水素原子を除いた基(さらに置換基を有していてもよい)が好ましい。
In addition, examples of the linear or branched alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group. No. Further, the fluorinated alkyl group is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned alkyl group have been substituted with fluorine atoms.
Specific examples of the aliphatic cyclic group include groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane such as a monocycloalkane, a bicycloalkane, a tricycloalkane, and a tetracycloalkane. Specifically, a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane, and a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Is mentioned. Particularly, a group in which one hydrogen atom has been removed from cyclohexane or adamantane (which may have a substituent) is preferable.

上記R16b及びR17bが互いに結合して炭化水素環を形成しない場合、上記R15b、R16b、及びR17bとしては、高コントラストで、解像度、焦点深度幅等が良好な点から、炭素原子数2以上4以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましい。上記R19b、R20b、R22b、R23bとしては、水素原子又はメチル基であることが好ましい。 When R 16b and R 17b do not combine with each other to form a hydrocarbon ring, R 15b , R 16b , and R 17b are preferably carbon atoms in view of high contrast, good resolution, good depth of focus, and the like. It is preferably a linear or branched alkyl group having a number of 2 or more and 4 or less. R 19b , R 20b , R 22b and R 23b are preferably a hydrogen atom or a methyl group.

上記R16b及びR17bは、両者が結合している炭素原子とともに炭素原子数5以上20以下の脂肪族環式基を形成してもよい。このような脂肪族環式基の具体例としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。特に、シクロヘキサン、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基(さらに置換基を有していてもよい)が好ましい。 R 16b and R 17b may form an aliphatic cyclic group having 5 to 20 carbon atoms together with the carbon atom to which they are bonded. Specific examples of such an aliphatic cyclic group include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as a monocycloalkane, a bicycloalkane, a tricycloalkane, and a tetracycloalkane. Specifically, one or more hydrogen atoms are removed from monocycloalkanes such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane, and polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Groups. In particular, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from cyclohexane or adamantane (which may further have a substituent) is preferable.

さらに、上記R16b及びR17bが形成する脂肪族環式基が、その環骨格上に置換基を有する場合、当該置換基の例としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子(=O)等の極性基や、炭素原子数1以上4以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。極性基としては特に酸素原子(=O)が好ましい。 Further, when the aliphatic cyclic group formed by R 16b and R 17b has a substituent on its ring skeleton, examples of the substituent include a hydroxyl group, a carboxy group, a cyano group, and an oxygen atom (= O ) And a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. As the polar group, an oxygen atom (= O) is particularly preferred.

上記Yは、脂肪族環式基又はアルキル基であり、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。特に、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基(さらに置換基を有していてもよい)が好ましい。 Yb is an aliphatic cyclic group or an alkyl group, and examples thereof include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from polycycloalkanes such as monocycloalkanes, bicycloalkanes, tricycloalkanes, and tetracycloalkanes. . Specifically, one or more hydrogen atoms are removed from monocycloalkanes such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane, and polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. And the like. In particular, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane (which may further have a substituent) is preferable.

さらに、上記Yの脂肪族環式基が、その環骨格上に置換基を有する場合、当該置換基の例としては、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、酸素原子(=O)等の極性基や、炭素原子数1以上4以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。極性基としては特に酸素原子(=O)が好ましい。 Furthermore, the alicyclic group of the abovementioned Y b is, if they have a substituent on the ring skeleton, examples of the substituents include a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, an oxygen atom (= O) polar groups such as And a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. As the polar group, an oxygen atom (= O) is particularly preferred.

また、Yがアルキル基である場合、炭素原子数1以上20以下、好ましくは6以上15以下の直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましい。このようなアルキル基は、特にアルコキシアルキル基であることが好ましく、このようなアルコキシアルキル基としては、1−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−n−プロポキシエチル基、1−イソプロポキシエチル基、1−n−ブトキシエチル基、1−イソブトキシエチル基、1−tert−ブトキシエチル基、1−メトキシプロピル基、1−エトキシプロピル基、1−メトキシ−1−メチル−エチル基、1−エトキシ−1−メチルエチル基等が挙げられる。 When Yb is an alkyl group, it is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 6 to 15 carbon atoms. Such an alkyl group is particularly preferably an alkoxyalkyl group, such as a 1-methoxyethyl group, a 1-ethoxyethyl group, a 1-n-propoxyethyl group, and a 1-isopropoxy group. Ethyl group, 1-n-butoxyethyl group, 1-isobutoxyethyl group, 1-tert-butoxyethyl group, 1-methoxypropyl group, 1-ethoxypropyl group, 1-methoxy-1-methyl-ethyl group, 1 -Ethoxy-1-methylethyl group and the like.

上記式(b5)で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式(b5−1)〜(b5−33)で表されるものを挙げることができる。   Preferred specific examples of the structural unit represented by the formula (b5) include those represented by the following formulas (b5-1) to (b5-33).

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(b5−1)〜(b5−33)中、R24bは、水素原子又はメチル基を表す。 In the above formulas (b5-1) to (b5-33), R 24b represents a hydrogen atom or a methyl group.

上記式(b6)で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式(b6−1)〜(b6−26)で表されるものを挙げることができる。   Preferred specific examples of the structural unit represented by the above formula (b6) include those represented by the following formulas (b6-1) to (b6-26).

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(b6−1)〜(b6−26)中、R24bは、水素原子又はメチル基を表す。 In the above formulas (b6-1) to (b6-26), R 24b represents a hydrogen atom or a methyl group.

上記式(b7)で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記式(b7−1)〜(b7−15)で表されるものを挙げることができる。   Preferred specific examples of the structural unit represented by the above formula (b7) include those represented by the following formulas (b7-1) to (b7-15).

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(b7−1)〜(b7−15)中、R24bは、水素原子又はメチル基を表す。 In the above formulas (b7-1) to (b7-15), R 24b represents a hydrogen atom or a methyl group.

以上説明した式(b5)〜(b7)で表される構成単位の中では、合成がしやすく且つ比較的高感度化しやすい点から、式(b6)で表される構成単位が好ましい。また、式(b6)で表される構成単位の中では、Yがアルキル基である構成単位が好ましく、R19b及びR20bの一方又は双方がアルキル基である構成単位が好ましい。 Among the structural units represented by the formulas (b5) to (b7) described above, the structural unit represented by the formula (b6) is preferable in terms of easy synthesis and relatively high sensitivity. Further, among the structural units represented by the formula (b6), a structural unit in which Yb is an alkyl group is preferable, and a structural unit in which one or both of R 19b and R 20b is an alkyl group is preferable.

さらに、アクリル樹脂(B3)は、上記式(b5)〜(b7)で表される構成単位とともに、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含む共重合体からなる樹脂であることが好ましい。   Further, the acrylic resin (B3) is a resin comprising a copolymer containing a structural unit derived from a polymerizable compound having an ether bond together with the structural units represented by the above formulas (b5) to (b7). Is preferred.

上記エーテル結合を有する重合性化合物としては、エーテル結合及びエステル結合を有する(メタ)アクリル酸誘導体等のラジカル重合性化合物を例示することができ、具体例としては、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート、エチルカルビトール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート等が挙げられる。また、上記エーテル結合を有する重合性化合物は、好ましくは、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレートである。これらの重合性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the polymerizable compound having an ether bond include a radical polymerizable compound having an ether bond and an ester bond, such as a (meth) acrylic acid derivative. Specific examples thereof include 2-methoxyethyl (meth) acrylate , 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, ethyl carbitol (meth) acrylate, phenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, methoxy polyethylene glycol (meth) Examples include acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, and tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate. Further, the polymerizable compound having an ether bond is preferably 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, or methoxytriethylene glycol (meth) acrylate. These polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.

さらに、アクリル樹脂(B3)には、物理的、化学的特性を適度にコントロールする目的で他の重合性化合物を構成単位として含めることができる。このような重合性化合物としては、公知のラジカル重合性化合物や、アニオン重合性化合物が挙げられる。   Further, the acrylic resin (B3) can contain another polymerizable compound as a structural unit for the purpose of appropriately controlling physical and chemical properties. Examples of such a polymerizable compound include known radically polymerizable compounds and anionic polymerizable compounds.

このような重合性化合物としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類;マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類;2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸アルキルエステル類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類;フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸アリールエステル類;マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチル等のジカルボン酸ジエステル類;スチレン、α−メチルスチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等のビニル基含有芳香族化合物類;酢酸ビニル等のビニル基含有脂肪族化合物類;ブタジエン、イソプレン等の共役ジオレフィン類;アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル基含有重合性化合物類;塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素含有重合性化合物;アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド結合含有重合性化合物類;等を挙げることができる。   Examples of such a polymerizable compound include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid and itaconic acid; 2-methacryloyloxyethyl succinic acid and 2-methacryloyloxy Methacrylic acid derivatives having a carboxy group and an ester bond such as ethylmaleic acid, 2-methacryloyloxyethylphthalic acid, and 2-methacryloyloxyethylhexahydrophthalic acid; methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) ) Acrylates, alkyl (meth) acrylates such as cyclohexyl (meth) acrylate; hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate Esters; aryl (meth) acrylates such as phenyl (meth) acrylate and benzyl (meth) acrylate; dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate and dibutyl fumarate; styrene, α-methylstyrene, chlorostyrene, chloro Vinyl group-containing aromatic compounds such as methylstyrene, vinyltoluene, hydroxystyrene, α-methylhydroxystyrene and α-ethylhydroxystyrene; vinyl group-containing aliphatic compounds such as vinyl acetate; conjugated diolefins such as butadiene and isoprene Classes; Nitrile group-containing polymerizable compounds such as acrylonitrile and methacrylonitrile; Chlorine-containing polymerizable compounds such as vinyl chloride and vinylidene chloride; and amide bond-containing polymerizable compounds such as acrylamide and methacrylamide. That.

上記の通り、アクリル樹脂(B3)は、上記のモノカルボン酸類やジカルボン酸類のようなカルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を含んでいてもよい。しかし、断面形状が良好な矩形である非レジスト部を含むレジストパターンを形成しやすい点から、アクリル樹脂(B3)は、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を実質的に含まないのが好ましい。具体的には、アクリル樹脂(B3)中の、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位の比率は、20質量%以下が好ましく、15質量%以下がより好ましく、5質量%以下が特に好ましい。
アクリル樹脂(B3)において、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を比較的多量に含むアクリル樹脂は、カルボキシ基を有する重合性化合物に由来する構成単位を少量しか含まないか、含まないアクリル樹脂と併用されるのが好ましい。
As described above, the acrylic resin (B3) may include a structural unit derived from a polymerizable compound having a carboxy group such as the above-described monocarboxylic acids and dicarboxylic acids. However, the acrylic resin (B3) does not substantially include a structural unit derived from a polymerizable compound having a carboxy group because it is easy to form a resist pattern including a non-resist part having a good rectangular cross-sectional shape. Is preferred. Specifically, the proportion of the structural unit derived from the polymerizable compound having a carboxy group in the acrylic resin (B3) is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and particularly preferably 5% by mass or less. preferable.
In the acrylic resin (B3), the acrylic resin containing a relatively large amount of a structural unit derived from a polymerizable compound having a carboxy group contains only a small amount or does not contain a structural unit derived from a polymerizable compound having a carboxy group. It is preferably used in combination with an acrylic resin.

また、重合性化合物としては、酸非解離性の脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリル酸エステル類、ビニル基含有芳香族化合物類等を挙げることができる。酸非解離性の脂肪族多環式基としては、特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基等が、工業上入手しやすい等の点で好ましい。これらの脂肪族多環式基は、炭素原子数1以上5以下の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。   Examples of the polymerizable compound include (meth) acrylates having an acid non-dissociable aliphatic polycyclic group, and vinyl group-containing aromatic compounds. As the acid non-dissociable aliphatic polycyclic group, a tricyclodecanyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecanyl group, an isobornyl group, a norbornyl group, and the like are particularly preferable in terms of industrial availability. These aliphatic polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.

酸非解離性の脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリル酸エステル類としては、具体的には、下記式(b8−1)〜(b8−5)の構造のものを例示することができる。   Specific examples of the (meth) acrylates having an acid non-dissociable aliphatic polycyclic group include those having the structures of the following formulas (b8-1) to (b8-5). it can.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

上記式(b8−1)〜(b8−5)中、R25bは、水素原子又はメチル基を表す。 In the above formulas (b8-1) to (b8-5), R 25b represents a hydrogen atom or a methyl group.

アクリル樹脂(B3)が、−SO−含有環式基、又はラクトン含有環式基を含む構成単位(b−3)を含む場合、アクリル樹脂(B3)中の構成単位(b−3)の含有量は、5質量%以上が好ましく、10質量%以上がより好ましく、10質量%以上50質量%以下が特に好ましく、10質量%以上30質量%以下が最も好ましい。感光性樹脂組成物が、上記の範囲内の量の構成単位(b−3)を含む場合、良好な現像性と、良好なパターン形状とを両立しやすい。 When the acrylic resin (B3) contains a structural unit (b-3) containing a —SO 2 —-containing cyclic group or a lactone-containing cyclic group, the acrylic resin (B3) contains a structural unit (b-3) in the acrylic resin (B3). The content is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, particularly preferably 10% by mass or more and 50% by mass or less, most preferably 10% by mass or more and 30% by mass or less. When the photosensitive resin composition contains the structural unit (b-3) in an amount within the above range, it is easy to achieve both good developability and a good pattern shape.

また、アクリル樹脂(B3)は、前述の式(b5)〜(b7)で表される構成単位を、5質量%以上含むのが好ましく、10質量%以上含むのがより好ましく、10質量%以上50質量%以下含むのが特に好ましい。   Further, the acrylic resin (B3) preferably contains 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, and more preferably 10% by mass or more of the structural units represented by the above formulas (b5) to (b7). It is particularly preferred that the content be 50% by mass or less.

アクリル樹脂(B3)は、上記のエーテル結合を有する重合性化合物に由来する構成単位を含むのが好ましい。アクリル樹脂(B3)中の、エーテル結合を有する重合性化合物に由来する構成単位の含有量は、0質量%以上50質量%以下が好ましく、5質量%以上30質量%以下がより好ましい。   The acrylic resin (B3) preferably contains a structural unit derived from the above polymerizable compound having an ether bond. The content of the structural unit derived from the polymerizable compound having an ether bond in the acrylic resin (B3) is preferably from 0% by mass to 50% by mass, more preferably from 5% by mass to 30% by mass.

アクリル樹脂(B3)は、上記の酸非解離性の脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリル酸エステル類に由来する構成単位を含むのが好ましい。アクリル樹脂(B3)中の、酸非解離性の脂肪族多環式基を有する(メタ)アクリル酸エステル類に由来する構成単位の含有量は、0質量%以上50質量%以下が好ましく、5質量%以上30質量%以下がより好ましい。   The acrylic resin (B3) preferably contains a structural unit derived from a (meth) acrylate ester having an acid non-dissociable aliphatic polycyclic group. The content of the structural unit derived from the (meth) acrylic acid ester having an acid non-dissociable aliphatic polycyclic group in the acrylic resin (B3) is preferably from 0% by mass to 50% by mass, and more preferably 5% by mass or less. The content is more preferably from 30% by mass to 30% by mass.

感光性樹脂組成物が所定の量のアクリル樹脂(B3)を含有する限りにおいて、以上説明したアクリル樹脂(B3)以外のアクリル樹脂も樹脂(B)として用いることができる。このような、アクリル樹脂(B3)以外のアクリル樹脂としては、前述の式(b5)〜(b7)で表される構成単位を含む樹脂であれば特に限定されない。   As long as the photosensitive resin composition contains a predetermined amount of the acrylic resin (B3), an acrylic resin other than the acrylic resin (B3) described above can be used as the resin (B). Such an acrylic resin other than the acrylic resin (B3) is not particularly limited as long as it is a resin containing the structural units represented by the above formulas (b5) to (b7).

以上説明した樹脂(B)のポリスチレン換算質量平均分子量は、好ましくは10000以上600000以下であり、より好ましくは20000以上400000以下であり、さらに好ましくは30000以上300000以下である。このような質量平均分子量とすることにより、基板からの剥離性を低下させることなく感光性樹脂層の十分な強度を保持でき、さらにはめっき時のプロファイルの膨れや、クラックの発生を防ぐことができる。   The mass average molecular weight in terms of polystyrene of the resin (B) described above is preferably from 10,000 to 600,000, more preferably from 20,000 to 400,000, and further preferably from 30,000 to 300,000. By having such a mass average molecular weight, it is possible to maintain sufficient strength of the photosensitive resin layer without lowering the releasability from the substrate, and further to prevent the swelling of the profile during plating and the occurrence of cracks. it can.

また、樹脂(B)の分散度は1.05以上が好ましい。ここで、分散度とは、質量平均分子量を数平均分子量で除した値のことである。このような分散度とすることにより、所望とするめっきに対する応力耐性や、めっき処理により得られる金属層が膨らみやすくなるという問題を回避できる。   The dispersity of the resin (B) is preferably 1.05 or more. Here, the degree of dispersion is a value obtained by dividing the mass average molecular weight by the number average molecular weight. With such a degree of dispersion, it is possible to avoid stress resistance to a desired plating and a problem that a metal layer obtained by plating tends to swell.

樹脂(B)の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形分量に対して5質量%以上60質量%以下とすることが好ましい。   The content of the resin (B) is preferably 5% by mass or more and 60% by mass or less based on the total solid content of the photosensitive resin composition.

<含窒素複素環化合物(C)>
感光性樹脂組成物は、下記式(c1)で表される化合物である含窒素複素環化合物(C)を含む。含窒素複素環化合物(C)について、溶解度Sの常用対数値LogSが−4.00以下である。感光性樹脂組成物が、所定の範囲内のLogS値を示す含窒素複素環化合物(C)を含むと、感光性樹脂組成物を用いて断面形状が矩形であるレジストパターンを形成しやすい。
<Nitrogen-containing heterocyclic compound (C)>
The photosensitive resin composition contains a nitrogen-containing heterocyclic compound (C) which is a compound represented by the following formula (c1). Regarding the nitrogen-containing heterocyclic compound (C), a common logarithm value LogS of the solubility S is −4.00 or less. When the photosensitive resin composition contains the nitrogen-containing heterocyclic compound (C) having a LogS value within a predetermined range, it is easy to form a resist pattern having a rectangular cross section using the photosensitive resin composition.

また、含窒素複素環化合物(C)を感光性樹脂組成物に配合する場合、焦点深度(DOF)のマージンが広い感光性樹脂組成物を得やすい。
焦点深度(DOF)マージンとは、同一の露光量にて、焦点を上下にずらして露光した際に、ターゲット寸法に対するずれが所定の範囲内となる寸法でレジストパターンを形成できる焦点深度の範囲である。焦点深度(DOF)マージンは、広いほど好ましい。
めっき用の鋳型パターンは、基板に積層されたポリイミド膜等の基材に由来する反りや段差がある基板上に形成される場合がある。このため、めっき用の鋳型パターンを形成するために用いられる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物には、基板表面の平坦性の程度によらず、所望する寸法、形状のパターンを形成できるように、焦点深度(DOF)のマージンが広いことが望まれる。
When the nitrogen-containing heterocyclic compound (C) is blended in the photosensitive resin composition, it is easy to obtain a photosensitive resin composition having a wide margin of depth of focus (DOF).
The depth of focus (DOF) margin is a range of a depth of focus at which a resist pattern can be formed with a dimension within which a deviation from a target dimension is within a predetermined range when the exposure is performed by shifting the focus up and down at the same exposure amount. is there. The larger the depth of focus (DOF) margin, the better.
The template pattern for plating may be formed on a substrate having a warp or a step derived from a base material such as a polyimide film laminated on the substrate. Therefore, the chemically amplified positive photoresist composition used to form the template pattern for plating, regardless of the degree of flatness of the substrate surface, so that a pattern of desired dimensions and shape can be formed. It is desired that the margin of depth of focus (DOF) be wide.

さらには、感光性樹脂組成物が含窒素複素環化合物(C)を含む場合、感光性樹脂組成物の、露光後の引き置き経時安定性(PED:post exposure delay)が良好である。引き置き経時安定性が良好であると、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を、露光後にある程度の長時間引き置いたとしても、露光された感光性樹脂層を現像する際に、パターン形状、パターン寸法への悪影響が生じにくく、所望する形状及び寸法のパターンを形成しやすい。   Further, when the photosensitive resin composition contains a nitrogen-containing heterocyclic compound (C), the photosensitive resin composition has good post-exposure stability (PED: post exposure delay) after exposure. When the withdrawal stability over time is good, even if the photosensitive resin layer made of the photosensitive resin composition is withdrawn for a long period of time after the exposure, when the exposed photosensitive resin layer is developed, the pattern is reduced. The shape and pattern dimensions are hardly adversely affected, and a pattern having a desired shape and dimensions is easily formed.

−A−W−A−X (c1)
(式(c1)中、Zは下記式(c2):

Figure 2020003622
で表される含窒素複素環基であり、
及びAは、それぞれ独立に、単結合、又は、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCOO−、−NH−、−CONH−、−NHCO−、−NHCONH−、−S−、−SO−、及び−SO−からなる群より選択される2価の基であり、
は、単結合又は置換基を有してもよい2価の環式基であり、
は、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
式(c2)中、R、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
〜Yのうちのいずれか1つが下記式(c3)又は式(c4):
Figure 2020003622
で表される3価の基であり、当該3価の基が有する3つの結合手のうち一つの結合手がAに連結され、
式(c3)中、Rは、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
〜Yのうちの2つが、それぞれ独立に、−CR−、−NR−、−O−及び−S−からなる群より選択される2価の基であり、
、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。) Z 1 -A 1 -W 1 -A 2 -X 1 (c1)
(In the formula (c1), Z 1 is the following formula (c2):
Figure 2020003622
Is a nitrogen-containing heterocyclic group represented by
A 1 and A 2 are each independently a single bond or —O—, —CO—, —COO—, —OCO—, —OCOO—, —NH—, —CONH—, —NHCO—, —NHCONH -, - S -, - SO- , and -SO 2 - is a divalent radical selected from the group consisting of,
W 1 is a single bond or a divalent cyclic group which may have a substituent,
X 1 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
In the formula (c2), R 1 , R 2 and R 4 are each independently an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, R 3 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
Any one of Y 1 to Y 3 is represented by the following formula (c3) or formula (c4):
Figure 2020003622
Wherein one of the three bonds possessed by the trivalent group is linked to A 1 ,
In the formula (c3), R 6 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
Two of Y 1 to Y 3 are each independently a divalent group selected from the group consisting of —CR 7 R 8 —, —NR 9 —, —O— and —S—,
R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. )

式(c1)中、A及びAは、それぞれ独立に、単結合、又は、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCOO−、−NH−、−CONH−、−NHCO−、−NHCONH−、−S−、−SO−、及び−SO−からなる群より選択される2価の基である。A及びAとしては、それぞれ独立に、単結合、−O−、−COO−、又は、−OCO−が好ましい。 In the formula (c1), A 1 and A 2 each independently represent a single bond or —O—, —CO—, —COO—, —OCO—, —OCOO—, —NH—, —CONH—, -NHCO -, - NHCONH -, - S -, - SO-, and -SO 2 - is a divalent radical selected from the group consisting of. A 1 and A 2 are each independently preferably a single bond, —O—, —COO—, or —OCO—.

式(c1)中、Wは、単結合又は置換基を有してもよい2価の環式基である。
該Wとしての置換基を有してもよい2価の環式基を構成する環は、O、S等の窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよい。
置換基を有してもよい2価の環式基の環構成原子数は、好ましくは4以上15以下、より好ましくは5以上7以下である。
としての、置換基を有してもよい2価の環式基としては、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基及び置換基を有してもよい芳香族炭化水素基が好ましい。
2価の環式基としての、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカン、又はビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が挙げられる。具体的には、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基等のモノシクロアルカンジイル基;アダマンタンジイル基、ノルボルネンジイル基、イソボルネンジイル基、トリシクロデカンジイル基、テトラシクロドデカンジイル基等のポリシクロアルカンジイル基等が挙げられる。好ましくは、モノシクロアルカンジイル基である。
2価の環式基としての、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環等の芳香族環から2個の水素原子を除いた基が挙げられる。好ましくは、フェニレン基である。
としての2価の環式基が有していてもよい置換基としては、水酸基、メルカプト基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基が挙げられる。また、Wとしての2価の環式基が有していてもよい置換基としては、水酸基、メルカプト基、アミノ基、ハロゲン原子、ニトロ基、及びシアノ基等の置換基で置換されていてもよく、N、O、S、P、Si、B、及びハロゲン原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい有機基を挙げることもできる。これらの置換基の中では炭化水素基が好ましい。
2価の環式基が有していてもよい置換基としての炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても、芳香族炭化水素基であっても、脂肪族炭化水素基と芳香族炭化水素基との組み合わせであってもよい。脂肪族炭化水素基は、鎖状であっても、環状であっても、鎖状構造と環状構造とを含んでいてもよく、鎖状の場合は、直鎖状でも、分岐鎖状でもよく、また、不飽和結合を有していてもよい。脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、1以上10以下が好ましく、1以上8以下がより好ましく、1以上4以下がさらに好ましい。
鎖状の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、及びネオペンチル基等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基の具体例としてはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、ジシクロペンタニル基等の環状の基が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基及びナフチル基等のヘテロ原子を含まない芳香族炭化水素基や、フリル基、チエニル基及びピリジル基等の芳香族複素環基等が挙げられる。
In the formula (c1), W 1 is a single bond or a divalent cyclic group which may have a substituent.
The ring constituting the divalent cyclic group which may have a substituent as W 1 may contain a hetero atom other than a nitrogen atom such as O and S.
The number of ring-constituting atoms of the divalent cyclic group which may have a substituent is preferably 4 or more and 15 or less, more preferably 5 or more and 7 or less.
Examples of the divalent cyclic group which may have a substituent as W 1 include an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent and an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. preferable.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group of the aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent as a divalent cyclic group include monocycloalkanes and polycycloalkanes such as bicycloalkanes, tricycloalkanes, and tetracycloalkanes. A group obtained by removing two hydrogen atoms from an alkane is exemplified. Specifically, monocycloalkanediyl groups such as cyclopentanediyl group and cyclohexanediyl group; polycycloalkane groups such as adamantanediyl group, norbornenediyl group, isobornenediyl group, tricyclodecanediyl group, and tetracyclododecanediyl group. Alkanediyl groups and the like. Preferably, it is a monocycloalkanediyl group.
Examples of the aromatic hydrocarbon group of the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent as a divalent cyclic group include two aromatic rings such as a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a fluorene ring. And a group excluding a hydrogen atom. Preferably, it is a phenylene group.
Examples of the substituent which the divalent cyclic group as W 1 may have include a hydroxyl group, a mercapto group, an amino group, a halogen atom, a nitro group, and a cyano group. Examples of the substituent which the divalent cyclic group as W 1 may have include a substituent such as a hydroxyl group, a mercapto group, an amino group, a halogen atom, a nitro group, and a cyano group. And organic groups which may contain hetero atoms such as N, O, S, P, Si, B, and halogen atoms. Among these substituents, a hydrocarbon group is preferred.
The hydrocarbon group as a substituent which the divalent cyclic group may have may be an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group. It may be a combination with a hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group may be linear, cyclic, or may have a chain structure and a cyclic structure. And may have an unsaturated bond. The number of carbon atoms of the aliphatic hydrocarbon group is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 8 or less, and still more preferably 1 or more and 4 or less.
Specific examples of the linear aliphatic hydrocarbon group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, and an n-pentyl group. , Isopentyl group, and neopentyl group. Specific examples of the cyclic aliphatic hydrocarbon group include a cyclic group such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, an isobornyl group, and a dicyclopentanyl group.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include an aromatic hydrocarbon group containing no hetero atom such as a phenyl group and a naphthyl group, and an aromatic heterocyclic group such as a furyl group, a thienyl group and a pyridyl group.

式(c1)中、Xは、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。
としての、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基の脂肪族炭化水素基は、鎖状であっても、環状であっても、鎖状構造と環状構造とを含んでいてもよい。鎖状の場合は、直鎖状でも、分岐鎖状でもよい。また、脂肪族炭化水素基は、不飽和結合を有していてもよい。脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、1以上10以下が好ましく、1以上8以下がより好ましく、1以上5以下がさらに好ましい。
鎖状の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、及びネオペンチル基等が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基の具体例としてはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、ジシクロペンタニル基等の環状の基が挙げられる。
としての、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素基としては、フェニル基及びナフチル基等のヘテロ原子を含まない芳香族炭化水素基や、フリル基、チエニル基及びピリジル基等の芳香族複素環基等が挙げられる。
以上説明したXの中では、LogSの値を低くしやすい点と、所望する添加効果を得やすい点とから、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基及びtert−ブチル基等の分岐鎖アルキル基や、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基及びジシクロペンタニル基等の環状の脂肪族炭化水素基や、フェニル基及びナフチル基等の芳香族炭化水素基が好ましい。
としての、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基及び置換基を有してもよい芳香族炭化水素基の置換基は、Wとしての2価の環式基が有していてもよい置換基と同様である。
In the formula (c1), X 1 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent.
The aliphatic hydrocarbon group of the aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent as X 1 has a chain structure or a cyclic structure, including a chain structure and a cyclic structure. Is also good. In the case of a chain, it may be linear or branched. Further, the aliphatic hydrocarbon group may have an unsaturated bond. The number of carbon atoms of the aliphatic hydrocarbon group is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 8 or less, and still more preferably 1 or more and 5 or less.
Specific examples of the linear aliphatic hydrocarbon group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, and an n-pentyl group. , Isopentyl group, and neopentyl group.
Specific examples of the cyclic aliphatic hydrocarbon group include a cyclic group such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, an isobornyl group, and a dicyclopentanyl group.
Examples of the aromatic hydrocarbon group of the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent as X 1 include an aromatic hydrocarbon group not containing a hetero atom such as a phenyl group and a naphthyl group, a furyl group, and a thienyl group. And aromatic heterocyclic groups such as a pyridyl group.
More in the X 1 described, and that tends to lower the value of LOGS, from the point view to obtaining an additive effect desired, an isopropyl group, an isobutyl group, branched-chain alkyl such as sec- butyl and tert- butyl Groups, cyclic aliphatic hydrocarbon groups such as cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group and dicyclopentanyl group, and aromatic hydrocarbon groups such as phenyl group and naphthyl group are preferred.
The substituent of the aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent and the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent as X 1 has a divalent cyclic group as W 1 The same applies to the substituents which may be substituted.

式(c2)中、R、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。
、R及びRとしての置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基は、Xとしての置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基と同様である。
また、R、R及びRとしての置換基を有してもよい芳香族炭化水素基は、Xとしての置換基を有してもよい芳香族炭化水素基と同様である。
In the formula (c2), R 1 , R 2 and R 4 are each independently an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent.
The aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent as R 1 , R 2 and R 4 is the same as the aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent as X 1 .
The aromatic hydrocarbon group which may have a substituent as R 1 , R 2 and R 4 is the same as the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent as X 1 .

式(c2)中、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。
及びRとしての置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基は、Xとしての置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基と同様である。
また、R及びRとしての置換基を有してもよい芳香族炭化水素基は、Xとしての置換基を有してもよい芳香族炭化水素基と同様である。
In the formula (c2), R 3 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent.
The aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent as R 3 and R 5 is the same as the aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent as X 1 .
Further, the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent as R 3 and R 5 is the same as the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent as X 1 .

式(c2)中、Rは、R〜Rとの立体障害が小さい点から、メチル基が好ましい。
式(c2)中、R〜Rは、メチル基、エチル基、n−プロピル基が好ましい。
式(c2)中、R〜Rは、合成の容易さや工業上入手の容易しやすさの点から、水素原子が好ましい。
In the formula (c2), R 1 is preferably a methyl group because steric hindrance to R 2 to R 5 is small.
In the formula (c2), R 2 to R 5 are preferably a methyl group, an ethyl group, or an n-propyl group.
In the formula (c2), R 6 to R 9 are preferably a hydrogen atom from the viewpoint of easy synthesis and industrial availability.

式(c2)中、Y〜Yについて、Y〜Yのうちのいずれか1つが上記式(c3)又は式(c4)で表される3価の基であり、当該3価の基が有する3つの結合手のうち一つの結合手がAに連結される。また、Y〜Yのうちの2つが、それぞれ独立に、−CR−、−NR−、−O−及び−S−からなる群より選択される2価の基である。
例えば、Yが式(c3)で表される基であり、Y及びYがそれぞれ−CR−である場合、式(c2)で表される含窒素複素環基、すなわち、(c1)中のZは、式(c2−1)で表される1価の基である。また、Yが式(c4)で表される基であり、Y及びYがそれぞれ−CR−である場合、式(c2)で表される含窒素複素環基は、式(c2−2)で表される1価の基である。また、Yが−CR−であり、Yが−O−であり、Yが式(c3)で表される基である場合、式(c2)で表される含窒素複素環基は、式(c2−3)で表される1価の基である。

Figure 2020003622
Wherein (c2), the Y 1 to Y 3, any one of Y 1 to Y 3 is a trivalent group represented by the above formula (c3) or formula (c4), of the trivalent three coupling hands one bond with the group is connected to a 1. Two of Y 1 to Y 3 are each independently a divalent group selected from the group consisting of —CR 7 R 8 —, —NR 9 —, —O—, and —S—.
For example, when Y 2 is a group represented by the formula (c3) and Y 1 and Y 3 are each —CR 7 R 8 —, a nitrogen-containing heterocyclic group represented by the formula (c2), (c1) Z 1 in is a monovalent group represented by the formula (c2-1). When Y 2 is a group represented by the formula (c4), and Y 1 and Y 3 are each —CR 7 R 8 —, the nitrogen-containing heterocyclic group represented by the formula (c2) is represented by the formula It is a monovalent group represented by (c2-2). When Y 1 is —CR 7 R 8 —, Y 2 is —O—, and Y 3 is a group represented by the formula (c3), the nitrogen-containing complex represented by the formula (c2) The ring group is a monovalent group represented by the formula (c2-3).
Figure 2020003622

式(c3)中、Rは、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。
としての置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基は、Xとしての置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基と同様である。
また、Rとしての置換基を有してもよい芳香族炭化水素基は、Xとしての置換基を有してもよい芳香族炭化水素基と同様である。
In the formula (c3), R 6 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent.
The aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent as R 6 is the same as the aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent as X 1 .
Further, the aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent as R 6 is the same as the aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent as X 1 .

〜YにおけるR、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。
、R及びRとしての置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基は、Xとしての置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基と同様である。
また、R、R及びRとしての置換基を有してもよい芳香族炭化水素基は、Xとしての置換基を有してもよい芳香族炭化水素基と同様である。
R 7 , R 8 and R 9 in Y 1 to Y 3 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. It is.
The aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent as R 7 , R 8 and R 9 is the same as the aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent as X 1 .
The aromatic hydrocarbon group which may have a substituent as R 7 , R 8 and R 9 is the same as the aromatic hydrocarbon group which may have a substituent as X 1 .

また、含窒素複素環化合物(C)の溶解度Sの常用対数値LogSは−4.00以下である。例えば、上記式(c1)に該当する化合物が使用されても、LogSが−4.00より大きいと、形状が悪くなる。   The common logarithmic value LogS of the solubility S of the nitrogen-containing heterocyclic compound (C) is -4.00 or less. For example, even if a compound corresponding to the above formula (c1) is used, if LogS is larger than -4.00, the shape becomes poor.

LogSは、上記のとおり溶解度Sの常用対数値である。LogSは、Windows(登録商標)版chemdraw(登録商標) prime(16.0)で算出される値である。なお、LogS値は、Windows版chemdraw prime(16.0)と同様の値が算出できるのであれば、Windows版chemdraw prime(16.0)以外のソフト等を用いて算出してもよい。   LogS is the common logarithm of solubility S as described above. LogS is a value calculated by chemdraw (registered trademark) prime (16.0) for Windows (registered trademark). Note that the LogS value may be calculated using software other than the Windows version chemdraw prime (16.0) as long as a value similar to the Windows version chemdraw prime (16.0) can be calculated.

含窒素複素環化合物(C)のLogS値は、−4.00以下であればよく、例えば、−4.20以下でもよい。また、含窒素複素環化合物(C)のLogS値は、−15.00以上が好ましく、−8.00以上がより好ましい。   The LogS value of the nitrogen-containing heterocyclic compound (C) may be -4.00 or less, for example, -4.20 or less. The LogS value of the nitrogen-containing heterocyclic compound (C) is preferably -15.00 or more, and more preferably -8.00 or more.

含窒素複素環化合物(C)の具体例として、下記化合物が挙げられる。

Figure 2020003622
Specific examples of the nitrogen-containing heterocyclic compound (C) include the following compounds.
Figure 2020003622

また、上記化合物の具体例においては、A及びAが、−COO−、−OCO−、−CONH−又は−NHCO−である例について示したが、上記化合物において、−COO−、−OCO−、−CONH−、−NHCO−を、単結合、又は、−O−、−CO−、−OCOO−、−NH−、−NHCONH−、−S−、−SO−、又は、−SO−に変更した化合物も、上記式(c1)で表される化合物の具体例として挙げられる。 In addition, in the specific examples of the above compound, examples in which A 1 and A 2 are —COO—, —OCO—, —CONH—, or —NHCO— have been described; however, in the above compound, —COO—, —OCO -, - CONH -, - the NHCO-, single bond, or, -O -, - CO -, - OCOO -, - NH -, - NHCONH -, - S -, - SO-, or, -SO 2 - The compound changed to is also a specific example of the compound represented by the formula (c1).

含窒素複素環化合物(C)は、周知の反応を適宜組み合わせて合成できる。以下に含窒素複素環化合物(C)の合成方法例を示す。   The nitrogen-containing heterocyclic compound (C) can be synthesized by appropriately combining known reactions. The following shows an example of a method for synthesizing the nitrogen-containing heterocyclic compound (C).

式(c1)で表され、Aが−OCO−であり、Aが−COO−であり、Xが置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である化合物は、下記式に示すように2段階のエステル化反応により合成することができる。
具体的には、まず、X−OHで表されるアルコールと、W−(COOH)で表されるジカルボン酸化合物又はその無水物とを反応させてエステル化を行うことにより、下記反応式中に記載のジカルボン酸のモノエステル化合物(中間体)を得る。その後、下記反応式中に記載のジカルボン酸のモノエステル化合物と、Z−OHで表されるアルコールとを反応させて、目的の化合物を得る。2段階のエステル化反応はどちらを先におこなってもよく、Z−OHで表されるアルコールとW−(COOH)で表されるジカルボン酸化合物又はその無水物とを反応させてエステル化を行った後に、X−OHで表されるアルコールと反応させてもよい。
なお、下記反応式中に記載のジカルボン酸のモノエステル化合物は、式(c1)で表され、Aが−OCO−であり、Aが−COO−であり、Xが水素原子である化合物である。

Figure 2020003622
In the formula (c1), A 1 is —OCO—, A 2 is —COO—, and X 1 has an aliphatic hydrocarbon group or a substituent which may have a substituent. A compound that is a good aromatic hydrocarbon group can be synthesized by a two-step esterification reaction as shown in the following formula.
Specifically, first, an alcohol represented by X 1 -OH is reacted with a dicarboxylic acid compound represented by W 1- (COOH) 2 or an anhydride thereof to carry out esterification, whereby the following reaction is carried out. A monoester compound of a dicarboxylic acid described in the formula (intermediate) is obtained. Then, the target compound is obtained by reacting the monoester compound of dicarboxylic acid described in the following reaction formula with an alcohol represented by Z 1 -OH. Either of the two-stage esterification reaction may be performed first, and an alcohol represented by Z 1 -OH and a dicarboxylic acid compound represented by W 1- (COOH) 2 or an anhydride thereof are reacted to form an ester. After the conversion, it may be reacted with an alcohol represented by X 1 -OH.
The dicarboxylic acid monoester compound described in the following reaction formula is represented by the formula (c1), wherein A 1 is —OCO—, A 2 is —COO—, and X 1 is a hydrogen atom. Compound.
Figure 2020003622

エステル化の方法は特に限定されない。好適なエステル化方法としては、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン等の触媒の存在下にカルボジイミド化合物等の縮合剤を作用させ、カルボン酸化合物と、アルコールとを縮合させる方法が挙げられる。また、カルボン酸化合物を、塩化チオニルや三塩化リン等のハロゲン化剤と反応させてカルボン酸ハライドを生成させた後、アルコールと反応させてもよい。   The esterification method is not particularly limited. A suitable esterification method includes a method in which a carboxylic acid compound and an alcohol are condensed with a condensing agent such as a carbodiimide compound in the presence of a catalyst such as N, N-dimethyl-4-aminopyridine. Alternatively, the carboxylic acid compound may be reacted with a halogenating agent such as thionyl chloride or phosphorus trichloride to form a carboxylic acid halide, and then reacted with an alcohol.

式(c1)で表され、Aが−NHCO−であり、Aが−CONH−である化合物は、下記式に示すように2段階のアミド化反応により合成することができる。
具体的には、まず、X−NHで表されるアミン化合物と、W−(COOH)で表されるジカルボン酸化合物又はその無水物とを反応させてアミド化を行うことにより、下記反応式中に記載のジカルボン酸のモノアミド化合物(中間体)を得る。その後、下記反応式中に記載のジカルボン酸のモノアミド化合物と、Z−NHで表されるアミン化合物又はアンモニアとを反応させて目的の化合物を得る。2段階のアミド化反応はどちらを先におこなってもよく、Z−NHで表されるアミン化合物とW−(COOH)で表されるジカルボン酸化合物又はその無水物とを反応させてアミド化を行った後に、X−NHで表されるアミン化合物又はアンモニアと反応させてもよい。

Figure 2020003622
The compound represented by the formula (c1), wherein A 1 is —NHCO— and A 2 is —CONH— can be synthesized by a two-stage amidation reaction as shown in the following formula.
Specifically, first, an amine compound represented by X 1 —NH 2 is reacted with a dicarboxylic acid compound represented by W 1 — (COOH) 2 or an anhydride thereof to perform amidation, The dicarboxylic acid monoamide compound (intermediate) described in the following reaction formula is obtained. Then, the target compound is obtained by reacting the monoamide compound of dicarboxylic acid described in the following reaction formula with an amine compound represented by Z 1 -NH 2 or ammonia. Either of the two-stage amidation reaction may be performed first , and an amine compound represented by Z 1 -NH 2 is reacted with a dicarboxylic acid compound represented by W 1- (COOH) 2 or an anhydride thereof. After performing the amidation by the above, the reaction may be caused to react with an amine compound represented by X 1 -NH 2 or ammonia.
Figure 2020003622

アミド化の方法は特に限定されない。好適なアミド化方法としては、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン等の触媒の存在下にカルボジイミド化合物等の縮合剤を作用させ、カルボン酸化合物、該カルボン酸化合物のハロゲン化物や該カルボン酸化合物の酸無水物とアミンとを縮合させる方法が挙げられる。   The method of amidation is not particularly limited. As a preferred amidation method, a carboxylic acid compound, a halide of the carboxylic acid compound, or a carboxylic acid compound is reacted with a condensing agent such as a carbodiimide compound in the presence of a catalyst such as N, N-dimethyl-4-aminopyridine. Examples of the method include a method of condensing an acid anhydride of a compound with an amine.

上記エステル化やアミド化反応における原料(Z−OH、Z−NH等)は、市販品を用いてもよく、また、ピペリジン、ピペラジンや、モルホリン等に対して、周知のアルキル化方法や、カップリング反応を適用して、目的とする化合物に応じてR〜Rを導入することにより合成されてもよい。 As the raw materials (Z 1 -OH, Z 1 -NH 2, etc.) in the above esterification or amidation reaction, commercially available products may be used, or piperidine, piperazine, morpholine, etc. Alternatively, it may be synthesized by applying a coupling reaction and introducing R 1 to R 9 depending on the target compound.

以上、式(c1)で表される化合物の製造方法について、A及びAがエステル結合又はカルボン酸アミド結合である場合について説明した。なお、A及びAがエステル結合及びカルボン酸アミド以外の結合である場合についても、エーテル結合生成反応、アシル化反応、カーボネート結合生成反応、アミノ基に対するN−置換基導入反応、ウレタン結合生成反応、チオエーテル結合生成反応、スルホキシド結合生成反応(例えば、チオエーテル結合の酸化)、及びスルホン結合生成反応についての周知の方法を適用することにより、式(c1)で表される化合物を製造可能である。 As described above, the method for producing the compound represented by the formula (c1) has been described in the case where A 1 and A 2 are ester bonds or carboxylic acid amide bonds. Note that if A 1 and A 2 is a bond other than an ester bond and a carboxylic acid amide is also an ether bond formation reaction, acylation reaction, a carbonate bond forming reaction, N- substituent introduction reaction to an amino group, a urethane bond generated The compound represented by the formula (c1) can be produced by applying a well-known method for a reaction, a thioether bond formation reaction, a sulfoxide bond formation reaction (for example, oxidation of a thioether bond), and a sulfone bond formation reaction. .

含窒素複素環化合物(C)は、上記樹脂(B)及び後述するアルカリ可溶性樹脂(D)の合計質量100質量部に対して、好ましくは0.01質量部以上5質量部以下の範囲で用いられ、より好ましくは0.01質量部以上3質量部以下の範囲で用いられ、さらに好ましくは0.05質量部以上2質量部以下の範囲で用いられる。   The nitrogen-containing heterocyclic compound (C) is preferably used in an amount of 0.01 part by mass or more and 5 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D) described later. It is more preferably used in the range of 0.01 part by mass or more and 3 parts by mass or less, and further preferably used in the range of 0.05 part by mass or more and 2 parts by mass or less.

<アルカリ可溶性樹脂(D)>
感光性樹脂組成物は、クラック耐性を向上させるため、さらにアルカリ可溶性樹脂(D)を含有することが好ましい。ここで、アルカリ可溶性樹脂とは、樹脂濃度20質量%の樹脂溶液(溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)により、膜厚1μmの樹脂膜を基板上に形成し、2.38質量%のTMAH水溶液に1分間浸漬した際、0.01μm以上溶解するものをいう。アルカリ可溶性樹脂(D)としては、ノボラック樹脂(D1)、ポリヒドロキシスチレン樹脂(D2)、及びアクリル樹脂(D3)からなる群より選ばれる少なくとも1種の樹脂であることが好ましい。
<Alkali-soluble resin (D)>
The photosensitive resin composition preferably further contains an alkali-soluble resin (D) in order to improve crack resistance. Here, the alkali-soluble resin is a resin solution having a resin concentration of 20% by mass (solvent: propylene glycol monomethyl ether acetate), a 1 μm-thick resin film is formed on a substrate, and a 2.38% by mass TMAH aqueous solution is formed. When immersed for 1 minute, it means that it is dissolved by 0.01 μm or more. The alkali-soluble resin (D) is preferably at least one resin selected from the group consisting of a novolak resin (D1), a polyhydroxystyrene resin (D2), and an acrylic resin (D3).

[ノボラック樹脂(D1)]
ノボラック樹脂は、例えばフェノール性水酸基を有する芳香族化合物(以下、単に「フェノール類」という。)とアルデヒド類とを酸触媒下で付加縮合させることにより得られる。
[Novolak resin (D1)]
The novolak resin is obtained, for example, by subjecting an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group (hereinafter, simply referred to as "phenols") and an aldehyde to addition condensation under an acid catalyst.

上記フェノール類としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール、p−フェニルフェノール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールA、没食子酸、没食子酸エステル、α−ナフトール、β−ナフトール等が挙げられる。
上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒド等が挙げられる。
付加縮合反応時の触媒は、特に限定されるものではないが、例えば酸触媒では、塩酸、硝酸、硫酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸等が使用される。
Examples of the phenols include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, o-butylphenol, m-butylphenol, p-butylphenol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5- Examples include trimethylphenol, p-phenylphenol, resorcinol, hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, pyrogallol, phloroglicinol, hydroxydiphenyl, bisphenol A, gallic acid, gallic acid ester, α-naphthol, β-naphthol and the like.
Examples of the aldehydes include formaldehyde, furfural, benzaldehyde, nitrobenzaldehyde, and acetaldehyde.
The catalyst at the time of the addition condensation reaction is not particularly limited. For example, as an acid catalyst, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, acetic acid and the like are used.

なお、o−クレゾールを使用すること、樹脂中の水酸基の水素原子を他の置換基に置換すること、あるいは嵩高いアルデヒド類を使用することにより、ノボラック樹脂の柔軟性を一層向上させることが可能である。   The flexibility of the novolak resin can be further improved by using o-cresol, substituting the hydrogen atom of the hydroxyl group in the resin with another substituent, or using a bulky aldehyde. It is.

ノボラック樹脂(D1)の質量平均分子量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、1000以上50000以下であることが好ましい。   The weight average molecular weight of the novolak resin (D1) is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, but is preferably 1,000 or more and 50,000 or less.

[ポリヒドロキシスチレン樹脂(D2)]
ポリヒドロキシスチレン樹脂(D2)を構成するヒドロキシスチレン系化合物としては、p−ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、α−エチルヒドロキシスチレン等が挙げられる。
さらに、ポリヒドロキシスチレン樹脂(D2)は、スチレン樹脂との共重合体とすることが好ましい。このようなスチレン樹脂を構成するスチレン系化合物としては、スチレン、クロロスチレン、クロロメチルスチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン等が挙げられる。
[Polyhydroxystyrene resin (D2)]
Examples of the hydroxystyrene-based compound constituting the polyhydroxystyrene resin (D2) include p-hydroxystyrene, α-methylhydroxystyrene, α-ethylhydroxystyrene, and the like.
Further, the polyhydroxystyrene resin (D2) is preferably a copolymer with a styrene resin. Examples of the styrene compound constituting such a styrene resin include styrene, chlorostyrene, chloromethylstyrene, vinyltoluene, and α-methylstyrene.

ポリヒドロキシスチレン樹脂(D2)の質量平均分子量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、1000以上50000以下であることが好ましい。   The weight average molecular weight of the polyhydroxystyrene resin (D2) is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, but is preferably from 1,000 to 50,000.

[アクリル樹脂(D3)]
アクリル樹脂(D3)としては、エーテル結合を有する重合性化合物から誘導された構成単位、及びカルボキシ基を有する重合性化合物から誘導された構成単位を含むことが好ましい。
[Acrylic resin (D3)]
The acrylic resin (D3) preferably contains a structural unit derived from a polymerizable compound having an ether bond and a structural unit derived from a polymerizable compound having a carboxy group.

上記エーテル結合を有する重合性化合物としては、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコール(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート、エチルカルビトール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート等のエーテル結合及びエステル結合を有する(メタ)アクリル酸誘導体等を例示することができる。上記エーテル結合を有する重合性化合物は、好ましくは、2−メトキシエチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレートである。これらの重合性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the polymerizable compound having an ether bond include 2-methoxyethyl (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, ethyl carbitol (meth) acrylate, and phenoxy polyethylene glycol ( Examples thereof include (meth) acrylic acid derivatives having an ether bond and an ester bond such as meth) acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, and tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate. The polymerizable compound having an ether bond is preferably 2-methoxyethyl acrylate or methoxytriethylene glycol acrylate. These polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.

上記カルボキシ基を有する重合性化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸類;マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸類;2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有する化合物;等を例示することができる。上記カルボキシ基を有する重合性化合物は、好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸である。これらの重合性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the polymerizable compound having a carboxy group include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, and itaconic acid; 2-methacryloyloxyethylsuccinic acid, and 2-methacryloyloxy. Compounds having a carboxy group and an ester bond, such as ethyl maleic acid, 2-methacryloyloxyethyl phthalic acid, and 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid; and the like. The polymerizable compound having a carboxy group is preferably acrylic acid or methacrylic acid. These polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.

アクリル樹脂(D3)の質量平均分子量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、50000以上800000以下であることが好ましい。   The weight average molecular weight of the acrylic resin (D3) is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, but is preferably 50,000 or more and 800,000 or less.

アルカリ可溶性樹脂(D)の含有量は、上記樹脂(B)とアルカリ可溶性樹脂(D)との合計を100質量部とした場合、0質量部以上80質量部以下が好ましく、0質量部以上60質量部以下がより好ましい。アルカリ可溶性樹脂(D)の含有量を上記の範囲とすることによりクラック耐性を向上させやすい。   When the total of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D) is 100 parts by mass, the content of the alkali-soluble resin (D) is preferably from 0 to 80 parts by mass, more preferably from 0 to 60 parts by mass. It is more preferably at most part by mass. When the content of the alkali-soluble resin (D) is in the above range, crack resistance can be easily improved.

<含硫黄化合物(E)>
感光性樹脂組成物が金属基板上でのパターン形成に用いられる場合、感光性樹脂組成物が、含硫黄化合物(E)を含むのが好ましい。含硫黄化合物(E)は、金属に対して配位し得る硫黄原子を含む化合物である。なお、2以上の互変異性体を生じ得る化合物に関して、少なくとも1つの互変異性体が金属基板の表面を構成する金属に対して配位する硫黄原子を含む場合、当該化合物は含硫黄化合物に該当する。
Cu等の金属からなる表面上に、めっき用の鋳型として用いられるレジストパターンを形成する場合、フッティング等の断面形状の不具合が生じやすい。しかし、感光性樹脂組成物が含硫黄化合物(E)を含む場合、基板における金属からなる表面上にレジストパターンを形成する場合でも、フッティング等の断面形状の不具合の発生を抑制しやすい。なお、「フッティング」とは、基板表面とレジストパターンの接触面付近においてレジスト部が非レジスト部側に張り出してしまうことによって、非レジスト部においてトップの幅よりもボトムの幅のほうが狭くなる現象である。
感光性樹脂組成物が金属基板以外の基板上でのパターン形成に用いられる場合、感光性樹脂組成物が含硫黄化合物を含む必要は特段ない。感光性樹脂組成物が金属基板以外の基板上でのパターン形成に用いられる場合、感光性樹脂組成物の成分数の低減により、感光性樹脂組成物の製造が容易である点や、感光性樹脂組成物の製造コストを低減できる点等から、感光性樹脂組成物が含硫黄化合物(E)を含まないのが好ましい。
なお、金属基板以外の基板上でのパターン形成に用いられる感光性樹脂組成物が含硫黄化合物(E)を含むことによる不具合は特段ない。
<Sulfur-containing compound (E)>
When the photosensitive resin composition is used for forming a pattern on a metal substrate, the photosensitive resin composition preferably contains a sulfur-containing compound (E). The sulfur-containing compound (E) is a compound containing a sulfur atom that can coordinate to a metal. With respect to the compound capable of generating two or more tautomers, when at least one tautomer contains a sulfur atom that coordinates to a metal constituting the surface of the metal substrate, the compound is a sulfur-containing compound. Applicable.
In the case where a resist pattern used as a plating mold is formed on a surface made of a metal such as Cu, a defect in a cross-sectional shape such as footing is likely to occur. However, when the photosensitive resin composition contains the sulfur-containing compound (E), even when a resist pattern is formed on the surface of the substrate made of metal, it is easy to suppress the occurrence of problems in cross-sectional shape such as footing. In addition, "footing" is a phenomenon in which the bottom of the non-resist part is narrower than the top width of the non-resist part because the resist part protrudes toward the non-resist part near the contact surface between the substrate surface and the resist pattern. It is.
When the photosensitive resin composition is used for pattern formation on a substrate other than a metal substrate, it is not particularly necessary that the photosensitive resin composition contains a sulfur-containing compound. When the photosensitive resin composition is used for pattern formation on a substrate other than a metal substrate, the reduction in the number of components of the photosensitive resin composition facilitates the production of the photosensitive resin composition, It is preferable that the photosensitive resin composition does not contain the sulfur-containing compound (E) from the viewpoint that the production cost of the composition can be reduced.
There is no particular problem caused by the photosensitive resin composition used for pattern formation on a substrate other than the metal substrate containing the sulfur-containing compound (E).

金属に対して配位し得る硫黄原子は、例えば、メルカプト基(−SH)、チオカルボキシ基(−CO−SH)、ジチオカルボキシ基(−CS−SH)、及びチオカルボニル基(−CS−)等として含硫黄化合物に含まれる。
金属に対して配位しやすく、フッティングの抑制効果に優れることから、含硫黄化合物がメルカプト基を有するのが好ましい。
Examples of the sulfur atom that can coordinate to a metal include a mercapto group (-SH), a thiocarboxy group (-CO-SH), a dithiocarboxy group (-CS-SH), and a thiocarbonyl group (-CS-). Etc. are included in sulfur-containing compounds.
It is preferable that the sulfur-containing compound has a mercapto group because it is easily coordinated with a metal and has an excellent effect of suppressing footing.

メルカプト基を有する含硫黄化合物の好ましい例としては、下記式(e1)で表される化合物が挙げられる。

Figure 2020003622
(式中、Re1及びRe2は、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基を示し、Re3は単結合又はアルキレン基を示し、Re4は炭素以外の原子を含んでいてもよいu価の脂肪族基を示し、uは2以上4以下の整数を示す。) Preferred examples of the sulfur-containing compound having a mercapto group include a compound represented by the following formula (e1).
Figure 2020003622
(Wherein, R e1 and R e2 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, R e3 represents a single bond or an alkylene group, and R e4 represents a u-valent fat which may contain an atom other than carbon. And u represents an integer of 2 or more and 4 or less.)

e1及びRe2がアルキル基である場合、当該アルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、直鎖状であるのが好ましい。Re1及びRe2がアルキル基である場合、当該アルキル基の炭素原子数は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。当該アルキル基の炭素原子数としては、1以上4以下が好ましく、1又は2であるのが特に好ましく、1であるのが最も好ましい。Re1とRe2との組み合わせとしては、一方が水素原子であり他方がアルキル基であるのが好ましく、一方が水素原子であり他方がメチル基であるのが特に好ましい。 When R e1 and R e2 are an alkyl group, the alkyl group may be linear or branched, and is preferably linear. When R e1 and R e2 are alkyl groups, the number of carbon atoms in the alkyl group is not particularly limited as long as the object of the present invention is not hindered. The number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 or more, 4 or less, particularly preferably 1 or 2, and most preferably 1. As a combination of R e1 and R e2 , one is preferably a hydrogen atom and the other is an alkyl group, and one is particularly preferably a hydrogen atom and the other is a methyl group.

e3がアルキレン基である場合、当該アルキレン基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよく、直鎖状であるのが好ましい。Re3がアルキレン基である場合、当該アルキレン基の炭素原子数は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。当該アルキレン基の炭素原子数としては、1以上10以下が好ましく、1以上5以下がより好ましく、1又は2であるのが特に好ましく、1であるのが最も好ましい。 When Re3 is an alkylene group, the alkylene group may be linear or branched, and is preferably linear. When Re3 is an alkylene group, the number of carbon atoms of the alkylene group is not particularly limited as long as the object of the present invention is not hindered. The number of carbon atoms in the alkylene group is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1 or more and 5 or less, particularly preferably 1 or 2, and most preferably 1.

e4は炭素以外の原子を含んでいてもよい2価以上4価以下の脂肪族基である。Re4が含んでいてもよい炭素以外の原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。Re4である脂肪族基の構造は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよく、これらの構造を組み合わせた構造であってもよい。 Re4 is a divalent to tetravalent aliphatic group which may contain atoms other than carbon. Examples of atoms other than carbon that may be included in Re4 include a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. The structure of the aliphatic group represented by Re4 may be linear, branched, cyclic, or a combination of these structures.

式(e1)で表される化合物の中では、下記式(e2)で表される化合物がより好ましい。

Figure 2020003622
(式(e2)中、Re4及びuは、式(e1)と同意である。) Among the compounds represented by the formula (e1), a compound represented by the following formula (e2) is more preferable.
Figure 2020003622
(In the formula (e2), Re4 and u are the same as the formula (e1).)

上記式(e2)で表される化合物の中では、下記の化合物が好ましい。

Figure 2020003622
Among the compounds represented by the above formula (e2), the following compounds are preferred.
Figure 2020003622

下記式(e3−L1)〜(e3−L7)で表される化合物も、メルカプト基を有する含硫黄化合物の好ましい例として挙げられる。

Figure 2020003622
(式(e3−L1)〜(e3−L7)中、R’、s”、A”、及びrは、アクリル樹脂(B3)について前述した、式(b−L1)〜(b−L7)と同様である。) Compounds represented by the following formulas (e3-L1) to (e3-L7) are also preferable examples of the sulfur-containing compound having a mercapto group.
Figure 2020003622
(In the formulas (e3-L1) to (e3-L7), R ′, s ″, A ″, and r are the same as the formulas (b-L1) to (b-L7) described above for the acrylic resin (B3). The same is true.)

上記式(e3−L1)〜(e3−L7)で表されるメルカプト化合物の好適な具体例としては、下記の化合物が挙げられる。

Figure 2020003622
Preferred specific examples of the mercapto compounds represented by the above formulas (e3-L1) to (e3-L7) include the following compounds.
Figure 2020003622

下記式(e3−1)〜(e3−4)で表される化合物も、メルカプト基を有する含硫黄化合物の好ましい例として挙げられる。

Figure 2020003622
(式(e3−1)〜(e3−4)中の略号の定義については、アクリル樹脂(B3)に関して前述した、式(3−1)〜(3−4)について前述した通りである。) Compounds represented by the following formulas (e3-1) to (e3-4) are also preferable examples of the sulfur-containing compound having a mercapto group.
Figure 2020003622
(The definitions of the abbreviations in the formulas (e3-1) to (e3-4) are as described above for the formulas (3-1) to (3-4) described above with respect to the acrylic resin (B3).)

上記式(e3−1)〜(e3−4)で表されるメルカプト化合物の好適な具体例としては、下記の化合物が挙げられる。   Preferred specific examples of the mercapto compounds represented by the above formulas (e3-1) to (e3-4) include the following compounds.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

また、メルカプト基を有する化合物の好適な例として、下記式(e4)で表される化合物が挙げられる。

Figure 2020003622
(式(e4)において、Re5は、水酸基、炭素原子数1以上4以下のアルキル基、炭素原子数1以上4以下のアルコキシ基、炭素数1以上4以下のアルキルチオ基、炭素数1以上4以下のヒドロキシアルキル基、炭素数1以上4以下のメルカプトアルキル基、炭素数1以上4以下のハロゲン化アルキル基及びハロゲン原子からなる群より選択される基であり、n1は0以上3以下の整数であり、n0は0以上3以下の整数であり、n1が2又は3である場合、Re5は同一であっても異なっていてもよい。) Preferred examples of the compound having a mercapto group include a compound represented by the following formula (e4).
Figure 2020003622
(In the formula (e4), R e5 represents a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkylthio group having 1 to 4 carbon atoms. A hydroxyalkyl group, a mercaptoalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and a halogen atom, wherein n1 is an integer of 0 to 3 And n0 is an integer of 0 or more and 3 or less, and when n1 is 2 or 3, Re5 may be the same or different.)

e5が炭素原子数1以上4以下の水酸基を有していてもよいアルキル基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、及びtert−ブチル基が挙げられる。これらのアルキル基の中では、メチル基、ヒドロキシメチル基、及びエチル基が好ましい。 When Re5 is an alkyl group which may have a hydroxyl group having 1 to 4 carbon atoms, specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, and an isobutyl group. Group, sec-butyl group, and tert-butyl group. Among these alkyl groups, a methyl group, a hydroxymethyl group, and an ethyl group are preferred.

e5が炭素原子数1以上4以下のアルコキシ基である場合の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、sec−ブチルオキシ基、及びtert−ブチルオキシ基が挙げられる。これらのアルコキシ基の中では、メトキシ基、及びエトキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。 When Re5 is an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, specific examples include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propyloxy group, an isopropyloxy group, an n-butyloxy group, an isobutyloxy group, and a sec-butyloxy group. And tert-butyloxy groups. Among these alkoxy groups, a methoxy group and an ethoxy group are preferred, and a methoxy group is more preferred.

e5が炭素原子数1以上4以下のアルキルチオ基である場合の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、n−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、及びtert−ブチルチオ基が挙げられる。これらのアルキルチオ基の中では、メチルチオ基、及びエチルチオ基が好ましく、メチルチオ基がより好ましい。 When Re5 is an alkylthio group having 1 to 4 carbon atoms, specific examples include a methylthio group, an ethylthio group, an n-propylthio group, an isopropylthio group, an n-butylthio group, an isobutylthio group, and a sec-butylthio group. , And tert-butylthio groups. Among these alkylthio groups, a methylthio group and an ethylthio group are preferred, and a methylthio group is more preferred.

e5が炭素原子数1以上4以下のヒドロキシアルキル基である場合の具体例としては、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシ−n−プロピル基、及び4−ヒドロキシ−n−ブチル基等が挙げられる。これらのヒドロキシアルキル基の中では、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、及び1−ヒドロキシエチル基が好ましく、ヒドロキシメチル基がより好ましい。 When Re5 is a hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, specific examples thereof include a hydroxymethyl group, a 2-hydroxyethyl group, a 1-hydroxyethyl group, a 3-hydroxy-n-propyl group, and 4 -Hydroxy-n-butyl group and the like. Among these hydroxyalkyl groups, a hydroxymethyl group, a 2-hydroxyethyl group, and a 1-hydroxyethyl group are preferred, and a hydroxymethyl group is more preferred.

e5が炭素原子数1以上4以下のメルカプトアルキル基である場合の具体例としては、メルカプトメチル基、2−メルカプトエチル基、1−メルカプトエチル基、3−メルカプト−n−プロピル基、及び4−メルカプト−n−ブチル基等が挙げられる。これらのメルカプトアルキル基の中では、メルカプトメチル基、2−メルカプトエチル基、及び1−メルカプトエチル基が好ましく、メルカプトメチル基がより好ましい。 When Re5 is a mercaptoalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, specific examples include mercaptomethyl, 2-mercaptoethyl, 1-mercaptoethyl, 3-mercapto-n-propyl, and 4 -Mercapto-n-butyl group and the like. Among these mercaptoalkyl groups, a mercaptomethyl group, a 2-mercaptoethyl group, and a 1-mercaptoethyl group are preferable, and a mercaptomethyl group is more preferable.

e5が炭素原子数1以上4以下のハロゲン化アルキル基である場合、ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。Re5が炭素原子数1以上4以下のハロゲン化アルキル基である場合の具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基、フルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、ジフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリフルオロメチル基、2−クロロエチル基、2−ブロモエチル基、2−フルオロエチル基、1,2−ジクロロエチル基、2,2−ジフルオロエチル基、1−クロロ−2−フルオロエチル基、3−クロロ−n−プロピル基、3−ブロモ−n−プロピル基、3−フルオロ−n−プロピル基、及び4−クロロ−n−ブチル基等が挙げられる。これらのハロゲン化アルキル基の中では、クロロメチル基、ブロモメチル基、ヨードメチル基、フルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、ジフルオロメチル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、及びトリフルオロメチル基が好ましく、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、及びトリフルオロメチル基がより好ましい。 When Re5 is a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, examples of the halogen atom contained in the halogenated alkyl group include fluorine, chlorine, bromine, and iodine. When Re5 is a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, specific examples include a chloromethyl group, a bromomethyl group, an iodomethyl group, a fluoromethyl group, a dichloromethyl group, a dibromomethyl group, a difluoromethyl group, Trichloromethyl group, tribromomethyl group, trifluoromethyl group, 2-chloroethyl group, 2-bromoethyl group, 2-fluoroethyl group, 1,2-dichloroethyl group, 2,2-difluoroethyl group, 1-chloro- Examples include a 2-fluoroethyl group, a 3-chloro-n-propyl group, a 3-bromo-n-propyl group, a 3-fluoro-n-propyl group, and a 4-chloro-n-butyl group. Among these halogenated alkyl groups, chloromethyl group, bromomethyl group, iodomethyl group, fluoromethyl group, dichloromethyl group, dibromomethyl group, difluoromethyl group, trichloromethyl group, tribromomethyl group, and trifluoromethyl group Are preferable, and a chloromethyl group, a dichloromethyl group, a trichloromethyl group, and a trifluoromethyl group are more preferable.

e5がハロゲン原子である場合の具体例としては、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素が挙げられる。 When Re5 is a halogen atom, specific examples include fluorine, chlorine, bromine and iodine.

式(e4)において、n1は0以上3以下の整数であり、1がより好ましい。n1が2又は3である場合、複数のRe5は同一であっても異なっていてもよい。 In the formula (e4), n1 is an integer of 0 to 3, and 1 is more preferable. When n1 is 2 or 3, a plurality of Re5 may be the same or different.

式(e4)で表される化合物において、ベンゼン環上のRe5の置換位置は特に限定されない。ベンゼン環上のRe5の置換位置は−(CHn0−SHの結合位置に対してメタ位又はパラ位であるのが好ましい。 In the compound represented by the formula (e4), the substitution position of Re5 on the benzene ring is not particularly limited. The substitution position of R e5 on the benzene ring are - (CH 2) n0 is preferably meta or para position with respect to the binding position of -SH.

式(e4)で表される化合物としては、Re5として、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、及びメルカプトアルキル基からなる群より選択される基を、少なくとも1つ有する化合物が好ましく、Re5として、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、及びメルカプトアルキル基からなる群より選択される基を1つ有する化合物がより好ましい。式(e4)で表される化合物が、Re5として、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、及びメルカプトアルキル基からなる群より選択される基を1つ有する場合、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、又はメルカプトアルキル基のベンゼン環上の置換位置は、−(CHn0−SHの結合位置に対してメタ位又はパラ位であるのが好ましく、パラ位であるのがより好ましい。 Examples of the compound represented by formula (e4), as R e5, alkyl group, hydroxyalkyl group, and a group selected from the group consisting of mercaptoalkyl group, a compound having at least one is preferable, as R e5, alkyl Compounds having one group selected from the group consisting of a group, a hydroxyalkyl group, and a mercaptoalkyl group are more preferred. Compounds of formula (e4) is, as R e5, alkyl group, hydroxyalkyl group, and optionally having one group selected from the group consisting of mercaptoalkyl group, an alkyl group, a hydroxyalkyl group, or mercaptoalkyl substitution positions on the benzene ring of the group, - (CH 2) is preferably a meta or para position with respect to the binding position of n0 -SH, and more preferably the para position.

式(e4)において、n0は0以上3以下の整数である。化合物の調製や、入手が容易であることからnは0又は1であるのが好ましく、0であるのがより好ましい。   In the formula (e4), n0 is an integer of 0 or more and 3 or less. N is preferably 0 or 1, and more preferably 0, because the compound is easily prepared and easily available.

式(e4)で表される化合物の具体例としては、p−メルカプトフェノール、p−チオクレゾール、m−チオクレゾール、4−(メチルチオ)ベンゼンチオール、4−メトキシベンゼンチオール、3−メトキシベンゼンチオール、4−エトキシベンゼンチオール、4−イソプロピルオキシベンゼンチオール、4−tert−ブトキシベンゼンチオール、3,4−ジメトキシベンゼンチオール、3,4,5−トリメトキシベンゼンチオール、4−エチルベンゼンチオール、4−イソプロピルベンゼンチオール、4−n−ブチルベンゼンチオール、4−tert−ブチルベンゼンチオール、3−エチルベンゼンチオール、3−イソプロピルベンゼンチオール、3−n−ブチルベンゼンチオール、3−tert−ブチルベンゼンチオール、3,5−ジメチルベンゼンチオール、3,4−ジメチルベンゼンチオール、3−tert−ブチル−4−メチルベンゼンチオール、3−tert−4−メチルベンゼンチオール、3−tert−ブチル−5−メチルベンゼンチオール、4−tert−ブチル−3−メチルベンゼンチオール、4−メルカプトベンジルアルコール、3−メルカプトベンジルアルコール、4−(メルカプトメチル)フェノール、3−(メルカプトメチル)フェノール、1,4−ジ(メルカプトメチル)フェノール、1,3−ジ(メルカプトメチル)フェノール、4−フルオロベンゼンチオール、3−フルオロベンゼンチオール、4−クロロベンゼンチオール、3−クロロベンゼンチオール、4−ブロモベンゼンチオール、4−ヨードベンゼンチオール、3−ブロモベンゼンチオール、3,4−ジクロロベンゼンチオール、3,5−ジクロロベンゼンチオール、3,4−ジフルオロベンゼンチオール、3,5−ジフルオロベンゼンチオール、4−メルカプトカテコール、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メルカプトフェノール、3,5−ジ−tert−ブチル−4−メトキシベンゼンチオール、4−ブロモ−3−メチルベンゼンチオール、4−(トリフルオロメチル)ベンゼンチオール、3−(トリフルオロメチル)ベンゼンチオール、3,5−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンチオール、4−メチルチオベンゼンチオール、4−エチルチオベンゼンチオール、4−n−ブチルチオベンゼンチオール、及び4−tert−ブチルチオベンゼンチオール等が挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the formula (e4) include p-mercaptophenol, p-thiocresol, m-thiocresol, 4- (methylthio) benzenethiol, 4-methoxybenzenethiol, 3-methoxybenzenethiol, 4-ethoxybenzenethiol, 4-isopropyloxybenzenethiol, 4-tert-butoxybenzenethiol, 3,4-dimethoxybenzenethiol, 3,4,5-trimethoxybenzenethiol, 4-ethylbenzenethiol, 4-isopropylbenzenethiol , 4-n-butylbenzenethiol, 4-tert-butylbenzenethiol, 3-ethylbenzenethiol, 3-isopropylbenzenethiol, 3-n-butylbenzenethiol, 3-tert-butylbenzenethiol, 3,5- Methylbenzenethiol, 3,4-dimethylbenzenethiol, 3-tert-butyl-4-methylbenzenethiol, 3-tert-4-methylbenzenethiol, 3-tert-butyl-5-methylbenzenethiol, 4-tert- Butyl-3-methylbenzenethiol, 4-mercaptobenzyl alcohol, 3-mercaptobenzyl alcohol, 4- (mercaptomethyl) phenol, 3- (mercaptomethyl) phenol, 1,4-di (mercaptomethyl) phenol, 1,3 -Di (mercaptomethyl) phenol, 4-fluorobenzenethiol, 3-fluorobenzenethiol, 4-chlorobenzenethiol, 3-chlorobenzenethiol, 4-bromobenzenethiol, 4-iodobenzenethiol, 3-bromobenzene All, 3,4-dichlorobenzenethiol, 3,5-dichlorobenzenethiol, 3,4-difluorobenzenethiol, 3,5-difluorobenzenethiol, 4-mercaptocatechol, 2,6-di-tert-butyl-4 -Mercaptophenol, 3,5-di-tert-butyl-4-methoxybenzenethiol, 4-bromo-3-methylbenzenethiol, 4- (trifluoromethyl) benzenethiol, 3- (trifluoromethyl) benzenethiol, Examples thereof include 3,5-bis (trifluoromethyl) benzenethiol, 4-methylthiobenzenethiol, 4-ethylthiobenzenethiol, 4-n-butylthiobenzenethiol, and 4-tert-butylthiobenzenethiol.

またメルカプト基を有する含硫黄化合物としては、メルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物、及びメルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物の互変異性体が挙げられる。
含窒素芳香族複素環の好適な具体例としては、イミダゾール、ピラゾール、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、1,2,3−トリアジン、1,2,4−トリアジン、1,3,5−トリアジン、インドール、インダゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、1H−ベンゾトリアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、及び1,8−ナフチリジンが挙げられる。
Examples of the sulfur-containing compound having a mercapto group include a compound containing a nitrogen-containing aromatic heterocycle substituted with a mercapto group and a tautomer of a compound containing a nitrogen-containing aromatic heterocycle substituted with a mercapto group. Can be
Preferred specific examples of the nitrogen-containing aromatic heterocyclic ring include imidazole, pyrazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, oxazole, thiazole, pyridine, pyrimidine, pyridazine, pyrazine, 1,2,2 3-triazine, 1,2,4-triazine, 1,3,5-triazine, indole, indazole, benzimidazole, benzoxazole, benzothiazole, 1H-benzotriazole, quinoline, isoquinoline, cinnoline, phthalazine, quinazoline, quinoxaline, And 1,8-naphthyridine.

含硫黄化合物として好適な含窒素複素環化合物、及び含窒素複素環化合物の互変異性体の好適な具体例としては、以下の化合物が挙げられる。

Figure 2020003622
Preferred specific examples of the nitrogen-containing heterocyclic compound suitable as the sulfur-containing compound and the tautomer of the nitrogen-containing heterocyclic compound include the following compounds.
Figure 2020003622

感光性樹脂組成物が含硫黄化合物(E)を含む場合、その使用量は、上記樹脂(B)及び後述するアルカリ可溶性樹脂(D)の合計質量100質量部に対して、0.01質量部以上5質量部以下が好ましく、0.02質量部以上3質量部以下がより好ましく、0.05質量部以上2質量部以下が特に好ましい。   When the photosensitive resin composition contains the sulfur-containing compound (E), the amount used is 0.01 parts by mass based on 100 parts by mass of the total mass of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D) described below. It is preferably from 5 to 5 parts by mass, more preferably from 0.02 to 3 parts by mass, particularly preferably from 0.05 to 2 parts by mass.

<酸拡散制御剤(F)>
感光性樹脂組成物は、鋳型として使用されるレジストパターンの形状や、感光性樹脂膜の引き置き安定性等の向上のため、さらに酸拡散制御剤(F)を含有することが好ましい。なお、感光性樹脂組成物が含有する上記含窒素複素環化合物(C)は酸拡散制御剤として機能し得る。本明細書においては、酸拡散制御剤(F)は、含窒素複素環化合物(C)以外の化合物として定義される。酸拡散制御剤(F)としては、含窒素化合物(F1)が好ましく、さらに必要に応じて、有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体(F2)を含有させることができる。
<Acid diffusion controller (F)>
It is preferable that the photosensitive resin composition further contains an acid diffusion controller (F) in order to improve the shape of a resist pattern used as a template, the stability of the photosensitive resin film being pulled, and the like. The nitrogen-containing heterocyclic compound (C) contained in the photosensitive resin composition can function as an acid diffusion controller. In the present specification, the acid diffusion controller (F) is defined as a compound other than the nitrogen-containing heterocyclic compound (C). As the acid diffusion controller (F), a nitrogen-containing compound (F1) is preferable, and an organic carboxylic acid or an oxo acid of phosphorus or a derivative thereof (F2) can be further contained as necessary.

[含窒素化合物(F1)]
含窒素化合物(F1)としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリベンジルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルアミン、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチルピロリドン、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3,−テトラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、8−オキシキノリン、アクリジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、2,4,6−トリ(2−ピリジル)−S−トリアジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、ピペラジン、1,4−ジメチルピペラジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、ピリジン等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[Nitrogen-containing compound (F1)]
Examples of the nitrogen-containing compound (F1) include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, tri-n-pentylamine, tribenzylamine, diethanolamine, triethanolamine, and n-hexylamine , N-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, ethylenediamine, N, N, N ', N'-tetramethylethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4 '-Diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylamine, formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-di Tylacetamide, propionamide, benzamide, pyrrolidone, N-methylpyrrolidone, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea , Imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 8-oxyquinoline, acridine, purine, pyrrolidine, piperidine, 2,4,6-tri (2-pyridyl) -S-triazine, morpholine, 4-methylmorpholine, piperazine, Examples include 1,4-dimethylpiperazine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, pyridine and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

また、4−ヒドロキシ−1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジン誘導体等の市販のヒンダードアミン化合物や、2,6−ジフェニルピリジン、及び2,6−ジ−tert−ブチルピリジン等の2,6−位を炭化水素基等の置換基で置換されたピリジンを含窒素化合物(F1)として用いることもできる。   Also, commercially available hindered amine compounds such as 4-hydroxy-1,2,2,6,6-pentamethylpiperidine derivatives, and 2,2 such as 2,6-diphenylpyridine and 2,6-di-tert-butylpyridine. Pyridine substituted at the 6-position with a substituent such as a hydrocarbon group can also be used as the nitrogen-containing compound (F1).

含窒素化合物(F1)は、上記樹脂(B)及び上記アルカリ可溶性樹脂(D)の合計質量100質量部に対して、通常0質量部以上5質量部以下の範囲で用いられ、0質量部以上3質量部以下の範囲で用いられることが特に好ましい。   The nitrogen-containing compound (F1) is generally used in an amount of 0 part by mass or more and 5 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the total of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D), and 0 part by mass or more. It is particularly preferable to use it in a range of 3 parts by mass or less.

[有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体(F2)]
有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体(F2)のうち、有機カルボン酸としては、具体的には、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸等が好適であり、特にサリチル酸が好ましい。
[Organic carboxylic acid or phosphorus oxo acid or derivative thereof (F2)]
Among organic carboxylic acids or phosphorus oxo acids or derivatives thereof (F2), specific examples of the organic carboxylic acid include malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, and salicylic acid. , Especially salicylic acid is preferred.

リンのオキソ酸又はその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸及びそれらのエステルのような誘導体;ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体;ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体;等が挙げられる。これらの中でも、特にホスホン酸が好ましい。これらは単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the oxo acid of phosphorus or a derivative thereof include phosphoric acid, phosphoric acid such as di-n-butyl phosphate, diphenyl phosphate, and derivatives such as esters thereof; phosphonic acid, dimethyl phosphonate, phosphonic acid- Phosphonic acids such as di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, phosphonic acid dibenzyl ester and derivatives thereof such as esters; phosphinic acids such as phosphinic acid and phenylphosphinic acid and esters thereof. Derivatives; and the like. Among these, phosphonic acid is particularly preferred. These may be used alone or in combination of two or more.

有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体(F2)は、上記樹脂(B)及び上記アルカリ可溶性樹脂(D)の合計質量100質量部に対して、通常0質量部以上5質量部以下の範囲で用いられ、0質量部以上3質量部以下の範囲で用いられることが特に好ましい。   The organic carboxylic acid or the oxo acid of phosphorus or a derivative thereof (F2) is usually present in an amount of from 0 parts by mass to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D) in total. It is particularly preferably used in the range of 0 to 3 parts by mass.

また、塩を形成させて安定させるために、有機カルボン酸、又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体(F2)は、上記含窒素化合物(F1)と同等量を用いることが好ましい。   Further, in order to form and stabilize a salt, it is preferable to use an organic carboxylic acid or an oxo acid of phosphorus or a derivative thereof (F2) in an amount equivalent to that of the nitrogen-containing compound (F1).

<有機溶剤(S)>
感光性樹脂組成物は、有機溶剤(S)を含有する。有機溶剤(S)の種類は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、従来よりポジ型の感光性樹脂組成物に使用されている有機溶剤から適宜選択して使用することができる。
<Organic solvent (S)>
The photosensitive resin composition contains an organic solvent (S). The type of the organic solvent (S) is not particularly limited as long as the object of the present invention is not hindered, and can be appropriately selected from organic solvents conventionally used in positive photosensitive resin compositions. .

有機溶剤(S)の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル、モノフェニルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体;ジオキサン等の環式エーテル類;蟻酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。   Specific examples of the organic solvent (S) include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone, and 2-heptanone; ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, and propylene glycol monoacetate. , Dipropylene glycol, polyhydric alcohols such as monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether and monophenyl ether of dipropylene glycol monoacetate and derivatives thereof; cyclic ethers such as dioxane; ethyl formate, lactic acid Methyl, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, pyrvin Ethyl, ethyl ethoxyacetate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate And esters such as 3-methoxybutyl acetate and 3-methyl-3-methoxybutyl acetate; and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. These may be used alone or as a mixture of two or more.

有機溶剤(S)の含有量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。感光性樹脂組成物を、スピンコート法等により得られる感光性樹脂層の膜厚が5μm以上となるような厚膜用途で用いる場合、感光性樹脂組成物の固形分濃度が30質量%以上55質量%以下となる範囲で、有機溶剤(S)を用いるのが好ましい。   The content of the organic solvent (S) is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired. When the photosensitive resin composition is used for a thick film application in which the thickness of the photosensitive resin layer obtained by a spin coating method or the like is 5 μm or more, the solid content concentration of the photosensitive resin composition is 30% by mass or more and 55% or more. It is preferable to use the organic solvent (S) within the range of not more than mass%.

<その他の成分>
感光性樹脂組成物は、可塑性を向上させるため、さらにポリビニル樹脂を含有していてもよい。ポリビニル樹脂の具体例としては、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリヒドロキシスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニル安息香酸、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルフェノール、及びこれらの共重合体等が挙げられる。ポリビニル樹脂は、ガラス転移点の低さの点から、好ましくはポリビニルメチルエーテルである。
<Other ingredients>
The photosensitive resin composition may further contain a polyvinyl resin in order to improve plasticity. Specific examples of the polyvinyl resin include polyvinyl chloride, polystyrene, polyhydroxystyrene, polyvinyl acetate, polyvinyl benzoic acid, polyvinyl methyl ether, polyvinyl ethyl ether, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl phenol, and copolymers thereof. Is mentioned. The polyvinyl resin is preferably polyvinyl methyl ether from the viewpoint of a low glass transition point.

また、感光性樹脂組成物は、感光性樹脂組成物を用いて形成される鋳型と金属基板との接着性を向上させるため、さらに接着助剤を含有していてもよい。   Further, the photosensitive resin composition may further contain an adhesion aid in order to improve the adhesiveness between a metal substrate and a mold formed using the photosensitive resin composition.

また、感光性樹脂組成物は、塗布性、消泡性、レベリング性等を向上させるため、さらに界面活性剤を含有していてもよい。界面活性剤としては、例えば、フッ素系界面活性剤やシリコーン系界面活性剤が好ましく用いられる。
フッ素系界面活性剤の具体例としては、BM−1000、BM−1100(いずれもBMケミー社製)、メガファックF142D、メガファックF172、メガファックF173、メガファックF183(いずれも大日本インキ化学工業社製)、フロラードFC−135、フロラードFC−170C、フロラードFC−430、フロラードFC−431(いずれも住友スリーエム社製)、サーフロンS−112、サーフロンS−113、サーフロンS−131、サーフロンS−141、サーフロンS−145(いずれも旭硝子社製)、SH−28PA、SH−190、SH−193、SZ−6032、SF−8428(いずれも東レシリコーン社製)等の市販のフッ素系界面活性剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
シリコーン系界面活性剤としては、未変性シリコーン系界面活性剤、ポリエーテル変性シリコーン系界面活性剤、ポリエステル変性シリコーン系界面活性剤、アルキル変性シリコーン系界面活性剤、アラルキル変性シリコーン系界面活性剤、及び反応性シリコーン系界面活性剤等を好ましく用いることができる。
シリコーン系界面活性剤としては、市販のシリコーン系界面活性剤を用いることができる。市販のシリコーン系界面活性剤の具体例としては、ペインタッドM(東レ・ダウコーニング社製)、トピカK1000、トピカK2000、トピカK5000(いずれも高千穂産業社製)、XL−121(ポリエーテル変性シリコーン系界面活性剤、クラリアント社製)、BYK−310(ポリエステル変性シリコーン系界面活性剤、ビックケミー社製)等が挙げられる。
Further, the photosensitive resin composition may further contain a surfactant in order to improve applicability, defoaming property, leveling property and the like. As the surfactant, for example, a fluorine-based surfactant or a silicone-based surfactant is preferably used.
Specific examples of the fluorinated surfactant include BM-1000, BM-1100 (all manufactured by BM Chemie), Megafac F142D, Megafac F172, Megafac F173, Megafac F183 (all of Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) Co., Ltd.), Florard FC-135, Florard FC-170C, Florard FC-430, Florard FC-431 (all manufactured by Sumitomo 3M), Surflon S-112, Surflon S-113, Surflon S-131, Surflon S- 141, commercially available fluorosurfactants such as Surflon S-145 (all manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428 (all manufactured by Toray Silicone Co., Ltd.) But are not limited to these.
As the silicone-based surfactant, unmodified silicone-based surfactant, polyether-modified silicone-based surfactant, polyester-modified silicone-based surfactant, alkyl-modified silicone-based surfactant, aralkyl-modified silicone-based surfactant, and A reactive silicone surfactant or the like can be preferably used.
As the silicone-based surfactant, a commercially available silicone-based surfactant can be used. Specific examples of commercially available silicone surfactants include Paintad M (manufactured by Dow Corning Toray), Topica K1000, Topica K2000, Topica K5000 (all manufactured by Takachiho Sangyo), XL-121 (polyether-modified silicone-based surfactant). Surfactant (manufactured by Clariant), BYK-310 (polyester-modified silicone-based surfactant, manufactured by Big Chemie), and the like.

また、感光性樹脂組成物は、現像液に対する溶解性の微調整を行うため、酸、酸無水物、又は高沸点溶媒をさらに含有していてもよい。   In addition, the photosensitive resin composition may further contain an acid, an acid anhydride, or a high-boiling solvent in order to finely adjust the solubility in a developer.

酸及び酸無水物の具体例としては、酢酸、プロピオン酸、n−酪酸、イソ酪酸、n−吉草酸、イソ吉草酸、安息香酸、桂皮酸等のモノカルボン酸類;乳酸、2−ヒドロキシ酪酸、3−ヒドロキシ酪酸、サリチル酸、m−ヒドロキシ安息香酸、p−ヒドロキシ安息香酸、2−ヒドロキシ桂皮酸、3−ヒドロキシ桂皮酸、4−ヒドロキシ桂皮酸、5−ヒドロキシイソフタル酸、シリンギン酸等のヒドロキシモノカルボン酸類;シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、イタコン酸、ヘキサヒドロフタル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸、1,2,4−シクロヘキサントリカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、1,2,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸等の多価カルボン酸類;無水イタコン酸、無水コハク酸、無水シトラコン酸、無水ドデセニルコハク酸、無水トリカルバニル酸、無水マレイン酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、無水ハイミック酸、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス無水トリメリタート、グリセリントリス無水トリメリタート等の酸無水物;等を挙げることができる。   Specific examples of acids and acid anhydrides include monocarboxylic acids such as acetic acid, propionic acid, n-butyric acid, isobutyric acid, n-valeric acid, isovaleric acid, benzoic acid, and cinnamic acid; lactic acid, 2-hydroxybutyric acid, Hydroxymonocarboxylic acids such as 3-hydroxybutyric acid, salicylic acid, m-hydroxybenzoic acid, p-hydroxybenzoic acid, 2-hydroxycinnamic acid, 3-hydroxycinnamic acid, 4-hydroxycinnamic acid, 5-hydroxyisophthalic acid and syringic acid Acids: oxalic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, maleic acid, itaconic acid, hexahydrophthalic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2,4-cyclohexanetricarboxylic acid Acid, butanetetracarboxylic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, cyclopentanetetracarbo Polycarboxylic acids such as acid, butanetetracarboxylic acid and 1,2,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid; itaconic anhydride, succinic anhydride, citraconic anhydride, dodecenylsuccinic anhydride, tricarbanilic anhydride, maleic anhydride; Hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, hymic anhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic anhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, phthalic anhydride, pyromellitic anhydride, anhydride Acid anhydrides such as trimellitic acid, benzophenone tetracarboxylic anhydride, ethylene glycol bis trimellitate, and glycerin tris trimellitate; and the like.

また、高沸点溶媒の具体例としては、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセタート等を挙げることができる。   Specific examples of the high boiling solvent include N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformanilide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, benzyl Ethyl ether, dihexyl ether, acetonylacetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate , Propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate and the like.

また、感光性樹脂組成物は、感度を向上させるため、増感剤をさらに含有していてもよい。   Further, the photosensitive resin composition may further contain a sensitizer for improving sensitivity.

このような、酸発生剤(A)と、樹脂(B)と、含窒素複素環化合物(C)とを含み、必要に応じて、アルカリ可溶性樹脂(D)、含硫黄化合物(E)、酸拡散抑制剤(F)、及び有機溶剤(S)等の成分を含んでいてもよい感光性樹脂組成物(化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物)は、感光性樹脂組成物の塗膜に対して、130℃で5分間加熱(プリベーク)した後、23℃において2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に30秒間接触させる操作を間隔をあけて2回行ったのちに純水でリンスを行ったときの膜減り速度が、0.1μm/min以上0.5μm/min以下であることが好ましい。なお、膜減り速度は、以下の式で求められる。
膜減り速度(μm/min)=(プリベーク後操作前の膜厚(μm)−2回の操作後の膜厚(μm))/水酸化テトラメチルアンモニウムの接触時間(min)
(式中、「操作」は、23℃において2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に30秒間接触させる操作を意味する。「膜厚」は感光性樹脂組成物の塗膜の膜厚を意味する。また、接触時間は、30秒×2、すなわち1分間である。)
Such an acid generator (A), a resin (B), and a nitrogen-containing heterocyclic compound (C), and if necessary, an alkali-soluble resin (D), a sulfur-containing compound (E), an acid The photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition), which may contain components such as the diffusion inhibitor (F) and the organic solvent (S), is added to the coating film of the photosensitive resin composition. On the other hand, after heating (prebaking) at 130 ° C. for 5 minutes, an operation of contacting with an aqueous solution of 2.38% by mass of tetramethylammonium hydroxide at 23 ° C. for 30 seconds was performed twice at intervals, followed by pure water. It is preferable that the film reduction rate upon rinsing is 0.1 μm / min or more and 0.5 μm / min or less. In addition, the film reduction rate is obtained by the following equation.
Film reduction rate (μm / min) = (film thickness before prebaking operation (μm) −film thickness after two operations (μm)) / contact time of tetramethylammonium hydroxide (min)
(In the formula, “operation” means an operation of contacting with an aqueous solution of 2.38% by mass of tetramethylammonium hydroxide at 23 ° C. for 30 seconds. “Thickness” refers to the thickness of the coating film of the photosensitive resin composition. The contact time is 30 seconds × 2, that is, 1 minute.)

ここで、膜減り速度が速いと、感光性樹脂組成物を用いて形成されたパターンの、めっき造形物を作製するときに用いるめっき液に対する耐性が悪化しやすい。このため、従来用いられている感光性樹脂組成物については、膜減り速度を低くするように設計されている場合が多い。
他方、上記の感光性樹脂組成物では、露光後の引き置き経時安定性(PED:post exposure delay)の向上の観点と、断面形状が良好な矩形であるパターンの形成の観点とから、例えば0.1μm/min以上0.5μm/min以下のような、従来用いられている感光性樹脂組成物の膜減り速度よりも高めの膜減り速度が好ましい。
この場合、露光後の引き置き経時安定性(PED:post exposure delay)が良好である感光性樹脂組成物を得やすい。露光された感光性樹脂層を長時間放置した場合、現像時のパターン形状の不具合が感光性樹脂層の表面付近に現れやすい。しかし、上記の膜減り速度を適切な範囲で高めに設定すると、感光性樹脂層の表面が現像時にわずかに溶解することによって、引き置きによる現像後のパターン形状の不具合を緩和することができる。
このような膜減り速度を採用する場合、例えば露光後現像開始までの引き置き時間を9時間以上としても、CD(Critical Dimension)変動は10%以内と小さくすることが容易である。
Here, if the film reduction rate is high, the resistance of the pattern formed by using the photosensitive resin composition to the plating solution used when producing a molded object tends to deteriorate. For this reason, conventionally used photosensitive resin compositions are often designed to reduce the film reduction rate.
On the other hand, in the above-mentioned photosensitive resin composition, for example, from the viewpoint of improving the stability over time (PED: post exposure delay) after exposure and from the viewpoint of forming a pattern having a good cross-sectional shape, for example, 0%. It is preferable that the film-removing speed is higher than the film-removing speed of the conventionally used photosensitive resin composition, such as from 0.1 μm / min to 0.5 μm / min.
In this case, it is easy to obtain a photosensitive resin composition having good post-exposure delay (PED: post exposure delay) after exposure. When the exposed photosensitive resin layer is left for a long time, a defect in the pattern shape during development tends to appear near the surface of the photosensitive resin layer. However, if the above-mentioned film reduction rate is set to a higher value within an appropriate range, the surface of the photosensitive resin layer is slightly dissolved at the time of development, so that it is possible to alleviate the problem of the pattern shape after development due to the pull-out.
When such a film reduction rate is adopted, for example, even if the delay time from the exposure to the start of development is set to 9 hours or more, it is easy to make the CD (Critical Dimension) fluctuation as small as 10% or less.

感光性樹脂組成物について、膜減り速度を上記の好ましい範囲内に調整する方法は特に限定されない。膜減り速度の調製方法の好ましい方法としては、アルカリ可溶性樹脂(D)の含有量を調整する方法が挙げられる。感光性樹脂組成物中のアルカリ可溶性樹脂(D)の含有量が多いほど、上記の膜減り速度が高まる。
また、膜減り速度の調整方法の他の好ましい方法としては、樹脂(B)における、アルカリ可溶性基を有するモノマーに由来する単位の量を調整する方法が挙げられる。樹脂(B)における、アルカリ可溶性基を有するモノマーに由来する単位の量が多いほど、上記の膜減り速度が高まる。
アルカリ可溶性基を有するモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、及びクロトン酸等のモノカルボン酸類;マレイン酸、フマル酸、及びイタコン酸等のジカルボン酸類;2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、2−メタクリロイルオキシエチルフタル酸、及び2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のカルボキシ基及びエステル結合を有するメタクリル酸誘導体類;ヒドロキシスチレン、α−メチルヒドロキシスチレン、及びα−エチルヒドロキシスチレン等のフェノール性水酸基を有するビニル基含有芳香族化合物類等が挙げられる。
With respect to the photosensitive resin composition, there is no particular limitation on the method for adjusting the film reduction rate within the above preferred range. As a preferable method of adjusting the film reduction rate, a method of adjusting the content of the alkali-soluble resin (D) is exemplified. The larger the content of the alkali-soluble resin (D) in the photosensitive resin composition, the higher the above-mentioned film reduction rate.
Another preferred method of adjusting the film reduction rate is a method of adjusting the amount of units derived from a monomer having an alkali-soluble group in the resin (B). The greater the amount of units derived from the monomer having an alkali-soluble group in the resin (B), the higher the above-mentioned film reduction rate.
Examples of the monomer having an alkali-soluble group include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, and itaconic acid; 2-methacryloyloxyethylsuccinic acid, and 2-methacryloyloxy. Methacrylic acid derivatives having a carboxy group and an ester bond such as ethylmaleic acid, 2-methacryloyloxyethylphthalic acid, and 2-methacryloyloxyethylhexahydrophthalic acid; hydroxystyrene, α-methylhydroxystyrene, and α-ethylhydroxy Examples thereof include vinyl group-containing aromatic compounds having a phenolic hydroxyl group such as styrene.

<化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物の調製方法>
化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物は、上記の各成分を通常の方法で混合、撹拌して調製される。上記の各成分を、混合、撹拌する際に使用できる装置としては、ディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミル等が挙げられる。上記の各成分を均一に混合した後に、得られた混合物を、さらにメッシュ、メンブランフィルタ等を用いて濾過してもよい。
<Preparation method of chemically amplified positive photosensitive resin composition>
The chemically amplified positive photosensitive resin composition is prepared by mixing and stirring each of the above-described components in a usual manner. Examples of an apparatus that can be used when mixing and stirring the above components include a dissolver, a homogenizer, and a three-roll mill. After uniformly mixing the above components, the resulting mixture may be further filtered using a mesh, a membrane filter, or the like.

≪感光性ドライフィルム≫
感光性ドライフィルムは、基材フィルムと、該基材フィルムの表面に形成された感光性樹脂層とを有し、感光性樹脂層が前述の感光性樹脂組成物からなるものである。
≪Photosensitive dry film≫
The photosensitive dry film has a base film and a photosensitive resin layer formed on the surface of the base film, and the photosensitive resin layer is made of the above-described photosensitive resin composition.

基材フィルムとしては、光透過性を有するものが好ましい。具体的には、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリプロピレン(PP)フィルム、ポリエチレン(PE)フィルム等が挙げられるが、光透過性及び破断強度のバランスに優れる点でポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムが好ましい。   As the base film, a film having light transmittance is preferable. Specifically, a polyethylene terephthalate (PET) film, a polypropylene (PP) film, a polyethylene (PE) film, and the like can be mentioned, but a polyethylene terephthalate (PET) film is preferable because of its excellent balance of light transmittance and breaking strength.

基材フィルム上に、前述の感光性樹脂組成物を塗布して感光性樹脂層を形成することにより、感光性ドライフィルムが製造される。
基材フィルム上に感光性樹脂層を形成するに際しては、アプリケーター、バーコーター、ワイヤーバーコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター等を用いて、基材フィルム上に乾燥後の膜厚が好ましくは0.5μm以上300μm以下、より好ましくは1μm以上300μm以下、特に好ましくは3μm以上100μm以下となるように感光性樹脂組成物を塗布し、乾燥させる。
A photosensitive dry film is produced by applying the above-mentioned photosensitive resin composition on a base film to form a photosensitive resin layer.
When the photosensitive resin layer is formed on the substrate film, the film thickness after drying on the substrate film using an applicator, a bar coater, a wire bar coater, a roll coater, a curtain flow coater, or the like is preferably 0. The photosensitive resin composition is applied to have a thickness of 5 μm or more and 300 μm or less, more preferably 1 μm or more and 300 μm or less, and particularly preferably 3 μm or more and 100 μm or less, and dried.

感光性ドライフィルムは、感光性樹脂層の上にさらに保護フィルムを有していてもよい。この保護フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリプロピレン(PP)フィルム、ポリエチレン(PE)フィルム等が挙げられる。   The photosensitive dry film may further have a protective film on the photosensitive resin layer. Examples of the protective film include a polyethylene terephthalate (PET) film, a polypropylene (PP) film, a polyethylene (PE) film, and the like.

≪パターン化されたレジスト膜、及び鋳型付き基板の製造方法≫
上記説明した感光性樹脂組成物を用いて、金属表面を有する基板上に、パターン化されたレジスト膜を形成する方法は特に限定されない。かかるパターン化されたレジスト膜は、絶縁膜、エッチングマスク、及びめっき造形物を形成するための鋳型等として好適に用いられる。
好適な方法としては、
金属表面を有する基板上に、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の感光性樹脂層を現像する現像工程と、
を含む、パターン化されたレジスト膜の製造方法が挙げられる。
めっき造形物を形成するための鋳型を備える鋳型付基板の製造方法は、金属表面を有する基板の金属表面上に感光性樹脂層を積層することと、現像工程において、現像によりめっき造形物を形成するための鋳型を作成することの他は、パターン化されたレジスト膜の製造方法と同様である。
<< Method of manufacturing patterned resist film and substrate with mold >>
The method for forming a patterned resist film on a substrate having a metal surface using the above-described photosensitive resin composition is not particularly limited. Such a patterned resist film is suitably used as an insulating film, an etching mask, a mold for forming a plated object, and the like.
The preferred method is
A laminating step of laminating a photosensitive resin layer made of a photosensitive resin composition on a substrate having a metal surface,
An exposure step of irradiating the photosensitive resin layer with position-selective irradiation with actinic rays or radiation, and
A developing step of developing the photosensitive resin layer after exposure,
And a method for producing a patterned resist film.
In a method of manufacturing a substrate with a mold having a mold for forming a plated molded article, a photosensitive resin layer is laminated on a metal surface of a substrate having a metal surface, and in a development step, a plated molded article is formed by development. The method is the same as the method for manufacturing a patterned resist film except that a mold for forming the resist film is formed.

感光性樹脂層を積層する基板としては、金属表面を有する基板が用いられる。金属表面を構成する金属種としては、銅、金、アルミニウムが好ましく、銅がより好ましい。上記の感光性樹脂組成物は、焦点深度(DOF)のマージンが広いため、基板表面の平坦性によらず、種々の基板を用いることができる。   As the substrate on which the photosensitive resin layer is laminated, a substrate having a metal surface is used. As the metal species constituting the metal surface, copper, gold, and aluminum are preferable, and copper is more preferable. Since the photosensitive resin composition has a wide margin of depth of focus (DOF), various substrates can be used regardless of the flatness of the substrate surface.

感光性樹脂層は、例えば以下のようにして、基板上に積層される。すなわち、液状の感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、加熱により溶媒を除去することによって所望の膜厚の感光性樹脂層を形成する。感光性樹脂層の厚さは、鋳型となるレジストパターンを所望の膜厚で形成できる限り特に限定されない。感光性樹脂層の膜厚は特に限定されないが、0.5μm以上が好ましく、0.5μm以上300μm以下がより好ましく、1μm以上150μm以下が特に好ましく、3μm以上100μm以下が最も好ましい。   The photosensitive resin layer is laminated on a substrate, for example, as follows. That is, a photosensitive resin composition in a desired thickness is formed by applying a liquid photosensitive resin composition on a substrate and removing the solvent by heating. The thickness of the photosensitive resin layer is not particularly limited as long as a resist pattern serving as a mold can be formed with a desired film thickness. The thickness of the photosensitive resin layer is not particularly limited, but is preferably 0.5 μm or more, more preferably 0.5 μm or more and 300 μm or less, particularly preferably 1 μm or more and 150 μm or less, most preferably 3 μm or more and 100 μm or less.

基板上への感光性樹脂組成物の塗布方法としては、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法等の方法を採用することができる。感光性樹脂層に対してはプレベークを行うのが好ましい。プレベーク条件は、感光性樹脂組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚等によって異なるが、通常は70℃以上200℃以下で、好ましくは80℃以上150℃以下で、2分以上120分以下程度である。   As a method for applying the photosensitive resin composition onto the substrate, a method such as a spin coating method, a slit coating method, a roll coating method, a screen printing method, and an applicator method can be employed. Prebaking is preferably performed on the photosensitive resin layer. The pre-bake conditions vary depending on the type, blending ratio, coating film thickness, etc. of each component in the photosensitive resin composition, but are usually 70 ° C. to 200 ° C., preferably 80 ° C. to 150 ° C., and are preferably 2 minutes or more. It is about 120 minutes or less.

上記のようにして形成された感光性樹脂層に対して、所定のパターンのマスクを介して、活性光線又は放射線、例えば波長が300nm以上500nm以下の紫外線又は可視光線が選択的に照射(露光)される。   The photosensitive resin layer formed as described above is selectively irradiated (exposed) with actinic rays or radiation, for example, ultraviolet rays or visible rays having a wavelength of 300 nm or more and 500 nm or less through a mask having a predetermined pattern. Is done.

放射線の線源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレーザー等を用いることができる。また、放射線には、マイクロ波、赤外線、可視光線、紫外線、X線、γ線、電子線、陽子線、中性子線、イオン線等が含まれる。放射線照射量は、感光性樹脂組成物の組成や感光性樹脂層の膜厚等によっても異なるが、例えば超高圧水銀灯使用の場合、100mJ/cm以上10000mJ/cm以下である。また、放射線には、酸を発生させるために、酸発生剤(A)を活性化させる光線が含まれる。 As a radiation source, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an argon gas laser, or the like can be used. The radiation includes microwaves, infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, X-rays, γ-rays, electron beams, proton beams, neutron beams, ion beams, and the like. Dose of radiation varies depending on the film thickness and the like of the composition of the photosensitive resin composition and a photosensitive resin layer, for example, in the case of ultra-high pressure mercury lamp used is 100 mJ / cm 2 or more 10000 mJ / cm 2 or less. The radiation includes a light beam that activates the acid generator (A) to generate an acid.

露光後は、公知の方法を用いて感光性樹脂層を加熱することにより酸の拡散を促進させて、感光性樹脂膜中の露光された部分において、感光性樹脂層のアルカリ溶解性を変化させる。   After exposure, the diffusion of acid is promoted by heating the photosensitive resin layer using a known method, and in the exposed portion of the photosensitive resin film, the alkali solubility of the photosensitive resin layer is changed. .

次いで、露光された感光性樹脂層を、従来知られる方法に従って現像し、不要な部分を溶解、除去することにより、所定のレジストパターン、又はめっき造形物を形成するための鋳型が形成される。この際、現像液としては、アルカリ性水溶液が使用される。   Next, the exposed photosensitive resin layer is developed according to a conventionally known method, and unnecessary portions are dissolved and removed to form a predetermined resist pattern or a mold for forming a plated molded product. At this time, an alkaline aqueous solution is used as a developer.

現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(水酸化テトラメチルアンモニウム)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノナン等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。また、上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。   Examples of the developer include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methyldiethylamine, Dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (tetramethylammonium hydroxide), tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene, 1,5 An aqueous solution of an alkali such as -diazabicyclo [4,3,0] -5-nonane can be used. In addition, an aqueous solution obtained by adding a suitable amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant to the aqueous solution of the above alkalis can also be used as the developer.

現像時間は、感光性樹脂組成物の組成や感光性樹脂層の膜厚等によっても異なるが、通常1分以上30分以下の間である。現像方法は、液盛り法、ディッピング法、パドル法、スプレー現像法等のいずれでもよい。   The development time varies depending on the composition of the photosensitive resin composition, the thickness of the photosensitive resin layer, and the like, but is usually between 1 minute and 30 minutes. The developing method may be any of a puddle method, a dipping method, a paddle method, a spray developing method and the like.

現像後は、流水洗浄を30秒以上90秒以下の間行い、エアーガンや、オーブン等を用いて乾燥させる。このようにして、金属表面を有する基板の金属表面上に、所望する形状にパターン化されたレジストパターンが形成される。また、このようにして、金属表面を有する基板の金属表面上に、鋳型となるレジストパターンを備える鋳型付き基板を製造できる。   After the development, washing with running water is performed for 30 seconds or more and 90 seconds or less, and drying is performed using an air gun, an oven, or the like. In this way, a resist pattern patterned into a desired shape is formed on the metal surface of the substrate having the metal surface. Further, in this manner, a substrate with a mold having a resist pattern serving as a mold on the metal surface of the substrate having the metal surface can be manufactured.

≪めっき造形物の製造方法≫
上記の方法により形成された鋳型付き基板の鋳型中の非レジスト部(現像液で除去された部分)に、めっきにより金属等の導体を埋め込むことにより、例えば、バンプ及びメタルポスト等の接続端子や、Cu再配線のようなめっき造形物を形成することができる。なお、めっき処理方法は特に制限されず、従来から公知の各種方法を採用することができる。めっき液としては、特にハンダめっき、銅めっき、金めっき、ニッケルめっき液が好適に用いられる。残っている鋳型は、最後に、常法に従って剥離液等を用いて除去される。
製造 Manufacturing method for molded objects≫
By embedding a conductor such as a metal by plating in a non-resist part (a part removed by a developing solution) in a mold of a mold-provided substrate formed by the above method, for example, connection terminals such as bumps and metal posts can be formed. In addition, it is possible to form a molded product such as Cu rewiring. The plating method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. As the plating solution, solder plating, copper plating, gold plating, and nickel plating solution are particularly preferably used. Finally, the remaining mold is removed using a stripper or the like according to a conventional method.

めっき造形物を製造する際、めっき造形物形成用の鋳型となるレジストパターンの非パターン部において露出された金属表面に対してアッシング処理を行うのが好ましい場合がある。
具体的には、例えば、含硫黄化合物(E)を含む感光性樹脂組成物を用いて形成されたパターンを鋳型として用いてめっき造形物を形成する場合である。この場合、めっき造形物の金属表面に対する密着性が損なわれやすい場合がある。この不具合は、前述の式(e1)で表される含硫黄化合物(E)や、式(e4)で表される含硫黄化合物(E)を用いる場合に顕著である。
しかし、上記のアッシング処理を行うと、含硫黄化合物(E)を含む感光性樹脂組成物を用いて形成されたパターンを鋳型として用いても、金属表面に良好に密着しためっき造形物を形成しやすい。
なお、メルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物を含硫黄化合物(E)として用いる場合については、めっき造形物の密着性に関する上記の問題は、ほとんどないか軽度である。このため、メルカプト基で置換された含窒素芳香族複素環を含む化合物を含硫黄化合物(E)として用いる場合は、アッシング処理を行なわずとも金属表面に対する密着性が良好なめっき造形物を形成しやすい。
When manufacturing a plated object, it may be preferable to perform an ashing process on a metal surface exposed in a non-pattern portion of a resist pattern serving as a mold for forming a plated object.
Specifically, for example, this is a case where a plated molded article is formed using a pattern formed using a photosensitive resin composition containing a sulfur-containing compound (E) as a template. In this case, the adhesion of the plated object to the metal surface may be easily impaired. This problem is remarkable when the sulfur-containing compound (E) represented by the above formula (e1) or the sulfur-containing compound (E) represented by the formula (e4) is used.
However, when the above-described ashing treatment is performed, even when a pattern formed using the photosensitive resin composition containing the sulfur-containing compound (E) is used as a mold, a plated molded article that is in good contact with the metal surface is formed. Cheap.
In the case where a compound containing a nitrogen-containing aromatic heterocyclic ring substituted with a mercapto group is used as the sulfur-containing compound (E), the above-mentioned problem relating to the adhesion of the plated molded article is scarce or slight. Therefore, when a compound containing a nitrogen-containing aromatic heterocyclic ring substituted with a mercapto group is used as the sulfur-containing compound (E), a plated molded article having good adhesion to a metal surface is formed without performing an ashing treatment. Cheap.

アッシング処理は、めっき造形物形成用の鋳型となるレジストパターンに、所望する形状のめっき造形物を形成できない程度のダメージを与えない方法であれば特に限定されない。
好ましいアッシング処理方法としては酸素プラズマを用いる方法が挙げられる。基板上の金属表面を、酸素プラズマを用いてアッシングするためには、公知の酸素プラズマ発生装置を用いて酸素プラズマを発生させ、当該酸素プラズマを基板上の金属表面に対して照射すればよい。
The ashing process is not particularly limited as long as the method does not damage the resist pattern serving as a mold for forming the plated object to such an extent that a plated object having a desired shape cannot be formed.
A preferable ashing treatment method is a method using oxygen plasma. In order to ash a metal surface on a substrate using oxygen plasma, oxygen plasma may be generated using a known oxygen plasma generator, and the oxygen plasma may be applied to the metal surface on the substrate.

酸素プラズマの発生に用いられるガスには、本発明の目的を阻害しない範囲で、従来、酸素とともにプラズマ処理に用いられている種々のガスを混合することができる。かかるガスとしては、例えば、窒素ガス、水素ガス、及びCFガス等が挙げられる。
酸素プラズマを用いるアッシング条件は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、処理時間は、例えば10秒以上20分以下の範囲であり、好ましくは20秒以上18分以下の範囲であり、より好ましくは30秒以上15分以下の範囲である。
酸素プラズマによる処理時間を上記の範囲に設定することで、レジストパターンの形状の変化をもたらすことなく、めっき造形物の密着性改良の効果を奏しやすくなる。
Various gases conventionally used for plasma processing together with oxygen can be mixed with the gas used for generating oxygen plasma within a range not to impair the object of the present invention. Examples of such a gas include a nitrogen gas, a hydrogen gas, and a CF 4 gas.
The ashing condition using oxygen plasma is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, but the processing time is, for example, in a range of 10 seconds to 20 minutes, and preferably in a range of 20 seconds to 18 minutes. And more preferably in the range from 30 seconds to 15 minutes.
By setting the treatment time by the oxygen plasma within the above range, the effect of improving the adhesion of the plated object can be easily obtained without causing a change in the shape of the resist pattern.

上記の方法によれば、断面形状が良好な矩形であるレジストパターンを、めっき造形物形成用の鋳型として用いることができるため、めっき造形物と基板表面との広い接触面積を確保しやすく、基板への密着性に優れるめっき造形物を製造することができる。   According to the above method, since a resist pattern having a good rectangular cross section can be used as a mold for forming a plated object, it is easy to secure a wide contact area between the plated object and the surface of the substrate. It is possible to produce a plated molded article having excellent adhesion to the substrate.

なお、下記式(c1−a)で表される化合物は新規化合物である。下記式(c1−a)で表される化合物は、式(c1)において、Wが置換基を有してもよい2価の環式基(W)に限定されていること以外は、式(c1)と同じであり、式(c1−a)中のZ、A、A、X、式(c2)中のR〜R、Y〜Y、式(c3)中のR、及び、R〜Rはそれぞれ式(c1)におけるものとそれぞれ同様である。また、式(c1−a)中のWとしての置換基を有してもよい2価の環式基は、式(c1)中のWにおける置換基を有してもよい2価の環式基と同様である。
−A−W−A−X (c1−a)
(式(c1−a)中、Zは下記式(c2):

Figure 2020003622
で表される含窒素複素環基であり、
及びAは、それぞれ独立に、単結合、又は、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCOO−、−NH−、−CONH−、−NHCO−、−NHCONH−、−S−、−SO−、及び−SO−からなる群より選択される2価の基であり、
は、置換基を有してもよい2価の環式基であり、
は、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
式(c2)中、R、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
〜Yのうちのいずれか1つが下記式(c3)又は式(c4):
Figure 2020003622
で表される3価の基であり、当該3価の基が有する3つの結合手のうち一つの結合手がAに連結され、
式(c3)中、Rは、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
〜Yのうちの2つが、それぞれ独立に、−CR−、−NR−、−O−及び−S−からなる群より選択される2価の基であり、
、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。) The compound represented by the following formula (c1-a) is a novel compound. The compound represented by the following formula (c1-a) is a compound represented by the formula (c1), except that W 1 is limited to a divalent cyclic group (W 2 ) which may have a substituent. The same as formula (c1), Z 1 , A 1 , A 2 , X 1 in formula (c1-a), R 1 to R 5 , Y 1 to Y 3 in formula (c2), and formula (c3) )), R 6 and R 7 to R 9 are the same as those in the formula (c1). Further, the divalent cyclic group which may have a substituent as W 2 in the formula (c1-a) is a divalent cyclic group which may have a substituent in W 1 in the formula (c1). It is the same as the cyclic group.
Z 1 -A 1 -W 2 -A 2 -X 1 (c1-a)
(In the formula (c1-a), Z 1 is the following formula (c2):
Figure 2020003622
Is a nitrogen-containing heterocyclic group represented by
A 1 and A 2 are each independently a single bond or —O—, —CO—, —COO—, —OCO—, —OCOO—, —NH—, —CONH—, —NHCO—, —NHCONH -, - S -, - SO- , and -SO 2 - is a divalent radical selected from the group consisting of,
W 2 is a divalent cyclic group which may have a substituent,
X 1 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
In the formula (c2), R 1 , R 2 and R 4 are each independently an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, R 3 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
Any one of Y 1 to Y 3 is represented by the following formula (c3) or formula (c4):
Figure 2020003622
Wherein one of the three bonds possessed by the trivalent group is linked to A 1 ,
In the formula (c3), R 6 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
Two of Y 1 to Y 3 are each independently a divalent group selected from the group consisting of —CR 7 R 8 —, —NR 9 —, —O— and —S—,
R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. )

式(c1−a)で表される化合物は、上記の感光性樹脂組成物以外の感光性樹脂組成物に含有させることもでき、また、感光性樹脂組成物以外の用途に用いることもできる。
式(c1−a)で表される化合物のLogS値は限定されないが、例えば上記の感光性樹脂組成物にも用いることができるという観点では、−4.00以下であることが好ましい。
The compound represented by the formula (c1-a) can be contained in a photosensitive resin composition other than the above-described photosensitive resin composition, and can be used for applications other than the photosensitive resin composition.
Although the LogS value of the compound represented by the formula (c1-a) is not limited, it is preferably −4.00 or less from the viewpoint that it can be used in the above-described photosensitive resin composition.

以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

〔調製例1〕
(メルカプト化合物E1の合成)
調製例1では、含硫黄化合物(E)として、下記構造のメルカプト化合物E1を合成した。

Figure 2020003622
[Preparation Example 1]
(Synthesis of Mercapto Compound E1)
In Preparation Example 1, a mercapto compound E1 having the following structure was synthesized as the sulfur-containing compound (E).
Figure 2020003622

フラスコ内に、7−オキサノルボルナ−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物15.00gと、テトラヒドロフラン150.00gを加えて撹拌した。次いで、フラスコ内に、チオ酢酸(AcSH)7.64gを加え、室温で3.5時間撹拌した。その後、反応液を濃縮して、5−アセチルチオ−7−オキサノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物22.11gを得た。
5−アセチルチオ−7−オキサノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物22.11gと、濃度10質量%の水酸化ナトリウム水溶液30.11gとをフラスコ内に加えた後、室温で、フラスコの内容物を2時間撹拌した。次いで、フラスコ内に、濃度20質量%の塩酸(80.00g)を加えて、反応液を酸性にした。その後、酢酸エチル200gによる抽出を4回行い、メルカプト化合物E1を含む抽出液を得た。抽出液を濃縮して回収された残渣に対して、テトラヒドロフラン(THF)25.11gを加えて溶解させた。得られたTHF溶液に、ヘプタンを滴下してメルカプト化合物E1を析出させ、析出したメルカプト化合物E1をろ過により回収した。メルカプト化合物E1のH−NMRの測定結果を以下に記す。
H−NMR(DMSO−d6):δ12.10(s,2H),4.72(d,1H),4.43(s,1H),3.10(t,1H),3.01(d,1H),2.85(d,1H),2.75(d,1H),2.10(t,1H),1.40(m,1H)

Figure 2020003622
In a flask, 15.00 g of 7-oxanorborna-5-ene-2,3-dicarboxylic anhydride and 150.00 g of tetrahydrofuran were added and stirred. Then, 7.64 g of thioacetic acid (AcSH) was added to the flask, and the mixture was stirred at room temperature for 3.5 hours. Thereafter, the reaction solution was concentrated to obtain 22.11 g of 5-acetylthio-7-oxanorbornane-2,3-dicarboxylic anhydride.
22.11 g of 5-acetylthio-7-oxanorbornane-2,3-dicarboxylic anhydride and 30.11 g of a 10% by mass aqueous sodium hydroxide solution were added to the flask, and the contents of the flask were added at room temperature. Was stirred for 2 hours. Next, hydrochloric acid (80.00 g) having a concentration of 20% by mass was added into the flask to make the reaction solution acidic. Thereafter, extraction with 200 g of ethyl acetate was performed four times to obtain an extract containing the mercapto compound E1. The extract was concentrated, and the residue collected was dissolved by adding 25.11 g of tetrahydrofuran (THF). Heptane was dropped into the obtained THF solution to precipitate a mercapto compound E1, and the precipitated mercapto compound E1 was recovered by filtration. The measurement results of 1 H-NMR of the mercapto compound E1 are described below.
1 H-NMR (DMSO-d6 ): δ12.10 (s, 2H), 4.72 (d, 1H), 4.43 (s, 1H), 3.10 (t, 1H), 3.01 ( d, 1H), 2.85 (d, 1H), 2.75 (d, 1H), 2.10 (t, 1H), 1.40 (m, 1H).
Figure 2020003622

〔調製例2〕
(含窒素複素環化合物C1の合成)
調製例2では、含窒素複素環化合物(C)として、下記含窒素複素環化合物C1を合成した。

Figure 2020003622
[Preparation Example 2]
(Synthesis of nitrogen-containing heterocyclic compound C1)
In Preparation Example 2, the following nitrogen-containing heterocyclic compound C1 was synthesized as the nitrogen-containing heterocyclic compound (C).
Figure 2020003622

5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物1.00g(6.09mmol)(東京化成工業製)を、2−プロパノール10g中に溶解させ、60℃で6時間撹拌したのち、2−プロパノールを減圧留去することで、中間体を得た。中間体と4−ヒドロキシ−1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジン1.04g(6.09mmol)(東京化成工業製)とを塩化メチレン10gに溶解させ、WSC・HCl(カルボジイミド化合物の塩酸塩)1.45g(7.61mmol)を加え室温で24時間撹拌した。反応液を濾過し析出物を除去したのち、1%塩酸10gで1回、純水10gで3回洗浄した後、10%水酸化ナトリウム水溶液10gで1回、純水10gで3回洗浄し、その後、溶剤を留去することで、目的のC1を1.29g得た。C1のH−NMRの測定結果を以下に記す。また、反応式を以下に示す。
H−NMR(DMSO−d6):δ6.10(m,2H),4.87−4.72(m,2H),3.23(m、2H),3.10(m,2H),2.15(s,3H),1.73(m,2H),1.35−1.22(m,4H),1.20−1.10(m,6H),1.07(d,6H),0.98(d,6H)

Figure 2020003622
After dissolving 1.00 g (6.09 mmol) of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) in 10 g of 2-propanol and stirring at 60 ° C. for 6 hours, 2-propanol was added. An intermediate was obtained by distillation under reduced pressure. The intermediate and 4-hydroxy-1,2,2,6,6-pentamethylpiperidine (1.04 g, 6.09 mmol) (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) are dissolved in 10 g of methylene chloride, and WSC · HCl (of carbodiimide compound) is dissolved. 1.45 g (7.61 mmol) of hydrochloride) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 24 hours. The reaction solution was filtered to remove precipitates, washed once with 1 g of 1% hydrochloric acid, three times with 10 g of pure water, and then washed once with 10 g of a 10% aqueous sodium hydroxide solution and three times with 10 g of pure water. Thereafter, the solvent was distilled off to obtain 1.29 g of the target C1. The measurement results of 1 H-NMR of C1 are described below. The reaction formula is shown below.
1 H-NMR (DMSO-d6): δ 6.10 (m, 2H), 4.87-4.72 (m, 2H), 3.23 (m, 2H), 3.10 (m, 2H), 2.15 (s, 3H), 1.73 (m, 2H), 1.35-1.22 (m, 4H), 1.20-1.10 (m, 6H), 1.07 (d, 6H), 0.98 (d, 6H)
Figure 2020003622

〔調製例3〕
(含窒素複素環化合物C2の合成)
調製例3では、含窒素複素環化合物(C)として、下記含窒素複素環化合物C2を合成した。

Figure 2020003622
[Preparation Example 3]
(Synthesis of nitrogen-containing heterocyclic compound C2)
In Preparation Example 3, the following nitrogen-containing heterocyclic compound C2 was synthesized as the nitrogen-containing heterocyclic compound (C).
Figure 2020003622

5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物1.00gをフタル酸無水物0.902gに変更した以外は調製例3と同様に合成しC2を1.19g得た。C2のH−NMRの測定結果を以下に記す。また、反応式を以下に示す。
H−NMR(DMSO−d6):δ7.80−7.60(m,4H),5.20−5.08(m,2H),2.20(s、3H),1.92(dd,2H),1.45(t,2H),1.26(d,6H),1.11(s,6H),1.08(s,6H)

Figure 2020003622
Synthesis was performed in the same manner as in Preparation Example 3 except that 1.00 g of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride was changed to 0.902 g of phthalic anhydride, thereby obtaining 1.19 g of C2. The measurement results of 1 H-NMR of C2 are described below. The reaction formula is shown below.
1 H-NMR (DMSO-d6 ): δ7.80-7.60 (m, 4H), 5.20-5.08 (m, 2H), 2.20 (s, 3H), 1.92 (dd , 2H), 1.45 (t, 2H), 1.26 (d, 6H), 1.11 (s, 6H), 1.08 (s, 6H).
Figure 2020003622

〔調製例4〕
(含窒素複素環化合物C3の合成)
調製例4では、含窒素複素環化合物(C)として、下記含窒素複素環化合物C3を合成した。

Figure 2020003622
[Preparation Example 4]
(Synthesis of nitrogen-containing heterocyclic compound C3)
In Preparation Example 4, the following nitrogen-containing heterocyclic compound C3 was synthesized as the nitrogen-containing heterocyclic compound (C).
Figure 2020003622

窒素雰囲気下−20℃に冷却したフラスコ内に1.13M LDA(リチウムジイソプロピルアミド)のヘキサン溶液を5.97mL加えた。次いで、t−ブチルアルコール0.500gを溶解させたTHF(テトラヒドロフラン)溶液5.00gをフラスコ内に滴下した。30分間、−20℃でフラスコの内容物を撹拌した後、フタル酸無水物1.00g(6.75mmol)を溶解させたTHF溶液10.0gをフラスコ内に滴下した。滴下後、フラスコの内容物の温度を室温まで上昇させながら、内容物を4時間撹拌した。撹拌後、水15gを加え反応を停止した。分液操作で水相を回収した後、t−ブチルメチルエーテル10gで3回、回収された水相を洗浄した。洗浄された水相に10%塩酸水溶液をpHが1になるまで加えた後、塩化メチレン10gで3回抽出した。塩化メチレン相を水洗した後、塩化メチレン相の溶媒を留去した。得られた粗成生物を塩化メチレン、ヘプタンで再沈殿し中間体を1.01g得た。中間体と4−ヒドロキシ−1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジン0.777g(4.54mmol)(東京化成工業製)とを塩化メチレン10gに溶解させ、WSC・HCl 1.08g(5.67mmol)を加え室温で24時間撹拌した。反応液を濾過し析出物を除去した後、1%塩酸10gで1回、純水10gで3回洗浄した後、10%水酸化ナトリウム水溶液10gで1回、純水10gで3回洗浄し、その後、溶剤を留去することで目的のC3を0.851g得た。C3のH−NMRの測定結果を以下に記す。また、反応式を以下に示す。
H−NMR(DMSO−d6):δ7.80−7.60(m,4H),5.20−5.10(m,1H),2.18(s、3H), 1.90(dd,2H),1.47(t,2H),1.20(s,9H),1.10(s,6H),1.05(s,6H)

Figure 2020003622
In a flask cooled to −20 ° C. under a nitrogen atmosphere, 5.97 mL of a hexane solution of 1.13 M LDA (lithium diisopropylamide) was added. Next, 5.00 g of a THF (tetrahydrofuran) solution in which 0.500 g of t-butyl alcohol was dissolved was dropped into the flask. After stirring the content of the flask at −20 ° C. for 30 minutes, 10.0 g of a THF solution in which 1.00 g (6.75 mmol) of phthalic anhydride was dissolved was dropped into the flask. After the dropwise addition, the content was stirred for 4 hours while the temperature of the content of the flask was raised to room temperature. After stirring, 15 g of water was added to stop the reaction. After recovering the aqueous phase by a liquid separation operation, the recovered aqueous phase was washed three times with 10 g of t-butyl methyl ether. A 10% aqueous hydrochloric acid solution was added to the washed aqueous phase until the pH became 1, followed by extraction with 10 g of methylene chloride three times. After washing the methylene chloride phase with water, the solvent of the methylene chloride phase was distilled off. The obtained crude product was reprecipitated with methylene chloride and heptane to obtain 1.01 g of an intermediate. The intermediate and 4-hydroxy-1,2,2,6,6-pentamethylpiperidine 0.777 g (4.54 mmol) (manufactured by Tokyo Chemical Industry) are dissolved in 10 g of methylene chloride, and 1.08 g of WSC.HCl ( 5.67 mmol) and stirred at room temperature for 24 hours. The reaction solution was filtered to remove precipitates, washed once with 1 g of 1% hydrochloric acid, washed three times with 10 g of pure water, then washed once with 10 g of a 10% aqueous sodium hydroxide solution, and washed three times with 10 g of pure water. Thereafter, the solvent was distilled off to obtain 0.851 g of the target C3. The measurement results of 1 H-NMR of C3 are described below. The reaction formula is shown below.
1 H-NMR (DMSO-d6 ): δ7.80-7.60 (m, 4H), 5.20-5.10 (m, 1H), 2.18 (s, 3H), 1.90 (dd , 2H), 1.47 (t, 2H), 1.20 (s, 9H), 1.10 (s, 6H), 1.05 (s, 6H).
Figure 2020003622

〔調製例5〕
(含窒素複素環化合物C’2の合成)
調製例5では、下記添加剤C’2を合成した。

Figure 2020003622
[Preparation Example 5]
(Synthesis of nitrogen-containing heterocyclic compound C'2)
In Preparation Example 5, the following additive C′2 was synthesized.
Figure 2020003622

4−ヒドロキシ−1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジン1.00g(5.74mmol)(東京化成工業製)と、コハク酸モノ−tert−ブチルエステル(東京化成工業製)1.00g(5.74mmol)を塩化メチレン10gに溶解させ、WSC・HCl 1.37g(7.17mmol)を加え室温で24時間撹拌した。反応液を濾過し析出物を除去した後、1%塩酸10gで1回、純水10gで3回洗浄した後、10%水酸化ナトリウム水溶液10gで1回、純水10gで3回洗浄し、その後、溶剤を留去することで目的のC’2を1.33g得た。C’2のH−NMRの測定結果を以下に記す。また、反応式を以下に示す。
H−NMR(DMSO−d6):δ4.93(m,1H),2.44(m,4H),2.13(s,3H),1.78(dd,2H),1.41−1.31(m,11H),1.08(s,6H),1.05(s,6H)

Figure 2020003622
1.00 g (5.74 mmol) of 4-hydroxy-1,2,2,6,6-pentamethylpiperidine (Tokyo Kasei Kogyo) and 1.00 g of mono-tert-butyl succinate (Tokyo Kasei Kogyo) (5.74 mmol) was dissolved in 10 g of methylene chloride, and 1.37 g (7.17 mmol) of WSC.HCl was added, followed by stirring at room temperature for 24 hours. The reaction solution was filtered to remove precipitates, washed once with 1 g of 1% hydrochloric acid, washed three times with 10 g of pure water, then washed once with 10 g of a 10% aqueous sodium hydroxide solution, and washed three times with 10 g of pure water. Thereafter, the solvent was distilled off to obtain 1.33 g of the target C'2. The results of 1 H-NMR measurement of C′2 are described below. The reaction formula is shown below.
1 H-NMR (DMSO-d6): δ 4.93 (m, 1H), 2.44 (m, 4H), 2.13 (s, 3H), 1.78 (dd, 2H), 1.41- 1.31 (m, 11H), 1.08 (s, 6H), 1.05 (s, 6H)
Figure 2020003622

〔実施例1〜12、及び比較例1〜10〕
実施例1〜12、及び比較例1〜10では、酸発生剤(A)として下記式の化合物A1を用いた。

Figure 2020003622
[Examples 1 to 12, and Comparative Examples 1 to 10]
In Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 10, the compound A1 represented by the following formula was used as the acid generator (A).
Figure 2020003622

実施例1〜12、及び比較例1〜10では、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(樹脂(B))として、以下の樹脂B1、B2、B3及びB4を用いた。下記構造式における各構成単位中の括弧の右下の数字は、各樹脂中の構成単位の含有量(質量%)を表す。樹脂B1の質量平均分子量Mwは106,000である。樹脂B2の質量平均分子量Mwは106,000である。樹脂B3の数平均分子量は106,000である。樹脂B4の質量平均分子量Mwは40,000であり、分散度(Mw/Mn)は2.6である。

Figure 2020003622
In Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 10, the following resins B1, B2, B3 and B4 were used as resins (resin (B)) whose solubility in alkali increased by the action of an acid. The number at the lower right of the parenthesis in each structural unit in the following structural formula represents the content (% by mass) of the structural unit in each resin. The weight average molecular weight Mw of the resin B1 is 106,000. The weight average molecular weight Mw of the resin B2 is 106,000. The number average molecular weight of the resin B3 is 106,000. The weight average molecular weight Mw of the resin B4 is 40,000, and the degree of dispersion (Mw / Mn) is 2.6.
Figure 2020003622

含窒素複素環化合物(C)として、実施例1〜12では上記のC1〜C3を用いた。比較例1〜10では、含窒素複素環化合物(C)の代替の添加剤(C’)として、下記のC’1、C’2及びC’3を用いた。
Windows版chemdraw prime(16.0)で算出されたC1、C2、C3、C’1、C’2及びC’3のLogS値は、以下の通りである。
C1:−4.245
C2:−5.052
C3:−5.384
C’1:−1.473
C’2:−3.370
C’3:−4.222

Figure 2020003622
In Examples 1 to 12, the above C1 to C3 were used as the nitrogen-containing heterocyclic compound (C). In Comparative Examples 1 to 10, the following C′1, C′2 and C′3 were used as alternative additives (C ′) to the nitrogen-containing heterocyclic compound (C).
LogS values of C1, C2, C3, C′1, C′2 and C′3 calculated by the Windows version chemdraw prime (16.0) are as follows.
C1: -4.245
C2: -5.052
C3: -5.384
C'1: -1.473
C'2: -3.370
C'3: -4.222
Figure 2020003622

アルカリ可溶性樹脂(D)としては、以下の樹脂D1及びD2を用いた。
D1:ポリヒドロキシスチレン樹脂(p−ヒドロキシスチレン:スチレン=85:15(質量比)の共重合体、質量平均分子量(Mw)2500、分散度(Mw/Mn)2.4)
D2:ノボラック樹脂(m−クレゾール単独縮合体(質量平均分子量(Mw)8000)
The following resins D1 and D2 were used as the alkali-soluble resin (D).
D1: Polyhydroxystyrene resin (p-hydroxystyrene: styrene = copolymer of 85:15 (mass ratio), mass average molecular weight (Mw) 2500, dispersity (Mw / Mn) 2.4)
D2: novolak resin (m-cresol homocondensate (mass average molecular weight (Mw) 8000)

含硫黄化合物(E)として、調製例1で得たメルカプト化合物E1を用いた。   The mercapto compound E1 obtained in Preparation Example 1 was used as the sulfur-containing compound (E).

それぞれ表1に記載の種類及び量の、酸発生剤(A)と、樹脂(B)と、含窒素複素環化合物(C)又は添加剤(C’)と、アルカリ可溶性樹脂(D)と、含硫黄化合物(E)と、界面活性剤(BYK310、ビックケミー社製)0.05質量部とを、固形分濃度が40質量%となるように、3−メトキシブチルアセテート(MA)とプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PM)との混合溶剤(MA/PM=6/4(質量比))に溶解させて、各実施例及び比較例の感光性樹脂組成物を得た。   Acid generator (A), resin (B), nitrogen-containing heterocyclic compound (C) or additive (C ′), and an alkali-soluble resin (D) of the kind and amount shown in Table 1, respectively; 3-methoxybutyl acetate (MA) and propylene glycol monomethyl were mixed with the sulfur-containing compound (E) and 0.05 parts by mass of a surfactant (BYK310, manufactured by BYK-Chemie) so that the solid content concentration became 40% by mass. It was dissolved in a mixed solvent (MA / PM = 6/4 (mass ratio)) with ether acetate (PM) to obtain photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples.

得られた感光性樹脂組成物を用いて、以下の方法に従って、形状と、焦点深度(DOF)のマージンと、膜減り速度と、PEDとを評価した。これらの評価結果を表1に記す。   Using the obtained photosensitive resin composition, the shape, the depth of focus (DOF) margin, the film reduction rate, and the PED were evaluated according to the following methods. Table 1 shows the results of these evaluations.

[形状の評価]
実施例、及び比較例の感光性樹脂組成物を、直径8インチの銅基板上に塗布し、膜厚7μmの感光性樹脂層(感光性樹脂組成物の塗膜)を形成した。次いで、感光性樹脂層を130℃で5分間プリベークした。プリベーク後、ライン幅2μmスペース幅2μmのラインアンドスペースパターンのマスクと露光装置Prisma GHI5452(ウルトラテック社製)とを用いて、所定のサイズのパターンを形成可能な最低露光量の1.2倍の露光量にて、ghi線でパターン露光した。次いで、パターン露光後9時間経過した後に、基板をホットプレート上に載置して90℃で1.5分間の露光後加熱(PEB)を行った。PEBの直後に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38重量%水溶液(現像液、NMD−3、東京応化工業株式会社製)を露光された感光性樹脂層に滴下した後に23℃で30秒間静置する操作を、計2回繰り返して行った。その後、レジストパターン表面を流水洗浄(リンス)した後に、窒素ブローしてレジストパターンを得た。このレジストパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡により観察して、パターンの断面形状を評価した。
具体的には、レジストパターンの基板に接触する面とは反対の面(トップ)がフラット(平面状)であり、レジストパターン断面のトップの幅がレジストパターン断面の厚さ方向中間部分のパターン幅とほぼ同じ場合に○評価とした。また、レジストパターンのトップがラウンドする(丸くなる)か、レジストパターン断面のトップの幅がレジストパターン断面の厚さ方向中間部分のパターン幅と大きく異なる場合を×評価とした。なお、全ての実施例において、レジストパターン断面の厚さ方向中間部分のパターン幅は、レジストパターン断面の基板に接触する面(ボトム)の幅とほぼ同じであった。
[Evaluation of shape]
The photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples were applied on a copper substrate having a diameter of 8 inches to form a 7 μm-thick photosensitive resin layer (a coating film of the photosensitive resin composition). Next, the photosensitive resin layer was pre-baked at 130 ° C. for 5 minutes. After pre-baking, using a line-and-space pattern mask having a line width of 2 μm and a space width of 2 μm and an exposure apparatus Prism GHI5452 (Ultratech), it is 1.2 times the minimum exposure amount capable of forming a pattern of a predetermined size. Pattern exposure was performed with ghi-line at the exposure amount. Next, 9 hours after the pattern exposure, the substrate was placed on a hot plate and subjected to post-exposure bake (PEB) at 90 ° C. for 1.5 minutes. Immediately after PEB, a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (developing solution, NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was dropped on the exposed photosensitive resin layer, and the mixture was allowed to stand at 23 ° C. for 30 seconds. This operation was repeated twice in total. Thereafter, the resist pattern surface was washed with running water (rinsed), and then nitrogen was blown to obtain a resist pattern. The cross-sectional shape of the resist pattern was observed with a scanning electron microscope to evaluate the cross-sectional shape of the pattern.
Specifically, the surface (top) of the resist pattern opposite to the surface in contact with the substrate is flat (planar), and the width of the top of the cross section of the resist pattern is the pattern width of the middle part in the thickness direction of the cross section of the resist pattern. When it was almost the same as in the above, it was evaluated as ○. In addition, a case where the top of the resist pattern was rounded (rounded) or the width of the top of the cross section of the resist pattern was significantly different from the pattern width of the middle portion in the thickness direction of the cross section of the resist pattern was evaluated as x. In all the examples, the pattern width at the middle part in the thickness direction of the cross section of the resist pattern was substantially the same as the width (bottom) of the cross section of the resist pattern in contact with the substrate.

[焦点深度(DOF)のマージンの評価]
[形状の評価]と同様の方法により、ライン幅2μmスペース幅2μmのラインアンドスペースパターンを形成した。この時、パターンが独立して自立可能である焦点の範囲を調べた。
焦点の範囲が32μm以上である場合を◎と判定し、焦点の範囲が28μm以上32μm未満である場合を○と判定し、焦点の範囲が28μm未満である場合を×と判定した。
[Evaluation of DOF margin]
A line and space pattern having a line width of 2 μm and a space width of 2 μm was formed in the same manner as in [Evaluation of Shape]. At this time, the range of the focus where the pattern can be independently independent was examined.
The case where the focus range was 32 μm or more was judged as ◎, the case where the focus range was 28 μm or more and less than 32 μm was judged as ○, and the case where the focus range was less than 28 μm was judged as x.

[膜減り速度の評価]
実施例、及び比較例の感光性樹脂組成物を、Si基板上に塗布し、膜厚7μmの感光性樹脂層(感光性樹脂組成物の塗膜)を形成した。次いで、感光性樹脂層を130℃で5分間プリベークした。プリベーク後、感光性樹脂層に対して、23℃において2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に30秒間接触させる操作を間隔をあけて2回行った後、感光性樹脂層を純水でリンスした。プリベーク後、感光性樹脂層に対して23℃において2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に30秒間接触させる操作を行う前の感光性樹脂層の厚さ、及び、リンス後の感光性樹脂層の厚さを測定し、前者から後者を引いた値を、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38重量%水溶液を感光性樹脂層に接触させた時間(接触時間の合計である1分間)で除した値を、膜減り速度とした。結果を表1に示す。
[Evaluation of film reduction rate]
The photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples were applied on a Si substrate to form a 7 μm-thick photosensitive resin layer (a coating film of the photosensitive resin composition). Next, the photosensitive resin layer was pre-baked at 130 ° C. for 5 minutes. After pre-baking, the photosensitive resin layer was twice subjected to an operation of contacting with an aqueous solution of 2.38% by mass of tetramethylammonium hydroxide at 23 ° C. for 30 seconds at 23 ° C., and then the photosensitive resin layer was washed with pure water. Rinsed. After prebaking, the thickness of the photosensitive resin layer before performing an operation of contacting the photosensitive resin layer with an aqueous solution of 2.38% by mass of tetramethylammonium hydroxide at 23 ° C. for 30 seconds, and the photosensitivity after rinsing The thickness of the resin layer was measured, and the value obtained by subtracting the latter from the former was determined as the time during which a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide was brought into contact with the photosensitive resin layer (the total contact time of 1 minute). The value obtained by dividing by the above was taken as the film reduction rate. Table 1 shows the results.

[PEDの評価]
[形状の評価]と同様の方法により、ライン幅2μmスペース幅2μmのラインアンドスペースパターンを形成した。この時、パターン露光後、露光後加熱(PEB)を行うまでの時間を、0時間(パターン露光直後にPEB)又は9時間として、それぞれレジストパターンを形成した。パターン露光直後にPEBを行った場合に得られたレジストパターンの最上部の線幅の平均値に対する、パターン露光後、PEBを行うまでの時間を9時間にした場合に得られたレジストパターンの最上部の線幅の平均値の割合(CD(Critical Dimension)変動率)を、求めた。
CD変動率が10%以内である場合を○と判定し、CD変動率が10%より大きい場合を×と判定した。結果を表1に示す。
[Evaluation of PED]
A line and space pattern having a line width of 2 μm and a space width of 2 μm was formed in the same manner as in [Evaluation of Shape]. At this time, the time until the post-exposure heating (PEB) after pattern exposure was set to 0 hour (PEB immediately after pattern exposure) or 9 hours, respectively, to form resist patterns. With respect to the average value of the uppermost line width of the resist pattern obtained when PEB was performed immediately after the pattern exposure, the resist pattern obtained when the time until the PEB was performed after pattern exposure was set to 9 hours. The ratio of the average value of the upper line width (CD (Critical Dimension) variation rate) was determined.
The case where the CD fluctuation rate was within 10% was judged as ○, and the case where the CD fluctuation rate was more than 10% was judged as ×. Table 1 shows the results.

Figure 2020003622
Figure 2020003622

実施例1〜12によれば、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)とに加えて、式(c1)で表されLogS値が−4.00以下である含窒素複素環化合物(C)を含むポジ型の感光性樹脂組成物は、断面形状が良好な矩形であるレジストパターンを形成でき、且つ、焦点深度(DOF)のマージンが広いことが分かる。
また、実施例1〜9によれば、上記評価における膜減り量が、0.1μm/min以上0.5μm/min以下であったことも分かる。
また、実施例1〜9によれば、PEDにも優れていることも分かる。
According to Examples 1 to 12, in addition to the acid generator (A) that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation and the resin (B) whose solubility in an alkali increases by the action of an acid, the formula (A) The positive photosensitive resin composition containing the nitrogen-containing heterocyclic compound (C) represented by c1) and having a LogS value of -4.00 or less can form a rectangular resist pattern having a good cross-sectional shape, and It can be seen that the depth of focus (DOF) has a wide margin.
In addition, according to Examples 1 to 9, it can also be seen that the amount of film reduction in the above evaluation was from 0.1 μm / min to 0.5 μm / min.
Further, according to Examples 1 to 9, it is also found that PED is excellent.

他方、比較例1〜10によれば、ポジ型の感光性樹脂組成物に、含窒素複素環化合物(C)に変えて、含窒素複素環化合物(C)に該当しない含窒素複素環化合物である添加剤(C’)を含有させる場合、レジストパターンのトップの断面形状が丸くなり、断面形状が良好な矩形であるレジストパターンを形成しにくいことが分かる。また、比較例1〜10では、焦点深度(DOF)のマージンの評価における焦点の範囲は24μm以下であり、焦点深度のマージンが狭かった。   On the other hand, according to Comparative Examples 1 to 10, instead of the nitrogen-containing heterocyclic compound (C), the positive photosensitive resin composition was replaced with a nitrogen-containing heterocyclic compound not corresponding to the nitrogen-containing heterocyclic compound (C). When a certain additive (C ′) is contained, the cross-sectional shape of the top of the resist pattern becomes round, and it is found that it is difficult to form a resist pattern having a good rectangular cross-sectional shape. Further, in Comparative Examples 1 to 10, the range of the focus in the evaluation of the depth of focus (DOF) margin was 24 μm or less, and the depth of focus margin was narrow.

Claims (14)

活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)と、含窒素複素環化合物(C)とを含有し、
前記含窒素複素環化合物(C)が、下記式(c1):
−A−W−A−X (c1)
(式(c1)中、Zは下記式(c2):
Figure 2020003622
で表される含窒素複素環基であり、
及びAは、それぞれ独立に、単結合、又は、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCOO−、−NH−、−CONH−、−NHCO−、−NHCONH−、−S−、−SO−、及び−SO−からなる群より選択される2価の基であり、
は、単結合又は置換基を有してもよい2価の環式基であり、
は、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
式(c2)中、R、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
〜Yのうちのいずれか1つが下記式(c3)又は式(c4):
Figure 2020003622
で表される3価の基であり、当該3価の基が有する3つの結合手のうち一つの結合手がAに連結され、
式(c3)中、Rは、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
〜Yのうちの2つが、それぞれ独立に、−CR−、−NR−、−O−及び−S−からなる群より選択される2価の基であり、
、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。)
で表される化合物であり、
前記含窒素複素環化合物(C)の溶解度Sの常用対数値LogSが−4.00以下である、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。
An acid generator (A) that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, a resin (B) whose solubility in an alkali increases by the action of an acid, and a nitrogen-containing heterocyclic compound (C),
The nitrogen-containing heterocyclic compound (C) has the following formula (c1):
Z 1 -A 1 -W 1 -A 2 -X 1 (c1)
(In the formula (c1), Z 1 is the following formula (c2):
Figure 2020003622
Is a nitrogen-containing heterocyclic group represented by
A 1 and A 2 are each independently a single bond or —O—, —CO—, —COO—, —OCO—, —OCOO—, —NH—, —CONH—, —NHCO—, —NHCONH -, - S -, - SO- , and -SO 2 - is a divalent radical selected from the group consisting of,
W 1 is a single bond or a divalent cyclic group which may have a substituent,
X 1 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
In the formula (c2), R 1 , R 2 and R 4 are each independently an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, R 3 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
Any one of Y 1 to Y 3 is represented by the following formula (c3) or formula (c4):
Figure 2020003622
Wherein one of the three bonds possessed by the trivalent group is linked to A 1 ,
In the formula (c3), R 6 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
Two of Y 1 to Y 3 are each independently a divalent group selected from the group consisting of —CR 7 R 8 —, —NR 9 —, —O— and —S—,
R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. )
Is a compound represented by
A chemically amplified positive photosensitive resin composition, wherein a common logarithm LogS of the solubility S of the nitrogen-containing heterocyclic compound (C) is -4.00 or less.
前記Wは、置換基を有してもよい2価の環式基である、請求項1に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the W 1 is a divalent cyclic group which may have a substituent. 前記Xは、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である、請求項1又は2に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。 3. The chemically amplified positive photosensitive material according to claim 1, wherein X 1 is an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. 4. Resin composition. 前記化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物の塗膜に対して、130℃で5分間加熱した後、23℃において2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液に30秒間接触させる操作を間隔をあけて2回行ったのちに純水でリンスを行ったときの膜減り速度が、0.1μm/min以上0.5μm/min以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。   After heating the coating film of the chemically amplified positive-type photosensitive resin composition at 130 ° C. for 5 minutes, it is contacted with an aqueous solution of 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide at 23 ° C. for 30 seconds. The film reduction rate when performing rinsing with pure water after performing the cleaning twice with opening is 0.1 μm / min or more and 0.5 μm / min or less. Chemically amplified positive photosensitive resin composition. さらに、アルカリ可溶性樹脂(D)を含有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。   The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 4, further comprising an alkali-soluble resin (D). 前記アルカリ可溶性樹脂(D)が、ノボラック樹脂(D1)、ポリヒドロキシスチレン樹脂(D2)、及びアクリル樹脂(D3)からなる群より選択される少なくとも1種の樹脂を含む、請求項5に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。   The said alkali-soluble resin (D) contains the novolak resin (D1), the polyhydroxystyrene resin (D2), and at least 1 sort (s) of resin selected from the group which consists of acrylic resin (D3). A chemically amplified positive photosensitive resin composition. さらに、金属に対して配位し得る硫黄原子を含む、含硫黄化合物(E)を含有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物。   The chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 6, further comprising a sulfur-containing compound (E) containing a sulfur atom capable of coordinating with a metal. 基材フィルムと、前記基材フィルムの表面に形成された感光性樹脂層とを有し、前記感光性樹脂層が請求項1〜7のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性ドライフィルム。   A chemically amplified positive photosensitive material according to any one of claims 1 to 7, comprising a base film and a photosensitive resin layer formed on a surface of the base film, wherein the photosensitive resin layer is provided. A photosensitive dry film comprising a resin composition. 基材フィルム上に、請求項1〜7のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を塗布して感光性樹脂層を形成することを含む、感光性ドライフィルムの製造方法。   A method for producing a photosensitive dry film, comprising applying a chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7 onto a base film to form a photosensitive resin layer. Method. 金属表面を有する基板上に、請求項1〜7のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
前記感光性樹脂層に、位置選択的に活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の前記感光性樹脂層を現像する現像工程と、を含む、パターン化されたレジスト膜の製造方法。
A laminating step of laminating a photosensitive resin layer comprising the chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7, on a substrate having a metal surface,
An exposure step of exposing the photosensitive resin layer by irradiating with active light or radiation in a position-selective manner,
And a developing step of developing the photosensitive resin layer after the exposure.
金属表面を有する基板上に、請求項1〜7のいずれか1項に記載の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を積層する積層工程と、
前記感光性樹脂層に、活性光線又は放射線を照射して露光する露光工程と、
露光後の前記感光性樹脂層を現像して、めっき造形物を形成するための鋳型を作成する現像工程と、を含む、鋳型付き基板の製造方法。
A laminating step of laminating a photosensitive resin layer comprising the chemically amplified positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7, on a substrate having a metal surface,
An exposure step of exposing the photosensitive resin layer by irradiating with actinic rays or radiation,
A developing step of developing the photosensitive resin layer after exposure to form a mold for forming a plated molded article.
請求項11に記載の方法により製造される前記鋳型付き基板にめっきを施して、前記鋳型内にめっき造形物を形成する工程を含む、めっき造形物の製造方法。   A method for producing a plated object, comprising a step of plating the substrate with a mold produced by the method according to claim 11 to form a plated object in the mold. 下記式(c1−a):
−A−W−A−X (c1−a)
(式(c1−a)中、Zは下記式(c2):
Figure 2020003622
で表される含窒素複素環基であり、
及びAは、それぞれ独立に、単結合、又は、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCOO−、−NH−、−CONH−、−NHCO−、−NHCONH−、−S−、−SO−、及び−SO−からなる群より選択される2価の基であり、
は、置換基を有してもよい2価の環式基であり、
は、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
式(c2)中、R、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
〜Yのうちのいずれか1つが下記式(c3)又は式(c4):
Figure 2020003622
で表される3価の基であり、当該3価の基が有する3つの結合手のうち一つの結合手がAに連結され、
式(c3)中、Rは、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であり、
〜Yのうちの2つが、それぞれ独立に、−CR−、−NR−、−O−及び−S−からなる群より選択される2価の基であり、
、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。)
で表される、含窒素複素環化合物。
The following formula (c1-a):
Z 1 -A 1 -W 2 -A 2 -X 1 (c1-a)
(In the formula (c1-a), Z 1 is the following formula (c2):
Figure 2020003622
Is a nitrogen-containing heterocyclic group represented by
A 1 and A 2 are each independently a single bond or —O—, —CO—, —COO—, —OCO—, —OCOO—, —NH—, —CONH—, —NHCO—, —NHCONH -, - S -, - SO- , and -SO 2 - is a divalent radical selected from the group consisting of,
W 2 is a divalent cyclic group which may have a substituent,
X 1 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
In the formula (c2), R 1 , R 2 and R 4 are each independently an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, R 3 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
Any one of Y 1 to Y 3 is represented by the following formula (c3) or formula (c4):
Figure 2020003622
Wherein one of the three bonds possessed by the trivalent group is linked to A 1 ,
In the formula (c3), R 6 is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent,
Two of Y 1 to Y 3 are each independently a divalent group selected from the group consisting of —CR 7 R 8 —, —NR 9 —, —O— and —S—,
R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. )
A nitrogen-containing heterocyclic compound represented by the formula:
溶解度Sの常用対数値LogSが−4.00以下である、請求項13に記載の含窒素複素環化合物。   14. The nitrogen-containing heterocyclic compound according to claim 13, wherein a common logarithm value LogS of the solubility S is -4.00 or less.
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