KR102623926B1 - 알칼리-무함유 보로알루미노 실리케이트 유리 - Google Patents
알칼리-무함유 보로알루미노 실리케이트 유리 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102623926B1 KR102623926B1 KR1020187027096A KR20187027096A KR102623926B1 KR 102623926 B1 KR102623926 B1 KR 102623926B1 KR 1020187027096 A KR1020187027096 A KR 1020187027096A KR 20187027096 A KR20187027096 A KR 20187027096A KR 102623926 B1 KR102623926 B1 KR 102623926B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- glass
- temperature
- delete delete
- glasses
- viscosity
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 294
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 58
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 30
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 claims description 25
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 88
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 44
- 235000012245 magnesium oxide Nutrition 0.000 description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 34
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 29
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 25
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 14
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 13
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 13
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 13
- 239000006025 fining agent Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 10
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 6
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 5
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 5
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 5
- -1 tin halide Chemical class 0.000 description 5
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003286 fusion draw glass process Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 3
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019738 Limestone Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052661 anorthite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N dialuminum;calcium;disilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010459 dolomite Substances 0.000 description 2
- 229910000514 dolomite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 2
- 239000006028 limestone Substances 0.000 description 2
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000003283 slot draw process Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical group [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N strontium nitrate Chemical compound [Sr+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O DHEQXMRUPNDRPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- NGCDGPPKVSZGRR-UHFFFAOYSA-J 1,4,6,9-tetraoxa-5-stannaspiro[4.4]nonane-2,3,7,8-tetrone Chemical compound [Sn+4].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O NGCDGPPKVSZGRR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOJVVFBFDXDTEG-UHFFFAOYSA-N Norphytane Natural products CC(C)CCCC(C)CCCC(C)CCCC(C)C XOJVVFBFDXDTEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000003698 anagen phase Effects 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012241 calcium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910001597 celsian Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013766 direct food additive Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012243 magnesium silicates Nutrition 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001907 polarising light microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007652 sheet-forming process Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
- C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B17/00—Forming molten glass by flowing-out, pushing-out, extruding or drawing downwardly or laterally from forming slits or by overflowing over lips
- C03B17/06—Forming glass sheets
- C03B17/064—Forming glass sheets by the overflow downdraw fusion process; Isopipes therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/10—Melting processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
Abstract
평판 디스플레이 디바이스, 예컨대 능동 매트릭스 액정 디스플레이 (AMLCD) 및 능동 매트릭스 유기 발광 다이오드 디스플레이 (AMOLED)에서 기판으로서 사용하기 위한, 바람직한 물리적 및 화학적 특성을 나타내는 알칼리-무함유 보로알루미노 실리케이트 유리가 본원에 기재된다. 그의 특정 측면에 따르면, 유리는 온도에 따른 우수한 치수 안정성을 갖는다.
Description
관련 출원에 대한 상호-참조
본 출원은 2016년 2월 22일에 출원된 미국 가출원 일련 번호 62/298246의 35 U.S.C. § 119 하의 우선권의 이익을 주장하며, 그의 내용은 신뢰되고, 그 전문이 본원에 참조로 포함된다.
본 개시내용의 실시양태는 액정 및 다른 적합한 디스플레이를 위한 디스플레이 유리에 관한 것이다.
평판 디스플레이 디바이스, 예를 들어 능동 매트릭스 액정 디스플레이 디바이스 (AMLCD) 및 능동 매트릭스 유기 발광 다이오드 디스플레이 (AMOLED)의 제조는 매우 복잡하며, 기판 유리의 특성이 극도로 중요하다. 먼저 최우선적으로, AMLCD 및 AMOLED 디바이스의 제조에 사용되는 유리 기판은 엄격하게 제어된 물리적 치수를 가질 필요가 있다. 다운드로우(downdraw) 시트 드로잉 공정, 및 특히 둘 다 도커티(Dockerty)에 의한 것인 미국 특허 번호 3,338,696 및 3,682,609에 기재된 퓨전 공정은, 값비싼 형성후 마감 작업 예컨대 래핑(lapping) 및 연마를 필요로 하지 않으면서 기판으로서 사용될 수 있는 유리 시트를 제조할 수 있다.
액정 디스플레이 분야에는, AMLCD에 필요한 박막 트랜지스터 (TFT)를 제조하는 다양한 방법이 존재한다. 역사적으로, 패널 제조업체는 무정형-실리콘 (a-Si)계 트랜지스터를 이용하는 대형 저해상도 디스플레이, 또는 다결정질 (p-Si)계 및 산화물 박막 (Ox)계 트랜지스터를 이용하는 소형 고해상도 디스플레이를 제조해 왔다. 한때 a-Si TFT가 p-Si TFT에 의해 대체될 것으로 여겨지기도 했지만, 저비용의 대형 고해상도 디스플레이에 대한 소비자 수요, 및 p-Si TFT를 갖는 이러한 대규모 디스플레이의 제조 비용은, AMLCD 제조업체가 a-Si TFT의 용도를 더욱 더 고해상도로 확장시키도록 유도하고 있다. 이러한 해상도 증가는 TFT 제조 공정에 사용되는 유리 기판에 대해 더 엄격한 표준을 필요로 한다. a-Si, 산화물 또는 저온 p-Si TFT 제작 도중에, 유리 기판은 박막 트랜지스터가 생성되는 동안에 350℃ 내지 450℃ 범위의 공정 온도에서 유지된다. 이러한 온도에서, 대부분의 AMLCD 및 AMOLED 유리 기판은 압착(compaction)으로 칭하는 공정을 겪는다. 열적 안정성 또는 치수 변화로도 지칭되는 압착은, 유리의 가상 온도(fictive temperature)의 변화로 인한 유리 기판에서의 비가역적인 치수 변화 (수축)이다. "가상 온도"는 유리의 구조적 상태를 나타내기 위해 사용되는 개념이다. 고온으로부터 급속 냉각된 유리는 "동결"된 보다 고온의 구조 때문에 더 높은 가상 온도를 갖는 것으로 언급된다. 더 천천히 냉각되거나 또는 그의 어닐링점 부근에서 소정 시간 동안 유지함으로써 어닐링된 유리는, 더 낮은 가상 온도를 갖는 것으로 언급된다.
압착의 크기는 유리가 제조되는 공정 및 유리의 점탄성 특성 둘 다에 따라 달라진다. 유리로부터 시트 제품을 제조하는 플로트(float) 공정에서, 유리 시트는 용융물로부터 비교적 천천히 냉각되며, 따라서 비교적 저온의 구조를 유리 중에 "동결"시킨다. 대조적으로, 퓨전 공정은 용융물로부터의 유리 시트의 매우 급속한 켄칭을 유발하며, 비교적 고온의 구조를 동결시킨다. 그 결과, 플로트 공정에 의해 제조된 유리는 퓨전 공정에 의해 제조된 유리에 비해 더 적은 압착을 겪을 수 있으며, 이는 압착에 대한 구동력이 가상 온도와, 압착 도중에 유리가 경험하는 공정 온도 사이의 차이이기 때문이다. 따라서, 다운드로우 공정에 의해 제조된 유리 기판에서, 압착의 수준을 최소화하는 것이 바람직할 것이다.
유리에서 압착을 최소화하는 2가지 접근법이 존재한다. 제1 접근법은 TFT 제조 도중에 유리가 경험하게 되는 온도와 유사한 가상 온도를 생성시키기 위해, 유리를 열적으로 전처리하는 것이다. 이러한 접근법에는 여러 어려움이 존재한다. 첫째로, TFT 제조 공정 도중에 사용되는 다수의 가열 단계는 유리에서 다소 상이한 가상 온도를 생성시키며, 이는 상기 전처리에 의해 완전히 보상될 수는 없다. 둘째로, 유리의 열적 안정성은 TFT 제조의 세부사항과 밀접하게 연관되어 있으며, 이는 상이한 최종 사용자에 대한 상이한 전처리를 의미할 수 있다. 최종적으로, 전처리는 가공 비용 및 복잡성을 증대시킨다.
또 다른 접근법은 유리의 점도를 증가시킴으로써 공정 온도에서의 변형 속도를 저속화시키는 것이다. 이는 유리의 어닐링점을 상승시킴으로써 달성될 수 있다. 어닐링점은 유리에 대한 고정된 점도에 상응하는 온도를 나타내며, 따라서 어닐링점의 증가는 고정된 온도에서의 점도의 증가와 동일시된다. 그러나, 이러한 접근법의 과제는, 비용 효율적인 고어닐링점 유리의 제조이다. 비용에 영향을 미치는 주요 인자는 결함 및 자산 수명(asset lifetime)을 포함한다. 퓨전 드로우 기계에 연결된 - 내화성 예비용융물, 귀금속 청징기 및 귀금속 유리 전달 스템을 포함하는 최신 연속 유닛 (CU) 용융기에서는, 흔히 4가지 유형의 결함에 직면한다: (1) 기체상 함유물 (버블 또는 블리스터); (2) 내화물로부터의 또는 배치의 적절한 용융의 실패로 인한 고체 함유물; (3) 백금으로 주로 이루어진 금속성 결함; 및 (4) 낮은 액상선 점도로 인한, 또는 성형 디바이스, 맨드렐 또는 이소파이프의 양 단부에서의 과도한 실투로 인한 실투 산물. 유리 조성은 용융 속도, 및 그에 따른 유리가 기체상 또는 고체 결함을 형성하는 경향에 불균등한 영향을 미치고, 유리의 산화 상태는 백금 결함이 혼입되는 경향에 영향을 미친다. 성형 맨드렐 또는 이소파이프 상의 유리의 실투는, 높은 액상선 점도를 갖는 조성물을 선택함으로써 가장 우수하게 관리된다.
TFT 제조 공정 도중의 유리 기판의 치수 안정성이 또한 탄성 변형에 의해 영향을 받는다. 기판이 경험하는 탄성 변형에는 2가지 주요 원인이 존재한다. 퓨전 공정 도중에, 작은 열 구배에 의한 냉각 시, 탄성 변형 및 그에 따른 응력이 유리 시트에 도입될 수 있다. 이러한 응력은 TFT 제조 공정 도중에, 치수 불안정성을 유발하는 응력 완화를 겪는다. 이러한 불안정성은, 압착과 동일한 방식으로, 유리 기판의 어닐링점을 상승시킴으로써 TFT 공정 온도에서 변형 속도를 감소시키는 것에 의해 최소화될 수 있다. 탄성 변형의 제2 유형은 트랜지스터 그 자체를 유리 표면 상에 침착시키는 경우에 기판 상에 가해지는 응력과 관련되어 있다. 이러한 탄성 변형은 유리의 영률을 증가시킴으로써 최소화되며, 그에 따라 기판 표면 상에 가해지는 응력이 최소량의 변형을 유발하고, 유리 시트에서 나타나는 치수 변화를 감소시킨다.
상기 언급된 치수 안정성에 대한 문제 이외에도, AMLCD 및 AMOLED 제조업체는 더 큰 디스플레이 크기에 대한 수요 및 규모의 경제학 둘 다가 각 변 상에서 2 미터 초과인 더 큰 크기의 유리 조각을 가공하도록 유도하고 있음을 알고 있다. 이는 여러 어려움을 발생시킨다. 첫째로, 단순하게는 유리의 중량이다. 더 큰 크기의 유리 조각으로 진행 시 유리 중량의 증가는, 유리를 공정 스테이션 내로 및 그를 통해 이동시키기 위해 사용되는 로봇식 핸들러에 연루되어 있다. 추가로, 더 큰 시트 크기에 대해서는 유리 밀도 및 영률에 의존성인 탄성 새그(elastic sag)가 문제가 되어, 공정 스테이션들 사이에서 유리를 운반하기 위해 사용되는 카세트에서 유리를 적재, 회수 및 이격시키는 능력에 영향을 미친다. 따라서, 상기 기재된 결함-제한적 속성을 유지하면서, 압착, 응력 완화 및 탄성 변형을 최소화하는 것 이외에도, 새그와 연관된 문제를 감소시키는 조성물을 확인하는 것이 바람직하다.
일부 실시양태는, 바람직한 물리적 및 화학적 특성을 나타내는 알칼리-무함유 보로알루미노 실리케이트 유리의 제조를 위한 화합물, 조성물, 물품, 디바이스 및 방법에 관한 것이다. 하나 이상의 실시양태에서, 유리는 평판 디스플레이 디바이스, 예컨대 능동 매트릭스 액정 디스플레이 (AMLCD) 및 능동 매트릭스 유기 발광 다이오드 디스플레이 (AMOLED)에서 기판으로서 사용하기에 적합하다. 하나 이상의 실시양태에 따라, 2.55 g/cm3 미만의 밀도 및 우수한 치수 안정성 (즉, 낮은 압착)을 갖는 유리가 제공된다. 추가로, 개시된 조성물의 하나 이상의 실시양태는 680℃ 초과의 변형점을 가지며, 퓨전 공정의 열 이력이 가해지는 경우, a-Si 박막 트랜지스터 공정에 대해 허용되는 열적 안정성을 갖는다.
또한, 무정형 실리콘 및 산화물 TFT 공정에서 TFT 백플레인 기판으로서 사용하기 위한, 높은 어닐링점 및 높은 영률을 가지며, 따라서 우수한 치수 안정성 (즉, 낮은 압착, 탄성 변형 및 응력 완화)을 갖는, 알칼리를 실질적으로 함유하지 않는 유리가 본원에 기재된다. 고어닐링점 유리는 유리의 제조에 후속하는 열적 가공 도중의 압착/수축 또는 응력 완화로 인한 패널 왜곡을 방지할 수 있다. 본 발명의 유리의 실시양태는 높은 탄성률 및 비교적 낮은 밀도를 또한 가지며, 그에 의해 유리의 비탄성률이 증가되고, 유리 시트에서 탄성 새그의 위험이 크게 감소된다. 추가로, 본 발명의 유리는 비통상적으로 높은 액상선 점도를 가지며, 따라서 성형 장치 내 냉각 장소에서의 실투에 대한 상당히 감소된 위험을 갖는다. 낮은 알칼리 농도가 일반적으로 바람직하지만, 실제로 알칼리를 전혀 함유하지 않는 유리를 경제적으로 제조하는 것은 어렵거나 불가능할 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 해당 알칼리는 원료 중 오염물로서, 내화물 중 미량 성분 등으로서 발생하며, 완전히 제거하는 것은 매우 어려울 수 있다. 따라서, 본 발명의 유리는 알칼리 요소 Li2O, Na2O 및 K2O의 총 농도가 약 0.1 몰 퍼센트 (mol%) 미만인 경우에 알칼리를 실질적으로 함유하지 않는 것으로 간주된다.
일부 실시양태에서, 산화물 기준의 몰 퍼센트 범위로, SiO2 65-72, Al2O3 10-14, B2O3 3-8, MgO 2-6, CaO 3-9, SrO 0-6, 및 BaO 0-<1을 포함하며, > 650℃의 변형점, 약 730℃ 이상의 어닐링점, > 78 GPa의 영률, > 30℃의 T35kP - Tliq, < 약 2.55 g/cm3의 밀도, 약 39 x 10-7/℃ 미만의 CTE를 나타내는 유리가 제공된다.
추가 실시양태에서, 산화물 기준의 몰 퍼센트 범위로, SiO2 67-70, Al2O3 11-13, B2O3 4-6, MgO 3-5.5, CaO 5.5-7, SrO 3-5, 및 BaO 0-<1을 포함하며, > 700℃의 변형점, 약 750℃ 이상의 어닐링점, > 79 GPa의 영률, > 65℃의 T35kP - Tliq, < 약 2.55 g/cm3의 밀도, 약 36 x 10-7/℃ 미만의 CTE를 나타내는 유리가 제공된다.
다른 실시양태에서, 산화물 기준의 몰 퍼센트 범위로, SiO2 > 60, Al2O3 > 10, B2O3 > 0.1, (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 > 1.0을 포함하며, 약 730℃ 이상의 어닐링점, 약 650℃ 이상의 변형점, 약 950℃ 이상의 연화점, 약 1650℃ 미만의 T200P, 약 1300℃ 미만의 T35kP, > 30℃의 T35kP - Tliq, 31 초과의 비탄성률, 및 78 GPa 이상의 영률을 나타내는 유리가 제공된다.
본 개시내용의 추가의 특색 및 이점은 하기 상세한 설명에서 제시될 것이며, 부분적으로는 이러한 설명으로부터 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 용이하게 명백해질 것이며, 또는 하기 상세한 설명, 청구범위 뿐만 아니라 첨부 도면을 포함한 본원에 기재된 바와 같은 방법을 실시함으로써 인지될 것이다.
상기 일반적 설명 및 하기 상세한 설명 둘 다는 본 개시내용의 다양한 실시양태를 나타내며, 청구범위의 성질 및 특징을 이해하기 위한 개관 또는 프레임워크를 제공하도록 의도된 것으로 이해되어야 한다. 첨부 도면은 본 개시내용의 더욱 잘 이해하기 위해 포함되며, 본 명세서에 포함되여 본 명세서의 일부를 구성한다. 도면은 본 개시내용의 다양한 실시양태를 예시하며, 설명과 함께 본 개시내용의 원리 및 작업을 설명하도록 기능한다.
하기 상세한 설명은 하기 도면과 함께 판독 시에 더욱 잘 이해될 수 있다.
도 1은 퓨전 드로우 공정에서 정밀 시트를 제조하기 위해 사용되는 성형 맨드렐인 이소파이프의 개략적 표현이고;
도 2는 도 1의 이소파이프의 절단선(6)에서의 단면도이다.
도 1은 퓨전 드로우 공정에서 정밀 시트를 제조하기 위해 사용되는 성형 맨드렐인 이소파이프의 개략적 표현이고;
도 2는 도 1의 이소파이프의 절단선(6)에서의 단면도이다.
2.55 g/cm3 미만의 밀도 및 우수한 치수 안정성 (즉, 낮은 압착, 감소된 응력 완화 및 탄성 변형)을 갖는, 알칼리를 실질적으로 함유하지 않는 유리가 본원에 기재된다. 추가로, 개시된 조성물의 하나 이상의 실시양태는 680℃ 초과의 변형점을 가지며, 퓨전 공정의 열 이력이 가해지는 경우, a-Si 박막 트랜지스터 공정에 대해 허용되는 열적 안정성을 갖는다. 본 발명의 대상의 실시양태는 고어닐링점 유리를 또한 제공한다. 고어닐링점 유리는 유리의 제조에 후속하는 열적 가공 도중의 압착/수축 및 응력 완화로 인한 패널 왜곡을 방지할 수 있다. 낮은 알칼리 농도가 일반적으로 바람직하지만, 실제로 알칼리를 전혀 함유하지 않는 유리를 경제적으로 제조하는 것은 어렵거나 불가능할 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 해당 알칼리는 원료 중 오염물로서, 내화물 중 미량 성분 등으로서 발생하며, 완전히 제거하는 것은 매우 어려울 수 있다. 따라서, 개시된 유리는 알칼리 요소 Li2O, Na2O 및 K2O의 총 농도가 약 0.1 몰 퍼센트 (mol%) 미만인 경우에 알칼리를 실질적으로 함유하지 않는 것으로 간주된다.
하나 이상의 실시양태에서, 실질적으로 알칼리-무함유인 유리는 약 730℃ 초과, 735℃ 초과, 740℃ 초과, 또는 750℃ 초과의 어닐링점을 갖는다. 추가 실시양태에서, 실질적으로 알칼리-무함유인 유리는 약 650℃ 초과, 680℃ 초과, 690℃ 초과, 또는 700℃ 초과의 변형점을 갖는다. 또한 추가의 실시양태에서, 실질적으로 알칼리-무함유인 유리는 약 950℃ 초과, 970℃ 초과, 980℃ 초과, 또는 990℃ 초과의 연화점을 갖는다. 하나 이상의 실시양태에 따르면, 개시된 유리의 약 200 포아즈의 점도에서의 온도 (T200P)는 약 1650℃ 미만, 약 1625℃ 미만, 또는 약 1610℃ 미만이다. 하나 이상의 실시양태에 따르면, 개시된 유리의 약 35,000 포아즈의 점도에서의 온도 (T35kP)는 약 1300℃ 미만, 약 1260℃ 미만, 또는 약 1250℃ 미만이다. 유리의 액상선 온도 (Tliq)는 어떠한 결정질 상도 유리와 평형상태로 공존할 수 없는 최고 온도이다. 하나 이상의 실시양태에 따르면, T35k - Tliq > 30℃, T35kP - Tliq > 40℃, T35kP - Tliq > 50℃, T35kP - Tliq > 60℃, > 65℃의 T35kP - Tliq, 또는 T35kP - Tliq > 70℃이다. 플로트 공정은 3000 내지 10,000 포아즈의 점도에서 유리를 전달한다. 이러한 점도에 상응하는 온도 부근의 어디에서나 유리가 실투되는 경우에는, 완성된 제품 중에서 실투 산물이 나타날 것이다. 하나 이상의 실시양태에서, 유리는 31 초과, 31.5 초과, 또는 32 초과의 비탄성률을 나타낸다. E/ρ로서 정의되는 유리의 비탄성률 (g/cm3 단위의 밀도로 나눈 GPa 단위의 탄성률 또는 영률)은 가공 도중에 유리 시트가 경험하게 되는 탄성 새그의 크기의 지표이다. 이러한 이유로, 31 이상의 비탄성률을 갖는 유리 조성물이 바람직하다. 개시된 유리는 상기 제공된 개시된 특성들 중 하나 이상을 나타낼 수 있는 것으로 이해될 것이다. 따라서, 개시된 유리는 상기 개시된 특성들 중 하나, 상기 개시된 특성들 중 둘, 개시된 특성들 중 셋, 개시된 특성들 중 넷, 개시된 특성들 중 다섯, 개시된 특성들 중 여섯 및/또는 개시된 특성들 중 일곱을, 개시된 특성들의 임의의 조합으로 나타낼 수 있다.
일부 실시양태에서, 예시적인 실질적으로 알칼리-무함유인 유리는 산화물 기준의 몰 퍼센트 범위로,
SiO2 65-72
Al2O3 10-14
B2O3 3-8
MgO 2-6
CaO 3-9
SrO 0-6
BaO 0-<1
을 포함한다.
다른 실시양태에서, 예시적인 실질적으로 알칼리-무함유인 유리는 산화물 기준의 몰 퍼센트 범위로,
SiO2 67-70
Al2O3 11-13
B2O3 4-6
MgO 3-5.5
CaO 5.5-7
SrO 3-5
BaO 0-<1
을 포함한다.
상기 언급된 실시양태 중 임의의 것은 하기 특성들: ≥1.05, ≥1.08, ≥1.10의 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3, 약 730℃, 735℃, 740℃, 또는 750℃ 이상의 어닐링점, 약 650℃, 680℃, 690℃, 또는 700℃ 이상의 변형점, 및/또는 약 950℃, 970℃, 980℃, 또는 990℃ 이상의 연화점 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 이들 실시양태 중 임의의 것은 하기 특성들: 약 1650℃, 1625℃, 또는 1610℃ 미만의 T200P, 약 1300℃, 1260℃, 또는 1250℃ 미만의 T35kP, > 40℃, >30℃, > 50℃, > 60℃, > 65℃, 또는 > 70℃의 T35kP - Tliq, 및/또는 31, 31.5, 또는 32 초과의 비탄성률 중 하나 이상을 또한 포함할 수 있다. 이들 실시양태 중 임의의 것은 하기 특성들: 2.55 g/cm3 이하의 밀도, 약 39 x 10-7/℃ 미만, 약 38 x 10-7/℃ 미만, 또는 약 36 x 10-7/℃ 미만의 CTE, 78 GPa, 79 GPa, 80 GPa, 또는 81 GPa 이상의 영률 중 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 개시된 유리는 화학적 청징제를 포함한다. 이러한 청징제는 SnO2, As2O3, Sb2O3, F, Cl 및 Br을 포함하나, 이에 제한되지는 않으며, 여기서 화학적 청징제의 농도는 0.5 mol% 이하의 수준에서 유지된다. 화학적 청징제는 CeO2, Fe2O3, 및 전이 금속의 다른 산화물, 예컨대 MnO2를 또한 포함할 수 있다. 이들 산화물은 유리 중 그의 최종 원자가 상태(들)에서의 가시광 흡수를 통해 유리에 색을 도입할 수 있으며, 따라서 그의 농도는 구체적으로 0.2 mol% 이하의 수준에서 유지된다.
일부 실시양태에서, 개시된 유리는 퓨전 공정을 통해 시트로 제조된다. 퓨전 드로우 공정은 청정한(pristine) 화염-연마된 유리 표면을 생성시키며, 이는 고해상도 TFT 백플레인 및 컬러 필터에 대한 표면-매개 왜곡을 감소시킨다. 도 1은 성형 맨드렐 또는 이소파이프 (그의 구배 홈통(trough) 설계가 이소파이프의 길이를 따라서 (좌측으로부터 우측으로) 모든 지점에서 동일한 (따라서 "이소(iso)") 유동을 생성시키기 때문에 이렇게 칭해짐)의 위치에서의 퓨전 드로우 공정의 개략적 도면이다. 도 2는 도 1에서의 위치(6) 부근에서의 이소파이프의 개략적 단면도이다. 유리는 유입구(1)로부터 도입되고, 위어 벽(3)에 의해 형성된 홈통(2)의 저부를 따라서 압축 단부(4)로 유동한다. 유리는 이소파이프 양측 상의 위어 벽(4)을 월류하고 (도 2 참조), 유리의 2개의 스트림이 기부(root)(6)에서 조합 또는 퓨전된다. 이소파이프의 양 단부의 연부 배향기(7)는, 유리를 냉각시켜 연부에서 비드로 칭해지는 더 두꺼운 스트립을 생성시키도록 기능한다. 비드는 견인 롤에 의해 인장되며, 따라서 높은 점도에서의 시트 형성이 가능해진다. 시트가 이소파이프로부터 인장되어 나오는 속도를 조정함으로써, 퓨전 드로우 공정을 사용하여 고정된 용융 속도에 매우 광범위한 두께를 제조하는 것이 가능하다.
다운드로우 시트 드로잉 공정, 및 특히 참조로 포함되는 미국 특허 번호 3,338,696 및 3,682,609 (이들 둘 다 도커티에 의함)에 기재된 퓨전 공정이, 본원에 사용될 수 있다. 다른 성형 공정, 예컨대 플로트 공정에 비해, 퓨전 공정은 여러 이유로 인해 바람직하다. 첫째로, 퓨전 공정으로부터 제조된 유리 기판은 연마를 필요로 하지 않는다. 현행 유리 기판 연마는 원자력 현미경에 의해 측정 시 약 0.5 nm 초과의 평균 표면 조도 (Ra)를 갖는 유리 기판을 제조할 수 있다. 퓨전 공정에 의해 제조된 유리 기판은 원자력 현미경에 의해 측정 시 0.5 nm 미만의 평균 표면 조도를 갖는다. 기판은 광학 위상지연에 의해 측정 시 150 psi 이하의 평균 내부 응력을 또한 갖는다.
일부 실시양태에서, 개시된 유리는 퓨전 공정을 사용하여 시트 형태로 제조된다. 개시된 유리는 퓨전 공정과 상용성이지만, 이들은 또한 부담이 적은 제조 공정을 통해 시트 또는 다른 용품으로 제조될 수 있다. 이러한 공정은 슬롯 드로우, 플로트, 롤링, 및 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 공지된 다른 시트-형성 공정을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.
이들 대안적인 유리 시트 생성 방법에 비해, 상기 논의된 바와 같은 퓨전 공정은 청정한 표면을 갖는 매우 얇고 매우 평탄하고 매우 균일한 시트를 생성시킬 수 있다. 슬롯 드로우가 또한 청정한 표면을 생성시킬 수 있지만, 시간 경과에 따른 오리피스 형상의 변화, 오리피스-유리 계면에서의 휘발성 파편의 축적, 및 엄밀하게 평탄한 유리를 전달하기 위한 오리피스 생성의 곤란으로 인해, 슬롯-드로운 유리의 치수 균일성 및 표면 품질은 일반적으로 퓨전-드로운 유리에 비해 열악하다. 플로트 공정은 매우 크고 균일한 시트를 전달할 수 있지만, 표면이 한 측에서의 플로트 조와의 접촉, 및 다른 측에서의 플로트 조로부터의 응축 생성물에 대한 노출에 의해 실질적으로 손상된다. 이는 고성능 디스플레이 용도에 사용하기 위해서는 플로트 유리가 연마되어야 함을 의미한다.
플로트 공정과는 달리, 퓨전 공정은 고온으로부터 유리의 급속 냉각을 유발한다. 이러한 급속 냉각은 높은 가상 온도 Tf를 유발한다. 가상 온도는 유리의 구조적 상태와, 관심 온도에서 완전 완화된 경우로 추정되는 상태 사이의 불일치를 나타내는 것으로서 여겨질 수 있다. 본 발명에 이르러, 본 발명자들은 유리 전이 온도 Tg의 유리를, Tp < Tg ≤ Tf가 되도록 하는 공정 온도 Tp로 재가열한 결과를 고려한다. Tp < Tf이기 때문에, 유리의 구조적 상태는 Tp에서 평형상태로부터 벗어나고, 유리는 Tp에서 평형상태인 구조적 상태를 향해 자발적으로 완화된다. 이러한 완화 속도는 유리의 Tp에서의 유효 점도에 따라 역수로 척도화되며, 그에 따라 높은 점도는 느린 완화 속도를 유발하고, 낮은 점도는 빠른 완화 속도를 유발한다. 유효 점도는 유리의 가상 온도에 따라 역수로 달라지며, 그에 따라 낮은 가상 온도는 높은 점도를 유발하고, 높은 가상 온도는 비교적 낮은 점도를 유발한다. 따라서, Tp에서의 완화 속도는 유리의 가상 온도에 따라 직접 척도화된다. 높은 가상 온도를 도입하는 공정은, Tp에서 유리를 재가열하는 경우에 비교적 높은 완화 속도를 유발한다.
Tp에서의 완화 속도를 감소시키는 하나의 수단은 유리의 상기 온도에서의 점도를 증가시키는 것이다. 유리의 어닐링점은 유리가 1013.2 포아즈의 점도를 갖는 온도를 나타낸다. 온도가 어닐링점 미만으로 감소됨에 따라, 초냉각된 용융물의 점도가 증가한다. Tg 미만의 고정된 온도에서, 더 높은 어닐링점을 갖는 유리가 더 낮은 어닐링점을 갖는 유리보다 더 높은 점도를 갖는다. 따라서, 기판 유리의 Tp에서의 점도를 증가시키기 위해서는, 그의 어닐링점을 증가시키는 것을 선택할 수 있다. 불행하게도, 어닐링점을 증가시키기 위해 필요한 조성 변화는 모든 다른 온도에서의 점도를 또한 증가시키는 것이 일반적이다. 특히, 퓨전 공정에 의해 제조된 유리의 가상 온도는 약 1011-1012 포아즈의 점도에 상응하며, 따라서 퓨전-상용성 유리에 대한 어닐링점의 증가는 일반적으로 그의 가상 온도도 증가시킨다. 주어진 유리에 대해, 더 높은 가상 온도는 Tg 미만의 온도에서 더 낮은 점도를 유발하며, 따라서 가상 온도의 증가는, 그렇지 않으면 어닐링점을 증가시킴으로써 얻어졌을 점도 증가에 대해 불리하게 작용한다. Tp에서의 완화 속도의 실질적인 변화가 보여지기 위해서는, 일반적으로 어닐링점이 비교적 크게 변화되도록 하는 것이 필요하다. 개시된 유리의 한 측면은 약 730℃, 735℃, 740℃, 또는 750℃ 이상의 어닐링점을 갖는 것이다. 작업에 대한 어떠한 특정한 이론에 얽매이지는 않지만, 이러한 높은 어닐링점은, 저온 TFT 가공, 예를 들어 전형적인 저온 폴리실리콘 급속 열적 어닐링 사이클 도중에 허용되는 낮은 열적 완화 속도를 유발하는 것으로 여겨진다.
가상 온도에 대한 그의 영향 이외에도, 어닐링점의 증가는 용융 및 형성 시스템 전반에 걸친 온도, 특히 이소파이프 상의 온도를 또한 증가시킨다. 예를 들어, 이글(Eagle) XG® 유리 및 로투스(Lotus)™ 유리 (뉴욕주 코닝 소재의 코닝 인코포레이티드(Corning Incorporated))는 약 50℃만큼 상이한 어닐링점을 가지며, 이들 유리가 이소파이프로 전달되는 온도도 약 50℃만큼 상이하다. 약 1310℃ 초과에서 장기간 동안 유지되는 경우, 이소파이프를 형성하는 지르콘 내화물은 열적 크리프(thermal creep)를 나타내며, 이는 이소파이프 그 자체의 중량 플러스 이소파이프 상의 유리의 중량에 의해 가속될 수 있다. 예시적인 유리의 제2 측면은 그의 전달 온도가 약 1350℃, 또는 1345℃, 또는 1340℃, 또는 1335℃, 또는 1330℃, 또는 1325℃, 또는 1320℃, 또는 1315℃ 또는 1310℃ 이하인 것이다. 이러한 전달 온도는 이소파이프를 교체할 필요 없이 확장된 제조 방식을 허용할 수 있거나, 또는 이소파이프 교체 사이의 시간을 연장시킬 수 있다.
높은 어닐링점 및 1350℃ 미만 및 1310℃ 미만의 전달 온도를 갖는 유리의 제조 시행 시에, 유리는 더 낮은 어닐링점을 갖는 유리에 비해, 이소파이프의 기부 및 - 특히 - 연부 배향기 상의 실투에 대한 더 큰 경향을 나타내는 것으로 밝혀졌다. 이소파이프 상의 온도 프로파일을 조심스럽게 측정하면, 연부 배향기 온도가 예상되었던 중심 기부 온도에 비해 훨씬 더 낮은 것으로 나타났으며, 이는 방사성 열 손실로 인한 것으로 여겨진다. 연부 배향기는 전형적으로 중심 기부 온도 미만의 온도에서 유지되어, 상기 유리가 기부에서 나올 때에, 연부 배향기들 사이의 시트를 장력 하에 두어서 평탄한 형상을 유지하기에 충분히 점성인 것을 보장한다. 연부 배향기는 이소파이프의 양 단부에 배치되기 때문에, 연부 배향기는 가열하기 어려우며, 따라서 기부 중심과 연부 배향기 사이의 온도 차이는 50℃ 이상만큼 상이할 수 있다.
이론에 구속되는 것을 원하지는 않지만, 퓨전 공정에서의 실투에 대한 증가된 경향은 온도에 따른 유리의 방사성 열 손실과 관련하여 이해될 수 있는 것으로 여겨진다. 퓨전은 실질적으로 등온 공정이며, 따라서 유리는 특정한 점도에서 유입구로부터 배출되고, 더 높은 점도에서 기부로부터 배출되지만, 점도의 실제 값은 유리의 동일성 또는 공정의 온도에 강한 의존성은 아니다. 따라서, 더 높은 어닐링점을 갖는 유리는 일반적으로 단지 전달 및 배출 점도를 매칭하기 위해, 더 낮은 어닐링점을 갖는 유리보다 훨씬 더 높은 이소파이프 온도를 필요로 한다. 또한, 작업에 대한 어떠한 특정한 이론에 얽매이지는 않지만, 방사성 열 손실이 온도와 함께 증가하기 때문에, 그리고 고어닐링점 유리가 일반적으로 더 낮은 어닐링점의 유리보다 더 높은 온도에서 형성되기 때문에, 중심 기부와 연부 배향기 사이의 온도 차이는 일반적으로 유리의 어닐링점과 함께 증가하는 것으로 여겨진다. 이는, 유리가 이소파이프 또는 연부 배향기 상의 실투 산물을 형성하는 경향에 대해 정비례 관계일 수 있다.
유리의 액상선 온도는, 유리를 그 온도에서 무기한으로 유지시켰을 경우에 결정질 상이 출현하는 최고 온도로서 정의된다. 액상선 점도는 유리의 액상선 온도에서의 점도이다. 이소파이프 상의 실투를 완전히 회피하기 위해, 액상선 온도에서 또는 그 부근에서 이소파이프 내화물 또는 연부 배향기 재료 상에 유리가 더 이상 존재하지 않는 것이 보장되도록 액상선 점도가 충분히 높은 것이 유용할 수 있다.
실제로, 몇몇 알칼리-무함유 유리는 원하는 크기의 액상선 점도를 갖는다. 무정형 실리콘 용도에 적합한 기판 유리 (예를 들어, 이글 XG® 유리)를 사용한 실험은, 연부 배향기가 특정 알칼리-무함유 유리의 액상선 온도보다 최대 60℃ 낮은 온도에서 연속적으로 유지될 수 있음을 제시하였다. 더 높은 어닐링점을 갖는 유리는 더 높은 형성 온도를 필요로 하는 것으로 이해되었지만, 연부 배향기가 중심 기부 온도에 비해 훨씬 더 차가운 것은 예상하지 못하였다. 이러한 효과의 추적을 유지하기에 유용한 메트릭은 이소파이프 상으로의 전달 온도와 유리의 액상선 온도 Tliq 사이의 차이이다. 퓨전 공정에서, 약 35,000 포아즈 (T35kP)에서 유리를 전달하는 것이 일반적으로 바람직하다. 특정한 전달 온도에 대해, T35kP - Tliq를 가능한 한 크게 하는 것이 유용할 수 있지만, 무정형 실리콘 기판 예컨대 이글 XG® 유리에 대해, T35kP - Tliq가 약 80℃ 이상인 경우에 확장된 제조 방식이 수행될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 온도가 증가함에 따라, T35kP - Tliq도 증가해야 하며, 그에 따라 1300℃ 부근의 T35k에 대해, 약 100℃ 이상의 T35kP - Tliq를 갖는 것이 유용할 수 있다. T35kP - Tliq에 대해 유용한 최소 값은 약 1200℃ 내지 약 1320℃의 온도에서 대략 선형적으로 달라지며, 하기 관계식 (1)에 따라 표현될 수 있다.
여기서 모든 온도는 ℃ 단위이다. 따라서, 예시적인 유리의 하나 이상의 실시양태는 > 30℃의 T35k - Tliq, > 40℃의 T35k - Tliq, > 50℃의 T35kP - Tliq, > 60℃의 T35kP - Tliq, > 65℃의 T35kP - Tliq, 또는 > 70℃의 T35kP - Tliq를 갖는다.
추가로, 형성 공정은 높은 액상선 점도를 갖는 유리를 필요로 할 수 있다. 이는, 유리와의 계면에서 실투 산물을 회피하고, 최종 유리 중에서 가시적인 실투 산물을 최소화하기 위해 필요하다. 따라서, 특정한 시트 크기 및 두께를 위한 퓨전과 상용성인 주어진 유리에 대해, 더 폭넓은 시트 또는 더 두꺼운 시트를 제조하기 위해 공정을 조정하는 것은 일반적으로 이소파이프의 양 단부에서 더 낮은 온도를 유발한다. 일부 실시양태는 퓨전 공정을 통한 제조에 대해 더 큰 유연성을 제공하기 위해, 더 높은 액상선 점도를 갖는다. 일부 실시양태에서, 액상선 점도는 약 150kP 이상이다.
퓨전 공정에서의 액상선 점도와 후속 실투 경향 사이의 관계의 시험에서, 놀랍게도 본 발명자들은 높은 전달 온도, 예컨대 예시적인 유리의 높은 전달 온도가 일반적으로 장기간 제조를 위해, 더 낮은 어닐링점을 갖는 전형적인 AMLCD 기판 조성물의 경우보다 더 높은 액상선 점도를 필요로 함을 발견하였다. 이론에 얽매이는 것을 원하지는 않지만, 이는 온도가 증가함에 따라 가속되는 결정 성장 속도로 인해 발생하는 것으로 여겨진다. 퓨전은 본질적으로 등점성(isoviscous) 공정이며, 따라서 소정의 고정된 온도에서 더 점성인 유리는 덜 점성인 유리보다 더 높은 온도에서의 퓨전에 의해 형성될 수 있다. 어느 정도의 과냉각 (액상선 온도 미만에서의 냉각)이 더 낮은 온도의 유리에서 장기간 동안 지속될 수 있지만, 결정 성장 속도는 온도와 함께 증가하며, 따라서 더 점성인 유리는 덜 점성인 유리보다 더 단기간 내에 등가의 허용되지 않는 양의 실투 산물을 성장시킨다. 형성되는 장소에 따라, 실투 산물은 형성 안정성을 손상시킬 수 있고, 최종 유리에 가시적인 결함을 도입할 수 있다.
퓨전 공정에 의해 형성하기 위해, 유리 조성물의 하나 이상의 실시양태는 약 150,000 포아즈, 또는 175,000 포아즈, 또는 200,000 포아즈 이상의 액상선 점도를 갖는다. 놀라운 결과는, 예시적인 유리의 범위 전반에 걸쳐, 유리의 액상선 점도가 다른 조성물에 비해 비통상적으로 높도록, 충분히 낮은 액상선 온도 및 충분히 높은 점도가 얻어지는 것이 가능하다는 것이다.
본원에 기재된 유리 조성물에서, SiO2는 기초적인 유리 형성제로서 기능한다. 특정 실시양태에서, SiO2의 농도는, 평판 디스플레이 유리 (예를 들어, AMLCD 또는 AMOLED 유리)에 적합한 밀도 및 화학적 내구성, 및 유리가 다운드로우 공정 (예를 들어, 퓨전 공정)에 의해 형성되는 것을 가능하게 하는 액상선 온도 (액상선 점도)를 갖는 유리를 제공하기 위해, 60 몰 퍼센트 초과일 수 있다. 상한과 관련하여, 일반적으로, SiO2 농도는, 배치 재료가 내화물 용융기에서 통상적인 고부피 용융 기술, 예를 들어 주울(Joule) 용융을 사용하여 용융되는 것을 가능하게 하기 위해, 약 80 몰 퍼센트 이하일 수 있다. SiO2 농도가 증가함에 따라, 200 포아즈 온도 (용융 온도)가 일반적으로 상승한다. 다양한 용도에서, SiO2 농도는, 유리 조성물이 1,750℃ 이하의 용융 온도를 갖도록 조정된다. 일부 실시양태에서, SiO2 농도는 약 60.0 mol% 내지 약 80.0 mol% 범위, 또는 약 62.0 mol% 내지 약 78.0 mol% 범위, 또는 약 65.0 mol% 내지 약 72 mol% 범위, 또는 약 67 mol% 내지 70 mol% 범위이다.
Al2O3은 본원에 기재된 유리를 제조하기 위해 사용되는 또다른 유리 형성제이다. 10 몰 퍼센트 이상의 Al2O3 농도는 낮은 액상선 온도 및 높은 점도를 갖는 유리를 제공하여, 높은 액상선 점도를 유발한다. 적어도 10 몰 퍼센트의 Al2O3을 사용하면, 유리의 어닐링점 및 탄성률이 또한 개선된다. (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 비가 1.0 이상이 되기 위해, Al2O3 농도는 약 15 몰 퍼센트 미만일 수 있다. 일부 실시양태에서, Al2O3 농도는 약 10.0 내지 14.0 몰 퍼센트 범위, 또는 약 11.0 내지 약 13.0 mol% 범위이며, 약 1.0 이상의 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 비가 유지된다.
본 개시내용의 일부 실시양태는 약 79 GPa, 또는 80 GPa, 또는 80.5 GPa, 또는 81 GPa, 또는 81.5 GPa, 또는 82 GPa, 또는 82.5 GPa, 또는 83 GPa, 또는 83.5 GPa, 또는 84 GPa, 또는 84.5 GPa 또는 85 GPa 초과의 탄성률을 갖는다. 다양한 실시양태에서, 알루미노실리케이트 유리 물품은 약 81 GPa 내지 약 88 GPa 범위, 또는 약 81.5 GPa 내지 약 85 GPa 범위, 또는 약 82 GPa 내지 약 84.5 GPa 범위의 영률을 갖는다.
알루미노실리케이트 유리 물품의 일부 실시양태의 밀도는 약 2.7 g/cc, 또는 2.65 g/cc, 또는 2.61 g/cc, 또는 2.6 g/cc, 또는 2.55 g/cc 미만이다. 다양한 실시양태에서, 밀도는 약 2.49 g/cc 내지 약 2.53 g/cc 범위, 또는 약 2.50 g/cc 내지 약 2.60 g/cc 범위이다.
B2O3은 유리 형성제이면서도, 용융을 보조하여 용융 온도를 낮추는 융제이다. 이는 액상선 온도 및 점도 둘 다에 대해 영향을 미친다. B2O3의 증가는 유리의 액상선 점도를 증가시키기 위해 사용될 수 있다. 이러한 효과를 달성하기 위해, 하나 이상의 실시양태를 위한 유리 조성물은, 0.1 몰 퍼센트 이상의 B2O3 농도를 가질 수 있다. SiO2에 대해 상기 논의된 바와 같이, 유리 내구성은 평판 디스플레이 용도에 매우 중요하다. 내구성은 알칼리 토류 산화물의 상승된 농도에 의해 다소 제어될 수 있으며, 상승된 B2O3 함량에 의해 상당히 감소될 수 있다. B2O3이 증가함에 따라 어닐링점이 감소되며, 따라서 B2O3 함량을, 무정형 실리콘 기판에서의 그의 전형적인 농도에 비해 낮게 유지하는 것이 유용할 수 있다. 따라서 일부 실시양태에서, 유리 조성물은 약 3 내지 약 8.0 몰 퍼센트 범위, 또는 0 초과 내지 약 10.0 mol%, 또는 약 2.0 내지 약 9.0 mol%, 또는 0 초과 내지 약 9.0 mol%, 또는 약 3 내지 약 7 mol%, 또는 약 4.0 내지 약 6.0 mol% 범위의 B2O3 농도를 갖는다.
Al2O3 및 B2O3 농도는, 유리의 용융 및 형성 특성을 유지하면서, 어닐링점을 증가시키고 탄성률을 증가시키고 내구성을 개선시키고 밀도를 감소시키고 열 팽창 계수 (CTE)를 감소시키도록, 한 쌍으로서 선택될 수 있다. 예를 들어, B2O3의 증가 및 Al2O3의 상응하는 감소는 더 낮은 밀도 및 CTE를 얻기에 유용할 수 있는 반면에, Al2O3의 증가 및 B2O3의 상응하는 감소는 어닐링점, 탄성률 및 내구성을 증가시키기에 유용할 수 있으며, 단 Al2O3의 증가는 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 비를 약 1.0 미만으로 감소시키지 않는다. (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 비가 약 1.0 미만인 경우, 실리카 원료의 후단 용융으로 인해 유리로부터 기체상 함유물을 제거하는 것이 어렵거나 불가능할 수 있다. 게다가, (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3이 ≤ 1.05인 경우, 알루미노실리케이트 결정인 멀라이트가 액상선 상으로서 출현할 수 있다. 일단 멀라이트가 액상선 상으로서 존재하면, 액상선에 대한 조성물 감수성이 상당히 증가하고, 멀라이트 실투 산물이 매우 급속하게 성장하면서도, 일단 확립되면 제거하기 매우 어렵다. 따라서, 일부 실시양태에서, 유리 조성물은 ≥ 1.0 (또는 약 1.0 이상)의 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3을 갖는다. 다양한 실시양태에서, 유리는 ≥ 1.05 (또는 약 1.05 이상), 또는 약 1 내지 약 1.25 범위의 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3을 갖는다.
하나 이상의 실시양태에서, 평판 디스플레이 용도 (예컨대 AMLCD 및 AMOLED 디스플레이)에 사용하기 위한 유리는 약 28x10-7/℃ 내지 약 42x10-7/℃ 범위, 또는 약 30 x10-7/℃ 내지 약 40 x10-7/℃ 범위, 또는 약 32 x10-7/℃ 내지 약 38x10-7/℃ 범위의 열 팽창 계수 (CTE) (22-300℃) 를 갖는다.
유리 형성제 (SiO2, Al2O3 및 B2O3) 이외에도, 본원에 기재된 유리는 알칼리 토류 산화물을 또한 포함한다. 한 실시양태에서, 적어도 3종의 알칼리 토류 산화물, 예를 들어 MgO, CaO 및 BaO, 및 임의로 SrO가 유리 조성물의 일부이다. 알칼리 토류 산화물은, 용융, 청징, 형성 및 궁극적 용도에 중요한 다양한 특성을 갖는 유리를 제공한다. 따라서, 이와 관련하여 유리 성능을 개선시키기 위해, 한 실시양태에서, (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 비는 약 1.0 이상이다. 상기 비가 증가함에 따라, 점도는 액상선 온도보다 더 크게 증가하는 경향이 있으며, 따라서 T35k - Tliq의 적합하게 높은 값을 얻기가 점점 더 어려워진다. 따라서 또 다른 실시양태에서, (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 비는 약 2 이하이다. 일부 실시양태에서, (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 비는 약 1 내지 약 1.25 범위, 또는 약 1 내지 약 1.18 범위, 또는 약 1.1 내지 약 1.8 범위이다.
본 개시내용의 특정 실시양태에 대해, 알칼리 토류 산화물은 사실상 단일 조성 성분으로서 처리될 수 있다. 이는 그들의 점탄성 특성, 액상선 온도 및 액상선 상 관계에 대한 영향이, 유리 형성 산화물 SiO2, Al2O3 및 B2O3에 대한 것에 비해 서로에 대해 정성적으로 더 유사하기 때문이다. 그러나, 알칼리 토류 산화물 CaO, SrO 및 BaO는 장석 광물, 특히 아노르타이트 (CaAl2Si2O8) 및 셀시안 (BaAl2Si2O8) 및 그의 스트론튬-보유 고용체를 형성할 수 있지만, MgO는 이들 결정에 유의한 정도로 관여하지 않는다. 따라서, 장석 결정이 이미 액상선 상인 경우, MgO의 과다첨가(superaddition)는, 결정에 비해 액체를 안정화시켜 액상선 온도를 낮추도록 기능할 수 있다. 동시에, 점도 곡선이 전형적으로 더 가파르게 되어, 저온 점도에 대해 거의 또는 전혀 영향을 미치지 않으면서 용융 온도를 감소시킨다.
본 발명자들은 소량의 MgO의 첨가가, 높은 어닐링점 및 그에 따른 낮은 압착을 보존하면서, 용융 온도의 감소에 의해 용융에 유익하며, 액상선 온도의 감소 및 액상선 점도의 증가에 의해 형성에 유익할 수 있음을 발견하였다. 다양한 실시양태에서, 유리 조성물은 MgO를 약 0.1 mol% 내지 약 6 mol% 범위, 또는 약 1.0 mol% 내지 약 6.0 mol% 범위, 또는 약 2.0 mol% 내지 약 6.0 mol% 범위, 또는 약 3.0 mol% 내지 약 5.5 mol% 범위의 양으로 포함한다.
놀랍게도, 본 발명자들은 T35k - Tliq의 적합하게 높은 값을 갖는 유리의 경우, MgO 대 다른 알칼리 토류의 비 MgO/( MgO+CaO+SrO+BaO)가 비교적 좁은 범위 내에 해당함을 발견하였다. 상기 언급된 바와 같이, MgO의 첨가는 장석 광물을 탈안정화시킬 수 있으며, 따라서 액체를 안정화시키고 액상선 온도를 낮출 수 있다. 그러나, 일단 MgO가 특정 수준에 도달하면, 멀라이트 Al6Si2O13이 안정화될 수 있으며, 따라서 액상선 온도가 증가되고 액상선 점도가 감소될 수 있다. 더욱이, MgO의 더 높은 농도는 액체의 점도를 감소시키는 경향이 있으며, 따라서 심지어 MgO의 첨가에 의해 액상선 점도가 변화 없이 유지되는 경우에도, 최종적으로 액상선 점도가 감소되는 경우가 있을 것이다. 따라서 또 다른 실시양태에서, 0.20 ≤ MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO) ≤ 0.40이거나, 또는 일부 실시양태에서, 0.22 ≤ MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO) ≤ 0.37이다. 이러한 범위 내에서, 유리 형성제 및 다른 알칼리 토류 산화물에 대해 상대적으로 MgO를 변경시켜, 다른 원하는 특성의 달성과 합치되게 T35k - Tliq의 값을 최대화시킬 수 있다.
작업에 대한 어떠한 특정한 이론에 얽매이지는 않지만, 유리 조성물 중에 존재하는 산화칼슘은 낮은 액상선 온도 (높은 액상선 점도), 높은 어닐링점 및 탄성률, 및 평판 용도, 구체적으로 AMLCD 또는 AMOLED 용도를 위한 가장 원하는 범위의 CTE를 유발할 수 있는 것으로 여겨진다. 이는 또한 화학적 내구성에 유리하게 기여하며, 다른 알칼리 토류 산화물에 비해, 배치 재료로서 비교적 저렴하다. 그러나, 높은 농도에서, CaO는 밀도 및 CTE를 증가시킨다. 게다가, 충분히 낮은 SiO2 농도에서, CaO는 아노르타이트를 안정화시킬 수 있으며, 따라서 액상선 점도를 감소시킬 수 있다. 따라서, 하나 이상의 실시양태에서, CaO 농도는 2 몰 퍼센트 이상일 수 있다. 다양한 실시양태에서, 유리 조성물의 CaO 농도는 약 2.0 mol% 내지 약 10.0 mol% 범위, 또는 약 3 mol% 내지 약 9.0 mol% 범위, 또는 약 4 mol% 내지 약 8 mol% 범위, 또는 약 5 mol% 내지 약 7 mol% 범위, 또는 약 5.5 mol% 내지 약 7 mol% 범위이다.
SrO 및 BaO 둘 다는 낮은 액상선 온도 (높은 액상선 점도)에 기여할 수 있으며, 따라서 본원에 기재된 유리는 전형적으로 적어도 이들 산화물 둘 다를 함유할 것이다. 그러나, 이들 산화물의 선택 및 농도는 CTE 및 밀도의 증가 및 탄성률 및 어닐링점의 감소를 회피하도록 선택된다. SrO 및 BaO의 상대 비율은, 유리가 다운드로우 공정에 의해 형성될 수 있도록 하는 물리적 특성과 액상선 점도의 적합한 조합을 얻도록 균형을 이룰 수 있다. 다양한 실시양태에서, 유리는 SrO를 약 0 내지 약 6.0 mol% 범위, 또는 0 초과 내지 약 6.0 mol%, 또는 약 0 내지 약 5.5 mol%, 또는 약 3 mol% 내지 약 5 mol% 범위로 포함한다. 하나 이상의 실시양태에서, 유리는 BaO를 약 0 내지 약 1.0 mol% 미만 범위, 또는 0 초과 내지 약 0.5 mol%, 또는 약 0 내지 약 0.09 mol%, 또는 약 0 mol% 내지 약 0.03 mol%로 포함한다.
본 개시내용의 유리의 중심 성분의 효과/역할을 요약하자면, SiO2는 기초적인 유리 형성제이다. Al2O3 및 B2O3이 또한 유리 형성제이고, 한 쌍으로서 선택될 수 있으며, 여기서 예를 들어 B2O3의 증가 및 Al2O3의 상응하는 감소는 더 낮은 밀도 및 CTE를 얻기 위해 사용되는 반면에, Al2O3의 증가 및 B2O3의 상응하는 감소는 어닐링점, 탄성률 및 내구성의 증가에 사용되며, 단 Al2O3의 증가는 RO/Al2O3 비를 약 1.0 미만으로 감소시키지 않고, 여기서 RO = (MgO+CaO+SrO+BaO)이다. 상기 비가 너무 낮아지는 경우, 용융성이 손상되며, 즉 용융 온도가 너무 높아진다. 용융 온도를 저하시키기 위해 B2O3이 사용될 수 있지만, 높은 수준의 B2O3은 어닐링점을 손상시킨다.
용융성 및 어닐링점 고려사항 이외에도, AMLCD 및 AMOLED 용도를 위해, 유리의 CTE는 실리콘의 CTE와 상용성이어야 한다. 이러한 CTE 값을 달성하기 위해, 예시적인 유리는 유리의 RO 함량을 제어할 수 있다. 주어진 Al2O3 함량에 대해, RO 함량의 제어는 RO/Al2O3 비의 제어에 상응한다. 실제로, RO/Al2O3 비가 약 1.6 미만인 경우에, 적합한 CTE를 갖는 유리가 제조된다.
이들 고려사항에 더하여, 유리는 바람직하게는 다운드로우 공정, 예를 들어 퓨전 공정에 의해 형성가능하며, 이는 유리의 액상선 점도가 비교적 높아야 함을 의미한다. 이와 관련하여 개별 알칼리 토류는, 그렇지 않으면 형성되는 결정질 상을 탈안정화시킬 수 있기 때문에 중요한 역할을 한다. BaO 및 SrO가 액상선 점도의 제어에 특히 효과적이며, 적어도 이러한 목적을 위해 예시적인 유리 중에 포함된다. 하기 제공된 실시예에 예시된 바와 같이, 낮은 용융 온도, 높은 어닐링점 및 적합한 CTE를 달성하기 위해 필요한 RO/Al2O3 비 제약조건을 알칼리 토류 전체가 충족시키는 알칼리 토류의 다양한 조합은, 높은 액상선 점도를 갖는 유리를 생성시킬 것이다. 일부 실시양태에서, 액상선 점도는 약 150kP 이상이다.
상기 성분 이외에도, 본원에 기재된 유리 조성물은 유리의 다양한 물리적, 용융, 청징 및 형성 속성을 조정하기 위해 다양한 다른 산화물을 포함할 수 있다. 이러한 다른 산화물의 예는 TiO2, MnO, Fe2O3, ZnO, Nb2O5, MoO3, Ta2O5, WO3, Y2O3, La2O3 및 CeO2 뿐만 아니라 다른 희토류 산화물 및 인산염을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 한 실시양태에서, 이들 산화물 각각의 양은 2.0 몰 퍼센트 이하일 수 있으며, 그의 총 합계 농도는 5.0 몰 퍼센트 이하일 수 있다. 일부 실시양태에서, 유리 조성물은 ZnO를 약 0 내지 약 1.5 mol%, 또는 약 0 내지 약 1.0 mol% 범위의 양으로 포함한다. 본원에 기재된 유리 조성물은, 배치 재료와 연관되어 있고/거나 유리를 제조하기 위해 사용되는 용융, 청징 및/또는 형성 장비에 의해 유리에 도입되는 다양한 오염물, 특히 Fe2O3 및 ZrO2를 또한 포함할 수 있다. 유리는, 산화주석 전극을 사용하는 주울 용융의 결과로서, 및/또는 주석 함유 재료, 예를 들어 SnO2, SnO, SnCO3, SnC2O2 등의 배치화를 통해, SnO2를 또한 함유할 수 있다.
유리 조성물은 일반적으로 알칼리 무함유이지만; 유리는 일부 알칼리 오염물을 함유할 수 있다. AMLCD 및 AMOLED 용도의 경우에, 알칼리 이온이 유리로부터 TFT의 실리콘으로 확산하는 것을 통해 박막 트랜지스터 (TFT) 성능에 대해 부정적인 영향을 미치는 것을 회피하기 위해, 알칼리 수준을 0.1 몰 퍼센트 미만으로 유지하는 것이 바람직하다. 본원에 사용된 "알칼리-무함유 유리"는 0.1 몰 퍼센트 이하의 총 알칼리 농도를 갖는 유리이며, 여기서 총 알칼리 농도는 Na2O, K2O 및 Li2O 농도의 합계이다. 한 실시양태에서, 총 알칼리 농도는 0.1 몰 퍼센트 이하이다.
상기 논의된 바와 같이, 1.0 이상의 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 비는 청징, 즉 용융된 배치 재료로부터의 기체상 함유물의 제거를 개선시킨다. 이러한 개선은 더 환경 친화적인 청징 패키지의 사용을 가능하게 한다. 예를 들어, 산화물 기준으로, 본원에 기재된 유리 조성물은 하기 조성 특징: (i) 최대 0.05 몰 퍼센트의 As2O3 농도; (ii) 최대 0.05 몰 퍼센트의 Sb2O3 농도; (iii) 최대 0.25 몰 퍼센트의 SnO2 농도 중 하나 이상 또는 이들 전부를 가질 수 있다.
As2O3은 AMLCD 및 AMOLED 유리에 효과적인 고온 청징제이며, 본원에 기재된 일부 실시양태에서, As2O3은 그의 우월한 청징 특성 때문에 청징을 위해 사용된다. 그러나, As2O3은 유독하며, 유리 제조 공정 동안 특수 취급을 필요로 한다. 따라서, 특정 실시양태에서, 청징은 실질적인 양의 As2O3을 사용하지 않으면서 수행되며, 즉 완성된 유리는 최대 0.05 몰 퍼센트의 As2O3을 갖는다. 한 실시양태에서, As2O3은 의도적으로 유리의 청징에 사용되지 않는다. 이러한 경우에, 완성된 유리는 배치 재료 및/또는 배치 재료를 용융시키기 위해 사용되는 장비 중에 존재하는 오염물로 인해, 전형적으로 최대 0.005 몰 퍼센트의 As2O3을 가질 것이다.
As2O3만큼 독성은 아니지만, Sb2O3도 또한 유독하며, 특수 취급을 필요로 한다. 추가로, 청징제로서 As2O3 또는 SnO2를 사용한 유리에 비해, Sb2O3은 밀도를 상승시키고, CTE를 상승시키고, 어닐링점을 낮춘다. 따라서, 특정 실시양태에서, 청징은 실질적인 양의 Sb2O3을 사용하지 않으면서 수행되며, 즉 완성된 유리는 최대 0.05 몰 퍼센트의 Sb2O3을 갖는다. 또 다른 실시양태에서, Sb2O3은 의도적으로 유리의 청징에 사용되지 않는다. 이러한 경우에, 완성된 유리는 배치 재료 및/또는 배치 재료를 용융시키기 위해 사용되는 장비 중에 존재하는 오염물로 인해, 전형적으로 최대 0.005 몰 퍼센트의 Sb2O3을 가질 것이다.
As2O3 및 Sb2O3 청징에 비해, 주석 청징 (즉, SnO2 청징)은 덜 효과적이지만 SnO2는 공지된 유해 특성을 갖지 않는 유비쿼터스 재료이다. 또한, 수년 동안, SnO2는 이러한 유리를 위한 배치 재료의 주울 용융에서의 산화주석 전극의 사용을 통해 AMLCD 및 AMOLED 유리의 성분이 되어 왔다. AMLCD 및 AMOLED 유리 중 SnO2의 존재는 액정 디스플레이의 제조에서의 이들 유리의 사용 시에 어떠한 공지된 악영향도 유발하지 않았다. 그러나, SnO2의 높은 농도는, AMLCD 및 AMOLED 유리 중에서 결정질 결함의 형성을 유발할 수 있기 때문에 바람직하지 않다. 한 실시양태에서, 완성된 유리 중 SnO2의 농도는 0.25 몰 퍼센트 이하이다.
주석 청징은 단독으로 사용되거나, 또는 원하는 경우에 다른 청징 기술과 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들어, 주석 청징은 할로겐화물 청징, 예를 들어 브로민 청징과 조합될 수 있다. 다른 가능한 조합은 주석 청징과 황산염, 황화물, 산화세륨, 기계적 버블링 및/또는 진공 청징의 조합을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 이들 다른 청징 기술은 단독으로 사용될 수 있는 것으로 고려된다. 특정 실시양태에서, (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 비 및 개별 알칼리 토류 농도를 상기 논의된 범위 내로 유지하는 것은, 청징 공정이 더 용이하게 수행되고 더 효과적이도록 한다.
본원에 기재된 유리는 관련 기술분야에 공지된 다양한 기술을 사용하여 제조될 수 있다. 한 실시양태에서, 유리는 다운드로우 공정 예컨대 예를 들어 퓨전 다운드로우 공정을 사용하여 제조된다. 한 실시양태에서, 시트를 구성하는 유리가 SiO2, Al2O3, B2O3, MgO, CaO 및 BaO를 포함하고, 산화물 기준으로, (i) 1.0 이상의 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 비; (ii) 3.0 몰 퍼센트 이상의 MgO 함량; (iii) 4.0 몰 퍼센트 이상의 CaO 함량; 및 (iv) 1.0 몰 퍼센트 이상의 BaO 함량을 포함하도록, 배치 재료를 선택하고, 용융시키고, 청징시키는 것을 포함하며, 여기서 (a) 청징은 실질적인 양의 비소를 사용하지 않으면서 (및, 임의로 실질적인 양의 안티모니를 사용하지 않으면서) 수행되고; (b) 용융되고 청징된 배치 재료로부터 다운드로우 공정에 의해 제조되는 50개의 순차적인 유리 시트의 집합은 0.10개 미만의 기체상 함유물/세제곱 센티미터의 평균 기체상 함유물 수준을 갖고, 여기서 집합 내의 각각의 시트는 적어도 500 세제곱 센티미터의 부피를 갖는 것인, 다운드로우 공정에 의해 알칼리-무함유 유리 시트를 제조하는 방법이 본원에 기재된다.
한 실시양태에 따르면, 용융되고 청징된 배치 재료로부터 다운드로우 공정에 의해 제조되는 50개의 순차적인 유리 시트의 집합은 0.05개 미만의 기체상 함유물/세제곱 센티미터의 평균 기체상 함유물 수준을 갖고, 여기서 집합 내의 각각의 시트는 적어도 500 세제곱 센티미터의 부피를 갖는다.
실시예
하기 실시예는 예시적 실시양태를 예시하기 위해 제시된다. 이들 실시예는 본원에 개시된 대상의 모든 실시양태를 포함하도록 의도된 것은 아니며, 오히려 대표적인 방법 및 결과를 예시하도록 의도된 것이다. 이들 실시예는 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 명백한 본 발명의 등가물 및 변경을 배제하도록 의도된 것은 아니다.
수치 (예를 들어, 양, 온도 등)에 대한 정확도를 보장하기 위해 노력하였지만, 일부 오차 및 편차가 고려되어야 한다. 달리 나타내지 않는 한, 온도는 ℃ 단위 또는 주위 온도이고, 압력은 대기압 또는 그 부근이다. 조성물 그 자체는 산화물 기준의 중량 퍼센트 단위로 주어지며, 100%에 대해 정규화되었다. 반응 조건, 예를 들어 성분 농도, 온도, 압력, 및 기재된 공정으로부터 얻어진 생성물 순도 및 수율을 최적화하기 위해 사용될 수 있는 다른 반응 범위 및 조건의 수많은 변경 및 조합이 존재한다. 이러한 공정 조건을 최적화하기 위해서는, 단지 합당한 상용 실험만이 필요할 것이다.
표 1에 제시된 유리 특성은 유리 기술분야에서 통상적인 기술에 따라 결정되었다. 따라서, 온도 범위 25-300℃에 걸친 선형 열 팽창 계수 (CTE)는 x 10-7/℃로 표현되고, 어닐링점은 ℃로 표현된다. 이들은 섬유 신장 기술 (각각 ASTM 기준 E228-85 및 C336)로부터 결정되었다. 그램/cm3으로의 밀도는 아르키메데스(Archimedes) 방법 (ASTM C693)을 통해 측정되었다. ℃로의 용융 온도 (유리 용융물이 200 포아즈의 점도를 나타내는 온도로서 정의됨)는 회전 실린더 점도계 (ASTM C965-81)를 통해 측정된 고온 점도 데이터에 피팅된 풀처(Fulcher) 식을 사용하여 계산되었다.
℃로의 유리의 액상선 온도는 ASTM C829-81의 표준 구배 보트 액상선 방법을 사용하여 측정되었다. 이는 파쇄된 유리 입자를 백금 보트에 넣고, 구배 온도의 영역을 갖는 가열로에 보트를 넣고, 보트를 적절한 온도 영역에서 24시간 동안 가열하고, 현미경 검사에 의해 유리의 내부에서 결정이 출현하는 최고 온도를 결정하는 것을 포함한다. 보다 특히, Pt 보트로부터 유리 샘플을 단일편으로 꺼내고, 편광 현미경검사를 사용하여 검사하여, Pt 및 공기 계면에 대해, 샘플의 내부에서 형성된 결정의 위치 및 성질을 확인하였다. 가열로의 구배는 매우 널리 공지되어 있기 때문에, 온도 대비 위치는 5-10℃ 내에서 잘 추정될 수 있다. 샘플의 내부 부분에서 결정이 관찰되는 온도는, (상응하는 시험 기간에 대한) 유리의 액상선을 나타내는 것으로 여겨진다. 시험은 때때로 더 저속화된 성장하는 상을 관찰하기 위해 더 장시간 (예를 들어 72시간) 수행된다. 200 포아즈에 상응하는 온도 및 액상선에서의 점도 (포아즈 단위)는 보겔-풀처-탐만(Vogel-Fulcher-Tammann) 식을 사용하여 고점도 데이터에 피팅하는 것으로부터 결정되었으며,
여기서 T는 온도이고, A, B 및 To는 피팅 파라미터이다. 액상선 점도를 결정하기 위해, 액상선 온도가 T의 값으로서 사용된다. GPa로의 영률 값은 ASTM E1875-00e1에 제시된 일반적인 유형의 공명 초음파 분광분석법 기술을 사용하여 결정되었다.
표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 예시적인 유리는, 유리를 디스플레이 용도, 예컨대 AMLCD 및 AMOLED 기판 용도, 및 보다 특히 저온 폴리실리콘 및 산화물 박막 트랜지스터 용도에 적합하게 하는 밀도, CTE, 어닐링점 및 영률 값을 갖는다. 표 1에 제시되지는 않았지만, 유리는 산 및 염기 매질 중 내구성에 있어서 상업용 AMLCD 및 AMOLED 기판으로부터 얻어진 것들과 유사하며, 따라서 AMLCD 및 AMOLED 용도에 적절하다. 예시적인 유리는 다운드로우 기술을 사용하여 형성될 수 있으며, 특히 상기 언급된 기준에 의하면 퓨전 공정과 상용성이다.
표 1의 예시적인 유리는 실리카 공급원으로서 90 중량%가 표준 U.S. 100 메시 체를 통과하도록 밀링된 상업용 모래를 사용하여 제조되었다. 알루미나는 알루미나 공급원이고, 페리클레이스 MgO 공급원이고, 석회암 CaO 공급원이고, 탄산스트론튬, 질산스트론튬 또는 그의 혼합물은 SrO 공급원이고, 탄산바륨은 BaO 공급원이고, 산화주석(IV)은 SnO2 공급원이었다. 원료를 철처히 혼합하고, 가열로 내에 현수된 백금 용기에 적재하고, 탄화규소 글로우바에 의해 가열하고, 1600 내지 1650℃ 범위의 온도에서 수시간 동안 용융 및 교반하여, 균질성을 확보하고, 백금 용기의 기부에 있는 오리피스를 통해 전달하였다. 유리의 생성된 패티를 어닐링점 또는 그 부근에서 어닐링하고, 이어서 다양한 실험 방법에 적용하여, 물리적, 점성 및 액상선 속성을 결정하였다.
이들 방법은 독특한 것이 아니며, 표 1의 유리는 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 널리 공지된 표준 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 이러한 방법은 연속 용융 공정을 포함하며, 예컨대 연속 용융 공정에서 사용되는 용융기가 기체, 전력 또는 그의 조합에 의해 가열되는 연속 용융 공정으로 수행될 것이다.
개시된 유리를 제조하기에 적절한 원료는 SiO2 공급원으로서의 상업적으로 입수가능한 모래; Al2O3 공급원으로서의 알루미나, 수산화알루미늄, 알루미나의 수화 형태, 및 다양한 알루미노실리케이트, 질산염 및 할로겐화물; B2O3 공급원으로서의 붕산, 무수 붕산 및 산화붕소; MgO 공급원으로서의 페리클레이스, 돌로마이트 (또한 CaO 공급원), 마그네시아, 탄산마그네슘, 수산화마그네슘, 및 다양한 형태의 마그네슘 실리케이트, 알루미노실리케이트, 질산염 및 할로겐화물; CaO 공급원으로서의 석회암, 아라고나이트, 돌로마이트 (또한 MgO 공급원), 월라스토나이트, 및 칼슘 실리케이트의 다양한 형태, 알루미노실리케이트, 질산염 및 할로겐화물; 및 스트론튬 및 바륨의 산화물, 탄산염, 질산염 및 할로겐화물을 포함한다. 화학적 청징제를 원하는 경우, 주석이 SnO2로서, 또 다른 주요 유리 성분 (예를 들어, CaSnO3)과의 혼합 산화물로서, 또는 산화 조건 하에 SnO, 옥살산주석, 할로겐화주석, 또는 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 공지된 주석의 다른 화합물로서 첨가될 수 있다.
표 1에서의 유리는 청징제로서 SnO2를 함유하지만, TFT 기판 용도에 충분한 품질을 갖는 유리를 얻기 위해 다른 화학적 청징제가 또한 사용될 수 있다. 예를 들어, 개시된 유리는 청징을 촉진하기 위한 의도적인 첨가물로서 As2O3, Sb2O3, CeO2, Fe2O3 및 할로겐화물 중 임의의 1종 또는 그의 조합을 사용할 수 있으며, 이들 중 임의의 것이 실시예에 제시된 SnO2 화학적 청징제와 함께 사용될 수 있다. 이들 중, As2O3 및 Sb2O3은 일반적으로 유해 물질로서 인식되며, 유리 제조 도중에 또는 TFT 패널의 가공 시에 생성될 수 있는 바와 같은 폐기물 스트림 중에서의 제어 대상이다. 따라서, As2O3 및 Sb2O3의 농도를 개별적으로 또는 조합하여 0.005 mol% 이하로 제한하는 것이 바람직하다.
개시된 유리에 의도적으로 혼입되는 원소 이외에도, 주기율표 내의 거의 모든 안정한 원소가, 원료 중 낮은 수준의 오염물을 통해, 제조 공정에서의 내화물 및 귀금속의 고온 부식을 통해, 또는 최종 유리의 속성을 미세 조정하기 위한 낮은 수준으로의 의도적인 도입을 통해 유리 중에 소정 수준으로 존재한다. 예를 들어, 지르코늄은 지르코늄-풍부 내화물과의 상호작용을 통해 오염물로서 도입될 수 있다. 추가 예로서, 백금 및 로듐은 귀금속과의 상호작용을 통해 도입될 수 있다. 추가 예로서, 철은 원료 중에 극미량(tramp)으로 도입될 수 있거나, 또는 기체상 함유물의 제어를 향상시키기 위해 의도적으로 첨가될 수 있다. 추가 예로서, 망가니즈는 색을 제어하기 위해 또는 기체상 함유물의 제어를 향상시키기 위해 첨가될 수 있다. 추가 예로서, 알칼리는 극미량 성분으로서 Li2O, Na2O 및 K2O의 합계 농도에 대해 최대 약 0.1 mol%의 수준으로 존재할 수 있다.
수소는 필연적으로 히드록실 음이온인 OH-의 형태로 존재하며, 그의 존재는 표준 적외선 분광분석법 기술을 통해 확인될 수 있다. 용해된 히드록실 이온은 개시된 유리의 어닐링점에 대해 유의하고 비선형적인 영향을 미치며, 따라서 원하는 어닐링점을 얻기 위해서는, 주요 산화물 성분의 농도를 조정하여 보상하는 것이 필요할 수 있다. 히드록실 이온 농도는 원료의 선택 또는 용융 시스템의 선택을 통해 어느 정도 제어될 수 있다. 예를 들어, 붕산은 히드록실의 주요 공급원이며, 붕산을 산화붕소로 대체하는 것이, 최종 유리 중 히드록실 농도를 제어하기 위한 유용한 수단일 수 있다. 동일한 이유가 히드록실 이온, 수화물, 또는 물리수착 또는 화학수착된 물 분자를 포함하는 화합물을 포함하는 다른 잠재적인 원료에도 적용된다. 용융 공정에서 버너가 사용되는 경우, 히드록실 이온은 또한 천연 가스 및 관련 탄화수소의 연소로부터의 연소 생성물을 통해 도입될 수 있으며, 따라서 용융에 사용되는 에너지를 버너로부터 전극으로 이동시켜서 보상하는 것이 바람직할 수 있다. 대안적으로, 그 대신에, 용해된 히드록실 이온의 유해 영향을 보상하기 위한 주요 산화물 성분을 조정하는 반복적인 공정이 사용될 수 있다.
황은 종종 천연 가스 중에 존재하며, 마찬가지로 많은 탄산염, 질산염, 할로겐화물 및 산화물 원료 중 극미량 성분이다. SO2의 형태로, 황은 기체상 함유물의 번거로운 공급원일 수 있다. SO2-풍부 결함이 형성되는 경향은, 원료 중 황 수준을 제어하는 것에 의해, 및 낮은 수준의 비교적 환원된 다가 양이온을 유리 매트릭스에 혼입하는 것에 의해 상당한 정도로 관리될 수 있다. 이론에 얽매이는 것을 원하지는 않지만, SO2-풍부 기체상 함유물은 주로 유리 중에 용해된 술페이트 (SO4 =)의 환원을 통해 발생하는 것으로 보인다. 개시된 유리의 상승된 바륨 농도는 용융의 초기 단계에서 유리 중 황 보유를 증가시키는 것으로 보이지만, 상기 언급된 바와 같이, 바륨은 낮은 액상선 온도 및 그에 따른 높은 T35k - Tliq 및 높은 액상선 점도를 얻기 위해 필요하다. 의도적으로 원료 중 황 수준을 낮은 수준으로 제어하는 것은, 유리 중에 용해된 (아마도 술페이트로서의) 황을 환원시키는 유용한 수단이다. 특히, 황은 구체적으로 배치 재료 중 200 중량 ppm 미만, 보다 구체적으로 배치 재료 중 100 중량 ppm 미만이다.
개시된 유리가 SO2 블리스터를 형성하는 경향을 제어하기 위해, 환원된 다가물이 또한 사용될 수 있다. 이론에 얽매이는 것을 원하지는 않지만, 이들 요소는 술페이트 환원을 위한 기전력을 억제하는 잠재적인 전자 공여자로서 거동한다. 술페이트 환원은 반쪽 반응으로서 하기와 같이 기록될 수 있다.
여기서 e-는 전자를 나타낸다. 반쪽 반응에 대한 "평형 상수"는 하기와 같다.
여기서 괄호는 화학적 활성을 나타낸다. 이상적으로, SO2, O2 및 2e-로부터 술페이트를 생성시키기 위해 상기 반응을 강제하는 것을 원할 것이다. 질산염, 과산화물 또는 다른 산소-풍부 원료의 첨가는 유익할 수 있지만, 또한 용융의 초기 단계에서 술페이트 환원에 대해 불리하게 작용할 수 있으며, 이는 우선 이들을 첨가하는 것의 이익에 반작용할 수 있다. SO2는 대부분의 유리 중에서 매우 낮은 용해도를 가지며, 따라서 이를 유리 용융 공정에 첨가하는 것은 비실용적이다. 전자는 환원된 다가물을 통해 "첨가"될 수 있다. 예를 들어, 제1철 (Fe2+)에 대한 적절한 전자 공여 반쪽 반응은 하기와 같이 표현된다.
이러한 전자의 "활성"은 술페이트 환원 반응을 좌측으로 강제하여, 유리 중에서 SO4 =를 안정화시킬 수 있다. 적합한 환원된 다가물은 Fe2+, Mn2+, Sn2+, Sb3+, As3+, V3+, Ti3+, 및 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 익숙한 다른 것들을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 각 경우에, 유리의 색에 대한 유해 영향을 회피하기 위해 이러한 성분의 농도를 최소화하는 것, 또는 As 및 Sb의 경우에는, 최종 사용자의 공정에서 폐기물 관리를 복잡하게 하기에 충분히 높은 수준으로 이러한 성분을 첨가하는 것을 회피하는 것이 중요할 수 있다.
개시된 유리의 주요 산화물 성분, 및 상기 언급된 미량 또는 극미량 구성성분 이외에도, 원료의 선택을 통해 도입된 오염물로서, 또는 유리 중에서 기체상 함유물을 제거하기 위해 사용되는 의도적인 성분으로서, 할로겐화물이 다양한 수준으로 존재할 수 있다. 청징제로서, 할로겐화물이 약 0.4 mol% 이하의 수준으로 혼입될 수 있지만, 가능하다면 오프-가스 취급 장비의 부식을 회피하기 위해 더 적은 양을 사용하는 것이 일반적으로 바람직하다. 바람직한 실시양태에서, 개별 할로겐화물 성분의 농도는 각각의 개별 할로겐화물에 대해 약 200 중량 ppm 미만, 또는 모든 할로겐화물 요소의 합계에 대해 약 800 중량 ppm 미만이다.
이들 주요 산화물 성분, 미량 및 극미량 성분, 다가물 및 할로겐화물 청징제 이외에도, 원하는 물리적, 광학적 또는 점탄성 특성을 달성하기 위해 낮은 농도의 다른 무색 산화물 성분을 혼입하는 것이 유용할 수 있다. 이러한 산화물은 TiO2, ZrO2, HfO2, Nb2O5, Ta2O5, MoO3, WO3, ZnO, In2O3, Ga2O3, Bi2O3, GeO2, PbO, SeO3, TeO2, Y2O3, La2O3, Gd2O3, 및 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 공지된 다른 것들을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 개시된 유리의 주요 산화물 성분들의 상대 비율을 조정하는 반복적인 공정을 통해, 이러한 무색 산화물은, 어닐링점, T10k - Tliq 또는 액상선 점도에 대한 허용되지 않는 영향 없이, 최대 약 2 mol%의 수준으로 첨가될 수 있다.
일부 실시양태에 따른 유리 조성물의 예는 하기 표 1 및 2에 개시되어 있다.
표 1
표 2
표 2 (계속)
표 2 (계속)
표 2 (계속)
표 2 (계속)
표 2 (계속)
표 2 (계속)
표 2 (계속)
표 2 (계속)
개시된 다양한 실시양태는 그 특정한 실시양태와 관련하여 기재된 특정한 특색, 요소 또는 단계를 수반할 수 있는 것으로 인지될 것이다. 또한, 특정한 특색, 요소 또는 단계는, 하나의 특정한 실시양태와 관련하여 기재되어 있기는 하지만, 예시되지 않은 다양한 조합 또는 순열로 대안적 실시양태와 상호교환 또는 조합될 수 있는 것으로 인지될 것이다.
또한, 본원에 사용된 단수 용어는 "적어도 하나"를 의미하는 것으로 이해되어야 하며, 달리 명백하게 나타내지 않는 한, "단지 하나"에 제한되어서는 안 된다. 따라서, 예를 들어, "고리"에 대한 언급은 문맥이 달리 명백하게 나타내지 않는 한, 2개 이상의 이러한 고리를 갖는 예를 포함한다. 마찬가지로, "복수의" 또는 "일련의"는 "하나 초과"를 나타내도록 의도된다. 이와 같이, "복수의 액적"은 2개 이상의 이러한 액적, 예컨대 3개 이상의 이러한 액적 등을 포함하며, "일련의 고리"는 2개 이상의 이러한 고리, 예컨대 3개 이상의 이러한 고리 등을 포함한다.
본원에서, 범위는 "약" 하나의 특정한 값으로부터 및/또는 "약" 또 다른 특정한 값까지로서 표현될 수 있다. 이러한 범위가 표현되는 경우, 하나의 특정한 값으로부터 및/또는 다른 특별한 값까지의 예가 포함된다. 유사하게, 선행어구 "약"의 사용에 의해 값이 근사치로서 표현되는 경우, 특정한 값은 또 다른 측면을 형성하는 것으로 이해될 것이다. 추가로, 각 범위의 종점은 다른 종점과 관련하여 유의하면서도, 다른 종점과 독립적으로 유의한 것으로 이해될 것이다.
특정한 실시양태의 다양한 특색, 요소 또는 단계는, 과도적 어구 "포함하는"을 사용하여 개시될 수 있지만, 과도적 어구 "이루어진" 또는 "로 본질적으로 이루어진"을 사용하여 기재될 수 있는 것들을 포함한 대안적 실시양태를 함축하는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 예를 들어 A+B+C를 포함하는 디바이스에 대한 함축된 대안적 실시양태는, 디바이스가 A+B+C로 이루어진 실시양태, 및 디바이스가 A+B+C로 본질적으로 이루어진 실시양태를 포함한다.
본 개시내용의 취지 및 범주로부터 벗어나지 않으면서, 본 개시내용에 대한 다양한 변형 및 변경이 이루어질 수 있음은 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 본 개시내용의 취지 및 물질을 포함하는 본 개시내용의 변형, 조합, 하위조합 및 변경이 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 이루어질 수 있기 때문에, 본 개시내용은 첨부된 청구범위 및 그의 등가물의 범주 내인 모든 것을 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (32)
- 산화물 기준의 몰 퍼센트 범위로,
SiO2 65-72,
Al2O3 10-14,
B2O3 3-8,
MgO 2-6,
CaO 3-9,
SrO 0-6, 및
BaO 0-<1
을 포함하며,
> 650℃의 변형점, 730℃ 이상의 어닐링점, > 78 GPa의 영률, > 30℃의 T35kP - Tliq, 1300℃, 1260℃, 또는 1250℃ 미만의 T35kP, < 2.55 g/cm3의 밀도, 및 39 x 10-7/℃ 미만의 CTE를 나타내는
유리. - 산화물 기준의 몰 퍼센트 범위로,
SiO2 67-70,
Al2O3 11-13,
B2O3 4-6,
MgO 3-5.5,
CaO 5.5-7,
SrO 3-5, 및
BaO 0-<1
을 포함하며,
> 700℃의 변형점, 750℃ 이상의 어닐링점, > 79 GPa의 영률, > 65℃의 T35kP - Tliq, 1300℃, 1260℃, 또는 1250℃ 미만의 T35kP, < 2.55 g/cm3의 밀도, 및 36 x 10-7/℃ 미만의 CTE를 나타내는
유리. - 산화물 기준의 몰 퍼센트 범위로,
SiO2 60-72,
Al2O3 10-14,
B2O3 0.1-8, 및
(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 > 1.0
을 포함하며,
730℃ 이상의 어닐링점, 650℃ 이상의 변형점, 950℃ 이상의 연화점, 1650℃ 미만의 T200P, 1300℃, 1260℃, 또는 1250℃ 미만의 T35kP, > 30℃의 T35kP - Tliq, 31 초과의 비탄성률, 및 78 GPa 이상의 영률을 나타내는
유리. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 970℃, 980℃, 또는 990℃ 이상의 연화점을 갖는 유리.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 1625℃, 또는 1610℃ 미만의 T200P를 갖는 유리.
- 삭제
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 31.5, 또는 32 초과의 비탄성률을 갖는 유리.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 80 GPa, 또는 81 GPa 이상의 영률을 갖는 유리.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 유리를 포함하며, 다운드로우(downdraw) 시트 제조 공정에 의해 제조된 물품.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 유리를 포함하며, 퓨전 공정에 의해 제조된 물품.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 유리를 포함하는 액정 디스플레이 기판.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020247000677A KR20240010577A (ko) | 2016-02-22 | 2017-02-13 | 알칼리-무함유 보로알루미노 실리케이트 유리 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662298246P | 2016-02-22 | 2016-02-22 | |
| US62/298,246 | 2016-02-22 | ||
| PCT/US2017/017617 WO2017146926A1 (en) | 2016-02-22 | 2017-02-13 | Alkali-free boroalumino silicate glasses |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020247000677A Division KR20240010577A (ko) | 2016-02-22 | 2017-02-13 | 알칼리-무함유 보로알루미노 실리케이트 유리 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180115749A KR20180115749A (ko) | 2018-10-23 |
| KR102623926B1 true KR102623926B1 (ko) | 2024-01-11 |
Family
ID=58108754
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020247000677A KR20240010577A (ko) | 2016-02-22 | 2017-02-13 | 알칼리-무함유 보로알루미노 실리케이트 유리 |
| KR1020187027096A KR102623926B1 (ko) | 2016-02-22 | 2017-02-13 | 알칼리-무함유 보로알루미노 실리케이트 유리 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020247000677A KR20240010577A (ko) | 2016-02-22 | 2017-02-13 | 알칼리-무함유 보로알루미노 실리케이트 유리 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20190047898A1 (ko) |
| EP (2) | EP3419940B1 (ko) |
| JP (2) | JP2019507095A (ko) |
| KR (2) | KR20240010577A (ko) |
| CN (1) | CN108698911A (ko) |
| TW (1) | TWI774655B (ko) |
| WO (1) | WO2017146926A1 (ko) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022501300A (ja) * | 2018-09-25 | 2022-01-06 | コーニング インコーポレイテッド | 寸法安定性ガラス |
| JP2022511711A (ja) * | 2018-11-13 | 2022-02-01 | コーニング インコーポレイテッド | ガラス組成物 |
| KR20220025018A (ko) * | 2019-06-26 | 2022-03-03 | 코닝 인코포레이티드 | 열 이력에 둔감한 무알칼리 유리들 |
| CN110963675B (zh) * | 2019-09-29 | 2022-06-07 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种溢流砖薄板成型厚度控制方法 |
| CN112266168A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-01-26 | 郑州旭飞光电科技有限公司 | 一种无碱高铝硼硅酸盐玻璃及其制备方法 |
| CN117561224A (zh) * | 2021-08-17 | 2024-02-13 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃物品的制造方法以及制造装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140179510A1 (en) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Corning Incorporated | Glass with improved total pitch stability |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3338696A (en) | 1964-05-06 | 1967-08-29 | Corning Glass Works | Sheet forming apparatus |
| BE757057A (fr) | 1969-10-06 | 1971-04-05 | Corning Glass Works | Procede et appareil de controle d'epaisseur d'une feuille de verre nouvellement etiree |
| US5785726A (en) * | 1996-10-28 | 1998-07-28 | Corning Incorporated | Method of reducing bubbles at the vessel/glass interface in a glass manufacturing system |
| CN1283574C (zh) * | 2002-03-14 | 2006-11-08 | 碧悠国际光电股份有限公司 | 平面显示器用的基板玻璃 |
| FR2886288B1 (fr) * | 2005-05-27 | 2007-07-06 | Saint Gobain | Substrats de verre pour ecrans plats |
| WO2007002865A1 (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Corning Incorporated | Fining of boroalumino silicate glasses |
| RU2010154445A (ru) * | 2008-05-30 | 2012-07-10 | Фостер Вилер Энергия Ой (Fi) | Способ и система для генерации энергии путем сжигания в чистом кислороде |
| US8975199B2 (en) * | 2011-08-12 | 2015-03-10 | Corsam Technologies Llc | Fusion formable alkali-free intermediate thermal expansion coefficient glass |
| JP6149284B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2017-06-21 | コーニング インコーポレイテッド | 高熱および化学安定性を有する無アルカリガラス組成物 |
| US9150448B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-10-06 | Corning Incorporated | Dimensionally-stable, damage-resistant, glass sheets |
| CN105683108A (zh) * | 2013-08-27 | 2016-06-15 | 康宁股份有限公司 | 具有高热膨胀系数的耐损坏的玻璃 |
| US20180319700A1 (en) * | 2015-12-01 | 2018-11-08 | Kornerstone Materials Technology Company, Ltd. | Low-boron, barium-free, alkaline earth aluminosilicate glass and its applications |
| EP3385234B1 (en) * | 2015-12-02 | 2021-06-16 | AGC Inc. | Glass |
| CN114751643A (zh) * | 2016-04-27 | 2022-07-15 | Ａｇｃ株式会社 | 无碱玻璃 |
-
2017
- 2017-02-09 TW TW106104217A patent/TWI774655B/zh active
- 2017-02-13 CN CN201780012357.3A patent/CN108698911A/zh active Pending
- 2017-02-13 KR KR1020247000677A patent/KR20240010577A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-02-13 EP EP17706943.2A patent/EP3419940B1/en active Active
- 2017-02-13 EP EP23175141.3A patent/EP4234504A3/en active Pending
- 2017-02-13 US US16/078,425 patent/US20190047898A1/en not_active Abandoned
- 2017-02-13 JP JP2018544093A patent/JP2019507095A/ja active Pending
- 2017-02-13 WO PCT/US2017/017617 patent/WO2017146926A1/en active Application Filing
- 2017-02-13 KR KR1020187027096A patent/KR102623926B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-07-09 US US16/924,858 patent/US11655180B2/en active Active
-
2021
- 2021-04-14 JP JP2021068193A patent/JP7220248B2/ja active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140179510A1 (en) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Corning Incorporated | Glass with improved total pitch stability |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019507095A (ja) | 2019-03-14 |
| JP7220248B2 (ja) | 2023-02-09 |
| CN108698911A (zh) | 2018-10-23 |
| KR20180115749A (ko) | 2018-10-23 |
| EP4234504A2 (en) | 2023-08-30 |
| EP3419940B1 (en) | 2023-10-11 |
| TW202304826A (zh) | 2023-02-01 |
| EP3419940A1 (en) | 2019-01-02 |
| US11655180B2 (en) | 2023-05-23 |
| WO2017146926A1 (en) | 2017-08-31 |
| EP4234504A3 (en) | 2023-09-13 |
| US20200339468A1 (en) | 2020-10-29 |
| US20190047898A1 (en) | 2019-02-14 |
| TW201733944A (zh) | 2017-10-01 |
| TWI774655B (zh) | 2022-08-21 |
| KR20240010577A (ko) | 2024-01-23 |
| JP2021120342A (ja) | 2021-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9604870B2 (en) | High strain point aluminosilicate glasses | |
| KR102623926B1 (ko) | 알칼리-무함유 보로알루미노 실리케이트 유리 | |
| JP6826797B2 (ja) | アルミノシリケートガラス | |
| KR20210049943A (ko) | 치수적으로 안정한 유리 | |
| KR102673755B1 (ko) | 고 변형점 및 고 영률 유리 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |