KR102623921B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR102623921B1
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엄기상
박동운
손영준
이우람
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판의 저면을 세정하는 기판 처리 장치를 제공한다, 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 처리 공간을 형성하는 처리 용기; 상기 처리 공간 내부에 구비되고 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 처리 공간 내부에서 상기 기판 지지 유닛의 일 측에 구비되고 상기 기판 저면의 센터 영역을 향해 처리 유체를 공급하는 제1 노즐 부재를 갖는 제1 노즐 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛에 고정 결합된 형태로 제공되고 상기 기판 저면의 에지 영역을 향해 처리 유체를 공급하는 제2 노즐 부재를 포함하고, 상기 제1 노즐 부재는 상기 기판 저면의 중심 위치와 단부 위치 사이를 회전 이동하도록 제공된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해 사진, 증착, 애싱, 식각, 이온 주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류하는 파티클을 제거하기 위한 세정 공정이 수행된다.
세정 공정은 스핀 헤드에 지지된 기판의 양면으로 세정액을 공급함으로써 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판의 상면은 기판을 지지하는 지지 부재 상부에 제공되는 상부 유체 공급 유닛이 공급하는 처리 유체에 의하여 세정될 수 있고, 기판의 저면은 기판을 지지하는 지지 부재와 기판 사이에 제공되는 저면 유체 공급 유닛이 공급하는 처리 유체에 의하여 세정될 수 있다.
종래의 기판 저면 세정은 센터 영역에 대한 세정과 에지 영역에 대한 세정으로 나누어 수행된다. 구체적으로, 센터 영역은 기판이 세정 공간 내에서 수평 방향으로 이동하는 동안 기판의 하측에 구비된 센터 세정 노즐이 기판을 향해 세정 유체를 공급함으로써 수행되고, 에지 영역은 기판이 기판 지지 부재에 안착된 상태로 회전하는 동안 기판의 하측에 구비된 에지 센터 노즐이 기판을 향해 세정 유체를 공급함으로써 수행될 수 있다.
즉, 기판 저면 센터 세정을 위해 기판 지지 부재의 상부를 지나간 기판은 기판 저면 에지 세정을 위해 기판 지지 부재 상으로 되돌아 와야하고, 기판 저면 에지 세정 동안 이미 세정 및 건조가 완료된 센터 영역이 재오염될 가능성이 존재한다. 이를 방지하기 위하여 기판 저면 센터 영역에 대하여 에어 커튼을 형성하여 보호하는 기술을 적용하고 있으나 이로 인해 막대한 양의 기체가 사용되고 배기 성능을 저하시키는 주 원인이 되는 문제가 있다.
또한, 센터 영역 세정 시에는 기판의 위치가 고정된 것이 아니라 움직이는 상태이므로 세정 균일도에 문제가 발생할 수 있으며 세정 공간 내 부유하는 액체 파티클에 의한 역오염이 발생하기 쉬운 문제가 있다.
본 발명은 상술한 문제들을 해결하기 위한 것으로 기판 저면의 센터 세정과 에지 세정을 모두 기판의 위치가 고정된 상태에서 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 파티클 제어에 유리한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 세정 효율 및 풋 프린트를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이에 제한되지 않고, 언급되지 않은 기타 과제는 통상의 기술자라면 이하의 기재로부터 명확히 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 처리 공간을 형성하는 처리 용기; 상기 처리 공간 내부에 구비되고 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 처리 공간 내부에서 상기 기판 지지 유닛의 일 측에 구비되고 상기 기판 저면의 센터 영역을 향해 처리 유체를 공급하는 제1 노즐 부재를 갖는 제1 노즐 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛에 고정 결합된 형태로 제공되고 상기 기판 저면의 에지 영역을 향해 처리 유체를 공급하는 제2 노즐 부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. 상기 제1 노즐 부재는 상기 기판 저면의 중심 위치와 단부 위치 사이를 회전 이동하도록 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 처리 용기 및 상기 제1 노즐 부재는 상하 방향으로 승강 이동 가능하게 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 처리 용기는, 상기 기판 저면을 지지하기 위한 사이드 척을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판의 세정 영역에 따라 상기 처리 용기, 기판 지지 유닛, 제1 노즐 유닛 및 제2 노즐 부재의 구동이 제어될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판 저면의 센터 영역을 세정하는 경우, 상기 처리 용기가 상승함으로써 상기 기판이 상기 기판 지지 유닛으로부터 상승되고, 상기 제1 노즐 부재가 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 중심부에 대응하는 위치로 이동하고, 상기 제1 노즐 부재가 상기 기판 저면을 향해 처리 유체를 공급하는 때 상기 제2 노즐 부재는 처리 유체를 공급하지 않도록 제어될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판 저면의 에지 영역을 세정하는 경우, 상기 제1 노즐 부재가 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 단부에 대응하는 위치로 이동하고, 상기 처리 용기가 하강함으로써 상기 기판이 상기 기판 지지 유닛 상에 안착되고, 상기 기판 지지 유닛이 상기 기판을 흡착한 상태로 상기 기판을 회전시키고, 상기 제2 노즐 부재가 상기 기판 저면을 향해 처리 유체를 공급하는 때 상기 제1 노즐 부재는 처리 유체를 공급하지 않도록 제어될 수 있다.
선택적으로, 상기 제1 노즐 부재는 제2 노즐 부재가 상기 기판 저면을 향해 처리 유체를 공급하는 때 상기 기판 저면을 향해 처리 유체를 함께 공급하도록 제어될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판 지지 유닛은, 상기 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 및 상기 기판 지지 부재의 외측부를 감싸는 형태로 제공되고 상기 기판 저면을 향해 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 가스 공급부는 상기 기판 지지 부재를 감싸는 관형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 노즐 부재는 상기 기판 지지 유닛의 상면보다 크거나 같은 크기로 제공되고, 상기 제2 노즐 부재는 상기 기판 지지 유닛의 외측벽에 고정 결합되고 상기 기판 지지 유닛으로부터 상기 처리 용기를 향해 돌출되는 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 노즐 부재 및 상기 제2 노즐 부재는 복수의 노즐을 포함하고, 상기 제1 노즐 부재 및 상기 제2 노즐 부재의 각 노즐로부터 토출되는 처리 유체의 유량은 개별적으로 제어할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 노즐 부재의 복수의 노즐은, 상기 기판 지지 유닛의 외측벽으로부터 상기 처리 용기의 내측벽을 향하는 방향을 따라 일렬로 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 노즐 부재의 복수의 노즐은, 상기 제1 노즐 부재의 둘레를 따라 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판 처리 장치는 상기 처리 공간을 배기하기 위한 배기 유닛을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 저면의 센터 영역으로 처리 유체를 공급하는 센터 세정 단계; 및 상기 기판 저면의 에지 영역으로 처리 유체를 공급하는 에지 세정 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다. 상기 센터 세정 단계는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛의 일측에 회전 이동 가능하도록 구비되는 제1 노즐 부재에 의하여 수행되고, 상기 에지 세정 단계는 상기 기판 지지 유닛에 고정 결합된 형태로 구비되는 제2 노즐 부재에 의하여 수행될 수 있다. 상기 제1 노즐 부재는 상기 제1 노즐 부재를 지지하는 지지 암을 중심 축으로 하여 상기 기판의 하부에서 상기 기판의 센터 영역과 에지 영역 사이를 회전 이동할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센터 세정 단계는, 상기 기판의 세정 공간을 형성하는 처리 용기 및 기판을 상승시키는 단계; 상기 제1 노즐 부재를 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 중심부에 대응하는 위치로 회전 이동시키는 단계; 및 상기 제1 노즐 부재를 ON 시키는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 센터 세정 단계에서 상기 제2 노즐 부재로부터 처리 유체의 공급은 완전히 차단될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 에지 세정 단계는, 상기 제1 노즐 부재를 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 단부에 대응하는 위치로 회전 이동시키는 단계; 상기 기판을 상기 기판 지지 유닛 상에 안착시키는 단계; 상기 기판을 흡착 및 회전시키는 단계; 및 상기 제2 노즐 부재를 ON 시키는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 에지 세정 단계는 상기 제1 노즐 부재로부터의 처리 유체 공급을 완전히 차단하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판이 수납된 캐리어가 안착되는 로드 포트; 상기 로드 포트에 안착된 캐리어로부터 상기 기판을 반송하기 위한 인덱스 로봇이 내부에 제공되는 인덱스 프레임; 및 상기 기판에 대하여 액 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 포함하는 공정 처리 모듈을 포함하는 기판 처리 설비가 제공될 수 있다. 상기 기판 처리 장치는, 기판의 처리 공간을 형성하는 처리 용기; 상기 처리 공간 내부에 구비되고 상기 기판을 지지하고 회전시키는 기판 지지 유닛; 상기 기판의 상면으로 처리 유체를 공급하는 상부 유체 공급 유닛; 및 상기 기판의 저면으로 처리 유체를 공급하는 하부 유체 공급 유닛을 포함하며, 상기 하부 유체 공급 유닛은, 상기 처리 공간 내부에서 상기 기판 지지 유닛의 일 측에 구비되고 상기 기판 저면의 센터 영역을 향해 처리 유체를 공급하는 제1 노즐 부재를 갖는 제1 노즐 유닛; 및 상기 기판 지지 유닛에 고정 결합된 형태로 제공되고 상기 기판 저면의 에지 영역을 향해 처리 유체를 공급하는 제2 노즐 부재를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 노즐 부재는 상기 기판 저면의 중심 위치와 단부 위치 사이를 회전 이동하도록 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 처리 용기 및 상기 제1 노즐 부재는 상하 방향으로 승강 이동 가능하게 구비되며, 상기 처리 용기는 상기 기판 저면을 지지하기 위한 사이드 척을 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 설비는, 상기 기판 저면의 센터 영역을 세정하는 경우, 상기 처리 용기가 상승함으로써 상기 기판이 상기 기판 지지 유닛으로부터 상승되고, 상기 제1 노즐 부재가 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 중심부에 대응하는 위치로 이동하고, 상기 제1 노즐 부재가 상기 기판 저면을 향해 처리 유체를 공급하고 상기 제2 노즐 부재는 처리 유체를 공급하지 않도록 제어될 수 있다. 또한, 상기 기판 저면의 에지 영역을 세정하는 경우, 상기 제1 노즐 부재가 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 단부에 대응하는 위치에 위치하고, 상기 기판이 상기 기판 지지 유닛 상에 안착되고, 상기 기판 지지 유닛이 상기 기판을 흡착한 상태로 상기 기판을 회전시키고, 상기 제2 노즐 부재가 상기 기판 저면을 향해 처리 유체를 공급하도록 제어될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 기판을 감싸는 형태로 제공되어 기판의 세정 공간을 형성하는 처리 용기가 기판을 승하강시킬 수 있도록 구비되고, 기판 저면의 센터 영역을 세정하기 위한 제1 노즐이 세정 공간의 일 측에서 승강 및 회전 가능하게 구비되고, 기판 저면의 에지 영역을 세정하기 위한 제2 노즐이 기판을 지지하는 기판 지지 유닛에 고정되어 구비됨으로써 기판 저면의 센터 세정 및 에지 세정이 모두 기판 지지 부재 상에서 수행될 수 있다. 즉, 기판 위치 이동 없이 기판 저면 세정 공정이 수행될 수 있으므로 공정 및 풋 프린트 최적화에 유리한 효과가 있다.
또한, 회전 가능하게 제공되는 제1 노즐이 기판 지지 부재의 커버 역할을 수행할 수 있고, 기판의 저면에서 기판을 향해 가스를 공급하는 가스 공급부가 에어 커튼을 형성함으로써 기판 지지 유닛의 오염이 방지될 수 있고 처리 용기 및 기판의 위치 고정에 의하여 배기 효율이 향상될 수 있으므로 파티클 제어에도 유리한 효과가 있다.
발명의 효과는 이에 한정되지 않고, 언급되지 않은 기타 효과는 통상의 기술자라면 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 명확히 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 4 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작예를 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 10 및 도 11은 도 2 및 도 3의 변형예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 도시한 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 사람이 쉽게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 다른 형태로 구현될 수 있고 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제작 방법 및/또는 허용 오차의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면으로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것이 아니라 형상에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 실시예를 설명하는 데 있어서, 관련된 공지 기능이나 구성에 대한 구체적 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 구체적 설명을 생략하고, 유사 기능 및 작용을 하는 부분은 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용하기로 한다.
명세서에서 사용되는 용어들 중 적어도 일부는 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의한 것이기에 사용자, 운용자 의도, 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 그 용어에 대해서는 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 하여 해석되어야 한다.
또한, 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서, 어떤 구성 요소를 포함한다고 하는 때, 이것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다. 그리고, 어떤 부분이 다른 부분과 연결(또는, 결합)된다고 하는 때, 이것은, 직접적으로 연결(또는, 결합)되는 경우뿐만 아니라, 다른 부분을 사이에 두고 간접적으로 연결(또는, 결합)되는 경우도 포함한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
한편, 도면에서 구성 요소의 크기나 형상, 선의 두께 등은 이해의 편의상 다소 과장되게 표현되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명이 적용될 수 있는 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명이 적용되는 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 인덱스 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 인덱스 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 인덱스 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착될 수 있다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성될 수 있다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 유닛(260)을 포함할 수 있다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치될 수 있다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 유닛들(260)이 배치될 수 있다. 일 예로, 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 유닛(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공될 수 있다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 유닛(260)들이 제공될 수 있다. 공정 유닛들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 유닛들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 일 예로, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 유닛들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 유닛(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 유닛(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 유닛(260)이 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 유닛들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 유닛(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 유닛(260)은 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 유닛(260)은 이송 챔버(240)의 일측 또는 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 인덱스 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 인덱스 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공될 수 있다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(220)은 인덱스 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방될 수 있다.
인덱스 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 인덱스 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공될 수 있다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2 방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스 암(144c)을 가질 수 있다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치될 수 있다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합되고, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 인덱스 암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 인덱스 암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공될 수 있다. 인덱스 암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치될 수 있다. 인덱스 암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송하는 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송하는 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서, 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지하기 위함일 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 유닛(260) 간에, 그리고 공정 유닛들(260) 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공될 수 있다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가질 수 있다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치될 수 있다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합되고, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 메인 암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 메인 암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공될 수 있다. 메인 암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치될 수 있다.
공정 유닛(260)은 기판에 대한 처리 공정을 수행할 수 있다. 공정 유닛(260)은 기판(W)에 대하여 처리액을 공급함으로써 기판(W)을 액 처리하기 위한 기판 처리 장치(300)를 포함할 수 있다. 본 발명이 적용되는 실시예로서, 기판(W)에 대하여 세정액을 공급함으로써 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 예로 들어 설명한다. 공정 유닛(260)에 포함되는 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 유닛(260)에 포함되는 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 유닛들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 유닛(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 유닛(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
도 2 및 도 3은 도 1의 공정 유닛(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)의 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도이다. 기판 처리 장치(300)는 기판(W)을 액 처리한다. 본 실시예에서는 기판의 액 처리 공정을 세정 공정으로 설명한다. 그러나 이는 본 발명이 적용되는 액 처리 공정을 세정 공정으로 한정하기 위함이 아니며, 본 발명은 사진, 애싱, 그리고 식각 등 다양한 액 처리 공정에 적용 가능하다. 기판 처리 장치(300)는 기판(W)의 저면(하면)을 처리하기 위한 하부 유체 공급 유닛을 포함할 수 있다. 하부 유체 공급 유닛은 기판(W)의 저면을 세정 및 건조 처리할 수 있다. 하부 유체 공급 유닛은 기판(W)의 저면으로 처리액을 포함하는 처리 유체를 공급할 수 있다. 기판(W)의 저면은 패턴이 형성되는 면과 반대되는 비패턴면일 수 있다. 하부 유체 공급 유닛은 상부 유체 공급 유닛과 동시에 처리 유체를 공급할 수 있다.
상세히 도시하지는 않았지만, 도 2 및 도 3에 도시된 기판 처리 장치(300)의 상부에는 기판(W)의 상면을 처리하기 위한 상부 유체 공급 유닛이 제공될 수 있다. 상부 유체 공급 유닛은 기판의 상면으로 처리 유체를 공급하여 기판의 상면을 처리할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 배기 유닛(330), 제2 노즐 부재(350)가 장착된 기판 지지 유닛(340), 그리고 제1 노즐 유닛(400)을 포함한다.
처리 용기(320)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 처리 용기(320)는 기판 지지 유닛(340)을 둘러쌀 수 있는 개방된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 처리 용기(320)는 상부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 처리 용기(320)는 공정 중 기판(W)으로 공급되는 처리액이 주위로 비산하는 것을 방지할 수 있다. 처리 용기(320)는 상부 용기(322)와 하부 용기(324)를 포함하고, 상부 용기(322)는 하부 용기(324)로부터 승강 가능하게 구비될 수 있다. 상부 용기(322)는 기판(W)을 지지하기 위한 사이드 척(327)을 포함할 수 있다. 사이드 척(327)은 기판(W) 저면의 에지 영역을 지지하고, 기판(W)을 진공 흡착하는 방식으로 지지할 수 있다. 사이드 척(327)에 의하여, 상부 용기(322)가 상승하는 때 기판(W)이 함께 상승할 수 있다.
상세히 도시하지는 않았지만, 상부 용기(322)를 승강시키기 위한 승강 유닛에 연결될 수 있다. 예를 들어, 승강 유닛(미도시)은 상부 용기(322)를 상하 방향으로 직선 이동시킬 수 있다. 상부 용기(322)가 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(340)에 대한 상부 용기(322) 및 기판(W)의 상대 높이가 변경될 수 있다. 일 예로, 승강 유닛은 브라켓, 이동축, 그리고 구동기를 가질 수 있다. 브라켓은 상부 용기의 외벽에 고정 설치되고, 브라켓에는 구동기에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축이 고정 결합될 수 있다.
일 예로, 기판(W) 저면의 센터 영역을 세정하기 위하여 기판(W)을 기판 지지 유닛(340)의 상부에 위치시키기 위하여 상부 용기(322)가 상승되고, 센터 영역의 세정이 끝난 기판(W)의 기판(W) 저면 에지 영역을 세정하기 위해 기판(W)을 기판 지지 유닛(340)에 안착될 수 있도록 상부 용기(322)는 하강될 수 있다. 한편, 처리 용기(320)는 그 하부에 배기 유닛(330)을 구비할 수 있다.
배기 유닛(330)은 배기구, 배기 라인 및 배기 펌프를 포함할 수 있다. 배기 유닛(330)은 배기구 및 배기 라인을 통해 처리 용기(320) 내부, 즉 처리 공간 내부를 배기할 수 있다. 배기 유닛(330)은 배기구 및 배기 라인을 통해 세정 공정 과정에서 사용된 처리 유체 및 처리 유체에 의하여 기판(W)으로부터 제거된 파티클 등을 처리 공간 외부로 배출할 수 있다. 이때, 처리 공간은 배기 펌프에 의하여 소정의 압력으로 감압될 수 있다.
기판 지지 유닛(340)은 처리 공간 내부에 구비되어 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 일 예로, 기판 지지 유닛(340)은 스핀 헤드를 포함할 수 있다. 기판 지지 유닛(340)은 기판 지지 부재(342), 회전 구동 부재, 그리고 가스 공급부(344)를 가질 수 있다.
기판 지지 부재(342)는 대체로 원형의 판 형상으로 제공되고, 상부면 및 하부면을 가진다. 하부면은 상부면에 비해 작은 직경을 가질 수 있다. 상부면 및 하부면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다. 기판 지지 부재(342)의 형상과 치수는 기판(W)의 형상과 치수에 따라 변화될 수 있다. 상세히 도시하지는 않았지만, 기판 지지 부재(342)는 지지 핀 및 척 핀을 구비할 수 있다. 일 예로, 기판 지지 부재(342)는 기판의 안정성을 향상시키기 위하여 복수의 지지 핀들 및 복수의 척 핀들을 포함할 수 있다. 복수의 지지 핀들은 기판의 저면에 접촉될 수 있고, 복수의 척 핀들은 기판의 측면에 접촉될 수 있다. 처리 공간 내에서 기판에 대한 처리 공정이 수행되는 동안 지지 핀들은 기판을 지지할 수 있으며, 척 핀들은 기판의 위치를 유지시킬 수 있다.
회전 구동 부재는 기판 지지 부재(342)를 회전시킨다. 기판 지지 부재(342)는 회전 구동 부재에 의하여 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재는 지지 축 및 구동부를 포함할 수 있고, 지지 축은 제3방향(16)을 따라 높이를 갖는 통 형상을 가질 수 있다. 지지축의 상단은 기판 지지 부재(342)의 저면 중심에 고정 결합될 수 있다. 구동부는 지지축이 회전되도록 구동력을 제공한다. 구동부는 기판 지지 부재(342)의 하부에 연결된 회전 축을 회전시킴으로써 기판 지지 부재(342) 상에 놓이는 기판을 회전시킬 수 있다.
가스 공급부(344)는 기판(W)의 저면으로 소정의 가스를 공급할 수 있다. 일 예로, 가스 공급부(344)는 기판(W)의 저면을 향해 질소(N2)와 같은 불활성 가스를 공급할 수 있다. 또는, CDA(Clean Dry Air) 같은 에어를 공급할 수도 있다. 가스 공급부(344)는 기판 지지 부재(342)를 감싸는 관 형태로 제공될 수 있다. 가스 공급부(344)는 가스 공급원으로부터 가스를 제공받도록 구성될 수 있다.
일 예로, 가스 공급부(344)는 기판(W)의 저면에 대해 실질적으로 직교하는 방향으로 가스를 공급함으로써 에어 커튼(Air curtain)을 형성할 수 있다. 가스 공급부(344)는 에어 커튼을 형성함으로써 기판(W) 저면의 센터 영역으로 처리 공간 내 부유하는 파티클이 재부착되는 것을 방지할 수 있다. 일 예로, 가스 공급부(344)는 기판(W)의 저면 상에 잔류할 수 있는 처리액(예: 세정액)을 제거할 수 있다. 선택적으로는, 가스 공급부(344)는 기판(W)에 대한 세정 공정이 수행된 후에 기판(W)을 건조시키는 공정에 이용될 수 있다. 가스 공급부(344)는 에어나이프(Air knife) 형태로 구비될 수 있다. 한편, 기판 지지 부재(342)로의 이물질 투입을 방지하기 위하여 가스 공급부(344)에 의한 가스 공급은 기판 세정 공정이 수행되는 동안 항시적으로 수행될 수 있다. 즉, 가스 공급부(344)는 기판 세정 공정이 수행되는 내내 ON 상태로 유지될 수 있다.
제2 노즐 부재(350)는 기판(W) 저면의 에지 영역을 향해 처리 유체를 공급하고, 기판 지지 유닛(340)에 고정 결합된 형태로 제공될 수 있다. 구체적으로, 제2 노즐 부재(350)는 기판 지지 유닛(340)의 외측벽에 고정 결합되고, 기판 지지 유닛(340)으로부터 처리 용기(320)를 향해 돌출되는 형상을 갖는다. 즉, 제2 노즐 부재(350)는 처리 용기(320)의 중심부로부터 외측부를 향하는 방향으로 길이를 갖는 형상을 갖는다.
제2 노즐 부재(350)는 복수의 제2 노즐(352)을 포함할 수 있다. 제2 노즐들(352)은 기판 지지 유닛(340)의 외측벽으로부터 처리 용기(320)를 향하는 방향을 따라 소정의 간격을 갖고 일렬로 배치될 수 있다. 제2 노즐들(352)은 각각 기판 지지 유닛(340)에 의하여 지지된 상태의 기판(W)의 저면 상으로 처리 유체를 공급할 수 있다. 즉, 복수의 제2 노즐들(352)은 기판(W)의 저면 에지 영역 상으로 세정액 및 건조 가스 중 적어도 하나를 공급할 수 있다. 예를 들면, 세정액은 약액 또는 탈이온수(deionized water)를 포함할 수 있다. 건조 가스는 질소 등과 같은 불활성 기체 또는 CDA를 포함할 수 있다. 일 예로, 복수의 제2 노즐들(352) 중 일부는 기판(W)의 저면 상으로 탈이온 수를 분사하고, 일부는 약액을 분사하며, 나머지 일부는 건조 가스를 분사할 수 있다. 선택적으로는, 제2 노즐들(352) 모두가 약액, 탈이온수 및 건조 가스를 선택적으로 기판(W)의 저면 상으로 분사할 수 있다. 상세히 도시하지는 않았지만, 복수의 제2 노즐들(352)은 각각 배관을 통해 처리 유체 공급원에 연결될 수 있다. 또한, 제2 노즐들(352)의 각 노즐로부터 토출되는 처리 유체의 유량은 개별 제어될 수 있다.
제2 노즐 부재(350)에 의한 처리 유체의 공급은 기판(W) 저면의 에지 영역 세정을 수행하는 때에만 수행될 수 있다. 즉, 제2 노즐 부재(350)에 의한 처리 유체의 공급은, 기판(W) 저면의 센터 영역 세정을 수행하는 때 차단될 수 있다.
선택적으로, 기판 지지 유닛(340)에는 보조 노즐(360)이 더 결합될 수 있다. 보조 노즐(360)은 제2 노즐 부재(350)와 함께 기판(W) 저면의 에지 영역을 세정하는 데 사용되고 제2 노즐 부재(350)와 동일한 구성을 가질 수 있다. 또는, 제2 노즐 부재(350)보다 적은 수의 노즐을 포함할 수 있다. 보조 노즐(360)은 생략될 수 있다. 다만, 기판 지지 유닛(340)에 보조 노즐(360)을 더 장착함으로써 기판(W) 저면의 에지 영역에 대한 처리 유체 공급 효율을 높일 수 있다.
제1 노즐 유닛(400)은 처리 공간 내부에서 기판 지지 유닛(340)의 일 측에 구비되고, 제1 노즐 부재(420)와 제1 노즐 부재(420)를 지지하는 지지 암(410)을 포함할 수 있다.
지지 암(410)은 기판 지지 유닛(340)의 일 측에서 기판 지지 유닛(340)과 같은 방향으로 높이를 갖고, 지지 암(410)의 상단은 제1 노즐 부재(420)의 저면에 결합될 수 있다. 일 예로, 지지 암(410)의 상단은 제1 노즐 부재(420)의 저면의 일 측부에 고정 결합될 수 있다. 지지 암(410)은 별도의 구동 부재에 의하여 상하로 이동 가능하고 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 이에 따라, 제1 노즐 부재(420)가 상하로 승강 이동되고 회전 운동될 수 있다.
제1 노즐 부재(420)는 기판(W) 저면의 센터 영역을 향해 처리 유체를 공급하고, 지지 암(410)에 의하여 회전 이동 및 승강 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 결될 수 있다. 구체적으로, 제1 노즐 부재(420)는 기판(W)의 저면에서 기판(W)의 중심에 대응하는 위치와 기판(W)의 단부에 대응하는 위치 사이를 회전 이동하도록 제공될 수 있다.
일 예로, 기판(W) 저면의 센터 영역을 세정하기 위하여 기판(W)을 기판 지지 유닛(340)의 상부에 위치시키기 위하여 상부 용기(322)가 상승되면, 제1 노즐 부재(420)는 상승 및 기판(W)의 중심에 대응하는 위치로 회전 운동되고, 센터 영역의 세정이 완료되면 제1 노즐 부재(420)는 기판(W)의 단부에 대응하는 위치로 회전된 후 하강될 수 있다.
제1 노즐 부재(420)는 회전 운동을 통해 기판 지지 유닛(340)과 기판(W) 사이 공간을 이동 가능하므로 기판 지지 유닛(340)의 커버 역할을 수행할 수 있다. 따라서, 기판 지지 유닛(340) 내부로 이물질이 유입되는 것을 방지할 수 있도록 제1 노즐 부재(420)는 기판 지지 유닛(340)의 상면보다 크거나 같은 크기로 제공될 수 있다. 또한, 제1 노즐 부재(420)는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다.
제1 노즐 부재(420)는 복수의 제1 노즐(422)을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 노즐들(422)은 원형의 판 형상으로 제공된 제1 노즐 부재(420)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 또는, 제1 노즐들(422)은 제1 노즐 부재(420)의 센터 영역과 에지 영역에 배치될 수 있다(도 10 및 도 11 참조).
제1 노즐들(422) 각각은 사이드 척(327)에 의하여 지지된 상태의 기판(W)의 저면을 향해 처리 유체를 공급할 수 있다. 즉, 복수의 제1 노즐들(422)은 상부 용기(322)에 의하여 상승된 기판(W)의 저면 센터 영역 상으로 세정액 및 건조 가스 중 적어도 하나를 공급할 수 있다. 예를 들면, 세정액은 약액 또는 탈이온수(deionized water)를 포함할 수 있다. 건조 가스는 질소 등과 같은 불활성 기체 또는 CDA를 포함할 수 있다.
일 예로, 제1 노즐들(422) 중 일부는 기판(W)의 저면 상으로 탈이온 수를 분사하고, 나머지 중 일부는 약액을 분사하며, 다른 일부는 건조 가스를 분사할 수 있다. 제1 노즐들(422)이 에지 영역과 센터 영역으로 나뉘어 배치되는 경우, 에지 영역의 제1 노즐들(422) 중 일부는 기판(W)의 저면 상으로 탈이온 수를 분사하고, 에지 영역의 나머지 일부는 약액을 분사하며, 센터 영역의 제1 노즐들(422)은 건조 가스를 분사할 수 있다. 선택적으로는, 제1 노즐들(422) 모두가 약액, 탈이온수 및 건조 가스를 선택적으로 기판(W)의 저면 상으로 분사할 수 있다.
상세히 도시하지는 않았지만, 복수의 제1 노즐들(422)은 각각 배관을 통해 처리 유체 공급원에 연결될 수 있다. 또한, 제1 노즐들(422)의 각 노즐로부터 토출되는 처리 유체의 유량은 개별 제어될 수 있다. 예를 들어, 제1 노즐들(422)의 각 노즐들로부터 토출되는 처리 유체의 유량은 영역별로 제어될 수 있다. 일 예로, 센터 영역에 배치된 노즐들의 토출 유량과 에지 영역에 배치된 노즐들의 토출 유량이 다르게 제어될 수 있다.
제1 노즐 부재(420)에 의한 처리 유체의 공급은 기판(W) 저면의 센터 영역 세정을 수행하는 때에만 수행될 수 있다. 즉, 제1 노즐 부재(420)에 의한 처리 유체의 공급은, 기판(W) 저면의 에지 영역 세정을 수행하는 때 차단될 수 있다. 선택적으로, 제1 노즐 부재(420)에 의한 처리 유체의 공급은 기판(W) 저면의 에지 영역 세정을 수행하는 때 허용될 수도 있다.
이하, 도 4 내지 도 9를 참조하여 도 2 및 도 3에 도시된 기판 처리 장치를 이용하여 기판 저면을 세정하는 기판 처리 방법의 일 실시예에 대하여 설명하기로 한다. 도 4 및 도 5는 기판 저면의 센터 영역을 세정하는 과정을 도시한 측면도이고, 도 6 및 도 7은 기판 저면의 센터 영역을 건조하는 과정을 도시한 측면도이고, 도 8은 기판 저면의 에지 영역을 세정하는 과정을 도시한 측면도이며, 도 9는 기판 저면의 에지 영역을 건조하는 과정을 도시한 측면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 기판의 저면을 세정하는 방법을 포함하고, 기판 저면의 센터 영역으로 처리 유체를 공급하여 기판 저면의 센터 영역을 세정하는 센터 세정 단계와 기판 저면의 에지 영역으로 처리 유체를 공급하여 기판 저면의 에지 영역을 세정하는 에지 세정 단계를 포함할 수 있다. 기판 저면의 세정 과정은 센터 세정 단계가 먼저 수행된 후 에지 세정 단계가 수행되는 것이 일반적이나, 설계에 따라 에지 세정 단계가 센터 세정 단계보다 먼저 수행될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 센터 세정 단계는 기판 지지 유닛(340)의 일측에 회전 이동 가능하도록 구비되는 제1 노즐 부재(420)에 의하여 수행되고, 에지 세정 단계는 기판 지지 유닛(340)의 외측벽에 고정 결합된 형태로 구비되는 제2 노즐 부재(350)에 의하여 수행될 수 있다.
센터 세정 단계는 기판(W) 저면의 센터 영역을 세정 처리하는 단계와 기판(W) 저면의 센터 영역을 건조 처리하는 단계를 포함할 수 있다.
도 4 및 도 5는 제1 노즐 부재(420)가 기판(W) 저면의 센터 영역을 세정 처리하는 과정을 도시한다. 도 4는 도 3을 A-A 방향에서 바라본 측면도이고, 도 5는 도 3을 B-B 방향으로 바라본 측면도이다.
기판(W)의 센터 영역을 세정하기 위하여 상부 용기(322)가 하부 용기(324)로부터 상승됨으로써 기판(W)이 기판 지지 부재(342)로부터 상승되고, 제1 노즐 부재(420)가 회전되어 기판(W)과 기판 지지 부재(342)의 사이 영역, 즉 기판(W)의 하부에서 기판(W)의 중심부에 대응하는 위치에 위치되도록 제어될 수 있다.
기판(W)의 센터 영역 하부에 위치된 제1 노즐 부재(420)는 기판(W)의 저면을 향해 처리 유체를 공급하도록 제어될 수 있다. 즉, 복수의 제1 노즐들(422)은 상부 용기(322)에 의하여 상승된 기판(W)의 저면 센터 영역을 향해 세정액 및 건조 가스 중 적어도 하나를 공급할 수 있다. 예를 들면, 세정액은 약액 또는 탈이온수(deionized water)를 포함할 수 있다. 건조 가스는 질소 등과 같은 불활성 기체 또는 CDA를 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 노즐들(422) 중 일부는 기판(W)의 저면 상으로 탈이온 수를 분사하고, 나머지 중 일부는 약액을 분사하며, 다른 일부는 건조 가스를 분사할 수 있다. 선택적으로는, 제1 노즐들(422) 모두가 약액, 탈이온수 및 건조 가스를 선택적으로 기판(W)의 저면 상으로 분사할 수 있다. 제1 노즐 부재(420)로부터 처리 유체가 공급되는 동안, 제2 노즐 부재(350)는 어느 처리 유체도 공급하지 않도록 제어될 수 있다. 즉, 제2 노즐 부재(350)에 의한 처리 유체 공급은 완전히 차단될 수 있다.
한편, 제1 노즐 부재(420)의 하부에 위치하는 가스 공급부(344)는 처리 공간 에 존재하는 처리 유체 및 파티클이 기판 지지 유닛(340) 내부로 유입되는 것을 방지하기 위하여 기판(W) 저면의 센터 영역 세정 처리가 수행되는 동안에 제1 노즐 부재(420)의 저면에 대해 실질적으로 직교하는 방향으로 가스를 공급함으로써 에어 커튼을 형성할 수 있다. 가스 공급부(344)에 의하여 공급되는 가스는 질소 등과 같은 불활성 기체 또는 CDA를 포함할 수 있다.
또한, 기판(W) 저면의 센터 영역 세정 처리가 수행되는 동안 배기 유닛(330)에 의한 배기 과정이 동시에 수행됨으로써 기판(W) 저면으로부터 탈착된 이물질 및 세정액이 처리 공간을 오랜 시간동안 부유하지 않고 기판(W) 저면으로부터 탈착되는 즉시 배기 유닛(330)을 통해 처리 공간으로부터 배출될 수 있다.
도 6 및 도 7은 제1 노즐 부재(420)가 세정 처리가 완료된 기판(W) 저면의 센터 영역을 건조 처리하는 과정을 도시한다. 도 6은 도 3을 A-A 방향에서 바라본 측면도이고, 도 7은 도 3을 B-B 방향으로 바라본 측면도이다.
여전히 기판(W)의 센터 영역 하부에 위치하는 제1 노즐 부재(420)는 기판(W)의 저면을 향해 세정액은 공급하지 않고 건조 가스만을 공급하도록 제어될 수 있다. 즉, 복수의 제1 노즐들(422)은 상부 용기(322)에 의하여 상승된 상태의 기판(W) 저면을 향해 건조 가스만을 공급할 수 있다. 건조 가스는 질소 등과 같은 불활성 기체 또는 CDA를 포함할 수 있다. 제1 노즐 부재(420)로부터 처리 유체가 공급되는 동안, 제2 노즐 부재(350)는 어느 처리 유체도 공급하지 않도록 제어될 수 있다. 즉, 제2 노즐 부재(350)에 의한 처리 유체 공급은 완전히 차단될 수 있다.
한편, 제1 노즐 부재(420)의 하부에 위치하는 가스 공급부(344)는 처리 공간 에 존재하는 파티클 및 기판(W) 저면으로부터 제거된 세정액이 기판 지지 유닛(340) 내부로 유입되는 것을 방지하기 위하여 기판(W) 저면의 센터 영역 건조 처리가 수행되는 동안에 제1 노즐 부재(420)의 저면에 대해 실질적으로 직교하는 방향으로 가스를 공급함으로써 에어 커튼을 형성할 수 있다. 가스 공급부(344)에 의하여 공급되는 가스는 질소 등과 같은 불활성 기체 또는 CDA를 포함할 수 있다.
또한, 기판(W) 저면의 센터 영역 건조 처리가 수행되는 동안 배기 유닛(330)에 의한 배기 과정이 동시에 수행됨으로써 기판(W) 저면으로부터 탈착된 이물질 및 세정액이 처리 공간을 오랜 시간동안 부유하지 않고 기판(W) 저면으로부터 탈착되는 즉시 배기 유닛(330)을 통해 처리 공간으로부터 배출될 수 있다.
에지 세정 단계는 기판(W) 저면의 에지 영역을 세정 처리하는 과정 및 기판(W) 저면의 에지 영역을 건조 처리하는 과정을 포함할 수 있다.
도 8은 제2 노즐 부재(350)가 기판(W) 저면의 에지 영역을 세정 처리하는 과정을 도시한다. 도 8은 도 2를 A-A 방향에서 바라본 측면도이다.
기판(W)의 에지 영역을 세정하기 위하여 제1 노즐 부재(420)가 회전되어 기판(W)의 에지 영역(단부)에 대응하는 위치로 복귀한 후 하강하고, 상부 용기(322)가 하부 용기(324)를 향해 하강함으로써 기판(W)이 기판 지지 부재(342) 상으로 다시 안착되도록 제어될 수 있다. 기판(W)이 기판 지지 부재(342) 상에 안착되면 기판 지지 부재(342)는 기판(W)을 흡착하여 고정한 후 회전시키도록 제어되고, 기판(W)의 에지 영역 하부에 위치하는 제2 노즐 부재(350)는 기판(W)의 저면을 향해 처리 유체를 공급하도록 제어될 수 있다.
즉, 복수의 제2 노즐들(352)은 기판 지지 유닛(340)에 의하여 지지된 상태로 회전하고 있는 기판(W)의 저면을 향해 세정액 및 건조 가스 중 적어도 하나를 공급할 수 있다. 예를 들면, 세정액은 약액 또는 탈이온수(deionized water)를 포함할 수 있다. 건조 가스는 질소 등과 같은 불활성 기체 또는 CDA를 포함할 수 있다. 일 예로, 제2 노즐들(352) 중 일부는 기판(W)의 저면 상으로 탈이온 수를 분사하고, 나머지 중 일부는 약액을 분사하며, 다른 일부는 건조 가스를 분사할 수 있다. 선택적으로는, 제2 노즐들(352) 모두가 약액, 탈이온수 및 건조 가스를 선택적으로 기판(W)의 저면 상으로 분사할 수 있다. 제2 노즐 부재(350)로부터 처리 유체가 공급되는 동안, 제1 노즐 부재(420)는 어느 처리 유체도 공급하지 않도록 제어될 수 있다. 즉, 제1 노즐 부재(420)에 의한 처리 유체 공급은 완전히 차단될 수 있다. 그러나, 선택적으로, 제1 노즐 부재(420)는 기판(W) 저면의 에지 영역에서 처리 유체를 제2 노즐 부재(350)와 함께 분사하도록 제어됨으로써 기판(W) 저면의 에지 세정 효율이 향상될 수도 있다.
제2 노즐 부재(350)에 의하여 기판(W) 저면의 에지 영역이 세정되는 때, 기판(W) 저면의 센터 영역으로 세정액, 파티클 등이 재부착됨으로써 기판(W) 저면의 센터 영역이 재오염되는 것을 방지하기 위하여, 가스 공급부(344)는 기판(W) 저면의 에지 영역 세정 처리가 수행되는 동안에 기판(W)의 저면에 대해 실질적으로 직교하는 방향으로 가스를 공급함으로써 에어 커튼을 형성할 수 있다. 가스 공급부(344)에 의하여 공급되는 가스는 질소 등과 같은 불활성 기체 또는 CDA를 포함할 수 있다.
또한, 기판(W) 저면의 에지 영역 세정 처리가 수행되는 동안 배기 유닛(330)에 의한 배기 과정이 동시에 수행됨으로써 기판(W) 저면으로부터 탈착된 이물질 및 세정액이 처리 공간을 오랜 시간동안 부유하지 않고 기판(W) 저면으로부터 탈착되는 즉시 배기 유닛(330)을 통해 처리 공간으로부터 배출될 수 있다.
도 9는 제2 노즐 부재(350)가 기판(W) 저면의 에지 영역을 건조 처리하는 과정을 도시한다. 도 9는 도 2를 A-A 방향에서 바라본 측면도이다.
기판(W) 저면의 에지 영역을 건조 처리하는 과정에서, 기판(W)의 에지 영역 하부에 위치하는 제2 노즐 부재(350)는 기판(W)의 저면을 향해 처리 유체를 공급하지 않도록 제어될 수 있다.
즉, 기판(W) 저면의 에지 영역이 건조되는 때, 가스 공급부(344)만이 기판(W) 저면을 향해 가스를 공급하도록 제어될 수 있다. 가스 공급부(344)에 의하여 공급되는 가스는 질소 등과 같은 불활성 기체 또는 CDA를 포함할 수 있다. 가스 공급부(344)에 의하여 기판(W) 저면으로 공급되는 가스에 의하여 기판(W) 저면의 에지 영역에 잔존하는 세정액이 제거될 수 있다.
또한, 기판(W) 저면의 에지 영역 건조 처리가 수행되는 동안 배기 유닛(330)에 의한 배기 과정이 동시에 수행됨으로써 기판(W) 저면으로부터 탈착된 이물질 및 세정액이 처리 공간을 오랜 시간동안 부유하지 않고 기판(W) 저면으로부터 탈착되는 즉시 배기 유닛(330)을 통해 처리 공간으로부터 배출될 수 있다.
또는, 기판(W) 저면의 에지 영역이 건조되는 때, 기판(W)의 에지 영역 하부에 위치하는 제2 노즐 부재(350)는 기판(W)의 저면을 향해 건조 가스만을 공급하도록 제어될 수도 있다. 즉, 복수의 제2 노즐들(352)은 기판 지지 유닛(340)에 의하여 지지된 상태로 회전하고 있는 기판(W)의 저면을 향해 건조 가스만을 공급할 수 있다. 건조 가스는 질소 등과 같은 불활성 기체 또는 CDA를 포함할 수 있다. 또한, 가스 공급부(344)가 제2 노즐 부재(350)와 함께 기판(W) 저면을 향해 가스를 공급하도록 제어될 수 있다. 가스 공급부(344)에 의하여 공급되는 가스는 질소 등과 같은 불활성 기체 또는 CDA를 포함할 수 있다. 가스 공급부(344) 및 제2 노즐 부재(350)에 의하여 기판(W) 저면으로 공급되는 가스에 의하여 기판(W) 저면의 에지 영역에 잔존하는 세정액이 제거될 수 있다.
기판(W) 저면의 에지 영역이 건조되는 때, 제1 노즐 부재(420)는 어느 처리 유체도 공급하지 않도록 제어될 수 있다. 즉, 제1 노즐 부재(420)에 의한 처리 유체 공급은 완전히 차단될 수 있다. 그러나, 선택적으로, 제1 노즐 부재(420)는 기판(W) 저면의 에지 영역에서 건조 가스를 제2 노즐 부재(350)와 함께 분사하도록 제어됨으로써 기판(W) 저면의 에지 건조 효율이 향상될 수도 있다.
도 10 및 도 11은 도 2 및 도 2의 변형예를 도시한다. 이는 앞서 설명한 바와 같이, 제1 노즐들(422)의 개수 및 배치를 제외한 모든 구성이 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 본 명세서에서는, 제2 노즐 부재(350)가 복수 개 구비되고, 기판 지지 유닛(340)으로부터 서로 반대되는 양 방향으로 뻗어나오는 예를 도시하였지만, 제2 노즐 부재(350)는 하나만 구비될 수도 있고 보다 많은 개수로 구비될 수도 있으며, 그 배치 역시 이에 한정되지 않는다.
이하. 도 12를 참조하여 도 4 내지 도 9를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법을 개략적으로 설명하고자 한다. 도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법을 개략적으로 도시한 흐름도이다. 도 4 내지 도 9를 참조하여 앞서 설명하였지만, 보다 간략하게 설명하자면, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 세정 영역 선택 단계(S100)와 세정 단계와 추가 세정 여부 선택 단계(S300)를 포함할 수 있다. 즉, 도 12는 도 4 내지 도 9를 참조하여 설명한 내용을 포함한다.
일반적으로 기판 저면을 세정하는 기판 처리 방법은 센터 영역을 세정한 후 에지 영역을 세정하는 것이 파티클 측면에서 바람직할 수 있다. 그러나, 설계를 통해 에지 영역을 먼저 세정하고 센터 영역을 세정할 수도 있다. 따라서 제일 먼저 세정 영역을 선택하는 단계(S100)가 수행될 수 있다. 세정 영역을 선택하는 단계(S100)는 센터 영역인지 여부를 확인하는 단계(S110)를 포함할 수 있다.
이후, 세정 단계가 수행될 수 있다. 선택된 영역이 센터 영역인 경우 센터 세정 단계(S210)가 수행되고, 선택된 영역이 에지 영역인 경우 에지 세정 단계(S220)가 수행될 수 있다.
센터 세정 단계(S210)는 처리 용기를 상승 시킴으로써 기판을 상승시키는 단계(S211), 제1 노즐을 회전시켜 기판의 하측에서 기판의 중심부에 대응하는 위치로 이동시키는 단계(S212), 제1 노즐을 동작(ON)시키는 단계(S213), 센터 세정 완료 여부를 확인하는 단계(S214), 제1 노즐의 동작을 중단(OFF)시키는 단계(S215)를 포함할 수 있다. 제1 노즐을 동작(ON)시키는 단계(S213)는 기판(W) 저면의 센터 영역을 세정 처리하는 과정과 건조 처리하는 과정을 모두 포함할 수 있다.
에지 세정 단계(S220)는 제1 노즐을 에지 영역에 위치시키는 단계(S221), 기판을 흡착 및 회전시키는 단계(S222), 제2 노즐을 동작(ON)시키는 단계(S223), 에지 세정 완료 여부를 확인하는 단계(S224), 제2 노즐의 동작을 중단(OFF)시키는 단계(S225)를 포함할 수 있다. 제1 노즐을 에지 영역에 위치시키는 단계(S221)는, 제1 노즐을 회전시켜 에지 영역으로 이동시키는 단계 및 제1 노즐을 하강시키는 단계를 포함할 수 있고, 기판을 흡착 및 회전시키는 단계(S222)는 처리 용기 및 기판을 하강시켜 기판을 기판 지지 유닛 상에 안착시키는 단계를 포함할 수 있고, 제2 노즐을 동작(ON)시키는 단계(S223)는 기판(W) 저면의 에지 영역을 세정 처리하는 과정과 건조 처리하는 과정을 모두 포함할 수 있다.
센터 세정 단계(S210) 또는 에지 세정 단계(S220)가 완료되면 추가 세정 수행할 지를 선택할 수 있다(S300). 추가 세정을 수행할 필요가 없는 경우 기판에 대한 세정 공정을 종료할 수 있다. 반면, 추가 세정을 수행하고자 하는 경우 세정 영역을 선택하는 단계(S100)로 돌아가 이후 단계를 수행할 수 있다.
예를 들어, 센터 세정 단계(S210)가 완료된 기판에 대하여 에지 세정 단계(S220)를 수행할 수 있다. 또는, 센터 세정 단계(S210)가 완료된 기판에 대하여 센터 세정 단계(S210)를 다시 수행할 수도 있다.
또다른 예로, 에지 세정 단계(S220)가 완료된 기판에 대하여 센터 세정 단계(S210)를 수행할 수 있다. 또는, 에지 세정 단계(S220)가 완료된 기판에 대하여 에지 세정 단계(S220)를 다시 수행할 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명에 의하면, 기판을 감싸는 형태로 제공되어 기판의 세정 공간을 형성하는 처리 용기(예: 바울 또는 컵)가 기판을 승하강시킬 수 있도록 구비되고, 기판 저면의 센터 영역을 세정하기 위한 제1 노즐이 세정 공간의 일 측에서 승강 및 회전 가능하게 구비되고, 기판 저면의 에지 영역을 세정하기 위한 제2 노즐이 기판을 지지하는 기판 지지 유닛에 고정되어 구비됨으로써 기판 저면의 센터 세정 및 에지 세정이 모두 기판 지지 부재 상에서 수행될 수 있다. 즉, 기판 위치 이동 없이 기판 저면 세정 공정이 수행될 수 있으므로 공정 및 풋 프린트 최적화에 유리한 효과가 있다.
또한, 회전 가능하게 제공되는 제1 노즐이 기판 지지 부재의 커버 역할을 수행할 수 있고, 기판의 저면에서 기판을 향해 가스를 공급하도록 구비되는 가스 공급부가 기판 지지 유닛을 보호하는 에어 커튼을 형성함으로써 기판 지지 유닛의 오염이 방지될 수 있고 처리 용기 및 기판의 위치 고정에 의하여 배기 효율이 향상될 수 있으므로 파티클 제어에도 유리한 효과가 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
320: 처리 용기
327: 사이드 척
330: 배기 유닛
340: 기판 지지 유닛
350: 제2 노즐 부재
352: 제2 노즐
400: 제1 노즐 유닛
410: 지지 암
420: 제1 노즐 부재
422: 제1 노즐

Claims (20)

  1. 기판의 처리 공간을 형성하는 처리 용기;
    상기 처리 공간 내부에 구비되고 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    상기 처리 공간 내부에서 상기 기판 지지 유닛의 일 측에 구비되고 상기 기판 저면의 센터 영역을 향해 처리 유체를 공급하는 제1 노즐 부재를 갖는 제1 노즐 유닛; 및
    상기 기판 지지 유닛에 고정 결합된 형태로 제공되고 상기 기판 저면의 에지 영역을 향해 처리 유체를 공급하는 제2 노즐 부재를 포함하고,
    상기 제1 노즐 부재는 상기 기판 저면의 중심 위치와 단부 위치 사이를 회전 이동하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 처리 용기 및 상기 제1 노즐 부재는 상하 방향으로 승강 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 처리 용기는,
    상기 기판 저면을 지지하기 위한 사이드 척을 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 기판의 세정 영역에 따라 상기 처리 용기, 기판 지지 유닛, 제1 노즐 유닛 및 제2 노즐 부재의 구동이 제어되는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판 저면의 센터 영역을 세정하는 경우,
    상기 처리 용기가 상승함으로써 상기 기판이 상기 기판 지지 유닛으로부터 상승되고,
    상기 제1 노즐 부재가 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 중심부에 대응하는 위치로 이동하고,
    상기 제1 노즐 부재가 상기 기판 저면을 향해 처리 유체를 공급하는 때 상기 제2 노즐 부재는 처리 유체를 공급하지 않도록 제어되는 기판 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 기판 저면의 에지 영역을 세정하는 경우,
    상기 제1 노즐 부재가 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 단부에 대응하는 위치로 이동하고,
    상기 처리 용기가 하강함으로써 상기 기판이 상기 기판 지지 유닛 상에 안착되고,
    상기 기판 지지 유닛이 상기 기판을 흡착한 상태로 상기 기판을 회전시키고,
    상기 제2 노즐 부재가 상기 기판 저면을 향해 처리 유체를 공급하는 때 상기 제1 노즐 부재는 처리 유체를 공급하지 않도록 제어되는 기판 처리 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 기판 저면의 에지 영역을 세정하는 경우,
    상기 제1 노즐 부재가 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 단부에 대응하는 위치로 이동하고,
    상기 처리 용기가 하강함으로써 상기 기판이 상기 기판 지지 유닛 상에 안착되고,
    상기 기판 지지 유닛이 상기 기판을 흡착한 상태로 상기 기판을 회전시키고,
    제2 노즐 부재가 상기 기판 저면을 향해 처리 유체를 공급하는 때 상기 제1 노즐 부재가 상기 기판 저면을 향해 처리 유체를 함께 공급하도록 제어되는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛은,
    상기 기판을 지지하는 기판 지지 부재;
    상기 기판 지지 부재의 외측부를 감싸는 형태로 제공되고 상기 기판 저면을 향해 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 노즐 부재는 상기 기판 지지 유닛의 상면보다 크거나 같은 크기로 제공되고,
    상기 제2 노즐 부재는 상기 기판 지지 유닛의 외측벽에 고정 결합되고 상기 기판 지지 유닛으로부터 상기 처리 용기를 향해 돌출되는 형상을 갖는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 노즐 부재 및 상기 제2 노즐 부재는 복수의 노즐을 포함하고,
    상기 제1 노즐 부재 및 상기 제2 노즐 부재의 각 노즐로부터 토출되는 처리 유체의 유량은 개별 제어 가능한 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 노즐 부재의 복수의 노즐은,
    상기 기판 지지 유닛의 외측벽으로부터 상기 처리 용기의 내측벽을 향하는 방향을 따라 일렬로 배치되는 기판 처리 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 처리 공간을 배기하기 위한 배기 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 기판 저면의 센터 영역으로 처리 유체를 공급하는 센터 세정 단계; 및
    상기 기판 저면의 에지 영역으로 처리 유체를 공급하는 에지 세정 단계를 포함하고,
    상기 센터 세정 단계는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛의 일측에 회전 이동 가능하도록 구비되는 제1 노즐 부재에 의하여 수행되고,
    상기 에지 세정 단계는 상기 기판 지지 유닛에 고정 결합된 형태로 구비되는 제2 노즐 부재에 의하여 수행되는 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 센터 세정 단계는,
    상기 기판의 세정 공간을 형성하는 처리 용기 및 기판을 상승시키는 단계;
    상기 제1 노즐 부재를 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 중심부에 대응하는 위치로 회전 이동시키는 단계; 및
    상기 제1 노즐 부재를 ON 시키는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 센터 세정 단계에서 상기 제2 노즐 부재로부터 처리 유체의 공급은 완전히 차단되는 기판 처리 방법.
  16. 제13항에서,
    상기 에지 세정 단계는,
    상기 제1 노즐 부재를 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 단부에 대응하는 위치로 회전 이동시키는 단계;
    상기 기판을 상기 기판 지지 유닛 상에 안착시키는 단계;
    상기 기판을 흡착 및 회전시키는 단계; 및
    상기 제2 노즐 부재를 ON 시키는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 에지 세정 단계는 상기 제1 노즐 부재로부터의 처리 유체 공급을 완전히 차단하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  18. 기판이 수납된 캐리어가 안착되는 로드 포트;
    상기 로드 포트에 안착된 캐리어로부터 상기 기판을 반송하기 위한 인덱스 로봇이 내부에 제공되는 인덱스 프레임; 및
    상기 기판에 대하여 액 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 포함하는 공정 처리 모듈을 포함하고,
    상기 기판 처리 장치는,
    기판의 처리 공간을 형성하는 처리 용기;
    상기 처리 공간 내부에 구비되고 상기 기판을 지지하고 회전시키는 기판 지지 유닛;
    상기 기판의 상면으로 처리 유체를 공급하는 상부 유체 공급 유닛; 및
    상기 기판의 저면으로 처리 유체를 공급하는 하부 유체 공급 유닛을 포함하며,
    상기 하부 유체 공급 유닛은,
    상기 처리 공간 내부에서 상기 기판 지지 유닛의 일 측에 구비되고 상기 기판 저면의 센터 영역을 향해 처리 유체를 공급하는 제1 노즐 부재를 갖는 제1 노즐 유닛; 및
    상기 기판 지지 유닛에 고정 결합된 형태로 제공되고 상기 기판 저면의 에지 영역을 향해 처리 유체를 공급하는 제2 노즐 부재를 포함하고,
    상기 제1 노즐 부재는 상기 기판 저면의 중심 위치와 단부 위치 사이를 회전 이동하도록 제공되는 기판 처리 설비.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 처리 용기 및 상기 제1 노즐 부재는 상하 방향으로 승강 이동 가능하게 구비되며, 상기 처리 용기는 상기 기판 저면을 지지하기 위한 사이드 척을 포함하는 기판 처리 설비.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 기판 저면의 센터 영역을 세정하는 경우,
    상기 처리 용기가 상승함으로써 상기 기판이 상기 기판 지지 유닛으로부터 상승되고,
    상기 제1 노즐 부재가 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 중심부에 대응하는 위치로 이동하고,
    상기 제1 노즐 부재가 상기 기판 저면을 향해 처리 유체를 공급하고 상기 제2 노즐 부재는 처리 유체를 공급하지 않도록 제어되고,
    상기 기판 저면의 에지 영역을 세정하는 경우,
    상기 제1 노즐 부재가 상기 기판의 하측에서 상기 기판의 단부에 대응하는 위치에 위치하고,
    상기 기판이 상기 기판 지지 유닛 상에 안착되고,
    상기 기판 지지 유닛이 상기 기판을 흡착한 상태로 상기 기판을 회전시키고,
    상기 제2 노즐 부재가 상기 기판 저면을 향해 처리 유체를 공급하도록 제어되는 기판 처리 설비.
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