KR102619971B1 - Digital x-ray detector and method of fabricating thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출장치에서는 박막트랜지스터의 반도체층 상부에 배치되는 제1컬럼스페이서와 포토컨덕터 상부에 배치되는 제2컬럼스페이서로 구성되며, 제1컬럼스페이서의 하부에는 금속으로 이루어진 차광층이 배치될 수 있고 제2컬럼스페이서에는 포토컨덕터에 바이어스전압 또는 역바이어스전압을 인가하는 바이어스라인이 배치될 수 있다.The digital A bias line that applies a bias voltage or reverse bias voltage to the photoconductor may be disposed in the second column spacer.

Description

디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법{DIGITAL X-RAY DETECTOR AND METHOD OF FABRICATING THEREOF}Digital X-ray detection device and method of manufacturing the same {DIGITAL X-RAY DETECTOR AND METHOD OF FABRICATING THEREOF}

본 발명은 제조공정이 단순화된 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a digital X-ray detection device with a simplified manufacturing process and a manufacturing method thereof.

엑스레이(X-Ray)는 단파장으로 피사체를 쉽게 투과할 수 있으며, 피사체 내부의 밀도에 따라 엑스레이의 투과량이 결정된다. 따라서, 투과되는 엑스레이의 투과량을 검출함으로써 피사체의 내부 구조를 관측할 수 있게 된다.X-rays can easily penetrate the subject with short wavelengths, and the amount of X-ray penetration is determined by the density inside the subject. Therefore, it is possible to observe the internal structure of the subject by detecting the amount of transmitted X-rays.

일반적으로, 의료용 등에 광범위하게 사용되고 있는 필름인화방식의 엑스레이 촬영법은 필름 촬영후 인화과정을 거쳐야 하기 때문에 일정시간이 흐른 후 그 결과물을 인지할 수 있다는 단점이 존재하였으며, 촬영후 필름의 보관 및 보존에 있어서 많은 문제점이 있었다.In general, the film printing type There were many problems.

이러한 문제를 해결하기 위해, 근래 디지털데이터를 이용한 디지털 엑스레이 검출장치(DXD;Digital X-ray Detector)가 제안되고 있다. 종래의 아날로그 엑스레이 검출장치에서는 별도의 필름을 구비하여 피사체를 촬영한 후 촬영된 필름을 인화지에 전사하는데 반해, 디지털 엑스레이 검출장치에서는 별도의 필름과 인화지를 사용하지 않고 피사체의 내부구조를 표시한다. 즉, 디지털 엑스레이 검출장치에서는 피사체를 투과하는 엑스레이를 가시광선영역의 광으로 변환시킨 후, 변환된 가시광선영역의 광을 전자신호로 변환시키고 전자신호를 다시 영상신호를 변환하여 피사체의 구조를 표시한다.To solve this problem, a digital X-ray detection device (DXD) using digital data has recently been proposed. While the conventional analog X-ray detection device uses a separate film to photograph the subject and then transfers the photographed film to photo paper, the digital In other words, the digital X-ray detection device converts the do.

따라서, 디지털 엑스레이 검출장치에서는 피사체를 표시하기 위해, 엑스레이를 가시광선영역의 광으로 변환시키는 구성, 가시광선영역의 광을 전자신호로 변환시키는 구성, 전자신호를 영상신호로 변환시키는 구성이 필요하게 되므로, 디지털 엑스레이검출장치의 구조가 복잡하고 제조공정이 복잡하게 된다.Therefore, in order to display a subject, a digital X-ray detection device requires a configuration to convert Therefore, the structure of the digital X-ray detection device is complicated and the manufacturing process becomes complicated.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 구조가 단순하고 제조공정을 단축시킬 수 있는 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 하다.The present invention was made in consideration of the above points, and its purpose is to provide a digital X-ray detection device and a manufacturing method thereof that have a simple structure and can shorten the manufacturing process.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출장치에서는 컬럼스페이서를 구비하여 신틸레이터부를 지지하여 신틸레이터부가 편평한 상태를 유지하도록 한다.In order to achieve the above object, the digital X-ray detection device according to the present invention is provided with a column spacer to support the scintillator unit to maintain the scintillator unit in a flat state.

박막트랜지스터의 반도체층 상부에 배치되는 제1컬럼스페이서와 포토컨덕터 상부에 배치되는 제2컬럼스페이서로 구성되며, 제1컬럼스페이서의 하부에는 금속으로 이루어진 차광층이 배치될 수 있고 제2컬럼스페이서에는 포토컨덕터에 바이어스전압 또는 역바이어스전압을 인가하는 바이어스라인이 배치될 수 있다.It consists of a first column spacer disposed on the upper part of the semiconductor layer of the thin film transistor and a second column spacer disposed on the upper part of the photoconductor. A light-shielding layer made of metal may be disposed on the lower part of the first column spacer, and the second column spacer may be disposed on the second column spacer. A bias line that applies a bias voltage or reverse bias voltage may be disposed on the photoconductor.

상기 제1컬럼스페이서와 제2컬럼스페이서는 수지와 같은 유기물질로 형성되며, 차광층과 바이어스라인은 동일한 금속으로 구성된다. 상기 제1컬럼스페이서와 제2컬럼스페이서, 차광층과 바이어스라인은 1회의 공정에 의해 동시에 형성될 수 있다.The first column spacer and the second column spacer are made of an organic material such as resin, and the light blocking layer and the bias line are made of the same metal. The first column spacer, the second column spacer, the light blocking layer, and the bias line can be formed simultaneously through a single process.

상기 제1컬럼스페이서의 하부에는 금속으로 이루어진 차광층이 배치되지 않을 수 있다. 이 경우, 반도체층의 상부에는 금속층이 구비되지 않고 절연층만이 배치되므로, 플로팅된 금속층에 의해 기생용량이 발생하여 박막트랜지스터의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.A light blocking layer made of metal may not be disposed under the first column spacer. In this case, since no metal layer is provided on the top of the semiconductor layer and only an insulating layer is disposed, it is possible to prevent the characteristics of the thin film transistor from being deteriorated due to parasitic capacitance caused by the floating metal layer.

본 발명에서는 컬럼스페이서를 구비하여 신틸레이터부의 부착시 포토컨덕터의 단차에 의해 신틸레이터부의 부착불량과 광변화효율 저하를 방지할 수 있게 된다.In the present invention, by providing a column spacer, it is possible to prevent poor attachment of the scintillator unit and a decrease in light conversion efficiency due to the step of the photoconductor when attaching the scintillator unit.

또한, 본 발명에서는 블랙수지와 같은 유기물질로 이루어진 제1컬럼스페이서를 박막트랜지스터의 반도체층 상부에 배치함으로써 별도의 차광층 없이도 반도체층에 광이 조사되는 것을 차단할 수 있게 된다. 더욱이, 포토컨덕터 상부의 제2컬럼스페이서에 의해 다른 광감지화소에 대응하는 영역의 광이 해당 광감지화소로 입사되는 것을 방지함으로써 광간섭에 의한 피사체 내부구조의 영상왜곡을 방지할 수 있게 된다.In addition, in the present invention, by disposing the first column spacer made of an organic material such as black resin on the upper part of the semiconductor layer of the thin film transistor, it is possible to block light from being irradiated to the semiconductor layer without a separate light blocking layer. Furthermore, the second column spacer on the top of the photoconductor prevents light from an area corresponding to another photo-sensing pixel from being incident on the corresponding photo-sensing pixel, thereby preventing image distortion of the internal structure of the subject due to light interference.

그리고, 본 발명에서는 광차단층 및 바이어스라인이 제1컬럼스페이서 및 제2컬럼스페이서 하부에 배치될 때, 상기 광차단층 및 바이어스라인, 제1컬럼스페이서 및 제2컬럼스페이서를 한꺼번에 형성할 수 있으므로, 제조공정을 단순화할 수 있게 된다.In addition, in the present invention, when the light blocking layer and the bias line are disposed below the first column spacer and the second column spacer, the light blocking layer and bias line, the first column spacer, and the second column spacer can be formed at the same time. The process can be simplified.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출장치의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출장치의 광감지화소의 회로구성도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출장치의 광감지화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3의 I-I'선 단면도.
도 5a-도 5e는 본 발명의 제1실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출장치의 제조방법을 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출장치의 광감지화소의 구조를 나타내는 단면도.1 is a plan view schematically showing the structure of a digital X-ray detection device according to a first embodiment of the present invention.
Figure 2 is a circuit diagram of a light-sensing pixel of a digital X-ray detection device according to the first embodiment of the present invention.
Figure 3 is a plan view showing the structure of a light-sensing pixel of a digital X-ray detection device according to the first embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view taken along line II' of Figure 3.
5A-5E are diagrams showing a method of manufacturing a digital X-ray detection device according to the first embodiment of the present invention.
Figure 6 is a cross-sectional view showing the structure of a light-sensing pixel of a digital X-ray detection device according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 디지털엑스레이 검출장치를 개략적으로 나타내는 도면이고 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 디지털엑스레이 검출장치의 광감지화소의 회로구성도이다.Figure 1 is a diagram schematically showing a digital X-ray detection device according to a first embodiment of the present invention, and Figure 2 is a circuit diagram of a light-sensing pixel of the digital

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출장치는 엑스레이 검출패널(110)과, 게이트구동부(130), 리드아웃회로부(160), 타이밍제어부(170) 및 바이어스전압 공급부(150)가 포함된다.1 and 2, the digital X-ray detection device according to the first embodiment of the present invention includes an X-ray detection panel 110, a gate driver 130, a readout circuit 160, and a timing control unit 170. ) and a bias voltage supply unit 150.

검출패널(110)에서는 광원으로부터 방출된 엑스레이를 감지하고, 감지된 신호를 광전변환하여 전기적인 검출신호로 출력한다. 검출패널(110)에는 복수의 광감지화소(P)가 배치된다. 이때, 상기 광감지화소(P)는 수평방향으로 배열된 복수의 게이트라인(GL)과 수직방향으로 배열된 복수의 데이터라인(DL)에 의해 각각 화소영역이 정의된다.The detection panel 110 detects X-rays emitted from a light source, converts the detected signal into photoelectricity, and outputs it as an electrical detection signal. A plurality of light-sensing pixels (P) are disposed on the detection panel 110. At this time, the photo-sensing pixel (P) has a pixel area defined by a plurality of gate lines (GL) arranged in the horizontal direction and a plurality of data lines (DL) arranged in the vertical direction.

상기 광감지화소(P)는 입력되는 엑스레이를 감지하여 전기적인 신호를 출력한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 각각의 광감지화소(P)는 엑스레이를 감지하여 검출전압과 같은 전기신호로 변환하는 포토컨덕터(PC)와, 포토컨덕터(PC)에 의해 변환된 검출전압을 충전하는 커패시터(Cst)와, 게이트신호가 인가됨에 따라 구동하여 커패시터(Cst)에 저장된 검출전압과 같은 전기신호를 외부로 전달하는 박막트랜지스터(TFT)를 포함한다.The photo-sensing pixel (P) detects input X-rays and outputs an electrical signal. As shown in Figure 2, each photo-sensing pixel (P) has a photoconductor (PC) that detects X-rays and converts them into an electrical signal such as a detection voltage, and charges the detection voltage converted by the photoconductor (PC). It includes a capacitor (Cst) that operates when a gate signal is applied and a thin film transistor (TFT) that transmits an electrical signal such as the detection voltage stored in the capacitor (Cst) to the outside.

상기 포토컨덕터(PC)는 엑스레이발생장치로부터 방출된 엑스레이를 전기적인 신호로 변환할 수 있는 물질로 구성된다. 상기 포토컨덕터(PC)는 예를 들어 a-Se, HgI2,CdTe, PbO, PbI2, BiI3, GaAs, Ge 등으로 구성될 수 있다.The photoconductor (PC) is made of a material that can convert X-rays emitted from an X-ray generator into electrical signals. The photoconductor (PC) may be made of, for example, a-Se, HgI 2 , CdTe, PbO, PbI 2 , BiI 3 , GaAs, Ge, etc.

상기 커패시터(Cst)는 포토컨덕터(PC)에 의해 변환된 전기적인 신호를 충전한다. 상기 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극에 일단이 연결되고 바이어스라인(VL)에 타단이 연결된다. 상기 박막트랜지스터(TFT)는 주사신호를 인가하는 게이트라인(GL)에 게이트전극이 연결되고 검출신호를 전달하는 데이터라인(DL)에 드레인전극이 연결되며 커패시터(Cst)의 일단에 소스전극이 연결된다.The capacitor (Cst) charges the electrical signal converted by the photoconductor (PC). The capacitor (Cst) has one end connected to the source electrode of the thin film transistor (TFT) and the other end connected to the bias line (VL). The thin film transistor (TFT) has a gate electrode connected to the gate line (GL) that applies the scanning signal, a drain electrode connected to the data line (DL) that transmits the detection signal, and a source electrode connected to one end of the capacitor (Cst). do.

상기 게이트구동부(130)는 게이트라인(GL)을 통해 게이트온 전압레벨을 갖는 게이트신호를 순차적으로 출력한다. 이때, 상기 게이트온 전압레벨은 광감지화소(P)의 박막트랜지스터를 턴-온(turn-on)할 수 있는 전압레벨로서, 상기 광감지화소(P)의 박막트랜지스터가 상기 게이트신호에 응답하여 동작한다.The gate driver 130 sequentially outputs gate signals having a gate-on voltage level through the gate line GL. At this time, the gate-on voltage level is a voltage level that can turn on the thin film transistor of the photo-sensing pixel (P), and the thin-film transistor of the photo-sensing pixel (P) responds to the gate signal. It works.

상기 게이트구동부(130)는 집적회로(IC) 형태로 형성되어 검출패널(110) 위에 직접 실장되거나 상기 검출패널(110)에 접속되는 외부기판(예를 들면, FPC(Flexible Printed Circuit Board)상에 실장될 수도 있지만, 트랜지스터와 같은 각종 소자가 포토공정을 통해 GIP(Gate In Panel) 형태로 검출패널(110) 상에 직접 적층되어 형성될 수도 있다.The gate driver 130 is formed in the form of an integrated circuit (IC) and is mounted directly on the detection panel 110 or on an external board (for example, a flexible printed circuit board (FPC)) connected to the detection panel 110. Although it may be mounted, various elements such as transistors may also be formed by stacking directly on the detection panel 110 in the form of a GIP (Gate In Panel) through a photo process.

바이어스전압 공급부(150)는 바이어스라인(VL)을 통해 광감지화소(P)에 바이어스전압 또는 역바이어스전압을 공급한다. 이때, 상기 바이어스라인(VL)은 접지전압(또는 공통전압)에 대응되는 전압이 공급된다.The bias voltage supply unit 150 supplies a bias voltage or reverse bias voltage to the photo-sensing pixel (P) through the bias line (VL). At this time, a voltage corresponding to the ground voltage (or common voltage) is supplied to the bias line (VL).

리드아웃 회로부(160)는 게이트신호에 응답하여 턴-온된 박막트랜지스터(TFT)로부터 출력되는 검출신호를 리드아웃한다. 상기 박막트랜지스터(TFT)가 턴-온됨에 따라 커패시터(Cst)에 저장된 검출신호가 상기 박막트랜지스터(TFT) 및 데이터라인(DL)을 통해 리드아웃 회로부(160)로 입력된다.The readout circuit unit 160 reads out a detection signal output from a thin film transistor (TFT) that is turned on in response to the gate signal. As the thin film transistor (TFT) is turned on, the detection signal stored in the capacitor (Cst) is input to the readout circuit unit 160 through the thin film transistor (TFT) and the data line (DL).

상기 리드아웃 회로부(160)는 오프셋이미지를 리드아웃하는 오프셋 리드아웃구간과, 엑스레이노광 후 광감지화소(P)로부터 출력되는 검출신호를 리드아웃하는 엑스레이 리드아웃구간으로 구성된다. 상기 리드아웃 회로부(160)는 신호검출부 및 멀티플렉서 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 신호검출부는 데이터라인(DL)과 일대일 대응하는 복수의 증폭회로부를 포함하고, 각각의 증폭회로부는 증폭기, 커패시터 및 리셋소자 등을 포함할 수 있다.The read-out circuit unit 160 is composed of an offset read-out section that reads out an offset image, and an X-ray read-out section that reads out a detection signal output from the photo-sensing pixel (P) after X-ray exposure. The readout circuit unit 160 may include a signal detection unit and a multiplexer. Additionally, the signal detection unit may include a plurality of amplification circuit units in one-to-one correspondence with the data line DL, and each amplification circuit unit may include an amplifier, a capacitor, a reset element, etc.

상기 타이밍제어부(180)는 제어신호를 생성한 후 출력하여 상기 게이트구동부(130) 및 리드아웃 회로부(160)를 제어한다. 이때, 상기 게이트구동부(130)에 공급되는 제어신호는 개시신호(STV) 및 클럭신호(CPV)을 포함할 수 있으며, 리드아웃 회로부(160)에 공급되는 제어신호는 리드아웃 제어신호(ROC) 및 리드아웃 클럭신호(CLK)를 포함할 수 있다.The timing control unit 180 generates and outputs a control signal to control the gate driver 130 and the readout circuit unit 160. At this time, the control signal supplied to the gate driver 130 may include a start signal (STV) and a clock signal (CPV), and the control signal supplied to the readout circuit unit 160 may include a readout control signal (ROC). and a readout clock signal (CLK).

도 3은 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출장치의 광감지화소(P)의 구조를 나타내는 도면이다. 검출패널에는 광감지화소(P)가 실질적으로 세로 및 가로방향을 따라 매트릭스형상으로 n×m(여기서, n,m은 자연수)개가 배열되지만, 도면에서는 설명의 편의를 위해 하나의 광감지화소(P)만을 도시하였다.Figure 3 is a diagram showing the structure of a light-sensing pixel (P) of the digital X-ray detection device according to the present invention. In the detection panel, n × m (where n, m are natural numbers) light sensing pixels (P) are arranged in a matrix shape along the vertical and horizontal directions. However, in the drawing, for convenience of explanation, one light sensing pixel (P) is arranged in a matrix shape (where n, m are natural numbers). Only P) is shown.

도 3에 도시된 바와 같이, 검출패널에는 복수의 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL)이 서로 수직으로 배치되어 복수의 광감지화소(P)를 정의하며, 각각의 광감지화소(P)내에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치된다.As shown in FIG. 3, a plurality of gate lines (GL) and data lines (DL) are arranged perpendicularly to each other in the detection panel to define a plurality of light-sensing pixels (P), and each light-sensing pixel (P) A thin film transistor (TFT) is placed inside.

상기 박막트랜지스터(TFT)는 상기 게이트라인(GL)과 접속되어 외부로부터 게이트신호가 인가되는 게이트전극(211)과, 상기 게이트전극(211)에 게이트신호가 인가됨에 따라 활성화되어 채널층을 형성하는 반도체층(212)과, 상기 데이터라인(DL)에 접속되어 반도체층(212)이 활성화됨에 따라 검출된 커패시터(Cst)에 저장된 검출전압과 같은 전기신호를 외부로 출력하는 소스전극(214) 및 드레인전극(215)으로 구성된다.The thin film transistor (TFT) has a gate electrode 211 connected to the gate line GL to which a gate signal is applied from the outside, and is activated as the gate signal is applied to the gate electrode 211 to form a channel layer. A source electrode 214 connected to the semiconductor layer 212 and the data line DL to externally output an electrical signal such as the detection voltage stored in the capacitor Cst detected as the semiconductor layer 212 is activated, and It consists of a drain electrode (215).

광감지화소(P) 내에는 포토컨덕터(PC)가 구비된다. 상기 포토컨덕터(PC)는 입사되는 광을 감지하여 검출전압과 같은 전기신호로 변환하는 것으로, 광감지화소(P)의 전체 영역에 걸쳐 형성된다. 상기 포토컨덕터(PC)는 광을 전기신호로 변환할 수만 있다면 어떠한 구성이라도 가능하지만, 본 발명에서는 포토컨덕터(PC)로서 주로 포토다이오드를 사용한다. 다시 말해서, 본 발명에서는 상기 포토컨덕터(PC)로서, P형 반도체층, 진성 반도체층 및 N형 반도체로 이루어진 PIN다이오드(254) 구조의 포토다이오드를 사용한다.A photoconductor (PC) is provided within the light-sensing pixel (P). The photoconductor (PC) detects incident light and converts it into an electrical signal such as a detection voltage, and is formed over the entire area of the photosensing pixel (P). The photoconductor (PC) can have any configuration as long as it can convert light into an electrical signal, but in the present invention, a photodiode is mainly used as the photoconductor (PC). In other words, in the present invention, a photodiode having a PIN diode 254 structure composed of a P-type semiconductor layer, an intrinsic semiconductor layer, and an N-type semiconductor is used as the photoconductor (PC).

상기 PIN다이오드(254)의 상부 및 하부에는 각각 제1전극(252) 및 제2전극(256)이 배치되며, 제2전극(256) 위에는 설정된 폭의 바이어스라인(VL)이 배치되어 상기 PIN다이오드(254)에 바이어스전압 또는 역바이어스전압을 인가한다. 이때, 상기 제1전극(252) 및 제2전극(256)은 실질적으로 PIN다이오드(254)와 동일한 면적으로 형성되어 광감지화소(P)내에 배치되지만, 도면에서는 설명의 편의를 위해 제1전극(252) 및 제2전극(256), PIN다이오드(254)를 다른 면적으로 도시하였다.A first electrode 252 and a second electrode 256 are disposed on the upper and lower portions of the PIN diode 254, respectively, and a bias line (VL) of a set width is disposed on the second electrode 256 to Apply a bias voltage or reverse bias voltage to (254). At this time, the first electrode 252 and the second electrode 256 are formed to have substantially the same area as the PIN diode 254 and are disposed within the photo-sensing pixel (P), but in the drawing, for convenience of explanation, the first electrode (252), the second electrode 256, and the PIN diode 254 are shown in different areas.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제2전극(256)과 바이어스라인(VL) 사이에는 절연층이 구비되며, 컨택홀(264)에 의해 상기 제2전극(256)과 바이어스라인(VL)이 전기적으로 접속되어, 바이어스전압 또는 역바이어스전압이 상기 바이어스라인(VL)을 통해 제2전극(256)으로 인가된다. 상기 바이어스라인(VL)은 세로방향, 즉 데이터라인(DL)과 대략 평행하게 배치되어 세로방향으로 배치된 복수의 광감지화소(P)열에 바이어스전압 또는 역바이어스전압을 인가한다. 이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 바이어스라인(VL)은 감광지화소(P)의 복수열 각각에 하나씩 배치된다.Although not shown in the drawing, an insulating layer is provided between the second electrode 256 and the bias line (VL), and the second electrode 256 and the bias line (VL) are electrically connected by the contact hole 264. When connected, a bias voltage or reverse bias voltage is applied to the second electrode 256 through the bias line (VL). The bias line (VL) is arranged in a vertical direction, that is, approximately parallel to the data line (DL), and applies a bias voltage or reverse bias voltage to a plurality of rows of photo-sensing pixels (P) arranged in the vertical direction. At this time, although not shown in the drawing, the bias line (VL) is disposed one by one in each of the plurality of rows of photosensitive pixels (P).

또한, 상기 바이어스라인(VL)은 가로방향, 즉 게이트라인(GL)과 대략 평행하게 배치되어 가로방향으로 배치된 복수의 광감지화소(P) 행에 바이어스전압 또는 역바이어스전압을 인가할 수 있다. 이러한 구성에서도 상기 바이어스라인(VL)은 감광지화소(P)의 복수 행 각각에 하나씩 배치될 수 있다.In addition, the bias line (VL) is arranged in a horizontal direction, that is, approximately parallel to the gate line (GL), and can apply a bias voltage or reverse bias voltage to a plurality of rows of photo-sensing pixels (P) arranged in the horizontal direction. . Even in this configuration, the bias lines (VL) can be disposed one by one in each of the plurality of rows of the photosensitive pixels (P).

다시 말해서, 본 발명의 바이어스라인(VL)은 제2전극(256)에 바이어스전압 또는 역바이어스전압을 인가할 수만 있다면, 특정 배열에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 배열될 수 있을 것이다.In other words, the bias line VL of the present invention is not limited to a specific arrangement and can be arranged in various forms as long as a bias voltage or reverse bias voltage can be applied to the second electrode 256.

또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 PIN다이오드(254)의 상부에는 신틸레이터부(sintillator unit)가 구비된다. 상기 신틸레이터부는 입력되는 엑스레이와 충돌하여 발광함으로써 엑스레이를 가시광선영역의 광으로 변환하여 출력한다.In addition, although not shown in the drawing, a scintillator unit is provided on the upper part of the PIN diode 254. The scintillator unit collides with the input X-ray and emits light, thereby converting the X-ray into light in the visible light region and outputting it.

상기 신틸레이터부는 신틸레이터물질이 직접 적층된 막형상으로 구성될 수도 있지만, 본 발명에서는 상기 신틸레이터부가 필름형태로 구성되어 포토컨덕터(PC) 상부에 부착된다. 박막트랜지스터(TFT)가 형성된 영역의 포토컨덕터(PC)와 신틸레이터부 사이에는 제1컬럼스페이서(267)이 배치되고 바이어스라인(VL) 상부에는 제2컬럼스페이서(268)가 배치된다.The scintillator part may be formed in the form of a film in which scintillator materials are directly laminated, but in the present invention, the scintillator part is formed in the form of a film and is attached to the top of the photoconductor (PC). A first column spacer 267 is disposed between the photoconductor (PC) and the scintillator portion in the area where the thin film transistor (TFT) is formed, and a second column spacer 268 is disposed above the bias line (VL).

상기 제1컬럼스페이서(267) 및 제2컬럼스페이서(268)는 포토컨덕터(PC)와 신틸레이터부 사이에 배치되어 신틸레이터부를 일정한 수준(level)으로 배치되도록 한다. 포토컨덕터(PC)의 PIN다이오드(254)는 1㎛의 두꺼운 두께로 형성되므로, 상기 PIN다이오드(254)에 의해 광감지화소(P)에는 큰 단차가 발생하게 된다. 필름형태의 신틸레이터부를 포토컨덕터(PC)의 상부에 부착할 때, 상기 단차는 신틸레이터부의 부착불량을 야기할 뿐만 아니라 신틸레이터부의 광변환효율을 저하시킨다.The first column spacer 267 and the second column spacer 268 are disposed between the photoconductor (PC) and the scintillator unit to ensure that the scintillator unit is placed at a constant level. Since the PIN diode 254 of the photoconductor (PC) is formed with a thickness of 1㎛, a large step is generated in the photo-sensing pixel (P) due to the PIN diode 254. When attaching a film-type scintillator unit to the top of a photoconductor (PC), the step not only causes poor attachment of the scintillator unit, but also reduces the light conversion efficiency of the scintillator unit.

상기 제1컬럼스페이서(267) 및 제2컬럼스페이서(268)는 신틸레이터부를 일정한 수준(level)으로 배치함으로써, 단차에 의한 신틸레이터부의 부착불량이나 광변환효율 저하를 효과적으로 방지할 수 있게 된다.The first column spacer 267 and the second column spacer 268 arrange the scintillator unit at a certain level, thereby effectively preventing poor adhesion of the scintillator unit or a decrease in light conversion efficiency due to a step difference.

상기와 같은 구조의 디지털 엑스레이 검출장치에서는 피사체를 투과한 엑스레이가 입사되면, 신틸레이터부에서 입력되는 엑스레이를 가시광선영역의 광으로 변환하며 출력하며, 출력된 가시광선영역의 광이 PIN다이오드(254)로 입력된다. 광이 입력됨에 따라 PIN다이오드(254)의 진성반도체층이 P형 반도체층과 N형 반도체층에 의해 공핍(Depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 광에 의해 생성되는 정공과 전자가 상기 전기장에 의해 드리프트(Drift)되어 각각 P형 반도체층 및 N형 반도체층에서 수집되어 전류가 발생한다.In the digital X-ray detection device with the above structure, when an ) is entered. As light is input, the intrinsic semiconductor layer of the PIN diode 254 is depleted by the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer, generating an internal electric field, and the holes and electrons generated by light are It drifts due to an electric field and is collected in the P-type semiconductor layer and N-type semiconductor layer, respectively, generating current.

게이트신호가 게이트라인(GL)을 통해 박막트랜지스터(TFT)에 인가되어 상기 박막트랜지스터(TFT)가 턴-온되면, PIN다이오드(254)에 발생한 전류가 제1전극(252)에서 상기 박막트랜지스터(TFT)를 통해 검출신호로서 외부로 출력되며, 출력된 검출신호는 리드아웃 회로부(160)로 입력되어 리드아웃된다.When a gate signal is applied to the thin film transistor (TFT) through the gate line (GL) and the thin film transistor (TFT) is turned on, the current generated in the PIN diode 254 flows from the first electrode 252 to the thin film transistor ( It is output to the outside as a detection signal through a TFT), and the output detection signal is input to the readout circuit unit 160 and read out.

이와 같이, 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출장치에서는 복수의 광감지화소(P)에서 입력되는 엑스레이를 전기신호를 변환하여 출력하고 출력된 검출신호를 리드아웃함으로써 피사체를 투과한 엑스레이를 판독할 수 있게 된다.As such, the digital X-ray detection device according to the present invention converts the do.

따라서, 종래의 아날로그 엑스레이 검출장치에 비해, 별도의 필름과 인화지가 필요없게 될 뿐만 아니라 촬영후 필름의 보관 및 보존이 필요없게 된다. 또한, 촬영된 엑스레이의 검출신호를 실시간으로 리드아웃할 수 있게 되어, 신속한 피사체 내부구조의 검사가 가능하게 된다.Therefore, compared to conventional analog In addition, the detection signal of the captured X-ray can be read out in real time, making it possible to quickly inspect the internal structure of the subject.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출장치에 대해 좀더 상세히 설명한다.Hereinafter, the digital X-ray detection device according to the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings.

도 4는 도 3의 I-I'선 단면도로서, 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출장치의 하나의 광감지화소(P)의 구조를 나타내는 도면이다.FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line II' of FIG. 3, showing the structure of one light-sensing pixel (P) of the digital X-ray detection device according to the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 유리나 플라스틱과 같은 투명한 기판(210) 상에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치된다. 상기 박막트랜지스터(TFT)는 기판(210)에 배치된 게이트전극(211)과, 상기 게이트전극(211) 위에 배치된 게이트절연층(221)과, 상기 게이트절연층(221) 위에 배치된 반도체층(212)과, 상기 게이트절연층(221) 및 반도체층(212) 위에 배치된 소스전극(214) 및 드레인전극(215)으로 구성된다.As shown in FIG. 4, a thin film transistor (TFT) is disposed on a transparent substrate 210 such as glass or plastic. The thin film transistor (TFT) includes a gate electrode 211 disposed on a substrate 210, a gate insulating layer 221 disposed on the gate electrode 211, and a semiconductor layer disposed on the gate insulating layer 221. It is composed of (212) and a source electrode 214 and a drain electrode 215 disposed on the gate insulating layer 221 and the semiconductor layer 212.

상기 게이트전극(211)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 게이트절연층(221)은 SiOx 또는 SiNx와 같은 무기절연물질로 이루어진 단일층 또는 SiOx 및 SiNx으로 이루어진 이중의 층으로 이루어질 수 있다. The gate electrode 211 may be formed of metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al or Al alloy, or an alloy thereof, and the gate insulating layer 221 may be made of an inorganic insulating material such as SiOx or SiNx. It may be made of a single layer or a double layer of SiOx and SiNx.

상기 반도체층(212)은 비정질실리콘과 같은 비정질반도체로 구성될 수도 있고, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), TiO2, ZnO, WO3, SnO2와 같은 산화물반도체로 구성될 수 있다. 산화물반도체로 반도체층(212)을 형성하는 경우, 박막트랜지스터(TFT)의 크기를 감소시킬 수 있고 구동전력을 감소시킬 수 있고 전기이동도를 향상시킬 수 있게 된다. 따라서, 디지털 엑스레이 검출장치의 필팩터(fill factor)를 향상시키고 노이즈를 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 빠른 데이터의 판독에 따라 동영상 엑스레이의 검출이 가능하게 된다.The semiconductor layer 212 may be made of an amorphous semiconductor such as amorphous silicon, or an oxide semiconductor such as IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), TiO2, ZnO, WO3, or SnO2. When the semiconductor layer 212 is formed with an oxide semiconductor, the size of the thin film transistor (TFT) can be reduced, driving power can be reduced, and electrical mobility can be improved. Therefore, not only can the fill factor of the digital X-ray detection device be improved and noise reduced, but video X-rays can be detected through fast data reading.

물론, 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검사장치의 박막트랜지스터의 반도체층이 산화물반도체물질에 한정되는 것이 아니라, 현재 박막트랜지스터에 사용되는 모든 종류의 반도체물질을 사용할 수 있을 것이다. 상기 소스전극(214) 및 드레인전극(215)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, Al합금 등과 같은 금속 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.Of course, the semiconductor layer of the thin film transistor of the digital X-ray inspection device according to the present invention is not limited to oxide semiconductor materials, and all types of semiconductor materials currently used in thin film transistors can be used. The source electrode 214 and drain electrode 215 may be made of metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, Al alloy, or an alloy thereof.

상기 박막트랜지스터(TFT)가 배치된 기판(210)에는 제1보호층(222)이 적층되고 그 위에 제1전극(252), PIN다이오드(254) 및 제2전극(256)이 배치된다. 상기 제1전극(252), PIN다이오드(254a) 및 제2전극(256)은 포토컨덕터(PC)를 형성하여 입사되는 광을 전기신호로 변환시킨다.A first protective layer 222 is laminated on the substrate 210 on which the thin film transistor (TFT) is disposed, and a first electrode 252, a PIN diode 254, and a second electrode 256 are disposed thereon. The first electrode 252, the PIN diode 254a, and the second electrode 256 form a photoconductor (PC) to convert incident light into an electrical signal.

상기 제1보호층(222)은 포토아크릴과 같은 유기절연물질로 형성될 수도 있고 SiOx나 SiNx와 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1보호층(222)은 유기절연층/무기절연층, 무기절연층/유기절연층/무기절연층의 복수의 층으로 구성할 수도 있다.The first protective layer 222 may be formed of an organic insulating material such as photoacrylic or an inorganic insulating material such as SiOx or SiNx. Additionally, the first protective layer 222 may be composed of a plurality of layers including an organic insulating layer/inorganic insulating layer and an inorganic insulating layer/organic insulating layer/inorganic insulating layer.

상기 제1전극(252)은 제1보호층(222)에 형성된 컨택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(214)과 전기적으로 접속된다. 상기 제1전극(252)은 MoTi으로 구성될 수 있지만, 이러한 특정 금속에 한정되는 것이 아니라 전도성이 좋은 다양한 금속으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 제1전극(252)을 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 금속산화물로 구성할 수 있다. 또한, 상기 제2전극(256)은 ITO나 IZO와 같은 투명한 금속산화물로 구성될 수 있다.The first electrode 252 is electrically connected to the source electrode 214 of the thin film transistor (TFT) through a contact hole formed in the first protective layer 222. The first electrode 252 may be made of MoTi, but is not limited to this specific metal and may be made of various metals with good conductivity. Additionally, the first electrode 252 may be made of a transparent metal oxide such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). Additionally, the second electrode 256 may be made of a transparent metal oxide such as ITO or IZO.

상기 PIN다이오드(254)은 제1전극(252)으로부터 N형 반도체층, 진성반도체층, P형 반도체층이 순차적으로 적층됨으로써 구성된다. 제1전극(252) 및 제2전극(256)에 바이어스전압 또는 역바이어스전압이 인가된 상태에서 광이 조사되면 진성반도체층에서 정공과 전자가 생성되며 정공이 P형 반도체층으로 이동하고 전자는 N형 반도체층으로 이동하여 상기 제1전극(252)을 통해 전류가 출력된다.The PIN diode 254 is constructed by sequentially stacking an N-type semiconductor layer, an intrinsic semiconductor layer, and a P-type semiconductor layer from the first electrode 252. When light is irradiated with a bias voltage or reverse bias voltage applied to the first electrode 252 and the second electrode 256, holes and electrons are generated in the intrinsic semiconductor layer, the holes move to the P-type semiconductor layer, and the electrons It moves to the N-type semiconductor layer and outputs current through the first electrode 252.

상기 반도체층으로는 비정질실리콘(a-Si)을 주로 사용하지만, 이러한 물질에 한정되는 것이 아니라 HgI2, CdTe, PbO, PbI2, BiI3, GaAs, Ge 과 같은 다양한 반도체물질이 사용될 수 있다.Amorphous silicon (a-Si) is mainly used as the semiconductor layer, but it is not limited to these materials, and various semiconductor materials such as HgI 2 , CdTe, PbO, PbI 2 , BiI 3 , GaAs, and Ge can be used.

상기 포토컨덕터(PC)가 구비된 기판(210) 위에는 제2보호층(224)이 적층된다. 상기 제2보호층(224)은 포토아크릴과 같은 유기절연물질로 형성될 수도 있고 SiOx나 SiNx와 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2보호층(224)은 유기절연층/무기절연층, 무기절연층/유기절연층/무기절연층의 복수의 층으로 구성될 수도 있다.A second protective layer 224 is stacked on the substrate 210 provided with the photoconductor (PC). The second protective layer 224 may be formed of an organic insulating material such as photoacrylic or an inorganic insulating material such as SiOx or SiNx. Additionally, the second protective layer 224 may be composed of a plurality of layers including an organic insulating layer/inorganic insulating layer and an inorganic insulating layer/organic insulating layer/inorganic insulating layer.

상기 포토컨덕터(PC) 상부의 제2보호층(224)에는 바이어스라인(VL)이 배치되어 제2보호층(224)에 형성된 컨택홀(264)을 통해 포토컨덕터(PC)의 제2전극(256)과 전기적으로 접속된다. 상기 바이어스라인(VL)은 바이어스전압 공급부(150)와 접속되어 PIN다이오드(254)에 바이어스전압 또는 역바이어스전압을 인가한다. 이때, 상기 바이어스라인(VL)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, Al합금과 같이 전도성이 좋은 금속으로 구성될 수 있다.A bias line (VL) is disposed on the second protective layer 224 on the photoconductor (PC) and connects the second electrode ( 256) and is electrically connected. The bias line (VL) is connected to the bias voltage supply unit 150 to apply a bias voltage or reverse bias voltage to the PIN diode 254. At this time, the bias line (VL) may be made of a metal with good conductivity, such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or Al alloy.

또한, 박막트랜지스터 상부의 제2보호층(224) 위에는 광차단층(light shielding layer;262)이 배치된다. 상기 광차단층(262)은 외부로부터 상기 박막트랜지스터의 반도체층(212)으로 광이 입력되어 광조사에 의해 박막트랜지스터에 누설전류가 발생하여 박막트랜지스터의 특정이 저하되는 것을 방지한다. 사이 광차단층(262)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, Al합금과 같이 전도성이 좋은 금속으로 구성될 수 있다.Additionally, a light shielding layer 262 is disposed on the second protective layer 224 on the thin film transistor. The light blocking layer 262 prevents light from being input into the semiconductor layer 212 of the thin film transistor from the outside and leakage current occurring in the thin film transistor due to light irradiation, thereby reducing the characteristics of the thin film transistor. The light blocking layer 262 may be made of a metal with good conductivity, such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or Al alloy.

상기 광차단층(262)과 바이어스라인(262)은 다른 금속으로 구성될 수도 있지만, 동일한 금속으로 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다.The light blocking layer 262 and the bias line 262 may be made of different metals, but may be formed of the same metal through the same process.

상기 광차단층(262) 위에는 제1컬럼스페이서(267)이 배치되고 바이어스라인(VL) 위에는 제2컬럼스페이서(268)가 배치되고 그 위에 신틸레이터부(270)가 배치된다. 이때, 제2보호층(224)의 상부와, 제1컬럼스페이서(267) 및 제2컬럼스페이서(268)의 상면 및 상부에는 제3보호층(225)이 배치될 수 있다.A first column spacer 267 is disposed on the light blocking layer 262, a second column spacer 268 is disposed on the bias line VL, and a scintillator unit 270 is disposed thereon. At this time, a third protective layer 225 may be disposed on the top of the second protective layer 224 and on the top and upper surfaces of the first column spacer 267 and the second column spacer 268.

상기 신틸레이터부(270)는 점성을 가진 액상 신틸레이터물질을 직접 기판(210)상에 도포함으로써 형성할 수도 있지만, 본 발명에서는 신틸레이터부(270)가 필름형태로 구성되어 기판(210)의 상부에 부착된다. 상기 제1컬럼스페이서(267) 및 제2컬럼스페이서(268)는 필름형태의 신틸레이터부(270)가 기판(210)에 부착될 때, 신틸레이터부(270)를 지지한다.The scintillator unit 270 may be formed by applying a viscous liquid scintillator material directly onto the substrate 210, but in the present invention, the scintillator unit 270 is formed in a film form and is attached to the substrate 210. It is attached to the top. The first column spacer 267 and the second column spacer 268 support the scintillator unit 270 in the form of a film when the scintillator unit 270 is attached to the substrate 210.

도면에 도시된 바와 같이, PIN다이오드(254)는 약 1㎛의 두께로 형성되므로, 박막트랜지스터(TFT)가 형성된 영역과 PIN다이오드(254)가 배치된 영역 사이에는 PIN다이오드(254)에 의한 단차가 발생하게 된다. 필름형태의 신틸레이터부(270)를 기판(210)에 부착할 때 상기 단차로 인해 신틸레이터부(270)의 부착시 불량이 발생하게 된 뿐만 아니라 입력되는 엑스레이를 가시광선 파장대의 광으로 변환하는 광변환율도 저하되는 문제가 발생한다.As shown in the figure, the PIN diode 254 is formed to a thickness of about 1㎛, so there is a step due to the PIN diode 254 between the area where the thin film transistor (TFT) is formed and the area where the PIN diode 254 is disposed. occurs. When attaching the film-type scintillator unit 270 to the substrate 210, the step not only causes defects in attachment of the scintillator unit 270, but also causes the input X-rays to be converted into light in the visible light wavelength range. A problem occurs in which the optical conversion rate also decreases.

상기 제1컬럼스페이서(267) 및 제2컬럼스페이서(268)는 신틸레이터부(270)와 박막트랜지스터 사이 및 신틸레이터부(270)와 포토컨덕터(PC) 사이에 배치되어, 상기 신틸레이터부(270)의 수준을 전체에 걸쳐 동일하게 유지하여 상기 신틸레이터부(270)가 편평하게 되도록 한다.The first column spacer 267 and the second column spacer 268 are disposed between the scintillator unit 270 and the thin film transistor and between the scintillator unit 270 and the photoconductor (PC), and the scintillator unit ( The level of 270) is maintained the same throughout so that the scintillator unit 270 is flat.

박막트랜지스터 상부에 배치되는 제1컬럼스페이서(267)의 높이(t1)는 포토컨덕터(PC) 상부에 배치되는 제2컬럼스페이서(268)의 높이(t2)에 비해 작다(t1<t2). 실질적으로 상기 제2컬럼스페이서(268)와 제1컬럼스페이서(267)의 높이차(t2-t1)는 PIN다이오드(254)에 의한 단차의 높이와 거의 동일하여, 상기 제1컬럼스페이서(267) 및 제2컬럼스페이서(268)가 배치됨에 따라 상기 신틸레이터부(270)는 단차가 없는 평편한 표면을 형성하게 된다. 따라서, 단차로 인한 신틸레이터부(270)의 부착불량이나 광변환율의 저하를 방지할 수 있게 된다.The height (t1) of the first column spacer 267 disposed on the top of the thin film transistor is smaller than the height (t2) of the second column spacer 268 disposed on the photoconductor (PC) (t1<t2). Substantially, the height difference (t2-t1) between the second column spacer 268 and the first column spacer 267 is almost the same as the height of the step by the PIN diode 254, so that the first column spacer 267 And as the second column spacer 268 is disposed, the scintillator unit 270 forms a flat surface without steps. Accordingly, it is possible to prevent poor attachment of the scintillator unit 270 or a decrease in light conversion rate due to the step.

또한, 해당 광감지화소(PC)의 포토컨덕터(PC)의 상부에 배치되는 제2컬럼스페이서(268)는 광감지화소(PC)의 바깥쪽, 즉 인접하는 광지화소의 근처에 배치하여 인접하는 광감지화소로부터 입사되는 광을 차단할 수 있다.In addition, the second column spacer 268 disposed on the upper part of the photo conductor (PC) of the photo-sensing pixel (PC) is disposed outside the photo-sensing pixel (PC), that is, near the adjacent photo-sensing pixel, Light incident from the photo-sensing pixel can be blocked.

디지털 엑스레이 검출장치에서 피사체를 투과한 광이 대응하는 광감지화소에만 입력됨으로써 피사체의 내부구조를 정확하게 표시할 수 있게 된다. 그런데, 인접하는 광감지화소에 대응하는 영역으로부터 광이 입사되는 경우, 이 간섭광은 출력되는 화상의 잡음으로 작용하여 원래의 피사체 내부 화상을 왜곡하게 된다. 따라서, 예를 들어, 의료용으로 디지털 엑스레이 검출장치를 사용하는 경우, 왜곡된 영상에 의해 환자의 정확한 진료가 불가능하게 된다.In a digital However, when light is incident from an area corresponding to an adjacent photo-sensing pixel, this interference light acts as noise in the output image and distorts the original image inside the subject. Therefore, for example, when using a digital X-ray detection device for medical purposes, accurate treatment of the patient becomes impossible due to distorted images.

본 발명에서는 제2컬럼스페이서(268)를 블랙수지와 같은 유기물질로 바이어스라인(VL) 위에 게이트라인 또는 데이터라인을 따라 배치함으로써 인접하는 광감지화소에 대응하는 영역으로부터 입사되는 광을 차단함으로써 광간섭에 의한 피사체 내부구조의 화상왜곡을 방지할 수 있게 된다.In the present invention, the second column spacer 268 is made of an organic material such as black resin and is placed along the gate line or data line on the bias line (VL) to block light incident from the area corresponding to the adjacent photo-sensing pixel, thereby It is possible to prevent image distortion of the internal structure of the subject due to interference.

상기 제1컬럼스페이서(267)는 광차단층(262) 위에 배치되고 제2컬럼스페이서(268)는 바이어스라인(VL) 상부에 배치된다. 이때, 상기 제1컬럼스페이서(267)과 광차단층(262)은 동일한 폭으로 형성되고 제2컬럼스페이서(268)과 바이어스라인(VL)도 동일한 폭으로 형성된다.The first column spacer 267 is disposed on the light blocking layer 262, and the second column spacer 268 is disposed on the bias line VL. At this time, the first column spacer 267 and the light blocking layer 262 are formed to have the same width, and the second column spacer 268 and the bias line (VL) are also formed to have the same width.

상기 제1컬럼스페이서(267)와 제2컬럼스페이서(268)는 금속으로 구성될 수도 있지만, 수지와 같은 유기절연물질로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제1컬럼스페이서(267)와 제2컬럼스페이서(268)는 다른 물질로 구성될 수도 있지만, 동일한 물질로 동일한 공정에 의해 형성되는 것이 바람직하다.The first column spacer 267 and the second column spacer 268 may be made of metal, but are preferably made of an organic insulating material such as resin. Additionally, the first column spacer 267 and the second column spacer 268 may be made of different materials, but it is preferable that they are formed of the same material through the same process.

다시 도 4를 참조하면, 상기 제3보호층(226)5 포토아크릴과 같은 유기절연물질로 형성될 수도 있고 SiOx나 SiNx와 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3보호층(225)은 유기절연층/무기절연층, 무기절연층/유기절연층/무기절연층의 복수의 층으로 구성할 수도 있다.Referring again to FIG. 4, the third protective layer 2265 may be formed of an organic insulating material such as photoacrylic or an inorganic insulating material such as SiOx or SiNx. Additionally, the third protective layer 225 may be composed of a plurality of layers including an organic insulating layer/inorganic insulating layer and an inorganic insulating layer/organic insulating layer/inorganic insulating layer.

상기 신틸레이터부(270)는 피사체를 투과한 엑스레이를 가시광선대역의 광으로 변환시킨다. 상기 신틸레이터부(270)는 탈륨(Tl) 또는 나트륨(Na)이 도핑된 요드화 세슘(CsI) 등의 할로겐화합물로 형성되거나, 가돌리늄(gadolinium)이나 황산화물(GOS) 등의 산화물계 화합물로 형성될 수 있다.The scintillator unit 270 converts the X-rays passing through the subject into light in the visible light band. The scintillator unit 270 is formed of a halogen compound such as cesium iodide (CsI) doped with thallium (Tl) or sodium (Na), or an oxide-based compound such as gadolinium or sulfur oxide (GOS). can be formed.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 디지털 엑스레이 검출장치에서는 신틸레이터부(270)가 컬럼스페이서(267,268)에 의해 지지되므로, 단차에 의한 부착불량이나 광변환효율 저하를 방지할 수 있게 된다.As described above, in the digital

또한, 본 발명에서는 상기 제1컬럼스페이서(267)와 제2컬럼스페이서(268)를 광차단층(262)와 바이어스라인(VL)과 동시에 형성함으로써 제조공정을 단순화할 수 있는데, 이를 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.In addition, in the present invention, the manufacturing process can be simplified by forming the first column spacer 267 and the second column spacer 268 at the same time as the light blocking layer 262 and the bias line (VL). This will be described in more detail. As follows.

도 5a-도 5e는 본 발명의 제1실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출장치의 제조방법을 나타내는 도면이다.5A-5E are diagrams showing a method of manufacturing a digital X-ray detection device according to the first embodiment of the present invention.

우선, 도 5a에 도시된 바와 같이, 유리나 플라스틱과 같은 투명한 기판(210) 위에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, Al합금 등과 같은 금속 또는 이들의 합금을 적층하고 에칭하여 기판(210) 위에 게이트전극(211)을 형성한 후, SiOx나 SiNx 등과 같은 무기절연물질을 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해 적층하여 게이트절연층(221)을 형성한다.First, as shown in FIG. 5A, a metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, Al alloy, or an alloy thereof is deposited on a transparent substrate 210 such as glass or plastic and etched to form the substrate 210. After forming the gate electrode 211 on top, an inorganic insulating material such as SiOx or SiNx is deposited by CVD (Chemical Vapor Deposition) to form the gate insulating layer 221.

이어서, 상기 게이트절연층(221) 위에 IGZO, TiO2, ZnO, WO3, SnO2 등과 같은 산화물반도체 또는 비정질실리콘과 같은 반도체를 CVD법에 의해 적층하고 에칭하여 반도체층(212)을 형성한다. 그 후, 상기 반도체층(212)이 형성된 기판(210) 위에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al과 같은 금속 또는 이들의 합금을 스퍼터링(sputtering)법에 의해 적층하고 에칭하여 소스전극(214) 및 드레인전극(215)을 형성한다.Next, an oxide semiconductor such as IGZO, TiO 2 , ZnO, WO 3 , SnO 2 , or a semiconductor such as amorphous silicon is stacked on the gate insulating layer 221 by CVD and etched to form the semiconductor layer 212. Thereafter, metals such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al or alloys thereof are deposited on the substrate 210 on which the semiconductor layer 212 is formed by sputtering and etched to form the source electrode 214. ) and a drain electrode 215 are formed.

그 후, 유기절연물질 또는/및 무기절연물질을 적층하고 에칭하여 상기 박막트랜지스터의 소스전극(214)이 외부로 노출되는 제1컨택홀(222a)이 형성된 제1보호층(222)을 적층한 후 에칭하여 상기 제1보호층(222)에 박막트랜지스터의 소스전극(214)이 노출되는 컨택홀(222a)을 형성한다.Afterwards, an organic insulating material and/or an inorganic insulating material is stacked and etched to form a first protective layer 222 with a first contact hole 222a through which the source electrode 214 of the thin film transistor is exposed to the outside. After etching, a contact hole 222a is formed in the first protective layer 222 through which the source electrode 214 of the thin film transistor is exposed.

이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 제1보호층(222) 위에 MoTi와 같은 금속 또는 ITO나 IZO와 같은 투명한 금속산화물을 적층하고 에칭하여 상기 제1보호층(222) 위에 컨택홀(222a)를 통해 소스전극(214)과 전기적으로 접속되는 제1전극(252)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 5B, a metal such as MoTi or a transparent metal oxide such as ITO or IZO is deposited on the first protective layer 222 and etched to form a contact hole 222a on the first protective layer 222. ) to form a first electrode 252 that is electrically connected to the source electrode 214.

이어서, 상기 제1전극(252) 위에 N형 분순물이 도핑된 반도체물질, 진성반도체물질, P형 불순물이 도핑된 반도체물질, ITO 및 IZO와 같은 투명도전물질을 적층하고 에칭하여 상기 제1전극(252) 위에 PIN다이오드(254) 및 제2전극(256)을 형성한다. 이때, 상기 반도체물질로는 비정질실리콘(a-Si), HgI2, CdTe, PbO, PbI2, BiI3, GaAs, Ge 등을 사용할 수 있다.Subsequently, a semiconductor material doped with an N-type impurity, an intrinsic semiconductor material, a semiconductor material doped with a P-type impurity, and a transparent conductive material such as ITO and IZO are deposited on the first electrode 252 and etched to form the first electrode 252. A PIN diode 254 and a second electrode 256 are formed on (252). At this time, amorphous silicon (a-Si), HgI 2 , CdTe, PbO, PbI 2 , BiI 3 , GaAs, Ge, etc. can be used as the semiconductor material.

또한, 비정질실리콘(a-Si), HgI2, CdTe, PbO, PbI2, BiI3, GaAs, Ge 등의 반도체물질을 적층하고 N형 불순물을 도핑한 후, 다시 반도체물질을 적층하고 적층된 반도체층의 상부 영역에 P형 불순물을 도핑하여 PIN다이오드(254)를 형성할 수도 있다.In addition, semiconductor materials such as amorphous silicon (a-Si), HgI 2 , CdTe, PbO, PbI 2 , BiI 3 , GaAs, Ge, etc. are stacked and N-type impurities are doped, then semiconductor materials are stacked again, and the stacked semiconductor The PIN diode 254 may be formed by doping P-type impurities in the upper region of the layer.

그 후, 5c에 도시된 바와 같이, PIN다이오드(254b)가 형성된 기판(210) 상에 유기절연물질, 유기절연물질/무기절연물질 또는 무기절연물질/유기절연물질/무기절연물질을 적층하여 제2보호층(224)를 형성하고 상기 제2보호층(224)을 에칭하여 포토컨덕터(PC)의 제2전극(256)이 노출되는 컨택홀을 형성한다. 이어서, 상기 제2보호층(224) 위에 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, Al합금과 같이 전도성이 좋은 금속으로 이루어진 금속층(262a) 및 블랙수지와 같은 유기절연물질로 이루어진 절연층(262a)을 형성한다.Then, as shown in 5c, an organic insulating material, an organic insulating material/inorganic insulating material, or an inorganic insulating material/organic insulating material/inorganic insulating material is stacked on the substrate 210 on which the PIN diode 254b is formed. A second protective layer 224 is formed and the second protective layer 224 is etched to form a contact hole through which the second electrode 256 of the photoconductor (PC) is exposed. Next, on the second protective layer 224, a metal layer 262a made of a highly conductive metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, and Al alloy and an insulating layer made of an organic insulating material such as black resin ( 262a).

이어서, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 금속층(262a)과 절연층(262a)을 일괄 에칭하여 박막트랜지스터의 반도체층(212) 상부의 제2보호층(224) 위에 광차단층(262) 및 제1컬럼스페이서(267)를 형성하며, 포토컨덕터(PC) 위에 배치된 제2보호층(224) 상부와 컨택홀 내부에 바이어스라인(VL)과 제2컬럼스페이서(268)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 5D, the metal layer 262a and the insulating layer 262a are collectively etched to form a light blocking layer 262 and a second protective layer 224 on the semiconductor layer 212 of the thin film transistor. One column spacer 267 is formed, and a bias line (VL) and a second column spacer 268 are formed on the top of the second protective layer 224 disposed on the photoconductor (PC) and inside the contact hole.

이어서, 도 5e에 도시된 바와 같이, 컬럼스페이서(267,268)가 형성된 제2보호층(224) 위에 포토아크릴과 같은 유기절연물질 및/또는 SiOx나 SiNx와 같은 무기절연물질을 적층하여 유기절연층, 유기절연층/무기절연층 또는 무기절연층/유기절연층/무기절연층으로 이루어진 제3보호층(225)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 5E, an organic insulating material such as photoacrylic and/or an inorganic insulating material such as SiOx or SiNx is laminated on the second protective layer 224 on which the column spacers 267 and 268 are formed, thereby forming an organic insulating layer, A third protective layer 225 is formed of an organic insulating layer/inorganic insulating layer or an inorganic insulating layer/organic insulating layer/inorganic insulating layer.

그 후, 상기 제3보호층(225) 위에 탈륨(Tl) 또는 나트륨(Na)이 도핑된 요드화 세슘(CsI) 등의 할로겐화합물이나 가돌리늄(gadolinium)이나 황산화물(GOS) 등의 산화물계 화합물로 이루어진 필름을 컬럼스페이서(267,268)에 부착하여 신틸레이트부(270)을 형성함으로써 디지털 엑스레이 검출장치를 완성한다.Thereafter, a halogen compound such as cesium iodide (CsI) doped with thallium (Tl) or sodium (Na) or an oxide-based compound such as gadolinium or sulfur oxide (GOS) is placed on the third protective layer 225. A digital X-ray detection device is completed by attaching a film made of to the column spacers 267 and 268 to form a scintillating portion 270.

이와 같이, 본 발명에서는 광차단층(262)과 바이어스라인(VL), 제1컬럼스페이서(267)와 제2컬럼스페이서(268)을 동일한 공정에 의해 동시에 형성하므로, 제조공정을 대폭 단순화할 수 있게 된다.As such, in the present invention, the light blocking layer 262, the bias line (VL), the first column spacer 267, and the second column spacer 268 are formed simultaneously through the same process, thereby greatly simplifying the manufacturing process. do.

예를 들어, 상기 제1컬럼스페이서(267)가 박막트랜지스터의 반도체층 상부에 배치되지 않는 경우, 상기 제1컬럼스페이서(267)와 광차단층(262)은 다른 공정에 의해 형성되므로, 제조공정이 복잡해지는 반면에, 본 발명에서는 상기 제1컬럼스페이서(267)가 박막트랜지스터의 반도체층 상부에 광차단층(262)과 동일한 공정에 의해 형성되므로, 제조공정을 단순화할 수 있게 된다.For example, when the first column spacer 267 is not disposed on the semiconductor layer of the thin film transistor, the first column spacer 267 and the light blocking layer 262 are formed through different processes, so the manufacturing process is On the other hand, in the present invention, the first column spacer 267 is formed on the top of the semiconductor layer of the thin film transistor through the same process as the light blocking layer 262, so the manufacturing process can be simplified.

도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 디지털 엑스레이 검출장치의 구조를 나타내는 도면이다. 이때, 도 4에 도시된 제1실시예와 유사한 구조에 대해서는 설명을 간단히 하고 다른 구조에 대해서만 상세히 설명한다.Figure 6 is a diagram showing the structure of a digital X-ray detection device according to a second embodiment of the present invention. At this time, the description will be brief for structures similar to the first embodiment shown in FIG. 4, and only other structures will be described in detail.

도 6에 도시된 바와 같이, 이 실시예의 디지털 엑스레이 검출장치에서는 컬럼스페이서(367)가 박막트랜지스터의 반도체층(312) 상부의 제2보호층(324)에만 배치되고 포토컨덕터(PC) 상부에만 배치되지 않는다. 따라서, 신틸레이터부(370)는 컬럼스페이서(367)와 신틸레이터부(370) 상부의 제3보호층(325)에 의해 편평한 상태를 유지하여 단차에 의한 접착불량이나 광변환효율 저하를 방지할 수 있게 된다.As shown in FIG. 6, in the digital It doesn't work. Therefore, the scintillator unit 370 is maintained in a flat state by the column spacer 367 and the third protective layer 325 on the upper part of the scintillator unit 370 to prevent poor adhesion or reduced light conversion efficiency due to steps. It becomes possible.

또한, 이 실시예의 디지털 엑스레이 검출장치에서는 박막트랜지스터의 반도체층(312) 상부에 별도의 차광층이 구비되지 않는 대신에, 수지와 같은 유기물질로 이루어진 컬럼스페이서(367)가 배치된다. 컬럼스페이서(367)를 블랙수지와 같이 광을 차단할 수 있는 물질로 구성하는 경우, 별도의 차광층이 없어도 상기 컬럼스페이서(367)가 박막트랜지스터로 입력되는 광을 차단하므로, 광조사에 따른 박막트랜지스터의 특성 저하를 방지할 수 있게 된다.Additionally, in the digital When the column spacer 367 is made of a material that can block light, such as black resin, the column spacer 367 blocks the light input to the thin film transistor even without a separate light blocking layer, so the thin film transistor according to light irradiation Deterioration of characteristics can be prevented.

또한, 이 실시예의 디지털 엑스레이 검출장치에서는 금속으로 이루어진 별도의 차광층이 구비되지 않음에 따라 다음과 같은 효과도 얻을 수 있게 된다.In addition, in the digital X-ray detection device of this embodiment, the following effects can be obtained because a separate light-shielding layer made of metal is not provided.

금속으로 이루어진 차광층이 박막트랜지스터 상부에 배치되는 경우, 차광층과 박막트랜지스터의 금속층 사이에 기생용량이 발생하게 되며, 이 기생용량에 의해 박막트랜지스터의 특성이 저하된다. 반면에, 이 실시예의 구조에서는 금속으로 이루어진 차광층 대신, 절연물질로 이루어진 컬럼스페이서(367)이 배치되므로, 컬럼스페이서(367)와 박막트랜지스터 사이에 기생용량이 발생하지 않게 되어 박막트랜지스터의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.When a light-shielding layer made of metal is disposed on top of a thin-film transistor, parasitic capacitance is generated between the light-shielding layer and the metal layer of the thin-film transistor, and this parasitic capacitance deteriorates the characteristics of the thin-film transistor. On the other hand, in the structure of this embodiment, the column spacer 367 made of an insulating material is disposed instead of the light-shielding layer made of metal, so parasitic capacitance does not occur between the column spacer 367 and the thin film transistor, and the characteristics of the thin film transistor are improved. Deterioration can be prevented.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 컬럼스페이서를 구비하여 신틸레이터부를 편평하게 지지함으로써 단차에 의해 신틸레이터부의 접착불량이나 광변환불량을 방지할 수 있게 된다. 또한, 본 발명에서는 컬럼스페이서와 차광층 및 바이어스라인을 동시에 형성함으로써 제조공정을 단축시킬 수 있게 된다. 더욱이, 본 발명에서는 광차단층 없이 컬럼스페이서만을 박막트랜지스터의 반도체층 상부에 배치하여 조사되는 광을 차단함으로써 광차단층에 의한 박막트랜지스터의 특성 저하를 방지할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, a column spacer is provided to support the scintillator unit flatly, thereby preventing adhesion failure or light conversion failure of the scintillator unit due to a step difference. Additionally, in the present invention, the manufacturing process can be shortened by forming the column spacer, light blocking layer, and bias line at the same time. Moreover, in the present invention, only a column spacer is placed on the top of the semiconductor layer of the thin film transistor without a light blocking layer to block irradiated light, thereby preventing deterioration of the characteristics of the thin film transistor due to the light blocking layer.

한편, 상술한 설명에서는 본 발명의 디지털 엑스레이 검출장치를 특정 구조로 한정하여 설명하고 있지만, 본 발명이 이러한 특정 구조에 한정되는 것은 아니다. 상술한 디지털 엑스레이 검출장치의 구조는 설명의 편의를 위해 예시된 것으로 본 발명을 한정하는 것이 아니라 다양한 구조의 디지털 엑스레이 검출장치에 적용될 수 있을 것이다.Meanwhile, in the above description, the digital X-ray detection device of the present invention is limited to a specific structure, but the present invention is not limited to this specific structure. The structure of the digital X-ray detection device described above is an example for convenience of explanation and does not limit the present invention, but may be applied to digital

GL : 게이트라인 DL : 데이터라인
VL : 바이어스라인 211 : 게이트전극
212: 반도체층 213 : 소스전극
214 : 드레인전극 252 : 제1전극
254 : PIN다이오드 256 : 제2전극
267,268 : 컬럼스페이서 270 : 신틸레이터부GL: Gate line DL: Data line
VL: bias line 211: gate electrode
212: semiconductor layer 213: source electrode
214: drain electrode 252: first electrode
254: PIN diode 256: second electrode
267,268: Column spacer 270: Scintillator unit

Claims (13)

복수의 광감지화소를 포함하는 기판;
상기 광감지화소 각각에 배치된 박막트랜지스터;
상기 광감지화소에 배치되어 광을 전기신호로 변환하며, 제1전극 및 제2전극, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 배치된 PIN다이오드로 이루어진 포토컨덕터;
상기 포토컨덕터 상부에 배치된 바이어스라인;
상기 박막트랜지스터의 반도체층 상부에서 상기 반도체층과 중첩하도록 배치된 제1컬럼스페이서; 및
상기 바이어스라인 상부에서 상기 바이어스라인과 중첩하도록 배치되며, 상기 제1컬럼스페이서보다 작은 높이를 갖는 제2컬럼스페이서를 포함하고,
상기 제1컬럼스페이서의 상면과 상기 제2컬럼스페이서의 상면은 동일 평면 상에 배치되는 디지털 엑스레이 검출장치.A substrate including a plurality of photo-sensing pixels;
a thin film transistor disposed in each of the photo-sensing pixels;
a photoconductor disposed in the photo-sensing pixel to convert light into an electrical signal and consisting of a first electrode, a second electrode, and a PIN diode disposed between the first electrode and the second electrode;
A bias line disposed on the photoconductor;
a first column spacer disposed on an upper portion of the semiconductor layer of the thin film transistor to overlap the semiconductor layer; and
A second column spacer is disposed above the bias line to overlap the bias line and has a height smaller than the first column spacer,
A digital X-ray detection device wherein the upper surface of the first column spacer and the upper surface of the second column spacer are disposed on the same plane. 제1항에 있어서,
상기 제1컬럼스페이서 하부에 배치된 차광층을 추가로 포함하는 디지털 엑스레이 검출장치.According to paragraph 1,
A digital X-ray detection device further comprising a light blocking layer disposed below the first column spacer. 제2항에 있어서, 상기 제1컬럼스페이서 및 제2컬럼스페이서는 유기절연물질로 구성된 디지털 엑스레이 검출장치.The digital X-ray detection device of claim 2, wherein the first column spacer and the second column spacer are made of an organic insulating material. 제3항에 있어서, 상기 제1컬럼스페이서 및 제2컬럼스페이서는 블랙수지로 구성된 디지털 엑스레이 검출장치.The digital X-ray detection device according to claim 3, wherein the first column spacer and the second column spacer are made of black resin. 제2항에 있어서, 상기 차광층은 바이어스라인과 동일한 금속으로 구성된 디지털 엑스레이 검출장치.The digital X-ray detection device of claim 2, wherein the light blocking layer is made of the same metal as the bias line. 제1항에 있어서, PIN다이오드는 P형 반도체층, 진성반도체층, N형반도체층으로 구성된 디지털 엑스레이 검출장치.The digital X-ray detection device according to claim 1, wherein the PIN diode is composed of a P-type semiconductor layer, an intrinsic semiconductor layer, and an N-type semiconductor layer. 제6항에 있어서, 상기 PIN다이오드의 반도체층은 비정질실리콘, HgI2, CdTe, PbO, PbI2, BiI3, GaAs, Ge으로 이루어진 일군으로부터 선택된 물질로 구성된 디지털 엑스레이 검출장치. The digital _ 제1항에 있어서, 상기 바이어스라인은 게이트라인 또는 데이터라인과 평행하게 복수개 배치되는 디지털 엑스레이 검출장치.The digital X-ray detection device of claim 1, wherein a plurality of bias lines are arranged in parallel with a gate line or a data line. 제2항에 있어서, 상기 포토컨덕터 상부에 배치되어 상기 제1컬럼스페이서 및/또는 제2컬럼스페이서에 의해 지지되는 신틸레이터부을 추가로 포함하는 디지털 엑스레이 검출장치.The digital X-ray detection device of claim 2, further comprising a scintillator portion disposed on the photoconductor and supported by the first column spacer and/or the second column spacer. 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
기판상에 박막트랜지스터와 접속된 포토컨덕터를 형성하는 단계; 및
금속층과 유기절연층을 적층하고 동시에 식각하여, 박막트랜지스터의 반도체층 상부에 서로 중첩하는 차광층 및 제1컬럼스페이서를 동시에 형성하고 포토컨덕터 위에 서로 중첩하는 바이어스라인 및 제2컬럼스페이서를 동시에 형성하는 단계로 구성된 디지털 엑스레이 검출장치 제조방법.Forming a thin film transistor on a substrate;
Forming a photoconductor connected to a thin film transistor on a substrate; and
By stacking and simultaneously etching a metal layer and an organic insulating layer, a light blocking layer and a first column spacer that overlap each other are simultaneously formed on the upper part of the semiconductor layer of the thin film transistor, and a bias line and a second column spacer that overlap each other are simultaneously formed on the photoconductor. A method of manufacturing a digital X-ray detection device consisting of steps. 제10항에 있어서, 상기 제1컬럼스페이서와 제2컬럼스페이서 위에 신틸레이터부을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 디지털 엑스레이 검출장치 제조방법.The method of claim 10, further comprising forming a scintillator unit on the first column spacer and the second column spacer. 제11항에 있어서, 상기 신틸레이터부을 형성하는 단계는 신틸레이터 필름을 부착하는 단계를 포함하는 디지털 엑스레이 검출장치 제조방법.The method of claim 11, wherein forming the scintillator unit includes attaching a scintillator film. 제10항에 있어서, 상기 포토컨덕터를 형성하는 단계는,
박막트랜지스터와 접속되는 제1전극을 형성하는 단계;
상기 제1전극 위에 PIN 다이오드를 형성하는 단계; 및
상기 PIN 다이오드 위에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 디지털 엑스레이 검출장치 제조방법.The method of claim 10, wherein forming the photoconductor comprises:
Forming a first electrode connected to a thin film transistor;
forming a PIN diode on the first electrode; and
A method of manufacturing a digital X-ray detection device including forming a second electrode on the PIN diode.
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