KR101415226B1 - Radiation detecting panel - Google Patents
Radiation detecting panel Download PDFInfo
- Publication number
- KR101415226B1 KR101415226B1 KR1020127020858A KR20127020858A KR101415226B1 KR 101415226 B1 KR101415226 B1 KR 101415226B1 KR 1020127020858 A KR1020127020858 A KR 1020127020858A KR 20127020858 A KR20127020858 A KR 20127020858A KR 101415226 B1 KR101415226 B1 KR 101415226B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data line
- line
- bias
- layer
- electrode
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 229910021423 nanocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 104
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Abstract
방사선 검출 패널이 제공된다. 본 발명은 화소 영역과 패드 영역을 포함하는 기판; 방사선을 가시광선으로 변화시키는 신틸레이터층; 각 화소에서 가시광선을 전류로 변환시키는 광전 소자; 상기 각 화소에서 전류의 출력을 제어하는 스위칭 소자; 상기 신틸레이터층과 상기 광전 소자에 바이어스 전압을 인가하기 위한 다수의 바이어스선; 상기 전류를 전달하기 위해 상기 스위칭 소자에 연결되는 데이터선; 및 상기 바이어스선들에 바이어스 전압을 전달하며, 상기 바이어스선들과 다른 층에 위치하는 공통 바이어스 배선을 포함하는 방사선 검출 패널을 제공한다.A radiation detection panel is provided. The present invention provides a semiconductor device comprising: a substrate including a pixel region and a pad region; A scintillator layer for converting radiation into visible light; A photoelectric element for converting a visible light into a current in each pixel; A switching element for controlling an output of a current in each pixel; A plurality of bias lines for applying a bias voltage to the scintillator layer and the photoelectric elements; A data line coupled to the switching element to transfer the current; And a common bias wiring that transmits a bias voltage to the bias lines and is located in a layer different from the bias lines.
Description
본 발명은 방사선 검출 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a radiation detection panel.
FPXD(Flat Panel X-ray Detector)와 같은 방사선 검출기가 의료 산업, 수의과 산업 또는 비파괴 검사 산업에 널리 이용되고 있다. 방사선 검출기는 일반적으로 엑스레이와 같은 방사선을 전기적 신호로 변환하는 방사선 검출 패널, 이러한 방사선 검출 패널을 구동하기 위한 구동부, 방사선 검출 패널로부터 출력되는 신호를 검출하는 신호 검출부 등을 포함하여 구성된다.Radiation detectors such as FPXD (Flat Panel X-ray Detector) are widely used in the medical, veterinary or nondestructive testing industries. The radiation detector generally comprises a radiation detection panel for converting radiation such as an X-ray into an electrical signal, a driving unit for driving the radiation detection panel, and a signal detection unit for detecting a signal output from the radiation detection panel.
특히, 방사선 검출 패널은, 서로 대향하는 상하부 기판과, 이들 두 기판 사이에 개재되는 신틸레이터(scintillator), 광전 소자 및 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 포함한다. 신틸레이터는 입사되는 방사선을 가시광선으로 변환하고, 광전 소자는 이 가시광선을 전류로 변환하고, 박막 트랜지스터는 스위칭 소자로서 이 전류의 출력을 제어하는 역할을 수행함으로써, 방사선 검출 패널이 방사선을 전기적 신호로 변환하여 출력할 수 있게 한다.
In particular, the radiation detection panel includes upper and lower substrates facing each other, a scintillator interposed between the two substrates, a photoelectric device, and a thin film transistor. The scintillator converts the incident radiation into visible light, the photoelectric element converts the visible light into a current, and the thin film transistor serves as a switching element to control the output of the current, so that the radiation detection panel can electrically Signal to be output.
종래의 방사선 검출 패널은, TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Cristal Display) 패널 제조시의 기본 공정을 그대로 채용하여 제조되고 있다. 따라서 TFT-LCD에만 필요한 공정 때문에 방사선 검출 패널 제조 공정이 복잡해지고 불필요하게 공정 난이도가 높아지는 문제가 있다. 그에 따라, 공정 시간 및 공정 비용이 증가하고, 불필요한 공정에 기인한 불량 발생으로 수율(yield)이 저하되는 등 여러 가지 문제가 초래되고 있다.
The conventional radiation detection panel is manufactured by adopting the basic process for manufacturing a TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) panel as it is. Therefore, there is a problem that the manufacturing process of the radiation detection panel is complicated due to the process required only for the TFT-LCD and the process difficulty is unnecessarily increased. As a result, the process time and process cost are increased, and defects due to unnecessary processes are caused, leading to various problems such as a decrease in yield.
본 발명의 일실시예에 따른 방사선 검출 패널은, 화소 영역과 패드 영역을 포함하는 기판; 방사선을 가시광선으로 변화시키는 신틸레이터층; 각 화소에서 가시광선을 전류로 변환시키는 광전 소자; 상기 각 화소에서 전류의 출력을 제어하는 스위칭 소자; 상기 신틸레이터층과 상기 광전 소자에 바이어스 전압을 인가하기 위한 다수의 바이어스선; 상기 전류를 전달하기 위해 상기 스위칭 소자에 연결되는 데이터선; 및 상기 바이어스선들에 바이어스 전압을 전달하며, 상기 바이어스선들과 다른 층에 위치하는 공통 바이어스 배선을 포함한다.A radiation detection panel according to an embodiment of the present invention includes: a substrate including a pixel region and a pad region; A scintillator layer for converting radiation into visible light; A photoelectric element for converting a visible light into a current in each pixel; A switching element for controlling an output of a current in each pixel; A plurality of bias lines for applying a bias voltage to the scintillator layer and the photoelectric elements; A data line coupled to the switching element to transfer the current; And a common bias wiring for transferring a bias voltage to the bias lines and located in a layer different from the bias lines.
본 발명의 다른 실시예에 따른 방사선 검출 패널은, 화소 영역 및 패드 영역이 정의된 기판; 각 화소 영역의 기판 상에 형성되어 가시광선을 전류로 변환시키는 광전 변환 소자; 상기 기판 상에 배치되고, 서로 교차하는 방향으로 연장되는 게이트선 및 데이터선; 상기 게이트선에 연결되는 게이트 전극, 상기 데이터선에 연결되는 소스 전극, 및 상기 소스 전극과 대향하면서 상기 광전 변환 소자의 하단에 연결되는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 광전 변환 소자의 상단에 연결되는 바이어스선; 및 상기 패드 영역의 상기 기판 상에 배치되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일층에 위치하면서 비아홀을 통해 상기 바이어스선과 연결되는 공통 바이어스 배선을 포함한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a radiation detection panel comprising: a substrate defining a pixel region and a pad region; A photoelectric conversion element formed on the substrate of each pixel region and converting a visible light into a current; A gate line and a data line disposed on the substrate and extending in directions intersecting with each other; A thin film transistor including a gate electrode connected to the gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode connected to the lower end of the photoelectric conversion element while facing the source electrode; A bias line connected to an upper end of the photoelectric conversion element; And a common bias wiring disposed on the substrate of the pad region and located in the same layer as the source electrode and the drain electrode and connected to the bias line through a via hole.
본 발명은 제조 공정을 단순화면서 공정 난이도를 감소시킬 수 있는 방사선 검출 패널을 제공한다.
The present invention provides a radiation detection panel capable of simplifying a manufacturing process and reducing process difficulty.
도 1 내지 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 검출 패널의 제조 방법을 보이는 개략도이다.
도 20 및 도 21은 단결정 실리콘층, 나노-결정 실리콘층 및 비정질 실리콘층의 결정화도 분석 결과를 보인다.
도 22 내지 도 25는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 방사선 검출 패널의 제조 방법을 보이는 개략도이다.
도 26 내지 도 27은 본 발명의 실시예에 따른 PIN 다이오드의 구조를 보이는 단면도이다.1 to 19 are schematic views showing a method of manufacturing a radiation detection panel according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 20 and 21 show the crystallization degree analysis results of the single crystal silicon layer, the nano-crystal silicon layer and the amorphous silicon layer.
22 to 25 are schematic views showing a method of manufacturing a radiation detection panel according to another embodiment of the present invention.
26 to 27 are cross-sectional views illustrating the structure of a PIN diode according to an embodiment of the present invention.
방사선 검출 패널은, 화소 영역과 패드 영역을 포함하는 기판; 방사선을 가시광선으로 변화시키는 신틸레이터층; 각 화소에서 가시광선을 전류로 변환시키는 광전 소자; 상기 각 화소에서 전류의 출력을 제어하는 스위칭 소자; 상기 신틸레이터층과 상기 광전 소자에 바이어스 전압을 인가하기 위한 다수의 바이어스선; 상기 전류를 전달하기 위해 상기 스위칭 소자에 연결되는 데이터선; 및 상기 바이어스선들에 바이어스 전압을 전달하며, 상기 바이어스선들과 다른 층에 위치하는 공통 바이어스 배선을 포함한다. 또한, 방사선 검출 패널은, 화소 영역 및 패드 영역이 정의된 기판; 각 화소 영역의 기판 상에 형성되어 가시광선을 전류로 변환시키는 광전 변환 소자; 상기 기판 상에 배치되고, 서로 교차하는 방향으로 연장되는 게이트선 및 데이터선; 상기 게이트선에 연결되는 게이트 전극, 상기 데이터선에 연결되는 소스 전극, 및 상기 소스 전극과 대향하면서 상기 광전 변환 소자의 하단에 연결되는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 광전 변환 소자의 상단에 연결되는 바이어스선; 및 상기 패드 영역의 상기 기판 상에 배치되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일층에 위치하면서 비아홀을 통해 상기 바이어스선과 연결되는 공통 바이어스 배선을 포함한다. 상기 스위칭 소자는 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 채널을 포함하고, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 공통 바이어스 배선은 동일층에 위치한다. 상기 광전 소자는 PIN 다이오드이고, 상기 스위칭 소자는 트랜지스터일 수 있다. 상기 데이터 라인과 바이어스선들은 동일층에 위치할 수 있다. 상기 데이터선은 상기 소스 전극과 일체형으로 연결되는 제1 데이터선과 상기 제1 데이터선과 중첩되는 제2 데이터선을 포함하고, 상기 제2 데이터선과 상기 바이어스선들은 같은 층에 위치한다. 상기 방사선 검출 패널은 상기 채널을 위한 영역을 제공하며 그 하부의 전체 구조를 덮는 액티브층과 상기 채널을 덮는 광 차광막 패턴을 더 포함한다. 상기 광 차광막 패턴과 상기 바이어스선들은 동일층에 위치한다. 상기 방사선 검출 패널은, 상기 스위칭 소자를 제어하기 위한 게이트 전극에 연결되는 게이트 패드, 상기 1 상기 데이터선에 연결되는 데이터선 패드 및 상기 공통 바이어스 배선에 연결되는 공통 바이어스 배선 패드를 포함한다. 이들 패드들은 동일층 상에 위치한다.A radiation detection panel includes: a substrate including a pixel region and a pad region; A scintillator layer for converting radiation into visible light; A photoelectric element for converting a visible light into a current in each pixel; A switching element for controlling an output of a current in each pixel; A plurality of bias lines for applying a bias voltage to the scintillator layer and the photoelectric elements; A data line coupled to the switching element to transfer the current; And a common bias wiring for transferring a bias voltage to the bias lines and located in a layer different from the bias lines. The radiation detection panel may further include: a substrate on which a pixel region and a pad region are defined; A photoelectric conversion element formed on the substrate of each pixel region and converting a visible light into a current; A gate line and a data line disposed on the substrate and extending in directions intersecting with each other; A thin film transistor including a gate electrode connected to the gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode connected to the lower end of the photoelectric conversion element while facing the source electrode; A bias line connected to an upper end of the photoelectric conversion element; And a common bias wiring disposed on the substrate of the pad region and located in the same layer as the source electrode and the drain electrode and connected to the bias line through a via hole. The switching element includes a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and a channel between the source electrode and the drain electrode, and the source electrode, the drain electrode, and the common bias wiring are located on the same layer. The photoelectric device may be a PIN diode, and the switching device may be a transistor. The data lines and the bias lines may be located on the same layer. The data line includes a first data line connected to the source electrode and a second data line overlapping the first data line, and the second data line and the bias lines are located in the same layer. The radiation detection panel further includes an active layer for providing an area for the channel and covering an entire structure of the lower part, and an optical shielding film pattern covering the channel. The light-shielding film pattern and the bias lines are located on the same layer. The radiation detection panel includes a gate pad connected to a gate electrode for controlling the switching element, a data line pad connected to the one data line, and a common bias wiring pad connected to the common bias wiring. These pads are located on the same layer.
이하, 도 1 내지 도 19를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 검출 패널 및 그 제조 방법을 설명하기로 한다. 도 1은 평면도이고, 도 2는 도 1의 화소 영역 A의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따르는 단면도이고, 도 3은 도 1의 패드 영역 A2의 II-II' 선과 III-III' 선을 따르는 단면도를 보인다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 그 상부에 화소 영역 A1과 패드 영역 A2가 정의되는 하부 기판 (10) 이 제공된다. 하부 기판(10)은 스위칭 소자인 박막 트랜지스터와 광전 소자가 형성되는 기판이다. 붕소규산염 유리(borosilicate class)와 같은 유리 기판, 석영(quartz) 기판 또는 실리콘 웨이퍼 등이 하부 기판(10)으로 이용될 수 있다. 하부 기판(10) 상에 게이트선(22)이 형성될 수 있다. 게이트선(22)은 제1 방향, 예컨대 가로 방향을 따라 화소 영역 A1으로부터 패드 영역(A2)으로 확장될 수 있고, 게이트선(22)의 단부는 패드 영역(A2)에 형성될 수 있다. 게이트선(22)은 게이트선(22)의 메인 라인으로부터 돌출된 게이트 전극(24)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(24)은 소스/드레인 전극과 함께 박막 트랜지스터의 삼단자를 이룬다. 게이트 전극(24)은 하부 기판(10) 상에 도전막을 형성하고 마스크 및 식각 공정으로 도전막을 패터닝하여 형성할 수 있다. 도전막은 Mo, Al, Nd, Cr, Ti 또는 W 단일막 또는 Mo/Al/Mo, Al/Mo, Mo/AlNd/Mo, Cr/Al/Cr, Cr/AlNd/Cr, Al/Cr, AlNd/Cr, TiW/Al/TiW, Ti/AlNd/Ti, Ti/Al 또는 Ti/AlNd의 다중막이 될 수 있다. 본 실시예에서 게이트 패드는 이후에 형성될 것이므로, 게이트선(22) 단부의 폭은 게이트 선의 폭과 동일할 수 있다.Hereinafter, a radiation detection panel and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 19. FIG. FIG. 1 is a plan view, FIG. 2 is a sectional view along the line I-I 'of the pixel region A of FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along line II- see. Referring to Figs. 1 to 3, a
도 4는 평면도이고, 도 5는 도 4의 화소 영역 A의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따르는 단면도이고, 도 6은 도 4의 패드 영역 A2의 II-II' 선과 III-III' 선을 따르는 단면도를 보인다. 도 4 내지 도 6을 참조하면, 게이트 전극(24)을 포함하는 게이트 선(22)이 형성된 하부 기판(10) 상에, 게이트 절연막(30), 액티브층(40), 오믹 콘택층(50) 및 소스/드레인 전극 형성을 위한 도전층(60)을 차례 차례 형성된다. 게이트 절연막(30)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 또는 실리콘 산화 질화물(SiON)의 단일막 또는 다중막으로 형성된다. 액티브층(40)은 박막 트랜지스터의 채널 형성을 위한 것으로서, 비정질 실리콘(amorphous silicon), 나노결정 실리콘(nanocrystalline silicon), 마이크로결정 실리콘(microcrystalline silicon) 또는 갈륨(Ga), 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn) 중 하나 이상의 원소를 포함하는 산화물 반도체(oxide semiconductor)로 형성될 수 있다. 액티브층(40)이 나노결정 실리콘으로 형성되는 경우, 나노결정 실리콘의 상대적으로 높은 전자 이동도 및 낮은 누설전류에 의해 박막 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있다.4 is a plan view, FIG. 5 is a sectional view along the line I-I 'in FIG. 4, and FIG. 6 is a sectional view along line II-II' and line III-III ' see. 4 to 6, a gate
오믹 콘택층(50)은 액티브층(40)과 이후 형성될 후술할 소스/드레인 전극 사이에 형성되어 이들 사이의 접촉 특성을 개선시킨다. 오믹 콘택층(50)은 액티브층과 동시에 형성되거나 n형 불순물이 고농도로 도핑된 반도체 물질(예를 들어, n+ 비정질 실리콘 또는 n+ 나노결정 실리콘)로 독립적으로 형성될 수 있다. 만약, 소스/드레인 전극과 액티브층(40) 간의 접촉 특성이 충분히 확보된다면, 오믹 콘택층(50) 형성 공정은 생략될 수도 있다. 소스/드레인 전극 형성을 위한 도전층(60)은 예컨대, Mo, Al, Cr 등을 포함하는 단일막 또는 Mo/Al/Mo의 다중막으로 형성될 수 있다. PIN 다이오드(PD)와 PIN 다이오드(PD)의 상부전극(83)은 도전층(60) 상에 형성될 수 있다. PIN 다이오드(PD)는 N형 반도체층(72), 진성 반도체층(74) 및 P형 반도체층(76)으로 이루어지는 이루어질 수 있다. PIN 다이오드(PD)와 PIN 다이오드(PD) 상부전극의 적층구조는 게이트선(22)와 이후 형성될 데이터선에 의하여 정의되는 화소 영역 A1 내에, 박막 트랜지스터가 형성될 영역을 남겨두고 형성된다. 보다 구체적으로, PIN 다이오드(PD)와 상부 전극(82)의 적층 구조물은 단위 화소 영역 내에 형성되되, 게이트선(22), 데이터선 및 박막 트랜지스터가 형성될 영역으로부터 소정 간격 이격되어 형성된다. 본 실시예에서는, 도면에 도시된 바와 같이, PIN 다이오드(PD)와 상부 전극(82)은 사각 형상으로 형성된다. 그러나 PIN 다이오드(PD) 와 상부 전극(82)의 형상이 이에 한정되는 것은 아니며, 이들의 형상은 전술한 조건을 만족시키는 한도 내에서 다양하게 변형될 수 있다. 또한, PIN 다이오드(PD)와 상부전극(82)는 서로 다른 형상이나 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 상부 전극(82)은 PIN 다이오드(PD) 보다 더 클 수 있다. PIN 다이오드(PD)와 상부 전극(82)의 적층 구조물은, 도전층(60) 상에 PIN 다이오드(PD) 형성을 위한 N형 반도체층(72), 진성 반도체층(74) 및 P형 반도체층(76)을 증착하고, 상부 전극(82) 형성을 위한 도전 물질을 증착한 후, 마스크 및 식각 공정으로 이들을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 여기서, PIN 다이오드(PD)를 이루는 반도체층(72, 74, 76)은 비정질 실리콘, 나노결정 실리콘, 마이크로결정 실리콘, 또는 갈륨(Ga), 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn) 중 하나 이상의 원소를 포함하는 산화물 반도체일 수 있다. 예컨대, PIN 다이오드(PD)는 n+ 나노결정 실리콘층, 나노결정 실리콘층 및 p+ 나노결정 실리콘층의 적층 구조로 이루어질 수 있으며, 이러한 경우 나노결정 실리콘의 상대적으로 높은 전자 이동도 및 낮은 누설전류 덕분에 PIN 다이오드(PD)의 특성을 향상시킬 수 있다. 상부 전극(82) 형성을 위한 도전 물질은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide) 또는 ZnO이 될 수 있다. PIN 다이오드(PD) 형성을 위한 패터닝 공정은, 하나의 마스크 또는 서로 다른 다수의 마스크를 이용하여 별개로 수행될 수 있다. 하나의 마스크를 이용하는 경우 공정 단순화가 가능하다. PIN 다이오드(PD) 형성을 위한 패터닝은 다음과 같은 방식에 의해 수행될 수 있다. p형 반도체층, 진성 반도체층 및 n형 반도체층에 건식 식각을 적용한다. 건식식각 공정은 감소 전 보다 플라즈마 파워를 30 내지 50% 정도 감소시키거나 또는 식각 종료 바로 전 플라즈마 가스 비율을 변경함으로써, 식각 속도를 감소시킨 상태에서 식각을 완료할 수 있다. 또는, p형 반도체 물질, 진성 반도체 물질 및 n형 반도체 물질을 건식 식각하되, n형 반도체층이 n형 반도체층 두께의 5 내지 20% 정도 식각되지 않고 잔류하는 상태에서 식각을 중단할 수 있다. 식각되지 않고 잔류하는 나머지 n형 반도체 물질은 후술하는 소스/드레인 전극 형성 공정에서 드레인 전극과 함께 패터닝한다. 이러한 경우, PIN 다이오드(PD) 형성을 위한 식각 공정에서 드러나는 도전층(60)의 도전 물질 일부가 PIN 다이오드(PD) 특히 n형 반도체층(72)의 측벽에 부착되어 누설 전류와 같은 불량을 발생시키는 것을 방지할 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 광전 변환 소자로서 PIN 다이오드(PD)을 형성하나, 다른 광전 변환층이 상부 전극(82)과 도전층(60) 사이에 형성될 수도 있다.The
도 7은 평면도이고, 도 8은 도 7의 화소 영역 A의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따르는 단면도이고, 도 9는 도 7의 패드 영역 A2의 II-II' 선과 III-III' 선을 따르는 단면도를 보인다. 도 7 내지 도 9를 참조하면, 마스크 및 식각 공정으로 도전층(60)을 패터닝하여, 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)을 형성하면서 패드 영역(A2)에 공통 바이어스 배선(68)을 형성한다. 이때, 도전층(60) 하부에 오믹 콘택층(50)이 존재하는 경우에는, 도전층(60)의 패터닝시 오믹 콘택층(50)까지 패터닝한다. 패터닝되어 소스 전극(65), 드레인 전극(66) 및 공통 바이어스 배선(68) 각각의 하부에 배치되는 오믹 콘택층(50)을 각각 도면부호 55, 56 및 58로 표시하였다. 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)은 각각 게이트 전극(24)과 일부가 중첩하면서 게이트 전극(24)을 중심으로 서로 소정 간격 이격된다. 드레인 전극(66)은 게이트 전극(24)과 중첩하는 부분으로부터 연장되어 PIN 다이오드(PD)의 상부 영역에 이르는 확장부(66A)를 포함한다. 확장부(66A)는 PIN 다이오드(PD)와 중첩하면서 PIN 다이오드(PD) 보다 큰 면적을 가질 수 있다. 확장부(66A)는 PIN 다이오드(PD)의 하부 전극이 될 수 있다. 소스/드레인 전극(65, 66) 형성에 따라, 게이트 전극(24) 및 소스/드레인 전극(65, 66)의 삼단자를 갖는 박막 트랜지스터가 형성되며, 소스 전극(65)과 드레인 전극(66) 사이의 액티브층(40)에 박막 트랜지스터의 채널이 형성된다. 공통 바이어스 배선(68)은 패드 영역(A2)에 형성되어 바이어스 전압을 공급하기 위한 다수의 바이어스 배선에 연결될 수 있다. 화소 영역(A1)에서 공통 바이어스 배선(68)은 게이트선(22)과 평행할 수 있으며, 가로 방향으로 연장될 수 있다. 공통 바이어스선(68)보다 큰 확장부(68A)는 공통 바이어스 배선(68)의 단부에 형성될 수 있다. 동작 속도를 증가시키기 위해서 바이어스선의 저항은 작아야만 한다. 종래의 방사선 검출기에서, 바이어스선의 저항을 낮추기 위해, 바이어스선의 폭 및 두께를 증가시키는 경우, 바이어스선이 화소 영역을 가로지르기 때문에 개구율이나 평탄도가 저하되는 등의 문제가 있었다. 본 발명에서는 화소 영역(A1)의 소스/드레인 전극(65, 66)을 형성함과 동시에 패드 영역(A2)에 공통 바이어스 배선(68)을 형성해서, 방사성 검출 패널의 동작 속도가 증가될 수 있다. 즉, 본 발명을 채용함으로써, 바이어스 배선들에 공통적으로 연결되는 넓고 두꺼운 공통 바이어스 배선(68)을 형성할 수 있고, 공통 바이어스 배선(68)의 저항을 증가시킬 수 있으며, 화소 영역(A)을 가로지르는 바이어스선의 폭과 두께를 감소시킬 수 있기 때문에, 공통 바이어스 배선(68)의 저항을 감소시킬 수 있고, 동작 속도를 증가시킬 수 있으며, 개구율과 평탄도가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 바이어스 전압 이동 경로의 대부분은 공통 바이어스 배선(68)이 차지하기 때문에 바이어스선들의 폭 및 두께를 감소시켜도 동작 속도에는 큰 영향이 없다.7 is a plan view, FIG. 8 is a sectional view along the line I-I 'in FIG. 7, and FIG. 9 is a sectional view along line II-II' and line III-III ' see. 7 to 9, the
일반적으로, 소스 전극(65)에 연결되어 세로 방향으로 확장되는 데이터선이 소스 전극(65)과 일체로 형성된다. 그러나 본 실시예에서는 데이터선이 공통 바이어스 배선(68)과 함께 형성되지 않는다. 즉, 데이터선과 공통 바이어스 배선이 서로 다른 층에 형성된다. 따라서 공통 바이어스 배선(68)을 위한 공간을 제공할 수 있고, 섬(island) 형상의 소스 전극(65)을 형성할 수 있다. 도 4 내지 도 6에 보인, PIN 다이오드(PD)와 상부 전극(82)의 적층 구조물 형성을 위한 패터닝 공정과, 도 7 내지 도 9에 보인, 소스/드레인 전극(65, 66) 및 공통 바이어스 배선(68) 형성을 위한 패터닝 공정의 순서는 서로 바뀔 수 있다. 즉, 소스/드레인 전극(65, 66) 및 공통 바이어스 배선(68) 형성을 위한 패터닝 공정을 먼저 수행하고 PIN 다이오드(PD) 및 상부 전극(82)의 적층 구조물 형성을 위한 패터닝 공정을 나중에 수행할 수도 있다. 본 실시예에서는, 도 4 내지 도 6에 보이는 패터닝 공정과 도 7 내지 도 9에 보인 패터닝 공정 사이에 수행되던 종래의 액티브층(40)의 패터닝 공정을 완전히 생략하였다. 즉, 액티브층(40)은 패터닝되지 않고 기판(10) 전면 상에 잔류된다. TFT-LCD 패널과 달리 방사선 검출 패널에서는 기판 후면에 배치되어 광을 조사하는 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에, 방사선 검출 패널의 제조에서는 액티브층(40)에 적용되는 패터닝을 생략할 수 있다. 이러한 경우, 적어도 1회의 마스크 및 식각 공정이 생략되므로 공정 단순화가 가능하다.In general, a data line connected to the
도 10은 평면도이고, 도 11은 도 10의 화소 영역 A의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따르는 단면도이고, 도 12는 도 10의 패드 영역 A2의 II-II' 선과 III-III' 선을 따르는 단면도를 보인다.10 is a plan view, FIG. 11 is a sectional view along the line I-I 'in FIG. 10, and FIG. 12 is a sectional view taken along line II-II' and III-III ' see.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 도 7 내지 도 9의 공정 결과물을 덮는 층간 절연막(90)을 형성한다. 층간 절연막(90)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 또는 실리콘 산화 질화물(SiON)의 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다. 층간 절연막(90)에 마스크 및 식각 공정을 적용하여 소스 전극(65)을 노출시키는 제1 비아홀(via hole)(91), 상부 전극(82)을 노출시키는 제2 비아홀(93), 패드 영역(A2)의 게이트선(22)의 단부를 노출시키는 제3 비아홀(95), 공통 바이어스 배선(68)을 노출시키는 제4 비아홀(97), 및 공통 바이어스 배선 확장부(68A)를 노출시키는 제5 비아홀(99)을 형성한다. 소스 전극(65)은 제1 비아홀(91)을 통하여 데이터선을 연결되고, 상부 전극(82)은 제2 비아홀(93)을 통하여 바이어스선에 연결되고, 게이트선(22)의 단부는 제3 비아홀(95)을 통해 게이트 패드와 연결되고, 공통 바이어스 배선(68)은 제4 비아홀(97)을 통하여 바이어스선에 연결되고, 확장부(68A)는 제5 비아홀(99)을 통하여 공통 바이어스 배선에 연결된다. 바이어스 배선들은 제2 및 제4 비아홀(93, 97)을 통하여 화소 영역(A1)과 패드 영역(A2)에 연결된다. 도 10에 보인 바와 같이, 제2 및 제4 비아홀(93, 97)은 세로 방향을 따라 평행하게 같은 선상에 위치할 수 있으나, 제2 및 제4 비아홀(93, 97)의 위치가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1, 제2, 제4 및 제5 비아홀(91, 93, 97, 99)은 층간 절연막(90)을 선택적으로 식각함으로써 형성될 수 있는 반면, 제3 비아홀(95)은 층간 절연막(90)뿐만 아니라 액티브층(40) 및 게이트 절연막(30)까지 식각하여야 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 10 to 12, an
도 13은 평면도이고, 도 14는 도 13의 화소 영역 A의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따르는 단면도이고, 도 15는 도 13의 패드 영역 A2의 II-II' 선과 III-III' 선을 따르는 단면도를 보인다. 도 13 내지 도 15를 참조하면, 제1 비아홀(91)을 채우며 덮는 데이터선(101), 제2 및 제4 비아홀(93, 97)을 채우며 덮는 바이어스선(103), 제3 비아홀(95)을 채우며 덮는 게이트 패드(107), 제5 비아홀(99)을 채우며 덮는 공통 바이어스 배선(109) 및 광 차단막 패턴(105)을 층간절연막(90) 상에 동시에 형성한다. 그 내부에 제1 내지 제5 비아홀(91, 93, 95, 97, 99)을 갖는 층간절연막(90) 상에 제1 내지 제5 비아홀(91, 93, 95, 97, 99)을 충분하게 덮는 두께로 Mo, Al, Cr, Ti, W, Ta의 단일막 또는 다중막을 형성한다. 다중막은 Mo/Al/Mo, Cr/Al/Cr, Ti/Al/Ti, TiW/Al/TiW, Ta/Al/Ta 중 하나가 될 수 있다. 마스크 공정과 식각 공정의 적용으로 단일막 또는 다중막을 패터닝하여 데이터선(101), 바이어스선(103), 게이트 패드(107), 공통 바이어스 배선 패드(109) 및 광 차광막 패턴(105)을 형성한다. 데이터선(101)은 제1 비아홀(91)을 통하여 소스 전극(65)과 연결되어 박막 트랜지스터로부터 출력되는 신호를 전달하기 위한 것으로서, 게이트선(22)과 교차하는 제2 방향을 따라 연장된다. 데이터선(101)은 화소 영역(A1)을 가로질러 단부가 패드 영역(A2)까지 도달할 수 있다. 패드 영역(A2)의 데이터선(101) 단부에, 데이터선(101)보다 큰 폭을 갖는 데이터선 확장부(101A)가 형성될 수 있다. 소정 바이어스 전압을 인가하기 위한 목적으로, 바이어스선(103)은 제2 비아홀(93)을 통하여 상부 전극(82)과 연결되고, 데이터선(101)과 평행한 세로 방향으로 연장된다. 바이어스 전압은 X-선을 가시광전으로 전환하는 신틸레이터층으로부터의 가시광선을 감지하여 소정 레벨의 전류를 생성하기 위한 전압이다. 본 실시예에서, 바이어스 전압이 공통 바이어스 배선(68)으로부터 바이어스선(103)에 전달되도록, 바이어스선(103)은 화소 영역(A1)을 가로지를 수 있고, 패드 영역(A2)의 공통 바이어스 배선(68)과 중첩하며 제4 비아홀(97)을 통하여 공통 바이어스 배선(68)과 연결되는 단부를 가질 수 있다. 일반적으로, 액티브층(40)의 물질은 광에 민감하다. 만일, 액티브층(40)에, 특히 채널에 광이 입사되면, 박막 트랜지스터의 특성이 변할 수 있다. 박막 트랜지스터로 광이 입사되는 것을 방지하기 위해, 광 차단막 패턴(105)은 적어도 박막 트랜지스터의 채널 즉, 소스 전극(65)과 드레인 전극(66) 사이의 영역을 덮도록 형성된다. 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 광 차단막 패턴(105)은 게이트 전극(24) 보다 크며 사각 형상을 갖는다. 그러나 광 차단막 패턴(105)의 면적이나 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 게이트 패드(107)는 제3 비아홀(95)을 통하여 게이트선(22)의 일단부와 연결되며 게이트선(22) 보다 큰 폭을 가질 수 있다. 공통 바이어스 배선 패드(109)는 제5 비아홀(99)을 통하여 공통 바이어스 배선 확장부(68A)에 연결되며, 공통 바이어스 배선(68) 및/또는 그 확장부(68A)보다 큰 폭을 가질 수 있다. 본 실시예에서는, 데이터선(101)이 공통 바이어스 배선(68) 뿐만 아니라 바이어스선(103)과 동시에 함께 형성되고 제1 비아홀(91)을 통하여 소스 전극(65)과 연결될 수 있다. 따라서 공통 바이어스 배선(68)을 위한 영역을 충분히 확보하면서 데이터선 패드, 즉 확장부(101A 참조)를 공통 바이어스 배선(68) 상에 형성할 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 외부 배선에 연결되는 데이터선 패드 즉, 데이터선(10)의 확장부(101A), 게이트 패드(107) 및 공통 바이어스 배선 패드(109)는 보호막 아래 최상부의 동일층 상에 형성될 수 있다. 따라서 패드들이 후속 공정에서 용이하게 오픈될 수 있다.13 is a plan view, FIG. 14 is a sectional view along the line I-I 'in FIG. 13, and FIG. 15 is a sectional view along line II-II' and III-III ' see. 13 to 15, the
도 16은 평면도이고, 도 17은 도 16의 화소 영역 A의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따르는 단면도이고, 도 18은 도 16의 패드 영역 A2의 II-II' 선과 III-III' 선을 따르는 단면도를 보인다. 도 16 내지 도 18을 참조하면, 도 13 내지 도 15의 공정 후에 얻어진 전체 결과물을 덮는 보호막(110)을 형성한다. 보호막(110)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 또는 실리콘 산화 질화물(SiON)의 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다. 마스크 공정 및 식각 공정이 보호막(11)에 적용되어 게이트 패드(107)를 노출시키는 제1 오픈부(112), 데이터선 확장부(101A)를 노출시키는 제2 오픈부(114), 공통 바이어스 배선 패드(109)를 노출시키는 제3 오픈부(116)를 형성한다. 이와 같이 패드들을 노출시키는 공정을 패드 오픈 공정이라고 한다. 종래 방사선 검출 패널에서, 게이트 패드, 데이터 패드 및 바이어스 패드는 서로 다른 층에 위치하였기 때문에, 패드 오픈 공정은 어려운 공정 중에 하나였다. 본 실시예의 실시예에 따른 방사선 검출 패널에서는 패드들이 같은 층 상에 형성되어 패드 오픈 공정에서 보호막(110)만을 패터닝함에 따라 패드를 쉽게 노출시킬 수 있다. 따라서 패드 오픈 공정의 어려움을 피할 수 있으며, 어려운 공정에서 기인하는 결함이 방지될 수 있다. 도면에 도시하지는 않았으나, 제1 내지 제3 오픈부(112, 114, 116)를 통하여 방사선 검출 패널의 신호선들은 외부 배선들과 연결될 수 있다. 예컨대, 게이트 패드(112)는 제1 오픈부(112)를 통하여 게이트 구동부(도시하지 않음)와 연결될 수 있고, 데이터선 확장부(101A)는 제2 오픈부(114)를 통하여 신호 검출부(도시하지 않음)와 연결될 수 있고, 공통 바이어스 배선 패드(109)는 제3 오픈부(116)를 통하여 바이어스 전압 발생부(도시하지 않음)와 연결될 수 있다.16 is a plan view, FIG. 17 is a sectional view along the line I-I 'in the pixel region A of FIG. 16, and FIG. 18 is a sectional view taken along line II-II' and III-III ' see. Referring to FIGS. 16 to 18, a
이상으로 설명한 공정에 의하여, 도 16 내지 도 18에 보인, 박막 트랜지스터, 광전 변환층을 포함하는 하부 구조물은 하부 기판(10) 상에 형성될 수 있다.16 to 18, a lower structure including a thin film transistor and a photoelectric conversion layer may be formed on the
도 19를 참조하면, 하부 기판(10)과 상부 기판(130)은 신틸레이터층(120)을 사이에 두고 결합될 수 있다. 신틸레이터층(120)은 X-선과 같은 방사선과의 충돌에 의해 빛을 방출할 수 있는 물질로 형성될 수 있다. 구체적으로, 하부 기판(10) 상의 하부 기판 구조물을 덮는 신틸레이터층(120)을 형성하고, 상부 기판(130)을 하부 기판(10)에 붙일 수 있다. 다른 방법으로, 상부 기판(130) 상에 신틸레이터층(120)을 형성하고, 상부 기판(13)과 하부 기판(10)이 결합될 수 있다. 하부 기판(10) 상에 신틸레이터층(120)을 형성하는 경우, 상부 기판(13)은 생략될 수 있다. 도 19는 도 16의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 화소 영역(A1)의 단면에 대응한다. Ⅱ-Ⅱ'선 및 Ⅲ-Ⅲ'선에 따른 단면도는 도 17 및 도 18과 동일하므로 생략한다.Referring to FIG. 19, the
방사선 검출 패널은 아래와 같이 동작할 수 있다. 도 16 내지 도 19를 참조하면, 방사선 검출 패널로 방사선이 입사되면, 신틸레이터층(120)은 X-선과 같은 방사선을 가시광선으로 변환한다. PIN 다이오드(PD)는, 바이어스선(103)을 통하여 바이어스 전압이 인가되면, 가시광선을 감지하여 전류를 발생시킨다. PIN 다이오드(PD)에 바이어스 전압이 인가되지 않는 경우에는 PIN 다이오드(PD)는 센서로서의 역할을 수행할 수 없다. 따라서 가시광선이 PIN 다이오드(PD)에 입사되더라도 전류가 발생할 수 없다. 게이트 전극(24), 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)을 삼단자로 하는 박막 트랜지스터는, 게이트선(22)을 통하여 게이트 전극(24)에 인가되는 전압에 따라, PIN 다이오드(PD)에서 발생된 전류의 출력을 제어할 수 있다. PIN 다이오드(72, 74, 76)로부터 발생된 전류는 드레인 전극(66)으로 입력되고, 게이트 전극(24)의 제어에 따라 드레인 전극(66)으로부터 소스 전극(65)으로 전달되고, 데이터선(101)을 통하여 외부 예컨대, 신호 검출부 등으로 전달된다.The radiation detection panel can operate as follows. 16 to 19, when radiation is incident on the radiation detection panel, the
방사선 검출 패널의 액티브층(40) 및/또는 PIN 다이오드(PD)는 다른 결정화도를 갖는 다양한 실리콘층을 이용하여 형성될 수 있다. 실리콘의 결정화도는 공정 방법 및 조건의 변화에 따라 조절될 수 있다. 도 20 및 도 21은 단결정 실리콘층, 나노-결정 실리콘층 및 비정질 실리콘층의 결정화도 분석 결과를 보인다. 도 20은 UV/VIS 반사율(reflectance)을 측정한 결과를 나타내고, 도 21은 XRD(X-ray Diffraction) 분석 결과를 나타낸다. 나노결정 실리콘층은 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD)에 의해 형성하였다. 도 20을 참조하면, 나노결정 실리콘의 US/VIS 반사율은 단결정 실리콘과 비정질 실리콘 사이임을 나타낸다. 도 21을 참조하면, 나노결정 실리콘의 XRD 강도는 다결정 실리콘과 비정질 실리콘 사이의 수준임이 나타났다. 도 20과 도 21에 보여지는 분석결과로서, 나노결정 실리콘층이 박막 트랜지스터의 액티브층 및/또는 PIN 다이오드와 같은 광전 변환층의 형성을 위해 이용될 수 있다는 결론지을 수 있다. 전술한 바와 같이, 나노결정 실리콘은 높은 전자 이동도와 낮은 누설 전류를 보장할 수 있기 때문에, 박막 트랜지스터의 액티브층 또는 광전 변환 소자를 나노결정 실리콘층으로 형성할 경우, 박막 트랜지스터 또는 광전 변환 소자의 특성이 향상될 수 있다.The
이하, 도 22 내지 도 25를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예와 비교되는 주된 차이점들로서 본 발명의 제2 실시예를 설명한다. 도 22 및 도 24는 평면도이고, 도 23과 도 25는 도 22 및 도 24의 각각의 IV-IV' 선을 따른 화소 영역의 단면도이다.22 to 25, a second embodiment of the present invention will be described as the main differences compared with the first embodiment of the present invention. Figs. 22 and 24 are plan views, and Figs. 23 and 25 are sectional views of pixel regions along line IV-IV 'in Figs. 22 and 24, respectively.
도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 하부 기판(10) 상에 게이트 전극(24)을 포함하는 게이트선(22)을 형성하는 단계, 게이트 절연막(30), 액티브층(40), 오믹 콘택층(50) 및 소스/드레인 전극 형성을 위한 도전층(60)을 순차적으로 형성하는 단계와, PIN 다이오드(PD) 및 상부 전극(82)의 적층 구조물을 형성하는 단계를 차례대로 수행한다.Forming a
도 22 및 도 23을 참조하면, 마스크 및 식각 공정으로 도전층(60)을 패터닝하여 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66), 공통 바이어스 배선(68)과 소스 전극에 연결되는 추가 데이터선(67)을 동시에 형성한다. 추가 데이터선(67)은 화소 영역(A1)에서 데이터선(101)과 중첩될 수 있다. 추가 데이터선(67)은 패드 영역(A2)으로 연장되지 않거나 추가 데이터선(67)의 일부만이 패드 영역(A2)으로 연장되어 공통 바이어스 배선(68) 형성 공간을 제공할 수 있다. 전도층(60)의 패터닝 공정에서, 오믹 콘택층(50)이 패터닝되어 추가 데이터선(67) 아래에 오믹 콘택층(57)이 형성될 수 있다.22 and 23, the
도 24 및 도 25를 참조하면, 도 22 및 도 23의 공정 결과물을 덮는 층간 절연막(90)을 형성한다. 마스크 및 식각 공정을 층간절연막(90)에 적용하여 소스 전극(65)을 노출시키는 제1 비아홀(91)을 포함한 다수의 비아홀을 형성한다. 소스 전극(65)과 추가 데이터선(67)이 서로 연결되어 있기 때문에, 제1 비아홀(91)은 소스 전극(65) 대신에 추가 데이터선(67)을 오픈할 수도 있다. 이후, 데이터선(101)이 제1 비아홀(91)을 통하여 소스 전극(65)과 추가 데이터선(67)에 연결된다. 데이터선(101)은 데이터선(101)은 추가 데이터선(67)과 중첩할 수 있다. 상기 이외에 제1 실시예와 실질적으로 동일하다.Referring to FIGS. 24 and 25, an
본 실시예에서, 2층의 데이터선(101)과 추가 데이터선(67)이 방사선 검출 패널에 채용된다. 따라서 본 실시예에 따른 방사선 검출 패널은 다음과 같은 효과를 추가적으로 제공할 수 있다. 어느 하나가 손상되더라도 데이터선(101)과 추가 데이터(67)은 서로 보완할 수 있기 때문에 불량이 방지되고 수율이 향상될 수 있다. 둘째, 단층의 데이터선을 쓰는 경우에 비하여 데이터선의 두께가 증가하기 때문에 저항을 감소시킬 수 있고 방사선 검출 패널의 동작 속도를 증가시킬 수 있다. 마지막으로, 데이터선(10) 하부의 추가 데이터선(67) 때문에 , 층간 절연막(90) 상에 데이터선(101) 형성시 스텝 커버리지(step coverage) 특성이 향상될 수 있다. 도 26은 2층의 PIN 다이오드들(PDs)을 보인다. PIN 다이오드 층의 수는 2에 한정되지는 않는다.In this embodiment, the two-
제1 및 제2 실시예에서, 도 26 및 도 27에 보인 바와 같이, PIN 다이오드(PD)와 상부 전극(82)은 2층 이상 반복하여 적층될 수도 있다. 도 26을 참조하면, 상부전극 82는 2개층의 PIN 다이오드(PDs) 상에 상부전극(82)이 형성될 수 있다. 이 구조에 의하여, 가시광선이 전기 신호로 변환할 때, 자유 전하의 손실을 줄일 수 있고, 방사선으로부터 출력되는 전기 신호의 강도를 증가시킬 수 있다. 따라서 증폭 효과가 향상될 수 있고 방사선 검출 장치의 감도를 향상시킬 수 있다.In the first and second embodiments, as shown in FIGS. 26 and 27, the PIN diode PD and the
도 27을 참조하면, 상부 전극(82)이 적층된 PIN 다이오드들 사이에 위치할 수 있다. 이 구조는 감도의 균일성(uniformity)을 개선시킬 수 있다.Referring to FIG. 27, an
한편, 도 12에서는 PIN 다이오드(PD) 및 상부 전극(82)의 적층 구조물이 2층인 경우를 나타내었으나, 본 발명이 이에 한정되지는 않으며, 상기 적층 구조물이 3층 이상인 경우도 이용될 수 있다.12 shows a case where the laminated structure of the PIN diode PD and the
본 발명의 구성 및 동작은 앞서 참조된 도면들에 나타나 있다. 구성 및 동작은 본 발명의 예에 지나지 않는다. 따라서 본 발명의 범위 내에서 다양한 변경 및 변화가 가능할 수 있다.
The construction and operation of the present invention are shown in the drawings referred to above. The configuration and operation are merely examples of the present invention. Accordingly, various changes and modifications may be made within the scope of the present invention.
삭제delete
10: 하부 기판 22: 게이트 선
24: 게이트 전극 30: 게이트 절연막
40: 액티브층 55, 56, 58: 오믹 콘택층
65: 소스 전극 66: 드레인 전극
68: 공통 바이어스 배선 PD: PIN 다이오드
82: 상부 전극 90: 층간 절연층
91, 93, 95, 97, 99: 제1 내지 제5 비아홀
101: 데이터선 103: 바이어스선
105: 광 차단막 패턴 107: 게이트 패드
109: 공통 바이어스 배선 패드 110: 보호막
120: 신틸레이터층 130: 상부 기판10: lower substrate 22: gate line
24: gate electrode 30: gate insulating film
40:
65: source electrode 66: drain electrode
68: Common bias wiring PD: PIN diode
82: upper electrode 90: interlayer insulating layer
91, 93, 95, 97, 99: first to fifth via holes
101: Data line 103: Bias line
105: light blocking film pattern 107: gate pad
109: common bias wiring pad 110: protective film
120: scintillator layer 130: upper substrate
Claims (20)
방사선을 가시광선으로 변화시키는 신틸레이터층;
각 화소에서 가시광선을 전류로 변환시키는 광전 소자;
상기 각 화소에서 전류의 출력을 제어하는 스위칭 소자;
상기 신틸레이터층과 상기 광전 소자에 바이어스 전압을 인가하기 위한 다수의 바이어스선;
상기 전류를 전달하기 위해 상기 스위칭 소자에 연결되는 데이터선; 및
상기 바이어스선들에 바이어스 전압을 전달하며, 상기 바이어스선들과 다른 층에 위치하는 공통 바이어스 배선
을 포함하는 방사선 검출 패널.
A liquid crystal display comprising: a substrate including a pixel region and a pad region;
A scintillator layer for converting radiation into visible light;
A photoelectric element for converting a visible light into a current in each pixel;
A switching element for controlling an output of a current in each pixel;
A plurality of bias lines for applying a bias voltage to the scintillator layer and the photoelectric elements;
A data line coupled to the switching element to transfer the current; And
A common bias line located in a layer different from the bias lines,
And the radiation detection panel.
상기 스위칭 소자는 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 채널을 포함하고,
상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 공통 바이어스 배선은 동일층에 위치하는, 방사선 검출 패널.
The method according to claim 1,
Wherein the switching element includes a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and a channel between the source electrode and the drain electrode,
Wherein the source electrode, the drain electrode, and the common bias wiring are located in the same layer.
상기 공통 바이어스 배선에 연결되는 공통 바이어스 배선 패드를 더 포함하며,
상기 공통 바이어스 배선 패드와 상기 바이어스선들은 동일한 층에 위치하는, 방사선 검출 패널.
The method according to claim 1,
And a common bias wiring pad connected to the common bias wiring,
Wherein the common bias wiring pads and the bias lines are located in the same layer.
상기 데이터선과 상기 바이어스선들은 동일한 층에 위치하는, 방사선 검출 패널.
The method according to claim 1,
Wherein the data line and the bias lines are located in the same layer.
상기 데이터선은 상기 소스 전극과 일체형으로 연결되는 제1 데이터선과 상기 제1 데이터선과 중첩되는 제2 데이터선을 포함하고,
상기 제2 데이터선과 상기 바이어스선들은 동일한 층에 위치하는, 방사선 검출 패널.
3. The method of claim 2,
Wherein the data line includes a first data line connected to the source electrode integrally and a second data line overlapped with the first data line,
And the second data line and the bias lines are located in the same layer.
상기 채널을 위한 영역을 제공하며, 하부의 전체 구조를 덮는 액티브층을 더 포함하는, 방사선 검출 패널.
3. The method of claim 2,
Further comprising an active layer providing an area for the channel and covering the entire underlying structure.
상기 채널을 덮는 광 차광막 패턴을 더 포함하며,
상기 광 차광막 패턴과 상기 바이어스선들은 동일한 층에 위치하는, 방사선 검출 패널.
3. The method of claim 2,
Further comprising an optical shielding film pattern covering the channel,
Wherein the light shielding film pattern and the bias lines are located in the same layer.
상기 스위칭 소자에 연결되는 제1 패드;
상기 데이터선에 연결되는 제2 패드; 및
상기 공통 바이어스 배선에 연결되는 제3 패드를 포함하며,
상기 제1 패드, 상기 제2 패드 및 상기 제3 패드는 동일층 상에 위치하는, 방사선 검출 패널.
The method according to claim 1,
A first pad connected to the switching element;
A second pad connected to the data line; And
And a third pad connected to the common bias wiring,
Wherein the first pad, the second pad and the third pad are located on the same layer.
각 화소 영역의 기판 상에 형성되어 가시광선을 전류로 변환시키는 광전 변환 소자;
상기 기판 상에 배치되고, 서로 교차하는 방향으로 연장되는 게이트선 및 데이터선;
상기 게이트선에 연결되는 게이트 전극, 상기 데이터선에 연결되는 소스 전극, 및 상기 소스 전극과 대향하면서 상기 광전 변환 소자의 하단에 연결되는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 광전 변환 소자의 상단에 연결되는 바이어스선; 및
상기 패드 영역의 상기 기판 상에 배치되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일층에 위치하면서 비아홀을 통해 상기 바이어스선과 연결되는 공통 바이어스 배선
을 포함하는 방사선 검출 패널.
A substrate having a pixel region and a pad region defined therein;
A photoelectric conversion element formed on the substrate of each pixel region and converting a visible light into a current;
A gate line and a data line disposed on the substrate and extending in directions intersecting with each other;
A thin film transistor including a gate electrode connected to the gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode connected to the lower end of the photoelectric conversion element while facing the source electrode;
A bias line connected to an upper end of the photoelectric conversion element; And
And a common bias wiring disposed on the substrate of the pad region and connected to the bias line via a via hole, the common bias wiring being located on the same layer as the source electrode and the drain electrode,
And the radiation detection panel.
상기 패드 영역의 상기 기판 상에 배치되고, 상기 바이어스선과 동일층에 위치하면서 비아홀을 통해 상기 공통 바이어스 배선과 연결되는 공통 바이어스 배선 패드
를 더 포함하는 방사선 검출 패널.
10. The method of claim 9,
A common bias wiring line connected to the common bias line through a via hole, the common bias wiring line being located on the same layer as the bias line,
The radiation detection panel further comprising:
상기 데이터선은, 상기 바이어스선과 동일한 층에 형성되고, 비아홀을 통해 상기 소스 전극에 연결된, 방사선 검출 패널.
10. The method of claim 9,
The data line is formed in the same layer as the bias line, and is connected to the source electrode through a via hole.
상기 데이터선은, 상기 소스 전극과 일체로 연결된 제1 데이터선, 및 상기 바이어스선과 동일층에 위치하면서 상기 제1 데이터선과 중첩하는 제2 데이터선을 포함하고,
상기 제1 데이터선 및 상기 제2 데이터선은 비아홀을 통해 서로 연결된, 방사선 검출 패널.
10. The method of claim 9,
Wherein the data line includes a first data line connected to the source electrode integrally and a second data line positioned on the same layer as the bias line and overlapping the first data line,
Wherein the first data line and the second data line are connected to each other through a via hole.
상기 패드 영역의 상기 기판 상에 배치되고, 상기 바이어스선과 동일층에 위치하면서 비아홀을 통해 상기 게이트선과 연결되는 게이트 패드
를 더 포함하는 방사선 검출 패널.
13. The method according to any one of claims 9 to 12,
A gate pad disposed on the substrate of the pad region and connected to the gate line via a via hole located on the same layer as the bias line,
The radiation detection panel further comprising:
상기 박막 트랜지스터는, 채널이 형성되는 액티브층이 상기 소스 및 드레인 전극과 상기 게이트 전극 사이에 개재되면서 상기 기판 전면을 덮는, 방사선 검출 패널.
14. The method of claim 13,
Wherein the thin film transistor covers an entire surface of the substrate while an active layer in which a channel is formed intervenes between the source and drain electrodes and the gate electrode.
상기 박막 트랜지스터는, 채널이 형성되는 액티브층이 상기 소스 및 드레인 전극과 상기 게이트 전극 사이에 개재되면서 상기 기판 전면을 덮는, 방사선 검출 패널.
13. The method according to any one of claims 9 to 12,
Wherein the thin film transistor covers an entire surface of the substrate while an active layer in which a channel is formed intervenes between the source and drain electrodes and the gate electrode.
상기 액티브층 또는 상기 광전 변환 소자는, 나노결정 실리콘을 포함하는, 방사선 검출 패널.
16. The method of claim 15,
Wherein the active layer or the photoelectric conversion element comprises nanocrystalline silicon.
상기 광전 변환 소자는, N형 반도체층, 진성 반도체층 및 P형 반도체층이 순차적으로 적층된 PIN 다이오드를 포함하고,
상기 PIN 다이오드 상에 형성된 전극층을 더 포함하는, 방사선 검출 패널.
10. The method of claim 9,
The photoelectric conversion element includes a PIN diode in which an N-type semiconductor layer, an intrinsic semiconductor layer, and a P-type semiconductor layer are sequentially laminated,
Further comprising an electrode layer formed on the PIN diode.
상기 광전 변환 소자는, 상기 PIN 다이오드가 2개 이상 적층된 구조물을 포함하고,
상기 전극층은 상기 적층된 구조물 상에 형성되는, 방사선 검출 패널.
18. The method of claim 17,
Wherein the photoelectric conversion element includes a structure in which two or more PIN diodes are stacked,
Wherein the electrode layer is formed on the laminated structure.
상기 광전 변환 소자는, 상기 PIN 다이오드가 2개 이상 적층된 구조물을 포함하고,
상기 전극층은 상기 적층된 구조물 상부 및 상기 PIN 다이오드 사이마다 개재되는, 방사선 검출 패널.
18. The method of claim 17,
Wherein the photoelectric conversion element includes a structure in which two or more PIN diodes are stacked,
Wherein the electrode layer is interposed between the top of the stacked structure and the PIN diode.
상기 바이어스선과 동일층에 위치하고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이를 덮는 광 차단막 패턴
을 더 포함하는 방사선 검출 패널.10. The method of claim 9,
A light blocking film pattern which is located on the same layer as the bias line and covers the space between the source electrode and the drain electrode,
The radiation detection panel further comprising:
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
WOPCT/US2012/023171 | 2012-01-30 | ||
PCT/US2012/023171 WO2012103550A2 (en) | 2011-01-28 | 2012-01-30 | Radiation detecting panel |
PCT/US2012/048907 WO2013115841A1 (en) | 2012-01-30 | 2012-07-30 | Radiation detecting panel |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127021136A Division KR101358849B1 (en) | 2012-01-30 | 2012-07-30 | Radiation detecting panel |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130098136A KR20130098136A (en) | 2013-09-04 |
KR101415226B1 true KR101415226B1 (en) | 2014-07-04 |
Family
ID=48905965
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127020858A KR101415226B1 (en) | 2012-01-30 | 2012-07-30 | Radiation detecting panel |
KR1020127021136A KR101358849B1 (en) | 2012-01-30 | 2012-07-30 | Radiation detecting panel |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127021136A KR101358849B1 (en) | 2012-01-30 | 2012-07-30 | Radiation detecting panel |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2810058A4 (en) |
KR (2) | KR101415226B1 (en) |
WO (1) | WO2013115841A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102619971B1 (en) * | 2016-10-24 | 2023-12-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | Digital x-ray detector and method of fabricating thereof |
KR102517730B1 (en) * | 2017-12-27 | 2023-04-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | Digital x-ray detector panel and the x-ray system including the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090046727A1 (en) | 2007-08-16 | 2009-02-19 | D. E. Shaw Research, Llc | Routing with virtual channels |
US7521684B2 (en) | 2002-06-11 | 2009-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, manufacturing method therefor, and radiation image pickup system |
US7956433B2 (en) | 2006-12-20 | 2011-06-07 | Fujifilm Corporation | Image detector and radiation detecting system with separation of metal layers for bias, scan and data lines |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165561A (en) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Canon Inc | Photoelectric transducer |
US7634061B1 (en) * | 2004-03-26 | 2009-12-15 | Nova R & D, Inc. | High resolution imaging system |
KR100840091B1 (en) * | 2007-08-17 | 2008-06-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting display device and mother substrate of the same |
JP5253799B2 (en) * | 2007-12-17 | 2013-07-31 | 三菱電機株式会社 | Photosensor and method for manufacturing photosensor |
JP5185013B2 (en) | 2008-01-29 | 2013-04-17 | 富士フイルム株式会社 | Electromagnetic wave detection element |
CN102157533B (en) * | 2011-01-18 | 2013-07-17 | 江苏康众数字医疗设备有限公司 | Amorphous silicon image sensor with storage capacitor structure |
-
2012
- 2012-07-30 KR KR1020127020858A patent/KR101415226B1/en active IP Right Grant
- 2012-07-30 KR KR1020127021136A patent/KR101358849B1/en active IP Right Grant
- 2012-07-30 EP EP12867455.3A patent/EP2810058A4/en not_active Withdrawn
- 2012-07-30 WO PCT/US2012/048907 patent/WO2013115841A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7521684B2 (en) | 2002-06-11 | 2009-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, manufacturing method therefor, and radiation image pickup system |
US7956433B2 (en) | 2006-12-20 | 2011-06-07 | Fujifilm Corporation | Image detector and radiation detecting system with separation of metal layers for bias, scan and data lines |
US20090046727A1 (en) | 2007-08-16 | 2009-02-19 | D. E. Shaw Research, Llc | Routing with virtual channels |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2810058A1 (en) | 2014-12-10 |
EP2810058A4 (en) | 2015-08-19 |
KR20130098136A (en) | 2013-09-04 |
KR101358849B1 (en) | 2014-02-05 |
WO2013115841A1 (en) | 2013-08-08 |
KR20130098137A (en) | 2013-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5512800B2 (en) | Semiconductor device | |
KR102205856B1 (en) | Organic light emitting diode display device including sensors | |
KR101200444B1 (en) | TFT and TFT Substrate Using the Same and Method of Fabricating the TFT Substrate and Liquid Crystal Display | |
US11846860B2 (en) | Display device and semiconductor device | |
US20170176826A1 (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
CN102576739B (en) | Thin film transistor and manufacturing method for same, semiconductor device and manufacturing method for same, and display device | |
KR101790161B1 (en) | Optical sensor, manufacturing method thereof, and liquid crystal display device comprising optical sensor | |
US10347683B2 (en) | Photo detector device | |
US11133345B2 (en) | Active matrix substrate, X-ray imaging panel with the same, and method of manufacturing the same | |
US9515118B2 (en) | Radiation detecting panel | |
CN212461692U (en) | Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips | |
US20100176401A1 (en) | X-ray detector and manufacturing method of the same | |
JP2009093050A (en) | Display device with built-in photosensor | |
US20120037912A1 (en) | Visible sensing transistor, display panel and manufacturing method thereof | |
JP2009086565A (en) | Display device incorporating optical sensor | |
US20130306873A1 (en) | Radiation detecting panel | |
US9087750B2 (en) | Touch screen substrate, method of manufacturing the same, and display panel including the touch screen substrate | |
CN113257835A (en) | Active matrix substrate and method for manufacturing the same | |
US11024664B2 (en) | Imaging panel | |
KR101415226B1 (en) | Radiation detecting panel | |
US20120086019A1 (en) | Substrate for display panel, and display device | |
JP5856826B2 (en) | Display device | |
US20110267562A1 (en) | Liquid crystal panel | |
US11804503B2 (en) | Photoelectric conversion device and x-ray imaging device | |
KR20020056000A (en) | X-ray Detecting Device and Method Fabricating The Same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170424 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180409 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190328 Year of fee payment: 6 |