KR102611706B1 - 전력 증폭 회로 - Google Patents

전력 증폭 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR102611706B1
KR102611706B1 KR1020230039763A KR20230039763A KR102611706B1 KR 102611706 B1 KR102611706 B1 KR 102611706B1 KR 1020230039763 A KR1020230039763 A KR 1020230039763A KR 20230039763 A KR20230039763 A KR 20230039763A KR 102611706 B1 KR102611706 B1 KR 102611706B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
power
signal
band
amplification circuit
Prior art date
Application number
KR1020230039763A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20230044174A (ko
Inventor
사토시 아라야시키
사토시 타나카
후미오 하리마
사토시 고토
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20230044174A publication Critical patent/KR20230044174A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102611706B1 publication Critical patent/KR102611706B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/171—A filter circuit coupled to the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/318—A matching circuit being used as coupling element between two amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7209—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band

Abstract

(과제) 넓은 주파수 대역에 있어서 RF 신호를 효율 좋게 공급함과 아울러, 회로 규모의 증대를 억제하는 것이 가능한 전력 증폭 회로를 제공한다.
(해결 수단) 전력 증폭 회로는 제 1 주파수대의 제 1 신호를 증폭하고, 제 1 전력을 갖는 제 1 증폭 신호를 출력하는 제 1 증폭 회로와, 상기 제 1 주파수대 또는 상기 제 1 주파수대와 상이한 제 2 주파수대의 제 2 신호를 증폭하고, 상기 제 1 전력과 상이한 제 2 전력을 갖는 제 2 증폭 신호를 출력하는 제 2 증폭 회로와, 상기 제 2 증폭 회로와 상기 제 2 증폭 회로의 후단의 제 1 회로 사이에 형성되고, 상기 제 2 증폭 회로로부터 상기 제 1 회로를 보았을 때의 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성되는 제 1 가변 조정 회로를 구비한다.

Description

전력 증폭 회로{POWER AMPLIFIER CIRCUIT}
본 발명은 전력 증폭 회로에 관한 것이다.
휴대전화 등의 이동체 통신기에 있어서는 기지국으로 송신하는 무선 주파수(RF: Radio Frequency) 신호의 전력을 증폭하기 위해서 고주파 전력 증폭기가 사용된다. 이와 같은 고주파 전력 증폭기에는 고출력의 신호를 출력하는 회로인 고출력 경로와, 중출력의 신호를 출력하는 회로인 중출력 경로를 구비하는 경우가 있다(예를 들면, 특허문헌 1). 또한, 다른 종래 기술의 예가 미국특허 제8461931호 명세서와 미국특허 제10630320호 명세서에 개시되어 있다.
국제공개 제2012/098863호 미국특허 제8461931호 명세서 미국특허 제10630320호 명세서
특허문헌 1에는 상이한 2개의 주파수 대역의 신호를 증폭하는 고주파 전력 증폭기의 구성으로서 중출력 경로와 2개의 주파수 대역에 각각 대응하는 2개의 고출력 경로가 형성되는 구성이 개시되어 있다. 2개의 고출력 경로 각각에는 입력 단자측의 스위치 소자, 입력 정합 회로, 고출력용 앰프, 출력 정합 회로 및 출력 단자측의 스위치 소자가 포함된다. 이와 같이 중출력 경로 및 2개의 고출력 경로의 3개의 출력 경로가 형성되는 구성에서는 회로 규모가 증대되어 바람직하지 않다.
본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 넓은 주파수 대역에 있어서 RF 신호를 효율 좋게 공급함과 아울러, 회로 규모의 증대를 억제하는 것이 가능한 전력 증폭 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일측면에 의한 전력 증폭 회로는 제 1 주파수대의 제 1 신호를 증폭하고, 제 1 전력을 갖는 제 1 증폭 신호를 출력하는 제 1 증폭 회로와, 상기 제 1 주파수대 또는 상기 제 1 주파수대와 상이한 제 2 주파수대의 제 2 신호를 증폭하고, 상기 제 1 전력과 상이한 제 2 전력을 갖는 제 2 증폭 신호를 출력하는 제 2 증폭 회로와, 상기 제 2 증폭 회로와 상기 제 2 증폭 회로의 후단의 제 1 회로 사이에 형성되고, 상기 제 2 증폭 회로로부터 상기 제 1 회로를 보았을 때의 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성되는 제 1 가변 조정 회로를 구비한다.
본 발명에 의하면 넓은 주파수 대역에 있어서 RF 신호를 효율 좋게 공급함과 아울러, 회로 규모의 증대를 억제하는 것이 가능한 전력 증폭 회로를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 송신 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 송신 장치가 송신하는 각 RF 신호의 밴드 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2에 나타내는 밴드 구성을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 기본예의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 대전력 광대역 증폭 회로 및 소전력 MB 증폭 회로의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 제 1 가변 조정 회로의 기본예를 나타내는 회로도이다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 제 1 가변 조정 회로의 변형예를 나타내는 회로도이다.
도 8은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고정 조정 회로의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 9는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 기본예를 PC 1.5의 송신 전력에 의한 송신에 적용 가능하게 했을 경우에 있어서의 구성을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 1의 구성을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2의 구성을 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2에 있어서의 대전력 광대역 증폭 회로 및 소전력 MB 증폭 회로의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 13은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2에 있어서의 제 1 가변 조정 회로의 기본예를 나타내는 회로도이다.
도 14는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2에 있어서의 제 1 가변 조정 회로의 변형예를 나타내는 회로도이다.
도 15는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2에 있어서의 고정 조정 회로의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 16은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 3의 구성을 나타내는 도면이다.
도 17은 참고예에 의한 전력 증폭 회로의 일례를 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로에 있어서의 입력 신호의 주파수에 대한 전력 효율의 변화의 일례를 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 송신 장치가 송신하는 각 RF 신호의 밴드 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 20은 도 19에 나타내는 밴드 구성을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 21은 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 구성을 나타내는 도면이다.
도 22는 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 구성을 나타내는 도면이다.
도 23은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 송수신 유닛의 구성을 나타내는 도면이다.
도 24는 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 기본예의 구성을 나타내는 도면이다.
도 25는 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로가 증폭하는 각 RF 신호의 밴드 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 26은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 1의 구성을 나타내는 도면이다.
도 27은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2의 구성을 나타내는 도면이다.
도 28은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 3의 구성을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 대략 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 최대한 생략한다.
[제 1 실시형태]
제 1 실시형태에 의한 송신 장치에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 송신 장치의 구성을 나타내는 도면이다. 도 1에 나타내는 바와 같이 송신 장치(1)는 전력 증폭 회로(11)와, RF 신호 생성 회로(16)와, 전송 선로(61, 62, 63, 및 64)를 구비한다. 전송 선로(61, 62, 63, 및 64)는, 예를 들면 동축 케이블 또는 마이크로스트립 라인이나 트리플레이트 선로이며, 특성 임피던스를 갖는다.
송신 장치(1)는, 예를 들면 이동체 통신기에 있어서 음성, 동영상, 및 데이터 등의 각종 신호를 기지국으로 송신하기 위해서 사용된다. 또한, 이동체 통신기는 기지국으로부터의 신호를 수신하기 위한 수신 장치도 구비하지만 수신 장치의 상세에 대해서는 생략한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 송신 장치가 송신하는 각 RF 신호의 밴드 구성의 일례를 나타낸 도면이다. 도 3은 도 2에 나타내는 밴드 구성을 모식적으로 나타낸 도면이다. 또한, 도 3에 있어서 횡축은 단위를 「㎒」로 하는 주파수를 나타낸다. 또한, 도 3에 있어서 「BN-X」(X는 1, 2, 3, 및 4 등의 정수)가 부착된 직사각형상의 프레임은 밴드 번호 X의 밴드의 주파수 범위를 나타내고 있다.
도 1~도 3에 나타내는 바와 같이 송신 장치(1)에 있어서의 RF 신호 생성 회로(16)는 제 1 주파수대에 속하는 제 1 신호와, 제 1 주파수대 또는 제 2 주파수대에 속하는 제 2 신호를 생성한다. 여기에서 제 2 주파수대는 제 1 주파수대와 상이하다. 바꿔 말하면, 제 2 주파수대는 제 1 주파수대와 겹치지 않는다. 또한, 제 1 주파수대와 제 2 주파수대는 서로 일부가 겹쳐도 좋다.
본 실시형태에서는 RF 신호 생성 회로(16)는 1695㎒부터 2025㎒까지의 미드 밴드(Mid Band)(제 1 주파수대)에 속하고, 또한 FDD(Frequency Division Duplex) 방식의 통신에 사용되는 입력 신호(RFin1)(제 1 신호)와, 미드 밴드 또는 2300㎒부터 2690㎒까지의 하이 밴드(High Band)(제 2 주파수대)에 속하고, 또한 TDD(Time Division Duplex) 방식의 통신에 사용되는 입력 신호(RFin2)(제 2 신호)를 생성한다.
미드 밴드는, 예를 들면 1920㎒부터 1980㎒까지의 밴드 번호 1의 밴드, 1850㎒부터 1910㎒까지의 밴드 번호 2의 밴드, 1910㎒부터 1930㎒까지의 밴드 번호 37의 밴드, 및 1880㎒부터 1920㎒까지의 밴드 번호 39의 밴드 등을 포함한다.
미드 밴드에 포함되는 밴드 중 밴드 번호 33, 34, 35, 36, 37, 및 39의 밴드는 TDD(Time Division Duplex) 방식의 통신에 사용된다(도 2 및 도 3 참조). 또한, 미드 밴드에 포함되는 밴드 중 밴드 번호 1, 2, 66, 및 70 등의 상기 이외의 밴드는 FDD(Frequency Division Duplex) 방식의 통신에 사용된다(도 2 및 도 3 참조).
TDD 방식의 통신에 있어서의 송신 전력은 FDD 방식의 통신에 있어서의 송신 전력에 비해 큰 경우가 많다. 본 실시형태에서는 TDD 방식의 통신에서는, 예를 들면 파워 클래스(PC: Power Class) 2의 송신 전력에 의해 RF 신호가 송신된다. 한편, FDD 방식의 통신에서는, 예를 들면 PC 3의 송신 전력에 의해 RF 신호가 송신된다. 여기에서 PC 2의 송신 전력 및 PC 3의 송신 전력은, 예를 들면 각각 26dBm의 안테나 출력 및 23dBm의 안테나 출력이다.
하이 밴드는, 예를 들면 2300㎒부터 2400㎒까지의 밴드 번호 40의 밴드 및 2496㎒부터 2690㎒까지의 밴드 번호 41의 밴드를 포함한다. 하이 밴드에 포함되는 밴드 번호 40 및 41의 밴드는 TDD 방식의 통신에 사용된다(도 2 및 도 3 참조).
이동체 통신기의 제어부(도시하지 않음)는, 예를 들면 상기 이동체 통신기가 사용되는 나라 및 상기 이동체 통신기의 통신처가 되는 통신 회선 사업자 등에 의거하여 상기 이동체 통신기가 사용해야 할 밴드 번호의 설정이 되어 있다. 제어부는 상기 설정에 의거하여 밴드 번호의 지정을 포함하는 제어 신호를 생성하고, 생성된 제어 신호를 RF 신호 생성 회로(16)로 출력한다.
RF 신호 생성 회로(16)는 이동체 통신기의 제어부로부터 받는 제어 신호에 의거하여 음성, 동영상, 및 데이터 등을 포함하는 송신 신호를 변조하고, 무선 송신을 행하기 위한 입력 신호(RFin1 및 RFin2)를 생성한다.
또한, RF 신호 생성 회로(16)는 생성된 입력 신호(RFin2)의 주파수에 관한 사항을 나타내는 밴드 정보를 전력 증폭 회로(11)로 출력한다.
본 실시형태에서는 RF 신호 생성 회로(16)는, 예를 들면 밴드 신호(Sb1)를 밴드 정보로서 전력 증폭 회로(11)로 출력한다. 여기에서 밴드 신호(Sb1)의 레벨은, 예를 들면 입력 신호(RFin2)가 하이 밴드에 속할 경우 하이 레벨이 되고, 입력 신호(RFin2)가 미드 밴드에 속할 경우 로우 레벨이 된다.
이것에 의해 전력 증폭 회로(11)에서는 입력 신호(RFin2)가 하이 밴드 및 미드 밴드 중 어느 하나에 속해 있는지에 따라 하이 밴드용의 회로 구성과 미드 밴드용의 회로 구성을 스위칭할 수 있다.
또한, RF 신호 생성 회로(16)가 하이 레벨 및 로우 레벨의 2값을 나타내는 밴드 신호(Sb1)를 전력 증폭 회로(11)로 출력하는 구성에 한정되지 않고, RF 신호 생성 회로(16)는 3개 이상의 값을 나타내는 밴드 신호(Sb1)를 전력 증폭 회로(11)로 출력하는 구성이어도 좋다. 이것에 의해 전력 증폭 회로(11)에서는 회로 구성을 3단계 이상으로 스위칭할 수 있다.
또한, RF 신호 생성 회로(16)는 입력 신호(RFin2)의 주파수를 나타내는 주파수 정보를 밴드 정보로서 전력 증폭 회로(11)로 출력해도 좋다. 이것에 의해 전력 증폭 회로(11)에서는 입력 신호(RFin2)의 주파수에 따라 회로 구성을 연속적으로 변경할 수 있다.
RF 신호 생성 회로(16)는 생성된 입력 신호(RFin1 및 RFin2)를 전송 선로(61 및 62)로 각각 공급한다.
전력 증폭 회로(11)는 RF 신호 생성 회로(16)로부터 출력되는 입력 신호(RFin1 및 RFin2)를 각각 전송 선로(61 및 62)를 통해서 받고, 입력 신호(RFin1 및 RFin2)를 기지국에 송신하기 위해서 필요한 레벨까지 증폭한다.
전력 증폭 회로(11)는 입력 신호(RFin1)를 증폭한 출력 신호(RFout1)를 전송 선로(63)로 공급한다. 또한, 전력 증폭 회로(11)는 입력 신호(RFin2)를 증폭한 출력 신호(RFout2)를 전송 선로(64)로 공급한다. 출력 신호(RFout1 및 RFout2)는, 예를 들면 각각 전송 선로(63 및 64)를 통해서 프런트 엔드부 및 안테나(도시하지 않음)로 전송되고, 상기 안테나를 통해서 기지국으로 송신된다. 또한, 프런트 엔드부의 상세에 대해서는 후술한다.
제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 기본예에 대해서 설명한다. 도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 기본예의 구성을 나타내는 도면이다. 도 4에 나타내는 바와 같이 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(11)의 기본예(이하, 전력 증폭 회로(11A)라고 칭하는 경우가 있다)는 소전력 MB(mid-band) 증폭 회로(102)(제 1 증폭 회로)와, 고정 조정 회로(103)와, 대전력 광대역 증폭 회로(202)(제 2 증폭 회로)와, 제 1 가변 조정 회로(203)를 구비한다.
RF 신호 입력 단자(31)는 전송 선로(61)를 통해서 입력 신호(RFin1)가 공급된다. RF 신호 입력 단자(32)는 전송 선로(62)를 통해서 입력 신호(RFin2)가 공급된다. RF 신호 출력 단자(36 및 37)는 각각 전송 선로(63 및 64)에 접속된다. 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 각각 반도체 칩(21 및 22)에 형성된다.
소전력 MB 증폭 회로(102)는 RF 신호 입력 단자(31)를 통해서 공급되는 입력 신호(RFin1)를 증폭하고, 제 1 전력을 갖는 증폭 신호(RF3p 및 RF3m)(제 1 증폭 신호)를 생성한다. 본 실시형태에서는 소전력 MB 증폭 회로(102)는 PC 3의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(RFin1)를 증폭하는 회로이며, 미드 밴드에 속하는 신호를 증폭 대상으로 한다. 소전력 MB 증폭 회로(102)는 생성된 증폭 신호(RF3p 및 RF3m)를 고정 조정 회로(103)로 출력한다.
고정 조정 회로(103)는 소전력 MB 증폭 회로(102)로부터 전송 선로(63)를 보았을 때의 임피던스를 조정한다. 바꿔 말하면, 고정 조정 회로(103)는 소전력 MB 증폭 회로(102)와 전송 선로(63) 사이의 임피던스를 정합한다. 본 발명의 몇 가지의 실시형태에 있어서의 조정 회로란 임피던스 정합 회로의 역할과 증폭 회로의 증폭하는 신호의 주파수의 정수배(예를 들면, 2배 이상)의 고조파 성분을 감쇠시키는 역할을 갖고 있다.
대전력 광대역 증폭 회로(202)는 RF 신호 입력 단자(32)를 통해서 공급되는 입력 신호(RFin2)를 증폭하고, 제 1 전력보다 큰 제 2 전력을 갖는 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)(제 2 증폭 신호)를 생성한다. 본 실시형태에서는 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(RFin2)를 증폭하는 회로이며, 미드 밴드 또는 하이 밴드에 속하는 신호를 증폭 대상으로 한다. 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 생성된 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)를 제 1 가변 조정 회로(203)로 출력한다.
제 1 가변 조정 회로(203)는 대전력 광대역 증폭 회로(202)와 대전력 광대역 증폭 회로(202)의 후단의 회로(제 1 회로) 사이에 형성된다. 본 실시형태에서는 대전력 광대역 증폭 회로(202)의 후단의 회로는, 예를 들면 전송 선로(64)이다. 제 1 가변 조정 회로(203)는 대전력 광대역 증폭 회로(202)로부터 전송 선로(64)를 보았을 때의 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성된다. 바꿔 말하면, 제 1 가변 조정 회로(203)는 대전력 광대역 증폭 회로(202)와 전송 선로(64) 사이의 임피던스를 정합한다.
도 4에 나타내는 전력 증폭 회로(11A)에 있어서의 대전력 광대역 증폭 회로(202) 및 소전력 MB 증폭 회로(102)에 대해서 상세하게 설명한다. 도 5는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 대전력 광대역 증폭 회로 및 소전력 MB 증폭 회로의 일례를 나타내는 회로도이다. 대전력 광대역 증폭 회로(202) 및 소전력 MB 증폭 회로(102)는 마찬가지의 회로 구성을 갖기 때문에 여기에서는 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 대해서 대표적으로 설명하고, 소전력 MB 증폭 회로(102)에 대한 설명을 최대한 생략한다.
도 5에 나타내는 바와 같이 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 드라이버단 싱글 증폭 회로(41)와, 단간 정합 회로(42)와, 파워단 차동 증폭 회로(43)를 포함한다. 드라이버단 싱글 증폭 회로(41)는 입력 정합 회로(41a)와, 증폭기(41b)와, 바이어스 회로(41c)를 포함한다. 파워단 차동 증폭 회로(43)는 증폭기(43a 및 43b)와, 바이어스 회로(43c)를 포함한다.
증폭기(41b, 43a, 및 43b)는, 예를 들면 헤테로 접합 바이폴러 트랜지스터(HBT: Heterojunction Bipolar Transistor) 등의 바이폴러 트랜지스터에 의해 구성된다. 또한, 증폭기(41b, 43a, 및 43b) 각각은 FET(Field Effect Transistor)에 의해 구성되어도 좋다. 이 경우 베이스를 게이트, 컬렉터를 드레인, 이미터를 소스로 대체하면 좋다.
바이어스 회로(41c)는 증폭기(41b)에 바이어스를 공급한다. 바이어스 회로(43c)는 증폭기(43a 및 43b)에 바이어스를 공급한다. 또한, 도시하고 있지 않지만 증폭기(41b)에는 전원 전압이 공급된다.
*41회로 입력 단자(33)는 전송 선로(62)에 접속되고, 전송 선로(62)를 통해서 입력 신호(RFin2)가 공급된다. 입력 정합 회로(41a)는 회로 입력 단자(33)에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖고, 전송 선로(62)와 증폭기(41b) 사이의 임피던스를 정합한다.
증폭기(41b)는 입력 정합 회로(41a)의 제 2 단에 접속된 입력 단자와 출력 단자를 갖는다. 증폭기(41b)는 입력 단자로부터 입력되는 입력 신호(RFin2)를 증폭하고, 증폭 신호(RFf)를 출력 단자로부터 출력한다.
단간 정합 회로(42)는 증폭기(41b)와 증폭기(43a 및 43b) 사이의 임피던스를 정합함과 아울러, 증폭기(41b)로부터 증폭 신호(RFf)가 입력되고, 증폭 신호(RFf)를 서로 위상이 상이한 증폭 신호(RFsp 및 RFsm)로 분배하는 전력 분배기로서 기능한다.
단간 정합 회로(42)는 트랜스(42a)를 포함한다. 트랜스(42a)는 1차측 권선(42b)과 2차측 권선(42c)을 갖는다.
1차측 권선(42b)은 증폭기(41b)의 출력 단자에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖는다. 2차측 권선(42c)은 증폭기(43a)에 접속된 제 1 단과, 바이어스 회로(43c)로부터 바이어스의 공급을 받는 중성점과, 증폭기(43b)에 접속된 제 2 단을 갖고, 1차측 권선(42b)과 전자계적으로 결합한다.
증폭기(41b)로부터 1차측 권선(42b)의 제 1 단에 증폭 신호(RFf)가 입력됨으로써 1차측 권선(42b)과 전자계적으로 결합한 2차측 권선(42c)의 제 1 단 및 제 2 단에 있어서 증폭 신호(RFsp 및 RFsm)가 각각 생성된다. 증폭 신호(RFsp)와 증폭 신호(RFsm)의 위상차는 약 180°가 된다. 또한, 회로의 배선 길이의 불균일 등에 따라서는 위상차는 180°로부터 어긋나는 경우도 있다.
증폭기(43a)는 2차측 권선(42c)의 제 1 단에 접속된 입력 단자와 회로 출력 단자(34p)에 접속된 출력 단자를 갖는다. 증폭기(43a)는 입력 단자로부터 입력되는 증폭 신호(RFsp)를 증폭하고, 증폭 신호(RF4p)를 출력 단자로부터 회로 출력 단자(34p)로 출력한다.
증폭기(43b)는 2차측 권선(42c)의 제 2 단에 접속된 입력 단자와 회로 출력 단자(34m)에 접속된 출력 단자를 갖는다. 증폭기(43b)는 입력 단자로부터 입력되는 증폭 신호(RFsm)를 증폭하고, 증폭 신호(RF4m)를 출력 단자로부터 회로 출력 단자(34m)로 출력한다.
또한, 소전력 MB 증폭 회로(102)의 경우에는 회로 입력 단자(33)는 전송 선로(61)를 통해서 입력 신호(RFin1)가 공급된다. 입력 정합 회로(41a)는 전송 선로(61)와 증폭기(41b) 사이의 임피던스를 정합한다.
증폭기(41b)는 입력 단자로부터 입력되는 입력 신호(RFin1)를 증폭하고, 증폭 신호(RFf)를 출력 단자로부터 출력한다.
증폭기(43a)는 입력 단자로부터 입력되는 증폭 신호(RFsp)를 증폭하고, 증폭 신호(RF3p)를 출력 단자로부터 회로 출력 단자(34p)로 출력한다. 증폭기(43b)는 입력 단자로부터 입력되는 증폭 신호(RFsm)를 증폭하고, 증폭 신호(RF3m)를 출력 단자로부터 회로 출력 단자(34m)로 출력한다.
또한, 본 실시형태에 의한 대전력 광대역 증폭 회로(202) 및 소전력 MB 증폭 회로(102)는 드라이버단의 증폭 회로와 파워단의 증폭 회로의 2단의 증폭 회로에서 입력 신호를 증폭하는 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 대전력 광대역 증폭 회로(202) 및 소전력 MB 증폭 회로(102)는 1단의 증폭 회로에서 입력 신호를 증폭하는 구성이어도 좋고, 3단 이상의 증폭 회로에서 입력 신호를 증폭하는 구성이어도 좋다.
또한, 본 실시형태에 의한 대전력 광대역 증폭 회로(202) 및 소전력 MB 증폭 회로(102)에서는 드라이버단 싱글 증폭 회로(41)가 싱글 엔드 신호를 증폭하는 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 드라이버단 싱글 증폭 회로(41) 대신에 차동 증폭 회로를 형성함으로써 드라이버단도 평형 신호를 증폭하는 구성이어도 좋다. 이 경우 입력 정합 회로(41a)로서, 예를 들면 트랜스를 설치함으로써 입력 정합 회로(41a)는 입력 신호(RFin1 또는 RFin2)를 평형 신호로 변환한다. 그리고 증폭기(41b)를 2개 병렬로 설치함으로써 평형 신호를 구성하는 2개의 신호가 각각 증폭된다. 증폭 후의 상기 2개의 신호는, 예를 들면 합성기에 의해 싱글 엔드 신호로 변환되어 단간 정합 회로(42)에 공급된다. 또한, 증폭 후의 상기 2개의 신호가 합성기에 의해 싱글 엔드 신호로 변환된 후 단간 정합 회로(42)에 있어서의 트랜스(42a)에 의해 다시 평형 신호로 변환되는 구성에 한정되지 않고, 상기 2개의 신호는 평형 신호인 채 각각 정합 회로를 통해서 증폭기(43a 및 43b)에 공급되는 구성이어도 좋다.
도 4에 나타내는 전력 증폭 회로(11A)에 있어서의 제 1 가변 조정 회로(203)에 대해서 상세하게 설명한다. 도 6은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 제 1 가변 조정 회로의 기본예를 나타내는 회로도이다.
도 6에 나타내는 바와 같이 제 1 가변 조정 회로(203)의 기본예(이하, 제 1 가변 조정 회로(203A)라고 칭하는 경우가 있다)는 광대역 정합 회로(301)(기본파 가변 조정 회로)와 종단 회로(402)를 포함한다. 회로 입력 단자(35p)는 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 있어서의 회로 출력 단자(34p)에 접속되고, 증폭 신호(RF4p)가 공급된다(도 5 참조). 회로 입력 단자(35m)는 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 있어서의 회로 출력 단자(34m)에 접속되고, 증폭 신호(RF4m)가 공급된다(도 5 참조). RF 신호 출력 단자(37)는 전송 선로(64)에 접속된다.
종단 회로(402)는 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)의 고조파를 감쇠시킨다. 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)는 종단 회로(402)를 통해서 광대역 정합 회로(301)로 전송된다. 본 실시형태에서는 종단 회로(402)는, 예를 들면 LC 직렬 회로이며, 인덕터(411a)와 커패시터(411b)를 포함한다.
인덕터(411a)는 회로 입력 단자(35p)에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 커패시터(411b)는 인덕터(411a)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과 회로 입력 단자(35m)에 접속된 제 2 단을 갖는다. 또한, 인덕터(411a) 및 커패시터(411b)는 서로 교체해서 접속되는 구성이어도 좋다.
광대역 정합 회로(301)는 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)의 기본파의 주파수에 대한 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성된다. 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)는 광대역 정합 회로(301)에 의해 합성되어 출력 신호(RFout2)로 변환된다. 출력 신호(RFout2)는 전송 선로(64)로 전송된다.
본 실시형태에서는 광대역 정합 회로(301)는 트랜스(311)와, 커패시터(312)와, 인덕터(313, 314, 및 315a)와, 스위치(315b)를 포함한다. 트랜스(311)는 1차측 권선(311a)과 2차측 권선(311b)을 갖는다.
트랜스(311)는 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)를 합성하고, 입력 신호(RFin2)의 증폭 신호인 출력 신호(RFout2)를 생성하는 전력 합성기로서 기능한다. 트랜스(311)의 1차측 권선(311a)은 회로 입력 단자(35p) 및 인덕터(411a)의 제 1 단에 접속된 제 1 단과, 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 있어서의 증폭기(43a 및 43b)로의 전압 공급 노드(VCC1)에 접속된 중성점과, 회로 입력 단자(35m) 및 커패시터(411b)의 제 2 단에 접속된 제 2 단을 갖는다. 2차측 권선(311b)은 커패시터(312)에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖고, 1차측 권선(311a)과 전자계적으로 결합한다.
커패시터(312)는 2차측 권선(311b)의 제 1 단에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 인덕터(314)는 커패시터(312)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과 RF 신호 출력 단자(37)에 접속된 제 2 단을 갖는다. 또한, 본 실시형태에서는 광대역 정합 회로(301)가 커패시터(312)를 포함해서 구성되어 있지만 광대역 정합 회로(301)는 커패시터(312)를 포함하지 않는 구성이어도 좋다.
인덕터(313)는 커패시터(312)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖는다.
스위치(315b)는 커패시터(312)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 인덕터(315a)는 스위치(315b)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖는다.
스위치(315b)는 광대역 정합 회로(301)의 고주파 정합 상태와 저주파 정합 상태를 스위칭한다. 여기에서 고주파 정합 상태에서는 하이 밴드에 속하는 입력 신호(RFin2)의 기본파의 주파수에 대한 제 1 임피던스가 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 있어서의 증폭기(43a 및 43b)가 효율 좋게 동작하는 것 같은 임피던스로 되어 있다. 저주파 정합 상태에서는 미드 밴드에 속하는 입력 신호(RFin2)의 기본파의 주파수에 대한 제 1 임피던스가 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 있어서의 증폭기(43a 및 43b)가 효율 좋게 동작하는 것 같은 임피던스로 되어 있다.
바꿔 말하면, 고주파 정합 상태에서는 하이 밴드에 속하는 입력 신호(RFin2)의 기본파의 주파수에 대해서 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 있어서의 증폭기(43a 및 43b)와 전송 선로(64) 사이의 임피던스가 정합되어 있다. 한편, 저주파 정합 상태에서는 미드 밴드에 속하는 입력 신호(RFin2)의 기본파의 주파수에 대해서 상기 임피던스가 정합되어 있다.
본 실시형태에서는 스위치(315b)는 로우 레벨의 밴드 신호(Sb1)를 RF 신호 생성 회로(16)로부터 받으면 자기의 제 1 단 및 제 2 단을 전기적으로 절연해서 오프 상태가 된다. 이때 광대역 정합 회로(301)는 저주파 정합 상태로 천이한다. 한편, 스위치(315b)는 하이 레벨의 밴드 신호(Sb1)를 RF 신호 생성 회로(16)로부터 받으면 자기의 제 1 단 및 제 2 단을 전기적으로 접속해서 온 상태가 된다. 이때 광대역 정합 회로(301)는 고주파 정합 상태로 천이한다.
또한, 스위치(315b)가 온 상태일 때에 광대역 정합 회로(301)가 저주파 정합 상태로 천이하고, 스위치(315b)가 오프 상태일 때에 광대역 정합 회로(301)가 고주파 정합 상태로 천이해도 좋다.
또한, 광대역 정합 회로(301) 및 종단 회로(402)는 일례이며, 광대역 정합 회로(301) 및 종단 회로(402)의 회로 구성은 다른 회로 구성이어도 좋다.
또한, 광대역 정합 회로(301)에서는 스위치(315b)에 의해 저주파 정합 상태와 고주파 정합 상태가 스위칭되는 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 광대역 정합 회로(301)는, 예를 들면 3개 이상의 값을 나타내는 밴드 신호(Sb1)를 받는 구성에 있어서 2개 이상의 스위치를 포함하는 구성이어도 좋다. 이 경우 밴드 신호(Sb1)에 의거하여 2개 이상의 스위치를 스위칭함으로써 3개 이상의 정합 상태 간의 스위칭을 할 수 있다. 또한, 광대역 정합 회로(301)에는 인덕터(315a)에 직렬 접속된 커패시터가 더 설치되어 있어도 좋다. 인덕터(315a)와 상기 커패시터를 포함한 LC 공진 회로는 대전력 광대역 증폭 회로(202)로부터 출력된 노이즈원(예를 들면, 고조파나 노이즈)이나 외부로부터 들어오는 노이즈 신호를 감쇠시킨다. 스위치(315b)는 송신 전력의 파워 클래스에 따라 온 상태와 오프 상태가 스위칭되고, 예를 들면 파워 클래스 1.5 또는 2에서는 온 상태가 되고, 파워 클래스 3에서는 오프 상태가 된다.
또한, 광대역 정합 회로(301)는, 예를 들면 입력 신호(RFin2)의 주파수를 나타내는 주파수 정보를 밴드 정보로서 받는 구성에 있어서 용량을 변경 가능한 가변 커패시터 및 인덕턴스를 변경 가능한 가변 인덕터 중 적어도 일방 포함하는 구성이어도 좋다. 이 경우 주파수 정보에 의거하여 가변 커패시터의 용량 및 가변 인덕터의 인덕턴스를 조정함으로써 입력 신호(RFin2)의 주파수에 따라 정합 상태를 연속적으로 변화시킬 수 있다.
또한, 제 1 가변 조정 회로(203)가 대전력 광대역 증폭 회로(202)와 전송 선로(64) 사이의 임피던스를 정합하는 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 제 1 가변 조정 회로(203)는 대전력 광대역 증폭 회로(202)와 프런트 엔드부 또는 안테나 사이의 임피던스를 정합하는 구성이어도 좋다.
또한, 광대역 정합 회로(301)의 회로 구성은 커패시터(312) 대신에 인덕터를 설치함과 아울러, 인덕터(315a 및 313) 대신에 2개의 커패시터를 각각 설치하는 구성이어도 좋다.
도 4에 나타내는 전력 증폭 회로(11A)에 있어서의 제 1 가변 조정 회로(203)의 변형예에 대해서 설명한다. 변형예의 설명에서는 기본예와 공통된 사항에 대한 기술을 생략하고, 상이한 점에 대해서만 설명한다. 특히, 마찬가지의 구성에 의한 마찬가지의 작용 효과에 대해서는 변형예마다는 축차 언급하지 않는다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 제 1 가변 조정 회로의 변형예를 나타내는 회로도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이 제 1 가변 조정 회로(203)의 변형예(이하, 제 1 가변 조정 회로(203B)라고 칭하는 경우가 있다)는 종단 회로에 스위치가 설치되는 한편, 정합 회로에 스위치가 설치되지 않는 점에서 도 6에 나타내는 제 1 가변 조정 회로(203A)와 상이하다.
본 변형예에서는 제 1 가변 조정 회로(203B)는 정합 회로(302)와, 광대역 종단 회로(401)(고조파 가변 조정 회로)를 포함한다.
광대역 종단 회로(401)는 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)의 고조파의 주파수에 대한 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성된다. 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)는 광대역 종단 회로(401)를 통해서 정합 회로(302)로 전송된다.
본 변형예에서는 광대역 종단 회로(401)는 인덕터(411a)와, 커패시터(411b 및 412b)와, 스위치(412a)를 포함한다.
인덕터(411a)는 회로 입력 단자(35p)에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 커패시터(411b)는 인덕터(411a)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과 회로 입력 단자(35m)에 접속된 제 2 단을 갖는다.
스위치(412a)는 인덕터(411a)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 커패시터(412b)는 스위치(412a)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과 회로 입력 단자(35m) 및 커패시터(411b)의 제 2 단에 접속된 제 2 단을 갖는다.
스위치(412a)는 광대역 종단 회로(401)의 고주파 감쇠 상태와 저주파 감쇠 상태를 스위칭한다. 여기에서 고주파 감쇠 상태에서는 하이 밴드에 속하는 입력 신호(RFin2)의 고조파의 주파수에 대한 제 1 임피던스가 상기 고조파가 감쇠하는 것 같은 임피던스로 되어 있다. 저주파 감쇠 상태에서는 미드 밴드에 속하는 입력 신호(RFin2)의 고조파의 주파수에 대한 제 1 임피던스가 상기 고조파가 감쇠하는 것 같은 임피던스로 되어 있다.
본 변형예에서는 스위치(412a)는 로우 레벨의 밴드 신호(Sb1)를 RF 신호 생성 회로(16)로부터 받으면 자기의 제 1 단 및 제 2 단을 전기적으로 접속해서 온 상태가 된다. 이때 광대역 종단 회로(401)는 저주파 감쇠 상태로 천이한다. 한편, 스위치(412a)는 하이 레벨의 밴드 신호(Sb1)를 RF 신호 생성 회로(16)로부터 받으면 자기의 제 1 단 및 제 2 단을 전기적으로 절연해서 오프 상태가 된다. 이때 광대역 종단 회로(401)는 고주파 감쇠 상태로 천이한다.
또한, 스위치(412a)가 오프 상태일 때에 광대역 종단 회로(401)가 저주파 감쇠 상태로 천이하고, 스위치(412a)가 온 상태일 때에 광대역 종단 회로(401)가 고주파 감쇠 상태로 천이해도 좋다. 또한, 인덕터(411a), 커패시터(411b), 및 커패시터(412b)는 대전력 광대역 증폭 회로(202)로부터 출력된 노이즈원(예를 들면, 고조파 등)을 감쇠시키는 LC 공진 회로이어도 좋다. 스위치(412a)는 송신 전력의 파워 클래스에 따라 온 상태와 오프 상태가 스위칭되고, 예를 들면 파워 클래스 1.5 또는 2에서는 온 상태가 되고, 파워 클래스 3에서는 오프 상태가 된다.
정합 회로(302)는 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 있어서의 증폭기(43a 및 43b)와 전송 선로(64) 사이의 임피던스를 정합한다. 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)는 정합 회로(302)에 의해 합성되어 출력 신호(RFout2)로 변환된다. 출력 신호(RFout2)는 전송 선로(64)로 전송된다.
본 변형예에서는 정합 회로(302)는 트랜스(311)와, 커패시터(312)와, 인덕터(313 및 314)를 포함한다. 트랜스(311)는 1차측 권선(311a)과 2차측 권선(311b)을 갖는다. 또한, 본 변형예에서는 정합 회로(302)가 커패시터(312)를 포함해서 구성되어 있지만 정합 회로(302)는 커패시터(312)를 포함하지 않는 구성이어도 좋다.
트랜스(311)의 1차측 권선(311a)은 회로 입력 단자(35p) 및 인덕터(411a)의 제 1 단에 접속된 제 1 단과, 전압 공급 노드(VCC1)에 접속된 중성점과, 회로 입력 단자(35m), 커패시터(411b)의 제 2 단, 및 커패시터(412b)의 제 2 단에 접속된 제 2 단을 갖는다. 2차측 권선(311b)은 커패시터(312)에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖고, 1차측 권선(311a)과 전자계적으로 결합한다.
커패시터(312)는 2차측 권선(311b)의 제 1 단에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 인덕터(314)는 커패시터(312)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과 RF 신호 출력 단자(37)에 접속된 제 2 단을 갖는다.
인덕터(313)는 커패시터(312)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖는다.
또한, 정합 회로(302) 및 광대역 종단 회로(401)는 일례이며, 정합 회로(302) 및 광대역 종단 회로(401)의 회로 구성은 다른 회로 구성이어도 좋다.
또한, 광대역 종단 회로(401)에서는 스위치(412a)에 의해 저주파 감쇠 상태와 고주파 감쇠 상태가 스위칭되는 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 광대역 종단 회로(401)는, 예를 들면 3개 이상의 값을 나타내는 밴드 신호(Sb1)를 받는 구성에 있어서 2개 이상의 스위치를 포함하는 구성이어도 좋다. 이 경우 밴드 신호(Sb1)에 의거하여 2개 이상의 스위치를 스위칭함으로써 3개 이상의 감쇠 상태 간의 스위칭을 할 수 있다.
또한, 광대역 종단 회로(401)는, 예를 들면 입력 신호(RFin2)의 주파수를 나타내는 주파수 정보를 밴드 정보로서 받는 구성에 있어서 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 일방을 포함하는 구성이어도 좋다. 이 경우 주파수 정보에 의거하여 가변 커패시터의 용량 및 가변 인덕터의 인덕턴스를 조정함으로써 입력 신호(RFin2)의 주파수에 따라 감쇠 상태를 연속적으로 변화시킬 수 있다.
또한, 제 1 가변 조정 회로(203B)는 정합 회로(302) 대신에 도 6에 나타내는 광대역 정합 회로(301)를 포함하는 구성이어도 좋다.
도 4에 나타내는 전력 증폭 회로(11A)에 있어서의 고정 조정 회로(103)에 대해서 상세하게 설명한다. 도 8은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고정 조정 회로의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 8에 나타내는 바와 같이 고정 조정 회로(103)는 정합 회로(302)와 종단 회로(402)를 포함한다. 회로 입력 단자(35p)는 소전력 MB 증폭 회로(102)에 있어서의 회로 출력 단자(34p)에 접속되고, 증폭 신호(RF3p)가 공급된다(도 5 참조). 회로 입력 단자(35m)는 소전력 MB 증폭 회로(102)에 있어서의 회로 출력 단자(34m)에 접속되고, 증폭 신호(RF3m)가 공급된다(도 5 참조).
종단 회로(402)는 증폭 신호(RF3p 및 RF3m)의 고조파를 감쇠시킨다. 증폭 신호(RF3p 및 RF3m)는 종단 회로(402)를 통해서 정합 회로(302)로 전송된다.
정합 회로(302)는 소전력 MB 증폭 회로(102)에 있어서의 증폭기(43a 및 43b)와 전송 선로(63) 사이의 임피던스를 정합한다. 증폭 신호(RF3p 및 RF3m)는 정합 회로(302)에 의해 합성되어 출력 신호(RFout1)로 변환된다. 출력 신호(RFout1)는 전송 선로(63)로 전송된다.
또한, 전력 증폭 회로(11A)가 입력 신호(RFin1)를 PC 3의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 증폭하고, 입력 신호(RFin2)를 PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 증폭하는 구성에 대해서 설명했지만 전력 증폭 회로가 PC 1.5, PC 2, 및 PC 3 중 어느 1개의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호를 증폭하는 구성도 가능하다. 여기에서 PC 1.5의 송신 전력은, 예를 들면 29dBm의 안테나 출력이다.
도 9는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 기본예를 PC 1.5의 송신 전력에 의한 송신에 적용 가능하게 했을 경우에 있어서의 구성을 나타내는 도면이다. 도 9에 나타내는 바와 같이 전력 증폭 회로(11E)는 도 4에 나타내는 전력 증폭 회로(11A)에 비해 대전력 광대역 증폭 회로(202) 및 제 1 가변 조정 회로(203)의 세트(이하, 대전력 증폭 계통이라고 칭하는 경우가 있다)를 더 구비한다.
전력 증폭 회로(11E)에서는 2개의 대전력 증폭 계통이 병렬로 설치된다. 전송 선로(62A 및 62B)에는 2개로 분배된 증폭 대상의 입력 신호(RFin5)가 각각 공급된다.
2개의 대전력 증폭 계통 중 일방의 대전력 증폭 계통(이하, 제 1 대전력 증폭 계통이라고 칭하는 경우가 있다)은 입력측에 있어서 RF 신호 입력 단자(32A)를 통해서 전송 선로(62A)에 접속되고, 출력측에 있어서 RF 신호 출력 단자(37A)를 통해서 전송 선로(64A)에 접속된다.
2개의 대전력 증폭 계통 중 타방의 대전력 증폭 계통(이하, 제 2 대전력 증폭 계통이라고 칭하는 경우가 있다)은 입력측에 있어서 RF 신호 입력 단자(32B)를 통해서 전송 선로(62B)에 접속되고, 출력측에 있어서 RF 신호 출력 단자(37B)를 통해서 전송 선로(64B)에 접속된다.
제 1 대전력 증폭 계통은 전송 선로(62A)를 통해서 공급되는 입력 신호(RFin5)를 증폭하고, 증폭 신호인 출력 신호(RFout5)를 전송 선로(64A)로 공급한다. 제 2 대전력 증폭 계통은 전송 선로(62B)를 통해서 공급되는 입력 신호(RFin5)를 증폭하고, 증폭 신호인 출력 신호(RFout5)를 전송 선로(64B)로 공급한다.
전송 선로(64A 및 64B)에 각각 공급된 각 출력 신호(RFout5)는 후단의 회로에서 합성된다. 이것에 의해 입력 신호(RFin5)는 PC 1.5의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 증폭된다.
또한, 전력 증폭 회로(11E)에서는 전송 선로(61)를 통해서 입력 신호(RFin1)가 소전력 MB 증폭 회로(102)에 공급될 경우 전력 증폭 회로(11E)는 입력 신호(RFin1)를 PC 3의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 증폭할 수 있다. 또한, 전송 선로(62A 또는 62B)를 통해서 입력 신호(RFin2)가 제 1 대전력 증폭 계통 또는 제 2 대전력 증폭 계통에 공급될 경우 전력 증폭 회로(11E)는 입력 신호(RFin2)를 PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 증폭할 수 있다.
(전력 증폭 회로(11)의 변형예 1)
제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 1에 대해서 설명한다. 도 10은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 1의 구성을 나타내는 도면이다. 도 10에 나타내는 바와 같이 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(11)의 변형예 1(이하, 전력 증폭 회로(11B)라고 칭하는 경우가 있다)은 2개의 증폭 회로가 1개의 반도체 칩에 형성되는 점에서 도 4에 나타내는 전력 증폭 회로(11)의 기본예, 즉 전력 증폭 회로(11A)와 상이하다.
본 변형예에서는 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 반도체 칩(29)에 형성된다. 이와 같이 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202) 각각을 구성하는 소자를 동일한 기판에 형성하는 구성에 의해 이들 소자의 특성의 불균일을 억제할 수 있다. 또한, 예를 들면 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202)를 공통된 그라운드에 접속시킴으로써 반도체 칩(29)의 사이즈를 작게 하는 칩 슈링크를 실현할 수 있다.
(전력 증폭 회로(11)의 변형예 2)
제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2에 대해서 설명한다. 도 11은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2의 구성을 나타내는 도면이다. 도 11에 나타내는 바와 같이 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(11)의 변형예 2(이하, 전력 증폭 회로(11C)라고 칭하는 경우가 있다)는 증폭 회로가 싱글 방식에 의해 입력 신호를 증폭하는 점에서 도 4에 나타내는 전력 증폭 회로(11)의 기본예, 즉 전력 증폭 회로(11A)와 상이하다.
본 변형예에서는 전력 증폭 회로(11C)는 소전력 MB 증폭 회로(112)(제 1 증폭 회로)와, 고정 조정 회로(113)와, 대전력 광대역 증폭 회로(212)(제 2 증폭 회로)와, 제 1 가변 조정 회로(213)를 구비한다. 소전력 MB 증폭 회로(112) 및 대전력 광대역 증폭 회로(212)는 각각 반도체 칩(21 및 22)에 형성된다.
소전력 MB 증폭 회로(112)는 RF 신호 입력 단자(31)를 통해서 공급되는 미드 밴드의 입력 신호(RFin1)를 증폭하고, 제 1 전력을 갖는 증폭 신호(RF3)(제 1 증폭 신호)를 생성한다. 본 변형예에서는 소전력 MB 증폭 회로(112)는 PC 3의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(RFin1)를 증폭하는 회로이며, 미드 밴드에 속하는 신호를 증폭 대상으로 한다. 소전력 MB 증폭 회로(112)는 생성된 증폭 신호(RF3)를 고정 조정 회로(113)로 출력한다.
고정 조정 회로(113)는 소전력 MB 증폭 회로(112)로부터 전송 선로(63)를 보았을 때의 임피던스를 조정한다. 바꿔 말하면, 고정 조정 회로(113)는 소전력 MB 증폭 회로(112)와 전송 선로(63) 사이의 임피던스를 정합한다.
대전력 광대역 증폭 회로(212)는 RF 신호 입력 단자(32)를 통해서 공급되는 미드 밴드 또는 하이 밴드의 입력 신호(RFin2)를 증폭하고, 제 2 전력을 갖는 증폭 신호(RF4)(제 2 증폭 신호)를 생성한다. 본 변형예에서는 대전력 광대역 증폭 회로(212)는 PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(RFin2)를 증폭하는 회로이며, 미드 밴드 또는 하이 밴드에 속하는 신호를 증폭 대상으로 한다. 대전력 광대역 증폭 회로(212)는 생성된 증폭 신호(RF4)를 제 1 가변 조정 회로(213)로 출력한다.
제 1 가변 조정 회로(213)는 대전력 광대역 증폭 회로(212)로부터 전송 선로(64)를 보았을 때의 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성된다.
도 11에 나타내는 전력 증폭 회로(11C)에 있어서의 대전력 광대역 증폭 회로(212) 및 소전력 MB 증폭 회로(112)에 대해서 상세하게 설명한다. 도 12는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2에 있어서의 대전력 광대역 증폭 회로 및 소전력 MB 증폭 회로의 일례를 나타내는 회로도이다. 대전력 광대역 증폭 회로(212) 및 소전력 MB 증폭 회로(112)는 마찬가지의 회로 구성을 갖기 때문에 여기에서는 대전력 광대역 증폭 회로(212)에 대해서 대표적으로 설명하고, 소전력 MB 증폭 회로(112)에 대한 설명을 최대한 생략한다.
도 12에 나타내는 바와 같이 대전력 광대역 증폭 회로(212)는 드라이버단 싱글 증폭 회로(41)와, 단간 정합 회로(44)와, 파워단 싱글 증폭 회로(45)를 포함한다. 드라이버단 싱글 증폭 회로(41)는 도 5에 나타내는 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 있어서의 드라이버단 싱글 증폭 회로(41)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는다. 파워단 싱글 증폭 회로(45)는 증폭기(45a)와, 바이어스 회로(45b)를 포함한다.
증폭기(45a)는, 예를 들면 HBT 등의 바이폴러 트랜지스터에 의해 구성된다. 또한, 증폭기(45a)는 FET에 의해 구성되어도 좋다. 바이어스 회로(45b)는 증폭기(45a)에 바이어스를 공급한다. 또한, 도시하고 있지 않지만 증폭기(45a)에는 전원 전압이 공급된다.
회로 입력 단자(33)는 전송 선로(62)를 통해서 입력 신호(RFin2)가 공급된다. 단간 정합 회로(44)는, 예를 들면 커패시터 및 인덕터의 조합에 의해 구성되고, 증폭기(41b)의 출력 단자에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 단간 정합 회로(44)는 증폭기(41b)와 증폭기(45a) 사이의 임피던스를 정합한다.
증폭기(45a)는 단간 정합 회로(44)의 제 2 단에 접속된 입력 단자와 회로 출력 단자(34)에 접속된 출력 단자를 갖는다. 증폭기(45a)는 입력 단자로부터 입력되는 증폭 신호(RFf)를 증폭하고, 증폭 신호(RF4)를 출력 단자로부터 회로 출력 단자(34)로 출력한다.
또한, 소전력 MB 증폭 회로(112)의 경우 회로 입력 단자(33)는 전송 선로(61)를 통해서 입력 신호(RFin1)가 공급된다. 증폭기(41b)는 입력 단자로부터 입력되는 입력 신호(RFin1)를 증폭하고, 증폭 신호(RFf)를 출력 단자로부터 출력한다.
증폭기(45a)는 입력 단자로부터 입력되는 증폭 신호(RFf)를 증폭하고, 증폭 신호(RF3)를 출력 단자로부터 회로 출력 단자(34)로 출력한다.
또한, 본 변형예에 의한 대전력 광대역 증폭 회로(212) 및 소전력 MB 증폭 회로(112)는 드라이버단의 증폭 회로와 파워단의 증폭 회로의 2단의 증폭 회로에서 입력 신호를 증폭하는 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 대전력 광대역 증폭 회로(212) 및 소전력 MB 증폭 회로(112)는 1단의 증폭 회로에서 입력 신호를 증폭하는 구성이어도 좋고, 3단 이상의 증폭 회로에서 입력 신호를 증폭하는 구성이어도 좋다.
도 11에 나타내는 전력 증폭 회로(11C)에 있어서의 제 1 가변 조정 회로(213)에 대해서 상세하게 설명한다. 도 13은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2에 있어서의 제 1 가변 조정 회로의 기본예를 나타내는 회로도이다.
도 13에 나타내는 바와 같이 제 1 가변 조정 회로(213)의 기본예(이하, 제 1 가변 조정 회로(213A)라고 칭하는 경우가 있다)는 광대역 정합 회로(306)(기본파 가변 조정 회로)와 종단 회로(407)를 포함한다. 회로 입력 단자(35)는 대전력 광대역 증폭 회로(212)에 있어서의 회로 출력 단자(34)에 접속되고, 증폭 신호(RF4)가 공급된다(도 12 참조).
종단 회로(407)는 증폭 신호(RF4)의 고조파를 감쇠시킨다. 증폭 신호(RF4)는 종단 회로(407)를 통해서 광대역 정합 회로(306)로 전송된다. 본 기본예에서는 종단 회로(407)는, 예를 들면 LC 직렬 회로이며, 인덕터(421a)와 커패시터(421b)를 포함한다.
인덕터(421a)는 회로 입력 단자(35)에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 커패시터(421b)는 인덕터(421a)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖는다.
광대역 정합 회로(306)는 증폭 신호(RF4)의 기본파의 주파수에 대한 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성된다. 증폭 신호(RF4)는 광대역 정합 회로(306)를 통해서 출력 신호(RFout2)로 변환되어 전송 선로(64)로 전송된다.
본 기본예에서는 광대역 정합 회로(306)는, 예를 들면 인덕터(321 및 323)와, 커패시터(322, 324a, 325, 및 326)와, 스위치(324b)를 포함한다.
인덕터(321)는 회로 입력 단자(35) 및 인덕터(421a)의 제 1 단에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 커패시터(322)는 인덕터(321)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖는다.
인덕터(323)는 인덕터(321)의 제 2 단 및 커패시터(322)의 제 1 단에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 커패시터(326)는 인덕터(323)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과 RF 신호 출력 단자(37)에 접속된 제 2 단을 갖는다.
커패시터(325)는 인덕터(323)의 제 2 단 및 커패시터(326)의 제 1 단에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖는다.
스위치(324b)는 인덕터(323)의 제 2 단 및 커패시터(326)의 제 1 단에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 커패시터(324a)는 스위치(324b)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖는다.
스위치(324b)는 광대역 정합 회로(306)의 고주파 정합 상태와 저주파 정합 상태를 스위칭한다. 스위치(324b)는 로우 레벨의 밴드 신호(Sb1)를 RF 신호 생성 회로(16)로부터 받으면 자기의 제 1 단 및 제 2 단을 전기적으로 접속해서 온 상태가 된다. 이때 광대역 정합 회로(306)는 저주파 정합 상태로 천이한다. 한편, 스위치(324b)는 하이 레벨의 밴드 신호(Sb1)를 RF 신호 생성 회로(16)로부터 받으면 자기의 제 1 단 및 제 2 단을 전기적으로 절연해서 오프 상태가 된다. 이때 광대역 정합 회로(306)는 고주파 정합 상태로 천이한다.
또한, 스위치(324b)가 오프 상태일 때에 광대역 정합 회로(306)가 저주파 정합 상태로 천이하고, 스위치(324b)가 온 상태일 때에 광대역 정합 회로(306)가 고주파 정합 상태로 천이해도 좋다. 또한, 광대역 정합 회로(306)에는 커패시터(324a)에 직렬 접속된 인덕터가 더 설치되어 있어도 좋다. 커패시터(324a)와 상기 인덕터를 포함한 LC 공진 회로는 대전력 광대역 증폭 회로(212)로부터 출력된 노이즈원(예를 들면, 고조파나 노이즈)이나 외부로부터 들어오는 노이즈 신호를 감쇠시킨다. 스위치(324b)는 송신 전력의 파워 클래스에 따라 온 상태와 오프 상태가 스위칭되고, 예를 들면 파워 클래스 1.5 또는 2에서는 온 상태가 되고, 파워 클래스 3에서는 오프 상태가 된다.
또한, 광대역 정합 회로(306) 및 종단 회로(407)는 일례이며, 광대역 정합 회로(306) 및 종단 회로(407)의 회로 구성은 다른 회로 구성이어도 좋다.
또한, 광대역 정합 회로(306)는, 예를 들면 3개 이상의 값을 나타내는 밴드 신호(Sb1)를 받는 구성에 있어서 2개 이상의 스위치를 포함하는 구성이어도 좋다. 이 경우 밴드 신호(Sb1)에 의거하여 2개 이상의 스위치를 스위칭함으로써 3개 이상의 정합 상태 간의 스위칭을 할 수 있다.
또한, 광대역 정합 회로(306)는, 예를 들면 입력 신호(RFin2)의 주파수를 나타내는 주파수 정보를 밴드 정보로서 받는 구성에 있어서 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 일방 포함하는 구성이어도 좋다. 이 경우 주파수 정보에 의거하여 가변 커패시터의 용량 및 가변 인덕터의 인덕턴스를 조정함으로써 입력 신호(RFin2)의 주파수에 따라 정합 상태를 연속적으로 변화시킬 수 있다.
도 11에 나타내는 전력 증폭 회로(11C)에 있어서의 제 1 가변 조정 회로(213)의 변형예에 대해서 설명한다. 도 14는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2에 있어서의 제 1 가변 조정 회로의 변형예를 나타내는 회로도이다. 도 14에 나타내는 바와 같이 제 1 가변 조정 회로(213)의 변형예(이하, 제 1 가변 조정 회로(213B)라고 칭하는 경우가 있다)는 종단 회로에 스위치가 설치되는 한편, 정합 회로에 스위치가 설치되어 있지 않은 점에서 도 13에 나타내는 제 1 가변 조정 회로(213A)와 상이하다.
본 변형예에서는 제 1 가변 조정 회로(213B)는 정합 회로(307)와 광대역 종단 회로(406)(고조파 가변 조정 회로)를 포함한다.
광대역 종단 회로(406)는 증폭 신호(RF4)의 고조파의 주파수에 대한 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성된다. 증폭 신호(RF4)는 광대역 종단 회로(406)를 통해서 정합 회로(307)로 전송된다.
본 변형예에서는 광대역 종단 회로(406)는 인덕터(421a)와, 커패시터(421b 및 422b)와, 스위치(422a)를 포함한다.
인덕터(421a)는 회로 입력 단자(35)에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 커패시터(421b)는 인덕터(421a)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖는다.
스위치(422a)는 인덕터(421a)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 커패시터(422b)는 스위치(422a)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖는다.
스위치(422a)는 광대역 종단 회로(406)의 고주파 감쇠 상태와 저주파 감쇠 상태를 스위칭한다. 스위치(422a)는 로우 레벨의 밴드 신호(Sb1)를 RF 신호 생성 회로(16)로부터 받으면 자기의 제 1 단 및 제 2 단을 전기적으로 접속해서 온 상태가 된다. 이때 광대역 종단 회로(406)는 저주파 감쇠 상태로 천이한다. 한편, 스위치(422a)는 하이 레벨의 밴드 신호(Sb1)를 RF 신호 생성 회로(16)로부터 받으면 자기의 제 1 단 및 제 2 단을 전기적으로 절연해서 오프 상태가 된다. 이때 광대역 종단 회로(406)는 고주파 감쇠 상태로 천이한다.
또한, 스위치(422a)가 오프 상태일 때에 광대역 종단 회로(406)가 저주파 감쇠 상태로 천이하고, 스위치(422a)가 온 상태일 때에 광대역 종단 회로(406)가 고주파 감쇠 상태로 천이해도 좋다. 또한, 인덕터(421a), 커패시터(421b), 및 커패시터(422b)는 대전력 광대역 증폭 회로(212)로부터 출력된 노이즈원(예를 들면, 고조파 등)을 감쇠시키는 LC 공진 회로이어도 좋다. 스위치(422a)는 송신 전력의 파워 클래스에 따라 온 상태와 오프 상태가 스위칭되고, 예를 들면 파워 클래스 1.5 또는 2에서는 온 상태가 되고, 파워 클래스 3에서는 오프 상태가 된다.
정합 회로(307)는 대전력 광대역 증폭 회로(212)에 있어서의 증폭기(45a)와 전송 선로(64) 사이의 임피던스를 정합한다. 증폭 신호(RF4)는 정합 회로(307)를 통해서 출력 신호(RFout2)로 변환되어 전송 선로(64)로 전송된다.
본 변형예에서는 정합 회로(307)는 인덕터(321 및 323)와, 커패시터(322, 325, 및 326)를 포함한다.
인덕터(321)는 회로 입력 단자(35) 및 인덕터(421a)의 제 1 단에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 커패시터(322)는 인덕터(321)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖는다.
인덕터(323)는 인덕터(321)의 제 2 단 및 커패시터(322)의 제 1 단에 접속된 제 1 단과 제 2 단을 갖는다. 커패시터(326)는 인덕터(323)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과 RF 신호 출력 단자(37)에 접속된 제 2 단을 갖는다.
커패시터(325)는 인덕터(323)의 제 2 단 및 커패시터(326)의 제 1 단에 접속된 제 1 단과, 접지된 제 2 단을 갖는다.
또한, 정합 회로(307) 및 광대역 종단 회로(406)는 일례이며, 정합 회로(307) 및 광대역 종단 회로(406)의 회로 구성은 다른 회로 구성이어도 좋다.
또한, 광대역 종단 회로(406)는, 예를 들면 3개 이상의 값을 나타내는 밴드 신호(Sb1)를 받는 구성에 있어서 2개 이상의 스위치를 포함하는 구성이어도 좋다. 이 경우 밴드 신호(Sb1)에 의거하여 2개 이상의 스위치를 스위칭함으로써 3개 이상의 감쇠 상태 간의 스위칭을 할 수 있다.
또한, 광대역 종단 회로(406)는, 예를 들면 입력 신호(RFin2)의 주파수를 나타내는 주파수 정보를 밴드 정보로서 받는 구성에 있어서 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 일방을 포함하는 구성이어도 좋다. 이 경우 주파수 정보에 의거하여 가변 커패시터의 용량 및 가변 인덕터의 인덕턴스를 조정함으로써 입력 신호(RFin2)의 주파수에 따라 감쇠 상태를 연속적으로 변화시킬 수 있다.
또한, 제 1 가변 조정 회로(213B)는 정합 회로(307) 대신에 도 13에 나타내는 광대역 정합 회로(306)를 포함하는 구성이어도 좋다.
도 11에 나타내는 전력 증폭 회로(11C)에 있어서의 고정 조정 회로(113)에 대해서 상세하게 설명한다. 도 15는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2에 있어서의 고정 조정 회로의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 15에 나타내는 바와 같이 고정 조정 회로(113)는 정합 회로(307)와, 종단 회로(407)를 포함한다. 회로 입력 단자(35)는 소전력 MB 증폭 회로(112)에 있어서의 회로 출력 단자(34)에 접속되고, 증폭 신호(RF3)가 공급된다(도 12 참조).
종단 회로(407)는 증폭 신호(RF3)의 고조파를 감쇠시킨다. 증폭 신호(RF3)는 종단 회로(407)를 통해서 정합 회로(307)로 전송된다.
정합 회로(307)는 소전력 MB 증폭 회로(112)에 있어서의 증폭기(45a)와 전송 선로(63) 사이의 임피던스를 정합한다. 증폭 신호(RF3)는 정합 회로(307)를 통해서 출력 신호(RFout1)로 변환되어 전송 선로(63)로 전송된다.
이와 같이 소전력 MB 증폭 회로(112) 및 대전력 광대역 증폭 회로(212)에 있어서 싱글 방식으로 입력 신호를 증폭하는 구성에 의해 증폭 회로의 구성을 간이하게 할 수 있으므로 증폭 회로의 회로 규모를 작게 할 수 있다.
또한, 소전력 MB 증폭 회로(112) 및 대전력 광대역 증폭 회로(212)가 각각 반도체 칩(21 및 22)에 형성되는 구성에 대해서 설명했지만 소전력 MB 증폭 회로(112) 및 대전력 광대역 증폭 회로(212)는 1개의 반도체 칩에 형성되는 구성이어도 좋다.
(전력 증폭 회로(11)의 변형예 3)
제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 3에 대해서 설명한다. 도 16은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 3의 구성을 나타내는 도면이다. 도 16에 나타내는 바와 같이 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(11)의 변형예 3(이하, 전력 증폭 회로(11D)라고 칭하는 경우가 있다)은 미드 밴드에 속하는 입력 신호를 증폭하는 증폭 회로가 싱글 방식에 의해 상기 입력 신호를 증폭하는 점에서 도 4에 나타내는 전력 증폭 회로(11)의 기본예, 즉 전력 증폭 회로(11A)와 상이하다.
본 변형예에서는 전력 증폭 회로(11D)는 소전력 MB 증폭 회로(112)와, 고정 조정 회로(113)와, 대전력 광대역 증폭 회로(202)와, 제 1 가변 조정 회로(203)를 구비한다. 소전력 MB 증폭 회로(112) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 각각 반도체 칩(21 및 22)에 형성된다.
이와 같이 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 있어서 전력 합성이 용이한 파워단 차동 증폭 회로(43)를 사용하는 구성에 의해 PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(RFin2)를 증폭할 수 있다.
또한, 소전력 MB 증폭 회로(112) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202)가 각각 반도체 칩(21 및 22)에 형성되는 구성에 대해서 설명했지만 소전력 MB 증폭 회로(112) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 1개의 반도체 칩에 형성되는 구성이어도 좋다.
또한, 제 1 실시형태에 의한 송신 장치(1)에서는 제 1 주파수대가 미드 밴드인 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 제 1 주파수대는 1000㎒ 이하의 로우 밴드(Low Band), 1500㎒ 부근의 로우 미드 밴드(Low Mid Band) 또는 3000㎒부터 5000㎒까지의 울트라 하이 밴드(Ultra High Band) 등의 다른 밴드인 구성이어도 좋다.
또한, 제 1 실시형태에 의한 송신 장치(1)에서는 제 2 주파수대가 하이 밴드인 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 제 2 주파수대는 로우 밴드, 로우 미드 밴드 또는 울트라 하이 밴드 등의 다른 밴드인 구성이어도 좋다.
[과제 및 작용 효과]
도 17은 참고예에 의한 전력 증폭 회로의 일례를 나타내는 도면이다. 도 17에 나타내는 바와 같이 참고예에 의한 전력 증폭 회로는, 예를 들면 스위치(901)와 증폭 회로(902, 903, 및 904)를 구비한다.
스위치(901)는, 예를 들면 미드 밴드에 속하는 입력 신호(R1)를 받고, 입력 신호(R1)가 PC 3의 송신 전력에 의해 송신해야 할 신호(이하, 입력 신호(R3)라고 칭하는 경우가 있다)일 경우 입력 신호(R3)를 증폭 회로(902)로 출력한다. 또한, 스위치(901)는, 예를 들면 입력 신호(R1)가 PC 2의 송신 전력에 의해 송신해야 할 신호(이하, 입력 신호(R4)라고 칭하는 경우가 있다)일 경우 입력 신호(R4)를 증폭 회로(903)로 출력한다.
증폭 회로(902)는 스위치(901)로부터 입력 신호(R3)를 받고, PC 3의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(R3)를 증폭한다. 증폭 회로(903)는 스위치(901)로부터 입력 신호(R4)를 받고, PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(R4)를 증폭한다. 증폭 회로(904)는, 예를 들면 PC 2의 송신 전력에 의해 송신해야 할 신호이며, 하이 밴드에 속하는 입력 신호(R2)를 받고, PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(R2)를 증폭한다.
도 18은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로에 있어서의 입력 신호의 주파수에 대한 전력 효율의 변화의 일례를 나타내는 도면이다. 또한, 도 18에 있어서 종축은 단위를 「%」로 하는 전력 효율을 나타내고, 횡축은 단위를 「㎒」로 하는 주파수를 나타낸다. 여기에서 전력 효율은, 예를 들면 증폭기가 전원으로부터 공급되는 전력에 대한 상기 증폭기의 출력 전력과의 비를 백분율로 나타낸 것이다. 증폭기의 전력 효율이 클수록 상기 증폭기에 있어서 낭비되는 전력이 억제된다.
도 17 및 도 18에 나타내는 바와 같이 효율 곡선(MBPC 3r, MBPC 2r, 및 HBPC 2r)은 각각 증폭 회로(902, 903, 및 904)의 전력 효율의 주파수 변화를 나타낸다. 증폭 회로(902, 903, 및 904) 각각은 효율 좋게 동작하는 주파수 대역이 좁다. 이 때문에 참고예에 의한 전력 증폭 회로에서는 입력 신호(R3, R4, 및 R2)를 각각 증폭 회로(902, 903, 및 904)에서 증폭하는 구성으로 되어 있다. 이와 같이 3개의 증폭 회로를 형성하는 구성에서는 회로 규모가 증대되기 때문에 바람직하지 않다.
그런데 입력 신호(R3, R4, 및 R2)를 2개의 증폭 회로에서 증폭하는 구성으로서 입력 신호(R2)를 증폭 회로(904)에서 증폭하고, 입력 신호(R3 및 R4)를 1개의 증폭 회로에서 증폭하는 구성이 생각된다. 그러나 일반적으로 증폭 회로에서는 PC 3의 송신 전력에 의해 송신할 때에 전력 효율이 커지도록 부하 임피던스를 설정하면 PC 2의 송신 전력에 의해 송신할 때의 전력 효율이 내려간다. 한편, PC 2의 송신 전력에 의해 송신할 때에 전력 효율이 커지도록 부하 임피던스를 설정하면 PC 3의 송신 전력에 의해 송신할 때의 전력 효율이 내려간다. 이 때문에, 예를 들면 입력 신호(R4)를 PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 증폭할 수 있도록 부하 임피던스를 설정하면 입력 신호(R3)를 증폭할 때의 전력 효율이 내려가 버리므로 바람직하지 않다.
이에 대해서 전력 증폭 회로(11)에서는 소전력 MB 증폭 회로(102)는 미드 밴드에 속하는 입력 신호(RFin1)를 증폭하고, PC 3의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(RFin1)를 증폭한다. 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 미드 밴드 또는 하이 밴드에 속하는 입력 신호(RFin2)를 증폭하고, PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(RFin2)를 증폭한다. 제 1 가변 조정 회로(203)는 대전력 광대역 증폭 회로(202)와 전송 선로(64) 사이에 형성되고, 대전력 광대역 증폭 회로(202)로부터 전송 선로(64)를 보았을 때의 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성된다.
도 18에 나타내는 효율 곡선(MBHBPC 2)은, 예를 들면 대전력 광대역 증폭 회로(202)의 전력 효율의 주파수 변화를 나타낸다. 전력 증폭 회로(11)에서는, 예를 들면 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 대해서 PC 2의 송신 전력에 의해 송신할 때에 전력 효율이 커지도록 부하 임피던스를 설정한다. 그리고 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 제 1 가변 조정 회로(203)를 조합함으로써 대전력 광대역 증폭 회로(202)가 효율 좋게 동작하는 주파수 대역을 미드 밴드부터 하이 밴드까지 확대함으로써 효율 곡선(MBPC 2r 및 HBPC 2r)과 동일 정도의 전력 효율을 실현할 수 있다.
[제 2 실시형태]
제 2 실시형태에 의한 송신 장치에 대해서 설명한다. 제 2 실시형태 이후에서는 제 1 실시형태와 공통된 사항에 대한 기술을 생략하고, 상이한 점에 대해서만 설명한다. 특히, 마찬가지의 구성에 의한 마찬가지의 작용 효과에 대해서는 실시형태마다는 축차 언급하지 않는다.
제 1 실시형태에 의한 송신 장치에서는 하이 밴드에 속하는 RF 신호가 PC 2의 송신 전력에 의해 송신되는 구성이었다. 이에 대해서 제 2 실시형태에 의한 송신 장치에서는 하이 밴드에 속하는 RF 신호가 PC 2 또는 PC 3의 송신 전력에 의해 송신되는 점에서 제 1 실시형태에 의한 송신 장치와 상이하다.
도 19는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 송신 장치가 송신하는 각 RF 신호의 밴드 구성의 일례를 나타낸 도면이다. 도 20은 도 19에 나타내는 밴드 구성을 모식적으로 나타낸 도면이다. 또한, 도 19 및 도 20의 보는 방향은 도 2 및 도 3과 각각 마찬가지이다.
도 19에 나타내는 밴드 구성에는 도 2에 나타내는 밴드 구성에 비해 하이 밴드에 있어서 2500㎒부터 2570㎒까지의 밴드 번호 7의 밴드가 더 추가되어 있다. 이것에 따라 도 20에는 도 3에 나타내는 밴드 구성의 모식도에 비해 밴드(BN-7)가 추가되어 있다. 밴드 번호 7의 밴드는 FDD 방식의 통신에 사용된다.
도 1, 도 19, 및 도 20에 나타내는 바와 같이 제 2 실시형태에 의한 송신 장치(1)에서는 RF 신호 생성 회로(16)는 제 1 주파수대 또는 제 2 주파수에 속하는 제 1 신호와 제 1 주파수대 또는 제 2 주파수대에 속하는 제 2 신호를 생성한다.
본 실시형태에서는 RF 신호 생성 회로(16)는 미드 밴드(제 1 주파수대) 또는 하이 밴드(제 2 주파수대)에 속하는 입력 신호(RFin3)(제 1 신호)와 미드 밴드 또는 하이 밴드에 속하는 입력 신호(RFin2)(제 2 신호)를 생성한다.
구체적으로는 RF 신호 생성 회로(16)는 이동체 통신기의 제어부로부터 받는 제어 신호에 의거하여 송신 신호를 변조하고, 무선 송신을 행하기 위한 입력 신호(RFin3 및 RFin2)를 생성한다. RF 신호 생성 회로(16)는 생성된 입력 신호(RFin3 및 RFin2)를 전송 선로(61 및 62)로 각각 공급한다.
또한, RF 신호 생성 회로(16)는 생성된 입력 신호(RFin3 및 RFin2)의 주파수에 관한 사항을 나타내는 밴드 정보를 전력 증폭 회로(12)로 출력한다.
본 실시형태에서는 RF 신호 생성 회로(16)는, 예를 들면 밴드 신호(Sb1 및 Sb2)를 밴드 정보로서 전력 증폭 회로(12)로 출력한다. 여기에서 밴드 신호(Sb2)의 레벨은, 예를 들면 입력 신호(RFin3)가 하이 밴드에 속할 경우 하이 레벨이 되고, 입력 신호(RFin3)가 미드 밴드에 속할 경우 로우 레벨이 된다.
또한, RF 신호 생성 회로(16)가 하이 레벨 및 로우 레벨의 2값을 나타내는 밴드 신호(Sb2)를 전력 증폭 회로(12)로 출력하는 구성에 한정되지 않고, RF 신호 생성 회로(16)는 3개 이상의 값을 나타내는 밴드 신호(Sb2)를 전력 증폭 회로(12)로 출력하는 구성이어도 좋다. 또한, RF 신호 생성 회로(16)는 입력 신호(RFin3)의 주파수를 나타내는 주파수 정보를 밴드 정보로서 전력 증폭 회로(12)로 출력해도 좋다.
제 2 실시형태에 의한 전력 증폭 회로에 대해서 설명한다. 도 21은 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 구성을 나타내는 도면이다. 도 21에 나타내는 바와 같이 제 2 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(12)는 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 고정 조정 회로(103) 대신에 소전력 광대역 증폭 회로(122) 및 제 2 가변 조정 회로(123)를 구비하는 점에서 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(11)(도 4 참조)와 상이하다.
RF 신호 입력 단자(31)는 전송 선로(61)를 통해서 입력 신호(RFin3)가 공급된다. 소전력 광대역 증폭 회로(122)는 반도체 칩(23)에 형성된다.
소전력 광대역 증폭 회로(122)는 RF 신호 입력 단자(31)를 통해서 공급되는 입력 신호(RFin3)를 증폭하고, 제 2 전력보다 작은 제 1 전력을 갖는 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)(제 1 증폭 신호)를 생성한다. 본 실시형태에서는 소전력 광대역 증폭 회로(122)는 PC 3의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(RFin3)를 증폭하는 회로이며, 미드 밴드 또는 하이 밴드에 속하는 신호를 증폭 대상으로 한다. 소전력 광대역 증폭 회로(122)는 생성된 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)를 제 2 가변 조정 회로(123)로 출력한다.
소전력 광대역 증폭 회로(122)는, 예를 들면 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202)와 마찬가지의 회로 구성을 갖고 있으며, 드라이버단 싱글 증폭 회로(41)와, 단간 정합 회로(42)와, 파워단 차동 증폭 회로(43)를 포함한다(도 5 참조).
제 2 가변 조정 회로(123)는 소전력 광대역 증폭 회로(122)와 소전력 광대역 증폭 회로(122)의 후단의 회로(제 2 회로) 사이에 형성된다. 본 실시형태에서는 소전력 광대역 증폭 회로(122)의 후단의 회로는, 예를 들면 전송 선로(63)이다. 제 2 가변 조정 회로(123)는 소전력 광대역 증폭 회로(122)로부터 전송 선로(63)를 보았을 때의 제 2 임피던스를 조정 가능하게 구성된다.
제 2 가변 조정 회로(123)는, 예를 들면 제 1 가변 조정 회로(203A)와 마찬가지의 회로 구성을 갖고 있으며, 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)의 기본파의 주파수에 대한 제 2 임피던스를 조정 가능하게 구성되는 광대역 정합 회로(301)와 종단 회로(402)를 포함한다(도 6 참조).
또한, 제 2 가변 조정 회로(123)는 정합 회로(302)와 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)의 고조파의 주파수에 대한 제 2 임피던스를 조정 가능하게 구성되는 광대역 종단 회로(401)를 포함하는 구성이어도 좋다(도 7 참조). 또한, 제 2 가변 조정 회로(123)는 광대역 정합 회로(301)(도 6 참조)와, 광대역 종단 회로(401)(도 7 참조)를 포함하는 구성이어도 좋다.
또한, 제 2 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(12)에서는 소전력 광대역 증폭 회로(122)는 드라이버단 싱글 증폭 회로(41)와, 단간 정합 회로(42)와, 파워단 차동 증폭 회로(43)를 포함하는 구성(도 5 참조)에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 소전력 광대역 증폭 회로(122)는, 예를 들면 드라이버단 싱글 증폭 회로(41)와, 단간 정합 회로(44)와, 파워단 싱글 증폭 회로(45)를 포함하는 구성이어도 좋다(도 12 참조).
이 경우 제 2 가변 조정 회로(123)는, 예를 들면 광대역 정합 회로(306)와 종단 회로(407)를 포함한다(도 13 참조). 또한, 제 2 가변 조정 회로(123)는 정합 회로(307)와 광대역 종단 회로(406)를 포함하는 구성이어도 좋고(도 14 참조), 광대역 정합 회로(306)(도 13 참조)와, 광대역 종단 회로(406)(도 14 참조)를 포함하는 구성이어도 좋다.
또한, 소전력 광대역 증폭 회로(122) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202)가 각각 반도체 칩(23 및 22)에 형성되는 구성에 대해서 설명했지만 소전력 광대역 증폭 회로(122) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 1개의 반도체 칩에 형성되는 구성이어도 좋다.
[제 3 실시형태]
제 3 실시형태에 의한 송신 장치에 대해서 설명한다.
제 1 실시형태에 의한 송신 장치에서는 하이 밴드에 속하는 RF 신호가 PC 2의 송신 전력에 의해 송신되고, 미드 밴드에 속하는 RF 신호가 PC 2 또는 PC 3의 송신 전력에 의해 송신되는 구성이었다. 이에 대해서 제 3 실시형태에 의한 송신 장치에서는 하이 밴드에 속하는 RF 신호가 PC 2 또는 PC 3의 송신 전력에 의해 송신되고, 미드 밴드에 속하는 RF 신호가 PC 3의 송신 전력에 의해 송신되는 점에서 제 1 실시형태에 의한 송신 장치와 상이하다.
도 1에 나타내는 바와 같이 제 3 실시형태에 의한 송신 장치(1)에서는 RF 신호 생성 회로(16)는 제 1 주파수대에 속하는 제 1 신호와 제 1 주파수대 또는 제 2 주파수대에 속하는 제 2 신호를 생성한다.
본 실시형태에서는 RF 신호 생성 회로(16)는 미드 밴드(제 2 주파수대) 또는 하이 밴드(제 1 주파수대)에 속하는 입력 신호(RFin3)(제 2 신호)와 하이 밴드에 속하는 입력 신호(RFin4)(제 1 신호)를 생성한다.
구체적으로는 RF 신호 생성 회로(16)는 이동체 통신기의 제어부로부터 받는 제어 신호에 의거하여 송신 신호를 변조하고, 무선 송신을 행하기 위한 입력 신호(RFin3 및 RFin4)를 생성한다. RF 신호 생성 회로(16)는 생성된 입력 신호(RFin3 및 RFin4)를 전송 선로(61 및 62)로 각각 공급한다.
또한, RF 신호 생성 회로(16)는 생성된 입력 신호(RFin3)의 주파수에 관한 사항을 나타내는 밴드 정보를 전력 증폭 회로(13)로 출력한다. 본 실시형태에서는 RF 신호 생성 회로(16)는, 예를 들면 밴드 신호(Sb2)를 밴드 정보로서 전력 증폭 회로(13)로 출력한다.
제 3 실시형태에 의한 전력 증폭 회로에 대해서 설명한다. 도 22는 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 구성을 나타내는 도면이다. 도 22에 나타내는 바와 같이 제 3 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(13)는 제 2 가변 조정 회로(123), 대전력 광대역 증폭 회로(202), 및 제 1 가변 조정 회로(203) 대신에 제 1 가변 조정 회로(133), 대전력 HB(high-band) 증폭 회로(222), 및 고정 조정 회로(233)를 구비하는 점에서 제 2 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(12)(도 21 참조)와 상이하다. 제 1 가변 조정 회로(133)는, 예를 들면 제 2 가변 조정 회로(123)와 마찬가지의 회로 구성을 갖고 있다(도 21 참조).
RF 신호 입력 단자(32)는 전송 선로(62)를 통해서 입력 신호(RFin4)가 공급된다. 대전력 HB 증폭 회로(222)는 반도체 칩(24)에 형성된다.
소전력 광대역 증폭 회로(122)는 RF 신호 입력 단자(31)를 통해서 공급되는 입력 신호(RFin3)를 증폭하고, 제 2 전력을 갖는 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)(제 2 증폭 신호)를 생성한다. 본 실시형태에서는 소전력 광대역 증폭 회로(122)는 PC 3의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(RFin3)를 증폭하는 회로이며, 미드 밴드 또는 하이 밴드에 속하는 신호를 증폭 대상으로 한다. 소전력 광대역 증폭 회로(122)는 생성된 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)를 제 1 가변 조정 회로(133)로 출력한다.
대전력 HB 증폭 회로(222)는 RF 신호 입력 단자(32)를 통해서 공급되는 입력 신호(RFin4)를 증폭하고, 제 2 전력보다 큰 제 1 전력을 갖는 증폭 신호(RF6p 및 RF6m)(제 1 증폭 신호)를 생성한다. 본 실시형태에서는 대전력 HB 증폭 회로(222)는 PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(RFin4)를 증폭하는 회로이며, 하이 밴드에 속하는 신호를 증폭 대상으로 한다. 대전력 HB 증폭 회로(222)는 생성된 증폭 신호(RF6p 및 RF6m)를 고정 조정 회로(233)로 출력한다.
대전력 HB 증폭 회로(222)는, 예를 들면 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202)와 마찬가지의 회로 구성을 갖고 있으며, 드라이버단 싱글 증폭 회로(41)와, 단간 정합 회로(42)와, 파워단 차동 증폭 회로(43)를 포함한다(도 5 참조). 고정 조정 회로(233)는, 예를 들면 고정 조정 회로(103)와 마찬가지의 회로 구성을 갖고 있으며, 정합 회로(302)와 종단 회로(402)를 포함한다(도 8 참조).
또한, 대전력 HB 증폭 회로(222)는 드라이버단 싱글 증폭 회로(41)와, 단간 정합 회로(44)와, 파워단 싱글 증폭 회로(45)를 포함하는 구성이어도 좋다(도 12 참조). 이 경우 고정 조정 회로(233)는 정합 회로(307)와 종단 회로(407)를 포함한다(도 15 참조).
또한, 소전력 광대역 증폭 회로(122) 및 대전력 HB 증폭 회로(222)가 각각 반도체 칩(23 및 24)에 형성되는 구성에 대해서 설명했지만 소전력 광대역 증폭 회로(122) 및 대전력 HB 증폭 회로(222)는 1개의 반도체 칩에 형성되는 구성이어도 좋다.
[제 4 실시형태]
제 4 실시형태에 의한 송수신 유닛에 대해서 설명한다. 제 4 실시형태에 의한 송수신 유닛에서는 RF 신호의 경로를 스위칭 가능하게 구성되어 있는 점에서 제 1 실시형태에 의한 송신 장치와 상이하다.
도 23은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 송수신 유닛의 구성을 나타내는 도면이다. 도 23에 나타내는 바와 같이 제 4 실시형태에 의한 송수신 유닛(6)은 전력 증폭 회로(14)와, 스위치(503, 504, 505, 506, 및 507)와, FDD용 필터 회로군(521)(제 3 회로 및 제 6 회로)과, TDD용 필터 회로군(522)(제 4 회로 및 제 5 회로)과, 필터 회로(523, 524, 및 525)와, 로우 노이즈 앰프(531 및 532)와, 커플러 회로(541)를 구비한다.
전력 증폭 회로(14)는 증폭 회로군(71A)과, 입력 분배 스위치(501)(제 3 스위치부 및 제 4 스위치부)와, 출력 분배 스위치(502)(제 1 스위치부)를 구비한다. 증폭 회로군(71A)은 전력 증폭 회로(11A)(도 4 참조)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는다. 전력 증폭 회로(14)의 후단의 회로가, 예를 들면 프런트 엔드부에 상당한다.
RF 신호 입력 단자(551 및 552)는 각각 RF 신호 생성 회로(16)로부터 입력 신호(RFin1 및 RFin2)가 공급된다.
전원 공급 단자(558)에는, 예를 들면 증폭 회로군(71A)의 소전력 MB 증폭 회로(102)(제 1 증폭 회로)(도 5 참조)에 있어서의 증폭기(43a 및 43b)의 전원 전압이 공급된다. 전원 공급 단자(559)에는, 예를 들면 증폭 회로군(71A)의 소전력 MB 증폭 회로(102)(도 5 참조)에 있어서의 증폭기(41b)의 전원 전압이 공급된다.
전원 공급 단자(560)에는, 예를 들면 증폭 회로군(71A)의 대전력 광대역 증폭 회로(202)(제 2 증폭 회로)(도 5 참조)에 있어서의 증폭기(43a 및 43b)의 전원 전압이 공급된다. 전원 공급 단자(561)에는, 예를 들면 증폭 회로군(71A)의 대전력 광대역 증폭 회로(202)(도 5 참조)에 있어서의 증폭기(41b)의 전원 전압이 공급된다. 배터리 접속 단자(562)에는 배터리 전압이 공급된다.
입력 분배 스위치(501)는 입력 신호(RFin2)가 공급되는 제 1 단과, 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 접속된 제 2 단과, 소전력 MB 증폭 회로(102)에 접속된 제 3 단과, 입력 신호(RFin1)가 공급되는 제 4 단을 갖는다.
본 실시형태에서는 입력 분배 스위치(501)의 제 4 단 및 제 1 단은 각각 RF 신호 입력 단자(551 및 552)에 접속된다. 입력 분배 스위치(501)의 제 2 단은 전송 선로(62)를 통해서 증폭 회로군(71A)의 RF 신호 입력 단자(32)(도 4 참조)에 접속된다. 입력 분배 스위치(501)의 제 3 단은 전송 선로(61)를 통해서 증폭 회로군(71A)의 RF 신호 입력 단자(31)(도 4 참조)에 접속된다.
입력 분배 스위치(501)는 제 1 단을 제 2 단 및 제 3 단 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, 또한 제 4 단을 제 2 단 및 제 3 단 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다.
본 실시형태에서는 입력 분배 스위치(501)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 4 단과 제 3 단을 전기적으로 접속함과 아울러, 제 1 단과 제 2 단을 전기적으로 접속한다. 또한, 입력 분배 스위치(501)는, 예를 들면 제어 신호에 의거하여 제 4 단과 제 2 단을 전기적으로 접속함과 아울러, 제 1 단과 제 3 단을 전기적으로 접속한다.
FDD용 필터 회로군(521)은 FDD용 필터 회로(521a, 521b, 및 521c)를 포함하고, 증폭 회로군(71A)에 있어서의 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 고정 조정 회로(103)(도 4 참조)의 후단에 형성된다. 이하, FDD용 필터 회로(521a, 521b, 및 521c) 각각을 간단히 FDD용 필터 회로라고 칭하는 경우가 있다.
FDD용 필터 회로는, 예를 들면 FDD 방식의 통신에 사용되는 밴드의 밴드 번호에 대응해서 형성되고, 상기 밴드 번호에 따른 감쇠 특성을 갖는 밴드 패스 필터이다.
FDD용 필터 회로는 송신 시에 RF 신호가 공급되는 제 1 단과, 수신 시에 RF 신호를 출력하는 제 2 단과, 송신 시에 RF 신호를 출력하고, 또한 수신 시에 RF 신호가 공급되는 제 3 단을 갖는다.
구체적으로는, 예를 들면 FDD용 필터 회로(521a)가 밴드 번호 25에 대응해서 형성되어 있을 경우 FDD용 필터 회로(521a)는 1850㎒부터 1915㎒까지의 주파수대에 포함되는 RF 신호를 통과시키고, 상기 주파수대로부터 벗어나는 주파수 성분의 RF 신호를 감쇠시킨다(도 2 참조).
TDD용 필터 회로군(522)은 TDD용 필터 회로(522a, 522b, 및 522c)를 포함하고, 증폭 회로군(71A)에 있어서의 대전력 광대역 증폭 회로(202) 및 제 1 가변 조정 회로(203)(도 4 참조)의 후단에 형성된다. 이하, TDD용 필터 회로(522a, 522b, 및 522c) 각각을 간단히 TDD용 필터 회로라고 칭하는 경우가 있다.
TDD용 필터 회로는, 예를 들면 TDD 방식의 통신에 사용되는 밴드의 밴드 번호에 대응해서 형성되고, 상기 밴드 번호에 따른 감쇠 특성을 갖는 밴드 패스 필터이다.
TDD용 필터 회로는 송신 시에 RF 신호가 공급되고, 또한 수신 시에 RF 신호를 출력하는 제 1 단과, 송신 시에 RF 신호를 출력하고, 또한 수신 시에 RF 신호가 공급되는 제 2 단을 갖는다.
구체적으로는, 예를 들면 TDD용 필터 회로(522a)가 밴드 번호 40에 대응해서 형성되어 있을 경우 TDD용 필터 회로(522a)는 2300㎒부터 2400㎒까지의 주파수대에 포함되는 RF 신호를 통과시키고, 상기 주파수대로부터 벗어나는 주파수 성분의 RF 신호를 감쇠시킨다(도 2 참조).
출력 분배 스위치(502)는 증폭 회로군(71A)과 FDD용 필터 회로군(521) 및 TDD용 필터 회로군(522) 사이에 설치된다. 그리고 출력 분배 스위치(502)는 증폭 회로군(71A)에 있어서의 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 고정 조정 회로(103)(도 4 참조)를 FDD용 필터 회로(521a, 521b, 및 521c) 및 TDD용 필터 회로(522a, 522b, 및 522c) 중 어느 1개에 접속 가능하게 구성된다.
본 실시형태에서는 출력 분배 스위치(502)는 전송 선로(63)를 통해서 고정 조정 회로(103)에 접속된 제 1 단과, 전송 선로(64)를 통해서 제 1 가변 조정 회로(203)에 접속된 제 2 단과, 제 3 단과, 제 4 단과, 제 5 단과, TDD용 필터 회로(522c)의 제 1 단에 접속된 제 6 단과, TDD용 필터 회로(522b)의 제 1 단에 접속된 제 7 단과, TDD용 필터 회로(522a)의 제 1 단에 접속된 제 8 단과, FDD용 필터 회로(521c)의 제 1 단에 접속된 제 9 단과, FDD용 필터 회로(521b)의 제 1 단에 접속된 제 10 단과, FDD용 필터 회로(521a)의 제 1 단에 접속된 제 11 단을 갖는다.
본 실시형태에서는 출력 분배 스위치(502)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 1 단과, 제 6 단부터 제 11 단까지의 단자 중 어느 1개를 전기적으로 접속한다.
또한, 출력 분배 스위치(502)는 제어 신호에 의거하여 제 8 단과, 제 2 단 및 제 3 단 중 어느 일방을 전기적으로 접속한다. 또한, 출력 분배 스위치(502)는 제어 신호에 의거하여 제 7 단과, 제 2 단 및 제 4 단 중 어느 일방을 전기적으로 접속한다. 또한, 출력 분배 스위치(502)는 제어 신호에 의거하여 제 6 단과, 제 2 단 및 제 5 단 중 어느 일방을 전기적으로 접속한다.
스위치(503)는 FDD용 필터 회로(521a, 521b, 및 521c) 및 TDD용 필터 회로(522a, 522b, 및 522c) 중 어느 1개를 필터 회로(523)에 접속 가능하게 구성된다. 필터 회로(523)는 컷 오프 주파수를 변경 가능한 로우 패스 필터이며, 제 1 단과 제 2 단을 갖는다.
본 실시형태에서는 스위치(503)는 FDD용 필터 회로(521a)의 제 3 단에 접속된 제 1 단과, FDD용 필터 회로(521b)의 제 3 단에 접속된 제 2 단과, FDD용 필터 회로(521c)의 제 3 단에 접속된 제 3 단과, TDD용 필터 회로(522a)의 제 2 단에 접속된 제 4 단과, TDD용 필터 회로(522b)의 제 2 단에 접속된 제 5 단과, TDD용 필터 회로(522c)의 제 2 단에 접속된 제 6 단과, 필터 회로(523)의 제 1 단에 접속된 제 7 단을 갖는다.
스위치(503)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 1 단부터 제 6 단까지의 단자 중 어느 1개와 제 7 단을 전기적으로 접속한다.
스위치(504)는 필터 회로(523)를 제 1 안테나에 접속된 RF 신호 출력 단자(553) 및 제 2 안테나에 접속된 RF 신호 출력 단자(554) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다.
본 실시형태에서는 스위치(504)는 필터 회로(523)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과, DRX(Discontinuous Reception) 제어용의 부출력 단자(563)에 접속된 제 2 단과, RF 신호 출력 단자(554)에 접속된 제 3 단과, RF 신호 출력 단자(553)에 접속된 제 4 단을 갖는다.
스위치(504)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 1 단과, 제 3 단 및 제 4 단 중 어느 일방을 전기적으로 접속한다. 또한, 스위치(504)는, 예를 들면 제어 신호에 의거하여 제 2 단과, 제 3 단 및 제 4 단 중 어느 일방을 전기적으로 접속한다.
커플러 회로(541)는 스위치 등을 포함해서 구성되고, 스위치(503)와 필터 회로(523)를 접속하는 신호선과 전자계적으로 결합하고, 상기 신호선에 의해 전송되는 RF 신호의 일부를 커플러 출력 단자(564)로 공급한다.
스위치(505)는 TDD용 필터 회로(522a, 522b, 및 522c) 중 어느 1개를 로우 노이즈 앰프(531)에 접속 가능하게 구성된다.
본 실시형태에서는 스위치(505)는 로우 노이즈 앰프(531)에 접속된 제 1 단과, 출력 분배 스위치(502)의 제 5 단에 접속된 제 2 단과, 출력 분배 스위치(502)의 제 4 단에 접속된 제 3 단과, 출력 분배 스위치(502)의 제 3 단에 접속된 제 4 단을 갖는다.
스위치(505)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 1 단과, 제 2 단, 제 3 단, 및 제 4 단 중 어느 1개를 전기적으로 접속한다.
로우 노이즈 앰프(531)는 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 게인을 변경 가능한 앰프이며, TDD 방식의 통신에 있어서 수신한 RF 신호를 증폭한다. 본 실시형태에서는 로우 노이즈 앰프(531)는 스위치(505)의 제 1 단에 접속되고, RF 신호가 공급되는 입력 단자와 증폭된 RF 신호를 출력하는 출력 단자를 갖는다.
스위치(506)는 FDD용 필터 회로(521a, 521b, 및 521c) 중 어느 1개를 로우 노이즈 앰프(532)에 접속 가능하게 구성된다.
본 실시형태에서는 스위치(506)는 로우 노이즈 앰프(532)에 접속된 제 1 단과, FDD용 필터 회로(521c)의 제 2 단에 접속된 제 2 단과, FDD용 필터 회로(521b)의 제 2 단에 접속된 제 3 단과, FDD용 필터 회로(521a)의 제 2 단에 접속된 제 4 단을 갖는다.
스위치(506)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 1 단과, 제 2 단, 제 3 단, 및 제 4 단 중 어느 1개를 전기적으로 접속한다.
로우 노이즈 앰프(532)는 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 게인을 변경 가능한 앰프이며, FDD 방식의 통신에 있어서 수신한 RF 신호를 증폭한다. 본 실시형태에서는 로우 노이즈 앰프(532)는 스위치(506)의 제 1 단에 접속되고, RF 신호가 공급되는 입력 단자와 증폭된 RF 신호를 출력하는 출력 단자를 갖는다.
스위치(507)는 로우 노이즈 앰프(531 및 532) 중 어느 일방을 RF 신호 출력 단자(555, 556, 및 557) 중 어느 1개에 접속 가능하게 구성된다.
본 실시형태에서는 스위치(507)는 필터 회로(525)를 통해서 로우 노이즈 앰프(532)의 출력 단자에 접속된 제 1 단과, 필터 회로(524)를 통해서 로우 노이즈 앰프(531)의 출력 단자에 접속된 제 2 단과, RF 신호 출력 단자(555)에 접속된 제 3 단과, RF 신호 출력 단자(556)에 접속된 제 4 단과, RF 신호 출력 단자(557)에 접속된 제 5 단을 갖는다.
스위치(507)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 1 단과, 제 3 단, 제 4 단, 및 제 5 단 중 어느 1개를 전기적으로 접속함과 아울러, 제 2 단과, 제 3 단, 제 4 단, 및 제 5 단 중 어느 1개를 전기적으로 접속한다.
(FDD 방식의 통신 시의 스위치의 접속 형태)
입력 분배 스위치(501), 출력 분배 스위치(502), 및 스위치(503, 505, 및 506)는 연동해서 동작한다.
본 실시형태에서는 FDD 방식의 통신과 TDD 방식의 통신은 동시에 행해지지 않는다. 이 때문에 FDD 방식의 통신이 행해질 경우 입력 신호(RFin1)만이 RF 신호 생성 회로(16)로부터 출력되어 RF 신호 입력 단자(551)에 공급된다.
FDD 방식의 통신에서는, 예를 들면 PC 3의 송신 전력이 RF 신호의 송신 전력의 상한이므로 입력 분배 스위치(501)는 자기의 제 4 단과 제 3 단을 전기적으로 접속한다. 출력 분배 스위치(502)는 자기의 제 1 단과, 제 9 단, 제 10 단, 및 제 11 단 중 FDD 방식의 통신에 사용되는 밴드의 밴드 번호에 대응하는 단자를 전기적으로 접속한다.
구체적으로는 출력 분배 스위치(502)는, 예를 들면 밴드 번호 25의 밴드가 FDD 방식의 통신에 사용되어 있을 경우 자기의 제 1 단과 제 11 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(503)는 자기의 제 1 단과 제 7 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(504)는, 예를 들면 자기의 제 1 단과 제 4 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(506)는 자기의 제 1 단과 제 4 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 밴드 번호 25의 밴드에 속하는 입력 신호(RFin1)는 RF 신호 입력 단자(551), 입력 분배 스위치(501)를 통해서 증폭 회로군(71A)에 있어서의 소전력 MB 증폭 회로(102)(도 4 참조)에 공급되어 증폭된다. 소전력 MB 증폭 회로(102)에서 증폭된 RF 신호는 고정 조정 회로(103)(도 4 참조), 출력 분배 스위치(502), FDD용 필터 회로(521a), 스위치(503), 필터 회로(523), 및 스위치(504)를 통해서 RF 신호 출력 단자(553)에 공급된다.
또한, 예를 들면 제 1 안테나에 의해 수신된 밴드 번호 25의 밴드에 속하는 RF 신호는 스위치(504), 필터 회로(523), 스위치(503), FDD용 필터 회로(521a), 스위치(506), 로우 노이즈 앰프(532), 필터 회로(525), 및 스위치(507)를 통해서 RF 신호 출력 단자(555, 556 또는 557)에 공급된다.
(TDD 방식의 통신 시의 스위치의 접속 형태 1)
TDD 방식의 통신이 행해질 경우 입력 신호(RFin2)만이 RF 신호 생성 회로(16)로부터 출력되어 RF 신호 입력 단자(552)에 공급된다. TDD 방식의 통신에서는, 예를 들면 PC 2의 송신 전력이 RF 신호의 송신 전력의 상한이므로 입력 분배 스위치(501)는 자기의 제 1 단과 제 2 단을 전기적으로 접속한다. 출력 분배 스위치(502)는 TDD 방식의 통신에서는 RF 신호의 송신 기간과 RF 신호의 수신 기간이 분리되어 있으므로 RF 신호의 송신 기간에 있어서 자기의 제 2 단과, 제 6 단, 제 7 단, 및 제 8 단 중 TDD 방식의 통신에 사용되는 밴드의 밴드 번호에 대응하는 단자를 전기적으로 접속한다.
구체적으로는 출력 분배 스위치(502)는, 예를 들면 밴드 번호 40의 밴드가 TDD 방식의 통신에 사용되어 있을 경우 자기의 제 2 단과 제 8 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(503)는 자기의 제 4 단과 제 7 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(504)는, 예를 들면 자기의 제 1 단과 제 4 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 밴드 번호 40의 밴드에 속하는 입력 신호(RFin2)는 RF 신호 입력 단자(552), 입력 분배 스위치(501)를 통해서 증폭 회로군(71A)에 있어서의 대전력 광대역 증폭 회로(202)(도 4 참조)에 공급되어 증폭된다. 대전력 광대역 증폭 회로(202)에서 증폭된 RF 신호는 제 1 가변 조정 회로(203)(도 4 참조), 출력 분배 스위치(502), TDD용 필터 회로(522a), 스위치(503), 필터 회로(523), 및 스위치(504)를 통해서 RF 신호 출력 단자(553)에 공급된다.
또한, 출력 분배 스위치(502)는 RF 신호의 수신 기간에 있어서 자기의 제 2 단과 제 8 단을 전기적으로 절연함과 아울러, 자기의 제 3 단과 제 8 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(505)는 자기의 제 1 단과 제 4 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해, 예를 들면 제 1 안테나에 의해 수신된 밴드 번호 40의 밴드에 속하는 RF 신호는 스위치(504), 필터 회로(523), 스위치(503), TDD용 필터 회로(522a), 출력 분배 스위치(502), 스위치(505), 로우 노이즈 앰프(531), 필터 회로(524), 및 스위치(507)를 통해서 RF 신호 출력 단자(555, 556 또는 557)에 공급된다.
(TDD 방식의 통신 시의 스위치의 접속 형태 2)
TDD 방식의 통신에서는 PC 2의 송신 전력이 RF 신호의 송신 전력의 상한이므로 증폭 회로군(71A)에 있어서의 대전력 광대역 증폭 회로(202)(도 4 참조)에서 증폭하지만, 예를 들면 이동체 통신기와 기지국의 거리가 가까워 PC 3의 송신 전력에 의해 RF 신호를 송신할 수 있는 경우가 있다. 또한, TDD 방식의 통신에서는 PC 3의 송신 전력을 RF 신호의 송신 전력의 상한으로 해도 좋은 경우가 있다.
이와 같은 경우 입력 분배 스위치(501)는 자기의 제 1 단과 제 3 단을 전기적으로 접속한다. 출력 분배 스위치(502)는 RF 신호의 송신 기간에 있어서 자기의 제 1 단과, 제 6 단, 제 7 단, 및 제 8 단 중 TDD 방식의 통신에 사용되는 밴드의 밴드 번호에 대응하는 단자를 전기적으로 접속한다.
구체적으로는 출력 분배 스위치(502)는, 예를 들면 밴드 번호 40의 밴드가 TDD 방식의 통신에 사용되어 있을 경우 자기의 제 1 단과 제 8 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(503)는 자기의 제 4 단과 제 7 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(504)는, 예를 들면 자기의 제 1 단과 제 4 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 밴드 번호 40의 밴드에 속하는 입력 신호(RFin2)는 RF 신호 입력 단자(552), 입력 분배 스위치(501)를 통해서 증폭 회로군(71A)에 있어서의 소전력 MB 증폭 회로(102)(도 4 참조)에 공급되어 증폭된다. 소전력 MB 증폭 회로(102)에서 증폭된 RF 신호는 고정 조정 회로(103)(도 4 참조), 출력 분배 스위치(502), TDD용 필터 회로(522a), 스위치(503), 필터 회로(523), 및 스위치(504)를 통해서 RF 신호 출력 단자(553)에 공급된다.
또한, 출력 분배 스위치(502)는 RF 신호의 수신 기간에 있어서 자기의 제 1 단과 제 8 단을 전기적으로 절연함과 아울러, 자기의 제 3 단과 제 8 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(505)는 자기의 제 1 단과 제 4 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해, 예를 들면 제 1 안테나에 의해 수신된 밴드 번호 40의 밴드에 속하는 RF 신호는 스위치(504), 필터 회로(523), 스위치(503), TDD용 필터 회로(522a), 출력 분배 스위치(502), 스위치(505), 로우 노이즈 앰프(531), 필터 회로(524), 및 스위치(507)를 통해서 RF 신호 출력 단자(555, 556 또는 557)에 공급된다.
소전력 MB 증폭 회로(102)(도 4 참조)는, 예를 들면 RF 신호를 PC 3의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨로 증폭할 때에 효율이 좋아지도록 구성되어 있다. 또한, 대전력 광대역 증폭 회로(202)(도 4 참조)는, 예를 들면 RF 신호를 PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨로 증폭할 때에 효율이 좋아지도록 구성되어 있다. 이 때문에 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 RF 신호를 PC 3의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨로 증폭할 때 전력 효율이 내려가 버린다.
이에 대해서 송수신 유닛(6)에서는 입력 분배 스위치(501)에 의해 입력 신호(RFin2)의 공급처를 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202) 중 어느 하나로 스위칭한다. 구체적으로는, 예를 들면 입력 신호(RFin2)를 PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨로 증폭할 때에 입력 신호(RFin2)를 대전력 광대역 증폭 회로(202)로 공급하고, 입력 신호(RFin2)를 PC 3의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨로 증폭할 때에 입력 신호(RFin2)를 소전력 MB 증폭 회로(102)로 공급한다. 이것에 의해 입력 신호(RFin2)의 증폭에 있어서 증폭 레벨에 따라 효율 좋게 동작 가능한 소전력 MB 증폭 회로(102) 또는 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 입력 신호(RFin2)를 공급할 수 있으므로 전력 증폭 회로(14)에 있어서 전력 효율이 내려가버리는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의한 송수신 유닛(6)에서는 증폭 회로군(71A)이 전력 증폭 회로(11A)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는 구성에 대해서 설명했지만 증폭 회로군(71A)은 전력 증폭 회로(11B, 11C, 11D, 12 또는 13)와 마찬가지의 회로 구성을 가져도 좋다.
또한, 본 실시형태에 의한 송수신 유닛(6)에서는 출력 분배 스위치(502)가 대전력 광대역 증폭 회로(202)를 TDD용 필터 회로(522a, 522b, 및 522c) 중 어느 1개에 접속 가능한 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 출력 분배 스위치(502)는 대전력 광대역 증폭 회로(202)를 FDD용 필터 회로(521a, 521b, 및 521c) 및 TDD용 필터 회로(522a, 522b, 및 522c) 중 어느 1개에 접속 가능한 구성이어도 좋다. 이것에 의해 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 의해 증폭된 RF 신호를 FDD용 필터 회로(521a, 521b 또는 521c)에 공급할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의한 송수신 유닛(6)에서는 입력 분배 스위치(501)가 제 1 단을 제 2 단 및 제 3 단 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, 또한 제 4 단을 제 2 단 및 제 3 단 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되는 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 입력 분배 스위치(501)는 제 1 단을 제 2 단 및 제 3 단 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성될 뿐인 구성이어도 좋다. 또한, 입력 분배 스위치(501)는 제 4 단을 제 2 단 및 제 3 단 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성될 뿐인 구성이어도 좋다.
여기에서 증폭 회로군(71A)이 전력 증폭 회로(13)(도 22 참조)와 마찬가지의 회로 구성을 가질 경우에는 출력 분배 스위치(502)가 「제 2 스위치부」에 상당한다. 소전력 광대역 증폭 회로(122) 및 대전력 HB 증폭 회로(222)가 각각 「제 2 증폭 회로」 및 「제 1 증폭 회로」에 상당한다. FDD용 필터 회로군(521) 및 TDD용 필터 회로군(522)이 각각 「제 5 회로」 및 「제 6 회로」에 상당한다.
상기 경우에는 출력 분배 스위치(502)는 대전력 HB 증폭 회로(222)를 FDD용 필터 회로(521a, 521b, 및 521c) 및 TDD용 필터 회로(522a, 522b, 및 522c) 중 어느 1개에 접속 가능한 구성이어도 좋다.
[제 5 실시형태]
제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 기본예에 대해서 설명한다. 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로에서는 미드 밴드 또는 하이 밴드에 속하는 RF 신호가 아니라 5.925㎓부터 7.125㎓까지의 주파수대(UB: Unlicensed Band)(이하, 언라이선스 밴드라고 칭하는 경우가 있다)에 속하는 RF 신호를 증폭하는 점에서 제 1 실시형태에 의한 전력 증폭 회로와 상이하다.
도 24는 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 기본예의 구성을 나타내는 도면이다. 도 24에 나타내는 바와 같이 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(15)의 기본예(이하, 전력 증폭 회로(15A)라고 칭하는 경우가 있다)는 증폭 회로군(634)과 TDD용 필터 회로군(621)을 구비한다. 증폭 회로군(634)은 대전력 UB 증폭 회로(635)(제 3 증폭 회로)와 소전력 UB 증폭 회로(636)(제 4 증폭 회로)를 포함한다. TDD용 필터 회로군(621)은 TDD용 필터 회로(621a(제 1 필터) 및 621b(제 2 필터))를 포함한다. 증폭 회로군(634) 및 TDD용 필터 회로군(621)은, 예를 들면 반도체 칩(641)에 형성된다.
도 25는 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로가 증폭하는 각 RF 신호의 밴드 구성의 일례를 나타낸 도면이다. 또한, 도 25에 있어서 횡축은 단위를 「㎓」로 하는 주파수를 나타낸다.
도 24 및 도 25에 나타내는 바와 같이 전력 증폭 회로(15A)가 증폭하는 각 RF 신호는 무선국 면허를 필요로 하지 않는 언라이선스 밴드에 속한다. 언라이선스 밴드에 속하는 RF 신호는, 예를 들면 제 5 세대 이동 통신 시스템(5G)의 통신 규격에 따르는 TDD 방식으로 송수신된다.
언라이선스 밴드는 5.925㎓부터 6.425㎓까지의 HP(High Power) 밴드 1(제 3 주파수대)과, 6.425㎓부터 6.525㎓까지의 LP(Low Power) 밴드 1(제 4 주파수대)과, 6.525㎓부터 6.875㎓까지의 HP 밴드 2(제 3 주파수대)와, 6.875㎓부터 7.125㎓까지의 LP 밴드 2(제 4 주파수대)를 포함한다. 이하, HP 밴드 1 및 HP 밴드 2 각각을 하이 파워 밴드라고 칭하는 경우가 있다. LP 밴드 1 및 LP 밴드 2 각각을 로우 파워 밴드라고 칭하는 경우가 있다.
하이 파워 밴드에 속하는 RF 신호는 최대로 23dBm의 안테나 출력(이하, 하이 파워 출력이라고 칭하는 경우가 있다)으로 송신된다. 로우 파워 밴드에 속하는 RF 신호는 최대로 17dBm의 안테나 출력(이하, 로우 파워 출력이라고 칭하는 경우가 있다)으로 송신된다. 본 실시형태에서는 로우 파워 밴드는, 예를 들면 넓은 공장 및 오피스 등의 옥내(Indoor) 전용의 무선 통신의 밴드이다.
전력 증폭 회로(15A)에 있어서의 RF 신호 입력 단자(651)에는 하이 파워 밴드에 속하는 RF 신호(이하, 입력 신호(RFinH)라고 칭하는 경우가 있다)(제 1 송신 신호)가 공급된다. RF 신호 입력 단자(652)에는 로우 파워 밴드에 속하는 RF 신호(이하, 입력 신호(RFinL)라고 칭하는 경우가 있다)(제 2 송신 신호)가 공급된다. RF 신호 출력 단자(653 및 654)는, 예를 들면 도시하지 않은 제 3 안테나에 접속된다.
증폭 회로군(634)에 있어서의 대전력 UB 증폭 회로(635)는 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 고정 조정 회로(103)(도 4 참조)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는다. 또한, 대전력 UB 증폭 회로(635)는 소전력 MB 증폭 회로(112) 및 고정 조정 회로(113)(도 11 참조)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는 구성이어도 좋다.
대전력 UB 증폭 회로(635)는 RF 신호 입력 단자(651)를 통해서 입력 신호(RFinH)가 공급되는 입력 단자와, 입력 신호(RFinH)를 증폭한 증폭 신호(RF7H)(제 3 증폭 신호)를 출력하는 출력 단자를 갖는다. 대전력 UB 증폭 회로(635)는 언라이선스 밴드에 속하는 RF 신호를 하이 파워 출력에 의해 송신 가능한 레벨(이하, 하이 파워 레벨이라고 칭하는 경우가 있다)(제 3 전력)로 증폭할 때에 전력 효율이 커지도록 구성되어 있다.
소전력 UB 증폭 회로(636)는 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 고정 조정 회로(103)(도 4 참조)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는다. 또한, 소전력 UB 증폭 회로(636)는 소전력 MB 증폭 회로(112) 및 고정 조정 회로(113)(도 11 참조)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는 구성이어도 좋다.
소전력 UB 증폭 회로(636)는 RF 신호 입력 단자(652)를 통해서 입력 신호(RFinL)가 공급되는 입력 단자와 입력 신호(RFinL)를 증폭한 증폭 신호(RF7L)(제 4 증폭 신호)를 출력하는 출력 단자를 갖는다. 소전력 UB 증폭 회로(636)는 언라이선스 밴드에 속하는 RF 신호를 로우 파워 출력에 의해 송신 가능한 레벨(이하, 로우 파워 레벨이라고 칭하는 경우가 있다)(제 4 전력)로 증폭할 때에 전력 효율이 커지도록 구성되어 있다.
TDD용 필터 회로(621a)는 대전력 UB 증폭 회로(635)의 후단에 형성되고, 하이 파워 레벨에서의 내전력성을 갖는다. 상세하게는 TDD용 필터 회로(621a)는 대전력 UB 증폭 회로(635)의 출력 단자에 접속된 제 1 단과 RF 신호 출력 단자(653)에 접속된 제 2 단을 갖는다.
TDD용 필터 회로(621a)는, 예를 들면 HP 밴드 1에 포함되는 RF 신호를 통과시키고, HP 밴드 1로부터 벗어나는 주파수 성분의 RF 신호를 감쇠시킨다. 또한, TDD용 필터 회로(621a)는 HP 밴드 2에 포함되는 RF 신호를 통과시키고, HP 밴드 2로부터 벗어나는 주파수 성분의 RF 신호를 감쇠시켜도 좋다. 또한, TDD용 필터 회로(621a)는 하이 파워 밴드에 포함되는 RF 신호를 통과시키고, 하이 파워 밴드로부터 벗어나는 주파수 성분의 RF 신호를 감쇠시켜도 좋다.
TDD용 필터 회로(621b)는 소전력 UB 증폭 회로(636)의 후단에 형성되고, 로우 파워 레벨에서의 내전력성을 갖는다. 상세하게는 TDD용 필터 회로(621b)는 소전력 UB 증폭 회로(636)의 출력 단자에 접속된 제 1 단과 RF 신호 출력 단자(654)에 접속된 제 2 단을 갖는다.
TDD용 필터 회로(621b)는, 예를 들면 LP 밴드 1에 포함되는 RF 신호를 통과시키고, LP 밴드 1로부터 벗어나는 주파수 성분의 RF 신호를 감쇠시킨다. 또한, TDD용 필터 회로(621b)는 LP 밴드 2에 포함되는 RF 신호를 통과시키고, LP 밴드 2로부터 벗어나는 주파수 성분의 RF 신호를 감쇠시켜도 좋다. 또한, TDD용 필터 회로(621b)는 로우 파워 밴드에 포함되는 RF 신호를 통과시키고, 로우 파워 밴드로부터 벗어나는 주파수 성분의 RF 신호를 감쇠시켜도 좋다.
(전력 증폭 회로(15)의 변형예 1)
제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 1에 대해서 설명한다. 도 26은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 1의 구성을 나타내는 도면이다. 도 26에 나타내는 바와 같이 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(15)의 변형예 1(이하, 전력 증폭 회로(15B)라고 칭하는 경우가 있다)은 수신 신호용의 로우 노이즈 앰프(631)와, TDD용 필터 회로(621a 및 621b) 각각의 접속처를 스위칭하기 위한 스위치가 설치되는 점에서 도 24에 나타내는 전력 증폭 회로(15)의 기본예, 즉 전력 증폭 회로(15A)와 상이하다.
전력 증폭 회로(15B)는 도 24에 나타내는 전력 증폭 회로(15A)에 비해 출력 분배 스위치(604)(제 5 스위치부)와, 스위치(605)(제 6 스위치부)와, 로우 노이즈 앰프(631)(제 5 증폭 회로)를 더 구비한다.
전력 증폭 회로(15B)에 있어서의 RF 신호 출력 단자(655)는, 예를 들면 수신 신호의 복조 등을 행하는 회로에 접속된다. RF 신호 출력 단자(653)는, 예를 들면 제 3 안테나(제 7 회로)에 접속된다.
로우 노이즈 앰프(631)는 제 3 안테나에 의해 수신된 하이 파워 밴드 또는 로우 파워 밴드에 속하는 입력 신호(RFinR)(수신 신호)를 증폭한다. 본 실시형태에서는 로우 노이즈 앰프(631)는 입력 신호(RFinR)가 공급되는 입력 단자와 RF 신호 출력 단자(655)에 접속되고, 입력 신호(RFinR)를 증폭한 증폭 신호(RF7R)(제 5 증폭 신호)를 출력하는 출력 단자를 갖는다. 로우 노이즈 앰프(631)는 언라이선스 밴드에 속하는 RF 신호를 증폭할 때에 전력 효율이 커지도록 구성되어 있다.
출력 분배 스위치(604)는 증폭 회로군(634) 및 로우 노이즈 앰프(631)와 TDD용 필터 회로군(621) 사이에 설치된다. 출력 분배 스위치(604)는 TDD용 필터 회로(621a)를 대전력 UB 증폭 회로(635) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, 또한 TDD용 필터 회로(621b)를 소전력 UB 증폭 회로(636) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다.
본 실시형태에서는 출력 분배 스위치(604)는 대전력 UB 증폭 회로(635)의 출력 단자에 접속된 제 1 단과, 로우 노이즈 앰프(631)의 입력 단자에 접속된 제 2 단과, 소전력 UB 증폭 회로(636)의 출력 단자에 접속된 제 3 단과, TDD용 필터 회로(621b)의 제 1 단에 접속된 제 4 단과, TDD용 필터 회로(621a)의 제 1 단에 접속된 제 5 단을 갖는다.
출력 분배 스위치(604)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 5 단과, 제 1 단 및 제 2 단 중 어느 일방을 전기적으로 접속한다. 또한, 출력 분배 스위치(604)는 제어 신호에 의거하여 제 4 단과, 제 2 단 및 제 3 단 중 어느 일방을 전기적으로 접속한다.
스위치(605)는 TDD용 필터 회로군(621)과 제 3 안테나에 접속된 RF 신호 출력 단자(653) 사이에 설치된다. 스위치(605)는 TDD용 필터 회로(621a 및 621b) 중 어느 일방을 RF 신호 출력 단자(653)에 접속 가능하게 구성된다.
본 실시형태에서는 스위치(605)는 TDD용 필터 회로(621a)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과, TDD용 필터 회로(621b)의 제 2 단에 접속된 제 2 단과, RF 신호 출력 단자(653)에 접속된 제 3 단을 갖는다.
스위치(605)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 3 단과, 제 1 단 및 제 2 단 중 어느 일방을 전기적으로 접속한다.
(하이 파워 밴드에 속하는 RF 신호를 송수신하고 있을 때의 스위치의 접속 형태)
출력 분배 스위치(604) 및 스위치(605)는 연동해서 동작한다. 본 실시형태에서는 하이 파워 밴드의 통신과 로우 파워 밴드의 통신은 동시에 행해지지 않는다. 이 때문에 하이 파워 밴드의 통신이 행해질 경우 입력 신호(RFinH)만이 RF 신호 입력 단자(651)에 공급된다.
TDD 방식의 통신에서는 RF 신호의 송신 기간과 RF 신호의 수신 기간이 분리되어 있으므로 출력 분배 스위치(604)는 하이 파워 밴드, 예를 들면 HP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 자기의 제 1 단과 제 5 단을 전기적으로 접속한다. 한편, 출력 분배 스위치(604)는 HP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 자기의 제 1 단과 제 5 단을 전기적으로 절연함과 아울러, 자기의 제 2 단과 제 5 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(605)는 HP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 송신 기간 및 수신 기간에 있어서 자기의 제 1 단과 제 3 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 HP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 대전력 UB 증폭 회로(635)로부터 출력되는 증폭 신호(RF7H)는 출력 분배 스위치(604), TDD용 필터 회로(621a), 및 스위치(605)를 통해서 RF 신호 출력 단자(653)에 공급된다.
한편, HP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 RF 신호 출력 단자(653)에 공급되는 입력 신호(RFinR)는 스위치(605), TDD용 필터 회로(621a), 및 출력 분배 스위치(604)를 통해서 로우 노이즈 앰프(631)에 공급된다.
(LP 밴드 1에 속하는 RF 신호를 송수신하고 있을 때의 스위치의 접속 형태)
로우 파워 밴드의 통신이 행해질 경우 입력 신호(RFinL)만이 RF 신호 입력 단자(652)에 공급된다. 출력 분배 스위치(604)는 로우 파워 밴드, 예를 들면 LP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 자기의 제 3 단과 제 4 단을 전기적으로 접속한다. 한편, 출력 분배 스위치(604)는 LP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 자기의 제 3 단과 제 4 단을 전기적으로 절연함과 아울러, 자기의 제 2 단과 제 4 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(605)는 LP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 송신 기간 및 수신 기간에 있어서 자기의 제 2 단과 제 3 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 LP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 소전력 UB 증폭 회로(636)로부터 출력되는 증폭 신호(RF7L)는 출력 분배 스위치(604), TDD용 필터 회로(621b), 및 스위치(605)를 통해서 RF 신호 출력 단자(653)에 공급된다.
한편, LP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 RF 신호 출력 단자(653)에 공급되는 입력 신호(RFinR)는 스위치(605), TDD용 필터 회로(621b), 및 출력 분배 스위치(604)를 통해서 로우 노이즈 앰프(631)에 공급된다.
(전력 증폭 회로(15)의 변형예 2)
제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2에 대해서 설명한다. 도 27은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 2의 구성을 나타내는 도면이다. 도 27에 나타내는 바와 같이 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(15)의 변형예 2(이하, 전력 증폭 회로(15C)라고 칭하는 경우가 있다)는 필터가 2개 더 형성되는 점에서 도 26에 나타내는 전력 증폭 회로(15)의 변형예 1, 즉 전력 증폭 회로(15B)와 상이하다.
전력 증폭 회로(15C)는 도 26에 나타내는 전력 증폭 회로(15B)에 비해 출력 분배 스위치(604), 스위치(605), 및 TDD용 필터 회로군(621) 대신에 출력 분배 스위치(602)(제 5 스위치부), 스위치(603)(제 6 스위치부), 및 TDD용 필터 회로군(622)을 구비한다.
TDD용 필터 회로군(622)은 TDD용 필터 회로(622a(제 1 필터), 622b(제 3 필터), 622c(제 2 필터), 및 622d(제 4 필터))를 포함한다. TDD용 필터 회로(622a 및 622b)는 대전력 UB 증폭 회로(635)의 후단에 형성되고, 하이 파워 레벨에서의 내전력성을 갖는다. TDD용 필터 회로(622c 및 622d)는 소전력 UB 증폭 회로(636)의 후단에 형성되고, 로우 파워 레벨에서의 내전력성을 갖는다. 이하, TDD용 필터 회로(622a, 622b, 622c, 및 622d) 각각을 간단히 TDD용 필터 회로라고 칭하는 경우가 있다.
TDD용 필터 회로는 송신 시에 RF 신호가 공급되고, 또한 수신 시에 RF 신호를 출력하는 제 1 단과, 송신 시에 RF 신호를 출력하고, 또한 수신 시에 RF 신호가 공급되는 제 2 단을 갖는다.
TDD용 필터 회로(622a)는 HP 밴드 1에 포함되는 RF 신호를 통과시키고, HP 밴드 1로부터 벗어나는 주파수 성분의 RF 신호를 감쇠시킨다. TDD용 필터 회로(622b)는 HP 밴드 2에 포함되는 RF 신호를 통과시키고, HP 밴드 2로부터 벗어나는 주파수 성분의 RF 신호를 감쇠시킨다. TDD용 필터 회로(622c)는 LP 밴드 1에 포함되는 RF 신호를 통과시키고, LP 밴드 1로부터 벗어나는 주파수 성분의 RF 신호를 감쇠시킨다. TDD용 필터 회로(622d)는 LP 밴드 2에 포함되는 RF 신호를 통과시키고, LP 밴드 2로부터 벗어나는 주파수 성분의 RF 신호를 감쇠시킨다.
출력 분배 스위치(602)는 TDD용 필터 회로(622a)를 대전력 UB 증폭 회로(635) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, TDD용 필터 회로(622b)를 대전력 UB 증폭 회로(635) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, TDD용 필터 회로(622c)를 소전력 UB 증폭 회로(636) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, 또한 TDD용 필터 회로(622d)를 소전력 UB 증폭 회로(636) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다.
바꿔 말하면, 출력 분배 스위치(602)는 대전력 UB 증폭 회로(635)를 TDD용 필터 회로(622a 및 622b) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, 소전력 UB 증폭 회로(636)를 TDD용 필터 회로(622c 및 622d) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, 또한 로우 노이즈 앰프(631)를 TDD용 필터 회로(622a, 622b, 622c, 및 622d) 중 어느 1개에 접속 가능하게 구성된다.
본 실시형태에서는 출력 분배 스위치(602)는 대전력 UB 증폭 회로(635)의 출력 단자에 접속된 제 1 단과, 로우 노이즈 앰프(631)의 입력 단자에 접속된 제 2 단과, 소전력 UB 증폭 회로(636)의 출력 단자에 접속된 제 3 단과, TDD용 필터 회로(622d)의 제 1 단에 접속된 제 4 단과, TDD용 필터 회로(622c)의 제 1 단에 접속된 제 5 단과, TDD용 필터 회로(622b)의 제 1 단에 접속된 제 6 단과, TDD용 필터 회로(622a)의 제 1 단에 접속된 제 7 단을 갖는다.
출력 분배 스위치(602)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 1 단과, 제 6 단 및 제 7 단 중 어느 일방을 전기적으로 접속한다. 또한, 출력 분배 스위치(602)는 제어 신호에 의거하여 제 2 단과, 제 4 단부터 제 7 단까지의 단자 중 어느 1개를 전기적으로 접속한다. 또한, 출력 분배 스위치(602)는 제어 신호에 의거하여 제 3 단과, 제 4 단 및 제 5 단 중 어느 일방을 전기적으로 접속한다.
스위치(603)는 TDD용 필터 회로(622a, 622b, 622c, 및 622d) 중 어느 1개를 RF 신호 출력 단자(653)에 접속 가능하게 구성된다.
본 실시형태에서는 스위치(603)는 TDD용 필터 회로(622a)의 제 2 단에 접속된 제 1 단과, TDD용 필터 회로(622b)의 제 2 단에 접속된 제 2 단과, TDD용 필터 회로(622c)의 제 2 단에 접속된 제 3 단과, TDD용 필터 회로(622d)의 제 2 단에 접속된 제 4 단과, RF 신호 출력 단자(653)에 접속된 제 5 단을 갖는다.
스위치(603)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 1 단부터 제 4 단까지의 단자 중 어느 1개와 제 5 단을 전기적으로 접속한다.
(HP 밴드 1에 속하는 RF 신호를 송수신하고 있을 때의 스위치의 접속 형태)
출력 분배 스위치(602) 및 스위치(603)는 연동해서 동작한다. 본 실시형태에서는 하이 파워 밴드의 통신과 로우 파워 밴드의 통신은 동시에 행해지지 않는다. 이 때문에 하이 파워 밴드의 통신이 행해질 경우 입력 신호(RFinH)만이 RF 신호 입력 단자(651)에 공급된다.
TDD 방식의 통신에서는 RF 신호의 송신 기간과 RF 신호의 수신 기간이 분리되어 있으므로 출력 분배 스위치(602)는 HP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 자기의 제 1 단과 제 7 단을 전기적으로 접속한다. 한편, 출력 분배 스위치(602)는 HP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 자기의 제 1 단과 제 7 단을 전기적으로 절연함과 아울러, 자기의 제 2 단과 제 7 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(603)는 HP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 송신 기간 및 수신 기간에 있어서 자기의 제 1 단과 제 5 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 HP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 대전력 UB 증폭 회로(635)로부터 출력되는 증폭 신호(RF7H)는 출력 분배 스위치(602), TDD용 필터 회로(622a), 및 스위치(603)를 통해서 RF 신호 출력 단자(653)에 공급된다.
한편, HP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 RF 신호 출력 단자(653)에 공급되는 입력 신호(RFinR)는 스위치(603), TDD용 필터 회로(622a), 및 출력 분배 스위치(602)를 통해서 로우 노이즈 앰프(631)에 공급된다.
(HP 밴드 2에 속하는 RF 신호를 송수신하고 있을 때의 스위치의 접속 형태)
출력 분배 스위치(602)는 HP 밴드 2에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 자기의 제 1 단과 제 6 단을 전기적으로 접속한다. 한편, 출력 분배 스위치(602)는 HP 밴드 2에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 자기의 제 1 단과 제 6 단을 전기적으로 절연함과 아울러, 자기의 제 2 단과 제 6 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(603)는 HP 밴드 2에 속하는 RF 신호의 송신 기간 및 수신 기간에 있어서 자기의 제 2 단과 제 5 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 HP 밴드 2에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 대전력 UB 증폭 회로(635)로부터 출력되는 증폭 신호(RF7H)는 출력 분배 스위치(602), TDD용 필터 회로(622b), 및 스위치(603)를 통해서 RF 신호 출력 단자(653)에 공급된다.
한편, HP 밴드 2에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 RF 신호 출력 단자(653)에 공급되는 입력 신호(RFinR)는 스위치(603), TDD용 필터 회로(622b), 및 출력 분배 스위치(602)를 통해서 로우 노이즈 앰프(631)에 공급된다.
(LP 밴드 1에 속하는 RF 신호를 송수신하고 있을 때의 스위치의 접속 형태)
로우 파워 밴드의 통신이 행해질 경우 입력 신호(RFinL)만이 RF 신호 입력 단자(652)에 공급된다. 출력 분배 스위치(602)는 LP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 자기의 제 3 단과 제 5 단을 전기적으로 접속한다. 한편, 출력 분배 스위치(602)는 LP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 자기의 제 3 단과 제 5 단을 전기적으로 절연함과 아울러, 자기의 제 2 단과 제 5 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(603)는 LP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 송신 기간 및 수신 기간에 있어서 자기의 제 3 단과 제 5 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 LP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 소전력 UB 증폭 회로(636)로부터 출력되는 증폭 신호(RF7L)는 출력 분배 스위치(602), TDD용 필터 회로(622c), 및 스위치(603)를 통해서 RF 신호 출력 단자(653)에 공급된다.
한편, LP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 RF 신호 출력 단자(653)에 공급되는 입력 신호(RFinR)는 스위치(603), TDD용 필터 회로(622c), 및 출력 분배 스위치(602)를 통해서 로우 노이즈 앰프(631)에 공급된다.
(LP 밴드 2에 속하는 RF 신호를 송수신하고 있을 때의 스위치의 접속 형태)
출력 분배 스위치(602)는 LP 밴드 2에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 자기의 제 3 단과 제 4 단을 전기적으로 접속한다. 한편, 출력 분배 스위치(602)는 LP 밴드 2에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 자기의 제 3 단과 제 4 단을 전기적으로 절연함과 아울러, 자기의 제 2 단과 제 4 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(603)는 LP 밴드 2에 속하는 RF 신호의 송신 기간 및 수신 기간에 있어서 자기의 제 4 단과 제 5 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 LP 밴드 2에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 소전력 UB 증폭 회로(636)로부터 출력되는 증폭 신호(RF7L)는 출력 분배 스위치(602), TDD용 필터 회로(622d), 및 스위치(603)를 통해서 RF 신호 출력 단자(653)에 공급된다.
한편, LP 밴드 2에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 RF 신호 출력 단자(653)에 공급되는 입력 신호(RFinR)는 스위치(603), TDD용 필터 회로(622d), 및 출력 분배 스위치(602)를 통해서 로우 노이즈 앰프(631)에 공급된다.
(전력 증폭 회로(15)의 변형예 3)
제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 3에 대해서 설명한다. 도 28은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로의 변형예 3의 구성을 나타내는 도면이다. 도 28에 나타내는 바와 같이 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(15)의 변형예 3(이하, 전력 증폭 회로(15D)라고 칭하는 경우가 있다)은 RF 신호 입력 단자(651)에 공급되는 입력 신호의 출력처를 스위칭하는 스위치가 설치되는 점에서 도 27에 나타내는 전력 증폭 회로(15)의 변형예 2, 즉 전력 증폭 회로(15C)와 상이하다.
전력 증폭 회로(15D)는 도 27에 나타내는 전력 증폭 회로(15C)에 비해 출력 분배 스위치(602) 대신에 출력 분배 스위치(602a)(제 5 스위치부)를 구비하고, 입력 분배 스위치(601)(제 7 스위치부)를 더 구비한다.
입력 분배 스위치(601)는 증폭 회로군(634)의 전단에 설치된다. 입력 분배 스위치(601)는 RF 신호 입력 단자(651)에 접속된 제 1 단과, 대전력 UB 증폭 회로(635)의 입력 단자에 접속된 제 2 단과, 소전력 UB 증폭 회로(636)의 입력 단자에 접속된 제 3 단을 갖는다.
상술한 바와 같이 하이 파워 밴드의 통신과 로우 파워 밴드의 통신은 동시에 행해지지 않는다. 이 때문에 RF 신호 입력 단자(651)에는 입력 신호(RFinH 및 RFinL) 중 어느 일방이 공급된다.
*350입력 분배 스위치(601)는 제 1 단을 제 2 단 및 제 3 단 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다.
본 실시형태에서는 입력 분배 스위치(601)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 1 단과 제 2 단을 전기적으로 접속한다. 또한, 입력 분배 스위치(601)는, 예를 들면 제어 신호에 의거하여 제 1 단과 제 3 단을 전기적으로 접속한다.
출력 분배 스위치(602a)는 TDD용 필터 회로(622a)를 대전력 UB 증폭 회로(635), 소전력 UB 증폭 회로(636), 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, TDD용 필터 회로(622b)를 대전력 UB 증폭 회로(635), 소전력 UB 증폭 회로(636), 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, TDD용 필터 회로(622c)를 소전력 UB 증폭 회로(636) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, 또한 TDD용 필터 회로(622d)를 소전력 UB 증폭 회로(636) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다.
바꿔 말하면, 출력 분배 스위치(602a)는 대전력 UB 증폭 회로(635)를 TDD용 필터 회로(622a 및 622b) 중 어느 1개에 접속 가능하게 구성되고, 소전력 UB 증폭 회로(636)를 TDD용 필터 회로(622a, 622b, 622c, 및 622d) 중 어느 1개에 접속 가능하게 구성되고, 또한 로우 노이즈 앰프(631)를 TDD용 필터 회로(622a, 622b, 622c, 및 622d) 중 어느 1개에 접속 가능하게 구성된다.
본 실시형태에서는 출력 분배 스위치(602a)는 도 27에 나타내는 출력 분배 스위치(602)의 제 1 단~제 7 단과 각각 마찬가지로 접속된 제 1 단~제 7 단을 갖는다.
출력 분배 스위치(602a)는, 예를 들면 이동체 통신기의 제어부가 출력하는 제어 신호에 의거하여 제 1 단과, 제 6 단 및 제 7 단 중 어느 일방을 전기적으로 접속한다. 또한, 출력 분배 스위치(602a)는 제어 신호에 의거하여 제 2 단과, 제 4 단부터 제 7 단까지의 단자 중 어느 1개를 전기적으로 접속한다. 또한, 출력 분배 스위치(602a)는 제어 신호에 의거하여 제 3 단과, 제 4 단부터 제 7 단까지의 단자 중 어느 1개를 전기적으로 접속한다.
(증폭 신호(RF7H)를 하이 파워 출력에 의해 송신하고 있을 때의 스위치의 접속 형태)
입력 분배 스위치(601), 출력 분배 스위치(602a), 및 스위치(603)는 연동해서 동작한다. 하이 파워 밴드의 통신이 행해질 경우 입력 신호(RFinH)만이 RF 신호 입력 단자(651)에 공급된다. 입력 분배 스위치(601)는 하이 파워 밴드에 속하는 RF 신호를 하이 파워 출력에 의해 송신할 때의 송신 기간 및 수신 기간에는 자기의 제 1 단과 제 2 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 하이 파워 밴드에 속하는 RF 신호를 하이 파워 출력에 의해 송신하는 송신 기간에는 RF 신호 입력 단자(651)에 공급된 입력 신호(RFinH)는 입력 분배 스위치(601)를 통해서 대전력 UB 증폭 회로(635)의 입력 단자에 공급되고, 대전력 UB 증폭 회로(635)에 의해 증폭된다.
출력 분배 스위치(602a) 및 스위치(603)는 HP 밴드 1에 속하는 RF 신호를 송수신하고 있을 때 및 HP 밴드 2에 속하는 RF 신호를 송수신하고 있을 때에 있어서의 도 27에 나타내는 출력 분배 스위치(602) 및 스위치(603)와 각각 마찬가지로 동작한다.
(증폭 신호(RF7H)를 로우 파워 출력 이하로 송신하고 있을 때의 스위치의 접속 형태)
하이 파워 밴드에 속하는 RF 신호이어도, 예를 들면 이동체 통신기와 기지국의 거리가 가까워 로우 파워 출력 이하로 RF 신호를 송신할 수 있는 경우가 있다. 이와 같은 경우 입력 분배 스위치(601)는 하이 파워 밴드에 속하는 RF 신호를 로우 파워 출력 이하로 송신할 때의 송신 기간 및 수신 기간에 있어서 자기의 제 1 단과 제 3 단을 전기적으로 접속한다.
1. HP 밴드 1에 속하는 RF 신호를 로우 파워 출력 이하로 송신할 때
출력 분배 스위치(602a)는 HP 밴드 1에 속하는 RF 신호를 로우 파워 출력 이하로 송신할 때의 송신 기간(이하, HPB1 저전력 송신 기간이라고 칭하는 경우가 있다)에는 자기의 제 3 단과 제 7 단을 전기적으로 접속한다. 한편, 출력 분배 스위치(602a)는 HP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 자기의 제 3 단과 제 7 단을 전기적으로 절연함과 아울러, 자기의 제 2 단과 제 7 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(603)는 HPB1 저전력 송신 기간 및 수신 기간에 있어서 자기의 제 1 단과 제 5 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 HPB1 저전력 송신 기간에는 RF 신호 입력 단자(651)에 공급된 입력 신호(RFinH)는 입력 분배 스위치(601)를 통해서 소전력 UB 증폭 회로(636)에 공급된다. 소전력 UB 증폭 회로(636)는 입력 신호(RFinH)를 증폭하고, 로우 파워 출력 이하로 송신 가능한 레벨의 증폭 신호(RF7H)를 생성한다. 소전력 UB 증폭 회로(636)에 의해 생성된 증폭 신호(RF7H)는 출력 분배 스위치(602a), TDD용 필터 회로(622a), 및 스위치(603)를 통해서 RF 신호 출력 단자(653)에 공급된다.
한편, HP 밴드 1에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 RF 신호 출력 단자(653)에 공급되는 입력 신호(RFinR)는 스위치(603), TDD용 필터 회로(622a), 및 출력 분배 스위치(602a)를 통해서 로우 노이즈 앰프(631)에 공급된다.
2. HP 밴드 2에 속하는 RF 신호를 로우 파워 출력 이하로 송신할 때
출력 분배 스위치(602a)는 HP 밴드 2에 속하는 RF 신호를 로우 파워 출력 이하로 송신할 때의 송신 기간(이하, HPB2 저전력 송신 기간이라고 칭하는 경우가 있다)에는 자기의 제 3 단과 제 6 단을 전기적으로 접속한다. 한편, 출력 분배 스위치(602a)는 HP 밴드 2에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 자기의 제 3 단과 제 6 단을 전기적으로 절연함과 아울러, 자기의 제 2 단과 제 6 단을 전기적으로 접속한다. 스위치(603)는 HPB2 저전력 송신 기간 및 수신 기간에 있어서 자기의 제 2 단과 제 5 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 HPB2 저전력 송신 기간에는 RF 신호 입력 단자(651)에 공급된 입력 신호(RFinH)는 입력 분배 스위치(601)를 통해서 소전력 UB 증폭 회로(636)에 공급된다. 소전력 UB 증폭 회로(636)는 입력 신호(RFinH)를 증폭하고, 로우 파워 출력 이하로 송신 가능한 레벨의 증폭 신호(RF7H)를 생성한다. 소전력 UB 증폭 회로(636)에 의해 생성된 증폭 신호(RF7H)는 출력 분배 스위치(602a), TDD용 필터 회로(622b), 및 스위치(603)를 통해서 RF 신호 출력 단자(653)에 공급된다.
한편, HP 밴드 2에 속하는 RF 신호의 수신 기간에는 RF 신호 출력 단자(653)에 공급되는 입력 신호(RFinR)는 스위치(603), TDD용 필터 회로(622b), 및 출력 분배 스위치(602a)를 통해서 로우 노이즈 앰프(631)에 공급된다.
(로우 파워 밴드에 속하는 RF 신호를 송수신하고 있을 때의 스위치의 접속 형태)
로우 파워 밴드의 통신이 행해질 경우 입력 신호(RFinL)만이 RF 신호 입력 단자(651)에 공급된다. 입력 분배 스위치(601)는 로우 파워 밴드에 속하는 RF 신호의 송신 기간 및 수신 기간에는 자기의 제 1 단과 제 3 단을 전기적으로 접속한다.
이것에 의해 로우 파워 밴드에 속하는 RF 신호의 송신 기간에는 RF 신호 입력 단자(651)에 공급된 입력 신호(RFinL)는 입력 분배 스위치(601)를 통해서 소전력 UB 증폭 회로(636)의 입력 단자에 공급되고, 소전력 UB 증폭 회로(636)에 의해 증폭된다.
출력 분배 스위치(602a) 및 스위치(603)는 LP 밴드 1에 속하는 RF 신호를 송수신하고 있을 때 및 LP 밴드 2에 속하는 RF 신호를 송수신하고 있을 때에 있어서의 도 27에 나타내는 출력 분배 스위치(602) 및 스위치(603)와 각각 마찬가지로 동작한다.
또한, 전력 증폭 회로(15D)에서는 출력 분배 스위치(602a), TDD용 필터 회로군(622), 및 스위치(603)가 설치되는 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 전력 증폭 회로(15D)는 출력 분배 스위치(602a), TDD용 필터 회로군(622), 및 스위치(603) 대신에 도 26에 나타내는 출력 분배 스위치(604), TDD용 필터 회로군(621), 및 스위치(605)가 설치되는 구성이어도 좋다.
이 경우 출력 분배 스위치(604)는 TDD용 필터 회로(621a)를 대전력 UB 증폭 회로(635), 소전력 UB 증폭 회로(636), 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, 또한 TDD용 필터 회로(621b)를 소전력 UB 증폭 회로(636) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다.
또한, 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(15)에서는 제 3 주파수대가 하이 파워 밴드인 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 제 3 주파수대는 로우 밴드, 로우 미드 밴드, 미드 밴드, 하이 밴드 또는 울트라 하이 밴드 등의 다른 밴드인 구성이어도 좋다.
또한, 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(15)에서는 제 4 주파수대가 로우 파워 밴드인 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 제 4 주파수대는 로우 밴드, 로우 미드 밴드, 미드 밴드, 하이 밴드 또는 울트라 하이 밴드 등의 다른 밴드인 구성이어도 좋다.
또한, 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(15)에서는 대전력 UB 증폭 회로(635)가 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 고정 조정 회로(103)(도 4 참조)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 대전력 UB 증폭 회로(635)는 대전력 광대역 증폭 회로(202) 및 제 1 가변 조정 회로(203)(도 4 참조)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는 구성이어도 좋다. 또한, 대전력 UB 증폭 회로(635)는 대전력 광대역 증폭 회로(212) 및 제 1 가변 조정 회로(213)(도 11 참조)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는 구성이어도 좋다.
또한, 제 5 실시형태에 의한 전력 증폭 회로(15)에서는 소전력 UB 증폭 회로(636)가 소전력 MB 증폭 회로(102) 및 고정 조정 회로(103)(도 4 참조)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는 구성에 대해서 설명했지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 소전력 UB 증폭 회로(636)는 대전력 광대역 증폭 회로(202) 및 제 1 가변 조정 회로(203)(도 4 참조)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는 구성이어도 좋다. 또한, 소전력 UB 증폭 회로(636)는 대전력 광대역 증폭 회로(212) 및 제 1 가변 조정 회로(213)(도 11 참조)와 마찬가지의 회로 구성을 갖는 구성이어도 좋다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시형태에 대해서 설명했다. 전력 증폭 회로(11A)에서는 소전력 MB 증폭 회로(102)는 미드 밴드의 입력 신호(RFin1)를 증폭하고, 제 1 전력을 갖는 증폭 신호(RF3p 및 RF3m)를 출력한다. 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 미드 밴드 또는 미드 밴드와 상이한 하이 밴드의 입력 신호(RFin2)를 증폭하고, 제 1 전력과 상이한 제 2 전력을 갖는 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)를 출력한다. 제 1 가변 조정 회로(203)는 대전력 광대역 증폭 회로(202)와 전송 선로(64) 사이에 형성되고, 대전력 광대역 증폭 회로(202)로부터 전송 선로(64)를 보았을 때의 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성된다.
이와 같이 제 1 가변 조정 회로(203)에 의해 제 1 임피던스가 조정 가능한 구성에 의해 대전력 광대역 증폭 회로(202)와 전송 선로(64) 사이의 임피던스의 부정합에 의한 RF 신호의 변형 및 전력 효율의 저하를 미드 밴드부터 하이 밴드까지의 넓은 주파수 대역에 있어서 억제할 수 있다. 즉, 미드 밴드용의 증폭 회로 및 하이 밴드용의 증폭 회로의 2개를 제 2 전력용의 증폭 회로로서 준비하는 일 없이 1개의 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 의해 넓은 주파수 대역에 있어서 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)를 효율 좋게 공급할 수 있다. 따라서, 넓은 주파수 대역에 있어서 RF 신호를 효율 좋게 공급함과 아울러, 회로 규모의 증대를 억제할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(13)에서는 대전력 HB 증폭 회로(222)는 하이 밴드의 입력 신호(RFin4)를 증폭하고, 제 1 전력을 갖는 증폭 신호(RF6p 및 RF6m)를 출력한다. 소전력 광대역 증폭 회로(122)는 미드 밴드 또는 하이 밴드의 입력 신호(RFin3)를 증폭하고, 제 1 전력과 상이한 제 2 전력을 갖는 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)를 출력한다. 제 1 가변 조정 회로(133)는 소전력 광대역 증폭 회로(122)와 전송 선로(63) 사이에 형성되고, 소전력 광대역 증폭 회로(122)로부터 전송 선로(63)를 보았을 때의 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성된다.
이와 같이 제 1 가변 조정 회로(133)에 의해 제 1 임피던스가 조정 가능한 구성에 의해 소전력 광대역 증폭 회로(122)와 전송 선로(63) 사이의 임피던스의 부정합에 의한 RF 신호의 변형 및 전력 효율의 저하를 미드 밴드부터 하이 밴드까지의 넓은 주파수 대역에 있어서 억제할 수 있다. 즉, 미드 밴드용의 증폭 회로 및 하이 밴드용의 증폭 회로의 2개를 제 2 전력용의 증폭 회로로서 준비하는 일 없이 1개의 소전력 광대역 증폭 회로(122)에 의해 넓은 주파수 대역에 있어서 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)를 효율 좋게 공급할 수 있다. 따라서, 넓은 주파수 대역에 있어서 RF 신호를 효율 좋게 공급함과 아울러, 회로 규모의 증대를 억제할 수 있다.
또한, 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 파워단 차동 증폭 회로(43)를 포함한다.
이와 같은 구성에 의해 파워단 차동 증폭 회로(43)를 구성하는 증폭기(43a 및 43b) 각각의 출력을 싱글 방식으로 증폭할 경우에 있어서의 증폭기(예를 들면, 파워단 싱글 증폭 회로(45)를 구성하는 증폭기(45a))로부터의 출력의 대략 반분으로 할 수 있다. 즉, 증폭기(43a 및 43b) 각각으로부터 본 부하 임피던스를 증폭기(45a)로부터 본 부하 임피던스의 대략 2배로 할 수 있다. 이것에 의해 제 1 가변 조정 회로(203)에 의한 임피던스의 변환량을 작게 할 수 있으므로 제 1 가변 조정 회로(203)가 제 1 임피던스를 양호하게 조정 가능한 주파수 대역을 넓힐 수 있다. 따라서, 파워단 차동 증폭 회로(43)를 사용해서 입력 신호(RFin2)를 증폭함으로써 싱글 방식으로 입력 신호(RFin2)를 증폭하는 경우에 비해 주파수의 광대역화를 도모할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(11A)에서는 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 포함되는 파워단 차동 증폭 회로(43)는 미드 밴드 또는 하이 밴드의 입력 신호(RFin2)를 증폭하고, 제 1 전력보다 큰 제 2 전력을 갖는 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)를 출력한다.
예를 들면, 대전력 광대역 증폭 회로(212)에 포함되는 파워단 싱글 증폭 회로(45)와 같은 싱글 방식과, 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 포함되는 파워단 차동 증폭 회로(43)에서 동일 출력 전압을 공급할 경우 파워단 싱글 증폭 회로(45)를 구성하는 증폭기(45a)에는 파워단 차동 증폭 회로(43)를 구성하는 증폭기(43a 및 43b) 각각의 출력 전압의 대략 2배의 출력 전압이 요구된다. 이 때문에 싱글 방식을 사용해서 차동 증폭 회로와 동등한 전력을 공급할 경우 대략 2배의 전류가 필요해진다. 이것을 실현하기 위해서는 출력 임피던스를 내리는 것이 요구되지만 출력 임피던스를 내리는 것은 일반적으로 어렵다. 이에 대해서 파워단 차동 증폭 회로(43)를 구성하는 증폭기(43a 및 43b)에 의해 입력 신호(RFin2)를 증폭하는 구성에 의해 증폭기(43a 및 43b) 각각의 출력 전압을 증폭기(45a)의 출력 전압의 대략 반분으로 할 수 있으므로 출력 임피던스를 내려서 전류를 크게 하는 일 없이 제 1 전력보다 큰 제 2 전력을 갖는 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)를 출력할 수 있다. 즉, PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(RFin2)를 증폭하는 구성을 간이하게 실현할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(13)에서는 제 2 전력은 제 1 전력보다 작다. 그리고 대전력 HB 증폭 회로(222)는 파워단 차동 증폭 회로(43)를 포함한다.
이와 같이 파워단 차동 증폭 회로(43)를 구성하는 증폭기(43a 및 43b)에 의해 입력 신호(RFin4)를 증폭하는 구성에 의해 증폭기(43a 및 43b) 각각의 출력 전압을 싱글 방식으로 증폭할 경우에 있어서의 증폭기(45a)의 출력 전압의 대략 반분으로 할 수 있으므로 출력 임피던스를 내려서 전류를 크게 하는 일 없이 제 2 전력보다 큰 제 1 전력을 갖는 증폭 신호(RF6p 및 RF6m)를 출력할 수 있다. 즉, PC 2의 송신 전력에 의해 송신 가능한 레벨까지 입력 신호(RFin4)를 증폭하는 구성을 간이하게 실현할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(12)에서는 소전력 광대역 증폭 회로(122)는 미드 밴드 또는 하이 밴드의 입력 신호(RFin3)를 증폭하고, 제 1 전력을 갖는 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)를 출력한다. 제 2 가변 조정 회로(123)는 소전력 광대역 증폭 회로(122)와 전송 선로(63) 사이에 형성되고, 소전력 광대역 증폭 회로(122)로부터 전송 선로(63)를 보았을 때의 제 2 임피던스를 조정 가능하게 구성된다. 대전력 광대역 증폭 회로(202)는 미드 밴드 또는 하이 밴드의 입력 신호(RFin2)를 증폭하고, 제 1 전력과 상이한 제 2 전력을 갖는 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)를 출력한다. 제 1 가변 조정 회로(203)는 대전력 광대역 증폭 회로(202)와 전송 선로(64) 사이에 형성되고, 대전력 광대역 증폭 회로(202)로부터 전송 선로(64)를 보았을 때의 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성된다.
이와 같이 제 2 가변 조정 회로(123)에 의해 제 2 임피던스가 조정 가능한 구성에 의해 미드 밴드부터 하이 밴드까지의 넓은 주파수 대역에 있어서 전력 효율이 커지도록 소전력 광대역 증폭 회로(122)를 동작시킬 수 있다. 이것에 의해 미드 밴드용의 증폭 회로 및 하이 밴드용의 증폭 회로의 2개를 제 1 전력용의 증폭 회로로서 준비하는 일 없이 1개의 소전력 광대역 증폭 회로(122)에 의해 넓은 주파수 대역을 커버할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(11A)에서는 제 1 가변 조정 회로(203A)는 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)의 기본파의 주파수에 대한 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성되는 광대역 정합 회로(301)를 포함한다.
이와 같은 구성에 의해 미드 밴드부터 하이 밴드까지의 넓은 주파수 대역에 있어서 전력 효율이 커지도록 대전력 광대역 증폭 회로(202)를 동작시킬 수 있다. 이것에 의해 충분한 전력을 갖는 양호한 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)를 공급할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(11A)에서는 제 1 가변 조정 회로(203B)는 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)의 고조파의 주파수에 대한 제 1 임피던스를 조정 가능하게 구성되는 광대역 종단 회로(401)를 포함한다.
이와 같은 구성에 의해 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)의 고조파를 감쇠시킬 수 있으므로 고조파에 의한 변형이 억제된 양호한 증폭 신호(RF4p 및 RF4m)를 공급할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(12)에서는 제 2 가변 조정 회로(123)는 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)의 기본파의 주파수에 대한 제 2 임피던스를 조정 가능하게 구성되는 광대역 정합 회로(301)를 포함한다.
이와 같은 구성에 의해 미드 밴드부터 하이 밴드까지의 넓은 주파수 대역에 있어서 전력 효율이 커지도록 소전력 광대역 증폭 회로(122)를 동작시킬 수 있다. 이것에 의해 충분한 전력을 갖는 양호한 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)를 공급할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(12)에서는 제 2 가변 조정 회로(123)는 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)의 고조파의 주파수에 대한 제 2 임피던스를 조정 가능하게 구성되는 광대역 종단 회로(401)를 포함한다.
이와 같은 구성에 의해 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)의 고조파를 감쇠시킬 수 있으므로 고조파에 의한 변형이 억제된 양호한 증폭 신호(RF5p 및 RF5m)를 공급할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(14)에서는 출력 분배 스위치(502)는 소전력 MB 증폭 회로(102)와 소전력 MB 증폭 회로(102)의 후단의 FDD용 필터 회로군(521) 및 대전력 광대역 증폭 회로(202)의 후단의 TDD용 필터 회로군(522) 사이에 설치된다. 그리고 출력 분배 스위치(502)는 소전력 MB 증폭 회로(102)를 FDD용 필터 회로(521a, 521b, 및 521c) 및 TDD용 필터 회로(522a, 522b, 및 522c) 중 어느 1개에 접속 가능하게 구성된다.
이와 같은 구성에 의해, 예를 들면 FDD 방식으로 통신을 행할 경우에는 소전력 MB 증폭 회로(102)로부터의 출력 신호(RFout1)를 FDD용 필터 회로(521a, 521b, 및 521c) 중 어느 하나에 공급할 수 있다. 또한, 예를 들면 TDD 방식으로 통신을 행할 경우에 있어서 이동체 통신기와 기지국의 거리가 가까워 PC 3의 송신 전력에 의해 RF 신호를 송신할 수 있을 때 또는 PC 3의 송신 전력을 RF 신호의 송신 전력의 상한으로 해도 좋을 때에는 입력 신호(RFin2)가 소전력 MB 증폭 회로(102)에서 증폭된다. 그리고 소전력 MB 증폭 회로(102)로부터의 출력 신호(RFout1)를 TDD용 필터 회로(522a, 522b, 및 522c) 중 어느 하나에 공급할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(14)에서는 출력 분배 스위치(502)는 소전력 광대역 증폭 회로(122)와, 소전력 광대역 증폭 회로(122)의 후단의 FDD용 필터 회로군(521) 및 대전력 HB 증폭 회로(222)의 후단의 TDD용 필터 회로군(522) 사이에 설치된다. 그리고 출력 분배 스위치(502)는 소전력 광대역 증폭 회로(122)를 FDD용 필터 회로(521a, 521b, 및 521c) 및 TDD용 필터 회로(522a, 522b, 및 522c) 중 어느 1개에 접속 가능하게 구성된다.
이와 같은 구성에 의해, 예를 들면 FDD 방식으로 통신을 행할 경우에는 소전력 광대역 증폭 회로(122)로부터의 출력 신호(RFout3)를 FDD용 필터 회로(521a, 521b, 및 521c) 중 어느 하나에 공급할 수 있다. 또한, 예를 들면 TDD 방식으로 통신을 행할 경우에 있어서 이동체 통신기와 기지국의 거리가 가까워 PC 3의 송신 전력에 의해 RF 신호를 송신할 수 있을 때 또는 PC 3의 송신 전력을 RF 신호의 송신 전력의 상한으로 해도 좋을 때에는 입력 신호(RFin4)가 소전력 광대역 증폭 회로(122)에서 증폭된다. 그리고 소전력 광대역 증폭 회로(122)로부터의 출력 신호(RFout3)를 TDD용 필터 회로(522a, 522b, 및 522c) 중 어느 하나에 공급할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(14)에서는 입력 분배 스위치(501)는 입력 신호(RFin2)가 공급되는 제 1 단과, 대전력 광대역 증폭 회로(202)에 접속된 제 2 단과, 소전력 MB 증폭 회로(102)에 접속된 제 3 단을 갖고, 제 1 단을 제 2 단 및 제 3 단 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다.
이와 같은 구성에 의해, 예를 들면 TDD 방식의 통신에 사용되는 입력 신호(RFin2)를 요구되는 송신 전력에 따라 대전력 광대역 증폭 회로(202) 또는 소전력 MB 증폭 회로(102)에 공급할 수 있다. 이것에 의해 대전력 광대역 증폭 회로(202) 및 소전력 MB 증폭 회로(102)의 전력 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(14)에서는 입력 분배 스위치(501)는 입력 신호(RFin4)가 공급되는 제 1 단과, 대전력 HB 증폭 회로(222)에 접속된 제 2 단과, 소전력 광대역 증폭 회로(122)에 접속된 제 3 단을 갖고, 제 1 단을 제 2 단 및 제 3 단 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다.
이와 같은 구성에 의해, 예를 들면 TDD 방식의 통신에 사용되는 입력 신호(RFin4)를 요구되는 송신 전력에 따라 대전력 HB 증폭 회로(222) 또는 소전력 광대역 증폭 회로(122)에 공급할 수 있다. 이것에 의해 대전력 HB 증폭 회로(222) 및 소전력 광대역 증폭 회로(122)의 전력 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(15B)에서는 대전력 UB 증폭 회로(635)는 하이 파워 밴드의 입력 신호(RFinH)를 증폭하고, 제 3 전력을 갖는 증폭 신호(RF7H)를 출력한다. 소전력 UB 증폭 회로(636)는 하이 파워 밴드와 상이한 로우 파워 밴드의 입력 신호(RFinL)를 증폭하고, 제 3 전력보다 작은 제 4 전력을 갖는 증폭 신호(RF7L)를 출력한다. 로우 노이즈 앰프(631)는 하이 파워 밴드 또는 로우 파워 밴드의 입력 신호(RFinR)를 증폭하고, 증폭 신호(RF7R)를 출력한다. TDD용 필터 회로(621a 및 621b)는 각각 대전력 UB 증폭 회로(635) 및 소전력 UB 증폭 회로(636)의 후단에 형성된다. 출력 분배 스위치(604)는 증폭 회로군(634) 및 로우 노이즈 앰프(631)와 TDD용 필터 회로군(621) 사이에 설치된다. 출력 분배 스위치(604)는 TDD용 필터 회로(621a)를 대전력 UB 증폭 회로(635) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, 또한 TDD용 필터 회로(621b)를 소전력 UB 증폭 회로(636) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다. 그리고 스위치(605)는 TDD용 필터 회로군(621)과 TDD용 필터 회로군(621)의 후단에 설치된 제 3 안테나 사이에 설치된다. 그리고 스위치(605)는 TDD용 필터 회로(621a 및 621b) 중 어느 일방을 제 3 안테나에 접속 가능하게 구성된다.
이와 같이 출력 분배 스위치(604) 및 스위치(605)를 설치하고, 출력 분배 스위치(604) 및 스위치(605)의 접속 형태를 적당히 스위칭하는 구성에 의해 하이 파워 밴드에 속하는 증폭 신호(RF7H) 및 입력 신호(RFinR)의 노이즈 제거에 TDD용 필터 회로(621a)를 공용할 수 있음과 아울러, 로우 파워 밴드에 속하는 증폭 신호(RF7L) 및 입력 신호(RFinR)의 노이즈 제거에 TDD용 필터 회로(621b)를 공용할 수 있다. 또한, 하이 파워 밴드에 속하는 입력 신호(RFinR) 및 로우 파워 밴드에 속하는 입력 신호(RFinR)의 증폭에 로우 노이즈 앰프(631)를 공용할 수 있다. 이것에 의해 송신 신호와 수신 신호에 각각 별개의 필터를 형성하거나, 하이 파워 밴드에 속하는 수신 신호 및 로우 파워 밴드에 속하는 수신 신호에 각각 별개로 로우 노이즈 앰프를 설치하거나 하는 구성에 비해 전력 증폭 회로(15B)의 회로 규모를 삭감할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(15C)에서는 TDD용 필터 회로(622a 및 622b)는 대전력 UB 증폭 회로(635)의 후단에 형성된다. TDD용 필터 회로(622c 및 622d)는 소전력 UB 증폭 회로(636)의 후단에 형성된다. 출력 분배 스위치(602)는 TDD용 필터 회로(622a)를 대전력 UB 증폭 회로(635) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, TDD용 필터 회로(622b)를 대전력 UB 증폭 회로(635) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, TDD용 필터 회로(622c)를 소전력 UB 증폭 회로(636) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, 또한 TDD용 필터 회로(622d)를 소전력 UB 증폭 회로(636) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다. 그리고 스위치(603)는 TDD용 필터 회로(622a, 622b, 622c, 및 622d) 중 어느 1개를 제 3 안테나에 접속 가능하게 구성된다.
이와 같은 구성에 의해 하이 파워 밴드에 포함되는 HP 밴드 1 및 HP 밴드 2마다 증폭 신호(RF7H) 및 입력 신호(RFinR)의 노이즈 제거를 행함과 아울러, TDD용 필터 회로(622a 또는 622b)를 공용할 수 있다. 또한, 로우 파워 밴드에 포함되는 LP 밴드 1 및 LP 밴드 2마다 증폭 신호(RF7L) 및 입력 신호(RFinR)의 노이즈 제거를 행함과 아울러, TDD용 필터 회로(622c 또는 622d)를 공용할 수 있다. 또한, HP 밴드 1, HP 밴드 2, LP 밴드 1, 및 LP 밴드 2밴드 2느 하나에 속하는 입력 신호(RFinR)의 증폭에 로우 노이즈 앰프(631)를 공용할 수 있다. 이것에 의해 송신 신호와 수신 신호에 각각 별개의 필터를 형성하거나, 수신 신호가 속하는 밴드마다 로우 노이즈 앰프를 설치하거나 하는 구성에 비해 전력 증폭 회로(15C)의 회로 규모를 삭감할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(15D)에서는 입력 분배 스위치(601)는 증폭 회로군(634)의 전단에 설치되고, 입력 신호(RFinH 및 RFinL) 중 어느 일방이 공급되는 제 1 단과, 대전력 UB 증폭 회로(635)에 접속된 제 2 단과, 소전력 UB 증폭 회로(636)에 접속된 제 3 단을 갖는다. 그리고 입력 분배 스위치(601)는 제 1 단을 제 2 단 및 제 3 단 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다. 출력 분배 스위치(602a)는 TDD용 필터 회로(622a 및 622b) 각각을 대전력 UB 증폭 회로(635), 소전력 UB 증폭 회로(636), 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 1개에 접속 가능하게 구성되고, 또한 TDD용 필터 회로(622c 및 622d) 각각을 소전력 UB 증폭 회로(636) 및 로우 노이즈 앰프(631) 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된다.
이와 같은 구성에 의해, 예를 들면 하이 파워 밴드에 속하는 입력 신호(RFinH)를 하이 파워 출력에 의해 송신할 경우에는 입력 신호(RFinH)를 대전력 UB 증폭 회로(635)로 공급하고, 대전력 UB 증폭 회로(635)로부터의 증폭 신호(RF7H)를 TDD용 필터 회로(622a 또는 622b)에 공급할 수 있다. 이것에 의해 대전력 UB 증폭 회로(635)에 있어서의 전력 효율이 좋은 상태를 유지할 수 있다. 또한, 예를 들면 하이 파워 밴드에 속하는 입력 신호(RFinH)를 로우 파워 출력 이하로 송신할 경우에는 입력 신호(RFinH)를 소전력 UB 증폭 회로(636)로 공급하고, 소전력 UB 증폭 회로(636)로부터의 증폭 신호(RF7H)를 TDD용 필터 회로(622a 또는 622b)에 공급할 수 있다. 이것에 의해 입력 신호(RFinH)를 로우 파워 출력 이하로 송신할 경우에 있어서 대전력 UB 증폭 회로(635)가 입력 신호(RFinH)를 증폭할 때의 전력 효율의 저하를 회피하고, 소전력 UB 증폭 회로(636)에 있어서 양호한 전력 효율로 입력 신호(RFinH)를 증폭할 수 있다.
또한, 이상 설명한 각 실시형태는 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이며, 본 발명을 한정해서 해석하기 위한 것은 아니다. 본 발명은 그 취지를 일탈하는 일 없이 변경/개량될 수 있음과 아울러, 본 발명에는 그 등가물도 포함된다. 즉, 각 실시형태에 당업자가 적당히 설계 변경을 추가한 것도 본 발명의 특징을 구비하고 있는 한 본 발명의 범위에 포함된다. 예를 들면, 각 실시형태가 구비하는 각 요소 및 그 배치, 재료, 조건, 형상, 사이즈 등은 예시한 것에 한정되는 것은 아니고 적당히 변경할 수 있다. 또한, 각 실시형태는 예시이며, 상이한 실시형태에서 나타낸 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것은 말할 필요도 없고, 이들도 본 발명의 특징을 포함하는 한 본 발명의 범위에 포함된다.
1: 송신 장치 6: 송수신 유닛
11, 12, 13, 14, 15: 전력 증폭 회로 16: RF 신호 생성 회로
21, 22, 23, 24, 29: 반도체 칩 41: 드라이버단 싱글 증폭 회로
42: 단간 정합 회로 43: 파워단 차동 증폭 회로
44: 단간 정합 회로 45: 파워단 싱글 증폭 회로
61, 62, 63, 64: 전송 선로 71A: 증폭 회로군
102: 소전력 MB 증폭 회로 103: 고정 조정 회로
112: 소전력 MB 증폭 회로 113: 고정 조정 회로
122: 소전력 광대역 증폭 회로 123: 제 2 가변 조정 회로
133: 제 1 가변 조정 회로 202: 대전력 광대역 증폭 회로
203: 제 1 가변 조정 회로 212: 대전력 광대역 증폭 회로
213: 제 1 가변 조정 회로 222: 대전력 HB 증폭 회로
233: 고정 조정 회로 301: 광대역 정합 회로
302: 정합 회로 306: 광대역 정합 회로
307: 정합 회로 401: 광대역 종단 회로
402: 종단 회로 406: 광대역 종단 회로
407: 종단 회로 521: FDD용 필터 회로
522: TDD용 필터 회로 523, 524, 525: 필터 회로
531, 532: 로우 노이즈 앰프 601: 입력 분배 스위치
602, 602a: 출력 분배 스위치 603: 스위치
604: 출력 분배 스위치 605: 스위치
621, 622: TDD용 필터 회로 631: 로우 노이즈 앰프
634: 증폭 회로군 635: 대전력 UB 증폭 회로
636: 소전력 UB 증폭 회로 641: 반도체 칩

Claims (3)

  1. 제 3 주파수대의 제 1 송신 신호를 증폭하고, 제 3 전력을 갖는 제 3 증폭 신호를 출력하는 제 3 증폭 회로와,
    상기 제 3 주파수대와 상이한 제 4 주파수대의 제 2 송신 신호를 증폭하고, 상기 제 3 전력보다 작은 제 4 전력을 갖는 제 4 증폭 신호를 출력하는 제 4 증폭 회로와,
    상기 제 3 주파수대 또는 상기 제 4 주파수대의 수신 신호를 증폭하고, 제 5 증폭 신호를 출력하는 제 5 증폭 회로와,
    상기 제 3 증폭 회로의 후단에 형성되는 제 1 필터와,
    상기 제 4 증폭 회로의 후단에 형성되는 제 2 필터와,
    상기 제 3 증폭 회로, 상기 제 4 증폭 회로, 및 상기 제 5 증폭 회로를 포함하는 회로군과 상기 제 1 필터 및 상기 제 2 필터를 포함하는 필터군 사이에 형성되고, 상기 제 1 필터를 상기 제 3 증폭 회로 및 상기 제 5 증폭 회로 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, 또한 상기 제 2 필터를 상기 제 4 증폭 회로 및 상기 제 5 증폭 회로 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된 제 5 스위치부와,
    상기 제 1 필터 및 상기 제 2 필터를 포함하는 상기 필터군과 상기 제 1 필터 및 상기 제 2 필터를 포함하는 상기 필터군의 후단에 형성된 제 7 회로 사이에 형성되고, 상기 제 1 필터 및 상기 제 2 필터 중 어느 일방을 상기 제 7 회로에 접속 가능하게 구성된 제 6 스위치부를 구비하는 전력 증폭 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 증폭 회로의 후단에 형성되는 제 3 필터와,
    상기 제 4 증폭 회로의 후단에 형성되는 제 4 필터를 더 구비하고,
    상기 제 5 스위치부는, 추가로 상기 제 3 필터를 상기 제 3 증폭 회로 및 상기 제 5 증폭 회로 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고, 또한 상기 제 4 필터를 상기 제 4 증폭 회로 및 상기 제 5 증폭 회로 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되고,
    상기 제 6 스위치부는 상기 제 1 필터, 상기 제 2 필터, 상기 제 3 필터, 및 상기 제 4 필터 중 어느 1개를 상기 제 7 회로에 접속 가능하게 구성되는 전력 증폭 회로.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 3 증폭 회로 및 상기 제 4 증폭 회로의 전단에 형성되고, 상기 제 1 송신 신호 및 상기 제 2 송신 신호 중 어느 일방이 공급되는 제 1 단과, 상기 제 3 증폭 회로에 접속된 제 2 단과, 상기 제 4 증폭 회로에 접속된 제 3 단을 갖고, 상기 제 1 단을 상기 제 2 단 및 상기 제 3 단 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성된 제 7 스위치부를 더 구비하고,
    상기 제 5 스위치부는 상기 제 1 필터를 상기 제 3 증폭 회로, 상기 제 4 증폭 회로, 및 상기 제 5 증폭 회로 중 어느 1개에 접속 가능하게 구성되고, 또한 상기 제 2 필터를 상기 제 4 증폭 회로 및 상기 제 5 증폭 회로 중 어느 일방에 접속 가능하게 구성되는 전력 증폭 회로.
KR1020230039763A 2020-04-28 2023-03-27 전력 증폭 회로 KR102611706B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020079240 2020-04-28
JPJP-P-2020-079240 2020-04-28
JPJP-P-2020-180111 2020-10-28
JP2020180111A JP2021176223A (ja) 2020-04-28 2020-10-28 電力増幅回路
KR1020210043147A KR20210133140A (ko) 2020-04-28 2021-04-02 전력 증폭 회로

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210043147A Division KR20210133140A (ko) 2020-04-28 2021-04-02 전력 증폭 회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230044174A KR20230044174A (ko) 2023-04-03
KR102611706B1 true KR102611706B1 (ko) 2023-12-08

Family

ID=78300533

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210043147A KR20210133140A (ko) 2020-04-28 2021-04-02 전력 증폭 회로
KR1020230039763A KR102611706B1 (ko) 2020-04-28 2023-03-27 전력 증폭 회로

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210043147A KR20210133140A (ko) 2020-04-28 2021-04-02 전력 증폭 회로

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2021176223A (ko)
KR (2) KR20210133140A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023120073A1 (ja) * 2021-12-24 2023-06-29 株式会社村田製作所 高周波回路および通信装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101224087B1 (ko) * 2011-06-23 2013-01-21 한국항공우주연구원 재구성이 가능한 ｇｐｓ/갈릴레오 복합 수신기의 ｒｆ 프런트 엔드 구조
WO2019244815A1 (ja) * 2018-06-20 2019-12-26 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100630320B1 (ko) 1999-12-30 2006-09-29 한라공조주식회사 적층형 열교환기 조립체
US8750810B2 (en) * 2009-07-24 2014-06-10 Qualcomm Incorporated Power amplifier with switched output matching for multi-mode operation
WO2012098863A1 (ja) 2011-01-20 2012-07-26 パナソニック株式会社 高周波電力増幅器
JP2019154025A (ja) * 2018-03-01 2019-09-12 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路及びそれを備える通信装置
CN108461931B (zh) 2018-03-22 2021-02-05 京东方科技集团股份有限公司 一种建筑用基板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101224087B1 (ko) * 2011-06-23 2013-01-21 한국항공우주연구원 재구성이 가능한 ｇｐｓ/갈릴레오 복합 수신기의 ｒｆ 프런트 엔드 구조
WO2019244815A1 (ja) * 2018-06-20 2019-12-26 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021176223A (ja) 2021-11-04
KR20230044174A (ko) 2023-04-03
KR20210133140A (ko) 2021-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7706835B2 (en) High-frequency circuit device
US9203362B2 (en) Quadrature lattice matching network
US10601382B2 (en) Power amplifier circuit
CN106537769A (zh) 与线性和高效宽带功率放大器有关的系统和方法
US20060267684A1 (en) High-frequency power amplifier and radio communication equipment using the same
US11616480B2 (en) Power amplifier circuit
US20160373144A1 (en) Power amplification module
KR102611706B1 (ko) 전력 증폭 회로
US10439560B2 (en) Power amplification module
US20180358931A1 (en) Power amplifier
US11750152B2 (en) Power amplifier circuit
US11606066B2 (en) Power amplifier circuit
JP2019071540A (ja) 電力増幅モジュール
CN113572439B (zh) 功率放大电路
WO2023058414A1 (ja) 高周波回路および通信装置
US11418151B2 (en) Power amplifier circuit
US20230170860A1 (en) Doherty power amplifier and power amplification method
CN219718200U (zh) 一种射频分合路单元
WO2023002778A1 (ja) 電力増幅回路及び電力増幅方法
Balteanu Envelope tracking techniques
JP2019118094A (ja) 電力増幅回路

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant