KR102610117B1 - EMI shielding structure and manufacturing method as the same - Google Patents
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- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
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Abstract
전자파 차폐구조가 개시된다. 개시된 전자파 차폐구조는 인쇄회로기판 상의 인접한 차폐영역들에 대해서 폐루프를 이루도록 형성되는 차폐 댐; 상기 차폐 댐에 의해 정의된 차폐영역을 메워 각 차폐영역에 위치한 회로 소자들을 덮는 절연 부재; 및 상기 절연 부재의 상면을 덮는 차폐 부재;를 포함하며, 상기 차폐 댐은 차폐영역의 외곽을 형성하는 경계부(border portion)와 상기 경계부 내측에 배치되는 파티션부(partition portion)를 포함할 수 있다.An electromagnetic wave shielding structure is disclosed. The disclosed electromagnetic wave shielding structure includes a shielding dam formed to form a closed loop with respect to adjacent shielding areas on a printed circuit board; an insulating member that fills the shielding area defined by the shielding dam and covers circuit elements located in each shielding area; and a shielding member covering an upper surface of the insulating member, wherein the shielding dam may include a border portion forming an outline of the shielding area and a partition portion disposed inside the border portion.
Description
본 발명은 전자파 차폐구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 서로 인접한 차폐영역의 간격을 없애 인쇄회로기판의 실장 영역을 늘릴 수 있는 전자파 차폐구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electromagnetic wave shielding structure and a manufacturing method thereof, and particularly to an electromagnetic wave shielding structure and a manufacturing method thereof that can increase the mounting area of a printed circuit board by eliminating the gap between adjacent shielding areas.
최근 전자제품 시장에서는 휴대용 디바이스의 수요가 급격하게 증가하고 있으며, 이와 함께 휴대가 용이하도록 휴대용 디바이스의 소형화 및 경량화가 지속적으로 요구되고 있다. 휴대용 디바이스의 소형화 및 경량화를 구현하기 위해서는 휴대용 디바이스에 구비된 전자 부품의 개별 사이즈를 감소시키는 기술뿐만 아니라, 인쇄회로기판에 실장된 다수의 회로 소자들을 하나의 패키지로 집적하는 패키징 기술이 요구된다. 특히, 고주파 신호를 취급하는 반도체 패키지는 소형화뿐만 아니라 전자파 간섭 또는 전자파 내성 특성을 우수하게 구현하기 위한 전자파 차폐구조가 요구되고 있다.Recently, the demand for portable devices has been rapidly increasing in the electronics market, and along with this, there has been a continuous demand for miniaturization and weight reduction of portable devices for easy portability. In order to make portable devices smaller and lighter, not only technologies that reduce the individual sizes of electronic components included in portable devices, but also packaging technologies that integrate multiple circuit elements mounted on a printed circuit board into one package are required. In particular, semiconductor packages that handle high-frequency signals require an electromagnetic wave shielding structure to not only miniaturize but also achieve excellent electromagnetic interference and electromagnetic wave immunity characteristics.
종래의 전자파 차폐 구조는 프레스 가공된 금속재질의 쉴드 캔(shield can)으로 인쇄회로기판에 실장된 회로 소자들을 커버하는 구조이다.The conventional electromagnetic wave shielding structure is a structure that covers circuit elements mounted on a printed circuit board with a shield can made of pressed metal.
쉴드 캔을 이용하여 인접한 차폐영역을 덮어 차폐하는 경우, 각 차폐영역 당 하나씩 쉴드 캔을 사용하게 된다. 이때 쉴드 캔들은 인쇄회로기판에 장착 시 소정 간격을 두고 배치되는데 서로 인접한 각 쉴드 캔의 측부는 소정의 간격을 유지하게 된다. 이러한 간격은 각 쉴드 캔을 인쇄회로기판에 고정하기 위해 불가피하게 요구되는 거리이다. 따라서 인쇄회로기판에 각 쉴드 캔을 인접하게 설치하기 위해 확보된 간격만큼 회로 소자들을 실장하기 위한 영역이 줄어들게 된다. 따라서 종래의 쉴드 캔을 적용하는 전자파 차폐구조는 회로 소자들의 고집적율을 저하시키는 문제가 있다.When using a shield can to cover and shield adjacent shielding areas, one shield can is used for each shielding area. At this time, the shield cans are placed at predetermined intervals when mounted on the printed circuit board, and the sides of each shield can adjacent to each other are maintained at a predetermined interval. This spacing is inevitably required to secure each shield can to the printed circuit board. Therefore, the area for mounting circuit elements is reduced by the distance secured to install each shield can adjacent to the printed circuit board. Therefore, the electromagnetic wave shielding structure using a conventional shield can has the problem of lowering the high integration rate of circuit elements.
또한, 종래의 전자파 차폐구조는 쉴드 캔을 제작하기 위해 별도의 프레스 가공을 거처야 하고 쉴드 캔을 이루는 재료가 고가이므로 제품의 단가 상승을 초래하는 문제가 있다.In addition, the conventional electromagnetic wave shielding structure requires separate press processing to manufacture the shield can, and the materials that make up the shield can are expensive, which causes a problem of increasing the unit price of the product.
상기 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 서로 인접한 차폐영역의 간격을 없애고, 댐 조형 및 공정 시간을 최소화하며, 인쇄회로기판의 실장 영역을 늘릴 수 있는 전자파 차폐구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.In order to solve the above problems, the present invention relates to an electromagnetic wave shielding structure and a manufacturing method thereof that can eliminate the gap between adjacent shielding areas, minimize dam forming and processing time, and increase the mounting area of a printed circuit board.
또한, 본 발명은 쉴드 캔을 생략하고 조형 및 몰딩에 의해 차폐구조를 형성함에 따라 재료비를 저감할 수 있는 전자파 차폐구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.In addition, the present invention relates to an electromagnetic wave shielding structure and a method of manufacturing the same that can reduce material costs by omitting the shield can and forming the shielding structure through shaping and molding.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 인쇄회로기판 상의 인접한 차폐영역들에 대해서 폐루프를 이루도록 형성되는 차폐 댐; 상기 차폐 댐에 의해 정의된 차폐영역을 메워 각 차폐영역에 위치한 회로 소자들을 덮는 절연 부재; 및 상기 절연 부재의 상면을 덮는 차폐 부재;를 포함하며, 상기 차폐 댐은 차폐영역의 외곽을 형성하는 경계부(border portion)와 상기 경계부 내측에 배치되는 파티션부(partition portion)를 포함하는, 전자파 차폐구조를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention includes a shielding dam formed to form a closed loop with respect to adjacent shielding areas on a printed circuit board; an insulating member that fills the shielding area defined by the shielding dam and covers circuit elements located in each shielding area; and a shielding member covering an upper surface of the insulating member, wherein the shielding dam includes a border portion forming an outline of the shielding area and a partition portion disposed inside the border portion. Provides structure.
상기 경계부 및 상기 파티션부는 노즐을 통해 지속적으로 토출되는 전기 전도성 소재에 의해 연속적으로 이어지면서 형성될 수 있다.The boundary portion and the partition portion may be formed continuously by an electrically conductive material continuously discharged through a nozzle.
상기 경계부는 복수개로 형성될 수 있다. 상기 복수의 경계부는 적어도 일부분이 서로 접할 수 있다.The boundary portion may be formed in plural pieces. At least a portion of the plurality of boundaries may be in contact with each other.
상기 경계부는 파티션부와 불연속적으로 형성될 수 있다.The boundary portion may be formed discontinuously with the partition portion.
상기 파티션부의 일측에 인접한 차폐영역을 둘러싸며, 상기 파티션부와 불연속적으로 형성되는 추가 경계부를 더 포함할 수 있다.It may further include an additional boundary portion that surrounds a shielding area adjacent to one side of the partition portion and is formed discontinuously with the partition portion.
상기 경계부의 끝부분은 먼저 형성된 다른 경계부의 일 부분 또는 먼저 형성된 파티션부의 일 부분의 외측으로 오버랩될 수 있다.The end portion of the boundary portion may overlap with the outside of a portion of another previously formed boundary portion or a portion of a previously formed partition portion.
인쇄회로기판에 배치되어 상기 차폐 댐과 함께 차폐구조를 이루는 더미 부재;를 더 포함할 수 있다. 상기 더미 부재는 상기 차폐 댐의 일부분이 지지되는 적어도 하나의 지지면을 포함할 수 있다. 상기 지지면은 평면 또는 곡면일 수 있다. 상기 지지면은 상기 인쇄회로기판의 일면에 대하여 수직 또는 경사지게 형성될 수 있다.It may further include a dummy member disposed on the printed circuit board and forming a shielding structure together with the shielding dam. The dummy member may include at least one support surface on which a portion of the shield dam is supported. The support surface may be flat or curved. The support surface may be formed perpendicular or inclined with respect to one surface of the printed circuit board.
또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 노즐을 통해 전기 전도성 소재를 지속적으로 토출하여 인쇄회로기판 상의 차폐영역들을 구획하면서 폐루프를 이루는 차폐 댐을 형성하는 단계; 각 차폐영역에 위치한 회로 소자들을 덮도록 상기 차폐 댐에 의해 정의된 차폐영역을 절연 소재로 메워 절연 부재를 형성하는 단계; 및 상기 절연 부재의 상면에 전기 전도성 소재를 주입하여 상기 차폐 댐을 덮는 차폐 부재를 형성하는 단계;를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법을 제공한다.In addition, in order to achieve the above object, the present invention includes the steps of continuously discharging an electrically conductive material through a nozzle to form a shielding dam forming a closed loop while dividing shielding areas on a printed circuit board; forming an insulating member by filling the shielding area defined by the shielding dam with an insulating material to cover the circuit elements located in each shielding area; and forming a shielding member covering the shielding dam by injecting an electrically conductive material into the upper surface of the insulating member.
상기 차폐 댐을 형성하는 단계는 각 차폐영역의 외곽을 이루는 상기 차폐 댐의 경계부을 형성하고, 각 차폐영역을 구획하도록 상기 경계부 내측에 배치되며 1회 소재토출작업에 의해 상기 경계부에 연속적으로 형성될 수 있다.In the step of forming the shielding dam, a boundary portion of the shielding dam forming the outer edge of each shielding area is formed, and is disposed inside the boundary portion to partition each shielding area, and can be formed continuously at the boundary portion by a one-time material discharge operation. there is.
상기 차폐 댐을 형성하는 단계는, 상기 전기 전도성 소재를 토출하면서 이동하는 상기 노즐을 먼저 형성된 차폐 댐의 일 부분과 일정한 간격을 두고 정지시키는 단계; 먼저 형성된 파티션부의 일 부분을 향해 상기 소재를 토출하여 먼저 형성된 파티션부의 일 부분과 노즐까지의 간격을 메우는 단계; 및 상기 노즐을 이동하면서 상기 전기 전도성 소재를 토출하는 단계;를 포함할 수 있다.Forming the shielding dam includes stopping the nozzle, which moves while discharging the electrically conductive material, at a certain distance from a portion of the previously formed shielding dam; ejecting the material toward a portion of the previously formed partition to fill the gap between the portion of the previously formed partition and the nozzle; and discharging the electrically conductive material while moving the nozzle.
또한, 상기 차폐 댐을 형성하는 단계는, 상기 전기 전도성 소재를 토출하면서 이동하는 상기 노즐을 먼저 형성된 차폐 댐의 일 부분과 일정한 간격을 두고 정지시키는 단계; 상기 노즐을 먼저 형성된 파티션부의 일 부분에 인접하게 위치시키는 단계; 및 먼저 형성된 파티션부의 일 부분을 향해 상기 소재를 토출하면서 상기 노즐을 이동시키는 단계;를 포함할 수 있다.In addition, forming the shielding dam includes stopping the nozzle, which moves while discharging the electrically conductive material, at a certain distance from a portion of the previously formed shielding dam; Positioning the nozzle adjacent to a portion of the previously formed partition; and moving the nozzle while discharging the material toward a portion of the previously formed partition.
또한, 상기 차폐 댐을 형성하는 단계는, 상기 전기 전도성 소재를 토출하면서 이동하는 상기 노즐을 먼저 형성된 파티션부의 일 부분과 근접한 일정한 위치까지 제1 속도로 이동하는 단계; 및 먼저 형성된 파티션부의 일 부분과 근접한 일정한 위치에서부터 상기 제1 속도보다 느린 제2 속도로 먼저 형성된 파티션부의 일 부분보다 높은 위치로 상향 이동하는 단계;를 포함할 수 있다.In addition, forming the shielding dam includes moving the nozzle, which moves while discharging the electrically conductive material, at a first speed to a certain position close to a portion of the previously formed partition; and moving upward from a certain position close to a portion of the previously formed partition to a position higher than the portion of the previously formed partition at a second speed slower than the first speed.
상기 노즐은 차폐 댐의 시작점부터 종료점까지 이동하는 동안 먼저 형성된 파티션부의 적어도 2부분에 접하도록 소재를 토출할 수 있다.The nozzle may discharge the material in contact with at least two parts of the previously formed partition while moving from the starting point to the ending point of the shielding dam.
상기 차폐 댐 형성 단계 전에, 노즐의 이동 경로 상에 적어도 하나의 더미 부재를 배치하는 단계;를 더 포함할 수 있다. 상기 차폐 댐 형성 단계에서 상기 노즐은 상기 더미 부재의 일면을 향해 상기 전기 전도성 소재를 토출하면서 이동할 수 있다. 상기 차폐 댐 형성 단계에서 상기 노즐은 상기 더미 부재의 경사면을 향해 상기 전기 전도성 소재를 토출하면서 상기 경사면을 따라 상향 이동할 수 있다.Before the step of forming the shield dam, the method may further include arranging at least one dummy member on the movement path of the nozzle. In the shield dam forming step, the nozzle may move while discharging the electrically conductive material toward one surface of the dummy member. In the shielding dam forming step, the nozzle may move upward along the inclined surface of the dummy member while discharging the electrically conductive material toward the inclined surface.
또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 전기 전도성 소재를 토출하여 인쇄회로기판 상의 차폐영역들을 구획하면서 폐루프를 이루는 차폐 댐을 형성하도록 노즐을 제어하는 단계; 상기 차폐 댐에 의해 정의된 차폐영역에 절연 소재를 토출하여 각 차폐영역에 위치한 회로 소자들을 덮기 위한 절연 부재를 형성하도록 노즐을 제어하는 단계; 및 상기 절연 부재의 상면에 전기 전도성 소재를 토출하여 상기 차폐 댐을 덮는 차폐 부재를 형성하도록 노즐을 제어하는 단계;를 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 제공할 수 있다.In addition, in order to achieve the above object, the present invention includes the steps of controlling a nozzle to form a shielding dam forming a closed loop while dividing shielding areas on a printed circuit board by discharging an electrically conductive material; Controlling a nozzle to discharge an insulating material into a shielding area defined by the shielding dam to form an insulating member to cover circuit elements located in each shielding area; and controlling the nozzle to discharge an electrically conductive material on the upper surface of the insulating member to form a shielding member covering the shielding dam.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 표시된 II-II 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 3은 인쇄회로기판에 형성될 서로 인접한 차폐영역을 나타낸 도면이다.
도 4는 차폐 구조를 형성하기 위한 소재 토출 장치를 나타내는 블록도이다.
도 5는 서로 인접한 차폐영역의 차폐 댐을 형성하기 위해 소재 토출 장치에 구비된 입력부를 통해 입력된 노즐 이동 경로를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 4에 도시된 소재 토출 장치의 노즐을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 노즐의 이동 경로를 따라 전기 전도성 소재를 토출하여 인쇄회로기판에 차폐 댐을 형성한 도면이다.
도 8은 도 7에 표시된 VIII 부분에서 차폐 댐을 조형하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 9는 7에 표시된 VIII 부분에서 차폐 댐을 조형하는 다른 방법을 설명하는 도면이다.
도 10은도 7에 표시된 X 부분에서 차폐 댐을 조형하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 11은도 7에 표시된 X 부분에서 차폐 댐을 조형하는 다른 방법을 설명하는 도면이다.
도 12는 1회 소재토출작업에 의해 인접한 2개의 차폐영역의 외곽을 따라 차폐 댐을 형성하기 위한 다양한 노즐 이동 경로를 나타낸 도면이다.
도 13은 2회 소재토출작업에 의해 인접한 3개의 차폐영역의 외곽을 따라 차폐 댐을 형성하기 위한 다양한 노즐 이동 경로를 나타낸 도면이다.
도 14는 1회 소재토출작업에 의해 인접한 3개의 차폐영역의 외곽을 따라 차폐 댐을 형성하기 위한 노즐 이동 경로를 나타낸 도면이다.
도 15a 및 도 15b는 차폐 댐 형성 시 노즐에서 토출되는 전기 전도성 소재가 발려지는 더미 부재를 나타낸 사시도들이다.
도 16은 더미 부재를 이용하여 차폐 댐을 형성하는 방법을 나타낸 도면이다.
도 17은 인접한 2개의 차폐영역의 외곽을 따라 차폐 댐을 형성할 때 서로 다른 위치에 2개의 더미 부재를 배치한 예를 나타낸 도면이다.
도 18 및 도 19는 도 17에 도시된 2개의 더미 부재를 각각 나타낸 사시도들이다.
도 20은 도 19에 도시된 더미 부재를 이용하여 차폐 댐의 일부를 조형하는 방법을 나타낸 도면이다.
도 21은 인접한 3개의 차폐영역의 외곽을 따라 차폐 댐을 형성할 때 차폐 댐이 교차하는 일부분에 1개의 더미 부재를 배치한 예를 나타낸 도면이다.
도 22는 도 21에 도시된 더미 부재를 나타낸 사시도이다.1 is a plan view showing an electromagnetic wave shielding structure according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II shown in FIG. 1.
Figure 3 is a diagram showing shielding areas adjacent to each other to be formed on a printed circuit board.
Figure 4 is a block diagram showing a material ejection device for forming a shielding structure.
Figure 5 is a diagram showing a nozzle movement path input through an input unit provided in a material discharge device to form a shielding dam in adjacent shielding areas.
FIG. 6 is a diagram showing a nozzle of the material ejection device shown in FIG. 4.
FIG. 7 is a diagram showing a shielding dam formed on a printed circuit board by discharging an electrically conductive material along the moving path of the nozzle shown in FIG. 6.
FIG. 8 is a diagram illustrating a method of forming a shielding dam in part VIII shown in FIG. 7.
Figure 9 is a diagram illustrating another method of forming a shielding dam in part VIII shown in 7.
FIG. 10 is a diagram illustrating a method of forming a shielding dam at part X shown in FIG. 7.
FIG. 11 is a diagram illustrating another method of forming a shielding dam at part X shown in FIG. 7.
Figure 12 is a diagram showing various nozzle movement paths for forming a shielding dam along the outer edges of two adjacent shielding areas by a single material discharge operation.
Figure 13 is a diagram showing various nozzle movement paths for forming a shielding dam along the outer edges of three adjacent shielding areas by a two-time material discharge operation.
Figure 14 is a diagram showing the nozzle movement path for forming a shielding dam along the outer edges of three adjacent shielding areas by a single material discharge operation.
Figures 15a and 15b are perspective views showing a dummy member onto which an electrically conductive material discharged from a nozzle is applied when forming a shielding dam.
Figure 16 is a diagram showing a method of forming a shielding dam using a dummy member.
Figure 17 is a diagram showing an example of two dummy members arranged at different positions when forming a shielding dam along the outer edges of two adjacent shielding areas.
Figures 18 and 19 are perspective views respectively showing the two dummy members shown in Figure 17.
FIG. 20 is a diagram showing a method of forming a part of a shielding dam using the dummy member shown in FIG. 19.
Figure 21 is a diagram showing an example of arranging one dummy member at a portion where the shielding dams intersect when forming a shielding dam along the outer edges of three adjacent shielding areas.
Figure 22 is a perspective view showing the dummy member shown in Figure 21.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들에 대한 설명은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기를 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다.In order to fully understand the configuration and effects of the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various forms and various changes can be made. However, the description of the present embodiments is provided to ensure that the disclosure of the present invention is complete and to fully inform those skilled in the art of the present invention of the scope of the invention. In the attached drawings, the components are enlarged in size for convenience of explanation, and the proportions of each component may be exaggerated or reduced.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "상에" 있다거나 "접하여" 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 상에 직접 맞닿아 있거나 또는 연결되어 있을 수 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "바로 위에" 있다거나 "직접 접하여" 있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.When a component is described as being “on” or “adjacent to” another component, it should be understood that it may be in direct contact with or connected to the other component, but that another component may exist in between. something to do. On the other hand, when a component is described as being “right above” or “directly in contact” with another component, it can be understood that there is no other component in the middle. Other expressions that describe relationships between components, such as “between” and “directly between” can be interpreted similarly.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms may be used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first component may be named a second component, and similarly, the second component may also be named a first component without departing from the scope of the present invention.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. Terms such as “comprises” or “has” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, including one or more other features or numbers, It can be interpreted that steps, operations, components, parts, or combinations of these can be added.
본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.Unless otherwise defined, terms used in the embodiments of the present invention may be interpreted as meanings commonly known to those skilled in the art.
본 발명의 실시예들에 따른 전자파 차폐 구조는 스마트 폰, 디스플레이 장치, 웨어러블 디바이스(wearable device) 등에 적용될 수 있다.Electromagnetic wave shielding structures according to embodiments of the present invention can be applied to smart phones, display devices, wearable devices, etc.
이하에서 설명하는 본 발명의 실시예들은 서로 인접한 차폐영역 사이의 간격을 없애 인쇄회로기판에 회로 소자들의 실장 영역을 최대로 확보할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들은 최소 회수의 소재토출작업으로 서로 인접한 차폐영역을 이루는 차폐 댐을 형성하여 작업 시간을 단축하고, 이 경우 소요되는 소재의 양을 최소화할 수 있다.Embodiments of the present invention described below can maximize the mounting area of circuit elements on a printed circuit board by eliminating the gap between adjacent shielding areas. In addition, embodiments of the present invention can shorten the work time by forming a shielding dam forming adjacent shielding areas with a minimum number of material discharge operations, and in this case, the amount of material required can be minimized.
이하 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, an electromagnetic wave shielding structure according to an embodiment of the present invention will be described in detail.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1에 표시된 II-II 선을 따라 나타낸 단면도이고, 도 3은 인쇄회로기판에 형성될 서로 인접한 차폐영역을 나타낸 도면이다.Figure 1 is a plan view showing an electromagnetic wave shielding structure according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view taken along line II-II shown in Figure 1, and Figure 3 shows adjacent shielding areas to be formed on a printed circuit board. This is the drawing shown.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)는 인쇄회로기판(110) 상에 형성되며 크게 2개의 차폐영역(A1,A2, 도 3 참조)을 차폐한다. 이 경우 2개의 차폐영역은 차폐 댐(130)의 제2 부분(132)에 의해 구획된다. 제2 부분(132)은 차폐 댐(130)의 제1 부분(131) 및 제3 부분(133)과 일체로 형성된다. 제1 및 제3 부분(131,133)은 차폐영역들의 외곽을 형성하는 경계부(border portion)이며, 제2 부분(132)은 경계부의 내측에 형성되어 2개의 차폐영역을 구획하는 파티션부(partition portion)이다. 차폐 댐(130)은 1회 소재토출작업에 의해 제1, 제2 및 제3 부분(131,132,133)이 순차적으로 끊이지 않고 계속 이어지면서 형성된다. 여기서, "구획"은 단일 폐루프를 완전한 2개의 폐루프가 형성되도록 나눈 상태 또는 완전한 2개의 폐루프로 나누어지지 않고 2개 영역에 대해 일부만 나눈 상태를 모두 의미한다. 또한, "1회 소재토출작업"은 노즐(216, 도 6 참조)에서 차폐 댐을 형성하기 위해 노즐의 대기 위치에서 인쇄회로기판으로 이동하여 차폐 댐의 조형을 마치고 다시 노즐의 대기 위치로 이동할 때까지의 작업을 의미한다. 또한, "1회 소재토출작업"은 차폐 댐 조형용 소재가 노즐로부터 끊이지 않고 지속적으로 토출되면서 적어도 2개의 차폐 영역으로 분할되는 폐루프를 형성할 때까지의 작업을 의미할 수 도 있다.Referring to FIG. 1, the electromagnetic
차폐 댐의 조형 방법을 설명하기에 전에 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)의 전체 구성에 대해 먼저 설명한다.Before explaining the method of forming the shielding dam, the overall configuration of the electromagnetic
본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)는 도 3과 같이 인쇄회로기판(110) 상에 실장된 복수의 회로 소자들(115,117,119)을 2개의 영역(A1,A2)으로 나누어 차폐한다. 여기서, 회로 소자들은 이종(異種)의 회로 소자들로, 기판 상에 장착된 IC 칩, 수동 소자, 이형 부품일 수 있다. 예를 들어, 상기 IC칩은 AP(application processor), 메모리, RF(Radio Frequency) 칩 등 일 수 있고, 상기 수동 소자는 저항, 콘덴서, 코일 등을 일 수 있고, 상기 이형 부품은 커넥터, 카드 소켓, 전자파 차폐 부품 등 일 수 있다.The electromagnetic
인쇄회로기판(110)의 상면에는 복수의 회로 소자들(115,117,119)가 각각 전기적으로 접속되는 제1 접속 패드(111) 및 제2 접속 패드(112)가 패터닝(patterning)될 수 있다. 제1 및 제2 접속 패드(111,112)는 다수로 이루어질 수 있다. 제1 및 제2 접속 패드(111,112)는 복수의 회로 소자들(115,117,119)의 접지 또는 신호 전달을 위해 형성될 수 있다.A
인쇄회로기판(110)은 접지 패드(114)가 패터닝될 수 있다. 접지 패드(114)는 인쇄회로기판(110)의 상면으로 돌출되지 않도록 접지 패드(114) 상면이 노출된 상태로 인쇄회로기판(110) 내측에 형성될 수 있다. 이 경우, 접지 패드(114)는 인쇄회로기판(110) 내에 형성된 접지층(113)에 일체로 형성될 수 있다. The printed
접지 패드(114)는 복수의 회로 소자(115,117,119)의 접지 또는 신호 전달을 위하여 형성될 수 있다. 후술하는 차폐 댐(130)은 인쇄회로기판(110) 상에 조형될 때 차폐 댐의 형성 경로를 따라 또는 형성 경로의 일부에 형성된 접지 패드(114)에 전기적으로 접촉됨에 따라 접지가 이루질 수 있다. The
회로 소자(115)는 인쇄회로기판(110)의 제1 접속 패드(111)에 전기적으로 접속되는 복수의 접속 단자(116)를 포함할 수 있다. 복수의 접속 단자(116)는 예를 들면 솔더볼과 같은 BGA(ball grid array) 방식으로 형성될 수 있다. 하지만 이러한 접속 단자(116)는 BGA 방식에 제한되지 않고, 소자(115)의 리드 형태에 따라 다양한 방식 예를 들면, QFN(Quad Flat No Lead), PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier), QFP(Quad Flat Package), SOP (Small Out Line Package), TSOP/SSOP/TSSOP(Thin/Shrink/Thin Shrink SOP) 등의 다양한 방식으로 이루어질 수 있다.The
나머지 회로 소자(117,119)는 인쇄회로기판(110)의 제2 접속 패드(112)에 전기적으로 접속되는 적어도 하나의 접속 단자(미도시)를 포함할 수 있다. 복수의 회로 소자(117,119)는 인쇄회로기판(110)에 실장 시 그 높이가 전술한 회로 소자(115)보다 작거나 클 수 있다. 각 회로 소자들(115,117,119)은 차폐 댐(130)과 접촉하지 않도록 소정 간격을 두고 배치된다. The remaining
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐구조(100)는 복수의 회로 소자들(115,117,119)을 덮는 절연 부재(120)와, 절연 부재(120)가 주입될 수 있도록 절연 소재 유입 영역을 형성하는 차폐 댐(130)과, 절연 부재(120)의 상면에 형성되는 차폐 부재(150)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the electromagnetic
절연 부재(120)는 차폐 댐(130)에 의해 형성된 소재 주입 공간으로 주입된 후 경화되어 형성될 수 있다. 절연 부재(120)는 각 차폐영역(A1,A2)에 주입되어 형성되는 제1 및 제2 절연 부재(121,123)를 포함한다. 제1 및 제2 절연 부재(121,123)는 각 차폐영역(A1,A2)에서 각 회로 소자(115,117,119) 사이, 각 회로 소자(115,117,119)와 차폐 댐(130) 사이, 및 각 회로 소자와 차폐 부재(150) 사이를 절연한다.The insulating
절연 부재(120)를 이루는 절연 소재는 회로 소자들(115,117,119)의 외측면에 밀착될 수 있고, 각 회로 소자(115,117,119)와 인쇄회로기판(110) 사이에 형성되는 틈으로 들어갈 수 있도록 유동성을 가지는 재료로 이루어질 수 있다. 절연 부재(120)는 상온 경화, 열 경화, UV 경화 등의 다양한 경화 처리를 통해 경화될 수 있다.The insulating material making up the insulating
상기 절연 소재는 유동성을 갖는 소재 또는 상변화(열가소성, 열경화성) 소재일 수 있다. 이 경우 상변화 소재는 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리요소(polyurea), 폴리염화 비닐(polyvinyl chloride), 폴리스티렌(polystyrene), ABS 수지(acrylonitrile butadiene styrene), 폴리아미드(polyamide), 아크릴(acrylic), 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone) 및 PBTP(polybutylene terephthalate) 중 하나를 포함할 수 있다. The insulating material may be a fluid material or a phase change (thermoplastic, thermosetting) material. In this case, the phase change materials are polyurethane, polyurea, polyvinyl chloride, polystyrene, acrylonitrile butadiene styrene, polyamide, acrylic, It may include one of epoxy, silicone, and polybutylene terephthalate (PBTP).
차폐 댐(130)은 서로 인접한 2개의 차폐영역(A1,A2)의 전체 외곽을 조형하면서 2개의 차폐영역(A1,A2)을 구획하는 폐루프를 이루도록 형성된다. 이 경우, 차폐 댐(130)은 별도의 구조물에 의지하지 않고 스스로 형태를 이루는 프리 스탠딩 방식(free standing type)으로 조형될 수 있다. 하지만 이에 제한되지 않고, 차폐 댐(130)은 후술하는 더미 부재에 의해 차폐 댐의 일부분(차폐 댐의 조형 시작 부분, 종료 부분 및 교차 부분 등)이 지지된 상태로 조형될 수 있다.The shielding
차폐 댐(130)의 높이는 절연 부재(120)가 복수의 회로 소자(115,117,119)를 모두 덮을 수 있는 절연 부재(120)의 높이를 고려하여 형성하는 것이 바람직하다.The height of the shielding
차폐 댐(130)은 폭보다 높이가 더 큰 종횡비로 이루어질 수 있다. 여기서, 차폐 댐의 종횡비는 차폐 댐(130)의 높이를 차폐 댐의 폭으로 나눈 값이다. 차폐 댐(130)의 종횡비는 노즐(216)에 형성된 소재를 토출하는 토출구의 폭과 높이에 의해 결정된다. 노즐(216)의 구조에 대해서는 후술한다.The shielding
차폐 댐(130)은 전자파 장해(Electro-Magnetic Interference; EMI)를 방지할 수 있는 전자파 차폐 특성을 가지는 전도성 소재로 형성될 수 있다. 이에 따라 차폐 댐(130)은 복수의 회로 소자(115,117,119)에서 발생하는 전자파를 차폐하여 전자파 차폐구조(100)가 포함된 전자 장치에 다른 전자 부품에 영향을 줄 수 있는 EMI를 미연에 방지할 수 있다. 전자파 차폐구조(100)가 포함된 전자 장치에 전자파 잡음 또는 오동작 등과 같은 장해를 근본적으로 차단함으로써 제품의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 이와 같이 차폐 댐(130)은 회로 소자(115,117,119)의 동작 과정에서 불가피하게 발생되는 전자파가 외부에 영향을 주는 것을 막을 수 있다.The shielding
상기 전도성 소재는 차폐 댐(130) 조형 시 높은 종횡비로 형성되면서 노즐(216)로부터 토출 후 흘러 내리지 않고 토출된 형상을 유지할 수 있는 고점도(100,000cP 이상)를 갖는 것이 바람직하다. 이와 같이 소재가 고점도를 가질 경우, 고 종횡비로 차폐 댐(130)을 조형할 수 있어 차폐 댐(130)의 높이를 높게 형성할 수 있다.The conductive material is preferably formed at a high aspect ratio when forming the shielding
이와 같이 고점도를 갖는 소재는 유동성을 갖는 요변성(Thixotropy) 소재로 이루어질 수 있다. 이와 같은 요변성 소재는 합성미분 실리카, 벤토나이트(bentonite), 미립자 표면처리 탄산칼슘, 수소 첨가 피마자유, 금속 석검계, 알루미늄 스테아레이트(aluminum stearate), 폴리이미드 왁스(polyamide wax), 산화 폴리에틸렌계 및 아마인 중합유 중 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 석검계는 알루미늄 스테아레이트(Aluminum Stearate)를 포함할 수 있다.In this way, a material with high viscosity may be made of a thixotropic material with fluidity. Such thixotropic materials include synthetic fine silica, bentonite, fine particle surface-treated calcium carbonate, hydrogenated castor oil, metal stone gum, aluminum stearate, polyimide wax, oxidized polyethylene, and It may contain one of linseed polymerized oils. For example, the metal stone sword system may include aluminum stearate.
아울러, 고점도의 전기 전도성 소재를 사용하게 되면 인쇄회로기판이 양면 기판인 경우 앞면에 차폐 댐을 조형 후 곧이어 뒷면에 차폐 댐을 형성하기 위해 인쇄회로기판을 뒤집어도 앞면에 조형된 차폐 댐은 흘러내리지 않고 그 형상을 유지할 수 있다. 따라서, 전체적인 작업 공정을 신속하게 진행할 수 있는 이점이 있다.In addition, when using a high-viscosity electrically conductive material, if the printed circuit board is a double-sided board, the shielding dam formed on the front side will not flow down even if the printed circuit board is turned over to form a shielding dam on the back side immediately after forming the shielding dam on the front side. and can maintain its shape. Therefore, there is an advantage in that the overall work process can proceed quickly.
구체적으로, 차폐 댐(130)을 이루는 전기 전도성 소재는 전기 전도도가 1.0E+04 S/m 이상인 전기 전도성 물질(electroconductive material)로 이루어질 수 있다. 이와 같은 전기 전도성 물질은 전기 전도성 필러(electroconductive filler)와 바인더 수지(binder resin)를 포함할 수 있다. Specifically, the electrically conductive material forming the shielding
전기 전도성 필러로는 Ag, Cu, Ni, Al, Sn 등의 금속(metal)을 사용하거나, 카본블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT: Carbon Nanotube), 그라파이트(graphite)등의 전도성 카본을 사용하거나, Ag/Cu, Ag/Glass fiber, Ni/Graphite 등의 금속 코팅 물질(Metal coated materials)을 사용하거나, 폴리피롤(Polypyrrole), 폴리아닐린(Polyaniline) 등의 전도성 고분자 물질을 사용할 수 있다. 또한, 전기 전도성 필러는 플래이크 타입(Flake type), 스피어 타입(Sphere type), 막대 타입(Rod type) 및 덴드라이트 타입(Dendrite type) 중 하나 또는 혼합으로 이루어질 수 있다.As electrically conductive fillers, metals such as Ag, Cu, Ni, Al, Sn, or conductive carbon such as carbon black, carbon nanotubes (CNT), and graphite are used. Alternatively, metal coated materials such as Ag/Cu, Ag/Glass fiber, and Ni/Graphite may be used, or conductive polymer materials such as polypyrrole and polyaniline may be used. Additionally, the electrically conductive filler may be made of one or a mixture of flake type, sphere type, rod type, and dendrite type.
바인더 수지로는 실리콘 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 알키드 수지 등을 사용할 수 있다. 차폐 댐(130)을 이루는 소재는 기타 성능 개선을 위한 첨가제(중점제, 산화방지제, 고분자 계면활성제 등) 및 용제(물, 알코올 등) 등을 추가 함유할 수도 있다.Silicone resin, epoxy resin, urethane resin, alkyd resin, etc. can be used as the binder resin. The material forming the shielding
차폐 부재(150)는 차폐 댐(130)과 같이 유동성을 갖는 전도성 소재로 이루어지며, 전술한 차폐 댐(130)을 이루는 소재와 동일한 소재로 이루어질 수 있다. The shielding
차폐 부재(150)는 절연 부재(120)의 상면에 형성된다. 차폐 댐(130)이 형성된 후 차폐 댐(130)에 주입되는 절연 소재의 주입 높이는 차폐 댐(130)의 상단 보다 다소 낮게 설정한다. 이에 따라 이에 따라 절연 부재(120)의 상면에는 차폐 부재(150)가 채워질 수 있는 공간이 마련될 수 있다.The shielding
차폐 부재(150)는 절연 부재(120)의 상면에 채워질 때 차폐 댐(130)의 상단부와 접촉하면서 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라 차폐 댐(130)과 차폐 부재(150)는 절연 부재(120)의 외측을 완전히 둘러 싸게 되므로, 최적의 차폐구조를 이룰 수 있다.When the shielding
이하에서는, 차폐 댐(130)을 조형하기 위한 소재토출장치(200)에 대해서 설명한다. 본 실시예에 따른 소재 토출 장치(200)는 예를 들어 3D 프린터일 수 있다.Below, the
도 4는 차폐 구조를 형성하기 위한 소재 토출 장치를 나타내는 블록도이다. Figure 4 is a block diagram showing a material ejection device for forming a shielding structure.
소재 토출 장치(200)는 구비된 노즐(216)이 1개인 것을 예로 들어 설명하지만, 이에 제한되지 않고 복수의 노즐을 구비할 수도 있다.The
도 4를 참조하면, 소재 토출 장치(200)는 소정량의 소재를 토출하기 위한 디스펜서(212)를 포함할 수 있다. 디스펜서(212)는 소재를 저장하기 위한 저장챔버(211)와, 저장챔버(211)로부터 공급되는 소재를 토출하기 위한 노즐(216)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the
또한, 디스펜서(212)는 노즐(216)을 X축, Y축 및 Z축 방향으로 이동시키기 위한 X-Y-Z축 이동부(231)와, 노즐(216)을 시계 방향 및 반 시계 방향으로 회전하거나 회전을 멈출 수 있는 회전 구동부(219)를 포함할 수 있다. X-Y-Z축 이동부(231)는 노즐(216)을 X축, Y축, Z축으로 각각 이동시키기 위한 복수의 모터(미도시)를 구비할 수 있고, 이 스텝 모터들의 구동력을 노즐(216)로 전달하기 위해 노즐이 장착되는 노즐 장착부(미도시)에 연결된다. 회전 구동부(219)는 회전 동력을 제공하는 모터(미도시)와, 이 모터의 회전 수를 감지하여 노즐(216)의 회전 각도를 제어하기 위한 엔코더(미도시)를 포함할 수 있다. X-Y-Z축 이동부(231)와 회전 구동부(219)는 제어부(250)에 전기적으로 연결되어 있어 제어부(250)에 의해 제어된다.In addition, the
소재 토출 장치(200)는 노즐(216)의 이동 경로를 사용자가 직접 입력할 수 있는 입력부(253)를 포함할 수 있다.The
입력부(253)는 터치 입력이 가능한 터치 스크린으로 형성되거나 통상의 키 패드로 이루어질 수 있다. 사용자는 입력부(253)를 통해 노즐의 경로를 입력할 수 있으며 이러한 노즐 경로는 1회 입력하고, 이렇게 입력된 노즐 경로 데이터는 메모리(251)에 저장된다. 차후, 노즐 경로 데이터는 수정하는 것도 물론 가능하다. 이와 같이 입력부(253)를 통해 노즐 경로를 입력하는 과정은 하기와 같다.The
먼저, 비전 카메라를 통해 작업 위치로 로딩된 인쇄회로기판 상에 표시된 적어도 2개의 레퍼런스 마크를 촬영하고, 2개의 레퍼런스 마크 간의 거리를 측정한 후, 각 레퍼런스의 영상들과 2개의 레퍼런스 마크 간의 거리 값을 메모리(251)에 저장한다. 인쇄회로기판이 직사각형일 경우, 2개의 레퍼런스 마크는 인쇄회로기판의 좌측 상단 및 우측 하단에 표시될 수 있다. 이 경우 2개의 레퍼런스 마크 간의 거리는 대략 인쇄회로기판의 대각선 방향의 직선 길이를 나타낼 수 있다.First, photograph at least two reference marks displayed on the printed circuit board loaded into the working position through a vision camera, measure the distance between the two reference marks, and then calculate the distance value between the images of each reference and the two reference marks. is stored in
구체적으로, 작업 위치로 인쇄회로기판이 로딩되면 사용자는 입력부(253)에 구비된 전, 후, 좌, 우 이동 버튼을 통해 비전 카메라를 좌측 상단의 제1 레퍼런스 마크가 있는 위치(예를 들면, 제1 레퍼런스 마크의 중심 또는 제1 레퍼런스 마크의 일 부분을 기준으로 함)로 이동시킨 후, 입력부(253)에 구비된 저장 버튼을 누르면 제어부(250)는 미리 설정된 원점(0,0,0)으로부터 제1 레퍼런스 마크가 떨어진 거리를 산출하여 제1 레퍼런스 마크의 좌표(X1,Y1,Z1)를 구하고 이를 메모리에 저장한다. 노즐과 함께 이동하는 비전 카메라의 촬영 위치는 노즐의 중심과 일정 간격 오프셋(offset)되어 있다. 따라서 제1 레퍼런스 마크의 좌표(X1,Y1,Z1)는 제어부(250)에 의해 상기 오프셋 값까지 계산하여 산출된다. 또한, 사용자가 촬영 버튼을 누르면, 제1 레퍼런스 마크의 이미지가 메모리(251)에 저장된다.Specifically, when the printed circuit board is loaded to the working position, the user moves the vision camera to the position where the first reference mark is located in the upper left corner through the forward, backward, left, and right movement buttons provided on the input unit 253 (e.g., After moving to the center of the first reference mark (based on the center of the first reference mark or a portion of the first reference mark) and pressing the save button provided on the
이어서, 사용자는 입력부(253)에 구비된 전, 후, 좌, 우 이동 버튼을 통해 비전 카메라를 우측 하단의 제2 레퍼런스 마크가 있는 위치(예를 들면, 제2 레퍼런스 마크의 중심 또는 제2 레퍼런스 마크의 일 부분을 기준으로 함)로 이동시킨 후, 입력부(253)에 구비된 저장 버튼을 누르면 제어부(250)는 미리 설정된 원점(0,0,0)으로부터 제2 레퍼런스 마크가 떨어진 거리를 산출하여 제2 레퍼런스 마크의 좌표(X2,Y2,Z2)를 구하고 이를 메모리에 저장한다. 또한, 사용자가 촬영 버튼을 누르면, 제2 레퍼런스 마크의 이미지가 메모리(251)에 저장된다. 제2 레퍼런스 마크의 좌표(X2,Y2,Z2)는 전술한 제1 레퍼런스 마크의 좌표(X1,Y1,Z1)를 산출하는 과정과 마찬가지로 제어부(250)에 의해 상기 오프셋 값까지 계산하여 산출된다.Next, the user uses the forward, backward, left, and right movement buttons provided on the
제어부(250)는 상기와 같이 검출된 제1 및 제2 레퍼런스 마크의 위치를 이용하여 2 위치 간의 간격을 산출하여 메모리(251)에 저장한다.The
이어서, 사용자는 입력부(253)의 전, 후, 좌, 우 이동 버튼을 이용하여 인쇄회로기판 상에 형성할 차폐 댐의 경로를 따라 비전 카메라를 이동시키면서 비전 카메라에 의해 촬영되는 실시간 영상을 육안으로 확인해 가면서 노즐의 이동 경로 상에 위치하는 복수의 좌표를 입력한다. 해당 좌표의 입력은 비전 카메라가 노즐의 이동 경로 상의 어느 한 점에 위치하였을 때 입력부(253)에 구비된 좌표 입력 버튼을 누르면 해당 좌표가 입력된다. 이렇게 입력된 좌표는 메모리(251)에 저장된다.Next, the user uses the forward, backward, left, and right movement buttons on the
상기 복수의 좌표는, 노즐이 소재의 토출을 시작하는 지점(S)의 좌표, 노즐이 토출을 마치는 지점(E)의 좌표와, 이동 중에 노즐이 방향을 바꾸어야 하는 지점들(R1,R2,R3,R4,R5,R6)에 대한 각 좌표를 포함한다.The plurality of coordinates include the coordinates of the point (S) where the nozzle starts discharging the material, the coordinates of the point (E) where the nozzle finishes discharging the material, and the points (R1, R2, R3) at which the nozzle must change direction during movement. ,R4,R5,R6).
또한, 노즐의 이동 경로를 프로그래밍화하기 위해, 입력부(253)는 노즐을 지정한 좌표로 이동시키는 이동 버튼과, 노즐이 소재를 토출하면서 이동하는 명령을 내리기 위한 라인 버튼, 노즐의 이동 방향을 전환하기 위한 회전 버튼 등의 각종 명령 버튼이 구비될 수 있다. 사용자는 상기 명령 버튼들과 상기 좌표 및 회전 각도를 매칭함으로써 노즐의 이동 경로를 생성할 수 있다.In addition, in order to program the nozzle's movement path, the
노즐의 이동 경로가 전술한 바와 같이 사용자에 의해 프로그래밍 되면, 제어부(250)는 노즐을 이동 경로를 따라 이동하면서 소재를 토출함으로써 인쇄회로기판에 자동으로 차폐 댐을 형성할 수 있다.If the nozzle's movement path is programmed by the user as described above, the
이와 같이 입력부(253)를 통해 입력된 노즐 경로 데이터는 메모리(251)에 저장될 수 있다. 제어부(250)는 메모리(251)에 저장된 노즐 경로 데이터에 따라 X-Y-Z축 이동부(231)와 회전 구동부(219)를 작동시켜 노즐을 미리 입력된 경로를 따라 이동시킨다. 노즐 경로 데이터는 노즐(216)을 인쇄회로기판(110)의 상면을 따라 직선 방향으로 이동하는 거리와, 노즐(216)의 회전 방향 및 각도를 포함하고 있다.In this way, the nozzle path data input through the
한편, 본 실시예에서는 입력부(253)를 통해 사용자가 노즐의 이동 경로를 직접 입력하는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 노즐 이동 경로를 메모리(251)에 미리 저장할 수 있으며 이 경우, 제품에 따라 다양하게 형성되는 차폐 댐의 패턴에 대응하도록 각 패턴에 대응하는 다수의 노즐 이동 경로를 미리 저장할 수 있다. 또한, 상기 입력부(253)를 통해 상기 노즐의 이동 경로 이외에 캘리브레이션 정보, 노즐의 기준위치 정보, PCB 기준위치 정보, PCB 기준 높이 정보 등을 메모리(251)에 미리 저장할 수 있다.Meanwhile, in this embodiment, it has been explained that the user directly inputs the nozzle's movement path through the
도 5는 서로 인접한 차폐영역의 차폐 댐을 형성하기 위해 소재 토출 장치에 구비된 입력부를 통해 입력된 노즐 이동 경로를 나타낸 도면이다.Figure 5 is a diagram showing a nozzle movement path input through an input unit provided in a material discharge device to form a shielding dam in adjacent shielding areas.
노즐(216)은 상기 노즐 경로 데이터에 의해 차폐 댐을 형성하기 위한 경로를 따라 이동할 수 있으며, 구체적인 예는 도 5를 참조하여 설명한다.The
노즐(216)은 시작점(S)에 해당하는 좌표에 세팅되고, X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 -X축 방향으로 A구간만큼 직선 이동한다. 노즐(216)은 A구간의 끝 지점(R1)에서 회전 구동부(219)에 의해 반 시계 방향으로 90도 회전한 후 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 -Y축 방향으로 B구간만큼 직선 이동한다. 노즐(216)은 B구간의 끝 지점(R2)에서 회전 구동부(219)에 의해 반 시계 방향으로 90도 회전한 후 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 +X축 방향으로 C구간만큼 직선 이동한다. 여기서 A, B 및 C구간에 조형되는 부분은 차폐 댐(130)의 제1 부분(131)에 해당한다.The
노즐(216)은 D구간의 끝 지점(R4)에서 회전 구동부(219)에 의해 반 시계 방향으로 90도 회전한 후 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 +Y축 방향으로 D구간만큼 직선 이동한다. 여기까지 형성된 차폐 댐은 2개의 차폐영역(A1,A2) 중 1개의 차폐영역(A1)을 폐루프 형태로 둘러싼다. D구간에 조형되는 부분은 차폐 댐(130)의 제2 부분(132)에 해당하며, 2개의 차폐영역(A1,A2)을 구획한다.The
계속해서, 노즐(216)은 D구간의 끝 지점(R4)에서 회전 구동부(219)에 의해 시계 방향으로 90도 회전한 후 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 +X축 방향으로 E구간만큼 직선 이동한다. 노즐(216)은 E구간의 끝 지점(R5)에서 회전 구동부(219)에 의해 시계 방향으로 90도 회전한 후 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 -Y축 방향으로 F구간만큼 직선 이동한다. 노즐(216)은 F구간의 끝 지점(R6)에서 회전 구동부(219)에 의해 시계 방향으로 90도 회전한 후 X-Y-Z축 이동부(231)에 의해 -X축 방향으로 G구간만큼 직선 이동한다. 이 경우, G구간의 끝 지점은 차폐 댐의 종료점(E)에 해당한다. 여기서 E, F 및 G구간에 조형되는 부분은 차폐 댐(130)의 제3 부분(133)에 해당한다.Subsequently, the
이와 같이 본 실시예에서는 노즐로부터 끊이지 않고 지속적으로 소재가 토출시키는 1회 소재토출작업을 통해 2개의 차폐영역에 차폐 댐(130)을 형성할 수 있다. 이를 통해 차폐 댐(130)의 조형 시간을 줄일 수 있다.As such, in this embodiment, the shielding
도 6은 소재 토출 장치의 노즐을 통해 차폐 댐을 형성하기 위한 소재가 토출되는 토출구를 나타내는 도면이다.Figure 6 is a diagram showing a discharge port through which material for forming a shielding dam is discharged through a nozzle of the material discharge device.
도 6을 참조하면, 노즐(216)은 X-Y-Z축 이동부(231) 및 회전 구동부(219)에 의해 이동 및 회전하면서 소재가 동시에 토출되도록 노즐(216)의 하부 측면에 제1 토출구(216a)가 형성되고, 노즐(216)의 저면에 제2 토출구(216b)가 형성된다. 제1 및 제2 토출구(216a,216b)는 서로 연통되어 있어 소재가 제1 및 제2 토출구(216a,216b)를 통해 동시에 토출될 수 있다.Referring to FIG. 6, the
이와 같이 제1 토출구(216a)는 높이(h)와 폭(w)의 비(이하, 종횡비)가 큰 차폐 댐(130)을 조형하기 위해, 차폐 댐(130)의 최종 단면과 유사한 직사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 본 실시예에서 제1 토출구(216a)의 종횡비는 제1 토출구(216a)의 높이(h)를 제1 토출구(216a)의 폭(w)으로 나눈 값을 나타낸다.In this way, the
차폐 댐(130)은 제1 토출구(216a)의 종횡비가 클수록 두께가 얇고 높이가 높은 고 종횡비(High aspect ratio) 구조로 이루질 수 있다. 여기서, 제1 토출구(216a)의 높이(h)는 차폐 댐(130)의 높이에 각각 대응하도록 설정될 수 있다.The shielding
노즐(216)은 전술한 바와 같이 미리 설정된 경로를 따라 이동하면서 제1 및 제2 토출구(216a,216b)를 통해 접지 패드(114) 위로 동시에 토출하여 차폐 댐(130)을 형성할 수 있다.As described above, the
이하, 도 7 내지 도 11을 참조하여 차폐 댐(130) 형성 방법을 상세히 설명한다. Hereinafter, the method of forming the shielding
도 7은 도 6에 도시된 노즐의 이동 경로를 따라 전기 전도성 소재를 토출하여 인쇄회로기판에 차폐 댐을 형성한 도면이다. 도 8은 도 7에 표시된 VIII 부분에서 차폐 댐을 조형하는 방법을 설명하는 도면이다. 도 9는 7에 표시된 VIII 부분에서 차폐 댐을 조형하는 다른 방법을 설명하는 도면이다. 도 10은 도 7에 표시된 X 부분에서 차폐 댐을 조형하는 방법을 설명하는 도면이다. 도 11은 도 7에 표시된 X 부분에서 차폐 댐을 조형하는 다른 방법을 설명하는 도면이다.FIG. 7 is a diagram showing a shielding dam formed on a printed circuit board by discharging an electrically conductive material along the moving path of the nozzle shown in FIG. 6. FIG. 8 is a diagram illustrating a method of forming a shielding dam in part VIII shown in FIG. 7. Figure 9 is a diagram illustrating another method of forming a shielding dam in part VIII shown in 7. FIG. 10 is a diagram illustrating a method of forming a shielding dam at part X shown in FIG. 7. FIG. 11 is a diagram illustrating another method of forming a shielding dam at part X shown in FIG. 7.
도 7을 참조하면, 차폐 댐(130)은 인쇄회로기판(110)에 설정된 2개의 차폐영역(A1,A2, 도 3 참조)에 대하여 1회 소재토출작업을 통해 형성할 수 있다. Referring to FIG. 7, the shielding
도 5를 참조하여 전술한 바와 같이 차폐 댐(130)은 제1 내지 제3 부분(131,132,133)으로 이루어지며 전체적으로 폐루프를 이루는 동시에 2개의 차폐영역(A1,A2)을 구획할 수 있다. 하나의 차폐영역(A1)은 제1 및 제2 부분(131,132)에 의해 폐루프를 이루며, 나머지 차폐영역(A2)은 제2 및 제3 부분(132,133)에 의해 폐루프를 이룬다. 이 경우, 제2 부분(132은 각 차폐영역(A1,A2)의 경계가 된다. As described above with reference to FIG. 5 , the shielding
이와 같이 본 실시예는 제2 부분(132) 만으로 2개의 차폐영역(A1,A2)을 구획할 수 있으므로 종래의 쉴드 캔을 적용하는 차폐구조와 달리 각 쉴드 캔 사이의 간격을 위한 공간이 필요 없다. 따라서, 이러한 공간을 생략할 수 있으므로 회로 소자들의 실장 영역을 좀더 확보할 수 있다. 또한, 차폐구조 형성 전에 별도의 쉴드 캔을 제작해야 하는 공정을 생략할 수 있고, 재료비가 비싼 쉴드 캠을 사용할 필요가 없으므로 제품의 단가를 낯출 수 있는 이점이 있다. 또한, 차폐영역의 디자인(예를 들면, 차폐영역의 아웃라인)이 상이한 경우에도 소재 토출 장치(200)의 입력부(253)를 통해 해당 차폐영역의 디자인에 대응하도록 노즐의 이동 경로를 변경할 수 있으므로 작업 유연성을 극대화할 수 있다.In this way, this embodiment can divide the two shielding areas (A1, A2) only with the
한편, 차폐 댐(130)은 서로 인접한 차폐영역들(A1,A2)에 형성되는 경우, 차폐 댐(130)의 각 부분들(131,132,133)이 완전한 폐루프를 이루도록 하여 차폐영역으로부터 전자파가 방출되는 것을 차단해야 한다. 이를 위해 본 실시예에서는 1회 소재토출작업으로 2개의 차폐영역(A1,A2)에 차폐 댐(130)을 형성할 때, 차폐 댐(130)의 먼저 조형된 부분과 나중에 조형된 부분이 만나는 지점에서 소정 간격의 갭(Gap)이 형성될 수 있다(도 8(a) 및 도 10(b) 참조).Meanwhile, when the shielding
본 실시예에서는 이러한 갭이 형성되는 것을 방지하기 위해 하기와 같은 다양한 차폐 댐 조형 방법을 제시한다.In this embodiment, in order to prevent such gaps from forming, various shielding dam forming methods are presented as follows.
먼저, 도 7에 도시된 VIII 부분 즉, 제1 부분(131)의 시작점(S, 도 5 참조)과 제2 및 제3 부분(132,133)을 이어주는 지점(R4, 도 5 참조)에서 발생하는 갭을 방지하는 방법을 먼저 살펴본다.First, the gap that occurs at part VIII shown in FIG. 7, that is, at the starting point (S, see FIG. 5) of the
도 5와 같이, 노즐(216)이 시작점(S)에서 출발하여 A, B, C 및 D구간 까지 이동하면서 지속적으로 소재를 토출하여 차폐 댐(130)의 제1 및 제2 부분(131,132)을 형성할 수 있다.As shown in Figure 5, the
D구간의 끝 부분에 도달한 노즐(216)은 도 8(a)과 같이 회전하는 데 이때 노즐(216)이 시작점(S)에 조형된 차폐 댐(131)을 밀어 형상이 변형되지 않도록 노즐(216)의 외경을 고려하여 노즐(216)의 이동 경로를 설정하기 때문에, 시작점(S)과 R4 지점에서 갭이 형성될 수 있다. The
이러한 갭을 없애기 위해, 노즐(216)은 A구간에 형성된 차폐 댐(131)과 대략 동축(L1)이 어느 한 지점과, 노즐(216) 및 시작점(S)으로부터 소정의 간격(g)을 갖는 다른 한 지점이 교차하는 위치에서 멈춘다. 이 경우, 노즐(216)의 제1 토출구(216a)는 제1 부분(131)의 시작점(S)을 향하도록 배치된다.In order to eliminate this gap, the
이어서, 도 8(b)와 같이 시작점(S)을 향해 소재(133a)를 토출한다. 이에 따라, 도 8(a)와 같이 노즐(216)로부터 미리 토출된 소재(132a)는 도 8(b)와 같이 노즐(216)에서 토출되는 소재(133a)에 의해 시작점(S) 측으로 밀리면서 제1 부분(131)에 밀착됨에 따라 시작점(S)과 R4지점 사이의 갭이 메워진다.Next, the
상기 갭이 메워지면 노즐(216)은 도 8(c)와 같이 소재(133b)를 토출하면서 제3 부분(133)을 조형하도록 미리 설정된 노즐 이동 경로를 따라 이동한다.When the gap is filled, the
또한, 도 9를 참조하여 시작점(S)과 R4지점 사이의 갭을 메우는 다른 방법을 설명한다.Additionally, another method for bridging the gap between the starting point (S) and point R4 will be described with reference to FIG. 9.
도 9(a)와 같이 노즐(216)이 A구간에 형성된 차폐 댐(131)과 대략 동축(L1)이 어느 한 지점과 노즐(216) 및 시작점(S)으로부터 소정의 간격(g)을 갖는 다른 한 지점이 교차하는 위치에서 멈춘다. 이 경우, 노즐(216)의 제1 토출구(216a)는 제1 부분(131)의 시작점(S)을 향하도록 배치된다.As shown in Figure 9 (a), the
이어서, 도 9(b)와 같이 노즐(216)은 시작점(S)을 향해 소정 거리 이동한다. 이때 노즐(216)은 시작점(S)에 닿기 직전까지 이동할 수 있다. 이에 따라, 도 9(a)와 같이 노즐(216)에서 미리 토출된 소재(132a)가 노즐(216)에 의해 도 9(b)와 같이 시작점(S) 측으로 밀리면서 제1 부분(131)의 일측에 밀착된다. 이 상태에서 노즐(216)은 도 9(c)와 같이 소재(133b)를 토출하면서 제3 부분(133)을 조형하도록 미리 설정된 노즐 이동 경로를 따라 이동한다. 이 경우 노즐(133b)에서 토출되는 소재(133b)는 시작점(S)에 대응하는 제1 부분(131)에 밀착되면서 시작점(S)과 R4지점 사이의 갭이 메워진다.Next, as shown in FIG. 9(b), the
이어서, 도 7에 도시된 Ⅹ부분 즉, 제1 및 제2 부분(131,132)을 이어주는 지점(R3, 도 5 참조)과 제3 부분(133)의 종료점(E, 도 5 참조)에서 발생하는 갭을 방지하는 방법을 도 10을 참조하여 설명한다.Next, the gap that occurs at the part A method for preventing will be described with reference to FIG. 10.
도 10(a)는 R3 지점과 종료점(E)이 연결되는 부분을 평면에서 바라본 도면이도, 도 10(b)는 도 10(a)에 표시된 B 방향으로 R3 지점과 종료점(E)이 연결되는 부분을 바라본 도면이다.Figure 10(a) is a plan view of the part where point R3 and the end point (E) are connected, and Figure 10(b) is a view where point R3 and the end point (E) are connected in the direction B shown in Figure 10(a). This is a drawing looking at the part that is being done.
도 10(b)를 참조하면, 노즐(216)은 제3 부분(133)을 형성하다가 종료점(E)에 다다르면 먼저 형성된 차폐 댐(130)의 제1 부분(131)을 밀어 제1 부분(131)(또는 R3 지점)의 형상이 변형되지 않도록 차폐 댐(130)의 높이보다 다소 높은 위치로 이동한다.Referring to FIG. 10(b), the
이 경우 노즐(216)이 상방향으로 이동할 때 제3 부분(133) 조형 시와 동일한 속도로 이동하게 되면 도 10(b)와 같이 R3 지점과 종료점(E) 사이에 소정의 공간(135)이 형성될 수 있다. 이러한 공간(135)을 없애기 위해서, 노즐()이 제3 부분(133)을 조형하는 구간(C1)에서 이동하는 속도보다 R3 지점과 종료점(E)을 포함한 구간(C2)에서의 이동 속도를 늦추면 노즐(216)에서 토출되는 소재(133d)에 의해 상기 공간(135)을 메울 수 있다.In this case, when the
이 경우, 노즐의 이동 속도를 제어하여 상기 공간(135)를 메우는 예를 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 동일한 속도로 노즐을 이동시키되 C2 구간에서의 소재 토출량을 상기 C1 구간보다 늘리는 경우에도 상기 공간(135)를 메울 수 있다.In this case, an example of filling the
또한, 도 11을 참조하여 R3 지점과 종료점(E) 사이을 갭을 없애는 다른 방법을 설명한다.Additionally, another method for eliminating the gap between point R3 and the end point (E) will be described with reference to FIG. 11.
도 11(a)를 참조하면, 노즐(216)은 종료점(E)을 향해 이동하다가 현재 이동하는 동일한 높이로 R3 지점의 일측(제1 부분(131)의 외측)으로 이동한다. 노즐(216)은 제3 부분(133)을 형성할 때 제1 토출구(216a)가 노즐 이동 방향의 반대 방향으로 하다가, R3 지점의 일측으로 이동하면서 제1 부분(131)의 일측을 향해 소재(133e)를 토출하도록 반 시계 방향으로 회전한다. 제1 토출구(216a)의 방향 전환은 소재 토출 장치(200)의 회전 구동부(219)를 구동함으로써 수행할 수 있다. Referring to FIG. 11(a), the
도 12(a) 내지 도 12(e)는 1회 소재토출작업에 의해 인접한 2개의 차폐영역의 외곽을 따라 차폐 댐을 형성하기 위한 다양한 노즐 이동 경로를 나타낸 도면이다.Figures 12(a) to 12(e) are diagrams showing various nozzle movement paths for forming a shielding dam along the outer edges of two adjacent shielding areas by a single material discharge operation.
도 12(a)에 도시된 노즐 이동 경로는 차폐 댐(130)의 제1 부분(131), 제2 부분(132) 및 제3 부분(133)을 순차적으로 형성하기 위한 예이다.The nozzle movement path shown in FIG. 12(a) is an example for sequentially forming the
도 12(b)에 도시된 노즐 이동 경로는 차폐 댐(130)의 제1 부분(131)과 제3 부분(133)을 연속적으로 형성한 후, 최종적으로 제2 부분(132)을 제3 부분(133)에 이어서 형성하기 위한 예이다.The nozzle movement path shown in FIG. 12(b) continuously forms the
도 12(c)에 도시된 노즐 이동 경로는 차폐 댐(130)의 제2 부분(132)을 먼저 형성하고, 제2 부분(132)에 이어서 제1 부분(131)과 제3 부분(133)을 연속적으로 형성하기 위한 예이다. 이 경우, 노즐 이동 경로는 제2 부분(132)에 이어서 제3 부분(133)과 제1 부분(131)을 연속적으로 형성하도록 변형하는 것도 물론 가능하다.The nozzle movement path shown in FIG. 12(c) first forms the
도 12(d) 및 도 12(e)는 제2 부분(132)이 2개의 차폐영역(A1,A2)을 각각 독립된 폐루프를 이루지 않도록 하는 노즐 이동 경로를 각각 도시한 것이다. 이와 같이 2개의 차폐영역(A1,A2)이 완전히 구획되지 않도록 차폐 댐을 조형할 수 있는 경우는 각 차폐영역(A1,A2)에 실장된 회로 소자들에서 발생하는 전자파가 각 차폐영역(A1,A2) 간에 큰 영향을 주지 않는 경우에 해당할 수 있다.Figures 12(d) and 12(e) respectively show nozzle movement paths that prevent the
도 13(a) 내지 도 13(d)는 2회 소재토출작업에 의해 인접한 3개의 차폐영역의 외곽을 따라 차폐 댐을 형성하기 위한 다양한 노즐 이동 경로를 나타낸 도면이다.Figures 13(a) to 13(d) are diagrams showing various nozzle movement paths for forming a shielding dam along the outer edges of three adjacent shielding areas by a two-time material discharge operation.
일직선 상으로 배열된 인접한 3개의 차폐영역을 차폐하는 경우의 노즐 이동 경로는 도 13(a) 내지 도 13(c)와 같이 첫번째 소재토출작업 시 제1 시작점(S1)으로부터 제1 종료점(E1)까지 이동하여 2개의 차폐영역을 둘러싸도록 차폐 댐을 형성할 수 있다. 이어서 2개의 차폐영역 중 어느 하나의 차폐영역을 구획하기 위해, 두번째 소재토출작업 시 노즐을 제2 시작점(S2)으로부터 제2 종료점(E2)까지 이동하여 차폐 댐을 형성할 수 있다. The nozzle movement path when shielding three adjacent shielding areas arranged in a straight line is from the first starting point (S1) to the first ending point (E1) during the first material discharge operation, as shown in Figures 13(a) to 13(c). You can move up to and form a shielding dam to surround the two shielding areas. Subsequently, in order to partition one of the two shielding areas, the nozzle may be moved from the second starting point (S2) to the second ending point (E2) during the second material discharge operation to form a shielding dam.
또한, 도 13(d)에 따른 노즐 이동 경로는, 첫번째 소재토출작업 시 제1 시작점(S1)으로부터 제1 종료점(E1)까지 이동하여 2개의 차폐영역을 둘러싸도록 차폐 댐을 형성한 후, 두번째 소재토출작업 시 2개의 차폐영역 중 어느 하나의 일측에 제2 시작점(S2)으로부터 제2 종료점(E2)까지 이동하여 차폐 댐을 형성할 수도 있다.In addition, the nozzle movement path according to Figure 13(d) moves from the first starting point (S1) to the first ending point (E1) during the first material discharge operation, forms a shielding dam to surround the two shielding areas, and then moves to the first end point (E1) during the first material discharge operation. During the material discharge operation, a shielding dam may be formed on one side of one of the two shielding areas by moving from the second starting point (S2) to the second ending point (E2).
만약 3개의 차폐영역이 전술한 바와 같이 일직선 상으로 배열되지 않고 대략 L자 형상으로 이루어지는 경우, 도 14와 같이 1회 소재토출작업에 의해 차폐 댐을 형성할 수 있다.If the three shielding areas are not arranged in a straight line as described above but are roughly L-shaped, a shielding dam can be formed through a single material discharge operation as shown in FIG. 14.
도 14는 1회 소재토출작업에 의해 인접한 3개의 차폐영역의 외곽을 따라 차폐 댐을 형성하기 위한 노즐 이동 경로를 나타낸 도면이다.Figure 14 is a diagram showing the nozzle movement path for forming a shielding dam along the outer edges of three adjacent shielding areas by a single material discharge operation.
도 14에 도시된 노즐 이동 경로에 따르면, 시작점(S)으로부터 첫번째 차폐영역의 차폐 댐을 형성하고, 두번째 및 세번째 차폐영역의 외곽을 형성한 후 두번째 및 세번째 차폐영역을 구획하는 차폐 댐을 형성할 수 있다. 이 경우, 3개의 차폐영역을 구획하는 구간에 해당하는 2개 부분은 각각의 일단이 서로 접하게 된다.According to the nozzle movement path shown in FIG. 14, the shielding dam of the first shielding area is formed from the starting point (S), the outer perimeter of the second and third shielding areas is formed, and then the shielding dam dividing the second and third shielding areas is formed. You can. In this case, the ends of the two parts corresponding to the section dividing the three shielding areas are in contact with each other.
이하에서는, 차폐 댐의 일부분(차폐 댐의 조형 시작 부분, 종료 부분 및 교차 부분 등)이 더미 부재에 지지된 상태로 조형되는 예를 설명한다.Below, an example in which parts of the shielding dam (such as the beginning, end, and intersection of the shielding dam) is supported on a dummy member will be described.
도 15a 및 도 15b는 차폐 댐 형성 시 노즐에서 토출되는 전기 전도성 소재가 발려지는 더미 부재를 나타낸 사시도들이고, 도 16은 더미 부재를 이용하여 차폐 댐을 형성하는 방법을 나타낸 도면이다.Figures 15A and 15B are perspective views showing a dummy member on which an electrically conductive material discharged from a nozzle is applied when forming a shielding dam, and Figure 16 is a diagram showing a method of forming a shielding dam using a dummy member.
도 15a를 참조하면, 더미 부재(300)는 리플로우 공정을 통해 인쇄회로기판(110)에 실장될 수 있다. 즉, 더미 부재(300)는 인쇄회로기판(110) 상에 형성된 땜납 위에 안착된 상태에서 고열에 의해 땜납이 녹아 인쇄회로기판 상에 실장될 수 있다.Referring to FIG. 15A, the
또한, 도 15b와 같이 더미 부재(300')는 2개의 리드선(331,333)을 구비할 수 있다. 이 경우 더미 부재(300')는 리드선 대신에 인쇄회로기판(110)에 고정될 수 있는 구조(예를 들면 나사부(미도시)가 결합되거나 통상의 클램핑 구조(미도시))라면 어느 것이든 가능하다.Additionally, as shown in FIG. 15B, the dummy member 300' may be provided with two
이하에서 더미 부재는 리드선(331,333) 없이 리플로우 공정을 통해 인쇄회로기판(110)에 실장되는 것을 예로 든다.Hereinafter, the dummy member is mounted on the printed
더미 부재(300)는 차폐 댐과 함께 차폐구조를 이룰 수도 있으며, 이 경우 전자파 차폐기능을 하도록 전자파 차폐가 가능한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들어 전자파 차폐가 가능한 금속재질 또는 전술한 차폐 댐을 이루는 소재를 통해 별도로 제작될 수도 있다.The
노즐에서 토출되는 소재는 더미 부재(300)의 일면에 지지될(또는 발려질(pasted)) 수 있다. 이를 위해, 더미 부재(300)는 소재가 지지되는 적어도 하나의 지지면(311) 또는 복수의 지지면(311,313)이 형성될 수 있다. The material discharged from the nozzle may be supported (or pasted) on one surface of the
이와 같은 더미 부재(300)를 이용하여 차폐 댐을 형성할 경우, 도 16(a)와 같이, 노즐(216)의 제1 토출구(216a)를 인쇄회로기판(110)에 고정된 더미 부재(300)의 지지면(311)을 향하게 세팅한다. 이어서, 도 16(b)와 같이 더미 부재(300)의 지지면(311)을 향해 소재를 토출하면서 더미 부재(300)로부터 멀어지는 방향으로 노즐(216)을 이동시켜 차폐 댐(131)을 형성할 수 있다. 이 경우, 차폐 댐(131)의 시작 부분은 더미 부재(300)의 지지면(311)에 의해 발려진 상태가 되므로 견고하게 형성될 수 있다.When forming a shielding dam using such a
도 17은 인접한 2개의 차폐영역의 외곽을 따라 차폐 댐을 형성할 때 서로 다른 위치에 2개의 더미 부재를 배치한 예를 나타낸 도면이고, 도 18 및 도 19는 도 17에 도시된 2개의 더미 부재를 각각 나타낸 사시도들이고, 도 20은 도 19에 도시된 더미 부재를 이용하여 차폐 댐의 일부를 조형하는 방법을 나타낸 도면이다.Figure 17 is a diagram showing an example of two dummy members placed in different positions when forming a shielding dam along the outer edges of two adjacent shielding areas, and Figures 18 and 19 show the two dummy members shown in Figure 17. These are perspective views showing each, and FIG. 20 is a diagram showing a method of forming a part of a shielding dam using the dummy member shown in FIG. 19.
도 17을 참조하면, 2개의 인접한 차폐영역에 대해 1회 소재토출작업을 통해 차폐 댐을 형성하는 경우, 더미 부재는 2개를 사용할 수 있다. 제1 더미 부재(400)는 노즐 이동 경로 상 시작점에 위치할 수 있고, 제2 더미 부재(500)는 노즐 이동 경로 상 종료점에 위치할 수 있다.Referring to FIG. 17, when forming a shielding dam through a single material discharge operation for two adjacent shielding areas, two dummy members can be used. The
제1 더미 부재(400)는 도 18과 같이 제1 지지면(411)이 대략 평면으로 형성되고, 제2 지지면(413)이 곡면으로 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 지지면(411,413)은 인쇄회로기판(110)의 상면에 대하여 대략 수직으로 배치될 수 있다.As shown in FIG. 18 , the
제1 더미 부재(400)의 제1 지지면(411)은 1회 소재토출작업에서 노즐에서 처음 토출되는 소재가 지지되며, 제1 더미 부재(400)의 제2 지지면(413)은 R4 지점에서 노즐로부터 토출되는 소재가 지지된다. 노즐에서 토출되는 소재가 제1 더미 부재(400)의 제2 지지면(413)에 지지될 수 있도록, R4 지점을 지나는 노즐은 제1 토출구(216a)가 제1 더미 부재(400)의 제2 지지면(413)을 향하도록 회전하면서 이동되는 것이 바람직하다.The
제2 더미 부재(500)는 도 19와 같이 제1 지지면(511)이 곡면으로 형성되고, 제2 지지면(513)이 평면으로 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 지지면(511)은 인쇄회로기판(110)의 상면에 대하여 대략 수직으로 배치될 수 있고, 제2 지지면(513)은 인쇄회로기판(110)의 상면에 대하여 소정 각도(θ)로 경사지게 배치될 수 있다.As shown in FIG. 19 , the
제2 더미 부재(500)의 제1 지지면(511)은 R3 지점에서 노즐로부터 토출되는 소재가 지지된다. 이 경우 노즐에서 토출되는 소재가 제2 더미 부재(500)의 제1 지지면(511)에 지지될 수 있도록, R3 지점을 지나는 노즐은 제1 토출구(216a)가 제2 더미 부재(500)의 제1 지지면(511)을 향하도록 회전하면서 이동되는 것이 바람직하다.The
제2 더미 부재(500)의 제2 지지면(513)은 도 20과 같이, 노즐(216)은 제3 부분(133)을 형성하다가 종료점(E)에 다다르면 제2 더미 부재(500)의 제2 지지면(513)을 따라 상향 이동한다. 이때, 노즐에서 토출되는 소재는 제2 더미 부재(500)의 제2 지지면(513)에 형성된다. 이 경우 노즐(216)은 도 10(c)와 같이 구간 별 이동속도에 변화를 줄 필요 없이 동일한 속도로 이동하면서 소재를 토출해도 공간(135)이 형성되지 않는다.As shown in FIG. 20, the
도 21은 인접한 3개의 차폐영역의 외곽을 따라 차폐 댐을 형성할 때 차폐 댐이 교차하는 일부분에 1개의 더미 부재를 배치한 예를 나타낸 도면이고, 도 22는 도 21에 도시된 더미 부재를 나타낸 사시도이다.Figure 21 is a diagram showing an example of one dummy member placed at a portion where the shielding dams intersect when forming a shielding dam along the outer edges of three adjacent shielding areas, and Figure 22 shows the dummy member shown in Figure 21. It is a perspective view.
도 21을 참조하면, L자 형상으로 배열되는 3개의 인접한 차폐영역에 대해 1회 소재토출작업을 통해 차폐 댐을 형성하는 경우, 더미 부재는 1개를 사용할 수 있다. 더미 부재(600)는 노즐 이동 경로 인접한 차폐영역들을 각각 구획하는 구간(J,P)의 일단이 서로 접하는 곳에 배치되는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 21, when forming a shielding dam through a single material discharge operation for three adjacent shielding areas arranged in an L shape, one dummy member can be used. The
더미 부재(600)는 도 22와 같이 양측에 각각 곡면으로 형성된 제1 및 제2 지지면(611,613)을 가질 수 있다. 더미 부재(600)의 제1 및 제2 지지면(611,613)은 인쇄회로기판(110)의 상면에 대하여 대략 수직으로 배치될 수 있다.The
더미 부재(600)의 제1 지지면(611)은 R7 지점에서 노즐로부터 토출되는 소재가 지지되고, 제2 지지면(613)은 R8 지점에서 노즐로부터 토출되는 소재가 지지된다. 이 경우, 노즐에서 토출되는 소재가 더미 부재(600)의 제1 및 2 지지면(611,613)에 각각 지지될 수 있도록, R7 및 R8 지점을 지나는 노즐은 제1 토출구(216a)가 제1 더미 부재(400)의 제1 및 2 지지면(611,613)을 각각 향하도록 회전하면서 이동되는 것이 바람직하다.The
상기한 바와 같이 본 실시예에서는 더미 부재를 이용하여 차폐 댐을 형성함으로써, 차폐 댐을 더욱 견고하게 형성할 수 있다.As described above, in this embodiment, by forming the shielding dam using a dummy member, the shielding dam can be formed more robustly.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형 가능함은 물론이다.As described above, although the present invention has been described with limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto, and the technical idea of the present invention and the following will be understood by those skilled in the art. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of equivalency of the patent claims described in .
110: 인쇄회로기판
120: 절연 부재
130: 차폐 댐
150: 차폐 부재
200: 소재 토출 장치
216: 노즐
300, 400, 500, 600: 더미 부재110: printed circuit board
120: insulation member
130: shielding dam
150: Shielding member
200: material discharge device
216: nozzle
300, 400, 500, 600: No dummy member
Claims (21)
상기 차폐 댐에 의해 정의된 차폐영역을 메워 각 차폐영역에 위치한 회로 소자들을 덮는 절연 부재; 및
상기 절연 부재의 상면을 덮는 차폐 부재; 및
상기 인쇄회로기판에 실장되어 상기 차폐 댐과 일체를 이루는 적어도 하나의 더미 부재;를 포함하며,
상기 차폐 댐은 차폐영역의 외곽을 형성하는 경계부(border portion)와 상기 경계부 내측에 배치되는 파티션부(partition portion)를 포함하고,
상기 적어도 하나의 더미 부재는,
상기 차폐 댐의 일부분이 지지되는 적어도 하나의 지지면; 및
상기 더미 부재를 상기 인쇄회로기판에 고정시키기 위한 리드선;을 포함하는, 전자파 차폐구조.A shielding dam formed to form a closed loop with respect to adjacent shielding areas on a printed circuit board;
an insulating member that fills the shielding area defined by the shielding dam and covers circuit elements located in each shielding area; and
a shielding member covering the upper surface of the insulating member; and
At least one dummy member mounted on the printed circuit board and integrated with the shield dam;
The shielding dam includes a border portion forming an exterior of the shielding area and a partition portion disposed inside the border portion,
The at least one dummy member is,
at least one support surface on which a portion of the shield dam is supported; and
An electromagnetic wave shielding structure comprising a lead wire for fixing the dummy member to the printed circuit board.
상기 지지면은 평면 또는 곡면인, 전자파 차폐구조.According to paragraph 1,
An electromagnetic wave shielding structure wherein the support surface is a flat or curved surface.
상기 지지면은 상기 인쇄회로기판의 일면에 대하여 수직 또는 경사지게 형성된, 전자파 차폐구조.According to paragraph 1,
An electromagnetic wave shielding structure in which the support surface is formed vertically or inclinedly with respect to one surface of the printed circuit board.
상기 경계부 및 상기 파티션부는 노즐을 통해 지속적으로 토출되는 전기 전도성 소재에 의해 연속적으로 이어지면서 형성되는, 전자파 차폐구조.According to paragraph 1,
An electromagnetic wave shielding structure in which the boundary portion and the partition portion are formed continuously by an electrically conductive material continuously discharged through a nozzle.
상기 경계부는 복수개로 형성되는, 전자파 차폐구조.According to paragraph 1,
An electromagnetic wave shielding structure in which the boundary portion is formed in plural pieces.
상기 복수의 경계부는 적어도 일부분이 서로 접하는, 전자파 차폐구조.In clause 7,
An electromagnetic wave shielding structure wherein at least a portion of the plurality of boundaries are in contact with each other.
상기 경계부는 파티션부와 불연속적으로 형성되는, 전자파 차폐구조.According to paragraph 1,
An electromagnetic wave shielding structure wherein the boundary portion is formed discontinuously with the partition portion.
상기 파티션부의 일측에 인접한 차폐영역을 둘러싸며, 상기 파티션부와 불연속적으로 형성되는 추가 경계부를 더 포함하는, 전자파 차폐구조.According to paragraph 1,
An electromagnetic wave shielding structure surrounding a shielding area adjacent to one side of the partition, and further comprising an additional boundary portion formed discontinuously with the partition.
상기 경계부의 끝부분은 미리 형성된 다른 경계부의 일 부분 또는 파티션부의 일 부분의 외측으로 오버랩되는, 전자파 차폐구조.According to paragraph 1,
An electromagnetic wave shielding structure wherein the end portion of the boundary portion overlaps with the outside of a portion of another pre-formed boundary portion or a portion of a partition portion.
각 차폐영역에 위치한 회로 소자들을 덮도록 상기 차폐 댐에 의해 정의된 차폐영역을 절연 소재로 메워 절연 부재를 형성하는 단계;
상기 절연 부재의 상면에 전기 전도성 소재를 주입하여 상기 차폐 댐을 덮는 차폐 부재를 형성하는 단계; 및
상기 노즐의 이동 경로 상에 적어도 하나의 더미 부재를 배치하는 단계;를 포함하고,
상기 차폐 댐 형성 단계에서 상기 노즐은 상기 더미 부재의 일면을 향해 상기 전기 전도성 소재를 토출하면서 이동하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.Forming a shielding dam forming a closed loop by continuously discharging an electrically conductive material through a nozzle to partition shielding areas on a printed circuit board;
forming an insulating member by filling the shielding area defined by the shielding dam with an insulating material to cover the circuit elements located in each shielding area;
forming a shielding member covering the shielding dam by injecting an electrically conductive material into the upper surface of the insulating member; and
It includes; disposing at least one dummy member on the movement path of the nozzle,
In the shielding dam forming step, the nozzle moves while discharging the electrically conductive material toward one surface of the dummy member.
상기 차폐 댐을 형성하는 단계는 각 차폐영역의 외곽을 이루는 상기 차폐 댐의 경계부을 형성하고, 각 차폐영역을 구획하도록 상기 경계부 내측에 배치되며 1회 소재토출작업에 의해 상기 경계부에 연속적으로 형성되는, 전자파 차폐구조의 제조방법.According to clause 12,
In the step of forming the shielding dam, a boundary portion of the shielding dam forming the outer edge of each shielding area is formed, disposed inside the boundary portion to partition each shielding area, and continuously formed on the boundary portion by a one-time material discharge operation. Manufacturing method of electromagnetic wave shielding structure.
상기 차폐 댐을 형성하는 단계는,
상기 전기 전도성 소재를 토출하면서 이동하는 상기 노즐을 먼저 형성된 차폐 댐의 일 부분과 일정한 간격을 두고 정지시키는 단계;
먼저 형성된 파티션부의 일 부분을 향해 상기 소재를 토출하여 먼저 형성된 파티션부의 일 부분과 노즐까지의 간격을 메우는 단계; 및
상기 노즐을 이동하면서 상기 전기 전도성 소재를 토출하는 단계;를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.According to clause 12,
The step of forming the shield dam is,
stopping the nozzle, which moves while discharging the electrically conductive material, at a certain distance from a portion of a previously formed shielding dam;
ejecting the material toward a portion of the previously formed partition to fill the gap between the portion of the previously formed partition and the nozzle; and
A method of manufacturing an electromagnetic wave shielding structure comprising: discharging the electrically conductive material while moving the nozzle.
상기 차폐 댐을 형성하는 단계는,
상기 전기 전도성 소재를 토출하면서 이동하는 상기 노즐을 먼저 형성된 차폐 댐의 일 부분과 일정한 간격을 두고 정지시키는 단계;
상기 노즐을 먼저 형성된 파티션부의 일 부분에 인접하게 위치시키는 단계; 및
먼저 형성된 파티션부의 일 부분을 향해 상기 소재를 토출하면서 상기 노즐을 이동시키는 단계;를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.According to clause 12,
The step of forming the shield dam is,
stopping the nozzle, which moves while discharging the electrically conductive material, at a certain distance from a portion of a previously formed shielding dam;
Positioning the nozzle adjacent to a portion of the previously formed partition; and
A method of manufacturing an electromagnetic wave shielding structure comprising: moving the nozzle while discharging the material toward a portion of the partition formed first.
상기 차폐 댐을 형성하는 단계는,
상기 전기 전도성 소재를 토출하면서 이동하는 상기 노즐을 먼저 형성된 파티션부의 일 부분과 근접한 일정한 위치까지 제1 속도로 이동하는 단계; 및
먼저 형성된 파티션부의 일 부분과 근접한 일정한 위치에서부터 상기 제1 속도보다 느린 제2 속도로 먼저 형성된 파티션부의 일 부분보다 높은 위치로 상향 이동하는 단계;를 포함하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.According to clause 12,
The step of forming the shield dam is,
moving the nozzle while discharging the electrically conductive material at a first speed to a predetermined position close to a portion of a previously formed partition; and
A method of manufacturing an electromagnetic wave shielding structure comprising: moving upward from a certain position close to a portion of a previously formed partition to a position higher than a portion of a previously formed partition at a second speed slower than the first speed.
상기 노즐은 차폐 댐의 시작점부터 종료점까지 이동하는 동안 먼저 형성된 파티션부의 적어도 2부분에 접하도록 소재를 토출하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.According to clause 12,
A method of manufacturing an electromagnetic wave shielding structure, wherein the nozzle discharges the material so as to contact at least two parts of the previously formed partition while moving from the starting point to the ending point of the shielding dam.
상기 차폐 댐 형성 단계에서, 상기 더미 부재의 일면이 경사면이면, 상기 노즐은 상기 더미 부재의 경사면을 향해 상기 전기 전도성 소재를 토출하면서 상기 경사면을 따라 상향 이동하는, 전자파 차폐구조의 제조방법.According to clause 12,
In the shielding dam forming step, if one surface of the dummy member is an inclined surface, the nozzle moves upward along the inclined surface while discharging the electrically conductive material toward the inclined surface of the dummy member. A method of manufacturing an electromagnetic wave shielding structure.
상기 차폐 댐에 의해 정의된 차폐영역에 절연 소재를 토출하여 각 차폐영역에 위치한 회로 소자들을 덮기 위한 절연 부재를 형성하도록 노즐을 제어하는 단계; 및
상기 절연 부재의 상면에 전기 전도성 소재를 토출하여 상기 차폐 댐을 덮는 차폐 부재를 형성하도록 노즐을 제어하는 단계; 및
상기 노즐의 이동 경로 상에 적어도 하나의 더미 부재를 배치하는 단계;를 포함하고,
상기 차폐 댐 형성 단계에서 상기 노즐은 상기 더미 부재의 일면을 향해 상기 전기 전도성 소재를 토출하면서 이동하는 것을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.Controlling the nozzle to eject an electrically conductive material to form a shielding dam forming a closed loop while dividing shielding areas on a printed circuit board;
Controlling a nozzle to discharge an insulating material into a shielding area defined by the shielding dam to form an insulating member to cover circuit elements located in each shielding area; and
Controlling a nozzle to discharge an electrically conductive material on the upper surface of the insulating member to form a shielding member covering the shielding dam; and
It includes; disposing at least one dummy member on the movement path of the nozzle,
A computer-readable recording medium that records a program for executing the nozzle to move while discharging the electrically conductive material toward one surface of the dummy member in the shielding dam forming step.
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