KR102600372B1 - 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템 및 방법 - Google Patents
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Abstract
계측 시스템은 하나 이상의 계측 도구들에 통신가능하게 결합된 제어기를 포함하고, 제어기는 하나 이상의 프로세서들을 포함하며, 하나 이상의 프로세서들은 하나 이상의 프로세서들로 하여금, 계측 샘플의 하나 이상의 계측 타겟들의 하나 이상의 계측 측정치들을 수신하게 하고 - 하나 이상의 계측 타겟들의 계측 타겟은 하나 이상의 셀들을 갖는 하나 이상의 타겟 설계들을 포함하고, 하나 이상의 타겟 설계들은 계측 샘플의 하나 이상의 층들 상에 생성됨 -; 하나 이상의 계측 측정치들에 기초하여 하나 이상의 에러들을 결정하게 하고; 하나 이상의 에러들에 대응하는 하나 이상의 에러 소스들을 조정하기 위해 하나 이상의 보정가능 항목들을 결정하게 하는 프로그램 명령어들을 실행하도록 구성되며, 하나 이상의 보정가능 항목들은 하나 이상의 에러 소스들에 의해 생성된 하나 이상의 계측 측정치들에서 잡음의 양을 감소시키도록 구성된다.
Description
[관련 출원관의 교차 참조]
본 출원은, Roie Volkovich, Liran Yerushalmi, Anna Golotsvan, Shlomit Katz, Rawi Dirawi, Chen Dror, Nir BenDavid, Amnon Manassen, 및 Oren Lahav를 발명자들로 하여 2019년 7월 23일에 출원되고 발명의 명칭이 ERROR REDUCTION FOR OVL METROLOGY MEASUREMENTS인 미국 가특허 출원 제62/877,390호의 35 U.S.C. § 119(e) 하의 이점을 주장하며, 상기 출원은 그 전체가 참조로 본원에 통합된다.
[기술 분야]
본 발명은 일반적으로 계측 시스템들에 관한 것으로, 더 구체적으로는 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
오버레이 계측 시스템들은 통상적으로, 관심 샘플 층들 상에 위치된 타겟 특징부들을 갖는 오버레이 계측 타겟들을 특성화함으로써 샘플의 다수의 층들의 정렬을 측정한다. 현재의 시스템들은 샘플의 현재 층과 이전 층 사이의 단일 오버레이 계측 타겟에 대해 생성된 오버레이 값들로, 단일 오버레이 계측 타겟에 대해 측정들을 수행하는 것을 수반한다. 이 시스템은 프로세스 변동들, 리소그래피 프로세스들, 및 계측 프로세스들과 같은 에러 소스들로부터 비롯되는 상이한 에러들에 민감할 수 있으며, 이는 처리율 측정 시간의 증가를 초래할 수 있고 에러 소스들의 유형 및/또는 수를 감소시키기 위해 추가적인 교정을 요구할 수 있다.
따라서, 위에서 식별된 이전 접근법들의 단점들을 해소하는 시스템 및 방법을 제공하는 것이 바람직할 것이다.
본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템이 개시된다. 일 실시예에서, 시스템은, 계측 샘플을 유지하도록 구성된 하나 이상의 계측 도구들에 통신가능하게 결합된 제어기를 포함하고, 제어기는 프로그램 명령어들을 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서들을 포함한다. 다른 실시예에서, 프로그램 명령어들은, 하나 이상의 프로세서들로 하여금, 계측 샘플의 하나 이상의 계측 타겟들의 하나 이상의 계측 측정치들을 수신하게 하고, 하나 이상의 계측 타겟들의 계측 타겟은 하나 이상의 셀들을 갖는 하나 이상의 타겟 설계들을 포함하고, 하나 이상의 타겟 설계들은 계측 샘플의 하나 이상의 층들 상에 생성된다. 다른 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서들로 하여금, 하나 이상의 계측 측정치들에 기초하여 하나 이상의 에러들을 결정하게 한다. 다른 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서들로 하여금, 하나 이상의 에러들에 대응하는 하나 이상의 에러 소스들을 조정하기 위해 하나 이상의 보정가능 항목들을 결정하게 하고, 하나 이상의 보정가능 항목들은 하나 이상의 에러 소스들에 의해 생성된 하나 이상의 계측 측정치들에서 잡음의 양을 감소시키도록 구성된다.
본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템이 개시된다. 일 실시예에서, 시스템은 계측 샘플을 유지하도록 구성된 하나 이상의 계측 도구들을 포함한다. 다른 실시예에서, 시스템은, 하나 이상의 계측 도구들에 통신가능하게 결합된 제어기를 포함하고, 제어기는 프로세서 명령어들을 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서들을 포함한다. 다른 실시예에서, 프로그램 명령어들은, 하나 이상의 프로세서들로 하여금, 계측 샘플의 하나 이상의 계측 타겟들의 하나 이상의 계측 측정치들을 수신하게 하고, 하나 이상의 계측 타겟들의 계측 타겟은 하나 이상의 셀들을 갖는 하나 이상의 타겟 설계들을 포함하고, 하나 이상의 타겟 설계들은 계측 샘플의 하나 이상의 층들 상에 생성된다. 다른 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서들로 하여금, 하나 이상의 계측 측정치들에 기초하여 하나 이상의 에러들을 결정하게 한다. 다른 실시예에서, 프로그램 명령어들은 하나 이상의 프로세서들로 하여금, 하나 이상의 에러들에 대응하는 하나 이상의 에러 소스들을 조정하기 위해 하나 이상의 보정가능 항목들을 결정하게 하고, 하나 이상의 보정가능 항목들은 하나 이상의 에러 소스들에 의해 생성된 하나 이상의 계측 측정치들에서 잡음의 양을 감소시키도록 구성된다.
본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 방법이 개시된다. 일 실시예에서, 방법은, 하나 이상의 계측 도구들로부터 계측 샘플의 하나 이상의 계측 타겟들의 하나 이상의 계측 측정치들을 수신하는 단계를 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않으며, 하나 이상의 계측 타겟들의 계측 타겟은 하나 이상의 셀들을 갖는 하나 이상의 타겟 설계들을 포함하고, 하나 이상의 타겟 설계들은 계측 샘플의 하나 이상의 층들 상에 생성된다. 다른 실시예에서, 방법은, 하나 이상의 계측 측정치들에 기초하여 하나 이상의 에러들을 결정하는 단계를 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 일 실시예에서, 방법은, 하나 이상의 에러들에 대응하는 하나 이상의 에러 소스들을 조정하기 위해 하나 이상의 보정가능 항목들을 결정하는 단계를 포함하지만 이에 제한되지 않고, 하나 이상의 보정가능 항목들은 하나 이상의 에러 소스들에 의해 생성된 하나 이상의 계측 측정치들에서 잡음의 양을 감소시키도록 구성된다.
전술한 일반적인 설명 및 하기의 상세한 설명 둘 모두는 단지 예시적이고 설명적인 것이며 청구된 본 발명을 반드시 제한하는 것은 아니라는 것을 이해해야 한다. 본 명세서에 통합되고 그 일부를 구성하는 첨부된 도면들은 본 발명의 실시예들을 예시하고, 일반적인 설명과 함께 본 발명의 원리들을 설명하는 역할을 한다.
본 개시의 다수의 이점들은 첨부된 도면들을 참조하여 당업자들에 의해 더 양호하게 이해될 수 있다.
도 1a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 제조 시스템을 예시하는 간략화된 도면이다.
도 1b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 1a의 제조 시스템의 리소그래피 서브-시스템을 예시하는 간략화된 도면이다.
도 1c는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 1a의 제조 시스템의 계측 서브-시스템의 간략화된 도면이다.
도 2는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 샘플 상의 필드들의 어레이 내의 산란계 오버레이(SCOL, scatterometry overlay) 계측 타겟들을 예시한다.
도 3은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, SCOL 계측 타겟들의 오버레이 측정 맵들 및 조합된 오버레이 맵을 예시한다.
도 4는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, SCOL 계측 타겟들의 오버레이 측정 표를 예시한다.
도 5a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 2개의 SCOL 계측 타겟들의 오버레이 측정을 비교하는 그래프를 예시한다.
도 5b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 2개의 SCOL 계측 타겟들의 오버레이 측정을 비교하는 그래프를 예시한다.
도 6은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 진화형 이미징 계측(AIM, advanced imaging metrology) 타겟을 예시한다.
도 7은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 트리플 AIM 타겟을 예시한다.
도 8은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 트리플 AIM 타겟을 예시한다.
도 9는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 트리플 AIM 타겟을 예시한다.
도 10은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 멀티-셀 SCOL 타겟을 예시한다.
도 11a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 다수의 피치들을 포함하는 멀티-셀 SCOL 타겟을 예시한다.
도 11b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 다수의 피치들을 포함하는 멀티-셀 SCOL 타겟의 셀을 예시한다.
도 11c는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 다수의 피치들을 포함하는 멀티-셀 SCOL 타겟을 예시한다.
도 11d는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 다수의 피치들을 포함하는 멀티-셀 SCOL 타겟의 셀을 예시한다.
도 12는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따라, 상이한 DAD(dual aperture device) 위치들에서 획득된 오버레이 측정 이미지들을 비교하는 그래프를 예시한다.
도 13a는 상이한 DAD 위치들에서 획득된 오버레이 측정치를 비교하는 그래프를 예시한다.
도 13b는 상이한 DAD 위치들에서 획득된 오버레이 측정치를 비교하는 그래프를 예시한다.
도 13c는 상이한 DAD 위치들에서 획득된 오버레이 측정치를 비교하는 그래프를 예시한다.
도 13d는 상이한 DAD 위치들에서 획득된 오버레이 측정치를 비교하는 그래프를 예시한다.
도 14는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 필드-감응 오버레이 계측을 위한 방법에서 수행되는 단계들을 예시하는 흐름도이다.
도 1a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 제조 시스템을 예시하는 간략화된 도면이다.
도 1b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 1a의 제조 시스템의 리소그래피 서브-시스템을 예시하는 간략화된 도면이다.
도 1c는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 1a의 제조 시스템의 계측 서브-시스템의 간략화된 도면이다.
도 2는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 샘플 상의 필드들의 어레이 내의 산란계 오버레이(SCOL, scatterometry overlay) 계측 타겟들을 예시한다.
도 3은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, SCOL 계측 타겟들의 오버레이 측정 맵들 및 조합된 오버레이 맵을 예시한다.
도 4는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, SCOL 계측 타겟들의 오버레이 측정 표를 예시한다.
도 5a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 2개의 SCOL 계측 타겟들의 오버레이 측정을 비교하는 그래프를 예시한다.
도 5b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 2개의 SCOL 계측 타겟들의 오버레이 측정을 비교하는 그래프를 예시한다.
도 6은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 진화형 이미징 계측(AIM, advanced imaging metrology) 타겟을 예시한다.
도 7은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 트리플 AIM 타겟을 예시한다.
도 8은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 트리플 AIM 타겟을 예시한다.
도 9는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 트리플 AIM 타겟을 예시한다.
도 10은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 멀티-셀 SCOL 타겟을 예시한다.
도 11a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 다수의 피치들을 포함하는 멀티-셀 SCOL 타겟을 예시한다.
도 11b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 다수의 피치들을 포함하는 멀티-셀 SCOL 타겟의 셀을 예시한다.
도 11c는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 다수의 피치들을 포함하는 멀티-셀 SCOL 타겟을 예시한다.
도 11d는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 다수의 피치들을 포함하는 멀티-셀 SCOL 타겟의 셀을 예시한다.
도 12는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따라, 상이한 DAD(dual aperture device) 위치들에서 획득된 오버레이 측정 이미지들을 비교하는 그래프를 예시한다.
도 13a는 상이한 DAD 위치들에서 획득된 오버레이 측정치를 비교하는 그래프를 예시한다.
도 13b는 상이한 DAD 위치들에서 획득된 오버레이 측정치를 비교하는 그래프를 예시한다.
도 13c는 상이한 DAD 위치들에서 획득된 오버레이 측정치를 비교하는 그래프를 예시한다.
도 13d는 상이한 DAD 위치들에서 획득된 오버레이 측정치를 비교하는 그래프를 예시한다.
도 14는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 필드-감응 오버레이 계측을 위한 방법에서 수행되는 단계들을 예시하는 흐름도이다.
본 개시는 특히 특정 실시예들 및 이들의 특정 특징들에 대해 도시되고 설명되었다. 본원에 기술된 실시예들은 제한적이기 보다는 예시적으로 간주된다. 본 개시의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 형태 및 세부사항에서 다양한 변화들 및 수정들이 이루어질 수 있다는 것이 당업자들에게 쉽게 명백할 것이다.
이제 첨부된 도면들에서 예시되는 개시된 요지에 대해 상세히 참조할 것이다.
오버레이(OVL) 계측 도구들은 샘플 층들의 오버레이를 결정하기 위해 다양한 오버레이 계측 기술들을 활용할 수 있다. 예를 들어, 오버레이 계측 기술들은 이미징, 산란계, 또는 오버레이 계측 기술들의 조합을 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 오버레이 계측 기술들로 취해진 오버레이 측정치는 잡음을 가질 수 있으며, 이는 처리율 측정 시간의 증가를 초래할 수 있고, 에러 소스들의 유형 및/또는 수를 감소시키기 위해 추가적인 교정을 요구할 수 있다. 그러나, 오버레이 계측과 관련된 방법론들 및 기술들은 점점 더 엄격한 요건들을 겪고 있으며, 그에 따라, 계측 타겟 측정에서 잡음 감소의 증대가 필요하다.
첨단 프로세스들은 매우 특정한 피치 구조들의 집단의 중심을 제어하는 능력, 및 리소그래피로 인한 디바이스 구조들 내의 변동성 및 상이한 디바이스 구조들에 대한 다른 프로세스 변동성을 추정하는 능력 둘 모두를 요구할 수 있다. 계측 타겟이 디바이스 오버레이를 모방하는 단일 피치만을 포함할 때, 디바이스 피치가 계측 타겟 피치보다 훨씬 작기 때문에, 디바이스 오버레이와 계측 타겟 오버레이 사이의 상관 관계가 개선될 수 있다. 또한, 리소그래피, 인쇄 위치, 충격을 갖는 다른 프로세스들(예를 들어, 에칭, 도핑 등) 및/또는 계측 도구들로 인해 계측 오버레이에 유도된 에러가 있을 수 있다.
본 개시의 실시예들은 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 개시의 실시예들은 다수의 계측 타겟들을 포함하는 계측 샘플의 구성들, 및 계측 샘플을 제조 및/또는 측정하도록 구성된 대응하는 시스템에 관한 것이다.
본 개시의 이점들은 하나 이상의 오버레이(OVL) 계측 타겟들을 사용하여 잡음을 감소시키기 위한 방법론을 포함한다. 예를 들어, 방법론은 동일하거나 유사한 타겟 설계(예를 들어, 일부 경우들에서, 동일한 타겟 설계)를 갖는 다수의 오버레이 계측 타겟들을 사용할 수 있거나, 또는 대신에, 상이한 타겟 설계를 갖는 일부를 사용할 수 있다. 다른 예로서, 방법론은 동일한 또는 유사한 타겟 셀에 임베딩된 상이한 타겟 설계를 갖는 개선된 타겟 설계를 포함할 수 있다.
본 개시의 이점들은 또한, 오버레이 측정에 영향을 미치는 잡음을 감소시키기 위해, 상이한 설계들을 포함하는 다수의 계측 타겟들 또는 다수의 층들을 갖는 하나의 오버레이 계측 타겟을 갖는 오버레이 측정을 사용하는 것을 포함한다.
본 개시의 이점들은 또한, 잡음 감소를 모방하고 제품 오버레이(OPO)를 개선하기 위해 다수의 오버레이 계측 타겟들을 사용하는 방법론과 함께 사용될 수 있는 개선된 타겟 설계를 포함한다. 예를 들어, 개선된 타겟 설계는 산란계 오버레이(SCOL) 또는 진화형 이미징 계측(AIM) 타겟 설계일 수 있다. 예를 들어, SCOL 또는 AIM 타겟 설계는 방법론의 잔차, 성능 및/또는 정확도 중 더 하나 이상을 개선하기 위해 (예를 들어, 멀티-셀 또는 멀티-층 SCOL 타겟, 또는 층들의 세트만을 갖는 AIM 타겟과 같은) 하나 초과의 타겟 설계를 포함 및/또는 조합할 수 있다.
본 개시의 이점들은, 동일하거나 유사한 또는 상이한 피치를 갖는 다수의 계측 타겟들 대신에 또는 그에 추가하여, 타겟 셀들에 임베딩된 다수의 피치들을 갖는 단일 계측 타겟을 포함한다. 단일 계측 타겟은 리소그래피 및 다른 프로세스 변동성으로 인한 디바이스 구조들 내의 변동성을 추정하는 능력을 허용할 수 있다.. 단일 계측 타겟은 계측 타겟 잡음 감소를 허용할 수 있다. 단일 계측 타겟은 타겟팅 에러에 대한 개선된 디바이스일 수 있다. 단일 계측 타겟은 정확도 개선들을 위해 전자-빔(또는 e- 빔) 측정들을 사용하는 것을 가능하게 할 수 있다. 다수의 피치들을 갖는 단일 계측 타겟은 웨이퍼 또는 샘플 자원(real-estate)의 개선된 사용 및 측정 시간을 절약할 수 있고, 그래서 소유 비용을 개선할 수 있다.
도 1 내지 도 14는 일반적으로, 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템 및 방법을 예시한다.
도 1a 내지 도 1c는 일반적으로 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 시스템(100)을 예시한다.
적어도 도 1a에 예시된 바와 같이, 일 실시예에서, 시스템(100)은 패턴 마스크의 하나 이상의 패턴 요소들(예를 들어, 디바이스 패턴 요소들, 계측 타겟 패턴 요소들 등)을 리소그래피 방식으로 이미징하기 위한 하나 이상의 리소그래피 서브-시스템들(102)을 포함한다. 본 개시의 목적들을 위해, 리소그래피 서브-시스템(102)이 리소그래피 도구로 지칭될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 예를 들어, 리소그래피 서브-시스템(102)은 에칭기, 스캐너, 스테퍼, 클리너 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는 당업계에 알려진 임의의 리소그래피 도구를 포함할 수 있다. 제조 프로세스는 샘플(예를 들어, 반도체 웨이퍼 등)의 표면에 걸쳐 분포된 다수의 다이들을 제조하는 것을 포함할 수 있으며, 여기서 각각의 다이는 디바이스 컴포넌트를 형성하는 재료의 다수의 패터닝된 층들을 포함한다. 각각의 패터닝된 층은, 관심 패턴을 생성하기 위한 재료 성막, 리소그래피, 에칭, 및/또는 하나 이상의 노출 단계들(예를 들어, 스캐너, 스테퍼 등에 의해 수행됨)을 포함하는 일련의 단계들을 통해 리소그래피 도구들에 의해 형성될 수 있다. 본 개시의 목적들을 위해, 리소그래피 서브-시스템(102)이 단일 리소그래피 도구일 수 있거나 또는 리소그래피 도구들의 그룹을 나타낼 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
다른 실시예에서, 시스템(100)은 샘플 상의 하나 이상의 특징부들을 특성화하기 위한 하나 이상의 계측 서브-시스템들(104)을 포함한다. 시스템(100)은 특정 샘플 상의 그리고/또는 다수의 샘플들에 걸친 특징부들의 제조를 모니터링 및 제어하기 위해 제조 프로세스 동안 하나 이상의 포인트들에서 계측 측정을 통합할 수 있다. 본 개시의 목적들을 위해, 계측 서브-시스템(104)이 계측 도구로 지칭될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 예를 들어, 계측 서브-시스템(104)은 샘플의 특징부들의 상대적 위치들을 측정하는 데 적합한 오버레이 계측 도구를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 계측 서브-시스템(104)은 샘플의 하나 이상의 이미지들의 생성에 기초하여 계측 데이터를 측정하기 위한 이미지-기반 계측 도구를 포함한다. 다른 실시예에서, 계측 서브-시스템(104)은 전자 빔-기반 계측 시스템을 포함한다. 예를 들어, 계측 서브-시스템(104)은 샘플로부터의 광의 산란(반사, 회절, 확산 산란 등)에 기초하여 계측 데이터를 측정하기 위한 산란계-기반 계측 시스템(예를 들어, 산란계 오버레이(SCOL) 계측 시스템)을 포함할 수 있다. 본 개시의 목적들을 위해, 계측 서브-시스템(104)이 단일 계측 도구일 수 있거나 또는 계측 도구들의 그룹을 나타낼 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
다른 실시예에서, 시스템(100)은 제어기(106)를 포함한다. 제어기(106)는 메모리 매체(110) 상에 유지되는 프로그램 명령어들을 실행하도록 구성된 하나 이상의 프로세서들(108)을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 제어기(106)의 하나 이상의 프로세서들(108)은 본 개시 전반에 걸쳐 설명된 다양한 프로세스 단계들 중 임의의 것을 실행할 수 있다.
제어기(106)의 하나 이상의 프로세서들(108)은 당업계에 공지된 임의의 프로세싱 요소를 포함할 수 있다. 이러한 관점에서, 하나 이상의 프로세서들(108)은 알고리즘들 및/또는 명령어들을 실행하도록 구성된 임의의 마이크로프로세서-유형의 디바이스를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 하나 이상의 프로세서들(108)은 데스크톱 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 이미지 컴퓨터, 병렬 프로세서, 또는 본 개시 전반에 걸쳐 설명된 바와 같이 시스템(100)을 동작시키도록 구성된 프로그램을 실행하도록 구성된 임의의 다른 컴퓨터 시스템(예를 들어, 네트워크화된 컴퓨터)으로 구성될 수 있다. 용어 "프로세서"는, 비일시적 메모리 매체(110)로부터의 프로그램 명령어들을 실행하는 하나 이상의 프로세싱 요소들을 갖는 임의의 디바이스를 포함하도록 광범위하게 정의될 수 있는 것으로 추가로 인식된다. 추가로, 본 개시 전반에 걸쳐 설명된 단계들은 단일 제어기(106) 또는 대안적으로 다수의 제어기들에 의해 수행될 수 있다. 또한, 제어기(106)는 공통 하우징에 또는 다수의 하우징들 내에 수납된 하나 이상의 제어기들을 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 임의의 제어기 또는 제어기들의 조합은 시스템(100)에 통합하는데 적합한 모듈로서 별개로 패키징될 수 있다. 추가로, 제어기(106)는 검출기로부터 수신된 데이터를 분석하고, 데이터를 시스템(100) 내의 추가적인 컴포넌트들(예를 들어, 리소그래피 서브-시스템(102))에 또는 시스템(100) 외부에 공급할 수 있다.
메모리 매체(110)는 연관된 하나 이상의 프로세서들(108)에 의해 실행가능한 프로그램 명령어들을 저장하는데 적합한 본 기술분야에 공지된 임의의 저장 매체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리 매체(110)는 비일시적 메모리 매체를 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 메모리 매체(110)는 판독 전용 메모리, 랜덤 액세스 메모리, 자기 또는 광학 메모리 디바이스(예를 들어, 디스크), 자기 테이프, 솔리드 스테이트 드라이브 등을 포함할 수 있지만 이에 제한되는 것은 아니다. 메모리 매체(110)는 하나 이상의 프로세서들(108)을 수납하는 공통 제어기에 수납될 수 있는 것에 추가로 유의한다. 일 실시예에서, 메모리 매체(110)는 하나 이상의 프로세서들(108) 및 제어기(106)의 물리적 위치에 대해 원격으로 위치될 수 있다. 예를 들어, 제어기(106)의 하나 이상의 프로세서들(108)은 네트워크(예를 들어, 인터넷, 인트라넷 등)를 통해 액세스가능한 원격 메모리(예를 들어, 서버)에 액세스할 수 있다. 따라서, 상기 설명은 본 발명에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
적어도 도 1b에 예시된 바와 같이, 일 실시예에서, 리소그래피 서브-시스템(102)은 조명 빔(114)을 생성하도록 구성된 리소그래피 조명 소스(112)를 포함한다. 하나 이상의 조명 빔들(114)은, 자외선(UV) 방사선, 가시 방사선 또는 적외선(IR) 방사선을 포함하지만 이에 제한되지 않는 하나 이상의 선택된 파장들의 광을 포함할 수 있다.
리소그래피 조명 소스(112)로부터의 조명은 임의의 공간 분포(예를 들어, 조명 패턴)를 가질 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 조명 소스(112)는 단극자 조명 소스, 쌍극자 조명 소스, C-쿼드(C-Quad) 조명 소스, 콰이사르(Quasar) 조명 소스 또는 자유-형성 조명 소스를 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 이와 관련하여, 리소그래피 조명 소스(112)는, 조명이 광학 축(116)을 따라(또는 평행하게) 전파되는 온-축 조명 빔들(114) 및/또는 조명이 광학 축(116)에 각을 이루어 전파되는 임의의 수의 오프-축 조명 빔들(114)을 생성할 수 있다.
본 개시의 목적들을 위해, 리소그래피 조명 소스(112)의 조명 극이 특정 위치로부터의 조명을 나타낼 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 이와 관련하여, (예를 들어, 광학 축(116)에 대한) 리소그래피 조명 소스(112)의 각각의 공간 위치는 조명 극으로 간주될 수 있다. 추가로, 조명 극은 당해 기술 분야에 공지된 임의의 형상 또는 크기를 가질 수 있다. 추가하여, 리소그래피 조명 소스(112)는 조명 극들의 분포에 대응하는 조명 프로파일을 갖는 것으로 고려될 수 있다.
추가로, 리소그래피 조명 소스(112)는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 방법에 의해 조명 빔들(114)을 생성할 수 있다. 예를 들어, 조명 빔(114)은 리소그래피 조명 소스(112)의 조명 극(예를 들어, 리소그래피 조명 소스(112)의 조명 프로파일의 일부 등)으로부터의 조명으로서 형성될 수 있다. 다른 예로서, 리소그래피 조명 소스(112)는 다수의 조명 빔들(114)의 생성을 위해 다수의 조명 소스들을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 리소그래피 서브-시스템(102)은 마스크 지지 디바이스(118)를 포함한다. 마스크 지지 디바이스(118)는 패턴 마스크(120)를 고정시키도록 구성된다. 다른 실시예에서, 리소그래피 서브-시스템(102)은 패턴 마스크(120)의 이미지에 대응하는 인쇄된 패턴 요소들을 생성하기 위해, 하나 이상의 조명 빔들(114)에 의해 조명되는 패턴 마스크(120)의 이미지를 샘플 스테이지(126) 상에 배치된 샘플(124) 상에 투사하도록 구성된 투사 광학기 세트(122)를 포함한다. 다른 실시예에서, 마스크 지지 디바이스(118)는 패턴 마스크(120)를 작동시키거나 위치설정하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 마스크 지지 디바이스(118)는 시스템(100)의 투사 광학기(122)에 대해 선택된 위치로 패턴 마스크(120)를 작동시킬 수 있다.
샘플(124)은 패턴 마스크(120)의 이미지를 수신하기에 적합한 임의의 수의 감광성 재료들 및/또는 재료 층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 샘플(124)은 레지스트 층(128)을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 투사 광학기들의 세트(122)는 레지스트 층(128)을 노출시키기 위해 레지스트 층(128) 상에 패턴 마스크(120)의 이미지를 투사할 수 있고, 후속 에칭 단계는 샘플(124) 상에 인쇄된 특징부들을 제공하기 위해 노출된 재료(예를 들어, 포지티브 에칭) 또는 노출되지 않은 재료(예를 들어, 네거티브 에칭)를 제거할 수 있다. 추가로, 패턴 마스크(120)는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 이미징 구성에서 활용될 수 있다. 예를 들어, 패턴 마스크(120)는, 패턴 요소들이 인쇄된 패턴 요소들로서 포지티브하게 이미징되는 포지티브 마스크(예를 들어, 명시야 마스크)일 수 있다. 다른 예로서, 패턴 마스크(120)는, 패턴 마스크(120)의 패턴 요소들이 네거티브 인쇄된 패턴 요소들(예를 들어, 갭들, 공간들 등)을 형성하는 네거티브 마스크(예를 들어, 암시야 마스크)일 수 있다.
제어기(106)는 패턴 마스크(120) 상의 패턴 요소들의 샘플(124)로의 전사를 지향시키기 위해 마스크 지지 디바이스(118) 및/또는 샘플 스테이지(126), 조명 빔(114)의 하나 이상의 특성들을 제어하기 위한 리소그래피 조명 소스(112)를 포함하지만 이에 제한되지 않는 리소그래피 서브-시스템(102) 내의 임의의 요소 또는 요소들의 조합에 통신가능하게 결합될 수 있다.
도 1c는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 계측 서브-시스템(104)의 블록도이다. 시스템(100)은 당해 기술 분야에 알려진 임의의 방법을 사용하여 적어도 하나의 검출기(132) 상에서 샘플(124)로부터 발산되는 광(예를 들어, 샘플 광(130))과 연관된 하나 이상의 이미지들을 생성할 수 있다. 일 실시예에서, 검출기(132)는 샘플(124) 상의 하나 이상의 특징부들의 이미지를 생성하기 위해 필드 평면에 위치된다. 이와 관련하여, 시스템(100)은 이미지-기반 오버레이 계측 도구로서 동작할 수 있다. 다른 실시예에서, 검출기(132)는 샘플(124)로부터 발산하는 광의 각도들에 기초하여(예를 들어, 반사, 회절, 산란 등에 기초하여) 이미지를 생성하기 위해 동공 평면에 위치된다. 이와 관련하여, 시스템(100)은 산란계-기반 계측 도구로서 동작할 수 있다.
일 실시예에서, 계측 서브-시스템(104)은 계측 조명 빔(136)을 생성하기 위한 계측 조명 소스(134)를 포함한다. 계측 조명 소스(134)는 리소그래피 조명 소스(112)와 동일할 수 있거나, 또는 별개의 계측 조명 빔(136)을 생성하도록 구성된 별개의 조명 소스일 수 있다. 계측 조명 빔(136)은, 진공 자외선(VUV) 방사선, 심 자외선(DUV) 방사선, 자외선(UV) 방사선, 가시 방사선 또는 적외선(IR) 방사선을 포함하지만 이에 제한되지 않는 하나 이상의 선택된 파장들의 광을 포함할 수 있다. 계측 조명 소스(134)는 임의의 범위의 선택된 파장들을 포함하는 계측 조명 빔(136)을 추가로 생성할 수 있다. 다른 실시예에서, 계측 조명 소스(134)는 튜닝가능한 스펙트럼을 갖는 계측 조명 빔(136)을 생성하기 위해 스펙트럼 튜닝가능한 조명 소스를 포함할 수 있다.
계측 조명 소스(134)는 임의의 시간 프로파일을 갖는 계측 조명 빔(136)을 추가로 생성할 수 있다. 예를 들어, 계측 조명 소스(134)는 연속 계측 조명 빔(136), 펄스형 계측 조명 빔(136) 또는 변조된 계측 조명 빔(136)을 생성할 수 있다. 또한, 계측 조명 빔(136)은 자유 공간 전파 또는 안내된 광(예를 들어, 광섬유, 광 파이프 등)을 통해 계측 조명 소스(134)로부터 전달될 수 있다.
다른 실시예에서, 계측 조명 소스(134)는 조명 경로(138)를 통해 계측 조명 빔(136)을 샘플(124)로 지향시킨다. 조명 경로(138)는 계측 조명 빔(136)을 수정 및/또는 조정하는데 적합한 하나 이상의 렌즈들(140) 또는 추가적인 조명 광학 컴포넌트들(142)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 조명 광학 컴포넌트들(142)은 하나 이상의 편광기들, 하나 이상의 필터들, 하나 이상의 빔 분할기들, 하나 이상의 디퓨저들, 하나 이상의 균질화기들, 하나 이상의 아포다이저(apodizer)들, 또는 하나 이상의 셔터들(예를 들어, 기계적 셔터들, 전기-광학 셔터들, 음향-광학 셔터들 등)을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 예로서, 하나 이상의 조명 광학 컴포넌트들(142)은 샘플(124) 상의 조명 각도를 제어하기 위한 애퍼처 정지부들 및/또는 샘플(124) 상의 조명의 공간적 범위를 제어하기 위한 필드 정지부들을 포함할 수 있다. 일례에서, 조명 경로(138)는 샘플의 텔레센트릭 조명을 제공하기 위해 대물 렌즈(144)의 후방 초점 평면에 콘주게이트인 평면에 위치된 애퍼처 정지부를 포함한다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 계측 조명 빔(136)을 샘플(124) 상에 포커싱하는 대물 렌즈(144)를 포함한다.
다른 실시예에서, 샘플(124)은 샘플 스테이지(146) 상에 배치된다. 샘플 스테이지(146)는 시스템(100) 내에 샘플(124)을 위치시키는데 적합한 임의의 디바이스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 샘플 스테이지(146)는 선형 병진운동 스테이지들, 회전 스테이지들, 팁/틸트(tip/tilt) 스테이지들 등의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
본 개시의 목적들을 위해, 일부 실시예들에서, 샘플(124)은 계측 샘플(124)로 간주될 수 있다.
다른 실시예에서, 검출기(132)는 수집 경로(148)를 통해 샘플(124)로부터 발산하는 방사선(예를 들어, 샘플 광(130))을 캡처하도록 구성된다. 예를 들어, 수집 경로(148)는 수집 렌즈(예를 들어, 도 1c에 예시된 바와 같은 대물 렌즈(144)) 또는 하나 이상의 추가적인 수집 경로 렌즈들(150)을 포함할 수 있지만, 포함하도록 요구되는 것은 아니다. 이와 관련하여, 검출기(132)는 샘플(124)로부터 (예를 들어, 정반사, 확산 반사 등을 통해) 반사 또는 산란되거나 샘플(124)에 의해 생성된 방사선(예를 들어, 계측 조명 빔(136) 등의 흡수와 연관된 발광)을 수신할 수 있다.
수집 경로(148)는 하나 이상의 수집 경로 렌즈들(150), 하나 이상의 필터들, 하나 이상의 편광기들 또는 하나 이상의 빔 블록들을 포함하지만 이에 제한되지 않는 대물 렌즈(144)에 의해 수집된 조명을 지향 및/또는 수정하기 위한 임의의 수의 수집 광학 컴포넌트들(152)을 더 포함할 수 있다. 또한, 수집 경로(148)는 검출기(132) 상에 이미징된 샘플의 공간 범위를 제어하기 위한 필드 정지부 또는 검출기(132) 상에 이미지를 생성하는 데 사용되는 샘플로부터의 조명의 각도 범위를 제어하기 위한 애퍼처 정지부를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 수집 경로(148)는 샘플의 텔레센트릭 이미징을 제공하기 위해 광학 요소 대물 렌즈(144)의 후방 초점 평면에 콘주게이트인 평면에 위치된 애퍼처 정지부를 포함한다.
검출기(132)는 샘플(124)로부터 수신된 조명을 측정하는데 적합한 당업계에 공지된 임의의 유형의 광학 검출기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 검출기(132)는 전하 결합 디바이스(CCD), CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor) 센서, PMT(photomultiplier tube) 어레이, 또는 APD(avalanche photodiode) 어레이와 같은, 정적 샘플(124)의 하나 이상의 이미지들을 (예를 들어, 정적 동작 모드로) 생성하는 데 적합한 센서를 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 다른 예로서, 검출기(132)는 라인 센서 또는 TDI(time delay and integration) 센서를 포함하지만 이에 제한되지 않는 모션(예를 들어, 스캐닝 동작 모드)중인 샘플(124)의 하나 이상의 이미지들을 생성하기에 적합한 센서를 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 검출기(132)는 샘플(124)로부터 발산되는 방사의 파장들을 식별하는데 적합한 분광 검출기를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 시스템(100)은 시스템(100)에 의한 다수의 계측 측정들을 용이하게 하기 위한 (예를 들어, 하나 이상의 빔스플리터들에 의해 생성된 다수의 빔 경로들과 연관된) 다수의 검출기들(132)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 시스템(100)은, 대물 렌즈(144)가 동시에 계측 조명 빔(136)을 샘플(124)로 지향시키고 샘플(124)로부터 발산된 방사선을 수집할 수 있도록 배향된 빔스플리터(154)를 포함한다. 이와 관련하여, 시스템(100)은 에피(epi)-조명 모드로 구성될 수 있다.
다른 실시예에서, 도 1a 내지 도 1c에 예시된 바와 같이, 제어기(106)는 시스템(100)의 하나 이상의 요소들에 통신가능하게 결합된다. 이와 관련하여, 제어기(106)는 시스템(100)의 임의의 컴포넌트로부터 데이터를 송신 및/또는 수신할 수 있다. 예를 들어, 제어기(106)는 샘플(124)의 검출기(132)로부터 하나 이상의 이미지들을 포함하지만 이에 제한되지 않는 데이터를 수신하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 샘플(124)은 본 개시 전반에 걸쳐 설명된 에러 감소 시스템들 및 방법들에 사용되도록 설계 및/또는 제조될 수 있다.
도 2 내지 도 5b는 일반적으로, 본 개시에 따른, 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템 및 방법에 관한 본 개시의 실시예를 예시한다.
일 실시예에서, 샘플(124)은 하나 이상의 필드들(200)을 포함한다. 하나 이상의 필드들(200)의 각각의 필드(200)는 하나 이상의 오버레이 계측 타겟들을 포함한다. 본 개시의 목적들을 위해, 오버레이 계측 타겟들이 계측 타겟들 또는 오버레이 타겟들로 지칭될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
예를 들어, 도 2에 예시된 바와 같이, 샘플(124)은 산란계 기술을 위한 4개의 계측 타겟들(202a-202d)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 계측 타겟들은 상이한 유형들의 것일 수 있어서, 상이한 계측 타겟들은 상이한 타겟 설계들을 갖는다. 4개의 계측 타겟들(202a-202d)은 샘플(124) 상에서 서로 근처에 할당될 수 있지만, 임계 치수(CD), 피치 및/또는 세그먼트화 크기 중 하나 이상에서 상이할 수 있다. 4개의 계측 타겟들(202a-202d)은 샘플(124)의 각각의 필드(200) 상의 필드(200) 당 몇몇 위치들에 위치될 수 있어서, 계측 타겟들(200-200d)의 위치들의 총 수는 최대 수천 개의 위치들일 수 있다. 도 2의 예시의 하나의 비제한적인 예에서, 각각의 필드(200)는 길이 또는 폭에서 5 나노미터(nm)일 수 있다.
도 3은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 오버레이 측정치(300a-300d)의 일련의 측정 맵들 및 각각의 계측 타겟(202a-202d)에 대한 메트릭들을 각각 예시한다. 오버레이 측정치(300a-300d)는 단일 오버레이 값(302)으로 조합될 수 있다. 예를 들어, 조합된 또는 단일 오버레이 값(302)은, 수식 1에서 제공되는 바와 같은 평균화 방법을 사용하여 결정될 수 있고, 여기서, i는 샘플(124) 상의 필드(200) 내의 특정 오버레이 타겟의 위치이다.
수식 1
다른 예로서, 조합된 또는 단일 오버레이 값(302)은 상이한 가중 평균들(예를 들어, 여기서, 계측 타겟 품질을 사용하여 가중치가 생성될 수 있음), 기계 학습 알고리즘, 및/또는 다른 알고리즘 기반 방법론을 사용하여 결정될 수 있다.
도 4는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, SCOL 계측 타겟들의 오버레이 측정 표(400)를 예시한다. 표(400)에서, 조합된 또는 단일 오버레이 값(302)은 4개의 계측 타겟들(202a-202d)의 오버레이 측정치(300a-300d)에 대해 결정되었다. x- 및 y-방향들의 오버레이(402)(nm 단위)는 4개의 계측 타겟들(202a-202d)의 오버레이 측정치(300a-300d) 각각에 대해 제공된다. x- 및 y-방향들의 잔차(404)(nm 단위)는 4개의 계측 타겟들(202a-202d)의 오버레이 측정치(300a-300d) 각각에 대해 제공된다. x- 및 y-방향들의 조합된 또는 단일 오버레이 값(302)을 사용한 잔차 개선(406)(백분율로 표현됨)은 4개의 계측 타겟들(202a-202d)의 오버레이 측정치(300a-300d) 각각에 대해 제공된다.
도 5a 및 도 5b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 계측 타겟들(202a, 202c)의 오버레이 측정치(300a, 300c)를 각각 비교하는 그래프들을 예시한다.
다수의 타겟 설계들을 갖는 오버레이 타겟들로부터 취해진 다수의 계측 타겟 측정치를 사용하는 것은 상이한 계측 타겟들 사이의 양호한 오버레이 상관을 생성하기 위해 계측 타겟 유형마다 최상의 계측 도구 레시피의 사용을 요구할 수 있다. 예를 들어, 그래프(500)는 x-방향에서 타겟(202c) 대 타겟(202a)에 대한 오버레이를 상관시킨다. 다른 예로서, 그래프(510)는 y-방향에서 타겟(202c) 대 타겟(202a)에 대한 오버레이를 상관시킨다.
조합된 또는 단일 오버레이 값(302)은 프로세스 변동들, 리소그래피 프로세스들 및 계측 프로세스들을 포함하지만 이에 제한되지 않는 하나 이상의 에러 소스들로부터 비롯되는 잡음을 감소시킬 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 예를 들어, 하나 이상의 에러 소스들은 리소그래피 흐름으로부터 유래할 수 있고, 마스크 인쇄성 에러들, 리소그래피 도구 에러들, 프로세스 도구 에러들(예를 들어, 에칭기들, 세정기들 등) 및 계측 도구 에러들을 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 조합된 또는 단일 오버레이 값(302)은 각각의 오버레이 측정치(300a-300d)에 대한 품질 인덱스를 설정하는 데 사용될 수 있다. 조합된 또는 단일 오버레이 값(302)은 낮은 성능으로 인해 오버레이 측정치(300a-300d) 중 하나 이상을 실격시키는 데 사용될 수 있다. 조합된 또는 단일 오버레이 값(302)은 정확도 플래그들(예를 들어, 감도, 동공 정보, 콘트라스트 정보 또는 측정의 정확도를 표시하기 위해 사용가능한 다른 메트릭들을 포함하지만 이에 제한되지 않음) 및/또는 메타역학(MTD) 시뮬레이션 정보를 사용하는 가중-기반 알고리즘들을 개선할 수 있다.
본 개시의 이 실시예가 상이한 유형들의 다수의 계측 타겟들에 관한 것이어서, 상이한 계측 타겟들이 상이한 타겟 설계들을 갖지만, 위의 시스템 및 방법이 또한 단일 유형의 다수의 계측 타겟들과 함께 사용되어, 모든 계측 타겟들이 동일하거나 유사한 타겟 설계(예를 들어, 일부 경우들에서, 동일한 타겟 설계)를 갖도록 될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 따라서, 상기 설명은 본 개시에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
도 6 내지 도 11d는 일반적으로, 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템 및 방법을 예시한다.
도 6은 AIM(advanced imaging metrology) 타겟(600)을 예시한다. AIM 타겟(600)은 이전 층(602)(예를 들어, 레지스트 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 격자 및 이전 층(604)(예를 들어, 프로세스 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 격자로부터 조합될 수 있다.
AIM 타겟(600)은 다수의 셀들(606)을 포함할 수 있다. 예를 들어, AIM 타겟(600)은 4개의 셀들(606)을 포함할 수 있다. 현재 층(602) 및 이전 층(604)은 AIM 타겟(600)의 특정 셀(606) 내의 섹션들 또는 부분들(608, 610)로 각각 분리될 수 있다. 그러나, 현재 층(602) 및 이전 층(604)은 AIM 타겟(600)의 특정 셀(606) 전체에 걸쳐 분산될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
도 7은 트리플 AIM 타겟(700)을 예시한다. 트리플 AIM 타겟(700)은 현재 층(702)(예를 들어, 레지스트 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 격자, 제1 이전 층(704)(예를 들어, 제1 프로세스 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 격자 및 제2 이전 층(706)(예를 들어, 제2 프로세스 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 격자로부터 조합된 트리플 타겟 설계일 수 있다. 제1 이전 층(704)에 대한 격자 및 제2 이전 층(706)에 대한 격자는 상이한 계측 타겟 설계들로 생성될 수 있다. 예를 들어, 계측 타겟 설계들은 임계 치수(CD), 피치 및/또는 세그먼트화 크기에서 상이할 수 있다. 이와 관련하여, 트리플 AIM 타겟(700)은 2개의 상이한 계측 타겟 설계들로부터 구성될 수 있다. 그러나, 제1 이전 층(704)에 대한 격자 및 제2 이전 층(706)에 대한 격자는 동일한 또는 상이한 계측 타겟 설계로 생성될 수 있음이 주목된다.
AIM 타겟(700)은 다수의 셀들(708)을 포함할 수 있다. 예를 들어, AIM 타겟(700)은 4개의 셀들(708)을 포함할 수 있다. 현재 층(702) 및 이전 층들(704, 706)은 AIM 타겟(700)의 특정 셀(708) 내의 섹션들 또는 부분들(710, 712, 714)로 각각 분리될 수 있다. 그러나, 현재 층(702) 및 이전 층들(704, 706)은 AIM 타겟(700)의 특정 셀(708) 전체에 걸쳐 분산될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
도 8은 트리플 AIM 타겟(800)을 예시한다. 트리플 AIM 타겟(800)은 몇몇 유형들의 AIM 타겟들(802)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 트리플 AIM 타겟(800)은 4개의 AIM 타겟들(802)을 포함할 수 있다. 트리플 AIM 타겟(800)은 현재 층(804)(예를 들어, 레지스트 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 격자, 제1 이전 층(806)(예를 들어, 제1 프로세스 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 격자 및 제2 이전 층(808)(예를 들어, 제2 프로세스 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 격자로부터 조합된 트리플 타겟 설계일 수 있다. 제1 이전 층(806)에 대한 격자 및 제2 이전 층(808)에 대한 격자는 상이한 계측 타겟 설계들로 생성될 수 있다. 예를 들어, AIM 타겟들(802)은 피치, CD, 세그먼트화 크기, 유도 오버레이(OVL) F0 등(예를 들어, 실험 설계)을 포함하지만 이에 제한되지 않는 상이한 설계 타겟 파라미터들을 갖는 상이한 유형들을 포함할 수 있다. 일반적으로, AIM 타겟들(802)은 2개, 3개, 4개 ... 최대 N개의 유형들을 포함할 수 있다. 그러나, AIM 타겟들(802)은 모두 타겟 설계에서 동일하거나 유사한 유형일 수 있어서, 제1 이전 층(806)에 대한 격자 및 제2 이전 층(808)에 대한 격자가 동일한 또는 유사한 타겟 설계(예를 들어, 일부 경우들에서, 동일한 타겟 설계)로부터 생성될 수 있다는 것이 주목된다.
AIM 타겟(802)은 다수의 셀들(810)을 포함할 수 있다. 예를 들어, AIM 타겟(802)은 4개의 셀들(810)을 포함할 수 있다. 현재 층(804) 및 이전 층들(806, 808)은 AIM 타겟(802)의 특정 셀(810) 내의 섹션들 또는 부분들(812, 814)로 각각 분리될 수 있다. 그러나, 현재 층(804) 및 이전 층들(806, 808)은 AIM 타겟(802)의 특정 셀(810) 전체에 걸쳐 분산될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
도 9는 트리플 AIM 타겟(900)을 예시한다. 트리플 AIM 타겟(900)은 박스 인 박스 타겟 설계(902)와 AIM 타겟 설계(904)의 조합을 포함할 수 있다. 박스 인 박스 타겟 설계(902)는 현재 층(906)(예를 들어, 레지스트 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 박스 프레임을 포함할 수 있다. AIM 타겟 설계(904)는 제1 이전 층(908)(예를 들어, 제1 프로세스 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 격자, 제2 이전 층(910)(예를 들어, 제2 프로세스 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 격자 및 제3 이전 층(912)(예를 들어, 제3 프로세스 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 격자로부터 조합된 트리플 타겟 설계일 수 있다. 제1 이전 층(908)에 대한 격자, 제2 이전 층(910)에 대한 격자 및 제3 이전 층(912)에 대한 격자는 상이한 계측 타겟 설계들로 생성될 수 있다. 예를 들어, AIM 타겟 설계(904)는 피치, CD, 세그먼트화 크기, 유도 오버레이(OVL) F0 등(예를 들어, 실험 설계)을 포함하지만 이에 제한되지 않는 상이한 설계 타겟 파라미터들을 갖는 상이한 유형들을 포함할 수 있다. 일반적으로, AIM 타겟 설계(904)는 2개, 3개, 4개 ... 최대 N개의 유형들을 포함할 수 있다. 그러나, AIM 타겟 설계(904)는 모두 타겟 설계에서 동일하거나 유사한 유형일 수 있어서, 제1 이전 층(908)에 대한 격자, 제2 이전 층(910)에 대한 격자 및 제3 이전 층(912)에 대한 격자가 동일한 또는 유사한 타겟 설계(예를 들어, 일부 경우들에서, 동일한 타겟 설계)로부터 생성될 수 있다는 것이 주목된다.
트리플 AIM 타겟(900)이 이전 계층들(908, 910, 912)을 나타내는 AIM 타겟 설계(904)를 둘러싸는 현재 계층(906)을 나타내는 박스 인 박스 타겟 설계(902)로서 예시되지만, 트리플 AIM 타겟(900)은 현재 층(예를 들어, 레지스트 층을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 나타내는 AIM 타겟 설계(904)를 둘러싸는 이전의 층(예를 들어, 프로세스 층)을 나타내는 박스 인 박스 타겟 설계(902)를 갖도록 재구성될 수 있음이 본 명세서에서 주목된다. 따라서, 상기 설명은 본 개시에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
AIM 타겟(900)은 다수의 셀들(914)을 포함할 수 있다. 예를 들어, AIM 타겟(900)은 4개의 셀들(914)을 포함할 수 있다. 이전 층들(908, 910, 912)은 AIM 타겟(802)의 특정 셀(914) 내의 섹션들 또는 부분들(916, 918, 920)로 각각 분리될 수 있다. 그러나, 이전 층들(908, 910, 912)은 AIM 타겟(900)의 특정 셀(914) 전체에 걸쳐 분산될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
도 10은 SCOL 타겟(1000)을 예시한다. SCOL 타겟(1000)은 제1 타겟 설계(1002) 및 제2 타겟 설계(1004)를 포함할 수 있다. 제1 타겟 설계(1002) 및 제2 타겟 설계(1004)는 각각, SCOL 타겟(1000)의 특정 셀(1006) 내의 SCOL 타겟(1000)의 동일한 세트의 층들 상에 있을 수 있다. 제1 타겟 설계(1002)는 제2 타겟 설계(1004)로부터 SCOL 타겟(1000)의 특정 셀(1006) 내의 섹션들 또는 부분들(1008, 1010)로 각각 분리될 수 있다. 그러나, 제1 타겟 설계(1002) 및 제2 타겟 설계(1004)는 SCOL 타겟(1000)의 특정 셀(1006) 전체에 걸쳐 분산될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
제1 타겟 설계(1002) 및 제2 타겟 설계(1004)는 다수의 셀들(1006)을 포함할 수 있으며, 여기서 다수의 셀들(1006) 각각은 특정 방향으로 배향될 수 있다. SCOL 타겟(1000)은 X-방향 또는 Y-방향에서 동일하거나 유사한 설계로 제한되지 않을 수 있고, 대신에 방향 당 상이한 설계들의 조합이 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 10에 예시된 바와 같이, SCOL 타겟(1000)은 x-방향 및 y-방향에 대한 배향 방향에 의존하여 4개의 상이한 타겟 설계들을 포함할 수 있다. 그러나, 제1 타겟 설계(1002) 및 제2 타겟 설계(1004)는 특정 방향 내의 다수의 셀들(1006) 모두에서 동일하거나 유사한 타겟 설계(예를 들어, 일부 경우들에서, 동일한 타겟 설계)일 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
제1 타겟 설계(1002) 및 제2 타겟 설계(1004)는 잔차들을 감소시키기 위한 오버레이 예측을 개선하고 정확도를 개선하기 위해 사용될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
일반적으로, (예를 들어, 적어도 도 2 내지 도 5b에 예시된 바와 같은) 오버레이 타겟 측정치 및 (예를 들어, 적어도 도 6 내지 도 11d에 예시된 바와 같은) 타겟 설계 둘 모두에 대한 잡음 감소 방법에 관한 본 개시의 실시예들은 샘플(예를 들어, 샘플(124)) 상의 모든 타겟 사이트 위치 상에서 또는 타겟 사이트 위치 또는 타겟 사이트 위치들의 구역(예를 들어, 셀들, 섹션들 또는 부분들 등)마다 유사하게 사용될 수 있다. 예를 들어, 샘플의 중심이 프로세스 변동들에 덜 민감할 수 있기 때문에, 단일 계측 측정은 샘플의 중심에 더 가깝게 사용될 수 있다. 다른 예로서, 샘플의 단부가 프로세스 변동들에 더 민감할 수 있기 때문에, 다수의 계측 측정치가 샘플의 단부에 더 가깝게 사용될 수 있다. 이와 관련하여, 오버레이 타겟 측정이 수행되는 속도가 증가할 수 있다.
계측 타겟에 대한 특정 타겟 설계가 주어진 프로세스 변동들에 대해 반대 응답을 갖는 계측 타겟들 및 측정 조건들을 개선할 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 특정 타겟 설계는 특정 잔차의 근본 원인들(예를 들어, 부정확도 유형들, 타겟 잡음 유형들 등을 포함하지만 이에 제한되지 않음)을 감소시킬 수 있다. 특정 타겟 설계는 또한 더 양호한 NZO(None Zero Offset) 추적을 갖는 셀들(예를 들어, 세그먼트화된 또는 무아레(Moire) 셀들)을 포함할 수 있으며, 여기서 NZO는 계측 타겟과 디바이스 사이의 바이어스의 양을 나타낼 수 있다. 특정 타겟 설계는 또한 더 적은 프로세스 변동 민감도를 갖는 셀들(예를 들어, 세그먼트화되지 않은 셀들)을 포함할 수 있다. 따라서, 더 양호한 NZO 추적을 갖는 셀들에 기초하여 모델이 생성될 수 있고, 더 적은 프로세스 변동 감도를 갖는 셀들에 따라 모델로부터 잔차들이 추적될 수 있다.
멀티-타겟 접근법은 이미징 및 산란계 기본 기술 시스템들에서 이중 조명 및 수집 채널들의 이용가능성으로 인해 처리율 패널티를 추가하지 않을 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
도 11a 내지 도 11d는 일반적으로, 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템 및 방법을 예시한다.
샘플은 계측 타겟(1100)을 포함할 수 있다. 계측 타겟(1100)은 하나 이상의 셀들(1102)을 포함할 수 있다. 셀(1102)은 다수의 피치 값들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 셀(1102)은 POR 피치 값을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 셀(1102)은 더 작은 피치 값을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 셀(1102)은 더 큰 피치 값을 포함할 수 있다. 다수의 피치 값들의 포함은 계측 타겟들에 대한 웨이퍼 또는 샘플의 이용가능한 영역에 의존할 수 있다.
도 11b에 예시된 바와 같이, 일례에서, 셀(1102)은 제1 오버레이 값 에 대한 POR(plan of record) 피치(1104)를 포함할 수 있다. 셀(1102)은 제2 오버레이 값 에 대한 1/2x(또는 절반) 세그먼트화 크기 피치(1106)를 포함할 수 있다. 셀(1102)은 제3 오버레이 값 에 대한 2x(또는 더블) 세그먼트화 크기 피치(1108)를 포함할 수 있다.
피치들(1104, 1106, 1108)에 대한 오버레이 측정치 , , 및 메트릭들은 각각 단일 오버레이 값으로 조합될 수 있다. 예를 들어, 조합된 또는 단일 오버레이 값은, 수식 2에서 제공되는 바와 같은 평균화 방법을 사용하여 결정될 수 있고, 여기서, i는 상이한 피치 값을 갖는 특정 오버레이 타겟 서브세트의 위치이다.
수식 2
다른 예로서, 조합된 또는 단일 오버레이 값은 상이한 가중 평균들(예를 들어, 여기서, 계측 타겟 품질을 사용하여 가중치가 생성될 수 있음), 기계 학습 알고리즘, 및/또는 다른 알고리즘 기반 방법론을 사용하여 결정될 수 있다.
조합된 또는 단일 오버레이 값은 프로세스 변동들, 리소그래피 프로세스들 및 계측 프로세스들을 포함하지만 이에 제한되지 않는 하나 이상의 에러 소스들로부터 비롯되는 잡음을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 에러들의 하나 이상의 소스들은 리소그래피 흐름으로부터 유래할 수 있고, 마스크 인쇄성 에러들, 리소그래피 도구 에러들, 프로세스 도구 에러들(예를 들어, 에칭기들, 세정기들 등) 및 계측 도구 에러들을 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다.
조합된 또는 단일 오버레이 값은 각각의 오버레이 측정에 대한 품질 인덱스를 설정하는 데 사용될 수 있다. 조합된 또는 단일 오버레이 값은 낮은 성능으로 인해 오버레이 측정치 , , 중 하나 이상을 실격시키는 데 사용될 수 있다.
조합된 또는 단일 오버레이 값으로의 단일화에 대한 대안으로서, 오버레이 측정에 있어서 잡음 감소는 로지스틱 회귀 알고리즘(LRA, logistic regression algorithm)을 사용하여 결정될 수 있다. 로지스틱 회귀 알고리즘은 데이터 구조를 입력으로서 수신할 수 있다. 이어서, 로지스틱 회귀 알고리즘은 랜덤 n + 1 차원 벡터 θ를 설정하고, 각각의 n + 1 차원 특징 벡터 x(n개의 특징부들 및 1개의 인터셉트 항)에 대한 확률 를 1이 되도록 할당할 수 있다. 확률 는 수식 3의 시그모이드 함수를 통해 결정될 수 있다.
수식 3
확률 가 선택 임계치보다 더 큰 경우, LRA는 특징 벡터 x를 1로 결정한다. 확률 가 선택 임계치보다 더 작은 경우, LRA는 특징 벡터 x를 0으로 결정한다. 이와 관련하여, 샘플은, 각각의 클래스(예를 들어, 1 또는 0)에 대해 하나의 세트를 갖는, 하부 특징 공간을 2개의 세트들로 분할하는 세트 초표면에 의해 표현될 수 있으며, 여기서 초표면은 결정 경계를 나타낸다. θ 값들의 특정 선택 및 그에 따른 특정 결정 경계에 대한 에러는, 수식 4의 비용 함수 J를 사용하여 추정된다.
수식 4
여기서, m은 다수의 데이터 포인트(또는 라벨들)이고, 는 i 번째 라벨이고, 는 특징부들의 대응하는 n + 1 차원 벡터이다.
LRA는 비용 함수 가 최소값에 도달할 때까지 θ의 값들의 할당된 세트를 반복적으로 결정할 수 있고, 그 결과, 2개의 세트들에 대한 결정된 최적의 결정 경계가 되고, 각각의 세트는 2개의 클래스들의 클래스를 나타낸다.
LRA는 오리지널 특징 공간에서 다항식 결정 경계들을 획득하기 위해 오리지널 특징부들의 다항식 차수들을 구현할 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
도 11d에 예시된 바와 같이, 샘플(124)은 하나 이상의 디바이스 구조들(1110)을 포함한다. 디바이스 구조(1110)는 단일 층(예를 들어, 레지스트 층 또는 프로세스 층)에 있을 수 있다. 디바이스 구조(1110)는 하위-구조들(1112) 및 하위-구조들(1114)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 층(예를 들어, 레지스트 층)의 서브-구조들(1112) 및 제2 층(예를 들어, 프로세스 층)의 서브-구조들(1114). 다른 예로서, 하위-구조들(1112, 1114)은 동일한 층일 수 있다.
하나 이상의 디바이스 구조들(1110)은 하나 이상의 계측 타겟들과 함께 측정될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 디바이스 구조들(1110)은 광학 계측 도구에 의해 측정된 정확도(예를 들어, 하나 이상의 계측 타겟들의 정확도)를 개선하기 위해 전자-빔 계측 도구로 측정될 수 있다.
일례에서, 셀(1102)은 제1 오버레이 값에 대한 POR 피치(1104)를 포함할 수 있다. 셀(1102)은 제2 오버레이 값에 대한 1/2x(또는 절반) 세그먼트화 크기 피치(1106)를 포함할 수 있다. 셀(1102)은 디바이스 구조(1110)를 포함할 수 있다.
도 11a 내지 도 11d에 예시된 바와 같은 하나 이상의 셀들(1102)을 갖는 계측 타겟(1100)은 산란계 타겟들 또는 이미징 베이스 계측 기술 타겟들일 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 계측 타겟들은 계측 측정 스테이지 이전에 전달될 수 있고, 이어서 웨이퍼들 상에 인쇄될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
계측 타겟(1100)의 레이아웃이 제한적이기보다는 예시적인 것으로 의도된다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 예를 들어, 계측 타겟(1100)은 계측 타겟(1100)의 타겟 설계의 특정 셀 내의 다양한 피치들을 갖는 다양한 구조들의 배열 또는 관계로 제한되지 않는다. 따라서, 상기 설명은 본 개시에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
일반적으로, 도 6 내지 도 11d의 계측 타겟들(600, 700, 800, 900, 1000, 1100)의 레이아웃은 각각, 제한적이기보다는 예시적인 것으로 의도된다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 예를 들어, 계측 타겟들(600, 700, 800, 900, 1000, 1100)의 하나 이상의 층들 및/또는 하나 이상의 층들 중 특정 층 내의 특징부들은 오버레이 측정에 적합한 임의의 구성으로 배열될 수 있다. 따라서, 상기 설명은 본 개시에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
적어도 도 6 내지 도 11d에 예시된 바와 같은 다수의 피치 타겟들은, 2011년 3월 3일에 공개된 국제 공개 번호 WO2011026055; 및 2019년 7월 12일에 출원된 미국 특허 출원 번호 제16/477,552호에 설명된 바와 같이 전자-빔 계측 도구들로 측정될 수 있고, 상기 출원 둘 모두는 교정에 사용될 정확한 오버레이 값을 캡처하기 위해 본 명세서에 참조로 통합된다. 예를 들어, 다수의 피치 타겟들은, 매립된 구조의 위치를 캡처하기 위해 후방 산란 전자 검출기들로 측정될 수 있다. e-빔 계측과 호환가능한 타겟들은 일반적으로, 본 명세서에 참조로 통합되는, 2019년 7월 12일에 출원된 미국 특허 출원 제16/477,552호에서 논의된다.
다수의 피치 타겟들은 전자-빔 계측 도구에 의해 측정된 디바이스 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자-빔 계측 도구는 1 내지 3 마이크론 범위의 작은 시야(FOV)에서 캡처하도록(그러나 이에 제한되지 않음) 구성될 수 있으며, 여기서 작은 시야는 층들(예를 들어, 레지스트 층들 및/또는 프로세스 층들)의 다수의 특징부들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 2019년 11월 12일에 발행된 미국 특허 번호 제10,473,460호; 및 2020년 1월 14일에 발행된 미국 특허 제10,533,848호(상기 출원 둘 모두는 참조로 본 명세서에 통합됨)에 설명된 알고리즘들은 광학 계측 도구-측정 오버레이 또는 전자-빔 계측 도구 오버레이 둘 모두의 정확도를 추정하기 위해 사용될 수 있다.
도 12 내지 도 13d는 일반적으로, 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템 및 방법을 예시한다.
계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템 및 방법은 (예를 들어, 계측 타겟들, 계측 도구들 및/또는 프로세스 효과들로부터 비롯되는) 잡음을 감소시키기 위해 듀얼 애퍼처 디바이스(DAD)를 사용할 수 있다. 듀얼 애퍼처 디바이스는 계측 서브-시스템(104)에 설치될 수 있다. 듀얼 애퍼처 디바이스는 광 배향의 변화를 가능하게 할 수 있으며, 이는 도구 유도 시프트(TIS)에 영향을 미칠 수 있다.
도 12는 상이한 듀얼 애퍼처 디바이스 위치들로 촬영된 이미지들의 쌍을 비교함으로써 이미지 감도 대 듀얼 애퍼처 디바이스 위치의 예의 그래프(1200)를 예시하며, 여기서 및 이다. 도 12에 예시된 바와 같이, 듀얼 애퍼처 디바이스의 위치는 더 높은 고조파들의 진폭에 영향을 미칠 수 있고, 도구 유도 시프트 값들에 영향을 미칠 수 있다.
도 13a 내지 도 13d는 x-방향 및 y-방향 둘 모두에서 내측 커널 및 외측 커널에 대한 x-방향에서의 이미지 감도 대 듀얼 애퍼처 디바이스 위치의 예들을 추가로 예시하며, 이는 4개의 그래프들(1300, 1310, 1320 및 1330)을 각각 초래한다. 예를 들어, 도 13a는 대 를 예시하는 그래프(1300)이다. 다른 예로서, 도 13b는 대 를 예시하는 그래프(1310)이다. 다른 예로서, 도 13c는 대 를 예시하는 그래프(1320)이다. 다른 예로서, 도 13d는 대 를 예시하는 그래프(1330)이다. 및 는 그래프들(1300, 1310, 1320, 및 1330)의 기준 DAD 위치로 간주될 수 있다는 것이 본 명세서에서 주목된다.
도 13a 내지 도 13d에서, 오버레이 계측 측정치 사이의 오버레이 계측 신호 차이가 상이한 위치들에서 결정된다. 도 13a 내지 도 13d의 그래프들(1300, 1310, 1320 및 1330)은 각각 오버레이 계측 신호의 대략 단일 주기(예를 들어, 기본 고조파)의 영역을 나타낸다. 상이한 TIS 값들을 갖는 오버레이 계측 신호들은 더 높은 고조파들의 다양한 진폭들을 갖는다. 커널 차이는 수식 5에 의해 결정된다.
수식 5
도 13a에 예시된 바와 같이, 그래프들(1300, 1310, 1320 및 1330) 각각에 대해, 도구 유도 시프트의 포지티브 변화는 제로 세기 라인 아래에 있고, 도구 유도 시프트의 네거티브 변화는 제로 세기 라인 위에 있음이 본 명세서에서 주목된다.
다수의 타겟 설계들이 단일 계측 오버레이 타겟에 포함되는 경우, 선택 셀들, 섹션들 또는 부분들 등은 도구 유도 시프트들에 대한 감도를 향상시키기 위해 더 높은 주파수 신호들과 통합될 수 있다. 다수의 타겟 설계들이 단일 계측 오버레이 타겟에 포함되는 경우, 다른 선택 셀들, 섹션들 또는 부분들 등이 오버레이 계산들을 위해 설계될 수 있다.
도 14는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 방법 또는 프로세스(1400)의 흐름도를 예시한다.
단계(1402)에서, 하나 이상의 계측 타겟들이 수신될 수 있다. 예를 들어, (예를 들어, 본 개시의 적어도 도 6 내지 도 11d의 예시들에 대해 설명된 바와 같이) 계측 타겟들(600, 700, 800, 900, 1000, 1100) 중 하나, 이들의 배수 또는 이들의 일부 조합이 샘플(124) 상에서 생성될 수 있다. 하나 이상의 계측 타겟은 (예를 들어, 본 개시의 적어도 도 1a, 도 1b의 예시들과 관련하여 설명된 바와 같이) 리소그래피 서브-시스템(102)을 통해 샘플 상에 생성(예를 들어, 배치 등)될 수 있다.
단계(1404)에서, 하나 이상의 계측 타겟들의 하나 이상의 계측 측정치들이 수신될 수 있다. 하나 이상의 계측 타겟들의 하나 이상의 오버레이 계측 측정치들은 (예를 들어, 본 개시의 적어도 도 1a, 도 1b의 예시들에 대해 설명된 바와 같이) 계측 서브-시스템(104)을 통해 수신될 수 있다. 계측 서브-시스템(104)은 단일 애퍼처 디바이스를 포함할 수 있다. 계측 서브-시스템(104)은 (예를 들어, 본 개시의 적어도 도 12 내지 도 13d의 예시들에 대해 설명된 바와 같이) 듀얼 애퍼처 디바이스를 포함할 수 있다. 계측 데이터는 다수의 계측 타겟들에 대한 x-방향 및/또는 y-방향의 오버레이 데이터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다수의 계측 타겟들은 상이한 타겟 설계들을 갖는 상이한 유형들일 수 있다. 다른 예로서, 다수의 계측 타겟들은 동일하거나 유사한 타겟 설계(예를 들어, 일부 경우들에서, 동일한 타겟 설계)를 갖는 동일하거나 유사한 유형일 수 있다.
단계(1406)에서, 하나 이상의 계측 측정치들에 기초하여 하나 이상의 에러들이 결정될 수 있다. 하나 이상의 에러들은 하나 이상의 소스들로부터 발생할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 에러들은 리소그래피 흐름으로부터 유래할 수 있고, 마스크 인쇄성 에러들, 리소그래피 도구 에러들, 프로세스 도구 에러들(예를 들어, 에칭기들, 세정기들 등) 및/또는 계측 도구 에러들(예를 들어, 본 개시의 적어도 도 1a 내지 도 1c의 예시들과 관련하여 설명된 바와 같음)을 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다.
하나 이상의 에러들은 (예를 들어, 본 개시의 적어도 도 2 내지 도 5d의 예시들에 대해 설명된 바와 같이) 조합된 계측 값으로부터 결정될 수 있다. 조합된 계측 값은 생성된 계측 데이터로부터 결정될 수 있다. 예를 들어, 조합된 계측 값은 계측 데이터에 평균을 적용하는 것, 계측 데이터에 가중 평균을 적용하는 것, 또는 다른 알고리즘 기반 방법론을 적용하는 것을 통해 결정될 수 있다. 하나 이상의 에러들은 로지스틱 회귀 알고리즘을 적용하는 것으로부터 결정될 수 있다. (예를 들어, 본 개시의 적어도 도 12 내지 도 13d의 예시들에 대해 설명된 바와 같음).
단계(1408)에서, 결정된 하나 이상의 에러들에 대응하는 하나 이상의 에러 소스들을 조정하기 위해 하나 이상의 보정가능 항목들이 결정될 수 있다. 하나 이상의 보정가능 항목들은 시스템(100)의 피드-포워드 루프 또는 피드백 루프에 공급될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 보정가능 항목들은 하나 이상의 에러 소스들의 기원(예를 들어, 본 개시의 적어도 도 1a 내지 도 1c의 예시들에 대해 설명된 바와 같이, 시스템(100)의 제조 도구들, 계측 도구들, 제어기들 등)에 공급될 수 있다
방법 또는 프로세스(1400)는 제공된 단계들 및/또는 하위 단계들로 제한되지 않는다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 방법 또는 프로세스(1400)는 더 많거나 또는 더 적은 단계들 및/또는 하위-단계들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 방법 또는 프로세스(1400)는 본 개시 전반에 걸쳐 설명된 바와 같이, 단계(1402) 및 단계(1402)와 관련된 임의의 단계들 또는 서브-단계들만을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 방법 또는 프로세스(1400)는 본 개시 전반에 걸쳐 설명된 바와 같이, 단계들(1404 및 1406) 및 단계(1404 및 1406)와 관련된 임의의 단계들 또는 서브-단계들만을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 방법 또는 프로세스(1400)는 본 개시 전반에 걸쳐 설명된 바와 같이, 단계(1408) 및 단계(1408)와 관련된 임의의 단계들 또는 서브-단계들만을 포함할 수 있거나 포함하지 않을 수 있다. 또한, 방법 또는 프로세스(1400)는 단계들 및/또는 하위-단계들을 동시에 수행할 수 있다. 추가로, 방법 또는 프로세스(1400)는 제공된 순서 또는 제공된 것 이외의 순서를 포함하여 순차적으로, 단계들 및/또는 하위-단계들을 수행할 수 있다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
본 개시에서 설명된 특정 실시예에 관한 임의의 언어가 본 개시에서 설명된 상이한 실시예에 적용가능할 수 있어서, 본 개시에서 설명된 다양한 실시예들이 독립형 또는 별개의 실시예들로 간주되지 않아야 한다는 것이 본 명세서에서 주목된다. 예를 들어, 본 개시는 샘플(124)에 대해 본 개시 전반에 걸쳐 설명된 바와 같이 임의의 수의 하나 이상의 계측 타겟들, 하나 이상의 층들, 하나 이상의 셀들, 하나 이상의 타겟 설계들 및/또는 하나 이상의 피치들 또는 타겟 설계의 다른 파라미터들 또는 메트릭들을 조합할 수 있는 것으로 판독될 수 있다. 다른 예로서, 본 개시는 본 개시 전반에 걸쳐 설명된 바와 같이 임의의 수의 계측 샘플 또는 타겟 설계 프로세스들, 제조 프로세스들 및/또는 측정 프로세스들을 조합할 수 있는 것으로 판독될 수 있다. 따라서, 상기 설명은 본 개시에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
이와 관련하여, 본 개시의 실시예들은 프로세스 변동들, 리소그래피 프로세스들, 및/또는 계측 에러들로부터 비롯되는 잡음을 감소시키는 것 - 여기서 잡음은 단일 계측 타겟들에 대해서만 계측 오버레이 측정을 수행함으로써 야기되는 경우에 감소됨 - 및 현재 층과 이전 층 사이에 오버레이 값들을 생성하는 것을 위한 새로운 방법들 및 시스템들을 예시한다. 일반적으로, 새로운 방법들 및 시스템들은 다수의 타겟들(예를 들어, 동일한 또는 유사한 타겟 설계들(예를 들어, 일부 경우들에서 동일한 타겟 설계들) 또는 상이한 타겟 설계들을 가짐)으로부터의 오버레이 계측 측정치를 사용하고, 하나의 타겟 셀에 임베딩된 상이한 타겟 설계들을 포함하는 새로운 타겟을 사용하고 그리고/또는 듀얼 애퍼처 디바이스를 사용한다.
구체적으로, 새로운 방법들 및 시스템들은 동일하거나 유사한 설계를 갖는 다수의 타겟들을 사용함으로써 잡음을 감소시킬 수 있고, 상이한 타겟 설계들을 갖는 다수의 타겟들을 사용함으로써 잡음을 감소시킬 수 있고, 다수의 층들을 갖는 하나의 타겟을 사용함으로써 잡음을 감소시킬 수 있고(예를 들어, 다수의 타겟들에 대해 평균화함으로써 프로세스 기원 잡음을 감소시킬 수 있음), 다수의 셋업들 및 다수의 타겟들을 사용함으로써 잡음을 감소시킬 수 있고, 그리고/또는 도구 유도 시프트 감소를 위해 듀얼 애퍼처 디바이스 위치를 개선함으로써 잡음을 감소시킬 수 있다. 새로운 방법들 및 시스템들은 멀티-셀 타겟 및 상이한 설계를 사용하여 개선된 OVL 예측, 및/또는 멀티-셀 타겟 및 상이한 설계를 사용하여 개선된 정확도를 초래할 수 있다. 새로운 방법들 및 시스템들은 사이트마다 여러 요소들을 조합할 수 있다. 새로운 방법들 및 시스템들은 OVL 측정에 영향을 미치는 잡음을 감소시키기 위해 다수의 타겟들(상이한 TD를 가짐) 또는 다수의 층들을 갖는 하나의 타겟으로부터의 OVL 측정치를 사용할 수 있다.
또한, 새로운 방법들 및 시스템들은 실제 디바이스 구조들이 측정될 때 비-스캐너 에러를 제거함으로써 디바이스 대 타겟 에러를 감소시킬 수 있다. 새로운 시스템 및 방법들은 정확도의 개선을 위해 전자-빔 측정치를 사용할 수 있다.
당업자는, 본 명세서에서 설명된 컴포넌트들(예를 들어, 동작들), 디바이스들, 객체들 및 이들을 수반하는 논의들이 개념적인 명확성을 위한 예시들로서 사용되었고 다양한 구성 수정들이 고려됨을 인식할 것이다. 결국, 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 기술된 특정 예시들 및 수반된 논의는 이들의 보다 일반적인 클래스들을 대표하도록 의도된다. 일반적으로, 임의의 특정 예시의 사용은 그 클래스를 대표하는 것으로 의도되며, 특정 컴포넌트들(예를 들어, 동작들), 디바이스들 및 객체들의 비-포함이 제한적인 것으로 간주되지 않아야 한다.
당업자들은, 본 명세서에 설명된 프로세스들 및/또는 시스템들 및/또는 다른 기술들(예를 들어, 하드웨어, 소프트웨어 및/또는 펌웨어)이 시행될 수 있게 하는 다양한 차량들이 존재하고, 바람직한 차량은 프로세스들 및/또는 시스템들 및/또는 다른 기술들이 배치되는 상황에 따라 변할 것임을 인식할 것이다. 예를 들어, 속력 및 정확도가 중요하다고 구현자가 결정하면, 구현자는 주로 하드웨어 및/또는 펌웨어 차량을 선택할 수 있거나; 대안적으로 융통성이 중요하면, 구현자는 주로 소프트웨어 구현을 선택할 수 있거나; 또는 또한 대안적으로, 구현자는 하드웨어, 소프트웨어 및/또는 펌웨어의 일부 조합을 선택할 수 있다. 따라서, 본 명세서에 설명된 프로세스들 및/또는 디바이스들 및/또는 다른 기술들이 시행될 수 있게 하는 몇몇 가능한 차량들이 존재하고, 활용될 임의의 차량이 차량이 배치될 상황 및 구현자의 특정 관심사들(예를 들어, 속력, 융통성 또는 예측가능성)에 따른 선택사항이고 이들 중 임의의 것을 변할 수 있다는 점에서, 이들 중 어떠한 것도 다른 것에 비해 본질적으로 우월하지 않다.
이전 설명은 당업자가 특정 애플리케이션 및 그의 요건들의 맥락에서 제공되는 바와 같이 본 발명을 실시 및 사용하게 하도록 제시된다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 방향성 용어들, 이를테면 "최상부", "바닥", "위", "아래", "상부", "상향", "하부", "아래", 및 "하향"은 설명의 목적들을 위해 상대적 위치들을 제공하도록 의도되며, 절대적인 기준 프레임을 지정하도록 의도되지 않는다. 설명된 실시예들에 대한 다양한 수정들은 당업자들에게 용이하게 자명할 것이며, 본 명세서에 정의된 일반적인 원리들은 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 설명되고 도시된 특정 실시예들로 제한되는 것으로 의도되는 것이 아니라, 본 명세서에 개시된 원리들 및 신규한 특징들에 일치하는 가장 넓은 범위를 따라야 한다.
본 명세서에서 실질적으로 임의의 복수 및/또는 단수 용어들의 사용에 있어서, 당업자들은 문맥 및/또는 적용에 적절하도록 복수로부터 단수로 및/또는 단수로부터 복수 변환할 수 있다. 다양한 단수/복수 치환들은 명확성을 위해 본 명세서에서 명시적으로 기재되지 않는다.
본 명세서에 설명된 방법들 모두는 방법 실시예들의 하나 이상의 단계들의 결과들을 메모리에 저장하는 것을 포함할 수 있다. 결과들은 본 명세서에 설명된 결과들 중 임의의 것을 포함할 수 있고, 당해 기술 분야에 공지된 임의의 방식으로 저장될 수 있다. 메모리는 본 명세서에서 설명된 임의의 메모리 또는 당해 기술 분야에 알려진 임의의 다른 적절한 저장 매체를 포함할 수 있다. 결과들이 저장된 후에, 결과들은 메모리에 액세스되고, 본 명세서에서 설명된 방법 또는 시스템 실시예들 중 임의의 것에 의해 사용될 수 있고, 사용자에게 디스플레이되도록 포맷되고, 다른 소프트웨어 모듈, 방법 또는 시스템 등에 의해 사용될 수 있다. 또한, 결과들은 "영구적으로", "반-영구적으로", 또는 "일시적으로" 또는 일정 시간 기간 동안 저장될 수 있다. 예를 들어, 메모리는 RAM(random-access memory)일 수 있고, 결과들은 반드시 메모리에 무기한으로 지속되는 것은 아니다.
위에서 설명된 방법의 실시예들 각각은 본 명세서에서 설명된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다는 것이 추가로 고려된다. 또한, 위에서 설명된 방법의 실시예들 각각은 본 명세서에서 설명된 시스템들 중 임의의 것에 의해 수행될 수 있다.
본 명세서에서 설명된 요지는 때때로 다른 컴포넌트들 내에 포함되거나 그에 연결된 상이한 컴포넌트들을 예시한다. 이러한 예시된 아키텍처들은 단지 예시적이며, 실제로 동일한 기능을 달성하는 많은 다른 아키텍처들이 구현될 수 있음을 이해해야 한다. 개념적 관점에서, 동일한 기능을 달성하는 컴포넌트들의 임의의 배열은, 원하는 기능이 달성되도록 효과적으로 "연관된다". 따라서, 본 명세서에서 특정 기능을 달성하도록 조합된 임의의 2개의 컴포넌트들은, 아키텍처들 또는 중간적 컴포넌트들과 무관하게 원하는 기능이 달성되도록 서로 "연관되는" 것으로 간주될 수 있다. 마찬가지로, 그렇게 연관된 임의의 2개의 컴포넌트들은 또한 원하는 기능성을 달성하기 위해 서로 "연결된" 또는 "결합된" 것으로 간주될 수 있으며, 그렇게 연관될 수 있는 임의의 2개의 컴포넌트들은 또한 원하는 기능성을 달성하기 위해 서로 "결합가능한" 것으로 간주될 수 있다. 결합가능한 특정 예시들은 물리적으로 정합가능한 및/또는 물리적으로 상호작용하는 컴포넌트들 및/또는 무선으로 상호작용가능한 및/또는 무선으로 상호작용하는 컴포넌트들 및/또는 논리적으로 상호작용하는 및/또는 논리적으로 상호작용가능한 컴포넌트들을 포함하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 본 발명은 첨부된 청구항들에 의해 정의되는 것을 이해해야 한다. 일반적으로, 본원 및 특히 첨부된 청구항들(예를 들어, 첨부된 청구항들의 본문들)에서 사용된 용어들은 일반적으로 "열린" 용어들로 의도되는 것이 당업자들에 의해 이해될 것이다(예를 들어, "포함하는"이라는 용어는 "포함하지만 이에 제한되지 않는" 것으로, "갖는"이라는 용어는 "적어도 포함하는" 것으로, "포함한다"는 용어는 "포함하지만 제한되지는 않는다"로 해석되어야 한다. 특정 수의 도입된 청구항 인용이 의도되면, 이러한 의도는 청구항에서 명시적으로 인용될 것이고, 이러한 인용의 부재는 어떠한 이러한 의도도 존재하지 않음이 당업자들에 의해 추가로 이해될 것이다. 예를 들어, 이해를 돕기 위해, 다음의 첨부된 청구항들은 청구항 인용들을 도입하기 위해, "적어도 하나" 및 "하나 이상"의 도입 어구들의 사용을 포함할 수 있다. 그러나, 그러한 어구들의 사용은, 동일한 청구항이 도입 어구들 "하나 이상" 또는 "적어도 하나", 및 "a" 또는 "an"과 같은 부정 관사를 포함하는 경우에도, 부정 관사 "a" 또는 "an"에 의한 청구항 인용의 도입이 이러한 도입된 청구항 인용을 포함하는 임의의 특정 청구항을 오직 하나의 이러한 인용만을 포함하는 발명들로 제한한다는 것을 의미하는 것으로 해석되어서는 안되며(예를 들어, "a" 및/또는 "an"은 통상적으로 "적어도 하나" 또는 ‘하나 이상"을 의미하는 것으로 해석되어야 함); 이는 청구항 인용들을 도입하기 위해 사용되는 정관사들의 사용에 대해서도 동일하게 적용된다. 또한, 특정 수의 도입된 청구항 인용이 명시적으로 인용되는 경우에도, 본 기술분야의 통상의 기술자들은, 이러한 인용이 통상적으로 적어도 그 인용된 수를 의미하는 것으로 해석되어야 함을 인식할 것이다.(예를 들어, 다른 수정자들 없이 "2 개의 인용들"의 단순한 인용은 통상적으로 적어도 2 개의 인용들 또는 둘 이상의 인용들을 의미한다). 또한, "A, B 및 C 등 중 적어도 하나"와 유사한 관행이 사용되는 그러한 경우들에서, 일반적으로 이러한 구성은 당업자가 관행을 이해할 관점에서 의도된다(예를 들어, "A, B 및 C 중 적어도 하나를 갖는 시스템"은 오직 A, 오직 B, 오직 C, A 및 B를 함께, A 및 C를 함께, B 및 C를 함께, 및/또는 A, B 및 C를 함께 갖는 것 등의 시스템들을 포함할 것이지만 이에 제한되는 것은 아니다). "A, B 또는 C 등 중 적어도 하나"와 유사한 관행이 사용되는 그러한 경우들에서, 일반적으로 이러한 구성은 당업자가 관행을 이해할 관점에서 의도된다(예를 들어, "A, B 또는 C 중 적어도 하나를 갖는 시스템"은 오직 A, 오직 B, 오직 C, A 및 B를 함께, A 및 C를 함께, B 및 C를 함께, 및/또는 A, B 및 C를 함께 갖는 것 등의 시스템들을 포함할 것이지만 이에 제한되는 것은 아니다). 설명에서든, 청구항들에서든 또는 도면들에서든 둘 이상의 대안적 용어를 제시하는 가상으로 임의의 분리된 단어 및/또는 어구는 용어들 중 하나, 또는 용어들 중 어느 하나 또는 둘 모두의 용어들을 포함할 가능성들을 고려하도록 이해되어야 하는 것이 당업자들에게 추가로 이해될 것이다. 예를 들어, "A 또는 B"라는 문구는 "A" 또는 "B" 또는 "A 및 B"의 가능성들을 포함하는 것으로 이해될 것이다.
본 개시 및 그에 수반되는 많은 이점들은 전술한 설명에 의해 이해될 것이며, 개시된 요지를 벗어나지 않으면서 또는 이의 실질적 이점들 모두를 희생하지 않으면서 컴포넌트들의 형태, 구성 및 배열에서 다양한 변화들이 행해질 수 있음은 자명할 것이다. 설명된 형태는 단지 설명적인 것이며, 다음의 청구항들의 의도는 그러한 변화들을 아우르고 포함하는 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구항들에 의해 정의되는 것을 이해해야 한다.
Claims (28)
- 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템으로서,
계측 샘플을 유지하도록 구성된 하나 이상의 계측 도구들에 통신가능하게 결합된 제어기를 포함하고, 상기 제어기는 하나 이상의 프로세서들을 포함하며,
상기 하나 이상의 프로세서들은 상기 하나 이상의 프로세서들로 하여금:
상기 계측 샘플의 하나 이상의 계측 타겟들의 하나 이상의 계측 측정치들을 수신하게 하고 - 상기 하나 이상의 계측 타겟들의 계측 타겟은 하나 이상의 셀들을 갖는 하나 이상의 타겟 설계 구조들을 포함하고, 상기 하나 이상의 타겟 설계 구조들은 상기 계측 샘플의 복수의 층들 상에 생성되고, 상기 복수의 층들은 레지스트 층, 제1 타겟 설계 구조를 갖는 제1 프로세스 층, 제2 타겟 설계 구조를 갖는 제2 프로세스 층, 및 제3 타겟 설계 구조를 갖는 제3 프로세스 층을 포함함 -;
상기 하나 이상의 계측 측정치들에 기초하여 하나 이상의 에러들을 결정하게 하고;
상기 하나 이상의 에러들에 대응하는 하나 이상의 에러 소스들을 조정하기 위해 하나 이상의 보정가능 항목들을 결정하게 하는
프로그램 명령어들을 실행하도록 구성되며,
상기 하나 이상의 보정가능 항목들은 상기 하나 이상의 에러 소스들에 의해 생성된 상기 하나 이상의 계측 측정치들에서 잡음의 양을 감소시키도록 구성되는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 층들은 적어도 하나의 프로세스 층에서 적어도 하나의 타겟 설계 구조를 둘러싸는 레지스트 층에서 박스 인 박스(box in box) 타겟 설계 구조를 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 계측 도구들은 전자-빔 계측 도구 또는 광학 계측 도구 중 적어도 하나를 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 계측 측정치들은 상기 하나 이상의 계측 측정치들의 도구 유도 시프트에 영향을 미치는 광 배향의 변화를 생성하는 듀얼 애퍼처 디바이스를 통해 획득되는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 에러들은, 조합된 오버레이 값을 결정하기 위해 상기 하나 이상의 계측 측정치들을 평균화함으로써, 상기 하나 이상의 계측 측정치들에 기초하여 결정되는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 에러들은 로지스틱 회귀 알고리즘을 통해 상기 하나 이상의 계측 측정치들에 기초하여 결정되는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 에러 소스들은, 하나 이상의 프로세스 변동들, 하나 이상의 리소그래피 도구들의 하나 이상의 리소그래피 프로세스들, 또는 상기 하나 이상의 계측 도구들의 하나 이상의 계측 프로세스들, 중 적어도 하나를 포함하는, 시스템. - 제7항에 있어서,
상기 하나 이상의 프로세서들은, 상기 하나 이상의 프로세서들로 하여금:
상기 계측 샘플의 상기 하나 이상의 계측 타겟들을 수신하게 하는 프로그램 명령어들을 실행하도록 구성되고,
상기 하나 이상의 계측 타겟들은 상기 하나 이상의 리소그래피 도구들을 통해 상기 계측 샘플 상에 상기 하나 이상의 계측 타겟들이 생성되기 전에 수신되는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 층들은 적어도 하나의 레지스트 층에서 적어도 하나의 타겟 설계 구조를 둘러싸는 프로세스 층에서 박스 인 박스 타겟 설계 구조를 포함하는, 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 복수의 층들은 레지스트 층, 및 제1 타겟 설계 구조 및 제2 타겟 설계 구조를 갖는 프로세스 층을 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 계측 타겟들은 복수의 계측 타겟들을 포함하는, 시스템. - 제11항에 있어서,
상기 복수의 계측 타겟들의 각각의 계측 타겟은 상기 하나 이상의 타겟 설계 구조들의 동일한 설계 구조를 포함하는, 시스템. - 제11항에 있어서,
상기 하나 이상의 타겟 설계 구조들은 복수의 타겟 설계 구조들을 포함하는, 시스템. - 제13항에 있어서,
상기 복수의 계측 타겟들 중 적어도 하나의 계측 타겟은 상기 복수의 타겟 설계 구조들 중 제1 타겟 설계 구조를 포함하고, 상기 복수의 계측 타겟들 중 상기 적어도 하나의 계측 타겟은 상기 복수의 타겟 설계 구조들 중 제2 타겟 설계 구조를 포함하는, 시스템. - 제14항에 있어서,
상기 제1 타겟 설계 구조는 피치, 임계 치수, 세그먼트화 크기, 또는 유도된 오버레이, 중 적어도 하나에서 상기 제2 타겟 설계 구조와 상이한, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 셀들 중 한 셀은 복수의 피치들을 포함하는, 시스템. - 제16항에 있어서,
상기 복수의 피치들은 레코드 피치의 플랜(plan), 상이한 세그먼트화 크기의 제1 피치, 및 상이한 세그먼트화 크기의 제2 피치를 포함하는, 시스템. - 제17항에 있어서,
상기 제1 피치는 상기 레코드 피치의 플랜과 비교하여 절반-세그먼트화 크기이고, 상기 제2 피치는 상기 레코드 피치의 플랜과 비교하여 2배-세그먼트화 크기인, 시스템. - 제16항에 있어서,
상기 계측 샘플은 하나 이상의 디바이스 구조들을 포함하는, 시스템. - 제19항에 있어서,
상기 복수의 피치들은 상이한 세그먼트화 크기의 적어도 하나의 피치 및 레코드 피치의 플랜을 포함하고, 상기 하나 이상의 디바이스 구조들은 상이한 세그먼트화 크기의 상기 적어도 하나의 피치 및 상기 레코드 피치의 플랜과 함께 측정되는, 시스템. - 계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템으로서,
계측 샘플을 유지하도록 구성된 하나 이상의 계측 도구들; 및
상기 하나 이상의 계측 도구들에 통신가능하게 결합된 제어기
를 포함하고, 상기 제어기는 하나 이상의 프로세서들을 포함하며,
상기 하나 이상의 프로세서들은 상기 하나 이상의 프로세서들로 하계측 측정에 있어서 에러 감소를 위한 시스템으로서,
계측 샘플을 유지하도록 구성된 하나 이상의 계측 도구들; 및
상기 하나 이상의 계측 도구들에 통신가능하게 결합된 제어기
를 포함하고, 상기 제어기는 하나 이상의 프로세서들을 포함하며,
상기 하나 이상의 프로세서들은 상기 하나 이상의 프로세서들로 하여금:
상기 계측 샘플의 하나 이상의 계측 타겟들의 하나 이상의 계측 측정치들을 수신하게 하고 - 상기 하나 이상의 계측 타겟들의 계측 타겟은 하나 이상의 셀들을 갖는 하나 이상의 타겟 설계 구조들을 포함하고, 상기 하나 이상의 타겟 설계 구조들은 상기 계측 샘플의 복수의 층들 상에 생성되고, 상기 복수의 층들은 레지스트 층, 제1 타겟 설계 구조를 갖는 제1 프로세스 층, 제2 타겟 설계 구조를 갖는 제2 프로세스 층, 및 제3 타겟 설계 구조를 갖는 제3 프로세스 층을 포함함 -;
상기 하나 이상의 계측 측정치들에 기초하여 하나 이상의 에러들을 결정하게 하고;
상기 하나 이상의 에러들에 대응하는 하나 이상의 에러 소스들을 조정하기 위해 하나 이상의 보정가능 항목들을 결정하게 하는
프로그램 명령어들을 실행하도록 구성되며,
상기 하나 이상의 보정가능 항목들은 상기 하나 이상의 에러 소스들에 의해 생성된 상기 하나 이상의 계측 측정치들에서 잡음의 양을 감소시키도록 구성되는, 시스템. - 제21항에 있어서,
상기 계측 샘플 상에 상기 하나 이상의 계측 타겟들을 생성하도록 구성된 하나 이상의 리소그래피 도구들을 더 포함하고,
상기 하나 이상의 프로세서들은, 상기 하나 이상의 프로세서들로 하여금:
상기 하나 이상의 리소그래피 도구들이 상기 계측 샘플 상에 상기 하나 이상의 계측 타겟들을 생성하기 전에 상기 계측 샘플의 상기 하나 이상의 계측 타겟들을 수신하게 하는 프로그램 명령어들을 실행하도록 구성되는, 시스템. - 방법으로서,
하나 이상의 계측 도구들로부터 계측 샘플의 하나 이상의 계측 타겟들의 하나 이상의 계측 측정치들을 수신하는 단계 - 상기 하나 이상의 계측 타겟들의 계측 타겟은 하나 이상의 셀들을 갖는 하나 이상의 타겟 설계 구조들을 포함하고, 상기 하나 이상의 타겟 설계 구조들은 상기 계측 샘플의 복수의 층들 상에 생성되고, 상기 복수의 층들은 레지스트 층, 제1 타겟 설계 구조를 갖는 제1 프로세스 층, 제2 타겟 설계 구조를 갖는 제2 프로세스 층, 및 제3 타겟 설계 구조를 갖는 제3 프로세스 층을 포함함 -;
상기 하나 이상의 계측 측정치들에 기초하여 하나 이상의 에러들을 결정하는 단계; 및
상기 하나 이상의 에러들에 대응하는 하나 이상의 에러 소스들을 조정하기 위해 하나 이상의 보정가능 항목들을 결정하는 단계
를 포함하고,
상기 하나 이상의 보정가능 항목들은 상기 하나 이상의 에러 소스들에 의해 생성된 상기 하나 이상의 계측 측정치들에서 잡음의 양을 감소시키도록 구성되는, 방법. - 제23항에 있어서,
상기 계측 샘플의 하나 이상의 계측 타겟들을 수신하는 단계를 더 포함하는, 방법. - 제24항에 있어서,
하나 이상의 리소그래피 도구들을 통해 상기 계측 샘플 상에 상기 하나 이상의 계측 타겟들을 생성하는 단계를 더 포함하고, 상기 하나 이상의 계측 타겟들은 상기 하나 이상의 리소그래피 도구들에 의해 상기 계측 샘플 상에 상기 하나 이상의 계측 타겟들이 생성되기 전에 수신되는, 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
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