KR102597555B1 - 유기전기소자 및 그 전자 장치 - Google Patents
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- KR102597555B1 KR102597555B1 KR1020180163483A KR20180163483A KR102597555B1 KR 102597555 B1 KR102597555 B1 KR 102597555B1 KR 1020180163483 A KR1020180163483 A KR 1020180163483A KR 20180163483 A KR20180163483 A KR 20180163483A KR 102597555 B1 KR102597555 B1 KR 102597555B1
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 85
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 95
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 87
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 68
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 52
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 43
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 17
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 16
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 13
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 13
- 125000002355 alkine group Chemical group 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000005567 fluorenylene group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 9
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-VVKOMZTBSA-N Dideuterium Chemical compound [2H][2H] UFHFLCQGNIYNRP-VVKOMZTBSA-N 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 52
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 20
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N bis(pinacolato)diboron Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000006736 (C6-C20) aryl group Chemical group 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 8
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 8
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 7
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 7
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 7
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000434 field desorption mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 5
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical group N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003860 C1-C20 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003358 C2-C20 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ITOKSWHFPQBNSE-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[3,2-d]pyrimidine Chemical compound N1=CN=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 ITOKSWHFPQBNSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005018 aryl alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- PQIUGRLKNKSKTC-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinazoline Chemical group N1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 PQIUGRLKNKSKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 125000006574 non-aromatic ring group Chemical group 0.000 description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 description 3
- 125000006649 (C2-C20) alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHQNDEHZACHHTA-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethylfluorene Chemical compound C1=CC=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZHQNDEHZACHHTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKQXUNGELBDWLS-UHFFFAOYSA-N 9,9-diphenylfluorene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 BKQXUNGELBDWLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical group N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OICJTSLHQGDCTQ-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[3,2-d]pyrimidine Chemical group N1=CN=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 OICJTSLHQGDCTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YUFRAQHYKKPYLH-UHFFFAOYSA-N benzo[f]quinoxaline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=N1 YUFRAQHYKKPYLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- JUQAECQBUNODQP-UHFFFAOYSA-N furo[3,2-d]pyrimidine Chemical group C1=NC=C2OC=CC2=N1 JUQAECQBUNODQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical group C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 pyrimidineyl group Chemical group 0.000 description 2
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical group N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 2
- SNAKUPLQASYKTC-AWEZNQCLSA-N (3S)-3-[[4-(aminomethyl)-6-(trifluoromethyl)pyridin-2-yl]oxymethyl]-N-phenylpiperidine-1-carboxamide Chemical compound NCC1=CC(=NC(=C1)C(F)(F)F)OC[C@@H]1CN(CCC1)C(=O)NC1=CC=CC=C1 SNAKUPLQASYKTC-AWEZNQCLSA-N 0.000 description 1
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- CRXBTDWNHVBEIC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=C(C)C(C)=CC=C3C2=C1 CRXBTDWNHVBEIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBTOLQFRGURPJH-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=C1NC1=CC=CC=C12 FBTOLQFRGURPJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANITXMBLUCZWRG-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichloro-6-(3,5-diphenylphenyl)-1,3,5-triazine Chemical compound ClC1=NC(Cl)=NC(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=N1 ANITXMBLUCZWRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYULOEZHJLAQKR-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichloro-6-dibenzofuran-4-yl-1,3,5-triazine Chemical compound ClC1=NC(=NC(Cl)=N1)C1=C2OC3=C(C=CC=C3)C2=CC=C1 LYULOEZHJLAQKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMEVJOWOWQPPJQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichloro-6-phenyl-1,3,5-triazine Chemical compound ClC1=NC(Cl)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 AMEVJOWOWQPPJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOJCKBOZXWCTMA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-dibenzofuran-1-ylphenyl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound CC1(OB(OC1(C)C)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=2OC3=C(C=21)C=CC=C3)C JOJCKBOZXWCTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CALTYNDKBHMXQA-UHFFFAOYSA-N 2-dibenzothiophen-2-yl-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1C1=CC=C(SC=2C3=CC=CC=2)C3=C1 CALTYNDKBHMXQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSNKEJIFARPOSQ-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(aminomethyl)-6-(trifluoromethyl)pyridin-2-yl]oxy-N-(1-benzothiophen-2-ylmethyl)benzamide Chemical compound NCC1=CC(=NC(=C1)C(F)(F)F)OC=1C=C(C(=O)NCC2=CC3=C(S2)C=CC=C3)C=CC=1 WSNKEJIFARPOSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxypent-3-en-2-one iridium Chemical compound [Ir].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKTAFRQJJLPHSP-UHFFFAOYSA-N 6-(4-bromonaphthalen-2-yl)naphtho[1,2-b][1]benzofuran Chemical compound BrC1=CC(=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=2C=CC=CC=2C=2OC3=C(C=21)C=CC=C3 RKTAFRQJJLPHSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPWAIWRRKDQAIV-UHFFFAOYSA-N 8-bromonaphtho[1,2-b][1]benzothiole Chemical compound BrC=1C=CC2=C(C3=C(S2)C=2C=CC=CC2C=C3)C1 GPWAIWRRKDQAIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNFCXVRWFNAHQX-UHFFFAOYSA-N 9,9'-spirobi[fluorene] Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C21C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C21 SNFCXVRWFNAHQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000006930 Pseudomyxoma Peritonei Diseases 0.000 description 1
- HDJHJMOTVCXUGP-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[2,3-d]pyrimidine Chemical compound C1=NC=C2C3=CC=CC=C3OC2=N1 HDJHJMOTVCXUGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDSYNTPPPISIJB-UHFFFAOYSA-N [3-[[4-(aminomethyl)-6-(trifluoromethyl)pyridin-2-yl]oxymethyl]phenyl]-(3-fluoro-4-hydroxypyrrolidin-1-yl)methanone Chemical compound NCc1cc(OCc2cccc(c2)C(=O)N2CC(O)C(F)C2)nc(c1)C(F)(F)F KDSYNTPPPISIJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQUWAPNUQVLWGG-GFCCVEGCSA-N [5-[4-(aminomethyl)-6-(trifluoromethyl)pyridin-2-yl]oxypyridin-3-yl]-[(3R)-3-aminopyrrolidin-1-yl]methanone Chemical compound NCC1=CC(=NC(=C1)C(F)(F)F)OC=1C=C(C=NC=1)C(=O)N1C[C@@H](CC1)N IQUWAPNUQVLWGG-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- XEMRLVBSKVCUDL-UHFFFAOYSA-N benzo[g]quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 XEMRLVBSKVCUDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical compound C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTMRMQALUDDFQO-UHFFFAOYSA-N naphtho[2,3-b][1]benzofuran Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=CC=CC=C4OC3=CC2=C1 FTMRMQALUDDFQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWMISBRPSJFHIR-UHFFFAOYSA-N naphtho[2,3-b][1]benzothiole Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=CC=CC=C4SC3=CC2=C1 UWMISBRPSJFHIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFBOHOGPQUYFRF-UHFFFAOYSA-N oxanthrene Chemical compound C1=CC=C2OC3=CC=CC=C3OC2=C1 NFBOHOGPQUYFRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDJOIMJURHQYDW-UHFFFAOYSA-N phenalene Chemical compound C1=CC(CC=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 XDJOIMJURHQYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCBJUXFCNBVPNF-UHFFFAOYSA-N phenanthro[9,10-d]pyrimidine Chemical group C1=NC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=N1 MCBJUXFCNBVPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005562 phenanthrylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- BWESROVQGZSBRX-UHFFFAOYSA-N pyrido[3,2-d]pyrimidine Chemical compound C1=NC=NC2=CC=CN=C21 BWESROVQGZSBRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLZDHJUUEGCXJH-UHFFFAOYSA-N pyrido[4,3-d]pyrimidine Chemical compound C1=NC=C2C=NC=CC2=N1 PLZDHJUUEGCXJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- XGVXKJKTISMIOW-ZDUSSCGKSA-N simurosertib Chemical compound N1N=CC(C=2SC=3C(=O)NC(=NC=3C=2)[C@H]2N3CCC(CC3)C2)=C1C XGVXKJKTISMIOW-ZDUSSCGKSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RBNBDIMXFJYDLQ-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-d]pyrimidine Chemical group C1=NC=C2SC=CC2=N1 RBNBDIMXFJYDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
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- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
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Abstract
본 발명은 제 1전극, 제 2전극 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이의 유기물층을 포함하는 유기전기소자, 및 상기 유기전기소자를 포함하는 전자장치를 제공하며, 상기 유기물층에 화학식 1과 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함함으로써 유기전기소자의 구동전압을 낮출 수 있고 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물 층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 그리고 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 형성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
현재 휴대용 디스플레이 시장은 대면적 디스플레이로 그 크기가 증가하고 있는 추세이며, 이로 인해 기존 휴대용 디스플레이에서 요구되던 소비적력보다 더 큰 소비전력이 요구되고 있다. 따라서, 배터리라는 제한적인 전력 공급원을 가지고 있는 휴대용 디스플레이 입장에서는 소비전력이 매우 중요한 요소가 되었고, 효율과 수명 문제 또한 반드시 해결해야 하는 상황이다.
효율과 수명, 구동전압 등은 서로 연관이 있으며, 효율이 증가되면 상대적으로 구동전압이 떨어지고, 구동전압이 떨어지면서 구동 시 발생하는 주울열(Joule heating)에 의한 유기물질의 결정화가 적어져 결과적으로 수명이 높아지는 경향을 나타낸다. 하지만, 유기물층을 단순히 개선한다고 하여 효율을 극대화시킬 수는 없다. 왜냐하면, 각 유기물층 간의 에너지 준위(energy level) 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있기 때문이다.
따라서 높은 열적 안정성을 가지며 발광층 내에서 효율적으로 전하 균형(charge balance)을 이룰 수 있는 발광 재료의 개발이 필요한 실정이다. 즉, 유기전기소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기전기소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 그 중에서도 특히 발광층의 호스트 물질에 대한 개발이 절실히 요구되고 있다.
본 발명은 소자의 구동전압을 낮추고, 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 제 1화합물과 하기 화학식 2로 표시되는 제 2화합물을 발광층에 포함하는 유기전기소자를 제공한다.
<화학식 1> <화학식 2>
다른 측면에서, 본 발명은 상기 유기전기소자를 포함하는 전자장치를 제공한다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합한 혼합물을 발광층의 재료로 사용함으로써 소자의 구동전압을 낮출 수 있고, 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전기발광소자의 예시도이다.
본 발명에서 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한 아릴기에는 플루오렌일기가 포함될 수 있고 아릴렌기에는 플루오렌일렌기가 포함될 수 있다.
본 발명에서 사용된 용어 "플루오렌일기" 또는 "플루오렌일렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하기 구조에서 R, R' 및 R"이 모두 수소인 1가 또는 2가 작용기를 의미하며, "치환된 플루오렌일기" 또는 "치환된 플루오렌일렌기"는 치환기 R, R', R" 중 적어도 하나가 수소 이외의 치환기인 것을 의미하며, R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함한다.
본 발명에서 사용된 용어 "스파이로 화합물"은 '스파이로 연결'을 가지며, 스파이로 연결은 2개의 고리가 오로지 1개의 원자를 공유함으로써 이루어지는 연결을 의미한다. 이때, 두 고리에 공유된 원자를 '스파이로 원자'라 하며, 한 화합물에 들어 있는 스파이로 원자의 수에 따라 이들을 각각 '모노스파이로-', '다이스파이로-', '트라이스파이로-' 화합물이라 한다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는 "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타내며, 헤테로고리기는 헤테로원자를 포함하는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는, 고리를 형성하는 탄소 대신 N, O, S, P 또는 Si 등과 같은 헤테로원자가 포함된 고리를 의미하며, "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 고리를 형성하는 탄소 대신 하기 화합물과 같이 SO2, P=O 등과 같은 헤테로원자단을 포함하는 화합물도 포함될 수 있다.
본 발명에 사용된 용어 "지방족고리기"는 방향족탄화수소를 제외한 고리형 탄화수소를 의미하며, 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함하며, 다른 설명이 없는 한 탄소수 3 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 방향족고리인 벤젠과 비방향족고리인 사이클로헥산이 융합된 경우에도 지방족고리에 해당한다.
본 명세서에서 각 기호 및 그 치환기의 예로 예시되는 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기 등에 해당하는 '기 이름'은 '가수를 반영한 기의 이름'을 기재할 수도 있지만, '모체화합물 명칭'으로 기재할 수도 있다. 예컨대, 아릴기의 일종인 '페난트렌'의 경우, 1가의 '기'는 '페난트릴'로 2가의 기는 '페난트릴렌' 등과 같이 가수를 구분하여 기의 이름을 기재할 수도 있지만, 가수와 상관없이 모체 화합물 명칭인 '페난트렌'으로 기재할 수도 있다. 유사하게, 피리미딘의 경우에도, 가수와 상관없이 '피리미딘'으로 기재하거나, 1가인 경우에는 피리미딘일기, 2가의 경우에는 피리미딘일렌 등과 같이 해당 가수의 '기의 이름'으로 기재할 수도 있다.
또한, 본 명세서에서는 화합물 명칭이나 치환기 명칭을 기재함에 있어 위치를 표시하는 숫자나 알파벳 등은 생략할 수도 있다. 예컨대, 피리도[4,3-d]피리미딘을 피리도피리미딘으로, 벤조퓨로[2,3-d]피리미딘을 벤조퓨로피리미딘으로, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌을 다이메틸플루오렌 등과 같이 기재할 수 있다. 따라서, 벤조[g]퀴녹살린이나 벤조[f]퀴녹살린을 모두 벤조퀴녹살린이라고 기재할 수 있다.
또한, 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.
여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하는 것을 의미하는데, 즉 a가 0인 경우는 벤젠고리를 형성하는 탄소에 모두 수소가 결합된 것을 의미하며, 이때 탄소에 결합된 수소의 표시를 생략하고 화학식이나 화합물을 기재할 수 있다. 또한, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 예컨대 아래와 같이 결합할 수 있고, a가 4 내지 6의 정수인 경우에도 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, a가 2 이상의 정수인 경우 R1은 서로 같거나 상이할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성한 고리는 C6~C60의 방향족고리기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
이하, 본 발명의 화합물이 포함된 유기전기소자의 적층구조에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다.
본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 구성 요소가 다른 구성 요소 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 경우, 이는 다른 구성 요소 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 구성 요소가 있는 경우도 포함할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반대로, 어떤 구성 요소가 다른 부분 "바로 위에" 있다고 하는 경우에는 중간에 또 다른 부분이 없는 것을 뜻한다고 이해되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자에 대한 예시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자(100)는 기판(110) 상에 형성된 제 1전극(120), 제 2전극(180), 및 제 1전극(120)과 제 2전극(180) 사이에 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기물층을 포함한다. 이때, 제 1전극(120)은 애노드(양극)이고, 제 2전극(180)은 캐소드(음극)일 수 있으며, 인버트형의 경우에는 제 1전극이 캐소드이고 제 2전극이 애노드일 수 있다.
유기물층은 제 1전극(120) 상에 순차적으로 적층된 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160), 전자주입층(170) 등을 포함할 수 있다. 이때, 이들 층 중 적어도 하나가 생략되거나, 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층(151), 전자수송보조층, 버퍼층(141) 등을 더 포함할 수도 있고, 전자수송층(160) 등이 정공저지층의 역할을 할 수도 있다.
또한, 미도시하였지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 보호층 또는 광효율 개선층을 더 포함할 수 있다. 이러한 광효율 개선층은 제 1전극의 양면 중 유기물층과 접하지 않는 면 또는 제 2전극의 양면 중 유기물층과 접하지 않는 면에 형성될 수 있다.
상기 유기물층에 적용되는 본 발명의 일 실시예에 따른 화합물은 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광보조층(151), 전자수송보조층, 전자수송층(160), 전자주입층(170), 발광층(150)의 호스트 또는 도펀트, 또는 광효율 개선층의 재료로 사용될 수 있을 것이나, 바람직하게는 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합한 혼합물이 발광층의 호스트로 사용된다.
한편, 동일유사한 코어일지라도 어느 위치에 어느 치환기를 결합시키냐에 따라 밴드갭(band gap), 전기적 특성, 계면 특성 등이 달라질 수 있으므로, 코어의 선택 및 이에 결합된 서브(sub)-치환체의 조합에 대한 연구가 필요하며, 특히 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합한 혼합물을 발광층의 호스트로 사용함으로써, 각 유기물층 간의 에너지 레벨 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등을 최적화하여 유기전기소자의 수명 및 효율을 동시에 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기발광소자는 다양한 증착법(deposition)을 이용하여 제조될 수 있을 것이다. PVD나 CVD 등의 증착 방법을 사용하여 제조될 수 있는데, 예컨대, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극(120)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극(180)으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 또한, 정공수송층(140)과 발광층(150) 사이에 발광보조층(151)을, 발광층(150)과 전자수송층(160) 사이에 전자수송보조층을 추가로 더 형성할 수 있다.
또한, 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스, 예컨대 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정, 롤투롤 공정, 닥터 블레이딩 공정, 스크린 프린팅 공정, 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 유기물층은 다양한 방법으로 형성될 수 있으므로, 그 형성방법에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다.
이하, 본 발명의 일 측면에 따른 유기전기소자에 대하여 설명한다.
본 발명의 일측면에 따른 유기전기소자는 제 1전극, 제 2 전극 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성된 유기물층을 포함하며, 상기 유기물층은 인광성 발광층을 포함하고, 상기 인광성 발광층의 호스트는 하기 화학식 1로 표시되는 제 1화합물과 하기 화학식 2로 표시되는 제 2화합물을 포함한다.
<화학식 1> <화학식 2>
먼저, 화학식 1에 대하여 설명한다.
상기 화학식 1에서 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
X1은 O 또는 S이다.
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; 및 C6~C30의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
Ar1 및 Ar2가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐, 페난트렌, 파이렌, 트리페닐렌 등일 수 있다. Ar1 및 Ar2가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C16의 헤테로고리기, 예컨대 피리딘, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 카바졸, 페닐카바졸, 다이벤조싸이오펜, 다이벤조퓨란, 다이벤조다이옥신 등일 수 있다. Ar1 및 Ar2가 플루오렌일기인 경우, 9,9-다이페닐플루오렌, 9,9-다이메틸플루오렌 등일수 있다. Ar1 및 Ar2가 지방족고리기인 경우, 바람직하게는 C3~C30의 지방족고리, 더욱 바람직하게는 C3~C12의 지방족고리, 예컨대 사이클로헥산, 사이클로헥실사이클로헥산 등일 수 있다. Ar1 및 Ar2가 알킬기인 경우, 바람직하게는 C2~C10의 알킨일기, 예컨대 메틸, t-부틸 등일 수 있다. Ar1 및 Ar2가 알켄일기인 경우, 바람직하게는 C2~C10의 알켄일기일 수 있고 예컨대 에텐, 프로펜 등일 수 있다.
L1 내지 L3은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
L1 내지 L3이 아릴렌기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴렌기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴렌기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐 등일 수 있다. L1 내지 L3이 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C16의 헤테로고리기, 예컨대 카바졸, 페닐카바졸, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜 등일 수 있다.
R1은 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
a는 0~9의 정수이고, a가 2 이상의 정수인 경우, 복수의 R1은 서로 같거나 상이하다.
이웃한 R1끼리 서로 결합하여 형성된 고리는 C6~C60의 방향족고리기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 또는 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기 등일 수 있다. 이웃한 R1끼리 서로 결합하여 방향족고리를 형성할 경우, 바람직하게는 C6~C30의 방향족고리, 더욱 바람직하게는 C6~C14의 방향족고리, 예컨대 벤젠, 나프탈렌, 페난트렌 등과 같과 같은 방향족고리를 형성할 수 있다.
R1이 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대, 페닐, 나프틸, 바이페닐, 터페닐, 페난트렌 등일 수 있다.
상기 L'은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
바람직하게는, 상기 화학식 1에서 하기 화학식 1-1로부터 도출되는 화합물은 제외될 수 있다.
<화학식 1-1>
상기 화학식 1-1에서, 각 기호는 상기 화학식 1에서 정의된 것과 같다. 바람직하게는, Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C6~C18의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C16의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; 및 C6~C30의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택된다.
바람직하게는, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A 내지 화학식 1-E 중에서 하나로 표시될 수 있다.
<화학식 1-A> <화학식 1-B>
<화학식 1-C> <화학식 1-D>
<화학식 1-E>
상기 화학식 1-A 내지 1-E에서, 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
Ar1, Ar2, L1 내지 L3, X1, R1, a는 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
X2 및 X3은 서로 독립적으로 O 또는 S이다.
R4, R8 및 R9는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; C3~C20의 지방족고리와 C6~C20의 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -La-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
d1는 0~7의 정수이고, i 및 j는 각각 0~6의 정수이고, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 복수의 R4 각각, 복수의 R8 각각, 복수의 R9 각각은 서로 같거나 상이하다.
상기 La는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C20의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
바람직하게는, 상기 화학식 1-A는 하기 화학식 1-A-1 내지 화학식 1-A-6 중에서 하나로 표시될 수 있다.
<화학식 1-A-1> <화학식 1-A-2> <화학식 1-A-3>
<화학식 1-A-4> <화학식 1-A-5> <화학식 1-A-6>
상기 화학식 1-A-1 내지 1-A-6에서, Ar1, Ar2, L1~L3, X1, R1, a는 화학식 1-A에서 정의된 것과 같다.
상기 화학식 1, 화학식 1-A 내지 1-E, 화학식 1-A-1 내지 1-A-6에서 각 기호는 더 치환될 수 있다. 예컨대, Ar1, Ar2, L1~L3, L', La, R1, R4, R8, R9, Ra, Rb, Ra, Rb, 및 이웃한 기끼리 결합하여 형성된 고리 등은 각각 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴옥시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 지방족고리기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
.
다음으로, 상기 화학식 2에 대하여 설명한다.
상기 화학식 2에서 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
W1 및 W2는 서로 독립적으로 단일결합, N-L'-(Ar4), O, S 또는 C(R')(R")이며, 단 W1 및 W2가 모두 단일결합인 경우는 제외한다.
Ar3 및 Ar4는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; 및 C6~C30의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
Ar3 및 Ar4가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸, 페난트렌, 터페닐, 페날렌, 트리페닐렌 등일 수 있다.
Ar3 및 Ar4가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C16의 헤테로고리기, 예컨대 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 퀴나졸린, 벤조퀴나졸린, 다이벤조퀴나졸린, 퀴녹살린, 벤조싸이에노피리미딘, 벤조퓨로피리미딘, 싸이에노피리미딘, 퓨로피리미딘, 나프토퓨로피리미딘, 나프토퓨로피라진, 벤조싸이오펜, 다이벤조싸이오펜, 벤조나프토싸이오펜, 벤조퓨란, 다이벤조퓨란, 벤조나프토퓨란 등일 수 있다.
Ar3 및 Ar4가 플루오렌일기인 경우, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌, 9,9-다이페닐-9H-플루오렌, 9,9'-스파이로바이플루오렌 등일 수 있다.
R2 내지 R4는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 이웃한 R2끼리, 이웃한 R3끼리, 이웃한 R4끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성된 고리는 C6~C60의 방향족고리기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 또는 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기 등일 수 있다. 이웃한 기끼리 서로 결합하여 방향족고리를 형성할 경우, 바람직하게는 C6~C30의 방향족고리, 더욱 바람직하게는 C6~C14의 방향족고리, 예컨대 벤젠, 나프탈렌, 페난트렌 등과 같과 같은 방향족고리를 형성할 수 있다.
b 및 d는 각각 0~4의 정수, c는 0~2의 정수이고, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우, 복수의 R2 각각, 복수의 R3 각각, 복수의 R4 각각은 서로 같거나 상이하다.
R2 내지 R4가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐 등일 수 있다.
R2 내지 R4가 알콕시기인 경우, 바람직하게는 C1~C10의 알콕시기일 수 있으며, 예컨대 메톡시기, 에톡시기 등일 수 있다.
상기 R' 및 R"은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되며, R'과 R"은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. R'과 R"은 서로 결합하여 고리를 형성할 경우 스파이로 화합물이 형성될 수 있다.
R' 및 R"이 알킬기인 경우, 바람직하게는 C1~C20의 알킬기, 더욱 바람직하게는 C1~C10의 알킬기, 예컨대, 메틸, 에틸 등일 수 있다.
R' 및 R"이 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐 등일 수 있다.
L4 및 L'은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
L4 및 L'이 아릴렌기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴렌기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴렌기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐, 페난트렌 등일 수 있다.
L4 및 L'이 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C16의 헤테로고리기, 예컨대 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 퀴나졸린, 벤조퀴나졸린, 벤조퀴나졸린, 퀴녹살린, 퓨로피리미딘, 싸이에노피리미딘, 벤조싸이에노피리미딘, 벤조퓨로피리미딘, 나프토퓨로피리미딘, 나프토싸이에노피리미딘, 나프토퓨로피라진, 벤조싸이오펜, 다이벤조싸이오펜, 벤조퓨란, 다이벤조퓨란 등일 수 있다.
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 2는 하기 화학식 2-A 내지 화학식 2-I 중에서 하나로 표시될 수 있다.
<화학식 2-A> <화학식 2-B> <화학식 2-C>
<화학식 2-D> <화학식 2-E> <화학식 2-F>
<화학식 2-G> <화학식 2-H> <화학식 2-I>
상기 화학식 2-A 내지 2-I에서, Ar3, L4, R2~R4, W1, W2, b~d는 화학식 2에서 정의된 것과 같다.
상기 R2 내지 R4, Ar3, Ar4, L4, L', Ra, Rb, R', R", 및 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성된 고리 등은 각각 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴옥시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 지방족고리기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
바람직하게는, 상기 화학식 1 및 2에서 L1 내지 L4는 서로 독립적으로 하기 화학식 b-1 내지 b-13 중에서 하나일 수 있다.
<화학식 b-1> <화학식 b-2> <화학식 b-3> <화학식 b-4>
<화학식 b-5> <화학식 b-6> <화학식 b-7> <화학식 b-8>
<화학식 b-9> <화학식 b-10>
<화학식 b-11> <화학식 b-12> <화학식 b-13>
상기 화학식 b-1 내지 b-13에서, 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
R5 내지 R7은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; C3~C20의 지방족고리와 C6~C20의 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -La-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
이웃한 R5끼리, 이웃한 R6끼리, 또는 이웃한 R7끼리 서로 결합하여 방향족고리를 형성할 경우, 바람직하게는 C6~C30의 방향족고리, 더욱 바람직하게는 C6~C14의 방향족고리, 예컨대 벤젠, 나프탈렌, 페난트렌 등과 같과 같은 방향족고리를 형성할 수 있다.
Y는 N-(La-Ara), O, S 또는 C(R')(R")이다.
Z1 내지 Z3은 서로 독립적으로 C, C(R') 또는 N이고, Z1 내지 Z3 중에서 적어도 하나는 N이다.
f는 0 내지 6의 정수이고, e, g, h, i는 각각 0 내지 4의 정수이고, j, k는 각각 0 내지 3의 정수이고, l은 0 내지 2의 정수이고, m은 0 내지 3의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 복수의 R5 각각, 복수의 R6 각각, 복수의 R7 각각은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 R' 및 R"는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; C3~C20의 지방족고리와 C6~C20의 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -La-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
C(R')(R")에서 R'와 R"끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, C(R')에서 이웃한 R'끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 Ara는 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 La는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C20의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 R5 내지 R7, La, Ara, R', R", Ra, Rb, 및 이웃한 기끼리 결합하여 형성된 고리 등은 각각 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴옥시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 지방족고리기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
상기 제 1화합물과 제2화합물의 중량비는 1:9 내지 9:1, 바람직하게는 3:7 내지 7:3, 더욱 바람직하게는 3:7 내지 5:5이다.
이하에서, 본 발명에 따른 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물의 합성예 및 유기전기소자의 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[
합성예
1] 화학식 1
본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물(final product)은 하기 반응식 1과 같이 Sub 1과 Sub 2를 반응시켜 제조될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 1>
1. Sub 1의 예시 화합물 및
합성예
상기 반응식 1의 Sub 1에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Sub 1에 속하는 상기 화합물의 FD-MS 값은 하기 표 1과 같다.
[표 1]
상기 반응식 1의 Sub 1은 하기 반응식 2의 반응경로에 의해 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 2>
Sub 1-7의 합성예
2,4-dichloro-6-phenyl-1,3,5-triazine (30 g, 132.71 mmol)에 2-(9,9-diphenyl-9H-fluoren-2-yl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (70.77 g, 159.25 mmol), Pd(PPh3)4 (7.67 g, 6.64 mmol), K2CO3 (55.02 g, 398.12 mmol), THF (600 ml), 물 (300 ml)을 첨가한 후, 교반 환류시킨다. 반응이 완료되면, ether와 물로 추출한 후 유기층을 농축시킨 다음, MgSO4로 건조하고 농축시켰다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 51.24 g (수율: 76%)를 얻었다.
Sub 1-29의 합성예
2,4-dichloro-6-(dibenzo[b,d]furan-4-yl)-1,3,5-triazine (20 g, 63.26 mmol)를 둥근바닥플라스크에 넣고 THF 450 mL로 녹인 후에, 2-(4-(dibenzo[b,d]furan-1-yl)phenyl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (28.11 g, 75.92 mmol), Pd(PPh3)4 (3.66 g, 3.16 mmol), K2CO3 (26.23 g, 189.79 mmol), 물 150 mL을 넣고 상기 Sub 1-7의 실험방법과 동일하게 진행하여 생성물 69.7g (수율: 73%)를 얻었다.
Sub 1-39의 합성예
2-([1,1':3',1''-terphenyl]-5'-yl)-4,6-dichloro-1,3,5-triazine (17 g, 44.94 mmol)를 둥근바닥플라스크에 넣고 THF 340 mL로 녹인 후에, 2-(dibenzo[b,d]thiophen-2-yl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (16.73 g, 53.93 mmol), Pd(PPh3)4 (2.6 g, 2.25 mmol), K2CO3 (18.63 g, 134.83 mmol), 물 170 mL을 넣고 상기 Sub 1-7의 실험방법과 동일하게 진행하여 생성물 69.7g (수율: 73%)를 얻었다.
2. Sub 2의 예시 화합물 및
합성예
상기 반응식 1의 Sub 2에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다
Sub 2에 속하는 상기 화합물의 FD-MS 값은 하기 표 2와 같다.
[표 2]
상기 반응식 1의 Sub 2는 하기 반응식 3의 반응경로에 의해 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 3>
Sub 2-4 합성예
6-(4-bromonaphthalen-2-yl)naphtho[1,2-b]benzofuran (15 g, 35.44 mmol)에 bis(pinacolato)diboron (CAS Registry Number: 73183-34-3) (11.7 g, 46.07 mmol), PdCl2(dppf) (1.3 g, 1.77 mmol), KOAc (10.4 g, 106.31 mmol), DMF (300 ml)을 첨가한 후, 교반 환류시킨다. 반응이 완료되면, CH2Cl2와 물을 이용하여 유기층을 추출한 다음, MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 12.83 g (수율: 77%)를 얻었다.
Sub 2-25 합성예
8-bromobenzo[b]naphtho[2,1-d]thiophene (25 g, 79.82 mmol)에 bis(pinacolato)diboron (CAS registry number, 73183-34-3) (26.35 g, 103.76 mmol), PdCl2(dppf) (3.08 g, 4.21 mmol), KOAc (24.77 g, 252.4 mmol), DMF (500 ml)을 첨가한 후, 교반 환류시킨다. 반응이 완료되면, CH2Cl2와 물을 이용하여 유기층을 추출한 다음, MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 24 g (수율: 83%)를 얻었다.
3. 최종 화합물 합성예
1-13의 합성예
Sub 1-11 (34.7g, 80 mmol), Sub 2-25 (30.9g, 80 mmol), K2CO3 (19.3 g, 140 mmol), Pd(PPh3)4 (2.8 g, 2.4 mmol)를 둥근바닥플라스크에 넣고 THF와 물을 넣어서 녹인 후 80 ℃에서 12시간 동안 환류시켰다. 반응이 종료되면 반응물의 온도를 상온으로 식히고, CH2Cl2로 추출하고 물로 닦아주었다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 실리카겔 칼럼으로 분리하여 생성물을 (37.4g, 71%)를 얻었다.
1-27의 합성예
Sub 1-13 (44.6g, 80 mmol)과 Sub 2-43 (30.9g, 80 mmol)을 상기 1-13의 합성방법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물을 (43.2g, 69%)를 얻었다.
1-34의 합성예
Sub 1-34 (42.7g, 80 mmol)와 Sub 2-18 (34.9g, 80 mmol)을 상기 1-13의 합성방법을 이용하여 생성물을 (42.7g, 66%)를 얻었다.
1-45의 합성예
Sub 1-37 (40.8g, 80 mmol)과 Sub 2-49 (43.1g, 80 mmol)을 상기 1-13의 합성방법을 이용하여 생성물을 (51.0g, 72%)를 얻었다.
1-53의 합성예
Sub 1-1 (40.8g, 80 mmol)과 Sub 2-51 (37.0g, 80 mmol)을 상기 1-13의 합성방법을 이용하여 생성물을 (45.4g, 70%)를 얻었다.
1-88의 합성예
Sub 1-4 (44.0g, 80 mmol)과 Sub 2-16 (29.6g, 80 mmol)을 상기 1-13의 합성방법을 이용하여 생성물을 (41.2g, 68%)를 얻었다.
상기 합성예와 같은 방법으로 합성된 본 발명의 화합물 1-1 내지 1-124의 FD-MS 값은 하기 표 3과 같다.
[표 3]
[
합성예
2] 화학식 2
본 발명의 화학식 2로 표시되는 화합물(Final product 2)은 하기 반응식 4와 같이 Sub 3과 Sub 4를 반응시켜 제조될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 4>
1. Sub 3의 예시 화합물 및
합성예
상기 반응식 4의 Sub 3에 속하는 화합물은 아래와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Sub 3에 속하는 상기 화합물의 FD-MS 값은 하기 표 4와 같다.
[표 4]
1. Sub 3의
합성예
Sub 3은 하기 반응식 4-1의 반응경로에 의해 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 4-1>
Sub 3-7
합성예
(1) Sub 3-b-7 합성
Sub 3-a-7 (40 g, 124.1 mmol)를 DMF(600ml)에 녹인 후, bis(pinacolato)diboron (40.9 g, 161.4 mmol), KOAc (36.6 g, 372.4 mmol), PdCl2(dppf) (4.5 g, 6.2 mmol) 첨가하고 120℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 증류를 통해 DMF를 제거하고 CH2Cl2와 물로 추출하였다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 Sub 3-b-7을 35.3 g (수율: 77%) 얻었다.
(2) Sub 3-d-7 합성
Sub 3-b-7 (35 g, 94.8 mmol)를 THF (600 mL)에 녹인 후, Sub 3-c-1 (23 g, 113.7 mmol), K2CO3 (39.3 g, 284.34 mmol), Pd(PPh3)4 (5.5 g, 4.74 mmol), 물 (300 mL)을 첨가하고 80℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축하였다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 Sub 3-d-7을 23.5 g (수율: 68%) 얻었다.
(3) Sub 3-7 합성
Sub 3-d-7 (15 g, 41.2 mmol)을 o-dichlorobenzene (450 mL)으로 녹인 후, triphenylphosphine (27 g, 102.9 mmol)을 첨가하고 200℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 증류를 통해 o-dichlorobenzene을 제거하고 CH2Cl2와 물로 추출하였다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 Sub 3-7 (8.35 g, 수율: 61%)을 얻었다.
Sub 3-12
합성예
(1) Sub 3-b-12 합성
Sub 3-a-12 (35 g, 108.6 mmol)를 DMF(540 mL))에 녹인 후, bis(pinacolato)diboron (35.9 g, 141.2 mmol), KOAc (32 g, 325.9 mmol), PdCl2(dppf) (4 g, 5.43 mmol)를 첨가한 후 상기 Sub 3-b-7의 합성예와 같은 방법으로 진행시켜서 Sub 3-b-12를 29.7 g (수율: 74%) 얻었다.
(2) Sub 3-d-12 합성
Sub 3-b-12 (25 g, 67.7 mmol)를 THF(420 mL)에 녹인 후, Sub 3-c-1 (16.4 g, 81.2 mmol), K2CO3 (28.1 g, 203.1 mmol), Pd(PPh3)4 (3.9 g, 3.4 mmol), 물(210 mL)을 첨가하고 상기 Sub 3-d-7의 합성예와 같은 방법으로 진행시켜서 Sub 3-d-12를 17.5 g (수율: 71%) 얻었다.
(3) Sub 3-12 합성
Sub 3-d-12 (10 g, 27.44 mmol)를 o-dichlorobenzene (270 mL)으로 녹인 후, triphenylphosphine (18 g, 68.6 mmol)을 첨가하고, 상기 Sub 3-7의 합성예와 같은 방법으로 진행시켜서 Sub 3-12 (5.4 g, 수율: 59%)를 얻었다.
Sub 3-36
합성예
(1) Sub 3-b-36 합성법
Sub 3-a-36 (28 g, 86.9 mmol)를 를 DMF(430 mL)에 녹인 후, bis(pinacolato)diboron (28.7 g, 112.9 mmol), KOAc (25.6 g, 260.7 mmol), PdCl2(dppf) (3.2 g, 4.34 mmol)를 첨가하고 상기 Sub 3-b-7의 합성예와 같은 방법으로 진행시켜서 Sub 3-b-36을 26.3 g (수율: 82%) 얻었다.
(2) Sub 3-d-36 합성법
Sub 3-b-36 (25 g, 67.7 mmol)을 THF (450 mL)에 녹인 후, Sub 3-c-2 (16.4 g, 81.2 mmol), K2CO3 (28.1 g, 203.1 mmol), Pd(PPh3)4 (3.9 g, 3.4 mmol), 물(225 mL)을 첨가한 후 상기 Sub 3-d-7의 합성예와 같은 방법으로 진행시켜서 Sub 3-d-36을 20.76 g (수율: 74%) 얻었다.
(3) Sub 3-36 합성법
Sub 3-d-36 (15 g, 36.19 mmol)을 o-dichlorobenzene (350 mL)으로 녹인 후, triphenylphosphine (23.7 g, 90.5 mmol)을 첨가하고, 상기 Sub 3-7의 합성예와 같은 방법으로 진행시켜서 Sub 3-36 (5.8 g, 수율: 42%)를 얻었다.
Sub 3-53
합성예
(1) Sub 3-b-53 합성법
Sub 3-a-53 (40 g, 127.71 mmol)를 DMF (600 mL)에 녹인 후, bis(pinacolato)diboron (42.2 g, 166.02 mol), KOAc (37.6 g, 383.1 mmol), PdCl2(dppf) (4.7 g, 6.4 mmol)를 첨가하고 상기 Sub 3-b-7의 합성예와 같은 방법으로 진행시켜서 Sub 3-b-53를 38.7 g (수율: 84%) 얻었다.
(2) Sub 3-d-53 합성법
Sub 3-b-53 (35 g, 97.2 mmol)를 THF (600 mL)에 녹인 후, Sub 3-c-3 (29.4 g, 116.6 mmol), K2CO3 (40.3 g, 291.4 mmol), Pd(PPh3)4 (5.6 g, 4.9 mmol), 물(300 mL)을 첨가한 후 상기 Sub 3-d-7의 합성예와 같은 방법으로 진행시켜서 Sub 3-d-53을 30.7 g (수율: 78%) 얻었다.
(3) Sub 3-53 합성법
Sub 3-d-53 (15 g, 37 mmol)을 o-dichlorobenzene (350 mL)으로 녹인 후, triphenylphosphine (24.3 g, 92.5 mmol)첨가하고, 상기 Sub 3-7의 합성예와 같은 방법으로 진행시켜서 Sub 3-53 (8.7 g, 수율: 63%) 를 얻었다.
Sub 3-71
합성예
(1) Sub 3-b-71 합성법
Sub 3-a-79 (28 g, 86.9 mmol)를 DMF (430 mL)에 녹인 후, bis(pinacolato)diboron (28.7 g, 113 mol), KOAc (25.6 g, 260.7 mmol), PdCl2(dppf) (3.2 g, 4.3 mmol)를 첨가하고 상기 Sub 3-b-7의 합성예와 같은 방법으로 진행시켜서 Sub 3-b-71를 28.2 g (수율: 88%) 얻었다.
(2) Sub 3-d-71 합성법
Sub 3-b-2 (25 g, 67.7 mmol)를 THF (450 mL)에 녹인 후, Sub 3-c-1 (22.6 g, 81.2 mmol), K2CO3 (28.1 g, 203.1 mmol), Pd(PPh3)4 (3.9 g, 3.4 mmol), 물(220 mL)을 첨가한 후 상기 Sub 3-d-7의 합성예와 같은 방법으로 진행시켜서 Sub 3-d-71을 21.8 g (수율: 73%) 얻었다.
(3) Sub 3-71 합성법
Sub 3-d-79 (20 g, 45.4 mmol)을 o-dichlorobenzene (420 mL)으로 녹인 후, triphenylphosphine (29.8 g, 113.5 mmol)첨가하고, 상기 Sub 3-7의 합성예와 같은 방법으로 진행시켜서 Sub 3-71 (7.8 g, 수율: 42%)를 얻었다.
2. Sub 4의 예시 화합물
상기 반응식 4의 Sub 4에 속하는 화합물은 아래와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Sub 4에 속하는 상기 화합물의 FD-MS 값은 하기 표 5와 같다.
[표 5]
3. 최종 화합물의
합성예
2-36
합성예
Sub 3-71 (65 g, 159.12 mmol)를 toluene (800 mL)으로 녹인 후, Sub 4-4 (37.09 g, 159.12 mmol), Pd2(dba)3 (4.37 g, 4.77 mmol), P(t-Bu)3 (3.22 g, 15.91 mmol), NaOt-Bu (30.59 g, 318.24 mmol)을 첨가하고 120℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축하였다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 2-36을 74.94 g (수율: 84%) 얻었다.
2-105
합성예
Sub 3-47 (65 g, 169.95 mmol)를 toluene (850 mL)으로 녹인 후, Sub 4-4 (39.62 g, 169.95 mmol), Pd2(dba)3 (4.67 g, 5.10 mmol), P(t-Bu)3 (3.44 g, 16.99 mmol), NaOt-Bu (32.67 g, 339.90 mmol)을 첨가하고 상기 2-36의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 2-105를 74.51 g (수율: 82%) 얻었다.
2-106
합성예
Sub 3-48 (65 g, 169.95 mmol)를 toluene (850 mL)으로 녹인 후, Sub 4-4 (39.62 g, 169.95 mmol), Pd2(dba)3 (4.67 g, 5.10 mmol), P(t-Bu)3 (3.44 g, 16.99 mmol), NaOt-Bu (32.67 g, 339.90 mmol)을 첨가하고 상기 2-36의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 2-106을 68.15 g (수율: 75%) 얻었다.
2-110
합성예
Sub 3-52 (65 g, 162.70 mmol)를 toluene (800 mL)으로 녹인 후, Sub 4-3 (33.69 g, 162.70 mmol), Pd2(dba)3 (4.47 g, 4.88 mmol), P(t-Bu)3 (3.29 g, 16.27 mmol), NaOt-Bu (31.27 g, 325.40 mmol)을 첨가하고 상기 2-36의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 2-110을 69.28 g (수율: 81%) 얻었다.
2-112
합성예
Sub 3-54 (65 g, 174.04 mmol)를 toluene (850 mL)으로 녹인 후, Sub 4-3 (36.04 g, 174.04 mmol), Pd2(dba)3 (4.78 g, 5.22 mmol), P(t-Bu)3 (3.52 g, 17.40 mmol), NaOt-Bu (33.45 g, 348.09 mmol)을 첨가하고 상기 2-36의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 2-112를 68.70 g (수율: 79%) 얻었다.
2-113
합성예
Sub 3-70 (65 g, 130.63 mmol)를 toluene (650 mL)으로 녹인 후, Sub 4-1 (20.51 g, 130.63 mmol), Pd2(dba)3 (3.59 g, 3.92 mmol), P(t-Bu)3 (2.64 g, 13.06 mmol), NaOt-Bu (25.11 g, 261.25 mmol)을 첨가하고 상기 2-36의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 2-113을 56.95 g (수율: 76%) 얻었다.
2-129
합성예
Sub 3-7 (65 g, 195.54 mmol)를 toluene (950 mL)으로 녹인 후, Sub 4-66 (58.11 g, 195.54 mmol), Pd2(dba)3 (5.37 g, 5.87 mmol), P(t-Bu)3 (39.56 g, 195.54 mmol), NaOt-Bu (37.59 g, 391.08 mmol)을 첨가하고 상기 2-36의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 2-129를 85.83 g (수율: 80%) 얻었다.
상기와 같은 합성법으로 합성한 본 발명의 화합물 2-1 내지 2-166의 FD-MS 값은 하기 표 6과 같다.
[표 6]
유기전기소자의 제조평가
[
실시예
1]
적색유기발광소자
(
발광층
혼합 인광호스트)
유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 상에 4,4',4"-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine (이하 "2-TNATA"로 약기함)막을 진공증착하여 60 nm 두께의 정공주입층을 형성한 후, 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (이하 "NPD"로 약기함) 막을 55 nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다.
다음으로, 상기 정공수송층 상에 30nm 두께의 발광층을 형성하였는데, 이때 본 발명의 화합물 1-10(제1호스트)과 화합물 2-36(제2호스트)를 3:7의 중량비로 혼합한 혼합물을 호스트로, bis-(1-phenylisoquinolyl)iridium(Ⅲ)acetylacetonate(이하 "(piq)2Ir(acac)"로 약기함)를 도펀트로 사용하되, 호스트와 도펀트를 95:5 중량비가 되도록 사용하였다.
다음으로, 상기 발광층 상에 (1,1'-biphenyl-4-olato)bis(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum (이하 "BAlq"로 약기함)을 5 nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하였다.
이어서, 상기 정공저지층 상에 tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum (이하 "Alq3"로 약기함)와 bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium (이하 BeBq2로 약칭함)를 1:1로 혼합하여 45 nm 두께로 성막하여 전자수송층을 형성하였다. 이후, 전자수송층 상에 LiF를 0.2 nm 두께로 증착하고, 이어서 Al을 150 nm의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기전기발광소자를 제조하였다.
[
실시예
2] 내지 [
실시예
105]
발광층의 호스트 물질로 하기 표 7에 기재된 제1호스트 화합물과 제2호스트 화합물을 혼합한 혼합물을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
[
비교예
1] 내지 [
비교예
4]
발광층의 호스트 물질로 하기 표 7에 기재된 것과 같이 본 발명의 화합물 1-36, 화합물 1-54, 화합물 2-129 또는 화합물 2-143 단독 화합물을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
[
비교예
5] 내지 [
비교예
7]
발광층의 호스트 물질로 하기 표 7에 기재된 것과 같이 비교화합물 1과 비교화합물 2~4 중에서 하나의 화합물을 혼합한 혼합물을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
<비교화합물 1> <비교화합물 2> <비교화합물 3> <비교화합물 4>
본 발명의 실시예 1 내지 실시예 105 및 비교예 1 내지 비교예 7에 의해 제조된 유기전기발광소자에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치 (photoresearch) 사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 2500cd/m2 기준휘도에서 맥사이언스사의 수명측정장비를 통해 T95 수명을 측정하였다. 그 측정 결과는 하기 표 7과 같다.
[표 7]
상기 표 7로부터 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 본 발명의 유기전기발광소자용 화합물을 혼합하여 인광 호스트로 사용할 경우 (실시예 1~105), 단일 물질을 사용한 경우(비교예 1~4) 및 비교화합물을 혼합하여 사용한 경우(비교예 5~7)에 비해 구동전압, 효율 및 수명이 현저하게 개선되는 것을 확인할 수 있다.
비교예 1 내지 7을 비교해보면, 본 발명의 화합물을 단독으로 사용한 경우(비교예 1~4)보다 비교화합물을 두 종류 혼합하여 사용한 경우(비교예 5~7)에 소자의 특성이 더 향상되었다.
또한, 비교예 5 내지 7과 본 발명의 실시예를 비교해보면, 비교화합물을 두 종류 혼합한 것보다는 본 발명의 화학식 1에 따른 화합물과 화학식 2에 따른 화합물을 혼합한 호스트를 사용할 경우 구동전압이 낮아지고 효율과 수명이 현저히 향상되었다.
본 발명의 발명자들은 이러한 결과로부터 화학식 1의 물질과 화학식 2의 물질을 혼합한 혼합물의 경우 각각의 물질이 갖는 특성 이외의 다른 신규한 특성을 갖는다고 판단하여, 이들 각 물질 및 혼합물을 사용하여 PL lifetime을 측정하였다. 그 결과 본 발명 화학식 1 및 화학식 2를 혼합한 혼합물의 경우 단독 화합물일 때와 달리 새로운 PL 파장이 형성되는 것을 확인할 수 있었다.
이는 본 발명의 화합물을 혼합하여 사용할 경우 각각의 물질이 갖는 에너지 준위를 통해 전자와 정공이 이동되는 것뿐만 아니라, 혼합으로 인하여 형성된 새로운 에너지 준위를 갖는 신규 영역(exciplex)에 의한 전자 및 정공의 이동 또는 에너지 전달로 인해 효율 및 수명이 증가한 것으로 판단된다. 이는 본 발명의 혼합물을 사용할 경우 혼합 박막이 exciplex 에너지 전달 및 발광 프로세스를 보이는 중요한 예라고 할 수 있다.
또한, 전자뿐만 아니라 정공에 대한 안정성이 높고, 높은 T1 값을 갖는 화학식 1로 표시되는 다환 화합물에 정공(hole) 특성이 강한 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합할 경우, 높은 T1과 높은 LUMO 에너지 값으로 인해 전자 블로킹 능력이 향상되고, 발광층에 더 많은 hole이 빠르고 쉽게 이동하게 된다. 이와 같이 정공이 발광층에 더 빨리 이동하고 전자 블로킹 능력이 향상되면 발광층 내에서 전하 균형이 증가하게 되어 정공수송층 계면이 아닌 발광층 내부에서 발광이 잘 이루어지고, 그로 인해 HTL 계면의 열화 또한 감소하여 소자 전체의 구동 전압, 효율 그리고 수명이 극대화된다. 따라서, 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합하여 호스트로 사용할 경우 전기 화학적 시너지 작용으로 소자 전체의 성능이 크게 향상될 수 있다.
특히, 다이벤조싸이오펜(DBT)이나 다이벤조퓨란(DBF)에 벤젠 고리가 하나 더 추가로 형성되어 4환 고리를 포함하는 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 공액 길이(conjugation length)가 길어짐에 따라 밴드갭이 좁아지고, 따라서 보다 장파장에서 흡수 및 발광이 일어나므로 소자의 전기적 특성이 개선된 것으로 보인다.
[
실시예
106] 및 [
실시예
107]
하기 표 8에 기재된 것과 같이 본 발명의 화합물 1-45와 화합물 2-64를 7:3 또는 5:5의 중량비로 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
[
실시예
108] 및 [
실시예
109]
하기 표 8에 기재된 것과 같이 본 발명의 화합물 1-82와 화합물 2-111을 7:3 또는 5:5의 중량비로 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
본 발명의 실시예 106 내지 실시예 109에 의해 제조된 유기전기발광소자에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치 (photoresearch) 사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 2500cd/m2 기준휘도에서 맥사이언스사의 수명측정장비를 통해 T95 수명을 측정하였다. 그 결과는 하기 표 8과 같다. 실시예 22 및 실시예 56은 표 7에서와 동일하게 제1호스트와 제2호스트를 3:7로 혼합하여 사용한 경우의 소자 특성 측정 결과이다.
[표 8]
상기 표 8을 참조하면, 제1호스트와 제2호스트를 3:7로 혼합할 경우 구동전압, 효율 및 수명이 가장 우수하며, 제1호스트의 비율이 많아질수록 소자 특성이 저하되는 것을 확인할 수 있다. 이는 화학식 1로 표시되는 화합물보다 상대적으로 hole 특성이 강한 화학식 2로 표시되는 화합물의 양이 많아짐에 따라 발광층 내 전하균형이 극대화되기 때문이다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내의 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 유기전기소자 110: 기판
120: 제 1전극 130: 정공주입층
140: 정공수송층 141: 버퍼층
150: 발광층 151: 발광보조층
160: 전자수송층 170: 전자주입층
180: 제 2전극
120: 제 1전극 130: 정공주입층
140: 정공수송층 141: 버퍼층
150: 발광층 151: 발광보조층
160: 전자수송층 170: 전자주입층
180: 제 2전극
Claims (12)
- 제 1전극, 제 2 전극 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성된 유기물층을 포함하는 유기전기소자에 있어서,
상기 유기물층은 인광성 발광층을 포함하고, 상기 인광성 발광층의 호스트는 하기 화학식 1로 표시되는 제 1화합물과 하기 화학식 2로 표시되는 제 2화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 1> <화학식 2>
상기 화학식에서,
X1은 O 또는 S이고,
W1 및 W2는 서로 독립적으로 단일결합, N-L'-(Ar4), O, S 또는 C(R')(R")이며, 단 W1 및 W2가 모두 단일결합인 경우는 제외하며,
Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; 및 C6~C30의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택되며,
R1 내지 R4, R' 및 R"은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 R1끼리, 이웃한 R2끼리, 이웃한 R3끼리, 이웃한 R4끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, R'과 R"은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
a는 0~9의 정수, b 및 d는 각각 0~4의 정수, c는 0~2의 정수이고, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우, 복수의 R1 각각, 복수의 R2 각각, 복수의 R3 각각, 복수의 R4 각각은 서로 같거나 상이하며,
L1 내지 L4 및 L'은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택된다. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1에서 하기 화학식 1-1로부터 도출되는 화합물은 제외되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 1-1>
상기 화학식 1-1에서, L1 내지 L3, X1, R1, a는 제1항에서 정의된 것과 같고,
Ar1 및 Ar2는 서로 독립적으로 C6~C18의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C16의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; 및 C6~C30의 아릴옥시기로 이루어진 군에서 선택된다. - 제 1항에 있어서,
상기 L1 내지 L4는 서로 독립적으로 하기 화학식 b-1 내지 b-13 중에서 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 b-1> <화학식 b-2> <화학식 b-3> <화학식 b-4>
<화학식 b-5> <화학식 b-6> <화학식 b-7> <화학식 b-8>
<화학식 b-9> <화학식 b-10>
<화학식 b-11> <화학식 b-12> <화학식 b-13>
상기 화학식에서,
R5 내지 R7은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; C3~C20의 지방족고리와 C6~C20의 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -La-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
Y는 N-(La-Ara), O, S 또는 C(R')(R")이고,
Z1 내지 Z3은 서로 독립적으로 C, C(R') 또는 N이고, Z1 내지 Z3 중에서 적어도 하나는 N이며,
f는 0 내지 6의 정수이고, e, g, h, i는 각각 0 내지 4의 정수이고, j, k는 각각 0 내지 3의 정수이고, l은 각각 0 내지 2의 정수이고, m은 0 내지 3의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 복수의 R5 각각, 복수의 R6 각각, 복수의 R7 각각은 서로 동일하거나 상이하며,
상기 R' 및 R"는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; C3~C20의 지방족고리와 C6~C20의 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -La-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되며,
C(R')(R")에서 R'와 R"끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, C(R')에서 이웃한 R'끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
상기 Ara는 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 La는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C20의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A 내지 화학식 1-E 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 1-A> <화학식 1-B>
<화학식 1-C> <화학식 1-D>
<화학식 1-E>
상기 화학식에서,
Ar1, Ar2, L1 내지 L3, X1, R1, a는 제1항에서 정의된 것과 같고,
X2 및 X3은 서로 독립적으로 O 또는 S이며,
R4, R8 및 R9는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; C3~C20의 지방족고리와 C6~C20의 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -La-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
d1은 0~7의 정수이고, i 및 j는 각각 0~6의 정수이고, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 복수의 R4 각각, 복수의 R8 각각, 복수의 R9 각각은 서로 같거나 상이하며,
상기 La는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C20의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. - 제 4항에 있어서,
상기 화학식 1-A는 하기 화학식 1-A-1 내지 화학식 1-A-6 중에서 하나로 표시될 수 있는 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 1-A-1> <화학식 1-A-2> <화학식 1-A-3>
<화학식 1-A-4> <화학식 1-A-5> <화학식 1-A-6>
상기 화학식에서, Ar1, Ar2, L1~L3, X1, R1, a는 제4항에서 정의된 것과 같다. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 2는 하기 화학식 2-A 내지 화학식 2-C 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 2-A> <화학식 2-B> <화학식 2-C>
상기 화학식에서, Ar3, L4, R2~R4, W1, W2, b~d는 제1항에서 정의된 것과 같다. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 2는 하기 화학식 2-D 내지 화학식 2-I 중 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 2-D> <화학식 2-E> <화학식 2-F>
<화학식 2-G> <화학식 2-H> <화학식 2-I>
상기 화학식에서, Ar3, L4, R2~R4, W1, W2, b~d는 제1항에서 정의된 것과 같다. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 화합물:
. - 제 1항에 있어서,
상기 제 1화합물과 제2화합물의 중량비는 1:9 내지 9:1인 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제1항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및
상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치. - 제 11항에 있어서,
상기 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180163483A KR102597555B1 (ko) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| PCT/KR2019/016314 WO2020130389A1 (ko) | 2018-12-17 | 2019-11-26 | 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180163483A KR102597555B1 (ko) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200074746A KR20200074746A (ko) | 2020-06-25 |
| KR102597555B1 true KR102597555B1 (ko) | 2023-11-03 |
Family
ID=71102851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180163483A KR102597555B1 (ko) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102597555B1 (ko) |
| WO (1) | WO2020130389A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113528122B (zh) * | 2021-09-15 | 2022-03-11 | 浙江华显光电科技有限公司 | 一种二元组合物、制剂、有机发光器件及显示或照明装置 |
| WO2023085833A1 (ko) * | 2021-11-12 | 2023-05-19 | 주식회사 엘지화학 | 신규한 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| CN117343061A (zh) * | 2022-06-24 | 2024-01-05 | 陕西莱特光电材料股份有限公司 | 含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101857632B1 (ko) | 2018-02-02 | 2018-05-14 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102018682B1 (ko) * | 2016-05-26 | 2019-09-04 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| KR102211338B1 (ko) * | 2016-08-03 | 2021-02-03 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| KR101801003B1 (ko) * | 2016-08-23 | 2017-11-24 | 주식회사 두산 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| KR101847347B1 (ko) * | 2017-06-30 | 2018-04-09 | 주식회사 두산 | 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
| KR102597552B1 (ko) * | 2018-12-17 | 2023-11-03 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
-
2018
- 2018-12-17 KR KR1020180163483A patent/KR102597555B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-11-26 WO PCT/KR2019/016314 patent/WO2020130389A1/ko active Application Filing
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101857632B1 (ko) | 2018-02-02 | 2018-05-14 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020130389A1 (ko) | 2020-06-25 |
| KR20200074746A (ko) | 2020-06-25 |
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