KR102588746B1 - Flexible thermoelectric module - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 중심부(A)를 기준으로 방사 형태로 열전소자들이 복수 개 배치되고, 상기 열전소자(100)는 제1 유연성 기판(110), 제1 전극층(130), 반도체 소자(140), 제2 전극층(150) 및 제2 유연성 기판(120)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 열전모듈에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 유연성을 나타내어 곡면부나 불규칙한 표면을 갖는 부재에도 적용할 수 있고, 중심부(A)를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 열전소자들을 배치함으로써 열전 효율 및 방열 특성이 향상될 수 있다.In the present invention, a plurality of thermoelectric elements are arranged in a radial form with respect to the center A, and the thermoelectric elements 100 include a first flexible substrate 110, a first electrode layer 130, a semiconductor element 140, It relates to a flexible thermoelectric module characterized by comprising a second electrode layer (150) and a second flexible substrate (120). According to the present invention, it is flexible and can be applied to members with curved parts or irregular surfaces, and thermoelectric efficiency and heat dissipation characteristics can be improved by arranging a plurality of thermoelectric elements in a radiating form based on the center A.
Description
본 발명은 열전모듈에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유연성을 나타내어 곡면부나 불규칙한 표면을 갖는 부재에도 적용할 수 있고, 중심부를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 열전소자들을 배치함으로써 열전 효율 및 방열 특성이 향상될 수 있는 유연성 열전모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a thermoelectric module, and more specifically, it is flexible and can be applied to members with curved or irregular surfaces. Thermoelectric efficiency and heat dissipation characteristics are improved by arranging a large number of thermoelectric elements in a radiating form based on the center. This relates to a flexible thermoelectric module that can be improved.
열전현상은 독일의 물리학자 티.제이.제벡(T.J.Seebeck)이 처음 발견하였으며, 서로 다른 두개의 도체로 이루어진 한 회로에서 도체간의 접점에 다른 온도를 가해주면 전류 또는 전압이 발생하는 현상으로서, 뜨거운 곳에서 차가운 곳으로 이동하는 열흐름이 전류를 발생시키는 것이다. 이러한 현상을 제벡효과(Seebeck Effect)라고 한다. The thermoelectric phenomenon was first discovered by German physicist T.J.Seebeck. It is a phenomenon in which a current or voltage is generated when different temperatures are applied to the contact point between the conductors in a circuit consisting of two different conductors. The flow of heat moving from a cold place to a cold place generates an electric current. This phenomenon is called the Seebeck Effect.
프랑스의 장 샤를 아타나스 펠티에는 또 하나의 중요한 열전현상을 발견하였는데, 그것은 다른 도체로 이루어진 회로를 통해 직류전류를 흐르게 하면, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각되는 현상이다. 이를 펠티에효과(Peltier Effect)라고 한다. Jean-Charles Athanas Peltier of France discovered another important thermoelectric phenomenon: when a direct current flows through a circuit made of different conductors, one side of the junction between the different conductors is heated depending on the direction of the current. The other side is the cooling phenomenon. This is called the Peltier Effect.
윌리엄 톰슨은 기존의 펠티에효과와 제벡효과가 서로 연관된 것임을 밝혀내고 이들 사이의 상관관계를 정리하였으며, 이 과정에서 단일한 도체로 된 막대기의 양 끝에 전위차가 가해지면 이 도체의 양 끝에서 열의 흡수나 방출이 일어날 것이라는 톰슨효과(Thomson Effect)를 발견하였다.William Thompson discovered that the existing Peltier effect and Seebeck effect are related to each other and summarized the correlation between them. In this process, when a potential difference is applied to both ends of a stick made of a single conductor, heat is absorbed or absorbed at both ends of this conductor. The Thomson Effect, which predicts that emission will occur, was discovered.
열전모듈, 펠티어소자, 써모일렉트릭 쿨러(ThermoElectric Cooler; TEC), 써모일렉트릭 모듈(ThermoElectric Module; TEM) 등의 다양한 이름으로 불리고 있는 열전소자는 작은 열 펌프(Heat Pump)(저온의 열원으로부터 열을 흡수하여 고온의 열원에 열을 주는 장치)이다. 열전소자 양단에 직류 전압을 인가하면 열이 흡열부에서 발열부로 이동하게 되며, 따라서 시간이 지남에 따라 흡열부는 온도가 떨어지고 발열부는 온도가 상승하게 된다. 이때 인가전압의 극성을 바꿔주면 흡열부와 발열부는 서로 바뀌게 되고 열의 흐름도 반대가 된다.Thermoelectric elements, called by various names such as thermoelectric module, Peltier element, ThermoElectric Cooler (TEC), and ThermoElectric Module (TEM), are small heat pumps (absorb heat from low-temperature heat sources). It is a device that provides heat to a high temperature heat source. When a direct current voltage is applied to both ends of a thermoelectric element, heat moves from the heat-absorbing part to the heating part. Therefore, over time, the temperature of the heat-absorbing part decreases and the temperature of the heating part increases. At this time, if the polarity of the applied voltage is changed, the heat absorbing part and the heating part are switched, and the heat flow is also reversed.
일반적인 열전소자는 N 타입과 P 타입 열전반도체 소자 1쌍이 기본 단위가 된다. 직류(DC) 전압을 양단에 인가하면 N 타입에서는 전자(Electron)의 흐름에 따라, P 타입에서는 정공(Hole)의 흐름에 따라 열이 이동하여 흡열부의 온도가 낮아지게 된다. 이는 금속 내의 전자의 퍼텐셜에너지 차가 있기 때문에 퍼텐셜에너지가 낮은 상태에 있는 금속으로부터 높은 상태에 있는 금속으로 전자가 이동하기 위해서는 외부로부터 에너지를 얻어야 하기 때문에 접점에서 열에너지를 빼앗기고 반대의 경우에는 열에너지가 방출되게 되는 원리이다. 이러한 흡열(냉각)은 전류의 흐름과 써모일렉트릭 커플(thermoelectric couple)(N, P타입 1쌍)의 수에 비례하게 된다.The basic unit of a typical thermoelectric element is a pair of N-type and P-type thermoelectric semiconductor elements. When direct current (DC) voltage is applied to both ends, heat moves according to the flow of electrons in the N type and according to the flow of holes in the P type, lowering the temperature of the heat absorbing part. This is because there is a difference in the potential energy of electrons in the metal, so in order for electrons to move from a metal in a low potential energy state to a metal in a high state, energy must be obtained from the outside, so heat energy is taken from the contact point, and in the opposite case, heat energy is released. This is the principle. This heat absorption (cooling) is proportional to the flow of current and the number of thermoelectric couples (1 pair of N and P types).
그러나, 종래의 열전소자는 유연성이 없으므로 곡면부나 불규칙한 표면을 갖는 부재에도 적용할 수 없는 한계가 있었다. However, since conventional thermoelectric elements are not flexible, there is a limitation in that they cannot be applied to members with curved or irregular surfaces.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 유연성을 나타내어 곡면부나 불규칙한 표면을 갖는 부재에도 적용할 수 있고, 중심부를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 열전소자들을 배치함으로써 열전 효율 및 방열 특성이 향상될 수 있는 유연성 열전모듈을 제공함에 있다. The problem to be solved by the present invention is that it exhibits flexibility so that it can be applied to members with curved parts or irregular surfaces, and that thermoelectric efficiency and heat dissipation characteristics can be improved by arranging a large number of thermoelectric elements in a radiating form based on the center. It provides thermoelectric modules.
본 발명은, 중심부(A)를 기준으로 방사 형태로 열전소자들이 복수 개 배치되고, 상기 열전소자(100)는 제1 유연성 기판(110), 제1 전극층(130), 반도체 소자(140), 제2 전극층(150) 및 제2 유연성 기판(120)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 열전모듈을 제공한다. In the present invention, a plurality of thermoelectric elements are arranged in a radial form with respect to the center A, and the thermoelectric elements 100 include a first flexible substrate 110, a first electrode layer 130, a semiconductor element 140, A flexible thermoelectric module is provided, comprising a second electrode layer (150) and a second flexible substrate (120).
상기 제1 유연성 기판(110) 및 상기 제2 유연성 기판(120)의 사이에 구비된 상기 반도체 소자(140)는 P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)를 포함할 수 있고, 상기 P형 반도체 소자(P)와 상기 N형 반도체 소자(N)는 전기적으로 서로 연결되어 있다.The semiconductor device 140 provided between the first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may include a P-type semiconductor device (P) and an N-type semiconductor device (N), The P-type semiconductor device (P) and the N-type semiconductor device (N) are electrically connected to each other.
상기 제1 유연성 기판(110) 및 상기 제2 유연성 기판(120)은 유연성이 있는 폴리머 재질로 이루어진 기판일 수 있다.The first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may be made of a flexible polymer material.
상기 제1 유연성 기판(110) 및 상기 제2 유연성 기판(120)은 유연성이 있는 폴리이미드(poly imide) 또는 실리콘(silicon) 계열의 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.The first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may be made of a flexible polyimide or silicon-based polymer material.
상기 제1 유연성 기판(110) 및 제2 유연성 기판(120)은 BN, Al2O3, Si3N4 및 SiC로 이루어진 군으로 부터 선택된 1종 이상의 방열 필러를 더 포함할 수 있다.The first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may further include one or more heat dissipation fillers selected from the group consisting of BN, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 and SiC.
상기 제1 유연성 기판(110) 및 상기 제2 유연성 기판(120)은 0.1∼1 ㎜의 두께를 갖는 것이 바람직하다.The first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 preferably have a thickness of 0.1 to 1 mm.
상기 반도체 소자(140) 및 상기 전극층(130, 150)의 열화를 방지하기 위해 유기물 또는 무기물로 코팅 처리될 수 있다.To prevent deterioration of the semiconductor device 140 and the electrode layers 130 and 150, they may be coated with an organic or inorganic material.
상기 유기물은 유연성을 갖는 폴리이미드(PI) 또는 실리콘계열의 폴리머일 수 있다.The organic material may be flexible polyimide (PI) or a silicone-based polymer.
상기 무기물은 실리카(Silica), Al2O3 및 TiO2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.The inorganic material may include one or more materials selected from the group consisting of silica, Al 2 O 3 and TiO 2 .
상기 제1 전극층(130)은 동심원을 따라 서로 이격되게 구비될 수 있고, 상기 제2 전극층(150)도 동심원을 따라 서로 이격되게 구비될 수 있다.The first electrode layer 130 may be provided to be spaced apart from each other along a concentric circle, and the second electrode layer 150 may also be provided to be spaced apart from each other along a concentric circle.
본 발명에 의하면, 유연성을 나타내어 곡면부나 불규칙한 표면을 갖는 부재에도 적용할 수 있고, 중심부(A)를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 열전소자들을 배치함으로써 열전 효율 및 방열 특성이 향상될 수 있다.According to the present invention, it is flexible and can be applied to members with curved parts or irregular surfaces, and thermoelectric efficiency and heat dissipation characteristics can be improved by arranging a plurality of thermoelectric elements in a radiating form based on the center A.
도 1은 열전소자의 단면을 보여주는 도면이다.
도 2는 열전소자의 배치 및 연결관계를 나타낸 단면도이다.
도 3은 유연성 열전모듈을 보여주는 사시도로서 열전소자의 배치 및 연결관계를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 평면도이다.
도 5는 도 3의 평면도에서 동심원을 나타낸 도면이다. 1 is a diagram showing a cross section of a thermoelectric element.
Figure 2 is a cross-sectional view showing the arrangement and connection relationship of thermoelectric elements.
Figure 3 is a perspective view showing a flexible thermoelectric module and is a diagram showing the arrangement and connection relationship of thermoelectric elements.
Figure 4 is a top view of Figure 3.
Figure 5 is a diagram showing concentric circles in the plan view of Figure 3.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. However, the following examples are provided to enable those skilled in the art to fully understand the present invention, and may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is limited to the examples described below. It doesn't work.
발명의 상세한 설명 또는 청구범위에서 어느 하나의 구성요소가 다른 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 당해 구성요소만으로 이루어지는 것으로 한정되어 해석되지 아니하며, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것으로 이해되어야 한다.When it is said that one component "includes" another component in the detailed description or claims of the invention, this shall not be construed as being limited to consisting of only that component, unless specifically stated to the contrary, and other components may not be added. It must be understood that it can be included.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유연성 열전모듈은, 중심부(A)를 기준으로 방사 형태로 열전소자들이 복수 개 배치되고, 상기 열전소자(100)는 제1 유연성 기판(110), 제1 전극층(130), 반도체 소자(140), 제2 전극층(150) 및 제2 유연성 기판(120)을 포함한다. The flexible thermoelectric module according to a preferred embodiment of the present invention has a plurality of thermoelectric elements arranged in a radial form with respect to the center (A), and the thermoelectric element 100 includes a first flexible substrate 110, a first electrode layer ( 130), a semiconductor device 140, a second electrode layer 150, and a second flexible substrate 120.
상기 제1 유연성 기판(110) 및 상기 제2 유연성 기판(120)의 사이에 구비된 상기 반도체 소자(140)는 P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)를 포함할 수 있고, 상기 P형 반도체 소자(P)와 상기 N형 반도체 소자(N)는 전기적으로 서로 연결되어 있다.The semiconductor device 140 provided between the first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may include a P-type semiconductor device (P) and an N-type semiconductor device (N), The P-type semiconductor device (P) and the N-type semiconductor device (N) are electrically connected to each other.
상기 제1 유연성 기판(110) 및 상기 제2 유연성 기판(120)은 유연성이 있는 폴리머 재질로 이루어진 기판일 수 있다.The first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may be made of a flexible polymer material.
상기 제1 유연성 기판(110) 및 상기 제2 유연성 기판(120)은 유연성이 있는 폴리이미드(poly imide) 또는 실리콘(silicon) 계열의 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.The first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may be made of a flexible polyimide or silicon-based polymer material.
상기 제1 유연성 기판(110) 및 제2 유연성 기판(120)은 BN, Al2O3, Si3N4 및 SiC로 이루어진 군으로 부터 선택된 1종 이상의 방열 필러를 더 포함할 수 있다.The first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may further include one or more heat dissipation fillers selected from the group consisting of BN, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 and SiC.
상기 제1 유연성 기판(110) 및 상기 제2 유연성 기판(120)은 0.1∼1 ㎜의 두께를 갖는 것이 바람직하다.The first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 preferably have a thickness of 0.1 to 1 mm.
상기 반도체 소자(140) 및 상기 전극층(130, 150)의 열화를 방지하기 위해 유기물 또는 무기물로 코팅 처리될 수 있다.To prevent deterioration of the semiconductor device 140 and the electrode layers 130 and 150, they may be coated with an organic or inorganic material.
상기 유기물은 유연성을 갖는 폴리이미드(PI) 또는 실리콘계열의 폴리머일 수 있다.The organic material may be flexible polyimide (PI) or a silicone-based polymer.
상기 무기물은 실리카(Silica), Al2O3 및 TiO2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.The inorganic material may include one or more materials selected from the group consisting of silica, Al 2 O 3 and TiO 2 .
상기 제1 전극층(130)은 동심원을 따라 서로 이격되게 구비될 수 있고, 상기 제2 전극층(150)도 동심원을 따라 서로 이격되게 구비될 수 있다.The first electrode layer 130 may be provided to be spaced apart from each other along a concentric circle, and the second electrode layer 150 may also be provided to be spaced apart from each other along a concentric circle.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유연성 열전모듈을 더욱 구체적으로 설명한다.Below, a flexible thermoelectric module according to a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail.
본 발명은 재료의 양단간의 온도차가 주어지면 제벡(Seebeck) 효과에 의해 전압이 발생하는 것을 이용하는 열전발전(Thermoelectric Power Generation)과 재료의 양단간에 직류전류를 인가하면 한 면이 발열하고 다른 면이 흡열하는 펠티에(Peltier) 효과를 이용하는 열전냉각(Thermoelectric Cooling) 등의 열·전기에너지 직접 변환이 가능하고, 유연성을 나타내어 곡면부나 불규칙한 표면을 갖는 부재에도 적용할 수 있는 열전모듈을 제시한다. The present invention relates to Thermoelectric Power Generation, which utilizes the generation of voltage by the Seebeck effect when a temperature difference between both ends of a material is given, and when a direct current is applied between both ends of a material, one side generates heat and the other side absorbs heat. We present a thermoelectric module that enables direct conversion of thermal and electrical energy, such as thermoelectric cooling using the Peltier effect, and that is flexible and can be applied to members with curved or irregular surfaces.
제벡 효과를 이용한 열전발전은 신뢰성이 높고, 출력 안정성이 높을 뿐만 아니라 이산화탄소(CO2)를 발생하지 않는 발전이므로 친환경적이고, 펠티에 효과를 이용한 열전냉각은 정밀 온도 제어가 가능하고, 응답속도가 빠르며, 소음이 나지 않을 뿐만 아니라 프레온 가스를 방생하지 않는 냉각이므로 친환경적이다. Thermoelectric power generation using the Seebeck effect is not only highly reliable and stable in output, but is also eco-friendly as it does not generate carbon dioxide (CO 2 ). Thermoelectric cooling using the Peltier effect enables precise temperature control and has a fast response speed. Not only does it make no noise, but it is also eco-friendly as it cools without emitting Freon gas.
도 1 내지 도 5는 유연성 열전모듈을 보여주는 도면으로, 도 1은 열전소자의 단면을 보여주는 도면이고, 도 2는 열전소자의 배치 및 연결관계를 나타낸 단면도이고, 도 3은 유연성 열전모듈을 보여주는 사시도로서 열전소자의 배치 및 연결관계를 나타낸 도면이며, 도 4은 도 3의 평면도이고, 도 5는 도 3의 평면도에서 동심원(136)을 나타낸 도면이다. 도 3 내지 도 5에서는 열전소자의 배치 및 연결관계를 더욱 명확히 보여주기 위하여 제2 유연성기판(120)을 도시하지 않았다. 1 to 5 are views showing a flexible thermoelectric module, FIG. 1 is a view showing a cross section of a thermoelectric element, FIG. 2 is a cross sectional view showing the arrangement and connection relationship of the thermoelectric element, and FIG. 3 is a perspective view showing a flexible thermoelectric module. It is a diagram showing the arrangement and connection relationship of thermoelectric elements, FIG. 4 is a plan view of FIG. 3, and FIG. 5 is a diagram showing concentric circles 136 in the plan view of FIG. 3. 3 to 5, the second flexible substrate 120 is not shown in order to more clearly show the arrangement and connection relationship of the thermoelectric elements.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유연성 열전모듈은 중심부(A)를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 열전소자(100)들을 배치하여 구성된다. Referring to FIGS. 1 to 5, the flexible thermoelectric module according to a preferred embodiment of the present invention is configured by arranging a plurality of thermoelectric elements 100 in a radial form with respect to the center A.
열전소자(100)는 제1 유연성 기판(110), 제1 전극층(130), 반도체 소자(140), 제2 전극층(150) 및 제2 유연성 기판(120)을 포함할 수 있다.The thermoelectric element 100 may include a first flexible substrate 110, a first electrode layer 130, a semiconductor element 140, a second electrode layer 150, and a second flexible substrate 120.
제1 유연성 기판(110)과 제2 유연성 기판(120)은 서로 마주보며 이격되도록 배치될 수 있다. The first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may be arranged to face each other and be spaced apart.
제1 전극층(130)과 제2 전극층(150)은 제1 유연성 기판(110)과 제2 유연성 기판(120) 사이에 배치될 수 있다. 제1 전극층(130)은 제1 유연성 기판(110)의 상부에 구비되고, 제2 전극층(150)은 제2 유연성 기판(120)의 하부에 구비될 수 있다. 중심부(A)를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 열전소자(100)들을 배치하는 것을 고려하여 제1 전극층(130)을 배치한다. 예컨대, 복수 개의 제1 전극층(130)을 중심부(A)를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 배치한다. 복수 개의 제1 전극층(130)은 동심원(136)을 따라 서로 이격되게 구비될 수 있다. 중심부(A)를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 열전소자(100)들을 배치하는 것을 고려하여 제2 전극층(150)을 배치한다. 예컨대, 복수 개의 제2 전극층(150)을 중심부(A)를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 배치한다. 복수 개의 제2 전극층(150)도 동심원(136)을 따라 서로 이격되게 구비될 수 있다. 상기 동심원(136)은 중심부(A)을 기준으로 동일 반경으로 원 형태를 이루고 있을 수 있다. The first electrode layer 130 and the second electrode layer 150 may be disposed between the first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120. The first electrode layer 130 may be provided on the top of the first flexible substrate 110, and the second electrode layer 150 may be provided on the bottom of the second flexible substrate 120. The first electrode layer 130 is arranged in consideration of arranging a plurality of thermoelectric elements 100 in a radial form based on the center A. For example, a plurality of first electrode layers 130 are arranged in a radial form based on the center A. A plurality of first electrode layers 130 may be provided to be spaced apart from each other along a concentric circle 136. The second electrode layer 150 is arranged in consideration of arranging a plurality of thermoelectric elements 100 in a radial form based on the center A. For example, a plurality of second electrode layers 150 are arranged radially from the center A. A plurality of second electrode layers 150 may also be provided to be spaced apart from each other along the concentric circle 136. The concentric circles 136 may have a circular shape with the same radius based on the center A.
반도체 소자(140)는 상기 제1 전극층(130)과 제2 전극층(150) 사이에 구비될 수 있다.The semiconductor device 140 may be provided between the first electrode layer 130 and the second electrode layer 150.
제1 유연성 기판(110) 및 제2 유연성 기판(120)의 사이에 구비된 반도체 소자(140)는 P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)를 포함할 수 있다. P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)는 전기적으로 서로 연결되어 펠티어 효과를 구현하게 된다. 반도체 소자(140)는 서로 직렬 연결될 수 있다. 제1 전극층(130)은 서로 이웃한 한 쌍의 N형 반도체 소자(N)의 일단과 P형 반도체 소자(P)의 일단을 전기적으로 연결할 수 있다. 또한, 제2 전극층(150)은 서로 이웃한 한 쌍의 N형 반도체 소자(N)의 타단과 P형 반도체 소자(P)의 타단을 전기적으로 연결할 수 있다.The semiconductor device 140 provided between the first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may include a P-type semiconductor device (P) and an N-type semiconductor device (N). The P-type semiconductor device (P) and N-type semiconductor device (N) are electrically connected to each other to implement the Peltier effect. The semiconductor devices 140 may be connected to each other in series. The first electrode layer 130 may electrically connect one end of a pair of N-type semiconductor elements (N) adjacent to each other and one end of a P-type semiconductor element (P). Additionally, the second electrode layer 150 may electrically connect the other end of a pair of N-type semiconductor devices (N) adjacent to each other with the other end of the P-type semiconductor device (P).
제1 유연성 기판(110) 및 제2 유연성 기판(120)은 유연성이 있는 재질로 이루어진 기판일 수 있다. 예컨대, 제1 유연성 기판(110) 및 제2 유연성 기판(120)은 유연성이 있는 PI(poly imide), 실리콘(silicon) 등의 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 유연성 기판(110) 및 제2 유연성 기판(120)은 BN, Al2O3, Si3N4, SiC, 이들의 혼합물 등의 방열 필러를 더 포함할 수도 있다. 상기 방열 필러는 PI(poly imide), 실리콘(silicon) 등의 폴리머 재질로 기판을 제조하는 과정에서 폴리머 원료와 함께 투입되어 폴리머 내에 함유될 수 있다.The first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may be made of a flexible material. For example, the first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may be made of a flexible polymer material such as poly imide (PI) or silicon. In addition, the first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 may further include a heat dissipation filler such as BN, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiC, or a mixture thereof. The heat dissipating filler may be added together with the polymer raw material and contained within the polymer during the process of manufacturing a substrate from a polymer material such as polyimide (PI) or silicon.
제1 유연성 기판(110)은 0.1∼1 ㎜ 정도의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 제1 유연성 기판(110)의 두께가 0.1㎜ 보나 얇거나 1㎜를 초과할 경우는 방열 특성이 지나치게 높거나 열전도율이 너무 높아 열전소자의 신뢰성이 저하될 수 있다. The first flexible substrate 110 preferably has a thickness of about 0.1 to 1 mm. If the thickness of the first flexible substrate 110 is thinner than 0.1 mm or exceeds 1 mm, the reliability of the thermoelectric element may be reduced due to too high heat dissipation characteristics or too high thermal conductivity.
제2 유연성 기판(120)도 0.1∼1 ㎜ 정도의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 제2 유연성 기판(120)의 두께가 0.1㎜ 보나 얇거나 1㎜를 초과할 경우는 방열 특성이 지나치게 높거나 열전도율이 너무 높아 열전소자의 신뢰성이 저하될 수 있다. The second flexible substrate 120 also preferably has a thickness of about 0.1 to 1 mm. If the thickness of the second flexible substrate 120 is thinner than 0.1 mm or exceeds 1 mm, the heat dissipation characteristics may be too high or the thermal conductivity may be too high, which may reduce the reliability of the thermoelectric element.
제1 전극층(130) 및 제2 전극층(150)은 Cu, Ag, Au, Ni, Pt, Pd 등의 금속 또는 이들의 금속합금 재질로 이루어질 수 있다. 제1 전극층(130) 및 제2 전극층(150)은 P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)를 전기적으로 연결한다. 제1 전극층(130) 및 제2 전극층(150)의 두께는 0.01∼0.5 ㎜ 정도인 것이 바람직하다. 제1 전극층(130) 및 제2 전극층(150)의 두께가 0.01㎜ 미만일 경우에는 전기 전도율이 불량할 수 있으며, 0.5㎜를 초과하는 경우에도 저항의 증가로 전도 효율이 낮아질 수 있다.The first electrode layer 130 and the second electrode layer 150 may be made of metals such as Cu, Ag, Au, Ni, Pt, and Pd, or metal alloys thereof. The first electrode layer 130 and the second electrode layer 150 electrically connect the P-type semiconductor device (P) and the N-type semiconductor device (N). The thickness of the first electrode layer 130 and the second electrode layer 150 is preferably about 0.01 to 0.5 mm. If the thickness of the first electrode layer 130 and the second electrode layer 150 is less than 0.01 mm, electrical conductivity may be poor, and even if it exceeds 0.5 mm, conduction efficiency may be lowered due to an increase in resistance.
P형 반도체 소자(P)는 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 타이타늄(Ti), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 네오비늄(Nb), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무트(Bi), 인듐(In), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 알칼리금속(Alkali metal), 알칼리토금속(Alkali earth metal) 및 란타나이드금속(Lanthanide metal)으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상의 물질 등을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. P-type semiconductor elements (P) include antimony (Sb), nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe), titanium (Ti), hafnium (Hf), vanadium (V), neovinium (Nb), and aluminum. (Al), copper (Cu), silver (Ag), lead (Pb), boron (B), gallium (Ga), tellurium (Te), bismuth (Bi), indium (In), tin (Sn), It may be made of a material containing two or more materials selected from the group consisting of zirconium (Zr), alkali metal, alkaline earth metal, and lanthanide metal.
N형 반도체 소자(N)는 셀레늄(Se), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무트(Bi), 인듐(In), 주석(Sn), 알칼리금속(Alkali metal), 알칼리토금속(Alkali earth metal) 및 란타나이드금속(Lanthanide metal)으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상의 물질 등을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. N-type semiconductor elements (N) include selenium (Se), antimony (Sb), nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), aluminum ( Al), copper (Cu), silver (Ag), lead (Pb), boron (B), gallium (Ga), tellurium (Te), bismuth (Bi), indium (In), tin (Sn), alkali It may be made of a material containing two or more materials selected from the group consisting of alkali metal, alkaline earth metal, and lanthanide metal.
P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)는 서로 대향하게 구비되며, P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N) 한 쌍이 단위셀을 이룬다. P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)는 그 형상이나 크기가 동일할 수 있으나, 냉각 효율을 개선하기 위하여 한쪽의 체적을 상호 대향하는 다른 반도체 소자의 체적과 상이하게 형성할 수도 있다. 예컨대, N형 반도체 소자의 직경을 P형 반도체 소자의 직경보다 더 크게 형성함으로써 체적을 증가시켜 열전효율을 개선할 수 있다.The P-type semiconductor device (P) and the N-type semiconductor device (N) are provided to face each other, and a pair of the P-type semiconductor device (P) and the N-type semiconductor device (N) form a unit cell. The P-type semiconductor device (P) and the N-type semiconductor device (N) may have the same shape or size, but in order to improve cooling efficiency, the volume of one side may be formed to be different from the volume of the other opposing semiconductor device. there is. For example, by forming the diameter of the N-type semiconductor device to be larger than the diameter of the P-type semiconductor device, thermoelectric efficiency can be improved by increasing the volume.
제1 전극층(130)과 반도체 소자(140) 사이에는 제1 솔더(132)가 구비될 수 있고, 반도체 소자(140)와 제2 전극층(150) 사이에는 제2 솔더(134)가 구비될 수 있다. 상기 제1 솔더(132)는 반도체 소자(140)와 제1 전극층(130)을 접합하고, 상기 제2 솔더(134)는 반도체 소자(140)와 제2 전극층(150)을 접합하는 역할을 한다. 상기 제1 및 제2 솔더(132, 134)는 은(Ag), PbSn, CuAgSn 등과 같이 솔더링에 사용되는 재질로 이루어질 수 있다. A first solder 132 may be provided between the first electrode layer 130 and the semiconductor element 140, and a second solder 134 may be provided between the semiconductor element 140 and the second electrode layer 150. there is. The first solder 132 serves to bond the semiconductor device 140 and the first electrode layer 130, and the second solder 134 serves to bond the semiconductor device 140 and the second electrode layer 150. . The first and second solders 132 and 134 may be made of materials used in soldering, such as silver (Ag), PbSn, CuAgSn, etc.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유연성 열전모듈은 제1 유연성 기판(110), 제1 전극층(130), 반도체 소자(140), 제2 전극층(150) 및 제2 유연성 기판(120)을 포함하는 열전소자(100)가 방사형 구조로 배치된다. 열전소자(100)는 동일 간격으로 방사형 구조로 배치되는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니고 열전소자(100)와 열전소자(100) 사이의 간격이 서로 다를 수도 있음은 물론이다. The flexible thermoelectric module according to a preferred embodiment of the present invention includes a first flexible substrate 110, a first electrode layer 130, a semiconductor element 140, a second electrode layer 150, and a second flexible substrate 120. The thermoelectric element 100 is arranged in a radial structure. It is preferable that the thermoelectric elements 100 are arranged in a radial structure at equal intervals, but this is not limited, and of course, the spacing between the thermoelectric elements 100 and the thermoelectric elements 100 may be different.
일 예로서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유연성 열전모듈은 중심부(A)를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 열전소자들을 배치함으로써, 열전 효율 및 방열 특성이 향상될 수가 있다. As an example, the flexible thermoelectric module according to a preferred embodiment of the present invention can improve thermoelectric efficiency and heat dissipation characteristics by arranging a plurality of thermoelectric elements in a radiating form with respect to the center A.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 열전모듈은 유연성을 나타내며, 따라서 곡면부나 불규칙한 표면을 갖는 부재에도 적용할 수 있다. The thermoelectric module according to a preferred embodiment of the present invention exhibits flexibility, and therefore can be applied to members with curved or irregular surfaces.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유연성 열전모듈은 반도체 소자(140) 및 전극층(130, 150)의 열화를 방지하기 위해서 유기물 또는 무기물로 코팅 처리 될 수 있다. 상기 유기물로 유연성 기판(110, 120)과 동일한 폴리이미드(PI) 또는 실리콘계 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 다만, 이러한 코팅용 유기물에는 열전도도를 낮추기 위해 방열 필러가 적용되지 않는 것이 바람직하다. 상기 무기물은 실리카(Silica), Al2O3 및 TiO2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.The flexible thermoelectric module according to a preferred embodiment of the present invention may be coated with an organic or inorganic material to prevent deterioration of the semiconductor device 140 and the electrode layers 130 and 150. It is preferable to use the same polyimide (PI) or silicon-based material as the flexible substrates 110 and 120 as the organic material. However, it is preferable that heat dissipation filler is not applied to such coating organic materials in order to lower thermal conductivity. The inorganic material may include one or more materials selected from the group consisting of silica, Al 2 O 3 and TiO 2 .
또한, 상기 유연성 열전모듈에는 외부의 전원 또는 소자 등과 전기적으로 연결하기 위한 전극선(L1, L2)이 구비될 수 있다. Additionally, the flexible thermoelectric module may be provided with electrode wires (L1, L2) for electrical connection to an external power source or device.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유연성 열전모듈을 제조하는 방법을 설명한다. Below, a method for manufacturing a flexible thermoelectric module according to a preferred embodiment of the present invention will be described.
제1 유연성 기판(110)을 준비한다. 제1 유연성 기판(110)은 유연성이 있는 PI(poly imide), 실리콘(silicon) 등의 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 유연성 기판(110)은 BN, Al2O3, Si3N4, SiC, 이들의 혼합물 등의 방열 필러를 더 포함할 수도 있다. 상기 방열 필러는 PI(poly imide), 실리콘(silicon) 등의 폴리머 재질로 제1 유연성 기판을 제조하는 과정에서 폴리머 원료와 함께 투입되어 폴리머 내에 함유될 수 있다. 제1 유연성 기판(110)은 0.1∼1 ㎜ 정도의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 제1 유연성 기판(110)의 두께가 0.1㎜ 보나 얇거나 1㎜를 초과할 경우는 방열 특성이 지나치게 높거나 열전도율이 너무 높아 열전소자의 신뢰성이 저하될 수 있다. Prepare a first flexible substrate 110. The first flexible substrate 110 may be made of a flexible polymer material such as poly imide (PI) or silicon. Additionally, the first flexible substrate 110 may further include a heat dissipation filler such as BN, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiC, or a mixture thereof. The heat dissipating filler may be added together with the polymer raw material and contained in the polymer during the process of manufacturing the first flexible substrate using a polymer material such as polyimide (PI) or silicon. The first flexible substrate 110 preferably has a thickness of about 0.1 to 1 mm. If the thickness of the first flexible substrate 110 is thinner than 0.1 mm or exceeds 1 mm, the reliability of the thermoelectric element may be reduced due to too high heat dissipation characteristics or too high thermal conductivity.
제1 유연성 기판(110)에 제1 전극층(130)을 형성하기 위해 마스킹(Masking) 한다. 제1 전극층(130)이 형성될 영역은 개방하고 그 이외의 부분은 차폐하는 포토레지스트를 도포하여 마스킹 할 수 있다. 상기 마스킹은 중심부(A)를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 열전소자(100)들을 배치하는 것을 고려하여 수행한다. 제1 전극층(130)은 동심원(136)을 따라 서로 이격되게 구비될 수 있다. 상기 동심원(136)은 중심부(A)을 기준으로 동일 반경으로 원 형태를 이루고 있을 수 있다.Masking is performed to form the first electrode layer 130 on the first flexible substrate 110. The area where the first electrode layer 130 will be formed can be opened and the other parts can be masked by applying photoresist to shield them. The masking is performed by considering the arrangement of a plurality of thermoelectric elements 100 in a radial form with respect to the center A. The first electrode layer 130 may be provided to be spaced apart from each other along the concentric circle 136. The concentric circles 136 may have a circular shape with the same radius based on the center A.
마스킹된 제1 유연성 기판(110)에 E-beam 증착 장치를 이용하여 전극물질을 증착하고, 포토레지스트를 제거한다. 상기와 같은 과정을 통해 제1 전극층(130)이 형성되게 된다. 제1 전극층(130)은 Cu, Ag, Au, Ni, Pt, Pd 등의 금속 또는 이들의 금속합금 재질로 이루어질 수 있다. 제1 전극층(130)의 두께는 0.01∼0.5 ㎜ 정도인 것이 바람직하다. 제1 전극층(130)의 두께가 0.01㎜ 미만일 경우에는 전기 전도율이 불량할 수 있으며, 0.5㎜를 초과하는 경우에도 저항의 증가로 전도 효율이 낮아질 수 있다. 제1 전극층(130)은 중심부(A)를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 열전소자(100)들을 배치하는 것을 고려하여 형성한다. An electrode material is deposited on the masked first flexible substrate 110 using an E-beam deposition device, and the photoresist is removed. The first electrode layer 130 is formed through the above process. The first electrode layer 130 may be made of a metal such as Cu, Ag, Au, Ni, Pt, or Pd, or a metal alloy material thereof. The thickness of the first electrode layer 130 is preferably about 0.01 to 0.5 mm. If the thickness of the first electrode layer 130 is less than 0.01 mm, electrical conductivity may be poor, and even if it exceeds 0.5 mm, conduction efficiency may be lowered due to an increase in resistance. The first electrode layer 130 is formed by considering the arrangement of a plurality of thermoelectric elements 100 in a radial form with respect to the center A.
제1 전극층(130)에 반도체 소자(140)를 접합시킨다. 반도체 소자(140)는 P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)를 포함할 수 있다. P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)는 전기적으로 서로 연결되어 제벡 및 펠티어 효과를 구현하게 된다. 제1 전극층(130)은 P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)를 전기적으로 연결한다. 반도체 소자(140)는 서로 직렬 연결되게 한다. 예컨대, 제1 전극층(130)은 서로 이웃한 한 쌍의 N형 반도체 소자(N)의 일단과 P형 반도체 소자(P)의 일단을 전기적으로 연결되게 한다.The semiconductor device 140 is bonded to the first electrode layer 130. The semiconductor device 140 may include a P-type semiconductor device (P) and an N-type semiconductor device (N). The P-type semiconductor element (P) and the N-type semiconductor element (N) are electrically connected to each other to implement the Seebeck and Peltier effects. The first electrode layer 130 electrically connects the P-type semiconductor device (P) and the N-type semiconductor device (N). The semiconductor elements 140 are connected in series with each other. For example, the first electrode layer 130 electrically connects one end of a pair of N-type semiconductor elements (N) adjacent to each other to one end of a P-type semiconductor element (P).
P형 반도체 소자(P)는 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 타이타늄(Ti), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 네오비늄(Nb), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무트(Bi), 인듐(In), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 알칼리금속(Alkali metal), 알칼리토금속(Alkali earth metal) 및 란타나이드금속(Lanthanide metal)으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상의 물질 등을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. P-type semiconductor elements (P) include antimony (Sb), nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe), titanium (Ti), hafnium (Hf), vanadium (V), neovinium (Nb), and aluminum. (Al), copper (Cu), silver (Ag), lead (Pb), boron (B), gallium (Ga), tellurium (Te), bismuth (Bi), indium (In), tin (Sn), It may be made of a material containing two or more materials selected from the group consisting of zirconium (Zr), alkali metal, alkaline earth metal, and lanthanide metal.
N형 반도체 소자(N)는 셀레늄(Se), 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무트(Bi), 인듐(In), 주석(Sn), 알칼리금속(Alkali metal), 알칼리토금속(Alkali earth metal) 및 란타나이드금속(Lanthanide metal)으로 이루어진 군으로부터 선택된 2종 이상의 물질 등을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. N-type semiconductor elements (N) include selenium (Se), antimony (Sb), nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), aluminum ( Al), copper (Cu), silver (Ag), lead (Pb), boron (B), gallium (Ga), tellurium (Te), bismuth (Bi), indium (In), tin (Sn), alkali It may be made of a material containing two or more materials selected from the group consisting of alkali metal, alkaline earth metal, and lanthanide metal.
P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)는 서로 대향하게 배치하며, P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N) 한 쌍이 단위셀을 이룬다. P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)는 그 형상이나 크기가 동일할 수 있으나, 냉각 효율을 개선하기 위하여 한쪽의 체적을 상호 대향하는 다른 반도체 소자의 체적과 상이하게 형성할 수도 있다. 예컨대, N형 반도체 소자의 직경을 P형 반도체 소자의 직경보다 더 크게 형성함으로써 체적을 증가시켜 열전효율을 개선할 수 있다.The P-type semiconductor device (P) and the N-type semiconductor device (N) are arranged to face each other, and a pair of the P-type semiconductor device (P) and the N-type semiconductor device (N) form a unit cell. The P-type semiconductor device (P) and the N-type semiconductor device (N) may have the same shape or size, but in order to improve cooling efficiency, the volume of one side may be formed to be different from the volume of the other opposing semiconductor device. there is. For example, by forming the diameter of the N-type semiconductor device to be larger than the diameter of the P-type semiconductor device, thermoelectric efficiency can be improved by increasing the volume.
제1 전극층(130)과 반도체 소자(140) 사이에는 제1 솔더(132)가 구비될 수 있다. 상기 제1 솔더(132)는 반도체 소자(140)와 제1 전극층(130)을 접합하는 역할을 한다. 상기 제1 솔더(132)는 은(Ag), PbSn, CuAgSn 등과 같이 솔더링에 사용되는 재질로 이루어질 수 있다. A first solder 132 may be provided between the first electrode layer 130 and the semiconductor device 140. The first solder 132 serves to bond the semiconductor device 140 and the first electrode layer 130. The first solder 132 may be made of a material used in soldering, such as silver (Ag), PbSn, CuAgSn, etc.
제2 유연성 기판(120)을 준비한다. 제2 유연성 기판(120)은 유연성이 있는 PI(poly imide), 실리콘(silicon) 등의 폴리머 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 제2 유연성 기판(120)은 BN, Al2O3, Si3N4, SiC, 이들의 혼합물 등의 방열 필러를 더 포함할 수도 있다. 상기 방열 필러는 PI(poly imide), 실리콘(silicon) 등의 폴리머 재질로 제2 유연성 기판을 제조하는 과정에서 폴리머 원료와 함께 투입되어 폴리머 내에 함유될 수 있다. 제2 유연성 기판(120)은 0.1∼1 ㎜ 정도의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 제2 유연성 기판(120)의 두께가 0.1㎜ 보나 얇거나 1㎜를 초과할 경우는 방열 특성이 지나치게 높거나 열전도율이 너무 높아 열전소자의 신뢰성이 저하될 수 있다. Prepare a second flexible substrate 120. The second flexible substrate 120 may be made of a flexible polymer material such as poly imide (PI) or silicon. Additionally, the second flexible substrate 120 may further include a heat dissipation filler such as BN, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiC, or a mixture thereof. The heat dissipation filler may be added together with the polymer raw material and contained in the polymer during the process of manufacturing the second flexible substrate using a polymer material such as polyimide (PI) or silicon. The second flexible substrate 120 preferably has a thickness of about 0.1 to 1 mm. If the thickness of the second flexible substrate 120 is thinner than 0.1 mm or exceeds 1 mm, the heat dissipation characteristics may be too high or the thermal conductivity may be too high, which may reduce the reliability of the thermoelectric element.
제2 유연성 기판(120)에 제2 전극층(150)을 형성하기 위해 마스킹(Masking) 한다. 제2 전극층(150)이 형성될 영역은 개방하고 그 이외의 부분은 차폐하는 포토레지스트를 도포하여 마스킹 할 수 있다. 상기 마스킹은 중심부(A)를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 열전소자(100)들을 배치하는 것을 고려하여 수행한다. 제2 전극층(150)은 동심원(136)을 따라 서로 이격되게 구비될 수 있다. 상기 동심원(136)은 중심부(A)을 기준으로 동일 반경으로 원 형태를 이루고 있을 수 있다.Masking is performed to form the second electrode layer 150 on the second flexible substrate 120. The area where the second electrode layer 150 will be formed can be opened and the other parts can be masked by applying photoresist to shield them. The masking is performed by considering the arrangement of a plurality of thermoelectric elements 100 in a radial form with respect to the center A. The second electrode layer 150 may be provided to be spaced apart from each other along the concentric circle 136. The concentric circles 136 may have a circular shape with the same radius based on the center A.
마스킹된 제2 유연성 기판(120)에 E-beam 증착 장치를 이용하여 전극물질을 증착하고, 포토레지스트를 제거한다. 상기와 같은 과정을 통해 제2 전극층(150)이 형성되게 된다. 제2 전극층(150)은 Cu, Ag, Au, Ni, Pt, Pd 등의 금속 또는 이들의 금속합금 재질로 이루어질 수 있다. 제2 전극층(150)의 두께는 0.01∼0.5 ㎜ 정도인 것이 바람직하다. 제2 전극층(150)의 두께가 0.01㎜ 미만일 경우에는 전기 전도율이 불량할 수 있으며, 0.5㎜를 초과하는 경우에도 저항의 증가로 전도 효율이 낮아질 수 있다. 제2 전극층(150)은 중심부(A)를 기준으로 다수 개를 방사 형태로 열전소자(100)들을 배치하는 것을 고려하여 형성한다. An electrode material is deposited on the masked second flexible substrate 120 using an E-beam deposition device, and the photoresist is removed. The second electrode layer 150 is formed through the above process. The second electrode layer 150 may be made of a metal such as Cu, Ag, Au, Ni, Pt, or Pd, or a metal alloy material thereof. The thickness of the second electrode layer 150 is preferably about 0.01 to 0.5 mm. If the thickness of the second electrode layer 150 is less than 0.01 mm, electrical conductivity may be poor, and even if it exceeds 0.5 mm, conduction efficiency may be lowered due to an increase in resistance. The second electrode layer 150 is formed by considering the arrangement of a plurality of thermoelectric elements 100 in a radial shape with respect to the center A.
제2 전극층(150)에 제1 전극층(130) 위에 형성된 반도체 소자(140)를 접합시킨다. 제2 전극층(150)과 반도체 소자(140) 사이에는 제2 솔더(134)가 구비될 수 있다. 상기 제2 솔더(134)는 반도체 소자(140)와 제2 전극층(150)을 접합하는 역할을 한다. 상기 제2 솔더(134)는 은(Ag), PbSn, CuAgSn 등과 같이 솔더링에 사용되는 재질로 이루어질 수 있다. The semiconductor element 140 formed on the first electrode layer 130 is bonded to the second electrode layer 150. A second solder 134 may be provided between the second electrode layer 150 and the semiconductor device 140. The second solder 134 serves to bond the semiconductor device 140 and the second electrode layer 150. The second solder 134 may be made of a material used in soldering, such as silver (Ag), PbSn, CuAgSn, etc.
제2 전극층(150)은 P형 반도체 소자(P)와 N형 반도체 소자(N)를 전기적으로 연결한다. 제1 전극층(130)은 서로 이웃한 한 쌍의 N형 반도체 소자(N)의 일단과 P형 반도체 소자(P)의 일단을 전기적으로 연결되게 하고, 제2 전극층(150)은 서로 이웃한 한 쌍의 N형 반도체 소자(N)의 타단과 P형 반도체 소자(P)의 타단을 전기적으로 연결되게 한다.The second electrode layer 150 electrically connects the P-type semiconductor device (P) and the N-type semiconductor device (N). The first electrode layer 130 electrically connects one end of a pair of N-type semiconductor elements (N) adjacent to each other to one end of a P-type semiconductor element (P), and the second electrode layer 150 electrically connects one end of a pair of adjacent N-type semiconductor elements (N) to each other. The other end of the pair of N-type semiconductor elements (N) and the other end of the P-type semiconductor element (P) are electrically connected.
이렇게 제조된 유연성 열전모듈은 반도체 소자(140) 및 전극층(130, 150)의 열화를 방지하기 위해서 유기물 또는 무기물로 코팅 처리할 수도 있다. 상기 유기물로 유연성 기판(110, 120)과 동일한 폴리이미드(PI) 또는 실리콘계 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 다만, 이러한 코팅용 유기물에는 열전도도를 낮추기 위해 방열 필러가 적용되지 않는 것이 바람직하다. 상기 무기물은 실리카(Silica), Al2O3 및 TiO2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함할 수 있다.The flexible thermoelectric module manufactured in this way may be coated with an organic or inorganic material to prevent deterioration of the semiconductor element 140 and the electrode layers 130 and 150. It is preferable to use the same polyimide (PI) or silicon-based material as the flexible substrates 110 and 120 as the organic material. However, it is preferable that heat dissipation filler is not applied to such coating organic materials in order to lower thermal conductivity. The inorganic material may include one or more materials selected from the group consisting of silica, Al 2 O 3 and TiO 2 .
상기 유연성 열전모듈에는 외부의 전원 또는 소자 등과 전기적으로 연결하기 위한 전극선(L1, L2)을 형성할 수도 있다.The flexible thermoelectric module may be provided with electrode lines (L1, L2) for electrical connection to an external power source or device.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.Above, the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art.
100: 열전소자
110: 제1 유연성 기판
120: 제2 유연성 기판
130: 제1 전극층
132: 제1 솔더
134: 제2 솔더
140: 반도체 소자
150: 제2 전극층100: thermoelectric element
110: first flexible substrate
120: second flexible substrate
130: first electrode layer
132: first solder
134: second solder
140: semiconductor device
150: second electrode layer
Claims (10)
상기 열전소자(100)는 제1 유연성 기판(110), 제1 전극층(130), 반도체 소자(140), 제2 전극층(150) 및 제2 유연성 기판(120)을 포함하며,
상기 제1 유연성 기판(110)과 제2 유연성 기판(120)은 서로 마주보며 이격되도록 배치되고,
상기 제1 전극층(130)과 상기 제2 전극층(150)은 상기 제1 유연성 기판(110)과 상기 제2 유연성 기판(120) 사이에 배치되며,
상기 제1 전극층(130)은 제1 유연성 기판(110)의 상부에 구비되고,
상기 제2 전극층(150)은 제2 유연성 기판(120)의 하부에 구비되며,
상기 제1 유연성 기판(110), 상기 제1 전극층(130), 상기 반도체 소자(140), 상기 제2 전극층(150) 및 상기 제2 유연성 기판(120)을 포함하는 열전소자(100)들은 중심부(A)를 기준으로 방사 형태로 복수 개가 배치되고,
상기 제1 전극층(130)은 중심부(A)를 기준으로 방사 형태로 복수 개가 배치되며,
상기 제1 전극층(130)은 동심원(136)을 따라 서로 이격되게 구비되고,
상기 제2 전극층(150)도 중심부(A)를 기준으로 방사 형태로 복수 개가 배치되며,
상기 제2 전극층(150)도 동심원(136)을 따라 서로 이격되게 구비되는 것을 특징으로 하는 유연성 열전모듈.
A plurality of thermoelectric elements are arranged in a radial form based on the center (A),
The thermoelectric element 100 includes a first flexible substrate 110, a first electrode layer 130, a semiconductor element 140, a second electrode layer 150, and a second flexible substrate 120,
The first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 are arranged to face each other and be spaced apart,
The first electrode layer 130 and the second electrode layer 150 are disposed between the first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120,
The first electrode layer 130 is provided on the first flexible substrate 110,
The second electrode layer 150 is provided on the lower part of the second flexible substrate 120,
The thermoelectric elements 100 including the first flexible substrate 110, the first electrode layer 130, the semiconductor element 140, the second electrode layer 150, and the second flexible substrate 120 are centrally located. A plurality of them are arranged radially based on (A),
The first electrode layer 130 is arranged in a plurality in a radial form with respect to the center A,
The first electrode layer 130 is provided to be spaced apart from each other along a concentric circle 136,
The second electrode layer 150 is also arranged in a radial form with respect to the center A,
A flexible thermoelectric module, characterized in that the second electrode layer (150) is also provided to be spaced apart from each other along a concentric circle (136).
상기 P형 반도체 소자(P)와 상기 N형 반도체 소자(N)는 전기적으로 서로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 유연성 열전모듈.
The method of claim 1, wherein the semiconductor device 140 provided between the first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 includes a P-type semiconductor device (P) and an N-type semiconductor device (N). Including,
A flexible thermoelectric module, wherein the P-type semiconductor element (P) and the N-type semiconductor element (N) are electrically connected to each other.
The flexible thermoelectric module according to claim 1, wherein the first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 are made of a flexible polymer material.
The flexible thermoelectric device according to claim 1, wherein the first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 are made of a flexible polyimide or silicon-based polymer material. module.
The method of claim 2, wherein the first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 further include at least one heat dissipation filler selected from the group consisting of BN, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 and SiC. A flexible thermoelectric module characterized by:
The flexible thermoelectric module according to claim 1, wherein the first flexible substrate 110 and the second flexible substrate 120 have a thickness of 0.1 to 1 mm.
The flexible thermoelectric module according to claim 1, wherein the semiconductor device 140 and the electrode layers 130 and 150 are coated with an organic or inorganic material to prevent deterioration.
The flexible thermoelectric module according to claim 7, wherein the organic material is flexible polyimide (PI) or a silicon-based polymer.
The flexible thermoelectric module of claim 7, wherein the inorganic material includes at least one material selected from the group consisting of silica, Al 2 O 3 and TiO 2 .
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