KR102586680B1

KR102586680B1 - A substrate processing apparatus

Info

Publication number: KR102586680B1
Application number: KR1020210112158A
Authority: KR
Inventors: 강정현
Original assignee: 피에스케이 주식회사
Priority date: 2021-08-25
Filing date: 2021-08-25
Publication date: 2023-10-12
Also published as: WO2023027342A1; TWI814533B; TW202312392A; KR20230030213A

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판을 처리하는 처리 공간을 제공하는 처리실, 공정 가스로부터 상기 처리 공간으로 공급되는 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생실, 상기 플라즈마 발생실에서 발생된 상기 플라즈마를 상기 처리 공간으로 확산시키는 확산실, 상기 처리실의 상단에 설치되고, 복수의 배플 홀들이 형성된 배플 및 상기 확산실 내부에 제공되어 상기 플라즈마의 흐름 방향을 안내하는 기류 안내 부재를 포함하되, 상기 기류 안내 부재는 상기 플라즈마의 흐름 방향의 일부가 변경되는 안내체를 포함하고, 상기 안내체는 상기 확산실의 측벽과 조합되어 제1통로를 형성하는 상부 안내체 및 상기 상부 안내체 하부에 위치하고, 상기 상부 안내체와 조합되어 제2통로를 형성하는 하부 안내체를 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a processing chamber that provides a processing space for processing a substrate, a plasma generation chamber that generates plasma supplied from a process gas to the processing space, and a plasma generation chamber that diffuses the plasma generated in the plasma generation chamber into the processing space. A diffusion chamber, a baffle installed at the top of the processing chamber and having a plurality of baffle holes, and an airflow guide member provided inside the diffusion chamber to guide the flow direction of the plasma, wherein the airflow guide member is configured to guide the flow direction of the plasma. It includes a guide member whose direction is partially changed, wherein the guide member is located below the upper guide member and an upper guide member that is combined with a side wall of the diffusion chamber to form a first passage, and is combined with the upper guide member to form a first passage. It may include a lower guide that forms two passages.

Description

Substrate processing apparatus {A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that processes a substrate using plasma.

플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 기판 상의 박막을 제거하는 애싱 또는 식각 공정을 포함한다. 애싱 또는 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, radicals, and electrons. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields. Semiconductor device manufacturing processes include an ashing or etching process that uses plasma to remove a thin film on a substrate. The ashing or etching process is performed when ions and radical particles contained in plasma collide or react with the film on the substrate.

일반적으로 플라즈마는 챔버의 상부 영역에서 형성되어, 기판(W)을 처리하는 공간 내로 유동한다. 처리 공간의 상부에는 플라즈마가 균일하게 분배하는 배플이 제공된다. 플라즈마 챔버의 구조적 특징으로 인해, 플라즈마가 처리 공간의 중심에 집중되어 공급된다. 이에, 처리 공간의 중심과 대응되는 배플의 중앙 영역에 플라즈마가 집중된다. 배플의 중앙 영역은 플라즈마의 과집중에 의한 열 변형이 발생한다. 이는 배플의 교체 주기를 단축시켜 유지 보수 비용을 증가시킨다.Typically, plasma is formed in the upper region of the chamber and flows into the space where the substrate W is processed. A baffle is provided at the top of the processing space to uniformly distribute the plasma. Due to the structural features of the plasma chamber, the plasma is concentrated and supplied to the center of the processing space. Accordingly, plasma is concentrated in the central area of the baffle corresponding to the center of the processing space. Thermal deformation occurs in the central area of the baffle due to excessive concentration of plasma. This shortens the baffle replacement cycle and increases maintenance costs.

또한, 배플이 변형되는 과정에서 파티클이 발생한다. 발생된 파티클은 챔버 내부의 플라즈마를 포함하는 기류에 의해 처리 공간에 위치하는 기판의 상부에 안착된다. 기판의 상부에 안착된 파티클은 이는 기판에 대한 애싱 또는 식각 공정의 효율을 떨어뜨리는 문제를 야기한다.Additionally, particles are generated during the process of deforming the baffle. The generated particles are seated on the upper part of the substrate located in the processing space by an airflow containing plasma inside the chamber. Particles settled on the top of the substrate cause a problem that reduces the efficiency of the ashing or etching process for the substrate.

본 발명은 플라즈마가 배플의 일 영역으로 집중되는 것을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.One object of the present invention is to provide a substrate processing device that can minimize concentration of plasma in one area of a baffle.

또한, 본 발명은 플라즈마에 의해 배플이 변형되는 것을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing device that can minimize deformation of a baffle by plasma.

또한, 본 발명은 배플의 상부에서 파티클이 발생하는 것을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing device that can minimize the generation of particles at the top of the baffle.

또한, 본 발명은 파티클을 포함하는 기류가 처리 공간의 가장자리 영역으로 안내될 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which an airflow containing particles can be guided to an edge area of a processing space.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings. will be.

일 실시예에 의하면, 상기 하부 안내체는 상기 확산실의 측벽 하단으로부터 상기 확산실의 중심을 향해 수평으로 연장되는 바닥부 및 상기 바닥부로부터 상기 확산실의 중심을 향할수록 상향 경사지게 제공되는 경사부를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the lower guide member has a bottom extending horizontally from the bottom of the side wall of the diffusion chamber toward the center of the diffusion chamber and an inclined portion provided to be inclined upward from the bottom toward the center of the diffusion chamber. It can be included.

일 실시예에 의하면, 상기 바닥부에는 상기 바닥부를 상하 방향으로 관통하는 바닥 홀이 형성될 수 있다.According to one embodiment, a bottom hole may be formed in the bottom portion to penetrate the bottom portion in a vertical direction.

일 실시예에 의하면, 상기 상부 안내체는 상기 확산실의 측벽과 평행하게 제공될 수 있다.According to one embodiment, the upper guide body may be provided parallel to the side wall of the diffusion chamber.

일 실시예에 의하면, 상기 경사부는 상기 확산실의 측벽과 평행하게 제공될 수 있다.According to one embodiment, the inclined portion may be provided parallel to the side wall of the diffusion chamber.

일 실시예에 의하면, 상기 기류 안내 부재는 링 형상으로 제공되어 상기 제1통로 및 상기 제2통로를 거쳐 유동하는 상기 플라즈마의 기류를 상기 처리 공간으로 안내하는 안내 링 부재를 더 포함하되, 상기 안내 링 부재의 상측단부는 상기 상부 안내체의 내측면과 선접하고, 상기 안내 링 부재의 하측단부는 상기 경사부의 상단과 선접할 수 있다.According to one embodiment, the airflow guide member further includes a guide ring member provided in a ring shape to guide the airflow of the plasma flowing through the first passage and the second passage to the processing space, wherein the guide The upper end of the ring member may be in line with the inner surface of the upper guide member, and the lower end of the guide ring member may be in line with the upper end of the inclined portion.

일 실시예에 의하면, 상기 안내 링 부재의 측면에는 둘레를 따라 상기 제2통로를 통해 유입되는 상기 플라즈마 기류가 유입되는 유입 홀이 형성될 수 있다.According to one embodiment, an inflow hole through which the plasma airflow flowing through the second passage flows may be formed along the circumference of a side surface of the guide ring member.

일 실시예에 의하면, 상기 안내 링 부재의 하면은 개방될 수 있다.According to one embodiment, the lower surface of the guide ring member may be open.

일 실시예에 의하면, 상기 안내 링 부재의 하면에는 상기 유입 홀로부터 유입된 상기 플라즈마의 기류가 유출되는 적어도 하나 이상의 유출 홀이 형성될 수 있다.According to one embodiment, at least one outflow hole may be formed on the lower surface of the guide ring member through which the airflow of the plasma flowing in from the inlet hole flows out.

일 실시예에 의하면, 상기 바닥 홀과 상기 유출 홀은 상기 배플 홀보다 직경이 작게 제공될 수 있다.According to one embodiment, the bottom hole and the outlet hole may have diameters smaller than the baffle hole.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판을 처리하는 처리 공간을 제공하는 처리실, 공정 가스로부터 상기 처리 공간으로 공급되는 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생실, 상기 플라즈마 발생실에서 발생된 상기 플라즈마를 상기 처리 공간으로 확산시키는 확산실, 상기 처리실의 상단에 설치되고, 복수의 배플 홀들이 형성된 배플 및 상기 확산실 내부에 제공되어 상기 플라즈마의 흐름 방향을 안내하는 기류 안내 부재를 포함하되, 상기 기류 안내 부재는 링 형상으로 제공되고, 상기 확산실 내부에 설치되는 안내 링 부재를 포함할 수 있다.Additionally, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a processing chamber that provides a processing space for processing a substrate, a plasma generation chamber that generates plasma supplied from a process gas to the processing space, and a plasma generation chamber that diffuses the plasma generated in the plasma generation chamber into the processing space. It includes a diffusion chamber, a baffle installed at the top of the processing chamber and having a plurality of baffle holes, and an airflow guide member provided inside the diffusion chamber to guide the flow direction of the plasma, wherein the airflow guide member is provided in a ring shape. and may include a guide ring member installed inside the diffusion chamber.

일 실시예에 의하면, 상기 안내 링 부재의 측면에는 상기 측면의 둘레를 따라 상기 플라즈마의 기류가 유입되는 유입 홀이 형성될 수 있다.According to one embodiment, an inflow hole through which the airflow of the plasma flows may be formed along the circumference of the side surface of the guide ring member.

일 실시예에 의하면, 상기 기류 안내 부재는 안내체를 포함하고, 상기 안내체는 상기 확산실의 측벽과 조합되어 제1통로를 형성하고, 상기 확산실에 유동되는 상기 플라즈마의 일부를 안내하는 상부 안내체 및 상기 상부 안내체 하부에 위치하고, 상기 상부 안내체와 조합되어 제2통로를 형성하고, 상기 제1통로로부터 안내된 상기 플라즈마를 상기 제2통로를 거쳐 상기 유입 홀로 안내하는 하부 안내체를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the airflow guiding member includes a guide body, and the guide body is combined with a side wall of the diffusion chamber to form a first passage, and an upper portion that guides a portion of the plasma flowing in the diffusion chamber. A guide body and a lower guide body located below the upper guide body, forming a second passage in combination with the upper guide body, and guiding the plasma guided from the first passage through the second passage to the inlet hole. It can be included.

일 실시예에 의하면, 상기 안내 링 부재의 상측단부는 상기 상부 안내체의 내측면과 선접하고, 상기 안내 링 부재의 하측단부는 상기 경사부의 상단과 선접할 수 있다.According to one embodiment, the upper end of the guide ring member may be in line with the inner surface of the upper guide body, and the lower end of the guide ring member may be in line with the top of the inclined portion.

일 실시예에 의하면, 상기 상부 안내체 및 상기 경사부는 상기 확산실의 측벽과 평행하게 제공될 수 있다.According to one embodiment, the upper guide body and the inclined portion may be provided parallel to the side wall of the diffusion chamber.

일 실시예에 의하면, 상기 확산실은 역깔때기 형상으로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the diffusion chamber may be provided in an inverted funnel shape.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마가 배플의 일 영역으로 집중되는 것을 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, concentration of plasma in one area of the baffle can be minimized.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마에 의해 배플이 변형되는 것을 최소화할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, deformation of the baffle due to plasma can be minimized.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 배플의 상부에서 파티클이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, the generation of particles at the top of the baffle can be minimized.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 파티클을 포함하는 기류가 처리 공간의 가장자리 영역으로 안내될 수 있다.Additionally, according to one embodiment of the present invention, an airflow containing particles may be guided to an edge area of the processing space.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 프로세스 챔버 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 기류 안내 부재를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 2의 안내 링 부재의 단면을 아래에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5 및 도 6은 도 2의 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버에서의 기류의 흐름을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 도 2의 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 기류 안내 부재를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 9는 도 7의 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버에서의 기류의 흐름을 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of a process chamber that performs a plasma processing process among the process chambers of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
Figure 3 is a perspective view schematically showing the airflow guiding member of Figure 2.
FIG. 4 is a diagram schematically showing a cross-section of the guide ring member of FIG. 2 as seen from below.
5 and 6 are diagrams schematically showing the flow of air in a process chamber performing the plasma treatment process of FIG. 2.
FIG. 7 is a diagram schematically showing another embodiment of a process chamber that performs the plasma processing process of FIG. 2.
Figure 8 is a perspective view schematically showing the airflow guiding member of Figure 7.
FIG. 9 is a diagram schematically showing the flow of air in a process chamber performing the plasma treatment process of FIG. 7.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This example is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shapes of components in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer explanation.

이하에서는 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 9.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module, EFEM)(20) 및 처리 모듈(30)을 가진다. 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다.1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention. Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus 1 has a front end module (Equipment Front End Module, EFEM) 20 and a processing module 30. The front end module 20 and the processing module 30 are arranged in one direction.

전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(Load port, 200) 및 이송 프레임(220)을 가진다. 로드 포트(200)는 제1방향(2)으로 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(200)는 복수 개의 지지부(202)를 가진다. 각각의 지지부(202)는 제2방향(4)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(C)(예를 들어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(C)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송 프레임(220)은 로드 포트(200)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(220)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(200)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송하는 제1이송 로봇(222)을 포함한다. 제1이송 로봇(222)은 제2방향(4)으로 구비된 이송 레일(224)을 따라 이동하여 캐리어(C)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송한다.The front end module 20 has a load port (200) and a transfer frame (220). The load port 200 is disposed in front of the front end module 20 in the first direction 2. The load port 200 has a plurality of support portions 202. Each support unit 202 is arranged in a row in the second direction 4, and includes a carrier C (for example, a cassette, FOUP, etc.) is seated. The carrier C accommodates the substrate W to be provided in the process and the substrate W on which the process has been completed. The transfer frame 220 is disposed between the load port 200 and the processing module 30. The transfer frame 220 is disposed therein and includes a first transfer robot 222 that transfers the substrate W between the load port 200 and the processing module 30. The first transfer robot 222 moves along the transfer rail 224 provided in the second direction 4 to transfer the substrate W between the carrier C and the processing module 30.

처리 모듈(30)은 로드락 챔버(300), 트랜스퍼 챔버(400), 그리고 프로세스 챔버(500)를 포함한다.The processing module 30 includes a load lock chamber 300, a transfer chamber 400, and a process chamber 500.

로드락 챔버(300)는 이송 프레임(220)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(300)는 트랜스퍼 챔버(400)와 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(300)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(500)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다.The load lock chamber 300 is disposed adjacent to the transfer frame 220. As an example, the load lock chamber 300 may be disposed between the transfer chamber 400 and the front end module 20. The load lock chamber 300 is a waiting space before the substrate (W) to be provided for the process is transferred to the process chamber 500, or before the substrate (W) whose processing has been completed is transferred to the front end module 20. to provide.

트랜스퍼 챔버(400)는 로드락 챔버(300)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(400)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 일 예로, 트랜스퍼 챔버(400)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖을 수 있다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(300)와 복수 개의 프로세스 챔버(500)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(400)와 로드락 챔버(300) 또는 프로세스 챔버(500)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(400)의 내부 공간에는 로드락 챔버(300)와 프로세스 챔버(500)들간에 기판(W)을 이송하는 제2이송 로봇(420)이 배치된다. 제2이송 로봇(420)은 로드락 챔버(300)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(500)로 이송하거나, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(300)로 이송한다. 그리고, 복수 개의 프로세스 챔버(500)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(500)간에 기판(W)을 이송한다. 일 예로, 도 1과 같이, 트랜스퍼 챔버(400)가 오각형의 몸체를 가질 때, 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(300)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(500)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(400)의 형상은 이에 한정되지 않고, 요구되는 공정 모듈에 따라 다양한 형태로 변형되어 제공될 수 있다.The transfer chamber 400 is disposed adjacent to the load lock chamber 300. The transfer chamber 400 has a polygonal body when viewed from the top. As an example, the transfer chamber 400 may have a pentagonal body when viewed from the top. On the outside of the body, a load lock chamber 300 and a plurality of process chambers 500 are disposed along the circumference of the body. A passage (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on each side wall of the body, and the passage connects the transfer chamber 400 and the load lock chamber 300 or the process chamber 500. Each passage is provided with a door (not shown) that opens and closes the passage and seals the interior. A second transfer robot 420 is disposed in the inner space of the transfer chamber 400 to transfer the substrate W between the load lock chamber 300 and the process chamber 500. The second transfer robot 420 transfers the unprocessed substrate (W) waiting in the load lock chamber 300 to the process chamber 500, or transfers the processed substrate (W) to the load lock chamber 300. do. Then, the substrate W is transferred between the process chambers 500 in order to sequentially provide the substrate W to the plurality of process chambers 500 . For example, as shown in FIG. 1, when the transfer chamber 400 has a pentagonal body, load lock chambers 300 are disposed on the side walls adjacent to the front end module 20, and a process chamber 500 is placed on the remaining side walls. They are placed sequentially. The shape of the transfer chamber 400 is not limited to this, and may be provided in various forms depending on the required process module.

프로세스 챔버(500)는 트랜스퍼 챔버(400)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(500)는 복수 개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(500)내에서는 기판(W)에 대한 공정 처리가 진행된다. 프로세스 챔버(500)는 제2이송 로봇(420)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정 처리를 하고, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 제2이송 로봇(420)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(500)에서 진행되는 공정 처리는 서로 상이할 수 있다. 이하에서는, 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버(500)에 대하여 상세히 설명한다.The process chamber 500 is disposed along the periphery of the transfer chamber 400. A plurality of process chambers 500 may be provided. Within each process chamber 500, processing for the substrate W is performed. The process chamber 500 receives the substrate W from the second transfer robot 420, processes it, and provides the processed substrate W to the second transfer robot 420. Process processing performed in each process chamber 500 may be different. Below, the process chamber 500 that performs the plasma processing process will be described in detail.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 프로세스 챔버 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버를 개략적으로 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a diagram schematically showing a process chamber that performs a plasma processing process among the process chambers of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 프로세스 챔버(500)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판(W) 상의 박막을 식각 또는 애싱(Ashing)할 수 있다. 박막은 폴리 실리콘막, 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 선택적으로, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다.Referring to FIG. 2, the process chamber 500 performs a predetermined process on the substrate W using plasma. For example, the thin film on the substrate W may be etched or ashed. The thin film may be of various types, such as a polysilicon film, an oxide film, and a silicon nitride film. Optionally, the thin film may be a natural oxide film or a chemically created oxide film.

프로세스 챔버(500)는 처리실(520), 플라즈마 발생실(540), 그리고 확산실(560), 그리고 배기실(580)을 포함할 수 있다.The process chamber 500 may include a processing chamber 520, a plasma generation chamber 540, a diffusion chamber 560, and an exhaust chamber 580.

처리실(520)은 기판(W)이 놓이고, 기판(W)에 대한 처리가 수행되는 처리 공간(5200)을 제공한다. 후술하는 플라즈마 발생실(540)에서 공정 가스를 방전시켜 플라즈마(Plasma)를 생성시키고, 이를 처리실(520)의 처리 공간(5200)으로 공급한다. 처리실(520)의 내부에 머무르는 공정 가스 및/또는 기판(W)을 처리하는 과정에서 발생한 반응 부산물과 파티클 등은 후술하는 배기실(580)을 통해 외부로 배출한다. 이로 인해, 처리실(520) 내의 압력을 설정 압력으로 유지할 수 있다.The processing chamber 520 provides a processing space 5200 in which the substrate W is placed and processing on the substrate W is performed. Plasma is generated by discharging the process gas in the plasma generation chamber 540, which will be described later, and is supplied to the processing space 5200 of the processing chamber 520. Process gas remaining inside the processing chamber 520 and/or reaction by-products and particles generated in the process of processing the substrate W are discharged to the outside through the exhaust chamber 580, which will be described later. Because of this, the pressure within the processing chamber 520 can be maintained at the set pressure.

처리실(520)은 하우징(5220), 지지 유닛(5240), 배기 배플(5260), 그리고 배플(5280)을 포함할 수 있다. 하우징(5220)의 내부에는 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간(5200)을 가질 수 있다. 하우징(5220)의 외벽은 도체로 제공될 수 있다. 일 예로, 하우징(5220)의 외벽은 알루미늄을 포함하는 금속 재질로 제공될 수 있다. 하우징(5220)은 상부가 개방되고, 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판(W)은 개구를 통하여 하우징(5220)의 내부로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 또한, 하우징(5220)의 바닥면에는 배기홀(5222)이 형성된다. 배기홀(5222)을 통해 처리 공간(5200) 내 공정 가스 및/또는 부산물을 처리 공간(5200)의 외부로 배기할 수 있다. 배기홀(5222)은 후술하는 배기실(580)이 포함하는 구성들과 연결될 수 있다.Process chamber 520 may include a housing 5220, a support unit 5240, an exhaust baffle 5260, and a baffle 5280. Inside the housing 5220, there may be a processing space 5200 where a substrate processing process is performed. The outer wall of the housing 5220 may be provided as a conductor. As an example, the outer wall of the housing 5220 may be made of a metal material including aluminum. The housing 5220 may have an open top and an opening (not shown) may be formed in the side wall. The substrate W enters and exits the interior of the housing 5220 through the opening. The opening may be opened and closed by an opening and closing member such as a door (not shown). Additionally, an exhaust hole 5222 is formed on the bottom of the housing 5220. Process gas and/or by-products within the processing space 5200 may be exhausted to the outside of the processing space 5200 through the exhaust hole 5222. The exhaust hole 5222 may be connected to components included in the exhaust chamber 580, which will be described later.

지지 유닛(5240)은 처리 공간(5200)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(5240)은 지지 플레이트(5242), 그리고 지지 축(5244)을 포함할 수 있다.The support unit 5240 supports the substrate W in the processing space 5200. Support unit 5240 may include a support plate 5242 and a support shaft 5244.

지지 플레이트(5242)는 처리 공간(5200)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 플레이트(5242)는 지지 축(5244)에 의해 지지될 수 있다. 지지 플레이트(5242)는 외부 전원과 연결되며, 인가된 전력에 의해 정전기를 발생시킬 수 있다. 발생된 정전기가 가지는 정전기력은 기판(W)을 지지 유닛(5240)에 고정시킬 수 있다.The support plate 5242 may support the substrate W in the processing space 5200. Support plate 5242 may be supported by support shaft 5244. The support plate 5242 is connected to an external power source and can generate static electricity by the applied power. The electrostatic force of the generated static electricity can fix the substrate W to the support unit 5240.

지지 축(5244)은 대상물을 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 지지 축(5244)은 기판(W)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 일 예로, 지지 축(5244)은 지지 플레이트(5242)와 결합되고, 지지 플레이트(5242)를 승하강시켜 기판(W)을 이동시킬 수 있다.The support axis 5244 can move the object. For example, the support shaft 5244 can move the substrate W in the vertical direction. For example, the support shaft 5244 is coupled to the support plate 5242, and the support plate 5242 can be raised and lowered to move the substrate W.

배기 배플(5260)은 처리 공간(5200)에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 배기 배플(5260)은 상부에서 바라볼 때, 환형의 링 형상을 가진다. 배기 배플(5260)은 처리 공간(5200) 내에서 하우징(5220)의 내측벽과 지지 유닛(5240) 사이에 위치할 수 있다. 배기 배플(5260)에는 복수의 배기 홀(5262)들이 형성된다. 배기 홀(5262)들은 상하 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 배기 홀(5262)들은 배기 배플(5260)의 상단에서 하단까지 연장되는 홀들로 제공될 수 있다. 배기 홀(5262)들은 배기 배플(5260)의 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열될 수 있다.The exhaust baffle 5260 uniformly exhausts plasma from each region in the processing space 5200. The exhaust baffle 5260 has an annular ring shape when viewed from the top. Exhaust baffle 5260 may be located within processing space 5200 between the inner wall of housing 5220 and support unit 5240. A plurality of exhaust holes 5262 are formed in the exhaust baffle 5260. Exhaust holes 5262 may be provided to face upward and downward. The exhaust holes 5262 may be provided as holes extending from the top to the bottom of the exhaust baffle 5260. The exhaust holes 5262 may be arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction of the exhaust baffle 5260.

배플(5280)은 처리실(520)과 플라즈마 발생실(540) 사이에 배치될 수 있다. 배플(5280)은 처리실(520)과 확산실(560) 사이에 배치될 수 있다. 배플(5280)은 지지 유닛(5240)과 확산실(560) 사이에 배치될 수 있다. 배플(5280)은 지지 유닛(5240)의 상부에 배치될 수 있다. 일 예로, 배플(5280)은 처리실(520)의 상단에 배치될 수 있다.The baffle 5280 may be disposed between the processing chamber 520 and the plasma generation chamber 540. The baffle 5280 may be disposed between the processing chamber 520 and the diffusion chamber 560. The baffle 5280 may be disposed between the support unit 5240 and the diffusion chamber 560. The baffle 5280 may be disposed on top of the support unit 5240. As an example, the baffle 5280 may be placed at the top of the processing chamber 520.

배플(5280)은 플라즈마 발생실(540)에서 발생하는 플라즈마를 처리 공간(5200)으로 균일하게 전달할 수 있다. 배플(5280)에는 배플 홀(5282)이 형성될 수 있다. 배플 홀(5282)은 복수 개로 제공될 수 있다. 배플 홀(5282)들은 서로 이격되어 제공될 수 있다. 배플 홀(5282)들은 배플(5280)의 상하 방향을 관통할 수 있다. 배플 홀(5282)들은 플라즈마 발생실(540)에서 발생하는 플라즈마가 처리 공간(5200)으로 유동하는 통로로 기능할 수 있다.The baffle 5280 can uniformly transmit plasma generated in the plasma generation chamber 540 to the processing space 5200. A baffle hole 5282 may be formed in the baffle 5280. A plurality of baffle holes 5282 may be provided. Baffle holes 5282 may be provided spaced apart from each other. The baffle holes 5282 may penetrate the baffle 5280 in the vertical direction. The baffle holes 5282 may function as a passage through which plasma generated in the plasma generation chamber 540 flows into the processing space 5200.

배플(5280)은 상부에서 바라볼 때, 판 형상을 가질 수 있다. 배플(5280)은 상부에서 바라볼 때, 원판 형상을 가질 수 있다. 배플(5280)은 단면에서 바라볼 때, 그 상면의 높이가 가장자리 영역에서 중심 영역으로 갈수록 높아질 수 있다. 배플(5280)은 단면에서 바라볼 때, 그 상면이 가장자리 영역에서 중심 영역으로 갈수록 상향 경사지는 형상을 가질 수 있다. 이에, 플라즈마 발생실(540)에서 발생하는 플라즈마는 배플(5280)의 경사진 단면을 따라 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동할 수 있다. 상술한 예와 달리, 배플(5280)의 단면은 경사지게 제공되지 않을 수 있다. 일 예로, 배플(5280)은 소정의 두께를 가지는 원판 형상으로 제공될 수 있다.The baffle 5280 may have a plate shape when viewed from the top. The baffle 5280 may have a disk shape when viewed from the top. When the baffle 5280 is viewed in cross section, the height of its upper surface may increase from the edge area to the center area. When viewed in cross section, the baffle 5280 may have a shape where its upper surface slopes upward from the edge area to the center area. Accordingly, the plasma generated in the plasma generation chamber 540 may flow to the edge area of the processing space 5200 along the inclined cross section of the baffle 5280. Unlike the above-described example, the cross section of the baffle 5280 may not be inclined. As an example, the baffle 5280 may be provided in a disk shape with a predetermined thickness.

플라즈마 발생실(540)은 후술하는 가스 공급 유닛(5440)으로부터 공급되는 공정 가스를 여기시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 처리 공간(5200)으로 공급할 수 있다.The plasma generation chamber 540 may generate plasma by exciting a process gas supplied from a gas supply unit 5440, which will be described later, and supply the generated plasma to the processing space 5200.

플라즈마 발생실(540)은 처리실(520)의 상부에 위치될 수 있다. 플라즈마 발생실(540)은 하우징(5220)과 후술하는 확산실(560)보다 상부에 위치될 수 있다. 처리실(520), 확산실(560), 그리고 플라즈마 발생실(540)은 제1방향(2) 및 제2방향(4)과 모두 수직한 제3방향(6)을 따라 지면으로부터 순차적으로 위치할 수 있다.The plasma generation chamber 540 may be located above the processing chamber 520 . The plasma generation chamber 540 may be located above the housing 5220 and the diffusion chamber 560, which will be described later. The processing chamber 520, the diffusion chamber 560, and the plasma generation chamber 540 are sequentially located from the ground along a third direction (6) perpendicular to both the first direction (2) and the second direction (4). You can.

플라즈마 발생실(540)은 플라즈마 챔버(5420), 가스 공급 유닛(5440), 그리고 전력 인가 유닛(5460)을 포함할 수 있다.The plasma generation chamber 540 may include a plasma chamber 5420, a gas supply unit 5440, and a power application unit 5460.

플라즈마 챔버(5420)는 상면, 그리고 하면이 개방된 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(5420)는 상면, 그리고 하면이 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(5420)는 상면, 그리고 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(5420)의 상단 및 하단에는 개구가 형성될 수 있다. 플라즈마 챔버(5420)는 플라즈마 발생 공간(5422)을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(5420)는 산화 알루미늄(Al2O3)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.The plasma chamber 5420 may have an open top and bottom surface. The plasma chamber 5420 may have a cylindrical shape with an open upper and lower surface. The plasma chamber 5420 may have a cylindrical shape with an open upper and lower surface. Openings may be formed at the top and bottom of the plasma chamber 5420. The plasma chamber 5420 may have a plasma generation space 5422. The plasma chamber 5420 may be made of a material containing aluminum oxide (Al2O3).

플라즈마 챔버(5420)의 상면은 가스 공급 포트(5424)에 의해 밀폐될 수 있다. 가스 공급 포트(5424)는 후술하는 가스 공급 유닛(5440)과 연결될 수 있다. 공정 가스는 가스 공급 포트(5424)를 통해 플라즈마 발생 공간(5422)으로 공급될 수 있다. 플라즈마 발생 공간(5422)으로 공급된 공정 가스는 배플 홀(5282)을 거쳐 처리 공간(5200)으로 균일하게 분배될 수 있다.The upper surface of the plasma chamber 5420 may be sealed by a gas supply port 5424. The gas supply port 5424 may be connected to a gas supply unit 5440 described later. Process gas may be supplied to the plasma generation space 5422 through the gas supply port 5424. The process gas supplied to the plasma generation space 5422 may be uniformly distributed into the processing space 5200 through the baffle hole 5282.

가스 공급 유닛(5440)은 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(5440)은 가스 공급 포트(5424)와 연결될 수 있다. 가스 공급 유닛(5440)이 공급하는 공정 가스는 플루오린(Fluorine) 및/또는 하이드러전(Hydrogen)을 포함할 수 있다.The gas supply unit 5440 may supply process gas. The gas supply unit 5440 may be connected to the gas supply port 5424. The process gas supplied by the gas supply unit 5440 may include fluorine and/or hydrogen.

전력 인가 유닛(5460)은 플라즈마 발생 공간(5422)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 인가 유닛(5460)은 플라즈마 발생 공간(5422)에서 공정 가스를 여기하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스일 수 있다. 전력 인가 유닛(5460)은 안테나(5462)와 전원(5464)을 포함할 수 있다.The power application unit 5460 applies high frequency power to the plasma generation space 5422. The power application unit 5460 may be a plasma source that generates plasma by exciting a process gas in the plasma generation space 5422. The power applying unit 5460 may include an antenna 5462 and a power source 5464.

안테나(5462)는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 안테나일 수 있다. 안테나(5462)는 코일 형상으로 제공될 수 있다. 안테나(5462)는 플라즈마 챔버(5420)의 외부에서 플라즈마 챔버(5420)를 복수 회 감을 수 있다. 안테나(5462)는 플라즈마 챔버(5420)의 외부에서 나선 형으로 플라즈마 챔버(5420)를 복수 회 감을 수 있다.Antenna 5462 may be an inductively coupled plasma (ICP) antenna. The antenna 5462 may be provided in a coil shape. The antenna 5462 may wrap around the plasma chamber 5420 multiple times from the outside of the plasma chamber 5420. The antenna 5462 may spirally wrap around the plasma chamber 5420 multiple times outside the plasma chamber 5420.

안테나(5462)는 플라즈마 발생 공간(5422)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(5420)에 감길 수 있다. 안테나(5462)의 일단은 플라즈마 챔버(5420)의 정단면에서 바라볼 때, 플라즈마 챔버(5420)의 상부 영역과 대응되는 높이에 제공될 수 있다. 안테나(5462)의 타단은 플라즈마 챔버(5420)의 정단면에서 바라볼 때, 플라즈마 챔버(5420)의 하부 영역과 대응되는 높이에 제공될 수 있다.The antenna 5462 may be wound around the plasma chamber 5420 in an area corresponding to the plasma generation space 5422. One end of the antenna 5462 may be provided at a height corresponding to the upper area of the plasma chamber 5420 when viewed from the front end of the plasma chamber 5420. The other end of the antenna 5462 may be provided at a height corresponding to the lower area of the plasma chamber 5420 when viewed from the front end of the plasma chamber 5420.

전원(5464)은 안테나(5462)에 전력을 인가할 수 있다. 전원(5464)은 안테나(5462)에 고주파 교류 전류를 인가할 수 있다. 안테나(5462)에 인가된 고주파 교류 전류는 플라즈마 발생 공간(5422)에 유도 전기장을 형성할 수 있다. 플라즈마 발생 공간(5422) 내로 공급되는 공정 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환될 수 있다.Power source 5464 may apply power to antenna 5462. The power source 5464 may apply high-frequency alternating current to the antenna 5462. The high-frequency alternating current applied to the antenna 5462 may form an induced electric field in the plasma generation space 5422. The process gas supplied into the plasma generation space 5422 may be converted into a plasma state by obtaining energy required for ionization from the induced electric field.

전원(5464)은 안테나(5462)의 일단에 연결될 수 있다. 전원(5464)은 플라즈마 챔버(5420)의 상부 영역과 대응되는 높이에 제공되는 안테나(5462)의 일단에 연결될 수 있다. 또한, 안테나(5462)의 타단은 접지될 수 있다. 플라즈마 챔버(5420)의 하부 영역과 대응되는 높이에 제공되는 안테나(5462)의 타단은 접지될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 안테나(5462)의 일단이 접지되고, 안테나(5462)의 타단에 전원(5464)이 연결될 수 있다.Power source 5464 may be connected to one end of antenna 5462. The power source 5464 may be connected to one end of the antenna 5462 provided at a height corresponding to the upper area of the plasma chamber 5420. Additionally, the other end of the antenna 5462 may be grounded. The other end of the antenna 5462 provided at a height corresponding to the lower area of the plasma chamber 5420 may be grounded. However, the present invention is not limited to this, and one end of the antenna 5462 may be grounded, and a power source 5464 may be connected to the other end of the antenna 5462.

확산실(560)은 플라즈마 발생실(540)에서 발생된 플라즈마를 처리 공간(5200)으로 확산시킬 수 있다. 확산실(560)은 확산 챔버(5620)와 기류 안내 부재(6000)를 가질 수 있다.The diffusion chamber 560 may diffuse the plasma generated in the plasma generation chamber 540 into the processing space 5200. The diffusion chamber 560 may have a diffusion chamber 5620 and an airflow guiding member 6000.

확산 챔버(5620)는 플라즈마 발생실(540)에서 발생된 플라즈마를 처리 공간(5200)으로 확산시킨다. 확산 챔버(5620)는 내부 공간을 가진다. 확산 챔버(5620)의 내부 공간은 후술하는 기류 안내 부재(6000)가 위치할 수 있다. 확산 챔버(5620)는 플라즈마 챔버(5420)의 하부에 위치한다. 확산 챔버(5620)는 하우징(5220)과 플라즈마 챔버(5420) 사이에 위치할 수 있다. 하우징(5220), 확산 챔버(5620), 그리고 플라즈마 챔버(5420)는 제3방향(6)을 따라 지면으로부터 순차적으로 위치할 수 있다.The diffusion chamber 5620 diffuses the plasma generated in the plasma generation chamber 540 into the processing space 5200. Diffusion chamber 5620 has an interior space. An airflow guide member 6000, which will be described later, may be located in the internal space of the diffusion chamber 5620. The diffusion chamber 5620 is located below the plasma chamber 5420. Diffusion chamber 5620 may be located between housing 5220 and plasma chamber 5420. The housing 5220, the diffusion chamber 5620, and the plasma chamber 5420 may be sequentially positioned from the ground along the third direction 6.

확산 챔버(5620)의 내주면은 부도체로 제공될 수 있다. 일 예로, 확산 챔버(5620)의 내주면은 석영(Quartz)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 확산 챔버(5620)는 확산부(5624)와 연결부(5626)를 포함할 수 있다.The inner peripheral surface of the diffusion chamber 5620 may be provided as a non-conductor. For example, the inner peripheral surface of the diffusion chamber 5620 may be made of a material containing quartz. Diffusion chamber 5620 may include a diffusion portion 5624 and a connection portion 5626.

확산부(5624)는 플라즈마 챔버(5420)로부터 아래 방향을 향해 연장될 수 있다. 확산부(5624)는 플라즈마 챔버(5420)로부터 아래 방향으로 연장되어, 연결부(5626)까지 연장될 수 있다.The diffusion portion 5624 may extend downward from the plasma chamber 5420. The diffusion portion 5624 may extend downward from the plasma chamber 5420 and extend to the connection portion 5626.

확산부(5624)는 상부와 하부가 개방된 형상을 가질 수 있다. 확산부(5624)의 상단과 하단에는 개구가 형성될 수 있다. 확산부(5624)는 역 깔대기 형상을 가질 수 있다. 일 예로, 확산부(5624)는 원뿔대 형상으로 제공될 수 있다. 확산부(5624)의 상단 개구의 직경은 확산부(5624)의 하단 개구의 직경보다 작게 제공될 수 있다. 확산부(5624)는 상단에서 하단으로 갈수록 직경이 커지도록 제공될 수 있다. 확산부(5624)의 상단에 제공된 개구의 직경은 플라즈마 챔버(5420)의 하면의 직경과 대응되는 직경을 가질 수 있다.The diffusion portion 5624 may have an open top and bottom shape. Openings may be formed at the top and bottom of the diffusion portion 5624. The diffusion portion 5624 may have an inverted funnel shape. As an example, the diffusion portion 5624 may be provided in the shape of a truncated cone. The diameter of the upper opening of the diffusion unit 5624 may be smaller than the diameter of the lower opening of the diffusion unit 5624. The diffusion portion 5624 may be provided with a diameter that increases from top to bottom. The diameter of the opening provided at the top of the diffusion portion 5624 may have a diameter corresponding to the diameter of the lower surface of the plasma chamber 5420.

연결부(5626)는 하우징(5220)과 확산부(5624)를 연결할 수 있다. 연결부(5626)는 확산부(5624)의 하부에 위치할 수 있다. 연결부(5626)는 하우징(5220)과 확산부(5624) 사이에 배치될 수 있다. 연결부(5626)는 상벽(5626a)과 하벽(5626b)을 포함할 수 있다.The connection portion 5626 may connect the housing 5220 and the diffusion portion 5624. The connection portion 5626 may be located below the diffusion portion 5624. The connection portion 5626 may be disposed between the housing 5220 and the diffusion portion 5624. The connection portion 5626 may include an upper wall 5626a and a lower wall 5626b.

상벽(5626a)은 확산부(5624)의 하단으로부터 연장된다. 상벽(5626a)은 확산부(5624)의 하단에 형성된 개구의 중심으로부터 멀어지는 방향을 향해 연장될 수 있다. 하벽(5626b)은 상벽(5626a)의 측단으로부터 아래를 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 하벽(5626b)은 하우징(5220)의 상단과 연결될 수 있다. 확산부(5624)와 하우징(5220)이 연결부(5626)에 의해 연결됨으로써, 처리 공간(5200)을 외부로부터 밀폐된 상태를 형성할 수 있다.The upper wall 5626a extends from the bottom of the diffusion portion 5624. The upper wall 5626a may extend in a direction away from the center of the opening formed at the bottom of the diffusion portion 5624. The lower wall 5626b may extend in a downward direction from the side end of the upper wall 5626a. The lower wall 5626b may be connected to the top of the housing 5220. By connecting the diffusion portion 5624 and the housing 5220 through the connection portion 5626, the processing space 5200 can be sealed from the outside.

도 3은 도 2의 기류 안내 부재를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 이하에서는 도 2와 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기류 안내 부재에 대해 상세히 설명한다.Figure 3 is a perspective view schematically showing the airflow guiding member of Figure 2. Hereinafter, with reference to FIGS. 2 and 3, an airflow guiding member according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

기류 안내 부재(6000)는 확산실(560)의 내부에 위치한다. 기류 안내 부재(6000)는 확산 챔버(5620) 내부에 제공될 수 있다. 기류 안내 부재(6000)는 배플(5280)의 상부에 위치할 수 있다. 기류 안내 부재(6000)는 배플(5820)의 상부에서 배플(5820)과 마주보도록 배치될 수 있다. 기류 안내 부재(6000)는 플라즈마 발생실(540)에서 발생한 플라즈마의 흐름 방향을 안내할 수 있다. 기류 안내 부재(6000)는 플라즈마에 의해 발생한 파티클이 포함되는 기류의 흐름 방향을 안내할 수 있다.The airflow guiding member 6000 is located inside the diffusion chamber 560. The airflow guiding member 6000 may be provided inside the diffusion chamber 5620. The airflow guiding member 6000 may be located on top of the baffle 5280. The airflow guiding member 6000 may be disposed on top of the baffle 5820 to face the baffle 5820. The air flow guide member 6000 may guide the flow direction of plasma generated in the plasma generation chamber 540. The airflow guide member 6000 may guide the flow direction of airflow containing particles generated by plasma.

기류 안내 부재(6000)는 안내체(6200)와 안내 링 부재(6800)를 포함할 수 있다. 안내체(6200)는 플라즈마 발생실(640)에서 발생한 플라즈마의 흐름 방향의 일부를 변경할 수 있다. 안내체(6200)는 플라즈마에 의해 발생한 파티클이 포함되는 기류의 흐름 방향의 일부를 변경할 수 있다.The airflow guiding member 6000 may include a guiding body 6200 and a guiding ring member 6800. The guide body 6200 may partially change the flow direction of plasma generated in the plasma generation chamber 640. The guide body 6200 may change part of the flow direction of the airflow containing particles generated by plasma.

안내체(6200)는 상부 안내체(6400)와 하부 안내체(6600)를 포함할 수 있다. 상부 안내체(6400)는 확산 챔버(5620) 내부에 제공된다. 상부 안내체(6400)는 대체로 역깔때기 형상으로 제공될 수 있다. 상부 안내체(6400)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 상부 안내체(6400)는 천정부(6420)와 제1경사부(6440)를 가질 수 있다.The guide body 6200 may include an upper guide body 6400 and a lower guide body 6600. The upper guide body 6400 is provided inside the diffusion chamber 5620. The upper guide body 6400 may be provided in a generally inverted funnel shape. The upper guide body 6400 may be provided in a generally circular shape when viewed from the top. The upper guide body 6400 may have a ceiling portion 6420 and a first inclined portion 6440.

천정부(6420)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 원판의 형상으로 제공될 수 있다. 천정부(6420)는 상부에서 바라볼 때, 확산 챔버(5620)의 중심 영역을 포함하는 영역에 위치할 수 있다. 일 예로, 천정부(6420)는 상부에서 바라볼 때, 확산 챔버(5620)의 하단에 형성된 개구와 동일한 직경을 가질 수 있다.When viewed from the top, the ceiling part 6420 may be generally provided in the shape of a disk. The ceiling 6420 may be located in an area that includes the central area of the diffusion chamber 5620 when viewed from above. As an example, the ceiling 6420 may have the same diameter as the opening formed at the bottom of the diffusion chamber 5620 when viewed from the top.

제1경사부(6440)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 중심을 포함한 영역이 개방된 원판 형상을 가질 수 있다. 제1경사부(6440)는 천정부(6420)에서 연장되어 형성될 수 있다. 제1경사부(6440)의 상단은 천정부(6420)의 측단과 연결될 수 있다. 제1경사부(6440)의 상단은 천정부(6420)의 둘레 방향을 따라 면접할 수 있다. 제1경사부(6440)는 확산 챔버(5620)의 측벽으로부터 확산 챔버(5620)의 중심을 향하는 방향으로 이격되게 제공될 수 있다.When viewed from the top, the first inclined portion 6440 may have a disk shape with an area including the center generally open. The first inclined portion 6440 may be formed by extending from the ceiling portion 6420. The top of the first inclined portion 6440 may be connected to the side edge of the ceiling portion 6420. The top of the first inclined portion 6440 may be interviewed along the circumferential direction of the ceiling portion 6420. The first inclined portion 6440 may be provided to be spaced apart from the side wall of the diffusion chamber 5620 in a direction toward the center of the diffusion chamber 5620.

제1경사부(6440)는 경사지게 형성될 수 있다. 제1경사부(6440)는 상단에서 하단으로 갈수록 그 직경이 커지도록 제공될 수 있다. 일 예로, 제1경사부(6440)는 확산 챔버(5620)와 동일한 경사를 가질 수 있다. 이에, 제1경사부(6440)는 확산 챔버(5620)의 측벽과 평행할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 제1경사부(6440)의 경사와 확산 챔버(5620)의 경사는 상이하게 제공될 수 있다. 제1경사부(6440)는 후술하는 안내 링 부재(6800)와 선접할 수 있다. 일 예로, 제1경사부(6440)의 내측면은 안내 링 부재(6800)의 상측단부와 선접할 수 있다. 제1경사부(6440)의 하단은 확산 챔버(5620)의 하단보다 위에 위치할 수 있다. 천정부(6420)와 제1경사부(6440)는 일체로 형성될 수 있다.The first inclined portion 6440 may be formed to be inclined. The first inclined portion 6440 may be provided so that its diameter increases from the top to the bottom. For example, the first slope 6440 may have the same slope as the diffusion chamber 5620. Accordingly, the first inclined portion 6440 may be parallel to the side wall of the diffusion chamber 5620. However, the present invention is not limited to this, and the inclination of the first inclined portion 6440 and the inclination of the diffusion chamber 5620 may be provided differently. The first inclined portion 6440 may be in line with the guide ring member 6800, which will be described later. For example, the inner surface of the first inclined portion 6440 may be in line with the upper end of the guide ring member 6800. The lower end of the first slope 6440 may be located above the lower end of the diffusion chamber 5620. The ceiling part 6420 and the first slope part 6440 may be formed as one piece.

상부 안내체(6400)는 확산 챔버(5620)와 조합되어 제1통로(P1)를 형성할 수 있다. 상부 안내체(6400)는 확산 챔버(5620)의 측벽과 조합되어 제1통로(P1)를 형성할 수 있다. 일 예로, 제1경사부(6440)는 확산 챔버(5620)의 측벽과 조합되어 제1통로(P1)를 형성할 수 있다. 제1통로(P1)는 플라즈마 발생실(540)로부터 발생된 플라즈마가 유동하는 통로로써 기능한다. 제1통로(P1)는 플라즈마 발생 과정에서 발생될 수 있는 파티클을 포함하는 기류가 유동하는 통로로써 기능한다.The upper guide 6400 may be combined with the diffusion chamber 5620 to form the first passage P1. The upper guide 6400 may be combined with the side wall of the diffusion chamber 5620 to form the first passage P1. For example, the first slope 6440 may be combined with the side wall of the diffusion chamber 5620 to form the first passage P1. The first passage P1 functions as a passage through which plasma generated from the plasma generation chamber 540 flows. The first passage P1 functions as a passage through which airflow containing particles that may be generated during the plasma generation process flows.

하부 안내체(6600)는 확산 챔버(5620) 내부에 제공된다. 하부 안내체(6600)는 상부 안내체(6400) 아래에 위치할 수 있다. 하부 안내체(6600)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 하부 안내체(6600)는 바닥부(6620)와 제2경사부(6640)를 포함할 수 있다.The lower guide body 6600 is provided inside the diffusion chamber 5620. The lower guide body 6600 may be located below the upper guide body 6400. The lower guide body 6600 may be provided in a generally circular shape when viewed from the top. The lower guide body 6600 may include a bottom portion 6620 and a second inclined portion 6640.

바닥부(6620)는 확산 챔버(5620)의 측벽으로부터 확산 챔버(5620)의 중심을 향해 연장될 수 있다. 바닥부(6620)는 확산 챔버(5620)의 측벽 하단으로부터 확산 챔버(5620)의 중심을 향해 수평 방향으로 연장될 수 있다. 바닥부(6620)에는 바닥 홀(6622)이 형성될 수 있다. 바닥 홀(6622)은 복수 개가 제공될 수 있다. 바닥 홀(6622)들은 바닥부(6620)를 상하 방향으로 관통할 수 있다. 바닥 홀(6622)들의 직경은 배플 홀(5282)의 직경보다 작게 제공될 수 있다.Bottom portion 6620 may extend from the sidewall of diffusion chamber 5620 toward the center of diffusion chamber 5620. The bottom portion 6620 may extend in a horizontal direction from the bottom of the side wall of the diffusion chamber 5620 toward the center of the diffusion chamber 5620. A bottom hole 6622 may be formed in the bottom portion 6620. A plurality of bottom holes 6622 may be provided. Bottom holes 6622 may penetrate the bottom portion 6620 in the vertical direction. The diameter of the bottom holes 6622 may be smaller than the diameter of the baffle hole 5282.

제2경사부(6640)는 바닥부(6620)로부터 연장될 수 있다. 제2경사부(6640)는 바닥부(6620)로부터 확산 챔버(5620)의 중심을 향할수록 경사지게 형성될 수 있다. 일 예로, 제2경사부(6640)는 바닥부(6620)로부터 확산 챔버(5620)의 중심을 향할수록 상향 경사지게 형성될 수 있다. 제2경사부(6640)는 하단에서 상단으로 갈수록 그 직경이 커지도록 제공될 수 있다. 일 예로, 제2경사부(6640)는 확산 챔버(5620)의 측벽과 동일한 경사로 제공될 수 있다. 이에, 제2경사부(6640)는 확산 챔버(5620)의 측벽과 평행할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 제2경사부(6640)의 경사와 확산 챔버(5620)의 경사는 상이하게 제공될 수 있다.The second inclined portion 6640 may extend from the bottom portion 6620. The second inclined portion 6640 may be formed to be inclined toward the center of the diffusion chamber 5620 from the bottom portion 6620. For example, the second slope 6640 may be formed to slope upward from the bottom 6620 toward the center of the diffusion chamber 5620. The second inclined portion 6640 may be provided so that its diameter increases from the bottom to the top. For example, the second slope 6640 may be provided with the same slope as the side wall of the diffusion chamber 5620. Accordingly, the second slope 6640 may be parallel to the side wall of the diffusion chamber 5620. However, the present invention is not limited to this, and the inclination of the second inclined portion 6640 and the inclination of the diffusion chamber 5620 may be provided differently.

제2경사부(6640)의 상단은 후술하는 안내 링 부재(6800)와 접할 수 있다. 일 예로, 제2경사부(6640)의 상단은 안내 링 부재(6800)의 하측단부와 선접할 수 있다. 제2경사부(6640)의 상단은 제1경사부(6440)의 하단보다 높게 위치할 수 있다. 바닥부(6620)와 제2경사부(6640)는 일체로 형성될 수 있다.The upper end of the second inclined portion 6640 may contact the guide ring member 6800, which will be described later. For example, the upper end of the second inclined portion 6640 may be in line with the lower end of the guide ring member 6800. The top of the second slope 6640 may be located higher than the bottom of the first slope 6440. The bottom portion 6620 and the second inclined portion 6640 may be formed integrally.

하부 안내체(6600)는 상부 안내체(6400)와 조합되어 제2통로(P2)를 형성할 수 있다. 하부 안내체(6600)는 제1경사부(6440)와 서로 조합되어 제2통로(P2)를 형성할 수 있다. 일 예로, 제2경사부(6640)의 외측면과 제1경사부(6440)의 내측면이 서로 조합되어 제2통로(P2)를 형성할 수 있다.The lower guide member 6600 may be combined with the upper guide member 6400 to form the second passage (P2). The lower guide 6600 may be combined with the first inclined portion 6440 to form the second passage P2. For example, the outer surface of the second slope 6640 and the inner surface of the first slope 6440 may be combined to form the second passage P2.

제2통로(P2)는 제1통로(P1)를 통해 안내된 플라즈마 및/또는 플라즈마 발생 과정에서 형성된 파티클을 포함하는 기류가 유동하는 통로로써 기능한다. 제2통로(P2)는 제1통로(P1)를 통해 유입된 플라즈마 기류가 후술하는 안내 링 부재(6800)의 유입 홀(6820)로 안내하는 통로로써 기능한다. 일 예로, 제1통로(P1)를 거친 플라즈마 기류의 일부는 후술하는 바닥 홀(6622)로 유출되고, 다른 일부는 제2통로(P2)로 유입된다.The second passage (P2) functions as a passage through which the plasma guided through the first passage (P1) and/or an air current containing particles formed during the plasma generation flow. The second passage (P2) functions as a passage that guides the plasma airflow introduced through the first passage (P1) to the inlet hole 6820 of the guide ring member 6800, which will be described later. For example, part of the plasma airflow that has passed through the first passage (P1) flows out into the bottom hole 6622, which will be described later, and the other part flows into the second passage (P2).

도 4는 도 2의 안내 링 부재를 아래에서 바라본 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 이하에서는 도 2 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 안내 링 부재에 대해 상세히 설명한다.FIG. 4 is a diagram schematically showing the guide ring member of FIG. 2 viewed from below. Hereinafter, with reference to FIGS. 2 to 4, a guide ring member according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

안내 링 부재(6800)는 제1통로(P1)와 제2통로(P2)를 거쳐 유동하는 플라즈마의 기류를 처리 공간(5200)으로 안내할 수 있다. 안내 링 부재(6800)는 제1통로(P1)와 제2통로(P2)를 통해 유동하는 파티클을 포함하는 기류를 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 안내할 수 있다. 안내 링 부재(6800)는 대체로 링 형상으로 제공될 수 있다. 안내 링 부재(6800)는 소정의 두께를 가지는 링 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로, 안내 링 부재(6800)는 상하부가 막힌 링 형상으로 제공될 수 있다. 예컨대, 안내 링 부재(6800)는 내부에 공간을 가진 링 형상으로 제공될 수 있다.The guide ring member 6800 may guide the airflow of plasma flowing through the first passage P1 and the second passage P2 to the processing space 5200. The guide ring member 6800 may guide airflow containing particles flowing through the first passage P1 and the second passage P2 to the edge area of the processing space 5200. The guide ring member 6800 may be provided in a generally ring shape. The guide ring member 6800 may be provided in a ring shape with a predetermined thickness. As an example, the guide ring member 6800 may be provided in a ring shape with closed upper and lower ends. For example, the guide ring member 6800 may be provided in a ring shape with a space therein.

안내 링 부재(6800)는 확산 챔버(5620) 내부에 위치할 수 있다. 안내 링 부재(6800)는 상부 안내체(6400) 아래에 위치할 수 있다. 안내 링 부재(6800)는 하부 안내체(6600) 위에 위치할 수 있다. 일 예로, 안내 링 부재(6800)는 상부 안내체(6400)와 하부 안내체(6600) 사이에 배치될 수 있다. 안내 링 부재(6800)는 상부 안내체(6400)와 접할 수 있다. 예컨대, 안내 링 부재(6800)의 상측단부는 제1경사부(6440)의 내측면과 선접할 수 있다. 안내 링 부재(6800)는 하부 안내체(6600)와 접할 수 있다. 예컨대, 안내 링 부재(6800)의 하측단부는 제2경사부(6640)의 상단과 선접할 수 있다.Guide ring member 6800 may be located inside diffusion chamber 5620. Guide ring member 6800 may be positioned below upper guide body 6400. Guide ring member 6800 may be positioned above lower guide body 6600. As an example, the guide ring member 6800 may be disposed between the upper guide body 6400 and the lower guide body 6600. Guide ring member 6800 may be in contact with upper guide body 6400. For example, the upper end of the guide ring member 6800 may be in line with the inner surface of the first inclined portion 6440. Guide ring member 6800 may contact lower guide body 6600. For example, the lower end of the guide ring member 6800 may be in line with the upper end of the second inclined portion 6640.

안내 링 부재(6800)의 측면에는 유입 홀(6820)이 형성될 수 있다. 유입 홀(6820)은 상부 안내체(6400)와 하부 안내체(6600)가 서로 조합되어 형성된 제2통로(P2) 상에 형성될 수 있다. 유입 홀(6820)은 복수 개 제공될 수 있다. 유입 홀(6820)들은 안내 링 부재(6800)의 측면 둘레를 따라 서로 이격되게 제공될 수 있다. 유입 홀(6820)들에는 제2통로(P2)를 통해 플라즈마 및/또는 플라즈마 발생 과정에서 형성된 파티클을 포함하는 기류가 유입된다.An inlet hole 6820 may be formed on the side of the guide ring member 6800. The inlet hole 6820 may be formed on the second passage P2 formed by combining the upper guide body 6400 and the lower guide body 6600 with each other. A plurality of inlet holes 6820 may be provided. The inlet holes 6820 may be provided to be spaced apart from each other along the side circumference of the guide ring member 6800. Airflow containing plasma and/or particles formed during the plasma generation process flows into the inlet holes 6820 through the second passage P2.

안내 링 부재(6800)의 하면에는 유출 홀(6840)이 형성될 수 있다. 유출 홀(6840)은 복수 개 제공될 수 있다. 유출 홀(6840)들은 안내 링 부재(6800)의 하면에 일정 간격으로 서로 이격되게 제공될 수 있다. 유입 홀(6820)을 통해 안내 링 부재(6800)의 내부 공간으로 유입된 플라즈마 기류는 유출 홀(6840)을 통해 처리 공간(5200)으로 유동할 수 있다. 예컨대, 유출 홀(6840)을 통해 유동하는 기류는 제2경사부(6640)에 제공된 경사면을 따라 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동할 수 있다. 유출 홀(6840)들의 직경은 배플 홀(5282)의 직경보다 작게 제공될 수 있다.An outlet hole 6840 may be formed on the lower surface of the guide ring member 6800. A plurality of outlet holes 6840 may be provided. Outflow holes 6840 may be provided on the lower surface of the guide ring member 6800 and spaced apart from each other at regular intervals. The plasma airflow flowing into the inner space of the guide ring member 6800 through the inlet hole 6820 may flow into the processing space 5200 through the outlet hole 6840. For example, the airflow flowing through the outlet hole 6840 may flow to the edge area of the processing space 5200 along the inclined surface provided in the second inclined portion 6640. The diameter of the outlet holes 6840 may be provided smaller than the diameter of the baffle hole 5282.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 안내 링 부재(6800)는 하면에 유출 홀(6840)이 형성되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상술한 본 발명의 실시예에서는 안내 링 부재(6800)가 상하면이 막힌 링 형상으로 제공되는 것을 예로 들어 설명하였다. 다만, 이에 한정되지 않고, 안내 링 부재(6800)는 상면이 막히고, 하면이 개방된 링 형상으로 제공될 수 있다. 이에, 유입 홀(6820)을 통해 안내 링 부재(6800)의 내부 공간으로 유입된 플라즈마 기류는 개방된 안내 링 부재(6800)의 하면을 통해 처리 공간(5200)으로 유동할 수 있다.The guide ring member 6800 according to the above-described embodiment of the present invention has been described as an example in which an outflow hole 6840 is formed on the lower surface, but it is not limited thereto. In addition, in the above-described embodiment of the present invention, the guide ring member 6800 is provided as an example in a ring shape with closed upper and lower surfaces. However, the guide ring member 6800 is not limited to this and may be provided in a ring shape with the upper surface closed and the lower surface open. Accordingly, the plasma airflow flowing into the inner space of the guide ring member 6800 through the inlet hole 6820 may flow into the processing space 5200 through the open lower surface of the guide ring member 6800.

다시 도 2를 참조하면, 배기실(580)은 처리실(520) 내부의 공정 가스 및 불순물을 외부로 배기할 수 있다. 배기실(580)은 기판(W) 처리 과정에서 발생하는 불순물과 파티클 등을 프로세스 챔버(500)의 외부로 배기할 수 있다. 배기실(580)은 처리 공간(5200) 내로 공급된 공정 가스를 외부로 배기할 수 있다. 배기실(580)은 배기 라인(5820)과 감압 부재(5840)를 포함할 수 있다. 배기 라인(5820)은 하우징(5220)의 바닥면에 형성된 배기홀(5222)과 연결될 수 있다. 배기 라인(5820)은 감압을 제공하는 감압 부재(5840)와 연결될 수 있다.Referring again to FIG. 2 , the exhaust chamber 580 may exhaust process gases and impurities inside the processing chamber 520 to the outside. The exhaust chamber 580 may exhaust impurities and particles generated during the processing of the substrate W to the outside of the process chamber 500 . The exhaust chamber 580 may exhaust the process gas supplied into the processing space 5200 to the outside. The exhaust chamber 580 may include an exhaust line 5820 and a pressure reducing member 5840. The exhaust line 5820 may be connected to the exhaust hole 5222 formed on the bottom of the housing 5220. The exhaust line 5820 may be connected to a pressure reducing member 5840 that provides reduced pressure.

감압 부재(5840)는 처리 공간(5200)에 감압을 제공할 수 있다. 감압 부재(5840)는 처리 공간(5200)에 잔류하는 플라즈마, 불순물, 그리고 파티클 등을 하우징(5220)의 외부로 배출할 수 있다. 또한, 감압 부재(5840)는 처리 공간(5200)의 압력을 기 설정된 압력으로 유지하도록 감압을 제공할 수 있다. 감압 부재(5840)는 펌프 일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 감압 부재(5840)는 감압을 제공하는 공지된 장치로 제공될 수 있다.Pressure reducing member 5840 may provide reduced pressure to processing space 5200. The pressure reducing member 5840 may discharge plasma, impurities, and particles remaining in the processing space 5200 to the outside of the housing 5220. Additionally, the pressure reducing member 5840 may provide reduced pressure to maintain the pressure of the processing space 5200 at a preset pressure. Pressure reducing member 5840 may be a pump. However, the present invention is not limited to this, and the pressure reducing member 5840 may be provided as a known device that provides reduced pressure.

도 5 및 도 6은 도 2의 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버에서의 기류의 흐름을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 플라즈마 발생 과정에서 형성되는 불순물 또는 파티클을 포함하는 기류 및/또는 플라즈마는 확산 챔버(5620)와 상부 안내체(6400)가 서로 조합되어 형성된 제1통로(P1)로 유동한다. 예컨대, 기류는 제1경사부(6440)에 형성된 경사면을 따라 아래 방향으로 유동한다. 제1통로(P1)를 통과한 기류의 일부는 바닥 홀(6622)을 통과한다. 바닥 홀(6622)을 통과한 기류는 제1통로(P1)의 경사면을 따라 유동함으로써, 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동할 수 있다.5 and 6 are diagrams schematically showing the flow of air in a process chamber performing the plasma treatment process of FIG. 2. Referring to FIGS. 5 and 6, the airflow and/or plasma containing impurities or particles formed during the plasma generation process flows through the first passage (P1) formed by combining the diffusion chamber 5620 and the upper guide member 6400. flows as For example, the airflow flows downward along the inclined surface formed in the first inclined portion 6440. A portion of the airflow passing through the first passage (P1) passes through the bottom hole (6622). The airflow passing through the bottom hole 6622 may flow along the inclined surface of the first passage P1, thereby flowing to the edge area of the processing space 5200.

제1통로(P1)를 통과한 기류의 다른 일부는 상부 안내체(6400)와 하부 안내체(6600)가 서로 조합되어 형성된 제2통로(P2)로 유동한다. 제2통로(P2)를 통과한 기류는 안내 링 부재(6800)에 형성된 유입 홀(6820)로 유동한다. 유입 홀(6820)을 통과한 기류는 안내 링 부재(6800)에 형성된 내부 공간을 거쳐 유출 홀(6840)을 통과한다. 제2통로(P2)를 유동하는 기류의 유동 방향이 유출 홀(6840)을 통과하는 과정에서 변경되고, 원심력에 의해 기류가 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동한다. 또한, 유출 홀(6840)을 통과한 기류는 제2경사부(6640)에 형성된 경사면을 따라 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동한다.Another part of the airflow passing through the first passage (P1) flows into the second passage (P2) formed by combining the upper guide body (6400) and the lower guide body (6600). The airflow passing through the second passage (P2) flows into the inflow hole 6820 formed in the guide ring member 6800. The airflow passing through the inlet hole 6820 passes through the inner space formed in the guide ring member 6800 and then passes through the outlet hole 6840. The flow direction of the airflow flowing through the second passage P2 changes while passing through the outflow hole 6840, and the airflow flows to the edge area of the processing space 5200 due to centrifugal force. Additionally, the airflow passing through the outflow hole 6840 flows to the edge area of the processing space 5200 along the inclined surface formed in the second inclined portion 6640.

상술한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마 발생실(540)에서 발생한 플라즈마가 확산 챔버(5620)와 상부 안내체(6400)가 서로 조합되어 형성된 제1통로(P1)로 유동한다. 제1통로(P1)를 통과한 플라즈마의 일부는 바닥 홀(6622)을 통해 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동한다. 또한, 제1통로(P1)를 통과한 플라즈마의 다른 일부는 상부 안내체(6400)와 하부 안내체(6600)가 서로 조합되어 형성된 제2통로(P2)로 유동한다. 제2통로(P2)를 통해 유입된 플라즈마는 유입 홀(6820)과 유출 홀(6840)을 순차적으로 거쳐 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동한다.According to an embodiment of the present invention described above, the plasma generated in the plasma generation chamber 540 flows into the first passage P1 formed by combining the diffusion chamber 5620 and the upper guide body 6400. A portion of the plasma that has passed through the first passage P1 flows to the edge area of the processing space 5200 through the bottom hole 6622. Additionally, another part of the plasma that has passed through the first passage (P1) flows into the second passage (P2) formed by combining the upper guide body (6400) and the lower guide body (6600). The plasma flowing in through the second passage P2 sequentially passes through the inlet hole 6820 and the outlet hole 6840 and flows to the edge area of the processing space 5200.

이에, 플라즈마 발생실(540)에서 발생한 플라즈마가 배플(5280)의 중앙 영역을 포함한 영역으로 집중되는 것을 최소화할 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 플라즈마 발생실(540)과 중첩되는 영역에 위치하는 배플(5280) 내에서 플라즈마가 집중되는 것을 최소화할 수 있다. 이로 인해, 배플(5280) 내에서 플라즈마 집중 현상으로 발생할 수 있는 배플(5280)의 열 변형 현상을 최소화할 수 있다. 배플의 열 변형을 최소화함으로써 배플의 교체 주기가 상대적으로 길어지고, 이에 따라 유지 보수에 소요되는 비용이 절감될 수 있다. 또한, 배플의 열 변형을 최소화함으로써, 배플이 변형되는 과정에서 발생하는 파티클이 줄어들 수 있다.Accordingly, concentration of plasma generated in the plasma generation chamber 540 in an area including the central area of the baffle 5280 can be minimized. When viewed from the top, concentration of plasma within the baffle 5280 located in an area overlapping with the plasma generation chamber 540 can be minimized. As a result, thermal deformation of the baffle 5280 that may occur due to plasma concentration within the baffle 5280 can be minimized. By minimizing thermal deformation of the baffle, the replacement cycle of the baffle can be relatively longer, thereby reducing maintenance costs. Additionally, by minimizing thermal deformation of the baffle, particles generated during the baffle deformation process can be reduced.

또한, 플라즈마가 기판(W)의 중심을 포함하는 중앙 영역에 집중되는 것을 최소화하고, 플라즈마가 기판(W) 상으로 균일하게 분배될 수 있다. 이에, 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리할 때, 기판에 작용하는 플라즈마 처리의 균일성을 확보할 수 있다.Additionally, the concentration of plasma in the central area including the center of the substrate W can be minimized, and the plasma can be uniformly distributed over the substrate W. Accordingly, when processing the substrate W using plasma, uniformity of plasma treatment acting on the substrate can be secured.

또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마 발생 과정에서 형성되는 불순물 또는 파티클을 포함하는 기류가 제1통로(P1)로 유동한다. 제1통로(P1)를 통과한 기류의 일부는 바닥 홀(6622)을 통해 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동한다. 또한, 제1통로(P1)를 통과한 기류의 다른 일부는 상부 안내체(6400)와 하부 안내체(6600)가 서로 조합되어 형성된 제2통로(P2)로 유동한다. 제2통로(P2)를 통해 유입된 기류는 유입 홀(6820)과 유출 홀(6840)을 순차적으로 거쳐 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동한다.Additionally, according to the above-described embodiment of the present invention, an airflow containing impurities or particles formed during the plasma generation process flows into the first passage (P1). A portion of the airflow passing through the first passage P1 flows to the edge area of the processing space 5200 through the bottom hole 6622. Additionally, another part of the airflow passing through the first passage (P1) flows into the second passage (P2) formed by combining the upper guide body (6400) and the lower guide body (6600). The airflow introduced through the second passage (P2) sequentially passes through the inlet hole 6820 and the outlet hole 6840 and flows to the edge area of the processing space 5200.

플라즈마 발생 과정에서 형성되는 파티클 등을 포함하는 기류를 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유도할 수 있다. 이에, 처리 공간(5200)에 위치하는 지지 유닛(5240) 상에 지지된 기판(W)으로 유동하는 것을 최소화할 수 있다. 기판(W)의 상부에 불순물 또는 파티클이 안착되는 것을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 기판(W)의 상부에 파티클이 안착되어 플라즈마 처리 과정에서 발생하는 공정 불량률을 최소화할 수 있다.Airflow containing particles formed during the plasma generation process may be guided to the edge area of the processing space 5200. Accordingly, flow to the substrate W supported on the support unit 5240 located in the processing space 5200 can be minimized. It is possible to minimize impurities or particles settling on the upper part of the substrate (W). Accordingly, particles are seated on the upper part of the substrate W, thereby minimizing the process defect rate occurring during the plasma processing process.

도 7은 도 2의 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 8은 도 7의 기류 안내 부재를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 이하에서 설명하는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버에 대한 설명 중 기류 안내 부재를 제외하고 전술한 일 실시예에 의한 프로세스 챔버에 대한 설명과 유사한 것으로써, 내용의 중복을 방지하기 위해 이하에서는 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.FIG. 7 is a diagram schematically showing another embodiment of a process chamber that performs the plasma processing process of FIG. 2. Figure 8 is a perspective view schematically showing the airflow guiding member of Figure 7. The description of the process chamber according to an embodiment of the present invention described below is similar to the description of the process chamber according to the above-described embodiment except for the air flow guide member, and to prevent duplication of content, the following will be described below. Descriptions of overlapping configurations are omitted.

이하에서는 도 7과 도 8을 참조하여, 프로세스 챔버의 다른 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 프로세스 챔버(500)는 기류 안내 부재(6000)를 포함한다.Hereinafter, another embodiment of the process chamber will be described in detail with reference to FIGS. 7 and 8. The process chamber 500 according to an embodiment of the present invention includes an airflow guiding member 6000.

기류 안내 부재(6000)는 확산실(560) 내부에 위치한다. 기류 안내 부재(6000)는 확산 챔버(5620) 내부에 제공될 수 있다. 기류 안내 부재(6000)는 배플(5280)의 상부에 위치할 수 있다. 기류 안내 부재(6000)는 배플(5280)의 상부에서 배플(5280)과 마주보도록 배치될 수 있다. 기류 안내 부재(6000)는 플라즈마 발생실(540)에서 발생한 플라즈마의 흐름 방향을 안내할 수 있다. 기류 안내 부재(6000)는 플라즈마에 의해 발생한 파티클이 포함되는 기류의 흐름 방향을 안내할 수 있다.The airflow guiding member 6000 is located inside the diffusion chamber 560. The airflow guiding member 6000 may be provided inside the diffusion chamber 5620. The airflow guiding member 6000 may be located on top of the baffle 5280. The airflow guiding member 6000 may be disposed at the top of the baffle 5280 to face the baffle 5280. The air flow guide member 6000 may guide the flow direction of plasma generated in the plasma generation chamber 540. The airflow guide member 6000 may guide the flow direction of airflow containing particles generated by plasma.

안내체(6200)는 상부 안내체(6400)와 하부 안내체(6600)를 포함할 수 있다. 상부 안내체(6400)는 확산 챔버(5620) 내부에 제공된다. 상부 안내체(6400)는 정면에서 바라볼 때, 대체로 사다리꼴의 형상으로 제공될 수 있다. 상부 안내체(6400)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 상부 안내체(6400)는 천정부(6420), 제1경사부(6440), 그리고 저면부(6460)를 가질 수 있다.The guide body 6200 may include an upper guide body 6400 and a lower guide body 6600. The upper guide body 6400 is provided inside the diffusion chamber 5620. The upper guide body 6400 may be provided in a generally trapezoidal shape when viewed from the front. The upper guide body 6400 may be provided in a generally circular shape when viewed from the top. The upper guide body 6400 may have a ceiling portion 6420, a first inclined portion 6440, and a bottom portion 6460.

제1경사부(6440)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 중심을 포함한 영역이 개방된 원판 형상을 가질 수 있다. 제1경사부(6440)는 천정부(6420)에서 연장되어 현성될 수 있다. 제1경사부(6440)의 상단은 천정부(6420)의 측단과 연결될 수 있다. 제1경사부(6440)의 상단은 천정부(6420)의 둘레 방향을 따라 면접할 수 있다. 제1경사부(6440)는 확산 챔버(5620)의 측벽으로부터 확산 챔버(5620)의 중심을 향하는 방향으로 이격되게 제공될 수 있다.When viewed from the top, the first inclined portion 6440 may have a disk shape with an area including the center generally open. The first inclined portion 6440 may be formed by extending from the ceiling portion 6420. The top of the first inclined portion 6440 may be connected to the side edge of the ceiling portion 6420. The top of the first inclined portion 6440 may be interviewed along the circumferential direction of the ceiling portion 6420. The first inclined portion 6440 may be provided to be spaced apart from the side wall of the diffusion chamber 5620 in a direction toward the center of the diffusion chamber 5620.

제1경사부(6440)는 경사지게 형성될 수 있다. 제1경사부(6440)는 상단에서 하단으로 갈수록 그 직경이 커지도록 제공될 수 있다. 일 예로, 제1경사부(6440)는 확산 챔버(5620)와 동일한 경사를 가질 수 있다. 이에, 제1경사부(6440)는 확산 챔버(5620)의 측벽과 평행할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 제1경사부(6440)의 경사와 확산 챔버(5620)의 경사는 상이하게 제공될 수 있다. 제1경사부(6440)의 하단은 확산 챔버(5620)의 하단보다 위에 위치할 수 있다. 제1경사부(6440)의 하단은 확산부(5624)의 하단보다 위에 위치할 수 있다. 제1경사부(6440)의 하단은 후술하는 하부 안내체(6600)의 상단보다 위에 위치할 수 있다.The first inclined portion 6440 may be formed to be inclined. The first inclined portion 6440 may be provided so that its diameter increases from the top to the bottom. For example, the first slope 6440 may have the same slope as the diffusion chamber 5620. Accordingly, the first inclined portion 6440 may be parallel to the side wall of the diffusion chamber 5620. However, the present invention is not limited to this, and the inclination of the first inclined portion 6440 and the inclination of the diffusion chamber 5620 may be provided differently. The lower end of the first slope 6440 may be located above the lower end of the diffusion chamber 5620. The lower end of the first inclined portion 6440 may be located above the lower end of the diffusion portion 5624. The lower end of the first inclined portion 6440 may be located above the upper end of the lower guide body 6600, which will be described later.

저면부(6460)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 원판 형상으로 제공될 수 있다. 저면부(6460)는 상부에서 바라볼 때, 확산 챔버(5620)의 중심 영역을 포함하는 영역에 위치할 수 있다. 저면부(6460)는 천정부(6420)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 저면부(6460)는 상부에서 바라볼 때, 천정부(6420)보다 큰 면적을 가질 수 있다. 저면부(6460)는 제1경사부(6440)로부터 연장될 수 있다. 저면부(6460)는 제1경사부(6440)의 하단으로부터 확산 챔버(5620)의 중심을 향하는 방향으로 수평 연장될 수 있다. 저면부(6460)는 후술하는 안내 링 부재(6800)와 선접 및/또는 면접할 수 있다. 일 예로, 저면부(6460)의 하단은 안내 링 부재(6800)의 상단과 선접 및/또는 면접할 수 있다. 상부 안내체(6400)에 제공되는 천정부(6420), 제1경사부(6440), 그리고 저면부(6460)는 일체로 형성될 수 있다.The bottom portion 6460 may be provided in a generally disk shape when viewed from the top. The bottom portion 6460 may be located in an area that includes the central region of the diffusion chamber 5620 when viewed from the top. The bottom portion 6460 may have a larger diameter than the ceiling portion 6420. The bottom portion 6460 may have a larger area than the ceiling portion 6420 when viewed from the top. The bottom portion 6460 may extend from the first inclined portion 6440. The bottom portion 6460 may extend horizontally from the bottom of the first inclined portion 6440 toward the center of the diffusion chamber 5620. The bottom portion 6460 may be in line with and/or in contact with the guide ring member 6800, which will be described later. For example, the lower end of the bottom portion 6460 may be in line with and/or face the upper end of the guide ring member 6800. The ceiling portion 6420, the first inclined portion 6440, and the bottom portion 6460 provided on the upper guide body 6400 may be formed as one body.

하부 안내체(6600)는 확산 챔버(5620) 내부에 제공된다. 하부 안내체(6600)는 상부 안내체(6400) 아래에 위치할 수 있다. 하부 안내체(6600)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로, 하부 안내체(6600)는 상부에서 바라볼 때, 중심을 포함하는 영역이 개방된 링 형상으로 제공될 수 있다.The lower guide body 6600 is provided inside the diffusion chamber 5620. The lower guide body 6600 may be located below the upper guide body 6400. The lower guide body 6600 may be provided in a generally circular shape when viewed from the top. As an example, the lower guide body 6600 may be provided in a ring shape with an open area including the center when viewed from the top.

하부 안내체(6600)는 확산 챔버(5620)의 측벽으로부터 확산 챔버(5620)의 중심을 향해 연장될 수 있다. 하부 안내체(6600)는 확산 챔버(5620)의 측벽 하단으로부터 확산 챔버(5620)의 중심을 향해 수평으로 연장될 수 있다. 하부 안내체(6600)의 상단은 확산부(5624)의 하단보다 위에 위치할 수 있다. 하부 안내체(6600)의 상단은 후술하는 안내 링 부재(6800)의 하단보다 위에 위치할 수 있다. 하부 안내체(6600)의 상단은 저면부(6460)의 하단보다 아래에 위치할 수 있다.Lower guide body 6600 may extend from the sidewall of diffusion chamber 5620 toward the center of diffusion chamber 5620. The lower guide body 6600 may extend horizontally from the bottom of the side wall of the diffusion chamber 5620 toward the center of the diffusion chamber 5620. The upper end of the lower guide 6600 may be located above the lower end of the diffusion portion 5624. The upper end of the lower guide member 6600 may be located above the lower end of the guide ring member 6800, which will be described later. The upper end of the lower guide member 6600 may be located below the lower end of the bottom portion 6460.

하부 안내체(6600)의 하단은 확산부(5624)의 하단과 인접하게 제공될 수 있다. 일 예로, 하부 안내체(6600)의 하단은 확산부(5624)의 하단과 지면으로부터 동일한 높이에 제공될 수 있다. 하부 안내체(6600)의 하단은 안내 링 부재(6800)의 하단과 인접하게 위치할 수 있다. 일 예로, 하부 안내체(6600)의 하단은 안내 링 부재(6800)의 하단과 지면으로부터 동일한 높이에 위치할 수 있다.The lower end of the lower guide member 6600 may be provided adjacent to the lower end of the diffusion portion 5624. For example, the lower end of the lower guide 6600 may be provided at the same height as the lower end of the diffusion unit 5624 from the ground. The lower end of the lower guide member 6600 may be positioned adjacent to the lower end of the guide ring member 6800. For example, the lower end of the lower guide member 6600 may be positioned at the same height as the lower end of the guide ring member 6800 from the ground.

하부 안내체(6600)에는 홀(6660)이 형성될 수 있다. 홀(6660)은 복수 개가 제공될 수 있다. 홀(6660)들은 하부 안내체(6600)를 상하 방향으로 관통할 수 있다. 홀(6660)들의 직경은 배플 홀(5282)의 직경보다 작게 제공될 수 있다.A hole 6660 may be formed in the lower guide body 6600. A plurality of holes 6660 may be provided. Holes 6660 may penetrate the lower guide body 6600 in the vertical direction. The diameter of the holes 6660 may be smaller than the diameter of the baffle hole 5282.

하부 안내체(6600)는 상부 안내체(6400)와 조합되어 제2통로(P2)를 형성할 수 있다. 하부 안내체(6600)는 저면부(6460)와 서로 조합되어 제2통로(P2)를 형성할 수 있다. 일 예로, 하부 안내체(6600)의 상면과 저면부(6460)의 하면이 서로 조합되어 제2통로(P2)를 형성할 수 있다.The lower guide member 6600 may be combined with the upper guide member 6400 to form the second passage (P2). The lower guide 6600 may be combined with the bottom portion 6460 to form the second passage P2. For example, the upper surface of the lower guide 6600 and the lower surface of the bottom portion 6460 may be combined to form the second passage P2.

안내 링 부재(6800)는 제1통로(P1)와 제2통로(P2)를 거쳐 유동하는 플라즈마의 기류를 처리 공간(5200)으로 안내할 수 있다. 안내 링 부재(6800)는 제1통로(P1)와 제2통로(P2)를 통해 유동하는 파티클을 포함하는 기류를 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 안내할 수 있다. 안내 링 부재(6800)는 대체로 링 형상으로 제공될 수 있다. 일 예로, 안내 링 부재(6800)는 상하부가 막힌 링 형상으로 제공될 수 있다. 예컨대, 안내 링 부재(6800)는 내부에 공간을 가진 링 형상으로 제공될 수 있다.The guide ring member 6800 may guide the airflow of plasma flowing through the first passage P1 and the second passage P2 to the processing space 5200. The guide ring member 6800 may guide airflow containing particles flowing through the first passage P1 and the second passage P2 to the edge area of the processing space 5200. The guide ring member 6800 may be provided in a generally ring shape. As an example, the guide ring member 6800 may be provided in a ring shape with closed upper and lower ends. For example, the guide ring member 6800 may be provided in a ring shape with a space therein.

안내 링 부재(6800)는 확산 챔버(5620) 내부에 위치할 수 있다. 안내 링 부재(6800)는 상부 안내체(6400) 아래에 위치할 수 있다. 안내 링 부재(6800)는 저면부(6460)와 접할 수 있다. 일 예로, 안내 링 부재(6800)의 상단은 저면부(6460)의 하단과 선접 및/또는 면접할 수 있다. 안내 링 부재(6800)는 하부 안내체(6600)와 접할 수 있다. 예컨대, 안내 링 부재(6800)의 측면은 하부 안내체(6600)의 내측면과 면접할 수 있다. 안내 링 부재(6800)의 하단은 하부 안내체(6600)의 하단과 인접하게 위치할 수 있다. 일 예로, 안내 링 부재(6800)의 하단은 하부 안내체(6600)의 하단과 지면으로부터 동일한 높이에 위치할 수 있다. 안내 링 부재(6800)의 상단은 하부 안내체(6600)의 상단보다 높게 위치한다.Guide ring member 6800 may be located inside diffusion chamber 5620. Guide ring member 6800 may be positioned below upper guide body 6400. The guide ring member 6800 may contact the bottom portion 6460. As an example, the upper end of the guide ring member 6800 may be in line with and/or face the lower end of the bottom portion 6460. Guide ring member 6800 may contact lower guide body 6600. For example, the side surface of the guide ring member 6800 may be in contact with the inner surface of the lower guide body 6600. The lower end of the guide ring member 6800 may be positioned adjacent to the lower end of the lower guide body 6600. For example, the lower end of the guide ring member 6800 may be positioned at the same height as the lower end of the lower guide body 6600 from the ground. The upper end of the guide ring member 6800 is located higher than the upper end of the lower guide body 6600.

안내 링 부재(6800)의 측면에는 유입 홀(6820)이 형성될 수 있다. 유입 홀(6820)은 상부 안내체(6400)와 하부 안내체(6600)가 서로 조합되어 형성된 제2통로(P2) 상에 형성될 수 있다. 일 예로, 유입 홀(6820)은 안내 링 부재(6800)의 측면에서, 저면부(6460)의 하단과 하부 안내체(6600)의 상단 사이에 제공될 수 있다. 유입 홀(6820)은 복수 개가 제공될 수 있다. 유입 홀(6820)들은 안내 링 부재(6800)의 측면 둘레를 따라 서로 이격되게 제공될 수 있다. 유입 홀(6820)들에는 제2통로(P2)를 통해 플라즈마 및/또는 플라즈마 발생 과정에서 형성된 파티클을 포함하는 기류가 유입된다.An inlet hole 6820 may be formed on the side of the guide ring member 6800. The inlet hole 6820 may be formed on the second passage P2 formed by combining the upper guide body 6400 and the lower guide body 6600 with each other. As an example, the inlet hole 6820 may be provided on the side of the guide ring member 6800, between the bottom of the bottom portion 6460 and the top of the lower guide body 6600. A plurality of inlet holes 6820 may be provided. The inlet holes 6820 may be provided to be spaced apart from each other along the side circumference of the guide ring member 6800. Airflow containing plasma and/or particles formed during the plasma generation process flows into the inlet holes 6820 through the second passage P2.

안내 링 부재(6800)의 하면에는 유출 홀(6840)이 형성될 수 있다. 유출 홀(6840)들은 복수 개 제공될 수 있다. 유출 홀(6840)들은 안내 링 부재(6800)의 하면에 일정 간격으로 서로 이격되게 제공될 수 있다. 유입 홀(6820)을 통해 안내 링 부재(6800)의 내부 공간으로 유입된 플라즈마 기류는 유출 홀(6840)을 통해 처리 공간(5200)으로 유동할 수 있다. 유출 홀(6840)들의 직경은 배플 홀(5282)의 직경보다 작게 제공될 수 있다.An outlet hole 6840 may be formed on the lower surface of the guide ring member 6800. A plurality of outlet holes 6840 may be provided. Outflow holes 6840 may be provided on the lower surface of the guide ring member 6800 and spaced apart from each other at regular intervals. The plasma airflow flowing into the inner space of the guide ring member 6800 through the inlet hole 6820 may flow into the processing space 5200 through the outlet hole 6840. The diameter of the outlet holes 6840 may be provided smaller than the diameter of the baffle hole 5282.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 안내 링 부재(6800)는 하면에 유출 홀(6840)이 형성되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상술한 본 발명의 실시예에서는 안내 링 부재(6800)가 상하면이 막힌 링 형상으로 제공되는 것을 예로 들어 설명하였다. 다만, 이에 한정되지 않고, 안내 링 부재(6800)는 상면이 막히고, 하면이 개방된 링 형상으로 제공될 수 있다. 이에, 유입 홀(6820)을 통해 안내 링 부재(6800)의 내부 공간으로 유입된 플라즈마의 기류는 개방된 안내 링 부재(6800)의 하면을 통해 처리 공간(5200)으로 유동할 수 있다.The guide ring member 6800 according to the above-described embodiment of the present invention has been described as an example in which an outflow hole 6840 is formed on the lower surface, but it is not limited thereto. In addition, in the above-described embodiment of the present invention, the guide ring member 6800 is provided as an example in a ring shape with closed upper and lower surfaces. However, the guide ring member 6800 is not limited to this and may be provided in a ring shape with the upper surface closed and the lower surface open. Accordingly, the airflow of plasma flowing into the inner space of the guide ring member 6800 through the inlet hole 6820 may flow into the processing space 5200 through the open lower surface of the guide ring member 6800.

도 9는 도 7의 플라즈마 처리 공정을 수행하는 프로세스 챔버에서의 기류의 흐름을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 플라즈마 발생 과정에서 형성되는 불순물 또는 파티클을 포함하는 기류 및/또는 플라즈마는 확산 챔버(5620)와 상부 안내체(6400)가 서로 조합되어 형성된 제1통로(P1)로 유동한다. 예컨대, 기류는 제1경사부(6440)에 형성된 경사면을 따라 아래 방향으로 유동한다. 제1통로(P1)를 통과한 기류의 일부는 홀(6660)을 통과한다. 홀(6660)을 통과한 기류는 제1통로(P1)의 경사면을 따라 유동함으로써, 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동할 수 있다.FIG. 9 is a diagram schematically showing the flow of air in a process chamber performing the plasma treatment process of FIG. 7. Referring to FIG. 9, airflow and/or plasma containing impurities or particles formed during the plasma generation process flows through the first passage (P1) formed by combining the diffusion chamber 5620 and the upper guide body 6400. . For example, the airflow flows downward along the inclined surface formed in the first inclined portion 6440. A portion of the airflow passing through the first passage (P1) passes through the hole (6660). The airflow passing through the hole 6660 may flow along the inclined surface of the first passage P1, thereby flowing to the edge area of the processing space 5200.

제1통로(P1)를 통과한 기류의 다른 일부는 상부 안내체(6400)와 하부 안내체(6600)가 서로 조합되어 형성된 제2통로(P2)로 유동한다. 제2통로(P2)를 통과한 기류는 안내 링 부재(6800)에 형성된 유입 홀(6820)로 유동한다. 유입 홀(6820)을 통과한 기류는 안내 링 부재(6800)에 형성된 내부 공간을 거쳐 유출 홀(6840)을 통과한다. 제2통로(P2)를 유동하는 기류의 유동 방향이 유출 홀(6840)을 통과하는 과정에서 변경되고, 원심력에 의해 기류가 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동한다.Another part of the airflow passing through the first passage (P1) flows into the second passage (P2) formed by combining the upper guide body (6400) and the lower guide body (6600). The airflow passing through the second passage (P2) flows into the inflow hole 6820 formed in the guide ring member 6800. The airflow passing through the inlet hole 6820 passes through the inner space formed in the guide ring member 6800 and then passes through the outlet hole 6840. The flow direction of the airflow flowing through the second passage P2 changes while passing through the outflow hole 6840, and the airflow flows to the edge area of the processing space 5200 due to centrifugal force.

상술한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마 발생실(540)에서 발생한 플라즈마가 확산 챔버(5620)와 상부 안내체(6400)가 서로 조합되어 형성된 제1통로(P1)로 유동한다. 제1통로(P1)를 통과한 플라즈마의 일부는 홀(6660)을 통해 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동한다. 또한, 제1통로(P1)를 통과한 플라즈마의 다른 일부는 상부 안내체(6400)와 하부 안내체(6600)가 서로 조합되어 형성된 제2통로(P2)로 유동한다. 제2통로(P2)를 통해 유입된 플라즈마는 유입 홀(6820)과 유출 홀(6840)을 순차적으로 거쳐 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동한다.According to an embodiment of the present invention described above, the plasma generated in the plasma generation chamber 540 flows into the first passage P1 formed by combining the diffusion chamber 5620 and the upper guide body 6400. A portion of the plasma that has passed through the first passage P1 flows to the edge area of the processing space 5200 through the hole 6660. Additionally, another part of the plasma that has passed through the first passage (P1) flows into the second passage (P2) formed by combining the upper guide body (6400) and the lower guide body (6600). The plasma flowing in through the second passage P2 sequentially passes through the inlet hole 6820 and the outlet hole 6840 and flows to the edge area of the processing space 5200.

또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마 발생 과정에서 형성되는 불순물 또는 파티클을 포함하는 기류가 제1통로(P1)로 유동한다. 제1통로(P1)를 통과한 기류의 일부는 홀(6660)을 통해 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동한다. 또한, 제1통로(P1)를 통과한 기류의 다른 일부는 상부 안내체(6400)와 하부 안내체(6600)가 서로 조합되어 형성된 제2통로(P2)로 유동한다. 제2통로(P2)를 통해 유입된 기류는 유입 홀(6820)과 유출 홀(6840)을 순차적으로 거쳐 처리 공간(5200)의 가장자리 영역으로 유동한다.Additionally, according to the above-described embodiment of the present invention, an airflow containing impurities or particles formed during the plasma generation process flows into the first passage (P1). A portion of the airflow passing through the first passage P1 flows to the edge area of the processing space 5200 through the hole 6660. Additionally, another part of the airflow passing through the first passage (P1) flows into the second passage (P2) formed by combining the upper guide body (6400) and the lower guide body (6600). The airflow introduced through the second passage (P2) sequentially passes through the inlet hole 6820 and the outlet hole 6840 and flows to the edge area of the processing space 5200.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. Additionally, the foregoing is intended to illustrate preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the inventive concept disclosed in this specification, a scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of technology or knowledge in the art. The above-described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Additionally, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.

520 : 처리실
540 : 플라즈마 발생실
560 : 확산실
5200 : 처리 공간
5240 : 지지 유닛
5280 : 배플
5620 : 확산 챔버
6000 : 기류 안내 부재
6200 : 안내체
6400 : 상부 안내체
6600 : 하부 안내체
6800 : 안내 링 부재520: Processing room
540: Plasma generation room
560: diffusion room
5200: Processing space
5240: Support unit
5280: Baffle
5620 : Diffusion chamber
6000: Airflow guiding member
6200: Guide body
6400: upper guide body
6600: lower guide body
6800: Guide ring member

Claims

In a device for processing a substrate,
a processing room providing a processing space for processing substrates;
a plasma generation chamber that generates plasma supplied from process gas to the processing space;
a diffusion chamber that diffuses the plasma generated in the plasma generation chamber into the processing space;
a baffle installed at the top of the processing chamber and having a plurality of baffle holes; and
Includes an air flow guide member provided inside the diffusion chamber to guide the flow direction of the plasma,
The air flow guide member includes a guide body in which a portion of the flow direction of the plasma is changed,
The guide body is,
an upper guide combined with a side wall of the diffusion chamber to form a first passage; and
It includes a lower guide body located below the upper guide body and combining with the upper guide body to form a second passage,
The lower guide body is,
a bottom portion extending horizontally from a bottom of a side wall of the diffusion chamber toward the center of the diffusion chamber; and
A substrate processing apparatus including an inclined portion provided to be inclined upward from the bottom toward the center of the diffusion chamber.

delete

According to paragraph 1,
A substrate processing apparatus in which a bottom hole is formed in the bottom portion, penetrating the bottom portion in a vertical direction.

According to paragraph 1,
The upper guide body is,
A substrate processing device provided parallel to a side wall of the diffusion chamber.

According to paragraph 1,
The inclined portion,
A substrate processing device provided parallel to a side wall of the diffusion chamber.

According to paragraph 3,
The airflow guiding member is,
It further includes a guide ring member provided in a ring shape to guide the airflow of the plasma flowing through the first passage and the second passage to the processing space,
A substrate processing apparatus wherein an upper end of the guide ring member is in line with an inner surface of the upper guide body, and a lower end of the guide ring member is in line with an upper end of the inclined portion.

According to clause 6,
A substrate processing apparatus in which an inflow hole through which the plasma airflow flowing through the second passage flows is formed along a circumference of a side of the guide ring member.

In clause 7,
A substrate processing device wherein the lower surface of the guide ring member is open.

In clause 7,
A substrate processing apparatus wherein at least one outflow hole is formed on a lower surface of the guide ring member through which the airflow of the plasma flowing in from the inlet hole flows out.

According to clause 9,
A substrate processing device wherein the bottom hole and the outlet hole have a smaller diameter than the baffle hole.

In a device for processing a substrate,
a processing room providing a processing space for processing substrates;
a plasma generation chamber that generates plasma supplied from process gas to the processing space;
a diffusion chamber that diffuses the plasma generated in the plasma generation chamber into the processing space;
a baffle installed at the top of the processing chamber and having a plurality of baffle holes; and
Includes an air flow guide member provided inside the diffusion chamber to guide the flow direction of the plasma,
The airflow guiding member is,
It is provided in a ring shape and includes a guide ring member installed inside the diffusion chamber,
The airflow guiding member includes a guide body,
The guide body is,
an upper guide that is combined with a side wall of the diffusion chamber to form a first passage and guides a portion of the plasma flowing in the diffusion chamber; and
A lower guide is located below the upper guide, forms a second passage in combination with the upper guide, and guides the plasma guided from the first passage to an inflow hole through the second passage,
The lower guide body is,
a bottom portion extending horizontally from a bottom of a side wall of the diffusion chamber toward the center of the diffusion chamber; and
A substrate processing apparatus including an inclined portion provided to be inclined upward from the bottom toward the center of the diffusion chamber.

According to clause 11,
A substrate processing apparatus in which an inflow hole through which the airflow of the plasma flows is formed along a circumference of the side surface of the guide ring member.

According to clause 12,
A substrate processing device wherein the lower surface of the guide ring member is open.

According to clause 12,
A substrate processing apparatus wherein at least one outflow hole is formed on a lower surface of the guide ring member through which the airflow of the plasma flowing in from the inlet hole flows out.

delete

According to clause 11,
A substrate processing apparatus in which a bottom hole is formed in the bottom portion, penetrating the bottom portion in a vertical direction.

According to clause 17,
The upper end of the guide ring member is in line with the inner surface of the upper guide body,
A substrate processing apparatus wherein a lower end of the guide ring member is in direct contact with an upper end of the inclined portion.

According to clause 11,
A substrate processing apparatus wherein the upper guide body and the inclined portion are provided parallel to a side wall of the diffusion chamber.

According to any one of claims 11 to 14 and 17 to 19,
A substrate processing device in which the diffusion chamber is provided in an inverted funnel shape.