KR102584222B1 - 열적 정화 장치 - Google Patents

Abstract

정화 장치는, 정화 대상물이 투입되는 투입부; 상기 투입된 정화 대상물을 일방향으로 이송시키는 이송부; 상기 이송부로부터 이송된 정화 대상물을 정화시키는 정화부; 상기 정화부에서 발생된 가스를 응축시키는 응축부; 및 상기 정화부에서 정화된 정화 대상물을 저장하는 저장부를 포함하고, 상기 정화부는 상기 이송되는 정화 대상물의 이송 방향을 따라 연장되는 원통 형상을 갖고, 내부에 상기 이송부의 적어도 일부가 수용되며 상기 정화 대상물이 정화되는 밀폐된 정화 공간이 정의되는 정화부 본체와, 상기 정화부 본체를 감싸도록 형성되며 상기 정화부 본체로 마이크로파를 조사하여 상기 정화 대상물을 직접 가열 방식으로 가열시키는 마이크로파 발생부와, 상기 정화부 본체에 형성되고, 상기 마이크로파 발생부로부터 조사되는 마이크로파에 의해 가열됨으로써 간접 가열 방식으로 상기 정화 대상물을 가열하는 가열체를 포함하는 정화 장치가 제공된다.

Description

열적 정화 장치{THERMAL PURIFICATION APPARATUS}

본 발명은 열적 정화 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마이크로파와 열을 이용하여 정화 대상물을 정화할 수 있는 열적 정화 장치에 관한 것이다.

마이크로파는 전자기파 중에서 주파수가 300~3000MHz에 해당하는 초고주파로서, 전기에너지를 초고주파 에너지로 변환시키는 마그네트론에 의해 생성된다.

여기서, 상기 마그네트론은 양극부, 음극부, 자기부 등으로 구성되는 진공관의 하나로, 보다 상세하게는, 원통형으로 된 케이스 내에서 방사상으로 형성된 다수개의 베인과 케이스의 중심축 상에 형성되어 열전자를 방사하기 위한 필라멘트 사이에서 빈 공간으로 마련되어 열전자가 회전하도록 형성된 작용공간에서, 자기부를 구성하는 영구자석에서 형성된 자계가 자기회로를 형성하여 베인과 필라멘트 사이의 작용공간에 형성되고, 외부전원이 인가되어 필라멘트가 열전자를 방출하면 작용공간 내에서 회전 운동을 하여 그 전자에너지를 고주파 에너지로 변환되어 외부로 방출되는 방식으로 이루어진다.

그런데, 마이크로파는 균일하게 분산되지 않고 특정 방향을 향해 나아가는 지향성을 가지고 있으며, 밀폐된 공간을 형성하는 가열실 내부에서 마그네트론에 의해 발생된 마이크로파는 가열실 내측면과 상하면에 부딪힌 후 반사되는 과정에서 일종의 정지파를 형성하고 공간적 위치에 따라 가열이 밀집되는 부분과 빈약한 부분이 생기게 된다. 즉, 피가열물은 균일하게 가열 및 건조되지 못하고 마이크로파 파장의 간격으로 최대 가열지점과 최소 가열지점이 발생하면서, 특정 부분은 지나치게 가열되고 특정 부분은 가열이 되지 않는 불균일성이 발생하게 된다.

이러한 불균일한 가열문제를 해결하기 위해 다양한 방법이 제시되었는데, 일예로 마이크로파의 입사부에 회전날개를 설치하여 분사하는 방법이나 피가열물을 회전시키는 방법 등이 제시되었으나 가열실 내부 평면이 여전히 고정되어 있으므로 효과가 크지 않다는 단점이 존재하였다.

마이크로파는, 피가열물을 가열하거나 건조하기 위한 목적으로만 사용되는 것이 아니라, 정화 대상물을 정화하기 위한 정화 목적으로 사용될 수 있다. 이 때 정화는 일예로 멸균처리를 의미할 수 있다. 전술한 바와 같이 마이크로파를 정화 목적으로 사용하는 경우, 특정 부분은 정화되고 특정 부분은 정화되지 않는 불균일성이 발생하게 되어, 이러한 불균일한 정화 문제를 해결하기 위한 다양한 방식이 연구되고 있다.

공개특허공보 제10-2022-0168013호(2022.12.22.) 공개특허공보 제10-2020-0094331호(2020.08.07.)

본 발명은 마이크로파가 정화 공간 내 균일하게 분산되게 하여 정화 대상물의 정화 불균일성을 줄일 수 있는 열적 정화 장치를 제공할 수 있다.

본 발명은 마이크로파와 함께 열을 이용하여 정화 대상물을 정화할 수 있는 열적 정화 장치를 제공할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 정화 대상물이 투입되는 투입부; 상기 투입된 정화 대상물을 일방향으로 이송시키는 이송부; 상기 이송부로부터 이송된 정화 대상물을 정화시키는 정화부; 상기 정화부에서 발생된 가스를 응축시키는 응축부; 및 상기 정화부에서 정화된 정화 대상물을 저장하는 저장부를 포함하고, 상기 정화부는 상기 이송되는 정화 대상물의 이송 방향을 따라 연장되는 원통 형상을 갖고, 내부에 상기 이송부의 적어도 일부가 수용되며 상기 정화 대상물이 정화되는 밀폐된 정화 공간이 정의되는 정화부 본체와, 상기 정화부 본체를 감싸도록 형성되며 상기 정화부 본체로 마이크로파를 조사하여 상기 정화 대상물을 직접 가열 방식으로 가열시키는 마이크로파 발생부와, 상기 정화부 본체에 형성되고, 상기 마이크로파 발생부로부터 조사되는 마이크로파에 의해 가열됨으로써 간접 가열 방식으로 상기 정화 대상물을 가열하는 가열체를 포함하는 정화 장치가 제공된다.

상기 가열체는 상기 가열체에 조사되는 마이크로파에 의해 열을 발산할 수 있다.

상기 가열체는 상기 정화부 본체의 내주면의 일부를 커버하는 제1 가열부재와 상기 제1 가열부재의 상부에 배치되며, 상기 정화부 본체의 내주면의 다른 일부를 커버하는 제2 가열부재를 포함하고, 상기 이송부는 상기 제1 가열부재와 상기 제2 가열부재 사이에 배치되는 이송 스크류를 포함할 수 있다.

상기 가열체는 상기 제1 가열부재 상에 배치되는 금속부재를 더 포함할 수 있다.

상기 제1 가열부재, 상기 제2 가열부재, 및 상기 금속부재는 서로 분리 가능하게 결합될 수 있다.

상기 마이크로파 발생부는 상기 정화부 본체를 향해 마이크로파를 조사하기 위해 마이크로파를 발생시키는 마그네트론과, 상기 마이크로파 발생부의 내주면을 따라 배치되고, 상기 마그네트론으로부터 발생된 마이크로파를 반사시키는 분산부재를 더 포함할 수 있다.

상기 마이크로파 발생부는 상기 마이크로파 발생부의 내주면과 상기 분산부재 사이에 배치되는 방열부재를 더 포함할 수 있다.

상기 정화 대상물을 가열시키는 마이크로파는, 상기 마그네트론으로부터 발생되는 마이크로파에 의해 상기 정화 대상물을 직접 가열시키는 직접파와, 상기 직접파가 상기 분산부재의 표면에 도달한 후 높이가 서로 다른 복수개의 반사부에 의해 반사되는 각기 다른 위상을 갖는 다수의 반사파와, 상기 직접파 및 반사파가 상기 정화 대상물을 통과한 후 다른 파장으로 변화되어 나오는 재생성파를 포함할 수 있다.

상기 제1 가열부재의 내주면과 상기 금속부재의 외주면이 면접촉되고, 상기 제2 가열부재의 단부에 형성된 한 쌍의 제1 체결돌기와 상기 한 쌍의 체결돌기 사이에 위치되는 제2 체결돌기가, 상기 제1 가열부재 및 금속부재의 단부에 형성된 한 쌍의 제1 체결홈 및 상기 한 쌍의 체결홈 사이에 위치되는 제2 체결홈에 삽입되면서 상호 결합될 수 있다.

상기 마그네트론 및 상기 분산부재는 각각 복수개 구비되고, 상기 마그네트론은 서로 인접한 분산부재들 사이에 대응되는 위치에 배치될 수 있다.

상기 분산부재는, 각각의 분할폭은 동일하되, 높이가 서로 다른 복수개의 반사부를 포함하고, 상기 복수개의 반사부(331a~331h)의 각 높이는, 제1반사부(331a)의 높이 1을 기준으로, 제2반사부(331b)의 높이는 4, 제3반사부(331c)의 높이는 9, 제4반사부(331d)의 높이는 16, 제5반사부(331e)의 높이는 8, 제6반사부(331f)의 높이는 2, 제7반사부(331g)의 높이는 15, 제8반사부(331h)의 높이는 13으로 이루어지고, 상기 복수개의 반사부(331a~331h)를 가진 분산부재 한 쌍이 상호 대칭되도록 형성될 수 있다.

상기 마그네트론은 복수개 구비되고, 상기 복수의 마그네트론들 중 상기 마이크로파 발생부 본체의 외주면 둘레를 따라 배치되는 마그네트론들을 포함하는 제1 마그네트론 그룹과, 상기 복수의 마그네트론들 중 상기 마이크로파 발생부 본체의 외주면 둘레를 따라 배치되고, 상기 제1 마그네트론 그룹과 상기 마이크로파 발생부 본체의 길이방향을 따라 이격되되 상기 마이크로파 발생부 본체의 외주면 둘레를 따라 배치되는 다른 마그네트론들을 포함하는 제2 마그네트론 그룹이 정의되고, 상기 제1 마그네트론 그룹의 마그네트론들과 상기 제2 마그네트론 그룹의 마그네트론들은 상기 마이크로파 발생부 본체의 길이방향을 따라 수직한 단면 상에서 비중첩될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 정화 장치는 마이크로파가 정화 공간 내 균일하게 분산되게 하여 정화 대상물의 정화 불균일성을 줄일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 정화 장치는 마이크로파를 이용한 직접 가열방식과 열을 이용하는 간접 가열방식을 통해 정화 대상물을 정화할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정화 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정화 장치의 일부의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 정화 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 정화 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 분산부재의 확대 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 분산부재에 의한 마이크로파의 분산 상태를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 분산부재의 길이가 다른 반사부에 의해 반사되어 각기 위상이 다르게 발생되는 마이크로파의 파장을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 분산부재의 확대 사시도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 분산부재가 설치된 정화 장치의 단면도이다.

본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.

동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재를 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정화 장치의 개략도이다.

도 1을 참조하면, 정화 장치(10)는 투입부(100), 이송부(200), 정화부(300), 응축부(400), 저장부(500)를 포함한다.

투입부(100)는 정화 대상물(CM)이 투입될 수 있다. 여기서, 정화 대상물(CM)은 고온으로 가열 및 살균 처리를 통한 정화 대상이 되는 것으로, 폐타이어나 폐비닐 또는 폐플라스틱 등과 같이 정화가 필요한 대상물일 수 있다. 투입부(100)는 유입되는 정화 대상물(CM)을 가공할 수 있다. 일예로, 투입부(100)는 파쇄부를 포함할 수 있고, 파쇄부는 투입부(100)로 유입되는 정화 대상물(CM)을 작은 크기로 파쇄시켜, 파쇄된 정화 대상물(CM)이 고른 입자를 가질 수 있다. 파쇄된 정화 대상물(CM)은 투입부(100) 아래에 위치하는 이송부(200)로 전달될 수 있다.

이송부(200)는 투입부(100)로 투입된 정화 대상물(CM)을 정화부(300)로 이송시킬 수 있다. 일예로, 이송부(200)는 투입부(100)에서 파쇄된 정화 대상물(CM)을 정화부(300)로 이송시킬 수 있다.

이송부(200)는 컨베이어 벨트와 같이 한 쌍의 구동풀리가 회전하면서 벨트가 일방향으로 회전하는 방식으로 정화 대상물(CM)을 이동시킬 수 있으나, 이에 국한되지 않고 이송 스크류를 포함할 수 있으며 어느 한 실시예에 국한되지는 않는다. 이송 스크류에 대해서 자세히는 후술하도록 한다.

정화부(300)는 이송부(200)를 통해 이송된 정화 대상물(CM)을 정화시킬 수 있다. 본 발명에서 정화의 의미는 가열, 경화, 건조, 및 멸균 등의 의미를 의미하며, 도시된 바에 국한되지 않고 정화 대상물(CM)의 복수의 성분들 간의 비율 또는 물리적, 화학적 상태를 변화시키는 의미 또한 포함할 수 있다.

이송부(200)를 통해 정화 대상물(CM)이 이동할 때, 정화부(300)의 일부가 개방되어 정화 대상물(CM)이 정화 공간으로 이송될 수 있다. 정화 공간으로 정화 대상물(CM)의 이송이 완료된 후, 개방된 정화부(300)의 일부가 폐쇄되어 정화부(300)가 밀폐된 상태로 구비될 수 있다.

전술한 바와 같이, 정화부(300)는 밀폐된 상태로 구비될 수 있으며, 이에 국한되지 않고 일부 개방된 상태로 구비될 수 있으며 어느 한 실시예에 국한되지 않는다.

정화부(300) 내에서, 정화 대상물(CM)에 균일하게 분산되는 마이크로파와 열을 통해 정화 대상물(CM)이 정화될 수 있다. 이에 대해서는 후술하도록 한다.

응축부(400)는 정화부(300)와 연결되며, 정화부(300)에서 발생된 가스를 응축시킬 수 있다. 정화부(300) 내에서 정화 대상물(CM)이 정화되면서 발생되는 가스는 응축부(400)로 전달되어 응측될 수 있다. 일예로 가스는 정화부(300) 상부를 통해 응축부(400)로 전달될 수 있다. 이 때, 응축부(400)는 정화부(300) 상부로부터 연통되어 형성되는 복수개의 연결배관(410)을 포함할 수 있고, 가스는 연결배관(410)을 통해 정화부(300)에서 응축부(400)로 이동할 수 있다.

저장부(500)는 정화부(300)와 연결되며, 정화부(300)에서 정화된 정화 대상물(CM)을 저장할 수 있다. 저장부(500)는 이송부(200)의 끝단에 인접 위치할 수 있으며, 정화부(300)에서 정화된 정화 대상물(CM)은 이송부(200)를 통해 저장부(500)에 저장될 수 있다. 일예로, 정화부(300)에서 정화된 정화 대상물(CM)은 기름일 수 있으며, 이에 국한되지 않고 다른 액체 또는 고체일 수 있으며 어느 한 실시예에 국한되지 않는다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정화 장치의 일부의 사시도이다.

도 2를 참조하면, 정화부(300)는 정화부 본체(310)와 마이크로파 발생부(350) 및 가열체(370)를 포함할 수 있다.

정화부 본체(310)는 정화 대상물(CM)의 이송방향을 따라 연장되는 원통 형상을 가질 수 있다. 정화부 본체(310)는 일방향을 따라 연장되는 원통 형상을 가질 수 있다. 또는 정화부 본체(310)는 이송부(200)와 나란한 방향으로 연장 형성될 수 있다.

정화부 본체(310)는 내부에 적어도 일부의 이송부(200)가 수용되는 정화 공간(311)이 형성될 수 있다. 정화 공간(311)에는 정화 대상물(CM)이 인입, 인출될 수 있으며, 정화 대상물(CM)이 수용될 수 있다.

마이크로파 발생부(350)는 정화부 본체(310)의 외주면을 감싸도록 형성될 수 있다. 상기 마이크로파 발생부(350)는 정화부 본체(310)의 외주면으로부터 소정거리 이격되어 형성될 수 있다. 마이크로파 발생부(350)는 정화부 본체(310)로 마이크로파를 조사할 수 있다. 마이크로파 발생부(350)는 후술하는 도파관(361)을 통해 정화부 본체(310)로 마이크로파를 조사할 수 있다. 정화부 본체(310)로 조사되는 마이크로파를 통해 정화 공간(311) 내 정화 대상물(CM)을 직접 가열 방식으로 가열하면서 정화할 수 있다.

상기 마이크로파 발생부(350)는 상기 정화부 본체(310)를 향해 마이크로파를 조사하기 위해 마이크로파를 발생시키는 마그네트론(360)과, 상기 마이크로파 발생부(350)의 내주면을 따라 배치되고, 상기 마그네트론(360)으로부터 발생된 마이크로파를 반사시키는 분산부재(330)를 더 포함할 수 있다.

마그네트론(360)은 복수개 구비될 수 있으며, 마이크로파 발생부(350)의 외주면을 따라 다양하게 배치될 수 있다. 마그네트론(360)은 마이크로파 발생부(350)의 외주면 둘레 방향, 길이 방향을 따라 복수개가 규칙적으로 설치될 수 있다. 마그네트론(360)은 마이크로파 발생부(350)의 길이 방향을 따라 지그재그 방식으로 교차 배치될 수 있다. 마그네트론(360)에서 발생하는 마이크로파가 직진성을 띄면서 조사되는 것을 고려, 마이크로파 발생부(350)의 외주면을 따라 지그재그로 배치시켜, 정화 대상물(CM)과 마이크로파가 접하는 영역의 너비를 증대시킬 수 있어, 마이크로파에 의한 정화 대상물(CM)의 정화 효율을 증대시킬 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 복수의 마그네트론(360) 중 마이크로파 발생부(350)의 외주면 둘레를 따라 배치되는 제1 마그네트론들(361)을 포함하는 제1 마그네트론 그룹(365)과, 정화부 본체(310)의 원주방향을 따라 배치되며, 제1 마그네트론 그룹(355)과 정화부 본체(310)의 길이 방향을 따라 이격되는 제2 마그네트론들(362)을 포함하는 제2 마그네트론 그룹(366)과, 마이크로파 발생부(350)의 외주면 둘레를 따라 배치되며, 제2 마그네트론 그룹(366)을 사이에 두고 제1 마그네트론 그룹(365)과 마이크로파 발생부(350)의 길이 방향을 따라 이격되는 제3 마그네트론들(363)을 포함하는 제3 마그네트론 그룹(367)을 포함할 수 있다.

마이크로파 발생부(350)의 길이 방향과 수직한 단면 상에서, 제1 마그네트론 그룹(365)의 제1 마그네트론들(361)과 제2 마그네트론 그룹(366)의 제2 마그네트론들(362)은 서로 비중첩할 수 있다. 또한 정화부 본체(310)의 길이 방향과 수직한 단면 상에서 제2 마그네트론 그룹(366)의 제2 마그네트론들(362)과 제3 마그네트론 그룹(367)의 제3 마그네트론들(363)은 서로 비중첩할 수 있다. 마이크로파 발생부(350)의 길이 방향과 수직한 단면 상에서 제1 마그네트론 그룹(365)의 제1 마그네트론들(361)과 제3 마그네트론 그룹(367)의 제3 마그네트론들(363)은 서로 비중첩할 수 있으며, 이에 국한되지 않고 서로 중첩할 수 있으며, 어느 한 실시예에 국한되지 않는다.

이와 같은 제1 마그네트론들(361), 제2 마그네트론들(362), 및 제3 마그네트론들(363) 간의 배치관계를 통해, 정화 대상물(CM)과 마이크로파가 접하는 영역의 너비를 증대시킬 수 있어, 마이크로파에 의한 정화 대상물(CM)의 정화 효율을 증대시킬 수 있다.

마그네트론 그룹은 앞서 전술한 제1 내지 제3 마그네트론 그룹들(365, 366, 367)에 국한되지 않고 복수의 마그네트론들을 포함하는 제4 마그네트론 그룹 등 더 구비될 수 있으며, 제1 내지 제3 마그네트론 그룹들(365, 366, 367)간의 관계는 제4 마그네트론 그룹과의 관계에서도 마찬가지로 적용될 수 있다.

가열체(370)는 정화부 본체(310)에 결합될 수 있다. 가열체(370)는 정화부 본체(310)의 내주면에 결합될 수 있다. 가열체(370)는 정화 공간(311) 내 정화 대상물(CM)에 열을 가해, 정화 대상물(CM)을 가열 또는 정화시킬 수 있다.

가열체(370)는 마그네트론(360)에서 조사되는 마이크로파에 의하여 열을 발산할 수 있으며, 이렇게 발산된 열에 의하여 정화 대상물(CM)을 간접 가열 방식으로 가열시켜 정화시킬 수 있으나, 이에 국한되지 않고 열을 스스로 발전할 수 있으며 어느 한 실시예에 국한되지 않는다. 일예로, 가열체(370)는 유전체로 구비될 수 있다.

이송부(200)는 이송 스크류(210)를 포함할 수 있다. 이송 스크류(210)는 일방향을 따라 연장될 수 있다. 이송 스크류(210)는 정화부 본체(310)의 길이방향을 따라 연장될 수 있다. 이송 스크류(210)의 적어도 일부는 정화부(300) 내 정화 공간(311)에 수용될 수 있다.

이송 스크류(210)를 통해 정화 대상물(CM) 중 입자가 큰 정화 대상물(CMa)은 이송 스크류(210)를 따라 이동할 수 있으며, 입자가 작은 정화 대상물(CMb)은 이송 스크류(210)에서 이탈되어, 이송 스크류(210) 하부, 가열체(370)에 접할 수 있다. 다만, 입자가 큰 정화 대상물(CMa)이 항상 이송 스크류(210)를 따라 이동하는 것은 아니며, 이송 스크류(210) 하부 가열체(370)에 접할 수 있으며, 입자가 작은 정화 대상물(CMb) 또한 이송스크률 따라 이송될 수도 있다. 이때, 입자의 크기는 투입부에 투입되는 정화 대상물(CM)에 따라 정해질 수 있으며, 투입부에 투입되어 파쇄부를 통해 파쇄된 정도에 따라 정해질 수 있다.

분산부재(330)는 마그네트론(360)으로부터 발생되어 정화 공간(311) 내로 전달된 마이크로파를 반사하여, 정화 공간(311) 내에서 마이크로파를 균일하게 분산시킬 수 있다. 분산부재(330)는 복수개 구비될 수 있다. 복수개의 분산부재(330)는 연결부재(340)에 결합될 수 있으며, 연결부재(340)를 통해 마이크로파 발생부(350)에 결합될 수 있다.

분산부재(330)는 마이크로파 발생부(350)의 내측면에 설치될 수 있다. 분산부재(330)는 마이크로파 발생부(350)의 내측면 전체 면적을 따라 배치될 수 있다

분산부재(330)는 마그네트론(360)으로부터 발생하는 마이크로파가 투과되지 못하고 반사되도록 하는 재질로 이루어질 수 있으며, 표면에 내부식성 보완을 위한 코팅 처리가 될 수 있다. 일예로, 분산부재(330)는 알루미늄과 같은 재질로 이루어질 수 있으며, 표면은 에폭시 코팅처리될 수 있으며, 이에 국한되지 않고 마이크로파가 반사될 수 있으며, 내부식성에 강한 재질로 이루어질 수 있고 어느 한 실시예에 국한되지 않는다.

또한, 상기 분산부재(330) 중에 정화 공간(311) 내 측면 모서리에 비스듬히 설치되는 모서리 분산부재(390)를 포함할 수 있다. 분산부재(330)가 정화 공간(311) 내의 내주면에 설치되는 과정에서 모서리 부분에는 분산부재(330)를 설치하기 어렵다는 단점이 있었고, 이를 해결하기 위하여 모서리 위치에서는 정화 공간(311)을 향하는 방향으로 비스듬히 설치되는 모서리 분산부재(390)를 설치함으로써, 모서리 부분에 마이크로파 쏠림 현상이 높아져 해당 부분의 온도 편차가 심해지는 현상을 방지할 수 있다.

마그네트론(360)은 전술한 바와 같이 마이크로파 발생부(350)의 외주면에 결합될 수 있다. 마그네트론(360)이 동작하면서 발진되는 마이크로파는 도파관(361)을 통해 정화부 본체(310)로 전달될 수 있다. 즉, 마이크로파는 도파관(361)을 통해 정화부 본체(310)로 전달될 수 있다.

마이크로파는 분산부재(330)의 표면에서 반사되면서 정화부 본체(310)와 정화 공간(311)을 가열시킬 수 있다.

정화부 본체(310)로 전달되는 마이크로파의 확산 범위를 증대시키기 위해서, 도파관(361)은 중앙을 향할수록 단면적이 넓어지는 확장형 구조를 가질 수 있다. 확장형 구조를 갖는 도파관(361)의 형상을 통해, 마이크로파 발생부(350) 내로 전달되는 마이크로파가 넓은 범위로 확산될 수 있게 하여, 분산부재(330)와 부딛히는 면적을 증대시켜 반사되는 범위를 확대시킬 수 있다. 이를 통하여, 마그네트론(360)을 통한 마이크로파의 분산 효율을 증대시킬 수 있다.

다만, 도파관(361)의 형태는 전술한 바에 국한되지 않고 정화부 본체(310)을 향해 단면적이 증대되는 등 다양한 형태로 구비될 수 있으며 어느 한 실시예에 국한되지 않는다.

또한, 도면에 도시된 바와 같이, 분산부재(330)는 마그네트론(360)에서 마이크로파가 분사되는 도파관(361)과 비중첩될 수 있으나, 이에 국한되지 않고 도파관(361)과 일부 중첩될 수 있으며, 어느 한 실시예에 국한되지 않는다. 즉, 마그네트론(360)들은 서로 인접한 분산부재(330) 사이에 대응되는 위치에 배치될 수 있으며, 어느 한 실시예에 국한되지 않는다.

마이크로파 발생부(350)는 방열부재(380)를 포함할 수 있다. 방열부재(380)는 분산부재(330)와 마이크로파 발생부(350)의 내주면 사이에 구비될 수 있다. 방열부재(380)는 마이크로파 발생에 의하여 내부에 발생한 열과, 가열체(370)로 인하여 발생하는 열, 마이크로파가 마이크로파 발생부(350) 외부로 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.

방열부재(380)는 마이크로파 발생부(350) 내 열 또는 마이크로파가 외부로 발산되는 것을 막아 에너지 손실을 막아주거나, 사용자 안전을 보호할 수 있는 소재를 포함할 수 있다. 일예로, 방열부재(380)는 글라스울 소재로 구비될 수 있으며, 이에 국한되지 않고 다양한 소재로 구비될 수 있다.

도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 정화 장치의 단면도이다. 구체적으로, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 정화 장치의 정화부 본체의 길이방향과 수직한 단면 상의 단면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 정화 장치의 정화부 본체의 길이방향과 나란한 단면 상의 단면도이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 가열체(370)는 제1 가열부재(371)와 제2 가열부재(372)를 포함할 수 있다. 제1 가열부재(371)와 제2 가열부재(372) 각각은 정화부 본체(310)의 내주면을 커버할 수 있다. 제2 가열부재(372)는 제1 가열부재(371)의 상부에 위치할 수 있다. 제1 가열부재(371)와 제2 가열부재(372) 사이에는 이송부(200)가 위치할 수 있다. 일예로, 제1 가열부재(371)와 제2 가열부재(372) 사이에는 이송 스크류(210)가 위치할 수 있다.

제1 가열부재(371)는 강유전체로 구비될 수 있다. 제1 가열부재(371)는 마이크로파가 가해졌을 때 열을 발산할 수 있다.

제2 가열부재(372) 또한 마이크로파가 가해졌을 때 열을 발산할 수 있으며, 세라믹과 같은 유전체로 구비될 수 있다. 다만, 이에 국한되지 않고 직접 열을 발산할 수도 있으며 어느 한 실시예에 국한되지 않는다.

가열체(370)는 금속부재(373)를 포함할 수 있다. 금속부재(373)는 제1 가열부재(371) 상에 배치될 수 있다. 금속부재(373)는 제1 가열부재(371)에서 열을 전달받을 수 있다. 금속부재(373)를 통해, 제1 가열부재(371) 중 국부적으로 발생하는 열이 금속부재(373)의 전체로 전도될 수 있으며, 이를 통해 정화 대상물(CM) 전체를 효과적으로 가열할 수 있다. 또한, 금속부재(373)는 높은 전도성을 가지고 있으므로, 정화 대상물(CM)로의 열전달 시간을 감소시킬 수 있어, 정화부(300) 내 정화 대상물(CM)의 체류 시간을 줄일 수 있으며, 공정 효율을 증대시킬 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 이송 스크류(210)를 따라 이송하는 제1 정화 대상물(CMa)은 마이크로파에 의한 가열, 건조 및 멸균, 제1 가열부재(371)에 따른 가열, 건조 및 멸균을 통해 정화될 수 있다. 또한, 이송 스크류(210)를 따라 이송되던 중, 이송 스크류(210)에서 이탈되어 금속부재(373)와 접하는 제2 정화 대상물(CMb)은 마이크로파에 의한 가열, 건조 및 멸균, 제1 가열부재(371)에 따른 가열, 건조 및 멸균, 금속 부재(373)에 따른 가열, 건조 및 멸균을 통해 정화될 수 있다. 이때, 제1 정화 대상물(CMa)은 정화 대상물(CM) 중 입자가 큰 정화 대상물일 수 있으며, 제2 정화 대상물(CMb)은 정화 대상물(CM) 중 입자가 작은 정화 대상물일 수 있다.

가열체(370)의 제1 가열부재(371), 제2 가열부재(372), 및 금속부재(373)는 서로 분리 가능하게 결합될 수 있다. 일예로, 제1 가열부재(371), 제2 가열부재(372) 및 금속부재(373)는 압입 결합 및 분리 가능하게 구비될 수 있으며, 블록 결합 및 분리 가능하게 구비될 수 있다. 다만, 이에 국한되지 않고 제1 가열부재(371), 제2 가열부재(372) 및 금속부재(373) 중 적어도 둘은 일체로 구비될 수 있으며, 어느 한 실시예에 국한되지 않는다.

일 실시예로, 제1 가열부재(371)의 내주면과 상기 금속부재(373)의 외주면이 면접촉될 수 있다. 제2 가열부재(372)의 단부에 형성된 한 쌍의 제1 체결돌기(372a)와 상기 한 쌍의 체결돌기(372a) 사이에 위치되는 제2 체결돌기(372b)가, 상기 제1 가열부재(371) 및 금속부재(373)의 단부에 형성된 한 쌍의 제1 체결홈(371a, 373a) 및 상기 한 쌍의 체결홈(371a, 373a) 사이에 위치되는 제2 체결홈(371b, 373b)에 삽입되면서 상호 결합될 수 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 분산부재의 확대 사시도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 분산부재에 의한 마이크로파의 분상 상태를 나타낸 도면이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 분산부재에 의해 발생하는 위상이 다른 마이크로파의 파장을 나타낸 도면이다.

도 4, 도 5 내지 도 7을 참조하면, 분산부재(330)는 마이크로파를 반사하는 재질로 이루어지고, 마이크로파의 파장으로부터 마이크로파를 마이크로파 발생부(350) 내부에서 균일하게 분사하기 위하여, 전체폭을 동일한 폭으로 6등분하여 각각의 분할폭은 동일하되, 높이가 서로 다른 6개의 반사부(331)를 포함할 수 있다.

반사부(331)는 서로 다른 높이(h)를 가진 복수개의 수평면(332)과 복수개의 수평면(332)을 각각 연결하는 복수개의 수직면(333)을 포함할 수 있다. 반사부(331)에 형성된 복수개의 수평면(332)의 분할폭(f)들은 서로 동일할 수 있으며, 높이(h)는 서로 다르게 형성될 수 있다. 일예로, 한 분산부재(330) 내 6개의 수평면(332)이 구비될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 마이크로파 발생부(350) 내부에서 분산부재들(330)은 서로 마주볼 수 있다. 마그네트론(360, 도 4 참조)에서 방출된 마이크로파가 마이크로파 발생부(350) 내부로 전달되면, 서로 마주보는 분산부재(330)의 높이(h)가 서로 다른 각 반사부(331)에 부딛히면서, 반사되어 마이크로파 발생부(350, 도 4 참조) 내부 전체로 균일하게 분산될 수 있다.

마이크로파는 진행파와 반사파로 되돌아오는 작용이 반복적으로 이루어질 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 높이(h)가 서로 다른 반사부(331)에 의해 각기 다른 위상을 갖는 마이크로파들(a, b, c, d, e)이 발생될 수 있다. 이와 같이, 각기 다른 위상을 갖는 마이크로파들(a, b, c, d, e)이 정화부 본체 내부로 통과되는 정화 대상물에 조사되면서, 서로 다른 위상을 갖는 각각의 마이크로파들(a, b, c, d, e)이 조사되는 부분의 전체 합은 정화 대상물(CM, 도 4 참조)의 전체가 될 수 있다. 이를 통하여, 정화 대상물(CM, 도 4 참조) 전체에 마이크로파가 균일하게 조사되게 할 수 있으며, 정화 대상물(CM) 중 금속이 포함된 경우 고온으로 가열되는 과정에서 방전(Spark)이 발생하여 기기 내 폭발 문제가 발생할 수 있으나, 본 발명을 통하여 정화 대상물(CM) 전체에 마이크로파 균일하게 조사되어 방전 현상을 효과적으로 제어할 수 있다.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 분산부재의 확대 사시도이고, 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 분산부재가 설치된 정화 장치의 단면도이다.

분산부재(330)의 또 다른 실시예로, 상기 분산부재(330)는, 각각의 분할폭(f)은 동일하되, 높이(h)가 서로 다른 복수개의 반사부(331)를 포함할 수 있고, 상기 복수개의 반사부(331a~331h)의 각 높이(h)는, 제1반사부(331a)의 높이 1을 기준으로, 제2반사부(331b)의 높이는 4, 제3반사부(331c)의 높이는 9, 제4반사부(331d)의 높이는 16, 제5반사부(331e)의 높이는 8, 제6반사부(331f)의 높이는 2, 제7반사부(331g)의 높이는 15, 제8반사부(331h)의 높이는 13으로 이루어질 수 있다. 또한, 복수개의 반사부(331a~331h)를 가진 분산부재(330)를 연속으로 배치하되, 제8반사부(331h)와 제9반사부(331i) 사이의 가상의 선을 기준으로 상호 대칭되도록 배치되는 하나의 분산부재(330)가 형성될 수 있다.

이와 같이 서로 다른 높이를 가진 복수의 반사부(331)가 형성된 분산부재(330)에 의하여 마이크로파가 서로 다른 위상을 가진 다수의 반사파가 형성되어 반사되면서 정화 대상물(CM)을 효율적으로 가열시킬 수 있다.

또한, 상기 정화 대상물(CM)을 가열시키는 마이크로파는, 상기 마그네트론(360)으로부터 발생되는 마이크로파에 의해 상기 정화 대상물(CM)을 직접 가열시키는 직접파와, 상기 직접파가 상기 분산부재(330)의 표면에 도달한 후 높이가 서로 다른 복수개의 반사부(331)에 의해 반사되는 각기 다른 위상을 갖는 다수의 반사파와, 상기 직접파 및 반사파가 상기 정화 대상물(CM)을 통과한 후 다른 파장으로 변화되어 나오는 재생성파를 포함할 수 있다.

정화 대상물(CM)이 가열체(370)에 의한 간접 가열 방식이 아니라, 마이크로파 자체에 의한 직접 가열 방식에 있어서, 다양한 위상을 갖는 마이크로파에 의한 보다 효율적이고 균일한 가열이 가능하게 된다. 우선, 상기 마그네트론(360)에서 발생되어 정화 대상물(CM)에 도달하는 직접파(first wave)에 의해 1차적인 가열이 이루어질 수 있다. 다음으로, 직접파가 분산부재(330)의 표면에 도달한 후 반사되면서 각기 다른 위상을 가진 다수의 반사파(second wave)를 형성하게 되고, 다수의 반사파가 정화 대상물(CM)에 도달하여 2차적인 가열이 이루어진다. 또한, 직접파나 반사파가 정화 대상물(CM)을 통과하게 되면 정화 대상물(CM)을 가열시킴과 동시에 자체적인 에너지를 잃으면서 다른 파장을 갖는 재생성파(third wave)를 형성하게 되고, 이 재생성파가 분산부재(330)에 의해 반사되어 나와 다시 정화 대상물(CM)을 향해 가해지면서 3차적인 가열이 이루어질 수 있다.

여기서, 직접파와 반사파 및 재성성파는 각기 다른 파장을 갖는 마이크로파로 이루어질 수 있으며, 그에 따라 정화 대상물(CM)을 보다 균일하게 가열시킬 수 있게 된다.

도 4를 함께 참조하면, 반사부(331)는 마이크로파 발생부(350)의 내주면을 따라 복수개가 연속으로 배치될 수 있다. 또는 복수개의 반사부(331)를 하나의 유닛으로 하여, 복수개의 유닛이 마이크로파 발생부(350, 도 4 참조)의 내주면을 따라 연속으로 배치되도록 할 수 있다. 마이크로파 발생부(350, 도 4 참조)의 길이 또는 직경에 따라 반사부(331)의 개수를 확장 또는 축소할 수 있다. 마이크로파 발생부(350, 도 4 참조) 내 반사부(331)를 반복 설치하여, 마이크로파 발생부(350, 도 4 참조) 내부 전체적으로 마이크로파가 균일하게 분사될 수 있는 구조를 구비할 수 있다.

분산부재(330)는 마그네트론(360, 도 4 참조)에서 발생된 마이크로파의 주파수에 따라 마이크로파 발생부(350, 도 4 참조) 내에서 마이크로파의 파장의 길이와, 파장의 길이의 정수배를 계산한 후 이를 이용하여 제작될 수 있다. 반사부(331)의 폭(f)은 마이크로파의 파장의 길이의 1/n배로 설정할 수 있으며, 반사부(331)의 높이(h)는 바닥면으로부터 폭(f)에 (소수-1)을 곱한 값만큼의 높이(h)를 기준면으로 하여 소수의 최소 원시근에 대한 자연수의 거듭제곱을 소수로 나눈 나머지의 값에 반사부(331)의 폭(f)을 곱한 값으로 설정할 수 있다. 이를 통하여 정화 대상물(CM, 도 4 참조)을 균일하게 정화시킬 수 있다. 이에 대한 상세한 기술내용은 공개특허공보 10-2002-0082639를 참조할 수 있다. 다만, 본 발명의 일 실시예에 따른 분산부재(330)의 특징은 전술한 공개특허공보에 기재된 내용에 한정되지는 않는다.

또한, 정화 대상물(CM)이 투입부(100)에서부터 저장부(500)까지 이송되는 일련의 과정이 진행되는 것을 IOT기술을 이용하여 제어할 수 있다. 예를 들어, 투입부(100)나 이송부(200)의 작동을 제어하여 투입되는 정화 대상물(CM)의 양을 조절할 수 있으며, 정화부(300) 내 온도를 일정하게 유지하거나 정화부(300) 내 이송 스크류(210)의 속도를 조절할 수 있다. 또한, 정화부(300) 내 온도가 급격히 높아지는 경우 마그네트론(360)의 작동상태를 제어함으로써 온도가 일정범위 내에서 유지될 수 있도록 조절할 수 있다. 또한, 전술한 각 구성이 PLC(Programmable Logic Controller)를 통해 본 발명에 따른 열적 정화 장치가 진행되는 모든 과정이 안정적으로 이루어질 수 있도록 제어될 수 있다. 또한, AI를 활용하여 전술한 각 구성 중 어느 한 구성에 문제가 발생한 경우 이를 관리자에게 알려주는 알려줄 뿐만 아니라, 해당 문제를 해결하기 위한 솔루션까지 제공해줄 수 있다.

이상에서는 본발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

10: 정화 장치 100: 투입부
200: 이송부 210: 이송 스크류
300: 정화부 310: 정화부 본체
330: 분산부재 340: 연결부재
350: 마이크로파 발생부 360 : 마그네트론
370: 가열체 380: 방열부재
390 : 모서리 분산부재 400: 응축부
500: 저장부 CM: 정화 대상물

Claims (10)

1. 정화 대상물이 투입되는 투입부;
   상기 투입된 정화 대상물을 일방향으로 이송시키는 이송부;
   상기 이송부로부터 이송된 정화 대상물을 정화시키는 정화부;
   상기 정화부에서 발생된 가스를 응축시키는 응축부; 및
   상기 정화부에서 정화된 정화 대상물을 저장하는 저장부를 포함하고,
   상기 정화부는
   상기 이송되는 정화 대상물의 이송 방향을 따라 연장되는 원통 형상을 갖고, 내부에 상기 이송부의 적어도 일부가 수용되며 상기 정화 대상물이 정화되는 밀폐된 정화 공간이 정의되는 정화부 본체와,
   상기 정화부 본체를 감싸도록 형성되며 상기 정화부 본체로 마이크로파를 조사하여 상기 정화 대상물을 직접 가열 방식으로 가열시키는 마이크로파 발생부와,
   상기 정화부 본체에 형성되고, 상기 마이크로파 발생부로부터 조사되는 마이크로파에 의해 가열됨으로써 간접 가열 방식으로 상기 정화 대상물을 가열하는 가열체를 포함하고,
   상기 가열체는,
   상기 정화부 본체의 내주면의 일부를 커버하는 제1 가열부재와, 상기 제1 가열부재의 상부에 배치되며, 상기 정화부 본체의 내주면의 다른 일부를 커버하는 제2 가열부재와, 상기 제1 가열부재 상에 배치되는 금속부재를 포함하고,
   상기 제1 가열부재의 내주면과 상기 금속부재의 외주면이 면접촉되고,
   상기 제2 가열부재의 내주면과 상기 금속부재의 내주면은 옆면이 정렬된 원통 형상을 갖는 상기 정화 공간을 정의하며,
   상기 제2 가열부재의 내주면에서 절곡 연장된 상기 제2 가열부재의 단부에서 돌출 형성된 한 쌍의 제1 체결돌기들과, 상기 한 쌍의 제1 체결돌기들 사이에 위치되는 제2 체결돌기와, 상기 제1 가열부재의 내주면에서 절곡 연장된 상기 제1 가열부재의 단부 및 상기 금속부재의 내주면에서 절곡 연장된 상기 금속부재의 단부에 각각 함몰 형성되며 상기 제1 체결돌기들이 각각 수용되는 한 쌍의 제1 체결홈들과, 상기 한 쌍의 제1 체결홈들 사이에 위치되며 상기 제2 체결돌기가 수용되는 제2 체결홈을 포함하는 정화 장치.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 이송부는
   상기 제1 가열부재와 상기 제2 가열부재 사이에 배치되는 이송 스크류를 포함하는 정화 장치.
   
3. 삭제
4. 제1항에 있어서,
   상기 제1 가열부재, 상기 제2 가열부재, 및 상기 금속부재는 서로 분리 가능하게 결합되는 정화 장치.
   
5. 제1항에 있어서,
   상기 마이크로파 발생부는
   상기 정화부 본체를 향해 마이크로파를 조사하기 위해 마이크로파를 발생시키는 마그네트론과,
   상기 마이크로파 발생부의 내주면을 따라 배치되고, 높이가 서로 다른 복수개의 반사부를 형성하며, 상기 마그네트론으로부터 발생된 마이크로파를 반사시키는 분산부재를 더 포함하는 정화 장치.
   
6. 제5항에 있어서,
   상기 마이크로파 발생부는
   상기 마이크로파 발생부의 내주면과 상기 분산부재 사이에 배치되는 방열부재를 더 포함하는 정화 장치.
   
7. 제5항에 있어서,
   상기 정화 대상물을 가열시키는 마이크로파는,
   상기 마그네트론으로부터 발생되는 마이크로파에 의해 상기 정화 대상물을 직접 가열시키는 직접파와,
   상기 직접파가 상기 분산부재의 표면에 도달한 후 높이가 서로 다른 복수개의 반사부에 의해 반사되는 각기 다른 위상을 갖는 다수의 반사파와,
   상기 직접파 및 반사파가 상기 정화 대상물을 통과한 후 다른 파장으로 변화되어 나오는 재생성파를 포함하는 정화 장치.
   
8. 삭제
9. 제5항에 있어서,
   상기 분산부재는,
   각각의 분할폭은 동일하되, 높이가 서로 다른 복수개의 반사부를 포함하고,
   상기 복수개의 반사부(331a~331h)의 각 높이는,
   제1반사부(331a)의 높이 1을 기준으로, 제2반사부(331b)의 높이는 4, 제3반사부(331c)의 높이는 9, 제4반사부(331d)의 높이는 16, 제5반사부(331e)의 높이는 8, 제6반사부(331f)의 높이는 2, 제7반사부(331g)의 높이는 15, 제8반사부(331h)의 높이는 13으로 이루어지고,
   상기 복수개의 반사부(331a~331h)를 가진 분산부재 한 쌍이 상호 대칭되도록 형성되는 정화 장치.
   
10. 제6항에 있어서,
    상기 마그네트론은 복수개 구비되고,
    상기 복수의 마그네트론들 중 상기 마이크로파 발생부 본체의 외주면 둘레를 따라 배치되는 마그네트론들을 포함하는 제1 마그네트론 그룹과,
    상기 복수의 마그네트론들 중 상기 마이크로파 발생부 본체의 외주면 둘레를 따라 배치되고, 상기 제1 마그네트론 그룹과 상기 마이크로파 발생부 본체의 길이방향을 따라 이격되되 상기 마이크로파 발생부 본체의 외주면 둘레를 따라 배치되는 다른 마그네트론들을 포함하는 제2 마그네트론 그룹이 정의되고,
    상기 제1 마그네트론 그룹의 마그네트론들과 상기 제2 마그네트론 그룹의 마그네트론들은 상기 마이크로파 발생부 본체의 길이방향을 따라 수직한 단면 상에서 비중첩하는 정화 장치.
    

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