KR102577245B1

KR102577245B1 - Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: KR102577245B1
Application number: KR1020140191062A
Authority: KR
Inventors: 이소정; 김세준; 이준석; 장진희; 장민호; 임종혁; 이재성
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2014-12-26
Filing date: 2014-12-26
Publication date: 2023-09-11
Also published as: KR20160082409A

Abstract

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판에 구비된 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극과 상기 제1 전극 상에 구비된 유기 발광층과 상기 유기 발광층 상에 구비된 제2 전극과 상기 제1 전극과 동일한 층에 구비된 보조 전극 및 상기 보조 전극 상에 구비된 격벽을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 격벽의 상면에서 상기 격벽의 측면을 따라 연장되면서 상기 보조 전극과 연결된다.An organic light emitting display device according to the present invention for achieving the above-described technical problem includes a thin film transistor provided on a substrate, a first electrode electrically connected to the thin film transistor, an organic light emitting layer provided on the first electrode, and an organic light emitting layer provided on the organic light emitting layer. It includes a second electrode provided on a second electrode, an auxiliary electrode provided on the same layer as the first electrode, and a partition provided on the auxiliary electrode, wherein the second electrode extends from the upper surface of the partition along the side of the partition. It is connected to the auxiliary electrode.

Description

Organic light emitting display device and manufacturing method thereof {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more specifically, to a top emission type organic light emitting display device and a method of manufacturing the same.

유기 발광 표시 장치(OLED)는 자발광 소자로서, 소비전력이 낮고, 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 높은 휘도 및 광시야각을 가지고 있어, 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다. Organic light emitting displays (OLEDs) are self-luminous devices that have low power consumption, fast response speeds, high luminous efficiency, high luminance, and wide viewing angles, and are attracting attention as next-generation flat panel displays.

유기 발광 표시 장치(OLED)는 유기 발광 소자를 통해 발광된 빛의 투과 방향에 따라 상부 발광 방식(top emission type)과 하부 발광 방식(bottom emission type)으로 나뉜다. 상기 하부 발광 방식은 개구율이 저하되는 문제가 발생되기 때문에, 최근에는 상부 발광 방식이 주로 이용되고 있다.Organic light emitting display devices (OLEDs) are divided into a top emission type and a bottom emission type depending on the transmission direction of light emitted through the organic light emitting element. Since the bottom light emitting method has a problem of lowering the aperture ratio, the top light emitting method has been mainly used recently.

이하, 도면을 참조로 종래의 유기 발광 표시 장치에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a conventional organic light emitting display device will be described with reference to the drawings.

도 1은 종래의 유기 발광 표시 장치를 보여주는 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view showing a conventional organic light emitting display device.

도 1을 참조하면, 종래의 유기 발광 표시 장치는 기판(10), 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(30), 평탄화층(40), 제1 전극(50), 보조 전극(55), 뱅크층(60), 유기 발광층(70) 및 제2 전극(80)을 포함하여 이루어진다. Referring to FIG. 1, a conventional organic light emitting display device includes a substrate 10, a thin film transistor (T), a passivation layer 30, a planarization layer 40, a first electrode 50, an auxiliary electrode 55, and a bank. It includes a layer 60, an organic light-emitting layer 70, and a second electrode 80.

상기 기판(10) 상에 상기 박막 트랜지스터(T)가 구비되어 있다.The thin film transistor (T) is provided on the substrate 10.

상기 박막 트랜지스터(T)는 액티브층(20), 게이트 절연층(21), 게이트 전극(22), 층간 절연층(23), 소스 전극(24a) 및 드레인 전극(24b)을 포함하여 이루어진다.The thin film transistor T includes an active layer 20, a gate insulating layer 21, a gate electrode 22, an interlayer insulating layer 23, a source electrode 24a, and a drain electrode 24b.

상기 패시베이션층(30)은 상기 박막 트랜지스터(T)를 덮도록 상기 기판(10) 전면에 구비되어 있고, 상기 평탄화층(40)은 상기 패시베이션층(30) 전면을 덮도록 구비되어 있다.The passivation layer 30 is provided on the entire surface of the substrate 10 to cover the thin film transistor T, and the planarization layer 40 is provided on the entire surface of the passivation layer 30.

상기 제1 전극(50)은 상기 평탄화층(40) 상에 구비되어 있으며, 상기 박막 트랜지스터(T)와 전기적으로 연결되어 있다.The first electrode 50 is provided on the planarization layer 40 and is electrically connected to the thin film transistor (T).

상기 보조 전극(55)은 상기 제1 전극(50)과 동일한 층에 구비되어 있다. 상기 보조 전극(55)은 상기 제2 전극(80)과 연결되어 상기 제2 전극(80)의 저항을 감소시키는 역할을 한다.The auxiliary electrode 55 is provided on the same layer as the first electrode 50. The auxiliary electrode 55 is connected to the second electrode 80 and serves to reduce the resistance of the second electrode 80.

상기 뱅크층(60)은 제1 뱅크층(61), 제2 뱅크층(62) 및 제3 뱅크층(63)을 포함하여 이루어지며, 각각의 화소 영역의 경계에 구비되어 있다. 상기 뱅크층(60)은 상기 제1 전극(50) 및 상기 보조 전극(55) 사이에 구비되어, 상기 제1 전극(50) 및 보조 전극(55) 각각을 절연시킨다. The bank layer 60 includes a first bank layer 61, a second bank layer 62, and a third bank layer 63, and is provided at the boundary of each pixel area. The bank layer 60 is provided between the first electrode 50 and the auxiliary electrode 55 to insulate the first electrode 50 and the auxiliary electrode 55, respectively.

상기 유기 발광층(70)은 상기 제1 전극(50) 상에 구비되어 있으며, 상기 제2 전극(80)은 상기 보조 전극(55) 및 상기 유기 발광층(70) 상에 구비되어 있다.The organic light-emitting layer 70 is provided on the first electrode 50, and the second electrode 80 is provided on the auxiliary electrode 55 and the organic light-emitting layer 70.

이러한 종래의 유기 발광 표시 장치는 상기 유기 발광층(70)을 전면 증착하기 어렵다. 상기 유기 발광층(70)을 전면 증착할 경우 상기 보조 전극(55)과 상기 제2 전극(80)을 연결시킬 수 없다. 또한, 화소마다 상기 유기 발광층(70)이 분리되지 않아서, 불량구동이 일어날 수 있는 문제점이 있다.In such a conventional organic light emitting display device, it is difficult to deposit the organic light emitting layer 70 on the entire surface. When the organic light emitting layer 70 is deposited on the entire surface, the auxiliary electrode 55 and the second electrode 80 cannot be connected. Additionally, since the organic light emitting layer 70 is not separated for each pixel, there is a problem in that defective driving may occur.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 유기 발광층을 전면 증착하면서도, 보조 전극과 제2 전극을 연결시킬 수 있고, 화소 간의 불량구동을 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention was designed to solve the conventional problems described above. The present invention provides an organic light emitting display device that can connect an auxiliary electrode and a second electrode and prevent defective driving between pixels while depositing an organic light emitting layer on the entire surface. The technical task is to provide a method for manufacturing the same.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.In addition to the technical problems of the present invention mentioned above, other features and advantages of the present invention are described below, or can be clearly understood by those skilled in the art from such description and description.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 제1 전극과 보조 전극을 형성하는 단계와 상기 보조 전극의 측면에 뱅크층을 형성하는 단계와 상기 보조 전극 상에 격벽을 형성하는 단계와 상기 격벽을 포함한 기판의 전체면 상에 유기 발광층을 형성하는 단계 및 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기 발광층은 상기 뱅크층과 상기 격벽 사이에 형성하지 않고, 상기 제2 전극은 상기 뱅크층과 상기 격벽 사이에 형성하여 상기 보조 전극과 연결하는 단계를 포함하여 이루어진다.A method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention to achieve the above-described technical problem includes forming a first electrode and an auxiliary electrode on a substrate, forming a bank layer on a side of the auxiliary electrode, and forming a bank layer on a side of the auxiliary electrode. forming a partition on the entire surface of the substrate including the partition, forming an organic light-emitting layer on the entire surface of the substrate, and forming a second electrode on the organic light-emitting layer, wherein the organic light-emitting layer is formed on the bank layer and the organic light-emitting layer. Instead of being formed between the partition walls, the second electrode is formed between the bank layer and the partition wall and connected to the auxiliary electrode.

상술한 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the above-described invention, the following effects are achieved.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제2 전극의 저항을 줄일 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 마스크 공정을 감소시킴으로써 유기 발광 표시 장치의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있다.The organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention can reduce the resistance of the second electrode. Additionally, according to another embodiment of the present invention, the reliability and productivity of the organic light emitting display device can be improved by reducing the mask process.

도 1은 종래의 유기 발광 표시 장치를 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 뱅크층(600)을 형성하는 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a conventional organic light emitting display device.
Figure 2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.
4A to 4G are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.
Figure 5 is a flowchart schematically showing the process of forming the bank layer 600 of the organic light emitting display device according to the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms. These embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete and that common knowledge in the technical field to which the present invention pertains is not limited. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if a temporal relationship is described as 'after', 'successfully after', 'after', 'before', etc., 'immediately' or 'directly' Unless used, non-consecutive cases may also be included.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be a second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다. Each feature of the various embodiments of the present invention can be combined or combined with each other, partially or entirely, and various technological interconnections and operations are possible, and each embodiment can be implemented independently of each other or together in a related relationship. It may be possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. Figure 2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(100), 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(300), 제1 평탄화층(400), 제1 전극(500), 보조 전극(550), 뱅크층(600), 유기 발광층(700), 제2 전극(800), 연결부(900) 및 격벽(950)을 포함하여 이루어진다.As can be seen in FIG. 2, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate 100, a thin film transistor (T), a passivation layer 300, a first planarization layer 400, and a first electrode 500. ), an auxiliary electrode 550, a bank layer 600, an organic light-emitting layer 700, a second electrode 800, a connection part 900, and a partition wall 950.

상기 기판(100)은 유리가 주로 이용되지만, 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱, 예로서, 폴리이미드가 이용될 수 있다. 폴리이미드를 상기 기판(100)의 재료로 이용할 경우에는, 상기 기판(100) 상에서 고온의 증착 공정이 이루어짐을 감안할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성이 우수한 폴리이미드가 이용될 수 있다.The substrate 100 is mainly made of glass, but transparent plastic that can be bent or bent, for example, polyimide, can be used. When polyimide is used as a material for the substrate 100, considering that a high temperature deposition process is performed on the substrate 100, polyimide with excellent heat resistance that can withstand high temperatures can be used.

상기 박막 트랜지스터(T)는 상기 기판(100) 상에 구비되어 있다. 상기 박막 트랜지스터(T)는 액티브층(200), 게이트 절연층(210), 게이트 전극(220), 층간 절연층(230), 소스 전극(240a) 및 드레인 전극(240b)을 포함하여 이루어진다. The thin film transistor T is provided on the substrate 100. The thin film transistor (T) includes an active layer 200, a gate insulating layer 210, a gate electrode 220, an interlayer insulating layer 230, a source electrode 240a, and a drain electrode 240b.

상기 액티브층(200)은 상기 게이트 전극(220)과 중첩되도록 상기 기판(100) 상에 구비되어 있다.The active layer 200 is provided on the substrate 100 to overlap the gate electrode 220.

상기 게이트 절연층(210)은 상기 액티브층(200) 및 상기 기판(100) 상에 전체적으로 구비되어, 상기 액티브층(200) 및 상기 게이트 전극(220)을 절연시킨다. 이러한 상기 게이트 절연층(210)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중층으로 이루어 질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The gate insulating layer 210 is provided entirely on the active layer 200 and the substrate 100 to insulate the active layer 200 and the gate electrode 220. The gate insulating layer 210 may be made of an inorganic insulating material, such as silicon oxide (SiOX), silicon nitride (SiNX), or multiple layers thereof, but is not limited thereto.

상기 게이트 전극(220)은 상기 게이트 절연층(210) 상에 구비되어 있으며, 상기 게이트 전극(220)은 상기 게이트 절연층(210)을 사이에 두고, 상기 액티브층(200)과 중첩되도록 구비되어 있다. 이러한 상기 게이트 전극(220)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The gate electrode 220 is provided on the gate insulating layer 210, and the gate electrode 220 is provided to overlap the active layer 200 with the gate insulating layer 210 interposed therebetween. there is. The gate electrode 220 is made of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). Alternatively, it may be a single layer or a multi-layer made of an alloy thereof, but is not limited thereto.

상기 층간 절연층(230)은 상기 게이트 전극(220) 및 상기 게이트 절연층(210) 상에 전체적으로 구비되어 있다. 이러한 상기 층간 절연층(230)은 상기 게이트 절연막(210)과 동일한 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다.The interlayer insulating layer 230 is provided entirely on the gate electrode 220 and the gate insulating layer 210. The interlayer insulating layer 230 may be formed of the same inorganic insulating material as the gate insulating layer 210, such as silicon oxide (SiOX), silicon nitride (SiNX), or multiple layers thereof. However, it is not limited to this.

상기 소스 전극(240a) 및 상기 드레인 전극(240b)은 상기 층간 절연층(230) 상에서 서로 마주하면서 이격되어 구비되어 있다. 또한, 상기 소스 전극(240a) 및 상기 드레인 전극(240b) 각각은 상기 층간 절연층(230)에 형성된 콘택홀을 통해 상기 액티브층(200)과 연결되어 있다. 이러한, 상기 소스 전극(240a) 및 상기 드레인 전극(240b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. The source electrode 240a and the drain electrode 240b are provided facing each other and being spaced apart from each other on the interlayer insulating layer 230. Additionally, each of the source electrode 240a and the drain electrode 240b is connected to the active layer 200 through a contact hole formed in the interlayer insulating layer 230. The source electrode 240a and the drain electrode 240b are made of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd). ), copper (Cu), or an alloy thereof, and may be made of a single layer or two or more multi-layers of the metal or alloy, but is not limited thereto.

상기한 바와 같이 구성되는 상기 박막 트랜지스터(T)는 상기 기판(100) 상에서 각각의 화소 영역 마다 형성될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(T)의 구성은 앞서 설명한 예에 한정되지 않고, 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다. The thin film transistor T configured as described above may be formed in each pixel area on the substrate 100. The configuration of the thin film transistor T is not limited to the example described above, and can be modified in various ways to known configurations that can be easily implemented by those skilled in the art.

상기 패시베이션층(300)은 상기 박막 트랜지스터(T) 및 상기 층간 절연층(230) 상에 구비되어 있다. 상기 패시베이션층(300)은 상기 박막 트랜지스터(T)를 보호하는 기능을 한다. 이러한 상기 패시베이션층(300)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX) 또는 실리콘 질화막(SiNX)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The passivation layer 300 is provided on the thin film transistor (T) and the interlayer insulating layer 230. The passivation layer 300 functions to protect the thin film transistor (T). The passivation layer 300 may be made of an inorganic insulating material, for example, silicon oxide (SiOX) or silicon nitride (SiNX), but is not limited thereto.

상기 제1 평탄화층(400)은 상기 패시베이션층(300) 상에 구비되어 있다. 상기 제1 평탄화층(400)은 상기 패시베이션층(300) 상부를 평탄하게 해주는 역할을 한다. 이러한 상기 제1 평탄화층(400)은 예를 들어, 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The first planarization layer 400 is provided on the passivation layer 300. The first planarization layer 400 serves to flatten the upper part of the passivation layer 300. The first planarization layer 400 is made of, for example, acryl resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, and polyimides. resin), etc., but is not limited thereto.

전술한 상기 패시베이션층(300)과 상기 평탄화층(400)에는 상기 드레인 전극(240b)을 노출시키는 콘택홀이 구비되어 있다. 상기 콘택홀을 통하여, 상기 드레인 전극(240b)과 후술되는 제1 전극(500)이 연결된다. The above-described passivation layer 300 and the planarization layer 400 are provided with contact holes exposing the drain electrode 240b. Through the contact hole, the drain electrode 240b is connected to the first electrode 500, which will be described later.

상기 제1 전극(500)은 제1 평탄화층(400) 상에 구비되어 있으며, 상기 박막 트랜지스터(T)와 전기적으로 연결되어 있다. 상기 제1 전극(500)은 콘택홀을 통해서 노출된 상기 드레인 전극(240b)과 연결되어 있다. The first electrode 500 is provided on the first planarization layer 400 and is electrically connected to the thin film transistor (T). The first electrode 500 is connected to the exposed drain electrode 240b through a contact hole.

상기 제1 전극(500)은 상기 박막 트랜지스터(T)의 일 예로, 애노드 전극의 역할을 할 수 있다. 이러한 상기 제1 전극(500)은 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(500)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), APC(Ag;Pb;Cu) 등을 포함하는 적어도 둘 이상의 층으로 구성될 수 있다. The first electrode 500 is an example of the thin film transistor (T) and may serve as an anode electrode. The first electrode 500 may be made of a transparent conductive material with a relatively high work function, such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO). In addition, the first electrode 500 may be composed of at least two or more layers containing a metal material with excellent reflection efficiency, such as aluminum (Al), silver (Ag), APC (Ag; Pb; Cu), etc. there is.

또한 상기 제1 전극(500)은 차례로 적층된 제1 배선(500a), 제2 배선(500b), 및 제3 배선(500c)으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 제1 배선 및 제3 배선(500a, 500c)의 산화도는 상기 제2 배선(500b)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1 배선 및 제3 배선(500a, 500c)을 이루는 물질이 상기 제2 배선(500b)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어 질 수 있으며, 그 경우 상기 배선의 하면과 상면이 쉽게 부식되지 않는다. Additionally, the first electrode 500 may be composed of a first wiring 500a, a second wiring 500b, and a third wiring 500c stacked in order. Here, the oxidation degree of the first and third wirings 500a and 500c may be less than the oxidation degree of the second wiring 500b. That is, the material forming the first and third wirings 500a and 500c may be made of a material with stronger corrosion resistance than the material forming the second wiring 500b, in which case the lower and upper surfaces of the wiring are easily damaged. Does not corrode

상기 제1 배선 및 제3 배선(500a, 500c)은 예를 들어, ITO 또는 IZO로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제2 배선(500b)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 전극은 예를 들어, 차례로 적층된 ITO/Ag/ITO로 이루어 질 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The first and third wirings 500a and 500c may be made of, for example, ITO or IZO. In addition, the second wiring 500b may be formed of, for example, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper. It may be a single layer or a multilayer made of any one of (Cu) or an alloy thereof. In particular, the first electrode according to an embodiment of the present invention may be made of, for example, sequentially stacked ITO/Ag/ITO. However, it is not necessarily limited to this.

상기 보조 전극(550)은 상기 제1 전극(500)과 동일한 층에 구비되며, 상기 보조 전극(550)과 상기 제1 전극(500)은 서로 이격되어 구비되어 있다. 상기 보조 전극(550)은 상기 제1 전극(500)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성되며, 동일한 물질로 이루어 질 수 있다. The auxiliary electrode 550 is provided on the same layer as the first electrode 500, and the auxiliary electrode 550 and the first electrode 500 are spaced apart from each other. The auxiliary electrode 550 is formed simultaneously through the same process as the first electrode 500, and may be made of the same material.

상기 보조 전극(550)은 차례로 적층된 제1 배선(550a), 제2 배선(550b), 및 제3 배선(550c)으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 제1 배선 및 제3 배선(550a, 550c)의 산화도는 상기 제2 배선(550b)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1 배선 및 제3 배선(550a, 550c)을 이루는 물질이 상기 제2 배선(550b)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어 질 수 있으며, 그 경우 상기 배선의 하면과 상면이 쉽게 부식되지 않는다. The auxiliary electrode 550 may be composed of a first wiring 550a, a second wiring 550b, and a third wiring 550c stacked in order. Here, the oxidation degree of the first and third wirings 550a and 550c may be less than the oxidation degree of the second wiring 550b. That is, the material forming the first and third wirings 550a and 550c may be made of a material with stronger corrosion resistance than the material forming the second wiring 550b, in which case the lower and upper surfaces of the wiring are easily damaged. Does not corrode

상기 제1 배선 및 제3 배선(550a, 550c)은 예를 들어, ITO 또는 IZO로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제2 배선(550b)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 보조 전극은 예를 들어, 차례로 적층된 ITO/Ag/ITO로 이루어 질 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The first and third wirings 550a and 550c may be made of, for example, ITO or IZO. In addition, the second wiring 550b may be formed of, for example, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper. It may be a single layer or a multilayer made of any one of (Cu) or an alloy thereof. In particular, the auxiliary electrode according to an embodiment of the present invention may be made of, for example, sequentially stacked ITO/Ag/ITO. However, it is not necessarily limited to this.

상기 보조 전극(550)은 후술되는 바와 같이 상기 제2 전극(800)의 저항을 낮춰주기 위하여 상기 제2 전극(800)과 접촉되도록 구비되어 있다. The auxiliary electrode 550 is provided to contact the second electrode 800 to lower the resistance of the second electrode 800, as will be described later.

상기 뱅크층(600)은 제1 뱅크층(601), 제2 뱅크층(602), 제3 뱅크층(603) 및 제4 뱅크층(604)을 포함하여 이루어진다.The bank layer 600 includes a first bank layer 601, a second bank layer 602, a third bank layer 603, and a fourth bank layer 604.

상기 제1 뱅크층(601)은 상기 제1 전극(500)의 일측에 구비되어 있고, 상기 제2 뱅크층(602)은 상기 제1 전극(500)의 타측에 구비되어 있다. 또한, 상기 제3 뱅크층(603)은 상기 보조 전극(500)의 일측에 구비되어 있고, 상기 제4 뱅크층(604)은 상기 보조 전극(500)의 타측에 구비되어 있다. 이때, 상기 제2 뱅크층(602) 및 상기 제3 뱅크층(603)은 서로 연결되어 하나의 뱅크층으로 이루어질 수도 있다.The first bank layer 601 is provided on one side of the first electrode 500, and the second bank layer 602 is provided on the other side of the first electrode 500. Additionally, the third bank layer 603 is provided on one side of the auxiliary electrode 500, and the fourth bank layer 604 is provided on the other side of the auxiliary electrode 500. At this time, the second bank layer 602 and the third bank layer 603 may be connected to each other to form one bank layer.

상기 제2 뱅크층(602) 및 상기 제3 뱅크층(603)은 상기 제1 전극(500)과 상기 보조 전극(550) 사이에 배치되어 있으며, 상기 제1 전극(500)과 상기 보조 전극(550)을 절연시키는 기능을 수행한다. 상기 뱅크층(600)은 예를 들어, 폴리이미드계 수지(polyimides resin), 아크릴계 수지(acryl resin), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 등과 같은 유기막으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The second bank layer 602 and the third bank layer 603 are disposed between the first electrode 500 and the auxiliary electrode 550, and the first electrode 500 and the auxiliary electrode ( 550) performs the function of insulating. The bank layer 600 may be made of an organic layer such as polyimide resin, acryl resin, benzocyclobutene (BCB), etc., but is not limited thereto.

상기 유기 발광층(700)은 상기 제1 전극(500) 및 상기 제1 평탄화층(400)상에 구비되어 있으며, 상기 격벽(950)의 상면에도 구비되어 있다. 상기 유기 발광층(700)은 상기 보조 전극(550) 상에서 끊어짐으로써 각 화소별로 분리된다. 즉, 상기 유기 발광층(700)은 상기 격벽(950)의 측면과 상기 제3 뱅크층(603) 사이 및 상기 격벽(950)의 측면과 상기 제4 뱅크층(604) 사이에는 형성되지 않는다. The organic light-emitting layer 700 is provided on the first electrode 500 and the first planarization layer 400, and is also provided on the upper surface of the partition wall 950. The organic light emitting layer 700 is separated for each pixel by being cut off on the auxiliary electrode 550. That is, the organic light emitting layer 700 is not formed between the side surface of the partition wall 950 and the third bank layer 603 and between the side surface of the partition wall 950 and the fourth bank layer 604.

상기 유기 발광층(700)은 정공 수송층/ 발광층/ 전자 수송층의 구조, 또는 정공 주입층/ 정공 수송층/ 발광층/ 전자 수송층/ 전자 주입층의 구조를 가지도록 구비될 수 있다. 나아가, 상기 유기 발광층(700)에는 발광층의 발광 효율 및/또는 수명 등을 향상시키기 위한 적어도 하나 이상의 기능층이 더 포함될 수도 있다The organic light-emitting layer 700 may be provided to have a structure of a hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer, or a structure of a hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer. Furthermore, the organic light-emitting layer 700 may further include at least one functional layer to improve the light-emitting efficiency and/or lifespan of the light-emitting layer.

상기 제2 전극(800)은 상기 기판(100)의 전면에 구비되어 있다. 이 경우, 상기 제2 전극(800)은 상기 유기 발광층(700) 및 상기 뱅크층(600)의 상부를 덮으며 구비된다. 또한, 상기 제2 전극(800)은 상기 격벽(950)의 상면에서 상기 격벽(950)의 측면을 따라 연장되면서 상기 보조 전극(550)과 연결되어 있다. 즉, 상기 제2 전극(800)은 상기 유기 발광층(700)이 형성되지 않은 영역, 구체적으로 상기 격벽(950)의 측면과 상기 제3 뱅크층(603) 사이 및 상기 격벽(950)의 측면과 상기 제4 뱅크층(604) 사이 영역으로 연장되어 있다.The second electrode 800 is provided on the front surface of the substrate 100. In this case, the second electrode 800 is provided to cover the top of the organic light-emitting layer 700 and the bank layer 600. Additionally, the second electrode 800 extends from the upper surface of the partition 950 along the side of the partition 950 and is connected to the auxiliary electrode 550. That is, the second electrode 800 is located in an area where the organic light emitting layer 700 is not formed, specifically between the side of the partition 950 and the third bank layer 603 and the side of the partition 950. It extends to the area between the fourth bank layers 604.

상기 제1 전극(500)이 애노드 전극의 역할을 하는 경우, 상기 제2 전극(800)은 캐소드 전극의 역할을 할 수 있다. 상기 제2 전극(800)으로는 매우 얇은 두께의 일함수가 낮은 금속성 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(800)으로는 은(Ag), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 또는 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등과 같은 금속성 물질이 사용될 수 있다. 또한, 상기한 바와 같은 금속성 물질들이 수백 옴스트롱(Å) 이하의 두께, 예를 들어, 200Å 이하로 형성되어 상기 제2 전극(800)으로 사용될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 전극(800)은 반투과층이 되어, 실질적으로 투명한 캐소드로 사용될 수 있다.When the first electrode 500 functions as an anode electrode, the second electrode 800 may function as a cathode electrode. As the second electrode 800, a very thin metallic material with a low work function may be used. For example, the second electrode 800 is made of a metallic material such as silver (Ag), titanium (Ti), aluminum (Al), molybdenum (Mo), or an alloy of silver (Ag) and magnesium (Mg). can be used Additionally, the metallic materials described above may be formed to have a thickness of several hundred angstroms (Å) or less, for example, 200 Å or less, and may be used as the second electrode 800. In this case, the second electrode 800 becomes a semi-transmissive layer and can be used as a substantially transparent cathode.

상기 제2 전극(800)이 투명한 캐소드로 사용되는 경우, 두께가 얇아지기 때문에 상대적으로 저항이 높아 질 수 있다. 이러한 상기 제2 전극(800)의 저항을 낮춰주기 위해 상기 제2 전극(800)과 상기 보조 전극(550)이 연결되어 있다. When the second electrode 800 is used as a transparent cathode, the resistance may be relatively high because the thickness becomes thin. In order to lower the resistance of the second electrode 800, the second electrode 800 and the auxiliary electrode 550 are connected.

상기 연결부(900)는 상기 보조 전극(550)의 상면에 구비되어 상기 보조 전극(550)과 상기 격벽(950) 사이에 형성된다. 또한, 상기 연결부(900)는 상기 격벽(950)과 함께 상기 유기 발광층(700)이 화소별로 분리되도록 하는 역할을 한다. 즉, 상기 보조 전극(550)의 상부에 상기 격벽(950)만 형성되어 있는 경우보다 상기 보조 전극(550)의 상부에 상기 격벽(950)과 상기 연결부(900)가 같이 형성되어 있는 경우에 상기 유기 발광층(700)이 화소 별로 더욱 효과적으로 분리될 수 있다. 이러한 상기 연결부(900)는 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어질 수 있다.The connection portion 900 is provided on the upper surface of the auxiliary electrode 550 and is formed between the auxiliary electrode 550 and the partition wall 950. Additionally, the connection portion 900, together with the partition wall 950, serves to separate the organic light emitting layer 700 for each pixel. That is, in the case where the partition 950 and the connection portion 900 are formed together on the top of the auxiliary electrode 550, rather than in the case where only the partition 950 is formed on the top of the auxiliary electrode 550, The organic light emitting layer 700 can be more effectively separated for each pixel. The connection portion 900 may be made of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO).

상기 격벽(950)은 상기 연결부(900)의 상부에 형성되며, 상기 연결부(900)와 함께 상기 유기 발광층(700)을 화소별로 분리하여 화소간의 불량구동을 방지하는 역할을 한다. 상기 격벽(950)이 형성된 후에 상기 제2 전극(800)이 형성되므로, 상기 격벽(950)에 의해 가려지지 않는 상기 보조 전극(550)의 일부 영역이 상기 제2 전극(800)과 연결되어 있다. 또한, 상기 격벽(950)의 하면의 폭은 상기 격벽(950)의 상면의 폭보다 작다. 이와 같이, 상기 격벽(950)의 하면이 상면의 폭보다 작게 형성되면, 상기 유기 발광층(700)이 상기 격벽(950)의 하면에 의해 분리되게 된다.The partition wall 950 is formed on the upper part of the connecting part 900, and together with the connecting part 900, it separates the organic light emitting layer 700 for each pixel and serves to prevent defective driving between pixels. Since the second electrode 800 is formed after the partition 950 is formed, a portion of the auxiliary electrode 550 that is not covered by the partition 950 is connected to the second electrode 800. . Additionally, the width of the lower surface of the partition wall 950 is smaller than the width of the upper surface of the partition wall 950. In this way, when the lower surface of the partition wall 950 is formed to be smaller than the width of the upper surface, the organic light emitting layer 700 is separated by the lower surface of the partition wall 950.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. Figure 3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(100), 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(300), 제1 평탄화층(400), 연결 배선(410), 보조 배선(420), 제2 평탄화층(450), 제1 전극(500), 보조 전극(550), 뱅크층(600), 유기 발광층(700), 제2 전극(800), 연결부(900) 및 격벽(950)을 포함하여 이루어진다.As can be seen in FIG. 3, the organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention includes a substrate 100, a thin film transistor (T), a passivation layer 300, a first planarization layer 400, and a connection wire 410. , auxiliary wiring 420, second planarization layer 450, first electrode 500, auxiliary electrode 550, bank layer 600, organic light emitting layer 700, second electrode 800, connection portion 900 ) and a partition wall 950.

즉, 도 3에 따른 유기 발광 표시 장치는 연결 배선(410), 보조 배선(420) 및 제2 평탄화층(450)을 추가로 포함하는 것을 제외하고 전술한 도 2에 도시한 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.That is, the organic light emitting display device according to FIG. 3 is the organic light emitting display device according to the embodiment shown in FIG. 2 described above, except that it additionally includes a connection wiring 410, an auxiliary wiring 420, and a second planarization layer 450. It is the same as the light emitting display device. Accordingly, the same reference numerals are assigned to the same components, and only the different components will be described below.

전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 제2 전극(800)의 저항을 낮추는 데에 공간적 한계가 있었다. 즉, 전술한 실시예에 따르면 상기 보조 전극(550)이 상기 제1 전극(500)과 동일한 층에 구비되기 때문에, 상기 보조 전극(550)을 구비하기 위한 공간에 제약이 있다. 따라서, 상기 보조 전극(550)의 면적이 넓을수록 상기 제2 전극(800)의 저항이 더욱 감소될 수 있지만, 공간적 한계로 인해서 상기 보조 전극(550)의 면적을 넓히는데 제약이 있고, 그에 따라 상기 제2 전극(800)의 저항을 낮추는 데에 공간적 한계가 있다. The organic light emitting display device according to the above-described embodiment of the present invention had spatial limitations in lowering the resistance of the second electrode 800. That is, according to the above-described embodiment, since the auxiliary electrode 550 is provided on the same layer as the first electrode 500, the space for providing the auxiliary electrode 550 is limited. Accordingly, the larger the area of the auxiliary electrode 550, the more the resistance of the second electrode 800 can be reduced. However, there is a limitation in expanding the area of the auxiliary electrode 550 due to spatial limitations, and as a result, There are spatial limitations in lowering the resistance of the second electrode 800.

따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 이를 해결하기 위하여, 상기 보조 전극(550) 하부에 상기 보조 전극(550)과 연결되는 보조 배선(420)을 구비한다. 상기 보조 배선(420)이 상기 보조 전극(550)을 통하여 상기 제2 전극(800)와 연결되기 때문에, 상기 제2 전극(800)의 저항이 더욱 감소될 수 있다.Accordingly, in order to solve this problem, an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention includes an auxiliary wiring 420 connected to the auxiliary electrode 550 below the auxiliary electrode 550. Since the auxiliary wiring 420 is connected to the second electrode 800 through the auxiliary electrode 550, the resistance of the second electrode 800 can be further reduced.

상기 연결 배선(410)은 상기 제1 평탄화층(400) 상에 구비된다. 상기 연결 배선(410)은 상기 드레인 전극(240b)과 상기 제1 전극(500)을 연결시키는 역할을 한다. 전술한 상기 패시베이션층(300)과 상기 제1 평탄화층(400)에는 상기 드레인 전극(240b)을 노출시키는 콘택홀이 구비되어 있다. 상기 콘택홀을 통하여, 상기 드레인 전극(240b)과 상기 연결 배선(410)이 연결된다.The connection wire 410 is provided on the first planarization layer 400. The connection wire 410 serves to connect the drain electrode 240b and the first electrode 500. The above-described passivation layer 300 and the first planarization layer 400 are provided with contact holes exposing the drain electrode 240b. The drain electrode 240b and the connection wire 410 are connected through the contact hole.

상기 보조 배선(420)은 상기 연결 배선(410)과 동일한 층에 구비되어 있으며, 상기 보조 배선(420)은 상기 연결 배선(410)과 이격되어 구비된다. 상기 보조 배선(420)은 상기 연결 배선(410)과 동일한 공정을 통하여 동시에 형성될 수 있으며, 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 상기 보조 배선(420)은 상기 보조 전극(550)과 연결된다. The auxiliary wire 420 is provided on the same layer as the connection wire 410, and the auxiliary wire 420 is provided to be spaced apart from the connection wire 410. The auxiliary wiring 420 may be formed simultaneously through the same process as the connecting wiring 410 and may be made of the same material. The auxiliary wiring 420 is connected to the auxiliary electrode 550.

상기 연결 배선(410)은 차례로 적층된 제1 배선(410a), 제2 배선(410b) 및 제3 배선(410c)으로 이루어질 수 있다. 상기 보조 배선(420) 또한 차례로 적층된 제1 배선(420a), 제2 배선(420b), 및 제3 배선(420c)으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 제1 배선 및 상기 제3 배선(410a, 410b, 420a, 420c)의 산화도는 상기 제2 배선(410b, 420b)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1 배선 및 제3 배선(410a, 410c, 420a, 420c)을 이루는 물질이 상기 제2 배선(410b, 420b)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어 질 수 있으며, 그 경우 상기 배선의 하면과 상면이 쉽게 부식되지 않는다. The connection wire 410 may be composed of a first wire 410a, a second wire 410b, and a third wire 410c that are sequentially stacked. The auxiliary wiring 420 may also be composed of a first wiring 420a, a second wiring 420b, and a third wiring 420c stacked in order. Here, the oxidation degree of the first and third wirings 410a, 410b, 420a, and 420c may be less than the oxidation degree of the second wirings 410b and 420b. That is, the material forming the first and third wirings 410a, 410c, 420a, and 420c may be made of a material with stronger corrosion resistance than the material forming the second wirings 410b and 420b, in which case the wiring The bottom and top surfaces do not corrode easily.

상기 제1 배선 및 제3 배선(410a, 410c, 420a, 420c)은 예를 들어, ITO 또는 IZO로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제2 배선(410b, 420b)은 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있다. 특히, 본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 연결 배선 및 보조배선은 예를 들어, 차례로 적층된 ITO/Ag/ITO로 이루어 질 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The first and third wirings 410a, 410c, 420a, and 420c may be made of, for example, ITO or IZO. In addition, the second wirings 410b and 420b are, for example, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd). It may be a single layer or a multi-layer made of any one of and copper (Cu) or an alloy thereof. In particular, the connection wiring and auxiliary wiring according to another embodiment of the present invention may be made of, for example, sequentially stacked ITO/Ag/ITO. However, it is not necessarily limited to this.

상기 제2 평탄화층(450)은 상기 연결배선(410), 상기 보조배선(420) 및 상기 제1 평탄화층(400) 상에 전체적으로 구비되어 있다. 상기 제2 평탄화층(450)은 상기 제1 평탄화층(400) 상부를 평탄하게 해주는 역할을 한다. 이러한 상기 제2 평탄화층(450)은 예를 들어, 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The second planarization layer 450 is provided entirely on the connection wiring 410, the auxiliary wiring 420, and the first planarization layer 400. The second planarization layer 450 serves to flatten the upper part of the first planarization layer 400. The second planarization layer 450 is made of, for example, acryl resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, and polyimides. resin), etc., but is not limited thereto.

상기 제1 전극(500)은 제2 평탄화층(450) 상에 구비되어 있다. 상기 제1 전극(500)은 콘택홀을 통해서 노출된 상기 연결 배선(410)과 연결되어 있다. 상기 연결 배선(410)이 상기 드레인 전극(240a)과 연결되어 있기 때문에, 상기 제1 전극(500)은 상기 연결 배선(410)을 통해 상기 드레인 전극(240b)과 연결되어 있다. The first electrode 500 is provided on the second planarization layer 450. The first electrode 500 is connected to the exposed connecting wire 410 through a contact hole. Since the connection wire 410 is connected to the drain electrode 240a, the first electrode 500 is connected to the drain electrode 240b through the connection wire 410.

상기 보조 전극(550)은 콘택홀을 통하여 노출되어 있는 상기 보조 배선(420)과 연결되어 있다. 상기 보조 전극(550)은 전술된 바와 같이 상기 제2 전극(800)의 저항을 낮춰주기 위하여 상기 제2 전극(800)과 접촉되도록 구비되어 있다. The auxiliary electrode 550 is connected to the exposed auxiliary wiring 420 through a contact hole. As described above, the auxiliary electrode 550 is provided to contact the second electrode 800 in order to lower the resistance of the second electrode 800.

도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 3에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략된다. FIGS. 4A to 4G are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, which relates to the method of manufacturing an organic light emitting display device according to FIG. 3 described above. Accordingly, the same reference numerals are assigned to the same components, and redundant descriptions of repeated parts in the materials and structures of each component are omitted.

우선, 도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100) 상에 박막 트랜지스터(T)를 형성하고, 상기 박막 트랜지스터(T) 상에 패시베이션층(300)을 형성하고, 상기 패시베이션층(300) 상에 제1 평탄화층(400)을 형성한다.First, as shown in FIG. 4A, a thin film transistor (T) is formed on the substrate 100, a passivation layer 300 is formed on the thin film transistor (T), and a passivation layer 300 is formed on the passivation layer 300. A first planarization layer 400 is formed in .

상기 박막 트랜지스터(T)를 형성하는 공정은 기판(100) 상에 액티브층(200)을 형성하고, 상기 액티브층(200) 상에 층간 절연층(210)을 형성하고, 상기 층간 절연층(210) 상에 게이트 전극(220)을 형성하고, 상기 게이트 전극(220) 상에 게이트 절연층(230)을 형성하고, 상기 게이트 절연층(230) 및 상기 층간 절연층(210)에 콘택홀을 형성하여, 상기 게이트 절연층(230) 상에 상기 소스 및 드레인 전극(240a, 240b)이 상기 콘택홀을 통해서 상기 액티브층(200)과 연결되도록 형성하는 공정을 포함한다. The process of forming the thin film transistor (T) includes forming an active layer 200 on a substrate 100, forming an interlayer insulating layer 210 on the active layer 200, and forming the interlayer insulating layer 210 on the substrate 100. ), forming a gate electrode 220 on the gate electrode 220, forming a gate insulating layer 230 on the gate electrode 220, and forming a contact hole in the gate insulating layer 230 and the interlayer insulating layer 210. Thus, it includes a process of forming the source and drain electrodes 240a and 240b on the gate insulating layer 230 to be connected to the active layer 200 through the contact hole.

상기 박막 트랜지스터(TFT)의 형성 공정은 당업계에 공지된 다양한 방법을 이용할 수 있다.The thin film transistor (TFT) formation process can use various methods known in the art.

상기 패시베이션층(300)과 상기 제1 평탄화층(400)을 형성한 이후에는 상기 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(240b)이 노출되도록 상기 패시베이션층(300)과 상기 제1 평탄화층(400)에 콘택홀을 형성하는 공정을 수행하고, 상기 콘택홀을 통해서 상기 드레인 전극(240b)과 연결되도록 연결 배선(410)을 형성한다.After forming the passivation layer 300 and the first planarization layer 400, the passivation layer 300 and the first planarization layer 400 are exposed so that the drain electrode 240b of the thin film transistor (T) is exposed. A process of forming a contact hole is performed, and a connection wire 410 is formed to be connected to the drain electrode 240b through the contact hole.

상기 연결 배선(410)을 형성하는 공정과 동시에 상기 제1 평탄화층(400) 상에 보조 배선(420)을 형성하고, 상기 제1 평탄화층(400), 상기 연결 배선(410) 및 상기 보조 배선(420) 상에 제2 평탄화층(450)을 형성한다.Simultaneously with the process of forming the connection wiring 410, an auxiliary wiring 420 is formed on the first planarization layer 400, and the first planarization layer 400, the connection wiring 410, and the auxiliary wiring are formed. A second planarization layer 450 is formed on (420).

상기 제2 평탄화층(450)에 상기 연결 배선(410)이 노출되도록 하는 제1 콘택홀과 상기 보조 배선(420)이 노출되도록 하는 제2 콘택홀을 동시에 형성한다. A first contact hole exposing the connection wiring 410 and a second contact hole exposing the auxiliary wiring 420 are simultaneously formed in the second planarization layer 450.

그런 다음, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 제2 평탄화층(450) 상에 제1 전극(500)과 보조 전극(550)을 형성하고, 상기 제1 전극(500) 및 상기 보조 전극(550)의 측면에 뱅크층(600)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 4B, a first electrode 500 and an auxiliary electrode 550 are formed on the second planarization layer 450, and the first electrode 500 and the auxiliary electrode 550 are formed. ) A bank layer 600 is formed on the side of the bank.

상기 제1 전극(500)은 상기 제1 콘택홀을 통해서 상기 연결 배선(410)과 연결되도록 형성하고, 상기 보조 전극(550)은 상기 제2 콘택홀을 통해서 상기 보조 배선(420)과 연결되도록 형성한다. 상기 제1 전극(500)과 상기 보조 전극(550)은 상기 제2 평탄화층(450) 상에 이격되어 형성된다.The first electrode 500 is formed to be connected to the connection wire 410 through the first contact hole, and the auxiliary electrode 550 is connected to the auxiliary wire 420 through the second contact hole. form The first electrode 500 and the auxiliary electrode 550 are formed on the second planarization layer 450 to be spaced apart from each other.

상기 뱅크층(600)은 제1 전극(500)의 양 측면에 형성되는 제1 및 제2 뱅크층(601, 602)과 상기 보조 전극(550)의 양 측면에 형성되는 제3 및 제4 뱅크층(603, 604)으로 이루어진다. The bank layer 600 includes first and second bank layers 601 and 602 formed on both sides of the first electrode 500 and third and fourth banks formed on both sides of the auxiliary electrode 550. It consists of layers 603 and 604.

상기 제1 전극(500), 보조 전극(550), 및 뱅크층(600)은 하나의 마스크 공정을 통해서 형성할 수 있는데, 이에 대해서는 도 5를 참조하여 후술하기로 한다. The first electrode 500, the auxiliary electrode 550, and the bank layer 600 can be formed through one mask process, which will be described later with reference to FIG. 5.

그런 다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 뱅크층(600)을 포함한 상기 기판(100) 전면에 연결부 물질층(900a)를 형성한다. 보다 구체적으로, 상기 제2 평탄화층(450), 제1 전극(500), 보조 전극(550) 및 뱅크층(600) 상에 연결부 물질층(900a)을 전체적으로 형성한다. 상기 연결부 물질층(900a)은 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어질 수 있다.Then, as shown in FIG. 4C, a connection material layer 900a is formed on the entire surface of the substrate 100 including the bank layer 600. More specifically, a connection material layer 900a is formed entirely on the second planarization layer 450, the first electrode 500, the auxiliary electrode 550, and the bank layer 600. The connection material layer 900a may be made of, for example, indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO).

그런 다음, 상기 보조 전극(550)의 일측 상부에 상기 연결부 물질층(900a)과 중첩되도록 격벽용 패턴(950a)을 패터닝(patterning)하여 형성한다. 상기 격벽용 패턴(950a)은 그 상면의 폭이 그 하면의 폭보다 좁은 구조를 가지며 형성된다. 상기 격벽용 패턴(950a)은 포지티브 타입의 포토 레지스트(Positive PR)로 형성될 수 있다. 상기 포지티브 타입의 포토 레지스트는 빛에 노출되지 않는 부분이 경화되어 패턴으로 형성되고, 빛에 노출된 부분이 용매에 의해 씻겨나가는 감광성 물질이다. 상기 격벽용 패턴(950a)을 형성하는 과정에서, 상기 격벽용 패턴(950a)의 상면은 빛에 노출되지 않지만, 상기 격벽용 패턴(950a)의 하면은 빛에 약간 노출된다. 따라서, 빛에 노출된 상기 격벽용 패턴(950a)의 하면은 분자구조가 느슨해질 수 있다. 상기 격벽용 패턴(950a)은 예를 들어, 포토 아크릴(photo acryl)로 이루어질 수 있다.Then, a partition pattern 950a is patterned to form an upper portion of one side of the auxiliary electrode 550 so as to overlap the connection material layer 900a. The barrier wall pattern 950a is formed to have a structure in which the width of the upper surface is narrower than the width of the lower surface. The barrier wall pattern 950a may be formed of positive type photo resist (Positive PR). The positive type photoresist is a photosensitive material in which the parts not exposed to light are hardened to form a pattern, and the parts exposed to light are washed away by a solvent. In the process of forming the barrier rib pattern 950a, the upper surface of the barrier rib pattern 950a is not exposed to light, but the lower surface of the barrier rib pattern 950a is slightly exposed to light. Accordingly, the molecular structure of the lower surface of the partition pattern 950a exposed to light may become loose. The barrier wall pattern 950a may be made of, for example, photo acryl.

그런 다음, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 연결부 물질층(900a)을 식각하여 상기 격벽용 패턴(950a) 아래에 연결부(900)를 형성한다. 상기 연결부(900)는 상기 격벽용 패턴(950a)을 마스크로 하여 상기 연결부 물질층(900a)을 습식 에칭(etching)하여 형성한다. 이때, 전술한 공정에 의해서 약하게 경화된 상기 격벽용 패턴(950a)의 하면이, 습식 에칭하는 공정에서 깎이게 된다.Then, as shown in FIG. 4D, the connection part material layer 900a is etched to form a connection part 900 under the partition pattern 950a. The connection portion 900 is formed by wet etching the connection material layer 900a using the partition pattern 950a as a mask. At this time, the lower surface of the partition pattern 950a, which has been slightly hardened through the above-described process, is chipped away in the wet etching process.

그런 다음, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 격벽용 패턴(950a)에 열을 가하여 역 테이퍼 형태의 격벽(950)을 형성한다. 상기 격벽용 패턴(950a)에 열을 가하고 경화(curing)시키면, 물질의 특성에 따라 상기 격벽용 패턴(950a)의 하면의 폭이 상면의 폭보다 작게 형성된다.Then, as shown in FIG. 4E, heat is applied to the barrier rib pattern 950a to form a barrier rib 950 in an inverse taper shape. When heat is applied to the barrier pattern 950a and cured, the width of the lower surface of the barrier rib pattern 950a is formed to be smaller than the width of the upper surface, depending on the characteristics of the material.

그런 다음, 도 4f에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100) 전면에 유기 발광층(700)을 형성한다. 이때, 상기 유기 발광층(700)은 상기 연결부(900) 및 상기 격벽(950)에 의해서 분리되어 형성된다. 따라서, 상기 유기 발광층(700)은 상기 격벽(950)과 상기 제4 뱅크층(604) 사이인 상기 보조 전극(550)의 일부를 제외하고, 상기 뱅크층(600), 상기 제1 전극(700) 및 상기 격벽(950)의 상면에도 형성된다. 상기 유기 발광층(700)은 직진성이 있는 물질의 특성과 압력이 가하여 증착되는 공정상의 특징에 의해서 상기 격벽(950)이 형성된 부분에는 분리되어 형성된다.Then, as shown in FIG. 4F, an organic light emitting layer 700 is formed on the entire surface of the substrate 100. At this time, the organic light-emitting layer 700 is formed and separated by the connection portion 900 and the partition wall 950. Accordingly, the organic light-emitting layer 700 includes the bank layer 600 and the first electrode 700, excluding a portion of the auxiliary electrode 550 between the partition wall 950 and the fourth bank layer 604. ) and is also formed on the upper surface of the partition wall 950. The organic light-emitting layer 700 is formed separately in the portion where the partition wall 950 is formed due to the characteristics of the material having a straight line and the characteristics of the deposition process in which pressure is applied.

그런 다음, 도 4g에 도시된 바와 같이, 상기 기판(100)의 전면에 제2 전극(800)을 형성한다. 상기 제2 전극(800)은 상기 격벽(950)의 상면에서 상기 격벽(950)의 측면을 따라 연장되면서 상기 보조 전극(550)과 연결되도록 형성된다. 또한, 상기 제2 전극(800)은 상기 뱅크층(600) 사이 영역으로 연장되어 형성될 수 있다.Then, as shown in FIG. 4G, a second electrode 800 is formed on the front surface of the substrate 100. The second electrode 800 is formed to extend from the upper surface of the partition 950 along the side of the partition 950 and be connected to the auxiliary electrode 550. Additionally, the second electrode 800 may be formed to extend into the area between the bank layers 600.

이와 같은 도 4a 내지 도 4g의 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에서, 상기 연결 배선(410), 보조 배선(420) 및 제2 평탄화층(450)을 형성하는 공정을 제외하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법과 동일하다.In the method of manufacturing an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention shown in FIGS. 4A to 4G, a process of forming the connection wiring 410, the auxiliary wiring 420, and the second planarization layer 450 is performed. Except for this, it is the same as the manufacturing method of the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 뱅크층(600)을 형성하는 공정을 개략적으로 나타낸 순서도이다.Figure 5 is a flowchart schematically showing the process of forming the bank layer 600 of the organic light emitting display device according to the present invention.

도 5(a)에 도시된 바와 같이, 상기 제2 평탄화층(450) 상에 상기 보조 전극층(550a)을 형성한다. 상기 보조 전극층(550a) 상에 하프톤(half tone) 마스크를 이용하여 뱅크층 패턴(600p)을 형성한다. 상기 뱅크층 패턴(600p)은 두께가 두꺼운 영역 두 개가 이격되어 있고, 상기 두꺼운 영역 두 개를 이어주는 영역이 상대적으로 두께가 얇은 형태로 형성되어 있다. 후술하는 설명에서는, 상기 뱅크층 패턴(600p)의 두꺼운 영역을 제1 영역(601p)이라고하고, 상기 두꺼운 영역 두 부분을 이어주는 영역을 제2 영역(602p)으로 하기로 한다.As shown in FIG. 5(a), the auxiliary electrode layer 550a is formed on the second planarization layer 450. A bank layer pattern 600p is formed on the auxiliary electrode layer 550a using a half tone mask. The bank layer pattern 600p has two thick regions spaced apart from each other, and a region connecting the two thick regions is formed to be relatively thin. In the description described later, the thick area of the bank layer pattern 600p will be referred to as the first area 601p, and the area connecting the two thick areas will be referred to as the second area 602p.

그런 다음, 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 상기 제2 평탄화층(450) 상에 상기 보조 전극(550)을 형성한다. 상기 보조 전극(550)은 상기 보조 전극층(550a)을 습식 에칭(etching) 공정을 통해서 상기 뱅크층 패턴(600p)보다 폭이 작아지도록 형성된다.Then, as shown in FIG. 5(b), the auxiliary electrode 550 is formed on the second planarization layer 450. The auxiliary electrode 550 is formed to have a width smaller than that of the bank layer pattern 600p through a wet etching process of the auxiliary electrode layer 550a.

그런 다음, 도 5(C)에 도시된 바와 같이, 상기 뱅크층 패턴(600p)을 현상하여 상기 제1 영역(601p)이 두 개로 분리되도록, 상기 제2 영역(602p)을 애싱(ashing) 공정을 통해서 식각하여 제거하고, 상기 제1 영역(601p)은 잔존시킨다. 상기 제2 영역(602p)을 제거하는 공정은 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 다양한 방법을 적용할 수 있다.Then, as shown in FIG. 5(C), the bank layer pattern 600p is developed and the second region 602p is subjected to an ashing process so that the first region 601p is separated into two. It is removed by etching, and the first region 601p remains. The process of removing the second area 602p can be performed using various known methods that can be easily performed by those skilled in the art.

그런 다음, 도 (d)에 도시된 바와 같이, 상기 보조 전극(550)의 양 측면에 뱅크층(600)을 형성한다. 상기 뱅크층(600)은 상기 잔존하는 제1 영역(601p)에 열을 가하여 유동시켜, 상기 보조 전극(550)의 양 측면에 형성한다.Then, as shown in Figure (d), bank layers 600 are formed on both sides of the auxiliary electrode 550. The bank layer 600 is formed on both sides of the auxiliary electrode 550 by applying heat to the remaining first region 601p to make it flow.

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 뱅크층(600)을 형성하는 공정은 하나의 마스크(mask)를 사용하여 동시에 뱅크층(600)과 제1 전극(500) 또는 뱅크층(600)과 보조 전극(550)을 형성할 수 있다. 따라서, 생산비용 및 시간을 감소시킬 수 있다. The process of forming the bank layer 600 of the organic light emitting display device according to the present invention involves forming the bank layer 600 and the first electrode 500 or the bank layer 600 and the auxiliary electrode at the same time using one mask. (550) can be formed. Therefore, production cost and time can be reduced.

상술한 바와 같은 공정은 상기 제1 전극(500)의 측면에 제1 및 제2 뱅크층(601, 602)를 형성하는 공정에도 동일한 공정을 통하여 동시에 형성된다.The process described above is simultaneously formed through the same process for forming the first and second bank layers 601 and 602 on the side of the first electrode 500.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing its technical idea or essential features. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the claims described below rather than the detailed description above, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

100 : 기판 300 : 패시베이션층
410 : 연결 배선 420 : 보조 배선
500 : 제1 전극 550 : 보조 전극
600 : 뱅크층 700 : 유기 발광층
800 : 제2 전극 900 : 연결부
950 : 격벽100: substrate 300: passivation layer
410: connection wiring 420: auxiliary wiring
500: first electrode 550: auxiliary electrode
600: Bank layer 700: Organic light emitting layer
800: second electrode 900: connection part
950: Bulkhead

Claims

delete

forming an active layer on a substrate;
forming source and drain electrodes connected to the active layer on the active layer;
forming a first planarization layer on the source and drain electrodes;
forming auxiliary wiring and connection wiring on the first planarization layer;
forming a second planarization layer on the auxiliary wiring and the connecting wiring;
forming a first electrode electrically connected to the connection wiring and an auxiliary electrode electrically connected to the auxiliary wiring on the second planarization layer;
forming a bank layer on a side of the auxiliary electrode;
forming a partition on the auxiliary electrode;
forming an organic light-emitting layer on the entire surface of the substrate including the partition wall; and
Comprising forming a second electrode on the organic light emitting layer,
The organic light-emitting layer is not formed between the bank layer and the barrier rib, and the second electrode is formed between the bank layer and the barrier rib and connected to the auxiliary electrode,
Each of the auxiliary wiring, connection wiring, and first electrode is made of a first wiring, a second wiring, and a third wiring sequentially stacked,
The oxidation degree of the first wiring and the third wiring is less than the oxidation degree of the second wiring,
The thickness of the first wiring and the third wiring is smaller than the thickness of the second wiring,
The connection wire and the first electrode are connected through a contact hole in the second planarization layer,
A first wire of the connection wire is in contact with the drain electrode, a third wire of the connection wire is in contact with the first wire of the first electrode,
Forming the auxiliary electrode and forming the bank layer include:
forming an auxiliary electrode layer on the second planarization layer;
forming a bank layer pattern having a thick first region and a thin second region on the auxiliary electrode layer;
forming an auxiliary electrode by etching the auxiliary electrode layer using the bank layer pattern as a mask;
developing the bank layer pattern to remove the second area and leave the first area; and
A method of manufacturing an organic light emitting display device comprising the step of applying heat to the bank layer pattern of the remaining first region to cause the bank layer to flow to a side of the auxiliary electrode.

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According to clause 8,
The step of forming the partition wall is,
forming a connection material layer on the entire surface of the substrate including the bank layer;
forming a partition pattern on the connection material layer;
A process of forming a connection under the barrier pattern by etching the connection material layer using the barrier pattern as a mask; and
A method of manufacturing an organic light emitting display device comprising the step of heating the barrier pattern to form the barrier rib whose lower surface width is smaller than the upper surface width.

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