KR102577000B1 - Apparatus for manufacturing Organic Light Emitting Diodos - Google Patents

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KR102577000B1 KR1020160075948A KR20160075948A KR102577000B1 KR 102577000 B1 KR102577000 B1 KR 102577000B1 KR 1020160075948 A KR1020160075948 A KR 1020160075948A KR 20160075948 A KR20160075948 A KR 20160075948A KR 102577000 B1 KR102577000 B1 KR 102577000B1
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카츠시 키시모토
김용일
민경욱
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예는 챔버와, 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 지지핀과, 기판의 하측을 가열하는 하부 히터와, 하부 히터와 대향하도록 설치되고, 기판의 상측을 가열하는 상부 히터와, 상부 히터에서 하부 히터를 향하는 제1 방향을 따라 기판에 제1 기체를 분사하는 기체분사부와, 챔버 내부의 기체를 외부로 배출하는 배기부와, 상부 히터의 측면을 둘러싸도록 설치되어 제1 방향으로 제2 기체를 분사하는 상부 에어커튼과, 하부 히터의 측면에 설치되어 기판과 하부 히터 사이의 공간에 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 제2 기체를 분사하는 하부 에어커튼을 포함하고, 하부 히터 및 상부 히터 중 하나 이상은 승강 가능한 유기발광소자 제조 장치를 제공한다.One embodiment of the present invention includes a chamber, a support pin installed inside the chamber to support the substrate, a lower heater for heating the lower side of the substrate, an upper heater installed to face the lower heater and heating the upper side of the substrate, and , a gas injection unit that sprays the first gas to the substrate along a first direction from the upper heater to the lower heater, an exhaust unit that discharges the gas inside the chamber to the outside, and a first gas injection unit installed to surround the side of the upper heater. It includes an upper air curtain that sprays a second gas in a direction, and a lower air curtain installed on the side of the lower heater that sprays a second gas in a second direction that intersects the first direction in the space between the substrate and the lower heater. , providing an organic light emitting device manufacturing apparatus in which at least one of the lower heater and the upper heater can be raised and lowered.

Description

유기발광소자 제조 장치{Apparatus for manufacturing Organic Light Emitting Diodos}Apparatus for manufacturing Organic Light Emitting Diodos}

본 발명의 실시예들은 유기발광소자 제조 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an apparatus for manufacturing an organic light emitting device.

통상적으로, 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치(organic light emitting display apparatus)는 스마트 폰, 태블릿 퍼스널 컴퓨터, 랩 탑, 디지털 카메라, 캠코더, 휴대 정보 단말기와 같은 모바일 장치나, 데스크 탑 컴퓨터, 텔레비전, 옥외 광고판과 같은 전자 장치에 이용할 수 있다.Typically, an organic light emitting display apparatus with a thin film transistor (TFT) is used in mobile devices such as smart phones, tablet personal computers, laptops, digital cameras, camcorders, and portable digital assistants. , can be used in electronic devices such as desktop computers, televisions, and outdoor billboards.

유기 발광 디스플레이 장치는 기판 상에 형성된 애노우드, 캐소우드, 및 애노우드와 캐소우드 사이에 개재되는 유기 발광층을 포함한다. 애노우드, 캐소우드 및 유기 발광층과 같은 박막은 증착 공정으로 형성될 수 있으며, 특히 유기 발광층은 외부로부터 밀폐된 챔버 내부에서 유기물이 증착되는 공정과 베이킹(baking) 공정 등을 반복적으로 거치면서 형성된다.An organic light emitting display device includes an anode, a cathode, and an organic light emitting layer interposed between the anode and the cathode formed on a substrate. Thin films such as anodes, cathodes, and organic light-emitting layers can be formed through a deposition process. In particular, the organic light-emitting layer is formed by repeatedly going through a process of depositing organic materials and a baking process inside a chamber sealed from the outside. .

전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 실시예들의 도출을 위해 보유하고 있었거나, 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 발명의 실시예들의 출원 전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라 할 수는 없다.The above-mentioned background technology is technical information that the inventor possessed for deriving the embodiments of the present invention or acquired during the derivation process, and cannot necessarily be said to be known technology disclosed to the general public before the application for the embodiments of the present invention. does not exist.

본 발명의 실시예들은 유기 발광층의 계면(interface)을 안정화시켜 디스플레이 소자의 수명을 연장할 수 있는 유기발광소자 제조 장치를 제공하는 것이다.Embodiments of the present invention provide an organic light-emitting device manufacturing apparatus that can extend the lifespan of a display device by stabilizing the interface of the organic light-emitting layer.

본 발명의 일 실시예는 챔버와, 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 지지핀과, 기판의 하측을 가열하는 하부 히터와, 하부 히터와 대향하도록 설치되고, 기판의 상측을 가열하는 상부 히터와, 상부 히터에서 하부 히터를 향하는 제1 방향을 따라 기판에 제1 기체를 분사하는 기체분사부와, 챔버 내부의 기체를 외부로 배출하는 배기부와, 상부 히터의 측면을 둘러싸도록 설치되어 제1 방향으로 제2 기체를 분사하는 상부 에어커튼과, 하부 히터의 측면에 설치되어 기판과 하부 히터 사이의 공간에 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 제2 기체를 분사하는 하부 에어커튼을 포함하고, 하부 히터 및 상부 히터 중 하나 이상은 승강 가능한 유기발광소자 제조 장치를 제공한다.One embodiment of the present invention includes a chamber, a support pin installed inside the chamber to support the substrate, a lower heater for heating the lower side of the substrate, an upper heater installed to face the lower heater and heating the upper side of the substrate, and , a gas injection unit that sprays the first gas to the substrate along a first direction from the upper heater to the lower heater, an exhaust unit that discharges the gas inside the chamber to the outside, and a first gas injection unit installed to surround the side of the upper heater. It includes an upper air curtain that sprays a second gas in a direction, and a lower air curtain installed on the side of the lower heater that sprays a second gas in a second direction that intersects the first direction in the space between the substrate and the lower heater. , providing an organic light emitting device manufacturing apparatus in which at least one of the lower heater and the upper heater can be raised and lowered.

본 실시예에 있어서, 지지핀은 기판을 승강시킬 수 있다.In this embodiment, the support pins can lift and lower the substrate.

본 실시예에 있어서, 하부 히터는 기판과 소정 간격으로 이격되는 제1 위치와, 상부 히터 측으로 상승하여 기판과 밀착된 상태에서 기판을 상부 히터 가까이로 이동시킨 제2 위치 사이에서 왕복 이동 가능할 수 있다.In this embodiment, the lower heater may be capable of reciprocating movement between a first position that is spaced apart from the substrate at a predetermined distance and a second position that moves the substrate closer to the upper heater while rising toward the upper heater and in close contact with the substrate. .

본 실시예에 있어서, 하부 히터가 제2 위치에 위치한 경우, 상부 히터와 하부 히터 사이의 거리는 1mm 내지 20mm일 수 있다.In this embodiment, when the lower heater is located in the second position, the distance between the upper heater and the lower heater may be 1 mm to 20 mm.

본 실시예에 있어서, 하부 히터는 기판의 하면을 지지하고, 상부 히터는 기판과 소정 간격으로 이격되는 제1 위치와, 하부 히터 측으로 하강하여 제1 위치보다 기판과 인접하는 제2 위치 사이에서 왕복 이동 가능할 수 잇다.In this embodiment, the lower heater supports the lower surface of the substrate, and the upper heater reciprocates between a first position spaced apart from the substrate at a predetermined distance and a second position that descends toward the lower heater and is closer to the substrate than the first position. It may be possible to move.

본 실시예에 있어서, 상부 히터가 제2 위치에 위치한 경우, 하부 히터와 상부 히터 사이의 거리는 1mm 내지 20mm일 수 있다.In this embodiment, when the upper heater is located in the second position, the distance between the lower heater and the upper heater may be 1 mm to 20 mm.

본 실시예에 있어서, 제1 기체는 질소(N2) 가스를 포함할 수 있다.In this embodiment, the first gas may include nitrogen (N 2 ) gas.

본 실시예에 있어서, 제1 기체는 수소(H2) 가스, 일산화탄소(CO) 가스 및 산소(O2) 가스 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.In this embodiment, the first gas may further include one or more of hydrogen (H 2 ) gas, carbon monoxide (CO) gas, and oxygen (O 2 ) gas.

본 실시예에 있어서, 제2 기체는 질소(N2) 가스를 포함할 수 있다.In this embodiment, the second gas may include nitrogen (N 2 ) gas.

본 실시예에 있어서, 제2 기체는 수소(H2) 가스, 일산화탄소(CO) 가스 및 산소(O2) 가스 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.In this embodiment, the second gas may further include one or more of hydrogen (H 2 ) gas, carbon monoxide (CO) gas, and oxygen (O 2 ) gas.

본 실시예에 있어서, 기체분사부는, 외부에서 챔버의 내부로 제1 기체를 안내하는 기체유입관과, 기체유입관에서 기판 측으로 제1 기체를 분사하는 기체분사노즐을 포함할 수 있다.In this embodiment, the gas injection unit may include a gas inlet pipe that guides the first gas from the outside to the inside of the chamber, and a gas injection nozzle that sprays the first gas from the gas inlet pipe toward the substrate.

본 실시예에 있어서, 기체분사노즐은 상부 히터를 관통하는 제1 관통홀에 설치될 수 있다.In this embodiment, the gas injection nozzle may be installed in the first through hole penetrating the upper heater.

본 실시예에 있어서, 배기부는, 챔버 내부의 기체를 포집하는 기체배출구와, 기체배출구에 포집된 기체를 외부로 배출하는 기체배출관을 포함할 수 있다.In this embodiment, the exhaust unit may include a gas outlet that collects gas inside the chamber, and a gas outlet pipe that discharges the gas collected in the gas outlet to the outside.

본 실시예에 있어서, 기체배출구는 상부 히터를 관통하는 제2 관통홀에 설치될 수 있다.In this embodiment, the gas outlet may be installed in the second through hole penetrating the upper heater.

본 실시예에 있어서, 하부 히터 및 상부 히터의 온도를 제어하는 제어부를 더 포함하고, 제어부는, 하부 히터 및 상부 히터의 온도를 제어하여 기판을 가열하는 가열 모드와, 기판을 냉각하는 냉각 모드 중 하나의 모드를 구현할 수 있다.In this embodiment, it further includes a control unit that controls the temperatures of the lower heater and the upper heater, and the control unit controls the temperatures of the lower heater and the upper heater to select one of a heating mode for heating the substrate and a cooling mode for cooling the substrate. One mode can be implemented.

본 실시예에 있어서, 제어부가 가열 모드를 구현한 경우, 제1 기체는 질소(N2) 가스를 포함할 수 있다.In this embodiment, when the controller implements the heating mode, the first gas may include nitrogen (N 2 ) gas.

본 실시예에 있어서, 제어부가 상기 가열 모드를 구현한 경우, 제2 기체는 질소(N2) 가스를 포함할 수 있다.In this embodiment, when the controller implements the heating mode, the second gas may include nitrogen (N2) gas.

본 실시예에 있어서, 냉각 모드는 제1 냉각 모드와 제2 냉각 모드로 구분되며, 제어부가 제1 냉각 모드를 구현한 경우, 제1 기체는 질소(N2) 가스, 수소(H2) 가스, 일산화탄소(CO) 및 산소(O2) 가스를 포함하고, 제어부가 제2 냉각 모드를 구현한 경우, 제1 기체는 질소(N2) 가스와 산소(O2) 가스를 포함할 수 있다.In this embodiment, the cooling mode is divided into a first cooling mode and a second cooling mode, and when the control unit implements the first cooling mode, the first gas is nitrogen (N 2 ) gas and hydrogen (H 2 ) gas. , carbon monoxide (CO) and oxygen (O 2 ) gas, and when the control unit implements the second cooling mode, the first gas may include nitrogen (N 2 ) gas and oxygen (O 2 ) gas.

본 실시예에 있어서, 제1 냉각 모드에서 챔버 내부의 평균 온도는 제2 냉각 모드에서 챔버 내부의 평균 온도보다 높을 수 있다.In this embodiment, the average temperature inside the chamber in the first cooling mode may be higher than the average temperature inside the chamber in the second cooling mode.

본 실시예에 있어서, 가열 모드는 제1 가열 모드와 제2 가열 모드로 구분되고, 제어부가 제1 가열 모드를 구현한 경우, 챔버의 내부 온도는 지속적으로 증가하고, 제어부가 제2 가열 모드를 구현한 경우, 챔버의 내부 온도는 제1 가열 모드에서 챔버 내부의 최고 온도보다 낮은 소정의 온도로 강하하여 이후 일정하게 유지될 수 있다.In this embodiment, the heating mode is divided into a first heating mode and a second heating mode, and when the control unit implements the first heating mode, the internal temperature of the chamber continuously increases, and the control unit implements the second heating mode. When implemented, the internal temperature of the chamber may be lowered to a predetermined temperature lower than the maximum temperature inside the chamber in the first heating mode and then maintained constant.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features and advantages in addition to those described above will become apparent from the following drawings, claims and detailed description of the invention.

본 발명의 실시예들에 관한 유기발광소자 제조 장치에 따르면, 기판의 전면적을 균일하게 가열 및 냉각하여 유기 발광층의 계면 특성을 개선할 수 있다.According to the organic light emitting device manufacturing apparatus according to the embodiments of the present invention, the interface characteristics of the organic light emitting layer can be improved by uniformly heating and cooling the entire area of the substrate.

물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Of course, the scope of the present invention is not limited by this effect.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광소자 제조 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기발광소자 제조 장치의 구성요소들 중 일부를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 유기발광소자 제조 장치의 챔버 내부를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 챔버 내부에 기판이 반입되는 모습을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 하부 히터가 상승하여 기판을 지지한 상태에서 상부 히터 측으로 상승한 모습을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 제어부가 가열 모드를 구현하는 경우를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 제어부가 제1 냉각 모드를 구현하는 경우를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 7은 제어부가 제2 냉각 모드를 구현하는 경우를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 개열 및 냉각을 마친 기판이 챔버 외부로 반송되는 모습을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 9는 가열 모드 및 냉각 모드에서 시간에 따른 온도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 10은 가열 모드 및 냉각 모드에서 시간에 따라 챔버 내부로 유입되는 기체의 종류를 나타내는 그래프이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an organic light-emitting device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view schematically showing some of the components of the organic light-emitting device manufacturing apparatus of FIG. 1.
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the inside of a chamber of the organic light-emitting device manufacturing apparatus of FIG. 1, and is a cross-sectional view schematically showing a substrate being loaded into the chamber.
Figure 4 is a cross-sectional view schematically showing the lower heater rising toward the upper heater while supporting the substrate.
Figure 5 is a cross-sectional view schematically showing a case where the control unit implements a heating mode.
Figure 6 is a cross-sectional view schematically showing a case where the control unit implements the first cooling mode.
Figure 7 is a cross-sectional view schematically showing a case where the control unit implements the second cooling mode.
Figure 8 is a cross-sectional view schematically showing how a substrate that has been cleaved and cooled is transported out of the chamber.
Figure 9 is a graph showing temperature change over time in heating mode and cooling mode.
Figure 10 is a graph showing the type of gas flowing into the chamber over time in heating mode and cooling mode.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.Since the present invention can be modified in various ways and can have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. The effects and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수개의 표현을 포함한다. 또한, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as first and second are used not in a limiting sense but for the purpose of distinguishing one component from another component. Additionally, singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. Additionally, terms such as include or have mean that the features or components described in the specification exist, and do not preclude the possibility of adding one or more other features or components.

또한, 도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 또한, 어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.Additionally, in the drawings, the sizes of components may be exaggerated or reduced for convenience of explanation. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are shown arbitrarily for convenience of explanation, so the present invention is not necessarily limited to what is shown. Additionally, if an embodiment can be implemented differently, a specific process sequence may be performed differently from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially at the same time, or may be performed in an order opposite to that in which they are described.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. When describing with reference to the drawings, identical or corresponding components will be assigned the same reference numerals and redundant description thereof will be omitted. .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광소자 제조 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 유기발광소자 제조 장치의 구성요소들 중 일부를 개략적으로 나타내는 평면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an organic light-emitting device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view schematically showing some of the components of the organic light-emitting device manufacturing apparatus of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 유기발광소자 제조 장치(100)는 챔버(110)와, 지지핀(120)과, 하부 히터(130)와, 상부 히터(140)와, 기체분사부(150)와, 배기부(160)와, 상부 에어커튼(170) 및 하부 에어커튼(180)을 포함할 수 있다.Referring to Figures 1 and 2, the organic light emitting device manufacturing apparatus 100 includes a chamber 110, a support pin 120, a lower heater 130, an upper heater 140, and a gas injection unit 150. ), an exhaust unit 160, an upper air curtain 170, and a lower air curtain 180.

챔버(110)는 내부에 유기발광소자 제조 장치(100)의 공정이 이루어지는 밀폐된 공간을 마련할 수 있으며, 양측면에는 기판(S)이 출입하는 반입구(111)와 반출구(112)가 설치될 수 있다. 즉, 기판(S)은 반입구(111)를 통해 챔버(110)의 내부로 반입될 수 있으며, 공정을 마친 후 반출구(112)를 통해 챔버(110)의 외부로 반출될 수 있다.The chamber 110 can provide a closed space inside where the process of the organic light-emitting device manufacturing apparatus 100 is performed, and an inlet 111 and an outlet 112 through which the substrate S enters and exits are installed on both sides. It can be. That is, the substrate S may be brought into the interior of the chamber 110 through the inlet 111, and after the process is completed, it may be carried out to the outside of the chamber 110 through the outlet 112.

지지핀(120)은 챔버(110)의 내부에 설치되어 기판(S)을 지지할 수 있다. 도면에는 지지핀(120)은 기판(S)을 지지하는 역할을 할 뿐, 기판(S)을 승강시키지는 않는 것으로 묘사되어 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않는다. 즉, 지지핀(120)은 예컨데 리니어 액츄에이터와 같은 구동부(미도시)에 연결되어 기판(S)을 승강시키도록 구성될 수도 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의상 후술할 하부 히터(130)가 승강하는 구조를 중심으로 설명하기로 한다.The support pin 120 may be installed inside the chamber 110 to support the substrate S. In the drawing, the support pins 120 are depicted as only supporting the substrate S and not lifting the substrate S. However, embodiments of the present invention are not limited thereto. That is, the support pin 120 may be connected to a driving unit (not shown), such as a linear actuator, to elevate and lower the substrate S. However, for convenience of explanation, the following description will focus on the structure in which the lower heater 130 moves up and down, which will be described later.

다음으로, 하부 히터(130)는 지지핀(120)을 따라 승강 가능하도록 구성될 수 있으며, 기판(S)의 하측을 가열할 수 있다. 즉, 하부 히터(130)는 도면에 나타나지는 않았으나 별도의 구동부(미도시)에 연결됨으로써 지지핀(120)을 따라 상하로 이동 가능하도록 구성될 수 있으며, 예컨데 도 4에 나타난 바와 같이 지지핀(120)보다 높은 위치로 이동하여 기판(S)을 지지할 수도 있다.Next, the lower heater 130 may be configured to be raised and lowered along the support pin 120 and may heat the lower side of the substrate S. That is, the lower heater 130, although not shown in the drawing, may be configured to move up and down along the support pin 120 by being connected to a separate driving unit (not shown), for example, as shown in FIG. 4, the support pin ( 120), the substrate (S) may be supported by moving to a higher position.

즉, 하부 히터(130)는 기판(S)과 소정 간격으로 이격되는 제1 위치(도 3 참조)와, 상부 히터(140) 측으로 상승하여 기판(S)과 밀착된 상태에서 기판(S)을 상부 히터(140) 가까이로 이동시키는 제2 위치(도 4 참조) 사이에서 왕복 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 여기서, 상기 하부 히터(130)가 제2 위치에 위치한 경우, 상기 상부 히터(140)와 상기 하부 히터(130)의 사이의 거리는 1mm 내지 20mm인 것이 바람직하다. 이는, 기판(S)의 전면적을 균일하게 가열하기 위함이다.That is, the lower heater 130 has a first position (see FIG. 3) spaced apart from the substrate S at a predetermined distance, and rises toward the upper heater 140 to heat the substrate S in a state in close contact with the substrate S. It may be configured to be able to move back and forth between the second position (see FIG. 4), which moves it closer to the upper heater 140. Here, when the lower heater 130 is located in the second position, the distance between the upper heater 140 and the lower heater 130 is preferably 1 mm to 20 mm. This is to uniformly heat the entire area of the substrate S.

또한, 하부 히터(130)는 적어도 기판(S) 보다는 넓은 면적을 가질 수 있다. 즉, 하부 히터(130)는 후술할 가열 공정 및 냉각 공정에서 기판(S)을 지지한 상태를 유지하므로, 하부 히터(130)가 기판(S)보다 넓은 면적을 가짐으로써 기판(S)의 전체 면적에 균일한 열을 가할 수 있다. 한편, 하부 히터(130)는 후술할 제어부(190)에 의해 표면의 온도가 제어될 수 있다Additionally, the lower heater 130 may have an area that is at least larger than the substrate S. That is, the lower heater 130 maintains the state of supporting the substrate S during the heating and cooling processes to be described later, so the lower heater 130 has a larger area than the substrate S, thereby covering the entire substrate S. Heat can be applied uniformly to an area. Meanwhile, the surface temperature of the lower heater 130 can be controlled by the control unit 190, which will be described later.

상부 히터(140)는 기판(S)을 중심으로 하부 히터(130)와 대향되도록 설치되어, 기판(S)의 상측을 가열할 수 있다. 상부 히터(140)는 승강 가능한 구조를 갖는 하부 히터(130)와는 달리, 도 1은 상부 히터(140)가 기판(S)의 상측에 고정된 것으로 나타나 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않는다. 즉, 상부 히터(140) 또한 하부 히터(130)와 마찬가지로 별도의 구동부(미도시)에 연결되어 승강 가능하도록 구성될 수도 있다.The upper heater 140 is installed to face the lower heater 130 around the substrate S, and can heat the upper side of the substrate S. Unlike the lower heater 130, which has a structure that allows the upper heater 140 to be raised and lowered, Figure 1 shows the upper heater 140 as being fixed to the upper side of the substrate S. However, embodiments of the present invention are not limited to this. No. That is, like the lower heater 130, the upper heater 140 may also be connected to a separate driving unit (not shown) and configured to be raised and lowered.

즉, 하부 히터(130)가 기판(S)의 하면을 지지하고 있는 상태에서, 상부 히터(140)는 기판(S)과 소정 간격으로 이격되는 제1 위치와, 하부 히터(140) 측으로 하강하여 제1 위치보다 기판(S)과 인접하는 제2 위치 사이에서 왕복 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 여기서, 상부 히터(140)가 제2 위치에 위치한 경우, 하부 히터(130)와 상부 히터(140) 사이의 거리는 1mm 내지 20mm인 것이 바람직하다. 이 또한, 기판(S)의 전면적을 균일하게 가열하기 위한 구성이다.That is, in a state where the lower heater 130 supports the lower surface of the substrate S, the upper heater 140 descends toward the lower heater 140 and a first position spaced apart from the substrate S at a predetermined distance. It may be configured to be capable of reciprocating movement between the second position adjacent to the substrate S rather than the first position. Here, when the upper heater 140 is located in the second position, the distance between the lower heater 130 and the upper heater 140 is preferably 1 mm to 20 mm. This is also a configuration for uniformly heating the entire area of the substrate S.

한편, 본 발명의 실시예들은 상술한 바에 한정되지 않으며, 하부 히터(130)와 상부 히터(140) 모두 승강 가능하도록 구성될 수도 있다. 이처럼, 하부 히터(130)와 상부 히터(140)의 상대적인 이동에 따라 하부 히터(130)와 상부 히터(140) 및 기판(S) 사이의 거리를 조절할 수 있는 구조라면, 하부 히터(130)와 상부 히터(140) 중 하나 이상이 승강 가능하도록 구성됨으로써 기판(S)의 전면적을 균일하게 가열할 수 있는 구조를 구현할 수 있다. 단, 그 어떠한 구성에도 하부 히터(130)와 상부 히터(140) 사이의 거리는 1mm 내지 20mm로 유지되는 것이 바람직하다.Meanwhile, embodiments of the present invention are not limited to the above, and both the lower heater 130 and the upper heater 140 may be configured to be capable of being raised and lowered. In this way, if the structure is capable of adjusting the distance between the lower heater 130 and the upper heater 140 and the substrate (S) according to the relative movement of the lower heater 130 and the upper heater 140, the lower heater 130 and By constructing one or more of the upper heaters 140 to be able to be raised and lowered, a structure capable of uniformly heating the entire area of the substrate S can be implemented. However, in any configuration, it is preferable that the distance between the lower heater 130 and the upper heater 140 is maintained at 1 mm to 20 mm.

기체분사부(150)는 상부 히터(140)에서 하부 히터(130)를 향하는 제1 방향을 따라 기판(S)에 제1 기체를 분사할 수 있다. 여기서, 제1 기체는 질소(N2) 가스를 포함할 수 있으며, 나아가 수소(H2) 가스, 일산화탄소(CO) 가스 및 산소(O2) 가스 중 하나 이상을 더 포함할 수도 있다. 제1 기체가 유기발광소자 제조 장치(100)를 이용하는 각 공정에서 각각 어떠한 종류의 가스로 구성되는지에 대해서는 도 3 내지 도 10을 참조하여 상세히 후술하기로 한다.The gas injection unit 150 may spray the first gas to the substrate S along a first direction from the upper heater 140 to the lower heater 130. Here, the first gas may include nitrogen (N 2 ) gas, and may further include one or more of hydrogen (H 2 ) gas, carbon monoxide (CO) gas, and oxygen (O 2 ) gas. What type of gas the first gas consists of in each process using the organic light emitting device manufacturing apparatus 100 will be described in detail later with reference to FIGS. 3 to 10.

한편, 기체분사부(150)는 외부에서 챔버(110)의 내부로 제1 기체를 안내하는 기체유입관(151)과, 기체유입관(151)에서 기판(S) 측으로 제1 기체를 분사하는 기체분사노즐(152)을 포함할 수 있다. 도 1을 참조하면, 기체유입관(151)은 외부와 챔버(110) 내부를 연결하는 일종의 배관으로 구성될 수 있으며, 기판(S)과 평행한 방향으로 설치될 수 있다. 또한, 기판(S)과 마주보는 기체유입관(151)에는 기체분사노즐(152)이 형성될 수 있다.Meanwhile, the gas injection unit 150 includes a gas inlet pipe 151 that guides the first gas from the outside to the inside of the chamber 110, and a gas inlet pipe 151 that injects the first gas from the gas inlet pipe 151 toward the substrate S. It may include a gas injection nozzle 152. Referring to FIG. 1, the gas inlet pipe 151 may be composed of a type of pipe connecting the outside and the inside of the chamber 110, and may be installed in a direction parallel to the substrate S. Additionally, a gas injection nozzle 152 may be formed in the gas inlet pipe 151 facing the substrate S.

한편, 도 2는 기체분사노즐(152)이 상부 히터(140)를 관통하는 제1 관통홀(H1)에 설치된 모습을 나타낸다. 도면에 나타나지는 않았으나, 도 2에 나타난 기체분사노즐(152) 또한 기체유입관(151)에 연결되어 외부로부터 제1 기체를 공급받아 이를 기판(S) 상에 분사할 수 있다.Meanwhile, Figure 2 shows the gas injection nozzle 152 installed in the first through hole (H1) penetrating the upper heater 140. Although not shown in the drawing, the gas injection nozzle 152 shown in FIG. 2 is also connected to the gas inlet pipe 151 and can receive the first gas from the outside and spray it on the substrate S.

다음으로, 배기부(160)는 챔버(110) 내부의 기체를 외부로 배출할 수 있다. 상세히, 배기부는 챔버(110) 내부의 기체를 포집하는 기체배출구(161)와, 기체배출구(161)에 포집된 기체를 외부로 배출하는 기체배출관(162)을 포함할 수 있다. 여기서, 기체배출구(161)는 도 2에 나타난 바와 같이 상부 히터(140)를 관통하는 제2 관통홀(H2)에 설치될 수도 있다.Next, the exhaust unit 160 may discharge the gas inside the chamber 110 to the outside. In detail, the exhaust unit may include a gas outlet 161 that collects gas inside the chamber 110, and a gas outlet pipe 162 that discharges the gas collected in the gas outlet 161 to the outside. Here, the gas outlet 161 may be installed in the second through hole H2 penetrating the upper heater 140, as shown in FIG. 2.

즉, 기판(S) 상에 기체를 분사하는 기체분사노즐(152)과 챔버(110) 내부의 기체를 포집하여 기체배출관(162)으로 전달하는 기체배출구(161)는 상부 히터(140)와 일체로 구성될 수 있다.That is, the gas injection nozzle 152, which sprays gas on the substrate S, and the gas outlet 161, which collects the gas inside the chamber 110 and delivers it to the gas discharge pipe 162, are integrated with the upper heater 140. It can be composed of:

상부 에어커튼(170)은 상부 히터(140)의 측면을 둘러싸도록 설치되어 제1 방향으로 제2 기체를 분사할 수 있다. 여기서, 제1 방향이란 상술한 바와 같이 상부 히터(140)에서 하부 히터(130) 측을 향하는 방향을 의미하나, 이는 수직 방향에 한정되지 않는다. 즉, 제1 방향은 도 8에 나타난 상부 에어커튼(170)이 분사하는 기체의 방향과 같이 수직 방향보다 약간 기울어진 방향도 포함할 수 있다.The upper air curtain 170 is installed to surround the side of the upper heater 140 and can spray the second gas in the first direction. Here, the first direction refers to a direction from the upper heater 140 toward the lower heater 130 as described above, but this is not limited to the vertical direction. That is, the first direction may also include a direction slightly inclined from the vertical direction, such as the direction of the gas sprayed by the upper air curtain 170 shown in FIG. 8.

도 2에 나타난 바와 같이, 상부 에어커튼(170)은 상부 히터(140)의 네개의 측면을 모두 둘러싸도록 네개로 구성될 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않는다. 즉, 상부 에어커튼(170)은 상부 히터(140)의 형상에 따라 도 2에 나타난 바와 같이 상부 히터(140)가 정사각형의 형태를 가질 경우 각 변의 측면에 하나씩 설치될 수도 있다. 하지만, 예컨데 상부 히터(140)의 형태가 원형이나 다각형일 경우에는 상부 에어커튼(170) 또한 중공 형상의 원형이나 상부 히터(140)의 변의 개수에 대응하도록 구성될 수도 있다.As shown in FIG. 2, the upper air curtain 170 may be composed of four pieces to surround all four sides of the upper heater 140, but embodiments of the present invention are not limited thereto. That is, depending on the shape of the upper heater 140, the upper air curtain 170 may be installed one on each side when the upper heater 140 has a square shape as shown in FIG. 2. However, for example, if the shape of the upper heater 140 is circular or polygonal, the upper air curtain 170 may also be hollow in a circular shape or may be configured to correspond to the number of sides of the upper heater 140.

여기서 주목할 점은, 상부 에어커튼(170)이 제1 방향으로 분사하는 제1 기체는 하부 히터(130)와 상부 히터(140) 사이에 형성되는 공간, 즉 기판(S)이 가열 및 냉각되는 공간을 외측의 기체의 흐름으로부터 보호하는 일종의 커튼 역할을 한다는 점이다. 이러한 구성에 의해, 기판(S)의 가열 및 냉각 공정 중 외측으로부터 불순물이 침입하는 것을 방지할 수 있게 되며, 이에 따라 제조되는 유기발광소자의 품질을 향상시킬 수 있다.What is noteworthy here is that the first gas sprayed by the upper air curtain 170 in the first direction is the space formed between the lower heater 130 and the upper heater 140, that is, the space where the substrate S is heated and cooled. It acts as a kind of curtain that protects the outside from the flow of gas. With this configuration, it is possible to prevent impurities from entering from the outside during the heating and cooling process of the substrate S, and thus the quality of the manufactured organic light emitting device can be improved.

한편, 제2 기체는 질소(N2) 가스를 포함할 수 있으며, 나아가 수소(H2) 가스, 일산화탄소(CO) 가스 및 산소(O2) 가스 중 하나 이상을 더 포함할 수도 있다. 제2 기체가 유기발광소자 제조 장치(100)의 각 공정에서 각각 어떠한 종류의 가스로 구성되는지에 대해서는 도 3 내지 도 10을 참조하여 상세히 후술하기로 한다.Meanwhile, the second gas may include nitrogen (N 2 ) gas, and may further include one or more of hydrogen (H 2 ) gas, carbon monoxide (CO) gas, and oxygen (O 2 ) gas. What type of gas the second gas consists of in each process of the organic light-emitting device manufacturing apparatus 100 will be described in detail later with reference to FIGS. 3 to 10.

하부 에어커튼(180)은 하부 히터(130)의 측면에 설치되어, 기판(S)과 하부 히터(130) 사이의 공간에 제1 방향과 교차하는 제2 방향(도 8 참조)으로 제2 기체를 분사할 수 있다. 즉, 하부 에어커튼(180)에서 분사되는 제2 기체는 기판(S)의 가열 및 냉각 공정이 끝난 후 기판(S)이 챔버(110)의 외부로 반출되어 나가는 공정에서 하부 히터(130)와 기판(S) 사이로 불순물이 침투하지 않도록 일종의 커튼을 수행할 수 있다.The lower air curtain 180 is installed on the side of the lower heater 130 and spreads a second gas in the space between the substrate S and the lower heater 130 in a second direction (see FIG. 8) crossing the first direction. can be sprayed. That is, the second gas sprayed from the lower air curtain 180 is used by the lower heater 130 and the lower heater 130 in the process in which the substrate S is taken out of the chamber 110 after the heating and cooling process of the substrate S is completed. A kind of curtain can be used to prevent impurities from penetrating between the substrates (S).

다음으로, 도 1 및 도 3 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 유기발광소자 제조 장치(100)의 구동 원리에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.Next, with reference to FIGS. 1 and 3 to 10 , the driving principle of the organic light-emitting device manufacturing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 3은 도 1의 유기발광소자 제조 장치의 챔버 내부를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 챔버 내부에 기판이 반입되는 모습을 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 4는 하부 히터가 상승하여 기판을 지지한 상태에서 상부 히터 측으로 상승한 모습을 개략적으로 나타내는 단면도이며, 도 5는 제어부가 가열 모드를 구현하는 경우를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 6은 제어부가 제1 냉각 모드를 구현하는 경우를 개략적으로 나타내는 단면도이며, 도 7은 제어부가 제2 냉각 모드를 구현하는 경우를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 8은 개열 및 냉각을 마친 기판이 챔버 외부로 반송되는 모습을 개략적으로 나타내는 단면도이며, 도 9는 가열 모드 및 냉각 모드에서 시간에 따른 온도 변화를 나타내는 그래프이고, 도 10은 가열 모드 및 냉각 모드에서 시간에 따라 챔버 내부로 유입되는 기체의 종류를 나타내는 그래프이다.FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the inside of the chamber of the organic light-emitting device manufacturing apparatus of FIG. 1, and is a cross-sectional view schematically showing a substrate being loaded into the chamber, and FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the lower heater is raised to support the substrate. It is a cross-sectional view schematically showing the elevation toward the upper heater, Figure 5 is a cross-sectional view schematically showing a case where the control unit implements a heating mode, and Figure 6 is a cross-sectional view schematically showing a case where the control unit implements the first cooling mode, FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a case where the control unit implements the second cooling mode, FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a substrate that has been cleaved and cooled being transported outside the chamber, and FIG. 9 is a heating mode and cooling mode. It is a graph showing the temperature change over time in the mode, and Figure 10 is a graph showing the type of gas flowing into the chamber over time in the heating mode and cooling mode.

먼저 도 1 및 도 9를 참조하면, 제어부(190)는 하부 히터(130) 및 상부 히터(140)와 전기적으로 연결되어, 하부 히터(130)와 상부 히터(140)의 온도를 제어할 수 있다. 구체적으로, 제어부(190)는 하부 히터(130) 및 상부 히터(140)를 가열하여 기판(S)을 베이킹(baking)하는 가열 모드(도 9의 참조부호 I, II)와, 기판(S)을 냉각하는 냉각 모드(도 9의 참조부호 III, IV) 중 하나의 모드를 구현할 수 있다.First, referring to FIGS. 1 and 9, the control unit 190 is electrically connected to the lower heater 130 and the upper heater 140, and can control the temperatures of the lower heater 130 and the upper heater 140. . Specifically, the control unit 190 has a heating mode (reference numerals I and II in FIG. 9 ) for baking the substrate S by heating the lower heater 130 and the upper heater 140, and a heating mode for baking the substrate S. One of the cooling modes (reference numerals III and IV in FIG. 9) that cools can be implemented.

그리고, 다시 가열 모드는 제1 가열 모드(도 9의 참조부호 I)와, 제2 가열 모드(도 9의 참조부호 II)로 구분될 수 있으며, 냉각 모드 또한 제1 냉각 모드(도 9의 참조부호 III)와 제2 냉각 모드(도 9의 참조부호 IV)로 구분될 수 있다.And, again, the heating mode can be divided into a first heating mode (reference symbol I in FIG. 9) and a second heating mode (reference symbol II in FIG. 9), and the cooling mode can also be divided into a first cooling mode (reference symbol II in FIG. 9). It can be divided into symbol III) and a second cooling mode (reference symbol IV in FIG. 9).

도 3 내지 도 8은 유기발광소자 제조 장치(100)의 구동 원리를 설명하기 위해 유기발광소자 제조 장치(100)의 구성요소들 중 일부를 개략적으로 나타낸 평면도로써, 챔버(110)의 내부에 설치되는 지지핀(120)과 하부 히터(130), 상부 히터(140), 상부 히터(140)에 형성되는 기체유입관(151)과 기체분사노즐(152), 그리고 기체배출구(161), 상부 에어커튼(170) 및 하부 에어커튼(180)을 나타낸다.3 to 8 are plan views schematically showing some of the components of the organic light-emitting device manufacturing apparatus 100 to explain the driving principle of the organic light-emitting device manufacturing apparatus 100, which are installed inside the chamber 110. The support pin 120, the lower heater 130, the upper heater 140, the gas inlet pipe 151 and gas injection nozzle 152 formed on the upper heater 140, the gas outlet 161, and the upper air A curtain 170 and a lower air curtain 180 are shown.

그리고, 이하 유기발광소자 제조 장치(100)를 이용하여 가열 및 냉각 공정을 거치는 기판(S) 상에는 중간층(미도시)이 증착되어 있다. 이러한 중간층은 유기 발광층(emissive layer, EML)를 구비할 수 있으며, 그 외에 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 전자 주입층(electron injection layer, EIL)중 적어도 어느 하나를 더 구비할 수 있다.In addition, an intermediate layer (not shown) is deposited on the substrate S that undergoes a heating and cooling process using the organic light-emitting device manufacturing apparatus 100 below. This intermediate layer may include an organic emissive layer (EML), and in addition, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron transport layer (ETL), At least one of an electron injection layer (EIL) may be further provided.

먼저 도 3을 참조하면, 챔버(110)의 반입구(111)를 통해 기판(S)이 챔버(110)의 내부로 진입하여, 지지핀(120) 상에 배치된다.First, referring to FIG. 3 , the substrate S enters the interior of the chamber 110 through the inlet 111 of the chamber 110 and is placed on the support pin 120.

다음으로, 도 4를 참조하면, 하부 히터(130)가 상승하여 기판(S)을 지지한 상태로 상부 히터(140) 측으로 이동하여, 하부 히터(130)와 상부 히터(140) 사이의 거리가 t인 위치에서 정지한다. 여기서, t는 상술한 바와 같이 1mm 내지 20mm인 것이 바람직하다.Next, referring to FIG. 4, the lower heater 130 rises and moves toward the upper heater 140 while supporting the substrate S, so that the distance between the lower heater 130 and the upper heater 140 decreases. It stops at position t. Here, t is preferably 1 mm to 20 mm as described above.

다음으로, 도 5를 참조하면, 제어부(190)는 하부 히터(130)와 상부 히터(140)를 가열하는 가열 모드(I, II)를 실행하여 챔버(110)의 내부 온도가 대략 300도(미표시)를 유지할 수 있도록 하부 히터(130)와 상부 히터(140)를 가열한다.Next, referring to FIG. 5, the control unit 190 executes heating modes (I, II) to heat the lower heater 130 and the upper heater 140 so that the internal temperature of the chamber 110 is approximately 300 degrees ( The lower heater 130 and the upper heater 140 are heated to maintain temperature (not shown).

여기서, 도 9에 나타난 바와 같이, 제어부(190)가 제1 가열 모드(I)를 구현하는 경우, 챔버(110)의 내부 온도는 지속적으로 증가하여 대략 300도(tm)에 이른다. 이때, 챔버(110)의 내부 온도 증가량은 최고 50℃/분으로 설정됨이 바람직하다.Here, as shown in FIG. 9, when the control unit 190 implements the first heating mode (I), the internal temperature of the chamber 110 continues to increase and reaches approximately 300 degrees (tm). At this time, the internal temperature increase of the chamber 110 is preferably set to a maximum of 50°C/min.

챔버(110)의 내부 온도가 대략 300도까지 상승한 이후, 제어부(190)는 제2 가열 모드(II)를 구현하여, 제1 가열 모드(I)에서 최고 온도에 이른 챔버(110)의 내부 온도를 소정의 온도로 강하하여 이후 일정하게 유지(tc)한다. 이때, 챔버(110)의 내부 온도를 소정의 온도로 강하하는 공정은 헌팅(hunting) 공정을 의미하고, 이후 챔버(110)의 내부 온도를 일정하기 유지하는 공정은 프로세싱(processing) 공정을 의미한다.After the internal temperature of the chamber 110 rises to approximately 300 degrees, the control unit 190 implements the second heating mode (II), and the internal temperature of the chamber 110 reaches the maximum temperature in the first heating mode (I). is lowered to a predetermined temperature and then maintained constant (tc). At this time, the process of lowering the internal temperature of the chamber 110 to a predetermined temperature refers to a hunting process, and the process of maintaining the internal temperature of the chamber 110 constant thereafter refers to a processing process. .

이때, 기체분사노즐(152)은 제1 기체를 기판(S)의 상면 측으로 분사하며, 상부 에어커튼(170)은 상부 히터(140)에서 하부 히터(130)를 향하는 제1 방향으로 제2 기체를 분사한다. 이때, 즉 제어부(190)가 가열 모드(I, II)를 구현하는 경우에는 제1 기체와 제2 기체는 질소(N2) 가스를 포함할 수 있다. At this time, the gas injection nozzle 152 sprays the first gas toward the upper surface of the substrate S, and the upper air curtain 170 sprays the second gas in the first direction from the upper heater 140 to the lower heater 130. Spray. At this time, that is, when the control unit 190 implements the heating modes (I and II), the first gas and the second gas may include nitrogen (N2) gas.

다음으로 도 6 및 도 7을 참조하면, 제어부(190)는 제2 가열 모드(II)의 프로세싱 공정 이후 냉각 모드(III, IV)를 구현할 수 있다. 여기서, 냉각 모드(III, IV)는 제1 냉각 모드(III)와 제2 냉각 모드(IV)로 구분될 수 있다. 도 6은 제1 냉각 모드(III)를, 도 7은 제2 냉각 모드(IV)를 나타난다. 그리고, 도 9에 나타난 바와 같이, 제1 냉각 모드(III)에서 챔버(110)의 내부 평균 온도는 제2 냉각 모드(IV)에서 챔버(110)의 내부 평균 온도보다 높게 형성될 수 있다.Next, referring to FIGS. 6 and 7 , the control unit 190 may implement cooling modes (III, IV) after the processing process of the second heating mode (II). Here, the cooling modes (III, IV) can be divided into a first cooling mode (III) and a second cooling mode (IV). Figure 6 shows the first cooling mode (III), and Figure 7 shows the second cooling mode (IV). And, as shown in FIG. 9, the average internal temperature of the chamber 110 in the first cooling mode (III) may be formed to be higher than the average internal temperature of the chamber 110 in the second cooling mode (IV).

구체적으로, 제어부(190)가 제1 냉각 모드(III)를 구현할 경우 기체분사노즐(152)에서 분사되는 제1 기체는 질소(N2) 가스, 수소(H2) 가스, 일산화탄소(CO) 및 산소(O2) 가스를 포함할 수 있다. 반면, 제어부(190)가 제2 냉각 모드(IV)를 구현한 경우에는, 제1 기체는 질소(N2) 가스와 산소(O2) 가스를 포함할 수 있다.Specifically, when the control unit 190 implements the first cooling mode (III), the first gas injected from the gas injection nozzle 152 is nitrogen (N 2 ) gas, hydrogen (H 2 ) gas, carbon monoxide (CO), and It may contain oxygen (O 2 ) gas. On the other hand, when the control unit 190 implements the second cooling mode (IV), the first gas may include nitrogen (N 2 ) gas and oxygen (O 2 ) gas.

여기서, 제1 냉각 모드(III)에서 기체분사노즐(152)을 통해 기판(S) 측으로 질소(N2) 가스, 수소(H2) 가스, 일산화탄소(CO) 및 산소(O2) 가스를 분사하게 되면, 기판(S) 상에 증착된 중간층의 계면(interface)에 존재하는 OH, -H 및 =N-H와 같은 분자들의 결합을 와해시킴으로써 중간층의 계면을 화학적으로 안정화시킬 수 있다. 예컨데, 정공 주입층(HIL)과 정공 수송층(HTL)의 표면에 잔류 커패시턴스를 최소화함으로써 이후 증착되는 유기 발광층(EML)과의 간섭을 최소화할수 있다. 이렇게 중간층의 계면을 화학적으로 안정화시킬 경우, 제조되는 유기발광소자의 수명은 최소 50% 에서 최대 300%까지 연장될 수 있다.Here, in the first cooling mode (III), nitrogen (N 2 ) gas, hydrogen (H 2 ) gas, carbon monoxide (CO), and oxygen (O 2 ) gas are injected toward the substrate (S) through the gas injection nozzle 152. When this is done, the interface of the intermediate layer deposited on the substrate S can be chemically stabilized by breaking the bonds of molecules such as OH, -H, and =NH present at the interface. For example, by minimizing the residual capacitance on the surfaces of the hole injection layer (HIL) and the hole transport layer (HTL), interference with the organic light emitting layer (EML) to be deposited later can be minimized. When the interface of the intermediate layer is chemically stabilized in this way, the lifespan of the manufactured organic light-emitting device can be extended by at least 50% and up to 300%.

이와 마찬가지로, 제2 냉각 모드(IV)에서 기체분사노즐(152)을 통해 기판(S) 측으로 질소(N2) 가스와 산소(O2) 가스를 분사하는 경우에도 중간층의 계면을 화학적으로 안정화시킬 수 있다. 구체적으로, 제1 냉각 모드(III)에서는 더 깊은 높이의 계면의 안정화를 구현할 수 있으며, 제2 냉각 모드(IV)를 통해서는 비교적 표면에 가까운 영역의 안정화를 구현할 수 있다.Similarly, even when nitrogen (N 2 ) gas and oxygen (O 2 ) gas are sprayed toward the substrate (S) through the gas injection nozzle 152 in the second cooling mode (IV), the interface of the intermediate layer can be chemically stabilized. You can. Specifically, the first cooling mode (III) can realize stabilization of the interface at a deeper level, and the second cooling mode (IV) can realize stabilization of an area relatively close to the surface.

또한, 상부 에어커튼(170)에서 분사되는 제2 기체는 제1 냉각 모드(III) 및 제2 냉각 모드(IV)에서 질소(N2) 가스를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않고 수소(H2) 가스, 일산화탄소(CO) 및 산소(O2) 가스를 더 포함할 수도 있다. 상세히, 제2 기체 또한 제1 기체와 마찬가지로 제1 냉각 모드(III)에서는 질소(N2) 가스 이외에 수소(H2) 가스, 일산화탄소(CO) 및 산소(O2) 가스를 포함할 수 있으며, 제2 냉각 모드(IV)에서는 질소(N2) 가스 및 산소(O2) 가스를 포함할 수 있다.In addition, the second gas sprayed from the upper air curtain 170 may include nitrogen (N 2 ) gas in the first cooling mode (III) and the second cooling mode (IV), but is not limited thereto and may include hydrogen (H 2 ) Gas, carbon monoxide (CO) and oxygen (O 2 ) gas may be further included. In detail, like the first gas, the second gas may also include hydrogen (H 2 ) gas, carbon monoxide (CO), and oxygen (O 2 ) gas in addition to nitrogen (N 2 ) gas in the first cooling mode (III), The second cooling mode (IV) may include nitrogen (N 2 ) gas and oxygen (O 2 ) gas.

다음으로, 도 8은 가열 모드(I, II)와 냉각 모드(III, IV)가 완료된 이후, 하부 히터(130)는 하강하고, 기판(S)은 다시 지지핀(120) 상에 배치되는 모습을 나타낸다. 이후 기판(S)은 반출구(112)를 통해 외부로 반출될 수 있다. 이때, 하부 에어커튼(180)은 기판(S)과 하부 히터(130) 사이의 공간에 제2 방향(수평 방향)으로 제2 기체를 분사할 수 있다. 여기서, 제2 기체는 질소(N2) 가스를 포함할 수 있다.Next, Figure 8 shows that after the heating modes (I, II) and cooling modes (III, IV) are completed, the lower heater 130 is lowered and the substrate (S) is placed on the support pin 120 again. represents. Thereafter, the substrate S may be carried out to the outside through the discharge port 112. At this time, the lower air curtain 180 may spray the second gas in a second direction (horizontal direction) into the space between the substrate S and the lower heater 130. Here, the second gas may include nitrogen (N 2 ) gas.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As such, the present invention has been described with reference to an embodiment shown in the drawings, but this is merely an example, and those skilled in the art will understand that various modifications and variations of the embodiment are possible therefrom. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims.

100: 유기발광소자 제조 장치
110: 챔버
120: 지지핀
130: 하부 히터
140: 상부 히터
150: 기체분사부
160: 배기부
170: 상부 에어커튼
180: 하부 에어커튼
190: 제어부100: Organic light emitting device manufacturing device
110: chamber
120: support pin
130: Lower heater
140: upper heater
150: Gas injection unit
160: exhaust part
170: Upper air curtain
180: Lower air curtain
190: Control unit

Claims (20)

챔버;
상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 지지핀;
상기 기판의 하측을 가열하는 하부 히터;
상기 하부 히터와 대향하도록 설치되고, 상기 기판의 상측을 가열하는 상부 히터;
상기 상부 히터에서 상기 하부 히터를 향하는 제1 방향을 따라 상기 기판에 제1 기체를 분사하는 기체분사부;
상기 챔버 내부의 기체를 외부로 배출하는 배기부;
상기 상부 히터의 측면을 둘러싸도록 설치되어 상기 제1 방향으로 제2 기체를 분사하는 상부 에어커튼; 및
상기 하부 히터의 측면에 설치되어 상기 기판과 상기 하부 히터 사이의 공간에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 제2 기체를 분사하는 하부 에어커튼;을 포함하고,
상기 하부 히터 및 상기 상부 히터 중 하나 이상은 승강 가능하며,
상기 하부 히터 및 상기 상부 히터의 온도를 제어하는 제어부를 더 포함하고,
상기 제어부는 상기 하부 히터 및 상기 상부 히터의 온도를 제어하여 상기 기판을 가열하는 가열 모드와, 상기 기판을 냉각하는 냉각 모드 중 하나의 모드를 구현하는, 유기발광소자 제조 장치.chamber;
a support pin installed inside the chamber to support the substrate;
a lower heater that heats the lower side of the substrate;
an upper heater installed to face the lower heater and heating the upper side of the substrate;
a gas injection unit that sprays a first gas onto the substrate along a first direction from the upper heater to the lower heater;
an exhaust unit discharging gas inside the chamber to the outside;
an upper air curtain installed to surround a side of the upper heater and spraying a second gas in the first direction; and
A lower air curtain installed on a side of the lower heater to spray the second gas into the space between the substrate and the lower heater in a second direction intersecting the first direction,
At least one of the lower heater and the upper heater is capable of being raised and lowered,
Further comprising a control unit that controls the temperatures of the lower heater and the upper heater,
The control unit controls the temperatures of the lower heater and the upper heater to implement one of a heating mode for heating the substrate and a cooling mode for cooling the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 지지핀은 상기 기판을 승강시키는, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 1,
The support pin elevates the substrate. 제1 항에 있어서,
상기 하부 히터는 상기 기판과 소정 간격으로 이격되는 제1 위치와, 상기 상부 히터 측으로 상승하여 상기 기판과 밀착된 상태에서 상기 기판을 상기 상부 히터 가까이로 이동시킨 제2 위치 사이에서 왕복 이동 가능한, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 1,
The lower heater is capable of reciprocating between a first position spaced apart from the substrate at a predetermined distance and a second position where the substrate is moved close to the upper heater while being raised toward the upper heater and in close contact with the substrate. Light emitting device manufacturing device. 제3 항에 있어서,
상기 하부 히터가 상기 제2 위치에 위치한 경우,
상기 상부 히터와 상기 하부 히터 사이의 거리는 1mm 내지 20mm인, 유기발광소자 제조 장치. According to clause 3,
When the lower heater is located in the second position,
An organic light-emitting device manufacturing device wherein the distance between the upper heater and the lower heater is 1 mm to 20 mm. 제1 항에 있어서,
상기 하부 히터는 상기 기판의 하면을 지지하고,
상기 상부 히터는 상기 기판과 소정 간격으로 이격되는 제1 위치와, 상기 하부 히터 측으로 하강하여 상기 제1 위치보다 상기 기판과 인접하는 제2 위치 사이에서 왕복 이동 가능한, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 1,
The lower heater supports the lower surface of the substrate,
The upper heater is capable of reciprocating between a first position spaced apart from the substrate at a predetermined distance and a second position that is lowered toward the lower heater and is closer to the substrate than the first position. 제5 항에 있어서,
상기 상부 히터가 상기 제2 위치에 위치한 경우,
상기 하부 히터와 상기 상부 히터 사이의 거리는 1mm 내지 20mm인, 유기발광소자 제조 장치.According to clause 5,
When the upper heater is located in the second position,
An organic light-emitting device manufacturing device, wherein the distance between the lower heater and the upper heater is 1 mm to 20 mm. 제1 항에 있어서,
상기 제1 기체는 질소(N2) 가스를 포함하는, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 1,
The first gas includes nitrogen (N 2 ) gas. 제7 항에 있어서,
상기 제1 기체는 수소(H2) 가스, 일산화탄소(CO) 가스 및 산소(O2) 가스 중 하나 이상을 더 포함하는, 유기발광소자 제조 장치.According to clause 7,
The first gas further includes one or more of hydrogen (H 2 ) gas, carbon monoxide (CO) gas, and oxygen (O 2 ) gas. 제1 항에 있어서,
상기 제2 기체는 질소(N2) 가스를 포함하는, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 1,
The second gas includes nitrogen (N 2 ) gas. 제9 항에 있어서,
상기 제2 기체는 수소(H2) 가스, 일산화탄소(CO) 가스 및 산소(O2) 가스 중 하나 이상을 더 포함하는, 유기발광소자 제조 장치.According to clause 9,
The second gas further includes one or more of hydrogen (H 2 ) gas, carbon monoxide (CO) gas, and oxygen (O 2 ) gas. 제1 항에 있어서,
상기 기체분사부는,
외부에서 상기 챔버의 내부로 상기 제1 기체를 안내하는 기체유입관과,
상기 기체유입관에서 상기 기판 측으로 상기 제1 기체를 분사하는 기체분사노즐을 포함하는, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 1,
The gas injection unit,
a gas inlet pipe that guides the first gas from the outside to the inside of the chamber;
An organic light emitting device manufacturing apparatus comprising a gas injection nozzle that sprays the first gas from the gas inlet pipe toward the substrate. 제11 항에 있어서,
상기 기체분사노즐은 상기 상부 히터를 관통하는 제1 관통홀에 설치되는, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 11,
The gas injection nozzle is installed in a first through hole penetrating the upper heater. 제1 항에 있어서,
상기 배기부는,
상기 챔버 내부의 기체를 포집하는 기체배출구와,
상기 기체배출구에 포집된 기체를 외부로 배출하는 기체배출관을 포함하는, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 1,
The exhaust part,
a gas outlet for collecting gas inside the chamber;
An organic light emitting device manufacturing device comprising a gas discharge pipe that discharges the gas trapped in the gas discharge port to the outside. 제13 항에 있어서,
상기 기체배출구는 상기 상부 히터를 관통하는 제2 관통홀에 설치되는, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 13,
An organic light-emitting device manufacturing apparatus, wherein the gas outlet is installed in a second through-hole penetrating the upper heater. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제어부가 상기 가열 모드를 구현한 경우,
상기 제1 기체는 질소(N2) 가스를 포함하는, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 1,
When the control unit implements the heating mode,
The first gas includes nitrogen (N 2 ) gas. 제1 항에 있어서,
상기 제어부가 상기 가열 모드를 구현한 경우,
상기 제2 기체는 질소(N2) 가스를 포함하는, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 1,
When the control unit implements the heating mode,
The second gas includes nitrogen (N2) gas. 제1 항에 있어서,
상기 냉각 모드는 제1 냉각 모드와 제2 냉각 모드로 구분되며,
상기 제어부가 상기 제1 냉각 모드를 구현한 경우, 상기 제1 기체는 질소(N2) 가스, 수소(H2) 가스, 일산화탄소(CO) 및 산소(O2) 가스를 포함하고,
상기 제어부가 상기 제2 냉각 모드를 구현한 경우, 상기 제1 기체는 질소(N2) 가스와 산소(O2) 가스를 포함하는, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 1,
The cooling mode is divided into a first cooling mode and a second cooling mode,
When the control unit implements the first cooling mode, the first gas includes nitrogen (N 2 ) gas, hydrogen (H 2 ) gas, carbon monoxide (CO), and oxygen (O 2 ) gas,
When the control unit implements the second cooling mode, the first gas includes nitrogen (N 2 ) gas and oxygen (O 2 ) gas. 제18 항에 있어서,
상기 제1 냉각 모드에서 상기 챔버 내부의 평균 온도는 상기 제2 냉각 모드에서 상기 챔버 내부의 평균 온도보다 높은, 유기발광소자 제조 장치.According to clause 18,
The average temperature inside the chamber in the first cooling mode is higher than the average temperature inside the chamber in the second cooling mode. 제1 항에 있어서,
상기 가열 모드는 제1 가열 모드와 제2 가열 모드로 구분되고,
상기 제어부가 상기 제1 가열 모드를 구현한 경우, 상기 챔버의 내부 온도는 지속적으로 증가하고,
상기 제어부가 상기 제2 가열 모드를 구현한 경우, 상기 챔버의 내부 온도는 상기 제1 가열 모드에서 상기 챔버 내부의 최고 온도보다 낮은 소정의 온도로 강하하여 이후 일정하게 유지되는, 유기발광소자 제조 장치.According to claim 1,
The heating mode is divided into a first heating mode and a second heating mode,
When the control unit implements the first heating mode, the internal temperature of the chamber continuously increases,
When the control unit implements the second heating mode, the internal temperature of the chamber is lowered to a predetermined temperature lower than the maximum temperature inside the chamber in the first heating mode and is maintained constant thereafter. .
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