KR102575102B1

KR102575102B1 - Management method of manufacturing equipment for manufacturing organic electronic elements

Info

Publication number: KR102575102B1
Application number: KR1020187018368A
Authority: KR
Inventors: 타카시 수에카네; 카쓰야 이마니시; 히로시 후지모토; 사토시 유키와키; 마코토 요시자키
Original assignee: 가부시키가이샤 스미카 분세키 센터
Priority date: 2015-11-30
Filing date: 2016-11-22
Publication date: 2023-09-05
Also published as: JP6808642B2; TWI759274B; WO2017094566A1; JPWO2017094566A1; KR20180085020A; TW201728773A

Abstract

유기 전자 소자(Organic Electronics Device) 또는 제조 장치의 구성에 관계없이 고성능 유기 전자 소자를 제조하는 제조 장치의 관리 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 형태에 따른 관리 방법은, 제조 장치(1) 내에 기재(2)를 배치하는 배치 공정과, 기재(2)에 부착된, 유기 전자 소자 및 제조 장치 중 적어도 한쪽의 재료에 유래하는 불순물을 검출하는 검출 공정을 포함한다.Provided is a management method of a manufacturing device for manufacturing a high-performance organic electronic device regardless of the configuration of the organic electronic device or the manufacturing device. A management method according to an embodiment of the present invention is derived from a disposition step of arranging a substrate 2 in a manufacturing apparatus 1 and a material of at least one of an organic electronic element and a manufacturing apparatus attached to the substrate 2 and a detection step of detecting an impurity.

Description

Management method of manufacturing equipment for manufacturing organic electronic elements

본 발명은, 유기 전자 소자(Organic Electronics Device)를 제조하는 제조 장치의 관리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a management method of a manufacturing apparatus for manufacturing an organic electronic device (Organic Electronics Device).

최근, 유기 박막을 이용한 다종 다양한 유기 전자 소자가 개발되고 있다. 유기 전자 소자 분야에서는 고효율, 장수명, 고내구성 또는 고감도와 같은 '고성능화'가 항상 요구되고 있다.Recently, a variety of organic electronic devices using organic thin films have been developed. In the organic electronic device field, 'high performance' such as high efficiency, long lifespan, high durability or high sensitivity is always required.

유기 전자 소자의 고성능화를 실현하기 위해서는, 제조 과정에서 제품에 불순물이 혼입되는 것을 방지할 필요가 있는 것이 알려져 있다. 이와 같은 기술로서, 예를 들면 특허 문헌 1∼3에 기재된 기술이 보고되어 있다.It is known that in order to realize higher performance of organic electronic devices, it is necessary to prevent impurities from entering products during the manufacturing process. As such a technique, for example, techniques described in Patent Literatures 1 to 3 have been reported.

특허 문헌 1에는, 진공 챔버에 접속된 진공 펌프 유래의 불순물을 검출하는 불순물 검출 방법으로서, 상기 불순물을 검출하는 검출기로서 유기막을 이용하는 불순물 검출 방법이 기재되어 있다.Patent Document 1 describes an impurity detection method for detecting impurities derived from a vacuum pump connected to a vacuum chamber, using an organic film as a detector for detecting the impurities.

특허 문헌 2에는, 정공 주입 전극을 표면에 형성한 기판의 당해 전극의 표면에 유기층을 형성하기 위한 유기 성막실을 구비한 유기 EL 소자 제조 장치를 신규 조립했을 때 또는 장치를 분해 수리(overhaul)했을 때, 장치의 내부를 오존 가스로 세정하고 나서 유기층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조 방법이 기재되어 있다.In Patent Document 2, when an organic EL element manufacturing apparatus having an organic film formation room for forming an organic layer on the surface of a substrate having a hole injection electrode formed thereon is newly assembled or when the apparatus is disassembled and repaired (overhauled), A manufacturing method of an organic EL element characterized by forming an organic layer after cleaning the inside of the device with ozone gas is described.

특허 문헌 3에는, 한쌍의 전극 사이에 발광성 유기 화합물을 포함하는 층을 갖는 발광소자의 제조 방법으로서, 감압하의 성막실 내에서 성막 재료를 가열해 기화시키는 제1 공정과, 상기 성막실 내에서 상기 발광성 유기 화합물을 포함하는 층에 포함되는 층을 성막하는 제2 공정을, 배기, 및 질량 분석계에서의 상기 성막실 내의 물의 분압의 측정을 행하면서 실시하고, 상기 제2 공정 개시시의 상기 물의 분압이 상기 제1 공정에서의 상기 물의 분압의 평균치보다 작은 값인 발광소자의 제조 방법이 기재되어 있다.In Patent Document 3, as a method for manufacturing a light emitting element having a layer containing a light emitting organic compound between a pair of electrodes, a first step of heating and vaporizing a film formation material in a film formation chamber under reduced pressure; A second process of forming a layer included in a layer containing a light-emitting organic compound is performed while performing evacuation and measuring the partial pressure of water in the film formation chamber with a mass spectrometer, and the partial pressure of the water at the start of the second process. A method of manufacturing a light emitting element having a value smaller than the average value of the partial pressure of the water in the first step is described.

특허 문헌 1: 국제 공개 제2013/145640호 팸플릿(2013년 3월 19일 공개)Patent Document 1: International Publication No. 2013/145640 pamphlet (published on March 19, 2013) 특허 문헌 2: 일본 특허공개 2004-192857호 공보(2004년 7월 8일 공개)Patent Document 2: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-192857 (published on July 8, 2004) 특허 문헌 3: 일본 특허공개 2014-199789호 공보(2014년 10월 23일 공개)Patent Document 3: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-199789 (published on October 23, 2014)

그러나, 상기 종래 기술에는 개선의 여지가 있다.However, there is room for improvement in the prior art.

예를 들면, 특허 문헌 1에 기재된 기술은, 주로 진공 펌프의 윤활제 유래의 불순물을 검출 대상으로 하고 있다. 또한, 특허 문헌 2에 기재된 기술은, 저장실 내부에 부착되어 있던 대기중의 유기물 등에 의한 악영향을 회피하는 것을 목적으로 하고 있다. 특허 문헌 3에 기재된 기술은 수분 및 산소 등을 관리의 지표로 하고 있다. 고성능 유기 전자 소자를 제조하는 제조 장치의 관리 방법을 제공한다는 관점에서는 이들 기술로는 불충분한 경우가 있었다.For example, the technique disclosed in Patent Literature 1 mainly targets impurities derived from lubricants for vacuum pumps. In addition, the technique disclosed in Patent Document 2 aims at avoiding adverse effects caused by organic substances in the air and the like that have adhered to the inside of the storage chamber. The technique described in Patent Document 3 uses moisture, oxygen, and the like as indicators for management. From the standpoint of providing a management method for manufacturing equipment for producing high-performance organic electronic devices, these techniques are insufficient in some cases.

또한, 상기 종래 기술에 의한 제조 장치의 관리는, 제조 장치의 구조에 따라 적합한 경우와 적합하지 않은 경우가 있기 때문에, 적용 범위가 한정되는 경우가 있었다.In addition, since management of the manufacturing apparatus according to the prior art may or may not be suitable depending on the structure of the manufacturing apparatus, the application range may be limited.

본 발명은, 이와 같은 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 대상이 되는 유기 전자 소자 또는 제조 장치의 구성에 관계없이, 고성능 유기 전자 소자를 제조하는 제조 장치의 관리 방법을 실현하는 것에 있다.The present invention has been made in view of such a problem, and its object is to realize a management method for a manufacturing apparatus for manufacturing a high-performance organic electronic element regardless of the structure of the organic electronic element or manufacturing apparatus to be targeted.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 유기 전자 소자의 재료 및 제조 장치의 재료에 유래하는 불순물을 관리의 지표로 함으로써, 고성능 유기 전자 소자를 제조하는 제조 장치의 관리 방법을 실현할 수 있다는 것을 알아내, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다. 또한, 본 발명에 의하면, 대상이 되는 유기 전자 소자 또는 제조 장치의 구성이 한정되지 않는다. 즉, 본 발명의 일 실시 형태는 이하의 구성으로 이루어지는 것이다.As a result of intensive studies to achieve the above object, the inventors of the present invention have developed a management method for a manufacturing apparatus for manufacturing a high-performance organic electronic element by using impurities derived from the material of the organic electronic element and the material of the manufacturing apparatus as management indicators. It was found that it could be realized, and the present invention was completed. In addition, according to the present invention, the configuration of the organic electronic element or manufacturing apparatus to be targeted is not limited. That is, one embodiment of the present invention consists of the following configurations.

[1] 유기 전자 소자를 제조하는 제조 장치의 관리 방법으로서, 상기 제조 장치 내에 기재를 배치하는 배치 공정과, 상기 기재에 부착된, 상기 유기 전자 소자의 재료 및 상기 제조 장치의 재료 중 적어도 한쪽에 유래하는 불순물을 검출하는 검출 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 관리 방법.[1] A method for managing a manufacturing apparatus for producing an organic electronic element, comprising a disposition step of arranging a substrate in the manufacturing apparatus, and at least one of a material of the organic electronic element and a material of the manufacturing apparatus attached to the substrate. A management method comprising a detection step of detecting an impurity derived therefrom.

[2] 상기 기재는, 기판 및 유기막 중 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 하는 [1]에 기재된 관리 방법.[2] The management method according to [1], wherein the substrate includes at least one of a substrate and an organic film.

[3] 상기 기재는, 상기 유기 전자 소자의 재료를 포함하고, 상기 불순물과는 다른 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 [1] 또는 [2]에 기재된 관리 방법.[3] The management method according to [1] or [2], wherein the base material includes the material of the organic electronic element and is made of a material different from the impurity.

[4] 상기 배치 공정은, 유기 전자 소자의 제조 전, 제조 중 및 제조 후의 적어도 어느 하나의 단계에서 행해지는 것을 특징으로 하는 [1]∼[3] 중 어느 하나에 기재된 관리 방법.[4] The management method according to any one of [1] to [3], characterized in that the disposition step is performed in at least any one stage before, during, and after production of the organic electronic element.

[5] 상기 유기 전자 소자가 다층막을 갖는 것을 특징으로 하는 [4]에 기재된 관리 방법.[5] The management method according to [4], wherein the organic electronic element has a multilayer film.

[6] 상기 제조 장치는, 증착 프로세스 또는 도포 프로세스에 의해 유기 전자 소자를 제조하는 제조 장치인 것을 특징으로 하는 [1] ∼[5] 중 어느 하나에 기재된 관리 방법.[6] The management method according to any one of [1] to [5], wherein the manufacturing apparatus is a manufacturing apparatus for manufacturing an organic electronic element by a vapor deposition process or an application process.

본 발명에 의하면, 대상이 되는 유기 전자 소자 또는 제조 장치의 구성에 관계없이, 고성능 유기 전자 소자를 제조하는 제조 장치의 관리 방법을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is possible to provide the management method of the manufacturing apparatus which manufactures a high-performance organic electronic element irrespective of the structure of the target organic electronic element or manufacturing apparatus.

도 1은 본 관리 방법에서의 배치 공정의 예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 유기 전자 소자의 제조 방법의 예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 검출 대상이 되는 불순물의 예를 나타낸 도면이다.1 is a diagram schematically showing an example of a batch process in this management method.
2 is a diagram schematically showing an example of a method for manufacturing an organic electronic element.
3 is a diagram showing an example of an impurity to be detected.

이하, 본 발명의 실시의 형태에 대해 상세하게 설명한다. 한편, 설명의 편의상, 같은 기능을 갖는 부재에 대해서는 동일한 부호를 부기하고 그 설명을 생략한다. 본 명세서에 있어서, 특별히 기재하지 않는 한, 수치 범위를 나타내는 'A∼B'는 'A 이상(A를 포함하고 A보다 크다) B 이하(B를 포함하고 B보다 작다)'를 의미한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail. On the other hand, for convenience of explanation, members having the same function are given the same reference numerals and the description thereof is omitted. In this specification, unless otherwise specified, 'A to B' representing a numerical range means 'a or more (including A and greater than A) B or less (including B and less than B)'.

[1. 관리 방법] [One. management method]

우선, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 관리 방법의 개요에 대해 설명한다. 상기 관리 방법은, 유기 전자 소자를 제조하는 제조 장치의 관리 방법으로서, 상기 제조 장치 내에 기재를 배치하는 배치 공정과, 상기 기재에 부착된, 상기 유기 전자 소자의 재료 및 상기 제조 장치의 재료 중 적어도 한쪽에 유래하는 불순물을 검출하는 검출 공정을 포함한다.First, an outline of a management method according to an embodiment of the present invention will be described. The management method is a management method of a manufacturing apparatus for manufacturing an organic electronic element, wherein at least of a disposing step of arranging a base material in the manufacturing apparatus, a material of the organic electronic element attached to the base material, and a material of the manufacturing apparatus A detection step of detecting an impurity originating from one side is included.

즉, 상기 관리 방법에서는, 제조 장치 내에 오염 평가용 기재를 배치하고 일정 시간 경과후에 꺼내, 당해 기재에 부착된 불순물을 분석한다. 본 발명자들은, 유기 전자 소자의 재료 및 제조 장치의 재료에 유래하는 불순물에 의한 오염이 적을수록 유기 전자 소자가 고성능인 것을 알아냈다. 즉, 본 발명자들은, 고성능 유기 전자 소자를 제조하기 위한 제조 장치의 관리 방법에서는, 종래 기술과 같은 윤활제 유래의 불순물, 대기중의 유기물, 수분 및 산소 등의 평가만이 아니라, 유기 전자 소자의 재료 및 제조 장치의 재료에 유래하는 불순물에 의한 오염의 평가가 효과적이라는 것을 알아냈다. 따라서, 유기 전자 소자의 재료 및 제조 장치의 재료에 유래하는 불순물에 의한 오염의 평가에 기초해 제조 장치를 관리할 수 있다. 상기 관리 방법에 의해 관리된 제조 장치에서는 고성능 유기 전자 소자를 제조할 수 있다.That is, in the above management method, a substrate for contamination evaluation is placed in a manufacturing apparatus, taken out after a lapse of a certain period of time, and impurities adhering to the substrate are analyzed. The inventors of the present invention found that the organic electronic element has higher performance as the contamination by impurities derived from the material of the organic electronic element and the material of the manufacturing apparatus is reduced. That is, the inventors of the present invention, in the management method of a manufacturing apparatus for manufacturing a high-performance organic electronic element, not only the evaluation of impurities derived from lubricants, organic matter in the air, moisture, oxygen, etc., as in the prior art, but also the material of the organic electronic element and evaluation of contamination by impurities originating in the material of the production equipment was found to be effective. Therefore, the manufacturing apparatus can be managed based on the evaluation of contamination by impurities derived from the material of the organic electronic element and the material of the manufacturing apparatus. In the manufacturing apparatus managed by the management method, a high-performance organic electronic device can be manufactured.

상기 관리 방법에서는, 제조 장치 또는 유기 전자 소자의 구성에 따라 관리 지표가 되는 불순물의 종류 및 양, 그리고 기재의 종류를 임의로 정할 수 있으므로, 대상이 되는 제조 장치 및 유기 전자 소자의 구성은 한정되지 않는다. 따라서, 상기 관리 방법을 폭넓은 제조 장치에 적용할 수 있다. 또한, 오염 평가에 의해 얻어진 결과에 기초해 간편한 작업으로 일상적으로 제조 장치 상태를 관리할 수 있다.In the above management method, since the type and amount of impurities serving as management indicators and the type of substrate can be arbitrarily determined according to the configuration of the manufacturing equipment or organic electronic element, the configuration of the manufacturing equipment and organic electronic element to be targeted is not limited. . Therefore, the management method can be applied to a wide range of manufacturing equipment. In addition, based on the results obtained by the contamination evaluation, it is possible to manage the state of manufacturing equipment on a daily basis with a simple operation.

한편, 본 명세서에 있어서 '관리'란, 예를 들면 불순물에 의한 오염의 평가를 실시하고, 그 평가 결과에 기초해 필요하면 제조 장치의 세정, 수리 또는 갱신 등을 실시함으로써, 제조 장치의 성능 및 그 제조 장치에 의해 제조되는 유기 전자 소자의 성능을 유지 또는 개선하는 것을 의미한다. 또한, 이와 같은 관리 방법을 제조 장치의 연구개발, 출하 검사 및 설치시의 성능 검사에 이용할 수 있다. 예를 들면, 제조 장치의 연구개발에 있어서, 상기 관리 방법에 의한 장치 관리를 실시함으로써 효율적인 연구개발을 실시할 수 있다.On the other hand, in the present specification, 'management' means, for example, that contamination by impurities is evaluated, and based on the evaluation result, if necessary, cleaning, repair, or renewal of the manufacturing equipment is performed, thereby improving the performance and It means maintaining or improving the performance of organic electronic elements manufactured by the manufacturing apparatus. In addition, such a management method can be used for research and development of manufacturing equipment, shipment inspection, and performance inspection at the time of installation. For example, in research and development of manufacturing equipment, efficient research and development can be carried out by implementing equipment management by the above management method.

상기 관리 방법에 의하면, 불순물의 양 또는 유무에 착안해, 예를 들면 기준치를 정해 평가를 실시함으로써 적절한 세정 타이밍을 결정할 수 있다. 제조 장치 내의 세정은 유기용제를 이용해 꼼꼼히 닦아내거나 또는 가열 진공 배기의 반복 등의 대규모 작업을 필요로 한다. 따라서, 세정 빈도가 과잉인 경우는 제조 코스트 및 관리 코스트의 증가로 연결된다. 한편, 세정이 필요한 상태임에도 불구하고 제조 장치를 그대로 사용하면 고성능 유기 전자 소자를 제조할 수 없기 때문에, 수율이 악화된다. 상기 관리 방법에 의하면, 세정 타이밍을 낭비 없이 결정할 수 있기 때문에 제조 코스트 및 관리 코스트를 저감할 수 있고, 또한 고성능 유기 전자 소자를 효율적으로 제조할 수 있다.According to the above management method, it is possible to determine an appropriate cleaning timing by paying attention to the amount or presence of impurities, for example, by determining a reference value and performing evaluation. Cleaning within the manufacturing equipment requires large-scale operations such as thorough wiping with an organic solvent or repetition of heating and vacuum evacuation. Therefore, when the cleaning frequency is excessive, it leads to an increase in manufacturing cost and management cost. On the other hand, since a high-performance organic electronic device cannot be manufactured if the manufacturing apparatus is used as it is even in a state in which cleaning is required, the yield deteriorates. According to the above management method, since the cleaning timing can be determined without waste, manufacturing cost and management cost can be reduced, and high-performance organic electronic devices can be efficiently manufactured.

한편, 특정 제조 장치에서 상기 관리 방법에 의한 효과를 확인할 수 있으면, 동일한 장치(예를 들면, 조작 방법 완전히 같은 복수의 제조 장치)에 대해서도 마찬가지로 세정 타이밍을 결정할 수 있다. 복수의 제조 장치를 일괄적으로 관리할 수 있으면, 코스트 측면에서의 메리트는 한층 더 높아진다.On the other hand, if the effect of the management method can be confirmed in a specific manufacturing device, the cleaning timing can be similarly determined for the same device (for example, a plurality of manufacturing devices having exactly the same operation method). If a plurality of manufacturing equipment can be collectively managed, the merit in terms of cost is further increased.

또한, 상기 관리 방법에 의하면, 불순물의 양 및 유무에 착안해, 예를 들면 기준치를 결정해 평가를 실시함으로써, 제조 장치의 오버홀(overhaul) 또는 노후화된 제조 장치의 갱신 타이밍을 결정할 수 있다. 고액의 오버홀 또는 갱신이 정기적으로 행해지는 경우 또는 유기 전자 소자의 성능에 기초한 감각적인 판단에 의해 실시되는 경우, 여분의 제조 코스트 및 관리 코스트가 발생할 수 있다. 상기 관리 방법에 의하면, 오버홀 또는 갱신의 타이밍을 낭비 없이 결정할 수 있다. 이는 제조 코스트 및 관리 코스트의 관점에서 큰 메리트이다.In addition, according to the above management method, it is possible to determine the timing of overhaul of manufacturing equipment or updating of aging manufacturing equipment by paying attention to the amount and presence of impurities, determining a reference value and performing evaluation, for example. When expensive overhaul or renewal is performed on a regular basis or when it is performed based on sensory judgment based on the performance of an organic electronic device, extra manufacturing and management costs may occur. According to the above management method, the timing of overhaul or renewal can be determined without waste. This is a great advantage in terms of manufacturing cost and management cost.

[2. 제조 장치] [2. manufacturing device]

다음으로, 상기 관리 방법에서 관리의 대상이 되는 제조 장치에 대해 설명한다. 관리의 대상이 되는 제조 장치는 유기 전자 소자를 제조하는 제조 장치라면, 특별히 한정되지 않는다.Next, the manufacturing apparatus to be managed in the above management method will be described. A manufacturing device to be managed is not particularly limited as long as it is a manufacturing device that manufactures an organic electronic element.

상기 유기 전자 소자로는, 예를 들면 유기 EL, 유기 태양전지, 유기 트랜지스터 및 유기 메모리 등을 들 수 있다.As said organic electronic element, organic EL, an organic solar cell, an organic transistor, organic memory, etc. are mentioned, for example.

상기 유기 전자 소자는 기판 상에 1층의 유기막이 형성된 것이어도 되고, 다층막이 형성된 것이어도 무방하다. 상기 관리 방법에 의하면, 유기 전자 소자가 다층막을 갖는 경우에도 각 층에 포함되는 불순물을 검출할 수 있다. 따라서, 다층막을 갖는 유기 전자 소자를 제조하는 제조 장치에 상기 관리 방법을 적용하는 경우, 다층막 중의 어느 층을 제조하는 단계에 불순물이 많이 포함될 수 있는지 평가할 수 있다.The organic electronic element may be one in which a single layer of organic film is formed on a substrate, or one in which a multi-layer film is formed on a substrate. According to the above management method, impurities contained in each layer can be detected even when the organic electronic element has a multilayer film. Therefore, when the above management method is applied to a manufacturing apparatus for manufacturing an organic electronic device having a multilayer film, it is possible to evaluate which layer of the multilayer film may contain a large amount of impurities in a manufacturing step.

상기 제조 장치로는, 증착 프로세스 또는 도포 프로세스에 의해 유기 전자 소자를 제조하는 제조 장치를 들 수 있다.As said manufacturing apparatus, the manufacturing apparatus which manufactures an organic electronic element by a vapor deposition process or an application|coating process is mentioned.

도 2는 유기 전자 소자의 제조 방법을 모식적으로 나타낸 도면이다. 도 2의 (a)는 증착 프로세스에 의한 제조 방법을 나타내고, 도 2의 (b)는 도포 프로세스에 의한 제조 방법을 나타내고 있다.2 is a diagram schematically showing a manufacturing method of an organic electronic element. Fig. 2(a) shows a manufacturing method by a deposition process, and Fig. 2(b) shows a manufacturing method by an application process.

우선, 도 2의 (a)에 기초해 증착 프로세스에 의한 제조 방법을 설명한다. 제조 장치(1) 내(예를 들면, 제조 장치의 챔버 내)의 성막 재료 저장부(3)에 성막 재료(4)를 배치한다. 성막 재료 저장부(3)의 상부에 기판(5)을 배치한다. 가열 기구(6)에 의해 성막 재료(4)를 가열하면, 성막 재료(4)가 기화되어 기판(5)에 증착된다. 여기에서 화살표(9)는 기화된 성막 재료(4)가 기판(5)에 증착되는 모습을 모식적으로 나타내고 있다. 그리고, 진공 펌프 등에 접속된 배기관(7)으로부터 배기함으로써 제조 장치(1) 내를 진공 상태로 하고, 기판(5)에 증착된 성막 재료를 건조시킨다. 이에 따라, 성막 재료(4)에 유래하는 막(8)이 기판(5) 상에 형성된 유기 전자 소자를 얻을 수 있다.First, the manufacturing method by the vapor deposition process is demonstrated based on FIG.2(a). The film-forming material 4 is arrange|positioned in the film-forming material storage part 3 in the manufacturing apparatus 1 (for example, in the chamber of a manufacturing apparatus). A substrate 5 is placed on top of the film formation material storage unit 3 . When the film-forming material 4 is heated by the heating mechanism 6, the film-forming material 4 is vaporized and deposited on the substrate 5. Here, the arrow 9 schematically shows how the vaporized film-forming material 4 is deposited on the substrate 5 . And the inside of the manufacturing apparatus 1 is made into a vacuum state by exhausting from the exhaust pipe 7 connected to the vacuum pump etc., and the film-forming material deposited on the board|substrate 5 is dried. Thereby, the organic electronic element in which the film|membrane 8 derived from the film-forming material 4 was formed on the board|substrate 5 can be obtained.

다음으로, 도 2의 (b)에 기초해 도포 프로세스에 의한 제조 방법을 설명한다. 한편, 도시하지 않았지만, 도포 프로세스는 글러브박스(glovebox) 또는 클린벤치(clean bench) 내에서 행해질 수 있다. 본 명세서에서는, 글러브박스 및 클린벤치 등도 상기 제조 장치에 포함된다. 도포 프로세스에서는, 기판(5) 상에 액적 토출 기구(10)로부터 성막 재료(4)의 용액을 적하한다. 그리고, 기판(5) 상에 도포된 성막 재료를 건조시킨다. 이에 따라, 성막 재료(4)에 유래하는 막(8)이 기판(5) 상에 형성된 유기 전자 소자를 얻을 수 있다.Next, the manufacturing method by the application|coating process is demonstrated based on FIG.2(b). Meanwhile, although not shown, the application process may be performed in a glovebox or a clean bench. In this specification, a glove box and a clean bench are also included in the manufacturing apparatus. In the application process, the solution of the film forming material 4 is dripped onto the substrate 5 from the droplet ejection mechanism 10 . Then, the film forming material applied on the substrate 5 is dried. Thereby, the organic electronic element in which the film|membrane 8 derived from the film-forming material 4 was formed on the board|substrate 5 can be obtained.

[3. 배치 공정] [3. batch process]

상기 관리 방법은, 상기 제조 장치 내에 기재를 배치하는 배치 공정을 포함한다. 그러므로, 유기 전자 소자의 재료 및 제조 장치의 재료 중 적어도 한쪽에 유래하는 불순물을 기재에 부착시킬 수 있다. 이 때문에, 후술하는 검출 공정에서 유기 전자 소자 제조 공정의 임의의 단계에서 기재에 부착될 수 있는 불순물의 종류 및/또는 양을 평가할 수 있다.The management method includes a placement step of placing a base material in the manufacturing device. Therefore, impurities derived from at least one of the material of the organic electronic element and the material of the manufacturing apparatus can be attached to the substrate. For this reason, it is possible to evaluate the type and/or amount of impurities that may adhere to the substrate at any stage of the organic electronic device manufacturing process in the detection process described later.

＜3-1. 기재＞<3-1. Materials>

상기 기재는 불순물을 검출하기 위해 당해 불순물을 부착시키는 대상이 되는 것이다. 상기 기재의 재질은 특별히 한정되지 않고, 무기물이라도 되고, 유기물이라도 되며, 유기물과 무기물의 혼합물이라도 무방하다. 기재의 재질은, 예를 들면 유기 전자 분야에서 일반적으로 사용되는 재질인 것이 바람직하다.The above substrate is an object to which the impurity is attached in order to detect the impurity. The material of the substrate is not particularly limited, and may be an inorganic material, an organic material, or a mixture of an organic material and an inorganic material. The material of the substrate is preferably a material generally used in the field of organic electronics, for example.

또한, 기재의 형상도 특별히 한정되지 않고, 평면을 포함하고 있어도 되고, 곡면을 포함하고 있어도 된다. 기재는 예를 들면, 평면으로 이루어지는 입체라도 되고, 곡면으로 이루어지는 구체라도 되고, 평면과 곡면이 혼재하는 입체라도 된다. 또한, 기재는 유연성을 갖고 있어, 평면과 곡면이 자유롭게 변화될 수 있는 기재라도 된다. 기재는 예를 들면, 유기 전자 분야에서 일반적으로 사용되는 기판이어도 된다. 또한, 기재는 1층이라도 되고, 2층 이상의 다층이라도 된다.In addition, the shape of the substrate is not particularly limited either, and may include a flat surface or a curved surface. The base material may be, for example, a solid composed of a flat surface, a sphere composed of a curved surface, or a solid composed of a mixture of a flat surface and a curved surface. Further, the base material has flexibility and may be a base material capable of freely changing flat and curved surfaces. The substrate may be, for example, a substrate generally used in the field of organic electronics. In addition, a single layer may be sufficient as a base material, and a multilayer of two or more layers may be sufficient as it.

상기 기재는, 기판 및 유기막 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 기재는 기판 또는 유기막이어도 되고, 기판 상에 유기막이 형성된 것이어도 된다. 상기 기판 및 상기 유기막은 유기 전자 분야에서 일반적으로 사용되는 형태이기 때문에, 유기 전자 소자의 제조 공정에서 부착될 수 있는 불순물을 검출하기 위해 바람직하다.It is preferable that the said base material contains at least one of a board|substrate and an organic film. That is, the substrate may be a substrate or an organic film, or an organic film formed on the substrate. Since the substrate and the organic film are generally used in the field of organic electronics, they are preferable for detecting impurities that may be attached in a manufacturing process of an organic electronic device.

예를 들면, 상기 기판의 재료는, 무기물로는 실리콘 및 유리 등을 들 수 있고, 유기물로는 합성 수지 등을 들 수 있다. 유기물로는, 구체적으로 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 액정 폴리머, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 불소 수지 등을 들 수 있다.For example, as for the material of the substrate, silicon and glass are exemplified as inorganic materials, and synthetic resins are exemplified as organic materials. Specific examples of the organic material include polyimide resins, polyester resins, liquid crystal polymers, epoxy resins, phenol resins, and fluororesins.

한편, 본 명세서에서 유기막이란 유기물을 포함하는 막을 의미하고, 당해 유기물로는 방향족 탄화수소, 다환 방향족 탄화수소, 헤테로 방향족 탄화수소 혹은 헤테로 다환 방향족 탄화수소로부터 유도되는 화합물, 고리들이 공유결합을 개재해 연결된 화합물, 풀러렌(fullerene)을 골격에 포함하는 화합물, 포르피린(porphyrin) 및 프탈로시아닌(phthalocyanine)을 골격에 포함하는 화합물, 이들 구조를 포함하는 금속 착화합물, 그리고 이들의 구조를 포함하는 올리고머 및 폴리머 등을 들 수 있다.Meanwhile, in the present specification, an organic film means a film containing an organic material, and the organic material includes compounds derived from aromatic hydrocarbons, polycyclic aromatic hydrocarbons, heteroaromatic hydrocarbons, or heteropolycyclic aromatic hydrocarbons, compounds in which rings are linked through covalent bonds, Compounds containing fullerene in their skeletons, compounds containing porphyrin and phthalocyanine in their skeletons, metal complex compounds containing these structures, oligomers and polymers containing these structures, etc. .

유기막의 막두께는 특별히 제한되지 않고, 1㎚ 이하라도 되고, 1∼10㎚라도 되고, 10∼100㎚라도 되고, 100∼1000㎚라도 되고, 1㎛ 이상이라도 된다. 특히 제조 장치에 유래하는 불순물을 평가하는 경우에는, 기재인 유기막의 내부에 포함되는 불순물이 적어지도록, 기재로는 되도록 얇은 유기막을 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 관점에서는, 당해 기재로서의 유기막의 막두께는 10㎚ 이하인 것이 보다 바람직하고, 1㎚ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The film thickness of the organic film is not particularly limited and may be 1 nm or less, 1 to 10 nm, 10 to 100 nm, 100 to 1000 nm, or 1 μm or more. In particular, when evaluating impurities derived from a manufacturing apparatus, it is preferable to use an organic film as thin as possible as a substrate so that impurities contained inside the organic film as a substrate are reduced. From this point of view, the film thickness of the organic film as the substrate is more preferably 10 nm or less, and even more preferably 1 nm or less.

한편, 전술한 특허 문헌 1에는, 기판만으로는 불순물을 검출하지 못하고, 불순물을 검출하기 위해서는 유기막을 이용할 필요가 있다는 것이 기재되어 있다. 특허 문헌 1에 기재된 기술에서는 윤활제 유래의 불순물을 검출 대상으로 하고 있기 때문에, 기판을 이용한 검출이 불가능했다고 생각된다. 한편, 상기 관리 방법의 경우는, 유기 전자 소자의 재료 및 제조 장치의 재료에 유래하는 불순물을 검출하는 것을 목적으로 하기 때문에, 기재의 재료에 대해서는 특별히 한정되지 않는다.On the other hand, Patent Document 1 described above describes that impurities cannot be detected only with a substrate, and it is necessary to use an organic film in order to detect impurities. In the technique described in Patent Literature 1, it is considered that detection using a substrate was not possible because lubricant-derived impurities were targeted for detection. On the other hand, in the case of the above management method, since the purpose is to detect impurities derived from the material of the organic electronic element and the material of the manufacturing apparatus, the material of the substrate is not particularly limited.

상기 기재는 상기 유기 전자 소자의 재료를 포함하고, 상기 불순물과는 다른 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 당해 재료로는, 예를 들면 전술한 방향족 탄화수소, 다환 방향족 탄화수소, 헤테로 방향족 탄화수소 혹은 헤테로 다환 방향족 탄화수소로부터 유도되는 화합물, 고리들이 공유결합을 개재해 연결된 화합물, 풀러렌을 골격에 포함하는 화합물, 포르피린 및 프탈로시아닌을 골격에 포함하는 화합물, 이들 구조를 포함하는 금속 착화합물, 그리고 이들의 구조를 포함하는 올리고머 및 폴리머 등을 들 수 있다. 이에 따라, 실제로 사용되는 유기 전자 소자의 재료에 부착될 수 있는 불순물을 검출할 수 있다. 또한, 검출 대상이 되는 불순물과는 다른 재료를 기재로서 이용함으로써 불순물의 검출을 용이하게 실시할 수 있다.It is preferable that the substrate contains the material of the organic electronic element and is made of a material different from the impurities. Examples of the material include compounds derived from the aforementioned aromatic hydrocarbons, polycyclic aromatic hydrocarbons, heteroaromatic hydrocarbons, or heteropolycyclic aromatic hydrocarbons, compounds in which rings are linked via covalent bonds, compounds containing fullerenes in their skeletons, porphyrins, and the like. compounds containing phthalocyanine in their skeletons, metal complex compounds containing these structures, oligomers and polymers containing these structures, and the like. Accordingly, it is possible to detect impurities that may adhere to materials of organic electronic elements actually used. In addition, by using a material different from the target impurity as a base material, the impurity can be easily detected.

＜3-2. 배치 방법＞<3-2. Arrangement method>

상기 기재를 배치하는 장소는, 상기 제조 장치 내라면 특별히 한정되지 않는다. 기재의 배치 장소로는, 예를 들면 제조 장치의 챔버 내를 들 수 있다. 본 명세서에서 챔버란, 유기 전자 소자가 제조되는 공간을 의미하고, 제조실이라고도 부른다.A place where the substrate is disposed is not particularly limited as long as it is within the manufacturing apparatus. As an arrangement place of a base material, the inside of the chamber of a manufacturing apparatus is mentioned, for example. In this specification, a chamber means a space in which an organic electronic device is manufactured, and is also referred to as a manufacturing room.

또한, 클러스터형 제조 장치 또는 인라인형 제조 장치 등은 복수의 제조실을 갖고 있다. 이 경우, 복수의 제조실 중 적어도 1개에 기재를 배치하면 된다. 상기 관리 방법에 의하면, 제조실별로 불순물을 평가함으로써, 어느 제조실에서 오염이 생길 수 있는지를 특정할 수 있다. 이에 따라, 제조실별로 세정의 타이밍을 낭비 없이 결정할 수 있다. 이는 제조 코스트의 관점에서 큰 메리트이다.Further, a cluster type manufacturing device or an inline type manufacturing device or the like has a plurality of manufacturing rooms. In this case, the substrate may be disposed in at least one of the plurality of production rooms. According to the above management method, by evaluating impurities for each manufacturing room, it is possible to specify in which manufacturing room contamination may occur. Accordingly, the timing of cleaning can be determined for each manufacturing room without waste. This is a great advantage in terms of manufacturing cost.

상기 기재의 배치 방향도 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 불순물을 부착시키고자 하는 기재의 면이 중력 방향에 대해 같은 방향, 역방향, 횡방향(수직) 또는 경사 방향이어도 된다.The orientation of the substrate is not particularly limited either, and for example, the surface of the substrate to which impurities are to be adhered may be in the same direction, opposite direction, transverse (perpendicular) or inclined direction with respect to the direction of gravity.

상기 기재를 배치하는 시간도 특별히 한정되지 않는다. 불순물을 보다 확실히 기재에 부착시킨다는 관점에서는, 배치 시간은 5분 이상인 것이 바람직하고, 10분 이상인 것이 보다 바람직하고, 20분 이상인 것이 더욱 바람직하고, 30분 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 배치 공정을 단기간에 완료시킨다는 관점에서는, 배치 시간은 15시간 이하인 것이 바람직하고, 10시간 이하인 것이 보다 바람직하다. 제조 장치의 조업중에 관리를 실시한다는 관점에서는, 배치 시간은 8시간 이하인 것이 특히 바람직하다. 단, 배치 시간은 목적에 따라 변경하면 되고, 단시간에서의 불순물의 양 및 유무를 평가하는 경우에는 5분 미만이어도 되고, 장기간에서의 불순물의 양 및 유무를 평가하는 경우에는 15시간 이상이어도 되고, 수일간, 수주간 또는 수개월간 단위라도 문제 없다. 예를 들면, 배치 시간은 1일간, 2일간, 3일간, 4일간, 5일간, 6일간, 7일간(1주간), 8일간, 9일간, 10일간, 2주간, 3주간, 4주간, 1개월간, 2개월간 또는 3개월간이라도 된다.The time for arranging the substrate is not particularly limited either. From the viewpoint of more reliably adhering impurities to the substrate, the batch time is preferably 5 minutes or more, more preferably 10 minutes or more, still more preferably 20 minutes or more, and particularly preferably 30 minutes or more. From the viewpoint of completing the batching process in a short period of time, the batching time is preferably 15 hours or less, and more preferably 10 hours or less. From the viewpoint of performing management during operation of the manufacturing equipment, it is particularly preferable that the batch time is 8 hours or less. However, the batch time may be changed depending on the purpose, and may be less than 5 minutes when evaluating the amount and presence of impurities in a short time, or 15 hours or more when evaluating the amount and presence of impurities in a long period of time. Days, weeks or even months is no problem. For example, the deployment time is 1 day, 2 days, 3 days, 4 days, 5 days, 6 days, 7 days (1 week), 8 days, 9 days, 10 days, 2 weeks, 3 weeks, 4 weeks, It could be 1 month, 2 months or 3 months.

상기 배치 공정은 유기 전자 소자의 제조 전, 제조 중 및 제조 후의 적어도 어느 하나의 단계에서 행해지는 것이 바람직하다. 이에 따라, 유기 전자 소자의 제조 전, 제조 중 및 제조 후의 각 단계에서 부착될 수 있는 불순물을, 후술하는 검출 공정에서 검출할 수 있다. 따라서, 유기 전자 소자 제조 공정의 어느 단계에서 특히 불순물이 많아질 수 있는지를 특정할 수 있다. 따라서, 제조 장치 내의 세정을 실시해야 할 타이밍 등을 결정하기 위한 판단 재료를 얻을 수 있다. 또한, 제조 장치 내의 세정을 실시하지 않아도 되는 타이밍 등도 결정할 수 있기 때문에, 유기 전자 소자 제조의 효율화 및 코스트 삭감으로 연결될 수 있다.The arrangement process is preferably performed in at least one stage before, during, and after the manufacture of the organic electronic device. Accordingly, impurities that may adhere at each step before, during, and after the manufacture of the organic electronic element can be detected in a detection step described later. Therefore, it is possible to specify at which stage of the organic electronic device manufacturing process the impurities may be particularly high. Therefore, it is possible to obtain a judgment material for determining the timing and the like at which cleaning within the manufacturing apparatus should be performed. In addition, since the timing at which cleaning in the manufacturing apparatus is not required can be determined, it can lead to increased efficiency and cost reduction in organic electronic device manufacturing.

도 1은 상기 관리 방법에서의 배치 공정을 모식적으로 나타낸 도면이다. 도 1의 (a)는 배치 공정이 유기 전자 소자의 제조 전 또는 제조 후에 행해지는 경우를 나타내고, 도 1의 (b)는 배치 공정이 유기 전자 소자의 제조 중에 행해지는 경우를 나타내고 있다.1 is a diagram schematically showing a disposition process in the above management method. Fig. 1 (a) shows the case where the arrangement process is performed before or after manufacture of the organic electronic element, and Fig. 1 (b) shows the case where the arrangement process is performed during manufacture of the organic electronic element.

배치 공정이 유기 전자 소자의 제조 전 또는 제조 후에 행해지는 경우는, 예를 들면 도 1의 (a)에 나타낸 바와 같이, 유기 전자 소자의 재료(기판 및 성막 재료) 또는 완성된 유기 전자 소자 등이 배치되어 있지 않은 상태에서, 기재(2)를 제조 장치(1) 내(예를 들면, 제조 장치의 챔버 내)에 배치한다. 여기에서, 화살표(11)는 불순물이 기재(2)에 부착되는 모습을 모식적으로 나타내고 있다. 성막 재료 저장부(3)의 상부에는 셔터(12)가 마련되어 있어도 된다.When the arrangement process is performed before or after production of the organic electronic element, for example, as shown in FIG. In a non-arranged state, the substrate 2 is placed in the manufacturing apparatus 1 (eg, in a chamber of the manufacturing apparatus). Here, an arrow 11 schematically shows how impurities adhere to the substrate 2 . A shutter 12 may be provided above the film formation material storage unit 3 .

한편, 배치 공정이 유기 전자 소자의 제조 중에 행해지는 경우는, 도 1의 (b)에 나타낸 바와 같이, 기판(5) 및 성막 재료(4)를 배치함과 함께, 기재(2)를 배치해, 전술한 증착 프로세스 또는 도포 프로세스 등을 개시하면 된다.On the other hand, when the arrangement process is performed during manufacture of the organic electronic element, as shown in FIG. , the above-described deposition process or application process may be started.

여기에서, 전술한 바와 같이 유기 전자 소자가 다층막을 갖고 있는 경우는, 다층막 중의 어느 적어도 1개의 층(예를 들면, 제1층, 제2층 또는 다른 층)의 형성 중에 부착될 수 있는 불순물을 검출할 수도 있다.Here, as described above, when the organic electronic element has a multilayer film, impurities that may adhere during formation of at least one layer (for example, the first layer, the second layer, or another layer) of the multilayer film are removed. can also be detected.

상기 관리 방법에 의하면, 같은 제조실 내에서 다층막의 제조 또는 다른 재료를 이용한 제조를 실시하는 경우, 어느 단계에서 오염이 생길 수 있는지를 특정할 수 있다. 또한, 다층막 중의 어느 층의 형성 중에 특히 불순물이 많아질 수 있는지를 특정할 수 있다. 어느 단계에서 오염이 생길 수 있는지를 특정할 수 없으면, 제조 장치의 개선을 위한 작업 코스트가 큰 폭으로 증가할 수 있다. 상기 관리 방법에 의하면, 제조 공정의 단계별로 분리해 오염을 평가할 수 있기 때문에, 유기 전자 소자의 성능이 악화된 경우의 문제 특정이 용이해진다. 그러므로, 고성능 유기 전자 소자를 제조하는 수율의 향상으로 연결된다.According to the above management method, when manufacturing a multilayer film or manufacturing using different materials is carried out in the same manufacturing room, it is possible to specify at what stage contamination may occur. In addition, it is possible to specify which layer in the multilayer film may have a particularly large amount of impurities during formation. If it is impossible to specify at which stage contamination may occur, the cost of work for improving the manufacturing apparatus may increase significantly. According to the above management method, contamination can be evaluated separately for each stage of the manufacturing process, and therefore problem identification in the case where the performance of the organic electronic element deteriorates is facilitated. Therefore, it leads to an improvement in the yield of manufacturing high-performance organic electronic devices.

또한, 배치 공정은 제조 장치를 신규로 도입한 경우의 유기 전자 소자의 제조 전에 행해져도 된다. 상기 관리 방법에 의하면, 제조 장치를 신규 도입하는 경우, 제조 장치의 재료에 유래하는 불순물에 의한 오염을 평가함으로써 제조 장치의 설치시의 상태를 관리할 수 있다. 제조 장치의 신규 도입시에 발생할 수 있는 제조 장치의 재료에 유래하는 불순물에 의한 초기 오염이 충분히 제거되지 않은 경우에는, 시(試)제조 후에 추가 세정의 필요 여부를 판단하게 되어 제조 코스트가 든다. 또한, 초기 오염을 인지하지 못한 경우, 고성능 유기 전자 소자를 제조할 수 없어 수율이 악화될 우려가 있다. 따라서, 제조 장치의 재료에 유래하는 초기의 오염을 평가하는 것은, 제조 장치 도입 후의 수율 향상, 그리고 세정 및 조정 등의 재세팅 작업의 발생 방지로 연결된다. 이는 제조 코스트의 관점에서 큰 메리트이다.In addition, the arrangement process may be performed before manufacturing of the organic electronic element in the case of newly introducing a manufacturing apparatus. According to the above management method, when a manufacturing equipment is newly introduced, the state at the time of installation of the manufacturing equipment can be managed by evaluating contamination by impurities derived from the material of the manufacturing equipment. If the initial contamination caused by impurities derived from the material of the manufacturing equipment, which may occur when new manufacturing equipment is introduced, is not sufficiently removed, it is necessary to determine whether additional cleaning is necessary after trial production, resulting in increased manufacturing costs. In addition, if the initial contamination is not recognized, a high-performance organic electronic device cannot be manufactured, and yield may deteriorate. Therefore, evaluating the initial contamination resulting from the material of the manufacturing equipment leads to an improvement in yield after introduction of the manufacturing equipment and prevention of resetting operations such as cleaning and adjustment. This is a great advantage in terms of manufacturing cost.

또한, 배치 공정이 유기 전자 소자의 제조 중에 행해지는 경우는, 제조 공정의 임의 단계에서 대기 시간을 마련해도 된다. 예를 들면, 유기 전자 소자의 제조 공정에서 다층막을 형성하는 경우, 제1층을 형성한 후, 제2층의 형성을 개시하기까지 대기 시간을 마련해도 된다. 이에 따라, 대기 시간에 불순물을 충분히 부착시킬 수 있다. 또한, 이들 대기 시간을 마련하는 것에 의한 불순물 부착에의 영향 및 완성된 유기 전자 소자의 성능에의 영향을 평가할 수 있다. 이 평가 결과에 기초해, 제조 공정 중 어느 단계의 작업시간을 단축할 필요가 있는지 등을 검토할 수 있다.In addition, when the arrangement|positioning process is performed during manufacture of an organic electronic element, you may provide waiting time at an arbitrary stage of a manufacturing process. For example, when forming a multilayer film in the manufacturing process of an organic electronic element, after forming a 1st layer, you may provide waiting time until formation of a 2nd layer is started. Accordingly, impurities can be sufficiently adhered during the waiting time. In addition, the effect of provision of these waiting times on the adhesion of impurities and the effect on the performance of the finished organic electronic element can be evaluated. Based on this evaluation result, it is possible to examine which stage of the manufacturing process needs to be shortened.

[4. 검출 공정][4. detection process]

상기 관리 방법은, 상기 기재에 부착된, 상기 유기 전자 소자의 재료 및 상기 제조 장치의 재료 중 적어도 한쪽에 유래하는 불순물을 검출하는 검출 공정을 포함한다. 이에 따라, 종래 알려져 있는 진공 펌프의 윤활제 유래의 불순물, 대기중의 유기물, 그리고 수분 및 산소가 아니라, 유기 전자 소자의 재료 및 상기 제조 장치의 재료에 유래하는 불순물을 검출할 수 있어, 그 결과를 제조 장치의 관리에 반영할 수 있다.The management method includes a detection step of detecting an impurity attached to the substrate and derived from at least one of a material of the organic electronic element and a material of the manufacturing apparatus. In this way, it is possible to detect impurities derived from the materials of the organic electronic elements and the materials of the manufacturing apparatus, not from the conventionally known impurities derived from lubricants for vacuum pumps, organic substances in the air, and moisture and oxygen. It can be reflected in the management of manufacturing equipment.

＜4-1. 불순물＞<4-1. impurities>

상기 검출 공정에서, 검출 대상이 되는 불순물은 상기 유기 전자 소자의 재료 및 상기 제조 장치의 재료 중 적어도 한쪽에 유래하는 불순물이다. 본 명세서에서 '상기 유기 전자 소자의 재료 및 상기 제조 장치의 재료 중 적어도 한쪽에 유래하는 불순물'이란, 진공 펌프의 윤활제 유래의 불순물, 대기중의 유기물, 그리고 수분 및 산소를 제외한 불순물을 의미한다.In the detection step, the impurity to be detected is an impurity derived from at least one of the material of the organic electronic element and the material of the manufacturing apparatus. In this specification, 'impurities derived from at least one of the material of the organic electronic element and the material of the manufacturing apparatus' means impurities derived from lubricants for vacuum pumps, organic matter in the air, and impurities other than moisture and oxygen.

상기 유기 전자 소자의 재료에 유래하는 불순물로는, 상기 유기 전자 소자의 재료로 이용되는 유기물 재료 및 무기물 재료, 그리고 이들 재료의 파생물 등을 들 수 있다. 또한, 상기 유기 전자 소자의 재료에 유래하는 불순물로는, 상기 유기물 재료 및 상기 무기물 재료에 혼입되어 있는 불순물도 들 수 있다.Examples of impurities derived from the material of the organic electronic element include organic materials and inorganic materials used in the material of the organic electronic element, and derivatives of these materials. In addition, impurities derived from the material of the organic electronic element include impurities mixed in the organic material and the inorganic material.

상기 유기물 재료로는, 방향족 탄화수소, 다환 방향족 탄화수소, 헤테로 방향족 탄화수소 혹은 헤테로 다환 방향족 탄화수소로부터 유도되는 화합물, 고리들이 공유결합을 개재해 연결된 화합물, 풀러렌을 골격에 포함하는 화합물, 포르피린 및 프탈로시아닌을 골격에 포함하는 화합물, 이들 구조를 포함하는 금속 착화합물, 그리고 이들의 구조를 포함하는 올리고머 및 폴리머 등을 들 수 있다.As the organic material, compounds derived from aromatic hydrocarbons, polycyclic aromatic hydrocarbons, heteroaromatic hydrocarbons or heteropolycyclic aromatic hydrocarbons, compounds in which rings are linked via covalent bonds, compounds containing fullerenes in their skeletons, porphyrins and phthalocyanines in their skeletons compounds containing these compounds, metal complex compounds containing these structures, oligomers and polymers containing these structures, and the like.

상기 무기물 재료로는, 알루미늄 및 마그네슘 등의 금속, 그리고 이들을 포함하는 금속 합금을 들 수 있다. 무기물 재료로는, 산화 리튬, 불화 리튬, 불화 나트륨 및 불화 칼륨 등도 들 수 있다.Examples of the inorganic material include metals such as aluminum and magnesium, and metal alloys containing these. Lithium oxide, lithium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, etc. are mentioned as an inorganic material.

상기 재료의 파생물로는, 상기 유기물 재료 및 상기 무기물 재료의 분해물 및 중합물 등을 들 수 있다. 상기 분해물로는, 열분해물 및 가수분해물 등을 들 수 있다. 또한, 상기 재료의 파생물에는, 상기 분해물 및 상기 중합물이 생기는 반응에서의 반응 생성물(즉, 부생성물 등)도 포함된다. 예를 들면, 상기 재료의 파생물로는, 상기 유기물 재료 및 상기 무기물 재료에 유래해 발생하는 유기 화합물 및 금속 성분을 들 수 있다.Decomposition products and polymers of the organic materials and inorganic materials may be used as derivatives of the materials. As said decomposition product, a thermal decomposition product, a hydrolyzate, etc. are mentioned. Further, the derivatives of the materials include reaction products (ie, by-products, etc.) in a reaction in which the decomposition product and the polymerization product are produced. For example, derivatives of the above materials include organic compounds and metal components derived from the above organic materials and the above inorganic materials.

상기 유기물 재료 및 상기 무기물 재료에 혼입되어 있는 불순물로는, 본래는 유기 전자 소자의 재료로 함유되는 것이 의도되지 않았지만 결과적으로 함유되어 있는 유기물, 금속, 비금속 및 할로겐 등을 들 수 있다.Examples of the impurities mixed in the organic material and the inorganic material include organic substances, metals, nonmetals, halogens, and the like that are not originally intended to be contained in the material of the organic electronic element, but are eventually contained.

상기 유기 전자 소자의 재료에 유래하는 불순물은, 예를 들면 [알칼리 금속 원소] Li, Na, K, Rb, Cs; [알칼리 토류 금속 원소] Be, Mg, Ca, Sr, Ba; [란타노이드 원소] La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu; [악티노이드 원소] Th, U; [전이 금속 원소] Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au; [붕소족 원소] B, Al, Ga, In, Tl; [탄소족 원소] Si, Ge, Sn, Pb; [닉토겐 원소] P, As, Sb, Bi; [칼코겐 원소] S, Se, Te; [할로겐 원소] F, Cl, Br, I; 중 적어도 하나라도 된다.The impurities derived from the material of the organic electronic element are, for example, [alkali metal elements] Li, Na, K, Rb, Cs; [Alkaline earth metal elements] Be, Mg, Ca, Sr, Ba; [Lanthanoid elements] La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu; [Actinoid elements] Th, U; [Transition metal elements] Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, Re , Os, Ir, Pt, Au; [Boron group elements] B, Al, Ga, In, Tl; [Carbon group elements] Si, Ge, Sn, Pb; [Nictogen elements] P, As, Sb, Bi; [Chalcogen elements] S, Se, Te; [Halogen element] F, Cl, Br, I; be at least one of them.

상기 제조 장치의 재료로는, 합성 수지, 합성 수지 첨가제, 합성 수지 및 합성 수지 첨가제의 파생물, 금속 재료, 세라믹 재료, 및 유리 재료 등을 들 수 있다.Examples of the material of the manufacturing apparatus include synthetic resins, synthetic resin additives, synthetic resins and derivatives of synthetic resin additives, metal materials, ceramic materials, and glass materials.

상기 합성 수지로는, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리아세탈, 불소 수지(폴리테트라플루오로에틸렌 등), 폴리우레탄, 폴리페닐렌 술파이드, 폴리메타크릴산 메틸 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화 비닐리덴, ABS 수지, 폴리아미드 및 폴리에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the synthetic resin include polypropylene, polyethylene, polyacetal, fluorine resin (polytetrafluoroethylene, etc.), polyurethane, polyphenylene sulfide, polymethyl methacrylate resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, ABS resin, polyamide, polyester, etc. are mentioned.

상기 합성 수지 첨가제로는, 상기 합성 수지에 첨가된 가소제, 산화 방지제, 광안정제, 대전 방지제 및 난연제 등을 들 수 있다.Examples of the synthetic resin additives include plasticizers, antioxidants, light stabilizers, antistatic agents and flame retardants added to the synthetic resins.

상기 가소제로는, 프탈산 에스테르계 가소제, 아디프산 에스테르계 가소제, 인산 에스테르계 가소제, 에폭시계 가소제, 트리멜리트산 에스테르계 가소제, 구연산 에스테르계 가소제 및 폴리에스테르계 가소제 등을 들 수 있다. 상기 산화 방지제로는, 페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제 및 유황계 산화 방지제 등을 들 수 있다. 상기 광안정제로는, 벤조트리아졸계 광안정제, 벤조페논계 광안정제, 살리실레이트계 광안정제, 시아노아크릴레이트계 광안정제, 니켈계 광안정제, 트리아진계 광안정제, 힌더드아민계 광안정제, 페놀계 광안정제, 인산계 광안정제 및 유황계 광안정제 등을 들 수 있다. 상기 대전 방지제로는, 디노닐나프틸 술폰산, 메타크릴산 글리디딜, 폴리에테르 에스테르 아미드계 대전 방지제, 에틸렌옥사이드-에피클로로히드린계 대전 방지제, 폴리에테르 에스테르계 대전 방지제, 폴리스티렌 술폰산계 대전 방지제 및 4급 암모늄 염기 함유 아크릴레이트 중합체계 대전 방지제 등을 들 수 있다. 상기 난연제로는 브롬계 난연제, 인계 난연제 및 무기계 난연제 등을 들 수 있다. 상기 브롬계 난연제로는 테트라브로모 비스페놀A 및 데카브로모 디페닐 에테르 등을 들 수 있다. 상기 인계 난연제로는 방향족 인산 에스테르, 방향족 축합 인산 에스테르 및 할로겐화 인산 에스테르 등을 들 수 있다. 무기계 난연제로는 삼산화 안티몬 및 수산화 마그네슘 등을 들 수 있다.Examples of the plasticizer include phthalic acid ester plasticizers, adipic acid ester plasticizers, phosphoric acid ester plasticizers, epoxy plasticizers, trimellitic acid ester plasticizers, citric acid ester plasticizers and polyester plasticizers. Examples of the antioxidants include phenolic antioxidants, phosphorus antioxidants and sulfur antioxidants. Examples of the light stabilizer include benzotriazole light stabilizers, benzophenone light stabilizers, salicylate light stabilizers, cyanoacrylate light stabilizers, nickel light stabilizers, triazine light stabilizers, hindered amine light stabilizers, A phenol type light stabilizer, a phosphoric acid type light stabilizer, and a sulfur type light stabilizer etc. are mentioned. Examples of the antistatic agent include dinonylnaphthyl sulfonic acid, glycidyl methacrylate, polyether ester amide antistatic agent, ethylene oxide-epichlorohydrin antistatic agent, polyether ester antistatic agent, polystyrene sulfonic acid antistatic agent, and quaternary ammonium base-containing acrylate polymer-based antistatic agents; and the like. Examples of the flame retardant include bromine-based flame retardants, phosphorus-based flame retardants, and inorganic flame retardants. Examples of the brominated flame retardant include tetrabromo bisphenol A and decabromo diphenyl ether. Examples of the phosphorus-based flame retardant include aromatic phosphoric acid esters, aromatic condensed phosphoric acid esters, and halogenated phosphoric acid esters. Examples of the inorganic flame retardant include antimony trioxide and magnesium hydroxide.

상기 합성 수지 및 상기 합성 수지 첨가제의 파생물로는 상기 합성 수지 및 상기 합성 수지 첨가제의 분해물 및 중합물 등을 들 수 있다. 상기 분해물로는 열분해물 및 가수분해물 등을 들 수 있다. 또한, 상기 파생물에는 상기 분해물 및 상기 중합물이 생기는 반응에서의 반응 생성물(즉, 부생성물 등)도 포함된다. 예를 들면, 상기 파생물로는 상기 합성 수지 및 합성 수지 첨가제에 유래해 발생하는 유기 화합물, 그리고 무기염 및 무기 산화물 등의 무기물을 들 수 있다.As derivatives of the synthetic resin and the synthetic resin additive, decomposition products and polymers of the synthetic resin and the synthetic resin additive may be mentioned. Examples of the decomposition product include thermal decomposition products and hydrolyzates. In addition, the derivative includes reaction products (ie, by-products, etc.) in the reaction in which the decomposition product and the polymerization product are produced. Examples of the derivatives include organic compounds derived from the synthetic resins and synthetic resin additives, and inorganic substances such as inorganic salts and inorganic oxides.

상기 금속 재료란, 상기 제조 장치의 금속 소재에 사용되는 성분을 의미한다. 상기 금속 재료로는 스테인리스강, 알루미늄, 동, 니켈 및 이들의 금속 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속 재료에는 도금강 등도 포함된다.The metal material means a component used for the metal material of the manufacturing apparatus. Examples of the metal material include stainless steel, aluminum, copper, nickel, and metal alloys thereof. Also, the metal material includes plated steel and the like.

상기 세라믹 재료로는 알루미나, 지르코니아, 질화 붕소, 탄화 규소 및 질화 규소 등을 들 수 있다.Examples of the ceramic material include alumina, zirconia, boron nitride, silicon carbide and silicon nitride.

상기 유리 재료로는, 이산화 규소, 산화 붕소, 오산화이인, 산화 티탄, 탄화 비스무트, 산화납, 불화 알루미늄, 염화 아연, 산화 리튬, 산화 나트륨, 산화 칼륨, 산화 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 스트론튬, 염화 리튬, 산화 지르코늄 등을 들 수 있다.Examples of the glass material include silicon dioxide, boron oxide, phosphorus pentoxide, titanium oxide, bismuth carbide, lead oxide, aluminum fluoride, zinc chloride, lithium oxide, sodium oxide, potassium oxide, magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, and lithium chloride. , zirconium oxide, etc. are mentioned.

도 3은, 상기 검출 공정에서 검출 대상이 되는 불순물의 구체예를 나타낸 도면이다.3 is a diagram showing a specific example of an impurity to be detected in the detection step.

도 3의 (a)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₃₆H₄₄, CAS 번호 677275-33-1로 표시되고, TBPe(2,5,8,11-테트라-tert-부틸 페릴렌)이라고도 불린다.The compound shown in (a) of FIG. 3 is represented by the chemical formula C ₃₆ H ₄₄ , CAS number 677275-33-1, and is also called TBPe (2,5,8,11-tetra-tert-butyl perylene).

도 3의 (b)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₃₀H₂₀N₂, CAS 번호 550378-78-4로 표시되고, 9,9'-(1,3-페닐렌)비스-9H-카르바졸이라고도 불린다.The compound shown in (b) of FIG. 3 is represented by the chemical formula C ₃₀ H ₂₀ N ₂ , CAS number 550378-78-4, and is also known as 9,9′-(1,3-phenylene)bis-9H-carbazole. is called

도 3의 (c)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₄₆H₄₆N₂, CAS 번호 1174006-36-0으로 표시되고, 디-[4-(N,N-디-p-트릴-아미노)-페닐]시클로헥산이라고도 불린다.The compound shown in (c) of FIG. 3 is represented by the formula C ₄₆ H ₄₆ N ₂ , CAS number 1174006-36-0, and di-[4-(N,N-di-p-triyl-amino)-phenyl ] Also called cyclohexane.

도 3의 (d)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₁₃H₁₀N₂, CAS 번호 716-79-0으로 표시된다.The compound shown in (d) of FIG. 3 is represented by the chemical formula C ₁₃ H ₁₀ N ₂ and CAS number 716-79-0.

도 3의 (e)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₁₄H₁₂N₂로 표시된다.The compound shown in (e) of FIG. 3 is represented by the chemical formula C ₁₄ H ₁₂ N ₂ .

도 3의 (f)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₁₉H₁₄N₂, CAS 번호 2622-67-5로 표시된다.The compound shown in (f) of FIG. 3 is represented by the chemical formula C ₁₉ H ₁₄ N ₂ and CAS number 2622-67-5.

도 3의 (g)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₄₄H₃₂N₂, CAS 번호 123847-85-8로 표시되고, NPD(N,N'-비스-(1-나프틸)-N,N'-비스-페닐-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민)이라고도 불린다.The compound shown in (g) of FIG. 3 is represented by the chemical formula C ₄₄ H ₃₂ N ₂ , CAS number 123847-85-8, NPD(N,N'-bis-(1-naphthyl)-N,N'-Bis-phenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine) is also called.

도 3의 (h)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₅₄H₃₅N₃, CAS 번호 1141757-83-6으로 표시되고, Tris PCz(9,9'-디페닐-6-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)-9H,9'H-3,3'-비카르바졸)이라고도 불린다.The compound shown in (h) of FIG. 3 is represented by the chemical formula C ₅₄ H ₃₅ N ₃ , CAS number 1141757-83-6, Tris PCz(9,9'-diphenyl-6-(9-phenyl-9H- Also called carbazol-3-yl)-9H,9'H-3,3'-bicarbazole).

도 3의 (i)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₄₅H₃₀N₆으로 표시된다.The compound shown in (i) of FIG. 3 is represented by the chemical formula C ₄₅ H ₃₀ N ₆ .

도 3의 (j)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₃₉H₂₇N₃, CAS 번호 1201800-83-0으로 표시되고, T2T(2,4,6-트리스(비페닐-3-일)-1,3,5-트리아진)이라고도 불린다.The compound shown in (j) of FIG. 3 is represented by the chemical formula C ₃₉ H ₂₇ N ₃ , CAS number 1201800-83-0, T2T(2,4,6-tris(biphenyl-3-yl)-1, 3,5-triazine).

도 3의 (k)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₅₆H₃₂N₆, CAS 번호 1416881-52-1로 표시되고, 4CzIPN(2,4,5,6-테트라키스(카르바졸-9-일)-1,3-디시아노벤젠)이라도고 불린다.The compound shown in (k) of FIG. 3 is represented by the chemical formula C ₅₆ H ₃₂ N ₆ , CAS number 1416881-52-1, and is 4CzIPN (2,4,5,6-tetrakis (carbazol-9-yl) -1,3-dicyanobenzene) is also called.

도 3의 (l)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₅₄H₃₆N₄, CAS 번호 139092-78-7로 표시되고, TCTA(4,4',4"-트리-9-카르바졸트리페닐아민)이라고도 불린다.The compound shown in (l) of Figure 3 is represented by the formula C ₅₄ H ₃₆ N ₄ , CAS number 139092-78-7, TCTA (4,4',4"-tri-9-carbazoletriphenylamine) Also called

도 3의 (m)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₂₂H₄₂O₄, CAS 번호 103-23-1로 표시되고, 디옥틸 아디페이트라고도 불린다.The compound shown in (m) of FIG. 3 is represented by the chemical formula C ₂₂ H ₄₂ O ₄ , CAS number 103-23-1, and is also called dioctyl adipate.

도 3의 (n)에 나타낸 화합물은, 화학식 C₂₄H₃₈O₄, CAS 번호 117-81-7로 표시되고, 디옥틸 프탈레이트라고도 불린다.The compound shown in (n) of FIG. 3 is represented by the chemical formula C ₂₄ H ₃₈ O ₄ , CAS number 117-81-7, and is also called dioctyl phthalate.

또한, 상기 불순물에는, 2-페닐-1H-벤조이미다졸, 페닐-(p-트릴)-벤조이미다졸, 테레프탈산 비스(2-에틸헥실), 2-에틸-1-헥사놀, 아디프산디-2-에틸헥실(DOA), 프탈산디-2-에틸헥실(DOP), 무수프탈산(DOP 분해물) 및 환상 실록산 D10∼12 등도 포함된다.In addition, the impurities include 2-phenyl-1H-benzoimidazole, phenyl-(p-tril)-benzoimidazole, bis(2-ethylhexyl) terephthalate, 2-ethyl-1-hexanol, di-adipate 2-ethylhexyl (DOA), di-2-ethylhexyl phthalate (DOP), phthalic anhydride (DOP decomposition product), and cyclic siloxanes D10 to 12 are also included.

검출 대상이 되는 불순물이 부착되는 부분은 기재 상의 어느 부분이라도 무방하다. 불순물이 부착되는 부분은, 예를 들면 기재의 표면이라도 된다. 기재가 유기막인 경우는, 불순물이 부착되는 부분은 유기막의 표면이라도 되고, 유기막의 내부라도 되고, 유기막 전체라도 된다. 후술하는 전처리 방법 및 측정 방법에 따라서는, 유기막의 두께 방향에서 단계적으로 분석할 수도 있다. 기재가 평면상이고 표면과 이면이 존재하는 경우, 불순물이 부착되는 부분은 어느 면이라도 되고, 양쪽 모두라도 된다.Any portion on the substrate may be used as the portion to which impurities to be detected are adhered. The portion to which impurities adhere may be, for example, the surface of the substrate. When the substrate is an organic film, the portion to which impurities adhere may be the surface of the organic film, the inside of the organic film, or the entire organic film. Depending on the pretreatment method and measurement method described later, the organic film may be analyzed stepwise in the thickness direction. When the substrate is planar and has a front surface and a rear surface, the portion to which impurities adhere may be either surface or both.

＜4-2. 전처리 방법＞<4-2. Pre-processing method>

불순물을 측정하는 경우, 불순물을 회수하기 위해 기재에 대해 전처리를 실시해도 된다. 불순물을 직접 측정할 수 있는 측정 방법을 이용하는 경우는, 전처리를 실시하지 않아도 무방하다.In the case of measuring impurities, the base material may be subjected to pretreatment in order to recover the impurities. In the case of using a measurement method capable of directly measuring impurities, there is no need to perform pretreatment.

예를 들면, 불순물을 회수하는 방법으로, 용매 접촉에 의한 회수, 증기 접촉에 의한 회수, 가열 이탈에 의한 회수, 진공 이탈에 의한 회수, 레이저 이탈에 의한 회수 및 물리적인 박리에 의한 회수 등을 들 수 있다. 용매 접촉 또는 증기 접촉을 실시하는 경우, 불순물 및 유기막이 용매에 용해되어도 되고, 용해되지 않아도 된다. 불순물 및 유기막이 용매에 용해되는 경우는 용매별로 불순물을 회수할 수 있다. 불순물 및 유기막이 용매에 용해되지 않는 경우는, 불순물 및 유기막을 씻어내는 등으로 회수할 수 있다. 한편, 증기 접촉의 경우, 기재를 액체의 용매에 침지 및 용해시키는 방법에 비해 소량의 용매로 불순물을 회수할 수 있으므로, 용매 유래의 오염을 저감시킬 수 있다.For example, methods for recovering impurities include solvent contact recovery, vapor contact recovery, heating separation recovery, vacuum separation recovery, laser separation recovery, and physical separation recovery. can In the case of solvent contact or vapor contact, the impurities and the organic film may or may not be dissolved in the solvent. When the impurities and the organic film are dissolved in the solvent, the impurities can be recovered for each solvent. When the impurities and the organic film are not dissolved in the solvent, they can be recovered by washing away the impurities and the organic film. On the other hand, in the case of vapor contact, since impurities can be recovered with a small amount of solvent compared to the method of immersing and dissolving the substrate in a liquid solvent, solvent-derived contamination can be reduced.

용매 접촉을 실시하는 경우, 용매는 물, 산, 알칼리 또는 유기용매라도 되고, 이들의 혼합물이어도 된다. 또한, 용매는 유기막이 용해되는 용매라도 되고, 유기막이 박리되지만 용해되지 않는 용매라도 된다. 또한, 유기막에 포함되는 성분의 성질을 변화시키지 않고 회수하는 관점에서는, 상기 용매가 유기막을 분해하지 않는 용매인 것이 바람직하다. 또한, 기재에 포함되는 불순물의 용출을 방지하는 관점에서는, 상기 용매로서 기재를 용해 또는 분해하지 않는 용매가 선택되는 것이 바람직하다.In the case of solvent contact, the solvent may be water, an acid, an alkali or an organic solvent, or a mixture thereof. In addition, the solvent may be a solvent in which the organic film is dissolved, or a solvent in which the organic film is peeled but not dissolved. In addition, from the viewpoint of recovering without changing the properties of the components contained in the organic film, it is preferable that the solvent is a solvent that does not decompose the organic film. Further, from the viewpoint of preventing elution of impurities contained in the substrate, it is preferable to select a solvent that does not dissolve or decompose the substrate as the solvent.

유기용매로는, 예를 들면 아세토니트릴, 클로로포름, 디클로로메탄, 테트라히드로푸란, 헥산, 톨루엔 및 메탄올을 들 수 있다. 또한, 분석 대상이 되는 성분을 수용성 이온으로서 평가할 수 있다는 관점에서는, 용매가 물인 것이 바람직하다.Examples of the organic solvent include acetonitrile, chloroform, dichloromethane, tetrahydrofuran, hexane, toluene and methanol. In addition, it is preferable that the solvent is water from the viewpoint that the component to be analyzed can be evaluated as a water-soluble ion.

산으로는, 예를 들면 불화수소산, 질산, 염산, 황산, 인산, 과산화수소수 및 과염소산을 들 수 있다. 산은 수용액이어도 되고, 2 종류 이상의 산의 혼합액이어도 된다. 용액 중의 산의 농도는 높은 편이 바람직하고, 예를 들면 20% 이상이 바람직하고, 50% 이상이 보다 바람직하고, 60% 이상이 특히 바람직하다.As an acid, hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrogen peroxide solution, and perchloric acid are mentioned, for example. An aqueous solution may be sufficient as an acid, and a liquid mixture of 2 or more types of acids may be sufficient as it. The concentration of the acid in the solution is preferably higher, for example, 20% or more is preferable, 50% or more is more preferable, and 60% or more is particularly preferable.

알칼리로는, 예를 들면 암모니아, 수산화나트륨, 수산화칼슘 및 수산화테트라메틸암모늄을 들 수 있다. 알칼리는 수용액이라도 되고, 2 종류 이상의 알칼리의 혼합액이어도 된다. 용액 중의 알칼리의 농도는 높은 편이 바람직하고, 예를 들면 20% 이상이 바람직하고, 50% 이상이 보다 바람직하고, 60% 이상이 특히 바람직하다.As an alkali, ammonia, sodium hydroxide, calcium hydroxide, and tetramethylammonium hydroxide are mentioned, for example. The alkali may be an aqueous solution or a liquid mixture of two or more types of alkalis. The concentration of the alkali in the solution is preferably higher, for example, 20% or more is preferable, 50% or more is more preferable, and 60% or more is particularly preferable.

증기 접촉을 실시하는 경우는, 전술한 용매가 기화한 증기를 기재에 접촉시키면 된다. 용매를 기화시키는 방법으로 구체적으로는, 가열하는 방법, 감압하는 방법 및 초음파 진동시키는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 이들 방법을 적절하게 조합할 수도 있다.What is necessary is just to contact the base material with the vapor|steam which the solvent mentioned above vaporized in the case of vapor contact. As a method of vaporizing the solvent, specifically, a method of heating, a method of reducing pressure, a method of ultrasonic vibration, and the like are exemplified. In addition, these methods may be appropriately combined.

가열하는 방법에서는, 용매를 비등시켜도 되고, 유기막을 박리 또는 용해시키기 위해 충분한 증기가 발생한다면, 비등시키지 않아도 된다. 따라서, 용매의 비점까지 가열해도 되고, 비점 미만의 온도까지 가열해도 된다. 바람직하게, 증기는 포화 증기이다. 가열 온도는 용매의 종류 등에 따라 적절하게 결정될 수 있지만, 충분히 증기를 발생시킨다는 관점에서는 용매의 비점에 가까운 온도인 것이 바람직하고, 용매의 비점인 것이 보다 바람직하다. 예를 들면, 용매가 물인 경우, 1 기압하에서의 가열 온도는 80℃∼100℃인 것이 바람직하고, 90℃∼100℃인 것이 보다 바람직하고, 100℃인 것이 특히 바람직하다. 증기 접촉의 경우, 유기막을 고온으로 산화 분해하는 방법에 비해, 저온에서 처리하는 것이 가능하다. 또한, 가열 시간은, 예를 들면 용매가 물인 경우는 5분∼120분인 것이 바람직하고, 10분∼30분인 것이 보다 바람직하다. 예를 들면, 용매가 아세토니트릴, 클로로포름, 디클로로메탄, 테트라히드로푸란, 헥산 또는 메탄올 등의 저비점 용매인 경우는, 3분∼60분인 것이 바람직하고, 5분∼20분인 것이 보다 바람직하다. 예를 들면, 용매가 톨루엔, 질산, 불화수소산, 질산, 염산, 과산화수소수, 과염소산, 수산화나트륨 수용액, 수산화칼륨 수용액 또는 수산화테트라메틸암모늄 수용액 등 중비점 용매인 경우는, 5분∼120분인 것이 바람직하고, 10분∼30분인 것이 보다 바람직하다. 예를 들면, 용매가 황산 또는 인산 등의 고비등점 용매인 경우는, 10분∼120분인 것이 바람직하고, 20분∼60분인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 가열 시간이라면 충분히 증기를 발생시킨다는 관점에서 바람직하다.In the method of heating, the solvent may be boiled, or may not be boiled as long as sufficient steam is generated to peel or dissolve the organic film. Therefore, it may be heated to the boiling point of the solvent or heated to a temperature below the boiling point. Preferably, the steam is a saturated steam. The heating temperature can be appropriately determined depending on the type of solvent and the like, but from the viewpoint of sufficiently generating steam, the temperature is preferably close to the boiling point of the solvent, and more preferably the boiling point of the solvent. For example, when the solvent is water, the heating temperature under 1 atmospheric pressure is preferably 80°C to 100°C, more preferably 90°C to 100°C, particularly preferably 100°C. In the case of vapor contact, it is possible to treat at a low temperature compared to a method of oxidatively decomposing an organic film at a high temperature. In addition, the heating time is preferably 5 minutes to 120 minutes, and more preferably 10 minutes to 30 minutes, for example, when the solvent is water. For example, when the solvent is a low boiling point solvent such as acetonitrile, chloroform, dichloromethane, tetrahydrofuran, hexane or methanol, it is preferably 3 minutes to 60 minutes, and more preferably 5 minutes to 20 minutes. For example, when the solvent is a medium boiling point solvent such as toluene, nitric acid, hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution, perchloric acid, sodium hydroxide aqueous solution, potassium hydroxide aqueous solution, or tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, it is preferably 5 to 120 minutes. And, it is more preferable that it is 10 minutes - 30 minutes. For example, when the solvent is a high boiling point solvent such as sulfuric acid or phosphoric acid, it is preferably 10 minutes to 120 minutes, and more preferably 20 minutes to 60 minutes. Such a heating time is preferable from the viewpoint of sufficiently generating steam.

감압하는 방법에서는, 증기가 발생하는 압력까지 감압하면 된다.In the method of reducing pressure, it is only necessary to reduce the pressure to the pressure at which steam is generated.

기재가 유기막 및 기판을 포함하는 경우, 유기막은 막의 형상을 유지한 채로 기판으로부터 박리되어도 되고, 일부 또는 전부가 용해되어도 된다. 예를 들면, 증기가 유기막에 침투해 유기막과 기판의 계면에 도달해, 유기막과 기판의 결합을 약화시킴으로써 유기막이 박리되어도 된다. 또한, 유기막의 표면이 서서히 용해되어도 된다. 유기막이 복수의 층으로 구성되어 있는 경우, 한 층씩 박리되어도 된다.When the substrate includes an organic film and a substrate, the organic film may be separated from the substrate while maintaining the film shape, or may be partially or completely dissolved. For example, the organic film may be peeled off by vapor infiltrating the organic film, reaching the interface between the organic film and the substrate, and weakening the bond between the organic film and the substrate. Also, the surface of the organic film may be gradually dissolved. When the organic film is composed of a plurality of layers, it may be peeled off one by one.

용해된 유기막은, 용매와 함께 회수되어도 된다. 박리된 유기막은, 용매와 함께 회수되거나, 혹은, 용매와 분리되어, 구체적으로는 기판 상에 잔류하는 막 형상의 유기물로서 회수되어도 된다. 따라서, 용매는 유기막의 회수액으로서의 기능을 겸하고 있어도 된다.The dissolved organic film may be recovered together with the solvent. The peeled organic film may be recovered together with the solvent, or may be recovered as a film-like organic substance that is separated from the solvent and specifically remains on the substrate. Therefore, the solvent may also function as a recovering liquid for the organic film.

또한, 용매의 종류를 변경함으로써, 분석 대상이 되는 성분으로서 포함되는 휘발성 원소의 회수 또는 당해 성분의 형태별(고체, 액체 또는 기체) 회수가 가능하다. 또한, 분석 대상이 되는 성분으로서 포함되는 원소를 이온 형태로 회수할 수도 있다. 또한, 용매의 종류를 선택함으로써 조작중의 공백을 저감시킬 수 있다.In addition, by changing the type of solvent, it is possible to recover volatile elements included as components to be analyzed or to recover the components by type (solid, liquid, or gas). In addition, elements included as components to be analyzed can be recovered in the form of ions. In addition, by selecting the type of solvent, blank space during operation can be reduced.

기재에 증기를 접촉시키는 시간은, 용매의 종류 및 증기압, 그리고 기재의 크기 등에 따라 적절하게 설정하면 된다. 유기막을 충분히 박리 또는 용해시킨다는 관점에서, 예를 들면 증기를 접촉시키는 시간은 30분∼60분인 것이 바람직하고, 60분∼180분인 것이 보다 바람직하고, 180분∼480분인 것이 특히 바람직하다.The time during which the vapor is brought into contact with the substrate may be appropriately set according to the type and vapor pressure of the solvent, the size of the substrate, and the like. From the standpoint of sufficiently peeling or dissolving the organic film, the time for contacting steam is preferably 30 minutes to 60 minutes, more preferably 60 minutes to 180 minutes, and particularly preferably 180 minutes to 480 minutes.

전처리에서는, 기재와 증기를 접촉시킴과 함께 기재를 가열 또는 냉각해도 된다.In the pretreatment, the substrate may be heated or cooled while bringing the substrate and steam into contact.

또한, 증기를 발생시킬 때의 온도 및/또는 시간 등의 조건을 변경함으로써, 예를 들면 유기막의 박리 강도를 변화시킬 수 있다. 이 때문에, 전술한 전처리 방법은 유기막에 포함되는 성분의, 깊이 방향(유기막의 두께 방향)에서의 평가에 적용할 수 있다. 따라서, 박리 강도를 조절함으로써 유기막의 두께 방향의 일부 영역만을 회수해도 된다. 이에 따라, 유기막의 두께 방향의 임의의 영역을 선택적으로 회수할 수 있다. 따라서, 유기막의 두께 방향에서 단계적으로 분석할 수 있다. 따라서, 예를 들면 유기막의 표면에 존재하는 성분의 함유량, 및, 기판과 유기막의 계면에 가까운 영역에 존재하는 성분의 함유량을 구별해 분석할 수 있다.Further, by changing conditions such as temperature and/or time for generating steam, the peeling strength of the organic film can be changed, for example. For this reason, the above-mentioned pretreatment method can be applied to the evaluation of components included in the organic film in the depth direction (thickness direction of the organic film). Therefore, only a partial area in the thickness direction of the organic film may be recovered by adjusting the peeling strength. Accordingly, an arbitrary region in the thickness direction of the organic film can be selectively recovered. Therefore, it is possible to analyze step by step in the thickness direction of the organic film. Therefore, for example, the content of components present on the surface of the organic film and the content of components present in a region close to the interface between the substrate and the organic film can be distinguished and analyzed.

한편, 본 명세서에서 유기막의 표면에 존재하는 성분이란, 유기막의 내부에서 유기막의 표면에 가까운 영역에 존재하는 성분 및 유기막의 표면에 부착되어 있는 성분을 의미한다. 유기막의 내부에서 유기막의 표면에 가까운 영역이란, 예를 들면 유기막의 표면으로부터 내부를 향해 두께 방향으로 10㎚ 이내의 영역이라도 되고, 두께 방향으로 1㎚ 이내의 영역이라도 되고, 두께 방향으로 0.1㎚ 이내의 영역이라도 된다.Meanwhile, in the present specification, components present on the surface of the organic layer refer to components present in a region inside the organic layer close to the surface of the organic layer and components attached to the surface of the organic layer. The region close to the surface of the organic film inside the organic film may be, for example, a region within 10 nm in the thickness direction from the surface of the organic film toward the inside, a region within 1 nm in the thickness direction, or within 0.1 nm in the thickness direction. may be the area of

기재에 증기를 접촉시키는 방향도 특별히 한정되지 않는다. 기재를 용기 내에 배치하고, 그 용기 내에서 증기를 발생시킴으로써 용기 내를 증기로 채워, 기재와 증기를 접촉시켜도 된다. 또한, 증기를 포함하는 가스를 기재에 분사함으로써 원하는 방향으로부터 기재에 증기를 접촉시켜도 된다.The direction in which the vapor is brought into contact with the substrate is not particularly limited either. The base material may be placed in a container, and the container may be filled with steam by generating steam in the container, and the base material and the steam may be brought into contact with each other. Alternatively, the vapor may be brought into contact with the substrate from a desired direction by spraying a gas containing vapor onto the substrate.

증기 접촉은 밀폐 용기 내에서 행해지는 것이 바람직하다. 이 경우, 분석의 대상이 되는 성분이 휘발성을 갖는 경우에도 회수의 로스를 줄일 수 있다. 밀폐 용기는, 용기 외측의 환경으로 분석 대상 성분이 휘발되는 것을 방지할 수 있는 용기라면 특별히 한정되지 않는다. 개구부를 갖는 용기를 이용해, 기재에 의해 개구부를 막음으로써 밀폐 용기로 해도 된다. 또한, 밀폐 용기 내에서 증기 접촉을 실시하는 경우, 조작 환경 유래의 오염을 막을 수도 있다.Vapor contact is preferably conducted in an airtight container. In this case, recovery loss can be reduced even when the component to be analyzed has volatility. The airtight container is not particularly limited as long as it can prevent volatilization of the component to be analyzed into the environment outside the container. It is good also as an airtight container by using the container which has an opening and blocking an opening with a base material. Further, when vapor contact is performed within an airtight container, contamination derived from the operating environment can be prevented.

용기 내에서 증기를 발생시키는 방법의 일례를 이하에 설명한다. 우선, 회수 대상이 되는 불순물 또는 유기막의 재질에 대응하는 용매를 용기에 넣는다. 용매를 넣는 용기는, 당해 용매에 대한 내성을 갖는(용매에 의해 용해되지 않는) 재질로 형성되어 있으면 된다. 구체적으로는, 불소 수지 또는 석영 등으로 형성된 용기라면, 회수된 분석용 샘플이 오염되지 않아 바람직하다. 불소 수지로는, 예를 들면 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로 알킬비닐에테르 공중합체(PFA), 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF) 및 폴리클로로 트리플루오로에틸렌(PCTFE)을 들 수 있다.An example of a method for generating steam in a container will be described below. First, an impurity to be recovered or a solvent corresponding to the material of the organic film is put into a container. The container into which the solvent is put should just be formed of a material that has resistance to the solvent (not dissolved by the solvent). Specifically, a container made of fluororesin or quartz is preferable because the recovered sample for analysis is not contaminated. Examples of the fluororesin include polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene/perfluoroalkylvinyl ether copolymer (PFA), polyvinylidene fluoride (PVDF), and polychlorotrifluoroethylene ( PCTFE).

다음으로, 용매를 넣은 용기에 기재를 배치한다. 당해 기재는 액체상의 용매(기화하기 전의 용매)와 접촉하지 않는 위치에 세팅되면 된다. 그리고, 용기를 가열함으로써, 또는, 용기 내에서 감압 혹은 초음파 진동시킴으로써 증기를 발생시켜, 기재와 증기를 접촉시키면 된다.Next, the substrate is placed in a container containing a solvent. The substrate may be set in a position where it does not come into contact with the liquid solvent (solvent before vaporization). Then, steam may be generated by heating the container or by subjecting the container to reduced pressure or ultrasonic vibration, and the substrate and the vapor may be brought into contact with each other.

예를 들면, 기재가 기판 및 유기막을 포함하고 있는 경우, 유기막이 형성된 면이 아래를 향하도록 기재를 배치하고, 아래쪽으로부터 증기를 접촉시켜도 된다. 또한, 유기막이 형성된 면이 위를 향하도록 기재를 배치하고, 위쪽으로부터 증기를 접촉시켜도 된다. 한편, 여기에서 '아래'란 중력 방향을 의도하고, '위'란 중력 방향과 반대 방향을 의도한다. 또한, 유기막이 형성된 면이 중력 방향과 수직인 방향을 향하도록 기재를 배치하고, 증기를 접촉시켜도 된다.For example, when the base material includes a substrate and an organic film, the surface on which the organic film is formed faces downward, and the base material may be placed in contact with steam from below. Alternatively, the base material may be disposed so that the surface on which the organic film is formed faces upward, and steam may be brought into contact with it from above. On the other hand, here, 'down' means the direction of gravity, and 'up' means the direction opposite to the direction of gravity. Alternatively, the base material may be disposed so that the surface on which the organic film is formed faces a direction perpendicular to the direction of gravity, and steam may be brought into contact with it.

유기막이 형성된 면이 아래를 향하도록 기재를 배치하고 아래쪽으로부터 증기를 접촉시키는 경우, 유기막(또는 유기막의 용해물)을 자중(自重)에 의해 중력 방향으로 낙하시킴으로써 회수할 수도 있다. 또한, 이 경우, 증기의 발생원이 되는 용매를 아래쪽에 배치해 두면, 용매 중에 박리된 유기막(또는 유기막의 용해물)을 낙하시켜 회수할 수 있다.When the base material is disposed so that the surface on which the organic film is formed faces downward and steam is contacted from below, the organic film (or melted organic film) can be recovered by falling in the direction of gravity by its own weight. In this case, if the solvent serving as the steam generation source is disposed below, the peeled organic film (or organic film melt) can be dropped and recovered in the solvent.

또한, 기재에서의 증기를 접촉시키는 면적을 조정함으로써, 증기를 기재의 일부의 영역에만 접촉시켜도 된다. 이에 따라, 기재의 임의의 영역에 유래하는 성분을 선택적으로 회수할 수 있다. 따라서, 기재의 임의의 영역에 존재하는 불순물을 선택적으로 분석할 수 있다. 예를 들면, 분석 대상이 되는 임의의 영역 이외의 영역을 마스킹한 후에 증기를 접촉시키는 것에 의해, 기재에서의 증기를 접촉시키는 면적을 조정해도 된다.Alternatively, by adjusting the area of the base material to which the steam is brought into contact, the steam may be brought into contact with only a part of the region of the base material. In this way, components derived from an arbitrary region of the substrate can be selectively recovered. Therefore, impurities present in any region of the substrate can be selectively analyzed. For example, the area to which the vapor is brought into contact with the substrate may be adjusted by masking a region other than an arbitrary region to be analyzed and then bringing the vapor into contact with it.

증기 접촉에 의하면, 증기의 접촉 면적 및 접촉 강도를 조절함으로써 기재 전체에 유래하는 성분을 회수할 수도 있고, 기재의 일부 영역에 유래하는 성분을 회수할 수도 있다. 또한, 증기 접촉에 의하면, 예를 들면 기재를 고온에서 산화 분해하는 방법에 비해, 기재의 임의의 영역에 유래하는 성분을 선택적으로 회수하는 것이 용이하다.According to vapor contact, by adjusting the contact area and contact strength of steam, components originating from the entire substrate can be recovered, or components originating from a partial region of the substrate can be recovered. In addition, according to vapor contact, it is easy to selectively recover components derived from an arbitrary region of the substrate compared to, for example, a method of oxidatively decomposing the substrate at a high temperature.

＜4-3. 측정 방법＞<4-3. Measurement method>

불순물의 양 및 유무의 측정 방법은, 기재의 형태 및 측정 대상으로 하는 불순물의 종류에 따라 적절하게 선택될 수 있다.A method for measuring the amount and presence of impurities can be appropriately selected depending on the shape of the substrate and the type of impurity to be measured.

측정 방법으로는, 액체 크로마토그래피 질량분석법(LC-MS), 가스 크로마토그래피 질량분석법(GC-MS), 이온 크로마토그래피(IC), 유도 결합 플라즈마 질량분석법(ICP-MS), X선 광전자 분광법(XPS), X선 회절법(XRD), 비행 시간형 이차 이온 질량분석법(TOF-SIMS), 매트릭스 지원형 레이저 이탈 이온화 비행 시간형 질량분석법(MALDI-TOFMS), 수소염 이온화 검출기를 이용한 가스 크로마토그래피(GC-FID), 염광 광도 검출기를 이용한 가스 크로마토그래피(GC-FPD), UV 검출기를 이용한 액체 크로마토그래피(LC-UV), 유도 결합 플라즈마 발광 분광 분석법(ICP-AES), 캐피러리 전기 영동법(CE), 원자 흡광 분석법(AAS) 및 글로우 방전 발광 분석법(GD-OES) 등을 들 수 있다. 측정 방법은 상기 방법을 조합한 LC-MS/UV 또는 GC-MS/FID 등이어도 되고, 측정 대상에 의해 그 외의 검출기를 이용한 측정 방법이어도 된다. 또한, 상기 측정 방법은 물 접촉각의 측정을 제외한 것이라도 된다.As the measurement method, liquid chromatography mass spectrometry (LC-MS), gas chromatography mass spectrometry (GC-MS), ion chromatography (IC), inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS), X-ray photoelectron spectroscopy ( XPS), X-ray diffraction (XRD), time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), matrix-assisted laser desorption ionization time-of-flight mass spectrometry (MALDI-TOFMS), gas chromatography using a hydrogen salt ionization detector (GC-FID), gas chromatography (GC-FPD), liquid chromatography (LC-UV), inductively coupled plasma emission spectrometry (ICP-AES), capillary electrophoresis ( CE), atomic absorption spectrometry (AAS), and glow discharge emission spectrometry (GD-OES). The measurement method may be LC-MS/UV or GC-MS/FID, etc. combining the above methods, or may be a measurement method using another detector depending on the measurement target. In addition, the said measurement method may exclude the measurement of the water contact angle.

[5. 그 외의 공정][5. other processes]

상기 관리 방법은, 상기 검출 공정에 의해 검출된 불순물의 양이 미리 설정된 기준량 이하인지 여부 또는 미리 설정된 기준량 이상인지 여부를 판정하는 판정 공정을 포함하고 있어도 된다. 당해 판정 공정은, 검출된 불순물의 양이 기준량보다 많은지 여부 또는 기준량 미만인지 여부를 판정하는 공정이라고도 할 수 있다. 상기 판정 공정에 의하면, 불순물을 제거하기 위해 세정 등의 처리가 필요한지 여부를 결정하기 위한 판단 재료를 얻을 수 있다.The management method may include a determination step of determining whether the amount of the impurity detected in the detection step is equal to or less than a preset reference amount or equal to or greater than a preset reference amount. This determination step can also be referred to as a step of determining whether or not the amount of the detected impurity is greater than or less than the reference amount. According to the above judgment step, it is possible to obtain a judgment material for determining whether a treatment such as cleaning is necessary to remove impurities.

상기 관리 방법은 제조 장치를 세정하는 세정 공정을 포함하고 있어도 된다. 상기 세정 공정에 의하면, 제조 장치에서 불순물의 제거를 적절히 실시할 수 있다. 상기 세정 공정은 상기 판정 공정에서 불순물의 양이 미리 설정된 기준량 이상이거나 또는 기준량보다 많다고 판정된 경우에 행해져도 된다. 이에 따라, 불필요한 세정을 실시하지 않아도 되기 때문에, 유기 전자 소자를 효율적으로 제조할 수 있다.The management method may include a cleaning step of cleaning the manufacturing equipment. According to the said cleaning process, impurities can be removed appropriately in a manufacturing apparatus. The cleaning process may be performed when it is determined in the judgment process that the amount of the impurities is equal to or greater than the reference amount set in advance. Thereby, since it is not necessary to perform unnecessary washing|cleaning, organic electronic elements can be manufactured efficiently.

또한, 전술한 배치 공정은 세정 공정의 뒤에 행해져도 된다. 상기 관리 방법에 의하면, 세정 후의 제조 장치에 대해, 불순물의 증감 및 유무에 착안해, 예를 들면 기준치를 결정해 평가를 실시함으로써, 제조 장치의 재가동 전의 단계에서 세정 효과를 확인할 수 있다. 대규모 세정 작업을 실시했음에도 불구하고, 재가동 후에 유기 전자 소자의 성능이 향상되지 않아 세정이 불충분하다고 판단되는 경우는, 제조 장치의 가동을 정지해 재세정을 실시할 필요가 있다. 이 경우, 필요 이상의 제조 코스트 및 관리 코스트가 발생할 수 있다. 상기 관리 방법에 의하면, 불필요한 가동 정지 및 재세정의 방지로 연결된다. 이는 제조 코스트 및 관리 코스트의 관점에서 큰 메리트이다.In addition, the above-described batching process may be performed after the cleaning process. According to the above management method, the cleaning effect can be confirmed at a stage before restarting the manufacturing equipment by paying attention to the increase/decrease and/or presence of impurities in the manufacturing equipment after cleaning, for example, by determining a reference value and evaluating the manufacturing equipment. In the case where the performance of the organic electronic element does not improve after restarting and the cleaning is judged to be insufficient despite the large-scale cleaning operation, it is necessary to stop the operation of the manufacturing equipment and perform re-cleaning. In this case, manufacturing costs and management costs more than necessary may occur. According to the above management method, it leads to prevention of unnecessary shutdown and re-cleaning. This is a great advantage in terms of manufacturing cost and management cost.

본 발명은 전술한 각 실시 형태로 한정되는 것이 아니라, 청구항에 기재하는 범위에서 여러 가지 변경이 가능하고, 다른 실시 형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절하게 조합해 얻어지는 실시 형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.The present invention is not limited to each embodiment described above, and various changes are possible within the scope described in the claims, and the technical scope of the present invention also applies to embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in other embodiments. included in

《실시예》《Example》

이하, 실시예에 기초해 본 발명을 보다 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다. 한편, 이하에서는 제조 장치로서 진공 증착 장치를 이용했다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to the following examples. On the other hand, below, a vacuum deposition apparatus was used as a manufacturing apparatus.

[실시예 1][Example 1]

2대의 진공 증착 장치 내에 각각 기재로서 4 인치φ의 실리콘 웨이퍼를 배치했다. 구체적으로는, 진공 증착 장치의 챔버 내의 기판 홀더에 의해 기재를 지지했다. 당해 기재를 30분간 및 15시간 가만히 둔(정치(靜置)한) 후에 꺼냈다. 기재의 표면측(이하, 기재의 표면측이란 도 1의 (a)의 기재(2)에서 성막 재료 저장부(3)와 대향하는 면을 의미한다)에 부착된 불순물을 유기용매에 접촉시켜 회수하고, 회수액을 LC-MS에 의해 측정했다. 결과를 표 1에 나타내었다. 유기 전자 소자의 재료에 유래하는 불순물로서 도 3의 (a)∼(l)에 나타낸 방향족 화합물이 검출되고, 제조 장치의 재료에 유래하는 불순물로서 도 3의 (m)에 나타낸 아디프산 에스테르 및 도 3의 (n)에 나타낸 프탈산 에스테르가 검출되었다.In each of the two vacuum deposition apparatuses, a 4-inch φ silicon wafer was placed as a base material. Specifically, the substrate was supported by a substrate holder in a chamber of a vacuum evaporation apparatus. The base material was taken out after leaving it still for 30 minutes and 15 hours (standing still). Impurities attached to the surface side of the substrate (hereinafter, the surface side of the substrate means the surface facing the film forming material storage unit 3 in the substrate 2 of FIG. 1 (a)) are recovered by contacting the organic solvent. and the recovered solution was measured by LC-MS. The results are shown in Table 1. Aromatic compounds shown in Figs. 3(a) to (l) were detected as impurities derived from the material of the organic electronic element, and adipic acid esters shown in Fig. The phthalic acid ester shown in Fig. 3(n) was detected.

한편, 검출된 화합물의 정밀 질량(Exact Mass)을 이하에 나타낸다.On the other hand, the exact mass (Exact Mass) of the detected compound is shown below.

도 3의 (a)에 나타낸 화합물: 476.3443Compound shown in Figure 3 (a): 476.3443

도 3의 (b)에 나타낸 화합물: 408.1626Compound shown in Figure 3(b): 408.1626

도 3의 (c)에 나타낸 화합물: 626.3661Compound shown in Figure 3(c): 626.3661

도 3의 (d)에 나타낸 화합물: 194.0844Compound shown in Figure 3 (d): 194.0844

도 3의 (e)에 나타낸 화합물: 208.1000Compound shown in Figure 3 (e): 208.1000

도 3의 (f)에 나타낸 화합물: 270.1157Compound shown in Figure 3(f): 270.1157

도 3의 (g)에 나타낸 화합물: 588.2565Compound shown in Figure 3 (g): 588.2565

도 3의 (h)에 나타낸 화합물: 725.2831Compound shown in Figure 3 (h): 725.2831

도 3의 (i)에 나타낸 화합물: 654.2532Compound shown in Figure 3 (i): 654.2532

도 3의 (j)에 나타낸 화합물: 537.2205Compound shown in Figure 3 (j): 537.2205

도 3의 (k)에 나타낸 화합물: 788.2688Compound shown in Figure 3 (k): 788.2688

도 3의 (l)에 나타낸 화합물: 740.2940Compound shown in Figure 3 (l): 740.2940

도 3의 (m)에 나타낸 화합물: 370.3083Compound shown in Figure 3 (m): 370.3083

도 3의 (n)에 나타낸 화합물: 390.2770.Compound shown in Figure 3(n): 390.2770.

이상으로부터, 유기 전자 소자의 재료 및 제조 장치의 재료에 유래하는 불순물이 제조 장치 내에 존재할 수 있는 것을 알 수 있다. 이들이 유기 전자 소자의 성능에 영향을 줄 수 있을 것으로 예상된다. 또한, 실시예 1에서는, 정치 시간이 길수록 검출된 불순물의 양 및 종류가 증가했다.From the above, it can be seen that impurities derived from the material of the organic electronic element and the material of the manufacturing apparatus may exist in the manufacturing apparatus. It is expected that they can affect the performance of organic electronic devices. Further, in Example 1, the amount and type of impurities detected increased as the standing time increased.

[실시예 2][Example 2]

1대의 진공 증착 장치 내에 기재로서 4 인치φ의 실리콘 웨이퍼를 배치하고, 30분 정치 후 및 15시간 정치 후에 꺼냈다. 기재의 표면측에 부착된 불순물을 웨이퍼 가열 이탈 가스 크로마토그래피 질량분석법(WTD-GC-MS)에 의해 측정했다. 헥사데칸 표준 시료를 이용해 상기 실리콘 웨이퍼 1㎠당 불순물의 양을 정량한 결과를 표 2에 나타낸다. 유기 전자 소자의 재료에 유래하는 불순물인 방향족 화합물(No. 1∼4), 제조 장치의 재료에 유래하는 불순물인 첨가제 등(No. 5∼12)이 검출되었다.A 4-inch silicon wafer was placed as a substrate in one vacuum evaporation apparatus and taken out after standing for 30 minutes and standing for 15 hours. Impurities adhering to the surface side of the substrate were measured by wafer heating release gas chromatography mass spectrometry (WTD-GC-MS). Table 2 shows the results of quantifying the amount of impurities per 1 cm 2 of the silicon wafer using a hexadecane standard sample. Aromatic compounds (Nos. 1 to 4), which are impurities derived from materials of organic electronic elements, and additives (Nos. 5 to 12), which are impurities derived from materials of manufacturing equipment, were detected.

실시예 2에서도, 유기 전자 소자의 재료 및 제조 장치의 재료에 유래하는 불순물이 제조 장치 내에 존재할 수 있는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 2에서는, 정치 시간이 길수록 검출 불순물의 양 및 종류가 증가하는 경향이 있었다.Also in Example 2, it is understood that impurities derived from the material of the organic electronic element and the material of the manufacturing apparatus may be present in the manufacturing apparatus. Further, in Example 2, the amount and type of detected impurities tended to increase as the standing time was longer.

[실시예 3] [Example 3]

1대의 진공 증착 장치 내에 기재로서 4 인치φ의 실리콘 웨이퍼를 배치하고, 15시간 정치 후에 꺼냈다. 기재의 표면측에 부착된 불순물을 산용매에 접촉시켜 용해하고, 용해액을 ICP-MS에 의해 측정했다. 각 검출 원소의 표준 시료를 이용해 상기 실리콘 웨이퍼 1매당 불순물의 양을 정량한 결과를 표 3에 나타내었다.A 4-inch phi silicon wafer was placed as a substrate in one vacuum deposition apparatus, and was taken out after standing for 15 hours. Impurities adhering to the surface side of the substrate were brought into contact with an acid solvent to dissolve them, and the dissolved solution was measured by ICP-MS. Table 3 shows the results of quantifying the amount of impurities per silicon wafer using standard samples of each detection element.

상기 관리 방법에 의하면, 불순물로서 유기물 뿐만 아니라, 무기 원소 성분도 검출 가능한 것을 알 수 있다.According to the above management method, it can be seen that not only organic substances but also inorganic element components can be detected as impurities.

[실시예 4][Example 4]

1대의 진공 증착 장치 내에 기재로서 4 인치φ의 실리콘 웨이퍼를 배치하고, 15시간 정치 후에 꺼내, 이 기재를 장치 세정 전의 불순물량 측정용 샘플로서 평가했다. 계속해서 같은 장치에서 유기 EL 소자를 제조했다. 장치 내를 세정한 후, 세정 전과 마찬가지로 기재로서 4 인치φ의 실리콘 웨이퍼를 배치하고, 15시간 정치 후에 꺼내, 이 기재를 장치 세정 후의 불순물량 측정용 샘플로서 평가했다. 같은 장치에서 다시 유기 EL 소자를 제조했다. 기재의 표면측에 부착된 불순물을 유기용매에 접촉시켜 회수해, 회수액을 LC-MS로 측정했다. 검출된 불순물의 총량을 오염도로서 평가했다. 한편, 당해 불순물의 총량에는 진공 펌프의 윤활제 유래의 불순물, 대기중의 유기물, 그리고 수분 및 산소는 포함되지 않았다. 또한, 유기 EL 소자의 발광 수명 LT90(초기 휘도 1000 cd/㎠)을 평가했다. 각각 장치 세정 전을 100%로 했을 때의 상대 오염도와 상대 발광 수명을 표 4에 나타내었다.A 4-inch phi silicon wafer was placed as a substrate in one vacuum deposition apparatus, taken out after 15 hours of standing, and evaluated as a sample for measuring the amount of impurities before cleaning the apparatus. Subsequently, an organic EL element was fabricated with the same equipment. After cleaning the inside of the device, a 4-inch φ silicon wafer was placed as a substrate in the same manner as before cleaning, and after standing for 15 hours, it was taken out and evaluated as a sample for measuring the amount of impurities after cleaning the device. An organic EL element was fabricated again with the same apparatus. Impurities adhering to the surface side of the substrate were recovered by contacting them with an organic solvent, and the recovered solution was measured by LC-MS. The total amount of detected impurities was evaluated as the degree of contamination. On the other hand, the total amount of these impurities did not include impurities derived from lubricants for vacuum pumps, organic matter in the air, and moisture and oxygen. In addition, the light emission lifetime LT90 (initial luminance of 1000 cd/cm 2 ) of the organic EL element was evaluated. Table 4 shows the relative contamination degree and relative luminous lifetime when the value before cleaning the device was 100%, respectively.

상기 관리 방법은 세정 효과의 확인에 있어서도 효과적이라는 것이 나타났다.It was found that the management method was also effective in confirming the cleaning effect.

[실시예 5] [Example 5]

진공 증착 장치 내에 기재로서 3 인치φ의 Si 웨이퍼를 배치했다. 당해 진공 증착 장치를 이용해, 다층막으로서 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 홀 블록층 및 전자 수송층을 갖는 유기 EL 소자를 제조했다. 각 층의 성막 시간 및 다음 층을 형성할 때까지의 대기 시간을 일정하게 유지하면서, 발광층 성막 전후에서 다음 층의 형성을 개시하기까지 의도적으로 60분씩 또는 40분씩의 대기 시간을 마련한 소자와 대기 시간을 마련하지 않은 소자를 제조해, 수명 평가를 실시했다. 즉, 대기 시간을 마련한 소자에서는, 홀 수송층의 성막 후부터 발광층의 성막 전까지와, 발광층의 성막 후부터 홀 블록층의 성막 전까지에, 각각 60분 또는 40분의 대기 시간을 마련했다. 또한, 각 층의 성막 중에는 기재에 성막 재료가 부착되지 않도록 기재와 성막 재료 저장부의 사이에 셔터를 배치했다. 이와 같이 하여 얻어진 기재를 불순물량 측정용 샘플로서 평가했다. 기재의 표면측에 부착된 불순물을 유기용매에 접촉시켜 회수해, 회수액을 LC-MS로 측정했다. 검출된 불순물의 총량을 오염도로서 평가했다. 한편, 당해 불순물의 총량에는 진공 펌프의 윤활제 유래의 불순물, 대기중의 유기물, 그리고 수분 및 산소는 포함되지 않았다. 또한, 유기 EL 소자는 발광 수명 LT90(초기 휘도 1000 cd/㎠)으로 평가했다. 발광층 전후에서 60분씩 대기한 결과를 100%로 했을 때의 상대 오염도와 상대 발광 수명을 표 5에 나타내었다.A 3-inch Si wafer was placed as a substrate in a vacuum deposition apparatus. An organic EL device having a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, and an electron transport layer as a multilayer film was manufactured using the vacuum deposition apparatus. While maintaining the film formation time of each layer and the waiting time until the formation of the next layer constant, a waiting time of 60 minutes or 40 minutes is intentionally provided before and after the formation of the light emitting layer until the formation of the next layer is started, and the waiting time Elements without the were manufactured and life evaluation was performed. That is, in the device provided with a waiting time, a waiting time of 60 minutes or 40 minutes was provided from after the formation of the hole transport layer to before the formation of the light emitting layer, and from after the formation of the light emitting layer to before the formation of the hole blocking layer, respectively. In addition, during film formation of each layer, a shutter was disposed between the substrate and the film formation material storage unit so that the film formation material would not adhere to the substrate. The substrate thus obtained was evaluated as a sample for measuring the amount of impurities. Impurities adhering to the surface side of the substrate were recovered by contacting them with an organic solvent, and the recovered solution was measured by LC-MS. The total amount of detected impurities was evaluated as the degree of contamination. On the other hand, the total amount of these impurities did not include impurities derived from lubricants for vacuum pumps, organic matters in the air, and moisture and oxygen. In addition, the organic electroluminescent element was evaluated by luminescence lifetime LT90 (initial luminance of 1000 cd/cm<2>). Table 5 shows the relative contamination degree and relative light emission lifetime when the result of waiting for 60 minutes before and after the light emitting layer was 100%.

이 결과로부터, 상기 관리 방법에서 유기 전자 소자의 제조 공정의 임의의 단계에서 대기 시간을 마련한 경우, 이들 대기 시간을 마련한 것에 의한 불순물 부착에의 영향 및 완성된 유기 전자 소자의 성능에의 영향을 평가할 수 있다는 것을 알 수 있다. 이 평가 결과를 제조 공정중 어느 단계의 작업 시간을 단축할 필요가 있는지 등의 검토에 이용할 수 있다.From this result, when a waiting time is provided at any stage of the manufacturing process of an organic electronic device in the above management method, the effect of providing these waiting times on the adhesion of impurities and the effect on the performance of the finished organic electronic device can be evaluated. know that you can. This evaluation result can be used for examination of which stage of the manufacturing process needs to be shortened.

본 발명은 주로 유기 전자 소자 분야에서 이용할 수 있다.The present invention can be mainly used in the field of organic electronic devices.

1: 제조 장치
2: 기재1: manufacturing device
2: Substrate

Claims

As a management method of a manufacturing apparatus for manufacturing an organic electronic element,
A placement step of arranging a base material in the manufacturing apparatus;
A detection step of recovering and detecting impurities attached to the substrate and derived from at least one of the material of the organic electronic element and the material of the manufacturing apparatus;
An evaluation step of evaluating the type and amount of impurities obtained by the detection step;
A management process for managing the state of the manufacturing apparatus based on the evaluation result obtained by the evaluation process,
The impurities derived from the material of the organic electronic device are organic materials and inorganic materials used as materials of the organic electronic device and derivatives of these materials,
Impurities derived from the material of the manufacturing apparatus are synthetic resins, synthetic resin additives, synthetic resins and derivatives of synthetic resin additives, metal materials, ceramic materials, and glass materials.

According to claim 1,
The management method of a manufacturing apparatus for manufacturing an organic electronic element, characterized in that the substrate includes at least one of a substrate and an organic film.

According to claim 1 or 2,
The management method of a manufacturing apparatus for manufacturing an organic electronic element, characterized in that the substrate includes the material of the organic electronic element and is made of a material different from the impurity.

According to claim 1 or 2,
The method of managing a manufacturing apparatus for manufacturing an organic electronic element, characterized in that the disposition process is performed at at least any one step before, during and after manufacturing the organic electronic element.

According to claim 4,
A management method of a manufacturing apparatus for manufacturing an organic electronic element, characterized in that the organic electronic element has a multilayer film.

According to claim 1 or 2,
The method of managing a manufacturing apparatus for manufacturing an organic electronic element, characterized in that the manufacturing apparatus is a manufacturing apparatus for manufacturing an organic electronic element by a deposition process or an application process.