KR102572522B1 - Feedthrough for electrically connecting between internal part and external part of processing region in substrate processing appratus - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예는 처리 공간을 밀폐를 유지하면서 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결할 수 있는 피드스루, 및 해당 피드스루를 포함하는 기판 처리 장치 및 본딩 설비가 제공된다. 본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치에서 처리 공간 내부와 외부를 전기적으로 연결하기 위한 피드스루는, 처리 공간을 형성하는 베셀에 고정되도록 설치되는 바디부와, 상기 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 커넥터부와, 상기 처리 공간을 밀폐하는 씰링 부재를 포함한다. 상기 바디부는 상기 베셀과의 체결을 위한 체결구와, 상기 체결구 주변에서 돌출되도록 형성되어 상기 베셀과 접촉하는 금속 접촉부와, 상기 바디부의 일면에서 상기 금속 접촉부를 제외한 나머지 영역에 형성되어 상기 씰링 부재와 접촉하는 가스켓 접촉부를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 피드스루의 바디부가 체결구 주변에서 돌출되도록 하는 금속 접촉부와 금속 접촉부를 제외한 나머지 영역에서 씰링 부재와 접촉하는 가스켓 접촉부를 구성함으로써 처리 공간을 밀폐를 유지하면서 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결할 수 있다.Embodiments of the present invention provide a feed-through capable of electrically connecting the inside and outside of a processing space while keeping the processing space airtight, and a substrate processing apparatus including the feed-through and a bonding facility. In a substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention, a feedthrough for electrically connecting the inside and outside of a processing space includes a body portion installed to be fixed to a vessel forming the processing space, and electrically connecting the inside and outside of the processing space. and a connector part connecting to the processing space, and a sealing member sealing the processing space. The body portion includes a fastener for fastening with the vessel, a metal contact portion formed to protrude from the vicinity of the fastener and contacting the vessel, and a remaining area other than the metal contact portion on one surface of the body portion to form a contact with the sealing member. It may include a gasket contact portion that contacts. According to an embodiment of the present invention, a metal contact portion protruding from the periphery of the fastener and a gasket contact portion contacting the sealing member in the remaining area except for the metal contact portion are configured so that the processing space is sealed while maintaining the processing space. The inside and outside can be electrically connected.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에서 처리 공간 내부와 외부를 전기적으로 연결하기 위한 피드스루에 관한 것으로, 보다 구체적으로 처리 공간을 밀폐하면서 내부와 외부를 전기적으로 연결할 수 있는 피드스루, 기판 처리 장치, 그리고 본딩 설비에 관한 것이다.The present invention relates to a feed-through for electrically connecting the inside and outside of a processing space in a substrate processing apparatus, and more particularly, to a feed-through capable of electrically connecting the inside and the outside while sealing a processing space, a substrate processing apparatus, and a bonding It's about equipment.
반도체(또는 디스플레이) 제조 공정은 기판(예: 웨이퍼) 상에 반도체 소자를 제조하기 위한 공정으로서, 예를 들어 노광, 증착, 식각, 이온 주입, 세정, 패키징 등을 포함한다. 다양한 처리 공정을 통해 기판이 처리됨으로써 반도체 칩이 형성될 수 있다. A semiconductor (or display) manufacturing process is a process for manufacturing a semiconductor device on a substrate (eg, wafer), and includes, for example, exposure, deposition, etching, ion implantation, cleaning, packaging, and the like. A semiconductor chip may be formed by processing a substrate through various processing processes.
한편, 일부 처리 공정은 고온 및 고압 환경을 형성하여 기판을 처리한다. 고온 및 고압 환경을 유지하기 위하여 처리 공간을 밀폐하기 위한 구조가 요구된다. 또한, 처리 공간내 환경을 측정하기 위하여 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하기 위한 장치(피드스루)가 요구된다.On the other hand, some processing processes treat substrates by creating a high temperature and high pressure environment. In order to maintain a high temperature and high pressure environment, a structure for sealing the processing space is required. In addition, in order to measure the environment within the processing space, a device (feed-through) for electrically connecting the inside and outside of the processing space is required.
따라서, 본 발명의 실시예는 처리 공간을 밀폐를 유지하면서 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결할 수 있는 피드스루, 및 해당 피드스루를 포함하는 기판 처리 장치 및 본딩 설비가 제공된다.Accordingly, an embodiment of the present invention provides a feed-through capable of electrically connecting the inside and outside of the processing space while keeping the processing space airtight, and a substrate processing apparatus including the feed-through and a bonding facility.
본 발명의 해결과제는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다. The problems of the present invention are not limited to those mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치에서 처리 공간 내부와 외부를 전기적으로 연결하기 위한 피드스루는, 처리 공간을 형성하는 베셀에 고정되도록 설치되는 바디부와, 상기 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 커넥터부와, 상기 처리 공간을 밀폐하는 씰링 부재를 포함한다. 상기 바디부는 상기 베셀과의 체결을 위한 체결구와, 상기 체결구 주변에서 돌출되도록 형성되어 상기 베셀과 접촉하는 금속 접촉부와, 상기 바디부의 일면에서 상기 금속 접촉부를 제외한 나머지 영역에 형성되어 상기 씰링 부재와 접촉하는 가스켓 접촉부를 포함할 수 있다.In a substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention, a feedthrough for electrically connecting the inside and outside of a processing space includes a body portion installed to be fixed to a vessel forming the processing space, and electrically connecting the inside and outside of the processing space. and a connector part connecting to the processing space, and a sealing member sealing the processing space. The body portion includes a fastener for fastening with the vessel, a metal contact portion formed to protrude from the vicinity of the fastener and contacting the vessel, and a remaining area other than the metal contact portion on one surface of the body portion to form a contact with the sealing member. It may include a gasket contact portion that contacts.
일 실시예에서, 상기 씰링 부재는 상기 가스켓 접촉부에 부착될 수 있다.In one embodiment, the sealing member may be attached to the gasket contact portion.
일 실시예에서, 상기 씰링 부재의 수직 방향 두께는 상기 금속 접촉부의 수직 방향 돌출 두께보다 크도록 설정될 수 있다.In one embodiment, a vertical thickness of the sealing member may be set to be greater than a vertical protruding thickness of the metal contact portion.
일 실시예에서, 상기 씰링 부재는 내열성과 탄성을 갖는 엔지니어링 플라스틱 소재로 구성될 수 있다.In one embodiment, the sealing member may be made of an engineering plastic material having heat resistance and elasticity.
일 실시예에서, 상기 금속 접촉부는 상기 바디부의 외벽으로부터 연장되는 외주부와, 상기 씰링 부재와 접촉하는 내주부를 포함할 수 있다.In one embodiment, the metal contact part may include an outer peripheral portion extending from an outer wall of the body portion and an inner peripheral portion contacting the sealing member.
일 실시예에서, 상기 금속 접촉부의 둘레가 상기 체결구에 체결되는 볼트의 플랜지 둘레 보다 더 크도록 형성될 수 있다.In one embodiment, a circumference of the metal contact portion may be formed to be larger than a circumference of a flange of a bolt fastened to the fastener.
일 실시예에서, 상기 피드스루는 상기 기판 안착부에 안착된 센서 기판과 와이어를 통해 연결되고, 상기 센서 기판은 상기 처리 공간 내 환경에 대한 데이터를 상기 피드스루를 통해 외부 장치로 전송할 수 있다.In an embodiment, the feed-through may be connected to a sensor substrate seated in the substrate seating part through a wire, and the sensor substrate may transmit data about an environment within the processing space to an external device through the feed-through.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판이 처리될 수 있는 처리 공간을 형성하는 베셀과, 상기 처리 공간에 위치하여 상기 기판을 하부에서 지지하는 기판 안착부와, 상기 처리 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급부와, 상기 처리 공간에 열 에너지를 제공하는 히터와, 처리 공간 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 피드스루를 포함한다. 상기 피드스루는, 처리 공간을 형성하는 베셀에 고정되도록 설치되는 바디부와. 상기 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 커넥터부와, 상기 처리 공간을 밀폐하는 씰링 부재를 포함한다. 상기 바디부는 상기 베셀과의 체결을 위한 체결구와, 상기 체결구 주변에서 돌출되도록 형성되어 상기 베셀과 접촉하는 금속 접촉부와, 상기 바디부의 일면에서 상기 금속 접촉부를 제외한 나머지 영역에 형성되어 상기 씰링 부재와 접촉하는 가스켓 접촉부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a vessel forming a processing space in which a substrate can be processed, a substrate seating portion positioned in the processing space and supporting the substrate from a lower portion, and supplying gas to the processing space. and a gas supply unit configured to supply heat to the processing space, a heater providing heat energy to the processing space, and a feed through electrically connecting the inside and outside of the processing space. The feed through includes a body portion installed to be fixed to a vessel forming a processing space. A connector unit electrically connecting the inside and outside of the processing space and a sealing member sealing the processing space. The body portion includes a fastener for fastening with the vessel, a metal contact portion formed to protrude from the vicinity of the fastener and contacting the vessel, and a remaining area other than the metal contact portion on one surface of the body portion to form a contact with the sealing member. It may include a gasket contact portion that contacts.
본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비는 복수개의 칩이 안착된 기판을 수용하는 용기가 안착되는 로딩부와, 상기 로딩부에 안착된 용기로부터 상기 기판을 반출하는 기판 이송부와, 상기 기판 이송부로부터 제공된 상기 기판 상에 상기 복수개의 칩을 본딩하는 기판 처리부와, 기판 처리부에 의해 처리된 기판을 상기 기판 이송부로부터 수신하고, 상기 처리된 기판 상에 본딩된 칩을 검사하는 기판 검사부를 포함한다. 상기 기판 처리부는 기판이 처리될 수 있는 처리 공간을 형성하는 베셀과, 상기 처리 공간에 위치하여 상기 기판을 하부에서 지지하는 기판 안착부와, 상기 처리 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급부와, 상기 처리 공간에 열 에너지를 제공하는 히터와, 처리 공간 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 피드스루를 포함한다. 상기 피드스루는 처리 공간을 형성하는 베셀에 고정되도록 설치되는 바디부와, 상기 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 커넥터부와, 상기 처리 공간을 밀폐하는 씰링 부재를 포함한다. 상기 바디부는 상기 베셀과의 체결을 위한 체결구와, 상기 체결구 주변에서 돌출되도록 형성되어 상기 베셀과 접촉하는 금속 접촉부와, 상기 바디부의 일면에서 상기 금속 접촉부를 제외한 나머지 영역에 형성되어 상기 씰링 부재와 접촉하는 가스켓 접촉부를 포함할 수 있다.A bonding facility according to an embodiment of the present invention includes a loading unit in which a container for accommodating a substrate on which a plurality of chips is seated is seated, a substrate transfer unit for transporting the substrate from the container seated in the loading unit, and a substrate provided from the substrate transfer unit. It includes a substrate processing unit for bonding the plurality of chips on the substrate, and a substrate inspection unit for receiving the substrate processed by the substrate processing unit from the substrate transfer unit and inspecting the chips bonded on the processed substrate. The substrate processing unit includes a vessel forming a processing space in which a substrate can be processed, a substrate seating unit located in the processing space and supporting the substrate from a lower portion, and a gas supply unit supplying gas to the processing space; A heater providing thermal energy to the space and a feedthrough electrically connecting the inside and outside of the processing space are included. The feed-through includes a body portion installed to be fixed to a vessel forming a processing space, a connector portion electrically connecting the inside and outside of the processing space, and a sealing member sealing the processing space. The body portion includes a fastener for fastening with the vessel, a metal contact portion formed to protrude from the vicinity of the fastener and contacting the vessel, and a remaining area other than the metal contact portion on one surface of the body portion to form a contact with the sealing member. It may include a gasket contact portion that contacts.
본 발명의 실시예에 따르면, 피드스루의 바디부가 체결구 주변에서 돌출되도록 하는 금속 접촉부와 금속 접촉부를 제외한 나머지 영역에서 씰링 부재와 접촉하는 가스켓 접촉부를 구성함으로써 처리 공간을 밀폐를 유지하면서 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a metal contact portion protruding from the periphery of the fastener and a gasket contact portion contacting the sealing member in the remaining area except for the metal contact portion are configured so that the processing space is sealed while maintaining the processing space. The inside and outside can be electrically connected.
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 본딩 방법을 도시한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치의 사시도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치의 예를 도시한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 클램핑 부재와 하부 베셀 사이의 간격을 도시한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 클램핑 부재와 상부 베셀 사이의 간격을 도시한다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 숄더 볼트들의 배치 예를 도시한다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 고압 환경이 조성된 경우의 예를 도시한다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 상부 플레이트와 상부 베셀이 힌지 구동에 의해 개방된 경우의 예를 도시한다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 상부 플레이트와 상부 베셀이 개방되는 과정의 예를 도시한다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 피드스루를 포함하는 기판 처리부의 예를 도시한다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 피드스루의 단면도이다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 실시예에 따른 피드스루의 사시도이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 피드스루의 바디부를 도시한다.
도 15 및 도 16는 본 발명의 실시예에 따른 피드스루의 구조를 도시한다.
도 17a 및 17b는 본 발명의 실시예에 따른 피드스루의 바디부 및 씰링 부재를 도시한다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따른 내압과 변형 발생량의 관계를 도시한다.
도 19a 및 도 19b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 피드스루의 구성에 대한 예를 도시한다.1 shows a bonding method according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view schematically showing a bonding facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view of an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention.
4A and 4B show an example of an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention.
5 illustrates a gap between a clamping member and a lower vessel in an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention.
6 illustrates a gap between a clamping member and an upper vessel in an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention.
7 shows an example of arrangement of shoulder bolts in an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention.
8 illustrates an example of a case where a high-pressure environment is created in an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention.
9 illustrates an example of a case in which an upper plate and an upper vessel are opened by a hinge drive in an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention.
10A to 10C illustrate an example of a process in which an upper plate and an upper vessel are opened in an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention.
11 illustrates an example of a substrate processing unit including a feed through according to an embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view of a feed through according to an embodiment of the present invention.
13A and 13B are perspective views of a feedthrough according to an embodiment of the present invention.
14 shows a body portion of a feedthrough according to an embodiment of the present invention.
15 and 16 show the structure of a feed through according to an embodiment of the present invention.
17a and 17b show a body portion of a feedthrough and a sealing member according to an embodiment of the present invention.
18 shows the relationship between internal pressure and amount of deformation according to an embodiment of the present invention.
19A and 19B show examples of configurations of a substrate processing apparatus and a feedthrough according to another embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. This invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments set forth herein.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar components throughout the specification.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.In addition, in various embodiments, components having the same configuration will be described only in representative embodiments using the same reference numerals, and in other embodiments, only configurations different from the representative embodiments will be described.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(또는 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결(또는 결합)"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결(또는 결합)"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected (or coupled)" to another part, this is not only the case where it is "directly connected (or coupled)", but also "indirectly connected (or coupled)" through another member. Combined)" is also included. In addition, when a part "includes" a certain component, it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, they should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't
이하, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(기판 처리 설비)에서 기판의 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하기 위한 피드스루(Feed-through)에 대해 설명한다. 본 발명의 실시예에 따른 피드스루는 처리 공간의 밀폐가 필요한 다양한 설비에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 피드스루는 고온 및 고압 환경 또는 진공 환경이 요구되는 공정에 적용될 수 있다. 본 명세서는 피드스루가 적용되는 기판 처리 장치의 예로서 고온 및 고압 환경을 조성하여 기판 상에 칩을 본딩하는 본딩 설비를 예로서 설명한다. Hereinafter, a feed-through for electrically connecting the inside and outside of a substrate processing space in a substrate processing apparatus (substrate processing facility) according to an embodiment of the present invention will be described. The feedthrough according to the embodiment of the present invention can be applied to various facilities that require sealing of a processing space. For example, a feedthrough according to an embodiment of the present invention may be applied to a process requiring a high-temperature and high-pressure environment or a vacuum environment. This specification describes a bonding facility for bonding a chip on a substrate by creating a high-temperature and high-pressure environment as an example of a substrate processing apparatus to which a feed-through is applied.
예를 들어, 패키징 공정에 있어서 적층된 칩들 간의 전기적 연결을 위한 와이어 본딩을 대체하는 기술로서, 칩에 미세한 구멍을 뚫고 해당 구멍에 전도체를 삽입하여 하부 칩과 상부 칩을 전기적으로 연결하는 TSV(Through Silicon Via) 기술이 소개되고 있다. For example, as a technology that replaces wire bonding for electrical connection between stacked chips in the packaging process, TSV (Through Through) electrically connects the lower and upper chips by drilling a fine hole in the chip and inserting a conductor into the hole. Silicon Via) technology is being introduced.
TSV 본딩 과정의 일환으로서, 기판 상에 반도체 소자(칩)를 본딩하는 공정이 수행될 수 있다. 일반적으로, 기판 상에 칩을 위치시킨 이후, 히터가 내장된 가압 장치(헤드)가 상부에서 열 에너지와 함께 물리적 힘을 사용하여 칩을 가압함으로써 칩을 기판상에 본딩할 수 있다. 여기서, 기판 상에 칩을 위치시키고 가접합하는 과정을 프리-본딩(Pre-Bonding), 물리적 가압을 통해 칩을 기판 상에 본딩시키는 과정을 포스트-본딩(Post-Bonding)으로 지칭될 수 있다. 한편, 반도체 제조 공정의 효율을 증대시키기 위하여 보다 신속하게 기판 상에 칩을 본딩하기 위한 방법이 요구되고 있으며, 이를 위하여 고온 및 고압의 기체를 사용하여 기판 상에 칩을 동시에 본딩할 수 있는 설비가 제공될 수 있다.As part of a TSV bonding process, a process of bonding a semiconductor device (chip) on a substrate may be performed. In general, after placing a chip on a substrate, a pressurizing device (head) having a built-in heater presses the chip using physical force along with thermal energy from the top, thereby bonding the chip to the substrate. Here, a process of positioning and temporarily bonding a chip on a substrate may be referred to as pre-bonding, and a process of bonding a chip onto a substrate through physical pressure may be referred to as post-bonding. On the other hand, in order to increase the efficiency of the semiconductor manufacturing process, there is a need for a method for bonding chips on a substrate more quickly, and for this purpose, equipment capable of simultaneously bonding chips on a substrate using high-temperature and high-pressure gas is required. can be provided.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 본딩 방법을 도시한다. 일반적인 물리 가압식 본딩 방법과 달리, 본 발명의 실시예에 따른 본딩 방법은 기판의 처리 공간을 고온 및 고압 환경으로 조성하고, 고온 및 고압을 갖는 기체를 사용하여 기판(W) 상에 칩(C)을 본딩할 수 있다. 하나씩 칩(C)을 가압함으로써 본딩을 수행하는 기존의 물리 가압식 본딩 방법과 달리, 본 발명과 같이 고온 및 고압의 기체를 사용하여 기판(W) 상에 복수개의 칩(C)을 동시에 본딩할 수 있다.1 shows a bonding method according to an embodiment of the present invention. Unlike general physical pressure bonding methods, the bonding method according to the embodiment of the present invention creates a high-temperature and high-pressure environment in the processing space of the substrate and forms a chip C on the substrate W by using a gas having high temperature and high pressure. can be bonded. Unlike the existing physical pressure bonding method in which bonding is performed by pressing the chips C one by one, a plurality of chips C can be bonded on the substrate W at the same time using high-temperature and high-pressure gas, as in the present invention. there is.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 2의 본딩 설비는 칩(C)들이 가접합된 기판(W)을 수취하고, 고온 및 고압의 기체를 사용하여 기판(W) 상에 칩을 본딩하고, 이후의 처리를 위하여 칩들이 본딩된 기판(W)을 반출할 수 있다.2 is a plan view schematically showing a bonding facility according to an embodiment of the present invention. The bonding facility of FIG. 2 receives a substrate W to which chips C are temporarily bonded, bonds the chips onto the substrate W using high-temperature and high-pressure gas, and bonds the chips for subsequent processing. The substrate W can be taken out.
보다 구체적으로 도 2를 참조하면, 본딩 설비는 복수개의 칩들이 안착된 기판(W)을 수용하는 용기가 안착되는 로딩부(210)와, 로딩부(210)에 안착된 용기로부터 기판을 반출하는 기판 이송부(220)와, 기판 이송부(220)로부터 제공된 기판(W)을 처리하는 기판 처리부(230)와, 기판 처리부(230)에 의해 처리된 기판(W)을 기판 이송부(220)로부터 수신하고, 처리된 기판(W) 상에 본딩된 칩들을 검사하는 기판 검사부(240)를 포함한다.More specifically, referring to FIG. 2 , the bonding facility includes a
로딩부(210)는 본딩 설비로 기판(W)을 투입하거나, 처리된 기판(W)을 반출하기 위한 인터페이스로서, 로드 포트로 지칭될 수 있다. 로딩부(210)에 기판(W)이 수납된 용기가 안착된다. 로딩부(210)에 용기가 안착되는 포트는 복수개가 제공될 수 있으며, 포트들은 일정 방향을 따라 배열될 수 있다. 기판(W)을 수용하는 용기의 예로서, FOUP(front opening unified pod)이 사용될 수 있다.The
기판 이송부(220)는 본딩 설비 내에서 기판(W)을 이송하는 장치로서, 기판(W)을 그립하여 이송하는 기판 이송 로봇(224)과, 기판 이송 로봇(224)의 이동을 위한 경로를 제공하는 이동 가이드(222)를 포함할 수 있다. 이송 가이드(222)는 일정 방향을 따라 배치될 수 있다. 기판 이송 로봇(224)은 이송 가이드(222) 상에 설치되고, 이송 가이드(222)의 방향을 따라 이동할 수 있다. The
기판 처리부(230)는 기판 이송부(220)로부터 제공된 기판(W)에 대한 처리를 수행할 수 있다. 본 명세서는 고압 기체를 사용하여 복수개의 칩을 기판(W) 상에 본딩하는 처리 과정을 예로서 설명하나, 본 발명은 본딩 방법에 한정되는 것이 아니며 고압 환경에서 기판(W)을 처리하는 어느 공정(예: 초임계 처리)에도 적용될 수 있다. 기판 처리부(230)의 세부 구성 및 기판 처리부(230)에 의한 기판(W)의 처리 절차는 이후 설명된다. 기판 처리부(230)는 수평 방향 또는 수직 방향을 따라 복수개로 제공될 수 있다.The
기판 검사부(240)는 기판(W) 상에 칩(C)들이 설정된 위치에 정상적으로 본딩되었는지 검사할 수 있다. 기판 검사부(240)는 기판(W) 상의 칩(C)들을 촬상하여 검사를 수행하기 위한 비전 유닛(카메라)을 포함할 수 있다. The
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치의 사시도이다. 도 3의 본딩 장치는 도 2의 기판 처리부(230)의 일 예에 해당할 수 있다.3 is a perspective view of an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention. The bonding device of FIG. 3 may correspond to an example of the
도 3을 참조하면, 기판(W)이 안착되는 기판 안착부(2305)가 하부에 결합된 상부 베셀(2302), 상부 베셀(2302)에 결합함으로써 기판(W)의 처리 공간을 형성하는 하부 베셀(2306), 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)을 클램핑하는 클램핑 부재(2308)와, 상부 베셀(2302)에 결합된 상부 플레이트(2303), 상부 베셀(2302)에 삽입되어 처리 공간의 온도를 제어하기 위한 온도 조절부(2304)(예: 히터, 쿨러), 하부에서 제공되는 기체를 측면으로 유도하는 기류 유도부(2307), 지면(베이스)에 대해 고정되는 프레임(2310), 클램핑 부재(2308)를 수평 방향을 따라 이동시키기 위한 클램핑 구동부(2311), 그리고 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)의 개폐를 위한 힌지 구동부(2320)가 제공된다. Referring to FIG. 3 , an
클램핑 구동부(2311)는 클램핑 부재(2308)의 하부면에 고정되어 수평 방향을 따라 이동하는 이동체(2312)와, 이동체(2312)의 이동을 위한 경로를 제공하는 수평 가이드(2313)와, 이동체(2312)가 수평 가이드(2313)를 따라 이동할 수 있는 동력을 제공하는 클램핑 구동원(2314)을 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 것과 같이, 클램핑 구동부(2311)가 클램핑 부재(2308)의 하부면에 구성함으로써, 클램핑 구동부(2311)를 클램핑 부재(2308)의 상부에 구성하는 경우에 비하여 본딩 장치를 제조하는 과정에서 클램핑 구동부(2311) 및 클램핑 부재(2308)의 높이 얼라인을 보다 용이하게 맞출 수 있다. The
클램핑 구동부(2311)는 리니어 모터 및 LM(Linear Motion) 가이드에 의해 구현될 수 있다. 또한, 클램핑 구동부(2311)는 볼 스크류 방식에 의해 구현될 수 있는데, 이 경우 수평 가이드(2313)는 나사선으로 구성되고, 클램핑 구동원(2314)은 수평 가이드(2313)를 회전시킴으로써 이동체(2312)를 수평 방향을 따라 이동시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 클램핑 구동부(2311)는 실린더에 의해 구현될 수 있다.The
힌지 구동부(2320)는 프레임(2310)에 고정되어 힌지 구동축을 형성하는 힌지 바디부(2321)와, 힌지 바디부(2321)에 결합되고 힌지 구동축을 중심으로 힌지 구동하는 힌지 로드부(2322)와, 힌지 로드부(2322)의 힌지 구동을 위한 동력을 생성하는 힌지 구동원(2323)과, 상부 플레이트(2303)와 힌지 로드부(2324)를 고정시키는 힌지 고정부(2324)를 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 것과 같이, 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)이 힌지 구동을 통해 개방 또는 폐쇄되며, 본딩 장치에 대한 정비를 수행할 때 개별 모듈들을 분해 및 조립하는 과정없이도 힌지 구동을 통해 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)을 개방하고 폐쇄함으로써 보다 용이하게 정비가 수행될 수 있다. The
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치의 예를 도시한다. 도 4a 및 도 4b는 본딩 장치에서 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)이 결합되고 클램핑 부재(2308)에 의해 클램핑된 상태에서 기판(W)의 처리를 위하여 기체가 공급되는 경우를 나타낸다.4A and 4B show an example of an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention. 4A and 4B show a case in which gas is supplied to process the substrate W in a state in which the
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 기판(W)이 안착된 상태에서 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)이 결합하여 처리 공간이 형성되며, 비활성 가스(예: N2 가스)가 처리 공간 내로 공급되어 기판(W)에 대한 본딩이 수행될 수 있다. 기판(W)이 투입될 때 하부 베셀(2302)은 하단 위치에 위치해 있고, 기판(W)이 안착된 이후 승강 구동부(2333)에 의해 하부 베셀(2302)이 승강할 수 있다. 승강 구동부(2333)는 실린더에 의해 구현될 수 있으며, 승강 높이를 제한하기 위한 스토퍼(2334)가 제공될 수 있다. 스토퍼(2334)는 하부 베셀(2302)이 승강할 수 있는 최대 높이를 제한하며, 그리하여 하부 베셀(2306)과 클램핑 부재(2308) 사이의 간격을 일정하게 유지할 수 있다.Referring to FIGS. 4A and 4B , a processing space is formed by combining an
하부 베셀(2306)이 승강한 이후, 클램핑 부재(2308)는 수평 가이드(LM 가이드)(2336)를 따라 이동하는 이동체(리니어 액츄에이터)(2335)에 의하여 고정 해제 위치로부터 결합 위치로 이동할 수 있다. 클램핑 부재(2308)의 이동에 의해 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)이 클램핑될 수 있다. After the
상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)은 체결 부재(숄더 볼트)(2331)에 의해 결합될 수 있다. 또한, 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302) 사이에 탄성체(2332)(예: 스프링)가 제공될 수 있다. 숄더 볼트(2331)에서 상부에 플랜지부(2331A), 하부에 체결부(2331C)가 형성되고, 플랜지부와 체결부 사이에 볼트 로드부(2331B)가 형성될 수 있다. 도 3을 참조하면, 숄더 볼트(2331)의 플랜지부(2331A)가 상부 플레이트(2303)의 상면에 걸리도록 구성되고, 숄더 볼트(2331)의 체결부(2331C)가 상부 베셀(2302)의 체결홀에 체결된다. 여기서, 숄더 볼트(2331)의 볼트 로드부(2331B)에 의해 상부 베셀(2302)은 상부 플레이트(2303)로부터 일정 간격만큼 이격된 상태로 위치할 수 있다. 숄더 볼트(2331)에 의해 상부 베셀(2302)의 위치가 결정됨으로써 상부 베셀(2302)과 클램핑 부재(2308) 사이의 간격이 유지될 수 있다. The
기판(W)의 처리 공간 내에 기체가 주입되어 기압이 증가하면서 내부의 압력에 의해 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)이 밀리게 된다. 여기서, 상부 베셀(2302)과 상부 플레이트(2303) 사이에 결합된 탄성체(2332)의 탄성력이 내부 압력에 의해 상부로 밀리는 상부 베셀(2302)을 하부로 가압함으로써 상부 베셀(2302)이 급격히 상부로 밀리는 것을 방지할 수 있다. 기판(W)의 처리를 위하여 내부 압력이 증가함에 따라 내부 압력이 탄성체(2332)의 감쇄력을 초과할 때 상부 베셀(2302)이 상부로 밀려 클램핑 부재(2308)에 접촉할 수 있다. 즉, 상기 처리 공간 내 압력이 증가하면, 체결 부재(2331)는 상부 베셀(2302)과 함께 승강하고, 탄성체(2332)는 상부 베셀(2302)에 대하여 탄성력을 인가하여 감쇄력을 제공할 수 있다.Gas is injected into the processing space of the substrate W to increase atmospheric pressure, and the
또한, 하부 베셀(2306)에 결합된 승강 구동부(2333)가 내부 압력에 의해 하부로 밀리는 하부 베셀(2306)을 상부로 가압함으로써 하부 베셀(2306)이 급격히 하부로 밀리는 것을 방지할 수 있다. 기판(W)의 처리를 위하여 내부 압력이 증가함에 따라 내부 압력이 승강 구동부(2333)의 감쇄력을 초과할 때 하부 베셀(2306)이 상부로 밀려 클램핑 부재(2308)에 접촉할 수 있다. In addition, the
한편, 내부의 압력에 의해 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306) 사이로 기체가 유출되는 것을 방지하기 위한 씰링 부재(2337)가 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)의 주연부에 결합될 수 있다. 씰링 부재(2337)는 높은 내열성을 갖는 테프론(Teflon)(PTFE) 소재로 구성될 수 있다. 씰링 부재(2337)는 상단과 하단에 비하여 중앙 부분이 외부로 돌출된 형태로 구현될 수 있다. 씰링 부재(2337)의 저항력에 의해 기체가 외부로 유출되는 것이 방지될 수 있다.Meanwhile, a sealing
처리 공간 내 기판(W)의 처리를 위한 가압시 각 힘의 상관 관계로서, 기체에 의한 내부 압력 - 승강 구동부(2333)에 의한 하부 감쇄력 - 탄성체(2332)에 의한 상부 감쇄력 - 씰링 부재(2337)의 저항력 순서로 큰 힘을 가지도록 구성될 수 있다. 또한, 기판(W)의 처리 후 감압시, 승강 구동부(2333)에 의한 하부 감쇄력과 탄성체(2332)에 의한 상부 감쇄력이 씰링 부재(2337)의 저항력 보다 크므로, 상부 베셀(2302)과 클램핑 부재(2308) 사이의 간격, 하부 베셀(2306)과 클램핑 부재(2308) 사이의 간격이 유지될 수 있다.As a correlation between each force when pressing for processing the substrate W in the processing space, internal pressure by the gas - lower damping force by the lifting driver 2333 - upper damping force by the elastic body 2332 - sealing
한편, 도 4a와 같이 하부 베셀에 형성되어 처리 공간 내부로 비활성 기체를 주입하거나 배출하는 기압 조절부(2309)가 하부 베셀(2306)의 내부에 형성될 수 있다. 예를 들어, 기압 조절부(2309)는 처리 공간 내부로 비활성 기체를 주입하기 위한 주입 도관과 처리 공간으로부터 비활성 기체를 배출하기 위한 배출 도관을 포함할 수 있다. 또한, 도 3에서 설명한 것과 같이, 기압 조절부(2309)의 상부에 기류를 측면으로 유도하기 위한 기류 유도부(2307)로서 플레이트가 제공될 수 있다. 기류 유도부(2307)는 기체가 직접적으로 기판(W)에 부딪혀 기판(W)에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 온도 조절부(2304)는 상부 베셀(2302)에 삽입되어 처리 공간 내의 온도를 상승 또는 하강시킬 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 4A , an
본 발명의 다른 실시예로서, 도 4b와 같이 기압 조절부(2309)가 상부 베셀(2302)에 형성되고, 온도 조절부(2304)가 하부 베셀(2306)에 삽입될 수 있다.As another embodiment of the present invention, the
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 클램핑 부재와 하부 베셀 사이의 간격을 도시한다. 상술한 바와 같이, 승강 구동부(2333)는 실린더에 의해 구현될 수 있으며, 승강 높이를 제한하기 위한 스토퍼(2334)가 제공될 수 있다. 스토퍼(2334)는 하부 베셀(2306)이 승강할 수 있는 최대 높이를 제한하며, 그리하여 하부 베셀(2306)과 클램핑 부재(2308) 사이의 간격을 일정하게 유지할 수 있다.5 illustrates a gap between a clamping member and a lower vessel in an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention. As described above, the lifting
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 클램핑 부재와 상부 베셀 사이의 간격을 도시한다. 상술한 바와 같이, 숄더 볼트(2331)의 플랜지부(2331A)가 상부 플레이트(2303)의 상면에 걸리도록 구성되고, 숄더 볼트(2331)의 체결부(2331C)가 상부 베셀(2302)의 체결홀에 체결된다. 여기서, 숄더 볼트(2331)의 볼트 로드부(2331B)에 의해 상부 베셀(2302)은 상부 플레이트(2303)로부터 일정 간격만큼 이격된 상태로 위치할 수 있다. 숄더 볼트(2331)에 의해 상부 베셀(2302)의 위치가 결정됨으로써 상부 베셀(2302)과 클램핑 부재(2308) 사이의 간격이 유지될 수 있다.6 illustrates a gap between a clamping member and an upper vessel in an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention. As described above, the
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 숄더 볼트들의 배치 예를 도시한다. 도 7은 상부에서 바라본 본딩 설비를 도시한다. 도 7에 도시된 것과 같이, 숄더 볼트(2331)들은 원형의 상부 베셀(2302)에 대응되는 형태로 원형으로 배치될 수 있다. 그리하여, 상부 베셀(2302)이 상부 플레이트(2303)에 대하여 균일하게 결합될 수 있다.7 shows an example of arrangement of shoulder bolts in an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention. 7 shows a bonding facility viewed from above. As shown in FIG. 7 , the
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 고압 환경이 조성된 경우의 예를 도시한다. 상술한 바와 같이, 기판(W)의 처리를 위하여 기체가 주입되어 처리 공간의 내부 압력이 증가함에 따라 내부 압력이 탄성체(2332)의 감쇄력을 초과할 때 상부 베셀(2302)이 상부로 밀려 클램핑 부재(2308)에 접촉할 수 있다. 또한, 내부 압력이 증가함에 따라 내부 압력이 승강 구동부(2333)의 감쇄력을 초과할 때 하부 베셀(2306)이 하부로 밀려 클램핑 부재(2308)에 접촉할 수 있다. 8 illustrates an example of a case where a high-pressure environment is created in an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention. As described above, as gas is injected to process the substrate W and the internal pressure of the processing space increases, when the internal pressure exceeds the damping force of the
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 상부 플레이트와 상부 베셀이 힌지 구동에 의해 개방된 경우의 예를 도시한다. 도 9를 참조하면, 힌지 구동부(2320)에 의하여 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)이 힌지축(2325)을 중심으로 개방될 수 있다. 상술한 바와 같이, 힌지 구동부(2320)는 프레임(2310)에 고정되어 힌지 구동축을 형성하는 힌지 바디부(2321)와, 힌지 바디부(2321)에 결합되고 힌지 구동축을 중심으로 힌지 구동하는 힌지 로드부(2322)와, 힌지 로드부(2322)의 힌지 구동을 위한 동력을 생성하는 힌지 구동원(2323)과, 상부 플레이트(2303)와 힌지 로드부(2324)를 고정시키는 힌지 고정부(2324)를 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 것과 같이, 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)이 힌지 구동을 통해 개방 또는 폐쇄되며, 본딩 장치에 대한 정비를 수행할 때 개별 모듈들을 분해 및 조립하는 과정없이도 힌지 구동을 통해 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)을 개방하고 폐쇄함으로써 보다 용이하게 정비가 수행될 수 있다. 예를 들어, 힌지 구동부(2320)는 리니어 모터에 의해 구현될 수 있는데, 힌지 로드부(2322)가 LM 가이드를 통해 직선 이동함으로써 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)의 개폐가 제어될 수 있다.9 illustrates an example of a case in which an upper plate and an upper vessel are opened by a hinge drive in an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9 , the
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 실시예에 따른 복수개의 칩을 본딩하기 위한 장치에서 상부 플레이트와 상부 베셀이 개방되는 과정의 예를 도시한다. 도 10a에서, 기판(W)의 처리를 위해 클램핑 부재(2308)가 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)을 클램핑한다. 여기서, 클램핑 부재(2308)의 하단에 고정된 이동체(2312)가 수평 가이드(2313)의 결합 위치(중앙부)에 위치한다. 10A to 10C illustrate an example of a process in which an upper plate and an upper vessel are opened in an apparatus for bonding a plurality of chips according to an embodiment of the present invention. In FIG. 10A , a clamping
도 10b에서, 기판(W)의 처리 및 감압이 완료된 이후 기판의 반출을 위하여 클램핑 부재(2308)에 의한 상부 베셀(2302)과 하부 베셀(2306)의 클램핑이 해제된다. 클램핑의 해제를 위하여, 클램핑 부재(2308)의 하단에 고정된 이동체(2312)는 결합 위치(중앙부)로부터 결합 해제 위치(단부)로 이동할 수 있다. 이후, 도 10c에 도시된 것과 같이, 본딩 장치의 정비를 위하여 힌지 구동부(2320)에 의해 상부 플레이트(2303)와 상부 베셀(2302)이 개방될 수 있다.In FIG. 10B , after processing and depressurization of the substrate W are completed, clamping of the
비록 도시되지는 않았으나, 기판(W)의 처리를 위한 본딩 장치 내 각 모듈들의 동작을 제어하기 위한 제어부가 제공될 수 있으며, 제어부는 승강 구동부(2333), 클램핑 구동부(2311), 힌지 구동부(2320), 온도 조절부(2304) 등을 제어할 수 있다. 제어부는 하나 이상의 프로세서에 의해 구현될 수 있다. Although not shown, a control unit may be provided to control the operation of each module in the bonding apparatus for processing the substrate W, and the control unit includes a
도 1 내지 도 10c를 참고하여 설명한 기판 처리 장치에 적용될 수 있는 피드스루의 예에 대하여 설명한다. 본 발명의 실시예에 따른 피드스루는 본딩 설비뿐만 아니라 기판(W)의 처리를 위하여 밀폐가 요구되는 어느 설비(예: 식각, 증착, 초임계 처리 등)에나 적용될 수 있다.An example of a feedthrough that can be applied to the substrate processing apparatus described with reference to FIGS. 1 to 10C will be described. The feed-through according to the embodiment of the present invention may be applied not only to bonding equipment but also to any equipment (eg, etching, deposition, supercritical treatment, etc.) requiring sealing for processing the substrate W.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 피드스루를 포함하는 기판 처리부의 예를 도시한다. 도 11은 기판 처리부(230)에서 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 피드스루(2340)가 적용된 경우를 도시한다. 도 11은 기판(W)으로서 처리 공간의 환경을 측정하기 위한 센서 기판(SW)이 제공되고, 센서 기판(SW)이 피드스루(2340)를 통해 외부의 장치로 측정된 데이터를 전송하는 경우를 도시한다. 즉, 피드스루(2340)는 기판 안착부(2305)에 안착된 센서 기판(SW)과 와이어를 통해 연결되고, 센서 기판(SW)은 처리 공간 내 환경에 대한 데이터를 피드스루(2340)를 통해 외부 장치로 전송한다.11 illustrates an example of a substrate processing unit including a feed through according to an embodiment of the present invention. FIG. 11 illustrates a case in which a feed through 2340 electrically connecting the inside and outside of the processing space is applied in the
도 11을 참고하면, 기판 처리부(230)는 기판(SW)이 처리될 수 있는 처리 공간을 형성하는 베셀(2302)과, 처리 공간에 위치하여 상기 기판을 하부에서 지지하는 기판 안착부(2305)와, 처리 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급부와, 처리 공간에 열 에너지를 제공하는 히터(2304)와, 처리 공간 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 피드스루(2340)를 포함한다. 피드스루(2340)는 처리 공간을 형성하는 베셀(2302, 2306)에 고정되도록 설치되는 바디부(2341)와, 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 커넥터부(2342)와, 처리 공간을 밀폐하는 씰링 부재(2343)를 포함한다. 도 11 및 도 12는 피드스루(2340)가 하부 베셀(2306)에 구비되는 예를 도시하나, 피드스루(2340)는 상부 베셀(2302)에도 구비될 수 있다.Referring to FIG. 11 , the
바디부(2341)는 베셀(2302, 2306)과의 체결을 위한 체결구(2344)와, 바디부(2341)의 일면에서 체결구(2344) 주변에서 돌출되도록 형성되어 베셀(2302, 2306)과 접촉하는 금속 접촉부(2345)와, 바디부(2341)의 일면에서 금속 접촉부(2345)를 제외한 나머지 영역에 형성되어 씰링 부재(2343)와 접촉하는 가스켓 접촉부(2346)를 포함한다. The
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리부(230)는 고온 및 고압의 환경을 조성하여 기판(W)을 처리하기 때문에, 피드스루(2340)는 고온 및 고압의 기체로부터의 압력이 발생함에도 불구하고 처리 공간으로부터 기체가 유출되지 않도록 처리 공간을 밀폐시킬 수 있어야 한다. 그리하여, 본 발명의 실시예에 따른 피드스루(2340)는 베셀(2302, 2306)과 볼트(2360)를 통해 체결되는 체결구 근처에서 맞닿도록 금속 체결부(2345)를 통해 기체의 압력에 의한 변형을 방지하고, 또한 금속 체결부(2345) 주변의 영역에서 씰링 부재(2343)와 접촉하는 가스켓 접촉부(2346)를 구성함으로써 기체의 유출을 방지할 수 있다.As described above, since the
한편, 커넥터부(2342)의 상부(처리 공간의 내측 방향)에 내측 커넥터부(2351)가 구비되고, 커넥터부(2342)의 하부(처리 공간의 외측 방향)에 외측 커넥터부(2352)가 구비된다. 내측 커넥터부(2351)의 연결 핀은 커넥터부(2342)의 핀을 통해 외측 커넥터부(2352)의 연결 핀과 연결된다. 센서 기판(SW)은 와이어를 통해 내측 커넥터부(2351)와 연결됨으로써 외부의 장치와 전기적으로 연결될 수 있다. 그리하여, 센서 기판(SW)에 의해 측정된 데이터가 처리 공간 외부의 장치로 전달될 수 있다.On the other hand, an
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 피드스루의 단면도이다. 도 12를 참고하면, 피드스루(2340)는 베셀(2302, 2306)에 볼트(2360)를 통해 결합되는 바디부(2341)와, 바디부(2341)의 개구부에 삽입되는 커넥터부(2342), 처리 공간을 밀폐시키기 위한 씰링 부재(2343)가 제공된다. 또한, 커넥터부(2342)의 상부(처리 공간의 내측 방향)에 위치한 내측 커넥터부(2351)와 커넥터부(2342)의 하부(처리 공간의 외측 방향)에 위치한 외측 커넥터부(2352)가 제공된다.12 is a cross-sectional view of a feed through according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 12 , the
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 실시예에 따른 피드스루(2340)의 사시도이다. 도 13a는 내측 커넥터부(2351)와 결합되는 피드스루(2340)의 일면을 나타내고, 도 13b는 외측 커넥터부(2352)와 결합되는 피드스루(2340)의 일면을 나타낸다. 도 13a 및 도 13b에 도시된 것과 같이, 피드스루(2340)의 제1 평면은 처리 공간의 내측 방향을 향하며 제2 평면은 처리 공간의 외측 방향을 향한다. 피드스루(2340)는 베셀(2302, 2306)과 밀착하는 면으로서, 체결구(2344) 주변에서 형성되어 베셀(2302, 2306)에 접촉하는 금속 접촉부(2345)와 금속 접촉부(2345)를 제외한 나머지 영역에 형성되어 씰링 부재(2343)에 접촉하는 가스켓 접촉부(2346)를 포함한다.13A and 13B are perspective views of a
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 피드스루(2340)의 바디부(2341)를 도시한다. 도 14를 참고하면, 피드스루(2340)는 볼트(2360)가 삽입되는 체결구(2344)와, 체결구(2344) 근처에 돌출되도록 형성되어 베셀(2302, 2306)에 접촉하는 금속 접촉부(2345)와, 씰링 부재(2343)에 접촉하는 가스켓 접촉부(2346)를 포함도록 구성된다. 14 shows a
도 15 및 도 16는 본 발명의 실시예에 따른 피드스루(2340)의 구조를 도시한다. 도 15 및 도 16에 도시된 것과 같이, 바디부(2341)의 중앙 개구부에 커넥터부(2342)가 삽입되고, 베셀(2302)과 바디부(2341)는 볼트(2360)에 의해 체결된다. 바디부(2341)는 볼트(2360)가 삽입되는 체결구(2344), 체결구(2344) 근처에서 돌출되도록 형성되어 베셀(2302)과 접촉하는 금속 접촉부(2345), 그리고 씰링 부재(2343)와 접촉하는 가스켓 접촉부(2346)를 포함한다. 15 and 16 show the structure of a feed through 2340 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 15 and 16 , the
도 17a 및 17b는 본 발명의 실시예에 따른 피드스루의 바디부 및 씰링 부재를 도시한다. 상술한 바와 같이, 고온 및 고압의 환경을 사용하여 기판(W)을 처리하는 장치에서, 기체의 압력에 의한 변형을 방지하면서 기체의 누설을 방지할 수 있는 피드스루(2340)가 요구된다. 그리하여, 본 발명의 실시예에 따른 피드스루(2340)는 볼트(2360)가 삽입되는 체결구(2344) 근처에서 돌출되도록 형성되어 베셀(2302)과 접촉하는 금속 접촉부(2345)와 씰링 부재(2343)와 접촉하는 가스켓 접촉부(2346)를 포함한다. 씰링 부재(2343)는 가스켓 접촉부(2346)에 부착된다. 17a and 17b show a body portion of a feedthrough and a sealing member according to an embodiment of the present invention. As described above, in an apparatus for processing the substrate W using a high-temperature and high-pressure environment, a
여기서, 도 17a에 도시된 것과 같이, 씰링 부재(2343)의 수직 방향 두께(TH1)는 금속 접촉부(2345)의 수직 방향 돌출 두께(TH2)보다 크도록 구성된다. 즉, 씰링 부재(2343)의 수직 방향 두께(TH1)를 금속 접촉부(2345)의 수직 방향 돌출 두께(TH2) 보다 크도록 구성함으로써 처리 공간의 기체가 누설되지 않도록 할 수 있다.Here, as shown in FIG. 17A , the vertical thickness TH1 of the sealing
본 발명의 실시예에서, 씰링 부재(2343)는 내열성과 탄성을 갖는 엔지니어링 플라스틱 소재로 구성될 수 있다. 예를 들어, 씰링 부재(2343)는 불소 계열 테프론 수지와 같은 엔지니어링 플라스틱으로 구성될 수 있다. 불소 계열 테프론 수지의 예로서 PVDF(Polyvinylidene Fluoride) 또는 PCTFE(Polychlorotrifluoroethylene) 등 이와 유사한 소재가 있을 것이다.In an embodiment of the present invention, the sealing
도 17b에 도시된 것과 같이, 금속 접촉부(2345)의 직경(D1)은 체결구(2344)에 삽입되는 볼트(2360)의 플랜지 직경(D2) 보다 더 크도록 형성될 수 있다. 도 17b와 같이, 금속 접촉부(2345)의 직경(D1)이 체결구(2344)에 삽입되는 볼트(2360)의 플랜지 직경(D2) 보다 더 크도록 형성함으로써, 금속 접촉부(2345)의 직경(D1)을 플랜지 직경(D2) 보다 작거나 같도록 구성하는 경우에 비하여 기체에 의해 발생하는 압력에 의해 금속 접촉부(2345)의 변형으로 인하여 씰링 부재(2343)가 변형되는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 17B , the diameter D1 of the
한편, 금속 접촉부(2345)는 바디부(2341)의 외벽으로부터 연장되는 외주부(2371)와 씰링 부재(2343)와 접촉하는 내주부(2372)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the
도 18은 본 발명의 실시예에 따른 내압과 변형 발생량의 관계를 도시한다.18 shows the relationship between internal pressure and amount of deformation according to an embodiment of the present invention.
도 18을 참고하면, 세로 축은 씰링 부재(가스켓)(2343)와 볼트(2360)에 가해지는 압력, 가로 축은 씰링 부재(가스켓)(2343)와 볼트(2360)의 변형량을 나타낸다. 도 18에 도시된 것과 같이, 동일한 압력이 가해졌을 때 씰링 부재(2343)가 볼트(2360)에 비하여 더 많이 변형되는 것을 확인할 수 있다. 또한, 기준치 이상의 압력이 가해지면 씰링 부재(2343)에 소성변형이 발생하여 더이상 씰링 부재(2343)는 원래의 형상으로 복원되지 않는다. 그러므로, 씰링 부재는 소성변형전 탄성변형량 내에서만 변위 될수 있게 금속 접촉부보다 미세 돌출되어야 한다. 압력에 의한 변형에 강인한 바디부(2341)에서 체결구(2344) 주변에서 돌출되는 금속 접촉부(2345)와 금속 접촉부(2345)를 제외한 나머지 영역에서 씰링 부재(2343)와 접촉하는 가스켓 접촉부(2346)가 구성될 수 있다. Referring to FIG. 18 , the vertical axis represents the pressure applied to the sealing member (gasket) 2343 and the
상술한 본 발명의 실시예에 따른 피드스루(2340)는 기판 처리 장치 및 본딩 설비에 적용될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판(W)이 처리될 수 있는 처리 공간을 형성하는 베셀(2302, 2306)과, 처리 공간에 위치하여 기판(W)을 하부에서 지지하는 기판 안착부(2305)와, 처리 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급부와, 처리 공간에 열 에너지를 제공하는 히터(2304)와, 처리 공간 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 피드스루(2340)를 포함한다. 피드스루(2340)는 처리 공간을 형성하는 베셀(2302, 2306)에 고정되도록 설치되는 바디부(2341)와, 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 커넥터부(2342)와, 처리 공간을 밀폐하는 씰링 부재(2343)를 포함한다. 바디부(2341)는 베셀(2302)와의 체결을 위한 체결구(2344)와, 바디부(2302)의 일면에서 체결구(2344) 주변에서 돌출되도록 형성되어 상기 베셀과 접촉하는 금속 접촉부(2345)와, 바디부(2302)의 일면에서 금속 접촉부(2345)를 제외한 나머지 영역에 형성되어 씰링 부재(2343)와 접촉하는 가스켓 접촉부를 포함할 수 있다.The feed through 2340 according to the above-described embodiment of the present invention may be applied to a substrate processing apparatus and a bonding facility. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes
본 발명의 실시예에 따른 본딩 설비는 복수개의 칩이 안착된 기판을 수용하는 용기가 안착되는 로딩부(210)와, 로딩부(210)에 안착된 용기로부터 상기 기판을 반출하는 기판 이송부(220)와, 기판 이송부(220)로부터 제공된 기판 상에 복수개의 칩을 본딩하는 기판 처리부(230)와, 기판 처리부(230)에 의해 처리된 기판을 기판 이송부(220)로부터 수신하고, 처리된 기판 상에 본딩된 칩을 검사하는 기판 검사부(240)를 포함한다. 기판 처리부(230)는 기판(W)이 처리될 수 있는 처리 공간을 형성하는 베셀(2302, 2306)과, 처리 공간에 위치하여 기판(W)을 하부에서 지지하는 기판 안착부(2305)와, 처리 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급부와, 처리 공간에 열 에너지를 제공하는 히터(2304)와, 처리 공간 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 피드스루(2340)를 포함한다. 피드스루(2340)는 처리 공간을 형성하는 베셀(2302, 2306)에 고정되도록 설치되는 바디부(2341)와, 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 커넥터부(2342)와, 처리 공간을 밀폐하는 씰링 부재(2343)를 포함한다. 바디부(2341)는 베셀(2302)와의 체결을 위한 체결구(2344)와, 바디부(2341)의 일면에서 체결구(2344) 주변에서 돌출되도록 형성되어 상기 베셀과 접촉하는 금속 접촉부(2345)와, 바디부(2341)의 일면에서 금속 접촉부(2345)를 제외한 나머지 영역에 형성되어 씰링 부재(2343)와 접촉하는 가스켓 접촉부를 포함할 수 있다.A bonding facility according to an embodiment of the present invention includes a
도 19a 및 도 19b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 피드스루의 구성에 대한 예를 도시한다. 도 19a 및 도 19b의 기판 처리 장치는 앞서 설명한 마찬가지로 고온 및 고압의 환경을 조성하여 기판에 대한 공정(예: 초임계 세정, 건조)을 수행하는 장치의 예이다.19A and 19B show examples of configurations of a substrate processing apparatus and a feedthrough according to another embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus of FIGS. 19A and 19B is an example of a device that performs processes (eg, supercritical cleaning and drying) on a substrate by creating a high-temperature and high-pressure environment as described above.
도 19a 및 도 19b를 참조하면, 기판(SW)이 기판 홀더(2305)에 안착되며, 기판 홀더(2305)는 수평 방향으로 이동 가능한 수평 이동 부재(2380)에 고정되어 함께 수평 이동한다. 도 19a와 같이 수평 이동 부재(2380)는 좌측 방향으로 이동하여 기판을 수용하고, 도 19b와 같이 우측으로 이동하여 처리 공간을 형성하는 베셀(2370)과 결합하여 처리 공간을 밀폐 상태로 만들 수 있다. 기판의 처리를 위한 기체는 제1 기압 조절부(2309A) 또는 제2 기압 조절부(2309B)에 의해 공급될 수 있으며, 기판의 처리 이후 감압을 위하여 제3 기압 조절부(2309C)에 의해 기체가 배출될 수 있다. 또한, 처리 공간의 밀페를 위한 실링 부재(2390)가 수평 이동 부재(2380)와 베셀(2370) 사이에 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 19A and 19B , a substrate SW is seated on a
한편, 앞서 설명한 고압 환경에서도 밀폐 및 볼트의 체결력을 유지할 수 있는 피드스루(2340)가 도 19의 기판 처리 장치에 적용될 수 있다. 도 19의 기판 처리 장치 내 처리 공간의 환경을 측정하기 위한 센서 웨이퍼(SW)가 처리 공간 내에 배치되고, 피드스루(2340)와 센서 웨이퍼(SW), 그리고 외부의 처리 장치가 전기적으로 연결됨으로써 측정이 수행될 수 있다. 한편, 처리 공간 내 온도를 조절하기 위한 온도 조절부(예: 히터)는 제1 기압 조절부(2309A) 또는 제2 기압 조절부(2309B)에 삽입되거나, 베셀(2370) 내부에 삽입될 수 있다.Meanwhile, the feed-through 2340 capable of maintaining sealing and fastening force of bolts even in a high-pressure environment described above may be applied to the substrate processing apparatus of FIG. 19 . A sensor wafer (SW) for measuring the environment of the processing space in the substrate processing apparatus of FIG. 19 is disposed in the processing space, and the
이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although various embodiments of the present invention have been described above, the drawings and detailed description of the present invention referred to so far are only examples of the present invention, which are only used for the purpose of explaining the present invention, but are limited in meaning or claims. It is not intended to be used to limit the scope of the invention described in the scopes. Therefore, those of ordinary skill in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.
Claims (20)
처리 공간을 형성하는 베셀에 고정되도록 설치되는 바디부;
상기 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 커넥터부; 및
상기 처리 공간을 밀폐하는 씰링 부재를 포함하고,
상기 바디부는,
상기 베셀을 향하는 제1 면과, 상기 제1 면의 반대측에 배치된 제2 면;
상기 베셀과의 체결을 위한 체결구;
상기 체결구 주변에서, 상기 제1 면에서 돌출되도록 형성되어 상기 베셀과 접촉하는 금속 접촉부;
상기 제1 면에서 상기 금속 접촉부를 제외한 나머지 영역 중 적어도 일부에 형성되고, 상기 금속 접촉부의 표면보다 상기 바디부의 내측으로 함몰된 가스켓 접촉부; 및
상기 가스켓 접촉부에 배치된 상기 씰링 부재를 포함하고,
상기 씰링 부재의 수직 방향 두께는 상기 금속 접촉부의 수직 방향 돌출 두께보다 커서, 상기 씰링 부재의 표면이 상기 금속 접촉부의 표면보다 돌출되는 것을 특징으로 하는 피드스루.In the feedthrough for electrically connecting the inside and outside of the processing space in a substrate processing apparatus,
a body portion installed to be fixed to a vessel forming a processing space;
a connector unit electrically connecting the inside and outside of the processing space; and
A sealing member sealing the processing space;
The body part,
a first surface facing the vessel and a second surface disposed opposite to the first surface;
A fastener for fastening with the vessel;
a metal contact portion protruding from the first surface around the fastener and contacting the vessel;
a gasket contact portion formed on at least a portion of an area remaining on the first surface except for the metal contact portion and recessed into the body portion from a surface of the metal contact portion; and
Including the sealing member disposed in the gasket contact portion,
A vertical thickness of the sealing member is greater than a vertical protruding thickness of the metal contact portion, so that a surface of the sealing member protrudes more than a surface of the metal contact portion.
상기 씰링 부재는 상기 가스켓 접촉부에 부착되는 것을 특징으로 하는 피드스루.
According to claim 1,
The feed through, characterized in that the sealing member is attached to the gasket contact portion.
상기 씰링 부재는 내열성과 탄성을 갖는 엔지니어링 플라스틱 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 피드스루.
According to claim 1,
The sealing member is a feedthrough, characterized in that composed of an engineering plastic material having heat resistance and elasticity.
상기 금속 접촉부는,
상기 바디부의 외벽으로부터 연장되는 외주부; 및
상기 씰링 부재와 접촉하는 내주부를 포함하는 것을 특징으로 하는 피드스루.
According to claim 1,
The metal contact part,
an outer peripheral portion extending from an outer wall of the body portion; and
A feed through comprising an inner periphery in contact with the sealing member.
상기 금속 접촉부의 둘레가 상기 체결구에 체결되는 볼트의 플랜지 둘레 보다 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 피드스루.
According to claim 1,
The feed through, characterized in that the circumference of the metal contact portion is formed to be larger than the circumference of the flange of the bolt fastened to the fastener.
기판이 처리될 수 있는 처리 공간을 형성하는 베셀;
상기 처리 공간에 위치하여 상기 기판을 하부에서 지지하는 기판 안착부;
상기 처리 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급부;
상기 처리 공간에 열 에너지를 제공하는 히터; 및
처리 공간 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 피드스루를 포함하고,
상기 피드스루는,
처리 공간을 형성하는 베셀에 고정되도록 설치되는 바디부;
상기 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 커넥터부; 및
상기 처리 공간을 밀폐하는 씰링 부재를 포함하고,
상기 바디부는,
상기 베셀을 향하는 제1 면과, 상기 제1 면의 반대측에 배치된 제2 면;
상기 베셀과의 체결을 위한 체결구;
상기 체결구 주변에서, 상기 제1 면에서 돌출되도록 형성되어 상기 베셀과 접촉하는 금속 접촉부;
상기 제1 면에서 상기 금속 접촉부를 제외한 나머지 영역 중 적어도 일부에 형성되고, 상기 금속 접촉부의 표면보다 상기 바디부의 내측으로 함몰된 가스켓 접촉부; 및
상기 가스켓 접촉부에 배치된 상기 씰링 부재를 포함하고,
상기 씰링 부재의 수직 방향 두께는 상기 금속 접촉부의 수직 방향 돌출 두께보다 커서, 상기 씰링 부재의 표면이 상기 금속 접촉부의 표면보다 돌출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus,
a vessel forming a processing space in which a substrate can be processed;
a substrate seating unit positioned in the processing space to support the substrate from a lower portion;
a gas supply unit supplying gas to the processing space;
a heater providing thermal energy to the processing space; and
Including a feedthrough electrically connecting the inside and outside of the processing space,
The feed through,
a body portion installed to be fixed to a vessel forming a processing space;
a connector unit electrically connecting the inside and outside of the processing space; and
A sealing member sealing the processing space;
The body part,
a first surface facing the vessel and a second surface disposed opposite to the first surface;
A fastener for fastening with the vessel;
a metal contact portion protruding from the first surface around the fastener and contacting the vessel;
a gasket contact portion formed on at least a portion of an area remaining on the first surface except for the metal contact portion and recessed into the body portion from a surface of the metal contact portion; and
Including the sealing member disposed in the gasket contact portion,
A thickness of the sealing member in the vertical direction is greater than a thickness of the vertical protrusion of the metal contact portion, so that a surface of the sealing member protrudes more than a surface of the metal contact portion.
상기 피드스루는 상기 기판 안착부에 안착된 센서 기판과 와이어를 통해 연결되고,
상기 센서 기판은 상기 처리 공간 내 환경에 대한 데이터를 상기 피드스루를 통해 외부 장치로 전송하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 7,
The feed-through is connected to the sensor board seated in the board seating part through a wire,
The sensor substrate transmits data about the environment in the processing space to an external device through the feed-through.
상기 씰링 부재는 상기 가스켓 접촉부에 부착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 7,
The sealing member is a substrate processing apparatus, characterized in that attached to the gasket contact portion.
상기 씰링 부재는 내열성과 탄성을 갖는 플라스틱 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 7,
The sealing member is a substrate processing apparatus, characterized in that composed of a plastic material having heat resistance and elasticity.
상기 금속 접촉부는,
상기 바디부의 외벽으로부터 연장되는 외주부; 및
상기 씰링 부재와 접촉하는 내주부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 7,
The metal contact part,
an outer peripheral portion extending from an outer wall of the body portion; and
A substrate processing apparatus comprising an inner peripheral portion in contact with the sealing member.
상기 금속 접촉부의 둘레가 상기 체결구에 체결되는 볼트의 플랜지 둘레 보다 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
According to claim 7,
The substrate processing apparatus, characterized in that the circumference of the metal contact portion is formed to be larger than the circumference of the flange of the bolt fastened to the fastener.
복수개의 칩이 안착된 기판을 수용하는 용기가 안착되는 로딩부;
상기 로딩부에 안착된 용기로부터 상기 기판을 반출하는 기판 이송부;
상기 기판 이송부로부터 제공된 상기 기판 상에 상기 복수개의 칩을 본딩하는 기판 처리부;
기판 처리부에 의해 처리된 기판을 상기 기판 이송부로부터 수신하고, 상기 처리된 기판 상에 본딩된 칩을 검사하는 기판 검사부를 포함하고,
상기 기판 처리부는,
기판이 처리될 수 있는 처리 공간을 형성하는 베셀;
상기 처리 공간에 위치하여 상기 기판을 하부에서 지지하는 기판 안착부;
상기 처리 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급부;
상기 처리 공간에 열 에너지를 제공하는 히터; 및
처리 공간 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 피드스루를 포함하고,
상기 피드스루는,
처리 공간을 형성하는 베셀에 고정되도록 설치되는 바디부;
상기 처리 공간의 내부와 외부를 전기적으로 연결하는 커넥터부; 및
상기 처리 공간을 밀폐하는 씰링 부재를 포함하고,
상기 바디부는,
상기 베셀을 향하는 제1 면과, 상기 제1 면의 반대측에 배치된 제2 면;
상기 베셀과의 체결을 위한 체결구;
상기 체결구 주변에서, 상기 제1 면에서 돌출되도록 형성되어 상기 베셀과 접촉하는 금속 접촉부;
상기 제1 면에서 상기 금속 접촉부를 제외한 나머지 영역 중 적어도 일부에 형성되고, 상기 금속 접촉부의 표면보다 상기 바디부의 내측으로 함몰된 가스켓 접촉부; 및
상기 가스켓 접촉부에 배치된 상기 씰링 부재를 포함하고,
상기 씰링 부재의 수직 방향 두께는 상기 금속 접촉부의 수직 방향 돌출 두께보다 커서, 상기 씰링 부재의 표면이 상기 금속 접촉부의 표면보다 돌출되는 것을 특징으로 하는 본딩 설비. In the bonding facility,
a loading unit in which a container accommodating a substrate on which a plurality of chips is mounted is seated;
a substrate transfer unit transporting the substrate from the container seated in the loading unit;
a substrate processing unit bonding the plurality of chips onto the substrate provided from the substrate transfer unit;
A substrate inspection unit receiving a substrate processed by the substrate processing unit from the substrate transfer unit and inspecting a chip bonded on the processed substrate;
The substrate processing unit,
a vessel forming a processing space in which a substrate can be processed;
a substrate seating unit positioned in the processing space to support the substrate from a lower portion;
a gas supply unit supplying gas to the processing space;
a heater providing thermal energy to the processing space; and
Including a feedthrough electrically connecting the inside and outside of the processing space,
The feed through,
a body portion installed to be fixed to a vessel forming a processing space;
a connector unit electrically connecting the inside and outside of the processing space; and
A sealing member sealing the processing space;
The body part,
a first surface facing the vessel and a second surface disposed opposite to the first surface;
A fastener for fastening with the vessel;
a metal contact portion protruding from the first surface around the fastener and contacting the vessel;
a gasket contact portion formed on at least a portion of an area other than the metal contact portion on the first surface and recessed into the body portion from a surface of the metal contact portion; and
Including the sealing member disposed in the gasket contact portion,
A vertical thickness of the sealing member is greater than a vertical projection thickness of the metal contact portion, so that a surface of the sealing member protrudes from a surface of the metal contact portion.
상기 피드스루는 상기 기판 안착부에 안착된 센서 기판과 와이어를 통해 연결되고,
상기 센서 기판은 상기 처리 공간 내 환경에 대한 데이터를 상기 피드스루를 통해 외부 장치로 전송하는 것을 특징으로 하는 본딩 설비.
According to claim 14,
The feed-through is connected to the sensor board seated in the board seating part through a wire,
The bonding facility, characterized in that the sensor substrate transmits data on the environment in the processing space to an external device through the feed-through.
상기 씰링 부재는 상기 가스켓 접촉부에 부착되는 것을 특징으로 하는 본딩 설비.
According to claim 14,
The bonding facility, characterized in that the sealing member is attached to the gasket contact portion.
상기 씰링 부재는 내열성과 탄성을 갖는 플라스틱 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 본딩 설비.
According to claim 14,
Bonding facility, characterized in that the sealing member is composed of a plastic material having heat resistance and elasticity.
상기 금속 접촉부는,
상기 바디부의 외벽으로부터 연장되는 외주부; 및
상기 씰링 부재와 접촉하는 내주부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 설비.
According to claim 14,
The metal contact part,
an outer peripheral portion extending from an outer wall of the body portion; and
Bonding facility characterized in that it comprises an inner peripheral portion in contact with the sealing member.
상기 금속 접촉부의 둘레가 상기 체결구에 체결되는 볼트의 플랜지 둘레 보다 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 본딩 설비.According to claim 14,
Bonding equipment, characterized in that the circumference of the metal contact portion is formed to be larger than the circumference of the flange of the bolt fastened to the fastener.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200158080A KR102572522B1 (en) | 2020-11-23 | 2020-11-23 | Feedthrough for electrically connecting between internal part and external part of processing region in substrate processing appratus |
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KR1020200158080A KR102572522B1 (en) | 2020-11-23 | 2020-11-23 | Feedthrough for electrically connecting between internal part and external part of processing region in substrate processing appratus |
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