KR102555812B1 - 발광 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 장치는, 기판 상에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자를 덮는 봉지층; 및 상기 봉지층 상에 배치된 텍스처층;을 포함할 수 있다. 상기 텍스처층의 표면은 동심원의 복수의 리지 구조를 가질 수 있다. 상기 리지 구조의 상기 동심원의 반경 방향의 단면은 삼각형상이고, 상기 삼각형상의 상기 봉지층 측으로부터 가장 먼 쪽에 있는 정점으로부터 상기 정점과 대향하는 저변에 내린 수선과, 상기 정점을 이루는 변이 각각 이루는 각도가 40도 이하인 형상을 각각 가질 수 있다.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING APPARATUS}
본 발명은 발광 장치에 관한 것으로, 특히 발광 소자를 이용한 발광 장치에 관한 것이다.
근래, 발광 소자로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode, 이하 'LED'라고도 칭함)를 이용한 발광 장치의 고효율화가 추진되고 있다.
LED는, P형과 N형의 반도체의 접합에 의해 구성되어 있고, 접합부에 전압이 인가됨으로써 접합부에 있어서 전자와 정공이 결합하고, 반도체의 밴드 갭에 상당하는 에너지의 광을 방출하는 반도체 소자이다.
LED는, 기존의 백열 전구와 비교해, 소형화, 경량화가 가능하고, 발열이 적고, 수명이 길고, 고속의 응답이 가능하다는 장점을 갖고, 조명 등의 다양한 발광 장치로서 이용되고 있다.
LED를 이용한 발광 장치는, 일반적으로, LED의 칩과, 그 칩을 덮음으로써 보호하는 봉지층을 포함하고, LED로부터 방출된 광은, 봉지층의 표면으로부터 외부에 방사된다. 그러나, 봉지층의 굴절률이 대기의 굴절률과 비교해 크기 때문에, LED로부터 방출된 광의 비교적 많은 부분이, 봉지층과 대기와의 계면에 있어서 봉지층 측에 반사됨으로써, 발광 장치로서의 고효율화가 방해되고 있다.
발광 장치의 고효율화를 실현하는 선행 기술로서는 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 기재된 것이 있다. 특허문헌 1에는, LED 상에 형성된 캡슐의 표면에 복수의 각뿔 등의 돌기로 이루어진 텍스처를 구비하고, LED로부터 방출된 광이 임계각보다 작은 각도로 텍스처의 표면에 입사시킴으로써 반사하는 광을 줄이고, 광 출력을 증가시키는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 2에는, LED를 봉지하는 수지층 상에 복수의 각뿔 등의 돌기를 형성함으로써, 돌기의 내측을 향해 반사하는 광을 저감하고, 돌기의 외측을 향해 조사되는 광을 증대함으로써 광 추출 효율을 향상시키는 것이 기재되어 있다.
특허문헌1: 일본 특허 공표 2011-526083호 공보
특허문헌2: 일본 특허 공개 2013-251349호 공보
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그러나, LED로부터 방출되는 광의 봉지층 표면으로의 입사 각도는 넓은 범위에 분포한다. 따라서, 단지 봉지층 표면에 각뿔 등의 돌기를 형성했다고 해도, 돌기의 표면에 입사한 LED로부터의 광의 대부분은 일부 또는 전부가 반사하고, 반사한 광은, 발광 장치로부터의 광의 조사 방향과는 반대 방향으로 되돌아오고, 봉지층에 포함되는 형광체와의 충돌 등에 의해 감쇠한다. 상기 선행 기술은, 돌기의 표면에서 반사해 되돌아오는 광을 발광 장치로부터의 방사광으로서 효율적으로 추출하지 못한다는 문제가 있다.
또한, LED로부터 방출되는 광은, 봉지층 표면에 대해 45°근방의 범위의 입사각으로 입사하는 방향의 강도가 가장 높아지지만, 상기 선행 기술은, 상기 범위의 입사각으로 봉지층 표면에 입사하는 광을 발광 장치로부터의 방사광으로서 적절히 추출하지 못한다는 문제도 있다.
본 발명은, 이러한 문제를 해결하기 위해 만들어진 것이다. 즉, 단면이 삼각형상으로서, 상기 삼각형상의 봉지층 측으로부터 가장 먼 쪽의 정점으로부터 저변에 내린 수선(垂線)과, 정점을 이루는 변이 각각 이루는 각도가 40도 이하인 형상을 각각 갖는 동심원의 복수의 리지 구조를, 봉지층 상의 텍스처층의 표면에 설치한다. 이에 의해, 리지 구조의 표면에서 반사하는 광의 반사 방향을 발광 장치로부터의 광의 조사 방향으로 돌릴 수 있기 때문에, 텍스처층 내에서의 반사광을 효율적으로 추출함으로써 발광 장치의 고효율화를 실현할 수 있다. 또한, LED로부터 방출되는 광 중 강도가 가장 높은, 봉지층 표면에 대해 45° 근방의 범위의 입사각으로 입사하는 광의 리지 구조의 표면에서의 전반사를 억제할 수 있기 때문에, 발광 장치의 더 큰 고효율화를 실현할 수 있다.
본 발명의 상기 과제는, 이하의 수단에 의해 해결된다.
기판 상에 배치된 발광 소자; 상기 발광 소자를 덮는 봉지층; 및 상기 봉지층 상에 배치된 텍스처층;을 갖고, 상기 텍스처층의 표면은 동심원의 복수의 리지 구조를 갖고, 상기 리지 구조의 상기 동심원의 반경 방향의 단면은, 삼각형상으로서, 상기 삼각형상의 상기 봉지층 측으로부터 가장 먼 쪽에 있는 정점으로부터 상기 정점과 대향하는 저변에 내린 수선과, 상기 정점을 이루는 변이 각각 이루는 각도가 40도 이하인 형상을 각각 갖는, 발광 장치.
단면이 삼각형상으로서, 상기 삼각형상의 봉지층 측으로부터 가장 먼 쪽의 정점으로부터 저변에 내린 수선과, 정점을 이루는 변이 각각 이루는 각도가 40도 이하인 형상을 각각 갖는 동심원의 복수의 리지 구조를, 봉지층 상의 텍스처층의 표면에 설치한다. 이에 의해, 리지 구조의 표면에서 반사하는 광의 반사 방향을 발광 장치로부터의 광의 조사 방향으로 돌릴 수 있기 때문에, 텍스처층 내에서의 반사광을 효율적으로 추출함으로써 발광 장치의 고효율화를 실현할 수 있다. 또한, LED로부터 방출되는 광 중 강도가 가장 높은, 봉지층 표면에 대해 45° 근방의 범위의 입사각으로 입사하는 광의 리지 구조의 표면에서의 전반사를 억제할 수 있기 때문에, 발광 장치의 더 큰 고효율화를 실현할 수 있다.
도 1은 발광 장치의 구조를 나타내는 상면도 및 단면도이다.
도 2는 리지 구조의 단면에 관해 설명하기 위한 설명도이다.
도 3은 LED로부터 방출되는 광의 봉지층 표면으로의 입사 각도와 광 강도와의 분포의 그래프를 나타내는 도이다.
도 4는 각도(θ1) 및 각도(θ2)를 40도 이하로 한 경우와, 40도 보다 크게 한 경우의 리턴 광의 방향을 비교해 나타내는 설명도이다.
도 5는 리지 구조의 단면이 직각 삼각형인 경우의 각도(θ1)와 발광 장치의 광 추출 효율비와의 관계의 측정 결과를 나타내는 도이다.
도 6은 텍스처층의 표면의 리지 구조를 갖지 않는 영역의 표면 전체에 대한 면적 비율인 중심부 면적 비율과, 광 추출 효율비와의 관계의 측정 결과를 나타내는 도이다.
도 7은 발광 장치의 제조 방법의 제1 실시형태를 나타내는 도이다.
도 8은 발광 장치의 제조 방법의 제2 실시형태를 나타내는 도이다.
도 9는 제2 실시형태에 따른 발광 장치의 제조 방법에 의해 제조되는 발광 장치의 구조를 나타내는 상면도 및 단면도이다.
이하, 도면을 참조해, 본 발명의 실시형태에 따른 발광 장치에 관해 상세히 설명한다.
한편, 본 명세서에 있어서, 하나의 층과 다른 층(대기를 포함함)과의 계면을 상기 하나의 층의 표면이라고 기재한다. 또한, 도면에 있어서, 각 요소의 치수 및 비율은 설명의 편의상 과장되어 있고, 실제의 비율과는 다른 경우가 있다.
도 1은, 본 실시형태에 따른 발광 장치의 구조를 나타내는 상면도 및 단면도이다. 도 1a는 발광 장치(100)의 상면도이고, 도 1b는 상기 상면도의 A-A'에서의 단면도이다. 도 1에는, 발광 장치(100)의 구조의 예로서 COB(Chip On Board) 구조가 나타나 있다.
발광 장치(100)는, 기판(101), 몰드 프레임(102), LED(103), 봉지층(104), 및 텍스처층(105)을 포함할 수 있다.
기판(101)은, 알루미나(Al2O3), 알루미늄(Al), 또는 실리콘(Si)의 판상체, 또는, 알루미늄의 판상체 상에 알루미나 및/또는 실리콘(Si)의 층을 설치한 것에 의해 구성될 수 있다. 기판(101) 상에는, 각 LED(103)에 각각 전력을 공급하기 위한 미도시의 전극이 설치될 수 있다.
몰드 프레임(102)은, 기판(101) 상에 설치된 원형의 벽이고, LED(103)를 덮는 봉지층(104)을 형성할 때, 봉지층(104)의 재료인 실리콘 수지 등을 막기 위한 댐으로서 기능을 할 수 있다. 이에 의해, 몰드 프레임(102)은, 몰드 프레임(102)의 내부에 배치된 봉지층(104)을 둘러싸도록 구성될 수 있다. 몰드 프레임(102)은, LED(103)로부터 방출된 광을 반사해 텍스처층(105)의 표면으로부터 광을 외부에 방사시키도록 광의 방향을 조정하는 기능을 가질 수 있다. 몰드 프레임(102)은, 알루미나 및/또는 실리콘 수지를 사용해 구성될 수 있다.
LED(103)는 발광 소자를 구성하고, 청색광의 광 에너지에 상당하는 밴드 갭을 갖는 반도체를 사용해 구성된 발광 다이오드의 칩일 수 있다. LED(103)는 순 방향으로 전압이 인가됨으로써 청색광을 방출할 수 있다. 발광 장치(100)에 실장되는 LED(103)의 수는 한정되지 않고, 단수여도 복수여도 된다. LED(103)는 미도시의 본딩 와이어 및 배선을 통해 상술한 전극에 접속될 수 있다.
봉지층(104)은 LED(103)를 덮음으로써 LED(103)를 보호할 수 있다. 봉지층(104)으로는 열경화성 수지가 사용될 수 있고, 예를 들어, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 및 페놀 수지의 적어도 어느 하나 이상이 사용될 수 있다. 봉지층(104)의 굴절률은, 예를 들어, 1.35 이상 1.9 미만이 될 수 있다.
봉지층(104)에는, 예를 들어, 광이 입사함으로써 적색광 및 녹색광을 각각 방출하는 적색 형광체 및 녹색 형광체가 분산됨으로써 포함될 수 있다.
적색 형광체로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 카즌(CASN) 적색 형광체(CaAlSiN3:Eu)가 사용될 수 있다. 녹색 형광체로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 베타 사이알론(β-sialon:Eu)이 사용될 수 있다.
LED(103)로부터 방출된 청색광과, 각 형광체로부터 방출되는 적색광 및 녹색광이 혼합됨으로써 백색광이 발광 장치(100)로부터 방사될 수 있다.
또한, 형광체로서, 적색 형광체 및 녹색 형광체를 대신해 황색 형광체가 사용될 수 있다. 황색 형광체로서는, 예를 들어, 이트륨, 알루미늄, 가닛(YAG)이 사용될 수 있다.
텍스처층(105)은 봉지층(104) 상에 배치되고, 표면에 동심원의 복수의 리지 구조(105a)를 가질 수 있다. 리지 구조란, 선형으로 볼록한 철상(凸狀)의 구조일 수 있다.
텍스처층(105)으로는 열경화성 수지가 사용될 수 있고, 예를 들어, 실리콘 수지 등의 폴리실록산 결합을 갖는 조성물, 에폭시 수지, 및 페놀 수지의 적어도 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
텍스처층(105)은, 두께를 2mm로 한 경우 550nm의 파장의 광에 대한 광 투과율이 70%가 되도록 구성하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 발광 장치의 더 큰 고효율화를 실현할 수 있다.
동심원의 각 리지 구조(105a)의 상기 동심원의 반경 방향(Vr)의 단면(이하, '리지 구조의 단면'이라 칭함)은, 삼각형상을 가질 수 있다. 그리고, 상기 삼각형상의 봉지층(104) 측으로부터 가장 먼 쪽에 있는 정점으로부터 상기 정점과 대향하는 저변에 내린 수선과 상기 정점을 이루는 변이 각각 이루는 각도가 40도 이하로 구성될 수 있다.
도 2는 리지 구조의 단면에 관해 설명하기 위한 설명도이다.
도 2a에는, 리지 구조(105a)의 단면의 삼각형상(ABC)의 봉지층(104) 측으로부터 가장 먼 쪽에 있는 정점(A)으로부터 정점(A)과 대향하는 저변(c)에 내린 수선(d)과, 정점(A)을 이루는 변(a) 및 변(b)이 각각 이루는 각도(θ1) 및 각도(θ2)가 나타나 있다. 각도(θ1) 및 각도(θ2)는 40도 이하가 될 수 있다.
도 2b에는, 특히, 리지 구조의 단면의 삼각형상(ABC)이 직각 삼각형인 경우가 나타나 있다. 이 경우는, 변(b)과 수선(d)(수선(d)은 변(b)과 겹침)이 이루는 각도(θ2)는 0도가 된다.
리지 구조의 단면의 삼각형상에 있어서, 각도(θ1) 및 각도(θ2)를 40도 이하로 하는 이유에 관해 설명한다.
도 3은, LED로부터 방출되는 광의 봉지층 표면으로의 입사 각도와 광 강도와의 분포를 나타내는 그래프이다. 그래프의 종축은, 봉지층에 입사되는 광의 입사 각도마다의 강도를, 봉지층(104)에 입사되는 광 전체의 강도에 대한 비율로서 나타내고 있다. 도 3에는, LED(103)의 수 및 패키지 사이즈가 다른 2개의 발광 장치 Y, T에 관한 분포가 나타나 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, LED(103)로부터 방출되는 광의 봉지층(104) 표면으로의 입사 각도는, 양 장치 모두 0도~90도까지 넓은 범위에 분포하고, 입사 각도가 45도 근방의 범위에 있어서 광 강도가 가장 높아진다.
따라서, 입사 각도가 45도 근방의 범위의 광을 리지 구조(105a)의 표면으로부터 발광 장치(100)의 외부에 방사시키기 위해 리지 구조의 단면인 삼각형상에서의 각도(θ1, θ2)가 조정되는 것이 바람직하다. 즉, 입사 각도가 45도 근방의 범위의 광의 리지 구조(105a)의 사면(斜面)(변(a) 또는 변(b)을 포함하는 면)에 대한 입사각이 보다 작아지도록 각도(θ1, θ2)를 조정하고, 상기 사면에서 전반사하기 어렵게 하는 것이 바람직하다.
또한, LED(103)로부터 방출된 광 중 리지 구조(105a)의 표면에서 반사되는 리턴 광의 방향을, 발광 장치(100)로부터의 광의 조사 방향(도 1의 화살표의 방향)으로 돌려, 발광 장치(100)로부터의 방사광으로서 추출할 수 있도록 각도(θ1, θ2)를 조정하는 것이 바람직하다. 이를 위해서는, 리지 구조의 단면의 삼각형상에 있어서, 각도(θ1) 및 각도(θ2)를 40도 이하로 하는 것이 필요해진다.
각도(θ1) 및 각도(θ2)를 40도 이하로 함으로써, 도 3에 파선으로 나타난, 표면에 리지 구조(105a)를 갖는 텍스처층(105)을 설치하지 않는 경우의 추출 가능한 광의 범위를, 실선으로 나타난, 상기 텍스처층(105)을 설치한 경우의 추출 가능한 광의 범위까지 확대할 수 있다.
도 4는, 각도(θ1) 및 각도(θ2)를 40도 이하로 한 경우와, 40도 보다 크게 한 경우의 리턴 광의 방향을 비교해 나타내는 설명도이다. 도 4a는, 각도(θ1) 및 각도(θ2)를 40도 이하로 한 경우의 리턴 광의 방향을 나타내고 있다. 도 4b는, 각도(θ1) 및 각도(θ2)를 40도 보다 크게 한 경우의 리턴 광의 방향을 나타내고 있다.
도 4a에 나타내는 바와 같이, 각도(θ1) 및 각도(θ2)를 40도 이하로 함으로써, LED(103)로부터 방출되고 리지 구조(105a)에 입사한 광(i1)이 리지 구조(105a)의 표면(fb)에서 반사된 리턴 광(i2)의 방향을, 발광 장치(100)로부터의 광의 조사 방향으로 돌릴 수 있다. 즉, LED(103)로부터 방출된 광이 리지 구조(105a) 내에서 반사되었다고 해도, 봉지층(104)의 방향으로 광이 되돌아오는 것을 방지하고, 봉지층(104)에 있어서 형광체 등과 충돌하는 것에 의한 광의 감쇠를 억제할 수 있다.
한편, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 각도(θ1) 및 각도(θ2)를 40도 보다 크게 하면, 리턴 광(i2)의 방향은 발광 장치(100)로부터의 광의 조사 방향과는 반대 방향으로 향한다. 또한, 리턴 광(i2)은 리지 구조(105a)의 표면에서 반사되고, 반사된 리턴 광(i3)은, 파선의 동그라미로 표시해 나타나는 바와 같이, 봉지층(104)의 방향으로 향하고, 봉지층(104)에 있어서 형광체 등과 충돌함으로써 감쇠할 수 있다. 봉지층(104) 내로 되돌아온 광은 형광체와의 충돌 및 몰드 프레임(102)에 의한 반사 등에 의해, 다시, 발광 장치(100)로부터의 광의 조사 방향으로 향하고, 발광 장치(100)로부터 외부에 방사될 수 있지만, 형광체와의 충돌 등에 의해 감쇠하기 때문에 광 추출 효율이 저하된다.
따라서, 각도(θ1) 및 각도(θ2)를 40도 이하로 함으로써, 리지 구조(105a)의 표면(fb)에서 반사된 리턴 광(i2)의 방향을 발광 장치(100)로부터의 광의 조사 방향으로 돌릴 수 있기 때문에, 리턴 광(i2)의 반사에 의한 광의 감쇠를 억제해 광 추출 효율을 증대할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, LED(103)로부터 방출되는 광의 봉지층(104) 표면으로의 입사 각도는 0도 ~ 90도까지 넓은 범위에 분포한다. 이 때문에, 각도(θ1) 및 각도(θ2)를 40도 이하로 하더라도, LED(103)로부터 방출되는 모든 광에 관해 리턴 광(i2)의 방향을 발광 장치(100)로부터의 광의 조사 방향으로 돌릴 수는 없다. 그러나, 적어도, 리턴 광(i2)의 방향이 발광 장치(100)로부터의 광의 조사 방향이 되는 광의 비율을 증대시킬 수 있다.
또한, 각도(θ1) 및 각도(θ2)를 40도 이하로 함으로써, 리지 구조(105a)의 표면에 입사하는 광의 리지 구조(105a)의 표면에 대한 입사각을 작게 할 수 있기 때문에, 리지 구조(105a)의 표면에서의 전반사를 억제하고, 광 추출 효율을 증대시킬 수 있다.
도 5는, 리지 구조(105a)의 단면이 직각 삼각형인 경우의 각도(θ1)와 발광 장치의 광 추출 효율비와의 관계의 측정 결과를 나타내는 도이다. 상기 직각 삼각형은, 동심원의 리지 구조(105a)의 상기 동심원의 중심에 대해 외측에 저변과 직각을 이루는 변이 위치한다. 광 추출 효율비란, 텍스처층(105)을 설치하지 않는 경우의 광 추출 효율에 대한 피측정 장치의 광 추출 효율의 비이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 각도(θ1)를 40도 이하로 함으로써, 광 추출 효율비가 현저히 증가함을 알 수 있다.
리지 구조의 단면은, 동심원의 리지 구조(105a)의 상기 동심원의 중심에 대해 외측에, 저변과 직각을 이루는 변이 위치하는 직각 삼각형인 것이 바람직하다. 이에 의해, 광 추출 효율이 더 향상되고 발광 장치의 더 큰 고효율화를 실현할 수 있음이 확인되고 있다. 또한, 상기 직각 삼각형의 저변과 직각을 이루는 변을 포함하는 리지 구조(105a)의 표면이 봉지층(104)의 표면에 대해 수직으로 배치되고, 상기 리지 구조(105a)의 표면에 있어서 광이 반사되기 때문에 리지 구조(105a)를 설치하는 것에 의한 배광 특성의 변동을 억제할 수 있다.
도 1로 되돌아와, 텍스처층(105)은 봉지층(104)의 표면의 면적의 80% 이상에 배치되고, 동심원의 리지 구조(105a)의 상기 동심원의 중심을 포함하는 봉지층(104)의 표면의 일부의 영역(S)에는 배치되지 않는 것이 바람직하다. 이에 의해, 리지 구조(105a)를 형성하기 위한 금형의, 영역(S)에 대응하는 부분에 금형을 두께 방향으로 관통하는 관통공을 설치하고, 상기 관통공으로부터 진공 흡인을 행할 수 있다. 상기 진공 흡인을 행함으로써 금형의 리지 구조(105a)에 대응하는 부분에 텍스처층(105)의 재료를 빈틈없이 선단까지 충전할 수 있다. 특히, 금형의 표면에 이형제를 도포하는 경우는, 이형제와 텍스처층(105)의 재료와의 표면 자유 에너지의 차에 의해, 이형제와 텍스처층(105)의 재료와의 사이에 빈틈이 발생하기 쉬워진다. 이 경우라도, 금형의 영역(S)에 대응하는 부분에 설치된 관통공으로부터 진공 흡인을 행함으로써, 이형제와 텍스처층(105)의 재료와의 사이에 빈틈이 발생하는 것을 방지하고, 리지 구조(105a)의 정점(A)이 없는 것 등에 의한 장치의 수율 저하를 억제할 수 있다.
텍스처층(105)을 갖지 않는 영역(S)을 설치하는 경우에, 봉지층(104)의 표면의 면적의 80% 이상에 텍스처층(105)을 설치하는 이유에 관해 설명한다.
도 6은, 봉지층의 표면의 텍스처층을 갖지 않는 영역의 표면 전체에 대한 면적 비율인 중심부 면적 비율과, 광 추출 효율비와의 관계의 측정 결과를 나타내는 도이다. 도 6에는, LED(103)의 수 및 패키지 사이즈가 다른 2개의 발광 장치 A, B에 관한 측정 결과가 나타나 있다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 중심부 면적 비율이 20%를 넘으면 광 추출 효율비가 현저히 저하한다. 따라서, 리지 구조(105a)의 동심원의 중심을 포함하는, 봉지층(104) 표면의 일부에 있어서 텍스처층(105)을 갖지 않는 영역(S)을 설치하고, 봉지층(104)의 표면의 면적의 80% 이상에 텍스처층(105)을 설치한다. 이에 의해, 광 추출 효율을 저하시키지 않고, 리지 구조(105a)의 성형성을 향상시켜 장치의 수율 향상을 실현할 수 있다.
발광 장치(100)의 제조 방법에 관해 설명한다.
도 7은 발광 장치의 제조 방법의 제1 실시형태를 나타내는 도이다.
도 7a에 나타내는 바와 같이, 기판(101) 상에 몰드 프레임(102)이 설치되어 이루어지는 패키지 내에, LED(103)가 실장된 후, LED(103)를 덮도록 형광체의 분말을 포함하는 실리콘 수지의 봉지재(106)가 도포된다.
도 7b에 나타내는 바와 같이, 100㎛ 피치의 복수의 리지 구조(105a)를 형성하기 위한 금형(107)의 표면에 미도시의 이형제가 도포되고, 150℃에서 30분간 가열됨으로써 이형제가 건조된 후, 리지 구조(105a)의 재료인 실리콘 수지(108)가 이형제 상에 도포된다. 실리콘 수지(108)에는 형광체가 포함되어 있지 않다. 그 후, 실리콘 수지(108)는, 50℃의 진공 분위기에서 5~30분간 건조되어 점도가 저하된다.
도 7c에 나타내는 바와 같이, 금형(107)의 표면과 봉지재(106)의 상면이 대면되어, 금형(107)의 표면 상에 도포된 실리콘 수지(108)와 봉지재(106)가 밀착된다. 이때 봉지재(106)는 열경화되어 있지 않기 때문에, 봉지재(106)의 상면을 연직상 방향으로 향하게 하고, 금형(107)의 표면을 연직하 방향으로 향하게 한 상태에서, 실리콘 수지(108)와 봉지재(106)가 밀착된다. 실리콘 수지(108)와 봉지재(106)가 밀착될 때에 적층된 금형(107) 및 기판(101)은, 0.1~1MPa로 가압됨과 동시에 150℃에서 30분간 가열된다. 이에 의해, 봉지재(106)가 열경화되어 봉지층(104)이 형성됨과 동시에, 금형(107)의 구조 내에 실리콘 수지(108)가 충분히 충전된 상태에서 실리콘 수지(108)가 열경화된다.
도 7d에 나타내는 바와 같이, 봉지재(106) 및 실리콘 수지(108)가 동시에 열경화된 후, 실리콘 수지(108)가 금형(107)으로부터 박리됨으로써, 봉지층(104)의 표면에 리지 구조(105a)를 갖는 텍스처층(105)이 형성된다.
제1 실시형태에 따른 발광 장치(100)의 제조 방법에 따르면, 봉지층(104) 및 리지 구조(105a)를 갖는 텍스처층(105)의 형성 시 열경화를 동시에 행한다. 이에 의해, 발광 장치(100)의 제조 시간을 단축할 수 있다. 또한, 봉지층(104)과 텍스처층(105)의 열경화가 실질적으로 동시에 행해짐으로써, 봉지층(104)과 텍스처층(105)과의 사이에 계면이 생기는 것을 방지하여, 상기 계면에서의 광의 감쇠를 예방할 수 있다.
또한, 봉지재(106)가 열경화되어 봉지층(104)이 형성된 후에, 봉지층(104)과 금형(107)의 표면 상에 도포된 실리콘 수지(108)가 밀착되어 실리콘 수지(108)가 열경화됨으로써 봉지층(104) 상에 리지 구조(105a)가 형성되어도 된다. 이에 의해, 리지 구조(105a) 내에 봉지재(106)에 포함되는 형광체가 확산할 가능성을 보다 저감하고, 봉지층(104)에만 형광체를 포함하고, 텍스처층(105)에는 형광체를 포함하지 않는 구성의 발광 장치(100)를 제조할 수 있다. 봉지층(104)에만 형광체를 포함하고, 텍스처층(105)에는 형광체를 포함하지 않는 구성으로 함으로써, 형광체와 충돌하는 것에 의한 광 강도의 저하가 억제되어, 보다 확실히 장치의 효율 향상을 실현할 수 있다.
도 8은, 발광 장치의 제조 방법의 제2 실시형태를 나타내는 도이고, 도 9는, 상기 제조 방법에 의해 제조되는 발광 장치의 구조를 나타내는 상면도 및 단면도이다.
도 8a에 나타내는 바와 같이, 기판(101) 상에 몰드 프레임(102)이 설치되어 이루어지는 패키지 내에, LED(103)가 실장된 후, LED(103)를 덮도록 형광체의 분말을 포함하는 실리콘 수지의 봉지재(106)가 도포된다.
그 후, 도 8b에 나타내는 바와 같이, 50℃에서 2시간 건조시킴으로써, 봉지재(106)의 점도를 저하시켜, 봉지재(106)에 포함되어 있는 형광체를 기판(101)의 방향으로 침강시킨다. 이에 의해, 봉지재(106)가, 형광체를 포함하는 층과 형광체를 포함하지 않는 층으로 분리하기 때문에, 150℃에서 1시간 가열해 봉지재(106)를 열경화함으로써 형광체를 포함하는 영역의 제1 봉지층(104a)과 형광체를 포함하지 않는 영역의 제2 봉지층(104b)이 일체적으로 동시 형성된다.
도 8c에 나타내는 바와 같이, 100㎛ 피치의 복수의 리지 구조(105a)를 형성하기 위한 금형(107)의 표면에 미도시의 이형제가 도포되고, 150℃에서 30분간 가열됨으로써 이형제가 건조된 후, 리지 구조(105a)의 재료인 실리콘 수지(108)가 이형제 상에 도포된다. 한편, 봉지층(104)의 표면에도 리지 구조(105a)의 재료인 실리콘 수지(109)가 도포된다. 실리콘 수지(108, 109)에는 형광체가 포함되어 있지 않다. 그 후, 실리콘 수지(108, 109)는, 50℃의 진공 분위기에서 5~30분간 건조되어 점도가 저하된다.
도 8d에 나타내는 바와 같이, 금형(107)의 표면과 봉지층(104)의 표면이 대면되어, 금형(107)의 표면 상에 도포된 실리콘 수지(108)와, 봉지층(104)의 표면에 도포된 실리콘 수지(109)가 밀착된다. 이때 봉지층(104)은 열경화되어 있기 때문에, 봉지층(104)의 표면을 연직하 방향으로 향하게 하고, 금형(107)의 표면을 연직상 방향으로 향하게 한 상태에서, 실리콘 수지(108)와 실리콘 수지(109)가 밀착될 수 있다. 실리콘 수지(108)와 실리콘 수지(109)가 밀착됨으로써 적층된 금형(107) 및 기판(101)은, 대략 0.1~1MPa로 가압됨과 동시에 150℃에서 30분간 가열된다. 이에 의해, 금형(107)의 구조 내에 실리콘 수지(108, 109)가 충분히 충전된 상태에서 실리콘 수지(108, 109)가 열경화된다.
도 8e에 나타내는 바와 같이, 실리콘 수지(108, 109)가 열경화된 후, 금형(107)으로부터 박리됨으로써, 봉지층(104)의 표면에 리지 구조(105a)를 갖는 텍스처층(105)이 형성된다.
또한, 도 9에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따라 제조되는 발광 장치(100)에 있어서도, 동심원의 리지 구조(105a)의 상기 동심원의 중심을 포함하는, 봉지층(104)의 표면의 일부의 영역(S)에 있어서 텍스처층(105)이 배치되지 않는 구성이 될 수 있다. 이때, 봉지층(104)의 표면의 면적의 80% 이상에 텍스처층(105)이 배치될 수 있다. 제2 실시형태에 따른 발광 장치(100)의 제조 방법에 따르면, 형광체를 포함하는 영역의 제1 봉지층(104a)을 LED(103) 부근으로 한정하고, 봉지층(104)의 표면 측에 형광체를 포함하지 않는 영역의 제2 봉지층(104b)을 갖는 구성의 발광 장치(100)를 제조할 수 있다. 형광체를 포함하는 영역인 제1 봉지층(104a)을 LED(103) 부근으로 한정함으로써, 리턴 광이 형광체와 충돌함으로써 광 강도가 저하하는 확률을 낮출 수 있다. 제1 봉지층(104a)은, 봉지층(104) 전체의 높이(두께)의 50% 이하의 높이가 되도록 구성되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 리턴 광이 형광체와 충돌함으로써 광 강도가 저하하는 확률을 더 효과적으로 낮출 수 있다.
또한, 형광체를 포함하는 영역의 제1 봉지층(104a)과 형광체를 포함하지 않는 영역의 제2 봉지층(104b)의 열경화가 실질적으로 동시에 행해짐으로써, 제1 봉지층(104a)과 제2 봉지층(104b)과의 사이에 계면이 생기는 것을 방지하여, 상기 계면에서의 광의 감쇠를 예방할 수 있다.
또한, 제2 실시형태에 있어서는, 형광체를 포함하는 영역인 제1 봉지층(104a)과 형광체를 포함하지 않는 영역인 제2 봉지층(104b)의 열경화를 실질적으로 동시에 행하고 있지만, 따로 행해도 된다. 이때, 제1 봉지층(104a)의 재료에만 형광체를 포함시킴으로써, 형광체를 포함하는 영역인 제1 봉지층(104a)과 형광체를 포함하지 않는 영역인 제2 봉지층(104b)을 갖는 구성의 발광 장치(100)를 제조할 수 있다. 이에 의해, 보다 확실히 형광체를 포함하는 층과 형광체를 포함하지 않는 층을 분리할 수 있기 때문에, 리턴 광이 형광체와 충돌함으로써 광 강도가 저하하는 확률을 더 낮출 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따른 발광 장치는 이하의 효과를 나타낸다.
단면이 삼각형상으로서, 상기 삼각형상의 봉지층 측으로부터 가장 먼 쪽의 정점으로부터 저변에 내린 수선과, 정점을 이루는 변이 각각 이루는 각도가 40도 이하인 형상을 각각 갖는 동심원의 복수의 리지 구조를, 봉지층 상의 텍스처층의 표면에 설치한다. 이에 의해, 리지 구조의 표면에서 반사하는 광의 반사 방향을 발광 장치로부터의 광의 조사 방향으로 돌릴 수 있기 때문에, 텍스처층 내에서의 반사광을 효율적으로 추출함으로써 발광 장치의 고효율화를 실현할 수 있다. 또한, LED로부터 방출되는 광 중 강도가 가장 높은, 봉지층 표면에 대해 45도 근방의 범위의 입사각으로 입사하는 광의 리지 구조의 표면에서의 전반사를 억제할 수 있기 때문에, 발광 장치의 더 큰 고효율화를 실현할 수 있다. 또한, 표면에 리지 구조를 설치함으로써, 텍스처층의 표면적을 증대할 수 있기 때문에, 방열성이 향상함으로써 신뢰성을 향상할 수 있다.
또한, 리지 구조의 단면을, 직각 삼각형으로서, 리지 구조의 동심원의 중심에 대해 외측에, 저변과 직각을 이루는 변을 갖는 형상으로 한다. 이에 의해, 발광 장치의 더 큰 고효율화를 실현할 수 있다. 또한, 상기 직각 삼각형의 저변과 직각을 이루는 변을 포함하는 리지 구조의 표면이, 봉지층의 표면에 대해 수직으로 배치되고, 상기 리지 구조의 표면에 있어서 광이 반사되기 때문에, 리지 구조를 설치하는 것에 의한 배광 특성의 변동을 억제할 수 있다.
또한, 리지 구조의 동심원의 중심을 포함하는 봉지층의 표면의 일부에 있어서 텍스처층을 갖지 않는 영역을 설치하고, 봉지층의 표면의 면적의 80% 이상에 텍스처층을 설치한다. 이에 의해, 광 추출 효율을 저하시키지 않고, 리지 구조의 성형성을 향상해 장치의 수율을 향상하고, 생산성의 향상을 실현할 수 있다.
또한, 텍스처층은 형광체를 포함하지 않는 구성으로 한다. 이에 의해, 리턴 광이 형광체와 충돌함으로써 광 강도가 저하하는 확률을 낮추고, 리턴 광을 방사광으로서 추출함으로써, 발광 장치의 더 큰 고효율화를 실현할 수 있다.
또한, 텍스처층은, 두께를 2mm로 한 경우의 550nm의 파장에 광에 대한 광 투과율이 70%가 되도록 구성한다. 이에 의해, 발광 장치의 더 큰 고효율화를 실현할 수 있다.
또한, 텍스처층과 봉지층은 동일한 굴절률로 한다. 이에 의해, 텍스처층과 봉지층과의 계면에서의 반사를 방지해 발광 장치의 더 큰 고효율화를 실현할 수 있다. 또한, 봉지층과 텍스처층이 동일한 재료로 구성되고, 열경화가 동시에 행해짐으로써, 봉지층과 텍스처층과의 사이에 계면이 생기는 것을 방지하여, 상기 계면에서의 광의 감쇠를 예방할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 발광 장치는, 상술한 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상술한 실시형태에 있어서는, 동심원의 복수의 리지 구조의 단면을 동일한 것으로서 설명하고 있지만, 서로 달라도 된다.
또한, 발광 장치를, 백색광을 방사하는 발광 장치로서 설명하고 있지만, 백색광 이외의 광을 방사하는 발광 장치여도 된다.
Vr: 리지 구조의 동심원의 반경 방향
θ1: 정점(A)으로부터 저변(c)에 내린 수선(d)과 변(a)이 이루는 각도
θ2: 정점(A)으로부터 저변(c)에 내린 수선(d)과 변(b)이 이루는 각도
100: 발광 장치
101: 기판
102: 몰드 프레임
103: LED
104: 봉지층
105: 텍스처층
105a: 리지 구조
S: 리지 구조를 갖지 않는 영역
106: 봉지재
107: 금형
108: 실리콘 수지
109: 실리콘 수지

Claims (10)

  1. 기판 상에 배치된 발광 소자;
    상기 발광 소자를 덮는 봉지층; 및
    상기 봉지층 상에 배치된 텍스처층;
    을 포함하고,
    상기 텍스처층의 표면은 동심원의 복수의 리지 구조를 갖고,
    상기 리지 구조의 상기 동심원의 반경 방향의 단면은 삼각형상이고, 상기 삼각형상의 상기 봉지층 측으로부터 가장 먼 쪽에 있는 정점으로부터 상기 정점과 대향하는 저변에 내린 수선과, 상기 정점을 이루는 제1 변이 각각 이루는 각도가 40도 이하인 형상을 각각 갖고,
    상기 리지 구조의 단면의 삼각형상은 직각 삼각형이고, 상기 동심원의 중심에 대해 외측에 상기 저변과 직각을 이루는 제2 변이 위치하고,
    상기 제1 변 및 상기 제2 변은 상기 봉지층의 상면과 각각 한 점에서 만나고,
    상기 텍스처층은, 상기 봉지층의 표면의 면적의 80% 이상에 배치되고, 상기 동심원의 중심을 포함하는 상기 표면의 일부에 있어서 배치되지 않는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 텍스처층은 형광체를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 텍스처층은, 두께를 2mm로 한 경우 550nm의 파장의 광에 대한 광 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 텍스처층과 상기 봉지층은 동일한 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 봉지층을 둘러싸는 몰드 프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  8. 기판 상에 배치된 발광 소자;
    상기 발광 소자를 덮는 제1 봉지층;
    상기 제1 봉지층 상에 배치되는 제2 봉지층; 및
    상기 제2 봉지층 상에 배치되는 텍스처층;
    을 포함하고,
    상기 텍스처층의 표면은 동심원의 복수의 리지 구조를 갖고,
    상기 리지 구조의 상기 동심원의 반경 방향의 단면은 삼각형상이고, 상기 삼각형상의 상기 봉지층 측으로부터 가장 먼 쪽에 있는 정점으로부터 상기 정점과 대향하는 저변에 내린 수선과, 상기 정점을 이루는 제1 변이 각각 이루는 각도가 40도 이하인 형상을 각각 갖고,
    상기 리지 구조의 단면의 삼각형상은 직각 삼각형이고, 상기 동심원의 중심에 대해 외측에 상기 저변과 직각을 이루는 제2 변이 위치하고,
    상기 제1 변 및 상기 제2 변은 상기 제2 봉지층의 상면과 각각 한 점에서 만나고,
    상기 텍스처층은, 상기 제2 봉지층의 표면의 면적의 80% 이상에 배치되고, 상기 동심원의 중심을 포함하는 상기 표면의 일부에 있어서 배치되지 않는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 봉지층은 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 봉지층과 제2 봉지층은 동일한 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3148493B2 (ja) 1994-01-31 2001-03-19 三洋電機株式会社 食器洗い機
US20020180351A1 (en) 2001-04-30 2002-12-05 Mcnulty Thomas Francis UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
JP2007088093A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
KR100744031B1 (ko) * 2005-12-21 2007-08-01 서울반도체 주식회사 프레넬 렌즈를 포함하는 발광소자
US20100220475A1 (en) 2004-12-17 2010-09-02 Jun Seok Park Package for light emitting device and method for packaging the same
JP2013516076A (ja) 2010-01-01 2013-05-09 中山偉強科技有限公司 発光ダイオードのパッケージ構造
JP2014197708A (ja) 2004-11-15 2014-10-16 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー Ｌｅｄダイ上のオーバーモールドレンズ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100709890B1 (ko) * 2004-09-10 2007-04-20 서울반도체 주식회사 다중 몰딩수지를 갖는 발광다이오드 패키지
JP3148493U (ja) * 2008-11-07 2009-02-19 一品光学工業股▲ふん▼有限公司 凸面フレネルｌｅｄレンズ及びそのｌｅｄアセンブリ
KR101103908B1 (ko) * 2009-10-20 2012-01-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3148493B2 (ja) 1994-01-31 2001-03-19 三洋電機株式会社 食器洗い機
US20020180351A1 (en) 2001-04-30 2002-12-05 Mcnulty Thomas Francis UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
JP2014197708A (ja) 2004-11-15 2014-10-16 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー Ｌｅｄダイ上のオーバーモールドレンズ
US20100220475A1 (en) 2004-12-17 2010-09-02 Jun Seok Park Package for light emitting device and method for packaging the same
JP2007088093A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
KR100744031B1 (ko) * 2005-12-21 2007-08-01 서울반도체 주식회사 프레넬 렌즈를 포함하는 발광소자
JP2013516076A (ja) 2010-01-01 2013-05-09 中山偉強科技有限公司 発光ダイオードのパッケージ構造

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