KR102551215B1 - Ceramic Composition, Electrostatic Chuck, and Manufacturing Method of Electrostatic Chuck - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 형태에 따른 세라믹 조성물은 Al2O3를 주성분으로 하며, 제1 부성분인 SiO2를 전체 조성물에 대하여 6 내지 10중량%로, 제2 부성분인 TiO2를 전체 조성물에 대하여 0.2 내지 0.3중량%로 포함한다.A ceramic composition according to an embodiment of the present invention contains Al 2 O 3 as a main component, contains SiO 2 as a first subcomponent in an amount of 6 to 10% by weight, and TiO 2 as a second subcomponent in an amount of 0.2 wt % based on the total composition. to 0.3% by weight.

Description

세라믹 조성물, 정전척 및 정전척의 제조방법 {Ceramic Composition, Electrostatic Chuck, and Manufacturing Method of Electrostatic Chuck}Ceramic Composition, Electrostatic Chuck, and Manufacturing Method of Electrostatic Chuck {Ceramic Composition, Electrostatic Chuck, and Manufacturing Method of Electrostatic Chuck}

본 발명은 세라믹 조성물, 정전척 및 정전척의 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a ceramic composition, an electrostatic chuck, and a method for manufacturing the electrostatic chuck.

반도체 제조장치에 포함되는 정전척(Electrostatic Chuck)은 전기적인 포텐셜의 차이에 의해 발생하는 정전기력(Electrostatic force)를 이용하여 웨이퍼를 고정하는 장치이다. 정전척은 반도체 공정 중 플라즈마 에칭 시에 반도체 웨이퍼를 수평으로 고정하는데 주로 사용한다.
An electrostatic chuck included in a semiconductor manufacturing apparatus is a device that fixes a wafer by using an electrostatic force generated by a difference in electric potential. An electrostatic chuck is mainly used to horizontally fix a semiconductor wafer during plasma etching during a semiconductor process.

이와 비교하여 기계적인 접촉을 이용한 기계적 척(Mechanical Chuck)은 웨이퍼 표면에 큰 변형이나 미세입자를 발생시키는 문제가 있으며, 진공척(Vacuum Chuck)은 진공 분위기에만 사용 가능한 문제가 있다. 이에, 최근 반도체 제조 분야에서는 정전척이 널리 사용되고 있는 추세로서 정전척 시장의 규모 역시 빠르게 확장될 것으로 예상된다.
In comparison, a mechanical chuck using mechanical contact has a problem of generating large deformation or fine particles on a wafer surface, and a vacuum chuck has a problem of being usable only in a vacuum environment. Accordingly, as electrostatic chucks have recently been widely used in the semiconductor manufacturing field, the size of the electrostatic chuck market is also expected to rapidly expand.

이러한 정전척은 통상적으로 세라믹 조성물로 이루어진 유전체층과 이에 봉합된 내부전극을 포함하는 구조이며, 정전척의 성능은 세라믹 조성물의 전기적, 물리적 특성에 의하여 큰 영향을 받는다.
Such an electrostatic chuck typically has a structure including a dielectric layer made of a ceramic composition and internal electrodes sealed therewith, and the performance of the electrostatic chuck is greatly affected by the electrical and physical properties of the ceramic composition.

이에, 본 발명은 일 실시 형태를 통하여 소결성이 우수하여 밀도가 높고 비저항 특성이 우수한 정전척용 세라믹 조성물을 제안하고자 하며, 이러한 세라믹 조성물을 포함하는 정전척을 함께 제안한다.
Accordingly, the present invention intends to propose a ceramic composition for an electrostatic chuck having excellent sinterability, high density, and excellent resistivity characteristics, and also proposes an electrostatic chuck including the ceramic composition.

나아가, 본 발명의 다른 실시 형태는 정전척을 효과적으로 구현할 수 있는 제조방법을 제공한다.
Furthermore, another embodiment of the present invention provides a manufacturing method capable of effectively implementing an electrostatic chuck.

상술한 과제를 해결하기 위한 방법으로, 본 발명은 일 형태를 통하여 신규 세라믹 조성물을 제안하고자 하며, 구체적으로, 세라믹 조성물은 Al2O3를 주성분으로 하며, 제1 부성분인 SiO2를 전체 조성물에 대하여 6 내지 10중량%로, 제2 부성분인 TiO2를 전체 조성물에 대하여 0.2 내지 0.3중량%로 포함한다.
As a method for solving the above problems, the present invention intends to propose a novel ceramic composition through one form. Specifically, the ceramic composition has Al 2 O 3 as a main component and SiO 2 as a first subcomponent is added to the entire composition. 6 to 10% by weight relative to the composition, and 0.2 to 0.3% by weight of the second subcomponent TiO 2 based on the total composition.

이 경우, 상기 세라믹 조성물에는 제3 및 제4 부성분으로 각각 MgCO3 및 CaCO3를 더 포함될 수 있다.In this case, the ceramic composition may further include MgCO 3 and CaCO 3 as third and fourth subcomponents, respectively.

또한, 이러한 세라믹 조성물의 경우, 상대밀도가 95% 이상인 소결체를 이룰 수 있다. 또한, 이러한 세라믹 조성물의 경우, 비저항이 5*1015Ω·㎝이상인 소결체를 이룰 수 있다.In addition, in the case of such a ceramic composition, a sintered body having a relative density of 95% or more can be formed. In addition, in the case of such a ceramic composition, a sintered body having a specific resistance of 5*10 15 Ω·cm or more can be formed.

또한, 상기 주성분인 Al2O3를 전체 조성물에 대하여 85중량% 이상 포함될 수 있다.
In addition, the main component Al 2 O 3 may be included in an amount of 85% by weight or more based on the total composition.

본 발명의 다른 실시 형태는 상술한 세라믹 조성물을 포함하는 정전척을 제공하며, 구체적으로, 정전력을 생성하는 내부전극 및 상기 내부전극을 봉합하는 유전체층을 포함하는 형태로서, 상기 유전체층은 Al2O3를 주성분으로 하며, 제1 부성분인 SiO2를 전체 조성물에 대하여 6 내지 10중량%로, 제2 부성분인 TiO2를 전체 조성물에 대하여 0.2 내지 0.3중량%로 포함하는 세라믹 조성물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Another embodiment of the present invention provides an electrostatic chuck including the above-described ceramic composition, and specifically, includes an internal electrode generating electrostatic force and a dielectric layer sealing the internal electrode, wherein the dielectric layer is Al 2 O 3 as a main component, a first subcomponent, SiO 2 , 6 to 10% by weight, based on the total composition, and a second subcomponent, TiO 2 , 0.2 to 0.3% by weight, based on the total composition. to be

이 경우, 상기 내부전극은 Ni을 포함할 수 있다.
In this case, the internal electrode may include Ni.

또한, 본 발명의 다른 실시 형태는 정전척의 제조방법을 제공하며, 구체적으로, 유전체층용 세라믹 조성물 및 내부전극용 금속 페이스트를 마련하는 단계 및 상기 세라믹 조성물 및 상기 금속 페이스트를 소성하는 단계를 포함하며, 상기 세라믹 조성물은 Al2O3를 주성분으로 하며, 제1 부성분인 SiO2를 전체 조성물에 대하여 6 내지 10중량%로, 제2 부성분인 TiO2를 전체 조성물에 대하여 0.2 내지 0.3중량%로 포함하는 것을 특징으로 한다.
In addition, another embodiment of the present invention provides a method of manufacturing an electrostatic chuck, specifically, including preparing a ceramic composition for a dielectric layer and a metal paste for internal electrodes, and firing the ceramic composition and the metal paste, The ceramic composition includes Al 2 O 3 as a main component, SiO 2 as a first subcomponent in an amount of 6 to 10% by weight, and TiO 2 as a second subcomponent in an amount of 0.2 to 0.3% by weight based on the total composition. characterized by

이 경우, 상기 세라믹 조성물 및 상기 금속 페이스트는 동시에 소성될 수 있다.
In this case, the ceramic composition and the metal paste may be simultaneously fired.

또한, 상기 금속 페이스트는 Ni을 포함할 수 있으며, 이 경우, 상기 세라믹 조성물 및 상기 금속 페이스트를 소성하는 단계는 비산화 분위기에서 실행될 수 있다.
Also, the metal paste may include Ni, and in this case, the firing of the ceramic composition and the metal paste may be performed in a non-oxidizing atmosphere.

한편, 상기 주성분인 Al2O3는 D50 기준 180nm~350nm의 입도 분포를 갖는 파우더 형태로 제공될 수 있다.
Meanwhile, the main component, Al 2 O 3 , may be provided in the form of a powder having a particle size distribution of 180 nm to 350 nm based on D50.

본 발명의 일 실시 형태에서 제안하는 세라믹 조성물의 경우, 소결성이 우수하여 밀도가 높고 비저항 특성이 우수하므로 이를 정전척에 이용할 경우 성능 향상을 가져올 수 있다.
In the case of the ceramic composition proposed in one embodiment of the present invention, since it has excellent sinterability, high density, and excellent resistivity, performance can be improved when used in an electrostatic chuck.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 정전척을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실험 예 중 SiO2의 함량 증가로 글래스 용출이 일어난 샘플의 미세 구조를 나타낸 현미경 사진이다.
1 is a schematic cross-sectional view of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention.
2 is a photomicrograph showing the microstructure of a sample in which glass elution occurred due to an increase in the content of SiO 2 among experimental examples of the present invention.

이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 통상의 기술자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to specific embodiments and accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation, and elements indicated by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. 나아가, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
In addition, in order to clearly describe the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and the thickness is enlarged in order to clearly express various layers and regions, and components having the same function within the scope of the same idea are shown with the same reference. Explain using symbols. Furthermore, throughout the specification, when a certain component is said to "include", it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.

세라믹 조성물 및 ceramic composition and 정전척electrostatic chuck

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 정전척을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 정전척(100)은 유전체층(101, 102)과 정전력을 생성하는 내부전극(103)을 주요 구성으로 포함하며, 내부전극(103)을 상하부의 유전체층(101, 102)이 봉합하는 형태로 제공될 수 있다. 정전척은 정전기의 힘을 사용해 기판을 하부 전극에 고정할 수 있는 부품으로, 정전척에 전기 신호를 인가하면 대상물에는 반대의 전위가 대전되고, 대전된 전위에 의하여 서로 끌어당기는 힘이 발생하는 원리를 이용한다. 이러한 정전척은 반도체의 웨이퍼를 수평으로 고정하거나 LCD의 유리 기판을 수평하게 유지하는 데 주로 사용되며, 웨이퍼나 유리 기판 등은 도 1에서 유전체층(101) 상부에 배치된다.
1 is a schematic cross-sectional view of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 , an electrostatic chuck 100 includes dielectric layers 101 and 102 and internal electrodes 103 generating electrostatic force as main components, and internal electrodes 103 are formed by upper and lower dielectric layers 101 and 102 . It may be provided in the form of sealing. The electrostatic chuck is a component that can fix the substrate to the lower electrode using the force of static electricity. When an electric signal is applied to the electrostatic chuck, the object is charged with an opposite potential, and the principle that a force that attracts each other is generated by the charged potential. Use Such an electrostatic chuck is mainly used to horizontally fix a wafer of a semiconductor or to hold a glass substrate of an LCD horizontally, and the wafer or glass substrate is disposed above the dielectric layer 101 in FIG. 1 .

내부전극(103)은 상술한 정전 흡착에 필요한 정전력을 생성하기 위하여 제공되며, 후술할 바와 같이, 본 실시 형태에서는 Ni을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 내부전극(103)은 유전체층(101, 102)을 이루는 세라믹 물질과 동시에 소성된 형태를 가질 수 있으며, 이 경우, 후술할 바와 같이 소성 온도는 약 1350℃ 이하의 온도로 실행될 수 있다.
The internal electrode 103 is provided to generate electrostatic force required for the aforementioned electrostatic adsorption, and as will be described later, in the present embodiment, it may be made of a material containing Ni. In addition, the internal electrode 103 may have a form fired at the same time as the ceramic material constituting the dielectric layers 101 and 102, and in this case, as will be described later, the firing temperature can be performed at a temperature of about 1350° C. or less.

한편, 반도체 형성 공정 등에 필요한 경우, 유전체층(101, 102) 내부에 가열부(104)를 매설할 수 있다. 또한, 도 1에 도시된 형태와 같이, 정전척(100)은 베이스 플레이트(105) 상에 배치될 수 있으며, 정전척(100)과 베이스 플레이트(105)를 합쳐서 척 유닛이라 할 수 있다. 이 경우, 베이스 플레이트(105)는 일반적으로 알루미늄 합금의 표면을 알마이트 처리한 고열 전도 금속으로 이루어질 수 있으며, 또한, 도시하지는 않았지만, 베이스 플레이트(105)는 내부에는 온도 조정을 위한 냉각수로가 형성되어 있을 수 있다.
On the other hand, if necessary for a semiconductor forming process or the like, the heating unit 104 may be buried inside the dielectric layers 101 and 102 . Also, as shown in FIG. 1 , the electrostatic chuck 100 may be disposed on the base plate 105 , and the electrostatic chuck 100 and the base plate 105 may be referred to as a chuck unit. In this case, the base plate 105 may generally be made of a high thermal conductivity metal having an aluminum alloy surface treated with an alumite. Also, although not shown, the base plate 105 has a cooling water passage for temperature control formed therein. may have been

유전체층(101, 102)은 서로 다른 물질로 이루어지거나 동일한 물질로 이루어져 일체 구조를 형성할 수 있으며, 세라믹 조성물이 소결된 형태를 이룬다. 본 발명의 발명자들은 정전척용 세라믹 조성물의 특성을 연구한 결과, 높은 밀도의 소결체를 구현할 수 있으며, 나아가, 전기적 특성이 우수한 조성물을 제안하고자 한다.
The dielectric layers 101 and 102 may be made of different materials or made of the same material to form an integral structure, and a ceramic composition is sintered. As a result of studying the properties of the ceramic composition for an electrostatic chuck, the inventors of the present invention propose a composition capable of realizing a high-density sintered body and furthermore, having excellent electrical properties.

구체적으로, 본 실시 형태에서 유전체층(101, 102)에 포함되는 세라믹 조성물은 Al2O3를 주성분으로 하며, 제1 부성분인 SiO2를 전체 조성물에 대하여 6 내지 10중량%로, 제2 부성분인 TiO2를 전체 조성물에 대하여 0.2 내지 0.3중량%로 포함한다.
Specifically, in the present embodiment, the ceramic composition included in the dielectric layers 101 and 102 has Al 2 O 3 as a main component, SiO 2 as a first subcomponent is 6 to 10% by weight based on the total composition, and the second subcomponent is SiO 2 . TiO 2 is included in an amount of 0.2 to 0.3% by weight based on the total composition.

본 실시 형태의 세라믹 조성물의 경우, Ni을 포함하는 내부전극과 동시에 소성 가능하며, SiO2 및 TiO2의 첨가 비율을 조절함으로써 통상적으로 이용되는 소성 온도 보다 낮은 약 1350℃ 이하의 온도 조건에서 소결될 수 있다. 이렇게 상대적으로 낮은 온도에서 소결되더라도 소결체의 상대 밀도가 95% 이상인 수준의 높은 소결력을 확보할 수 있었다. 여기서, 상대 밀도는 소결체가 가질 수 있는 이론적인 최대의 밀도에 대비한 실제 밀도의 비율을 의미한다. 또한, SiO2 및 TiO2의 첨가 비율은 전기적 특성, 예컨대, 비저항 등을 함께 고려하여 조절될 필요가 있으며, 본 실시 형태의 세라믹 조성물로부터 얻어진 소결체의 경우, 5×1015Ω·㎝ 이상인 수준의 비저항을 구현할 수 있었다.
In the case of the ceramic composition of the present embodiment, it can be fired simultaneously with an internal electrode containing Ni, and can be sintered at a temperature condition of about 1350° C. or less, lower than a commonly used firing temperature, by adjusting the addition ratio of SiO 2 and TiO 2 . can Even when sintered at such a relatively low temperature, it was possible to secure high sintering power at a level where the relative density of the sintered body was 95% or more. Here, the relative density means the ratio of the actual density to the theoretical maximum density that the sintered body can have. In addition, the addition ratio of SiO 2 and TiO 2 needs to be adjusted in consideration of electrical properties, for example, specific resistance, etc., and in the case of the sintered body obtained from the ceramic composition of the present embodiment, a level of 5 × 10 15 Ω cm or more Resistivity could be realized.

본 실시 형태의 세라믹 조성물은 상술한 바와 같이, Al2O3를 주성분으로 하며, 소결 온도를 낮추기 위한 목적 등으로 TiO2가 미량 첨가되었다. 이 경우, TiO2는 Al2O3의 소성 온도를 낮추는 데는 효과적이지만 환원 분위기에서 소성 시 반도체화 되어 전기 전도도를 높임으로써 비저항 특성의 저하를 가져오는 부작용이 있다. 이러한 환원 분위기 소성은 본 실시 형태와 같이 Ni 성분을 이용하여 내부전극을 형성하는 경우에 필요한 점에서 본 실시 형태에서는 TiO2의 함량을 낮추고 대신하여 SiO2의 함량을 증가시켰다. 이와 같이 TiO2의 함량이 낮아짐으로써 비저항 특성이 구현됨과 더불어, 증가된 SiO2에 의하여 소결성이 개선될 수 있으며, 본 발명의 발명자들은 최적의 함량 범위를 도출하기 위하여 하기와 같이 실험을 행하였다.
As described above, the ceramic composition of the present embodiment has Al 2 O 3 as a main component, and TiO 2 is added in a small amount for the purpose of lowering the sintering temperature. In this case, TiO 2 is effective in lowering the sintering temperature of Al 2 O 3 , but has a side effect of reducing specific resistance by increasing electrical conductivity by becoming a semiconductor when sintering in a reducing atmosphere. Since such a reducing atmosphere firing is necessary in the case of forming an internal electrode using a Ni component as in the present embodiment, the content of TiO 2 is lowered in the present embodiment and the content of SiO 2 is increased instead. In this way, as the content of TiO 2 is lowered, resistivity characteristics are implemented, and sinterability can be improved by increased SiO 2 , and the inventors of the present invention conducted experiments as follows to derive an optimal content range.

실험 예 및 분석Experimental examples and analysis

하기 표 1은 주성분과 부성분들의 함량을 달리하여 얻어진 세라믹 조성물을 소결하여 비저항과 상대밀도를 측정한 것이다. 이 경우, 각 성분들의 함량은 중량%이며, 비저항과 상대밀도의 단위는 각각 Ω·㎝와 %이다. 또한, 하기의 실험 예들의 조성물은 제3 및 제4 부성분으로 각각 MgCO3 및 CaCO3를 더 포함하며, 다만, 본 실험은 TiO2와 SiO2의 함량에 따른 특성 변화를 측정하고자 한 것이므로 제3 및 제4 부성분의 함량은 일정하게 유지하였다.
Table 1 below shows specific resistance and relative density measured by sintering ceramic compositions obtained by varying the content of the main component and subcomponents. In this case, the content of each component is % by weight, and the units of resistivity and relative density are Ω·cm and %, respectively. In addition, the compositions of the following experimental examples further include MgCO 3 and CaCO 3 as third and fourth subcomponents, respectively . and the content of the fourth subcomponent was kept constant.

Figure 112016008962770-pat00001
Figure 112016008962770-pat00001

상기 실험 방법을 보다 구체적으로 설명하면, 우선, 각각의 분말원료의 혼합비율을 상술한 실험 예의 기준대로 칭량 및 혼합한 후에는 유기 바인더, 가소제, 분산제 및 용제를 첨가하며, 이를 혼합하여 세라믹 슬러리를 제작한다. 이후, 세라믹 슬러리를 시트 형상으로 성형하여 세라믹 그린시트를 형성하며, 얻어진 세라믹 그린시트는 필요에 따라서 여러 장을 적층하고서 압착하여 세라믹 적층체를 제작한다. 이렇게 얻어진 세라믹 적층체를 탈지하고, 비산화 분위기 하에서 소성하여 세라믹 소결체를 얻는다. 비산화 분위기 하에서 소성하기 위하여, 예를 들면 가습한 수소와 질소의 혼합가스 중에서 소성을 실시할 수 있으며, 이와 달리, 진공이나 아르곤 가스 등의 불활성 가스 중에서 소성하는 방법과 같이 비산화 분위기 하에서라면 모두 이용될 수 있을 것이다. 그리고, 상술한 바와 같이 소성온도는 중온 소성 영역, 예를 들면 약 1350℃로 설정될 수 있다.
Describing the above test method in more detail, first, after weighing and mixing the mixing ratio of each powder raw material according to the standards of the above-described experimental example, an organic binder, plasticizer, dispersant, and solvent are added, and mixed to obtain a ceramic slurry produce Thereafter, the ceramic slurry is molded into a sheet shape to form a ceramic green sheet, and several sheets of the obtained ceramic green sheet are laminated and pressed as necessary to manufacture a ceramic laminate. The ceramic laminate thus obtained is degreased and fired in a non-oxidizing atmosphere to obtain a ceramic sintered body. In order to sinter under a non-oxidizing atmosphere, for example, sintering can be performed in a mixed gas of humidified hydrogen and nitrogen. Alternatively, any sintering can be performed under a non-oxidizing atmosphere, such as a method of sintering in an inert gas such as vacuum or argon gas. will be available And, as described above, the firing temperature may be set to a medium temperature firing region, for example, about 1350°C.

상술한 방법으로 소성 시편을 얻은 후 아르키메데스 법을 이용하여 밀도를 구한 후 비저항을 측정하였다. 여기서 비저항 측정은 소성 시편에 전극 물질을 도포한 후 이를 소성하여 전극층을 형성한 후에 진행하였다.
After obtaining the fired specimen in the above-described method, the density was obtained using the Archimedes method, and then the specific resistance was measured. Here, the resistivity measurement was performed after the electrode material was applied to the fired specimen and then fired to form an electrode layer.

25개의 샘플에 대한 표 1의 실험 결과에서 볼 수 있듯이, TiO2 함량이 너무 낮을 경우(0.2중량% 미만)에는 1350℃ 이하에서 충분한 소결력을 확보할 수 없었으며, 반드시 이에 제한될 것은 아니지만 본 발명자들은 충분한 소결 정도의 기준을 상대밀도 95% 수준으로 설정하였다. 또한, 상술한 바와 같이 TiO2 함량이 늘어날수록 비저항의 낮아지는 부작용이 있었으며, 표 1의 실험 결과를 토대로 TiO2 함량의 바람직한 범위를 0.2 내지 0.3중량%로 설정하였다.
As can be seen from the experimental results of Table 1 for 25 samples, when the TiO 2 content is too low (less than 0.2% by weight), sufficient sintering power could not be secured at 1350 ° C or lower, but is not necessarily limited thereto. The inventors set a standard for sufficient sintering at a relative density of 95%. In addition, as described above, as the TiO 2 content increased, there was a side effect of lowering the specific resistance, and based on the experimental results of Table 1, the preferred range of the TiO 2 content was set to 0.2 to 0.3% by weight.

다음으로, SiO2가 소결체에 미치는 영향을 살펴보면, 상대적으로 TiO2 함량을 낮추면서 SiO2를 증가시킴에 따라 소결 특성이 향상되어 상대 밀도가 증가하는 것을 확인할 수 있었으며, 비저항 특성 역시 향상되는 경향을 보였다. 반드시 이에 제한되는 것은 아니지만, 본 발명의 발명자들은 바람직한 수준의 비저항을 약 5×1015Ω·㎝ 수준으로 설정하였다. 이러한 경향은 표 1의 결과에서 보듯이 SiO2를 6중량% 이상인 조성물에서 확인할 수 있었다. 그러나, 앞서 제시한 TiO2 함량의 바람직한 범위에서 SiO2의 양이 특성 수준(10중량%보다 큰 경우)을 넘어서는 경우에는 비저항 특성이 열화됨을 확인할 수 있었다. 이러한 비저항 특성의 열화는 SiO2 함량의 증가에 따라 도 2에 도시된 미세 구조 사진에서 볼 수 있듯이, 글래스(glass)의 용출(원으로 표시한 영역)이 많아지기 때문으로 해석할 수 있다. 이러한 결과에 따라, SiO2의 함량은 전체 조성물에 대하여 6 내지 10중량%로 설정하였다.
Next, examining the effect of SiO 2 on the sintered body, it was confirmed that the relative density increased as the sintering characteristics improved as the TiO 2 content was relatively lowered and the SiO 2 was increased, and the resistivity property also tended to improve. seemed Although not necessarily limited thereto, the inventors of the present invention set a desirable level of specific resistance to about 5×10 15 Ω·cm. As shown in the results of Table 1, this tendency was confirmed in the composition containing 6% by weight or more of SiO 2 . However, when the amount of SiO 2 exceeds the characteristic level (greater than 10% by weight) in the preferred range of TiO 2 content presented above, it was confirmed that the specific resistance property deteriorated. This deterioration in resistivity can be interpreted as the fact that as the SiO 2 content increases, as can be seen in the photo of the microstructure shown in FIG. According to these results, the content of SiO 2 was set to 6 to 10% by weight with respect to the total composition.

TiO2 및 SiO2가 상술한 함량 범위를 갖는 본 실시 형태의 세라믹 조성물의 경우, 상대적으로 적은 함량의 TiO2를 투입하여도 소결성 개선 등의 기능을 갖는 SiO2의 함량을 함께 고려함으로써 상대 밀도와 비저항 특성을 향상시킬 수 있었다. 추가적으로 주성분인 Al2O3의 바람직한 함량 범위를 살펴보면, 전체 조성물에 대하여 약 85중량% 이상 포함되는 경우 충분한 소결 특성과 전기적 특성을 나타내고 있음을 확인하였다.
In the case of the ceramic composition of the present embodiment in which TiO 2 and SiO 2 have the above-described content ranges, even when a relatively small amount of TiO 2 is added, the relative density and Resistivity characteristics could be improved. Additionally, looking at the preferred content range of the main component, Al 2 O 3 , it was confirmed that sufficient sintering properties and electrical properties were exhibited when it was included in an amount of about 85% by weight or more relative to the total composition.

정전척의electrostatic 제조방법 manufacturing method

상술한 세라믹 조성물을 이용하여 정전척을 제조하는 방법을 설명한다. 본 실시 형태에 따른 정전척의 제조방법의 경우, 우선, 유전체층용 세라믹 조성물 및 내부전극용 금속 페이스트를 마련한다. 여기서 유전체층용 세라믹 조성물은 상술한 실험 예에서 사용한 방법을 이용할 수 있으며, 구체적인 조성 범위도 상술한 조건, 즉, Al2O3를 주성분으로 하며, 제1 부성분인 SiO2를 전체 조성물에 대하여 6 내지 10중량%으로, 제2 부성분인 TiO2를 전체 조성물에 대하여 0.2 내지 0.3중량%을 만족할 수 있다. 상기 내부전극용 금속 페이스트는 Ni 성분을 포함할 수 있으며, W나 Mo 등과 비교하여 상대적으로 낮은 온도에서 소결될 수 있다.
A method of manufacturing an electrostatic chuck using the ceramic composition described above will be described. In the case of the manufacturing method of the electrostatic chuck according to the present embodiment, first, a ceramic composition for a dielectric layer and a metal paste for an internal electrode are prepared. Here, the ceramic composition for the dielectric layer may use the method used in the above-described experimental example, and the specific composition range is also under the above-described conditions, that is, Al 2 O 3 is the main component and the first sub-component SiO 2 is 6 to 6 with respect to the entire composition. At 10% by weight, TiO 2 as the second subcomponent may be contained in an amount of 0.2 to 0.3% by weight based on the total composition. The metal paste for the internal electrode may contain Ni, and may be sintered at a relatively low temperature compared to W or Mo.

다음 공정으로, 상기 세라믹 조성물 및 상기 금속 페이스트를 소성하여 소결체를 형성한다. 이 경우, 상기 세라믹 조성물 및 상기 금속 페이스트는 동시에 소성될 수 있으며, 본 소성 단계는 약 1350℃ 이하인 온도 조건에서 실행될 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 본 소성 단계는 비산화 분위기에서 실행될 수 있으며, 이에 의하여 Ni을 내부 전극 물질로 이용할 수 있다.
In the next step, the ceramic composition and the metal paste are fired to form a sintered body. In this case, the ceramic composition and the metal paste may be calcined simultaneously, and the calcining step may be performed at a temperature condition of about 1350° C. or less. Also, as described above, this firing step can be performed in a non-oxidizing atmosphere, whereby Ni can be used as an internal electrode material.

한편, 세라믹 조성물에 포함된 성분들의 함량을 조절하는 것 외에 소성 온도에 영향을 미치는 요인으로 조성물의 입자 크기, 즉, 입도 분포를 들 수 있다. 상술한 바와 같이 본 실시 형태에서는 W나 Mo 등의 내부전극을 이용한 경우보다 낮은 온도인 약 1350℃ 이하의 온도에서 소성을 실행하는데, 이를 위하여 종래보다 미립화된 파우더를 사용하였다. 구체적으로, 본 실시 형태에서는 주성분인 Al2O3 파우더의 입도 분포를 D50 기준 180nm~350nm 수준으로 채용하였으며, 이는 500nm 이상의 수준인 종래 정전척용 세라믹 물질보다 미세한 것이다. 주성분인 Al2O3가 이러한 미립화된 입도 분포를 가짐에 따라 보다 치밀하고 강도가 높은 소결체를 얻을 수 있으며, 소성 온도도 약 1350℃ 이하의 수준으로 낮출 수 있다.
Meanwhile, a particle size of the composition, ie, particle size distribution, may be mentioned as a factor affecting the firing temperature in addition to adjusting the content of components included in the ceramic composition. As described above, in the present embodiment, firing is performed at a temperature of about 1350 ° C. or less, which is lower than the case of using an internal electrode such as W or Mo. Specifically, in the present embodiment, the particle size distribution of Al 2 O 3 powder, which is the main component, is adopted at a level of 180 nm to 350 nm based on D50, which is finer than a conventional ceramic material for an electrostatic chuck that is a level of 500 nm or more. As the main component, Al 2 O 3 , has such an atomized particle size distribution, a more dense and high-strength sintered body can be obtained, and the firing temperature can be lowered to a level of about 1350° C. or less.

본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
The present invention is not limited by the above-described embodiments and accompanying drawings, but is intended to be limited by the appended claims. Therefore, various forms of substitution, modification, and change will be possible by those skilled in the art within the scope of the technical spirit of the present invention described in the claims, which also falls within the scope of the present invention. something to do.

100: 정전 척
101, 102: 유전체층
103: 내부전극
104: 가열부
105: 베이스 플레이트
100: electrostatic chuck
101, 102: dielectric layer
103: internal electrode
104: heating unit
105: base plate

Claims (16)

Al2O3를 전체 조성물에 대하여 가장 많은 중량%로 포함하며,
제1 부성분인 SiO2를 전체 조성물에 대하여 6 내지 10중량%로,
제2 부성분인 TiO2를 전체 조성물에 대하여 0.2 내지 0.3중량%로 포함하는 세라믹 조성물.
Al 2 O 3 is included in the largest percentage by weight of the total composition,
SiO 2 as a first subcomponent is 6 to 10% by weight based on the total composition,
A ceramic composition comprising 0.2 to 0.3% by weight of TiO 2 as a second subcomponent based on the total composition.
제1항에 있어서,
제3 및 제4 부성분으로 각각 MgCO3 및 CaCO3를 더 포함하는 세라믹 조성물.
According to claim 1,
A ceramic composition further comprising MgCO 3 and CaCO 3 as third and fourth subcomponents, respectively.
제1항에 있어서,
상대밀도가 95% 이상인 소결체를 이루는 세라믹 조성물.
According to claim 1,
A ceramic composition forming a sintered body having a relative density of 95% or more.
제1항에 있어서,
비저항이 5*1015Ω·㎝ 이상인 소결체를 이루는 세라믹 조성물.
According to claim 1,
A ceramic composition forming a sintered body having a specific resistance of 5*10 15 Ω·cm or more.
제1항에 있어서,
상기 Al2O3를 전체 조성물에 대하여 85중량% 이상 포함하는 세라믹 조성물.
According to claim 1,
A ceramic composition comprising 85% by weight or more of Al 2 O 3 based on the total composition.
정전력을 생성하는 내부전극; 및
상기 내부전극을 봉합하는 유전체층;을 포함하며,
상기 유전체층은 Al2O3를 전체 조성물에 대하여 가장 많은 중량%로 포함하며, 제1 부성분인 SiO2를 전체 조성물에 대하여 6 내지 10중량%로, 제2 부성분인 TiO2를 전체 조성물에 대하여 0.2 내지 0.3중량%로 포함하는 세라믹 소결체를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.
Internal electrodes generating electrostatic force; and
A dielectric layer sealing the internal electrodes; includes,
The dielectric layer includes Al 2 O 3 in the largest percentage by weight of the total composition, SiO 2 as a first subcomponent in an amount of 6 to 10 wt%, and TiO 2 as a second subcomponent in an amount of 0.2 wt% with respect to the entire composition. An electrostatic chuck comprising a ceramic sintered body containing 0.3% by weight to 0.3% by weight.
제6항에 있어서,
상기 내부전극은 Ni을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.
According to claim 6,
The electrostatic chuck, characterized in that the internal electrode contains Ni.
제6항에 있어서,
상기 세라믹 소결체는 제3 및 제4 부성분으로 각각 MgCO3 및 CaCO3를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.
According to claim 6,
The ceramic sintered body further includes MgCO 3 and CaCO 3 as third and fourth subcomponents, respectively.
제6항에 있어서,
상기 세라믹 소결체는 상대밀도가 95% 이상인 것을 특징으로 하는 정전척.
According to claim 6,
The electrostatic chuck, characterized in that the ceramic sintered body has a relative density of 95% or more.
제6항에 있어서,
상기 세라믹 소결체는 비저항이 5*1015Ω·㎝ 이상인 것을 특징으로 하는 정전척.
According to claim 6,
The electrostatic chuck, characterized in that the ceramic sintered body has a specific resistance of 5 * 10 15 Ω cm or more.
제6항에 있어서,
상기 세라믹 소결체는 상기 Al2O3를 전체 조성물에 대하여 85중량% 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.
According to claim 6,
The electrostatic chuck, wherein the ceramic sintered body contains 85% by weight or more of Al 2 O 3 based on the total composition.
유전체층용 세라믹 조성물 및 내부전극용 금속 페이스트를 마련하는 단계; 및
상기 세라믹 조성물 및 상기 금속 페이스트를 소성하는 단계;를 포함하며,
상기 세라믹 조성물은 Al2O3를 전체 조성물에 대하여 가장 많은 중량%로 포함하며, 제1 부성분인 SiO2를 전체 조성물에 대하여 6 내지 10중량%로, 제2 부성분인 TiO2를 전체 조성물에 대하여 0.2 내지 0.3중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.
preparing a ceramic composition for a dielectric layer and a metal paste for internal electrodes; and
Including; firing the ceramic composition and the metal paste,
The ceramic composition includes Al 2 O 3 in the largest percentage by weight of the total composition, SiO 2 as a first subcomponent in an amount of 6 to 10 wt%, and TiO 2 as a second subcomponent in an amount of 6 to 10 wt% with respect to the entire composition. A method for manufacturing an electrostatic chuck, characterized in that it comprises 0.2 to 0.3% by weight.
제12항에 있어서,
상기 세라믹 조성물 및 상기 금속 페이스트는 동시에 소성되는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.
According to claim 12,
The method of manufacturing an electrostatic chuck, characterized in that the ceramic composition and the metal paste are fired simultaneously.
제12항에 있어서,
상기 금속 페이스트는 Ni을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.
According to claim 12,
The method of manufacturing an electrostatic chuck, characterized in that the metal paste contains Ni.
제14항에 있어서,
상기 세라믹 조성물 및 상기 금속 페이스트를 소성하는 단계는 비산화 분위기에서 실행되는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.
According to claim 14,
The method of manufacturing an electrostatic chuck, characterized in that the firing of the ceramic composition and the metal paste is performed in a non-oxidizing atmosphere.
제12항에 있어서,
상기 Al2O3는 D50 기준 180nm~350nm의 입도 분포를 갖는 파우더 형태로 제공되는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.
According to claim 12,
The method of manufacturing an electrostatic chuck, characterized in that the Al 2 O 3 is provided in the form of a powder having a particle size distribution of 180 nm to 350 nm based on D50.
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