KR102547294B1 - 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법 - Google Patents

반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법이 제공된다. 반도체 장치는, LO(local oscillator) 신호를 이용하여 기저대역 신호(baseband signal)를 상향 변환(upconvert)하는 믹서; 및 상기 믹서로부터 상기 상향 변환된 신호를 수신하여 노치 주파수 성분을 필터링하는 노치 필터를 포함하고, 상기 노치 필터는 기본 주파수에서 공진하여 하이 임피던스를 제공하고, 상기 기본 주파수와 다른 상기 노치 주파수에서 공진하여 로우 임피던스를 제공한다.

Description

반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF}
본 발명은 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법에 관한 것이다.
LTE 시스템과 같은 무선 통신 시스템에서 사용되는 파워 믹서(power mixer)는 구동 증폭기(driver amplifier, DA)에 비해 낮은 효율을 가지며, 파워 믹서가 사용되는 송신기 구조에서는 고조파 주파수 성분을 제거하기 위해 추가적인 비용과 전력을 필요로 한다. 예를 들어, 고조파 주파수 성분을 제거하기 위해 복수의 DA를 사용하게 되면 전력 소모가 매우 커지게 된다. 따라서 요구되는 선형성과 잡음성을 만족하면서도 저 전력으로 동작하는 송신기를 제공하는 것이 필요하다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 저 전력으로 동작하면서도 고조파 주파수 성분을 효과적으로 필터링하기 위한 반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 저 전력으로 동작하면서도 고조파 주파수 성분을 효과적으로 필터링하기 위한 반도체 장치의 동작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 해당 기술 분야의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치는, LO(local oscillator) 신호를 이용하여 기저대역 신호(baseband signal)를 상향 변환(upconvert)하는 믹서; 및 상기 믹서로부터 상기 상향 변환된 신호를 수신하여 노치 주파수 성분을 필터링하는 노치 필터를 포함하고, 상기 노치 필터는 기본 주파수에서 공진하여 하이 임피던스를 제공하고, 상기 기본 주파수와 다른 상기 노치 주파수에서 공진하여 로우 임피던스를 제공한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치는, LO(local oscillator) 신호를 이용하여 기저대역 신호(baseband signal)를 상향 변환(upconvert)하는 믹서; 상기 믹서의 입력단에 배치되어 상기 기저대역 신호가 통과하는 하나 이상의 저항; 및 상기 믹서로부터 상기 상향 변환된 신호를 수신하여 노치 주파수 성분을 필터링하는 노치 필터를 포함하고, 상기 노치 필터는 기본 주파수에서 공진하여 하이 임피던스를 제공하고, 상기 기본 주파수와 다른 상기 노치 주파수에서 공진하여 로우 임피던스를 제공하되, 상기 저항은 상기 하이 임피던스보다 낮고 상기 로우 임피던스보다 크다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 동작 방법은, LO(local oscillator) 신호를 이용하여 상향 변환(upconvert)된 기저대역 신호(baseband signal)를 제공받고, 노치 필터를 이용하여 상기 상향 변환된 신호 중 기본 주파수 성분과 상기 기본 주파수 성분과 다른 노치 주파수 성분을 동시에 튜닝하는 것을 포함하되, 상기 노치 필터는 상기 기본 주파수에서 공진하여 하이 임피던스를 제공하고, 상기 기본 주파수와 다른 상기 노치 주파수에서 공진하여 로우 임피던스를 제공한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 송신기를 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 노치 필터를 설명하기 위한 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 노치 필터에 대응하는 등가 회로를 설명하기 위한 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 노치 필터의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치의 송신기를 설명하기 위한 블록도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치의 노치 필터를 설명하기 위한 회로도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치(100)는 디지털 IC(110) 및 송수신기(120)를 포함할 수 있다.
디지털 IC(110)는 데이터, 프로그램 코드 등을 저장하기 위한 메모리와, 상기 데이터, 프로그램 코드 등을 처리하기 위한 프로세서 등을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 몇몇의 실시예에서, 디지털 IC(110)는 송수신기(120)의 내부 구성 요소들을 제어하기 위한 명령이나 내부 구성 요소들에 제공하기 위한 신호를 전송하기 위한 추가적인 인터페이스를 더 포함할 수 있다.
송수신기(120)는 양 방향 통신을 지원하기 위해 송신기(130) 및 수신기(150)를 포함할 수 있다. 본 발명의 몇몇의 실시예에서, 반도체 장치(100)에 포함되는 송신기와 수신기의 개수는 통신 시스템, 주파수 대역 등과 같은 환경을 지원하기 위해 임의의 개수가 될 수 있다.
송신기(130)는 디지털 IC(110)로부터 디지털-아날로그 컨버터(114)를 통해, 디지털 신호로부터 변환된 I 및 Q 아날로그 신호를 제공받는다. 그리고 송신기(150)는 I 및 Q 아날로그 신호를 로우패스 필터에 통과시키거나 증폭한 후, I 및 Q 기저대역 신호(baseband signal)를 획득한다. 송신기(130)는 TX LO(local oscillator) 신호를 이용하여 I 및 Q 기저대역 신호를 상향 변환(upconvert)한 후, 상향 변환된 신호를 RF 신호로서 전송하기 위해 필요한 전력 레벨로 증폭한다. 증폭된 신호는 안테나를 통해 무선 송신된다.
수신기(150)는 안테나를 통해 RF 신호를 수신하고, RX LO 신호를 이용하여 수신된 RF 신호를 하향 변환(downconvert)하여 I 및 Q 기저대역 신호를 복원한다. 그리고 수신기(150)는 I 및 Q 기저대역 신호를 증폭하거나 로우패스 필터에 통과시킨 후, 디지털 IC(114)의 아날로그-디지털 컨버터(116)에 I 및 Q 아날로그 신호를 제공한다. I 및 Q 아날로그 신호는 아날로그-디지털 컨버터(116)에 의해 디지털 신호로 변환되어, 예컨대 디지털 IC(110)의 프로세서에 의해 처리될 수 있다.
본 발명의 몇몇의 실시예에서, 송수신기(120)는 하나 이상의 아날로그 IC, RF IC, 믹스 신호(mixed-signal) IC 등으로 구현될 수 있으나, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 송수신기(120)는 수퍼 헤테로다인(super-heterodyne) 아키텍처 또는 직접 변환(direct conversion) 아키텍처를 따르도록 구현될 수 있으나, 역시 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 송신기를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 송신기(130)는 로우패스 필터(132a, 132b), 증폭기(134a, 134b), 믹서(141a, 141b), 노치 필터(142), 구동 증폭기(DA, 143), 전력 증폭기(PA, 144) 및 안테나(148)를 포함한다. 또한, 송신기(130)는 믹서(141a, 141b)에 제공할 LO 신호를 생성하기 위한 PLL(Phase Locked Loop)(192) 및 LO 신호 생성기(190)를 더 포함할 수 있다.
송신기(130)는 디지털-아날로그 컨버터(114a)로부터 I 아날로그 신호를 제공받고, 디지털-아날로그 컨버터(114b)로부터 Q 아날로그 신호를 제공받는다. I 아날로그 신호 및 Q 아날로그 신호는 디지털-아날로그 변환에서 발생한 불필요한 영역을 제거하기 위해 로우패스 필터(132a, 132b)를 각각 통과한다.
로우패스 필터(132a, 132b)를 통과한 I 아날로그 신호 및 Q 아날로그 신호는 증폭기(134a, 134b)를 각각 통과한 후 I 기저대역 신호 및 Q 기저대역 신호로서 출력된다.
믹서(141a)는 LO 신호 생성기(190)로부터 생성된 제1 TX LO 신호를 이용하여 I 기저대역 신호를 상향 변환한다. TX LO 신호는 특정 기본 주파수를 갖는 주기 신호를 포함한다. PLL(192)은 예컨대 디지털 IC(110)로부터 타이밍 정보(timing information, TI)를 수신하고, LO 신호 생성기(190)가 TX LO 신호의 주파수 또는 위상을 조정하기 위한 제어 신호를 LO 신호 생성기(190)에 제공한다. 이와 마찬가지로, 믹서(141b)는 LO 신호 생성기(190)로부터 생성된 제2 TX LO 신호를 이용하여 Q 기저대역 신호를 상향 변환한다.
노치 필터(142)는 믹서(141a, 141b)에 의해 상향 변환된 신호를 수신하여 노치 주파수 성분을 필터링한다. 노치 필터(142)에 대해서는 도 3 내지 도 5와 관련하여 후술하도록 한다.
노치 필터(142)를 통과한 상향 변환 신호는 DA(143) 및 PA(144)를 통해 RF 신호로서 전송하기 위해 필요한 전력 레벨로 증폭된 후, 안테나(148)를 통해 무선 송신된다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 노치 필터를 설명하기 위한 회로도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치(100)의 노치 필터(142)는 믹서(141a, 141b)와 DA(143) 사이에 배치될 수 있다. 그러나 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니고, 노치 필터(142)의 배치는 반도체 장치(100)의 구체적인 구현 목적에 따라 달라질 수 있다.
노치 필터(142)는 기본 주파수에서 공진하여 하이 임피던스를 제공하고, 기본 주파수와 다른 노치 주파수에서 공진하여 로우 임피던스를 제공한다. 본 발명의 몇몇의 실시예에서, 노치 주파수는 3차 고조파 주파수를 포함할 수 있다.
구체적으로, 노치 필터(142)는 제1 인덕터(L1), 제1 인덕터(L1)와 병렬 연결된 제2 인덕터(L2), 제1 인덕터(L1)의 일 단에 제1 인덕터(L1)와 직렬 연결된 제1 캐패시터(C1) 및 제1 인덕터(L1)의 타 단에 제1 인덕터(L1)와 직렬 연결된 제2 캐패시터(C2)를 포함할 수 있다.
여기서 서로 병렬 연결된 제1 인덕터(L1) 및 제2 인덕터(L2)는 기본 주파수에서 공진하여 믹서 로드(mixer load)로서 하이 임피던스를 제공하는 한편, 서로 직렬 연결된 제1 인덕터(L1), 제1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)는 노치 주파수에서 공진하여 3차 고조파 주파수를 제거하기 위한 로우 임피던스를 제공한다.
이에 따라 노치 필터(142)는 제1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)에 의해 동시에 기본 주파수와 노치 주파수, 즉 3차 고조파 주파수를 튜닝할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 노치 필터에 대응하는 등가 회로를 설명하기 위한 회로도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 노치 필터의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치(100)의 노치 필터(142)에 대응하는 등가 회로는 도 4와 같이 나타낼 수 있다.
여기서 Lp는 1차 스테이지 인덕턴스, Ls는 2차 스테이지 인덕턴스, 그리고 Lm은 1차 스테이지 인덕턴스와 2차 스테이지 인덕턴스 사이의 상호 인덕턴스를 나타낸다.
이 경우 도 4에 도시된 등가 회로의 위쪽 절반만을 고려했을 때, 즉, Lm을 0.5 Lm (Lc)으로 대치했을 때 로드 임피던스는 하기 식 (1)과 같다.
Figure 112016105913314-pat00001
(1)
식 (1)로부터 폴(pole) 주파수와 제로(zero) 주파수는 각각 하기 식 (2) 및 (3)과 같다.
Figure 112016105913314-pat00002
(2)
Figure 112016105913314-pat00003
(3)
식 (2) 및 (3)으로부터, 하기 식 (4)를 도출할 수 있다.
Figure 112016105913314-pat00004
(4)
식 (4)에서, 제로 주파수 3flo(3차 고조파 주파수)와 폴 주파수 flo(기본 주파수)의 비는 캐패시터를 튜닝하는 것과 무관하며, 오로지 트랜스포머 자체에서만 결정된다. 따라서 트랜스포머가
Figure 112016105913314-pat00005
을 만족하도록 설계된다면, flo와 3flo는 동시에 튜닝될 수 있다.
도 5는 지금까지 설명한 노치 필터(142)의 주파수 응답을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치의 송신기를 설명하기 위한 블록도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치의 송신기(130)는 로우패스 필터(132a, 132b), 증폭기(134a, 134b), 저항(145, 146), 믹서(141a, 141b), 노치 필터(142), 구동 증폭기(DA, 143), 전력 증폭기(PA, 144) 및 안테나(148)를 포함한다. 또한, 송신기(130)는 믹서(141a, 141b)에 제공할 LO 신호를 생성하기 위한 PLL(Phase Locked Loop)(192) 및 LO 신호 생성기(190)를 더 포함할 수 있다.
도 2의 실시예와 다른 점은, 믹서(141a, 141b)의 전단에 저항(145, 146)이 추가로 배치되어 있다는 점이다.
즉, 로우패스 필터(132a, 132b)를 통과한 I 아날로그 신호 및 Q 아날로그 신호는 증폭기(134a, 134b)를 각각 통과한 후 I 기저대역 신호 및 Q 기저대역 신호로서 출력되고, I 기저대역 신호 및 Q 기저대역 신호는 각각 저항(145, 146)을 통과하여 믹서(141a, 141b)에 전달된다.
믹서(141a)는 LO 신호 생성기(190)로부터 생성된 제1 TX LO 신호를 이용하여 저항(145)을 통과한 I 기저대역 신호를 상향 변환하고, 믹서(141b)는 LO 신호 생성기(190)로부터 생성된 제2 TX LO 신호를 이용하여 저항(146)을 통과한 Q 기저대역 신호를 상향 변환한다.
이후 노치 필터(142)가 믹서(141a, 141b)에 의해 상향 변환된 신호를 수신하여 노치 주파수 성분을 필터링한다.
저항(145, 146)은 노치 필터(142)가 기본 주파수에서 공진하는 하이 임피던스보다는 낮은 값을 갖는다. 특히, 노치 필터(142)가 기본 주파수에서 공진하는 동작에 있어서 저항(145, 146)의 값은 무시할 수 있을 정도에 불과하다.
한편, 저항(145, 146)은 노치 필터(142)가 노치 주파수에서 공진하는 로우 임피던스보다 높은 값을 갖는다. 이에 따라 저항(145, 146)은 믹서(141a, 141b)에 대해 전류 소오스의 역할을 하게 되며, 이것은 노치 주파수, 즉 3차 고조파 주파수 성분을 더욱 효과적으로 제거할 수 있도록 한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치의 노치 필터를 설명하기 위한 회로도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치(100)의 노치 필터(142)는 믹서(141a, 141b)와 DA(143) 사이에 배치될 수 있다. 그리고 믹서(141a)의 입력단에는 각각 저항(145a, 145b)이 배치되고, 믹서(141b)의 입력단에는 각각 저항(146a, 146b)이 배치될 수 있다. 그러나 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니고, 노치 필터(142)의 배치는 반도체 장치(100)의 구체적인 구현 목적에 따라 달라질 수 있다.
노치 필터(142)는 기본 주파수에서 공진하여 하이 임피던스를 제공하고, 기본 주파수와 다른 노치 주파수에서 공진하여 로우 임피던스를 제공한다. 본 발명의 몇몇의 실시예에서, 노치 주파수는 3차 고조파 주파수를 포함할 수 있다.
여기서 서로 병렬 연결된 제1 인덕터(L1) 및 제2 인덕터(L2)는 기본 주파수에서 공진하여 믹서 로드(mixer load)로서 하이 임피던스를 제공하는 한편, 서로 직렬 연결된 제1 인덕터(L1), 제1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)는 노치 주파수에서 공진하여 3차 고조파 주파수를 제거하기 위한 로우 임피던스를 제공한다.
앞서 언급한 바와 같이, 저항(145, 146)은 노치 필터(142)가 기본 주파수에서 공진하는 하이 임피던스보다는 낮은 값을 갖는다. 한편, 저항(145, 146)은 노치 필터(142)가 노치 주파수에서 공진하는 로우 임피던스보다 높은 값을 갖는다.
이에 따라 노치 필터(142)는 제1 캐패시터(C1) 및 제2 캐패시터(C2)에 의해 동시에 기본 주파수와 노치 주파수, 즉 3차 고조파 주파수를 튜닝할 수 있을 뿐 아니라, 3차 고조파 주파수 성분을 더욱 효과적으로 제거할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 동작 방법은, LO 신호를 이용하여 상향 변환된 기저대역 신호를 제공(S801)받고, 노치 필터(142)를 이용하여 상향 변환된 신호 중 기본 주파수 성분과 노치 주파수 성분을 동시에 튜닝(S803)하는 것을 포함한다.
노치 필터(142)는 이제까지 설명한 내용에 따라 동작하며, 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 동작 방법은, 노치 필터(142)로부터 출력된 신호를 증폭하여 전송 RF 신호를 제공(S805)하는 것을 더 포함할 수 있다.
이제까지 설명한 본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 노치 필터(142)는 동시에 기본 주파수와 노치 주파수, 즉 3차 고조파 주파수를 튜닝할 수 있을 뿐 아니라, 3차 고조파 주파수 성분을 더욱 효과적으로 제거할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 반도체 장치 110: 디지털 IC
114: DAC 116: ADC
120: 송수신기 130: 송신기
150: 수신기

Claims (10)

  1. LO(local oscillator) 신호를 이용하여 기저대역 신호(baseband signal)를 상향 변환(upconvert)하는 믹서; 및
    상기 믹서로부터 상기 상향 변환된 신호를 수신하여 노치 주파수 성분을 필터링하는 노치 필터를 포함하고,
    상기 노치 필터는 기본 주파수에서 공진하여 하이 임피던스를 제공하고, 상기 기본 주파수와 다른 상기 노치 주파수에서 공진하여 로우 임피던스를 제공하고,
    상기 노치 필터는 제1 인덕터, 상기 제1 인덕터와 병렬 연결된 제2 인덕터, 상기 제1 인덕터의 일 단에 상기 제1 인덕터와 직렬 연결된 제1 캐패시터 및 상기 제1 인덕터의 타 단에 상기 제1 인덕터 및 상기 제1 캐패시터와 직렬 연결된 제2 캐패시터를 포함하고,
    상기 기본 주파수와 상기 노치 주파수는 상기 제1 및 제2 캐패시터에 의해 동시에 튜닝되는 반도체 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    서로 병렬 연결된 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터는 상기 기본 주파수에서 공진하여 하이 임피던스를 제공하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    서로 직렬 연결된 상기 제1 인덕터, 상기 제1 캐패시터 및 상기 제2 캐패시터는 상기 노치 주파수에서 공진하여 로우 임피던스를 제공하는 반도체 장치.
  5. LO(local oscillator) 신호를 이용하여 기저대역 신호(baseband signal)를 상향 변환(upconvert)하는 믹서;
    상기 믹서의 입력단에 배치되어 상기 기저대역 신호가 통과하는 하나 이상의 저항; 및
    상기 믹서로부터 상기 상향 변환된 신호를 수신하여 노치 주파수 성분을 필터링하는 노치 필터를 포함하고,
    상기 노치 필터는 기본 주파수에서 공진하여 하이 임피던스를 제공하고, 상기 기본 주파수와 다른 상기 노치 주파수에서 공진하여 로우 임피던스를 제공하되, 상기 저항은 상기 하이 임피던스보다 낮고 상기 로우 임피던스보다 크고,
    상기 노치 필터는 제1 인덕터, 상기 제1 인덕터와 병렬 연결된 제2 인덕터, 상기 제1 인덕터의 일 단에 상기 제1 인덕터와 직렬 연결된 제1 캐패시터 및 상기 제1 인덕터의 타 단에 상기 제1 인덕터와 직렬 연결된 제2 캐패시터를 포함하고,
    상기 기본 주파수와 상기 노치 주파수는 상기 제1 및 제2 캐패시터에 의해 동시에 튜닝되는 반도체 장치.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서,
    서로 병렬 연결된 상기 제1 인덕터 및 상기 제2 인덕터는 상기 기본 주파수에서 공진하여 하이 임피던스를 제공하는 반도체 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    서로 직렬 연결된 상기 제1 인덕터, 상기 제1 캐패시터 및 상기 제2 캐패시터는 상기 노치 주파수에서 공진하여 로우 임피던스를 제공하는 반도체 장치.
  9. LO(local oscillator) 신호를 이용하여 상향 변환(upconvert)된 기저대역 신호(baseband signal)를 제공받고,
    노치 필터를 이용하여 상기 상향 변환된 신호 중 기본 주파수 성분과 상기 기본 주파수 성분과 다른 노치 주파수 성분을 동시에 튜닝하는 것을 포함하되,
    상기 노치 필터는 상기 기본 주파수에서 공진하여 하이 임피던스를 제공하고, 상기 기본 주파수와 다른 상기 노치 주파수에서 공진하여 로우 임피던스를 제공하고,
    상기 노치 필터는 제1 인덕터, 상기 제1 인덕터와 병렬 연결된 제2 인덕터, 상기 제1 인덕터의 일 단에 상기 제1 인덕터와 직렬 연결된 제1 캐패시터 및 상기 제1 인덕터의 타 단에 상기 제1 인덕터와 직렬 연결된 제2 캐패시터를 포함하고,
    상기 기본 주파수와 상기 노치 주파수는 상기 제1 및 제2 캐패시터에 의해 동시에 튜닝되는 반도체 장치의 동작 방법.
  10. 삭제
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