KR102544247B1 - 듀얼 반응기 및 그를 포함하는 파우더 ald 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 히터로부터 열을 효과적으로 전달받아 보다 짧은 시간에 목표 온도에 도달할 수 있는 듀얼 반응기 및 그를 포함하는 파우더 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 장치에 관한 것이다. 본 발명은 관형으로 내부 반응기 보다 열 복사율이 높은 외부 반응기와, 외부 반응기의 내주면에 결합되는 관형으로 외부 반응기 보다 열 전도율이 높은 내부 반응기를 포함하는 듀얼 반응기 및 그를 포함하는 파우더 ALD 장치를 제공한다.

Description

듀얼 반응기 및 그를 포함하는 파우더 ALD 장치{Dual reactor and powder the ALD device including the same}

본 발명은 파우더 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열원으로부터 열을 효과적으로 전달받을 수 있는 듀얼 반응기 및 그를 포함하는 파우더 ALD 장치에 관한 것이다.

파우더의 표면에 특정 물질을 코팅하기 위하여, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 방식이 사용될 수 있다. 이러한 ALD 방식을 파우더 ALD 방식이라고도 한다.

ALD 장치 중에서, 로터리 방식(rotary type)은 관형의 열원 내부에 모터에 의해 회전하는 관형의 반응기가 배치된 구조를 갖는다. ALD 공정은 코팅하고자 하는 물질인 파우더를 반응기 내로 삽입한 후에, 금속 전구체 가스 등을 반응기 내에 도입하는 방법으로 수행된다. 파우더의 입자 표면이 금속 전구체 가스에 노출됨에 따라, 금속 전구체 가스가 입자 표면에 증착된다.

반응기 내에 투입된 분말에 ALD가 원활히 진행될 수 있도록, 히터와 같은 열원은 반응기에 열을 제공한다. 열원에서 발생된 열은 전도와 복사 방식으로 반응기에 전달된다.

기존의 반응기는 단일 소재의 단일관 형태를 갖는다. 반응기의 소재로는 알루미늄이나 스테인리스 스틸 소재가 사용되고 있다.

여기서 알루미늄 소재는 열 전도율이 높은 반면에 열 복사율이 떨어지는 문제가 있다. 반대로 스테인리스 스틸 소재는 열 복사율이 높은 반면에 열 전도율이 떨어지는 문제가 있다.

따라서 알루미늄 소재의 반응기를 사용할 경우, 열원으로부터 발생되는 열로 반응기의 온도를 신속하게 가열할 수 있지만, 스테인리스 스틸 소재의 반응기에 비해서 최종 상승하는 온도가 낮은 문제점이 있다.

스테인리스 스틸 소재의 반응기를 사용할 경우, 열원으로부터 발생되는 열로 알루미늄 소재의 반응기에 비해서 높은 온도로 가열할 수 있지만, 목표 온도까지 도달하는데 시간이 많이 소요되는 문제점이 있다.

이러한 문제점으로 인해서, ALD 공정 시 다음과 같은 문제가 발생될 수 있다.

기존의 단일 금속 소재의 반응기를 이용하여 알루미늄 파우더에 트리메틸 백금을 증착하는 경우, 트리메틸 백금이 충분히 반응하는 250℃까지 온도를 유지하기 위한 반응기의 열전달이 충분하지 못하여, 알루미나 파우더와 트리메틸 백금이 충분히 반응하지 못하고 알루미늄 파우더들이 서로 뭉치는 경우가 발생할 수 있다.

여기서 알루미늄 소재의 반응기는 높은 열 전도율로 인해 ALD 장치의 온도 상승 곡선이 높으나, 낮은 열 복사율로 인해 열원으로부터 흡수 가능한 열의 양이 적어 최종 상승된 온도가 200℃ 내외로 트리메틸 백금이 충분히 반응하는 250℃까지 온도가 도달하지 못한다.

스테인리스 스틸 소재의 반응기는 높은 열 복사율로 인해 ALD 장치가 받아드릴 수 있는 열의 양이 증가하여 내부의 최종 상승 온도가 증가하나, 낮은 열 전도율로 인해 온도의 상승 속도가 느리기 때문에, 알루미나 파우더에 트리메틸 백금을 증착하기 위한 프로세스에 너무 많은 시간을 소모하는 문제점이 있다.

등록특허 제10-2086574호 (2020.03.09. 공고)

따라서 본 발명의 목적은 열원으로부터 열을 효과적으로 전달받아 보다 짧은 시간에 목표 온도에 도달할 수 있는 듀얼 반응기 및 그를 포함하는 파우더 ALD 장치에 관한 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 관형으로 내부 반응기 보다 열 복사율이 높은 외부 반응기; 및 상기 외부 반응기의 내주면에 결합되는 관형으로, 상기 외부 반응기 보다 열 전도율이 높은 상기 내부 반응기;를 포함하는 파우더 ALD 장치용 듀얼 반응기를 제공한다.

상기 외부 반응기의 소재는 스테인리스 스틸이고, 상기 내부 반응기의 소재는 알루미늄이다.

상기 외부 반응기는 0.34 내지 0.44의 열 복사율과, 11.2 내지 26.1 W/m-k의 열전도율을 갖는다.

상기 내부 반응기는 0.1 미만의 열 복사율과, 138.0 내지 218.0 W/m-k의 열전도율을 갖는다.

상기 내부 반응기의 두께가 상기 외부 반응기의 두께 보다는 두껍다.

상기 외부 반응기와 상기 내부 반응기는 끼움 결합되어 상기 외부 반응기의 내주면에 상기 내부 반응기의 외주면이 밀착된다.

상기 외부 반응기의 내주면과 상기 내부 반응기의 외주면에 서로 대응되게 형성된 키와, 상기 키에 결합되는 키홈을 이용하여 끼움 결합된다.

본 발명은 또한, 열을 공급하는 열원; 및 상기 열원으로부터 열을 공급받아 내부에 제공된 파우더의 표면에 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD)을 수행하는 듀얼 반응기;를 포함하는 파우더 ALD 장치를 제공한다.

그리고 상기 열원은 상기 듀얼 반응기의 외주면을 둘러싸는 관형의 히터이다.

본 발명에 따르면, 듀얼 반응기는 스테인리스 스틸 소재의 외부 반응기와, 외부 반응기의 안쪽에 결합된 알루미늄 소재의 내부 반응기를 포함한다. 즉 외부 반응기는 높은 열 복사율을 갖는 스테인리스 스틸로 제조함으로써, 열원으로부터 듀얼 반응기로 전달받는 열의 양을 증가시킨다. 그리고 내부 반응기는 높은 열 전도율을 갖는 알루미늄으로 제조함으로써, 외부 반응기가 수용한 열을 내부로 빠르게 전달함으로써, 듀얼 반응기 내부의 온도 상승 속도를 높일 수 있다.

따라서 본 발명에 따른 듀얼 반응기는 열원으로부터 열을 효과적으로 전달받아 보다 짧은 시간에 목표 온도에 도달할 수 있다.

본 발명에 따른 듀얼 반응기는 용접이나 나사체결 방식을 사용하지 않고, 끼움 결합 방식으로 간단하게 조립할 수 있다. 이로 인해 본 발명에 따른 듀얼 반응기는 내부 반응기와 외부 반응기로도 쉽게 분리할 수 있다.

따라서 본 발명에 따른 듀얼 반응기는 외부 반응기 및 내부 반응기의 오염도에 따라 분리하여 오염을 제거하나 교체할 수 있다. 즉 기존의 단일 소재의 반응기와 비교하여, 본 발명에 따른 듀얼 반응기는 내부 및 외부의 오염도를 보다 효율적으로 관리할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 듀얼 반응기를 포함하는 파우더 ALD 장치를 보여주는 개략도이다.
도 2는 도 1의 듀얼 반응기를 보여주는 사시도이다.
도 3은 외부 반응기 및 내부 반응기 각각의 시간에 따른 온도 변화를 보여주는 그래프이다.
도 4는 열 전도율이 반응기의 열전달에 미치는 영향을 평가한 그래프이다.
도 5는 열 복사율이 반응기의 열전달에 미치는 영향을 평가한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 반응기 각각의 시간에 따른 온도 변화를 보여주는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 외부 반응기와 내부 반응기의 두께 차이에 의한 시간에 따른 온도 변화를 보여주는 그래프이다.

본 발명은 표1에 기재된 과제의 지원을 받아 출원을 진행하는 것이다.
[표 1]

하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.

이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 듀얼 반응기를 포함하는 파우더 ALD 장치를 보여주는 개략도이다. 그리고 도 2는 도 1의 듀얼 반응기를 보여주는 사시도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 파우더 ALD 장치(100)는 열을 공급하는 열원(10)과, 열원(10)으로부터 열을 공급받아 내부에 제공된 파우더의 표면에 ALD를 수행하는 듀얼 반응기(20)를 포함한다. 듀얼 반응기(20)는 외부 반응기(21)와 내부 반응기(23)를 포함한다. 외부 반응기(21)는 관형으로 내부 반응기(23) 보다 열 복사율이 높다. 내부 반응기(23)는 외부 반응기(21)의 내주면에 결합되는 관형으로, 외부 반응기(21) 보다 열 전도율이 높다.

이와 같이 본 실시예에 따른 듀얼 반응기(20)는 내부 반응기(23) 보다 열 복사율이 높은 외부 반응기(21)와, 외부 반응기(21) 보다 열 전도율이 높은 내부 반응기(23)가 결합된 구조를 갖기 때문에, 외부 반응기(21)는 높은 열 복사율 특성을 이용하여 열원(10)으로부터 내부 반응기(23)로 전달하는 열의 양을 증가시킨다. 그리고 내부 반응기(23)는 높은 열 전도율 특성을 이용하여 외부 반응기(21)로 전달받은 열을 ALD가 이루어지는 내부 반응기(23)의 내부로 빠르게 전달함으로써, 듀얼 반응기(20) 내부의 온도 상승 속도를 높일 수 있다. 이로 인해 듀얼 반응기(20) 내부의 온도, 즉 내부 반응기(23) 내부의 온도를 ALD 공정에 필요한 목표 온도로 신속하게 올릴 수 있다.

여기서 열원(10)은 듀얼 반응기(20)의 외주면을 둘러싸는 관형의 히터일 수 있다. 열원(10)은 열 복사와 열 전도 방식으로 듀얼 반응기(20)에 열을 공급한다. 듀얼 반응기(20)는 열원(10)의 내부에서 회전하면서 열원(10)으로부 열을 효과적으로 전달될 수 있도록, 열원(10)은 외부 반응기(21)의 외주면에 근접하게 설치된다.

외부 반응기(21)의 소재로는 열 복사율이 높은 스테인리스 스틸이 사용될 수 있다. 예컨대 외부 반응기(21)는 0.34 내지 0.44의 열 복사율과, 11.2 내지 26.1 W/m-k의 열전도율을 갖는 스테인리스 스틸로 제조될 수 있다.

내부 반응기(23)의 소재로는 열 전도율이 높은 알루미늄이 사용될 수 있다. 예컨대 내부 반응기(23)는 0.1 미만의 열 복사율과, 138.0 내지 218.0 W/m-k의 열전도율을 갖는 알루미늄으로 제조될 수 있다.

듀얼 반응기(20)의 초기 온도 증가 속도를 높이기 위해서, 외부 반응기(21) 보다는 내부 반응기(23)의 두께를 상대적으로 두껍게 형성하는 것이 바람직하다. 즉 외부 반응기(21)에서 전달받은 열을 내부 반응기(23)가 내부로 신속하게 전달하는 기능을 하기 때문에, 내부 반응기(23)의 두께를 외부 반응기(21)보다는 두껍게 형성함으로써 초기 온도 증가 속도를 높일 수 있다.

외부 반응기(21)와 내부 반응기(23)는 끼움 결합되어 외부 반응기(21)의 내주면에 내부 반응기(23)의 외주면이 밀착되게 설치된다. 예컨대 외부 반응기(21)의 내주면과 내부 반응기(23)의 외주면에 서로 대응되게 형성된 키(25)와, 키(25)에 결합되는 키홈(27)을 이용하여 끼움 결합할 수 있다. 키(25)와 키홈(27)은 외부 반응기(21)와 내부 반응기(23)의 축 방향으로 길게 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 외부 반응기(21)에 키(25)를 형성하고, 내부 반응기(23)에 키홈(27)을 형성한 예를 개시하였다.

키(25)와 키홈(27)은 적어도 하나가 형성될 수 있지만, 내부 반응기(23)가 외부 반응기(21)에 안정적으로 끼움 결합할 수 있도록, 키(25)와 키홈(27)은 복수 개 형성하는 것이 바람직하다. 이때 키(25)와 키홈(27)은 외부 반응기(21)와 내부 반응기(23)의 중심에 대해서 서로 등각의 위치에 형성될 수 있다.

이와 같이 본 실시예에 따른 듀얼 반응기(20)는 용접이나 나사체결 방식을 사용하지 않고, 끼움 결합 방식으로 간단하게 조립할 수 있다. 이로 인해 본 실시예에 따른 듀얼 반응기(20)는 내부 반응기(23)와 외부 반응기(21)로도 쉽게 분리할 수 있다.

본 실시예에 따른 듀얼 반응기(20)는 외부 반응기(21)에 내부 반응기(23)가 끼움 결합된 구조를 갖기 때문에, 외부 반응기(21) 및 내부 반응기(23)의 오염도에 따라 분리하여 오염을 제거하나 교체할 수 있다. 따라서 기존의 단일 소재의 반응기와 비교하여, 본 실시예에 따른 듀얼 반응기(20)는 내부 및 외부의 오염도를 보다 효율적으로 관리할 수 있다.

도시하진 않지만, 듀얼 반응기(20)는 양쪽의 개방부를 막는 덮개에 봉합된다. 듀얼 반응기(20)의 일측에 결합된 덮개에는 듀얼 반응기(20)의 내부와 연통되는 주입구를 구비하는 주입축이 형성되어 있다. 주입구를 통하여 파우더에 증착할 금속, 금속산화물, 금속질화물 등이 공급될 수 있다. 주입축은 듀얼 반응기(20)를 회전할 수 있도록 축지된다. 듀얼 반응기(20)의 타측에 결합된 덮개에는 주입축과 동일 선상에 연결축이 형성되어 있다. 연결축은 듀얼 반응기(20)를 회전시키는 모터의 회전축에 결합된다. 히터와 듀얼 반응기(20)는 챔버에 내장되며, 챔버는 ALD 공정 시 듀얼 반응기(20)를 진공 상태로 만들어 준다.

본 실시예에서 반응기로 듀얼 반응기(20)로 구현한 이유에 대해서 도 3 내지 도 7을 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 3은 외부 반응기 및 내부 반응기 각각의 시간에 따른 온도 변화를 보여주는 그래프이다. 여기서 도 3은 스테인리스 스틸 소재의 외부 반응기와 알루미늄 소재의 내부 반응기 각각의 열전달 해석 결과를 보여주는 그래프이다.

도 3을 참조하면, 알루미늄은 비열 896 J/kg℃, 열 전도율 167.3 W/m℃, 열 복사율 0.1의 특성을 갖는다. 스테인리스 스틸은 비열 500 J/kg℃, 열 전도율 16.2 W/m℃, 열 복사율 0.36의 특성을 갖는다. 열원은 25℃에서부터 1시간 동안 400℃까지 가열한 후, 3시간 동안 400℃로 유지하여 열전달 해석을 진행하였다. 그리고 진공 상태의 듀얼 반응기 내부를 고려하여, 열전달은 전도와 복사에 의해 발생하는 것으로 한정하였다.

열 전도율이 높은 알루미늄 소재의 내부 반응기는 온도가 수렴하는 시간이 약 2시간 내외로 다소 단축할 수 있지만, 최종 상승된 온도가 200℃ 내외로 다소 낮은 것을 확인할 수 있다.

열 복사율이 좋은 스테인리스 스틸 소재의 외부 반응기는 최종 상승된 온도가 300℃ 내외로 충분히 가열되었으나, 온도가 수렴하는데 약 4시간 내외로 많은 시간이 소모되는 것을 확인할 수 있다.

도 4는 열 전도율이 반응기의 열전달에 미치는 영향을 평가한 그래프이다.

도 4를 참조하면, 열 전도율을 8.1, 16.2, 24.3, 32.4 W/m℃로 변경하여 4가지 경우에 대하여 열전달 해석을 수행하였다. 이때 비열은 500 J/kg℃, 열 복사율은 0.36으로 고정하였다.

열 전도율가 높을수록 반응기 내부로의 열 공급이 빨라지기 때문에, 초반 온도 상승률이 높아지나, 반응기의 주입구(Inlet)과 모터 연결부로의 열 손실량이 증가하여 최종 상승 온도의 값이 감소하는 것을 확인할 수 있다.

도 5는 열 복사율이 반응기의 열전달에 미치는 영향을 평가한 그래프이다.

도 5를 참조하면, 열 복사율을 0.18, 0.36, 0.54, 0.72로 변경하여 4가지 경우에 대하여 열전달 해석을 수행하였다. 이때 비열은 500 J/kg℃, 열 전도율은 16.2 W/m℃로 고정하였다.

열 복사율이 높을수록 반응기가 반사하는 열의 양이 감소하고 반대로 수용할 수 있는 열의 양이 증가하기 때문에, 초반 온도 상승률이 증가하면서 동시에 최종 상승 온도의 값이 증가하는 것을 확인할 수 있다.

반응기와 열원이 완전히 접촉하지 않고 1mm의 간격을 두고 있기 때문에, 주된 열 전달 방식이 전도가 아닌 복사라는 점에서 열 전도율 보다는 열 복사율이 더 지배적인 영향을 주는 것으로 판단된다.

따라서 본 실시예에 따른 듀얼 반응기는 높을 열 복사율을 갖는 스테인리스 스틸 소재의 외부 반응기와, 높은 열 전도율을 갖는 알루미늄 소재의 내부 반응기가 결합된 구조로 구현하였다.

도 6은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 반응기 각각의 시간에 따른 온도 변화를 보여주는 그래프이다. 여기서 비교예1은 알루미늄 소재의 단일 반응기이다. 비교예2는 스테인리스 스틸 소재의 단일 반응기이다.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 듀얼 반응기는 비교예2에 따른 단일 반응기와 동일한 온도 도달점을 가지면서, 비교예1에 따른 단일 반응기 보다 높은 초기 온도 상승 속도를 나타내는 것을 확인할 수 있다.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 외부 반응기와 내부 반응기의 두께 차이에 의한 시간에 따른 온도 변화를 보여주는 그래프이다.

도 7을 참조하면, 내부 반응기/듀얼 반응기의 두께를 1/4, 2/4 및 3/4로 변화시키면서 열 전달 해석을 수행한 결과, 내부 반응기의 두께가 두꺼울수록 초기 온도 상승 속도가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 따라서 내부 반응기의 두께는 외부 반응기 보다는 두껍게 형성하는 것이 바람직하다.

반면에 외부 반응기의 두께가 내부 반응기에 비해서 너무 얇을 경우, 외부 반응기를 통하여 내부 반응기로 전달하는 열의 양이 줄어들어 최종 온도가 알루미늄 소재의 단일 반응기의 최종 온도에 근접할 수 있다.

따라서 내부 반응기의 두께는 듀얼 반응기 두께의 1/2 내지 3/4 정도가 바람직하다.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.

10 : 열원
20 : 듀얼 반응기
21 : 외부 반응기
23 : 내부 반응기
25 : 키
27 : 키홈
100 : 파우더 ALD 장치

Claims (12)

1. 관형으로 내부 반응기 보다 열 복사율이 높은 스테인리스 스틸 소재로 제조되며, 열원으로부터 열을 수용하여 상기 내부 반응기로 전달하는 외부 반응기; 및
   상기 외부 반응기의 내주면에 결합되는 관형으로, 상기 외부 반응기 보다 열 전도율이 높은 알루미늄 소재로 제조되며, 상기 외부 반응기가 수용한 열을 상기 외부 반응기 보다 빠르게 내부로 전달하는 상기 내부 반응기;
   를 포함하는 파우더 ALD 장치용 듀얼 반응기.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,
   상기 외부 반응기는 0.34 내지 0.44의 열 복사율과, 11.2 내지 26.1 W/m-k의 열전도율을 갖는 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치용 듀얼 반응기.
4. 제3항에 있어서,
   상기 내부 반응기는 0.1 미만의 열 복사율과, 138.0 내지 218.0 W/m-k의 열전도율을 갖는 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치용 듀얼 반응기.
5. 제1항에 있어서,
   상기 내부 반응기의 두께가 상기 외부 반응기의 두께 보다는 두꺼운 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치용 듀얼 반응기.
6. 제1항에 있어서,
   상기 외부 반응기와 상기 내부 반응기는 끼움 결합되어 상기 외부 반응기의 내주면에 상기 내부 반응기의 외주면이 밀착되는 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치용 듀얼 반응기.
7. 제6항에 있어서,
   상기 외부 반응기의 내주면과 상기 내부 반응기의 외주면에 서로 대응되게 형성된 키와, 상기 키에 결합되는 키홈을 이용하여 끼움 결합되는 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치용 듀얼 반응기.
8. 열을 공급하는 열원; 및
   상기 열원으로부터 열을 공급받아 내부에 제공된 파우더의 표면에 원자층 증착(Atomic Layer Deposition; ALD)을 수행하는 듀얼 반응기;를 포함하고,
   상기 듀얼 반응기는,
   관형으로 내부 반응기 보다 열 복사율이 높은 스테인리스 스틸 소재로 제조되며, 상기 열원으로부터 열을 수용하여 상기 내부 반응기로 전달하는 외부 반응기; 및
   상기 외부 반응기의 내주면에 결합되는 관형으로, 상기 외부 반응기 보다 열 전도율이 높은 알루미늄 소재로 제조되며, 상기 외부 반응기가 수용한 열을 상기 외부 반응기 보다 빠르게 내부로 전달하는 상기 내부 반응기;
   를 포함하는 파우더 ALD 장치.
9. 제8항에 있어서,
   상기 열원은 상기 듀얼 반응기의 외주면을 둘러싸는 관형의 히터인 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치.
10. 삭제
11. 제8항에 있어서,
    상기 외부 반응기는 0.34 내지 0.44의 열 복사율과, 11.2 내지 26.1 W/m-k의 열전도율을 갖고,
    상기 내부 반응기는 0.1 미만의 열 복사율과, 138.0 내지 218.0 W/m-k의 열전도율을 갖는 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치.
12. 제8항에 있어서,
    상기 외부 반응기의 내주면과 상기 내부 반응기의 외주면에 서로 대응되게 형성된 키와, 상기 키에 결합되는 키홈을 이용하여 끼움 결합되는 것을 특징으로 하는 파우더 ALD 장치.

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