KR102542426B1 - Wavelength-converting film and semiconductor light emitting apparatus having the same - Google Patents

Wavelength-converting film and semiconductor light emitting apparatus having the same Download PDF

Info

Publication number
KR102542426B1
KR102542426B1 KR1020170176555A KR20170176555A KR102542426B1 KR 102542426 B1 KR102542426 B1 KR 102542426B1 KR 1020170176555 A KR1020170176555 A KR 1020170176555A KR 20170176555 A KR20170176555 A KR 20170176555A KR 102542426 B1 KR102542426 B1 KR 102542426B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wavelength conversion
quantum dots
conversion film
light emitting
semiconductor light
Prior art date
Application number
KR1020170176555A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190074869A (en
Inventor
최성우
오정록
윤정은
윤철수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170176555A priority Critical patent/KR102542426B1/en
Priority to US16/043,546 priority patent/US10658551B2/en
Priority to CN201811562533.3A priority patent/CN109994577A/en
Publication of KR20190074869A publication Critical patent/KR20190074869A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102542426B1 publication Critical patent/KR102542426B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/006—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
    • C03C3/066—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/08—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/04—Particles; Flakes
    • C03C2214/05—Particles; Flakes surface treated, e.g. coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/16—Microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 파장변환 물질과 유리 조성물을 갖는 혼합물의 소결체를 포함하며, 상기 파장변환 물질은 코어-쉘(core-shell) 구조의 양자점과 상기 양자점의 표면을 코팅하는 보호층을 포함하고, 상기 양자점의 쉘은 Zn, S 및 Se 중 적어도 하나를 함유하며 상기 보호층은 S 및 Se을 함유하지 않으며, 상기 유리 조성물은 SnO2-P2O5-SiO2계 조성물을 포함하는 파장변환필름을 제공한다. One embodiment of the present invention includes a sintered body of a mixture having a wavelength conversion material and a glass composition, wherein the wavelength conversion material includes quantum dots of a core-shell structure and a protective layer coating the surface of the quantum dots. wherein the quantum dot shell contains at least one of Zn, S and Se, the protective layer does not contain S and Se, and the glass composition comprises a SnO 2 -P 2 O 5 -SiO 2 -based composition. A wavelength conversion film is provided.

Description

파장변환 필름과, 이를 구비한 반도체 발광장치{WAVELENGTH-CONVERTING FILM AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING APPARATUS HAVING THE SAME}Wavelength conversion film and semiconductor light emitting device having the same

본 발명은 유리 조성물을 함유한 파장변환 필름에 관한 것으로서, 특히 파장변환필름 및 이를 이용한 반도체 발광장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wavelength conversion film containing a glass composition, and more particularly to a wavelength conversion film and a semiconductor light emitting device using the same.

일반적으로, 형광체와 같은 파장변환물질은 특정 광원에서 발생되는 특정 파장의 광을 다른 파장의 광으로 변환시키는 물질로서, 다양한 형태의 광원과 결합되어 1차로 받은 광과 다른 파장의 2차 광을 제공하는 수단으로 널리 사용되고 있다.In general, a wavelength conversion material such as a phosphor is a material that converts light of a specific wavelength generated from a specific light source into light of another wavelength, and is combined with various types of light sources to provide secondary light of a wavelength different from the first light received. It is widely used as a means of

최근에, 이러한 파장변환물질은 단색광을 방출하는 반도체 발광소자와 결합되어 사용되고 있다. 특히, 반도체 발광소자는 저전력 구동이 가능할 뿐만 아니라, 광효율이 우수하므로, LCD 백라이트와 자동차 조명 및 가정용 조명장치 분야에서 대체 광원으로서 유익하게 사용되고 있다. Recently, such a wavelength conversion material is used in combination with a semiconductor light emitting device emitting monochromatic light. In particular, semiconductor light emitting devices are advantageously used as alternative light sources in the fields of LCD backlights, automobile lighting, and home lighting devices because they can be driven with low power and have excellent light efficiency.

일반적으로, 양자점 및 세라믹 형광체와 같은 파장변환물질을 반도체 발광소자 주위에 배치되는 몰드 수지에 혼합되어 채용되거나, 칩 표면에 직접 적용되는 형태로 사용되어 왔다. 이러한 경우에, 반도체 발광소자로부터 방출되는 고출력의 단파장 광과 반도체 발광소자로부터 발생되는 열에 의해, 파장변환물질이 열화되고 결과적으로 변색을 발생되어 신뢰성에 큰 문제가 될 수 있다.In general, wavelength conversion materials such as quantum dots and ceramic phosphors have been employed by being mixed with a mold resin disposed around a semiconductor light emitting device or applied directly to a chip surface. In this case, the wavelength conversion material is deteriorated by high-output short-wavelength light emitted from the semiconductor light emitting device and heat generated from the semiconductor light emitting device, and as a result, discoloration may occur, which may be a major problem in reliability.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제들 중 하나는, 사용환경(예, 산소, 습도, 고온)에 취약한 양자점이 열화되거나 변색되지 않고, 파장변환특성을 안정적으로 유지할 수 있는 파장변환 필름을 제공하는데 있다.One of the technical problems to be solved by the present invention is to provide a wavelength conversion film capable of stably maintaining wavelength conversion characteristics without deterioration or discoloration of quantum dots that are vulnerable to use environments (eg, oxygen, humidity, high temperature). .

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제들 중 하나는, 상기 파장변환 필름을 구비한 반도체 발광장치를 제공하는데 있다.
One of the technical problems to be solved by the present invention is to provide a semiconductor light emitting device having the wavelength conversion film.

본 발명의 일 실시예는, 파장변환 물질과 유리 조성물을 갖는 혼합물의 소결체를 포함하며, 상기 파장변환 물질은 코어-쉘(core-shell) 구조의 양자점과 상기 양자점의 표면을 코팅하는 보호층을 포함하고, 상기 양자점의 쉘은, Zn, S 및 Se 중 적어도 하나를 함유하며 상기 보호층은 S 및 Se을 함유하지 않으며, 상기 유리 조성물은 SnO2-P2O5-SiO2계 조성물을 포함하는 파장변환필름을 제공한다.
One embodiment of the present invention includes a sintered body of a mixture having a wavelength conversion material and a glass composition, wherein the wavelength conversion material includes quantum dots of a core-shell structure and a protective layer coating the surface of the quantum dots. wherein the quantum dot shell contains at least one of Zn, S, and Se, the protective layer does not contain S and Se, and the glass composition includes a SnO 2 -P 2 O 5 -SiO 2 -based composition. It provides a wavelength conversion film that does.

본 발명의 일 실시예는, SnO2-P2O5-SiO2계 유리 조성물을 마련하는 단계와, 상기 유리 조성물에 파장변환물질이 혼합하는 혼합물로 성형체를 형성하는 단계와, 상기 혼합물 성형체를 약 300℃ 이하의 온도에서 소결하는 단계를 포함하며, 상기 파장변환 물질은 코어-쉘(core-shell) 구조의 양자점과 상기 양자점의 표면을 코팅하는 보호층을 포함하고, 상기 양자점의 쉘은 Zn, S 및 Se 중 적어도 하나를 함유하며 상기 보호층은 S 및 Se을 함유하지 않는 파장변환필름 제조방법을 제공한다.
An embodiment of the present invention includes the steps of preparing a SnO 2 -P 2 O 5 -SiO 2 -based glass composition, forming a molded body from a mixture in which a wavelength conversion material is mixed with the glass composition, and forming the molded body of the mixture. Sintering at a temperature of about 300 ° C or less, wherein the wavelength conversion material includes quantum dots of a core-shell structure and a protective layer coating the surface of the quantum dots, and the shell of the quantum dots is Zn , It contains at least one of S and Se, and the protective layer provides a method for manufacturing a wavelength conversion film that does not contain S and Se.

본 발명의 일 실시예는, 제1 및 제2 전극 구조와, 상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 연결되며, 440㎚~460㎚ 피크 파장의 제1 광을 방출하는 반도체 발광다이오드 칩과, 상기 반도체 발광소자로부터 생성된 광의 진행 경로 상에 위치하며, 제1 광을 다른 파장의 제2 광으로 변환하기 위한 파장변환 물질과 유리 조성물을 갖는 혼합물의 소결체를 포함하는 파장변환 필름을 포함하고, 상기 파장변환 물질은 코어-쉘구조의 양자점과 상기 양자점의 표면을 코팅하는 보호층을 포함하고, 상기 양자점의 쉘은 Zn, S 및 Se 중 적어도 하나를 함유하며 상기 보호층은 S 및 Se을 함유하지 않으며, 상기 유리 조성물은 SnO2-P2O5-SiO2계 조성물을 포함하는 반도체 발광장치를 제공한다.
An embodiment of the present invention includes first and second electrode structures, a semiconductor light emitting diode chip electrically connected to the first and second electrodes, and emitting first light having a peak wavelength of 440 nm to 460 nm; A wavelength conversion film that is located on a traveling path of light generated from the semiconductor light emitting device and includes a sintered body of a mixture having a wavelength conversion material and a glass composition for converting a first light into a second light having a different wavelength, The wavelength conversion material includes quantum dots of a core-shell structure and a protective layer coating a surface of the quantum dots, the shell of the quantum dots contains at least one of Zn, S, and Se, and the protective layer contains S and Se. However, the glass composition provides a semiconductor light emitting device including a SnO 2 -P 2 O 5 -SiO 2 -based composition.

사용환경에서도 양자점과 같은 파장변환물질이 열화되거나 변색되지 않고, 파장변환특성을 안정적으로 유지할 수 있는 유리 조성물을 이용한 파장변환필름을 제공할 수 있다. 내습성 및 열적 안정성이 취약한 양자점을 낮은 온도(예, 300℃ 이하)에서 소성 가능한 유리를 이용하여 파장변환물질의 특성이 유지되는 파장변환필름을 제공할 수 있다. It is possible to provide a wavelength conversion film using a glass composition capable of stably maintaining wavelength conversion characteristics without degradation or discoloration of a wavelength conversion material such as quantum dots even in a use environment. It is possible to provide a wavelength conversion film in which properties of a wavelength conversion material are maintained by using glass capable of firing quantum dots having poor moisture resistance and thermal stability at a low temperature (eg, 300° C. or less).

나아가, 파장변환필름을 고온의 발열원인 반도체 발광장치에 채용함으로써 신뢰성이 우수한 반도체 발광장치를 제공할 수 있다.
Furthermore, by employing the wavelength conversion film in a semiconductor light emitting device, which is a high-temperature heat source, a semiconductor light emitting device having excellent reliability can be provided.

도1는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 측단면도이다.
도2는 도1의 반도체 발광장치를 나타내는 평면도이다.
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 파장변환필름을 나타내는 개략 사시도이다.
도4a 및 도4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 파장변환필름에 채용되는 양자점의 모식도이다.
도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 파장변환필름의 제조방법을 설명하기 위한 공정순서도이다.
도6 및 도7은 본 발명의 일 실시예에 채용될 수 있는 반도체 발광 다이오드 칩의 다양한 예를 나타내는 측단면도이다.
도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 사시도이다.
도9는 도8에 도시된 반도체 발광장치를 나타내는 측단면도이다.
도10은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 분해사시도이다.
도11은 본 발명의 일 실시예에 따른 벌브형 조명장치를 나타내는 분해사시도이다.
도12는 본 발명의 일 실시예에 따른 튜브형 조명 장치를 나타내는 분해사시도이다.1 is a side cross-sectional view illustrating a semiconductor light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a plan view showing the semiconductor light emitting device of Fig. 1;
Figure 3 is a schematic perspective view showing a wavelength conversion film according to an embodiment of the present invention.
4a and 4b are schematic diagrams of quantum dots employed in a wavelength conversion film according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a process flow chart for explaining a method of manufacturing a wavelength conversion film according to an embodiment of the present invention.
6 and 7 are side cross-sectional views illustrating various examples of semiconductor light emitting diode chips that can be employed in one embodiment of the present invention.
8 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.
Fig. 9 is a side sectional view showing the semiconductor light emitting device shown in Fig. 8;
10 is an exploded perspective view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
11 is an exploded perspective view illustrating a bulb-type lighting device according to an embodiment of the present invention.
12 is an exploded perspective view illustrating a tubular lighting device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예들을 설명한다.
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도1는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 측단면도이며, 도2는 도1의 반도체 발광장치를 나타내는 평면도이다.
1 is a cross-sectional side view of a semiconductor light emitting device according to an exemplary embodiment, and FIG. 2 is a plan view of the semiconductor light emitting device of FIG. 1 .

도1 및 도2를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 발광장치(10)는 패키지 본체(11)와, 반도체 발광다이오드 칩(15)과, 파장변환필름(20)을 포함한다. Referring to FIGS. 1 and 2 , the semiconductor light emitting device 10 according to the present embodiment includes a package body 11 , a semiconductor light emitting diode chip 15 , and a wavelength conversion film 20 .

본 실시예에서, 리드 프레임(lead frame)과 같은 제1 및 제2 전극 구조(12,13) 상에는 반도체 발광다이오드 칩(15)이 배치될 수 있다. 상기 반도체 발광다이오드 칩(15)은 플립칩 구조일 수 있으나(도6 및 도7 참조), 이에 한정되는 것은 아니다. 반도체 발광다이오드 칩(15)은 자외선, 근자외선 또는 청색의 파장광을 방출하도록 구성된 LED 칩일 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광다이오드 칩(15)은 440㎚∼460㎚ 피크 파장의 제1 광을 방출할 수 있다. In this embodiment, the semiconductor light emitting diode chip 15 may be disposed on the first and second electrode structures 12 and 13 such as a lead frame. The semiconductor light emitting diode chip 15 may have a flip chip structure (see FIGS. 6 and 7), but is not limited thereto. The semiconductor light emitting diode chip 15 may be an LED chip configured to emit ultraviolet light, near ultraviolet light, or blue wavelength light. For example, the semiconductor light emitting diode chip 15 may emit first light having a peak wavelength of 440 nm to 460 nm.

상기 파장변환필름(20)은 상기 반도체 발광 다이오드 칩(15)으로부터 광이 방출되는 경로에 위치할 수 있다. 본 실시예에서, 상기 파장변환필름(20)은 반도체 발광다이오드 칩(15)의 일면에 배치될 수 있다. 상기 파장변환필름(20)과 상기 반도체 발광다이오드 칩(15) 사이에 별도의 접합층을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 패키지 본체(11)에 의해 결합될 수도 있다.
The wavelength conversion film 20 may be positioned on a path through which light is emitted from the semiconductor light emitting diode chip 15 . In this embodiment, the wavelength conversion film 20 may be disposed on one surface of the semiconductor light emitting diode chip 15 . A separate bonding layer may be included between the wavelength conversion film 20 and the semiconductor light emitting diode chip 15, but is not limited thereto and may be coupled by the package body 11.

상기 파장변환필름(20)은 파장변환물질로서 제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)은 Ⅲ-V 또는 Ⅱ-Ⅵ 화합물 반도체를 이용하여 코어-쉘(core-shell) 구조를 가질 수 있다. 도3에 도시된 바와 같이, 상기 파장변환필름(20)은 제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)가 함유된 유리 소결체(G)로 이루어질 수 있다. The wavelength conversion film 20 may include first and second quantum dots QD1 and QD2 as wavelength conversion materials. The first and second quantum dots QD1 and QD2 may have a core-shell structure using a III-V or II-VI compound semiconductor. As shown in FIG. 3, the wavelength conversion film 20 may be formed of a glass sintered body G containing first and second quantum dots QD1 and QD2.

제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)은 상기 반도체 발광다이오드 칩(20)으로부터 방출되는 광을 서로 다른 파장의 광을 방출하도록 구성될 수 있다. 본 실시예에 채용된 제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)은, InP/ZnS, InP/ZnSe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, PbS/ZnS 및 InP/GaP/ZnS로 구성된 그룹으로부터 선택된 양자점일 수 있다. The first and second quantum dots QD1 and QD2 may be configured to emit light having different wavelengths from light emitted from the semiconductor light emitting diode chip 20 . The first and second quantum dots QD1 and QD2 employed in this embodiment are quantum dots selected from the group consisting of InP/ZnS, InP/ZnSe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, PbS/ZnS, and InP/GaP/ZnS. can be

본 실시예에서, 반도체 발광다이오드 칩(15)에서 생성되는 광은 청색 광일 수 있다. 이 경우에, 제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)은 녹색 양자점 및 적색 양자점을 포함할 수 있다. In this embodiment, the light generated by the semiconductor light emitting diode chip 15 may be blue light. In this case, the first and second quantum dots QD1 and QD2 may include green quantum dots and red quantum dots.

파장변환필름(20)을 구성하는 유리 소결체(G)는 고온에서 잘 열화되지 않으므로, 파장변환물질을 위한 매트릭스 또는 바인더로 유익하게 사용될 수 있다. 파장변환필름(20)을 위한 유리 소결체(G)는 저온에서 소성가능하면서 높은 광 투과율을 보장할 수 있는 물질일 수 있다. 본 실시예에 채용된 유리 소결체(G)는 SnO2-P2O5-SiO2계 조성물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유리 조성물의 전이온도(Tg)는 100℃∼250℃ 범위일 수 있으며, 상기 유리 조성물의 성형온도(Tw)는 150℃∼400℃ 범위일 수 있다. Since the glass sintered body (G) constituting the wavelength conversion film 20 does not degrade well at high temperatures, it can be advantageously used as a matrix or binder for a wavelength conversion material. The glass sintered body (G) for the wavelength conversion film 20 may be a material capable of ensuring high light transmittance while being calcinable at a low temperature. The glass sintered body (G) employed in this embodiment may include a SnO 2 -P 2 O 5 -SiO 2 -based composition. For example, the transition temperature (Tg) of the glass composition may be in the range of 100°C to 250°C, and the forming temperature (Tw) of the glass composition may be in the range of 150°C to 400°C.

이와 같이, 상기 유리 조성물은 250℃ 이하에서 소결 가능하므로, 파장변환필름(20)을 형성하기 위한 소결과정에서 제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)과 같은 파장변환물질의 열화를 충분히 방지할 수 있다. As such, since the glass composition can be sintered at 250° C. or less, deterioration of the wavelength conversion material such as the first and second quantum dots QD1 and QD2 can be sufficiently prevented in the sintering process for forming the wavelength conversion film 20. can

특정 실시예에서, 상기 유리 조성물은, 전체 유리 조성물의 중량 기준으로, 25 내지 95 wt%의 SnO2, 5 내지 70 wt%의 P2O5, 1 내지 30 wt%의 SiO2을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유리 조성물은, Na2O, MgO, Al2O3, CaO, K2O 및 Li2O로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 1종의 성분이 10 wt% 이하로 첨가될 수 있다. In certain embodiments, the glass composition may include 25 to 95 wt % SnO 2 , 5 to 70 wt % P 2 O 5 , and 1 to 30 wt % SiO 2 , by weight of the total glass composition. there is. In addition, the glass composition may contain 10 wt% or less of at least one component selected from the group consisting of Na 2 O, MgO, Al 2 O 3 , CaO, K 2 O, and Li 2 O.

본 실시예에 채용된 파장변환필름의 유리 조성물은 저온 소성을 위한 조건으로서 Sn 성분을 포함한다. 하지만, Sn은 제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)의 쉘에 함유된 S 또는 Se과 쉽게 반응하는 경향이 있다. 소결을 위한 온도 상승할 때 유리 성분 중 Sn 이온과 유리 표면의 S, Se이 반응하여 검은 색, 갈색의 SnS, SnSe 화합물을 형성할 수 있다. 따라서, 소결과정의 온도에 의한 열화는 방지하더라도, 제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)은 Sn과 화학적 반응에 의해 열화 및 변색이 발생하고 광변환 특성을 상실할 수 있다. The glass composition of the wavelength conversion film employed in this embodiment includes a Sn component as a condition for low-temperature firing. However, Sn tends to react easily with S or Se contained in the shells of the first and second quantum dots QD1 and QD2. When the temperature for sintering is raised, Sn ions among glass components react with S and Se on the surface of the glass to form black or brown SnS and SnSe compounds. Therefore, even though deterioration due to temperature during the sintering process is prevented, the first and second quantum dots QD1 and QD2 may deteriorate and discolor due to a chemical reaction with Sn and lose light conversion characteristics.

이러한 원하지 않는 반응을 방지하기 위해서, 도4a 및 도4b에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 채용된 제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)은 S 및 Se을 함유하지 않는 보호층(P1,P2)을 포함할 수 있다. 보호층(P1,P2)으로는 산화물, 질화물과 같은 무기 코팅 또는 유기 코팅이 사용될 수 있다. 파장변환필름(20)의 Sn 성분은 제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)의 쉘에 함유된 S 또는 Se과 반응하는 경향이 있다. 따라서, 소결과정의 온도에 의한 열화는 방지하더라도, 제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)은 Sn과 화학적 반응에 의해 열화되고 광변환 특성을 상실할 수 있다.
In order to prevent this unwanted reaction, as shown in FIGS. 4A and 4B, the first and second quantum dots QD1 and QD2 employed in this embodiment include a protective layer P1 that does not contain S and Se; P2) may be included. As the protective layers P1 and P2 , inorganic coatings such as oxides and nitrides or organic coatings may be used. The Sn component of the wavelength conversion film 20 tends to react with S or Se contained in the shells of the first and second quantum dots QD1 and QD2. Therefore, even if deterioration due to temperature during the sintering process is prevented, the first and second quantum dots QD1 and QD2 may be degraded by a chemical reaction with Sn and lose light conversion characteristics.

도4a 및 도4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 파장변환필름(20)에 채용되는 양자점의 모식도이다.4a and 4b are schematic diagrams of quantum dots employed in the wavelength conversion film 20 according to an embodiment of the present invention.

우선, 도4a에 도시된 양자점은, CdSe 또는 InP 등과 같은 코어(C)와, ZnS 또는 ZnSe과 같은 쉘(S)을 포함할 수 있다. 상기 양자점의 보호층(P1)은 무기 보호층으로서, 예를 들어, SiO2, Al2O3, ZnO, SiOxNy 및 Si3N4로 구성된 그룹으로부터 선택된 산화물 또는 질화물일 수 있다. 보호층(P1)에 의해 양자점은 파장변환필름(20)의 Sn 성분과 직접 접촉하지 않으며, Sn 성분과 제1 및 제2 양자점(QD1,QD2)의 쉘에 함유된 S 또는 Se이 서로 반응하는 것을 방지할 수 있다.
First, the quantum dots shown in FIG. 4A may include a core C such as CdSe or InP and a shell S such as ZnS or ZnSe. The protective layer P1 of the quantum dots is an inorganic protective layer, and may be, for example, an oxide or nitride selected from the group consisting of SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, SiO x N y and Si 3 N 4 . The quantum dots do not directly contact the Sn component of the wavelength conversion film 20 by the protective layer P1, and the Sn component and S or Se contained in the shells of the first and second quantum dots QD1 and QD2 react with each other. that can be prevented

무기 보호층 공정은 양자점을 합성하는 단계의 용액상태에서 진행될 수도 있고 양자점 합성을 완료한 후 공정으로 진행이 가능하다. 이때 산화막 또는 질화막의 경우, 두께(tp)는 수 ㎚ 내지 1㎛까지 가능하며, ㎚ 단위의 코팅은 양자점 개별 보호층으로 작용하며(도4a 참조), ㎛ 단위의 코팅은 수∼수십개의 양자점을 포함한 집합체의 보호층이 될 수 있다.
The inorganic passivation layer process may be performed in a solution state in the step of synthesizing quantum dots or may be performed as a process after completing the synthesis of quantum dots. At this time, in the case of an oxide film or a nitride film, the thickness (tp) can be from several nm to 1 μm, the nm-unit coating acts as an individual protective layer for quantum dots (see FIG. 4a), and the μm-unit coating protects several to dozens of quantum dots. It can be a protective layer of the aggregate containing.

다른 예로서, 도4b에 도시된 양자점의 보호층(P2)은 유기 보호층으로서, 예를 들어 폴리 에틸렌 아크릴산(Poly(ethylen-co-acrylic acid)) 또는 PMAA(Poly(methyl methacrylate))을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 유기 보호막(P2)은 양자점의 쉘(S) 표면에 물리적으로 흡착된 소수성 유기물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 보호층(P2)은 카르복실기(-COOH) 및 아민기(-NH2) 중 적어도 하나의 작용기를 가지며, 탄소수 4∼18인 유기화합물을 포함할 수 있다. 이러한 유기 보호층(P2)은 광투과성을 갖는 유기화합물로서 두꺼운 후막(예, 1㎛이상)으로 형성될 수 있다. As another example, the protective layer (P2) of the quantum dots shown in Figure 4b is an organic protective layer, for example, includes polyethylene acrylic acid (Poly (ethylen-co-acrylic acid) or PMAA (Poly (methyl methacrylate)) can do. Specifically, the organic passivation layer P2 may include a hydrophobic organic material physically adsorbed on the surface of the quantum dot shell S. The organic passivation layer (P2) may include an organic compound having at least one functional group selected from a carboxyl group (-COOH) and an amine group (-NH 2 ) and having 4 to 18 carbon atoms. The organic protective layer P2 is a light-transmitting organic compound and may be formed as a thick film (eg, 1 μm or more).

유기 보호층 형성공정의 일 예는, 합성된 양자점을 함유한 유기 용매를 특정 농도로 분리하여 톨루엔(toluene)에 분산하는 과정을 포함하며, 이러한 공정은 양자점과 산소의 접촉을 최소화하기 위해 질소(N2) 분위기에서 수행될 수 있다. 구체적으로, 유기 보호층 형성공정은 전체적으로 진공 분위기를 수행하되, 그 내부 용기를 질소 분위기를 형성할 수 있다. 유기 보호층 형성공정은 첨가제 및 양자점을 주입하고 폴리 에틸렌 아크릴산을 주입하는 공정을 포함하며, 50∼100℃ 사이에서수행될 수 있다. 이때 유기물질 내부에는 분산성 및 유기물질의 표면 끈적임을 줄이기 위해 SiO2, TiO2, Al2O3 및 ZnO 중 적어도 하나를 첨가할 수 있고 그 함량은 25 내지 75 wt%에서 조절될 수 있다. 유기 보호층이 형성된 후에 냉각을 진행하며 분말상태의 합성물을 헥산(hexane) 용매 상태로 진공에서 건조한 후 분급할 수 있다.
An example of the organic passivation layer forming process includes a process of separating an organic solvent containing the synthesized quantum dots to a specific concentration and dispersing it in toluene. This process includes nitrogen (to minimize contact between the quantum dots and oxygen). N 2 ) atmosphere. Specifically, the organic protective layer forming process may be performed in a vacuum atmosphere as a whole, but a nitrogen atmosphere may be formed in the inner container. The organic passivation layer forming process includes a process of injecting additives and quantum dots and injecting polyethylene acrylic acid, and may be performed between 50 and 100°C. At this time, at least one of SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3 and ZnO may be added to the inside of the organic material to reduce dispersibility and surface stickiness of the organic material, and the content may be adjusted at 25 to 75 wt%. After the organic protective layer is formed, cooling is performed, and the powdery compound may be dried in a vacuum in a hexane solvent state and then classified.

본 실시예에 채용된 양자점으로부터 변환되는 파장은 양자점 직경(D)을 조절함으로써 변경될 수 있다. 예를 들어, 도4a를 참조하면, 상기 코어 직경(D1)은 1∼30㎚, 나아가 3∼10㎚일 수 있다, 상기 쉘 두께(ts)는 0.1∼20 ㎚, 나아가 0.5∼2㎚일 수 있다. 양자점 직경(D)을 조절함으로써 변환 파장을 510㎚(녹색)에서 660㎚(적색) 정도로 변경할 수 있다. 이와 같이, 양자점의 직경에 따라 다양한 컬러를 구현할 수 있으며, 협반치폭(예, 약 35㎚)을 구현할 수 있다.The wavelength converted from the quantum dots employed in this embodiment can be changed by adjusting the diameter D of the quantum dots. For example, referring to FIG. 4A , the core diameter D1 may be 1 to 30 nm, or 3 to 10 nm, and the shell thickness ts may be 0.1 to 20 nm, or 0.5 to 2 nm. there is. By adjusting the quantum dot diameter (D), the conversion wavelength can be changed from about 510 nm (green) to 660 nm (red). In this way, various colors can be implemented according to the diameter of the quantum dots, and a narrow half-width (eg, about 35 nm) can be implemented.

본 실시예에 채용된 양자점은 사이즈에 따라 다양한 컬러를 구현할 수 있으며, 특히 형광체 대체 물질로 사용되는 경우에는 적색 또는 녹색 형광체로 사용될 수 있다. 양자점을 이용하는 경우, 협반치폭(예, 약 35㎚)을 구현할 수 있다.
The quantum dots employed in this embodiment can implement various colors depending on their size, and can be used as red or green phosphors, especially when used as a substitute material for phosphors. In the case of using quantum dots, a narrow half-width (for example, about 35 nm) can be implemented.

본 실시예에 채용된 파장변환필름(20)은 시트(sheet) 형상 또는 플레이트(plate) 형상으로 미리 제조될 수 있으므로, 파장변환물질은 균일한 두께의 구조물로 용이하게 제조할 수 있다. 예를 들어, 파장변환필름(20)을 원하는 두께로 가공될 수 있으며, 파장변환필름(20)의 표면을 경면화하기 위해서, 그라인딩 또는 폴리싱 공정을 추가적으로 수행할 수 있다.
Since the wavelength conversion film 20 employed in this embodiment may be pre-manufactured in a sheet shape or plate shape, the wavelength conversion material may be easily manufactured into a structure having a uniform thickness. For example, the wavelength conversion film 20 may be processed to a desired thickness, and a grinding or polishing process may be additionally performed to mirror the surface of the wavelength conversion film 20 .

본 실시예에 채용된 패키지 본체(11)는 반도체 발광다이오드 칩(15)과 제1 및 제2 전극 구조(12,13)을 포함할 수 있다.The package body 11 employed in this embodiment may include a semiconductor light emitting diode chip 15 and first and second electrode structures 12 and 13 .

상기 패키지 본체(11)는 투명 수지와 상기 투명 수지에 함유된 반사성 세라믹 분말을 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 투명 수지는 실리콘 수지, 에폭시 수지 및 그 조합을 포함할 수 있다. 상기 반사성 세라믹 분말은, TiO2, BN, Al2O3, Nb2O5 및 ZnO로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 패키지 본체(11)는 방열 특성을 향상시키기 위해서 1W/m·k 이상의 열전도 특성을 가지는 추가적인 세라믹 분말을 포함할 수 있다.
The package body 11 may include a transparent resin and reflective ceramic powder contained in the transparent resin. For example, the transparent resin may include a silicone resin, an epoxy resin, and combinations thereof. The reflective ceramic powder may include at least one selected from the group consisting of TiO 2 , BN, Al 2 O 3 , Nb 2 O 5 and ZnO. The package body 11 may include additional ceramic powder having thermal conductivity of 1 W/m·k or higher to improve heat dissipation characteristics.

도1 및 도2에 도시된 바와 같이, 패키지 본체(11)는 반도체 발광다이도 칩(15) 및 제1 및 제2 전극 구조(12,13)뿐만 아니라 파장변환필름(20)도 둘러싸도록 구성될 수 있다. 구체적으로, 패키지 본체(11)는 파장변환필름(20) 주위를 둘러싸면서 파장변환필름(20)의 일 표면이 패키지 본체(11)의 상면으로부터 노출되도록 형성될 수 있다. 따라서, 반도체 발광다이오드 칩(15)으로부터 방출되는 광이 파장변환필름(20)을 통해서 외부로 추출되도록 광경로를 구성할 수 있다.
As shown in FIGS. 1 and 2 , the package body 11 may be configured to enclose the wavelength conversion film 20 as well as the semiconductor light emitting diode chip 15 and the first and second electrode structures 12 and 13 . can Specifically, the package body 11 may be formed such that one surface of the wavelength conversion film 20 is exposed from the upper surface of the package body 11 while surrounding the wavelength conversion film 20 . Accordingly, an optical path may be configured such that light emitted from the semiconductor light emitting diode chip 15 is extracted to the outside through the wavelength conversion film 20 .

도5는 본 실시예에 따른 파장변환필름의 제조방법의 일 예를 설명하기 위한 공정순서도이다.5 is a process flow chart for explaining an example of a manufacturing method of a wavelength conversion film according to this embodiment.

상기 파장변환부재의 제조방법은 저온 소성 글래스 프릿(glass frit)을 마련하는 단계(S31A)와 표면에 보호층이 형성된 양자점을 마련하는 단계(S31B)로 시작될 수 있다. The manufacturing method of the wavelength conversion member may begin with preparing a low-temperature fired glass frit (S31A) and preparing quantum dots having a protective layer formed on a surface (S31B).

상기 글래스 프릿은 SnO2-P2O5-SiO2계 조성물일 수 있다. 일 예에서, 상기 글래스 프릿의 조성물은, 전체 유리 조성물의 중량 기준으로, 25 내지 95 wt%의 SnO2, 5 내지 70 wt%의 P2O5, 1 내지 30 wt%의 SiO2을 포함할 수 있다. 추가적인 첨가제는, Na2O, CaO, K2O 및 Li2O로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 1종의 성분이 10wt% 이하로 함유될 수 있다. 상기 글래스 프릿의 전이온도(Tg)는 100℃∼300℃ 범위이며, 상기 글래스 프릿의 성형온도(Tw)는 150℃∼400℃ 범위일 수 있다. The glass frit may be a SnO 2 -P 2 O 5 -SiO 2 -based composition. In one example, the composition of the glass frit may include 25 to 95 wt% of SnO 2 , 5 to 70 wt% of P 2 O 5 , and 1 to 30 wt% of SiO 2 based on the weight of the total glass composition. can The additional additive may contain 10 wt% or less of at least one component selected from the group consisting of Na 2 O, CaO, K 2 O, and Li 2 O. The transition temperature (Tg) of the glass frit may be in the range of 100°C to 300°C, and the forming temperature (Tw) of the glass frit may be in the range of 150°C to 400°C.

앞서 설명한 바와 같이, 상기 파장변환 물질은 코어-쉘 구조의 양자점을 포함하며,상기 양자점의 표면에는 보호층이 형성된다. 상기 양자점의 쉘은 Zn, S 및 Se 중 적어도 하나를 함유하며 상기 보호층은 S 및 Se을 함유하지 않는다. 상기 양자점의 보호층은 폴리 에틸렌 아크릴산 또는 PMAA과 같은 유기 보호층이거나, 산화물 또는 질화물과 같은 무기 보호층을 포함할 수 있다.
As described above, the wavelength conversion material includes quantum dots having a core-shell structure, and a protective layer is formed on a surface of the quantum dots. The shell of the quantum dots contains at least one of Zn, S and Se, and the protective layer does not contain S and Se. The protective layer of the quantum dots may include an organic protective layer such as polyethylene acrylic acid or PMAA, or an inorganic protective layer such as oxide or nitride.

이어, 다음 단계(S33)에서 상기 유리 조성물과 양자점을 포함한 파장변환물질를 혼합하여 혼합물을 형성한다. Subsequently, in the next step (S33), a mixture is formed by mixing the glass composition and a wavelength conversion material including quantum dots.

상기 유리 조성물은 파장변환물질과 바인더를 함께 용매에 혼합될 수 있다. 상기 바인더는 유리조성물과 파장변환물질을 결합시키는 역할을 하며, 이에 한정되지는 않으나, 셀룰로오스 수지, 아크릴계 수지, 부틸카르비톨 및 터피네올로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 바인더일 수 있다.
The glass composition may be mixed in a solvent together with a wavelength conversion material and a binder. The binder serves to bind the glass composition and the wavelength conversion material, but is not limited thereto, and may be at least one organic binder selected from the group consisting of cellulose resin, acrylic resin, butylcarbitol, and terpineol.

다음으로, 단계(S35)에서, 상기 혼합물을 원하는 형상으로 성형하여 혼합물 성형체를 마련한다. Next, in step S35, the mixture is molded into a desired shape to prepare a mixture molded body.

일반적으로 본 성형과정은 시트 형상 또는 플레이트 형상으로 제조하는 공정일 수 있다. 원하는 파장의 변환정도를 결정하는 요소로서 파장변환경로길이가 중요하므로, 파장변환필름의 두께를 적절히 설정하여 원하는 파장의 변환정도를 구현할 수 있다. 필요에 따라 적절한 몰드구조를 이용하여 다양한 형상으로 성형될 수 있다.
In general, this forming process may be a process of manufacturing a sheet shape or plate shape. Since the length of the wavelength conversion path is important as a factor determining the degree of conversion of the desired wavelength, the degree of conversion of the desired wavelength can be realized by appropriately setting the thickness of the wavelength conversion film. It can be molded into various shapes using an appropriate mold structure as needed.

이어, 단계(S37)에서, 저온에서 상기 혼합물 성형체를 소결하여 원하는 형상의 파장변환필름을 제조한다. Subsequently, in step S37, a wavelength conversion film having a desired shape is prepared by sintering the mixture molded body at a low temperature.

상기 혼합물 성형체는 저온 소성 글래스 프릿을 사용하므로, 파장변환물질의 열화를 야기하지 않는 낮은 온도(예, 약 300℃이하)에서 소결공정이 수행될 수 있다. 낮은 온도의 소결과정에서 양자점의 열적 변화를 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 높은 신뢰성을 담보하는 시스템(유리 소결체)을 이용하여 내습성이나 열적 안정성이 낮은 양자점을 효과적으로 활용할 수 있다. Since the molded body of the mixture uses a low-temperature fired glass frit, the sintering process may be performed at a low temperature (eg, about 300° C. or less) that does not cause deterioration of the wavelength conversion material. It is possible to prevent thermal change of quantum dots in the low-temperature sintering process, and it is possible to effectively utilize quantum dots having low moisture resistance or thermal stability by using a system (glass sintered body) that ensures high reliability.

또한, 본 실시예에 채용된 파장변환필름의 유리 조성물은 저온 소성을 위한 조건으로서 Sn 성분을 포함하며 양자점의 쉘은 이와 반응하는 S 또는 Se을 함유하지만, 양자점은 미리 마련된 보호층에 의해 Sn과 화학적 반응을 차단할 수 있으므로 이로 인한 문제를 해결할 수 있다.
In addition, the glass composition of the wavelength conversion film employed in this embodiment includes a Sn component as a condition for low-temperature firing, and the shell of the quantum dots contains S or Se that reacts therewith, but the quantum dots have Sn and Sn by a pre-prepared protective layer. It can block the chemical reaction, so the problem caused by this can be solved.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광장치에는 다양한 형태의 반도체 발광다이오드 칩이 채용될 수 있다. 도6 및 도7은 본 발명의 일 실시예에 채용될 수 있는 반도체 발광 다이오드 칩의 다양한 예를 나타내는 측단면도이다.
Various types of semiconductor light emitting diode chips may be employed in the semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 6 and 7 are side cross-sectional views illustrating various examples of semiconductor light emitting diode chips that can be employed in one embodiment of the present invention.

도6을 참조하면, 본 실시예에 채용된 반도체 발광다이오드 칩(110)은, 기판(111)과, 상기 기판(111) 상에 배치된 반도체 적층체(S)를 포함한다. 상기 반도체 적층체(S)는 상기 기판(111) 상에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층(114), 활성층(115) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함한다. 상기 기판(111)과 상기 제1 도전형 반도체층(114) 사이에 버퍼층(112)을 배치시킬 수 있다.Referring to FIG. 6 , a semiconductor light emitting diode chip 110 employed in this embodiment includes a substrate 111 and a semiconductor laminate S disposed on the substrate 111 . The semiconductor laminate S includes a first conductivity type semiconductor layer 114 , an active layer 115 , and a second conductivity type semiconductor layer 116 sequentially disposed on the substrate 111 . A buffer layer 112 may be disposed between the substrate 111 and the first conductivity type semiconductor layer 114 .

상기 기판(111)은 사파이어와 같은 절연성 기판일 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않으며, 상기 기판(111)은 절연성 외에도 도전성 또는 반도체 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(111)은 사파이어 외에도 SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. 상기 기판(111)의 상면에는 요철(C)이 형성될 수 있다. 상기 요철(C)은 광추출효율을 개선하면서 성장되는 단결정의 품질을 향상시킬 수 있다.The substrate 111 may be an insulating substrate such as sapphire. However, it is not limited thereto, and the substrate 111 may be a conductive or semiconductor substrate in addition to insulating. For example, the substrate 111 may be SiC, Si, MgAl 2 O 4 , MgO, LiAlO 2 , LiGaO 2 , or GaN in addition to sapphire. An irregularity C may be formed on the upper surface of the substrate 111 . The unevenness (C) can improve the quality of the grown single crystal while improving the light extraction efficiency.

상기 버퍼층(112)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)일수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(112)는 GaN, AlN, AlGaN, InGaN일 수 있다. 필요에 따라, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.The buffer layer 112 may be In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1). For example, the buffer layer 112 may be GaN, AlN, AlGaN, or InGaN. If necessary, a plurality of layers may be combined or the composition may be gradually changed and used.

상기 제1 도전형 반도체층(114)은 n형 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1)을 만족하는 질화물 반도체일 수 있으며, n형 불순물은 Si일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(114)은 n형 GaN을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 p형 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1)을 만족하는 질화물 반도체층일 수 있으며, p형 불순물은 Mg일 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 단층 구조로 구현될 수도 있으나, 본 예와 같이, 서로 다른 조성을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. The first conductivity-type semiconductor layer 114 is a nitride semiconductor that satisfies n-type In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1) , and the n-type impurity may be Si. For example, the first conductivity-type semiconductor layer 114 may include n-type GaN. The second conductivity-type semiconductor layer 116 is a nitride semiconductor that satisfies p-type In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1) layer, and the p-type impurity may be Mg. For example, the second conductivity type semiconductor layer 116 may be implemented as a single-layer structure, but may have a multi-layer structure having different compositions, as in this example.

상기 활성층(115)은 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 양자우물층과 양자장벽층은 서로 다른 조성을 갖는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)일 수 있다. 특정 예에서, 상기 양자우물층은 InxGa1 - xN (0<x≤1)이며, 상기 양자장벽층은 GaN 또는 AlGaN일 수 있다. 양자우물층과 양자장벽층의 두께는 각각 1㎚∼50㎚ 범위일 수 있다. 상기 활성층(115)은 다중양자우물구조에 한정되지 않고, 단일양자우물 구조일 수 있다. The active layer 115 may have a multiple quantum well (MQW) structure in which quantum well layers and quantum barrier layers are alternately stacked. For example, the quantum well layer and the quantum barrier layer have different compositions In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) can In a specific example, the quantum well layer may be In x Ga 1 - x N (0<x≤1), and the quantum barrier layer may be GaN or AlGaN. Each of the quantum well layer and the quantum barrier layer may have a thickness in the range of 1 nm to 50 nm. The active layer 115 is not limited to a multi-quantum well structure and may have a single quantum well structure.

상기 제1 및 제2 전극(119a,119b)은, 동일한 면(제1 면)에 위치하도록, 상기 제1 도전형 반도체층(114)의 메사 에칭된 영역과 상기 제2 도전형 반도체층(116)에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(119a)은 이에 한정되지 않지만, Ag, Ni, Al, Cr, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 2층 이상의 구조로 채용될 수 있다. 필요에 따라, 상기 제2 전극(119b)은 투명 전도성 산화물 또는 투명 전도성 질화물과 같은 투명 전극이거나, 그래핀(graphene)을 포함할 수도 있다. 상기 제2 전극(119b)은 Al, Au, Cr, Ni, Ti, Sn 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
The first and second electrodes 119a and 119b are positioned on the same surface (first surface) so that the mesa-etched region of the first conductivity-type semiconductor layer 114 and the second conductivity-type semiconductor layer 116 ) can be placed in each. The first electrode 119a is not limited thereto, but may include a material such as Ag, Ni, Al, Cr, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, or Au, and may have a single layer or a double layer. The above structure can be employed. If necessary, the second electrode 119b may be a transparent electrode such as a transparent conductive oxide or a transparent conductive nitride, or may include graphene. The second electrode 119b may include at least one of Al, Au, Cr, Ni, Ti, and Sn.

본 실시예에 따른 반도체 발광다이오드 칩(120)은, 전극 구조와 그 관련된 구조를 제외하고, 도6에 도시된 발광다이오드 칩(110)과 유사한 것으로 이해할 수 있다. 본 실시예의 구성요소에 대한 설명은 특별히 반대되는 설명이 없는 한, 도 7에 도시된 발광다이오드 칩(110)과 동일하거나 유사한 구성요소에 대한 설명을 참조할 수 있다.It can be understood that the semiconductor light emitting diode chip 120 according to this embodiment is similar to the light emitting diode chip 110 shown in FIG. 6 except for the electrode structure and related structures. Description of components of the present embodiment may refer to descriptions of components identical to or similar to those of the light emitting diode chip 110 shown in FIG. 7 unless otherwise stated.

상기 반도체 발광다이오드 칩(120)은 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(114,116)에 각각 접속된 제1 및 제2 전극(122,124)을 포함한다. 상기 제1 전극(122)은 제2 도전형 반도체층(116) 및 활성층(115)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(114)과 접속된 도전성 비아와 같은 연결 전극부(122a) 및 연결 전극부(122a)에 연결된 제1 전극 패드(122b)를 포함할 수 있다. 연결 전극부(122a)는 절연부(121)에 의하여 둘러싸여 활성층(115) 및 제2 도전형 반도체층(116)과 전기적으로 분리될 수 있다. 연결 전극부(122a)는 반도체 적층체(S)이 식각된 영역에 배치될 수 있다. 연결 전극부(122a)는 접촉 저항이 낮아지도록 개수, 형상, 피치 또는 제1 도전형 반도체층(114)과의 접촉 면적 등을 적절히 설계할 수 있다. 또한, 연결전극부(122a)는 반도체 적층체(S) 상에 행과 열을 이루도록 배열됨으로써 전류 흐름을 개선시킬 수 있다. 상기 제2 전극(124)은 제2 도전형 반도체층(116) 상의 오믹 콘택층(124a) 및 제2 전극 패드(124b)를 포함할 수 있다.The semiconductor light emitting diode chip 120 includes first and second electrodes 122 and 124 respectively connected to the first and second conductivity type semiconductor layers 114 and 116 . The first electrode 122 includes a connection electrode portion 122a such as a conductive via connected to the first conductivity type semiconductor layer 114 through the second conductivity type semiconductor layer 116 and the active layer 115, and a connection electrode A first electrode pad 122b connected to the portion 122a may be included. The connection electrode part 122a may be surrounded by the insulating part 121 and electrically separated from the active layer 115 and the second conductivity type semiconductor layer 116 . The connection electrode part 122a may be disposed in a region where the semiconductor laminate S is etched. The number, shape, pitch, or contact area of the connection electrode units 122a with the first conductivity type semiconductor layer 114 may be appropriately designed so as to reduce contact resistance. In addition, the connection electrode units 122a may be arranged in rows and columns on the semiconductor stack S to improve current flow. The second electrode 124 may include an ohmic contact layer 124a and a second electrode pad 124b on the second conductive semiconductor layer 116 .

상기 연결전극부(122a) 및 상기 오믹콘택층(124a)은 각각 제1 및 제2 도전형 반도체층(114,116)과 오믹 특성을 갖는 도전성 물질이 1층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, Ag, Al, Ni, Cr와 같은 금속 및 ITO와 같은 투명 도전성 산화물(TCO) 중 하나 이상을 증착하거나 스퍼터링하는 등의 공정으로 형성될 수 있다. The connection electrode portion 122a and the ohmic contact layer 124a may include a single-layer or multi-layer structure of first and second conductive semiconductor layers 114 and 116 and a conductive material having ohmic characteristics, respectively. For example, it may be formed by depositing or sputtering at least one of a metal such as Ag, Al, Ni, and Cr and a transparent conductive oxide (TCO) such as ITO.

상기 제1 및 제2 전극 패드(122b,124b)는 각각 상기 연결전극부(122a) 및 상기 오믹콘택층(124a)에 각각 접속되어 상기 반도체 발광다이오드 칩(120)의 외부 단자로 기능할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극 패드(122b,124b)는 Au, Ag, Al, Ti, W, Cu, Sn, Ni, Pt, Cr, NiSn, TiW, AuSn 또는 이들의 공융 금속일 수 있다. The first and second electrode pads 122b and 124b are connected to the connection electrode part 122a and the ohmic contact layer 124a, respectively, and function as external terminals of the semiconductor light emitting diode chip 120. . For example, the first and second electrode pads 122b and 124b may be made of Au, Ag, Al, Ti, W, Cu, Sn, Ni, Pt, Cr, NiSn, TiW, AuSn, or eutectic metals thereof. .

상기 제1 및 제2 전극(122,124)은 서로 동일한 방향으로 배치될 수 있으며, 리드 프레임 등에 소위, 플립칩 형태로 실장될 수 있다. 한편, 2개의 전극(122,124)는 절연부(121)에 의하여 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 절연부(121)는 전기적으로 절연 특성을 갖는 물질이면 어느 것이나 사용할 수 있으며, 전기 절연성을 갖는 물체라면 어느 것이나 채용 가능하지만, 광흡수율이 낮은 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 이용할 수 있을 것이다. 필요에 따라, 광투과성 물질 내에 광 반사성 분말을 분산시켜 광반사 구조를 형성할 수 있다. 이와 달리, 상기 절연부(121)는 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 절연막들이 교대로 적층된 다층 반사구조일 수 있다. 예를 들어, 이러한 다층 반사구조는 제1 굴절률을 갖는 제1 절연막과 제2 굴절률을 갖는 제2 절연막이 교대로 적층된 분산 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)일 수 있다.The first and second electrodes 122 and 124 may be disposed in the same direction, and may be mounted on a lead frame or the like in a so-called flip chip form. Meanwhile, the two electrodes 122 and 124 may be electrically separated from each other by the insulating part 121 . The insulating unit 121 may use any material having electrical insulation properties, and any material having electrical insulation properties may be used as the insulation unit 121, but a material having low light absorption may be used. For example, silicon oxide or silicon nitride may be used. If necessary, the light reflection structure may be formed by dispersing the light reflection powder in the light transmission material. Alternatively, the insulating part 121 may have a multi-layer reflective structure in which a plurality of insulating films having different refractive indices are alternately stacked. For example, the multi-layer reflective structure may be a distributed Bragg reflector (DBR) in which a first insulating film having a first refractive index and a second insulating film having a second refractive index are alternately stacked.

상기 다층 반사 구조는 상기 굴절률이 서로 다른 복수의 절연막들이 2회 내지 100회 반복하여 적층될 수 있다. 예를 들어, 3회 내지 70회 반복하여 적층 될 수 있으며, 나아가 4회 내지 50회 반복하여 적층될 수 있다. 상기 다층 반사 구조의 복수의 절연막은 각각 SiO2, SiN, SiOxNy, TiO2, Si3N4, Al2O3, TiN, AlN, ZrO2, TiAlN, TiSiN 등의 산화물 또는 질화물 및 그 조합일 수 있다. 상기 제1 절연막 및 제2 절연막의 굴절률은 약 1.4 내지 약 2.5 범위에서 결정될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층(114)의 굴절률 및 기판(111)의 굴절률보다 작은 값일 수 있으나, 상기 제1 도전형 반도체층(114)의 굴절률보다는 작되 기판의 굴절률보다는 큰 값을 가질 수도 있다.
In the multi-layer reflective structure, a plurality of insulating films having different refractive indices may be repeatedly stacked 2 to 100 times. For example, it may be repeatedly laminated 3 to 70 times, and may be repeatedly laminated 4 to 50 times. The plurality of insulating films of the multilayer reflective structure are oxides or nitrides of SiO 2 , SiN, SiO x N y , TiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiN, AlN, ZrO 2 , TiAlN, TiSiN, and the like, respectively. can be a combination. The refractive indices of the first insulating film and the second insulating film may be determined in the range of about 1.4 to about 2.5, and may be smaller than the refractive index of the first conductivity-type semiconductor layer 114 and the refractive index of the substrate 111, but the first It may have a value lower than the refractive index of the conductive semiconductor layer 114 but higher than the refractive index of the substrate.

본 실시예에 따른 반도체 발광장치는 다양한 패키지 구조를 가질 수 있다. 도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 사시도이다.
The semiconductor light emitting device according to the present embodiment may have various package structures. 8 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도8을 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 발광장치(50)는 패키지 본체(51)와, 반도체 발광다이오드 칩(55)과, 파장변환필름(60)을 포함한다. Referring to FIG. 8 , the semiconductor light emitting device 50 according to the present embodiment includes a package body 51, a semiconductor light emitting diode chip 55, and a wavelength conversion film 60.

본 실시형태에 채용된 패키지 본체(51)는 제1 및 제2 전극 구조(12,13)를 포함할 수 있다. 상기 패키지 본체(51)는 상부 방향으로 개방된 오목부(R)를 구비하며, 상기 제1 및 제2 전극 구조(52,53)는 상기 오목부(R)를 통해 부분적으로 노출될 수 있다. 상기 반도체 발광다이오드 칩(55)은 상기 패키지 본체(51)에 탑재되며, 제1 및 제2 전극 구조(52,53)에 전기적으로 연결될 수 있다. The package body 51 employed in the present embodiment may include first and second electrode structures 12 and 13 . The package body 51 includes a concave portion R that is open upward, and the first and second electrode structures 52 and 53 may be partially exposed through the concave portion R. The semiconductor light emitting diode chip 55 is mounted on the package body 51 and may be electrically connected to the first and second electrode structures 52 and 53 .

도8에 도시된 바와 같이, 제1 전극 구조(52)를 굴곡시켜 얻어진 실장면(52a)을 가질 수 있으며, 실장면(52a)에 상기 반도체 발광다이오드 칩(55)이 탑재될 수 있다. 앞선 실시예(플립칩)와 달리, 상기 반도체 발광다이오드 칩(55)은 페이스업(face-up)방식으로 탑재되어 상기 제2 전극 구조(53)에 와이어로 연결될 수 있다. 필요에 따라, 상기 오목부(R)에 상기 반도체 발광다이오드 칩(55)를 둘러싸도록 투명 수지부(56)를 배치할 수 있다. 본 실시예에 채용된 패키지 본체(51)뿐만 아니라, 제1 및 제2 전극 구조(52,53)과 같은 전극구조는 다양한 형태로 변경될 수 있다. As shown in FIG. 8, it may have a mounting surface 52a obtained by bending the first electrode structure 52, and the semiconductor light emitting diode chip 55 may be mounted on the mounting surface 52a. Unlike the previous embodiment (flip chip), the semiconductor light emitting diode chip 55 may be mounted in a face-up manner and connected to the second electrode structure 53 with a wire. If necessary, a transparent resin part 56 may be disposed in the concave part R to surround the semiconductor light emitting diode chip 55 . Electrode structures such as the first and second electrode structures 52 and 53 as well as the package body 51 employed in this embodiment may be changed in various forms.

상기 파장변환필름(60)은 상기 반도체 발광다이오드 칩(55)으로부터 광이 방출되는 경로에 위치할 수 있다. 본 실시예에서, 상기 파장변환필름(60)은 상기 패키지 본체(51)의 오목부(R) 상에 배치될 수 있다. 도8에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 본체(51)의 오목부(R) 상단에는 걸림턱(v)을 이용하여 상기 파장변환필름(60)은 정렬된 상태에서 용이하게 장착될 수 있다. The wavelength conversion film 60 may be positioned on a path through which light is emitted from the semiconductor light emitting diode chip 55 . In this embodiment, the wavelength conversion film 60 may be disposed on the concave portion R of the package body 51 . As shown in FIG. 8 , the wavelength conversion film 60 can be easily mounted in an aligned state by using a locking jaw (v) on the upper end of the concave portion (R) of the package body 51 .

본 실시예에 채용된 파장변환필름(60)은 양자점(QD)와 함께 세라믹 형광체(PS)를 함유한 유리 소결체(G)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 발광소자(55)에서 생성되는 광은 자외선, 근자외선 또는 청색광일 수 있다. 이 경우에, 양자점(QD)은 녹색 또는 적색 양자점일 수 있으며, 세라믹 형광체는 다른 파장의 광으로 변환하는 형광체로서, 예를 들어 녹색 형광체, 황색 형광체, 황등색 형광체 및 적색 형광체로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 세라믹 형광체를 포함할 수 있다.The wavelength conversion film 60 employed in this embodiment may include a glass sintered body (G) containing a ceramic phosphor (PS) together with quantum dots (QD). For example, the light generated by the semiconductor light emitting device 55 may be ultraviolet light, near ultraviolet light, or blue light. In this case, the quantum dots (QD) may be green or red quantum dots, and the ceramic phosphor is a phosphor that converts light of a different wavelength, for example, selected from the group consisting of a green phosphor, a yellow phosphor, a yellow phosphor, and a red phosphor. It may include at least one ceramic phosphor.

본 실시예에 채용된 유리 소결체(G)는 SnO2-P2O5-SiO2계 조성물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유리 조성물의 전이온도(Tg)는 100℃∼300℃ 범위일 수 있으며, 상기 유리 조성물의 성형온도(Tw)는 150℃∼400℃ 범위일 수 있다. 이러한 유리 조성물은 300℃ 이하에서 소결 가능하므로, 파장변환필름(60)을 형성하기 위한 소결과정에서 양자점(QD) 및 세라믹 형광체(PS)와 같은 파장변환물질의 열화를 충분히 방지할 수 있다. The glass sintered body (G) employed in this embodiment may include a SnO 2 -P 2 O 5 -SiO 2 -based composition. For example, the transition temperature (Tg) of the glass composition may be in the range of 100°C to 300°C, and the molding temperature (Tw) of the glass composition may be in the range of 150°C to 400°C. Since this glass composition can be sintered at 300° C. or lower, deterioration of wavelength conversion materials such as quantum dots (QD) and ceramic phosphors (PS) can be sufficiently prevented in the sintering process for forming the wavelength conversion film 60 .

앞서 설명한 바와 같이, 본 실시예에 채용된 파장변환필름(60)의 유리 조성물은 저온 소성을 위한 조건으로서 Sn 성분을 포함하므로, 양자점(QD)의 쉘에 함유된 S 또는 Se과 쉽게 반응하지 않도록 양자점(QD)의 표면에 S 및 Se을 함유하지 않는 보호층을 포함할 수 있다(도4a 및 도4b 참조). 양자점(QD)의 보호층으로는 산화물, 질화물과 같은 무기 코팅뿐만 아니라, 소결온도에서 내열성을 갖는 유기 코팅이 사용될 수 있다. As described above, since the glass composition of the wavelength conversion film 60 used in this embodiment includes Sn as a condition for low-temperature firing, it is not easily reacted with S or Se contained in the shell of the quantum dots (QDs). A protective layer not containing S and Se may be included on the surface of the quantum dots (QDs) (see FIGS. 4a and 4b). As the protective layer of the quantum dots (QD), inorganic coatings such as oxides and nitrides, as well as organic coatings having heat resistance at a sintering temperature may be used.

본 실시예에 따른 파장변환필름(60)은 유리 소결체(G) 내에는 코어-쉘 구조의 양자점(QD) 외에도 세라믹 형광체(PS)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 세라믹 형광체(PS)는 상대적으로 열적 안정성이 낮은 질화물 적색 형광체 또는 불화물 적색 형광체일 수 있다. 예를 들어, 적색 세라믹 형광체로는, MAlSiNx:Eu(1≤x≤5) 및 M2Si5N8:Eu 중 적어도 하나일 수 있다. 여기서, M는 Ba,Sr,Ca 및 Mg 중 적어도 하나일 수 있다. 또한, 상기 적색 세라믹 형광체는, 조성식 AxMFy:Mn4 +로 표현되는 불화물 형광체를 포함하며, 여기서, A는 Li, Na, K, Rb 및 Cs 중 선택된 적어도 하나이며, M은 Si, Ti, Zr, Hf, Ge 및 Sn 중 선택된 적어도 하나이고, 상기 조성식은 2≤x≤3과 4≤y≤7를 만족할 수 있다. 예를 들어, 불화물 형광체는 K2SiF6:Mn4 +일 수 있다.
The wavelength conversion film 60 according to this embodiment may further include a ceramic phosphor (PS) in addition to the core-shell quantum dots (QD) in the glass sintered body (G). For example, the ceramic phosphor PS may be a nitride red phosphor or a fluoride red phosphor having relatively low thermal stability. For example, the red ceramic phosphor may be at least one of MAlSiN x :Eu (1≤x≤5) and M 2 Si 5 N 8 :Eu. Here, M may be at least one of Ba, Sr, Ca, and Mg. In addition , the red ceramic phosphor includes a fluoride phosphor represented by the composition formula A x MF y :Mn 4+ , wherein A is at least one selected from Li, Na, K, Rb, and Cs, and M is Si, Ti , Zr, Hf, Ge, and at least one selected from Sn, and the composition formula may satisfy 2≤x≤3 and 4≤y≤7. For example, the fluoride phosphor may be K 2 SiF 6 : Mn 4+ .

상술된 실시예들에서 파장변환필름(20,60)은 반도체 발광다이오드 표면에 접하거나 다른 구조체(패키지 본체)에 배치되는 형태로 예시하였으나, 광방출경로 상에 위치한다면 적절한 다른 위치에 제공될 수 있으며, 패키지 구조에 따라 상기 파장변환필름의 위치는 다양하게 변경될 수 있다.
In the above-described embodiments, the wavelength conversion films 20 and 60 are exemplified in a form in contact with the surface of the semiconductor light emitting diode or disposed in another structure (package body), but may be provided in another appropriate position if located on the light emission path. And, depending on the package structure, the location of the wavelength conversion film may be variously changed.

도10은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 분해사시도이다.10 is an exploded perspective view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도10을 참조하면, 디스플레이 장치(3000)는, 백라이트 유닛(3100), 광학시트(3200) 및 액정 패널과 같은 화상 표시 패널(3300)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 10 , a display device 3000 may include a backlight unit 3100, an optical sheet 3200, and an image display panel 3300 such as a liquid crystal panel.

백라이트 유닛(3100)은 바텀케이스(3110), 반사판(3120), 도광판(3140) 및 도광판(3140)의 적어도 일 측면에 제공되는 광원모듈(3130)을 포함할 수 있다. 광원모듈(3130)은 인쇄회로기판(3131) 및 광원(3132)을 포함할 수 있다. 여기에 사용되는 광원(3132)은 앞서 설명된 반도체 발광장치일 수 있다. The backlight unit 3100 may include a bottom case 3110 , a reflector 3120 , a light guide plate 3140 , and a light source module 3130 provided on at least one side of the light guide plate 3140 . The light source module 3130 may include a printed circuit board 3131 and a light source 3132 . The light source 3132 used herein may be the above-described semiconductor light emitting device.

광학시트(3200)는 도광판(3140)과 화상 표시 패널(3300)의 사이에 배치될 수 있으며, 확산시트, 프리즘시트 또는 보호시트와 같은 여러 종류의 시트를 포함할 수 있다. 화상 표시 패널(3300)은 광학시트(3200)를 출사한 광을 이용하여 영상을 표시할 수 있다. 화상 표시 패널(3300)은 어레이 기판(3320), 액정층(3330) 및 컬러 필터 기판(3340)을 포함할 수 있다. 어레이 기판(3320)은 매트릭스 형태로 배치된 화소 전극들, 상기 화소 전극에 구동 전압을 인가하는 박막 트랜지스터들 및 상기 박막 트랜지스터들을 작동시키기 위한 신호 라인들을 포함할 수 있다. 컬러 필터 기판(3340)은 투명기판, 컬러 필터 및 공통 전극을 포함할 수 있다. 상기 컬러 필터는 백라이트 유닛(3100)으로부터 방출되는 백색광 중 특정 파장의 광을 선택적으로 통과시키기 위한 필터들을 포함할 수 있다. 액정층(3330)은 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 사이에 형성된 전기장에 의해 재배열되어 광투과율을 조절할 수 있다. 광투과율이 조절된 광은 컬러 필터 기판(3340)의 상기 컬러 필터를 통과함으로써 영상을 표시할 수 있다. 화상 표시 패널(3300)은 영상 신호를 처리하는 구동회로 유닛 등을 더 포함할 수 있다. The optical sheet 3200 may be disposed between the light guide plate 3140 and the image display panel 3300, and may include various types of sheets such as a diffusion sheet, a prism sheet, or a protective sheet. The image display panel 3300 may display an image using light emitted from the optical sheet 3200 . The image display panel 3300 may include an array substrate 3320, a liquid crystal layer 3330, and a color filter substrate 3340. The array substrate 3320 may include pixel electrodes arranged in a matrix form, thin film transistors for applying a driving voltage to the pixel electrodes, and signal lines for operating the thin film transistors. The color filter substrate 3340 may include a transparent substrate, a color filter, and a common electrode. The color filter may include filters for selectively passing light of a specific wavelength among white light emitted from the backlight unit 3100 . The liquid crystal layer 3330 may be rearranged by an electric field formed between the pixel electrode and the common electrode to adjust light transmittance. The light whose light transmittance is adjusted passes through the color filter of the color filter substrate 3340 to display an image. The image display panel 3300 may further include a driving circuit unit that processes image signals.

본 실시예의 디스플레이 장치(3000)에 따르면, 상대적으로 작은 반치폭을 가지는 청색광, 녹색광 및 적색광을 방출하는 광원(3132)을 사용하므로, 방출된 광이 컬러 필터 기판(3340)을 통과한 후 높은 색순도의 청색, 녹색 및 적색을 구현할 수 있다.
According to the display device 3000 of this embodiment, since the light source 3132 emitting blue light, green light, and red light having a relatively small half width is used, the emitted light passes through the color filter substrate 3340 and has high color purity. It can implement blue, green and red colors.

도11은 본 발명의 일 실시예에 따른 벌브형 조명장치를 나타내는 분해사시도이다.11 is an exploded perspective view illustrating a bulb-type lighting device according to an embodiment of the present invention.

도11에 도시된 조명 장치(4200)는 소켓(4210), 전원부(4220), 방열부(4230), 광원모듈(4240) 및 광학부(4250)를 포함할 수 있다. 본 발명의 예시적 실시예에 따라, 광원모듈(4240)은 발광다이오드 어레이를 포함할 수 있고, 전원부(4220)는 발광다이오드 구동부를 포함할 수 있다.The lighting device 4200 illustrated in FIG. 11 may include a socket 4210, a power supply unit 4220, a heat dissipation unit 4230, a light source module 4240, and an optical unit 4250. According to an exemplary embodiment of the present invention, the light source module 4240 may include a light emitting diode array, and the power supply unit 4220 may include a light emitting diode driver.

소켓(4210)은 기존의 조명 장치와 대체 가능하도록 구성될 수 있다. 조명 장치(4200)에 공급되는 전력은 소켓(4210)을 통해서 인가될 수 있다. 도시된 바와 같이, 전원부(4220)는 제1 전원부(4221) 및 제2 전원부(4222)로 분리되어 조립될 수 있다. 방열부(4230)는 내부 방열부(4231) 및 외부 방열부(4232)를 포함할 수 있고, 내부 방열부(4231)는 광원모듈(4240) 및/또는 전원부(4220)와 직접 연결될 수 있고, 이를 통해 외부 방열부(4232)로 열이 전달되게 할 수 있다. 광학부(4250)는 내부 광학부(미도시) 및 외부 광학부(미도시)를 포함할 수 있고, 광원모듈(4240)이 방출하는 빛을 고르게 분산시키도록 구성될 수 있다.The socket 4210 may be configured to be replaced with an existing lighting device. Power supplied to the lighting device 4200 may be applied through the socket 4210 . As shown, the power supply unit 4220 may be separately assembled into a first power supply unit 4221 and a second power supply unit 4222 . The heat dissipation unit 4230 may include an internal dissipation unit 4231 and an external dissipation unit 4232, and the internal dissipation unit 4231 may be directly connected to the light source module 4240 and/or the power supply unit 4220, Through this, heat may be transferred to the external heat dissipation unit 4232 . The optical unit 4250 may include an internal optical unit (not shown) and an external optical unit (not shown), and may be configured to evenly disperse light emitted from the light source module 4240 .

광원모듈(4240)은 전원부(4220)로부터 전력을 공급받아 광학부(4250)로 빛을 방출할 수 있다. 광원모듈(4240)은 하나 이상의 광원(4241), 회로기판(4242) 및 컨트롤러(4243)를 포함할 수 있고, 컨트롤러(4243)는 발광다이오드(4241)들의 구동 정보를 저장할 수 있다. 여기에 사용되는 광원(4241)은 앞서 설명된 실시예에 따른 반도체 발광장치일 수 있다. The light source module 4240 may receive power from the power supply unit 4220 and emit light to the optical unit 4250 . The light source module 4240 may include one or more light sources 4241, a circuit board 4242, and a controller 4243, and the controller 4243 may store driving information of the light emitting diodes 4241. The light source 4241 used here may be a semiconductor light emitting device according to the above-described embodiment.

본 실시예에 따른 조명 장치(4300)에서 광원 모듈(4240)의 상부에 반사판(4310)이 포함되어 있으며, 반사판(4310)은 광원으로부터의 빛을 측면 및 후방으로 고르게 퍼지게 하여 눈부심을 줄일 수 있다.In the lighting device 4300 according to the present embodiment, a reflector 4310 is included above the light source module 4240, and the reflector 4310 spreads the light from the light source evenly to the side and back to reduce glare. .

반사판(4310)의 상부에는 통신 모듈(4320)이 장착될 수 있으며 상기 통신 모듈(4320)을 통하여 홈-네트워크(home-network) 통신을 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 통신 모듈(4320)은 지그비(Zigbee), 와이파이(WiFi) 또는 라이파이(LiFi)를 이용한 무선 통신 모듈일 수 있으며, 스마트폰 또는 무선 컨트롤러를 통하여 조명 장치의 온(on)/오프(off), 밝기 조절 등과 같은 가정 내외에 설치되어 있는 조명을 컨트롤 할 수 있다. 또한 상기 가정 내외에 설치되어 있는 조명 장치의 가시광 파장을 이용한 라이파이 통신 모듈을 이용하여 TV, 냉장고, 에어컨, 도어락, 자동차 등 가정 내외에 있는 전자 제품 및 자동차 시스템의 컨트롤을 할 수 있다.A communication module 4320 may be mounted on the top of the reflector 4310, and home-network communication may be implemented through the communication module 4320. For example, the communication module 4320 may be a wireless communication module using Zigbee, WiFi, or LiFi, and can turn on/off a lighting device through a smart phone or a wireless controller. You can control lighting installed inside and outside the home, such as (off), brightness control, etc. In addition, by using a Li-Fi communication module using visible light wavelengths of lighting devices installed inside and outside the home, it is possible to control electronic products and automobile systems inside and outside the home, such as TVs, refrigerators, air conditioners, door locks, and automobiles.

상기 반사판(4310)과 통신 모듈(4320)은 커버부(4330)에 의해 커버될 수 있다. The reflector 4310 and the communication module 4320 may be covered by a cover part 4330 .

도12는 본 발명의 일 실시예에 따른 튜브형 조명 장치를 나타내는 분해사시도이다.12 is an exploded perspective view illustrating a tubular lighting device according to an embodiment of the present invention.

도12에 도시된 조명 장치(4400)는 방열 부재(4410)의 양 끝단에는 걸림 턱(4414)이 형성될 수 있다. 방열 부재(4410), 커버(4441), 광원 모듈(4450), 제1 소켓(4460) 및 제2 소켓(4470)을 포함한다. 방열 부재(4410)의 내부 또는/및 외부 표면에 다수개의 방열 핀(4420, 4431)이 요철 형태로 형성될 수 있으며, 방열 핀(4420, 4431)은 다양한 형상 및 간격을 갖도록 설계될 수 있다. 방열 부재(4410)의 내측에는 돌출 형태의 지지대(4432)가 형성되어 있다. 지지대(4432)에는 광원 모듈(4450)이 고정될 수 있다. 방열 부재(4410)의 양 끝단에는 걸림 턱(4433)이 형성될 수 있다. In the lighting device 4400 shown in FIG. 12 , locking protrusions 4414 may be formed at both ends of the heat dissipation member 4410 . A heat dissipation member 4410 , a cover 4441 , a light source module 4450 , a first socket 4460 and a second socket 4470 are included. A plurality of heat dissipation fins 4420 and 4431 may be formed in a concavo-convex shape on an inner or/or outer surface of the heat dissipation member 4410, and the heat dissipation fins 4420 and 4431 may be designed to have various shapes and intervals. A protruding support 4432 is formed inside the heat dissipation member 4410 . A light source module 4450 may be fixed to the support 4432 . Locking protrusions 4433 may be formed at both ends of the heat dissipation member 4410 .

커버(4441)에는 걸림 홈(4442)이 형성되어 있으며, 걸림 홈(4442)에는 방열 부재(4410)의 걸림 턱(4433)이 후크 결합 구조로 결합될 수 있다. 걸림 홈(4442)과 걸림 턱(4433)이 형성되는 위치는 서로 바뀔 수도 있다.A locking groove 4442 is formed in the cover 4441 , and a locking protrusion 4433 of the heat dissipation member 4410 may be coupled to the locking groove 4442 in a hook coupling structure. Positions where the catching groove 4442 and the catching protrusion 4433 are formed may be interchanged.

광원 모듈(4450)은 발광소자 어레이를 포함할 수 있다. 광원 모듈(4450)은 인쇄회로기판(4451), 광원(4452) 및 컨트롤러(4453)를 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, 컨트롤러(4453)는 광원(4452)의 구동 정보를 저장할 수 있다. 인쇄회로기판(4451)에는 광원(4452)을 동작시키기 위한 회로 배선들이 형성되어 있다. 또한, 광원(4452)을 동작시키기 위한 구성 요소들이 포함될 수도 있다.The light source module 4450 may include a light emitting device array. The light source module 4450 may include a printed circuit board 4451, a light source 4452, and a controller 4453. As described above, the controller 4453 may store driving information of the light source 4452 . Circuit wires for operating the light source 4452 are formed on the printed circuit board 4451 . Also, components for operating the light source 4452 may be included.

제1 및 2 소켓(4460, 4470)은 한 쌍의 소켓으로서 방열 부재(4410) 및 커버(4441)로 구성된 원통형 커버 유닛의 양단에 결합되는 구조를 갖는다. 예를 들어, 제1 소켓(4460)은 전극 단자(4461) 및 전원 장치(4462)를 포함할 수 있고, 제2 소켓(4470)에는 더미 단자(4471)가 배치될 수 있다. 또한, 제1 소켓(4460) 또는 제2 소켓(4470) 중의 어느 하나의 소켓에 광센서 및/또는 통신 모듈이 내장될 수 있다. 예를 들어, 더미 단자(4471)가 배치된 제2 소켓(4470)에 광센서 및/또는 통신 모듈이 내장될 수 있다. 다른 예로서, 전극 단자(4461)가 배치된 제1 소켓(4460)에 광센서 및/또는 통신 모듈이 내장될 수도 있다.
The first and second sockets 4460 and 4470 are a pair of sockets and have a structure coupled to both ends of a cylindrical cover unit composed of a heat dissipation member 4410 and a cover 4441 . For example, the first socket 4460 may include an electrode terminal 4461 and a power supply 4462 , and a dummy terminal 4471 may be disposed on the second socket 4470 . In addition, an optical sensor and/or a communication module may be embedded in any one of the first socket 4460 and the second socket 4470 . For example, an optical sensor and/or a communication module may be embedded in the second socket 4470 where the dummy terminal 4471 is disposed. As another example, an optical sensor and/or a communication module may be embedded in the first socket 4460 where the electrode terminal 4461 is disposed.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
The present invention is not limited by the above-described embodiments and accompanying drawings, but is intended to be limited by the appended claims. Therefore, various forms of substitution, modification, and change will be possible by those skilled in the art within the scope of the technical spirit of the present invention described in the claims, which also falls within the scope of the present invention. something to do.

Claims (20)

파장변환 물질과 유리 조성물을 갖는 혼합물의 소결체를 포함하며,
상기 파장변환 물질은 코어-쉘(core-shell) 구조의 양자점과 상기 양자점의 표면을 코팅하는 보호층을 포함하고, 상기 양자점의 쉘은 S 및 Se 중 적어도 하나를 함유하며 상기 보호층은 S 및 Se을 함유하지 않으며,
상기 유리 조성물은 SnO2-P2O5-SiO2계 조성물을 포함하고,
상기 보호층은 상기 소결체와 상기 양자점의 쉘 사이에서 상기 유리 조성물의 Sn과 상기 쉘의 S 또는 Se의 직접 접촉을 방지하도록 구성된 파장변환필름.
It includes a sintered body of a mixture having a wavelength conversion material and a glass composition,
The wavelength conversion material includes quantum dots of a core-shell structure and a protective layer coating a surface of the quantum dots, the shell of the quantum dots contains at least one of S and Se, and the protective layer includes S and does not contain Se,
The glass composition includes a SnO 2 -P 2 O 5 -SiO 2 based composition;
The protective layer is a wavelength conversion film configured to prevent direct contact between Sn of the glass composition and S or Se of the shell between the sintered body and the shell of the quantum dots.
 제1항에 있어서,
상기 유리 조성물은, 전체 유리 조성물의 중량 기준으로, 25 내지 94 wt%의 SnO2, 5 내지 70 wt%의 P2O5, 1 내지 30 wt%의 SiO2을 포함하는 것을 특징으로 하는 파장변환필름.
According to claim 1,
wherein the glass composition comprises 25 to 94 wt% SnO 2 , 5 to 70 wt% P 2 O 5 , and 1 to 30 wt% SiO 2 , based on the weight of the total glass composition. film.
 제2항에 있어서,
상기 유리 조성물은, Na2O, MgO, Al2O3, CaO, K2O 및 Li2O로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 1종의 성분이 10wt% 이하로 첨가된 것을 특징으로 하는 파장변환필름.
According to claim 2,
The glass composition is a wavelength conversion film, characterized in that at least one component selected from the group consisting of Na 2 O, MgO, Al 2 O 3 , CaO, K 2 O and Li 2 O is added in an amount of 10 wt% or less.
 제1항에 있어서,
상기 유리 조성물의 전이온도(Tg)는 100℃∼300℃ 범위인 것을 특징으로 하는 파장변환필름.
According to claim 1,
The transition temperature (Tg) of the glass composition is a wavelength conversion film, characterized in that in the range of 100 ℃ ~ 300 ℃.
 제1항에 있어서,
상기 유리 조성물의 성형온도(Tw)는 150℃∼400℃ 범위인 것을 특징으로 하는 파장변환필름.
According to claim 1,
The forming temperature (Tw) of the glass composition is a wavelength conversion film, characterized in that in the range of 150 ℃ ~ 400 ℃.
 제1항에 있어서,
상기 양자점의 보호층은 폴리 에틸렌 아크릴산(Poly(ethylen-co-acrylic acid)) 또는 PMAA(Poly(methyl methacrylate))인 것을 특징으로 하는 파장변환필름.
According to claim 1,
The wavelength conversion film, characterized in that the protective layer of the quantum dots is polyethylene acrylic acid (Poly (ethylen-co-acrylic acid)) or PMAA (Poly (methyl methacrylate)).
 제1항에 있어서,
상기 양자점의 보호층은 SiO2, Al2O3, ZnO, SiOxNy 및 Si3N4로 구성된 그룹으로부터 선택된 산화물 또는 질화물인 것을 특징으로 하는 파장변환필름.
According to claim 1,
The protective layer of the quantum dots is a wavelength conversion film, characterized in that an oxide or nitride selected from the group consisting of SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, SiO x N y and Si 3 N 4 .
 제1항에 있어서,
상기 양자점은, InP/ZnS, InP/ZnSe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, PbS/ZnS 및 InP/GaP/ZnS로 구성된 그룹으로부터 선택된 양자점인 것을 특징으로 파장변환필름.
According to claim 1,
The quantum dots are characterized in that the quantum dots selected from the group consisting of InP / ZnS, InP / ZnSe, CdSe / CdS, CdSe / ZnS, PbS / ZnS and InP / GaP / ZnS Wavelength conversion film.
 제8항에 있어서,
상기 양자점은 녹색 양자점 및 적색 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 파장변환필름.
According to claim 8,
The quantum dot is a wavelength conversion film, characterized in that it comprises a green quantum dot and a red quantum dot.
 제8항에 있어서,
상기 양자점의 직경은 5㎚∼20㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 파장변환필름.
According to claim 8,
The wavelength conversion film, characterized in that the diameter of the quantum dots is in the range of 5 nm to 20 nm.
 제8항에 있어서,
상기 양자점은 녹색 양자점을 포함하며,
상기 파장변환 물질은 적색 세라믹 형광체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장변환필름.
According to claim 8,
The quantum dots include green quantum dots,
The wavelength conversion film characterized in that the wavelength conversion material further comprises a red ceramic phosphor.
 제11항에 있어서,
상기 적색 세라믹 형광체는, 조성식 AxMFy:Mn4 +로 표현되는 불화물 형광체를 포함하며, 여기서, A는 Li, Na, K, Rb 및 Cs 중 선택된 적어도 하나이며, M은 Si, Ti, Zr, Hf, Ge 및 Sn 중 선택된 적어도 하나이고, 상기 조성식은 2≤x≤3과 4≤y≤7를 만족하는 것을 특징으로 하는 파장변환필름.
According to claim 11,
The red ceramic phosphor includes a fluoride phosphor represented by the formula A x MF y :Mn 4+ , wherein A is at least one selected from Li, Na, K, Rb, and Cs, and M is Si, Ti, Zr , Hf, at least one selected from Ge and Sn, wherein the composition formula satisfies 2≤x≤3 and 4≤y≤7, characterized in that the wavelength conversion film.
 제1항에 있어서,
상기 파장변환필름은 시트 형상 또는 플레이트 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 파장변환필름.
According to claim 1,
The wavelength conversion film is characterized in that it has a sheet shape or plate shape.
 SnO2-P2O5-SiO2계 유리 조성물을 마련하는 단계;
상기 유리 조성물에 파장변환 물질이 혼합하는 혼합물로 성형체를 형성하는 단계; 및
상기 성형체를 300℃ 이하의 온도에서 소결하여 상기 파장변환 물질이 함유된 소결체를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 파장변환 물질은 코어-쉘(core-shell) 구조의 양자점과 상기 양자점의 표면을 코팅하는 보호층을 포함하고, 상기 양자점의 쉘은 S 및 Se 중 적어도 하나를 함유하며 상기 보호층은 S 및 Se을 함유하지 않고,
상기 보호층은 상기 소결체와 상기 양자점의 쉘 사이에서 상기 유리 조성물의 Sn과 상기 쉘의 S 또는 Se의 직접 접촉을 방지하도록 구성된 파장변환필름 제조방법.
Preparing a SnO 2 -P 2 O 5 -SiO 2 -based glass composition;
forming a molded body with a mixture of a wavelength conversion material and the glass composition; and
Sintering the molded body at a temperature of 300 ° C or less to form a sintered body containing the wavelength conversion material,
The wavelength conversion material includes quantum dots of a core-shell structure and a protective layer coating a surface of the quantum dots, the shell of the quantum dots contains at least one of S and Se, and the protective layer includes S and does not contain Se,
The protective layer is configured to prevent direct contact between Sn of the glass composition and S or Se of the shell between the sintered body and the shell of the quantum dots.
 제1 및 제2 전극 구조;
상기 제1 및 제2 전극에 전기적으로 연결되며, 440㎚∼460㎚ 피크 파장의 제1 광을 방출하는 반도체 발광다이오드 칩; 및
상기 반도체 발광다이오드 칩으로부터 생성된 광의 진행 경로 상에 위치하며, 제1항에 기재된 파장변환 필름을 포함하고, 상기 파장변환 물질은 제1 광을 다른 파장의 제2 광으로 변환하는 반도체 발광장치.
first and second electrode structures;
a semiconductor light emitting diode chip electrically connected to the first and second electrodes and emitting first light having a peak wavelength of 440 nm to 460 nm; and
A semiconductor light emitting device positioned on a path of light generated from the semiconductor light emitting diode chip and comprising the wavelength conversion film according to claim 1 , wherein the wavelength conversion material converts a first light into a second light having a different wavelength.
 제1 및 제2 전극 구조;
상기 제1 및 제2 전극 구조에 전기적으로 연결되며, 440㎚∼460㎚ 피크 파장의 제1 광을 방출하는 반도체 발광다이오드 칩; 및
상기 반도체 발광다이오드 칩으로부터 생성된 광의 진행 경로 상에 위치하며, 제1 광을 다른 파장의 제2 광으로 변환하기 위한 파장변환 물질과 유리 조성물을 갖는 혼합물의 소결체를 포함하는 파장변환 필름을 포함하고,
상기 파장변환 물질은 코어-쉘구조의 양자점과 상기 양자점의 표면을 코팅하는 보호층을 포함하고, 상기 양자점의 쉘은 S 및 Se 중 적어도 하나를 함유하며 상기 보호층은 S 및 Se을 함유하지 않으며, 상기 유리 조성물은 SnO2-P2O5-SiO2계 조성물을 포함하고,
상기 보호층은 상기 소결체와 상기 양자점의 쉘 사이에서 상기 유리 조성물의 Sn과 상기 쉘의 S 또는 Se의 직접 접촉을 방지하도록 구성된 반도체 발광장치.
first and second electrode structures;
a semiconductor light emitting diode chip electrically connected to the first and second electrode structures and emitting first light having a peak wavelength of 440 nm to 460 nm; and
It is located on the path of light generated from the semiconductor light emitting diode chip and includes a wavelength conversion film including a sintered body of a mixture having a wavelength conversion material and a glass composition for converting a first light into a second light of a different wavelength, ,
The wavelength conversion material includes quantum dots of a core-shell structure and a protective layer coating a surface of the quantum dots, wherein the shell of the quantum dots contains at least one of S and Se and the protective layer does not contain S and Se, , the glass composition includes a SnO 2 -P 2 O 5 -SiO 2 -based composition,
The protective layer is configured to prevent direct contact between Sn of the glass composition and S or Se of the shell between the sintered body and the shell of the quantum dots.
 제16항에 있어서,
상기 양자점은 녹색 양자점 및 적색 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
According to claim 16,
The semiconductor light emitting device, characterized in that the quantum dots include green quantum dots and red quantum dots.
 제16항에 있어서,
상기 파장변환 필름은 상기 반도체 발광다이오드 칩 상에 배치되며,
상기 파장변환 필름의 일 표면이 노출되도록, 상기 제1 및 제2 전극 구조와 상기 반도체 발광다이오드 칩과 상기 파장변환 필름을 둘러싸도록 구성된 패키지 본체를 더 포함하는 반도체 발광장치.
According to claim 16,
The wavelength conversion film is disposed on the semiconductor light emitting diode chip,
A semiconductor light emitting device further comprising a package body configured to surround the first and second electrode structures, the semiconductor light emitting diode chip, and the wavelength conversion film so that one surface of the wavelength conversion film is exposed.
 제18항에 있어서,
상기 패키지 본체는 투명 수지와 상기 투명 수지에 함유된 반사성 세라믹 분말을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
According to claim 18,
The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the package body contains a transparent resin and a reflective ceramic powder contained in the transparent resin.
 제16항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극 구조를 봉합하며, 상기 제1 및 제2 전극 구조의 일부가 노출된 오목부를 갖는 패키지 본체를 더 포함하며,
상기 파장변환 필름은 상기 오목부 상에 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.According to claim 16,
A package body sealing the first and second electrode structures and having a concave portion in which portions of the first and second electrode structures are exposed;
The semiconductor light emitting device, characterized in that the wavelength conversion film is mounted on the concave portion.
KR1020170176555A 2017-12-20 2017-12-20 Wavelength-converting film and semiconductor light emitting apparatus having the same KR102542426B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170176555A KR102542426B1 (en) 2017-12-20 2017-12-20 Wavelength-converting film and semiconductor light emitting apparatus having the same
US16/043,546 US10658551B2 (en) 2017-12-20 2018-07-24 Wavelength-converting film and semiconductor light emitting apparatus having the same
CN201811562533.3A CN109994577A (en) 2017-12-20 2018-12-20 Wavelength conversion film and its manufacturing method and semiconductor light-emitting equipment with it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170176555A KR102542426B1 (en) 2017-12-20 2017-12-20 Wavelength-converting film and semiconductor light emitting apparatus having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190074869A KR20190074869A (en) 2019-06-28
KR102542426B1 true KR102542426B1 (en) 2023-06-12

Family

ID=66814750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170176555A KR102542426B1 (en) 2017-12-20 2017-12-20 Wavelength-converting film and semiconductor light emitting apparatus having the same

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10658551B2 (en)
KR (1) KR102542426B1 (en)
CN (1) CN109994577A (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6575314B2 (en) * 2015-11-13 2019-09-18 日本電気硝子株式会社 Method for manufacturing wavelength conversion member and wavelength conversion member
KR102071689B1 (en) 2019-07-09 2020-01-30 주식회사 신아티앤씨 Light conversion film comprising a quantum dot layer, backlight units for display devices including the light conversion film, and method of manufacturing a quantum dot dispersion
US11407938B2 (en) * 2020-01-31 2022-08-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structure, agglomerate, conversion element and method of producing a structure

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005112715A (en) * 2003-09-19 2005-04-28 Nippon Electric Glass Co Ltd Low melting point sealing composition, low melting point glass paste, and low melting point glass tablet
US20160084476A1 (en) * 2013-03-20 2016-03-24 Koninklijke Philips N.V. Encapsulated quantum dots in porous particles
WO2016195015A1 (en) 2015-06-02 2016-12-08 旭硝子株式会社 Light diffusion plate
US20170033267A1 (en) 2015-07-28 2017-02-02 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1744365B1 (en) 1996-08-27 2009-04-15 Seiko Epson Corporation Exfoliating method and transferring method of thin film device
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (en) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device
CN1241272C (en) 2001-08-22 2006-02-08 索尼公司 Nitride semiconductor element and production method for thereof
JP2003218034A (en) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp Method for selective growth, semiconductor light- emitting element, and its manufacturing method
JP3815335B2 (en) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
KR100499129B1 (en) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 Light emitting laser diode and fabricatin method thereof
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR100714639B1 (en) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 light emitting device
KR100506740B1 (en) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR100664985B1 (en) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 Nitride based semiconductor device
KR100665222B1 (en) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 Led package with diffusing material and method of manufacturing the same
KR100661614B1 (en) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR100723247B1 (en) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 Chip coating type light emitting diode package and fabrication method thereof
KR100735325B1 (en) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 Light emitting diode package and fabrication method thereof
KR100930171B1 (en) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 White light emitting device and white light source module using same
KR100855065B1 (en) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 Light emitting diode package
KR100982980B1 (en) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 Plane light source and lcd backlight unit comprising the same
KR101164026B1 (en) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
KR100891761B1 (en) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 Semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof and semiconductor light emitting device package using the same
KR101332794B1 (en) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 Light emitting device, light emitting system comprising the same, and fabricating method of the light emitting device and the light emitting system
KR20100030470A (en) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 Light emitting device and system providing white light with various color temperatures
KR101530876B1 (en) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 Light emitting element with increased light emitting amount, light emitting device comprising the same, and fabricating method of the light emitting element and the light emitting device
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US20100289044A1 (en) 2009-05-12 2010-11-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength conversion for producing white light from high power blue led
JP5519774B2 (en) * 2010-03-23 2014-06-11 株式会社朝日ラバー Silicone resin reflective substrate, method for producing the same, and raw material composition used for the reflective substrate
KR20120021731A (en) 2010-08-16 2012-03-09 엘지이노텍 주식회사 The member for back light unit using quantum dot and menufacturing method thererof
WO2013148783A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Corning Incorporated Bismuth borate glass encapsulant for led phosphors
KR102075982B1 (en) * 2013-03-15 2020-02-12 삼성전자주식회사 Semiconductor light emitting device package
US9484504B2 (en) 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
KR102098589B1 (en) 2013-07-04 2020-04-09 삼성전자주식회사 Wavelength-converted element, manufacturing method of the same and semiconductor light emitting apparatus having the same
KR102180388B1 (en) 2013-07-08 2020-11-19 루미리즈 홀딩 비.브이. Wavelength converted semiconductor light emitting device
EP3030626A2 (en) 2013-08-05 2016-06-15 Corning Incorporated Luminescent coatings and devices
DE102014101804A1 (en) 2013-12-18 2015-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
JP6303805B2 (en) * 2014-05-21 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
JP6592504B2 (en) * 2014-07-28 2019-10-16 ルミレッズ ホールディング ベーフェー Silica-coated quantum dots with improved quantum efficiency
JP2016076634A (en) 2014-10-08 2016-05-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Led package, backlight unit, and liquid crystal display device
US9755105B2 (en) * 2015-01-30 2017-09-05 Nichia Corporation Method for producing light emitting device
CN105140377A (en) 2015-08-10 2015-12-09 深圳市华星光电技术有限公司 Quantum dot glass box, and fabrication method and application thereof
WO2017048825A1 (en) 2015-09-14 2017-03-23 Ernest Lee Local quantum dot optics
TWI624966B (en) 2015-11-23 2018-05-21 隆達電子股份有限公司 Led package
CN105733556B (en) 2016-03-21 2018-06-29 天津市中环量子科技有限公司 A kind of quantum dot composite fluorescent particle, LED module
KR101762223B1 (en) 2016-03-23 2017-07-27 주식회사 베이스 Manufacturing method for led chip encapsulation member comprising phosphor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005112715A (en) * 2003-09-19 2005-04-28 Nippon Electric Glass Co Ltd Low melting point sealing composition, low melting point glass paste, and low melting point glass tablet
US20160084476A1 (en) * 2013-03-20 2016-03-24 Koninklijke Philips N.V. Encapsulated quantum dots in porous particles
WO2016195015A1 (en) 2015-06-02 2016-12-08 旭硝子株式会社 Light diffusion plate
US20170033267A1 (en) 2015-07-28 2017-02-02 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN109994577A (en) 2019-07-09
US10658551B2 (en) 2020-05-19
US20190189863A1 (en) 2019-06-20
KR20190074869A (en) 2019-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11631791B2 (en) Semiconductor light-emitting device
US10347804B2 (en) Light source package and display device including the same
KR102380825B1 (en) Semiconductor light emitting diode chip and light emitting device having the same
CN101878540B (en) Light-emitting device and its manufacturing method
US9603214B2 (en) Light emitting device (LED) array unit and LED module comprising the same
KR20170121777A (en) Semiconductor light emitting device
US9368694B2 (en) Method of fabricating light-emitting device package
US9903994B2 (en) Light emitting device, backlight unit and display apparatus
KR102542426B1 (en) Wavelength-converting film and semiconductor light emitting apparatus having the same
KR101855063B1 (en) Light emitting device
KR101746002B1 (en) Light emitting device
KR102007273B1 (en) Light emitting device
KR20140096652A (en) Light emitting device
KR20120052744A (en) Light-emitting device
KR20140124063A (en) Light emitting device
US20220209075A1 (en) White light emitting device and lighting apparatus
KR20140115655A (en) Light emitting device
KR20140099071A (en) Light emitting device
KR20130070660A (en) Light emitting diode
KR20150140025A (en) Light emitting device
KR20140076880A (en) Light Emitting Devices package

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant