KR102537056B1 - 복수의 출력부 rf 매칭 네트워크의 일 출력부에서 rf 전류 극성을 반전시키기 위한 시스템들 및 방법들 - Google Patents

복수의 출력부 rf 매칭 네트워크의 일 출력부에서 rf 전류 극성을 반전시키기 위한 시스템들 및 방법들 Download PDF

Info

Publication number
KR102537056B1
KR102537056B1 KR1020160034612A KR20160034612A KR102537056B1 KR 102537056 B1 KR102537056 B1 KR 102537056B1 KR 1020160034612 A KR1020160034612 A KR 1020160034612A KR 20160034612 A KR20160034612 A KR 20160034612A KR 102537056 B1 KR102537056 B1 KR 102537056B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coil
conductor
circuit
switch
substrate
Prior art date
Application number
KR1020160034612A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160117213A (ko
Inventor
아서 에치. 사토
마오린 롱
알렉스 패터슨
Original Assignee
램 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리써치 코포레이션 filed Critical 램 리써치 코포레이션
Publication of KR20160117213A publication Critical patent/KR20160117213A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102537056B1 publication Critical patent/KR102537056B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴은 기판 지지부를 포함한 프로세싱 챔버를 포함한다. 제 1 코일 및 제 2 코일은 프로세싱 챔버의 외부에 배치된다. 제 1 코일 및 제 2 코일 각각은 제 1 컨덕터 및 제 2 컨덕터를 포함한다. 코일 구동 회로는 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마를 생성하도록 코일들을 통해 전류를 구동한다. 코일 반전 회로는 제 1 코일의 제 1 컨덕터 및 제 2 컨덕터를 통해 흐른 전류의 극성을 선택적으로 반전시키도록 구성된다. 코일 반전 회로는 H-브리지 회로를 포함한다.

Description

복수의 출력부 RF 매칭 네트워크의 일 출력부에서 RF 전류 극성을 반전시키기 위한 시스템들 및 방법들{SYSTEMS AND METHODS FOR REVERSING RF CURRENT POLARITY AT ONE OUTPUT OF A MULTIPLE OUTPUT RF MATCHING NETWORK}
본 개시는 기판 프로세싱 시스템들, 보다 구체적으로 유도 결합된 플라즈마를 사용하는 기판 프로세싱 시스템들에 관한 것이다.
본 명세서에 제공된 배경 기술 설명은 일반적으로 본 개시의 맥락을 제공하기 위한 것이다. 본 발명자들의 성과로서 본 배경기술 섹션에 기술되는 정도의 성과, 뿐만 아니라 출원시 종래 기술로서 인정되지 않을 수도 있는 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.
기판 프로세싱 시스템들은 통상적으로 반도체 웨이퍼들과 같은 기판들 상에 박막을 증착 그리고 에칭하도록 사용된다. 에칭의 예들은 습식 화학적 에칭 및 건식 에칭을 포함한다. 건식 에칭은 유도 결합된 플라즈마 (ICP: inductively-coupled plasma) 에 의해 생성된 플라즈마를 사용하여 수행될 수도 있다. 유도 결합된 플라즈마는 유전체 윈도우와 인접한 프로세싱 챔버의 외부에 배치된 코일들에 의해 생성될 수도 있다. 프로세싱 챔버 내부로 흐르는 프로세스 가스는 플라즈마를 생성하도록 점화된다.
일부 ICP 시스템들은 2개의 코일들을 사용하고 그리고 코일들 양자에서 동일한 방향으로 전류를 흘린다. 에칭 레이트 맵들 (etch rate maps) 은 기판 표면 상에 "M" 형상 에칭 패턴을 나타내는 경향이 있고 여기서 최대 에칭 레이트는 반경 중간에서이다. 불균일성은 일반적으로 일부 프로세스들에서 허용할 수 없다.
기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴은 기판 지지부를 포함한 프로세싱 챔버를 포함한다. 제 1 코일 및 제 2 코일은 프로세싱 챔버의 외부에 배치된다. 제 1 코일 및 제 2 코일 각각은 제 1 컨덕터 및 제 2 컨덕터를 포함한다. 코일 구동 회로는 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마를 생성하도록 코일들을 통해 전류를 구동한다. 코일 반전 회로는 제 1 코일의 제 1 컨덕터 및 제 2 컨덕터를 통해 흐르는 전류의 극성을 선택적으로 반전시키도록 구성된다. 코일 반전 회로는 H-브리지 회로를 포함한다.
다른 특징들에서, H-브리지 회로는 쌍극, 쌍투 (double-throw) 계전기를 포함한다. H-브리지 회로는 제 1 단극, 쌍투 계전기 및 제 2 단극, 쌍투 계전기를 포함한다. H-브리지 회로는, 제 1 스위치, 제 2 스위치, 제 3 스위치 및 제 4 스위치, 및 제 1 스위치, 제 2 스위치, 제 3 스위치 및 제 4 스위치의 상태들을 선택적으로 스위칭하도록 (switch) 구성된 제어기를 포함한다.
다른 특징들에서, 제 1 스위치, 제 2 스위치, 제 3 스위치 및 제 4 스위치는 FET들 (field effect transistors) 을 포함한다. 제 1 스위치, 제 2 스위치, 제 3 스위치 및 제 4 스위치는 PIN 다이오드들을 포함한다. H-브리지 회로는 회전 스위치를 포함한다. H-브리지 회로는, 제 1 가변 진공 커패시터, 제 2 가변 진공 커패시터, 제 3 가변 진공 커패시터 및 제 4 가변 진공 커패시터, 및 제 1 가변 진공 커패시터, 제 2 가변 진공 커패시터, 제 3 가변 진공 커패시터 및 제 4 가변 진공 커패시터의 임피던스를 선택적으로 조정하기 위해 기어들을 구동하도록 구성된 모터 드라이버를 포함한다.
다른 특징들에서, H-브리지 회로는, 제 1 가변 임피던스 회로, 제 2 가변 임피던스 회로, 제 3 가변 임피던스 회로 및 제 4 가변 임피던스 회로, 및 제 1 가변 임피던스 회로, 제 2 가변 임피던스 회로, 제 3 가변 임피던스 회로 및 제 4 가변 임피던스 회로의 임피던스를 선택적으로 조정하도록 구성된 제어기를 포함한다.
다른 특징들에서, 제 1 가변 임피던스 회로, 제 2 가변 임피던스 회로, 제 3 가변 임피던스 회로 및 제 4 가변 임피던스 회로는 가변적인 커패시턴스를 포함한다. 제 1 가변 임피던스 회로, 제 2 가변 임피던스 회로, 제 3 가변 임피던스 회로 및 제 4 가변 임피던스 회로는 제 2 가변적인 커패시턴스와 인덕턴스의 병렬적 조합과 직렬로 제 1 가변적인 커패시턴스를 포함한다.
다른 특징들에서, 코일 구동 회로는, RF 소스, 및 RF 소스, 코일 반전 회로 및 제 2 코일과 통신하는 튜닝 회로를 포함한다. 튜닝 회로는 변압기 용량 결합된 튜닝 회로를 포함한다. 제 1 코일은 제 2 코일의 내부에 배치된다. 제 1 코일은 제 2 코일의 외부에 배치된다.
본 개시의 적용 가능성의 추가의 영역들은 상세한 기술, 청구항들 및 도면들로부터 분명해질 것이다. 상세한 기술 및 구체적인 예들은 오직 예시의 목적들을 위해 의도된 것이고 본 개시의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
본 개시는 상세한 기술 및 첨부한 도면들로부터 보다 완전히 이해될 것이다.
도 1은 본 개시에 따른, 유도 결합된 플라즈마 (ICP: inductively coupled plasma) 기판 프로세싱 시스템의 예의 기능 블록도이다.
도 2는 내측 코일과 외측 코일의 예의 평면도이다.
도 3은 본 개시에 따른, H-브리지 회로들을 포함한 코일 반전 회로의 예의 전기 배선도이다.
도 4a 및 도 4b는 계전기를 포함한 H-브리지 회로의 예의 전기 배선도들이다.
도 5a 및 도 5b는 회전 스위치를 포함한 H-브리지 회로의 예의 전기 배선도들이다.
도 6a 및 도 6b는 스위치들을 포함한 H-브리지 회로의 예의 전기 배선도들이다.
도 7a 및 도 7b는 모터 드라이버 및 가변 진공 커패시터들을 포함한 H-브리지 회로의 예의 전기 배선도들이다.
도 8a 내지 도 8d는 제어기 및 가변적인 커패시터들 또는 직렬식/병렬식 공진 회로들을 포함한 H-브리지 회로의 예의 전기 배선도들이다.
도면들에서, 참조 부호들은 유사하고 그리고/또는 동일한 엘리먼트들 (element) 을 식별하도록 재사용될 수도 있다.
본 개시는 유도 결합된 플라즈마 기판 프로세싱 시스템 내의 반전 회로에 관한 것이다. 일부 예들에서, 반전 회로는 프로세스들로 하여금 평행한 방향과 역평행한 방향으로 흐르는 코일 전류들로 실행되게 하기 위해 코일들 중 일 코일의 페이징 (phasing) 또는 RF 전류 극성을 스위칭하도록 하나 이상의 H-브리지 회로들을 사용한다. 이중 전류 모드는 레거시 (legacy) 프로세스 레시피들 및 새로운 프로세스 레시피들로 하여금 개선된 에칭 레이트 균일성을 위해 RF 전류 극성-반전된 모드들을 이용하게 한다.
이제 도 1을 참조하면, 본 개시에 따른 기판 프로세싱 시스템 (10) 의 예가 도시된다. 기판 프로세싱 시스템 (10) 은 코일 구동 회로 (11) 를 포함한다. 일부 예들에서, 코일 구동 회로 (11) 는 RF 소스 (12) 및 튜닝 회로 (13) 를 포함한다. 튜닝 회로 (13) 는 하나 이상의 코일들 (16) 에 직접 연결될 수도 있거나 코일 반전 회로 (15) 에 의해 하나 이상의 코일들 (16) 에 연결될 수도 있다. 튜닝 회로 (13) 는 RF 소스 (12) 의 출력을 목표된 주파수 및/또는 목표된 페이즈로 튜닝하도록 사용된다. 코일 반전 회로 (15) 는 하나 이상의 코일들 (16) 을 통해 전류의 극성을 선택적으로 스위칭하도록 사용된다.
일부 예들에서, 가스 플레넘 (20) 은 코일들 (16) 과 유전체 윈도우 (24) 사이에 배치될 수도 있다. 유전체 윈도우 (24) 는 프로세싱 챔버 (28) 의 일 측면을 따라 배치된다. 프로세싱 챔버 (28) 는 기판 지지부 (32) 를 더 포함한다. 기판 지지부 (32) 는 정전 척, 기계 척 또는 다른 타입의 척을 포함할 수도 있다. 프로세스 가스는 프로세싱 챔버 (28) 에 공급되고 그리고 플라즈마 (40) 는 프로세싱 챔버 (28) 의 내부에서 생성된다. 플라즈마 (40) 는 기판 (34) 의 노출된 표면을 에칭한다. RF 소스 (50) 및 바이어스 매칭 회로 (52) 는 동작 동안 기판 지지부 (32) 를 바이어싱하도록 사용될 수도 있다.
가스 전달 시스템 (56) 은 프로세스 가스 혼합물을 프로세싱 챔버 (28) 로 공급하도록 사용될 수도 있다. 가스 전달 시스템 (56) 은 프로세스 및 불활성 가스 소스들 (57), 밸브들과 질량 유량 제어기들과 같은 가스 계량 시스템 (58), 및 매니폴드 (59) 를 포함할 수도 있다. 가스 전달 시스템 (60) 은 가스 (62) 를 밸브 (61) 를 통해 가스 플레넘 (20) 으로 전달하도록 사용될 수도 있다. 가스는 코일들 (16) 및 유전체 윈도우 (24) 를 냉각하도록 사용되는 냉각 가스를 포함할 수도 있다. 히터 (64) 는 기판 지지부 (32) 를 미리 결정된 온도로 가열하도록 사용될 수도 있다. 배기 시스템 (65) 은 퍼지 또는 배기에 의해 프로세싱 챔버 (28) 로부터 반응물질들을 제거하도록 밸브 (66) 및 펌프 (67) 를 포함한다.
제어기 (54) 는 에칭 프로세스를 제어하도록 사용될 수도 있다. 제어기 (54) 는 시스템 파라미터들을 모니터링하고 그리고 가스 혼합물의 전달, 플라즈마의 스트라이킹 (striking), 유지 그리고 소화, 반응물질들의 제거, 냉각 가스의 공급, 등을 제어한다.
이제 도 2를 참조하면, 코일 (16) 의 예가 도시된다. 코일 (16) 은 내측 코일 (80) 및 외측 코일 (82) 을 포함할 수도 있다. 내측 코일 (80) 은 입력 단부 (In1) 와 출력 단부 (Out1) 를 가진 제 1 컨덕터 (80-1) 및 입력 단부 (In2) 및 출력 단부 (Out2) 를 가진 제 2 컨덕터 (80-2) 를 포함한다. 제 1 컨덕터 (80-1) 및 제 2 컨덕터 (80-2) 는 일반적으로 서로 인접한 원형 또는 고리형 경로로 권취된다. 외측 코일 (82) 은 입력 단부 (In3) 와 출력 단부 (Out3) 를 가진 제 1 컨덕터 (82-1) 및 입력 단부 (In4) 및 출력 단부 (Out4) 를 가진 제 2 컨덕터 (82-2) 를 포함한다. 제 1 컨덕터 (82-1) 및 제 2 컨덕터 (82-2) 는 일반적으로 서로 인접한 원형 또는 고리형 경로로 권취된다.
일부 예들에서, 튜닝 회로 (13) 가 제 1 코일 및 제 2 코일 (16) 에 연결되는 변압기-결합된 용량성 튜닝 회로 (TCCT: transformer-coupled capacitive tuning circuit) 를 포함할 수도 있지만, 다른 타입들의 튜닝 회로들이 사용될 수 있다. TCCT 회로는 통상적으로 하나 이상의 고정되거나 가변적인 커패시터들을 포함한다. TCCT 회로의 예는 전체가 참조로서 본 명세서에 인용되는, Long 등의 공동으로 양도된 미국 공개 제 2013/0135058 호에 도시되고 기술된다.
이제 도 3을 참조하면, 코일 반전 회로 (15) 는 H-브리지 회로를 포함하도록 도시된다. 튜닝 회로 (13) 는 TCCT 입력 회로 (102) 및 TCCT 출력 회로 (104) 를 포함하도록 도시된다. 코일들 (16) 중 적어도 일부는 TCCT 입력 회로 (102) 와 TCCT 출력 회로 (104) 사이의 코일 반전 회로 (15) 에 연결된다. 단지 예를 들면, 코일 반전 회로 (15) 는 H-브리지 회로 (110) 를 포함할 수도 있다. H 브리지 회로 (110) 는 TCCT 입력 회로 (102), 내측 코일 (80) 의 제 1 컨덕터 (80-1) 와 TCCT 출력 회로 (104) 사이 그리고 TCCT 입력 회로 (102), 내측 코일 (80) 의 제 2 컨덕터 (80-2) 와 TCCT 출력 회로 (104) 사이에 연결된다.
도 3에서 내측 코일 (80) 에 연결된 코일 반전 회로 (15) 가 도시되지만, 코일 반전 회로 (15) 는 외측 코일 (82) 에 선택 가능하게 연결될 수도 있거나 (반전 선택이 내측 코일 (80) 과 외측 코일 (82) 사이에서 행해질 수 있도록) 내측 코일 (80) 과 외측 코일 (82) 양자에 연결될 수도 있다. 이하에 더 기술될 바와 같이, 코일 반전 회로 (15) 는 내측 코일 (80) 의 컨덕터들 (80-1 및 80-2) 을 통해 흐르는 전류의 극성을 선택적으로 스위칭한다.
이제 도 4a 및 도 4b를 참조하면, H-브리지 회로 (110) 는 계전기들 (120-1 및 120-2) 을 포함한다. 이해될 수 있는 바와 같이, 내측 코일 (80) 의 컨덕터들 중 하나 (80-1) 를 통한 전류 반전이 도시된다. 유사한 방법이 다른 코일들의 다른 컨덕터들을 통해 흐르는 전류를 반전시키도록 사용될 수 있다.
도 4a에, 입력 단부 (In1) 로부터 출력 단부 (Out1) 로 제 1 방향으로 컨덕터 (80-1) 를 통해 전류를 흘리도록 제 1 상태에 있는 계전기들 (120-1 및 120-2) 이 도시된다. 도 4b에, 출력 단부 (Out1) 로부터 입력 단부 (In1) 로 제 2 방향으로 컨덕터 (80-1) 를 통해 전류를 흘리도록 제 2 상태에 있는 계전기들 (120-1 및 120-2) 이 도시된다. 고-전압, 고-전류 단극, 쌍투 계전기들이 도시되지만, 고-전압, 고-전류 쌍극, 쌍투 계전기가 사용될 수도 있다.
이제 도 5a 및 도 5b를 참조하면, H-브리지 회로 (110) 는 회전 스위치 (130) 를 포함한다. 도 5a에, 입력 단부 (In1) 로부터 출력 단부 (Out1) 로 제 1 방향으로 컨덕터 (80-1) 를 통해 전류를 흘리도록 제 1 상태에 있는 회전 스위치 (130) 가 도시된다. 도 5b에, 출력 단부 (Out1) 로부터 입력 단부 (In1) 로 제 2 방향으로 컨덕터 (80-1) 를 통해 전류를 흘리도록 제 2 상태에 있는 회전 스위치 (130) 가 도시된다. 일부 예들에서, 회전 스위치 (130) 는 고 전압 및 고 전류를 견딜 수 있는 2 극, 2 위치 회전 스위치를 포함한다.
이제 도 6a 및 도 6b를 참조하면, H-브리지 회로 (110) 는 스위치들 (SW1, SW2, SW3, 및 SW4) 을 포함한다. 도 6a에서, 입력 단부 (In1) 로부터 출력 단부 (Out1) 로 제 1 방향으로 컨덕터 (80-1) 를 통해 전류를 흘리도록, 스위치들 (SW1 및 SW4) 은 폐쇄된 상태에 있고 스위치들 (SW2 및 SW3) 은 개방된 상태에 있다. 도 6b에서, 출력 단부 (Out1) 로부터 입력 단부 (In1) 로 제 2 방향으로 컨덕터 (80-1) 를 통해 전류를 흘리도록, 스위치들 (SW1 및 SW4) 은 개방된 상태에 있고 스위치들 (SW2 및 SW3) 은 폐쇄된 상태에 있다. 제어기 (140) 는 스위치들 (SW1, SW2, SW3, 및 SW4) 의 상태들을 제어하도록 사용될 수도 있다.
스위치들 (SW1, SW2, SW3, 및 SW4) 의 예들은 고 전압, 고 전류 PIN 다이오드 스위치들 및 고 전압, 고 전류 FET들을 포함한다.
이제 도 7a 및 도 7b를 참조하면, H-브리지 회로 (110) 는 모터 드라이버 (150), 기어들 (152-1, 152-2, 152-3 및 152-4) (총체적으로 기어들 (152)) 및 가변 진공 커패시터들 (VVC: variable vacuum capacitors) (160-1, 160-2, 160-3, 및 160-4) 을 포함한다. 도 7a에서, 입력 단부 (In1) 로부터 출력 단부 (Out1) 로 제 1 방향으로 컨덕터 (80-1) 를 통해 전류를 흘리도록, 모터 드라이버 (150) 는 VVC (160-1 및 160-4) 를 기어들 (152-1 및 152-4) 을 사용하여 저 임피던스 상태로 구동하고 그리고 VVC (160-2 및 160-3) 를 기어들 (152-2 및 152-3) 을 사용하여 고 임피던스 상태로 구동한다. 도 7b에서, 출력 단부 (Out1) 로부터 입력 단부 (In1) 로 제 2 방향으로 컨덕터 (80-1) 를 통해 전류를 흘리도록, 모터 드라이버 (150) 는 VVC (160-1 및 160-4) 를 기어들 (152-1 및 152-4) 을 사용하여 고 임피던스 상태로 구동하고 그리고 VVC (160-2 및 160-3) 를 기어들 (152-2 및 152-3) 을 사용하여 저 임피던스 상태로 구동한다.
이 예에서, 2개의 VVC들이 최소 커패시턴스로 구동되는 반면 다른 2개의 VVC들이 최대 커패시턴스로 구동되도록 기어 장치로 동일한 모터 드라이버 (150) (또는 2개 이상의 모터 드라이버들) 에 링킹될 (linked) 수 있다. 이 방식으로 VVC들을 사용하는 것은 저 임피던스로부터 고 임피던스로의 스위치 엘리먼트의 변화와 닮았고 정상적인 계전기 동작과 비슷하다.
이제 도 8a 내지 도 8d를 참조하면, H-브리지 회로 (110) 는 제어기 (180) 및 가변 임피던스 회로들 (190-1, 190-2, 190-3 및 190-4) (총체적으로 가변 임피던스 회로들 (190)) 을 포함한다. 도 8a에서, 입력 단부 (In1) 로부터 출력 단부 (Out1) 로 제 1 방향으로 컨덕터 (80-1) 를 통해 전류를 흘리도록, 제어기 (180) 는 가변 임피던스 회로들 (190-1 및 190-4) 을 저 임피던스 상태로 그리고 가변 임피던스 회로들 (190-2 및 190-3) 을 고 임피던스 상태로 설정한다. 도 8b에서, 출력 단부 (Out1) 로부터 입력 단부 (In1) 로 제 2 방향으로 컨덕터 (80-1) 를 통해 전류를 흘리도록, 제어기 (180) 는 가변 임피던스 회로들 (190-1 및 190-4) 을 고 임피던스 상태로 그리고 가변 임피던스 회로들 (190-2 및 190-3) 을 저 임피던스 상태로 설정한다.
도 8c에서, 가변 임피던스 회로 (190) 의 예는 가변적인 커패시터 (Cv) 를 포함한다. 도 8d에서, 가변 임피던스 회로 (190) 의 예는 제 2 가변적인 커패시터 (Cv2) 와 인덕터 (L1) 의 병렬적 조합과 직렬로 제 1 가변적인 커패시터 (Cv1) 를 포함한다. 일부 예들에서, 가변 임피던스 회로들 (190) 은 거의 0 Ω으로부터 약 103 Ω인 매우 큰 임피던스들로 가변한다.
동작 동안, 모터 드라이버 또는 제어기는 코일들 양자를 통해 동일한 방향으로 전류를 구동하는 것 또는 코일들 중 하나의 코일을 통해 전류의 방향을 반전시키는 것 사이에서 스위칭될 수 있다.
계전기들 및 회전 스위치들은 H-브리지 회로들의 기계적 스위치 구현예들을 제공한다. 이들 구현예들은 RF 전력으로 하여금 계전기들 및 회전 스위치들의 스위치 콘택트부들에서 아크 (arcing) 를 회피하도록 스위치 동작 전에 턴 오프될 (turned off) 것을 요구할 수도 있다. 본 명세서에 기술된 나머지 H-브리지 구현예들은 RF 전력이 공급되는 동안 동작을 스위칭하게 하도록 융통성이 있다.
전술한 기술은 단순히 특성을 예시하는 것이고 어떠한 방식으로도 본 개시, 이의 애플리케이션, 또는 용도를 제한하도록 의도되지 않는다. 본 개시의 광범위한 교시들은 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시는 특별한 예들을 포함하지만, 본 개시의 진정한 범위는 다른 수정들이 도면들, 명세서, 및 이하의 청구항들을 연구함으로써 명백해질 것이기 때문에 그렇게 제한되지 않아야 한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 구 A, B, 및 C 중 적어도 하나는 비배타적인 논리 OR를 사용하여, 논리적으로 (A 또는 B 또는 C) 를 의미하는 것으로 해석되어야 하고, "적어도 하나의 A, 적어도 하나의 B, 및 적어도 하나의 C"를 의미하도록 해석되지 않아야 한다. 방법 내에서 하나 이상의 단계들은 본 개시의 원리를 변경하지 않고 다른 순서로 (또는 동시에) 실행될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다.
일부 구현예들에서, 제어기는 상술한 실례들의 일부일 수 있는 시스템의 일부이다. 이러한 시스템들은, 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱용 플랫폼 또는 플랫폼들, 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (웨이퍼 페데스탈, 가스 플로우 시스템, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함할 수 있다. 이러한 시스템들은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 이전에, 프로세싱 동안에 그리고 프로세싱 이후에 그들의 동작을 제어하기 위한 전자장치에 통합될 수도 있다. 전자장치는 시스템 또는 시스템들의 다양한 컴포넌트들 또는 하위부품들을 제어할 수도 있는 "제어기"로서 지칭될 수도 있다. 제어기는, 시스템의 프로세싱 요건들 및/또는 타입에 따라서, 예를 들어서 프로세싱 가스들의 전달, 온도 설정사항들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정사항들, 진공 설정사항들, 전력 설정사항들, 무선 주파수 (RF) 생성기 설정사항들, RF 매칭 회로 설정사항들, 주파수 설정사항들, 플로우 레이트 설정사항들, 유체 전달 설정사항들, 위치 및 동작 설정사항들, 툴들 및 다른 전달 툴들 및/또는 특정 시스템과 연결되거나 인터페이싱된 로드록들 내외로의 웨이퍼 전달들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 프로세스들 중 임의의 프로세스를 제어하도록 프로그램될 수도 있다.
일반적으로 말하면, 제어기는 인스트럭션들을 수신하고 인스트럭션들을 발행하고 동작을 제어하고 세정 동작들을 인에이블하고, 엔드포인트 측정들을 인에이블하는 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리, 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자장치로서 규정될 수도 있다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (DSP), ASIC (application specific integrated circuit) 으로서 규정되는 칩들 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 실행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기로 또는 시스템으로 전달되는 인스트럭션들일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 산화물들, 실리콘, 이산화 실리콘, 표면들, 회로들, 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어에 의해서 규정된 레시피의 일부일 수도 있다.
제어기는, 일부 구현예들에서, 시스템에 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 이와 달리 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합으로 되는 컴퓨터에 커플링되거나 이의 일부일 수도 있다. 예를 들어서, 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 원격 액세스를 가능하게 할 수 있는 공장 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 "클라우드" 내에 있을 수도 있다. 컴퓨터는 제조 동작들의 현 진행을 모니터링하고, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하고, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 계측치들을 조사하고, 현 프로세싱의 파라미터들을 변경하고, 현 프로세싱을 따르는 프로세싱 단계들을 설정하고, 또는 새로운 프로세스를 시작하기 위해서 시스템으로의 원격 액세스를 인에이블할 수도 있다. 일부 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 는 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함할 수도 있는 네트워크를 통해서 프로세스 레시피들을 시스템에 제공할 수 있다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정사항들의 입력 또는 프로그래밍을 가능하게 하는 사용자 인터페이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기는 하나 이상의 동작들 동안에 수행될 프로세스 단계들 각각에 대한 파라미터들을 특정한, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 이 파라미터들은 제어기가 제어하거나 인터페이싱하도록 구성된 툴의 타입 및 수행될 프로세스의 타입에 특정적일 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 상술한 바와 같이, 제어기는 예를 들어서 서로 네트워킹되어서 함께 공통 목적을 위해서, 예를 들어서 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들을 위해서 협력하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산될 수도 있다. 이러한 목적을 위한 분산형 제어기의 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 조합되는, (예를 들어서, 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 원격으로 위치한 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들일 수 있다.
비한정적으로, 예시적인 시스템들은 플라즈마 에칭 챔버 또는 모듈, 증착 챔버 또는 모듈, 스핀-린스 챔버 또는 모듈, 금속 도금 챔버 또는 모듈, 세정 챔버 또는 모듈, 베벨 에지 에칭 챔버 또는 모듈, PVD (physical vapor deposition) 챔버 또는 모듈, CVD (chemical vapor deposition) 챔버 또는 모듈, ALD (atomic layer deposition) 챔버 또는 모듈, ALE (atomic layer etch) 챔버 또는 모듈, 이온 주입 챔버 또는 모듈, 트랙 (track) 챔버 또는 모듈, 및 반도체 웨이퍼들의 제조 및/또는 제작 시에 사용되거나 연관될 수도 있는 임의의 다른 반도체 프로세싱 시스템들을 포함할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 툴에 의해서 수행될 프로세스 단계 또는 단계들에 따라서, 제어기는, 반도체 제조 공장 내의 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로부터/로 웨이퍼들의 컨테이너들을 이동시키는 재료 이송 시에 사용되는, 다른 툴 회로들 또는 모듈들, 다른 툴 컴포넌트들, 클러스터 툴들, 다른 툴 인터페이스들, 인접 툴들, 이웃하는 툴들, 공장 도처에 위치한 툴들, 메인 컴퓨터, 다른 제어기 또는 툴들 중 하나 이상과 통신할 수도 있다.

Claims (18)

  1. 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴에 있어서,
    기판 지지부를 포함한 프로세싱 챔버;
    상기 프로세싱 챔버의 외부에 배치된 제 1 코일 및 제 2 코일로서,
    상기 제 1 코일 및 상기 제 2 코일 각각은 제 1 컨덕터 및 제 2 컨덕터를 포함하고,
    (i) 상기 제 1 코일의 상기 제 1 컨덕터는 상기 제 1 코일의 상기 제 2 컨덕터와 함께 감기고 (interwind), 그리고
    (ii) 상기 제 2 코일의 상기 제 1 컨덕터는 상기 제 2 코일의 상기 제 2 컨덕터와 함께 감기는, 상기 제 1 코일 및 상기 제 2 코일;
    상기 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마를 생성하도록 상기 코일들을 통해 전류를 구동하기 위한 코일 구동 회로; 및
    상기 제 1 코일의 상기 제 1 컨덕터 및 상기 제 2 컨덕터를 통해 흐른 전류의 극성을 선택적으로 반전시키도록 구성된 코일 반전 회로로서,
    상기 코일 반전 회로는 H-브리지 회로를 포함하고, 그리고
    상기 제 1 코일의 상기 제 1 컨덕터 및 상기 제 2 컨덕터는 상기 H-브리지 회로에 병렬로 연결되는, 상기 코일 반전 회로를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 H-브리지 회로는 쌍극, 쌍투 (double-throw) 계전기를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 H-브리지 회로는 제 1 단극, 쌍투 계전기 및 제 2 단극, 쌍투 계전기를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 H-브리지 회로는,
    제 1 스위치, 제 2 스위치, 제 3 스위치 및 제 4 스위치; 및
    상기 제 1 스위치, 상기 제 2 스위치, 상기 제 3 스위치 및 상기 제 4 스위치의 상태들을 선택적으로 스위칭하도록 (switch) 구성된 제어기를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치, 상기 제 2 스위치, 상기 제 3 스위치 및 상기 제 4 스위치는 FET들 (field effect transistors) 을 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치, 상기 제 2 스위치, 상기 제 3 스위치 및 상기 제 4 스위치는 PIN 다이오드들을 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 H-브리지 회로는 회전 스위치를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 H-브리지 회로는,
    제 1 가변 진공 커패시터, 제 2 가변 진공 커패시터, 제 3 가변 진공 커패시터 및 제 4 가변 진공 커패시터; 및
    상기 제 1 가변 진공 커패시터, 상기 제 2 가변 진공 커패시터, 상기 제 3 가변 진공 커패시터 및 상기 제 4 가변 진공 커패시터의 임피던스를 선택적으로 조정하기 위해 기어들을 구동하도록 구성된 모터 드라이버를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 H-브리지 회로는,
    제 1 가변 임피던스 회로, 제 2 가변 임피던스 회로, 제 3 가변 임피던스 회로 및 제 4 가변 임피던스 회로; 및
    상기 제 1 가변 임피던스 회로, 상기 제 2 가변 임피던스 회로, 상기 제 3 가변 임피던스 회로 및 상기 제 4 가변 임피던스 회로의 임피던스를 선택적으로 조정하도록 구성된 제어기를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 가변 임피던스 회로, 상기 제 2 가변 임피던스 회로, 상기 제 3 가변 임피던스 회로 및 상기 제 4 가변 임피던스 회로는 가변적인 커패시턴스를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 가변 임피던스 회로, 상기 제 2 가변 임피던스 회로, 상기 제 3 가변 임피던스 회로 및 상기 제 4 가변 임피던스 회로는 제 2 가변적인 커패시턴스와 인덕턴스의 병렬적 조합과 직렬로 제 1 가변적인 커패시턴스를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 코일 구동 회로는,
    RF 소스; 및
    상기 RF 소스, 상기 코일 반전 회로 및 상기 제 2 코일과 통신하는 튜닝 회로를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 튜닝 회로는 변압기 용량 결합된 튜닝 회로를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 코일은 상기 제 2 코일의 내부에 배치되는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 코일은 상기 제 2 코일의 외부에 배치되는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 코일의 상기 제 1 컨덕터와 상기 제 2 컨덕터 및 상기 H-브리지 회로는 튜닝 회로에 병렬로 연결되는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 코일의 상기 제 1 컨덕터 및 상기 제 2 컨덕터의 입력 단부들은 상기 제 1 코일의 상기 제 1 컨덕터 및 상기 제 2 컨덕터의 출력 단부들로부터 방사상으로 내측으로 위치되고,
    상기 제 2 코일의 상기 제 1 컨덕터 및 상기 제 2 컨덕터의 입력 단부들은 상기 제 1 코일의 상기 제 1 컨덕터 및 상기 제 2 컨덕터의 상기 출력 단부들로부터 방사상으로 외측으로 위치되고, 그리고
    상기 제 2 코일의 상기 제 1 컨덕터 및 상기 제 2 컨덕터의 상기 입력 단부들은 상기 제 2 코일의 상기 제 1 컨덕터 및 상기 제 2 컨덕터의 출력 단부들로부터 방사상으로 내측으로 위치되는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 코일의 상기 제 1 컨덕터 및 상기 제 2 컨덕터는 상기 제 2 코일의 상기 제 1 컨덕터 및 상기 제 2 컨덕터의 방사상으로 내측으로 배치되는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 툴.
KR1020160034612A 2015-03-30 2016-03-23 복수의 출력부 rf 매칭 네트워크의 일 출력부에서 rf 전류 극성을 반전시키기 위한 시스템들 및 방법들 KR102537056B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/673,174 US10332725B2 (en) 2015-03-30 2015-03-30 Systems and methods for reversing RF current polarity at one output of a multiple output RF matching network
US14/673,174 2015-03-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160117213A KR20160117213A (ko) 2016-10-10
KR102537056B1 true KR102537056B1 (ko) 2023-05-25

Family

ID=57017019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160034612A KR102537056B1 (ko) 2015-03-30 2016-03-23 복수의 출력부 rf 매칭 네트워크의 일 출력부에서 rf 전류 극성을 반전시키기 위한 시스템들 및 방법들

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10332725B2 (ko)
KR (1) KR102537056B1 (ko)
TW (1) TWI719964B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180233321A1 (en) * 2017-02-16 2018-08-16 Lam Research Corporation Ion directionality esc
US10734195B2 (en) 2017-06-08 2020-08-04 Lam Research Corporation Systems and methods for transformer coupled plasma pulsing with transformer coupled capacitive tuning switching
US11521828B2 (en) 2017-10-09 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source
US11538666B2 (en) * 2017-11-15 2022-12-27 Lam Research Corporation Multi-zone cooling of plasma heated window
US20190214236A1 (en) * 2018-01-10 2019-07-11 Lam Research Corporation Tunable esc for rapid alternating process applications
US10515781B1 (en) 2018-06-13 2019-12-24 Lam Research Corporation Direct drive RF circuit for substrate processing systems
US10504744B1 (en) * 2018-07-19 2019-12-10 Lam Research Corporation Three or more states for achieving high aspect ratio dielectric etch

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050183668A1 (en) 2004-02-25 2005-08-25 Jusung Engineering Co., Ltd. Plasma antenna
JP2008521351A (ja) * 2004-11-22 2008-06-19 センサーマティック・エレクトロニクス・コーポレーション Ｅａｓタグを活性化／非活性化するためのｈブリッジ活性化／非活性化装置及び方法
US20090294063A1 (en) 2001-05-18 2009-12-03 Ulvac Inc. Plasma processing apparatus

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5401350A (en) 1993-03-08 1995-03-28 Lsi Logic Corporation Coil configurations for improved uniformity in inductively coupled plasma systems
US5589737A (en) 1994-12-06 1996-12-31 Lam Research Corporation Plasma processor for large workpieces
JPH08288260A (ja) * 1995-04-18 1996-11-01 Sony Corp ヘリコン波プラズマ・アッシング方法
US5907221A (en) * 1995-08-16 1999-05-25 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops
US6264812B1 (en) * 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
DE19651811B4 (de) * 1996-12-13 2006-08-31 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten
US6153990A (en) * 1997-02-27 2000-11-28 Siemens Electromechnical Components, Inc. Relay circuit for high-voltage operation of a bi-directional DC motor
US6028395A (en) * 1997-09-16 2000-02-22 Lam Research Corporation Vacuum plasma processor having coil with added conducting segments to its peripheral part
KR100338057B1 (ko) * 1999-08-26 2002-05-24 황 철 주 유도 결합형 플라즈마 발생용 안테나 장치
US6652712B2 (en) * 2001-12-19 2003-11-25 Applied Materials, Inc Inductive antenna for a plasma reactor producing reduced fluorine dissociation
US20050016456A1 (en) * 2002-02-20 2005-01-27 Noriyuki Taguchi Plasma processing device and plasma processing method
KR100513163B1 (ko) * 2003-06-18 2005-09-08 삼성전자주식회사 Ｉｃｐ 안테나 및 이를 사용하는 플라즈마 발생장치
US20090000738A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Neil Benjamin Arrays of inductive elements for minimizing radial non-uniformity in plasma
KR101384583B1 (ko) * 2007-08-02 2014-04-14 최대규 다중 무선 주파수 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마반응기
CN201499116U (zh) * 2009-05-26 2010-06-02 潘亚君 一种高电压直流电机的电子控制装置
US20110094994A1 (en) * 2009-10-26 2011-04-28 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma apparatus
US9059678B2 (en) 2011-04-28 2015-06-16 Lam Research Corporation TCCT match circuit for plasma etch chambers
US8933628B2 (en) 2011-10-28 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with phase control
US10271416B2 (en) * 2011-10-28 2019-04-23 Applied Materials, Inc. High efficiency triple-coil inductively coupled plasma source with phase control
JP6289860B2 (ja) * 2012-10-23 2018-03-07 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ プラズマエッチングチャンバ用のｔｃｃｔマッチング回路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090294063A1 (en) 2001-05-18 2009-12-03 Ulvac Inc. Plasma processing apparatus
US20050183668A1 (en) 2004-02-25 2005-08-25 Jusung Engineering Co., Ltd. Plasma antenna
JP2008521351A (ja) * 2004-11-22 2008-06-19 センサーマティック・エレクトロニクス・コーポレーション Ｅａｓタグを活性化／非活性化するためのｈブリッジ活性化／非活性化装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160117213A (ko) 2016-10-10
US20160293382A1 (en) 2016-10-06
TWI719964B (zh) 2021-03-01
US10332725B2 (en) 2019-06-25
TW201701732A (zh) 2017-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102537056B1 (ko) 복수의 출력부 rf 매칭 네트워크의 일 출력부에서 rf 전류 극성을 반전시키기 위한 시스템들 및 방법들
CN106960776B (zh) 用于蚀刻室的快速阻抗切换的变压器耦合电容性调谐电路
JP2022028796A (ja) ギャップ充填時の蒸着およびエッチングのための装置および方法
US10847345B2 (en) Direct drive RF circuit for substrate processing systems
CN110709961B (zh) 用变压器耦合电容调谐开关进行变压器耦合等离子体脉冲的系统和方法
US20210327689A1 (en) Metal contamination reduction in substrate processing systems with transformer coupled plasma
US20200411297A1 (en) Substrate processing system including coil with rf powered faraday shield
KR20210149894A (ko) 듀얼 주파수, 직접 구동 유도 결합 플라즈마 소스
US11728137B2 (en) Direct frequency tuning for matchless plasma source in substrate processing systems
US20220367229A1 (en) Power source isolation circuits for heater elements of substrate supports of substrate processing systems
US20220172933A1 (en) Early warning systems and methods for determining capacitor failures
KR20160100843A (ko) 타이트한 공간들에서 실리콘을 등방성으로 에칭하기 위한 잔여물이 없는 시스템들 및 방법들

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant