KR102524489B1 - 일체형 전자 소자 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 claims abstract description 21
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H01L31/047—PV cell arrays including PV cells having multiple vertical junctions or multiple V-groove junctions formed in a semiconductor substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
- H02S40/30—Electrical components
- H02S40/38—Energy storage means, e.g. batteries, structurally associated with PV modules
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E70/00—Other energy conversion or management systems reducing GHG emissions
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 일체형 전자 소자를 개시한다. 그의 소자는 기판과, 상기 기판의 일측 상에 배치되고, 전기 에너지를 생성하는 에너지 생성부와, 상기 기판의 타측 아래에 배치되고, 상기 전기 에너지를 저장하는 에너지 저장부와, 상기 에너지 생성부에 인접하는 상기 기판의 타측 상에 배치되는 에너지 처리부를 포함한다. 여기서, 상기 기판은 상기 에너지 생성부를 상기 에너지 저장부에 연결하고, 상기 에너지 저장부를 상기 에너지 처리부에 연결하는 비아 전극들을 가질 수 있다.
Description
본 발명은 일체형 전자 소자에 관한 것이다.
일반적으로 태양전지는 태양광을 흡수하여 전기에너지를 생성하는 장치이다. 태양전지는 대부분 대면적화 하여 생산 효율을 증가시키는 추세에 있다. 그럼에도 불구하고, 웨어러블 소자의 경우 소형화 및/또는 접적화된 태양전지를 요구하고 있는 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 에너지 생성부, 에너지 저장부 및 에너지 처리부 사이의 최단거리를 갖는 일체형 전자 소자를 제공하는 데 있다.
본 발명은 일체형 전자 소자를 개시한다. 그의 소자는 기판; 상기 기판의 일측 상에 배치되고, 전기 에너지를 생성하는 에너지 생성부; 상기 기판의 타측 아래에 배치되고, 상기 전기 에너지를 저장하는 에너지 저장부; 및 상기 에너지 생성부에 인접하는 상기 기판의 타측 상에 배치되는 에너지 처리부를 포함한다. 여기서, 상기 기판은 상기 에너지 생성부를 상기 에너지 저장부에 연결하고, 상기 에너지 저장부를 상기 에너지 처리부에 연결하는 비아 전극들을 가질 수 있다.
본 발명의 개념에 따른 일체형 전자 소자는 기판 내의 비어 전극들을 이용하여 에너지 생성부, 에너지 저장부 및 에너지 처리부를 최단 거리로 연결할 수 있다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 일체형 전자 소자를 보여주는 단면도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 일체형 전자 소자의 제조방법을 보여주는 공정 단면도들이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 일체형 전자 소자의 제조방법을 보여주는 공정 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당 업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 장치는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 일체형 전자 소자(100)를 보여준다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일체형 전자 소자(100)는 기판(10), 에너지 생성부(20), 에너지 저장부(30) 및 에너지 처리부(40)를 포함할 수 있다.
상기 기판(10)은 글래스의 투명 기판 또는 플라스틱의 유연 기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(10)은 상기 에너지 생성부(20)와 상기 에너지 저장부(30) 사이에 배치될 수 있다. 상기 기판(10)은 비아 전극들(12)을 가질 수 있다. 상기 비아 전극들(12)은 상기 기판(10) 내에 배치되고, 상기 기판(10)을 관통할 수 있다. 상기 비아 전극들(12)은 상기 에너지 생성부(20), 상기 에너지 저장부(30) 및 상기 에너지 처리부(40)를 최단거리로 연결할 수 있다. 상기 비아 전극들(12)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 또는 텅스텐(W)을 포함할 수 있다.
상기 에너지 생성부(20)는 상기 기판(10)의 일측 상에 배치될 수 있다. 상기 에너지 생성부(20)는 화합물 반도체 태양전지, 실리콘 태양전지, 또는 염료형 태양전지를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 에너지 생성부(20)는 제 1 상부 전극(22), 광 흡수 층(24), 및 제 1 하부 전극(26)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 하부 전극(26)은 상기 기판(10)의 일측 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 하부 전극(26)은 도전성 금속을 포함할 수 있다. 상기 광 흡수 층(24)은 상기 제 1 하부 전극(26) 상에 배치될 수 있다. 상기 광 흡수 층(24)은 CIGS 화합물 반도체, 실리콘, 또는 염료를 포함할 수 있다. 상기 제 1 상부 전극(22)은 상기 광 흡수 층(24) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 상부 전극(22)은 접지단으로 연결될 수 있다. 상기 상부 전극(22)은 투명 금속 산화물(ex, ITO, ZnO, TiO)을 포함할 수 있다. 태양광(미도시)이 상기 제 1 상부 전극(22)으로 제공되면, 상기 광 흡수 층(24)은 상기 태양광을 흡수하여 상기 제 1 상부 전극(22)과 상기 제 1 하부 전극(26) 사이의 전류를 생성할 수 있다. 따라서, 상기 에너지 생성부(20)는 태양광으로부터 전기 에너지를 생성할 수 있다.
상기 에너지 저장부(30)는 상기 기판(10)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 에너지 저장부(30)는 리튬이온 전지 또는 축전지를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 에너지 저장부(30)는 제 2 상부 전극(32), 정전 용량 층(34), 제 2 하부 전극(36) 및 봉지 층(38)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 상부 전극(32)은 상기 기판(10)의 하부면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 상부 전극(32)은 상기 비아 전극들(12)을 통해 상기 제 1 하부 전극(26)에 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 2 상부 전극(32)은 상기 비아 전극들(12)에 의해 상기 에너지 처리부(40)에 연결될 수 있다. 상기 정전 용량 층(34)은 상기 제 2 상부 전극(32) 아래에 배치될 수 있다. 상기 정전 용량 층(34)은 전해질 또는 리튬 이온 폴리머를 포함할 수 있다. 상기 제 2 하부 전극(36)은 상기 정전 용량 층(34) 아래에 배치될 수 있다. 즉, 상기 정전 용량 층(34)은 상기 제 2 상부 전극(32)과 상기 제 2 하부 전극(36) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제 2 하부 전극(36)은 접지단으로 연결될 수 있다. 상기 봉지 층(38)은 상기 제 2 상부 전극(32)과 상기 제 2 하부 전극(36) 사이에 배치되어 상기 정전 용량 층(34)을 봉지할 수 있다. 상기 제 1 하부 전극(26)과 상기 제 1 상부 전극(22) 사이에 전류가 생성되면, 상기 정전 용량 층(34)은 상기 제 2 상부 전극(32)과 상기 제 2 하부 전극(36) 사이의 정전 용량(capacitance)을 증가시킬 수 있다. 따라서, 상기 에너지 생성부(20)가 전기 에너지를 생성하면, 상기 에너지 저장부(30)는 상기 전기 에너지를 저장할 수 있다.
상기 에너지 처리부(40)는 상기 기판(10)의 타측 상에 배치될 수 있다. 상기 에너지 처리부(40)는 상기 비아 전극들(12)을 통해 상기 에너지 저장부(30)의 제 2 상부 전극(32)에 연결될 수 있다. 또한, 상기 에너지 처리부(40)는 접지단으로 연결될 수 상기 에너지 처리부(40)는 DC/DC 컨버터를 포함할 수 있다. 상기 에너지 처리부(40)는 제 1 및 제 2 단자들(42, 44)을 가질 수 있다. 상기 에너지 처리부(40)는 상기 제 1 및 제 2 단자들(42)을 통해 상기 전기 에너지를 외부로 출력할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 단자들(42, 44)은 양극 및 음극 단자들일 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 일체형 전자 소자(100)의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 일체형 전자 소자(100)의 제조방법을 보여주는 공정 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 기판(10) 내에 비아 전극들(12)을 형성한다. 상기 비아 전극들(12)은 식각 공정, 금속 증착 공정 및 연마 공정에 의해 상기 기판(10) 내에 형성될 수 있다. 상기 비아 전극들(12)은 상기 기판의 상부 면과 하부 면으로 노출될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 기판(10)의 일측 상에 에너지 생성부(20)를 형성한다. 상기 에너지 생성부(20)는 박막 증착 공정, 리소그래피 공정 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 하부 전극(26), 상기 광 흡수 층(24) 및 상기 제 1 상부 전극(22)은 상기 박막 증착 공정으로 상기 기판(10)의 전면에 적층될 수 있다. 상기 기판(10)의 타측 상의 상기 제 1 하부 전극(26), 상기 광 흡수 층(24) 및 상기 제 1 상부 전극(22)은 리소그래피 공정 및 식각 공정에 의해 제거될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 기판(10) 아래에 에너지 저장부(30)를 형성한다. 상기 에너지 저장부(30)는 금속 증착 공정, 도포 공정, 및 씰링 공정에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 상부 전극(32)은 금속 증착 공정에 의해 상기 기판(10)의 하부 면 상에 형성될 수 있다. 상기 정전 용량 층(34) 및 상기 제 2 하부 전극(36)은 도포 공정 및 씰링 공정에 의해 상기 제 2 상부 전극(32) 아래에 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 기판(10) 타측 상에 에너지 처리부(40)를 실장(mount)한다. 상기 에너지 처리부(40)는 플립 칩 본딩 방법 또는 와이어 본딩 방법으로 실장될 수 있다.
도 1을 참조하면, 상기 접지 단은 상기 제 1 상부 전극(22), 상기 제 2 하부 전극(36) 및 상기 에너지 처리부(40)에 연결될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 단자들(42, 44)은 상기 에너지 처리부(40)에 연결될 수 있다. 이와 달리, 상기 에너지 처리부(40)의 실장 전에 상기 제 1 및 제 2 단자들(42, 44)은 상기 에너지 처리부(40)에 연결될 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
Claims (10)
- 기판;
상기 기판의 상부면 상의 제 1 하부 전극과, 상기 제 1 하부 전극 상의 광 흡수 층, 및 상기 광 흡수 층 상의 제 1 상부 전극을 포함하는 에너지 생성부;
상기 제 1 하부 전극 외곽의 상기 기판의 상부면 가장자리 상에 배치되는 에너지 처리부;
상기 기판의 하부면 아래의 제 2 상부 전극과, 상기 제 2 상부 전극 아래의 정전 용량 층과, 상기 정전 용량 층 아래의 제 2 하부 전극을 포함하는 에너지 저장부; 및
상기 제 2 상부 전극의 상부면을 상기 제 1 하부 전극의 하부면에 노출하는 상기 기판 내의 관통 홀들 내에 제공되어 상기 기판을 관통하고, 상기 기판의 두께와 동일한 두께를 갖고, 상기 제 1 하부 전극을 상기 제 2 상부 전극에 최단거리로 연결하는 비아 전극들을 포함하는 일체형 전자 소자.
- 제 1 항에 있어서,
상기 에너지 생성부는 화합물 반도체 태양전지, 실리콘 태양전지, 또는 염료형 태양전지를 포함하는 일체형 전자 소자.
- 제 1 항에 있어서,
상기 에너지 저장부는 리튬이온 전지 또는 축전지를 포함하는 일체형 전자 소자.
- 제 1 항에 있어서,
상기 에너지 처리부는 DC/DC 컨버터를 포함하는 일체형 전자 소자.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 광 흡수 층은 CIGS 화합물 반도체, 실리콘, 또는 염료를 포함하는 일체형 전자 소자.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 상부 전극 및 상기 제 2 하부 전극은 접지되는 일체형 전자 소자.
- 제 1 항에 있어서,
상기 정전 용량 층은 전해질 또는 리튬 이온 폴리머를 포함하는 일체형 전자 소자.
- 제 1 항에 있어서,
상기 비아 전극들은 상기 에너지 생성부를 상기 에너지 저장부에 연결하는 일체형 전자 소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180032838A KR102524489B1 (ko) | 2018-03-21 | 2018-03-21 | 일체형 전자 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180032838A KR102524489B1 (ko) | 2018-03-21 | 2018-03-21 | 일체형 전자 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190110862A KR20190110862A (ko) | 2019-10-01 |
| KR102524489B1 true KR102524489B1 (ko) | 2023-04-24 |
Family
ID=68207947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180032838A KR102524489B1 (ko) | 2018-03-21 | 2018-03-21 | 일체형 전자 소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102524489B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102190099B1 (ko) * | 2019-04-30 | 2020-12-14 | 재단법인대구경북과학기술원 | 박막 태양전지 일체형 배터리 |
| KR102205826B1 (ko) * | 2019-08-13 | 2021-01-21 | 광주과학기술원 | 이차전지 일체형 무기 박막 태양전지 팩 및 이의 제조방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006040636A (ja) | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Geomatec Co Ltd | 薄膜固体リチウムイオン二次電池 |
| JP2011008976A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜複合電池 |
| JP2012124471A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気二重層キャパシタ、リチウムイオンキャパシタ、及び充電装置 |
| JP2012227305A (ja) | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Hitachi Ltd | 蓄電機能を有するコンデンサ一体型太陽電池 |
| JP2013535846A (ja) | 2010-08-18 | 2013-09-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 太陽電池及びバッテリの３ｄ統合 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006040636A (ja) | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Geomatec Co Ltd | 薄膜固体リチウムイオン二次電池 |
| JP2011008976A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜複合電池 |
| JP2013535846A (ja) | 2010-08-18 | 2013-09-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 太陽電池及びバッテリの３ｄ統合 |
| JP2012124471A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気二重層キャパシタ、リチウムイオンキャパシタ、及び充電装置 |
| JP2012227305A (ja) | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Hitachi Ltd | 蓄電機能を有するコンデンサ一体型太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190110862A (ko) | 2019-10-01 |
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