KR102514796B1 - Image sensor having hetero-junction structure according to monolithic integration and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

다양한 실시예들은 모놀리식 집적에 따른 이종 접합 구조의 이미지 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 회로 소자, 및 지지 기판 및 지지 기판 상에 적층된 활성층을 포함하는 광다이오드 소자를 준비하고, 지지 기판과 활성층이 반전되도록 회전시켜, 회로 소자 상에 활성층을 접합시키고, 활성층으로부터 지지 기판을 제거함으로써, 이미지 센서가 제조될 수 있다. Various embodiments relate to an image sensor of a heterojunction structure according to monolithic integration and a manufacturing method thereof, wherein a photodiode device including a circuit element, a support substrate, and an active layer stacked on the support substrate is prepared, and the support substrate An image sensor can be fabricated by bonding the active layer onto the circuit element by rotating it so that the and active layers are reversed, and removing the support substrate from the active layer.

Description

모놀리식 집적에 따른 이종 접합 구조의 이미지 센서 및 그의 제조 방법{IMAGE SENSOR HAVING HETERO-JUNCTION STRUCTURE ACCORDING TO MONOLITHIC INTEGRATION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Image sensor of heterojunction structure according to monolithic integration and manufacturing method thereof

다양한 실시예들은 모놀리식 집적에 따른 이종 접합 구조의 이미지 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. Various embodiments relate to an image sensor having a heterojunction structure according to monolithic integration and a manufacturing method thereof.

일반적으로 이미지 센서는 입사되는 광으로부터 이미지를 검출한다. 이 때 입사되는 광은 피사체 정보를 포함한다. 이에, 이미지 센서는 광대역의 파장에 대해 반응하도록 구현됨에 따라, 보다 많은 양의 피사체 정보를 획득할 것이다. 이에 따라, 가시광 영역으로부터 적외선 영역에 걸친 광대역의 파장에 대해 반응할 수 있는 이미지 센서에 대한 연구가 진행되고 있다. In general, an image sensor detects an image from incident light. At this time, the incident light includes subject information. Accordingly, as the image sensor is implemented to respond to a wide range of wavelengths, a larger amount of subject information will be obtained. Accordingly, research on an image sensor capable of responding to a broadband wavelength ranging from the visible light region to the infrared region is being conducted.

아울러, 이미지 센서의 필 팩터(fill factor; FF)는 각 픽셀에서의 전체 영역에 대한 실제 감광(light sensitive) 영역의 비율을 나타낸다. 필 팩터가 높을수록, 각 픽셀에 대한 신호대 잡음비(signal to noise ratio)는 높고, 이에 따라 이미지 센서의 성능은 향상될 수 있다. 이에 따라, 최대화된 필 팩터를 갖는 이미지 센서에 대한 연구도 진행되고 있다.In addition, a fill factor (FF) of an image sensor represents a ratio of an actual light sensitive area to a total area in each pixel. The higher the fill factor, the higher the signal to noise ratio of each pixel, and accordingly, the performance of the image sensor can be improved. Accordingly, research on an image sensor having a maximized fill factor is also being conducted.

다양한 실시예들은, 광대역의 파장에 대해 반응할 수 있는 이미지 센서 및 그의 제조 방법을 제공한다. Various embodiments provide an image sensor capable of responding to a broadband wavelength and a manufacturing method thereof.

다양한 실시예들은, 최대화된 필 팩터를 갖는 이미지 센서 및 그의 제조 방법을 제공한다. Various embodiments provide an image sensor having a maximized fill factor and a manufacturing method thereof.

다양한 실시예들은, 모놀리식 집적에 따른 이종 접합 구조의 이미지 센서 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.Various embodiments may provide an image sensor having a heterojunction structure based on monolithic integration and a manufacturing method thereof.

다양한 실시예들에 따른 이종 접합 구조의 이미지 센서는, 상호로부터 이격되어 배열되는 복수의 애노드들을 포함하는 회로 소자, 및 상기 애노드들에 각각 접합되고, 입사되는 광에 대한 전기 에너지를 각각 발생시키는 복수의 활성 엘리먼트들을 포함할 수 있다. An image sensor having a heterojunction structure according to various embodiments includes a circuit element including a plurality of anodes arranged spaced apart from each other, and a plurality of circuit elements each bonded to the anodes and each generating electric energy for incident light. of active elements.

다양한 실시예들에 따른 이종 접합 구조의 이미지 센서의 제조 방법은, 회로 소자, 및 지지 기판 및 상기 지지 기판 상에 적층된 활성층을 포함하는 광다이오드 소자를 준비하는 단계, 상기 지지 기판과 활성층이 반전되도록 회전시켜, 상기 회로 소자 상에 상기 활성층을 접합시키는 단계, 및 상기 활성층으로부터 상기 지지 기판을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. A method of manufacturing an image sensor having a heterojunction structure according to various embodiments includes preparing a photodiode device including a circuit element, a support substrate, and an active layer stacked on the support substrate, wherein the support substrate and the active layer are inverted. It may include bonding the active layer on the circuit element by rotating it as much as possible, and removing the support substrate from the active layer.

다양한 실시예들에 따르면, 이미지 센서는 모놀리식 집적 방식에 따라 이종 접합 구조로 구현될 수 있다. 구체적으로, 2D 구조의 활성 엘리먼트들이3D 구조의 회로 소자 상에 개별적으로 접합됨에 따라, 이종 접합 구조의 이미지 센서가 구현될 수 있다. 이로 인해, 복수의 물질층들이 적층되는 구조의 광다이오드 소자를 갖는 기존의 이미지 센서와 달리, 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서는 얇은 모노 레이어 수준의 활성 엘리먼트들을 이용하여, 가시광 영역으로부터 적외선 영역에 걸친 광대역의 파장에 대해 높은 광응답도를 획득할 수 있다. 아울러, 활성 엘리먼트들의 각각이 직접적으로 접촉 전극으로서의 역할도 하기 때문에, 활성 엘리먼트들이 픽셀 영역들을 각각 구현할 수 있다. 이에 따라, 활성 엘리먼트들의 각각이 직접적으로 접촉 전극으로서의 역할을 하면서 입사되는 광을 감지함에 따라, 이미지 센서의 필 팩터가 최대화될 수 있다. 게다가, 활성 엘리먼트들에 대한 미스얼라인(misalign) 가능성이 없으므로, 이미지 센서의 제조 수율이 증대될 수 있다.According to various embodiments, the image sensor may be implemented as a heterojunction structure according to a monolithic integration method. Specifically, as the active elements of the 2D structure are individually bonded to the circuit elements of the 3D structure, a heterojunction structure image sensor may be implemented. For this reason, unlike conventional image sensors having a photodiode structure in which a plurality of material layers are stacked, image sensors according to various embodiments use active elements at the level of a thin monolayer, from visible light to infrared light. A high optical response can be obtained for a wide band of wavelengths. In addition, since each of the active elements also directly serves as a contact electrode, the active elements can respectively implement pixel areas. Accordingly, as each of the active elements directly senses incident light while serving as a contact electrode, a fill factor of the image sensor may be maximized. Moreover, since there is no possibility of misalignment of the active elements, the manufacturing yield of the image sensor can be increased.

도 1은 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서를 도시하는 도면이다.
도 2는 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서의 동작 특징을 설명하기 위한 도면이다.
도 3, 도 4, 도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 도 9 및 도 10은 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 도시하는 도면이다. 1 is a diagram illustrating an image sensor according to various embodiments.
2 is a diagram for explaining operational characteristics of an image sensor according to various embodiments.
3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, and 10 are diagrams illustrating a manufacturing method of an image sensor according to various embodiments.

이하, 본 문서의 다양한 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 설명된다. Hereinafter, various embodiments of this document will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서(100)를 도시하는 도면이다. 1 is a diagram illustrating an image sensor 100 according to various embodiments.

도 1을 참조하면, 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서(100)는 이종 접합(hetero-junction) 구조를 가질 수 있다. 이미지 센서(100)는 회로 소자(110) 및 광다이오드층(120)을 포함할 수 있다. 이 때 회로 소자(110)와 광다이오드층(120)이 접합됨에 따라, 이종 접합 구조가 구현될 수 있다. Referring to FIG. 1 , an image sensor 100 according to various embodiments may have a hetero-junction structure. The image sensor 100 may include a circuit element 110 and a photodiode layer 120 . At this time, as the circuit element 110 and the photodiode layer 120 are bonded, a heterojunction structure may be implemented.

회로 소자(110)는 광다이오드층(120)을 통해 이미지를 검출할 수 있다. 즉, 회로 소자(110)는 광다이오드층(120) 내에서의 전기 에너지 분포를 기반으로, 이미지를 검출할 수 있다. 그리고, 회로 소자(110)는 이미지를 나타내는 전기적 신호를 출력할 수 있다. 이러한 회로 소자(110)는 3D 구조를 가지며, 회로 기판(111) 및 전극 배열층(113)을 포함할 수 있다. 회로 기판(111)은 내부 회로(도시되지 않음)를 갖고, 내부 회로가 실질적으로 이미지를 검출할 수 있다. 전극 배열층(113)은 회로 기판(111)의 일 면에 배치될 수 있다. 전극 배열층(113)은 복수의 애노드(115)들과 캐소드(117)를 포함하며, 애노드(115)들과 캐소드(117)는 상호로부터 이격되어 배열될 수 있다. 애노드(115)들과 캐소드(117)의 각각은 회로 기판(111)의 내부 회로에 전기적으로 연결될 수 있다. The circuit element 110 may detect an image through the photodiode layer 120 . That is, the circuit element 110 may detect an image based on the electrical energy distribution within the photodiode layer 120 . Also, the circuit element 110 may output an electrical signal representing an image. This circuit element 110 has a 3D structure and may include a circuit board 111 and an electrode arrangement layer 113 . The circuit board 111 has internal circuitry (not shown), and the internal circuitry can actually detect an image. The electrode arrangement layer 113 may be disposed on one surface of the circuit board 111 . The electrode arrangement layer 113 includes a plurality of anodes 115 and a cathode 117, and the anodes 115 and the cathode 117 may be spaced apart from each other. Each of the anodes 115 and the cathode 117 may be electrically connected to an internal circuit of the circuit board 111 .

광다이오드층(120)은 입사되는 광을 감지할 수 있다. 이 때 광다이오드층(120) 내에서, 전기 에너지 분포가 나타날 수 있다. 이러한 광다이오드층(120)은 모노레이어(monolayer) 수준으로 매우 얇은 두께의 2D 구조를 가질 수 있다. 광다이오드층(120)은 복수의 활성 엘리먼트(121)들을 포함할 수 있다. 활성 엘리먼트(121)들의 각각은 입사되는 광을 흡수하여, 입사되는 광에 대한 전기 에너지를 발생시킬 수 있다. 여기서, 활성 엘리먼트(121)들의 흡수도는 활성 엘리먼트(121)들의 두께에 따라 결정되며, 입사되는 광의 손실이 최소화되도록 조절될 수 있다. 즉, 활성 엘리먼트(121)들의 각각은 입사되는 광의 광 에너지를 전기 에너지로 변환할 수 있다. 활성 엘리먼트(121)들은 애노드(115)들에 대응하여, 상호로부터 이격되어 배열되며, 이로써 활성 엘리먼트(121)들이 픽셀 영역들을 각각 구현할 수 있다. 즉, 활성 엘리먼트(121)들이 애노드(115)들에 각각 접합될 수 있다. 이 때 활성 엘리먼트(121)들은 애노드(115)들 및 캐소드(117)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이로써, 활성 엘리먼트(121)들의 각각은 직접적으로 접촉 전극(contact electrode)으로서의 역할도 할 수 있다. 따라서, 활성 엘리먼트(121)들의 각각이 직접적으로 접촉 전극으로서의 역할을 하면서 입사되는 광을 감지함에 따라, 이미지 센서(110)의 필 팩터(fill factor; FF)가 최대화될 수 있다. 어떤 실시예들에서, 활성 엘리먼트(121)들은, 복수의 물질층(도시되지 않음)들이 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 물질층들 중 적어도 하나는 III-V족 원소, Si 또는 Ge와 같은 VI족 원소 또는 II-VI족 원소 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 일 예로, 물질층들 중 적어도 다른 하나는 이황화몰리브덴(molybdenum disulfide; MoS2)으로 형성될 수 있다. The photodiode layer 120 may sense incident light. At this time, within the photodiode layer 120, an electric energy distribution may appear. The photodiode layer 120 may have a 2D structure with a very thin thickness at the level of a monolayer. The photodiode layer 120 may include a plurality of active elements 121 . Each of the active elements 121 may absorb incident light to generate electrical energy for the incident light. Here, the absorption of the active elements 121 is determined according to the thickness of the active elements 121, and may be adjusted to minimize loss of incident light. That is, each of the active elements 121 may convert light energy of incident light into electrical energy. The active elements 121 are arranged spaced apart from each other, corresponding to the anodes 115, so that the active elements 121 can respectively implement pixel areas. That is, the active elements 121 may be bonded to the anodes 115 respectively. At this time, the active elements 121 may be electrically connected to the anodes 115 and the cathode 117 . Thus, each of the active elements 121 can directly serve as a contact electrode as well. Accordingly, as each of the active elements 121 directly detects incident light while serving as a contact electrode, a fill factor (FF) of the image sensor 110 may be maximized. In some embodiments, the active elements 121 may have a structure in which a plurality of material layers (not shown) are stacked. For example, at least one of the material layers may be formed of at least one of a group III-V element, a group VI element such as Si or Ge, or a group II-VI element. For example, at least one of the material layers may be formed of molybdenum disulfide (MoS 2 ).

광다이오드층(120)은 전극 엘리먼트들(123), 접합층(125) 또는 연결 부재(127) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 전극 엘리먼트들(123)과 접합층(125)은 활성 엘리먼트(121)들을 사이에 두고, 서로의 맞은 편에서 활성 엘리먼트(121)들에 부착될 수 있다. 전극 엘리먼트들(123)은 애노드(115)들과 활성 엘리먼트(121)들 사이에 개재되어, 애노드(115)들과 활성 엘리먼트(121)들을 전기적으로 연결할 수 있다. 제2 접합층(125)은 활성 엘리먼트(121)들을 사이에 두고 전극 엘리먼트들(123)의 맞은 편에서, 활성 엘리먼트(121)들에 부착될 수 있다. 그리고, 접합층(125)은 캐소드(117)와 활성 엘리먼트(121)들을 전기적으로 연결할 수 있다. 이 때 접합층(125)은 입사되는 광을 활성 엘리먼트(121)들로 투과시킬 수 있다. 여기서, 접합층(125)은 투명한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들면, 접합층(125)은 전이금속 디칼코게나이드(transition metal dichalcogenide; TMD)로 형성될 수 있다. 연결 부재(127)는 캐소드(117)와 활성 엘리먼트(121)들을 전기적으로 연결하기 위해, 캐소드(117)와 접합층(123)을 연결할 수 있다. The photodiode layer 120 may further include at least one of the electrode elements 123 , the bonding layer 125 , and the connecting member 127 . The electrode elements 123 and the bonding layer 125 may be attached to the active elements 121 at opposite sides of each other with the active elements 121 interposed therebetween. The electrode elements 123 may be interposed between the anodes 115 and the active element 121 to electrically connect the anodes 115 and the active element 121 . The second bonding layer 125 may be attached to the active elements 121 on opposite sides of the electrode elements 123 with the active elements 121 interposed therebetween. Also, the bonding layer 125 may electrically connect the cathode 117 and the active elements 121 . In this case, the bonding layer 125 may transmit incident light to the active elements 121 . Here, the bonding layer 125 may be formed of a transparent material. For example, the bonding layer 125 may be formed of transition metal dichalcogenide (TMD). The connection member 127 may connect the cathode 117 and the bonding layer 123 to electrically connect the cathode 117 and the active elements 121 .

도 2는 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서(100)의 동작 특징을 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 2의 (a)는 기존의 이미지 센서(도시되지 않음)에서의 파장(wavelength)에 따른 광응답도(responsivity)를 나타내고, 도 2의 (b)는 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서(100)에서의 파장에 따른 광응답도를 나타낸다. 2 is a diagram for describing operational characteristics of the image sensor 100 according to various embodiments. Here, (a) of FIG. 2 shows the optical responsivity according to wavelength in a conventional image sensor (not shown), and (b) of FIG. 2 is an image sensor according to various embodiments. (100) shows the photoresponse according to the wavelength.

도 2를 참조하면, 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서(100)는 가시광 영역으로부터 적외선 영역에 걸친 광대역의 파장에 대해 높은 광응답도를 획득할 수 있다. 기존 기술의 이미지 센서는, 두 개의 3D 소자들, 즉 회로 소자 및 광다이오드 소자가 결합되어, 구현될 수 있다. 그리고, 기존 기술의 광다이오드 소자는 두 개의 물질층들, 예컨대 Si층과 InGaAs층이 적층되어, 구현될 수 있다. 이에 반해, 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서(100)는, 회로 소자(110) 상에 광다이오드층(120), 즉 활성 엘리먼트(121)들이 접합되어, 구현될 수 있다. 도 2의 (a)와 (b)를 비교하면, 기존 기술의 광다이오드 소자에 비해, 다양한 실시예들에 따른 활성 엘리먼트(121)들은 가시광 영역으로부터 적외선 영역에 걸친 광대역의 파장에 대해 높은 광응답도를 획득할 수 있다. 이로 인해, 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서(100)는, 가시광 및 적외선에 대한 빠른 반응 속도를 가질 수 있다. Referring to FIG. 2 , the image sensor 100 according to various embodiments may obtain high optical response to a wide range of wavelengths ranging from the visible light region to the infrared region. An image sensor of the prior art may be implemented by combining two 3D elements, that is, a circuit element and a photodiode element. In addition, the photodiode device of the prior art may be implemented by stacking two material layers, for example, a Si layer and an InGaAs layer. In contrast, the image sensor 100 according to various embodiments may be implemented by bonding the photodiode layer 120, that is, the active elements 121, to the circuit element 110. Comparing (a) and (b) of FIG. 2 , compared to conventional photodiode devices, the active elements 121 according to various embodiments have a high photoresponse to a broadband wavelength ranging from the visible light region to the infrared region. figure can be obtained. Due to this, the image sensor 100 according to various embodiments may have a fast response speed to visible light and infrared light.

도 3, 도 4, 도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 도 9 및 도 10은 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서(100)의 제조 방법을 도시하는 도면이다. 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, and 10 are diagrams illustrating a manufacturing method of the image sensor 100 according to various embodiments.

도 3, 도 4, 도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 도 9 및 도 10을 참조하면, 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서(100)는 모놀리식 집적(monolithic integration) 방식으로 제조될 수 있다. 이에 대해, 보다 상세하게 후술될 것이다. Referring to FIGS. 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, and 10 , the image sensor 100 according to various embodiments is manufactured using a monolithic integration method. It can be. This will be described later in more detail.

먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 회로 소자(110)가 준비될 수 있다. 회로 소자(110)는 3D 구조를 가지며, 회로 기판(111) 및 전극 배열층(113)을 포함할 수 있다. 회로 기판(111)은 내부 회로(도시되지 않음)를 갖고, 내부 회로가 실질적으로 이미지를 검출할 수 있다. 전극 배열층(113)은 회로 기판(111)의 일 면에 배치될 수 있다. 전극 배열층(113)은 복수의 애노드(115)들과 캐소드(117)를 포함하며, 애노드(115)들과 캐소드(117)는 상호로부터 이격되어 배열될 수 있다. 애노드(115)들과 캐소드(117)의 각각은 회로 기판(111)의 내부 회로에 전기적으로 연결될 수 있다.First, as shown in FIG. 3 , the circuit element 110 may be prepared. The circuit element 110 has a 3D structure and may include a circuit board 111 and an electrode arrangement layer 113 . The circuit board 111 has internal circuitry (not shown), and the internal circuitry can actually detect an image. The electrode arrangement layer 113 may be disposed on one surface of the circuit board 111 . The electrode arrangement layer 113 includes a plurality of anodes 115 and a cathode 117, and the anodes 115 and the cathode 117 may be spaced apart from each other. Each of the anodes 115 and the cathode 117 may be electrically connected to an internal circuit of the circuit board 111 .

도 4에 도시된 바와 같이, 광다이오드 소자(200)가 준비될 수 있다. 광 다이오드 소자(200)는 지지 기판(210) 및 활성층(220)을 포함할 수 있다. 지지 기판(210)은 활성층(220)을 지지할 수 있다. 활성층(220)은 지지 기판(210) 상에 적층될 수 있다. 이 때 활성층(220)은 지지 기판(210) 상에 전사되거나, 지지 기판(210) 상에서 성장될 수 있다. 어떤 실시예들에서, 활성층(220)은, 복수의 물질층(도시되지 않음)들이 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 물질층들 중 적어도 하나는 III-V족 원소, Si 또는 Ge와 같은 VI족 원소 또는 II-VI족 원소 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 일 예로, 물질층들 중 적어도 다른 하나는 이황화몰리브덴(MoS2)으로 형성될 수 있다. 이 후, 도 5에 도시된 바와 같이, 전극층(230)이 광다이오드 소자(200) 상에 형성될 수 있다. 이 때 전극층(230)은 활성층(220) 상에 적층될 수 있다. As shown in FIG. 4 , a photodiode device 200 may be prepared. The photodiode device 200 may include a support substrate 210 and an active layer 220 . The support substrate 210 may support the active layer 220 . The active layer 220 may be stacked on the support substrate 210 . At this time, the active layer 220 may be transferred onto the support substrate 210 or grown on the support substrate 210 . In some embodiments, the active layer 220 may have a structure in which a plurality of material layers (not shown) are stacked. For example, at least one of the material layers may be formed of at least one of a group III-V element, a group VI element such as Si or Ge, or a group II-VI element. For example, at least one of the material layers may be formed of molybdenum disulfide (MoS 2 ). After that, as shown in FIG. 5 , an electrode layer 230 may be formed on the photodiode element 200 . At this time, the electrode layer 230 may be stacked on the active layer 220 .

도 6에 도시된 바와 같이, 광다이오드 소자(200)가 전극층(230)을 통해 회로 소자(110)에 접합될 수 있다. 이 때 회로 소자(110)에 대해, 지지 기판(210)과 활성층(220)이 반전되도록, 광다이오드 소자(200)가 회전될 수 있다. 이를 통해, 전극층(230)이 회로 소자(110)의 전극 배열층(113)을 향할 수 있다. 그리고, 전극층(230)이 애노드(115)들에 접촉되고, 이를 통해 활성층(220)이 애노드(115)들에 접합될 수 있다. 여기서, 전극층(230)은 캐소드(117)에도 접촉될 수 있다. 이 때 지지 기판(210)이 활성층(220) 상에서 노출될 수 있다. As shown in FIG. 6 , the photodiode element 200 may be bonded to the circuit element 110 through the electrode layer 230 . At this time, the photodiode device 200 may be rotated so that the support substrate 210 and the active layer 220 are inverted with respect to the circuit device 110 . Through this, the electrode layer 230 may face the electrode arrangement layer 113 of the circuit element 110 . Then, the electrode layer 230 is in contact with the anodes 115, through which the active layer 220 can be bonded to the anodes (115). Here, the electrode layer 230 may also contact the cathode 117 . At this time, the support substrate 210 may be exposed on the active layer 220 .

도 7에 도시된 바와 같이, 지지 기판(210)이 활성층(220)으로부터 제거될 수 있다. 이를 통해, 활성층(220)이 회로 소자(110) 상에서 노출될 수 있다. 이 후, 도 8에 도시된 바와 같이, 캐소드(117)가 활성층(220) 및 전극층(230)으로부터 노출될 수 있다. 이를 위해, 활성층(220)의 일부 및 전극층(230)의 일부가 회로 소자(110) 상에서 제거될 수 있다. As shown in FIG. 7 , the support substrate 210 may be removed from the active layer 220 . Through this, the active layer 220 may be exposed on the circuit element 110 . After that, as shown in FIG. 8 , the cathode 117 may be exposed from the active layer 220 and the electrode layer 230 . To this end, a portion of the active layer 220 and a portion of the electrode layer 230 may be removed on the circuit element 110 .

도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 활성 엘리먼트(121)들이 활성층(220)으로부터 형성될 수 있다. 그리고, 전극 엘리먼트(123)들이 전극층(230)으로부터 형성될 수 있다. 이 때 전극 엘리먼트(123)들은 활성 엘리먼트(121)들에 각각 대응하여 배치될 수 있다. 이를 위해, 회로 소자(110) 상의 활성층(220) 및 전극층(230)이 부분적으로 제거될 수 있다. 활성 엘리먼트(121)들은 애노드(115)들에 대응하여, 상호로부터 이격되어 배열되며, 이로써 활성 엘리먼트(121)들이 픽셀 영역들을 각각 구현할 수 있다. 즉, 활성 엘리먼트(121)들이 애노드(115)들에 각각 접합될 수 있다. 이를 통해, 활성 엘리먼트(121)들에 대한 미스얼라인 가능성이 제거될 수 있다. 이로써, 활성 엘리먼트(121)들의 각각은 직접적으로 접촉 전극으로서의 역할도 할 수 있다. 이 때 활성 엘리먼트(121)들은 제 1 접착층(123)을 통해, 애노드(115)들에 전기적으로 연결될 수 있다. 이 후, 도 10에 도시된 바와 같이, 접합층(125)과 연결 부재(127)가 활성 엘리먼트(121)들을 캐소드(117)에 전기적으로 연결할 수 있다. 이를 위해, 접합층(125)이 활성 엘리먼트(121)들 상에 부착될 수 있다. 이 때 접합층(125)은 입사되는 광을 활성 엘리먼트(121)들로 투과시킬 수 있어야 한다. 예를 들면, 접합층(125)은 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로 형성될 수 있다. 예를 들면, 접합층(125)은 투명한 재료로 형성될 수 있다. 그리고, 연결 부재(127)가 접합층(125)과 캐소드(117)를 연결할 수 있다. As shown in FIG. 9 , a plurality of active elements 121 may be formed from the active layer 220 . Also, electrode elements 123 may be formed from the electrode layer 230 . At this time, the electrode elements 123 may be disposed to correspond to the active elements 121 respectively. To this end, the active layer 220 and the electrode layer 230 on the circuit element 110 may be partially removed. The active elements 121 are arranged spaced apart from each other, corresponding to the anodes 115, so that the active elements 121 can respectively implement pixel areas. That is, the active elements 121 may be bonded to the anodes 115 respectively. Through this, the possibility of misalignment of the active elements 121 may be eliminated. In this way, each of the active elements 121 can also directly serve as a contact electrode. In this case, the active elements 121 may be electrically connected to the anodes 115 through the first adhesive layer 123 . After that, as shown in FIG. 10 , the bonding layer 125 and the connecting member 127 may electrically connect the active elements 121 to the cathode 117 . To this end, a bonding layer 125 may be attached on the active elements 121 . At this time, the bonding layer 125 should be able to transmit incident light to the active elements 121 . For example, the bonding layer 125 may be formed of transition metal dichalcogenide (TMD). For example, the bonding layer 125 may be formed of a transparent material. Also, the connecting member 127 may connect the bonding layer 125 and the cathode 117 .

다양한 실시예들에 따르면, 이미지 센서(100)는 모놀리식 집적 방식에 따라 이종 접합 구조로 구현될 수 있다. 구체적으로, 2D 구조의 활성 엘리먼트(121)들이3D 구조의 회로 소자(110) 상에 개별적으로 접합됨에 따라, 이종 접합 구조의 이미지 센서(100)가 구현될 수 있다. 이로 인해, 복수의 물질층들이 적층되는 구조의 광다이오드 소자를 갖는 기존의 이미지 센서와 달리, 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서(100)는 얇은 모노 레이어 수준의 활성 엘리먼트(121)들을 이용하여, 가시광 영역으로부터 적외선 영역에 걸친 광대역의 파장에 대해 높은 광응답도를 획득할 수 있다. 아울러, 활성 엘리먼트(121)들의 각각이 직접적으로 접촉 전극으로서의 역할도 하기 때문에, 활성 엘리먼트(121)들이 픽셀 영역들을 각각 구현할 수 있다. 이에 따라, 활성 엘리먼트(121)들의 각각이 직접적으로 접촉 전극으로서의 역할을 하면서 입사되는 광을 감지함에 따라, 이미지 센서(100)의 필 팩터가 최대화될 수 있다. 게다가, 활성 엘리먼트(121)들에 대한 미스얼라인 가능성이 없으므로, 이미지 센서(100)의 제조 수율이 증대될 수 있다. According to various embodiments, the image sensor 100 may be implemented as a heterojunction structure according to a monolithic integration method. Specifically, as the active elements 121 of the 2D structure are individually bonded on the circuit element 110 of the 3D structure, the image sensor 100 of the heterojunction structure may be implemented. Due to this, unlike conventional image sensors having a photodiode structure in which a plurality of material layers are stacked, the image sensor 100 according to various embodiments uses thin monolayer level active elements 121, High optical response can be obtained for a wide range of wavelengths from the visible light region to the infrared region. In addition, since each of the active elements 121 directly serves as a contact electrode, the active elements 121 may respectively implement pixel areas. Accordingly, as each of the active elements 121 directly functions as a contact electrode and detects incident light, a fill factor of the image sensor 100 may be maximized. In addition, since there is no possibility of misalignment of the active elements 121, the manufacturing yield of the image sensor 100 can be increased.

다양한 실시예들에 따른 이종 접합 구조의 이미지 센서(100)는, 상호로부터 이격되어 배열되는 복수의 애노드(115)들을 포함하는 회로 소자(110), 및 애노드(115)들에 각각 접합되고, 입사되는 광에 대한 전기 에너지를 각각 발생시키는 복수의 활성 엘리먼트(121)들을 포함할 수 있다. The image sensor 100 of the heterojunction structure according to various embodiments is bonded to a circuit element 110 including a plurality of anodes 115 arranged spaced apart from each other and to the anodes 115, respectively, and incident It may include a plurality of active elements 121 each generating electrical energy for the light to be.

다양한 실시예들에 따르면, 이미지 센서(100)는, 애노드(115)들과 활성 엘리먼트(121)들 사이에 개재되어, 애노드(115)들과 활성 엘리먼트(121)들을 전기적으로 연결하는 전극 엘리먼트(123)들을 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the image sensor 100 is interposed between the anodes 115 and the active elements 121 and electrically connects the anodes 115 and the active elements 121 to an electrode element ( 123) may be further included.

다양한 실시예들에 따르면, 회로 소자(110)는, 애노드(115)들로부터 이격되어 배치되는 캐소드(117)를 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the circuit element 110 may further include a cathode 117 disposed spaced apart from the anodes 115 .

다양한 실시예들에 따르면, 이미지 센서(100)는, 활성 엘리먼트(121)들을 사이에 두고 회로 소자(110)의 맞은 편에서 활성 엘리먼트(121)들에 부착되고, 캐소드(117)에 전기적으로 연결되는 접합층(125)을 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the image sensor 100 is attached to the active elements 121 on opposite sides of the circuit element 110 with the active elements 121 therebetween and electrically connected to the cathode 117 . A bonding layer 125 may be further included.

다양한 실시예들에 따르면, 이미지 센서(100)는, 접합층(125)과 캐소드(117)를 연결하여, 캐소드(117)와 활성 엘리먼트(121)들을 전기적으로 연결하는 연결 부재(127)를 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the image sensor 100 further includes a connection member 127 electrically connecting the cathode 117 and the active elements 121 by connecting the bonding layer 125 and the cathode 117. can include

다양한 실시예들에 따르면, 회로 소자(110)는, 일 면에 애노드(115)들 및 캐소드(117)가 부착되고, 애노드(115)들 및 캐소드(117)와 전기적으로 연결되는 내부 회로를 갖고, 활성 엘리먼트(121)들의 각각으로부터의 전기 에너지에 기반하여, 이미지를 검출하도록 구성되는 회로 기판(111)을 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the circuit element 110 has an internal circuit to which anodes 115 and a cathode 117 are attached to one surface and electrically connected to the anodes 115 and the cathode 117. , a circuit board 111 configured to detect an image based on electrical energy from each of the active elements 121 .

다양한 실시예들에 따르면, 접합층(125)은, 투명한 재료로 형성될 수 있다. According to various embodiments, the bonding layer 125 may be formed of a transparent material.

다양한 실시예들에 따르면, 활성 엘리먼트(121)들은, III-V족 원소, VI족 원소 또는 II-VI족 원소 중 적어도 하나로 형성되고, 접합층(125)은, 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로 형성될 수 있다. According to various embodiments, the active elements 121 are formed of at least one of a group III-V element, a group VI element, or a group II-VI element, and the bonding layer 125 includes a transition metal dichalcogenide (TMD) can be formed as

다양한 실시예들에 따른 이종 접합 구조의 이미지 센서(100)의 제조 방법은, 회로 소자(110), 및 지지 기판(210) 및 지지 기판(210) 상에 적층된 활성층(220)을 포함하는 광다이오드 소자(200)를 준비하는 단계, 지지 기판(210)과 활성층(220)이 반전되도록 회전시켜, 회로 소자(110) 상에 활성층(220)을 접합시키는 단계, 및 활성층(220)으로부터 지지 기판(210)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. A method of manufacturing an image sensor 100 having a heterojunction structure according to various embodiments includes a circuit element 110, a support substrate 210, and an active layer 220 stacked on the support substrate 210. Preparing the diode device 200, rotating the support substrate 210 and the active layer 220 so that they are inverted, bonding the active layer 220 on the circuit device 110, and removing the support substrate from the active layer 220. (210) may be included.

다양한 실시예들에 따르면, 회로 소자(110)는, 활성층(220)이 접합되고, 상호로부터 이격되어 배열되는 복수의 애노드(115)들을 포함할 수 있다. According to various embodiments, the circuit element 110 may include a plurality of anodes 115 to which the active layer 220 is bonded and arranged spaced apart from each other.

다양한 실시예들에 따르면, 이미지 센서(100)의 제조 방법은, 광다이오드 소자(200)의 활성층(220) 상에 전극층(230)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the method of manufacturing the image sensor 100 may further include forming an electrode layer 230 on the active layer 220 of the photodiode device 200 .

다양한 실시예들에 따르면, 회로 소자(110) 상에 활성층(220)을 접합시키는 단계는, 전극층(230)을 애노드(115)들에 접촉시켜, 전극층(230)을 통해 애노드(115)들과 활성층(220)을 접합시킬 수 있다. According to various embodiments, the step of bonding the active layer 220 on the circuit element 110 is to bring the electrode layer 230 into contact with the anodes 115, thereby contacting the anodes 115 and the anodes 115 through the electrode layer 230. The active layer 220 may be bonded.

다양한 실시예들에 따르면, 이미지 센서(100)의 제조 방법은, 지지 기판(210)이 제거된 후에, 활성층(220)을 부분적으로 제거하여, 활성층(220)으로부터 애노드(115)들에 각각 접합되는 복수의 활성 엘리먼트(121)들을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, in the method of manufacturing the image sensor 100, after the support substrate 210 is removed, the active layer 220 is partially removed and bonded to the anodes 115 from the active layer 220, respectively. It may further include forming a plurality of active elements 121 to be.

다양한 실시예들에 따르면, 이미지 센서(100)의 제조 방법은, 활성 엘리먼트(121)들 상에 접합층(125)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the method of manufacturing the image sensor 100 may further include forming a bonding layer 125 on the active elements 121 .

다양한 실시예들에 따르면, 이미지 센서(100)의 제조 방법은, 지지 기판(210)이 제거된 후에, 활성층(220)의 일부를 제거하여, 캐소드(117)를 노출시키는 단계를 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the method of manufacturing the image sensor 100 may further include exposing the cathode 117 by removing a portion of the active layer 220 after the support substrate 210 is removed. there is.

다양한 실시예들에 따르면, 이미지 센서(100)의 제조 방법은, 연결 부재(127)를 이용하여, 접합층(125)과 캐소드(117)를 연결하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the method of manufacturing the image sensor 100 may further include connecting the bonding layer 125 and the cathode 117 using the connecting member 127 .

다양한 실시예들에 따르면, 활성 엘리먼트(121)들의 각각은, 입사되는 광에 대한 전기 에너지를 발생시킬 수 있다. According to various embodiments, each of the active elements 121 may generate electrical energy for incident light.

다양한 실시예들에 따르면, 회로 소자(110)는, 일 면에 애노드(115)들 및 캐소드(117)가 부착되고, 애노드(115)들 및 캐소드(117)와 전기적으로 연결되는 내부 회로를 갖고, 활성 엘리먼트(121)들의 각각으로부터의 전기 에너지에 기반하여, 이미지를 검출하도록 구성되는 회로 기판(111)을 더 포함할 수 있다. According to various embodiments, the circuit element 110 has an internal circuit to which anodes 115 and a cathode 117 are attached to one surface and electrically connected to the anodes 115 and the cathode 117. , a circuit board 111 configured to detect an image based on electrical energy from each of the active elements 121 .

다양한 실시예들에 따르면, 접합층(125)은, 투명한 재료로 형성될 수 있다. According to various embodiments, the bonding layer 125 may be formed of a transparent material.

다양한 실시예들에 따르면, 활성 엘리먼트(121)들은, III-V족 원소, VI족 원소 또는 II-VI족 원소 중 적어도 하나로 형성되고, 접합층(125)은, 전이금속 디칼코게나이드(TMD)로 형성될 수 있다. According to various embodiments, the active elements 121 are formed of at least one of a group III-V element, a group VI element, or a group II-VI element, and the bonding layer 125 includes a transition metal dichalcogenide (TMD) can be formed as

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및/또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C" 또는 "A, B 및/또는 C 중 적어도 하나" 등의 표현은 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", "첫째" 또는 "둘째" 등의 표현들은 해당 구성요소들을, 순서 또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에 "(기능적으로 또는 통신적으로) 연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 다른 구성요소(예: 제 3 구성요소)를 통하여 연결될 수 있다.Various embodiments of this document and terms used therein are not intended to limit the technology described in this document to a specific embodiment, and should be understood to include various modifications, equivalents, and/or substitutes of the embodiment. In connection with the description of the drawings, like reference numerals may be used for like elements. Singular expressions may include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this document, expressions such as "A or B", "at least one of A and/or B", "A, B or C" or "at least one of A, B and/or C" refer to all of the items listed together. Possible combinations may be included. Expressions such as "first", "second", "first" or "second" may modify the elements in any order or importance, and are used only to distinguish one element from another. The components are not limited. When a (e.g., first) element is referred to as being "(functionally or communicatively) coupled to" or "connected to" another (e.g., second) element, that element refers to the other (e.g., second) element. It may be directly connected to the component or connected through another component (eg, a third component).

다양한 실시예들에 따르면, 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 통합 이전에 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.According to various embodiments, each component (eg, module or program) of the described components may include singular or plural entities. According to various embodiments, one or more components or operations among the aforementioned corresponding components may be omitted, or one or more other components or operations may be added. Alternatively or additionally, a plurality of components (eg modules or programs) may be integrated into a single component. In this case, the integrated component may perform one or more functions of each of the plurality of components identically or similarly to those performed by the corresponding component among the plurality of components prior to integration. According to various embodiments, the actions performed by a module, program, or other component are executed sequentially, in parallel, iteratively, or heuristically, or one or more of the actions are executed in a different order, omitted, or , or one or more other operations may be added.

Claims (20)

이종 접합 구조의 이미지 센서에 있어서,
상호로부터 이격되어 배열되는 복수의 애노드들을 포함하는 회로 소자; 및
상기 애노드들에 각각 접합되고, 입사되는 광에 대한 전기 에너지를 각각 발생시키는 복수의 활성 엘리먼트들
을 포함하고,
상기 애노드들과 상기 활성 엘리먼트들 사이에 개재되어, 상기 애노드들과 상기 활성 엘리먼트들을 전기적으로 연결하는 전극 엘리먼트들
을 더 포함하는,
이미지 센서.
In the image sensor of the heterojunction structure,
a circuit element comprising a plurality of anodes arranged spaced apart from each other; and
A plurality of active elements bonded to the anodes and respectively generating electrical energy for incident light.
including,
Electrode elements interposed between the anodes and the active elements to electrically connect the anodes and the active elements
Including more,
image sensor.
 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 회로 소자는,
상기 애노드들로부터 이격되어 배치되는 캐소드를 더 포함하는,
이미지 센서.
According to claim 1,
The circuit element,
Further comprising a cathode disposed spaced apart from the anodes,
image sensor.
 제 3 항에 있어서,
상기 활성 엘리먼트들을 사이에 두고 상기 회로 소자의 맞은 편에서 상기 활성 엘리먼트들에 부착되고, 상기 캐소드에 전기적으로 연결되는 접합층을 더 포함하는,
이미지 센서.
According to claim 3,
Further comprising a bonding layer attached to the active elements on opposite sides of the circuit element with the active elements therebetween and electrically connected to the cathode.
image sensor.
 제 4 항에 있어서,
상기 접합층과 상기 캐소드를 연결하여, 상기 캐소드와 상기 활성 엘리먼트들을 전기적으로 연결하는 연결 부재를 더 포함하는,
이미지 센서.
According to claim 4,
Further comprising a connecting member connecting the bonding layer and the cathode to electrically connect the cathode and the active elements.
image sensor.
 제 3 항에 있어서,
상기 회로 소자는,
일 면에 상기 애노드들 및 상기 캐소드가 부착되고, 상기 애노드들 및 상기 캐소드와 전기적으로 연결되는 내부 회로를 갖고, 상기 활성 엘리먼트들의 각각으로부터의 상기 전기 에너지에 기반하여, 이미지를 검출하도록 구성되는 회로 기판을 더 포함하는,
이미지 센서.
According to claim 3,
The circuit element,
A circuit having an internal circuit to which the anodes and the cathode are attached to one surface, electrically connected to the anodes and the cathode, and configured to detect an image based on the electrical energy from each of the active elements. Further comprising a substrate,
image sensor.
 제 4 항에 있어서,
상기 접합층은,
투명한 재료로 형성되는,
이미지 센서.
According to claim 4,
The bonding layer,
formed of a transparent material,
image sensor.
 제 4 항에 있어서,
상기 활성 엘리먼트들은,
III-V족 원소, VI족 원소 또는 II-VI족 원소 중 적어도 하나로 형성되고,
상기 접합층은,
전이금속 디칼코게나이드(transition metal dichalcogenide; TMD)로 형성되는,
이미지 센서.
According to claim 4,
The active elements,
Formed with at least one of a group III-V element, a group VI element, or a group II-VI element,
The bonding layer,
Formed from transition metal dichalcogenide (TMD),
image sensor.
 이종 접합 구조의 이미지 센서의 제조 방법에 있어서,
회로 소자, 및 지지 기판 및 상기 지지 기판 상에 적층된 활성층을 포함하는 광다이오드 소자를 준비하는 단계;
상기 지지 기판과 활성층이 반전되도록 회전시켜, 상기 회로 소자 상에 상기 활성층을 접합시키는 단계; 및
상기 활성층으로부터 상기 지지 기판을 제거하는 단계
를 포함하는,
방법.
In the manufacturing method of the image sensor of the heterojunction structure,
preparing a photodiode device including a circuit device, a support substrate, and an active layer stacked on the support substrate;
bonding the active layer on the circuit element by rotating the support substrate and the active layer to be inverted; and
removing the supporting substrate from the active layer;
including,
method.
 제 9 항에 있어서,
상기 회로 소자는,
상기 활성층이 접합되고, 상호로부터 이격되어 배열되는 복수의 애노드들을 포함하는,
방법.
According to claim 9,
The circuit element,
Including a plurality of anodes to which the active layer is bonded and arranged spaced apart from each other,
method.
 제 10 항에 있어서,
상기 광다이오드 소자의 상기 활성층 상에 전극층을 형성하는 단계
를 더 포함하는, 방법.
According to claim 10,
Forming an electrode layer on the active layer of the photodiode device.
Further comprising a method.
 제 11 항에 있어서,
상기 회로 소자 상에 상기 활성층을 접합시키는 단계는,
상기 전극층을 상기 애노드들에 접촉시켜, 상기 전극층을 통해 상기 애노드들과 상기 활성층을 접합시키는,
방법.
According to claim 11,
Bonding the active layer on the circuit element,
Bringing the electrode layer into contact with the anodes to bond the anodes and the active layer through the electrode layer,
method.
 제 10 항에 있어서,
상기 지지 기판이 제거된 후에, 상기 활성층을 부분적으로 제거하여, 상기 활성층으로부터 상기 애노드들에 각각 접합되는 복수의 활성 엘리먼트들을 형성하는 단계
를 더 포함하는, 방법.
According to claim 10,
After the support substrate is removed, partially removing the active layer to form a plurality of active elements each bonded to the anodes from the active layer.
Further comprising a method.
 제 13 항에 있어서,
상기 활성 엘리먼트들 상에 접합층을 형성하는 단계
를 더 포함하는, 방법.
According to claim 13,
forming a bonding layer on the active elements;
Further comprising a method.
 제 14 항에 있어서,
상기 지지 기판이 제거된 후에, 상기 활성층의 일부를 제거하여, 캐소드를 노출시키는 단계
를 더 포함하는, 방법.
15. The method of claim 14,
After the support substrate is removed, removing a portion of the active layer to expose a cathode.
Further comprising a method.
 제 15 항에 있어서,
연결 부재를 이용하여, 상기 접합층과 상기 캐소드를 연결하는 단계
를 더 포함하는, 방법.
According to claim 15,
Connecting the bonding layer and the cathode using a connecting member
Further comprising a method.
 제 13 항에 있어서,
상기 활성 엘리먼트들의 각각은,
입사되는 광에 대한 전기 에너지를 발생시키는,
방법.
According to claim 13,
Each of the active elements,
generating electrical energy for incident light,
method.
 제 17 항에 있어서,
상기 회로 소자는,
일 면에 상기 애노드들 및 캐소드가 부착되고, 상기 애노드들 및 상기 캐소드와 전기적으로 연결되는 내부 회로를 갖고, 상기 활성 엘리먼트들의 각각으로부터의 상기 전기 에너지에 기반하여, 이미지를 검출하도록 구성되는 회로 기판을 더 포함하는,
방법.
18. The method of claim 17,
The circuit element,
A circuit board to which the anodes and the cathode are attached, having an internal circuit electrically connected to the anodes and the cathode, and configured to detect an image based on the electrical energy from each of the active elements. Including more,
method.
 제 14 항에 있어서,
상기 접합층은,
투명한 재료로 형성되는,
방법.
15. The method of claim 14,
The bonding layer,
formed of a transparent material,
method.
 제 14 항에 있어서,
상기 활성 엘리먼트들은,
III-V족 원소, VI족 원소 또는 II-VI족 원소 중 적어도 하나로 형성되고,
상기 접합층은,
전이금속 디칼코게나이드(TMD)로 형성되는,
방법.
15. The method of claim 14,
The active elements,
Formed with at least one of a group III-V element, a group VI element, or a group II-VI element,
The bonding layer,
Formed from transition metal dichalcogenides (TMD),
method.
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