KR102514150B1 - Light emitting device and lighting unit having thereof - Google Patents

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Abstract

실시예는 형광체를 갖는 발광소자를 개시한다. 실시예에 개시된 발광 소자는, 청색의 광을 방출하는 발광 칩; 상기 발광 칩으로부터 방출된 광을 여기 파장으로 흡수하여 녹색의 제1피크 파장을 발광하는 제1형광체; 및 상기 발광 칩으로부터 방출된 광을 여기 파장으로 흡수하여 적색의 제2피크 파장을 발광하는 제2형광체를 포함하며, 상기 제2피크 파장은 적색의 파장 중에서 장 파장을 가지며, 상기 청색, 녹색 및 적색이 혼합된 백색 광에서 상기 적색 광은 미리 선택된 색 품질 척도(color quality scale, CQS)와 대비하여 델타 채도 값이 영(0) 이상의 값을 가진다. The embodiment discloses a light emitting device having a phosphor. The light emitting device disclosed in the embodiment includes a light emitting chip emitting blue light; a first phosphor absorbing the light emitted from the light emitting chip at an excitation wavelength and emitting light of a first peak wavelength of green; and a second phosphor for absorbing the light emitted from the light emitting chip at an excitation wavelength and emitting a second peak wavelength of red, wherein the second peak wavelength has a long wavelength among red wavelengths, and the blue, green and In white light mixed with red, the red light has a delta saturation value of zero (0) or greater compared to a preselected color quality scale (CQS).

Description

발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING UNIT HAVING THEREOF}Light emitting element and lighting device having the same {LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING UNIT HAVING THEREOF}

실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device and a lighting device having the same.

발광소자는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 소자로서, 예를 들어, LED(Light Emitting Diode)를 포함하며, 상기 LED는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting device is a device having a characteristic of converting electrical energy into light energy, and includes, for example, a light emitting diode (LED), and the LED can implement various colors by adjusting the composition ratio of compound semiconductors.

예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are of great interest in the field of developing optical devices and high-power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, blue light emitting devices, green light emitting devices, ultraviolet (UV) light emitting devices, and the like using nitride semiconductors are commercialized and widely used.

백색광을 방출하는 LED는 형광체를 도포하여 형광체로부터 발광하는 2차 광원을 이용하는 방법으로서, 청색 LED에 황색을 내는 YAG:Ce 형광체를 도포하여 백색광을 얻는 방식이 일반적이다. An LED emitting white light is a method of using a secondary light source that emits light from a phosphor by applying a phosphor, and a method of obtaining white light by applying a YAG:Ce phosphor that emits yellow to a blue LED is common.

그러나, 상기 방법은 2차광을 이용하면서 발생하는 양자결손(quantum deficits) 및 재방사 효율에 기인한 효율감소가 수반되고, 색 렌더링(Color rendering)이 용이하지 않다는 단점이 있다. However, the method has disadvantages in that quantum deficits and efficiency reduction due to re-radiation efficiency occur while using secondary light, and color rendering is not easy.

따라서, 종래의 백색 LED 백라이트는 청색 LED칩과 황색 형광체를 조합한 것으로서, 녹색과 적색 성분이 결여되어 부자연스러운 색상을 표현할 수밖에 없어 휴대 전화, 노트북 PC의 화면에 이용하는 정도로 한정되어 적용되고 있다. 그럼에도, 구동이 용이하고 가격이 현저히 저렴하다는 이점 때문에 널리 상용화되어 있다. Therefore, the conventional white LED backlight is a combination of a blue LED chip and a yellow phosphor, and is limited to the extent of being used for screens of mobile phones and notebook PCs because it lacks green and red components and has no choice but to express unnatural colors. Nevertheless, it is widely commercialized due to the advantages of easy operation and remarkably low price.

청색 칩과 황색 형광체로 제조된 백색 LED 소자의 특히 바람직한 용도는 이동전화, 개인 휴대 정보 단말기 등에 사용되는 백라이트 용이다. 하지만, 황색 형광체(예컨대, 최고 방출이 590nm 내지 610nm 사이에서 나타남)의 사용으로 인해, 상기 LED의 스펙트럼은 이 스펙트럼의 황색 영역에서의 과도한 방출을 함유하여 백라이트의 색상범위를 강력하게 감소시킨다. A particularly preferred use of a white LED element made of a blue chip and a yellow phosphor is for backlights used in mobile phones, personal digital assistants, and the like. However, due to the use of a yellow phosphor (e.g., peak emission appears between 590 nm and 610 nm), the LED's spectrum contains excessive emission in the yellow region of the spectrum, strongly reducing the color gamut of the backlight.

색상 범위(color gamut)는 색도도, 예컨대 CIE 1931 x, y 색도도에서 디스플레이의 적색, 녹색 및 청색 픽셀의 색점 간에 걸쳐진 영역이다. 디스플레이의 역사적인 "황금 기준(golden standard)"는 3가지 색점 좌표 세트로 한정되는 NTSC 전범위(gamut)이다. 일반적으로 NTSC의 70%를 초과하는 전범위는 많은 백라이팅 용도에 허용성으로 간주되고 있고, NTSC의 90%를 초과하는 전범위는 대부분의 이러한 임의의 용도에 허용성으로 간주되고 있다.A color gamut is the area spanned between the color points of the red, green, and blue pixels of a display in a chromaticity diagram, eg, the CIE 1931 x,y chromaticity diagram. The historical "golden standard" of displays is the NTSC gamut defined by a set of three color point coordinates. Generally, a full range in excess of 70% of NTSC is considered acceptable for many backlighting applications, and a full range in excess of 90% of NTSC is considered acceptable for most any of these applications.

황색 형광체를 이용하여 LED 백라이트의 전범위를 향상시킬 경우, 황색광은 제거되므로 LED 백라이트의 광도를 감소시킨다. 따라서, 패키지에 황색 형광체를 사용함이 없이 광도를 높일 수 있는 백색 LED의 개발이 유익할 것이다. When the full range of the LED backlight is improved by using the yellow phosphor, the yellow light is removed and thus the luminous intensity of the LED backlight is reduced. Therefore, it would be advantageous to develop a white LED capable of increasing luminous intensity without using a yellow phosphor in the package.

CRI는 14가지 표준 색 샘플이 국제적으로 특정되어 있고 이들의 평균값으로서 더 넓은 CRI(R1-14)를 계산할 수 있을지라도 일반적으로 일반 연색 지수(General Color Rendering Index)로 불리고 Ra 로 약칭되는 8가지 표준 색 샘플(R1-8)의 평균값으로 일반적으로 정의된다. 구체적으로, 강한 적색에 대한 연색성을 측정하는 R9 값은 다양한 용도, 특히 고연색지수가 요구되는 조명이나 의료계에 매우 중요하게 요구되고 있다.The CRI is an eight standard commonly referred to as the General Color Rendering Index and abbreviated Ra, although 14 standard color samples are internationally specified and as an average of these a broader CRI (R1-14) can be calculated. It is generally defined as the average value of color samples (R1-8). Specifically, the R9 value, which measures color rendering for strong red, is very important for various applications, particularly lighting or medical fields requiring a high color rendering index.

실시 예는 청색 광을 여기 파장으로 하는 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a red phosphor and a green phosphor using blue light as an excitation wavelength.

실시 예는 청색 발광 칩, 녹색 형광체 및 적색 형광체를 포함하는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device including a blue light emitting chip, a green phosphor and a red phosphor, and a lighting device including the same.

실시 예는 청색 광, 녹색 광 및 장 파장의 적색 광이 혼합된 백색 광의 적색, 녹색 및 청색 중 적어도 하나의 색차 값이 태양광의 대비 유사하거나 더 높은 값을 갖도록 한 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치를 제공한다.An embodiment is a light emitting device in which a color difference value of at least one of red, green, and blue of white light in which blue light, green light, and long-wavelength red light are mixed has a value similar to or higher than that of sunlight, and a lighting device having the same provides

실시 예는 청색 광, 녹색 광 및 장 파장의 적색 광이 혼합된 백색 광의 적색의 델타 채도 값이 태양광의 대비 유사하거나 더 높은 값을 갖도록 한 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device having a red delta saturation value of white light in which blue light, green light, and long-wavelength red light are mixed has a value similar to or higher than that of sunlight, and a lighting device including the same.

실시 예에 따른 발광 소자는, 청색의 광을 방출하는 발광 칩; 상기 발광 칩으로부터 방출된 광을 여기 파장으로 흡수하여 녹색의 제1피크 파장을 발광하는 제1형광체; 및 상기 발광 칩으로부터 방출된 광을 여기 파장으로 흡수하여 적색의 제2피크 파장을 발광하는 제2형광체를 포함하며, 상기 제2피크 파장은 적색의 파장 중에서 장 파장을 가지며, 상기 청색, 녹색 및 적색이 혼합된 백색 광에서 상기 적색 광은 미리 선택된 색 품질 척도(color quality scale, CQS)와 대비하여 델타 채도 값이 영(0) 이상의 값을 가진다. A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting chip emitting blue light; a first phosphor absorbing the light emitted from the light emitting chip at an excitation wavelength and emitting light of a first peak wavelength of green; and a second phosphor for absorbing the light emitted from the light emitting chip at an excitation wavelength and emitting a second peak wavelength of red, wherein the second peak wavelength has a long wavelength among red wavelengths, and the blue, green and In white light mixed with red, the red light has a delta saturation value of zero (0) or greater compared to a preselected color quality scale (CQS).

실시 예에 의하면 서로 다른 형광체 및 발광 칩의 조합을 갖는 발광소자 및 조명 장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment, it is possible to provide a light emitting device and a lighting device having different combinations of phosphors and light emitting chips.

실시 예는 발광 소자 또는 조명 장치로부터 방출된 백색 광에서 적색을 태양광 대비 더 밝고 선명하게 표현할 수 있다.According to the embodiment, red color in white light emitted from a light emitting device or lighting device can be expressed more brightly and vividly compared to sunlight.

실시 예는 발광 소자 또는 조명 장치로부터 방출된 백색 광에서 청색을 태양광 대비 더 밝고 선명하게 표현할 수 있다.In the embodiment, blue in white light emitted from a light emitting device or lighting device can be expressed more brightly and vividly compared to sunlight.

실시 예는 발광 소자 또는 조명 장치로부터 방출된 백색 광에서 녹색을 태양광 대비 더 밝고 선명하게 표현할 수 있다.According to the embodiment, green color in white light emitted from a light emitting device or lighting device can be expressed more brightly and vividly compared to sunlight.

실시 예는 발광 소자 및 이를 포함하는 조명 장치의 신뢰성을 개선할 수 있다.The embodiment may improve reliability of a light emitting device and a lighting device including the light emitting device.

도 1은 실시 예에 따른 형광체를 포함하는 발광소자의 단면도이다.
도 2는 실시 예에 따른 형광체를 갖는 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 3은 실시 예에 따른 형광체를 갖는 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 4는 실시 예에 따른 형광체가 첨가된 필름을 갖는 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 5은 실시 예에 따른 형광체가 첨가된 필름을 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이다.
도 6은 CIE 색 공간에서의 기준 광원과 형광 램프의 색 샘플 및 그 색차를 나타낸 도면이다.
도 7은 CIE 색 공간에서의 기준 광원과 CRI 90 LED의 색 샘플 및 그 색차를 나타낸 도면이다.
도 8은 CIE 색 공간에서의 기준 광원과 실시 예1에 따른 발광 소자의 색 샘플 및 색차를 나타낸 도면이다.
도 9는 CIE 색 공간에서 기준 광원과 실시 예2에 따른 발광 소자의 색 샘플 및 색차를 나타낸 도면이다.
도 10은 비교 예의 형광 램프, CRI 90 LED와 실시 예1,2에 따른 발광 소자의 파장 스펙트럼을 비교한 도면이다.
도 11은 CIE L*a*b* 색 공간을 나타낸 도면이다.
도 12는 CIE 색 공간에서 미리 선택된 색 품질 척도와 실시 예에 따른 발광 소자의 색 샘플을 비교한 도면이다.
도 13은 CIE 색 공간에서 미리 설정된 색 품질 척도와 실시 예에 따른 발광 소자와의 델타 채도를 나타낸 그래프이다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 조명장치를 나타낸 분해 사시도이다.
1 is a cross-sectional view of a light emitting device including a phosphor according to an embodiment.
2 is a view showing another example of a light emitting device having a phosphor according to an embodiment.
3 is a view showing another example of a light emitting device having a phosphor according to an embodiment.
4 is a view showing a light emitting device having a film to which a phosphor is added according to an embodiment.
5 is a view showing a lighting device having a film to which a phosphor is added according to an embodiment.
6 is a diagram illustrating color samples of a reference light source and a fluorescent lamp in a CIE color space and a color difference thereof.
7 is a diagram showing a color sample and a color difference between a reference light source and a CRI 90 LED in a CIE color space.
8 is a diagram showing color samples and color differences between a reference light source and a light emitting device according to Example 1 in a CIE color space.
9 is a diagram illustrating color samples and color differences between a reference light source and a light emitting device according to Example 2 in a CIE color space.
10 is a diagram comparing wavelength spectra of a fluorescent lamp, a CRI 90 LED of a comparative example, and a light emitting device according to Examples 1 and 2.
11 is a diagram illustrating a CIE L*a*b* color space.
12 is a diagram comparing a color quality scale previously selected in the CIE color space with a color sample of a light emitting device according to an embodiment.
13 is a graph showing delta saturation between a preset color quality scale in the CIE color space and a light emitting device according to an embodiment.
14 is an exploded perspective view illustrating a lighting device having a light emitting device according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiment, each layer (film), region, pattern or structure is "on/over" or "under" the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case where it is described as being formed in, "on/over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through another layer. do. In addition, the criteria for the top/top or bottom of each layer will be described based on the drawings.

실시 예에 따른 형광체를 갖는 발광 소자를 설명하기로 한다. 도 1은 실시 예에 따른 형광체를 갖는 발광 소자를 나타낸 단면도이다.A light emitting device having a phosphor according to an embodiment will be described. 1 is a cross-sectional view showing a light emitting device having a phosphor according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 발광 소자(10)는 몸체(11), 복수의 리드 프레임(21,23), 발광 칩(25), 및 형광체(31,33)를 갖는 몰딩부재(41)를 포함한다. Referring to FIG. 1 , a light emitting device 10 includes a body 11, a plurality of lead frames 21 and 23, a light emitting chip 25, and a molding member 41 having phosphors 31 and 33. .

상기 몸체(11)는 상기 발광 칩(25)에 의해 방출된 파장에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(11)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질로 정의될 수 있다. 상기 몸체(11)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(11)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 금속 산화물이 첨가될 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The body 11 may be formed of a material having a reflectance higher than transmittance, for example, a reflectance of 70% or more with respect to a wavelength emitted by the light emitting chip 25 . When the reflectance of the body 11 is 70% or more, it may be defined as a non-transmissive material. The body 11 may be formed of a resin material such as a resin-based insulating material, for example, polyphthalamide (PPA). A metal oxide may be added to the body 11 in a resin material such as epoxy or silicon, and the metal oxide may include at least one of TiO 2 , SiO 2 , and Al 2 O 3 .

상기 몸체(11)는 실리콘 계열, 또는 에폭시 계열, 또는 플라스틱 재질을 포함하며, 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 또한 상기 몸체(11) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 상기 몸체(11)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 11 includes a silicone-based, epoxy-based, or plastic material, and may be formed of a thermosetting resin or a material with high heat resistance and high light resistance. In addition, an acid anhydride, an antioxidant, a release agent, a light reflector, an inorganic filler, a curing catalyst, a light stabilizer, a lubricant, and titanium dioxide may be selectively added to the body 11. The body 11 may be molded by at least one selected from the group consisting of epoxy resin, modified epoxy resin, silicone resin, modified silicone resin, acrylic resin, and urethane resin. For example, an epoxy resin composed of triglycidyl isocyanurate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, etc., an acid composed of hexahydrophthalic anhydride, 3-methylhexahydrophthalic anhydride, 4-methylhexahydrophthalic anhydride, etc. DBU (1,8-Diazabicyclo (5,4,0) undecene-7) as a curing accelerator and ethylene glycol, titanium oxide pigment, and glass fibers as cocatalysts were added to an epoxy resin, and partially cured by heating. A solid epoxy resin composition subjected to a curing reaction and converted into a B stage can be used, but is not limited thereto.

상기 몸체(11) 내에 차광성 물질 또는 확산제를 혼합하여 투과하는 광을 저감시켜 줄 수 있다. 또한 상기 몸체(11)는 소정의 기능을 갖게 하기 위해서, 열 경화성수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.A light blocking material or a diffusion agent may be mixed in the body 11 to reduce transmitted light. In addition, in order for the body 11 to have a predetermined function, at least one selected from the group consisting of a diffusion agent, a pigment, a fluorescent material, a reflective material, a light blocking material, a light stabilizer, and a lubricant is properly mixed with a thermosetting resin. You can do it.

다른 예로서, 상기 몸체(11)는 투광성의 수지 물질 또는 입사 광의 파장을 변환시키는 실시 예에 따른 형광체를 갖는 수지 물질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(11)는 투광성 재질로 형성된 경우, 상기 발광 칩(25)로부터 방출된 광에 대해 70% 이상의 광이 투과되는 물질일 수 있다. As another example, the body 11 may be formed of a light-transmissive resin material or a resin material having a phosphor according to an embodiment that converts the wavelength of incident light. When the body 11 is formed of a light-transmitting material, 70% or more of the light emitted from the light-emitting chip 25 may be transmitted.

상기 몸체(11)는 상기 몸체(11)의 상면으로부터 소정 깊이로 함몰되며 상부가 오픈된 캐비티(15)를 포함한다. 상기 캐비티(15)는 오목한 컵 구조, 오픈 구조, 또는 리세스 구조와 같은 형태로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐비티(15)는 위로 올라갈수록 점차 넓어지는 너비를 갖고 있어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The body 11 is recessed to a predetermined depth from the upper surface of the body 11 and includes a cavity 15 with an open top. The cavity 15 may be formed in a shape such as a concave cup structure, an open structure, or a recess structure, but is not limited thereto. The cavity 15 has a width that gradually widens as it goes up, so light extraction efficiency can be improved.

상기 몸체(11)에는 복수의 리드 프레임 예컨대, 제1 및 제2리드 프레임(21,23)이 결합될 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,23)은 상기 캐비티(15)의 바닥에 배치될 수 있으며, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,23)의 외측부는 상기 몸체(11)를 통해 상기 몸체(11)의 적어도 한 측면에 노출될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(21) 및 상기 제2리드 프레임(23)의 하부는 상기 몸체(11)의 하부로 노출될 수 있으며, 회로 기판 상에 탑재되어 전원을 공급받을 수 있다. A plurality of lead frames, for example, first and second lead frames 21 and 23 may be coupled to the body 11 . The first and second lead frames 21 and 23 may be disposed on the bottom of the cavity 15, and outer portions of the first and second lead frames 21 and 23 pass through the body 11. It may be exposed on at least one side of the body 11. Lower portions of the first lead frame 21 and the second lead frame 23 may be exposed to the lower portion of the body 11 and may be mounted on a circuit board to receive power.

상기 제1 및 제2리드 프레임(21,23)의 다른 예로서, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,23) 중 적어도 하나 또는 모두는 오목한 컵 형상의 구조로 형성되거나, 절곡된 구조를 갖거나, 몸체(11)와의 결합을 위해 리세스된 홈 또는 구멍을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 오목한 컵 형상 내에는 상기의 발광 칩(25)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. As another example of the first and second lead frames 21 and 23, at least one or both of the first and second lead frames 21 and 23 are formed in a concave cup-shaped structure or a bent structure. It may have, or may include a recessed groove or hole for coupling with the body 11, but is not limited thereto. The light emitting chip 25 may be disposed in the concave cup shape, but is not limited thereto.

상기 제1리드 프레임(21) 및 제2리드 프레임(23)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. The first lead frame 21 and the second lead frame 23 are made of a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum It may include at least one of nium (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P), and may be formed as a single layer or multiple layers.

상기 제1리드 프레임(21) 위에는 발광 칩(25)이 배치되며, 상기 발광 칩(25)은 접합 부재로 상기 제1리드 프레임(21) 상에 접착될 수 있다. 상기 발광 칩(25)은 제1 및 제2리드 프레임(21,23) 중 적어도 하나에 연결 부재(27)로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 연결 부재(27)는 전도성 재질 예컨대, 금속 재질의 와이어를 포함한다.A light emitting chip 25 is disposed on the first lead frame 21 , and the light emitting chip 25 may be adhered to the first lead frame 21 by a bonding member. The light emitting chip 25 may be connected to at least one of the first and second lead frames 21 and 23 by a connecting member 27, but is not limited thereto. The connection member 27 includes a wire made of a conductive material, for example, a metal material.

상기 발광 칩(25)은 가시광선의 파장 범위 중에서 400nm 내지 600nm 범위의 피크 파장을 발광하게 된다. 상기 발광 칩(25)은 청색 피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 발광 칩(25)은 청색 피크 파장 예컨대, 400nm 내지 470nm 범위의 피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 발광 칩(25)은 다른 예로서, 자외선 광을 발광할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting chip 25 emits light with a peak wavelength in the range of 400 nm to 600 nm in the wavelength range of visible light. The light emitting chip 25 may emit blue peak wavelength. The light emitting chip 25 may emit light with a blue peak wavelength, for example, a peak wavelength ranging from 400 nm to 470 nm. As another example, the light emitting chip 25 may emit ultraviolet light, but is not limited thereto.

상기 발광 칩(25)은 II-VI족 화합물 및 III-V족 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(25)은 예컨대, GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, GaP, AlN, GaAs, AlGaAs, InP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 화합물로 형성될 수 있다. The light emitting chip 25 may include at least one of a group II-VI compound and a group III-V compound. The light emitting chip 25 may be formed of, for example, a compound selected from the group consisting of GaN, AlGaN, InGaN, AlInGaN, GaP, AlN, GaAs, AlGaAs, InP, and mixtures thereof.

상기 캐비티(15)에는 몰딩부재(41)가 배치되며, 상기 몰딩부재(41)는 실시 예에 따른 형광체(31,33)를 포함한다. 상기 형광체(31,33)는 서로 다른 피크 파장을 발광하는 형광 물질을 포함한다. 상기 형광체(31,33)는 예컨대, 서로 다른 피크 파장을 발광하는 제1형광체(31) 및 제2형광체(33)를 포함한다. 상기 제1형광체(31)는 한 종류 또는 두 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 발광 칩(25)으로부터 방출된 피크 파장을 여기 파장으로 하여 제1피크 파장 예컨대, 녹색 광을 발광하는 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 녹색 형광체는 570nm 이하 예컨대, 540nm 내지 560nm의 피크 파장을 발광할 수 있다. A molding member 41 is disposed in the cavity 15, and the molding member 41 includes the phosphors 31 and 33 according to the embodiment. The phosphors 31 and 33 include fluorescent materials emitting different peak wavelengths. The phosphors 31 and 33 include, for example, a first phosphor 31 and a second phosphor 33 emitting light of different peak wavelengths. The first phosphor 31 may include one type or two or more types of phosphors. For example, a green phosphor that emits green light at a first peak wavelength, for example, by using the peak wavelength emitted from the light emitting chip 25 as an excitation wavelength. can include The green phosphor may emit light with a peak wavelength of 570 nm or less, for example, 540 nm to 560 nm.

상기 제1형광체(31)는 예컨대, (Y,Gd,Lu,Tb)3(Al,Ga)5O12:Ce, (Mg,Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu, (Ca,Sr)3SiO5:Eu, (La,Ca)3Si6N11:Ce, α-SiAlON:Eu, β-SiAlON:Eu, Ba3Si6O12N2:Eu, Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce, CaSc2O4:Eu, BaAl8O13:Eu, (Ca,Sr,Ba)Al2O4:Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In)2S4:Eu, (Ca,Sr)8(Mg,Zn)(SiO4)4Cl2:Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba)3MgSi2O8:Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba)2(Mg,Zn)Si2O7:Eu, Zn2SiO4:Mn, (Y,Gd)BO3:Tb, ZnS:Cu,Cl/Al, ZnS:Ag,Cl/Al, (Sr,Ca)2Si5N8:Eu, (Li,Na,K)3ZrF7:Mn, (Li,Na,K)2(Ti,Zr)F6:Mn, (Ca,Sr,Ba)(Ti,Zr)F6:Mn, Ba0 . 65Zr0 .35F2. 7:Mn, (Sr,Ca)S:Eu, (Y,Gd)BO3:Eu, (Y,Gd)(V,P)O4:Eu, Y2O3:Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg)5(PO4)3Cl:Eu, (Ca,Sr,Ba)MgAl10O17:Eu, (Ca,Sr,Ba)Si2O2N2:Eu, 3.5MgOㆍ0.5MgF2ㆍGeO2:Mn 등 중에서 한 종류 또는 2종류 이상이 선택될 수 있다. 상기 제1형광체(31)는 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있으며, 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 녹색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다. The first phosphor 31 may be, for example, (Y,Gd,Lu,Tb) 3 (Al,Ga) 5 O 12 :Ce, (Mg,Ca,Sr,Ba) 2 SiO 4 :Eu, (Ca,Sr) ) 3 SiO 5 :Eu, (La,Ca) 3 Si 6 N11 :Ce, α-SiAlON:Eu, β-SiAlON:Eu, Ba 3 Si 6 O 12 N 2 :Eu, Ca 3 (Sc,Mg) 2 Si 3 O 12 :Ce, CaSc 2 O 4 :Eu, BaAl 8 O 13 :Eu, (Ca,Sr,Ba)Al 2 O 4 :Eu, (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In) 2 S 4 :Eu, (Ca,Sr) 8 (Mg,Zn)(SiO 4 ) 4 C l2 :Eu/Mn, (Ca,Sr,Ba) 3 MgSi 2 O 8 :Eu/Mn, (Ca,Sr, Ba) 2 (Mg,Zn)Si 2 O 7 :Eu, Zn 2 SiO 4 :Mn, (Y,Gd)BO 3 :Tb, ZnS:Cu,Cl/Al, ZnS:Ag,Cl/Al, (Sr ,Ca) 2 Si 5 N 8 :Eu, (Li,Na,K) 3 ZrF 7 :Mn, (Li,Na,K) 2 (Ti,Zr)F 6 :Mn, (Ca,Sr,Ba)( Ti,Zr)F 6 :Mn, Ba 0 . 65 Zr 0.35 F 2. 7 :Mn, (Sr,Ca)S:Eu, (Y,Gd) BO 3 :Eu, (Y,Gd)(V,P)O 4 :Eu, Y 2 O 3 :Eu, (Sr,Ca,Ba,Mg) 5 (PO 4 ) 3 Cl:Eu, (Ca,Sr,Ba)MgAl 10 O 17 :Eu, (Ca,Sr,Ba)Si 2 O 2 N 2 : One type or two or more types may be selected from among Eu, 3.5MgO·0.5MgF 2 ·GeO 2 :Mn, and the like. The first phosphor 31 may include a quantum dot, and the quantum dot may include a II-VI compound or a III-V compound semiconductor, and may emit green light. The quantum dots may be, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS 2 , CuInSe 2 and the like, and combinations thereof.

상기 제2형광체(33)는 상기 발광 칩(25)로부터 방출된 광을 여기 파장으로 하여 제2피크 파장 예컨대, 적색 피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 제2형광체(33)는 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 MGF계 형광체는 예컨대, Mg4Ge1 - xOyF:Mn4 + x의 조성식을 가지며, 상기 x는 0.001 ≤ x ≤ 0.1를 만족하며, y는 1 ≤ y ≤5를 만족할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1 -cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 상기 KTF계 형광체 예컨대, KdTi1-gFe:Mn4+ g의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 d는 1 ≤ d ≤ 2.5, 상기 e는 5 ≤ e ≤ 6.5, 상기 g는 0.001 ≤ g ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 상기 제2형광체(33)는 Mn4+ 활성제 형광체인 불화물 화합물 형광체는 높은 발광 효율을 가지며 청색 피크 파장에서 강한 흡수를 갖게 된다. 상기 제2형광체(33)는 황화물계 형광체 예컨대, (Ca,Sr)S:Eu2+ 또는 질화물계 예컨대, CaAlSiN3:Eu2 + 형광체를 포함할 수 있다. 상기 활성체는 Mn4 + 등의 4가 전이금속 이온이거나, 각종 희토류 이온이나 전이금속 이온에서 선택되는 금속 이온을 필요에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, Eu2+ , Ce3 +, Pr3 +, Nd3 +, Sm3 +, Eu3 +, Gd3 +, Tb3 +, Dy3 +, Ho3 +, Er3 +, Tm3 +, Yb3 + 등의 3가 희토류금속 이온, Sm2 +, Eu2 +, Yb2 + 등의 2가 희토류금속 이온, Mn2 + 등의 2가 전이금속이온, Cr3 +이나 Fe3 + 등의 3가 전이금속이온 등이다. The second phosphor 33 may emit light of a second peak wavelength, for example, a red peak wavelength, by using the light emitted from the light emitting chip 25 as an excitation wavelength. The second phosphor 33 may include a phosphor of a fluoride compound, for example, at least one of an MGF-based phosphor, a KSF-based phosphor, or a KTF-based phosphor. The MGF-based phosphor has a composition formula of, for example, Mg 4 Ge 1 - x O y F:Mn 4 + x , where x satisfies 0.001 ≤ x ≤ 0.1, and y may satisfy 1 ≤ y ≤ 5. The KSF-based phosphor, for example, may have a composition formula of K a Si 1 -c F b :Mn 4+ c , wherein a is 1 ≤ a ≤ 2.5, b is 5 ≤ b ≤ 6.5, and c is 0.001 ≤ c ≤ 0.1 can be satisfied. The KTF-based phosphor, for example, may have a compositional formula of K d Ti 1-g F e :Mn 4+ g , wherein d is 1 ≤ d ≤ 2.5, e is 5 ≤ e ≤ 6.5, and g is 0.001 ≤ g ≤ 0.1 can be satisfied. The second phosphor 33 is a fluoride compound phosphor, which is an Mn 4+ activator phosphor, and has high luminous efficiency and strong absorption at a blue peak wavelength. The second phosphor 33 may include a sulfide phosphor such as (Ca,Sr)S:Eu 2+ or a nitride phosphor such as CaAlSiN 3 :Eu 2+ . The activator may be a tetravalent transition metal ion such as Mn 4+ , or a metal ion selected from various rare earth ions or transition metal ions , if necessary, and may be appropriately selected, for example, Eu 2+ , Ce 3+ , Pr Trivalent rare earth metal ions such as 3+ , Nd 3+ , Sm 3+ , Eu 3+ , Gd 3+ , Tb 3+ , Dy 3+ , Ho 3+ , Er 3+ , Tm 3+ , Yb 3+ , divalent rare earth metal ions such as Sm 2+ , Eu 2+ , and Yb 2+ , divalent transition metal ions such as Mn 2+ , and trivalent transition metal ions such as Cr 3+ and Fe 3+ .

상기 제2형광체(33)는 상기 발광 칩(25)으로부터 방출된 청색 파장을 여기 파장으로 하여 적색 예컨대, 적색 피크 파장 중에서 장 파장을 발광할 수 있다. 상기 제2형광체(33)로부터 방출된 제2피크 파장은 645nm 이상 예컨대, 650nm 내지 670nm의 피크 파장을 발광할 수 있다. The second phosphor 33 may use the blue wavelength emitted from the light emitting chip 25 as an excitation wavelength to emit red light, eg, a long wavelength among red peak wavelengths. The second peak wavelength emitted from the second phosphor 33 may emit light having a peak wavelength of 645 nm or more, for example, 650 nm to 670 nm.

실시 예는 발광 칩(25)로부터 방출된 청색 광, 상기 제1형광체(31)에 의해 녹색 광, 상기 제2형광체(33)에 의한 적색 광을 조합하여 백색 발광소자를 구현할 수 있다. 이러한 백색 발광 소자는 별도의 황색 형광체를 사용하지 않으므로, 색 재현율을 높여줄 수 있다. In an embodiment, a white light emitting device may be implemented by combining blue light emitted from the light emitting chip 25 , green light from the first phosphor 31 , and red light from the second phosphor 33 . Since such a white light emitting device does not use a separate yellow phosphor, color reproducibility can be increased.

실시 예에 따른 백색 광은 하나 또는 복수의 발광 소자, 또는 상기 발광 소자를 갖는 조명 장치로부터 방출된 청색, 녹색 및 적색의 스펙트럼 조합에 의해 형성될 수 있다. 또한 실시 예에 따른 발광 소자 또는 이를 갖는 조명 장치는 반도체로 이루어진 발광 칩(25)과 이를 통해 방출된 일부 광을 파장 변환하는 2종 이상의 형광체(31,33)을 포함하는 조명 시스템을 제공할 수 있다. The white light according to the embodiment may be formed by a combination of blue, green, and red spectra emitted from one or a plurality of light emitting elements or a lighting device having the light emitting elements. In addition, a light emitting element or a lighting device having the light emitting device according to an embodiment may provide a lighting system including a light emitting chip 25 made of a semiconductor and two or more types of phosphors 31 and 33 for converting wavelengths of some light emitted through the light emitting chip 25 . there is.

실시 예에서 발광 소자로부터 방출된 백색 광이 태양광의 색 샘플 대비 유사하거나 더 밝고 선명한 느낌을 줄 수 있으며, 일반적인 형광 램프나 흑체 광원의 색 표현(color appearance) 보다 향상된 색 대비를 보여줄 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 백색 광이 흑체 광원 대비 색차나 채도가 개선된 색 표현을 가질 수 있다. 상기 흑체 광원의 색도 궤적은 플랑크 궤적(Planckian locus)이며, 이 궤적 상의 점에 의해 표현되는 광원은 켈빈 단위를 가진 색 온도에 의해 특정될 수 있다. 일반적 조명은 대체로 2000K와 10000K 사이의 색 온도를 가지며, 일반적 조명을 위한 다수의 조명 장치들은 2700K와 6500K 사이의 색 온도에 있다.In an embodiment, white light emitted from a light emitting device may give a similar or brighter and clearer feeling than a color sample of sunlight, and may show improved color contrast than a general fluorescent lamp or black body light source. Accordingly, the white light according to the embodiment may have a color expression with improved color difference or saturation compared to the black body light source. The chromaticity locus of the blackbody light source is a Planckian locus, and a light source represented by a point on this locus can be specified by a color temperature in Kelvin units. General lighting generally has a color temperature between 2000K and 10000K, and many lighting devices for general lighting have color temperatures between 2700K and 6500K.

발광 소자 또는 조명 장치에 의한 색상 재현은 통상 연색 평가 지수(CRI; Color Rendering index) 또는 평균 연색 평가 지수(CRI Ra)를 이용하여 측정된다. CRI의 계산에서, 기준 발광체 및 시험 소스에 의해 조명될 때 14개 반사 샘플들의 색상 표현(color appearance)이 시뮬레이트된다. 시험 및 기준 조명 사이에서의, 각각의 샘플에 대한, 색상 현시에서의 차이 △Ei는 CIE 1964 W*U*V 균일 색상 공간에서 계산된다. 따라서 이것은 특정 램프에 의해 조사될 때 물체의 표면 색상과 휘도에서의 상대적 이동 측정치를 제공한다. 일반적인 연색 평가 지수 CRI Ra는, 모두가 낮은 내지 중간의 유채색 포화(chromatic saturation)를 갖는 처음 8개 인덱스를 이용하는 수정된 평균이다. 조명 시스템에 의해 조사되는 한 세트의 시험 색상의 색 좌표와 상대적 휘도가 기준 방사기에 의해 조사되는 동일한 시험 색상의 좌표와 동일하다면 CRI Ra는 100이다. 태양광(daylight)은 높은 CRI(약 100의 Ra)를 가지며, 형광 램프도 95보다 큰 Ra를 가지며, 및 형광 조명은 물체의 색상이 중요하지 않은 일반적인 조명으로 70-80의 Ra를 가질 수 있다. 또한 일반적인 내부 조명의 경우, CRI Ra > 80이 허용 가능하며, CRI Ra > 85 이상 예컨대, CRI Ra > 90은 더 높은 색상 품질을 제공한다. 이러한 CRI는, 색상 렌더링, 또는 색상 충실도만을 평가하고, 색채 구별 및 관찰자 선호도 등의 다른 양태의 색상 품질은 무시한다. Color reproduction by a light emitting element or lighting device is usually measured using a color rendering index (CRI) or an average color rendering index (CRI Ra). In the calculation of the CRI, the color appearance of the 14 reflective samples when illuminated by a reference illuminant and a test source is simulated. The difference in color appearance, for each sample, between test and reference illumination, ΔEi is calculated in the CIE 1964 W*U*V uniform color space. Thus, it provides a measure of the relative shift in surface color and luminance of an object when illuminated by a particular lamp. The general color rendering index CRI Ra is a modified average using the first eight indices, all of which have low to medium chromatic saturation. The CRI Ra is 100 if the color coordinates and relative luminance of a set of test colors illuminated by the illumination system are identical to the coordinates of the same test color illuminated by the reference emitter. Daylight has a high CRI (Ra of about 100), fluorescent lamps also have Ra greater than 95, and fluorescent lighting can have Ra of 70-80 for general lighting where the color of the object is not important. . Also for normal interior lighting, CRI Ra > 80 is acceptable, CRI Ra > 85 or higher, eg CRI Ra > 90, provides higher color quality. This CRI only evaluates color rendering, or color fidelity, and ignores other aspects of color quality, such as color discrimination and observer preference.

국립 표준 및 기술 연구소(NIST; National Institute of Standards and Technology)에 의해 개발된 CQS(Color Quality Scale)는 이들 다른 양태의 색상 현시를 포함하고 특히 고체 상태 조명에 관한 CRI의 많은 단점을 해결하도록 설계되어 있다. CQS를 계산하기 위한 방법은 CRI에 이용되는 방법에 대한 수정에 기초하고 CRI 인덱스보다 훨씬 높은 채도(chroma)를 갖는 15개의 Munsell 샘플 집합을 이용한다.The Color Quality Scale (CQS) developed by the National Institute of Standards and Technology (NIST) covers these different aspects of color appearance and is designed to address many of the shortcomings of CRI, especially for solid-state lighting. there is. The method for calculating CQS is based on modifications to the method used for CRI and uses a set of 15 Munsell samples with much higher chroma than the CRI index.

발광 소자 또는 조명 장치로부터 조사된 백색 광은 상관 색 온도에 대해 미리 선택된 색 품질 척도(Color Quality Scale(CQS))의 15개의 색 샘플의 각각에 대한 델타 채도(ΔC: Δ-chroma) 값을 가진다. 이 색 품질 척도(CQS)의 채도 값은 도 11과 같은 CIE L*a*b* 색 공간에서 측정된다. 이 채도 값은 종래의 기법에 의해, 예를 들어 CIE L*a*b* 색 공간에서 측정될 수 있다. 예를 들어, CIE 1976 a,b 채도 값은 C* ab = [(a*)2+(b*)2]1 /2로 계산될 수 있다. 상기 L*는 반사율(또는 명도)을 나타내며, C*는 채도를 나타내며, 중앙이 0이고 주변으로 갈수록 그 수가 점점 커지며, a*는 색도 다이어그램으로, +a*는 적색, - a*는 녹색 방향을 나타낸다. b*는 색도 다이어그램으로, + b*는 노랑, - b*는 청색 방향을 나타낸다.White light emitted from a light emitting element or lighting device has a delta chroma (ΔC: Δ-chroma) value for each of 15 color samples of a color quality scale (CQS) preselected for correlated color temperature. . The saturation value of this color quality scale (CQS) is measured in the CIE L * a * b * color space as shown in FIG. 11 . This saturation value can be measured by conventional techniques, for example in the CIE L * a * b * color space. For example, the CIE 1976 a,b chroma value can be calculated as C * ab = [(a * ) 2 + (b * ) 2 ] 1/2 . The L * represents reflectance (or brightness), C * represents saturation, the center is 0 and the number gradually increases toward the periphery, a * is a chromaticity diagram, +a * is red, -a * is green direction indicates b * is the chromaticity diagram, +b * indicates the direction of yellow and -b * indicates the direction of blue.

상기 색 품질 척도(CQS)는 연색 인덱스(Color Rendering Index(CRI))에 의해 유사하게 수행되는 바와 같이 광원에 의해 조명된 대상의 색의 여러 측면들을 평가하기 위해 15 개의 먼셀 색 샘플(Munsell color sample)을 사용한다. 그러나, 연색 인덱스(CRI) 시스템은 연색을 평가하기 위해 14개의 표준 색 샘플(일반적으로, R1-R14 또는 Ri로 표시되는)을 활용한다. 전형적으로, 연색 인덱스(CRI)에 따른 연색 점수가 전달되면, 그것은 일반적인 연색 인덱스(general color rendering index)"(Ra라 함)이며, 그것은 모두 8개 샘플들에 대한 Ri 값의 평균이다. 그러나, 대상 색을 측정하는 연색 인덱스(CRI) 시스템은 색 공간의 적색 영역이 균일하지 않은 단점을 가지고 있다. 즉, 높은 연색 인덱스 광원은 CRI 값과 광 효율을 우선시하므로, 640nm 이하의 단 파장의 적색 광을 사용하고 전체 파장에 대해 강약의 특징이 없도록 설계하고 있다. 이에 따라 적색, 녹색, 청색이 태양광과 유사한 정도로 표현할 경우, 약간 어둡고 탁해 보이는 문제가 있다.The Color Quality Scale (CQS) uses 15 Munsell color samples to evaluate various aspects of the color of an object illuminated by a light source, similarly performed by the Color Rendering Index (CRI). ) is used. However, color rendering index (CRI) systems utilize 14 standard color samples (generally denoted R1-R14 or Ri) to evaluate color rendering. Typically, if the color rendering score according to the color rendering index (CRI) is conveyed, it is the general color rendering index" (referred to as Ra), and it is the average of the Ri values for all 8 samples. However, The color rendering index (CRI) system that measures the target color has a disadvantage that the red region of the color space is not uniform, that is, a high color rendering index light source prioritizes the CRI value and light efficiency, so short-wavelength red light of 640 nm or less It is designed so that there is no characteristic of strength and weakness for all wavelengths, so when red, green, and blue are expressed to a degree similar to sunlight, there is a problem that it looks slightly dark and cloudy.

도 6은 CIE 색 공간에서의 기준 광원(ref)과 테스트(test) 샘플인 형광 램프의 색 샘플 및 그 색차를 나타낸 도면으로서, 기준 광원은 흑체 광원 또는 태양광원이다. 도 6에서 각 색 샘플에서의 기준 광원과 형광 램프의 색차는 TCS (Test color sample) 01 ~ TCS 14, white가 ΔE*ab의 값을 나타난다. 여기서, 적색의 색차 ΔE*ab가 21.9의 값으로 구해지며, 청색의 ΔE*ab는 7.1의 값으로 구해진다. 상기 각각의 색 샘플의 색차 ΔE* ab = [(ΔL*)2 + (Δa*)2 + (Δb*)2]1/2 로 구해질 수 있다.6 is a diagram showing a color sample and a color difference between a reference light source (ref) and a fluorescent lamp as a test sample in the CIE color space, wherein the reference light source is a blackbody light source or a solar light source. In FIG. 6, the color difference between the reference light source and the fluorescent lamp in each color sample is TCS (Test color sample) 01 to TCS 14, and white indicates a value of ΔE*ab. Here, the color difference ΔE*ab of red is obtained as a value of 21.9, and the value of ΔE*ab of blue is obtained as a value of 7.1. The color difference of each color sample may be obtained as ΔE * ab = [(ΔL * ) 2 + (Δa * ) 2 + (Δb * ) 2 ] 1/2 .

도 7은 CIE 색 공간에서의 기준 광원과 CRI 90 LED의 색 샘플 및 그 차이를 나타낸 도면으로서, 기준 광원은 흑체 광원 또는 태양광원이며 테스트 광원은 CIR 90 LED이다. 도 7에서 각 색 샘플에서의 기준 광원과 CIR 90 LED의 색차는 TCS (Test color sample) 01 ~ TCS 14, white가 ΔE* ab의 값으로 구해지는데, 이때 적색의 색차는 ΔE* ab가 4.0의 값으로 형광 램프보다 작은 값을 가지고 형광 램프의 색 샘플보다 어둡고 탁하게 표현되고 있으며, 청색의 ΔE* ab는 9.0의 값으로 형광 램프보다 높은 값을 가지고 형광 램프의 색 샘플보다 밝게 표현됨을 알 수 있다. 이 경우 CRI 90 LED는 CRI를 90 이상의 Ra와 광 효율을 고려하기 위해 640nm 이하의 파장을 사용하게 되므로, 적색의 색 샘플(TCS 09)과 같은 광을 사용하여 물체를 비출 경우 물체가 어둡고 탁하게 표현되는 문제가 있다. 이러한 CRI 90 LED를 이용한 조명 장치가 특정 물체 예컨대, 정육, 청과, 어류와 같은 물체를 비출 경우 어둡고 탁하게 표현되어, 물체에 대한 거부감으로 작용될 수 있다. 7 is a diagram showing color samples and differences between a reference light source and a CRI 90 LED in the CIE color space, wherein the reference light source is a blackbody light source or a solar light source, and the test light source is a CIR 90 LED. In FIG. 7, the color difference between the reference light source and the CIR 90 LED in each color sample is TCS (Test color sample) 01 to TCS 14, and white is obtained as a value of ΔE * ab . At this time, the color difference of red is ΔE * ab of 4.0 As a value, it has a smaller value than the fluorescent lamp and is expressed darker and more turbid than the color sample of the fluorescent lamp, and ΔE * ab of blue has a value of 9.0, which is higher than that of the fluorescent lamp and is expressed brighter than the color sample of the fluorescent lamp. . In this case, a CRI 90 LED uses a wavelength of 640 nm or less to consider a CRI of 90 or more Ra and light efficiency, so when an object is illuminated using the same light as the red color sample (TCS 09), the object appears dark and hazy. there is a problem When a lighting device using such a CRI 90 LED illuminates a specific object, such as meat, fruit and vegetables, or fish, it may appear dark and cloudy, which may act as a rejection of the object.

실시 예는 상기한 문제를 해결하기 위해, 발광 소자로부터 방출된 백색 광에 의해, 청색, 녹색 및 적색 광이 물체에 비춰질 때, 보다 밝고 선명하게 표현될 수 있다. 예를 들면, 발광 소자로부터 방출된 적색 광이 장 파장 예컨대, 645nm 이상 예컨대, 650nm 내지 670nm의 피크 파장을 방출하게 된다. 이에 따라 640nm 이하의 광을 사용하는 CRI 90 LED에 비해 물체에 비춰진 적색보다 선명하고 밝게 표현될 수 있다. 또한 발광 소자로부터 방출된 백색 광에서 녹색 광이 장 파장 예컨대, 540nm 내지 560nm 범위의 피크 파장을 발광함으로써, 물체에 비춰진 녹색을 더 밝고 선명하게 표현할 수 있다. 실시 예에 따른 백색 광의 색 온도는 주 광색(Pure white)의 색 온도 예컨대, 4500K 내지 5500K 범위를 가질 수 있다. In an embodiment, in order to solve the above problem, when blue, green, and red lights are projected on an object by white light emitted from a light emitting device, it can be expressed more brightly and vividly. For example, red light emitted from the light emitting element emits a peak wavelength of a long wavelength, for example, 645 nm or more, for example, 650 nm to 670 nm. Accordingly, compared to CRI 90 LEDs that use light of 640 nm or less, it can be expressed more clearly and brighter than red reflected on an object. In addition, green light emitted from the light emitting device emits a long wavelength, for example, a peak wavelength in the range of 540 nm to 560 nm, so that green light reflected on an object can be expressed more brightly and vividly. The color temperature of white light according to the embodiment may have a color temperature of pure white, for example, in a range of 4500K to 5500K.

도 8은 CIE 색 공간에서의 기준 광원과 실시 예1에 따른 발광 소자의 색 샘플 및 그 채도차이를 나타낸 도면으로서, 기준 광원은 흑체 광원 또는 태양광원이며, 테스트 광원은 실시 예1에 따른 발광 소자로서 적색 파장을 650nm±5nm의 범위로 사용한 경우이다.8 is a diagram showing a color sample and a chroma difference between a reference light source and a light emitting device according to Example 1 in a CIE color space, wherein the reference light source is a blackbody light source or a solar light source, and a test light source is a light emitting device according to Example 1 This is the case when the red wavelength is used in the range of 650 nm ± 5 nm.

도 9는 CIE 색 공간에서 기준 광원과 실시 예2에 따른 발광 소자의 색 샘플 및 색차를 나타낸 도면으로서, 기준 광원은 흑체 광원 또는 태양광원이며, 테스트 광원은 실시 예2에 따른 발광 소자로서 적색 파장이 660nm±5nm의 범위로 사용한 경우이다.9 is a view showing color samples and color differences between a reference light source and a light emitting device according to Example 2 in a CIE color space, wherein the reference light source is a black body light source or a solar light source, and a test light source is a light emitting device according to Example 2 and has a red wavelength This is the case of using the range of 660 nm ± 5 nm.

도 8 및 도 9와 같이, 실시 예의 발광 소자로부터 방출된 청색 광의 색차는 색 공간에서 흑체 광원 대비 6내지 9의 값을 가지며, 적색 광의 색차는 색 공간에서 흑체 광원 대비 3내지 6의 값을 가질 수 있다. 예컨대, 적색 색 샘플(TCS 09)를 보면, 실시 예1의 적색 색 샘플(TCS 09)의 색차 ΔE* ab는 3.3±0.2로 태양광원과 유사한 값을 가지게 되며, 실시 예2의 적색 색 샘플(TCS 09)의 색차 ΔE* ab은 5.8±0.2로 구해지며 흑체광원 대비 보다 밝고 선명한 느낌을 줄 수 있다. 청색 색 샘플(TCS 12)를 보면, 실시 예1의 청색 색 샘플(TCS 12)의 색차 ΔE* ab는 8.9±0.2로 구해지며, 실시 예2의 청색 색 샘플(TCS 09)의 색차 ΔE* ab은 6.7±0.2로 구해질 수 있다. 상기 색차 값이 0에 가까울수록 태양광원에 유사한 색을 가지며, 상기 색차 값이 클수록 보다 선명한 색으로 표현될 수 있다. 이때 실시 예1,2의 적색 파장이 장 파장을 사용하므로 CRI 90 LED에 비해 보다 밝은 색으로 표현될 수 있다. 8 and 9, the color difference of blue light emitted from the light emitting device of the embodiment has a value of 6 to 9 compared to the black body light source in the color space, and the color difference of red light has a value of 3 to 6 compared to the black body light source in the color space. can For example, looking at the red color sample (TCS 09), the color difference ΔE * ab of the red color sample (TCS 09) of Example 1 is 3.3±0.2, which is similar to that of the sunlight source, and the red color sample of Example 2 ( The color difference ΔE * ab of TCS 09) is obtained as 5.8±0.2, and it can give a brighter and clearer feeling than a blackbody light source. Looking at the blue color sample (TCS 12), the color difference ΔE * ab of the blue color sample (TCS 12) of Example 1 is obtained as 8.9 ± 0.2, and the color difference ΔE * ab of the blue color sample (TCS 09) of Example 2 can be obtained as 6.7±0.2. The closer the color difference value is to 0, the color similar to that of the sunlight source is obtained, and the larger the color difference value is, the more vivid the color can be expressed. At this time, since the red wavelength of Examples 1 and 2 uses a long wavelength, a brighter color can be expressed compared to the CRI 90 LED.

도 10은 비교 예의 형광 램프, CRI 90 LED와 실시 예1,2에 따른 발광 소자의 파장 스펙트럼을 비교한 도면이다. 여기서, 실시 예1은 적색 파장(R1)이 650nm±5nm의 범위를 가지며, 실시 예2는 적색 파장(R2)이 660nm±5nm의 범위를 가질 수 있다. 실시 예1,2의 적색 파장(R1,R2)의 광도가 장 파장에서 CRI 90 LED에 비해 높게 나타남을 알 수 있다.10 is a diagram comparing wavelength spectra of a fluorescent lamp, a CRI 90 LED of a comparative example, and a light emitting device according to Examples 1 and 2. Here, in Example 1, the red wavelength R1 may have a range of 650 nm ± 5 nm, and in Example 2, the red wavelength R2 may have a range of 660 nm ± 5 nm. It can be seen that the luminous intensity of the red wavelengths (R1 and R2) of Examples 1 and 2 is higher than that of the CRI 90 LED at long wavelengths.

도 11은 CIE L*a*b* 색 공간을 나타낸 도면으로서, 중심을 기준으로 가장 자리에 위치할수록 채도가 높게 나타나며, 중앙이 0이고 주변으로 갈수록 그 수가 점점 커지며, a*는 색도 다이어그램으로, +a*는 적색, - a*는 녹색 방향을 나타낸다. b*는 색도 다이어그램으로, + b*는 노랑, - b*는 청색 방향을 나타낸다.11 is a diagram showing the CIE L * a * b * color space, where the saturation is higher as the center is located at the edge, the center is 0 and the number gradually increases toward the periphery, a * is a chromaticity diagram, +a * represents the red direction and -a * represents the green direction. b * is the chromaticity diagram, +b * indicates the direction of yellow and -b * indicates the direction of blue.

실시 예는 색 공간 상에서 태양광원보다 밝은 정도를 나타내기 위해, 색 품질 척도(CQS)를 이용할 수 있다. 색 품질 척도는 상기 연색 인덱스(CRI) 시스템의 단점을 극복하며, 비교적 높은 색 포화도(chroma, Color saturation)를 가지며 색 공간에서 대체로 균등하게 분포된 총 15개의 색 샘플의 색체 표현을 포함하는 전체 Qa 값을 사용한다. Qa 값은 일반적으로 15개의 색 샘플 각각에 대한 개별적인 색 품질 척도(CQS) 값의 평균에 해당한다. 도 12는 기준 광원과 실시 예에 따른 발광 소자의 상관 색 온도(CCT) 값에 따른 색 샘플(VS1~VS15) 및 색 품질 척도를 나타낸 것이다. 도 12와 같이 적색 색 샘플(VS14)은 상관 색 온도 4500K 내지 5500K에 대해 현저하게 높게 나타남을 알 수 있다.The embodiment may use a color quality scale (CQS) to indicate a degree of brightness greater than that of a sunlight source in a color space. The color quality measure overcomes the disadvantages of the color rendering index (CRI) system, and the overall Qa including the color representation of a total of 15 color samples having a relatively high color saturation (chroma) and being approximately evenly distributed in the color space. use the value The Qa value typically corresponds to the average of the individual Color Quality Scale (CQS) values for each of the 15 color samples. 12 illustrates color samples VS1 to VS15 and color quality scales according to a reference light source and a correlated color temperature (CCT) value of a light emitting device according to an embodiment. As shown in FIG. 12, it can be seen that the red color sample (VS14) has a significantly higher correlation color temperature of 4500K to 5500K.

실시 예에 따른 발광 소자로부터 방출된 백색 광에 대해 색 온도와 색도 좌표에서 각 컬러의 채도 값이 생성되면, 상기 채도 값은 기준 광원의 각 컬러 값에 대한 기준 채도 값과 비교될 수 있다. 이때의 기준 광원은 흑체 광원 또는 태양광원이고, 상기 기준 광원과 실시 예에 따른 발광 소자의 백색 광에 대한 채도 차이 즉, 델타 채도 값은 기준 광원의 채도 값과 실시 예에 따른 채도 값의 산술적인 차이로 구해질 수 있다. When a saturation value of each color is generated from the color temperature and chromaticity coordinates of the white light emitted from the light emitting device according to the embodiment, the saturation value may be compared with a reference saturation value for each color value of the reference light source. At this time, the reference light source is a black body light source or a solar light source, and the chroma difference between the reference light source and the white light of the light emitting device according to the embodiment, that is, the delta saturation value is the arithmetic value of the saturation value of the reference light source and the saturation value according to the embodiment. difference can be obtained.

표 1은 형광 램프, CRI 90 LED, 실시 예1,2의 기준 광원의 색도 다이어 그램(Ref_a*, Ref_b*), 실시 예에 따른 발광 소자의 색도 다이어그램(a*, b*), 델타 채도(C* ab) 값을 나타낸 표이다.Table 1 is a fluorescent lamp, a CRI 90 LED, chromaticity diagrams (Ref_a * , Ref_b * ) of reference light sources of Examples 1 and 2, chromaticity diagrams (a * , b * ) of light emitting devices according to Examples, delta chroma ( This is a table showing C * ab ) values.

종류type Ref_a* Ref_a * Ref_b* Ref_b * a* a * b* b * C* ab C * ab 형광램프fluorescent lamp 47.6647.66 3.073.07 65.1365.13 7.237.23 17.7717.77 CRI90 LEDCRI90 LEDs 47.0647.06 2.112.11 45.2845.28 1.431.43 -1.80-1.80 실시예1Example 1 46.8946.89 2.922.92 48.4748.47 3.633.63 1.631.63 실시예2Example 2 47.6347.63 3.023.02 51.4651.46 3.893.89 3.883.88

표 1과 같이, 델타 채도 값이 0 이상 예컨대, 1 내지 4 사이의 값을 가지며, CRI 90 LED에 비해 큰 차이를 가짐을 알 수 있으며, 실시 예1과 같이 적색 파장이 650nm±5nm의 범위를 갖는 경우 델타 채도 값이 1 이상이며, 실시 예2와 같이 적색 파장이 660nm±5nm의 범위인 경우 델타 채도 값이 3 이상임을 알 수 있다. 이에 따라 백색 광이 물체에 비춰질 때, 적색 광이 보다 선명한 색으로 비춰질 수 있다. As shown in Table 1, it can be seen that the delta saturation value has a value of 0 or more, for example, between 1 and 4, and has a large difference compared to the CRI 90 LED, and as in Example 1, the red wavelength ranges from 650 nm ± 5 nm It can be seen that the delta saturation value is 1 or more, and the delta saturation value is 3 or more when the red wavelength is in the range of 660 nm ± 5 nm, as in Example 2. Accordingly, when white light is projected onto an object, red light may be projected in a more vivid color.

도 13은 기준 광원과 실시 예에 따른 발광 소자(Test)의 채도 차이를 비교한 도면으로서, 적색(VS14)의 델타 채도((C* ab)CQS14 가 상대적으로 크게 차이 남을 알 수 있다. 13 is a diagram comparing the chroma difference between the reference light source and the light emitting device (Test) according to the embodiment, and it can be seen that the delta chroma ((C * ab ) CQS14 of red (VS14) remains relatively large.

실시 예는 청색 발광 칩으로부터 방출된 청색 광과, 제1형광체에 의한 녹색의 장 파장 광과, 제2형광체에 의한 적색의 장 파장 광을 혼합한 백색 광의 청색, 녹색 및 적색이 더 밝고 선명한 색으로 물체에 비춰질 수 있다. 특히 정육, 청과, 어류와 같은 물체에 더 선명하고 밝은 색으로 비춰질 수 있다.In the embodiment, blue, green, and red of white light obtained by mixing blue light emitted from a blue light emitting chip, green long-wavelength light from the first phosphor, and red long-wavelength light from the second phosphor are brighter and more vivid colors. can be projected onto an object. In particular, objects such as meat, fruits and vegetables, and fish can be illuminated with sharper and brighter colors.

도 2는 실시 예에 따른 형광체를 갖는 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 2를 설명함에 있어서, 도 1과 동일한 부분은 도 1의 설명을 참조하기로 한다.2 is a view showing another example of a light emitting device having a phosphor according to an embodiment. In describing FIG. 2 , the description of FIG. 1 will be referred to for the same parts as in FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 발광 소자는 몸체(11)의 캐비티(15)에 복수의 몰딩 부재(42,43)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 몰딩 부재(42,43) 중 어느 하나에 형광체(31,33)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 몰딩 부재(42,43)은 제1,2몰딩 부재(42,43)을 포함하며, 상기 형광체(31,33)는 상기 제2몰딩 부재(43)에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2몰딩 부재(42,43)의 두께 비율을 보면, 2:1 내지 1:3의 범위일 수 있으며, 상기 제2몰딩 부재(43)의 두께 비율이 상기 범위보다 작은 경우 전달되는 열을 분산하는 능력이 저하될 수 있으며, 상기 범위보다 클 경우 발광 소자(10)의 두께가 두꺼워질 수 있는 문제가 있다. Referring to FIG. 2 , the light emitting device may include a plurality of molding members 42 and 43 in the cavity 15 of the body 11 . The phosphors 31 and 33 may be disposed on any one of the plurality of molding members 42 and 43 . The plurality of molding members 42 and 43 include first and second molding members 42 and 43 , and the phosphors 31 and 33 may be disposed on the second molding member 43 . Looking at the thickness ratio of the first and second molding members 42 and 43, it may be in the range of 2:1 to 1:3, and when the thickness ratio of the second molding member 43 is smaller than the above range, transmission The ability to dissipate heat may be lowered, and if it is greater than the above range, there is a problem that the thickness of the light emitting element 10 may become thick.

상기 형광체(31,33)는 발광 칩(25)로부터 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제2몰딩 부재(43)는 상기 발광 칩(25)로부터 0.2mm 이상의 간격을 가질 수 있으며, 상기 간격이 0.2mm 보다 좁은 경우 형광체의 열화 문제가 발생될 수 있다. 상기 발광 칩(25)에 접촉되는 제1몰딩 부재(42)에는 형광체 예컨대, 어떠한 종류의 형광체를 첨가하지 않을 수 있다. 상기 제1몰딩 부재(42) 상에 배치된 제2몰딩 부재(43) 내에는 제1 및 제2형광체(31,33)가 첨가될 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2형광체(31,33)는 상기 발광 칩(25)로부터 발생된 열에 의한 손해가 감소될 수 있다. The phosphors 31 and 33 may be spaced apart from the light emitting chip 25 . The second molding member 43 may have a distance of 0.2 mm or more from the light emitting chip 25, and when the distance is smaller than 0.2 mm, degradation of the phosphor may occur. A phosphor, for example, any kind of phosphor may not be added to the first molding member 42 that comes into contact with the light emitting chip 25 . First and second phosphors 31 and 33 may be added to the second molding member 43 disposed on the first molding member 42 . Accordingly, damage caused by heat generated from the light emitting chip 25 to the first and second phosphors 31 and 33 can be reduced.

상기 제1몰딩 부재(42)와 상기 제2몰딩 부재(43)는 동일한 수지 재질 예컨대, 실리콘 또는 에폭시를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2형광체(31,33)의 특징은 상기 실시 예의 설명을 참조하기로 한다. 실시 예에 따른 발광 소자는 황색 형광체를 이용하는 구성에 비해, 색 재현율이 높고 Red/Green/Blue 칩을 사용하는 경우와 동등 수준인 색 재현율을 제공할 수 있으며, 특히 더 진하고 선명한 녹색 및 적색을 제공할 수 있다.The first molding member 42 and the second molding member 43 may include the same resin material, for example, silicone or epoxy. The characteristics of the first and second phosphors 31 and 33 will be referred to the description of the embodiment. The light emitting device according to the embodiment has a high color gamut compared to a configuration using a yellow phosphor and can provide a color gamut equal to that of the case of using a red/green/blue chip, and in particular, provides darker and more vivid green and red colors. can do.

도 3은 실시 예에 따른 형광체를 갖는 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 3를 설명함에 있어서, 상기에 개시된 구성과 동일한 부분은 상기에 개시된 설명을 참조하기로 한다.3 is a view showing another example of a light emitting device having a phosphor according to an embodiment. In the description of FIG. 3 , the same parts as the configuration disclosed above will be referred to the description disclosed above.

도 3을 참조하면, 발광 소자는 몸체(11)의 캐비티(15)에 복수의 몰딩 부재(44,45,46)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 몰딩 부재(45,46) 중 적어도 2개에는 서로 다른 종류의 형광체(31,33)가 첨가될 수 있다. Referring to FIG. 3 , the light emitting device may include a plurality of molding members 44 , 45 , and 46 in the cavity 15 of the body 11 . Different types of phosphors 31 and 33 may be added to at least two of the plurality of molding members 45 and 46 .

상기 캐비티(15)에 제1몰딩 부재(44), 상기 제1몰딩 부재(44) 위에 제2몰딩 부재(45) 및 상기 제2몰딩 부재(45) 위에 제3몰딩 부재(46)를 포함할 수 있다. 상기 제1몰딩 부재(44)는 발광 칩(25)에 접촉되며, 그 내부에는 어떠한 종류의 형광체가 첨가되지 않을 수 있다. 상기 제2몰딩 부재(45) 내에는 제1형광체(31)가 첨가되고, 제3몰딩 부재(46) 내에 제2형광체(33)가 첨가될 수 있다. The cavity 15 may include a first molding member 44, a second molding member 45 on the first molding member 44, and a third molding member 46 on the second molding member 45. can The first molding member 44 is in contact with the light emitting chip 25, and any kind of phosphor may not be added therein. The first phosphor 31 may be added to the second molding member 45 and the second phosphor 33 may be added to the third molding member 46 .

상기 제1내지 제3몰딩 부재(44,45,46)의 두께 비율을 보면, 2:1:1 내지 3:1:1 범위일 수 있다. 상기 제2몰딩 부재(45)의 두께는 상기 제1몰딩 부재(44)의 두께에 비해 두껍거나 얇을 수 있으며, 상기 제3몰딩 부재(46)의 두께와 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1몰딩 부재(43)의 두께 비율이 상기 범위보다 작은 경우 전달되는 열을 분산하는 능력이 저하되어 형광체에 많은 열이 전달될 수 있는 문제가 발생될 수 있으며, 상기 범위보다 클 경우 발광 소자(10)의 두께가 두꺼워질 수 있는 문제가 있다.Looking at the thickness ratio of the first to third molding members 44, 45, and 46, it may be in the range of 2:1:1 to 3:1:1. The thickness of the second molding member 45 may be thicker or thinner than the thickness of the first molding member 44 and may be the same as or different from the thickness of the third molding member 46 . If the thickness ratio of the first molding member 43 is smaller than the above range, the ability to dissipate the transferred heat may deteriorate, causing a problem that a lot of heat may be transferred to the phosphor. There is a problem that the thickness of (10) can be thick.

상기 제1 내지 제3몰딩 부재(44,45,46)은 동일한 투광성 수지 재질이거나, 굴절률 차이가 있는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2형광체(31,33)의 특징은 상기 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.The first to third molding members 44, 45, and 46 may be formed of the same light-transmitting resin material or a resin material having a different refractive index, but are not limited thereto. The characteristics of the first and second phosphors 31 and 33 will be referred to the description of the embodiment.

다른 예로서, 캐비티(15) 내에 복수의 몰딩부재(44,45,46)가 배치된 경우, 제1 및 제2형광체(31,33) 중 피크 파장대역이 낮은 형광체 예컨대, 제1형광체(31)가 제2형광체(33)가 첨가된 몰딩부재 보다 낮은 위치에 있는 몰딩 부재에 첨가될 수 있다. 또는 반대로, 제1 및 제2형광체(31,33) 중 피크 파장대역이 높은 형광체 예컨대, 제2형광체(33)가 제1형광체(31)가 첨가된 몰딩부재보다 낮은 위치에 있는 몰딩 부재에 첨가될 수 있다. 또한 각 형광체(31,33)는 각 몰딩 부재(45,46)의 상면에 인접하거나 하면에 분포할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시 예에 따른 발광 소자는 황색 형광체를 이용하는 구성에 비해, 색 재현율이 높고 Red/Green/Blue 칩을 사용하는 경우와 동등 수준인 색 재현율을 제공할 수 있으며, 특히 더 진하고 선명한 녹색 및 적색을 제공할 수 있다.As another example, when a plurality of molding members 44 , 45 , and 46 are disposed in the cavity 15 , a phosphor having a low peak wavelength among the first and second phosphors 31 and 33 , for example, the first phosphor 31 ) may be added to the molding member positioned lower than the molding member to which the second phosphor 33 is added. Alternatively, among the first and second phosphors 31 and 33, a phosphor having a high peak wavelength, for example, the second phosphor 33 is added to a molding member positioned lower than the molding member to which the first phosphor 31 is added. It can be. In addition, each of the phosphors 31 and 33 may be adjacent to the upper surface or distributed on the lower surface of each of the molding members 45 and 46, but is not limited thereto. The light emitting device according to the embodiment has a high color gamut compared to a configuration using a yellow phosphor and can provide a color gamut equal to that of the case of using a red/green/blue chip, and in particular, provides darker and more vivid green and red colors. can do.

도 4는 실시 예에 따른 형광체를 갖는 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 4를 설명함에 있어서, 상기의 실시 예와 동일한 구성은 상기에 개시된 설명을 참조하기로 한다. 4 is a view showing another example of a light emitting device having a phosphor according to an embodiment. In describing FIG. 4 , the same configuration as the above embodiment will refer to the description disclosed above.

도 4를 참조하면, 발광 소자는 몸체(11)의 캐비티(15) 내에 몰딩 부재(49), 및 상기 몸체(11) 상에 형광체(31,33)를 갖는 필름(30)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4 , the light emitting device may include a molding member 49 in a cavity 15 of a body 11 and a film 30 having phosphors 31 and 33 on the body 11. .

상기 몰딩 부재(49)에는 어떠한 종류의 형광체가 첨가되지 않을 수 있다. 이에 따라 발광 칩(25)으로부터 발생된 열에 의해 상기 형광체(31,33)에 영향을 주는 것을 감소시켜 줄 수 있다. Any kind of phosphor may not be added to the molding member 49 . Accordingly, the heat generated from the light emitting chip 25 can reduce the effect on the phosphors 31 and 33 .

상기 필름(30)은 투명한 필름으로서, 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함한다. 상기 필름(30) 내에서의 형광체(31,33)의 함량은 상기에 개시된 실시 예의 설명을 참조하기로 한다. 상기 필름(30)은 형광체(31,33)가 상면 또는/및 하면 상에 도포된 유리 재질을 포함할 수 있다. 상기 필름(30)은 상기 몰딩 부재(49)의 상면 면적보다 큰 면적을 가질 수 있어, 내부의 형광체들(31,33)에 의한 파장 변환 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 필름(30)은 몰딩 부재(49)의 출사면과 접촉되어 고정될 수 있다. 상기 필름(30)의 너비는 측 단면에서 상기 리드 프레임(21,23)의 너비의 합보다 좁을 수 있고, 상기 몸체(11)의 너비보다 좁을 수 있다. 상기 필름(30)의 너비가 상기 몸체(11)의 외측으로 노출될 경우 광 손실이 발생될 수 있는 문제가 있다. 상기 필름(30)은 접착제로 몸체(11) 상면에 부착될 수 있다. The film 30 is a transparent film and includes a resin material such as silicone or epoxy. The content of the phosphors 31 and 33 in the film 30 will refer to the description of the embodiment disclosed above. The film 30 may include a glass material on which phosphors 31 and 33 are coated on the upper and/or lower surfaces. The film 30 may have an area larger than the area of the top surface of the molding member 49, and thus, wavelength conversion efficiency by the phosphors 31 and 33 therein may be improved. The film 30 may be fixed in contact with the exit surface of the molding member 49 . The width of the film 30 may be narrower than the sum of the widths of the lead frames 21 and 23 at the side cross section and may be narrower than the width of the body 11 . When the width of the film 30 is exposed to the outside of the body 11, there is a problem in that light loss may occur. The film 30 may be attached to the upper surface of the body 11 with an adhesive.

상기 형광체(31,33)는 서로 다른 피크 파장을 발광하는 제1 및 제2형광체(31,33)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2형광체(31,33)는 실시 예에 개시된 설명을 참조하기로 한다. 상기 제1 및 제2형광체(31,33)가 상기 발광 칩(25)으로부터 이격되어 배치됨으로써, 상기 몰딩 부재(49)의 출사면을 통해 방출된 광에 대해 파장 변환할 수 있다. The phosphors 31 and 33 may include first and second phosphors 31 and 33 emitting different peak wavelengths. For the first and second phosphors 31 and 33, the description disclosed in the embodiment will be referred to. Since the first and second phosphors 31 and 33 are spaced apart from the light emitting chip 25 , the wavelength of light emitted through the emission surface of the molding member 49 may be converted.

도 5는 실시 예에 따른 형광체를 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이다.5 is a view illustrating a lighting device having a phosphor according to an embodiment.

도 5를 참조하면, 조명 장치는 회로 기판(50) 상에 하나 또는 복수의 발광 칩(25,25A)이 배치되며, 상기 발광 칩(25,25A)의 둘레에 반사 부재(55)가 배치되며, 상기 발광 칩(25,25A) 상에 형광체(31,33)를 갖는 필름(30A)이 배치될 수 있다. 상기 필름(30A)의 너비는 측 단면에서 반사 부재(55) 사이의 영역(60)보다는 넓을 수 있고 상기 반사부재(55)의 너비보다 좁을 수 있다. 상기 필름(30A)의 너비가 상기 반사부재(55)의 너비보다 큰 경우, 외부에 노출될 수 있어 광 손실이 발생될 수 있다.Referring to FIG. 5 , in the lighting device, one or a plurality of light emitting chips 25 and 25A are disposed on a circuit board 50, and a reflective member 55 is disposed around the light emitting chips 25 and 25A. , A film 30A having phosphors 31 and 33 may be disposed on the light emitting chips 25 and 25A. The width of the film 30A may be wider than the area 60 between the reflective members 55 in the side cross section and may be narrower than the width of the reflective members 55 . When the width of the film 30A is larger than the width of the reflective member 55, it may be exposed to the outside and thus light loss may occur.

상기 회로 기판(50)은 회로 패턴을 가지고 상기 발광 칩(25,25A)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 회로 기판(50) 상에 복수의 발광 칩(25,25A)이 배치된 경우, 상기 복수의 발광 칩(25,25A)은 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. 상기 복수의 발광 칩(25,25A)은 서로 동일한 청색 피크 파장이거나 서로 다른 청색 피크 파장을 발광할 수 있다. The circuit board 50 may have a circuit pattern and be electrically connected to the light emitting chips 25 and 25A. When the plurality of light emitting chips 25 and 25A are disposed on the circuit board 50, the plurality of light emitting chips 25 and 25A may be connected in series or in parallel. The plurality of light emitting chips 25 and 25A may emit light of the same blue peak wavelength or different blue peak wavelengths.

상기 회로 기판(50)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 회로 기판(50)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 회로 기판(50)의 상면에는 반사 재질이 배치되어, 광을 반사할 수 있다.The circuit board 50 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the circuit board 50 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like, but is not limited thereto. A reflective material is disposed on the upper surface of the circuit board 50 to reflect light.

상기 반사 부재(55)는 반사성 재질을 포함할 수 있으며, 예컨대 실리콘 계열, 또는 에폭시 계열, 또는 플라스틱 재질을 포함하며, 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 또한 상기 반사 부재(55) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 상기 반사 부재(55)는 상기 발광 칩(25,25A)의 외측 둘레에 배치되어, 상기 발광 칩(25,25A)으로부터 방출된 광을 반사할 수 있다.The reflective member 55 may include a reflective material, for example, a silicone-based, epoxy-based, or plastic material, and may be formed of a thermosetting resin or a material with high heat resistance and high light resistance. In addition, an acid anhydride, an antioxidant, a release agent, a light reflector, an inorganic filler, a curing catalyst, a light stabilizer, a lubricant, and titanium dioxide may be selectively added to the reflective member 55 . The reflective member 55 may be disposed around the outer circumference of the light emitting chips 25 and 25A to reflect the light emitted from the light emitting chips 25 and 25A.

상기 회로 기판(50)과 상기 필름(30A) 사이의 영역(60)은 투명한 영역으로서, 광을 투과하는 재질로 형성될 수 있다. 상기 광을 투과하는 재질은 공기이거나 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 투명한 영역(60) 상에는 상기 필름(30A)이 배치될 수 있다. 상기 필름(30A)은 상기 투명한 영역(60)에 수지 재질이 채워진 경우, 상기 수지 재질과 접촉될 수 있다. The region 60 between the circuit board 50 and the film 30A is a transparent region and may be formed of a material that transmits light. The light-transmitting material may include air or a resin material such as silicone or epoxy. The film 30A may be disposed on the transparent region 60 . The film 30A may come into contact with the resin material when the transparent region 60 is filled with the resin material.

상기 필름(30A)은 투명한 필름으로서, 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함한다. 상기 필름(30A)은 형광체(31,33)가 위 또는/및 아래에 도포된 유리 재질을 포함할 수 있다. 상기 필름(30A)은 상기 반사 부재(55) 상에 더 연장될 수 있어, 내부의 형광체(31,33)에 의한 파장 변환 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The film 30A is a transparent film and includes a resin material such as silicone or epoxy. The film 30A may include a glass material on which the phosphors 31 and 33 are applied above and/or below. The film 30A may further extend on the reflective member 55 to improve wavelength conversion efficiency by the phosphors 31 and 33 therein.

상기 발광 칩(25,25A)은 청색 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체(31,33)는 제1, 2형광체(31,33)를 포함하며 상기 제1, 2형광체(31,33)는 실시 예에 개시된 형광체를 포함할 수 있으며, 상기에 개시된 설명을 참조하기로 한다. 실시 예에 따른 라이트 유닛은 황색 형광체를 이용하는 구성에 비해, 색 재현율이 높고 Red/Green/Blue 칩을 사용하는 경우와 동등 수준인 색 재현율을 제공할 수 있으며, 특히 더 진하고 선명한 녹색 및 적색을 제공할 수 있다.The light emitting chips 25 and 25A may emit blue light. The phosphors 31 and 33 include first and second phosphors 31 and 33, and the first and second phosphors 31 and 33 may include the phosphor disclosed in the embodiment, see the description disclosed above. I'm going to do it. The light unit according to the embodiment has a high color gamut compared to a configuration using a yellow phosphor and can provide a color gamut equal to that of the case of using a red/green/blue chip, and in particular, provides darker and more vivid green and red. can do.

실시 예에 따른 몰딩 부재 또는 필름 상에는 광의 지향각을 변환하는 광학 렌즈가 배치될 수 있다. 상기 광학 렌즈는 상기 몰딩 부재 또는 필름을 통해 방출된 광의 경로를 변환하여, 원하는 지향각 분포로 방사할 수 있다. An optical lens that converts a beam angle of light may be disposed on the molding member or the film according to the embodiment. The optical lens may change a path of the light emitted through the molding member or the film and radiate the light with a desired beam angle distribution.

<조명 시스템><Lighting system>

실시예에 따른 발광 소자 또는 조명 장치는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 14에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.A light emitting element or lighting device according to an embodiment may be applied to a lighting system. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting devices are arrayed, and includes the lighting device shown in FIG. 14 , and may include a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, an electronic display board, and the like.

도 14는 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.14 is an exploded perspective view of a lighting device having a light emitting device according to an embodiment.

도 14를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 14 , the lighting device according to the embodiment may include a cover 2100, a light source module 2200, a radiator 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. can In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500 . The light source module 2200 may include a light emitting device according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합되고, 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a bulb or hemispherical shape, be hollow, and may be provided in a shape in which one portion is open. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200 and coupled to the heat dissipation body 2400 . The cover 2100 may have a coupling portion coupled to the heat dissipation body 2400 .

상기 커버(2100)의 내면에는 확산재를 갖는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 이러한 유백색 재료를 이용하여 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛을 산란 및 확산되어 외부로 방출시킬 수 있다. An inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky white paint having a diffusion material. The light from the light source module 2200 can be scattered and diffused and emitted to the outside by using such a milky white material.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), or polycarbonate (PC). Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent or opaque so that the light source module 2200 can be seen from the outside. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광 소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the heat dissipation body 2400 . Thus, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat sink 2400 . The light source module 2200 may include a light emitting element 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 조명소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 조명소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the radiator 2400 and has guide grooves 2310 into which a plurality of lighting elements 2210 and a connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the board and connector 2250 of the lighting device 2210 .

상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects light that is reflected on the inner surface of the cover 2100 and returns toward the light source module 2200 toward the cover 2100 again. Accordingly, light efficiency of the lighting device according to the embodiment may be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of, for example, an insulating material. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the radiator 2400 and the connection plate 2230 . The member 2300 may be made of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the radiator 2400 . The radiator 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 and dissipates the heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating part 2710 of the inner case 2700. Thus, the power supply unit 2600 accommodated in the insulation unit 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510 . The guide protrusion 2510 may have a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal received from the outside and provides it to the light source module 2200 . The power supply unit 2600 is accommodated in the receiving groove 2719 of the inner case 2700, and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide unit 2630, a base 2650, and an extension unit 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(Electrostatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650 . The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500 . A plurality of components may be disposed on one surface of the base 2650 . A plurality of parts may include, for example, a DC converter, a driving chip for controlling driving of the light source module 2200, an electrostatic discharge (ESD) protection element for protecting the light source module 2200, and the like. not limited to

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)는 전선을 통해 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension part 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650 . The extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the width of the extension part 2670 may be equal to or smaller than the width of the connection part 2750 of the inner case 2700 . The extension part 2670 may be electrically connected to the socket 2800 through a wire.

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding part together with the power supply part 2600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is hardened, and allows the power supply part 2600 to be fixed inside the inner case 2700 .

실시 예에 따른 표시 장치 또는 조명 시스템에서는 실시 예에 개시된 적색 및 녹색 형광체를 포함함으로써, 적색 및 녹색의 색 순도를 보다 사실 적으로 표현해 줄 수 있어, 조명 또는 표시 장치에서의 색 재현율을 향상시켜 줄 수 있다. In the display device or lighting system according to the embodiment, by including the red and green phosphors disclosed in the embodiment, the color purity of red and green can be expressed more realistically, thereby improving the color reproduction rate in the lighting or display device. can

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the embodiments above are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, and effects illustrated in each embodiment can be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to these combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above has been described centering on the embodiment, this is only an example and does not limit the embodiment, and those skilled in the art in the field to which the embodiment belongs may find various things not exemplified above to the extent that they do not deviate from the essential characteristics of the embodiment. It will be appreciated that variations and applications of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

10: 발광 소자 11: 몸체
15: 캐비티 21: 제1리드 프레임
23: 제2리드 프레임 25,25A: 발광 칩
41: 몰딩부재 30,30A: 필름
31: 제1형광체 33: 제2형광체
10: light emitting element 11: body
15: cavity 21: first lead frame
23: second lead frame 25, 25A: light emitting chip
41: molding member 30,30A: film
31: first phosphor 33: second phosphor

Claims (11)

청색의 광을 방출하는 발광 칩;
상기 발광 칩으로부터 방출된 광을 여기 파장으로 흡수하여 녹색의 제1피크 파장을 발광하는 제1형광체; 및
상기 발광 칩으로부터 방출된 광을 여기 파장으로 흡수하여 적색의 제2피크 파장을 발광하는 제2형광체를 포함하며,
상기 제2피크 파장은 645nm 이상이며,
상기 청색의 광과 녹색의 광 및 적색의 광이 혼합된 백색 광에서 상기 적색의 광은 미리 선택된 색 품질 척도(color quality scale, CQS)와 대비하여 델타 채도 값이 영(0) 이상의 값을 가지며,
상기 백색 광의 색 온도는 4500K 내지 5500K 범위를 가지며,
상기 델타 채도 값은 미리 선택된 색 품질 척도의 15개의 색 샘플 중 적색 샘플(VS14)에 대해 1 내지 4의 범위를 갖는 발광 소자.
a light emitting chip that emits blue light;
a first phosphor absorbing the light emitted from the light emitting chip at an excitation wavelength and emitting light of a first peak wavelength of green; and
a second phosphor absorbing the light emitted from the light emitting chip at an excitation wavelength and emitting a second peak wavelength of red;
The second peak wavelength is 645 nm or more,
In the white light in which the blue light, green light, and red light are mixed, the red light has a delta saturation value of zero (0) or more compared to a preselected color quality scale (CQS), and ,
The color temperature of the white light has a range of 4500K to 5500K,
The delta saturation value has a range of 1 to 4 for a red sample (VS14) among 15 color samples of a preselected color quality scale.
제1항에 있어서,
상기 발광 칩은 400nm 내지 470nm 범위의 피크 파장을 발광하며,
상기 제1피크 파장은 540nm 내지 560nm의 범위를 가지며,
상기 제2피크 파장은 650nm 내지 670nm의 범위를 가지는 발광 소자.
According to claim 1,
The light emitting chip emits light with a peak wavelength in the range of 400 nm to 470 nm,
The first peak wavelength has a range of 540 nm to 560 nm,
The second peak wavelength is a light emitting device having a range of 650nm to 670nm.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 청색 광의 색차는 색 공간에서 흑체광원 대비 6 내지 9의 값을 가지며,
상기 적색 광의 색차는 색 공간에서 흑체 광원 대비 3 내지 6의 값을 가지는 발광 소자.
According to claim 1 or 2,
The color difference of the blue light has a value of 6 to 9 compared to the black body light source in the color space,
The color difference of the red light has a value of 3 to 6 compared to a black body light source in a color space.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 발광 칩 아래에 배치된 복수의 리드 프레임;
상기 복수의 리드 프레임에 결합되며 상기 발광 칩 둘레에 배치된 몸체; 및
상기 제1 및 제2형광체를 갖는 몰딩 부재 또는 필름을 포함하며,
상기 몸체는 캐비티를 구비하며 상기 캐비티 내에 상기 발광 칩이 배치되는 발광 소자.
According to claim 1 or 2,
a plurality of lead frames disposed below the light emitting chip;
a body coupled to the plurality of lead frames and disposed around the light emitting chip; and
It includes a molding member or film having the first and second phosphors,
The body has a cavity, and the light emitting chip is disposed in the cavity.
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