KR102514055B1 - Wafer wet type treating system - Google Patents

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KR102514055B1
KR102514055B1 KR1020220127996A KR20220127996A KR102514055B1 KR 102514055 B1 KR102514055 B1 KR 102514055B1 KR 1020220127996 A KR1020220127996 A KR 1020220127996A KR 20220127996 A KR20220127996 A KR 20220127996A KR 102514055 B1 KR102514055 B1 KR 102514055B1
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유윤상
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(주)선우하이테크
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Abstract

The present invention provides a substrate wet treatment system. The disclosed substrate wet treatment system comprises: a substrate loading treatment line in which a plurality of cleaning tanks are arranged in a row to degrease and clean contaminants on a substrate in order to load the substrate; a substrate surface treatment line arranged in parallel with the substrate loading treatment line to treat the substrate transferred from the substrate loading treatment line, and having a plurality of surface treatment tanks arranged in a row for surface treatment of the substrate; a substrate plating treatment line arranged in parallel with the substrate surface treatment line so that the substrate transferred from the substrate surface treatment line can be plated, and having a plurality of plating treatment tanks arranged in a row; a substrate cleaning treatment line arranged in parallel with the substrate plating treatment line to clean the substrate transferred from the substrate plating treatment line, and having a plurality of cleaning treatment tanks arranged in a row; a substrate unloading treatment line arranged in parallel with the substrate cleaning treatment line to unload the substrate transferred from the substrate cleaning treatment line; and substrate processing transport lines respectively provided on both sides of the treatment line to transport the substrates to respective treatment lines. Therefore, the present invention arranges the plurality of plating treatment tank lines and the cleaning tank line in parallel for treating the substrate, so that the treatment process can be varied and easily changed depending on the plating method of the substrate.

Description

기판 습식 처리 시스템{WAFER WET TYPE TREATING SYSTEM}Substrate wet treatment system {WAFER WET TYPE TREATING SYSTEM}

본 발명은 기판 습식 처리 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 처리하기 위한 기판표면 처리라인과 복수의 도금 처리라인을 병렬 형태로 나란하게 배치하고, 각각의 처리라인에 기판의 처리를 위한 서로 다른 도금액을 수용하여 기판을 다양한 처리 방식인 복합도금 방식으로 처리할 수 있고, 기판의 도금 방식에 따라 전기도금과 화학도금을 개별적으로 또는 복합적으로 진행할 수 있어 기판의 처리 공정을 다양하고 간편하게 변경할 수 있으므로, 기판 처리 공정의 효율성과 기판 처리 시간을 줄일 수 있고, 공간 효율성을 개선할 수 있도록 하는 기판 습식 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate wet processing system, and more particularly, to a substrate surface processing line for processing a substrate and a plurality of plating processing lines arranged side by side in a parallel form, each processing line for processing the substrate By accepting different plating solutions, the board can be processed in a variety of complex plating methods, and the electroplating and chemical plating can be performed individually or in combination according to the plating method of the board, so the board treatment process can be varied and easily changed. Therefore, the present invention relates to a substrate wet treatment system capable of reducing substrate treatment process efficiency and substrate treatment time, and improving space efficiency.

통상 표면처리(Plating, 도금, 착색, 피막 등)는 물질의 표면 상태를 개선할 목적으로 물질의 표면에 다른 물질로 된 박막을 피복하는 것이다. 이러한 표면처리의 목적은 여러 가지가 있으나 대표적으로 첫째 원재료의 내식성 부족을 보완하고자 특정한 환경 속에서도 견딜 수 있는 금속박막을 입히는 방식(防蝕), 둘째 마모에 견딜 수 있도록 원재료보다 단단한 금속박막을 입히는 표면경화, 셋째 원재료의 표면에 귀금속 또는 색채가 아름다운 금속 합금의 박막을 붙이는 표면 미화, 넷째 빛 또는 열의 반사율을 높인다든지 또는 평활한 표면과 광택을 위해 금속 박막을 붙이는 표면의 평활화 및 반사율 개선을 위해 사용된다.In general, surface treatment (plating, plating, coloring, coating, etc.) is to coat a thin film of another material on the surface of a material for the purpose of improving the surface state of the material. There are several purposes of this surface treatment, but the first is a method of coating a metal thin film that can withstand a specific environment in order to compensate for the lack of corrosion resistance of the raw material, and the second is surface hardening that coats a metal thin film that is harder than the raw material to withstand abrasion. Thirdly, it is used for surface beautification by attaching a thin film of precious metal or metal alloy with beautiful color to the surface of raw materials, fourth to increase the reflectance of light or heat, or to smooth and improve the reflectance of the surface to which a thin metal film is attached for a smooth surface and gloss. .

또한, 표면처리 방식은 크게 습식표면처리와 건식표면처리로 구분되며, 습식표면처리는 습한환경 예를 들어 처리용액에 가공물을 함침시켜 표면을 처리하고, 건식표면처리는 진공의 용기에서 플라즈마나 아크, 가열증기를 이용하여 표면을 처리한다.In addition, surface treatment methods are largely classified into wet surface treatment and dry surface treatment. , treat the surface using heated steam.

여기서, 습식표면처리는 기판의 표면처리를 습한 처리 환경, 예를 들어 각종 산 알칼리 유기물과 무기물을 액으로 사용하여 기판의 표면을 처리하는 기술을 의미한다. 그리고 습식표면처리에 속하는 표면처리 기술로는 도금, 도장, 양극산화, 화성피막, 화학연마(전해 포함), 화학 에칭(전해 포함), 용융염 처리, 탈지 등이 있으며, 각 처리 방식에 따라 다양한 처리액을 사용한다.Here, the wet surface treatment refers to a technique of treating the surface of a substrate in a wet treatment environment, for example, using various acid alkali organic substances and inorganic substances as a liquid. Surface treatment technologies belonging to wet surface treatment include plating, painting, anodization, chemical conversion coating, chemical polishing (including electrolysis), chemical etching (including electrolysis), molten salt treatment, and degreasing. use a treatment solution.

이와 같이 습식표면처리를 이용한 기판 처리 공정은 기판 처리를 위한 각 단위공정에서 공정에 필요한 액체형태의 공정액이 사용되고 있으며, 기판을 각 공정액이 저장되는 처리조를 통과시키는 과정을 통해 진행된다.As such, the substrate treatment process using the wet surface treatment uses a process solution in liquid form necessary for the process in each unit process for substrate treatment, and proceeds through a process of passing the substrate through a treatment tank in which each process solution is stored.

그러나 상기와 같은 종래 기술의 습식표면 처리장치는, 기판의 표면처리를 위한 처리조 또는 도금조가 기판의 처리를 위한 처리조와 도금조 등이 일렬로 배치되어 공간 효율성이 현저하게 저하되고, 기판의 처리 조건과 환경에 따라 다양한 순서로 기판을 처리할 수 없어 기판을 처리하는데 많은 시간이 소요되며, 다양한 방식의 공정을 구현할 수 없어 공정 효율성 또한 저하되는 문제점이 있다.However, in the wet surface treatment apparatus of the prior art as described above, the treatment tank or plating tank for substrate surface treatment is arranged in a row, and the space efficiency is significantly reduced, and the substrate treatment It takes a lot of time to process the substrate because it is not possible to process the substrate in various orders according to conditions and environments, and process efficiency is also reduced because various types of processes cannot be implemented.

따라서, 이를 개선할 필요성이 요청된다.Therefore, there is a need to improve this.

한편, 국내 공개특허 제10-2021-0070890호(공개일:2017.06.01)에는 "기판이송모듈, 기판처리장치 및 이를 포함하는 기판처리시스템"이 개시되어 있고, 공개특허 제10-2009-0055422호(공개일:2009.06.02)에는 "습식세정장치 및 기판처리방법"이 개시되어 있다.Meanwhile, Korean Patent Publication No. 10-2021-0070890 (published date: 2017.06.01) discloses a "substrate transfer module, substrate processing device, and substrate processing system including the same", and Patent Publication No. 10-2009-0055422 No. (published date: 2009.06.02) discloses "wet cleaning device and substrate processing method".

본 발명은 상기와 같은 필요성에 의해 창출된 것으로서, 기판을 처리하기 위한 기판표면 처리라인과 복수의 도금 처리라인을 병렬 형태로 나란하게 배치하고, 기판의 처리를 위한 서로 다른 도금액을 수용하여 기판의 처리 방식에 따라 처리 공정을 다양하고 용이하게 변경할 수 있으므로, 생산성을 높일 수 있는 기판 습식 처리 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was created by the above needs, and arranges a substrate surface treatment line and a plurality of plating treatment lines side by side in parallel to treat the substrate, and accommodates different plating solutions for the treatment of the substrate. An object of the present invention is to provide a substrate wet treatment system capable of increasing productivity because a treatment process can be varied and easily changed according to a treatment method.

또한, 본 발명은 병렬로 형태로 배치되는 기판표면 처리라인과 복수의 도금 처리라인을 따라 기판을 병렬로 이동시키면서 표면 처리가 가능하므로, 기판의 처리를 위한 공정간 이동 거리를 최소화할 수 있어 기판의 이동 거리와 시간을 줄임으로써, 기판의 처리시간을 줄여 생산 효율성을 향상할 수 있는 기판 습식 처리 시스템를 제공하는데 다른 목적이 있다.In addition, since the present invention can perform surface treatment while moving the substrate in parallel along the substrate surface treatment line and the plurality of plating treatment lines arranged in parallel, it is possible to minimize the movement distance between processes for processing the substrate. Another object is to provide a substrate wet processing system capable of improving production efficiency by reducing the processing time of the substrate by reducing the moving distance and time of the substrate.

또한, 본 발명은 서로 다른 도금액을 수용하는 기판표면 처리라인과 복수의 도금 처리라인에 선택적으로 전기를 인가할 수 있도록 하여 전기도금은 물론 전기도금과 화학적인 도금을 동시에 진행하는 복합도금 방식으로 운용이 가능하여 호환성을 더욱 향상시킬 수 있는 기판 습식 처리 시스템를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.In addition, the present invention allows selective application of electricity to a substrate surface treatment line accommodating different plating solutions and a plurality of plating treatment lines, so that electroplating as well as electroplating and chemical plating are simultaneously performed. Another object is to provide a substrate wet processing system capable of further improving compatibility.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따른 기판 습식 처리 시스템은, 기판의 투입을 위하여 상기 기판의 오염물질을 탈지 및 세정하는 복수의 세정조가 일렬로 복수개 배치되는 기판로딩 처리라인과, 상기 기판로딩 처리라인에서 이송되는 상기 기판을 처리할 수 있도록 상기 기판로딩 처리라인과 병렬로 배치되며, 상기 기판의 표면처리를 위하여 복수의 표면 처리조가 일렬로 복수개 배치되는 기판표면 처리라인과, 상기 기판표면 처리라인에서 이송되는 상기 기판을 도금처리할 수 있도록 상기 기판표면 처리라인과 병렬로 배치되며, 복수의 도금 처리조가 일렬로 복수개 배치되는 기판도금 처리라인과, 상기 기판도금 처리라인에서 이송되는 상기 기판을 세정할 수 있도록 상기 기판도금 처리라인과 병렬로 배치되며, 복수의 세정 처리조가 일렬로 복수개 배치되는 기판세정 처리라인과, 상기 기판세정 처리라인에서 이송되는 상기 기판을 언로딩하도록 상기 기판세정 처리라인과 병렬로 배치되는 기판언로딩 처리라인과, 상기 기판을 각각의 상기 처리라인으로 이송할 수 있도록 상기 처리라인의 양측에 각각 구비되는 기판공정 운반라인을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a substrate wet treatment system according to an aspect of the present invention includes a substrate loading treatment line in which a plurality of cleaning tanks for degreasing and cleaning contaminants of the substrate are disposed in a row in order to input the substrate; A substrate surface treatment line disposed in parallel with the substrate loading treatment line to treat the substrate transferred from the substrate loading treatment line, and having a plurality of surface treatment tanks arranged in a row to treat the surface of the substrate; A substrate plating processing line disposed in parallel with the substrate surface processing line so that the substrate transferred from the substrate surface processing line can be plated, and a plurality of plating processing tanks are arranged in a row; A substrate cleaning processing line disposed in parallel with the substrate plating processing line to clean the substrate and having a plurality of cleaning processing tanks arranged in a row; and unloading the substrate transferred from the substrate cleaning processing line. It is characterized in that it includes a substrate unloading processing line disposed in parallel with the cleaning processing line, and substrate process transport lines provided on both sides of the processing line to transfer the substrate to each processing line.

또한, 본 발명에서 상기 기판로딩 처리라인과 상기 기판표면 처리라인은, 상기 기판이 서로 다른 방향으로 이송되는 것을 특징으로 한다.Further, in the present invention, the substrate loading processing line and the substrate surface processing line are characterized in that the substrate is transferred in different directions.

또한, 본 발명에서 상기 기판표면 처리라인과 상기 기판도금 처리라인은 전기 도금 처리가 가능하도록 도금 처리를 위한 전류가 선택적으로 공급되는 것을 특징으로 한다. In addition, in the present invention, the substrate surface treatment line and the substrate plating treatment line are characterized in that current for plating treatment is selectively supplied to enable electroplating treatment.

또한, 본 발명에서 상기 기판표면 처리라인은 교류 방식으로 전류를 공급하여 상기 기판을 처리하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, the substrate surface treatment line is characterized in that the substrate is processed by supplying current in an alternating current method.

또한, 본 발명에서 상기 기판도금 처리라인은, 제1도금 처리라인과 제2도금 처리라인과 제3도금 처리라인이 병렬로 배치되며, 직류 방식으로 전류를 공급하여 상기 기판을 처리하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, in the substrate plating processing line, the first plating processing line, the second plating processing line, and the third plating processing line are arranged in parallel, and the substrate is processed by supplying current in a direct current method. do.

또한, 본 발명에서 상기 기판공정 운반라인은, 상기 기판로딩 처리라인의 상기 기판을 상기 기판표면 처리라인 또는 상기 기판도금 처리라인으로 운반하기 위한 제1운반 라인부와, 상기 기판도금 처리라인 또는 상기 기판세정 처리라인의 상기 기판을 상기 기판언로딩 처리라인으로 운반하기 위한 제2운반 라인부와, 상기 기판표면 처리라인과 상기 기판도금 처리라인의 상기 기판을 선택적으로 운반하거나, 상기 기판도금 처리라인의 상기 기판을 상기 기판세정 처리라인으로 운반하기 위한 제3운반 라인부와, 상기 기판공정 운반라인에서 상기 기판이 언로딩된 행거를 상기 기판로딩 처리라인으로 운반하기 위한 제4운반 라인부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, the substrate process transport line includes a first transport line unit for transporting the substrate of the substrate loading processing line to the substrate surface processing line or the substrate plating processing line, and the substrate plating processing line or the substrate plating processing line. A second transport line unit for transporting the substrate of the substrate cleaning processing line to the substrate unloading processing line, and selectively transporting the substrate of the substrate surface processing line and the substrate plating processing line, or the substrate plating processing line A third transport line unit for transporting the substrate to the substrate cleaning processing line, and a fourth transport line unit for transporting the hanger from which the substrate is unloaded in the substrate process transport line to the substrate loading processing line. characterized by

또한, 본 발명에서 상기 제1도금 처리라인과 상기 제3도금 처리라인 사이에 상기 제2도금 처리라인이 배치되고, 상기 제2도금 처리라인의 상기 기판 이송방향이 상기 제1도금 처리라인과 상기 제3도금 처리라인의 기판 이송방향과 반대인 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the second plating line is disposed between the first plating process line and the third plating process line, and the substrate transfer direction of the second plating process line is different from the first plating process line. It is characterized in that it is opposite to the substrate transfer direction of the third plating line.

또한, 본 발명에서 상기 기판표면 처리라인과 상기 제1도금 처리라인과 상기 제2도금 처리라인 및 상기 제3도금 처리라인은, 상기 기판의 표면을 처리하기 위하여 서로 다른 도금액을 수용하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the substrate surface treatment line, the first plating treatment line, the second plating treatment line, and the third plating treatment line are characterized by accommodating different plating solutions to treat the surface of the substrate. do.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 측면에 따른 기판 습식 처리 시스템는 종래 기술과는 달리 기판의 처리를 위하여 기판표면 처리라인과 복수의 도금 처리라인이 병렬 형태로 배치되어 서로 다른 기판 처리 도금액이 수용되므로, 기판의 처리 방식에 따라 처리 공정을 다양하고 용이하게 변경할 수 있어 기판의 생산성을 높일 수 있는 효과를 가진다.As described above, in the substrate wet treatment system according to one aspect of the present invention, unlike the prior art, a substrate surface treatment line and a plurality of plating treatment lines are arranged in parallel to accommodate different substrate treatment plating solutions. Therefore, the processing process can be varied and easily changed according to the processing method of the substrate, thereby increasing the productivity of the substrate.

또한, 본 발명에 따른 기판 습식 처리 시스템에 의하면, 기판표면 처리라인의 도금액에 교류전류를 인가하고, 기판표면 처리라인과 병렬로 배치되는 기판도금 처리라인의 도금액에 직류전류를 인가하여 기판을 처리할 수 있으므로, 기판의 이동 거리와 처리 시간을 줄임으로써, 기판의 처리시간을 줄여 생산 효율성을 향상할 수 있는 효과를 가진다.In addition, according to the substrate wet treatment system according to the present invention, an alternating current is applied to the plating solution of the substrate surface treatment line, and a direct current is applied to the plating solution of the substrate surface treatment line disposed in parallel with the substrate surface treatment line to treat the substrate Therefore, by reducing the moving distance and processing time of the substrate, it has an effect of improving production efficiency by reducing the processing time of the substrate.

또한, 본 발명에 따른 기판 습식 처리 시스템은 서로 다른 도금액을 수용하는 기판표면 처리라인과 복수의 도금 처리라인에 선택적으로 전기를 인가할 수 있으므로, 전기가 공급되는 처리라인에서는 전기도금 진행할 수 있고, 전기가 공급되지 않는 처리라인에서는 화학도금을 진행할 수 있다. 따라서 기판을 전기도금과 화학 도금 방식의 복합도금 방식으로 처리 가능하므로, 기판 처리의 호환성을 더욱 향상시킬 수 있는 효과를 가진다.In addition, since the substrate wet treatment system according to the present invention can selectively apply electricity to a substrate surface treatment line and a plurality of plating treatment lines accommodating different plating solutions, electroplating can be performed in the treatment line supplied with electricity, Chemical plating can be performed in processing lines where electricity is not supplied. Therefore, since the substrate can be treated by a composite plating method of electroplating and chemical plating, the compatibility of substrate processing can be further improved.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템을 설명하기 위한 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템을 설명하기 위한 요부 확대도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템의 기판 처리 공정을 설명하기 위한 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템의 다른 기판 처리 공정을 설명하기 위한 블록도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템의 또 다른 기판 처리 공정을 설명하기 위한 블록도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템의 또 다른 기판 처리 공정을 설명하기 위한 블록도이다.
1 is a schematic diagram for explaining a substrate wet treatment system according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view illustrating a main part of a substrate wet processing system according to an embodiment of the present invention.
3 is a block diagram for explaining a substrate processing process of a wet substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
4 is a block diagram for explaining another substrate processing process of the wet substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
5 is a block diagram for explaining yet another substrate processing process of the substrate wet processing system according to an embodiment of the present invention.
6 is a block diagram illustrating another substrate processing process of the substrate wet processing system according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 기판 습식 처리 시스템의 바람직한 실시예를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.Hereinafter, a preferred embodiment of a substrate wet treatment system according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this process, the thickness of lines or the size of components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation.

또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In addition, terms to be described later are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to the intention or custom of a user or operator. Therefore, definitions of these terms will have to be made based on the content throughout this specification.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템을 설명하기 위한 모식도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템을 설명하기 위한 요부 확대도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템의 기판 처리 공정을 설명하기 위한 블록도이다.1 is a schematic diagram for explaining a substrate wet processing system according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged view of a main part for explaining a substrate wet processing system according to an embodiment of the present invention, and FIG. It is a block diagram for explaining a substrate treatment process of a substrate wet treatment system according to an embodiment of the present invention.

또한, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템의 다른 기판 처리 공정을 설명하기 위한 블록도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템의 또 다른 기판 처리 공정을 설명하기 위한 블록도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템의 또 다른 기판 처리 공정을 설명하기 위한 블록도이다.4 is a block diagram illustrating another substrate processing process of the substrate wet processing system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is another substrate processing of the substrate wet processing system according to an embodiment of the present invention. 6 is a block diagram for explaining another substrate processing process of the wet substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템은, 크게 기판로딩 처리라인(10)과, 기판표면 처리라인(20)과, 기판도금 처리라인(30)과, 기판세정 처리라인(40)과, 기판언로딩 처리라인(50)과, 기판공정 운반라인(60)을 포함한다.1 to 6, the substrate wet processing system according to an embodiment of the present invention largely includes a substrate loading processing line 10, a substrate surface processing line 20, a substrate plating processing line 30, and , a substrate cleaning processing line 40, a substrate unloading processing line 50, and a substrate process transfer line 60.

이러한, 본 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템은, 기판로딩 처리라인(10)을 통해 이송되는 기판을 각각의 처리라인(10, 20, 30, 40, 50) 중 선택된 처리라인(10, 20, 30, 40, 50)으로 이송시켜 처리할 수 있으므로, 기판(P)의 처리공정을 다양하게 변경할 수 있으며, 그 변경을 간편하게 진행할 수 있다.In the substrate wet processing system according to the present embodiment, the substrate transferred through the substrate loading processing line 10 is transferred to the selected processing line 10, 20, 30, 40, 50), the processing process of the substrate P can be changed in various ways, and the change can be conveniently performed.

기판로딩 처리라인(10)은 기판(P)의 투입을 위하여 기판(P)의 오염물질을 탈지 및 세정하는 복수의 세정조(11)가 일렬로 복수개 배치된다. 이러한 기판로딩 처리라인(10)은 세정조의 일측에 기판(P)을 행거(H)에 장착하기 위한 기판 공급부(13)가 구비된다. 기판 공급부(13)에서 행거(H)에 기판(P)이 파지되면, 가이드 레일을 따라 행거(H)가 이송되면서 기판(P)이 복수의 세정조(11)를 통과하게 되어 세척이 진행된다.In the substrate loading processing line 10, a plurality of cleaning tanks 11 for degreasing and cleaning contaminants of the substrate P are disposed in a row in order to input the substrate P. In the substrate loading processing line 10, a substrate supply unit 13 for mounting the substrate P to the hanger H is provided at one side of the cleaning tank. When the substrate P is gripped by the hanger H in the substrate supply unit 13, the substrate P passes through the plurality of cleaning tanks 11 while the hanger H is transported along the guide rail, and cleaning is performed. .

기판로딩 처리라인(10)을 따라 이송되면서 세척이 완료되는 기판(P)과 행거(H)는 기판공정 운반라인(60)에 의해 기판표면 처리라인(20)으로 이송되어 표면처리된다.The substrate P and the hanger H, which are cleaned while being transported along the substrate loading processing line 10, are transported to the substrate surface treatment line 20 by the substrate process transport line 60 and subjected to surface treatment.

기판표면 처리라인(20)은 기판로딩 처리라인(10)과 평행하게 병렬구조로 배치되며, 기판세정 처리라인(40)과 다른 방식으로 전류를 인하하여 기판(P)을 처리하게 된다. 예를 들어 기판표면 처리라인(20)은 전류를 교류(PULSE)방식 인가하여 기판(P)을 처리하게 된다.The substrate surface processing line 20 is arranged in a parallel structure parallel to the substrate loading processing line 10, and processes the substrate P by lowering the current in a method different from that of the substrate cleaning processing line 40. For example, the substrate surface treatment line 20 processes the substrate P by applying an alternating current (PULSE) method.

이러한 기판표면 처리라인(20)은 기판로딩 처리라인(10)에서 이송되는 기판(P)을 표면 처리할 수 있도록 복수의 표면 처리조(21)가 일렬로 복수개 배치되며, 그 일측에 기판(P)의 투입 전과 표면처리 후에 기판(P)을 세척하기 위한 별도의 세척조가 구비된다. 또한, 기판표면 처리라인(20)에는 행거(H)의 이송을 위하여 가이드레일이 구비하며, 기판(P)을 처리하기 위한 행거(H)의 이송방향이 기판로딩 처리라인(10)의 행거 이송방향과 반대를 이룬다.In such a substrate surface treatment line 20, a plurality of surface treatment tanks 21 are arranged in a row so as to surface treat the substrate P transferred from the substrate loading treatment line 10, and a plurality of surface treatment tanks 21 are arranged on one side of the substrate P ) is provided with a separate washing tank for washing the substrate P before and after surface treatment. In addition, the substrate surface treatment line 20 is provided with a guide rail for the transfer of the hanger (H), and the transfer direction of the hanger (H) for processing the substrate (P) is the transfer of the hanger of the substrate loading processing line (10). opposite to the direction

그리고 기판표면 처리라인(20)에서 교류방식으로 표면 처리가 완료되는 기판(P)은 기판공정 운반라인(60)에 의해 기판도금 처리라인(30)으로 운반되어 도금처리된다.In addition, the substrate P whose surface treatment is completed in the AC method in the substrate surface treatment line 20 is transported to the substrate plating treatment line 30 by the substrate process transport line 60 and subjected to plating.

기판도금 처리라인(30)은 기판표면 처리라인(20)에서 이송되는 기판(P)을 기판표면 처리라인(20)과 다른 방식으로 전류를 인가하여 기판(P)의 표면을 도금처리하게 된다. 이러한 기판도금 처리라인(30)은 기판표면 처리라인(20)과 병렬로 배치되며, 기판(P) 처리를 위한 복수의 도금 처리조(30a)가 일렬로 배치되며, 투입부와 배출부에 별도의 기판 세정조를 구비한다.The substrate plating processing line 30 applies current to the substrate P transferred from the substrate surface processing line 20 in a different way from the substrate surface processing line 20 to plate the surface of the substrate P. The substrate plating treatment line 30 is arranged in parallel with the substrate surface treatment line 20, and a plurality of plating treatment baths 30a for processing the substrate P are arranged in a row, and the input section and the discharge section are separately arranged. A substrate cleaning bath is provided.

특히, 본 실시 예에 따른 기판도금 처리라인(30)은 기판(P)의 표면 처리와 도금 처리를 보다 다양하게 진행할 수 있도록 복수의 처리라인이 병렬로 설치된다. 구체적으로, 기판도금 처리라인(30)은 제1도금 처리라인(31)과 제2도금 처리라인(33)과 제3도금 처리라인(35)이 병렬로 배치되며, 제1도금 처리라인(31)과 제2도금 처리라인(33) 및 제3도금 처리라인(35)이 기판표면 처리라인(20)과 기판세정 처리라인(40)에 설치된다. 이때, 제1도금 처리라인(31)과 제2도금 처리라인(33)과 제3도금 처리라인(35) 각각은 기판 처리를 위하여 서로 다른 도금액이 각각 수용될 수 있다.In particular, in the substrate plating processing line 30 according to the present embodiment, a plurality of processing lines are installed in parallel so that the surface treatment and plating processing of the substrate P can be performed in a variety of ways. Specifically, in the substrate plating processing line 30, a first plating processing line 31, a second plating processing line 33, and a third plating processing line 35 are arranged in parallel, and the first plating processing line 31 ), the second plating line 33 and the third plating line 35 are installed in the substrate surface treatment line 20 and the substrate cleaning line 40 . At this time, each of the first plating line 31, the second plating line 33, and the third plating line 35 may contain different plating solutions for substrate processing.

제1도금 처리라인(31)과 제2도금 처리라인(33)과 제3도금 처리라인(35) 각각은 기판을 전류를 직류(DC) 방식으로 공급하여 기판(P)을 처리하게 된다. 또한, 제1도금 처리라인(31)과 제2도금 처리라인(33)과 제3도금 처리라인(35)은 행거(H)의 이송을 위하여 가이드레일을 각각 구비하며, 행거(H)를 투입 및 배출하는 양 끝단에 별도의 세정조를 구비한다.Each of the first plating line 31, the second plating line 33, and the third plating line 35 processes the substrate P by supplying current to the substrate in a direct current (DC) method. In addition, the first plating processing line 31, the second plating processing line 33, and the third plating processing line 35 each have a guide rail for the transfer of the hanger H, and the hanger H is input. And a separate washing tank is provided at both ends of the discharge.

더하여, 제1도금 처리라인(31)과 제3도금 처리라인(35) 사이에 제2도금 처리라인(33)이 배치되고, 제3도금 처리라인(35)의 기판 이송방향이 제1도금 처리라인(31) 및 제3도금 처리라인(35)의 기판 이송방향과 반대방향으로 이송된다. 그리고 제1도금 처리라인(31)에서 제2도금 처리라인(33)으로, 제2도금 처리라인(33)에서 제3도금 처리라인(35)으로 행거(H)의 운반은 기판공정 운반라인(60)에 의해 진행된다.In addition, a second plating line 33 is disposed between the first plating process line 31 and the third plating line 35, and the substrate transfer direction of the third plating line 35 is the first plating line. It is transferred in a direction opposite to the substrate transfer direction of the line 31 and the third plating line 35 . And the transfer of the hanger H from the first plating line 31 to the second plating line 33 and from the second plating line 33 to the third plating line 35 is carried out by the substrate process transfer line ( 60) is carried out.

제3도금 처리라인(35)을 통과한 행거(H)는 기판공정 운반라인(60)을 통해 기판세정 처리라인(40)으로 운반되어 세정이 진행된다.The hanger H passing through the third plating processing line 35 is transported to the substrate cleaning processing line 40 through the substrate process transport line 60, and cleaning is performed.

기판세정 처리라인(40)은 기판도금 처리라인(30)에서 이송되는 기판(P)을 세정할 수 있도록 기판도금 처리라인(30)의 제2도금 처리라인(33)과 병렬로 배치되며, 기판(P)의 세정을 위한 세정 처리조(41)가 일렬로 복수개 배치된다. 이때, 기판도금 처리라인(30)은 행거(H)의 이송을 위하여 가이드레일을 구비하며, 기판표면 처리라인(20)에서 표면 처리되는 기판(P)이 기판도금 처리라인(30)을 거치지 않고 바로 운반되어 투입될 수도 있다.The substrate cleaning processing line 40 is disposed in parallel with the second plating processing line 33 of the substrate plating processing line 30 to clean the substrate P transferred from the substrate plating processing line 30, and the substrate A plurality of cleaning processing tanks 41 for cleaning (P) are arranged in a row. At this time, the substrate plating processing line 30 is provided with a guide rail for the transfer of the hanger H, and the substrate P to be surface-treated in the substrate surface processing line 20 does not pass through the substrate plating processing line 30. It can also be transported and put in immediately.

기판세정 처리라인(40)을 통과하면서 세정되는 기판(P)은 기판공정 운반라인(60)에 의해 기판언로딩 처리라인(50)으로 운반되어 행거(H)에서 분리된다. 그리고 기판(P)이 분리된 빈 행거(H)는 기판언로딩 처리라인(50)에서 기판로딩 처리라인(10)으로 운반되어 투입된다.The substrate P, which is cleaned while passing through the substrate cleaning processing line 40, is transported to the substrate unloading processing line 50 by the substrate process transport line 60 and separated from the hanger H. The empty hanger H from which the substrate P is separated is transported from the substrate unloading processing line 50 to the substrate loading processing line 10 and put therein.

기판공정 운반라인(60)은 특정 공정 처리가 완료된 기판(P)을 다른 공정 처리를 이하여 운반할 수 있도록 각각의 처리라인(10, 20, 30, 40, 50)인 양측에 설치된다. 구체적으로, 기판공정 운반라인(60)은 기판로딩 처리라인(10)의 기판(P)을 기판표면 처리라인(20) 또는 기판도금 처리라인(30)으로 운반하기 위한 제1운반 라인부(61)와, 기판도금 처리라인(30) 또는 기판세정 처리라인(40)의 기판(P)을 기판언로딩 처리라인(50)으로 운반하기 위한 제2운반 라인부(63)와, 기판표면 처리라인(20)과 기판도금 처리라인(30)의 기판(P)을 선택적으로 운반하거나, 기판도금 처리라인(30)의 기판(P)을 기판세정 처리라인(40)으로 운반하기 위한 제3운반 라인부(65)과, 기판공정 운반라인(60)에서 기판(P)이 언로딩된 행거(H)를 기판로딩 처리라인으로 운반하기 위한 제4운반 라인부(67)를 포함한다. 여기서, 기판(P)의 운반은 기판(P)이 부착된 행거(H)를 운반함에 따라 이루어진다.The substrate process transport line 60 is installed on both sides of each of the process lines 10, 20, 30, 40, and 50 so that the substrate P on which a specific process is completed can be transported through another process. Specifically, the substrate process transport line 60 is a first transport line unit 61 for transporting the substrate P of the substrate loading processing line 10 to the substrate surface processing line 20 or the substrate plating processing line 30. ), a second transport line unit 63 for transporting the substrate P of the substrate plating processing line 30 or the substrate cleaning processing line 40 to the substrate unloading processing line 50, and the substrate surface processing line 20 and a third transport line for selectively transporting the substrate P of the substrate plating processing line 30 or transporting the substrate P of the substrate plating processing line 30 to the substrate cleaning processing line 40 It includes a unit 65 and a fourth transport line unit 67 for transporting the substrate P unloaded hanger H from the substrate process transport line 60 to the substrate loading processing line. Here, the substrate P is transported by transporting the hanger H to which the substrate P is attached.

이때, 기판공정 운반라인(60)은 제1운반 라인부(61)와 제2운반 라인부(63)가 기판 습식 처리 시스템의 일측에 설치되고, 제3운반 라인부(65)와 제4운반 라인부(67)가 기판 습식 처리 시스템의 타측에 설치된다.At this time, in the substrate process transport line 60, the first transport line unit 61 and the second transport line unit 63 are installed on one side of the substrate wet processing system, the third transport line unit 65 and the fourth transport line unit 65 A line unit 67 is installed on the other side of the substrate wet processing system.

또한, 기판공정 운반라인(60)은 제1운반 라인부(61)와 제2운반 라인부(63)와 제3운반 라인부(65)와 제4운반 라인부(67)에 행거(H)를 파지하여 운반하기 위한 로봇장치가 설치될 수 있다. In addition, the substrate process transport line 60 has hangers H on the first transport line unit 61, the second transport line unit 63, the third transport line unit 65, and the fourth transport line unit 67. A robot device for gripping and transporting may be installed.

상기와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 습식 처리 시스템은 기판(P)을 다양한 공정으로 처리할 수 있다. 이를 도 3 내지 도 6을 참조하여 설명한다.The substrate wet treatment system according to an embodiment of the present invention configured as described above may treat the substrate P in various processes. This will be described with reference to FIGS. 3 to 6 .

예를 들어 도 3을 참조하면, 기판(P)을 교류 도금만 진행하여 처리할 때에는 기판로딩 처리라인(10)의 기판(P)을 제1운반 라인부(61)를 이용하여 기판표면 처리라인(20)으로 투입하고, 기판표면 처리라인(20)을 통과하여 배출되는 기판(P)을 제3운반 라인부(65)를 이용하여 기판세정 처리라인(40)으로 투입하고, 기판세정 처리라인(40)을 통과하여 배출되는 기판(P)을 제2운반 라인부(63)를 이용하여 기판언로딩 처리라인(50)으로 투입한다. 그리고 기판언로딩 처리라인(50)에서 기판(P)이 분리되는 행거(H)를 제4운반 라인부(67)를 이용하여 기판로딩 처리라인(10)으로 운반한다.For example, referring to FIG. 3 , when processing a substrate P by only performing alternating current plating, the substrate P of the substrate loading processing line 10 is transferred to the substrate surface processing line by using the first transport line unit 61. 20, the substrate P discharged through the substrate surface treatment line 20 is put into the substrate cleaning processing line 40 using the third transport line unit 65, and the substrate cleaning processing line The substrate P discharged through 40 is put into the substrate unloading processing line 50 using the second transport line unit 63 . The hanger H from which the substrate P is separated from the substrate unloading processing line 50 is transported to the substrate loading processing line 10 using the fourth transport line unit 67 .

또한, 도 4를 참조하면, 기판(P)을 교류 도금과 직류 도금을 연속해서 진행할 경우에는 기판로딩 처리라인(10)의 기판(P)을 제1운반 라인부(61)를 이용하여 기판표면 처리라인(20)으로 투입하고, 기판표면 처리라인(20)을 통과하여 배출되는 기판(P)을 제3운반 라인부(65)를 이용하여 제3도금 처리라인(35)으로 투입하고, 제3도금 처리라인(35)을 통과하여 배출되는 기판(P)을 제2운반 라인부(63)를 이용하여 기판언로딩 처리라인(50)으로 투입한다. 그리고 기판언로딩 처리라인(50)에서 기판(P)이 분리되는 행거(H)를 제4운반 라인부(67)를 이용하여 기판로딩 처리라인(10)으로 운반한다.In addition, referring to FIG. 4 , when the substrate P is continuously subjected to alternating current plating and direct current plating, the substrate P of the substrate loading processing line 10 is moved to the substrate surface by using the first transport line unit 61. The substrate P, which is put into the processing line 20 and discharged through the substrate surface processing line 20, is put into the third plating processing line 35 using the third transport line unit 65, 3 The substrate P discharged through the plating processing line 35 is put into the substrate unloading processing line 50 using the second transport line unit 63 . The hanger H from which the substrate P is separated from the substrate unloading processing line 50 is transported to the substrate loading processing line 10 using the fourth transport line unit 67 .

또한, 도 5를 참조하면, 기판(P)을 교류 도금과 2번의 직류 도금을 연속해서 진행할 경우에는 기판로딩 처리라인(10)의 기판(P)을 제1운반 라인부(61)를 이용하여 기판표면 처리라인(20)으로 투입하고, 기판표면 처리라인(20)을 통과하여 배출되는 기판(P)을 제3운반 라인부(65)를 이용하여 제1도금 처리라인(31)으로 투입하고, 제1도금 처리라인(31)을 통과하여 배출되는 기판(P)을 제1운반 라인부(61)를 이용하여 제2도금 처리라인(33)으로 투입한다. 그리고 제2도금 처리라인(33)을 통과하여 배출되는 기판(P)을 제3운반 라인부(65)를 이용하여 기판세정 처리라인(40)으로 운반하고, 기판세정 처리라인(40)에서 배출되는 기판(P)을 제2운반 라인부(63)를 이용하여 기판언로딩 처리라인(50)으로 운반하고, 기판언로딩 처리라인(50)에서 기판(P)이 분리되는 행거(H)를 제4운반 라인부(67)를 이용하여 기판로딩 처리라인(10)으로 운반한다.In addition, referring to FIG. 5 , when the substrate P is continuously subjected to alternating current plating and two direct current plating, the substrate P of the substrate loading processing line 10 is moved by using the first transport line unit 61. The substrate P, which is put into the substrate surface treatment line 20 and discharged through the substrate surface treatment line 20, is put into the first plating treatment line 31 using the third transport line unit 65, , The substrate P discharged through the first plating processing line 31 is put into the second plating processing line 33 using the first transport line unit 61 . Then, the substrate P discharged through the second plating processing line 33 is transported to the substrate cleaning processing line 40 using the third transport line unit 65, and discharged from the substrate cleaning processing line 40. The substrate P to be transported to the substrate unloading processing line 50 using the second transport line unit 63, and the hanger H from which the substrate P is separated from the substrate unloading processing line 50 It is transported to the substrate loading processing line 10 using the fourth transport line unit 67 .

또한, 도 6을 참조하면, 기판(P)을 2번의 직류 도금을 연속해서 진행할 경우에는 기판로딩 처리라인(10)의 기판(P)을 제1운반 라인부(61)를 이용하여 제2도금 처리라인(33)으로, 제2도금 처리라인(33)을 통과하여 배출되는 기판(P)을 제3운반 라인부(65)를 이용하여 제3도금 처리라인(35)으로 투입하고, 제3도금 처리라인(35)을 통과하여 배출되는 기판(P)을 제2운반 라인부(63)를 이용하여 기판언로딩 처리라인(50)으로 투입한다. 그리고 기판언로딩 처리라인(50)에서 기판(P)이 분리되는 행거(H)를 제4운반 라인부(67)를 이용하여 기판로딩 처리라인(10)으로 운반한다.In addition, referring to FIG. 6 , when the substrate P is continuously subjected to direct current plating twice, the substrate P of the substrate loading processing line 10 is subjected to second plating using the first transport line unit 61. To the processing line 33, the substrate P discharged through the second plating processing line 33 is put into the third plating processing line 35 using the third transport line unit 65, and the third The substrate P discharged through the plating processing line 35 is put into the substrate unloading processing line 50 using the second transport line unit 63 . The hanger H from which the substrate P is separated from the substrate unloading processing line 50 is transported to the substrate loading processing line 10 using the fourth transport line unit 67 .

한편, 본 실시 예에서는 기판표면 처리라인(20)과 기판도금 처리라인(30)에 전류를 공급하여 기판(P)을 전기도금하는 것을 예를 들어 설명하고 있지만, 기판표면 처리라인(20)과 기판도금 처리라인(30)에 전류의 공급을 차단하면, 기판표면 처리라인(20)과 기판도금 처리라인(30)에서 화학도금 처리만이 가능하다.On the other hand, in the present embodiment, although the substrate surface treatment line 20 and the substrate plating treatment line 30 are supplied with current to electroplat the substrate (P) as an example, the description is made, but the substrate surface treatment line 20 and If the supply of current to the substrate plating processing line 30 is cut off, only the chemical plating process is possible in the substrate surface processing line 20 and the substrate plating processing line 30 .

또한, 기판표면 처리라인(20)과 기판도금 처리라인(30) 중 어느 하나, 예를 들어 기판표면 처리라인(20)에만 전기도금을 위하여 전기를 공급할 때에는 기판(P)의 전기도금 처리와 화학도금 처리를 복합적으로 진행할 수 있다. 즉, 기판(P)의 도금처리 방식에 따라 전기도금과 화학도금을 개별적으로 또는 복합적으로 진행할 수 있으므로, 기판(P) 표면 처리의 호환성을 더욱 향상시킬 수 있다.In addition, when supplying electricity for electroplating to only one of the substrate surface treatment line 20 and the substrate plating treatment line 30, for example, the substrate surface treatment line 20, the electroplating treatment of the substrate P and the chemical Plating treatment may be performed in a complex manner. That is, since electroplating and chemical plating may be performed individually or in combination according to the plating method of the substrate P, the compatibility of surface treatment of the substrate P may be further improved.

이와 같은 본 발명에 따른 기판 습식 처리 시스템은 기판의 처리를 위한 도금 처리라인이 병렬 형태로 설치되므로, 기판의 처리 방식에 따라 처리 공정을 다양하고 용이하게 변경할 수 있다. 따라서 기판의 생산성을 높일 수 있으며, 기판 처리를 위한 기판의 이동 거리와 시간을 줄임으로써, 기판의 처리시간을 줄여 생산 효율성을 향상할 수 있다.In the substrate wet treatment system according to the present invention, the plating treatment line for substrate treatment is installed in parallel, so that the treatment process can be varied and easily changed according to the substrate treatment method. Therefore, it is possible to increase the productivity of the substrate, and by reducing the moving distance and time of the substrate for substrate processing, it is possible to improve the production efficiency by reducing the processing time of the substrate.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but this is only exemplary, and those skilled in the art can make various modifications and equivalent other embodiments. will understand

따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the claims.

10 : 기판로딩 처리라인 11 : 세정조
20 : 기판표면 처리라인 21 : 표면 처리조
13 : 기판 공급부 30 : 기판도금 처리라인
31 : 제1도금 처리라인 33 : 제2도금 처리라인
35 : 제3도금 처리라인 40 : 기판세정 처리라인
50 : 기판온로딩 처리라인 60 : 기판공정 운반라인
61 : 제1운반 라인부 63 : 제2운반 라인부
65 : 제3운반 라인부 67 : 제4운반 라인부
P : 기판 H : 행거
10: substrate loading processing line 11: cleaning tank
20: substrate surface treatment line 21: surface treatment tank
13: substrate supply unit 30: substrate plating processing line
31: first plating line 33: second plating line
35: third plating processing line 40: substrate cleaning processing line
50: substrate on-loading processing line 60: substrate process transport line
61: first transport line unit 63: second transport line unit
65: third transport line unit 67: fourth transport line unit
P: Substrate H: Hanger

Claims (5)

기판의 투입을 위하여 상기 기판의 오염물질을 탈지 및 세정하는 복수의 세정조가 일렬로 복수개 배치되는 기판로딩 처리라인; 상기 기판로딩 처리라인에서 이송되는 상기 기판을 처리할 수 있도록 상기 기판로딩 처리라인과 병렬로 배치되며, 상기 기판의 표면처리를 위하여 복수의 표면 처리조가 일렬로 복수개 배치되는 기판표면 처리라인; 상기 기판표면 처리라인에서 이송되는 상기 기판을 도금처리할 수 있도록 상기 기판표면 처리라인과 병렬로 배치되며, 복수의 도금 처리조가 일렬로 복수개 배치되는 기판도금 처리라인; 상기 기판도금 처리라인에서 이송되는 상기 기판을 세정할 수 있도록 상기 기판도금 처리라인과 병렬로 배치되며, 복수의 세정 처리조가 일렬로 복수개 배치되는 기판세정 처리라인; 상기 기판세정 처리라인에서 이송되는 상기 기판을 언로딩하도록 상기 기판세정 처리라인과 병렬로 배치되는 기판언로딩 처리라인; 및 상기 기판을 각각의 상기 처리라인으로 이송할 수 있도록 상기 처리라인의 양측에 각각 구비되는 기판공정 운반라인;을 포함하며,
상기 기판표면 처리라인은 교류 방식으로 전류를 공급하여 상기 기판을 처리하고,
상기 기판도금 처리라인은, 제1도금 처리라인과 제2도금 처리라인과 제3도금 처리라인이 병렬로 배치되며, 직류 방식으로 전류를 공급하여 상기 기판을 처리하며,
상기 기판공정 운반라인은, 상기 기판로딩 처리라인의 상기 기판을 상기 기판표면 처리라인 또는 상기 기판도금 처리라인으로 운반하기 위한 제1운반 라인부; 상기 기판도금 처리라인 또는 상기 기판세정 처리라인의 상기 기판을 상기 기판언로딩 처리라인으로 운반하기 위한 제2운반 라인부; 상기 기판표면 처리라인과 상기 기판도금 처리라인의 상기 기판을 선택적으로 운반하거나, 상기 기판도금 처리라인의 상기 기판을 상기 기판세정 처리라인으로 운반하기 위한 제3운반 라인부; 및 상기 기판공정 운반라인에서 상기 기판이 언로딩된 행거를 상기 기판로딩 처리라인으로 운반하기 위한 제4운반 라인부;를 포함하며,
상기 기판로딩 처리라인과 상기 기판표면 처리라인은, 상기 기판이 서로 다른 방향으로 이송되며,
상기 제1도금 처리라인과 상기 제3도금 처리라인 사이에 상기 제2도금 처리라인이 배치되고, 상기 제2도금 처리라인의 상기 기판 이송방향이 상기 제1도금 처리라인과 상기 제3도금 처리라인의 기판 이송방향과 반대인 것을 특징으로 하는 기판 습식 처리 시스템.
a substrate loading processing line in which a plurality of cleaning tanks for degreasing and cleaning contaminants of the substrate are disposed in a row in order to input the substrate; a substrate surface treatment line arranged in parallel with the substrate loading treatment line to treat the substrate transferred from the substrate loading treatment line, and having a plurality of surface treatment tanks arranged in a row to treat the surface of the substrate; a substrate plating processing line arranged in parallel with the substrate surface processing line to process the substrate transported from the substrate surface processing line, and having a plurality of plating processing tanks arranged in a row; a substrate cleaning processing line arranged in parallel with the substrate plating processing line to clean the substrate transported from the substrate plating processing line, and having a plurality of cleaning processing tanks arranged in a row; a substrate unloading processing line arranged in parallel with the substrate cleaning processing line to unload the substrate transferred from the substrate cleaning processing line; And a substrate process transport line provided on both sides of the processing line to transfer the substrate to each of the processing lines;
The substrate surface treatment line supplies current in an alternating current method to process the substrate,
In the substrate plating processing line, a first plating processing line, a second plating processing line, and a third plating processing line are disposed in parallel, and supply current in a direct current method to process the substrate;
The substrate process transport line includes: a first transport line unit for transporting the substrate of the substrate loading processing line to the substrate surface processing line or the substrate plating processing line; a second transport line unit for transporting the substrate in the substrate plating processing line or the substrate cleaning processing line to the substrate unloading processing line; a third transport line unit for selectively transporting the substrate in the substrate surface processing line and the substrate plating processing line, or transporting the substrate in the substrate plating processing line to the substrate cleaning processing line; And a fourth transport line unit for transporting the hanger from which the substrate is unloaded from the substrate process transport line to the substrate loading processing line; includes,
In the substrate loading processing line and the substrate surface processing line, the substrate is transferred in different directions,
The second plating line is disposed between the first plating line and the third plating line, and the substrate transfer direction of the second plating line is the first plating line and the third plating line. Substrate wet processing system, characterized in that opposite to the substrate transport direction of the.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 기판표면 처리라인과 상기 제1도금 처리라인과 상기 제2도금 처리라인 및 상기 제3도금 처리라인은, 상기 기판의 표면을 다르게 처리할 수 있도록 서로 다른 도금액을 수용하는 것을 특징으로 하는 기판 습식 처리 시스템.
According to claim 1,
Wherein the substrate surface treatment line, the first plating treatment line, the second plating treatment line, and the third plating treatment line accommodate different plating solutions so as to differently treat the surface of the substrate Substrate wetting processing system.
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