KR102511837B1 - 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예에 따른 액정 조성물은 하기 화학식 (1)로 표현되는 화합물을 포함한다.
화학식 (1)
상기 X1 내지 X4는 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 메틸기(CH3), 트리플루오로메틸기(CF3) 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 Z1 및 Z2는 서로 독립적으로 단일 결합, 이중 결합, CF2CF2 및 OCF2 중 어느 하나이고, 상기 R1은 수소(H), 불소(F) 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 R2는 수소(H), 불소(F), 알킬기(CnH2n +1) 및 OCnH2n+1 중 어느 하나이고, 상기 A는 , , , , , 및 중 어느 하나이고, 상기 D는, , , , , 및 중 어느 하나이고 상기 B는 사이클로헥산, 사이클로헥센 및 벤젠 중 어느 하나이고, 상기 C는 사이클로펜탄 및 사이클로펜텐 중 어느 하나이고, 상기 A 및 D에서 상기 X5, X6, X7, 및 X8은 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 p는 1 내지 4의 자연수이고, 상기 q는 0 내지 3의 정수이고, 상기 n은 1 내지 4의 자연수이다.
화학식 (1)
상기 X1 내지 X4는 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 메틸기(CH3), 트리플루오로메틸기(CF3) 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 Z1 및 Z2는 서로 독립적으로 단일 결합, 이중 결합, CF2CF2 및 OCF2 중 어느 하나이고, 상기 R1은 수소(H), 불소(F) 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 R2는 수소(H), 불소(F), 알킬기(CnH2n +1) 및 OCnH2n+1 중 어느 하나이고, 상기 A는 , , , , , 및 중 어느 하나이고, 상기 D는, , , , , 및 중 어느 하나이고 상기 B는 사이클로헥산, 사이클로헥센 및 벤젠 중 어느 하나이고, 상기 C는 사이클로펜탄 및 사이클로펜텐 중 어느 하나이고, 상기 A 및 D에서 상기 X5, X6, X7, 및 X8은 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 p는 1 내지 4의 자연수이고, 상기 q는 0 내지 3의 정수이고, 상기 n은 1 내지 4의 자연수이다.
Description
본 발명은 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)는 널리 사용되고 있는 표시 장치 중 하나이다. 액정 표시 장치는 일반적으로 전기회장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 이러한 액정 표시 장치는, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성함으로써 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절한다.
액정 표시 장치에서 액정은 빛의 투과율을 조절하여 원하는 화상을 얻는데 매우 중요하다. 특히, 액정 표시 장치의 용도가 다양화됨에 따라, 저전압 구동, 높은 전압 보전율(voltage holding ratio, VHR), 넓은 시야각 특성, 넓은 동작 온도 범위, 낮은 잔상(afterimage) 및 고속 응답성 등의 다양한 특성이 요구된다.
본 발명은 낮은 회전 점도를 가지는 액정 조성물을 제공하고자 한다. 또한 이를 포함하는 액정 표시 장치를 통해 향상된 응답 속도를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 조성물은 하기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물을 포함한다.
상기 X1 내지 X4는 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 메틸기(CH3), 트리플루오로메틸기(CF3) 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 Z1 및 Z2는 서로 독립적으로 단일 결합, 이중 결합, CF2CF2 및 OCF2 중 어느 하나이고, 상기 R1은 수소(H), 불소(F) 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 R2는 수소(H), 불소(F), 알킬기(CnH2n +1) 및 OCnH2n+1 중 어느 하나이고, 상기 A는 , , , , , 및 중 어느 하나이고, 상기 D는, , , , , 및 중 어느 하나이고 상기 B는 사이클로헥산, 사이클로헥센 및 벤젠 중 어느 하나이고, 상기 C는 사이클로펜탄 및 사이클로펜텐 중 어느 하나이고, 상기 A 및 D에서 상기 X5, X6, X7, 및 X8은 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 p는 1 내지 4의 자연수이고, 상기 q는 0 내지 3의 정수이고, 상기 n은 1 내지 4의 자연수이다.
상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물은 하기 화학식 (1-1) 내지 (1-4)로 표현되는 액정 화합물에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 유전율 이방성(△ε)은 -4 내지 -5이며, 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 회전 점도(γ1)는 약 150 이하일 수 있다.
상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 상전이 온도(Tni)는 95도(℃) 내지 105도(℃)이고, 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 굴절률 이방성(△n)은 0.2 내지 0.3일 수 있다.
하기 화학식 (2) 내지 화학식 (19)로 표현되는 액정 화합물에서 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 X 및 Y는 알킬기(Cn'H2n' +1)이며, 상기 X 및 Y에서 상기 n'는 서로 독립적으로 1 내지 4의 자연수이다.
상기 액정 조성물의 유전율 이방성(△ε)은 -3 내지 -4 일 수 있다.
상기 액정 조성물의 회전 점도(γ1)는 약 120 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 이격되어 중첩하는 제2 기판, 및 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 액정층은 하기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물을 포함한다.
상기 X1 내지 X4는 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 메틸기(CH3), 트리플루오로메틸기(CF3) 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 Z1 및 Z2는 서로 독립적으로 단일 결합, 이중 결합, CF2CF2 및 OCF2 중 어느 하나이고, 상기 R1은 수소(H), 불소(F) 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 R2는 수소(H), 불소(F), 알킬기(CnH2n +1) 및 OCnH2n+1 중 어느 하나이고, 상기 A는 , , , , , 및 중 어느 하나이고, 상기 D는, , , , , 및 중 어느 하나이고 상기 B는 사이클로헥산, 사이클로헥센 및 벤젠 중 어느 하나이고, 상기 C는 사이클로펜탄 및 사이클로펜텐 중 어느 하나이고, 상기 A 및 D에서 상기 X5, X6, X7, 및 X8은 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 p는 1 내지 4의 자연수이고, 상기 q는 0 내지 3의 정수이고, 상기 n은 1 내지 4의 자연수이다.
상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물은 하기 화학식 (1-1) 내지 (1-4)를 포함하는 액정 화합물에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 유전율 이방성(△ε)은 -4 내지 -5이며, 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 회전 점도(γ1)는 약 150 이하일 수 있다.
상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 상전이 온도(Tni)는 95도(℃) 내지 105도(℃)이고, 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 굴절률 이방성(△n)은 0.2 내지 0.3일 수 있다.
상기 액정층은 하기 화학식 (2) 내지 화학식 (19)로 표현되는 액정 화합물에서 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 X 및 Y는 알킬기(Cn'H2n' +1)이며, 상기 X 및 Y에서 상기 n'는 서로 독립적으로 1 내지 4의 자연수이다.
상기 액정층의 유전율 이방성(△ε)은 -3 내지 -4일 수 있다.
상기 액정층의 회전 점도(γ1)는 약 120 이하일 수 있다.
상기 제1 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극, 및 상기 화소 전극과 전계를 형성하는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 화소 전극은 십자 줄기부 및 상기 십자 줄기부에서 연장된 미세 가지부를 포함할 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 일 실시예에 의하면 회전 점도가 낮은 액정 조성물의 제공이 가능하고, 이를 포함하는 액정 표시 장치는 응답 속도가 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일 화소의 평면 배치도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 기재를 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 기재의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
본 기재를 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분을 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로 본 기재가 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향을 향하여 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하에서는 도 1 내지 도 2를 참고하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일 화소의 평면 배치도이고, 도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면도이다.
우선, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 표시판(100), 하부 표시판(100)과 마주하며 이격된 상부 표시판(200) 및 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 위치하는 액정층(3)을 포함한다.
이하에서 본 발명의 일 실시예에 따라 액정층(3)을 이루는 액정 조성물에 대해 구체적으로 살펴본다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 조성물은 하기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물을 포함한다.
상기 X1 내지 X4는 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 메틸기(CH3), 트리플루오로메틸기(CF3) 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 Z1 및 Z2는 서로 독립적으로 단일 결합, 이중 결합, CF2CF2 및 OCF2 중 어느 하나이고, 상기 R1은 수소(H), 불소(F) 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 R2는 수소(H), 불소(F), 알킬기(CnH2n +1) 및 OCnH2n+1 중 어느 하나이고, 상기 A는 , , , , , 및 중 어느 하나이고, 상기 D는, , , , , 및 중 어느 하나이고 상기 B는 사이클로헥산, 사이클로헥센 및 벤젠 중 어느 하나이고, 상기 C는 사이클로펜탄 및 사이클로펜텐 중 어느 하나이고, 상기 A 및 D에서 상기 X5, X6, X7, 및 X8은 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 및 알킬기(CnH2n +1) 중 어느 하나이고, 상기 p는 1 내지 4의 자연수이고, 상기 q는 0 내지 3의 정수이고, 상기 n은 1 내지 4의 자연수이다.
이때 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 유전율 이방성(△ε)은 -4 내지 -5이며, 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 회전 점도(γ1)는 약 50 이상이면서 약 150 이하일 수 있다. 액정 화합물의 회전 점도(γ1)가 50 미만인 경우 액정층이 요구하는 물성을 만족시키기 어렵기 때문이다. 또한 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 상전이 온도(Tni)는 95도(℃) 내지 105도(℃)이고, 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 굴절률 이방성(△n)은 0.2 내지 0.3일 수 있다.
또한 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물은 전체 액정 조성물에 대해 약 1 내지 20 wt%로 포함될 수 있다.
또한 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물은 하기 화학식 (1-1) 내지 (1-4)로 표현되는 액정 화합물에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나 하기 화학식 (1-1) 내지 화학식 (1-4)로 표현되는 액정 화합물에 제한되는 것은 아니다.
상기 화학식 (1-1) 내지 상기 화학식 (1-4)로 표현되는 액정 화합물은 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물이 가지는 물성을 만족시킨다. 일례로, 상기 화학식 (1-1)로 표현되는 액정 화합물은 굴절률 이방성(△n)이 0.258이고, 유전율 이방성(△ε)이 -4.25이고, 회전 점도(γ1)는 약 149.6이고, 상전이 온도(Tni)는 98.4도(℃)일 수 있다. 상기 화학식 (1-2)로 표현되는 액정 화합물은 굴절률 이방성(△n)이 0.249이고, 유전율 이방성(△ε)이 -4.83이고, 회전 점도(γ1)는 약 123.3이고, 상전이 온도(Tni)는 102.9도(℃)일 수 있다. 상기 화학식 (1-3)으로 표현되는 액정 화합물은 굴절률 이방성(△n)이 0.267이고, 유전율 이방성(△ε)이 -4.22이고, 회전 점도(γ1)는 약 120.5이고, 상전이 온도(Tni)는 95.2도(℃)일 수 있다. 또한 상기 화학식 (1-4)로 표현되는 액정 화합물은 굴절률 이방성(△n)이 0.258이고, 유전율 이방성(△ε)이 -4.83이고, 회전 점도(γ1)는 약 93.3이고, 상전이 온도(Tni)는 99.7도(℃)일 수 있다.
상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물을 살펴보면, 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물은 분자 구조의 중심에 위치하는 세 개의 고리를 포함할 수 있다. 이때 본 발명의 실시예에 따르면, 사이클로펜탄 또는 사이클로펜텐 고리에 연결된 수소(H)들 중 적어도 하나가 불소(F)로 치환될 수 있다. 이때 사이클로펜탄 고리 또는 사이클로펜텐 고리와 인접하며, 3개의 고리 중 가운데에 위치하는 페닐 고리는, 페닐 고리에 연결된 수소가 불소(F) 등으로 치환되지 않는다. 상기 페닐 고리에 연결된 수소가 불소로 치환되는 경우, 분자 구조의 중심 부분이 벌키하게 형성되어 회전 점도가 높아지고, 이에 따라 응답속도가 불리해질 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물은 분자 구조의 중심에 위치하는 페닐 고리 구조가 불소 등을 포함하지 않으며, 상기 페닐 고리와 연결된 사이클로펜탄 고리 또는 사이클로펜텐 고리 구조는 수소가 치환된 불소를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 페닐 고리에서 불소를 포함하는 액정 화합물과 비교할 때, 동등한 수준의 유전율 이방성은 확보하면서 낮은 회전 점도를 가질 수 있다.
일례로, 상기 화학식 (1-2)로 표현되는 액정 화합물은 굴절률 이방성(△n)이 0.249이고, 유전율 이방성(△ε)이 -4.83이고, 회전 점도(γ1)는 약 123.3이고, 상전이 온도(Tni)는 102.9도(℃)일 수 있다. 반면, 분자 구조의 중심에 위치하는 페닐 고리 구조가 불소를 포함하는 액정 화합물로 하기 화학식(1-2a)로 표현되는 액정 화합물은 굴절률 이방성(△n)이 0.251이고, 유전율 이방성(△ε)이 -4.97이고, 회전 점도(γ1)는 약 224.3이고, 상전이 온도(Tni)는 91.7도(℃)일 수 있다. 즉, 상기 화학식 (1-2)로 표현되는 액정 화합물의 회전 점도(γ1)가 기존 액정 화합물에 비해 약 50% 수준으로 감소된 것을 알 수 있다.
따라서 본 발명의 실시예에 따른 액정 화합물은 회전 점도가 향상되고, 전압 인가에 따른 응답 속도가 향상될 수 있다.
한편, 상기 식 (1)은 회전 점도(γ1)와 관련한 수식이며, 회전 점도(γ1)는 오더 파라미터(S)의 제곱에 비례하며, 상기 오더 파라미터(S)는 쌍극자 모멘트(dipole moment)가 증가할수록 감소한다. 정리하면, 쌍극자 모멘트가 증가할수록 오더 파라미터(S)는 감소할 수 있으며, 이에 따라 회전 점도(γ1) 역시 감소할 수 있다.
이때 상기 화학식 (1-2)로 표현되는 액정 화합물은 약 0.136 값의 쌍극자 모멘트를 가지며, 상기 화학식 (1-2a)로 표현되는 액정 화합물은 약 0.118 값의 쌍극자 모멘트를 가질 수 있다.
따라서 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 조성물은 기존 액정 조성물 대비 높은 쌍극자 모멘트를 가질 수 있으며, 이에 따라 낮은 오더 파라미터(S)를 가질 수 있으며, 이에 따라 낮은 회전 점도(γ1)를 가질 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 조성물은 하기 화학식 (2) 내지 화학식 (19)로 표현되는 액정 화합물 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 X 및 Y는 알킬기(Cn'H2n' +1)이며, 상기 X 및 Y에서 상기 n'는 서로 독립적으로 1 내지 4의 자연수이다.
상기 화학식 (2)로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 10 내지 30 wt%로 포함될 수 있고, 상기 화학식 (3)으로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 5 내지 15 wt%로 포함될 수 있고, 상기 화학식 (4)로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 3 내지 10 wt%로 포함될 수 있고, 상기 화학식 (5)로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 10 내지 35 wt%로 포함될 수 있고, 상기 화학식 (6)으로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 5 내지 15 wt%로 포함될 수 있고, 상기 화학식 (7)로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 5 내지 15 wt%로 포함될 수 있고, 상기 화학식 (8)로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 3 내지 25 wt%로 포함될 수 있고, 상기 화학식 (9)로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 5 내지 25 wt%로 포함될 수 있고, 상기 화학식 (10)으로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 5 내지 20 wt%로 포함될 수 있다. 또한 상기 화학식 (11)로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 5 내지 20 wt%로 포함될 수 있고, 상기 화학식 (12)로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 5 내지 25 wt%로 포함될 수 있고, 상기 화학식 (13)으로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 5 내지 25 wt%로 포함될 수 있고, 상기 화학식 (14)로 표현되는 액정 화합물은 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 0.03 내지 5 wt%로 포함될 수 있다. 또한 상기 화학식 (15) 내지 화학식 (19)로 표현되는 액정 화합물에 대한 함량은 구체적으로 기재하지 않았으나, 액정 조성물이 요구하는 물성을 만족시키기 위해 소정의 함량으로 포함될 수 있다.
정리하면, 본 발명의 일 실시예에 따라 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물은, 액정 조성물의 전체 함량 대비 약 1 내지 20 wt%로 포함될 수 있다. 또한 상기 화학식 (2) 내지 (19)로 표현되는 화합물 중 적어도 하나는 액정 조성물에 포함될 수 있으며, 전술한 함량을 만족시키도록 포함되어, 소정의 물성을 가지는 액정 표시 장치용 액정 조성물을 제공할 수 있다.
이에 따라 조성된 액정 조성물의 유전율 이방성(△ε)은 -3 내지 -4일 수 있으며, 액정 조성물의 회전 점도(γ1)는 약 50 내지 약 120일 수 있다. 또한 액정 조성물의 굴절률 이방성(△n)은 0.08 내지 0.15일 수 있으며, 상전이 온도(Tni)는 약 55 내지 130도(℃)일 수 있다.
이상에서 설명한 액정 조성물은 음의 유전율 이방성을 가지며, 낮은 회전 점도를 나타내는 액정 화합물들을 포함하기 때문에 향상된 응답 속도를 제공할 수 있다.
그러면, 이하에서는 도 1 내지 도 2를 참고하여, 이상에서 설명한 액정층을 포함하는 액정 표시 장치의 구성요소에 대해 구체적으로 설명한다.
우선, 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제1 기판(110) 위에 게이트선(121)과 분압 기준 전압선(131)을 포함하는 게이트 도전체가 위치한다.
게이트선(121)은 제1 게이트 전극(124a), 제2 게이트 전극(124b), 제3 게이트 전극(124c)을 포함한다.
분압 기준 전압선(131)은 제1 유지 전극(135, 136), 그리고 기준 전극(137)을 포함한다. 분압 기준 전압선(131)에 연결되어 있지는 않으나, 제2 유지 전극(138, 139)이 제2 부화소 전극(191b)과 중첩하도록 위치할 수 있다.
게이트선(121) 및 분압 기준 전압선(131) 위에는 게이트 절연막(140)이 위치한다.
게이트 절연막(140) 위에는 제1 반도체층(154a), 제2 반도체층(154b) 및 제3 반도체층(154c)이 위치한다. 반도체층(154a, 154b, 154c) 위에는 저항성 접촉 부재(163a, 165a, 163b, 165b, 163c, 165c)가 위치한다.
저항성 접촉 부재(163a, 165a, 163b, 165b, 163c, 165c) 및 게이트 절연막(140) 위에는 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)에 연결된 데이터선(171), 제1 드레인 전극(175a), 제2 드레인 전극(175b), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체가 위치한다.
데이터 도전체 및 그 아래에 위치하는 반도체층(154a, 154b, 154c) 및 저항성 접촉 부재(163a, 165a, 163b, 165b, 163c, 165c)는 하나의 마스크를 이용하여 동시에 형성될 수 있다.
제1 게이트 전극(124a), 제1 소스 전극(173a) 및 제1 드레인 전극(175a)은 제1 반도체층(154a)과 함께 제1 박막 트랜지스터를 형성하고, 제2 게이트 전극(124b), 제2 소스 전극(173b) 및 제2 드레인 전극(175b)은 제2 반도체층(154b)과 함께 제2 박막 트랜지스터를 형성하며, 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)는 제3 반도체층(154c)과 함께 제3 박막 트랜지스터를 형성한다.
제2 드레인 전극(175b)은 제3 소스 전극(173c)과 연결되어 있으며, 넓게 확장된 확장부(177)를 포함한다.
데이터 도전체(171, 173c, 175a, 175b, 175c) 및 반도체층(154a, 154b, 154c) 부분 위에는 제1 보호막(180p)이 위치한다. 제1 보호막(180p)은 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 절연막을 포함할 수 있다.
제1 보호막(180p) 위에는 색필터(230)가 위치한다. 색필터(230)는 서로 인접한 두 개의 데이터선(171)을 따라 세로 방향으로 뻗어 있다. 본 발명의 일 실시예는 색필터(230)가 하부 표시판(100)에 위치하는 실시예에 대해 설명 및 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 색필터(230)는 상부 표시판(200)에 위치할 수도 있다.
색필터(230) 위에는 제2 보호막(180q)이 위치한다. 제2 보호막(180q)은 제1 보호막(180p)과 같이 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 절연막을 포함할 수 있다.
제2 보호막(180q)은 색필터(230)가 들뜨는 것을 방지하고 색필터(230)로부터 유입되는 용제(solvent)와 같은 유기물에 의한 액정층(3)의 오염을 억제하여 화면 구동 시 초래할 수 있는 잔상과 같은 불량을 방지한다.
제1 보호막(180p) 및 제2 보호막(180q)에는 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)을 드러내는 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)이 형성되어 있다.
제1 보호막(180p) 및 제2 보호막(180q), 그리고 게이트 절연막(140)에는 기준 전극(137)의 일부와 제3 드레인 전극(175c)의 일부를 드러내는 제3 접촉 구멍(185c)이 형성되어 있고, 제3 접촉 구멍(185c)은 연결 부재(195)가 덮고 있다. 연결 부재(195)는 제3 접촉 구멍(185c)을 통해 드러나 있는 기준 전극(137)과 제3 드레인 전극(175c)을 전기적으로 연결한다.
제2 보호막(180q) 위에는 복수의 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 전기장 생성 전극의 하나로, 각 화소 전극(191)은 게이트선(121)을 사이에 두고 서로 분리되어, 게이트선(121)을 중심으로 열 방향으로 이웃하는 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 포함한다.
화소 전극(191)은 ITO 및 IZO 등의 투명 물질로 이루어질 수 있다.
제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)의 전체적인 모양은 사각형이며 각각 가로 줄기부(193) 및 이와 직교하는 세로 줄기부(192)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b) 각각은 가로 줄기부(193)와 세로 줄기부(192)에 의해 제1 부영역(Da), 제2 부영역(Db), 제3 부영역(Dc), 그리고 제4 부영역(Dd)으로 나누어지며, 각 부영역(Da-Dd)에 위치하는 복수의 미세 가지부(194)를 포함한다.
제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)을 통하여 각기 제1 드레인 전극(175a) 또는 제2 드레인 전극(175b)과 연결되어 있으며, 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 이 때, 제2 드레인 전극(175b)에 인가된 데이터 전압 중 일부는 제3 소스 전극(173c)을 통해 분압되어, 제1 부화소 전극(191a)에 인가되는 전압의 크기는 제2 부화소 전극(191b)에 인가되는 전압의 크기보다 크게 된다.
이때, 제1 내지 제4 미세 가지부(194)의 변은 전기장을 왜곡하여 액정 분자(31)들의 경사 방향을 결정하는 수평 성분을 만들어낸다. 전기장의 수평 성분은 제1 내지 제4 미세 가지부(194)의 변에 거의 수평하다. 따라서 액정 분자(31)들은 미세 가지부(194)의 길이 방향에 평행한 방향으로 기울어진다. 한 화소 전극(191)은 미세 가지부(194)의 길이 방향이 서로 다른 네 개의 부영역(Da-Dd)을 포함하므로 액정 분자(31)가 기울어지는 방향은 대략 네 방향이 되며 액정 분자(31)의 배향 방향이 다른 네 개의 도메인이 액정층(3)에 형성된다. 이와 같이 액정 분자가 기울어지는 방향을 다양하게 하면 액정 표시 장치의 기준 시야각이 커진다.
데이터 전압이 인가된 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자(31)의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자(31)의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 휘도가 달라진다.
지금까지 설명한 박막 트랜지스터 및 화소 전극(191)에 관한 설명은 하나의 예시이고, 측면 시인성을 향상시키기 위해 박막 트랜지스터 구조 및 화소 전극 디자인을 변형할 수 있다.
화소 전극(191) 위에는 제1 배향막(11)이 위치하며, 제1 배향막(11)은 수직 배향막일 수 있다. 제1 배향막(11)은 폴리 아믹산(Polyamic acid) 또는 폴리 이미드(Polyimide) 등의 액정 배향막으로 사용되는 일반적인 물질들 중 적어도 하나를 포함하도록 형성될 수 있다.
다음, 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.
제1 기판(110)과 이격되어 중첩하도록 제2 기판(210)이 위치한다. 제2 기판(210)과 액정층(3) 사이에 차광 부재(220)가 위치한다. 차광 부재(220)는 하부 표시판(100)의 데이터선(171)이 위치하는 영역 및 박막 트랜지스터 등이 위치하는 영역과 중첩하도록 상부 표시판(200)에 위치한다. 본 명세서는 차광 부재(220)가 상부 표시판(200)에 위치하는 실시예에 대해 설명 및 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 하부 표시판(100)에 위치할 수 있음은 물론이다.
다음, 차광 부재(220)와 액정층(3) 사이에 덮개막(250)이 위치한다. 발명의 실시예에 따라 덮개막(250)은 생략될 수 있다.
다음, 전기장 생성 전극 중 하나인 공통 전극(270)이 덮개막(250)과 액정층(3) 사이에 위치한다. 공통 전극(270)은 하부 표시판(100)의 화소 전극(191)과 함께 전기장을 생성함으로써 액정층(3)의 액정 분자(31)의 방향을 결정한다.
제2 배향막(21)은 공통 전극(270)과 액정층(3) 사이에 위치하며, 제2 배향막(21)은 수직 배향막일 수 있다. 제2 배향막(21)은 제1 배향막(11)과 동일한 물질로 형성할 수 있다.
제1 배향막(11) 및 제2 배향막(21) 사이에 액정층(3)이 위치한다. 액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 앞서 설명한 음의 유전율 이방성을 가지는 본 발명의 실시예에 따른 액정 조성물을 포함할 수 있다. 액정층(3)의 액정 분자(31)는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 액정층(3)은 자외선 등의 광에 의한 중합 반응에 의해 경화되는 단량체 등의 화합물을 포함할 수 있다. 상기 화합물은 자외선 등의 광에 의해 중합 반응을 하는 반응성 메조겐(reactive mesogen)일 수 있다.
이러한 반응성 메조겐은 제조 공정에 따라 중합 반응을 하여 중합체를 형성할 수 있고, 액정 분자(31)들은 중합체에 의해 선경사를 가지도록 배향된다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물을 포함하는 액정 조성물과, 이를 포함하지 않는 액정 조성물의 물성을 비교한다.
표 1에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물을 포함하며, 표 2에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물을 포함하지 않는 액정 조성물이다.
각각에 대한 액정 조성물의 물성을 살펴본 결과, 표 1에 따른 액정 조성물에서, 굴절률 이방성(△n)은 약 0.105이고, 유전율 이방성(△ε)은 약 -3.22이고, 회전 점도(γ1)는 약 119이고, 상전이 온도(Tni)는 약 74도(℃)이다.
한편, 표 2에 따른 액정 조성물에서, 굴절률 이방성(△n)은 약 0.106이고, 유전율 이방성(△ε)은 약 -3.13이고, 회전 점도(γ1)는 약 124이고, 상전이 온도(Tni)는 약 74도(℃)이다.
즉, 본 발명의 실시예에 따라 상기 화학식 (1)로 표현되는 화합물을 포함하는 액정 조성물은 다른 물성에 대해서는 기존 액정 조성물과 거의 동등한 수준을 유지하면서, 낮은 회전 점도를 제공할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시예에 따른 액정 조성물을 포함하는 액정 표시 장치의 응답 속도가 향상될 수 있다.
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
110 : 제1 기판
210 : 제2 기판
3 : 액정층
31 : 액정 분자
210 : 제2 기판
3 : 액정층
31 : 액정 분자
Claims (16)
- 하기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물을 포함하는 액정 조성물:
화학식 (1)
상기 X1 내지 X4는 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 메틸기(CH3), 트리플루오로메틸기(CF3) 및 알킬기(CnH2n+1) 중 어느 하나이고,
상기 X1 및 X2중 적어도 하나가 불소이고,
상기 X3 및 X4 중 적어도 하나가 불소이고,
상기 Z1 및 Z2는 단일 결합이고, 상기 R1은 수소(H), 불소(F) 및 알킬기(CnH2n+1) 중 어느 하나이고, 상기 R2는 수소(H), 불소(F), 알킬기(CnH2n+1) 및 OCnH2n+1 중 어느 하나이고, 상기 A는 , , , , , 및 중 어느 하나이고, 상기 D는, , , , , 및 중 어느 하나이고 상기 B는 사이클로헥산, 사이클로헥센 및 벤젠 중 어느 하나이고, 상기 C는 사이클로펜탄 및 사이클로펜텐 중 어느 하나이고, 상기 A 및 D에서 상기 X5, X6, X7, 및 X8은 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 및 알킬기(CnH2n+1) 중 어느 하나이고, 상기 p는 1 이고, 상기 q는 0이고, 상기 n은 2 내지 4의 자연수이다. - 제1항에서,
상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 유전율 이방성(△ε)은 -4 내지 -5이며,
상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 회전 점도(γ1)는 150 이하인 액정 조성물. - 제3항에서,
상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 상전이 온도(Tni)는 95도(℃) 내지 105도(℃)이고, 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 굴절률 이방성(△n)은 0.2 내지 0.3인 액정 조성물. - 제5항에서,
상기 액정 조성물의 유전율 이방성(△ε)은 -3 내지 -4인 액정 조성물. - 제5항에서,
상기 액정 조성물의 회전 점도(γ1)는 120 이하인 액정 조성물. - 제1 기판,
상기 제1 기판과 이격되어 중첩하는 제2 기판, 및
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고,
상기 액정층은 하기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물을 포함하는 액정 표시 장치:
화학식 (1)
상기 X1 내지 X4는 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 메틸기(CH3), 트리플루오로메틸기(CF3) 및 알킬기(CnH2n+1) 중 어느 하나이고,
상기 X1 및 X2중 적어도 하나가 불소이고,
상기 X3 및 X4 중 적어도 하나가 불소이고,
상기 Z1 및 Z2는 단일 결합이고, 상기 R1은 수소(H), 불소(F) 및 알킬기(CnH2n+1) 중 어느 하나이고, 상기 R2는 수소(H), 불소(F), 알킬기(CnH2n+1) 및 OCnH2n+1 중 어느 하나이고, 상기 A는 , , , , , 및 중 어느 하나이고, 상기 D는, , , , , 및 중 어느 하나이고 상기 B는 사이클로헥산, 사이클로헥센 및 벤젠 중 어느 하나이고, 상기 C는 사이클로펜탄 및 사이클로펜텐 중 어느 하나이고, 상기 A 및 D에서 상기 X5, X6, X7, 및 X8은 서로 독립적으로 수소(H), 불소(F), 및 알킬기(CnH2n+1) 중 어느 하나이고, 상기 p는 1 이고, 상기 q는 0 이고, 상기 n은 2 내지 4의 자연수이다. - 제8항에서,
상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 유전율 이방성(△ε)은 -4 내지 -5이며, 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 회전 점도(γ1)는 150 이하인 액정 표시 장치. - 제10항에서,
상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 상전이 온도(Tni)는 95도(℃) 내지 105도(℃)이고, 상기 화학식 (1)로 표현되는 액정 화합물의 굴절률 이방성(△n)은 0.2 내지 0.3인 액정 표시 장치. - 제8항에서,
상기 액정층은 하기 화학식 (2) 내지 화학식 (19)로 표현되는 액정 화합물에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 액정 표시 장치:
화학식 (2)
화학식 (3)
화학식 (4)
화학식 (5)
화학식 (6)
화학식 (7)
화학식 (8)
화학식 (9)
화학식 (10)
화학식 (11)
화학식 (12)
화학식 (13)
화학식 (14)
화학식 (15)
화학식 (16)
화학식 (17)
화학식 (18)
화학식 (19)
상기 X 및 Y는 알킬기(Cn'H2n' +1)이며, 상기 X 및 Y에서 상기 n'는 서로 독립적으로 1 내지 4의 자연수이다. - 제12항에서,
상기 액정층의 유전율 이방성(△ε)은 -3 내지 -4인 액정 표시 장치. - 제12항에서,
상기 액정층의 회전 점도(γ1)는 120 이하인 액정 표시 장치. - 제8항에서,
상기 제1 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터,
상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소 전극, 및
상기 화소 전극과 전계를 형성하는 공통 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치. - 제15항에서,
상기 화소 전극은 십자 줄기부 및 상기 십자 줄기부에서 연장된 미세 가지부를 포함하는 액정 표시 장치.
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