KR102509706B1 - Probe array, method for manufacturing the same, and method for manufacturing probe head of probe card using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 프로브 어레이, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 지그에 DUT(Device Under Test) 단위로 프로브 핀들을 구비하는 프로브 어레이를 프로브 헤드 기판 위에 탑재한다. 프로브 어레이의 프로브 핀들에 열을 인가하여 DUT 단위로 프로브 핀들을 한 번에 프로브 헤드 기판에 접합한다. 탑재하는 단계 및 접합하는 단계를 반복하여 프로브 헤드 기판 전체에 DUT 단위로 프로브 핀들을 접합한다. 그리고 프로브 헤드 기판 위에 설치된 프로브 어레이들의 지그를 제거함으로써, 프로브 헤드 기판 전체에 프로브 핀들이 접합된 프로브 카드의 프로브 헤드를 획득한다.The present invention relates to a probe array, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a probe head of a probe card using the same. In the present invention, a probe array having probe pins in units of DUT (Device Under Test) is mounted on a probe head substrate in a jig. Heat is applied to the probe pins of the probe array to bond the probe pins to the probe head board at once in units of DUTs. By repeating the mounting and bonding steps, the probe pins are bonded to the entire probe head board in units of DUTs. The probe head of the probe card having probe pins bonded to the entire probe head substrate is obtained by removing the jig of the probe arrays installed on the probe head substrate.

Description

프로브 어레이, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드 제조 방법{Probe array, method for manufacturing the same, and method for manufacturing probe head of probe card using the same}Probe array, method for manufacturing the same, and method for manufacturing a probe head of a probe card using the same {Probe array, method for manufacturing the same, and method for manufacturing probe head of probe card using the same}

본 발명은 프로브 카드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 프로브 어레이를 이용하여 DUT 단위의 프로브 핀들을 프로브 헤드 기판에 순차적으로 이식하여 프로브 카드의 프로브 헤드를 제조하는 프로브 어레이, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a probe card and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a probe array for manufacturing a probe head of a probe card by sequentially implanting probe pins of a DUT unit into a probe head substrate using a probe array, and a method for manufacturing the same and a method for manufacturing a probe head of a probe card using the same.

잘 알려진 바와 같이, 일련의 반도체 제조공정이 웨이퍼에 완료되고 수 많은 반도체 디바이스들이 형성된 후에는 반도체 디바이스들에 불량이 발생하였는지 등의 여부를 확인하기 위하여 웨이퍼 상태에서 이루어지는 전기적 검사공정이 요구된다. 이러한 전기적 검사 공정에서 검사 대상인 반도체 디바이스와 검사 장비를 전기적으로 연결하는 매개물로 프로브 카드가 이용된다.As is well known, after a series of semiconductor manufacturing processes are completed on a wafer and numerous semiconductor devices are formed, an electrical inspection process performed in a wafer state is required to check whether defects have occurred in the semiconductor devices. In this electrical inspection process, a probe card is used as a medium for electrically connecting a semiconductor device to be inspected and inspection equipment.

한편 반도체 디바이스의 표면에는 외부로 노출된 다수의 전기적 연결 통로인 입출력 패드들이 형성되어 있다. 프로브 카드는 이러한 입출력 패드들과 물리적으로 접촉하여 전기적 신호를 입출력할 수 있는 프로브 핀들을 구비한다. 그리고 프로브 카드의 메인 인쇄회로기판은 검사 장비에 연결된다. 반도체 디바이스는 입출력 패드들과 접촉하고 있는 프로브 핀들을 통해 검사 장비로부터 신호를 입력받아 동작을 수행한 후, 그 처리 결과를 다시 프로브 핀들을 통해 검사 장비로 출력한다. 검사 장비는 이를 통해 반도체 디바이스의 전기적 특성을 검사하고 해당 반도체 디바이스의 불량 여부를 판별한다.Meanwhile, on the surface of the semiconductor device, input/output pads, which are electrical connection passages exposed to the outside, are formed. The probe card includes probe pins capable of inputting/outputting electrical signals by physically contacting these input/output pads. And the main printed circuit board of the probe card is connected to the test equipment. The semiconductor device receives signals from the test equipment through probe pins in contact with the input/output pads, performs an operation, and then outputs the processing result to the test equipment through the probe pins. The inspection equipment inspects the electrical characteristics of the semiconductor device through this and determines whether the semiconductor device is defective.

일반적으로 이러한 검사 공정은 다수의 반도체 디바이스의 입출력 패드들에 프로브 핀들이 동시에 접촉하여 수행되며, 신속하고 효율적인 검사를 위하여 300mm 웨이퍼에 있는 반도체 디바이스들 전체를 한 번에 접촉하여 수행하고도 있다. 이러한 검사 방법을 달성하기 위해서, 프로브 카드에서는 검사 장비에서 검사할 수 있는 반도체 디바이스의 수보다 훨씬 많이 생성된 웨이퍼 상의 반도체 디바이스들을 한 번에 접촉하여 검사하기 위해 검사 장비에서 오는 신호들을 다수의 반도체 디바이스에 분기하여 사용하는 신호 분기(Signal Sharing) 또는 TRE(Test Resource Extension) 방식이 구현되어야 한다. 이를 위해서는 메인 인쇄회로기판 뿐만 아니라 프로브 헤드의 프로브 헤드 기판에서도 신호 분기가 가능해야 보다 쉽게 구현 할 수 있다.In general, such an inspection process is performed by simultaneously contacting probe pins to input/output pads of a plurality of semiconductor devices, and is sometimes performed by contacting all semiconductor devices on a 300 mm wafer at once for rapid and efficient inspection. In order to achieve this inspection method, in the probe card, signals coming from the inspection equipment are transmitted to a plurality of semiconductor devices in order to test by contacting at once the semiconductor devices on the wafer, which are generated far more than the number of semiconductor devices that can be inspected by the inspection equipment. A signal sharing or TRE (Test Resource Extension) method that branches to and uses must be implemented. To this end, signal divergence should be possible not only on the main printed circuit board but also on the probe head board of the probe head, so that it can be implemented more easily.

이와 같은 기술적 요구 사항들에 부합하는 프로브 카드의 프로브 헤드 기판으로는 300mm용 대면적 MLC(Multi Layer Ceramic) 기판이 주로 사용되고 있다. MLC 기판에는 프로브 핀들이 접합되는 패드들이 형성되고, 미세 구조물을 만드는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정을 사용해 제작한 1mm ~ 3mm 크기의 작은 프로브 핀들을 MLC의 패드들에 접합하여 프로브 헤드를 제작하고 있다. 이러한 멤스(MEMS) 공정을 사용해 프로브 핀들을 제작 방법에는 2D MEMS와 3D MEMS 두 가지 방식이 사용되고 있다.A 300mm large-area MLC (Multi Layer Ceramic) substrate is mainly used as a probe head substrate of a probe card that meets such technical requirements. Pads to which probe pins are bonded are formed on the MLC substrate, and small probe pins of 1 mm to 3 mm in size manufactured using the MEMS (Micro Electro Mechanical System) process that makes microstructures are bonded to the MLC pads to manufacture a probe head. there is. Two methods, 2D MEMS and 3D MEMS, are used to manufacture probe pins using the MEMS process.

첫 번째, 2D MEMS 방식은 MEMS 공정을 사용하여 웨이퍼에 표준화된 얇은 블레이드(Blade) 형태의 프로브 핀들을 대량으로 제작한다. 제작된 프로브 핀들을 레이저 접합 장비에서 하나씩 그리퍼(Gripper)로 집어 옮겨 반도체 디바이스의 입출력 패드에 접촉할 수 있도록 MLC 기판의 패드에 위치시킨 후, 레이저 빔으로 전도성 접착제를 용융하여 MLC 기판에 접합하여 제작하는 방식이다. First, the 2D MEMS method uses an MEMS process to mass-manufacture standardized thin blade-shaped probe pins on a wafer. The manufactured probe pins are picked up from the laser bonding equipment one by one with a gripper, placed on the pad of the MLC board so that they can contact the input/output pad of the semiconductor device, and then melted the conductive adhesive with a laser beam and bonded to the MLC board. way to do it

이러한 2D MEMS 방식은 현재까지 300mm용 MLC 기판에 프로브 핀들을 접합하여 프로브 헤드를 제작할 수 있는 유일한 방법으로 알려져 있다. 하지만 2D MEMS 방식은 프로브 핀들을 하나씩 옮겨 붙어야 하기 때문에, 프로브 헤드의 제작 시간이 너무 많이 소요되고, 프로브 카드에 이식해야 할 프로브 핀 수가 증가하거나 많은 수의 프로브 카드를 제작하기 위해서는 여러 대의 고가 레이저 장비의 추가 투자가 필요한 단점이 있다.This 2D MEMS method is known as the only way to fabricate a probe head by bonding probe pins to a 300mm MLC substrate. However, since the 2D MEMS method needs to move and attach the probe pins one by one, it takes too much time to manufacture the probe head, and the number of probe pins to be transplanted to the probe card increases or several expensive laser equipment is required to manufacture a large number of probe cards. The disadvantage is that additional investment is required.

두 번째, 3D MEMS 방식은 MEMS 공정의 웨이퍼 식각 공정에 사용되는 습식과 건식 공정, 포토리소그라피(사진) 공정, 그리고 건식 습식 도금 공정으로 이식용 웨이퍼에 프로브 핀들을 반도체 디바이스의 입출력 패드들에 접촉할 수 있도록 일괄 생산하고, 프로브 핀들이 형성된 이식용 웨이퍼를 MLC 기판 전체에 정렬하여 한 번에 리플로우 공정으로 접합 후, 희생층인 이식용 웨이퍼를 제거하는 제작 방식이다.Second, the 3D MEMS method is a wet and dry process used in the wafer etching process of the MEMS process, a photolithography (photograph) process, and a dry wet plating process to contact the probe pins of the implantation wafer with the input/output pads of the semiconductor device. This is a manufacturing method in which the wafer for transplantation, which is the sacrificial layer, is removed after the batch production is performed so that the probe pins are formed on the entire MLC substrate, bonded together through a reflow process, and then the wafer for transplantation is removed.

다수의 프로브 핀들을 우수하게 정렬된 상태로 MLC 기판 전체에 한 번에 접할 할 수 있는 장점이 있다. 하지만 3D MEMS 방식은 6인치 이하 크기의 MLC 기판에 접합하는 것까지는 프로브 핀들이 정렬 상태를 달성할 수 있었지만, 300mm 크기의 MLC 기판 전체에 이식용 웨이퍼의 프로브 핀들을 한 번에 일괄 접합하는 경우 정렬 문제가 발생한다. 즉 프로브 헤드 기판과 이식용 웨이퍼 간의 열팽창 차이로 프로브 핀과 접합 패드 간에 위치가 변형되는 문제가 발생하기 때문에, 위치 변형을 보정해야 하는 기술적 난제로 300mm 크기의 MLC 기판에는 3D MEMS 방식을 성공적으로 적용을 못하고 있다. There is an advantage in that a large number of probe pins can be in contact with the entire MLC board at once in an excellent alignment. However, the 3D MEMS method was able to achieve alignment of the probe pins up to bonding to a 6-inch or smaller MLC substrate, but when the probe pins of the transplant wafer are collectively bonded to the entire 300mm MLC substrate at once, the alignment A problem arises. In other words, since the difference in thermal expansion between the probe head substrate and the wafer for implantation causes a positional deformation between the probe pin and the bonding pad, the 3D MEMS method is successfully applied to the 300mm MLC substrate as a technical challenge in correcting the positional deformation. are unable to

그래서 현재는 DUT(Device Under Test) 단위의 블록 형태인 MLC 기판에 3D MEMS의 프로브 핀을 접합하고, 이들을 300mm용 기판에 배치하는 덧넷(Dut-Let) 방식으로 프로브 헤드를 제작하는 방식이 사용되고 있다.So, currently, a method of manufacturing a probe head by bonding 3D MEMS probe pins to an MLC substrate in the form of a block of a DUT (Device Under Test) unit and placing them on a 300mm substrate is used. .

이러한 덧넷 방식은 프로브 헤드 기판인 300mm용 MLC 기판에서와 달리 MLC에서 신호분기를 달성할 수 없기 때문에, 별도의 신호 분기를 위한 회로 구성을 설계해야 하는 매우 복잡한 구조를 갖고 있어 제작비용이 높고, 제작 기간이 오래 소요되는 단점이 있다.Unlike the 300mm MLC board, which is a probe head board, this dunet method cannot achieve signal branching in MLC, so it has a very complicated structure in which a separate circuit configuration for signal branching must be designed. The downside is that it takes a long time.

이러한 상황에 따라 시장에서는 생산성 향상과 생산 단가의 저감 등을 목적으로 공정이 간단하면서도 빠르게 제조하여 제조비용이 경제적인 프로브 카드의 프로브 헤드 제조 방법이 요구되고 있다.In accordance with such circumstances, there is a demand for a method for manufacturing a probe head of a probe card having an economical manufacturing cost through a simple and fast manufacturing process for the purpose of improving productivity and reducing production cost.

그동안 본 발명자는 프로브 카드의 제조를 용이하게 하기 위해 한국등록특허 제10-0979904호(프로브 카드 및 그 제조방법), 한국등록특허 제10-1284774호(프로브 카드 및 그 제조방법)의 특허발명들을 통해 지속적으로 프로브 카드에 대한 개선책을 제시하여 왔다.In the meantime, in order to facilitate the manufacture of probe cards, the present inventors have been working on the patented inventions of Korean Patent Registration No. 10-0979904 (Probe Card and Manufacturing Method Thereof) and Korean Patent Registration No. 10-1284774 (Probe Card and Manufacturing Method Thereof). Through this, we have continuously suggested improvement measures for the probe card.

그리고 한국특허출원 제10-2019-0148004호(프로브 카드의 프로브 헤드 제조 방법)와 한국특허출원 제10-2019-0154551호(프로브 카드의 프로브 헤드 제조 방법)를 통해 2D MEMS와 3D MEMS 공정으로 생산된 프로브 핀들을 대면적 프로브 헤드 기판에 빠르게 접합하는 방안으로 개선책을 제시하였다.And Korean Patent Application No. 10-2019-0148004 (Probe Head Manufacturing Method for Probe Card) and Korean Patent Application No. 10-2019-0154551 (Probe Head Manufacturing Method for Probe Card) produced by 2D MEMS and 3D MEMS processes An improvement was proposed as a method of quickly bonding the probe pins to the large-area probe head substrate.

그 개선책의 연장선상에서, 본 발명은 효율적으로 300mm 크기와 같은 대면적 MLC 프로브 헤드 기판에 한 번에 DUT 단위로 프로브 핀들을 정렬 접합하는 방법을 반복하는 방식으로 접합 방식을 개선하여 제작 기간을 획기적으로 단축할 수 있는 프로브 어레이, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드 제조 방법을 제공하는 데 있다.As an extension of the improvement, the present invention improves the bonding method by efficiently repeating the method of aligning and bonding probe pins in DUT units at once to a large-area MLC probe head substrate such as 300 mm, thereby dramatically shortening the manufacturing period. It is an object of the present invention to provide a shortenable probe array, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a probe head for a probe card using the same.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 지그에 프로브 헤드 기판의 DUT(Device Under Test) 단위로 프로브 핀들을 구비하는 프로브 어레이를 프로브 헤드 기판 위에 탑재하는 단계; 상기 프로브 어레이의 프로브 핀들에 열을 인가하여 DUT 단위로 프로브 핀들을 한 번에 상기 프로브 헤드 기판에 접합하는 단계; 상기 탑재하는 단계 및 상기 접합하는 단계를 반복하여 상기 프로브 헤드 기판 전체에 DUT 단위로 프로브 핀들을 접합하는 단계; 및 상기 프로브 헤드 기판 위에 설치된 상기 프로브 어레이들의 지그를 제거하는 단계;를 포함하는 프로브 어레이를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method comprising: mounting a probe array having probe pins on a probe head substrate in a device under test (DUT) unit of a probe head substrate; applying heat to probe pins of the probe array to bond the probe pins to the probe head substrate at once in units of DUTs; bonding probe pins to the entire probe head substrate in units of DUTs by repeating the mounting and bonding steps; and removing a jig of the probe arrays installed on the probe head substrate.

상기 접합하는 단계에서, 상기 열은 레이저 빔 또는 히팅에 의한 열 전달 방식으로 프로브 핀들에 인가된다.In the bonding step, the heat is applied to the probe pins by a heat transfer method using a laser beam or heating.

상기 프로브 헤드 기판은 상부면에 복수의 DUT의 입출력 패드들에 대응하는 접합 패드들이 형성되어 있고, 상기 접합 패드들에는 각각 전도성 접착제가 도포되어 있다.Bonding pads corresponding to input/output pads of a plurality of DUTs are formed on an upper surface of the probe head substrate, and a conductive adhesive is applied to each of the bonding pads.

상기 탑재하는 단계에서, 상기 프로브 어레이는 접합될 DUT에 대응되는 접합 패드들에 상기 프로브 핀들이 탑재되게 상기 프로브 헤드 기판 위에 탑재된다.In the mounting step, the probe array is mounted on the probe head substrate so that the probe pins are mounted on bonding pads corresponding to the DUT to be bonded.

상기 프로브 어레이는, DUT의 입출력 패드들에 대응되는 위치에 프로브 핀 삽입 홈들이 형성된 지그; 및 상기 지그의 프로브 핀 삽입 홈들에 각각 삽입된 프로브 핀들;을 포함한다.The probe array may include a jig having probe pin insertion grooves formed at positions corresponding to the input/output pads of the DUT; and probe pins respectively inserted into the probe pin insertion grooves of the jig.

상기 지그의 소재는 실리콘 웨이퍼 또는 유리를 포함할 수 있다.The material of the jig may include a silicon wafer or glass.

상기 제거하는 단계에서, 상기 프로브 헤드 기판 위의 상기 프로브 어레이들의 지그를 습식 식각으로 선택적으로 제거하여 상기 프로브 헤드 기판 위에 접합된 상기 프로브 어레이들의 프로브 핀들은 남긴다.In the removing step, the jigs of the probe arrays on the probe head substrate are selectively removed by wet etching, leaving probe pins of the probe arrays bonded on the probe head substrate.

상기 프로브 핀들은, 상기 접합 패드에 접합되는 접합부;를 포함한다.The probe pins include a bonding portion bonded to the bonding pad.

상기 접합부는 상기 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출된다.The junction protrudes out of the probe pin insertion groove.

상기 프로브 핀들은 2D MEMS 공정으로 제조되며, 상기 프로브 핀 삽입 홈에 삽입되며, DUT의 입출력 패드에 접촉하며 상기 지그의 하부면을 향하여 아래로 뻗어 있는 팁부; 상기 팁부에 연결되어 일측으로 연장되어 뻗어 있으며, 적어도 일부가 상기 프로브 핀 삽입 홈에 삽입되는 탄성부; 및 상기 탄성부에 연결되어 상기 지그의 상부면 위로 뻗어 있으며, 상기 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출되어 있는 지지부;를 포함할 수 있다. 이때 상기 지지부가 상기 접합부이다.The probe pins are manufactured by a 2D MEMS process, are inserted into the probe pin insertion grooves, and contact the input/output pads of the DUT and extend downward toward the lower surface of the jig; an elastic part connected to the tip part and extended to one side, at least a part of which is inserted into the probe pin insertion groove; and a support portion that is connected to the elastic portion, extends over the upper surface of the jig, and protrudes out of the probe pin insertion groove. At this time, the support part is the junction part.

상기 프로브 어레이는, 상기 지그 위에 형성되며, 상기 프로브 핀 삽입 홈들에 삽입된 상기 프로브 핀들을 고정하는 고정부;를 더 포함할 수 있다.The probe array may further include a fixing part formed on the jig and fixing the probe pins inserted into the probe pin insertion grooves.

상기 고정부는 상기 지그를 제거하는 단계에서 상기 지그와 함께 제거된다.The fixing part is removed together with the jig in the step of removing the jig.

상기 프로브 핀들은, 상기 지지부에 연결된 상기 탄성부의 일부가 상기 지그의 측면을 통하여 상기 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출되어 있다.In the probe pins, a portion of the elastic part connected to the support part protrudes out of the probe pin insertion groove through a side surface of the jig.

상기 지지부는 상기 탄성부에 연결되어 상기 고정부 위로 돌출되어 있다.The support part is connected to the elastic part and protrudes above the fixing part.

상기 프로브 핀들은 3D MEMS 공정으로 상기 지그에 제조되며, 상기 프로브 핀 삽입 홈에 삽입되며, DUT의 입출력 패드에 접촉하며 아래로 뻗어 있는 팁부; 및 상기 팁부에 연결되어 일측으로 연장되어 뻗어 있으며, 상기 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출되어 있는 탄성부;를 포함할 수 있다. 상기 탄성부가 상기 접합부이다.The probe pins are manufactured in the jig by a 3D MEMS process, and are inserted into the probe pin insertion grooves and contact the input/output pads of the DUT and extend downward; and an elastic part connected to the tip part, extending to one side, and protruding out of the probe pin insertion groove. The elastic part is the joint part.

상기 탑재하는 단계에서, 어레이 그리퍼가 상기 프로브 어레이를 진공 흡착하여 상기 프로브 헤드 기판 위에 탑재할 수 있다.In the mounting step, an array gripper may vacuum the probe array and mount the probe array on the probe head substrate.

상기 접합하는 단계에서, 상기 어레이 그리퍼를 통하여 상기 프로브 어레이에 면광원의 레이저 빔을 조사하여 상기 프로브 어레이의 프로브 핀들 상기 프로브 헤드 기판에 접합할 수 있다.In the bonding step, the probe pins of the probe array may be bonded to the probe head substrate by irradiating the probe array with a laser beam of a surface light source through the array gripper.

상기 어레이 그리퍼는, 상기 프로브 어레이를 진공 흡착하는 부착판;을 포함한다. 상기 부착판의 소재는 레이저 빔을 투과하는 석영 또는 유리를 포함할 수 있다.The array gripper includes an attachment plate for vacuum adsorbing the probe array. The material of the attachment plate may include quartz or glass that transmits a laser beam.

상기 접합하는 단계에서, 상기 어레이 그리퍼는 열원으로부터 공급받은 열로 가열되고, 가열된 상기 어레이 그리퍼에 흡착한 상기 프로브 어레이의 지그와 프로브 핀들을 가열하여 상기 프로브 어레이의 프로브 핀들을 상기 프로브 헤드 기판에 접합할 수 있다.In the bonding step, the array gripper is heated with heat supplied from a heat source, and the jig and probe pins of the probe array adsorbed to the heated array gripper are heated to bond the probe pins of the probe array to the probe head substrate. can do.

상기 어레이 그리퍼는, 상기 프로브 어레이를 진공 흡착하는 부착판;을 포함한다. 상기 부착판의 소재는 열전도성과 저열팽창계수를 갖는 인바, 코바 또는 세라믹 소재를 포함할 수 있다.The array gripper includes an attachment plate for vacuum adsorbing the probe array. The material of the attachment plate may include Invar, Kovar, or ceramic materials having thermal conductivity and a low coefficient of thermal expansion.

본 발명은 또한, 프로브 헤드 기판의 DUT(Device Under Test) 단위로 프로브 핀들을 구비하는 프로브 어레이로서, 상기 DUT의 입출력 패드들에 대응되는 위치에 프로브 핀 삽입 홈들이 형성된 지그; 및 상기 지그의 프로브 핀 삽입 홈들에 각각 삽입된 상기 프로브 핀들;을 포함하는 프로브 카드의 프로브 헤드용 프로브 어레이를 제공한다.The present invention also provides a probe array having probe pins for each device under test (DUT) unit of a probe head substrate, comprising: a jig having probe pin insertion grooves formed at positions corresponding to input/output pads of the DUT; and the probe pins respectively inserted into the probe pin insertion grooves of the jig.

본 발명은 또한, 프로브 헤드 기판의 DUT(Device Under Test)의 크기에 대응되는 크기를 갖는 지그에 상기 DUT의 입출력 패드들에 대응되는 위치에 프로브 핀 삽입 홈들을 형성하는 단계; 상기 지그의 프로브 핀 삽입 홈들에 각각 프로브 핀들을 삽입하는 단계; 및 상기 지그 위에 상기 프로브 핀 삽입 홈들에 삽입된 상기 프로브 핀들을 고정하는 고정부를 형성하는 단계;를 포함하는 프로브 카드의 프로브 헤드용 프로브 어레이의 제조 방법을 제공한다.Forming probe pin insertion grooves at positions corresponding to input/output pads of the DUT in a jig having a size corresponding to the size of a device under test (DUT) of a probe head substrate; inserting probe pins into respective probe pin insertion grooves of the jig; and forming fixing parts on the jig to fix the probe pins inserted into the probe pin insertion grooves.

그리고 본 발명은 프로브 헤드 기판의 DUT(Device Under Test)의 크기에 대응되는 크기를 갖는 복수의 지그를 구비하는 지그 원판을 준비하는 단계; 상기 복수의 지그에 각각 DUT의 입출력 패드들에 대응되는 위치에 팁부홈들을 형성하는 단계; 도금으로 상기 팁부홈들을 충전하여 팁부들을 형성하는 단계; 상기 지그 원판의 상부에 포토레지스트 공정으로 상기 팁부들에 각각 연결되는 탄성부홈을 형성하는 단계; 도금으로 상기 탄성부홈들을 충전하여 상기 팁부들에 각각 연결된 탄성부를 구비하는 프로브 핀들을 형성하는 단계; 상기 탄성부홈들을 형성하는 포토레지스트를 제거하여 상기 지그의 상부면으로 상기 프로브 핀들의 탄성부를 노출시키는 단계; 및 상기 지그 원판을 상기 지그 단위로 분할하여 상기 지그에 프로브 핀들이 형성된 프로브 어레이들을 획득하는 단계;를 포함하는 프로브 카드의 프로브 헤드용 프로브 어레이의 제조 방법을 제공한다.Further, the present invention includes preparing a jig original plate having a plurality of jigs having a size corresponding to the size of a device under test (DUT) of a probe head substrate; forming tip grooves in the plurality of jigs at positions corresponding to the input/output pads of the DUT, respectively; forming tip portions by filling the tip portion grooves with plating; forming elastic part grooves respectively connected to the tip parts through a photoresist process on an upper part of the jig disc; forming probe pins having elastic parts respectively connected to the tip parts by filling the elastic part grooves with plating; exposing the elastic parts of the probe pins to the upper surface of the jig by removing the photoresist forming the elastic part grooves; and obtaining probe arrays having probe pins formed on the jig by dividing the jig disk into units of the jig.

본 발명에 따르면, 300mm 크기와 같은 대면적 프로브 헤드 기판에 한 번에 DUT 단위로 프로브 핀들을 정렬 접합하는 방법을 반복하는 방식으로 접합 방식을 개선하여 제작 기간을 획기적으로 단축할 수 있는 프로브 어레이, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드 제조 방법을 제공한다.According to the present invention, a probe array capable of dramatically shortening the manufacturing period by improving a bonding method by repeating a method of aligning and bonding probe pins in units of DUTs to a large-area probe head substrate such as 300 mm at a time; A manufacturing method thereof and a method of manufacturing a probe head of a probe card using the same are provided.

즉 프로브 카드의 프로브 헤드 제조 과정에서 프로브 핀들을 DUT 단위로 배치한 프로브 어레이를 제작하고, 접합 장비로 접합 레이저 장비를 사용하여 석영 재질의 어레이 그리퍼로 프로브 어레이를 프로브 헤드 기판 위에 위치시킨 후, 레이저 빔을 프로브 어레이가 위치한 DUT 영역에 조사하여 프로브 헤드 기판 위에 한 번에 DUT 단위로 프로브 핀들을 접합하고, 이러한 DUT 단위의 프로브 어레이를 이용한 프로브 핀들의 접합 공정을 반복하여 전체 프로브 헤드 기판에 프로브 핀들을 접합한다. 프로브 헤드 기판으로부터 DUT 단위로 설치된 프로브 어레이들을 제거함으로써, 본 발명에 따른 프로브 헤드를 제조할 수 있다.That is, in the process of manufacturing the probe head of the probe card, a probe array in which probe pins are arranged in DUT units is manufactured, a bonding laser equipment is used as bonding equipment, the probe array is positioned on the probe head substrate with a quartz array gripper, and then the laser The beam is irradiated to the DUT area where the probe array is located, and the probe pins are bonded on the probe head substrate at once in DUT units. join The probe head according to the present invention can be manufactured by removing the probe arrays installed in DUT units from the probe head substrate.

또는 히팅 플레이트를 사용하는 접합 장비에서 금속 또는 세라믹 재질의 어레이 그리퍼로 프로브 어레이를 프로브 헤드 기판 위에 위치시키고, 히팅 플레이트로 어레이 그리퍼를 가열하여 프로브 어레이에 열을 전달하여 한 번에 DUT 단위로 프로브 헤드 기판 위에 프로브 핀들을 접합하고, 이러한 DUT 단위의 프로브 어레이를 이용한 프로브 핀들의 접합 공정을 반복하여 전체 프로브 헤드 기판에 프로브 핀들을 접합한다. 프로브 헤드 기판으로부터 DUT 단위로 설치된 프로브 어레이들을 제거함으로써, 본 발명에 따른 프로브 헤드를 제조할 수 있다.Alternatively, in splicing equipment that uses a heating plate, position the probe array on the probe head substrate with an array gripper made of metal or ceramic, and heat the array gripper with the heating plate to transfer heat to the probe array to move the probe head to DUT units at a time. Probe pins are bonded on the substrate, and the probe pins are bonded to the entire probe head substrate by repeating the bonding process of the probe pins using the probe array of the DUT unit. The probe head according to the present invention can be manufactured by removing the probe arrays installed in DUT units from the probe head substrate.

본 발명에 따른 프로브 기판의 프로브 헤드의 제조 방법은, DUT 단위로 한번에 프로브 핀들을 프로브 헤드 기판에 접합할 수 있기 때문에, 개별 프로브 핀을 프로브 헤드 기판에 접합하는 기존의 2D MEMS 방식 보다, 프로브 헤드의 제작 기간을 획기적으로 단축하여 생산성을 높일 수 있다.Since the method of manufacturing the probe head of the probe substrate according to the present invention can bond the probe pins to the probe head substrate at once in units of DUTs, it is possible to bond the probe head to the probe head substrate more than the conventional 2D MEMS method of bonding individual probe pins to the probe head substrate. Productivity can be increased by drastically shortening the production period.

본 발명에 따른 프로브 기판의 프로브 헤드의 제조 방법은, DUT 단위로 한 번에 프로브 핀들을 프로브 헤드 기판에 접합하는 공정을 반복하여 프로브 헤드를 제조하기 때문에, 300mm 크기의 대면적 MLC 프로브 헤드 기판을 제조하더라도 프로브 핀과 접합 패드 간의 정렬 오류 문제는 거의 발생하지 않는다. 따라서 본 발명에 따른 프로브 기판의 프로브 헤드의 제조 방법은, 기존의 3D MEMS 공정에 적용하지 못한 300mm용 대면적 프로브 헤드 기판을 사용하여 프로브 헤드를 제조할 수 있기 때문에, 기존의 3D MEMS 공정보다 제조 공정을 단순화하여 훨씬 빠르고, 낮은 제조 원가로 프로브 헤드를 제조할 수 있다.In the method of manufacturing the probe head of the probe substrate according to the present invention, since the probe head is manufactured by repeating the process of bonding probe pins to the probe head substrate at once in units of DUT, a large area MLC probe head substrate having a size of 300 mm is manufactured. Even with manufacturing, alignment errors between the probe pins and bonding pads rarely occur. Therefore, the manufacturing method of the probe head of the probe substrate according to the present invention can manufacture a probe head using a large-area probe head substrate for 300 mm, which has not been applied to the existing 3D MEMS process, so that the manufacturing process is less expensive than the existing 3D MEMS process. By simplifying the process, the probe head can be manufactured much faster and at a lower cost.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 어레이의 사시도이다.
도 2는 도 1의 프로브 어레이에 프로브 핀이 위치하는 상태를 보여 주는 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 어레이의 측면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 어레이의 정면 절개 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 어레이에서 팁부가 좁은 2D MEMS 프로브 핀을 사용한 경우의 측면 및 정면의 절개 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 변형된 프로브 어레이의 사시도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 어레이 그리퍼의 사시도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 3D MEMS 프로브 핀을 적용한 프로브 어레이의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 3D MEMS 프로브 핀을 적용한 프로브 어레이의 사시도이다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 어레이 그리퍼의 사시도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 제2 실시예에 따른 어레이 그리퍼를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
1 is a perspective view of a probe array according to a first embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view showing a state in which probe pins are positioned in the probe array of FIG. 1;
3 is a side view of a probe array according to a first embodiment of the present invention.
4 is a front cut-away perspective view of the probe array according to the first embodiment of the present invention.
5 is a side and front cutaway perspective view of a case where a 2D MEMS probe pin with a narrow tip is used in the probe array according to the first embodiment of the present invention.
6 is a perspective view of a modified probe array according to a first embodiment of the present invention.
7 is a perspective view of an array gripper according to a first embodiment of the present invention.
8 to 10 are diagrams for explaining a method of manufacturing a probe head of a probe card according to a first embodiment of the present invention.
11 is a diagram for explaining a method of manufacturing a probe array to which 3D MEMS probe pins according to a second embodiment of the present invention are applied.
12 is a perspective view of a probe array to which 3D MEMS probe pins according to a second embodiment of the present invention are applied.
13 and 14 are diagrams for explaining a manufacturing method of a probe head of a probe card according to a second embodiment of the present invention.
15 is a perspective view of an array gripper according to a second embodiment of the present invention.
16 and 17 are diagrams for explaining a method of manufacturing a probe head of a probe card using an array gripper according to a second embodiment of the present invention.

하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.It should be noted that in the following description, only parts necessary for understanding the embodiments of the present invention are described, and descriptions of other parts will be omitted without departing from the gist of the present invention.

이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.The terms or words used in this specification and claims described below should not be construed as being limited to ordinary or dictionary meanings, and the inventors have appropriately used the concept of terms to describe their inventions in the best way. It should be interpreted as a meaning and concept consistent with the technical spirit of the present invention based on the principle that it can be defined in the following way. Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are only preferred embodiments of the present invention, and do not represent all of the technical spirit of the present invention, so various equivalents that can replace them at the time of the present application. It should be understood that there may be variations and variations.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

[제1 실시예][First Embodiment]

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 어레이의 사시도이다. 그리고 도 2는 도 1의 프로브 어레이에 프로브 핀이 위치하는 상태를 보여 주는 분해 사시도이다.1 is a perspective view of a probe array according to a first embodiment of the present invention. 2 is an exploded perspective view showing a state in which probe pins are positioned in the probe array of FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 프로브 어레이(30a)는 DUT(Device Under Test) 단위로 프로브 핀(10)들을 구비하는 프로브 어레이로서, DUT의 입출력 패드들에 대응되는 위치에 프로브 핀 삽입 홈들이 형성된 지그(20)와, 지그(20)의 프로브 핀 삽입 홈들에 각각 삽입된 프로브 핀(10)들을 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 2 , the probe array 30a according to the first embodiment is a probe array having probe pins 10 in units of DUTs (Device Under Test), and positions corresponding to input/output pads of the DUT. It includes a jig 20 in which probe pin insertion grooves are formed, and probe pins 10 respectively inserted into the probe pin insertion grooves of the jig 20 .

그리고 제1 실시예에 따른 프로브 어레이(30a)는 지그(20) 위에 형성되며, 프로브 핀 삽입 홈들에 삽입된 프로브 핀들(10)을 고정하는 고정부(40)를 더 포함할 수 있다.The probe array 30a according to the first embodiment may further include fixing parts 40 formed on the jig 20 and fixing the probe pins 10 inserted into the probe pin insertion grooves.

이와 같은 제1 실시예에 따른 프로브 어레이(30a)는 반도체 디바이스 크기인 DUT 단위로 프로브 핀들(10)을 배치하기 위해, DUT 크기에 대응되는 판 상의 지그(20)에 프로브 핀(10)들을 위치하여 정렬시키고, 세라믹이나, 금속, 또는 카본이 함유되어 고온에서 변형이 없는 접착제를 사용하여 고정부(40)를 형성함으로써, 프로브 핀(10)들을 지그(20)에 고정한다.In the probe array 30a according to the first embodiment, the probe pins 10 are positioned on the jig 20 on a plate corresponding to the size of the DUT in order to arrange the probe pins 10 in units of DUT, which is the size of a semiconductor device. The probe pins 10 are fixed to the jig 20 by aligning the probe pins 10 to the jig 20 by forming the fixing part 40 using an adhesive containing ceramic, metal, or carbon and not deforming at a high temperature.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 어레이(30a)의 측면도이다.3 is a side view of the probe array 30a according to the first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 프로브 어레이(30a)에 포함되는 프로브 핀(10)은 2D MEMS 프로브 핀이다.Referring to FIG. 3 , the probe pins 10 included in the probe array 30a are 2D MEMS probe pins.

이러한 2D MEMS 프로브 핀(10)에 대하여 설명하면 다음과 같다.The 2D MEMS probe pin 10 will be described as follows.

프로브 핀(10)은 프로브 헤드 기판(도 8의 50)의 접합 패드(도 8의 51)에 접합되는 접합부를 포함한다. 접합부는 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출되어 있다.The probe pin 10 includes a bonding portion bonded to a bonding pad ( 51 in FIG. 8 ) of a probe head substrate ( 50 in FIG. 8 ). The junction protrudes out of the probe pin insertion groove.

프로브 핀(10)은 지지부(11), 탄성부(12) 및 팁부(14)를 포함한다.The probe pin 10 includes a support part 11 , an elastic part 12 and a tip part 14 .

지지부(11)는 프로브 헤드 기판(도 8의 50)의 접합 패드(도 8의 51)에 접합된다. 즉 지지부(11)가 접합부이다.The support part 11 is bonded to the bonding pad ( 51 in FIG. 8 ) of the probe head substrate ( 50 in FIG. 8 ). That is, the support part 11 is a junction part.

탄성부(12)는 일단이 지지부(11)의 하단부에 연결되어 수평 방향으로 연장되며 수평 방향으로 중심 부분에 하나 이상의 관통부(13)가 형성되어 있다. 탄성부(12)는 관통부(13)의 천장 또는 측면의 일 측과 바닥 또는 측면의 타 측을 연결하는 적어도 하나 이상의 핀 압 조절바를 갖는다.The elastic part 12 has one end connected to the lower end of the support part 11 and extends in the horizontal direction, and one or more through parts 13 are formed in the central part in the horizontal direction. The elastic part 12 has at least one pin pressure adjusting bar connecting one side of the ceiling or side of the penetrating part 13 and the other side of the floor or side.

그리고 팁부(14)는 탄성부(12)의 타단에 연결되어 아래쪽으로 돌출되어 형성되어 형성된다.And the tip part 14 is formed by being connected to the other end of the elastic part 12 and protruding downward.

여기서 팁부(14)는 탄성부(12)에 연결된 접촉 지지부(15), 접촉 지지부(15) 아래로 뻗어 있으며 웨이퍼 상에 형성된 반도체 디바이스의 입출력 패드에 접촉하는 접촉팁(18)을 구비하는 접촉부(16)와, 접촉부(16)에서 탄성부(12) 방향으로 사선으로 연결되어 아래로 내려가는 정렬부(17)를 포함한다. 이때 접촉 지지부(15)는 접촉부(16)와 정렬부(17)를 포함하는 크기와 같거나 보다 넓게 형성될 수 있다. 또는 접촉 지지부(15)의 형성 없이 팁부(14)만 형성될 수 있다.Here, the tip portion 14 is a contact portion having a contact support portion 15 connected to the elastic portion 12, a contact tip 18 extending under the contact support portion 15 and contacting an input/output pad of a semiconductor device formed on a wafer ( 16), and an aligning portion 17 connected in an oblique line from the contact portion 16 toward the elastic portion 12 and going down. At this time, the contact support portion 15 may be formed to be wider than or equal to the size of the contact portion 16 and the alignment portion 17 . Alternatively, only the tip portion 14 may be formed without forming the contact support portion 15 .

또한 팁부(14)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 프로브 핀(10)의 두께 폭에서 중앙부분에 위치해 좁은 폭으로 형성된 접촉팁(18)의 두께를 포함하며, 접촉팁(18)을 기준으로 좌측 또는 우측에 위치한 프로브 핀(10) 두께의 양쪽 또는 어느 한쪽 두께를 얇게 하여 프로브 핀(10)의 전체 두께보다 얇은 형태로 형성할 수 있다. 예컨대 팁부(14)는 탄성부 두께의 50% ~ 100% 두께로 형성될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 5, the tip portion 14 includes the thickness of the contact tip 18 located at the center of the thickness width of the probe pin 10 and formed with a narrow width, and the contact tip 18 is the reference As a result, both sides or one side of the thickness of the probe pin 10 located on the left or right side may be thinned to form a shape thinner than the entire thickness of the probe pin 10. For example, the tip portion 14 may be formed with a thickness of 50% to 100% of the thickness of the elastic portion.

프로브 어레이(30a)에 포함되는 지그(20)는 DUT 단위로 프로브 핀(10)들을 프로브 헤드 기판에 이식하는 용도로 사용된다.The jig 20 included in the probe array 30a is used to implant the probe pins 10 on a probe head substrate in units of DUTs.

이러한 지그(20)는 반도체 디바이스인 DUT에 대응되는 크기를 갖는다. 지그(20)에는 DUT의 입출력 패드들에 대응되는 위치에 프로브 핀 삽입 홈들이 형성되어 있다. 프로브 핀 삽입 홈은 팁부홈(21)과 탄성부홈(22)을 포함한다.This jig 20 has a size corresponding to the DUT, which is a semiconductor device. In the jig 20, probe pin insertion grooves are formed at positions corresponding to the input/output pads of the DUT. The probe pin insertion groove includes a tip groove 21 and an elastic groove 22 .

지그(20)에는 프로브 핀(10)의 팁부(14)가 위치하는 팁부홈(21)이 형성되어 있다. 팁부홈(21)에 위로 연장되고 일 측으로 길게 형성되어 프로브 핀(10)의 탄성부(12)가 위치하게 되는 탄성부홈(22)이 형성되어 있다. 지그(20)는 사진 식각 공정으로 제작이 쉬운 실리콘 웨이퍼, 또는 유리가 소재로 사용될 수 있다.The jig 20 has a tip portion groove 21 where the tip portion 14 of the probe pin 10 is located. An elastic part groove 22 is formed in the tip part groove 21, extending upward and extending to one side, where the elastic part 12 of the probe pin 10 is positioned. The material of the jig 20 may be a silicon wafer or glass, which is easy to manufacture through a photolithography process.

지그(20)는 반도체 디바이스의 크기를 기준으로 제작하지만, 접합 공정에서 지그(20)와 프로브 헤드 기판의 열팽창 차이로 인해 발생되는 프로브 핀(20)들의 위치 변형을 최소화하는 크기로 제작하는 것이 바람직하다. 지그(20)는 프로브 핀(10)들의 위치 제작 사양에 따라 반도체 디바이스 보다 작은 크기 또는 반도체 디바이스의 수 배수 크기로 제작할 수 있다.Although the jig 20 is manufactured based on the size of the semiconductor device, it is preferable to manufacture it in a size that minimizes positional deformation of the probe pins 20 caused by a difference in thermal expansion between the jig 20 and the probe head substrate in the bonding process. do. The jig 20 may be manufactured in a size smaller than that of the semiconductor device or several times the size of the semiconductor device according to specifications for positioning of the probe pins 10 .

지그(20)에 형성된 팁부홈(21)의 위치 및 간격은 웨이퍼의 반도체 디바이스에 형성되어 있는 입출력 패드에 접촉하기 위한 위치 및 간격으로 형성이 된다. 팁부홈(21)은 프로브 핀(10)의 팁부(14) 크기보다 2㎛ 이하로 프로브 핀(10)의 팁부(14)가 팁부홈(21)에 들어 갈 수 있는 최소한의 크기로 제작하여 팁부(14)들의 위치 공차를 최소화 시킨다.The position and spacing of the tip part grooves 21 formed in the jig 20 are formed to be in contact with the input/output pads formed in the semiconductor device of the wafer and the spacing. The tip part groove 21 is manufactured to a minimum size that allows the tip part 14 of the probe pin 10 to enter the tip part groove 21 by 2 μm or less than the size of the tip part 14 of the probe pin 10. Minimize the positional tolerance of (14).

탄성부홈(22)은 길게 형성된 장공이기 때문에, 중간 부분이 프로브 핀(10)의 탄성부(12)의 직진도를 감안하여 더 크게 형성된다. 탄성부홈(22)은 지지부(11)가 위치한 부분과 팁부(14)에 근접한 부분에서 탄성부(12)보다 2㎛ 이내로 크게 형성하여 프로브 핀(10)들이 최소한의 여유 공차에서 위치하게 한다. 탄성부홈(22)의 깊이는 프로브 핀(10)의 탄성부(12)의 높이와 같거나 또는 낮게 할 수도 있다.Since the elastic part groove 22 is a long hole formed long, the middle part is formed larger in consideration of the straightness of the elastic part 12 of the probe pin 10 . The elastic part groove 22 is formed to be within 2 μm larger than the elastic part 12 at the part where the support part 11 is located and the part close to the tip part 14, so that the probe pins 10 are positioned with a minimum clearance. The depth of the elastic part groove 22 may be equal to or lower than the height of the elastic part 12 of the probe pin 10 .

이와 같이 팁부홈(21)과 탄성부홈(22)의 크기를 프로브 핀(10)의 크기보다 2㎛ 이내로 형성하는 이유는, 프로브 핀(10)을 프로브 헤드 기판에 접합할 때 지그(20)의 팁부홈(21)과 탄성부홈(22)의 크기에 의해 발생할 수 있는 프로브 핀(10)의 위치 오차를 프로브 어레이(30a) 크기인 DUT 단위에서 2㎛ 이내로 최소화하기 위해서이다.The reason why the size of the tip part groove 21 and the elastic part groove 22 is formed within 2 μm of the size of the probe pin 10 is that when the probe pin 10 is bonded to the probe head substrate, the size of the jig 20 This is to minimize a positional error of the probe pin 10 that may occur due to the size of the tip part groove 21 and the elastic part groove 22 to within 2 μm in a DUT unit that is the size of the probe array 30a.

지그(20)에 형성된 팁부홈(21)과 탄성부홈(22)의 상단 입구에는 경사면(23)이 형성될 수 있다. 이와 같이 경사면(23)을 형성하는 이유는, 프로브 핀(10)들을 지그(20)의 프로브 핀 삽입 홈에 삽입하기 위해 프로브 핀(10)을 갖다 놓을 때 여유 공차를 형성하여 프로브 핀(10)들이 쉽게 프로브 핀 삽입 홈으로 삽입되도록 안내할 수 있기 때문이다.An inclined surface 23 may be formed at an upper end of the tip part groove 21 and the elastic part groove 22 formed in the jig 20 . The reason why the inclined surface 23 is formed in this way is that when the probe pins 10 are placed in order to insert the probe pins 10 into the probe pin insertion grooves of the jig 20, margin tolerance is formed to form the probe pins 10. This is because they can be easily guided to be inserted into the probe pin insertion groove.

또한 프로브 핀(10)의 팁부(14)의 접촉 지지부(15)는 팁부홈(21)에 최종적으로 위치하는 구간이 되며, 접촉부(16)쪽으로 좁은 경사면(23)을 주어 프로브 핀(10)의 팁부(14)를 팁부홈(21)에 위치하게 할 때 2㎛ 이내의 작은 공차를 갖는 프로브 핀(10)의 팁부(14)와 팁부홈(21) 간격에서 접촉팁(18)과 정렬부(17) 부분이 손상 없이 a 와 b 크기만큼 측면 여유 공차를 갖고 프로브 핀(10)의 팁부(12)가 팁부홈(21)에 진입하여 최종적으로 접촉 지지부(15)가 팁부홈(21)에 쉽게 위치할 수 있게 한다.In addition, the contact support portion 15 of the tip portion 14 of the probe pin 10 becomes a section finally located in the tip portion groove 21, and a narrow inclined surface 23 is provided toward the contact portion 16 to form a contact portion of the probe pin 10. When the tip 14 is positioned in the tip groove 21, the contact tip 18 and the alignment portion ( 17) The tip part 12 of the probe pin 10 enters the tip part groove 21 without damage, and the contact support part 15 easily enters the tip part groove 21 without damage. make it possible to position

또한 도면에 도시하지는 않았지만, 프로브 핀(10)의 형상에 맞추기 위하여 지그(20)에 형성하는 팁부홈(21)을 두 단계로 형성하여, 탄성부(12)와 연결되는 부분에는 더 큰 팁부홈(21)을 형성하고 아래에는 팁부(14)의 접촉부(16)가 위치하는 팁부홈(21)을 형성할 수 있다.In addition, although not shown in the drawings, in order to match the shape of the probe pin 10, the tip groove 21 formed on the jig 20 is formed in two steps, and a larger tip groove is formed in the portion connected to the elastic part 12. 21 may be formed and a tip portion groove 21 in which the contact portion 16 of the tip portion 14 is located below may be formed.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 어레이(30a)에 포함되는 지그(20)에 프로브 핀(10)의 프로브 팁부(14)가 위치한 부분의 정면 절개 사시도이다. 여기서 도 4의 (a)는 지그(20)의 정면에 바라본 단면도이고, 도 4의 (b)는 지그(20)의 상부면에서 바라본 평면도이다.4 is a front cutaway perspective view of a portion where the probe tip 14 of the probe pin 10 is positioned in the jig 20 included in the probe array 30a according to the first embodiment of the present invention. Here, (a) of FIG. 4 is a cross-sectional view viewed from the front of the jig 20, and (b) of FIG. 4 is a plan view viewed from the upper surface of the jig 20.

도 4를 참조하면, 프로브 어레이(30a)는 지그(20)에 형성된 팁부홈(21)과 탄성부홈(22)의 상부 입구 부분에 경사면(23)을 형성하여 프로브 핀(10)을 지그(20)에 위치시킬 때 c와 d만큼 여유 공차를 갖고 위치시킬 수 있다.Referring to FIG. 4 , the probe array 30a forms an inclined surface 23 at the upper entrance of the tip groove 21 and the elastic groove 22 formed in the jig 20 to form the probe pin 10 in the jig 20. ), it can be positioned with a margin tolerance as much as c and d.

이와 같이 프로브 핀(10)이 위치하는 지그(20)에 형성하는 팁부홈(21)과 탄성부홈(22)에 경사면(23)을 형성하는 이유는, 작업자가 프로브 핀(10)들을 위치시키는 데는 속도와 생산성의 문제 그리고 작업자의 실수에 의한 프로브 핀(10)의 손상 문제 등이 발생할 수 있는 부분을 최소화 하기 위해서이다. 그리고 생산성을 높이기 위해 프로브 핀(10)을 지그(20)에 위치시키는 작업을 자동화 장비로 실행할 경우, 자동화 장비에서 프로브 핀(10)들을 위치시키는 정밀도의 공차를 크게 하여 보다 빠르게 프로브 핀(10)들을 지그(20)에 위치시켜 프로브 어레이(30a)를 제작하기 위해서이다.The reason why the inclined surface 23 is formed in the tip groove 21 and the elastic groove 22 formed in the jig 20 where the probe pins 10 are located is that the operator does not have the ability to position the probe pins 10. This is to minimize the problem of speed and productivity and the problem of damaging the probe pin 10 due to operator's mistake. In addition, when the task of locating the probe pins 10 on the jig 20 is performed by automation equipment to increase productivity, the tolerance of the precision of locating the probe pins 10 in the automation equipment is increased to increase the probe pin 10 more quickly This is to place them on the jig 20 to manufacture the probe array 30a.

그리고 고정부(40), 도 1에 도시된 바와 같이, 지그(20) 위에 형성되며, 프로브 핀 삽입 홈들에 삽입된 프로브 핀(10)들을 고정한다. 고정부(40)로는 지그(20)를 KOH, TMAH와 같은 용제로 제거할 때 함께 제거될 수 있는 소재가 사용될 수 있다. 예컨대 고정부(40)로는 세라믹이나, 금속, 또는 카본이 함유되어 고온에서 변형이 없는 접착제나 실리콘 소재의 고정판이 사용될 수 있다.And the fixing part 40, as shown in FIG. 1, is formed on the jig 20 and fixes the probe pins 10 inserted into the probe pin insertion grooves. As the fixing part 40, a material that can be removed together when the jig 20 is removed with a solvent such as KOH or TMAH may be used. For example, as the fixing part 40, a fixing plate made of ceramic, metal, or adhesive containing carbon and not deformed at a high temperature or silicon material may be used.

프로브 핀(10)의 지지부(11)는, 프로브 어레이(30a)를 프로브 헤드 기판 위에 탑재할 때 접합 패드와 안정적으로 접촉될 수 있도록, 지그(20)의 상부를 통하여 고정부(40) 위로 돌출되어 있다.The support part 11 of the probe pin 10 protrudes above the fixing part 40 through the top of the jig 20 so that it can be stably contacted with the bonding pad when the probe array 30a is mounted on the probe head substrate. has been

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 어레이(30a)에서 팁부(14)가 좁은 2D MEMS 프로브 핀(10)을 사용한 경우의 측면 및 정면의 절개 사시도이다.5 is a side and front cutaway perspective view of a case where a 2D MEMS probe pin 10 having a narrow tip portion 14 is used in the probe array 30a according to the first embodiment of the present invention.

여기서 도 5의 (a)는 제1 실시예에 따른 프로브 어레이(30a)에서 팁부(14)가 좁은 2D MEMS 프로브 핀(10)을 사용한 탄성부(12) 쪽의 측면 절개 사시도이다, 도 5의 (b)는 프로브 어레이(30a)의 지그(20)에 2D MEMS 프로브 핀(10)들이 팁부(14)가 위치되는 상태를 보여주는 절개 사시도 이다. 그리고 도 5의 (C)는 도 5의 C 부분의 확대도이다.Here, (a) of FIG. 5 is a side-cut perspective view of the elastic part 12 using the 2D MEMS probe pin 10 having a narrow tip part 14 in the probe array 30a according to the first embodiment. (b) is a cutaway perspective view showing a state in which the tips 14 of the 2D MEMS probe pins 10 are positioned on the jig 20 of the probe array 30a. And FIG. 5(C) is an enlarged view of part C of FIG. 5 .

도 5를 참조하면, 팁부(14)가 탄성부(12)보다 좁게 아래로 형성되어 있고, 그에 따라 지그(20)에 형성된 팁부홈(21)도 탄성부홈(22)에 비해 좁게 형성되어 있다.Referring to FIG. 5 , the tip portion 14 is formed narrower downward than the elastic portion 12, and accordingly, the tip portion groove 21 formed in the jig 20 is also formed narrower than the elastic portion groove 22.

이와 같이 팁부(14)를 좁게 형성하는 이유는, 프로브 핀(10)들이 한쪽이 아닌 좌우 양쪽에 배열이 가능할 때 팁부홈(21)의 간격들은 탄성부홈(22)들의 간격보다 좁게 형성된다. 이때 탄성부홈(22)의 크기보다 좁은 간격으로 배치되는 팁부홈(21)들의 크기를 작게 하여 지그(20)에 팁부홈(21)들의 간격이 좁아도 사진 식각 공정으로 무리 없이 형성할 수 있도록 하여 프로브 어레이(30a)의 제조를 쉽게 하기 위해서이다.The reason for narrowing the tip portion 14 is that when the probe pins 10 can be arranged on both left and right sides instead of on one side, the intervals between the tip grooves 21 are narrower than the intervals between the elastic grooves 22. At this time, the size of the tip grooves 21 arranged at a narrower interval than the size of the elastic grooves 22 is reduced so that even if the interval between the tip grooves 21 in the jig 20 is narrow, it can be formed without difficulty through the photo etching process. This is to facilitate the manufacture of the probe array 30a.

도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 변형된 프로브 어레이(30b)의 사시도이다.6 is a perspective view of a modified probe array 30b according to the first embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 지그(20)에 프로브 핀(10)의 팁부(14)와 탄성부(12)의 일부분이 위치하고, 지그(20)에 위치한 프로브 핀(10)들의 탄성부(12) 부분들이 고정부(40)로 지그(20)에 고정된다. 프로브 핀(10)의 지지부(11) 부분들이 지그(20) 밖으로 노출되어 있다. 즉 프로브 핀(10)들은 지지부(11)에 연결된 탄성부(12)의 일부가 지그(20)의 측면을 통하여 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출되어 있다. 지지부(11)는 탄성부(12)에 연결되어 고정부(40) 위로 돌출되어 있다.Referring to FIG. 6 , the tip portion 14 of the probe pin 10 and a portion of the elastic portion 12 are positioned in the jig 20, and the portion of the elastic portion 12 of the probe pins 10 positioned in the jig 20 They are fixed to the jig 20 with the fixing part 40. Portions of the support portion 11 of the probe pin 10 are exposed outside the jig 20 . That is, in the probe pins 10, a part of the elastic part 12 connected to the support part 11 protrudes out of the probe pin insertion groove through the side surface of the jig 20. The support part 11 is connected to the elastic part 12 and protrudes above the fixing part 40 .

이와 같이 프로브 어레이(30b)에 배열된 프로브 핀(10)들의 지지부(11)가 노출되어 있는 상태에서 프로브 헤드 기판(도 9의 50)에 위치하게 되면, 프로브 핀(10)들을 프로브 헤드 기판(50)의 접합 패드(51)들에 전도성 접착제를 매개로 접합하기 위한 레이저 빔을 조사할 때, 프로브 핀(10)들의 지지부(11)와 전도성 접착제, 그리고 프로브 헤드 기판(50)의 접합 패드(51)에 동시에 조사되어 세 곳의 전체 열원을 동일하게 할 수 있다. 즉 지그(20)를 통하지 않고 프로브 핀(10)들의 지지부(11), 전도성 접착제 및 접합 패드(51)에 직접 레이저 빔을 조사함으로써, 프로브 핀(10)들의 접합 패드(51)의 접합 공정을 신속하게 수행할 수 있다.In this way, when the probe pins 10 arranged in the probe array 30b are positioned on the probe head substrate ( 50 in FIG. 9 ) in a state in which the supports 11 are exposed, the probe pins 10 are placed on the probe head substrate ( When irradiating a laser beam for bonding the bonding pads 51 of 50) to the bonding pads 51 of the probe head substrate 50 ( 51) can be irradiated simultaneously to equalize the total heat sources in the three places. That is, the bonding process of the bonding pads 51 of the probe pins 10 is performed by irradiating a laser beam directly to the support portion 11 of the probe pins 10, the conductive adhesive, and the bonding pad 51 without going through the jig 20. can be done quickly.

도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 어레이 그리퍼(60)의 사시도이다.7 is a perspective view of the array gripper 60 according to the first embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 어레이 그리퍼(60)는 프로브 어레이를 진공 흡착하여 프로브 헤드 기판 위에 탑재하는 프로브 어레이 이송 부재이다.Referring to FIG. 7 , the array gripper 60 is a probe array transfer member that vacuums a probe array and mounts the probe array on a probe head substrate.

이러한 어레이 그리퍼(60)는 프로브 어레이를 진공으로 흡착하여 잡기 위한 부착판(61)이 있는 어레이 부착대(63)를 구비한다. 어레이 부착대(63) 내부에는 진공을 형성하기 위해 관통된 진공 홀(62)들이 위치하고 있다. 어레이 부착대(63)의 부착판(61)의 반대쪽에는 어레이 그리퍼(60)를 고정하기 위한 어레이 그리퍼 고정부(64)가 있다. 어레이 그리퍼 고정부(64)는 도면에 도시 되지는 않았지만 레이저 접합 장비에서 프로그램에 의해 자동으로 동작하는 컴퓨터 수치 제어기능에 따라 동작 되는 기구 장치에 연결 고정된다. 레이저 장비 내에서 어레이 프레임 그리퍼(60)가 DUT 크기의 프로브 어레이를 잡고, 웨이퍼에 생성된 수백 개의 반도체 디바이스들을 검사하기 위해 프로브 헤드 기판에 프로브 핀들이 반도체 디바이스들의 입출력 패드들에 대응하도록 접합되는 접합 패드들에 DUT 크기의 어레이 프레임들을 하나씩 위치시키는 동작을 반복 수행할 수 있게 해 준다.The array gripper 60 includes an array attachment table 63 having an attachment plate 61 for vacuum suction and gripping of the probe array. Vacuum holes 62 are located inside the array mount 63 to form a vacuum. On the opposite side of the attachment plate 61 of the array attachment 63, there is an array gripper fixing part 64 for fixing the array gripper 60. Although not shown in the drawing, the array gripper fixing part 64 is connected and fixed to a mechanical device operated according to a computer numerical control function automatically operated by a program in laser bonding equipment. In the laser equipment, the array frame gripper 60 holds a DUT-sized probe array, and a junction in which probe pins are bonded to the probe head substrate to correspond to the input/output pads of the semiconductor devices in order to inspect hundreds of semiconductor devices produced on the wafer. It allows to repeatedly perform an operation of placing array frames of the size of the DUT on the pads one by one.

어레이 그리퍼(60)는 레이저 빔이 투과되어 어레이 그리퍼(60)가 잡고 있는 프로브 어레이(30)에 레이저 빔을 전달되는데 적합한 석영(Quartz) 또는 유리(Glass) 소재가 사용될 수 있다.The array gripper 60 may be made of quartz or glass suitable for transmitting the laser beam to the probe array 30 held by the array gripper 60 through transmission of the laser beam.

도 8 내지 도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 카드의 프로브 헤드(100)의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.8 to 10 are diagrams for explaining a manufacturing method of the probe head 100 of the probe card according to the first embodiment of the present invention.

도 8 내지 도 10을 참조하면, 프로브 헤드 기판(50)은 상부면에 복수의 DUT의 입출력 패드들에 대응하는 접합 패드(51)들이 형성되어 있고, 접합 패드(51)들에는 각각 전도성 접착제가 도포되어 있다.8 to 10, bonding pads 51 corresponding to input/output pads of a plurality of DUTs are formed on the upper surface of the probe head substrate 50, and a conductive adhesive is applied to the bonding pads 51, respectively. is spread out

이러한 프로브 헤드 기판(50)은 MLC 기판이다. 즉 프로브 헤드 기판(50)은 상부면에 접합 패드(51)들이 형성된 MLC 기판 몸체와, 접합 패드(51)들을 제외하고 MLC 기판 몸체의 상부면을 덮는 솔더마스크층을 포함한다. 솔더마스크층의 소재로는 드라이필름 솔더레지스트(dry film solder resist; DFSR) 또는 포토 솔더레지스트(photo solder resist; PSR)가 사용될 수 있다.This probe head substrate 50 is an MLC substrate. That is, the probe head substrate 50 includes an MLC substrate body on which bonding pads 51 are formed, and a solder mask layer covering the upper surface of the MLC substrate body except for the bonding pads 51 . As a material for the solder mask layer, dry film solder resist (DFSR) or photo solder resist (PSR) may be used.

MLC 기판으로는 HTCC(High Temperature Co-fired Ceramic) 기판 또는 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic) 기판이 사용될 수 있다. 여기서 HTCC 기판은 1500℃ 이상의 온도에서 소성하여 제조한 세라믹 기판이다. LTCC 기판은 1000℃ 이하에서 소성하여 제조한 세라믹 기판이다.As the MLC substrate, a High Temperature Co-fired Ceramic (HTCC) substrate or a Low Temperature Co-fired Ceramic (LTCC) substrate may be used. Here, the HTCC substrate is a ceramic substrate manufactured by firing at a temperature of 1500° C. or higher. The LTCC substrate is a ceramic substrate manufactured by firing at 1000°C or less.

접합 패드(51)는 MLC 기판 몸체 위에 스퍼터링 공정과 도금 공정을 이용하여 형성할 수 있다.The bonding pad 51 may be formed on the MLC substrate body using a sputtering process and a plating process.

제1 실시예에 따른 프로브 카드의 프로브 헤드(100)의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing the probe head 100 of the probe card according to the first embodiment will be described.

먼저 도 8을 참조하면, 어레이 그리퍼(60)가 DUT 크기의 프로브 어레이(30a)를 잡고 컴퓨터 수치 제어로 동작되는 기구부로 접합 위치에 정렬하여 위치시킨 후 레이저 빔(70)이 조사 되어 접합된다.First, referring to FIG. 8 , the array gripper 60 grabs the probe array 30a of the size of the DUT and aligns and positions the probe array 30a at the bonding position with a mechanical unit operated by computer numerical control, and then the laser beam 70 is irradiated and bonded.

여기서 프로브 어레이(30a)는 프로브 핀(10)들이 모두 DUT 크기의 지그(20) 내부에 배치되어 레이저 빔(70)이 지그(20)를 가열하고, 가열된 지그(20)의 열들이 프로브 핀(10)들에 전달이 되고 프로브 핀(10)들의 지지부(11)에 전달된 열들이 프로브 헤드 기판(50)의 접합 패드(51)에 위치한 전도성 접착제에 전달되어 전도성 접착제가 프로브 핀(10)들의 지지부(11)들을 프로브 헤드 기판(50)의 접합 패드(51)들에 접합시킨다.Here, in the probe array 30a, the probe pins 10 are all disposed inside the jig 20 of the size of the DUT, the laser beam 70 heats the jig 20, and the heated jig 20 heats the probe pins. Heat transferred to the probe pins 10 and to the support 11 of the probe pins 10 is transferred to the conductive adhesive located on the bonding pad 51 of the probe head substrate 50, so that the conductive adhesive is attached to the probe pin 10. The support parts 11 of the probe head substrate 50 are bonded to the bonding pads 51 .

이때 프로브 어레이(30a)로는 면광원의 레이저 빔(70)이 조사된다. 레이저 빔이 조사되는 면적은 프로브 어레이(30a)의 크기에 대응될 수 있다. 예컨대 레이저 빔의 단면은 프로브 어레이(30a)의 단면에 대응되는 사각형일 수 있다.At this time, the laser beam 70 of the surface light source is irradiated to the probe array 30a. The area to which the laser beam is irradiated may correspond to the size of the probe array 30a. For example, the cross section of the laser beam may be a rectangle corresponding to the cross section of the probe array 30a.

따라서 접합 공정을 진행할 프로브 어레이(30a)에 국부적으로 레이저 빔(70)을 조사함으로써, 프로브 어레이(30a)의 프로브 핀(10)들을 프로브 헤드 기판(50)의 접합 패드(51)들에 일괄적으로 접합할 수 있다. 더욱이 접합 공정을 진행할 프로브 어레이(30a)에 국부적으로 레이저 빔(70)이 조사되기 때문에, 이미 접합된 프로브 어레이(30a)나 프로브 어레이(30a)가 접합되지 않고 외부로 노출된 접합 패드(51) 위의 전도성 접착제에 열적인 영향을 주는 것을 억제할 수 있다.Therefore, the probe pins 10 of the probe array 30a are collectively attached to the bonding pads 51 of the probe head substrate 50 by locally irradiating the laser beam 70 to the probe array 30a to be subjected to the bonding process. can be joined with Furthermore, since the laser beam 70 is locally irradiated to the probe array 30a to be bonded, the probe array 30a already bonded or the bonding pad 51 exposed to the outside without being bonded to the probe array 30a Thermal effects on the above conductive adhesive can be suppressed.

도 9는 제1 실시예에 따른 변형된 프로브 어레이(30b)를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.9 are views for explaining a method of manufacturing a probe head of a probe card using a modified probe array 30b according to the first embodiment.

도 9를 참조하면, 프로브 어레이(30b)의 지그(20)가 프로브 핀(10)들의 탄성부(12)만을 잡고, 프로브 핀(10)들의 지지부(11)가 노출되어 조사되는 레이저 빔(70)에 의해 접합된다. 이와 같은 방식의 장점은 프로브 핀(10)의 지지부(11)들과 프로브 헤드 기판(50)의 접합 패드(51)들, 그들 사이에 위치한 전도성 접착제에 동시에 조사되는 레이저 빔(70)으로 열을 전달하여 안정되고 빠르게 접합하는 데 있다.Referring to FIG. 9, the jig 20 of the probe array 30b holds only the elastic parts 12 of the probe pins 10, and the support parts 11 of the probe pins 10 are exposed to irradiate the laser beam 70. ) is joined by The advantage of this method is that the laser beam 70 simultaneously irradiates the supports 11 of the probe pins 10, the bonding pads 51 of the probe head substrate 50, and the conductive adhesive located therebetween to generate heat. It is to transfer stably and rapidly.

이와 같은 레이저 접합 방법에서 레이저 장비의 내부에 프로브 헤드 기판(50)을 올리는 척(Chuck)에도 예열 기능을 두고, 레이저 빔(70) 출력을 같이 조정하여 프로브 헤드 기판(50)에 손상이 가지 않도록 하면서 빠르게 접합할 수 있다.In this laser bonding method, a preheating function is also placed on the chuck for raising the probe head substrate 50 inside the laser equipment, and the output of the laser beam 70 is adjusted together to prevent damage to the probe head substrate 50. You can connect quickly while doing it.

도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 어레이 그리퍼(60)를 이용하여 프로브 어레이(30a,30b)를 프로브 헤드 기판(50) 위에 탑재하는 공정과 접합하는 공정을 반복적으로 수행함으로써, 프로브 헤드 기판(50) 전체의 DUT에 대응되는 위치에 각각 프로브 어레이(30a,30b)의 지그(20)를 매개로 프로브 핀(10)들을 일괄적으로 접합할 수 있다.As shown in FIGS. 8 and 9 , by repeatedly performing a process of mounting and bonding the probe arrays 30a and 30b on the probe head substrate 50 using the array gripper 60, (50) The probe pins 10 may be collectively bonded to positions corresponding to the entire DUT via the jig 20 of the probe arrays 30a and 30b, respectively.

그리고 프로브 핀(10)들을 프로브 헤드 기판(50) 전체에 접합한 이후에, 프로브 헤드 기판(50) 위에 설치된 프로브 어레이(30a,30b)들의 지그(20)와 고정부(40)를 제거함으로써, 도 10에 도시된 바와 같은, 프로브 핀(10)들이 접합된 프로브 헤드 기판(50)을 구비하는 프로브 카드의 프로브 헤드(100)를 제조할 수 있다.After the probe pins 10 are bonded to the entire probe head substrate 50, the jig 20 and the fixing part 40 of the probe arrays 30a and 30b installed on the probe head substrate 50 are removed. As shown in FIG. 10 , the probe head 100 of the probe card having the probe head substrate 50 to which the probe pins 10 are bonded may be manufactured.

여기서 도 10은 DUT 단위의 프로브 어레이(30)의 프로브 핀(10)들이 프로브 헤드 기판(50)의 모든 DUT 위치에 접합되고, 프로브 어레이(30)를 구성하는 지그(20)와 고정부(도 8 및 도 9의 40)가 KOH, TMAH와 같은 용제로 용해 또는 제거되고, 프로브 핀(10)들만 남아 프로브 헤드(100)로 제작된다.Here, FIG. 10 shows the probe pins 10 of the DUT unit probe array 30 bonded to all DUT positions on the probe head substrate 50, and the jig 20 constituting the probe array 30 and the fixing part (shown in FIG. 8 and 40 in FIG. 9) are dissolved or removed with a solvent such as KOH or TMAH, and only the probe pins 10 remain to form the probe head 100.

[제 2 실시예][Second Embodiment]

도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 3D MEMS 프로브 핀(110)을 적용한 프로브 어레이(130a)의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.11 is a diagram for explaining a method of manufacturing a probe array 130a to which the 3D MEMS probe pins 110 according to the second embodiment of the present invention are applied.

도 11을 참조하면, 제2 실시예에 따른 프로브 어레이(130a)는 다음과 같이 제조될 수 있다.Referring to FIG. 11 , the probe array 130a according to the second embodiment may be manufactured as follows.

먼저 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 지그(20)에 반도체 디바이스의 입출력 패드 위치에 대응하도록 3D MEMS 공정으로 프로브 핀(110)의 팁부(14)가 형성되는 팁부홈(21)들을 형성한다.First, as shown in (a) of FIG. 11 , the tip portion grooves 21 in which the tip portion 14 of the probe pin 110 is formed are formed in the jig 20 by a 3D MEMS process to correspond to the position of the input/output pad of the semiconductor device. form

다음으로 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 건식, 습식 도금 공정으로 금속물질을 채워 팁부(14)를 일괄 형성하고 평탄화 한다.Next, as shown in (b) of FIG. 11 , the tip portion 14 is collectively formed and flattened by filling the metal material through a dry or wet plating process.

다음으로 도 11의 (c)에 도시된 바와 같이, 사진 식각 공정인 포토리소그라피 공정으로 포토레지스트 또는 제2 금속으로 탄성부홈(22)을 형성한다.Next, as shown in (c) of FIG. 11 , elastic part grooves 22 are formed with photoresist or a second metal through a photolithography process, which is a photolithography process.

다음으로 도 11의 (d)에 도시된 바와 같이, 건식, 습식 도금 공정을 반복하여 탄성부(12)를 일괄 형성하고, 평탄화 작업을 하여 3D MEMS 프로브 핀의 팁부(14)와 탄성부(12)를 형성한다.Next, as shown in (d) of FIG. 11, the dry and wet plating processes are repeated to form the elastic part 12 at once, and the flattening operation is performed to form the tip part 14 and the elastic part 12 of the 3D MEMS probe pin. ) to form

그리고 도 11의 (g1)에 도시된 바와 같이, 탄성부홈(22)을 형성한 포토레지스트 또는 제2 금속을 제거한 후, DUT 크기로 분할하여 제2 실시예에 따른 프로브 어레이(130a)를 제작할 수 있다.And, as shown in (g1) of FIG. 11, the probe array 130a according to the second embodiment can be manufactured by removing the photoresist or the second metal forming the elastic part groove 22 and then dividing it into the size of the DUT. there is.

한편으로는 프로브 핀(110)들 간의 간격이 좁아짐에 따라 프로브 핀(110)들의 탄성부(12) 두께가 얇아져 프로브 핀(110)들의 핀 압이 낮아지는 문제가 발생 할 수 있다.On the other hand, as the distance between the probe pins 110 narrows, the thickness of the elastic parts 12 of the probe pins 110 becomes thinner, which may cause a problem in that pin pressure of the probe pins 110 is lowered.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 다음과 같이 프로브 핀(110)을 제조할 수 있다.In order to solve this problem, the probe pin 110 can be manufactured as follows.

도 11의 (a) 내지 (d)에 따른 팁부(14)와 연결되는 탄성부의 일부를 형성한다.It forms part of the elastic part connected to the tip part 14 according to (a) to (d) of FIG. 11 .

다음으로 도 11의 (e) 및 (f)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 또는 제3 금속을 이용한 사진 공정과 건식 습식 도금 공정, 그리고 평탄화 작업 공정을 반복하는 적층 방식으로 내부에 구멍을 갖는 탄성부(12)를 형성한다. 탄성부(12) 내에 구멍을 형성함으로써, 제조될 프로브 핀의 핀 압을 증가시킬 수 있다.Next, as shown in (e) and (f) of FIG. 11, a photo process using a photoresist or a third metal, a dry wet plating process, and a flattening process are repeated in a laminated manner. Elasticity with holes inside part 12 is formed. By forming a hole in the elastic portion 12, the pin pressure of the probe pin to be manufactured can be increased.

그리고 도 11의 (g2)에 도시된 바와 같이, 도 11의 (e) 및 (f)에서 형성한 포토레지스트 또는 제3 금속을 제거한 후, DUT 크기로 분할하여 제2 실시예에 따른 프로브 어레이(130a)를 제작할 수 있다.And, as shown in (g2) of FIG. 11, after removing the photoresist or the third metal formed in (e) and (f) of FIG. 11, the probe array according to the second embodiment is divided into DUT sizes ( 130a) can be produced.

이와 같은 제2 실시예에 따른 프로브 어레이(130a)의 제작 공정은 지그(20)에 형성되는 DUT 들의 위치가 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스들의 위치에 동일하게 대응하도록 제작되는 종래의 3D MEMS 제작 공정과 달리, DUT 단위 위치가 다르게 형성되며, 또한 전체에서 하나의 DUT의 한 핀이라도 문제가 있으면 사용할 수 없는 기존의 3D MEMS 접합 공정과 달리 DUT 단위로 분할하여 문제가 없는 양품의 프로브 어레이(130) 만을 사용할 수 있기 때문에, 불량률을 줄이고 생산성을 높이는 효과를 기대할 수 있다.Unlike the conventional 3D MEMS manufacturing process in which the positions of DUTs formed on the jig 20 correspond to the positions of semiconductor devices formed on a wafer, the manufacturing process of the probe array 130a according to the second embodiment is , DUT unit position is formed differently, and unlike the existing 3D MEMS bonding process in which even one pin of one DUT cannot be used if there is a problem in the whole, it is divided into DUT units and only good probe arrays 130 without problems can be used. Therefore, the effect of reducing the defect rate and increasing productivity can be expected.

제2 실시예에 따른 프로브 어레이(130a)는 지그(20)의 상부면 밖으로 프로브 핀(110)의 탄성부(12)가 돌출된 형태를 갖는다. 3D MEMS 제작된 프로브 핀(110)은 지지부를 구비하지 않기 때문에, 탄성부(12)가 프로브 헤드 기판의 접합 패드에 접합되는 접합부로서 사용된다. 프로브 어레이(130a)는 고정부를 구비하지 않는다.In the probe array 130a according to the second embodiment, the elastic parts 12 of the probe pins 110 protrude out of the upper surface of the jig 20 . Since the probe pin 110 manufactured by 3D MEMS does not have a support part, the elastic part 12 is used as a bonding part bonded to the bonding pad of the probe head substrate. The probe array 130a does not have a fixing part.

한편 도 11에 도시된 제2 실시예에 따른 프로브 어레이(130a)는 지그(20) 내에 프로브 핀(110)들이 형성된 예를 개시하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, the probe array 130a according to the second embodiment shown in FIG. 11 discloses an example in which the probe pins 110 are formed in the jig 20, but is not limited thereto.

예컨대 도 12의 (a)에 도시된 바와 같이, 제2 실시예에 따른 변형된 프로브 어레이(130b)는 탄성부(12)의 일부가 지그(20)의 외측면으로 돌출되어 지그(20)의 상부면 위로 돌출된 프로브 핀(110)을 구비할 수 있다. 즉 탄성부(12)를 형성한 이후에 지그 원판을 개별 지그(20)로 분할할 때, 탄성부(12)의 일부가 지그(20)의 외측면으로 돌출되도록 지그 원판을 분할함으로써, 제2 실시예에 따른 변형된 프로브 어레이(130b)을 제조할 수 있다.For example, as shown in (a) of FIG. 12, in the modified probe array 130b according to the second embodiment, a part of the elastic part 12 protrudes to the outer surface of the jig 20, Probe pins 110 protruding above the upper surface may be provided. That is, when dividing the jig disc into individual jigs 20 after forming the elastic part 12, by dividing the jig disc so that a part of the elastic part 12 protrudes to the outer surface of the jig 20, the second A modified probe array 130b according to the embodiment may be manufactured.

이와 같은 제2 실시예에 따른 변형된 프로브 어레이(130b)는 제1 실시예에 따른 변형된 프로브 어레이(도 6의 30b)와 같은 형태로 제조될 수 있다.The modified probe array 130b according to the second embodiment may be manufactured in the same form as the modified probe array (30b in FIG. 6) according to the first embodiment.

도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 3D MEMS 프로브 핀(110)을 적용한 프로브 어레이(130a,130b)의 사시도이다.12 is a perspective view of probe arrays 130a and 130b to which the 3D MEMS probe pins 110 according to the second embodiment of the present invention are applied.

도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 프로브 어레이(130a,130b)의 사시도이다.12 is a perspective view of probe arrays 130a and 130b according to a second embodiment of the present invention.

도 12의 (a)를 참조하면, 프로브 어레이(130b)는 프로브 헤드 기판의 접합 패드에 형성된 프로브 핀(110)의 지지부(11)에 접합되는 탄성부(12) 부분이 지그(20)로부터 노출된 형태이다. 탄성부(12)는 지그(20) 위로 돌출되어 있다.Referring to (a) of FIG. 12, in the probe array 130b, a portion of the elastic part 12 bonded to the support part 11 of the probe pin 110 formed on the bonding pad of the probe head substrate is exposed from the jig 20. it is a form The elastic part 12 protrudes above the jig 20 .

도 12의 (b)를 참조하면, 프로브 어레이(130a)는 지그(20)에 팁부(14)와 탄성부(12) 부분이 모두 가려진다. 탄성부(12)는 지그(20) 위로 돌출되어 있다.Referring to (b) of FIG. 12 , in the probe array 130a, both the tip portion 14 and the elastic portion 12 are covered by the jig 20 . The elastic part 12 protrudes above the jig 20 .

도 13 및 도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 프로브 카드의 프로브 헤드(200)의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.13 and 14 are diagrams for explaining a manufacturing method of the probe head 200 of the probe card according to the second embodiment of the present invention.

도 13 및 도 14를 참조하면, 제1 실시예의 경우와 같이, 레이저 빔(70)이 투과되는 어레이 그리퍼(60)를 사용하여 DUT 단위의 프로브 어레이(130a,130b)를 프로브 헤드 기판(50)의 접합 위치에 놓고, 레이저 빔(70)을 조사하여 프로브 어레이(130a,130b)에 배치된 프로브 핀(110)들의 탄성부(12)와 프로브 헤드 기판(50)의 접합 패드(51)가 전도성 접착제를 매개로 접합한다.Referring to FIGS. 13 and 14, as in the case of the first embodiment, the probe arrays 130a and 130b of the DUT unit are moved to the probe head substrate 50 using the array gripper 60 through which the laser beam 70 is transmitted. , and the laser beam 70 is irradiated so that the elastic parts 12 of the probe pins 110 disposed on the probe arrays 130a and 130b and the bonding pads 51 of the probe head substrate 50 are conductive. bonded with an adhesive.

이때 프로브 핀(110)들의 탄성부(12) 일부가 노출되는 것과 노출 시키지 않은 것 사이의 차이는 앞서 서술한 제1 실시예에 따른 프로브 어레이(30,30a)를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드(도 10의 100)의 제조 방법의 설명 내용과 같다. At this time, the difference between the exposed and non-exposed parts of the elastic parts 12 of the probe pins 110 is the probe head of the probe card using the probe arrays 30 and 30a according to the first embodiment described above (Fig. It is the same as the description of the manufacturing method of 10 of 100).

제2 실시예에 따른 DUT 단위의 프로브 어레이(130a,130b)의 프로브 핀(110)들이 프로브 헤드 기판(50)의 모든 DUT들에 접합된 후, 프로브 어레이(130a,130b)를 구성하는 지그(20)가 KOH, TMAH와 같은 용제로 제거되고, 프로브 핀(110)들만 남아 프로브 헤드(200)로 제작된다.After the probe pins 110 of the DUT-unit probe arrays 130a and 130b according to the second embodiment are bonded to all DUTs of the probe head substrate 50, the jig constituting the probe arrays 130a and 130b ( 20) is removed with a solvent such as KOH or TMAH, and only the probe pins 110 remain to form the probe head 200.

[제2 실시예에 따른 어레이 그리퍼][Array gripper according to the second embodiment]

도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 어레이 그리퍼(160)의 사시도이다.15 is a perspective view of an array gripper 160 according to a second embodiment of the present invention.

도 15를 참조하면, 제2 실시예에 따른 어레이 그리퍼(160)는 프로브 어레이를 진공으로 흡착하여 잡기 위한 부착판(61)이 있는 어레이 부착대(63)를 구비한다. 어레이 부착대(63) 내부에는 진공을 형성하기 위해 관통된 진공 홀(62)들이 위치하고 있다. 어레이 부착대(63) 내부에는 온도 센서가 위치하는 센서홈(65)이 형성된다. 어레이 부착대(63)의 부착판(61)의 반대쪽에는 어레이 그리퍼(160)를 고정하기 위한 어레이 그리퍼 고정부(64)가 있다. 어레이 그리퍼 고정부(64)는 히팅 플레이트(Heating Plate)에 접합 고정된다. 히팅 플레이트는 도면에 도시하지는 않았지만 접합 장비에서 프로그램에 의해 자동으로 동작하는 컴퓨터 수치 제어기능에 따라 동작 되는 기구 장치에 연결 고정된다.Referring to FIG. 15 , the array gripper 160 according to the second embodiment includes an array attachment table 63 having an attachment plate 61 for holding and vacuuming a probe array. Vacuum holes 62 are located inside the array mount 63 to form a vacuum. A sensor groove 65 in which a temperature sensor is located is formed inside the array mount 63. On the opposite side of the attachment plate 61 of the array attachment 63, there is an array gripper fixing part 64 for fixing the array gripper 160. The array gripper fixing part 64 is bonded and fixed to the heating plate. Although not shown in the drawing, the heating plate is connected and fixed to a mechanical device operated according to a computer numerical control function automatically operated by a program in the bonding equipment.

접합 장비 내에서 어레이 그리퍼(160)는 DUT 크기의 프로브 어레이를 잡고, 웨이퍼에 생성된 수백 개의 반도체 디바이스들을 검사하기 위해, 프로브 헤드 기판의 각 DUT들의 접합 패드에 프로브 핀들이 대응하도록 DUT 크기의 프로브 어레이들을 접합 위치에 하나씩 정렬하여 위치시킨다. 히팅 플레이트를 통해 가열된 열을 프로브 어레이에 전달하여 프로브 어레이에 배치된 프로브 핀들을 프로브 헤드 기판의 접합 패드에 전도성 접착제를 매개로 접합하는 동작을 반복 수행한다.In the bonding equipment, the array gripper 160 holds a DUT-sized probe array, and in order to inspect hundreds of semiconductor devices produced on a wafer, a DUT-sized probe such that probe pins correspond to bonding pads of each DUT on a probe head substrate. The arrays are aligned and positioned one by one at the bonding location. Heat heated through a heating plate is transferred to the probe array, and an operation of bonding probe pins disposed on the probe array to bonding pads of the probe head substrate through a conductive adhesive is repeatedly performed.

어레이 그리퍼(160)는 열을 전달하지만 열팽창이 작으며, 프로브 어레이의 프로브 핀들에 히팅 플레이트의 열을 전달할 수 있는 소재가 사용된다. 예컨대 어레이 그리퍼(160)의 소재로는 인바, 코바 또는 세라믹 계열의 소재가 될 수 있다. 세라믹 계열의 소재로는 뮬라이트가 사용될 수 있다. 또한 어레이 그리퍼(60) 내부에 히터와 같은 열원을 삽입하여 히팅 플레이트 없이 직접 프로브 어레이에 열을 전달할 수 있다.The array gripper 160 transmits heat but has low thermal expansion, and a material capable of transferring heat from a heating plate to probe pins of the probe array is used. For example, the material of the array gripper 160 may be Invar, Kovar, or ceramic-based materials. Mullite may be used as a ceramic-based material. In addition, heat may be directly transferred to the probe array without a heating plate by inserting a heat source such as a heater into the array gripper 60 .

도 16은 본 발명의 제2 실시예에 따른 어레이 그리퍼(160)를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 여기서 프로브 어레이로는 제1 실시예에 따른 프로브 어레이(30a)를 사용하였다.16 are views for explaining a method of manufacturing a probe head of a probe card using the array gripper 160 according to the second embodiment of the present invention. Here, the probe array 30a according to the first embodiment was used as the probe array.

도 16의 (a)를 참조하면, 2D MEMS로 형성된 프로브 핀(10)들이 DUT 크기의 지그(20)에 배치되어 고정부(40)로 고정된 프로브 어레이(30a)를 어레이 그리퍼(160)로 프로브 헤드 기판(50)의 접합 위치에 옮겨 위치시킨다.Referring to (a) of FIG. 16 , the probe pins 10 formed of 2D MEMS are arranged on a DUT-sized jig 20 and the probe array 30a fixed by the fixing part 40 is moved by the array gripper 160. It is moved to the bonding position of the probe head substrate 50 and positioned.

다음으로 도 16의 (b)를 참조하면, 프로브 어레이(30a)를 프로브 헤드 기판(50)에 위치시키고 히팅 플레이트(80)를 가열하여 어레이 그리퍼(160)를 통해 프로브 어레이(30a)의 지그(20)와 프로브 핀(10)들을 가열하여, 프로브 헤드 기판(50)의 접합 패드(51)와 전도성 접착제를 매개로 프로브 핀(10)들이 접합된다.Next, referring to (b) of FIG. 16, the probe array 30a is placed on the probe head substrate 50 and the heating plate 80 is heated to pass through the array gripper 160 to the probe array 30a jig ( 20) and the probe pins 10 are bonded to the bonding pads 51 of the probe head substrate 50 and the probe pins 10 via a conductive adhesive.

일정 시간을 가열하여 프로브 핀(10)들과 프로브 헤드 기판(50)의 접합 패드(51) 사이의 전도성 접착제가 용융되면, 히팅 플레이트(80)를 정지시켜 어레이 그리퍼(160)의 온도를 센서홈(65)에 위치한 온도 센서를 통해 전도성 접착제의 융점 이하 온도가 되도록 시간을 기다린 후 프로브 어레이(30a)의 프로브 핀(10)들이 움직일 수 없도록 완전히 전도성 접착제가 굳은 후에 어레이 그리퍼(160)를 다음 동작을 위해 이동시킨다.When the conductive adhesive between the probe pins 10 and the bonding pad 51 of the probe head substrate 50 is melted by heating for a certain period of time, the heating plate 80 is stopped to set the temperature of the array gripper 160 to the sensor groove. After waiting for a time to reach the temperature below the melting point of the conductive adhesive through the temperature sensor located at 65, and after the conductive adhesive is completely hardened so that the probe pins 10 of the probe array 30a cannot move, the array gripper 160 is operated for the next operation. move for

이러한 히팅 플레이트(80)를 이용한 접합 방식은 레이저 빔을 사용한 접합 방식에 비해 시간이 좀 더 소요될 수 있으나, 히팅 플레이트 장비는 레이저 장비 보다 저비용으로 간단하게 제작을 할 수 있는 장점이 있다.The bonding method using the heating plate 80 may take more time than the bonding method using a laser beam, but the heating plate equipment has an advantage in that it can be manufactured simply at a lower cost than the laser equipment.

도 17은 본 발명의 제2 실시예에 따른 어레이 그리퍼(160)를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 여기서 프로브 어레이로는 제2 실시예에 따른 프로브 어레이(130a)를 사용하였다.17 are views for explaining a method of manufacturing a probe head of a probe card using an array gripper 160 according to a second embodiment of the present invention. Here, the probe array 130a according to the second embodiment was used as the probe array.

도 17을 참조하면, 제2 실시예에 어레이 그리퍼(160)를 사용하되 프로브 어레이로 제2 실시예에 따른 프로브 어레이(130a)를 사용하는 것을 제외하면 도 16과 동일한 방식으로 프로브 카드의 프로브 헤드를 제조한다.Referring to FIG. 17, the probe head of the probe card is the same as in FIG. 16 except that the array gripper 160 is used in the second embodiment, but the probe array 130a according to the second embodiment is used as the probe array. to manufacture

즉 3D MEMS로 생성된 DUT 크기의 프로브 어레이(130a)의 프로브 핀(110)들을 프로브 헤드 기판(50)의 접합 패드(51)에 형성된 지지부(11)에 접합하여 프로브 기판의 프로브 헤드를 제조한다.That is, the probe head of the probe substrate is manufactured by bonding the probe pins 110 of the DUT-sized probe array 130a created by 3D MEMS to the support portion 11 formed on the bonding pad 51 of the probe head substrate 50. .

이와 같이 제2 실시예에 따른 제조 방법에서도 접합 장비의 내부에 프로브 헤드 기판(50)을 올리는 척(Chuck)에 예열 가열 기능이 있어 히팅 플레이트(80)를 통한 어레이 그리퍼(160)의 온도를 조정하여 전도성 접착제를 매개로 프로브 핀(110)들과 프로브 헤드 기판(50)의 접합 패드(51)들이 잘 접합되는 조건을 제공할 수 있다.As described above, in the manufacturing method according to the second embodiment, the chuck for raising the probe head substrate 50 inside the bonding equipment has a preheating function to adjust the temperature of the array gripper 160 through the heating plate 80. Thus, it is possible to provide a condition in which the probe pins 110 and the bonding pads 51 of the probe head substrate 50 are well bonded through the conductive adhesive.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.On the other hand, the embodiments disclosed in this specification and drawings are only presented as specific examples to aid understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. In addition to the embodiments disclosed herein, it is obvious to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention can be implemented.

10,110 : 프로브 핀
11 : 지지부
12 : 탄성부
13 : 관통부
14 : 팁부
15 : 접촉 지지부
16 : 접촉부
17 : 정렬부
18 : 접촉팁
20 : 지그
21 : 팁부홈
22 : 탄성부홈
23 : 경사면
30a,30b,130a,130b : 프로브 어레이
40 : 고정부
50 : 프로브 헤드 기판
51 : 접합 패드
60,160 : 어레이 그리퍼
61 : 부착판
62 : 진공 홀
63 : 부착대
64 : 그리퍼 고정부
65 : 센서홀
70 : 레이저 빔
80 : 히팅 플레이트
100,200 : 프로브 헤드
10,110: probe pin
11: support
12: elastic part
13: Penetration
14: tip part
15: contact support
16: contact
17: alignment part
18: contact tip
20 : jig
21: tip part groove
22: elastic part groove
23: slope
30a, 30b, 130a, 130b: probe array
40: fixed part
50: probe head board
51: junction pad
60,160: array gripper
61: attachment plate
62: vacuum hole
63: attachment
64: gripper fixing part
65: sensor hole
70: laser beam
80: heating plate
100,200: probe head

Claims (22)

지그에 프로브 헤드 기판의 DUT(Device Under Test) 단위로 프로브 핀들을 구비하는 프로브 어레이를 프로브 헤드 기판 위에 탑재하는 단계;
상기 프로브 어레이의 프로브 핀들에 열을 인가하여 DUT 단위로 프로브 핀들을 한 번에 상기 프로브 헤드 기판에 접합하는 단계;
상기 탑재하는 단계 및 상기 접합하는 단계를 반복하여 상기 프로브 헤드 기판 전체에 DUT 단위로 프로브 핀들을 접합하는 단계; 및
상기 프로브 헤드 기판 위에 설치된 상기 프로브 어레이들의 지그를 제거하는 단계;
를 포함하는 프로브 어레이를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
mounting a probe array having probe pins in units of DUT (Device Under Test) of the probe head substrate to a jig on the probe head substrate;
applying heat to probe pins of the probe array to bond the probe pins to the probe head substrate at once in units of DUTs;
bonding probe pins to the entire probe head substrate in units of DUTs by repeating the mounting and bonding steps; and
removing a jig of the probe arrays installed on the probe head substrate;
A method of manufacturing a probe head of a probe card using a probe array comprising a.
제1항에 있어서, 상기 접합하는 단계에서,
상기 열은 레이저 빔 또는 히팅에 의한 열 전달 방식으로 프로브 핀들에 인가되는 것을 특징으로 하는 프로브 어레이를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 1, wherein in the bonding step,
The method of manufacturing a probe head of a probe card using a probe array, characterized in that the heat is applied to the probe pins by a heat transfer method by a laser beam or heating.
제1항에 있어서,
상기 프로브 헤드 기판은 상부면에 복수의 DUT의 입출력 패드들에 대응하는 접합 패드들이 형성되어 있고, 상기 접합 패드들에는 각각 전도성 접착제가 도포되어 있고,
상기 탑재하는 단계에서,
상기 프로브 어레이는 접합될 DUT에 대응되는 접합 패드들에 상기 프로브 핀들이 탑재되게 상기 프로브 헤드 기판 위에 탑재되는 것을 특징으로 하는 프로브 어레이를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
According to claim 1,
bonding pads corresponding to input/output pads of a plurality of DUTs are formed on an upper surface of the probe head substrate, and a conductive adhesive is applied to each of the bonding pads;
In the mounting step,
The method of manufacturing a probe head of a probe card using a probe array, characterized in that the probe array is mounted on the probe head substrate so that the probe pins are mounted on bonding pads corresponding to the DUT to be bonded.
제3항에 있어서, 상기 프로브 어레이는,
DUT의 입출력 패드들에 대응되는 위치에 프로브 핀 삽입 홈들이 형성된 지그; 및
상기 지그의 프로브 핀 삽입 홈들에 각각 삽입된 프로브 핀들;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 3, wherein the probe array,
a jig having probe pin insertion grooves formed at positions corresponding to input/output pads of the DUT; and
probe pins respectively inserted into probe pin insertion grooves of the jig;
A method of manufacturing a probe head of a probe card comprising a.
제4항에 있어서,
상기 지그의 소재는 실리콘 웨이퍼 또는 유리를 포함하고,
상기 제거하는 단계에서,
상기 프로브 헤드 기판 위의 상기 프로브 어레이들의 지그를 습식 식각으로 선택적으로 제거하여 상기 프로브 헤드 기판 위에 접합된 상기 프로브 어레이들의 프로브 핀들은 남기는 것을 특징으로 하는 프로브 어레이를 이용한 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
According to claim 4,
The material of the jig includes silicon wafer or glass,
In the removing step,
A method of manufacturing a probe head of a probe card using a probe array, characterized in that the probe pins of the probe arrays bonded on the probe head substrate are left by selectively removing the jig of the probe arrays on the probe head substrate by wet etching. .
제4항에 있어서, 상기 프로브 핀들은,
상기 접합 패드에 접합되는 접합부;를 포함하고,
상기 접합부는 상기 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 4, wherein the probe pins,
A bonding portion bonded to the bonding pad; includes,
The manufacturing method of the probe head of the probe card, characterized in that the junction protrudes out of the probe pin insertion groove.
제6항에 있어서, 상기 프로브 핀들은 2D MEMS 공정으로 제조되며,
상기 프로브 핀 삽입 홈에 삽입되며, DUT의 입출력 패드에 접촉하며 상기 지그의 하부면을 향하여 아래로 뻗어 있는 팁부;
상기 팁부에 연결되어 일측으로 연장되어 뻗어 있으며, 적어도 일부가 상기 프로브 핀 삽입 홈에 삽입되는 탄성부; 및
상기 탄성부에 연결되어 상기 지그의 상부면 위로 뻗어 있으며, 상기 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출되어 있는 지지부;를 포함하고,
상기 지지부가 접합부인 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 6, wherein the probe pins are manufactured by a 2D MEMS process,
a tip portion inserted into the probe pin insertion groove, contacting an input/output pad of the DUT, and extending downward toward the lower surface of the jig;
an elastic part connected to the tip part and extended to one side, at least a part of which is inserted into the probe pin insertion groove; and
A support part connected to the elastic part, extending over the upper surface of the jig, and protruding out of the probe pin insertion groove;
A method of manufacturing a probe head of a probe card, characterized in that the support portion is a joint portion.
제7항에 있어서, 상기 프로브 어레이는,
상기 지그 위에 형성되며, 상기 프로브 핀 삽입 홈들에 삽입된 상기 프로브 핀들을 고정하는 고정부;를 더 포함하고,
상기 고정부는 상기 지그를 제거하는 단계에서 상기 지그와 함께 제거되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 7, wherein the probe array,
A fixing part formed on the jig and fixing the probe pins inserted into the probe pin insertion grooves;
The method of manufacturing a probe head of a probe card, characterized in that the fixing part is removed together with the jig in the step of removing the jig.
제8항에 있어서, 상기 프로브 핀들은,
상기 지지부에 연결된 상기 탄성부의 일부가 상기 지그의 측면을 통하여 상기 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출되어 있고,
상기 지지부는 상기 탄성부에 연결되어 상기 고정부 위로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 8, wherein the probe pins,
A part of the elastic part connected to the support part protrudes out of the probe pin insertion groove through a side surface of the jig,
The method of manufacturing a probe head of a probe card, characterized in that the support portion is connected to the elastic portion and protrudes above the fixing portion.
제6항에 있어서, 상기 프로브 핀들은 3D MEMS 공정으로 상기 지그에 제조되며,
상기 프로브 핀 삽입 홈에 삽입되며, DUT의 입출력 패드에 접촉하며 아래로 뻗어 있는 팁부; 및
상기 팁부에 연결되어 일측으로 연장되어 뻗어 있으며, 상기 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출되어 있는 탄성부;를 포함하고,
상기 탄성부가 상기 접합부인 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 6, wherein the probe pins are manufactured on the jig by a 3D MEMS process,
a tip portion inserted into the probe pin insertion groove, contacting an input/output pad of the DUT, and extending downward; and
An elastic part connected to the tip part, extending to one side, and protruding out of the probe pin insertion groove;
The manufacturing method of the probe head of the probe card, characterized in that the elastic part is the junction part.
제1항에 있어서, 상기 탑재하는 단계에서,
어레이 그리퍼가 상기 프로브 어레이를 진공 흡착하여 상기 프로브 헤드 기판 위에 탑재하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 1, wherein in the loading step,
The method of manufacturing a probe head of a probe card, characterized in that an array gripper vacuums the probe array and mounts it on the probe head substrate.
제11항에 있어서, 상기 접합하는 단계에서,
상기 어레이 그리퍼를 통하여 상기 프로브 어레이에 면광원의 레이저 빔을 조사하여 상기 프로브 어레이의 프로브 핀들 상기 프로브 헤드 기판에 접합하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 11, wherein in the bonding step,
A method of manufacturing a probe head of a probe card, characterized in that the probe pins of the probe array are bonded to the probe head substrate by irradiating the probe array with a laser beam of a surface light source through the array gripper.
제12항에 있어서, 상기 어레이 그리퍼는,
상기 프로브 어레이를 진공 흡착하는 부착판;을 포함하고,
상기 부착판의 소재는 레이저 빔을 투과하는 석영 또는 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 12, wherein the array gripper,
An attachment plate for vacuum adsorbing the probe array;
The method of manufacturing a probe head of a probe card, characterized in that the material of the attachment plate includes quartz or glass that transmits the laser beam.
제11항에 있어서, 상기 접합하는 단계에서,
상기 어레이 그리퍼는 열원으로부터 공급받은 열로 가열되고, 가열된 상기 어레이 그리퍼에 흡착한 상기 프로브 어레이의 지그와 프로브 핀들을 가열하여 상기 프로브 어레이의 프로브 핀들을 상기 프로브 헤드 기판에 접합하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 11, wherein in the bonding step,
The array gripper is heated with heat supplied from a heat source, and the probe pins of the probe array are bonded to the probe head substrate by heating the jig and probe pins of the probe array adsorbed to the heated array gripper. A method for manufacturing a probe head for a card.
제14항에 있어서, 상기 어레이 그리퍼는,
상기 프로브 어레이를 진공 흡착하는 부착판;을 포함하고,
상기 부착판의 소재는 열전도성과 저열팽창계수를 갖는 인바, 코바 또는 세라믹 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드의 제조 방법.
The method of claim 14, wherein the array gripper,
An attachment plate for vacuum adsorbing the probe array;
The method of manufacturing a probe head of a probe card, characterized in that the material of the attachment plate includes Invar, Kovar or ceramic materials having thermal conductivity and a low thermal expansion coefficient.
프로브 헤드 기판의 DUT(Device Under Test) 단위로 프로브 핀들을 구비하는 프로브 어레이로서,
상기 DUT의 입출력 패드들에 대응되는 위치에 프로브 핀 삽입 홈들이 형성된 지그; 및
상기 지그의 프로브 핀 삽입 홈들에 각각 삽입된 상기 프로브 핀들;
을 포함하는 프로브 카드의 프로브 헤드용 프로브 어레이.
A probe array having probe pins in units of a device under test (DUT) of a probe head substrate,
a jig having probe pin insertion grooves formed at positions corresponding to the input/output pads of the DUT; and
the probe pins respectively inserted into the probe pin insertion grooves of the jig;
A probe array for a probe head of a probe card comprising a.
제16항에 있어서, 상기 프로브 핀들은 2D MEMS 공정으로 제조되며,
상기 프로브 핀 삽입 홈에 삽입되며, DUT의 입출력 패드에 접촉하며 상기 지그의 하부면을 향하여 아래로 뻗어 있는 팁부;
상기 팁부에 연결되어 일측으로 연장되어 뻗어 있으며, 적어도 일부가 상기 프로브 핀 삽입 홈에 삽입되는 탄성부; 및
상기 탄성부에 연결되어 상기 지그의 상부면 위로 뻗어 있으며, 상기 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출되어 있는 지지부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드용 프로브 어레이.
17. The method of claim 16, wherein the probe pins are manufactured by a 2D MEMS process,
a tip portion inserted into the probe pin insertion groove, contacting an input/output pad of the DUT, and extending downward toward the lower surface of the jig;
an elastic part connected to the tip part and extended to one side, at least a part of which is inserted into the probe pin insertion groove; and
a support portion connected to the elastic portion, extending over the upper surface of the jig, and protruding out of the probe pin insertion groove;
A probe array for a probe head of a probe card comprising a.
제17항에 있어서,
상기 지그 위에 형성되며, 상기 프로브 핀 삽입 홈들에 삽입된 상기 프로브 핀들을 고정하는 고정부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드용 프로브 어레이.
According to claim 17,
a fixing part formed on the jig and fixing the probe pins inserted into the probe pin insertion grooves;
Probe array for the probe head of the probe card, characterized in that it further comprises.
제18항에 있어서, 상기 프로브 핀들은,
상기 지지부에 연결된 상기 탄성부의 일부가 상기 지그의 측면을 통하여 상기 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출되어 있고,
상기 지지부는 상기 탄성부에 연결되어 상기 고정부 위로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드용 프로브 어레이.
The method of claim 18, wherein the probe pins,
A part of the elastic part connected to the support part protrudes out of the probe pin insertion groove through a side surface of the jig,
The probe array for the probe head of the probe card, characterized in that the support portion is connected to the elastic portion and protrudes above the fixing portion.
제16항에 있어서, 상기 프로브 핀들은 3D MEMS 공정으로 상기 지그에 제조되며,
상기 프로브 핀 삽입 홈에 삽입되며, DUT의 입출력 패드에 접촉하며 아래로 뻗어 있는 팁부; 및
상기 팁부에 연결되어 일측으로 연장되어 뻗어 있으며, 상기 프로브 핀 삽입 홈 밖으로 돌출되어 있는 탄성부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 프로브 헤드용 프로브 어레이.
The method of claim 16, wherein the probe pins are manufactured in the jig by a 3D MEMS process,
a tip portion inserted into the probe pin insertion groove, contacting an input/output pad of the DUT, and extending downward; and
an elastic part connected to the tip part, extending to one side, and protruding out of the probe pin insertion groove;
A probe array for a probe head of a probe card comprising a.
프로브 헤드 기판의 DUT(Device Under Test)의 크기에 대응되는 크기를 갖는 지그에 상기 DUT의 입출력 패드들에 대응되는 위치에 프로브 핀 삽입 홈들을 형성하는 단계;
상기 지그의 프로브 핀 삽입 홈들에 각각 프로브 핀들을 삽입하는 단계; 및
상기 지그 위에 상기 프로브 핀 삽입 홈들에 삽입된 상기 프로브 핀들을 고정하는 고정부를 형성하는 단계;
를 포함하는 프로브 카드의 프로브 헤드용 프로브 어레이의 제조 방법.
forming probe pin insertion grooves at positions corresponding to input/output pads of the DUT in a jig having a size corresponding to that of a device under test (DUT) of a probe head substrate;
inserting probe pins into respective probe pin insertion grooves of the jig; and
forming a fixing part fixing the probe pins inserted into the probe pin insertion grooves on the jig;
A method of manufacturing a probe array for a probe head of a probe card comprising a.
프로브 헤드 기판의 DUT(Device Under Test)의 크기에 대응되는 크기를 갖는 복수의 지그를 구비하는 지그 원판을 준비하는 단계;
상기 복수의 지그에 각각 DUT의 입출력 패드들에 대응되는 위치에 팁부홈들을 형성하는 단계;
도금으로 상기 팁부홈들을 충전하여 팁부들을 형성하는 단계;
상기 지그 원판의 상부에 포토레지스트 공정으로 상기 팁부들에 각각 연결되는 탄성부홈을 형성하는 단계;
도금으로 상기 탄성부홈들을 충전하여 상기 팁부들에 각각 연결된 탄성부를 구비하는 프로브 핀들을 형성하는 단계;
상기 탄성부홈들을 형성하는 포토레지스트를 제거하여 상기 지그의 상부면으로 상기 프로브 핀들의 탄성부를 노출시키는 단계; 및
상기 지그 원판을 상기 지그 단위로 분할하여 상기 지그에 프로브 핀들이 형성된 프로브 어레이들을 획득하는 단계;
를 포함하는 프로브 카드의 프로브 헤드용 프로브 어레이의 제조 방법.
Preparing a jig original plate having a plurality of jigs having a size corresponding to a size of a device under test (DUT) of a probe head substrate;
forming tip grooves in the plurality of jigs at positions corresponding to the input/output pads of the DUT, respectively;
forming tip portions by filling the tip portion grooves with plating;
forming elastic part grooves respectively connected to the tip parts through a photoresist process on an upper part of the jig disc;
forming probe pins having elastic parts respectively connected to the tip parts by filling the elastic part grooves with plating;
exposing the elastic parts of the probe pins to the upper surface of the jig by removing the photoresist forming the elastic part grooves; and
obtaining probe arrays having probe pins formed on the jig by dividing the jig disc into units of the jig;
A method of manufacturing a probe array for a probe head of a probe card comprising a.
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