KR102508977B1 - Apparatus for trapping of reaction by-product for etching process - Google Patents

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Abstract

본 발명은 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치에 관한 것으로, 그 목적은 반도체 제조 공정 중 에칭 프로세스 챔버에서 공정 수행 후 배출되는 미반응가스 중에 포함된 반응부산물을 진공펌프와 스크러버 사이 위치에서 다중 유로 전환 구조, 다중 포집 구조 및 다중 적재구조를 통해 분말 형태로 포집 및 적재 후 기체 상태 미반응가스만 스크러버로 배출하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 구성은 반도체 제조공정 중 진공펌프를 지나 스크러버로 배출되는 미반응가스 중에 포함된 반응부산물을 포집하는 포집장치에 있어서, 하우징 내부에 설치되는 제 1 포집구조체(21), 제 2 포집구조체(22), 제 3 포집구조체(23), 제 4 포집구조체(24) 및 제 5 포집구조체(25)로 이루어진 내부포집타워(2);를 포함하여 하우징의 가스유입구에서 유입된 미반응가스를 외곽 또는 중앙부로 전환시키면서 순차적으로 하강시켜 반응부산물을 포집하고 적재 후, 나머지 미반응가스만 가스배출구로 배출하도록 구성된 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치를 발명의 특징으로 한다.The present invention relates to an apparatus for collecting reaction by-products generated during an etching process, and its object is to remove reaction by-products included in unreacted gas discharged after a process is performed in an etching process chamber during a semiconductor manufacturing process, in a multi-channel position between a vacuum pump and a scrubber. It is to provide an apparatus for collecting reaction by-products generated during an etching process in which only gaseous unreacted gases are discharged to a scrubber after being collected and loaded in powder form through a conversion structure, a multi-collecting structure, and a multi-loading structure.
The configuration of the present invention is a collection device for collecting reaction by-products included in unreacted gas discharged to a scrubber through a vacuum pump during a semiconductor manufacturing process, a first collection structure 21 installed inside a housing, and a second collection structure (22), the third collection structure (23), the fourth collection structure (24) and the fifth collection structure (25) consisting of an internal collection tower (2); including unreacted gas introduced from the gas inlet of the housing A feature of the invention is an apparatus for collecting reaction by-products generated during an etching process configured to collect reaction by-products by sequentially descending while switching to the outer or central part, and discharge only the remaining unreacted gas through a gas outlet after loading.

Description

에칭 공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치{Apparatus for trapping of reaction by-product for etching process}Apparatus for trapping of reaction by-product for etching process}

본 발명은 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치에 관한 것으로, 자세하게는 반도체 제조 공정 중 에칭 프로세스 챔버에서 공정 수행 후 진공펌프를 지나 스크러버로 배출되는 미반응 가스 중에 포함된 반응부산물을 스크러버 전단에서 다중 유로 전환 구조, 다중 포집 구조 및 다중 적재구조를 통해 분말 형태로 포집하는 포집장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for collecting reaction byproducts generated during an etching process, and more specifically, reaction byproducts included in unreacted gas discharged to a scrubber after passing through a vacuum pump after a process is performed in an etching process chamber during a semiconductor manufacturing process are multiplied at the front of the scrubber. It relates to a collection device that collects in powder form through a channel conversion structure, a multiple collection structure, and a multiple stacking structure.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer) 상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드 프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.In general, a semiconductor manufacturing process largely consists of a pre-process (Fabrication process) and a post-process (Assembly process). It refers to a process of manufacturing a so-called semiconductor chip by repeatedly performing a process of selectively etching a thin film and processing a specific pattern. It refers to the process of assembling a finished product by combining it with a lead frame after separating it.

이때, 상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내로 가스주입 시스템을 통해 실란(Silane), 아르신(Arsine), 염화 붕소, 수소, 질소, 가스 상태 물 등의 필요로 하는 공정 가스 또는 박막 증착을 위한 전구체 가스와 같은 필요로 하는 공정 가스를 주입하여 고온에서 수행된다. 이때 프로세스 챔버 내부에는 각종 증착되지 않은 반응부산물, 미반응 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 다량 발생하게 된다.At this time, in the process of depositing a thin film on the wafer or etching the thin film deposited on the wafer, silane, arsine, boron chloride, hydrogen, nitrogen, gas state through a gas injection system into the process chamber It is performed at a high temperature by injecting a required process gas such as water or a precursor gas for thin film deposition. At this time, a large amount of various undeposited reaction by-products, unreacted ignitable gases, corrosive foreign substances, and harmful gases containing toxic components are generated inside the process chamber.

이 때문에 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버에서 배출된 미반응 가스를 정화하여 방출하기 위해 상기 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 프로세스 챔버에서 배출되는 미반응 가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크러버(Scrubber)가 설치한다.For this reason, in semiconductor manufacturing equipment, in order to purify and release the unreacted gas discharged from the process chamber, a vacuum pump purifying the unreacted gas discharged from the process chamber is discharged to the atmosphere at the rear end of the vacuum pump that makes the process chamber vacuum. Installed by Scrubber.

하지만, 스크러버는 단지 가스 형태의 반응부산물 만을 정화처리하기 때문에 프로세스 챔버에서 배출된 미반응 가스 중에 포함된 입자 형태의 반응부산물을 사전에 포집하지 않으면 스크러버 초입부에서 반응부산물이 응고되어 막힐 수 있다는 구조적 문제점이 있다.However, since the scrubber purifies only gaseous reaction byproducts, there is a structural problem that the reaction byproducts may solidify and clog at the entrance of the scrubber if the reaction byproducts in the form of particulates included in the unreacted gas discharged from the process chamber are not collected in advance. There is a problem.

따라서 이러한 문제점을 해결 할 수 있는 진공 펌프와 스크러버 사이에 위치하여 미반응가스 중에 포함된 입자상태 반응부산물 포집장치의 개발이 필요한 실정이다.Therefore, it is necessary to develop an apparatus for collecting particulate reaction byproducts contained in unreacted gas located between the vacuum pump and the scrubber that can solve these problems.

한국 등록특허공보 등록번호 10-0311145(2001.09.24.등록)Korea Registered Patent Publication No. 10-0311145 (registered on September 24, 2001) 한국 등록특허공보 등록번호 10-0564272(2006.03.20.등록)Korea Registered Patent Publication Registration No. 10-0564272 (registered on March 20, 2006) 한국 등록특허공보 등록번호 10-0631924(2006.09.27.등록)Korea Registered Patent Publication Registration No. 10-0631924 (registered on September 27, 2006) 한국 등록특허공보 등록번호 10-2209205(2021.01.25.등록)Korea Registered Patent Publication Registration No. 10-2209205 (2021.01.25. Registration)

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 제조 공정 중 에칭 프로세스 챔버에서 공정 수행 후 배출되는 미반응가스 중에 포함된 반응부산물을 진공펌프와 스크러버 사이 위치에서 다중 유로 전환 구조, 다중 포집 구조 및 다중 적재구조를 통해 분말 형태로 포집 및 적재 후 기체 상태 미반응가스만 스크러버로 배출하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치를 제공하는데 있다. An object of the present invention to solve the above problems is to remove reaction by-products included in unreacted gas discharged after the process is performed in an etching process chamber during a semiconductor manufacturing process at a location between a vacuum pump and a scrubber with a multi-pass conversion structure and a multi-collecting structure. And to provide an apparatus for collecting reaction by-products generated during an etching process in which only gaseous unreacted gas is discharged to a scrubber after collecting and loading in powder form through a multi-loading structure.

상기한 바와 같은 목적을 달성하고 종래의 결점을 제거하기 위한 과제를 수행하는 본 발명은 반도체 제조공정 중 진공펌프를 지나 스크러버로 배출되는 미반응가스 중에 포함된 반응부산물을 포집하는 포집장치에 있어서,The present invention, which achieves the above object and eliminates the conventional drawbacks, is a collection device for collecting reaction by-products included in unreacted gas discharged to a scrubber through a vacuum pump during a semiconductor manufacturing process,

상부에서 유입되는 미반응가스의 흐름을 외곽을 통해 하부로 유도하면서 반응부산물을 포집하여 적재하고 하부에서 재차 반응부산물을 다중 포집하는 제 1 포집구조체; A first collecting structure that collects and loads the reaction by-products while guiding the flow of unreacted gas introduced from the top to the bottom through the outer shell, and multi-collects the reaction by-products again from the bottom;

외곽쪽에서 유입되는 미반응가스를 중앙부로 유도하여 하강시키면서 반응부산물을 포집하여 제 1 포집구조체의 하부에서 포집된 반응부산물과 함께 적재하는 제 2 포집구조체; A second collecting structure for collecting reaction by-products while inducing and descending the unreacted gas flowing in from the outer side to the central part and loading them together with the reaction by-products collected from the lower part of the first collecting structure;

중앙부로 유입되는 미반응가스를 외곽으로 유도하면서 반응부산물을 다중 포집하고 적재하는 제 3 포집구조체; a third collection structure for multiple collection and loading of reaction by-products while guiding unreacted gas flowing into the center to the outside;

외곽쪽에서 유입되는 미반응가스를 중앙부로 유도하여 하강시키면서 반응부산물을 포집하고 적재하는 제 4 포집구조체; 및a fourth collecting structure for collecting and loading reaction by-products while inducing unreacted gas flowing in from the outer side to the center and lowering them; and

중앙부로 유입되는 미반응가스를 외곽을 통해 하부로 유도하면서 반응부산물을 포집하여 적재하고 하부에서 재차 반응부산물을 다중 포집하는 제 5 포집구조체:로 이루어진 내부포집타워를 포함하여 하우징의 가스유입구로 유입된 미반응가스를 외곽 또는 중앙부로 전환시키면서 순차적으로 하강시켜 반응부산물을 포집하고 적재 후, 나머지 미반응가스만 가스배출구로 배출하도록 구성된 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치를 제공함으로써 달성된다.A fifth collecting structure that collects and loads the reaction by-products while guiding the unreacted gas flowing into the center to the lower part through the outer part and multi-collects the reaction by-products again from the lower part: including an internal collection tower made of a gas inlet of the housing By providing an apparatus for collecting reaction by-products generated during the etching process, characterized in that the reaction by-products are collected by descending sequentially while converting the unreacted gas to the outer or central part, and after loading, only the remaining unreacted gas is discharged through the gas outlet. is achieved

바람직한 실시예로, 상기 제 1 포집구조체, 제 2 포집구조체, 제 3 포집구조체, 제 4 포집구조체 및 제 5 포집구조체는 각 이격부재를 사용하여 상하간을 일정 간격 이격되게 체결하여 구성하고, 상기 하우징의 하판 상부면에 구비된 지지부는 상기 제 5 포집구조체를 일정 간격 이격 지지함으로써 상기 제 1 포집구조체 내지 제 4 포집구조체의 하중 전체를 지지하게 구성된 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the first collecting structure, the second collecting structure, the third collecting structure, the fourth collecting structure, and the fifth collecting structure are configured by fastening the upper and lower parts at regular intervals using each spacer member, The supporting part provided on the upper surface of the lower plate of the housing is configured to support the entire load of the first to fourth collecting structures by supporting the fifth collecting structure at a predetermined interval.

바람직한 실시예로, 상기 제 1 포집구조체는 유입된 미반응가스의 흐름을 외곽으로 유도하면서 반응부산물을 포집하는 포집디스크와; 포집디스크 하부면에 설치되어 유입된 미반응가스 중에서 반응부산물을 다중 포집하도록 다수개의 포집원통이 다단 구성되어 필터 역할을 하는 포집원통부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the first collecting structure includes a collecting disk for collecting reaction by-products while directing the flow of the introduced unreacted gas to the outside; It is characterized in that it includes; a collecting cylinder portion installed on the lower surface of the collecting disk and having a plurality of collecting cylinders configured in multiple stages to collect reaction by-products from the introduced non-reacted gas and serving as a filter.

바람직한 실시예로, 상기 포집원통부는 서로 다른 직경을 가지는 다수개의 포집원통이 일정 간격으로 다단으로 설치되고, 각 포집원통은 둘레 표면을 따라 다수개의 홀이 다중 배열되어 구성되며, 홀 크기는 최외각에 위치한 포집원통에 형성된 홀이 가장 크고, 내측에 위치한 포집원통으로 갈수록 작은 직경을 가진 홀이 형성된 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the collecting cylinder has a plurality of collecting cylinders having different diameters installed in multiple stages at regular intervals, and each collecting cylinder is composed of multiple holes arranged along the circumferential surface, and the hole size is the outermost It is characterized in that the hole formed in the collecting cylinder located at is the largest, and the hole having a smaller diameter is formed toward the collecting cylinder located on the inner side.

바람직한 실시예로, 상기 제 2 포집구조체는 외곽쪽에서 유입되는 미반응가스를 중앙부로 유도하면서 반응부산물을 포집 및 적재하는 포집디스크와; 상기 포집디스크의 중앙부를 상하로 관통하게 설치되어 포집된 반응부산물의 유출을 방지하면서 미반응가스를 하부로 배출하는 배출관과; 배출관의 하단 둘레를 따라 설치되어 배출된 미반응가스의 상승 흐름을 일정 공간 영역까지 막아 포집효율을 높이는 유로가이드판;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the second collecting structure includes a collecting disk for collecting and loading reaction by-products while inducing unreacted gas introduced from the outer side to the central portion; discharge pipes installed to pass through the central part of the collecting disk vertically to prevent the outflow of the collected reaction by-products and discharge unreacted gas to the lower part; It is characterized in that it includes; a passage guide plate installed along the lower circumference of the discharge pipe to block the upward flow of the discharged unreacted gas to a certain space area to increase the collection efficiency.

바람직한 실시예로, 상기 포집디스크는 하우징을 구성하는 하우징본체의 내경 크기 정도의 직경을 가지는 원판 디스크로, 미반응가스가 하부 제 3 포집구조체 쪽으로 직접 하강하는 것을 차단하도록 구성된 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the collecting disk is a disc having a diameter about the same as the inner diameter of the housing main body constituting the housing, and is configured to block unreacted gas from directly descending toward the lower third collecting structure.

바람직한 실시예로, 상기 배출관은 상부가 제 1 포집구조체의 포집원통부의 내측에 위치하도록 돌출되고, 하부는 제 3 포집구조체의 포집플레이트부 상단에 위치하게 구성되고, 돌출된 부위의 상부쪽 일 구간 둘레를 따라 미반응가스 유입용 다수개의 홀이 다중 배열되어 형성된 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the discharge pipe protrudes so that the upper portion is positioned inside the collecting cylindrical portion of the first collecting structure, and the lower portion is positioned at the upper end of the collecting plate portion of the third collecting structure, and one section toward the upper portion of the protruding portion. It is characterized in that a plurality of holes for introducing unreacted gas are formed in multiple arrangements along the circumference.

바람직한 실시예로, 상기 제 3 포집구조체는 유입된 미반응가스의 흐름을 외곽으로 유도하여 하강시키면서 포집하고 적재하는 포집디스크와; 다수개의 홀이 형성된 포집플레이트 다수개가 상기 포집디스크의 상부면에서 원형 배열된 형태로 설치되어 상부로부터 유입된 미반응가스를 머물게 하여 반응부산물을 포집 및 적재하면서 외곽으로 흐르도록 하는 포집플레이트부와; 상기 포집플레이트부의 외곽과 일정 간격 이격되게 원형으로 감싸 포집된 반응부산물의 유출을 방지하면서 미반응가스를 배출시키는 차단벽부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the third collecting structure includes a collecting disk for collecting and loading the flowing unreacted gas by guiding the flow of the introduced unreacted gas to the outside and lowering it; a plurality of collecting plates formed with a plurality of holes are installed in a circular arrangement on the upper surface of the collecting disk to retain unreacted gas introduced from the upper portion so that the reaction by-products are collected and loaded and flowed to the outside; It is characterized in that it includes; a blocking wall part for discharging unreacted gas while preventing outflow of the collected reaction by-products by wrapping them in a circular shape spaced apart from the outside of the collection plate part at a predetermined interval.

바람직한 실시예로, 상기 포집디스크는 둘레를 따라 하부 방향으로 수직하게 돌출되어 미반응가스의 하강 흐름을 가이드하는 띠 형상의 유로가이드부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the collecting disk is characterized in that it further includes a strip-shaped flow guide portion protruding vertically along the circumference in a downward direction to guide the downward flow of unreacted gas.

바람직한 실시예로, 상기 포집플레이트부는 높이가 상기 차단벽부 보다 높게 형성한 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the collecting plate portion is characterized in that the height is formed higher than the blocking wall portion.

바람직한 실시예로, 상기 차단벽부는 홀이 형성되지 않은 적어도 2개 이상의 차단벽이 일정간격 이격되어 원형 배치된 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the blocking wall portion is characterized in that at least two or more blocking walls without holes are arranged in a circle at a predetermined interval.

바람직한 실시예로, 상기 제 4 포집구조체는 외곽에서 유입되는 미반응가스를 중앙부로 유도하면서 반응부산물을 포집 및 적재하는 포집디스크와; 상기 포집디스크의 중앙부를 상부로 관통하게 설치되어 포집된 반응부산물의 유출을 방지하면서 미반응가스를 하부로 배출하도록, 상부에 확관부가 형성된 배출관;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the fourth collecting structure includes a collecting disk for collecting and loading reaction by-products while guiding unreacted gas introduced from the outer portion to the central portion; It is characterized in that it comprises a; a discharge pipe is installed to pass through the central portion of the collecting disk to prevent the outflow of the collected reaction by-products and to discharge the unreacted gas to the lower portion, the expansion tube is formed at the top.

바람직한 실시예로, 상기 포집디스크는 하우징 본체의 내경 크기 정도의 직경을 가지는 원판 디스크로, 미반응가스가 제 5 포집구조체 쪽으로 직접 하강하는 것을 차단하도록 구성된 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the collecting disk is a disc having a diameter about the same as the inner diameter of the housing body, and is configured to block unreacted gas from directly descending toward the fifth collecting structure.

바람직한 실시예로, 상기 확관부는 상부로 갈수록 점차 바깥방향으로 기울어진 사선 형태를 가지고, 둘레를 따라 미반응가스 배출 및 흐름을 유도하는 다수개의 홀이 다중 배열되어 형성된 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the expansion part has a diagonal shape gradually inclined outward toward the top, and a plurality of holes for inducing discharge and flow of unreacted gas along the circumference are formed in multiple arrangements.

바람직한 실시예로, 상기 제 5 포집구조체는 상부에서 중앙부로 유입된 미반응가스의 하부 이동을 차단하면서 외곽을 통해 하부로 흐름을 유도하여 배출시키면서 포집하고 적재하는 포집디스크와; 포집디스크의 하부면에서 둘레 방향을 따라 설치되어 미반응가스의 흐름을 하부로 유도한 후 내부로 유입시켜 수용하는 가스수용부와; 가스수용부의 내측에서 포집디스크 하부면에 설치되어 유입된 미반응가스의 유출을 방지하면서 반응부산물을 다중 포집 후 미반응가스만 가스배출구로 배출하도록 다수개의 홀이 형성된 포집플레이트 다수개가 다단으로 사각 배열된 포집플레이트부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the fifth collecting structure includes a collecting disk for collecting and loading unreacted gas introduced from the upper part to the central part while inducing and discharging the flow to the lower part through the periphery while blocking the downward movement of the unreacted gas; a gas accommodating part installed along the circumferential direction on the lower surface of the collecting disk to guide the flow of unreacted gas to the lower part and then introduce it into the inside to accommodate it; A plurality of collecting plates, which are installed on the lower surface of the collecting disk inside the gas accommodating unit to prevent the outflow of unreacted gas and collect reaction by-products in multiple ways, and then discharge only unreacted gas to the gas outlet, are formed with a plurality of holes formed in a square arrangement. It is characterized in that it comprises a; collection plate portion.

바람직한 실시예로, 상기 가스수용부는 하부쪽으로 돌출된 길이가 포집플레이트부 보다 짧게 형성되고, 둘레를 따라 바깥쪽으로 다수개의 체결부가 형성되어 하우징의 하판에서 상부 방향으로 돌출된 지지부와 체결되도록 구성된 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the gas receiving part is formed shorter in length protruding downward than the collecting plate part, and a plurality of fastening parts are formed outward along the circumference to be fastened with the support part protruding upward from the lower plate of the housing. to be

바람직한 실시예로, 상기 포집플레이트부는 포집플레이트를 사각 배열시 모서리 부분이 붙어 있지 않게 이격시켜 미반응 가스가 유입되도록 하고, 홀 크기는 최외각에 사각 배열된 포집플레이트에 형성된 홀이 가장 크고, 내측에 사각 배열된 포집플레이트로 갈수록 작은 홀이 형성된 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the collection plate unit separates the collection plates so that the corners are not attached when the collection plates are arranged in a square so that unreacted gas flows in, and the hole size is the largest in the outermost collection plate arranged in a square, and the inner It is characterized in that small holes are formed toward the collecting plate arranged in a square.

상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치는 반도체 제조 공정 중 에칭 프로세스 챔버에서 공정 수행 후 진공펌프를 지나 배출되는 미반응가스 중에 포함된 반응부산물을 스크러버 전단에서 유로 방향 전환과 다중 와류발생 구조를 통해 분말 형태로 다중 포집하고 적재하여 기체 상태 미반응가스만 배출할 수 있다는 장점을 가진다.The apparatus for collecting reaction by-products generated during the etching process according to the present invention having the above characteristics moves the reaction by-products included in the unreacted gas discharged through the vacuum pump after the process is performed in the etching process chamber during the semiconductor manufacturing process from the front end of the scrubber to the flow path. It has the advantage of being able to discharge only gaseous unreacted gas by multiple collection and loading in powder form through direction conversion and multiple vortex generation structures.

본 발명은 상기와 같이 스크러버 전단에서 미반응가스 중에 포함된 반응부산물을 제거하는 포집장치가 구비됨으로써 스크러버의 유지관리 주기를 증가시키면서 포집장치의 사용 주기를 3개월 이상 연속사용 할 수 있다는 장점을 가진다.The present invention has the advantage of being able to continuously use the collection device for more than 3 months while increasing the maintenance cycle of the scrubber by providing a collection device for removing reaction by-products included in unreacted gas at the front of the scrubber as described above. .

이처럼 본 발명은 다양한 장점을 가진 유용한 발명으로 산업상 그 이용이 크게 기대되는 발명이다. As such, the present invention is a useful invention having various advantages, and its use in the industry is greatly expected.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치의 구성을 보인 단면도이고,
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치의 내부포집타워를 보인 사시도이고,
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 내부포집타워의 분해 사시도이고,
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 내부포집타워의 하부쪽을 보인 분해 사시도이고,
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 제 1 포집구조체 구성을 보인 예시도이고,
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 2 포집구조체 구성을 보인 예시도이고,
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 3 포집구조체 구성을 보인 예시도이고,
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 4 포집구조체 구성을 보인 예시도이고,
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 제 5 포집구조체 구성을 보인 예시도이고,
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치 내부에서의 포집경향을 보인 예시도이고,
도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치 내부에서의 가스 흐름을 보인 예시도이고,
도 12는 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치 내부에서의 유속패턴도이다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a reaction by-product collecting device according to an embodiment of the present invention;
Figure 2 is a perspective view showing the internal collection tower of the reaction by-product collection device according to an embodiment of the present invention,
3 is an exploded perspective view of an internal collection tower according to an embodiment of the present invention;
Figure 4 is an exploded perspective view showing the lower side of the internal collection tower according to an embodiment of the present invention,
5 is an exemplary view showing the configuration of a first collecting structure according to an embodiment of the present invention;
6 is an exemplary view showing the configuration of a second collecting structure according to an embodiment of the present invention;
7 is an exemplary view showing the configuration of a third collecting structure according to an embodiment of the present invention;
8 is an exemplary view showing the configuration of a fourth collecting structure according to an embodiment of the present invention;
9 is an exemplary view showing the configuration of a fifth collecting structure according to an embodiment of the present invention;
10 is an exemplary diagram showing a collection tendency inside a reaction byproduct collection device according to an embodiment of the present invention;
11 is an exemplary view showing the gas flow inside the reaction byproduct collecting device according to an embodiment of the present invention;
12 is a flow rate pattern diagram inside a reaction byproduct collecting device according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 실시 예인 구성과 그 작용을 첨부도면에 연계시켜 상세히 설명하면 다음과 같다. 또한 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. Hereinafter, the configuration and operation of an embodiment of the present invention will be described in detail in association with the accompanying drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치의 구성을 보인 단면도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치의 내부포집타워를 보인 사시도이고, 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 내부포집타워의 분해 사시도이고, 도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 내부포집타워의 하부쪽을 보인 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a reaction by-product collecting device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing an internal collection tower of the reaction by-product collecting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. It is an exploded perspective view of an internal collection tower according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an exploded perspective view showing the lower side of the internal collection tower according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이 본 발명에 따른 포집장치는 진공펌프와 스크러버 사이에 위치시켜, 반도체 공정 중 프로세스 챔버(도시생략)에서 에칭 공정 수행 후 진공펌프를 지나 배출되는 미반응가스 중에 포함된 반응부산물을 다중 유로 전환 구조, 다중 포집 구조 및 다중 적재구조를 통해 분말 형태로 포집 하면서 적재하고, 나머지 기체 상태 미반응가스만 스크러버로 배출하는 장치이다.As shown, the collecting device according to the present invention is placed between a vacuum pump and a scrubber, and the reaction byproducts included in the unreacted gas discharged through the vacuum pump after the etching process is performed in a process chamber (not shown) during the semiconductor process are multiplied. It is a device that collects and loads in powder form through a passage conversion structure, multiple collection structure, and multiple stacking structure, and discharges only the remaining gaseous unreacted gas to the scrubber.

이를 위해 포집장치는 상부 가스유입구에서 유입된 미반응 가스를 유입하여 수용하고 하부 가스배출구로 배출시키는 하우징(1)과; To this end, the collecting device includes a housing 1 for receiving and receiving the unreacted gas introduced from the upper gas inlet and discharging it to the lower gas outlet;

하우징 내부로 유입된 미반응가스가 하부 가스배출구로 직접 하강되어 유출되지 않게 순차적으로 유로를 외곽 또는 중앙부로 전환시켜 하강시키면서 반응부산물을 포집하고 적재 후, 나머지 미반응가스만 배출되도록 다수개의 포집구조체가 상하로 일정간격 이격되어 다단 구성된 내부포집타워(2);를 포함하여 구성된다.A plurality of collecting structures so that only the remaining unreacted gas is discharged after collecting and loading the reaction by-products while descending by sequentially converting the passage to the outer or central part so that the unreacted gas flowing into the housing does not descend directly to the lower gas discharge port and flow out. It is configured to include; is spaced apart at regular intervals vertically and configured in multiple stages internal collection tower (2).

상기 하우징(1)은 진공펌프에서 스크러버로 배출되는 가스를 상부에서 유입하여 수용하고 하부로 배출하도록 수직형으로 구성되는데, 유입된 가스를 수용하는 하우징본체(11)와; 상방향으로 돌출된 가스유입구(12a)가 형성된 상판(12)과; 가스배출구(13a)가 상부와 하부 양방향으로 돌출되게 설치된 하판(13);을 포함하여 구성된다. The housing 1 is composed of a vertical type to receive and receive the gas discharged from the vacuum pump to the scrubber from the top and discharge it to the bottom, and includes a housing body 11 for receiving the introduced gas; a top plate 12 having a gas inlet 12a protruding upward; It is configured to include; a lower plate 13 installed so that the gas outlet 13a protrudes in both directions from the top and bottom.

본 발명의 한 실시예에에 따라 도시된 하우징본체(11), 상판(12) 및 하판(13)으로 이루어진 하우징 구조는 수직방향으로 길게 형성된 원통형 구조로 도시되었지만, 이와 같은 형상만 본 발명을 한정하는 것은 아니고 사각통형 또는 다각통형과 같이 필요로 하는 형상으로 구성될 수 있음은 물론이다. 다만, 이하에서는 설명의 편의상 원통형 형상을 기준으로 설명 한다.The housing structure consisting of the housing body 11, the upper plate 12, and the lower plate 13 shown according to one embodiment of the present invention is shown as a cylindrical structure formed elongated in the vertical direction, but only such a shape limits the present invention. Of course, it may be configured in a required shape, such as a square cylinder or a polygonal cylinder. However, in the following, for convenience of description, a cylindrical shape will be described.

상기 하우징본체(11)는 속이 빈 함체 형상으로 내부에 수직방향으로 다중 설치되는 제 1 포집구조체(21), 제 2 포집구조체(22), 제 3 포집구조체(23), 제 4 포집구조체(24) 및 제 5 포집구조체(25)에 유입된 미반응가스 중에 포함된 반응부산물이 분말 형태로 응집되어 포집되도록 유입된 가스를 저장하는 역할을 한다.The housing body 11 has a hollow box shape and includes a first collecting structure 21, a second collecting structure 22, a third collecting structure 23, and a fourth collecting structure 24 installed vertically in multiple directions therein. ) and the reaction by-products included in the non-reacted gas introduced into the fifth collecting structure 25 are aggregated in the form of powder to collect the introduced gas.

상기 상판(12)은 개방된 하우징본체(11)의 상부를 덮는 덮개 역할을 하면서 상부로 돌출되게 설치된 가스유입구(12a)를 통해 가스를 유입시키는 역할을 한다. The upper plate 12 serves to introduce gas through a gas inlet 12a installed to protrude upward while serving as a cover covering the top of the open housing body 11 .

상기 하판(13)은 개방된 하우징본체(11)의 하부를 덮는 덮개 역할을 하면서 상부와 하부 양방향으로 돌출되게 설치된 가스배출구(13a)를 통해 반응부산물의 포집이 끝난 미반응가스를 스크러버 쪽으로 배출하도록 한다. The lower plate 13 serves as a cover covering the lower part of the opened housing body 11 and discharges the unreacted gas collected by the reaction by-products toward the scrubber through the gas outlet 13a protruding in both directions from the top and bottom. do.

또한 하판(13)은 상부면에 지지부(13b)가 구비되어 내부포집타워(2)를 고정하여 하중을 지지하게 구성된다. 즉, 하판 상부에 위치한 제 5 포집구조체(25)를 상판 상부면과 일정 간격 이격시켜 고정하여 지지함으로써 제 5 포집구조체(25) 상부방향으로 다단 연결되어 위치한 제 1 포집구조체(21) 내지 제 4 포집구조체(24)의 하중 전체를 지지하게 된다.In addition, the lower plate 13 is provided with a support portion (13b) on the upper surface is configured to support the load by fixing the internal collection tower (2). That is, by fixing and supporting the fifth collecting structure 25 located on the upper part of the lower plate at a predetermined distance from the upper surface of the upper plate, the first collecting structure 21 to the fourth collecting structure 21 to the fourth collecting structure 25 are connected in multiple stages toward the upper side of the fifth collecting structure 25. It supports the entire load of the collection structure 24.

또한 하판(13)은 일정 높이의 길이를 가지게 임의의 형태로 구성될 수 있는 미도시된 지지프레임과 그 하부에 설치된 이동형 바퀴 등을 구비하여 이동이 필요할 경우 포집장치를 이동시킬 수 있게 구성할 수 있다. In addition, the lower plate 13 is provided with a support frame (not shown) that can be configured in any shape to have a certain height and a movable wheel installed below it, so that the collecting device can be moved when movement is required. there is.

또한 하판(13)은 공장의 바닥면 또는 고정 프레임에 설치하여 고정형으로 구성할 수 있음은 물론이다.In addition, of course, the lower plate 13 can be configured as a fixed type by installing it on the floor of a factory or on a fixed frame.

상기 내부포집타워(2)는 상단에서 하단까지 수직하게 5개의 포집구조체가 구성되어 반응부산물을 포집하면서 다중 적재하도록 구성되는데 그 구성은 다음과 같다.The internal collection tower 2 is composed of five collection structures vertically from the top to the bottom to collect reaction by-products while being multi-loaded, the configuration of which is as follows.

최상단에는 상부에서 유입되는 미반응가스의 흐름을 외곽을 통해 하부로 유도하면서 반응부산물을 포집하여 적재하고 하부에서 재차 반응부산물을 다중 포집하는 제 1 포집구조체(21)가 위치한다.At the top, a first collecting structure 21 is located, which collects and loads reaction by-products while guiding the flow of unreacted gas introduced from the top to the bottom through the outer shell, and collects the reaction by-products again from the bottom.

제 1 포집구조체(21) 하단에는 외곽쪽에서 유입되는 미반응가스를 중앙부로 유도하여 하강시키면서 반응부산물을 포집하여 제 1 포집구조체의 하부에서 포집되어 낙하한 반응부산물과 함께 적재하는 제 2 포집구조체(22)가 위치한다.At the bottom of the first collecting structure 21, a second collecting structure for collecting reaction by-products while inducing and descending the unreacted gas flowing in from the outer side to the central part and loading them together with the reaction by-products collected from the lower part of the first collecting structure ( 22) is located.

제 2 포집구조체(22) 하단에는 중앙부로 유입되는 미반응가스를 외곽으로 유도하면서 반응부산물을 다중 포집하고 적재하는 제 3 포집구조체(23)가 위치한다.At the lower end of the second collecting structure 22, a third collecting structure 23 is located that multi-collects and loads the reaction by-products while directing the unreacted gas flowing into the center to the outside.

제 3 포집구조체(23) 하단에는 외곽쪽에서 유입되는 미반응가스를 중앙부로 유도하여 하강시키면서 반응부산물을 포집하고 적재하는 제 4 포집구조체(24)가 위치한다.At the bottom of the third collecting structure 23, a fourth collecting structure 24 is positioned to collect and load the reaction by-products while inducing and lowering the unreacted gas introduced from the outer side to the center.

제 4 포집구조체(24) 하단에는 중앙부로 유입되는 미반응가스를 외곽을 통해 하부로 유도하면서 반응부산물을 포집하여 적재하고 하부에서 재차 반응부산물을 다중 포집하여 하판 상부면에 적재시킨 후 나머지 미반응가스만 하우징의 가스배출구로 배출시키는 제 5 포집구조체(25):가 위치한다.At the bottom of the fourth collecting structure 24, the reaction by-products are collected and loaded while the unreacted gas flowing into the central part is guided to the lower part through the outer part, and the reaction by-products are collected in multiplexes again from the lower part, loaded on the upper surface of the lower plate, and the remaining unreacted A fifth collection structure 25 for discharging only gas through the gas outlet of the housing is positioned.

상기 제 1 포집구조체(21) 내지 제 5 포집구조체(25)는 이격부재를 사용하여 상하로 위치하는 인접하는 포집구조체 간을 포집구조체 구조에 따라 필요로 하는 높이 만큼의 일정 이격거리를 가지게 연결하여 고정한다. 이와 같은 이격부재를 사용함으로써 상하 간에 위치한 포집구조체가 직접 접촉하여 붙지 않고 이격되어 고정됨으로써 미반응가스의 유로 전환을 위한 공간을 확보하면서 원활한 이동이 가능해져 포집과 적재가 이루어지게 된다.The first collecting structure 21 to the fifth collecting structure 25 connect adjacent collecting structures located up and down using a spacer to have a certain separation distance as high as the height required according to the structure of the collecting structure, fix it By using such a spacer member, the collecting structures positioned between the upper and lower sides are spaced apart and fixed without being in direct contact with each other, so that a space for changing the flow path of the unreacted gas is secured and smooth movement is possible, thereby enabling collection and loading.

상기 이격부재를 통한 체결방법은 상하로 배치된 포집구조체 간에 필요한 길이를 가진 이격부재를 준비한 후 내부가 빈 이격부재에 나사산이 형성된 체결봉이나 볼트를 삽입하고 너트로 체결하는 방식으로 체결한다. 물론 이와 같은 체결방법은 한 실시예로 끼움 방식, 용접 방식을 포함한 다양한 공지의 체결방법 중에서 선택된 방식으로 체결할 수 있음은 물론이다. In the fastening method through the spacer member, after preparing a spacer member having a required length between the vertically disposed collecting structures, a threaded fastening rod or bolt is inserted into the empty spacer member and fastened with a nut. Of course, such a fastening method can be fastened by a method selected from among various known fastening methods including a fitting method and a welding method in one embodiment.

한 실시예로 상기와 같이 구성된 포집장치가 프로세스 챔버에서 에칭 공정을 거쳐 배출되는 미반응가스 중에 포함된 입자상 반응부산물을 포집하는 공정을 예시적으로 설명하면 다음과 같다.As an example, a process for collecting particulate reaction byproducts included in unreacted gas discharged from a process chamber through an etching process by the collecting device configured as described above will be described as follows.

프로세스 챔버에서 BCl3과 N2를 사용하여 에칭 공정시 BCl3은 반응성 및 산소 획득 능력이 커서 산소(O) 또는 물(H2O)과 접촉시, 비 휘발성 잔류물 형성된다. 예를 들면 2BCl3 + O → B2O3 + 6Cl와 같은 반응이 일어난다.During an etching process using BCl 3 and N 2 in a process chamber, BCl 3 has a high reactivity and oxygen acquisition ability, so when it comes into contact with oxygen (O) or water (H 2 O), a non-volatile residue is formed. For example, a reaction such as 2BCl 3 + O → B 2 O 3 + 6Cl occurs.

또한 Al2O3 박막에 대한 에칭공정시 에칭 전구체(Etching Precursor)로 사용할 경우에는 B2O3(비 휘발성), AlCl3 (휘발성) 물질이 생성된다.In addition, when used as an etching precursor during an etching process for an Al 2 O 3 thin film, B 2 O 3 (non-volatile) and AlCl 3 (volatile) materials are generated.

따라서 본 발명에 따른 포집장치가 구비됨으로써 에칭 공정 수행 후 배출되는 미반응가스가 진공펌프를 지나 스크러버로 유입될 수 있는 미반응가스 중의 반응부산물을 다단으로 구성된 포집구조체를 거치면서 다중 포집 및 적재한 후 나머지 기체상태 미반응가스만 스크러버에 공급됨으로써 스크러버 초입에서의 막힘을 방지하면서 제거시키게 된다.Therefore, since the collection device according to the present invention is provided, the reaction by-products in the unreacted gas in which the unreacted gas discharged after the etching process can flow into the scrubber through the vacuum pump are collected and loaded in multiple stages through a collection structure composed of multiple stages. After that, only the remaining gaseous unreacted gas is supplied to the scrubber, thereby removing it while preventing clogging at the entrance of the scrubber.

이하 보다 상세하게 내부포집타워(2)를 구성하는 각 포집구조체를 설명한다.Hereinafter, each collection structure constituting the internal collection tower 2 will be described in more detail.

도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 제 1 포집구조체 구성을 보인 예시도이다. 5 is an exemplary view showing the configuration of a first collecting structure according to an embodiment of the present invention.

첨부된 도 1 내지 4 및 도 5을 참조하면, 제 1 포집구조체(21)는 하우징본체(11)의 상판(12) 가스유입구(12a)를 통해 유입된 미반응가스의 흐름을 외곽으로 유도하면서 반응부산물을 포집하는 포집디스크(211)와; 포집디스크(211) 하부면에 설치되어 유입된 미반응가스 중에서 반응부산물을 다중 포집하도록 다수개의 포집원통(212a)이 다단 구성되어 필터 역할을 하는 포집원통부(212);를 포함하여 구성된다.1 to 4 and 5, the first collecting structure 21 guides the flow of unreacted gas introduced through the gas inlet 12a of the upper plate 12 of the housing body 11 to the outside while a collection disk 211 for collecting reaction by-products; A collection cylinder 212, which is installed on the lower surface of the collection disk 211 and has a plurality of collection cylinders 212a configured in multiple stages to collect reaction by-products from the introduced unreacted gas, serves as a filter.

상기 포집디스크(211)는 하우징 본체의 내경 크기 보다 작은 직경을 가지는 원판 디스크로 하우징본체(11)의 상판(12)의 중앙부에 위치한 가스유입구(12a)로부터 미반응가스가 표면에 부딪히면 중앙부에서 바깥 외곽방향으로 유로의 흐름이 균일하게 퍼지면서 유도되어 끝단부에서 하강하도록 구성된다. 이때 유입된 미반응가스 중에 포함된 반응부산물은 포집디스크의 상부면에서 응집되어 분말상태로 포집되면서 적재되게 된다.The collecting disk 211 is a disc having a diameter smaller than the inner diameter of the housing body, and when unreacted gas hits the surface from the gas inlet 12a located in the central portion of the upper plate 12 of the housing body 11, it is outside the central portion. The flow of the passage in the outer direction is uniformly spread and induced so that it descends at the end. At this time, the reaction by-products included in the introduced unreacted gas are aggregated on the upper surface of the collecting disk and are collected and loaded in a powder state.

상기 포집원통부(212)는 포집디스크(211)의 하부면에 체결되어 구성되는데, 이 포집원통부는 서로 다른 직경을 가지는 다수개의 포집원통(212a)이 일정 간격으로 다단으로 설치된다. 한 실시예에서는 3개의 포집원통이 다단 형성되어 있는데 이와 같은 개수가 본 발명을 한정하지는 않는다, 적어도 2개 이상의 포집원통 다수개가 다단으로 구성되어 다중 포집할 수 있게 구성되면 충분하다.The collecting cylinder 212 is configured by being fastened to the lower surface of the collecting disk 211, and a plurality of collecting cylinders 212a having different diameters are installed in multiple stages at regular intervals. In one embodiment, three collecting cylinders are formed in multiple stages, but such a number does not limit the present invention. It is sufficient if a plurality of collecting cylinders of at least two or more are configured in multiple stages to collect multiple objects.

상기 포집원통부(212)를 구성하는 각 포집원통(212a)은 둘레 표면을 따라 다수개의 홀(212b)이 다중 배열되어 구성된다. 홀(212b) 크기는 최외각에 위치한 포집원통(212a)에 형성된 홀이 가장 크고, 내측에 위치한 포집원통으로 갈수록 작은 직경을 가진 홀이 형성된다. 이와 같이 홀 크기가 내측 포집원통으로 갈수록 작게 형성됨으로써 바깥에 위치한 포집원통의 홀을 통과한 미반응가스가 내측에 위치한 포집원통으로 이동시 상대적으로 작은 홀을 지나야 하기 때문에 포집원통 표면과의 충돌 및 크기가 작은 홀 통과로 인한 유속 차이가 발생하여 와류가 발생되어 미반응가스의 이동이 지체되면서 각 포집원통 표면에서의 포집효율이 상승하게 된다.Each of the collecting cylinders 212a constituting the collecting cylinder part 212 is formed by multiple arrangement of a plurality of holes 212b along the circumferential surface. The size of the hole 212b is the largest in the outermost collecting cylinder 212a, and smaller diameter holes are formed toward the innermost collecting cylinder. In this way, since the hole size is formed to be smaller toward the inner collecting cylinder, the unreacted gas passing through the hole of the outer collecting cylinder must pass through a relatively small hole when moving to the inner collecting cylinder. A flow velocity difference due to passing through a small hole causes a vortex, which delays the movement of unreacted gas, increasing the collection efficiency on the surface of each collection cylinder.

또한 상기 포집디스크(211)의 하부면에는 다수개의 이격부재(213)가 설치되어 제 1 포집구조체(21)가 제 2 포집구조체(22)의 상부에 뜬 상태를 유지하게 된다. 이격부재의 길이는 포집원통부(212)의 가장 내측에 위치한 포집원통의 내측 중앙부에 제 2 포집구조체(22)의 배출관이 돌출되어 설치되어도 상단이 포집디스크 하부면에 막히지 않을 정도의 높이를 제공할 수 있는 길이를 가지면 된다. 이와 같은 높이를 가진 이격부재가 수직하게 설치됨으로써 포집원통들을 순차적으로 통과하면서 포집과정을 거친 미반응가스가 배출관의 상부 및 배출관의 상부 둘레를 따라 형성된 홀을 통해 유입되어 하강할 수 있게 된다.In addition, a plurality of spacers 213 are installed on the lower surface of the collecting disk 211 so that the first collecting structure 21 floats on top of the second collecting structure 22 . The length of the spacer is such that the upper end is not blocked by the lower surface of the collecting disk even when the discharge pipe of the second collecting structure 22 protrudes and is installed in the inner central part of the collecting cylinder located at the innermost side of the collecting cylinder 212. You should have the length you can. Since the spacer having the same height is vertically installed, unreacted gas that has undergone the collecting process can be introduced and descended through holes formed along the top of the discharge pipe and the upper circumference of the discharge pipe while sequentially passing through the collecting cylinders.

도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 2 포집구조체 구성을 보인 예시도이다. 6 is an exemplary view showing the configuration of a second collecting structure according to an embodiment of the present invention.

첨부된 도 1 내지 4 및 도 6을 참조하면, 제 2 포집구조체(22)는 외곽쪽에서 유입되는 미반응가스를 중앙부로 유도하면서 반응부산물을 포집 및 적재하는 포집디스크(221)와; 상기 포집디스크의 중앙부를 상하로 관통하게 설치되어 포집된 반응부산물의 유출을 방지하면서 미반응가스를 하부로 배출하는 배출관(222)과; 배출관의 하단 둘레를 따라 설치되어 배출된 미반응가스의 상승 흐름을 일정 공간 영역까지 막아 포집효율을 높이는 유로가이드판(223);을 포함하여 구성된다.Referring to FIGS. 1 to 4 and 6, the second collecting structure 22 includes a collecting disk 221 for collecting and loading reaction by-products while inducing unreacted gas flowing in from the outer side toward the central portion; a discharge pipe 222 installed vertically through the central portion of the collecting disk to discharge unreacted gas downward while preventing outflow of the collected reaction by-products; A flow path guide plate 223 installed along the lower circumference of the discharge pipe to block the upward flow of the discharged unreacted gas up to a certain space area to increase the collection efficiency; is configured to include.

상기 포집디스크(221)는 하우징 본체의 내경 크기 정도의 직경을 가지는 원판 디스크로 제 1 포집구조체(21)의 포집디스크(211) 외곽을 통해 하부로 유입된 미반응가스가 제 3 포집구조체(23) 쪽으로 직접 하강하는 것을 차단하고, 포집디스크(221)의 중앙부에 위치한 배출관(222) 쪽으로 흐르도록 유도한다. 이때 유입된 미반응가스 중에 포함된 반응부산물은 포집디스크의 상부면에서 응집되어 분말상태로 포집되면서 적재되게 된다. The collecting disk 221 is a disk disk having a diameter about the same as the inner diameter of the housing body, and the unreacted gas introduced to the lower portion through the outside of the collecting disk 211 of the first collecting structure 21 is passed through the third collecting structure 23 ) is blocked from descending directly to the collecting disk 221, and is induced to flow toward the discharge pipe 222 located in the center of the collecting disk 221. At this time, the reaction by-products included in the introduced unreacted gas are aggregated on the upper surface of the collecting disk and are collected and loaded in a powder state.

또한 상기 포집디스크(221)는 상부에 위치한 제 1 포집구조체(21)의 포집원통부(212)에서 다중 포집되어 낙하한 반응부산물도 함께 적재하게 된다.In addition, the collection disk 221 collects multi-collected reaction by-products that fall in the collection cylinder 212 of the first collection structure 21 located at the upper portion.

상기 배출관(222)은 포집디스크(221)의 중앙부를 천공하여 상하로 돌출되어 관통하게 구성되는 상부는 제 1 포집구조체(21)의 포집원통부(212)의 내측에 위치하도록 돌출되고, 하부는 제 3 포집구조체(23)의 포집플레이트부 상단에 위치하게 구성된다. The discharge pipe 222 is configured to protrude vertically through a hole in the central portion of the collecting disk 221, and the upper portion protrudes to be located inside the collecting cylindrical portion 212 of the first collecting structure 21, and the lower portion It is configured to be located on top of the collecting plate part of the third collecting structure 23.

또한 배출관(222)은 상부로 돌출된 부위의 상부쪽 일 구간이 둘레를 따라 다수개의 홀(222a)이 다중 배열되어 측방향을 통해 미반응가스가 유입되어 하부로 배출되도록 구성된다. 이와 같이 구성되면 제 1 포집구조체(21)의 포집원통부(212)를 거치는 미반응가스가 배출관의 상부 개구 및 측면 홀을 통해 유입되어 배출 흐름이 좋게 된다. 이때 홀(222a) 크기는 제 1 포집구조체(21)의 포집원통부(212)를 구성하는 가장 내측에 위치한 포집원통(212a)의 둘레에 형성된 홀(212b) 보다 크게 형성되어 배출관(222)에 직접 부딛힌 미반응가스와 홀을 직접 통과하는 미반응가스 간에 유속 차이로 인한 와류가 재차 발생하여 포집효율이 상승되게 된다.In addition, the discharge pipe 222 is configured such that a plurality of holes 222a are arranged along the circumference of one section of the upper portion of the portion protruding upward so that unreacted gas is introduced through the lateral direction and discharged downward. In this configuration, the unreacted gas passing through the collecting cylindrical portion 212 of the first collecting structure 21 is introduced through the upper opening and the side hole of the discharge pipe, thereby improving the discharge flow. At this time, the size of the hole 222a is larger than the hole 212b formed around the innermost collecting cylinder 212a constituting the collecting cylinder 212 of the first collecting structure 21, so that the discharge pipe 222 A vortex is generated again due to a difference in flow velocity between the unreacted gas that directly hits the hole and the unreacted gas that passes directly through the hole, thereby increasing the collection efficiency.

상기 유로가이드판(223)은 배출관의 하단 둘레를 따라 설치되는 도넛 형상 원판으로 배출관의 하단을 통해 배출된 미반응가스가 배출되자 마자 다시 포집디스크(221)를 상승하는 것을 막아 제 3 포집구조체(23)의 포집플레이트부의 영역 하부공간에 머물도록 하기 위함이다. 즉, 배출관 하단이 하강한 위치가 제 3 포집구조체(23)의 포집플레이트부(232) 상부에 해당하는데 만약 미반응가스의 흐름에 대한 단속이 없으면 배출관에서 배출하자마자 상부 공간부로 상승하면서 포집플레이트부(232)에서의 포집효율이 떨어지기 때문이다. The flow guide plate 223 is a donut-shaped disk installed along the lower circumference of the discharge pipe, and prevents the collecting disk 221 from rising again as soon as the unreacted gas discharged through the lower end of the discharge pipe is discharged, thereby forming a third collecting structure ( This is to stay in the lower space of the area of the collecting plate part of 23). That is, the position where the lower end of the discharge pipe descends corresponds to the upper part of the collecting plate part 232 of the third collecting structure 23. If the flow of unreacted gas is not interrupted, the collecting plate part rises to the upper space as soon as it is discharged from the discharge pipe. This is because the collection efficiency in (232) is lowered.

이 때문에 유로가이드판이 직경은 다수의 포집플레이트가 원형배열된 제 3 포집구조체(23)의 포집플레이트부 상부 영역 직경에 해당하는 크기로 형성되어 근접 또는 맞닿게 형성하여 덮개 역할을 하도록 구성하는 것이 바람직하다.For this reason, it is preferable to configure the passage guide plate to have a diameter corresponding to the diameter of the upper region of the collecting plate part of the third collecting structure 23 in which a plurality of collecting plates are arranged in a circle, so that they are formed in close proximity or contact to serve as a cover. do.

또한 상기 포집디스크(221)의 하부면에는 다수개의 이격부재(224)가 설치되어 제 2 포집구조체(22)가 제 3 포집구조체(23)의 상부에 뜬 상태를 유지하게 된다. 이격부재의 길이는 제 2 포집구조체(22)의 중앙부에서 하부로 돌출된 배출관의 하단에 형성된 유로가이드판(223)이 제 3 포집구조체(23)의 포집플레이트부(232) 상단에 위치할 정도의 높이를 제공할 수 있는 길이를 가지면 된다.In addition, a plurality of spacers 224 are installed on the lower surface of the collecting disk 221 so that the second collecting structure 22 floats on top of the third collecting structure 23 . The length of the spacer member is such that the passage guide plate 223 formed at the lower end of the discharge pipe protruding downward from the center of the second collecting structure 22 is located at the upper end of the collecting plate part 232 of the third collecting structure 23. It should have a length that can provide the height of

도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 3 포집구조체 구성을 보인 예시도이다. 7 is an exemplary view showing the configuration of a third collecting structure according to an embodiment of the present invention.

첨부된 도 1 내지 4 및 도 7을 참조하면, 제 3 포집구조체(23)는 상부에서 중앙부로 유입된 미반응가스의 흐름을 외곽으로 유도하여 하강시키면서 포집하고 적재하는 포집디스크(231)와; 다수개의 홀(232b)이 형성된 포집플레이트(232a) 다수개가 상기 포집디스크의 상부면에서 원형 배열된 형태로 설치되어 상부로부터 유입된 미반응가스를 머물게 하여 반응부산물을 포집 및 적재하면서 외곽으로 흐르도록 하는 포집플레이트부(232)와; 상기 포집플레이트부의 외곽과 일정 간격 이격되게 원형으로 감싸 포집된 반응부산물의 유출을 방지하면서 미반응가스를 배출시키는 차단벽부(233);를 포함하여 구성된다.Referring to FIGS. 1 to 4 and 7, the third collecting structure 23 includes a collecting disk 231 for collecting and loading unreacted gas flowing from the upper part to the central part by inducing it to the outside and lowering the flow; A plurality of collecting plates 232a having a plurality of holes 232b are installed in a circular arrangement on the upper surface of the collecting disk to retain the unreacted gas introduced from the upper portion to collect and load the reaction by-products while flowing to the outside And the collection plate portion 232 to; It is configured to include; a blocking wall part 233 for discharging unreacted gas while preventing outflow of the collected reaction by-products by wrapping them in a circular shape spaced apart from the outside of the collection plate part at a predetermined interval.

또한 상기 포집디스크(231)는 둘레를 따라 하부 방향으로 수직하게 돌출되어 미반응가스의 하강 흐름을 가이드하는 띠 형상의 유로가이드부(234)를 더 포함하여 구성될 수 있다. 유로가이드부(234)는 포집디스크 외곽을 통해 하강하는 미반응가스가 곧바로 포집디스크의 하부면 중앙 방향으로 흐르지 않게 유로가이드부의 높이 만큼 하부 방향으로 하강하게 가이드하여 제 4 포집구조체(24)로 공급하여 반응부산물 포집효율을 증가시키는 역할을 한다.In addition, the collecting disk 231 may further include a strip-shaped flow guide part 234 protruding vertically along the circumference in a downward direction to guide a downward flow of unreacted gas. The passage guide part 234 guides the unreacted gas descending through the outer surface of the collection disk to descend downward by the height of the passage guide part so that the unreacted gas does not flow directly toward the center of the lower surface of the collection disk, and is supplied to the fourth collection structure 24. It serves to increase the collection efficiency of reaction byproducts.

상기 포집디스크(231)는 하우징 본체의 내경 크기 보다 작은 직경을 가지는 원판 디스크로 제 2 포집구조체(22)의 배출관(222)으로부터 유입된 미반응가스가 표면에 부딪히면 중앙부에서 바깥 외곽방향으로 유로의 흐름이 균일하게 퍼지면서 유도되어 끝단부에서 하강하도록 구성된다. 이때 유입된 미반응가스 중에 포함된 반응부산물은 포집디스크의 상부면에서 응집되어 분말상태로 포집되면서 적재되게 된다.The collection disk 231 is a disk disk having a diameter smaller than the inner diameter of the housing body, and when the unreacted gas introduced from the discharge pipe 222 of the second collection structure 22 hits the surface, the flow path flows from the center to the outer periphery. It is configured so that the flow is induced to spread evenly and descend at the ends. At this time, the reaction by-products included in the introduced unreacted gas are aggregated on the upper surface of the collecting disk and are collected and loaded in a powder state.

상기 포집플레이트부(232)와 차단벽부(233)는 포집플레이트부(232) 높이가 상기 차단벽부(233)의 수직 높이 보다 높게 형성하여 바깥방향이 낮게 단차진 구성을 가지게 형성한다. 이와 같이 구성함으로써 포집플레이트부(232)를 구성하는 다수개의 포집플레이트(232a)에 형성된 홀(232b)을 통해 외부로 배출되는 미반응가스는 차단벽부(233) 상단을 넘어 외곽으로 흘러갈 수 있게 된다.The collecting plate part 232 and the blocking wall part 233 are formed so that the height of the collecting plate part 232 is higher than the vertical height of the blocking wall part 233 so that the outer direction has a low stepped configuration. With this configuration, unreacted gas discharged to the outside through the holes 232b formed in the plurality of collecting plates 232a constituting the collecting plate part 232 can flow to the outside beyond the top of the blocking wall part 233. do.

물론 미반응가스의 흐름은 상기 원형 배열된 다수개의 포집플레이트(232a) 사이 공간을 통해서도 외곽 방향으로 흐르게 된다.Of course, the flow of unreacted gas also flows in the outer direction through the space between the plurality of circularly arranged collecting plates 232a.

상기 차단벽부(233)는 홀이 형성되지 않은 적어도 2개 이상의 차단벽(223a)이 일정간격 이격되어 원형 배치를 구성된다.The blocking wall portion 233 is formed in a circular arrangement in which at least two or more blocking walls 223a without holes are spaced apart at regular intervals.

차단벽부를 통한 미반응가스의 이동은 차단벽(223a) 간 이격된 틈새를 통해서만 외곽으로 흘러가게 구성된다. 이로인해 미반응가스 흐름에 지체가 발생하지만 상기와 같이 포집플레이트부(232)의 높이가 차단벽부(233)의 높이 보다 높게 형성됨으로써 다양한 유로를 통해 미반응가스가 외부로 흘러갈 수 있다.The movement of unreacted gas through the blocking wall portion is configured to flow to the outside only through gaps spaced between the blocking walls 223a. This causes a delay in the flow of unreacted gas, but as described above, since the height of the collection plate part 232 is formed higher than the height of the blocking wall part 233, the unreacted gas can flow out through various passages.

또한 상기 포집디스크(231)의 하부면에는 다수개의 이격부재(235)가 설치되어 제 3 포집구조체(23)가 제 4 포집구조체(24)의 상부에 뜬 상태를 유지하게 된다. 이격부재의 길이는 제 3 포집구조체(23)의 포집디스크(231) 둘레 끝단에서 하부방향으로 돌출 형성된 유로가이드부(234)의 하단과 제 4 포집구조체(24)의 확관머리형 배출관(242)의 상단 높이가 일치할 정도의 높이를 제공할 수 있는 길이를 가지면 된다.In addition, a plurality of spacers 235 are installed on the lower surface of the collecting disk 231 so that the third collecting structure 23 floats on top of the fourth collecting structure 24 . The length of the spacer is the lower end of the passage guide part 234 protruding downward from the circumferential end of the collecting disk 231 of the third collecting structure 23 and the expansion head type discharge pipe 242 of the fourth collecting structure 24. It is only necessary to have a length that can provide a height that matches the height of the top of the .

도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 4 포집구조체 구성을 보인 예시도이다. 8 is an exemplary view showing the configuration of a fourth collecting structure according to an embodiment of the present invention.

첨부된 도 1 내지 4 및 도 8을 참조하면, 제 4 포집구조체(24)는 외곽에서 유입되는 미반응가스를 중앙부로 유도하면서 반응부산물을 포집 및 적재하는 포집디스크(241)와; 상기 포집디스크(241)의 중앙부를 상부로 관통하게 설치되어 포집된 반응부산물의 유출을 방지하면서 미반응가스를 하부로 배출하도록, 상부에 확관부(242a)가 형성된 배출관(242);을 포함하여 구성된다.Referring to FIGS. 1 to 4 and 8, the fourth collection structure 24 includes a collection disk 241 for collecting and loading reaction by-products while inducing unreacted gas flowing from the outer portion to the central portion; A discharge pipe 242 having an expansion pipe 242a formed therein to discharge unreacted gas to the bottom while preventing outflow of the collected reaction byproducts by passing through the central part of the collection disk 241 upwardly; including It consists of

상기 포집디스크(241)는 하우징 본체의 내경 크기 정도의 직경을 가지는 원판 디스크로 제 3 포집구조체(23)의 포집디스크(231) 외곽을 통해 하부로 유입된 미반응가스가 제 5 포집구조체(25) 쪽으로 직접 하강하는 것을 차단하고, 포집디스크(241)의 중앙부에 위치한 배출관(242) 쪽으로 흐르도록 유도한다. 이때 유입된 미반응가스 중에 포함된 반응부산물은 포집디스크의 상부면에서 응집되어 분말상태로 포집되면서 적재되게 된다. The collecting disk 241 is a disk disk having a diameter about the same as the inner diameter of the housing body, and the unreacted gas introduced to the lower portion through the outside of the collecting disk 231 of the third collecting structure 23 is passed through the fifth collecting structure 25 ) is blocked from descending directly to the collecting disk 241, and is induced to flow toward the discharge pipe 242 located in the center of the collecting disk 241. At this time, the reaction by-products included in the introduced unreacted gas are aggregated on the upper surface of the collecting disk and are collected and loaded in a powder state.

상기 배출관(242)은 포집디스크(241)의 중앙부를 천공하여 상부로 돌출되어 관통하게 구성되는데 상부에는 상부로 갈수록 점차 바깥방향으로 기울어진 사선 형태의 확관부(242a)가 형성되어 상부에서 하강한 후 포집디스크(241)의 상부면에 부딛힌 후 다시 상승하는 미반응가스가 상기 확관부의 사선방향 각도에 따라 일정각도로 흐름이 다시 꺽이면서 되돌아가게 만든다. 이로인해 포집디스크(241)의 면적과 배출관(242)의 높이가 형성하는 공간부에서 지체되면서 포집효율을 증대시키게 된다.The discharge pipe 242 is configured to penetrate the central portion of the collecting disk 241 so as to protrude upward and pass through. At the upper portion, an oblique expansion part 242a gradually inclined outward toward the upper portion is formed and descends from the upper portion. After colliding with the upper surface of the collecting disk 241, the unreacted gas rising again makes the flow bend again at a certain angle according to the oblique angle of the expansion part and return. As a result, the area of the collecting disk 241 and the height of the discharge pipe 242 are delayed in the space formed, thereby increasing the collecting efficiency.

이때 배출관(242)의 상단에 형성된 확관부(242a)가 미반응가스의 배출흐름을 만들어 주지 않으면 배출효율이 저하되기 때문에 확곽부(242a)에는 둘레를 따라 배출 및 흐름을 유도하는 다수개의 홀(242b)이 다중 배열되어 일부 미반응가스가 배출되도록 형성한다. 또한 확관부에 형성된 홀은 미반응가스에 대한 유속 차이를 발생시켜 와류를 형성하는 역할도 하여 반응부산물의 포집효율을 더욱 증가시키는 역할도 하게 된다. At this time, if the expansion pipe 242a formed at the upper end of the discharge pipe 242 does not produce a discharge flow of unreacted gas, the discharge efficiency is reduced, so the expansion part 242a has a plurality of holes ( 242b) is arranged in multiple to form a part of unreacted gas to be discharged. In addition, the hole formed in the expanded pipe serves to form a vortex by generating a flow rate difference for the unreacted gas, thereby further increasing the collection efficiency of the reaction by-products.

상기 배출관(242)의 내경 크기는 미반응가스의 배출 흐름이 좋도록 상기 제 2 포집구조체(24)의 배출관(222) 내경 크기보다 크게 형상하는 것이 바람직하다. 하지만 이와 같은 상대적인 내경 크기가 본 발명을 한정하는 것은 아니다. The inner diameter of the discharge pipe 242 is preferably larger than the inner diameter of the discharge pipe 222 of the second collecting structure 24 so that the discharge flow of unreacted gas is good. However, this relative inner diameter size does not limit the present invention.

따라서 제 3 포집구조체(23)의 포집디스크(231)의 둘레 끝단 유로가이드부(234)에서 제 4 포집구조체(24)쪽으로 수직방향으로 하강하는 미반응가스의 이동 흐름 경로는 일부 미반응가스는 상부쪽 영역에서 유로가이드부(234)와 배출관(242) 설치 공간 사이로 유입되어 배출관의 상단을 통해 하강하거나 하부쪽 영역에서 포집디스크(241)에 부딛힌 후 반응부산물을 포집 및 적재하면서 상승 후 배출관(242)의 확관부(242a)에 형성된 수개의 홀(242b)을 통해 배출관으로 유입되어 하강하는 흐름을 가지게 된다.Therefore, the flow path of the unreacted gas descending in the vertical direction from the passage guide part 234 at the circumferential end of the collecting disk 231 of the third collecting structure 23 toward the fourth collecting structure 24 is part of the unreacted gas In the upper area, it is introduced between the installation space of the flow guide part 234 and the discharge pipe 242 and descends through the top of the discharge pipe, or collides with the collection disk 241 in the lower area, collects and loads the reaction by-products, and rises through the discharge pipe. It flows into the discharge pipe through several holes 242b formed in the expansion pipe 242a of 242 and has a descending flow.

도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 제 1 포집구조체 구성을 보인 예시도이다. 9 is an exemplary view showing the configuration of a first collecting structure according to an embodiment of the present invention.

첨부된 도 1 내지 4 및 도 9를 참조하면, 제 5 포집구조체(25)는 상부에서 중앙부로 유입된 미반응가스의 하부 이동을 차단하면서 외곽을 통해 하부로 흐름을 유도하여 배출시키면서 포집하고 적재하는 포집디스크(251)와; 포집디스크(251)의 하부면에서 둘레 방향을 따라 설치되어 미반응가스의 흐름을 하부로 유도한 후 내부로 유입시켜 수용하는 가스수용부(252)와; 가스수용부(252)의 내측에서 포집디스크(251) 하부면에 설치되어 유입된 미반응가스의 유출을 방지하면서 반응부산물을 다중 포집 후 미반응가스만 가스배출구(13a)로 배출하도록 다수개의 홀(253b)이 형성된 포집플레이트(253a) 다수개가 다단으로 사각 배열된 포집플레이트부(253);를 포함하여 구성된다.1 to 4 and 9, the fifth collecting structure 25 collects and discharges the unreacted gas flowing from the upper part to the central part while blocking the lower movement and inducing the flow to the lower part through the outer periphery. a collection disk 251 to; a gas receiving portion 252 installed along the circumferential direction on the lower surface of the collecting disk 251 to guide a flow of unreacted gas to the lower portion and then introduce and receive the unreacted gas therein; Installed on the lower surface of the collecting disk 251 inside the gas receiving unit 252 to prevent the outflow of the introduced unreacted gas, multiple holes are collected to discharge only the unreacted gas through the gas outlet 13a after multiple collection of reaction by-products. A plurality of collecting plates 253a on which 253b is formed are collected plate parts 253 arranged squarely in multiple stages.

상기 포집디스크(251)는 하우징 본체의 내경 크기 보다 작은 직경을 가지는 원판 디스크로 제 4 포집구조체(24)의 배출관(242)으로부터 유입된 미반응가스가 표면에 부딪히면 중앙부에서 바깥 외곽방향으로 유로의 흐름이 균일하게 퍼지면서 유도되어 끝단부에서 하강하도록 구성된다. 이때 유입된 미반응가스 중에 포함된 반응부산물은 포집디스크의 상부면에서 응집되어 분말상태로 포집되면서 적재되게 된다.The collection disk 251 is a disk disk having a diameter smaller than the inner diameter of the housing body, and when the unreacted gas introduced from the discharge pipe 242 of the fourth collection structure 24 hits the surface, the flow path flows from the center to the outer periphery. It is configured so that the flow is induced to spread evenly and descend at the ends. At this time, the reaction by-products included in the introduced unreacted gas are aggregated on the upper surface of the collecting disk and are collected and loaded in a powder state.

상기 가스수용부(252)는 포집디스크(251)의 하부 외곽쪽에서 일정거리 내측에 위치한 지점에서 둘레 방향을 따라 설치되어 미반응가스의 흐름이 지체되지 않고 원활하게 유도되도록 구성한다. 가스수용부(252)는 한 실시예에 따라 원통 구조 로 도시되었지만 다각통 구조로 구성할 수 있음은 물론이다.The gas accommodating part 252 is installed along the circumferential direction at a point located inside a certain distance from the lower outer side of the collecting disk 251 so that the flow of unreacted gas is smoothly induced without delay. Although the gas receiving unit 252 is shown as a cylindrical structure according to one embodiment, it is of course possible to have a polygonal cylinder structure.

또한 가스수용부(252)는 하부쪽으로 돌출된 길이가 상대적으로 포집플레이트부(253) 보다 짧게 형성하여 미반응가스의 유입이 원활하도록 구성한다.In addition, the length of the gas receiving portion 252 protruding downward is relatively shorter than that of the collecting plate portion 253 so that the inflow of unreacted gas is smooth.

또한 가스수용부(252)의 하단부에는 둘레를 따라 바깥쪽으로 다수개의 체결부(252a)가 형성되어 하우징(1)의 하판(13)에서 상부 방향으로 돌출된 지지부(13b)와 체결된다. 이와 같이 체결됨으로써 제 5 포집구조체(25) 전체가 하우징의 하판으로부터 상부쪽으로 일정 높이 이격되어 뜬 상태를 유지하게 된다.In addition, a plurality of fastening parts 252a are formed at the lower end of the gas receiving part 252 outward along the circumference to be fastened with the support part 13b protruding upward from the lower plate 13 of the housing 1. By being fastened in this way, the entirety of the fifth collecting structure 25 is spaced apart from the lower plate of the housing toward the upper part at a predetermined height and maintains a floating state.

상기 지지부(13b)는 내부포집타워(2) 전체의 하중을 지지하면서 제 5 포집구조체(25)의 하부쪽을 통한 미반응가스의 원활 유입을 제공하고, 하판(13)은 상부쪽에 위치한 포집플레이트부(253)에서 다중 포집된 반응부산물이 낙하시 이를 적재하는 역할을 하게 된다.The support part 13b provides a smooth inflow of unreacted gas through the lower part of the fifth collecting structure 25 while supporting the load of the entire internal collecting tower 2, and the lower plate 13 is a collecting plate located at the upper part When the multi-collected reaction by-products fall in the unit 253, they serve to load them.

상기 포집플레이트부(253)는 외측에서 사각 배열된 포집플레이트(253a)의 폭 방향 크기가 가장 크고 내측에 위치한 포집플레이트(253a)의 폭방향 크기가 가장 작게 형성한다. 이와 같이 구성함으로써 외측에서 내측으로 사각배열을 다단 구성시 일정한 간격을 가지게 구성할 수 있다. 이때 높이는 동일한 크기를 가지게 형성하면 된다.In the collecting plate part 253, the size of the collecting plate 253a arranged squarely on the outside in the width direction is the largest and the size of the collecting plate 253a located on the inside is the smallest in the width direction. By configuring in this way, it is possible to configure a rectangular arrangement from the outside to the inside at regular intervals when configuring a multi-stage configuration. At this time, the height may be formed to have the same size.

또한 포집플레이트(253a)는 사각 배열시 모서리 부분이 붙어 있지 않게 약간 이격시켜 미반응 가스가 유입될 수 있도록 구성할 수 있다. 이와 같이 구성하면 모서리 부분이 연결되었을 때 보다 하판 중앙부 즉, 포집플레이트부(253)의 가장 내측에서 사각배열을 이루는 포집플레이트(253a) 사이로 돌출된 가스배출구(13a) 방향으로의 배출 흐름이 원활하고 이러한 간극에 의한 미반응가스의 유속 차이를 발생시켜 와류를 형성할 수 있어서 반응부산물의 포집효율이 증가될 수 있다.In addition, when the collecting plate 253a is arranged in a square shape, it may be configured to allow unreacted gas to flow in by slightly spaced apart so that corners are not attached to each other. In this configuration, the discharge flow toward the gas outlet 13a protruding between the collecting plates 253a forming a rectangular arrangement in the center of the lower plate, that is, the innermost part of the collecting plate part 253, is smoother than when the corner parts are connected. A vortex can be formed by generating a flow rate difference of unreacted gas due to such a gap, so that the collection efficiency of reaction byproducts can be increased.

또한 포집플레이트(253a)에 형성된 홀(253b) 크기는 최외각에 위치하여 사각 배열된 다수개의 포집플레이트(253a)에 형성된 홀(253b)이 가장 크고, 내측에 위치하여 사각 배열된 다수개의 포집플레이트(253a)로 갈수록 작은 직경을 가진 홀(253b)이 형성된다. In addition, the size of the hole 253b formed in the collection plate 253a is the largest, and the hole 253b formed in the plurality of collection plates 253a arranged squarely at the outermost portion is the largest, and the plurality of collection plates arranged squarely located at the inside Holes 253b having a smaller diameter are formed toward 253a.

이와 같이 홀 크기가 내측통으로 갈수록 작게 형성됨으로써 바깥에 위치한 포집플레이트(253a)의 홀(253b)을 통과한 미반응가스가 내측에 위치한 포집플레이트(253b)로 이동시 상대적으로 작은 홀을 지나야 하기 때문에 포집플레이트(253b) 표면과의 충돌 및 크기가 작은 홀 통과로 인한 유속 차이가 발생하여 와류가 발생되어 미반응가스의 이동이 지체면서 각 포집원통 표면에서의 포집효율이 상승하게 된다.In this way, since the hole size is smaller toward the inner cylinder, the unreacted gas passing through the hole 253b of the collecting plate 253a located outside must pass through a relatively small hole when moving to the collecting plate 253b located inside. A difference in flow velocity due to collision with the surface of the plate 253b and passing through a small-sized hole causes a vortex, which delays the movement of unreacted gas and increases the collection efficiency on the surface of each collection cylinder.

또한 상기 포집디스크(251)의 상부면에는 다수개의 이격부재(254)가 설치되어 제 4 포집구조체(24)를 제 5 포집구조체(25)의 상부에 뜬 상태를 유지하게 된다. 이격부재의 길이는 제 4 포집구조체(24)의 포집디스크(241)의 하부면이 제 5 포집구조체(25)의 포집디스크(251)의 상부면과 이격된 상태를 유지할 정도의 높이를 제공할 수 있는 길이를 가지면 된다.In addition, a plurality of spacers 254 are installed on the upper surface of the collecting disk 251 to keep the fourth collecting structure 24 floating on top of the fifth collecting structure 25 . The length of the spacer is to provide a height sufficient to keep the lower surface of the collecting disk 241 of the fourth collecting structure 24 and the upper surface of the collecting disk 251 of the fifth collecting structure 25 in a spaced state. It should be as long as possible.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 반응부산물 포집장치는 프로세스 챔버에서 에칭 공정을 수행 후 진공펌프에서 배출된 미반응 가스가 수직 형태로 설치된 하우징(1)의 가스유입구(12a)를 통해 내부에 유입되고, 이후 미반응가스는 곧바로 가스배출구(13a)로 직접 하강하지 못하고 상기에서 설명한 수직방향으로 다단 구성된 제 1 포집구조체(21), 제 2 포집구조체(22), 제 3 포집구조체(23), 제 4 포집구조체(24) 및 제 5 포집구조체(25)로 이루어진 내부포집타워(2)를 거치면서 다중 유로 전환 구조, 다중 포집 구조 및 다중 적재 구조를 통해 유속이 지체되고 와류가 발생된 상태에서 유입된 미반응가스 중에 포함된 반응부산물을 분말 형태로 응집시켜 포집 후 기체 상태 미반응가스만 가스배출구를 통해 배출시켜 스크러버로 공급하게 된다.In the reaction byproduct collecting device according to the present invention configured as described above, after performing the etching process in the process chamber, unreacted gas discharged from the vacuum pump is introduced into the inside through the gas inlet 12a of the housing 1 installed in a vertical form, , After that, the unreacted gas does not directly descend into the gas outlet 13a, and the first collecting structure 21, the second collecting structure 22, the third collecting structure 23, and the first collecting structure 21, the second collecting structure 22, the third collecting structure 23, and Flow through the internal collection tower (2) composed of the 4 collection structure 24 and the 5th collection structure 25, the flow rate is delayed through the multi-pass conversion structure, the multi-collection structure, and the multi-stowed structure, and the flow is inflow in a state in which vortex is generated The reaction by-products included in the unreacted gas are collected in the form of powder and collected, and then only the gaseous unreacted gas is discharged through the gas outlet and supplied to the scrubber.

도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치 내부에서의 포집경향을 보인 예시도이고, 도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치 내부에서의 가스 흐름을 보인 예시도이고, 도 12는 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치 내부에서의 유속패턴도이다.10 is an exemplary diagram showing a collection tendency inside the reaction byproduct collecting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 11 is an exemplary view showing a gas flow inside the reaction byproduct collecting device according to an embodiment of the present invention. And, Figure 12 is a flow rate pattern diagram inside the reaction by-product collecting device according to an embodiment of the present invention.

도 11 중 (A)는 반응부산물 포집영역이고. 또한 도 12 중 (B)는 가스유로를 나타낸다. 11 (A) is a reaction byproduct collection area. In addition, (B) in FIG. 12 shows a gas flow path.

도시된 바와 같이 본 발명에 따른 반응부산물 포집장치는 수직 방향으로 설치된 하우징의 가스유입구를 통해 빠른 유속으로 내부에 유입된 미반응가스가 상부에서 하부로 설치된 제 1 포집구조체, 제 2 포집구조체, 제 3 포집구조체, 제 4 포집구조체 및 제 5 포집구조체로 이루어진 내부포집타워를 거치면서 다중 유로 전환 구조, 다중 포집 구조 및 다중 적재구조를 통해 유속이 지체된 상태에서 유입된 미반응가스 중에 포함된 반응부산물을 분말 형태로 응집시켜 포집 후 기체 상태 미반응가스를 빠른 유속으로 가스배출구를 통해 배출시킴을 알 수 있다.As shown, the reaction by-product collecting device according to the present invention has a first collecting structure, a second collecting structure, and a second collecting structure installed from top to bottom for unreacted gas introduced into the inside at a high flow rate through the gas inlet of the housing installed in the vertical direction. Reaction included in the unreacted gas introduced in a state where the flow rate is delayed through the multi-channel conversion structure, multi-collecting structure, and multi-loading structure while passing through the internal collection tower consisting of the 3 collection structure, the 4th collection structure, and the 5th collection structure It can be seen that the by-products are aggregated in the form of powder and collected, and then the gaseous unreacted gas is discharged through the gas outlet at a high flow rate.

본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다. The present invention is not limited to the specific preferred embodiments described above, and various modifications can be made by anyone having ordinary knowledge in the art to which the present invention belongs without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, such changes are within the scope of the claims.

(1) : 하우징 (2) : 내부포집타워
(11) : 하우징본체 (12) : 상판
(12a) : 가스유입구 (13) : 하판
(13a) : 가스배출구 (13b) : 지지부
(21) : 제 1 포집구조체 (22) : 제 2 포집구조체
(23) : 제 3 포집구조체 (24) : 제 4 포집구조체
(25) : 제 5 포집구조체 (211) : 포집디스크
(212) : 포집원통부 (212a) : 포집원통
(212b) : 홀 (213) : 이격부재
(221) : 포집디스크 (222) : 배출관
(222a) : 홀 (223) : 유로가이드판
(224) : 이격부재 (231) : 포집디스크
(232) : 포집플레이트부 (232a) : 포집플레이트
(232b) : 홀 (233) : 차단벽부
(223a) : 차단벽 (234) : 유로가이드부
(235) : 이격부재 (241) : 포집디스크
(242) : 배출관 (242a) : 확관부
(242b) : 홀 (251) : 포집디스크
(252) : 가스수용부 (252a) : 체결부
(253) : 포집플레이트부 (253a) : 포집플레이트
(253b) : 홀 (254) : 이격부재 (1): housing (2): internal collection tower
(11): housing body (12): top plate
(12a): gas inlet (13): lower plate
(13a): gas outlet (13b): support
(21): first collection structure (22): second collection structure
(23): 3rd collecting structure (24): 4th collecting structure
(25): Fifth collecting structure (211): collecting disk
(212): collection cylinder (212a): collection cylinder
(212b): hole (213): spacer member
(221): collection disk (222): discharge pipe
(222a): Hall (223): Euro guide plate
(224): spacer member (231): collection disk
(232): collection plate part (232a): collection plate
(232b): hole (233): blocking wall
(223a): blocking wall (234): flow guide part
(235): spacer member (241): collection disk
(242): discharge pipe (242a): expansion pipe
(242b): hole 251: collection disk
(252): gas receiving part (252a): fastening part
(253): collection plate part (253a): collection plate
(253b): Hall (254): Spacer member

Claims (17)

반도체 제조공정 중 진공펌프를 지나 스크러버로 배출되는 미반응가스 중에 포함된 반응부산물을 포집하는 포집장치에 있어서,
상부에서 유입되는 미반응가스의 흐름을 외곽을 통해 하부로 유도하면서 반응부산물을 포집하여 적재하고 하부에서 재차 반응부산물을 다중 포집하는 제 1 포집구조체(21);
외곽쪽에서 유입되는 미반응가스를 중앙부로 유도하여 하강시키면서 반응부산물을 포집하여 제 1 포집구조체의 하부에서 포집된 반응부산물과 함께 적재하는 제 2 포집구조체(22);
중앙부로 유입되는 미반응가스를 외곽으로 유도하면서 반응부산물을 다중 포집하고 적재하는 제 3 포집구조체(23);
외곽쪽에서 유입되는 미반응가스를 중앙부로 유도하여 하강시키면서 반응부산물을 포집하고 적재하는 제 4 포집구조체(24); 및
중앙부로 유입되는 미반응가스를 외곽을 통해 하부로 유도하면서 반응부산물을 포집하여 적재하고 하부에서 재차 반응부산물을 다중 포집하는 제 5 포집구조체(25):로 이루어진 내부포집타워(2)를 포함하여 하우징(1)의 가스유입구로 유입된 미반응가스를 외곽 또는 중앙부로 전환시키면서 순차적으로 하강시켜 반응부산물을 포집하고 적재 후, 나머지 미반응가스만 가스배출구로 배출하도록 구성되고,
상기 제 1 포집구조체(21)는 유입된 미반응가스의 흐름을 외곽으로 유도하면서 반응부산물을 포집하는 포집디스크(211)와; 포집디스크(211) 하부면에 설치되어 유입된 미반응가스 중에서 반응부산물을 다중 포집하도록 다수개의 포집원통(212a)이 다단 구성되어 필터 역할을 하는 포집원통부(212);를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
A collecting device for collecting reaction by-products included in unreacted gas discharged to a scrubber through a vacuum pump during a semiconductor manufacturing process,
A first collecting structure 21 that collects and loads the reaction by-products while guiding the flow of unreacted gas introduced from the top to the bottom through the outer shell, and multi-collects the reaction by-products again from the bottom;
A second collecting structure 22 that collects reaction by-products while inducing and descending unreacted gas flowing in from the outer side to the central part and loads them together with the reaction by-products collected from the lower part of the first collecting structure;
A third collecting structure 23 that multi-collects and loads reaction by-products while guiding unreacted gas flowing into the central part to the outside;
a fourth collection structure 24 for collecting and loading reaction by-products while inducing unreacted gas flowing in from the outer side to the center and lowering them; and
Including an internal collection tower (2) consisting of a fifth collection structure (25) that collects and loads the reaction by-products while guiding unreacted gas flowing into the center to the lower portion through the outer portion, and collects the reaction by-products in multiplexes again from the lower portion, The unreacted gas flowing into the gas inlet of the housing 1 is converted to the outer or central part while sequentially descending to collect and load the reaction by-products, and discharge only the remaining unreacted gas through the gas outlet,
The first collecting structure 21 includes a collecting disk 211 for collecting reaction by-products while directing the flow of the introduced unreacted gas to the outside; It is installed on the lower surface of the collecting disk 211 and has a plurality of collecting cylinders 212a configured in multiple stages to collect reaction by-products from the introduced unreacted gas, and a collecting cylinder 212 serving as a filter. A device for collecting reaction byproducts generated during the etching process.
 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 포집구조체(21), 제 2 포집구조체(22), 제 3 포집구조체(23), 제 4 포집구조체(24) 및 제 5 포집구조체(25)는 각 이격부재(213, 224, 235, 254)를 사용하여 상하간을 일정 간격 이격되게 체결하여 구성하고, 상기 하우징(1)의 하판 상부면에 구비된 지지부(13b)는 상기 제 5 포집구조체(25)를 일정 간격 이격 지지함으로써 상기 제 1 포집구조체(21) 내지 제 4 포집구조체(24)의 하중 전체를 지지하게 구성된 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 1,
The first collecting structure 21, the second collecting structure 22, the third collecting structure 23, the fourth collecting structure 24, and the fifth collecting structure 25 each spacer member 213, 224, 235 , 254) is used to fasten the upper and lower portions at regular intervals, and the support portion 13b provided on the upper surface of the lower plate of the housing 1 supports the fifth collecting structure 25 at regular intervals. An apparatus for collecting reaction byproducts generated during an etching process, characterized in that it is configured to support the entire load of the first collecting structure 21 to the fourth collecting structure 24.
 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 포집원통부(212)는 서로 다른 직경을 가지는 다수개의 포집원통(212a)이 일정 간격으로 다단으로 설치되고, 각 포집원통(212a)은 둘레 표면을 따라 다수개의 홀(212b)이 다중 배열되어 구성되며, 홀(212b) 크기는 최외각에 위치한 포집원통(212a)에 형성된 홀이 가장 크고, 내측에 위치한 포집원통으로 갈수록 작은 직경을 가진 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 1,
In the collecting cylinder part 212, a plurality of collecting cylinders 212a having different diameters are installed in multiple stages at regular intervals, and each collecting cylinder 212a has a plurality of holes 212b arranged along the circumferential surface in multiple The size of the hole 212b is the largest in the outermost collecting cylinder 212a, and the reaction byproducts generated during the etching process, characterized in that holes with smaller diameters are formed toward the innermost collecting cylinder. collection device.
 청구항 1에 있어서,
상기 제 2 포집구조체(22)는 외곽쪽에서 유입되는 미반응가스를 중앙부로 유도하면서 반응부산물을 포집 및 적재하는 포집디스크(221)와; 상기 포집디스크의 중앙부를 상하로 관통하게 설치되어 포집된 반응부산물의 유출을 방지하면서 미반응가스를 하부로 배출하는 배출관(222)과; 배출관의 하단 둘레를 따라 설치되어 배출된 미반응가스의 상승 흐름을 일정 공간 영역까지 막아 포집효율을 높이는 유로가이드판(223);을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 1,
The second collecting structure 22 includes a collecting disk 221 for collecting and loading reaction by-products while guiding unreacted gas introduced from the outer side to the central portion; a discharge pipe 222 installed vertically through the central portion of the collecting disk to discharge unreacted gas downward while preventing outflow of the collected reaction by-products; A flow path guide plate 223 installed along the lower circumference of the discharge pipe to block the upward flow of the discharged unreacted gas to a certain space area to increase the collection efficiency; Reaction by-product collection device generated during the etching process, characterized in that it comprises.
 청구항 5에 있어서,
상기 포집디스크(221)는 하우징을 구성하는 하우징본체의 내경 크기 정도의 직경을 가지는 원판 디스크로, 미반응가스가 하부 제 3 포집구조체(23) 쪽으로 직접 하강하는 것을 차단하도록 구성된 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 5,
The collecting disk 221 is a disk disk having a diameter about the same as the inner diameter of the housing body constituting the housing, and is configured to block the direct descent of unreacted gas toward the lower third collecting structure 23. Etching, characterized in that A device for collecting reaction by-products generated during the process.
 청구항 5에 있어서,
상기 배출관(222)은 상부가 제 1 포집구조체(21)의 포집원통부(212)의 내측에 위치하도록 돌출되고, 하부는 제 3 포집구조체(23)의 포집플레이트부 상단에 위치하게 구성되고, 돌출된 부위의 상부쪽 일 구간 둘레를 따라 미반응가스 유입용 다수개의 홀(222a)이 다중 배열되어 형성된 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 5,
The discharge pipe 222 protrudes so that the upper part is located inside the collecting cylindrical part 212 of the first collecting structure 21, and the lower part is located at the upper end of the collecting plate part of the third collecting structure 23, An apparatus for collecting reaction by-products generated during an etching process, characterized in that a plurality of holes 222a for inflow of unreacted gas are formed in a multiple arrangement along the circumference of one section of the upper part of the protruding part.
 청구항 1에 있어서,
상기 제 3 포집구조체(23)는 유입된 미반응가스의 흐름을 외곽으로 유도하여 하강시키면서 포집하고 적재하는 포집디스크(231)와; 다수개의 홀(232b)이 형성된 포집플레이트(232a) 다수개가 상기 포집디스크의 상부면에서 원형 배열된 형태로 설치되어 상부로부터 유입된 미반응가스를 머물게 하여 반응부산물을 포집 및 적재하면서 외곽으로 흐르도록 하는 포집플레이트부(232)와; 상기 포집플레이트부의 외곽과 일정 간격 이격되게 원형으로 감싸 포집된 반응부산물의 유출을 방지하면서 미반응가스를 배출시키는 차단벽부(233);를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 1,
The third collecting structure 23 includes a collecting disk 231 that collects and loads the flowing unreacted gas by inducing it to the outside and lowering it; A plurality of collecting plates 232a having a plurality of holes 232b are installed in a circular arrangement on the upper surface of the collecting disk to retain the unreacted gas introduced from the upper portion to collect and load the reaction by-products while flowing to the outside And the collection plate portion 232 to; A blocking wall part 233 for discharging unreacted gas while preventing outflow of the collected reaction byproducts by wrapping them in a circular shape spaced apart from the outside of the collection plate part at a predetermined interval; .
 청구항 8에 있어서,
상기 포집디스크(231)는 둘레를 따라 하부 방향으로 수직하게 돌출되어 미반응가스의 하강 흐름을 가이드하는 띠 형상의 유로가이드부(234)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 8,
The collecting disk 231 protrudes vertically along the circumference in a downward direction and further includes a band-shaped flow guide part 234 for guiding the downward flow of unreacted gas. collection device.
 청구항 8에 있어서,
상기 포집플레이트부(232)는 높이가 상기 차단벽부(233) 보다 높게 형성한 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 8,
The collection plate portion 232 is a reaction by-product collection device generated during the etching process, characterized in that the height is formed higher than the blocking wall portion 233.
 청구항 8에 있어서,
상기 차단벽부(233)는 홀이 형성되지 않은 적어도 2개 이상의 차단벽(223a)이 일정간격 이격되어 원형 배치된 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 8,
The blocking wall portion 233 is a reaction by-product collecting device generated during an etching process, characterized in that at least two or more blocking walls 223a without holes are spaced apart from each other and arranged in a circle.
 청구항 1에 있어서,
상기 제 4 포집구조체(24)는 외곽에서 유입되는 미반응가스를 중앙부로 유도하면서 반응부산물을 포집 및 적재하는 포집디스크(241)와; 상기 포집디스크(241)의 중앙부를 상부로 관통하게 설치되어 포집된 반응부산물의 유출을 방지하면서 미반응가스를 하부로 배출하도록, 상부에 확관부(242a)가 형성된 배출관(242);을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 1,
The fourth collecting structure 24 includes a collecting disk 241 for collecting and loading reaction by-products while guiding unreacted gas introduced from the outer portion to the central portion; A discharge pipe 242 having an expansion pipe 242a formed therein to discharge unreacted gas to the bottom while preventing outflow of the collected reaction byproducts by passing through the central part of the collecting disk 241 upwardly; Reaction by-product collection device generated during the etching process, characterized in that.
 청구항 12에 있어서,
상기 포집디스크(241)는 하우징 본체의 내경 크기 정도의 직경을 가지는 원판 디스크로, 미반응가스가 제 5 포집구조체(25) 쪽으로 직접 하강하는 것을 차단하도록 구성된 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 12,
The collection disk 241 is a disk disk having a diameter about the same as the inner diameter of the housing body, and is configured to block the direct descent of unreacted gas toward the fifth collection structure 25. Reaction occurring during the etching process, characterized in that By-product collection device.
 청구항 12에 있어서,
상기 확관부(242a)는 상부로 갈수록 점차 바깥방향으로 기울어진 사선 형태를 가지고, 둘레를 따라 미반응가스 배출 및 흐름을 유도하는 다수개의 홀(242b)이 다중 배열되어 형성된 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 12,
The expansion part 242a has a diagonal shape gradually inclined outward as it goes upward, and a plurality of holes 242b for inducing discharge and flow of unreacted gas along the circumference are formed in multiple arrangements. A device for collecting reaction by-products generated during
 청구항 1에 있어서,
상기 제 5 포집구조체(25)는 상부에서 중앙부로 유입된 미반응가스의 하부 이동을 차단하면서 외곽을 통해 하부로 흐름을 유도하여 배출시키면서 포집하고 적재하는 포집디스크(251)와; 포집디스크(251)의 하부면에서 둘레 방향을 따라 설치되어 미반응가스의 흐름을 하부로 유도한 후 내부로 유입시켜 수용하는 가스수용부(252)와; 가스수용부(252)의 내측에서 포집디스크(251) 하부면에 설치되어 유입된 미반응가스의 유출을 방지하면서 반응부산물을 다중 포집 후 미반응가스만 가스배출구(13a)로 배출하도록 다수개의 홀(253b)이 형성된 포집플레이트(253a) 다수개가 다단으로 사각 배열된 포집플레이트부(253);를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 1,
The fifth collecting structure 25 includes a collecting disk 251 for collecting and loading unreacted gas introduced from the upper part to the central part while collecting and discharging it by inducing the flow to the lower part through the outer part while blocking the lower movement; a gas receiving portion 252 installed along the circumferential direction on the lower surface of the collecting disk 251 to guide a flow of unreacted gas to the lower portion and then introduce and receive the unreacted gas therein; Installed on the lower surface of the collecting disk 251 inside the gas receiving unit 252 to prevent the outflow of the introduced unreacted gas, multiple holes are collected to discharge only the unreacted gas through the gas outlet 13a after multiple collection of reaction by-products. A collection plate part 253 in which a plurality of collection plates 253a formed with (253b) are arranged squarely in multi-stage; reaction by-product collection device generated during an etching process, characterized in that it includes.
 청구항 15에 있어서,
상기 가스수용부(252)는 하부쪽으로 돌출된 길이가 포집플레이트부(253) 보다 짧게 형성되고, 둘레를 따라 바깥쪽으로 다수개의 체결부(252a)가 형성되어 하우징(1)의 하판(13)에서 상부 방향으로 돌출된 지지부(13b)와 체결되도록 구성된 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.
The method of claim 15
The gas receiving portion 252 has a shorter protruding length than the collecting plate portion 253, and a plurality of fastening portions 252a are formed outward along the circumference so that the lower plate 13 of the housing 1 An apparatus for collecting reaction byproducts generated during an etching process, characterized in that configured to be fastened with the support portion 13b protruding upward.
 청구항 15에 있어서,
상기 포집플레이트부(253)는 포집플레이트(253a)를 사각 배열시 모서리 부분이 붙어 있지 않게 이격시켜 미반응 가스가 유입되도록 하고, 홀(253b) 크기는 최외각에 사각 배열된 포집플레이트(253a)에 형성된 홀(253b)이 가장 크고, 내측에 사각 배열된 포집플레이트(253a)로 갈수록 작은 홀(253b)이 형성된 것을 특징으로 하는 에칭공정 시 발생하는 반응부산물 포집장치.The method of claim 15
The collecting plate unit 253 separates the collecting plates 253a so that the corner portions are not attached when arranged in a square so that unreacted gas flows in, and the size of the hole 253b is the outermost collecting plate 253a arranged in a square The reaction by-product collecting device generated during the etching process, characterized in that the hole 253b formed in is the largest and smaller holes 253b are formed toward the collecting plate 253a arranged in a square on the inside.
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