KR102505883B1 - 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치 - Google Patents

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Abstract

유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치가 개시된다.

Description

유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치{Organic light-emitting device and apparatus including the same}
유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치에 관한 것이다.
유기 발광 소자(organic light-emitting device)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
상기 유기 발광 소자는 기판 상부에 제1전극이 배치되어 있고, 상기 제1전극 상부에 정공 수송 영역(hole transport region), 발광층, 전자 수송 영역(electron transport region) 및 제2전극이 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 상기 제1전극으로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 제2전극으로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치를 제공하는 것이다.
일 측면에 따르면, 제1전극,
제2전극, 및
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 유기층을 포함하고,
상기 유기층은 발광층을 포함하고,
상기 발광층은 제1화합물, 제2화합물, 제3화합물 및 제4화합물을 포함하고,
상기 제1화합물, 상기 제2화합물, 상기 제3화합물 및 상기 제4화합물은 서로 상이하고,
상기 제3화합물은 원자번호 40 이상의 금속 원소를 포함하고,
상기 제4화합물은 보론(B)을 포함하고,
상기 제3화합물 및 상기 제4화합물은 하기 조건 1-1 및 1-2를 만족하고,
상기 제4화합물은 하기 조건 2 또는 3을 만족하는, 유기 발광 소자가 제공된다:
<조건 1-1>
T1(C3)onset ≥ S1(C4)onset
<조건 1-2>
T1(C3)max ≥ S1(C4) max
<조건 2>
KRISC(C4) ≥ 103 S-1
<조건 3>
f(C4) ≥ 0.1
상기 조건 1-1, 1-2, 2 및 3 중,
S1(C4)onset은 상기 제4화합물의 광 발광(Photoluminescence: PL) 스펙트럼의 온셋(onset) 파장(λonset)에서의 일중항 에너지이고;
T1(C3)onset은 상기 제3화합물의 광 발광 스펙트럼의 온셋 파장에서의 삼중항 에너지이고;
S1(C4)max는 상기 제4화합물의 광 발광 스펙트럼의 최대 발광 파장(λmax)에서의 일중항 에너지이고;
T1(C3)max은 상기 제3화합물의 광 발광 스펙트럼의 최대 발광 파장에서의 삼중항 에너지이고;
KRISC(C4)는 상기 제4화합물의 역항간교차(Reverse Intersystem Crossing : RISC) 상수이고;
f(C4)는 상기 제4화합물의 진동자 강도(oscillation strength) 이다.
다른 측면에 따르면, 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 포함한 박막 트랜지스터 및 상술한 유기 발광 소자를 포함하고, 상기 유기 발광 소자의 제1전극이 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결된, 장치가 제공된다.
상기 유기 발광 소자는 고효율 및 장수명을 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
명세서 중 "유기층"은 상기 유기 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 단일 및/또는 복수의 모든 층을 가리키는 용어이다. 상기 "유기층"의 층에 포함된 물질이 유기물로 한정되는 것은 아니다.
상기 유기 발광 소자는 제1전극,
제2전극, 및
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 유기층을 포함하고,
상기 유기층은 발광층을 포함하고,
상기 발광층은 제1화합물, 제2화합물, 제3화합물 및 제4화합물을 포함하고,
상기 제1화합물, 상기 제2화합물, 상기 제3화합물 및 상기 제4화합물은 서로 상이하고,
상기 제3화합물은 원자번호 40 이상의 금속 원소를 포함하고,
상기 제4화합물은 보론(B)을 포함하고,
상기 제3화합물 및 상기 제4화합물은 하기 조건 1-1 및 1-2를 만족하고,
상기 제4화합물은 하기 조건 2 또는 3을 만족한다:
<조건 1-1>
T1(C3)onset ≥ S1(C4)onset
<조건 1-2>
T1(C3)max ≥ S1(C4) max
<조건 2>
KRISC(C4) ≥ 103 S-1
<조건 3>
f(C4) ≥ 0.1
상기 조건 1-1, 1-2, 2 및 3 중,
S1(C4)onset은 상기 제4화합물의 광 발광(Photoluminescence: PL) 스펙트럼의 온셋(onset) 파장(λonset)에서의 일중항 에너지이고;
T1(C3)onset은 상기 제3화합물의 광 발광 스펙트럼의 온셋 파장에서의 삼중항 에너지이고;
S1(C4)max는 상기 제4화합물의 광 발광 스펙트럼의 최대 발광 파장(λmax)에서의 일중항 에너지이고;
T1(C3)max은 상기 제3화합물의 광 발광 스펙트럼의 최대 발광 파장에서의 삼중항 에너지이고;
KRISC(C4)는 상기 제4화합물의 역항간교차(Reverse Intersystem Crossing: RISC) 상수이고;
f(C4)는 상기 제4화합물의 진동자 강도(oscillation strength) 이다.
명세서 중, "온셋(onset) 파장에서의 일중항 에너지"는 PL 스펙트럼이 시작되는 부분에서의 일중항 에너지를 의미하며, 상기 PL 스펙트럼을 2차 함수로 플로팅(plotting)하여 얻어진 함수의 파장축과 만나는 점(즉, x 절편)에서의 일중항 에너지로부터 계산될 수 있다.
명세서 중, "온셋(onset) 파장에서의 삼중항 에너지"는 PL 스펙트럼이 시작되는 부분에서의 삼중항 에너지를 의미하며, 상기 PL 스펙트럼을 2차 함수로 플로팅(plotting)하여 얻어진 함수의 파장축과 만나는 점(즉, x 절편)에서의 삼중항 에너지로부터 계산될 수 있다.
이 때, 상온 PL 스펙트럼은 화합물을 1 Ⅹ 10-5 M 농도로 톨루엔에 녹여 상온에서 PL 측정기기를 이용하여 측정하였고, 저온 PL 스펙트럼은 화합물을 1 Ⅹ 10-5 M 농도로 THF에 녹여 저온(77K)에서 측정함으로써 얻어졌다. 상온 PL 스펙트럼과 비교하여 저온에서만 관측되는 피크만을 분석하여 이로부터 일중항 에너지 레벨 및 삼중항 에너지 레벨을 도출해 냈다.
KRISC(C4)는 하기 식 1로부터 계산되었다:
<식 1>
Figure 112019101713535-pat00001
상기 식 1 중,
Figure 112019101713535-pat00002
은 상기 제4화합물의 트랜지언트 전계 발광(transient electroluminescence) 스펙트럼 측정으로부터 도출되는 즉시(prompt) 발광 성분의 광 발광(photoluminescence) 양자 수율이고,
Figure 112019101713535-pat00003
은 상기 제4화합물의 S1으로부터 S0으로의 방사 소멸 속도 상수(radiative decay rate constant)이고, 하기 식에 의해 계산되었다.
<식 2>
Figure 112019101713535-pat00004
Figure 112019101713535-pat00005
은 상기 제4화합물의 트랜지언트 전계 발광 스펙트럼 측정으로부터 도출되는 즉시 발광 성분의 수명이고,
Figure 112019101713535-pat00006
은 상기 제4화합물의 트랜지언트 전계 발광 스펙트럼 측정으로부터 도출되는 지연 발광 성분의 수명이다.
f(C4)는 비경험적 분자 궤도법에 의해 계산되었다. 구체적으로 Gaussian 사의 Gaussian 09를 사용하여 B3LYP/6-31G(d)로 계산되었다.
예를 들어, 상기 제1화합물은 하기 화학식 1로 표시되고,
상기 제2화합물은 하기 화학식 10로 표시되고,
상기 제3화합물은 하기 화학식 3으로 표시되고,
상기 제4화합물은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다:
<화학식 1>
Figure 112019101713535-pat00007
<화학식 10>
Figure 112019101713535-pat00008
<화학식 3>
M31(L31)n31(L32)n32
<화학식 3A> <화학식 3B>
Figure 112019101713535-pat00009
<화학식 3C> <화학식 3D>
Figure 112021107675452-pat00135
<화학식 4>
Figure 112019101713535-pat00011
상기 화학식 1, 3, 4 및 10 중,
X11은 O, S, N(R19) 및 C(R19)(R20) 중에서 선택되고;
R11 내지 R20은 서로 독립적으로, *-(L11)a11-A11로 표시되는 기, 수소, 중수소, C1-C60알킬기, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2) 및 -N(Q1)(Q2);
중수소, C1-C60알킬기, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q31)(Q32)(Q33), -Si(Q31)(Q32)(Q33), -B(Q31)(Q32) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹; 및
중수소, C1-C60알킬기, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q21)(Q22)(Q23), -Si(Q21)(Q22)(Q23), -B(Q21)(Q22) 및 -N(Q21)(Q22) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹 중에서 선택되고;
L11은 π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q1)(Q2)-, -Si(Q1)(Q2)-, -B(Q1)- 및 -N(Q1)-; 및
중수소, C1-C60알킬기, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q31)(Q32)(Q33), -Si(Q31)(Q32)(Q33), -B(Q31)(Q32) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹; 중에서 선택되고;
a11은 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
A11은 π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹;
중수소, C1-C60알킬기, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q31)(Q32)(Q33), -Si(Q31)(Q32)(Q33), -B(Q31)(Q32) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹; 및
중수소, C1-C60알킬기, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q21)(Q22)(Q23), -Si(Q21)(Q22)(Q23), -B(Q21)(Q22) 및 -N(Q21)(Q22) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹 중에서 선택되고;
L101 내지 L103은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C5-C30카보시클릭 그룹 및 치환 또는 비치환된 C1-C30헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고,
a101 내지 a103은 서로 독립적으로, 0, 1 및 2 중에서 선택되고;
R101 내지 R103은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -N(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2) 및 -P(=S)(Q1)(Q2) 중에서 선택되고;
M31은 1주기 전이금속, 2주기 전이금속 및 3주기 전이금속 중에서 선택되고;
L31은 상기 화학식 3A 내지 3D로 표시되는 리간드이고;
L32는 1자리(monodentate) 리간드, 2자리(bidentate) 리간드 및 3자리 리간드 중에서 선택되고;
n31은 1 및 2 중에서 선택되고;
n32는 0, 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
A31 내지 A34는 서로 독립적으로, C5-C30카보시클릭 그룹 및 C1-C30헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고;
T31 내지 T34는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-C(R35)(R36)-*', *-C(R35)=C(R36)-*', *-C(R35)=*', *-Si(R35)(R36)-*', *-B(R35)-*', *-N(R35)-*' 및 *-P(R35)-*' 중에서 선택되고;
k31 내지 k34은 서로 독립적으로, 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
Y31 내지 Y34는 서로 독립적으로, 단일 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(R37)(R38)-*', *-Si(R37)(R38)-*', *-B(R37)-*', *-N(R37)-*' 및 *-P(R37)-*' 중에서 선택되고;
*1, *2, *3 및 *4는 M31과의 결합 사이트이고;
R31 내지 R38은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -N(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2) 및 -P(=S)(Q1)(Q2) 중에서 선택되고, R31 내지 R38는 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
b31 내지 b34는 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수 중에서 선택되고,
X41은 N, B, P(=)(R44) 또는 P(=S)(R44)이고,
Y41 내지 Y43는 서로 독립적으로, O, S, N(R45), B(R45), C(R45)(R46) 또는 Si(R45)(R46)이고,
k41은 0 또는 1이되, k41이 0이면 -(Y41)k41-은 존재하지 않고,
A41 내지 A43은 서로 독립적으로, C5-C30카보시클릭 그룹 및 C1-C30헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고;
R41 내지 R46은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -N(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2) 및 -P(=S)(Q1)(Q2) 중에서 선택되고, R41 내지 R46은 선택적으로 서로 결합하여, 치환되거나 비치환된 C5-C30카보시클릭 그룹 및 C1-C30헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
b41 내지 b43은 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수 중에서 선택되고,
Q1 내지 Q3, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, C1-C60헤테로아릴옥시기, C1-C60헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택된다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, R11 내지 R19 중 적어도 하나는 *-(L11)a11-A11로 표시되는 기일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, X11은 N(R19)일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, R11 내지 R20은 서로 독립적으로, *-(L11)a11-A11로 표시되는 기, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2) 및 -N(Q1)(Q2);
중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33), -Si(Q31)(Q32)(Q33), -B(Q31)(Q32) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기 및 디나프토티오페닐기; 및
중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, -C(Q21)(Q22)(Q23), -Si(Q21)(Q22)(Q23), -B(Q21)(Q22) 및 -N(Q21)(Q22) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기 및 디나프토티오페닐기 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기 및 디나프토티오페닐기 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, L11은 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 페날렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 페난트렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 페릴렌 그룹, 플루오렌 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, -C(Q1)(Q2)- 및 -Si(Q1)(Q2)-; 및
중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33) 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 페날렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 페난트렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 페릴렌 그룹, 플루오렌 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹; 중에서 선택될 수 있다.
다른 예로서, 상기 화학식 1 중, L11은 벤젠 그룹, 플루오렌 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹, -C(Q1)(Q2)- 및 -Si(Q1)(Q2)-; 및
중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33) 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 벤젠 그룹, 플루오렌 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹; 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, a11은 1 및 2 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, A11은 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기 및 디나프토티오페닐기;
중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33), -Si(Q31)(Q32)(Q33), -B(Q31)(Q32) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기 및 디나프토티오페닐기; 및
중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, -C(Q21)(Q22)(Q23), -Si(Q21)(Q22)(Q23), -B(Q21)(Q22) 및 -N(Q21)(Q22) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기 및 디나프토티오페닐기 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기 및 디나프토티오페닐기 중에서 선택될 수 있다.
다른 예로서, 상기 화학식 1 중, A11은 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33) 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, -C(Q21)(Q22)(Q23) 및 -Si(Q21)(Q22)(Q23) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택될 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 화학식 1 중, A11은 하기 화학식 8-1 내지 8-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
Figure 112019101713535-pat00012
상기 화학식 8-1 내지 8-5 중,
X81은 O, S, N(R89) 및 C(R89)(R90) 중에서 선택되고;
R81 내지 R90은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되고;
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
Figure 112019101713535-pat00013
상기 화학식 1-1 내지 1-5 중,
L11, a11, A11 및 R11 내지 R19는 각각 상기 화학식 1 중의 정의를 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 1-1 내지 1-5 중, A11은 하기 화학식 8-1 내지 8-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
Figure 112019101713535-pat00014
상기 화학식 8-1 내지 8-5 중,
X81은 O, S, N(R89) 및 C(R89)(R90) 중에서 선택되고;
R81 내지 R90은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되고;
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
예를 들어, 상기 화학식 10 중, L101 내지 L103은 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 페날렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 페난트렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 페릴렌 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 벤조이소퀴놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 벤조퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 벤조퀴나졸린 그룹, 플루오렌 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹; 및
중수소, -F, 시아노기, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, 인데노플루오레닐기, 인돌로플루오레닐기, 벤조퓨로플루오레닐기, 벤조티에노플루오레닐기, 인데노카바졸일기, 인돌로카바졸일기, 벤조퓨로카바졸일기, 벤조티에노카바졸일기, 인데노디벤조퓨라닐기, 인돌로디벤조퓨라닐기, 벤조퓨로디벤조퓨라닐기, 벤조티에노디벤조퓨라닐기, 인데노디벤조티오페닐기, 인돌로디벤조티오페닐기, 벤조퓨로디벤조티오페닐기, 벤조티에노디벤조티오페닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 아자플루오레닐기, 아자카바졸일기, 아자디벤조퓨라닐기, 아자디벤조티오페닐기, 디아자플루오레닐기, 디아자카바졸일기, 디아자디벤조퓨라닐기 및 디아자디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 페날렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 페난트렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 페릴렌 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 벤조이소퀴놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 벤조퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 벤조퀴나졸린 그룹, 플루오렌 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조퓨란 그룹 및 디벤조티오펜 그룹; 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 10 중, a101 내지 a103은 서로 독립적으로, 0 및 1 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 10 중, R101 내지 R103은 서로 독립적으로, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 벤조퀴녹살리닐기, 벤조퀴나졸리닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 아자플루오레닐기, 아자카바졸일기, 아자디벤조퓨라닐기, 아자디벤조티오페닐기, 디아자플루오레닐기, 디아자카바졸일기, 디아자디벤조퓨라닐기, 디아자디벤조티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33), -Si(Q31)(Q32)(Q33), -B(Q31)(Q32), -N(Q31)(Q32), -P(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31), -P(=O)(Q31)(Q32) 및 -P(=S)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나의 치환기로 치환되거나 비치환된, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 벤조퀴녹살리닐기, 벤조퀴나졸리닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 아자플루오레닐기, 아자카바졸일기, 아자디벤조퓨라닐기, 아자디벤조티오페닐기, 디아자플루오레닐기, 디아자카바졸일기, 디아자디벤조퓨라닐기 및 디아자디벤조티오페닐기; 및
-C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -N(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2) 및 -P(=S)(Q1)(Q2) 중에서 선택되고;
Q1 내지 Q3 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 벤조퀴녹살리닐기, 벤조퀴나졸리닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 아자플루오레닐기, 아자카바졸일기, 아자디벤조퓨라닐기, 아자디벤조티오페닐기, 디아자플루오레닐기, 디아자카바졸일기, 디아자디벤조퓨라닐기 및 디아자디벤조티오페닐기 중에서 선택될 수 있다.
다른 예로서, 상기 화학식 10 중, R101 내지 R103은 서로 독립적으로, 중수소, C1-C10알킬기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33) 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택된 적어도 하나의 치환기로 치환되거나 비치환된, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-C(Q1)(Q2)(Q3) 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3); 중에서 선택되고;
Q1 내지 Q3 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택될 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 화학식 10 중, R101 내지 R103 중 적어도 하나는 하기 화학식 11-1로 표시되는 그룹, 하기 화학식 11-2로 표시되는 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3) 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3); 중에서 선택될 수 있다:
<화학식 11-1> <화학식 11-2>
Figure 112019101713535-pat00015
상기 화학식 11-1 및 11-2 중,
Y111은 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33) 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택되고;
R111 내지 R114는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C10알킬기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33) 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택되고;
Q1 내지 Q3 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되고;
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
예를 들어, 상기 화학식 3 중, M31은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 터븀(Tb) 및 툴륨(Tm) 중에서 선택될 수 있다.
다른 예로서, 상기 화학식 3 중, M31은 Pt 및 Ir 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 3A 내지 3D 중, A31 내지 A34는 서로 독립적으로, i) 제1고리, ii) 제2고리, iii) 2 이상의 제1고리가 서로 축합된 축합환, iv) 2 이상의 제2고리가 서로 축합된 축합환 또는 v) 1 이상의 제1고리와 1 이상의 제2고리가 서로 축합된 축합환이고;
상기 제1고리는 시클로펜탄 그룹, 시클로펜텐 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 피롤 그룹, 보롤 그룹, 포스폴 그룹, 실롤 그룹, 저몰 그룹, 셀레노펜 그룹, 옥사졸 그룹, 디히드로옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 디히드로이속사졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 디히드로옥사디아졸 그룹, 이속사디아졸 그룹, 디히드로이속사디아졸 그룹, 옥사트리아졸 그룹, 디히드로 옥사트리아졸 그룹, 이속사트리아졸 그룹, 디히드로이속사트리아졸 그룹, 티아졸 그룹, 디히드로티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 디히드로이소티아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 디히드로티아디아졸 그룹, 이소티아디아졸 그룹, 디히드로이소티아디아졸 그룹, 티아트리아졸 그룹, 디히드로티아트리아졸 그룹, 이소티아트리아졸 그룹, 디히드로이소티아트리아졸 그룹, 피라졸 그룹, 디히드로피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 디히드로이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 디히드로트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 디히드로테트라졸 그룹, 아자실롤 그룹, 다이아자실롤 그룹 및 트리아자실롤 그룹 중에서 선택되고,
상기 제2고리는 시클로헥산 그룹, 시클로헥센 그룹, 시클로헥사디엔 그룹, 아다만탄(admantane) 그룹, 노르보난(norbornane) 그룹, 노르보넨 그룹, 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 디히드로피리딘 그룹, 테트라히드로피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 디히드로피리미딘 그룹, 테트라히드로피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 디히드로피라진 그룹, 테트라히드로피라진 그룹, 피리다진 그룹, 디히드로피리다진 그룹, 테트라히드로피리다진 그룹 및 트리아진 그룹 중에서 선택될 수 있다.
다른 예로서, 상기 화학식 3A 내지 3D 중, A31 내지 A34는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 실롤 그룹, 인덴 그룹, 플루오렌 그룹, 벤조퓨란 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 벤조티오펜 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 벤조실롤 그룹, 디벤조실롤 그룹, 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 인데노피리딘 그룹, 인돌로피리딘 그룹, 벤조퓨로피리딘 그룹, 벤조티에노피리딘 그룹, 벤조실롤로피리딘 그룹, 인데노피리미딘 그룹, 인돌로피리미딘 그룹, 벤조퓨로피리미딘 그룹, 벤조티에노피리미딘 그룹, 벤조실롤로피리미딘 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 시놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 페난트롤린 그룹, 피롤 그룹, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 디히드로이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 디히드로트리아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 디히드로옥사졸 그룹, 이소옥사졸 그룹, 티아졸 그룹, 디히드로티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 디히드로옥사디아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 디히드로티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 디히드로벤즈이미다졸 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹, 이미다조피라진 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 디히드로벤조옥사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 디히드로벤조티아졸 그룹, 벤조옥사디아졸 그룹, 디히드로벤조옥사디아졸 그룹, 벤조티아디아졸 그룹 및 디히드로벤조티아디아졸 그룹 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 3A 내지 3D 중, T31 내지 T34는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(R35)(R36)-*' 및 *-N(R35)-*' 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 3A 내지 3D 중, Y31 내지 Y34는 서로 독립적으로, 단일 결합, *-O-*' 및 *-S-*' 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 3A 내지 3D 중, R31 내지 R38은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 아자플루오레닐기, 아자카바졸일기, 아자디벤조퓨라닐기, 아자디벤조티오페닐기, 디아자플루오레닐기, 디아자카바졸일기, 디아자디벤조퓨라닐기 및 디아자디벤조티오페닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 아자플루오레닐기, 아자카바졸일기, 아자디벤조퓨라닐기, 아자디벤조티오페닐기, 디아자플루오레닐기, 디아자카바졸일기, 디아자디벤조퓨라닐기 및 디아자디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 아자플루오레닐기, 아자카바졸일기, 아자디벤조퓨라닐기, 아자디벤조티오페닐기, 디아자플루오레닐기, 디아자카바졸일기, 디아자디벤조퓨라닐기 및 디아자디벤조티오페닐기; 및
-B(Q1)(Q2) 및 -N(Q1)(Q2); 중에서 선택되고;
Q1 및 Q2는 서로 독립적으로, 수소, 중수소 및 C1-C20알킬기;
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 아자플루오레닐기, 아자카바졸일기, 아자디벤조퓨라닐기, 아자디벤조티오페닐기, 디아자플루오레닐기, 디아자카바졸일기, 디아자디벤조퓨라닐기 및 디아자디벤조티오페닐기;
중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 아자플루오레닐기, 아자카바졸일기, 아자디벤조퓨라닐기, 아자디벤조티오페닐기, 디아자플루오레닐기, 디아자카바졸일기, 디아자디벤조퓨라닐기 및 디아자디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조플루오레닐기, 벤조카바졸일기, 벤조나프토퓨라닐기, 벤조나프토티오페닐기, 디벤조플루오레닐기, 디벤조카바졸일기, 디나프토퓨라닐기, 디나프토티오페닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 아자플루오레닐기, 아자카바졸일기, 아자디벤조퓨라닐기, 아자디벤조티오페닐기, 디아자플루오레닐기, 디아자카바졸일기, 디아자디벤조퓨라닐기 및 디아자디벤조티오페닐기; 중에서 선택될 수 있다.
다른 예로서, 상기 화학식 3A 내지 3D 중, R31 내지 R38은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기 및 부톡시기;
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
-B(Q1)(Q2) 및 -N(Q1)(Q2); 중에서 선택되고;
Q1 및 Q2는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기 및 tert-부틸기;
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중수소, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 크라이세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 중에서 선택될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3화합물은 하기 화학식 3-1 및 3-2 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
<화학식 3-1> <화학식 3-2>
Figure 112021107675452-pat00136
상기 화학식 3-1 및 3-2 중,
X31 내지 X40은 서로 독립적으로, N 및 C 중에서 선택되고,
나머지 구성 요소에 대한 설명은 전술한 바를 참조한다.
상기 화학식 3-1 및 3-2 중, X31 및 X32은 A31의 고리원이고, X33 내지 X40도 상기 화학식 3-1, 3-2, X31 및 X32를 참조하여 이해될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 4 중, X41은 N 및 B 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 4 중, Y41 내지 Y43는 서로 독립적으로, O, S, N(R45) 및 B(R45) 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 4 중, A41 내지 A43은 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 벤조이소퀴놀린 그룹, 2,6-나프티리딘 그룹, 1,8-나프티리딘 그룹, 1,5-나프티리딘 그룹, 1,6-나프티리딘 그룹, 1,7-나프티리딘 그룹, 2,7-나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 페난트리딘 그룹, 페난트롤린 그룹, 벤조퓨란 그룹, 벤조티오펜 그룹, 인덴 그룹, 인돌 그룹, 퓨로피리딘 그룹, 티에노피리딘 그룹, 시클로펜타피리딘 그룹, 피롤로피리딘 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 플루오렌 그룹, 카바졸 그룹, 벤조나프토퓨란 그룹, 벤조나프토티오펜 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 벤조카바졸 그룹, 디나프토퓨란 그룹, 디나프토티오펜 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 디벤조카바졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤즈이미다졸 그룹, 나프토퓨란, 나프토티오펜, 스파이로-바이플루오렌 그룹 및 스파이로-플루오렌-인덴 그룹; 및
하기 화학식 4A로 표시된 그룹 중에서 선택될 수 있다:
<화학식 4A>
Figure 112019101713535-pat00017
상기 화학식 4A 중,
X42는 상기 화학식 4 중의 X41에 대한 설명을 참조하고;
Y44 내지 Y46는 상기 화학식 4 중의 Y41 내지 Y43에 대한 설명을 참조하고;
k44는 상기 화학식 4 중의 k41에 대한 설명을 참조하고;
A44 내지 A46는 상기 화학식 4 중의 A41 내지 A43에 대한 설명을 참조하고;
R47 내지 R48은 상기 화학식 4 중의 R41에 대한 설명을 참조하고;
b47 내지 b49는 상기 화학식 4 중의 b41에 대한 설명을 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 4 중, R41 내지 R46은 서로 독립적으로, R31에 대한 설명을 참조한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제4화합물은 화학식 4-1로 표시될 수 있다:
<화학식 4-1>
Figure 112019101713535-pat00018
상기 화학식 4-1 중,
각 구성 요소에 대한 설명은 전술한 바를 참조한다.
다른 실시예에 있어서, 상기 제4화합물은 하기 화학식 4-11 및 4-12 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
<화학식 4-11> <화학식 4-12>
Figure 112019101713535-pat00019
상기 화학식 4-11 및 4-12 중,
R41a 내지 R41d, R42a 내지 R42d, R43a 내지 R43c, R47a 내지 R47d, R48a, R48b 및 R49a 내지 R49c는 상기 화학식 4 중의 R41에 대한 설명을 참조하고;
나머지 구성 요소에 대한 설명은 전술한 바를 참조한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1화합물은 하기 그룹 I 중에서 선택되고;
상기 제2화합물은 하기 그룹 II 중에서 선택되고;
상기 제3화합물은 하기 그룹 III-I 및 III-II 중에서 선택되고;
상기 제4화합물은 하기 그룹 IV 중에서 선택될 수 있다:
<그룹 I>
Figure 112019101713535-pat00020
Figure 112019101713535-pat00021
Figure 112019101713535-pat00022
<그룹 II>
Figure 112019101713535-pat00023
Figure 112019101713535-pat00024
Figure 112019101713535-pat00025
Figure 112019101713535-pat00026
Figure 112019101713535-pat00027
<그룹 III-I>
Figure 112019101713535-pat00028
Figure 112019101713535-pat00029
Figure 112019101713535-pat00030
<그룹 III-II>
Figure 112019101713535-pat00031
Figure 112019101713535-pat00032
Figure 112019101713535-pat00033
Figure 112019101713535-pat00034
Figure 112019101713535-pat00035
Figure 112019101713535-pat00036
Figure 112019101713535-pat00037
Figure 112019101713535-pat00038
Figure 112019101713535-pat00039
<그룹 IV>
Figure 112019101713535-pat00040
Figure 112019101713535-pat00041
Figure 112019101713535-pat00042
Figure 112019101713535-pat00043
Figure 112019101713535-pat00044
Figure 112019101713535-pat00045
상기 제1화합물, 상기 제2화합물 및 상기 제3화합물은 실질적으로 발광하지 않을 수 있다.
구체적으로, 상기 제3화합물은 발광하지 않는 대신, 조건 1-1 및 1-2를 만족함으로써, 항간 교차(intersystem crossing: ISC)가 활발히 일어나며, 이로 인해 제1화합물 및 제2화합물에서 생성된 삼중항 엑시톤이 제4화합물까지 전달될 수 있게 한다.
이에 따라, 발광층에서 생성된 일중항 엑시톤 및 삼중항 엑시톤을 모두 제4화합물에 전달함으로써, 효율이 향상된 유기 발광 소자를 얻을 수 있다. 뿐만 아니라, 손실되는 에너지가 현저히 줄어든 유기 발광 소자를 얻을 수 있기 때문에, 상기 유기 발광 소자의 수명 특성도 향상될 수 있다.
또한, 엑시톤이 제3화합물에서 전이된 후에 제4화합물로 다시 전이되므로 엑시톤의 에너지에 의한 제4화합물의 열화 현상이 억제되어 수명 특성이 향상될 수 있다.
상기 제3화합물의 최저 여기 삼중항 에너지 레벨은 2.5 eV 내지 3.5 eV일 수 있다. 이로 인해, 상기 제3화합물의 최저 여기 삼중항 에너지 레벨이 상기 제4화합물의 최저 여기 일중항 에너지 레벨 이상일 수 있어, 상기 제3화합물의 최저 여기 삼중항 엑시톤이 제4화합물의 최저 여기 일중항 레벨로 잘 전달될 수 있다
상기 제4화합물이 발광하며, 상기 제4화합물은 지연 형광 에미터일 수 있다.
구체적으로, 상기 제4화합물은 열활성화 지연 형광(TADF) 에미터일 수 있다.
상기 제4화합물은 화합물 내에서 쌍극자가 형성됨으로써, 발광 효율이 향상될 수 있다 또한, 상기 제4화합물은 조건 2 또는 3을 만족하기 때문에 역항간 교차(Reverse Inter System Crossing, RISC)를 통해 삼중항 상태의 엑시톤의 손실 없이 일중항 상태로 전달할 수 있기 때문에 발광 효율이 향상될 수 있다
상기 제3화합물 및 상기 제4화합물은 T1(C3)onset - S1(C4)onset은 3.0 eV이하이고, T1(C3)max - S1(C4)max은 3.0 eV이하일 수 있다. 더욱 구체적으로, 상기 제3화합물 및 상기 제4화합물은 T1(C3)onset - S1(C4)onset은 2.8 eV 내지 3.0 eV이고, T1(C3)max - S1(C4)max은 2.8 eV 내지 3.0 eV일 수 있다. 전술한 범위를 만족하면, 더욱 구체적으로, 상기 발광층으로부터 방출되는 전체 발광 성분 중, 상기 제4화합물로부터 방출되는 발광 성분의 비율이 80% 이상일 수 있다.상기 제4화합물은 420 nm 내지 490 nm 범위의 최대 발광 파장을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로, 발광층 중의 상기 제4화합물은 엑시톤을 형성하는데 직접 참여하지 않고, 형성된 엑시톤으로부터 에너지를 전달받아 청색 지연 형광을 방출할 수 있다.
상기 제4화합물은 하기 조건 A를 만족할 수 있다:
<조건 A>
△EST(C4) ≤ 0.3 eV
상기 조건 A 중,
△EST(C4)는 상기 제4화합물의 최저 여기 일중항 에너지 레벨(S1(C4))과 최저 여기 삼중항 에너지 레벨(T1(C4))의 차이이다.
여기서, S1(C4) 및 T1(C4)는 각각 B3LYP/6-31G(d,p) 수준에서 구조 최적화한 Gaussian 프로그램의 DFT 방법을 이용하여 평가될 수 있다.
상기 조건 A를 만족하면, 상온에서도 충분히 높은 RISC 효율을 가질 수 있다.
상기 제4화합물은 T1 준위는 통상적인 형광 도펀트의 T1 준위에 비해 상대적으로 높은데, 이로 인해 RISC(역 항간 전이)가 원활할 수 있다.
통상적인 형광 도펀트, 예를 들어, DCJTB의 경우 T1 준위가 제3화합물의 T1 준위에 비해 상당히 낮아, 제3화합물에서 생성된 T1 준위에 있는 엑시톤이 형광 도펀트의 T1 준위로 전이될 확률이 높고, 전이한 후 발광에 참여하지 못하고 소광될 확률도 높다. 또한, 형광 도판트의 낮은 T1으로 인해 제1화합물 및 제2화합물에서 생성된 삼중항 엑시톤이 제3화합물의 T1이 아닌 형광 도판트의 T1으로 넘어가면서 발광에 참여하지 못하고 소광될 확률이 높다. 이로 인해서 제4화합물을 다른 통상적인 형광 도펀트로 대체하기는 매우 어렵다.
상기 제4화합물은 상온에서도 충분히 높은 RISC 효율을 가지기 때문에 제3화합물의 T1 준위에 있는 엑시톤이 제4화합물의 T1 준위로 에너지 이동한다고 하더라도 상기 제4화합물의 T1 준위에 있는 엑시톤은 다시 제4화합물의 S1 준위로 역 항간 전이 한 후 형광으로 방출되므로 엑시톤이 소광되는 것은 아니다. 따라서, 엑시톤 소광 확률이 매우 줄어들 수 있어 발광 효율이 향상될 수 있다. 또한, 엑시톤이 제3화합물에서 전이된 후에 제4화합물로 다시 전이되므로, 엑시톤 에너지에 의한 제4화합물의 열화 현상이 억제되어 수명 특성도 향상될 수 있다.
일반적으로, 전자 수송 영역으로부터 발광층으로 전자가 원활하게 주입되지 못하면, 발광층과 전자 수송 영역 계면에 전하가 축적되어 상기 계면이 열화되고, 반대로 정공 수송 영역으로부터 발광층으로 정공이 원활하게 주입되지 못하면, 발광층과 정공 수송 영역의 계면에 전하가 축적되어 상기 계면이 열화므로, 이로 인한 유기 발광 소자의 수명 저하가 발생할 수 있다.
상기 제2화합물은 전자 수송성 모이어티를 반드시 포함하는 화합물이기 때문에, 상기 유기 발광 소자의 전자 수송 특성을 조절하는데 용이하게 이용될 수 있고, 상기 제1화합물은 전자 수송성 모이어티를 비포함하는 화합물이기 때문에, 유기 발광 소자의 정공 수송 특성을 조절하는데 용이하게 이용될 수 있다. 이를 통해, 상기 유기 발광 소자의 발광층 내의 전하 균형을 최적화할 수 있다.
상기 발광층 내에서 상기 제1화합물은 상기 발광층의 총 중량을 기준으로 10 내지 90 중량%일 수 있다.
상기 발광층 내에서 상기 제2화합물은 상기 발광층의 총 중량을 기준으로 10 내지 90 중량%일 수 있다.
상기 발광층 내에서 상기 제3화합물의 함량은 상기 제4화합물의 함량보다 크거나 같을 수 있다.
상기 발광층 내에서 상기 제4화합물은 상기 발광층의 총 중량을 기준으로 0.25 내지 5 중량%일 수 있다.
상기 제4화합물의 함량이 상기 제1화합물 및 상기 제2화합물의 함량의 총 합 100 중량부 당 0.01 내지 20 중량부의 범위일 수 있다.
상기 제1화합물, 상기 제2화합물 및 상기 제3화합물이 전술한 범위를 만족하면, 효율 및 수명이 동시에 향상된 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광층은 상기 제1화합물, 상기 제2화합물, 제3화합물 및 상기 제4화합물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1전극이 애노드이고, 상기 제2전극이 캐소드이고, 상기 유기층은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 수송 영역 및/또는 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 배치된 전자 수송 영역을 더 포함하고, 상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광 보조층, 전자 저지층 또는 이의 임의의 조합을 포함하고, 상기 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 정공 저지층은 정공 저지 재료를 포함할 수 있다.
상기 정공 저지 재료는 상기 제2화합물과 동일하거나, 상이할 수 있다. 구체적으로, 상기 정공 저지 재료는 상기 제2화합물과 상이할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1화합물, 상기 제2화합물 및 상기 정공 저지 재료는 하기 조건 4 및 5를 만족할 수 있다:
<조건 4>
T1(HB) ≥ T1(C1)
<조건 5>
T1(HB) ≥ T1(C2)
상기 조건 4 및 5 중,
T1(C1)는 상기 제1화합물의 최저 여기 삼중항 에너지 레벨이고;
T1(C2)는 상기 제2화합물의 최저 여기 삼중항 에너지 레벨이고;
T1(HB)는 상기 정공 저지 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 레벨이고;
T1(C1), T1(C2) 및 T1(HB)는 각각 onset 값으로서, 측정 값이다. T1(C1), T1(C2) 및 T1(HB)의 측정 방법은 각각 T1(C3)onset에 대한 설명을 참조한다.
상기 조건 4 및 5를 만족하면, 제1화합물 및 제2화합물에서 생성된 삼중항 엑시톤이 발광층에서 전자 수송층으로 넘어가는 것을 억제할 수 있다.
구체적으로, 상기 제1화합물, 상기 제2화합물 및 상기 정공 저지 재료는 하기 조건 4-1 및 5-1를 만족할 수 있다:
<조건 4-1>
0.3 eV > T1(HB) - T1(C1) ≥ 0 eV
<조건 5-1>
0.3 eV > T1(HB) - T1(C2) ≥ 0 eV.
상기 정공 저지 재료는 상기 화학식 10으로 표시될 수 있다. 화학식 10에 대한 설명은 상술한 바를 참조한다.
일 실시예에 있어서, 상기 정공 저지 재료는 하기 그룹 V 중에서 선택될 수 있다:
<그룹 V>
Figure 112019101713535-pat00046
Figure 112019101713535-pat00047
Figure 112019101713535-pat00048
Figure 112019101713535-pat00049
Figure 112019101713535-pat00050
[도 1에 대한 설명]
도 1은 본 발명의 일 실시예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 상기 유기 발광 소자(10)는 제1전극(110), 유기층(150) 및 제2전극(190)을 포함한다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 구조 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
[제1전극(110)]
도 1의 제1전극(110)의 하부 또는 제2전극(190)의 상부에는 기판이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기판으로는, 기계적 강도, 열안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
상기 제1전극(110)은, 예를 들면, 기판 상부에, 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(110)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록, 제1전극용 물질은, 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다.
상기 제1전극(110)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 투과형 전극인 제1전극(110)을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질은, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 및 이의 임의의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 제1전극(110)을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질은, 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 및 이의 임의의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(110)은 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(110)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[유기층(150)]
상기 제1전극(110) 상부에는 유기층(150)이 배치되어 있다. 상기 유기층(150)은 발광층을 포함한다.
상기 유기층(150)은, 상기 제1전극(110)과 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역(hole transport region) 및 상기 발광층과 상기 제2전극(190) 사이에 개재된 전자 수송 영역(electron transport region)을 더 포함할 수 있다.
[유기층(150) 중 정공 수송 영역]
상기 정공 수송 영역은, i) 단일 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조, ii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광 보조층 및 전자 저지층(EBL) 중에서 선택된 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 정공 수송 영역은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조를 갖거나, 제1전극(110)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/발광 보조층, 정공 주입층/발광 보조층, 정공 수송층/발광 보조층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 다층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송 영역은, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB(NPD), β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, 메틸화된-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine (4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민)), PANI/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid (폴리아닐린/도데실벤젠술폰산)), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate) (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트))), PANI/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonic acid (폴리아닐린/캠퍼술폰산)), PANI/PSS (Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate) (폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)), 하기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표시되는 화합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다:
Figure 112019101713535-pat00051
Figure 112019101713535-pat00052
<화학식 201>
Figure 112019101713535-pat00053
<화학식 202>
Figure 112019101713535-pat00054
상기 화학식 201 및 202 중,
L201 내지 L204는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
L205은, *-O-*', *-S-*', *-N(Q201)-*', 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
xa5는 1 내지 10의 정수 중에서 선택되고,
R201 내지 R204 및 Q201은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 202 중 R201과 R202는, 선택적으로(optionally), 단일 결합, 디메틸-메틸렌기 또는 디페닐-메틸렌기를 통하여 서로 연결될 수 있고, R203과 R204는, 선택적으로, 단일 결합, 디메틸-메틸렌기 또는 디페닐-메틸렌기를 통하여 서로 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 화학식 201 및 202 중,
L201 내지 L205는 서로 독립적으로,
페닐렌기, 펜탈레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 인다세닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페날레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 루비세닐렌기, 코로네닐렌기, 오발레닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기 및 피리디닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, -Si(Q31)(Q32)(Q33) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 펜탈레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 인다세닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페날레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 루비세닐렌기, 코로네닐렌기, 오발레닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기 및 피리디닐렌기;
중에서 선택되고,
상기 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, xa5는 1, 2, 3 또는 4일 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, R201 내지 R204 및 Q201은 서로 독립적으로, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, -Si(Q31)(Q32)(Q33) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기;
중에서 선택될 수 있고,
상기 Q31 내지 Q33에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 201 중 R201 내지 R203 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로,
플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 202 중 i) R201과 R202은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있거나, 및/또는 ii) R203과 R204은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 202 중 R201 내지 R204 중 적어도 하나는,
카바졸일기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 카바졸일기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A로 표시될 수 있다:
<화학식 201A>
Figure 112019101713535-pat00055
예를 들어, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A(1)로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화학식 201A(1)>
Figure 112019101713535-pat00056
또 다른 예로서, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A-1로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화학식 201A-1>
Figure 112019101713535-pat00057
한편, 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화학식 202A로 표시될 수 있다:
<화학식 202A>
Figure 112019101713535-pat00058
또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화학식 202A-1로 표시될 수 있다:
<화학식 202A-1>
Figure 112019101713535-pat00059
상기 화학식 201A, 201A(1), 201A-1, 202A 및 202A-1 중,
L201 내지 L203, xa1 내지 xa3, xa5 및 R202 내지 R204에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,
R211 및 R212에 대한 설명은 본 명세서 중 R203에 대한 설명을 참조하고,
R213 내지 R217은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, C1-C10알킬기로 치환된 페닐기, -F로 치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기 및 피리디닐기 중에서 선택될 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 하기 화합물 HT1 내지 HT39 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112019101713535-pat00060
Figure 112019101713535-pat00061
Figure 112019101713535-pat00062
Figure 112019101713535-pat00063
Figure 112019101713535-pat00064
Figure 112019101713535-pat00065
Figure 112019101713535-pat00066
상기 정공 수송 영역의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역이 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 하나를 포함한다면, 상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 9000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역, 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 발광 보조층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시키는 역할을 하는 층이고, 상기 전자 저지층은 전자 수송 영역으로부터의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다. 상기 발광 보조층 및 전자 저지층에는 상술한 바와 같은 물질이 포함될 수 있다.
[p-도펀트]
상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.
상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 p-도펀트의 LUMO는 -3.5eV 이하일 수 있다.
상기 p-도펀트는, 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 p-도펀트는, TCNQ (Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ (2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체;
텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물;
HAT-CN (1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile); 및
하기 화학식 221로 표시되는 화합물;
중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<HAT-CN> <F4-TCNQ>
Figure 112019101713535-pat00067
Figure 112019101713535-pat00068
<화학식 221>
Figure 112019101713535-pat00069
상기 화학식 221 중,
R221 내지 R223은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되되, 상기 R221 내지 R223 중 적어도 하나는 시아노기, -F, -Cl, -Br, -I, -F로 치환된 C1-C20알킬기, -Cl로 치환된 C1-C20알킬기, -Br로 치환된 C1-C20알킬기 및 -I로 치환된 C1-C20알킬기 중에서 선택된 적어도 하나의 치환기를 갖는다.
[유기층(150) 중 발광층]
상기 유기 발광 소자(10)가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층은, 개별 부화소별로, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 중에서 선택된 2 이상의 층이 접촉 또는 이격되어 적층된 구조를 갖거나, 적색광 방출 물질, 녹색광 방출 물질 및 청색광 방출 물질 중에서 선택된 2 이상의 물질이 층구분없이 혼합된 구조를 가져, 백색광을 방출할 수 있다.
상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
[유기층(150) 중 전자 수송 영역]
상기 전자 수송 영역은 i) 단일 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조, ii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 전자 수송 영역은, 버퍼층, 정공 저지층, 전자 조절층, 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층 중에서 선택된 적어도 하나의 층을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 전자 수송 영역은, 발광층으로부터 차례로 적층된 전자 수송층/전자 주입층, 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층, 전자 조절층/전자 수송층/전자 주입층, 또는 버퍼층/전자 수송층/전자 주입층 등의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송 영역(예를 들면, 상기 전자 수송 영역 중 버퍼층, 정공 저지층, 전자 조절층 또는 전자 수송층)은, π 전자 결핍성 함질소 고리를 적어도 하나 포함한 금속-비함유 화합물을 포함할 수 있다.
상기 "π 전자 결핍성 함질소 고리"는, 고리-형성 모이어티로서, 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 의미한다.
예를 들어, 상기 "π 전자 결핍성 함질소 고리"는, i) 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 5원 내지 7원 헤테로모노시클릭 그룹이거나, ii) 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 5원 내지 7원 헤테로모노시클릭 그룹 중 2 이상이 서로 축합되어 있는 헤테로폴리시클릭 그룹이거나, 또는 iii) 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 5원 내지 7원 헤테로모노시클릭 그룹 중 적어도 하나와, 적어도 하나의 C5-C60카보시클릭 그룹이 서로 축합되어 있는 헤테로폴리시클릭 그룹일 수 있다.
상기 π 전자 결핍성 함질소 고리의 구체예로는, 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이속사졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 인다졸, 푸린(purine), 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 프탈라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 시놀린, 페난트리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 페나진, 벤조이미다졸, 이소벤조티아졸, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 트리아졸, 테트라졸, 옥사디아졸, 트리아진, 티아디아졸, 이미다조피리딘, 이미다조피리미딘, 아자카바졸 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 전자 수송 영역은 하기 화학식 601로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
<화학식 601>
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21
상기 화학식 601 중,
Ar601은 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고,
xe11은 1, 2 또는 3이고,
L601은, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
xe1는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
R601은, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q601)(Q602)(Q603), - -C(=O)(Q601), -S(=O)2(Q601) 및 -P(=O)(Q601)(Q602) 중에서 선택되고,
상기 Q601 내지 Q603은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기이고,
xe21는 1 내지 5의 정수 중에서 선택된다.
일 실시예에 따르면, 상기 xe11개의 Ar601 및 xe21개의 R601 중 적어도 하나는, 상술한 바와 같은 π 전자 결핍성 함질소 고리를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 화학식 601 중 고리 Ar601은,
벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 카바졸 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 피리다진 그룹, 인다졸 그룹, 푸린 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 시놀린 그룹, 페난트리딘 그룹, 아크리딘 그룹, 페난트롤린 그룹, 페나진 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 이소벤조티아졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 티아디아졸 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹 및 아자카바졸 그룹; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, -Si(Q31)(Q32)(Q33), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-비플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타펜 그룹, 인데노안트라센 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 카바졸 그룹, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리미딘 그룹, 피리다진 그룹, 인다졸 그룹, 푸린 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 시놀린 그룹, 페난트리딘 그룹, 아크리딘 그룹, 페난트롤린 그룹, 페나진 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 이소벤조티아졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 티아디아졸 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹 및 아자카바졸 그룹;
중에서 선택될 수 있고,
상기 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 601 중 xe11이 2 이상일 경우 2 이상의 Ar601은 단일 결합을 통하여 서로 연결될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 601 중 Ar601은 안트라센 그룹일 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 601로 표시되는 화합물은 하기 화학식 601-1로 표시될 수 있다:
<화학식 601-1>
Figure 112019101713535-pat00070
상기 화학식 601-1 중,
X614는 N 또는 C(R614)이고, X615는 N 또는 C(R615)이고, X616은 N 또는 C(R616)이고, X614 내지 X616 중 적어도 하나는 N이고,
L611 내지 L613은 서로 독립적으로, 상기 L601에 대한 설명을 참조하고,
xe611 내지 xe613은 서로 독립적으로, 상기 xe1에 대한 설명을 참조하고,
R611 내지 R613은 서로 독립적으로, 상기 R601에 대한 설명을 참조하고,
R614 내지 R616은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 및 나프틸기 중에서 선택될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 화학식 601 및 601-1 중 L601 및 L611 내지 L613은 서로 독립적으로,
페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-비플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 헥사세닐렌기, 펜타세닐렌기, 티오페닐렌기, 퓨라닐렌기, 카바졸일렌기, 인돌일렌기, 이소인돌일렌기, 벤조퓨라닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 디벤조퓨라닐렌기, 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기, 디벤조실롤일렌기, 피리디닐렌기, 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기, 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기, 옥사졸일렌기, 이속사졸일렌기, 티아디아졸일렌기, 옥사디아졸일렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 벤조이미다졸일렌기, 이소벤조티아졸일렌기, 벤조옥사졸일렌기, 이소벤조옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 및 아자카바졸일렌기;
중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 601 및 601-1 중 xe1 및 xe611 내지 xe613은 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 화학식 601 및 601-1 중 R601 및 R611 내지 R613은 서로 독립적으로,
페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 이소인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조실롤일기, 피리디닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 티아디아졸일기, 옥사디아졸일기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 아자카바졸일기; 및
-S(=O)2(Q601) 및 -P(=O)(Q601)(Q602);
중에서 선택되고,
상기 Q601 및 Q602에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
상기 전자 수송 영역은 하기 화합물 ET1 내지 ET36 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112019101713535-pat00071
Figure 112019101713535-pat00072
Figure 112019101713535-pat00073
Figure 112019101713535-pat00074
Figure 112019101713535-pat00075
Figure 112019101713535-pat00076
Figure 112019101713535-pat00077
Figure 112019101713535-pat00078
Figure 112019101713535-pat00079
Figure 112019101713535-pat00080
Figure 112019101713535-pat00081
Figure 112019101713535-pat00082
또는, 상기 전자 수송 영역은 BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), Alq3, BAlq, TAZ(3-(Biphenyl-4-yl)-5-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-4H-1,2,4-triazole), NTAZ 및 TSPO1(diphenyl(4-(triphenylsilyl)phenyl)-phosphine oxide) 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있다.
Figure 112019101713535-pat00083
Figure 112019101713535-pat00084
상기 버퍼층, 정공 저지층 또는 전자 조절층의 두께는 서로 독립적으로, 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 상기 버퍼층, 정공 저지층 또는 전자 조절층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성 또는 전자 조절 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송 영역(예를 들면, 상기 전자 수송 영역 중 전자 수송층)은 상술한 바와 같은 물질 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속-함유 물질은 알칼리 금속 착체 및 알칼리 토금속 착체 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 알칼리 금속 착체의 금속 이온은, Li 이온, Na 이온, K 이온, Rb 이온 및 Cs 이온 중에서 선택될 수 있고, 상기 알칼리 토금속 착체의 금속 이온은 Be 이온, Mg 이온, Ca 이온, Sr 이온 및 Ba 이온 중에서 선택될 수 있다. 상기 알칼리 금속 착체 및 알칼리 토금속 착체의 금속 이온에 배위된 리간드는, 서로 독립적으로, 히드록시퀴놀린, 히드록시이소퀴놀린, 히드록시벤조퀴놀린, 히드록시아크리딘, 히드록시페난트리딘, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시디페닐옥사디아졸, 히드록시디페닐티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시페닐벤조티아졸, 비피리딘, 페난트롤린 및 시클로펜타다이엔 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1(리튬 퀴놀레이트, LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다.
Figure 112019101713535-pat00085
상기 전자 수송 영역은, 제2전극(190)으로부터의 전자 주입을 용이하게 하는 전자 주입층을 포함할 수 있다. 상기 전자 주입층은 상기 제2전극(190)과 직접(directly) 접촉할 수 있다.
상기 전자 주입층은 i) 단일 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조, ii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 전자 주입층은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체 또는 이들 중 임의의 조합을 포함할 수 있다.
상기 알칼리 금속은, Li, Na, K, Rb 및 Cs 중에서 선택될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 알칼리 금속은 Li, Na 또는 Cs일 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 상기 알칼리 금속은 Li 또는 Cs일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 토금속은, Mg, Ca, Sr, 및 Ba 중에서 선택될 수 있다.
상기 희토류 금속은 Sc, Y, Ce, Tb, Yb 및 Gd 중에서 선택될 수 있다.
상기 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물 및 상기 희토류 금속 화합물은, 상기 알칼리 금속, 상기 알칼리 토금속 및 희토류 금속의 산화물 및 할로겐화물(예를 들면, 불화물, 염화물, 브롬화물, 요오드화물 등) 중에서 선택될 수 있다.
상기 알칼리 금속 화합물은, Li2O, Cs2O, K2O 등과 같은 알칼리 금속 산화물 및 LiF, NaF, CsF, KF, LiI, NaI, CsI, KI, 등과 같은 알칼리 금속 할로겐화물 중에서 선택될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 알칼리 금속 화합물은, LiF, Li2O, NaF, LiI, NaI, CsI, KI 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 토금속 화합물은, BaO, SrO, CaO, BaxSr1-xO(0<x<1), BaxCa1-xO(0<x<1) 등과 같은 알칼리 토금속 화합물 중에서 선택될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 알칼리 토금속 화합물은, BaO, SrO 및 CaO 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 희토류 금속 화합물은, YbF3, ScF3, ScO3, Y2O3, Ce2O3, GdF3, 및 TbF3 중에서 선택될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 희토류 금속 화합물은 YbF3, ScF3, TbF3, YbI3, ScI3, TbI3 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체 및 희토류 금속 착체는, 상술한 바와 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및 희토류 금속의 이온을 포함하고, 상기 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체 및 희토류 금속 착체의 금속 이온에 배위된 리간드는, 서로 독립적으로, 히드록시퀴놀린, 히드록시이소퀴놀린, 히드록시벤조퀴놀린, 히드록시아크리딘, 히드록시페난트리딘, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시디페닐옥사디아졸, 히드록시디페닐티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시페닐벤조티아졸, 비피리딘, 페난트롤린 및 시클로펜타다이엔 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입층은 상술한 바와 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체 또는 이들 중 임의의 조합만으로 이루어져 있거나, 상기 유기물을 더 포함할 수 있다. 상기 전자 주입층이 유기물을 더 포함할 경우, 상기 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체, 희토류 금속 착체 또는 이들 중 임의의 조합은 상기 유기물로 이루어진 매트릭스에 균일 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
[제2전극(190)]
상술한 바와 같은 유기층(150) 상부에는 제2전극(190)이 배치되어 있다. 상기 제2전극(190)은 전자 주입 전극인 캐소드(cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극(190)용 물질로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 조합(combination)을 사용할 수 있다.
상기 제2전극(190)은, 리튬(Li), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag), ITO 및 IZO 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2전극(190)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.
상기 제2전극(190)은 단일층인 단층 구조 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
[도 2 내지 4에 대한 설명]
한편, 도 2의 유기 발광 소자(20)는 제1캡핑층(210), 제1전극(110), 유기층(150) 및 제2전극(190)이 차례로 적층된 구조를 갖고, 도 3의 유기 발광 소자(30)는 제1전극(110), 유기층(150), 제2전극(190) 및 제2캡핑층(220)이 차례로 적층된 구조를 갖고, 도 4의 유기 발광 소자(40)는 제1캡핑층(210), 제1전극(110), 유기층(150), 제2전극(190) 및 제2캡핑층(220)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
도 2 내지 4 중 제1전극(110), 유기층(150) 및 제2전극(190)에 대한 설명은 도 1에 대한 설명을 참조한다.
유기 발광 소자(20, 40)의 유기층(150) 중 발광층에서 생성된 광은 반투과형 전극 또는 투과형 전극인 제1전극(110) 및 제1캡핑층(210)을 지나 외부로 취출될 수 있고, 유기 발광 소자(30, 40)의 유기층(150) 중 발광층에서 생성된 광은 반투과형 전극 또는 투과형 전극인 제2전극(190) 및 제2캡핑층(220)을 지나 외부로 취출될 수 있다.
상기 제1캡핑층(210) 및 제2캡핑층(220)은 보강 간섭의 원리에 의하여 외부 발광 효율을 향상시키는 역할을 할 수 있다.
상기 제1캡핑층(210) 및 제2캡핑층(220)은 서로 독립적으로, 유기물로 이루어진 유기 캡핑층, 무기물로 이루어진 무기 캡핑층, 또는 유기물 및 무기물을 포함한 복합 캡핑층일 수 있다.
상기 제1캡핑층(210) 및 제2캡핑층(220) 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 카보시클릭 화합물, 헤테로시클릭 화합물, 아민계 화합물, 포르핀 유도체 (porphine derivatives), 프탈로시아닌 유도체 (phthalocyanine derivatives), 나프탈로시아닌 유도체 (naphthalocyanine derivatives), 알칼리 금속 착체 및 알칼리 토금속 착체 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 카보시클릭 화합물, 헤테로시클릭 화합물 및 아민계 화합물은, 선택적으로, O, N, S, Se, Si, F, Cl, Br 및 I 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한 치환기로 치환될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 제1캡핑층(210) 및 제2캡핑층(220) 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 아민계 화합물을 포함할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 제1캡핑층(210) 및 제2캡핑층(220) 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물 또는 상기 화학식 202로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 제1캡핑층(210) 및 제2캡핑층(220) 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 상기 화합물 HT28 내지 HT33 및 하기 화합물 CP1 내지 CP5 중에서 선택된 화합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112019101713535-pat00086
이상, 상기 유기 발광 소자를 도 1 내지 4를 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송 영역에 포함된 각 층, 발광층 및 전자 수송 영역에 포함된 각 층은 각각, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 소정 영역에 형성될 수 있다.
진공 증착법에 의하여 상기 정공 수송 영역에 포함된 각 층, 발광층 및 전자 수송 영역에 포함된 각 층을 각각 형성할 경우, 증착 조건은, 예를 들면, 약 100 내지 약 500℃의 증착 온도, 약 10-8 내지 약 10-3 torr의 진공도 및 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 증착 속도 범위 내에서, 형성하고자 하는 층에 포함될 재료 및 형성하고자 하는 층의 구조를 고려하여 선택될 수 있다.
스핀 코팅법에 의하여 상기 정공 수송 영역에 포함된 각 층, 발광층 및 전자 수송 영역에 포함된 각 층을 각각 형성할 경우, 코팅 조건은, 예를 들면, 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도 및 약 80℃ 내지 200℃의 열처리 온도 범위 내에서, 형성하고자 하는 층에 포함될 재료 및 형성하고자 하는 층의 구조를 고려하여 선택될 수 있다.
[장치]
상기 유기 발광 소자는 각종 장치에 포함될 수 있다.
구체적으로, 상기 장치는 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 포함한 박막 트랜지스터; 및 상술한 바와 같은 유기 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 유기 발광 소자의 제1전극과 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나가 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막 등을 더 포함할 수 있다.
상기 활성층은 결정질 실리콘, 비정질 실리콘, 유기 반도체, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 장치는 유기 발광 소자를 밀봉하는 밀봉부를 더 포함할 수 있다. 상기 밀봉부는 유기 발광 소자로부터의 화상이 구현될 수 있도록 하고, 유기 발광 소자로 외기 및 수분이 침투하는 것을 차단한다. 상기 밀봉부는 투명한 글라스 또는 플라스틱 기판을 포함하는 밀봉 기판일 수 있다. 상기 밀봉부는 복수의 유기층 및/또는 복수의 무기층을 포함하는 박막 봉지층일 수 있다. 상기 밀봉부가 박막 봉지층이면 상기 장치 전체가 플렉시블하도록 할 수 있다.
예를 들어, 상기 장치는 발광 장치, 인증 장치 또는 전자 장치일 수 있다.
상기 발광 장치는, 각종 디스플레이, 광원 등으로 사용될 수 있다.
상기 인증 장치는, 예를 들면, 생체(예를 들어, 손가락 끝, 눈동자 등)의 생체 정보를 이용하여 개인을 인증하는 생체 인증 장치일 수 있다. 상기 인증 장치는 상술한 바와 같은 유기 발광 소자 외에 생체 정보 수집 수단을 더 포함할 수 있다.
상기 전자 장치는 퍼스널 컴퓨터(예를 들면, 모바일형 퍼스널 컴퓨터), 휴대 전화, 디지털 사진기, 전자 수첩, 전자 사전, 전자 게임기, 의료 기기(예를 들면, 전자 체온계, 혈압계, 혈당계, 맥박 계측 장치, 맥파 계측 장치, 심전표시 장치, 초음파 진단 장치, 내시경용 표시 장치), 어군 탐지기, 각종 측정 기기, 계기류(예를 들면, 차량, 항공기, 선박의 계기류), 프로젝터 등으로 응용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[치환기의 일반적인 정의]
본 명세서 중 "π 전자 결핍성 함질소 시클릭 그룹"이란 적어도 하나의 *-N=*' 모이어티를 갖는 시클릭 그룹으로서, 예를 들면, 이미다졸 그룹, 피라졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이속사졸 그룹, 피리딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 피리미딘 그룹, 인다졸 그룹, 푸린(purine) 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 벤조퀴놀린 그룹, 프탈라진 그룹, 나프티리딘 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 시놀린 그룹, 페난트리딘 그룹, 아크리딘 그룹, 페난트롤린 그룹, 페나진 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 이소벤조티아졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 이소벤조옥사졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 트리아진 그룹, 티아디아졸 그룹, 이미다조피리딘 그룹, 이미다조피리미딘 그룹, 아자카바졸 그룹 등을 들 수 있다.
한편, 상기 π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹은 벤젠 그룹, 헵탈렌 그룹, 인덴 그룹, 나프탈렌 그룹, 아줄렌 그룹, 헵탈렌 그룹, 인다센 그룹, 아세나프틸렌 그룹, 플루오렌 그룹, 스파이로-바이플루오렌 그룹, 벤조플루오렌 그룹, 디벤조플루오렌 그룹, 페날렌 그룹, 페난트렌 그룹, 안트라센 그룹, 플루오란텐 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 나프타센 그룹, 피센 그룹, 페릴렌 그룹, 펜타센 그룹, 헥사센 그룹, 펜타센 그룹, 루비센 그룹, 코로젠 그룹, 오발렌 그룹, 피롤 그룹, 이소인돌 그룹, 인돌 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 벤조퓨란 그룹, 벤조티오펜 그룹, 벤조카바졸 그룹, 디벤조카바졸 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 디벤조티오펜 설폰(dibenzothiophene sulfone) 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조실롤 그룹, 인데노카바졸 그룹, 인돌로카바졸 그룹, 벤조퓨로카바졸 그룹, 벤조티에노카바졸 그룹 및 트라이인돌로벤젠 그룹 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 중 1주기 전이 금속이란, 주기율표의 4주기 원소이면서 d-블록에 포함된 원소를 의미하며, 구체적인 예에는, 스칸듐(Sc), 티탄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn)이 포함된다.
본 명세서 중 2주기 전이 금속이란, 주기율표의 5주기 원소이면서 d-블록에 포함된 원소를 의미하며, 구체적인 예에는, 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드뮴(Cd)이 포함된다.
본 명세서 중 3주기 전이금속이란, 주기율표의 6주기 원소이면서 d-블록 및 f-블록에 포함된 원소를 의미하며, 구체적인 예에는, 란타넘(La), 사마리윰(Sm), 유로퓸(Eu), 터븀(Tb), 툴륨(Tm), 이터븀(Yb), 루테튬(Lu), 하프늄(Hf), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pr), 금(Au), 수은(Hg)이 포함된다.
본 명세서 중 C1-C60알킬기는, 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알케닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알키닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기, 프로피닐기, 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C60알콕시기는, -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는, 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬기는, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 1,2,3,4-옥사트리아졸리디닐기(1,2,3,4-oxatriazolidinyl), 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromaticity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예에는, 4,5-디히드로-1,2,3,4-옥사트리아졸일기, 2,3-디히드로퓨라닐기, 2,3-디히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예에는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함된다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 상기 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로아릴기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C1-C60헤테로아릴렌기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기의 구체예에는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등이 포함되다. 상기 C1-C60헤테로아릴기 및 C1-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다.
본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로아릴옥시기는 -OA104(여기서, A104는 상기 C1-C60헤테로아릴기임)를 가리키고, 상기 C1-C60헤테로아릴티오기는 -SA105(여기서, A105는 상기 C1-C60헤테로아릴기임)를 가리킨다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromaticity)을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 8 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예에는, 플루오레닐기 등이 포함되다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 외에 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 1 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 구체예에는, 카바졸일기 등이 포함된다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C5-C60카보시클릭 그룹이란, 고리-형성 원자로서 탄소만을 포함한 탄소수 5 내지 60의 모노시클릭 또는 폴리시클릭 그룹을 의미한다. 상기 C5-C60카보시클릭 그룹은 방향족 카보시클릭 그룹 또는 비-방향족 카보시클릭 그룹일 수 있다. 상기 C5-C60카보시클릭 그룹은 벤젠과 같은 고리, 페닐기와 같은 1가 그룹 또는 페닐렌기와 같은 2가 그룹일 수 있다. 또는, 상기 C5-C60카보시클릭 그룹에 연결된 치환기에 개수에 따라, 상기 C5-C60카보시클릭 그룹은 3가 그룹 또는 4가 그룹일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로시클릭 그룹이란, 상기 C5-C60카보시클릭 그룹과 동일한 구조를 갖되, 고리-형성 원자로서, 탄소(탄소수는 1 내지 60일 수 있음) 외에, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함한 그룹을 의미한다.
본 명세서 중, 상기 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 C1-C60헤테로아릴옥시기, 치환된 C1-C60헤테로아릴티오기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,
중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, C1-C60헤테로아릴옥시기, C1-C60헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11) 및 -P(=O)(Q11)(Q12) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, C1-C60헤테로아릴옥시기, C1-C60헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, C1-C60헤테로아릴옥시기, C1-C60헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21) 및 -P(=O)(Q21)(Q22) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, C1-C60헤테로아릴옥시기, C1-C60헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32);
중에서 선택되고,
상기 Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, C1-C60헤테로아릴옥시기, C1-C60헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C1-C60알킬기, 중수소, -F 및 시아노기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된 C6-C60아릴기, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서 중 "Ph"은 페닐기를 의미하고, "Me"은 메틸기를 의미하고, "Et"은 에틸기를 의미하고, "ter-Bu" 또는 "But"은 tert-부틸기를 의미하고, "OMe"는 메톡시기를 의미한다.
본 명세서 중 "비페닐기"는 "페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "비페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.
본 명세서 중 "터페닐기"는 "비페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "터페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기로 치환된 C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.
본 명세서 중 * 및 *'은, 다른 정의가 없는 한, 해당 화학식 중 이웃한 원자와의 결합 사이트를 의미한다.
이하에서, 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 화합물 및 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 하기 합성예 중 "A 대신 B를 사용하였다"란 표현 중 A의 몰당량과 B의 몰당량은 서로 동일하다.
[실시예]
평가예 1: T 1 , S 1 , K RISC , f 및 HOMO 에너지 레벨의 평가
상술한 방법을 통해 하기 화합물들의 T1onset, T1max, S1onset, S1max, KRISC 및/또는 f을 평가하여 그 결과를 표 1 내지 5에 기재하였다.
제1화합물 제1화합물의 T1 onset(eV) 제1화합물의 T1 max(eV)
HT-07 2.93 2.85
HT-09 3.01 2.85
HT-11 2.99 2.88
HT-12 3.06 2.90
HT-13 2.89 2.81
HT-14 3.00 2.91
HT-15 2.99 2.91
제2화합물 제2화합물의 T1onset(eV) 제2화합물의 T1max(eV)
ET06 3.07 2.87
ET08 3.06 2.85
ET09 2.99 2.81
ET11 2.95 2.83
ET13 3.02 2.85
ET14 2.93 2.79
ET15 2.98 2.85
제3화합물 제3화합물의 T1onset(eV) 제3화합물의 T1max(eV)
9 2.86 2.75
19 2.88 2.78
23 2.90 2.78
25 2.79 2.69
28 2.81 2.70
33 2.83 2.71
36 2.78 2.73
제4화합물 제4화합물의 S1onset(eV) 제4화합물의 S1max(eV) 제4화합물의 kRISC(103S-1) 제4화합물의 f
D-03 2.79 2.66 15 0.32
D-07 2.69 2.65 27 0.55
D-10 2.71 2.65 34 0.6
D-15 2.71 2.66 16 0.35
D-19 2.72 2.67 11 0.28
D-20 2.73 2.65 32 0.52
D-22 2.77 2.68 22 0.39
DCJTB 2.25 1.90 ~ 0 0.80
제5화합물 제5화합물의 T1onset(eV) 제5화합물의 T1max(eV)
HBL03 3.07 2.95
HBL05 3.06 2.92
HBL07 2.99 2.88
HBL09 2.99 2.80
HBL011 3.02 2.95
HBL014 2.93 2.81
HBL015 2.98 2.83
실시예 1-1
애노드로서 ITO가 증착된 기판을 50mm x 50mm x 0.5mm 크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공 증착 장치에 상기 ITO 기판을 설치하였다.
상기 ITO 기판 상부에 m-MTDATA를 증착하여 40Å 두께의 정공 주입층을 형성한 다음, 상기 정공 주입층 상부에 NPB를 진공 증착하여 10Å 두께의 정공 수송층을 형성하고, 상기 정공 수송층 상부에 화합물 HT-07, ET-06, 9 및 D-03을 30 : 70 : 15: 1의 중량비로 공증착하여 200Å 두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 상부에 화합물 ET-1을 증착하여 300Å 두께의 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 상부에 Al을 증착하여 1200Å 두께의 캐소드를 형성함으로써 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 1-2 내지 1-10 및 비교예 1-1 내지 1-20
발광층을 각각 하기 표 6에 기재된 바와 같은 화합물로 제작하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 여기서, 제3화합물은 각각 그룹 III-II 중에서 선택된다.
평가예 2
상기 실시예 1-1 내지 1-10 및 비교예 1-1 내지 1-20에서 제작된 유기 발광 소자의 효율, 발광 파장 및 수명을 전류 밀도 10 mA/cm2에서 Kethley SMU 236 및 휘도계 PR650을 이용하여 측정하여, 그 결과를 표 6에 나타내었다. 수명은 휘도가 초기 휘도의 90%가 되는데까지 걸린 시간을 측정한 값이다.
발광층 효율
(cd/A)		 수명
(시간)
제1화합물 제2화합물 제3화합물 제4화합물 중량비
(C1:C2:C3:C4)
실시예 1-1 HT-07 ET-06 PT9 D-10 30:70:15:1 25.0 21
실시예 1-2 HT-07 ET-08 PT9 D-07 50:50:15:1 26.9 23
실시예 1-3 HT-09 ET-09 PT19 D-20 30:70:15:1 20.9 29
실시예 1-4 HT-09 ET-11 PT23 D-20 70:30:15:1 24.8 21
실시예 1-5 HT-11 ET-13 PT23 D-07 50:50:15:1 26.7 24
실시예 1-6 HT-11 ET-14 PT25 D-10 50:50:15:1 26.9 31
실시예 1-7 HT-13 ET-15 PT25 D-10 70:30:15:1 34.2 28
실시예 1-8 HT-13 ET-06 PT28 D-10 50:50:15:1 29.8 23
실시예 1-9 HT-14 ET-15 PT33 D-07 30:70:15:1 33.7 32
실시예 1-10 HT-15 ET-09 PT36 D-20 60:40:15:1 30.5 27
비교예 1-1 HT-07 - PT9 D-10 100:0:15:1 20.7 15
비교예 1-2 - ET-08 PT9 D-07 0:100:15:1 15.1 10
비교예 1-3 HT-09 ET-09 - D-20 30:70:0:1 15.1 14
비교예 1-4 HT-09 ET-11 - D-20 30:70:0:1 15.3 13
비교예 1-5 HT-11 ET-13 - D-07 70:30:0:1 14.7 10
비교예 1-6 HT-11 ET-14 PT25 - 50:50:15:0 20.9 15
비교예 1-7 HT-13 ET-15 - D-10 70:30:0:1 16.5 13
비교예 1-8 HT-13 ET-06 PT28 - 50:50:15:0 19.0 19
비교예 1-9 HT-14 ET-15 PT33 - 30:70:15:0 22.1 15
비교예 1-10 CBP PT33 - 100:15:0 13.5 17
비교예 1-11 HT-07 ET-06 PT9 DCJTB 30:70:15:1 8.7 21
비교예 1-12 HT-07 ET-08 PT9 DCJTB 50:50:15:1 13.5 21
비교예 1-13 HT-09 ET-09 PT19 DCJTB 30:70:15:1 14.3 17
비교예 1-14 HT-09 ET-11 PT23 DCJTB 70:30:15:1 13.8 17
비교예 1-15 HT-11 ET-13 PT23 DCJTB 50:50:15:1 13.0 20
비교예 1-16 HT-11 ET-14 PT25 DCJTB 50:50:15:1 13.4 16
비교예 1-17 HT-13 ET-15 PT25 DCJTB 70:30:15:1 14.8 18
비교예 1-18 HT-13 ET-06 PT28 DCJTB 50:50:15:1 14.4 19
비교예 1-19 HT-14 ET-15 PT33 DCJTB 30:70:15:1 14.1 20
비교예 1-20 HT-15 ET-09 PT36 DCJTB 60:40:15:1 14.1 15
상기 표 6으로부터 실시예 1-1 내지 1-20의 유기 발광 소자의 전류 효율 및 수명은 비교예 1-1 내지 1-20의 유기 발광 소자의 전류 효율 및 수명에 비하여 우수함을 확인할 수 있다.
실시예 2-1
애노드로서 ITO가 증착된 기판을 50mm x 50mm x 0.5mm 크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공 증착 장치에 상기 ITO 기판을 설치하였다.
상기 ITO 기판 상부에 m-MTDATA를 증착하여 40Å 두께의 정공 주입층을 형성한 다음, 상기 정공 주입층 상부에 NPB를 진공 증착하여 10Å 두께의 정공 수송층을 형성하고, 상기 정공 수송층 상부에 화합물 HT-07, ET-06, 9 및 D-03을 30 : 70 : 15: 1의 중량비로 공증착하여 200Å 두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 상부에 화합물 HBL03을 증착하여 50 Å 두께의 정공 저지층을 형성하고, 그 위에 ET-1을 증착하여 300Å 두께의 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 상부에 Al을 증착하여 1200Å 두께의 캐소드를 형성함으로써 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 2-2 내지 2-10 및 비교예 2-1 내지 2-20
발광층을 각각 하기 표 7에 기재된 바와 같은 화합물로 제작하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 여기서, 제3화합물은 각각 그룹 III-II 중에서 선택된다.
발광층 정공 저지층 효율
(cd/A)		 수명
(시간)
제1화합물 제2화합물 제3화합물 제4화합물 중량비
(C1:C2:C3:C4)
실시예 2-1 HT-07 ET-06 PT9 D-10 30:70:15:1 HBL03 26.0 23
실시예 2-2 HT-07 ET-08 PT9 D-07 50:50:15:1 HBL03 27.2 24
실시예 2-3 HT-09 ET-09 PT19 D-20 30:70:15:1 HBL03 21.9 31
실시예 2-4 HT-09 ET-11 PT23 D-20 70:30:15:1 HBL03 25.3 22
실시예 2-5 HT-11 ET-13 PT23 D-07 50:50:15:1 HBL03 27.5 25
실시예 2-6 HT-11 ET-14 PT25 D-10 50:50:15:1 HBL03 27.8 33
실시예 2-7 HT-13 ET-15 PT25 D-10 70:30:15:1 HBL011 35.2 29
실시예 2-8 HT-13 ET-06 PT28 D-10 50:50:15:1 HBL03 31.4 25
실시예 2-9 HT-14 ET-18 PT33 D-07 30:70:15:1 HBL014 34.7 34
실시예 2-10 HT-15 ET-09 PT36 D-20 60:40:15:1 HBL03 31.4 29
비교예 2-1 HT-07 - PT9 D-10 100:0:15:1 HBL03 22.0 20
비교예 2-2 - ET-08 PT9 D-07 0:100:15:1 HBL03 23.1 19
비교예 2-3 HT-09 ET-09 - D-20 30:70:0:1 HBL03 16.5 15
비교예 2-4 HT-09 ET-11 - D-20 70:30:0:1 HBL03 16.3 14
비교예 2-5 HT-11 ET-13 - D-07 50:50:0:1 HBL03 17.1 11
비교예 2-6 HT-11 ET-14 PT25 - 50:50:15:0 HBL03 22.9 17
비교예 2-7 HT-13 ET-15 - D-10 70:30:0:1 HBL03 17.5 15
비교예 2-8 HT-13 ET-06 PT28 - 50:50:15:0 HBL03 20.0 20
비교예 2-9 HT-14 ET-18 PT33 - 30:70:15:0 HBL03 23.1 18
비교예 2-10 CBP PT33 - 100:15:0 - 13.5 17
비교예 2-11 HT-07 ET-06 PT9 DCJTB 30:70:15:1 HBL03 9.5 25
비교예 2-12 HT-07 ET-08 PT9 DCJTB 50:50:15:1 HBL03 13.9 23
비교예 2-13 HT-09 ET-09 PT19 DCJTB 30:70:15:1 HBL03 15.9 20
비교예 2-14 HT-09 ET-11 PT23 DCJTB 70:30:15:1 HBL03 14.2 19
비교예 2-15 HT-11 ET-13 PT23 DCJTB 50:50:15:1 HBL03 13.5 22
비교예 2-16 HT-11 ET-14 PT25 DCJTB 50:50:15:1 HBL03 14.4 18
비교예 2-17 HT-13 ET-15 PT25 DCJTB 70:30:15:1 HBL03 16.1 21
비교예 2-18 HT-13 ET-06 PT28 DCJTB 50:50:15:1 HBL03 15.4 20
비교예 2-19 HT-14 ET-18 PT33 DCJTB 30:70:15:1 HBL03 14.9 22
비교예 2-20 HT-15 ET-09 PT36 DCJTB 60:40:15:1 HBL03 15.1 19
상기 표 7로부터 실시예 2-1 내지 2-20의 유기 발광 소자의 전류 효율 및 수명은 비교예 2-1 내지 2-20의 유기 발광 소자의 전류 효율 및 수명에 비하여 우수함을 확인할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10, 20, 30, 40: 유기 발광 소자
110: 제1전극
150: 유기층
190: 제2전극
210: 제1캡핑층
220: 제2캡핑층

Claims (20)

  1. 제1전극,
    제2전극, 및
    상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 유기층을 포함하고,
    상기 유기층은 발광층을 포함하고,
    상기 발광층은 제1화합물, 제2화합물, 제3화합물 및 제4화합물을 포함하고,
    상기 제1화합물, 상기 제2화합물, 상기 제3화합물 및 상기 제4화합물은 서로 상이하고,
    상기 제3화합물은 원자번호 40 이상의 금속 원소를 포함하고,
    상기 제4화합물은 보론(B)을 포함하고,
    상기 제3화합물 및 상기 제4화합물은 하기 조건 1-1 및 1-2를 만족하고,
    상기 제4화합물은 하기 조건 2 및 3을 만족하는, 유기 발광 소자:
    <조건 1-1>
    T1(C3)onset ≥ S1(C4)onset
    <조건 1-2>
    T1(C3)max ≥ S1(C4)max
    <조건 2>
    KRISC(C4) ≥ 103 S-1
    <조건 3>
    f(C4) ≥ 0.1
    상기 조건 1-1, 1-2, 2 및 3 중,
    S1(C4)onset은 상기 제4화합물의 광 발광(Photoluminescence: PL) 스펙트럼의 온셋(onset) 파장(λonset)에서의 일중항 에너지이고;
    T1(C3)onset은 상기 제3화합물의 광 발광 스펙트럼의 온셋 파장에서의 삼중항 에너지이고;
    S1(C4)max는 상기 제4화합물의 광 발광 스펙트럼의 최대 발광 파장(λmax)에서의 일중항 에너지이고;
    T1(C3)max은 상기 제3화합물의 광 발광 스펙트럼의 최대 발광 파장에서의 삼중항 에너지이고;
    KRISC(C4)는 상기 제4화합물의 역항간교차(Reverse Intersystem Crossing : RISC) 상수이고;
    f(C4)는 상기 제4화합물의 진동자 강도(oscillation strength)이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1화합물은 하기 화학식 1로 표시되고,
    상기 제2화합물은 하기 화학식 10로 표시되고,
    상기 제3화합물은 하기 화학식 3으로 표시되고,
    상기 제4화합물은 하기 화학식 4로 표시되는, 유기 발광 소자:
    <화학식 1>
    Figure 112021107675452-pat00087

    <화학식 10>
    Figure 112021107675452-pat00088

    <화학식 3>
    M31(L31)n31(L32)n32
    <화학식 3A> <화학식 3B>
    Figure 112021107675452-pat00089

    <화학식 3C> <화학식 3D>
    Figure 112021107675452-pat00137

    <화학식 4>
    Figure 112021107675452-pat00091

    상기 화학식 1, 3, 4 및 10 중,
    X11은 O, S, N(R19) 및 C(R19)(R20) 중에서 선택되고;
    R11 내지 R20은 서로 독립적으로, *-(L11)a11-A11로 표시되는 기, 수소, 중수소, C1-C60알킬기, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2) 및 -N(Q1)(Q2);
    중수소, C1-C60알킬기, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q31)(Q32)(Q33), -Si(Q31)(Q32)(Q33), -B(Q31)(Q32) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹; 및
    중수소, C1-C60알킬기, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q21)(Q22)(Q23), -Si(Q21)(Q22)(Q23), -B(Q21)(Q22) 및 -N(Q21)(Q22) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹 중에서 선택되고;
    L11은 π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q1)(Q2)-, -Si(Q1)(Q2)-, -B(Q1)- 및 -N(Q1)-; 및
    중수소, C1-C60알킬기, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q31)(Q32)(Q33), -Si(Q31)(Q32)(Q33), -B(Q31)(Q32) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹; 중에서 선택되고;
    a11은 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
    A11은 π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹;
    중수소, C1-C60알킬기, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q31)(Q32)(Q33), -Si(Q31)(Q32)(Q33), -B(Q31)(Q32) 및 -N(Q31)(Q32) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹; 및
    중수소, C1-C60알킬기, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹, -C(Q21)(Q22)(Q23), -Si(Q21)(Q22)(Q23), -B(Q21)(Q22) 및 -N(Q21)(Q22) 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나로 치환된, π 전자 결핍성 질소-비함유 시클릭 그룹 중에서 선택되고;
    L101 내지 L103은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C5-C30카보시클릭 그룹 및 치환 또는 비치환된 C1-C30헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고,
    a101 내지 a103은 서로 독립적으로, 0, 1 및 2 중에서 선택되고;
    R101 내지 R103은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -N(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2) 및 -P(=S)(Q1)(Q2) 중에서 선택되고;
    M31은 1주기 전이금속, 2주기 전이금속 및 3주기 전이금속 중에서 선택되고;
    L31은 상기 화학식 3A 내지 3D로 표시되는 리간드이고;
    L32는 1자리(monodentate) 리간드, 2자리(bidentate) 리간드 및 3자리 리간드 중에서 선택되고;
    n31은 1 및 2 중에서 선택되고;
    n32는 0, 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
    A31 내지 A34는 서로 독립적으로, C5-C30카보시클릭 그룹 및 C1-C30헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고;
    T31 내지 T34는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-C(R35)(R36)-*', *-C(R35)=C(R36)-*', *-C(R35)=*', *-Si(R35)(R36)-*', *-B(R35)-*', *-N(R35)-*' 및 *-P(R35)-*' 중에서 선택되고;
    k31 내지 k34은 서로 독립적으로, 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
    Y31 내지 Y34는 서로 독립적으로, 단일 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(R37)(R38)-*', *-Si(R37)(R38)-*', *-B(R37)-*', *-N(R37)-*' 및 *-P(R37)-*' 중에서 선택되고;
    *1, *2, *3 및 *4는 M31과의 결합 사이트이고;
    R31 내지 R38은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -N(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2) 및 -P(=S)(Q1)(Q2) 중에서 선택되고, R31 내지 R38는 선택적으로(optionally) 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
    b31 내지 b34는 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수 중에서 선택되고,
    X41은 N, B, P(=)(R44) 또는 P(=S)(R44)이고,
    Y41 내지 Y42는 서로 독립적으로, O, S, N(R45), B(R45), C(R45)(R46) 또는 Si(R45)(R46)이고,
    k41은 0 또는 1이되, k41이 0이면 -(Y41)k41-은 존재하지 않고,
    A41 내지 A43은 서로 독립적으로, C5-C30카보시클릭 그룹 및 C1-C30헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고;
    R41 내지 R46은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -N(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2) 및 -P(=S)(Q1)(Q2) 중에서 선택되고, R41 내지 R46은 선택적으로 서로 결합하여, 치환되거나 비치환된 C5-C30카보시클릭 그룹 및 C1-C30헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
    b41 내지 b43은 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수 중에서 선택되고,
    Q1 내지 Q3, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, C1-C60헤테로아릴옥시기, C1-C60헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택되고;
    Q1 내지 Q3, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, C1-C60헤테로아릴옥시기, C1-C60헤테로아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택되고;
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1화합물, 상기 제2화합물 및 상기 제3화합물은 실질적으로 발광하지 않는, 유기 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제4화합물이 발광하는, 유기 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 발광층으로부터 방출되는 전체 발광 성분 중, 상기 제4화합물로부터 방출되는 발광 성분의 비율이 80% 이상인, 유기 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제4화합물은 420 nm 내지 490 nm 범위의 최대 발광 파장을 갖는, 유기 발광 소자.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제1화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-5 중 어느 하나로 표시되는, 유기 발광 소자:
    Figure 112019101713535-pat00092

    상기 화학식 1-1 내지 1-5 중,
    L11, a11, A11 및 R11 내지 R19는 각각 상기 화학식 1 중의 정의를 참조한다.
  8. 제7항에 있어서,
    A11은 하기 화학식 8-1 내지 8-5 중 어느 하나로 표시되는, 유기 발광 소자:
    Figure 112019101713535-pat00093

    상기 화학식 8-1 내지 8-5 중,
    X81은 O, S, N(R89) 및 C(R89)(R90) 중에서 선택되고;
    R81 내지 R90은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C20알킬기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되고;
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  9. 제2항에 있어서,
    R101 내지 R103 중 적어도 하나는 하기 화학식 11-1로 표시되는 그룹, 하기 화학식 11-2로 표시되는 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3) 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3); 중에서 선택되는, 유기 발광 소자:
    <화학식 11-1> <화학식 11-2>
    Figure 112021107675452-pat00094

    상기 화학식 11-1 및 11-2 중,
    Y111은 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33) 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택되고;
    R111 내지 R114는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C10알킬기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33) 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택되고;
    Q1 내지 Q3 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되고;
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 제3화합물은 하기 화학식 3-1 및 3-2 중 어느 하나로 표시되는, 유기 발광 소자:
    <화학식 3-1> <화학식 3-2>
    Figure 112021107675452-pat00138

    상기 화학식 3-1 및 3-2 중,
    X31 내지 X40은 서로 독립적으로, N 및 C 중에서 선택된다.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 제4화합물은 화학식 4-1로 표시되는, 유기 발광 소자:
    <화학식 4-1>
    Figure 112019101713535-pat00096
  12. 제2항에 있어서,
    상기 제4화합물은 하기 화학식 4-11 및 4-12 중 어느 하나로 표시되는, 유기 발광 소자:
    <화학식 4-11> <화학식 4-12>
    Figure 112021107675452-pat00139

    상기 화학식 4-11 및 4-12 중,
    R41a 내지 R41d, R42a 내지 R42d, R43a 내지 R43c, R47a 내지 R47d, R48a, R48b 및 R49a 내지 R49c는 상기 화학식 4 중의 R41에 대한 설명을 참조한다.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1화합물은 하기 그룹 I 중에서 선택되고;
    상기 제2화합물은 하기 그룹 II 중에서 선택되고;
    상기 제3화합물은 하기 그룹 III-I 및 III-II 중에서 선택되고;
    상기 제4화합물은 하기 그룹 IV 중에서 선택되는, 유기 발광 소자:
    <그룹 I>
    Figure 112019101713535-pat00098

    Figure 112019101713535-pat00099

    Figure 112019101713535-pat00100

    <그룹 II>
    Figure 112019101713535-pat00101

    Figure 112019101713535-pat00102

    Figure 112019101713535-pat00103

    Figure 112019101713535-pat00104

    Figure 112019101713535-pat00105

    <그룹 III-I>
    Figure 112019101713535-pat00106

    Figure 112019101713535-pat00107

    Figure 112019101713535-pat00108

    <그룹 III-2>
    Figure 112019101713535-pat00109

    Figure 112019101713535-pat00110

    Figure 112019101713535-pat00111

    Figure 112019101713535-pat00112

    Figure 112019101713535-pat00113

    Figure 112019101713535-pat00114

    Figure 112019101713535-pat00115

    Figure 112019101713535-pat00116

    Figure 112019101713535-pat00117

    <그룹 IV>
    Figure 112019101713535-pat00118

    Figure 112019101713535-pat00119

    Figure 112019101713535-pat00120

    Figure 112019101713535-pat00121

    Figure 112019101713535-pat00122

    Figure 112019101713535-pat00123
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극이 애노드이고,
    상기 제2전극이 캐소드이고,
    상기 유기층은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 수송 영역 및/또는 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 배치된 전자 수송 영역을 더 포함하고,
    상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광 보조층, 전자 저지층 또는 이의 임의의 조합을 포함하고,
    상기 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 유기 발광 소자.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 정공 저지층은 정공 저지 재료를 포함하고,
    상기 제1화합물, 상기 제2화합물 및 상기 정공 저지 재료는 하기 조건 4 및 5를 만족하는, 유기 발광 소자:
    <조건 4>
    T1(HB) ≥ T1(C1)
    <조건 5>
    T1(HB) ≥ T1(C2)
    상기 조건 4 및 5 중,
    T1(C1)는 상기 제1화합물의 최저 여기 삼중항 에너지 레벨이고;
    T1(C2)는 상기 제2화합물의 최저 여기 삼중항 에너지 레벨이고;
    T1(HB)는 상기 정공 저지 재료의 최저 여기 삼중항 에너지 레벨이고;
    T1(C1), T1(C2) 및 T1(HB)는 각각 onset 값으로서, 측정 값이다.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 정공 저지층은 정공 저지 재료를 포함하고,
    상기 제1화합물, 상기 제2화합물 및 상기 정공 저지 재료는 하기 조건 4-1 및 5-1를 만족하는, 유기 발광 소자:
    <조건 4-1>
    0.3 eV > T1(HB) - T1(C1) ≥ 0 eV
    <조건 5-1>
    0.3 eV > T1(HB) - T1(C2) ≥ 0 eV
  17. 제14항에 있어서,
    상기 정공 저지층은 정공 저지 재료를 포함하고,
    상기 정공 저지 재료는 하기 화학식 10으로 표시되는, 유기 발광 소자:
    <화학식 10>
    Figure 112019101713535-pat00124

    상기 화학식 10 중,
    L101 내지 L103은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C5-C30카보시클릭 그룹 및 치환 또는 비치환된 C1-C30헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고,
    a101 내지 a103은 서로 독립적으로, 0, 1 및 2 중에서 선택되고;
    R101 내지 R103은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3), -Si(Q1)(Q2)(Q3), -B(Q1)(Q2), -N(Q1)(Q2), -P(Q1)(Q2), -C(=O)(Q1), -S(=O)(Q1), -S(=O)2(Q1), -P(=O)(Q1)(Q2) 및 -P(=S)(Q1)(Q2) 중에서 선택된다.
  18. 제16항에 있어서,
    R101 내지 R103 중 적어도 하나는 하기 화학식 11-1로 표시되는 그룹, 하기 화학식 11-2로 표시되는 그룹, -C(Q1)(Q2)(Q3) 및 -Si(Q1)(Q2)(Q3); 중에서 선택되는, 유기 발광 소자:
    <화학식 11-1> <화학식 11-2>
    Figure 112019101713535-pat00125

    상기 화학식 11-1 및 11-2 중,
    Y111은 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33) 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택되고;
    R111 내지 R113는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, C1-C10알킬기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, -C(Q31)(Q32)(Q33) 및 -Si(Q31)(Q32)(Q33) 중에서 선택되고;
    Q1 내지 Q3 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오페닐기 중에서 선택되고;
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 정공 저지층은 정공 저지 재료를 포함하고,
    상기 정공 저지 재료는 하기 그룹 V 중에서 선택되는, 유기 발광 소자:
    <그룹 V>
    Figure 112022109716013-pat00126

    Figure 112022109716013-pat00127

    Figure 112022109716013-pat00128

    Figure 112022109716013-pat00129

    Figure 112022109716013-pat00130
  20. 소스 전극, 드레인 전극 및 활성층을 포함한 박막 트랜지스터; 및 제1항 내지 제 19항 중 어느 한 항의 유기 발광 소자; 를 포함하고,
    상기 유기 발광 소자의 제1전극과 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나가 서로 전기적으로 연결되어 있는, 장치.
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