KR102501480B1 - Antistatic resin composition, method for producing antistatic resin composition, and packing material for electronic component - Google Patents

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Abstract

우수한 대전 방지 성능을 발현하며, 또한 투명성도 우수한 제전성 수지 조성물을 제공한다.
블록 공중합체 (b)와, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 포함하는 제전성 수지 조성물이며,
상기 블록 공중합체 (b)가 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 공액 디엔 단량체 단위를 포함하는 블록 공중합체이고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록을 갖고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위가 30 내지 90질량%이고, 공액 디엔 단량체 단위가 70 내지 10질량%이고,
상기 블록 공중합체 (b)와, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 합계량을 100질량%라고 하였을 때, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량이 0.5질량% 이상 5질량% 이하인, 제전성 수지 조성물.
An antistatic resin composition that exhibits excellent antistatic performance and is also excellent in transparency is provided.
An antistatic resin composition comprising a block copolymer (b) and a donor/acceptor molecular compound (c),
The block copolymer (b) is a block copolymer containing a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and a conjugated diene monomer unit, and has a polymer block mainly composed of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit, and the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit is 30 to 90 mass %, the conjugated diene monomer unit is 70 to 10% by mass,
When the total amount of the block copolymer (b) and the donor/acceptor molecular compound (c) is 100 mass%, the content of the donor/acceptor molecular compound (c) is 0.5 mass% or more and 5 mass% % or less, the antistatic resin composition.

Description

제전성 수지 조성물, 제전성 수지 조성물의 제조 방법 및 전자 부품 포장재 {ANTISTATIC RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING ANTISTATIC RESIN COMPOSITION, AND PACKING MATERIAL FOR ELECTRONIC COMPONENT}Antistatic resin composition, manufacturing method of antistatic resin composition, and packaging material for electronic parts

본 발명은 제전성 수지 조성물, 제전성 수지 조성물의 제조 방법 및 전자 부품 포장재에 관한 것이다.The present invention relates to an antistatic resin composition, a method for producing the antistatic resin composition, and an electronic component packaging material.

일반적으로, 비닐 방향족 탄화수소계 수지(예를 들어, 스티렌계 수지)는 성형 가공성, 강성, 투명성 등이 우수하고, 또한 저렴하고 비중이 낮으며, 경제적으로도 우수하기 때문에, 비닐 방향족 탄화수소계 수지로 성형된 성형품은, 사출 성형품이나, T 다이로부터 압출되는 시트상 성형품이나, 이형 금형으로부터 압출되는 환상이나 각상의 튜브형 이형 압출 성형품 등으로서 여러 분야에서 널리 사용되고 있다.In general, vinyl aromatic hydrocarbon-based resins (for example, styrene-based resins) are excellent in molding processability, rigidity, transparency, etc., are inexpensive, have low specific gravity, and are economically excellent, so they are used as vinyl aromatic hydrocarbon-based resins. Molded articles are widely used in various fields, such as injection molded articles, sheet-like molded articles extruded from a T die, annular or prismatic tubular molded extruded articles extruded from a mold release mold, and the like.

그 중에서도 집적 회로(IC)나 대규모 집적 회로(LSI) 등의 전자 부품을 전자 기기에 실장ㆍ곤포하기 위한 캐리어 테이프나, 커넥터 그리고 각종 반도체 부품을 실장ㆍ곤포하기 위한 매거진관(매거진 스틱이라고도 함) 및 액정 패널 등을 곤포하기 위한 반송용 트레이 등의 각종 전자 부품 포장재에는, 내충격 폴리스티렌이나 투명 MBS 수지(메타크릴산메틸/부타디엔/스티렌 공중합 수지)와 같은 비닐 방향족 탄화수소계 수지로 구성된 시트상 성형품이나 튜브상의 압출 성형품이 널리 일반적으로 사용되고 있다.Among them, carrier tapes for mounting and packing electronic parts such as integrated circuits (ICs) and large-scale integrated circuits (LSIs) in electronic devices, connectors, and magazine tubes for mounting and packing various semiconductor parts (also called magazine sticks) and sheet-shaped molded articles made of vinyl aromatic hydrocarbon-based resins such as impact-resistant polystyrene and transparent MBS resin (methyl methacrylate/butadiene/styrene copolymer resin) for packaging materials for various electronic parts, such as transport trays for packing liquid crystal panels and the like. Tubular extruded articles are widely used.

상기 캐리어 테이프나 매거진관, 반송용 트레이 등의 전자 부품 포장재는, 그 사용 형태로부터 강성, 내충격성 등의 역학 물성에 더하여, 슬릿 가공 시에 버를 발생시키지 않는, 혹은 진공 성형 시에 두께 편차가 없는 균일한 두께를 얻기 위한 성형 가공성이나, 투명성(시인성), 나아가 정전기에 의한 전자 부품의 장해나 파괴를 방지하기 위한 제전성이 요구되는 등, 다방면에 걸친 요구 특성이 있으며, 그것들에 부응하기 위해, 이들 특성을 향상시켜 보다 양호한 물성 밸런스를 얻기 위해 여러 가지 개량 검토가 이루어지고 있다.Electronic parts packaging materials such as carrier tapes, magazine tubes, and transport trays have mechanical properties such as rigidity and impact resistance from their usage form, do not generate burrs during slit processing, or have thickness variations during vacuum forming. There are a wide range of required characteristics, such as molding processability to obtain a uniform thickness, transparency (visibility), and antistatic properties to prevent damage or destruction of electronic parts due to static electricity. In order to improve these properties and obtain a better balance of physical properties, various improvement studies have been conducted.

특히 비닐 방향족 탄화수소계 수지를 베이스로 한 제전성 재료로서는, 종래부터 스티렌계 수지에 케첸 블랙 등의 도전성 카본을 배합한 조성물이 널리 알려져 있다.In particular, as an antistatic material based on a vinyl aromatic hydrocarbon-based resin, conventionally, a composition obtained by blending a styrene-based resin with conductive carbon such as Ketjen Black has been widely known.

종래 제안되어 있는 스티렌계 수지에 도전성 카본을 배합한 스티렌계 제전성 재료는, 표면 저항률 105Ω/□ 정도를 발휘하고, 전자 부품의 종류에 따라서는 필요 불가결한 매우 낮은 표면 저항률을 발현하지만, 전자 부품에 따라서는 그렇게까지 낮은 표면 저항률이 반드시 필요 불가결한 것은 아니며, 표면 저항률 1010Ω/□ 정도라도 충분한 전자 부품도 다수 존재한다.A conventionally proposed styrenic antistatic material in which conductive carbon is mixed with a styrenic resin exhibits a surface resistivity of about 10 5 Ω/□ and expresses an extremely low surface resistivity that is indispensable depending on the type of electronic component. Depending on the electronic component, such a low surface resistivity is not necessarily indispensable, and there are many electronic components where even a surface resistivity of about 10 10 Ω/□ is sufficient.

한편, 도전성 카본을 배합한 제전성 재료의 단점으로서는, 성형품의 색이 검고 불투명하기 때문에 시인성이 떨어져, 포장된 상태에서 내용물의 확인이 어렵다고 하는 문제가 있다. 또한, 성형한 전자 부품 포장재에 전자 부품을 실장하여 실제로 반송하였을 때, 반송 시의 진동에 의한 전자 부품과 포장재의 접촉 부분의 마찰에 의해 도전성 카본이 탈락하고, 탈락한 도전성 카본이 전자 부품에 부착되는 등의 콘타미네이션을 일으킬 수 있는 문제도 지적되고 있다.On the other hand, as a disadvantage of the antistatic material blended with conductive carbon, there is a problem that the visibility is poor because the color of the molded product is black and opaque, and it is difficult to check the contents in a packaged state. In addition, when electronic components are mounted on molded electronic component packaging materials and actually transported, conductive carbon is detached due to friction between the contact portion between the electronic components and the packaging material due to vibration during transport, and the detached conductive carbon adheres to the electronic components. Problems that can cause contamination, such as becoming, are also pointed out.

한편으로, 도전성 카본을 사용하지 않고 제전 성능을 발현시킨 수지 조성물에 관한 기술 개발도 종래부터 이루어지고 있다.On the other hand, technology development related to a resin composition exhibiting antistatic performance without using conductive carbon has been conventionally made.

예를 들어, 스티렌계 수지 등의 열가소성 수지에 폴리옥시알킬렌쇄를 갖는 고분자형의 도전성 폴리머를 블렌드한 수지 조성물에 관한 기술이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).For example, a technique related to a resin composition obtained by blending a high molecular type conductive polymer having a polyoxyalkylene chain with a thermoplastic resin such as a styrenic resin has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

그러나, 일반적으로 고분자형의 도전성 폴리머는, 기재 수지인 스티렌계 수지보다 굴절률이 낮고, 고분자형의 도전성 폴리머를 배합한 수지 조성물을 포함하는 전자 부품 포장재는, 그것들의 굴절률의 괴리가 크기 때문에, 백탁되어 시인성이 손상된다고 하는 문제가 있다. 나아가, 제전성 발현을 위해서는 고분자형의 도전성 폴리머를 통상 10% 이상이나 되는 함유량으로 다량 배합할 필요가 있고, 그 폴리머 구조로 인해 탄성률이 낮고, 수지 조성물의 강성이 저하되는 등, 수지 조성물의 역학 특성이 크게 변화한다고 하는 문제도 있다.However, in general, a high molecular type conductive polymer has a lower refractive index than a base resin, a styrene-based resin, and an electronic component packaging material containing a resin composition blended with a high molecular type conductive polymer has a large discrepancy in their refractive indices, resulting in cloudiness. There is a problem that the visibility is impaired. Furthermore, in order to develop antistatic properties, it is necessary to blend a large amount of a high-molecular-type conductive polymer at a content of usually 10% or more, and the polymer structure has a low elastic modulus and a decrease in the rigidity of the resin composition. There is also a problem that the characteristics change greatly.

또한, 제전성 수지 조성물을 얻기 위한 방법으로서, 범용적인 대전 방지제인 계면 활성제를 열가소성 수지에 첨가하는 방법도 종래 알려져 있다.In addition, as a method for obtaining an antistatic resin composition, a method of adding a surfactant, which is a general-purpose antistatic agent, to a thermoplastic resin is also conventionally known.

그러나, 계면 활성제 타입의 대전 방지제는 성형품의 표면에 블리드 아웃함으로써 성능을 발현하기 때문에, 성형품의 표면을 물로 닦으면 일시적으로 제전 성능이 저하되어, 표면 저항률이 상승하는 등의 제전 성능에 있어서의 안정성에 과제가 있다. 나아가, 대전 방지제 그 자체가 성형품 표면에 블리드 아웃하기 때문에, 내용물인 전자 부품에 부착되어 콘타미네이션을 발생시킬 우려도 있어, 전자 부품 포장재 용도로는 부적절하다.However, since surfactant-type antistatic agents develop performance by bleeding out on the surface of molded articles, when the surface of molded articles is wiped with water, the antistatic performance is temporarily lowered and the surface resistivity is increased. Stability in antistatic performance has a task in Furthermore, since the antistatic agent itself bleeds out on the surface of the molded product, it may adhere to the electronic component as the content and cause contamination, making it unsuitable for use as a packaging material for electronic components.

그래서 근년, 새로운 타입의 대전 방지제로서, 유기 붕소 화합물과 질소 함유 화합물을 포함하는 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물을 사용하여, 이것을 열가소성 수지에 첨가한 제전성 수지 조성물이 제안되어 있다(예를 들어 특허문헌 2, 비특허문헌 1 참조).Therefore, in recent years, as a new type of antistatic agent, an antistatic resin composition using a donor/acceptor molecular compound containing an organic boron compound and a nitrogen-containing compound and adding this to a thermoplastic resin has been proposed (for example, patent See Document 2, Non-Patent Document 1).

이것은 분자 화합물의 개념을 도입한 대전 방지제이다. 이 제전성 수지 조성물은, 종래의 성형품 표면에 블리드 아웃하여 대전 방지 효과를 발휘하는 계면 활성제 타입과는 달리, 전자 도너와 억셉터를 조합함으로써, 전하의 주고받음을 순시에 행함으로써, 대전된 전하를 순시에 감쇠시켜 대전 방지 효과를 발현하는 것이다.This is an antistatic agent that introduces the concept of a molecular compound. This antistatic resin composition, unlike the conventional surfactant type that bleeds out to the surface of a molded product and exhibits an antistatic effect, combines an electron donor and an acceptor to instantly transfer and accept charges, thereby reducing the charged charge. is to instantaneously attenuate to express an antistatic effect.

일본 특허 공개 제2011-6604호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-6604 일본 특허 제5734491호 공보Japanese Patent No. 5734491

잡지 「플라스틱스 에이지」2018년 4월호 47 내지 52페이지Magazine "Plastics Age" April 2018, pages 47 to 52

그러나, 상기 유기 붕소 화합물과 질소 함유 화합물을 포함하는 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물을 사용한 제전성 수지 조성물에도 과제가 있다.However, an antistatic resin composition using a donor/acceptor molecular compound containing the organic boron compound and a nitrogen-containing compound also has a problem.

제전 성능을 발현하는 것은 PE나 PP, 환상 폴리올레핀 등의 소위 결정성을 갖는 폴리올레핀 수지이거나, 혹은 폴리아미드, PET 수지, ABS 수지, 폴리염화비닐이나 폴리아세탈 등의 탄화수소 이외의 헤테로 원자를 고분자 골격 내에 일정 농도 이상 함유하는 소위 극성 수지에 한정된다. 즉, 범용 폴리스티렌(GPPS라고도 함)이나 고무 변성 폴리스티렌(HIPS라고도 함)이나 메타크릴산메틸 함량이 20질량% 정도인 메타크릴산메틸/스티렌 공중합 수지(MS 수지라고도 함)에서는, 예를 들어 4질량% 정도의, 통상에 있어서는 충분한 양으로 생각되는 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물을 배합하였다고 해도, 표면 저항률을 낮추는 효과가 얻어지지 않아, 제전 성능은 발현되지 않는다고 하는 문제점을 갖고 있다.What exhibits antistatic performance is a so-called crystalline polyolefin resin such as PE, PP, or cyclic polyolefin, or a heteroatom other than a hydrocarbon such as polyamide, PET resin, ABS resin, polyvinyl chloride, or polyacetal in the backbone of the polymer. It is limited to so-called polar resins containing more than a certain concentration. That is, in general-purpose polystyrene (also referred to as GPPS), rubber-modified polystyrene (also referred to as HIPS), and methyl methacrylate/styrene copolymer resin (also referred to as MS resin) having a methyl methacrylate content of about 20% by mass, for example, 4 Even if the donor/acceptor type molecular compound, which is usually considered to be a sufficient amount by mass%, is blended, the effect of lowering the surface resistivity is not obtained, and there is a problem that the antistatic performance is not expressed.

그래서 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 감안하여, 범용 폴리스티렌(GPPS)이나 그라프트 고무 입자를 함유하는 고무 변성 폴리스티렌(HIPS)이나 스티렌아크릴 공중합 수지 등의 스티렌계 수지를 베이스 수지로서 사용한 경우라도, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물을 배합한 수지 조성물에 있어서, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 본래의 특성을 인출하고, 우수한 대전 방지 성능을 발현하며, 또한 투명성도 우수한 제전성 수지 조성물, 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention, in view of the above-mentioned problems of the prior art, even when a styrene-based resin such as general-purpose polystyrene (GPPS), rubber-modified polystyrene (HIPS) containing graft rubber particles, or styrene-acrylic copolymer resin is used as a base resin. , an antistatic resin composition in which the donor/acceptor molecular compound is blended, in which the original properties of the donor/acceptor molecular compound are incorporated, exhibits excellent antistatic performance, and also has excellent transparency; and It aims at providing a manufacturing method.

본 발명자는 예의 검토를 행한 결과, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물과, 특정 블록 공중합체를 조합하며, 또한 조성의 최적화를 행함으로써, 우수한 대전 방지 성능 및 투명성을 발현할 수 있는 제전성 수지 조성물이 얻어지는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.As a result of intensive studies, the present inventors have found that an antistatic resin composition capable of exhibiting excellent antistatic performance and transparency by combining a donor/acceptor type molecular compound and a specific block copolymer and further optimizing the composition. They found what was to be obtained and came to complete the present invention.

즉, 본 발명은 이하와 같다.That is, this invention is as follows.

[1][One]

블록 공중합체 (b)와,a block copolymer (b);

도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)Donor/acceptor type molecular compound (c)

를 포함하는 제전성 수지 조성물이며,An antistatic resin composition comprising

상기 블록 공중합체 (b)가 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 공액 디엔 단량체 단위를 포함하는 블록 공중합체이고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록을 갖고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위가 30 내지 90질량%이고, 공액 디엔 단량체 단위가 70 내지 10질량%이고,The block copolymer (b) is a block copolymer containing a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and a conjugated diene monomer unit, and has a polymer block mainly composed of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit, and the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit is 30 to 90 mass %, the conjugated diene monomer unit is 70 to 10% by mass,

상기 블록 공중합체 (b)와, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 합계량을 100질량%라고 하였을 때, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량이 0.5질량% 이상 5질량% 이하인, 제전성 수지 조성물.When the total amount of the block copolymer (b) and the donor/acceptor molecular compound (c) is 100 mass%, the content of the donor/acceptor molecular compound (c) is 0.5 mass% or more and 5 mass% % or less, the antistatic resin composition.

[2][2]

표면 저항률이 1×1012Ω/□ 이하인, 상기 [1]에 기재된 제전성 수지 조성물.The antistatic resin composition according to [1] above, wherein the surface resistivity is 1×10 12 Ω/□ or less.

[3][3]

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와,A vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a);

블록 공중합체 (b)와,a block copolymer (b);

도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)Donor/acceptor type molecular compound (c)

를 포함하는 제전성 수지 조성물이며,An antistatic resin composition comprising

상기 블록 공중합체 (b)가 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 공액 디엔 단량체 단위를 포함하는 블록 공중합체이고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록을 갖고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위가 30 내지 90질량%이고, 공액 디엔 단량체 단위가 70 내지 10질량%이고,The block copolymer (b) is a block copolymer containing a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and a conjugated diene monomer unit, and has a polymer block mainly composed of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit, and the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit is 30 to 90 mass %, the conjugated diene monomer unit is 70 to 10% by mass,

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와, 상기 블록 공중합체 (b)의 합계량을 100질량%라고 하였을 때, 상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 질량비가 81질량% 이하이고, 상기 블록 공중합체 (b)의 질량비가 19질량% 이상 100질량% 미만이고,When the total amount of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) is 100% by mass, the mass ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) is 81% by mass or less, and the block copolymer The mass ratio of (b) is 19% by mass or more and less than 100% by mass;

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와, 상기 블록 공중합체 (b)와, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 합계량을 100질량%라고 하였을 때, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이고,The donor/acceptor molecular compound ( The content of c) is 0.5 mass % or more and 5 mass % or less,

표면 저항률이 1×1012Ω/□ 이하인, 제전성 수지 조성물.An antistatic resin composition having a surface resistivity of 1×10 12 Ω/□ or less.

[4][4]

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)가The vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a)

비닐 방향족 탄화수소 단량체의 단독 중합체 (a1),Homopolymers of vinyl aromatic hydrocarbon monomers (a1);

비닐 방향족 탄화수소 단량체의 그라프트 공중합체 (a2) 및Graft copolymers (a2) of vinyl aromatic hydrocarbon monomers and

비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체 단위의 랜덤 공중합체 (a3)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 것인, 상기 [3]에 기재된 제전성 수지 조성물.The antistatic resin composition according to [3] above, which is any one selected from the group consisting of a random copolymer (a3) of a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and (meth)acrylic acid and/or (meth)acrylic acid alkylester monomer unit.

[5][5]

ISO1133에서 규정되는 200℃ㆍ5kg 하중 조건 하에 있어서의 멜트 플로 레이트(MFR)에 있어서,In the melt flow rate (MFR) under the 200 ° C. 5 kg load condition specified in ISO1133,

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 MFR(이하, MFRa라고 기재함)과, 상기 블록 공중합체 (b)의 MFR(이하, MFRb라고 기재함)의 관계가,The relationship between the MFR (hereinafter referred to as MFRa) of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the MFR (hereinafter referred to as MFRb) of the block copolymer (b),

하기 (i) 내지 (iv) 중 어느 하나의 조건을 만족하는, 상기 [3] 또는 [4]에 기재된 제전성 수지 조성물.The antistatic resin composition according to the above [3] or [4], which satisfies any one of the following conditions (i) to (iv).

<조건 (i)><Condition (i)>

상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 0질량% 초과 30질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 70질량% 이상 100질량% 미만인 경우에는,When the sum of the component (a) and the component (b) is 100% by mass, the component (a) is more than 0% by mass and 30% by mass or less, and the component (b) is 70% by mass or more and 100% by mass If less than

MFRa와 MFRb의 수치의 여하에 상관없이, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이다.Regardless of the numerical value of MFRa and MFRb, when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.5% by mass or more and 5% by mass less than %.

<조건 (ii)><Condition (ii)>

상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 30질량% 초과 50질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 70질량% 미만 50질량% 이상인 경우에는,When the total of the component (a) and the component (b) is 100% by mass, the component (a) is greater than 30% by mass and not more than 50% by mass, and the component (b) is less than 70% by mass 50% by mass If more than

MFRa<MFRb … (식 1)MFRa<MFRb . . . (Equation 1)

의 관계로 되는 경우, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이고,In the case of a relationship, when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.5% by mass or more and 5% by mass or less,

MFRa≥MFRb … (식 2)MFRa≥MFRb . . . (Equation 2)

의 관계로 되는 경우, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.9질량% 이상 5질량% 이하이다.In the case of a relationship, when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.9% by mass or more and 5% by mass or less.

<조건 (iii)><Condition (iii)>

상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 50질량% 초과 70질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 50질량% 미만 30질량% 이상인 경우에는,When the sum of the component (a) and the component (b) is 100% by mass, the component (a) is more than 50% by mass and 70% by mass or less, and the component (b) is less than 50% by mass and 30% by mass If more than

MFRa<MFRb … (식 1)MFRa<MFRb . . . (Equation 1)

의 관계를 만족하고, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.9질량% 이상 5질량% 이하이다.The relationship of is satisfied, and when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.9% by mass or more and 5% by mass or less.

<조건 (iv)><Condition (iv)>

상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 70질량% 초과 81질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 30질량% 미만 19질량% 이상인 경우에는,When the sum of the component (a) and the component (b) is 100% by mass, the component (a) is more than 70% by mass and 81% by mass or less, and the component (b) is less than 30% by mass and 19% by mass If more than

MFRa<MFRb … (식 1)MFRa<MFRb . . . (Equation 1)

의 관계를 만족하고, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 3질량% 이상 5질량% 이하이다.The relationship of is satisfied, and when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 3% by mass or more and 5% by mass or less.

[6][6]

ISO1133에서 규정되는 200℃ㆍ5kg 하중 조건 하에 있어서의 멜트 플로 레이트(MFR)에 있어서,In the melt flow rate (MFR) under the 200 ° C. 5 kg load condition specified in ISO1133,

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a3)의 MFR(이하, MFRa라고 기재함)과, 상기 블록 공중합체 (b)의 MFR(이하, MFRb라고 기재함)의 관계에 있어서,In the relationship between the MFR (hereinafter referred to as MFRa) of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a3) and the MFR (hereinafter referred to as MFRb) of the block copolymer (b),

하기 (v) 또는 (vi)의 조건을 만족하는, 상기 [4]에 기재된 제전성 수지 조성물.The antistatic resin composition according to [4] above, which satisfies the condition (v) or (vi) below.

<조건 (v)><Condition (v)>

상기 (a3) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a3) 성분이 0질량% 초과 20질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 80질량% 이상 100질량% 미만인 경우에는, MFRa와 MFRb의 수치의 여하에 상관없이,When the sum of the component (a3) and the component (b) is 100% by mass, the component (a3) is more than 0% by mass and 20% by mass or less, and the component (b) is 80% by mass or more and 100% by mass If less than, regardless of the values of MFRa and MFRb,

상기 (a3) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, (c)가 0.5질량% 이상 5질량% 이하이다.When the sum of the component (a3), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, (c) is 0.5% by mass or more and 5% by mass or less.

<조건 (vi)><condition (vi)>

상기 (a3) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a3) 성분이 20질량% 초과 50질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 80질량% 미만 50질량% 이상인 경우에는,When the sum of the component (a3) and the component (b) is 100% by mass, the component (a3) is more than 20% by mass and 50% by mass or less, and the component (b) is less than 80% by mass and 50% by mass If more than

MFRa<MFRb … (식 1)MFRa<MFRb . . . (Equation 1)

를 만족하고, 상기 (a3) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 3질량% 이상 5질량% 이하이다.is satisfied, and when the sum of the component (a3), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 3% by mass or more and 5% by mass or less.

[7][7]

상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)가 하기 일반식 (1)로 표시되는, 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 제전성 수지 조성물.The antistatic resin composition according to any one of [1] to [6] above, wherein the donor/acceptor molecular compound (c) is represented by the following general formula (1).

Figure 112021063747543-pat00001
Figure 112021063747543-pat00001

(식 (1) 중, R1, R2는, 각각 독립적으로 CH3(CH2)n-CO-OCH2(n은 12 내지 22의 정수) 또는 HOCH2이며, 또한 적어도 한쪽이 CH3(CH2)n-CO-OCH3(n은 12 내지 22의 정수)이다.(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently CH 3 (CH 2 ) n -CO-OCH 2 (n is an integer of 12 to 22) or HOCH 2 , and at least one is CH 3 ( CH 2 ) n -CO-OCH 3 (n is an integer from 12 to 22).

R3, R4는, 각각 독립적으로 CH3, C2H5, HOCH2, HOC2H4 및 HOCH2CH(CH3)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 것이다.R 3 and R 4 are each independently selected from the group consisting of CH 3 , C 2 H 5 , HOCH 2 , HOC 2 H 4 and HOCH 2 CH(CH 3 ).

여기서, 일반식 (1)에 있어서의 「δ+」는 분자 내의 공유 결합 중에 극성이 존재하고 있는 것을 나타내고, (+)는 산소 원자의 전자 공여성이 강하게 되어 있는 것을 나타내고, (-)는 붕소 원자의 전자 흡인성이 강하게 되어 있는 것을 나타내고, 「→」는 전자가 끌어 당겨지는 경로를 나타내고, 「---」은 원자간 결합력이 약화된 상태를 나타낸다.)Here, "δ+" in the general formula (1) indicates that polarity exists in the covalent bond in the molecule, (+) indicates that the electron donating ability of the oxygen atom is strong, and (-) indicates that boron Indicates that the electron-withdrawing property of an atom is strong, "→" indicates a path through which electrons are attracted, and "---" indicates a state in which the bonding force between atoms is weakened.)

[8][8]

상기 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 제전성 수지 조성물의 제조 방법이며,A method for producing the antistatic resin composition according to any one of the above [1] to [7],

블록 공중합체 (b)와, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 사용하여, 마스터 배치 전량을 100질량%라고 하였을 때, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 5질량% 이상 20질량% 이하의 조성 비율로서 용융 혼련함으로써 마스터 배치를 제조하는 공정 (I)과,Using the block copolymer (b) and the donor/acceptor molecular compound (c), when the total amount of the master batch is 100% by mass, the donor/acceptor molecular compound (c) is 5% by mass or more and 20% by mass A step (I) of producing a masterbatch by melting and kneading at a composition ratio of % or less;

상기 마스터 배치와, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a) 및/또는 블록 공중합체 (b)의 혼련에 의한 마스터 배치를 희석하는 공정 (II)Step (II) of diluting the master batch by kneading the master batch with vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and/or block copolymer (b)

를 갖는 제전성 수지 조성물의 제조 방법.Method for producing an antistatic resin composition having.

[9][9]

상기 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 제전성 수지 조성물의 성형체인, 전자 부품 포장재.An electronic component packaging material, which is a molded article of the antistatic resin composition according to any one of the above [1] to [7].

본 발명에 따르면, 범용 폴리스티렌(GPPS)이나 고무 변성 폴리스티렌(HIPS), 메타크릴산메틸/스티렌 공중합 수지(MS 수지) 등의 스티렌계 수지와 조합한 경우에 있어서도 우수한 대전 방지 성능을 발현하며, 또한 투명성도 우수한 제전성 수지 조성물, 당해 제전성 수지 조성물의 제조 방법 및 전자 부품 포장재를 제공할 수 있다.According to the present invention, even when combined with styrenic resins such as general-purpose polystyrene (GPPS), rubber-modified polystyrene (HIPS), and methyl methacrylate/styrene copolymer resin (MS resin), excellent antistatic performance is exhibited, and An antistatic resin composition excellent in transparency, a manufacturing method of the antistatic resin composition, and an electronic component packaging material can be provided.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태(이하, 「본 실시 형태」라고 함)에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the mode for implementing the present invention (hereinafter referred to as "the present embodiment") will be described in detail.

또한, 이하의 본 실시 형태는 본 발명을 설명하기 위한 예시이며, 본 발명을 이하의 내용에 한정한다는 취지가 아니며, 본 발명은 그 요지의 범위 내에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.In addition, the present embodiment below is an example for explaining the present invention, and is not intended to limit the present invention to the following content, and the present invention can be implemented with various modifications within the scope of the gist.

[제전성 수지 조성물][Antistatic Resin Composition]

(제1 제전성 수지 조성물)(First Antistatic Resin Composition)

본 실시 형태의 제1 제전성 수지 조성물은, 블록 공중합체 (b)와, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 포함하는 제전성 수지 조성물이다.The first antistatic resin composition of the present embodiment is an antistatic resin composition containing a block copolymer (b) and a donor/acceptor molecular compound (c).

상기 블록 공중합체 (b)는 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 공액 디엔 단량체 단위를 포함하는 블록 공중합체이고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록을 갖고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위가 30 내지 90질량%, 공액 디엔 단량체 단위가 70 내지 10질량%이다.The block copolymer (b) is a block copolymer containing a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and a conjugated diene monomer unit, and has a polymer block mainly composed of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit, and the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit is 30 to 90 mass %, the conjugated diene monomer unit is 70 to 10% by mass.

또한, 상기 블록 공중합체 (b)와 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 합계량을 100질량%라고 하였을 때, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이다.Further, when the total amount of the block copolymer (b) and the donor/acceptor molecular compound (c) is 100% by mass, the content of the donor/acceptor molecular compound (c) is 0.5% by mass or more and 5% by mass less than %.

상기 구성을 가짐으로써, 범용 폴리스티렌(GPPS)이나 고무 변성 폴리스티렌(HIPS), 메타크릴산메틸/스티렌 공중합 수지(MS 수지) 등의 스티렌계 수지와 조합한 경우에 있어서도 우수한 대전 방지 성능을 발현하며, 또한 투명성도 우수한 제전성 수지 조성물이 얻어진다.By having the above configuration, excellent antistatic performance is exhibited even when combined with styrenic resins such as general-purpose polystyrene (GPPS), rubber-modified polystyrene (HIPS), and methyl methacrylate/styrene copolymer resin (MS resin), In addition, an antistatic resin composition excellent in transparency is obtained.

본 실시 형태의 제1 제전성 수지 조성물은, 표면 저항률이 1×1012Ω/□ 이하인 것이 바람직하다.The first antistatic resin composition of the present embodiment preferably has a surface resistivity of 1×10 12 Ω/□ or less.

이에 의해 우수한 대전 방지 성능을 발휘할 수 있다.As a result, excellent antistatic performance can be exhibited.

제1 제전성 수지 조성물에 있어서의 표면 저항률은 5×1011Ω/□ 이하인 것이 바람직하고, 5×1010Ω/□ 이하인 것이 보다 바람직하다.The surface resistivity of the first antistatic resin composition is preferably 5×10 11 Ω/□ or less, and more preferably 5×10 10 Ω/□ or less.

제전성 수지 조성물의 표면 저항률은, 후술하는 실시예에 기재하는 방법에 의해 측정할 수 있다.The surface resistivity of the antistatic resin composition can be measured by the method described in Examples described later.

제1 제전성 수지 조성물의 표면 저항률은, 상기 블록 공중합체 (b)의 폴리머 구조의 최적화에 더하여, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 적량 배합함으로써 상기 수치 범위로 제어할 수 있다.The surface resistivity of the first antistatic resin composition can be controlled within the above numerical range by mixing an appropriate amount of the donor/acceptor molecular compound (c) in addition to optimizing the polymer structure of the block copolymer (b).

본래적으로는 표면 저항률의 하한값은 없으며, 낮을수록 성능 양호로 간주된다. 단, 표면 저항률의 저감은 비용에 비례하기 때문에, 현실적으로는 1×108Ω/□ 내지 1×109Ω/□를 하한으로서 설계하는 것이 바람직하다.Originally, there is no lower limit of the surface resistivity, and the lower the surface resistivity, the better the performance. However, since the reduction in surface resistivity is proportional to the cost, it is desirable to design the lower limit to 1×10 8 Ω/□ to 1×10 9 Ω/□ in reality.

(제2 제전성 수지 조성물)(Second Antistatic Resin Composition)

본 실시 형태의 제2 제전성 수지 조성물은,The second antistatic resin composition of the present embodiment,

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와,A vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a);

블록 공중합체 (b)와,a block copolymer (b);

도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)Donor/acceptor type molecular compound (c)

를 포함하는 제전성 수지 조성물이다.It is an antistatic resin composition containing.

상기 블록 공중합체 (b)가 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 공액 디엔 단량체 단위를 포함하는 블록 공중합체이고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록을 갖고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위가 30 내지 90질량%, 공액 디엔 단량체 단위가 70 내지 10질량%이다.The block copolymer (b) is a block copolymer containing a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and a conjugated diene monomer unit, and has a polymer block mainly composed of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit, and the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit is 30 to 90 mass %, the conjugated diene monomer unit is 70 to 10% by mass.

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 블록 공중합체 (b)의 합계량을 100질량%라고 하였을 때, 상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 질량비는 81질량% 이하이고, 상기 블록 공중합체 (b)의 질량비가 19질량% 이상 100질량% 미만이다.When the total amount of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) is 100% by mass, the mass ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) is 81% by mass or less, and the block copolymer (b) ) The mass ratio of is 19 mass % or more and less than 100 mass %.

또한, 상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와, 상기 블록 공중합체 (b)와, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 합계량을 100질량%라고 하였을 때, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물의 함유량이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이다.Further, when the total amount of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a), the block copolymer (b), and the donor/acceptor molecular compound (c) is 100% by mass, the donor/acceptor molecular compound The content of the compound is 0.5% by mass or more and 5% by mass or less.

또한, 제2 제전성 수지 조성물은, 표면 저항률이 1×1012Ω/□ 이하이다.Further, the second antistatic resin composition has a surface resistivity of 1×10 12 Ω/□ or less.

상기 구성을 가짐으로써, 우수한 대전 방지 성능을 발현하며, 또한 투명성도 우수한, 각종 스티렌계 수지 조성물인 제전성 수지 조성물이 얻어진다.By having the above configuration, antistatic resin compositions that are various styrenic resin compositions that exhibit excellent antistatic performance and are also excellent in transparency can be obtained.

본 실시 형태의 제2 제전성 수지 조성물은, 표면 저항률이 1×1012Ω/□ 이하이다.The surface resistivity of the second antistatic resin composition of the present embodiment is 1×10 12 Ω/□ or less.

이에 의해, 우수한 대전 방지 성능을 발휘할 수 있다.Thereby, excellent antistatic performance can be exhibited.

제2 제전성 수지 조성물에 있어서의 표면 저항률은 5×1011Ω/□ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5×1010Ω/□ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The surface resistivity of the second antistatic resin composition is more preferably 5×10 11 Ω/□ or less, and even more preferably 5×10 10 Ω/□ or less.

제전성 수지 조성물의 표면 저항률은, 후술하는 실시예에 기재하는 방법에 의해 측정할 수 있다.The surface resistivity of the antistatic resin composition can be measured by the method described in Examples described later.

제2 제전성 수지 조성물의 표면 저항률은, 상기 블록 공중합체 (b) 조성 비율과 폴리머 구조의 최적화에 더하여, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 적량 배합함으로써 상기 수치 범위로 제어할 수 있다.The surface resistivity of the second antistatic resin composition can be controlled within the above numerical range by blending an appropriate amount of the donor/acceptor molecular compound (c) in addition to optimization of the composition ratio and polymer structure of the block copolymer (b). .

상기 제2 제전성 수지 조성물의 바람직한 양태를 이하에 나타낸다.Preferable aspects of the second antistatic resin composition are shown below.

상기 제2 제전성 수지 조성물은, ISO1133에서 규정되는 200℃ㆍ5kg 하중 조건 하에 있어서의 멜트 플로 레이트(MFR)에 있어서, 상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 MFR(이하, MFRa라고 기재함)과, 블록 공중합체 (b)의 MFR(이하, MFRb라고 기재함)의 관계가, 하기 (i) 내지 (iv) 중 어느 하나의 조건을 만족하는 것이면 바람직하다.The second antistatic resin composition has a melt flow rate (MFR) of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) under a load condition of 200 ° C. and 5 kg stipulated by ISO1133 (hereinafter referred to as MFRa) It is preferable that the relationship between MFR (hereinafter referred to as MFRb) of the block copolymer (b) satisfies any one of the following conditions (i) to (iv).

<조건 (i)><Condition (i)>

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 블록 공중합체 (b)의 합계를 100질량%라고 하였을 때, (a) 성분이 0질량% 초과 30질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 70질량% 이상 100질량% 미만인 경우, MFRa와 MFRb의 수치의 여하에 상관없이, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)가 0.5질량% 이상 5질량% 이하이다.When the total of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) is 100% by mass, component (a) is more than 0% by mass and 30% by mass or less, and component (b) is 70% by mass In the case of more than 100% by mass, regardless of the numerical value of MFRa and MFRb, when the sum of the component (a), the component (b) and the component (c) is 100% by mass, the donor/acceptor The system molecular compound (c) is 0.5% by mass or more and 5% by mass or less.

상기 조건 (i)를 만족함으로써, 우수한 대전 방지 성능을 발현하며, 또한 투명성도 우수한 제전성 수지 조성물이 얻어진다. 또한, 블록 공중합체 (b)의 조성 비율이 높기 때문에, 유연성이 풍부하고, 우수한 충격 강도를 갖는 효과가 얻어진다.By satisfying the above condition (i), an antistatic resin composition exhibiting excellent antistatic performance and excellent transparency is obtained. In addition, since the composition ratio of the block copolymer (b) is high, the effect of having rich flexibility and excellent impact strength is obtained.

조건 (i)에 있어서, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량은, 바람직하게는 1 내지 5 질량이고, 보다 바람직하게는 2 내지 4질량%이다.In condition (i), the content of the donor-acceptor type molecular compound (c) is preferably 1 to 5 mass%, more preferably 2 to 4 mass%.

<조건 (ii)><Condition (ii)>

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 블록 공중합체 (b)의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 30질량% 초과 50질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 70질량% 미만 50질량% 이상인 경우에는,When the total of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) is 100% by mass, the component (a) is more than 30% by mass and not more than 50% by mass, and the component (b) is 70% by mass In the case of less than 50% by mass or more,

MFRa<MFRb … (식 1)MFRa<MFRb . . . (Equation 1)

의 관계로 되는 경우, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이고,In the case of a relationship, when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.5% by mass or more and 5% by mass or less,

MFRa≥MFRb … (식 2)MFRa≥MFRb . . . (Equation 2)

의 관계로 되는 경우, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.9질량% 이상 5질량% 이하이다.In the case of a relationship, when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.9% by mass or more and 5% by mass or less.

상기 조건 (ii)를 만족함으로써, 우수한 대전 방지 성능을 발현하며, 또한 투명성도 우수한 제전성 수지 조성물이 얻어진다. 또한, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)에 유래하여, 수지 조성물의 강성을 보다 높이는 효과가 얻어진다.By satisfying the above condition (ii), an antistatic resin composition exhibiting excellent antistatic performance and excellent transparency is obtained. In addition, the effect of further increasing the rigidity of the resin composition is obtained derived from the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a).

조건 (ii)에 있어서, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량은, 상기 (식 1)을 만족하는 경우, 바람직하게는 1 내지 5질량%이고, 보다 바람직하게는 2 내지 4질량%이다.In condition (ii), the content of the donor-acceptor molecular compound (c) is preferably 1 to 5% by mass, more preferably 2 to 4% by mass, when the above (Formula 1) is satisfied. %am.

또한, 상기 (식 2)를 만족하는 경우, 바람직하게는 2 내지 5질량%이고, 보다 바람직하게는 2 내지 4질량%이다.Further, when the above (Formula 2) is satisfied, it is preferably 2 to 5% by mass, more preferably 2 to 4% by mass.

<조건 (iii)><Condition (iii)>

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 블록 공중합체 (b)의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 50질량% 초과 70질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 50질량% 미만 30질량% 이상인 경우에는,When the total of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) is 100% by mass, the component (a) is more than 50% by mass and 70% by mass or less, and the component (b) is 50% by mass In the case of less than 30% by mass or more,

MFRa<MFRb … (식 1)MFRa<MFRb . . . (Equation 1)

의 관계를 만족하고, 또한 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)가 0.9질량% 이상 5질량% 이하이다.is satisfied, and when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100 mass%, the donor/acceptor molecular compound (c) is 0.9 mass% or more It is 5 mass % or less.

상기 조건 (iii)을 만족함으로써, 우수한 대전 방지 성능을 발현하며, 또한 투명성도 우수한 제전성 수지 조성물이 얻어진다. 또한, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)에 유래하여, 수지 조성물의 강성을 더 높이는 효과가 얻어진다.By satisfying the above condition (iii), an antistatic resin composition exhibiting excellent antistatic performance and excellent transparency is obtained. In addition, the effect of further increasing the rigidity of the resin composition is obtained derived from the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a).

조건 (iii)에 있어서, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량은, 바람직하게는 2 내지 5질량%이고, 보다 바람직하게는 3 내지 5질량%이다.In condition (iii), the content of the donor-acceptor molecular compound (c) is preferably 2 to 5% by mass, more preferably 3 to 5% by mass.

<조건 (iv)><Condition (iv)>

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 블록 공중합체 (b)의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 70질량% 초과 81질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 30질량% 미만 19질량% 이상인 경우에는,When the total of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) is 100% by mass, the component (a) is more than 70% by mass and 81% by mass or less, and the component (b) is 30% by mass In the case of less than 19% by mass or more,

MFRa<MFRb … (식 1)MFRa<MFRb . . . (Equation 1)

의 관계를 만족하고, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량이 3질량% 이상 5질량% 이하이다.is satisfied, and the content of the donor-acceptor molecular compound (c) is 3% by mass, when the total of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass It is more than 5 mass % or less.

상기 조건 (iv)를 만족함으로써, 우수한 대전 방지 성능을 발현하며, 또한 투명성도 우수한 제전성 수지 조성물이 얻어진다. 또한, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)가 원래 갖는 강성에 근접하는 값까지 높이는 효과가 얻어진다.By satisfying the above condition (iv), an antistatic resin composition exhibiting excellent antistatic performance and excellent transparency is obtained. In addition, the effect of increasing the stiffness to a value close to that originally possessed by the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) is obtained.

조건 (iv)에 있어서, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량은, 바람직하게는 3.5 내지 5질량%이고, 보다 바람직하게는 4 내지 5질량%이다.In condition (iv), the content of the donor/acceptor molecular compound (c) is preferably 3.5 to 5% by mass, more preferably 4 to 5% by mass.

본 명세서 중, 중합체를 구성하는 각 단량체 단위의 명명은, 단량체 단위가 유래하는 단량체의 명명을 따른다. 예를 들어, 「비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위」란, 단량체인 비닐 방향족 탄화수소 단량체를 중합한 결과 생기는 중합체의 구성 단위를 의미하며, 그 구조는 치환 비닐기로부터 유래하는 치환 에틸렌기의 2개의 탄소가 중합체 주쇄로 되어 있는 분자 구조이다. In this specification, the naming of each monomer unit constituting the polymer follows the naming of the monomer from which the monomer unit is derived. For example, "vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit" means a structural unit of a polymer formed as a result of polymerization of a vinyl aromatic hydrocarbon monomer as a monomer, and its structure is that two carbon atoms of a substituted ethylene group derived from a substituted vinyl group are polymer It is a molecular structure composed of a main chain.

또한, 「공액 디엔 단량체 단위」란, 단량체인 공액 디엔을 중합한 결과 생기는 중합체의 구성 단위를 의미하며, 그 구조는 공액 디엔 단량체로부터 유래하는 올레핀의 2개의 탄소가 중합체 주쇄로 되어 있는 분자 구조이다.In addition, "conjugated diene monomer unit" means a structural unit of a polymer formed as a result of polymerization of a conjugated diene as a monomer, and its structure is a molecular structure in which two carbons of an olefin derived from a conjugated diene monomer are polymer main chains. .

또한, 본 명세서 중, 「주체로 하는」이란, 소정의 단량체 단위의 함유량이 90질량% 이상인 것을 말한다.In this specification, "as a main component" means that the content of a predetermined monomeric unit is 90% by mass or more.

예를 들어, 블록 공중합체 (b)에 있어서, 「비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록」이란, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위가 90질량% 이상인 블록을 말한다.For example, in the block copolymer (b), "a polymer block mainly composed of vinyl aromatic hydrocarbon monomer units" refers to a block in which the vinyl aromatic hydrocarbon monomer units are 90% by mass or more.

비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위가 90질량% 미만, 또한 공액 디엔 단량체 단위가 10질량%를 초과하는 중합체 블록은 랜덤 공중합체 블록이라고 정의한다.A polymer block having less than 90% by mass of vinyl aromatic hydrocarbon monomer units and more than 10% by mass of conjugated diene monomeric units is defined as a random copolymer block.

랜덤 공중합체 블록은 완전 랜덤 구조여도, 테이퍼드 구조(연쇄를 따라 공중합 조성 비율이 단계적으로 변화하는 것)여도 된다.The random copolymer block may have a completely random structure or a tapered structure (a copolymerization composition ratio changes stepwise along the chain).

(블록 공중합체 (b), 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 질량비)(Mass ratio of block copolymer (b) and donor/acceptor molecular compound (c))

본 실시 형태의 제1 제전성 수지 조성물은, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 공액 디엔 단량체 단위를 포함하는 블록 공중합체 (b) 및 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 포함한다.The first antistatic resin composition of the present embodiment includes a block copolymer (b) containing a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and a conjugated diene monomer unit and a donor/acceptor molecular compound (c).

상기 블록 공중합체 (b)는, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위가 30 내지 90질량%, 공액 디엔 단량체 단위가 70 내지 10질량%이다.The said block copolymer (b) is 30-90 mass % of vinyl aromatic hydrocarbon monomer units, and 70-10 mass % of conjugated diene monomer units.

상기 블록 공중합체 (b)와, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이다.When the total of the block copolymer (b) and the donor/acceptor molecular compound (c) is 100 mass%, the content of the donor/acceptor molecular compound (c) is 0.5 mass% or more and 5 mass% less than %.

(비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a), 블록 공중합체 (b), 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 질량비)(Mass ratio of vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a), block copolymer (b), donor/acceptor molecular compound (c))

본 실시 형태의 제2 제전성 수지 조성물에 있어서의, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 블록 공중합체 (b)의 질량비는, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)/블록 공중합체 (b)=0을 초과하는 양/100 미만 내지 81 이하/19 이상의 사이이다.The mass ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) in the second antistatic resin composition of the present embodiment is vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a)/block copolymer (b) = 0 It is between the amount exceeding less than 100 and less than 81/19 or more.

상기 질량 비율 내에서, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 블록 공중합체 (b)의 질량비의 변동에 따라, 각각의 MFR값(MFRa와 MFRb)의 대소에 의존하여, 성능을 발현하는 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 최저 필요량이 결정된다.Within the above mass ratio, depending on the magnitude of the respective MFR values (MFRa and MFRb), depending on the variation in the mass ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b), donors and billions of donors exhibiting performance. The minimum required amount of the scepter-based molecular compound (c) is determined.

질량비에 따른 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 블록 공중합체 (b)의 각각의 MFR값의 조건에 따라 충분한 제전 성능을 발현할 수 있도록, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)/블록 공중합체 (b)의 비율 및/또는 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량을 설정한다.Vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) / block copolymer (b) so that sufficient antistatic performance can be expressed according to the conditions of the respective MFR values of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) according to the mass ratio ) and/or the content of the donor/acceptor molecular compound (c) is set.

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물에 있어서, 우수한 대전 방지 성능, 즉 제전 성능 발현에 이르기 위한, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 블록 공중합체 (b)의 질량비와 MFR의 상대 비교값은, 제전 성능을 발현하기에 이르는 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 최저한 필요한 배합량과 밀접하게 관계한다.In the antistatic resin composition of the present embodiment, the relative comparison value of the mass ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) and the MFR for achieving excellent antistatic performance, that is, antistatic performance, is It is closely related to the minimum required blending amount of the donor/acceptor type molecular compound (c) leading to expression of performance.

예를 들어, 블록 공중합체 (b)를 사용하지 않고, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)에 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 4질량% 정도 배합하였다고 해도 제전 성능은 발현되지 않는다. 제전 성능을 발현하기 위해서는, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 블록 공중합체 (b)의 합계를 100질량부라고 한 경우에는, 적어도 블록 공중합체 (b)의 함유량을 19질량% 이상으로 한 조성인 것이 필요하다.For example, even if about 4% by mass of the donor/acceptor molecular compound (c) is blended with the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) without using the block copolymer (b), the antistatic performance is not exhibited. In order to express antistatic performance, when the total of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) is 100 parts by mass, the composition in which the content of the block copolymer (b) is at least 19% by mass or more It is necessary to be

또한, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 블록 공중합체 (b)의 합계를 100질량%라고 하였을 때의, 블록 공중합체 (b)가 70질량% 이상으로 되면, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 제전 성능 발현에 이르는 최저 배합량이 0.5질량%로 되고, 또한 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)나 블록 공중합체 (b)의 MFR값에 의존하지 않게 되므로, 성능 발현되는 조성 범위는 현저히 넓어진다.Further, when the total of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) is 100% by mass, when the block copolymer (b) is 70% by mass or more, the donor/acceptor molecular compound ( c), since the lowest compounding amount required to develop antistatic performance is 0.5% by mass and does not depend on the MFR value of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) or the block copolymer (b), the range of compositions in which performance can be developed is remarkably widened. all.

예를 들어, 비닐 방향족 탄화수소 수지 (a)를 사용하지 않고, 블록 공중합체 (b)를 99.5질량%, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 0.5질량% 배합함으로써도 제전 성능은 발휘된다. 즉, 비닐 방향족 탄화수소 수지에 제전 성능을 발현시키기 위해서는 블록 공중합체 (b)의 일정 비율 이상 존재하는 것이 필수이며, 제전 성능 발현에 이르는 어떠한 상호 작용이 고려된다.For example, antistatic performance is exhibited even when 99.5% by mass of the block copolymer (b) and 0.5% by mass of the donor/acceptor molecular compound (c) are blended without using the vinyl aromatic hydrocarbon resin (a). That is, in order to express antistatic performance in the vinyl aromatic hydrocarbon resin, it is essential that the block copolymer (b) is present in a certain ratio or more, and any interaction leading to the development of antistatic performance is considered.

이하, 본 실시 형태의 제전성 수지 조성물의 구성 성분인, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a), 블록 공중합체 (b) 및 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a), the block copolymer (b), and the donor/acceptor molecular compound (c), which are constituent components of the antistatic resin composition of the present embodiment, will be described in detail.

(비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a))(Vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a))

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)는, 범용 폴리스티렌(GPPS)으로 대표되는, 비닐 방향족 탄화수소 단량체의 단독 중합체 (a1), 고무 변성 폴리스티렌(HIPS)으로 대표되는, 폴리부타디엔이나 스티렌ㆍ부타디엔 고무 등의 합성 고무를 스티렌 모노머에 용해시키고, 교반하면서 그라프트 중합을 행하여 얻어지는 그라프트 공중합체 (a2), 및 MS 수지로 대표되는, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체 단위의 랜덤 공중합체 (a3)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 것이면 바람직하다.The vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) is a homopolymer (a1) of a vinyl aromatic hydrocarbon monomer represented by general-purpose polystyrene (GPPS), polybutadiene represented by rubber-modified polystyrene (HIPS), styrene-butadiene rubber, etc. A graft copolymer (a2) obtained by dissolving a rubber in a styrene monomer and carrying out graft polymerization while stirring, and a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit represented by MS resin and (meth)acrylic acid and/or (meth)acrylic acid alkyl ester Any selected from the group consisting of random copolymers (a3) of monomeric units is preferred.

(a1) 및 (a2)에 대하여, (a3)은 그 극성의 차이로부터, 블록 공중합체 (b)와 혼합하였을 때의 분산 형태가 다르기 때문에, 제전성 수지 조성물에 있어서의 제전 성능 발현의 조성 범위가 다르다.Regarding (a1) and (a2), (a3) has a different dispersion form when mixed with the block copolymer (b) due to the difference in polarity, so the composition range of the antistatic performance expression in the antistatic resin composition is different.

상기 제2 제전성 수지 조성물은, ISO1133에서 규정되는 200℃ㆍ5kg 하중 조건 하에 있어서의 멜트 플로 레이트(MFR)에 있어서, 상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a3)의 MFR(이하, MFRa라고 기재함)과, 블록 공중합체 (b)의 MFR(이하, MFRb라고 기재함)의 관계가, 하기 (v) 또는 (vi)의 조건을 만족하는 것이면 바람직하다.The second antistatic resin composition has a melt flow rate (MFR) of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a3) under a load condition of 200 ° C. and 5 kg specified in ISO1133 (hereinafter referred to as MFRa) It is preferable that the relationship between MFR (hereinafter referred to as MFRb) of the block copolymer (b) satisfies the following conditions (v) or (vi).

<조건 (v)><Condition (v)>

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a3)과 블록 공중합체 (b)의 합계를 100질량%라고 하였을 때, (a3) 성분이 0질량% 초과 20질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 80질량% 이상 100질량% 미만인 경우, MFRa와 MFRb의 수치의 여하에 상관없이, 상기 (a3) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이다.When the total of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a3) and the block copolymer (b) is 100% by mass, the component (a3) is more than 0% by mass and 20% by mass or less, and the component (b) is 80% by mass When it is less than 100% by mass, regardless of the numerical value of MFRa and MFRb, when the sum of the component (a3), the component (b) and the component (c) is 100% by mass, the donor/acceptor The content of the system molecular compound (c) is 0.5% by mass or more and 5% by mass or less.

상기 조건 (v)를 만족함으로써, 우수한 대전 방지 성능을 발현하며, 또한 투명성도 우수한 제전성 수지 조성물이 얻어진다. 또한, (a1) 혹은 (a2)를 사용한 조성물과 비교하여 헤이즈값이 낮고 투명성이 우수한 수지 조성물이 얻어진다.By satisfying the above condition (v), an antistatic resin composition exhibiting excellent antistatic performance and excellent transparency is obtained. In addition, a resin composition having a low haze value and excellent transparency can be obtained compared to the composition using (a1) or (a2).

조건 (v)에 있어서, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량은, 바람직하게는 1 내지 5이고, 보다 바람직하게는 2 내지 4질량%이다.In condition (v), the content of the donor/acceptor molecular compound (c) is preferably 1 to 5, more preferably 2 to 4% by mass.

<조건 (vi)><condition (vi)>

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a3)과 블록 공중합체 (b)의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a3) 성분이 20질량% 초과 50질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 80질량% 미만 50질량% 이상인 경우에는,When the total of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a3) and the block copolymer (b) is 100% by mass, the component (a3) is more than 20% by mass and 50% by mass or less, and the component (b) is 80% by mass In the case of less than 50% by mass or more,

MFRa<MFRb … (식 1)MFRa<MFRb . . . (Equation 1)

를 만족하고, 상기 (a3) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 3질량% 이상 5질량% 이하이다.is satisfied, and when the sum of the component (a3), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 3% by mass or more and 5% by mass or less.

상기 조건 (vi)을 만족함으로써, 우수한 대전 방지 성능을 발현하며, 또한 투명성도 우수한 제전성 수지 조성물이 얻어진다. 또한, (a1) 혹은 (a2)를 사용한 조성물과 비교하여 헤이즈값이 낮고 투명성이 우수한 수지 조성물이 얻어진다.By satisfying the above condition (vi), an antistatic resin composition exhibiting excellent antistatic performance and excellent transparency is obtained. In addition, a resin composition having a low haze value and excellent transparency can be obtained compared to the composition using (a1) or (a2).

조건 (vi)에 있어서, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량은, 바람직하게는 3.5 내지 5질량%이고, 보다 바람직하게는 4 내지 5질량%이다.In condition (vi), the content of the donor-acceptor molecular compound (c) is preferably 3.5 to 5% by mass, more preferably 4 to 5% by mass.

MS 수지 (a3)에 있어서의, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위 (S)와 (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체 단위 (M)의 공중합 비율은, S/M=83/17 내지 60/40(질량%)의 사이인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 S/M=82/18 내지 68/32(질량%)이고, 더욱 바람직하게는 S/M=82/18 내지 78/22(질량%)이다.The copolymerization ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit (S) and the (meth)acrylic acid and/or (meth)acrylic acid alkyl ester monomer unit (M) in the MS resin (a3) is S/M = 83/17 to 60 / 40 (mass %), more preferably S/M = 82/18 to 68/32 (mass %), still more preferably S / M = 82/18 to 78/22 ( mass %).

이 조성비의 MS 수지를 사용함으로써, 블록 공중합체 (b)와의 굴절률이 근사로 되고, 분산 형태는 완전 상용이 아니기는 하지만, 마이크로미터 오더로 균일 분산 형태를 나타내고, 투명성과 역학 물성이 우수한 제전성 수지 조성물이 얻어진다.By using the MS resin of this composition ratio, the refractive index with the block copolymer (b) becomes approximate, and although the dispersion form is not completely compatible, it shows a uniform dispersion form on the order of micrometers, and has excellent transparency and antistatic properties in dynamic properties. A resin composition is obtained.

한편, 성분 (a3)의 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위의 함유량이 60질량% 미만인 경우, 블록 공중합체 (b)와의 굴절률의 괴리가 커지고, 제전성 수지 조성물의 백탁 경향이 현저해지고, 나아가 극성의 괴리도 커지기 때문에 상용성도 악화되고, 제전성 수지 조성물의 역학 특성이 현저하게 저하되기 때문에 바람직하지 않다.On the other hand, when the content of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit of component (a3) is less than 60% by mass, the difference in refractive index from the block copolymer (b) becomes large, the antistatic resin composition tends to become cloudy, and the polarity difference also increases. Therefore, the compatibility is also deteriorated and the mechanical properties of the antistatic resin composition are remarkably deteriorated, which is not preferable.

제전 성능을 저해하지 않는 범위이면, MS 수지 (a3)은 공중합 가능한 다른 단량체 단위를 필요에 따라 포함해도 된다.As long as the antistatic performance is not impaired, the MS resin (a3) may contain other copolymerizable monomeric units as needed.

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)를 구성하는 비닐 방향족 탄화수소 단량체는, 분자 내에 방향환과 비닐기를 가지면 되며, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, o-에틸스티렌, p-에틸스티렌, p-tert-부틸스티렌, 2,4-디메틸스티렌, 1,3-디메틸스티렌, α-메틸스티렌, α-메틸-p-메틸스티렌, 비닐나프탈렌, 비닐안트라센, 1,1-디페닐에틸렌 등을 들 수 있다. The vinyl aromatic hydrocarbon monomer constituting the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) only needs to have an aromatic ring and a vinyl group in the molecule, and is not particularly limited. For example, styrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methyl Styrene, o-ethyl styrene, p-ethyl styrene, p-tert-butyl styrene, 2,4-dimethyl styrene, 1,3-dimethyl styrene, α-methyl styrene, α-methyl-p-methyl styrene, vinylnaphthalene, Vinyl anthracene, 1, 1-diphenyl ethylene, etc. are mentioned.

이들 비닐 방향족 탄화수소 단량체는 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.You may use these vinyl aromatic hydrocarbon monomers individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

이들 중에서도 공업적인 입수 용이성 및 경제성의 관점에서 스티렌이 바람직하다.Among these, styrene is preferable from the viewpoints of industrial availability and economy.

상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 중, 특히 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체 단위의 랜덤 공중합체 (a3)을 구성하는 (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산에스테르 단량체는, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산알킬에스테르 및 메타크릴산알킬에스테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 혹은 2종 이상의 단량체를 의미한다.Among the above vinyl aromatic hydrocarbon-based resins, in particular, the (meth)acrylic acid and/or (meth)acrylic acid and/or (meth)acrylic acid alkyl ester monomer units constituting the random copolymer (a3) of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and the (meth)acrylic acid and/or (meth)acrylic acid alkylester monomer unit. The acrylic acid ester monomer means one type or two or more types of monomers selected from the group consisting of acrylic acid, methacrylic acid, acrylic acid alkyl esters and methacrylic acid alkyl esters.

알킬에스테르는, 탄소수 1 내지 8(C1 내지 C8)의 알킬알코올과 아크릴산 및/또는 메타크릴산의 에스테르 화합물의 1종 이상이면 된다.The alkyl ester may be at least one type of ester compound of an alkyl alcohol having 1 to 8 carbon atoms (C1 to C8) and acrylic acid and/or methacrylic acid.

(메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산에스테르 단량체로서는, 이하로 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산이소프로필, 아크릴산n-부틸(부틸아크릴레이트), 아크릴산n-펜틸, 아크릴산n-헥실 등의 아크릴산 C1-6 알킬에스테르, 아크릴산시클로헥실 등의 아크릴산시클로알킬에스테르, 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 메타크릴산이소프로필, 메타크릴산n-부틸, 메타크릴산n-펜틸, 메타크릴산n-헥실 등의 메타크릴산 C1-6 알킬에스테르 및 메타크릴산시클로헥실 등의 메타크릴산시클로헥실에스테르를 들 수 있으며, 이들 중에서도 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 연화 온도를 한층 높일 수 있고, 그 결과, 얻어지는 성형체의 성형성 및 내열 변형성을 한층 향상시킬 수 있는 관점에서, 아크릴산 C1-6 알킬에스테르, 메타크릴산 C1-6 알킬에스테르가 바람직하고, 아크릴산 C1-4 알킬에스테르, 메타크릴산 C1-4 알킬에스테르가 보다 바람직하며, 보다 더 바람직하게는 아크릴산메틸 및/또는 메타크릴산메틸이고, 더욱 바람직하게는 메타크릴산메틸이다.Examples of (meth)acrylic acid and/or (meth)acrylic acid ester monomers are not limited to the following, but examples include acrylic acid, methacrylic acid, methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, and n-butyl acrylate (butyl acrylate). , acrylic acid C1-6 alkyl esters such as n-pentyl acrylate and n-hexyl acrylate, cycloalkyl esters of acrylic acid such as cyclohexyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, isopropyl methacrylate, n-methacrylate methacrylic acid C1-6 alkyl esters such as butyl, n-pentyl methacrylate and n-hexyl methacrylate, and cyclohexyl esters of methacrylic acid such as cyclohexyl methacrylate; among these, vinyl aromatic hydrocarbons C1-6 alkyl esters of acrylic acid and C1-6 alkyl methacrylates are preferable from the viewpoint that the softening temperature of the resin (a) can be further increased and, as a result, the moldability and heat deformation resistance of the obtained molded article can be further improved. C1-4 alkyl esters of acrylic acid and C1-4 alkyl methacrylates are more preferred, methyl acrylate and/or methyl methacrylate are more preferred, and methyl methacrylate is still more preferred.

본 명세서 중 「비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와, (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체 단위의 랜덤 공중합체」(a3)에는, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와, 그 밖의 (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체 단위 이외의, 이들의 중합 가능한 그 밖의 단량체 단위를 소량 포함하는 중합체도 포함된다.In the present specification, "random copolymer of a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and (meth)acrylic acid and/or (meth)acrylic acid alkylester monomer unit" (a3) includes a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit, other (meth)acrylic acid and And/or a polymer containing a small amount of other polymerizable monomeric units other than the (meth)acrylic acid alkylester monomeric unit is also included.

그 밖의 단량체 단위의 양은, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a) 중 2질량% 이하인 것이 바람직하다.The amount of the other monomer units is preferably 2% by mass or less in the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a).

특히 바람직한 공중합체로서 예시한 「비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 메타크릴산메틸의 랜덤 공중합체」의 경우도, 다른 단량체 단위를 2질량% 이하 포함하는 양태도 이것에 포함된다.Also in the case of the "random copolymer of a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and methyl methacrylate" exemplified as a particularly preferable copolymer, an aspect containing 2% by mass or less of other monomer units is also included in this.

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)는, 공지된 중합 방법에 의해 제조할 수 있다.The vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) can be produced by a known polymerization method.

공지된 중합 방법으로서는, 예를 들어 괴상 중합, 용액 중합, 유화 중합, 현탁 중합 등을 들 수 있다.As a known polymerization method, bulk polymerization, solution polymerization, emulsion polymerization, suspension polymerization etc. are mentioned, for example.

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)가 GPPS로 대표되는 비닐 방향족 탄화수소 단량체의 단독 중합체 (a1)인 경우, 예를 들어 스티렌 모노머를 예로 들면, 에틸벤젠의 공존 하에서 유기 과산화물의 존재 하, 혹은 유기 과산화물을 사용하지 않고 열만으로 라디칼 중합을 거쳐, 용매의 에틸벤젠과 미반응 스티렌 모노머를 제거하고, 스티렌 단독 중합체(GPPS)를 얻을 수 있다.When the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) is a homopolymer (a1) of a vinyl aromatic hydrocarbon monomer typified by GPPS, for example, styrene monomer is used in the presence of ethylbenzene, in the presence of an organic peroxide, or in the presence of an organic peroxide A styrene homopolymer (GPPS) can be obtained by undergoing radical polymerization using only heat without using the solvent to remove ethylbenzene as a solvent and unreacted styrene monomer.

또한, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)가 HIPS로 대표되는 고무 변성 폴리스티렌인 그라프트 공중합체 (a2)인 경우, 예를 들어 폴리부타디엔을 에틸벤젠과 스티렌 모노머의 혼합액에 용해하고, 유기 과산화물의 존재 하, 적절한 온도 하에서 교반하면서 라디칼 중합시켜, 용매의 에틸벤젠과 미반응 스티렌 모노머를 제거함으로써, 고무 변성 폴리스티렌(HIPS)을 얻을 수 있다.Further, when the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) is a graft copolymer (a2) which is a rubber-modified polystyrene typified by HIPS, for example, polybutadiene is dissolved in a mixture of ethylbenzene and styrene monomer, and the presence of an organic peroxide Then, radical polymerization is carried out while stirring under an appropriate temperature to remove ethylbenzene as a solvent and unreacted styrene monomer, thereby obtaining rubber-modified polystyrene (HIPS).

폴리부타디엔의 분자량(무니 점도 혹은 용액 점도)이나 폴리부타디엔 대신에 스티렌ㆍ부타디엔 고무를 사용하는 등, 혹은 교반 속도의 제어에 의해 그라프트 고무 입자의 크기나 오클루드 형상이나 그의 조밀을 제어할 수 있다.The molecular weight (Mooney viscosity or solution viscosity) of polybutadiene, the use of styrene-butadiene rubber instead of polybutadiene, or the control of the stirring speed can control the size, occlude shape, and density of graft rubber particles. .

또한, 비닐 방향족 탄화수소 수지 (a)가 MS 수지로 대표되는 (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체 단위를 포함하는 랜덤 공중합체 (a3)인 경우에는, 비닐 방향족 탄화수소 단량체와 (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산에스테르의 공존 하에, 상기 예와 마찬가지로 라디칼 중합에 의한 제조법이 공업적으로는 일반적이다.In the case where the vinyl aromatic hydrocarbon resin (a) is a random copolymer (a3) containing (meth)acrylic acid and/or (meth)acrylic acid alkyl ester monomer units typified by MS resin, the vinyl aromatic hydrocarbon monomer and (meth)acrylic acid alkyl ester monomer units ) Under the coexistence of acrylic acid and/or (meth)acrylic acid ester, the production method by radical polymerization similar to the above example is industrially common.

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 MFR은, 단량체 단위의 중합도나 그라프트율 등의 요인에 따라 변화하지만, 이들 요인에 더하여, 미네랄 오일 등의 첨가제를 첨가함으로써도 크게 변화한다. 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 MFR은 상기 (a) 성분과 (b) 성분의 분산 상태에 영향을 미치며, 당해 분산 상태는, 본 실시 형태의 제전성 수지 조성물의 제전 성능 발현을 위한 중요한 요소이다.The MFR of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) changes depending on factors such as the degree of polymerization of the monomer unit and the graft rate, but also changes greatly by adding additives such as mineral oil in addition to these factors. The MFR of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) affects the dispersion state of the components (a) and (b), and the dispersion state is an important factor for the expression of antistatic performance of the antistatic resin composition of the present embodiment. am.

상기 조건 (i) 내지 (vi)은, 이 미네랄 오일 등의 첨가제를 포함한 상태의 (a) 성분의 MFR값을 규정하고 있고, 당해 MFR의 값이, 본 실시 형태의 제전성 수지 조성물의 성능 발현에 직접 영향을 미친다.The above conditions (i) to (vi) stipulate the MFR value of the component (a) in a state including additives such as mineral oil, and the MFR value expresses the performance of the antistatic resin composition of the present embodiment. directly affect

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 제조 방법에 있어서는, 에틸벤젠 등의 중합 용매나, 유기 과산화물 등의 라디칼 발생제, 지방족 머캅탄 등의 연쇄 이동제를 적절하게 사용해도 된다. 이하에 구체예를 설명한다.In the method for producing the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a), polymerization solvents such as ethylbenzene, radical generators such as organic peroxides, and chain transfer agents such as aliphatic mercaptans may be appropriately used. A specific example is described below.

중합 용매는, 연속 중합 과정에 있어서의 반응계 내의 점도를 낮게 유지하기 위해 사용하는 것이며, 그 유기 용제로서는 이하로 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠 및 크실렌 등의 알킬벤젠류나 아세톤이나 메틸에틸케톤 등의 케톤류, 헥산이나 시클로헥산 등의 지방족 탄화수소 등을 들 수 있다.The polymerization solvent is used to keep the viscosity in the reaction system low during the continuous polymerization process. Examples of the organic solvent include, but are not limited to, alkylbenzenes such as benzene, toluene, ethylbenzene and xylene, and acetone. and ketones such as methyl ethyl ketone, aliphatic hydrocarbons such as hexane and cyclohexane, and the like.

특히, 중합 단량체로서 다관능 비닐 방향족 탄화수소 단량체를 사용하는 경우 등에는, 겔화를 억제하는 관점에서, 중합 용매를 사용하는 것이 바람직하다.In particular, when a polyfunctional vinyl aromatic hydrocarbon monomer is used as the polymerization monomer, it is preferable to use a polymerization solvent from the viewpoint of suppressing gelation.

중합 용매를 사용함으로써, 겔을 발생시키기 어려워지고, 중합 프로세스에 있어서의 보다 치밀한 제어가 가능하게 되고, 원하는 조성과 물성을 갖는 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)를 얻는 것이 보다 용이하게 된다.By using a polymerization solvent, it becomes difficult to generate a gel, more precise control in the polymerization process becomes possible, and it becomes easier to obtain a vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) having desired composition and physical properties.

중합 용매의 사용량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 겔화를 제어한다고 하는 관점에서, 통상적으로 중합 반응기 내의 조성물 전체에 대하여 1 내지 50질량%인 것이 바람직하고, 5 내지 25질량%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.The amount of the polymerization solvent used is not particularly limited, but from the viewpoint of controlling gelation, it is usually preferably 1 to 50% by mass, more preferably 5 to 25% by mass with respect to the entire composition in the polymerization reactor. .

1 내지 50질량%의 중합 용매를 사용함으로써, 겔화의 억제와 고도의 중합 프로세스 제어에 의해, 공업 생산성과 경제성이 우수한 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)를 얻을 수 있다.By using 1 to 50% by mass of the polymerization solvent, the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) excellent in industrial productivity and economical efficiency can be obtained by suppressing gelation and highly controlling the polymerization process.

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 중합 공정에 있어서는 유기 과산화물 등의 라디칼제를 바람직하게 사용할 수 있다.In the polymerization step of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a), radical agents such as organic peroxides can be preferably used.

라디칼제로서는, 이하로 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 1,1-디(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, 2,2-디(t-부틸퍼옥시)부탄, 2,2-디(4,4-디-t-부틸퍼옥시시클로헥실)프로판, 1,1-디(t-아밀퍼옥시)시클로헥산 등의 퍼옥시케탈류; 쿠멘히드로퍼옥사이드, t-부틸히드로퍼옥사이드 등의 히드로퍼옥사이드류; t-부틸퍼옥시아세테이트, t-아밀퍼옥시이소노나노에이트 등의 알킬퍼옥사이드류; t-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드, 디-t-헥실퍼옥사이드 등의 디알킬퍼옥사이드류; t-부틸퍼옥시아세테이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카르보네이트 등의 퍼옥시에스테르류; t-부틸퍼옥시이소프로필카르보네이트, 폴리에테르테트라키스(t-부틸퍼옥시카르보네이트) 등의 퍼옥시카르보네이트류; N,N'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), N,N'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), N,N'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), N,N'-아조비스[2-(히드록시메틸)프로피오니트릴] 등을 들 수 있다.Examples of the radical agent include, but are not limited to, 1,1-di(t-butylperoxy)cyclohexane, 2,2-di(t-butylperoxy)butane, and 2,2-di(4). peroxyketals such as 4-di-t-butylperoxycyclohexyl)propane and 1,1-di(t-amylperoxy)cyclohexane; hydroperoxides such as cumene hydroperoxide and t-butyl hydroperoxide; Alkyl peroxides, such as t-butylperoxyacetate and t-amylperoxyisononanoate; dialkyl peroxides such as t-butylcumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, dicumyl peroxide, and di-t-hexyl peroxide; Peroxy esters, such as t-butyl peroxy acetate, t-butyl peroxy benzoate, and t-butyl peroxy isopropyl monocarbonate; peroxycarbonates such as t-butyl peroxyisopropyl carbonate and polyether tetrakis (t-butyl peroxycarbonate); N,N'-azobis(cyclohexane-1-carbonitrile), N,N'-azobis(2-methylbutyronitrile), N,N'-azobis(2,4-dimethylvaleronitrile) , N,N'-azobis[2-(hydroxymethyl)propionitrile], etc. are mentioned.

이들 라디칼제는 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These radical agents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

또한 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 중합 공정에 있어서, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 분자량 조정을 목적으로 하여 연쇄 이동제를 사용할 수 있다.Further, in the polymerization step of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a), a chain transfer agent can be used for the purpose of adjusting the molecular weight of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a).

연쇄 이동제로서는 이하로 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 지방족 머캅탄, 방향족 머캅탄, 펜타페닐에탄, α-메틸스티렌 다이머, 테르피놀렌 등을 들 수 있다.Although it is not limited to the following as a chain transfer agent, For example, aliphatic mercaptan, aromatic mercaptan, pentaphenyl ethane, (alpha)-methylstyrene dimer, terpinolene, etc. are mentioned.

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 분자량은, 모노머 농도나 유기 과산화물 등의 라디칼제의 양, 연쇄 이동제의 유무나 양 등을 조정함으로써 제어할 수 있다.The molecular weight of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) can be controlled by adjusting the concentration of monomers, the amount of radical agents such as organic peroxides, the presence or absence of chain transfer agents, and the amount.

일반적으로는 라디칼 발생량을 저감시키고, 연쇄 이동제를 사용하지 않으면 고분자량화되고, 라디칼 발생량을 증가시키고, 연쇄 이동제를 첨가 혹은 양을 증가시키면 저분자량화된다.In general, when the amount of radical generation is reduced and the chain transfer agent is not used, the molecular weight is increased, and when the amount of radical generation is increased and the chain transfer agent is added or the amount is increased, the molecular weight is reduced.

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)로서는 시판품을 사용하는 것이 가능하다. 예를 들어, GPPS 및 HIPS는 PS 재팬사 제품 「PSJ-폴리스티렌」을 들 수 있다. GPPS는 투명하고 HIPS는 유백이며, 어느 품목도 적합하게 이용할 수 있지만, MFR에 따라 성능 발현의 경향이 다른 점에 유의한다.As the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a), it is possible to use commercially available products. For example, GPPS and HIPS include "PSJ-polystyrene" manufactured by PS Japan. GPPS is transparent and HIPS is opalescent, and both products can be suitably used, but note that the tendency of performance expression differs depending on the MFR.

또한, MS 수지에서는 PS 재팬사 제품 「PSJ-폴리스티렌 SC004」나 「PSJ-폴리스티렌 MM290」, 도요 스티렌사 제품 「도요 MS MS200」이나 「도요 MS MS300」, 「도요 MS KS10」 등을 바람직한 품목으로서 들 수 있다.In addition, in the MS resin, "PSJ-Polystyrene SC004" and "PSJ-Polystyrene MM290" manufactured by PS Japan, "Toyo MS MS200" and "Toyo MS MS300" manufactured by Toyo Styrene, "Toyo MS KS10", etc. are mentioned as preferred items. can

이들은 모두 블록 공중합체 (b)와 굴절률이 근사하며, 투명 조성물이 얻어지기 쉽고, 또한 분산 형태는 완전 상용이 아니기는 하지만, 마이크로미터 오더로 균일 분산성을 나타내고, 투명성과 역학 물성이 우수한 제전성 수지 조성물이 얻어지는 점에서 바람직하게 사용할 수 있다.All of these have similar refractive indices to the block copolymer (b), are easy to obtain transparent compositions, and show uniform dispersibility on the order of micrometers, although the dispersion form is not completely commercial, and have excellent transparency and antistatic properties in dynamic properties. Since a resin composition is obtained, it can be used preferably.

(블록 공중합체 (b))(block copolymer (b))

블록 공중합체 (b)는, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 공액 디엔 단량체 단위를 포함하는 블록 공중합체이고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위가 30 내지 90질량%, 공액 디엔 단량체 단위가 70 내지 10질량%이고, 적어도 1개의 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록을 갖는다.The block copolymer (b) is a block copolymer containing a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and a conjugated diene monomer unit, and the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit is 30 to 90% by mass and the conjugated diene monomer unit is 70 to 10 mass%, It has a polymer block mainly composed of at least one vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit.

블록 공중합체 (b)를 구성하는 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록이란, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위가 90질량% 이상으로 이루어지는 중합체 블록이다.The polymer block mainly composed of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit constituting the block copolymer (b) is a polymer block composed of 90% by mass or more of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit.

또한, 블록 공중합체 (b)를 구성하는 공액 디엔 단량체 단위는, 공액 디엔 단량체 단위 단독으로 이루어지는 공액 디엔 중합체 블록 외에, 공액 디엔 단량체 단위와 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위의 공중합 블록으로서 함유되어도 된다. 공중합 블록의 경우, 균일 랜덤 구조나 테이퍼드 구조(연쇄를 따라 단량체의 조성 비율이 변화함) 등, 여러 가지 공중합 블록 구조로 할 수 있다.In addition, the conjugated diene monomeric unit constituting the block copolymer (b) may be contained as a copolymerization block of a conjugated diene monomeric unit and a vinyl aromatic hydrocarbon monomeric unit other than a conjugated diene polymer block composed of a conjugated diene monomeric unit alone. In the case of the copolymerization block, various copolymerization block structures such as a uniform random structure or a tapered structure (the composition ratio of monomers changes along the chain) can be used.

또한, 블록 공중합체 (b)는, 다른 평균 분자량을 갖는 2종 이상의 블록 공중합체를 조합해도 되고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 공액 디엔 단량체 단위의 공중합 비율이 다른 2종 이상의 블록 공중합체를 조합해도 된다.Further, the block copolymer (b) may be a combination of two or more types of block copolymers having different average molecular weights, or a combination of two or more types of block copolymers having different copolymerization ratios of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and the conjugated diene monomer unit. do.

또한, 블록 공중합체 (b)는, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위 및 공액 디엔 단량체 단위 이외의 중합 가능한 다른 단량체 단위를 필요에 따라 포함해도 된다.Moreover, the block copolymer (b) may also contain other monomeric units which can be polymerized other than the vinyl aromatic hydrocarbon monomeric unit and the conjugated diene monomeric unit as needed.

비닐 방향족 탄화수소 단량체는, 분자 내에 방향환과 비닐기를 갖는 것이면 되며, 이하로 한정되지 않지만, 예를 들어 스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, o-에틸스티렌, p-에틸스티렌, p-tert-부틸스티렌, 2,4-디메틸스티렌, 1,3-디메틸스티렌, α-메틸스티렌, α-메틸-p-메틸스티렌, 비닐나프탈렌, 비닐안트라센 및 1,1-디페닐에틸렌을 들 수 있다.The vinyl aromatic hydrocarbon monomer should just have an aromatic ring and a vinyl group in the molecule, and is not limited to the following, and examples thereof include styrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, o-ethylstyrene, and p-ethyl Styrene, p-tert-butylstyrene, 2,4-dimethylstyrene, 1,3-dimethylstyrene, α-methylstyrene, α-methyl-p-methylstyrene, vinylnaphthalene, vinylanthracene and 1,1-diphenylethylene can be heard

이들 비닐 방향족 탄화수소 단량체는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.These vinyl aromatic hydrocarbon monomers may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

이들 중에서도 공업적 및 경제성의 관점에서 스티렌이 바람직하다.Among these, styrene is preferable from the industrial and economical viewpoints.

공액 디엔 단량체로서는, 한 쌍의 공액 이중 결합을 갖는 디올레핀이면 되며, 이하로 한정되지 않지만, 예를 들어 1,3-부타디엔, 2-메틸-1,3-부타디엔(이소프렌), 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, 1,3-펜타디엔, 1,3-헥사디엔 등을 들 수 있다.The conjugated diene monomer may be a diolefin having a pair of conjugated double bonds, and is not limited to the following, but examples thereof include 1,3-butadiene, 2-methyl-1,3-butadiene (isoprene), and 2,3- Dimethyl-1,3-butadiene, 1,3-pentadiene, 1,3-hexadiene, etc. are mentioned.

이들 공액 디엔 단량체는 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.These conjugated diene monomers are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

이들 중에서도 공업적인 입수 용이성 및 경제성의 관점에서 1,3-부타디엔, 이소프렌이 바람직하고, 공업적인 입수 용이성 및 경제성이 보다 높은 관점에서 1,3-부타디엔이 보다 바람직하다.Among these, 1,3-butadiene and isoprene are preferred from the viewpoints of industrial availability and economic efficiency, and 1,3-butadiene is more preferred from the viewpoint of industrial availability and higher economic efficiency.

블록 공중합체 (b)에 있어서의 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와, 공액 디엔 단량체 단위의 질량 비율은, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위/공액 디엔 단량체 단위=30/70 내지 90/10이다.The mass ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and the conjugated diene monomer unit in the block copolymer (b) is vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit/conjugated diene monomer unit = 30/70 to 90/10.

각 단량체 단위의 비율이 상기 범위 내에 있음으로써, 후술하는 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)와 조합한 본 실시 형태의 제전성 수지 조성물에 있어서, 양호한 제전성을 발현할 수 있다.When the ratio of each monomer unit is within the above range, good antistatic properties can be exhibited in the antistatic resin composition of the present embodiment combined with the donor/acceptor molecular compound (c) described later.

블록 공중합체 (b)에 있어서, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위/공액 디엔 단량체 단위의 질량%의 비율의 범위는, 상술한 바와 같이 30/70 내지 90/10이다.In the block copolymer (b), the range of the mass% ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit/conjugated diene monomer unit is 30/70 to 90/10 as described above.

블록 공중합체 (b)를 구성하는 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위의 비율이 30질량% 미만인 경우에는, 단체로는 매우 탄성률이 낮기 때문에, 이러한 블록 공중합체 (b)를 사용한 제전성 수지 조성물을 전자 부품 포장재로서 이용하기 위해서는, 성분 (a)인 비닐 방향족 탄화수소계 수지를 주체로 한 조성물로 할 필요성이 있다. 그러나, 블록 공중합체 (b) 자체의 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위의 비율이 낮기 때문에, (a) 성분인 비닐 방향족 탄화수소계 수지와의 상용성이 악화되고, 그 영향으로 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 분산성도 악화되는 경향이 있다.When the ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer units constituting the block copolymer (b) is less than 30% by mass, the modulus of elasticity is very low as a single unit, so an antistatic resin composition using such a block copolymer (b) is used as an electronic component packaging material. In order to use it as a component (a), it is necessary to use a composition mainly containing a vinyl aromatic hydrocarbon-based resin. However, since the ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit in the block copolymer (b) itself is low, the compatibility with the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin, which is the component (a), deteriorates, and as a result, the donor/acceptor molecular compound ( The dispersibility of c) also tends to deteriorate.

블록 공중합체 (b)에 있어서, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위의 함유량은 30질량% 이상으로 함으로써, 실용상 충분한 탄성률을 확보하면서, (a) 성분과의 상용성이 양호하고, 후술하는 (c) 성분의 분산성도 양호한 제전성 수지 조성물이 얻어진다.In the block copolymer (b), the content of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit is 30% by mass or more, so that a practically sufficient elastic modulus is ensured, compatibility with the component (a) is good, and component (c) described later An antistatic resin composition having good dispersibility is obtained.

한편, 블록 공중합체 (b)를 구성하는 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위의 비율이 90질량%를 초과하는 경우에는, 제전성 수지 조성물의 베이스 수지로서 블록 공중합체 (b)를 100질량%로 한 경우라도, 비닐 방향족 탄화수소 수지 (a)를 임의의 비율로 블렌드해도, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 4질량% 배합해도 표면 저항률은 저하되기 어려운 경향이 있다.On the other hand, when the ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer units constituting the block copolymer (b) exceeds 90% by mass, even when the block copolymer (b) is 100% by mass as the base resin of the antistatic resin composition. , Even if the vinyl aromatic hydrocarbon resin (a) is blended in an arbitrary ratio or 4% by mass of the donor/acceptor molecular compound (c) is blended, the surface resistivity tends to be difficult to decrease.

블록 공중합체 (b)에 있어서의 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위 및 공액 디엔 단량체 단위의 함유량은, 후술하는 실시예에 기재하는 방법에 의해 정량할 수 있다.Content of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and the conjugated diene monomer unit in the block copolymer (b) can be quantified by the method described in the Examples described later.

또한, 이들 단량체 단위의 함유량은, 블록 공중합체 (b)의 중합 공정에 있어서의 각각의 단량체의 첨가량과 비율을 조정함으로써 제어할 수 있다.In addition, content of these monomeric units is controllable by adjusting the addition amount and ratio of each monomer in the polymerization process of a block copolymer (b).

블록 공중합체 (b)로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 하기 일반식 (1) 내지 (7)로 나타내는 블록 구조를 갖는 블록 공중합체를 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a block copolymer (b), For example, the block copolymer which has a block structure represented by the following general formula (1) - (7) is mentioned.

Figure 112021063747543-pat00002
Figure 112021063747543-pat00002

상기 일반식 (1) 내지 (7) 중, S1, S2 및 S3은 각각 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록을 나타내고, B1 및 B2는 각각 공액 디엔 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록 (B)를 나타내고, B/S1 및 B/S2는 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위 및 공액 디엔 공중합체 단위의 함유량이 각각 90질량% 미만인 랜덤 공중합체 블록 (B/S)를 나타낸다.In the above general formulas (1) to (7), S1, S2 and S3 respectively represent polymer blocks mainly composed of vinyl aromatic hydrocarbon monomer units, and B1 and B2 respectively represent polymer blocks mainly composed of conjugated diene monomer units (B ), and B/S1 and B/S2 represent random copolymer blocks (B/S) each having a content of a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and a conjugated diene copolymer unit of less than 90% by mass.

또한, 상기 일반식 (1) 내지 (7) 중의 S, B, B/S에 첨부한 번호는, 각각 중합체 블록과, 중합체 블록 (B)와, 랜덤 공중합체 블록 (B/S)를 동정하기 위한 번호이며, 숫자가 다른 것은 각각의 블록의 분자량(중합도) 혹은 공중합 비율이 동일해도 되고 달라도 된다. 또한, 랜덤 공중합체 블록 (B/S)의 연쇄 구조는 균일 랜덤 블록이어도, 테이퍼드 블록(연쇄를 따라 서서히 조성 비율이 변화한 것)이어도 된다.In addition, the numbers attached to S, B, and B / S in the above general formulas (1) to (7) are used to identify a polymer block, a polymer block (B), and a random copolymer block (B / S), respectively. It is a number for each block, and if the number is different, the molecular weight (polymerization degree) or copolymerization ratio of each block may be the same or different. In addition, the chain structure of the random copolymer block (B/S) may be a uniform random block or a tapered block (a composition ratio gradually changed along the chain).

또한, 블록 공중합체 (b)는 선상 중합체나 분지상 중합체의 어느 것이어도 된다.Further, the block copolymer (b) may be either a linear polymer or a branched polymer.

분지상 중합체를 얻는 방법으로서는, 예를 들어 중합 종말단을 커플링 반응시키는 방법이나, 다관능 개시제를 사용하여 중합 초기부터 분기시키는 방법 등을 들 수 있다.As a method of obtaining a branched polymer, for example, a method of subjecting polymerization terminals to a coupling reaction, a method of branching from the initial stage of polymerization using a polyfunctional initiator, and the like are exemplified.

또한, 본 실시 형태의 제전성 수지 조성물의 적합한 용도로서 전자 부품 포장 재료를 들 수 있는데, 이러한 용도에 비추어, 요구되는 여러 가지 역학 특성의 관점에서, 블록 공중합체 (b)는 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록 S를 적어도 1개 이상 갖는 것이며, 바람직하게는 중합체 블록 S를 적어도 2개 이상 갖는 것이다.Further, a suitable application of the antistatic resin composition of the present embodiment is a packaging material for electronic parts. In light of such application, from the viewpoint of various mechanical properties required, the block copolymer (b) is a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit. It has at least one or more polymer blocks S mainly composed of, and preferably has at least two or more polymer blocks S.

또한, 본 명세서에 있어서, 「비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록」을 「중합체 블록 S」라고 기재하는 경우가 있다.In addition, in this specification, a "polymer block mainly composed of a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit" may be described as "polymer block S".

<블록 공중합체 (b)의 피크 분자량 및 분자량 분포><Peak molecular weight and molecular weight distribution of block copolymer (b)>

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물은, 겔 투과 크로마토그래피 측정법(GPC 측정법)에 의해 측정되는 분자량 분포 곡선에 있어서, 분자량이 30,000 이상 300,000 이하의 범위 내에, 블록 공중합체 (b) 유래의 피크 분자량이 적어도 1개 존재하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 본 발명의 제전성 수지 조성물의 역학 특성과 성형 가공성의 밸런스가 한층 양호해진다.The antistatic resin composition of the present embodiment has a peak molecular weight derived from the block copolymer (b) within the range of 30,000 or more and 300,000 or less in the molecular weight distribution curve measured by gel permeation chromatography (GPC measurement method). It is preferable that at least one exists. In this way, the balance between the mechanical properties and molding processability of the antistatic resin composition of the present invention is further improved.

마찬가지의 관점에서, 블록 공중합체 (b) 유래의 피크 분자량은 40,000 이상 250,000 이하의 범위 내에 존재하는 것이 보다 바람직하고, 50,000 이상 210,000 이하의 범위 내에 존재하는 것이 더욱 바람직하다.From the same point of view, the peak molecular weight derived from the block copolymer (b) is more preferably within the range of 40,000 or more and 250,000 or less, and more preferably within the range of 50,000 or more and 210,000 or less.

또한, 블록 공중합체 (b)의 피크 분자량은, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.In addition, the peak molecular weight of block copolymer (b) can be measured by the method described in the Example mentioned later.

<블록 공중합체 (b)의 분자량 분포(Mw/Mn)><Molecular Weight Distribution (Mw/Mn) of Block Copolymer (b)>

블록 공중합체 (b)의 분자량 분포(Mw/Mn)는 특별히 한정되지 않는다. 후술하는 커플링제 등에 의해 일부 폴리머의 중합 활성 말단을 회합시킴으로써, 다른 분자량의 조합을 갖기 때문에 분자량 분포(Mw/Mn)가 큰 블록 공중합체 (b)를 얻을 수 있다.The molecular weight distribution (Mw/Mn) of the block copolymer (b) is not particularly limited. A block copolymer (b) having a large molecular weight distribution (Mw/Mn) can be obtained by associating the polymerizable active ends of some polymers with a coupling agent described later or the like to have different molecular weight combinations.

나아가, 중합 도중에 에탄올 등의 알코올을 적량 첨가함으로써, 일부 폴리머의 중합을 정지시킴으로써 다른 분자량의 혼합물인 블록 공중합체 (b)를 얻을 수 있다. 예를 들어, 중합계 내의 중합 개시제의 몰수보다 적은 몰 당량의 에탄올 등의 알코올을 중합계 내에 첨가함으로써, 부분적으로 폴리머의 중합을 정지시킬 수 있기 때문에, 피크 분자량을 복수 갖는 분자량 분포(Mw/Mn)가 큰 블록 공중합체 (b)를 얻을 수 있다.Furthermore, by adding an appropriate amount of alcohol such as ethanol during polymerization to stop the polymerization of a part of the polymer, a block copolymer (b), which is a mixture of different molecular weights, can be obtained. For example, since the polymerization of the polymer can be partially stopped by adding an alcohol such as ethanol in a molar equivalent amount smaller than the number of moles of the polymerization initiator in the polymerization system, the molecular weight distribution having a plurality of peak molecular weights (Mw/Mn ) can obtain a large block copolymer (b).

<중합체 블록 S의 수 평균 분자량(Mn)><Number average molecular weight (Mn) of polymer block S>

블록 공중합체 (b)에 있어서의 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록 S의 수 평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 10,000 내지 60,000이고, 보다 바람직하게는 15,000 내지 50,000이고, 더욱 바람직하게는 20,000 내지 40,000이다.The number average molecular weight (Mn) of the polymer block S mainly composed of vinyl aromatic hydrocarbon monomer units in the block copolymer (b) is preferably 10,000 to 60,000, more preferably 15,000 to 50,000, still more preferably is from 20,000 to 40,000.

중합체 블록 S의 수 평균 분자량(Mn)이 상기 범위 내임으로써, 한층 우수한 역학 특성 및 양호한 성형 외관을 밸런스 좋게 구비한 성형품(예를 들어, 스티렌계 수지 시트)을 얻을 수 있다.When the number average molecular weight (Mn) of the polymer block S is within the above range, a molded product (for example, a styrenic resin sheet) having excellent mechanical properties and good molded appearance in a well-balanced manner can be obtained.

블록 공중합체 (b)에 있어서의 중합체 블록 S의 수 평균 분자량(Mn)은, 중합 개시제에 대한 비닐 방향족 탄화수소 단량체의 공급량(피드량)을 조정함으로써 제어 가능하다.The number average molecular weight (Mn) of the polymer block S in the block copolymer (b) is controllable by adjusting the supply amount (feed amount) of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer to the polymerization initiator.

블록 공중합체 (b)는, 적어도 1개의 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록 S를 포함한다. 바람직하게는 2개 이상의 중합체 블록 S를 포함하며, 적어도 1개의 중합체 블록 S는 폴리머쇄의 말단에 존재하는 것이 보다 바람직하다. 중합체 블록 S의 분자량은, 2개 이상 포함하는 경우도 각각 독립적으로 구조를 제어하는 것이 가능하다.The block copolymer (b) contains a polymer block S mainly composed of at least one vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit. Preferably, two or more polymer blocks S are included, and at least one polymer block S is more preferably present at the end of the polymer chain. The molecular weight of the polymer block S can control the structure independently of each other even when two or more are included.

또한, 상기 중합체 블록 S의 수 평균 분자량(Mn)은, 블록 공중합체 (b) 중의 모든 중합체 블록 S를 합한 수 평균 분자량으로서 표시된다. 예를 들어, S1-B/S1-S2 구조의 블록 공중합체 (b)의 경우, 중합체 블록 S의 평균 분자량은 S1과 S2를 합한 수 평균 분자량으로 된다.In addition, the number average molecular weight (Mn) of the said polymer block S is represented as the number average molecular weight which combined all the polymer blocks S in a block copolymer (b). For example, in the case of the block copolymer (b) of the S1-B/S1-S2 structure, the average molecular weight of the polymer block S is the sum of S1 and S2 and the number average molecular weight.

블록 공중합체 (b)에 있어서의 중합체 블록 S의 수 평균 분자량은, 4산화오스뮴을 촉매로 하여 tert-부틸히드로퍼옥사이드에 의해 블록 공중합체를 산화 분해하는 방법(I. M. KOLTHOFF, et al., J. Polym. Sci.1, 429(1946)에 기재된 방법)에 의해 얻은 중합체 블록 S 성분(단 평균 중합도가 약 30 이하인 비닐 방향족 탄화수소 단량체 중합체 성분은 제외되어 있음)을 겔 투과 크로마토그래피(GPC)를 사용하여 측정함으로써 얻을 수 있다. 구체적으로는, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.The number average molecular weight of the polymer block S in the block copolymer (b) is determined by the method of oxidatively decomposing the block copolymer with tert-butyl hydroperoxide using osmium tetraoxide as a catalyst (I. M. KOLTHOFF, et al., J Polym. It can be obtained by measuring using Specifically, it can be measured by the method described in Examples.

<중합체 블록 S의 분자량 분포(Mw/Mn)><Molecular Weight Distribution of Polymer Block S (Mw/Mn)>

블록 공중합체 (b) 중의 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록 S의 분자량 분포(Mw/Mn)는, 바람직하게는 1.5 내지 4.0이고, 보다 바람직하게는 1.6 내지 3.6이고, 더욱 바람직하게는 1.7 내지 3.2이다.The molecular weight distribution (Mw/Mn) of the polymer block S mainly composed of vinyl aromatic hydrocarbon monomer units in the block copolymer (b) is preferably 1.5 to 4.0, more preferably 1.6 to 3.6, still more preferably 1.7 to 3.2.

중합체 블록 S의 분자량 분포(Mw/Mn)가 상기 범위 내임으로써, 본 실시 형태의 제전성 수지 조성물의 성형 가공성, 및 블록 공중합체 (b)와 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 분산성의 밸런스가 한층 양호한 것으로 되고, 성형 시의 흐름 모양 등의 성형 외관 불량이 생기기 어려운 양호한 성형 외관을 갖는 성형품이 얻어지는 경향이 있다.When the molecular weight distribution (Mw/Mn) of the polymer block S is within the above range, the molding processability of the antistatic resin composition of the present embodiment and the dispersibility balance between the block copolymer (b) and the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) are improved. There is a tendency for a molded article to be obtained that is much better and has a good molding appearance in which defects in molding appearance such as flow during molding are less likely to occur.

블록 공중합체 (b)에 있어서의 중합체 블록 S의 분자량 분포(Mw/Mn)는, 블록 공중합체 (b) 중의 모든 중합체 블록 S를 합한 전체의 평균 분자량 분포이다. 예를 들어, S1-B/S1-S2 구조의 블록 공중합체 (b)인 경우, 중합체 블록 S의 평균 분자량은 S1 및 S2의 평균 분자량 분포로 된다. 2개 이상 존재하는 각각의 중합체 블록 S의 쇄 길이를 근접시키거나 이격시키는 등, 중합 개시제에 대한 비닐 방향족 탄화수소 단량체의 공급량(피드량)을 조정함으로써 제어 가능하다.The molecular weight distribution (Mw/Mn) of the polymer block S in the block copolymer (b) is the average molecular weight distribution of the entirety of all the polymer blocks S in the block copolymer (b). For example, in the case of the block copolymer (b) of the S1-B/S1-S2 structure, the average molecular weight of the polymer block S is the average molecular weight distribution of S1 and S2. It is controllable by adjusting the supply amount (feed amount) of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer to the polymerization initiator, such as bringing the chain lengths of each polymer block S present two or more closer to or apart from each other.

블록 공중합체 (b)에 있어서의 중합체 블록 S의 분자량 분포(Mw/Mn)를 제어하는 다른 방법으로서는, 예를 들어 중합체 블록 S의 중합 공정 중에 있어서, 중합 개시제보다 적은 몰수량의 에탄올 등의 알코올을 첨가하고, 일부의 폴리머 중합을 정지시키는 방법을 들 수 있다. 이에 의해 중합체 블록 S는, 다른 2개의 분자량으로 이루어지는 혼합물로 된다. 이와 같이 2개 이상의 다른 쇄 길이 분포를 갖는 중합체 블록 S를 갖는 블록 공중합체 (b)로 함으로써도 중합체 블록 S의 분자량 분포를 제어하는 것이 가능하다.As another method for controlling the molecular weight distribution (Mw/Mn) of the polymer block S in the block copolymer (b), for example, during the polymerization step of the polymer block S, an alcohol such as ethanol in a molar amount smaller than that of the polymerization initiator is added to stop part of the polymerization of the polymer. As a result, the polymer block S becomes a mixture composed of two different molecular weights. In this way, it is possible to control the molecular weight distribution of the polymer block S also by setting it as the block copolymer (b) having the polymer block S having two or more different chain length distributions.

블록 공중합체 (b)에 있어서의 중합체 블록 S의 분자량 분포(Mw/Mn)는, 구체적으로는 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 구할 수 있다.The molecular weight distribution (Mw/Mn) of the polymer block S in the block copolymer (b) can be specifically determined by the method described in Examples described later.

<블록 공중합체 (b)의 제조 방법><Method for producing block copolymer (b)>

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물을 구성하는 블록 공중합체 (b)의 제조 방법은, 공지된 기술을 이용할 수 있다. 대표적인 종래 기술을 예시하면, 탄화수소 용제 중에서 유기 리튬 화합물 등의 음이온성 중합 개시제를 사용하여, 공액 디엔 단량체와 비닐 방향족 탄화수소 단량체를 블록 공중합하는 방법을 들 수 있다. 예를 들어, 일본 특허 공고 소36-19286호 공보, 일본 특허 공고 소43-17979호 공보, 일본 특허 공고 소48-2423호 공보, 일본 특허 공고 소49-36957호 공보, 일본 특허 공고 소57-49567호 공보, 일본 특허 공고 소58-11446호 공보에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.A known technique can be used for the method for producing the block copolymer (b) constituting the antistatic resin composition of the present embodiment. As a representative prior art, there is a method of block copolymerizing a conjugated diene monomer and a vinyl aromatic hydrocarbon monomer using an anionic polymerization initiator such as an organolithium compound in a hydrocarbon solvent. For example, Japanese Patent Publication No. 36-19286, Japanese Patent Publication 43-17979, Japanese Patent Publication 48-2423, Japanese Patent Publication 49-36957, Japanese Patent Publication 57- It can be manufactured by the method described in Japanese Patent Publication No. 49567 and Japanese Patent Publication No. 58-11446.

블록 공중합체 (b)는, 탄화수소 용매 중, 비닐 방향족 탄화수소 단량체와 공액 디엔 단량체를 공중합함으로써 얻어진다.The block copolymer (b) is obtained by copolymerizing a vinyl aromatic hydrocarbon monomer and a conjugated diene monomer in a hydrocarbon solvent.

블록 공중합체 (b)의 제조에 사용하는 탄화수소 용매로서는, 종래 공지된 탄화수소 용매를 사용할 수 있다. 이하로 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 n-부탄, 이소부탄, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄 등의 지방족 탄화수소류; 시클로펜탄, 메틸시클로펜탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 시클로헵탄, 메틸시클로헵탄 등의 지환식 탄화수소류; 또한, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠 등의 방향족 탄화수소 등을 들 수 있다.As the hydrocarbon solvent used for producing the block copolymer (b), conventionally known hydrocarbon solvents can be used. Although not limited to the following, For example, Aliphatic hydrocarbons, such as n-butane, isobutane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, and n-octane; alicyclic hydrocarbons such as cyclopentane, methylcyclopentane, cyclohexane, methylcyclohexane, cycloheptane, and methylcycloheptane; Moreover, aromatic hydrocarbons, such as benzene, toluene, xylene, and ethylbenzene, etc. are mentioned.

이들 탄화수소 용매는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도 유기 리튬 개시제를 사용하는 경우에는 n-헥산, 시클로헥산이 일반적이며, 그 중에서도 시클로헥산이 공업적으로 가장 범용적이고, 적합하게 사용된다.These hydrocarbon solvents may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Among these, when using an organolithium initiator, n-hexane and cyclohexane are common, and among these, cyclohexane is industrially the most general-purpose and is suitably used.

중합 개시제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 공액 디엔 단량체 및 비닐 방향족 탄화수소 단량체에 대하여 음이온 중합 활성을 나타내는 중합 개시제를 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 지방족 탄화수소 알칼리 금속 화합물, 방향족 단량체 알칼리 금속 화합물, 유기 아미노알칼리 금속 화합물 등의 알칼리 금속 화합물을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a polymerization initiator, For example, the polymerization initiator which shows anionic polymerization activity with respect to a conjugated diene monomer and a vinyl aromatic hydrocarbon monomer can be used suitably. Specifically, alkali metal compounds, such as an aliphatic hydrocarbon alkali metal compound, an aromatic monomer alkali metal compound, and an organic amino alkali metal compound, are mentioned.

알칼리 금속 화합물에 사용되는 알칼리 금속으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 리튬, 나트륨, 칼륨 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as an alkali metal used for an alkali metal compound, For example, lithium, sodium, potassium etc. are mentioned.

적합한 알칼리 금속 화합물로서는 이하로 한정되지 않지만, 예를 들어 탄소수 1 내지 20의 지방족 및 방향족 탄화수소 리튬 화합물이며, 1분자 중에 1개의 리튬을 포함하는 화합물이나, 1분자 중에 복수의 리튬을 포함하는 디리튬 화합물, 트리리튬 화합물, 테트라리튬 화합물을 들 수 있다.Examples of suitable alkali metal compounds are, but are not limited to, aliphatic and aromatic hydrocarbon lithium compounds having 1 to 20 carbon atoms and containing one lithium per molecule, and dilithium containing a plurality of lithium per molecule. compounds, trilithium compounds, and tetralithium compounds.

이러한 알칼리 금속 화합물로서는 이하로 한정되는 것은 아니지만, 구체적으로는 n-프로필리튬, n-부틸리튬, sec-부틸리튬, tert-부틸리튬, 헥사메틸렌디리튬, 부타디에닐디리튬, 이소프레닐디리튬, 디이소프로페닐벤젠과 sec-부틸리튬의 반응 생성물, 나아가 디비닐벤젠과 sec-부틸리튬과 소량의 1,3-부타디엔의 반응 생성물 등을 들 수 있다.Examples of such an alkali metal compound include, but are not limited to, n-propyllithium, n-butyllithium, sec-butyllithium, tert-butyllithium, hexamethylenedilithium, butadienyldilithium, isoprenyldilithium, reaction products of diisopropenylbenzene and sec-butyllithium, further reaction products of divinylbenzene, sec-butyllithium and a small amount of 1,3-butadiene; and the like.

또한, 미국 특허 제5708092호, 영국 특허 제2241239호, 미국 특허 제5527753호에 나타내는 외국 특허에 개시되어 있는 유기 알칼리 금속 화합물도 사용할 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다. 이들 중에서도 n-부틸리튬이 바람직하다.In addition, organic alkali metal compounds disclosed in foreign patents such as US Patent No. 5708092, British Patent No. 2241239, and US Patent No. 5527753 can also be used. These are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, n-butyllithium is preferable.

블록 공중합체 (b)의 제조 프로세스로서는, 중합 원료인 비닐 방향족 탄화수소 단량체 및 공액 디엔 단량체의 투입 비율을 조정함으로써, 최종적으로 얻어지는 블록 공중합체 (b)의 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위의 함유량 및 공액 디엔 단량체 단위의 함유량을 제어할 수 있다.As the manufacturing process of the block copolymer (b), the content of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and the conjugated diene monomer of the finally obtained block copolymer (b) are adjusted by adjusting the input ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer and the conjugated diene monomer as polymerization raw materials. The unit content can be controlled.

또한, 블록 공중합체 (b)의 제조 프로세스의 선택지로서, 예를 들어 중합 도중에 중합 개시제를 추가 첨가하는 프로세스, 반응 활성점을 2개 이상 갖는 다관능 단량체를 소량 첨가함으로써 부분적으로 커플링 반응시키는 프로세스, 혹은 중합 도중에 중합 활성점 미만의 알코올, 물 등을 첨가한 후, 다시 모노머를 공급하여 중합을 계속하는 프로세스 등도 적합하게 채용할 수 있다. 이러한 프로세스를 적절하게 선택함으로써, 서로 분자량이 다른 복수의 성분이 존재하는 블록 공중합체 (b)를 제작할 수 있다.In addition, as an option for the production process of the block copolymer (b), for example, a process of additionally adding a polymerization initiator during polymerization, a process of partially coupling reaction by adding a small amount of a polyfunctional monomer having two or more reactive active points Alternatively, a process in which an alcohol, water, etc. less than the polymerization active point is added in the middle of the polymerization, and then the monomer is supplied again to continue the polymerization, etc. can also be suitably employed. By appropriately selecting such a process, a block copolymer (b) in which a plurality of components having different molecular weights are present can be produced.

비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 공액 디엔 단량체 단위를 포함하는 공중합체 블록을 제작하는 방법으로서는, 비닐 방향족 탄화수소 단량체와 공액 디엔 단량체의 혼합물을 연속적으로 중합계에 공급하여 중합하는 방법, 극성 화합물 혹은 랜덤화제를 사용하여, 비닐 방향족 탄화수소 단량체와 공액 디엔 단량체를 공중합하는 등의 방법 등을 들 수 있다.As a method for producing a copolymer block containing a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and a conjugated diene monomer unit, a method of continuously supplying a mixture of a vinyl aromatic hydrocarbon monomer and a conjugated diene monomer to a polymerization system for polymerization, a polar compound or a randomizer and methods such as copolymerizing a vinyl aromatic hydrocarbon monomer and a conjugated diene monomer by using.

극성 화합물 및 랜덤화제로서는 이하로 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 테트라히드로푸란, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르 등의 에테르류; 트리에틸아민, 테트라메틸에틸렌디아민 등의 아민류; 티오에테르류; 포스핀류; 포스포르아미드류; 알킬벤젠술폰산염; 칼륨이나 나트륨의 알콕시드 등을 들 수 있다.Examples of the polar compound and randomizer include, but are not limited to, ethers such as tetrahydrofuran, diethylene glycol dimethyl ether, and diethylene glycol dibutyl ether; amines such as triethylamine and tetramethylethylenediamine; Thioethers; phosphines; phosphoramides; Alkylbenzene sulfonic acid salts; The alkoxide of potassium or sodium, etc. are mentioned.

블록 공중합체 (b)의 중합 공정에 있어서의 중합 온도는, 폴리머 구조에 따라 최적 조건이 다르지만, 중합 개시제를 사용한 음이온 중합의 경우, 일반적으로는 -10℃ 내지 150℃, 바람직하게는 40℃ 내지 120℃의 범위이다.Optimal conditions for the polymerization temperature in the polymerization step of the block copolymer (b) vary depending on the polymer structure, but in the case of anionic polymerization using a polymerization initiator, it is generally -10°C to 150°C, preferably 40°C to 40°C. It is in the range of 120 ° C.

또한, 중합에 요하는 시간은, 통상은 48시간 이내이며, 바람직하게는 1시간 내지 10시간의 범위이다. 또한, 중합계의 분위기는 질소 가스 등의 불활성 가스로 치환하는 것이 바람직하다. 중합 압력은 상기 중합 온도 범위에서 단량체 및 중합 용매를 액층에 유지하기 위해 충분한 압력의 범위에서 행하면 되며, 특별히 제한되는 것은 아니다. 또한 중합계 내에는 중합 개시제 및 리빙 폴리머를 불활성화시키는 불순물, 예를 들어 물, 산소, 탄산 가스 등이 의도하지 않게 혼입되지 않도록 유의하는 것이 바람직하다.In addition, the time required for polymerization is usually within 48 hours, preferably within the range of 1 hour to 10 hours. In addition, it is preferable to replace the atmosphere of the polymerization system with an inert gas such as nitrogen gas. The polymerization pressure may be carried out within a pressure range sufficient to maintain the monomer and polymerization solvent in the liquid layer in the above polymerization temperature range, and is not particularly limited. In addition, it is desirable to take care not to inadvertently introduce impurities such as water, oxygen, carbon dioxide gas, etc. that inactivate the polymerization initiator and living polymer into the polymerization system.

블록 공중합체 (b)에 랜덤 공중합체 블록이 함유되는 경우, 비닐 방향족 탄화수소 단량체와 공액 디엔 단량체의 혼합물을 연속적으로 중합계에 공급하여 중합함, 및/또는 극성 화합물 혹은 랜덤화제를 사용하여 비닐 방향족 탄화수소 단량체와 공액 디엔 단량체를 공중합함 등의 방법을 채용할 수 있다.When the block copolymer (b) contains a random copolymer block, a mixture of a vinyl aromatic hydrocarbon monomer and a conjugated diene monomer is continuously supplied to the polymerization system for polymerization, and/or a vinyl aromatic compound or a randomizing agent is used for polymerization. A method such as copolymerizing a hydrocarbon monomer and a conjugated diene monomer can be employed.

블록 공중합체 (b)의 제조에 있어서, 중합 개시제로서 유기 알칼리 금속을 사용하는 경우, 중합 반응을 정지시킬 때, 2분자 이상이 결합하여 정지시키는 커플링 반응을 적합하게 이용할 수 있다. 커플링 반응은, 하기에 예시하는 커플링제를 중합계 내에 첨가할 수 있다. 또한, 커플링제의 첨가량을 조정함으로써, 중합계 내의 일부의 폴리머만을 커플링시키고, 미커플링 폴리머와 커플링 폴리머를 공존시킴으로써, 분자량 분포에 있어서 2개 이상의 피크를 갖는 블록 공중합체 (b)를 제조하는 것도 가능하다.In the production of the block copolymer (b), when using an organic alkali metal as a polymerization initiator, when stopping the polymerization reaction, a coupling reaction in which two or more molecules are bonded to stop it can be suitably used. In the coupling reaction, a coupling agent exemplified below can be added to the polymerization system. In addition, by adjusting the addition amount of the coupling agent, only a part of the polymer in the polymerization system is coupled, and the uncoupled polymer and the coupling polymer coexist, thereby obtaining a block copolymer (b) having two or more peaks in the molecular weight distribution. It is also possible to manufacture.

블록 공중합체 (b)의 제조에 적합하게 사용할 수 있는 커플링제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 2관능 이상의 임의의 커플링제를 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a coupling agent which can be used suitably for manufacture of a block copolymer (b), For example, bifunctional or more than arbitrary coupling agents are mentioned.

구체적으로는 테트라글리시딜메타크실렌디아민, 테트라글리시딜-1,3-비스아미노메틸시클로헥산, 테트라글리시딜-p-페닐렌디아민, 테트라글리시딜디아미노디페닐메탄, 디글리시딜아닐린, 디글리시딜오르토톨루이딘, γ-글리시독시에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시부틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리프로폭시실란, γ-글리시독시프로필트리부톡시실란 등의 아미노기를 함유하는 실란 화합물을 들 수 있다.Specifically, tetraglycidylmethaxylenediamine, tetraglycidyl-1,3-bisaminomethylcyclohexane, tetraglycidyl-p-phenylenediamine, tetraglycidyldiaminodiphenylmethane, diglycidyl Dilyaniline, diglycidyl orthotoluidine, γ-glycidoxyethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxybutyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltri Silane compounds containing amino groups, such as ethoxysilane, (gamma)-glycidoxypropyl tripropoxysilane, and (gamma)-glycidoxypropyl tributoxysilane, are mentioned.

또한, 다른 커플링제로서는, 예를 들어 1-[3-(트리에톡시실릴)-프로필]-4-메틸피페라진, 1-[3-(디에톡시에틸실릴)-프로필]-4-메틸피페라진, 1-[3-(트리메톡시실릴)-프로필]-3-메틸이미다졸리딘, 1-[3-(디에톡시에틸실릴)-프로필]-3-에틸이미다졸리딘, 1-[3-(트리에톡시실릴)-프로필]-3-메틸헥사히드로피리미딘, 1-[3-(디메톡시메틸실릴)-프로필]-3-메틸헥사히드로피리미딘, 3-[3-(트리부톡시실릴)-프로필]-1-메틸-1,2,3,4-테트라히드로피리미딘, 3-[3-(디메톡시메틸실릴)-프로필]-1-에틸-1,2,3,4-테트라히드로피리미딘, 1-(2-에톡시에틸)-3-[3-(트리메톡시실릴)-프로필]-이미다졸리딘, (2-{3-[3-(트리메톡시실릴)-프로필]-테트라히드로피리미딘-1-일}-에틸)디메틸아민 등의 실릴기를 함유하는 실란 화합물을 들 수 있다.Further, examples of other coupling agents include 1-[3-(triethoxysilyl)-propyl]-4-methylpiperazine and 1-[3-(diethoxyethylsilyl)-propyl]-4-methylpiperazine. Razine, 1-[3-(trimethoxysilyl)-propyl]-3-methylimidazolidine, 1-[3-(diethoxyethylsilyl)-propyl]-3-ethylimidazolidine, 1- [3-(triethoxysilyl)-propyl]-3-methylhexahydropyrimidine, 1-[3-(dimethoxymethylsilyl)-propyl]-3-methylhexahydropyrimidine, 3-[3-( Tributoxysilyl)-propyl]-1-methyl-1,2,3,4-tetrahydropyrimidine, 3-[3-(dimethoxymethylsilyl)-propyl]-1-ethyl-1,2,3 ,4-Tetrahydropyrimidine, 1-(2-ethoxyethyl)-3-[3-(trimethoxysilyl)-propyl]-imidazolidine, (2-{3-[3-(trimethoxysilyl)-propyl] and silane compounds containing a silyl group such as oxysilyl)-propyl]-tetrahydropyrimidin-1-yl}-ethyl)dimethylamine.

또한, 다른 커플링제로서는, 예를 들어 γ-글리시독시프로필트리페녹시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필에틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필에틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디프로폭시실란, γ-글리시독시프로필메틸디부톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디페녹시실란, γ-글리시독시프로필디메틸메톡시실란, γ-글리시독시프로필디에틸에톡시실란, γ-글리시독시프로필디메틸에톡시실란, γ-글리시독시프로필디메틸페녹시실란, γ-글리시독시프로필디에틸메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디이소프로펜옥시실란, 비스(γ-글리시독시프로필)디메톡시실란, 비스(γ-글리시독시프로필)디에톡시실란, 비스(γ-글리시독시프로필)디프로폭시실란, 비스(γ-글리시독시프로필)디부톡시실란, 비스(γ-글리시독시프로필)디페녹시실란, 비스(γ-글리시독시프로필)메틸메톡시실란, 비스(γ-글리시독시프로필)메틸에톡시실란, 비스(γ-글리시독시프로필)메틸프로폭시실란, 비스(γ-글리시독시프로필)메틸부톡시실란, 비스(γ-글리시독시프로필)메틸페녹시실란, 트리스(γ-글리시독시프로필)메톡시실란 등의 글리시독시기를 함유하는 실란 화합물을 들 수 있다.In addition, as other coupling agents, for example, γ-glycidoxypropyltriphenoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylethyl Diethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldipropoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldibutoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiphenoxysilane, γ-glycidoxypropyldimethylmethoxysilane, γ-glycidoxypropyldiethylethoxysilane, γ-glycidoxypropyldimethylethoxysilane, γ-glycidoxypropyldimethylphenoxysilane, γ-glycidoxy Propyldiethylmethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiisopropenoxysilane, bis(γ-glycidoxypropyl)dimethoxysilane, bis(γ-glycidoxypropyl)diethoxysilane, bis(γ -glycidoxypropyl)dipropoxysilane, bis(γ-glycidoxypropyl)dibutoxysilane, bis(γ-glycidoxypropyl)diphenoxysilane, bis(γ-glycidoxypropyl)methylmethoxy Silane, bis(γ-glycidoxypropyl)methylethoxysilane, bis(γ-glycidoxypropyl)methylpropoxysilane, bis(γ-glycidoxypropyl)methylbutoxysilane, bis(γ-glycyl and silane compounds containing glycidoxy groups such as doxypropyl)methylphenoxysilane and tris(γ-glycidoxypropyl)methoxysilane.

또한, 다른 커플링제로서는, 예를 들어 γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴옥시메틸트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시에틸트리에톡시실란, 비스(γ-메타크릴옥시프로필)디메톡시실란, 트리스(γ-메타크릴옥시프로필)메톡시실란 등의 메타크릴옥시기를 함유하는 실란 화합물을 들 수 있다.In addition, as other coupling agents, for example, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, γ-methacryloxymethyltrimethoxysilane, γ-methacryloxyethyltri and silane compounds containing a methacryloxy group such as ethoxysilane, bis(γ-methacryloxypropyl)dimethoxysilane, and tris(γ-methacryloxypropyl)methoxysilane.

또한, 다른 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-트리프로폭시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-트리부톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-트리페녹시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필-트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-메틸디메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-에틸디메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-에틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-메틸디프로폭시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-메틸디부톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-메틸디페녹시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-디메틸메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-디에틸에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-디메틸에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-디메틸프로폭시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-디메틸부톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-디메틸페녹시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-디에틸메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸-메틸디이소프로펜옥시실란 등의 에폭시시클로헥실기를 함유하는 실란 화합물을 들 수 있다. 그 밖의 커플링제로서는 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디에틸-2-이미다졸리디논, N,N'-디메틸프로필렌우레아, N-메틸피롤리돈을 들 수 있다.In addition, as another coupling agent, for example, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-trimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-triethoxysilane, β-(3 ,4-epoxycyclohexyl)ethyl-tripropoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-tributoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-triphenoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)propyl-trimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-methyldimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-ethyl Dimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-ethyldiethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-methyldiethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl) ) Ethyl-methyldipropoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-methyldibutoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-methyldiphenoxysilane, β-(3 ,4-epoxycyclohexyl)ethyl-dimethylmethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-diethylethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-dimethylethoxysilane , β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-dimethylpropoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-dimethylbutoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl- Epoxycyclohexyl groups such as dimethylphenoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-diethylmethoxysilane, and β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl-methyldiisopropenoxysilane. A silane compound containing Examples of other coupling agents include 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diethyl-2-imidazolidinone, N,N'-dimethylpropylene urea, and N-methylpyrrolidone. there is.

또한, 블록 공중합체 (b)의 리빙 말단에, 상기 커플링제를 부가 반응시키는 경우에는, 블록 공중합체 (b)의 리빙 말단의 구조는 전혀 한정되지 않지만, 본 실시 형태의 제전성 수지 조성물의 기계적 강도 등의 관점에서, 비닐 방향족 탄화수소 단량체를 주체로 하는 블록의 리빙 말단인 것이 바람직하다.In the case where the coupling agent is subjected to an addition reaction to the living end of the block copolymer (b), the structure of the living end of the block copolymer (b) is not limited at all, but the mechanical properties of the antistatic resin composition of the present embodiment From the standpoint of strength and the like, it is preferably a living end of a block mainly composed of a vinyl aromatic hydrocarbon monomer.

커플링제의 사용량은, 블록 공중합체 (b)의 리빙 말단 1당량에 대하여 0.1당량 이상 10당량 이하인 것이 바람직하고, 0.5당량 이상 4당량 이하인 것이 보다 바람직하다. 커플링제는 1종 단독, 혹은 임의의 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The amount of coupling agent used is preferably 0.1 equivalent or more and 10 equivalent or less, more preferably 0.5 equivalent or more and 4 equivalent or less, relative to 1 equivalent of the living end of the block copolymer (b). A coupling agent can be used individually by 1 type or in combination of arbitrary 2 or more types.

(도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c))(Donor-acceptor molecular compound (c))

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물은 도너ㆍ억셉터계 화합물 (c)를 함유한다.The antistatic resin composition of the present embodiment contains a donor/acceptor compound (c).

도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)란, 도너와 억셉터의 양쪽을 겸비한 분자 화합물이다. 여기서 말하는 도너란 전자 공여기이고, 억셉터란 전자 흡인성기를 의미하고 있다.The donor-acceptor molecular compound (c) is a molecular compound having both a donor and an acceptor. A donor here means an electron-donating group, and an acceptor means an electron-withdrawing group.

구체적으로는, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)는, 도너 성분으로서, 하기 일반식 (1)의 상단측에서 나타나는 유기 붕소 화합물과, 억셉터 성분으로서, 하기 일반식 (1)의 하단측에서 나타나는 유기 질소 화합물의 각각이 혼합하여 얻어지는 화합물인 것이 바람직하다.Specifically, the donor/acceptor molecular compound (c) comprises an organoboron compound represented on the upper end side of the following general formula (1) as the donor component and the lower side of the following general formula (1) as the acceptor component. It is preferable that each of the organic nitrogen compounds shown in is a compound obtained by mixing.

Figure 112021063747543-pat00003
Figure 112021063747543-pat00003

상기 일반식 (1) 중, R1, R2는, 각각 독립적으로 CH3(CH2)n-CO-OCH2(n은 12 내지 22의 정수) 또는 HOCH2이며, 또한 적어도 한쪽이 CH3(CH2)n-CO-OCH3(n은 12 내지 22의 정수)이다.In the above general formula (1), R 1 and R 2 are each independently CH 3 (CH 2 ) n -CO-OCH 2 (n is an integer of 12 to 22) or HOCH 2 , and at least one is CH 3 (CH 2 ) n -CO-OCH 3 (n is an integer from 12 to 22).

R3, R4는, 각각 독립적으로 CH3, C2H5, HOCH2, HOC2H4 및 HOCH2CH(CH3)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 것이다.R 3 and R 4 are each independently selected from the group consisting of CH 3 , C 2 H 5 , HOCH 2 , HOC 2 H 4 and HOCH 2 CH(CH 3 ).

여기서, 일반식 (1)에 있어서의 「δ+」는 분자 내의 공유 결합 중에 극성이 존재하고 있는 것을 나타내고, (+)는 산소 원자의 전자 공여성이 강하게 되어 있는 것을 나타내고, (-)는 붕소 원자의 전자 흡인성이 강하게 되어 있는 것을 나타내고, 「→」는 전자가 끌어 당겨지는 경로를 나타내고, 「---」은 원자간 결합력이 약화된 상태를 나타낸다.Here, "δ+" in the general formula (1) indicates that polarity exists in the covalent bond in the molecule, (+) indicates that the electron donating ability of the oxygen atom is strong, and (-) indicates that boron The electron-withdrawing property of an atom is strong, "→" represents a path through which electrons are attracted, and "---" represents a state in which the bonding force between atoms is weakened.

상기 일반식 (1)의 상단측에서 나타나는 상기 유기 붕소 화합물 부분으로 이루어지는 도너 성분은, 탄소수 12 내지 22의 직쇄형 탄화수소기를 적어도 1개 갖고, 또한 상기 일반식 (1)의 하단측에서 나타나는 상기 유기 질소 화합물 부분으로 이루어지는 억셉터 성분은, N-치환기 중 1개가 아미드 결합을 통하여 탄소수 12 내지 22의 직쇄형 탄화수소기가 말단에 결합한 기이고, 나머지 2개의 N-치환기가 탄소수 1 내지 3의 탄화수소기 또는 히드록시탄화수소기인 3급 아민이다.The donor component composed of the organoboron compound moiety appearing on the upper end side of the general formula (1) has at least one straight-chain hydrocarbon group having 12 to 22 carbon atoms, and the organic boron compound appearing on the lower end side of the general formula (1) In the acceptor component consisting of a nitrogen compound moiety, one of the N-substituents is a group in which a straight-chain hydrocarbon group having 12 to 22 carbon atoms is terminally bonded through an amide bond, and the other two N-substituents are hydrocarbon groups having 1 to 3 carbon atoms or It is a tertiary amine that is a hydroxyhydrocarbon group.

도너ㆍ억셉터계 분자 화합물은, 복수의 품목이 가부시키가이샤 보론 연구소에서 제조 판매되고 있으며, 특히 상품명 「비오미셀 BN-105」는 그 대표예이다.A plurality of donor-acceptor molecular compounds are manufactured and sold by Boron Research Institute, Inc., and the trade name "Biomicell BN-105" in particular is a representative example thereof.

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물에 사용하는 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)는, 수지에 첨가하여 조성물로 함으로써, 대전 방지 효과를 갖고 제전성을 발휘한다.The donor/acceptor molecular compound (c) used in the antistatic resin composition of the present embodiment has an antistatic effect and exhibits antistatic properties by being added to resin to form a composition.

도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)에 의한 제전성 발현은, 배합하는 수지 조성물의 폴리머종이나, 조성비, 각 성분의 용융 점도 등에 따라 그 성능이 영향을 받는다.The expression of antistatic properties by the donor-acceptor molecular compound (c) is affected by the polymer species of the resin composition to be blended, the composition ratio, the melt viscosity of each component, and the like.

제전 성능 발현의 관점에서, 적절한 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 조성 범위는, 특히 그의 하한값은, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 블록 공중합체 (b)의 질량비와 각 성분의 MFR값으로 변화한다.From the viewpoint of expression of antistatic performance, the appropriate composition range of the donor/acceptor molecular compound (c), particularly its lower limit, is determined by the mass ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) and the MFR of each component. change to value

즉, 본 실시 형태의 제전성 수지 조성물은, 하기 (i) 내지 (iv) 중 어느 하나의 조건을 만족한다.That is, the antistatic resin composition of the present embodiment satisfies any one of the following conditions (i) to (iv).

<조건 (i)><Condition (i)>

상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 0질량% 초과 30질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 70질량% 이상 100질량% 미만인 경우에는,When the sum of the component (a) and the component (b) is 100% by mass, the component (a) is more than 0% by mass and 30% by mass or less, and the component (b) is 70% by mass or more and 100% by mass If less than

MFRa와 MFRb의 수치의 여하에 상관없이, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이다.Regardless of the numerical value of MFRa and MFRb, when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.5% by mass or more and 5% by mass less than %.

<조건 (ii)><Condition (ii)>

상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 30질량% 초과 50질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 70질량% 미만 50질량% 이상인 경우에는,When the total of the component (a) and the component (b) is 100% by mass, the component (a) is greater than 30% by mass and not more than 50% by mass, and the component (b) is less than 70% by mass 50% by mass If more than

MFRa<MFRb … (식 1)MFRa<MFRb . . . (Equation 1)

의 관계로 되는 경우, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이고,In the case of a relationship, when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.5% by mass or more and 5% by mass or less,

MFRa≥MFRb … (식 2)MFRa≥MFRb . . . (Equation 2)

의 관계로 되는 경우, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.9질량% 이상 5질량% 이하이다.In the case of a relationship, when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.9% by mass or more and 5% by mass or less.

<조건 (iii)><Condition (iii)>

상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 50질량% 초과 70질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 50질량% 미만 30질량% 이상인 경우에는,When the sum of the component (a) and the component (b) is 100% by mass, the component (a) is more than 50% by mass and 70% by mass or less, and the component (b) is less than 50% by mass and 30% by mass If more than

MFRa<MFRb … (식 1)MFRa<MFRb . . . (Equation 1)

의 관계를 만족하고, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.9질량% 이상 5질량% 이하이다.The relationship of is satisfied, and when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.9% by mass or more and 5% by mass or less.

<조건 (iv)><Condition (iv)>

상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 70질량% 초과 81질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 30질량% 미만 19질량% 이상인 경우에는,When the sum of the component (a) and the component (b) is 100% by mass, the component (a) is more than 70% by mass and 81% by mass or less, and the component (b) is less than 30% by mass and 19% by mass If more than

MFRa<MFRb … (식 1)MFRa<MFRb . . . (Equation 1)

의 관계를 만족하고, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 4질량% 이상 5질량% 이하이다.The relationship of is satisfied, and when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 4% by mass or more and 5% by mass or less.

이와 같이 블록 공중합체 (b)의 조성 비율이 높아짐에 따라, 또한 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 MFR값(MFRa)보다 블록 공중합체 (b)의 MFR값(MFRb)이 높은 편이, 더 적은 첨가량의 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)에서 표면 저항률의 저하가 확인되고, 제전 성능을 발현하기 쉬운 경향이 있다.As the composition ratio of the block copolymer (b) increases in this way, the MFR value (MFRb) of the block copolymer (b) is higher than the MFR value (MFRa) of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a). A decrease in surface resistivity is observed with the added amount of the donor/acceptor molecular compound (c), and there is a tendency for the antistatic performance to be easily expressed.

(제전성 수지 조성물에 배합 가능한 그 밖의 첨가제)(Other additives that can be incorporated into the antistatic resin composition)

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물은, 본 실시 형태의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 임의의 첨가제를 포함해도 된다.The antistatic resin composition of this embodiment may also contain arbitrary additives within the range which does not impair the effect of this embodiment.

첨가제로서는 수지나 고무상 중합체의 배합에 일반적으로 사용되는 것을 들 수 있으며, 이하로 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 실리카, 산화아연, 카본 블랙 등의 무기 충전제; 스테아릴알코올 등의 고급 알코올류, 팔미트산, 스테아르산, 베헨산 등의 지방산, 스테아르산아연, 스테아르산칼슘, 스테아르산마그네슘, 베헨산마그네슘, 수소 첨가 리시놀산마그네슘 등의 지방산 금속염; 에루크산아미드, 에틸렌비스스테아릴아미드 등의 지방산 아미드 등의 활제 및 이형제; 파라핀 오일, 프로세스 오일, 유기 폴리실록산, 미네랄 오일 등의 연화제 및 가소제; 힌더드 페놀계, 인계의 열안정제 및 산화 방지제: 힌더드 아민계 광안정제; 벤조트리아졸계 자외선 흡수제: 난연제; 유기 섬유, 유리 섬유, 탄소 섬유, 금속 위스커 등의 보강제; 유기 안료, 무기 안료, 유기 염료 등의 착색제 등을 들 수 있다.Examples of additives include those generally used for formulation of resins and rubbery polymers, and include, but are not limited to, inorganic fillers such as calcium carbonate, magnesium carbonate, silica, zinc oxide, and carbon black; fatty acid metal salts such as higher alcohols such as stearyl alcohol, fatty acids such as palmitic acid, stearic acid, and behenic acid, zinc stearate, calcium stearate, magnesium stearate, magnesium behenate, and hydrogenated magnesium ricinoleate; lubricants and release agents such as fatty acid amides such as erucic acid amide and ethylenebisstearylamide; softeners and plasticizers such as paraffin oil, process oil, organopolysiloxane, and mineral oil; Hindered phenol-based, phosphorus-based heat stabilizers and antioxidants: hindered amine-based light stabilizers; Benzotriazole-based UV absorbers: flame retardants; reinforcing agents such as organic fibers, glass fibers, carbon fibers, and metal whiskers; and coloring agents such as organic pigments, inorganic pigments, and organic dyes.

[제전성 수지 조성물의 제조 방법][Method for Producing Antistatic Resin Composition]

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물의 제조 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 블록 공중합체 (b) 및 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c), 또는 이것에 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)를 첨가하여 상온에서 드라이 블렌드한 후, 2축 압출기에서 가열 용융 혼련하여 다이로부터 가열 용융된 제전성 수지 조성물을 스트랜드상으로 압출하고, 냉각 배스를 통하여 다시 펠레타이즈하여 펠릿상의 조성물을 얻는 방법을 들 수 있다.The method for producing the antistatic resin composition of the present embodiment is not particularly limited. For example, a block copolymer (b) and a donor/acceptor molecular compound (c) or a vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) are added to the block copolymer (b). After adding and dry blending at room temperature, heat-melting and kneading in a twin-screw extruder, extruding the heat-melted antistatic resin composition from a die into strands, and pelletizing again through a cooling bath to obtain a pellet-like composition. there is.

가열 용융 혼련 시에는, 가열 용융 가능한 열가소성 수지용 혼련기라면 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 니더, 밴버리 믹서, 롤, 리본 블렌더, 단축 압출기 혹은 2축 압출기 등의 혼합기 등의 혼련기를 적합하게 사용할 수 있다.In the case of heat-melting kneading, there is no particular limitation as long as it is a kneading machine for a thermoplastic resin capable of being heated and melted. there is.

또한, 냉각 배스를 사용한 스트랜드 커트법뿐만 아니라, 핫 커트법이나 언더 워터-커트법 등, 목적에 따라 바람직하게 사용할 수 있다.In addition, not only a strand cutting method using a cooling bath, but also a hot cutting method, an under water cutting method, and the like can be suitably used depending on the purpose.

도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)가 갖는 제전 성능을 충분히 발휘하기 위해서는, 하기의 제조 방법에 의해 제전성 수지 조성물을 제조하는 것이 바람직하다.In order to sufficiently exhibit the antistatic performance of the donor/acceptor molecular compound (c), it is preferable to prepare the antistatic resin composition by the following manufacturing method.

즉, 블록 공중합체 (b)와 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 조성 비율이 5질량% 이상 20질량% 이하로 되도록 용융 혼련하여, (c) 성분이 고농도인 마스터 배치를 제조하는 공정 (I)과, 상기 마스터 배치와, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a) 및/또는 블록 공중합체 (b)를 혼련하고, 마스터 배치를 희석하는 공정 (II)를 거쳐, 본 실시 형태의 제전성 수지 조성물을 얻는다.That is, the block copolymer (b) and the donor/acceptor molecular compound (c) are melt-kneaded so that the composition ratio of the donor/acceptor molecular compound (c) is 5% by mass or more and 20% by mass or less, ( c) Process (I) of producing a master batch having a high component concentration, and a process of kneading the master batch, vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and/or block copolymer (b), and diluting the master batch ( Through II), the antistatic resin composition of this embodiment is obtained.

상기 마스터 배치를 경유하는 제조 방법을 채용함으로써, 제전성 수지 조성물에 있어서의 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 분산성은 현저히 향상되고, 더 적은 첨가량으로 원하는 저감된 표면 저항률을 효율적으로 발현할 수 있으며, 얻어지는 제전성 수지 조성물의 역학 특성과 제전 성능의 밸런스가 최적의 것으로 된다.By adopting the manufacturing method via the master batch, the dispersibility of the donor/acceptor molecular compound (c) in the antistatic resin composition is remarkably improved, and the desired reduced surface resistivity can be efficiently expressed with a smaller addition amount. Thus, the balance between the mechanical properties and antistatic performance of the resulting antistatic resin composition becomes optimal.

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물은, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)가 성분 (b)를 포함하는 수지 매트릭스 중, 또는 성분 (a)와 성분 (b)를 포함하는 수지 매트릭스 중에, 수지 혼련기를 사용하여 충분히 분산시키는 것이 성능 발현을 위해서는 중요하며, 일단 고농도 마스터 배치를 제작한 후에, 그것을 희석함으로써 원하는 제전성 수지 조성물을 얻는 제조 방법이 권장된다.In the antistatic resin composition of the present embodiment, the donor/acceptor molecular compound (c) is contained in a resin matrix containing the component (b) or in a resin matrix containing the component (a) and the component (b). Sufficient dispersion using a kneader is important for performance development, and a production method of obtaining a desired antistatic resin composition by diluting it after once preparing a high-concentration master batch is recommended.

[전자 부품 포장재][Electronic parts packaging material]

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물의 성형체는 전자 부품 포장재로서 적합하다.The molded article of the antistatic resin composition of the present embodiment is suitable as an electronic component packaging material.

전자 부품 포장재로서는, 예를 들어 캐리어 테이프, 반송 트레이, 매거진관 등을 들 수 있다.As an electronic component packaging material, a carrier tape, a conveyance tray, a magazine tube etc. are mentioned, for example.

본 실시 형태의 전자 부품 포장재는, 그 두께 방향의 구성에 있어서 단층이어도 다층이어도 되지만, 경제적인 관점에서 본 실시 형태의 전자 부품 포장재는, 본 실시 형태의 제전성 수지 조성물이 전자 부품 포장재의 표층 혹은 표리층에 한정하여 사용되는 것이 일반적이다.The electronic component packaging material of the present embodiment may be a single layer or a multi-layer structure in the thickness direction. However, from an economical point of view, the electronic component packaging material of the present embodiment contains the antistatic resin composition of the present embodiment as the surface layer or It is common to use it limited to the front and back layers.

전자 부품 제품과 접촉하는 측의 표층부에, 본 실시 형태의 제전성 수지 조성물을 포함하는 층을 수십㎛ 구비한 다층 시트 성형을 행하고, 그 후 진공 성형이나 압축 성형 등을 거쳐 전자 부품 제품을 수납하는 오목부(포켓 혹은 엠보싱이라고도 함)가 형성된다. 반송 트레이 등의 단적층하여 이용하는 전자 부품 포장재는, 그 이면측도 전자 부품 제품과 접촉하기 때문에, 표층뿐만 아니라 이층(裏層)에도 본 실시 형태의 제전성 수지 조성물을 구비한 전자 부품 포장재를 사용하는 것이 일반적이며 바람직하다.Forming a multi-layer sheet in which a layer containing the antistatic resin composition of the present embodiment is provided with several tens of μm is performed on the surface layer portion on the side in contact with the electronic component product, and then the electronic component product is housed through vacuum molding or compression molding. A recess (also referred to as a pocket or embossing) is formed. Since the electronic component packaging material used in a single layer such as a conveyance tray is also in contact with the electronic component product on its back side, the electronic component packaging material provided with the antistatic resin composition of the present embodiment not only in the surface layer but also in the second layer is used. is common and desirable.

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물은, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 첨가해도, 성분 (a)와 성분 (b)를 포함하는 기재 수지의 투명성은 그다지 손상되지 않는다.In the antistatic resin composition of the present embodiment, even if the donor/acceptor molecular compound (c) is added, the transparency of the base resin containing component (a) and component (b) is not significantly impaired.

사용하는 성분 (a)와 성분 (b)의 조합의 선택에 의해, 투명성이 양호한 전자 부품 포장재를 얻을 수 있다.By selecting the combination of component (a) and component (b) to be used, an electronic component packaging material having good transparency can be obtained.

본 실시 형태의 전자 부품 포장재는, 그 두께나 구성하는 각 층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 그 포장재의 대상으로 되는 전자 부품에 의해, 경우에 따라 적절하게 설계된다.The electronic component packaging material of the present embodiment is not particularly limited in its thickness or the thickness of each layer that constitutes it, and is appropriately designed depending on the case depending on the electronic component that is the target of the packaging material.

본 실시 형태의 전자 부품 포장재가 압출 성형품인 경우, 전체의 두께로서는, 바람직하게는 50㎛ 내지 4mm이고, 보다 바람직하게는 0.1mm 내지 2.0mm, 더욱 바람직하게는 0.1mm 내지 1.5mm, 보다 더 바람직하게는 0.2mm 내지 1.2mm이다. 최종 용도가 캐리어 테이프라면, 경향으로서 박육으로 되고, 한편 반송 트레이라면, 경향으로서 후육으로 된다.When the electronic component packaging material of the present embodiment is an extrusion molded product, the overall thickness is preferably 50 µm to 4 mm, more preferably 0.1 mm to 2.0 mm, still more preferably 0.1 mm to 1.5 mm, and still more preferably. Preferably, it is 0.2 mm to 1.2 mm. If the final use is a carrier tape, it tends to be thin, while if it is a conveyance tray, it tends to be thick.

전자 부품 제품과 접촉하는 제전성 수지 조성물을 포함하는 층의 두께는, 바람직하게는 5㎛ 내지 1mm, 보다 바람직하게는 10㎛ 내지 0.1mm, 더욱 바람직하게는 15㎛ 내지 50㎛이다. 원단 시트로부터 진공 성형이나 압축 성형 등의 2차 가공을 행할 때, 엠보싱 측면 등 잡아 늘여져서 보다 박육으로 되는 개소도 있기 때문에, 원단 시트에 있어서 어느 정도의 제전성 수지 조성물을 포함하는 층 두께를 갖게 두는 편이 바람직하다.The thickness of the layer containing the antistatic resin composition in contact with the electronic part product is preferably 5 µm to 1 mm, more preferably 10 µm to 0.1 mm, still more preferably 15 µm to 50 µm. When secondary processing such as vacuum molding or compression molding is performed from the raw sheet, there are places such as the embossed side surface that are stretched and become thinner, so that the raw sheet has a certain amount of layer thickness containing the antistatic resin composition. It is preferable to put

본 실시 형태의 전자 부품 포장재는, 공정 내 리사이클을 목적으로 하여, 중간층의 적어도 1층에 시트의 단재를 분쇄한 것을 블렌드하여 사용해도 된다. 그 경우, 신재(新材)와 리사이클재를 임의의 비율로 블렌드하는 방법이 일반적이지만, 리사이클재 단독으로 해도 된다. 리사이클재는 동일 라인으로부터 발생하는 유사 조성인 것이 바람직하지만, 본 실시 형태의 작용 효과를 저해하지 않는 범위에서, 다른 계열에서 발생한 다른 수지 조성물을 블렌드해도 된다.For the purpose of in-process recycling, the electronic component packaging material of the present embodiment may be used by blending pulverized scrap material of the sheet into at least one layer of the intermediate layer. In that case, a method of blending a new material and a recycled material in an arbitrary ratio is common, but the recycled material may be used alone. The recycled material is preferably of a similar composition generated from the same line, but within a range that does not impair the action and effect of the present embodiment, you may blend different resin compositions generated from different series.

또한, 본 실시 형태의 전자 부품 포장재는, 본 발명의 취지로부터 일탈하지 않는 범위에서, 그 표면에 인쇄나 코로나 방전이나 글로우 방전 등의 방전 처리, 산 처리 등의 표면 처리를 실시해도 된다.Further, the surface of the electronic component packaging material of the present embodiment may be subjected to surface treatment such as printing, electrical discharge treatment such as corona discharge or glow discharge, acid treatment, or the like, within a range not departing from the spirit of the present invention.

[전자 부품 포장재의 특성][Characteristics of electronic parts packaging materials]

(표면 저항률)(surface resistivity)

제전성 수지 조성물, 그리고 제전성 수지 조성물로부터 성형하여 얻어지는 전자 부품 포장재의 표면 저항률은 1×1012Ω/□ 이하이다.The surface resistivity of the antistatic resin composition and the electronic part packaging material obtained by molding from the antistatic resin composition is 1×10 12 Ω/□ or less.

도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 배합하지 않는, 성분 (a)와 성분 (b)만으로 이루어지는 수지 조성물 혹은 성형품의 표면 저항률은 일반적으로는 1×1016Ω/□ 이상을 나타내는 절연체이다. 표면 저항률이 1×1012Ω/□ 이하로 될 수 있는 것은 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 배합한 효과이다.The surface resistivity of a molded product or a resin composition comprising only component (a) and component (b) without blending donor/acceptor molecular compound (c) is generally an insulator that exhibits 1×10 16 Ω/□ or more. The fact that the surface resistivity can be 1×10 12 Ω/□ or less is the effect of blending the donor/acceptor molecular compound (c).

단, 성분 (a)인 비닐 방향족 탄화수소계 수지 단독으로는 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 배합해도 그 성능을 인출하는 것은 곤란하며, 성분 (b)인 블록 공중합체의 존재가 불가결하다.However, it is difficult to bring out the performance even if the donor/acceptor molecular compound (c) is blended with the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin alone as component (a), and the existence of a block copolymer as component (b) is indispensable. .

전자 부품 포장재의 표면 저항률은, 성형 방법이나 제품의 형상에는 의존하지 않고, 전자 부품에 접하는 표면 부분의 수지 조성만으로 결정된다.The surface resistivity of an electronic component packaging material is determined only by the resin composition of the surface portion in contact with the electronic component, without depending on the molding method or product shape.

따라서, 전자 부품 포장재의 표면 저항률은, 전자 부품에 직접 접하는 제전성 수지 조성물의 표면 저항률과 동일한 값으로 되며, 호환성이 있다.Therefore, the surface resistivity of the packaging material for electronic parts has the same value as the surface resistivity of the antistatic resin composition in direct contact with the electronic parts, and is compatible.

표면 저항률은, 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있으며, 예를 들어 심코 재팬 가부시키가이샤제 간이형 표면 저항계 「ST-3」을 사용하여 측정할 수 있다. 샘플은 시트상으로 성형하고, 23℃ㆍ습도 50%의 항온실에 정치(예를 들어 24시간)한 후에 측정하는 것이 바람직하다. 압출 시트 샘플의 표면 저항률은, 각각 표면과 이면에서, 압출 방향(MD)과 압출 수직 방향(TD)에서의 측정값의 평균값으로 할 수 있다.The surface resistivity can be measured by the method described in Examples, and can be measured using, for example, Simco Japan Co., Ltd. simple surface resistivity meter "ST-3". It is preferable to measure the sample after molding it into a sheet shape and leaving it still (for example, for 24 hours) in a constant temperature room at 23°C and 50% humidity. The surface resistivity of the extruded sheet sample can be an average value of values measured in the extrusion direction (MD) and the extrusion vertical direction (TD) on the front and back surfaces, respectively.

(헤이즈값)(Haze value)

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물 및 전자 부품 포장재는, 포장하는 부품의 종류 등에 따라서는 시인성이 있는 편이 바람직한 경우도 있으며, 투명성을 가짐으로써 적응 용도가 넓어진다. 예를 들어, 반송 트레이 용도에서는 시인성이 요구되는 케이스는 많지 않지만, 한편, 캐리어 테이프 용도에서는 시인성이 요구되는 케이스도 많아, 투명성을 갖는 편이 바람직하다.The antistatic resin composition and the packaging material for electronic parts of the present embodiment may have better visibility depending on the type of parts to be packaged, etc., and having transparency broadens the range of applicable uses. For example, there are not many cases where visibility is required in transport tray applications, on the other hand, there are many cases where visibility is required in carrier tape applications, and it is preferable to have transparency.

실시예에서 나타낸 투명성은 ISO14782에 준거하며, 제전성 수지 조성물을 사출 성형으로 제작한 1mm 두께 평판을 사용하여 측정한 헤이즈값으로 표현된다.Transparency shown in the examples is based on ISO14782 and is expressed as a haze value measured using a 1 mm thick flat plate produced by injection molding of an antistatic resin composition.

시인성을 갖는(포장재 너머로 내용물의 전자 부품이 보이는) 헤이즈값의 영역은 20% 이하이며, 헤이즈값이 작고 제로에 가까울수록 시인성이 향상된다. 내용물이 확실히 보이는 것은 헤이즈값이 4.0% 이하이며, 헤이즈값이 2.0% 이하이면 내용물의 윤곽까지 명확하게 보인다.The range of the haze value that has visibility (the electronic parts of the contents are visible through the packaging material) is 20% or less, and the smaller the haze value and closer to zero, the better the visibility. When the content is clearly visible, the haze value is 4.0% or less, and when the haze value is 2.0% or less, even the outline of the content is clearly visible.

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물의 헤이즈값을 저감시켜 투명성을 향상시키기 위해서는, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a) 및 블록 공중합체 (b)의 각각의 각 성분 단체가 각각 투명성을 가지며, 또한 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a), 블록 공중합체 (b)의 각각의 굴절률이 근사되어 있는 것이 필요하다. 구체적으로는 굴절률의 차가 0.004 이하이면 투명성은 양호해지며, 헤이즈값 4.0% 이하를 달성할 수 있다.In order to improve the transparency by reducing the haze value of the antistatic resin composition of the present embodiment, each component alone of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) has transparency, and the vinyl aromatic It is necessary that the refractive indices of the hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) are approximated. Specifically, when the difference in refractive index is 0.004 or less, transparency becomes good, and a haze value of 4.0% or less can be achieved.

본 실시 형태의 제전성 수지 조성물의 헤이즈값은 상술한 바와 같이 사출 평판에서 측정된 값을 사용하는데, 실제의 전자 부품 포장재는 압출 성형으로 성형되는 경우가 많으며, 수지 조성물의 고차 구조에 유래한 분산 형태나, 롤 온도, 롤간의 클리어런스, 혹은 롤 표면의 경면도 등의 마무리 상태에 따라 그 압출 표면은 변화하며, 헤이즈값도 변화한다. 또한, 표층과 중간층을 포함하는 다층 성형 시트의 경우, 전자 부품 포장재 자체의 투명성은 각각의 층의 투명성이 영향을 미친다.As for the haze value of the antistatic resin composition of the present embodiment, a value measured on an injection plate is used as described above, but actual packaging materials for electronic parts are often molded by extrusion molding, and dispersion derived from the higher order structure of the resin composition. Depending on the shape, the roll temperature, the clearance between the rolls, or the finished state such as the mirror surface of the roll surface, the extruded surface changes, and the haze value also changes. In addition, in the case of a multilayer molded sheet including a surface layer and an intermediate layer, the transparency of each layer affects the transparency of the electronic component packaging material itself.

<실시예><Example>

이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 들어 본 실시 형태를 더 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present embodiment will be described in more detail with reference to specific examples and comparative examples.

또한, 본 실시 형태는, 이하의 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.In addition, this embodiment is not limited at all by the following examples.

(실시예 및 비교예에서 사용한 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a) 및 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c))(Vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and donor/acceptor molecular compound (c) used in Examples and Comparative Examples)

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)-1 내지 (a)-8, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c-1)은, 시판 중인 것을 입수하여 사용하였다.As the vinyl aromatic hydrocarbon-based resins (a)-1 to (a)-8 and the donor/acceptor molecular compound (c-1), commercially available ones were obtained and used.

하기 [표 1]에, 이들의 메이커, 품목명, 종별에 더하여, (a) 성분에 대해서는 MFR값(표 1 중, MFRa라고 기재함)도 추가하여 일람을 나타낸다.In the following [Table 1], in addition to these manufacturers, product names, and types, the MFR value (described as MFRa in Table 1) is also added for the component (a), and a list is shown.

Figure 112021063747543-pat00004
Figure 112021063747543-pat00004

(비닐 방향족 탄화수소 수지 (a)의 멜트 플로 레이트(MFRa))(Melt flow rate (MFRa) of vinyl aromatic hydrocarbon resin (a))

(a) 성분의 MFR은, 물성표로서 공개되어 있는 값을 사용하였다.(a) For the MFR of the component, a value published as a physical property table was used.

측정 규격은 ISO1133에 준거하고, 온도 200℃ 및 하중 5kgf에서 측정한 것이다. 후술하는 블록 공중합체 (b)의 MFRb와 동일 규격 및 동일 조건인 것으로 하였다.The measurement standard was based on ISO1133 and was measured at a temperature of 200°C and a load of 5 kgf. It was set as the same standard and the same conditions as MFRb of block copolymer (b) mentioned later.

(블록 공중합체 (b))(block copolymer (b))

[제조예 1 내지 8][Production Examples 1 to 8]

블록 공중합체 (b)는, 하기의 제조예에 따라 각 블록 공중합체 (b)-1 내지 (b)-8을 제조하였다.As for the block copolymer (b), block copolymers (b)-1 to (b)-8 were prepared according to the following Production Examples.

[제조예 1][Production Example 1]

질소 가스 분위기 하에 있어서, 스티렌 20질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액에, n-부틸리튬 0.08질량부와 테트라메틸메틸렌디아민 0.015질량부를 첨가하고, 80℃에서 20분간 중합하였다.In a nitrogen gas atmosphere, 0.08 parts by mass of n-butyllithium and 0.015 parts by mass of tetramethylmethylenediamine were added to a cyclohexane solution containing 20 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass, followed by polymerization at 80°C for 20 minutes.

다음에, 중합액에 1,3-부타디엔 14질량부와 스티렌 10질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 30분에 걸쳐 연속적으로 첨가하면서 80℃에서 중합하였다.Next, polymerization was carried out at 80°C while continuously adding a cyclohexane solution containing 14 parts by mass of 1,3-butadiene and 10 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass to the polymerization solution over 30 minutes.

다음에, 중합액에 1,3-부타디엔 16질량부와 스티렌 10질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 30분에 걸쳐 연속적으로 첨가하면서 80℃에서 중합하였다.Next, polymerization was carried out at 80°C while continuously adding a cyclohexane solution containing 16 parts by mass of 1,3-butadiene and 10 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass to the polymerization solution over 30 minutes.

다음에, 중합액에 스티렌 30질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 첨가하여 80℃에서 30분간 중합하였다.Next, a cyclohexane solution containing 30 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass was added to the polymerization solution, followed by polymerization at 80°C for 30 minutes.

그 후, 중합을 완전히 정지하기 위해, 반응기 중에 에탄올을 n-부틸리튬에 대하여 등배 몰 첨가하고, 블록 공중합체 100질량부에 대하여 열안정제로서 2-t-부틸-6(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트를 0.4질량부 첨가하고, 그 후 용매를 제거함으로써 블록 공중합체 (b)-1을 회수하였다.Thereafter, in order to completely stop polymerization, ethanol was added in an equimolar mole to n-butyllithium in the reactor, and 2-t-butyl-6(3-t-butyl-6(3-t-butyl- Block copolymer (b)-1 was recovered by adding 0.4 parts by mass of 2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenyl acrylate and then removing the solvent.

[제조예 2][Production Example 2]

질소 가스 분위기 하에 있어서, 스티렌 31질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액에, n-부틸리튬을 0.08질량부 첨가하고, 80℃에서 20분간 중합하였다.In a nitrogen gas atmosphere, 0.08 parts by mass of n-butyllithium was added to a cyclohexane solution containing 31 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass, followed by polymerization at 80°C for 20 minutes.

다음에, 중합액에 1,3-부타디엔 21질량부와 스티렌 20질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 30분에 걸쳐 연속적으로 첨가하면서 80℃에서 중합하였다.Next, polymerization was carried out at 80°C while continuously adding a cyclohexane solution containing 21 parts by mass of 1,3-butadiene and 20 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass to the polymerization solution over 30 minutes.

다음에, 중합액에 1,3-부타디엔 2질량부와 스티렌 6질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 30분에 걸쳐 연속적으로 첨가하면서 80℃에서 중합하였다. 다음에, 중합액에 스티렌 20질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 첨가하여 80℃에서 30분간 중합하였다.Next, polymerization was carried out at 80°C while continuously adding a cyclohexane solution containing 2 parts by mass of 1,3-butadiene and 6 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass to the polymerization solution over 30 minutes. Next, a cyclohexane solution containing 20 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass was added to the polymerization solution, followed by polymerization at 80°C for 30 minutes.

그 후, 중합을 완전히 정지하기 위해, 반응기 중에 에탄올을 n-부틸리튬에 대하여 등배 몰 첨가하고, 블록 공중합체 100질량부에 대하여 열안정제로서 2-t-부틸-6(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트를 0.3질량부 첨가하고, 그 후 용매를 제거함으로써 블록 공중합체 (b)-2를 회수하였다.Thereafter, in order to completely stop polymerization, ethanol was added in an equimolar mole to n-butyllithium in the reactor, and 2-t-butyl-6(3-t-butyl-6(3-t-butyl- Block copolymer (b)-2 was recovered by adding 0.3 parts by mass of 2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenyl acrylate and then removing the solvent.

[제조예 3][Production Example 3]

질소 가스 분위기 하에 있어서, 부타디엔 8질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액에 n-부틸리튬 0.08질량부를 첨가하고, 80℃에서 20분간 중합하였다.In a nitrogen gas atmosphere, 0.08 parts by mass of n-butyllithium was added to a cyclohexane solution containing 8 parts by mass of butadiene at a concentration of 25% by mass, followed by polymerization at 80°C for 20 minutes.

다음에, 중합액에 스티렌 14질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 15분에 걸쳐 연속적으로 첨가하면서 80℃에서 중합하였다.Next, polymerization was carried out at 80°C while continuously adding a cyclohexane solution containing 14 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass to the polymerization solution over 15 minutes.

다음에, 중합액에 1,3-부타디엔 22질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 15분에 걸쳐 연속적으로 첨가하면서 80℃에서 중합하였다.Next, polymerization was carried out at 80°C while continuously adding a cyclohexane solution containing 22 parts by mass of 1,3-butadiene at a concentration of 25% by mass to the polymerization solution over 15 minutes.

다음에, 중합액에 스티렌 29질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 첨가하여 80℃에서 30분간 중합하였다.Next, a cyclohexane solution containing 29 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass was added to the polymerization solution, followed by polymerization at 80°C for 30 minutes.

그 후, 일부의 중합을 정지시키기 위해, 반응기 중에 에탄올을 n-부틸리튬에 대하여 0.5배 몰 첨가하고, 중합액을 10분 교반한 후, 중합액에 스티렌 27질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 첨가하여 80℃에서 30분간 중합하였다.After that, in order to stop part of the polymerization, ethanol was added in a molar amount of 0.5 times the amount of n-butyllithium in the reactor, and the polymerization solution was stirred for 10 minutes, and then 27 parts by mass of styrene was included in the polymerization solution at a concentration of 25% by mass A cyclohexane solution was added and polymerization was performed at 80° C. for 30 minutes.

그 후, 완전히 중합을 정지시키기 위해, 반응기 중에 에탄올을 n-부틸리튬에 대하여 0.5배 몰 첨가하고, 블록 공중합체 100질량부에 대하여 열안정제로서 2-t-부틸-6(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트를 0.4질량부 첨가하고, 그 후 용매를 제거함으로써 블록 공중합체 (b)-3을 회수하였다.Thereafter, in order to completely stop the polymerization, ethanol was added in an amount of 0.5 molar to n-butyllithium in the reactor, and 2-t-butyl-6(3-t-butyl as a heat stabilizer with respect to 100 parts by mass of the block copolymer). Block copolymer (b)-3 was recovered by adding 0.4 parts by mass of -2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenyl acrylate and then removing the solvent.

[제조예 4][Production Example 4]

질소 가스 분위기 하에 있어서, 스티렌 60질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액에, n-부틸리튬 0.08질량부와 테트라메틸메틸렌디아민 0.015질량부를 첨가하고, 80℃에서 20분간 중합하였다.In a nitrogen gas atmosphere, 0.08 parts by mass of n-butyllithium and 0.015 parts by mass of tetramethylmethylenediamine were added to a cyclohexane solution containing 60 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass, followed by polymerization at 80°C for 20 minutes.

다음에, 중합액에 1,3-부타디엔 30질량부와 스티렌 10질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 30분에 걸쳐 연속적으로 첨가하면서 80℃에서 중합하였다.Next, polymerization was carried out at 80°C while continuously adding a cyclohexane solution containing 30 parts by mass of 1,3-butadiene and 10 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass to the polymerization solution over 30 minutes.

그 후, 중합을 완전히 정지하기 위해, 반응기 중에 에탄올을 n-부틸리튬에 대하여 등배 몰 첨가하고, 블록 공중합체 100질량부에 대하여 열안정제로서 2-t-부틸-6(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트를 0.3질량부 첨가하고, 그 후 용매를 제거함으로써 블록 공중합체 (b)-4를 회수하였다.Thereafter, in order to completely stop polymerization, ethanol was added in an equimolar mole to n-butyllithium in the reactor, and 2-t-butyl-6(3-t-butyl-6(3-t-butyl- Block copolymer (b)-4 was recovered by adding 0.3 parts by mass of 2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenyl acrylate and then removing the solvent.

[제조예 5][Production Example 5]

질소 가스 분위기 하에 있어서, 스티렌 40질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액에, n-부틸리튬 0.08질량부와 테트라메틸메틸렌디아민 0.015질량부를 첨가하고, 80℃에서 20분간 중합하였다.In a nitrogen gas atmosphere, 0.08 parts by mass of n-butyllithium and 0.015 parts by mass of tetramethylmethylenediamine were added to a cyclohexane solution containing 40 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass, followed by polymerization at 80°C for 20 minutes.

다음에, 중합액에 1,3-부타디엔 15질량부와 스티렌 10질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 30분에 걸쳐 연속적으로 첨가하면서 80℃에서 중합하였다.Next, polymerization was carried out at 80°C while continuously adding a cyclohexane solution containing 15 parts by mass of 1,3-butadiene and 10 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass to the polymerization solution over 30 minutes.

다음에, 중합액에 스티렌 35질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 첨가하여 80℃에서 30분간 중합하였다.Next, a cyclohexane solution containing 35 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass was added to the polymerization solution, followed by polymerization at 80°C for 30 minutes.

그 후, 중합을 완전히 정지하기 위해, 반응기 중에 에탄올을 n-부틸리튬에 대하여 등배 몰 첨가하고, 블록 공중합체 100질량부에 대하여 열안정제로서 2-t-부틸-6(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트를 0.2질량부 첨가하고, 그 후 용매를 제거함으로써 블록 공중합체 (b)-5를 회수하였다.Thereafter, in order to completely stop polymerization, ethanol was added in an equimolar mole to n-butyllithium in the reactor, and 2-t-butyl-6(3-t-butyl-6(3-t-butyl- Block copolymer (b)-5 was recovered by adding 0.2 parts by mass of 2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenyl acrylate and then removing the solvent.

[제조예 6][Production Example 6]

질소 가스 분위기 하에 있어서, 스티렌 42질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액에, n-부틸리튬을 0.08질량부 첨가하고, 80℃에서 20분간 중합하였다.In a nitrogen gas atmosphere, 0.08 parts by mass of n-butyllithium was added to a cyclohexane solution containing 42 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass, followed by polymerization at 80°C for 20 minutes.

다음에, 중합액에 1,3-부타디엔 8질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 10분에 걸쳐 연속적으로 첨가하면서 80℃에서 중합하였다. 다음에, 중합액에 스티렌 50질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 첨가하여 80℃에서 30분간 중합하였다.Next, polymerization was carried out at 80°C while continuously adding a cyclohexane solution containing 8 parts by mass of 1,3-butadiene at a concentration of 25% by mass to the polymerization solution over 10 minutes. Next, a cyclohexane solution containing 50 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass was added to the polymerization solution, followed by polymerization at 80°C for 30 minutes.

그 후, 중합을 완전히 정지하기 위해, 반응기 중에 에탄올을 n-부틸리튬에 대하여 등배 몰 첨가하고, 블록 공중합체 100질량부에 대하여 열안정제로서 2-t-부틸-6(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트를 0.2질량부 첨가하고, 그 후 용매를 제거함으로써 블록 공중합체 (b)-6을 회수하였다.Thereafter, in order to completely stop polymerization, ethanol was added in an equimolar mole to n-butyllithium in the reactor, and 2-t-butyl-6(3-t-butyl-6(3-t-butyl- Block copolymer (b)-6 was recovered by adding 0.2 parts by mass of 2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenyl acrylate and then removing the solvent.

[제조예 7][Production Example 7]

질소 가스 분위기 하에 있어서, 스티렌 16질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액에, n-부틸리튬을 0.08질량부 첨가하고, 80℃에서 20분간 중합하였다.In a nitrogen gas atmosphere, 0.08 parts by mass of n-butyllithium was added to a cyclohexane solution containing 16 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass, followed by polymerization at 80°C for 20 minutes.

다음에, 중합액에 1,3-부타디엔 68질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 10분에 걸쳐 첨가하고 80℃에서 중합하였다.Next, a cyclohexane solution containing 68 parts by mass of 1,3-butadiene at a concentration of 25% by mass was added to the polymerization solution over 10 minutes, followed by polymerization at 80°C.

다음에, 중합액에 스티렌 16질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 첨가하여 80℃에서 30분간 중합하였다.Next, a cyclohexane solution containing 16 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass was added to the polymerization solution, followed by polymerization at 80°C for 30 minutes.

그 후, 중합을 완전히 정지하기 위해, 반응기 중에 에탄올을 n-부틸리튬에 대하여 등배 몰 첨가하고, 블록 공중합체 100질량부에 대하여 열안정제로서 2-t-부틸-6(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트를 0.5질량부 첨가하고, 그 후 용매를 제거함으로써 블록 공중합체 (b)-7을 회수하였다.Thereafter, in order to completely stop polymerization, ethanol was added in an equimolar mole to n-butyllithium in the reactor, and 2-t-butyl-6(3-t-butyl-6(3-t-butyl- Block copolymer (b)-7 was recovered by adding 0.5 parts by mass of 2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenyl acrylate and then removing the solvent.

[제조예 8][Production Example 8]

질소 가스 분위기 하에 있어서, 스티렌 9질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액에, n-부틸리튬 0.08질량부를 첨가하고, 80℃에서 15분간 중합하였다.In a nitrogen gas atmosphere, 0.08 parts by mass of n-butyllithium was added to a cyclohexane solution containing 9 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass, followed by polymerization at 80°C for 15 minutes.

다음에, 중합액에 1,3-부타디엔 75질량부와 스티렌 7질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 30분에 걸쳐 연속적으로 첨가하면서 80℃에서 중합하였다.Next, polymerization was carried out at 80°C while continuously adding a cyclohexane solution containing 75 parts by mass of 1,3-butadiene and 7 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass to the polymerization solution over 30 minutes.

다음에, 중합액에 스티렌 9질량부를 25질량%의 농도로 포함하는 시클로헥산 용액을 첨가하여 80℃에서 30분간 중합하였다.Next, a cyclohexane solution containing 9 parts by mass of styrene at a concentration of 25% by mass was added to the polymerization solution, followed by polymerization at 80°C for 30 minutes.

그 후, 중합을 완전히 정지하기 위해, 반응기 중에 에탄올을 n-부틸리튬에 대하여 등배 몰 첨가하고, 블록 공중합체 100질량부에 대하여 열안정제로서 2-t-부틸-6(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸벤질)-4-메틸페닐아크릴레이트를 0.5질량부 첨가하고, 그 후 용매를 제거함으로써 블록 공중합체 (b)-8을 회수하였다.Thereafter, in order to completely stop polymerization, ethanol was added in an equimolar mole to n-butyllithium in the reactor, and 2-t-butyl-6(3-t-butyl-6(3-t-butyl- Block copolymer (b)-8 was recovered by adding 0.5 parts by mass of 2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenyl acrylate and then removing the solvent.

(각 블록 공중합체 (b)-1 내지 (b)-8의 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위(스티렌 단위) 및 공액 디엔 단량체 단위(부타디엔 단위)의 함유량)(Contents of vinyl aromatic hydrocarbon monomer units (styrene units) and conjugated diene monomer units (butadiene units) of each block copolymer (b)-1 to (b)-8)

상기 제조예 1 내지 8에서 얻어진 각 블록 공중합체에 대하여, 각 모노머 성분인 스티렌과 1,3-부타디엔의 공중합 비율에 대하여, 하기에 나타내는 분석법으로 중합 시의 투입 비율과의 차이가 없는지 확인을 행하였다. 분석 기기로서 시마즈 세이사쿠쇼제의 자외 가시 분광 광도계를 사용하였다.For each block copolymer obtained in Production Examples 1 to 8, the copolymerization ratio of styrene and 1,3-butadiene, each monomer component, is analyzed by the analysis method shown below to confirm that there is no difference from the addition ratio during polymerization. did As an analysis instrument, an ultraviolet and visible spectrophotometer manufactured by Shimadzu Corporation was used.

구체적으로는, 각 블록 공중합체 (b)-1 내지 (b)-8 약 30mg(0.1mg 단위까지 정확하게 칭량)을 클로로포름 100mL에 용해시키고, 그 폴리머 용액을 석영 셀에 채워 자외 가시 분광 광도계에 세팅하고, 이것에 자외선 파장 260 내지 290nm를 주사시켰다. 스티렌의 방향족환이 이 파장 영역에서 흡광성을 나타내는 특성을 이용하여, 측정에 의해 얻어진 흡광 피크 높이값을 기지의 시료에서 작성한 검량선을 사용하여, 각 블록 공중합체 (b)에 포함되는 스티렌 조성 비율(질량%)을 구하였다. 스티렌으로부터 유래하는 피크 파장은 269.2nm에 나타난다.Specifically, about 30 mg (accurately weighed to the nearest 0.1 mg unit) of each block copolymer (b)-1 to (b)-8 was dissolved in 100 mL of chloroform, and the polymer solution was filled in a quartz cell and set in an ultraviolet and visible spectrophotometer. and irradiated with ultraviolet wavelengths of 260 to 290 nm. Styrene composition ratio ( mass%) was obtained. The peak wavelength originating from styrene appears at 269.2 nm.

결과, 중합 시의 스티렌 투입 비율과, 블록 공중합체 중의 스티렌 조성 비율에 차이가 없는 것을 확인하였다. 한편으로 부타디엔 조성 비율(질량%)은, 100에서 스티렌 조성 비율(질량%)을 차감함으로써 구해진다.As a result, it was confirmed that there was no difference between the styrene input ratio during polymerization and the styrene composition ratio in the block copolymer. On the other hand, the butadiene composition ratio (mass %) is obtained by subtracting the styrene composition ratio (mass %) from 100.

(각 블록 공중합체 (b)-1 내지 (b)-8의 중량 평균 분자량 Mw, 수 평균 분자량 Mn, 분자량 분포 Mw/Mn, 피크 분자량 및 분자량 피크수)(Weight average molecular weight Mw, number average molecular weight Mn, molecular weight distribution Mw/Mn, peak molecular weight and molecular weight peak number of each block copolymer (b)-1 to (b)-8)

상기 블록 공중합체 (b)-1 내지 (b)-8의 중량 평균 분자량(Mw), 수 평균 분자량(Mn), 분자량 분포(Mw/Mn), 피크 분자량 및 분자량 피크수는, 각각 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 장치에 의해, 하기 측정 조건에 의해 측정하였다.The weight average molecular weight (Mw), number average molecular weight (Mn), molecular weight distribution (Mw/Mn), peak molecular weight and molecular weight peak number of the block copolymers (b)-1 to (b)-8 were determined by gel permeation chromatography, respectively. It was measured according to the following measurement conditions with the graphography (GPC) apparatus.

(측정 조건)(Measuring conditions)

GPC 장치: 도소사제 HLC-8220GPC device: HLC-8220 manufactured by Tosoh Corporation

칼럼: 도소사제 SuperMultiporeHZ-M을 2개 직렬로 접속Column: Two SuperMultiporeHZ-M manufactured by Tosoh Corporation are connected in series.

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40°C

송액량: 0.2mL/분Transfer amount: 0.2mL/min

검출기: 굴절계(RI)Detector: Refractometer (RI)

또한, 용매로서 테트라히드로푸란을 사용하고, 분자량 측정을 행할 목적의 중합체 약 10mg을 테트라히드로푸란 20mL에 용해시키고, 여과하여 불용분을 제거하여 GPC 측정용 샘플을 얻었다.Further, using tetrahydrofuran as a solvent, about 10 mg of the polymer of interest for molecular weight measurement was dissolved in 20 mL of tetrahydrofuran, filtered to remove insoluble matter, and a sample for GPC measurement was obtained.

구체적인 측정법을 이하에 설명한다. 우선, 분자량이 각각 다른 분자량 기지의 표준 폴리스티렌 샘플을 9점 사용하여 검량선을 작성하였다. 가장 고분자량의 표준 폴리스티렌의 중량 평균 분자량(Mw)은 1090000, 가장 저분자량인 것은 1050인 것을 사용하였다. 계속해서, 분자량을 측정하는 각 블록 중합체를 사용하여 상기의 요령으로 측정용 샘플을 조제하였다.A specific measurement method is described below. First, a calibration curve was prepared using 9 standard polystyrene samples of known molecular weights having different molecular weights. The weight average molecular weight (Mw) of standard polystyrene having the highest molecular weight was 1090000, and that having the lowest molecular weight was 1050. Subsequently, samples for measurement were prepared in the manner described above using each block polymer whose molecular weight was to be measured.

칼럼이 수납되어 있는 조 내 온도가 일정하게 된 것을 확인한 후, 용액 샘플을 주입하고, 측정을 개시하였다. 측정 종료 후, 얻어진 분자량 분포 곡선의 통계 처리를 행하여, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)을 산출하였다. 분자량 분포(Mw/Mn)는, 얻어진 중량 평균 분자량(Mw)을 수 평균 분자량(Mn)으로 나눈 값으로 하였다. 또한, 피크 분자량 및 분자량 피크수는, 상기 분자량 분포 곡선으로부터 판단하였다.After confirming that the temperature in the tank in which the column was stored became constant, a sample of the solution was injected and measurement was started. After completion of the measurement, the obtained molecular weight distribution curve was subjected to statistical processing to calculate the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn). The molecular weight distribution (Mw/Mn) was obtained by dividing the obtained weight average molecular weight (Mw) by the number average molecular weight (Mn). In addition, the peak molecular weight and the number of molecular weight peaks were judged from the above molecular weight distribution curve.

(각 블록 공중합체 (b)-1 내지 (b)-8의 중합체 블록 S의 중량 평균 분자량(Mw), 수 평균 분자량(Mn) 및 분자량 분포(Mw/Mn))(Weight average molecular weight (Mw), number average molecular weight (Mn) and molecular weight distribution (Mw/Mn) of polymer block S of each block copolymer (b)-1 to (b)-8))

다음에, 각 블록 공중합체 (b)-1 내지 (b)-8을 구성하고 있는 비닐 방향족 단량체 단위만으로 이루어지는 중합체 블록 S의 분자량 측정을 행하였다.Next, the molecular weight of the polymer block S composed only of the vinyl aromatic monomer units constituting each of the block copolymers (b)-1 to (b)-8 was measured.

구체적으로는, 삼각 플라스크를 사용하여 중합체 약 20mg을 약 10mL의 클로로포름에 용해한 후, 오스뮴산 용액 20mL를 첨가하여 약 90℃에서 30분간 중탕하고, 공액 디엔 부분을 분해하였다.Specifically, after dissolving about 20 mg of the polymer in about 10 mL of chloroform using an Erlenmeyer flask, 20 mL of an osmic acid solution was added and the mixture was heated in hot water at about 90°C for 30 minutes to decompose the conjugated diene portion.

중탕 후, 삼각 플라스크를 유수로 냉각하고, 분해 후의 폴리머 용액에 약 200mL의 메탄올을 살짝 주입하고, 용제에 용해되지 않는 성분을 석출시켰다.After boiling water, the Erlenmeyer flask was cooled with running water, and about 200 mL of methanol was lightly injected into the polymer solution after decomposition to precipitate components that did not dissolve in the solvent.

이 석출된 고체 성분이 비닐 방향족 단량체 단위만으로 이루어지는 중합체 블록 S이며, 블록을 형성하고 있지 않은 스티렌 단량체나 중합도가 낮은 스티렌은, 메탄올/tert-부틸알코올/클로로포름 혼합 용액에 용해된 채이다. 이 석출물을 유리 필터를 사용하여 흡인 여과하고, 순메탄올로 세정하여 진공 건조를 행함으로써, 블록 공중합체 (b)로부터 중합체 블록 S만을 단리하였다.This precipitated solid component is a polymer block S composed only of vinyl aromatic monomer units, and styrene monomers that do not form blocks and styrene with a low polymerization degree remain dissolved in the mixed solution of methanol / tert-butyl alcohol / chloroform. This precipitate was suction filtered using a glass filter, washed with pure methanol and vacuum dried to isolate only the polymer block S from the block copolymer (b).

여기서, 상술한 오스뮴산 용액이란, 산화오스뮴(VIII) 1g과, 니치유 가부시키가이샤로부터 출시되어 입수 가능한 상품명 「퍼부틸 H(화학명 tert-부틸히드로퍼옥사이드, 순도 69%)」 2kg을 tert-부틸알코올 3L로 용해ㆍ혼합한 용액이다.Here, the above-mentioned osmic acid solution is a tert- It is a solution obtained by dissolving and mixing with 3 L of butyl alcohol.

이와 같이 얻어진 중합체 블록 S 약 10mg을 테트라히드로푸란 20mL에 다시 용해시켜 GPC 장치에 의해 측정하였다. 측정 조건 및 방법은, 상기 블록 공중합체 (b)의 분자량의 측정 조건 및 방법에 준하여 행하였다.About 10 mg of the polymer block S thus obtained was dissolved again in 20 mL of tetrahydrofuran and measured by a GPC device. The measurement conditions and method were performed in accordance with the measurement conditions and method for the molecular weight of the block copolymer (b) described above.

(블록 공중합체 (b)의 멜트 플로 레이트(MFRb))(Melt flow rate (MFRb) of block copolymer (b))

규격 ISO1133에 준거하여, 온도 200℃ 및 하중 5kgf의 조건에서 측정을 행하였다.Based on standard ISO1133, the measurement was performed under conditions of a temperature of 200°C and a load of 5 kgf.

각 제조예 1 내지 8에 의해 얻어진 블록 공중합체 (b)-1 내지 (b)-8의 각각의 제조 시에 있어서의 모노머 피드 조성과 비닐 방향족 단량체 단위와 공액 디엔 단량체 단위의 비율(질량%), GPC 측정 결과에 기초한 분자량 정보 및 멜트 플로 레이트를 하기 [표 2]에 나타낸다.Monomer feed composition at the time of each production of the block copolymers (b)-1 to (b)-8 obtained by each Production Example 1 to 8, and the ratio of the vinyl aromatic monomer unit and the conjugated diene monomer unit (% by mass) , molecular weight information and melt flow rate based on the GPC measurement results are shown in [Table 2] below.

Figure 112021063747543-pat00005
Figure 112021063747543-pat00005

[제전성 수지 조성물의 제조 방법][Method for Producing Antistatic Resin Composition]

상기 [표 1]에 나타낸 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)-1 내지 (a)-7 및 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c-1)과, 상기 [제조예 1 내지 8]에서 나타낸 블록 공중합체 (b)-1 내지 (b)-8을 사용하여, 이하에 기재하는 방법에 의해 제전성 수지 조성물을 제조하였다. The vinyl aromatic hydrocarbon-based resins (a)-1 to (a)-7 and the donor/acceptor molecular compound (c-1) shown in [Table 1], and the block copolymers shown in [Production Examples 1 to 8] above Antistatic resin compositions were prepared using the compounds (b)-1 to (b)-8 by the method described below.

우선, (a) 성분, (b) 성분, (c) 성분을 원하는 조성 비율로 상온에서 드라이 블렌드하였다. 그 후, 니혼 세코쇼사제 2축 압출기 TEX30α(L/D=42)의 호퍼에 투입하고, 실린더 온도 210℃에서 용융 혼련을 행하였다.First, component (a), component (b), and component (c) were dry blended at room temperature in a desired composition ratio. Then, it injected|threw-in into the hopper of Nippon Sekosho twin-screw extruder TEX30(L/D=42), and melt-kneaded at the cylinder temperature of 210 degreeC.

또한, (a)-5를 사용한 배합 조성인 경우만 실린더 온도 230℃에서 실시하였다.In addition, only in the case of the blending composition using (a)-5, it was carried out at a cylinder temperature of 230 ° C.

상기 (c) 성분이 갖는 제전 성능을 충분히 발휘시키기 위해서는, 상기 (c) 성분을 상기 (b) 성분 중에서 고도로 미분산시킬 필요가 있으며, 고농도 마스터 배치의 제조를 경유하는 경우(실시예 35 내지 44), 혹은 고농도 마스터 배치의 제조를 경유하지 않고 직접 제전성 수지 조성물을 제조하는 경우(실시예 1 내지 34, 비교예 1 내지 24)의 어느 것에 있어서도, 각 단독 성분으로부터의 첫회 가공 시, 즉 구성 성분의 용융 혼련 공정에 있어서는 혼련성이 높은 혼련기, 구체적으로는 2축 압출기를 사용하였다.In order to fully exhibit the antistatic performance of the component (c), it is necessary to highly finely disperse the component (c) in the component (b), and when via the production of a high-concentration master batch (Examples 35 to 44 ), or in the case of directly producing an antistatic resin composition without going through the production of a high-concentration master batch (Examples 1 to 34 and Comparative Examples 1 to 24), at the time of the first processing from each single component, that is, the configuration In the melt-kneading step of the components, a kneading machine having high kneading properties, specifically a twin-screw extruder, was used.

한편, 성분 (c)를 고농도로 함유하는 마스터 배치를 베이스로 하여, 성분 (a) 및/또는 성분 (b)를 사용하여 마스터 배치의 희석에 의해 제전성 수지 조성물을 제조하는 경우(실시예 35 내지 44)에는, 희석하는 공정에 있어서는, 보다 혼련성이 완만한 단축 압출기를 사용하여 마스터 배치를 희석하여, 펠릿 형상의 제전성 수지 조성물을 제조하였다.On the other hand, in the case of preparing an antistatic resin composition by dilution of the master batch using the component (a) and/or component (b) based on the master batch containing the component (c) at a high concentration (Example 35 to 44), in the dilution step, the master batch was diluted using a single screw extruder having a gentler kneading property to prepare a pellet-shaped antistatic resin composition.

그 후, 사출 성형에 의해 원하는 성형품을 제조하고, 또는 T 다이를 구비한 단축 압출기를 사용하여 마스터 배치를 희석하면서, 원하는 두께의 시트상의 제전성 수지 조성물을 제조하였다.Thereafter, a desired molded product was produced by injection molding, or a sheet-like antistatic resin composition having a desired thickness was prepared while diluting the master batch using a single screw extruder equipped with a T die.

일단 성분 (c)가 고도로 미분산된 마스터 배치가 제작되었다면, 그 후의 희석 가공은 완만한 혼련 조건에서도 제전 성능은 충분히 발휘되는 것이 확인되었다.Once a master batch in which component (c) was highly finely dispersed was prepared, it was confirmed that the subsequent dilution process sufficiently exhibited antistatic performance even under gentle kneading conditions.

고농도 마스터 배치의 희석 가공을 실시하는 경우(실시예 35 내지 44), 후술하는 사출 성형을 실시하는 것에 관해서는, 타나베 플라스틱 기카이제 단축 압출기 VS40-28V(L/D=28; 압축 혼련 존 있음)를 사용하여 펠릿 형상의 제전성 수지 조성물을 제조하였다. 또한, 후술하는 압출 시트 성형을 실시하는 것에 관해서는, 이하에 기재한 시트 압출 성형기를 사용하여, 원하는 두께를 갖는 시트상의 제전성 수지 조성물을 제조하였다.In the case of performing dilution processing of the high-concentration masterbatch (Examples 35 to 44), regarding injection molding described later, Tanabe Plastics Kikai Co., Ltd. single screw extruder VS40-28V (L/D = 28; with compression kneading zone) A pellet-shaped antistatic resin composition was prepared by using. In addition, regarding the extrusion sheet molding described later, a sheet-like antistatic resin composition having a desired thickness was produced using the sheet extrusion molding machine described below.

[제전성 수지 조성물의 특성][Characteristics of Antistatic Resin Composition]

(제전성 수지 조성물의 압출 성형과 표면 저항률 측정)(Extrusion molding of antistatic resin composition and measurement of surface resistivity)

상술한 바와 같이, 성분 (c)인 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물이 고도로 미분산된 제전성 수지 조성물을 포함하는 펠릿(실시예 1 내지 34, 비교예 1 내지 24)을 사용하여, 혹은 성분 (c)를 고농도로 함유하는 마스터 배치를 베이스로 성분 (a) 및/또는 성분 (b)를 사용하여 희석하여(실시예 35 내지 44), 단축 T 다이 압출기에 의해 압출 시트를 제작하였다.As described above, using pellets (Examples 1 to 34, Comparative Examples 1 to 24) containing the antistatic resin composition in which the donor/acceptor molecular compound as component (c) is highly finely dispersed, or the component ( A master batch containing c) in high concentration was diluted using component (a) and/or component (b) as a base (Examples 35 to 44), and an extruded sheet was produced by a single-screw T-die extruder.

T 다이 시트 성형은, 가부시키가이샤 이케가이제 시트 압출 성형기 FS40-36V+TS400(단축 스크루, 덜메이지 혼련 구비, 스크루 직경 40mm, L/D=36, T 다이 폭 400mm, 경면 롤)을 사용하여, 실린더 온도 210℃, 롤 온도 70℃에서, 스크루 회전수와 롤 인취 속도를 조정함으로써, 두께 0.20mm의 단층 시트를 각각 제작하였다.T-die sheet molding is performed using a sheet extrusion machine FS40-36V+TS400 (shortened screw, with dulmage kneading, screw diameter 40 mm, L/D = 36, T die width 400 mm, mirror surface roll) manufactured by Ikegai Co., Ltd. , At a cylinder temperature of 210°C and a roll temperature of 70°C, single-layer sheets having a thickness of 0.20 mm were each produced by adjusting the screw rotation speed and the roll take-up speed.

또한, (a)-5를 사용한 배합 조성만 실린더 온도 230℃, 롤 온도 80℃에서 실시하였다.In addition, only the blending composition using (a)-5 was carried out at a cylinder temperature of 230°C and a roll temperature of 80°C.

표면 저항률의 평가 시에는 단층 시트에서 측정하는 것으로 하고, 측정용 시트의 제작은 단층 압출에서 실시하였다.When evaluating the surface resistivity, the measurement was performed with a single-layer sheet, and the sheet for measurement was prepared by single-layer extrusion.

압출 시트의 양단은 각각 약 30mm 정도 트리밍하고, 폭 220mm의 원단 시트를 얻었다.Both ends of the extruded sheet were trimmed by about 30 mm, respectively, to obtain a raw sheet having a width of 220 mm.

실시예 및 비교예에 있어서의 표면 저항률은, 23℃ㆍ습도 50%의 항온실에 시트상으로 성형된 제전성 수지 조성물을 24시간 정치한 후, 심코 재팬 가부시키가이샤제 간이형 표면 저항계 「ST-3」을 사용하여 측정하였다.The surface resistivity in Examples and Comparative Examples was obtained by leaving the antistatic resin composition molded in a sheet shape in a constant temperature room at 23° C. and 50% humidity for 24 hours, and then using Simco Japan Co., Ltd. simple type surface resistivity meter “ST -3” was used for measurement.

압출 시트 샘플의 표면 저항률은, 각각 표면과 이면에서, 압출 방향(MD)과 압출 수직 방향(TD)에서의 측정값의 평균값으로 하였다.The surface resistivity of the extruded sheet sample was taken as the average value of the measured values in the extrusion direction (MD) and the extrusion perpendicular direction (TD) on the front and back surfaces, respectively.

(제전성 수지 조성물의 사출 성형과 헤이즈값)(Injection molding and haze value of antistatic resin composition)

제전성 수지 조성물의 헤이즈값의 평가는 사출 성형에 의한 평판을 사용하였다.The evaluation of the haze value of the antistatic resin composition used a flat plate by injection molding.

사출 성형은, 닛세이 쥬시 고교 가부시키가이샤제 하이브리드형 사출 성형기 FNX110III-18A(형 체결압 110톤)를 사용하고, 금형은 두께 1mm, 짧은 변 100mm, 긴 변 150mm이고, 짧은 변측에 필름 게이트를 갖는 경면 마무리의 평판 금형을 사용하여, 실린더 온도 210℃, 금형 온도 50℃에서 쇼트샷 포인트에 사출 압력을 5% 덧붙여 1mm 두께 평판 성형체를 얻었다.For injection molding, a hybrid injection molding machine FNX110III-18A (mold clamping force 110 tons) manufactured by Nissei Jushi Kogyo Co., Ltd. was used, and the mold had a thickness of 1 mm, a short side of 100 mm, and a long side of 150 mm, and a film gate was placed on the short side. A 1 mm thick flat molded product was obtained by adding 5% of the injection pressure to the shot point at a cylinder temperature of 210°C and a mold temperature of 50°C.

성형 사이클은 사출 7초, 냉각 25초에서 실시하였다.The molding cycle was performed at 7 seconds of injection and 25 seconds of cooling.

또한, (a)-5 배합 조성만 실린더 온도 230℃에서 실시하였다.In addition, only the formulation (a)-5 was carried out at a cylinder temperature of 230°C.

상술한 사출 성형에서 얻어진 1mm 두께의 성형품으로부터 적절한 크기로 잘라내어 측정용 시험편으로 하고, 스가 시켄키제 헤이즈미터 HZ-1형을 사용하여 헤이즈값의 평가를 행하였다(단위: %).A test piece for measurement was cut into a suitable size from a molded product having a thickness of 1 mm obtained by the injection molding described above, and the haze value was evaluated using a Haze Meter Model HZ-1 manufactured by Suga Shikenki Co., Ltd. (unit: %).

또한, 헤이즈값이 40%를 초과하는 경우에는, ISO14782에도 명기되어 있는 바와 같이 정확한 측정이 불가능하기 때문에, 실시예ㆍ비교예의 결과에는 「40 초과(불투명)」으로 기재하였다.In addition, when the haze value exceeds 40%, since accurate measurement is impossible as specified in ISO14782, it was described as "more than 40 (opaque)" in the results of Examples and Comparative Examples.

[실시예 1 내지 34, 비교예 1 내지 24][Examples 1 to 34, Comparative Examples 1 to 24]

상기 [표 1]에 나타낸 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)-1 내지 (a)-7 및 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)-1과, 상기 [표 2]에 나타낸 상기 제조예 1 내지 8의 블록 공중합체 (b)-1 내지 (b)-8을 사용하여, 상기 2축 압출기를 사용하여 용융 혼련을 행하고, 1단 가공에서 각각의 수지 조성물을 얻고, 상기 단축 T 다이 압출기에 의해 얻어진 두께 0.25mm의 시트상 제전성 수지 조성물의 표면 저항률을 측정하고, 또한 상기 사출 성형기에 의해 얻어진 1mm 두께 평판을 사용하여 헤이즈값을 측정하였다.Vinyl aromatic hydrocarbon-based resins (a)-1 to (a)-7 and donor/acceptor molecular compounds (c)-1 shown in [Table 1], and Production Examples 1 to 1 shown in [Table 2] Using the block copolymers (b)-1 to (b)-8 of 8, melt kneading using the twin screw extruder to obtain each resin composition in one step processing, and by the single screw T die extruder The surface resistivity of the obtained sheet-like antistatic resin composition having a thickness of 0.25 mm was measured, and the haze value was also measured using a 1 mm thick flat plate obtained by the injection molding machine.

측정 결과를 하기 [표 3] 및 [표 4]에 나타낸다.The measurement results are shown in [Table 3] and [Table 4] below.

또한, 표 중, 표면 저항률이 1×1012Ω/□ 이하에 도달한 경우에는 그 실제의 측정값을 기재하고, 한편 1×1012Ω/□ 이하에 도달하지 않은 경우에는, 제전 성능을 발현할 수 있는 표면 저항률의 범위 외라고 하는 의미에서 「Out」으로 기재하였다.In addition, in the table, when the surface resistivity reaches 1 × 10 12 Ω/□ or less, the actual measured value is described, while when it does not reach 1 × 10 12 Ω/□ or less, the antistatic performance is expressed It was described as “Out” in the sense of being outside the range of possible surface resistivity.

Figure 112021063747543-pat00006
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[제조예 9 내지 14][Production Examples 9 to 14]

블록 공중합체 (b), 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c) 및 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)를 사용하며, 또한 마스터 배치 전량을 100질량%로 하였을 때, 성분 (c)가 5질량% 이상 20질량% 이하로 되도록, 하기 [표 5]에 나타내는 배합 비율에 따라 상기 2축 압출기로 용융 혼련을 행하여, 성분 (c)를 고농도로 함유하는 마스터 배치의 제조를 행하였다.Block copolymer (b), donor/acceptor molecular compound (c), and vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) are used, and component (c) is 5% by mass when the total amount of master batch is 100% by mass Melt-kneading was performed with the twin-screw extruder according to the blending ratio shown in Table 5 below so as to be 20% by mass or more, and a master batch containing component (c) at a high concentration was prepared.

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[실시예 35 내지 44][Examples 35 to 44]

상기 [제조예 9 내지 14]에서 제조한, 성분 (c)를 고농도로 함유하는 마스터 배치에, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a) 및/또는 블록 공중합체 (b)를 배합하여 마스터 배치를 희석하는 2단 가공의 방법에 의해, 상기 단축 T 다이 압출기에 의해 얻어진 두께 0.25mm의 시트상 수지 조성물의 표면 저항률을 측정하였다. 또한, 상기 사출 성형기에 의해 얻어진 1mm 두께 평판을 사용하여 헤이즈값을 측정하였다.Diluting the master batch by blending the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and/or the block copolymer (b) into the master batch containing the component (c) in high concentration prepared in [Production Examples 9 to 14] The surface resistivity of the sheet-shaped resin composition having a thickness of 0.25 mm obtained by the single-screw T-die extruder was measured by the method of two-step processing. In addition, the haze value was measured using a 1 mm thick flat plate obtained by the above injection molding machine.

사용한 마스터 배치의 제조예과 합하여, 측정 결과를 하기 [표 6]에 나타내었다.Combined with the preparation example of the master batch used, the measurement results are shown in [Table 6] below.

Figure 112021063747543-pat00009
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상기 [표 6]에 나타낸 [실시예 35]는 마스터 배치를 거쳐 2단 가공에 의해 제조한 제전성 수지 조성물이지만, 상기 [표 3]에 나타낸 [실시예 9]와 최종 조성 자체는 동일하다.[Example 35] shown in [Table 6] is an antistatic resin composition prepared by two-step processing through master batch, but the final composition itself is the same as [Example 9] shown in [Table 3].

마찬가지로, [실시예 36]은 [실시예 13]과 [실시예 37]과 [실시예 15]와, [실시예 38]은 [실시예 19]와 [실시예 39]와, [실시예 44]는 [실시예 11]과, [실시예 40]은 [실시예 14]와, [실시예 41]은 [실시예 7]과, [실시예 42]는 [실시예 10]과, [실시예 43]은 [실시예 28]과 각각 최종 조성 자체는 동일한 제전성 수지 조성물이다.Similarly, [Example 36] is [Example 13], [Example 37], [Example 15], [Example 38] is [Example 19], [Example 39], and [Example 44]. ] is [Example 11], [Example 40] is [Example 14], [Example 41] is [Example 7], [Example 42] is [Example 10] and [Example 10]. Example 43 is an antistatic resin composition having the same final composition as [Example 28].

마스터 배치를 거쳐 2단 가공한 경우, 투명성은, 헤이즈값이 0.1(%) 정도 개선되거나 혹은 동등하였다.In the case of two-stage processing through master batch, transparency was improved by about 0.1 (%) in haze value or equivalent.

표면 저항률은, 어느 실시예에 있어서도 마스터 배치를 거쳐 2단 가공하는 편이, 더 낮은 표면 저항률을 발현한 것을 알 수 있었다.As for the surface resistivity, it was found that, in any example, a lower surface resistivity was expressed in the case of two-stage processing through the master batch.

일단 성분 (c)의 고농도 마스터 배치를 제작한 후에, 그것을 성분 (a) 및/또는 성분 (b)를 사용하여 희석하는 2단 가공 쪽이, 표면 저항률이 보다 저하되고, 결과적으로 보다 우수한 제전성 수지 조성물을 제조할 수 있었다.In the case of two-step processing in which a high-concentration masterbatch of component (c) is once produced and then diluted with component (a) and/or component (b), the surface resistivity is lower, and as a result, better antistatic properties are obtained. A resin composition could be prepared.

바꾸어 말하면, 동일한 표면 저항률을 발현시키기 위해 필요한 성분 (c)의 배합량의 삭감도 가능하게 되고, 역학 특성과 경제성의 양립을 도모하는 것도 가능한 것을 알 수 있었다.In other words, it was found that it is possible to reduce the amount of component (c) required to express the same surface resistivity, and to achieve both mechanical properties and economical efficiency.

또한, 그 마스터 배치를 제작할 때에는, 블록 공중합체 (b) 및 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 필수 성분으로 함으로써, 표면 저항률을 저하시키는 효과가 우수한 것이, 실시예 44와 실시예 35 내지 43을 대비함으로써 명확하게 되었다.In addition, when preparing the master batch, the effect of reducing the surface resistivity is excellent by using the block copolymer (b) and the donor/acceptor molecular compound (c) as essential components. It became clear by contrasting 43.

구체적으로는, 블록 공중합체 (b)를 사용하지 않고, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)만으로 고농도 마스터 배치를 제조한 경우, [실시예 11]과 [실시예 39]와 [실시예 44]의 3예를 비교하여 명백한 바와 같이, 마스터 배치법에 의한 표면 저항률의 개선 효과가 확인되지 않고, 1단 혼련과 그다지 변하지 않는 결과로 되는 것을 알 수 있었다.Specifically, when a high-concentration master batch was produced only with vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and donor/acceptor molecular compound (c) without using block copolymer (b), [Example 11] and [ As is evident by comparing the three examples of [Example 39] and [Example 44], the effect of improving the surface resistivity by the master batch method was not confirmed, and it was found that the result was not much different from that of one-stage kneading.

이상의 결과로부터, 실시예의 제전성 수지 조성물은 원하는 표면 저항률을 발현하였다.From the above results, the antistatic resin compositions of Examples exhibited the desired surface resistivity.

한편, 비교예 1 내지 24는, 본래 제전성을 발현하기 위해 배합하고 있는 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 많이 배합해도 표면 저항률이 1×1012Ω/□ 이하에 도달하지 않아, 본 발명의 제전성 수지 조성물을 얻는 것이 곤란함이 나타났다.On the other hand, in Comparative Examples 1 to 24, the surface resistivity did not reach 1×10 12 Ω/□ or less even when a large amount of the donor/acceptor molecular compound (c) originally formulated to express antistatic properties was formulated, and this Difficulty was found in obtaining the antistatic resin composition of the invention.

또한, 1단으로 제전성 수지 조성물을 얻는 제조 방법과, 성분 (b)와 성분 (c)를 필수 성분으로 하는 고농도 마스터 배치를 제조한 후에, 그것을 바탕으로 성분 (a) 및/또는 성분 (b)를 사용하여 희석함으로써 제전성 수지 조성물을 얻는 제조 방법의 비교에서는, 최종 조성이 완전 동일한 전술한 실시예끼리의 비교에 있어서, 후자의 고농도 마스터 배치의 제조를 거쳐 2단 가공에서 얻어진 제전성 수지 조성물 쪽이 표면 저항률이 보다 저감되고, 양호한 경향으로 되는 것을 알 수 있었다. 성분 (c)인 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물의 분산이 보다 미분산화되어, 첨가 효율이 향상되었기 때문이다.In addition, after preparing a manufacturing method for obtaining an antistatic resin composition in one step and a high-concentration master batch containing component (b) and component (c) as essential components, component (a) and/or component (b) are prepared based thereon. ), in comparison of the above-described examples having exactly the same final composition, in comparison of the production methods for obtaining an antistatic resin composition by dilution using ), the antistatic resin obtained in two-step processing through the production of the latter high-concentration master batch It was found that the surface resistivity of the composition was more reduced and became a favorable trend. This is because the dispersion of the donor-acceptor molecular compound as component (c) is more finely dispersed, and the addition efficiency is improved.

[실시예 45][Example 45]

상기 실시예 40에서 얻어진 제전성 수지 조성물을 40㎛의 두께의 표리층으로 하고, 코어층에 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)-3을 90질량%로, 블록 공중합체 (b)-1을 10질량%의 비율로 블렌드하여 얻어지는 조성물에서, 0.3mm 두께의 다층 압출 시트를, T 다이를 구비한 다층 시트 압출기를 사용하여 성형하였다.The antistatic resin composition obtained in Example 40 was used as a front and back layer with a thickness of 40 μm, and in the core layer, 90% by mass of vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a)-3 and 10% block copolymer (b)-1 were added. From the composition obtained by blending in the mass % ratio, a multilayer extruded sheet having a thickness of 0.3 mm was molded using a multilayer sheet extruder equipped with a T die.

T 다이 다층 시트 성형은, 가부시키가이샤 플라스틱 고가쿠 겐큐쇼제 다층 시트 압출 성형기 GT-40-28-A+UT-25-28-H(단축 스크루, 매독 혼련 구비, 스크루 직경 40mm(코어층)+25mm(표리층), L/D=28, T 다이 폭 400mm, 주름 구비 롤)를 사용하여, 실린더 온도 210℃, 롤 온도 70℃에서, 스크루 회전수와 롤 인취 속도를 조정함으로써, 상기 0.3mm 두께의 다층 압출 시트를 제작하였다.T-die multi-layer sheet molding is performed using a multi-layer sheet extrusion machine GT-40-28-A+UT-25-28-H manufactured by Plastic Kogaku Genkyusho Co., Ltd. (shortened screw, equipped with syringite kneading, screw diameter 40 mm (core layer) + 25 mm (front and back layer), L/D = 28, T die width 400 mm, roll with corrugation), cylinder temperature 210 ° C., roll temperature 70 ° C., by adjusting the screw rotation speed and roll take-up speed, the above 0.3 mm Thick multilayer extruded sheets were fabricated.

성형한 시트를 110℃에서 가열하고, 프레스 성형에 의해 전자 부품을 수납할 수 있는 반송용 트레이를 얻었다.The molded sheet was heated at 110°C, and a conveyance tray capable of accommodating electronic components was obtained by press molding.

얻어진 전자 부품 반송용 트레이는, 표면 저항률이 10의 10승대로 대전 방지성이 우수한 제전 성능을 구비하고, 적당한 강성과 내열 변형성을 구비하고, 표리층과 코어층의 층간 접착 강도도 양호하고 단부면으로부터 박리되지 않고 견고하게 접착되어 있고, 고의로 절곡해도 용이하게 파단되지 않는 탁월한 강도를 갖고 있는 점에서, 적합하게 실용에 제공할 수 있음을 확인하였다.The obtained tray for transporting electronic parts has surface resistivity of 10 to the 10th power, antistatic performance excellent in antistatic properties, moderate rigidity and heat deformation resistance, and excellent interlayer adhesive strength between the front and back layers and the core layer, and has good end surfaces. It was confirmed that it can be suitably used for practical use in that it is firmly adhered without peeling off and has excellent strength that is not easily broken even when intentionally bent.

본 실시 형태에 있어서는, 특히 스티렌계 수지 매트릭스에 대하여, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물의 매트릭스 수지 조성에 대한 성능 발현의 선택성과, 제전 성능을 발현하게 하는 수지 조성 맵을 명확한 것으로 하였다.In the present embodiment, the selectivity of the performance expression of the donor/acceptor molecular compound with respect to the matrix resin composition and the resin composition map that allows the expression of antistatic performance to be clarified, especially for the styrenic resin matrix.

본 발명의 제전성 수지 조성물은, 표면 저항률이 1×1012Ω/□ 이하를 발현함으로써 양호한 제전성을 발휘하고, 나아가 제전 성능을 발현하는 물질인 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물은 수지 조성물의 가공성이나 역학 특성, 광학 특성에 대한 영향이 최소한이기 때문에, 수지 조성물 그 자체가 투명성을 갖는 경우에는, 그 제전성 수지 조성물도 투명성을 유지하며, 나아가 내절 강도 등의 역학 특성도 우수하고, 2종 3층 등의 압출 다층 시트로 하였을 때의 층간 접착 강도도 우수한 전자 부품 포장 성형품의 재료로서 산업상 이용 가능성을 갖고 있다.The antistatic resin composition of the present invention exhibits good antistatic properties by exhibiting a surface resistivity of 1×10 12 Ω/□ or less, and furthermore, the donor/acceptor molecular compound, which is a substance that exhibits antistatic performance, exhibits good processability of the resin composition. However, since the influence on mechanical properties and optical properties is minimal, when the resin composition itself has transparency, the antistatic resin composition also maintains transparency, and furthermore, mechanical properties such as break resistance are also excellent, Type 2 3 It has industrial applicability as a material for packaging molded articles for electronic parts with excellent interlayer adhesive strength when used as an extruded multilayer sheet such as a layer.

또한, 본 발명의 제전성 수지 조성물은 캐리어 테이프, 매거진관, 전자 부품 반송용 트레이 등, 전자 부품의 포장재의 재료로서 산업상 이용 가능성을 갖고 있다. In addition, the antistatic resin composition of the present invention has industrial applicability as a material for packaging materials for electronic parts, such as carrier tapes, magazine tubes, and trays for conveying electronic parts.

Claims (10)

비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와,
블록 공중합체 (b)와,
도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)
를 포함하는 제전성 수지 조성물이며,
상기 블록 공중합체 (b)가 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 공액 디엔 단량체 단위를 포함하는 블록 공중합체이고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위를 주체로 하는 중합체 블록을 갖고, 비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위가 30 내지 90질량%이고, 공액 디엔 단량체 단위가 70 내지 10질량%이고,
상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와, 상기 블록 공중합체 (b)의 합계량을 100질량%라고 하였을 때, 상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 질량비가 81질량% 이하이고, 상기 블록 공중합체 (b)의 질량비가 19질량% 이상 100질량% 미만이고,
상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)와, 상기 블록 공중합체 (b)와, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 합계량을 100질량%라고 하였을 때, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)의 함유량이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이고,
표면 저항률이 1×1012Ω/□ 이하이고,
ISO1133에서 규정되는 200℃ㆍ5kg 하중 조건 하에 있어서의 멜트 플로 레이트(MFR)에 있어서,
상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)의 MFR(이하, MFRa라고 기재함)과, 상기 블록 공중합체 (b)의 MFR(이하, MFRb라고 기재함)의 관계가,
하기 (i) 내지 (iv) 중 어느 하나의 조건을 만족하는, 제전성 수지 조성물.
<조건 (i)>
상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 0질량% 초과 30질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 70질량% 이상 100질량% 미만인 경우에는,
MFRa와 MFRb의 수치의 여하에 상관없이, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이다.
<조건 (ii)>
상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 30질량% 초과 50질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 70질량% 미만 50질량% 이상인 경우에는,
MFRa<MFRb … (식 1)
의 관계로 되는 경우, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.5질량% 이상 5질량% 이하이고,
MFRa≥MFRb … (식 2)
의 관계로 되는 경우, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.9질량% 이상 5질량% 이하이다.
<조건 (iii)>
상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 50질량% 초과 70질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 50질량% 미만 30질량% 이상인 경우에는,
MFRa<MFRb … (식 1)
의 관계를 만족하고, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 0.9질량% 이상 5질량% 이하이다.
<조건 (iv)>
상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a) 성분이 70질량% 초과 81질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 30질량% 미만 19질량% 이상인 경우에는,
MFRa<MFRb … (식 1)
의 관계를 만족하고, 상기 (a) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 3질량% 이상 5질량% 이하이다.
A vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a);
a block copolymer (b);
Donor/acceptor type molecular compound (c)
An antistatic resin composition comprising
The block copolymer (b) is a block copolymer containing a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and a conjugated diene monomer unit, and has a polymer block mainly composed of the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit, and the vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit is 30 to 90 mass %, the conjugated diene monomer unit is 70 to 10% by mass,
When the total amount of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the block copolymer (b) is 100% by mass, the mass ratio of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) is 81% by mass or less, and the block copolymer The mass ratio of (b) is 19% by mass or more and less than 100% by mass;
The donor/acceptor molecular compound ( The content of c) is 0.5 mass % or more and 5 mass % or less,
The surface resistivity is 1×10 12 Ω/□ or less,
In the melt flow rate (MFR) under the 200 ° C. 5 kg load condition specified in ISO1133,
The relationship between the MFR (hereinafter referred to as MFRa) of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and the MFR (hereinafter referred to as MFRb) of the block copolymer (b),
An antistatic resin composition that satisfies any one of the following conditions (i) to (iv).
<Condition (i)>
When the sum of the component (a) and the component (b) is 100% by mass, the component (a) is more than 0% by mass and 30% by mass or less, and the component (b) is 70% by mass or more and 100% by mass If less than
Regardless of the numerical value of MFRa and MFRb, when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.5% by mass or more and 5% by mass less than %.
<Condition (ii)>
When the total of the component (a) and the component (b) is 100% by mass, the component (a) is greater than 30% by mass and not more than 50% by mass, and the component (b) is less than 70% by mass 50% by mass If more than
MFRa<MFRb . . . (Equation 1)
In the case of a relationship, when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.5% by mass or more and 5% by mass or less,
MFRa≥MFRb . . . (Equation 2)
In the case of a relationship, when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.9% by mass or more and 5% by mass or less.
<Condition (iii)>
When the sum of the component (a) and the component (b) is 100% by mass, the component (a) is more than 50% by mass and 70% by mass or less, and the component (b) is less than 50% by mass and 30% by mass If more than
MFRa<MFRb . . . (Equation 1)
The relationship of is satisfied, and when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 0.9% by mass or more and 5% by mass or less.
<Condition (iv)>
When the sum of the component (a) and the component (b) is 100% by mass, the component (a) is more than 70% by mass and 81% by mass or less, and the component (b) is less than 30% by mass and 19% by mass If more than
MFRa<MFRb . . . (Equation 1)
The relationship of is satisfied, and when the sum of the component (a), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 3% by mass or more and 5% by mass or less.
제1항에 있어서, 상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a)가
비닐 방향족 탄화수소 단량체의 단독 중합체 (a1),
비닐 방향족 탄화수소 단량체의 그라프트 공중합체 (a2) 및
비닐 방향족 탄화수소 단량체 단위와 (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체 단위의 랜덤 공중합체 (a3)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 것인, 제전성 수지 조성물.
The method of claim 1, wherein the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a)
Homopolymers of vinyl aromatic hydrocarbon monomers (a1);
Graft copolymers (a2) of vinyl aromatic hydrocarbon monomers and
The antistatic resin composition which is any one selected from the group which consists of a random copolymer (a3) of a vinyl aromatic hydrocarbon monomer unit and (meth)acrylic acid and/or (meth)acrylic acid alkylester monomer unit.
제2항에 있어서, ISO1133에서 규정되는 200℃ㆍ5kg 하중 조건 하에 있어서의 멜트 플로 레이트(MFR)에 있어서,
상기 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a3)의 MFR(이하, MFRa라고 기재함)과, 상기 블록 공중합체 (b)의 MFR(이하, MFRb라고 기재함)의 관계에 있어서,
하기 (v) 또는 (vi)의 조건을 만족하는, 제전성 수지 조성물.
<조건 (v)>
상기 (a3) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a3) 성분이 0질량% 초과 20질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 80질량% 이상 100질량% 미만인 경우에는, MFRa와 MFRb의 수치의 여하에 상관없이,
상기 (a3) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, (c)가 0.5질량% 이상 5질량% 이하이다.
<조건 (vi)>
상기 (a3) 성분과 상기 (b) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (a3) 성분이 20질량% 초과 50질량% 이하이고, 상기 (b) 성분이 80질량% 미만 50질량% 이상인 경우에는,
MFRa<MFRb … (식 1)
를 만족하고, 상기 (a3) 성분과 상기 (b) 성분과 상기 (c) 성분의 합계를 100질량%라고 하였을 때, 상기 (c) 성분이 3질량% 이상 5질량% 이하이다.
The method of claim 2, in the melt flow rate (MFR) under the 200 ° C. 5 kg load condition specified in ISO1133,
In the relationship between the MFR (hereinafter referred to as MFRa) of the vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a3) and the MFR (hereinafter referred to as MFRb) of the block copolymer (b),
An antistatic resin composition that satisfies the following conditions (v) or (vi).
<Condition (v)>
When the sum of the component (a3) and the component (b) is 100% by mass, the component (a3) is more than 0% by mass and 20% by mass or less, and the component (b) is 80% by mass or more and 100% by mass If less than, regardless of the values of MFRa and MFRb,
When the sum of the component (a3), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, (c) is 0.5% by mass or more and 5% by mass or less.
<condition (vi)>
When the sum of the component (a3) and the component (b) is 100% by mass, the component (a3) is more than 20% by mass and 50% by mass or less, and the component (b) is less than 80% by mass and 50% by mass If more than
MFRa<MFRb . . . (Equation 1)
is satisfied, and when the sum of the component (a3), the component (b), and the component (c) is 100% by mass, the component (c) is 3% by mass or more and 5% by mass or less.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)가 하기 일반식 (1)로 표시되는, 제전성 수지 조성물.
Figure 112022139083811-pat00010

(식 (1) 중, R1, R2는, 각각 독립적으로 CH3(CH2)n-CO-OCH2(n은 12 내지 22의 정수) 또는 HOCH2이며, 또한 적어도 한쪽이 CH3(CH2)n-CO-OCH3(n은 12 내지 22의 정수)이다.
R3, R4는, 각각 독립적으로 CH3, C2H5, HOCH2, HOC2H4 및 HOCH2CH(CH3)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 것이다.
여기서, 일반식 (1)에 있어서의 「δ+」는 분자 내의 공유 결합 중에 극성이 존재하고 있는 것을 나타내고, (+)는 산소 원자의 전자 공여성이 강하게 되어 있는 것을 나타내고, (-)는 붕소 원자의 전자 흡인성이 강하게 되어 있는 것을 나타내고, 「→」는 전자가 끌어 당겨지는 경로를 나타내고, 「---」은 원자간 결합력이 약화된 상태를 나타낸다.)
The antistatic resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the donor/acceptor molecular compound (c) is represented by the following general formula (1).
Figure 112022139083811-pat00010

(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently CH 3 (CH 2 ) n -CO-OCH 2 (n is an integer of 12 to 22) or HOCH 2 , and at least one is CH 3 ( CH 2 ) n -CO-OCH 3 (n is an integer from 12 to 22).
R 3 and R 4 are each independently selected from the group consisting of CH 3 , C 2 H 5 , HOCH 2 , HOC 2 H 4 and HOCH 2 CH(CH 3 ).
Here, "δ+" in the general formula (1) indicates that polarity exists in the covalent bond in the molecule, (+) indicates that the electron donating ability of the oxygen atom is strong, and (-) indicates that boron Indicates that the electron-withdrawing property of an atom is strong, "→" indicates a path through which electrons are attracted, and "---" indicates a state in which the bonding force between atoms is weakened.)
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 제전성 수지 조성물의 제조 방법이며,
블록 공중합체 (b)와, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 사용하여, 마스터 배치 전량을 100질량%라고 하였을 때, 도너ㆍ억셉터계 분자 화합물 (c)를 5질량% 이상 20질량% 이하의 조성 비율로서 용융 혼련함으로써 마스터 배치를 제조하는 공정 (I)과,
상기 마스터 배치와, 비닐 방향족 탄화수소계 수지 (a) 및/또는 블록 공중합체 (b)의 혼련에 의한 마스터 배치를 희석하는 공정 (II)
를 갖는, 제전성 수지 조성물의 제조 방법.
A method for producing the antistatic resin composition according to any one of claims 1 to 3,
Using the block copolymer (b) and the donor/acceptor molecular compound (c), when the total amount of the master batch is 100% by mass, the donor/acceptor molecular compound (c) is 5% by mass or more and 20% by mass A step (I) of producing a masterbatch by melting and kneading at a composition ratio of % or less;
Step (II) of diluting the master batch by kneading the master batch with vinyl aromatic hydrocarbon-based resin (a) and/or block copolymer (b)
A method for producing an antistatic resin composition having a.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 제전성 수지 조성물의 성형체인, 전자 부품 포장재.An electronic component packaging material, which is a molded article of the antistatic resin composition according to any one of claims 1 to 3. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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