KR102486339B1 - Reflective gas injection nozzle installed in sputtering device - Google Patents

Reflective gas injection nozzle installed in sputtering device Download PDF

Info

Publication number
KR102486339B1
KR102486339B1 KR1020220085572A KR20220085572A KR102486339B1 KR 102486339 B1 KR102486339 B1 KR 102486339B1 KR 1020220085572 A KR1020220085572 A KR 1020220085572A KR 20220085572 A KR20220085572 A KR 20220085572A KR 102486339 B1 KR102486339 B1 KR 102486339B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
hole
diffusion
distribution
transfer
Prior art date
Application number
KR1020220085572A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정상권
최명규
박창환
임성기
Original Assignee
주식회사 에코넷코리아
임성기
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에코넷코리아, 임성기 filed Critical 주식회사 에코넷코리아
Priority to KR1020220085572A priority Critical patent/KR102486339B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102486339B1 publication Critical patent/KR102486339B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228Gas flow assisted PVD deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036Reactive sputtering
    • C23C14/0063Reactive sputtering characterised by means for introducing or removing gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering

Abstract

The present invention relates to a reflective gas injection nozzle installed in a sputtering device, and more particularly to the reflective gas injection nozzle that is installed inside the sputtering device, wherein gas can be sprayed uniformly and evenly in a gas dispensing assembly, which increases a discharge work efficiency, in a plasma process. The reflective gas injection nozzle installed in a sputtering device includes a lower cover part, a distribution part, a transfer part, a diffusion part, a spraying part, and an upper cover part.

Description

스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐{Reflective gas injection nozzle installed in sputtering device}Reflective gas injection nozzle installed in sputtering device}

본 발명은 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 스퍼터링 장치의 내부에 설치되는데, 방전(Plasma)시, 가스 분사 어셈블리에 있어서 가스를 균일하고 균등하게 분사할 수 있어 방전 작업 효율이 증가하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐에 관한 것이다.The present invention relates to a reflective gas spray nozzle installed in a sputtering device, and more particularly, is installed inside the sputtering device, and can uniformly and evenly spray gas in a gas spray assembly during plasma discharge. It relates to a reflective gas spray nozzle installed in a sputtering device that increases discharge work efficiency.

기판 상에 박막을 형성하기 위하여 PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition) 등과 같은 다양한 방식이 사용되고 있다. 스퍼터 방식은 PVD 방식의 일례로 기판 상에 박막을 형성하기 위하여 많이 활용되는 기술이다. 스퍼터 방식은 플라즈마 상의 양이온을 타겟과 충돌시켜서 타겟으로부터 비산되는 물질을 기판에 증착하여 기판 상에 박막을 형성하는 기술이다.Various methods such as physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) are used to form a thin film on a substrate. The sputter method is an example of a PVD method and is a technique widely used to form a thin film on a substrate. The sputter method is a technique of forming a thin film on a substrate by depositing a material scattered from the target by colliding positive ions in plasma with a target.

일반적으로 스퍼터 장치는 생산성 향상 및 증착 공정의 편의성을 위하여 인라인(inline)화 되어 있는 로드락 챔버, 프로세스 챔버, 언로드락 챔버로 구성된다. 로드락 챔버로 기판이 인입되며, 프로세스 챔버에서는 증착 공정이 진행되며, 언로드락 챔버는 증착이 완료된 기판을 외부로 취출하는 기능을 수행한다.In general, a sputter device is composed of a load-lock chamber, a process chamber, and an unload-lock chamber which are inlined for productivity improvement and convenience of a deposition process. A substrate is introduced into the load-lock chamber, a deposition process is performed in the process chamber, and the unload-lock chamber performs a function of taking out the deposited substrate to the outside.

프로세스 챔버 내에서의 증착 공정과정에서 기판에서 발생하는 열에 따른 기판의 손상을 방지하기 위하여 기판을 이동시키는 기판 이동식 스퍼터 장치에 대한 연구가 많이 진행되어 왔다. 기존의 기판 이동식 스퍼터 장치의 경우에 연속 스퍼터링에 의한 기판의 열 손상을 최소화할 수 있다는 장점을 가진다. In order to prevent damage to the substrate due to heat generated from the substrate during the deposition process in the process chamber, a lot of research has been conducted on a substrate movable sputter device that moves the substrate. In the case of the existing substrate movable sputtering apparatus, it has an advantage of minimizing thermal damage to the substrate due to continuous sputtering.

하지만, 기존의 기판 이동식 스퍼터 장치의 경우에 기판 이동 과정에서 기판과 타겟 사이의 거리가 변화하게 되어 기판에 증착되는 박막의 증착률이 변화된다.However, in the case of the conventional substrate moving sputtering device, the distance between the substrate and the target changes during the substrate movement process, so that the deposition rate of the thin film deposited on the substrate changes.

따라서 원하는 균일도를 갖는 박막을 기판에 증착하기 어려운 문제점이 있다. 이를 해결하기 위하여 기존의 기판 이동식 스퍼터 장치는 좁은 폭을 갖는 캐소드를 활용하여 증착 균일도를 유지하고 있으나, 이 경우 증착률이 낮아진다는 단점을 갖는다.Therefore, there is a problem in that it is difficult to deposit a thin film having desired uniformity on a substrate. In order to solve this problem, conventional substrate movable sputter devices utilize a cathode having a narrow width to maintain deposition uniformity, but in this case, the deposition rate is lowered.

또한, 이러한 종래 스퍼터링 장비의 기판이송방식은 기판과 기판 지지대가 밀착한 상태로 기판을 이동시키므로, 기판과 기판 지지대의 접촉면, 즉 기판의 후면에 백스크래치가 발생하거나, 깨짐 현상 등이 나타날 수 있는 문제가 있었다.In addition, since the substrate transfer method of the conventional sputtering equipment moves the substrate in a state in which the substrate and the substrate support are in close contact, back scratches may occur on the contact surface of the substrate and the substrate support, that is, the rear surface of the substrate, or cracking may occur. There was a problem.

특히, 진공 상태인 챔버 내로 기판을 로딩하거나 언로딩하는 과정에서 진공과 대기가 교체되는 지역을 통과할때 불안정한 기류로 인해 유리 기판의 전면이 일정하게 이동하지 못하게 되어, 기판의 파손이 발생될 가능성이 매우 커진다.In particular, in the process of loading or unloading a substrate into a chamber in a vacuum state, when passing through an area where vacuum and atmosphere are exchanged, the front surface of the glass substrate does not move constantly due to unstable airflow, which may cause damage to the substrate. it gets very big

대한민국 등록특허공보 제10-1773668호Republic of Korea Patent Registration No. 10-1773668

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서,The present invention has been made to solve the above conventional problems,

스퍼터링 장치의 내부에 설치되는데, 방전(Plasma)시, 가스 분사 어셈블리에 있어서 가스를 균일하고 균등하게 분사할 수 있어 방전 작업 효율이 증가하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐을 제공하는데 목적이 있다.It is installed inside the sputtering device, and the purpose is to provide a reflective gas spray nozzle installed in the sputtering device that can uniformly and evenly spray gas in the gas spray assembly during plasma discharge, increasing the efficiency of the discharge operation. there is.

상기 목적을 달성하고자, 본 발명은 스퍼터링 장치의 내부에 설치되는 가스를 혼합시켜 고루 분사하는 내부 반사형 가스 분사 노즐에 있어서,In order to achieve the above object, the present invention is an internal reflection type gas spray nozzle that mixes and evenly sprays gases installed inside a sputtering device,

하부를 밀폐하는 하부 덮개부와;a lower cover for sealing the lower part;

상기 하부 덮개부의 상부에 적층되고, 일단부에는 외부에서 2가지 이상의 가스가 각각 유입되도록 다수개의 유입구가 형성되며, 상기 유입구와 연결되어 유입구를 통해 유입된 가스를 분배하는 분배구가 형성되는 분배부와;A distribution unit that is stacked on the upper part of the lower lid, has a plurality of inlets formed at one end so that two or more types of gas flow from the outside, and a distribution port connected to the inlet to distribute the gas introduced through the inlet. Wow;

상기 분배부의 상부에 적층되고, 일단면에는 분배구와 연통되어 분배구 내의 가스를 상부로 이송시키는 다수개의 이송홀이 형성되는 이송부와;a transfer unit stacked on top of the distribution unit and having a plurality of transfer holes communicated with the distribution opening on one end surface to transfer gas in the distribution opening upward;

상기 이송부의 상부에 적층되고, 일단면에는 다수개의 이송홀과 연통되어 다수개의 이송홀을 통해 각각 이송된 가스를 혼합시켜 확산시키는 확산구가 형성되는 확산부와;a diffusion part stacked on top of the conveying part and communicating with a plurality of conveying holes on one end surface and having a diffusion hole formed thereon to mix and diffuse the gas transferred through the plurality of conveying holes;

상기 확산부의 상부에 적층되고, 타단부에는 확산부의 확산구와 연통되어 확산구에서 이송된 가스를 한번더 확산시킨 뒤, 전면으로 분사시키는 분사구가 형성되는 분사부와;a spraying part stacked on top of the diffusion part and having a spraying hole at the other end which communicates with the diffusion hole of the diffusion part to diffuse the gas transported from the diffusion hole once more and then sprays it to the front;

상기 분사부의 상부에 적층되어 분사부를 밀폐하는 상부 덮개부;an upper cover portion stacked on top of the spraying unit to seal the spraying unit;

를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐에 관한 것이다.It relates to a reflective gas injection nozzle installed in a sputtering device, characterized in that it comprises a.

또한, 본 발명의 하부 덮개부, 분배부, 이송부, 확산부, 분사부 및 상부 덮개부는 직사각형의 판형으로 형성되어 상호 간에 순차적으로 적층되고, 양끝단부에는 전체를 밀착시켜 고정되도록 고정부재가 관통 결착되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐에 관한 것이다.In addition, the lower cover part, the distribution part, the conveying part, the diffusion part, the spraying part, and the upper cover part of the present invention are formed in a rectangular plate shape and sequentially stacked with each other, and fixing members are penetrated and bound at both ends so that the whole is tightly adhered and fixed. It relates to a reflective gas injection nozzle installed in a sputtering device, characterized in that.

또한, 본 발명의 분배부의 분배구는 분배부의 내측에 형성되는데, 상기 유입구의 끝단부에서 양측으로 나눠지게 형성되어 유입구를 통해 유입된 가스를 양측으로 분배시키고,In addition, the distribution port of the distribution unit of the present invention is formed inside the distribution unit, and is formed to be divided into both sides at the end of the inlet to distribute the gas introduced through the inlet to both sides,

상기 분배구의 끝단부는 유입구 방향으로 절곡되어 분배구에서 분배된 가스가 분배구의 끝단부에서 역방향으로 분배되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐에 관한 것이다.The end of the distribution hole is bent in the direction of the inlet, so that the gas distributed from the distribution hole is distributed in a reverse direction from the end of the distribution hole.

또한, 본 발명의 분배부는 하부 덮개부, 이송부, 확산부, 분사부 및 상부 덮개부의 두께 대비 5 ~ 10배로 두껍게 형성됨으로써, 유입구를 통해 유입된 가스가 분배구에서 일정시간 가두었다 이송시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐에 관한 것이다.In addition, the distribution part of the present invention is formed to be 5 to 10 times thicker than the thickness of the lower cover part, the conveying part, the diffusion part, the spraying part, and the upper cover part, so that the gas introduced through the inlet can be confined at the distribution hole for a certain period of time and then transferred It relates to a reflective gas spray nozzle installed in a sputtering device, characterized in that.

또한, 본 발명의 이송부의 다수개 이송홀은 분배구의 절곡된 끝단부와 동일 수직 선상에 각각 형성되어 역방향으로 분배된 가스가 관통되어 확산부에 전달되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐에 관한 것이다.In addition, the plurality of transfer holes of the transfer unit of the present invention are formed on the same vertical line as the bent end of the distribution port, so that the gas distributed in the reverse direction penetrates and is delivered to the diffusion unit. It relates to a type gas injection nozzle.

또한, 본 발명의 확산부의 확산구는 "ㅗ" 또는 "ㅜ" 형태로 형성되어 수평부의 중앙부에 돌출부가 돌출되는데, 상기 확산구의 돌출부는 이송부의 이송홀과 동일 수직 선상에 형성되고, 상기 이송부의 이송홀을 통해 돌출부에 이송된 가스는 확산구의 수평부 좌,우 선형(線形)으로 확산되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐에 관한 것이다.In addition, the diffusion hole of the diffusion part of the present invention is formed in a "ㅗ" or "TT" shape so that a protrusion protrudes from the center of the horizontal portion. The protrusion of the diffusion hole is formed on the same vertical line as the transfer hole of the transfer unit, and the transfer unit It relates to a reflective gas spray nozzle installed in a sputtering device, characterized in that the gas transported to the protruding portion through the hole is diffused linearly to the left and right of the horizontal portion of the diffusion hole.

또한, 본 발명의 분사부의 분사구는 분사부의 내측에서부터 분사부의 전면까지 관통 형성되는데, 상기 분사부의 전면에 분사부의 길이방향으로 길게 형성되어 균등한 가스 분사가 가능한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐에 관한 것이다.In addition, the injection hole of the injection part of the present invention is formed through the injection part from the inside of the injection part to the front surface of the injection part. It relates to a type gas injection nozzle.

또한, 본 발명의 분사구의 내측면에는 확산구의 중앙 돌출부를 통해 가스가 분사구에 유입되지 않도록 차단돌기가 돌출 형성되고, 상기 차단돌기는 확산구의 돌출부에 맞춰 다수개가 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐에 관한 것이다.In addition, a sputtering device characterized in that a blocking protrusion is protruded from the inner surface of the ejection port of the present invention so that gas does not flow into the ejection hole through the central protrusion of the diffusion port, and a plurality of the blocking protrusions are protruded to match the protrusion of the diffusion port. It relates to a reflective gas injection nozzle installed in.

이상에서 살펴 본 바와 같이, 본 발명의 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐은 스퍼터링 장치의 내부에 설치되는데, 방전(Plasma)시, 가스 분사 어셈블리에 있어서 가스를 균일하고 균등하게 분사할 수 있어 방전 작업 효율이 증가하는 효과가 있다.As described above, the reflective gas injection nozzle installed in the sputtering device of the present invention is installed inside the sputtering device, and can uniformly and evenly inject gas in the gas injection assembly during plasma discharge. There is an effect of increasing the discharge work efficiency.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 노즐의 전면(a)과 후면(b)을 나타낸 사시도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 덮개부와 상부 덮개부의 사시도와 평면도를 나타낸 종합도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 분배부의 사시도와 평면도를 나타낸 종합도이고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이송부의 사시도와 평면도를 나타낸 종합도이고,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 확산부의 사시도와 평면도를 나타낸 종합도이고,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 분사부의 사시도와 평면도를 나타낸 종합도이고,
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 노즐이 설치된 스퍼터링 장치를 나타낸 개략도이다.
1 is a perspective view showing the front (a) and the rear (b) of a gas injection nozzle according to an embodiment of the present invention;
2 is a comprehensive view showing a perspective view and a plan view of a lower cover and an upper cover according to an embodiment of the present invention;
3 is a comprehensive view showing a perspective view and a plan view of a distribution unit according to an embodiment of the present invention;
4 is a comprehensive view showing a perspective view and a plan view of a transfer unit according to an embodiment of the present invention;
5 is a comprehensive view showing a perspective view and a plan view of a diffusion unit according to an embodiment of the present invention;
6 is a comprehensive view showing a perspective view and a plan view of an injection unit according to an embodiment of the present invention;
7 is a schematic diagram showing a sputtering device in which gas injection nozzles are installed according to an embodiment of the present invention.

이와 같은 특징을 갖는 본 발명은 그에 따른 바람직한 실시예를 통해 더욱 명확히 설명될 수 있을 것이다.The present invention having such characteristics will be more clearly explained through the preferred embodiments thereof.

이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기 전에, 다음의 상세한 설명에 기재되거나 도면에 도시된 구성요소들의 구성 및 배열들의 상세로 그 응용이 제한되는 것이 아니라는 것을 알 수 있을 것이다. 본 발명은 다른 실시예들로 구현되고 실시될 수 있고 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 또, 장치 또는 요소 방향(예를 들어 "전(front)", "후(back)", "위(up)", "아래(down)", "상(top)", "하(bottom)", "좌(left)", "우(right)", "횡(lateral)")등과 같은 용어들에 관하여 본원에 사용된 표현 및 술어는 단지 본 발명의 설명을 단순화하기 위해 사용되고, 관련된 장치 또는 요소가 단순히 특정 방향을 가져야 함을 나타내거나 의미하지 않는다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, "제 1(first)", "제 2(second)"와 같은 용어는 설명을 위해 본원 및 첨부 청구항들에 사용되고 상대적인 중요성 또는 취지를 나타내거나 의미하는 것으로 의도되지 않는다.Before describing various embodiments of the present invention in detail with reference to the accompanying drawings, it will be appreciated that the application is not limited to the details of the configuration and arrangement of components described in the following detailed description or shown in the drawings. will be. The invention is capable of being implemented and practiced in other embodiments and of being carried out in various ways. Also, device or element orientation (e.g., "front", "back", "up", "down", "top", "bottom") The expressions and predicates used herein with respect to terms such as ", "left", "right", "lateral", etc. are only used to simplify the description of the present invention and related devices. Or it will be appreciated that it does not indicate or imply that an element simply must have a particular orientation. Also, terms such as “first” and “second” are used herein and in the appended claims for descriptive purposes and are not intended to indicate or imply relative importance or significance.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, since the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are only one of the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all of the technical ideas of the present invention, various alternatives may be used at the time of this application. It should be understood that there may be equivalents and variations.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 노즐의 전면(a)과 후면(b)을 나타낸 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 덮개부와 상부 덮개부의 사시도와 평면도를 나타낸 종합도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 분배부의 사시도와 평면도를 나타낸 종합도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이송부의 사시도와 평면도를 나타낸 종합도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 확산부의 사시도와 평면도를 나타낸 종합도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 분사부의 사시도와 평면도를 나타낸 종합도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 노즐이 설치된 스퍼터링 장치를 나타낸 개략도이다.1 is a perspective view showing the front (a) and the rear (b) of a gas injection nozzle according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view and a plan view of a lower cover part and an upper cover part according to an embodiment of the present invention. 3 is a comprehensive view showing a perspective view and a plan view of a distribution unit according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a comprehensive view showing a perspective view and a plan view of a transfer unit according to an embodiment of the present invention, 5 is a comprehensive view showing a perspective view and a plan view of a diffusion unit according to an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a comprehensive view showing a perspective view and a plan view of a spray unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. It is a schematic diagram showing a sputtering device in which a gas injection nozzle according to an embodiment is installed.

도 1 내지 도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐(100)은 하부 덮개부(10), 분배부(20), 이송부(30), 확산부(40), 분사부(50) 및 상부 덮개부(60)로 구성된다. 이때, 상기 하부 덮개부(10), 분배부(20), 이송부(30), 확산부(40), 분사부(50) 및 상부 덮개부(60)는 동일한 크기의 직사각형의 판형으로 형성되어 하부 덮개부(10) - 분배부(20) - 이송부(30) - 확산부(40) - 분사부(50) - 상부 덮개부(60) 순서로 상호 간에 순차적으로 적층되고, 상기 적층된 양끝단부에는 전체를 밀착시켜 고정되도록 볼트, 피스 등의 고정부재(미도시)가 관통 결착되어 고정시키도록 관통홀(70)이 동일한 수직선상에 위치한다. 이처럼 상기 하부 덮개부(10), 분배부(20), 이송부(30), 확산부(40), 분사부(50) 및 상부 덮개부(60)가 결합된 가스 분사 노즐(100)은 직사각형 바 형태로 형성된다.As shown in FIGS. 1 to 7, the reflective gas spray nozzle 100 installed in the sputtering device of the present invention includes a lower cover part 10, a distribution part 20, a transfer part 30, a diffusion part 40 ), a spraying part 50 and an upper cover part 60. At this time, the lower cover part 10, the distribution part 20, the transfer part 30, the diffusion part 40, the spraying part 50, and the upper cover part 60 are formed in a rectangular plate shape of the same size, The cover part 10 - the distribution part 20 - the conveying part 30 - the diffusion part 40 - the spraying part 50 - the upper cover part 60 are sequentially stacked with each other in the order, and both ends of the stacked The through holes 70 are located on the same vertical line so that a fixing member (not shown) such as a bolt or piece is penetrated and fixed so that the whole is tightly fixed. In this way, the gas spray nozzle 100 in which the lower cover part 10, the distribution part 20, the transfer part 30, the diffusion part 40, the spraying part 50, and the upper cover part 60 are combined is a rectangular bar. formed in the form

상기 하부 덮개부(10)는 도 1 내지 도 2에 도시한 바와 같이, 가스 분사 노즐(100)의 하부를 밀폐하는 덮개이고, 상기 하부 덮개부(10)의 두께는 2T로 2mm이지만 상황에 따라 달라질 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2 , the lower cover part 10 is a cover that seals the lower part of the gas injection nozzle 100, and the thickness of the lower cover part 10 is 2T and 2 mm, but depending on circumstances It can vary.

상기 분배부(20)는 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 하부 덮개부(10)의 상부에 적층되는데, 상기 분배부(20)의 일단부(후면)에는 외부에서 2가지 이상의 가스가 각각 유입되도록 다수개의 유입구(21)가 형성되며, 상기 유입구(21)와 연결되어 유입구(21)를 통해 유입된 가스를 분배하는 분배구(22)가 형성된다. 이때, 상기 가스는 Ar, O2 또는 Ar, N2 또는 Ar, O2, N2 등의 혼합가스를 모두 포함하고 있다.As shown in FIGS. 1 and 3, the distribution unit 20 is stacked on top of the lower lid 10, and at one end (rear side) of the distribution unit 20, two or more types of gas are supplied from the outside. A plurality of inlets 21 are formed to flow in, respectively, and a distribution port 22 is formed that is connected to the inlets 21 and distributes the gas introduced through the inlets 21 . At this time, the gas includes all mixed gases such as Ar, O2 or Ar, N2 or Ar, O2, N2.

여기서, 상기 유입구(21)는 분배부(20)의 후면에 2개 이상 형성되어 분배부(20)의 내측으로 관통 형성되고, 상기 분배구(22)는 분배부(20)의 내측에 형성되는데, 상기 유입구(21)의 끝단부에서 양측으로 나눠지게 형성되어 유입구(21)를 통해 유입된 가스를 양측으로 분배시킨다. 즉, 상기 유입구(21)와 분배구(22)는 평면상 "T" 형태로 형성된다.Here, two or more inlets 21 are formed on the rear surface of the distribution unit 20 to pass through the inside of the distribution unit 20, and the distribution opening 22 is formed inside the distribution unit 20. , It is formed to be divided into both sides at the end of the inlet 21 to distribute the gas introduced through the inlet 21 to both sides. That is, the inlet 21 and the distribution port 22 are formed in a “T” shape on a plane.

그리고, 상기 분배구(22)의 끝단부는 유입구(21) 방향으로 절곡되어 분배구(22)에서 분배된 가스가 분배구(22)의 끝단부에서 역방향으로 분배되도록 한다. Further, the end of the distribution hole 22 is bent in the direction of the inlet 21 so that the gas distributed from the distribution hole 22 is distributed in the opposite direction from the end of the distribution hole 22 .

또한, 상기 유입구(21)와 분배구(22)는 분배부(20)의 상,하부를 관통되도록 형성되고, 하부는 하부 덮개부(10)에 의해 차단되고, 상부는 이송부(30)와 연통되는 것이다.In addition, the inlet 21 and the distribution port 22 are formed to pass through the upper and lower portions of the distribution unit 20, the lower portion is blocked by the lower cover portion 10, and the upper portion communicates with the transfer unit 30. It will be.

그리고, 상기 분배부(20)는 하부 덮개부(10), 이송부(30), 확산부(40), 분사부(50) 및 상부 덮개부(60)의 두께 대비 5 ~ 10배로 두껍게 형성됨으로써, 유입구(21)를 통해 유입된 가스가 분배구(22)에서 일정시간 가두었다 이송시킬 수 있다. 이때, 상기 분배부(20)의 두께는 10T로 10mm에 해당되지만 상황에 따라 달라질 수 있다.In addition, the distribution unit 20 is formed to be 5 to 10 times thicker than the thickness of the lower cover unit 10, the transfer unit 30, the diffusion unit 40, the spray unit 50, and the upper cover unit 60, The gas introduced through the inlet 21 may be confined in the distribution port 22 for a certain period of time before being transported. At this time, the thickness of the distribution unit 20 is 10T, which corresponds to 10 mm, but may vary depending on circumstances.

한편, 상기 가스는 Ar 또는 Ar, O2 또는 Ar, N2 또는 Ar, O2, N2 등 다양한 혼합가스를 적용하여 형성되는 금속, 산화물, 질화물, 다중화합물(이중화합물 이상을 통칭함)을 포함한다.On the other hand, the gas includes metals, oxides, nitrides, and multiple compounds (collectively referred to as double compounds or more) formed by applying various mixed gases such as Ar or Ar, O2 or Ar, N2 or Ar, O2, N2.

상기 이송부(30)는 도 1 및 도 4에 도시한 바와 같이, 분배부(20)의 상부에 적층되고, 일단면에는 분배구(22)와 연통되어 분배구(22) 내의 가스를 상부로 이송시키는 다수개의 이송홀(31)이 형성된다.As shown in FIGS. 1 and 4, the transfer unit 30 is stacked on top of the distribution unit 20, and communicates with the distribution port 22 on one end surface to transfer the gas in the distribution port 22 to the top. A plurality of transfer holes 31 are formed.

여기서, 상기 이송부(30)의 다수개 이송홀(31)은 분배구(22)의 절곡된 끝단부와 동일 수직 선상에 각각 형성되어 역방향으로 분배된 가스가 관통되어 확산부(40)에 전달되고, 상기 이송홀(31)은 이송부(30)의 상,하부를 관통하여 형성되기에 분배구(22)에서 분배된 가스를 확산부에 전달할 수 있다.Here, the plurality of transfer holes 31 of the transfer unit 30 are formed on the same vertical line as the bent end of the distribution port 22, and the gas distributed in the reverse direction penetrates and is delivered to the diffusion unit 40 Since the transfer hole 31 is formed through the upper and lower portions of the transfer unit 30, the gas distributed from the distribution port 22 can be delivered to the diffusion unit.

또한, 상기 이송부(30)의 두께는 2T로 2mm이지만 상황에 따라 달라질 수 있다.In addition, the thickness of the conveying part 30 is 2 mm at 2T, but may vary depending on circumstances.

상기 확산부(40)는 도 1 및 도 5에 도시한 바와 같이, 이송부(30)의 상부에 적층되고, 일단면에는 다수개의 이송홀(31)과 연통되어 다수개의 이송홀(31)을 통해 각각 이송된 가스를 혼합시켜 확산시키는 확산구(41)가 형성된다.As shown in FIGS. 1 and 5, the diffusion part 40 is stacked on top of the transfer part 30, and communicates with a plurality of transfer holes 31 on one end surface through the plurality of transfer holes 31. Diffusion holes 41 are formed to mix and diffuse the transferred gases.

여기서, 상기 확산부(40)의 확산구(41)는 "ㅗ" 또는 "ㅜ" 형태로 형성되어 수평부의 중앙부에 돌출부가 돌출되고, 상기 확산구(41)의 돌출부는 이송부(30)의 이송홀(31)과 동일 수직 선상에 형성되며, 상기 이송부(30)의 이송홀(31)을 통해 돌출부에 이송된 가스는 확산구(41)의 수평부의 좌,우 선형(線形)으로 확산된다.Here, the diffusion hole 41 of the diffusion part 40 is formed in a “ㅗ” or “TT” shape so that a protrusion protrudes from the center of the horizontal part, and the protrusion of the diffusion hole 41 is transported by the transfer part 30. It is formed on the same vertical line as the hole 31, and the gas transferred to the protruding part through the transfer hole 31 of the transfer part 30 is diffused in the left and right linear lines of the horizontal part of the diffusion hole 41.

또한, 상기 확산구(41)는 확산부(40)의 상,하부를 관통하여 형성되기에 확산구(41)의 수평부에서 확산된 가스가 분사구(51)에 전달될 수 있고, 상기 확산부(40)의 두께는 2T로 2mm이지만 상황에 따라 달라질 수 있다.In addition, since the diffusion hole 41 is formed through the top and bottom of the diffusion part 40, the gas diffused in the horizontal part of the diffusion hole 41 can be delivered to the spray hole 51, and the diffusion part The thickness of (40) is 2T, which is 2mm, but may vary depending on circumstances.

상기 분사구(51)는 도 1 및 도 6에 도시한 바와 같이, 확산부(40)의 상부에 적층되고, 타단부에는 확산부(40)의 확산구(41)와 연통되어 확산구(41)에서 이송된 가스를 한번더 확산시킨 뒤, 전면으로 분사시키는 분사구(51)가 형성된다.As shown in FIGS. 1 and 6, the spray hole 51 is stacked on top of the diffusion part 40, and the other end communicates with the diffusion hole 41 of the diffusion part 40 to form a diffusion hole 41. An injection port 51 is formed to diffuse the gas transported from the gas transported once more and then inject it to the front.

여기서, 상기 분사부(50)의 분사구(51)는 분사부(50)의 내측에서부터 분사부(50)의 전면까지 관통 형성되는데, 상기 분사부(50)의 전면에는 분사구(51)가 분사부(50)의 길이방향으로 길게 형성되어 균일하고 균등한 가스 분사가 가능하다.Here, the spray hole 51 of the spraying part 50 is formed through the inside of the spraying part 50 to the front of the spraying part 50, and the spraying hole 51 is formed on the front side of the spraying part 50. It is formed long in the longitudinal direction of (50), and uniform and even gas injection is possible.

그리고, 상기 분사구(51)의 내측면에는 확산구(41)의 중앙 돌출부를 통해 가스가 분사구(51)에 유입되지 않도록 차단돌기(52)가 돌출 형성되고, 상기 차단돌기(52)는 확산구(41)의 돌출부에 맞춰 다수개가 돌출 형성된다.In addition, a blocking protrusion 52 is protruded from the inner surface of the spray hole 51 so that gas does not flow into the spray hole 51 through the central protrusion of the diffusion hole 41, and the blocking protrusion 52 is the diffusion hole. According to the protrusion of (41), a plurality of protrusions are formed.

또한, 상기 분사구(51)는 분사부(50)의 상,하부를 관통하여 형성되기에 확산구(41)의 수평부에서 확산되어 이송된 가스가 분사구(51)를 통해 외부로 분사되고, 상기 분사부(50)의 두께는 1T로 1mm이지만 상황에 따라 달라질 수 있다.In addition, since the injection hole 51 penetrates the upper and lower parts of the injection part 50, the gas diffused and transported from the horizontal part of the diffusion hole 41 is injected to the outside through the injection hole 51. The thickness of the injection unit 50 is 1T, which is 1 mm, but may vary depending on circumstances.

상기 상부 덮개부(60)는 도 1 내지 도 2에 도시한 바와 같이, 분사부(50)의 상부에 적층되어 분사부(50)의 분사구(51) 상부를 밀폐하며, 상기 상부 덮개부(60)의 두께는 2T로 2mm이지만 상황에 따라 달라질 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2 , the upper cover part 60 is stacked on top of the spraying part 50 to seal the upper part of the spraying hole 51 of the spraying part 50, and the upper cover part 60 ) is 2T, which is 2mm thick, but may vary depending on circumstances.

본 발명은 2021년 경상북도와 경북과학기술진흥센터의 4차산업혁명 핵심기술개발사업의 지원을 받아 수행된 연구임(SF320004A).This invention is a study conducted with the support of the 4th Industrial Revolution Core Technology Development Project of Gyeongsangbuk-do and Gyeongbuk Science and Technology Promotion Center in 2021 (SF320004A).

10 : 하부 덮개부 20 : 분배부
21 : 유입구 22 : 분배구
30 : 이송부 31 : 이송홀
40 : 확산부 41 : 환산구
50 : 분사부 51 : 분사구
52 : 차단돌기
60 : 상부 덮개부 70 : 관통홀
100 : 가스 분사 노즐
10: lower cover part 20: distribution part
21: inlet 22: distribution port
30: transfer unit 31: transfer hole
40: diffusion part 41: conversion sphere
50: injection part 51: injection hole
52: blocking protrusion
60: upper cover 70: through hole
100: gas injection nozzle

Claims (8)

스퍼터링 장치의 내부에 설치되는 가스를 혼합시켜 고루 분사하는 반사형 가스 분사 노즐(100)에 있어서,
하부를 밀폐하는 하부 덮개부(10)와;
상기 하부 덮개부(10)의 상부에 적층되고, 일단부에는 외부에서 2가지 이상의 가스가 각각 유입되도록 다수개의 유입구(21)가 형성되며, 상기 유입구(21)와 연결되어 유입구(21)를 통해 유입된 가스를 분배하는 분배구(22)가 형성되는 분배부(20)와;
상기 분배부(20)의 상부에 적층되고, 일단면에는 분배구(22)와 연통되어 분배구(22) 내의 가스를 상부로 이송시키는 다수개의 이송홀(31)이 형성되는 이송부(30)와;
상기 이송부(30)의 상부에 적층되고, 일단면에는 다수개의 이송홀(31)과 연통되어 다수개의 이송홀(31)을 통해 각각 이송된 가스를 혼합시켜 확산시키는 확산구(41)가 형성되는 확산부(40)와;
상기 확산부(40)의 상부에 적층되고, 타단부에는 확산부(40)의 확산구(41)와 연통되어 확산구(41)에서 이송된 가스를 한번더 확산시킨 뒤, 전면으로 분사시키는 분사구(51)가 형성되는 분사부(50)와;
상기 분사부(50)의 상부에 적층되어 분사부(50)를 밀폐하는 상부 덮개부(60);를 포함하여 구성되고,
상기 분배부(20)의 분배구(22)는 분배부(20)의 내측에 형성되는데, 상기 유입구(21)의 끝단부에서 양측으로 나눠지게 형성되어 유입구(21)를 통해 유입된 가스를 양측으로 분배시키고,
상기 분배구(22)의 끝단부는 유입구(21) 방향으로 절곡되어 분배구(22)에서 분배된 가스가 분배구(22)의 끝단부에서 역방향으로 분배되며,
상기 분배부(20)는 하부 덮개부(10), 이송부(30), 확산부(40), 분사부(50) 및 상부 덮개부(60)의 두께 대비 5 ~ 10배로 두껍게 형성됨으로써, 유입구(21)를 통해 유입된 가스가 분배구(22)에서 일정시간 가두었다 이송시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐.
In the reflective gas injection nozzle 100 that mixes and evenly sprays the gas installed inside the sputtering device,
a lower cover part 10 for sealing the lower part;
It is stacked on the upper part of the lower cover part 10, and at one end, a plurality of inlets 21 are formed so that two or more types of gas flow from the outside, respectively, and are connected to the inlets 21 through the inlets 21. a distribution unit 20 in which distribution ports 22 for distributing the introduced gas are formed;
A transfer unit 30 stacked on top of the distribution unit 20 and having a plurality of transfer holes 31 communicating with the distribution opening 22 on one end surface to transfer the gas in the distribution opening 22 upward; and ;
It is stacked on the upper part of the transfer part 30, and at one end is formed a diffusion hole 41 that communicates with a plurality of transfer holes 31 and mixes and diffuses the gas transferred through the plurality of transfer holes 31 a diffusion unit 40;
A spray hole stacked on top of the diffusion part 40 and communicating with the diffusion hole 41 of the diffusion part 40 at the other end to diffuse the gas transported from the diffusion hole 41 once again and then spray it to the front. a spraying part 50 in which 51 is formed;
It is configured to include; an upper cover portion 60 stacked on top of the spraying unit 50 to seal the spraying unit 50,
The distribution port 22 of the distribution unit 20 is formed on the inside of the distribution unit 20, and is formed to be divided into both sides at the end of the inlet 21 to pass the gas introduced through the inlet 21 to both sides. distributed as
The end of the distribution hole 22 is bent in the direction of the inlet 21 so that the gas distributed from the distribution hole 22 is distributed in the opposite direction from the end of the distribution hole 22,
The distribution part 20 is formed to be 5 to 10 times thicker than the thickness of the lower cover part 10, the conveying part 30, the diffusion part 40, the spraying part 50, and the upper cover part 60, so that the inlet ( A reflective gas spray nozzle installed in a sputtering device characterized in that the gas introduced through 21) can be confined in the distribution port 22 for a certain period of time before being transported.
제 1항에 있어서,
상기 하부 덮개부(10), 분배부(20), 이송부(30), 확산부(40), 분사부(50) 및 상부 덮개부(60)는 직사각형의 판형으로 형성되어 상호 간에 순차적으로 적층되고, 양끝단부에는 전체를 밀착시켜 고정되도록 고정부재가 관통 결착되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐.
According to claim 1,
The lower cover part 10, the distribution part 20, the transfer part 30, the diffusion part 40, the spraying part 50, and the upper cover part 60 are formed in a rectangular plate shape and sequentially stacked with each other. , A reflective gas spray nozzle installed in a sputtering device, characterized in that a fixing member is penetrating and fastened to both ends so that the entire thing is closely attached and fixed.
삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 이송부(30)의 다수개 이송홀(31)은 분배구(22)의 절곡된 끝단부와 동일 수직 선상에 각각 형성되어 역방향으로 분배된 가스가 관통되어 확산부(40)에 전달되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐.
According to claim 1,
The plurality of transfer holes 31 of the transfer unit 30 are formed on the same vertical line as the bent end of the distribution port 22, and the gas distributed in the reverse direction penetrates and is delivered to the diffusion unit 40. A reflective gas injection nozzle installed in a sputtering device to be.
제 1항에 있어서,
상기 확산부(40)의 확산구(41)는 "ㅗ" 또는 "ㅜ" 형태로 형성되어 수평부의 중앙부에 돌출부가 돌출되는데, 상기 확산구(41)의 돌출부는 이송부(30)의 이송홀(31)과 동일 수직 선상에 형성되고, 상기 이송부(30)의 이송홀(31)을 통해 돌출부에 이송된 가스는 확산구(41)의 수평부 좌,우 선형(線形)으로 확산되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐.
According to claim 1,
The diffusion hole 41 of the diffusion part 40 is formed in a "ㅗ" or "TT" shape so that a protrusion protrudes from the center of the horizontal part. The protrusion of the diffusion hole 41 is a transfer hole ( 31) is formed on the same vertical line, and the gas transferred to the protruding part through the transfer hole 31 of the transfer part 30 is diffused in a linear left and right horizontal part of the diffusion hole 41 A reflective gas injection nozzle installed in a sputtering device that
제 6항에 있어서,
상기 분사부(50)의 분사구(51)는 분사부(50)의 내측에서부터 분사부(50)의 전면까지 관통 형성되는데, 상기 분사부(50)의 전면에 분사부(50)의 길이방향으로 길게 형성되어 균등한 가스 분사가 가능한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐.
According to claim 6,
The spraying hole 51 of the spraying part 50 is formed penetrating from the inside of the spraying part 50 to the front of the spraying part 50, in the longitudinal direction of the spraying part 50 on the front of the spraying part 50. A reflective gas injection nozzle installed in a sputtering device characterized in that it is formed long and enables uniform gas injection.
제 7항에 있어서,
상기 분사구(51)의 내측면에는 확산구(41)의 중앙 돌출부를 통해 가스가 분사구(51)에 유입되지 않도록 차단돌기(52)가 돌출 형성되고, 상기 차단돌기(52)는 확산구(41)의 돌출부에 맞춰 다수개가 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치에 설치되는 반사형 가스 분사 노즐.
According to claim 7,
A blocking protrusion 52 protrudes from the inner surface of the spray hole 51 so that gas does not flow into the spray hole 51 through the central protrusion of the diffusion hole 41. ) Reflective gas injection nozzles installed in a sputtering device, characterized in that a plurality of protrusions are formed according to the protrusions of the.
KR1020220085572A 2022-07-12 2022-07-12 Reflective gas injection nozzle installed in sputtering device KR102486339B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220085572A KR102486339B1 (en) 2022-07-12 2022-07-12 Reflective gas injection nozzle installed in sputtering device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220085572A KR102486339B1 (en) 2022-07-12 2022-07-12 Reflective gas injection nozzle installed in sputtering device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102486339B1 true KR102486339B1 (en) 2023-01-09

Family

ID=84892712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220085572A KR102486339B1 (en) 2022-07-12 2022-07-12 Reflective gas injection nozzle installed in sputtering device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102486339B1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080013568A (en) * 2006-08-09 2008-02-13 주식회사 아이피에스 A showerhead having a multi source for injection
KR20080028508A (en) * 2002-12-20 2008-03-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Micromachined intergrated fluid delivery system
KR101519827B1 (en) * 2012-12-21 2015-05-13 주식회사 테스 Process gas spraying unit
KR20170071552A (en) * 2014-10-17 2017-06-23 램 리써치 코포레이션 Monolithic gas distribution manifold and various construction techniques and use cases therefor
KR101773668B1 (en) 2015-03-31 2017-08-31 (주)미주테크 sputter with rotatable substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080028508A (en) * 2002-12-20 2008-03-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Micromachined intergrated fluid delivery system
KR20080013568A (en) * 2006-08-09 2008-02-13 주식회사 아이피에스 A showerhead having a multi source for injection
KR101519827B1 (en) * 2012-12-21 2015-05-13 주식회사 테스 Process gas spraying unit
KR20170071552A (en) * 2014-10-17 2017-06-23 램 리써치 코포레이션 Monolithic gas distribution manifold and various construction techniques and use cases therefor
KR101773668B1 (en) 2015-03-31 2017-08-31 (주)미주테크 sputter with rotatable substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101065126B1 (en) Atomic layer deposition apparatus
KR101804125B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101710944B1 (en) Substrate Processing Apparatus
KR20100002886A (en) Atomic layer deposition apparatus
KR20090021031A (en) Atomic layer deposition device
KR20090021035A (en) Injection unit of atomic layer deposition device
KR102486339B1 (en) Reflective gas injection nozzle installed in sputtering device
KR100982842B1 (en) Atomic layer deposition apparatus
TWI609989B (en) Gas distributing injector applied in mocvd reactor
KR20150019436A (en) Method for atomic layer deposition and apparatus for atomic layer deposition
KR101044913B1 (en) Batch type ald
KR100998850B1 (en) Atomic layer deposition apparatus
KR100901118B1 (en) Injection Unit of Atomic Layer Deposition Device
KR101081625B1 (en) Gas distribution unit and upright type deposition apparatus having the gas distribution unit
KR101661097B1 (en) The apparatus for depositing a atomic layer
KR101173085B1 (en) Thin layer deposition apparatus
CN105143508A (en) Gas sprayer and thin film depositing apparatus having the same
KR101393463B1 (en) Thin layer deposition apparatus
KR102461199B1 (en) Substrate processing apparatus
TW202020194A (en) Vapor deposition device and vapor deposition method including a vapor deposition source, a substrate holding portion, and a control plate
KR101861008B1 (en) Atomic Layer Deposition Apparatus and Deposition Method Using the Same
KR20160081342A (en) A ald apparatus for large substrate
KR102374023B1 (en) Substrate treatment apparatus
KR20140102854A (en) Apparatus for depositing thin film and method for depositing thin film using it
US20240011156A1 (en) Deposition apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant