KR102482321B1 - Palladium plating solution and palladium coating obtained using same - Google Patents

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니혼 고쥰도가가쿠 가부시키가이샤
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Abstract

팔라듐 피막에 발생하는 핀홀 등의 불량부의 발생을 줄이고, 팔라듐 피막 상에 형성되는 금도금 피막을 박막화해도 종래의 것과 동등한 내열 성능을 얻는 것이 가능한 팔라듐 도금액을 제공하는 것을 과제로 하여, 팔라듐원으로서의 가용성 팔라듐염과, 1 위치의 질소 원자에 알킬기가 결합되고, 2 위치 내지 6 위치의 1 개 내지 5 개가, 알킬기, 아릴기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 술포기, 알콕시술포닐기, 아미노기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 특정 치환기로 치환된 특정 피리디늄 화합물을 함유하는 팔라듐 도금액, 그리고, 이러한 팔라듐 도금액을 사용하여 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금의 피막 상에 팔라듐 도금을 실시함으로써 얻어진 팔라듐 피막에 의해 과제를 해결하였다.Soluble palladium as a palladium source, with the goal of providing a palladium plating solution capable of reducing the occurrence of defective parts such as pinholes occurring in palladium coatings and obtaining heat resistance performance equivalent to that of the conventional ones even when the gold plating coating formed on the palladium coatings is thinned. In salts, an alkyl group is bonded to the nitrogen atom at position 1, and 1 to 5 at positions 2 to 6 are an alkyl group, an aryl group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, an alkoxysulfonyl group, an amino group, an alkylamino group, and a dialkyl group. A palladium plating solution containing a specific pyridinium compound substituted with one or two or more specific substituents selected from the group consisting of an amino group and a cyano group, and a film phase of nickel, nickel alloy, copper or copper alloy using the palladium plating solution The subject was solved by the palladium film obtained by giving palladium plating to this.

Description

팔라듐 도금액 및 그것을 사용하여 얻어진 팔라듐 피막 {PALLADIUM PLATING SOLUTION AND PALLADIUM COATING OBTAINED USING SAME}Palladium plating solution and palladium coating obtained using the same {PALLADIUM PLATING SOLUTION AND PALLADIUM COATING OBTAINED USING SAME}

본 발명은 특정 조성을 갖는 팔라듐 도금액, 그 팔라듐 도금액을 사용하여 얻어진 팔라듐 피막, 및 특히 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금의 피막 상의 팔라듐 피막에 관한 것이다.The present invention relates to a palladium plating solution having a specific composition, a palladium coating obtained using the palladium plating solution, and particularly a palladium coating on a coating of nickel, nickel alloy, copper or copper alloy.

귀금속 도금, 특히 금도금은 우수한 내식성, 기계적 특성, 전기 특성 등을 갖기 때문에, 널리 사용되고 있다. 특히, 니켈 피막 상에 실시한 금도금은, 금이 우수한 내식성, 기계적 특성, 전기 특성 등을 갖고, 니켈이 하지 (下地) 금속으로서 우수한 내열성 등을 갖기 때문에, 전자 전기 부품 등의 분야에서 널리 사용되고 있다.Precious metal plating, especially gold plating, is widely used because it has excellent corrosion resistance, mechanical properties, and electrical properties. In particular, gold plating applied on a nickel film is widely used in fields such as electronic and electric parts because gold has excellent corrosion resistance, mechanical properties, electrical properties, etc., and nickel has excellent heat resistance as a base metal.

최근, 생산 비용의 저감을 위해, 금 피막을 박막화하여 비용을 저감하고, 금 피막의 박막화에 의해 부족한 내열성 등의 피막 물성을, 니켈과 금 사이에, 금보다 저렴한 팔라듐의 피막을 형성함으로써 보충하는 방법이 제안되어 실용화되고 있다.In recent years, in order to reduce production costs, gold coatings are thinned to reduce costs, and film properties such as heat resistance, which are lacking due to thinning of gold coatings, are supplemented by forming a coating of palladium cheaper than gold between nickel and gold. A method has been proposed and put into practical use.

그러나, 형성된 팔라듐 피막에 핀홀 등의 불량부가 발생하여, 기대한 것과 같은 내열성 등의 피막 물성이 얻어지지 않는 경우가 있다는 문제가 있었다.However, there was a problem that defective parts such as pinholes were generated in the formed palladium film, and the expected physical properties of the film, such as heat resistance, could not be obtained.

이 문제를 해결하기 위해서, 특허문헌 1 에는, 욕 (浴) 의 pH 를 5 ∼ 10 으로 조정하고, 착화제에 아민 화합물과 암모니아를 병용하며 또한 2 가의 황을 함유하는 유기 화합물을 배합한 팔라듐 도금액이 개시되어 있고, 특허문헌 1 의 팔라듐 도금액을 사용하여 도금 피막의 두께 늘리기를 실시한 경우, 그 도금 피막은 외관이 특히 양호하며, 크랙이 적은 도금 피막이 얻어진다는 내용이 개시되어 있다.In order to solve this problem, in Patent Document 1, the pH of the bath is adjusted to 5 to 10, an amine compound and ammonia are used in combination as a complexing agent, and an organic compound containing divalent sulfur is blended with a palladium plating solution This is disclosed, and it is disclosed that when the thickness of a plated film is increased using the palladium plating solution of Patent Document 1, the plated film has a particularly good appearance and a plated film with few cracks is obtained.

또, 특허문헌 2 에는, 분자량 300 ∼ 100000 의 고분자 폴리에틸렌이민과 불포화 알킬아민을 병용한 무전해 팔라듐 도금액이, 그 욕 안정성이 우수하며, 나아가 얻어지는 팔라듐 도금층 중에 발생하는 내부 응력을 저감 내지는 방지하면서, 균일하고 치밀한 피막을 형성할 수 있다는 내용이 개시되어 있다.Further, in Patent Document 2, an electroless palladium plating solution in which a polymeric polyethyleneimine having a molecular weight of 300 to 100,000 and an unsaturated alkylamine are used in combination is excellent in bath stability, and furthermore, while reducing or preventing internal stress generated in the obtained palladium plating layer, It is disclosed that a uniform and dense film can be formed.

또, 특허문헌 3 에는, 팔라듐 화합물과, 하이포아인산 및 그 염으로부터 선택되는 환원제, 또는, 포름산 및 포름산염으로부터 선택되는 환원제를 병용하고, 아민류로부터 선택되는 착화제, 및 무기 황 화합물로부터 선택되는 욕 안정제에 의해 구성된 도금액은, 도금 인젝션 시간이 개선되고, 무전해 팔라듐-인 도금액의 우려 사항인 도금 불균일이 개선되며, 팔라듐 도금시에 있어서의 니켈 용출량이 억제되고, 석출된 팔라듐 피막은, 무전해 순(純)팔라듐 피막의 과제인 고융점 납땜 실장 후의 금-팔라듐 사이에 있어서의 열 확산이 개선된다는 내용이 개시되어 있다.Further, in Patent Document 3, a palladium compound and a reducing agent selected from hypophosphorous acid and its salts, or a reducing agent selected from formic acid and formate salts are used in combination, a complexing agent selected from amines, and a bath selected from inorganic sulfur compounds The plating solution composed of the stabilizer improves plating injection time, improves plating unevenness, which is a concern of electroless palladium-phosphorus plating solutions, and suppresses the amount of nickel elution during palladium plating. It is disclosed that heat diffusion between gold and palladium after high-melting point solder mounting, which is a subject of pure palladium coating, is improved.

그러나 이러한 종래 기술들에서는, 한층 더 금을 박막화하여 고가의 금의 사용량을 억제해서 비용 저감을 꾀하면서, 한편으론 안정적인 내열 성능을 갖는 피막 물성을 유지하기에 충분하다고는 말할 수 없어, 추가로 개량이 필요하였다.However, in these conventional techniques, it cannot be said that it is sufficient to maintain the properties of a film having stable heat resistance performance while seeking cost reduction by suppressing the amount of expensive gold used by further thinning gold, and further improvement this was needed

일본 공개특허공보 소62-124280호Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-124280 일본 공개특허공보 평5-039580호Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-039580 일본 공개특허공보 2010-261082호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-261082

본 발명은 상기 배경 기술을 감안하여 이루어진 것으로, 그 과제는, 팔라듐 피막에 발생하는 핀홀 등의 불량부의 발생을 줄이고, 팔라듐 피막 상에 형성되는 금도금 피막을 박막화해도 종래의 금도금 막두께로 형성된 것과 동등한 내열 성능을 얻는 것이 가능한 팔라듐 도금액을 제공하는 것에 있다.The present invention has been made in view of the above background art, and its object is to reduce the occurrence of defective parts such as pinholes occurring in palladium films, and even if the gold plating film formed on the palladium film is thinned, it is equivalent to that formed with a conventional gold plating film thickness. It is to provide a palladium plating solution capable of obtaining heat resistance performance.

본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 거듭한 결과, 특정한피리디늄 화합물을 필수 성분으로서 함유하는 팔라듐 도금액을 사용하여 팔라듐 피막을 형성하면, 상기 문제점을 해소하여, 상기 과제를 해결하고, 팔라듐/금도금 피막에 요구되는 내열 특성을 유지한 채로 그 금막두께의 대폭적인 박막화를 실현하여, 생산 비용을 대폭 저감하는 것이 가능해짐을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.As a result of repeated intensive studies in order to solve the above problems, the present inventors have found that when a palladium coating film is formed using a palladium plating solution containing a specific pyridinium compound as an essential component, the above problems are solved, the above problems are solved, and palladium /The present invention has been completed by finding that it is possible to significantly reduce the production cost by realizing a significant reduction in the thickness of the gold plating film while maintaining the heat resistance required for the gold plating film.

즉 본 발명은, 가용성 팔라듐염, 및, 1 위치의 질소 원자에 알킬기가 결합되고, 2 위치 내지 6 위치의 1 개 내지 5 개가, 알킬기, 아릴기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 술포기, 알콕시술포닐기, 아미노기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 특정 치환기로 치환된 특정 피리디늄 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 팔라듐 도금액을 제공하는 것이다.That is, the present invention is a soluble palladium salt, and an alkyl group is bonded to the nitrogen atom at position 1, and 1 to 5 at positions 2 to 6 are an alkyl group, an aryl group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, an alkoxysulfonyl group To provide a palladium plating solution characterized by containing a specific pyridinium compound substituted with one or two or more specific substituents selected from the group consisting of an amino group, an alkylamino group, a dialkylamino group and a cyano group.

또, 본 발명은, 상기 팔라듐 도금액을 사용하여, 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금의 피막 상에 팔라듐 도금을 실시함으로써 얻어진 것임을 특징으로 하는 팔라듐 피막을 제공하는 것이다.Moreover, this invention provides the palladium film characterized by being obtained by performing palladium plating on the film of nickel, a nickel alloy, copper, or copper alloy using the said palladium plating solution.

또, 본 발명은, 상기 팔라듐 피막을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접점 부재를 제공하는 것이다.Moreover, this invention provides the contact member of the electronic component characterized by having the said palladium film.

또, 본 발명은, 상기 팔라듐 도금액으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금액 및 전해 팔라듐 도금액을 제공하는 것이다.Further, the present invention provides an electroless palladium plating solution and an electrolytic palladium plating solution characterized by comprising the palladium plating solution described above.

본 발명의 팔라듐 도금액에 의하면, 팔라듐 피막에 생성되는 핀홀 등의 도금 불량 부분을 현저히 저감시키고, 내열 성능을 비약적으로 향상시키는 것이 가능하다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the palladium plating solution of this invention, it is possible to remarkably reduce plating defect parts, such as a pinhole, which generate|occur|produce in a palladium film, and to improve heat resistance performance dramatically.

본 발명의 팔라듐 도금액을 사용하여 팔라듐 피막을 형성시키면, 그 팔라듐 피막의 막두께를, 금도금 피막의 막두께를 저감한다는 동일한 목적으로 형성하고 있던 종래의 팔라듐 피막의 막두께로부터 저감하여도 우수한 내열 특성 등의 피막 성능을 유지할 수 있다.When a palladium film is formed using the palladium plating solution of the present invention, the film thickness of the palladium film is excellent in heat resistance even if the film thickness of the palladium film is reduced from that of a conventional palladium film formed for the same purpose of reducing the film thickness of a gold plating film. etc., the film performance can be maintained.

또, 본 발명의 팔라듐 도금액을 사용하여 팔라듐 피막을 형성시키면, 그 팔라듐 피막 위에 형성하는 금도금 피막의 막두께를 내열성 등의 성능 저하를 초래하지 않고서 대폭 박막화하는 것이 가능해져, 그 결과, 한층 더 대폭적인 비용 저감을 실현할 수 있다.In addition, when a palladium film is formed using the palladium plating solution of the present invention, it becomes possible to significantly reduce the film thickness of the gold plating film formed on the palladium film without causing a decrease in performance such as heat resistance. Significant cost reduction can be realized.

즉, 「팔라듐 도금 피막/금도금 피막」에 요구되는 내열 특성을 유지한 채로, 팔라듐 피막의 막두께를 저감할 수 있고, 또, 금 피막의 막두께를 현저하게 저감할 수 있다. 그 때문에, 비용을 대폭 저감하는 것이 가능해진다.That is, the film thickness of the palladium coating film can be reduced, and the film thickness of the gold coating film can be significantly reduced while maintaining the heat resistance required of the "palladium plating film/gold plating film". Therefore, it becomes possible to drastically reduce cost.

이하, 본 발명에 대해 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시의 구체적 형태로 한정되는 것은 아니며, 기술적 사상의 범위에서 임의로 변형하여 실시할 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described, but the present invention is not limited to the specific embodiments described below, and can be arbitrarily modified and implemented within the scope of the technical idea.

<특정 피리디늄 화합물><Specific pyridinium compound>

본 발명의 팔라듐 도금액은, 적어도, 가용성 팔라듐염을 팔라듐원으로서 함유하고, 또한 이하에 나타내는 「특정 피리디늄 화합물」을 함유하는 것이 필수이다.The palladium plating solution of the present invention contains at least a soluble palladium salt as a palladium source, and it is essential to contain a "specific pyridinium compound" shown below.

「특정 피리디늄 화합물」이란, 1 위치의 질소 원자에 알킬기가 결합되고, 2 위치 내지 6 위치의 1 개 내지 5 개가, 알킬기, 아릴기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 술포기, 알콕시술포닐기, 아미노기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 특정 치환기로 치환된 피리디늄 화합물을 말한다."Specific pyridinium compound" means that an alkyl group is bonded to the nitrogen atom at position 1, and 1 to 5 at positions 2 to 6 are an alkyl group, an aryl group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, an alkoxysulfonyl group, an amino group, It refers to a pyridinium compound substituted with one or two or more specific substituents selected from the group consisting of an alkylamino group, a dialkylamino group and a cyano group.

「특정 피리디늄 화합물」에 있어서는, 질소 원자에 알킬기 (-R1) 가 결합되어 있음으로써, 그 질소 원자는 플러스 전하를 갖고, 피리디늄 화합물로 되어 있다. 본 발명에 있어서는, 「질소 원자에 결합하여 피리디늄 화합물이 되는 결합 원자」로부터 수소 원자는 제외된다. 질소 원자에 결합하고 있는 결합 원자가 수소 원자인 경우에는, 상기한 본 발명의 효과를 얻기가 어렵다.In the "specific pyridinium compound", when an alkyl group (-R 1 ) is bonded to a nitrogen atom, the nitrogen atom has a positive electric charge and becomes a pyridinium compound. In the present invention, a hydrogen atom is excluded from "a bond atom bonded to a nitrogen atom to form a pyridinium compound". In the case where the bonding atom bonded to the nitrogen atom is a hydrogen atom, it is difficult to obtain the above effects of the present invention.

질소 원자에 결합한 알킬기 (-R1) 는, 직사슬 알킬기 또는 분기 알킬기 중 어느 것이어도 되고, 탄소수도 특별히 한정되지 않지만, 상기한 본 발명의 효과를 발휘하기 쉽고, 양호한 도금 성능, 입수하기 용이함 등의 점에서 탄소수 1 ∼ 5 개의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 개의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 개가 특히 바람직하며, 탄소수 1 개 또는 2 개가 더욱 바람직하다.The alkyl group (-R 1 ) bonded to the nitrogen atom may be either a linear alkyl group or a branched alkyl group, and the number of carbon atoms is not particularly limited. In terms of, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable, 1 to 3 carbon atoms is particularly preferable, and 1 or 2 carbon atoms is still more preferable.

탄소수가 지나치게 많은 알킬기가 결합되어 있으면, 팔라듐 피막의 핀홀이 증가하거나, 팔라듐의 석출 속도가 저하되거나, 팔라듐의 외관 불량이 발생하거나, 입수가 곤란해지거나 하는 경우가 있다.If an alkyl group having too many carbon atoms is bonded, the number of pinholes in the palladium film may increase, the rate of precipitation of palladium may decrease, the appearance of palladium may be poor, or it may be difficult to obtain.

또, 질소 원자에 결합되어 있는 기가 알킬기 (-R1) 가 아니라 수소 원자인 경우에는 상기한 본 발명의 효과가 발휘되지 않고, 특히, 팔라듐 도금액 중의 팔라듐 농도가 고농도인 경우, 고온도로 도금 처리했을 경우 등에 외관 불량을 발생시키는 경우가 있다.In addition, when the group bonded to the nitrogen atom is not an alkyl group (-R 1 ) but a hydrogen atom, the effect of the present invention described above is not exhibited. In some cases, appearance defects may occur.

본 발명에 있어서의 「특정 피리디늄 화합물」은, 팔라듐 도금액 중에서 상기 화학 구조를 가지고 있는 것이 필수이며, 팔라듐 도금액 중에서 상기 화학 구조를 갖는 것으로 변화한 것이어도 된다. 팔라듐 도금액의 조액시에 첨가하는 물질의 화학 구조에 대해서는 특별히 한정되지는 않지만, 상기 화학 구조를 가지고 있는 것을 첨가하는 (사용하여 조액하는) 것이 바람직하다.It is essential that the "specific pyridinium compound" in the present invention has the above chemical structure in a palladium plating solution, and may be changed to one having the above chemical structure in a palladium plating solution. Although there is no particular limitation on the chemical structure of the substance to be added at the time of liquid preparation of the palladium plating solution, it is preferable to add (liquid using) a substance having the above chemical structure.

본 발명의 팔라듐 도금액 중에 함유되는 「특정 피리디늄 화합물」의 음이온에 대해서는 특별히 한정되지는 않지만, 구체적으로는, 예를 들어, 황산 이온, 질산 이온, 염소 이온, 브롬 이온, 요오드 이온 등을 들 수 있다. 음이온의 교환 (염 교환) 이 팔라듐 도금액 중에서 일어나고 있어도 되고, 따라서, 조액시에 배합된 (첨가된) 가용성 팔라듐염, 환원제, 전도염, 완충제염 등의 음이온과 염 교환한 것도 들 수 있다. 팔라듐 도금액 중의 조성으로서 상기한 것이 본 발명의 범위에 포함된다.The anion of the "specific pyridinium compound" contained in the palladium plating solution of the present invention is not particularly limited, but specific examples include sulfate ion, nitrate ion, chloride ion, bromine ion, iodine ion, etc. there is. Anion exchange (salt exchange) may occur in the palladium plating solution, and therefore salt exchange with anions such as (added) soluble palladium salt, reducing agent, conduction salt, and buffer salt formulated during preparation of the solution may be mentioned. As the composition in the palladium plating solution, those described above are included in the scope of the present invention.

단, 상기 음이온 (황산 이온, 질산 이온, 염소 이온, 브롬 이온, 요오드 이온 등) 을 가지고 있는 것을 첨가하는 (이를 사용하여 조액하는) 것이 바람직하다.However, it is preferable to add (to prepare a liquid using this) one having the above anion (sulfate ion, nitrate ion, chloride ion, bromine ion, iodine ion, etc.).

본 발명에 있어서의 「특정 피리디늄 화합물」은, 2 위치 내지 6 위치 중 1 개 내지 5 개 중의 몇 개의 지점이, 알킬기, 아릴기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 술포기, 알콕시술포닐기, 아미노기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 치환기로 치환되어 있는 것인 것이 필수이다. 본 발명에 있어서는, 이러한 치환기를 「특정 치환기」라고 한다.The "specific pyridinium compound" in the present invention is an alkyl group, an aryl group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, an alkoxysulfonyl group, an amino group, an alkyl It is essential that it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of an amino group, a dialkylamino group and a cyano group. In the present invention, these substituents are referred to as "specific substituents".

즉, 본 발명에 있어서의 「특정 피리디늄 화합물」은, 6 원자 고리인 피리딘 고리 (피리디늄 고리) 에 있어서, 질소 원자는 1 위치이므로, 질소 원자 이외의 고리를 구성하는 탄소 원자 5 개에 결합한 5 개의 수소 가운데, 1 개 내지 5 개 중 몇 개가, 상이해도 되는 상기한 특정 치환기로 치환되어 있는 것이다.That is, the "specific pyridinium compound" in the present invention is a 6-membered pyridine ring (pyridinium ring), since the nitrogen atom is at the 1st position, bonded to 5 carbon atoms constituting the ring other than the nitrogen atom Among the 5 hydrogens, some of 1 to 5 are substituted with the above-mentioned specific substituents that may be different.

특정 치환기로서의 알킬기는, 직사슬 알킬기 또는 분기 알킬기 중 어느 것이어도 되고, 또한 알킬기 이외의 치환기를 가지고 있어도 되며, 탄소수도 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 상기 효과를 보다 발휘하기 위해서 탄소수 1 ∼ 6 개의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 개의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 개의 알킬기, 즉, 메틸기, 에틸기, 프로필기 또는 부틸기가 특히 바람직하다.The alkyl group as a specific substituent may be either a linear alkyl group or a branched alkyl group, and may have substituents other than the alkyl group, and the number of carbon atoms is not particularly limited. An alkyl group is preferable, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, ie, a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group is particularly preferable.

탄소수가 지나치게 많은 알킬기가 결합되어 있으면, 팔라듐 석출 속도의 저하나, 팔라듐 피막의 외관 불량을 발생하는 경우가 있다.When an alkyl group having too many carbon atoms is bonded, a decrease in the palladium precipitation rate or poor appearance of the palladium film may occur.

특정 치환기로서의 아릴기는 알킬기 등의 치환기를 가지고 있어도 되고, 특별히 한정되지는 않지만, 구체적으로는, 예를 들어, 페닐기, 나프틸기, 톨릴기, 크실릴기 등을 들 수 있다.The aryl group as a specific substituent may have a substituent such as an alkyl group, and is not particularly limited. Specific examples thereof include a phenyl group, a naphthyl group, a tolyl group, and a xylyl group.

특정 치환기로서의 카르복시기는 「-COOH」로 나타내는 기이고, 「알콕시카르보닐기」는 「-COOR11」로 나타내는 기이며, 카르복실산에스테르의 잔기이다. 상기 식 중에서, R11 은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 바람직한 것은 상기 특정 치환기로서의 알킬기나 아릴기와 동일하고, 특히 바람직하게는 메틸기이다.A carboxyl group as a specific substituent is a group represented by "-COOH", and an "alkoxycarbonyl group" is a group represented by "-COOR 11 ", which is a residue of a carboxylic acid ester. In the above formula, R 11 represents an alkyl group or an aryl group, preferably the same as the alkyl group or aryl group as the above specific substituent, and particularly preferably a methyl group.

특정 치환기로서의 술포기는 「-SO3H」로 나타내는 기이며, 술폰산기라고도 불리운다.A sulfo group as a specific substituent is a group represented by "-SO 3 H" and is also called a sulfonic acid group.

특정 치환기로서의 알콕시술포닐기는, 이하의 일반식 (a) 로 나타내는 기이며, 술폰산에스테르 잔기이다.The alkoxysulfonyl group as a specific substituent is a group represented by the following general formula (a), and is a sulfonic acid ester residue.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112017015675837-pct00001
Figure 112017015675837-pct00001

[일반식 (a) 중, R12 는 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.][In Formula (a), R 12 represents an alkyl group or an aryl group.]

일반식 (a) 중, R12 는 알킬기 또는 아릴기를 나타내는데, 바람직한 것 등은 상기 특정 치환기로서의 알킬기나 아릴기와 동일하고, 더욱 바람직하게는 메틸기이다.In the general formula (a), R 12 represents an alkyl group or an aryl group, and is preferably the same as the specific substituent, such as an alkyl group or an aryl group, and more preferably a methyl group.

특정 치환기로서의 아미노기는 「-NH2」로 나타내는 기이고, 알킬아미노기는 「-NHR13」으로 나타내는 기이며, 디알킬아미노기는 「-NR14R15」로 나타내는 기이다.The amino group as a specific substituent is a group represented by "-NH 2 ", the alkylamino group is a group represented by "-NHR 13 ", and the dialkylamino group is a group represented by "-NR 14 R 15 ".

상기 식 중에서, R13, R14, R15 는 각각 상이해도 되는 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 바람직한 것은 상기 특정 치환기로서의 알킬기나 아릴기와 동일하며, 특히 바람직하게는 메틸기이다.In the above formula, R 13 , R 14 , and R 15 each represent an alkyl group or an aryl group which may be different, preferably the same as the alkyl group or aryl group as the specific substituent, and particularly preferably a methyl group.

특정 치환기로서의 시아노기는 「-CN」으로 나타내는 기이다.A cyano group as a specific substituent is a group represented by "-CN".

상기 특정 치환기는, 본원 발명의 효과를 해치지 않는 범위에 있어서 상기 특정 치환기에 추가로 치환기를 가지고 있어도 되지만, 상기한 본 발명의 효과를 발휘하기 쉽고, 양호한 도금 성능, 입수하기 용이함 등의 점에서, 한정되는 것은 아니지만, 상기 특정 치환기는 추가로 치환기를 갖지 않는 것이 특히 바람직하다.The specific substituent may have a substituent in addition to the specific substituent within a range not impairing the effect of the present invention, but from the viewpoints of easy to exhibit the effect of the present invention described above, good plating performance, easy availability, etc. Although not limited, it is particularly preferred that the above specific substituent has no further substituent.

6 원자 고리인 피리딘 고리 (피리디늄 고리) 의 2 위치 내지 6 위치에는, 본원 발명의 효과를 해치지 않는 범위에 있어서 상기 특정 치환기 이외의 치환기를 가지고 있어도 되지만, 상기한 본 발명의 효과를 발휘하기 쉽고, 양호한 도금 성능, 입수하기 용이함 등의 점에서, 「상기 특정 치환기 이외의 치환기」는 한정되는 것은 아니지만 갖지 않는 것이 특히 바람직하다.Although the 2nd to 6th positions of the 6-membered pyridine ring (pyridinium ring) may have substituents other than the above-mentioned specific substituents within a range not impairing the effects of the present invention, the effects of the present invention described above are easily exhibited. , From the viewpoint of good plating performance, ease of acquisition, etc., "substituents other than the above specific substituents" are not limited, but it is particularly preferable not to have them.

상기 특정 치환기 중에서도, 알킬기, 카르복시기, 알콕시술포닐기 및 아미노기로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 치환기가 치환되어 있는 것이, 상기한 본 발명의 효과를 발휘하기 쉽고, 양호한 도금 성능, 입수하기 용이함 등의 점에서 특히 바람직하다.Among the above specific substituents, those in which one or two or more substituents selected from the group consisting of an alkyl group, a carboxy group, an alkoxysulfonyl group, and an amino group are substituted are likely to exhibit the above-described effects of the present invention, good plating performance, and easy availability It is particularly preferable in terms of the like.

또한, 본 발명의 팔라듐 도금액은, 피리디늄 고리의 2 위치 내지 4 위치의 1 개 내지 3 개가, 1 종 또는 2 종 이상의 상기 특정 치환기로 치환된 피리디늄 화합물을 함유하는 것이, 상기 효과를 더욱 바람직하게 발휘하는 점에서 바람직하다.Furthermore, the palladium plating solution of the present invention contains a pyridinium compound in which one or three of the 2- to 4-positions of the pyridinium ring are substituted with one or two or more of the above specific substituents, and the above effect is more preferable. It is desirable in terms of exerting it appropriately.

즉, 바꿔 말하면, 피리디늄 고리의 2 위치, 3 위치 또는 4 위치 중 1 개 내지 3 개 중 몇 개의 지점이, 1 종 또는 2 종 이상의 상기 특정 치환기로 치환된 피리디늄 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.In other words, it is preferable to contain a pyridinium compound in which one or two or more of the above specific substituents are substituted at one to three positions in the 2nd, 3rd or 4th positions of the pyridinium ring. .

보다 바람직하게는, 피리디늄 고리의 2 위치 내지 4 위치 중 1 개 또는 2 개(특히 바람직하게는 1 개) 가 1 종 또는 2 종 (특히 바람직하게는 1 종) 의 상기 특정 치환기로 치환된 피리디늄 화합물을 함유하는 것이다.More preferably, one or two (particularly preferably one) of positions 2 to 4 of the pyridinium ring is substituted with one or two (especially preferably one) substituents specified above. It contains a dinium compound.

피리디늄 고리에는, 특정 치환기 이외의 치환기를 가지고 있어도 되지만, 갖지 않는 것이 바람직하다.Although the pyridinium ring may have a substituent other than a specific substituent, it is preferable not to have it.

특히 바람직한 피리디늄 화합물은, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 것이다.A particularly preferable pyridinium compound is represented by the following general formula (1).

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112017015675837-pct00002
Figure 112017015675837-pct00002

[일반식 (1) 중, R1 은 알킬기를 나타내고, R2, R3 및 R4 는 서로 상이해도 되는, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 술포기, 알콕시술포닐기, 아미노기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기 또는 시아노기를 나타내며, 단, R2, R3 및 R4 가 모두 수소 원자인 경우를 제외한다.][In Formula (1), R 1 represents an alkyl group, and R 2 , R 3 and R 4 may be different from each other, a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, an alkoxysulfonyl group, an amino group , An alkylamino group, a dialkylamino group, or a cyano group, except when all of R 2 , R 3 and R 4 are hydrogen atoms.]

질소 원자에 결합한 알킬기 (R1) 는, 직사슬 알킬기 또는 분기 알킬기 중 어느 것이어도 되고, 탄소수도 특별히 한정되지 않지만, 탄소수 1 ∼ 6 개의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 개의 알킬기가 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 4 개의 알킬기, 즉 메틸기, 에틸기, 프로필기 또는 부틸기가 특히 바람직하다.The alkyl group (R 1 ) bonded to the nitrogen atom may be a linear alkyl group or a branched alkyl group, and the number of carbon atoms is not particularly limited. An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable. , an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, that is, a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group is particularly preferred.

탄소수가 지나치게 많은 알킬기가 결합되어 있으면, 상기한 본 발명의 효과가 발휘되지 않고, 팔라듐 피막의 핀홀이 증가하거나, 팔라듐의 석출 속도가 저하되거나, 팔라듐의 외관 불량이 발생하거나, 입수가 곤란해지거나 하는 경우가 있다.If an alkyl group having too many carbon atoms is bonded, the effect of the present invention described above is not exhibited, the number of pinholes in the palladium film increases, the rate of precipitation of palladium decreases, the appearance of palladium deteriorates, or the availability of palladium becomes difficult. There are times when

또, 질소 원자에 결합되어 있는 기가 알킬기가 아니라, 수소 원자인 경우에는 상기한 본 발명의 효과가 발휘되지 않고, 특히, 팔라듐 도금액 중의 팔라듐 농도가 고농도인 경우, 고온도로 도금 처리했을 경우 등에 외관 불량을 발생시키는 경우가 있다.In addition, when the group bonded to the nitrogen atom is not an alkyl group but a hydrogen atom, the effect of the present invention described above is not exhibited, and in particular, when the palladium concentration in the palladium plating solution is high, or when plating at a high temperature, the appearance is poor. may occur.

R2, R3 및 R4 는, 서로 상이해도 되는, 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 술포기, 알콕시술포닐기, 아미노기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기 또는 시아노기를 나타내고, 단, R2, R3 및 R4 가 모두 수소 원자인 경우는 제외된다.R 2 , R 3 and R 4 represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, an alkoxysulfonyl group, an amino group, an alkylamino group, a dialkylamino group or a cyano group, which may be different from each other; , R 2 , R 3 and R 4 are all hydrogen atoms.

R2, R3 및 R4 로는, 「보다 바람직하다」, 「특히 바람직하다」등으로서 상기한 「특정 치환기」가, 상기 효과를 더욱 바람직하게 발휘하는 점에서 보다 (특히) 바람직하다.As R 2 , R 3 and R 4 , “specific substituents” described above as “more preferred”, “particularly preferred”, etc. are more (especially) preferred from the point of exhibiting the above-mentioned effect more preferably.

일반식 (1) 의 음이온 (카운터 이온) 에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 예를 들어, 바람직한 것으로서 황산 이온, 질산 이온, 염소 이온, 브롬 이온, 요오드 이온 등, 상기한 것을 들 수 있다.Although there is no particular limitation on the anion (counter ion) of the general formula (1), specific examples thereof include those described above, such as sulfate ion, nitrate ion, chloride ion, bromine ion, and iodine ion, as preferred examples. .

일반식 (1) 의 음이온은, 본 발명의 팔라듐 도금액 중에 존재하는 형태를 특정하는 것으로, 조액시에 배합된 (첨가된) 가용성 팔라듐염, 환원제, 전도염, 완충제염 등의 음이온과 염 교환한 것도 바람직하다. The anion of the general formula (1) specifies the form present in the palladium plating solution of the present invention, and is salt-exchanged with anions such as (added) soluble palladium salt, reducing agent, conductive salt, buffer salt, etc. is also desirable

단, 본 발명의 팔라듐 도금액의 조액시에 용해 (배합, 첨가) 시키는 원료의 음이온 (카운터 이온) 으로서, 황산 이온, 질산 이온, 염소 이온, 브롬 이온, 요오드 이온 등이 바람직하다.However, sulfate ions, nitrate ions, chloride ions, bromide ions, iodine ions and the like are preferable as anions (counter ions) of raw materials to be dissolved (mixed, added) during preparation of the palladium plating solution of the present invention.

상기한 특정 피리디늄 화합물에 대한 기재는, 본 발명의 팔라듐 도금액 중에 존재하는 형태를 특정하는 것이다. 단, 본 발명의 팔라듐 도금액의 조액시에 용해시키는 원료로서, 상기한 특정 피리디늄 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.The description of the specific pyridinium compound described above specifies the form present in the palladium plating solution of the present invention. However, it is preferable to use the specific pyridinium compound described above as a raw material to be dissolved at the time of liquid preparation of the palladium plating solution of the present invention.

특정 피리디늄 화합물을 함유함으로써, 핀홀이 없는 팔라듐 피막을 실현할 수 있다. 또, 특정 피리디늄 화합물을 함유함으로써, 종래의 팔라듐 피막보다 비약적이 우수한 고내열성을 갖는 점에서, 종래의 팔라듐 피막의 막두께를 대폭 박막화 가능해지고, 또한, 팔라듐 피막 상에 형성하는 금도금 피막을 대폭 박막화 가능해져, 대폭적인 비용 저감이 실현된다.By containing a specific pyridinium compound, a pinhole-free palladium film is realizable. In addition, by containing a specific pyridinium compound, the film thickness of the conventional palladium film can be significantly reduced in that it has high heat resistance that is dramatically superior to that of the conventional palladium film, and the gold plating film formed on the palladium film can be significantly reduced. Thinning is possible, and significant cost reduction is realized.

「핀홀 시험」에 있어서, 「막두께 0.03 ㎛ 의 팔라듐 피막」으로 핀홀이 없는 팔라듐 피막을 실현할 수 있는 본 발명의 팔라듐 도금액을 사용하면, 그것보다 얇은 팔라듐 피막이라도 핀홀이 상대적으로 적은 것이 얻어지고, 그것보다 두꺼운 팔라듐 피막이면, 한층 더 핀홀이 없는 것이 얻어져 더욱 신뢰성이 증대된다.In the "pinhole test", if the palladium plating solution of the present invention capable of realizing a pinhole-free palladium coating film with a "palladium coating film with a film thickness of 0.03 μm" is used, relatively few pinholes are obtained even in a palladium coating film thinner than that, If it is a palladium film thicker than that, a thing without a further pinhole is obtained and reliability further increases.

또, 금 피막은 일반적으로 핀홀이 잘 생기지 않고, 팔라듐 피막은 일반적으로 핀홀이 생기기 쉽다. 따라서, 핀홀이 잘 생기지 않는 본 발명의 팔라듐 도금액을 사용하면, 금 피막으로 팔라듐 피막의 핀홀을 커버할 필요가 없어져, 금 피막의 막두께를 낮출 수 있어 비용 저감이 가능해진다.In addition, a gold film generally does not easily form pinholes, and a palladium film generally tends to form pinholes. Therefore, when the palladium plating solution of the present invention, which does not easily cause pinholes, is used, there is no need to cover pinholes in the palladium film with a gold film, and the film thickness of the gold film can be reduced, thereby reducing costs.

본 발명에 있어서, 「핀홀 시험」은 후술하는데, 「시험 개시」로부터 「시험 개시 후 5 분」까지의 모든 사이에, 통전 전류가 작은 팔라듐 피막을 제공하는 팔라듐 도금액을 우수한 것으로 하고, 그 동안, 항상 통전 전류가 100 ㎂ 이하인 피막 물성을 제공하는 팔라듐 도금액을 우수한 팔라듐 도금액으로 한다.In the present invention, the "pinhole test" will be described later, and a palladium plating solution that provides a palladium film with a small conduction current is excellent during all from "the start of the test" to "5 minutes after the start of the test", and during that time, An excellent palladium plating solution is a palladium plating solution that always provides film properties such that the conduction current is 100 μA or less.

본 발명에 있어서, 「내열성」은 실시예에 기재된 방법으로 평가하고, 그와 같이 평가한 것으로서 정의한다.In the present invention, "heat resistance" is defined as evaluated by the method described in Examples and evaluated as such.

「내열성」은, 전자 부품의 접점 부재에 필수적인 성능이다. 전자 부품의 접점 부재는 땜납 접합이나 와이어 본딩으로 다른 부재와 접합할 필요가 있고, 그 접합 공정에는, 반드시 100 ℃ 내지 300 ℃ 의 가열 공정이 포함되며, 또 이 가열 공정도 1 회가 아니고 복수 회 존재하는 경우가 많다."Heat resistance" is an essential performance for a contact member of an electronic component. Contact members of electronic components need to be joined to other members by solder bonding or wire bonding, and the bonding process necessarily includes a heating process at 100°C to 300°C, and this heating process is also performed not once but multiple times. often exist

이 가열 공정에 의해, 구리, 구리 합금, 니켈, 니켈 합금 등의 금속은 산화되어, 땜납 접합 불량이나, 접촉 저항의 상승, 와이어 본딩 접합 불량과 같은 불량 발생의 원인이 된다. 따라서, 이 구리, 니켈 등의 산화를 방지할 목적으로, 금도금이나 팔라듐 도금 등의 귀금속 도금을 실시하여 표면 보호층을 형성하는 것이 중요하다.In this heating process, metals such as copper, copper alloy, nickel, and nickel alloy are oxidized, causing defects such as solder bonding failure, increase in contact resistance, and wire bonding failure. Therefore, for the purpose of preventing the oxidation of copper, nickel, etc., it is important to form a surface protective layer by performing noble metal plating such as gold plating or palladium plating.

그러나, 금도금 피막이나 팔라듐 도금 피막 등의 귀금속 도금 피막을 형성하고 있다고 해도, 귀금속 도금 피막에 핀홀이 존재하면, 상기 가열 공정에 의해 귀금속 도금 피막의 하지인 구리, 니켈 등이 그 핀홀로부터 최표면으로 확산되고, 산화되어 귀금속 도금 피막을 실시한 효과가 없어져 버리는 일이 있다.However, even if a noble metal plating film such as a gold plating film or a palladium plating film is formed, if a pinhole is present in the noble metal plating film, copper, nickel, etc., which are the base of the noble metal plating film, is removed from the pinhole by the above heating step. It is diffused and oxidized, and the effect of applying the noble metal plating film may be lost.

그 때문에, 귀금속 도금 피막에 있어서의 핀홀의 존재는, 전자 부품의 접점 부재에 대해 그 내열성을 갖는지 여부의 지표가 된다. 금도금 피막이나 팔라듐 도금 피막 등의 귀금속 도금 피막의 핀홀이 적다고 하는 것은, 우수한 「내열성」을 가지고 있다는 것을 나타내고 있다.Therefore, the presence of pinholes in the noble metal plating film is an index of whether or not the contact member of the electronic component has heat resistance. The fact that there are few pinholes in a noble metal plating film such as a gold plating film or a palladium plating film indicates that it has excellent "heat resistance".

상기한 특정 피리디늄 화합물의 바람직한 구체예로는, 예를 들어,Preferred specific examples of the specific pyridinium compound described above include, for example,

1-메틸-2-메틸피리디늄, 1-메틸-2-에틸피리디늄, 1-메틸-2-부틸피리디늄, 1-메틸-2-술포피리디늄, 1-메틸-2-메톡시술포닐피리디늄, 1-메틸-2-아미노피리디늄, 1-메틸-2-카르복시피리디늄, 1-메틸-2-메톡시카르보닐피리디늄, 1-메틸-2-페닐피리디늄, 1-메틸-2-시아노피리디늄 등의 2 위치 치환의 메틸피리디늄 ; 1-methyl-2-methylpyridinium, 1-methyl-2-ethylpyridinium, 1-methyl-2-butylpyridinium, 1-methyl-2-sulfopyridinium, 1-methyl-2-methoxysulfonyl Pyridinium, 1-methyl-2-aminopyridinium, 1-methyl-2-carboxypyridinium, 1-methyl-2-methoxycarbonylpyridinium, 1-methyl-2-phenylpyridinium, 1-methyl- 2-position substituted methylpyridinium such as 2-cyanopyridinium;

1-에틸-2-메틸피리디늄, 1-에틸-2-에틸피리디늄, 1-에틸-2-부틸피리디늄, 1-에틸-2-술포피리디늄, 1-에틸-2-메톡시술포닐피리디늄, 1-에틸-2-아미노피리디늄, 1-에틸-2-카르복시피리디늄, 1-에틸-2-메톡시카르보닐피리디늄, 1-에틸-2-페닐피리디늄, 1-에틸-2-시아노피리디늄 등의 2 위치 치환의 에틸피리디늄 ; 1-ethyl-2-methylpyridinium, 1-ethyl-2-ethylpyridinium, 1-ethyl-2-butylpyridinium, 1-ethyl-2-sulfopyridinium, 1-ethyl-2-methoxysulfonyl Pyridinium, 1-ethyl-2-aminopyridinium, 1-ethyl-2-carboxypyridinium, 1-ethyl-2-methoxycarbonylpyridinium, 1-ethyl-2-phenylpyridinium, 1-ethyl- Ethylpyridinium of 2-position substitution, such as 2-cyanopyridinium;

1-프로필-2-메틸피리디늄, 1-프로필-2-에틸피리디늄, 1-프로필-2-부틸피리디늄, 1-프로필-2-술포피리디늄, 1-프로필-2-메톡시술포닐피리디늄, 1-프로필-2-아미노피리디늄, 1-프로필-2-카르복시피리디늄, 1-프로필-2-메톡시카르보닐피리디늄, 1-프로필-2-페닐피리디늄, 1-프로필-2-시아노피리디늄 등의 2 위치 치환의 프로필피리디늄 ; 1-propyl-2-methylpyridinium, 1-propyl-2-ethylpyridinium, 1-propyl-2-butylpyridinium, 1-propyl-2-sulfopyridinium, 1-propyl-2-methoxysulfonyl Pyridinium, 1-propyl-2-aminopyridinium, 1-propyl-2-carboxypyridinium, 1-propyl-2-methoxycarbonylpyridinium, 1-propyl-2-phenylpyridinium, 1-propyl- 2-position substituted propylpyridinium such as 2-cyanopyridinium;

1-부틸-2-메틸피리디늄, 1-부틸-2-에틸피리디늄, 1-부틸-2-부틸피리디늄, 1-부틸-2-술포피리디늄, 1-부틸-2-메톡시술포닐피리디늄, 1-부틸-2-아미노피리디늄, 1-부틸-2-카르복시피리디늄, 1-부틸-2-메톡시카르보닐피리디늄, 1-부틸-2-페닐피리디늄, 1-부틸-2-시아노피리디늄 등의 2 위치 치환의 부틸피리디늄 ; 1-butyl-2-methylpyridinium, 1-butyl-2-ethylpyridinium, 1-butyl-2-butylpyridinium, 1-butyl-2-sulfopyridinium, 1-butyl-2-methoxysulfonyl Pyridinium, 1-butyl-2-aminopyridinium, 1-butyl-2-carboxypyridinium, 1-butyl-2-methoxycarbonylpyridinium, 1-butyl-2-phenylpyridinium, 1-butyl- 2-position substituted butylpyridinium such as 2-cyanopyridinium;

1-메틸-3-메틸피리디늄, 1-메틸-3-에틸피리디늄, 1-메틸-3-부틸피리디늄, 1-메틸-3-술포피리디늄, 1-메틸-3-메톡시술포닐피리디늄, 1-메틸-3-아미노피리디늄, 1-메틸-3-카르복시피리디늄, 1-메틸-3-메톡시카르보닐피리디늄, 1-메틸-3-페닐피리디늄, 1-메틸-3-시아노피리디늄 등의 3 위치 치환의 메틸피리디늄 ; 1-methyl-3-methylpyridinium, 1-methyl-3-ethylpyridinium, 1-methyl-3-butylpyridinium, 1-methyl-3-sulfopyridinium, 1-methyl-3-methoxysulfonyl Pyridinium, 1-methyl-3-aminopyridinium, 1-methyl-3-carboxypyridinium, 1-methyl-3-methoxycarbonylpyridinium, 1-methyl-3-phenylpyridinium, 1-methyl- 3-position substituted methylpyridinium such as 3-cyanopyridinium;

1-에틸-3-메틸피리디늄, 1-에틸-3-에틸피리디늄, 1-에틸-3-부틸피리디늄, 1-에틸-3-술포피리디늄, 1-에틸-3-메톡시술포닐피리디늄, 1-에틸-3-아미노피리디늄, 1-에틸-3-카르복시피리디늄, 1-에틸-3-메톡시카르보닐피리디늄, 1-에틸-3-페닐피리디늄, 1-에틸-3-시아노피리디늄 등의 3 위치 치환의 에틸피리디늄 ; 1-ethyl-3-methylpyridinium, 1-ethyl-3-ethylpyridinium, 1-ethyl-3-butylpyridinium, 1-ethyl-3-sulfopyridinium, 1-ethyl-3-methoxysulfonyl Pyridinium, 1-ethyl-3-aminopyridinium, 1-ethyl-3-carboxypyridinium, 1-ethyl-3-methoxycarbonylpyridinium, 1-ethyl-3-phenylpyridinium, 1-ethyl- Ethylpyridinium of 3-position substitution, such as 3-cyanopyridinium;

1-프로필-3-메틸피리디늄, 1-프로필-3-에틸피리디늄, 1-프로필-3-부틸피리디늄, 1-프로필-3-술포피리디늄, 1-프로필-3-메톡시술포닐피리디늄, 1-프로필-3-아미노피리디늄, 1-프로필-3-카르복시피리디늄, 1-프로필-3-메톡시카르보닐피리디늄, 1-프로필-3-페닐피리디늄, 1-프로필-3-시아노피리디늄 등의 3 위치 치환의 프로필피리디늄 ; 1-propyl-3-methylpyridinium, 1-propyl-3-ethylpyridinium, 1-propyl-3-butylpyridinium, 1-propyl-3-sulfopyridinium, 1-propyl-3-methoxysulfonyl Pyridinium, 1-propyl-3-aminopyridinium, 1-propyl-3-carboxypyridinium, 1-propyl-3-methoxycarbonylpyridinium, 1-propyl-3-phenylpyridinium, 1-propyl- 3-position substituted propylpyridinium such as 3-cyanopyridinium;

1-부틸-3-메틸피리디늄, 1-부틸-3-에틸피리디늄, 1-부틸-3-부틸피리디늄, 1-부틸-3-술포피리디늄, 1-부틸-3-메톡시술포닐피리디늄, 1-부틸-3-아미노피리디늄, 1-부틸-3-카르복시피리디늄, 1-부틸-3-메톡시카르보닐피리디늄, 1-부틸-3-페닐피리디늄, 1-부틸-3-시아노피리디늄 등의 3 위치 치환의 부틸피리디늄 ; 1-butyl-3-methylpyridinium, 1-butyl-3-ethylpyridinium, 1-butyl-3-butylpyridinium, 1-butyl-3-sulfopyridinium, 1-butyl-3-methoxysulfonyl Pyridinium, 1-butyl-3-aminopyridinium, 1-butyl-3-carboxypyridinium, 1-butyl-3-methoxycarbonylpyridinium, 1-butyl-3-phenylpyridinium, 1-butyl- 3-position substituted butylpyridinium such as 3-cyanopyridinium;

1-메틸-4-메틸피리디늄, 1-메틸-4-에틸피리디늄, 1-메틸-4-부틸피리디늄, 1-메틸-4-술포피리디늄, 1-메틸-4-메톡시술포닐피리디늄, 1-메틸-4-아미노피리디늄, 1-메틸-4-카르복시피리디늄, 1-메틸-4-메톡시카르보닐피리디늄, 1-메틸-4-페닐피리디늄, 1-메틸-4-시아노피리디늄 등의 4 위치 치환의 메틸피리디늄 ; 1-methyl-4-methylpyridinium, 1-methyl-4-ethylpyridinium, 1-methyl-4-butylpyridinium, 1-methyl-4-sulfopyridinium, 1-methyl-4-methoxysulfonyl Pyridinium, 1-methyl-4-aminopyridinium, 1-methyl-4-carboxypyridinium, 1-methyl-4-methoxycarbonylpyridinium, 1-methyl-4-phenylpyridinium, 1-methyl- 4-position substituted methylpyridinium such as 4-cyanopyridinium;

1-에틸-4-메틸피리디늄, 1-에틸-4-에틸피리디늄, 1-에틸-4-부틸피리디늄, 1-에틸-4-술포피리디늄, 1-에틸-4-메톡시술포닐피리디늄, 1-에틸-4-아미노피리디늄, 1-에틸-4-카르복시피리디늄, 1-에틸-4-메톡시카르보닐피리디늄, 1-에틸-4-페닐피리디늄, 1-에틸-4-시아노피리디늄 등의 4 위치 치환의 에틸피리디늄 ; 1-ethyl-4-methylpyridinium, 1-ethyl-4-ethylpyridinium, 1-ethyl-4-butylpyridinium, 1-ethyl-4-sulfopyridinium, 1-ethyl-4-methoxysulfonyl Pyridinium, 1-ethyl-4-aminopyridinium, 1-ethyl-4-carboxypyridinium, 1-ethyl-4-methoxycarbonylpyridinium, 1-ethyl-4-phenylpyridinium, 1-ethyl- Ethylpyridinium of 4-position substitution, such as 4-cyanopyridinium;

1-프로필-4-메틸피리디늄, 1-프로필-4-에틸피리디늄, 1-프로필-4-부틸피리디늄, 1-프로필-4-술포피리디늄, 1-프로필-4-메톡시술포닐피리디늄, 1-프로필-4-아미노피리디늄, 1-프로필-4-카르복시피리디늄, 1-프로필-4-메톡시카르보닐피리디늄, 1-프로필-4-페닐피리디늄, 1-프로필-4-시아노피리디늄 등의 4 위치 치환의 프로필피리디늄 ; 1-propyl-4-methylpyridinium, 1-propyl-4-ethylpyridinium, 1-propyl-4-butylpyridinium, 1-propyl-4-sulfopyridinium, 1-propyl-4-methoxysulfonyl Pyridinium, 1-propyl-4-aminopyridinium, 1-propyl-4-carboxypyridinium, 1-propyl-4-methoxycarbonylpyridinium, 1-propyl-4-phenylpyridinium, 1-propyl- 4-position substituted propylpyridinium such as 4-cyanopyridinium;

1-부틸-4-메틸피리디늄, 1-부틸-4-에틸피리디늄, 1-부틸-4-부틸피리디늄, 1-부틸-4-술포피리디늄, 1-부틸-4-메톡시술포닐피리디늄, 1-부틸-4-아미노피리디늄, 1-부틸-4-카르복시피리디늄, 1-부틸-4-메톡시카르보닐피리디늄, 1-부틸-4-페닐피리디늄, 1-부틸-4-시아노피리디늄 등의 4 위치 치환의 부틸피리디늄 ; 1-butyl-4-methylpyridinium, 1-butyl-4-ethylpyridinium, 1-butyl-4-butylpyridinium, 1-butyl-4-sulfopyridinium, 1-butyl-4-methoxysulfonyl Pyridinium, 1-butyl-4-aminopyridinium, 1-butyl-4-carboxypyridinium, 1-butyl-4-methoxycarbonylpyridinium, 1-butyl-4-phenylpyridinium, 1-butyl- 4-position substituted butylpyridinium such as 4-cyanopyridinium;

등을 들 수 있다.etc. can be mentioned.

이들 특정 피리디늄 화합물은, 상기한 본 발명의 효과를 발휘하기 쉽고, 또한, 양호한 팔라듐 도금 성능, 물에 대한 용해의 용이함, 입수하기 용이함, 저비용 등의 관점에서도 바람직하다.These specific pyridinium compounds are preferable also from the viewpoints of easy to exhibit the above-described effects of the present invention, good palladium plating performance, ease of dissolution in water, easy availability, and low cost.

그들 중에서도, 상기 점 등에서 특히 바람직한 구체예로는,Among them, specific examples particularly preferred in the above points and the like include:

1-메틸-2-메틸피리디늄, 1-메틸-2-에틸피리디늄, 1-메틸-2-부틸피리디늄, 1-메틸-2-술포피리디늄, 1-메틸-2-메톡시술포닐피리디늄, 1-메틸-2-아미노피리디늄, 1-메틸-2-카르복시피리디늄 등의 2 위치 치환의 메틸피리디늄 ; 1-methyl-2-methylpyridinium, 1-methyl-2-ethylpyridinium, 1-methyl-2-butylpyridinium, 1-methyl-2-sulfopyridinium, 1-methyl-2-methoxysulfonyl 2-position substituted methylpyridinium such as pyridinium, 1-methyl-2-aminopyridinium, and 1-methyl-2-carboxypyridinium;

1-에틸-2-메틸피리디늄, 1-에틸-2-에틸피리디늄, 1-에틸-2-부틸피리디늄, 1-에틸-2-술포피리디늄, 1-에틸-2-메톡시술포닐피리디늄, 1-에틸-2-아미노피리디늄, 1-에틸-2-카르복시피리디늄 등의 2 위치 치환의 에틸피리디늄 ; 1-ethyl-2-methylpyridinium, 1-ethyl-2-ethylpyridinium, 1-ethyl-2-butylpyridinium, 1-ethyl-2-sulfopyridinium, 1-ethyl-2-methoxysulfonyl 2-position substituted ethylpyridiniums such as pyridinium, 1-ethyl-2-aminopyridinium, and 1-ethyl-2-carboxypyridinium;

1-메틸-3-메틸피리디늄, 1-메틸-3-에틸피리디늄, 1-메틸-3-부틸피리디늄, 1-메틸-3-술포피리디늄, 1-메틸-3-메톡시술포닐피리디늄, 1-메틸-3-아미노피리디늄, 1-메틸-3-카르복시피리디늄 등의 3 위치 치환의 메틸피리디늄 ; 1-methyl-3-methylpyridinium, 1-methyl-3-ethylpyridinium, 1-methyl-3-butylpyridinium, 1-methyl-3-sulfopyridinium, 1-methyl-3-methoxysulfonyl 3-position substituted methylpyridinium such as pyridinium, 1-methyl-3-aminopyridinium, and 1-methyl-3-carboxypyridinium;

1-에틸-3-메틸피리디늄, 1-에틸-3-에틸피리디늄, 1-에틸-3-부틸피리디늄, 1-에틸-3-술포피리디늄, 1-에틸-3-메톡시술포닐피리디늄, 1-에틸-3-아미노피리디늄, 1-에틸-3-카르복시피리디늄 등의 3 위치 치환의 에틸피리디늄 ; 1-ethyl-3-methylpyridinium, 1-ethyl-3-ethylpyridinium, 1-ethyl-3-butylpyridinium, 1-ethyl-3-sulfopyridinium, 1-ethyl-3-methoxysulfonyl 3-position substituted ethylpyridinium such as pyridinium, 1-ethyl-3-aminopyridinium, and 1-ethyl-3-carboxypyridinium;

1-메틸-4-메틸피리디늄, 1-메틸-4-에틸피리디늄, 1-메틸-4-부틸피리디늄, 1-메틸-4-술포피리디늄, 1-메틸-4-메톡시술포닐피리디늄, 1-메틸-4-아미노피리디늄, 1-메틸-4-카르복시피리디늄 등의 4 위치 치환의 메틸피리디늄 ; 1-methyl-4-methylpyridinium, 1-methyl-4-ethylpyridinium, 1-methyl-4-butylpyridinium, 1-methyl-4-sulfopyridinium, 1-methyl-4-methoxysulfonyl 4-position substituted methylpyridinium such as pyridinium, 1-methyl-4-aminopyridinium, and 1-methyl-4-carboxypyridinium;

1-에틸-4-메틸피리디늄, 1-에틸-4-에틸피리디늄, 1-에틸-4-부틸피리디늄, 1-에틸-4-술포피리디늄, 1-에틸-4-메톡시술포닐피리디늄, 1-에틸-4-아미노피리디늄, 1-에틸-4-카르복시피리디늄 등의 4 위치 치환의 에틸피리디늄 ; 1-ethyl-4-methylpyridinium, 1-ethyl-4-ethylpyridinium, 1-ethyl-4-butylpyridinium, 1-ethyl-4-sulfopyridinium, 1-ethyl-4-methoxysulfonyl 4-position substituted ethylpyridinium such as pyridinium, 1-ethyl-4-aminopyridinium, and 1-ethyl-4-carboxypyridinium;

등을 들 수 있다.etc. can be mentioned.

이들 특정 피리디늄 화합물은, 상기한 본 발명의 효과를 보다 발휘하기 쉽고, 또한, 양호한 팔라듐 도금 성능, 물에 대한 용해의 용이함, 입수하기 용이함, 저비용 등의 관점에서 특히 바람직한 것으로서 들 수 있다.These specific pyridinium compounds are particularly preferable from the viewpoints of more easily exhibiting the effects of the present invention described above, and good palladium plating performance, ease of dissolution in water, easy availability, and low cost.

본 발명에 있어서, 특정 피리디늄 화합물의 함유량에 대해서는 특별히 한정되지는 않지만, 팔라듐 도금액 전체에 대해 질량으로, 바람직하게는 1 ppm ∼ 50000 ppm, 보다 바람직하게는 10 ppm ∼ 30000 ppm, 특히 바람직하게는 20 ppm ∼ 10000 ppm, 더욱 바람직하게는, 50 ppm ∼ 5000 ppm, 가장 바람직하게는 100 ppm ∼ 3000 ppm 이다. 또한, 상기 특정 피리디늄 화합물을 2 종 이상 함유할 때에는, 상기 수치는 그들의 합계 함유량을 나타낸다.In the present invention, the content of the specific pyridinium compound is not particularly limited, but is preferably 1 ppm to 50000 ppm, more preferably 10 ppm to 30000 ppm, particularly preferably by mass with respect to the entire palladium plating solution 20 ppm to 10000 ppm, more preferably 50 ppm to 5000 ppm, most preferably 100 ppm to 3000 ppm. In addition, when two or more types of said specific pyridinium compounds are contained, the said numerical value shows their total content.

팔라듐 도금액 중의 특정 피리디늄 화합물의 함유량이 지나치게 적으면, 상기한 본 발명의 효과를 발휘하기 어려워져, 팔라듐 피막에 생성되는 핀홀의 수 (밀도) 가 증가하거나 팔라듐 피막의 외관 불량을 일으키거나 하는 경우가 있다. 한편, 함유량이 지나치게 많으면 본 발명의 상기 효과의 추가적인 증가는 기대할 수 없이 비경제적으로 되는 경우가 있다.If the content of the specific pyridinium compound in the palladium plating solution is too small, it becomes difficult to exert the effect of the present invention described above, increasing the number (density) of pinholes formed in the palladium coating, or causing poor appearance of the palladium coating. there is On the other hand, if the content is too large, further increase in the above effects of the present invention may become uneconomical in some cases.

상기 특정 피리디늄 화합물에 대한 기재는, 본 발명의 팔라듐 도금액 중에 존재하는 형태를 특정하는 것이지만, 본 발명의 팔라듐 도금액의 조액시에 용해시키는 원료로서, 상기한 특정 피리디늄 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.Although the description of the specific pyridinium compound above specifies the form present in the palladium plating solution of the present invention, it is preferable to use the specific pyridinium compound described above as a raw material to be dissolved during preparation of the palladium plating solution of the present invention. .

<가용성 팔라듐염><Soluble palladium salt>

본 발명의 팔라듐 도금액은, 가용성 팔라듐염을 함유하는 것이 필수이다. 그 가용성 팔라듐염은, 본 발명의 팔라듐 도금액의 팔라듐원으로서 사용된다. 가용성 팔라듐염은 1 종의 사용으로 한정되지 않고, 2 종 이상을 병용할 수 있다. 「가용성」의 의미는, 물에 가용이라는 의미이다.It is essential that the palladium plating solution of the present invention contains a soluble palladium salt. The soluble palladium salt is used as a palladium source for the palladium plating solution of the present invention. A soluble palladium salt is not limited to 1 type of use, It can use 2 or more types together. The meaning of "soluble" is the meaning of being soluble in water.

그 가용성 팔라듐염으로는 특별히 한정되지는 않고 공지된 것을 사용할 수 있지만, 구체적으로는, 예를 들어, 염화팔라듐, 황산팔라듐, 아세트산팔라듐, 질산팔라듐, 산화팔라듐, 디클로로테트라암민팔라듐, 디니트로디암민팔라듐, 디클로로 디에틸렌디아민팔라듐, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 및/또는 비스(아세틸아세트나토)팔라듐이, 물에 대한 용해성, 입수하기 용이함 등에서 바람직한 것으로서 들 수 있다.The soluble palladium salt is not particularly limited, and a known one can be used. Specifically, for example, palladium chloride, palladium sulfate, palladium acetate, palladium nitrate, palladium oxide, dichlorotetraammine palladium, dinitrodiammine Palladium, dichlorodiethylenediaminepalladium, tetrakis(triphenylphosphine)palladium, dichlorobis(triphenylphosphine)palladium and/or bis(acetylacetonato)palladium are preferred in terms of solubility in water, availability and the like. can be heard

그 중에서도, 수용액으로 공급됨으로써, 팔라듐염 보충시에 수고스러움이 들지 않는다는 점 등에서, 디클로로테트라암민팔라듐 또는 디니트로디암민팔라듐이 보다 바람직하다. 또한, 동일한 관점에서, 디클로로테트라암민팔라듐이 특히 바람직하다.Among them, dichlorotetraammine palladium or dinitrodiammine palladium is more preferable in view of the fact that there is no need for labor when replenishing the palladium salt by being supplied as an aqueous solution. Also, from the same viewpoint, dichlorotetraammine palladium is particularly preferred.

본 발명의 팔라듐 도금액 중의 그 팔라듐염의 함유량은 특별히 한정되지는 않지만, 팔라듐 도금액 전체에 대해 금속 팔라듐으로서, 통상 0.001 g/ℓ ∼ 50 g/ℓ, 바람직하게는 0.005 g/ℓ ∼ 30 g/ℓ, 특히 바람직하게는 0.01 g/ℓ ∼ 20 g/ℓ 이다.The content of the palladium salt in the palladium plating solution of the present invention is not particularly limited, but is usually 0.001 g/L to 50 g/L, preferably 0.005 g/L to 30 g/L as metal palladium with respect to the entire palladium plating solution, Especially preferably, they are 0.01 g/L - 20 g/L.

팔라듐 도금액 중의 가용성 팔라듐염의 함유량이 지나치게 적으면, 정상적인 균일한 색조의 팔라듐 피막의 형성이 곤란해지는 경우가 있다. 즉, 팔라듐 피막의 색이나 스로잉 파워 (throwing power) 를 육안으로 관찰했을 때에 팔라듐의 석출 이상이 인정되는 경우가 있다.When content of the soluble palladium salt in a palladium plating solution is too small, formation of the palladium film of a normal uniform color tone may become difficult. That is, when the color and throwing power of the palladium film are observed with the naked eye, palladium precipitation abnormality may be observed.

한편, 팔라듐 도금액 중의 팔라듐염의 함유량이 지나치게 많은 경우에는, 팔라듐 도금액의 성능으로는 특별히 문제가 없지만, 팔라듐염은 매우 고가여서, 팔라듐 도금액 중에 함유한 상태로 보존하는 것은 비경제적으로 되는 경우가 있다.On the other hand, when the content of the palladium salt in the palladium plating solution is too large, there is no particular problem with the performance of the palladium plating solution, but the palladium salt is very expensive, and it is uneconomical to store it in a state contained in the palladium plating solution.

상기한 팔라듐염에 대한 기재는, 본 발명의 팔라듐 도금액 중에 존재하는 형태를 특정하는 것이지만, 본 발명의 팔라듐 도금액의 조액시에 용해시키는 원료로서, 상기한 팔라듐염을 사용하는 것이 바람직하다.The description of the palladium salt described above specifies the form present in the palladium plating solution of the present invention, but it is preferable to use the palladium salt described above as a raw material to be dissolved in the preparation of the palladium plating solution of the present invention.

<환원제><Reducing agent>

본 발명의 팔라듐 도금액은 가용성 팔라듐염, 특정 피리디늄 화합물에 추가하여, 또한 환원제가 함유되어 있는 것이 바람직하다. 그 환원제로는, 하이포아인산, 하이포아인산염, 아인산, 아인산염, 포름산, 포름산염, 포름알데히드 등이 특히 바람직하다.The palladium plating solution of the present invention preferably contains a reducing agent in addition to a soluble palladium salt and a specific pyridinium compound. As the reducing agent, hypophosphorous acid, hypophosphite, phosphorous acid, phosphite, formic acid, formate, formaldehyde and the like are particularly preferred.

상기 환원제는 1 종의 사용으로 한정되지 않고, 2 종 이상을 병용할 수 있다.The said reducing agent is not limited to use of 1 type, Two or more types can be used together.

상기 환원제로는, 구체적으로는 예를 들어, 하이포아인산, 하이포아인산나트륨, 하이포아인산칼륨, 하이포아인산암모늄, 아인산, 아인산나트륨, 아인산칼륨, 아인산암모늄, 포름산, 포름산나트륨, 포름산칼륨, 포름산암모늄, 포름알데히드 등이, 양호한 팔라듐 도금 성능, 물에 대한 용해의 용이함, 약품으로서 취급하기 용이함, 입수하기 용이함, 저비용 등의 관점에서 바람직한 것으로서 들 수 있다.Specifically, as the reducing agent, for example, hypophosphorous acid, sodium hypophosphite, potassium hypophosphite, ammonium hypophosphite, phosphorous acid, sodium phosphite, potassium phosphite, ammonium phosphite, formic acid, sodium formate, potassium formate, ammonium formate, formate Aldehydes and the like are preferable from the viewpoints of good palladium plating performance, ease of dissolution in water, ease of handling as a chemical, easy availability, and low cost.

본 발명의 팔라듐 도금액 중의 상기 환원제의 함유량에 대해서는 특별히 한정되지는 않지만, 팔라듐 도금액 전체에 대해 바람직하게는 1 ppm ∼ 100000 ppm, 보다 바람직하게는 10 ppm ∼ 60000 ppm, 특히 바람직하게는 50 ppm ∼ 30000 ppm, 더욱 바람직하게는 100 ppm ∼ 10000 ppm 이다. 또한, 환원제를 2 종 이상 사용할 때에는, 상기 수치는 그들의 합계 함유량을 나타낸다.The content of the reducing agent in the palladium plating solution of the present invention is not particularly limited, but is preferably 1 ppm to 100,000 ppm, more preferably 10 ppm to 60,000 ppm, and particularly preferably 50 ppm to 30,000 ppm with respect to the entire palladium plating solution. ppm, more preferably 100 ppm to 10000 ppm. In addition, when using 2 or more types of reducing agents, the said numerical value shows their total content.

함유량이 지나치게 적으면, 정상적인 균일한 색조의 팔라듐 피막의 형성이 곤란해지는 경우가 있다. 즉, 팔라듐 피막의 색이나 스로잉 파워를 육안으로 관찰했을 때에 팔라듐의 석출 이상이 인정되는 경우가 있다. 한편, 함유량이 너무 많으면, 팔라듐 도금욕이 불안정해지고, 보존 용기 중에 고가의 팔라듐이 이상 석출되어, 팔라듐 회수에 불필요한 비용이 필요하게 되거나, 팔라듐 피막의 색조 불량을 일으키거나 하는 경우가 있다.When content is too small, formation of the palladium film of a normal uniform color tone may become difficult. In other words, when the color and throwing power of the palladium film are visually observed, palladium precipitation abnormality may be observed. On the other hand, if the content is too large, the palladium plating bath becomes unstable, expensive palladium is abnormally deposited in the storage container, and unnecessary costs are required for palladium recovery, or the color tone of the palladium film may be poor.

<그 밖의 첨가제><Other additives>

본 발명의 팔라듐 도금액에는 상기 성분 이외에 필요에 따라서, 팔라듐 도금액의 pH 를 일정하게 유지하기 위한 완충제, 팔라듐 도금액의 도전성을 확보하기 위한 전도염, 팔라듐 도금액 중에 불순물 금속이 혼입한 경우에 그 영향을 제거하기 위한 금속 이온 봉쇄제, 팔라듐 도금액의 기포 소멸을 양호하게 하기 위한 계면활성제, 팔라듐 피막을 평활하게 하기 위한 광택제 등을 적절히 함유시켜 사용할 수 있다.In the palladium plating solution of the present invention, in addition to the above components, if necessary, a buffer to keep the pH of the palladium plating solution constant, a conductive salt to ensure the conductivity of the palladium plating solution, and an impurity metal in the palladium plating solution to remove the effect when they are mixed. A metal ion sequestering agent for the above, a surfactant for improving the disappearance of bubbles in the palladium plating solution, a brightening agent for smoothing the palladium film, and the like can be appropriately contained and used.

본 발명의 팔라듐 도금액에 필요에 따라서 함유되는 완충제로는, 주지된 완충제이면 특별히 한정되지는 않지만, 바람직한 것으로서 붕산, 인산 등의 무기산 ; 시트르산, 타르타르산, 말산 등의 옥시카르복실산 ; 등을 들 수 있다. 이들은, 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The buffering agent contained as necessary in the palladium plating solution of the present invention is not particularly limited as long as it is a well-known buffering agent, but inorganic acids such as boric acid and phosphoric acid are preferable; Oxycarboxylic acids, such as citric acid, tartaric acid, and malic acid; etc. can be mentioned. These can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.

본 발명의 팔라듐 도금액 중의 완충제의 함유량은 특별히 한정되지는 않지만, 팔라듐 도금액 전체에 대해 통상 1 g/ℓ ∼ 500 g/ℓ, 바람직하게는 10 g/ℓ ∼ 100 g/ℓ 이다.The content of the buffering agent in the palladium plating solution of the present invention is not particularly limited, but is usually 1 g/L to 500 g/L, preferably 10 g/L to 100 g/L with respect to the entire palladium plating solution.

팔라듐 도금액 중의 완충제의 함유량이 지나치게 적으면, 완충 효과가 발휘되기 어려운 경우가 있고, 한편 지나치게 많은 경우에는, 완충 효과의 상승이 보이지 않고 비경제적인 경우가 있다.When the content of the buffering agent in the palladium plating solution is too small, the buffering effect may not be exhibited in some cases. On the other hand, when the content of the buffering agent in the palladium plating solution is too large, the increase in the buffering effect is not observed and may be uneconomical.

본 발명의 팔라듐 도금액에 필요에 따라서 함유되는 전도염으로는, 주지된 전도염이면 특별히 한정되지는 않지만, 바람직한 것으로서 황산염, 질산염, 인산염 등의 무기산염 ; 옥살산, 숙신산, 글루타르산, 말론산, 시트르산, 타르타르산, 말산 등의 카르복실산 ; 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The conductive salt contained as necessary in the palladium plating solution of the present invention is not particularly limited as long as it is a well-known conductive salt, but inorganic acid salts such as sulfates, nitrates, and phosphates are preferable; carboxylic acids such as oxalic acid, succinic acid, glutaric acid, malonic acid, citric acid, tartaric acid, and malic acid; etc. can be mentioned. These can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.

본 발명의 팔라듐 도금액 중의 전도염의 함유량은 특별히 한정되지는 않지만, 팔라듐 도금액 전체에 대해 통상 1 g/ℓ ∼ 500 g/ℓ, 바람직하게는 10 g/ℓ ∼ 100 g/ℓ 이다.The content of the conductive salt in the palladium plating solution of the present invention is not particularly limited, but is usually 1 g/L to 500 g/L, preferably 10 g/L to 100 g/L, based on the entire palladium plating solution.

팔라듐 도금액 중의 전도염의 함유량이 지나치게 적으면, 전도 효과가 발휘되기 어려운 경우가 있고, 한편, 지나치게 많은 경우에는, 전도 효과의 상승이 보이지 않고 비경제적인 경우가 있다.If the content of the conductive salt in the palladium plating solution is too small, the conductive effect may not be exhibited in some cases. On the other hand, if the content of the conductive salt in the palladium plating solution is too large, the increase in the conductive effect may not be observed and may be uneconomical.

또, 상기 완충제와 동일한 성분으로 공용할 수도 있다.In addition, the same components as the buffering agent may be used in common.

본 발명의 팔라듐 도금액에 필요에 따라서 함유되는 금속 이온 봉쇄제로는, 주지된 금속 이온 봉쇄제이면 특별히 한정되지는 않지만, 바람직한 것으로서, 이미노디아세트산, 니트릴로트리아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산 등의 아미노카르복실산계 킬레이트제 ; 하이드록시에틸리덴디포스폰산, 니트릴로메틸렌포스폰산, 에틸렌디아민테트라메틸렌포스폰산 등의 포스폰산계 킬레이트제 ; 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The metal ion sequestering agent contained as necessary in the palladium plating solution of the present invention is not particularly limited as long as it is a well-known metal ion sequestering agent, but preferred examples include aminocarboxyls such as iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, and ethylenediaminetetraacetic acid. acidic chelating agents; phosphonic acid-based chelating agents such as hydroxyethylidenediphosphonic acid, nitrilomethylenephosphonic acid, and ethylenediamine tetramethylenephosphonic acid; etc. can be mentioned. These can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.

본 발명의 팔라듐 도금액 중의 금속 이온 봉쇄제의 함유량은 특별히 한정되지는 않지만, 팔라듐 도금액 전체에 대해 통상 0.1 g/ℓ ∼ 100 g/ℓ, 바람직하게는 0.5 g/ℓ ∼ 50 g/ℓ 이다.The content of the metal ion sequestering agent in the palladium plating solution of the present invention is not particularly limited, but is usually 0.1 g/L to 100 g/L, preferably 0.5 g/L to 50 g/L, based on the entire palladium plating solution.

팔라듐 도금액 중의 금속 이온 봉쇄제의 함유량이 지나치게 적으면, 불순물 금속의 영향을 제거하는 효과가 발휘되기 어려운 경우가 있고, 한편, 지나치게 많은 경우에는 불순물 금속의 영향을 제거하는 효과의 상승이 보이지 않고 비경제적인 경우가 있다.When the content of the metal ion sequestering agent in the palladium plating solution is too small, the effect of removing the influence of the impurity metal may not be exhibited in some cases. There are negative cases.

본 발명의 팔라듐 도금액에 필요에 따라서 함유되는 계면활성제로는, 주지된 계면활성제이면 특별히 한정되지 않고, 논이온계 계면활성제, 아니온계 계면활성제, 양쪽성 계면활성제 또는 카티온계 계면활성제가 사용된다. 이들은 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The surfactant contained as necessary in the palladium plating solution of the present invention is not particularly limited as long as it is a known surfactant, and a nonionic surfactant, anionic surfactant, amphoteric surfactant or cationic surfactant is used. These can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.

논이온계 계면활성제로는, 바람직한 것으로서, 노니페놀폴리알콕실레이트, α-나프톨폴리알콕실레이트, 디부틸-β-나프톨폴리알콕실레이트, 스티렌화 페놀폴리알콕실레이트 등의 에테르형 논이온계 계면활성제 ; 옥틸아민폴리알콕실레이트, 헥시닐아민폴리알콕실레이트, 리놀레일아민폴리알콕실레이트 등의 아민형 논이온계 계면활성제 ; 등을 들 수 있다.As the nonionic surfactant, preferred are ether type nonionics such as noniphenol polyalkoxylate, α-naphthol polyalkoxylate, dibutyl-β-naphthol polyalkoxylate, and styrenated phenol polyalkoxylate. system surfactant; amine type nonionic surfactants such as octylamine polyalkoxylate, hexynylamine polyalkoxylate, and linoleylamine polyalkoxylate; etc. can be mentioned.

아니온계 계면활성제로는, 바람직한 것으로, 라우릴황산나트륨 등의 알킬황산염 ; 폴리옥시에틸렌노닐에테르황산나트륨 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산염 ; 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르황산염 ; 알킬벤젠술폰산염 등을 들 수 있다.Preferable examples of the anionic surfactant include alkyl sulfates such as sodium lauryl sulfate; polyoxyethylene alkyl ether sulfates such as sodium polyoxyethylene nonyl ether sulfate; polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfate; Alkylbenzene sulfonic acid salt etc. are mentioned.

양쪽성 계면활성제로는, 바람직한 것으로, 2-운데실-1-카르복시메틸-1-하이드록시에틸이미다졸륨, N-스테아릴-N,N-디메틸-N-카르복시메틸베타인, 라우릴디메틸아민옥사이드 등을 들 수 있다.As the amphoteric surfactant, preferably, 2-undecyl-1-carboxymethyl-1-hydroxyethylimidazolium, N-stearyl-N,N-dimethyl-N-carboxymethyl betaine, lauryldimethyl An amine oxide etc. are mentioned.

카티온계 계면활성제로는, 바람직한 것으로서, 라우릴트리메틸암모늄염, 라우릴디메틸암모늄베타인, 라우릴피리디늄염, 올레일이미다졸륨염 또는 스테아릴아민아세테이트 등을 들 수 있다.Preferred cationic surfactants include lauryltrimethylammonium salt, lauryldimethylammonium betaine, laurylpyridinium salt, oleylimidazolium salt, and stearylamine acetate.

이들 계면활성제는 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 논이온계 계면활성제 또는 양쪽성 계면활성제이다.These surfactants can be used alone or in combination of two or more. Preferably, it is a nonionic surfactant or an amphoteric surfactant.

본 발명의 팔라듐 도금액 중의 계면활성제의 함유량은, 팔라듐 도금액 전체에 대해 바람직하게는 0.01 g/ℓ ∼ 20 g/ℓ 이지만, 원하는 성능을 발휘하면 되고, 특별히 함유량을 한정하는 것은 아니다.The content of the surfactant in the palladium plating solution of the present invention is preferably 0.01 g/L to 20 g/L with respect to the entire palladium plating solution, but the desired performance may be exhibited, and the content is not particularly limited.

본 발명의 팔라듐 도금액에 필요에 따라서 함유되는 광택제로는, 주지된 광택제이면 특별히 한정되지는 않지만, 팔라듐 도금 중에서 본 발명에 있어서의 특정 피리디늄 화합물이 될 수 없는 「피리딘 골격을 갖는 아민 화합물」등을 들 수 있다. 이들은 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The brightening agent contained as necessary in the palladium plating solution of the present invention is not particularly limited as long as it is a well-known brightening agent, but "amine compounds having a pyridine skeleton" that cannot become the specific pyridinium compound in the present invention among palladium plating. can be heard These can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.

피리딘 골격을 갖는 아민 화합물로는, 2-아미노피리딘, 3-아미노피리딘, 4-아미노피리딘 등을 들 수 있다.Examples of the amine compound having a pyridine skeleton include 2-aminopyridine, 3-aminopyridine and 4-aminopyridine.

본 발명의 팔라듐 도금액 중의 광택제의 함유량은, 팔라듐 도금액 전체에 대해 바람직하게는 0.01 g/ℓ ∼ 20 g/ℓ 이지만, 원하는 성능을 발휘하면 되고, 특별히 함유량을 한정하는 것은 아니다.The content of the brightener in the palladium plating solution of the present invention is preferably 0.01 g/L to 20 g/L with respect to the entire palladium plating solution, but the desired performance may be exhibited, and the content is not particularly limited.

<팔라듐 도금액의 물성><Physical properties of palladium plating solution>

본 발명의 팔라듐 도금액은, 팔라듐 도금액의 물성으로서, 팔라듐 도금액을 사용하여, 팔라듐 피막의 막두께가 0.03 ㎛ 가 되도록 도금 처리한 기재를, 5 질량% 황산 수용액에 침지하고, 일정 전압 300 mV 로 핀홀 시험을 한 경우에, 시험 개시로부터 시험 개시 후 5 분까지의 모든 사이에, 통전 전류가 100 ㎂ 이하인 피막 물성을 제공하는 팔라듐 도금액이다.The palladium plating solution of the present invention uses a palladium plating solution as a physical property of the palladium plating solution. A base material plated so that the film thickness of the palladium film is 0.03 μm is immersed in a 5% by mass sulfuric acid aqueous solution, and a pinhole is applied at a constant voltage of 300 mV. In the case of testing, it is a palladium plating solution that provides film properties such that the conduction current is 100 μA or less between the start of the test and all of 5 minutes after the start of the test.

이러한 물성을 갖는 팔라듐 도금액은, 상기한 조성의 팔라듐 도금액으로 처음으로 실현된 신규 팔라듐 도금액이다.A palladium plating solution having such physical properties is a new palladium plating solution first realized as a palladium plating solution having the above composition.

본 발명의 팔라듐 도금액은, 팔라듐 도금액의 물성으로서, 구리판 상에, 무전해 니켈 도금 피막 5 ㎛, 팔라듐 피막 막두께를 0.03 ㎛ 가 되도록 도금 처리한 구리판 기재를, 5 질량% 황산 용액에 침지하고, 전압 300 mV 로 핀홀 시험을 한 경우에 시험 개시로부터 5 분까지의 사이에, 전류가 100 ㎂ 보다 많이 흐르지 않는 물성을 갖는 것임이 바람직하다.In the palladium plating solution of the present invention, as physical properties of the palladium plating solution, a copper plate base material plated on a copper plate so that the electroless nickel plating film is 5 µm and the palladium film thickness is 0.03 µm, immersed in a 5% by mass sulfuric acid solution, When a pinhole test is performed at a voltage of 300 mV, it is preferable that the current does not flow more than 100 μA between the start of the test and 5 minutes.

본 발명의 「핀홀 시험」이란, 통상적인 방법에 의해, 무전해 니켈 도금 처리, 그 후, 팔라듐 도금 처리된 구리판재를, 구경 10㎜ 의 원형상으로 구리를 제거하여 개구시켜 양극으로 하고, 구리재를 음극으로 하여 5 질량% 황산 용액에 침지하고 300 mV 의 전압을 계속 가하여, 통전되는 전류치를 관찰하는 시험을 말한다.The "pinhole test" of the present invention is a copper plate material subjected to electroless nickel plating and then palladium plating by a conventional method by removing copper in a circular shape with a diameter of 10 mm to open an anode, and It refers to a test in which a material is used as a cathode and immersed in a 5% by mass sulfuric acid solution, and a voltage of 300 mV is continuously applied to observe the current value passed.

팔라듐 피막에 핀홀 등의 불량부가 생성되어 있으면, 양극인 팔라듐 피막의 핀홀로부터 니켈 이온이나 구리 이온이 용해되어, 흐르는 전류치가 큰 값을 나타낸다. 또, 팔라듐 피막에 핀홀 등의 불량부가 생성되어 있지 않은 평가용 샘플에 비하면 비교적 빨리 전류가 흐르기 시작한다.If a defective part such as a pinhole is formed in the palladium film, nickel ions or copper ions are dissolved from the pinhole in the palladium film, which is the anode, and the flowing current value shows a large value. Moreover, compared with the sample for evaluation in which a defective part, such as a pinhole, was not produced|generated in the palladium film|membrane, a current started to flow relatively quickly.

상기 물성의 한정은 팔라듐 도금액의 물성을 한정하는 것으로, 이러한 팔라듐 도금액의 사용 방법을 한정하는 것은 아니다. 이러한 팔라듐 도금액으로 실제 형성되는 팔라듐 피막은 0.03 ㎛ 일 필요는 없으며, 본 발명의 팔라듐 도금액을 사용하여, 예를 들어 막두께 0.03 ㎛ 미만인 팔라듐 피막을 형성해도 되고, 막두께 0.03 ㎛ 보다 두꺼운 팔라듐 피막을 형성해도 된다.The limitation of the physical properties is to limit the physical properties of the palladium plating solution, but does not limit the method of using the palladium plating solution. The palladium film actually formed with this palladium plating solution does not have to be 0.03 μm. Using the palladium plating solution of the present invention, for example, a palladium film having a film thickness of less than 0.03 μm may be formed, or a palladium film thicker than 0.03 μm may be formed. can form

본 발명의 핀홀 시험을 실시한 경우에, 팔라듐 도금 막두께가 0.05 ㎛ 이하인 팔라듐 막두께에서는 (따라서 0.03 ㎛ 이하인 팔라듐 막두께에서는), 시험 개시로부터 「시험 개시 후 5 분」까지의 사이에, 전류가 100 ㎂ 보다 많이 흐르지 않는 물성을 갖는 팔라듐 도금액은 종래에는 존재하지 않았다.In the case of carrying out the pinhole test of the present invention, in the palladium film thickness of 0.05 μm or less (therefore, in the palladium film thickness of 0.03 μm or less), from the start of the test to “5 minutes after the start of the test”, the current A palladium plating solution having a physical property of not flowing more than 100 μA has not existed in the past.

<팔라듐 도금액의 제조 방법><Method for producing palladium plating solution>

본 발명의 팔라듐 도금액의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 각 성분의 배합 순서 등을 포함하여 공지된 방법이 사용된다.The manufacturing method of the palladium plating solution of this invention is not specifically limited, A well-known method including the mixing|blending order of each component etc. is used.

<팔라듐 피막><Palladium coating>

본 발명의 팔라듐 도금액을 사용하여 팔라듐 도금을 실시함으로써 얻어진 팔라듐 피막은, 상기한 효과를 발휘한다.The palladium film obtained by performing palladium plating using the palladium plating solution of the present invention exhibits the above effect.

본 발명의 팔라듐 피막 중의 팔라듐의 농도 (팔라듐 순도) 는 특별히 한정되지는 않지만, 「팔라듐 피막」전체에 대해 팔라듐이 90 질량% 이상인 것이 바람직하고, 95.0 질량% ∼ 99.9 질량% 가 특히 바람직하다.The palladium concentration (palladium purity) in the palladium coating of the present invention is not particularly limited, but is preferably 90% by mass or more, and particularly preferably 95.0% by mass to 99.9% by mass with respect to the entire “palladium coating”.

<팔라듐 도금의 조건><Conditions of palladium plating>

상기한 본 발명의 팔라듐 도금액의 도금 조건은 특별히 한정되지는 않지만, 온도 조건으로는 20 ℃ ∼ 90 ℃ 인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 30 ℃ ∼ 70 ℃ 이다. 또, 도금액의 pH 는 pH 2.0 ∼ 9.0 인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는, pH 3.0 ∼ 8.0 이다.Plating conditions of the palladium plating solution of the present invention described above are not particularly limited, but the temperature condition is preferably from 20°C to 90°C, particularly preferably from 30°C to 70°C. In addition, the pH of the plating solution is preferably from pH 2.0 to 9.0, and particularly preferably from pH 3.0 to 8.0.

본 발명의 팔라듐 도금액을 사용하여 팔라듐 도금을 실시함으로써 얻어지는 팔라듐 피막의 막두께에 특별히 한정은 없지만, 바람직하게는 0.0001 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 0.001 ㎛ ∼ 1 ㎛, 특히 바람직하게는 0.005 ㎛ ∼ 0.5 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.01 ㎛ ∼ 0.3 ㎛ 이다.The film thickness of the palladium film obtained by performing palladium plating using the palladium plating solution of the present invention is not particularly limited, but is preferably 0.0001 μm to 5 μm, more preferably 0.001 μm to 1 μm, and particularly preferably 0.005 μm. to 0.5 μm, more preferably 0.01 μm to 0.3 μm.

종래의 팔라듐 도금액을 사용하여 제작한 팔라듐 도금 피막의 막두께는, 용도에 따라 다르기도 하지만, 커넥터인 경우에는, 통상은 0.01 ㎛ ∼ 0.5 ㎛ 였다. 본 발명의 팔라듐 도금액을 사용하여 제작한 팔라듐 도금 피막은, 막두께를 종래의 30 % ∼ 60 % 의 범위로 감소시켰을 때에도, 거의 동등한 핀홀 시험이나 내열성의 결과가 얻어진다.Although the film thickness of the palladium plating film produced using the conventional palladium plating solution differs depending on a use, in the case of a connector, it was normally 0.01 micrometer - 0.5 micrometer. The palladium-plated film produced using the palladium plating solution of the present invention gives substantially equivalent pinhole test and heat resistance results even when the film thickness is reduced to the conventional range of 30% to 60%.

본 발명의 팔라듐 도금액을 사용하여, 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금의 피막 상에 팔라듐 도금을 실시함으로써 얻어진 팔라듐 피막은, 상기한 효과를 발휘하기 때문에 바람직하다. 그 중에서도, 니켈 또는 니켈 합금의 피막 상이, 내열성, 팔라듐 도금에 혼입하여 악영향을 미칠 가능성이 없는 등의 점에서 보다 바람직하고, 니켈 피막 상이 특히 바람직하다.A palladium film obtained by performing palladium plating on a film of nickel, nickel alloy, copper or copper alloy using the palladium plating solution of the present invention exhibits the above-mentioned effects, and is therefore preferable. Among them, a coating phase of nickel or a nickel alloy is more preferable in terms of heat resistance and there is no possibility of mixing in palladium plating to adversely affect the coating, etc., and a nickel coating phase is particularly preferred.

<팔라듐 도금액의 용도와 적층된 전체 도금 피막><Usage of palladium plating solution and all laminated plating films>

본 발명의 팔라듐 도금액은 특별히 한정되지는 않지만, 전자 부품의 접점 부재의 제조에 사용되는 경우가 더욱 바람직하다.Although the palladium plating solution of this invention is not specifically limited, The case where it is used for manufacture of the contact member of an electronic component is more preferable.

따라서, 본 발명의 팔라듐 도금액을 사용하여 팔라듐 도금을 실시할 때에는, 하지 도금 처리로서 니켈 도금 피막을 형성시켜 두는 것이 더욱 바람직하다.Therefore, when palladium plating is performed using the palladium plating solution of the present invention, it is more preferable to form a nickel plating film as a base plating treatment.

이 때의 니켈 도금액은 특별히 한정되지는 않지만, 일반적으로 실용되고 있는 무전해 니켈액이 바람직하고, 무전해 니켈-인액이 특히 바람직하다. 니켈 도금액의 사용 방법은 특별히 한정되지는 않고 통상적인 방법에 따라서 사용한다.The nickel plating solution at this time is not particularly limited, but a generally practical electroless nickel solution is preferable, and an electroless nickel-phosphorus solution is particularly preferable. The method of using the nickel plating solution is not particularly limited and is used according to a conventional method.

그 니켈 도금 피막의 막두께는 특별히 한정되지는 않지만, 0.01 ㎛ ∼ 20 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.05 ㎛ ∼ 5 ㎛ 가 특히 바람직하다.The film thickness of the nickel plating film is not particularly limited, but is preferably 0.01 μm to 20 μm, particularly preferably 0.05 μm to 5 μm.

본 발명의 팔라듐 도금액은, 팔라듐 피막 위에 금도금을 실시하여 금 피막을 형성시키기 위한, 하지의 팔라듐 피막 형성용으로 사용하는 것이 바람직하다.The palladium plating solution of the present invention is preferably used for forming a palladium film as a base for forming a gold film by performing gold plating on a palladium film.

그 금도금 피막의 막두께는 특별히 한정되지는 않지만, 0.0001 ㎛ ∼ 5 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.001 ㎛ ∼ 1 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.01 ㎛ ∼ 0.5 ㎛ 가 특히 바람직하다.The film thickness of the gold plating film is not particularly limited, but is preferably 0.0001 μm to 5 μm, more preferably 0.001 μm to 1 μm, and particularly preferably 0.01 μm to 0.5 μm.

본 발명의 바람직한 피막의 양태는 팔라듐 피막 위에 금 피막이 형성된 양태이고, 특히 바람직한 양태는, 니켈 피막 위에 팔라듐 피막이 형성되고, 그 위에 금 피막이 형성된 양태이다.A preferred embodiment of the coating of the present invention is an embodiment in which a gold coating is formed on a palladium coating, and a particularly preferred embodiment is an embodiment in which a palladium coating is formed on a nickel coating and a gold coating is formed thereon.

종래의 팔라듐 도금액을 사용하여 제작한 팔라듐 도금 피막 위에 형성시키는 금 피막의 막두께는, 용도에 따라서도 다르지만, 커넥터인 경우에는, 통상은 0.05 ㎛ ∼ 0.2 ㎛ 였다. 본 발명의 팔라듐 도금액을 사용하여 제작한 팔라듐 도금 피막 위에 형성시키는 금 피막의 막두께는, 막두께를 종래의 20 % ∼ 60 % 의 범위로 감소시켰을 때에도, 거의 동등한 핀홀 시험이나 내열성의 결과가 얻어진다.The film thickness of the gold coating film formed on the palladium plating film produced using a conventional palladium plating solution varies depending on the application, but in the case of a connector, it was usually 0.05 μm to 0.2 μm. Even when the film thickness of the gold film formed on the palladium-plated film produced using the palladium plating solution of the present invention was reduced to the conventional range of 20% to 60%, almost equivalent pinhole test and heat resistance results were obtained. lose

본 발명의 상기 팔라듐 도금액은, 무전해 팔라듐 도금액으로도, 전해 팔라듐 도금액으로도 사용된다. 즉, 본 발명은, 상기 팔라듐 도금액으로 이루어지는 무전해 팔라듐 도금액이고, 상기 팔라듐 도금액으로 이루어지는 전해 팔라듐 도금액이기도 하다.The palladium plating solution of the present invention is used as either an electroless palladium plating solution or an electrolytic palladium plating solution. That is, the present invention is an electroless palladium plating solution composed of the palladium plating solution, and is also an electrolytic palladium plating solution composed of the palladium plating solution.

상기한 「특정 피리디늄 화합물」은, 무전해 팔라듐 도금액 중에 함유되어도, 또한 전해 팔라듐 도금액 중에 함유되어도 상기한 효과를 발휘한다.Even if the "specific pyridinium compound" described above is contained in an electroless palladium plating solution or an electrolytic palladium plating solution, the above effect is exhibited.

상기한, 가용성 팔라듐염, 특정 피리디늄 화합물, 완충제, 전도염, 금속 이온 봉쇄제, 계면활성제, 환원제 및 광택제 가운데, 무전해 팔라듐 도금액은, 가용성 팔라듐염, 특정 피리디늄 화합물 및 환원제를 필수 성분으로 하고, 완충제, 금속 이온 봉쇄제, 계면활성제 및/또는 광택제를 함유 적합 성분으로 한다.Among the above-described soluble palladium salts, specific pyridinium compounds, buffers, conductive salts, metal ion sequestering agents, surfactants, reducing agents and brighteners, the electroless palladium plating solution contains soluble palladium salts, specific pyridinium compounds and reducing agents as essential components. and a buffer, a metal ion sequestering agent, a surfactant and/or a brightening agent as suitable components.

또, 전해 팔라듐 도금액은, 가용성 팔라듐염, 특정 피리디늄 화합물 및 전도염을 필수 성분으로 하고, 완충제, 금속 이온 봉쇄제, 계면활성제 및/또는 광택제를 함유 적합 성분으로 한다.In addition, the electrolytic palladium plating solution contains a soluble palladium salt, a specific pyridinium compound and a conductive salt as essential components, and contains a buffer, a metal ion sequestering agent, a surfactant and/or a brightening agent as suitable components.

무전해 팔라듐 도금액, 전해 팔라듐 도금액 모두, 각각의 성분의 함유량은 상기한 범위가 바람직하다 (보다 바람직하다, 특히 바람직하다).The content of each component in both the electroless palladium plating solution and the electrolytic palladium plating solution is preferably within the above range (more preferably, particularly preferably).

무전해 팔라듐 도금의 경우에는 통상적인 방법에 따라 실시하면 되고 특별히 한정되지는 않지만, 액온 30 ℃ ∼ 90 ℃ 가 바람직하고, 40 ℃ ∼ 80 ℃ 가 특히 바람직하다. 또한, 시간은, 상기 팔라듐 막두께가 되도록 적절히 조정한다.In the case of electroless palladium plating, it may be carried out according to a conventional method and is not particularly limited, but the solution temperature is preferably 30°C to 90°C, and particularly preferably 40°C to 80°C. In addition, time is suitably adjusted so that it may become the said palladium film thickness.

전해 팔라듐 도금의 경우에는 통상적인 방법에 따라서 실시하면 되고 특별히 한정되지는 않지만, 액온 30 ℃ ∼ 90 ℃ 가 바람직하고, 40 ℃ ∼ 80 ℃ 가 특히 바람직하다. 또, 전류 밀도 0.1 A/dm2 ∼ 100 A/dm2 가 바람직하고, 0.5 A/dm2 ∼ 50 A/dm2 가 특히 바람직하다. 또, 시간은, 상기 팔라듐 막두께가 되도록 적절히 조정한다.In the case of electrolytic palladium plating, what is necessary is just to carry out according to a conventional method, and although it is not specifically limited, 30 degreeC - 90 degreeC of solution temperature is preferable, and 40 degreeC - 80 degreeC is especially preferable. Moreover, a current density of 0.1 A/dm 2 to 100 A/dm 2 is preferable, and 0.5 A/dm 2 to 50 A/dm 2 is particularly preferable. Moreover, time is suitably adjusted so that it may become the said palladium film thickness.

<작용·원리><Action/principle>

본 발명의 팔라듐 도금액이, 현저하게 핀홀 등의 불량 부분이 적은 팔라듐 피막을 형성할 수 있는 작용·원리는 분명하지 않지만, 다음의 것을 생각할 수 있다. 단 본 발명은, 이하의 작용·원리가 성립되는 범위로 한정되는 것은 아니다.The action and principle by which the palladium plating solution of the present invention can form a palladium coating film with significantly less defective parts such as pinholes is not clear, but the following can be considered. However, the present invention is not limited to the range in which the following actions and principles are established.

본 발명의 팔라듐 도금액의 필수 성분인 특정 피리디늄 화합물은, 일종의 결정 조정제로서의 효과를 갖는 것으로 생각된다. 도금 반응으로 팔라듐 피막이 형성되려고 할 때에는, 아무것도 제어되지 않고 팔라듐 피막이 성장하면 매우 거친 피막이 성장하는 것으로 생각된다. 거친 피막이란, 요철이 존재하는 피막이라는 것이다.The specific pyridinium compound which is an essential component of the palladium plating solution of the present invention is considered to have an effect as a kind of crystal regulator. When the palladium film is to be formed by the plating reaction, it is considered that if the palladium film grows without any control, a very rough film grows. A rough film is a film with irregularities.

이 볼록 부분에 선택적으로 「특정 피리디늄 화합물」이 흡착되어, 성장을 저해하고 있는 것으로 생각된다. 도금 성장이 빨랐던 볼록 부분에 도금 성장이 저해됨으로써, 오목 부분에 대한 도금 반응이 촉진되어, 오목 부분이 메워져 나가, 결과적으로 요철이 없는 도금 피막을 형성할 수 있었던 것으로 생각된다. 오목 부분이 없는 도금 피막이란, 균일하게 팔라듐 피막으로 하지 금속을 피복하고, 핀홀이 현저하게 적은 팔라듐 피막이다.It is considered that the "specific pyridinium compound" is selectively adsorbed to this convex portion and inhibits the growth. It is thought that by inhibiting the plating growth on the convex portion where the plating growth was rapid, the plating reaction on the concave portion was promoted, the concave portion was filled, and as a result, a plated film without irregularities could be formed. The plated film without concave portions is a palladium film that uniformly covers the underlying metal with a palladium film and has remarkably few pinholes.

실시예Example

이하에 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 초과하지 않는 한 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.The present invention will be described in more detail by way of Examples and Comparative Examples below, but the present invention is not limited to these Examples unless the gist thereof is exceeded.

또, 팔라듐 도금액의 조성 중의 농도의 수치는, 그 성분이 결정수를 함유하는 것인 경우에는, 결정수를 포함시키지 않은 질량으로부터 구한 농도의 수치이다. In addition, the numerical value of the concentration in the composition of the palladium plating solution is the numerical value of the concentration obtained from the mass without including the water of crystallization when the component contains water of crystallization.

함유량에 관한 「%」는 특별히 기재가 없는 한 「질량%」를 나타내고, 「ppm」은 「질량ppm」을 나타낸다. 또, 내열성의 평가 방법에 있어서의, 니켈과 구리의 「%」는 「atm% (원자 기준 농도)」를 나타낸다."%" regarding content represents "mass %" unless otherwise specified, and "ppm" represents "mass ppm". In the heat resistance evaluation method, "%" of nickel and copper indicates "atm% (atomic standard concentration)".

실시예 1 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 7Examples 1 to 8, Comparative Examples 1 to 7

<무전해 팔라듐 도금액의 평가><Evaluation of electroless palladium plating solution>

팔라듐 도금액 전체에 대해, 디클로로테트라암민팔라듐 용액을 팔라듐 환산으로 1 g/ℓ, 표 1 에 나타내는 각 실시예 및 각 비교예에 기재된 특정 피리디늄 화합물 혹은 그 비교 화합물을 각각 1000 ppm, 환원제로서 포름산을 1000 ppm, 및, 전도염과 완충제를 겸한 성분으로서 시트르산을 100 g/ℓ 가 되도록 용해하고, pH 를 6.5 로 조정하여 무전해 팔라듐 도금액으로 하였다. 단, 비교예 7 은 특정 피리디늄 화합물도 비교 화합물도 함유시키지 않았다.With respect to the entire palladium plating solution, the dichlorotetraammine palladium solution was 1 g/L in terms of palladium, the specific pyridinium compound described in each Example and each comparative example shown in Table 1 or its comparative compound was 1000 ppm, respectively, and formic acid was used as a reducing agent. 1000 ppm, and citric acid as a component serving as both a conductive salt and a buffer were dissolved so as to be 100 g/L, and the pH was adjusted to 6.5 to obtain an electroless palladium plating solution. However, Comparative Example 7 contained neither a specific pyridinium compound nor a comparative compound.

「비교 화합물」로는, 피리딘, 피리딘-3-술폰산, 피콜린, 퀴놀린술폰산, 2,3-디아미노피리딘, 3-(3-피리딜)아크릴산을 사용하였다.As the "comparative compound", pyridine, pyridine-3-sulfonic acid, picoline, quinolinesulfonic acid, 2,3-diaminopyridine, and 3-(3-pyridyl)acrylic acid were used.

또, 비교예 7 로서, 「특정 피리디늄 화합물」도 「비교 화합물」도 함유시키지 않고서 동일하게 조제한 팔라듐 도금액도 평가하였다.In addition, as Comparative Example 7, a palladium plating solution similarly prepared without containing either the "specific pyridinium compound" or the "comparative compound" was also evaluated.

무전해 팔라듐 도금액의 pH 는 20 질량% 수산화칼륨 수용액과 시트르산으로 조정하고, 팔라듐 도금액의 욕온은 70 ℃ 로 설정하여, 이하에 기재된 평가를 실시하였다.The pH of the electroless palladium plating solution was adjusted with a 20% by mass potassium hydroxide aqueous solution and citric acid, the bath temperature of the palladium plating solution was set to 70°C, and evaluation described below was performed.

Figure 112017015675837-pct00003
Figure 112017015675837-pct00003

<시험용 (평가용) 의 팔라듐 피막의 형성 방법><Formation method of palladium coating for testing (for evaluation)>

각 실시예 및 각 비교예에서 조제한 팔라듐 도금액을 사용하여, 표 2 에 나타내는 공정으로, 10 ㎜×10 ㎜ 의 구리판 상의 무전해 니켈 도금 피막 5.0 ㎛ 위에, 팔라듐 피막을 그 막두께가 0.03 ㎛ 가 되도록, 무전해 팔라듐 도금 처리의 시간을 30 초 ∼ 3 분의 범위에서 조정하여 실시하였다.Using the palladium plating solutions prepared in each Example and each Comparative Example, a palladium coating was applied on a 5.0 μm electroless nickel plating coating on a 10 mm × 10 mm copper plate at the steps shown in Table 2 so that the film thickness was 0.03 μm. , The time of the electroless palladium plating treatment was adjusted within the range of 30 seconds to 3 minutes.

또한, 무전해 니켈 도금 피막은, 「무전해 니켈 도금액 ICP 니코론 GM」(상품명) (오쿠노 제약 공업 주식회사 제조) 을 사용하여, 통상적인 방법에 따라서 도금 처리하여, 막두께 5.0 ㎛ 로 형성하였다.In addition, the electroless nickel plating film was formed into a film thickness of 5.0 μm by plating according to a conventional method using “electroless nickel plating solution ICP Nicoron GM” (trade name) (manufactured by Okuno Pharmaceutical Industry Co., Ltd.).

Figure 112017015675837-pct00004
Figure 112017015675837-pct00004

<핀홀 시험의 방법><Method of pinhole test>

상기한 바와 같이, 구리판 상의 니켈 도금 피막 위에 형성시킨 막두께가 0.03 ㎛ 인 팔라듐 피막을, 5 질량% 황산 수용액에 침지하고, POTENTIONSTAT/GALVANOSTAT (호쿠토 전공 주식회사 제조) 을 사용하여 항상 일정 전압 300 mV 를 인가하였다.As described above, a palladium coating having a film thickness of 0.03 μm formed on a nickel-plated coating on a copper plate was immersed in a 5% by mass aqueous sulfuric acid solution, and a constant voltage of 300 mV was always applied using POTENTIONSTAT/GALVANOSTAT (manufactured by Hokuto Electric Co., Ltd.). Authorized.

시험 개시로부터 1 분, 3 분, 5 분에 있어서의 전류치 (㎂) 를 측정하였다.Current values (μA) at 1 minute, 3 minutes, and 5 minutes from the start of the test were measured.

핀홀이 있으면 전류치가 커지므로, 시험 개시로부터 「시험 개시로부터 5 분」까지의 사이에 항상 통전 전류가 100 ㎂ 이하인 경우에 우수한 팔라듐 도금액인 것으로 판정하고, 보다 작은 통전 전류인 경우에 보다 우수한 팔라듐 도금액인 것으로 판정하였다.If there is a pinhole, the current value increases, so it is judged to be an excellent palladium plating solution when the conduction current is always 100 μA or less between the start of the test and “5 minutes from the start of the test”, and it is judged to be an excellent palladium plating solution when the conduction current is smaller. It was judged to be

<팔라듐 피막의 외관 (색조 균일성) 의 평가 방법><Evaluation method of appearance (color tone uniformity) of palladium coating>

상기한 바와 같이, 구리판 상의 니켈 도금 피막 상에 형성시킨 막두께가 0.03 ㎛ 인 팔라듐 피막에 대해, 그 팔라듐 피막의 바로 위 30 cm 인 곳으로부터 육안으로 관찰하여, 팔라듐 피막의 표면의 색조를 관찰하였다.As described above, the palladium film having a film thickness of 0.03 μm formed on the nickel plating film on the copper plate was visually observed from a position 30 cm directly above the palladium film, and the color tone of the surface of the palladium film was observed. .

하지 금속이 니켈이기 때문에, 색조가 닮아 있어 판정이 어렵지만, 균일한 팔라듐 피막이 형성되어 있지 않은 경우에는, 크기 0.5 ㎜ ∼ 3 ㎜ 정도의 얼룩 모양 (불균일) 이 관찰되므로, 그 얼룩 모양 (불균일) 이 전혀 관찰되지 않는 팔라듐 도금액을 우수한 팔라듐 도금액으로 판정하고, 보다 적은 얼룩 모양 (불균일) 밖에 관찰되지 않는 경우에 보다 우수한 팔라듐 도금액인 것으로 판정하였다.Since the base metal is nickel, the color tone is similar and the determination is difficult. However, when a uniform palladium film is not formed, unevenness (unevenness) of about 0.5 mm to 3 mm in size is observed, so the unevenness (unevenness) A palladium plating solution which was not observed at all was judged to be an excellent palladium plating solution, and a case where only less unevenness (unevenness) was observed was judged to be a more excellent palladium plating solution.

<팔라듐 피막의 막두께의 측정 방법><Method for measuring film thickness of palladium film>

팔라듐 도금이 실시된 팔라듐 피막의 중심 부근을 형광 X 선 분석 장치 (세이코 인스트루먼트 주식회사 제조, SFT9255) 를 사용하여, 통상적인 방법에 따라서 팔라듐 피막의 막두께를 측정하였다.The film thickness of the palladium film was measured in the vicinity of the center of the palladium film subjected to palladium plating using a fluorescence X-ray analyzer (SFT9255 manufactured by Seiko Instruments Co., Ltd.) according to a conventional method.

<내열성의 평가 방법><Evaluation method of heat resistance>

핀홀 시험용으로 제작한 평가용 샘플과 동일한 공정으로, 구리판 상의 니켈 도금 피막 위에 막두께 0.03 ㎛ 로 팔라듐 피막을 형성시켜 평가용 샘플을 제작하였다.In the same process as the evaluation sample prepared for the pinhole test, a palladium film was formed on the nickel-plated film on the copper plate to a film thickness of 0.03 μm to prepare an evaluation sample.

팔라듐 피막 위에 금 피막을 실시한 경우에는, 팔라듐 피막을 형성시킨 후에 통상적인 방법에 따라서 소정의 막두께로 금 피막을 형성시켜 평가용 샘플을 제작하였다.In the case where a gold coating was applied on the palladium coating, after forming the palladium coating, a gold coating was formed to a predetermined film thickness according to a conventional method to prepare samples for evaluation.

그 평가용 샘플을, 그 안이 200 ℃ 로 조정된 오븐에서 15 시간 가열하였다.The evaluation sample was heated in an oven adjusted to 200°C for 15 hours.

가열 후의 평가용 샘플의 표면을, 표면 오거 (Auger) ; SAM-4300 (알박 파이 주식회사 제조) 을 사용하여 가속 전압 5 kV 로 측정하였다.The surface of the sample for evaluation after heating is surface Auger; Measurement was performed at an accelerating voltage of 5 kV using SAM-4300 (manufactured by Albac Pi Co., Ltd.).

니켈 10 % 미만이고, 또한 구리 0.5 % 미만인 것을 만족하는 평가용 샘플 및 팔라듐 도금액을 「우량품」으로 판정하고, 니켈, 구리 중 어느 쪽인가가 상기 규정치 이상인 평가용 샘플 및 팔라듐 도금액을 「불량품」으로 판정하였다.A sample for evaluation and a palladium plating solution satisfying that the content of nickel is less than 10% and the content of copper is less than 0.5% are judged to be "defective products", and samples for evaluation and palladium plating solutions in which either nickel or copper are above the specified value are judged to be "defective products". judged.

Figure 112017015675837-pct00005
Figure 112017015675837-pct00005

표 3 으로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 무전해 팔라듐 도금액을 사용하면, 핀홀 시험에서, 시험 개시로부터 「시험 개시 후 5 분까지」의 시간, 항상 100 ㎂ 보다 큰 전류가 흐르지 않으며, 또한 팔라듐 피막의 육안으로 본 외관에 얼룩 모양이나 불균일이 관찰되지 않고, 색조 균일성이 양호하여, 팔라듐의 석출 이상이 인정되지 않았다.As can be seen from Table 3, when the electroless palladium plating solution of the present invention is used, in the pinhole test, a current larger than 100 μA does not always flow from the start of the test to “5 minutes after the start of the test”, and furthermore, the palladium coating No unevenness or unevenness was observed in the visual appearance, the color tone uniformity was good, and palladium precipitation abnormality was not observed.

또, 내열성 시험에서는, 모두가 니켈이 10 % 미만이며, 또한 구리가 0.5 % 미만으로 모두 「우량품」으로 판정되었다.In addition, in the heat resistance test, nickel was less than 10% and copper was less than 0.5%, and all were judged as “good products”.

한편, 특정 피리디늄 화합물을 함유하지 않은 전해 팔라듐 도금액에서는, 핀홀 시험 결과, 또는 팔라듐 피막의 외관 (색조 균일성) 중 어느 쪽 또는 양쪽이 열등하였다.On the other hand, in the electrolytic palladium plating solution containing no specific pyridinium compound, either or both of the pinhole test results and the external appearance (color tone uniformity) of the palladium coating were inferior.

또, 내열성 시험에서는, 모두가 니켈이 10 % 이상으로, 모두 「불량품」으로 판정되었다.Moreover, in the heat resistance test, nickel was 10% or more in all, and all were judged as "defective goods".

실시예 11 ∼ 18Examples 11 to 18

실시예 1 ∼ 8 에서 사용한 것과 동일한 평가용 샘플을 작성하고, 그 위에, 0.01 ㎛, 0.05 ㎛ 및 0.1 ㎛ 의 금 피막을 각각 형성시켰다.Samples for evaluation similar to those used in Examples 1 to 8 were prepared, and gold films of 0.01 μm, 0.05 μm, and 0.1 μm were respectively formed thereon.

내열성 시험을 실시한 결과, 실시예 11 ∼ 18 의 모두가, 어느 막두께의 금 피막인 경우에서도 니켈이 10 % 미만이며, 또한 구리가 0.5 % 미만이었기 때문에, 모두 우량품으로 판정되었다.As a result of the heat resistance test, all of Examples 11 to 18 were judged to be good products because nickel was less than 10% and copper was less than 0.5% even in the case of gold coatings of any film thickness.

비교예 11 ∼ 17Comparative Examples 11 to 17

비교예 1 ∼ 7 에서 사용한 것에 대응시켜 동일한 평가용 샘플을 작성하고, 그 위에 0.01 ㎛, 0.05 ㎛ 및 0.1 ㎛ 의 금 피막을 각각 형성시켰다.The same samples for evaluation were prepared corresponding to those used in Comparative Examples 1 to 7, and gold coatings of 0.01 μm, 0.05 μm, and 0.1 μm were respectively formed thereon.

내열성 시험을 실시한 결과, 비교예 11 ∼ 17 의 모두가, 0.1 ㎛ 의 금 피막인 경우에는 니켈 10 % 미만, 또한 구리 0.5 % 미만으로, 우량품으로 판정되었지만, 0.01 ㎛ 및 0.05 ㎛ 의 금 피막인 경우에는, 모두 니켈이 10 % 이상이거나, 또는 구리가 0.5 % 이상 검출되어, 모두 불량품으로 판정되었다.As a result of the heat resistance test, all of Comparative Examples 11 to 17 were judged to be excellent products with less than 10% of nickel and less than 0.5% of copper in the case of 0.1 μm gold coating, but in the case of 0.01 μm and 0.05 μm gold coating In all, 10% or more of nickel or 0.5% or more of copper was detected, and all were judged as defective products.

비교예 11 ∼ 17 은, 팔라듐 피막의 내열 성능이 열등하기 때문에, 팔라듐 피막 위의 금 피막을 충분히 얇게 할 수 없음을 알 수 있었다.In Comparative Examples 11 to 17, it was found that the gold coating on the palladium coating could not be sufficiently thin because the heat resistance of the palladium coating was inferior.

실시예 21Example 21

<전해 팔라듐 도금액의 평가><Evaluation of electrolytic palladium plating solution>

팔라듐 도금액 전체에 대해, 디클로로테트라암민팔라듐 용액을 팔라듐 환산으로 1 g/ℓ, 실시예 1 과 동일한 특정 피리디늄 화합물 (1-메틸-3-카르복시피리디늄 염산염) 을 1000 ppm, 및 전도염과 완충제를 겸한 성분으로서 시트르산을 100 g/ℓ 가 되도록 용해하여, pH 를 6.5 로 조정하고, 전해 팔라듐 도금액으로 하였다.For the entire palladium plating solution, the dichlorotetraammine palladium solution was 1 g/L in terms of palladium, the same specific pyridinium compound (1-methyl-3-carboxypyridinium hydrochloride) as in Example 1 was 1000 ppm, and a conductive salt and buffer As a component combining citric acid was dissolved so as to be 100 g/L, the pH was adjusted to 6.5, and an electrolytic palladium plating solution was obtained.

비교예 21Comparative Example 21

실시예 21 에 있어서, 특정 피리디늄 화합물을 사용하는 대신에 비교예 1 의 비교 화합물 (피리딘) 을 사용한 것 이외에는, 실시예 21 과 동일하게 하여 전해 팔라듐 도금액을 조액하였다.In Example 21, an electrolytic palladium plating solution was prepared in the same manner as in Example 21, except that the comparative compound (pyridine) of Comparative Example 1 was used instead of using a specific pyridinium compound.

<시험용 (평가용) 의 팔라듐 피막의 형성 방법><Formation method of palladium coating for testing (for evaluation)>

상기 무전해 팔라듐 도금액을 사용한 경우의, 「그 막두께가 0.03 ㎛ 가 되도록, 무전해 팔라듐 도금 처리의 시간을 30 초 ∼ 3 분의 범위에서 조정하여 실시하였다.」의 부분을, 「그 막두께가 0.03 ㎛ 가 되도록, 전해 팔라듐 도금 처리의 전류 밀도를 0.5 A/dm2 로, 5 초간 전후로 조정하여 실시하였다.」로 대신한 것 이외에는, 상기 무전해 팔라듐 도금액을 사용한 경우의 「시험용 (평가용) 의 팔라듐 피막의 형성 방법」과 동일하게 하여, 평가용 샘플을 제작하였다.In the case of using the electroless palladium plating solution, the part of "the time of the electroless palladium plating treatment was adjusted in the range of 30 seconds to 3 minutes so that the film thickness was 0.03 μm." The current density of the electrolytic palladium plating treatment was adjusted to 0.5 A/dm 2 for about 5 seconds so that . ), samples for evaluation were prepared in the same manner as in the method for forming a palladium film.

Figure 112017015675837-pct00006
Figure 112017015675837-pct00006

표 4 로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 전해 팔라듐 도금액 (실시예 21) 을 사용하면, 핀홀 시험에서, 시험 개시로부터 「시험 개시 후 5 분까지」의 시간에 항상 100 ㎂ 보다 큰 전류가 흐르지 않고, 또한, 팔라듐 피막의 육안으로 본 외관에 얼룩 모양이나 불균일이 관찰되지 않고, 색조 균일성이 양호하여, 팔라듐의 석출 이상이 인정되지 않았다.As can be seen from Table 4, when the electrolytic palladium plating solution of the present invention (Example 21) is used, in the pinhole test, a current larger than 100 μA does not always flow from the start of the test to “5 minutes after the start of the test”, In addition, no unevenness or non-uniformity was observed in the visual appearance of the palladium film, the color tone uniformity was good, and palladium precipitation abnormality was not recognized.

또, 내열성 시험에서는, 니켈이 10 % 미만이며, 또한 구리가 0.5 % 미만으로, 「우량품」으로 판정되었다.In addition, in the heat resistance test, nickel was less than 10% and copper was less than 0.5%, and it was judged as a “good product”.

한편, 특정 피리디늄 화합물을 함유하지 않은 전해 팔라듐 도금액 (비교예 21) 에서는, 핀홀 시험 결과가 열등하였다.On the other hand, in the electrolytic palladium plating solution containing no specific pyridinium compound (Comparative Example 21), the pinhole test result was inferior.

또, 내열성 시험에서는, 니켈이 10 % 이상이며, 또한 구리가 0.5 % 이상으로, 「불량품」으로 판정되었다.Moreover, in the heat resistance test, nickel was 10% or more and copper was 0.5% or more, and it was judged as a "defective product".

실시예 22 ∼ 28, 비교예 22 ∼ 27Examples 22 to 28, Comparative Examples 22 to 27

<전해 팔라듐 도금액의 평가><Evaluation of electrolytic palladium plating solution>

실시예 22 ∼ 28, 비교예 22 ∼ 27 에 대응시켜, 표 1 에 나타낸 실시예 2 ∼ 8 및 비교예 2 ∼ 7 에 기재된 특정 피리디늄 화합물 혹은 그 비교 화합물을 각각 1000 ppm 사용한 것 이외에는, 실시예 21 과 동일하게 전해 팔라듐 도금액을 조액하고 동일하게 평가하였다. 단, 비교예 27 은 특정 피리디늄 화합물도 비교 화합물도 함유시키지 않았다.Examples 22 to 28 and Comparative Examples 22 to 27, except that 1000 ppm of each of the specific pyridinium compound described in Examples 2 to 8 and Comparative Examples 2 to 7 shown in Table 1 or its comparative compound was used, respectively. In the same way as in 21, an electrolytic palladium plating solution was prepared and evaluated in the same way. However, Comparative Example 27 contained neither a specific pyridinium compound nor a comparative compound.

본 발명의 전해 팔라듐 도금액 (실시예 22 ∼ 28) 을 사용하면, 핀홀 시험에서, 시험 개시로부터 「시험 개시 후 5 분까지」의 시간에 항상 100 ㎂ 보다 큰 전류가 흐르지 않고, 또한, 팔라듐 피막의 육안으로 본 외관에 얼룩 모양이나 불균일이 관찰되지 않고, 색조 균일성이 양호하여, 팔라듐의 석출 이상이 인정되지 않았다.When the electrolytic palladium plating solution of the present invention (Examples 22 to 28) is used, in the pinhole test, a current larger than 100 μA does not always flow from the start of the test to “up to 5 minutes after the start of the test”, and furthermore, the palladium coating No unevenness or unevenness was observed in the visual appearance, the color tone uniformity was good, and palladium precipitation abnormality was not observed.

또, 내열성 시험에서는, 모두가 니켈이 10 % 미만이며, 또한 구리가 0.5 % 미만으로 모두 「우량품」으로 판정되었다.In addition, in the heat resistance test, nickel was less than 10% and copper was less than 0.5%, and all were judged as “good products”.

한편, 특정 피리디늄 화합물을 함유하지 않은 전해 팔라듐 도금액에서는, 핀홀 시험 결과, 또는 팔라듐 피막의 외관 (색조 균일성) 중 어느 쪽 또는 양쪽이 열등하였다.On the other hand, in the electrolytic palladium plating solution containing no specific pyridinium compound, either or both of the pinhole test results and the external appearance (color tone uniformity) of the palladium coating were inferior.

또, 내열성 시험에서는, 모두 니켈이 10 % 이상이거나, 또는 구리가 0.5 % 이상으로 「불량품」으로 판정되었다.In addition, in the heat resistance test, all were judged as "defective products" when nickel was 10% or more or copper was 0.5% or more.

본 발명의 팔라듐 도금액을 사용하여 얻어진 팔라듐 피막은, 우수한 내열 특성을 갖고, 그 우수한 내열성으로부터 팔라듐 피막 상에 형성하는 금도금 피막의 막두께를 줄일 수 있어, 대폭적인 비용 저감을 실현할 수 있는 것으로, 특히 팔라듐/금도금에 널리 이용되는 것이며, 또한, 무전해 니켈/팔라듐/금이라는 층 구성을 갖는 프로세스에 최적으로서, 전자 기기 부재의 도금 분야에 특히 바람직하게 이용되는 것이다.The palladium coating film obtained using the palladium plating solution of the present invention has excellent heat resistance, and because of its excellent heat resistance, the film thickness of the gold plating film formed on the palladium coating film can be reduced, and a significant cost reduction can be realized. In particular, It is widely used for palladium/gold plating, and is optimal for a process having a layer configuration of electroless nickel/palladium/gold, and is particularly preferably used in the field of plating electronic device members.

Claims (12)

팔라듐원으로서의 가용성 팔라듐염, 및,
1-메틸-2-술포피리디늄, 1-메틸-2-메톡시술포닐피리디늄, 1-메틸-2-아미노피리디늄, 1-메틸-2-카르복시피리디늄, 1-메틸-2-메톡시카르보닐피리디늄, 1-메틸-2-시아노피리디늄 ;
1-에틸-2-술포피리디늄, 1-에틸-2-메톡시술포닐피리디늄, 1-에틸-2-아미노피리디늄, 1-에틸-2-카르복시피리디늄, 1-에틸-2-메톡시카르보닐피리디늄, 1-에틸-2-시아노피리디늄 ;
1-프로필-2-술포피리디늄, 1-프로필-2-메톡시술포닐피리디늄, 1-프로필-2-아미노피리디늄, 1-프로필-2-카르복시피리디늄, 1-프로필-2-메톡시카르보닐피리디늄, 1-프로필-2-시아노피리디늄 ;
1-부틸-2-술포피리디늄, 1-부틸-2-메톡시술포닐피리디늄, 1-부틸-2-아미노피리디늄, 1-부틸-2-카르복시피리디늄, 1-부틸-2-메톡시카르보닐피리디늄, 1-부틸-2-시아노피리디늄 ;
1-메틸-3-술포피리디늄, 1-메틸-3-메톡시술포닐피리디늄, 1-메틸-3-아미노피리디늄, 1-메틸-3-카르복시피리디늄, 1-메틸-3-메톡시카르보닐피리디늄, 1-메틸-3-시아노피리디늄 ;
1-에틸-3-술포피리디늄, 1-에틸-3-메톡시술포닐피리디늄, 1-에틸-3-아미노피리디늄, 1-에틸-3-카르복시피리디늄, 1-에틸-3-메톡시카르보닐피리디늄, 1-에틸-3-시아노피리디늄 ;
1-프로필-3-술포피리디늄, 1-프로필-3-메톡시술포닐피리디늄, 1-프로필-3-아미노피리디늄, 1-프로필-3-카르복시피리디늄, 1-프로필-3-메톡시카르보닐피리디늄, 1-프로필-3-시아노피리디늄 ;
1-부틸-3-술포피리디늄, 1-부틸-3-메톡시술포닐피리디늄, 1-부틸-3-아미노피리디늄, 1-부틸-3-카르복시피리디늄, 1-부틸-3-메톡시카르보닐피리디늄, 1-부틸-3-시아노피리디늄 ;
1-메틸-4-술포피리디늄, 1-메틸-4-메톡시술포닐피리디늄, 1-메틸-4-아미노피리디늄, 1-메틸-4-카르복시피리디늄, 1-메틸-4-메톡시카르보닐피리디늄, 1-메틸-4-시아노피리디늄 ;
1-에틸-4-술포피리디늄, 1-에틸-4-메톡시술포닐피리디늄, 1-에틸-4-아미노피리디늄, 1-에틸-4-카르복시피리디늄, 1-에틸-4-메톡시카르보닐피리디늄, 1-에틸-4-시아노피리디늄 ;
1-프로필-4-술포피리디늄, 1-프로필-4-메톡시술포닐피리디늄, 1-프로필-4-아미노피리디늄, 1-프로필-4-카르복시피리디늄, 1-프로필-4-메톡시카르보닐피리디늄, 1-프로필-4-시아노피리디늄 ;
1-부틸-4-술포피리디늄, 1-부틸-4-메톡시술포닐피리디늄, 1-부틸-4-아미노피리디늄, 1-부틸-4-카르복시피리디늄, 1-부틸-4-메톡시카르보닐피리디늄, 1-부틸-4-시아노피리디늄 ;
중 어느 1 종 또는 2 종 이상의 특정 피리디늄 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 도금액.
A soluble palladium salt as a source of palladium, and
1-methyl-2-sulfopyridinium, 1-methyl-2-methoxysulfonylpyridinium, 1-methyl-2-aminopyridinium, 1-methyl-2-carboxypyridinium, 1-methyl-2-methoxypyridinium Toxycarbonylpyridinium, 1-methyl-2-cyanopyridinium;
1-ethyl-2-sulfopyridinium, 1-ethyl-2-methoxysulfonylpyridinium, 1-ethyl-2-aminopyridinium, 1-ethyl-2-carboxypyridinium, 1-ethyl-2-methoxypyridinium Toxycarbonylpyridinium, 1-ethyl-2-cyanopyridinium;
1-propyl-2-sulfopyridinium, 1-propyl-2-methoxysulfonylpyridinium, 1-propyl-2-aminopyridinium, 1-propyl-2-carboxypyridinium, 1-propyl-2-methyl Toxycarbonylpyridinium, 1-propyl-2-cyanopyridinium;
1-butyl-2-sulfopyridinium, 1-butyl-2-methoxysulfonylpyridinium, 1-butyl-2-aminopyridinium, 1-butyl-2-carboxypyridinium, 1-butyl-2-methyl Toxycarbonylpyridinium, 1-butyl-2-cyanopyridinium;
1-methyl-3-sulfopyridinium, 1-methyl-3-methoxysulfonylpyridinium, 1-methyl-3-aminopyridinium, 1-methyl-3-carboxypyridinium, 1-methyl-3-methoxypyridinium Toxycarbonylpyridinium, 1-methyl-3-cyanopyridinium;
1-ethyl-3-sulfopyridinium, 1-ethyl-3-methoxysulfonylpyridinium, 1-ethyl-3-aminopyridinium, 1-ethyl-3-carboxypyridinium, 1-ethyl-3-methyl Toxycarbonylpyridinium, 1-ethyl-3-cyanopyridinium;
1-propyl-3-sulfopyridinium, 1-propyl-3-methoxysulfonylpyridinium, 1-propyl-3-aminopyridinium, 1-propyl-3-carboxypyridinium, 1-propyl-3-methyl Toxycarbonylpyridinium, 1-propyl-3-cyanopyridinium;
1-butyl-3-sulfopyridinium, 1-butyl-3-methoxysulfonylpyridinium, 1-butyl-3-aminopyridinium, 1-butyl-3-carboxypyridinium, 1-butyl-3-methoxypyridinium Toxycarbonylpyridinium, 1-butyl-3-cyanopyridinium;
1-methyl-4-sulfopyridinium, 1-methyl-4-methoxysulfonylpyridinium, 1-methyl-4-aminopyridinium, 1-methyl-4-carboxypyridinium, 1-methyl-4-methoxypyridinium Toxycarbonylpyridinium, 1-methyl-4-cyanopyridinium;
1-ethyl-4-sulfopyridinium, 1-ethyl-4-methoxysulfonylpyridinium, 1-ethyl-4-aminopyridinium, 1-ethyl-4-carboxypyridinium, 1-ethyl-4-methyl Toxycarbonylpyridinium, 1-ethyl-4-cyanopyridinium;
1-propyl-4-sulfopyridinium, 1-propyl-4-methoxysulfonylpyridinium, 1-propyl-4-aminopyridinium, 1-propyl-4-carboxypyridinium, 1-propyl-4-methyl Toxycarbonylpyridinium, 1-propyl-4-cyanopyridinium;
1-butyl-4-sulfopyridinium, 1-butyl-4-methoxysulfonylpyridinium, 1-butyl-4-aminopyridinium, 1-butyl-4-carboxypyridinium, 1-butyl-4-methyl Toxycarbonylpyridinium, 1-butyl-4-cyanopyridinium;
An electroless palladium plating solution characterized by containing any one or two or more specific pyridinium compounds.
제 1 항에 있어서,
상기 가용성 팔라듐염이, 염화팔라듐, 황산팔라듐, 아세트산팔라듐, 질산팔라듐, 디클로로테트라암민팔라듐, 디니트로디암민팔라듐, 디클로로디에틸렌디아민팔라듐, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 및/또는 비스(아세틸아세트나토)팔라듐인 무전해 팔라듐 도금액.
According to claim 1,
The soluble palladium salt is palladium chloride, palladium sulfate, palladium acetate, palladium nitrate, dichlorotetraammine palladium, dinitrodiammine palladium, dichlorodiethylenediamine palladium, tetrakis (triphenylphosphine) palladium, dichlorobis (triphenyl An electroless palladium plating solution that is phosphine)palladium and/or bis(acetylacetonato)palladium.
제 1 항에 있어서,
추가로, 환원제로서 하이포아인산, 하이포아인산염, 아인산, 아인산염, 포름산, 포름산염 및/또는 포름알데히드를 함유하는 무전해 팔라듐 도금액.
According to claim 1,
Additionally, an electroless palladium plating solution containing hypophosphorous acid, hypophosphite, phosphorous acid, phosphite, formic acid, formate and/or formaldehyde as a reducing agent.
제 3 항에 있어서,
상기 환원제가, 하이포아인산, 하이포아인산나트륨, 하이포아인산칼륨, 하이포아인산암모늄, 아인산, 아인산나트륨, 아인산칼륨, 아인산암모늄, 포름산, 포름산나트륨, 포름산칼륨, 포름산암모늄 및/또는 포름알데히드인 무전해 팔라듐 도금액.
According to claim 3,
An electroless palladium plating solution wherein the reducing agent is hypophosphorous acid, sodium hypophosphite, potassium hypophosphite, ammonium hypophosphite, phosphorous acid, sodium phosphite, potassium phosphite, ammonium phosphite, formic acid, sodium formate, potassium formate, ammonium formate and/or formaldehyde. .
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 무전해 팔라듐 도금액을 사용하여, 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금의 피막 상에 팔라듐 도금을 실시함으로써 얻어진 것임을 특징으로 하는 무전해 팔라듐 피막.An electroless palladium coating obtained by performing palladium plating on a coating of nickel, nickel alloy, copper or copper alloy using the electroless palladium plating solution according to any one of claims 1 to 4. 제 5 항에 기재된 무전해 팔라듐 피막을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접점 부재.An electronic component contact member characterized by having the electroless palladium coating according to claim 5. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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