KR102481946B1 - Display apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 청색광을 방출하는 하나 이상의 청색 발광소자, 적색광을 방출하는 하나 이상의 적색 발광소자 및 녹색광을 방출하는 하나 이상의 녹색 발광소자를 포함하는 복수의 픽셀부; 및 상기 복수의 픽셀부 각각의 측면에 형성된 격벽부를 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 질화물 반도체를 이용한 마이크로 발광 다이오드를 시용하여 디스플레이 장치를 구성함으로써, 높은 해상도와 낮은 소비전력 그리고 효율이 높은 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. 그에 따라 웨어러블 장치나 다양한 장치에 이용할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a display device, and the display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate; a plurality of pixel units disposed on the substrate and including one or more blue light emitting elements emitting blue light, one or more red light emitting elements emitting red light, and one or more green light emitting elements emitting green light; and partition walls formed on side surfaces of each of the plurality of pixel units. According to the present invention, by configuring a display device using a micro light emitting diode using a nitride semiconductor, it is possible to provide a display device with high resolution, low power consumption and high efficiency. Accordingly, there is an effect that can be used for wearable devices or various devices.

Description

디스플레이 장치{DISPLAY APPARATUS}Display device {DISPLAY APPARATUS}

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광 다이오드 칩을 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device using a light emitting diode chip.

발광 다이오드는 전자와 정공의 재결합을 통해 발생하는 광을 방출하는 무기 반도체 소자이다. 최근, 발광 다이오드는 디스플레이 장치, 차량용 램프, 일반 조명과 같은 여러 분야에 다양하게 이용되고 있다. 그리고 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비전력이 낮으며, 응답속도가 빠른 장점이 있다. 이러한 장점을 십분 활용하여 기존 광원을 빠르게 대치하고 있다.A light emitting diode is an inorganic semiconductor device that emits light generated through recombination of electrons and holes. Recently, light emitting diodes have been variously used in various fields such as display devices, vehicle lamps, and general lighting. In addition, light emitting diodes have advantages of long lifespan, low power consumption, and fast response speed. Taking full advantage of these advantages, it is rapidly replacing existing light sources.

최근 출시되는 텔레비전, 모니터 또는 전광판에 발광 다이오드를 이용하는 종래의 디스플레이 장치는, TFT=LCD 패널을 이용하여 색을 재현하고, 재현된 색을 외부로 방출하기 위해 백라이트 광원을 이용하는데, 이때, 백라이트 광원으로 발광 다이오드를 이용하였다. 또는 별도의 LCD를 이용하지 않고 발광 다이오드를 이용하여 직접 색을 재현하는 디스플레이 장치에 대한 연구도 지속적으로 이루어지고 있다. 또는, OLED를 이용하여 디스플레이 장치를 제조하는 경우도 있다.Conventional display devices using light emitting diodes in recently released televisions, monitors, or electronic signboards reproduce colors using a TFT=LCD panel and use a backlight source to emit the reproduced colors to the outside. At this time, the backlight source A light emitting diode was used. Alternatively, research on a display device that directly reproduces colors using a light emitting diode without using a separate LCD is being continuously conducted. Alternatively, display devices may be manufactured using OLEDs.

TFT-LCD 패널에 백라이트 광원으로 발광 다이오드가 이용되는 경우, 한 개의 발광 다이오드는 TFT-LCD 패널의 수많은 픽셀에 광을 조사하는 광원으로 이용된다. 이 경우, TFT-LCD 패널의 화면에 어떤 색이 표시되더라도 백라이트 광원은 항상 켜진 상태를 유지해야 되므로, 그로 인해 디스플레이되는 화면이 밝거나 어두운 것에 상관없이 일정한 소비전력이 소비되는 문제가 있다.When a light emitting diode is used as a backlight source for a TFT-LCD panel, one light emitting diode is used as a light source for radiating light to numerous pixels of the TFT-LCD panel. In this case, no matter what color is displayed on the screen of the TFT-LCD panel, the backlight source must always remain on, so there is a problem in that constant power consumption is consumed regardless of whether the displayed screen is bright or dark.

또한, OLED를 이용한 디스플레이 장치의 경우, 기술발전을 통해 지속적으로 소비전력이 낮아지고 있지만, 아직까지도 무기반도체 소자인 발광 다이오드에 비해 상당히 큰 소비전력이 소비되고 있어, 효율성이 떨어지는 문제가 있다.In addition, in the case of a display device using an OLED, although power consumption is continuously lowered through technological development, it still consumes considerably more power than a light emitting diode, which is an inorganic semiconductor device, and thus has a problem of low efficiency.

더욱이, TFT를 구동하기 위한 방식 중 PM 구동방식을 이용한 OLED 디스플레이 장치는 큰 용량을 가진 유기 EL을 PAM(pulse amplifier modulation) 방식으로 제어함에 따라 응답속도가 낮아지는 문제가 발생할 수 있다. 그리고 낮은 듀티(duty)를 구현하기 위해 PWM(pulse width modulation) 방식으로 제어를 하는 경우, 고 전류 구동이 요구되어 수명저하가 발생하는 문제가 있다.Moreover, among methods for driving TFTs, an OLED display device using a PM driving method may have a problem in that a response speed is lowered as organic EL having a large capacitance is controlled by a PAM (pulse amplifier modulation) method. In addition, when control is performed in a PWM (pulse width modulation) method to implement a low duty, there is a problem in that a high current drive is required and a reduction in life occurs.

일본 공개특허 제2015-500562(2015.01.05)Japanese Patent Publication No. 2015-500562 (2015.01.05)

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 웨어러블 장치나 스마트폰 또는 텔레비전 등에 적용할 수 있으며, 소비전력이 낮은 마이크로 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a display device using a micro light emitting diode that can be applied to a wearable device, a smartphone or a television, and has low power consumption.

또한, 디스플레이 장치에서 방출되는 광이 각각의 픽셀에서 균일하게 혼색될 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a display device in which light emitted from the display device can be uniformly mixed in each pixel.

본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 청색광을 방출하는 하나 이상의 청색 발광소자, 적색광을 방출하는 하나 이상의 적색 발광소자 및 녹색광을 방출하는 하나 이상의 녹색 발광소자를 포함하는 복수의 픽셀부; 및 상기 복수의 픽셀부 각각의 측면에 형성된 격벽부를 포함할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate; a plurality of pixel units disposed on the substrate and including one or more blue light emitting elements emitting blue light, one or more red light emitting elements emitting red light, and one or more green light emitting elements emitting green light; and partition walls formed on side surfaces of each of the plurality of pixel units.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 기판; 상기 기판 상에 행과 열을 따라 규칙적으로 배치되고, 청색광을 방출하는 복수의 청색 발광소자; 상기 기판 상에 행과 열을 따라 규칙적으로 배치되며, 적색광을 방출하는 복수의 적색 발광소자; 상기 기판 상에 행과 열을 따라 규칙적으로 배치되며, 녹색광을 방출하는 복수의 녹색 발광소자; 상기 복수의 청색 발광소자 중 하나 이상, 복수의 적색 발광소자 중 하나 이상 및 복수의 녹색 발광소자 중 하나 이상을 감싸도록 배치된 복수의 격벽부를 포함하고, 상기 복수의 격벽부 각각은 하나의 픽셀을 형성할 수 있다.On the other hand, the display device according to an embodiment of the present invention, the substrate; a plurality of blue light emitting devices regularly disposed on the substrate along rows and columns and emitting blue light; a plurality of red light emitting devices regularly disposed on the substrate along rows and columns and emitting red light; a plurality of green light emitting devices regularly disposed on the substrate along rows and columns and emitting green light; and a plurality of barrier rib portions disposed to surround at least one of the plurality of blue light emitting devices, at least one of the plurality of red light emitting devices, and at least one of the plurality of green light emitting devices, wherein each of the plurality of barrier rib portions constitutes one pixel. can form

이때, 상기 하나 이상의 청색 발광소자는, 하나 이상의 청색 발광 다이오드 칩이고, 상기 하나 이상의 녹색 발광소자는, 하나 이상의 녹색 발광 다이오드 칩일 수 있다.In this case, the one or more blue light emitting devices may be one or more blue light emitting diode chips, and the one or more green light emitting devices may be one or more green light emitting diode chips.

또한, 상기 하나 이상의 적색 발광소자는, 하나 이상의 적색 발광 다이오드 패키지이고, 상기 하나 이상의 적색 발광 다이오드 패키지는, 하나 이상의 청색 발광 다이오드 칩; 및 상기 하나 이상의 청색 발광 다이오드 칩에서 방출된 청색광을 파장 변환하여 적색광을 방출하는 형광부를 포함할 수 있다.In addition, the one or more red light emitting devices may be one or more red light emitting diode packages, and the one or more red light emitting diode packages may include one or more blue light emitting diode chips; and a fluorescent unit emitting red light by converting a wavelength of blue light emitted from the one or more blue light emitting diode chips.

여기서, 상기 하나 이상의 적색 발광 다이오드 패키지는, 상기 형광부에서 방출된 광에서 청색광에 해당하는 파장 영역을 차단하는 컬러필터부를 더 포함할 수 있다.Here, the one or more red light emitting diode packages may further include a color filter unit that blocks a wavelength region corresponding to blue light from light emitted from the fluorescent unit.

그리고 상기 격벽부의 높이는, 상기 청색 발광소자, 적색 발광소자 및 녹색 발광소자의 높이보다 높을 수 있다.A height of the barrier rib portion may be higher than heights of the blue light emitting device, the red light emitting device, and the green light emitting device.

또한, 상기 격벽부는, 상기 청색 발광소자, 적색 발광소자 및 녹색 발광소자에서 방출된 광을 반사할 수 있으며, 또는, 상기 격벽부는 검정 물질로 이루어질 수 있다.In addition, the barrier rib portion may reflect light emitted from the blue light emitting device, the red light emitting device, and the green light emitting device, or the barrier rib portion may be made of a black material.

그리고 상기 격벽부는, 상기 하나 이상의 청색 발광소자, 상기 하나 이상의 적색 발광소자 및 상기 하나 이상의 녹색 발광소자와 소정의 거리가 이격된 상태로 형성될 수 있다.The barrier rib portion may be formed in a state in which a predetermined distance is separated from the one or more blue light emitting elements, the one or more red light emitting elements, and the one or more green light emitting elements.

여기서, 상기 격벽부는 상기 기판에 형성된 홈의 상부에 형성될 수 있다.Here, the barrier rib portion may be formed above the groove formed in the substrate.

또한, 상기 복수의 픽셀부를 덮도록 상기 격벽부 사이에 형성된 투명한 소재의 채움부를 더 포함할 수 있다.In addition, a transparent material filling portion formed between the barrier rib portions may be further included to cover the plurality of pixel portions.

그리고 상기 복수의 격벽부 각각은 서로 이격될 수 있다.Further, each of the plurality of partition walls may be spaced apart from each other.

본 발명에 의하면, 질화물 반도체를 이용한 마이크로 발광 다이오드를 사용하여 디스플레이 장치를 구성함으로써, 높은 해상도와 낮은 소비전력 그리고 효율이 높은 디스플레이 장치를 제공할 수 있다. 그에 따라 웨어러블 장치나 다양한 장치에 이용할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, by constructing a display device using a micro light emitting diode using a nitride semiconductor, it is possible to provide a display device with high resolution, low power consumption and high efficiency. Accordingly, there is an effect that can be used for wearable devices or various devices.

또한, 디스플레이 장치의 각 픽셀마다 격벽부를 배치하여 각 픽셀에서 방출된 광이 인접한 픽셀에 미치는 영향을 최소화함으로써, 각 픽셀에서 방출되는 광이 균일하게 혼합되어 보다 선명한 광이 방출될 수 있는 효과가 있다.In addition, by arranging barrier ribs for each pixel of the display device to minimize the effect of light emitted from each pixel on adjacent pixels, the light emitted from each pixel is uniformly mixed to emit more clear light. .

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 한 픽셀을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치에서 방출되는 광의 강도를 파장별로 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치에서 방출되는 광을 도시한 이미지이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치의 한 픽셀을 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 디스플레이 장치의 한 픽셀을 도시한 평면도이다.
도 8은 도 7의 절취선 AA'를 따라 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 디스플레이 장치에서 방출되는 광의 강도를 파장별로 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 디스플레이 장치에서 방출되는 광을 도시한 이미지이다.
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 디스플레이 장치의 한 픽셀을 도시한 단면도이다.1 is a plan view illustrating a display device according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of one pixel of the display device according to the first embodiment of the present invention.
3 is a graph showing the intensity of light emitted from the display device according to the first embodiment of the present invention for each wavelength.
4 is an image showing light emitted from the display device according to the first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of one pixel of a display device according to a second embodiment of the present invention.
6 is a plan view illustrating a display device according to a third embodiment of the present invention.
7 is a plan view illustrating one pixel of a display device according to a third embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view taken along the line AA′ of FIG. 7 .
9 is a graph showing the intensity of light emitted from the display device according to the third embodiment of the present invention for each wavelength.
10 is an image showing light emitted from a display device according to a third embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view of one pixel of a display device according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명한다.A preferred embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 한 픽셀을 도시한 단면도이다. 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치에서 방출되는 광의 강도를 파장별로 나타낸 그래프이고, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치에서 방출되는 광을 도시한 이미지이다.1 is a plan view showing a display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing one pixel of the display device according to the first embodiment of the present invention. 3 is a graph showing the intensity of light emitted from the display device according to the first embodiment of the present invention by wavelength, and FIG. 4 is an image showing light emitted from the display device according to the first embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는, 기판(110), 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 포함한다. 기판(110) 상에 복수의 청색 발광 다이오드 칩(122), 복수의 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 각각 일정한 간격을 유지하며, 열과 행에 맞춰 균일하게 배치될 수 있다. 이때, 본 실시예에서, 하나의 청색 발광 다이오드 칩(122), 하나의 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 하나의 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 하나의 픽셀(P)을 이룰 수 있다.1 and 2, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention includes a substrate 110, a blue light emitting diode chip 122, a red light emitting diode package 124, and a green light emitting diode. A diode chip 126 is included. On the substrate 110, a plurality of blue light emitting diode chips 122, a plurality of red light emitting diode packages 124, and a plurality of green light emitting diode chips 126 are uniformly arranged in rows and columns maintaining regular intervals. It can be. In this case, in this embodiment, one blue light emitting diode chip 122 , one red light emitting diode package 124 , and one green light emitting diode chip 126 may form one pixel P.

기판(110)은, 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 지지하기 위해 구비될 수 있다. 기판(110)은 통상적으로 절연성 소재를 가질 수 있고, 상부에 도전형 회로패턴 등이 형성될 수 있다. 그에 따라 외부에서 공급되는 전력이 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)에 각각 공급될 수 있다. 본 실시예에서, 기판(110)은 인쇄회로기판, 세라믹 기판, PI 기판, Tap 기판, 유리 웨이퍼(glass wafer) 및 실리콘 웨이퍼(silicon wafer) 등이 이용될 수 있다.The substrate 110 may be provided to support the blue light emitting diode chip 122 , the red light emitting diode package 124 , and the green light emitting diode chip 126 . The substrate 110 may typically have an insulating material, and a conductive circuit pattern or the like may be formed thereon. Accordingly, power supplied from the outside may be supplied to each of the blue light emitting diode chip 122 , the red light emitting diode package 124 , and the green light emitting diode chip 126 . In this embodiment, the substrate 110 may be a printed circuit board, a ceramic substrate, a PI substrate, a Tap substrate, a glass wafer, a silicon wafer, or the like.

청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)은 각각 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 발광구조체를 포함할 수 있다. n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층은 각각 III-V족 계열의 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 일례로, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물 반도체를 포함할 수 있다.The blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 may each include a light emitting structure including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer. Each of the n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer may include a group III-V compound semiconductor, and may include, for example, a nitride semiconductor such as (Al, Ga, In)N.

n형 반도체층은 n형 불순물(예컨대, Si)을 포함하는 도전형 반도체층일 수 있고, p형 반도체층은 p형 불순물(예컨대, Mg)을 포함하는 도전형 반도체층일 수 있다. 그리고 활성층은 n형 반도체층 및 p형 반도체층 사이에 개재될 수 있으며, 다주 양자우물 구조(MQW)를 포함할 수 있다. 그리고 원하는 피크 파장의 광을 방출할 수 있게 조성비가 결정될 수 있다.The n-type semiconductor layer may be a conductivity-type semiconductor layer containing an n-type impurity (eg, Si), and the p-type semiconductor layer may be a conductivity-type semiconductor layer containing a p-type impurity (eg, Mg). The active layer may be interposed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, and may include a multi-state quantum well structure (MQW). In addition, a composition ratio may be determined to emit light having a desired peak wavelength.

본 실시예에서, 청색 발광 다이오드 칩(122)은 청색광 대역의 피크 파장을 방출할 수 있게 활성층의 조성비가 결정될 수 있다. 일례로, 청색 발광 다이오드 칩(122)의 발광구조체는 AlInGaN 계열의 질화물 반도체일 수 있다. 그리고 녹색 발광 다이오드 칩(126)은 녹색광 대역의 피크 파장을 방출할 수 있게 활성층의 조성비가 결정될 수 있다. 일례로, 녹색 발광 다이오드 칩(126)의 발광구조체는 AlInGaN 계열의 질화물 반도체일 수 있다.In this embodiment, the composition ratio of the active layer of the blue light emitting diode chip 122 may be determined so as to emit a peak wavelength in a blue light band. For example, the light emitting structure of the blue light emitting diode chip 122 may be an AlInGaN-based nitride semiconductor. In addition, the composition ratio of the active layer may be determined so that the green light emitting diode chip 126 emits a peak wavelength of a green light band. For example, the light emitting structure of the green light emitting diode chip 126 may be an AlInGaN-based nitride semiconductor.

적색 발광 다이오드 패키지(124)는, 청색 발광 다이오드 칩(122), 형광부(160) 및 컬러필터부(170)를 포함할 수 있으며, 이에 대해서는 후술한다.The red light emitting diode package 124 may include a blue light emitting diode chip 122, a fluorescent part 160, and a color filter part 170, which will be described later.

본 실시예에서, 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 도 1에 도시된 바와 같이, 행과 열을 맞춰 균일하게 배치될 수 있다.In this embodiment, the blue light emitting diode chip 122 , the red light emitting diode package 124 , and the green light emitting diode chip 126 may be uniformly arranged in rows and columns, as shown in FIG. 1 .

그리고 청색 발광 다이오드 칩(122)을 대신하여 청색광을 방출하는 청색 발광소자가 이용될 수 있고, 적색 발광 다이오드 패키지(124)를 대신하여 적색광을 방출하는 적색 발광소자가 이용될 수 있다. 또한, 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 대신하여 녹색광을 방출하는 녹색 발광소자가 이용될 수 있다. 일례로, 청색 발광소자는 청색 발광 다이오드 칩이나 청색 발광 다이오드 패키지일 수도 있다. 녹색 발광소자 및 적색 발광소자도 청색 발광소자와 같이, 필요에 따라 달라질 수 있다.A blue light emitting device emitting blue light may be used instead of the blue light emitting diode chip 122 , and a red light emitting device emitting red light may be used instead of the red light emitting diode package 124 . In addition, a green light emitting device emitting green light may be used instead of the green light emitting diode chip 126 . For example, the blue light emitting device may be a blue light emitting diode chip or a blue light emitting diode package. Like the blue light emitting device, the green light emitting device and the red light emitting device may be changed as needed.

본 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)에 대해, 하나의 픽셀(P)에서 방출되는 광의 강도가 도 3과 같이 도시된다. 즉, 청색 발광 다이오드 칩(122), 녹색 발광 다이오드 칩(126) 및 적색 발광 다이오드 패키지(124)에서 방출되는 광이 각각의 피크 파장을 가지도록 방출될 수 있다.For the display device 100 according to this embodiment, the intensity of light emitted from one pixel P is shown in FIG. 3 . That is, light emitted from the blue light emitting diode chip 122 , the green light emitting diode chip 126 , and the red light emitting diode package 124 may be emitted to have respective peak wavelengths.

그런데, 도 3에서 적색 발광 다이오드 패키지(124)에서 방출되는 광의 영역을 보면, 적색광의 피크 파장 영역에 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)에서 방출된 광의 일부가 나타나는 현상이 발생한다(영역 B). 그에 따라 도 4에 도시된 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩(122), 녹색 발광 다이오드 칩(126) 및 적색 발광 다이오드 패키지(124)에서 모든 광이 방출될 때, 백색광으로만 방출되지 않고, 다른 색이 일부 방출되는 현상이 발생할 수 있다.However, when looking at the area of light emitted from the red light emitting diode package 124 in FIG. 3, a phenomenon in which some of the light emitted from the blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 appears in the peak wavelength region of red light occurs (Region B). Accordingly, as shown in FIG. 4 , when all light is emitted from the blue light emitting diode chip 122, the green light emitting diode chip 126, and the red light emitting diode package 124, only white light is not emitted, and other colors are emitted. Some of this release may occur.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치의 한 픽셀을 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view of one pixel of a display device according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는, 기판(110), 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 포함한다. 기판(110) 상에 복수의 청색 발광 다이오드 칩(122), 복수의 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 각각 일정한 간격을 유지하며, 열과 행에 맞춰 균일하게 배치될 수 있다.The display device 100 according to the second embodiment of the present invention includes a substrate 110, a blue light emitting diode chip 122, a red light emitting diode package 124, and a green light emitting diode chip 126. On the substrate 110, a plurality of blue light emitting diode chips 122, a plurality of red light emitting diode packages 124, and a plurality of green light emitting diode chips 126 are uniformly arranged in rows and columns maintaining regular intervals. It can be.

본 실시예에서, 제1 실시예에서 설명한 설명은 생략하고, 제1 실시예에서와 다른 부분에 대해 자세히 설명한다.In the present embodiment, the description explained in the first embodiment will be omitted, and the parts different from those in the first embodiment will be described in detail.

본 실시예에서, 복수의 청색 발광 다이오드 칩(122), 복수의 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩(126)은 각각 측면에 벽부(HW)가 배치된다.In this embodiment, the plurality of blue light emitting diode chips 122, the plurality of red light emitting diode packages 124, and the plurality of green light emitting diode chips 126 each have a wall portion HW disposed on a side surface.

청색 발광 다이오드 칩(122)의 측면에 배치된 벽부(HW)는 청색 발광 다이오드 칩(122)의 측면을 감싸도록 형성되며, 청색 발광 다이오드 칩(122)과 동일한 높이를 가질 수 있다.The wall portion HW disposed on the side of the blue light emitting diode chip 122 is formed to surround the side of the blue light emitting diode chip 122 and may have the same height as the blue light emitting diode chip 122 .

적색 발광 다이오드 패키지(124)의 측면에 배치된 벽부(HW)는 적색 발광 다이오드 패키지(124)의 측면을 감싸도록 형성되며, 적색 발광 다이오드 패키지(124)와 동일한 높이를 가질 수 있다. 즉, 벽부(HW)는 적색 발광 다이오드 패키지(124)의 최 외측에 형성된 컬러필터부(170)의 측면을 감싸도록 형성되며, 컬러필터부(170)의 높이와 동일한 높이를 가질 수 있다.The wall portion HW disposed on the side of the red light emitting diode package 124 is formed to surround the side of the red light emitting diode package 124 and may have the same height as the red light emitting diode package 124 . That is, the wall portion HW is formed to surround the side surface of the color filter unit 170 formed on the outermost side of the red light emitting diode package 124 and may have the same height as the color filter unit 170 .

녹색 발광 다이오드 칩(126)의 측면에 배치된 벽부(HW)는 녹색 발광 다이오드 칩(126)의 측면을 감싸도록 형성되며, 녹색 발광 다이오드 칩(126)과 동일한 높이를 가질 수 있다.The wall portion HW disposed on the side of the green light emitting diode chip 126 is formed to surround the side of the green light emitting diode chip 126 and may have the same height as the green light emitting diode chip 126 .

이렇게 본 실시예에서, 벽부(HW)가 형성됨에 따라 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)에서 방출된 광이 인접한 다른 발광소자들에 영향을 주는 것을 최소화할 수 있다. 여기서, 발광소자는, 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 포괄하는 상위 개념으로 사용한다. 그에 따라 벽부(HW)가 형성된 발광소자는 인접한 발광소자들에서 방출된 광에 의해 영향을 받지 않아 광이 혼합되는 것을 억제할 수 있다.In this embodiment, as the wall portion HW is formed, light emitted from the blue light emitting diode chip 122, the red light emitting diode package 124, and the green light emitting diode chip 126 affects other adjacent light emitting devices. giving can be minimized. Here, the light emitting device is used as a superordinate concept encompassing the blue light emitting diode chip 122 , the red light emitting diode package 124 , and the green light emitting diode chip 126 . Accordingly, the light emitting elements having the wall portion HW are not affected by light emitted from adjacent light emitting elements, and thus light mixing can be suppressed.

하지만, 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126) 각각에 벽부(HW)를 형성함에 따라 하나의 픽셀(P) 내에 배치되는 발광소자들의 간격이 제1 실시예에서보다 작아질 수밖에 없다. 본 실시예에서, 기판(110)의 상면은 각 발광소자에서 방출된 광을 반사하는 성질을 가지는데, 각 발광소자에 벽부(HW)가 형성됨에 따라 기판(110)에서 광을 반사하는 면적이 줄어들 수 있다. 또한, 각 발광소자들에 벽부(HW)를 형성함에 따라 재료비가 높아질 수 있다.However, as the wall portion HW is formed on each of the blue light emitting diode chip 122, the red light emitting diode package 124, and the green light emitting diode chip 126, the distance between the light emitting devices arranged in one pixel P is limited. It is bound to be smaller than in Example 1. In this embodiment, the upper surface of the substrate 110 has a property of reflecting light emitted from each light emitting element. As the wall portion HW is formed on each light emitting element, the area for reflecting light from the substrate 110 increases. can decrease In addition, as the wall portion HW is formed on each light emitting device, material cost may increase.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 평면도이다. 도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 디스플레이 장치의 한 픽셀(P)을 도시한 평면도이고, 도 8은 도 7의 절취선 AA'를 따라 도시한 단면도이다.6 is a plan view illustrating a display device according to a third embodiment of the present invention. FIG. 7 is a plan view illustrating one pixel P of the display device according to the third exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line AA′ of FIG. 7 .

본 발명의 제3 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는, 기판(110), 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 포함한다. 기판(110) 상에 복수의 청색 발광 다이오드 칩(122), 복수의 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 복수의 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 각각 일정한 간격을 유지하며, 열과 행에 맞춰 균일하게 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 하나의 청색 발광 다이오드 칩(122), 하나의 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 하나의 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 하나의 픽셀(P)을 이루는 것에 대해 설명하지만, 필요에 따라 각각 복수개가 구비될 수도 있다.The display device 100 according to the third embodiment of the present invention includes a substrate 110, a blue light emitting diode chip 122, a red light emitting diode package 124, and a green light emitting diode chip 126. On the substrate 110, a plurality of blue light emitting diode chips 122, a plurality of red light emitting diode packages 124, and a plurality of green light emitting diode chips 126 are uniformly arranged in rows and columns maintaining regular intervals. It can be. In this embodiment, one blue light emitting diode chip 122, one red light emitting diode package 124, and one green light emitting diode chip 126 are described to form one pixel P, but if necessary Accordingly, a plurality may be provided, respectively.

청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)은 제1 실시예에서 설명한 바와 동일하며, 그에 대한 설명은 생략한다. 다만, 적색 발광 다이오드 패키지(124)는 도 7 및 도 8을 참조하여 상세하게 설명한다. 적색 발광 다이오드 패키지(124)는, 청색 발광 다이오드 칩(122), 형광부(160) 및 컬러필터부(170)를 포함한다.The blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 are the same as those described in the first embodiment, and a description thereof is omitted. However, the red light emitting diode package 124 will be described in detail with reference to FIGS. 7 and 8 . The red light emitting diode package 124 includes a blue light emitting diode chip 122 , a fluorescent part 160 and a color filter part 170 .

청색 발광 다이오드 칩(122)은, 앞서 설명한 바와 동일하며, 청색 발광 다이오드 칩(122)을 측면 및 상면을 덮도록 형광부(160)가 배치된다. 본 실시예에서, 형광부(160)는 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 방출된 청색광을 적색광으로 파장 변환하기 위해 배치된다. 형광부(160)는 내부에 한 종류 이상의 형광체를 포함할 수 있다. 이때, 형광부(160)에 포함된 형광체는 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 방출된 청색광을 파장 변환하여 적색광으로 여기시키기 위한 형광체이다.The blue light emitting diode chip 122 is the same as described above, and the fluorescent part 160 is disposed to cover the side surface and the top surface of the blue light emitting diode chip 122 . In this embodiment, the fluorescent unit 160 is disposed to convert the wavelength of blue light emitted from the blue light emitting diode chip 122 into red light. The fluorescent unit 160 may include one or more types of fluorescent materials therein. At this time, the phosphor included in the fluorescent unit 160 is a phosphor for exciting red light by converting the wavelength of the blue light emitted from the blue light emitting diode chip 122 .

그리고 형광부(160)는 투명 또는 반투명한 소재인 PDMS(poly dimethylpolysiloxane), 폴리이미드(polyimide), PMMA Poly(methyl 2-methylpropenoate), 세라믹(ceramic) 및 에폭시(epoxy) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 이러한 투명 또는 반투명 소재와 함께 형광체를 포함할 수 있다. 또는, 확산제와 같은 물질을 포함할 수 있다.In addition, the fluorescent unit 160 may include at least one of transparent or translucent materials such as PDMS (poly dimethylpolysiloxane), polyimide, PMMA Poly (methyl 2-methylpropenoate), ceramic, and epoxy. It may include a phosphor together with such a transparent or translucent material. Alternatively, a material such as a diffusing agent may be included.

컬러필터부(170)는 형광부(160)의 상면과 측면을 덮도록 배치된다. 컬러필터부(170)는 형광부(160)를 통해 방출되는 광에서 소정의 파장 범위의 광이 투과되지 않도록 차단하는 역할을 한다. 본 실시예에서, 컬러필터부(170)는 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 방출된 청색광의 파장 범위를 차단하고, 형광부(160)에서 파장 변환된 적색광을 투과시킨다. 그에 따라 컬러필터부(170)는 외부로 청색광이 방출되는 것을 최소화할 수 있으며, 컬러필터부(170)에 의해 적색 발광 다이오드 패키지(124)에서 방출되는 광은 형광부(160)를 통해 파장 변환된 적색광이 차지하는 비율을 극대화할 수 있다.The color filter unit 170 is disposed to cover the top and side surfaces of the fluorescent unit 160 . The color filter unit 170 serves to block light in a predetermined wavelength range from being transmitted from the light emitted through the fluorescent unit 160 . In this embodiment, the color filter unit 170 blocks a wavelength range of blue light emitted from the blue light emitting diode chip 122 and transmits red light wavelength-converted by the fluorescent unit 160 . Accordingly, the color filter unit 170 can minimize the emission of blue light to the outside, and the wavelength of light emitted from the red light emitting diode package 124 by the color filter unit 170 is converted through the fluorescent unit 160. The ratio occupied by the red light can be maximized.

여기서, 컬러필터부(170)는 형광부(160)의 상면 및 측면에 가능한 얇은 두께를 가질 수 있으며, 청색 발광 다이오드 칩(122)에서 방출되면서, 형광부(160)에서 여기되지 않은 청색광을 최대한 차단할 수 있는 두께를 가질 수 있다.Here, the color filter unit 170 may have a thickness as thin as possible on the top and side surfaces of the fluorescent unit 160, and maximize the blue light emitted from the blue light emitting diode chip 122 and not excited by the fluorescent unit 160. It may have a thickness that can be blocked.

도 7을 참조하면, 본 실시예에서, 디스플레이 장치(100)의 하나의 픽셀(P)에 대해 설명하면, 하나의 청색 발광 다이오드 칩(122), 하나의 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 하나의 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 배치된다. 이때, 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)은 픽셀(P) 내에서 좌측에 일렬로 배치되며, 적색 발광 다이오드 패키지(124)는 우측에 배치될 수 있다. 물론, 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 패키지의 배치 구조는 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있다.Referring to FIG. 7 , in this embodiment, one pixel (P) of the display device 100 is described, one blue light emitting diode chip 122, one red light emitting diode package 124 and one A green light emitting diode chip 126 is disposed. In this case, the blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126 may be arranged in a row on the left side of the pixel P, and the red light emitting diode package 124 may be arranged on the right side. Of course, the arrangement structure of the blue light emitting diode chip 122, the red light emitting diode package 124, and the green light emitting diode package may be variously modified as needed.

그리고 본 실시예에서, 설명의 편의를 위해 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)의 크기가 하나의 픽셀(P) 내에 상당한 면적을 차지하고 있는 것으로 표시하였지만, 실제 하나의 픽셀(P) 내에 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)의 크기는 픽셀(P)의 크기에 비해 상대적으로 상당히 작은 크기를 가질 수 있다.And in this embodiment, for convenience of description, it is assumed that the size of the blue light emitting diode chip 122, the red light emitting diode package 124, and the green light emitting diode chip 126 occupy a significant area within one pixel P. Although shown, the sizes of the blue light emitting diode chip 122, the red light emitting diode package 124, and the green light emitting diode chip 126 in one actual pixel P are relatively considerably smaller than the size of the pixel P. can have

또한, 픽셀(P)을 둘러싸도록 격벽부(112)가 형성될 수 있다. 격벽부(112)는 도 6에 도시된 바와 같이, 각 픽셀(P)에 각각 형성될 수 있으며, 소정의 높이를 가지도록 형성될 수 있다. 도 8을 참조하면, 격벽부(112)의 높이는 청색 발광 다이오드 칩(122) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)의 높이보다 높게 형성될 수 있고, 적색 발광 다이오드 패키지(124)의 높이보다 높게 형성될 수 있다. 그에 따라 픽셀(P) 내에 방출된 광이 인접한 픽셀(P)에 직접적으로 영향을 주는 것을 최소화할 수 있다.In addition, a barrier rib portion 112 may be formed to surround the pixel P. As shown in FIG. 6 , the barrier rib portion 112 may be formed in each pixel P and may have a predetermined height. Referring to FIG. 8 , the height of the barrier rib portion 112 may be higher than that of the blue light emitting diode chip 122 and the green light emitting diode chip 126, and may be higher than the height of the red light emitting diode package 124. can Accordingly, it is possible to minimize the direct effect of the light emitted within the pixel P on the adjacent pixel P.

격벽부(112)는 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)이 기판(110) 상에 각각 실장된 상태에서 형성될 수 있다. 이때, 기판(110)에 소정의 홈(H)을 형성하고, 기판(110)에 형성된 홈(H)을 따라 격벽부(112)가 형성될 수 있다. 격벽부(112)는 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)과 소정의 간격으로 이격된 상태로 형성될 수 있다.The barrier rib portion 112 may be formed while the blue light emitting diode chip 122 , the red light emitting diode package 124 , and the green light emitting diode chip 126 are mounted on the substrate 110 , respectively. In this case, a predetermined groove H may be formed in the substrate 110 , and a barrier rib portion 112 may be formed along the groove H formed in the substrate 110 . The barrier rib portion 112 may be formed to be spaced apart from the blue light emitting diode chip 122 , the red light emitting diode package 124 , and the green light emitting diode chip 126 at a predetermined interval.

이러한 격벽부(112)는 광 손실이 적고, 반사율이 높은 재료가 이용될 수 있으며, 필요에 따라 하나의 픽셀(P)에서 방출되는 광의 콘트라스트(contrast)를 높이기 위해 검정 물질(black material)이 이용될 수도 있다.A material with low light loss and high reflectivity may be used for the barrier rib portion 112, and a black material may be used to increase the contrast of light emitted from one pixel P, if necessary. It could be.

본 실시예에서, 격벽부(112)는 각각의 픽셀(P)을 둘러싸도록 형성된 것에 대해 도시함에 따라, 인접한 픽셀(P) 사이에 격벽부(112)의 두께가 가장자리에 배치된 격벽부(112)의 두께보다 두껍게 형성된 것으로 도시하였다. 하지만, 격벽부(112)의 두께는 이에 한정되지 않고, 필요에 따라 모든 격벽부(112)의 두께는 동일하게 형성될 수 있다.In this embodiment, as the partition wall portion 112 is shown as being formed to surround each pixel P, the thickness of the partition wall portion 112 between adjacent pixels P is disposed at the edge of the partition wall portion 112 ) It was shown as formed thicker than the thickness of. However, the thickness of the barrier rib portion 112 is not limited thereto, and all of the barrier rib portions 112 may have the same thickness if necessary.

또한, 본 실시예에서, 격벽부(112)에 의해 각 픽셀(P)의 영역이 형성될 수 있다. 그리고 각 픽셀(P)을 이루는 격벽부(112)는 서로 이격된 상태로 형성될 수도 있다.Also, in this embodiment, the area of each pixel P may be formed by the barrier rib portion 112 . Also, the barrier rib portions 112 constituting each pixel P may be formed to be spaced apart from each other.

도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 디스플레이 장치에서 방출되는 광의 강도를 파장별로 나타낸 그래프이고, 도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 디스플레이 장치에서 방출되는 광을 도시한 이미지이다.9 is a graph showing the intensity of light emitted from the display device according to the third embodiment of the present invention by wavelength, and FIG. 10 is an image showing light emitted from the display device according to the third embodiment of the present invention.

본 발명의 제3 실시예에서, 각 픽셀(P)에 격벽부(112)를 형성함에 따라 각 픽셀(P)에서 방출된 광이 인접한 다른 픽셀(P)에 끼치는 영향을 최소화할 수 있다. 그에 따라 도 9에 도시된 바와 같이, 적색광의 피크 파장 영역(영역 B')에서 청색광이나 녹색광이 방출되는 현상이 최소화되는 것을 확인할 수 있다.In the third exemplary embodiment of the present invention, as the barrier rib portion 112 is formed in each pixel P, the effect of light emitted from each pixel P on other adjacent pixels P can be minimized. Accordingly, as shown in FIG. 9 , it can be seen that the emission of blue light or green light is minimized in the peak wavelength region (region B′) of red light.

이는, 인접한 픽셀(P)에서 방출된 청색광 또는 녹색광이 해당 픽셀(P) 내에 배치된 적색 발광 다이오드 패키지(124)의 형광부(160)를 통해 외부로 방출되는 것을 차단함에 따라 적색광의 피크 파장 영역(영역 B')에서 청색광이나 녹색광이 방출되는 현상이 최소화될 수 있다.This is because the blue light or green light emitted from the adjacent pixel P is blocked from being emitted to the outside through the fluorescent part 160 of the red light emitting diode package 124 disposed in the corresponding pixel P, so that the peak wavelength region of the red light is blocked. A phenomenon in which blue light or green light is emitted in (region B') can be minimized.

또한, 도 10에 도시된 바와 같이, 한 픽셀(P)에서 청색 발광 다이오드 칩(122), 녹색 발광 다이오드 칩(126) 및 적색 발광 다이오드 패키지(124)에서 모든 광이 방출될 때, 혼합된 백색광의 밸런스가 균일하게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 본 실시예에서, 약 6500K의 백색광이 방출되는 것을 확인할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 10, when all lights are emitted from the blue light emitting diode chip 122, the green light emitting diode chip 126, and the red light emitting diode package 124 in one pixel P, mixed white light It can be seen that the balance of In this embodiment, it can be seen that white light of about 6500K is emitted.

도 11는 본 발명의 제4 실시예에 따른 디스플레이 장치의 한 픽셀(P)을 도시한 단면도이다.11 is a cross-sectional view illustrating one pixel P of a display device according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명의 제4 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는, 기판(110), 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 포함한다. 본 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 제3 실시예에서와 대부분 동일한 구성을 가지므로, 동일한 구성에 대한 자세한 설명은 생략한다.The display device 100 according to the fourth embodiment of the present invention includes a substrate 110, a blue light emitting diode chip 122, a red light emitting diode package 124, and a green light emitting diode chip 126. Since the display device 100 according to this embodiment has almost the same configuration as that of the third embodiment, detailed description of the same configuration will be omitted.

본 실시예에서, 하나의 픽셀(P)을 일례로 들어 설명하면, 도 9에 도시된 바와 같이, 격벽부(112) 사이에 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 덮도록 채움부(190)가 형성된다. 채움부(190)는, 기판(110) 상에 배치된 청색 발광 다이오드 칩(122), 적색 발광 다이오드 패키지(124) 및 녹색 발광 다이오드 칩(126)을 외부로부터 보호하기 위해 형성될 수 있다. 채움부(190)는 실리콘이나 에폭시와 같은 투명한 물질 또는 확산제가 포함되어 이용될 수 있다.In this embodiment, taking one pixel P as an example, as shown in FIG. 9 , the blue light emitting diode chip 122, the red light emitting diode package 124 and the green light emitting diode chip 122 are interposed between the partition walls 112. A filling portion 190 is formed to cover the light emitting diode chip 126 . The filling portion 190 may be formed to protect the blue light emitting diode chip 122 , the red light emitting diode package 124 , and the green light emitting diode chip 126 disposed on the substrate 110 from the outside. The filling part 190 may be used by including a transparent material such as silicone or epoxy or a diffusion agent.

채움부(190)는 격벽부(112)가 형성된 다음, 스핀 코팅(spin coating), 스크린 프린팅이나 디스펜싱(dispensing)의 방식으로 몰딩한 다음, 경화 과정을 거쳐 형성될 수 있다.The filling portion 190 may be formed through a curing process after the barrier rib portion 112 is formed, followed by molding by spin coating, screen printing, or dispensing.

위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.As described above, the detailed description of the present invention has been made by the embodiments with reference to the accompanying drawings, but since the above-described embodiments have only been described as preferred examples of the present invention, it is believed that the present invention is limited only to the above embodiments. Should not be understood, the scope of the present invention should be understood as the following claims and equivalent concepts.

100: 디스플레이 장치
110: 기판 112: 격벽부
122: 청색 발광 다이오드 칩 124: 적색 발광 다이오드 패키지
126: 녹색 발광 다이오드 칩
160: 형광부 170: 컬러필터부
190: 채움부
P: 픽셀 HW: 벽부100: display device
110: substrate 112: partition wall
122: blue light emitting diode chip 124: red light emitting diode package
126: green light emitting diode chip
160: fluorescent unit 170: color filter unit
190: filling part
P: Pixel HW: Wall

Claims (19)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판; 및
상기 기판 상에 배치되며, 복수의 발광소자 및 상기 복수의 발광소자 각각의 측면을 감싸도록 형성된 복수의 벽부를 포함하는 복수의 픽셀부;를 포함하며,
상기 복수의 발광소자는 청색광을 방출하는 하나 이상의 청색 발광소자, 적색광을 방출하는 하나 이상의 적색 발광소자 및 녹색광을 방출하는 하나 이상의 녹색 발광소자이고,
상기 복수의 픽셀부 각각은 상기 청색 발광소자, 상기 적색 발광소자 및 상기 녹색 발광소자 중 2개의 발광소자는 상기 픽셀부 내의 일측에 가깝게 배치되고, 나머지 1개의 발광소자는 상기 픽셀부 내의 타측에 가깝게 배치되며,
상기 복수의 벽부의 높이는 각각 감싸고 있는 발광소자의 높이와 동일한 디스플레이 장치.
Board; and
A plurality of pixel units disposed on the substrate and including a plurality of light emitting elements and a plurality of wall parts formed to surround side surfaces of each of the plurality of light emitting elements;
The plurality of light emitting elements are one or more blue light emitting elements emitting blue light, one or more red light emitting elements emitting red light, and one or more green light emitting elements emitting green light,
In each of the plurality of pixel units, two light emitting elements among the blue light emitting element, the red light emitting element, and the green light emitting element are disposed close to one side within the pixel part, and the other light emitting element is disposed close to the other side within the pixel part. are placed,
The height of the plurality of wall portions is the same as the height of the light emitting element surrounding each display device.
 삭제delete
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11776987B2 (en) 2020-01-21 2023-10-03 Seoul Viosys Co., Ltd. LED display apparatus having micro LED module
US11908881B2 (en) 2020-01-21 2024-02-20 Seoul Viosys Co., Ltd. LED display apparatus having micro LED module
US11855052B2 (en) 2020-01-22 2023-12-26 Seoul Viosys Co., Ltd. LED display apparatus having micro LED module
KR102601746B1 (en) * 2020-08-31 2023-11-13 연세대학교 산학협력단 Manufacturing method of led display

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090302331A1 (en) * 2006-04-12 2009-12-10 Euan Smith Optoelectronic display and method of manufacturing the same
JP2015076527A (en) * 2013-10-09 2015-04-20 シチズン電子株式会社 Led light emitting device
JP2016512344A (en) * 2013-03-11 2016-04-25 深セン市奥拓電子股▲分▼有限公司 High-resolution LED display and its surface-mount LED combination lamp with ultra fine dot pitch

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8794501B2 (en) 2011-11-18 2014-08-05 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a light emitting diode
KR101452768B1 (en) * 2012-08-21 2014-10-21 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
KR101547322B1 (en) * 2014-05-26 2015-08-25 서울바이오시스 주식회사 Light emitting diode package
KR102497281B1 (en) * 2015-08-31 2023-02-08 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus, head mounted display apparatus, and image display method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090302331A1 (en) * 2006-04-12 2009-12-10 Euan Smith Optoelectronic display and method of manufacturing the same
JP2016512344A (en) * 2013-03-11 2016-04-25 深セン市奥拓電子股▲分▼有限公司 High-resolution LED display and its surface-mount LED combination lamp with ultra fine dot pitch
JP2015076527A (en) * 2013-10-09 2015-04-20 シチズン電子株式会社 Led light emitting device

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