KR102480850B1

KR102480850B1 - Display devices and methods of manufacturing display devices

Info

Publication number: KR102480850B1
Application number: KR1020160008526A
Authority: KR
Inventors: 조은정; 안태영; 전보건; 정용빈
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2016-01-25
Filing date: 2016-01-25
Publication date: 2022-12-26
Also published as: KR20170089058A

Abstract

표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 가지는 제1 기판, 제1 기판 상에 배치되고, 표시 영역에 위치하며, 발광 영역 및 비발광 영역을 가지는 표시부, 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 제2 기판 아래에 배치되고, 비발광 영역에 대응되는 제1 반사 부재, 제1 반사 부재 아래에 배치되고, 표시 영역에 대응되는 제2 반사 부재, 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되는 씰링 부재, 및 씰링 부재와 제2 기판 사이에 배치되어 씰링 부재와 제2 기판을 접착하고, 주변 영역에 대응되는 제3 반사 부재를 포함할 수 있다.The display device includes a first substrate having a display area and a peripheral area, a display unit disposed on the first substrate, positioned in the display area, and having an emission area and a non-emission area, a second substrate facing the first substrate, and a second substrate. a first reflective member disposed below the substrate and corresponding to a non-emission area, a second reflective member disposed below the first reflective member and corresponding to a display area, a sealing member disposed between the first substrate and the second substrate; and a third reflective member disposed between the sealing member and the second substrate to adhere the sealing member to the second substrate and corresponding to the peripheral area.

Description

Display device and manufacturing method of the display device {DISPLAY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICES}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 씰링 부재와 제2 기판을 접착시키면서 외광을 반사하는 제3 반사 부재를 포함하는 표시 장치들 및 이러한 표시 장치들의 제조 방법들에 관한 것이다.The present invention relates to display devices, and more particularly, to display devices including a third reflective member that reflects external light while bonding a sealing member to a second substrate, and methods of manufacturing such display devices.

최근 들어, 사용자가 표시 장치를 거울처럼 사용할 수 있게 해주는 미러 디스플레이에 대한 관심이 높아지고 있다. 즉, 상기 미러 디스플레이를 통해 표시 장치가 영상을 표시하지 않는 비사용 시기에는 표시 장치의 화면을 거울로 사용할 수 있도록 할 수 있다. 상기 미러 디스플레이를 구현하기 위하여 표시 장치에, 예를 들어, 금속을 이용한 반사 부재가 배치될 수 있다.Recently, interest in a mirror display that enables a user to use a display device like a mirror is increasing. That is, the screen of the display device can be used as a mirror when the display device is not displaying images through the mirror display. To implement the mirror display, a reflective member using, for example, metal may be disposed on the display device.

한편, 표시 장치는 제1 기판과 제1 기판에 대향하는 제2 기판을 포함할 수 있고, 이러한 제1 기판과 제2 기판은 씰링 부재를 통해 합착될 수 있다. 씰링 부재는 제1 기판 및 제2 기판의 주변부에 배치되어 제1 기판과 제2 기판을 결합시킬 수 있다. 씰링 부재는, 예를 들어, 유리 및/또는 유기물을 이용하여 형성될 수 있다.Meanwhile, the display device may include a first substrate and a second substrate facing the first substrate, and the first substrate and the second substrate may be bonded to each other through a sealing member. The sealing member may be disposed around the first substrate and the second substrate to couple the first substrate and the second substrate. The sealing member may be formed using, for example, glass and/or organic material.

일반적으로, 반사 부재는 제2 기판의 일면에 부착되고, 예를 들어, 제2 기판의 제1 기판에 대향하는 면에 부착될 수 있다. 하지만, 반사 부재가 제2 기판의 전면에 형성되는 경우, 반사 부재와 씰링 부재의 접착성이 상대적으로 낮아 제1 기판과 제2 기판의 접착성이 감소될 수 있다. 또한, 제1 기판과 제2 기판의 접착성을 증가시키기 위해 반사 부재를 제2 기판의 주변부에 배치하지 않는 경우, 표시 장치의 화면 전부를 거울로 사용하지 못할 수 있다.Generally, the reflective member is attached to one surface of the second substrate, and may be attached to, for example, a surface of the second substrate opposite to the first substrate. However, when the reflective member is formed on the entire surface of the second substrate, adhesion between the reflective member and the sealing member is relatively low, and thus adhesion between the first substrate and the second substrate may be reduced. Also, if the reflective member is not disposed on the periphery of the second substrate to increase adhesion between the first substrate and the second substrate, the entire screen of the display device may not be used as a mirror.

본 발명의 일 목적은 씰링 부재와 제2 기판을 접착시키는 동시에 외광을 반사하는 제3 반사 부재를 구비하는 표시 장치를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a display device including a third reflective member that adheres a sealing member to a second substrate and at the same time reflects external light.

본 발명의 다른 목적은 씰링 부재와 제2 기판을 접착시키는 동시에 외광을 반사하는 제3 반사 부재를 구비하는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a display device including a third reflective member that adheres a sealing member to a second substrate and simultaneously reflects external light.

다만, 본 발명의 목적이 상술한 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the object of the present invention is not limited to the above-mentioned objects, and may be expanded in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention.

전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 가지는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되고, 상기 표시 영역에 위치하며, 발광 영역 및 비발광 영역을 가지는 표시부, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 상기 제2 기판 아래에 배치되고, 상기 비발광 영역에 대응되는 제1 반사 부재, 상기 제1 반사 부재 아래에 배치되고, 상기 표시 영역에 대응되는 제2 반사 부재, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되는 씰링 부재, 및 상기 씰링 부재와 상기 제2 기판 사이에 배치되어 상기 씰링 부재와 상기 제2 기판을 접착하고, 상기 주변 영역에 대응되는 제3 반사 부재를 포함할 수 있다.In order to achieve one object of the present invention described above, a display device according to exemplary embodiments is disposed on a first substrate having a display area and a peripheral area, is disposed on the first substrate, is positioned in the display area, and emits light. A display unit having an area and a non-emission area, a second substrate facing the first substrate, a first reflective member disposed under the second substrate and corresponding to the non-emission area, and disposed under the first reflective member. , a second reflective member corresponding to the display area, a sealing member disposed between the first substrate and the second substrate, and disposed between the sealing member and the second substrate to protect the sealing member and the second substrate It may adhere and include a third reflective member corresponding to the peripheral area.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 기판은 폴리이미드 계열 수지를 포함할 수 있다.In example embodiments, the second substrate may include a polyimide-based resin.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 반사 부재는 약 2.0 내지 약 3.0 범위의 굴절률을 가질 수 있다.In example embodiments, the third reflective member may have a refractive index ranging from about 2.0 to about 3.0.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 반사 부재는 실리콘을 포함할 수 있다.In example embodiments, the third reflective member may include silicon.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 반사 부재는 비정질(amorphous) 실리콘 및 폴리(poly) 실리콘 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In example embodiments, the third reflective member may include at least one of amorphous silicon and poly silicon.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 반사 부재는 적색의 상기 비정질 실리콘을 포함하고, 상기 제3 반사 부재는 상기 제2 반사 부재보다 얇은 두께를 가질 수 있다.In example embodiments, the third reflective member may include the red amorphous silicon, and the third reflective member may have a thickness smaller than that of the second reflective member.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 반사 부재는 은(Ag) 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In example embodiments, the second reflective member may include at least one of silver (Ag) and indium tin oxide (ITO).

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 반사 부재는 실리콘을 포함할 수 있다.In example embodiments, the second reflective member may include silicon.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 반사 부재는 비정질(amorphous) 실리콘 및 폴리(poly) 실리콘 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In example embodiments, the second reflective member may include at least one of amorphous silicon and poly silicon.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 반사 부재 및 상기 제3 반사 부재는 일체로 형성될 수 있다.In example embodiments, the second reflective member and the third reflective member may be integrally formed.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 반사 부재는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In example embodiments, the first reflective member may include at least one of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), and tungsten (W). may contain one.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제2 기판 아래에 배치되고, 상기 제3 반사 부재의 외곽부에 위치하는 정렬 키를 더 포함할 수 있다.In example embodiments, the display device may further include an alignment key disposed under the second substrate and located on an outer portion of the third reflective member.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 정렬 키는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In example embodiments, the alignment key may include at least one of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), and tungsten (W). can include

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 정렬 키는 상기 제1 반사 부재와 동일한 물질을 포함할 수 있다.In example embodiments, the alignment key may include the same material as the first reflective member.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 씰링 부재는 프릿(frit) 및 에폭시(epoxy) 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In example embodiments, the sealing member may include at least one of frit and epoxy resin.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시부는 상기 제1 기판 상에 배치되고, 상기 발광 영역에 대응되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물 상에 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있다.In example embodiments, the display unit is disposed on the first substrate, a first electrode corresponding to the light emitting region, a light emitting structure disposed on the first electrode, and a first disposed on the light emitting structure. It may contain 2 electrodes.

상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 표시 영역 및 주변 영역을 가지는 제1 기판을 제공한 후, 상기 제1 기판 상에 발광 영역 및 비발광 영역을 가지는 표시부를 상기 표시 영역에 위치하도록 형성할 수 있다. 제2 기판을 제공한 후, 상기 제2 기판 상에 상기 비발광 영역에 대응되도록 제1 반사 부재를 형성한 후, 상기 제1 반사 부재 상에 상기 표시 영역에 대응되도록 제2 반사 부재를 형성할 수 있다. 또한, 상기 제2 기판 상에 상기 주변 영역에 대응되도록 제3 반사 부재를 형성할 수 있다. 상기 제3 반사 부재 상에 상기 제3 반사 부재와 접착되는 씰링 부재를 형성한 후, 상기 제2 기판을 상기 제1 기판에 합착할 수 있다.In order to achieve another object of the present invention described above, in a method of manufacturing a display device according to example embodiments, after providing a first substrate having a display area and a peripheral area, a light emitting area on the first substrate And a display unit having a non-emission area may be formed to be located in the display area. After providing a second substrate, a first reflective member is formed on the second substrate to correspond to the non-emission area, and then a second reflective member is formed on the first reflective member to correspond to the display area. can In addition, a third reflective member may be formed on the second substrate to correspond to the peripheral area. After forming a sealing member adhered to the third reflective member on the third reflective member, the second substrate may be bonded to the first substrate.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 기판 상에 정렬 키를 상기 제3 반사 부재의 외곽부에 위치하도록 형성할 수 있다.In example embodiments, an alignment key may be formed on the second substrate to be positioned at an outer portion of the third reflective member.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 반사 부재 및 상기 정렬 키는 동시에 형성될 수 있다.In example embodiments, the first reflective member and the alignment key may be formed at the same time.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 표시 장치는 제2 기판과 씰링 부재 사이에 배치되는 제3 반사 부재를 포함함으로써, 제2 기판과 씰링 부재 사이의 접착력을 향상시키고, 표시 장치의 반사부의 영역을 확장할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 반사 부재 및 제3 반사 부재를 동시에 형성함으로써, 제조 시간을 단축하고, 제조 비용을 절감할 수 있다.According to exemplary embodiments of the present invention, the display device includes a third reflective member disposed between the second substrate and the sealing member to improve adhesion between the second substrate and the sealing member, and area can be expanded. In addition, according to other exemplary embodiments of the present invention, by simultaneously forming the second reflective member and the third reflective member, it is possible to reduce manufacturing time and manufacturing cost.

다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and may be variously extended within a range that does not deviate from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 따른 도 1의 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 II 영역을 확대하여 표시 장치에 포함되는 표시부와 반사부의 매칭 구조를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 1의 III-III' 선을 따른 도 1의 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 1의 III-III' 선을 따른 도 1의 표시 장치의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 6 내지 도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.1 is a plan view illustrating a display device according to exemplary embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the display device of FIG. 1 taken along line II′ of FIG. 1 .
FIG. 3 is a plan view illustrating a matching structure of a display unit and a reflector included in a display device by enlarging region II of FIG. 1 .
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an example of the display device of FIG. 1 along line III-III' of FIG. 1 .
FIG. 5 is a cross-sectional view of another example of the display device of FIG. 1 along line III-III' of FIG. 1 .
6 to 13 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to exemplary embodiments of the present invention.
14 and 15 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to other exemplary embodiments of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치의 제조 방법들을 보다 상세하게 설명한다. 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.Hereinafter, display devices and methods of manufacturing the display devices according to exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The same or similar reference numerals are used for like elements in the drawings.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I' 선을 따른 도 1의 표시 장치를 나타내는 단면도이다.1 is a plan view illustrating a display device according to exemplary embodiments of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the display device of FIG. 1 taken along the line II' of FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(10)는 표시부(300)를 구비하는 제1 기판(100) 및 반사부(400)를 구비하는 제2 기판(200)을 포함할 수 있다. 제1 기판(100)과 제2 기판(200)은 씰링 부재(500)에 의해 결합될 수 있다. 씰링 부재(500)에 의하여 형성된 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 공간에는 충진 부재가 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2 , the display device 10 may include a first substrate 100 including a display unit 300 and a second substrate 200 including a reflector 400 . The first substrate 100 and the second substrate 200 may be coupled by a sealing member 500 . A filling member may be disposed in the space between the first substrate 100 and the second substrate 200 formed by the sealing member 500 .

도 1에 도시된 바와 같이, 표시 장치(10)는 수평적으로 표시 영역(102)과 표시 영역(102)을 둘러싸는 주변 영역(104)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(102)에는 복수의 화소들이 위치할 수 있고, 상기 복수의 화소들에 의해 표시 영역(102)에서는 영상이 표시될 수 있다. 주변 영역(104)에는 상기 복수의 화소들에 신호들을 인가하기 위한 회로들 및 배선들이 배치될 수 있다.As shown in FIG. 1 , the display device 10 may be horizontally divided into a display area 102 and a peripheral area 104 surrounding the display area 102 . A plurality of pixels may be located in the display area 102 , and an image may be displayed in the display area 102 by the plurality of pixels. Circuits and wires for applying signals to the plurality of pixels may be disposed in the peripheral area 104 .

상기 복수의 화소들은 제1 방향 및 상기 제1 방향에 실질적으로 직교하는 제2 방향으로 반복적으로 배치되는 매트릭스(matrix)의 구조로 상기 표시 영역(102)에 배열될 수 있다. 상기 각 화소들은 복수의 서브 화소들을 포함할 수 있다.The plurality of pixels may be arranged in the display area 102 in a matrix structure that is repeatedly arranged in a first direction and a second direction substantially orthogonal to the first direction. Each of the pixels may include a plurality of sub-pixels.

도 3은 도 1의 II 영역을 확대하여 표시 장치에 포함되는 표시부와 반사부의 매칭 구조를 나타내는 평면도이다. 예를 들어, 도 3은 표시 영역(102)에 배치되는 상기 복수의 화소들 중 일 화소를 나타내는 평면도일 수 있다.FIG. 3 is a plan view illustrating a matching structure of a display unit and a reflector included in a display device by enlarging region II of FIG. 1 . For example, FIG. 3 may be a plan view illustrating one pixel among the plurality of pixels disposed in the display area 102 .

도 3을 참조하면, 상기 각 화소들은 적색 서브 화소(Pr), 녹색 서브 화소(Pg) 및 청색 서브 화소(Pb)를 포함할 수 있다. 각 서브 화소들(Pr, Pg, Pb)은 발광 영역(302) 및 비발광 영역(304)을 구비할 수 있다.Referring to FIG. 3 , each of the pixels may include a red sub-pixel Pr, a green sub-pixel Pg, and a blue sub-pixel Pb. Each of the sub-pixels Pr, Pg, and Pb may include an emission area 302 and a non-emission area 304 .

발광 영역(302)은 가시 광선이 직접적으로 발생되어 영상이 표시되는 영역일 수 있다. 발광 영역(302)은 다양한 형태를 가질 수 있다. 비발광 영역(304)은 발광 영역(302)의 주위에 발광 영역(302)과 인접하도록 배치될 수 있다. 발광 영역(302)의 구동에 필요한 회로는 비발광 영역(304)에 배치되거나, 발광 영역(302)과 중첩하도록 배치될 수 있다.The light emitting region 302 may be a region in which visible light is directly generated and an image is displayed. The light emitting region 302 may have various shapes. The non-emission region 304 may be disposed adjacent to the emission region 302 around the emission region 302 . A circuit necessary for driving the light emitting region 302 may be disposed in the non-light emitting region 304 or may be disposed to overlap the light emitting region 302 .

제2 기판(200)의 일 면에는 반사부(400)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 반사부(400)는 제2 기판(200)의 면들 중 제1 기판(100)을 향하는 면에 배치될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 반사부(400)는 제1 반사 부재(410) 및 제2 반사 부재(420)를 포함할 수 있다. 제1 반사 부재(410)는 비발광 영역(304)에 대응되도록 위치할 수 있고, 제2 반사 부재(420)는 발광 영역(302) 및 비발광 영역(304)을 포함하는 표시 영역(102)에 대응되도록 위치할 수 있다.A reflector 400 may be disposed on one surface of the second substrate 200 . For example, the reflector 400 may be disposed on a surface of the second substrate 200 facing the first substrate 100 . As shown in FIG. 3 , the reflector 400 may include a first reflector 410 and a second reflector 420 . The first reflective member 410 may be positioned to correspond to the non-emission area 304 , and the second reflective member 420 may form the display area 102 including the emission area 302 and the non-emission area 304 . It can be located to correspond to.

반사부(400)의 구조를 좀 더 자세히 설명하게 전에, 반사부(400)로 가려지는 제1 기판(100) 상에 배치되는 표시부(300)의 구조를 먼저 설명하기로 한다.Before explaining the structure of the reflector 400 in detail, the structure of the display unit 300 disposed on the first substrate 100 covered by the reflector 400 will be first described.

도 4는 도 1의 III-III' 선을 따른 도 1의 표시 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an example of the display device of FIG. 1 along line III-III' of FIG. 1 .

도 4를 참조하면, 제1 기판(100) 상에는 버퍼막(110)이 배치될 수 있다. 제1 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판 등과 같은 투명 기판을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제1 기판(100)은 연성을 갖는 기판(flexible substrate)으로 이루어질 수도 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 기판(100)은 폴리이미드 계열 수지를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , a buffer layer 110 may be disposed on the first substrate 100 . The first substrate 100 may include a transparent substrate such as a glass substrate, a quartz substrate, or a transparent plastic substrate. Optionally, the first substrate 100 may be made of a flexible substrate. In some embodiments, the first substrate 100 may include a polyimide-based resin.

버퍼막(110)은 제1 기판(100)으로부터 발생되는 불순물들의 확산을 방지하고, 액티브 패턴(120)의 형성을 위한 결정화 공정 시에 열의 전달 속도를 조절하며, 표면을 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 버퍼막(110)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 버퍼막(110)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 그러나, 이러한 버퍼막(110)은 반드시 필요한 것은 아니며, 제1 기판(100)의 종류 및 공정 조건 등을 고려하여 형성되지 않을 수도 있다.The buffer layer 110 may serve to prevent diffusion of impurities generated from the first substrate 100, control a heat transfer rate during a crystallization process for forming the active pattern 120, and planarize a surface. there is. For example, the buffer layer 110 may include a silicon compound such as silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or silicon oxynitride (SiOxNy). The buffer layer 110 may have a single-layer structure or a multi-layer structure including a silicon compound. However, such a buffer film 110 is not absolutely necessary, and may not be formed in consideration of the type of the first substrate 100 and process conditions.

버퍼막(110) 상에는 화소 회로가 배치될 수 있다. 상기 화소 회로는 표시부(300)에 영상을 표시하기 위한 전압 또는 전류를 공급할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 회로는 복수의 트랜지스터 및 복수의 커패시터를 포함할 수 있다. 도 4에는 설명의 편의상 1개의 트랜지스터만을 도시되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 복수의 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다.A pixel circuit may be disposed on the buffer layer 110 . The pixel circuit may supply voltage or current for displaying an image to the display unit 300 . For example, the pixel circuit may include a plurality of transistors and a plurality of capacitors. Although only one transistor is shown in FIG. 4 for convenience of description, the present invention is not limited thereto and may include a plurality of transistors and at least one capacitor.

상기 트랜지스터는 액티브 패턴(120), 게이트 전극(130), 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 포함할 수 있다.The transistor may include an active pattern 120 , a gate electrode 130 , a source electrode 140 and a drain electrode 145 .

버퍼막(110) 상에는 액티브 패턴(120)이 배치될 수 있다. 액티브 패턴(120)은 폴리실리콘과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 액티브 패턴(120)의 양측부들에는 불순물을 함유하는 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)이 형성되고, 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)의 사이에는 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(123)이 정의될 수 있다.An active pattern 120 may be disposed on the buffer layer 110 . The active pattern 120 may include a silicon compound such as polysilicon. A source region 121 and a drain region 122 containing impurities are formed on both sides of the active pattern 120, and a channel region (not doped with impurities) is formed between the source region 121 and the drain region 122. 123) can be defined.

버퍼막(110) 상에는 액티브 패턴(120)을 실질적으로 커버하는 게이트 절연막(125)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(125)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(125)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.A gate insulating layer 125 substantially covering the active pattern 120 may be disposed on the buffer layer 110 . For example, the gate insulating layer 125 may include a silicon compound such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride. The gate insulating layer 125 may have a single-layer structure or a multi-layer structure including a silicon compound.

게이트 절연막(125) 상에는 게이트 전극(130)이 배치될 수 있다. 여기서, 게이트 전극(130)은 액티브 패턴(120)의 적어도 일부, 구체적으로는 채널 영역(123)과 실질적으로 중첩될 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(130)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 금속, 상기 금속들의 합금 또는 상기 금속들의 질화물을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.A gate electrode 130 may be disposed on the gate insulating layer 125 . Here, the gate electrode 130 may substantially overlap at least a portion of the active pattern 120 , specifically, the channel region 123 . For example, the gate electrode 130 may include aluminum (Al), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), nickel (Ni), chromium (Cr), molybdenum (Mo), titanium (Ti), It may include a metal such as platinum (Pt), tantalum (Ta), neodymium (Nd), scandium (Sc), an alloy of the metals, or a nitride of the metals. These may be used alone or in combination of two or more.

게이트 절연막(125) 상에는 게이트 전극(130)을 실질적으로 커버하는 층간 절연막(135)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(135)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 층간 절연막(135)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 게이트 절연막(125) 및 층간 절연막(135)에는 각기 액티브 패턴(120)의 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)을 노출시키는 제1 콘택 홀들이 제공될 수 있다.An interlayer insulating layer 135 substantially covering the gate electrode 130 may be disposed on the gate insulating layer 125 . For example, the interlayer insulating layer 135 may include a silicon compound such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride. The interlayer insulating layer 135 may have a single-layer structure or a multi-layer structure including a silicon compound. First contact holes exposing the source region 121 and the drain region 122 of the active pattern 120 may be provided in the gate insulating layer 125 and the interlayer insulating layer 135 , respectively.

층간 절연막(135) 상에는 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)이 배치될 수 있다. 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)은 각기 상기 제1 콘택 홀들을 통해 액티브 패턴(120)의 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)은 각기 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 금속, 상기 금속들의 합금 또는 상기 금속들의 질화물을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.A source electrode 140 and a drain electrode 145 may be disposed on the interlayer insulating layer 135 . The source electrode 140 and the drain electrode 145 may be electrically connected to the source region 121 and the drain region 122 of the active pattern 120 through the first contact holes, respectively. For example, the source electrode 140 and the drain electrode 145 may be formed of aluminum (Al), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), nickel (Ni), chromium (Cr), or molybdenum (Mo). ), a metal such as titanium (Ti), platinum (Pt), tantalum (Ta), neodymium (Nd), scandium (Sc), an alloy of the metals, or a nitride of the metals. These may be used alone or in combination of two or more.

층간 절연막(135) 상에는 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 실질적으로 커버하는 비아 절연막(150)이 배치될 수 있다. 비아 절연막(150)에는 제1 전극(310)과 드레인 전극(145)을 전기적으로 연결시키는 비아(via) 구조가 제공될 수 있다. 다시 말해, 비아 절연막(150)에는 상기 트랜지스터의 드레인 전극(145)을 노출시키는 제2 콘택 홀이 제공될 수 있고, 제1 전극(310)은 이러한 제2 콘택 홀을 채우면서 드레인 전극(145)에 접촉될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 상기 제2 콘택 홀에는 도전성 물질로 구성된 콘택(도시되지 않음)이 제공될 수 있고, 제1 전극(310)과 드레인 전극(145)은 각기 상기 콘택의 상부와 하부에 접촉될 수 있다. 또한, 비아 절연막(150)은 상부 구조물을 위해 실질적으로 평탄화층의 역할을 수행할 수 있다. 예를 들어, 비아 절연막(150)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.A via insulating layer 150 substantially covering the source electrode 140 and the drain electrode 145 may be disposed on the interlayer insulating layer 135 . A via structure electrically connecting the first electrode 310 and the drain electrode 145 may be provided in the via insulating layer 150 . In other words, a second contact hole exposing the drain electrode 145 of the transistor may be provided in the via insulating layer 150, and the first electrode 310 fills the second contact hole while forming the drain electrode 145. can be contacted. In other embodiments, a contact (not shown) made of a conductive material may be provided in the second contact hole, and the first electrode 310 and the drain electrode 145 are respectively provided on top and bottom of the contact. can be contacted. In addition, the via insulating layer 150 may substantially serve as a planarization layer for an upper structure. For example, the via insulating layer 150 may include an organic material such as polyimide, epoxy resin, acrylic resin, or polyester.

비아 절연막(150) 상에는 표시부(300)가 배치될 수 있다. 표시부(300)는 제1 전극(310), 발광 구조물(320) 및 제2 전극(330)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광 구조물(320)은 유기 발광층을 포함할 수 있다.The display unit 300 may be disposed on the via insulating layer 150 . The display unit 300 may include a first electrode 310 , a light emitting structure 320 and a second electrode 330 . In example embodiments, the light emitting structure 320 may include an organic light emitting layer.

비아 절연막(150) 상에는 제1 전극(310)이 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 전극(310)은 상기 제2 콘택 홀을 채우면서 드레인 전극(145)과 접촉될 수 있거나, 상기 제2 콘택 홀 내에 제공되는 상기 콘택을 통해 드레인 전극(145)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(310)은 상기 각 화소들 마다 독립적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(310)은 알루미늄, 은, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐 등과 같은 금속 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 제1 전극(310)은 투명 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제1 전극(310)은 인듐 주석 화합물(ITO), 인듐 아연 화합물(IZO), 아연 산화물 또는 인듐 산화물을 포함할 수도 있다. 선택적으로는, 제1 전극(310)은 상기 투명 도전성 물질 및 상기 금속을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.A first electrode 310 may be disposed on the via insulating layer 150 . As described above, the first electrode 310 may be in contact with the drain electrode 145 while filling the second contact hole, or may be electrically connected to the drain electrode 145 through the contact provided in the second contact hole. can be connected to In example embodiments, the first electrode 310 may be independently disposed for each of the pixels. For example, the first electrode 310 may include a metal such as aluminum, silver, tungsten, copper, nickel, chromium, molybdenum, titanium, platinum, tantalum, neodymium, scandium, or an alloy of these metals. According to other embodiments, the first electrode 310 may include a transparent conductive material. For example, the first electrode 310 may include indium tin compound (ITO), indium zinc compound (IZO), zinc oxide, or indium oxide. Optionally, the first electrode 310 may have a multilayer structure including the transparent conductive material and the metal.

비아 절연막(150) 상에는 제1 전극(310)을 부분적으로 커버하는 화소 정의막(160)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(160)은 제1 전극(310)의 주변부를 커버하면서 제1 전극(310)의 중심부를 노출시킬 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(160)에는 제1 전극(310)의 중심부를 노출시키는 화소 개구가 제공될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(160)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다.A pixel defining layer 160 partially covering the first electrode 310 may be disposed on the via insulating layer 150 . The pixel defining layer 160 may expose a central portion of the first electrode 310 while covering a peripheral portion of the first electrode 310 . Accordingly, a pixel opening exposing a central portion of the first electrode 310 may be provided in the pixel defining layer 160 . For example, the pixel defining layer 160 may include an organic material such as polyimide, epoxy resin, acrylic resin, or polyester.

제1 전극(310) 상에는 발광 구조물(320)이 배치될 수 있다. 발광 구조물(320)은 제1 전극(310) 및 제2 전극(330)으로부터 각기 주입되는 정공 및 전자가 결합하여 광이 방출되는 유기 발광층을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광 구조물(320)은 정공 주입층(hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)을 더 포함할 수 있다.A light emitting structure 320 may be disposed on the first electrode 310 . The light emitting structure 320 may include an organic light emitting layer in which light is emitted by combining holes and electrons respectively injected from the first electrode 310 and the second electrode 330 . In example embodiments, the light emitting structure 320 further includes a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. can do.

제1 전극(310) 상에는 상기 정공 주입층이 배치되고, 상기 정공 주입층 상에는 상기 정공 수송층이 배치될 수 있다. 상기 정공 수송층 상에는 상기 유기 발광층이 배치될 수 있다. 상기 유기 발광층은 정공 및 전자에 의해 여기되는 호스트(host) 물질 및 에너지의 흡수와 방출을 통해 발광 효율을 증가시키는 도펀트(dopant) 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 발광층 상에는 상기 전자 수송층이 배치될 수 있고, 상기 전자 수송층 상에는 상기 전자 주입층이 배치될 수 있다.The hole injection layer may be disposed on the first electrode 310 , and the hole transport layer may be disposed on the hole injection layer. The organic emission layer may be disposed on the hole transport layer. The organic emission layer may include a host material excited by holes and electrons, and a dopant material that increases luminous efficiency through energy absorption and emission. The electron transport layer may be disposed on the organic emission layer, and the electron injection layer may be disposed on the electron transport layer.

발광 구조물(320) 상에는 제2 전극(330)이 배치될 수 있다. 제2 전극(330)은 발광 구조물(320)을 사이에 두고 제1 전극(310)과 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(330)은 상기 복수의 화소들에 공통적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(330)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 상대적으로 낮은 일 함수를 갖는 금속 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다.A second electrode 330 may be disposed on the light emitting structure 320 . The second electrode 330 may be disposed to face the first electrode 310 with the light emitting structure 320 therebetween. In example embodiments, the second electrode 330 may be commonly disposed in the plurality of pixels. For example, the second electrode 330 may include aluminum (Al), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), nickel (Ni), chromium (Cr), molybdenum (Mo), or titanium (Ti). , a metal having a relatively low work function, such as platinum (Pt), tantalum (Ta), neodymium (Nd), scandium (Sc), or the like, or an alloy of these metals.

제2 기판(200)은 제1 기판(100)에 실질적으로 대향하도록 배치될 수 있다. 제2 기판(200)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판 등과 같은 투명 기판을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제2 기판(200)은 연성을 갖는 기판(flexible substrate)으로 이루어질 수도 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 기판(200)은 폴리이미드 계열 수지를 포함할 수 있다.The second substrate 200 may be disposed to substantially face the first substrate 100 . The second substrate 200 may include a transparent substrate such as a glass substrate, a quartz substrate, or a transparent plastic substrate. Optionally, the second substrate 200 may be made of a flexible substrate. In some embodiments, the second substrate 200 may include a polyimide-based resin.

제2 기판(200) 아래에는 반사부(400)가 배치될 수 있다. 반사부 (400)는 표시 장치(10)로 입사하는 외광을 반사시켜 표시 장치(10)가 미러 디스플레이의 기능을 수행할 수 있게 한다. 반사부(400)는 제1 반사 부재(410), 제2 반사 부재(420) 및 제3 반사 부재(430)를 포함할 수 있다.A reflector 400 may be disposed under the second substrate 200 . The reflector 400 reflects external light incident on the display device 10 so that the display device 10 can function as a mirror display. The reflector 400 may include a first reflective member 410 , a second reflective member 420 and a third reflective member 430 .

제2 기판(200) 아래에는 제1 반사 부재(410)가 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제1 반사 부재(410)는 제2 기판(200)의 면들 중 제1 기판(100)을 향하는 면에 배치될 수 있다. 제1 반사 부재(410)는 비발광 영역(304)에 대응되도록 위치할 수 있다. 제1 반사 부재(410)는 상기 화소로부터 광이 방출되는 발광 영역(302)과는 중첩되지 않도록 위치할 수 있다. 제1 반사 부재(410)는 불투명할 수 있고, 이에 따라, 표시 장치(10)에 입사하는 외광을 반사시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 반사 부재(410)는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.A first reflective member 410 may be disposed under the second substrate 200 . In other words, the first reflective member 410 may be disposed on a surface of the second substrate 200 facing the first substrate 100 . The first reflective member 410 may be positioned to correspond to the non-emission area 304 . The first reflective member 410 may be positioned so as not to overlap the light emitting region 302 from which light is emitted from the pixel. The first reflective member 410 may be opaque, and thus reflect external light incident on the display device 10 . For example, the first reflective member 410 may include at least one of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), and tungsten (W). can include

제1 반사 부재(410) 아래에는 제2 반사 부재(420)가 배치될 수 있다. 제2 반사 부재(420)는 발광 영역(302) 및 비발광 영역(304)을 포함하는 표시 영역(102)에 대응되도록 위치할 수 있다. 다시 말해, 제2 반사 부재(420)는 표시 장치(10)의 영상이 표시되는 표시 영역(102)의 상부에 전체적으로 위치할 수 있다. 제2 반사 부재(420)는 반투명할 수 있고, 이에 따라, 표시 장치(10)에 입사하는 외광 및 표시 장치(10)에서 방출되는 광을 투과시켜 표시 장치(10)의 투과율을 향상시킬 수 있다. 제2 반사 부재(420)는 미러의 특성을 향상시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 제2 반사 부재(420)는 은(Ag) 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.A second reflective member 420 may be disposed under the first reflective member 410 . The second reflective member 420 may be positioned to correspond to the display area 102 including the emission area 302 and the non-emission area 304 . In other words, the second reflective member 420 may be positioned entirely above the display area 102 where the image of the display device 10 is displayed. The second reflective member 420 may be translucent, and thus transmit external light incident on the display device 10 and light emitted from the display device 10 to improve transmittance of the display device 10 . . The second reflective member 420 may serve to improve characteristics of the mirror. For example, the second reflective member 420 may include at least one of silver (Ag) and indium tin oxide (ITO).

제2 기판(200) 아래에는 제3 반사 부재(430)가 배치될 수 있다. 제3 반사 부재(430)는 주변 영역(104)에 대응되도록 위치할 수 있다. 다시 말해, 제3 반사 부재(430)는 표시 영역(102)에 대응되는 제2 반사 부재(420)를 둘러싸도록 배치될 수 있다.A third reflective member 430 may be disposed under the second substrate 200 . The third reflective member 430 may be positioned to correspond to the peripheral area 104 . In other words, the third reflective member 430 may be disposed to surround the second reflective member 420 corresponding to the display area 102 .

제3 반사 부재(430)는 표시 장치(10)에 입사하는 외광을 반사시키는 역할을 할 수 있다. 제2 기판(200)이 상기 폴리이미드 계열 수지를 포함하는 경우, 제2 기판(200)은 약 1.7 내외의 굴절률을 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 반사 부재(430)는 약 2.0 내지 약 3.0 범위의 굴절률을 가질 수 있다. 제3 반사 부재(430)의 굴절률과 제2 기판(200)의 굴절률의 차이가 작은 경우, 외광이 투과되어 반사도가 낮아질 수 있다. 또한, 제3 반사 부재(430)의 굴절률과 제2 기판(200)의 굴절률의 차이가 큰 경우, 제3 반사 부재(430)에서의 반사도와 제1 반사 부재(410)에서의 반사도의 차이가 커지므로, 사용자가 제3 반사 부재(430)의 위치를 시인할 수 있다. 본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 제3 반사 부재(430)의 굴절률과 제2 기판(200)의 굴절률이 소정의 차이가 있는 경우, 제2 기판(200)과 제3 반사 부재(430) 사이의 계면에서의 굴절률의 변화에 따른 빛의 전반사에 의해 외광이 반사되어 제3 반사 부재(430)가 외광을 반사시키는 역할을 할 수 있다.The third reflective member 430 may serve to reflect external light incident on the display device 10 . When the second substrate 200 includes the polyimide-based resin, the second substrate 200 may have a refractive index of about 1.7. In example embodiments, the third reflective member 430 may have a refractive index ranging from about 2.0 to about 3.0. When the difference between the refractive index of the third reflective member 430 and the refractive index of the second substrate 200 is small, external light may be transmitted and reflectance may be lowered. In addition, when the difference between the refractive index of the third reflective member 430 and the refractive index of the second substrate 200 is large, the difference between the reflectivity of the third reflective member 430 and the reflectivity of the first reflective member 410 is Since it is large, the user can visually recognize the position of the third reflective member 430 . According to exemplary embodiments of the present invention, when there is a predetermined difference between the refractive index of the third reflective member 430 and the refractive index of the second substrate 200, the second substrate 200 and the third reflective member 430 ) external light is reflected by the total reflection of light according to the change in the refractive index at the interface between the third reflection member 430 may serve to reflect the external light.

제3 반사 부재(430)는 실리콘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 반사 부재(430)는 비정질(amorphous) 실리콘 및 폴리(poly) 실리콘 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 실리콘은 제1 반사 부재(410) 및 제2 반사 부재(420)가 각기 함유하는 금속에 비하여 상대적으로 씰링 부재(500)와의 접착력이 클 수 있다. 이에 따라, 제3 반사 부재(430)는 씰링 부재(500)와 제2 기판(200)을 접착하는 역할을 할 수 있다.The third reflective member 430 may include silicon. For example, the third reflective member 430 may include at least one of amorphous silicon and poly silicon. Silicon may have a relatively greater adhesive force with the sealing member 500 than the metal each of the first reflective member 410 and the second reflective member 420 contain. Accordingly, the third reflective member 430 may serve to adhere the sealing member 500 and the second substrate 200 .

일 실시예에 있어서, 제3 반사 부재(430)에 포함되는 상기 비정질(amorphous) 실리콘은 적색(reddish)을 가질 수 있고, 이에 따라, 사용자가 제3 반사 부재(430)를 시인할 수 있다. 이 경우, 사용자가 제3 반사 부재(430)를 시인하는 것을 방지하기 위하여, 제3 반사 부재(430)의 두께를 제2 반사 부재(420)의 두께보다 얇게 형성할 수 있다.In one embodiment, the amorphous silicon included in the third reflective member 430 may have a reddish color, and thus, a user may recognize the third reflective member 430 . In this case, in order to prevent the user from viewing the third reflective member 430 , the thickness of the third reflective member 430 may be smaller than that of the second reflective member 420 .

예시적인 실시예들에 있어서, 제2 기판(200) 아래에는 정렬 키(alignment key)(440)가 배치될 수 있다. 정렬 키(440)는 제3 반사 부재(430)의 외곽부에 위치할 수 있다. 다시 말해, 정렬 키(440)는 제2 기판(200)의 중심부로부터 제3 반사 부재(430)보다 먼 곳에 위치할 수 있다.In example embodiments, an alignment key 440 may be disposed below the second substrate 200 . The alignment key 440 may be located outside the third reflective member 430 . In other words, the alignment key 440 may be located farther from the center of the second substrate 200 than the third reflective member 430 .

정렬 키(440)는 제2 기판(200)의 상부 또는 하부에 위치하는 표시 장치(10)의 구성 요소들의 위치를 정렬시키기 위한 마크(mark)일 수 있다. 비전(vision) 장치 등을 통해 정렬 키(440)를 이용하여 상기 표시 장치(10)의 구성 요소들의 위치를 정위치에 정렬시킬 수 있다. 예를 들어, 정렬 키(440)는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The alignment key 440 may be a mark for aligning the positions of components of the display device 10 positioned above or below the second substrate 200 . The positions of the components of the display device 10 may be aligned in place using an alignment key 440 through a vision device or the like. For example, the alignment key 440 may include at least one of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), and tungsten (W). can

예시적인 실시예들에 있어서, 정렬 키(440)는 제1 반사 부재(410)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 정렬 키(440)와 제1 반사 부재(410)는 제2 기판(200) 상부의 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수 있다.In example embodiments, the alignment key 440 may include the same material as the first reflective member 410 . In this case, the alignment key 440 and the first reflective member 410 may be positioned on substantially the same level above the second substrate 200 .

제1 기판(100)과 제2 기판(200)의 사이에는 씰링 부재(500)가 배치될 수 있다. 좀 더 상세하게는, 도 4에 도시된 바와 같이, 씰링 부재(500)는 제1 기판(100)의 화소 정의막(160)과 제2 기판(200)의 제3 반사 부재(430) 사이에 배치되어 제1 기판(100)과 제2 기판(200)을 결합시킬 수 있다. 예를 들어, 씰링 부재(500)는 프릿(frit) 및 에폭시(epoxy) 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.A sealing member 500 may be disposed between the first substrate 100 and the second substrate 200 . More specifically, as shown in FIG. 4 , the sealing member 500 is formed between the pixel defining layer 160 of the first substrate 100 and the third reflective member 430 of the second substrate 200 . It is arranged so that the first substrate 100 and the second substrate 200 may be coupled to each other. For example, the sealing member 500 may include at least one of frit and epoxy resin.

비교예에 있어서, 제1 기판과 제2 기판 사이에 상기 제2 기판에 직접적으로 접촉하면서 씰링 부재가 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 씰링 부재가 배치되는 위치에는 반사부가 형성되지 않기 때문에, 상기 제2 기판 상에 위치하는 상기 반사부의 면적이 상대적으로 좁아질 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 주변 영역은 미러의 역할을 하지 못할 수 있다.In the comparative example, a sealing member may be disposed between the first substrate and the second substrate while directly contacting the second substrate. In this case, since the reflective part is not formed at the position where the sealing member is disposed, an area of the reflective part located on the second substrate may be relatively narrowed. Accordingly, the peripheral area of the display device may not function as a mirror.

그러나, 상술한 예시적인 실시예에 따르면, 제2 기판(200)과 씰링 부재(500) 사이에 제2 기판(200)과 씰링 부재(500)를 접착시키는 제3 반사 부재(430)가 배치될 수 있다. 이 경우, 씰링 부재(500)가 배치되는 위치에도 반사부(400)가 형성되기 때문에, 제2 기판(200) 상에 위치하는 반사부(400)의 면적이 상대적으로 넓어질 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(10)의 표시 영역(102)뿐만 아니라 주변 영역(104)도 미러의 역할을 할 수 있다.However, according to the above exemplary embodiment, the third reflective member 430 bonding the second substrate 200 and the sealing member 500 is disposed between the second substrate 200 and the sealing member 500. can In this case, since the reflector 400 is also formed at the position where the sealing member 500 is disposed, the area of the reflector 400 positioned on the second substrate 200 may be relatively widened. Accordingly, not only the display area 102 of the display device 10 but also the peripheral area 104 may serve as a mirror.

씰링 부재(500)에 의하여 형성된 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 공간에는 충진 부재가 배치될 수 있다. 상기 충진 부재는 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 공간을 실질적으로 채울 수 있다. 이에 따라, 외부의 충격에 대한 표시 장치(10)의 내구성이 향상될 수 있다.A filling member may be disposed in the space between the first substrate 100 and the second substrate 200 formed by the sealing member 500 . The filling member may substantially fill a space between the first substrate 100 and the second substrate 200 . Accordingly, durability of the display device 10 against external impact may be improved.

도 5는 도 1의 III-III' 선을 따른 도 1의 표시 장치의 다른 예를 나타내는 단면도이다. 도 5를 참조하여 설명하는 표시 장치에 있어서, 도 4를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대하여는 중복된 설명은 생략한다.FIG. 5 is a cross-sectional view of another example of the display device of FIG. 1 along line III-III' of FIG. 1 . In the display device described with reference to FIG. 5 , redundant descriptions of components substantially the same as or similar to those described with reference to FIG. 4 will be omitted.

도 5를 참조하면, 제1 반사 부재(410) 아래에는 제2 반사 부재(420)가 배치될 수 있다. 제2 반사 부재(420)는 발광 영역(302) 및 비발광 영역(304)을 포함하는 표시 영역(102)에 대응되도록 위치할 수 있다. 다시 말해, 제2 반사 부재(420)는 표시 장치(10)의 영상이 표시되는 표시 영역(102)의 상부에 전체적으로 위치할 수 있다. 제2 반사 부재(420)는 실리콘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 반사 부재(420)는 비정질(amorphous) 실리콘 및 폴리(poly) 실리콘 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , a second reflective member 420 may be disposed below the first reflective member 410 . The second reflective member 420 may be positioned to correspond to the display area 102 including the emission area 302 and the non-emission area 304 . In other words, the second reflective member 420 may be positioned entirely above the display area 102 where the image of the display device 10 is displayed. The second reflective member 420 may include silicon. For example, the second reflective member 420 may include at least one of amorphous silicon and poly silicon.

제2 기판(200) 아래에는 제3 반사 부재(430)가 배치될 수 있다. 제3 반사 부재(430)는 주변 영역(104)에 대응되도록 위치할 수 있다. 다시 말해, 제3 반사 부재(430)는 표시 영역(102)에 대응되는 제2 반사 부재(420)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제3 반사 부재(430)는 실리콘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 반사 부재(430)는 비정질 실리콘 및 폴리 실리콘 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 실리콘은 금속에 비하여 상대적으로 씰링 부재(500)와의 접착력이 클 수 있다. 이에 따라, 제3 반사 부재(430)는 씰링 부재(500)와 제2 기판(200)을 접착하는 역할을 할 수 있다.A third reflective member 430 may be disposed under the second substrate 200 . The third reflective member 430 may be positioned to correspond to the peripheral area 104 . In other words, the third reflective member 430 may be disposed to surround the second reflective member 420 corresponding to the display area 102 . The third reflective member 430 may include silicon. For example, the third reflective member 430 may include at least one of amorphous silicon and polysilicon. Silicon may have a relatively high adhesive force with the sealing member 500 compared to metal. Accordingly, the third reflective member 430 may serve to adhere the sealing member 500 and the second substrate 200 .

예시적인 실시예들에 있어서, 제2 반사 부재(420) 및 제3 반사 부재(430)는 일체로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 반사 부재(420)와 제3 반사 부재(430)는 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일체로 형성된 제2 반사 부재(420) 및 제3 반사 부재(430)는 표시 영역(102) 및 주변 영역(104)에 대응되는 제2 기판(200) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 따라서, 표시 장치(10)는 표시 영역(102) 및 주변 영역(104)에 걸쳐 실질적으로 균일한 반사도를 가질 수 있다.In example embodiments, the second reflective member 420 and the third reflective member 430 may be integrally formed. Accordingly, the second reflective member 420 and the third reflective member 430 may include substantially the same material. The integrally formed second reflective member 420 and third reflective member 430 may be entirely disposed on the second substrate 200 corresponding to the display area 102 and the peripheral area 104 . Accordingly, the display device 10 may have substantially uniform reflectivity over the display area 102 and the peripheral area 104 .

도 6 내지 도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.6 to 13 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to exemplary embodiments of the present invention.

도 6을 참조하면, 제2 기판(200)을 제공할 수 있다. 제2 기판(200)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판 등과 같은 투명 기판을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제2 기판(200)은 연성을 갖는 기판(flexible substrate)으로 이루어질 수도 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 기판(200)은 폴리이미드 계열 수지를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , a second substrate 200 may be provided. The second substrate 200 may include a transparent substrate such as a glass substrate, a quartz substrate, or a transparent plastic substrate. Optionally, the second substrate 200 may be made of a flexible substrate. In some embodiments, the second substrate 200 may include a polyimide-based resin.

도 7을 참조하면, 제2 기판(200) 상에 제1 반사 부재(410)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(200) 상에 제1 도전막을 형성한 후, 식각 공정을 이용하여 상기 제1 도전막을 패터닝함으로써, 제2 기판(200) 상에 제1 반사 부재(410)를 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 도전막은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 제1 반사 부재(410)는, 전술한 바와 같이, 제1 기판(100)의 비발광 영역(304)에 대응되도록 위치할 수 있다.Referring to FIG. 7 , a first reflective member 410 may be formed on the second substrate 200 . For example, after forming the first conductive layer on the second substrate 200, the first reflective member 410 is formed on the second substrate 200 by patterning the first conductive layer using an etching process. can do. In this case, the first conductive layer may be formed using at least one of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), and tungsten (W). can As described above, the first reflective member 410 may be positioned to correspond to the non-emission area 304 of the first substrate 100 .

도 8을 참조하면, 제2 기판(200) 상에 정렬 키(440)를 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 기판(200) 상에 제2 도전막을 형성한 후, 식각 공정을 이용하여 상기 제2 도전막을 패터닝함으로써, 제2 기판(200) 상에 정렬 키(440)를 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 제2 도전막은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 도전막을 형성한 후, 식각 공정을 이용하여 상기 제1 도전막을 패터닝함으로써, 제2 기판(200) 상에 제1 반사 부재(410)와 정렬 키(440)를 동시에 형성할 수 있다. 이 경우, 별도로 정렬 키(440)를 형성하기 위한 증착 공정 및 식각 공정이 필요하지 않기 때문에 제조 비용이 절감되고, 제조 시간이 단축될 수 있다. 정렬 키(440)는, 전술한 바와 같이, 제1 기판(100)의 주변 영역(104)에 대응되도록 제1 반사 부재(410)의 외곽부에 위치할 수 있다.Referring to FIG. 8 , an alignment key 440 may be formed on the second substrate 200 . In one embodiment, after forming the second conductive film on the second substrate 200, the alignment key 440 is formed on the second substrate 200 by patterning the second conductive film using an etching process. can do. In this case, the second conductive layer may be formed using at least one of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), and tungsten (W). can In another embodiment, after forming the first conductive layer, the first reflective member 410 and the alignment key 440 are formed on the second substrate 200 by patterning the first conductive layer using an etching process. can be formed simultaneously. In this case, since a deposition process and an etching process for separately forming the alignment key 440 are not required, manufacturing cost and manufacturing time can be reduced. As described above, the alignment key 440 may be positioned on an outer portion of the first reflective member 410 to correspond to the peripheral area 104 of the first substrate 100 .

도 9를 참조하면, 제1 반사 부재(410) 상에 제2 반사 부재(420)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(200) 상에 제1 반사 부재(410)를 덮도록 제3 도전막을 형성한 후, 식각 공정을 이용하여 상기 제3 도전막을 패터닝함으로써, 제1 반사 부재(410) 상에 제2 반사 부재(420)를 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 제3 도전막은 은(Ag) 및 인듐 주석 산화물(ITO) 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 제2 반사 부재(420)는, 전술한 바와 같이, 제1 기판(100)의 발광 영역(302) 및 비발광 영역(304)을 포함하는 표시 영역(102)에 대응되도록 위치할 수 있다.Referring to FIG. 9 , a second reflective member 420 may be formed on the first reflective member 410 . For example, by forming a third conductive film on the second substrate 200 to cover the first reflective member 410 and then patterning the third conductive film using an etching process, the first reflective member 410 A second reflective member 420 may be formed thereon. In this case, the third conductive layer may be formed using at least one of silver (Ag) and indium tin oxide (ITO). As described above, the second reflective member 420 may be positioned to correspond to the display area 102 including the emission area 302 and the non-emission area 304 of the first substrate 100 .

도 10을 참조하면, 제2 기판(200) 상에 제3 반사 부재(430)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(200) 상에 절연막을 형성한 후, 식각 공정을 통해 상기 절연막을 패터닝함으로써, 제2 기판(200) 상에 제3 반사 부재(430)를 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 절연막은 비정질(amorphous) 실리콘 및 폴리(poly) 실리콘과 같은 실리콘을 사용하여 형성될 수 있다. 제3 반사 부재(430)는, 전술한 바와 같이, 제1 기판(100)의 주변 영역(104)에 대응되도록 위치할 수 있다.Referring to FIG. 10 , a third reflective member 430 may be formed on the second substrate 200 . For example, the third reflective member 430 may be formed on the second substrate 200 by forming an insulating film on the second substrate 200 and then patterning the insulating film through an etching process. In this case, the insulating film may be formed using silicon such as amorphous silicon and poly silicon. As described above, the third reflective member 430 may be positioned to correspond to the peripheral area 104 of the first substrate 100 .

도 11을 참조하면, 제3 반사 부재(430) 상에 제3 반사 부재(430)와 접착되는 씰링 부재(500)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 씰링 부재(500)는 프릿(frit) 및 에폭시(epoxy) 수지 중 적어도 하나를 사용하여 제3 반사 부재(430) 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 씰링 부재(500)와 제2 기판(200) 사이의 접착력이 향상될 수 있다.Referring to FIG. 11 , a sealing member 500 adhered to the third reflective member 430 may be formed on the third reflective member 430 . For example, the sealing member 500 may be formed on the third reflective member 430 using at least one of frit and epoxy resin. Accordingly, adhesion between the sealing member 500 and the second substrate 200 may be improved.

도 12를 참조하면, 제1 기판(100) 상에, 예를 들어, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정 등을 이용하여 버퍼막(110)을 형성한 후, 버퍼막(110) 상에, 예를 들어, 비정질 실리콘 또는 폴리실리콘을 사용하여 반도체막을 형성한 후, 식각 공정을 통해 상기 반도체막을 패터닝함으로써 액티브 패턴(120)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 12, on the first substrate 100, for example, a chemical vapor deposition (CVD) process, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, a high-density plasma-chemical vapor deposition (HDP-CVD) process, etc. After the buffer film 110 is formed by using, a semiconductor film is formed on the buffer film 110 using, for example, amorphous silicon or polysilicon, and then the semiconductor film is patterned through an etching process to form an active pattern. (120) can be formed.

버퍼막(110) 상에 액티브 패턴(120)을 덮으면서 게이트 절연막(125)을 형성한 다음, 게이트 절연막(125) 상에 제4 도전막을 형성한 후, 식각 공정을 이용하여 상기 제4 도전막을 패터닝함으로써 게이트 전극(130)을 형성할 수 있다. 게이트 전극(130)은 게이트 절연막(125)을 사이에 두고 액티브 패턴(120)과 실질적으로 중첩되도록 위치할 수 있다.After forming the gate insulating layer 125 on the buffer layer 110 while covering the active pattern 120, and then forming a fourth conductive layer on the gate insulating layer 125, the fourth conductive layer is formed using an etching process. The gate electrode 130 may be formed by patterning. The gate electrode 130 may be positioned to substantially overlap the active pattern 120 with the gate insulating layer 125 interposed therebetween.

게이트 절연막(125) 상에 게이트 전극(130)을 덮는 층간 절연막(135)을 형성한 후, 층간 절연막(135) 및 게이트 절연막(125)을 부분적으로 식각하여 액티브 패턴(120)을 부분적으로 노출시키는 제1 콘택 홀들을 형성할 수 있다. 이 후, 층간 절연막(135) 및 게이트 절연막(125)을 관통하여 액티브 패턴(120)과 접촉하는 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(135) 상에 상기 제1 콘택 홀들을 채우면서 제5 도전막을 형성한 후, 이러한 제5 도전막을 패터닝하여 소스 전극(140)과 드레인 전극(145)을 형성할 수 있다.After forming an interlayer insulating film 135 covering the gate electrode 130 on the gate insulating film 125, the interlayer insulating film 135 and the gate insulating film 125 are partially etched to partially expose the active pattern 120. First contact holes may be formed. Thereafter, the source electrode 140 and the drain electrode 145 may be formed to contact the active pattern 120 through the interlayer insulating layer 135 and the gate insulating layer 125 . For example, after forming a fifth conductive layer on the interlayer insulating layer 135 while filling the first contact holes, the fifth conductive layer may be patterned to form the source electrode 140 and the drain electrode 145. .

층간 절연막(135) 상에 소스 전극(140)과 드레인 전극(145)을 덮으면서 비아 절연막(150)을 형성한 후, 비아 절연막(150)을 부분적으로 식각하여 드레인 전극(145)을 부분적으로 노출시키는 제2 콘택 홀을 형성할 수 있다. 이 후, 예를 들어, 상기 제2 콘택 홀을 채우면서 제6 도전막을 형성한 후, 이러한 제6 도전막을 패터닝하여 제1 전극(310)을 형성할 수 있다.After forming the via insulating film 150 on the interlayer insulating film 135 while covering the source electrode 140 and the drain electrode 145, the via insulating film 150 is partially etched to partially expose the drain electrode 145 A second contact hole may be formed. Thereafter, for example, after forming a sixth conductive layer while filling the second contact hole, the first electrode 310 may be formed by patterning the sixth conductive layer.

비아 절연막(150) 상에, 예를 들어, 제1 전극(310)을 덮으면서 예비 화소 정의막을 형성한 후, 상기 예비 화소 정의막을 부분적으로 식각하여 제1 전극(310)의 중심부를 노출시키고, 제1 전극(310)의 주변부를 커버하는 화소 정의막(160)을 형성할 수 있다. 이 후, 제1 전극(310) 상에, 예를 들어, 적색, 녹색 또는 청색 발광을 위한 유기 발광 물질을 사용하여 유기 발광층을 형성할 수 있다.After forming a preliminary pixel defining layer on the via insulating layer 150 while covering, for example, the first electrode 310, the preliminary pixel defining layer is partially etched to expose a central portion of the first electrode 310; A pixel defining layer 160 covering a peripheral portion of the first electrode 310 may be formed. Thereafter, an organic light emitting layer may be formed on the first electrode 310 by using, for example, an organic light emitting material for emitting red, green, or blue light.

일부 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광층을 형성하기 전에 정공 수송 물질을 사용하여 정공 수송층을 더 형성할 수 있고, 또한, 상기 유기 발광층 상에 상기 전자 수송 물질을 사용하여 전자 수송층을 더 형성할 수 있다.In some embodiments, before forming the organic light emitting layer, a hole transporting layer may be further formed using a hole transporting material, and an electron transporting layer may be further formed on the organic light emitting layer using the electron transporting material. there is.

상기 유기 발광층 상에는, 예를 들어, 알루미늄, 은, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 티타늄, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐 등과 같은 일 함수가 낮은 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 증착하여 제2 전극(330)을 형성할 수 있다. 제2 전극(330)은 상기 금속 물질을, 예를 들어, 스퍼터링 공정을 통해 증착함으로써 형성될 수 있다.On the organic light emitting layer, for example, a metal material having a low work function such as aluminum, silver, tungsten, copper, nickel, chromium, molybdenum, titanium, platinum, tantalum, neodymium, or scandium or an alloy of these metals is deposited to form a second An electrode 330 may be formed. The second electrode 330 may be formed by depositing the metal material through, for example, a sputtering process.

도 13을 참조하면, 제2 기판(200)을 제1 기판(100)에 합착할 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(100)과 제2 기판(200)은 제1 기판(100)의 표시부(300)가 배치된 면과 제2 기판(200)의 반사부(400)가 배치된 면이 서로 마주보도록 합착될 수 있다. 이 경우, 제2 기판(200)의 제3 반사 부재(430) 상에 형성된 씰링 부재(500)를 제1 기판(100)의 화소 정의막(160)에 접촉하도록, 제2 기판(200)을 제1 기판(100)에 합착할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 씰링 부재(500)에 의하여 형성된 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 공간에는 충진 부재가 주입될 수 있다.Referring to FIG. 13 , the second substrate 200 may be bonded to the first substrate 100 . For example, the first substrate 100 and the second substrate 200 may be a surface of the first substrate 100 on which the display unit 300 is disposed and a surface of the second substrate 200 on which the reflector 400 is disposed. They may be bonded so that they face each other. In this case, the second substrate 200 is formed so that the sealing member 500 formed on the third reflective member 430 of the second substrate 200 contacts the pixel defining layer 160 of the first substrate 100. It can be bonded to the first substrate 100 . In example embodiments, a filling member may be injected into a space between the first substrate 100 and the second substrate 200 formed by the sealing member 500 .

도 14 및 도 15는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 도 14 및 도 15를 참조하여 설명하는 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 도 6 내지 도 13을 참조하여 설명한 부분들과 실질적으로 동일하거나 유사한 부분들에 대하여는 중복된 설명은 생략한다.14 and 15 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device according to other exemplary embodiments of the present invention. In the manufacturing method of the display device described with reference to FIGS. 14 and 15 , overlapping descriptions of parts substantially the same as or similar to those described with reference to FIGS. 6 to 13 will be omitted.

도 14를 참조하면, 제1 반사 부재(410) 상에 제2 반사 부재(420) 및 제3 반사 부재(430)를 형성할 수 있다. 여기서, 제2 반사 부재(420) 및 제3 반사 부재(430)는 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(200) 상에 제1 반사 부재(410)를 덮도록 절연막을 형성한 후, 식각 공정을 통해 상기 절연막을 패터닝함으로써, 일체로 형성된 제2 반사 부재(420) 및 제3 반사 부재(430)를 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 절연막은 비정질(amorphous) 실리콘 및 폴리(poly) 실리콘과 같은 실리콘을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 일체로 형성된 제2 반사 부재(420) 및 제3 반사 부재(430)는 전술한 바와 같이 제1 기판(100)의 표시 영역(102) 및 주변 영역(104)에 대응되도록 위치할 수 있다.Referring to FIG. 14 , a second reflective member 420 and a third reflective member 430 may be formed on the first reflective member 410 . Here, the second reflective member 420 and the third reflective member 430 may be integrally formed. For example, by forming an insulating film on the second substrate 200 to cover the first reflective member 410 and then patterning the insulating film through an etching process, the integrally formed second reflective member 420 and the 3 reflective members 430 may be formed. In this case, the insulating film may be formed using silicon such as amorphous silicon and poly silicon. As described above, the integrally formed second reflective member 420 and third reflective member 430 may be positioned to correspond to the display area 102 and the peripheral area 104 of the first substrate 100 .

도 15를 참조하면, 제2 기판(200)을 제1 기판(100)에 합착할 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(100)과 제2 기판(200)은 제1 기판(100)의 표시부(300)가 배치된 면과 제2 기판(200)의 반사부(400)가 배치된 면이 서로 마주보도록 합착될 수 있다. 이 경우, 제2 기판(200)의 상기 일체로 형성된 제2 반사 부재(420) 및 제3 반사 부재(430) 상에 형성된 씰링 부재(500)를 제1 기판(100)의 화소 정의막(160)에 접촉하도록, 제2 기판(200)을 제1 기판(100)에 합착할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 씰링 부재(500)에 의하여 형성된 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 공간에는 충진 부재가 주입될 수 있다.Referring to FIG. 15 , the second substrate 200 may be bonded to the first substrate 100 . For example, the first substrate 100 and the second substrate 200 may be a surface of the first substrate 100 on which the display unit 300 is disposed and a surface of the second substrate 200 on which the reflector 400 is disposed. They may be bonded so that they face each other. In this case, the sealing member 500 formed on the integrally formed second reflective member 420 and the third reflective member 430 of the second substrate 200 is formed on the pixel defining layer 160 of the first substrate 100. ), the second substrate 200 may be bonded to the first substrate 100. In example embodiments, a filling member may be injected into a space between the first substrate 100 and the second substrate 200 formed by the sealing member 500 .

이상, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치들 및 표시 장치의 제조 방법들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 상술한 실시예들은 예시적인 것으로서 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.Above, display devices and methods of manufacturing the display devices according to embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings, but the above-described embodiments are illustrative and within the scope of not departing from the technical spirit of the present invention, the corresponding technical field may be modified and changed by those skilled in the art.

본 발명은 표시 장치를 구비하는 전자 기기들에 다양하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(portable multimedia player; PMP), 피디에이(personal digital assistants; PDA), MP3 플레이어, 디지털 카메라, 비디오 캠코더 등에 적용될 수 있다.The present invention can be variously applied to electronic devices having a display device. For example, the present invention can be applied to computers, notebooks, mobile phones, smart phones, smart pads, portable multimedia players (PMPs), personal digital assistants (PDAs), MP3 players, digital cameras, video camcorders, and the like.

상기에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.Although the above has been described with reference to the embodiments of the present invention, those skilled in the art will variously modify and change the present invention within the scope not departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that it can be done.

10: 표시 장치 100: 제1 기판
102: 표시 영역 104: 주변 영역
200: 제2 기판 300: 표시부
302: 발광 영역 304: 비발광 영역
310: 제1 전극 320: 발광 구조물
330: 제2 전극 410: 제1 반사 부재
420: 제2 반사 부재 430: 제3 반사 부재
440: 정렬 키 500: 씰링 부재10: display device 100: first substrate
102 display area 104 peripheral area
200: second substrate 300: display unit
302: light emitting area 304: non-light emitting area
310: first electrode 320: light emitting structure
330: second electrode 410: first reflective member
420: second reflective member 430: third reflective member
440: alignment key 500: sealing member

Claims

a first substrate having a display area and a peripheral area;
a display unit disposed on the first substrate, positioned in the display area, and having an emission area and a non-emission area;
a second substrate facing the first substrate;
a first reflective member disposed under the second substrate and corresponding to the non-emission area;
a second reflective member disposed below the first reflective member and corresponding to the display area;
a sealing member disposed between the first substrate and the second substrate; and
disposed between the sealing member and the second substrate to adhere the sealing member to the second substrate, correspond to the peripheral area, do not overlap the display area, and include a material different from that of the second reflective member A display device including a third reflective member.

The display device of claim 1 , wherein the second substrate includes a polyimide-based resin.

The display device of claim 2 , wherein the third reflective member has a refractive index ranging from 2.0 to 3.0.

The display device of claim 1 , wherein the third reflective member includes silicon.

The display device of claim 4 , wherein the third reflective member includes at least one of amorphous silicon and poly silicon.

The display device of claim 5 , wherein the third reflective member includes the red amorphous silicon, and the third reflective member has a thickness smaller than that of the second reflective member.

The display device of claim 1 , wherein the second reflective member includes at least one of silver (Ag) and indium tin oxide (ITO).

The display device of claim 1 , wherein the second reflective member includes silicon.

The display device of claim 8 , wherein the second reflective member includes at least one of amorphous silicon and poly silicon.

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The method of claim 1 , wherein the first reflective member is made of at least one of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), and tungsten (W). A display device comprising:

The display device of claim 1 , further comprising an alignment key disposed below the second substrate and positioned on an outer portion of the third reflective member.

13. The method of claim 12 , wherein the alignment key includes at least one of aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), and tungsten (W). A display device characterized in that

13. The display device of claim 12, wherein the alignment key includes the same material as the first reflective member.

The display device of claim 1 , wherein the sealing member includes at least one of a frit and an epoxy resin.

The method of claim 1, wherein the display unit:
a first electrode disposed on the first substrate and corresponding to the light emitting region;
a light emitting structure disposed on the first electrode; and
A display device comprising a second electrode disposed on the light emitting structure.

providing a first substrate having a display area and a peripheral area;
forming a display portion having an emission area and a non-emission area on the first substrate to be located in the display area;
providing a second substrate;
forming a first reflective member on the second substrate to correspond to the non-emission area;
forming a second reflective member on the first reflective member to correspond to the display area;
forming a third reflective member on the second substrate that corresponds to the peripheral area and does not overlap the display area and includes a material different from that of the second reflective member;
forming a sealing member adhered to the third reflective member on the third reflective member; and
and attaching the second substrate to the first substrate.

18 . The method of claim 17 , further comprising forming an alignment key on the second substrate to be positioned at an outer portion of the third reflective member.

19. The method of claim 18, wherein the first reflective member and the alignment key are formed at the same time.

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