KR102476214B1 - 터치 스크린 패널의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판 상에 순차적으로 제1 도전층과 제2 도전층 및 제1 감광막을 형성하는 단계와, 상기 제1 감광막 상부에 마스크를 배치하여 감지 전극에 대응하는 제1 감광막 패턴과 감지 배선에 대응하는 제2 감광막 패턴을 형성하고 상기 제2 도전층의 일부를 외부로 노출하는 단계와, 상기 제1 감광막 패턴과 상기 제2 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하고 상기 노출된 제2 도전층을 제거하여 제2 도전 패턴을 형성하되 상기 제1 도전층의 일부를 외부로 노출시키는 단계와, 상기 제1 감광막 패턴을 제거하여 상기 제2 도전 패턴을 노출시키고 상기 제2 감광막 패턴을 두께가 얇은 제3 감광막 패턴으로 형성하는 단계와, 상기 노출된 제2 도전 패턴을 식각 마스크로 사용하고 상기 노출된 제1 도전층을 제거하여 제1 도전 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제3 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하고 상기 제1 도전 패턴 상에 위치한 상기 제2 도전 패턴을 제거하여 상기 감지 전극을 형성하는 단계와, 상기 제3 감광막 패턴을 제거하여 상기 감지 배선을 형성하는 단계와, 상기 감지 전극과 상기 감지 배선 상에 절연 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 절연 패턴 상에 상기 감지전극들을 연결하는 브릿지 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법에 관한 것이다.

Description

터치 스크린 패널의 제조방법{METHOD FOR FABRICATING A TOUCH SCREEN PANEL}

본 발명의 실시예는 터치 스크린 패널의 제조방법에 관한 것이다.

터치 스크린 패널은 표시장치의 표시면에 설치되어, 사용자가 표시장치를 보면서 원하는 정보를 선택하도록 하는데 이용되는 감지 장치이다.

터치 스크린 패널의 종류는 저항막 방식(Resistive Type), 정전용량 방식(Capacitive Type), 전기자기장 방식(Electro Magnetic Type) 등으로 구분될 수 있다. 이 중 정전용량 방식의 터치 스크린 패널은, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 센싱 전극이 주변의 다른 센싱 전극 또는 접지 전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써, 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다. 따라서, 상기 정전용량 방식의 터치 스크린 패널은 전기적으로 연결된 센싱 전극들을 포함하며, 복수의 센싱 전극들이 교호적으로 배열된다.

그런데, 복수의 센싱 전극들을 형성하기 위해서는 마스크를 이용한 패터닝 공정이 반복 수행되어야 하기 때문에, 제조 공정이 복잡하고 제조 단가가 높다는 문제점이 있다.

본 발명의 목적은 제조 공정이 단순화된 터치 스크린 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 기판 상에 순차적으로 제1 도전층과, 제2 도전층 및 제1 감광막을 형성하는 단계와; 상기 제1 감광막 상부에 마스크를 배치하여 감지 전극에 대응하는 제1 감광막 패턴과 감지 배선에 대응하는 제2 감광막 패턴을 형성하고, 상기 제2 도전층의 일부를 외부로 노출하는 단계와; 상기 제1 감광막 패턴과 상기 제2 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하고 상기 노출된 제2 도전층을 제거하여 제2 도전 패턴을 형성하되, 상기 제1 도전층의 일부를 외부로 노출시키는 단계와; 상기 제1 감광막 패턴을 제거하여 상기 제2 도전 패턴을 노출시키고, 상기 제2 감광막 패턴을 두께가 얇은 제3 감광막 패턴으로 형성하는 단계와; 상기 노출된 제2 도전 패턴을 식각 마스크로 사용하고 상기 노출된 제1 도전층을 제거하여 제1 도전 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제3 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하고 상기 제1 도전 패턴 상에 위치한 상기 제2 도전 패턴을 제거하여 상기 감지 전극을 형성하는 단계와; 상기 제3 감광막 패턴을 제거하여 상기 감지 배선을 형성하는 단계와; 상기 감지 전극과 상기 감지 배선 상에 절연 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 절연 패턴 상에 상기 감지전극들을 연결하는 브릿지 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 마스크는 하프 톤 마스크를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층 사이에 점착층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 감광막 패턴과 상기 제2 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하고 상기 노출된 제2 도전층을 제거하여 제2 도전 패턴을 형성하되 상기 제1 도전층의 일부를 외부로 노출시키는 단계는, 건식 에칭 공정을 통해 상기 노출된 제2 도전층과 상기 제2 도전층 하부에 위치한 상기 점착층을 일괄 식각할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노출된 제2 도전 패턴을 식각 마스크로 사용하고, 상기 노출된 제1 도전층을 제거하여 제1 도전 패턴을 형성하는 단계는, 습식 에칭 공정을 통해 상기 노출된 제1 도전층을 제거할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제3 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하고 상기 제1 도전 패턴 상에 위치한 상기 제2 도전 패턴을 제거하여 상기 감지 전극을 형성하는 단계는, 건식 에칭 공정을 통해 상기 제1 도전 패턴 상에 형성된 제2 도전 패턴을 제거하되 상기 습식 에칭 공정 시 남아있는 상기 제1 도전층의 잔막을 제거할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층은 투명한 도전성 물질을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 투명한 도전성 물질은 은나노와이어(AgNW), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), 및 SnO2(Tin Oxide), 카본나노튜브 (Carbon Nano Tube), 그래핀 (graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 도전층은 상기 제1 도전층보다 저항값이 낮은 물질을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 저항값이 낮은 물질은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 감지 패턴은, 제1 방향으로 배열된 제1 전극 패턴들과, 상기 제1 방향과 교차된 제2 방향으로 배열되며 상기 제1 전극 패턴들과 절연된 제2 전극 패턴들, 및 상기 제2 전극 패턴들을 전기적으로 연결시키는 연결 패턴들을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 브릿지 패턴은 상기 절연 패턴 상에서 상기 제1 전극 패턴들을 전기적으로 연결시킬 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 감지 배선은 상기 기판 상에서 상기 제1 도전 패턴과 상기 제2 도전 패턴이 순차적으로 적층된 이중 레이어를 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 제조 공정이 단순화된 터치 스크린 패널의 제조 방법이 제공된다.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 굴곡 특성이 향상된 터치 스크린 패널의 제조 방법이 제공된다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널을 설명하기 위한 간략한 평면도이다.
도 2a는 도 1의 EA1 부분을 확대한 평면도이고, 도 2b는 도 1의 Ⅰ ~ Ⅰ'선에 따른 단면도이다.
도 3a 내지 도 3n은 도 2에 도시된 터치 스크린 패널의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4d는 도 2에 도시된 터치 스크린 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들이다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널을 설명하기 위한 간략한 평면도이고, 도 2a는 도 1의 EA1 부분을 확대한 평면도이며 도 2b는 도 1의 Ⅰ ~ Ⅰ'선에 따른 단면도이다.

도 1, 도 2a 및 도 2b를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 감지영역(12) 및 주변영역(14)을 구비한 기판(100)을 포함한다.

상기 기판(100)은 유리나 플라스틱과 같은 경성(rigid) 기판이나 가요성(flexibility) 기판을 사용할 수 있다.

상기 감지영역(12)은 손이나 물체의 접촉되는 위치를 감지하는 영역으로서, 예를 들어, 상기 기판(100)의 중앙부에 배치될 수 있으며, 상기 감지영역(12)의 기판(100) 상에는 복수의 감지 전극들(20)이 형성된다.

상기 복수의 감지 전극들(20)은 제1 방향(예를 들어, X 방향)으로 서로 연결되도록 배열된 복수의 제1 전극 패턴들(22)과, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향(예를 들어, Y 방향)으로 서로 연결되도록 배열되는 복수의 제2 전극 패턴들(24)을 포함한다.

상기 제1 전극 패턴들(22)과 상기 제2 전극 패턴들(24)은 투명한 도전성 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 투명 도전성 물질로는 은나노와이어(AgNW), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), 및 SnO2(Tin Oxide), 카본나노튜브(Carbon Nano Tube), 그래핀 (graphene) 등을 들 수 있다. 상기 제1 전극 패턴들(22)과 상기 제2 전극 패턴들(24)은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있으며, 이 경우, 상기 물질들 중 2 이상의 물질이 적층된 다중막을 포함할 수 있다.

상기 제1 전극 패턴들(22)과 상기 제2 전극 패턴들(24) 중 어느 하나의 전극 패턴들은 서로 연결되지 않는 독립된 패턴으로 분리되어 형성되며 브릿지를 통해 서로 연결된다. 예를 들어, 상기 제2 전극 패턴들(24)이 연결 패턴(24a)에 의해 서로 연결된 상태로 형성된 경우, 상기 제1 전극 패턴들(22)은 서로 분리되어 형성되고 브릿지 역할을 하는 브릿지 패턴(22a)에 의해 서로 연결될 수 있다.

상기 브릿지 패턴(22a)은 상기 연결 패턴(24a)과 교차되도록 배치되며 후술하는 절연 패턴(40)에 의해 상기 연결 패턴(24a)과 전기적으로 절연된다. 여기서, 상기 연결 패턴(24a)은 상기 제1 전극 패턴들(22)과 상기 제2 전극 패턴들(24)과 동일한 물질로 구성될 수 있다.

상기 절연 패턴(40)은 상기 감지영역(12)에서 상기 브릿지 패턴(22a) 하부에만 형성되도록 패터닝된다. 상기 브릿지 패턴(22a)은 상기 절연 패턴(40) 상에서 상기 연결 패턴(24a)과 교차하도록 배치되고, 서로 인접한 제1 전극 패턴들(22)을 전기적으로 연결한다.

상기 주변영역(14)은 상기 감지영역(12)의 외부 또는 주변에 위치하며, 상기 주변영역(14)의 기판(100) 상에는 복수의 감지 전극들(20)과 연결되는 복수의 감지 배선(30)과, 상기 복수의 감지 배선(30)과 연결되는 패드부(P)가 형성될 수 있다.

상기 복수의 감지 배선(30)은 상기 복수의 제1 전극 패턴들(22)과 연결되는 제1 감지 배선(32)과, 상기 복수의 제2 전극 패턴들(24)과 연결되는 제2 감지 배선(34)을 포함한다. 상기 복수의 감지 배선(30)은 투명한 도전성 물질이나 저항값이 낮은 금속으로 형성되거나, 투명한 도전성 물질 및 금속의 적층 구조로 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 감지 배선(30)은 투명한 도전성 물질 및 금속의 적층 구조로 형성되는 것이 바람직하다.

상기 제1 감지 배선(32)은 상기 기판(100) 상에 형성된 제1-1 감지 배선 패턴(32a)과, 상기 제1-1 감지 배선 패턴(32a) 상에 형성된 제1-2 감지 배선 패턴(32b)을 포함한다.

상기 제1-1 감지 배선 패턴(32a)은 상기 제1 전극 패턴들(22)과 동일한 투명한 도전성 물질로 형성되며 상기 제1-2 감지 배선 패턴(32b)은 상기 제1-1 감지 배선 패턴(32a) 보다 저항값이 낮은 금속 물질로 형성될 수 있다.

예컨대, 상기 제1-1 감지 배선 패턴(32a)이 ITO(Indium Tin Oxide)로 구성되고 상기 제1-2 감지 배선 패턴(32b)이 고굴곡 특성을 갖는 알루미늄(Al)으로 구성되는 경우, 상기 ITO와 상기 알루미늄(Al)간의 계면 반응에 의한 접착력 약화로 인해 상기 제1-1 감지 배선 패턴(32a)과 상기 제1-2 감지 배선 패턴(32b)이 박리될 수 있다.

따라서, 상기 박리 현상을 방지하기 위해, 상기 제1-1 감지 배선 패턴(32a)과 상기 제1-2 감지 배선 패턴(32b) 사이에는 점착제를 포함한 버퍼층(33)이 배치될 수 있다.

여기서, 상기 제1-2 감지 배선 패턴(32b)의 폭은 상기 제1-1 감지 배선 패턴(32a)의 폭 보다 좁거나 같을 수 있다.

상기 제2 감지 배선(34)도 상기 제1 감지 배선(32)과 마찬가지로 상기 기판(100) 상에 순차적으로 적층된 제2-1 감지 배선 패턴(미도시) 및 제2-2 감지 배선 패턴(미도시)을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 고굴곡 특성을 갖는 알루미늄(Al)으로 복수의 감지 배선(30)을 형성하므로, 휘거나 접을 수 있는 플렉서블 표시장치에도 적용될 수 있다.

이하에서는 전술한 구조를 갖는 본 발명의 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조방법에 대해 설명하기로 한다.

도 3a 내지 도 3n은 도 2에 도시된 터치 스크린 패널의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이고, 도 4a 내지 도 4d는 도 2에 도시된 터치 스크린 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들이다.

도 3a를 참고하면, 감지영역(12) 및 주변영역(14)을 포함한 기판(100)의 일면에 제1 도전층(110)과, 제2 도전층(300), 및 제1 감광막(400)이 순차적으로 형성된다.

상기 기판(100)은 고분자 유기물로 이루어진 절연성 기판일 수 있으며, 가요성을 가질 수 있다. 상기 고분자 유기물을 포함하는 절연성 기판 재료로는 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등이 있다.

그러나, 상기 기판(100)을 이루는 재료로는 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 상기 기판(100)은 유리나 플라스틱과 같은 경성(rigid) 기판일 수 있다.

상기 제1 도전층(110)은 상기 기판(100) 상에 제공되며, 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층(110)은 금속이나 이들의 합금으로 이루어 질 수 있다. 상기 금속으로는 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 백금(Pt) 등을 들 수 있다. 상기 제1 도전층(110)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 금속들 및 상기 합금들 중 2 이상 물질이 적층된 다중막으로 형성될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층(110)은 투명 도전성 물질로 이루어질 수도 있다. 상기 투명 도전성 물질로는 은나노와이어(AgNW), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), 및 SnO2(Tin Oxide), 카본나노튜브 (Carbon Nano Tube), 그래핀 (graphene) 등을 들 수 있다. 상기 제1 도전층(110)은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있으며, 이 경우, 상기 물질들 중 2 이상의 물질이 적층된 다중막을 포함할 수 있다.

상기 제2 도전층(300)은 상기 제1 도전층(110) 보다 저항값이 낮은 물질로 형성하는 것이 바람직하며, 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나의 금속으로 형성할 수 있다.

상기 제1 도전층(110)과 상기 제2 도전층(300) 사이에는 상기 제1 도전층(110)과 상기 제2 도전층(300)의 점착(adhesion)을 위한 점착층(200)이 형성될 수 있다.

상기 제1 감광막(400)은 액상의 포토레지스트(photoresist) 물질을 코팅하여 형성하거나, 드라이 필름 포토레지스트(DFR)를 사용할 수 있으며, 노광된 부분이 현상에 의해 제거될 수 있는 네가티브 형(negative type)으로 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

도 3b를 참고하면, 광 차단부(A), 광 투과부(B) 및 광 반투과부(C)를 포함한 제1 마스크(500a)를 상기 제1 감광막(400) 상부에 배치한다. 여기서, 상기 제1 마스크(500a)는 하프 톤 마스크를 포함할 수 있다.

도 3c 및 도 4a를 참고하면, 노광 등의 일련의 단위 공정을 진행하여 서로 상이한 두께를 갖는 제1 감광막 패턴(400a)과 제2 감광막 패턴(400b)을 형성한다.

상기 제1 감광막 패턴(400a)은 상기 제1 마스크(500a)의 광 반투과부(C)에 대응되어 형성되고 제1 두께(d1)를 갖는다. 상기 제2 감광막 패턴(400b)은 상기 제1 마스크(500a)의 광 차단부(A)에 대응되어 형성되고 상기 제1 두께(d1) 보다 두꺼운 제2 두께(d2)를 갖는다.

또한, 상기 기판(100) 상에서 상기 제1 마스크(500a)의 광 투과부(B)에 대응되는 감광막(도 3b의 400)이 제거되어 그 하부에 위치한 제2 도전층(300)이 외부로 노출된다.

도 3d를 참고하면, 상기 제1 감광막 패턴(400a)과 상기 제2 감광막 패턴(400b)을 식각 마스크로 하여 건식 에칭 공정을 진행한다.

상기 건식 에칭 공정에서, 상기 외부로 노출된 제2 도전층(300)과, 그 하부에 위치한 점착층(200)은 제거되고, 상기 제1 감광막 패턴(400a)과 제2 감광막 패턴(400b) 하부에는 각각 제2 도전 패턴(300')과 점착 패턴(200')이 형성된다.

도 3e 및 도 4b를 참고하면, 산소 플라즈마 등을 이용한 애슁(ashing) 공정을 진행하여, 제1 전극 패턴(도 2b의 22)이 형성될 영역에 잔류하는 상기 제1 감광막 패턴(400a)을 제거하여 상기 제2 도전 패턴(300')을 외부로 노출시킨다.

이와 동시에, 복수의 감지 배선(도 1의 30)이 형성될 영역에서 상기 제2 감광막 패턴(400b)의 두께(d2) 보다 얇아진 제3 감광막 패턴(400c)이 형성된다.

도 3f를 참고하면, 상기 외부로 노출된 제2 도전 패턴(300')을 식각 마스크로 하여 습식 에칭 공정을 진행한다. 상기 습식 에칭 공정에서, 상기 제2 도전 패턴(300')이 형성되지 않는 영역에 위치한 상기 제1 도전층(도 3e의 110)은 제거되고, 상기 제2 도전 패턴(300') 하부에는 제1 도전 패턴(110')이 형성된다.

도 3g를 참고하면, 상기 제3 감광막 패턴(도 3f의 400c)을 식각 마스크로 하여 건식 에칭 공정을 진행한다.

상기 건식 에칭 공정에서, 상기 제3 감광막 패턴(400c)이 형성되지 않는 영역에 위치한 상기 제2 도전 패턴(도 3f의 300')이 제거되고, 그 하부에 위치한 점착 패턴(도 3f의 200')도 제거된다.

결국, 상기 감지영역(12)에는 제1 전극 패턴(22)과, 제2 전극 패턴(도 1의 24), 및 상기 제2 전극 패턴(24)을 연결하는 연결 패턴(24a)이 최종적으로 형성된다.

이어, 상기 제3 감광막 패턴(400c)을 제거하여 그 하부에 위치한 제2 도전 패턴(도 3f의 300')을 외부로 노출하여 상기 주변영역(14)에서 제1 감지배선(32)이 최종적으로 형성된다.

여기서, 상기 제1 감지배선(32)은 상기 기판(100) 상에서 순차적으로 적층된 제1-1 감지 배선 패턴(32a) 및 제1-2 감지 배선 패턴(32b)을 포함한다. 상기 제1-1 감지 배선 패턴(32a)과 제1-2 감지 배선 패턴(32b) 사이에는 버퍼층(33)이 위치한다.

도 3h를 참고하면, 상기 제1 감지 배선(32)과, 상기 제1 전극 패턴(22), 및 상기 연결 패턴(24a)이 형성된 기판(100) 상에 절연물질층(40') 및 제2 감광막(600)이 순차적으로 형성된다.

상기 절연물질층(40')은 질화 규소(SiNx), 산화 규소(SiOx), 질산화 규소(SiOxNy)로부터 선택된 1종의 막으로 구성되는 단층막, 또는 질화 규소(SiNx), 산화 규소(SiOx), 질산화 규소(SiOxNy)로부터 선택된 2종 이상의 막으로 구성된 적층막으로 이루어진 무기 절연물질을 포함할 수 있다.

상기 제2 감광막(600)은 액상의 포토레지스트(photoresist) 물질을 코팅하여 형성하거나, 드라이 필름 포토레지스트(DFR)를 사용할 수 있으며, 노광된 부분이 현상에 의해 제거될 수 있는 네가티브 형(negative type)으로 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

이어, 광 차단부(A) 및 광 투과부(B)를 포함한 제2 마스크(500b)를 상기 제2 감광막(600) 상부에 배치한다.

도 3i 및 도 4c를 참고하면, 노광 등의 일련의 단위 공정을 진행하여 감광막 패턴(600')을 형성한다.

상기 감광막 패턴(600')은 상기 제2 마스크(500b)의 광 차단부(A)에 대응되어 형성된다. 또한, 상기 기판(100) 상에서 상기 제2 마스크(500b)의 광 투과부(B)에 대응되는 제2 감광막(도 3h의 600)은 제거되어 그 하부에 위치한 절연물질층(40')이 외부로 노출된다.

도 3j를 참고하면, 상기 감광막 패턴(도 3i의 600')을 식각 마스크로 하여 에칭 공정을 진행한다. 상기 에칭 공정을 통해, 상기 주변영역(14)과 상기 감지영역(12)의 일부에는 각각 절연 패턴(40)이 형성된다.

상기 절연 패턴(40)은 상기 주변영역(14)에서 상기 제1 감지 배선(32)과 대응되고, 상기 감지영역(12)에서 후술할 브릿지 패턴(도 2b의 22a)이 형성될 영역에 대응된다.

이어, 상기 감광막 패턴(도 3i의 600')이 제거된다.

도 3k를 참고하면, 상기 절연 패턴(40)이 형성된 기판(100) 상에 제 3 도전층(220) 및 제3 감광막(700)이 순차적으로 형성된다.

상기 제3 도전층(220)은 상기 절연 패턴(40) 상에 형성되며 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. ITO(Indium Tin Oxide)의 경우 경도가 매우 높아 터치 스크린 패널에 표시장치를 형성하기 위한 후속 공정 등에서 스크래치가 발생하는 것을 최소화하므로 양호한 품질의 터치 스크린 패널이 구현될 수 있다.

상기 제3 감광막(700)은 액상의 포토레지스트(photoresist) 물질을 코팅하여 형성하거나, 드라이 필름 포토레지스트(DFR)를 사용할 수 있으며, 노광된 부분이 현상에 의해 제거될 수 있는 네가티브 형(negative type)으로 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

이어, 광 차단부(A) 및 광 투과부(B)를 포함한 제3 마스크(500c)를 상기 제3 감광막(700) 상부에 배치한다.

도 3l을 참고하면, 노광 등의 일련의 단위 공정을 진행하여 감광막 패턴(700')이 형성된다.

상기 감광막 패턴(700')은 상기 제3 마스크(500c)의 광 차단부(A)에 대응되어 형성된다. 또한, 상기 기판(100) 상에서 상기 제3 마스크(500c)의 광 투과부(B)에 대응되는 제3 감광막(도 3k의 700)이 제거되어 그 하부에 위치한 제3 도전층(220)이 외부로 노출된다.

도 3m를 참고하면, 상기 감광막 패턴(700')을 식각 마스크로 하여 에칭 공정을 진행한다. 상기 에칭 공정을 통해, 상기 외부로 노출된 제3 도전층(도 3l의 220)이 제거되어 상기 감광막 패턴(700') 하부에 제3 도전 패턴(220')이 형성된다.

도 3n 및 도 4d를 참고하면, 상기 감광막 패턴(도 3m의 700')을 제거하고, 상기 기판(100)의 감지영역(12)에 브릿지 패턴(22a)이 최종적으로 형성된다.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널의 제조 방법에 따르면, 하프 톤 마스크를 이용하여 기판 상에 이중 구조의 감지 배선과 단층 구조의 감지 패턴을 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 터치 스크린 패널의 제조 공정이 단순해지며, 이를 통해 제조 비용이 절감될 수 있다.

본 발명이 속하는 기술분야의 상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허 청구범위에 의하여 나타내어지며, 특히 청구범위의 의미 및 범위 그리고 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

12: 감지 영역 14: 주변 영역
20: 감지전극 22: 제1 전극 패턴
22a: 브릿지 패턴 24: 제2 전극 패턴
24a: 연결 패턴 30: 감지 배선
32: 제1 감지 배선 33: 버퍼층
34: 제2 감지 배선 40: 절연 패턴
100: 기판 110: 제1 도전층
200: 접착층 220: 제3 도전층
300: 제2 도전층 400/600/700: 제1 내지 제3 감광막
500a/500b/500c: 제1 내지 제3 마스크

Claims (13)

1. 기판 상에 순차적으로 제1 도전층과, 제2 도전층 및 제1 감광막을 형성하는 단계;
   상기 제1 감광막 상부에 마스크를 배치하여 감지 전극에 대응하는 제1 감광막 패턴과 감지 배선에 대응하는 제2 감광막 패턴을 형성하고, 상기 제2 도전층의 일부를 외부로 노출하는 단계;
   상기 제1 감광막 패턴과 상기 제2 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하고, 상기 노출된 제2 도전층을 제거하여 제2 도전 패턴을 형성하되, 상기 제1 도전층의 일부를 외부로 노출시키는 단계;
   상기 제1 감광막 패턴을 제거하여 상기 제2 도전 패턴을 노출시키고, 상기 제2 감광막 패턴을 두께가 얇은 제3 감광막 패턴으로 형성하는 단계;
   상기 노출된 제2 도전 패턴을 식각 마스크로 사용하고, 상기 노출된 제1 도전층을 제거하여 제1 도전 패턴을 형성하는 단계;
   상기 제3 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하고, 상기 제1 도전 패턴 상에 위치한 상기 제2 도전 패턴을 제거하여 상기 감지 전극을 형성하는 단계;
   상기 제3 감광막 패턴을 제거하여 상기 감지 배선을 형성하는 단계;
   상기 감지 전극과 상기 감지 배선 상에 절연 패턴을 형성하는 단계; 및
   상기 절연 패턴 상에 상기 감지전극들을 연결하는 브릿지 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
2. 제1 항에 있어서,
   상기 마스크는 하프 톤 마스크를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
3. 제1 항에 있어서,
   상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층 사이에 점착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
4. 제3 항에 있어서,
   상기 제1 감광막 패턴과 상기 제2 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하고, 상기 노출된 제2 도전층을 제거하여 제2 도전 패턴을 형성하되, 상기 제1 도전층의 일부를 외부로 노출시키는 단계는,
   건식 에칭 공정을 통해 상기 노출된 제2 도전층과 상기 제2 도전층 하부에 위치한 상기 점착층을 일괄 식각하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
5. 제1 항에 있어서,
   상기 노출된 제2 도전 패턴을 식각 마스크로 사용하고, 상기 노출된 제1 도전층을 제거하여 제1 도전 패턴을 형성하는 단계는,
   습식 에칭 공정을 통해 상기 노출된 제1 도전층을 제거하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
6. 제5 항에 있어서,
   상기 제3 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하고, 상기 제1 도전 패턴 상에 위치한 상기 제2 도전 패턴을 제거하여 상기 감지 전극을 형성하는 단계는,
   건식 에칭 공정을 통해 상기 제1 도전 패턴 상에 형성된 제2 도전 패턴을 제거하되, 상기 습식 에칭 공정 시 남아있는 상기 제1 도전층의 잔막을 제거하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
7. 제1 항에 있어서,
   상기 제1 도전층은 투명한 도전성 물질을 포함한 터치 스크린 패널의 제조방법.
8. 제7 항에 있어서,
   상기 투명한 도전성 물질은 은나노와이어(AgNW), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), 및 SnO2(Tin Oxide), 카본나노튜브 (Carbon Nano Tube), 그래핀 (graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
9. 제1 항에 있어서,
   상기 제2 도전층은 상기 제1 도전층보다 저항값이 낮은 물질을 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
10. 제9 항에 있어서,
    상기 저항값이 낮은 물질은 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
11. 제1 항에 있어서,
    상기 감지 전극은,
    제1 방향으로 배열된 제1 전극 패턴들과,
    상기 제1 방향과 교차된 제2 방향으로 배열되며 상기 제1 전극 패턴들과 절연된 제2 전극 패턴들, 및
    상기 제2 전극 패턴들을 전기적으로 연결시키는 연결 패턴들을 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.
12. 제11 항에 있어서,
    상기 브릿지 패턴은, 상기 절연 패턴 상에서 상기 제1 전극 패턴들을 전기적으로 연결시키는 터치 스크린 패널의 제조방법.
13. 제1 항에 있어서,
    상기 감지 배선은 상기 기판 상에서 상기 제1 도전 패턴과 상기 제2 도전 패턴이 순차적으로 적층된 이중 레이어를 포함하는 터치 스크린 패널의 제조방법.

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