KR102474898B1 - Microwave heating apparatus and manufacturing method of aluminum nitride using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의한 마이크로 웨이브 가열 장치는, 하우징, 상기 하우징에 회전 가능하게 배치되어 있고, 가열 대상물과 기체가 유입되는 드럼부 및 상기 드럼부로 마이크로 웨이브를 인가하여 상기 드럼부를 가열하는 적어도 하나의 마그네트론을 포함하는 한다. 본 발명의 마이크로 웨이브 가열장치 및 이를 이용한 질화알루미늄의 제조방법을 이용하면, 기존 공법 온도보다 저온에서도 질화알루미늄을 제조할 수 있어 제조시간이 짧게 걸리는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 마이크로 웨이브 가열장치는 전기 가열장치와 비교하여 전력량을 대폭 줄일 수 있는 장점이 있다.A microwave heating device according to the present invention includes a housing, a drum unit rotatably disposed in the housing, into which an object to be heated and gas are introduced, and at least one magnetron for heating the drum unit by applying microwaves to the drum unit. should include Using the microwave heating device and the aluminum nitride manufacturing method using the same of the present invention, aluminum nitride can be manufactured even at a lower temperature than the existing method, so the manufacturing time is short. In addition, the microwave heating device of the present invention has the advantage of significantly reducing the amount of power compared to the electric heating device.

Figure R1020190171137
Figure R1020190171137

Description

마이크로 웨이브 가열장치 및 이를 이용한 질화알루미늄의 제조방법{Microwave heating apparatus and manufacturing method of aluminum nitride using the same}Microwave heating apparatus and manufacturing method of aluminum nitride using the same {Microwave heating apparatus and manufacturing method of aluminum nitride using the same}

본 발명은 마이크로 웨이브 가열장치 및 이를 이용한 질화알루미늄의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열전도성, 절연성, 유전율 등의 특성이 뛰어난 질화알루미늄 분말을 기존 가열로가 아닌 마이크로 웨이브 가열장치를 이용하여 빠른 시간에 물리적 특성이 우수한 질화알루미늄을 제조하는 마이크로 웨이브 가열장치 및 이를 이용한 질화알루미늄의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a microwave heating device and a method for producing aluminum nitride using the same, and more particularly, to aluminum nitride powder having excellent properties such as thermal conductivity, insulation, and dielectric constant, using a microwave heating device instead of a conventional heating furnace. It relates to a microwave heating device for producing aluminum nitride with excellent physical properties in a short time and a method for producing aluminum nitride using the same.

질화알루미늄(AIN)은 열전도도 및 전기절연성이 알루미나보다 우수하다.Aluminum nitride (AIN) has better thermal conductivity and electrical insulation than alumina.

또한, 상기 질화알루미늄은 열팽창계수가 Si 웨이퍼와 비슷하며, 기계적 강도가 우수하여, 방열기판이나 부품에 응용되고 있다.In addition, the aluminum nitride has a coefficient of thermal expansion similar to that of a Si wafer and excellent mechanical strength, and thus is applied to heat dissipation substrates or components.

구체적으로 상기 질화알루미늄은 반도체장치용 질화알루미늄 부품, 금속박막접착 질화알루미늄기판, LED용 방열기판, 고출력 Si 장치용 방열판, 화합물반도체용 기판, 레이저소자용 기판, 하이브리드자동차 전원제어용 기판 등에 이용되고 있다.Specifically, the aluminum nitride is used for aluminum nitride parts for semiconductor devices, aluminum nitride substrates bonded to metal thin films, heat sinks for LEDs, heat sinks for high-power Si devices, substrates for compound semiconductors, substrates for laser devices, substrates for power control of hybrid vehicles, etc. .

특히 상기 질화알루미늄이 반도체 제조장치용 부품에 이용될 시, 열전도성, 열팽창성 및 내플라즈마성이 우수하여 히터, 정전척(Electrostatic Chuck), 세라믹 챔버 부품 등에 사용되고 있다.In particular, when the aluminum nitride is used for components for semiconductor manufacturing equipment, it is used for heaters, electrostatic chucks, ceramic chamber components, etc. because of its excellent thermal conductivity, thermal expansion, and plasma resistance.

또한 200W/m·K 이상의 열전도 질화알루미늄은 레이저 다이오드나 백색 LED용 방열판으로서 활발히 이용되고 있다.In addition, aluminum nitride having a thermal conductivity of 200 W/m·K or more is actively used as a heat sink for laser diodes or white LEDs.

한편, 상기 질화알루미늄은 다양한 제조방법 중 환원 질화법에 의해 제조될 수 있는데, 상기 환원 질화법(Carbothermal Reduction-Nitridation)은 Al2O3 + 3C + N2 = 2AIN + 3CO 로 반응식이 이루어지며 1,600~1,800 ℃의 온도에서 반응한다. 통상, 상기 환원 질화법에 의해 질화알루미늄을 제조할 경우 일반로를 이용하게 되는바, 상기 일반로는 반응 온도인 1,600~1,800℃까지 승온하는 데 시간이 오래 걸리는 것은 물론, 반응이 완료되는 데에도 오랜 시간이 요구되에 생산성이 떨어지고, 제조비용이 증가하는 등의 단점이 있었다.On the other hand, the aluminum nitride can be produced by a reduction nitriding method among various manufacturing methods. The reduction nitriding method (Carbothermal Reduction-Nitridation) has a reaction formula of Al 2 O 3 + 3C + N 2 = 2AIN + 3CO and has a reaction formula of 1,600 It reacts at a temperature of ~1,800 °C. In general, when aluminum nitride is produced by the reduction nitriding method, a general furnace is used. In addition, the general furnace takes a long time to raise the temperature to the reaction temperature of 1,600 to 1,800 ° C. There were disadvantages such as long time required, low productivity, and high manufacturing cost.

대한민국공개특허 10-2015-0114468 A1(2015.10.12.)Korean Patent Publication No. 10-2015-0114468 A1 (2015.10.12.)

본 발명은 승온이 빠르게 이루어지고, 반응 시간이 단축되어, 생산성이 우수함은 물론, 물리적 특성 역시 우수한 질화알루미늄을 제조할 수 있는 마이크로 웨이브 가열장치 및 이를 이용한 질화알루미늄의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The purpose of the present invention is to provide a microwave heating device capable of producing aluminum nitride having excellent physical properties as well as excellent productivity due to rapid temperature rise and shortened reaction time, and a method for producing aluminum nitride using the same. there is

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 마이크로 웨이브 가열장치는, 하우징, 상기 하우징에 회전 가능하게 배치되어 있고, 가열 대상물과 기체가 유입되는 드럼부 및 상기 드럼부로 마이크로 웨이브를 인가하여 상기 드럼부를 가열하는 적어도 하나의 가열부를 포함한다.In order to solve the above problems, the microwave heating device according to a preferred embodiment of the present invention is rotatably disposed in the housing, the housing, and the microwave is applied to the drum unit and the drum unit into which the heating object and the gas are introduced. and at least one heating unit for heating the drum unit by applying

상기 가열부는, 마이크로 웨이브를 발생시키는 마그네트론, 그리고 상기 드럼부와 연결되어 마그네트론에서 발생된 마이크로 웨이브를 상기 드럼부에 인가하는 도파관을 포함한다.The heating unit includes a magnetron that generates microwaves, and a waveguide that is connected to the drum unit and applies microwaves generated by the magnetron to the drum unit.

상기 드럼부는, 상기 가열 대상물과 상기 기체가 유입되는 반응공간을 구비하며, 상기 마이크로 웨이브에 의해 가열되는 튜브, 상기 튜브의 외측면을 둘러싸는 단열재, 및 상기 튜브의 길이방향 양측에 각각 배치되어 상기 하우징에 회전 가능하게 지지된 샤프트를 포함한다.The drum unit has a reaction space into which the object to be heated and the gas are introduced, and is disposed on both sides of a tube heated by the microwave, an insulating material surrounding an outer surface of the tube, and the tube in a longitudinal direction, respectively. It includes a shaft rotatably supported by the housing.

상기 샤프트는, 상기 튜브의 길이방향 일측과 연결되어 있고, 상기 기체와 상기 가열 대상물을 상기 반응공간으로 투입시키는 투입유로가 내부에 형성되어 있으며, 온도센서가 배치된 투입 샤프트, 그리고 상기 튜브의 타측과 연결되어 있고, 상기 반응공간 내부의 상기 기체와 상기 가열 대상물을 외부로 배출시키는 배기유로가 형성된 배기 샤프트를 포함한다.The shaft is connected to one side of the tube in the longitudinal direction, has an input passage formed therein to input the gas and the object to be heated into the reaction space, and an input shaft having a temperature sensor disposed therein, and the other side of the tube. It is connected to and includes an exhaust shaft formed with an exhaust flow path for discharging the gas and the object to be heated inside the reaction space to the outside.

상기 드럼부는, 상기 배기 샤프트와 연결되어 있고 내부가 상기 배기유로와 연결된 배기관을 더 포함할 수 있다.The drum unit may further include an exhaust pipe connected to the exhaust shaft and having an inside connected to the exhaust passage.

상기 샤프트와 동력연결되어 드럼부를 회전시키는 회전 구동부를 더 포함할 수 있다.It may further include a rotation driving unit that is power-connected to the shaft and rotates the drum unit.

상기 하우징을 지지하는 바디부를 더 포함할 수 있다.A body portion supporting the housing may be further included.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 마이크로 웨이브 장치를 이용한 질화알루미늄(AIN)의 제조방법, 알루미나 그래뉼과 탄소분말을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계, 상기 마이크로 웨이브 가열장치에 상기 혼합물을 투입하고 질소(N2)를 포함하는 가스를 공급하는 전처리 단계, 그리고 질화알루미늄을 제조하는 단계를 포함한다.Method for producing aluminum nitride (AIN) using a microwave device according to a preferred embodiment of the present invention, preparing a mixture by mixing alumina granules and carbon powder, injecting the mixture into the microwave heating device and nitrogen ( A pretreatment step of supplying a gas containing N 2 ), and a step of producing aluminum nitride.

상기 혼합물을 제조하는 단계는, 상기 알루미나 그래뉼과 탄소분말을 1:0.5~5 중량비로 혼합할 수 있다.In preparing the mixture, the alumina granules and the carbon powder may be mixed in a weight ratio of 1:0.5 to 5.

상기 알루미나 그래뉼은, 알루미나로 이루어진 것일 수 있다.The alumina granules may be made of alumina.

상기 전처리 단계는, 질소(N2)를 포함하는 가스를 10~60 분 동안 5~20 LMP(Liter/Min)의 흐름으로 공급하여 질소분위기를 형성한다.In the pretreatment step, a nitrogen atmosphere is formed by supplying a gas containing nitrogen (N 2 ) at a flow rate of 5 to 20 LMP (Liter/Min) for 10 to 60 minutes.

상기 질화알루미늄을 제조하는 단계는, 상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부의 내부 온도가 1,400~1,600 ℃가 되도록 3~6 ℃/min의 속도로 승온하는 과정과, 상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부의 내부 온도를 1,400~1,600℃로 2~24시간 동안 유지하여 질화알루미늄을 제조하는 과정과, 상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부의 내부 온도가 700~750 ℃가 되도록 냉각하는 과정과, 상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부의 내부 온도를 700~750 ℃로 1~6 시간 동안 유지하여 상기 질화알루미늄의 탄소를 제거하는 과정과, 상기 탄소가 제거된 질화알루미늄을 회수하는 과정을 포함한다.The step of producing the aluminum nitride is a process of raising the temperature at a rate of 3 to 6 °C/min so that the internal temperature of the microwave heating device drum unit is 1,400 to 1,600 °C, and the internal temperature of the microwave heating device drum unit is 1,400 °C. The process of manufacturing aluminum nitride by maintaining at ~1,600 ° C for 2 to 24 hours, the process of cooling so that the internal temperature of the microwave heating device drum unit is 700 ~ 750 ° C, and the internal temperature of the microwave heating device drum unit It includes a process of removing carbon from the aluminum nitride by maintaining at 700 to 750 ° C. for 1 to 6 hours, and a process of recovering the aluminum nitride from which the carbon has been removed.

상기 질화알루미늄을 제조하는 과정에서, 상기 가열된 마이크로 웨이브 가열장치의 드럼부는 분당 0.1~2 rpm의 속도로 계속해서 회전하거나, 1~120초(sec) 단위로 회전과 정지를 반복할 수 있다.In the process of producing the aluminum nitride, the drum of the heated microwave heating device may continuously rotate at a speed of 0.1 to 2 rpm per minute, or may repeat rotation and stop in units of 1 to 120 seconds (sec).

본 발명의 마이크로 웨이브 가열장치 및 이를 이용한 질화알루미늄의 제조방법을 이용하면, 저온에서도 질화알루미늄을 제조할 수 있어 제조시간이 짧게 걸리는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 마이크로 웨이브 가열장치는 전기 가열장치와 비교하여 전력량을 대폭 줄일 수 있는 장점이 있다.Using the microwave heating device and the aluminum nitride manufacturing method using the same of the present invention, aluminum nitride can be manufactured even at a low temperature, so there is an effect that the manufacturing time is short. In addition, the microwave heating device of the present invention has the advantage of significantly reducing the amount of power compared to the electric heating device.

도 1과 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 웨이브 가열장치를 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로 웨이브 가열장치를 이용한 질화알루미늄의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화알루미늄의 XRD 분석 결과를 나타낸 것이다.
도 5A 내지 5F는 본 발명의 일 실시예에 반응 전후의 알루미늄 그래뉼의 SEM 이미지를 나타낸 것이다.
1 and 2 are perspective views showing a microwave heating device according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a flow chart showing a method for producing aluminum nitride using a microwave heating device according to another embodiment of the present invention.
4 shows the results of XRD analysis of aluminum nitride according to an embodiment of the present invention.
5A to 5F show SEM images of aluminum granules before and after reaction in one embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것을 달성하는 방법은 첨부된 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.The advantages and features of the present invention, and how to achieve them, will become clear with reference to the detailed description of the following embodiments in conjunction with the accompanying drawings.

그러나 본 발명은 이하에 개시되는 실시예들에 의해 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.However, the present invention is not limited by the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the person who has the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기술 등이 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있다고 판단되는 경우 그에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.In addition, in the description of the present invention, if it is determined that related known technologies may obscure the gist of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.

도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 웨이브 가열장치를 나타낸 사시도이다.Figures 1a and 1b is a perspective view showing a microwave heating device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 웨이브 가열장치는 하우징(100), 상기 하우징(100)에 회전 가능하게 배치되어 있고, 가열 대상물과 기체가 유입되는 드럼부(200) 및 상기 드럼부(200)로 마이크로 웨이브를 인가하여 상기 드럼부(200)를 가열하는 적어도 하나의 가열부(400)를 포함하여 제공한다.A microwave heating apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing 100, a drum unit 200 rotatably disposed in the housing 100, and into which an object to be heated and gas are introduced, and the drum unit 200 At least one heating unit 400 for heating the drum unit 200 by applying microwaves to the above is provided.

상기 하우징(100)의 재질은 철, 스테인레스 및 알루미늄으로 구성된 그룹에서 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 상기 하우징(100)의 형상은 제한하지 않는다.The material of the housing 100 may be at least one selected from the group consisting of iron, stainless and aluminum, and the shape of the housing 100 is not limited.

또한, 상기 하우징(100)은 내부에 구비된 드럼부(200)의 지지수단 또는 보호 수단의 역할을 수행할 수 있다.In addition, the housing 100 may serve as a support means or a protection means for the drum unit 200 provided therein.

상기 하우징(100)은 상기 드럼부(200)에 연결되어 마그네트론(300)에서 발생된 마이크로 웨이브를 상기 드럼부(200)에 인가하는 도파관(310)을 더 포함한다.The housing 100 further includes a waveguide 310 connected to the drum unit 200 and applying microwaves generated by the magnetron 300 to the drum unit 200 .

상기 가열부(400)는, 마이크로 웨이브를 발생시키는 마그네트론(300), 그리고 상기 드럼부(200)와 연결되어 마그네트론(300)에서 발생된 마이크로 웨이브를 상기 드럼부(200)에 인가하는 도파관(310)을 포함한다.The heating part 400 is connected to the magnetron 300 generating microwaves and the drum part 200, and the waveguide 310 applies the microwaves generated by the magnetron 300 to the drum part 200. ).

즉, 상기 도파관(310)은 마그네트론(300)에서 발생된 마이크로 웨이브를 상기 드럼부(200)에 인가하는 역할을 수행한다.That is, the waveguide 310 serves to apply microwaves generated by the magnetron 300 to the drum unit 200 .

상기 마그네트론(300)은 소정의 전압이 인가되면 마이크로 웨이브를 발생시켜 상기 드럼부(200)로 전달할 수 있는 것이라면 이를 제한하지 않는다. The magnetron 300 is not limited as long as it can generate and transmit microwaves to the drum unit 200 when a predetermined voltage is applied.

상기 드럼부(200)는 상기 가열 대상물과 상기 기체가 유입되는 반응공간을 구비하며, 상기 마이크로 웨이브에 의해 가열되는 튜브(210), 상기 튜브(210)의 외측면을 둘러싸는 단열재(220) 및 상기 튜브(210)의 길이방향 양측에 각각 배치되어 상기 하우징(100)에 회전 가능하게 지지된 샤프트(230)를 포함한다.The drum unit 200 has a reaction space into which the object to be heated and the gas are introduced, a tube 210 heated by the microwave, an insulator 220 surrounding the outer surface of the tube 210, and Shafts 230 are disposed on both sides of the tube 210 in the longitudinal direction and are rotatably supported by the housing 100 .

상기 튜브(210)는 세라믹 재질로 구성되어, 중앙이 중공이고, 그 형태는 제한하지 않는다.The tube 210 is made of a ceramic material, has a hollow center, and the shape is not limited.

또한, 상기 튜브(210)의 내, 외측면은 코팅층이 형성될 수 있으며, 이를 이를 제한하지 않는다.In addition, a coating layer may be formed on the inner and outer surfaces of the tube 210, but this is not limited thereto.

상기 코팅층(미도시)은 상기 튜브(210)의 분해방지를 위해 형성될 수 있으며, 이를 제한하지는 않는다.The coating layer (not shown) may be formed to prevent disassembly of the tube 210, but is not limited thereto.

상기 튜브(210)는 상기 하우징(100) 내로 유입된 상기 마이크로 웨이브에 의해 발열되며, 상기 가열된 튜브(210)에 의해 반응공간의 가열 대상물을 가열할 수 있다.The tube 210 is heated by the microwave introduced into the housing 100, and an object to be heated in the reaction space can be heated by the heated tube 210.

상기 튜브(210)에는 열이 외부로 배출되지 못하도록 상기 튜브(210)의 외측면을 둘러싼 형태로 단열재(220)가 구비된다.The tube 210 is provided with a heat insulating material 220 in a form surrounding an outer surface of the tube 210 to prevent heat from being discharged to the outside.

상기 단열재(220)는 마이크로 웨이브는 투과시키고, 열이 외부로 유출되는 것을 방지하는 재질로 구성된다. 이에 따라 상기 마그네트론(300)에서 발생된 마이크로 웨이브는 상기 단열재(220)를 투과하여 상기 튜브(210)을 발열시키고, 상기 가열된 튜브(210)는 반응공간의 가열 대상물을 가열시킬 수 있다.The heat insulator 220 is made of a material that transmits microwaves and prevents heat from leaking to the outside. Accordingly, the microwave generated from the magnetron 300 passes through the insulator 220 to generate heat in the tube 210, and the heated tube 210 can heat the object to be heated in the reaction space.

상기 샤프트(230)는 튜브(210)의 길이방향 양측에 각각 배치되고, 상기 하우징(100) 내부의 드럼부(200)가 회전할 수 있도록 하우징(100)에 지지된다.The shaft 230 is disposed on both sides of the tube 210 in the longitudinal direction, and is supported by the housing 100 so that the drum unit 200 inside the housing 100 can rotate.

또한, 상기 샤프트(230)는 상기 튜브(210)의 길이방향 일측과 연결되어 있고, 상기 기체와 상기 가열 대상물을 상기 반응공간으로 투입시키는 투입유로가 내부에 형성되어 있으며, 온도센서(234)가 배치된 투입 샤프트(231)와, 상기 튜브(210)의 타측과 연결되어 있고, 상기 반응공간 내부의 상기 기체와 상기 가열 대상물을 외부로 배출시키는 배기유로가 형성된 배기 샤프트(232)로 구성된다.In addition, the shaft 230 is connected to one side of the tube 210 in the longitudinal direction, and an input passage for introducing the gas and the object to be heated into the reaction space is formed therein, and the temperature sensor 234 It consists of an input shaft 231 and an exhaust shaft 232 connected to the other side of the tube 210 and formed with an exhaust flow path for discharging the gas and the object to be heated in the reaction space to the outside.

상기 온도 센서(234)는 가열 대상물의 온도를 감지할 수 있고, 투입 샤프트(231)에 부착되어 가열 대상물의 온도를 감지할 수 있으며, 추가적으로 설치되는 제어장치(미도시)에 의해서 가열 온도 및 가열 시간 등이 조절될 수 있다.The temperature sensor 234 can detect the temperature of the object to be heated, is attached to the input shaft 231 and can sense the temperature of the object to be heated, and the heating temperature and heating by an additionally installed control device (not shown). Time etc. can be adjusted.

상기 온도 센서(234)는 드럼부(200) 내부의 온도를 측정할 수 있는 것으로, 200 ~ 2,500 ℃ 범위의 온도를 측정할 수 있는 것이라면 이를 제한하지 않는다.The temperature sensor 234 is capable of measuring the internal temperature of the drum unit 200, and is not limited thereto as long as it can measure a temperature in the range of 200 to 2,500 °C.

상기 투입유로와 배기유로는 그 형태를 제한하지 않는다.The shape of the input passage and the exhaust passage is not limited.

상기 투입유로는 가열 대상물을 드럼부(200) 즉, 튜브(210) 안쪽으로 유입시키는 통로이며 상기 가열 대상물을 자동으로 구동하여 이송하는 로울러 등을 더 포함할 수 있다.The input passage is a passage through which the object to be heated is introduced into the drum unit 200, that is, the tube 210, and may further include a roller or the like that automatically drives and transfers the object to be heated.

상기 드럼부(200)는, 상기 배기 샤프트(232)와 연결되어 있고 내부가 상기 배기유로와 연결된 배기관(233)을 더 포함한다.The drum unit 200 further includes an exhaust pipe 233 connected to the exhaust shaft 232 and having an inside connected to the exhaust passage.

상기 드럼부(200)에는 상기 샤프트(230)와 동력연결된 회전 구동부(250)를 포함하여 제공된다.The drum unit 200 includes a rotation driving unit 250 connected to the shaft 230 by power.

상기 드럼부(200)는 철, 스테인레스, 알루미늄 등의 금속재질로 이루어질 수 있으며, 형상은 사각, 육각, 원형 등 원하는 대로 제작이 가능하고, 어떠한 형태의 모형이나 크기를 제한하지 않는다.The drum unit 200 may be made of a metal material such as iron, stainless steel, or aluminum, and the shape may be manufactured as desired, such as a square, hexagonal, or circular shape, and the size or model of any shape is not limited.

상기 마이크로 웨이브 가열장치는 상기 하우징(100)을 지지하는 바디부(1)를 더 포함한다.The microwave heating device further includes a body part 1 supporting the housing 100.

상기 마그네트론(300)과 연결된 송풍기(320)를 더 포함한다.A blower 320 connected to the magnetron 300 is further included.

본 발명은 가열 대상물이 투입과 동시에 작동되어 마그네트론(300)에서 발생된 마이크로 웨이브가 도파관(310)을 통해 드럼부(200)에 인가되면, 튜브(210)가 마이크로 웨이브를 흡수하여 발열하게 되며, 발열된 열은 튜브(210) 안쪽으로 전달되어 전달된 열을 통해 가열 대상물을 가열할 수 있게 된다.In the present invention, when the object to be heated is operated at the same time as input and the microwave generated in the magnetron 300 is applied to the drum unit 200 through the waveguide 310, the tube 210 absorbs the microwave and generates heat, The generated heat is transferred to the inside of the tube 210, and the object to be heated can be heated through the transferred heat.

또한, 상기 가열 대상물의 온도가 일정 온도에 도달하면 제어장치(미도시)에 의해 일정온도를 유지할 수 있도록 마이크로 웨이브의 출력을 줄여줄 수 있다.In addition, when the temperature of the object to be heated reaches a certain temperature, the output of the microwave may be reduced to maintain a certain temperature by a control device (not shown).

이하, 도 2를 참조하여 본 발명에 일 실시예에 따른 마이크로 웨이브 가열장치를 이용한 질화알루미늄의 제조방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing aluminum nitride using a microwave heating apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 .

본 발명의 다른 실시예에 따른 마이크로 웨이브 장치를 이용한 질화알루미늄의 제조방법은 알루미나 그래뉼과 탄소분말을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계(S100), 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 마이크로 웨이브 가열장치에 상기 혼합물을 투입하고 질소(N2)를 포함하는 가스를 공급하는 전처리 단계(S200), 그리고 질화알루미늄을 제조하는 단계(S300)를 포함한다.A method for producing aluminum nitride using a microwave device according to another embodiment of the present invention includes preparing a mixture by mixing alumina granules and carbon powder (S100), and microwave heating according to any one of claims 1 to 8 A pretreatment step (S200) of introducing the mixture into the apparatus and supplying a gas containing nitrogen (N 2 ), and a step (S300) of producing aluminum nitride.

상기 혼합물을 제조하는 단계(S100)는, 상기 알루미나 그래뉼과 탄소분말을 1:0.5 ~ 5 중량비로 혼합할 수 있으며, 바람직하게는 1:1 중량비로 혼합할 수 있다.In the step of preparing the mixture (S100), the alumina granules and the carbon powder may be mixed in a weight ratio of 1:0.5 to 5, preferably in a weight ratio of 1:1.

또한, 상기 알루미나 그래뉼은, 알루미나로 이루어진 것일 수 있다.In addition, the alumina granules may be made of alumina.

상기 전처리 단계(S200)는, 질소(N2)를 포함하는 가스를 10~60 분 동안 5~20 LMP(Liter/Min)의 흐름으로 공급하여 질소분위기를 형성할 수 있다.In the pretreatment step (S200), a nitrogen atmosphere may be formed by supplying a gas containing nitrogen (N 2 ) at a flow of 5 to 20 LMP (Liter/Min) for 10 to 60 minutes.

상기 전처리 단계(S200)는 질화알루미늄을 제조하기 전 준비하는 단계로 반응공간을 차지하고 있는 공기를 배출시키고 질소 분위기를 형성하기 위한 단계이다.The pretreatment step (S200) is a step of preparing before manufacturing aluminum nitride, and is a step for discharging air occupying the reaction space and forming a nitrogen atmosphere.

또한, 질소를 포함하는 가스는 반응공간을 질소 분위기로 유지하기 위해 5~20 LMP(Liter/Min)의 흐름으로 계속해서 질소가스를 공급할 수 있다.In addition, nitrogen gas may be continuously supplied with a flow of 5 to 20 LMP (Liter/Min) to maintain the reaction space in a nitrogen atmosphere.

상기 질소가스는 95% 이상의 순도일 수 있다.The nitrogen gas may have a purity of 95% or more.

상기 마이크로 웨이브 가열장치을 이용하여 상기 질화알루미늄을 제조하는 단계(S300)는 전처리 단계 후 상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부(200)의 내부 온도가 1,400~1,600 ℃가 되도록 3~6 ℃/min의 속도로 승온하는 과정과 상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부(200)의 내부 온도를 1,400~1,600℃로 2~24시간 동안 유지하여 질화알루미늄을 제조하는 과정과 상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부(200)의 내부 온도가 700~750 ℃가 되도록 냉각하는 과정과 상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부(200)의 내부 온도를 700~750 ℃로 1~6 시간 동안 유지하여 상기 질화알루미늄의 탄소를 제거하는 과정과 상기 탄소가 제거된 질화알루미늄을 회수하는 과정을 더 포함한다.The step of producing the aluminum nitride using the microwave heating device (S300) is performed at a rate of 3 to 6 °C/min so that the internal temperature of the microwave heating drum unit 200 becomes 1,400 to 1,600 °C after the pretreatment step. The process of raising the temperature and maintaining the internal temperature of the microwave heating device drum unit 200 at 1,400 to 1,600 ° C for 2 to 24 hours to produce aluminum nitride and the internal temperature of the microwave heating device drum unit 200 The process of cooling to 700 ~ 750 ℃ and the process of removing the carbon of the aluminum nitride by maintaining the internal temperature of the microwave heating device drum unit 200 at 700 ~ 750 ℃ for 1 to 6 hours, and the carbon A process of recovering the removed aluminum nitride is further included.

또한, 상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부의 내부 온도가 700~750 ℃에서 탈타하는 과정에서는 질소를 포함하는 가스의 공급을 차단할 수 있다.In addition, the supply of gas containing nitrogen may be cut off in the process of detaching at an internal temperature of the microwave heating device drum unit at 700 to 750 ° C.

상기 질화알루미늄을 제조하는 과정에서 상기 가열된 마이크로 웨이브 가열장치의 드럼부(200)는 분당 0.1~2 rpm의 속도로 계속해서 회전하거나, 1~120sec 단위로 회전과 정지를 반복할 수 있다. 이때, 상기 1분 단위의 회전 역시 0.1~2 rpm/분의 속도임은 당연하다.In the process of producing the aluminum nitride, the heated drum unit 200 of the microwave heating device may continuously rotate at a speed of 0.1 to 2 rpm per minute, or may repeat rotation and stop in units of 1 to 120 sec. At this time, it is natural that the rotation per minute is also a speed of 0.1 to 2 rpm/min.

이는 상기 마이크로 웨이브 가열장치가 회전함으로써, 혼합물이 질소와 반응할 수 있는 시간 증가하여 반응시간을 줄일 수 있는 장점이 있기 때문이다.This is because the rotation of the microwave heating device increases the time for the mixture to react with nitrogen, thereby reducing the reaction time.

이하, 실시예 및 실험예에 의하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by examples and experimental examples. However, the following examples and experimental examples are only for exemplifying the present invention, and the scope of the present invention is not limited only to these.

실시예Example

알루미나 그래뉼과 탄소(C) 분말을 1:1 중량비로 혼합한 후 상기에서 설명한 마이크로 웨이브 가열장치 이용하여 하기의 표 1에 따라 질화알루미늄을 제조하였다. 이때, 마이크로 웨이브 가열장치의 Microwave power 파워는 10~30 KW/m에서 실시하였다.After mixing alumina granules and carbon (C) powder at a weight ratio of 1:1, aluminum nitride was prepared according to Table 1 below using the microwave heating device described above. At this time, the microwave power of the microwave heating device was carried out at 10 ~ 30 KW / m.

STEPSTEP 유지 시간hold time 온도temperature 비고note 1One 0.5 시간0.5 hours 25 ℃25 ℃ N2 gas 투입 15LPM(Liter/Min)N2 gas input 15LPM (Liter/Min) 22 5 시간5 hours 1,350 ℃1,350 ℃ 승온속도 4.5 ℃/minN2 gas 유지Heating rate 4.5 ℃/minN 2 gas maintenance 33 12 시간12 hours 1,350 ℃1,350 ℃ 가열 장치 1 rpm/min분 회전N2 gas 유지Rotate heating device 1 rpm/min N 2 gas maintenance 44 -- 약 720 ℃about 720 ℃ 자연 냉각N2 gas 유지Maintain natural cooling N 2 gas 55 2 시간2 hours 약 720 ℃about 720 ℃ 카본 제거N2 gas 차단, 공기 투입Carbon removal N 2 gas cut off, air input 66 -- 25 ℃25 ℃ 자연 냉각natural cooling

실험예실시예 1에 따라 제조된 질화알루미늄을 XRD 분석하였다. 그리고 그 결과를 도 3 및 표 2에 나타내었다.Experimental Examples The aluminum nitride prepared according to Example 1 was analyzed by XRD. And the results are shown in Figure 3 and Table 2.

Quantitative analysis results(WPPF)Quantitative analysis results (WPPF) Phaes namePhae's name Content(%)Content (%) Aluminum NitrideAluminum Nitride 93.3(4)93.3(4) Triyttrium pentaaluminiumTriyttrium pentaaluminium 4.65(9)4.65(9) Yttrium aluminium oxideYttrium aluminum oxide 1.93(6)1.93(6)

도 4에서 확인할 수 있듯이 (110), (201)에서 질화알루미늄이 제조된 것을 확인할 수 있다. 또한, 촉매로 사용된 이트리아나 칼슘 옥사이드를 6~10% 함유하는 것을 확인할 수 있다.As can be seen in FIG. 4, it can be confirmed that aluminum nitride is manufactured in (110) and (201). In addition, it can be confirmed that it contains 6 to 10% of yttria or calcium oxide used as a catalyst.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.In the above, the present invention has been described in detail using preferred embodiments, but the scope of the present invention is not limited to specific embodiments, and should be interpreted by the appended claims. In addition, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.

1: 바디부 100: 하우징
200: 드럼부 210: 튜브
220: 단열재 230: 샤프트
231: 투입 샤프트 232: 배기 샤프트
233: 배기관 234: 온도센서
250: 회전 구동부 300: 마그네트론
310: 도파관 320: 송풍기
400: 가열부
S100: 혼합물 제조 단계
S200: 전처리 단계
S200: 질화알루미늄 제조 단계
1: body part 100: housing
200: drum unit 210: tube
220: insulation 230: shaft
231: input shaft 232: exhaust shaft
233: exhaust pipe 234: temperature sensor
250: rotation drive unit 300: magnetron
310: waveguide 320: blower
400: heating unit
S100: mixture preparation step
S200: pre-processing step
S200: aluminum nitride manufacturing step

Claims (13)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 알루미나 그래뉼과 탄소분말을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계,
마이크로 웨이브 가열장치에 상기 혼합물을 투입하고 질소(N2)를 포함하는 가스를 공급하는 전처리 단계, 그리고
질화알루미늄을 제조하는 단계를 포함하는 마이크로 웨이브 장치를 이용한 질화알루미늄의 제조방법으로서,
상기 혼합물을 제조하는 단계는,
상기 알루미나 그래뉼과 탄소분말을 1:1 중량비로 혼합하고,
상기 질화알루미늄을 제조하는 단계는,
상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부의 내부 온도가 1,400~1,600 ℃가 되도록 3~6 ℃/min의 속도로 승온하는 과정과,
상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부의 내부 온도를 1,400~1,600℃로 2~24시간 동안 유지하여 질화알루미늄을 제조하는 과정과,
상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부의 내부 온도가 700~750 ℃가 되도록 냉각하는 과정과,
상기 마이크로 웨이브 가열장치 드럼부의 내부 온도를 700~750 ℃로 1~6 시간 동안 유지하여 상기 질화알루미늄의 탄소를 제거하는 과정과,
상기 탄소가 제거된 질화알루미늄을 회수하는 과정을 포함하고,
상기 마이크로 웨이브 가열장치는,
하우징,
상기 하우징에 회전 가능하게 배치되어 있고, 가열 대상물과 기체가 유입되는 드럼부 및
상기 드럼부로 마이크로 웨이브를 인가하여 상기 드럼부를 가열하는 적어도 하나의 가열부를 포함하고,
상기 드럼부는,
상기 가열 대상물과 상기 기체가 유입되는 반응공간을 구비하며, 상기 마이크로 웨이브에 의해 가열되는 튜브,
상기 튜브의 외측면을 둘러싸는 단열재, 및
상기 튜브의 길이방향 양측에 각각 배치되어 상기 하우징에 회전 가능하게 지지된 샤프트를 포함하며,
상기 드럼부는 분당 0.1~2 rpm의 속도로 계속해서 회전하면서, 1~120초(sec) 단위로 회전과 정지를 반복하는 것인,
마이크로 웨이브 장치를 이용한 질화알루미늄의 제조방법.
Preparing a mixture by mixing alumina granules and carbon powder;
A pretreatment step of injecting the mixture into a microwave heating device and supplying a gas containing nitrogen (N2), and
A method for producing aluminum nitride using a microwave device comprising the step of producing aluminum nitride,
To prepare the mixture,
Mixing the alumina granules and carbon powder at a weight ratio of 1:1,
The step of producing the aluminum nitride,
A process of raising the temperature at a rate of 3 to 6 ° C / min so that the internal temperature of the microwave heating device drum unit is 1,400 to 1,600 ° C;
A process of manufacturing aluminum nitride by maintaining the internal temperature of the microwave heating device drum unit at 1,400 to 1,600 ° C. for 2 to 24 hours;
A process of cooling the inside temperature of the microwave heating device drum unit to 700 to 750 ° C;
The step of removing carbon from the aluminum nitride by maintaining the internal temperature of the drum part of the microwave heating device at 700 to 750 ° C. for 1 to 6 hours;
Recovering the aluminum nitride from which the carbon has been removed,
The microwave heating device,
housing,
A drum unit rotatably disposed in the housing and into which an object to be heated and a gas are introduced; and
At least one heating unit for heating the drum unit by applying microwaves to the drum unit;
The drum part,
A tube having a reaction space into which the object to be heated and the gas flows, and which is heated by the microwave;
An insulating material surrounding the outer surface of the tube, and
And a shaft disposed on both sides of the tube in the longitudinal direction and rotatably supported by the housing,
The drum unit continuously rotates at a speed of 0.1 to 2 rpm per minute and repeats rotation and stop in units of 1 to 120 seconds (sec),
A method for producing aluminum nitride using a microwave device.
삭제delete 삭제delete 제8항에서,
상기 전처리 단계는,
질소(N2)를 포함하는 가스를 10~60 분 동안 5~20 LMP(Liter/Min)의 흐름으로 공급하여 질소분위기를 형성하는 마이크로 웨이브 장치를 이용한 질화알루미늄의 제조방법.
In paragraph 8,
In the preprocessing step,
A method for producing aluminum nitride using a microwave device to form a nitrogen atmosphere by supplying a gas containing nitrogen (N 2 ) at a flow of 5 to 20 LMP (Liter / Min) for 10 to 60 minutes.
삭제delete 삭제delete
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